JP2007045922A - Method for producing polymer compound for photoresist and photoresist composition - Google Patents

Method for producing polymer compound for photoresist and photoresist composition Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a simple method for efficiently producing a polymer compound useful for photoresist and extremely easily soluble in a solvent for resist. <P>SOLUTION: The method for producing the polymer compound for photoresist comprises the polymerization of a monomer mixture at least containing a monomer having a group to become alkali-soluble with an acid and a monomer having a group containing an alicyclic skeleton containing a polar group by drop polymerization. The solution to be dropped into the polymerization system is directly introduced into the system without flowing along the wall surface of the polymerization vessel. The production method may be performed by using a nozzle attached to an end of a feeding line of the solution to be dropped into the polymerization system and extending toward the liquid surface of the system and directly introducing the dropping solution through the nozzle into the polymerization system without flowing the solution along the wall surface of the polymerization vessel. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は半導体の微細加工などに用いるフォトレジスト組成物を調製する上で有用なフォトレジスト用高分子化合物の製造方法、該フォトレジスト用高分子化合物を含むフォトレジスト組成物、及び該フォトレジスト組成物を用いた半導体の製造方法に関する。   The present invention relates to a method for producing a photoresist polymer compound useful for preparing a photoresist composition for use in microfabrication of a semiconductor, the photoresist composition containing the photoresist polymer compound, and the photoresist composition. The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor using an object.

半導体製造工程で用いられるポジ型フォトレジストは、光照射により照射部がアルカリ可溶性に変化する性質、シリコンウエハーへの密着性、プラズマエッチング耐性、用いる光に対する透明性等の特性を兼ね備えていなくてはならない。該ポジ型フォトレジストは、一般に、主剤であるポリマーと、光酸発生剤と、上記特性を調整するための数種の添加剤を含む溶液として用いられる。一方、半導体の製造に用いられるリソグラフィの露光光源は、年々短波長になってきており、次世代の露光光源として、波長193nmのArFエキシマレーザーが有望視されている。このArFエキシマレーザー露光機に用いられるレジスト用ポリマーとして、酸によりその一部が脱離してアルカリ可溶性となる基を含む繰り返し単位と極性基を有する脂環式骨格を含む繰り返し単位とを含むポリマーが種々提案されている(例えば、特許文献1,2等)。   The positive photoresist used in the semiconductor manufacturing process must have properties such as the property that the irradiated part changes to alkali-soluble by light irradiation, adhesion to the silicon wafer, plasma etching resistance, transparency to the light used, etc. Don't be. The positive photoresist is generally used as a solution containing a main polymer, a photoacid generator, and several additives for adjusting the above characteristics. On the other hand, lithography exposure light sources used for semiconductor manufacturing have become shorter in wavelength year by year, and ArF excimer lasers having a wavelength of 193 nm are promising as next-generation exposure light sources. As a resist polymer used in this ArF excimer laser exposure machine, there is a polymer containing a repeating unit containing a group that is partly eliminated by acid and becomes alkali-soluble and a repeating unit containing an alicyclic skeleton having a polar group. Various proposals have been made (for example, Patent Documents 1 and 2).

これらのポリマーは、通常、モノマー混合物を重合した後、重合溶液を沈殿操作に付すことにより単離されている。そして、このポリマーを光酸発生剤とともにレジスト用溶剤に溶解させてフォトレジスト用樹脂組成物が調製される。   These polymers are usually isolated by polymerizing the monomer mixture and then subjecting the polymerization solution to a precipitation operation. And this resin is dissolved in a resist solvent together with a photoacid generator to prepare a resin composition for photoresist.

一方、モノマーと重合開始剤を重合温度に昇温された溶媒中に滴下しながら重合する方法(滴下重合法)は、重合温度が制御しやすいという利点を有しているため、フォトレジスト用高分子化合物の合成には好適な重合法といえる(例えば、特許文献3等)。しかし、酸によりアルカリ可溶性となる基を有する単量体と極性基含有脂環式骨格を含む基を有する単量体とを少なくとも含む単量体混合物を滴下重合に付す場合、重合後、重合溶液を沈殿操作に付して得られるポリマーをレジスト用溶剤に溶解させようとすると、大部分は溶解するものの、一部不溶分(濁り)が存在する。この不溶分は半導体の製造工程においてトラブルの原因となるため濾過により除去する必要があるが、粒子が細かいため濾過速度が遅く、濾過操作に多大の時間と労力を要する。   On the other hand, the method of polymerizing a monomer and a polymerization initiator while dropping them in a solvent heated to the polymerization temperature (drop polymerization method) has an advantage that the polymerization temperature is easy to control. This can be said to be a suitable polymerization method for the synthesis of molecular compounds (for example, Patent Document 3). However, when a monomer mixture containing at least a monomer having a group that becomes alkali-soluble by an acid and a monomer having a group containing a polar group-containing alicyclic skeleton is subjected to drop polymerization, a polymerization solution is obtained after the polymerization. When a polymer obtained by subjecting to a precipitation operation is dissolved in a resist solvent, most of the polymer is dissolved but partially insoluble (turbidity) exists. Since this insoluble matter causes trouble in the semiconductor manufacturing process, it must be removed by filtration. However, since the particles are fine, the filtration speed is slow, and the filtration operation requires a lot of time and labor.

特開2000−26446号公報JP 2000-26446 A 特開平9−73137号公報JP-A-9-73137 特開2004−269855号公報JP 2004-269855 A

従って、本発明の目的は、レジスト用溶剤に極めて溶解しやすいフォトレジスト用高分子化合物を簡易な手段で効率よく製造できる方法、該製造方法により得られるフォトレジスト用高分子化合物を含むフォトレジスト組成物、及び該フォトレジスト組成物を用いた半導体の製造方法を提供することにある。   Accordingly, an object of the present invention is to provide a method for efficiently producing a photoresist polymer compound that is very easily dissolved in a resist solvent by simple means, and a photoresist composition comprising the photoresist polymer compound obtained by the production method. And a semiconductor manufacturing method using the photoresist composition.

本発明者らは、上記目的を達成するため鋭意検討した結果、酸によりアルカリ可溶性となる基を有する単量体と極性基含有脂環式骨格を含む基を有する単量体とを少なくとも含む単量体混合物を滴下重合に付す際、重合系に滴下する溶液を重合容器の器壁に伝わらせることなく直接重合系(反応液)に入るように滴下すると、生成したポリマーをレジスト用溶剤に溶解させたときに不溶分が極めて少なくなり、濾過操作を行う場合でも短時間で該操作を終了できることを見出し、本発明を完成した。   As a result of intensive investigations to achieve the above object, the present inventors have found that a monomer having at least a monomer having an alkali-soluble group by an acid and a monomer having a group having a polar group-containing alicyclic skeleton are included. When the monomer mixture is subjected to dripping polymerization, the solution dripped into the polymerization system is dropped directly into the polymerization system (reaction solution) without being transmitted to the wall of the polymerization vessel, and the resulting polymer is dissolved in the resist solvent. As a result, the inventors found that the insoluble content is extremely reduced and the operation can be completed in a short time even when the filtration operation is performed, and the present invention has been completed.

すなわち、本発明は、酸によりアルカリ可溶性となる基を有する単量体と極性基含有脂環式骨格を含む基を有する単量体とを少なくとも含む単量体混合物を滴下重合法により重合してフォトレジスト用高分子化合物を製造する方法であって、重合系に滴下すべき溶液を重合容器の器壁に伝わらせることなく直接重合系に導入することを特徴とするフォトレジスト用高分子化合物の製造方法を提供する。   That is, the present invention is a method in which a monomer mixture containing at least a monomer having an alkali-soluble group by an acid and a monomer having a group containing a polar group-containing alicyclic skeleton is polymerized by a dropping polymerization method. A method for producing a polymer compound for photoresist, comprising introducing a solution to be dripped into the polymerization system directly into the polymerization system without being transmitted to the wall of the polymerization vessel. A manufacturing method is provided.

この製造方法において、重合系に滴下すべき溶液の供給ラインの先端に重合系液面に向かって延びるノズルを設け、重合系に滴下すべき溶液を該ノズルを通して、重合容器の器壁に伝わらせることなく直接重合系に導入してもよい。   In this manufacturing method, a nozzle extending toward the polymerization system liquid surface is provided at the tip of a supply line of a solution to be dripped into the polymerization system, and the solution to be dripped into the polymerization system is transmitted to the wall of the polymerization vessel through the nozzle. Alternatively, it may be introduced directly into the polymerization system.

酸によりアルカリ可溶性となる基を有する単量体として、例えば、下記式(1a)〜(1d)

Figure 2007045922
(式中、環Zは置換基を有していてもよい炭素数6〜20の脂環式炭化水素環を示す。Rは水素原子又は置換基を有していてもよい炭素数1〜6のアルキル基を示す。R1〜R3は、同一又は異なって、置換基を有していてもよい炭素数1〜6のアルキル基を示す。R4は環Zに結合している置換基であって、同一又は異なって、オキソ基、アルキル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシアルキル基、又は保護基で保護されていてもよいカルボキシル基を示す。但し、n個のR4のうち少なくとも1つは、−COORa基を示す。前記Raは置換基を有していてもよい第3級炭化水素基、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロピラニル基、又はオキセパニル基を示す。nは1〜3の整数を示す。R5、R6は、同一又は異なって、水素原子又は置換基を有していてもよい炭素数1〜6のアルキル基を示す。R7は水素原子又は有機基を示す。R5、R6、R7のうち少なくとも2つが互いに結合して隣接する原子とともに環を形成していてもよい)
から選択された少なくとも1種の化合物を使用できる。 Examples of the monomer having a group that becomes alkali-soluble by an acid include the following formulas (1a) to (1d):
Figure 2007045922
(In the formula, ring Z represents an alicyclic hydrocarbon ring having 6 to 20 carbon atoms which may have a substituent. R represents a hydrogen atom or an optionally substituted substituent having 1 to 6 carbon atoms. R 1 to R 3 are the same or different and each represents an optionally substituted alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and R 4 is a substituent bonded to ring Z. And may be the same or different and may be protected with an oxo group, an alkyl group, a hydroxyl group that may be protected with a protecting group, a hydroxyalkyl group that may be protected with a protecting group, or a protecting group. Represents a carboxyl group, provided that at least one of n R 4 groups represents a —COOR a group, wherein R a represents a tertiary hydrocarbon group which may have a substituent, a tetrahydrofuranyl group, A tetrahydropyranyl group or an oxepanyl group, where n is an integer of 1 to 3. R 5 and R 6 are the same or different and each represents a hydrogen atom or an optionally substituted alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, R 7 represents a hydrogen atom or an organic group. 5 , R 6 , or R 7 may be bonded to each other to form a ring with adjacent atoms.
At least one compound selected from can be used.

極性基含有脂環式骨格を含む基を有する単量体として、例えば、下記式(2a)〜(2e)

Figure 2007045922
(式中、Rは水素原子又は置換基を有していてもよい炭素数1〜6のアルキル基を示す。R8〜R10は、同一又は異なって、水素原子、アルキル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシアルキル基、又は保護基で保護されていてもよいカルボキシル基を示し、V1〜V3は、同一又は異なって、−CH2−、−CO−又は−COO−を示す。但し、(i)V1〜V3のうち少なくとも1つは−CO−若しくは−COO−であるか、又は(ii)R8〜R10のうち少なくとも1つは、保護基で保護されていてもよいヒドロキシル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシアルキル基、又は保護基で保護されていてもよいカルボキシル基である。R11〜R15は、同一又は異なって、水素原子、アルキル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシアルキル基、保護基で保護されていてもよいカルボキシル基を示す。R16〜R24は、同一又は異なって、水素原子、アルキル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシアルキル基、保護基で保護されていてもよいカルボキシル基を示す。R25〜R33は、同一又は異なって、水素原子、アルキル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシアルキル基、保護基で保護されていてもよいカルボキシル基を示す。pは0又は1、qは1又は2を示す)
から選択された少なくとも1種の化合物を使用できる。 Examples of the monomer having a group containing a polar group-containing alicyclic skeleton include the following formulas (2a) to (2e)
Figure 2007045922
(In the formula, R represents a hydrogen atom or an optionally substituted alkyl group having 1 to 6 carbon atoms. R 8 to R 10 are the same or different and each represents a hydrogen atom, an alkyl group, or a protecting group. A hydroxyl group which may be protected, a hydroxyalkyl group which may be protected with a protecting group, or a carboxyl group which may be protected with a protecting group, V 1 to V 3 are the same or different, and CH 2- , -CO- or -COO-, provided that (i) at least one of V 1 to V 3 is -CO- or -COO-, or (ii) R 8 to R 10 at least one of the, optionally protected hydroxyl group, a protected or unprotected hydroxyalkyl group with a protecting group, or be protected by a protecting group is also a carboxyl group which .R 11 ~ R 15 is the same or different and is a hydrogen atom , An alkyl group, a hydroxyl group that may be protected with a protecting group, a hydroxyalkyl group that may be protected with a protecting group, and a carboxyl group that may be protected with a protecting group, R 16 to R 24 represent It is the same or different and represents a hydrogen atom, an alkyl group, a hydroxyl group that may be protected with a protecting group, a hydroxyalkyl group that may be protected with a protecting group, or a carboxyl group that may be protected with a protecting group. R 25 to R 33 are the same or different and are protected by a hydrogen atom, an alkyl group, a hydroxyl group which may be protected with a protecting group, a hydroxyalkyl group which may be protected with a protecting group, or a protecting group. (P represents 0 or 1, q represents 1 or 2)
At least one compound selected from can be used.

本発明は、また、前記の方法により製造されたフォトレジスト用高分子化合物と光酸発生剤とを含むフォトレジスト組成物を提供する。   The present invention also provides a photoresist composition comprising a polymer compound for photoresist produced by the above method and a photoacid generator.

