JP2007088004A - Multilayer circuit board, method of manufacturing the same, electro-optical device, and electronic device - Google Patents

Multilayer circuit board, method of manufacturing the same, electro-optical device, and electronic device Download PDF

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Kazuaki Sakurada
和昭 桜田
Haruki Ito
春樹 伊東
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing a multilayer circuit board that can suppress the generation of variance in electric characteristic, a multilayer circuit board, an electro-optical device, and an electronic device. <P>SOLUTION: The method of manufacturing a multilayer circuit board 30 includes a step wherein a droplet discharging method is used to apply a wiring material on a film-like substrate 31, and the wiring material is dried to form wiring layers 32, 34 and 36; a step wherein a droplet discharging method is used to apply an insulating material on the substrate 31, and the insulating material is dried to form insulating layers 51, 52, 54, 56, and 58; and a step wherein the wiring layers 32, 34 and 36 and the insulating layers 51, 52, 54, 56, and 58 are baked at the same time. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、多層回路基板の製造方法、多層回路基板、及び電気光学装置、並びに電子機器に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a multilayer circuit board, a multilayer circuit board, an electro-optical device, and an electronic apparatus.

電子回路または集積回路などに使われる配線を有する多層回路基板の製造には、例えば、液滴吐出法などが知られている。   For manufacturing a multilayer circuit board having wirings used for an electronic circuit or an integrated circuit, for example, a droplet discharge method is known.

例えば、特許文献1に開示されているように、液滴吐出ヘッドから液体材料である機能液を液滴状に吐出する液滴吐出法を用いて基板上に配線パターンを形成する方法が提案されている。この方法は、金属微粒子等の導電性微粒子を分散させた機能液を基板に配置して、その後、熱処理などを行って薄膜の導電性を有する配線層を形成する。   For example, as disclosed in Patent Document 1, a method of forming a wiring pattern on a substrate using a droplet discharge method in which a functional liquid that is a liquid material is discharged from a droplet discharge head in the form of droplets has been proposed. ing. In this method, a functional liquid in which conductive fine particles such as metal fine particles are dispersed is placed on a substrate, and then a heat treatment or the like is performed to form a thin conductive layer.

特開2003−309369号公報JP 2003-309369 A

ところが、上記従来の方法では、配線層を形成する都度、熱処理を行うものであったから、基板の上層と下層とに形成された配線層のうち基板に近い層では複数回の熱処理をすることになる。そして、基板の上層と下層とに形成された配線層は、熱履歴に差が生じることになる。その結果、配線層の強度や、電気特性にばらつきを生じてしまうことがあった。そして、配線層の電気特性にばらつきが生じると、電気光学装置や、この電気光学装置を搭載している電子機器の動作も不安定になる恐れがあった。   However, in the above conventional method, heat treatment is performed every time the wiring layer is formed. Therefore, in the wiring layers formed on the upper layer and the lower layer of the substrate, the heat treatment is performed a plurality of times in the layer close to the substrate. Become. Then, the wiring layers formed on the upper layer and the lower layer of the substrate have a difference in thermal history. As a result, the strength and electrical characteristics of the wiring layer may vary. If the electrical characteristics of the wiring layer vary, the operation of the electro-optical device or an electronic apparatus equipped with the electro-optical device may become unstable.

本発明の目的は、電気特性のばらつきの発生を抑制することができる多層回路基板の製造方法、多層回路基板、及び電気光学装置、並びに電子機器を提供することである。   An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a multilayer circuit board, a multilayer circuit board, an electro-optical device, and an electronic apparatus that can suppress the occurrence of variations in electrical characteristics.

本発明の多層回路基板の製造方法は、基板上に、配線層と、絶縁層とを交互に積層させて多層回路基板を製造する方法であって、前記基板上に、液滴吐出法を用いて配線材料を塗布し、前記配線材料を乾燥させて前記配線層を形成する工程と、前記基板上に、液滴吐出法を用いて絶縁材料を塗布し、前記絶縁材料を乾燥させて前記絶縁層を形成する工程と、前記配線層と、前記絶縁層とを一括焼成する工程と、を有することを特徴とする。   A method for manufacturing a multilayer circuit board according to the present invention is a method for manufacturing a multilayer circuit board by alternately laminating wiring layers and insulating layers on a substrate, and using a droplet discharge method on the substrate. Applying the wiring material, drying the wiring material to form the wiring layer, applying an insulating material on the substrate using a droplet discharge method, and drying the insulating material to form the insulating material. A step of forming a layer; and a step of collectively baking the wiring layer and the insulating layer.

この発明によれば、基板の上層と下層とに形成された配線層と、配線層間に形成された絶縁層とを一括で焼成するので、基板の上層と下層に形成された配線層の熱履歴が同じになるから、膜質をほぼ均一にできるので、電気特性の安定した配線層を形成できる。同様に、絶縁層の膜質もほぼ均一にできるから、絶縁特性の良好な絶縁層を形成できる。その結果、電気特性のばらつきを抑制することが可能な多層回路基板を形成できる。しかも、焼成工程が一回になり、従来方法より焼成回数を少なくできるから、処理時間を短縮できるので、効率的である。   According to the present invention, the wiring layer formed on the upper layer and the lower layer of the substrate and the insulating layer formed between the wiring layers are baked together, so that the thermal history of the wiring layer formed on the upper layer and the lower layer of the substrate Since the film quality becomes the same, the film quality can be made almost uniform, so that a wiring layer having stable electrical characteristics can be formed. Similarly, since the film quality of the insulating layer can be made substantially uniform, an insulating layer with good insulating characteristics can be formed. As a result, it is possible to form a multilayer circuit board that can suppress variations in electrical characteristics. Moreover, since the firing process is performed once and the number of firings can be reduced as compared with the conventional method, the processing time can be shortened, which is efficient.

本発明の多層回路基板の製造方法は、前記配線層を形成する工程では、前記配線材料の乾燥手段が、減圧乾燥法であることが望ましい。   In the method of manufacturing a multilayer circuit board according to the present invention, it is preferable that the wiring material drying means is a reduced pressure drying method in the step of forming the wiring layer.

この発明によれば、配線材料の乾燥手段が、減圧乾燥法であることで、配線材料中の溶媒を加熱することなく除去できるから、配線材料に熱応力を与えることなく乾燥させることができるので、加熱乾燥法に比べて均一な膜質の配線層を形成できる。   According to the present invention, since the wiring material drying means is the reduced pressure drying method, the solvent in the wiring material can be removed without heating, and therefore, the wiring material can be dried without applying thermal stress. A wiring layer having a uniform film quality can be formed as compared with the heat drying method.

本発明の多層回路基板の製造方法は、前記絶縁層を形成する工程では、前記絶縁材料の乾燥手段が、光照射法であることが望ましい。   In the method for manufacturing a multilayer circuit board according to the present invention, it is desirable that in the step of forming the insulating layer, the means for drying the insulating material is a light irradiation method.

この発明によれば、絶縁材料の乾燥手段が、光照射法であることで、絶縁材料を加熱することなく光反応によって乾燥できるから、絶縁材料に熱応力を与えることなく硬化させることができるので、加熱乾燥法に比べて均一な膜質の絶縁層を形成できる。   According to this invention, since the drying means for the insulating material is a light irradiation method, the insulating material can be dried by photoreaction without heating, and therefore, the insulating material can be cured without applying thermal stress. Compared with the heat drying method, an insulating layer having a uniform film quality can be formed.

本発明の多層回路基板は、前述の多層回路基板の製造方法を用いて形成されていることを特徴とする。   The multilayer circuit board of the present invention is formed using the above-described method for manufacturing a multilayer circuit board.

この発明によれば、電気特性の安定した配線層や、絶縁特性の良好な絶縁層を形成できるから、電気特性のばらつきを低減することが可能な多層回路基板を提供できる。   According to the present invention, since a wiring layer having stable electrical characteristics and an insulating layer having excellent insulating characteristics can be formed, a multilayer circuit board capable of reducing variations in electrical characteristics can be provided.

本発明の電気光学装置は、前述の多層回路基板を備えていることを特徴とする。   The electro-optical device of the present invention includes the multilayer circuit board described above.

この発明によれば、電気特性のばらつきを低減することが可能な多層回路基板を有しているので、電気特性の安定した電気光学装置を提供できる。   According to the present invention, the electro-optical device having stable electrical characteristics can be provided because the multilayer circuit board capable of reducing variations in electrical characteristics is provided.

本発明の電子機器は、前述の電気光学装置を備えていることを特徴とする。   An electronic apparatus according to the present invention includes the above-described electro-optical device.

この発明によれば、電気特性の安定した電気光学装置を有しているので、信頼性の高い電子機器を提供できる。   According to the present invention, since the electro-optical device having stable electrical characteristics is provided, a highly reliable electronic apparatus can be provided.

