JP2007114266A - Optical element, method of manufacturing optical element, and organic electroluminescence element - Google Patents

Optical element, method of manufacturing optical element, and organic electroluminescence element Download PDF

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裕昭 上田
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an optical element which has high precision and high performance, is light in weight, and has satisfactory productivity, to provide a method of manufacturing the optical element, and to provide an organic electroluminescence element having the same structure with the optical element. <P>SOLUTION: The optical element has a glass layer formed of a pattern of periodic structures which are arrayed with a fine constant periodic interval corresponding to wavelength of light made incident on a resin substrate. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、光学素子とこの光学素子の製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。   The present invention relates to an optical element, a method for manufacturing the optical element, and an organic electroluminescence element.

情報通信産業の発達が加速化するにつれて、高度の性能を有する表示素子が要求されている中、次世代表示素子として有機エレクトロルミネッセンス素子が注目されている。   As the development of the information and communications industry accelerates, organic electroluminescence elements are attracting attention as next-generation display elements, while display elements having high performance are required.

有機エレクトロルミネッセンス素子は、画面を構成する物質が自から発光するので、LCD製品群と異なりバックライトが不要なため、消費電力が低く抑えられ、さらにバックライト空間の分だけパネル厚をさらに薄くすることができることから携帯用機器への応用が期待されている。また、大面積化が容易とされ、また発光材料の選択により所望の発色が得られることから大面積フルカラー表示素子としての用途が有望視されている等から盛んに応用研究がなされている。   Organic EL elements emit light from the materials that make up the screen. Therefore, unlike LCD products, no backlight is required, so power consumption is kept low, and the panel thickness is further reduced by the amount of backlight space. Therefore, application to portable devices is expected. In addition, since a large area can be easily formed and a desired color can be obtained by selecting a light emitting material, application research has been actively conducted because of its promising use as a large area full color display element.

有機エレクトロルミネッセンス素子の基本構造は、透明基板の上に透明電極、1つ或いは複数層からなる有機化合物発光層及び電極を積層した構造となっている。このような構造をもつ有機エレクトロルミネッセンス素子において、透明電極から注入される正孔と電極から注入される電子が発光層で再結合することで自発光する。発光した光は、直接、又はアルミニウム等で形成される電極で反射されて透明電極側から有機エレクトロルミネッセンス素子の外に出ることになる。   The basic structure of the organic electroluminescence element is a structure in which a transparent electrode, an organic compound light emitting layer composed of one or more layers, and an electrode are laminated on a transparent substrate. In the organic electroluminescence device having such a structure, holes emitted from the transparent electrode and electrons injected from the electrode recombine in the light emitting layer to emit light by itself. The emitted light is reflected directly or by an electrode formed of aluminum or the like and exits from the organic electroluminescence element from the transparent electrode side.

しかしながら、透明基板から外に出ることができる光は、発光した光のうち非常に少なく、一般には、発光層で発生した光のうち15%から20%程度の光しか取り出せないことが知られている。これは、臨界角以上の角度θで界面(透明基板と空気との界面)に入射する光は、全反射を起こし有機エレクトロルミネッセンス素子の外部に取り出すことができないことや、透明電極ないし発光層と透明基板との間で光が全反射を起こし、光が透明基板ないし発光層を導波し、結果として、光が素子の側面方向に逃げるためと考えられている。この様な低い光取り出し効率を向上させる手法として様々な方法が検討されており、例えば素子界面での全反射を抑制する位置に回折格子を形成することが開示されている(例えば、特許文献1参照)。   However, the amount of light that can exit from the transparent substrate is very small, and it is generally known that only about 15% to 20% of the light generated in the light emitting layer can be extracted. Yes. This is because the light incident on the interface (interface between the transparent substrate and air) at an angle θ greater than the critical angle causes total reflection and cannot be taken out of the organic electroluminescence element. It is considered that light undergoes total reflection with the transparent substrate, the light is guided through the transparent substrate or the light emitting layer, and as a result, the light escapes in the lateral direction of the element. Various methods have been studied as a technique for improving such a low light extraction efficiency. For example, it is disclosed that a diffraction grating is formed at a position where total reflection at an element interface is suppressed (for example, Patent Document 1). reference).

上記の回折格子を設けて光取り出し効率を向上させる方法は、発光層から発生した光の波長と同程度といった微小な一定周期間隔で配列された周期構造のパターンとする微細な凹凸形状である回折格子が1次の回折や、2次の回折といったいわゆるブラッグ回折により、光の向きを屈折とは異なる特定の向きに変えることができる性質を利用している。すなわち、発光層から発生した光のうち、層間での全反射等により外に出ることができない光を透明基板内に回折格子を導入することで光を回折させ、従来全反射でもって閉じこめられていた光を外に取り出そうとするものである。   The method of improving the light extraction efficiency by providing the diffraction grating described above is a diffraction having a fine concavo-convex shape with a periodic structure pattern arranged at a minute constant periodic interval such as the wavelength of light generated from the light emitting layer. The grating utilizes the property that the direction of light can be changed to a specific direction different from refraction by so-called Bragg diffraction such as first-order diffraction or second-order diffraction. That is, of the light generated from the light emitting layer, light that cannot be emitted outside due to total reflection between layers is diffracted by introducing a diffraction grating into the transparent substrate, and is conventionally confined by total reflection. Trying to extract the light out.

このような回折格子は、例えばガラス基板上に直接凹凸形状を形成するものがある。具体的な凹凸形状の形成方法としては、例えば公知のフォトリソグラフィ技術(レジスト塗布、露光、現像)によりガラス基板上にレジストパターンを形成した後、フッ化水素酸を用いたウエットエッチングを行うことで作製する方法がある。   Some of such diffraction gratings form, for example, a concavo-convex shape directly on a glass substrate. As a specific method for forming an uneven shape, for example, a resist pattern is formed on a glass substrate by a known photolithography technique (resist application, exposure, development), and then wet etching using hydrofluoric acid is performed. There is a method of manufacturing.

また上記とは別の回折格子の形成方法として、SOG(Spin on glass、塗布ガラスとも称する。)溶液を用いる方法が開示されている(例えば、特許文献2参照)。この方法は、ガラス基板上にSOG溶液をスピンコーティング方法で塗布した後、300℃〜400℃の熱処理を加えてシリコン酸化膜を形成した後上記と同様に公知のフォトリソグラフィ技術(レジスト塗布、露光、現像)及びBOE(Buffered Oxcide Etchant)の15:1溶液を用いたウエットエッチングを行うとしている。
特開平11−283751号公報 特開2000−180617号公報
As another method for forming a diffraction grating, a method using an SOG (Spin on glass) solution is disclosed (for example, see Patent Document 2). In this method, an SOG solution is applied onto a glass substrate by a spin coating method, then a heat treatment at 300 ° C. to 400 ° C. is performed to form a silicon oxide film, and then a well-known photolithography technique (resist application, exposure) is performed as described above. , Development) and wet etching using a 15: 1 solution of BOE (Buffered Oxide Etchant).
Japanese Patent Laid-Open No. 11-283951 JP 2000-180617 A

しかしながら、特許文献1の発明において、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光波長域350nmから800nmを対象とした回折格子を設ける方法として具体的に説明されているのはi線レジストとi線ステッパーを用いたフォトリソグラフィ工程を行うことで形成した0.4μmから1μmの範囲の微小な一定周期パターンの回折格子をガラス基板に直接加工して設ける方法のみであり、同等の微小な一定周期をもつ回折格子を樹脂基板に設ける方法に関しての記述はされていない。   However, in the invention of Patent Document 1, as a method for providing a diffraction grating for an emission wavelength range of 350 nm to 800 nm of an organic electroluminescence element, a method using an i-line resist and an i-line stepper is specifically described. It is only a method of directly forming a diffraction grating with a minute constant period pattern in the range of 0.4 μm to 1 μm formed by performing a lithography process on a glass substrate, and a diffraction grating having an equivalent minute constant period is made of resin. There is no description regarding the method of providing the substrate.

また、特許文献2の発明においては、開示されてある回折格子を設ける方法として、ガラス基板上に塗布したSOGを堅固なシリコン酸化物を主としたガラス層にするには、300℃から400℃の高温での熱処理を必要としているため、ガラス基板の代わりに耐熱性の低い樹脂基板に使用することはできないという問題がある。   In addition, in the invention of Patent Document 2, as a method of providing the disclosed diffraction grating, in order to make SOG coated on a glass substrate into a glass layer mainly composed of hard silicon oxide, 300 ° C. to 400 ° C. Therefore, there is a problem that it cannot be used for a resin substrate having low heat resistance instead of a glass substrate.

また、次世代表示素子として有機エレクトロルミネッセンス素子は携帯用機器へ応用すべく形状の自由度が高く軽量であること、また大面積フルカラー表示素子へ応用すべく大面積化等のニーズがある。このようなニーズに対して、重くて割れやすく、大面積化が困難であるガラス基板に代わって、形状の自由度が高く軽量で基板材料としてロール状態での提供が可能であることから大面積化に対応することが可能で生産性がよい等のメリットを有している樹脂基板に強い期待が寄せられている。   In addition, organic electroluminescence elements as next-generation display elements have a high degree of freedom in shape so as to be applied to portable devices, and there is a need for an increase in area for application to large-area full-color display elements. In response to these needs, instead of a glass substrate that is heavy, fragile and difficult to increase in area, it has a high degree of freedom in shape and can be provided in a roll state as a substrate material with a large area. There is a strong expectation for a resin substrate that has the advantages of being able to cope with the increase in productivity and having good productivity.