本発明は、さらに、前記のフォトレジスト組成物を基板又は基材に塗布してレジスト塗膜を形成する工程を含む半導体の製造方法を提供する。   The present invention further provides a method for producing a semiconductor comprising a step of applying the photoresist composition to a substrate or a base material to form a resist coating film.

本発明のフォトレジスト用高分子化合物の製造方法によれば、特定の複数の単量体の組み合わせからなる単量体混合物を滴下重合により重合する際、重合系に滴下すべき溶液を重合容器の器壁に伝わらせることなく直接重合系(反応液)に導入して重合させるため、局所的にモノマー濃度が高くなるということが無いためか、生成するポリマーの分子量やポリマー中のモノマー組成が均一となり、レジスト用溶剤不溶分の生成が抑制され、レジスト用溶剤に極めて溶解しやすいフォトレジスト用高分子化合物を簡易な手段で効率よく製造することができる。また、こうして得られるフォトレジスト用高分子化合物から調製されるフォトレジスト組成物によれば、ポリマーの均一性に優れるため、半導体製造において、トラブルが生じにくく、また感度や解像度が向上し、所望のパターンを精度よく形成することができる。   According to the method for producing a photoresist polymer compound of the present invention, when a monomer mixture composed of a combination of a plurality of specific monomers is polymerized by drop polymerization, a solution to be dripped into the polymerization system is added to the polymerization vessel. The polymer is introduced directly into the polymerization system (reaction solution) without being transmitted to the vessel wall and polymerized, so there is no local increase in monomer concentration, or the molecular weight of the polymer produced and the monomer composition in the polymer are uniform. Thus, the production of a resist solvent-insoluble component is suppressed, and a photoresist polymer compound that is very easily dissolved in a resist solvent can be efficiently produced by simple means. Moreover, according to the photoresist composition prepared from the polymer compound for photoresist thus obtained, since the polymer uniformity is excellent, troubles are unlikely to occur in semiconductor manufacturing, and sensitivity and resolution are improved. A pattern can be formed with high accuracy.

本発明では、酸によりアルカリ可溶性となる基を有する単量体(「単量体a」と称する場合がある)と、極性基含有脂環式骨格を含む基を有する単量体(「単量体b」と称する場合がある)とを少なくとも含む単量体溶液を重合系(反応液)に滴下して重合させることにより、フォトレジスト用高分子化合物を製造する。   In the present invention, a monomer having a group that is alkali-soluble by an acid (sometimes referred to as “monomer a”) and a monomer having a group containing a polar group-containing alicyclic skeleton (“monomeric” A polymer solution for photoresist is produced by dropping and polymerizing a monomer solution containing at least "body b") to a polymerization system (reaction solution).

単量体aとしては、重合により樹脂に導入された際に、露光によって光酸発生剤から発生する酸の作用により一部分が脱離してアルカリ現像液に対して可溶性を示す基を持つ重合性化合物(酸脱離性基を有する単量体)であれば特に限定されず、例えば、炭素数6〜20の脂環式炭化水素基を含有し且つ酸の作用により脱離可能な基を有している(メタ)アクリル酸エステルなどが挙げられる。「炭素数6〜20の脂環式炭化水素基を含有し且つ酸の作用により脱離可能な基を有している(メタ)アクリル酸エステル」には、炭素数6〜20の脂環式炭化水素基を有すると共に、(メタ)アクリル酸エステルのエステル結合を構成する酸素原子との結合部位に第3級炭素原子を有する(メタ)アクリル酸エステルが含まれる。前記脂環式炭化水素基は、(メタ)アクリル酸エステルのエステル結合を構成する酸素原子と直接結合していてもよく、アルキレン基等の連結基を介して結合していてもよい。前記炭素数6〜20の脂環式炭化水素基は単環式炭化水素基であってもよく、多環式(橋かけ環式)炭化水素基であってもよい。このような(メタ)アクリル酸エステルの代表的な例として、前記式(1a)、(1b)で表される化合物が例示される。   Monomer a is a polymerizable compound having a group that is partially dissolved by the action of an acid generated from a photoacid generator upon exposure and introduced into a resin by polymerization and is soluble in an alkaline developer. (Monomer having an acid leaving group) No particular limitation, for example, having an alicyclic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms and having a group capable of leaving by the action of an acid (Meth) acrylic acid ester and the like. “A (meth) acrylic acid ester containing a alicyclic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms and having a group capable of leaving by the action of an acid” includes an alicyclic group having 6 to 20 carbon atoms. A (meth) acrylic acid ester having a hydrocarbon group and a tertiary carbon atom at the bonding site with an oxygen atom constituting the ester bond of the (meth) acrylic acid ester is included. The alicyclic hydrocarbon group may be directly bonded to an oxygen atom constituting the ester bond of (meth) acrylic acid ester, or may be bonded via a linking group such as an alkylene group. The alicyclic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms may be a monocyclic hydrocarbon group or a polycyclic (bridged cyclic) hydrocarbon group. Representative examples of such (meth) acrylic acid esters include compounds represented by the formulas (1a) and (1b).

また、「炭素数6〜20の脂環式炭化水素基を含有し且つ酸の作用により脱離可能な基を有している(メタ)アクリル酸エステル」には、炭素数6〜20の脂環式炭化水素基を有すると共に、該脂環式炭化水素基に−COORa基(Raは置換基を有していてもよい第3級炭化水素基、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロピラニル基、又はオキセパニル基を示す)が直接又は連結基を介して結合している(メタ)アクリル酸エステルも含まれる。−COORa基のRaにおける第3級炭化水素基としては、例えば、t−ブチル、t−アミル、2−メチル−2−アダマンチル、(1−メチル−1−アダマンチル)エチル基などが挙げられる。この第3級炭化水素基が有していてもよい置換基として、例えば、ハロゲン原子、アルキル基(例えば、C1-4アルキル基など)、保護基で保護されていてもよいヒドロキシル基、オキソ基、保護基で保護されていてもよいカルボキシル基などが挙げられる。また、Raにおけるテトラヒドロフラニル基には2−テトラヒドロフラニル基が、テトラヒドロピラニル基には2−テトラヒドロピラニル基が、オキセパニル基には2−オキセパニル基が含まれる。前記連結基としては、アルキレン基(例えば、炭素数1〜6の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基等)などが挙げられる。前記脂環式炭化水素基は、(メタ)アクリル酸エステルのエステル結合を構成する酸素原子と直接結合していてもよく、アルキレン基等の連結基を介して結合していてもよい。前記炭素数6〜20の脂環式炭化水素基は単環式炭化水素基であってもよく、多環式(橋かけ環式)炭化水素基であってもよい。このような(メタ)アクリル酸エステルの代表的な例として、前記式(1c)で表される化合物が例示される。 In addition, “(meth) acrylic acid ester having a group having 6 to 20 carbon atoms and having a group capable of leaving by the action of an acid” includes an aliphatic group having 6 to 20 carbon atoms. A cyclic hydrocarbon group and a -COOR a group (R a is an optionally substituted tertiary hydrocarbon group, tetrahydrofuranyl group, tetrahydropyranyl group, Or a (meth) acrylic acid ester to which an oxepanyl group is bonded directly or via a linking group. Examples of the tertiary hydrocarbon group in R a of the —COOR a group include t-butyl, t-amyl, 2-methyl-2-adamantyl, (1-methyl-1-adamantyl) ethyl group, and the like. . Examples of the substituent that the tertiary hydrocarbon group may have include, for example, a halogen atom, an alkyl group (eg, a C 1-4 alkyl group), a hydroxyl group optionally protected by a protecting group, oxo And a carboxyl group which may be protected with a protecting group. In addition, the tetrahydrofuranyl group in R a includes a 2-tetrahydrofuranyl group, the tetrahydropyranyl group includes a 2-tetrahydropyranyl group, and the oxepanyl group includes a 2-oxepanyl group. Examples of the linking group include an alkylene group (for example, a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms). The alicyclic hydrocarbon group may be directly bonded to an oxygen atom constituting the ester bond of (meth) acrylic acid ester, or may be bonded via a linking group such as an alkylene group. The alicyclic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms may be a monocyclic hydrocarbon group or a polycyclic (bridged cyclic) hydrocarbon group. A typical example of such a (meth) acrylic acid ester is a compound represented by the formula (1c).

また、単量体aの他の例として、(メタ)アクリル酸ヘミアセタールエステルが挙げられる。具体的には、前記式(1d)で表される化合物が例示される。   Another example of monomer a is (meth) acrylic acid hemiacetal ester. Specifically, the compound represented by the formula (1d) is exemplified.

また、単量体aとして、エステル結合を構成する酸素原子がラクトン環のβ位に結合し且つラクトン環のα位に少なくとも1つの水素原子を有する、ラクトン環を含む(メタ)アクリル酸エステルなどを用いることも可能である。前記酸によりアルカリ可溶性となる基を有する単量体は1種又は2種以上組み合わせて使用できる。   In addition, as monomer a, a (meth) acrylic acid ester containing a lactone ring in which an oxygen atom constituting an ester bond is bonded to the β-position of the lactone ring and has at least one hydrogen atom in the α-position of the lactone ring It is also possible to use. Monomers having a group that becomes alkali-soluble by the acid can be used alone or in combination of two or more.

単量体aとしては、前記式(1a)〜(1d)から選択された少なくとも1種の化合物であるのが好ましい。式(1a)〜(1d)中、環Zにおける炭素数6〜20の脂環式炭化水素環は単環であっても、縮合環や橋かけ環等の多環であってもよい。代表的な脂環式炭化水素環として、例えば、シクロヘキサン環、シクロオクタン環、シクロデカン環、アダマンタン環、ノルボルナン環、ノルボルネン環、ボルナン環、イソボルナン環、パーヒドロインデン環、デカリン環、パーヒドロフルオレン環(トリシクロ[7.4.0.03,8]トリデカン環)、パーヒドロアントラセン環、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン環、トリシクロ[4.2.2.12,5]ウンデカン環、テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカン環などが挙げられる。脂環式炭化水素環には、メチル基等のアルキル基(例えば、C1-4アルキル基など)、塩素原子等のハロゲン原子、保護基で保護されていてもよいヒドロキシル基、オキソ基、保護基で保護されていてもよいカルボキシル基などの置換基を有していてもよい。環Zは例えばアダマンタン環等の多環の脂環式炭化水素環(橋かけ環式炭化水素環)であるのが好ましい。 The monomer a is preferably at least one compound selected from the formulas (1a) to (1d). In formulas (1a) to (1d), the alicyclic hydrocarbon ring having 6 to 20 carbon atoms in ring Z may be a single ring or a polycyclic ring such as a condensed ring or a bridged ring. Typical alicyclic hydrocarbon rings include, for example, cyclohexane ring, cyclooctane ring, cyclodecane ring, adamantane ring, norbornane ring, norbornene ring, bornane ring, isobornane ring, perhydroindene ring, decalin ring, perhydrofluorene ring. (Tricyclo [7.4.0.0 3,8 ] tridecane ring), perhydroanthracene ring, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane ring, tricyclo [4.2.2.1 2, 5 ] Undecane ring, tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodecane ring and the like. The alicyclic hydrocarbon ring includes an alkyl group such as a methyl group (eg, a C 1-4 alkyl group), a halogen atom such as a chlorine atom, a hydroxyl group optionally protected by a protecting group, an oxo group, a protected group It may have a substituent such as a carboxyl group which may be protected with a group. The ring Z is preferably a polycyclic alicyclic hydrocarbon ring (bridged hydrocarbon ring) such as an adamantane ring.

式(1a)〜(1d)中のR、並びに式(1a)、(1b)、(1d)中のR1〜R3、R5、R6における置換基を有していてもよい炭素数1〜6のアルキル基としては、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、s−ブチル、t−ブチル、ヘキシル基などの直鎖状又は分岐鎖状の炭素1〜6のアルキル基;トリフルオロメチル基等の炭素1〜6のハロアルキル基などが挙げられる。Rとしては、水素原子又は炭素数1〜3のアルキル基が好ましく、特に水素原子又はメチル基が好ましい。式(1c)中、R4におけるアルキル基としては、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、s−ブチル、t−ブチル、ヘキシル、オクチル、デシル、ドデシル基などの直鎖状又は分岐鎖状の炭素1〜20程度のアルキル基が挙げられる。R4における保護基で保護されていてもよいヒドロキシル基としては、例えば、ヒドロキシル基、置換オキシ基(例えば、メトキシ、エトキシ、プロポキシ基等のC1-4アルコキシ基など)などが挙げられる。保護基で保護されていてもよいヒドロキシアルキル基としては、前記保護基で保護されていてもよいヒドロキシル基が炭素数1〜6のアルキレン基を介して結合している基などが挙げられる。保護基で保護されていてもよいカルボキシル基としては、−COORb基などが挙げられる。前記Rbは水素原子又はアルキル基を示し、アルキル基としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、s−ブチル、t−ブチル、ヘキシル基などの直鎖状又は分岐鎖状の炭素数1〜6のアルキル基などが挙げられる。R4において、−COORa基のRaは前記と同様である。 Formula (1a) ~ (1d) in the R, and the formula (1a), (1b), R 1 ~R 3, R 5, R carbon atoms, which may have a substituent at 6 in (1d) Examples of the alkyl group having 1 to 6 include linear or branched alkyl groups having 1 to 6 carbon atoms such as methyl, ethyl, propyl, isopropyl, butyl, isobutyl, s-butyl, t-butyl, and hexyl groups. A haloalkyl group having 1 to 6 carbon atoms such as a trifluoromethyl group; R is preferably a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, particularly preferably a hydrogen atom or a methyl group. In the formula (1c), examples of the alkyl group represented by R 4 include linear or methyl groups such as methyl, ethyl, propyl, isopropyl, butyl, isobutyl, s-butyl, t-butyl, hexyl, octyl, decyl, and dodecyl groups. Examples include branched chain alkyl groups having about 1 to 20 carbon atoms. Examples of the hydroxyl group that may be protected with a protecting group for R 4 include a hydroxyl group and a substituted oxy group (for example, a C 1-4 alkoxy group such as a methoxy, ethoxy, propoxy group, etc.). Examples of the hydroxyalkyl group which may be protected with a protecting group include a group in which a hydroxyl group which may be protected with the protecting group is bonded via an alkylene group having 1 to 6 carbon atoms. Examples of the carboxyl group that may be protected with a protecting group include a —COOR b group. R b represents a hydrogen atom or an alkyl group, and examples of the alkyl group include linear or branched carbon such as methyl, ethyl, propyl, isopropyl, butyl, isobutyl, s-butyl, t-butyl, and hexyl groups. Examples thereof include alkyl groups of 1 to 6. In R 4, R a of -COOR a group is the same as above.