以下、本発明の多層回路基板の形成方法、多層回路基板、及び電気光学装置並びに電子機器について実施形態を挙げ、添付図面に沿って詳細に説明する。   Hereinafter, embodiments of the multilayer circuit board forming method, multilayer circuit board, electro-optical device, and electronic apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

(実施形態)
本実施形態では、液滴吐出法によって液滴吐出ヘッドの吐出ノズルから導電性微粒子を含む機能液を液滴状に吐出し、基板上に複数の導電膜からなる配線を形成する場合の例を用いて説明する。ここで、本発明の特徴的な構成及び方法について説明する前に、まず、液滴吐出法で用いられる配線材料、絶縁材料、基板、液滴吐出法、液滴吐出装置について順次説明する。
<配線材料について>
(Embodiment)
In the present embodiment, an example in which a functional liquid containing conductive fine particles is discharged in a droplet form from a discharge nozzle of a droplet discharge head by a droplet discharge method to form a wiring composed of a plurality of conductive films on a substrate. It explains using. Here, before describing the characteristic configuration and method of the present invention, first, a wiring material, an insulating material, a substrate, a droplet ejection method, and a droplet ejection apparatus used in the droplet ejection method will be sequentially described.
<About wiring materials>

配線材料としては、導電性微粒子を分散媒に分散させた分散液からなるものである。本実施形態では、導電性微粒子として、例えば、金、銀、銅、鉄、クロム、マンガン、モリブデン、チタン、パラジウム、タングステン及びニッケルのうちのいずれかを含有する金属微粒子の他、これらの酸化物、並びに導電性ポリマーや超電導体の微粒子などが用いられる。これらの導電性微粒子は、分散性を向上させるために表面に有機物などをコーティングして使うこともできる。導電性微粒子の粒径は1nm以上0.1μm以下であることが好ましい。0.1μmより大きいと、後述する液滴吐出ヘッドの吐出ノズルに目詰まりが生じるおそれがある。また、1nmより小さいと、導電性微粒子に対するコーティング剤の体積比が大きくなり、得られる膜中の有機物の割合が過多となる。   The wiring material is made of a dispersion liquid in which conductive fine particles are dispersed in a dispersion medium. In the present embodiment, the conductive fine particles include, for example, metal oxides containing any of gold, silver, copper, iron, chromium, manganese, molybdenum, titanium, palladium, tungsten, and nickel, and oxides thereof. In addition, fine particles of conductive polymer or superconductor are used. These conductive fine particles can be used by coating the surface with an organic substance or the like in order to improve dispersibility. The particle diameter of the conductive fine particles is preferably 1 nm or more and 0.1 μm or less. If it is larger than 0.1 μm, there is a risk of clogging in the discharge nozzle of the droplet discharge head described later. On the other hand, if it is smaller than 1 nm, the volume ratio of the coating agent to the conductive fine particles becomes large, and the ratio of the organic matter in the obtained film becomes excessive.

分散媒としては、上記の導電性微粒子を分散できるもので、凝集を起こさないものであれば特に限定されない。例えば、水の他に、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール類、n−ヘプタン、n−オクタン、デカン、ドデカン、テトラデカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系化合物、またエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、1,2−ジメトキシエタン、ビス(2−メトキシエチル)エーテル、p−ジオキサンなどのエーテル系化合物、さらにプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、N−メチル−2−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノンなどの極性化合物を例示できる。これらのうち、微粒子の分散性と分散液の安定性、また液滴吐出法への適用の容易さの点で、水、アルコール類、炭化水素系化合物、エーテル系化合物が好ましく、より好ましい分散媒としては、水、炭化水素系化合物を挙げることができる。   The dispersion medium is not particularly limited as long as it can disperse the conductive fine particles and does not cause aggregation. For example, in addition to water, alcohols such as methanol, ethanol, propanol, butanol, n-heptane, n-octane, decane, dodecane, tetradecane, toluene, xylene, cymene, durene, indene, dipentene, tetrahydronaphthalene, decahydro Hydrocarbon compounds such as naphthalene and cyclohexylbenzene, ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether, ethylene glycol methyl ethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol methyl ethyl ether, 1,2-dimethoxyethane, bis (2- Methoxyethyl) ether, ether compounds such as p-dioxane, propylene carbonate, γ- Butyrolactone, N- methyl-2-pyrrolidone, dimethylformamide, dimethyl sulfoxide, can be exemplified polar compounds such as cyclohexanone. Of these, water, alcohols, hydrocarbon compounds, and ether compounds are preferable and more preferable dispersion media in terms of fine particle dispersibility, dispersion stability, and ease of application to the droplet discharge method. Examples thereof include water and hydrocarbon compounds.

上記導電性微粒子の分散液の表面張力は、0.02N/m〜0.07N/mの範囲内であることが好ましい。液滴吐出法にて液体を吐出する際、表面張力が0.02N/m未満であると、機能液組成物の吐出ノズル面に対する濡れ性が増大するため飛行曲りが生じやすくなり、0.07N/mを超えると吐出ノズル先端でのメニスカスの形状が安定しないため吐出量や、吐出タイミングの制御が困難になる。表面張力を調整するため、上記分散液には、基板との接触角を大きく低下させない範囲で、フッ素系、シリコーン系、ノニオン系などの表面張力調節剤を微量添加するとよい。ノニオン系表面張力調節剤は、液体の基板への濡れ性を向上させ、膜のレベリング性を改良し、膜の微細な凹凸の発生などの防止に役立つものである。上記表面張力調節剤は、必要に応じて、アルコール、エーテル、エステル、ケトン等の有機化合物を含んでもよい。   The surface tension of the conductive fine particle dispersion is preferably in the range of 0.02 N / m to 0.07 N / m. When the liquid is discharged by the droplet discharge method, if the surface tension is less than 0.02 N / m, the wettability of the functional liquid composition with respect to the discharge nozzle surface increases, and thus flight bending easily occurs. If it exceeds / m, the shape of the meniscus at the tip of the discharge nozzle is not stable, and it becomes difficult to control the discharge amount and the discharge timing. In order to adjust the surface tension, a small amount of a surface tension regulator such as a fluorine-based, silicone-based, or nonionic-based material may be added to the dispersion within a range that does not significantly reduce the contact angle with the substrate. The nonionic surface tension modifier improves the wettability of the liquid to the substrate, improves the leveling property of the film, and helps prevent the occurrence of fine irregularities in the film. The surface tension modifier may contain an organic compound such as alcohol, ether, ester, or ketone, if necessary.

上記分散液の粘度は、1mPa・s〜50mPa・sの範囲内であることが好ましい。液滴吐出法を用いて液体材料を液滴として吐出する際、粘度が1mPa・sより小さい場合には吐出ノズル周辺部が機能液の流出により汚染されやすく、また粘度が50mPa・sより大きい場合は、吐出ノズル孔での目詰まり頻度が高くなり円滑な液滴の吐出が困難となるためである。
<絶縁材料について>
The viscosity of the dispersion is preferably in the range of 1 mPa · s to 50 mPa · s. When the liquid material is discharged as droplets using the droplet discharge method, if the viscosity is less than 1 mPa · s, the periphery of the discharge nozzle is easily contaminated by the outflow of the functional liquid, and the viscosity is greater than 50 mPa · s. This is because the clogging frequency in the discharge nozzle hole is increased and it becomes difficult to smoothly discharge the droplet.
<Insulation material>

絶縁材料としては、形成時には液滴として吐出可能な液状であり、その後固形化可能なものであれば特に限定されるものではない。このような材料としては、樹脂を溶媒に溶解した溶液を塗布した後、溶剤を除去するようにしたもの、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂、樹脂溶液、微粒子分散液等種々の樹脂や微粒子を挙げることができる。   The insulating material is not particularly limited as long as it is a liquid that can be discharged as droplets at the time of formation and can be solidified thereafter. Examples of such materials include those in which a solution in which a resin is dissolved in a solvent is applied and then the solvent is removed, thermoplastic resins, thermosetting resins, photocurable resins, resin solutions, fine particle dispersions, and the like. And resins and fine particles.

絶縁材料としては、一般的にポリイミド、アクリル樹脂、ノボラック系樹脂等の有機材料が使用される。上記の他にも、ポリビニルアルコール、不飽和ポリエステル、メチルメタクリル樹脂、ポリエチレン、ジアリルフタレート、エチレンプロピレンジエンモノマー、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、ポリカーボネート、ポリ塩化ビニル、ポリアミド、スチレンブタジエンゴム、クロロプレンゴム、ポリプロピレン、ポリブチレン、ポリスチレン、ポリ酢酸ビニル、ポリエステル、ポリブタジエン、ポリベンズイミダゾール、ポリアクリルニトリル、エピクロルヒドリン、ポリサルファイド、ポリイソプレン等のオリゴマー、ポリマー等を採用することができる。   As the insulating material, organic materials such as polyimide, acrylic resin, and novolac resin are generally used. In addition to the above, polyvinyl alcohol, unsaturated polyester, methyl methacrylic resin, polyethylene, diallyl phthalate, ethylene propylene diene monomer, epoxy resin, phenol resin, polyurethane, melamine resin, polycarbonate, polyvinyl chloride, polyamide, styrene butadiene rubber, An oligomer such as chloroprene rubber, polypropylene, polybutylene, polystyrene, polyvinyl acetate, polyester, polybutadiene, polybenzimidazole, polyacrylonitrile, epichlorohydrin, polysulfide, polyisoprene, a polymer, or the like can be used.

