JP2007103760A - Film pattern formation method, device manufacturing method, device, electro-optical device and electronic apparatus - Google Patents

Film pattern formation method, device manufacturing method, device, electro-optical device and electronic apparatus Download PDF

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JP2007103760A JP2005293322A JP2005293322A JP2007103760A JP 2007103760 A JP2007103760 A JP 2007103760A JP 2005293322 A JP2005293322 A JP 2005293322A JP 2005293322 A JP2005293322 A JP 2005293322A JP 2007103760 A JP2007103760 A JP 2007103760A
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liquid
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利充 平井
Katsuyuki Moriya
克之 守屋
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for forming a good film pattern by supplying the functional fluid to a desired location in a desired condition. <P>SOLUTION: When forming a film pattern by supplying the functional fluid to a substrate, this method consists of a process for applying a sensitive material to form a bank on the substrate, a process for exposing the sensitive material according to the film pattern, a process for forming the bank by developing the exposed sensitive material, a process for finishing the top surface of the bank formed by development to be liquid repellent, a process for supplying the functional liquid to an area partitioned by the bank, and a process for burning the bank. After finishing the top surface of the bank to be liquid repellent by development, functional liquid supply takes place prior to bank burning. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、膜パターンの形成方法、デバイスの製造方法、デバイス、電気光学装置、及
び電子機器に関するものである。
The present invention relates to a film pattern forming method, a device manufacturing method, a device, an electro-optical device, and an electronic apparatus.

基板上に配線パターン等の膜パターンを形成するための方法として、例えば下記特許文
献に開示されているような、液滴吐出ヘッドにより機能液の滴を基板上に供給する液滴吐
出法(インクジェット法)が提案されている。
特開平11−274671号公報 特開2000−216330号公報 特開2005−12181号公報
As a method for forming a film pattern such as a wiring pattern on a substrate, for example, a droplet discharge method (inkjet) that supplies droplets of a functional liquid onto a substrate by a droplet discharge head as disclosed in the following patent document Law) has been proposed.
Japanese Patent Laid-Open No. 11-274671 JP 2000-216330 A JP 2005-12181 A

基板上に機能液を供給して膜パターンを形成する際、機能液を基板上の所望位置に所望
状態で供給することが重要である。
When forming a film pattern by supplying a functional liquid onto a substrate, it is important to supply the functional liquid in a desired state to a desired position on the substrate.

本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、所望位置に所望状態で機能液
を供給し、膜パターンを良好に形成することができる膜パターンの形成方法を提供するこ
とを目的とする。また、その膜パターンの形成方法を用いてデバイスを製造するデバイス
の製造方法、デバイス、電気光学装置、及び電子機器を提供することを目的とする。
This invention is made | formed in view of such a situation, Comprising: It aims at providing the formation method of the film | membrane pattern which can supply a functional liquid to a desired position in a desired state, and can form a film | membrane pattern favorably. And It is another object of the present invention to provide a device manufacturing method, a device, an electro-optical device, and an electronic apparatus that manufacture a device using the film pattern forming method.

上記の課題を解決するため、本発明は以下の構成を採用する。   In order to solve the above problems, the present invention adopts the following configuration.

本発明の第1の観点によると、機能液を基板上に供給して膜パターンを形成する方法に
おいて、前記基板上にバンクを形成するための感光材を塗布する工程と、前記膜パターン
に応じて前記感光材を露光する工程と、前記露光された前記感光材を現像してバンクを形
成する工程と、前記現像により形成されたバンクの上面を撥液性にする工程と、前記バン
クによって区画された領域に前記機能液を供給する工程と、前記バンクを焼成する工程と
を有し、前記現像し、前記バンクの上面を撥液性にした後、前記焼成する前に、前記機能
液を供給する動作を行う膜パターンの形成方法が提供される。
According to a first aspect of the present invention, in a method for forming a film pattern by supplying a functional liquid onto a substrate, a step of applying a photosensitive material for forming a bank on the substrate, and depending on the film pattern A step of exposing the photosensitive material, a step of developing the exposed photosensitive material to form a bank, a step of making the upper surface of the bank formed by the development liquid-repellent, and a partition by the bank A step of supplying the functional liquid to the formed region and a step of firing the bank, and after developing and rendering the upper surface of the bank liquid repellent, before the firing, A method of forming a film pattern for performing the supplying operation is provided.

本発明によれば、現像してバンクを形成し、そのバンクの上面を撥液性にした後、焼成
する前に、機能液を供給する動作を行うことで、機能液を基板上の所望位置に所望状態で
供給することができる。
According to the present invention, development is performed to form a bank, and after the upper surface of the bank is made liquid-repellent and before firing, the functional liquid is supplied to the desired position on the substrate. Can be supplied in a desired state.

本発明の膜パターンの形成方法において、前記現像により、前記基板の上面と前記バン
クの側面とをほぼ直角又は鋭角にする。これにより、バンクの側面に撥液性物質が配置さ
れることを抑え、バンクによって区画された領域に機能液で良好に供給することができる
In the film pattern forming method of the present invention, the development causes the upper surface of the substrate and the side surface of the bank to have a substantially right angle or an acute angle. Thereby, it can suppress that a liquid-repellent substance is arrange | positioned on the side surface of a bank, and can supply favorably with a functional liquid to the area | region divided by the bank.

本発明の膜パターンの形成方法において、前記バンクの側面の撥液性物質の量を抑えた
状態で前記機能液を供給するために、前記現像した後、前記焼成する前に、前記バンクの
上面を撥液性にするための処理を行う。これにより、バンク間に供給された機能液をバン
クの側面に密着させることができる。
In the method for forming a film pattern of the present invention, in order to supply the functional liquid in a state where the amount of the liquid repellent material on the side surface of the bank is suppressed, the upper surface of the bank is developed after the development and before the baking. To make the liquid repellent. Thereby, the functional liquid supplied between the banks can be brought into close contact with the side surfaces of the banks.

本発明の膜パターンの形成方法において、フッ素を含む処理ガス雰囲気下でプラズマ処
理することで、前記バンクの上面を撥液性にする。これにより、バンクの上面を良好に撥
液性にすることができ、機能液をバンクによって区画された領域に良好に供給することが
できる。
In the film pattern forming method of the present invention, the top surface of the bank is made liquid-repellent by plasma treatment in a processing gas atmosphere containing fluorine. As a result, the upper surface of the bank can be satisfactorily liquid-repellent, and the functional liquid can be satisfactorily supplied to the area partitioned by the bank.

本発明の膜パターンの形成方法において、前記バンクはシロキサン結合を主鎖とした無
機材料を含む。これにより、バンクの上面に撥液性物質を良好に配置することができると
ともに、バンクの側面の撥液性物質の量を抑えることができ、バンクによって区画された
領域に機能液を良好に供給することができる。
In the film pattern forming method of the present invention, the bank includes an inorganic material having a siloxane bond as a main chain. As a result, the liquid-repellent substance can be well disposed on the upper surface of the bank, and the amount of the liquid-repellent substance on the side surface of the bank can be suppressed, so that the functional liquid can be satisfactorily supplied to the area partitioned by the bank. can do.

本発明の膜パターンの形成方法において、液滴吐出法を用いて前記機能液を前記基板上
に供給する。これにより、膜パターンを形成するための工程を簡略化することができると
ともに、基板上に供給する機能液の量、位置等の制御を良好に行うことができる。
In the film pattern forming method of the present invention, the functional liquid is supplied onto the substrate using a droplet discharge method. As a result, the process for forming the film pattern can be simplified, and the amount and position of the functional liquid supplied onto the substrate can be favorably controlled.

本発明の膜パターンの形成方法において、前記基板上に、前記バンクによって第1の幅
を有する第1の溝を形成するとともに、前記第1の溝に接続し、第2の幅を有する第2の
溝を形成し、前記第1の溝に前記機能液を供給し、前記第1の溝に供給された前記機能液
の自己流動によって前記機能液を前記第2の溝に供給する。これにより、第2の溝にバン
ク上より機能液を供給し難い状況であっても、機能液を第2の溝に円滑に供給することが
できる。
In the film pattern forming method of the present invention, a first groove having a first width is formed by the bank on the substrate, and a second groove having a second width is connected to the first groove. The functional liquid is supplied to the first groove, and the functional liquid is supplied to the second groove by the self-flow of the functional liquid supplied to the first groove. Thereby, even if it is difficult to supply the functional liquid to the second groove from the bank, the functional liquid can be smoothly supplied to the second groove.

本発明の膜パターンの形成方法において、前記第2の幅は前記第1の幅以下である。こ
れにより、狭い幅の第2の溝に対してバンク上より機能液を供給しなくても、広い幅の第
1の溝に機能液を供給することで、第2の溝に機能液を円滑に供給することができ、膜パ
ターンの細線化(微細化)を実現することができる。
In the film pattern forming method of the present invention, the second width is equal to or less than the first width. As a result, the functional liquid is smoothly supplied to the second groove by supplying the functional liquid to the first groove having the wide width without supplying the functional liquid to the second groove having the narrow width from the bank. The film pattern can be thinned (miniaturized).

本発明の第2の観点によると、上記記載の形成方法により基板上に膜パターンを形成す
る工程を有するデバイスの製造方法が提供される。
According to the 2nd viewpoint of this invention, the manufacturing method of the device which has the process of forming a film | membrane pattern on a board | substrate by the formation method of the said description is provided.

本発明によれば、所望の性能を有するデバイスを製造することができる。   According to the present invention, a device having desired performance can be manufactured.

本発明のデバイスの製造方法において、前記膜パターンはスイッチング素子の少なくと
も一部を含む。これにより、スイッチング素子を良好に形成することができる。
In the device manufacturing method of the present invention, the film pattern includes at least a part of a switching element. Thereby, a switching element can be formed favorably.

本発明の第3の観点によると、上記記載のデバイスの製造方法を用いて製造されたデバ
イスが提供される。また、本発明の第4の観点によると、上記記載のデバイスを備えた電
気光学装置が提供される。また、本発明の第5の観点によると、上記記載の電気光学装置
を備えた電子機器が提供される。
According to a third aspect of the present invention, there is provided a device manufactured using the device manufacturing method described above. According to a fourth aspect of the present invention, there is provided an electro-optical device provided with the device described above. According to a fifth aspect of the present invention, there is provided an electronic apparatus provided with the above electro-optical device.

本発明によれば、所望の性能を有するデバイス、電気光学装置、電子機器が提供される
。ここで、電気光学装置とは、電界により物質の屈折率を変化させて光の透過率を変化さ
せる電気光学効果を有する装置、及び電気エネルギーを光学エネルギ−に変換する装置の
少なくとも一方を含む。具体的には、電気光学装置としては、例えば、電気光学物質とし
て液晶を用いる液晶表示装置、電気光学物質として有機EL(Electro-Luminescence)を用
いる有機EL装置、無機ELを用いる無機EL装置、電気光学物質としてプラズマ用ガス
を用いるプラズマディスプレイ装置等が挙げられる。更に、電気光学装置としては、例え
ば、電気泳動ディスプレイ装置(EPD:Electrophoretic Display)、フィールドエミ
ッションディスプレイ装置(FED:電界放出表示装置:Field Emission Display)等が
挙げられる。
ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the device, electro-optical apparatus, and electronic device which have desired performance are provided. Here, the electro-optical device includes at least one of a device having an electro-optic effect that changes a light transmittance by changing a refractive index of a substance by an electric field, and a device that converts electric energy into optical energy. Specifically, as an electro-optical device, for example, a liquid crystal display device using liquid crystal as an electro-optical material, an organic EL device using organic EL (Electro-Luminescence) as an electro-optical material, an inorganic EL device using inorganic EL, an electric device Examples thereof include a plasma display device using a plasma gas as an optical substance. Furthermore, examples of the electro-optical device include an electrophoretic display device (EPD: Electrophoretic Display), a field emission display device (FED: Field Emission Display device), and the like.

以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。なお、以下の説明にお
いては、必要に応じてXYZ直交座標系を設定し、このXYZ直交座標系を参照しつつ各
部材の位置関係について説明する。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following description, an XYZ orthogonal coordinate system is set as necessary, and the positional relationship of each member will be described with reference to this XYZ orthogonal coordinate system.

図1は膜パターンの形成方法の一実施形態を概念的に示す図である。本実施形態の膜パ
ターンの形成方法は、基板P上にバンクBを形成する工程と、バンクBによって区画され
た領域に機能液Lを供給する工程と、基板P上のバンクB及び機能液Lを焼成する工程と
を有している。バンクBによって区画された領域に機能液Lが供給され、この機能液Lが
乾燥、焼成されることにより、基板P上に膜パターンFが形成される。バンクBによって
膜パターンFの形状が規定されるため、例えば隣接するバンクB、B間の幅を狭くする等
、バンクBを適切に形成することにより、膜パターンFの微細化、細線化を実現すること
ができる。なお、膜パターンFが形成された後、基板PからバンクBを除去してもよく、
そのまま基板P上に残してもよい。
FIG. 1 is a diagram conceptually illustrating an embodiment of a film pattern forming method. The film pattern forming method of this embodiment includes a step of forming a bank B on a substrate P, a step of supplying a functional liquid L to a region partitioned by the bank B, a bank B and a functional liquid L on the substrate P. And a step of firing. The functional liquid L is supplied to the area partitioned by the bank B, and the functional liquid L is dried and baked, whereby the film pattern F is formed on the substrate P. Since the shape of the film pattern F is defined by the bank B, the film pattern F can be miniaturized and thinned by appropriately forming the bank B, for example, by narrowing the width between the adjacent banks B, B. can do. Note that the bank B may be removed from the substrate P after the film pattern F is formed,
It may be left on the substrate P as it is.

基板Pとしては、ガラス、石英ガラス、Siウエハ、プラスチックフィルム、及び金属
板等、種々のものを用いることができる。更に、これら基板の表面に半導体膜、金属膜、
誘電体膜、有機膜等の下地膜が形成されていてもよい。
As the substrate P, various materials such as glass, quartz glass, Si wafer, plastic film, and metal plate can be used. Furthermore, a semiconductor film, a metal film,
A base film such as a dielectric film or an organic film may be formed.

バンクBを形成するための材料(以下、バンク材料、と称する)には、種々の材料を用
いることができる。例えば、ポリシラザン、ポリシロキサン、ポリシラン等を主成分とし
た無機質の材料を用いることができる。バンク材料が無機質の材料を含むことにより、バ
ンクBの耐熱性が高くなり、バンクBと基板Pとの間の熱膨張率の差が小さくなる。その
ため、機能液の乾燥時の熱等によるバンクBの劣化が抑制され、膜パターンFが良好な形
状で形成される。
As a material for forming the bank B (hereinafter referred to as bank material), various materials can be used. For example, an inorganic material whose main component is polysilazane, polysiloxane, polysilane, or the like can be used. When the bank material includes an inorganic material, the heat resistance of the bank B is increased, and the difference in thermal expansion coefficient between the bank B and the substrate P is reduced. Therefore, deterioration of the bank B due to heat or the like during drying of the functional liquid is suppressed, and the film pattern F is formed in a good shape.