7における有機基としては、炭化水素基及び/又は複素環式基を含有する基が挙げられる。炭化水素基には脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基及びこれらが2以上結合した基が含まれる。脂肪族炭化水素基としては、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、s−ブチル、t−ブチル、ヘキシル、オクチル基等の直鎖状または分岐鎖状のアルキル基(C1-8アルキル基等);アリル基等の直鎖状または分岐鎖状のアルケニル基(C2-8アルケニル基等);プロピニル基等の直鎖状または分岐鎖状のアルキニル基(C2-8アルキニル基等)などが挙げられる。脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基(3〜8員シクロアルキル基等);シクロペンテニル、シクロヘキセニル基等のシクロアルケニル基(3〜8員シクロアルケニル基等);アダマンチル、ノルボルニル基等の橋架け炭素環式基(C4-20橋架け炭素環式基等)などが挙げられる。芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル、ナフチル基等のC6-14芳香族炭化水素基などが挙げられる。脂肪族炭化水素基と芳香族炭化水素基とが結合した基としては、ベンジル、2−フェニルエチル基などが挙げられる。これらの炭化水素基は、アルキル基(C1-4アルキル基等)、ハロアルキル基(C1-4ハロアルキル基等)、ハロゲン原子、保護基で保護されていてもよいヒドロキシル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシメチル基、保護基で保護されていてもよいカルボキシル基、オキソ基などの置換基を有していてもよい。保護基としては有機合成の分野で慣用の保護基を使用できる。 Examples of the organic group in R 7 include a group containing a hydrocarbon group and / or a heterocyclic group. The hydrocarbon group includes an aliphatic hydrocarbon group, an alicyclic hydrocarbon group, an aromatic hydrocarbon group, and a group in which two or more of these are bonded. Examples of the aliphatic hydrocarbon group include linear or branched alkyl groups such as methyl, ethyl, propyl, isopropyl, butyl, isobutyl, s-butyl, t-butyl, hexyl, and octyl groups (C 1- 8 alkyl groups); linear or branched alkenyl groups such as allyl groups (C 2-8 alkenyl groups, etc.); linear or branched alkynyl groups such as propynyl groups (C 2-8 alkynyl) Group, etc.). Examples of the alicyclic hydrocarbon group include cycloalkyl groups such as cyclopropyl, cyclopentyl, and cyclohexyl groups (3 to 8 membered cycloalkyl groups); cycloalkenyl groups such as cyclopentenyl and cyclohexenyl groups (3 to 8 members). Cycloalkenyl groups and the like); bridged carbocyclic groups such as adamantyl and norbornyl groups (C 4-20 bridged carbocyclic groups and the like) and the like. Examples of the aromatic hydrocarbon group include C 6-14 aromatic hydrocarbon groups such as phenyl and naphthyl groups. Examples of the group in which an aliphatic hydrocarbon group and an aromatic hydrocarbon group are bonded include benzyl and 2-phenylethyl groups. These hydrocarbon groups are protected with alkyl groups (C 1-4 alkyl groups, etc.), haloalkyl groups (C 1-4 haloalkyl groups, etc.), halogen atoms, hydroxyl groups that may be protected with protecting groups, and protecting groups. It may have a substituent such as a hydroxymethyl group which may be protected, a carboxyl group which may be protected with a protecting group, or an oxo group. As the protecting group, a protecting group conventionally used in the field of organic synthesis can be used.

前記複素環式基としては、酸素原子、硫黄原子及び窒素原子から選択された少なくとも1種のヘテロ原子を含む複素環式基が挙げられる。   Examples of the heterocyclic group include heterocyclic groups containing at least one heteroatom selected from an oxygen atom, a sulfur atom and a nitrogen atom.

好ましい有機基として、C1-8アルキル基、環式骨格を含む有機基等が挙げられる。前記環式骨格を構成する「環」には、単環又は多環の非芳香族性又は芳香族性の炭素環又は複素環が含まれる。なかでも、単環又は多環の非芳香族性炭素環、ラクトン環(非芳香族性炭素環が縮合していてもよい)が特に好ましい。単環の非芳香族性炭素環として、例えば、シクロペンタン環、シクロヘキサン環などの3〜15員程度のシクロアルカン環などが挙げられる。 Preferred organic groups include C 1-8 alkyl groups, organic groups containing a cyclic skeleton, and the like. The “ring” constituting the cyclic skeleton includes a monocyclic or polycyclic non-aromatic or aromatic carbocyclic or heterocyclic ring. Of these, monocyclic or polycyclic non-aromatic carbocycles and lactone rings (which may be condensed with non-aromatic carbocycles) are particularly preferable. Examples of the monocyclic non-aromatic carbocycle include a cycloalkane ring having about 3 to 15 members such as a cyclopentane ring and a cyclohexane ring.

多環の非芳香族性炭素環(橋架け炭素環)として、例えば、アダマンタン環、ノルボルナン環、ノルボルンネン環、ボルナン環、イソボルナン環、アダマンタン環;ノルボルナン環、ノルボルネン環、ボルナン環、イソボルナン環、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン環、テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカン環等のノルボルナン環又はノルボルネン環を含む環;パーヒドロインデン環、デカリン環(パーヒドロナフタレン環)、パーヒドロフルオレン環(トリシクロ[7.4.0.03,8]トリデカン環)、パーヒドロアントラセン環などの多環の芳香族縮合環が水素添加された環(好ましくは完全水素添加された環);トリシクロ[4.2.2.12,5]ウンデカン環などの2環系、3環系、4環系などの橋架け炭素環(例えば、炭素数6〜20程度の橋架け炭素環)などが挙げられる。前記ラクトン環として、例えば、γ−ブチロラクトン環、4−オキサトリシクロ[4.3.1.13,8]ウンデカン−5−オン環、4−オキサトリシクロ[4.2.1.03,7]ノナン−5−オン環、4−オキサトリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−5−オン環などが挙げられる。 Examples of the polycyclic non-aromatic carbocycle (bridged carbocycle) include, for example, an adamantane ring, norbornane ring, norbornene ring, bornane ring, isobornane ring, adamantane ring; norbornane ring, norbornene ring, bornane ring, isobornane ring, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane ring, tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1,7,10 ] ring containing norbornane ring or norbornene ring such as dodecane ring; perhydroindene ring, decalin ring (perhydronaphthalene ring), perhydrofluorene ring (tricyclo [7.4.0.0 3,8 ] Tridecane ring), a ring in which a polycyclic aromatic condensed ring such as perhydroanthracene ring is hydrogenated (preferably a fully hydrogenated ring); a tricyclo [4.2.2.1 2,5 ] undecane ring, etc. And a bridged carbocyclic ring (for example, a bridged carbocyclic ring having about 6 to 20 carbon atoms). Examples of the lactone ring include a γ-butyrolactone ring, 4-oxatricyclo [4.3.1.1 3,8 ] undecan-5-one ring, and 4-oxatricyclo [4.2.1.0 3. , 7 ] nonan-5-one ring, 4-oxatricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decan-5-one ring, and the like.

前記環式骨格を構成する環は、メチル基等のアルキル基(例えば、C1-4アルキル基など)、トリフルオロメチル基などのハロアルキル基(例えば、C1-4ハロアルキル基など)、塩素原子やフッ素原子等のハロゲン原子、保護基で保護されていてもよいヒドロキシル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシアルキル基、保護基で保護されていてもよいメルカプト基、保護基で保護されていてもよいカルボキシル基、保護基で保護されていてもよいアミノ基、保護基で保護されていてもよいスルホン酸基などの置換基を有していてもよい。保護基としては有機合成の分野で慣用の保護基を使用できる。 The ring constituting the cyclic skeleton includes an alkyl group such as a methyl group (eg, a C 1-4 alkyl group), a haloalkyl group such as a trifluoromethyl group (eg, a C 1-4 haloalkyl group), a chlorine atom Or a halogen atom such as a fluorine atom, a hydroxyl group that may be protected with a protective group, a hydroxyalkyl group that may be protected with a protective group, a mercapto group that may be protected with a protective group, or a protective group. It may have a substituent such as a carboxyl group which may be protected, an amino group which may be protected with a protecting group, and a sulfonic acid group which may be protected with a protecting group. As the protecting group, a protecting group conventionally used in the field of organic synthesis can be used.

前記環式骨格を構成する環は、式(1d)中に示される酸素原子(R7の隣接位の酸素原子)と直接結合していてもよく、連結基を介して結合していてもよい。連結基としては、メチレン、メチルメチレン、ジメチルメチレン、エチレン、プロピレン、トリメチレン基などの直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基;カルボニル基;酸素原子(エーテル結合;−O−);オキシカルボニル基(エステル結合;−COO−);アミノカルボニル基(アミド結合;−CONH−);及びこれらが複数個結合した基などが挙げられる。 The ring constituting the cyclic skeleton may be directly bonded to an oxygen atom (oxygen atom adjacent to R 7 ) shown in the formula (1d) or may be bonded via a linking group. . Examples of the linking group include a linear or branched alkylene group such as methylene, methylmethylene, dimethylmethylene, ethylene, propylene, and trimethylene group; a carbonyl group; an oxygen atom (ether bond; —O—); an oxycarbonyl group ( An ester bond; —COO—); an aminocarbonyl group (amide bond; —CONH—); and a group in which a plurality of these are bonded.

5、R6、R7のうち少なくとも2つは、互いに結合して隣接する原子とともに環を形成していてもよい。該環としては、例えば、シクロプロパン環、シクロペンタン環、シクロヘキサン環などのシクロアルカン環;テトラヒドロフラン環、テトラヒドロピラン環、オキセパン環などの含酸素環;橋架け環などが挙げられる。 At least two of R 5 , R 6 and R 7 may be bonded to each other to form a ring together with adjacent atoms. Examples of the ring include cycloalkane rings such as cyclopropane ring, cyclopentane ring and cyclohexane ring; oxygen-containing rings such as tetrahydrofuran ring, tetrahydropyran ring and oxepane ring; bridged ring and the like.

式(1a)〜(1d)で表される化合物には、それぞれ立体異性体が存在しうるが、それらは単独で又は2種以上の混合物として使用できる。   In the compounds represented by the formulas (1a) to (1d), stereoisomers may exist, but they can be used alone or as a mixture of two or more.

