JP2007108241A - Substrate for electrode - Google Patents

Substrate for electrode Download PDF

Info

Publication number
JP2007108241A
JP2007108241A JP2005296776A JP2005296776A JP2007108241A JP 2007108241 A JP2007108241 A JP 2007108241A JP 2005296776 A JP2005296776 A JP 2005296776A JP 2005296776 A JP2005296776 A JP 2005296776A JP 2007108241 A JP2007108241 A JP 2007108241A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode substrate
electrode
paper
substrate
support
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2005296776A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Michihide Sato
理英 佐藤
Shuichi Maeda
秀一 前田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
New Oji Paper Co Ltd
Original Assignee
Oji Paper Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Oji Paper Co Ltd filed Critical Oji Paper Co Ltd
Priority to JP2005296776A priority Critical patent/JP2007108241A/en
Publication of JP2007108241A publication Critical patent/JP2007108241A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate for an electrode for a flexible display, and especially, the substrate for the electrode having texture-like paper. <P>SOLUTION: Disclosed is the substrate for the electrode which has the electrode on its surface and also has a display element arranged thereupon, and is used for display device, the substrate for the electrode being one kind selected from among paper, synthetic paper, coated paper having a coating layer provided on paper or synthetic paper, and a stacked sheet formed by sticking paper and/or synthetic paper and having ≤5.0 μm surface roughness, based on JIS P 8151 on the side of the substrate for the electrode where the electrode is provided. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、フレキシブルディスプレイ用の電極用基板に係り、特に紙のような質感を持つ電極用基板に関する。   The present invention relates to an electrode substrate for a flexible display, and more particularly to an electrode substrate having a paper-like texture.

近年、液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ、有機ELディスプレイなど、フラットパネルディスプレイに関する開発競争がますます激しくなっている。これらのディスプレイは、通常表示素子(例えば、液晶ディスプレイではネマティック液晶材料、プラズマディスプレイでは希ガス等)が2つの電極に挟まれており、電極間に電界をかけるか、もしくは電流を流すかによって、表示のオンオフを制御する。   In recent years, development competition regarding flat panel displays such as liquid crystal displays, plasma displays, and organic EL displays has become increasingly intense. In these displays, a display element (for example, a nematic liquid crystal material in a liquid crystal display, a rare gas in a plasma display, etc.) is sandwiched between two electrodes, and depending on whether an electric field is applied between the electrodes or a current is passed, Controls display on / off.

通常、電極用基板として、ガラス基板が用いられる。ガラス基板は、厚さが均一である、線膨張率が低い、耐熱性が高い、等の理由により、従来から一般に利用されている。電極としては、特に最近は、画素毎にスイッチを設けるアクティブマトリックス方式が殆どであり、アクティブマトリックス用のスイッチ素子として水素化アモルファスシリコン、もしくは水素化アモルファスシリコンをレーザーによってアニーリングした低温ポリシリコンなどが用いられている。アモルファスシリコンを基板上に製膜する時、基板には約400℃の熱がかかる。そのため、通常のプラスチックフィルムは、上記のような製膜温度には耐えられない。ガラス基板なら高温に対する耐熱性もあり、また低温ポリシリコンにするためのレーザーアニーリング処理にも耐え得る。しかしながら、ガラス基板は、当然の如く折り曲げすることはできないため、折り曲げが可能なディスプレイ(いわゆる、フレキシブルディスプレイ)用の電極用基板には適さない。また衝撃に対して脆くて弱いため、モバイルディスプレイやタッチパネルディスプレイ用の電極用基板にも適さない。   Usually, a glass substrate is used as the electrode substrate. Glass substrates have been generally used for reasons such as uniform thickness, low coefficient of linear expansion, and high heat resistance. As an electrode, most recently, an active matrix method in which a switch is provided for each pixel has been mostly used, and hydrogenated amorphous silicon or low-temperature polysilicon obtained by annealing hydrogenated amorphous silicon with a laser is used as a switch element for the active matrix. It has been. When amorphous silicon is deposited on the substrate, the substrate is heated to about 400 ° C. Therefore, a normal plastic film cannot withstand the film forming temperature as described above. A glass substrate has heat resistance to high temperatures, and can withstand laser annealing for forming low-temperature polysilicon. However, since a glass substrate cannot be bent as a matter of course, it is not suitable for an electrode substrate for a display that can be bent (so-called flexible display). In addition, since it is brittle and weak against impact, it is not suitable for an electrode substrate for a mobile display or a touch panel display.

上記のようなフラットパネルディスプレイの次世代ディスプレイの一つの候補として、フレキシブルディスプレイが挙げられる。フレキシブルディスプレイ用の電極用基板は、一般にはガラス基板を使うことができず、通常プラスチックフィルムが用いられている。プラスチックフィルムの耐熱性は年々改善されてはいるものの、未だアモルファスシリコンをプラスチックフィルムに製膜することは難しい。そこで、近年、フレキシブルに対応するために有機トランジスタをスイッチ素子として用いる研究が盛んに行われている。(例えば、C.D.Dimitrakopoulos、D.J.Mascaro、IBM J. RES.&DEV.、45(1)、2001(非特許文献1)参照。)最近になって有機トランジスタの性能もますます向上しており、移動度の値としては、アモルファスシリコンの移動度を凌駕するものも報告されている。   One candidate for the next-generation flat panel display as described above is a flexible display. Generally, a glass substrate cannot be used as an electrode substrate for a flexible display, and a plastic film is usually used. Although the heat resistance of plastic films has improved year by year, it is still difficult to form amorphous silicon on plastic films. Therefore, in recent years, research on using an organic transistor as a switch element has been actively conducted in order to respond flexibly. (See, for example, CD Dimitrakopoulos, DJ Mascaro, IBM J. RES. & DEV., 45 (1), 2001 (Non-patent Document 1).) Recently, the performance of organic transistors has been further improved. As mobility values, those exceeding the mobility of amorphous silicon have been reported.

しかしながら、電極用基板としてプラスチックフィルムを用いたフレキシブルディスプレイは、紙ライクと言うにはまだ程遠い。特に、紙ライクであることを特徴としている「電子ペーパー」と呼ばれる新しいディスプレイの方式(例えば、米国特許第6017584号明細書(特許文献1)、米国特許第4126854号明細書(特許文献2)参照。)にとって、電極用基板にプラスチックフィルムを用いることは、その特徴を半減させる。なぜなら、電子ペーパーには、特に紙の質感が求められているからである。   However, flexible displays using plastic films as electrode substrates are still far from being paper-like. In particular, a new display method called “electronic paper” characterized by being paper-like (see, for example, US Pat. No. 6,175,584 (Patent Document 1), US Pat. No. 4,126,854 (Patent Document 2)) .), The use of a plastic film for the electrode substrate halves its characteristics. This is because electronic paper is particularly required to have a paper texture.

ディスプレイ用の電極用基板として、紙様のフレキシブル基板を用いる提案がされている(例えば、特開2002−221918号公報(特許文献3)、特表平11−502950号公報(特許文献4)参照。)。本提案は、紙などのフレキシブル基板の表面に、電子的にアドレス指定可能なページディスプレイを有する電子ブックの提案である。しかしながら上記の方法は、基板の表面に、導電性材料もしくは半導体材料との接着性を向上させるための処理は施されていない。一般的な紙を未処理のまま使用した場合、ガラス基板やプラスチック基板と比較して表面の凹凸が大きいため、有効な導電性を得るために必要な導電性材料層の厚さも大きくなる。また、紙と導電性材料との接着性も悪い。その結果、折り曲げた時に導電性材料にクラックが発生し易くなり、抵抗値が著しく増加したり、最悪の場合断線したりすることがある。   A proposal has been made to use a paper-like flexible substrate as an electrode substrate for a display (see, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 2002-221918 (Patent Document 3) and Japanese Patent Publication No. 11-502950 (Patent Document 4)). .) The proposal is an electronic book having a page display that is electronically addressable on the surface of a flexible substrate such as paper. However, in the above method, the surface of the substrate is not subjected to a treatment for improving the adhesion with the conductive material or the semiconductor material. When general paper is used untreated, the surface irregularities are larger than those of a glass substrate or a plastic substrate, so that the thickness of the conductive material layer necessary for obtaining effective conductivity is also increased. Also, the adhesion between the paper and the conductive material is poor. As a result, the conductive material is likely to crack when bent, and the resistance value may increase remarkably or may be broken in the worst case.

米国特許第6017584号明細書US Patent No. 6017584 米国特許第4126854号明細書US Pat. No. 4,126,854 特開2002−221918号公報(第2−3頁)JP 2002-221918 (page 2-3) 特表平11−502950号公報(第2−7頁)JP 11-502950 A (page 2-7) C.D.Dimitrakopoulos、D.J.Mascaro、IBM J. RES.&DEV.、45(1)、2001C. D. Dimitrakopoulos, D.M. J. et al. Masaro, IBM J.M. RES. & DEV. 45 (1), 2001

本発明の課題は、上記従来技術の欠点を改良し、特に紙のような質感を持つ電極用基板を提供することにある。   An object of the present invention is to improve the above-mentioned drawbacks of the prior art and provide an electrode substrate having a texture like paper.

上記課題を解決するための本発明は、以下の各態様を包含する。
(1)表面上に電極を有し、その上に表示素子が配置され、表示装置に用いられる電極用基板おいて、前記電極用基板が、紙、合成紙、紙又は合成紙上に塗工層を設けた塗工紙、および紙及び/又は合成紙を貼合した積層シートから選択される1種であり、かつ電極用基板の電極を設ける側の、JIS P 8151に基づく表面粗さが5.0μm以下であることを特徴とする電極用基板。
(2)前記表示素子上に、さらに電極を配置した透明な前面板を備えた表示装置に用いられる請求項1に記載の電極用基板。
(3)供給される電気の方向が電極用基板の平面方向と平行な方向になるように、電極用基板に電気を供給するための電極と、アースに接続された電極とが交互に配置されている1項に記載の電極用基板。
The present invention for solving the above problems includes the following aspects.
(1) An electrode substrate having an electrode on its surface, a display element disposed thereon, and used for a display device, wherein the electrode substrate is coated on paper, synthetic paper, paper or synthetic paper The surface roughness based on JIS P 8151 on the side where the electrodes of the electrode substrate are provided is one type selected from coated paper and a laminated sheet bonded with paper and / or synthetic paper. An electrode substrate having a thickness of 0.0 μm or less.
(2) The electrode substrate according to claim 1, which is used for a display device including a transparent front plate on which electrodes are further arranged on the display element.
(3) The electrodes for supplying electricity to the electrode substrate and the electrodes connected to the ground are alternately arranged so that the direction of the supplied electricity is parallel to the plane direction of the electrode substrate. Item 2. The electrode substrate according to Item 1.