本実施形態においては、バンク材料として、例えば特許第2890893号公報に開示
されているような、シロキサン結合を主鎖とした材料が用いられる。例えば、バンク材料
としては、シロキサン結合を主鎖とし、−H、−OH、−(CHCHO)H、−C
OOH、−COOK、−COONa、−CONH、−SOH、−SONa、−SO
K、−OSOH、−OSONa、−OSOK、−PO、−PONa
−PO、−NO、−NH、−NHCl、−NHBr、≡HNCl、及び≡
NHBrのうち、少なくとも1つを側鎖とする材料を用いることができる。また、側鎖の
一部に、アルキル基、アルケニル基、及びアリール基のうち少なくとも1つを有する材料
であってもよい。
In the present embodiment, a material having a siloxane bond as a main chain as disclosed in, for example, Japanese Patent No. 2890893 is used as the bank material. For example, as the bank material, the siloxane bond as the main chain, -H, -OH, - (CH 2 CH 2 O) n H, -C
OOH, -COOK, -COONa, -CONH 2 , -SO 3 H, -SO 3 Na, -SO
3 K, -OSO 3 H, -OSO 3 Na, -OSO 3 K, -PO 3 H 2, -PO 3 Na 2,
-PO 3 K 2, -NO 2, -NH 2, -NH 3 Cl, -NH 3 Br, ≡HNCl, and ≡
A material having at least one of NHBr as a side chain can be used. Alternatively, a material having at least one of an alkyl group, an alkenyl group, and an aryl group in a part of the side chain may be used.

バンクBを形成する方法としては、例えば、各種コート法やCVD法(化学的気相成長
法)等を用いて基板P上に上述のバンク材料からなる層を形成した後、フォトリソグラフ
ィ法等の所定のパターニング手法を用いて、所定の形状のバンクBを形成することができ
る。
As a method for forming the bank B, for example, after forming a layer made of the above-described bank material on the substrate P using various coating methods, CVD methods (chemical vapor deposition methods), etc., a photolithography method or the like is used. A bank B having a predetermined shape can be formed by using a predetermined patterning technique.

機能液(インク)Lとしては、種々のものを用いることができる。機能液とは、液中に
含まれる膜成分を膜化することによって所定の機能を有する膜(機能膜)を形成し得るも
のをいう。係る機能としては、電気・電子的機能(導電性、絶縁性、圧電性、焦電性、誘
電性等)、光学的機能(光選択吸収、反射性、偏光性、光選択透過性、非線形光学性、蛍
光あるいはリン光等のルミネッセンス、フォトクロミック性等)、磁気的機能(硬磁性、
軟磁性、非磁性、透磁性等)、化学的機能(吸着性、脱着性、触媒性、吸水性、イオン伝
導性、酸化還元性、電気化学特性、エレクトロクロミック性等)、機械的機能(耐摩耗性
等)、熱的機能(伝熱性、断熱性、赤外線放射性等)、生体的機能(生体適合性、抗血栓
性等)等の種々の機能がある。
Various functional liquids (inks) L can be used. The functional liquid means a film that can form a film having a predetermined function (functional film) by forming a film component contained in the liquid into a film. Such functions include electrical and electronic functions (conductive, insulating, piezoelectric, pyroelectric, dielectric, etc.), optical functions (light selective absorption, reflectivity, polarization, light selective transmission, nonlinear optics) Property, luminescence such as fluorescence or phosphorescence, photochromic property, etc.), magnetic function (hard magnetism,
Soft magnetic, non-magnetic, magnetic permeability, etc.), chemical function (adsorption, desorption, catalytic, water absorption, ionic conductivity, redox, electrochemical properties, electrochromic, etc.), mechanical function (anti-resistance) There are various functions such as wearability, etc., thermal functions (heat transfer, heat insulation, infrared radiation, etc.), and biological functions (biocompatibility, antithrombogenicity, etc.).

本実施形態においては、液滴吐出法(インクジェット法)を用いて、機能液Lの滴をバ
ンクBによって区画された領域に供給する。液滴吐出法を用いることにより、スピンコー
ト法などの他の塗布技術に比べて機能液の消費の無駄を少なくすることができる。また、
液滴吐出法は、基板上に供給する機能液の量、位置の制御を容易に行うことができる。
In the present embodiment, droplets of the functional liquid L are supplied to a region partitioned by the bank B by using a droplet discharge method (inkjet method). By using the droplet discharge method, it is possible to reduce the waste of the functional liquid compared to other coating techniques such as a spin coating method. Also,
The droplet discharge method can easily control the amount and position of the functional liquid supplied onto the substrate.

本実施形態においては、機能液Lとして、配線パターンを形成するための導電性材料を
含む機能液が用いられる。これにより、基板上に導電性を有する膜パターンを形成するこ
とができる。この導電性の膜パターンは、配線として各種デバイスに適用される。
In this embodiment, a functional liquid containing a conductive material for forming a wiring pattern is used as the functional liquid L. Thereby, a conductive film pattern can be formed on the substrate. This conductive film pattern is applied to various devices as wiring.

配線パターンを形成するための機能液Lとしては、導電性微粒子を分散媒に分散させた
分散液、有機銀化合物、酸化銀ナノ粒子を溶媒(分散媒)に分散した溶液等を用いること
ができる。導電性微粒子としては、例えば、金、銀、銅、パラジウム、及びニッケルのう
ちのいずれかを含有する金属微粒子の他、これらの酸化物、並びに導電性ポリマーや超電
導体の微粒子などが用いられる。これらの導電性微粒子は、分散性を向上させるために表
面に有機物などをコーティングして使うこともできる。
As the functional liquid L for forming the wiring pattern, a dispersion liquid in which conductive fine particles are dispersed in a dispersion medium, an organic silver compound, a solution in which silver oxide nanoparticles are dispersed in a solvent (dispersion medium), or the like can be used. . Examples of the conductive fine particles include metal fine particles containing any one of gold, silver, copper, palladium, and nickel, oxides thereof, and fine particles of conductive polymers and superconductors. These conductive fine particles can be used by coating the surface with an organic substance or the like in order to improve dispersibility.

導電性微粒子の粒径は1nm以上0.1μm以下であることが好ましい。0.1μmよ
り大きいと、後述する液体吐出ヘッドのノズルに目詰まりが生じるおそれがある。また、
1nmより小さいと、導電性微粒子に対するコーテイング剤の体積比が大きくなり、得ら
れる膜中の有機物の割合が過多となる。
The particle diameter of the conductive fine particles is preferably 1 nm or more and 0.1 μm or less. If it is larger than 0.1 μm, there is a possibility that clogging may occur in the nozzle of the liquid discharge head described later. Also,
If it is smaller than 1 nm, the volume ratio of the coating agent to the conductive fine particles becomes large, and the ratio of organic substances in the resulting film becomes excessive.

分散媒としては、上述の導電性微粒子を分散できるもので、凝集を起こさないものであ
れば特に限定されない。例えば、水の他に、メタノール、エタノール、プロパノール、ブ
タノールなどのアルコール類、n−ヘプタン、n−オクタン、デカン、ドデカン、テトラ
デカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロ
ナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系化合物、
またエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチ
レングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチ
レングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、1,2
−ジメトキシエタン、ビス(2−メトキシエチル)エーテル、p−ジオキサンなどのエー
テル系化合物、さらにプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、N−メチル−2−
ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノンなどの極
性化合物を例示できる。これらのうち、微粒子の分散性と分散液の安定性、また液滴吐出
法(インクジェット法)への適用の容易さの点で、水、アルコール類、炭化水素系化合物
、エーテル系化合物が好ましく、より好ましい分散媒としては、水、炭化水素系化合物を
挙げることができる。
The dispersion medium is not particularly limited as long as it can disperse the above-described conductive fine particles and does not cause aggregation. For example, in addition to water, alcohols such as methanol, ethanol, propanol, butanol, n-heptane, n-octane, decane, dodecane, tetradecane, toluene, xylene, cymene, durene, indene, dipentene, tetrahydronaphthalene, decahydro Hydrocarbon compounds such as naphthalene and cyclohexylbenzene,
Also, ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether, ethylene glycol methyl ethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol methyl ethyl ether, 1,2
-Ether compounds such as dimethoxyethane, bis (2-methoxyethyl) ether, p-dioxane, propylene carbonate, γ-butyrolactone, N-methyl-2-
Examples include polar compounds such as pyrrolidone, dimethylformamide, dimethyl sulfoxide, and cyclohexanone. Of these, water, alcohols, hydrocarbon compounds, and ether compounds are preferred from the viewpoints of fine particle dispersibility and dispersion stability, and ease of application to the droplet discharge method (inkjet method). More preferred dispersion media include water and hydrocarbon compounds.

機能液の表面張力は0.02N/m以上0.07N/m以下の範囲内であることが好ま
しい。液滴吐出法にて液体を吐出する際、表面張力が0.02N/m未満であると、機能
液のノズル面に対する濡れ性が増大するため飛行曲りが生じやすくなり、0.07N/m
を超えるとノズル先端でのメニスカスの形状が安定しないため吐出量や、吐出タイミング
の制御が困難になる。表面張力を調整するため、機能液には、基板との接触角を大きく低
下させない範囲で、フッ素系、シリコーン系、ノニオン系などの表面張力調節剤を微量添
加するとよい。ノニオン系表面張力調節剤は、機能液の基板に対する濡れ性を向上させ、
機能膜のレベリング性を改良し、機能膜の微細な凹凸の発生などの防止に役立つものであ
る。表面張力調節剤は、必要に応じて、アルコール、エーテル、エステル、ケトン等の有
機化合物を含んでもよい。
The surface tension of the functional liquid is preferably in the range of 0.02 N / m or more and 0.07 N / m or less. When the liquid is discharged by the droplet discharge method, if the surface tension is less than 0.02 N / m, the wettability of the functional liquid with respect to the nozzle surface increases, and thus flight bending easily occurs, resulting in 0.07 N / m.
If it exceeds the upper limit, the shape of the meniscus at the nozzle tip is unstable, and it becomes difficult to control the discharge amount and the discharge timing. In order to adjust the surface tension, a small amount of a surface tension regulator such as a fluorine-based, silicone-based, or nonionic-based material may be added to the functional liquid as long as the contact angle with the substrate is not significantly reduced. Nonionic surface tension modifier improves the wettability of the functional fluid to the substrate,
It improves the leveling property of the functional film and helps prevent the occurrence of fine irregularities in the functional film. The surface tension adjusting agent may contain an organic compound such as alcohol, ether, ester, and ketone, if necessary.

機能液の粘度は1mPa・s以上50mPa・s以下であることが好ましい。液滴吐出
法を用いて機能液の滴を吐出する際、粘度が1mPa・sより小さい場合にはノズル周辺
が機能液の流出により汚染されやすく、また粘度が50mPa・sより大きい場合は、ノ
ズル孔での目詰まり頻度が高くなり円滑な液滴の吐出が困難となる。
The viscosity of the functional liquid is preferably 1 mPa · s or more and 50 mPa · s or less. When ejecting droplets of functional liquid using the droplet ejection method, if the viscosity is less than 1 mPa · s, the nozzle periphery is easily contaminated by the outflow of the functional liquid, and if the viscosity is greater than 50 mPa · s, the nozzle The frequency of clogging in the holes increases, and it becomes difficult to smoothly discharge droplets.

液滴吐出法の吐出技術としては、帯電制御方式、加圧振動方式、電気機械変換式、電気
熱変換方式、静電吸引方式などが挙げられる。帯電制御方式は、機能液に帯電電極で電荷
を付与し、偏向電極で機能液の飛翔方向を制御してノズルから吐出させるものである。ま
た、加圧振動方式は、材料に30kg/cm 程度の超高圧を印加してノズル先端側に
機能液を送出するものであり、制御電圧をかけない場合には機能液が直進してノズルから
吐出され、制御電圧をかけると機能液に静電的な反発が起こり、機能液が飛散してノズル
から吐出されない。また、電気機械変換方式は、ピエゾ素子(圧電素子)がパルス的な電
気信号を受けて変形する性質を利用したもので、ピエゾ素子が変形することによって機能
液を貯留した空間に可撓性の部材を介して圧力を与え、この空間から機能液を押し出して
ノズルから吐出させるものである。
Examples of the discharge technique of the droplet discharge method include a charge control method, a pressure vibration method, an electromechanical conversion method, an electrothermal conversion method, and an electrostatic suction method. In the charge control method, a charge is applied to a functional liquid with a charging electrode, and the flight direction of the functional liquid is controlled with a deflection electrode to be discharged from a nozzle. In addition, the pressure vibration method is a method in which an ultra-high pressure of about 30 kg / cm 2 is applied to the material and the functional liquid is sent to the nozzle tip side. When the control voltage is applied, electrostatic repulsion occurs in the functional liquid, and the functional liquid is scattered and is not discharged from the nozzle. The electromechanical conversion method utilizes the property that a piezoelectric element (piezoelectric element) deforms in response to a pulsed electric signal, and the piezoelectric element is deformed to be flexible in the space where the functional liquid is stored. Pressure is applied through the member, and the functional liquid is pushed out from this space and discharged from the nozzle.

また、電気熱変換方式は、機能液を貯留した空間内に設けたヒータにより、機能液を急
激に気化させてバブル(泡)を発生させ、バブルの圧力によって空間内の機能液を吐出さ
せるものである。静電吸引方式は、機能液を貯留した空間内に微小圧力を加え、ノズルに
機能液のメニスカスを形成し、この状態で静電引力を加えてから機能液を引き出すもので
ある。また、この他に、電場による機能液の粘性変化を利用する方式や、放電火花で飛ば
す方式などの技術も適用可能である。液滴吐出法は、機能液の使用に無駄が少なく、しか
も所望の位置に所望の量の機能液を的確に供給できるという利点を有する。なお、液滴吐
出法により吐出される機能液の一滴の量は、例えば1〜300ナノグラムである。
In addition, the electrothermal conversion method is a method in which a functional liquid is rapidly vaporized by a heater provided in a space in which the functional liquid is stored to generate bubbles, and the functional liquid in the space is discharged by the pressure of the bubbles. It is. In the electrostatic attraction method, a minute pressure is applied to the space in which the functional liquid is stored, a meniscus of the functional liquid is formed on the nozzle, and the electrostatic liquid is applied in this state before the functional liquid is drawn out. In addition to this, techniques such as a system that uses a change in the viscosity of the functional liquid due to an electric field, a system that uses a discharge spark, and the like can also be applied. The droplet discharge method has the advantage that the use of the functional liquid is less wasteful and a desired amount of the functional liquid can be accurately supplied to a desired position. In addition, the amount of one drop of the functional liquid discharged by the droplet discharge method is, for example, 1 to 300 nanograms.

