JP2007103176A - Target generating/supplying device for radiation source - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、極端紫外光を発生するためのターゲットを生成する装置（以下、「ターゲット生成供給装置」とする）に関し、特に、ターゲットを連続的に生成してそのターゲットにレーザ光を照射することにより極端紫外光を連続的に発生させることに適した装置に関する。このように極端紫外光の連続発生が可能なターゲット生成供給装置は、高精細リソグラフィー等の光源として好適に用いることができる。また、本発明は極端紫外光以外のX線、中性子線、イオン線等、極端紫外光以外の放射線を発生させるためのターゲットの生成供給装置にも適用することができる。 The present invention relates to an apparatus for generating a target for generating extreme ultraviolet light (hereinafter referred to as “target generation and supply apparatus”), and in particular, generates a target continuously and irradiates the target with laser light. The present invention relates to an apparatus suitable for continuously generating extreme ultraviolet light. In this way, the target generation and supply apparatus capable of continuously generating extreme ultraviolet light can be suitably used as a light source for high-definition lithography or the like. The present invention can also be applied to a target generation and supply apparatus for generating radiation other than extreme ultraviolet light, such as X-rays other than extreme ultraviolet light, neutron beams, and ion beams.
半導体集積回路は通常、リソグラフィー技術を用いて製造される。リソグラフィーの最小加工寸法は照射する光の波長に依存し、集積回路の集積度を向上させるには照射光の波長を短くすることが必要となる。具体的には、現在リソグラフィーは波長157nm〜365nmの光源を用いて行われているが、今後は波長11nm〜14nmの極端紫外光領域の光源を用いたリソグラフィーを実用化することが目標とされている。 A semiconductor integrated circuit is usually manufactured using a lithography technique. The minimum processing dimension of lithography depends on the wavelength of light to be irradiated, and it is necessary to shorten the wavelength of the irradiation light in order to improve the degree of integration of the integrated circuit. Specifically, lithography is currently performed using a light source with a wavelength of 157 nm to 365 nm, but in the future, the target is to commercialize lithography using a light source in the extreme ultraviolet region with a wavelength of 11 nm to 14 nm. Yes.
極端紫外光を生成する光源として、レーザプラズマ方式が検討されている。これは、ターゲットにレーザ光を照射してターゲットをプラズマ化し、そのプラズマから放射される極端紫外光を利用するものである。 As a light source for generating extreme ultraviolet light, a laser plasma method has been studied. In this method, a target is irradiated with laser light to turn the target into plasma, and extreme ultraviolet light emitted from the plasma is used.
特許文献１には、Sn（スズ）やLa（ランタン）等の重金属を低い密度（その重金属の結晶密度の0.5%〜80%）で含有するターゲットについて記載されている。この文献によれば、このような低密度ターゲットを用いることにより、重金属密度の高いターゲットよりも、プラズマが形成される領域と極端紫外光が発生する領域を空間的に接近させることができ、それにより、プラズマが形成されてから極端紫外光が発生するまでの間のエネルギーの損失を抑えることができ、極端紫外光の発生効率を高めることができる。それと共に、極端紫外光発生領域から離れた領域にプラズマが拡がって、そのプラズマにより極端紫外光が再吸収されることにより生じる極端紫外光の損失を、ターゲットの密度を低くすることにより抑えることができる。 Patent Document 1 describes a target containing a heavy metal such as Sn (tin) or La (lanthanum) at a low density (0.5% to 80% of the crystal density of the heavy metal). According to this document, by using such a low-density target, it is possible to make the region where plasma is formed and the region where extreme ultraviolet light is generated spatially closer than the target having a high heavy metal density. Thus, it is possible to suppress energy loss from when plasma is formed to when extreme ultraviolet light is generated, and it is possible to increase generation efficiency of extreme ultraviolet light. At the same time, it is possible to suppress the loss of extreme ultraviolet light caused by the plasma spreading to a region far from the extreme ultraviolet light generation region and reabsorbing the extreme ultraviolet light by the plasma by lowering the target density. it can.
ターゲットに用いる重金属の中で、最もレーザ光の吸収効率が高く、それにより最も効率よく極端紫外光を発生することができるのはSnである。Snを用いたターゲットから得られる極端紫外光の波長は13.5nmであり、前述のリソグラフィーに用いる極端紫外光の波長帯内に含まれる。 Among the heavy metals used for the target, Sn has the highest laser light absorption efficiency, and can thereby generate extreme ultraviolet light most efficiently. The wavelength of extreme ultraviolet light obtained from a target using Sn is 13.5 nm, and is included in the wavelength band of extreme ultraviolet light used in the above-described lithography.
特許文献１では重金属を用いるとしているが、極端紫外光源用ターゲットには、Li（リチウム）等の軽金属を用いることもできる。Liを用いたターゲットから得られる極端紫外光の波長はSnターゲットの場合とほぼ同じ（13.5nm）である。 In Patent Document 1, heavy metal is used, but a light metal such as Li (lithium) can also be used for the target for an extreme ultraviolet light source. The wavelength of extreme ultraviolet light obtained from a target using Li is almost the same as that of the Sn target (13.5 nm).
リソグラフィー等に極端紫外光を使用するためには、極端紫外光を連続的に（少なくとも数秒間連続して）発生させる必要がある。そのためには、レーザ光が照射される位置に極端紫外光源用ターゲットを連続的に供給する必要がある。また、極端紫外光以外の放射線を発生させる場合にも、極端紫外光の場合と同様にターゲットを連続供給する必要がある。
本発明が解決しようとする課題は、レーザ光照射位置に放射線源用ターゲットを連続的に供給するのに適した放射線源用ターゲット生成供給装置を提供することにある。
In order to use extreme ultraviolet light for lithography or the like, it is necessary to generate extreme ultraviolet light continuously (at least for several seconds continuously). For that purpose, it is necessary to continuously supply the extreme ultraviolet light source target to the position where the laser beam is irradiated. Also, when generating radiation other than extreme ultraviolet light, it is necessary to continuously supply the target as in the case of extreme ultraviolet light.
The problem to be solved by the present invention is to provide a radiation source target generation and supply device suitable for continuously supplying a radiation source target to a laser beam irradiation position.
上記課題を解決するために成された本発明に係る放射線源用ターゲット生成供給装置の第１の態様のものは、
a) 真空チャンバと、
b) レーザ光の照射により放射線を発生可能な金属と該金属を担持するための高分子物質を含有するターゲット原料液を、前記真空チャンバ内に配置した細管状の供給口から吐出する原料液供給装置と、
c) 前記真空チャンバ内に配置した、前記供給口に対向する電極と、
d) 前記供給口と前記電極の間に電圧を印加する電圧印加装置と、
を備えることを特徴とする。
The thing of the 1st aspect of the target production | generation apparatus for radiation sources which concerns on this invention comprised in order to solve the said subject,
a) a vacuum chamber;
b) Supply of a raw material liquid for discharging a target raw material liquid containing a metal capable of generating radiation by laser light irradiation and a polymer material for supporting the metal from a narrow tubular supply port disposed in the vacuum chamber. Equipment,
c) an electrode disposed in the vacuum chamber and facing the supply port;
d) a voltage applying device for applying a voltage between the supply port and the electrode;
It is characterized by providing.
本発明に係る放射線源用ターゲット生成供給装置の第２の態様のものは、
a) 表面に放射線源用ターゲットを保持するターゲットホルダと、
b) レーザ光の照射により放射線を発生可能な金属を含有するターゲット原料液を該ターゲットホルダに供給する原料液供給装置と、
を備え、該原料液供給装置から原料液を供給されたターゲット保持部分がターゲット供給位置とレーザ光照射位置の間を移動することを特徴とする。
The thing of the 2nd aspect of the target production supply device for radiation sources concerning the present invention is as follows.
a) a target holder for holding the radiation source target on the surface;
b) a raw material liquid supply device for supplying a target raw material liquid containing a metal capable of generating radiation by laser light irradiation to the target holder;
And the target holding portion to which the raw material liquid is supplied from the raw material liquid supply apparatus moves between the target supply position and the laser beam irradiation position.
本願において「放射線」は、金属を含有するターゲットにレーザ光を照射することにより得ることができる全ての電磁波（極端紫外光、X線等）及び粒子線（中性子線、イオン線等）を含むものとする。 In this application, “radiation” includes all electromagnetic waves (extreme ultraviolet light, X-rays, etc.) and particle beams (neutron rays, ion rays, etc.) that can be obtained by irradiating a target containing metal with laser light. .
第２の態様の放射線源用ターゲット生成供給装置には、原料液の１回の供給量が、レーザ光が所定の出力で所定の時間照射されることにより消費されるだけの量の金属を含有する量となるように原料液供給装置を制御する供給量制御手段を設けることができる。 The target generation and supply device for a radiation source according to the second aspect includes an amount of metal that can be consumed by irradiating a laser beam with a predetermined output for a predetermined time with a single supply amount of the raw material liquid It is possible to provide supply amount control means for controlling the raw material liquid supply device so that the amount is adjusted.