本発明は、以上に述べた問題点に鑑みてなされたものであって、その目的とするところは、高精度、高機能び軽量及び生産性がよい光学素子及びこの光学素子の製造方法並びにこの光学素子と同じ構造を有する有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することである。   The present invention has been made in view of the above-described problems, and an object of the present invention is to provide an optical element with high accuracy, high functionality, light weight and good productivity, a method for manufacturing the optical element, and the optical element. An organic electroluminescence element having the same structure as an optical element is provided.

上記目的は、以下の手段の何れかによって達成される。   The above object can be achieved by any of the following means.

(1) 樹脂基板上に入射する光の波長に対応する微小な一定周期間隔で配列された周期構造のパターンが形成されているガラス層を有することを特徴とする光学素子。   (1) An optical element having a glass layer on which a pattern of a periodic structure arranged at minute constant periodic intervals corresponding to the wavelength of light incident on a resin substrate is formed.

(2) 前記ガラス層は、常温硬化型SOGから成るガラス層であることを特徴とする(1)に記載の光学素子。   (2) The optical element according to (1), wherein the glass layer is a glass layer made of room temperature curable SOG.

(3) 樹脂基板上に常温硬化型SOG層を形成する工程と、
前記常温硬化型SOG層を硬化しガラス層とする工程と、
前記ガラス層にフォトリソグラフィ処理及びエッチング処理により、入射する光の波長に対応する微小な一定周期間隔で配列された周期構造のパターンを形成する工程とを有することを特徴とする(2)に記載の光学素子の製造方法。
(3) forming a room temperature curing SOG layer on the resin substrate;
Curing the room temperature curable SOG layer to a glass layer;
(2) forming a pattern of a periodic structure arranged at a minute fixed periodic interval corresponding to the wavelength of incident light on the glass layer by photolithography and etching. Of manufacturing the optical element.

(4) 入射する光の波長に対応する微小な一定周期間隔で配列された周期構造のパターンの反転一致形状を有する型の面上に常温硬化型SOG層を形成する工程と、
前記常温硬化型SOG層の表面に樹脂基板を重ね合わせる工程と、
前記常温硬化型SOG層と前記樹脂基板を重ね合わせた状態で該常温硬化型SOG層を硬化しガラス層とする工程と、
前記樹脂基板に接着した前記ガラス層を前記型から剥離する工程とを有することを特徴とする(2)に記載の光学素子の製造方法。
(4) forming a room temperature curing type SOG layer on the surface of the mold having the inverted coincidence shape of the pattern of the periodic structure arranged at minute constant periodic intervals corresponding to the wavelength of the incident light;
Overlaying a resin substrate on the surface of the room temperature curable SOG layer;
A step of curing the room temperature curable SOG layer in a state where the room temperature curable SOG layer and the resin substrate are overlapped to form a glass layer;
The method for producing an optical element according to (2), further comprising a step of peeling the glass layer adhered to the resin substrate from the mold.

(5) 樹脂基板上に常温硬化型SOG層を形成する工程と、
前記常温硬化型SOG層に入射する光の波長に対応する微小な一定周期間隔で配列された周期構造パターンの反転一致形状を有する型を押圧する工程と、
前記型を前記常温硬化型SOG層に押圧した状態で該常温硬化型SOG層を硬化しガラス層とする工程と、
前記型を前記ガラス層から剥離する工程とを有することを特徴とする(2)に記載の光学素子の製造方法。
(5) forming a room temperature curing SOG layer on the resin substrate;
Pressing a mold having a reversal coincidence shape of a periodic structure pattern arranged at minute constant periodic intervals corresponding to the wavelength of light incident on the room temperature curable SOG layer;
Curing the room temperature curable SOG layer with the mold pressed against the room temperature curable SOG layer to form a glass layer;
The method for producing an optical element according to (2), further comprising a step of peeling the mold from the glass layer.

(6) 透明基板の上に少なくとも透明電極層と有機発光層と電極層とが順次積層形成されてなる有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記透明基板が、該透明基板の前記透明電極層が設けられている側の面に、入射する光の波長に対応する微小な一定周期間隔で配列された周期構造のパターンが形成されているガラス層を有する樹脂基板であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
(6) In an organic electroluminescence device in which at least a transparent electrode layer, an organic light emitting layer, and an electrode layer are sequentially laminated on a transparent substrate.
A glass having a periodic structure pattern in which the transparent substrate is arranged on the surface of the transparent substrate on the side where the transparent electrode layer is provided, and is arranged at minute constant periodic intervals corresponding to the wavelength of incident light. An organic electroluminescent element, which is a resin substrate having a layer.

(7) 前記ガラス層は常温硬化型SOGから成るガラス層であることを特徴とする(6)に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。   (7) The organic electroluminescent element according to (6), wherein the glass layer is a glass layer made of room temperature curable SOG.

(8) 前記周期構造のパターンは、2次元周期を持つ回折格子であることを特徴とする(6)又は(7)に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。   (8) The organic electroluminescence element according to (6) or (7), wherein the pattern of the periodic structure is a diffraction grating having a two-dimensional period.

請求項1に記載の発明によれば、本発明の光学素子において、基板は樹脂であることから、軽量で形状の加工が容易であり、また微細な構造を高精度に形成することができるガラス層は入射する光の波長に対応する微小な一定周期間隔で配列された周期構造のパターンを有しており、入射してくる光の進路を効率良く変更することを可能とすることができる、例えば回折格子のような、機能を持つことができる。従って、高精度、高機能及び軽量で生産性がよい光学素子を提供することができる。   According to the first aspect of the present invention, in the optical element of the present invention, since the substrate is a resin, it is lightweight and can be easily processed into a shape, and can form a fine structure with high accuracy. The layer has a pattern of a periodic structure arranged at a minute constant periodic interval corresponding to the wavelength of incident light, and can make it possible to efficiently change the course of incident light. For example, it can have a function like a diffraction grating. Therefore, it is possible to provide an optical element with high accuracy, high function, light weight, and high productivity.

請求項3乃至5の発明によれば、軽量で形状の加工が容易である樹脂基板上に、入射してくる光の進路を変更することを可能とすることができる機能を持つ微小な一定周期間隔で配列された周期構造のパターンをガラス層に高精度に形成することができる。従って高機能、高性能及び軽量で生産性がよい光学素子の製造方法を提供することができる。   According to the third to fifth aspects of the present invention, a minute fixed period having a function capable of changing the path of incident light on a resin substrate that is lightweight and easy to process. Patterns of periodic structures arranged at intervals can be formed on the glass layer with high accuracy. Therefore, it is possible to provide a method for manufacturing an optical element having high functionality, high performance, light weight, and high productivity.

請求項6に記載の発明によれば、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子において、基板は樹脂であることから、軽量で形状の加工が容易であり、また微細な構造を高精度に形成することができるガラス層は入射する光の波長に対応する微小な一定周期間隔で配列された周期構造のパターンを有しており、入射してくる光の進路を効率良く変更することを可能とすることができる機能を持つことができる。上記の微小な一定周期間隔で配列された周期構造のパターンは、有機エレクトロルミネッセンス素子における光取り出し効率を向上させることができる回折格子として利用できるようにすることが可能である。従って高機能、高性能及び軽量で生産性がよい有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することができる。また、樹脂基板上の有機発光層が積層形成されている面はガラス層であるため、この面の耐熱性が向上している。従って、透明電極層、有機発光層、電極層の積層形成時の熱による樹脂基板の変形や変質といった影響が軽減されることから高品質、高信頼性の有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することができる。   According to the sixth aspect of the present invention, in the organic electroluminescence element of the present invention, since the substrate is a resin, it is lightweight and easy to process the shape, and a fine structure can be formed with high accuracy. The glass layer that can be formed has a pattern of a periodic structure arranged at a minute constant periodic interval corresponding to the wavelength of incident light, and it is possible to efficiently change the course of incident light. Can have functions that can. The pattern of the periodic structure arranged at the above-described minute constant periodic intervals can be used as a diffraction grating capable of improving the light extraction efficiency in the organic electroluminescence element. Therefore, it is possible to provide an organic electroluminescence device having high functionality, high performance, light weight and good productivity. Moreover, since the surface on which the organic light emitting layer on the resin substrate is laminated is a glass layer, the heat resistance of this surface is improved. Therefore, since the influence of the deformation or alteration of the resin substrate due to heat at the time of forming the transparent electrode layer, the organic light emitting layer, and the electrode layer is reduced, it is possible to provide a high-quality and high-reliability organic electroluminescence element. .

本発明の実施の形態の一例として回折格子を持つ有機EL素子の断面構造を模式的に図1に示す。   FIG. 1 schematically shows a cross-sectional structure of an organic EL element having a diffraction grating as an example of the embodiment of the present invention.