図2は基板上に機能液を供給する液滴吐出装置(インクジェット装置)IJの概略構成
を示す斜視図である。図2において、液滴吐出装置IJは、基台9と、基台9上に設けら
れ、基板Pを支持可能なステージ7と、ステージ7に支持されている基板P上に機能液L
の滴を吐出する液滴吐出ヘッド1と、液滴吐出ヘッド1を移動するための駆動モータ2と
、ステージ7を移動するための駆動モータ3と、液滴吐出装置IJの動作を制御する制御
装置CONTとを備えている。
FIG. 2 is a perspective view showing a schematic configuration of a droplet discharge device (inkjet device) IJ for supplying a functional liquid onto a substrate. In FIG. 2, the droplet discharge device IJ includes a base 9, a stage 7 provided on the base 9 and capable of supporting the substrate P, and a functional liquid L on the substrate P supported by the stage 7.
Control for controlling the operation of the droplet discharge apparatus IJ, the drive motor 2 for moving the droplet discharge head 1, the drive motor 3 for moving the stage 7, and the droplet discharge apparatus IJ And a device CONT.

液滴吐出ヘッド1は、複数の吐出ノズルを備えたマルチノズルタイプの液滴吐出ヘッド
であり、長手方向とX軸方向とを一致させている。複数の吐出ノズルは、液滴吐出ヘッド
1の下面にX軸方向に並んで一定間隔で設けられている。液滴吐出ヘッド1は、吐出ノズ
ルより、ステージ7に支持されている基板Pに対して機能液の滴を吐出する。
The droplet discharge head 1 is a multi-nozzle type droplet discharge head having a plurality of discharge nozzles, and the longitudinal direction and the X-axis direction are made to coincide. The plurality of ejection nozzles are provided on the lower surface of the droplet ejection head 1 at regular intervals along the X-axis direction. The droplet discharge head 1 discharges functional liquid droplets onto the substrate P supported by the stage 7 from the discharge nozzle.

駆動モータ2は、液滴吐出ヘッド1を移動するためのものである。液滴吐出ヘッド1に
はX軸方向駆動軸4が接続されており、駆動モータ2は、駆動軸4を回転することにより
、液滴吐出ヘッド1をX軸方向に移動可能である。
The drive motor 2 is for moving the droplet discharge head 1. An X-axis direction drive shaft 4 is connected to the droplet discharge head 1, and the drive motor 2 can move the droplet discharge head 1 in the X-axis direction by rotating the drive shaft 4.

駆動モータ3は、ステージ7を移動するためのものである。ステージ7にはY軸方向駆
動軸5が接続されており、駆動モータ3は、駆動軸5を回転することにより、ステージ7
をY軸方向に移動可能である。
The drive motor 3 is for moving the stage 7. A Y-axis direction drive shaft 5 is connected to the stage 7, and the drive motor 3 rotates the drive shaft 5 to rotate the stage 7.
Can be moved in the Y-axis direction.

制御装置CONTは、駆動モータ2、3を制御し、液滴吐出ヘッド1と基板Pを支持す
るステージ7とを相対的に移動しつつ、基板P上に液滴を供給する。
The control device CONT controls the drive motors 2 and 3 to supply droplets onto the substrate P while relatively moving the droplet discharge head 1 and the stage 7 supporting the substrate P.

また、本実施形態の液滴吐出装置IJはクリーニング機構8を備えている。クリーニン
グ機構8は、液滴吐出ヘッド1をクリーニングするものであり、不図示の駆動モータによ
り、Y軸方向に移動可能である。制御装置CONTは、クリーニング機構8と液滴吐出ヘ
ッド1とを相対的に移動することによって、クリーニング機構8と液滴吐出ヘッド1とを
近づけ、そのクリーニング機構8を用いて液滴吐出ヘッド1をクリーニングすることがで
きる。
Further, the droplet discharge device IJ of the present embodiment includes a cleaning mechanism 8. The cleaning mechanism 8 cleans the droplet discharge head 1 and is movable in the Y-axis direction by a drive motor (not shown). The control device CONT moves the cleaning mechanism 8 and the droplet discharge head 1 relatively to bring the cleaning mechanism 8 and the droplet discharge head 1 closer to each other, and uses the cleaning mechanism 8 to move the droplet discharge head 1. Can be cleaned.

また、本実施形態の液滴吐出装置IJは、基板Pを熱処理するためのヒータ15を備え
ている。ヒータ15は、例えば基板P上の機能液に含まれる溶媒の蒸発、乾燥を行うこと
ができる。
Further, the droplet discharge device IJ of this embodiment includes a heater 15 for heat treating the substrate P. The heater 15 can evaporate and dry the solvent contained in the functional liquid on the substrate P, for example.

図3はピエゾ方式による機能液の吐出原理を説明するための図である。図3において、
機能液を収容する液体室21に隣接してピエゾ素子22が設置されている。液体室21に
は、機能液を収容するタンクを含む供給系23を介して機能液が供給される。ピエゾ素子
22は駆動回路24に接続されており、この駆動回路24を介してピエゾ素子22に電圧
を印加し、ピエゾ素子22を変形させることにより、液体室21が変形し、ノズル25か
ら機能液が吐出される。この場合、印加電圧の値を変化させることにより、ピエゾ素子2
2の歪み量が制御される。また、印加電圧の周波数を変化させることにより、ピエゾ素子
22の歪み速度が制御される。ピエゾ方式による液滴吐出は材料に熱を加えないため、材
料の組成に影響を与えにくいという利点を有する。
FIG. 3 is a diagram for explaining the principle of discharging the functional liquid by the piezo method. In FIG.
A piezo element 22 is installed adjacent to the liquid chamber 21 that stores the functional liquid. The functional liquid is supplied to the liquid chamber 21 via a supply system 23 including a tank that stores the functional liquid. The piezo element 22 is connected to a drive circuit 24, and a voltage is applied to the piezo element 22 through the drive circuit 24 to deform the piezo element 22, whereby the liquid chamber 21 is deformed and the functional liquid is discharged from the nozzle 25. Is discharged. In this case, the piezoelectric element 2 is changed by changing the value of the applied voltage.
2 is controlled. Further, the strain rate of the piezo element 22 is controlled by changing the frequency of the applied voltage. Since the droplet discharge by the piezo method does not apply heat to the material, it has an advantage of hardly affecting the composition of the material.

〔第1実施形態〕
次に、膜パターンの形成方法の第1実施形態について図4〜図6を参照しながら説明す
る。図4は本実施形態に係る膜パターンの形成方法の一例を示すフローチャート図、図5
、図6は形成手順を示す模式図である。本実施形態では、配線パターンを形成する場合を
例にして説明する。
[First Embodiment]
Next, a first embodiment of a film pattern forming method will be described with reference to FIGS. FIG. 4 is a flowchart showing an example of a film pattern forming method according to the present embodiment.
FIG. 6 is a schematic diagram showing a forming procedure. In this embodiment, a case where a wiring pattern is formed will be described as an example.

本実施形態に係る配線パターンの形成方法は、上述した配線パターンを形成するための
機能液を基板上に供給し、基板上に配線パターン(導電膜)を形成するものであって、基
板上にバンクを形成するためのバンク材料を塗布する工程と、配線パターンに応じてバン
ク材料からなる膜を露光する工程と、現像することでバンクを形成する工程と、現像によ
り形成されたバンクの上面を撥液性にする工程と、バンクによって区画された領域に機能
液を供給する工程と、基板上の機能液及びバンクを焼成する工程とを有している。以下、
各工程毎に詳細に説明する。本実施形態では基板Pとしてガラス基板が用いられる。
The wiring pattern forming method according to the present embodiment supplies the functional liquid for forming the wiring pattern described above onto the substrate, and forms a wiring pattern (conductive film) on the substrate. A step of applying a bank material for forming a bank, a step of exposing a film made of the bank material according to a wiring pattern, a step of forming a bank by developing, and an upper surface of the bank formed by development. It has a step of making it liquid repellent, a step of supplying a functional liquid to a region partitioned by the bank, and a step of firing the functional liquid and the bank on the substrate. Less than,
Each step will be described in detail. In this embodiment, a glass substrate is used as the substrate P.

(親液処理工程)
まず、図5(A)に示すように、バンクを形成する前に、基板Pの表面を親液性にする
親液化処理が行われる(親液化処理工程S1)。親液化処理は、基板P上に供給される機
能液が基板Pの表面に良好に濡れるようにするために行われる。親液化処理は、例えば基
板Pの表面にTiO等の親液性の高い膜を形成する、あるいは、基板Pの表面を粗面化
することで基板Pの表面を親液性にしてもよい。
(Liquid treatment process)
First, as shown in FIG. 5A, before forming the bank, a lyophilic process for making the surface of the substrate P lyophilic is performed (lyophilic process step S1). The lyophilic process is performed so that the functional liquid supplied onto the substrate P can be wetted well on the surface of the substrate P. In the lyophilic treatment, for example, a highly lyophilic film such as TiO 2 is formed on the surface of the substrate P, or the surface of the substrate P may be made lyophilic by roughening the surface of the substrate P. .

(バンク形成工程)
次に、基板P上にバンクを形成する処理が行われる。バンクは、例えばフォトリソグラ
フィ法や印刷法等、所定の手法を用いて形成される。例えば、フォトリソグラフィ法を用
いる場合には、スピンコート、スプレーコート、ロールコート、ダイコート、ディップコ
ート等の所定の方法で、図5(B)に示すように、基板P上にバンク材料を塗布すること
によって、そのバンク材料からなる膜31が形成される(バンク膜形成工程S2)。上述
のように、本実施形態のバンク材料は、例えば特許第2890893号公報に開示されて
いるような、シロキサン結合を主鎖とした材料である。本実施形態では、膜31は、バン
ク材料をスピンコートすることで形成される。
(Bank formation process)
Next, a process of forming a bank on the substrate P is performed. The bank is formed using a predetermined method such as a photolithography method or a printing method. For example, when using a photolithography method, a bank material is applied onto the substrate P as shown in FIG. 5B by a predetermined method such as spin coating, spray coating, roll coating, die coating, dip coating, or the like. Thus, a film 31 made of the bank material is formed (bank film forming step S2). As described above, the bank material of this embodiment is a material having a siloxane bond as a main chain as disclosed in, for example, Japanese Patent No. 2890893. In the present embodiment, the film 31 is formed by spin coating a bank material.

そして、図5(C)に示すように、バンク材料がプリべークされる(プリベーク工程S
3)。プリベークは、例えばホットプレートを用いて、95℃で2分間加熱することで行
われる。
Then, as shown in FIG. 5C, the bank material is pre-baked (pre-baking step S).
3). Pre-baking is performed by heating at 95 ° C. for 2 minutes using, for example, a hot plate.

次に、図5(D)に示すように、マスクを用いて膜31が露光される(露光工程S4)
。マスクには、形成しようとするバンクに応じたパターンが形成されており、マスクのパ
ターンに応じた膜31上の領域に露光のための光が照射される。本実施形態では、バンク
材料として、シロキサン結合を主鎖とした材料と光酸発生剤(PAG)とを含む感光性の
材料を用いており、露光のための光を照射し、後述の現像処理を行うことで、バンク材料
を直接パターニングできるようになっている。
Next, as shown in FIG. 5D, the film 31 is exposed using a mask (exposure step S4).
. A pattern corresponding to the bank to be formed is formed on the mask, and an area on the film 31 corresponding to the mask pattern is irradiated with light for exposure. In the present embodiment, a photosensitive material including a material having a siloxane bond as the main chain and a photoacid generator (PAG) is used as the bank material, and light for exposure is irradiated to develop the processing described later. As a result, the bank material can be directly patterned.

(現像工程)
次に、図6(A)に示すように、現像処理が行われる(現像工程S5)。なお、現像処
理の条件は、現像液:TMAH2.38%、温度:25℃、現像時間:80秒とする。こ
れにより、バンクB、Bが形成され、バンクB、B間には凹部34が形成される。ここで
、現像により、凹部34の内側の基板Pの上面とバンクBの側面とはほぼ直角(又は鋭角
)となるように、現像条件等を含むバンク形成条件が設定されている。
(Development process)
Next, as shown in FIG. 6A, development processing is performed (development step S5). The development processing conditions are: developer: TMAH 2.38%, temperature: 25 ° C., development time: 80 seconds. Thereby, banks B and B are formed, and a recess 34 is formed between the banks B and B. Here, bank formation conditions including development conditions and the like are set so that the upper surface of the substrate P inside the recess 34 and the side surface of the bank B are substantially perpendicular (or acute) by development.

次に、必要に応じて、バンクB、B間の残渣処理を行う。残渣処理としては、フッ酸溶
液で残渣部分をエッチングするフッ酸処理を採用することができる。フッ酸処理では、バ
ンクB、Bがマスクとして機能し、バンクB、B間に形成された凹部34の底部35に残
ったバンク材料等が除去される。なお、残渣処理としては、凹部34の底部35に紫外光
を照射する紫外光(UV)照射処理、大気雰囲気中で酸素を処理ガスとするOプラズマ
処理などを採用することもできる。
Next, residual processing between banks B and B is performed as necessary. As the residue treatment, a hydrofluoric acid treatment in which a residue portion is etched with a hydrofluoric acid solution can be employed. In the hydrofluoric acid treatment, the banks B and B function as a mask, and the bank material and the like remaining on the bottom 35 of the recess 34 formed between the banks B and B are removed. As the residue treatment, an ultraviolet light (UV) irradiation treatment for irradiating the bottom 35 of the concave portion 34 with ultraviolet light, an O 2 plasma treatment using oxygen as a treatment gas in an air atmosphere, or the like can be employed.

(撥液化処理工程)
次に、図6(B)に示すように、バンクBの上面を撥液性する撥液化処理が行われる(
撥液化処理工程S6)。撥液化処理としては、例えば大気雰囲気中でテトラフルオロメタ
ンを処理ガスとするプラズマ処理法(CFプラズマ処理法)を採用することができる。
なお、処理ガスとしては、テトラフルオロメタン(四フッ化炭素)に限らず、他のフルオ
ロカーボン系のガスを用いることもできる。このような撥液化処理を行なうことにより、
バンクBの上面にフッ素基が導入され、バンクBの上面に高い撥液性が付与される。
(Liquid repellency treatment process)
Next, as shown in FIG. 6B, a liquid repellency treatment is performed to make the upper surface of the bank B liquid repellent (
Liquid repellency treatment step S6). As the lyophobic treatment, for example, a plasma treatment method (CF 4 plasma treatment method) using tetrafluoromethane as a treatment gas in an air atmosphere can be employed.
The processing gas is not limited to tetrafluoromethane (carbon tetrafluoride), and other fluorocarbon gases can also be used. By performing such a liquid repellency treatment,
A fluorine group is introduced into the upper surface of bank B, and high liquid repellency is imparted to the upper surface of bank B.