式(1a)で表される化合物の代表的な例として下記化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
[1-1]2−(メタ)アクリロイルオキシ−2−メチルアダマンタン(R=H又はCH3、R1=CH3、Z=アダマンタン環)
[1-2]1−ヒドロキシ−2−(メタ)アクリロイルオキシ−2−メチルアダマンタン(R=H又はCH3、R1=CH3、Z=1位にヒドロキシル基を有するアダマンタン環)
[1-3]5−ヒドロキシ−2−(メタ)アクリロイルオキシ−2−メチルアダマンタン(R=H又はCH3、R1=CH3、Z=5位にヒドロキシル基を有するアダマンタン環)
[1-4]1,3−ジヒドロキシ−2−(メタ)アクリロイルオキシ−2−メチルアダマンタン(R=H又はCH3、R1=CH3、Z=1位と3位にヒドロキシル基を有するアダマンタン環)
[1-5]1,5−ジヒドロキシ−2−(メタ)アクリロイルオキシ−2−メチルアダマンタン(R=H又はCH3、R1=CH3、Z=1位と5位にヒドロキシル基を有するアダマンタン環)
[1-6]1,3−ジヒドロキシ−6−(メタ)アクリロイルオキシ−6−メチルアダマンタン(R=H又はCH3、R1=CH3、Z=1位と3位にヒドロキシル基を有するアダマンタン環)
[1-7]2−(メタ)アクリロイルオキシ−2−エチルアダマンタン(R=H又はCH3、R1=CH2CH3、Z=アダマンタン環)
[1-8]1−ヒドロキシ−2−(メタ)アクリロイルオキシ−2−エチルアダマンタン(R=H又はCH3、R1=CH2CH3、Z=1位にヒドロキシル基を有するアダマンタン環)
[1-9]5−ヒドロキシ−2−(メタ)アクリロイルオキシ−2−エチルアダマンタン(R=H又はCH3、R1=CH2CH3、Z=5位にヒドロキシル基を有するアダマンタン環)
[1-10]1,3−ジヒドロキシ−2−(メタ)アクリロイルオキシ−2−エチルアダマンタン(R=H又はCH3、R1=CH2CH3、Z=1位と3位にヒドロキシル基を有するアダマンタン環)
[1-11]1,5−ジヒドロキシ−2−(メタ)アクリロイルオキシ−2−エチルアダマンタン(R=H又はCH3、R1=CH2CH3、Z=1位と5位にヒドロキシル基を有するアダマンタン環)
[1-12]1,3−ジヒドロキシ−6−(メタ)アクリロイルオキシ−6−エチルアダマンタン(R=H又はCH3、R1=CH2CH3、Z=1位と3位にヒドロキシル基を有するアダマンタン環)
Although the following compound is mentioned as a typical example of a compound represented by Formula (1a), It is not limited to these.
[1-1] 2- (Meth) acryloyloxy-2-methyladamantane (R = H or CH 3 , R 1 = CH 3 , Z = adamantane ring)
[1-2] 1-hydroxy-2- (meth) acryloyloxy-2-methyladamantane (R = H or CH 3 , R 1 = CH 3 , adamantane ring having a hydroxyl group at the 1-position)
[1-3] 5-hydroxy-2- (meth) acryloyloxy-2-methyladamantane (R = H or CH 3 , R 1 = CH 3 , Z = 5 adamantane ring having a hydroxyl group at the 5-position)
[1-4] 1,3-Dihydroxy-2- (meth) acryloyloxy-2-methyladamantane (R = H or CH 3 , R 1 = CH 3 , Z = 1- and adamantane having hydroxyl groups at the 3-position ring)
[1-5] 1,5-dihydroxy-2- (meth) acryloyloxy-2-methyladamantane (R = H or CH 3 , R 1 = CH 3 , Z = 1- and adamantane having hydroxyl groups at the 5-position ring)
[1-6] 1,3-dihydroxy-6- (meth) acryloyloxy-6-methyladamantane (R = H or CH 3 , R 1 = CH 3 , Z = 1 adamantane having hydroxyl groups at the 1-position and 3-position ring)
[1-7] 2- (Meth) acryloyloxy-2-ethyladamantane (R = H or CH 3 , R 1 = CH 2 CH 3 , Z = adamantane ring)
[1-8] 1-hydroxy-2- (meth) acryloyloxy-2-ethyladamantane (R = H or CH 3 , R 1 = CH 2 CH 3 , Z = 1 adamantane ring having a hydroxyl group at the 1-position)
[1-9] 5-hydroxy-2- (meth) acryloyloxy-2-ethyladamantane (R = H or CH 3 , R 1 = CH 2 CH 3 , Z = 5 adamantane ring having a hydroxyl group at the 5-position)
[1-10] 1,3-Dihydroxy-2- (meth) acryloyloxy-2-ethyladamantane (R = H or CH 3 , R 1 = CH 2 CH 3 , Z = 1 and hydroxyl groups at the 3-position Adamantane ring)
[1-11] 1,5-Dihydroxy-2- (meth) acryloyloxy-2-ethyladamantane (R = H or CH 3 , R 1 = CH 2 CH 3 , Z = 1 and hydroxyl groups at the 5-position Has an adamantane ring)
[1-12] 1,3-dihydroxy-6- (meth) acryloyloxy-6-ethyladamantane (R = H or CH 3 , R 1 = CH 2 CH 3 , Z = 1 and hydroxyl groups at the 1 and 3 positions Adamantane ring)

上記式(1a)で表される化合物は、例えば、対応する環式アルコールと(メタ)アクリル酸又はその反応性誘導体とを、酸触媒やエステル交換触媒、塩基等を用いた慣用のエステル化法に従って反応させることにより得ることができる。   The compound represented by the above formula (1a) is, for example, a conventional esterification method using a corresponding cyclic alcohol and (meth) acrylic acid or a reactive derivative thereof using an acid catalyst, a transesterification catalyst, a base or the like. It can obtain by making it react according to.

式(1b)で表される化合物の代表的な例として下記化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
[1-13]1−(1−(メタ)アクリロイルオキシ−1−メチルエチル)アダマンタン(R=H又はCH3、R2=R3=CH3、Z=アダマンタン環)
[1-14]1−ヒドロキシ−3−(1−(メタ)アクリロイルオキシ−1−メチルエチル)アダマンタン(R=H又はCH3、R2=R3=CH3、Z=1位にヒドロキシル基を有するアダマンタン環)
[1-15]1−(1−エチル−1−(メタ)アクリロイルオキシプロピル)アダマンタン(R=H又はCH3、R2=R3=CH2CH3、Z=アダマンタン環)
[1-16]1−ヒドロキシ−3−(1−エチル−1−(メタ)アクリロイルオキシプロピル)アダマンタン(R=H又はCH3、R2=R3=CH2CH3、Z=1位にヒドロキシル基を有するアダマンタン環)
[1-17]1−(1−(メタ)アクリロイルオキシ−1−メチルプロピル)アダマンタン(R=H又はCH3、R2=CH3、R3=CH2CH3、Z=アダマンタン環)
[1-18]1−ヒドロキシ−3−(1−(メタ)アクリロイルオキシ−1−メチルプロピル)アダマンタン(R=H又はCH3、R2=CH3、R3=CH2CH3、Z=1位にヒドロキシル基を有するアダマンタン環)
[1-19]1−(1−(メタ)アクリロイルオキシ−1,2−ジメチルプロピル)アダマンタン(R=H又はCH3、R2=CH3、R3=CH(CH32、Z=アダマンタン環)
[1-20]1−ヒドロキシ−3−(1−(メタ)アクリロイルオキシ−1,2−ジメチルプロピル)アダマンタン(R=H又はCH3、R2=CH3、R3=CH(CH32、Z=1位にヒドロキシル基を有するアダマンタン環)
[1-21]1,3−ジヒドロキシ−5−(1−(メタ)アクリロイルオキシ−1−メチルエチル)アダマンタン(R=H又はCH3、R2=R3=CH3、Z=1位と3位にヒドロキシル基を有するアダマンタン環)
[1-22]1−(1−エチル−1−(メタ)アクリロイルオキシプロピル)−3,5−ジヒドロキシアダマンタン(R=H又はCH3、R2=R3=CH2CH3、Z=3位と5位にヒドロキシル基を有するアダマンタン環)
[1-23]1,3−ジヒドロキシ−5−(1−(メタ)アクリロイルオキシ−1−メチルプロピル)アダマンタン(R=H又はCH3、R2=CH3、R3=CH2CH3、Z=1位と3位にヒドロキシル基を有するアダマンタン環)
[1-24]1,3−ジヒドロキシ−5−(1−(メタ)アクリロイルオキシ−1,2−ジメチルプロピル)アダマンタン(R=H又はCH3、R2=CH3、R3=CH(CH32、Z=1位と3位にヒドロキシル基を有するアダマンタン環)
Although the following compound is mentioned as a typical example of a compound represented by Formula (1b), It is not limited to these.
[1-13] 1- (1- (Meth) acryloyloxy-1-methylethyl) adamantane (R = H or CH 3 , R 2 = R 3 = CH 3 , Z = adamantane ring)
[1-14] 1-hydroxy-3- (1- (meth) acryloyloxy-1-methylethyl) adamantane (R = H or CH 3 , R 2 = R 3 = CH 3 , Z = 1-hydroxyl group at position 1 Adamantane ring)
[1-15] 1- (1-ethyl-1- (meth) acryloyloxy propyl) adamantane (R = H or CH 3, R 2 = R 3 = CH 2 CH 3, Z = adamantane ring)
[1-16] 1-hydroxy-3- (1-ethyl-1- (meth) acryloyloxypropyl) adamantane (R = H or CH 3 , R 2 = R 3 = CH 2 CH 3 , Z = 1 position) Adamantane ring having a hydroxyl group)
[1-17] 1- (1- (Meth) acryloyloxy-1-methylpropyl) adamantane (R = H or CH 3 , R 2 = CH 3 , R 3 = CH 2 CH 3 , Z = adamantane ring)
[1-18] 1-hydroxy-3- (1- (meth) acryloyloxy-1-methylpropyl) adamantane (R = H or CH 3 , R 2 = CH 3 , R 3 = CH 2 CH 3 , Z = Adamantane ring having a hydroxyl group at the 1-position)
[1-19] 1- (1- (Meth) acryloyloxy-1,2-dimethylpropyl) adamantane (R = H or CH 3 , R 2 = CH 3 , R 3 = CH (CH 3 ) 2 , Z = Adamantane ring)
[1-20] 1-hydroxy-3- (1- (meth) acryloyloxy-1,2-dimethylpropyl) adamantane (R = H or CH 3 , R 2 = CH 3 , R 3 = CH (CH 3 ) 2 , Z = adamantane ring having a hydroxyl group at the 1-position)
[1-21] 1,3-dihydroxy-5- (1- (meth) acryloyloxy-1-methylethyl) adamantane (R = H or CH 3 , R 2 = R 3 = CH 3 , Z = 1 position) An adamantane ring having a hydroxyl group at the 3-position)
[1-22] 1- (1-Ethyl-1- (meth) acryloyloxypropyl) -3,5-dihydroxyadamantane (R = H or CH 3 , R 2 = R 3 = CH 2 CH 3 , Z = 3 Adamantane ring with hydroxyl groups at the 5 and 5 positions)
[1-23] 1,3-dihydroxy-5- (1- (meth) acryloyloxy-1-methylpropyl) adamantane (R = H or CH 3 , R 2 = CH 3 , R 3 = CH 2 CH 3 , Z = adamantane ring having hydroxyl groups at the 1- and 3-positions)
[1-24] 1,3-dihydroxy-5- (1- (meth) acryloyloxy-1,2-dimethylpropyl) adamantane (R = H or CH 3 , R 2 = CH 3 , R 3 = CH (CH 3 ) 2 , Z = 1 adamantane ring having hydroxyl groups at the 1- and 3-positions)

上記式(1b)で表される化合物は、例えば、対応する1位に脂環式基を有するメタノール誘導体と(メタ)アクリル酸又はその反応性誘導体とを、酸触媒やエステル交換触媒、塩基等を用いた慣用のエステル化法に従って反応させることにより得ることができる。   The compound represented by the above formula (1b) includes, for example, a methanol derivative having an alicyclic group at the corresponding 1-position and (meth) acrylic acid or a reactive derivative thereof, an acid catalyst, a transesterification catalyst, a base, etc. It can obtain by making it react according to the conventional esterification method using.

式(1c)で表される化合物の代表的な例として下記化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
[1-25]1−t−ブトキシカルボニル−3−(メタ)アクリロイルオキシアダマンタン(R=H又はCH3、R4=t−ブトキシカルボニル基、n=1、Z=アダマンタン環)
[1-26]1,3−ビス(t−ブトキシカルボニル)−5−(メタ)アクリロイルオキシアダマンタン[R=H又はCH3、R4=t−ブトキシカルボニル基、n=2、Z=アダマンタン環]
[1-27]1−t−ブトキシカルボニル−3−ヒドロキシ−5−(メタ)アクリロイルオキシアダマンタン(R=H又はCH3、R4=OH,t−ブトキシカルボニル基、n=2、Z=アダマンタン環)
[1-28]1−(2−テトラヒドロピラニルオキシカルボニル)−3−(メタ)アクリロイルオキシアダマンタン(R=H又はCH3、R4=2−テトラヒドロピラニルオキシカルボニル基、n=1、Z=アダマンタン環)
[1-29]1,3−ビス(2−テトラヒドロピラニルオキシカルボニル)−5−(メタ)アクリロイルオキシアダマンタン(R=H又はCH3、R4=2−テトラヒドロピラニルオキシカルボニル基、n=2、Z=アダマンタン環)
[1-30]1−ヒドロキシ−3−(2−テトラヒドロピラニルオキシカルボニル)−5−(メタ)アクリロイルオキシアダマンタン(R=H又はCH3、R4=OH,2−テトラヒドロピラニルオキシカルボニル基、n=2、Z=アダマンタン環)
Typical examples of the compound represented by the formula (1c) include, but are not limited to, the following compounds.
[1-25] 1-t-Butoxycarbonyl-3- (meth) acryloyloxyadamantane (R = H or CH 3 , R 4 = t-butoxycarbonyl group, n = 1, Z = adamantane ring)
[1-26] 1,3-bis (t-butoxycarbonyl) -5- (meth) acryloyloxyadamantane [R = H or CH 3 , R 4 = t-butoxycarbonyl group, n = 2, Z = adamantane ring ]
[1-27] 1-t-Butoxycarbonyl-3-hydroxy-5- (meth) acryloyloxyadamantane (R = H or CH 3 , R 4 = OH, t-butoxycarbonyl group, n = 2, Z = adamantane ring)
[1-28] 1- (2-Tetrahydropyranyloxycarbonyl) -3- (meth) acryloyloxyadamantane (R = H or CH 3 , R 4 = 2-tetrahydropyranyloxycarbonyl group, n = 1, Z = Adamantane ring)
[1-29] 1,3-bis (2-tetrahydropyranyloxycarbonyl) -5- (meth) acryloyloxyadamantane (R = H or CH 3 , R 4 = 2-tetrahydropyranyloxycarbonyl group, n = 2, Z = adamantane ring)
[1-30] 1-hydroxy-3- (2-tetrahydropyranyloxy carbonyl) -5- (meth) acryloyloxy adamantane (R = H or CH 3, R 4 = OH, 2- tetrahydropyranyloxy group , N = 2, Z = adamantane ring)

上記式(1c)で表される化合物は、例えば、対応する環式アルコールと(メタ)アクリル酸又はその反応性誘導体とを、酸触媒やエステル交換触媒、塩基等を用いた慣用のエステル化法に従って反応させることにより得ることができる。   The compound represented by the above formula (1c) is, for example, a conventional esterification method using a corresponding cyclic alcohol and (meth) acrylic acid or a reactive derivative thereof using an acid catalyst, a transesterification catalyst, a base, or the like. It can obtain by making it react according to.