また、第２の態様の放射線源用ターゲット生成供給装置には、前記ターゲット保持部分がレーザ光照射位置からターゲット供給位置に移動する間に、該ターゲット保持部分に付着しているターゲットの残滓を除去する除去装置を設けることができる。 Further, in the radiation source target generation and supply apparatus according to the second aspect, the residue of the target adhering to the target holding portion is removed while the target holding portion moves from the laser light irradiation position to the target supply position. A removal device can be provided.
第２の態様の放射線源用ターゲット生成供給装置において、前記ターゲット保持部分はターゲット供給位置とレーザ光照射位置の間で移動を繰り返すことが望ましい。 In the target generation and supply device for a radiation source according to the second aspect, it is desirable that the target holding portion repeats moving between a target supply position and a laser beam irradiation position.
第２の態様の放射線源用ターゲット生成供給装置において、ターゲットホルダには円筒状のものを用いることができる。この場合、ターゲットホルダが中心軸を中心として回転することにより、表面に設けられたターゲット保持部分がターゲット供給位置とレーザ光照射位置の間で移動する。
また、第２の態様の放射線源用ターゲット生成供給装置において、ターゲットホルダには板状のものを用いることもできる。その場合、ターゲットホルダが表面に垂直な軸を中心として回転することにより、表面に設けられたターゲット保持部分がターゲット供給位置とレーザ光照射位置の間で移動する。
In the target generation supply device for a radiation source according to the second aspect, a cylindrical target holder can be used. In this case, the target holder rotates about the central axis, so that the target holding portion provided on the surface moves between the target supply position and the laser beam irradiation position.
In the radiation source target generation and supply apparatus according to the second aspect, the target holder may be a plate. In that case, the target holder rotates about an axis perpendicular to the surface, so that the target holding portion provided on the surface moves between the target supply position and the laser light irradiation position.
第１態様の放射線源用ターゲット生成供給装置に、前記供給口と前記電極の間に生成されるターゲットにレーザ光を照射するレーザ光源を設けることができる。同様に、第２態様の放射線源用ターゲット生成供給装置に、ターゲット保持部分がレーザ光照射位置に達する時にレーザ光を該ターゲット保持部分に照射するレーザ光源を設けることができる。生成されたターゲットにこのレーザ光源からレーザ光を照射することにより、放射線を連続的に発生させることができる。 The radiation source target generation and supply apparatus according to the first aspect may be provided with a laser light source for irradiating a target generated between the supply port and the electrode with laser light. Similarly, the radiation source target generation and supply apparatus of the second aspect can be provided with a laser light source that irradiates the target holding portion with laser light when the target holding portion reaches the laser light irradiation position. By irradiating the generated target with laser light from this laser light source, radiation can be continuously generated.
細管状の供給口と電極の間に電界を印加した状態で、レーザ光の照射により放射線を発生する金属と該金属を担持する高分子物質を含有するターゲット原料液を該供給口から吐出させることにより、放射線源用ターゲットを製造することができる。こうして製造される放射線用ターゲットは、保持材に保持させて従来の放射線発生装置において用いることができる。 A target raw material liquid containing a metal that generates radiation by laser light irradiation and a polymer substance that supports the metal is discharged from the supply port while an electric field is applied between the thin tube supply port and the electrode. Thus, a radiation source target can be manufactured. The radiation target thus produced can be used in a conventional radiation generator while being held on a holding material.
本発明の放射線源用ターゲット生成供給装置では、ターゲットの材料として、、レーザ光を照射すると極端紫外光等の放射線を発生する金属を用いる。極端紫外光を発生させるには、Sn、La、Ge(ゲルマニウム)、Zr(ジルコニウム)、Mo(モリブデン)、Ag(銀)、Gd(ガドリニウム)、W(タングステン)、Li等、従来の極端紫外光源用ターゲットに用いられているものと同様の金属を用いることができる。また、X線を発生させるにはCu(銅)やMo(モリブデン)等を、中性子線を発生させるには重水素を含む化合物（例えば重水素炭化水素）を、イオン線を発生させるためにはそのイオンに対応する金属又は金属化合物を、それぞれ用いることができる。 In the target generating and supplying apparatus for a radiation source of the present invention, a metal that generates radiation such as extreme ultraviolet light when irradiated with laser light is used as a target material. In order to generate extreme ultraviolet light, conventional extreme ultraviolet light such as Sn, La, Ge (germanium), Zr (zirconium), Mo (molybdenum), Ag (silver), Gd (gadolinium), W (tungsten), Li, etc. The same metal as that used for the light source target can be used. In order to generate X-rays, Cu (copper), Mo (molybdenum), etc., to generate neutrons, deuterium-containing compounds (eg deuterium hydrocarbons), to generate ion beams A metal or metal compound corresponding to the ion can be used.
(1) 第１態様の放射線源用ターゲット生成供給装置
第１態様の放射線源用ターゲット生成供給装置では、ターゲットの材料として、前述の金属又はその金属の化合物と、その金属を担持するための高分子物質を用いる。高分子物質には例えばポリビニルピロリドン（Polyvinylpyrrolidone、略称"PVP"）、ポリビニルアルコール（Polyvinylalcohol、"PVA"）、ポリビニルフェノール（Polyvinylphenol、"PVPh"）及びヒドロキシプロピルセルロース（hydroxypropylcellulose、"HPC"）のうちの１つ又は複数を混合したもの等を用いることができる。これら金属と高分子物質を溶媒に溶解させた溶液をターゲットの原料液として用いる。溶媒にはエタノール、メタノールあるいはそれらの水溶液等を用いることができる。
(1) Radiation source target generation and supply device according to the first aspect In the radiation source target generation and supply device according to the first aspect, as the target material, the above-mentioned metal or a compound of the metal and a high amount for supporting the metal are used. Use molecular material. Examples of the polymer substance include polyvinylpyrrolidone (abbreviated as “PVP”), polyvinyl alcohol (Polyvinylalcohol, “PVA”), polyvinylphenol (“PVPh”), and hydroxypropylcellulose (“HPC”). A mixture of one or more can be used. A solution obtained by dissolving these metals and a polymer substance in a solvent is used as a target raw material liquid. As the solvent, ethanol, methanol, or an aqueous solution thereof can be used.
真空チャンバ内に細管状の供給口と、その供給口に対向する電極を設ける。供給口は原料液を吐出するためのものであり、原料液供給装置の一部を構成する。原料液供給装置はこの供給口の他に、原料液を供給口から外部に押し出すための構成（例えばピストン及びシリンダー）を有する。また、供給口と電極の間に所定の大きさの電圧を印加するための電圧印加装置を設ける。 A thin tubular supply port and an electrode facing the supply port are provided in the vacuum chamber. The supply port is for discharging the raw material liquid and constitutes a part of the raw material liquid supply apparatus. In addition to the supply port, the raw material liquid supply device has a configuration (for example, a piston and a cylinder) for extruding the raw material liquid from the supply port to the outside. In addition, a voltage applying device for applying a predetermined voltage between the supply port and the electrode is provided.
第１態様の放射線源用ターゲット生成供給装置の動作について説明する。真空チャンバ内を真空にした状態で、供給口と電極の間に所定の電圧を印加しつつ、原料液を供給口から真空中に吐出する。吐出された原料液は、この電圧印加により形成される電界の影響により帯電し、加速されて真空チャンバ内を飛行する。この飛行の間に、原料液中の溶媒が真空中に揮発し、残された金属及び高分子物質が糸状に固化する。こうして、金属とそれを担持するための高分子物質から成る糸状の放射線源用ターゲットが得られる。 The operation of the radiation source target generation and supply apparatus according to the first aspect will be described. In a state where the vacuum chamber is evacuated, the raw material liquid is discharged into the vacuum from the supply port while applying a predetermined voltage between the supply port and the electrode. The discharged raw material liquid is charged by the influence of the electric field formed by this voltage application, accelerated and flies in the vacuum chamber. During this flight, the solvent in the raw material liquid is volatilized in a vacuum, and the remaining metal and polymer substance are solidified into a string. In this way, a filamentous radiation source target composed of a metal and a polymer material for supporting the metal is obtained.
前記電圧は原料液が帯電する程度の大きさとすればよい。そのような電圧の値は原料液の溶質及び溶媒により異なる。また、帯電の極性も原料液の溶質及び溶媒により異なるため、その帯電の極性に合わせて、原料液が供給口から電極に向かって飛行するように、電圧の極性を定める。これら電圧の値及び極性は予備実験により定める。 The voltage may be set to such a magnitude that the raw material liquid is charged. The value of such voltage varies depending on the solute and solvent of the raw material liquid. Further, since the polarity of charging varies depending on the solute and solvent of the raw material liquid, the polarity of the voltage is determined so that the raw material liquid flies from the supply port toward the electrode in accordance with the charging polarity. These voltage values and polarities are determined by preliminary experiments.