図7はCFプラズマ処理する際に用いるプラズマ処理装置の一例を示す概略構成図で
ある。図7に示すプラズマ処理装置は、交流電源141に接続された電極142と、接地
電極であるテーブル140とを有している。テーブル140は基板Pを支持しつつY軸方
向に移動可能となっている。電極42の下面には、移動方向と直交するX軸方向に延在す
る2本の平行な放電発生部144、144が突設されているとともに、放電発生部144
を囲むように誘電体部材145が設けられている。誘電体部材145は放電発生部144
の異常放電を防止するものである。そして、誘電体部材145を含む電極142の下面は
略平面状となっており、放電発生部144及び誘電体部材145と基板Pとの間には僅か
な空間(放電ギャップ)が形成されるようになっている。また、電極142の中央にはX
軸方向に細長く形成された処理ガス供給部の一部を構成するガス噴出口146が設けられ
ている。ガス噴出口146は、電極内部のガス通路147及び中間チャンバ148を介し
てガス導入口149に接続している。
FIG. 7 is a schematic configuration diagram showing an example of a plasma processing apparatus used for CF 4 plasma processing. The plasma processing apparatus shown in FIG. 7 includes an electrode 142 connected to an AC power source 141 and a table 140 that is a ground electrode. The table 140 is movable in the Y-axis direction while supporting the substrate P. On the lower surface of the electrode 42, two parallel discharge generators 144, 144 extending in the X-axis direction orthogonal to the moving direction are projected, and the discharge generator 144 is provided.
A dielectric member 145 is provided so as to surround. The dielectric member 145 is a discharge generator 144.
Is to prevent abnormal discharge. The lower surface of the electrode 142 including the dielectric member 145 has a substantially planar shape, and a slight space (discharge gap) is formed between the discharge generating portion 144 and the dielectric member 145 and the substrate P. It has become. The center of the electrode 142 has X
A gas ejection port 146 that constitutes a part of the processing gas supply unit that is elongated in the axial direction is provided. The gas ejection port 146 is connected to the gas introduction port 149 via the gas passage 147 inside the electrode and the intermediate chamber 148.

ガス通路147を通ってガス噴出口146から噴射された処理ガスを含む所定ガスは、
前記空間の中を移動方向(Y軸方向)の前方及び後方に分かれて流れ、誘電体部材145
の前端及び後端から外部に排気される。これと同時に、交流電源141から電極142に
所定の電圧が印加され、放電発生部144、144とテーブル140との間で気体放電が
発生する。そして、この気体放電により生成されるプラズマで所定ガスの励起活性種が生
成され、放電領域を通過する基板Pの上に形成されたバンク膜31の表面全体が連続的に
処理される。
The predetermined gas including the processing gas injected from the gas outlet 146 through the gas passage 147 is:
The dielectric member 145 flows through the space separately in front and rear in the moving direction (Y-axis direction).
The air is exhausted to the outside from the front end and rear end. At the same time, a predetermined voltage is applied from the AC power supply 141 to the electrode 142, and gas discharge is generated between the discharge generators 144 and 144 and the table 140. The excited active species of the predetermined gas is generated by the plasma generated by the gas discharge, and the entire surface of the bank film 31 formed on the substrate P passing through the discharge region is continuously processed.

所定ガスは、処理ガスである四フッ化炭素(テトラフルオロメタン)と、大気圧近傍の
圧力下で放電を容易に開始させ且つ安定に維持するためのヘリウム(He)、アルゴン(
Ar)等の希ガスや窒素(N)等の不活性ガスとを混合したものを用いることができる
The predetermined gas includes carbon tetrafluoride (tetrafluoromethane), which is a processing gas, and helium (He), argon (for easily starting and maintaining stable discharge under pressure near atmospheric pressure)
A mixture of a rare gas such as Ar) or an inert gas such as nitrogen (N 2 ) can be used.

本実施形態においては、バンクBは、シロキサン結合を主鎖とした無機材料であり、凹
部34の内側の基板Pの上面とバンクBの側面とはほぼ直角(又は鋭角)となっており、
CFプラズマ処理法により、バンクBの上面にはフッ素基が円滑に導入されるが、バン
クBの側面(内側面)にはフッ素基が導入され難くなっている。すなわち、シロキサン結
合を主鎖とした材料は、比較的フッ素基が導入され難い材料であり、また、基板Pの上面
とバンクBの側面とが直角であると、バンクBに対して上方から供給されるフッ素基(フ
ッ素を含む処理ガス)がバンクBの側面に導入され難くなっている。したがって、本実施
形態においては、バンクBに対して上方から供給されるフッ素基(フッ素を含む処理ガス
)はバンクBの上面に円滑に導入されるものの、バンクBの側面には導入され難くなって
いる。そのため、機能液を供給する前において、バンクBの側面の撥液性物質(フッ素基
)の量は抑えられ、撥液性が抑えられた状態となっている。
In the present embodiment, the bank B is an inorganic material having a siloxane bond as a main chain, and the upper surface of the substrate P inside the recess 34 and the side surface of the bank B are substantially perpendicular (or acute angles),
Although the fluorine group is smoothly introduced into the upper surface of the bank B by the CF 4 plasma treatment method, it is difficult to introduce the fluorine group into the side surface (inner side surface) of the bank B. That is, a material having a siloxane bond as a main chain is a material in which a fluorine group is relatively difficult to be introduced, and if the upper surface of the substrate P and the side surface of the bank B are perpendicular, the material is supplied to the bank B from above. It is difficult for the fluorine group (treatment gas containing fluorine) to be introduced into the side surface of the bank B. Therefore, in the present embodiment, the fluorine group (processing gas containing fluorine) supplied from above to the bank B is smoothly introduced into the upper surface of the bank B, but is hardly introduced into the side surface of the bank B. ing. Therefore, before supplying the functional liquid, the amount of the liquid repellent substance (fluorine group) on the side surface of the bank B is suppressed, and the liquid repellency is suppressed.

(機能液供給工程)
次に、図2を参照して説明したような液滴吐出装置IJを用いて、配線パターンを形成
するための機能液Lを、基板P上のバンクB、Bによって区画された領域、すなわちバン
クB、B間の凹部34に供給(吐出)する(機能液供給工程S7)。機能液供給工程では
、図6(C)に示すように、液滴吐出ヘッド1から配線パターンを形成するための材料を
含む機能液Lを滴にして吐出する。吐出された液滴は、基板P上のバンクB、B間の凹部
34を満たす。
(Functional liquid supply process)
Next, using the droplet discharge apparatus IJ as described with reference to FIG. 2, the functional liquid L for forming the wiring pattern is applied to the region partitioned by the banks B and B on the substrate P, that is, the bank. Supply (discharge) to the recess 34 between B and B (functional liquid supply step S7). In the functional liquid supply step, as shown in FIG. 6C, the functional liquid L containing the material for forming the wiring pattern is discharged as droplets from the droplet discharge head 1. The discharged droplets fill the recesses 34 between the banks B on the substrate P.

液滴が供給される凹部34はバンクB、Bに囲まれているので、液滴が所定位置以外に
拡がることを阻止することができる。また、上述の撥液化処理工程において、膜31の上
面(バンクB、Bの上面)は撥液性となっている。したがって、バンクB、B間の凹部3
4に向けて吐出された機能液の一部が、凹部34から外れてバンクBの上面にかかったと
しても、撥液性を有するバンクBの上面で弾かれて凹部34に流れ込むことができる。ま
た、上述のように、バンクBの上面には撥液性が付与されているが、バンクBの側面の撥
液性物質(フッ素基)の量が抑えられているので、すなわちバンクBの側面の撥液性は低
いので、凹部34に供給された機能液は、凹部34の側面に良好に濡れることができる。
また、底部35にも撥液性は付与されていないので、凹部34に供給された機能液Lは、
凹部34全体を良好に満たすことができる。これにより、バンクB、Bによって区画され
た領域(すなわち凹部34)は機能液で均一に満たされる。
Since the recess 34 to which the droplet is supplied is surrounded by the banks B and B, it is possible to prevent the droplet from spreading to other than the predetermined position. In the above-described liquid repellency treatment step, the upper surface of the film 31 (the upper surfaces of the banks B and B) is liquid repellant. Therefore, the recess 3 between the banks B and B
Even if a part of the functional liquid discharged toward the surface 4 is detached from the recess 34 and hits the upper surface of the bank B, it can be repelled on the upper surface of the bank B having liquid repellency and flow into the recess 34. Further, as described above, the liquid repellent property is imparted to the upper surface of the bank B, but the amount of the liquid repellent substance (fluorine group) on the side surface of the bank B is suppressed, that is, the side surface of the bank B. Since the liquid repellency is low, the functional liquid supplied to the concave portion 34 can wet well on the side surface of the concave portion 34.
In addition, since the liquid repellency is not imparted to the bottom portion 35, the functional liquid L supplied to the concave portion 34 is
The entire recess 34 can be satisfactorily filled. Thereby, the area (that is, the recess 34) partitioned by the banks B and B is uniformly filled with the functional liquid.

なお、凹部34に機能液Lを供給した後、焼成工程の前に、基板P全体に露光処理を施
すようにしてもよい。これにより、バンク中に残留している光酸発生剤(PAG)を反応
(除去)することができ、例えば光酸発生剤(PAG)に起因してバンクBが着色してい
る場合でも、その色を消すことができる。
In addition, after supplying the functional liquid L to the recessed part 34, you may make it perform the exposure process to the whole board | substrate P before a baking process. Thereby, the photoacid generator (PAG) remaining in the bank can be reacted (removed), for example, even when the bank B is colored due to the photoacid generator (PAG). The color can be erased.

(焼成工程)
そして、図6(D)に示すように、基板上の機能液及びバンクを焼成する(焼成工程S
8)。焼成を行うことにより、基板上の機能液の膜に導電性を発現させるとともに、バン
クB、Bを硬化させる。
(Baking process)
Then, as shown in FIG. 6D, the functional liquid and the bank on the substrate are fired (firing step S).
8). By performing the firing, the functional liquid film on the substrate is made electrically conductive, and the banks B and B are cured.

焼成を行うことにより、機能液の溶媒(分散媒)が除去され、基板P上の機能液Lの膜
は、図6(D)に示すように、導電性を有する膜パターンFに変換される。また、機能液
Lの導電性材料が例えば有機銀化合物の場合、熱処理を行い、有機銀化合物の有機分を除
去し、銀粒子を残留させることによって、導電性が発現される。
By performing the baking, the solvent (dispersion medium) of the functional liquid is removed, and the film of the functional liquid L on the substrate P is converted into a conductive film pattern F as shown in FIG. . In addition, when the conductive material of the functional liquid L is, for example, an organic silver compound, conductivity is developed by performing heat treatment to remove the organic component of the organic silver compound and leave silver particles.

以上説明したように、バンクBを形成するために膜31を現像し、バンクBの上面を撥
液性にした後、焼成する前に、機能液Lを凹部34に供給するようにしたので、凹部34
の内側に、機能液Lを円滑に満たすことができる。
As described above, since the film 31 is developed to form the bank B, and the upper surface of the bank B is made liquid repellent, before the firing, the functional liquid L is supplied to the recess 34. Recess 34
Can be filled with the functional liquid L smoothly.

例えば、膜31を露光し、現像することによってバンクBを形成し、そのバンクBを焼
成した後、バンクBに対してCFプラズマ処理を施し、その後、凹部34に機能液Lを
供給する場合について考える。図8(A)の模式図に示すように、露光後の膜31を現像
した後、焼成することにより、焼成時の熱に起因して、凹部34の内側の基板Pの上面と
バンクBの内側面とが鈍角となる可能性がある。すなわち、焼成により、バンクB、B間
の凹部34が、上方に向かって漸次拡がるテーパ状となる可能性がある。そのような状態
で、バンクBの上面を撥液性にするためにCFプラズマ処理を施した場合、バンクBの
内側面は斜め上方に向いているため、図8(B)の模式図に示すように、そのバンクBの
内側面にも多くのフッ素基が導入される可能性がある。そのようなバンクB、B間に対し
て機能液Lを供給した場合、図8(C)の模式図に示すように、バンクB、B間に供給さ
れた機能液Lは、撥液性を有するバンクBの内側面に良好に密着できなくなる(良好に濡
れなくなる)可能性がある。
For example, when the film 31 is exposed and developed to form the bank B, the bank B is baked, the bank B is then subjected to CF 4 plasma treatment, and then the functional liquid L is supplied to the recess 34 think about. As shown in the schematic diagram of FIG. 8A, the exposed film 31 is developed and then baked, whereby the upper surface of the substrate P inside the recess 34 and the bank B are caused by heat during baking. There is a possibility that the inner surface becomes obtuse. That is, there is a possibility that the concave portion 34 between the banks B and B becomes a tapered shape that gradually expands upward due to firing. In such a state, when CF 4 plasma treatment is performed to make the upper surface of the bank B liquid-repellent, the inner surface of the bank B faces obliquely upward, so the schematic diagram of FIG. As shown, there is a possibility that many fluorine groups are also introduced into the inner surface of the bank B. When the functional liquid L is supplied between such banks B and B, as shown in the schematic diagram of FIG. 8C, the functional liquid L supplied between the banks B and B has liquid repellency. There is a possibility that good adhesion to the inner side of the bank B will not be achieved (no good wetting).

本実施形態では、バンクBの内側面のフッ素基の量を抑えた状態で機能液Lを供給する
ために、現像した後、焼成する前に、バンクBの上面を撥液性にするための処理を行って
いる。図9(A)の模式図に示すように、現像直後においては、凹部34の内側の基板P
の上面とバンクBの内側面とはほぼ直角(又は鋭角)なので、その状態でバンクBに対し
てCFプラズマ処理を施しても、バンクBの内側面にはフッ素基は導入され難く、図9
(B)の模式図に示すように、フッ素基は主に、バンクBの上面に導入される。したがっ
て、そのようなバンクB、B間に対して機能液Lを供給した場合、バンクB、B間に供給
された機能液Lは、図9(C)の模式図に示すように、撥液性を有しないバンクBの内側
面に良好に密着(良好に濡れる)ことができる。そして、その後、機能液LとバンクBと
を一緒に焼成することで、所望の膜パターンF及びバンクBを得ることができる。
In the present embodiment, in order to supply the functional liquid L in a state where the amount of fluorine groups on the inner side surface of the bank B is suppressed, the upper surface of the bank B is made liquid repellent after development and before baking. Processing is in progress. As shown in the schematic diagram of FIG. 9A, immediately after development, the substrate P inside the recess 34 is formed.
Since the upper surface of the bank B and the inner side surface of the bank B are substantially perpendicular (or acute), even if CF 4 plasma treatment is performed on the bank B in this state, it is difficult for fluorine groups to be introduced into the inner side surface of the bank B. 9
As shown in the schematic diagram of (B), the fluorine group is mainly introduced into the upper surface of the bank B. Therefore, when the functional liquid L is supplied between such banks B and B, the functional liquid L supplied between the banks B and B is liquid repellent as shown in the schematic diagram of FIG. It can adhere well (wet well) to the inner surface of the bank B which does not have the property. Then, the desired liquid pattern F and bank B can be obtained by firing the functional liquid L and the bank B together.

〔第2実施形態〕
次に第2実施形態について図10を参照しながら説明する。以下の説明において、上述
の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若し
くは省略する。
[Second Embodiment]
Next, a second embodiment will be described with reference to FIG. In the following description, the same or equivalent components as those of the above-described embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is simplified or omitted.