(4)前記電極用基板表面の、JIS Z 8741に準じて測定される光反射特性が、測定条件として、光源と受光器とが電極用基板上の測定点における法線を挟んで互いに反対側にあり、光源からの入射光の法線に対する角度を45°に設定し、受光器の測定点における法線に対する角度が、45°での反射率をR1(%)、50°での反射率をR2(%)、および40°での反射率をR3(%)とした時、R1とR2との差、およびR1とR3との差が50%未満である、(1)項〜(3)項のいずれか1項に記載の電極用基板。   (4) The light reflection characteristic measured according to JIS Z 8741 on the surface of the electrode substrate is that the light source and the light receiver are opposite to each other across the normal line at the measurement point on the electrode substrate. The angle with respect to the normal of the incident light from the light source is set to 45 °, the angle with respect to the normal at the measurement point of the light receiver is R1 (%) at 45 °, and the reflectance at 50 °. R2 (%), and when the reflectance at 40 ° is R3 (%), the difference between R1 and R2 and the difference between R1 and R3 is less than 50%, (1) to (3) The electrode substrate according to any one of items 1).

(5)前記電極用基板が、電極側に合成樹脂層を有する(1)項〜(4)項のいずれか1項に記載の電極用基板。
(6)前記電極が、酸化インジウム、酸化スズの焼結体を主成分とする透明導電性積層体である(1)項〜(5)項のいずれか1項に記載の電極用基板。
(7)前記電極が、導電性高分子である(1)項〜(5)項のいずれか1項に記載の電極用基板。
(5) The electrode substrate according to any one of (1) to (4), wherein the electrode substrate has a synthetic resin layer on the electrode side.
(6) The electrode substrate according to any one of (1) to (5), wherein the electrode is a transparent conductive laminate having a sintered body of indium oxide and tin oxide as a main component.
(7) The electrode substrate according to any one of (1) to (5), wherein the electrode is a conductive polymer.

(8)前記電極用基板上に、トランジスタ部が個々の画素に対応するように設けられ、前記トランジスタ部がソース接点、ドレイン接点、ゲート電極を有する(2)項に記載の電極用基板。
(9)前記電界効果トランジスタ部が、主成分として有機物または金属酸化物からなる半導体層を有する(8)項に記載の電極用基板。
(8) The electrode substrate according to (2), wherein a transistor portion is provided on the electrode substrate so as to correspond to each pixel, and the transistor portion has a source contact, a drain contact, and a gate electrode.
(9) The electrode substrate according to (8), wherein the field effect transistor section has a semiconductor layer made of an organic material or a metal oxide as a main component.

本発明の電極用基板を用いることにより、紙のような質感を持つフレキシブルディスプレイまたは電子ペーパーを得ることが可能となる。 By using the electrode substrate of the present invention, a flexible display or electronic paper having a paper-like texture can be obtained.

次に好ましい態様を挙げて本発明を詳細に説明する。本発明の電極用基板は、紙、合成紙、紙又は合成紙上に塗工層を設けた塗工紙、および紙及び/又は合成紙を貼合した積層シートから選択される1種であることを特徴としている。
本発明によれば、紙、合成紙、紙や合成紙をベースとした塗工紙、または紙や合成紙を貼合した積層シートを電極用基板として用いることにより、紙のような質感を持つフレキシブルディスプレイまたは電子ペーパーを提供することができる。紙としては、セルロースパルプを主成分とする紙、例えば上質紙(酸性紙、中性紙)、中質紙等、塗工紙としては、例えばコート紙、アート紙、樹脂ラミネート紙等、また合成紙としては、ポリオレフィン、ポリエステルなどの熱可塑性樹脂を主成分とする多孔質単層延伸フィルム又は多孔質多層延伸フィルム等、あるいはこれらの積層体等が挙げられる。また電極用基板の厚さは、用途により一概には言えないが、25〜300μmが好ましい。
Next, the present invention will be described in detail with preferred embodiments. The electrode substrate of the present invention is one kind selected from paper, synthetic paper, paper or coated paper provided with a coating layer on synthetic paper, and a laminated sheet obtained by bonding paper and / or synthetic paper. It is characterized by.
According to the present invention, paper, synthetic paper, coated paper based on paper or synthetic paper, or a laminated sheet bonded with paper or synthetic paper is used as an electrode substrate, thereby having a paper-like texture. A flexible display or electronic paper can be provided. Examples of paper include paper containing cellulose pulp as a main component, such as high-quality paper (acidic paper, neutral paper), and medium-quality paper. Examples of coated paper include coated paper, art paper, and resin-laminated paper. Examples of the paper include a porous single layer stretched film or a porous multilayer stretched film mainly composed of a thermoplastic resin such as polyolefin or polyester, or a laminate of these. The thickness of the electrode substrate is not generally determined depending on the application, but is preferably 25 to 300 μm.

本発明においては、電極用基板の電極を設ける側の表面粗さとしては、JIS P 8151によって測定される表面粗さが5.0μm以下であることが必要であり、好ましくは3.0μm以下、さらに好ましくは2.0μm以下である。電極用基板の表面粗さが5.0μmを超える場合には、基板の表面に電極や導電線等の形成するために、膜厚が5.0μmより十分に厚い導電性材料を製膜する必要があり、真空蒸着法やスパッタリング法のようなドライプロセスの方法では困難である。例えば、図7の横走査電線71や縦走査電線72のような細い電線を製膜する際に、電線が導通せずに生産歩留まりが低下してしまう等の問題が生じる。   In the present invention, the surface roughness of the electrode substrate on which the electrode is provided needs to have a surface roughness measured by JIS P 8151 of 5.0 μm or less, preferably 3.0 μm or less, More preferably, it is 2.0 μm or less. When the surface roughness of the electrode substrate exceeds 5.0 μm, it is necessary to form a conductive material sufficiently thicker than 5.0 μm in order to form electrodes, conductive wires, etc. on the surface of the substrate. However, it is difficult to use a dry process method such as a vacuum deposition method or a sputtering method. For example, when a thin wire such as the horizontal scanning wire 71 and the vertical scanning wire 72 shown in FIG. 7 is formed, there is a problem that the production yield is reduced because the wires are not conducted.

また、導電性材料を溶液化、もしくは分散化した塗布液を塗布する方法(すなわちウェットプロセス)では、5.0μmより厚い塗膜を形成することは可能であるが、塗膜が厚過ぎることにより、電極用基板をほんの少し湾曲させただけで導電性材料の塗膜にクラックが入り、断線し易くなり、フレキシブルディスプレイ用電極用基板としては適さない。さらに、導電性材料の塗工層が厚いと乾燥時間が長くなってコストが上昇し、また塗工後の透明導電性フィルムに着色を帯びる等の問題が生じる。   Further, in the method of applying a coating solution in which a conductive material is dissolved or dispersed (that is, a wet process), a coating film thicker than 5.0 μm can be formed, but the coating film is too thick. When the electrode substrate is bent slightly, cracks are formed in the coating film of the conductive material, and disconnection easily occurs, and it is not suitable as an electrode substrate for a flexible display. Furthermore, if the coating layer of the conductive material is thick, the drying time becomes long and the cost increases, and the transparent conductive film after coating has problems such as coloring.

本発明において、電極用基板の表面粗さを5.0μm以下にする方法については、特に限定されないが、例えば、表面粗さの大きい基板を、金属ロールと金属ロールによって形成される200〜2500kg/cm程度の線圧に調整されたニップ部に通すことによって、表面粗さを小さくすることができる。この方法は、特に紙のような比較的密度の小さい材料に対しては、非常に有効な手段である。   In the present invention, the method of setting the surface roughness of the electrode substrate to 5.0 μm or less is not particularly limited. For example, a substrate having a large surface roughness is formed by a metal roll and a metal roll at 200 to 2500 kg / The surface roughness can be reduced by passing through the nip portion adjusted to a linear pressure of about cm. This method is a very effective means especially for a relatively low density material such as paper.

また、表面粗さを小さくする方法として、電極を設ける側の表面に合成樹脂層を設けることも可能である。合成樹脂層としては、例えば、セロハン、ポリエチレン、ポリプロピレン、軟質ポリ塩化ビニル、硬質ポリ塩化ビニル、ポリエステル、アクリレート系ポリマー等が挙げられ、特に限定されない。これらの中でも、例えばアクリレート系ポリマーをモノマーのままで電極用基板に塗布し、ポリエチレンテレフタレート(PET)のようなフィルムを塗工面に当てながら、活性エネルギー線(紫外線または電子線)を当ててモノマーを重合固化させる方法、あるいは塗工面を、鏡面光沢を有するキャストドラムに接触させながら、電極用基板の背面から電子線を照射してモノマーを重合固化させる方法等は、平滑性が高く、電極の密着性が良好なアクリレート系ポリマーのコーティング層を形成することが可能であり、好ましく行われる。   Further, as a method for reducing the surface roughness, a synthetic resin layer can be provided on the surface on which the electrode is provided. Examples of the synthetic resin layer include, but are not limited to, cellophane, polyethylene, polypropylene, soft polyvinyl chloride, hard polyvinyl chloride, polyester, and acrylate polymer. Among these, for example, an acrylate polymer is applied to an electrode substrate in the form of a monomer, and a monomer such as polyethylene terephthalate (PET) is applied to the coated surface while applying an active energy ray (ultraviolet ray or electron beam). The method of polymerizing and solidifying, or the method of polymerizing and solidifying the monomer by irradiating the electron beam from the back surface of the electrode substrate while bringing the coated surface into contact with a cast drum having a specular gloss has high smoothness and the adhesion of the electrode. It is possible to form a coating layer of an acrylate polymer having good properties, which is preferably performed.

さらに、我々は、紙ライクなディスプレイを研究する過程で、紙の質感をもつ基板とそうでない基板との間に、光源の位置を固定して受光器を可変させて測定した時、光の反射率の反射角依存性について鋭意検討した。ガラス基板や通常のプラスチックフィルムの場合、光源からの入射光に対して、同じ角度で反射してくる光が非常に強く、受光器の角度が少しでもずれると、反射光は極端に弱くなる傾向にある。一方、紙や合成紙のような場合は、やはり光源からの入射光と同じ角度で反射してくる光が一番強いが、受光器の角度が入射光の角度から多少ずれても、反射率はそれほど減少しないことが判明した。   In addition, in the process of studying paper-like displays, we measured the reflection of light when measuring with the position of the light source fixed between the substrate with the paper texture and the substrate with no paper texture. We studied earnestly the reflection angle dependence of the rate. In the case of a glass substrate or ordinary plastic film, the light reflected at the same angle is very strong with respect to the incident light from the light source, and the reflected light tends to become extremely weak if the angle of the receiver deviates even a little. It is in. On the other hand, in the case of paper or synthetic paper, the light that is reflected at the same angle as the incident light from the light source is the strongest, but the reflectivity is maintained even if the angle of the receiver is slightly deviated from the incident light angle. Turned out not to decrease so much.