絶縁材料は、接触させる樹脂や溶液に溶解あるいは反応してはいけないため、吐出後に光または熱により硬化する硬化性樹脂であることが好ましい。   Since the insulating material should not be dissolved or reacted with the resin or solution to be contacted, the insulating material is preferably a curable resin that is cured by light or heat after ejection.

このような光硬化性樹脂は、通常少なくとも1個以上の官能基を有し、光重合開始剤に光を照射することにより発生するイオンまたはラジカルによりイオン重合、ラジカル重合を行い、分子量を増加させ必要であれば架橋構造の形成を行うモノマーやオリゴマーと、光重合開始剤とを少なくとも有する樹脂組成物を硬化させたものである。ここでいう官能基とは、ビニル基、カルボキシル基、アミノ基、水酸基、エポキシ基などの反応の原因となる原子団もしくは結合様式をいう。   Such a photocurable resin usually has at least one functional group, and performs ion polymerization or radical polymerization with ions or radicals generated by irradiating light to the photopolymerization initiator, thereby increasing the molecular weight. If necessary, a resin composition having at least a monomer or oligomer for forming a crosslinked structure and a photopolymerization initiator is cured. The functional group here means an atomic group or a bonding mode that causes a reaction such as vinyl group, carboxyl group, amino group, hydroxyl group, and epoxy group.

また、熱硬化性樹脂は、通常少なくとも1個以上の官能基を有し、熱重合開始剤に熱を加えることにより発生するイオンまたはラジカルによりイオン重合、ラジカル重合を行い、分子量を増加させ必要であれば架橋構造の形成を行うモノマーやオリゴマーと、熱重合開始剤とを少なくとも有する樹脂組成物を硬化させたものである。ここでいう官能基とは、ビニル基、カルボキシル基、アミノ基、水酸基、エポキシ基などの反応の原因となる原子団もしくは結合様式をいう。   In addition, thermosetting resins usually have at least one functional group and need to increase molecular weight by performing ion polymerization or radical polymerization with ions or radicals generated by applying heat to the thermal polymerization initiator. If present, a resin composition having at least a monomer or oligomer that forms a crosslinked structure and a thermal polymerization initiator is cured. The functional group here means an atomic group or a bonding mode that causes a reaction such as vinyl group, carboxyl group, amino group, hydroxyl group, and epoxy group.

また、ワニスのように樹脂の溶液では、ポリイミドのようにあらかじめ耐熱性の優れたポリマーを溶解させておき、乾燥により析出させることで、光や熱で硬化させることなく、採用することができる。   In addition, a resin solution such as varnish can be used without being cured by light or heat by dissolving a polymer having excellent heat resistance in advance such as polyimide and precipitating it by drying.

また、耐熱性と優れた光透過性を獲得できるという点で、微粒子分散液を採用することもできる。微粒子としては、シリカ、アルミナ、チタニア、炭酸カルシウム、水酸化アルミニウム、アクリル樹脂、有機シリコーン樹脂、ポリスチレン、尿素樹脂、ホルムアルデヒド縮合物などの微粒子が挙げられ、これらのうちの一種が用いられ、あるいは複数種が混合されて用いられる。微粒子を採用した場合は、乾燥により堆積することで凝集させ、絶縁層として使用することができる。また、粒子間および基板粒子間で密着性を向上させるため、粒子表面に感光性あるいは感熱性の表面処理を施してもよい。   In addition, a fine particle dispersion can also be used in that heat resistance and excellent light transmittance can be obtained. Examples of the fine particles include fine particles of silica, alumina, titania, calcium carbonate, aluminum hydroxide, acrylic resin, organic silicone resin, polystyrene, urea resin, formaldehyde condensate, etc., and one or more of these may be used. Mixed seeds are used. When fine particles are employed, they can be aggregated by being deposited by drying and used as an insulating layer. In order to improve the adhesion between the particles and between the substrate particles, the surface of the particles may be subjected to a photosensitive or heat-sensitive surface treatment.

上記絶縁材料の液滴は、目的の機能を損なわない範囲で必要に応じてフッ素系、シリコーン系、ノニオン系などの表面張力調節材を微量添加することができる。これらの表面張力調節材は、塗布対象物への濡れ性の制御を可能とし、塗布した膜のレベルリング性を改良し、塗膜のぶつぶつの発生、ゆず肌の発生などの防止に役立つものである。   A small amount of a surface tension adjusting material such as a fluorine-based material, a silicone-based material, or a nonionic-based material can be added to the droplets of the insulating material as needed within a range that does not impair the intended function. These surface tension modifiers can control the wettability of the applied object, improve the leveling of the applied film, and help prevent the occurrence of coating crushing and the formation of distorted skin. is there.

このようにして調製した絶縁材料の液滴の粘度は、1〜50mPa・sの範囲内であることが好ましい。液滴吐出装置にて溶液を塗布する場合、粘度が1mPa・sより小さい場合にはノズル周辺部が液滴の流出により汚染され易く、また粘度が50mPa・sより大きい場合は、ノズル孔での目詰まり頻度が高くなり円滑な液滴の吐出が困難となるためである。より好ましくは5〜20mPa・sの範囲内であることが好ましい。   The viscosity of the droplet of the insulating material thus prepared is preferably in the range of 1 to 50 mPa · s. When applying a solution with a droplet discharge device, if the viscosity is less than 1 mPa · s, the periphery of the nozzle is easily contaminated by the outflow of the droplet, and if the viscosity is greater than 50 mPa · s, This is because clogging frequency increases and it becomes difficult to smoothly discharge droplets. More preferably, it is in the range of 5 to 20 mPa · s.

さらに、このようにして調製した絶縁材料の液滴の表面張力は、0.02〜0.07N/mの範囲に入ることが望ましい。液滴吐出装置にて溶液を塗布する場合、表面張力が0.02N/m未満であると、液滴のノズル面に対する濡れ性が増大するため飛行曲がりが生じ易くなり、0.07N/mを超えるとノズル先端でのメニスカスの形状が安定しないため液滴の吐出量、吐出タイミングの制御が困難になるためである。
<基板について>
Furthermore, it is desirable that the surface tension of the droplet of the insulating material thus prepared falls within the range of 0.02 to 0.07 N / m. When the solution is applied by the droplet discharge device, if the surface tension is less than 0.02 N / m, the wettability of the droplet to the nozzle surface increases, and thus flight bending easily occurs, and 0.07 N / m is set. This is because if it exceeds, the shape of the meniscus at the nozzle tip is not stable, and it becomes difficult to control the discharge amount and the discharge timing of the droplets.
<About substrate>

配線パターンが形成される基板としては、ガラス、石英ガラス、Siウエハ、プラスチックフィルム、金属板、ガラスエポキシ基板など各種のものを用いることができる。また、これら各種の素材基板の表面に半導体膜、金属膜、誘電体膜、有機膜などが下地層として形成されたものも含む。
<液滴吐出法について>
Various substrates such as glass, quartz glass, Si wafer, plastic film, metal plate, and glass epoxy substrate can be used as the substrate on which the wiring pattern is formed. Also included are those in which a semiconductor film, a metal film, a dielectric film, an organic film or the like is formed as a base layer on the surface of these various material substrates.
<Droplet ejection method>

ここで、液滴吐出法の吐出技術は様々あるが、オンデマンドで微細な配線パターンが形成可能であるので、インクジェット法を用いることが好ましい。インクジェット法としては、帯電制御方式、加圧振動方式、電気機械変換式、電気熱変換方式、静電吸引方式などが挙げられる。帯電制御方式は、材料に帯電電極で電荷を付与し、偏向電極で材料の飛翔方向を制御して吐出ノズルから吐出させるものである。また、加圧振動方式は、材料に30kg/cm2程度の超高圧を印加して吐出ノズル先端側に材料を吐出させるものであり、制御電圧をかけない場合には材料が直進して吐出ノズルから吐出され、制御電圧をかけると材料間に静電的な反発が起こり、材料が飛散して吐出ノズルから吐出されない。また、電気機械変換方式は、ピエゾ素子(圧電素子)がパルス的な電気信号を受けて変形する性質を利用したもので、ピエゾ素子が変形することによって材料を貯留した空間に可撓物質を介して圧力を与え、この空間から材料を押し出して吐出ノズルから吐出させるものである。 Here, although there are various ejection techniques for the droplet ejection method, it is preferable to use an inkjet method because a fine wiring pattern can be formed on demand. Examples of the ink jet method include a charge control method, a pressure vibration method, an electromechanical conversion method, an electrothermal conversion method, and an electrostatic suction method. In the charge control method, a charge is applied to a material with a charging electrode, and the flight direction of the material is controlled with a deflection electrode to be discharged from a discharge nozzle. In addition, the pressure vibration method is a method in which an ultra-high pressure of about 30 kg / cm 2 is applied to the material and the material is discharged to the tip side of the discharge nozzle. When no control voltage is applied, the material moves straight and the discharge nozzle When a control voltage is applied, electrostatic repulsion occurs between the materials, and the materials are scattered and are not discharged from the discharge nozzle. The electromechanical conversion method utilizes the property that a piezoelectric element (piezoelectric element) is deformed by receiving a pulse-like electric signal. The piezoelectric element is deformed through a flexible substance in a space where material is stored. Pressure is applied, and the material is extruded from this space and discharged from the discharge nozzle.