本実施形態のパターン形成方法は、基板P上にバンクBを形成するバンク形成工程と、
バンクBによって区画された線状の領域Aに機能液Lを供給する機能液供給工程とを有し
ている。バンク形成工程は、上述の第1実施形態で説明した手順と同等である。
The pattern forming method of this embodiment includes a bank forming step of forming a bank B on the substrate P,
A functional liquid supply step of supplying the functional liquid L to the linear area A partitioned by the bank B. The bank forming process is equivalent to the procedure described in the first embodiment.

本実施形態のパターン形成方法では、バンクBによって区画された線状領域Aに機能液
Lが供給され、この機能液Lが例えば乾燥されることにより、基板P上に線状のパターン
Fが形成される。この場合、バンクBによってパターンFの形状が規定されることから、
例えば隣接するバンクB、B間の幅を狭くするなど、バンクBを適切に形成することによ
り、パターンFの微細化や細線化が図られる。この場合、バンクBの内側面は機能液Lに
対して濡れ性の良い状態であることが望ましいが、上述したように、バンクBの内側面は
撥液化されていないので、バンクB,B間の幅を狭くしても機能液Lは毛管現象等により
バンクB,B内にスムーズに入り込むことができる。なお、パターンFが形成された後、
基板PからバンクBを除去してもよく、そのまま基板P上に残してもよい。
In the pattern forming method of the present embodiment, the functional liquid L is supplied to the linear region A partitioned by the bank B, and the functional liquid L is dried, for example, to form a linear pattern F on the substrate P. Is done. In this case, since the shape of the pattern F is defined by the bank B,
For example, the pattern F can be made finer or thinner by appropriately forming the bank B, for example, by narrowing the width between the adjacent banks B, B. In this case, the inner side surface of the bank B is preferably in a state of good wettability with respect to the functional liquid L. However, as described above, the inner side surface of the bank B is not liquid-repellent. The functional liquid L can smoothly enter the banks B and B due to capillary action or the like even if the width of is narrowed. After the pattern F is formed,
The bank B may be removed from the substrate P or may be left on the substrate P as it is.

また、本実施形態のパターン形成方法では、基板P上にバンクBを形成する際、バンク
Bによって区画される線状領域Aについて、一部の幅を広くする。すなわち、線状領域A
の軸方向に関する所定の位置に、他の領域の幅Wに比べて広い幅Wp(Wp>W)からな
る部分(以後、必要に応じて幅広部Asと称す)を、単数あるいは複数設ける。
In the pattern forming method of the present embodiment, when the bank B is formed on the substrate P, the width of a part of the linear region A partitioned by the bank B is increased. That is, the linear region A
One or a plurality of portions (hereinafter referred to as wide portions As as required) having a width Wp (Wp> W) wider than the width W of other regions are provided at predetermined positions in the axial direction.

本実施形態のパターン形成方法では、バンクBによって区画された線状領域Aの幅が部
分的(幅広部As)に広く形成されていることにより、機能液Lの配置時、この幅広部A
sに機能液Lの一部が退避し、バンクBからの機能液Lの溢れが防止される。
In the pattern forming method of the present embodiment, the width of the linear region A partitioned by the bank B is partially wide (wide portion As).
A part of the functional liquid L is retracted to s, and overflow of the functional liquid L from the bank B is prevented.

一般に、線状領域に液体を配置する際、液体の表面張力の作用などによってその領域に
液体が流入しにくかったり、その領域内で液体が広がりにくい場合がある。これに対して
、本実施形態のパターン形成方法では、線幅に差が設けられている部分での液体の動きが
誘因となり、線状領域Aへの機能液Lの流入あるいは線状領域A内での機能液Lの拡がり
が促進され、バンクBからの機能液Lの溢れが防止される。なお、機能液Lの配置に際し
て、線状領域Aに対する機能液の供給量が適宜設定されることは言うまでもない。
In general, when a liquid is disposed in a linear region, it may be difficult for the liquid to flow into the region due to the action of the surface tension of the liquid, or the liquid may not easily spread in the region. On the other hand, in the pattern forming method of the present embodiment, the movement of the liquid in the portion where the line width is different causes the inflow of the functional liquid L into the linear area A or the linear area A. The spread of the functional liquid L at the point B is promoted, and the overflow of the functional liquid L from the bank B is prevented. Needless to say, when the functional liquid L is disposed, the amount of the functional liquid supplied to the linear region A is appropriately set.

このように、本実施形態のパターン形成方法では、機能液Lの供給時におけるバンクB
からの機能液Lの溢れが防止されることから、パターンFが所望の形状に正確に形成され
る。したがって、細い線状のパターンFを、精度よく安定的に形成することができる。
Thus, in the pattern forming method of the present embodiment, the bank B at the time of supplying the functional liquid L
As a result, the overflow of the functional liquid L is prevented, so that the pattern F is accurately formed in a desired shape. Therefore, the thin linear pattern F can be stably formed with high accuracy.

また、本実施形態では、バンクBの形成を上述の第1実施形態で示した方法で行なって
いるため、バンクBの上面のみ撥液化し、バンクBの内側面を撥液化しない状態とするこ
とができる。このため、微細なパターンFを形成する場合でも、バンクB,B内に機能液
Lがスムーズに入り込めるようになり、膜の均一性も向上する。
Further, in this embodiment, since the bank B is formed by the method described in the first embodiment, only the upper surface of the bank B is made liquid repellent and the inner side surface of the bank B is not made liquid repellent. Can do. For this reason, even when the fine pattern F is formed, the functional liquid L can smoothly enter the banks B and B, and the uniformity of the film is also improved.

ここで、バンクBによって区画される線状領域Aにおいて、幅広部Asの幅Wpは、他
の部分の幅Wの110〜500%であるのが好ましい。これにより、機能液の配置時にお
けるバンクからの機能液の溢れが確実に防止される。なお、上記割合が110%未満であ
ると、幅の広い部分に機能液が十分に退避しないおそれがあるので好ましくない。また、
500%を超えると、基板上のスペースの有効利用を図る上で好ましくない。
Here, in the linear region A partitioned by the bank B, the width Wp of the wide portion As is preferably 110 to 500% of the width W of other portions. Thereby, overflow of the functional liquid from the bank at the time of arrangement of the functional liquid is surely prevented. In addition, it is not preferable that the ratio is less than 110% because the functional liquid may not sufficiently retreat to a wide portion. Also,
If it exceeds 500%, it is not preferable for effective use of the space on the substrate.

なお、線状領域Aの形状は図10に示したものに限らず他の形状でもよい。線状領域A
における幅広部Asの個数や大きさ、配置位置、配置ピッチなどはパターンの材質や幅、
あるいは要求精度に応じて適宜設定される。
The shape of the linear region A is not limited to that shown in FIG. Linear region A
The number and size of the wide portion As, the arrangement position, the arrangement pitch, etc.
Or it sets suitably according to a required precision.

[第3実施形態]
次に第3実施形態について図11及び図12を参照しながら説明する。図11において
、基板P上には、バンクBによって第1の幅H1を有する第1溝部34A(幅広領域)と
、その第1溝部34Aに接続するように第2の幅H2を有する第2溝部34B(幅狭領域
)とが形成されている。第1の幅H1は機能液の滴の飛翔径よりも大きく形成されている
。第2の幅H2は第1の幅H1よりも狭くなっている。換言すれば、第2の幅H2は第1
の幅H1以下である。また、第1溝部34Aは図11中、X軸方向に延びるように形成さ
れ、第2溝部34BはX軸方向とは異なる方向のY軸方向に延びるように形成されている
。このバンクBは第1実施形態の方法により形成されたものである。
[Third Embodiment]
Next, a third embodiment will be described with reference to FIGS. In FIG. 11, on the substrate P, a bank B is provided with a first groove 34A (wide area) having a first width H1, and a second groove H2 having a second width H2 so as to be connected to the first groove 34A. 34B (narrow region) is formed. The first width H1 is formed larger than the flying diameter of the functional liquid droplet. The second width H2 is narrower than the first width H1. In other words, the second width H2 is the first width.
Width H1 or less. In addition, the first groove portion 34A is formed to extend in the X-axis direction in FIG. 11, and the second groove portion 34B is formed to extend in the Y-axis direction that is different from the X-axis direction. This bank B is formed by the method of the first embodiment.

上述した溝部34A、34BにパターンFを形成するためには、まず、図12(A)に
示すように、パターンFを形成するための機能液Lの液滴を液滴吐出ヘッド1により第1
溝部34Aの所定位置に供給する。機能液Lの液滴を第1溝部34Aに供給するときには
、第1溝部34Aの上方より液滴吐出ヘッド1を使って液滴を第1溝部34Aに吐出する
。本実施形態においては、図12(A)に示すように、機能液Lの液滴は、第1溝部34
Aの長手方向(X軸方向)に沿って所定間隔で配置される。このとき、機能液Lの液滴は
、第1溝部34Aのうち第1溝部34Aと第2溝部34Bとが接続する接続部37近傍(
交差領域)にも供給される。
In order to form the pattern F in the above-described grooves 34A and 34B, first, as shown in FIG. 12A, the droplet of the functional liquid L for forming the pattern F is first discharged by the droplet discharge head 1.
Supply to a predetermined position of the groove 34A. When supplying the liquid droplet of the functional liquid L to the first groove portion 34A, the liquid droplet is ejected from above the first groove portion 34A to the first groove portion 34A using the droplet discharge head 1. In the present embodiment, as shown in FIG. 12A, the droplet of the functional liquid L is transferred to the first groove portion 34.
It arrange | positions at predetermined intervals along the longitudinal direction (X-axis direction) of A. At this time, the liquid droplet of the functional liquid L is in the vicinity of the connection portion 37 where the first groove portion 34A and the second groove portion 34B of the first groove portion 34A are connected (
(Intersection area).

図12(B)に示すように、第1溝部34Aに供給された機能液Lは、自己流動により
第1溝部34A内において濡れ拡がる。更に、第1溝部34Aに供給された機能液Lは、
自己流動によって第2溝部34Bにも濡れ拡がる。これにより、第2溝部34B上より直
接的に第2溝部34Bに対して液滴を吐出することなく、第2溝部34Bにも機能液Lを
満たすことができる。この場合、バンクBの側面は機能液Lに対して濡れ性の良い状態で
あることが望ましいが、本実施形態においてもバンクBの内側面が撥液化されていないの
で、バンクB,B間の幅を狭くしても機能液Lは毛管現象等によりバンクB,B内にスム
ーズに入り込むことができる。
As shown in FIG. 12B, the functional liquid L supplied to the first groove 34A wets and spreads in the first groove 34A by self-flow. Furthermore, the functional liquid L supplied to the first groove 34A is
Due to self-flow, the second groove 34B also spreads wet. Thereby, the functional liquid L can be filled also in the 2nd groove part 34B, without discharging a droplet directly with respect to the 2nd groove part 34B from the 2nd groove part 34B. In this case, it is desirable that the side surface of the bank B is in a state of good wettability with respect to the functional liquid L. However, in this embodiment as well, the inner side surface of the bank B is not liquid repellent. Even if the width is narrowed, the functional liquid L can smoothly enter the banks B and B by capillary action or the like.

このように、第1溝部34Aに機能液Lを供給することで、その第1溝部34Aに供給
された機能液Lの自己流動(毛管現象)によって機能液Lを第2溝部34Bに満たすこと
ができる。したがって、狭い幅H2の第2溝部34Bに対してバンクB上より機能液Lの
液滴を吐出しなくても、広い幅H1の第1溝部34Aに機能液Lの液滴を吐出することで
、第2溝部34Bに機能液Lを円滑に供給することができる。特に、第2溝部34Bの幅
H2が狭く、液滴吐出ヘッド1より吐出された液滴径(飛翔中の液滴径)が幅H2よりも
小さい場合であっても、機能液Lの自己流動によって第2溝部34Bに機能液Lを円滑に
満たすことができる。そして、第2溝部34Bの幅H2は狭いので、機能液Lは毛管現象
によって第2溝部34Bに円滑に供給される。したがって、所望の形状を有するパターン
を形成することができる。そして、狭い幅の第2溝部34Bに機能液Lを円滑に供給でき
るので、パターンの細線化(微細化)を実現することができる。一方、第1溝部34Aの
幅H1は広いので、第1溝部34Aに対してバンクB上より機能液Lの液滴を吐出しても
、バンクBの上面38に機能液Lの一部がかかって残渣が残る不具合を回避できる。した
がって、所望の特性を発揮するパターンFを安定して形成することができる。
Thus, by supplying the functional liquid L to the first groove 34A, the functional liquid L can be filled in the second groove 34B by the self-flow (capillary phenomenon) of the functional liquid L supplied to the first groove 34A. it can. Therefore, even if the liquid droplet of the functional liquid L is not discharged from the bank B to the second groove portion 34B having the narrow width H2, the liquid droplet of the functional liquid L is discharged to the first groove portion 34A having the wide width H1. The functional liquid L can be smoothly supplied to the second groove portion 34B. In particular, even when the width H2 of the second groove 34B is narrow and the diameter of the droplet ejected from the droplet ejection head 1 (the diameter of the droplet during flight) is smaller than the width H2, the self-flow of the functional liquid L Thus, the functional liquid L can be smoothly filled in the second groove portion 34B. And since the width H2 of the 2nd groove part 34B is narrow, the functional liquid L is smoothly supplied to the 2nd groove part 34B by a capillary phenomenon. Therefore, a pattern having a desired shape can be formed. And since the functional liquid L can be smoothly supplied to the 2nd groove part 34B of a narrow width | variety, pattern thinning (miniaturization) is realizable. On the other hand, since the width H1 of the first groove 34A is wide, even if a droplet of the functional liquid L is ejected from the bank B to the first groove 34A, a part of the functional liquid L is applied to the upper surface 38 of the bank B. Can avoid the problem of residue. Therefore, the pattern F exhibiting desired characteristics can be stably formed.

また、本実施形態によれば、第1溝部34Aのうち第1溝部34Aと第2溝部34Bと
が接続する接続部37近傍に機能液Lが供給されるため、機能液Lが濡れ拡がる際に容易
に第2溝部34Bに流れ込ませることができ、より円滑に第2溝部34Bに機能液Lを供
給することが可能となる。
Further, according to the present embodiment, since the functional liquid L is supplied in the vicinity of the connection portion 37 where the first groove portion 34A and the second groove portion 34B are connected in the first groove portion 34A, when the functional liquid L wets and spreads. It can easily flow into the second groove portion 34B, and the functional liquid L can be supplied to the second groove portion 34B more smoothly.

また、本実施形態では、バンクBの形成を第1実施形態で示した方法で行なっているた
め、バンクBの上面のみ撥液化し、バンクBの側面を撥液化しない状態とすることができ
る。このため、微細なパターンFを形成する場合でも、バンクB,B内に機能液Lがスム
ーズに入り込めるようになり、膜の均一性も向上する。
Further, in this embodiment, since the bank B is formed by the method shown in the first embodiment, only the upper surface of the bank B can be made liquid-repellent and the side surface of the bank B can be made non-liquid-repellent. For this reason, even when the fine pattern F is formed, the functional liquid L can smoothly enter the banks B and B, and the uniformity of the film is also improved.