上記の測定方法を詳細に説明する。例えば、図1において、電極用基板1の測定面側に光源2と受光器3がある。光源2は、基板に引いた法線からの角度xの位置にある。xは、通常20〜85゜の範囲で測定される。受光器3は、法線を挟んで光源とは反対側にある。ここで、法線に対して、光源の位置が角度x、受光器の位置も角度xの場合の反射率をR(%)とする。光源の位置はそのままで、受光器の角度を5゜だけ基材側に傾けた時(つまり、受光器の角度が(x+5)゜)の反射率をRX+5(%)とする。また、同じく光源の位置はそのままで、受光器の角度を5゜だけ法線側に傾けた時(つまり、受光器の角度が(x−5)゜)の反射率をRX−5(%)とする。RとRX+5との差、およびRとRX−5との差を求めて比較することにより、紙、もしくはフィルムの質感が評価される。 The above measurement method will be described in detail. For example, in FIG. 1, there are a light source 2 and a light receiver 3 on the measurement surface side of the electrode substrate 1. The light source 2 is located at an angle x from the normal drawn on the substrate. x is usually measured in the range of 20 to 85 °. The light receiver 3 is on the opposite side of the light source across the normal. Here, the reflectance when the position of the light source is the angle x and the position of the light receiver is also the angle x with respect to the normal is R X (%). The position of the light as it, and when tilted only base side 5 ° angle of the light receiver (i.e., the angle of the light receiver (x + 5) °) the reflectance R X + 5 (%) of. Similarly, with the position of the light source as it is, the reflectance when the angle of the light receiver is inclined to the normal side by 5 ° (that is, the angle of the light receiver is (x-5) °) is R X-5 (% ). The texture of paper or film is evaluated by determining and comparing the difference between R X and R X + 5 and the difference between R X and R X-5 .

図2は、受光器の角度を変化させた時の、反射率の角度依存性をプロットしたものである。この場合、光源の位置は、基板に対して角度45゜に固定してある。4種の基板はいずれも角度45゜にピークを持つが、ガラスや透明PETフィルムの場合は、反射角45゜のところに鋭いピークを示し、反射角45゜より5゜ずれた、40゜および50゜における反射率の値は、10%未満となっている。一方、紙や合成紙の場合、やはり反射角45゜のところがピークとなっているが、反射角45゜より5゜ずれた、40゜および50゜における反射率の値は50%以上を保っている。   FIG. 2 is a plot of the angle dependence of the reflectivity when the angle of the light receiver is changed. In this case, the position of the light source is fixed at an angle of 45 ° with respect to the substrate. Each of the four substrates has a peak at an angle of 45 °, but in the case of glass or transparent PET film, it shows a sharp peak at a reflection angle of 45 °, shifted by 5 ° from the reflection angle of 45 °, The reflectance value at 50 ° is less than 10%. On the other hand, in the case of paper or synthetic paper, the peak is also at the reflection angle of 45 °, but the reflectance values at 40 ° and 50 °, which are 5 ° off from the reflection angle of 45 °, remain at 50% or more. Yes.

紙や合成紙等が、上述のような光学的特徴を示す理由については明らかではないが、紙や合成紙等のような基板に光が当たった場合、そのまま光が反射するだけではなく、散乱によって光が拡散してしまうためと考えられる。いわゆる、拡散反射現象が起きていると考えられる。このような拡散反射現象は、基板表面の構造が均一ではなくランダムになっている場合に起こることが多い。特に、紙の場合は、パルプ繊維がランダムに配置しているために拡散反射が起こり易いと考えられる。   Although it is not clear why paper or synthetic paper shows the optical characteristics as described above, when light hits a substrate such as paper or synthetic paper, it not only reflects light but also scatters. This is thought to be due to the fact that light diffuses. It is considered that a so-called diffuse reflection phenomenon occurs. Such a diffuse reflection phenomenon often occurs when the structure of the substrate surface is not uniform but random. In particular, in the case of paper, it is considered that diffuse reflection tends to occur because pulp fibers are randomly arranged.

本発明の電極用基板表面の、JIS Z 8741に準じて測定される光反射特性は、測定条件として、光源と受光器とが電極用基板上の測定点における法線を挟んで互いに反対側にあり、光源からの入射光の法線に対する角度を45°に設定し、受光器の測定点における法線に対する角度が、45°での反射率をR1(%)、50°での反射率をR2(%)、および40°での反射率をR3(%)とした時、R1とR2との差、およびR1とR3との差が50%未満であることが好ましく、より好ましい範囲は、0〜30%であり、さらに好ましくは0〜15%である。R1とR2との差、またはR1とR3との差が50%以上では、紙のような質感、視認性が不十分となることがある。また、電極用基板の測定面としては、使用形態にもよるが、電極が形成される表面およびその反対表面のいずれにおいても、上記の反射特性を満足することが好ましい。   The light reflection characteristics measured on the surface of the electrode substrate according to the present invention according to JIS Z 8741 are as measurement conditions where the light source and the light receiver are opposite to each other across the normal line at the measurement point on the electrode substrate. Yes, the angle with respect to the normal of the incident light from the light source is set to 45 °, the angle with respect to the normal at the measurement point of the receiver is R1 (%) at 45 °, and the reflectance at 50 °. When the reflectance at R2 (%) and 40 ° is R3 (%), the difference between R1 and R2 and the difference between R1 and R3 are preferably less than 50%, and a more preferable range is It is 0 to 30%, more preferably 0 to 15%. If the difference between R1 and R2 or the difference between R1 and R3 is 50% or more, the paper-like texture and visibility may be insufficient. The measurement surface of the electrode substrate preferably satisfies the above-mentioned reflection characteristics on both the surface on which the electrode is formed and the opposite surface depending on the usage pattern.

本発明の電極用基板を用いることにより、表示装置のコントラストを向上させることが可能となる。表示素子が白色の時、電極用基板も白色でかつ上記のような拡散反射が起きているため、白色部の反射濃度値が低くなる。表示素子が黒色の時は、反射濃度を測定する際に利用される入射光が黒色に吸収されるため、ごく表面のみの光が検出される。つまり、黒色表示の時は、電極用基板の影響を受けず、表示素子本来の反射濃度を出すことができる。結果として、本発明の電極用基板を用いることでコントラストが向上する。   By using the electrode substrate of the present invention, the contrast of the display device can be improved. When the display element is white, since the electrode substrate is also white and diffuse reflection as described above occurs, the reflection density value of the white portion is lowered. When the display element is black, the incident light used for measuring the reflection density is absorbed in black, so that only light on the very surface is detected. In other words, when displaying black, the original reflection density of the display element can be obtained without being affected by the electrode substrate. As a result, contrast is improved by using the electrode substrate of the present invention.

本発明の電極用基板上の電極や導電線等の形成に用いられる導電性材料としては、金(Au)、銀(Ag)、パラジウム(Pd)等の金属薄膜タイプ、In、SnO、ITO、酸化亜鉛(ZnO)などの金属酸化物薄膜タイプ、さらに酸化チタン(TiO)/Ag/TiOなどの金属/金属酸化物による多層薄膜タイプ等の各種を用いることができる。中でも透明性、導電性の面から、酸化インジウム、酸化スズの焼結体であるITOが好ましい。透明高分子フィルム上に設ける透明導電層の厚さは、10〜500nmが好ましく、より好ましくは15〜400nmが好ましい。透明導電層の厚さが10nm以下では、均一な表面抵抗が得られないことがあり、一方500nm以上では、上層塗工時にクラックを生じ易くなる等の問題を生じることがある。 As the conductive material used to form the electrodes and the conductive lines of the electrode on the substrate or the like of the present invention, gold (Au), silver (Ag), a metal thin film type such as palladium (Pd), In 2 O 3 , SnO 2. Various types such as metal oxide thin film types such as ITO, zinc oxide (ZnO), and multilayer thin film types using metal / metal oxide such as titanium oxide (TiO 2 ) / Ag / TiO 2 can be used. Of these, ITO, which is a sintered body of indium oxide and tin oxide, is preferable from the viewpoint of transparency and conductivity. The thickness of the transparent conductive layer provided on the transparent polymer film is preferably 10 to 500 nm, more preferably 15 to 400 nm. If the thickness of the transparent conductive layer is 10 nm or less, uniform surface resistance may not be obtained. On the other hand, if the thickness is 500 nm or more, problems such as easy cracking may occur during the upper layer coating.

このような金属酸化物薄膜は、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、パルスレーザーデポジション(PLD)法、あるいはCVD法等の各種製膜法により作製することができる。PLD法は、ターゲットの組成をそのまま基板上に反映できることから、研究開発段階の小さいディスプレイ用として好ましい。また、陰極と陽極の間に中間電極を設ける圧力勾配型放電方式によるイオンプレーティング法は、製膜速度が速く、実機生産レベルには好ましい。   Such a metal oxide thin film can be produced by various film forming methods such as a vacuum deposition method, a sputtering method, an ion plating method, a pulse laser deposition (PLD) method, or a CVD method. The PLD method is preferable for a display with a small research and development stage because the composition of the target can be directly reflected on the substrate. Moreover, the ion-grading method by the pressure gradient type discharge system which provides an intermediate electrode between a cathode and an anode has a high film forming speed, and is preferable for an actual production level.

上記のような導電性材料を用いた場合、例えば単純マトリックス(パッシブマトリックス)方式の電極パターンを設けることで、画素毎に、電界、もしくは電流を流すことができる。図3に、単純マトリックス方式の電極パターンを設けた一例を示す。本発明の電極用基板1に、横方向に電極11がパターニングされている。パターニングの方法としては、上記の金属酸化物薄膜を形成する際に、マスクで電極用基板をカバーして行う方法や、一度基板全面に電極を形成した後、フォトレジスト材料などを用いて導電性材料をエッチングする方法などが挙げられ、特に限定されない。一般には電極を配置した前面版12を備えた表示装置が好ましく使用される。   When the conductive material as described above is used, for example, by providing a simple matrix (passive matrix) electrode pattern, an electric field or a current can be supplied to each pixel. FIG. 3 shows an example in which a simple matrix type electrode pattern is provided. An electrode 11 is patterned in the lateral direction on the electrode substrate 1 of the present invention. As a patterning method, when the metal oxide thin film is formed, the electrode substrate is covered with a mask, or the electrode is once formed on the entire surface of the substrate, and then conductive using a photoresist material or the like. A method of etching the material is exemplified, and the method is not particularly limited. In general, a display device including a front plate 12 on which electrodes are arranged is preferably used.