また、電気熱変換方式は、材料を貯留した空間内に設けたヒータにより、材料を急激に気化させてバブル(泡)を発生させ、バブルの圧力によって空間内の材料を吐出させるものである。静電吸引方式は、材料を貯留した空間内に微小圧力を加え、吐出ノズルに材料のメニスカスを形成し、この状態で静電引力を加えてから材料を引き出すものである。また、この他に、電場による流体の粘性変化を利用する方式や、放電火花で飛ばす方式などの技術も適用可能である。液滴吐出法は、材料の使用に無駄が少なく、しかも所望の位置に所望の量の材料を的確に配置できるという利点を有する。なお、液滴吐出法により吐出される液状材料の一滴の量は、例えば1〜300ナノグラムである。   In the electrothermal conversion method, a material is rapidly vaporized by a heater provided in a space in which the material is stored to generate bubbles, and the material in the space is discharged by the pressure of the bubbles. In the electrostatic attraction method, a minute pressure is applied to a space in which a material is stored, a meniscus of material is formed on the discharge nozzle, and an electrostatic attractive force is applied in this state before the material is drawn out. In addition to this, techniques such as a system that uses a change in the viscosity of a fluid due to an electric field and a system that uses a discharge spark are also applicable. The droplet discharge method has an advantage that the use of the material is less wasteful and a desired amount of the material can be accurately disposed at a desired position. Note that the amount of one droplet of the liquid material ejected by the droplet ejection method is, for example, 1 to 300 nanograms.

次に、本発明に係る多層回路基板を製造する際に用いられる製造装置について説明する。この製造装置としては、液滴吐出ヘッドから基板に対して液滴を吐出(滴下)することにより多層回路基板を製造する液滴吐出装置が用いられる。
<液滴吐出装置について>
Next, a manufacturing apparatus used when manufacturing the multilayer circuit board according to the present invention will be described. As this manufacturing apparatus, a droplet discharge apparatus that manufactures a multilayer circuit board by discharging (dropping) droplets from a droplet discharge head onto a substrate is used.
<Droplet ejection device>

図1は、液滴吐出装置10の斜視図である。図1において、X方向はベース12の左右方向であり、Y方向は前後方向であり、Z方向は上下方向である。液滴吐出装置10は、液滴吐出ヘッド20と、基板31を載置するテーブル46とを主として構成されている。なお、液滴吐出装置10の動作は、制御装置23により制御されるように構成されている。   FIG. 1 is a perspective view of the droplet discharge device 10. In FIG. 1, the X direction is the left-right direction of the base 12, the Y direction is the front-rear direction, and the Z direction is the up-down direction. The droplet discharge device 10 mainly includes a droplet discharge head 20 and a table 46 on which a substrate 31 is placed. The operation of the droplet discharge device 10 is configured to be controlled by the control device 23.

基板31を載置するテーブル46は、第1移動手段14によりY方向に移動および位置決め可能とされ、モータ44によりθz方向に揺動および位置決め可能とされている。一方、液滴吐出ヘッド20は、第2移動手段によりX方向に移動および位置決め可能とされ、リニアモータ62によりZ方向に移動および位置決め可能とされている。また液滴吐出ヘッド20は、モータ64,66,68により、それぞれα,β,γ方向に揺動および位置決め可能とされている。これにより、液滴吐出装置10は、液滴吐出ヘッド20のインク吐出面20Pと、テーブル46上の基板31との相対的な位置および姿勢を、正確にコントロールすることができるように構成されている。   The table 46 on which the substrate 31 is placed can be moved and positioned in the Y direction by the first moving means 14, and can be swung and positioned in the θz direction by the motor 44. On the other hand, the droplet discharge head 20 can be moved and positioned in the X direction by the second moving means, and can be moved and positioned in the Z direction by the linear motor 62. The droplet discharge head 20 can be swung and positioned in the α, β, and γ directions by motors 64, 66, and 68, respectively. Thereby, the droplet discharge device 10 is configured to accurately control the relative position and posture between the ink discharge surface 20P of the droplet discharge head 20 and the substrate 31 on the table 46. Yes.

図2は、液滴吐出ヘッド20の断面図である。液滴吐出ヘッド20は、液滴吐出方式により液体21をノズル91から吐出するものである。液滴吐出方式として、圧電体素子としてのピエゾ素子を用いて液体材料を吐出させるピエゾ方式や、インクを加熱して発生した泡(バブル)により液体材料を吐出させる方式など、公知の種々の技術を適用することができる。このうちピエゾ方式は、液体材料に熱を加えないため、材料の組成に影響を与えないなどの利点を有する。そこで、図2に示す液滴吐出ヘッド20には、上述したピエゾ方式が採用されている。   FIG. 2 is a cross-sectional view of the droplet discharge head 20. The droplet discharge head 20 discharges the liquid 21 from the nozzle 91 by a droplet discharge method. Various known technologies such as a piezo method in which a liquid material is discharged using a piezo element as a piezoelectric element and a method in which a liquid material is discharged by bubbles generated by heating ink are used as a droplet discharge method. Can be applied. Among these, the piezo method has an advantage that it does not affect the composition of the material because no heat is applied to the liquid material. Therefore, the above-described piezo method is employed in the droplet discharge head 20 shown in FIG.

液滴吐出ヘッド20のヘッド本体90には、リザーバ95およびリザーバ95から分岐された複数の液体室93が形成されている。リザーバ95は、各液体室93に液体21を供給するための流路になっている。また、ヘッド本体90の下端面には、吐出面を構成するノズルプレートが装着されている。そのノズルプレートには、液体21を吐出する複数のノズル91が、各液体室93に対応して開口されている。そして、各液体室93から対応するノズル91に向かって、流路が形成されている。一方、ヘッド本体90の上端面には、振動板94が装着されている。この振動板94は、各液体室93の壁面を構成している。その振動板94の外側には、各液体室93に対応して、ピエゾ素子92が設けられている。ピエゾ素子92は、水晶等の圧電材料を一対の電極(不図示)で挟持したものである。その一対の電極は、駆動回路99に接続されている。   In the head main body 90 of the droplet discharge head 20, a reservoir 95 and a plurality of liquid chambers 93 branched from the reservoir 95 are formed. The reservoir 95 is a flow path for supplying the liquid 21 to each liquid chamber 93. In addition, a nozzle plate constituting an ejection surface is attached to the lower end surface of the head main body 90. In the nozzle plate, a plurality of nozzles 91 for discharging the liquid 21 are opened corresponding to the respective liquid chambers 93. A flow path is formed from each liquid chamber 93 toward the corresponding nozzle 91. On the other hand, a diaphragm 94 is attached to the upper end surface of the head main body 90. The diaphragm 94 constitutes a wall surface of each liquid chamber 93. Piezo elements 92 are provided outside the diaphragm 94 so as to correspond to the liquid chambers 93. The piezo element 92 is obtained by holding a piezoelectric material such as crystal between a pair of electrodes (not shown). The pair of electrodes is connected to the drive circuit 99.

そして、駆動回路99からピエゾ素子92に電圧を印加すると、ピエゾ素子92が膨張変形または収縮変形する。ピエゾ素子92が収縮変形すると、液体室93の圧力が低下して、リザーバ95から液体室93に液体21が流入する。またピエゾ素子92が膨張変形すると、液体室93の圧力が増加して、ノズル91から液体21が吐出される。なお、印加電圧を変化させることにより、ピエゾ素子92の変形量を制御することができる。また、印加電圧の周波数を変化させることにより、ピエゾ素子92の変形速度を制御することができる。すなわち、ピエゾ素子92への印加電圧を制御することにより、液体21の吐出条件を制御できるように構成されている。   When a voltage is applied from the drive circuit 99 to the piezo element 92, the piezo element 92 expands or contracts. When the piezo element 92 contracts and deforms, the pressure in the liquid chamber 93 decreases, and the liquid 21 flows from the reservoir 95 into the liquid chamber 93. Further, when the piezo element 92 expands and deforms, the pressure in the liquid chamber 93 increases and the liquid 21 is discharged from the nozzle 91. Note that the amount of deformation of the piezo element 92 can be controlled by changing the applied voltage. Further, the deformation speed of the piezo element 92 can be controlled by changing the frequency of the applied voltage. In other words, the discharge condition of the liquid 21 can be controlled by controlling the voltage applied to the piezo element 92.