式(1d)で表される化合物の代表的な例として下記化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
[1-31]1−アダマンチルオキシ−1−エチル(メタ)アクリレート(R=H又はCH3、R5=CH3、R6=H、R7=1−アダマンチル基)
[1-32]1−アダマンチルメチルオキシ−1−エチル(メタ)アクリレート(R=H又はCH3、R5=CH3、R6=H、R7=1−アダマンチルメチル基)
[1-33]2−(1−アダマンチルエチル)オキシ−1−エチル(メタ)アクリレート(R=H又はCH3、R5=CH3、R6=H、R7=1−アダマンチルエチル基)
[1-34]1−ボルニルオキシ−1−エチル(メタ)アクリレート(R=H又はCH3、R5=CH3、R6=H、R7=1−ボルニル基)
[1-35]2−ノルボルニルオキシ−1−エチル(メタ)アクリレート(R=H又はCH3、R5=CH3、R6=H、R7=2−ノルボルニル基)
[1-36]2−テトラヒドロピラニル(メタ)アクリレート(R=H又はCH3、R5とR7が結合して式中の炭素原子及び酸素原子とともに6員環を形成、R6=H)
[1-37]2−テトラヒドロフラニル(メタ)アクリレート(R=H又はCH3、R5とR7が結合して式中の炭素原子及び酸素原子とともに5員環を形成、R6=H)
Typical examples of the compound represented by the formula (1d) include the following compounds, but are not limited thereto.
[1-31] 1-adamantyloxy-1-ethyl (meth) acrylate (R = H or CH 3 , R 5 = CH 3 , R 6 = H, R 7 = 1-adamantyl group)
[1-32] 1-adamantylmethyloxy-1-ethyl (meth) acrylate (R = H or CH 3 , R 5 = CH 3 , R 6 = H, R 7 = 1-adamantylmethyl group)
[1-33] 2- (1-adamantyl) oxy-1-ethyl (meth) acrylate (R = H or CH 3, R 5 = CH 3 , R 6 = H, R 7 = 1- adamantyl ethyl group)
[1-34] 1-bornyloxy-1-ethyl (meth) acrylate (R = H or CH 3 , R 5 = CH 3 , R 6 = H, R 7 = 1-bornyl group)
[1-35] 2-norbornyloxy-1-ethyl (meth) acrylate (R = H or CH 3 , R 5 = CH 3 , R 6 = H, R 7 = 2-norbornyl group)
[1-36] 2-Tetrahydropyranyl (meth) acrylate (R = H or CH 3 , R 5 and R 7 combine to form a 6 -membered ring together with the carbon atom and oxygen atom in the formula, R 6 = H )
[1-37] 2-tetrahydrofuranyl (meth) acrylate (R = H or CH 3 , R 5 and R 7 combine to form a 5-membered ring with carbon and oxygen atoms in the formula, R 6 = H)

上記式(1d)で表される化合物は、例えば、対応するビニルエーテル化合物と(メタ)アクリル酸とを酸触媒を用いた慣用の方法で反応させることにより得ることができる。例えば、1−アダマンチルオキシ−1−エチル(メタ)アクリレートは、1−アダマンチル−ビニル−エーテルと(メタ)アクリル酸とを酸触媒の存在下で反応させることにより製造できる。   The compound represented by the above formula (1d) can be obtained, for example, by reacting the corresponding vinyl ether compound and (meth) acrylic acid by a conventional method using an acid catalyst. For example, 1-adamantyloxy-1-ethyl (meth) acrylate can be produced by reacting 1-adamantyl-vinyl-ether with (meth) acrylic acid in the presence of an acid catalyst.

前記極性基含有脂環式骨格を含む基を有する単量体(単量体b)には、(1)ラクトン環を含有する炭素数6〜20の脂環式炭化水素基[ラクトン環と単環又は多環(橋かけ環)の脂環式炭素環とが縮合した構造を有する基等]がエステル結合を構成する酸素原子に結合している(メタ)アクリル酸エステル(単量体b1)が含まれる。このような単量体b1の代表的な例として、前記式(2a)のうちV1〜V3の少なくとも1つが−COO−である化合物、及び(2b)、(2c)、(2d)、(2e)で表される化合物が例示される。 The monomer (monomer b) having a group containing a polar group-containing alicyclic skeleton includes (1) an alicyclic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms containing a lactone ring [lactone ring and simple group. (Meth) acrylic acid ester (monomer b1) in which a group having a structure in which a ring or a polycyclic (bridged) alicyclic carbocyclic ring is condensed] is bonded to an oxygen atom constituting an ester bond Is included. As a typical example of such a monomer b1, in the formula (2a), at least one of V 1 to V 3 is —COO—, and (2b), (2c), (2d), The compound represented by (2e) is exemplified.

また、単量体bには、(2)ヒドロキシル基、カルボキシル基、オキソ基などの極性基を有する炭素数6〜20の脂環式炭化水素基(特に、橋かけ環式炭化水素基)がエステル結合を構成する酸素原子に結合している(メタ)アクリル酸エステル(単量体b2)も含まれる。このような単量体b2の代表的な例として、前記式(2a)のうちV1〜V3の少なくとも1つが−CO−であるか、又はR8〜R10のうち少なくとも1つが、保護基で保護されていてもよいヒドロキシル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシアルキル基、又は保護基で保護されていてもよいカルボキシル基である化合物が例示される。 The monomer b includes (2) an alicyclic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms having a polar group such as a hydroxyl group, a carboxyl group, or an oxo group (particularly, a bridged cyclic hydrocarbon group). A (meth) acrylic acid ester (monomer b2) bonded to an oxygen atom constituting an ester bond is also included. As a typical example of such a monomer b2, at least one of V 1 to V 3 in the formula (2a) is —CO—, or at least one of R 8 to R 10 is protected. Examples thereof include a hydroxyl group which may be protected with a group, a hydroxyalkyl group which may be protected with a protecting group, or a carboxyl group which may be protected with a protecting group.

単量体bは、重合により樹脂に導入された際、極性基によりシリコンウエハーなどの基板に対する密着性を付与すると共に、脂環式骨格によりドライエッチング耐性を付与する。単量体bは単独で又は2種以上組み合わせて使用できる。単量体bとしては、前記式(2a)〜(2e)から選択された少なくとも1種の単量体であるのが好ましい。また、単量体bとして単量体b1と単量体b2とを組み合わせて使用すると、基板密着性、ドライエッチング耐性、レジスト溶剤に対する溶解性等の特性をバランスよく具備する樹脂が得られるだけでなく、重合時における均質反応性にも優れる(分子量や分子構造において均一性の高いポリマーが生成する)という大きな利点が得られる。   When the monomer b is introduced into the resin by polymerization, the monomer b provides adhesion to a substrate such as a silicon wafer by a polar group, and imparts dry etching resistance by an alicyclic skeleton. Monomer b can be used alone or in combination of two or more. The monomer b is preferably at least one monomer selected from the formulas (2a) to (2e). Moreover, when the monomer b1 and the monomer b2 are used in combination as the monomer b, a resin having a good balance of properties such as substrate adhesion, dry etching resistance, and solubility in a resist solvent can be obtained. In addition, a great advantage is obtained that the polymer is excellent in homogeneous reactivity during polymerization (a polymer having high uniformity in molecular weight and molecular structure is produced).

式(2a)〜(2e)中のRは前記(1a)〜(1d)中のRと同様である。式(2a)〜(2e)中、R8〜R33におけるアルキル基としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、s−ブチル、t−ブチル、ヘキシル、オクチル、デシル、ドデシル基などの直鎖状又は分岐鎖状の炭素数1〜13のアルキル基等が挙げられる。これらの中でも、炭素数1〜4のアルキル基が好ましい。保護基で保護されていてもよいヒドロキシル基としては、例えば、ヒドロキシル基、置換オキシ基(例えば、メトキシ、エトキシ、プロポキシ基等のC1-4アルコキシ基など)などが挙げられる。保護基で保護されていてもよいヒドロキシアルキル基としては、前記保護基で保護されていてもよいヒドロキシル基が炭素数1〜6のアルキレン基を介して結合している基などが挙げられる。保護基で保護されていてもよいカルボキシル基としては、−COORb基などが挙げられる。Rbは前記と同様である。 R in the formulas (2a) to (2e) is the same as R in the above (1a) to (1d). In formulas (2a) to (2e), examples of the alkyl group represented by R 8 to R 33 include methyl, ethyl, propyl, isopropyl, butyl, isobutyl, s-butyl, t-butyl, hexyl, octyl, decyl, dodecyl group, and the like. And a linear or branched alkyl group having 1 to 13 carbon atoms. Among these, a C1-C4 alkyl group is preferable. Examples of the hydroxyl group that may be protected with a protecting group include a hydroxyl group and a substituted oxy group (for example, a C 1-4 alkoxy group such as a methoxy, ethoxy, and propoxy group). Examples of the hydroxyalkyl group which may be protected with a protecting group include a group in which a hydroxyl group which may be protected with the protecting group is bonded via an alkylene group having 1 to 6 carbon atoms. Examples of the carboxyl group that may be protected with a protecting group include a —COOR b group. R b is the same as described above.

式(2a)〜(2e)で表される化合物には、それぞれ立体異性体が存在しうるが、それらは単独で又は2種以上の混合物として使用できる。   In the compounds represented by the formulas (2a) to (2e), stereoisomers may exist, but they can be used alone or as a mixture of two or more.

式(2a)で表される化合物の代表的な例として下記化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
[2-1]1−(メタ)アクリロイルオキシ−4−オキサトリシクロ[4.3.1.13,8]ウンデカン−5−オン(R=H又はCH3、R8=R9=R10=H、V2=−CO−O−(左側がR9の結合している炭素原子側)、V1=V3=−CH2−)
[2-2]1−(メタ)アクリロイルオキシ−4,7−ジオキサトリシクロ[4.4.1.13,9]ドデカン−5,8−ジオン(R=H又はCH3、R8=R9=R10=H、V1=−CO−O−(左側がR8の結合している炭素原子側)、V2=−CO−O−(左側がR9の結合している炭素原子側)、V3=−CH2−)
[2-3]1−(メタ)アクリロイルオキシ−4,8−ジオキサトリシクロ[4.4.1.13,9]ドデカン−5,7−ジオン(R=H又はCH3、R8=R9=R10=H、V1=−O−CO−(左側がR8の結合している炭素原子側)、V2=−CO−O−(左側がR9の結合している炭素原子側)、V3=−CH2−)
[2-4]1−(メタ)アクリロイルオキシ−5,7−ジオキサトリシクロ[4.4.1.13,9]ドデカン−4,8−ジオン(R=H又はCH3、R8=R9=R10=H、V1=−CO−O−(左側がR8の結合している炭素原子側)、V2=−O−CO−(左側がR9の結合している炭素原子側)、V3=−CH2−)
[2-5]1−(メタ)アクリロイルオキシ−3−ヒドロキシアダマンタン(R=H又はCH3、R8=OH、R9=R10=H、V1=V2=V3=−CH2−)
[2-6]1−(メタ)アクリロイルオキシ−3,5−ジヒドロキシアダマンタン(R=H又はCH3、R8=R9=OH、R10=H、V1=V2=V3=−CH2−)
[2-7]1−(メタ)アクリロイルオキシ−3,5,7−トリヒドロキシアダマンタン(R=H又はCH3、R8=R9=R10=OH、V1=V2=V3=−CH2−)
[2-8]1−(メタ)アクリロイルオキシ−3−ヒドロキシ−5,7−ジメチルアダマンタン(R=H又はCH3、R8=OH、R9=R10=CH3、V1=V2=V3=−CH2−)
[2-9]1−(メタ)アクリロイルオキシ−3−カルボキシアダマンタン(R=H又はCH3、R8=COOH、R9=R10=H、V1=V2=V3=−CH2−)
Although the following compound is mentioned as a typical example of a compound represented by Formula (2a), It is not limited to these.
[2-1] 1- (Meth) acryloyloxy-4-oxatricyclo [4.3.1.1 3,8 ] undecan-5-one (R = H or CH 3 , R 8 = R 9 = R 10 = H, V 2 = —CO—O— (the carbon atom side to which R 9 is bonded on the left side), V 1 = V 3 = —CH 2 —)
[2-2] 1- (Meth) acryloyloxy-4,7-dioxatricyclo [4.4.1.1 3,9 ] dodecane-5,8-dione (R = H or CH 3 , R 8 = R 9 = R 10 = H , V 1 = -CO-O- ( left bonded to the carbon atom side of the R 8), V 2 = -CO -O- ( left is bonded to R 9 Carbon atom side), V 3 = -CH 2- )
[2-3] 1- (Meth) acryloyloxy-4,8-dioxatricyclo [4.4.1.1 3,9 ] dodecane-5,7-dione (R = H or CH 3 , R 8 = R 9 = R 10 = H , V 1 = -O-CO- ( left bonded to that carbon atom side of the R 8), V 2 = -CO -O- ( left is bonded to R 9 Carbon atom side), V 3 = -CH 2- )
[2-4] 1- (Meth) acryloyloxy-5,7-dioxatricyclo [4.4.1.1 3,9 ] dodecane-4,8-dione (R = H or CH 3 , R 8 = R 9 = R 10 = H , V 1 = -CO-O- ( carbon atoms side the left is attached to R 8), V 2 = -O -CO- ( left is bonded to R 9 Carbon atom side), V 3 = -CH 2- )
[2-5] 1- (meth) acryloyloxy-3-hydroxyadamantane (R = H or CH 3, R 8 = OH, R 9 = R 10 = H, V 1 = V 2 = V 3 = -CH 2 −)
[2-6] 1- (meth) acryloyloxy-3,5-dihydroxyadamantane (R = H or CH 3, R 8 = R 9 = OH, R 10 = H, V 1 = V 2 = V 3 = - CH 2 −)
[2-7] 1- (Meth) acryloyloxy-3,5,7-trihydroxyadamantane (R = H or CH 3 , R 8 = R 9 = R 10 = OH, V 1 = V 2 = V 3 = —CH 2 —)
[2-8] 1- (meth) acryloyloxy-3-hydroxy-5,7-dimethyl adamantane (R = H or CH 3, R 8 = OH, R 9 = R 10 = CH 3, V 1 = V 2 = V 3 = -CH 2- )
[2-9] 1- (meth) acryloyloxy-3-carboxyadamantane (R = H or CH 3 , R 8 = COOH, R 9 = R 10 = H, V 1 = V 2 = V 3 = -CH 2 −)

上記式(2a)で表される化合物は、対応する環式アルコール誘導体と(メタ)アクリル酸又はその反応性誘導体とを、酸触媒やエステル交換触媒、塩基等を用いた慣用のエステル化法に従って反応させることにより得ることができる。   The compound represented by the above formula (2a) is obtained by subjecting a corresponding cyclic alcohol derivative and (meth) acrylic acid or a reactive derivative thereof to a conventional esterification method using an acid catalyst, a transesterification catalyst, a base or the like. It can be obtained by reacting.