有機エレクトロルミネッセンス素子(以下、有機EL素子と称する。)の構造は、電極間に有機発光層(以下、発光層と称する。)を1層あるいは2層以上積層した構造であり、その例として、陽極/発光層/陰極からなる構造、陽極/正孔注入層/発光層/電子注入層/陰極からなる構造、陽極/正孔注入層/発光層/陰極からなる構造、陽極/発光層/電子注入層/陰極からなる構造等が挙げられる。ここで、正孔注入層および電子注入層は、駆動電圧低下や発光輝度向上のために必要に応じて電極と発光層との間に設けられる。   The structure of an organic electroluminescence element (hereinafter referred to as an organic EL element) is a structure in which one or more organic light emitting layers (hereinafter referred to as light emitting layers) are laminated between electrodes. Anode / light emitting layer / cathode structure, anode / hole injection layer / light emitting layer / electron injection layer / cathode structure, anode / hole injection layer / light emitting layer / cathode structure, anode / light emitting layer / electron Examples include an injection layer / cathode structure. Here, the hole injection layer and the electron injection layer are provided between the electrode and the light emitting layer as necessary for lowering the driving voltage and improving the light emission luminance.

図1に示す構造は、上記の例の陽極/発光層/電子注入層/陰極であって、1は有機EL素子を形成する基板となる透明基板、2は回折格子を成す周期構造パターンを有するガラス層、3は透明電極(陽極)、4は発光層、5は電子注入層、6は電極(陰極)である。発光層4は、正孔輸送層4a及び電子輸送層4bから構成され、この場合電子輸送層4bから発光する。以下、図1に示す構造を有する有機EL素子を用いて詳細な説明をする。   The structure shown in FIG. 1 is the anode / light-emitting layer / electron injection layer / cathode of the above example, where 1 is a transparent substrate that forms an organic EL element, and 2 has a periodic structure pattern that forms a diffraction grating. A glass layer, 3 is a transparent electrode (anode), 4 is a light emitting layer, 5 is an electron injection layer, and 6 is an electrode (cathode). The light emitting layer 4 includes a hole transport layer 4a and an electron transport layer 4b. In this case, light is emitted from the electron transport layer 4b. Hereinafter, the organic EL element having the structure shown in FIG. 1 will be described in detail.

有機EL素子に用いる透明基板1は、形状の自由度が高い樹脂の透明基板とする。透明基板1として樹脂基板を用いることで、有機EL素子を形成する基板をガラス基板に比較して軽量で生産性がよいとすることができる。以降、樹脂基板を符号1とする。   The transparent substrate 1 used for the organic EL element is a resin transparent substrate having a high degree of freedom in shape. By using a resin substrate as the transparent substrate 1, the substrate on which the organic EL element is formed can be lighter and more productive than a glass substrate. Hereinafter, the resin substrate is denoted by reference numeral 1.

樹脂基板1としては、例えばポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリカーボネート(PC)、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリエーテルケトン、ポリプロピレン等の熱可塑性樹脂からなる基板が用いることができる。また、熱可塑性樹脂より耐熱性および表面平坦性の点で良好とされる、注型重合法による精密成形等により表面平坦性に注意して形成された熱硬化性樹脂基板(例えばアクリル系熱硬化性樹脂基板)を用いることもできる(特開平9−129376号公報)。本発明に係わる樹脂基板1としては、上記に挙げられている基板に特に限定されるものではなく、適宜周知の樹脂フィルム、シート又は大量に必要な場合は生産性の良いロールから選択して用いればよい。   As the resin substrate 1, for example, a substrate made of a thermoplastic resin such as polyethylene terephthalate (PET), polycarbonate (PC), polyethersulfone (PES), polyetherketone, or polypropylene can be used. Also, a thermosetting resin substrate that is made better in terms of heat resistance and surface flatness than thermoplastic resins, and that is made with careful attention to surface flatness by precision molding using a casting polymerization method (for example, acrylic thermosetting) (Reactive resin substrate) can also be used (Japanese Patent Laid-Open No. 9-129376). The resin substrate 1 according to the present invention is not particularly limited to the above-mentioned substrates, and is appropriately selected from well-known resin films, sheets, or rolls with good productivity when necessary in large quantities. That's fine.

次に上記の樹脂基板1上に常温硬化型SOGを材料として回折格子を形成することに関して説明する。常温硬化型SOGは、常温(特別に加熱したり冷やしたりしない温度)から200℃以下の温度範囲で硬化されてシリコン酸化物を主成分とするガラス層(膜)が形成されるSOGとしている。この常温硬化型SOGとしては、例えばシラグシタール(商品名、株式会社ミクロ技術研究所)がある。以後、常温硬化型SOGを単にSOGと称する。   Next, a description will be given of forming a diffraction grating on the resin substrate 1 using a room temperature curable SOG as a material. The room temperature curable SOG is an SOG that is cured in a temperature range from room temperature (a temperature that is not specially heated or cooled) to 200 ° C. or less to form a glass layer (film) mainly composed of silicon oxide. As this room temperature curable SOG, for example, there is Siragusital (trade name, Micro Technology Laboratory Co., Ltd.). Hereinafter, the room temperature curable SOG is simply referred to as SOG.

まず、図2に示す様に樹脂基板21上にスピンコート法によりSOGを塗布し、室温にて硬化させることでガラス層22を形成する(図2(a))。その後、公知のフォトリソグラフィ処理であるガラス層22上にフォトレジスト23を同じくスピンコート法により塗布し硬化させ、このフォトレジスト23に回折格子を形成するためのパターンを露光・現像することでレジストパターン23aを形成する(図2(c))。次に、公知のエッチング法(ドライエッチング法又はウエットエッチング法のどちらでもよい。)を用いてレジストパターン23aをマスクとしてガラス層22をエッチング加工した後、レジストパターンを取り除く(図2(d))。このようにすることで、樹脂基板21上に回折格子を有するガラス層22aが形成される。   First, as shown in FIG. 2, a glass layer 22 is formed by applying SOG onto a resin substrate 21 by spin coating and curing at room temperature (FIG. 2A). Thereafter, a photoresist 23 is applied onto the glass layer 22 which is a well-known photolithography process by the same spin coat method and cured, and a pattern for forming a diffraction grating is exposed and developed on the photoresist 23, thereby developing a resist pattern. 23a is formed (FIG. 2C). Next, the glass layer 22 is etched using a known etching method (either dry etching method or wet etching method) using the resist pattern 23a as a mask, and then the resist pattern is removed (FIG. 2D). . By doing so, a glass layer 22 a having a diffraction grating is formed on the resin substrate 21.

ここで、樹脂基板21に塗布するSOGの厚みは、SOGにより形成されるガラス層に設ける周期構造のパターンによる光学的機能、透過率、及び応力並びにSOGの粘度等といった機能や加工上の観点から適宜決めればよい。例えば本実施の形態のような回折格子の場合、1μm程度としてもよく、SOGの粘度によっては100μm程度としてもよい。   Here, the thickness of the SOG applied to the resin substrate 21 is from the viewpoint of processing and processing such as optical function, transmittance, stress, and viscosity of the SOG due to the periodic structure pattern provided on the glass layer formed by SOG. What is necessary is just to decide suitably. For example, in the case of the diffraction grating as in the present embodiment, it may be about 1 μm, and may be about 100 μm depending on the viscosity of SOG.

樹脂基板上に回折格子を有するガラス層を形成する上記以外の方法としては、次のような方法を用いてもよい。例えば、シリコンを基材としてSOGに成形する型の反転一致形状を公知のフォトリソグラフィ技術(レジスト塗布、露光、現像)及びエッチング技術を用いて形成し、これをシリコン母型とする。このシリコン母型に例えばニッケルによる電鋳処理を行い、ニッケル電鋳型を形成し、これを成型用金型とすることができる。この金型を用いて、例えば以下のような方法にて回折格子を形成することができる。   As a method other than the above method for forming a glass layer having a diffraction grating on a resin substrate, the following method may be used. For example, a reversal coincidence shape of a mold that is molded into SOG using silicon as a base material is formed using a known photolithography technique (resist coating, exposure, development) and etching technique, and this is used as a silicon mother mold. An electroforming process using, for example, nickel is performed on the silicon mother die to form a nickel electroforming mold, which can be used as a molding die. Using this mold, for example, a diffraction grating can be formed by the following method.

(1)図3に示すように、樹脂基板31上にスピンコート法を用いてSOG32を塗布する(図3(a))。これに上記の方法で得た成形用金型33にてプレス成形(図3(c))し、硬化させたのち金型33から回折格子が成形されたガラス層2を有する樹脂基板1を離型する(図3(d))。この方法は、ナノインプリント法とも呼ばれる。   (1) As shown in FIG. 3, SOG 32 is applied on the resin substrate 31 by using a spin coating method (FIG. 3A). The resin substrate 1 having the glass layer 2 on which the diffraction grating is formed is separated from the die 33 after press molding (FIG. 3C) with the molding die 33 obtained by the above method and curing. Mold (FIG. 3D). This method is also called a nanoimprint method.

(2)図4に示すように、上記の方法で得た成形用金型43にスピンコート法を用いてSOGを塗布する(図4(b))。この上に樹脂基板41を載せて硬化(図4(d))させたのち金型43から回折格子が成形されたガラス層42aを有する樹脂基板41を離型する(図4(e))。この方法は、キャスト法とも呼ばれる。   (2) As shown in FIG. 4, SOG is applied to the molding die 43 obtained by the above method using a spin coating method (FIG. 4B). After the resin substrate 41 is placed thereon and cured (FIG. 4D), the resin substrate 41 having the glass layer 42a on which the diffraction grating is formed is released from the mold 43 (FIG. 4E). This method is also called a cast method.