なお、図1に示すキャッピングユニット22は、液滴吐出ヘッド20における吐出面20Pの乾燥を防止するため、液滴吐出装置10の待機時に吐出面20Pをキャッピングするものである。またクリーニングユニット24は、液滴吐出ヘッド20におけるノズルの目詰まりを取り除くため、ノズルの内部を吸引するものである。なおクリーニングユニット24は、液滴吐出ヘッド20における吐出面20Pの汚れを取り除くため、吐出面20Pのワイピングを行うことも可能である。   The capping unit 22 shown in FIG. 1 is for capping the ejection surface 20P when the droplet ejection apparatus 10 is on standby to prevent the ejection surface 20P of the droplet ejection head 20 from drying. The cleaning unit 24 sucks the inside of the nozzle in order to remove clogging of the nozzle in the droplet discharge head 20. The cleaning unit 24 can also wipe the ejection surface 20P in order to remove dirt on the ejection surface 20P in the droplet ejection head 20.

次に、本実施形態の多層回路基板の形成方法を用いて製造される多層回路基板の一例について説明する。   Next, an example of a multilayer circuit board manufactured using the multilayer circuit board forming method of the present embodiment will be described.

図3は、多層回路基板30の説明図である。図3に示すように、多層回路基板30は、下層の配線層32と上層の配線層36とが、絶縁層54を介して構成されている。多層回路基板30は、ポリイミド等で構成された可撓性を有するフィルム基板31を備えている。フィルム基板31の表面に、絶縁層51が形成されている。絶縁層51は、アクリル系紫外線硬化性樹脂などの電気絶縁性材料によって構成されている。   FIG. 3 is an explanatory diagram of the multilayer circuit board 30. As shown in FIG. 3, the multilayer circuit board 30 includes a lower wiring layer 32 and an upper wiring layer 36 with an insulating layer 54 interposed therebetween. The multilayer circuit board 30 includes a flexible film substrate 31 made of polyimide or the like. An insulating layer 51 is formed on the surface of the film substrate 31. The insulating layer 51 is made of an electrically insulating material such as an acrylic ultraviolet curable resin.

絶縁層51の表面に、配線層32が形成されている。配線層32は、Ag等の導電性材料である。なお、絶縁層51の表面における配線層32の非形成領域には、絶縁層52が形成されている。そして、液滴吐出方式を採用することにより、配線層32のライン×スペースは、例えば30μm×30μm程度に微細化されている。   A wiring layer 32 is formed on the surface of the insulating layer 51. The wiring layer 32 is a conductive material such as Ag. An insulating layer 52 is formed in a region where the wiring layer 32 is not formed on the surface of the insulating layer 51. By adopting the droplet discharge method, the line × space of the wiring layer 32 is miniaturized to about 30 μm × 30 μm, for example.

また、配線層32を覆うように、絶縁層54が形成されている。絶縁層54も、絶縁層51と同様の樹脂材料である。そして、配線層32の一部から、絶縁層54を貫通するように、配線層34(導通ポスト)が円柱状に形成されている。配線層34(導通ポスト)は、配線層32と同じAg等の導電性材料である。   An insulating layer 54 is formed so as to cover the wiring layer 32. The insulating layer 54 is also a resin material similar to that of the insulating layer 51. A wiring layer 34 (conduction post) is formed in a column shape so as to penetrate the insulating layer 54 from a part of the wiring layer 32. The wiring layer 34 (conduction post) is the same conductive material such as Ag as the wiring layer 32.

絶縁層54の表面には、上層の配線層36が形成されている。上層の配線層36も、下層の配線層32と同様に、Ag等の導電性材料である。そして、上層の配線層36は、導通ポスト34の上端部に接続されており、下層の配線層32との導通が確保されている。   An upper wiring layer 36 is formed on the surface of the insulating layer 54. Similarly to the lower wiring layer 32, the upper wiring layer 36 is also made of a conductive material such as Ag. The upper wiring layer 36 is connected to the upper end portion of the conduction post 34, and conduction with the lower wiring layer 32 is ensured.

また、絶縁層54の表面における配線層36の非形成領域には、絶縁層56が形成されている。さらに、配線層36を覆うように、保護膜としての絶縁層58が形成されている。これらの絶縁層56および絶縁層58も、絶縁層51と同様の樹脂材料である。   An insulating layer 56 is formed in a region where the wiring layer 36 is not formed on the surface of the insulating layer 54. Further, an insulating layer 58 as a protective film is formed so as to cover the wiring layer 36. These insulating layers 56 and 58 are also made of the same resin material as that of the insulating layer 51.

なお、本実施形態では、2層の配線層32、36を備えた多層回路基板30の例を説明したが、これに限定されることはなく、3層以上の配線層を備えた構成にすることも可能である。   In the present embodiment, the example of the multilayer circuit board 30 including the two wiring layers 32 and 36 has been described. However, the present invention is not limited to this, and the configuration includes three or more wiring layers. It is also possible.

次に、本実施形態の多層回路基板の形成方法について説明する。図4(a)〜(d)及び、図5(e)〜(h)は、多層回路基板を形成する手順の製造工程を示す工程断面図である。図6は、本実施形態に係る多層回路基板の形成方法の一例を示すフローチャートである。本実施形態に係る多層回路基板の形成方法は、基板洗浄工程、絶縁層形成工程1、配線層形成工程1、配線層形成工程2、絶縁層形成工程2、絶縁層形成工程3、配線層形成工程3、絶縁層形成工程4、絶縁層形成工程5、一括焼成工程の各工程に概略構成される。以下、各工程について詳細に説明する。   Next, the formation method of the multilayer circuit board of this embodiment is demonstrated. 4 (a) to 4 (d) and FIGS. 5 (e) to 5 (h) are process cross-sectional views illustrating a manufacturing process of a procedure for forming a multilayer circuit board. FIG. 6 is a flowchart showing an example of a method for forming a multilayer circuit board according to the present embodiment. The multilayer circuit board forming method according to the present embodiment includes a substrate cleaning process, an insulating layer forming process 1, a wiring layer forming process 1, a wiring layer forming process 2, an insulating layer forming process 2, an insulating layer forming process 3, and a wiring layer forming process. The process is roughly composed of a process 3, an insulating layer forming process 4, an insulating layer forming process 5, and a batch firing process. Hereinafter, each step will be described in detail.

図6のステップS1の基板洗浄工程では、フィルム状の基板31を洗浄する。基板31の洗浄方法は、UVを利用した乾式洗浄方法である。具体的には、波長172nmのエキシマUV光をフィルム状の基板31の表面に約300秒照射する。なお、フィルム状の基板31の表面に常圧でプラズマを照射することで洗浄してもよい。また、UV光を利用した乾式洗浄方法を採用したが、これにこだわることはなく、水などの溶媒でフィルム状の基板31を洗浄してもかまわない。水などの溶媒を利用するときには、超音波を用いると、より洗浄効果を向上させることができる。   In the substrate cleaning process in step S1 of FIG. 6, the film-like substrate 31 is cleaned. The method for cleaning the substrate 31 is a dry cleaning method using UV. Specifically, excimer UV light having a wavelength of 172 nm is irradiated on the surface of the film-like substrate 31 for about 300 seconds. In addition, you may wash | clean by irradiating the surface of the film-form board | substrate 31 with a normal pressure. Further, although a dry cleaning method using UV light is adopted, this is not particular, and the film-like substrate 31 may be cleaned with a solvent such as water. When a solvent such as water is used, the cleaning effect can be further improved by using ultrasonic waves.

次に、図6のステップS2の絶縁層形成工程1では、図4(a)に示すように、絶縁層51を形成する。絶縁層51の形成方法は、液滴吐出装置10を用い、絶縁材料を液滴として液滴吐出ヘッド20から基板31の上に吐出して、配置させる。この配置させた絶縁材料をUV硬化法で硬化させることによって、絶縁層51を基板31の上に形成する。具体的なUV硬化条件は、波長365nmのエキシマUV光を約4秒間照射した。つまり、加熱することなく絶縁材料を硬化させて、絶縁層51を約4μmの厚さに形成した。   Next, in the insulating layer forming step 1 in step S2 of FIG. 6, the insulating layer 51 is formed as shown in FIG. The insulating layer 51 is formed by using the droplet discharge device 10 and discharging and disposing the insulating material as droplets from the droplet discharge head 20 onto the substrate 31. The insulating layer 51 is formed on the substrate 31 by curing the arranged insulating material by the UV curing method. As specific UV curing conditions, excimer UV light having a wavelength of 365 nm was irradiated for about 4 seconds. That is, the insulating material was cured without heating, and the insulating layer 51 was formed to a thickness of about 4 μm.