第１態様の放射線源用ターゲット生成供給装置では、供給口から原料液を連続的に吐出することにより、糸状の放射線源用ターゲットを供給口と電極の間の空間に連続的に生成することができる。そこで、この放射線源用ターゲット生成供給装置の供給口と電極の間にレーザ光を照射するレーザ光源を設けることにより、この装置は放射線を連続的に発生させる放射線発生装置として用いることができる。
この放射線発生装置は、以下のようにデブリによる悪影響を防ぐことができるという利点を有する。
従来、極端紫外光発生装置においては、ターゲットにレーザ光を照射しても、そのターゲットに含まれる金属が全てプラズマ化されるとは限らず、プラズマ化されなかった金属が粒子塊（デブリ）となって極端紫外光発生装置内に飛散し、光学系を汚染する等の悪影響を及ぼす原因となっていた。それに対して第１態様の放射線発生装置では、前記電界によりデブリが電極側に引きつけられるため、デブリが装置内に飛散して悪影響が及ぶことを防ぐことができる。また、電極側に引きつけられたデブリはそのまま電極に付着し、ターゲットの材料として回収、再利用することができる。
In the radiation source target generation and supply apparatus according to the first aspect, by continuously discharging the raw material liquid from the supply port, the filamentous radiation source target can be continuously generated in the space between the supply port and the electrode. it can. Therefore, by providing a laser light source for irradiating laser light between the supply port and the electrode of the target generation and supply device for radiation source, this device can be used as a radiation generator for continuously generating radiation.
This radiation generating apparatus has an advantage that it is possible to prevent adverse effects due to debris as follows.
Conventionally, in an extreme ultraviolet light generator, even if a target is irradiated with laser light, not all the metal contained in the target is converted into plasma, and the metal that has not been converted into plasma is debris (debris). As a result, it is scattered in the extreme ultraviolet light generator and causes adverse effects such as contamination of the optical system. On the other hand, in the radiation generator of the first aspect, since the debris is attracted to the electrode side by the electric field, it is possible to prevent the debris from being scattered in the apparatus and having an adverse effect. Further, debris attracted to the electrode side adheres to the electrode as it is, and can be recovered and reused as a target material.
更に、第１態様の放射線源用ターゲット生成供給装置により生成されるターゲットは、生成されたその場で放射線の連続発生に用いるのみならず、その場ではレーザ光を照射せずにターゲットを回収して、従来の放射線発生装置用のターゲットとして用いることもできる。この方法により作製されたターゲットは、高分子物質を含有するため、ターゲット中の金属の密度をその金属の結晶の密度よりも低く抑えることができる。また、このように電極に付着させたターゲットを加熱して高分子物質を除去しても低密度性を維持することができる。この加熱の有無に依らず、このように電極上に形成したターゲットはその密度の低さにより、特許文献１に記載のように、金属の結晶を用いたターゲットよりも放射線の発生効率を高めることができる。 Furthermore, the target generated by the radiation source target generation and supply device of the first aspect is not only used for continuous generation of radiation at the generated site, but also collects the target without irradiating laser light on the site. Thus, it can also be used as a target for a conventional radiation generator. Since the target produced by this method contains a polymer substance, the density of the metal in the target can be kept lower than the density of the crystal of the metal. Further, even when the target attached to the electrode is heated to remove the polymer substance, the low density can be maintained. Regardless of the presence or absence of this heating, the low density of the target formed on the electrode in this way increases the radiation generation efficiency as compared with the target using a metal crystal as described in Patent Document 1. Can do.
(2) 第２態様の放射線源用ターゲット生成供給装置
第２態様の放射線源用ターゲット生成供給装置では、放射線を発生させることが可能な前述の金属を含有するターゲット原料液を用いる。
(2) Radiation source target generation and supply device according to the second aspect In the radiation source target generation and supply device according to the second aspect, a target raw material liquid containing the above-described metal capable of generating radiation is used.
この装置には、ターゲット原料液をターゲットホルダに向けて供給する原料液供給装置を設ける。原料液供給装置には、例えば、インクジェットプリンタのインクノズルに用いられているものと同様の、ピエゾ素子に電圧を印加した時に生じる伸縮により原料液を供給する装置を用いることができる。 This apparatus is provided with a raw material liquid supply device for supplying the target raw material liquid toward the target holder. As the raw material liquid supply device, for example, a device that supplies the raw material liquid by expansion and contraction that occurs when a voltage is applied to a piezo element, similar to that used for an ink nozzle of an ink jet printer, can be used.
この装置で用いるターゲットホルダでは、表面の一部分にターゲット原料液が付着し、このターゲット原料液が凝固するか又はこのターゲット原料液から溶媒が揮発することによりターゲットが形成される。その部分をターゲット保持部分と呼ぶ。ターゲット保持部分は、ターゲットを保持しやすくするためにターゲットホルダの表面に何らかの加工を行ったものでもよい。 In the target holder used in this apparatus, the target raw material liquid adheres to a part of the surface, and the target raw material liquid is solidified or the target is formed by volatilization of the solvent from the target raw material liquid. This part is called a target holding part. The target holding portion may be obtained by performing some processing on the surface of the target holder in order to make it easier to hold the target.
このターゲットホルダは、原料液供給装置からターゲットが供給される位置（ターゲット供給位置）と、ターゲットをプラズマ化して放射線を発生させるためのレーザ光が照射される位置（レーザ光照射位置）の間でターゲット保持部分を移動させることができるようにする。例えば、円筒状のターゲットホルダを用いた場合、その円筒の表面の一部分がターゲット保持部分となり、円筒をその中心軸を中心に回動させることによりターゲット保持部分を移動させることができる。ターゲット供給位置及びレーザ光照射位置は、ターゲットホルダの回動中にターゲット保持部分が通過する位置のいずれかに定める。 This target holder is located between a position where the target is supplied from the raw material supply apparatus (target supply position) and a position where the target is turned into plasma and irradiated with laser light for generating radiation (laser light irradiation position). The target holding part can be moved. For example, when a cylindrical target holder is used, a part of the surface of the cylinder becomes a target holding portion, and the target holding portion can be moved by rotating the cylinder around its central axis. The target supply position and the laser beam irradiation position are determined at any position through which the target holding portion passes during rotation of the target holder.
第２態様の放射線源用ターゲット生成供給装置に、レーザ光をレーザ光照射位置に照射するレーザ光源を設けることにより、この装置は放射線を連続的に発生させる放射線発生装置として用いることができる。
この放射線発生装置の動作を説明する。まず、ターゲットホルダを回動させてターゲット保持部分をターゲット供給位置に移動させる。次に、原料液供給装置からターゲット保持部分に向けて原料液を噴射し、付着させる。次に、ターゲット保持部分をレーザ光照射位置に移動させる。この移動の間に、ターゲット保持部分に付着した原料液から溶媒が気化して固体のターゲットが形成される。レーザ光照射位置においてレーザ光を前記所定出力及び前記所定時間だけターゲットに照射する。これにより、ターゲットがプラズマ化し、そのプラズマから放射線が発生する。
By providing a laser light source for irradiating a laser beam irradiation position to the radiation source target generation and supply apparatus of the second aspect, this apparatus can be used as a radiation generator that continuously generates radiation.
The operation of this radiation generator will be described. First, the target holder is rotated to move the target holding portion to the target supply position. Next, the raw material liquid is sprayed from the raw material liquid supply device toward the target holding portion and is attached. Next, the target holding portion is moved to the laser beam irradiation position. During this movement, the solvent is vaporized from the raw material liquid adhering to the target holding portion to form a solid target. The target is irradiated with laser light at the laser light irradiation position for the predetermined output and the predetermined time. As a result, the target is turned into plasma, and radiation is generated from the plasma.
レーザ光が照射されたターゲット保持部分は再度ターゲット供給位置に移動させて、原料液供給装置により原料液を該部分に付着させることができる。こうしてターゲット保持部分をレーザ光照射位置に移動させてレーザ光を該部分に照射することを繰り返すことにより、放射線を連続的に発生させることができる。 The target holding portion irradiated with the laser light can be moved again to the target supply position, and the raw material liquid can be attached to the portion by the raw material liquid supply device. Thus, by repeatedly moving the target holding portion to the laser beam irradiation position and irradiating the portion with the laser beam, radiation can be continuously generated.
原料液供給装置からターゲット保持部分へ原料液を周期的に供給し、その周期に同期してパルスレーザ光をレーザ光照射位置に照射することにより、ターゲットやレーザ光のエネルギーを無駄なく使用することができる。 Use the energy of the target and laser light without waste by periodically supplying the raw material liquid from the raw material liquid supply device to the target holding part and irradiating the laser beam irradiation position with the pulsed laser light in synchronization with the period. Can do.