尚、上記で使用する金型には離型処理を設けても良い。離型処理としては、例えばフッソ樹脂のコーティング、離型メッキコーティング等が挙げられる。   In addition, you may provide a mold release process to the metal mold | die used above. Examples of the release treatment include a fluorine resin coating and a release plating coating.

ここで、上記のガラス層2を硬化させる硬化温度は、常温から200℃以下の範囲内で樹脂基板1に変形や変質等の影響を与えない温度以下とするのが好ましい。   Here, the curing temperature for curing the glass layer 2 is preferably set to a temperature that does not affect the resin substrate 1 such as deformation or alteration within a range from room temperature to 200 ° C. or less.

また、形成された回折格子の形状は、凹凸が一定周期間隔で配列された周期構造のパターンと成っている、2次元周期を持っていることが望ましい。これは、発光層4で発光する光は全方位にランダムに発生するので、2次元周期を持つ回折格子にすることで、全方位に進む光が回折され、光の取り出し効率を1次元周期を持つ回折格子に比較して大きくすることが出来るからである。回折格子の具体的な配列の例としては、2次元に配列が繰り返される円柱の格子配置、正方形の格子配置、三角形の格子配置、ハニカム(六角)格子配置などがある。また例えば円柱の格子配置の反転一致形状である円柱形状の穴の格子配置としてもよい。   In addition, it is desirable that the formed diffraction grating has a two-dimensional period in which irregularities are formed into a pattern of a periodic structure in which irregularities are arranged at a constant period interval. This is because the light emitted from the light emitting layer 4 is randomly generated in all directions, so by making a diffraction grating having a two-dimensional period, the light traveling in all directions is diffracted, and the light extraction efficiency is reduced to a one-dimensional period. This is because it can be made larger than the diffraction grating it has. Specific examples of the arrangement of the diffraction grating include a cylindrical lattice arrangement, a square lattice arrangement, a triangular lattice arrangement, and a honeycomb (hexagonal) lattice arrangement in which the arrangement is repeated two-dimensionally. Also, for example, a cylindrical hole lattice arrangement which is a reversal coincidence shape of the cylindrical lattice arrangement may be used.

図6に2次元周期を有する回折格子の1例を示す。図6(a)は樹脂基板61面上のガラス層62aに形成された回折格子を、また図6(b)は図6(a)のX−Xにおける断面をそれぞれ模式的に示したものである。この回折格子は、直径dの円65を周期pで2次元周期の格子配置としているものである。ここで、図6の円65は穴としているが突起としてもよい。   FIG. 6 shows an example of a diffraction grating having a two-dimensional period. 6A schematically shows a diffraction grating formed on the glass layer 62a on the surface of the resin substrate 61, and FIG. 6B schematically shows a cross section taken along line XX in FIG. 6A. is there. In this diffraction grating, a circle 65 having a diameter d has a two-dimensional periodic grating arrangement with a period p. Here, the circle 65 in FIG. 6 is a hole, but may be a protrusion.

上記の回折格子を成す周期構造のパターンにおいて、例えば凹の最深部から隣の凹の最深部まで又は凸の最頂部から隣の凸の最頂部までの距離で表せる微小な一定周期間隔、凹又は凸の大きさ(大きさとは、例えば円柱形状の穴であれば穴の直径を示す。)及び凹の最深部から凸の最頂部までの深さは光取り出し効率の向上の対象とする発光波長、光路となる媒質の屈折率、回折次数等を参考にして適宜決定すれば良い。微小な一定周期間隔としては、入射する光の波長にもよるが、概ね0.1μm以上4μm以下の範囲である。   In the pattern of the periodic structure forming the above diffraction grating, for example, a minute constant periodic interval expressed by a distance from the deepest part of the concave to the deepest part of the next concave or from the top of the convex to the top of the next convex, concave or The convex size (the size is the diameter of the hole in the case of a cylindrical hole, for example) and the depth from the deepest part of the concave to the highest part of the convex is the emission wavelength that is targeted for improvement in light extraction efficiency It may be determined appropriately with reference to the refractive index, diffraction order, etc. of the medium serving as the optical path. The minute constant periodic interval is generally in the range of 0.1 μm to 4 μm, although it depends on the wavelength of incident light.

ここで、有機EL素子の発光波長はスペクトルに幅を持っていることから便宜的に代表値として以下に示す中心波長(λ0)を用いても良い。中心波長(λ0)の概念は、有機EL素子の発光波長に限らず、光学素子が使用されるスペクトルに幅をもつ光に対して適用しても良い。 Here, since the emission wavelength of the organic EL element has a width in the spectrum, the center wavelength (λ 0 ) shown below may be used as a representative value for convenience. The concept of the center wavelength (λ 0 ) is not limited to the light emission wavelength of the organic EL element, but may be applied to light having a spectrum with a wide width.

中心波長(λ0)は、下記の式(1)にて定義する。 The center wavelength (λ 0 ) is defined by the following formula (1).

Figure 2007114266
Figure 2007114266

但し、
I(λ):ある波長λにおける発光強度
λ1:回折格子(光学素子)が使用されるとして決められた光の波長域の下限波長
λ2:回折格子(光学素子)が使用されるとして決められた光の波長域の上限波長
である。
However,
I (λ): emission intensity at a certain wavelength λ1: lower limit wavelength λ2 of light wavelength range determined to use a diffraction grating (optical element): determined to use a diffraction grating (optical element) This is the upper limit wavelength of the wavelength range of light.

上述した様に回折格子が形成されたガラス層2を有する樹脂基板1を有機EL素子Aを形成する基板とすることで光取り出し効率が向上され高機能、高性能及び軽量で生産性がよい有機EL素子を製造することが可能になる。   As described above, by using the resin substrate 1 having the glass layer 2 on which the diffraction grating is formed as the substrate on which the organic EL element A is formed, the light extraction efficiency is improved, and the organic material has high functionality, high performance, light weight, and good productivity. An EL element can be manufactured.

また、一般に樹脂基板の表面には、水分や酸素など有機EL素子の劣化をもたらす物質の浸入を抑制する機能を持つ無機物、有機物の被膜またはその両者のハイブリッド被膜がバリア層として形成されている。このバリア層とすることができる材料は、上記の通り水分や酸素など有機EL素子の劣化をもたらす物質の浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素などを用いることができる。従って、樹脂基板1上にガラス層2を設けることで、このガラス層2がバリア層の役割を担うことができることになり、別途バリア層を設けることを不要とすることができる。   In general, on the surface of the resin substrate, an inorganic material, an organic material film, or a hybrid film of both having a function of suppressing the intrusion of a substance that causes deterioration of the organic EL element such as moisture or oxygen is formed as a barrier layer. The material that can be used as the barrier layer may be any material that has a function of suppressing the intrusion of substances that cause deterioration of the organic EL element such as moisture and oxygen as described above. For example, silicon oxide, silicon dioxide, silicon nitride Etc. can be used. Therefore, by providing the glass layer 2 on the resin substrate 1, the glass layer 2 can serve as a barrier layer, and it is unnecessary to provide a separate barrier layer.

なお、この樹脂基板1上に回折格子が形成されたガラス層2を有するといった構成は、有機EL素子が形成される基板とすること以外に、回折格子のような微細形状を有する高機能な光学素子や他の表示用基板等において利用可能である。微細形状の例としては、本実施の形態の例とした2値化された回折格子のほかゾーンプレート及び散乱形状等があり、また断面形状が平坦部と凸部との2段のみの先の2値化に代わって階段上に多段でもって形成されるものとしてもよい。また、図7に示すような円錐形を複数配置した反射防止形状も微細形状の例として挙げられる。   In addition, the structure of having the glass layer 2 on which the diffraction grating is formed on the resin substrate 1 is not a substrate on which the organic EL element is formed, but is a highly functional optical having a fine shape like a diffraction grating. It can be used in an element or other display substrate. Examples of the fine shape include a binarized diffraction grating as an example of the present embodiment, a zone plate, a scattering shape, and the like, and a cross-sectional shape of only two steps of a flat portion and a convex portion. Instead of binarization, it may be formed in multiple steps on the stairs. Further, an antireflection shape in which a plurality of conical shapes as shown in FIG.

樹脂基板1に設けたガラス層2に上記のように回折格子を形成後、透明電極3以降を順次積層形成して有機EL素子Aを得る。以下、これに関して説明する。   After the diffraction grating is formed on the glass layer 2 provided on the resin substrate 1 as described above, the transparent electrode 3 and subsequent layers are sequentially stacked to obtain the organic EL element A. This will be described below.