図3のように、観察者4側の前面板12は、通常は透明であることが好ましい。観察者側の前面板12の透明性が不十分な場合には、表示素子のスイッチング挙動を観察することができないことがあり、ディスプレイとして十分に機能しないことがある。前面板12としては、例えば、ポリエチレンテレフタレートやポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリアミド、芳香族ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、ポリエーテルサルフォン、ポリサルフォン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリアリレート、ポリカーボネイト、ポリフェニレンサルファイド、ポリフェニレンオキサイド、ポリパラバン酸等が例示できる。その中でも耐熱性、透明性の点からポリエチレンテレフタレートやポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリエーテルサルフォン、ポリカーボネイト、ポリアリレートが好適に用いられる。また透明高分子フィルムの厚さは、好ましくは25〜200μmである。   As shown in FIG. 3, it is preferable that the front plate 12 on the viewer 4 side is normally transparent. When the transparency of the front plate 12 on the viewer side is insufficient, the switching behavior of the display element may not be observed and may not function sufficiently as a display. Examples of the front plate 12 include polyesters such as polyethylene terephthalate and polyethylene naphthalate, polyamide, aromatic polyamide, polyamideimide, polyetherimide, polyethersulfone, polysulfone, polyetheretherketone, polyarylate, polycarbonate, and polyphenylene sulfide. , Polyphenylene oxide, polyparabanic acid and the like. Of these, polyesters such as polyethylene terephthalate and polyethylene naphthalate, polyethersulfone, polycarbonate, and polyarylate are preferably used from the viewpoint of heat resistance and transparency. The thickness of the transparent polymer film is preferably 25 to 200 μm.

例えば、電子ペーパーのように、動画に対応する必要のないディスプレイの場合は、上記で用いた導電性材料の代わりに、抵抗値の比較的高い導電性高分子を用いることもできる。導電性高分子としては、例えば、ポリアセチレン、ポリ(パラフェニレン)、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリ(パラフェニレンビニレン)等が例示できる。中でも透明性、導電性の面からポリチオフェン系透明導電性高分子が好ましい。ポリチオフェン系透明導電性高分子としては、3,4−ポリエチレンジオキシチオフェン、ポリ(3−ヘキシル)チオフェン、ポリ(3−オクチル)チオフェン、ポリ(3−ドデシル)チオフェン、ポリ(3−オクタデシル)チオフェン、ポリ(3−アイコシル)チオフェン等が例示できる。   For example, in the case of a display that does not need to support moving images, such as electronic paper, a conductive polymer having a relatively high resistance value can be used instead of the conductive material used above. Examples of the conductive polymer include polyacetylene, poly (paraphenylene), polypyrrole, polythiophene, polyaniline, poly (paraphenylene vinylene), and the like. Among these, a polythiophene-based transparent conductive polymer is preferable from the viewpoints of transparency and conductivity. Examples of the polythiophene-based transparent conductive polymer include 3,4-polyethylenedioxythiophene, poly (3-hexyl) thiophene, poly (3-octyl) thiophene, poly (3-dodecyl) thiophene, and poly (3-octadecyl) thiophene And poly (3-icosyl) thiophene.

これらの中でも、透明性、導電性の面から3,4−ポリエチレンジオキシチオフェンが好ましく用いられる。ポリチオフェン系透明導電性高分子層の厚さは、0.03〜5μmが好ましく、0.05〜3μmがより好ましい。このような層の形成方法としては、ロールコータ、グラビアコーター、バーコーター等の方法によって塗布することができる。ポリチオフェン系透明導電性高分子層の厚さが、0.03μm未満では、十分な耐屈曲性が得られないことがある。一方5μm超えると、塗工量が増えて乾燥時間が長くなり、コストが上昇することや、塗工後の透明導電性フィルムに着色をおびる等の問題を生じることがある。   Among these, 3,4-polyethylenedioxythiophene is preferably used in terms of transparency and conductivity. The thickness of the polythiophene-based transparent conductive polymer layer is preferably 0.03 to 5 μm, and more preferably 0.05 to 3 μm. Such a layer can be formed by a roll coater, a gravure coater, a bar coater or the like. If the thickness of the polythiophene-based transparent conductive polymer layer is less than 0.03 μm, sufficient bending resistance may not be obtained. On the other hand, if it exceeds 5 μm, the coating amount increases, the drying time becomes longer, the cost increases, and the transparent conductive film after coating may be colored.

また、図4のように、1枚の電極用基板に2つの電極を設けた、いわゆるIn−Plane電極を用いることもできる。本発明の電極用基板1に、電気を供給するための電極41と、アースに接続した電極42を設けた方式である。電極41に電気を供給すると、電気はアースに接続した電極42の方にかかる。つまり、電気のかかる方向は、電極用基板1と平行な方向となる。この場合、観察者4側には電極を設ける必要はなく、透明なプラスチックフィルム、あるいはフレキシブル性が必要でない場合はガラス基板を用いてもよい。表示素子そのものの封止が十分に行われているものであれば、観察者4側には何もなくても構わない。   As shown in FIG. 4, a so-called In-Plane electrode in which two electrodes are provided on one electrode substrate can also be used. This is a system in which an electrode 41 for supplying electricity and an electrode 42 connected to ground are provided on the electrode substrate 1 of the present invention. When electricity is supplied to the electrode 41, the electricity is applied to the electrode 42 connected to the ground. That is, the direction in which electricity is applied is a direction parallel to the electrode substrate 1. In this case, it is not necessary to provide an electrode on the viewer 4 side, and a transparent plastic film or a glass substrate may be used when flexibility is not required. As long as the display element itself is sufficiently sealed, there may be nothing on the viewer 4 side.

本発明の電極用基板は、電界効果トランジスタ部が画素毎に配置されているアクティブマトリックス方式に採用することもできる。最近のフラットパネルディスプレイは、そのほとんどがアクティブマトリックス方式を採用している。図5、6に、電界効果トランジスタ部の概略図を示す。図5はボトムコンタクト方式、図6はトップコンタクト方式と呼ばれる構造のものである。電極用基板上に、導電部分としてゲート電極53が設けられており、その上にゲート絶縁膜52が設けられている。ゲート絶縁膜に接するように、半導体層51が設けられており、さらに導電性材料としてソース電極54、ドレイン電極55が設けられている。   The electrode substrate of the present invention can also be employed in an active matrix system in which a field effect transistor portion is arranged for each pixel. Most modern flat panel displays employ an active matrix system. 5 and 6 are schematic views of the field effect transistor section. FIG. 5 shows a structure called a bottom contact system, and FIG. 6 shows a structure called a top contact system. A gate electrode 53 is provided as a conductive portion on the electrode substrate, and a gate insulating film 52 is provided thereon. A semiconductor layer 51 is provided so as to be in contact with the gate insulating film, and further, a source electrode 54 and a drain electrode 55 are provided as conductive materials.

図7に、本発明の電極用基板に電界効果トランジスタ部を配置した一例を示す。本発明の電極用基板1には、まずゲート線と呼ばれる横走査電線71が設けられる。横走査電線71には、ゲート電極53が画素毎に配置されている。その上に、データ線と呼ばれる縦走査電線72が設けられる。横走査電線71と縦走査電線72とが接触しないように、交点の部分には絶縁膜が設けられている。ゲート電極の上にはゲート絶縁膜52、さらにその上に半導体層51が設けられている。縦走査電線72には、ソース電極54が画素毎に配置されており、ソース電極54は半導体層51の上に配置されている。また、表示素子と接して直接電気を伝える役割を果たす画素電極73があり、ドレイン電極55は、半導体層51と画素電極73と接している。画素電極73から表示素子に印加された電気は、アースに接続された前面板12に流れる。   FIG. 7 shows an example in which a field effect transistor portion is arranged on the electrode substrate of the present invention. The electrode substrate 1 of the present invention is first provided with a horizontal scanning electric wire 71 called a gate line. A gate electrode 53 is arranged for each pixel in the horizontal scanning electric wire 71. A vertical scanning electric wire 72 called a data line is provided thereon. An insulating film is provided at the intersection so that the horizontal scanning wire 71 and the vertical scanning wire 72 do not contact each other. A gate insulating film 52 is provided on the gate electrode, and a semiconductor layer 51 is provided thereon. In the vertical scanning electric wire 72, the source electrode 54 is disposed for each pixel, and the source electrode 54 is disposed on the semiconductor layer 51. Further, there is a pixel electrode 73 that is in contact with the display element and directly transmits electricity, and the drain electrode 55 is in contact with the semiconductor layer 51 and the pixel electrode 73. Electricity applied to the display element from the pixel electrode 73 flows to the front plate 12 connected to the ground.

半導体層51に用いられる半導体材料としては、公知のものを使用することができ、特に限定されないが、好ましくは、本発明の電極用基板の耐熱温度、すなわち300℃以下で製膜できるものが用いられる。300℃以下で製膜できる半導体材料としては、有機物系の半導体材料が挙げられ、例えば、ペンタセン、フタロシアニンの金属錯体、ポリチオフェン、ポリ(3−ヘキシルチオフェン)、ポリピロール、ポリアセチレン、ポリチオフェンビニレン、ポリフェニレンヒセニレン、ポリ(9,9’−ジオクチルフルオロセン−co−ビチオフェン)が挙げられ、特に移動度が高いという点から、ペンタセンが特に好ましく使用される。   As a semiconductor material used for the semiconductor layer 51, a known material can be used, and is not particularly limited. However, a material that can be formed at a heat resistant temperature of the electrode substrate of the present invention, that is, 300 ° C. or less, is preferably used. It is done. Examples of semiconductor materials that can be formed at 300 ° C. or lower include organic semiconductor materials such as pentacene, phthalocyanine metal complexes, polythiophene, poly (3-hexylthiophene), polypyrrole, polyacetylene, polythiophene vinylene, and polyphenylene hysenylene. And poly (9,9′-dioctylfluorocene-co-bithiophene), and pentacene is particularly preferably used because of its high mobility.

半導体材料の製膜方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、パルスレーザーデポジション(PLD)法、あるいはCVD法等のドライプロセスの他に、半導体材料が各種の溶剤に可溶であれば、印刷法などのウェットプロセスによっても製膜することができる。印刷法としては、例えば、インクジェット方式、グラビア方式、凹版方式、フレキソ方式、スクリーン方式等を用いることができる。   In addition to dry processes such as vacuum deposition, sputtering, ion plating, pulsed laser deposition (PLD), or CVD, semiconductor materials are soluble in various solvents. If so, it can also be formed by a wet process such as a printing method. As the printing method, for example, an inkjet method, a gravure method, an intaglio method, a flexo method, a screen method, or the like can be used.