レーザ光照射位置においてターゲットの全てにレーザ光を照射することができずにターゲット保持部分に残滓が生じた場合のために、第２態様の放射線源用ターゲット生成供給装置には、更に除去装置を設けることができる。この除去装置は、ターゲット保持部分がレーザ光照射位置からターゲット供給位置に移動する間に、ターゲット保持部分に付着したターゲットの残滓を除去するものである。除去装置には、例えばターゲット保持部分を加熱することにより残滓を分解するものや、機械的に残滓をはぎ取るもの等を用いることができる。 In the case where the target is not irradiated with the laser beam at the laser beam irradiation position and a residue is generated in the target holding portion, the radiation source target generation and supply device of the second aspect further includes a removal device. Can be provided. This removal apparatus removes the residue of the target adhering to the target holding portion while the target holding portion moves from the laser beam irradiation position to the target supply position. As the removing device, for example, a device that decomposes the residue by heating the target holding portion or a device that mechanically removes the residue can be used.
原料液供給装置は、１回の供給量が、レーザ光が所定の出力で所定の時間照射された際に消費される量の金属を含有する量になるように制御することができる。その量は予備実験により定めることができる。これにより、ターゲット保持部分に付着していたターゲットはレーザ光照射位置においてレーザ光が照射された際に全て消費され、消費されないターゲットが原因となってデブリが発生するのを抑えることができる。
また、１回当たりのターゲットの消費量は1mg以下のごく少量であることが多いことから、従来の放射線源用ターゲットではそのような少量のターゲットをレーザ光照射位置に輸送することに高度な技術が必要であった。それに対して、本発明の装置では微量の原料液をターゲット保持部分に付着させてレーザ光照射位置に容易に輸送することができる。
The raw material liquid supply apparatus can be controlled so that the supply amount at one time contains an amount of metal that is consumed when the laser beam is irradiated for a predetermined time with a predetermined output. The amount can be determined by preliminary experiments. Thereby, the target adhering to the target holding portion is all consumed when the laser beam is irradiated at the laser beam irradiation position, and it is possible to suppress the occurrence of debris due to the target that is not consumed.
In addition, since the consumption of a target at one time is often a very small amount of 1 mg or less, the conventional target for radiation sources is an advanced technology for transporting such a small amount of target to the laser irradiation position. Was necessary. In contrast, in the apparatus of the present invention, a small amount of raw material liquid can be attached to the target holding portion and easily transported to the laser light irradiation position.
放射線を連続発生させるために、ターゲットホルダには以下のものを用いることが望ましい。その第１のものは前述の円筒状ターゲットホルダである。円筒をその中心軸を中心に回転させることにより、ターゲット保持部分をターゲット供給位置とレーザ光照射位置の間を繰り返し移動させることができる。
第２の連続発生用ターゲットホルダは板状のターゲットホルダである。その板の表面の一部をターゲット保持部分とし、その表面に垂直な軸を中心としてターゲットホルダを回転させる。ターゲット供給位置とレーザ光照射位置を同一円周上に設け、板を連続回転させることにより、ターゲット保持部分をターゲット供給位置とレーザ光照射位置の間を繰り返し移動させることができる。
In order to continuously generate radiation, it is desirable to use the following for the target holder. The first is the aforementioned cylindrical target holder. By rotating the cylinder about its central axis, the target holding portion can be repeatedly moved between the target supply position and the laser beam irradiation position.
The second target holder for continuous generation is a plate-like target holder. A part of the surface of the plate is used as a target holding portion, and the target holder is rotated about an axis perpendicular to the surface. By providing the target supply position and the laser light irradiation position on the same circumference and continuously rotating the plate, the target holding portion can be repeatedly moved between the target supply position and the laser light irradiation position.
原料液供給装置を複数設け、その各々に対応するターゲット供給位置を設けてもよい。その場合、各原料液供給装置からはそれぞれ原料の金属が異なる原料液を供給すれば、ターゲット保持部分が前記複数のターゲット供給位置を順に全て通過することにより、それら複数の材料が積層したターゲットがターゲット保持部分に形成される。
この装置によりSnとLiを積層させて生成したターゲットを用いることにより、SnとLiのうちの一方のみを有するターゲットを用いる場合よりも波長13.5nmの極端紫外光を高い効率で得ることができる。その理由は、Snのプラズマにより強い強度で極端紫外光を発生させることができると共に、Liのプラズマが生成されることによりSnプラズマの拡散を防ぎ、拡散したSnプラズマによる極端紫外光の再吸収を抑制することができるためである。
A plurality of raw material liquid supply devices may be provided, and a target supply position corresponding to each of them may be provided. In that case, if each of the raw material liquid supply devices supplies a raw material liquid having a different raw material metal, the target holding portion passes through the plurality of target supply positions in order, so that a target in which the plurality of materials are laminated is obtained. Formed on the target holding portion.
By using a target produced by stacking Sn and Li using this apparatus, extreme ultraviolet light having a wavelength of 13.5 nm can be obtained with higher efficiency than when a target having only one of Sn and Li is used. The reason is that the extreme ultraviolet light can be generated with strong intensity by the Sn plasma, and the diffusion of the extreme ultraviolet light by the diffused Sn plasma is prevented by preventing the diffusion of the Sn plasma by generating the Li plasma. This is because it can be suppressed.
第１態様、第２態様共に、ターゲットをプラズマ化させるためのレーザ光をターゲット保持部分に照射する第１のレーザ光源と、プラズマ化して膨張したプラズマターゲットに更にレーザ光を照射する第２のレーザ光源の２つのレーザ光源を設けてもよい。これにより、第１のレーザ光源を用いてターゲットを初期状態よりも低密度化することができるため、第２のレーザ光源により効率的に極端紫外光に変換することができる。 In both the first aspect and the second aspect, a first laser light source that irradiates a target holding portion with laser light for converting the target into plasma, and a second laser that further irradiates the plasma target that has been converted into plasma and expanded. You may provide two laser light sources of a light source. Thereby, since the density of the target can be reduced from the initial state using the first laser light source, it can be efficiently converted into extreme ultraviolet light by the second laser light source.
(3) 発明の効果
本発明に係る放射線源用ターゲット生成供給装置は、第１態様のもの、第２態様のもののいずれも、ターゲットを繰り返しレーザ光照射位置に供給することができるため、極端紫外光等の放射線を連続的に発生させることができる。このように連続発生が可能になることにより、リソグラフィー等の工業的手段に極端紫外光をより好適に用いることができるようになる。
また、第１態様では発生したデブリを電界により回収することにより、光学系の汚損等の、デブリによる悪影響が生じることを抑えることができる。また、第２態様では、原料液供給装置が１回のレーザ光照射により消費される量だけ原料液を供給する場合において、デブリの発生自体を抑えることができる。
(3) Effects of the Invention The radiation source target generation and supply apparatus according to the present invention can supply the target repeatedly to the laser light irradiation position in either the first aspect or the second aspect. Radiation such as light can be continuously generated. By enabling continuous generation in this way, extreme ultraviolet light can be more suitably used for industrial means such as lithography.
Further, in the first aspect, by collecting the generated debris with an electric field, it is possible to suppress an adverse effect caused by the debris such as contamination of the optical system. Further, in the second aspect, when the raw material liquid supply device supplies the raw material liquid in an amount consumed by one laser light irradiation, the generation of debris itself can be suppressed.
以下に極端紫外光源用ターゲット生成供給装置の実施例を示すが、それらの実施例はターゲットの材料を変更することにより、X線、中性子線、イオン線等の放射線用のターゲット生成供給装置にも適用することができる。 Examples of target generation and supply devices for extreme ultraviolet light sources are shown below, but those examples can also be applied to target generation and supply devices for radiation such as X-rays, neutron beams, and ion beams by changing the target material. Can be applied.
第１態様の極端紫外光源用ターゲット生成供給装置の一実施例（第１実施例）を図１〜図３を用いて説明する。
図１は本実施例の極端紫外光源用ターゲット生成供給装置の概略構成図である。真空チャンバ１１内に細管状の供給口１２１を設ける。供給口１２１は原料液供給装置１２の一部を構成する。この原料液供給装置１２はターゲットの原料液を供給口１２１から所定の流量で射出する。原料液には、例えばSnCl4（塩化スズ）とPVPをエタノールに溶解させた混合液を用いることができる。
また、真空チャンバ１１内に、供給口１２１に対向して板状の電極１３を設ける。本実施例では供給口１２１と電極１３の間の距離を15cmとした。電極１３の材料にはアルミニウムや銅等を用いることができる。また、電極１３は後述の理由により着脱可能に設置されている。更に、供給口１２１と電極１３の間に電圧を印加する電源１４を設ける。本実施例では電源１４の電圧は直流の10kVとした。また、供給口１２１と電極１３の間の空間にレーザ光を照射する光源１５を設ける。
An embodiment (first embodiment) of the first aspect of the extreme ultraviolet light source target generation and supply apparatus will be described with reference to FIGS.
FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a target generation and supply device for an extreme ultraviolet light source according to the present embodiment. A thin tubular supply port 121 is provided in the vacuum chamber 11. The supply port 121 constitutes a part of the raw material liquid supply device 12. The raw material liquid supply device 12 injects a target raw material liquid from a supply port 121 at a predetermined flow rate. As the raw material liquid, for example, a mixed liquid in which SnCl 4 (tin chloride) and PVP are dissolved in ethanol can be used.