透明電極3の材料は、高仕事関数の電極材料を用いるのが好ましく、具体例としてはインジウム錫酸化物(ITO:Indium Tin Oxide)、酸化スズ(SnO2)、酸化インジウム・酸化亜鉛系アモルファス透明導電膜(IZO:Indium Zinc Oxide、出光興産社製)(登録商標)等の透明導電材料が挙げられる。これらの透明導電材料を用いて薄膜を形成(成膜とも呼ぶ。)するには、一般的に、蒸着やスパッタリング等の方法を用いる。 The material of the transparent electrode 3 is preferably an electrode material having a high work function. Specific examples thereof include indium tin oxide (ITO), tin oxide (SnO 2 ), indium oxide / zinc oxide based amorphous transparent. Examples thereof include transparent conductive materials such as a conductive film (IZO: Indium Zinc Oxide, manufactured by Idemitsu Kosan Co., Ltd.) (registered trademark). In order to form a thin film using these transparent conductive materials (also referred to as film formation), generally, a method such as vapor deposition or sputtering is used.

本実施の形態の透明電極3の厚み(膜厚とも呼ぶ。)は材料にもよるが、例えば、ITO膜の場合、ITO膜の下地となる回折格子による凹凸面の凸部の先端から通常10〜1000nmの範囲で、望ましくは10〜250nmの範囲が選ばれる。また、透明導電膜の成膜後、必要に応じてその表面を研磨等で平坦にする。   Although the thickness (also referred to as film thickness) of the transparent electrode 3 of the present embodiment depends on the material, for example, in the case of an ITO film, it is usually 10 from the tip of the convex portion of the concavo-convex surface by the diffraction grating serving as the foundation of the ITO film. A range of ˜1000 nm, preferably a range of 10 to 250 nm is selected. Further, after the transparent conductive film is formed, the surface thereof is flattened by polishing or the like as necessary.

透明電極3の形成後は、発光層4として、正孔輸送層4a、電子輸送層4bを順次に形成する。   After the formation of the transparent electrode 3, a hole transport layer 4 a and an electron transport layer 4 b are sequentially formed as the light emitting layer 4.

正孔輸送層4aは、正孔を輸送する機能を有する材料(以下、正孔輸送材料という。)からなり、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。   The hole transport layer 4a is made of a material having a function of transporting holes (hereinafter referred to as a hole transport material), and in a broad sense, a hole injection layer and an electron blocking layer are also included in the hole transport layer.

正孔輸送材料としては、特に制限はなく、従来、光導伝材料において、正孔の電荷注入輸送材料として慣用されているものや、有機EL素子の正孔注入層、正孔輸送層に使用される公知のものの中から任意のものを選択して用いることができる。正孔輸送材料は、正孔の注入もしくは輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。   The hole transport material is not particularly limited, and is conventionally used as a charge injection / transport material for holes in photoconductive materials, and used for the hole injection layer and hole transport layer of organic EL devices. Any known one can be selected and used. The hole transport material has one of hole injection or transport and electron barrier properties, and may be either organic or inorganic.

具体的には、たとえばトリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、ポルフィリン化合物、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、または導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマーなどが挙げられる。   Specifically, for example, triazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives, pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, amino-substituted chalcone derivatives, oxazole derivatives, styrylanthracene derivatives, fluorenone derivatives Hydrazone derivatives, stilbene derivatives, silazane derivatives, aniline copolymers, porphyrin compounds, aromatic tertiary amine compounds, styrylamine compounds, or conductive polymer oligomers, particularly thiophene oligomers.

これらのうちでは、ポルフィリン化合物、芳香族第三級アミン化合物およびスチリルアミン化合物が好ましく、特に芳香族第三級アミン化合物を用いることが好ましい。   Of these, porphyrin compounds, aromatic tertiary amine compounds, and styrylamine compounds are preferred, and aromatic tertiary amine compounds are particularly preferred.

上記芳香族第三級アミン化合物およびスチリルアミン化合物の代表例としては、N,N,N′,N′−テトラフェニル−4,4′−ジアミノフェニル;N,N′−ジフェニル−N,N′−ビス(3−メチルフェニル)−〔1,1′−ビフェニル〕−4,4′−ジアミン(TPD);2,2−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)プロパン;1,1−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)シクロヘキサン;N,N,N′,N′−テトラ−p−トリル−4,4′−ジアミノビフェニル;1,1−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)−4−フェニルシクロヘキサン;ビス(4−ジメチルアミノ−2−メチルフェニル)フェニルメタン;ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)フェニルメタン;N,N′−ジフェニル−N,N′−ジ(4−メトキシフェニル)−4,4′−ジアミノビフェニル;N,N,N′,N′−テトラフェニル−4,4′−ジアミノジフェニルエーテル;4,4′−ビス(ジフェニルアミノ)ビフェニル;N,N,N−トリ(p−トリル)アミン;4−(ジ−p−トリルアミノ)−4′−〔4−(ジ−p−トリルアミノ)スチリル〕スチルベン;4−N,N−ジフェニルアミノ−(2−ジフェニルビニル)ベンゼン;3−メトキシ−4′−N,N−ジフェニルアミノスチルベンゼン;N−フェニルカルバゾール、さらには、米国特許第5,061,569号明細書に記載されている2個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、たとえば4,4′−ビス〔N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ〕ビフェニル(NPD)、特開平4−308688号に記載されているトリフェニルアミンユニットが3つスターバースト型に連結された4,4′,4″−トリス〔N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ〕トリフェニルアミン(MTDATA)などが挙げられる。また、p型−Si、p型−SiCなどの無機半導体も正孔輸送材料として使用することができる。   Representative examples of the aromatic tertiary amine compound and styrylamine compound include N, N, N ′, N′-tetraphenyl-4,4′-diaminophenyl; N, N′-diphenyl-N, N ′. -Bis (3-methylphenyl)-[1,1'-biphenyl] -4,4'-diamine (TPD); 2,2-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) propane; Bis (4-di-p-tolylaminophenyl) cyclohexane; N, N, N ′, N′-tetra-p-tolyl-4,4′-diaminobiphenyl; 1,1-bis (4-di-p- Tolylaminophenyl) -4-phenylcyclohexane; bis (4-dimethylamino-2-methylphenyl) phenylmethane; bis (4-di-p-tolylaminophenyl) phenylmethane; N, N′-diphenyl-N, '-Di (4-methoxyphenyl) -4,4'-diaminobiphenyl; N, N, N', N'-tetraphenyl-4,4'-diaminodiphenyl ether; 4,4'-bis (diphenylamino) biphenyl N, N, N-tri (p-tolyl) amine; 4- (di-p-tolylamino) -4 '-[4- (di-p-tolylamino) styryl] stilbene; 4-N, N-diphenylamino -(2-diphenylvinyl) benzene; 3-methoxy-4'-N, N-diphenylaminostilbenzene; N-phenylcarbazole, as well as those described in US Pat. No. 5,061,569 Having four condensed aromatic rings in the molecule, for example, 4,4'-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl (NPD), JP-A-4-308 4,4 ', 4 "-tris [N- (3-methylphenyl) -N-phenylamino] triphenylamine (MTDATA) in which three triphenylamine units described in No. 88 are linked in a starburst type In addition, inorganic semiconductors such as p-type-Si and p-type-SiC can also be used as the hole transport material.

この正孔輸送層4aは、上記正孔輸送材料を、たとえば真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、LB法などの公知の方法により成膜して形成することができる。   The hole transport layer 4a can be formed by depositing the hole transport material by a known method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, or an LB method.

正孔輸送層4aの膜厚については特に制限はないが、通常は5nm〜5μmの範囲で選ばれる。この正孔輸送層4aは、上記材料の一種または二種以上からなる一層構造であってもよく、同一組成または異種組成の複数層からなる積層構造であってもよい。   Although there is no restriction | limiting in particular about the film thickness of the positive hole transport layer 4a, Usually, it selects in 5 nm-5 micrometers. The hole transport layer 4a may have a single layer structure composed of one or more of the above materials, or may have a multilayer structure composed of a plurality of layers having the same composition or different compositions.

電子輸送層104bは、電子を輸送する機能を有する材料(以下、電子輸送材料という。)からなり、広い意味で電子注入層、正孔阻止層も電子輸送層に含まれる。   The electron transport layer 104b is made of a material having a function of transporting electrons (hereinafter referred to as an electron transport material), and in a broad sense, an electron injection layer and a hole blocking layer are also included in the electron transport layer.

従来、発光層に対して陰極側に隣接する電子輸送層に用いられる電子輸送材料(正孔阻止材料を兼ねる。)として、下記の材料が知られている。また、電子輸送層4bは、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよく、従来公知の化合物の中から任意のものを選択して電子輸送材料として用いることもできる。   Conventionally, the following materials are known as an electron transport material (also serving as a hole blocking material) used for an electron transport layer adjacent to the light emitting layer on the cathode side. Moreover, the electron transport layer 4b should just have the function to transmit the electron inject | poured from the cathode to a light emitting layer, and can select arbitrary things from a conventionally well-known compound, and can also use it as an electron transport material. it can.

電子輸送材料としては、例えばニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタンおよびアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体などが挙げられる。また、このオキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送材料として用いることができる。   Examples of the electron transport material include nitro-substituted fluorene derivatives, diphenylquinone derivatives, thiopyrandioxide derivatives, carbodiimides, fluorenylidenemethane derivatives, anthraquinodimethane and anthrone derivatives, oxadiazole derivatives, and the like. In addition, in this oxadiazole derivative, a thiadiazole derivative in which the oxygen atom of the oxadiazole ring is substituted with a sulfur atom, or a quinoxaline derivative having a quinoxaline ring known as an electron-withdrawing group can also be used as an electron transport material.