第1溝部34A及び第2溝部34Bに機能液Lを供給した後、上述した第1実施形態同
様、焼成工程等を経ることによって、パターンFを形成することができる。
After supplying the functional liquid L to the first groove portion 34A and the second groove portion 34B, the pattern F can be formed by performing a baking process or the like as in the first embodiment described above.

なお、図13に示すように、第2溝部34Bに機能液の溶媒のみからなる機能液Laを
供給しておいてから機能液Lを上述のように供給しても良い。このように、第2溝部34
Bに機能液Lを供給しておくことによって、第2溝部34Bに機能液Lが流れ込み易くな
り、より円滑に第2溝部34Bに機能液Lを満たすことができる。なお、機能液Laは導
電性微粒子を含んでいないため導電性を有していない。このため、バンクB上に機能液L
の残渣が残った場合であってもパターンFの所望の特性を変化させることはない。
As shown in FIG. 13, the functional liquid L may be supplied as described above after supplying the functional liquid La made of only the functional liquid solvent to the second groove 34B. Thus, the second groove 34
By supplying the functional liquid L to B, the functional liquid L can easily flow into the second groove portion 34B, and the functional liquid L can be more smoothly filled into the second groove portion 34B. The functional liquid La does not have conductivity because it does not contain conductive fine particles. For this reason, the functional liquid L on the bank B
Even if the residue remains, the desired characteristics of the pattern F are not changed.

なお、図11〜図13においては、広い幅H1を有する第1溝部34Aの延在方向と狭
い幅H2を有する第2溝部34Bの延在方向とは互いに異なっているが、図14に示すよ
うに、広い幅H1を有する第1溝部34Aの延在方向と狭い幅H2を有する第2溝部34
Bの延在方向とは同じであってもよい。その場合においても、図14(A)に示すように
、第1溝部34Aに機能液Lを供給することによって、その機能液Lの自己流動によって
、図14(B)に示すように、機能液Lを第2溝部34Bに満たすことができる。また、
この場合においては、第1溝部34Aと第2溝部34Bとの接続部37を、第1溝部34
Aから第2溝部34Bに向かって漸次窄まるようなテーパ形状にすることで、第1溝部3
4Aに供給した機能液Lを第2溝部34Bに円滑に流入させることができる。
11 to 13, the extending direction of the first groove portion 34A having the wide width H1 and the extending direction of the second groove portion 34B having the narrow width H2 are different from each other, but as shown in FIG. In addition, the extending direction of the first groove portion 34A having the wide width H1 and the second groove portion 34 having the narrow width H2 are provided.
The extending direction of B may be the same. Even in such a case, as shown in FIG. 14A, by supplying the functional liquid L to the first groove 34A, the functional liquid L self-flows as shown in FIG. L can be filled in the second groove portion 34B. Also,
In this case, the connecting portion 37 between the first groove portion 34A and the second groove portion 34B is connected to the first groove portion 34.
By forming a taper shape that gradually narrows from A toward the second groove 34B, the first groove 3
The functional liquid L supplied to 4A can smoothly flow into the second groove 34B.

<薄膜トランジスタ>
本発明の膜パターンの形成方法は、図15に示すようなスイッチング素子としての薄膜
トランジスタ(TFT)及びそれに接続する配線を形成するときに適用可能である。図1
5において、TFTを有するTFT基板P上には、ゲート配線40と、このゲート配線4
0に電気的に接続するゲート電極41と、ソース配線42と、このソース配線42に電気
的に接続するソース電極43と、ドレイン電極44と、ドレイン電極44に電気的に接続
する画素電極45とを備えている。ゲート配線40はX軸方向に延びるように形成され、
ゲート電極41はY軸方向に延びるように形成されている。また、ゲート電極41の幅H
2はゲート配線40の幅H1よりも狭くなっている。これらゲート配線40及びゲート電
極41を、上述の実施形態で説明した膜パターンの形成方法で形成することができる。
<Thin film transistor>
The film pattern forming method of the present invention is applicable when forming a thin film transistor (TFT) as a switching element and wiring connected thereto as shown in FIG. FIG.
5, the gate wiring 40 and the gate wiring 4 are formed on the TFT substrate P having the TFT.
A gate electrode 41 electrically connected to 0, a source wiring 42, a source electrode 43 electrically connected to the source wiring 42, a drain electrode 44, and a pixel electrode 45 electrically connected to the drain electrode 44, It has. The gate wiring 40 is formed to extend in the X-axis direction,
The gate electrode 41 is formed so as to extend in the Y-axis direction. Further, the width H of the gate electrode 41
2 is narrower than the width H 1 of the gate wiring 40. The gate wiring 40 and the gate electrode 41 can be formed by the film pattern forming method described in the above embodiment.

また、上述の実施形態で説明した膜パターンの形成方法を用いて、TFT(薄膜トラン
ジスタ)のゲート配線のみならず、ソース電極、ドレイン電極、画素電極などの他の構成
要素を製造することも可能である。以下、TFTを製造する方法について図16を参照し
ながら説明する。
In addition to the TFT (thin film transistor) gate wiring, other components such as a source electrode, a drain electrode, and a pixel electrode can be manufactured by using the film pattern forming method described in the above embodiment. is there. Hereinafter, a method for manufacturing a TFT will be described with reference to FIG.

図16(A)に示すように、まず、洗浄したガラス基板610の上面に、1画素ピッチ
の1/20〜1/10の溝611aを設けるための第1層目のバンク611が、上述の実
施形態の方法を用いて形成される。
As shown in FIG. 16A, first, a first-layer bank 611 for providing a groove 611a having a pitch of 1/20 to 1/10 of one pixel pitch is formed on the upper surface of the cleaned glass substrate 610. It is formed using the method of the embodiment.

第1層目のバンク形成工程に続くゲート走査電極形成工程では、バンク611で区画さ
れた領域である溝611a内を満たすように、導電性材料を含む機能液の液滴を供給する
ことで、ゲート走査電極612が形成される。ゲート走査電極612は、バンク611に
十分な撥液性が予め与えられているので、溝611aからはみ出ることなく形成される。
In the gate scan electrode formation step following the first layer bank formation step, functional liquid droplets containing a conductive material are supplied so as to fill in the groove 611a which is a region partitioned by the bank 611. A gate scan electrode 612 is formed. The gate scanning electrode 612 is formed without protruding from the groove 611a because sufficient liquid repellency is given to the bank 611 in advance.

以上の工程により、基板610上には、バンク611とゲート走査電極612からなる
平坦な上面を備えた第1の導電層が形成される。
Through the above steps, a first conductive layer having a flat upper surface including the bank 611 and the gate scan electrode 612 is formed on the substrate 610.

また、溝611a内に液滴を良好に満たすためには、図16(A)に示すように、この
溝611aの形状として準テーパ(吐出元に向かって開く向きのテーパ形状)を採用する
のが好ましい。これにより、吐出された液滴を十分に奥深くまで入り込ませることが可能
となる。
In order to satisfactorily fill the droplets in the groove 611a, as shown in FIG. 16A, a quasi-taper (tapered shape opening toward the discharge source) is adopted as the shape of the groove 611a. Is preferred. As a result, the discharged droplets can be made to enter sufficiently deeply.

次に、図16(B)に示すように、プラズマCVD法によりゲート絶縁膜613、活性
層610、及びコンタクト層609が連続して成膜される。ゲート絶縁膜613として窒
化シリコン膜、活性層610としてアモルファスシリコン膜、コンタクト層609として
n+型シリコン膜を原料ガスやプラズマ条件を変化させることにより形成する。
Next, as shown in FIG. 16B, a gate insulating film 613, an active layer 610, and a contact layer 609 are successively formed by a plasma CVD method. A silicon nitride film is formed as the gate insulating film 613, an amorphous silicon film is formed as the active layer 610, and an n + type silicon film is formed as the contact layer 609 by changing the source gas and plasma conditions.

半導体層形成工程に続く第2層目のバンク形成工程では、図16(C)に示すように、
ゲート絶縁膜613の上面に、1画素ピッチの1/20〜1/10でかつ溝611aと交
差する溝614aを設けるための2層目のバンク614を、フォトリソグラフィ法に基づ
いて形成する。
In the second layer bank formation step following the semiconductor layer formation step, as shown in FIG.
On the upper surface of the gate insulating film 613, a second-layer bank 614 for forming a groove 614a having a pixel pitch of 1/20 to 1/10 and intersecting the groove 611a is formed based on a photolithography method.

上記第2層目のバンク形成工程に続くソース・ドレイン電極形成工程では、バンク61
4で区画された描画領域である溝614a内を満たすように、導電性材料を含む液滴を供
給することで、図16(D)に示すように、ゲート走査電極612に対して交差するソー
ス電極615及びソース電極616が形成される。
In the source / drain electrode formation step following the second layer bank formation step, the bank 61
As shown in FIG. 16D, a source that intersects with the gate scanning electrode 612 is supplied by supplying a droplet containing a conductive material so as to fill in the groove 614a that is a drawing region divided by 4. An electrode 615 and a source electrode 616 are formed.

また、ソース電極615及びドレイン電極616が形成された溝614aを埋めるよう
に絶縁材料617が形成される。以上の工程により、基板610上には、バンク614と
絶縁材料617からなる平坦な上面620が形成される。
In addition, an insulating material 617 is formed so as to fill the groove 614a in which the source electrode 615 and the drain electrode 616 are formed. Through the above steps, a flat upper surface 620 including the bank 614 and the insulating material 617 is formed on the substrate 610.

そして、絶縁材料617にコンタクトホール619を形成するとともに、上面620上
にパターニングされた画素電極(ITO)618を形成し、コンタクトホール619を介
してドレイン電極616と画素電極618とを接続することで、TFTが形成される。
Then, a contact hole 619 is formed in the insulating material 617, a patterned pixel electrode (ITO) 618 is formed on the upper surface 620, and the drain electrode 616 and the pixel electrode 618 are connected through the contact hole 619. TFT is formed.

<電気光学装置>
次に電気光学装置の一例として、液晶表示装置について説明する。図17は本実施形態
に係る液晶表示装置について各構成要素とともに示す対向基板側から見た平面図であり、
図18は図17のH−H’線に沿う断面図である。また、図19は液晶表示装置の画像表
示領域においてマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回
路図で、図20は液晶表示装置の部分拡大断面図である。なお、以下の説明に用いた各図
においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材
毎に縮尺を異ならせてある。
<Electro-optical device>
Next, a liquid crystal display device will be described as an example of an electro-optical device. FIG. 17 is a plan view of the liquid crystal display device according to the present embodiment as viewed from the counter substrate side shown together with each component,
18 is a cross-sectional view taken along the line HH ′ of FIG. FIG. 19 is an equivalent circuit diagram of various elements and wirings in a plurality of pixels formed in a matrix in the image display area of the liquid crystal display device, and FIG. 20 is a partial enlarged cross-sectional view of the liquid crystal display device. In each drawing used in the following description, the scale is different for each layer and each member so that each layer and each member can be recognized on the drawing.

図17及び図18において、本実施の形態の液晶表示装置(電気光学装置)100は、
対をなすTFTアレイ基板10と対向基板20とが光硬化性の封止材であるシール材52
によって貼り合わされ、このシール材52によって区画された領域内に液晶50が封入、
保持されている。シール材52は、基板面内の領域において閉ざされた枠状に形成されて
なり、液晶注入口を備えず、封止材にて封止された痕跡がない構成となっている。
17 and 18, the liquid crystal display device (electro-optical device) 100 according to the present embodiment is
A sealing material 52 in which the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 forming a pair are photo-curing sealing materials.
And the liquid crystal 50 is sealed in the region partitioned by the sealing material 52,
Is retained. The sealing material 52 is formed in a frame shape that is closed in a region within the substrate surface, does not include a liquid crystal injection port, and does not have a trace sealed with the sealing material.

シール材52の形成領域の内側の領域には、遮光性材料からなる周辺見切り53が形成
されている。シール材52の外側の領域には、データ線駆動回路201及び実装端子20
2がTFTアレイ基板10の一辺に沿って形成されており、この一辺に隣接する2辺に沿
って走査線駆動回路204が形成されている。TFTアレイ基板10の残る一辺には、画
像表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路204の間を接続するための複数の配線2
05が設けられている。また、対向基板20のコーナーの少なくとも1箇所においては、
TFTアレイ基板10と対向基板20との間で電気的導通をとるための基板間導通材20
6が配設されている。
A peripheral parting 53 made of a light shielding material is formed in a region inside the region where the sealing material 52 is formed. In the area outside the sealing material 52, the data line driving circuit 201 and the mounting terminals 20 are provided.
2 is formed along one side of the TFT array substrate 10, and the scanning line driving circuit 204 is formed along two sides adjacent to the one side. On the remaining side of the TFT array substrate 10, a plurality of wirings 2 for connecting between the scanning line driving circuits 204 provided on both sides of the image display area.
05 is provided. In at least one corner of the counter substrate 20,
Inter-substrate conducting material 20 for establishing electrical conduction between the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20.
6 is disposed.

なお、データ線駆動回路201及び走査線駆動回路204をTFTアレイ基板10の上
に形成する代わりに、例えば、駆動用LSIが実装されたTAB(Tape Automated Bondi
ng)基板とTFTアレイ基板10の周辺部に形成された端子群とを異方性導電膜を介して
電気的及び機械的に接続するようにしてもよい。なお、液晶表示装置100においては、
使用する液晶50の種類、すなわち、TN(Twisted Nematic)モード、STN(Super T
wisted Nematic)モード等の動作モードや、ノーマリホワイトモード/ノーマリブラック
モードの別に応じて、位相差板、偏光板等が所定の向きに配置されるが、ここでは図示を
省略する。
Instead of forming the data line driving circuit 201 and the scanning line driving circuit 204 on the TFT array substrate 10, for example, a TAB (Tape Automated Bondi) on which a driving LSI is mounted is used.
ng) The substrate and the terminal group formed on the periphery of the TFT array substrate 10 may be electrically and mechanically connected via an anisotropic conductive film. In the liquid crystal display device 100,
The type of liquid crystal 50 to be used, that is, TN (Twisted Nematic) mode, STN (Super T
A phase difference plate, a polarizing plate, and the like are arranged in a predetermined direction according to an operation mode such as a (wisted Nematic) mode and a normally white mode / normally black mode, but the illustration is omitted here.

また、液晶表示装置100をカラー表示用として構成する場合には、対向基板20にお
いて、TFTアレイ基板10の後述する各画素電極に対向する領域に、例えば、赤(R)
、緑(G)、青(B)のカラーフィルタをその保護膜とともに形成する。
When the liquid crystal display device 100 is configured for color display, for example, red (R) is formed in a region of the counter substrate 20 facing each pixel electrode (to be described later) of the TFT array substrate 10.
Green (G) and blue (B) color filters are formed together with the protective film.