Further, a plate-like electrode 13 is provided in the vacuum chamber 11 so as to face the supply port 121. In this embodiment, the distance between the supply port 121 and the electrode 13 is 15 cm. Aluminum, copper, or the like can be used as the material of the electrode 13. Moreover, the electrode 13 is detachably installed for the reason described later. Further, a power supply 14 for applying a voltage is provided between the supply port 121 and the electrode 13. In this embodiment, the voltage of the power source 14 is set to 10 kV of direct current. Further, a light source 15 that irradiates laser light is provided in the space between the supply port 121 and the electrode 13.
第１実施例の極端紫外光源用ターゲット生成供給装置の動作を説明する。供給口１２１と電極１３の間に電圧を印加した状態で、原料液を供給口１２１から所定の流量で射出する。射出された原料液は前記電圧の影響により帯電して電極１３に向けて飛行する。その飛行の間に溶媒が蒸発し、金属が高分子物質に担持された極端紫外光源用糸状ターゲット１６が形成される。例えばSnCl4とPVPをエタノールに溶解させた原料液を用いた場合には、SnCl4とPVPが混合した糸状ターゲット１６が得られる。 The operation of the extreme ultraviolet light source target generation and supply apparatus of the first embodiment will be described. In a state where a voltage is applied between the supply port 121 and the electrode 13, the raw material liquid is injected from the supply port 121 at a predetermined flow rate. The injected raw material liquid is charged by the influence of the voltage and flies toward the electrode 13. During the flight, the solvent evaporates, and the extreme ultraviolet light source thread-like target 16 in which the metal is supported on the polymer material is formed. For example, when a raw material solution in which SnCl 4 and PVP are dissolved in ethanol is used, a filamentous target 16 in which SnCl 4 and PVP are mixed is obtained.
電極１３に向けて飛行する糸状ターゲット１６に対して、光源１５からレーザ光１７を照射する。これにより、糸状ターゲット１６がプラズマ化し、そのプラズマから極端紫外光１８が生成される。 A laser beam 17 is irradiated from the light source 15 to the filamentous target 16 flying toward the electrode 13. Thereby, the filamentous target 16 is turned into plasma, and extreme ultraviolet light 18 is generated from the plasma.
プラズマ化されずに残った糸状ターゲット１６の残滓１９は、前記電圧により電極１３に引きつけられて付着する。本実施例では、電極１３を取り外して、そこに付着した糸状ターゲット１６を回収することができる。 The residue 19 of the filamentous target 16 remaining without being converted to plasma is attracted to and attached to the electrode 13 by the voltage. In this embodiment, the electrode 13 can be removed, and the filamentous target 16 attached thereto can be recovered.
なお、第１実施例の極端紫外光源用ターゲット生成供給装置は、ここで述べたようにターゲットを生成してすぐにレーザ光を照射する場合に限らず、糸状の極端紫外光源用ターゲットの製造のみを行う（レーザ光源の照射は他の装置により行う）場合に使用することもできる。この場合、供給口１２１から原料液を射出しながら供給口１２１と電極１３の間に前述のような高電圧を印加することにより、電極１３上に糸状ターゲットが付着し、それを回収することにより糸状ターゲットを得ることができる。
ここで得られた糸状ターゲットを加熱して、高分子物質を除去してもよい。例えばSnCl4とPVPが混合した糸状ターゲット１６を500℃に加熱すれば、十分にPVPを除去することができると共に、Snが酸化してSnO2から成る糸状ターゲットが得られる。
Note that the extreme ultraviolet light source target generation and supply apparatus of the first embodiment is not limited to the case of generating a target and irradiating the laser beam immediately as described here. It can also be used when performing the above (irradiation of the laser light source is performed by another device). In this case, by applying a high voltage as described above between the supply port 121 and the electrode 13 while injecting the raw material liquid from the supply port 121, the filamentous target adheres on the electrode 13 and is recovered. A thread-like target can be obtained.
The filamentous target obtained here may be heated to remove the polymer substance. For example, if the filamentous target 16 in which SnCl 4 and PVP are mixed is heated to 500 ° C., the PVP can be sufficiently removed, and Sn is oxidized to obtain a filamentous target made of SnO 2 .
この方法により作製したSnO2糸状ターゲットの顕微鏡写真を図２及び図３に示す。図２に示した３つのターゲットはそれぞれ、原料液中のSnCl4の濃度が(a)2.5%、(b)5%、(c)7.5%という異なる条件で作製したものである（PVPの濃度はいずれも20%）。これら図２に示したターゲットの径を写真から見積もると、(a)180±10nm、(b)200±10nm、(c)460±10nmとなる。図３に示した３つのターゲットはそれぞれ、原料液のPVPの濃度を(a)20%、(b)25%、(c)30%として作製したものであり（SnCl4の濃度はいずれも5%）、ターゲットの径は(a)200±10nm、(b)250±10nm、(c)290±10nmである。これらの写真から、本実施例により糸状のターゲットが得られ、SnCl4又はPVPの濃度を調整することにより、ターゲットの径を制御することができることがわかる。 Photomicrographs of SnO 2 filamentous targets produced by this method are shown in FIGS. Each of the three targets shown in FIG. 2 was prepared under different conditions of SnCl 4 concentration (a) 2.5%, (b) 5%, and (c) 7.5% in the raw material solution (PVP concentration). Are 20%). When the diameters of the targets shown in FIG. 2 are estimated from photographs, they are (a) 180 ± 10 nm, (b) 200 ± 10 nm, and (c) 460 ± 10 nm. Each of the three targets shown in FIG. 3 was prepared with the PVP concentrations of the raw material liquid being (a) 20%, (b) 25%, and (c) 30% (SnCl 4 concentration was 5 %), The target diameters are (a) 200 ± 10 nm, (b) 250 ± 10 nm, and (c) 290 ± 10 nm. From these photographs, it can be seen that a thread-like target is obtained according to this example, and the diameter of the target can be controlled by adjusting the concentration of SnCl 4 or PVP.
次に、第２態様の極端紫外光源用ターゲット生成供給装置の一実施例（第２実施例）を図４〜図８を用いて説明する。
図４に、第２実施例の極端紫外光源用ターゲット生成供給装置の概略構成図を示す。本実施例では、ガラスから成り内部に空洞が形成された円筒状のターゲットホルダ３１を用いる。なお、ターゲットホルダ３１の材料には、レーザ光による損傷を受けない程度の高い純度を有するプラスチックを用いることもできる。このターゲットホルダ３１は、側面にターゲットの原料液を付着させることによりターゲットを保持することができる。また、ターゲットホルダ３１は円筒の中心軸の周りに回転する。
Next, an embodiment (second embodiment) of the second aspect of the extreme ultraviolet light source target generation and supply apparatus will be described with reference to FIGS.
In FIG. 4, the schematic block diagram of the target production | generation apparatus for extreme ultraviolet light sources of 2nd Example is shown. In this embodiment, a cylindrical target holder 31 made of glass and having a cavity formed therein is used. Note that the target holder 31 may be made of a plastic having such a high purity that it is not damaged by the laser beam. The target holder 31 can hold the target by attaching the target raw material liquid to the side surface. Further, the target holder 31 rotates around the central axis of the cylinder.
ターゲットホルダ３１の側面に対向して原料液供給装置３２を設ける。本実施例の原料液供給装置３２は、インクジェットプリンタのノズルヘッドと同様に、ピエゾ素子の伸縮により原料液を射出するものである。一度に射出する原料液の量はピエゾ素子に印加する電圧により制御することができる。原料液供給装置３２から射出される原料液はターゲットホルダ３１の側面に付着する。ノズルヘッドは、原料液を射出する孔を１個又は複数個設けたものであり、後者の場合には、それら複数個の孔の配置により、ターゲットホルダ３１の側面に付着するターゲットの形状を調整することができる。例えば、ターゲットに照射されるレーザ光のビームの断面形状にターゲットの形状を合わせるように調整することにより、無駄なくターゲットにレーザ光を照射することができる。 A raw material liquid supply device 32 is provided facing the side surface of the target holder 31. The raw material liquid supply device 32 of the present embodiment injects the raw material liquid by expansion and contraction of a piezo element, like a nozzle head of an ink jet printer. The amount of the raw material liquid injected at a time can be controlled by the voltage applied to the piezo element. The raw material liquid injected from the raw material liquid supply device 32 adheres to the side surface of the target holder 31. The nozzle head is provided with one or a plurality of holes for injecting the raw material liquid. In the latter case, the shape of the target attached to the side surface of the target holder 31 is adjusted by the arrangement of the plurality of holes. can do. For example, the target can be irradiated with laser light without waste by adjusting the shape of the target to match the cross-sectional shape of the laser beam irradiated to the target.