また、半導体材料としては、各種の金属酸化物も用いることができる。金属酸化物としては、半導体特性を示すものが用いられ、例えば、酸化インジウム、酸化ガリウム、酸化亜鉛、またはこれらの混合したIn−Ga−Zn−O系酸化物が用いられ、好ましくは、半導体としての性能が最も良いIn−Ga−Zn−O系酸化物が用いられる。   Further, various metal oxides can also be used as the semiconductor material. As the metal oxide, a material exhibiting semiconductor characteristics is used. For example, indium oxide, gallium oxide, zinc oxide, or a mixed In-Ga-Zn-O-based oxide is used. In—Ga—Zn—O-based oxides having the best performance are used.

半導体材料として金属酸化物を用いる時は、製膜法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、パルスレーザーデポジション(PLD)法、あるいはCVD法等を用いることができる。その中でもPLD法は、ターゲットの組成をそのまま基板上に反映できることから、より好ましく使用される。ただし、半導体材料として金属酸化物等の材料を用いる場合については、印刷法などのウェットプロセスによって製膜す方法は未開発である。   When a metal oxide is used as a semiconductor material, a vacuum deposition method, a sputtering method, an ion plating method, a pulse laser deposition (PLD) method, a CVD method, or the like can be used as a film forming method. Among these, the PLD method is more preferably used because the composition of the target can be directly reflected on the substrate. However, when a material such as a metal oxide is used as a semiconductor material, a method for forming a film by a wet process such as a printing method has not been developed.

半導体材料として、水素化アモルファスシリコンや低温ポリシリコンを用いることもできるが、この場合本発明の電極用基板に直接製膜することは、耐熱性の問題から不可能である。この場合、一度別途用意したガラス基板に水素化アモルファスシリコン、または低温ポリシリコンを製膜した後に、転写法によって本発明の電極用基板に転写する、というプロセスを用いる。   Hydrogenated amorphous silicon or low-temperature polysilicon can be used as the semiconductor material, but in this case, it is impossible to form a film directly on the electrode substrate of the present invention because of heat resistance. In this case, a process is used in which hydrogenated amorphous silicon or low-temperature polysilicon is formed on a separately prepared glass substrate and then transferred to the electrode substrate of the present invention by a transfer method.

ゲート絶縁膜52としては、例えば、SiO、Al、Si、TiO、Y等の無機誘電体材料や、ポリイミド、マイラー、ポリフッ化ビニリデン、ポリメチルメタクリレート等の有機 高分子材料からなるものが挙げられる。 Examples of the gate insulating film 52 include inorganic dielectric materials such as SiO 2 , Al 2 O 3 , Si 3 N 4 , TiO 2 , and Y 2 O 3 , polyimide, mylar, polyvinylidene fluoride, and polymethyl methacrylate. Examples include organic polymer materials.

ゲート電極53、ソース電極54、ドレイン電極55、および横走査電線71、縦走査電線72の材料としては、各種の導電性材料を用いることができる。例えば、金(Au)、銀(Ag)、パラジウム(Pd)等の金属薄膜タイプ、In、SnO、ITO、酸化亜鉛(ZnO)などの金属酸化物薄膜タイプ、さらに酸化チタン(TiO)/Ag/TiOなどの金属/金属酸化物による多層薄膜タイプ等の各種を用いることができる。中でも透明性、導電性の面からITOが好ましい。 As the material of the gate electrode 53, the source electrode 54, the drain electrode 55, the horizontal scanning electric wire 71, and the vertical scanning electric wire 72, various conductive materials can be used. For example, metal thin film types such as gold (Au), silver (Ag), palladium (Pd), metal oxide thin film types such as In 2 O 3 , SnO 2 , ITO, and zinc oxide (ZnO), and titanium oxide (TiO 2) 2 ) Various types such as a multilayer thin film type of metal / metal oxide such as / Ag / TiO 2 can be used. Of these, ITO is preferable from the viewpoint of transparency and conductivity.

アクティブマトリックス方式を採用した場合は、前面板12は、図3のようなパターニング処理をする必要はなく、ベタの電極のままでよい。   When the active matrix method is employed, the front plate 12 does not need to be patterned as shown in FIG. 3, and may be a solid electrode.

本発明の電極用基板に用いられる表示素子としては、例えば、ツイストネマティック(TN)液晶、スーパーツイストネマティック(STN)液晶、またはこれらの液晶をポリマーマトリックス中に分散させたポリマー分散型液晶、有機EL素子、無機EL素子、希ガスを封止したプラズマディスプレイ用素子など、通常フラットパネルディスプレイに用いられる表示素子を用いることができる。   Examples of the display element used for the electrode substrate of the present invention include twisted nematic (TN) liquid crystal, super twisted nematic (STN) liquid crystal, polymer dispersed liquid crystal in which these liquid crystals are dispersed in a polymer matrix, and organic EL. A display element usually used for a flat panel display, such as an element, an inorganic EL element, or a plasma display element in which a rare gas is sealed, can be used.

本発明の電極用基板は、上記のようなフレキシブルフラットパネルディスプレイ用に用いることもできるが、「電子ペーパー」と呼ばれるディスプレイに用いることによって、本発明の電極用基板の特徴を最大に活かすことができ、よりペーパーライクなディスプレイを提供することができる。電子ペーパーの方式としては、例えば、電気泳動粒子を絶縁性液体に分散させたものをマイクロカプセル化したもの(例えば、特許文献1参照。)、半面が白でもう一方の半面を黒としたいわゆる二色粒子の回転によって白黒の表示を行う方式(例えば、特許文献2参照。)、中空の繊維の中に半面が白で、もう一方の半面が黒の円柱状の素子が内包されたもの(例えば、特開2002−202536号公報参照。)、帯電した白と黒の粒子が電界によって空気中を飛翔する方式、コレステリック液晶を用いた記憶型液晶、エレクトロクロミック材料を用いた方式、ロイコ染料を用いた方式(例えば、特開2004−309884号公報参照。)などが挙げられ、特に限定されない。
本願の好ましい実施態様の一例として、表示素子、および表示素子を配置した表示装置の概略図を図8および9に示す。
The electrode substrate of the present invention can be used for the flexible flat panel display as described above. However, by using it for a display called “electronic paper”, the characteristics of the electrode substrate of the present invention can be maximized. And a more paper-like display can be provided. As a method of electronic paper, for example, a microcapsule obtained by dispersing electrophoretic particles in an insulating liquid (see, for example, Patent Document 1), a so-called half surface is white and the other half surface is black. A method of displaying black and white by rotating dichroic particles (see, for example, Patent Document 2), in which a hollow cylindrical fiber encloses a cylindrical element in which one half is white and the other half is black ( For example, see JP-A-2002-202536), a method in which charged white and black particles fly in the air by an electric field, a memory type liquid crystal using cholesteric liquid crystal, a method using an electrochromic material, and a leuco dye. The method used (for example, refer to Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-309984) and the like are exemplified, and the method is not particularly limited.
As an example of a preferred embodiment of the present application, FIGS. 8 and 9 are schematic views of a display element and a display device in which the display element is arranged.

以下、実施例を挙げて本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。例中の「%」及び「部」は、特に断らない限り、すべて「質量%」及び「質量部」である。   EXAMPLES Hereinafter, although an Example is given and this invention is demonstrated in detail, this invention is not limited to these Examples. Unless otherwise specified, “%” and “parts” in the examples are “% by mass” and “parts by mass”.

<支持体(電極用基板)の製造>
(1)支持体A
ろ水度(JIS P 8121)を250mLまで叩解した針葉樹晒クラフトパルプ(NBKP)と、ろ水度を250mLまで叩解した広葉樹晒クラフトパルプ(LBKP)とを、質量比2:8の割合で混合し、濃度0.5%のパルプスラリーを調製した。このパルプスラリー中に、パルプ絶乾質量に対し、カチオン化澱粉2.0%、アルキルケテンダイマー0.4%、アニオン化ポリアクリルアミド樹脂0.1%、ポリアミドポリアミンエピクロルヒドリン樹脂0.7%を添加し、十分に攪拌して分散させた。
上記組成のパルプスラリーを長網マシンで抄紙し、ドライヤー、サイズプレス、マシンカレンダーを通し、坪量180g/m、密度1.0g/cmの原紙を製造した。上記サイズプレス工程に用いたサイズプレス液は、カルボキシル変性ポリビニルアルコールと塩化ナトリウムとを2:1の質量比で混合し、これを水に加えて過熱溶解し、濃度5%に調製したもので、このサイズプレス液を紙の両面に、合計で25mL/m塗布して、支持体Aを得た。
<Manufacture of support (electrode substrate)>
(1) Support A
Coniferous bleached kraft pulp (NBKP) beaten to a freeness of 250 mL (JIS P 8121) and hardwood bleached kraft pulp (LBKP) beaten to a freeness of 250 mL were mixed at a mass ratio of 2: 8. A pulp slurry having a concentration of 0.5% was prepared. In this pulp slurry, cationized starch 2.0%, alkyl ketene dimer 0.4%, anionized polyacrylamide resin 0.1% and polyamide polyamine epichlorohydrin resin 0.7% are added to the pulp dry weight. The mixture was sufficiently stirred and dispersed.
The pulp slurry having the above composition was made with a long net machine, and passed through a dryer, a size press, and a machine calendar to produce a base paper having a basis weight of 180 g / m 2 and a density of 1.0 g / cm 3 . The size press liquid used in the size press step was prepared by mixing carboxyl-modified polyvinyl alcohol and sodium chloride at a mass ratio of 2: 1, adding this to water and dissolving it by heating to prepare a concentration of 5%. This size press solution was applied to both sides of the paper in a total of 25 mL / m 2 to obtain a support A.

(2)支持体B
支持体Aを、金属ロールと金属ロールで形成されたニップ部に、線圧1000kg/cm、金属ロール温度170℃の条件下で通して、支持体Bを得た。
(2) Support B
The support A was passed through a nip formed by a metal roll and a metal roll under the conditions of a linear pressure of 1000 kg / cm and a metal roll temperature of 170 ° C. to obtain a support B.

(3)支持体C
上記支持体Aの原紙のフェルト面にコロナ放電処理した後、下記のポリオレフィン樹脂組成物をバンバリーミキサーで混合分散し、この分散物を支持体Aのフェルト面側に塗工量25g/mとなるように、T型ダイを有する溶融押出し機(溶融温度320℃)で塗布し、鏡面のクーリングロールにて冷却固化し、ポリオレフィン樹脂を被覆した支持体Cを得た。
(3) Support C
After the corona discharge treatment was performed on the felt surface of the base paper of the support A, the following polyolefin resin composition was mixed and dispersed with a Banbury mixer, and this dispersion was applied to the felt surface side of the support A with a coating amount of 25 g / m 2 . Thus, it apply | coated with the melt extruder (melting temperature of 320 degreeC) which has a T type | mold die, it solidified by cooling with the mirror surface cooling roll, and the support body C which coat | covered polyolefin resin was obtained.