さらに、8−キノリノール誘導体の金属錯体、たとえばトリス(8−キノリノール)アルミニウム(以下、Alq3と略す。)、トリス(5,7−ジクロロ−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(5,7−ジブロモ−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(2−メチル−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(5−メチル−8−キノリノール)アルミニウム、ビス(8−キノリノール)亜鉛など、およびこれらの金属錯体の中心金属がIn、Mg、Cu、Ca、Sn、GaまたはPbに置き替わった金属錯体も電子輸送材料として用いることができる。 Further, metal complexes of 8-quinolinol derivatives such as tris (8-quinolinol) aluminum (hereinafter abbreviated as Alq 3 ), tris (5,7-dichloro-8-quinolinol) aluminum, tris (5,7-dibromo- 8-quinolinol) aluminum, tris (2-methyl-8-quinolinol) aluminum, tris (5-methyl-8-quinolinol) aluminum, bis (8-quinolinol) zinc and the like, and the central metal of these metal complexes is In, Metal complexes replaced with Mg, Cu, Ca, Sn, Ga, or Pb can also be used as the electron transport material.

その他、メタルフリー若しくはメタルフタロシアニン、またはそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基などで置換されているものも電子輸送材料として好ましく用いることができる。   In addition, metal-free or metal phthalocyanine, or those having terminal ends substituted with an alkyl group or a sulfonic acid group can be preferably used as the electron transport material.

また、従来、発光層4の材料として用いられているジスチリルピラジン誘導体も電子輸送材料として用いることができるし、正孔輸送層と同様にn型−Si、n型−SiCなどの無機半導体も電子輸送材料として用いることができる。   Further, a distyrylpyrazine derivative conventionally used as a material for the light emitting layer 4 can also be used as an electron transport material, and inorganic semiconductors such as n-type-Si and n-type-SiC can be used as well as a hole transport layer. It can be used as an electron transport material.

この電子輸送層4bは、上記化合物を、たとえば真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、LB法などの公知の方法により成膜して形成することができる。   The electron transport layer 4b can be formed by forming a film of the above compound by a known method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, or an LB method.

電子輸送層4bの膜厚については特に制限はないが、通常は5nm〜5μmの範囲で選ばれる。この電子輸送層4bは、これらの電子輸送材料の一種または二種以上からなる一層構造であってもよいし、あるいは同一組成または異種組成の複数層からなる積層構造であってもよい。   Although there is no restriction | limiting in particular about the film thickness of the electron carrying layer 4b, Usually, it selects in 5 nm-5 micrometers. The electron transport layer 4b may have a single layer structure composed of one or more of these electron transport materials, or may have a laminated structure composed of a plurality of layers having the same composition or different compositions.

電子注入層5の材料としては、特開平6−325871号公報、同9−17574号公報、同10−74586号公報等にもその詳細が記載されており、具体的にはストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属バッファー層、フッ化リチウムに代表されるアルカリ金属化合物バッファー層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物バッファー層、酸化アルミニウムに代表される酸化物バッファー層等が挙げられる。   Details of the material of the electron injection layer 5 are also described in JP-A-6-325871, JP-A-9-17574, JP-A-10-74586, and the like. Specifically, strontium, aluminum, etc. Examples include a metal buffer layer represented by an alkali metal compound buffer layer represented by lithium fluoride, an alkaline earth metal compound buffer layer represented by magnesium fluoride, and an oxide buffer layer represented by aluminum oxide.

上記の電子注入層は、いずれもごく薄い膜であることが望ましく、素材にもよるがその膜厚は0.1nm〜5μmの範囲が好ましい。   Any of the above electron injection layers is desirably a very thin film, and although depending on the material, the film thickness is preferably in the range of 0.1 nm to 5 μm.

陰極6としては、電子輸送層又は発光層に電子を注入する目的で、仕事関数の小さい材料が好ましい。陰極材料は特に限定されないが、具体的にはインジウム、アルミニウム、マグネシウム、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、アルミニウム−スカンジウム−リチウム合金、マグネシウム−銀合金等を使用できる。   The cathode 6 is preferably a material having a small work function for the purpose of injecting electrons into the electron transport layer or the light emitting layer. The cathode material is not particularly limited, and specifically, indium, aluminum, magnesium, magnesium-indium alloy, magnesium-aluminum alloy, aluminum-scandium-lithium alloy, magnesium-silver alloy and the like can be used.

電子注入層5及び陰極6の形成方法は特に限定されず、公知の方法から適宜選択すればよく、例えば真空蒸着法スパッタリング法等で形成することができる。   The formation method of the electron injection layer 5 and the cathode 6 is not specifically limited, What is necessary is just to select suitably from a well-known method, for example, it can form by vacuum evaporation method sputtering method etc.

陰極6を設けることで所望の有機EL素子が得られる。作製した有機EL素子は、周知の保護膜(パッシべーション膜)で封止するのが好ましい。   A desired organic EL element can be obtained by providing the cathode 6. The produced organic EL element is preferably sealed with a known protective film (passivation film).

樹脂基板/ガラス層(光取り出し構造を含む)/透明電極/発光層/電子注入層/電極の積層構造を持ち、ガラス層に一定周期間隔で配列された周期構造のパターンを設けた有機EL素子を作製した。具体的に以下に説明する。   Organic EL device having a laminated structure of resin substrate / glass layer (including light extraction structure) / transparent electrode / light emitting layer / electron injection layer / electrode, and provided with a periodic structure pattern arranged at regular intervals on the glass layer Was made. This will be specifically described below.

(実施例1)
実施例1は、透明な樹脂基板21に直接SOGを塗布し、SOGを硬化させて形成したガラス層に公知のフォトリソグラフィ技術(レジスト塗布、露光、現像)及びエッチング技術を用いて回折格子となる周期構造のパターンを形成した樹脂基板21を使用した有機EL素子としている。この有機EL素子に関して図2に示す工程に従って以下に説明する。
Example 1
In Example 1, a glass layer formed by directly applying SOG to a transparent resin substrate 21 and curing SOG becomes a diffraction grating by using a known photolithography technique (resist application, exposure, development) and etching technique. The organic EL element uses a resin substrate 21 on which a periodic structure pattern is formed. This organic EL element will be described below according to the steps shown in FIG.

樹脂基板21として、樹脂基板である大きさ30mm×30mm、厚み0.4mmのポリカーボネート(PC)(n=1.58)を使用した。樹脂フィルム上に常温硬化型SOGであるシラグシタール(商品名)をスピンコートで厚み300nm塗布し、室温で約24時間放置して硬化させガラス層22を形成した(図2(a))。この時、塗布するシラグシタール(商品名)は、シラグシタール(主剤及び触媒)とイソプロピルアルコール(IPA)との割合を100:20で希釈し、塗布時のスピンコートの回転数は6000rpmとした。次に、このガラス層22上にフォトレジスト23をスピンコート法で塗布し(図2(b))、2次元の一定周期間隔を300nm、直径200nmの円形パターンを有するマスクを用いてを露光し現像することでレジストパターン23aを設けた(図2(c))。次に、公知のドライエッチング法を用いて上記のレジストパターンを設けたガラス層22にエッチング加工を行いその後レジストを取り除いて、ガラス層の表面に深さ200nmの円柱形状の穴パターンである回折格子を形成した(図2(d))。   As the resin substrate 21, polycarbonate (PC) (n = 1.58) having a size of 30 mm × 30 mm and a thickness of 0.4 mm, which is a resin substrate, was used. A glass layer 22 was formed by applying sylagcital (trade name), which is a room temperature curable SOG, on a resin film by spin coating to a thickness of 300 nm and allowing it to stand at room temperature for about 24 hours to cure (FIG. 2A). At this time, the applied siragital (trade name) was diluted with a ratio of siragital (main agent and catalyst) and isopropyl alcohol (IPA) of 100: 20, and the spin coat rotation speed during application was 6000 rpm. Next, a photoresist 23 is applied onto the glass layer 22 by a spin coating method (FIG. 2B), and exposure is performed using a mask having a two-dimensional periodic interval of 300 nm and a diameter of 200 nm. The resist pattern 23a was provided by developing (FIG.2 (c)). Next, the diffraction grating is a cylindrical hole pattern having a depth of 200 nm on the surface of the glass layer by etching the glass layer 22 provided with the above resist pattern using a known dry etching method and then removing the resist. Was formed (FIG. 2D).

ここで作製した回折格子の形状は、以下で作製する発光層より発光される光が有する図5で示すような発光スペクトル例から式(2)より求められる中心波長520nmに対して最も光取り出し効率がよい形状とした。   The shape of the diffraction grating produced here is the most light extraction efficiency with respect to the center wavelength of 520 nm obtained from the formula (2) from the emission spectrum example shown in FIG. 5 which the light emitted from the light emitting layer produced below has. The shape was good.

上記の回折格子を有したガラス層22a上に、透明電極24としてITO膜をガラス層表面の凸面上部からの厚みが150nmになるように公知のスパッタリング法にて成膜した後、その表面を研磨してこの面を平均表面粗さRa≦2nmとした(図2(e))。   On the glass layer 22a having the above diffraction grating, an ITO film as a transparent electrode 24 is formed by a known sputtering method so that the thickness from the convex upper part of the glass layer surface is 150 nm, and then the surface is polished. Then, this surface was set to have an average surface roughness Ra ≦ 2 nm (FIG. 2E).