更に、原料液供給装置３２により原料液が射出される位置にあるターゲットホルダ３１の側面の位置（ターゲット供給位置）から、ターゲットホルダ３１を中心軸の周りに180°回転した位置（レーザ光照射位置）にレーザ光を照射する第１の光源３３を設ける。本実施例では、第１光源３３は、ターゲットホルダ３１の外側からターゲットホルダ３１の内部に向けてレーザ光を照射し、その内部に設けた反射鏡３４によりレーザ光の進路をレーザ光照射位置に向ける。このレーザ光はガラス製のターゲットホルダの側面を通過してターゲットに照射される。ターゲットホルダ３１は回転可能に設置されているが、反射鏡３４は固定されている。また、第１光源３３とは別に、レーザ光照射位置におけるターゲットホルダ３１の側面に沿ってレーザ光を照射する第２光源３５を設ける。第１光源３３からのレーザ光はターゲットをプラズマ化するために、第２光源３５からのレーザ光はプラズマから極端紫外光を発生させるために、それぞれ用いられる。 Further, a position (laser beam irradiation position) obtained by rotating the target holder 31 180 degrees around the central axis from the position (target supply position) of the side surface of the target holder 31 at the position where the raw material liquid is injected by the raw material liquid supply device 32. ) Is provided with a first light source 33 for irradiating a laser beam. In the present embodiment, the first light source 33 irradiates laser light from the outside of the target holder 31 toward the inside of the target holder 31, and the path of the laser light is set to the laser light irradiation position by the reflecting mirror 34 provided in the inside. Turn. This laser light is irradiated to the target through the side surface of the glass target holder. The target holder 31 is rotatably installed, but the reflecting mirror 34 is fixed. In addition to the first light source 33, a second light source 35 that irradiates laser light along the side surface of the target holder 31 at the laser light irradiation position is provided. The laser light from the first light source 33 is used to turn the target into plasma, and the laser light from the second light source 35 is used to generate extreme ultraviolet light from the plasma.
第２実施例の極端紫外光源用ターゲット生成供給装置の動作を説明する。ターゲットホルダ３１を所定の速さで回転させながら、原料液供給装置３２から所定の周期で原料液をターゲットホルダ３１の側面に向けて射出する。１回の射出量は、後述のパルスレーザ光を１パルス分だけ照射することによりちょうど消費されるだけの金属を含む量とする。例えば、強度1010W/cm2、パルス幅1〜10ナノ秒のパルスレーザ光を１パルス照射することによりちょうどターゲットを消費するためには、１回あたり約0.8mgのスズを含む原料液を射出すればよい。この射出によりターゲットホルダ３１の側面に付着した原料液は、ターゲットホルダが180°回転する間に溶媒が蒸発し、固形のターゲットが形成される。 The operation of the extreme ultraviolet light source target generation and supply apparatus of the second embodiment will be described. While rotating the target holder 31 at a predetermined speed, the raw material liquid is injected from the raw material liquid supply device 32 toward the side surface of the target holder 31 at a predetermined cycle. A single emission amount is an amount including a metal that is just consumed by irradiating a pulse laser beam described later for one pulse. For example, in order to consume a target just by irradiating one pulse of pulse laser light with an intensity of 10 10 W / cm 2 and a pulse width of 1 to 10 nanoseconds, a raw material solution containing about 0.8 mg of tin per time is used. Just inject. The raw material liquid adhering to the side surface of the target holder 31 by this injection evaporates the solvent while the target holder rotates 180 ° to form a solid target.
一方、第１光源３３からパルスレーザ光をレーザ光照射位置に向けて照射する。ここで、ターゲットホルダ３１の回転により、その側面に付着したターゲットがレーザ光照射位置まで移動した時にパルスレーザ光が照射されるように、原料液の射出とパルスレーザの照射を同期させる。このパルスレーザ光は、反射鏡３４により反射され、ターゲットホルダ３１の側面を通過してターゲットに照射される。これにより、ターゲットがプラズマ化する。このプラズマに第２光源３５からレーザ光を照射することにより、極端紫外光を発生させることができる。 On the other hand, pulsed laser light is emitted from the first light source 33 toward the laser light irradiation position. Here, the rotation of the target holder 31 synchronizes the injection of the raw material liquid and the irradiation of the pulse laser so that the pulse laser light is irradiated when the target attached to the side surface moves to the laser light irradiation position. This pulse laser beam is reflected by the reflecting mirror 34, passes through the side surface of the target holder 31, and is irradiated onto the target. As a result, the target is turned into plasma. By irradiating the plasma with laser light from the second light source 35, extreme ultraviolet light can be generated.
なお、本実施例では第１光源３３からのパルスレーザ光をターゲットホルダ３１の内側からターゲットに向けて照射したが、ターゲットホルダ３１の外側から照射してもよい。第１光源３３と第２光源３５という２個のレーザ光源を用いる代わりに、１個のみのレーザ光源を用いてプラズマと極端紫外光を発生させることもできる。また、本実施例ではレーザ光照射位置をターゲット供給位置からターゲットホルダ３１を中心軸の周りに180°回転した位置に配置したが、この回転角度は180°に限らず任意の角度でよい。 In this embodiment, the pulse laser beam from the first light source 33 is irradiated from the inside of the target holder 31 toward the target, but may be irradiated from the outside of the target holder 31. Instead of using two laser light sources, the first light source 33 and the second light source 35, it is also possible to generate plasma and extreme ultraviolet light using only one laser light source. In this embodiment, the laser light irradiation position is arranged at a position obtained by rotating the target holder 31 from the target supply position by 180 ° around the central axis. However, the rotation angle is not limited to 180 ° and may be an arbitrary angle.
図５に、第２実施例の変形例として、ターゲットの残滓を除去する除去装置を設けた極端紫外光源用ターゲット生成供給装置を示す。図５はいずれも、第２実施例の極端紫外光源用ターゲット生成供給装置を円筒状のターゲットホルダ３１の上面から見た図を表す。図５(a)の極端紫外光源用ターゲット生成供給装置は、レーザ光照射位置４２で消費されずに残ったターゲットの残滓がターゲットホルダ３１の回転によりレーザ光照射位置４２からターゲット供給位置４１に移動する間の位置にヘラ４３を設けたものである。ヘラ４３の先端はターゲットホルダ３１の側面に接触しており、残滓はこの先端によりそぎ落とされる。図５(b)の極端紫外光源用ターゲット生成供給装置は、(a)のヘラ４３と同じ位置に、ターゲットホルダ３１の側面を加熱するヒータ４４を設けたものである。ヒータ４４に対向する位置を通過する時に残滓を加熱することにより、この残滓を除去する。(b)の構成は、ターゲットを担持するための高分子物質を用いる場合においてその高分子物質が残滓となった時に有効である。 FIG. 5 shows an extreme ultraviolet light source target generation and supply device provided with a removal device for removing target residue as a modification of the second embodiment. FIG. 5 shows a view of the extreme ultraviolet light source target generation and supply apparatus of the second embodiment as viewed from the upper surface of the cylindrical target holder 31. In the target generation and supply apparatus for extreme ultraviolet light source of FIG. 5A, the residue of the target remaining without being consumed at the laser light irradiation position 42 is moved from the laser light irradiation position 42 to the target supply position 41 by the rotation of the target holder 31. A spatula 43 is provided at a position in between. The tip of the spatula 43 is in contact with the side surface of the target holder 31, and the residue is scraped off by this tip. The extreme ultraviolet light source target generation and supply device of FIG. 5B is provided with a heater 44 that heats the side surface of the target holder 31 at the same position as the spatula 43 of FIG. The residue is removed by heating the residue when passing through a position facing the heater 44. The configuration (b) is effective when a polymer material for carrying a target is used and the polymer material remains as a residue.
図６に、第２実施例の変形例として、２種類の金属を積層させたターゲットを連続生成する極端紫外光源用ターゲット生成供給装置を上面図で示す。この装置は第１の原料液供給装置３２１と、第１原料液供給装置３２１から見てターゲットホルダ３１が回転する方向に隣接して設けた第２の原料液供給装置３２２を有する。第１原料液供給装置３２１はSnを含む原料液をターゲットホルダ３１の側面に向けて射出し、そのSn含有原料液が付着した部分が第２原料液供給装置３２２に対向する位置を通過する際に、第２原料液供給装置３２２はLiを含む原料液をその部分に向けて射出する。これにより、Snから成る層とLiから成る層が積層したターゲットがターゲットホルダ３１の側面に形成され、レーザ光照射位置４２においてこの積層ターゲットにレーザ光が照射されることにより波長13.5nmの極端紫外光が得られる。この時、SnとLiのプラズマが共に形成され、Liのプラズマが存在することにより、Snから発生した極端紫外光がSnのプラズマに再吸収されることが抑制される。そのため、ターゲットの金属としてSnのみを有するターゲットを用いる場合よりも発生効率を高めることができる。 FIG. 6 is a top view showing a target generation and supply device for an extreme ultraviolet light source that continuously generates a target in which two kinds of metals are laminated as a modification of the second embodiment. This apparatus has a first raw material liquid supply device 321 and a second raw material liquid supply device 322 provided adjacent to the direction in which the target holder 31 rotates as viewed from the first raw material liquid supply device 321. The first raw material liquid supply device 321 injects a raw material liquid containing Sn toward the side surface of the target holder 31, and the portion where the Sn-containing raw material liquid adheres passes through a position facing the second raw material liquid supply device 322. In addition, the second raw material liquid supply device 322 injects a raw material liquid containing Li toward the portion. As a result, a target in which a layer made of Sn and a layer made of Li are stacked is formed on the side surface of the target holder 31, and the stacked target is irradiated with laser light at the laser light irradiation position 42, thereby causing extreme ultraviolet light having a wavelength of 13.5 nm. Light is obtained. At this time, Sn and Li plasmas are formed together, and the presence of Li plasma suppresses the extreme ultraviolet light generated from Sn from being reabsorbed by the Sn plasma. Therefore, the generation efficiency can be increased as compared with the case of using a target having only Sn as the target metal.