次に、図6のステップS3の配線層形成工程1では、図4(b)に示すように、配線層32を形成する。配線層32の形成方法は、液滴吐出装置10を用い、配線材料を液滴として液滴吐出ヘッド20から絶縁層51上に吐出して、配置させる。この配置させた配線材料を減圧乾燥法で乾燥させることによって、配線材料の中の溶媒を除去して、配線層32を絶縁層51の上に形成する。具体的な減圧乾燥条件は、減圧時の圧力を10〜100Paの範囲に設定して約300秒間減圧した。つまり、加熱することなく配線材料を乾燥させて、配線層32を約2μmの厚さに形成した。   Next, in the wiring layer forming step 1 of step S3 in FIG. 6, as shown in FIG. 4B, the wiring layer 32 is formed. The wiring layer 32 is formed by using the droplet discharge device 10 to discharge and arrange the wiring material as droplets from the droplet discharge head 20 onto the insulating layer 51. The wiring material thus arranged is dried by a reduced pressure drying method to remove the solvent in the wiring material and form the wiring layer 32 on the insulating layer 51. The specific reduced-pressure drying conditions set the pressure at the time of pressure reduction to the range of 10-100 Pa, and reduced pressure for about 300 seconds. That is, the wiring material was dried without heating, and the wiring layer 32 was formed to a thickness of about 2 μm.

次に、図6のステップS4の配線層形成工程2では、図4(c)に示すように、配線層32の上に配線層34(導通ポスト)を形成する。なお、導通ポスト34の形成方法は、配線層32の形成方法と同じであるので、説明を省略する。そして、配線層34(導通ポスト)を約8μmの高さに形成した。   Next, in the wiring layer forming step 2 in step S4 of FIG. 6, a wiring layer 34 (conduction post) is formed on the wiring layer 32 as shown in FIG. The method for forming the conductive posts 34 is the same as the method for forming the wiring layer 32, and thus the description thereof is omitted. A wiring layer 34 (conduction post) was formed to a height of about 8 μm.

次に、図6のステップS5の絶縁層形成工程2では、図4(d)に示すように、配線32と略同じ高さになるように絶縁層51の上に絶縁層52を形成する。絶縁層52を配線32と略同じ高さになるように形成するのは、平坦性を保持するためである。なお、絶縁層52の形成方法は、絶縁層51の形成方法と同じであるので、説明を省略する。そして、絶縁層52を約2μmの厚さに形成した。   Next, in the insulating layer forming step 2 in step S5 of FIG. 6, as shown in FIG. 4D, the insulating layer 52 is formed on the insulating layer 51 so as to be substantially the same height as the wiring 32. The reason why the insulating layer 52 is formed to be substantially the same height as the wiring 32 is to maintain flatness. Note that the method for forming the insulating layer 52 is the same as the method for forming the insulating layer 51, and thus the description thereof is omitted. The insulating layer 52 was formed to a thickness of about 2 μm.

次に、図6のステップS6の絶縁層形成工程3では、図5(e)に示すように、配線層34(導通ポスト)と略同じ高さになるように絶縁層52の上に絶縁層54を形成する。絶縁層54を配線層34(導通ポスト)と略同じ高さになるように形成するのは、平坦性を保持するためである。この時、上層と下層との導通を得るために、導通ポスト34の上端部は絶縁層54によって被覆されない状態とする。なお、絶縁層54の形成方法は、絶縁層51の形成方法と同じであるので、説明を省略する。そして、絶縁層54を約8μmの厚さに形成した。   Next, in the insulating layer forming step 3 in step S6 of FIG. 6, as shown in FIG. 5E, the insulating layer is formed on the insulating layer 52 so as to be substantially the same height as the wiring layer 34 (conduction post). 54 is formed. The reason why the insulating layer 54 is formed to be substantially the same height as the wiring layer 34 (conduction post) is to maintain flatness. At this time, in order to obtain conduction between the upper layer and the lower layer, the upper end portion of the conduction post 34 is not covered with the insulating layer 54. Note that the method for forming the insulating layer 54 is the same as the method for forming the insulating layer 51, and thus the description thereof is omitted. Then, the insulating layer 54 was formed to a thickness of about 8 μm.

次に、図6のステップS7の配線層形成工程3では、図5(f)に示すように、導通ポスト34と導通が得られるように絶縁層54の上に配線層36を形成する。配線層36の形成方法は、配線層32の形成方法と同じであるので、説明を省略する。そして、配線層36は配線層34(導通ポスト)と電気的に接続される。そして、配線層36を約2μmの厚さに形成した。   Next, in the wiring layer forming step 3 in step S7 of FIG. 6, as shown in FIG. 5F, the wiring layer 36 is formed on the insulating layer 54 so as to be electrically connected to the conductive posts 34. Since the formation method of the wiring layer 36 is the same as the formation method of the wiring layer 32, description is abbreviate | omitted. The wiring layer 36 is electrically connected to the wiring layer 34 (conduction post). Then, the wiring layer 36 was formed to a thickness of about 2 μm.

次に、図6のステップS8の絶縁層形成工程4では、図5(g)に示すように、配線36と略同じ高さになるように絶縁層54の上に絶縁層56を形成する。絶縁層56を配線層36と略同じ高さになるように形成するのは、平坦性を保持するためである。なお、絶縁層56の形成方法は、絶縁層51の形成方法と同じであるので、説明を省略する。そして、絶縁層56を約2μmの厚さに形成した。   Next, in the insulating layer forming step 4 in step S8 in FIG. 6, as shown in FIG. 5G, the insulating layer 56 is formed on the insulating layer 54 so as to be substantially the same height as the wiring 36. The reason why the insulating layer 56 is formed to be substantially the same height as the wiring layer 36 is to maintain flatness. Note that the method for forming the insulating layer 56 is the same as the method for forming the insulating layer 51, and thus the description thereof is omitted. Then, the insulating layer 56 was formed to a thickness of about 2 μm.

次に、図6のステップS9の絶縁層形成工程5では、図5(h)に示すように、配線層36と絶縁層56とを覆うように、保護膜としての絶縁層58を形成する。なお、絶縁層58の形成方法は、絶縁層51の形成方法と同じであるので、説明を省略する。そして、絶縁層58を約8μmの厚さに形成した。   Next, in the insulating layer forming step 5 in step S9 of FIG. 6, as shown in FIG. 5H, an insulating layer 58 as a protective film is formed so as to cover the wiring layer 36 and the insulating layer 56. Note that the method for forming the insulating layer 58 is the same as the method for forming the insulating layer 51, and thus the description thereof is omitted. The insulating layer 58 was formed to a thickness of about 8 μm.

最後に、図6のステップS10の一括焼成工程では、フィルム状の基板31上に積層された配線層32、34、36と、絶縁層51、52、54、56、58とを一括焼成する。なお、焼成処理は通常大気中で行なわれるが、必要に応じて、窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気中、または水素などの還元雰囲気中で行うこともできる。焼成処理の処理温度は、分散媒の沸点(蒸気圧)、雰囲気ガスの種類や圧力、微粒子の分散性や酸化性等の熱的挙動、コーティング材の有無や量、基材の耐熱温度などを考慮して適宜決定される。本実施形態では、配線材料、絶縁材料に対して、大気中クリーンオーブンにて200℃で約60分間の焼成処理を行った。以上により配線層32、34、36は、微粒子間の電気的接触が確保される。   Finally, in the batch firing step of step S10 in FIG. 6, the wiring layers 32, 34, and 36 and the insulating layers 51, 52, 54, 56, and 58 stacked on the film-like substrate 31 are fired at once. The firing treatment is usually performed in the air, but can be performed in an inert gas atmosphere such as nitrogen, argon, or helium, or in a reducing atmosphere such as hydrogen, if necessary. The treatment temperature of the firing treatment includes the boiling point (vapor pressure) of the dispersion medium, the type and pressure of the atmospheric gas, the thermal behavior such as dispersibility and oxidation of fine particles, the presence and amount of coating material, the heat resistance temperature of the substrate It is determined as appropriate. In the present embodiment, the wiring material and the insulating material were baked at 200 ° C. for about 60 minutes in a clean oven in the atmosphere. As described above, the wiring layers 32, 34, and 36 ensure electrical contact between the fine particles.

このような焼成処理は、通常のホットプレート、電気炉などによる処理の他、ランプアニールによって行うこともできる。ランプアニールに使用する光の光源としては、特に限定されないが、赤外線ランプ、キセノンランプ、YAGレーザー、アルゴンレーザー、炭酸ガスレーザー、XeF、XeCl、XeBr、KrF、KrCl、ArF、ArClなどのエキシマレーザーなどを光源として使用することができる。これらの光源は一般には、出力10W以上、5000W以下の範囲のものが用いられるが、本実施形態では、100W以上、1000W以下の範囲で十分である。そして、図3に示すような多層回路基板30を得た。
<電気光学装置>
Such a baking process can be performed by lamp annealing in addition to a process using a normal hot plate, an electric furnace, or the like. The light source used for lamp annealing is not particularly limited, but excimer laser such as infrared lamp, xenon lamp, YAG laser, argon laser, carbon dioxide laser, XeF, XeCl, XeBr, KrF, KrCl, ArF, ArCl, etc. Can be used as a light source. These light sources generally have a power output in the range of 10 W or more and 5000 W or less, but in this embodiment, a range of 100 W or more and 1000 W or less is sufficient. And the multilayer circuit board 30 as shown in FIG. 3 was obtained.
<Electro-optical device>

次に、本発明に係る電気光学装置の一例である液晶表示装置について説明する。   Next, a liquid crystal display device which is an example of the electro-optical device according to the invention will be described.