式(2b)で表される化合物の代表的な例として下記化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
[2-10]5−(メタ)アクリロイルオキシ−3−オキサトリシクロ[4.2.1.04,8]ノナン−2−オン(=5−(メタ)アクリロイルオキシ−2,6−ノルボルナンカルボラクトン)(R=H又はCH3、R11=R12=R13=R14=R15=H)
[2-11]5−(メタ)アクリロイルオキシ−5−メチル−3−オキサトリシクロ[4.2.1.04,8]ノナン−2−オン(R=H又はCH3、R11=CH3、R12=R13=R14=R15=H)
[2-12]5−(メタ)アクリロイルオキシ−1−メチル−3−オキサトリシクロ[4.2.1.04,8]ノナン−2−オン(R=H又はCH3、R12=CH3、R11=R13=R14=R15=H)
[2-13]5−(メタ)アクリロイルオキシ−9−メチル−3−オキサトリシクロ[4.2.1.04,8]ノナン−2−オン(R=H又はCH3、R13=CH3、R11=R12=R14=R15=H)
[2-14]5−(メタ)アクリロイルオキシ−9−カルボキシ−3−オキサトリシクロ[4.2.1.04,8]ノナン−2−オン(R=H又はCH3、R11=R12=R14=R15=H、R13=COOH)
[2-15]5−(メタ)アクリロイルオキシ−9−メトキシカルボニル−3−オキサトリシクロ[4.2.1.04,8]ノナン−2−オン(R=H又はCH3、R11=R12=R14=R15=H、R13=メトキシカルボニル基)
[2-16]5−(メタ)アクリロイルオキシ−9−エトキシカルボニル−3−オキサトリシクロ[4.2.1.04,8]ノナン−2−オン(R=H又はCH3、R11=R12=R14=R15=H、R13=エトキシカルボニル基)
[2-17]5−(メタ)アクリロイルオキシ−9−t−ブトキシカルボニル−3−オキサトリシクロ[4.2.1.04,8]ノナン−2−オン(R=H又はCH3、R11=R12=R14=R15=H、R13=t−ブトキシカルボニル基)
Typical examples of the compound represented by the formula (2b) include the following compounds, but are not limited thereto.
[2-10] 5- (meth) acryloyloxy-3-oxatricyclo [4.2.1.0 4, 8] nonane-2-one (= 5- (meth) acryloyloxy-2,6-norbornane (Carbolactone) (R = H or CH 3 , R 11 = R 12 = R 13 = R 14 = R 15 = H)
[2-11] 5- (Meth) acryloyloxy-5-methyl-3-oxatricyclo [4.2.1.0 4,8 ] nonan-2-one (R = H or CH 3 , R 11 = CH 3 , R 12 = R 13 = R 14 = R 15 = H)
[2-12] 5- (meth) acryloyloxy-1-methyl-3-oxatricyclo [4.2.1.0 4,8 ] nonan-2-one (R = H or CH 3 , R 12 = CH 3 , R 11 = R 13 = R 14 = R 15 = H)
[2-13] 5- (Meth) acryloyloxy-9-methyl-3-oxatricyclo [4.2.1.0 4,8 ] nonan-2-one (R = H or CH 3 , R 13 = CH 3 , R 11 = R 12 = R 14 = R 15 = H)
[2-14] 5- (Meth) acryloyloxy-9-carboxy-3-oxatricyclo [4.2.1.0 4,8 ] nonan-2-one (R = H or CH 3 , R 11 = R 12 = R 14 = R 15 = H, R 13 = COOH)
[2-15] 5- (meth) acryloyloxy-9-methoxycarbonyl-3-oxa-tricyclo [4.2.1.0 4, 8] nonan-2-(R = H or CH 3, R 11 = R 12 = R 14 = R 15 = H, R 13 = methoxy group)
[2-16] 5- (Meth) acryloyloxy-9-ethoxycarbonyl-3-oxatricyclo [4.2.1.0 4,8 ] nonan-2-one (R = H or CH 3 , R 11 = R 12 = R 14 = R 15 = H, R 13 = ethoxycarbonyl group)
[2-17] 5- (meth) acryloyloxy-9-t-butoxycarbonyl-3-oxatricyclo [4.2.1.0 4,8 ] nonan-2-one (R = H or CH 3 , R 11 = R 12 = R 14 = R 15 = H, R 13 = t-butoxycarbonyl group)

上記式(2b)で表される化合物は、対応する環式アルコール誘導体と(メタ)アクリル酸又はその反応性誘導体とを、酸触媒やエステル交換触媒、塩基等を用いた慣用のエステル化法に従って、反応させることにより得ることができる。なお、その際に原料として用いる環式アルコール誘導体は、例えば、対応する5−ノルボルネン−2−カルボン酸誘導体又はそのエステルを過酸(過酢酸、m−クロロ過安息香酸など)又は過酸化物(過酸化水素、過酸化水素+酸化タングステンやタングステン酸などの金属化合物)と反応(エポキシ化及び環化反応)させることにより得ることができる。   The compound represented by the above formula (2b) is obtained by subjecting a corresponding cyclic alcohol derivative and (meth) acrylic acid or a reactive derivative thereof to a conventional esterification method using an acid catalyst, a transesterification catalyst, a base or the like. Can be obtained by reaction. In addition, the cyclic alcohol derivative used as a raw material in that case is, for example, a corresponding 5-norbornene-2-carboxylic acid derivative or an ester thereof peracid (peracetic acid, m-chloroperbenzoic acid, etc.) or peroxide ( It can be obtained by reaction (epoxidation and cyclization reaction) with hydrogen peroxide, hydrogen peroxide + metal compound such as tungsten oxide or tungstic acid).

式(2c)で表される化合物の代表的な例として下記化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
[2-18]8−(メタ)アクリロイルオキシ−4−オキサトリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−5−オン(R=H又はCH3
[2-19]9−(メタ)アクリロイルオキシ−4−オキサトリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−5−オン(R=H又はCH3
Typical examples of the compound represented by the formula (2c) include the following compounds, but are not limited thereto.
[2-18] 8- (Meth) acryloyloxy-4-oxatricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decan-5-one (R = H or CH 3 )
[2-19] 9- (Meth) acryloyloxy-4-oxatricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decan-5-one (R = H or CH 3 )

上記式(2c)で表される化合物は、対応する環式アルコール誘導体と(メタ)アクリル酸又はその反応性誘導体とを、酸触媒やエステル交換触媒、塩基等を用いた慣用のエステル化法に従って反応させることにより得ることができる。   The compound represented by the above formula (2c) is obtained by subjecting a corresponding cyclic alcohol derivative and (meth) acrylic acid or a reactive derivative thereof to a conventional esterification method using an acid catalyst, a transesterification catalyst, a base or the like. It can be obtained by reacting.

式(2d)で表される化合物の代表的な例として下記化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
[2-20]4−(メタ)アクリロイルオキシ−6−オキサビシクロ[3.2.1]オクタン−7−オン(R=H又はCH3、R16=R17=R18=R19=R20=R21=R22=R23=R24=H)
[2-21]4−(メタ)アクリロイルオキシ−4−メチル−6−オキサビシクロ[3.2.1]オクタン−7−オン(R=H又はCH3、R17=R18=R19=R20=R21=R22=R23=R24=H、R16=CH3
[2-22]4−(メタ)アクリロイルオキシ−5−メチル−6−オキサビシクロ[3.2.1]オクタン−7−オン(R=H又はCH3、R16=R18=R19=R20=R21=R22=R23=R24=H、R17=CH3
[2-23]4−(メタ)アクリロイルオキシ−4,5−ジメチル−6−オキサビシクロ[3.2.1]オクタン−7−オン(R=H又はCH3、R18=R19=R20=R21=R22=R23=R24=H、R16=R17=CH3
Typical examples of the compound represented by the formula (2d) include the following compounds, but are not limited thereto.
[2-20] 4- (Meth) acryloyloxy-6-oxabicyclo [3.2.1] octane-7-one (R = H or CH 3 , R 16 = R 17 = R 18 = R 19 = R 20 = R 21 = R 22 = R 23 = R 24 = H)
[2-21] 4- (meth) acryloyloxy-4-methyl-6-oxabicyclo [3.2.1] octan-7-one (R = H or CH 3, R 17 = R 18 = R 19 = R 20 = R 21 = R 22 = R 23 = R 24 = H, R 16 = CH 3 )
[2-22] 4- (Meth) acryloyloxy-5-methyl-6-oxabicyclo [3.2.1] octane-7-one (R = H or CH 3 , R 16 = R 18 = R 19 = R 20 = R 21 = R 22 = R 23 = R 24 = H, R 17 = CH 3 )
[2-23] 4- (Meth) acryloyloxy-4,5-dimethyl-6-oxabicyclo [3.2.1] octane-7-one (R = H or CH 3 , R 18 = R 19 = R 20 = R 21 = R 22 = R 23 = R 24 = H, R 16 = R 17 = CH 3)

式(2e)で表される化合物の代表的な例として下記化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
[2-24]6−(メタ)アクリロイルオキシ−2−オキサビシクロ[2.2.2]オクタン−3−オン(R=H又はCH3、R25=R26=R27=R28=R29=R30=R31=R32=R33=H)
[2-25]6−(メタ)アクリロイルオキシ−6−メチル−2−オキサビシクロ[2.2.2]オクタン−3−オン(R=H又はCH3、R25=R27=R28=R29=R30=R31=R32=R33=H、R26=CH3
[2-26]6−(メタ)アクリロイルオキシ−1−メチル−2−オキサビシクロ[2.2.2]オクタン−3−オン(R=H又はCH3、R26=R27=R28=R29=R30=R31=R32=R33=H、R25=CH3
[2-27]6−(メタ)アクリロイルオキシ−1,6−ジメチル−2−オキサビシクロ[2.2.2]オクタン−3−オン(R=H又はCH3、R27=R28=R29=R30=R31=R32=R33=H、R25=R26=CH3
Typical examples of the compound represented by the formula (2e) include the following compounds, but are not limited thereto.
[2-24] 6- (Meth) acryloyloxy-2-oxabicyclo [2.2.2] octane-3-one (R = H or CH 3 , R 25 = R 26 = R 27 = R 28 = R 29 = R 30 = R 31 = R 32 = R 33 = H)
[2-25] 6- (Meth) acryloyloxy-6-methyl-2-oxabicyclo [2.2.2] octane-3-one (R = H or CH 3 , R 25 = R 27 = R 28 = R 29 = R 30 = R 31 = R 32 = R 33 = H, R 26 = CH 3 )
[2-26] 6- (meth) acryloyloxy-1-methyl-2-oxabicyclo [2.2.2] octan-3-one (R = H or CH 3, R 26 = R 27 = R 28 = R 29 = R 30 = R 31 = R 32 = R 33 = H, R 25 = CH 3 )
[2-27] 6- (Meth) acryloyloxy-1,6-dimethyl-2-oxabicyclo [2.2.2] octane-3-one (R = H or CH 3 , R 27 = R 28 = R 29 = R 30 = R 31 = R 32 = R 33 = H, R 25 = R 26 = CH 3)

上記式(2d)及び(2e)で表される化合物は、対応する環式アルコール誘導体と(メタ)アクリル酸又はその反応性誘導体とを、酸触媒やエステル交換触媒、塩基等を用いた慣用のエステル化法に従って反応させることにより得ることができる。   The compounds represented by the above formulas (2d) and (2e) are prepared by combining a corresponding cyclic alcohol derivative with (meth) acrylic acid or a reactive derivative thereof using an acid catalyst, a transesterification catalyst, a base or the like. It can be obtained by reacting according to an esterification method.

本発明では、得られる樹脂のアルカリ可溶性(酸脱離性)、基板密着性、ドライエッチング耐性、レジスト溶剤への溶解性などの特性を損なわない範囲で、前記単量体a及びb以外の単量体をコモノマーとして用いてもよい。このような単量体としては、単量体a及び単量体bと共重合可能な単量体であって、且つレジスト特性を損なわないようなものであれば特に限定されない。例えば、(メタ)アクリル酸又はその誘導体、マレイン酸又はその誘導体、フマル酸又はその誘導体、環状オレフィン類などが挙げられる。前記(メタ)アクリル酸又はその誘導体としては、例えば、α−(メタ)アクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン、α−(メタ)アクリロイルオキシ−α−メチル−γ−ブチロラクトン、α−(メタ)アクリロイルオキシ−γ,γ−ジメチル−γ−ブチロラクトン等の、ラクトン環(γ−ブチロラクトン環、δ−バレロラクトン環など)を有する(メタ)アクリル酸エステルなどが挙げられる。このラクトン環を有する(メタ)アクリル酸エステルは、ポリマーに基板密着性を付与しうる。   In the present invention, a simple substance other than the monomers a and b is used as long as it does not impair properties such as alkali solubility (acid detachability), substrate adhesion, dry etching resistance, and solubility in a resist solvent of the obtained resin. A monomer may be used as a comonomer. Such a monomer is not particularly limited as long as it is a monomer copolymerizable with monomer a and monomer b and does not impair the resist characteristics. Examples thereof include (meth) acrylic acid or a derivative thereof, maleic acid or a derivative thereof, fumaric acid or a derivative thereof, and cyclic olefins. Examples of the (meth) acrylic acid or derivatives thereof include α- (meth) acryloyloxy-γ-butyrolactone, α- (meth) acryloyloxy-α-methyl-γ-butyrolactone, α- (meth) acryloyloxy- and (meth) acrylic acid esters having a lactone ring (γ-butyrolactone ring, δ-valerolactone ring, etc.) such as γ, γ-dimethyl-γ-butyrolactone. The (meth) acrylic acid ester having this lactone ring can impart substrate adhesion to the polymer.