図７及び図８に、円筒形以外の形状を有するターゲットホルダを用いた第２実施例の極端紫外光源用ターゲット生成供給装置の概略構成図を示す。
図７に、板状（円板状）のターゲットホルダ５１を有する極端紫外光源用ターゲット生成供給装置を示す。ターゲットホルダ５１はガラスから成り、円板の中心を通る垂線を軸として回転可能に設置される。前述の円筒状ターゲットホルダ３１と同様に、ターゲットホルダ５１の材料にはレーザ光による損傷を受けない程度の高い純度を有するプラスチックを用いることもできる。円板の中心から外れた位置に円板の面に対向して、その面に原料液を噴射する原料液供給装置５２を設ける。また、原料液供給装置５２に対向するターゲットホルダ５１の表面の位置（ターゲット供給位置）から、ターゲットホルダ５１を180°回転した位置（レーザ光照射位置）に、ターゲットが形成された面の裏側からレーザ光を照射する第１光源５３を設ける。また、レーザ光照射位置のターゲットホルダ５１の表面付近にレーザ光を照射する第２光源５５を設ける。図４の円筒形ターゲットホルダを有する極端紫外光源用ターゲット生成供給装置と同様に、第１光源５３はターゲットをプラズマ化するためのものであり、第２光源５５はプラズマ化したターゲットから極端紫外光を発生させるためのものである。
この装置の動作は以下の通りである。ターゲットホルダ５１を前述のように回転させながら原料液供給装置５２から原料液をターゲットホルダ５１の表面に噴射する。噴射された原料液はターゲットホルダ５１の回転によりターゲット供給位置からレーザ光照射位置に移動する。その移動の間に原料液から溶媒が蒸発し、固形のターゲットが形成される。レーザ光照射位置において第１光源５３からターゲットにレーザ光を照射することによりターゲットをプラズマ化し、第２光源５５からこのプラズマにレーザ光を照射することにより極端紫外光を得る。
なお、図７には図４の装置と同様にレーザ光源を２個設ける例を示したが、光源を１個のみ設けてもよい。また、図７に示した極端紫外光源用ターゲット生成供給装置に、図５に示した装置と同様に残滓の除去装置を設けることや、図６に示した装置と同様に２個以上の原料液供給装置を設けることもできる。
7 and 8 are schematic configuration diagrams of a target generation and supply device for an extreme ultraviolet light source according to a second embodiment using a target holder having a shape other than a cylindrical shape.
FIG. 7 shows an extreme ultraviolet light source target generation and supply device having a plate-like (disk-like) target holder 51. The target holder 51 is made of glass, and is installed so as to be rotatable about a perpendicular passing through the center of the disk. Similar to the cylindrical target holder 31 described above, the material of the target holder 51 may be a plastic having such a high purity that it is not damaged by the laser beam. A raw material liquid supply device 52 for injecting the raw material liquid is provided on the surface of the disk opposite to the surface of the disk at a position off the center of the disk. Further, from the back side of the surface on which the target is formed, from the position of the surface of the target holder 51 (target supply position) facing the raw material liquid supply device 52 to the position (laser beam irradiation position) rotated 180 °. A first light source 53 for irradiating laser light is provided. Further, a second light source 55 for irradiating laser light is provided near the surface of the target holder 51 at the laser light irradiation position. As in the extreme ultraviolet light source target generation and supply apparatus having the cylindrical target holder shown in FIG. 4, the first light source 53 is for converting the target into plasma, and the second light source 55 is used for converting the plasma target into extreme ultraviolet light. It is for generating.
The operation of this device is as follows. The raw material liquid is sprayed from the raw material liquid supply device 52 onto the surface of the target holder 51 while rotating the target holder 51 as described above. The injected raw material liquid moves from the target supply position to the laser beam irradiation position by the rotation of the target holder 51. During the movement, the solvent evaporates from the raw material liquid, and a solid target is formed. The target is turned into plasma by irradiating the target with laser light from the first light source 53 at the laser light irradiation position, and extreme ultraviolet light is obtained by irradiating this plasma with laser light from the second light source 55.
Although FIG. 7 shows an example in which two laser light sources are provided as in the apparatus of FIG. 4, only one light source may be provided. Further, the extreme ultraviolet light source target generation and supply device shown in FIG. 7 is provided with a residue removal device as in the device shown in FIG. 5, or two or more raw material liquids as in the device shown in FIG. A feeding device can also be provided.
図８に、ベルト状のターゲットホルダ６１を有する極端紫外光源用ターゲット生成供給装置を示す。ポリカーボネートから成るベルト状ターゲットホルダ６１は、２個のプーリ６６１及び６６２の回転により、ベルト上の各点が原料液供給位置６７とレーザ光照射位置６８を通過した後にこれらの位置の裏面を通過して原料液供給位置６７に戻るという動作を繰り返す。ベルトに対向して、原料液供給装置６２及びレーザ光の光源６３を設ける。原料液供給装置６２に対向するベルト上の位置を原料液供給位置６７とし、光源６３に対向するベルト上の位置をレーザ光照射位置６８とする。この装置の動作は以下の通りである。原料液供給位置６７において原料液供給装置６２はベルト状ターゲットホルダ６１の表面に原料液を射出し、その表面に付着した原料液がレーザ光照射位置６８に移動する間に溶媒が蒸発してターゲットが形成される。光源６３はレーザ光照射位置６８においてターゲットにレーザ光を照射する。これにより、ターゲットからプラズマが形成され、極端紫外光が発生する。ベルト状ターゲットホルダ６１上の各点は原料液供給位置６７とレーザ光照射位置６８を交互に繰り返し通過するため、ターゲットの生成及び極端紫外光の発生を繰り返し行うことができる。なお、図８に示した装置は、第２実施例の他の装置と同様に、光源を２個以上設けること、残滓の除去装置を設けること、あるいは原料液供給装置６２を２個以上設けることもできる。 FIG. 8 shows an extreme ultraviolet light source target generation and supply device having a belt-like target holder 61. The belt-like target holder 61 made of polycarbonate passes through the back of these positions after each point on the belt passes through the raw material liquid supply position 67 and the laser beam irradiation position 68 by the rotation of the two pulleys 661 and 662. The operation of returning to the raw material liquid supply position 67 is repeated. A raw material liquid supply device 62 and a laser light source 63 are provided facing the belt. A position on the belt facing the raw material liquid supply device 62 is a raw material liquid supply position 67, and a position on the belt facing the light source 63 is a laser light irradiation position 68. The operation of this device is as follows. At the raw material liquid supply position 67, the raw material liquid supply device 62 injects the raw material liquid onto the surface of the belt-shaped target holder 61, and the solvent evaporates while the raw material liquid attached to the surface moves to the laser beam irradiation position 68. Is formed. The light source 63 irradiates the target with laser light at the laser light irradiation position 68. Thereby, plasma is formed from the target and extreme ultraviolet light is generated. Since each point on the belt-like target holder 61 alternately passes through the raw material liquid supply position 67 and the laser light irradiation position 68, the generation of the target and the generation of extreme ultraviolet light can be repeated. The apparatus shown in FIG. 8 is provided with two or more light sources, a residue removing apparatus, or two or more raw material liquid supply apparatuses 62, as in the other apparatuses of the second embodiment. You can also.