このような構造を有する液晶表示装置100の画像表示領域においては、図19に示す
ように、複数の画素100aがマトリクス状に構成されているとともに、これらの画素1
00aの各々には、画素スイッチング用のTFT(スイッチング素子)30が形成されて
おり、画素信号S1、S2、…、Snを供給するデータ線6aがTFT30のソースに電
気的に接続されている。データ線6aに書き込む画素信号S1、S2、…、Snは、この
順に線順次で供給してもよく、相隣接する複数のデータ線6a同士に対して、グループ毎
に供給するようにしてもよい。また、TFT30のゲートには走査線3aが電気的に接続
されており、所定のタイミングで、走査線3aにパルス的に走査信号G1、G2、…、G
mをこの順に線順次で印加するように構成されている。
In the image display area of the liquid crystal display device 100 having such a structure, as shown in FIG. 19, a plurality of pixels 100a are configured in a matrix and these pixels 1
A pixel switching TFT (switching element) 30 is formed in each of 00a, and a data line 6a for supplying pixel signals S1, S2,..., Sn is electrically connected to the source of the TFT 30. Pixel signals S1, S2,..., Sn to be written to the data lines 6a may be supplied line-sequentially in this order, or may be supplied for each group to a plurality of adjacent data lines 6a. . The scanning line 3a is electrically connected to the gate of the TFT 30, and scanning signals G1, G2,..., G are pulsed to the scanning line 3a at a predetermined timing.
It is configured to apply m in a line-sequential order in this order.

画素電極19は、TFT30のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子
であるTFT30を一定期間だけオン状態とすることにより、データ線6aから供給され
る画素信号S1、S2、…、Snを各画素に所定のタイミングで書き込む。このようにし
て画素電極19を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画素信号S1、S2、…、Sn
は、図18に示す対向基板20の対向電極121との間で一定期間保持される。なお、保
持された画素信号S1、S2、…、Snがリークするのを防ぐために、画素電極19と対
向電極121との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量60が付加されている。例え
ば、画素電極19の電圧は、ソース電圧が印加された時間よりも3桁も長い時間だけ蓄積
容量60により保持される。これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の
高い液晶表示装置100を実現することができる。
The pixel electrode 19 is electrically connected to the drain of the TFT 30, and the pixel signal S1, S2,..., Sn supplied from the data line 6a is obtained by turning on the TFT 30 as a switching element for a certain period. Write to each pixel at a predetermined timing. In this way, pixel signals S1, S2,..., Sn of a predetermined level written to the liquid crystal through the pixel electrode 19
Is held for a certain period between the counter electrode 121 of the counter substrate 20 shown in FIG. In order to prevent the held pixel signals S1, S2,..., Sn from leaking, a storage capacitor 60 is added in parallel with the liquid crystal capacitor formed between the pixel electrode 19 and the counter electrode 121. For example, the voltage of the pixel electrode 19 is held by the storage capacitor 60 for a time that is three orders of magnitude longer than the time when the source voltage is applied. Thereby, the charge retention characteristics are improved, and the liquid crystal display device 100 with a high contrast ratio can be realized.

図20はボトムゲート型TFT30を有する液晶表示装置100の部分拡大断面図であ
って、TFTアレイ基板10を構成するガラス基板Pには、上述の実施形態で説明したよ
うな膜パターンの形成方法により、導電性膜としてのゲート配線61が形成されている。
FIG. 20 is a partially enlarged cross-sectional view of the liquid crystal display device 100 having the bottom gate type TFT 30. The glass substrate P constituting the TFT array substrate 10 is formed by the film pattern forming method as described in the above embodiment. A gate wiring 61 as a conductive film is formed.

ゲート配線61上には、SiNxからなるゲート絶縁膜62を介してアモルファスシリ
コン(a−Si)層からなる半導体層63が積層されている。このゲート配線部分に対向
する半導体層63の部分がチャネル領域とされている。半導体層63上には、オーミック
接合を得るための例えばn+型a−Si層からなる接合層64a及び64bが積層されて
おり、チャネル領域の中央部における半導体層63上には、チャネルを保護するためのS
iNxからなる絶縁性のエッチストップ膜65が形成されている。なお、これらゲート絶
縁膜62、半導体層63、及びエッチストップ膜65は、蒸着(CVD)後にレジスト塗
布、感光・現像、フォトエッチングを施されることで、図示されるようにパターニングさ
れる。
A semiconductor layer 63 made of an amorphous silicon (a-Si) layer is stacked on the gate wiring 61 with a gate insulating film 62 made of SiNx interposed therebetween. A portion of the semiconductor layer 63 facing the gate wiring portion is a channel region. On the semiconductor layer 63, junction layers 64a and 64b made of, for example, an n + -type a-Si layer for obtaining an ohmic junction are stacked, and the channel is protected on the semiconductor layer 63 in the central portion of the channel region. S to do
An insulating etch stop film 65 made of iNx is formed. The gate insulating film 62, the semiconductor layer 63, and the etch stop film 65 are patterned as shown in the figure by performing resist coating, photosensitive / developing, and photoetching after vapor deposition (CVD).

さらに、接合層64a、64b及びITOからなる画素電極19も同様に成膜するとと
もに、フォトエッチングを施されることで、図示するようにパターニングされる。そして
、画素電極19、ゲート絶縁膜62及びエッチストップ膜65上にそれぞれバンク66…
を突設し、これらバンク66…間に上述した液滴吐出装置IJを用いて、銀化合物の液滴
を吐出することでソース線、ドレイン線を形成することができる。
Further, the bonding electrodes 64a and 64b and the pixel electrode 19 made of ITO are formed in the same manner, and are patterned as shown in the figure by performing photoetching. Then, on the pixel electrode 19, the gate insulating film 62 and the etch stop film 65, banks 66.
The source line and the drain line can be formed by ejecting silver compound droplets between the banks 66... Using the above-described droplet ejection device IJ.

本実施の形態の液晶表示装置は、上記膜パターンの形成方法により、微細化や細線化が
図られた導電膜が、精度よく安定して形成されることから、高い品質や性能が得られる。
In the liquid crystal display device according to the present embodiment, the conductive film which is miniaturized and thinned by the film pattern forming method is formed with high accuracy and stability, so that high quality and performance can be obtained.

なお、上記実施形態では、TFT30を液晶表示装置100の駆動のためのスイッチン
グ素子として用いる構成としたが、液晶表示装置以外にも例えば有機EL(エレクトロル
ミネッセンス)表示デバイスに応用が可能である。有機EL表示デバイスは、蛍光性の無
機および有機化合物を含む薄膜を、陰極と陽極とで挟んだ構成を有し、前記薄膜に電子お
よび正孔(ホール)を注入して再結合させることにより励起子(エキシトン)を生成させ
、このエキシトンが失活する際の光の放出(蛍光・燐光)を利用して発光させる素子であ
る。そして、上記のTFT30を有する基板上に、有機EL表示素子に用いられる蛍光性
材料のうち、赤、緑および青色の各発光色を呈する材料すなわち発光層形成材料及び正孔
注入/電子輸送層を形成する材料をインクとし、各々をパターニングすることで、自発光
フルカラーELデバイスを製造することができる。本発明におけるデバイス(電気光学装
置)の範囲にはこのような有機ELデバイスをも含むものである。
In the above embodiment, the TFT 30 is used as a switching element for driving the liquid crystal display device 100. However, the present invention can be applied to, for example, an organic EL (electroluminescence) display device in addition to the liquid crystal display device. An organic EL display device has a structure in which a thin film containing a fluorescent inorganic and organic compound is sandwiched between a cathode and an anode, and is excited by injecting electrons and holes into the thin film and recombining them. It is an element that emits light by using light emission (fluorescence / phosphorescence) when a child (exciton) is generated and the exciton is deactivated. Then, on the substrate having the TFT 30 described above, among the fluorescent materials used for the organic EL display element, a material exhibiting each emission color of red, green and blue, that is, a light emitting layer forming material and a hole injection / electron transport layer are provided. A self-luminous full-color EL device can be manufactured by using ink as a material to be formed and patterning each. The range of the device (electro-optical device) in the present invention includes such an organic EL device.

図21は、液滴吐出装置IJにより一部の構成要素が製造された有機EL装置の側断面
図である。図21を参照しながら、有機EL装置の概略構成を説明する。
FIG. 21 is a side sectional view of an organic EL device in which some components are manufactured by the droplet discharge device IJ. The schematic configuration of the organic EL device will be described with reference to FIG.

図21において、有機EL装置401は、基板411、回路素子部421、画素電極4
31、バンク441、発光素子451、陰極461(対向電極)、および封止基板471
から構成された有機EL素子402に、フレキシブル基板(図示略)の配線および駆動I
C(図示略)を接続したものである。回路素子部421は、アクティブ素子であるTFT
60が基板411上に形成され、複数の画素電極431が回路素子部421上に整列して
構成されたものである。そして、TFT60を構成するゲート配線61が、上述した実施
形態の配線パターンの形成方法により形成されている。
In FIG. 21, the organic EL device 401 includes a substrate 411, a circuit element unit 421, and a pixel electrode 4.
31, bank 441, light emitting element 451, cathode 461 (counter electrode), and sealing substrate 471.
Wiring of flexible substrate (not shown) and driving I
C (not shown) is connected. The circuit element portion 421 is an active element TFT
60 is formed on the substrate 411, and a plurality of pixel electrodes 431 are arranged on the circuit element portion 421. And the gate wiring 61 which comprises TFT60 is formed with the formation method of the wiring pattern of embodiment mentioned above.

各画素電極431間にはバンク441が格子状に形成されており、バンク441により
生じた凹部開口444に、発光素子451が形成されている。なお、発光素子451は、
赤色の発光をなす素子と緑色の発光をなす素子と青色の発光をなす素子とからなっており
、これによって有機EL装置401は、フルカラー表示を実現するものとなっている。陰
極461は、バンク441および発光素子451の上部全面に形成され、陰極461の上
には封止用基板471が積層されている。
Banks 441 are formed in a lattice pattern between the pixel electrodes 431, and light emitting elements 451 are formed in the recess openings 444 generated by the banks 441. Note that the light emitting element 451 includes:
The organic EL device 401 realizes full-color display by including an element that emits red light, an element that emits green light, and an element that emits blue light. The cathode 461 is formed on the entire upper surface of the bank 441 and the light emitting element 451, and a sealing substrate 471 is laminated on the cathode 461.

有機EL素子を含む有機EL装置401の製造プロセスは、バンク441を形成するバ
ンク形成工程と、発光素子451を適切に形成するためのプラズマ処理工程と、発光素子
451を形成する発光素子形成工程と、陰極461を形成する対向電極形成工程と、封止
用基板471を陰極461上に積層して封止する封止工程とを有している。
The manufacturing process of the organic EL device 401 including the organic EL element includes a bank forming process for forming the bank 441, a plasma processing process for appropriately forming the light emitting element 451, and a light emitting element forming process for forming the light emitting element 451. And a counter electrode forming step of forming the cathode 461 and a sealing step of sealing and sealing the sealing substrate 471 on the cathode 461.

発光素子形成工程は、凹部開口444、すなわち画素電極431上に正孔注入層452
および発光層453を形成することにより発光素子451を形成するもので、正孔注入層
形成工程と発光層形成工程とを具備している。そして、正孔注入層形成工程は、正孔注入
層452を形成するための機能液を各画素電極431上に吐出する第1吐出工程と、吐出
された機能液を乾燥させて正孔注入層452を形成する第1乾燥工程とを有している。ま
た、発光層形成工程は、発光層453を形成するための機能液を正孔注入層452の上に
吐出する第2吐出工程と、吐出された機能液を乾燥させて発光層453を形成する第2乾
燥工程とを有している。なお、発光層453は、赤、緑、青の3色に対応する材料によっ
て3種類のものが形成されるようになっており、したがって前記の第2吐出工程は、3種
類の材料をそれぞれに吐出するために3つの工程からなっている。
In the light emitting element formation step, the hole injection layer 452 is formed over the recess opening 444, that is, the pixel electrode 431.
The light emitting element 451 is formed by forming the light emitting layer 453 and includes a hole injection layer forming step and a light emitting layer forming step. The hole injection layer forming step includes a first discharge step of discharging a functional liquid for forming the hole injection layer 452 onto each pixel electrode 431, and drying the discharged functional liquid to form a hole injection layer. 1st drying process which forms 452. In the light emitting layer forming step, the functional liquid for forming the light emitting layer 453 is discharged onto the hole injection layer 452, and the discharged functional liquid is dried to form the light emitting layer 453. A second drying step. The light emitting layer 453 is formed of three types of materials corresponding to the three colors of red, green, and blue. Therefore, in the second discharge step, the three types of materials are respectively used. There are three steps for discharging.

この発光素子形成工程において、正孔注入層形成工程における第1吐出工程と、発光層
形成工程における第2吐出工程とで液滴吐出装置IJを用いることができる。
In this light emitting element forming step, the droplet discharge device IJ can be used in the first discharging step in the hole injection layer forming step and the second discharging step in the light emitting layer forming step.

図22は液晶表示装置の別の実施形態を示す図である。図22に示す液晶表示装置(電
気光学装置)901は、大別するとカラーの液晶パネル(電気光学パネル)902と、液
晶パネル902に接続される回路基板903とを備えている。また、必要に応じて、バッ
クライト等の照明装置、その他の付帯機器が液晶パネル902に付設されている。
FIG. 22 is a diagram showing another embodiment of the liquid crystal display device. A liquid crystal display device (electro-optical device) 901 illustrated in FIG. 22 includes a color liquid crystal panel (electro-optical panel) 902 and a circuit board 903 connected to the liquid crystal panel 902. Further, an illumination device such as a backlight and other incidental devices are attached to the liquid crystal panel 902 as necessary.

液晶パネル902は、シール材904によって接着された一対の基板905a及び基板
905bを有し、これらの基板905bと基板905bとの間に形成される間隙、いわゆ
るセルギャップには液晶が封入されている。これらの基板905a及び基板905bは、
一般には透光性材料、例えばガラス、合成樹脂等によって形成されている。基板905a
及び基板905bの外側表面には偏光板906a及び偏光板906bが貼り付けられてい
る。なお、図22においては、偏光板906bの図示を省略している。
The liquid crystal panel 902 includes a pair of substrates 905a and 905b bonded by a sealant 904, and liquid crystal is sealed in a gap formed between the substrates 905b and 905b, a so-called cell gap. . These substrate 905a and substrate 905b are:
In general, it is formed of a translucent material such as glass or synthetic resin. Substrate 905a
A polarizing plate 906a and a polarizing plate 906b are attached to the outer surface of the substrate 905b. In FIG. 22, the polarizing plate 906b is not shown.