図7は、電気光学装置としての液晶表示装置の分解斜視図である。   FIG. 7 is an exploded perspective view of a liquid crystal display device as an electro-optical device.

図7に示すように、液晶表示装置500は、本実施形態で説明した多層回路基板30を備えている。そして、液晶表示装置500は、カラー表示用の液晶パネル2と、液晶パネル2に接続される多層回路基板30と、多層回路基板30に実装される液晶駆動用IC100などで構成されている。なお必要に応じて、バックライト等の照明装置や、その他の付帯機器が、液晶パネル2に付設される。なお、液晶表示装置500は、COF(Chip・On・Film)構造である。   As shown in FIG. 7, the liquid crystal display device 500 includes the multilayer circuit board 30 described in the present embodiment. The liquid crystal display device 500 includes a color display liquid crystal panel 2, a multilayer circuit board 30 connected to the liquid crystal panel 2, and a liquid crystal driving IC 100 mounted on the multilayer circuit board 30. Note that an illumination device such as a backlight and other auxiliary devices are attached to the liquid crystal panel 2 as necessary. The liquid crystal display device 500 has a COF (Chip / On / Film) structure.

液晶パネル2は、シール材4によって接着された一対の基板5a及び基板5bを有し、これらの基板5aと基板5bとの間に形成される間隙(セルギャップ)に液晶が封入され、封入された液晶は、基板5aと基板5bとによって挟持される。これらの基板5a及び基板5bは、一般には透光性材料、例えばガラス、合成樹脂等によって形成される。基板5a及び基板5bの外側表面には偏光板6aが貼り付けられている。   The liquid crystal panel 2 has a pair of substrates 5a and 5b bonded by a sealing material 4, and liquid crystal is sealed in a gap (cell gap) formed between the substrates 5a and 5b. The liquid crystal is sandwiched between the substrate 5a and the substrate 5b. These substrates 5a and 5b are generally formed of a translucent material such as glass or synthetic resin. A polarizing plate 6a is attached to the outer surfaces of the substrate 5a and the substrate 5b.

また、基板5aの内側表面には電極7aが形成され、基板5bの内側表面には電極7bが形成される。これらの電極7a、7bは、例えばITO((Indium・Tin・Oxide):インジウムスズ酸化物)等の透光性材料によって形成される。基板5aは基板5bに対して張り出した張り出し部を有し、この張り出し部に複数の端子8が形成されている。これらの端子8は、基板5a上に電極7aを形成するときに電極7aと同時に形成される。従って、これらの端子8は、例えばITOによって形成される。これらの端子8には、電極7aから一体に延びるもの、及び導電材(図示省略)を介して電極7bに接続されるものが含まれる。   An electrode 7a is formed on the inner surface of the substrate 5a, and an electrode 7b is formed on the inner surface of the substrate 5b. These electrodes 7a and 7b are formed of a light-transmitting material such as ITO ((Indium / Tin / Oxide): indium tin oxide). The substrate 5a has a projecting portion that projects from the substrate 5b, and a plurality of terminals 8 are formed on the projecting portion. These terminals 8 are formed simultaneously with the electrodes 7a when the electrodes 7a are formed on the substrate 5a. Accordingly, these terminals 8 are made of, for example, ITO. These terminals 8 include one that extends integrally from the electrode 7a and one that is connected to the electrode 7b via a conductive material (not shown).

一方、多層回路基板30の表面には、本実施形態に係る配線パターンの形成方法により、配線パターン39a、39bが形成されている。すなわち、多層回路基板30の一方の短辺から中央に向かって入力用配線パターン39aが形成され、他方の短辺から中央に向かって出力用配線パターン39bが形成されている。これらの入力用配線パターン39aおよび出力用配線パターン39bの中央側の端部には、電極パッド(図示省略)が形成されている。   On the other hand, wiring patterns 39a and 39b are formed on the surface of the multilayer circuit board 30 by the wiring pattern forming method according to the present embodiment. That is, an input wiring pattern 39a is formed from one short side to the center of the multilayer circuit board 30, and an output wiring pattern 39b is formed from the other short side to the center. Electrode pads (not shown) are formed at the ends of the input wiring pattern 39a and the output wiring pattern 39b on the center side.

多層回路基板30の表面には、液晶駆動用IC100が実装されている。具体的には、多層回路基板30の表面に形成された複数の電極パッドに対して、液晶駆動用IC100の能動面に形成された複数のバンプ電極が、ACF(Anisotropic・Conductive・Film:異方性導電膜)160を介して接続されている。このACF160は、熱可塑性又は熱硬化性の接着用樹脂の中に、多数の導電性粒子を分散させることによって形成されている。このように、多層回路基板30の表面に液晶駆動用IC100を実装することにより、いわゆるCOF構造が実現されている。   A liquid crystal driving IC 100 is mounted on the surface of the multilayer circuit board 30. Specifically, a plurality of bump electrodes formed on the active surface of the liquid crystal driving IC 100 are connected to a plurality of electrode pads formed on the surface of the multilayer circuit board 30 by an ACF (Anisotropic Conductive Film). Conductive film) 160. The ACF 160 is formed by dispersing a large number of conductive particles in a thermoplastic or thermosetting adhesive resin. As described above, the so-called COF structure is realized by mounting the liquid crystal driving IC 100 on the surface of the multilayer circuit board 30.

そして、液晶駆動用IC100を備えた多層回路基板30が、液晶パネル2の基板5aに接続されている。具体的には、多層回路基板30の出力用配線パターン39bが、ACF140を介して、基板5aの端子8と電気的に接続されている。なお、多層回路基板30は可撓性を有するので、自在に折り畳むことによって省スペース化を実現しうるようになっている。   The multilayer circuit board 30 including the liquid crystal driving IC 100 is connected to the substrate 5 a of the liquid crystal panel 2. Specifically, the output wiring pattern 39b of the multilayer circuit board 30 is electrically connected to the terminal 8 of the board 5a via the ACF 140. Since the multilayer circuit board 30 has flexibility, space saving can be realized by freely folding it.

上記のように構成された液晶表示装置500では、多層回路基板30の入力用配線パターン39aを介して、液晶駆動用IC100に信号が入力される。すると、液晶駆動用IC100から、多層回路基板30の出力用配線パターン39bを介して、液晶パネル2に駆動信号が出力される。これにより、液晶パネル2において画像表示が行われるようになっている。
<電子機器>
In the liquid crystal display device 500 configured as described above, a signal is input to the liquid crystal driving IC 100 via the input wiring pattern 39 a of the multilayer circuit board 30. Then, a driving signal is output from the liquid crystal driving IC 100 to the liquid crystal panel 2 via the output wiring pattern 39 b of the multilayer circuit board 30. As a result, an image is displayed on the liquid crystal panel 2.
<Electronic equipment>

次に、本実施形態の電気光学装置としての液晶表示装置を搭載した電子機器について説明する。   Next, an electronic apparatus equipped with a liquid crystal display device as an electro-optical device of this embodiment will be described.

図8は、電子機器としての携帯電話の斜視図である。   FIG. 8 is a perspective view of a mobile phone as an electronic device.

図8に示すように、携帯電話1000は、表示部1001を備えている。携帯電話1000の表示部1001には、本実施形態の多層回路基板30を備えた電気光学装置としての液晶表示装置500を搭載している。したがって、電気的な信頼性に優れた携帯電話1000を提供することができる。   As shown in FIG. 8, the mobile phone 1000 includes a display unit 1001. The display unit 1001 of the mobile phone 1000 is equipped with a liquid crystal display device 500 as an electro-optical device provided with the multilayer circuit board 30 of this embodiment. Therefore, the mobile phone 1000 with excellent electrical reliability can be provided.

以上のような実施形態では、次のような効果が得られる。   In the embodiment as described above, the following effects are obtained.