単量体aの使用量は、単量体総量に対して、例えば5〜90モル%、好ましくは10〜80モル%、さらに好ましくは20〜70モル%である。単量体aの使用量が5モル%未満の場合には、得られる樹脂をフォトレジスト用樹脂として用いた場合、アルカリ現像の際のレジスト膜の溶解性が不十分となり、解像度が低下し、微細なパターンを精度よく形成することが困難となる。また、単量体aの使用量が90モル%を超える場合には、得られる樹脂をフォトレジスト用樹脂として用いた場合、基板密着性やドライエッチング耐性が低下し、現像によりパターンが剥がれて残らないという問題が起こりやすい。   The usage-amount of the monomer a is 5-90 mol% with respect to the monomer total amount, Preferably it is 10-80 mol%, More preferably, it is 20-70 mol%. When the amount of monomer a used is less than 5 mol%, when the obtained resin is used as a resin for photoresist, the solubility of the resist film during alkali development becomes insufficient, and the resolution is lowered. It becomes difficult to form a fine pattern with high accuracy. In addition, when the amount of the monomer a used exceeds 90 mol%, when the obtained resin is used as a resin for a photoresist, the substrate adhesion and dry etching resistance are reduced, and the pattern is peeled off by development. The problem of not being easy to occur.

単量体bの使用量は、例えば10〜95モル%、好ましくは20〜90モル%、さらに好ましくは30〜80モル%である。単量体bの使用量が10モル%未満の場合には、樹脂をフォトレジスト用樹脂として用いた場合に基板密着性やドライエッチング耐性が低下しやすくなり、95モル%を超えるとアルカリ可溶性単位の導入量が少なくなることから、アルカリ現像の際のレジスト膜の溶解性が不十分になりやすい。単量体bとして単量体b1と単量体b2とを組み合わせる場合、両者の割合は特に限定されないが、一般には前者/後者(モル比)=5/95〜95/5、好ましくは10/90〜90/10、さらに好ましくは30/70〜70/30程度である。   The usage-amount of the monomer b is 10-95 mol%, for example, Preferably it is 20-90 mol%, More preferably, it is 30-80 mol%. When the amount of the monomer b used is less than 10 mol%, the substrate adhesion and dry etching resistance are liable to decrease when the resin is used as a photoresist resin. Therefore, the solubility of the resist film during alkali development tends to be insufficient. When the monomer b1 and the monomer b2 are combined as the monomer b, the ratio of the two is not particularly limited, but generally the former / the latter (molar ratio) = 5/95 to 95/5, preferably 10 / It is about 90 to 90/10, more preferably about 30/70 to 70/30.

滴下重合は、具体的には、例えば、(i)予め単量体を有機溶媒に溶解した単量体溶液と、重合開始剤を有機溶媒に溶解した重合開始剤溶液とをそれぞれ調製し、一定温度に保持した有機溶媒中に前記単量体溶液と重合開始剤溶液とを別個の容器から各々独立に滴下する方法、(ii)単量体と重合開始剤とを有機溶媒に溶解した混合溶液を、一定温度に保持した有機溶媒中に滴下する方法、(iii)予め単量体を有機溶媒に溶解した単量体溶液と、有機溶媒に溶解した重合開始剤溶液とをそれぞれ調製し、一定温度に保持した前記単量体溶液中に重合開始剤溶液を滴下する方法などの方法により行われる。なかでも上記(i)又は(ii)の方法が好ましい。   Specifically, for example, (i) a monomer solution in which a monomer is previously dissolved in an organic solvent and a polymerization initiator solution in which a polymerization initiator is dissolved in an organic solvent are prepared, respectively. A method in which the monomer solution and the polymerization initiator solution are separately dropped from separate containers in an organic solvent maintained at a temperature; and (ii) a mixed solution in which the monomer and the polymerization initiator are dissolved in an organic solvent. (Iii) a monomer solution in which a monomer is previously dissolved in an organic solvent and a polymerization initiator solution in which the monomer is dissolved in an organic solvent. It is carried out by a method such as a method of dropping a polymerization initiator solution into the monomer solution maintained at a temperature. Of these, the method (i) or (ii) is preferred.

重合溶媒としては、例えば、グリコール系溶媒、エステル系溶媒、ケトン系溶媒、エーテル系溶媒、アミド系溶媒、スルホキシド系溶媒、1価アルコール系溶媒、炭化水素系溶媒、これらの混合溶媒などが挙げられる。グリコール系溶媒には、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなどのプロピレングリコール系溶媒;エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテートなどのエチレングリコール系溶媒などが含まれる。エステル系溶媒には、乳酸エチルなどの乳酸エステル系溶媒;3−メトキシプロピオン酸メチルなどのプロピオン酸エステル系溶媒;酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチルなどの酢酸エステル系溶媒などが挙げられる。ケトン系溶媒には、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチルアミルケトン、シクロヘキサノンなどが含まれる。エーテル系溶媒には、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどが含まれる。アミド系溶媒には、N,N−ジメチルホルムアミドなどが含まれる。スルホキシド系溶媒には、ジメチルスルホキシドなどが含まれる。1価アルコール系溶媒には、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどが含まれる。炭化水素系溶媒には、トルエン、キシレン、ヘキサン、シクロヘキサンなどが含まれる。   Examples of the polymerization solvent include glycol solvents, ester solvents, ketone solvents, ether solvents, amide solvents, sulfoxide solvents, monohydric alcohol solvents, hydrocarbon solvents, and mixed solvents thereof. . Examples of glycol solvents include propylene glycol solvents such as propylene glycol monomethyl ether and propylene glycol monomethyl ether acetate; ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether acetate, ethylene Ethylene glycol solvents such as glycol monobutyl ether and ethylene glycol monobutyl ether acetate are included. Examples of ester solvents include lactic acid ester solvents such as ethyl lactate; propionate solvents such as methyl 3-methoxypropionate; acetate solvents such as methyl acetate, ethyl acetate, propyl acetate, and butyl acetate. . Ketone solvents include acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, methyl amyl ketone, cyclohexanone, and the like. The ether solvent includes diethyl ether, diisopropyl ether, dibutyl ether, tetrahydrofuran, dioxane and the like. The amide solvent includes N, N-dimethylformamide and the like. Examples of the sulfoxide solvent include dimethyl sulfoxide. The monohydric alcohol solvent includes methanol, ethanol, propanol, butanol and the like. Hydrocarbon solvents include toluene, xylene, hexane, cyclohexane and the like.

好ましい重合溶媒には、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなどのグリコール系溶媒、乳酸エチルなどのエステル系溶媒、メチルイソブチルケトン、メチルアミルケトンなどのケトン系溶媒及びこれらの混合溶媒が含まれる。特に、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート単独溶媒、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートとプロピレングリコールモノメチルエーテルとの混合溶媒、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートと乳酸エチルとの混合溶媒などの、少なくともプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを含む溶媒が好ましい。   Preferred polymerization solvents include glycol solvents such as propylene glycol monomethyl ether and propylene glycol monomethyl ether acetate, ester solvents such as ethyl lactate, ketone solvents such as methyl isobutyl ketone and methyl amyl ketone, and mixed solvents thereof. . In particular, a solvent containing at least propylene glycol monomethyl ether acetate, such as a propylene glycol monomethyl ether acetate single solvent, a mixed solvent of propylene glycol monomethyl ether acetate and propylene glycol monomethyl ether, a mixed solvent of propylene glycol monomethyl ether acetate and ethyl lactate, etc. preferable.

重合開始剤としては特に限定されず、例えば、アゾ系、パーオキシジカーボネート系、パーオキシエステル系、ジアシルパーオキサイド系、ハイドロパーオキサイド系、ジアルキルパーオキサイド系、パーオキシケタール系、ケトンパーオキサイド系等の何れの重合開始剤も使用できる。これらのなかでもアゾ系重合開始剤が特に好ましい。アゾ系重合開始剤としては、例えば、アゾビスイソブチロニトリル、ジメチル2,2′−アゾビス(2−メチルプロピオネート)、ジエチル2,2′−アゾビス(2−メチルプロピオネート)、ジブチル2,2′−アゾビス(2−メチルプロピオネート)、2,2′−アゾビスジメチルバレロニトリルなどが挙げられる。   The polymerization initiator is not particularly limited. For example, azo, peroxydicarbonate, peroxyester, diacyl peroxide, hydroperoxide, dialkyl peroxide, peroxyketal, ketone peroxide Any polymerization initiator such as can be used. Among these, azo polymerization initiators are particularly preferable. Examples of the azo polymerization initiator include azobisisobutyronitrile, dimethyl 2,2'-azobis (2-methylpropionate), diethyl 2,2'-azobis (2-methylpropionate), and dibutyl. Examples include 2,2'-azobis (2-methylpropionate) and 2,2'-azobisdimethylvaleronitrile.

重合開始剤の使用量は、所望の重量平均分子量を有するポリマーを得るために必要な量であればよく、例えば、単量体混合物1モルに対して、0.001〜1モル、好ましくは0.01〜0.1モル程度である。   The amount of the polymerization initiator used may be an amount necessary for obtaining a polymer having a desired weight average molecular weight, for example, 0.001 to 1 mol, preferably 0 to 1 mol of the monomer mixture. About 0.01 to 0.1 mol.

滴下重合において、予め仕込まれる溶媒(又は溶液)の量と滴下する溶液(単量体溶液、重合開始剤溶液)の総量との比率は、生産性や経済性、作業性、操作性等を考慮しつつ、樹脂の品質を損なわない範囲で適宜設定できるが、一般には、前者/後者(重量比)=5/95〜90/10、好ましくは10/90〜70/30、さらに好ましくは20/80〜60/40の範囲である。使用する重合溶媒の総量(予め仕込まれる溶媒又は溶液中の溶媒の量+滴下する溶液中の溶媒の量)は、作業性、操作性、反応効率、生成するポリマーの溶解性等を考慮して適宜選択できるが、単量体の総量100重量部に対して、一般には100〜2000重量部、好ましくは200〜1000重量部、さらに好ましくは300〜800重量部程度である。   In the drop polymerization, the ratio of the amount of the solvent (or solution) charged in advance and the total amount of the dropped solution (monomer solution, polymerization initiator solution) takes into consideration productivity, economy, workability, operability, etc. However, it can be appropriately set within the range not impairing the quality of the resin. Generally, the former / the latter (weight ratio) = 5/95 to 90/10, preferably 10/90 to 70/30, more preferably 20 /. It is in the range of 80-60 / 40. The total amount of the polymerization solvent to be used (the amount of the solvent charged in advance or the amount of the solvent in the solution + the amount of the solvent in the solution to be dropped) takes into consideration the workability, operability, reaction efficiency, solubility of the polymer to be produced, etc. Although it can select suitably, generally it is 100-2000 weight part with respect to the total amount of a monomer of 100 weight part, Preferably it is 200-1000 weight part, More preferably, it is about 300-800 weight part.

本発明の重要な特徴は、重合系に滴下すべき溶液を重合容器の器壁に伝わらせることなく直接重合系に導入することにある。このような方法を採用することにより、レジスト用溶剤に溶解しない不溶分(濁り)の生成を顕著に抑制でき、ポリマーをレジスト用溶剤に溶解した溶液を短時間で濾過することが可能となる。従って、レジスト組成物の調製も効率よく行うことができる。また、生成ポリマーの分子量や単量体組成の均一性に優れるため、半導体製造において、所望のパターンを精度よく得ることができる。上記のような作用効果が奏される理由は必ずしも明らかではないが、重合系に滴下すべき溶液を重合容器の器壁に伝わらせて重合系に供給する際、一般的な重合容器(特に工業生産で用いる重合容器)では、溶液供給ラインが重合容器上方の開口部にフランジ等で接合されていることから、供給溶液は通常重合溶液の器壁を伝って反応液に達するため、重合容器の器壁に近い場所ではモノマーが拡散しにくく滞留して、モノマー濃度が他の場所と比較して高くなり、その結果ポリマーの分子量やモノマー組成の均一性が低下するのに対し、重合系に滴下すべき溶液を重合容器の器壁に伝わらせることなく直接重合系に導入する場合には、局所的にモノマー濃度が高くなることがなく、重合反応が系全体で均一に進行するためと推測される。なお、分子量40000を超えるポリマーの含有量が多い場合には、レジスト溶剤に溶解させる際に不溶分(濁り)が生じやすい。   An important feature of the present invention is that the solution to be dripped into the polymerization system is directly introduced into the polymerization system without being transmitted to the wall of the polymerization vessel. By adopting such a method, it is possible to remarkably suppress the generation of insoluble matter (turbidity) that does not dissolve in the resist solvent, and it is possible to filter the solution in which the polymer is dissolved in the resist solvent in a short time. Therefore, the resist composition can be prepared efficiently. Further, since the molecular weight of the produced polymer and the uniformity of the monomer composition are excellent, a desired pattern can be obtained with high precision in semiconductor manufacturing. The reason why the above-described effects are achieved is not necessarily clear, but when a solution to be dripped into the polymerization system is transmitted to the polymerization vessel wall and supplied to the polymerization system, a general polymerization container (especially industrial In the polymerization vessel used in production), since the solution supply line is joined to the opening above the polymerization vessel with a flange or the like, the supply solution usually reaches the reaction solution through the wall of the polymerization solution. The monomer stays hard to diffuse near the vessel wall, and the monomer concentration becomes higher compared to other places. As a result, the molecular weight of the polymer and the uniformity of the monomer composition are reduced. When the solution to be introduced is introduced directly into the polymerization system without being transmitted to the vessel wall of the polymerization vessel, it is assumed that the monomer concentration does not increase locally and the polymerization reaction proceeds uniformly throughout the system. The In addition, when there is much content of the polymer exceeding molecular weight 40000, it is easy to produce an insoluble part (turbidity) when making it melt | dissolve in a resist solvent.