上記の透明電極24の上に、以下に説明するように、発光層25として正孔輸送層、電子輸送層を、次に電子注入層26を、そして最後に陰極27を順次に公知の真空蒸着法を用いて成膜した。   As described below, a hole transport layer, an electron transport layer, then an electron injection layer 26, and finally a cathode 27 are sequentially deposited on the transparent electrode 24 by a known vacuum deposition. The film was formed using the method.

具体的に発光層25は、正孔輸送層として、NPD(4,4’−ビス〔N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ〕ビフェニル)を55nm、電子輸送層として、Alq3(トリス(8−キノリノール)アルミニウム)を60nm、電子注入層26としてLiF(フッ化リチウム)を1nmを順次成膜した。そして、最後に陰極27として、Al(アルミニウム)を200nm成膜することで、所望の有機EL素子を完成させた。作製した有機EL素子は、公知の保護膜(パッシべーション膜)で封止した。 Specifically, the light-emitting layer 25 includes NPD (4,4′-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl) as a hole transport layer at 55 nm and Alq 3 (Tris) as an electron transport layer. 60 nm of (8-quinolinol) aluminum) and 1 nm of LiF (lithium fluoride) as the electron injection layer 26 were sequentially formed. Finally, a desired organic EL element was completed by depositing 200 nm of Al (aluminum) as the cathode 27. The produced organic EL element was sealed with a known protective film (passivation film).

(実施例2)
実施例2は、樹脂基板に直接SOGを塗布し、別途用意した周期構造のパターンを有する型を塗布したSOGに押圧、SOGを硬化させてガラス層を形成した後、離型することで得た回折格子となる周期構造のパターンが形成されたガラス層を有する樹脂基板を使用した有機EL素子としている。この有機EL素子に関して図3に示す工程に従って以下に説明する。
(Example 2)
Example 2 was obtained by directly applying SOG to a resin substrate, pressing the SOG applied with a separately prepared mold having a periodic structure pattern, curing the SOG to form a glass layer, and then releasing the mold. The organic EL element uses a resin substrate having a glass layer on which a periodic structure pattern to be a diffraction grating is formed. This organic EL element will be described below according to the steps shown in FIG.

樹脂基板31として、実施例1と同じ樹脂基板である厚み0.4mmのポリカーボネート(PC)(n=1.58)を使用した。樹脂基板31上に常温硬化型SOG32であるシラグシタール(商品名)を実施例1と同様に希釈した後スピンコートで厚み300nm塗布し(図3(a))、別途用意した回折格子を形成するための凹凸形状を有する金型(以降で説明する。)33にて圧力40kPaで押圧したままの状態を3時間維持(図3(c))してSOG32を硬化させた後、金型33を離型した(図3(d))。   As the resin substrate 31, polycarbonate (PC) (n = 1.58) having a thickness of 0.4 mm, which is the same resin substrate as in Example 1, was used. In order to form a separately prepared diffraction grating on a resin substrate 31 after diluting Siragusital (trade name), which is a room temperature curable SOG 32, in the same manner as in Example 1 and applying it by spin coating (FIG. 3A). After the SOG 32 is cured by maintaining the state of pressing with a pressure of 40 kPa in a mold having a concave and convex shape (described below) 33 for 3 hours (FIG. 3C), the mold 33 is released. Molded (FIG. 3 (d)).

上記の樹脂基板31上に回折格子が形成されたガラス層32a上に実施例1の透明電極以降、同じ材料及び同じ方法を用いて透明電極を含めて、発光層、電子注入層及び陰極(いずれも図示してない。)を積層成膜することで所望の有機EL素子を完成させた。作製した有機EL素子は、公知の保護膜(パッシべーション膜)で封止した。   After the transparent electrode of Example 1 on the glass layer 32a on which the diffraction grating is formed on the resin substrate 31, the same material and the same method are used to include the transparent electrode, the light emitting layer, the electron injection layer, and the cathode (whichever Is also not shown), and a desired organic EL element was completed. The produced organic EL element was sealed with a known protective film (passivation film).

ここで、上記のSOG32を成形する金型33に関して説明する。まず、シリコン基板を基材として、SOGを成形する型の反転一致形状を公知のフォトリソグラフィ技術(レジスト塗布、露光、現像)及びエッチング技術を用いて形成し、これをシリコン母型とした。このシリコン母型として形成した形状は、2次元の一定周期間隔を300nm、直径200nm、深さ200nmの円柱形状の穴パターンとした。このシリコン母型にニッケル電鋳処理を行い、その後シリコン母型より電鋳を離型することでニッケル電鋳型を作製した。このニッケル電鋳による金型は、2次元の一定周期間隔を300nm、直径200nm、高さ200nmの円柱形状の突起パターンを有する金型33となる。従って、この金型33を用いてガラス層に形成される回折格子の形状は、実施例1とほぼ同等の形状とすることができる。尚、金型の表面には、離型処理としてフッ素樹脂膜を設けた。   Here, the mold 33 for molding the SOG 32 will be described. First, using a silicon substrate as a base material, a reversal coincidence shape of a mold for molding SOG was formed using a known photolithography technique (resist application, exposure, development) and etching technique, and this was used as a silicon matrix. The shape formed as the silicon matrix was a cylindrical hole pattern with a two-dimensional constant periodic interval of 300 nm, a diameter of 200 nm, and a depth of 200 nm. The silicon matrix was subjected to nickel electroforming, and then the electroforming was released from the silicon matrix to produce a nickel electromold. This nickel electroforming mold becomes a mold 33 having a cylindrical projection pattern with a two-dimensional constant periodic interval of 300 nm, a diameter of 200 nm, and a height of 200 nm. Therefore, the shape of the diffraction grating formed on the glass layer using this mold 33 can be made substantially the same as that of the first embodiment. A fluororesin film was provided on the mold surface as a mold release treatment.

(実施例3)
実施例3は、別途用意した実施例2と同等の金型上に直接SOGを塗布し、この上に透明な樹脂基板を重ねて、SOGを硬化させてガラス層を形成した後、離型することで回折格子となる周期構造のパターンを持つガラス層を有する樹脂基板を使用した有機EL素子としている。この有機EL素子に関して図4に示す工程に従って以下に説明する。
(Example 3)
In Example 3, SOG is directly applied on a mold equivalent to Example 2 prepared separately, a transparent resin substrate is stacked thereon, SOG is cured to form a glass layer, and then released. Thus, an organic EL element using a resin substrate having a glass layer having a periodic structure pattern to be a diffraction grating is obtained. This organic EL element will be described below according to the steps shown in FIG.

実施例2で作製したニッケル電鋳の金型と同じものを作製する。この金型43上にSOG42をスピンコート法を用いて、金型の凹凸の頂からの厚みが約300nmとなるように塗布した(図4(b))。このSOG42上に、樹脂基板41として実施例1と同じ厚み0.4mmのポリカーボネート(PC)を重ねた後(図4(d))、その状態を3時間維持してSOG42を硬化させた後、金型43から離型した(図4(e))。   The same nickel electroforming mold produced in Example 2 is produced. On this mold 43, SOG 42 was applied by spin coating so that the thickness from the top of the mold unevenness was about 300 nm (FIG. 4B). After the polycarbonate (PC) having the same thickness of 0.4 mm as in Example 1 was overlaid on the SOG 42 (FIG. 4D), the state was maintained for 3 hours to cure the SOG 42, The mold was released from the mold 43 (FIG. 4E).

上記の樹脂基板41上に回折格子が形成されたガラス層42a上に実施例1の透明電極の形成以降、同じ材料及び同じ方法を用いて透明電極を含めて、発光層、電子注入層及び陰極(いずれも図示してない。)を積層成膜することで所望の有機EL素子を完成させた。作製した有機EL素子は、公知の保護膜(パッシべーション膜)で封止した。   After the formation of the transparent electrode of Example 1 on the glass layer 42a on which the diffraction grating is formed on the resin substrate 41, the light emitting layer, the electron injection layer, and the cathode including the transparent electrode using the same material and the same method are used. A desired organic EL element was completed by laminating (none of which is shown). The produced organic EL element was sealed with a known protective film (passivation film).

(比較例1)
実施例1と異なりガラス層による回折格子を設けることなく、実施例1と全く同じ厚み0.4mmのポリカーボネート(PC)(n=1.58)を樹脂基板として、全く同じ材料及び同じ方法を用いて透明電極、発光層、電子注入層及び陰極を積層成膜することで比較例1としての有機EL素子を完成させた。作製した有機EL素子は、実施例1から3と同様に公知の保護膜(パッシべーション膜)で封止した。
(Comparative Example 1)
Unlike Example 1, without using a diffraction grating with a glass layer, polycarbonate (PC) (n = 1.58) having exactly the same thickness of 0.4 mm as in Example 1 was used as a resin substrate and the same material and the same method were used. Then, an organic EL element as Comparative Example 1 was completed by laminating a transparent electrode, a light emitting layer, an electron injection layer, and a cathode. The produced organic EL element was sealed with a known protective film (passivation film) in the same manner as in Examples 1 to 3.