(1)配線層32、34、36と、絶縁層51、52、54、56、58とを一括で焼成するので、熱履歴が同じになるから、膜質をほぼ均一にできるので、電気特性の安定した配線層32、34、36を形成できる。同様に、絶縁層51、52、54、56、58の膜質もほぼ均一にできるから、絶縁特性の良好な絶縁層51、52、54、56、58を形成できる。その結果、電気特性のばらつきを抑制することが可能な多層回路基板30を形成できる。しかも、焼成工程が一回になることで、従来方法より焼成回数を少なくできるから、処理時間を短縮できるので、効率的である。
(2)配線材料の乾燥手段が、減圧乾燥法であることで、配線材料中の溶媒を加熱することなく除去できるから、配線材料に熱応力を与えることなく乾燥させることができるので、加熱乾燥法に比べて均一な膜質の配線層32、34、36を形成できる。
(3)絶縁材料の乾燥手段が、光照射法であることで、絶縁材料を加熱することなく光反応によって乾燥できるから、絶縁材料に熱応力を与えることなく硬化させることができるので、加熱乾燥に比べて均一な膜質の絶縁層51、52、54、56、58を形成できる。
(4)電気特性の安定した配線層32、34、36や、絶縁特性の良好な絶縁層51、52、54、56、58を形成できるから、電気特性のばらつきを低減することが可能な多層回路基板30を提供できる。
(5)電気特性のばらつきを低減することが可能な多層回路基板30を有しているので、電気特性の安定した電気光学装置としての液晶表示装置500を提供できる。
(6)電気特性の安定した電気光学装置としての液晶表示装置500を有しているので、信頼性の高い電子機器としての携帯電話1000を提供できる。
(1) Since the wiring layers 32, 34, and 36 and the insulating layers 51, 52, 54, 56, and 58 are baked at the same time, the thermal history is the same, so the film quality can be made almost uniform. Stable wiring layers 32, 34, and 36 can be formed. Similarly, since the film quality of the insulating layers 51, 52, 54, 56, and 58 can be made almost uniform, the insulating layers 51, 52, 54, 56, and 58 having good insulating characteristics can be formed. As a result, it is possible to form the multilayer circuit board 30 capable of suppressing variations in electrical characteristics. In addition, since the number of times of firing can be reduced as compared with the conventional method because the firing process is performed once, the processing time can be shortened, which is efficient.
(2) Since the drying means of the wiring material is a reduced pressure drying method, the solvent in the wiring material can be removed without heating, and therefore, the wiring material can be dried without applying thermal stress. The wiring layers 32, 34 and 36 having a uniform film quality can be formed as compared with the method.
(3) Since the insulating material drying means is a light irradiation method, the insulating material can be dried by photoreaction without heating, and therefore, the insulating material can be cured without applying thermal stress. Insulating layers 51, 52, 54, 56 and 58 having a uniform film quality can be formed.
(4) Since the wiring layers 32, 34, and 36 having stable electrical characteristics and the insulating layers 51, 52, 54, 56, and 58 having good insulating characteristics can be formed, a multilayer that can reduce variations in electrical characteristics. A circuit board 30 can be provided.
(5) Since the multilayer circuit board 30 capable of reducing variations in electrical characteristics is provided, the liquid crystal display device 500 as an electro-optical device having stable electrical characteristics can be provided.
(6) Since the liquid crystal display device 500 is provided as an electro-optical device with stable electrical characteristics, the mobile phone 1000 as a highly reliable electronic device can be provided.

以上、好ましい実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記各実施の形態に限定されるものではなく、以下に示すような変形をも含み、本発明の目的を達成できる範囲で、他のいずれの具体的な構造及び形状に設定できる。   The present invention has been described above with reference to preferred embodiments. However, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and includes the following modifications and the scope in which the object of the present invention can be achieved. Thus, it can be set to any other specific structure and shape.

(変形例1)前述の第実施形態で、多層回路基板30を電気光学装置としての液晶表示装置500に用いたが、これに限定されない。例えば、電界により物質の屈折率が変化して光の透過率を変化させる電気光学効果を有する装置の他、電気エネルギーを光学エネルギーに変換する装置等も含まれている。すなわち、有機EL(Electro-Luminescence)装置や無機EL装置、プラズマディスプレイ装置、電気泳動ディスプレイ装置、電子放出素子を用いた表示装置(Field・Emission・DisplayおよびSurface-Conduction・Electron-Emitter・Display等)などの発光装置等に対しても、広く用いることが可能である。   (Modification 1) Although the multilayer circuit board 30 is used in the liquid crystal display device 500 as an electro-optical device in the above-described first embodiment, the invention is not limited to this. For example, in addition to an apparatus having an electro-optic effect that changes the light transmittance by changing the refractive index of a substance by an electric field, an apparatus that converts electrical energy into optical energy is also included. That is, an organic EL (Electro-Luminescence) device, an inorganic EL device, a plasma display device, an electrophoretic display device, a display device using an electron-emitting device (Field-Emission Display, Surface-Conduction-Electron-Emitter Display, etc.) It can also be widely used for light-emitting devices and the like.

(変形例2)前述の実施形態で、電気光学装置としての液晶表示装置500を携帯電話1000に用いたが、これに限定されない。例えば、電子ブック、パーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネル等の電子機器の画像表示手段として好適に用いることができる。いずれの場合でも、電気的な信頼性に優れた電子機器を提供することができる。   (Modification 2) Although the liquid crystal display device 500 as an electro-optical device is used in the mobile phone 1000 in the above-described embodiment, the present invention is not limited to this. For example, electronic books, personal computers, digital still cameras, LCD TVs, viewfinder type or monitor direct view type video tape recorders, car navigation devices, pagers, electronic notebooks, calculators, word processors, workstations, videophones, POS terminals, touch panels It can be suitably used as an image display means of electronic equipment such as. In either case, an electronic device with excellent electrical reliability can be provided.

実施形態の液滴吐出装置の概略構成を示す斜視図。1 is a perspective view illustrating a schematic configuration of a droplet discharge device according to an embodiment. 液滴吐出ヘッドの断面図。Sectional drawing of a droplet discharge head. 多層回路基板の説明図。Explanatory drawing of a multilayer circuit board. (a)〜(d)は、多層回路基板を形成する手順の製造工程を示す工程断面図。(A)-(d) is process sectional drawing which shows the manufacturing process of the procedure which forms a multilayer circuit board. (e)〜(h)は、多層回路基板を形成する手順の製造工程を示す工程断面図。(E)-(h) is process sectional drawing which shows the manufacturing process of the procedure which forms a multilayer circuit board. 多層回路基板の形成方法を示すフローチャート。The flowchart which shows the formation method of a multilayer circuit board. 液晶表示装置の分解斜視図。The disassembled perspective view of a liquid crystal display device. 携帯電話の斜視図。The perspective view of a mobile telephone.

符号の説明Explanation of symbols

10…液滴吐出装置、20…液滴吐出ヘッド、30…多層回路基板、31…フィルム状の基板、32…配線層、34…配線層(導通ポスト)、36…配線層、51…絶縁層、52…絶縁層、54…絶縁層、56…絶縁層、58…絶縁層、500…電気光学装置としての液晶表示装置、1000…電子機器としての携帯電話。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Droplet discharge apparatus, 20 ... Droplet discharge head, 30 ... Multilayer circuit board, 31 ... Film-like board | substrate, 32 ... Wiring layer, 34 ... Wiring layer (conduction post), 36 ... Wiring layer, 51 ... Insulating layer 52 ... Insulating layer, 54 ... Insulating layer, 56 ... Insulating layer, 58 ... Insulating layer, 500 ... Liquid crystal display device as electro-optical device, 1000 ... Mobile phone as electronic device.

Claims (6)

基板上に、配線層と、絶縁層とを交互に積層させて多層回路基板を製造する方法であって、
前記基板上に、液滴吐出法を用いて配線材料を塗布し、前記配線材料を乾燥させて前記配線層を形成する工程と、
前記基板上に、液滴吐出法を用いて絶縁材料を塗布し、前記絶縁材料を乾燥させて前記絶縁層を形成する工程と、
前記配線層と、前記絶縁層とを一括焼成する工程と、
を有することを特徴とする多層回路基板の製造方法。
A method of manufacturing a multilayer circuit board by alternately laminating wiring layers and insulating layers on a substrate,
Applying a wiring material on the substrate using a droplet discharge method, and drying the wiring material to form the wiring layer;
Applying an insulating material on the substrate using a droplet discharge method, and drying the insulating material to form the insulating layer;
A step of collectively firing the wiring layer and the insulating layer;
A method for producing a multilayer circuit board, comprising:
請求項1に記載の多層回路基板の製造方法において、
前記配線層を形成する工程では、前記配線材料の乾燥手段が、減圧乾燥法であることを特徴とする多層回路基板の製造方法。
In the manufacturing method of the multilayer circuit board according to claim 1,
In the step of forming the wiring layer, the wiring material drying means is a reduced pressure drying method.
請求項1に記載の多層回路基板の製造方法において、
前記絶縁層を形成する工程では、前記絶縁材料の乾燥手段が、光照射法であることを特徴とする多層回路基板の製造方法。
In the manufacturing method of the multilayer circuit board according to claim 1,
In the step of forming the insulating layer, the means for drying the insulating material is a light irradiation method.
請求項1〜請求項3のいずれか一項に記載の多層回路基板の製造方法を用いて形成されていることを特徴とする多層回路基板。   A multilayer circuit board formed using the multilayer circuit board manufacturing method according to any one of claims 1 to 3. 請求項4に記載の多層回路基板を備えていることを特徴とする電気光学装置。   An electro-optical device comprising the multilayer circuit board according to claim 4. 請求項5に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする電子機器。
An electronic apparatus comprising the electro-optical device according to claim 5.
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