また、基板905aの内側表面には電極907aが形成され、基板905bの内側表面
には電極907bが形成されている。これらの電極907a、907bはストライプ状ま
たは文字、数字、その他の適宜のパターン状に形成されている。また、これらの電極90
7a、907bは、例えばITO等の透光性材料によって形成されている。基板905a
は、基板905bに対して張り出した張り出し部を有し、この張り出し部に複数の端子9
08が形成されている。これらの端子908は、基板905a上に電極907aを形成す
るときに電極907aと同時に形成される。したがって、これらの端子908は、例えば
ITOによって形成されている。これらの端子908には、電極907aから一体に延び
るもの、及び導電材(不図示)を介して電極907bに接続されるものが含まれる。
An electrode 907a is formed on the inner surface of the substrate 905a, and an electrode 907b is formed on the inner surface of the substrate 905b. These electrodes 907a and 907b are formed in stripes or letters, numbers, or other appropriate patterns. Also, these electrodes 90
7a and 907b are formed of a translucent material such as ITO, for example. Substrate 905a
Has a protruding portion protruding from the substrate 905b, and a plurality of terminals 9 are provided in the protruding portion.
08 is formed. These terminals 908 are formed simultaneously with the electrode 907a when the electrode 907a is formed over the substrate 905a. Therefore, these terminals 908 are made of, for example, ITO. These terminals 908 include one that extends integrally from the electrode 907a and one that is connected to the electrode 907b via a conductive material (not shown).

回路基板903には、配線基板909上の所定位置に液晶駆動用ICとしての半導体素
子900が実装されている。なお、図示は省略しているが、半導体素子900が実装され
る部位以外の部位の所定位置には抵抗、コンデンサ、その他のチップ部品が実装されてい
てもよい。配線基板909は、例えばポリイミド等の可撓性を有するベース基板911の
上に形成されたCu等の金属膜をパターニングして配線パターン912を形成することに
よって製造されている。
On the circuit board 903, a semiconductor element 900 as a liquid crystal driving IC is mounted at a predetermined position on the wiring board 909. Although not shown, a resistor, a capacitor, and other chip components may be mounted at predetermined positions other than the portion where the semiconductor element 900 is mounted. The wiring substrate 909 is manufactured by forming a wiring pattern 912 by patterning a metal film such as Cu formed on a flexible base substrate 911 such as polyimide.

本実施形態では、液晶パネル902における電極907a、907b及び回路基板90
3における配線パターン912が、上述の実施形態で説明したような膜パターンの形成方
法によって形成されている。
In the present embodiment, the electrodes 907a and 907b and the circuit board 90 in the liquid crystal panel 902 are used.
3 is formed by the film pattern forming method as described in the above embodiment.

なお、前述した例はパッシブ型の液晶パネルであるが、アクティブマトリクス型の液晶
パネルとしてもよい。すなわち、一方の基板に薄膜トランジスタ(TFT)を形成し、各
TFTに対し画素電極を形成する。また、各TFTに電気的に接続する配線(ゲート配線
、ソース配線)を上記のようにインクジェット技術を用いて形成することができる。一方
、対向する基板には対向電極等が形成されている。このようなアクティブマトリクス型の
液晶パネルにも本発明を適用することができる。
Note that the above-described example is a passive liquid crystal panel, but an active matrix liquid crystal panel may be used. That is, a thin film transistor (TFT) is formed on one substrate, and a pixel electrode is formed for each TFT. In addition, wirings (gate wirings and source wirings) that are electrically connected to the TFTs can be formed using the inkjet technique as described above. On the other hand, a counter electrode or the like is formed on the opposing substrate. The present invention can also be applied to such an active matrix liquid crystal panel.

また、本発明に係るデバイス(電気光学装置)としては、上記の他に、PDP(プラズ
マディスプレイパネル)や、基板上に形成された小面積の薄膜に膜面に平行に電流を流す
ことにより、電子放出が生ずる現象を利用する表面伝導型電子放出素子等にも適用可能で
ある。
Moreover, as a device (electro-optical device) according to the present invention, in addition to the above, a current is passed in parallel to the film surface through a PDP (plasma display panel) or a small-area thin film formed on a substrate, The present invention can also be applied to a surface conduction electron-emitting device that utilizes a phenomenon in which electron emission occurs.

<電子機器>
次に電子機器の具体例について説明する。図23(A)は、携帯電話の一例を示した斜
視図である。図23(A)において、600は携帯電話本体を示し、601は上記実施形
態の例えば液晶表示装置を備えた液晶表示部を示している。
<Electronic equipment>
Next, specific examples of electronic devices will be described. FIG. 23A is a perspective view illustrating an example of a mobile phone. In FIG. 23A, reference numeral 600 denotes a mobile phone main body, and reference numeral 601 denotes a liquid crystal display unit including the liquid crystal display device of the above-described embodiment.

図23(B)は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図
である。図23(B)において、700は情報処理装置、701はキーボードなどの入力
部、703は情報処理本体、702は上記実施形態の例えば液晶表示装置を備えた液晶表
示部を示している。
FIG. 23B is a perspective view illustrating an example of a portable information processing device such as a word processor or a personal computer. In FIG. 23B, reference numeral 700 denotes an information processing apparatus, 701 denotes an input unit such as a keyboard, 703 denotes an information processing main body, and 702 denotes a liquid crystal display unit provided with, for example, the liquid crystal display device of the above embodiment.

図23(C)は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図23(C)におい
て、800は時計本体を示し、801は上記実施形態の例えば液晶表示装置を備えた液晶
表示部を示している。
FIG. 23C is a perspective view illustrating an example of a wristwatch-type electronic device. In FIG. 23C, reference numeral 800 denotes a watch body, and reference numeral 801 denotes a liquid crystal display unit including the liquid crystal display device of the above-described embodiment.

図23(A)〜(C)に示す電子機器は、上記実施形態の表示装置を備えたものである
ので、高い品質や性能が得られる。
Since the electronic devices shown in FIGS. 23A to 23C include the display device of the above embodiment, high quality and performance can be obtained.

なお、本実施形態の電子機器は液晶表示装置を備えるものとしたが、有機エレクトロル
ミネッセンス表示装置、プラズマ型表示装置等、他の電気光学装置を備えた電子機器とす
ることもできる。
In addition, although the electronic device of this embodiment shall be provided with a liquid crystal display device, it can also be set as the electronic device provided with other electro-optical devices, such as an organic electroluminescent display device and a plasma type display device.

次に、本発明の膜パターンの形成方法によって形成される膜パターンを、アンテナ回路
に適用した例について説明する。
Next, an example in which the film pattern formed by the film pattern forming method of the present invention is applied to an antenna circuit will be described.

図24は本実施形態に係る非接触型カード媒体を示しており、非接触型カード媒体40
0は、カード基体402とカードカバー418から成る筐体内に、半導体集積回路チップ
408とアンテナ回路412を内蔵し、図示されない外部の送受信機と電磁波または静電
容量結合の少なくとも一方により電力供給あるいはデータ授受の少なくとも一方を行なう
ようになっている。
FIG. 24 shows a non-contact type card medium according to the present embodiment.
0 includes a semiconductor integrated circuit chip 408 and an antenna circuit 412 in a housing made up of a card base 402 and a card cover 418, and is supplied with power or data by at least one of an external transmitter / receiver (not shown) and electromagnetic waves or capacitive coupling. At least one of giving and receiving is performed.

本実施形態では、上記アンテナ回路412が、上述の実施形態で説明したような膜パタ
ーンの形成方法に基づいて形成されている。そのため、上記アンテナ回路412の微細化
や細線化が図られ、高い品質や性能を得ることができる。
In the present embodiment, the antenna circuit 412 is formed based on the film pattern forming method as described in the above embodiment. Therefore, the antenna circuit 412 is miniaturized and thinned, and high quality and performance can be obtained.

以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施の形態例について説明したが、
本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成
部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において
設計要求等に基づき種々変更可能である。
The preferred embodiment of the present invention has been described above with reference to the accompanying drawings.
It goes without saying that the present invention is not limited to such examples. Various shapes, combinations, and the like of the constituent members shown in the above-described examples are examples, and various modifications can be made based on design requirements and the like without departing from the spirit of the present invention.

膜パターンの形成方法を概念的に示す図である。It is a figure which shows notionally the formation method of a film | membrane pattern. 液滴吐出装置の概略斜視図である。It is a schematic perspective view of a droplet discharge device. ピエゾ方式による機能液の吐出原理を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the discharge principle of the functional liquid by a piezo method. 第1実施形態に係る膜パターンの形成方法を説明するためのフローチャート図である。It is a flowchart figure for demonstrating the formation method of the film | membrane pattern which concerns on 1st Embodiment. 膜パターンの形成手順を示す工程図である。It is process drawing which shows the formation procedure of a film | membrane pattern. 図5に続く工程図である。FIG. 6 is a process diagram following FIG. 5. プラズマ処理装置の一例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating an example of a plasma processing apparatus. バンクの側面に撥液性物質が設けられている状態での機能液供給動作を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating the functional liquid supply operation | movement in the state by which the liquid repellent substance was provided in the side surface of the bank. 第1実施形態の作用を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating the effect | action of 1st Embodiment. 第2実施形態に係る膜パターンの形成方法を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the formation method of the film | membrane pattern which concerns on 2nd Embodiment. 第3実施形態に係る膜パターンの形成方法を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the formation method of the film | membrane pattern which concerns on 3rd Embodiment. 第3実施形態に係る膜パターンの形成方法を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the formation method of the film | membrane pattern which concerns on 3rd Embodiment. 第3実施形態に係る膜パターンの形成方法を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the formation method of the film | membrane pattern which concerns on 3rd Embodiment. 第3実施形態に係る膜パターンの形成方法を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the formation method of the film | membrane pattern which concerns on 3rd Embodiment. 薄膜トランジスタを有する基板の一例を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows an example of the board | substrate which has a thin-film transistor. 薄膜トランジスタを製造する工程を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the process of manufacturing a thin-film transistor. 液晶表示装置を対向基板の側から見た平面図である。It is the top view which looked at the liquid crystal display device from the counter substrate side. 図17のH−H’線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the H-H 'line | wire of FIG. 液晶表示装置の等価回路図である。It is an equivalent circuit diagram of a liquid crystal display device. 液晶表示装置の部分拡大断面図である。It is a partial expanded sectional view of a liquid crystal display device. 有機EL装置の部分拡大断面図である。It is a partial expanded sectional view of an organic EL device. 液晶表示装置の他の形態を示す図である。It is a figure which shows the other form of a liquid crystal display device. 本発明の電子機器の具体例を示す図である。It is a figure which shows the specific example of the electronic device of this invention. 非接触型カード媒体の分解斜視図である。It is a disassembled perspective view of a non-contact type card medium.

符号の説明Explanation of symbols

B…バンク、F…膜パターン、L…機能液、P…基板、30…スイッチング素子、31
…膜、34…凹部、100…液晶表示装置、400…非接触型カード媒体
B ... Bank, F ... Film pattern, L ... Functional liquid, P ... Substrate, 30 ... Switching element, 31
... Film, 34 ... Recess, 100 ... Liquid crystal display device, 400 ... Non-contact card medium

Claims (13)

機能液を基板上に供給して膜パターンを形成する方法において、
前記基板上にバンクを形成するための感光材を塗布する工程と、
前記膜パターンに応じて前記感光材を露光する工程と、
前記露光された前記感光材を現像してバンクを形成する工程と、
前記現像により形成されたバンクの上面を撥液性にする工程と、
前記バンクによって区画された領域に前記機能液を供給する工程と、
前記バンクを焼成する工程とを有し、
前記現像し、前記バンクの上面を撥液性にした後、前記焼成する前に、前記機能液を供
給する動作を行う膜パターンの形成方法。
In a method of forming a film pattern by supplying a functional liquid onto a substrate,
Applying a photosensitive material for forming a bank on the substrate;
Exposing the photosensitive material according to the film pattern;
Developing the exposed photosensitive material to form a bank;
Making the upper surface of the bank formed by the development liquid-repellent;
Supplying the functional liquid to an area partitioned by the bank;
Firing the bank,
A method of forming a film pattern in which the functional liquid is supplied after the development and making the upper surface of the bank liquid repellent and before the baking.
前記現像により、前記基板の上面と前記バンクの側面とをほぼ直角又は鋭角にする請求
項1記載の形成方法。
The forming method according to claim 1, wherein the development makes the upper surface of the substrate and the side surface of the bank substantially perpendicular or acute.
前記バンクの側面の撥液性物質の量を抑えた状態で前記機能液を供給するために、前記
現像した後、前記焼成する前に、前記バンクの上面を撥液性にするための処理を行う請求
項1又は2記載の形成方法。
In order to supply the functional liquid in a state where the amount of the liquid repellent material on the side surface of the bank is suppressed, a treatment for making the upper surface of the bank liquid repellent after the development and before the baking is performed. The formation method of Claim 1 or 2 to perform.
フッ素を含む処理ガス雰囲気下でプラズマ処理することで、前記バンクの上面を撥液性
にする請求項1〜3のいずれか一項記載の形成方法。
The forming method according to claim 1, wherein the upper surface of the bank is made liquid repellent by performing a plasma treatment in a treatment gas atmosphere containing fluorine.
前記バンクはシロキサン結合を主鎖とした無機材料を含む請求項1〜4のいずれか一項
記載の形成方法。
The formation method according to claim 1, wherein the bank includes an inorganic material having a siloxane bond as a main chain.
液滴吐出法を用いて前記機能液を前記基板上に供給する請求項1〜5のいずれか一項記
載の形成方法。
The forming method according to claim 1, wherein the functional liquid is supplied onto the substrate using a droplet discharge method.
前記基板上に、前記バンクによって第1の幅を有する第1の溝を形成するとともに、前
記第1の溝に接続し、第2の幅を有する第2の溝を形成し、
前記第1の溝に前記機能液を供給し、前記第1の溝に供給された前記機能液の自己流動
によって前記機能液を前記第2の溝に供給する請求項1〜6のいずれか一項記載の形成方
法。
Forming a first groove having a first width by the bank on the substrate, and forming a second groove having a second width connected to the first groove;
The functional liquid is supplied to the first groove, and the functional liquid is supplied to the second groove by self-flow of the functional liquid supplied to the first groove. The forming method according to item.
前記第2の幅は前記第1の幅以下である請求項7記載の形成方法。   The forming method according to claim 7, wherein the second width is equal to or smaller than the first width. 請求項1〜請求項8のいずれか一項記載の形成方法により基板上に膜パターンを形成す
る工程を有するデバイスの製造方法。
A device manufacturing method comprising a step of forming a film pattern on a substrate by the forming method according to claim 1.
前記膜パターンはスイッチング素子の少なくとも一部を含む請求項9記載の製造方法。   The manufacturing method according to claim 9, wherein the film pattern includes at least a part of a switching element. 請求項8又は9記載の製造方法を用いて製造されたデバイス。   A device manufactured using the manufacturing method according to claim 8. 請求項11記載のデバイスを備えた電気光学装置。   An electro-optical device comprising the device according to claim 11. 請求項12記載の電気光学装置を備えた電子機器。
An electronic apparatus comprising the electro-optical device according to claim 12.
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