(ポリオレフィン樹脂組成物)
長鎖型低密度ポリエチレン樹脂(密度0.926g/cm、メルトインデックス20g/10分)35部、低密度ポリエチレン樹脂(密度0.919g/cm、メルトインデックス2g/10分)50部、アナターゼ型二酸化チタン(商品名:A−220、石原産業社製)15部、ステアリン酸亜鉛0.1部、酸化防止剤(商品名:Irganox 1010、チバガイギー社製)0.03部、群青(商品名:青口群青NO.2000、第一化成社製)0.09部、蛍光増白剤(商品名:UVITEX OB、チバガイギー社製)0.3部を混合し、ポリオレフィン樹脂組成物とした。
(Polyolefin resin composition)
35 parts long chain low density polyethylene resin (density 0.926 g / cm 3 , melt index 20 g / 10 min), 50 parts low density polyethylene resin (density 0.919 g / cm 3 , melt index 2 g / 10 min), anatase Type titanium dioxide (trade name: A-220, manufactured by Ishihara Sangyo Co., Ltd.) 15 parts, zinc stearate 0.1 part, antioxidant (trade name: Irganox 1010, manufactured by Ciba Geigy) 0.03 parts, ultramarine (trade name) : Aoguchi Ultramarine NO.2000, manufactured by Daiichi Kasei Co., Ltd.) 0.09 part and fluorescent whitening agent (trade name: UVITEX OB, manufactured by Ciba Geigy Co., Ltd.) 0.3 part were mixed to obtain a polyolefin resin composition.

(4)支持体D
支持体Aの一表面に、下記アクリレートモノマー含有塗布液を、メイヤバーを用いて、硬化後の塗布量が15g/mになるように塗布した後、この塗布層が、表面にクロムメッキを施した成形基体(商品名:King、フェロタイププレート、ステンレス製、ハードクロムメッキ仕上げ、浅沼商会製)の表面に密着するようにして前記両面コート紙を貼り合わせ、支持体Aの背面側から加速電圧200kV、吸収線量4Mradで電子線を照射して、前記塗布層を硬化させてアクリレート樹脂層を形成し、支持体Dを得た。
(4) Support D
After coating the following acrylate monomer-containing coating solution on one surface of the support A using a Mayer bar so that the coating amount after curing is 15 g / m 2 , this coating layer is subjected to chromium plating on the surface. The double-side coated paper was bonded to the surface of the molded substrate (trade name: King, ferrotype plate, stainless steel, hard chrome plating finish, manufactured by Asanuma Shokai), and acceleration voltage was applied from the back side of the support A The support layer D was obtained by irradiating an electron beam at 200 kV and an absorbed dose of 4 Mrad to cure the coating layer to form an acrylate resin layer.

(アクリレートモノマー含有塗布液)
ウレタンアクリレートオリゴマー(商品名:ビームセット550B、荒川化学工業製)40部、ヒドロキシピバリン酸ネオペンチルグリコールエステルジアクリレート(商品名:MANDA、日本化薬製、2官能アクリートモノマー)60部を混合し、アクリレートモノマー含有塗布液を調製した。
(Acrylate monomer-containing coating solution)
40 parts of urethane acrylate oligomer (trade name: Beamset 550B, manufactured by Arakawa Chemical Industries), 60 parts of hydroxypivalic acid neopentyl glycol ester diacrylate (trade name: MANDA, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., bifunctional acrylate monomer) are mixed, An acrylate monomer-containing coating solution was prepared.

(5)支持体E
支持体Eとして、ポリプロピレン樹脂系の合成紙(商品名:ユポFPG−110、ユポ・コーポレーション製、厚さ110μm)を用いた。
(5) Support body E
As the support E, polypropylene resin-based synthetic paper (trade name: YUPO FPG-110, manufactured by YUPO Corporation, thickness 110 μm) was used.

(6)支持体F
支持体Dの作製において、支持体Aの代わりに支持体Eを用いた以外は、支持体Dと同様にして支持体Fを得た。
(6) Support F
In the production of the support D, a support F was obtained in the same manner as the support D except that the support E was used instead of the support A.

(7)支持体G
支持体Gとして、厚さ188μmのポリエチレンテレフタレートフィルム(商品名:T60−#188、東レ製)を用いた。
(7) Support G
As the support G, a polyethylene terephthalate film (trade name: T60- # 188, manufactured by Toray) having a thickness of 188 μm was used.

(8)支持体H
支持体Dの作製において、支持体Aの代わりに支持体Gを用いた以外は、支持体Dと同様にして支持体Hを得た。
(8) Support H
In the production of the support D, a support H was obtained in the same manner as the support D except that the support G was used instead of the support A.

支持体の評価
上記方法で作製した支持体について、下記のような評価を行い、その結果を表1に示した。
〔表面粗さ〕
作製した支持体の、電極を設ける側の表面の表面粗さを、JIS P 8151の方法に基づいて測定した。表面粗さの測定器は、パーカープリントサーフ試験機(Messmer社製)を用い、測定ヘッドとパッキングとの圧力は、0.5MPaとした。
Evaluation of the support The following evaluation was performed on the support prepared by the above method, and the results are shown in Table 1.
〔Surface roughness〕
The surface roughness of the surface of the prepared support on the side where the electrode is provided was measured based on the method of JIS P 8151. The measuring device for surface roughness was a Parker Print Surf Tester (Messmer), and the pressure between the measuring head and the packing was 0.5 MPa.

〔光学的特性〕
作製した支持体の光反射特性を、変角光度計(商品名:GP−1R、村上色彩技術研究所製)を用いて測定した。試料と光源の角度を45゜で一定にし、受光器の角度40゜、45゜、50゜の3点における反射率を測定した。
(Optical characteristics)
The light reflection characteristics of the produced support were measured using a goniophotometer (trade name: GP-1R, manufactured by Murakami Color Research Laboratory). The angle between the sample and the light source was fixed at 45 °, and the reflectance at three points of the light receiver angles of 40 °, 45 °, and 50 ° was measured.

Figure 2007108241
<前面板>
支持体G上に、SnOを5重量%含むITOを使用し、小型高周波スパッタリング装置(商品名:RFS−200、アルバック社製)を用いてスパッタリング法により透明導電膜を15nmの厚さに形成し、前面板とした。前面板のITO蒸着面には、アースに接続したリード線をはんだ付けした。
Figure 2007108241
<Front plate>
Using ITO containing 5% by weight of SnO 2 on the support G, a transparent conductive film is formed to a thickness of 15 nm by a sputtering method using a small high-frequency sputtering apparatus (trade name: RFS-200, manufactured by ULVAC). The front plate was used. A lead wire connected to the ground was soldered to the ITO deposition surface of the front plate.

<表示素子>
分散媒としてアイソパーG(エクソン製)100部に、ロジンエステル(商品名:ネオトール125H、ハリマ化成(株)製)を2.5部混合し、24時間攪拌した。この分散媒に、酸化チタン粒子(商品名:R−980、石原産業(株)製)とカーボンブラック粒子(商品名:MICROJET、オリエント化学工業(株)製)を、それぞれ3部投入し、攪拌装置で混合分散することにより、分散液を得た。一方、別のフラスコに、エチレン−マレン酸交互共重合体(アルドリッチ製試薬)の5%水溶液を50部、尿素(関東化学製試薬)2.5部、レゾルシノール(関東化学製試薬)0.25部、純水25部を混合し、12.5wt%水酸化ナトリウム水溶液を添加して混合液のpHを3.5とした。
<Display element>
2.5 parts of rosin ester (trade name: Neotol 125H, manufactured by Harima Chemical Co., Ltd.) was mixed with 100 parts of Isopar G (Exxon) as a dispersion medium and stirred for 24 hours. Titanium oxide particles (trade name: R-980, manufactured by Ishihara Sangyo Co., Ltd.) and carbon black particles (trade name: MICROJET, manufactured by Orient Chemical Industry Co., Ltd.) are respectively added to this dispersion medium and stirred. A dispersion was obtained by mixing and dispersing with an apparatus. On the other hand, in another flask, 50 parts of a 5% aqueous solution of an ethylene-maleic acid alternating copolymer (Aldrich reagent), 2.5 parts of urea (reagent manufactured by Kanto Chemical), resorcinol (reagent manufactured by Kanto Chemical) 0.25 And 25 parts of pure water were mixed, and 12.5 wt% aqueous sodium hydroxide solution was added to adjust the pH of the mixed solution to 3.5.

このフラスコにホモジナイザー(商品名:ウルトラタラックスDIXIミディT18)をセットし、6,000rpmで攪拌しながら上記の分散液25部を添加した。添加して分散状態が安定した後、35%ホルムアルデヒド水溶液(関東化学製試薬)を6.25部添加し、55℃で約2時間反応させ、マイクロカプセル化を行った。反応終了後、生成したマイクロカプセルをろ過にて分離し、純水で繰り返し洗浄して、一昼夜風乾させた。できたマイクロカプセルの平均粒子径は、デジタルマイクロスコープ観察下で約50μmであった。乾燥させたマイクロカプセル10部に対し、バインダー成分としてポリビニルアルコール(商品名:PVA145、クラレ製)の10%水溶液を10部添加し、ギャップ100μmのアプケーターバーで前面板のITO蒸着面に塗布し、60℃で1時間乾燥させた。   A homogenizer (trade name: Ultra Turrax DIXI Midi T18) was set in the flask, and 25 parts of the above dispersion was added while stirring at 6,000 rpm. After the dispersion state was stabilized by addition, 6.25 parts of a 35% formaldehyde aqueous solution (Kanto Chemical Co., Ltd.) was added, and the mixture was reacted at 55 ° C. for about 2 hours to perform microencapsulation. After completion of the reaction, the produced microcapsules were separated by filtration, washed repeatedly with pure water, and air-dried overnight. The average particle size of the resulting microcapsules was about 50 μm under digital microscope observation. To 10 parts of the dried microcapsules, 10 parts of a 10% aqueous solution of polyvinyl alcohol (trade name: PVA145, manufactured by Kuraray Co., Ltd.) is added as a binder component. And dried at 60 ° C. for 1 hour.