(評価結果)
実施例1乃至3による回折格子を持つガラス層を有する樹脂基板上に有機EL素子と比較例1による回折格子を持たない樹脂基板上に作製した有機EL素子とを同じ条件にて動作させ500lxの照明光の下で目視にて観察した結果、実施例1乃至3と比較例1の明るさを比較したところ明らかに実施例1乃至3の有機EL素子が比較例1の有機EL素子より明るいことが認められた。このことから樹脂基板上のガラス層に形成した回折格子が十分に機能していることが確認できた。
(Evaluation results)
The organic EL element on the resin substrate having the glass layer having the diffraction grating according to Examples 1 to 3 and the organic EL element manufactured on the resin substrate not having the diffraction grating according to Comparative Example 1 are operated under the same conditions, and 500 lx. As a result of visual observation under illumination light, when the brightness of Examples 1 to 3 and Comparative Example 1 were compared, the organic EL elements of Examples 1 to 3 were clearly brighter than the organic EL element of Comparative Example 1. Was recognized. From this, it was confirmed that the diffraction grating formed on the glass layer on the resin substrate was functioning sufficiently.

実施の形態の一例の回折格子を持つ有機EL素子の構造の断面を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the cross section of the structure of the organic EL element with the diffraction grating of an example of embodiment. 有機EL素子を作製する工程の一例を説明する図である。It is a figure explaining an example of the process of producing an organic EL element. 有機EL素子を作製する工程の一例を説明する図である。It is a figure explaining an example of the process of producing an organic EL element. 有機EL素子を作製する工程の一例を説明する図である。It is a figure explaining an example of the process of producing an organic EL element. 実施例1における有機EL素子の発光スペクトル例より中心波長を説明する図である。It is a figure explaining a center wavelength from the example of the emission spectrum of the organic EL element in Example 1. FIG. 微細形状の例として回折格子の一例の概略を示す図である。It is a figure which shows the outline of an example of a diffraction grating as an example of a fine shape. 微細形状の例として反射防止形状の一例の概略を示す図である。It is a figure which shows the outline of an example of an antireflection shape as an example of a fine shape.

符号の説明Explanation of symbols

1、21、31、41、61 樹脂基板
2、22a、32a、42a、62a 微細形状を有するガラス層
3、24 透明電極
4、25 発光層
5、26 電子注入層
6、27 陰極
22、32、42 SOG
23 レジスト
23a レジストパターン
33、43 金型
1, 21, 31, 41, 61 Resin substrate 2, 22a, 32a, 42a, 62a Fine glass layer 3, 24 Transparent electrode 4, 25 Light emitting layer 5, 26 Electron injection layer 6, 27 Cathode 22, 32, 42 SOG
23 resist 23a resist pattern 33, 43 mold

Claims (8)

樹脂基板上に入射する光の波長に対応する微小な一定周期間隔で配列された周期構造のパターンが形成されているガラス層を有することを特徴とする光学素子。 An optical element having a glass layer on which a pattern of a periodic structure arranged at minute constant periodic intervals corresponding to the wavelength of light incident on a resin substrate is formed. 前記ガラス層は、常温硬化型SOGから成るガラス層であることを特徴とする請求項1に記載の光学素子。 The optical element according to claim 1, wherein the glass layer is a glass layer made of room-temperature curable SOG. 樹脂基板上に常温硬化型SOG層を形成する工程と、
前記常温硬化型SOG層を硬化しガラス層とする工程と、
前記ガラス層にフォトリソグラフィ処理及びエッチング処理により、入射する光の波長に対応する微小な一定周期間隔で配列された周期構造のパターンを形成する工程とを有することを特徴とする請求項2に記載の光学素子の製造方法。
Forming a room temperature curable SOG layer on a resin substrate;
Curing the room temperature curable SOG layer to a glass layer;
3. The method of forming a periodic structure pattern arranged at a minute constant periodic interval corresponding to the wavelength of incident light on the glass layer by photolithography processing and etching processing. Of manufacturing the optical element.
入射する光の波長に対応する微小な一定周期間隔で配列された周期構造のパターンの反転一致形状を有する型の面上に常温硬化型SOG層を形成する工程と、
前記常温硬化型SOG層の表面に樹脂基板を重ね合わせる工程と、
前記常温硬化型SOG層と前記樹脂基板を重ね合わせた状態で該常温硬化型SOG層を硬化しガラス層とする工程と、
前記樹脂基板に接着した前記ガラス層を前記型から剥離する工程とを有することを特徴とする請求項2に記載の光学素子の製造方法。
Forming a room temperature curing SOG layer on the surface of a mold having a reversal coincidence shape of a periodic structure pattern arranged at a minute constant periodic interval corresponding to the wavelength of incident light;
Overlaying a resin substrate on the surface of the room temperature curable SOG layer;
A step of curing the room temperature curable SOG layer in a state where the room temperature curable SOG layer and the resin substrate are overlapped to form a glass layer;
The method for producing an optical element according to claim 2, further comprising a step of peeling the glass layer adhered to the resin substrate from the mold.
樹脂基板上に常温硬化型SOG層を形成する工程と、
前記常温硬化型SOG層に入射する光の波長に対応する微小な一定周期間隔で配列された周期構造パターンの反転一致形状を有する型を押圧する工程と、
前記型を前記常温硬化型SOG層に押圧した状態で該常温硬化型SOG層を硬化しガラス層とする工程と、
前記型を前記ガラス層から剥離する工程とを有することを特徴とする請求項2に記載の光学素子の製造方法。
Forming a room temperature curable SOG layer on a resin substrate;
Pressing a mold having a reversal coincidence shape of a periodic structure pattern arranged at minute constant periodic intervals corresponding to the wavelength of light incident on the room temperature curable SOG layer;
Curing the room temperature curable SOG layer with the mold pressed against the room temperature curable SOG layer to form a glass layer;
The method for producing an optical element according to claim 2, further comprising a step of peeling the mold from the glass layer.
透明基板の上に少なくとも透明電極層と有機発光層と電極層とが順次積層形成されてなる有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記透明基板が、該透明基板の前記透明電極層が設けられている側の面に、入射する光の波長に対応する微小な一定周期間隔で配列された周期構造のパターンが形成されているガラス層を有する樹脂基板であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
In an organic electroluminescence device in which at least a transparent electrode layer, an organic light emitting layer and an electrode layer are sequentially laminated on a transparent substrate,
A glass having a periodic structure pattern in which the transparent substrate is arranged on the surface of the transparent substrate on the side where the transparent electrode layer is provided, and is arranged at minute constant periodic intervals corresponding to the wavelength of incident light. An organic electroluminescence element, which is a resin substrate having a layer.
前記ガラス層は常温硬化型SOGから成るガラス層であることを特徴とする請求項6に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 The organic electroluminescence device according to claim 6, wherein the glass layer is a glass layer made of room temperature curing SOG. 前記周期構造のパターンは、2次元周期を持つ回折格子であることを特徴とする請求項6又は7に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 The organic electroluminescence device according to claim 6 or 7, wherein the pattern of the periodic structure is a diffraction grating having a two-dimensional period.
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011161998A1 (en) * 2010-06-25 2011-12-29 パナソニック電工株式会社 Organic el element
JP2012003278A (en) * 2011-08-11 2012-01-05 Topcon Corp Diffraction grating integrated polarization conversion element
JP2013048102A (en) * 2012-10-15 2013-03-07 Panasonic Corp Light emitting element
US8772761B2 (en) 2009-02-24 2014-07-08 Panasonic Corporation Light emitting device
JP2015018822A (en) * 2014-09-24 2015-01-29 パナソニックIpマネジメント株式会社 Light emitting element
WO2015115045A1 (en) * 2014-01-28 2015-08-06 パナソニックIpマネジメント株式会社 Light-emitting device and light-extracting sheet
WO2015174391A1 (en) * 2014-05-14 2015-11-19 Jx日鉱日石エネルギー株式会社 Film member having uneven structure

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8772761B2 (en) 2009-02-24 2014-07-08 Panasonic Corporation Light emitting device
WO2011161998A1 (en) * 2010-06-25 2011-12-29 パナソニック電工株式会社 Organic el element
JP2012003278A (en) * 2011-08-11 2012-01-05 Topcon Corp Diffraction grating integrated polarization conversion element
JP2013048102A (en) * 2012-10-15 2013-03-07 Panasonic Corp Light emitting element
WO2015115045A1 (en) * 2014-01-28 2015-08-06 パナソニックIpマネジメント株式会社 Light-emitting device and light-extracting sheet
JPWO2015115045A1 (en) * 2014-01-28 2017-03-23 パナソニックIpマネジメント株式会社 Light emitting device and light extraction sheet
WO2015174391A1 (en) * 2014-05-14 2015-11-19 Jx日鉱日石エネルギー株式会社 Film member having uneven structure
JP2015219972A (en) * 2014-05-14 2015-12-07 Jx日鉱日石エネルギー株式会社 Film member having uneven structure
US10522790B2 (en) 2014-05-14 2019-12-31 Jxtg Nippon Oil & Energy Corporation Film member having uneven structure
JP2015018822A (en) * 2014-09-24 2015-01-29 パナソニックIpマネジメント株式会社 Light emitting element

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