１１…真空チャンバ
１２、３２、５２、６２…原料液供給装置
１２１…供給口
１３…電極
１４…電源
１５、６３…光源
１６…極端紫外光源用糸状ターゲット
１７…レーザ光
１８…極端紫外光
１９…残滓
３１…円筒状ターゲットホルダ
３２１…第１原料液供給装置
３２２…第２原料液供給装置
３３、５３…第１光源
３４…反射鏡
３５、５５…第２光源
４１、６７…ターゲット供給位置
４２、６８…レーザ光照射位置
４３…ヘラ
４４…ヒータ
５１…円板状ターゲットホルダ
６１…ベルト状ターゲットホルダ
６６１、６６２…プーリ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 ... Vacuum chamber 12, 32, 52, 62 ... Raw material supply apparatus 121 ... Supply port 13 ... Electrode 14 ... Power source 15, 63 ... Light source 16 ... Filamentous target 17 for extreme ultraviolet light sources ... Laser light 18 ... Extreme ultraviolet light 19 ... Residue 31 ... Cylindrical target holder 321 ... First raw material liquid supply device 322 ... Second raw material liquid supply device 33, 53 ... First light source 34 ... Reflector 35, 55 ... Second light source 41, 67 ... Target supply position 42, 68 ... Laser beam irradiation position 43 ... Spatula 44 ... Heater 51 ... Disc target holder 61 ... Belt target holders 661 and 662 ... Pulley
Claims (19)
b) レーザ光の照射により放射線を発生可能な金属と該金属を担持するための高分子物質を含有するターゲット原料液を、前記真空チャンバ内に配置した細管状の供給口から吐出する原料液供給装置と、
c) 前記真空チャンバ内に配置した、前記供給口に対向する電極と、
d) 前記供給口と前記電極の間に電圧を印加する電圧印加装置と、
を備えることを特徴とする放射線源用ターゲット生成供給装置。 a) a vacuum chamber;
b) Supply of a raw material liquid for discharging a target raw material liquid containing a metal capable of generating radiation by laser light irradiation and a polymer material for supporting the metal from a narrow tubular supply port disposed in the vacuum chamber. Equipment,
c) an electrode disposed in the vacuum chamber and facing the supply port;
d) a voltage applying device for applying a voltage between the supply port and the electrode;
A target generation supply device for a radiation source, comprising:
スズ又はスズ化合物と、
ポリビニルピロリドン、ポリビニルアルコール、ポリビニルフェノール及びヒドロキシプロピルセルロースのうちの１つ又は複数を混合したものと、
を溶媒に溶解させたものであることを特徴とする請求項１に記載の放射線源用ターゲット生成供給装置。 The raw material liquid is tin or a tin compound;
A mixture of one or more of polyvinyl pyrrolidone, polyvinyl alcohol, polyvinyl phenol and hydroxypropyl cellulose;
The target generation supply device for a radiation source according to claim 1, characterized in that is dissolved in a solvent.
b) レーザ光の照射により放射線を発生可能な金属を含有するターゲット原料液を該ターゲットホルダに供給する原料液供給装置と、
を備え、該原料液供給装置から原料液を供給されたターゲット保持部分がターゲット供給位置とレーザ光照射位置の間を移動することを特徴とする放射線源用ターゲット生成供給装置。 a) a target holder for holding the radiation source target on the surface;
b) a raw material liquid supply device for supplying a target raw material liquid containing a metal capable of generating radiation by laser light irradiation to the target holder;
And a target holding portion to which the raw material liquid is supplied from the raw material liquid supply apparatus moves between a target supply position and a laser beam irradiation position.
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Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008193014A (en) * | 2007-02-08 | 2008-08-21 | Komatsu Ltd | Apparatus and system for supplying target material for lpp-type euv light source apparatus |
| WO2010063820A1 (en) | 2008-12-04 | 2010-06-10 | Ecole Polytechnique | Device for generating a secondary source by laser-matter interaction, including an optical device for monitoring the direction and the position of a moving surface |
| JP2010212685A (en) * | 2009-03-11 | 2010-09-24 | Asml Netherlands Bv | Radiation source, lithographic apparatus, and method of manufacturing device |
| US8654344B2 (en) | 2008-12-04 | 2014-02-18 | Ecole Polytechnique | Device for generating a secondary source by laser-material interaction comprising an optical device for controlling the orientation and the position of a surface in movement |
| US8710472B2 (en) | 2009-05-27 | 2014-04-29 | Gigaphoton Inc. | Target output device and extreme ultraviolet light source apparatus |
| JP2015536545A (en) * | 2012-11-07 | 2015-12-21 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | Method and apparatus for generating radiation |
Citations (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0871489A (en) * | 1994-09-09 | 1996-03-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Formation of thin film and device therefor |
| JPH11345698A (en) * | 1998-06-04 | 1999-12-14 | Hitachi Ltd | Laser plasma x-ray source, semiconductor exposing device using it and semiconductor exposing method |
| JP2000091095A (en) * | 1998-09-14 | 2000-03-31 | Nikon Corp | X-ray generating device |
| JP2000098098A (en) * | 1998-09-21 | 2000-04-07 | Nikon Corp | X-ray generator |
| JP2002008891A (en) * | 2000-06-22 | 2002-01-11 | Nikon Corp | Electromagnetic wave generating device, semiconductor manufacturing device using the same, and semiconductor device manufacturing method |
| JP2003297737A (en) * | 2002-04-05 | 2003-10-17 | Gigaphoton Inc | Extreme ultraviolet light source apparatus |
| JP2004037364A (en) * | 2002-07-05 | 2004-02-05 | Kansai Tlo Kk | Target for generating light having extremely short wavelength, light generating method using target, and device therefor |
| JP2004214013A (en) * | 2002-12-27 | 2004-07-29 | Toyota Macs Inc | Soft x-ray light source |
| WO2004086467A1 (en) * | 2003-03-26 | 2004-10-07 | Kansai Technology Licensing Organization Co., Ltd. | Extreme ultraviolet light source and target for extreme ultraviolet light source |
| JP2005032510A (en) * | 2003-07-10 | 2005-02-03 | Nikon Corp | Euv light source, exposure device, and exposure method |
| WO2005025280A2 (en) * | 2003-09-11 | 2005-03-17 | Koninklijke Philips Electronics N. V. | Method and apparatus for producing extreme ultraviolett radiation or soft x-ray radiation |
| WO2005028719A1 (en) * | 2003-09-19 | 2005-03-31 | Teijin Limited | Fibrous activated carbon and nonwoven fabric made of same |
| JP2005522839A (en) * | 2002-04-10 | 2005-07-28 | サイマー インコーポレイテッド | Extreme ultraviolet light source |
-
2005
- 2005-10-05 JP JP2005291890A patent/JP5176052B2/en active Active
Patent Citations (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0871489A (en) * | 1994-09-09 | 1996-03-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Formation of thin film and device therefor |
| JPH11345698A (en) * | 1998-06-04 | 1999-12-14 | Hitachi Ltd | Laser plasma x-ray source, semiconductor exposing device using it and semiconductor exposing method |
| JP2000091095A (en) * | 1998-09-14 | 2000-03-31 | Nikon Corp | X-ray generating device |
| JP2000098098A (en) * | 1998-09-21 | 2000-04-07 | Nikon Corp | X-ray generator |
| JP2002008891A (en) * | 2000-06-22 | 2002-01-11 | Nikon Corp | Electromagnetic wave generating device, semiconductor manufacturing device using the same, and semiconductor device manufacturing method |
| JP2003297737A (en) * | 2002-04-05 | 2003-10-17 | Gigaphoton Inc | Extreme ultraviolet light source apparatus |
| JP2005522839A (en) * | 2002-04-10 | 2005-07-28 | サイマー インコーポレイテッド | Extreme ultraviolet light source |
| JP2004037364A (en) * | 2002-07-05 | 2004-02-05 | Kansai Tlo Kk | Target for generating light having extremely short wavelength, light generating method using target, and device therefor |
| JP2004214013A (en) * | 2002-12-27 | 2004-07-29 | Toyota Macs Inc | Soft x-ray light source |
| WO2004086467A1 (en) * | 2003-03-26 | 2004-10-07 | Kansai Technology Licensing Organization Co., Ltd. | Extreme ultraviolet light source and target for extreme ultraviolet light source |
| JP2005032510A (en) * | 2003-07-10 | 2005-02-03 | Nikon Corp | Euv light source, exposure device, and exposure method |
| WO2005025280A2 (en) * | 2003-09-11 | 2005-03-17 | Koninklijke Philips Electronics N. V. | Method and apparatus for producing extreme ultraviolett radiation or soft x-ray radiation |
| WO2005028719A1 (en) * | 2003-09-19 | 2005-03-31 | Teijin Limited | Fibrous activated carbon and nonwoven fabric made of same |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008193014A (en) * | 2007-02-08 | 2008-08-21 | Komatsu Ltd | Apparatus and system for supplying target material for lpp-type euv light source apparatus |
| WO2010063820A1 (en) | 2008-12-04 | 2010-06-10 | Ecole Polytechnique | Device for generating a secondary source by laser-matter interaction, including an optical device for monitoring the direction and the position of a moving surface |
| JP2012511227A (en) * | 2008-12-04 | 2012-05-17 | エコール ポリテクニーク | Apparatus for generating secondary source by interaction of laser material, including optical element for controlling direction and position of moving surface |
| US8654344B2 (en) | 2008-12-04 | 2014-02-18 | Ecole Polytechnique | Device for generating a secondary source by laser-material interaction comprising an optical device for controlling the orientation and the position of a surface in movement |
| JP2010212685A (en) * | 2009-03-11 | 2010-09-24 | Asml Netherlands Bv | Radiation source, lithographic apparatus, and method of manufacturing device |
| US8710472B2 (en) | 2009-05-27 | 2014-04-29 | Gigaphoton Inc. | Target output device and extreme ultraviolet light source apparatus |
| JP2015536545A (en) * | 2012-11-07 | 2015-12-21 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | Method and apparatus for generating radiation |
| US9986628B2 (en) | 2012-11-07 | 2018-05-29 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus for generating radiation |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP5176052B2 (en) | 2013-04-03 |
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