実施例1
電極用基板として支持体Bを用い、この支持体の片面に、上記前面板の製造と同様にしてITO蒸着面を形成し、ITO蒸着面には、直流電源装置(パルス発生器(商品名:ジェネレーター8026、東陽テクニカ製)に増幅器(商品名:A800、東陽テクニカ製)を接続したもの)に接続したリード線をはんだ付けした。上記表示素子塗布済みの前面板の表示素子側に、ごく薄くエポキシ系接着剤を塗布し、前面板の表示素子側と支持体BのITO蒸着面とが接するように張り合わせ、隙間なく密着させ、表示装置とした。前面板と支持体Bに挟まれた表示素子層の厚さは、60μmであった。
Example 1
A support B is used as an electrode substrate, and an ITO vapor deposition surface is formed on one side of the support in the same manner as the production of the front plate. A direct current power supply device (pulse generator (trade name: A lead wire connected to an amplifier (product name: A800, manufactured by Toyo Technica) connected to Generator 8026 (manufactured by Toyo Technica) was soldered. Apply the epoxy adhesive very thinly on the display element side of the display element-coated front plate, and paste it so that the display element side of the front plate and the ITO deposition surface of the support B are in contact with each other. A display device was obtained. The thickness of the display element layer sandwiched between the front plate and the support B was 60 μm.

実施例2
電極用基板として、支持体Bの代わりに支持体Cを用い、この支持体のポリオレフィン樹脂被覆層表面に、ITO蒸着面を形成した以外は、実施例1と同様にして表示装置を作製した。
Example 2
A display device was produced in the same manner as in Example 1 except that the support C was used instead of the support B as the electrode substrate, and the ITO vapor deposition surface was formed on the polyolefin resin coating layer surface of the support.

実施例3
電極用基板として、支持体Bの代わりに支持体Dを用い、この支持体のアクリレート樹脂層表面に、ITO蒸着面を形成した以外は、実施例1と同様にして表示装置を作製した。
Example 3
A display device was produced in the same manner as in Example 1 except that the support D was used instead of the support B as the electrode substrate, and an ITO vapor deposition surface was formed on the surface of the acrylate resin layer of the support.

実施例4
実施例1において、支持体Bの代わりに支持体Eを用いた以外は、実施例1と同様にして表示装置を得た。
Example 4
In Example 1, a display device was obtained in the same manner as in Example 1 except that the support E was used instead of the support B.

実施例5
実施例3において、支持体Dの代わりに支持体Fを用いた以外は、実施例1と同様にして表示装置を得た。
Example 5
In Example 3, a display device was obtained in the same manner as Example 1 except that the support F was used instead of the support D.

実施例6
電極用基板として支持体Dを用い、この支持体のアクリレート樹脂層表面に、図7のようなアクティブマトリックス方式の電極を作製した。以下のような手順で行った。
先ず、ゲート電極53、横走査電線71、画素電極73を形成するために、ゲート電極53、横走査電線71、画素電極73の部分以外を金属マスクで覆い、SnOを5重量%含むITOを用いて、前面板の製造と同様のスパッタリング法によって15nmの厚さに透明導電膜を形成した。次に、ゲート絶縁膜52の部分と横走査電線71と縦走査電線72とが交差する部分に、絶縁材料としてAlを用い、スパッタリング法によって絶縁膜を形成した。さらに、半導体材料として、ペンタセン(東京化成試薬)を用い、真空蒸着装置(商品名:ELORA−100、アルバック社製)により蒸着法で半導体層51を形成した。この時、支持体Cは、27℃で一定になるように、温度制御を行った。
Example 6
The support D was used as an electrode substrate, and an active matrix type electrode as shown in FIG. 7 was produced on the surface of the acrylate resin layer of the support. The procedure was as follows.
First, in order to form the gate electrode 53, the horizontal scanning wire 71, and the pixel electrode 73, the portions other than the gate electrode 53, the horizontal scanning wire 71, and the pixel electrode 73 are covered with a metal mask, and ITO containing 5% by weight of SnO 2 is used. Using this, a transparent conductive film was formed to a thickness of 15 nm by the same sputtering method as in the production of the front plate. Next, an insulating film was formed by sputtering using Al 2 O 3 as an insulating material at a portion where the gate insulating film 52 intersects with the horizontal scanning wire 71 and the vertical scanning wire 72. Furthermore, pentacene (Tokyo Kasei Reagent) was used as a semiconductor material, and the semiconductor layer 51 was formed by a vapor deposition method using a vacuum vapor deposition apparatus (trade name: ELORA-100, manufactured by ULVAC). At this time, the temperature of the support C was controlled so as to be constant at 27 ° C.

最後にソース電極54、ドレイン電極55、縦走査電線72を形成するために、ゲート電極53、横走査電線71、画素電極73の部分以外を金属マスクで覆い、次に金(Au)を用いて、前面板の製造と同様のスパッタリング法によって導電層を形成した。ソースとドレイン間の幅は1.5mm、長さは70μm、形成された半導体層51の移動度は0.06cm/V・秒であった。一方、表示素子塗布済みの前面板を表示素子側に、ごく薄くエポキシ系接着剤を塗布し、前面板の表示素子側と支持体Dの電極面側とが接するように張り合わせ、隙間なく密着させ、表示装置とした。前面板と支持体Dに挟まれた表示素子層の厚さは、60μmであった。 Finally, in order to form the source electrode 54, the drain electrode 55, and the vertical scanning electric wire 72, the portions other than the gate electrode 53, the horizontal scanning electric wire 71, and the pixel electrode 73 are covered with a metal mask, and then gold (Au) is used. The conductive layer was formed by the same sputtering method as that for manufacturing the front plate. The width between the source and the drain was 1.5 mm, the length was 70 μm, and the mobility of the formed semiconductor layer 51 was 0.06 cm 2 / V · sec. On the other hand, apply a very thin epoxy adhesive to the display element side of the front plate coated with the display element, and attach the front plate so that the display element side of the front plate and the electrode surface side of the support D are in contact with each other. A display device was obtained. The thickness of the display element layer sandwiched between the front plate and the support D was 60 μm.

実施例7
実施例6において、半導体材料として、ペンタセンの代わりにIn−Ga−Zn−O系酸化物を用いて、スパッタリング法で半導体層を形成した以外は、実施例6と同様にして表示装置を得た。なお、半導体層の移動度は、1.0cm/V・秒であった。
Example 7
In Example 6, a display device was obtained in the same manner as in Example 6 except that a semiconductor layer was formed by a sputtering method using In—Ga—Zn—O-based oxide instead of pentacene as the semiconductor material. . Note that the mobility of the semiconductor layer was 1.0 cm 2 / V · sec.

比較例1
実施例1において、支持体Bの代わりに支持体Aを用いた以外は、実施例1と同様にして表示装置を得た。
Comparative Example 1
A display device was obtained in the same manner as in Example 1 except that the support A was used instead of the support B in Example 1.

比較例2
実施例1において、支持体Bの代わりに支持体Gを用いた以外は、実施例1と同様にして表示装置を得た。
Comparative Example 2
A display device was obtained in the same manner as in Example 1 except that the support G was used instead of the support B in Example 1.

比較例3
実施例3において、支持体Dの代わりに支持体Hを用いた以外は、実施例3と同様にして表示装置を得た。
Comparative Example 3
In Example 3, a display device was obtained in the same manner as Example 3 except that the support H was used instead of the support D.

表示装置の評価
上記方法で作製した表示装置について、下記のような評価を行い、その評価結果を表2に示した。
〔動作確認〕
作製した表示装置を用いて、電界による動作状況を目視にて観察した。
問題なく動作する場合を○、動作しない場合を×とした。
Evaluation of Display Device The display device manufactured by the above method was evaluated as follows, and the evaluation results are shown in Table 2.
[Operation check]
Using the manufactured display device, the operation state due to the electric field was visually observed.
The case where it operates without a problem was marked with ◯, and the case where it did not work was marked with ×.

〔紙の質感評価〕
一般に市販されている紙との類似性について、表示装置全体の外観を、目視により官能的に評価した。
表示装置全体が、紙の質感を持つものを○、紙の質感を有さないものを×とした。
[Evaluation of paper texture]
The appearance of the entire display device was sensoryly evaluated visually by visual inspection for similarity to commercially available paper.
The display device as a whole has a paper texture, and the display device does not have a paper texture.

〔コントラスト評価〕
実施例1〜5および比較例1〜3は、前面板と支持体(電極用基板)との間に100Vの電圧を印加し、前面板にプラスの電圧をかけたときの反射濃度値、前面板にマイナスの電圧をかけたときの反射濃度値をマクベス濃度計(商品名:RD−914型、マクベス社製)で測定し、両者の反射濃度値の比をコントラストとした。実施例6、7については、横走査電線71に電圧を印加し、縦走査電線72にかける電圧がプラスと時とマイナスの時それぞれの反射濃度値をマクベス濃度計で測定し、両者の反射濃度値の比をコントラストとした。
[Contrast evaluation]
In Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 3, when a voltage of 100 V is applied between the front plate and the support (electrode substrate) and a positive voltage is applied to the front plate, The reflection density value when a negative voltage was applied to the face plate was measured with a Macbeth densitometer (trade name: RD-914 type, manufactured by Macbeth Co.), and the ratio of both reflection density values was taken as contrast. For Examples 6 and 7, when a voltage is applied to the horizontal scanning wire 71 and the voltage applied to the vertical scanning wire 72 is plus, hour, and minus, the respective reflection density values are measured with a Macbeth densitometer. The ratio of values was taken as contrast.

Figure 2007108241
表2から明らかなように、本発明の請求項の範囲内である実施例1〜7の電極用基板は、紙の質感を持つ表示装置を提供することができる。実施例1〜5のような、単純マトリックス方式にのみならず、実施例6、7のようにアクティブマトリックス方式を用いることもできる。さらに、表示素子のコントラストも改善された。
一方、比較例1は、支持体Aの表面粗さが大きいため、導電性材料を均一に製膜することができず、動作させることができなかった。また、比較例2と3は、透明な電極用基板を用いているために、紙のような質感は得られない。また、電極用基板が透明であるためか、表示素子が白を表示した時の反射濃度値が本発明の実施例と比較して高くなり、コントラストが低下している。
Figure 2007108241
As is apparent from Table 2, the electrode substrates of Examples 1 to 7 within the scope of the claims of the present invention can provide a display device having a paper texture. Not only the simple matrix method as in the first to fifth embodiments but also the active matrix method as in the sixth and seventh embodiments can be used. Furthermore, the contrast of the display element was also improved.
On the other hand, in Comparative Example 1, since the surface roughness of the support A was large, the conductive material could not be uniformly formed and could not be operated. In Comparative Examples 2 and 3, since a transparent electrode substrate is used, a paper-like texture cannot be obtained. Also, because the electrode substrate is transparent, the reflection density value when the display element displays white is higher than that of the example of the present invention, and the contrast is lowered.

本発明により、紙のような質感を持つフラットパネルディスプレイを実現できる電極用基板を提供することができる。従って、本発明の電極用基板は、実用上の価値の極めて高いものである。   According to the present invention, an electrode substrate capable of realizing a flat panel display having a paper-like texture can be provided. Therefore, the electrode substrate of the present invention has extremely high practical value.

本発明に用いられる光学的特性を測定する装置の概念図である。It is a conceptual diagram of the apparatus which measures the optical characteristic used for this invention. 受光器の角度に対する反射率をプロットしたグラフの一例である。It is an example of the graph which plotted the reflectance with respect to the angle of a light receiver. 本発明の電極用基板を用いた単純マトリックス方式の一例を示す概念図である。It is a conceptual diagram which shows an example of the simple matrix system using the board | substrate for electrodes of this invention. 本発明の電極用基板を用いたIn−Plane電極の一例を示す概念図である。It is a conceptual diagram which shows an example of the In-Plane electrode using the electrode substrate of this invention. 本発明に用いられるアクティブマトリックス方式のボトムコンタクト方式の一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of the bottom contact system of the active matrix system used for this invention. 本発明に用いられるアクティブマトリックス方式のトップコンタクト方式の一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of the top contact system of an active matrix system used for this invention. 本発明に用いられるアクティブマトリックス方式の一例を示す概念図である。It is a conceptual diagram which shows an example of the active matrix system used for this invention. 本発明に用いられるマイクロカプセルタイプの表示素子の一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of the microcapsule type display element used for this invention. 本発明の電極用基板に表示素子を配置した表示装置の一例を示す概念図である。It is a conceptual diagram which shows an example of the display apparatus which has arrange | positioned the display element to the board | substrate for electrodes of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1 電極用基板
2 光源
3 受光器
4 観察者
11 電極
12 前面板
41 電気を供給するための電極
42 アースに接続した電極
51 半導体層
52 ゲート絶縁膜
53 ゲート電極
54 ソース電極
55 ドレイン電極
71 横走査電線
72 縦走査電線
73 画素電極
81 マイクロカプセル
82 カーボブラック粒子
83 酸化チタン粒子
84 分散媒
85 マイクロカプセル壁剤


DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate for electrodes 2 Light source 3 Light receiver 4 Observer 11 Electrode 12 Front plate 41 Electrode for supplying electricity 42 Electrode connected to ground 51 Semiconductor layer 52 Gate insulating film 53 Gate electrode 54 Source electrode 55 Drain electrode 71 Horizontal scanning Electric wire 72 Vertical scanning electric wire 73 Pixel electrode 81 Microcapsule 82 Carbo black particle 83 Titanium oxide particle 84 Dispersion medium 85 Microcapsule wall agent


Claims (9)

表面上に電極を有し、その上に表示素子が配置され、表示装置に用いられる電極用基板おいて、前記電極用基板が、紙、合成紙、紙又は合成紙上に塗工層を設けた塗工紙、および紙及び/又は合成紙を貼合した積層シートから選択される1種であり、かつ電極用基板の電極を設ける側の、JIS P 8151に基づく表面粗さが5.0μm以下であることを特徴とする電極用基板。   In the electrode substrate which has an electrode on the surface and the display element is disposed thereon and is used in the display device, the electrode substrate is provided with a coating layer on paper, synthetic paper, paper or synthetic paper Surface roughness based on JIS P 8151 on the side where the electrode of the electrode substrate is provided, which is one type selected from coated paper and a laminated sheet bonded with paper and / or synthetic paper An electrode substrate characterized by the above. 前記表示素子上に、さらに電極を配置した透明な前面板を備えた表示装置に用いられる請求項1に記載の電極用基板。   The electrode substrate according to claim 1, wherein the electrode substrate is used in a display device including a transparent front plate on which electrodes are further arranged on the display element. 供給される電気の方向が電極用基板の平面方向と平行な方向になるように、電極用基板に電気を供給するための電極と、アースに接続された電極とが交互に配置されている請求項1に記載の電極用基板。   The electrodes for supplying electricity to the electrode substrate and the electrodes connected to the ground are alternately arranged so that the direction of the supplied electricity is parallel to the plane direction of the electrode substrate. Item 2. The electrode substrate according to Item 1. 前記電極用基板表面の、JIS Z 8741に準じて測定される光反射特性が、測定条件として、光源と受光器とが電極用基板上の測定点における法線を挟んで互いに反対側にあり、光源からの入射光の法線に対する角度を45°に設定し、受光器の測定点における法線に対する角度が、45°での反射率をR1(%)、50°での反射率をR2(%)、および40°での反射率をR3(%)とした時、R1とR2との差、およびR1とR3との差が50%未満である、請求項1〜3記載のいずれかに記載の電極用基板。   The light reflection characteristic measured according to JIS Z 8741 on the surface of the electrode substrate is as a measurement condition that the light source and the light receiver are opposite to each other across the normal line at the measurement point on the electrode substrate, The angle with respect to the normal line of the incident light from the light source is set to 45 °, the angle with respect to the normal line at the measurement point of the receiver is R1 (%) at 45 °, and the reflectance at 50 ° is R2 ( %) And when the reflectance at 40 ° is R3 (%), the difference between R1 and R2 and the difference between R1 and R3 is less than 50%. The electrode substrate as described. 前記電極用基板が、電極側に合成樹脂層を有する請求項1〜4のいずれかに記載の電極用基板。   The electrode substrate according to claim 1, wherein the electrode substrate has a synthetic resin layer on the electrode side. 前記電極が、酸化インジウム、酸化スズの焼結体を主成分とする透明導電性積層体である請求項1〜5のいずれかに記載の電極用基板。   The electrode substrate according to claim 1, wherein the electrode is a transparent conductive laminate including a sintered body of indium oxide and tin oxide as a main component. 前記電極が、導電性高分子である請求項1〜5のいずれかに記載の電極用基板。   The electrode substrate according to claim 1, wherein the electrode is a conductive polymer. 前記電極用基板上に、トランジスタ部が個々の画素に対応するように設けられ、前記トランジスタ部がソース接点、ドレイン接点、ゲート電極を有する請求項2に記載の電極用基板。   The electrode substrate according to claim 2, wherein a transistor portion is provided on the electrode substrate so as to correspond to each pixel, and the transistor portion has a source contact, a drain contact, and a gate electrode. 前記電界効果トランジスタ部が、主成分として有機物または金属酸化物からなる半導体層を有する請求項8に記載の電極用基板。






The electrode substrate according to claim 8, wherein the field effect transistor portion includes a semiconductor layer made of an organic material or a metal oxide as a main component.






JP2005296776A 2005-10-11 2005-10-11 Substrate for electrode Pending JP2007108241A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005296776A JP2007108241A (en) 2005-10-11 2005-10-11 Substrate for electrode

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005296776A JP2007108241A (en) 2005-10-11 2005-10-11 Substrate for electrode

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2007108241A true JP2007108241A (en) 2007-04-26

Family

ID=38034169

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005296776A Pending JP2007108241A (en) 2005-10-11 2005-10-11 Substrate for electrode

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2007108241A (en)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009027362A1 (en) * 2007-08-27 2009-03-05 Felix Schoeller Jr. Foto- Und Spezialpapiere Gmbh & Co. Kg Support for printed polymer electronics
JP2009198584A (en) * 2008-02-19 2009-09-03 Toppan Forms Co Ltd Electrochromic element and method of manufacturing the same
JP2009198583A (en) * 2008-02-19 2009-09-03 Toppan Forms Co Ltd Electrochromic element and method of manufacturing the same
JP2010217367A (en) * 2009-03-16 2010-09-30 Toppan Forms Co Ltd All-solid-state electrochromic element
US20130140531A1 (en) * 2011-12-05 2013-06-06 Industry-Academic Cooperation Foundation, Yonsei University Foldable thin film transistor
KR101723684B1 (en) * 2010-04-02 2017-04-18 서울시립대학교 산학협력단 Paper-substrate transistor and method of manufacturing the same

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009027362A1 (en) * 2007-08-27 2009-03-05 Felix Schoeller Jr. Foto- Und Spezialpapiere Gmbh & Co. Kg Support for printed polymer electronics
JP2009198584A (en) * 2008-02-19 2009-09-03 Toppan Forms Co Ltd Electrochromic element and method of manufacturing the same
JP2009198583A (en) * 2008-02-19 2009-09-03 Toppan Forms Co Ltd Electrochromic element and method of manufacturing the same
JP2010217367A (en) * 2009-03-16 2010-09-30 Toppan Forms Co Ltd All-solid-state electrochromic element
KR101723684B1 (en) * 2010-04-02 2017-04-18 서울시립대학교 산학협력단 Paper-substrate transistor and method of manufacturing the same
US20130140531A1 (en) * 2011-12-05 2013-06-06 Industry-Academic Cooperation Foundation, Yonsei University Foldable thin film transistor
KR20130062734A (en) * 2011-12-05 2013-06-13 삼성전자주식회사 Folderble thin film transistor
US8809844B2 (en) 2011-12-05 2014-08-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Foldable thin film transistor
KR101963229B1 (en) 2011-12-05 2019-03-29 삼성전자주식회사 Folderble thin film transistor

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7087351B2 (en) Antistatic layer for electrically modulated display
US7557875B2 (en) High performance flexible display with improved mechanical properties having electrically modulated material mixed with binder material in a ratio between 6:1 and 0.5:1
US7532290B2 (en) Barrier layers for coating conductive polymers on liquid crystals
US20100118243A1 (en) Polymeric conductive donor and transfer method
US7410825B2 (en) Metal and electronically conductive polymer transfer
JP2007108241A (en) Substrate for electrode
US20060110580A1 (en) Article comprising conductive conduit channels
JP5558594B2 (en) Patterning and processing methods for organic light emitting diode devices
US7754295B2 (en) Single substrate guest-host polymer dispersed liquid crystal displays
US20060204675A1 (en) Display device with improved flexibility
US20060134564A1 (en) Reflective display based on liquid crystal materials
US20050079386A1 (en) Compositions, methods and systems for making and using electronic paper
US20080297878A1 (en) Compositions, methods and systems for making and using electronic paper
EP1618571B1 (en) Terminated conductive patterned sheet utilizing conductive conduits
WO2002052339A1 (en) Electrochromic display device and electrodeposition display device
TWI271749B (en) Material for making a conductive pattern
US20060181658A1 (en) Conductive absorption layer for flexible displays
US7195813B2 (en) Mixed absorber layer for displays
TW200950607A (en) Substrate and negative imaging method for providing transparent conducting patterns
JP5282991B1 (en) Substrate with transparent conductive layer and method for producing the same
US7333166B2 (en) Matrix display through thermal treatment
US20050196584A1 (en) Continuous support interleaving
CN1781160A (en) Heat selective electrically conductive polymer sheet
US20040213957A1 (en) Article comprising conductive conduit channels
JP2006146252A (en) Electrodeposition-type display element, electrodeposition-type display device, and method for manufacturing electrodeposition-type display device