本発明の製造方法では、前記(i)の場合には、単量体溶液と重合開始剤溶液のうち少なくとも一方(好ましくは、少なくとも単量体溶液)を直接重合系に滴下する。また、前記(ii)の場合には、単量体と重合開始剤とを有機溶媒に溶解した混合溶液を直接重合系に滴下する。前記(iii)の場合には、重合開始剤溶液を直接重合系に滴下する。   In the production method of the present invention, in the case of (i), at least one (preferably at least the monomer solution) of the monomer solution and the polymerization initiator solution is directly dropped into the polymerization system. In the case of (ii), a mixed solution in which a monomer and a polymerization initiator are dissolved in an organic solvent is directly added dropwise to the polymerization system. In the case of (iii), the polymerization initiator solution is directly dropped into the polymerization system.

重合系に滴下すべき溶液を重合容器の器壁に伝わらせることなく直接重合系に導入する手段としては、例えば、重合系に滴下すべき溶液の供給ラインの先端に重合系液面に向かって延びるノズルを設け、重合系に滴下すべき溶液を該ノズルを通して、重合容器の器壁に伝わらせることなく直接重合系に導入することなどが挙げられる。このノズルの先端は、重合溶液(反応液)中に挿入された状態であってもよいが、重合溶液の液面(特に滴下終了時の液面)より上に位置するように設置するのがより好ましい。   As a means for introducing the solution to be dripped into the polymerization system directly into the polymerization system without being transmitted to the vessel wall of the polymerization vessel, for example, toward the polymerization system liquid level at the tip of the supply line of the solution to be dripped into the polymerization system For example, an extended nozzle is provided, and the solution to be dripped into the polymerization system is directly introduced into the polymerization system through the nozzle without being transmitted to the wall of the polymerization vessel. The tip of this nozzle may be inserted into the polymerization solution (reaction liquid), but it should be placed so that it is located above the liquid level of the polymerization solution (particularly the liquid level at the end of dropping). More preferred.

単量体溶液又は重合開始剤溶液の全滴下時間は、重合温度及び単量体の種類等によって異なるが、一般には1〜24時間、好ましくは2〜12時間、さらに好ましくは3〜8時間程度である。重合温度(滴下時の反応液温度)は、通常50〜150℃であり、好ましくは60〜130℃である。重合温度が50℃未満の場合は重合時間が長くなり経済的でない。重合温度が130℃を超えると連鎖移動反応が顕著になり、分子量の低下につながる。   The total dropping time of the monomer solution or the polymerization initiator solution varies depending on the polymerization temperature and the kind of the monomer, but is generally 1 to 24 hours, preferably 2 to 12 hours, more preferably about 3 to 8 hours. It is. The polymerization temperature (reaction liquid temperature at the time of dropping) is usually from 50 to 150 ° C, preferably from 60 to 130 ° C. When the polymerization temperature is less than 50 ° C., the polymerization time becomes long and it is not economical. When the polymerization temperature exceeds 130 ° C., the chain transfer reaction becomes remarkable, leading to a decrease in molecular weight.

単量体溶液及び重合開始剤溶液の滴下終了後、適宜な時間(例えば0.1〜10時間、好ましくは1〜6時間、さらに好ましくは1〜4時間程度)、適宜な温度(例えば60〜130℃)下で熟成してもよい。   After completion of dropping of the monomer solution and the polymerization initiator solution, an appropriate time (for example, 0.1 to 10 hours, preferably 1 to 6 hours, more preferably about 1 to 4 hours), an appropriate temperature (for example, 60 to Aging at 130 ° C.).

重合により、単量体aに対応する繰り返し単位及び単量体bに対応する繰り返し単位を少なくとも含有するフォトレジスト用高分子化合物が生成する。生成ポリマーの重量平均分子量(Mw)は、例えば2000〜20000の範囲であり、好ましくは4000〜17000、さらに好ましくは6000〜15000である。分子量分布(Mw/Mn)は、例えば1.1〜3.5、好ましくは1.5〜3.0程度である。Mnはポリマーの数平均分子量を示す。Mw、Mnともにポリスチレン換算の値である。ポリマーの重量平均分子量、分子量分布はGPC法により求めることができる。   Polymerization produces a photoresist polymer compound containing at least a repeating unit corresponding to the monomer a and a repeating unit corresponding to the monomer b. The weight average molecular weight (Mw) of the produced polymer is, for example, in the range of 2000 to 20000, preferably 4000 to 17000, and more preferably 6000 to 15000. The molecular weight distribution (Mw / Mn) is, for example, about 1.1 to 3.5, preferably about 1.5 to 3.0. Mn represents the number average molecular weight of the polymer. Both Mw and Mn are values in terms of polystyrene. The weight average molecular weight and molecular weight distribution of the polymer can be determined by the GPC method.

前記式(1a)〜(1d)で表される単量体に対応する繰り返し単位は、それぞれ下記式(Ia)〜(Id)で表される。式中の各符号は前記式(1a)〜(1d)と同様である。また、前記式(2a)〜(2e)で表される単量体に対応する繰り返し単位は、それぞれ下記式(IIa)〜(IIe)で表される。式中の各符号は前記式(2a)〜(2e)と同様である。   The repeating units corresponding to the monomers represented by the formulas (1a) to (1d) are represented by the following formulas (Ia) to (Id), respectively. Each code | symbol in a type | formula is the same as that of said Formula (1a)-(1d). The repeating units corresponding to the monomers represented by the formulas (2a) to (2e) are represented by the following formulas (IIa) to (IIe), respectively. Each symbol in the formula is the same as that in the formulas (2a) to (2e).

Figure 2007045922
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Figure 2007045922
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本発明の製造方法は、フォトレジスト用高分子化合物を工業的生産スケールで製造する場合、例えば、製造するポリマーの量が10kg以上(特に20kg以上)のバッチ式重合反応によりフォトレジスト用高分子化合物を製造する場合に特に有用である。   In the production method of the present invention, when producing a photoresist polymer compound on an industrial production scale, for example, the polymer compound for photoresist is produced by a batch polymerization reaction in which the amount of the polymer to be produced is 10 kg or more (particularly 20 kg or more). It is particularly useful when manufacturing.

重合により得られたポリマーは沈殿又は再沈殿により単離できる。例えば、重合溶液(ポリマードープ)を溶媒(沈殿溶媒)中に添加してポリマーを沈殿させるか、又は該ポリマーを再度適当な溶媒に溶解させ、この溶液を溶媒(再沈殿溶媒)中に添加して再沈殿させることにより目的のポリマーを得ることができる。沈殿又は再沈殿溶媒は有機溶媒及び水の何れであってもよく、また混合溶媒であってもよい。沈殿又は再沈殿溶媒として用いる有機溶媒として、例えば、炭化水素(ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタンなどの脂肪族炭化水素;シクロヘキサン、メチルシクロヘキサンなどの脂環式炭化水素;ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素)、ハロゲン化炭化水素(塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素などのハロゲン化脂肪族炭化水素;クロロベンゼン、ジクロロベンゼンなどのハロゲン化芳香族炭化水素など)、ニトロ化合物(ニトロメタン、ニトロエタンなど)、ニトリル(アセトニトリル、ベンゾニトリルなど)、エーテル(ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジメトキシエタンなどの鎖状エーテル;テトラヒドロフラン、ジオキサンなどの環状エーテル)、ケトン(アセトン、メチルエチルケトン、ジイソブチルケトンなど)、エステル(酢酸エチル、酢酸ブチルなど)、カーボネート(ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネートなど)、アルコール(メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロピルアルコール、ブタノールなど)、カルボン酸(酢酸など)、これらの溶媒を含む混合溶媒等が挙げられる。   The polymer obtained by polymerization can be isolated by precipitation or reprecipitation. For example, the polymerization solution (polymer dope) is added to a solvent (precipitation solvent) to precipitate the polymer, or the polymer is dissolved again in a suitable solvent, and this solution is added to the solvent (reprecipitation solvent). The desired polymer can be obtained by reprecipitation. The precipitation or reprecipitation solvent may be either an organic solvent or water, or a mixed solvent. Examples of the organic solvent used as the precipitation or reprecipitation solvent include hydrocarbons (aliphatic hydrocarbons such as pentane, hexane, heptane, and octane; alicyclic hydrocarbons such as cyclohexane and methylcyclohexane; aromatics such as benzene, toluene, and xylene. Aromatic hydrocarbons), halogenated hydrocarbons (halogenated aliphatic hydrocarbons such as methylene chloride, chloroform and carbon tetrachloride; halogenated aromatic hydrocarbons such as chlorobenzene and dichlorobenzene), nitro compounds (nitromethane, nitroethane, etc.) , Nitrile (acetonitrile, benzonitrile, etc.), ether (chain ether such as diethyl ether, diisopropyl ether, dimethoxyethane; cyclic ether such as tetrahydrofuran, dioxane), ketone (acetone, methyl ethyl ketone) Diisobutyl ketone, etc.), ester (ethyl acetate, butyl acetate, etc.), carbonate (dimethyl carbonate, diethyl carbonate, ethylene carbonate, propylene carbonate, etc.), alcohol (methanol, ethanol, propanol, isopropyl alcohol, butanol, etc.), carboxylic acid (acetic acid, etc.) Etc.), and mixed solvents containing these solvents.

中でも、前記沈殿又は再沈殿溶媒として用いる有機溶媒として、少なくとも炭化水素(特に、ヘキサンやヘプタンなどの脂肪族炭化水素)を含む溶媒が好ましい。このような少なくとも炭化水素を含む溶媒において、炭化水素(例えば、ヘキサンやヘプタンなどの脂肪族炭化水素)と他の溶媒(例えば、酢酸エチルなどのエステル類等)との比率は、例えば前者/後者(体積比;25℃)=10/90〜99/1、好ましくは前者/後者(体積比;25℃)=30/70〜98/2、さらに好ましくは前者/後者(体積比;25℃)=50/50〜97/3程度である。   Among these, as the organic solvent used as the precipitation or reprecipitation solvent, a solvent containing at least a hydrocarbon (particularly, an aliphatic hydrocarbon such as hexane or heptane) is preferable. In such a solvent containing at least hydrocarbon, the ratio of hydrocarbon (for example, aliphatic hydrocarbon such as hexane and heptane) and other solvent (for example, esters such as ethyl acetate) is, for example, the former / the latter (Volume ratio; 25 ° C.) = 10/90 to 99/1, preferably the former / the latter (volume ratio; 25 ° C.) = 30/70 to 98/2, more preferably the former / the latter (volume ratio; 25 ° C.) = About 50/50 to 97/3.

沈殿又は再沈殿で得られたポリマーは、必要に応じて、リパルプ処理やリンス処理に付される。リパルプ処理後にリンス処理を施してもよい。重合により生成したポリマーを溶媒でリパルプしたり、リンスすることにより、ポリマーに付着している残存モノマーや低分子量オリゴマーなどを効率よく除くことができる。また、ポリマーに対して親和性を有する高沸点溶媒が除去されるためか、後の乾燥工程などにおいてポリマー粒子表面が硬くなったり、ポリマー粒子同士の融着等を防止できる。そのため、ポリマーのレジスト溶剤に対する溶解性が著しく向上し、フォトレジスト用樹脂組成物の調製を簡易に効率よく行うことが可能となる。   The polymer obtained by precipitation or reprecipitation is subjected to repulping or rinsing as necessary. A rinse treatment may be applied after the repulping treatment. By repulping the polymer produced by polymerization with a solvent or rinsing, residual monomers and low molecular weight oligomers adhering to the polymer can be efficiently removed. In addition, because the high-boiling solvent having affinity for the polymer is removed, the surface of the polymer particles can be hardened in the subsequent drying step or the like, and fusion between the polymer particles can be prevented. Therefore, the solubility of the polymer in the resist solvent is remarkably improved, and the resin composition for photoresist can be easily and efficiently prepared.

リパルプ処理に用いる溶媒(リパルプ用溶媒)やリンス処理に用いる溶媒(リンス用溶媒)としては、沈殿又は再沈殿に用いるポリマーの貧溶媒が好ましい。なかでも炭化水素溶媒が特に好ましい。炭化水素溶媒としては、例えば、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタンなどの脂肪族炭化水素、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサンなどの脂環式炭化水素、ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素が挙げられる。これらは2種以上混合して使用してもよい。これらのなかでも、脂肪族炭化水素、特にヘキサン若しくはヘプタン、又はヘキサン若しくはヘプタンを含む混合溶媒が好適である。金属成分等を除去するため、リンス用溶媒として水(例えば、超純水)を用いてもよい。   As the solvent used for the repulping treatment (solvent for repulping) and the solvent used for the rinsing treatment (solvent for rinsing), a poor solvent for the polymer used for precipitation or reprecipitation is preferred. Of these, hydrocarbon solvents are particularly preferred. Examples of the hydrocarbon solvent include aliphatic hydrocarbons such as pentane, hexane, heptane, and octane, alicyclic hydrocarbons such as cyclohexane and methylcyclohexane, and aromatic hydrocarbons such as benzene, toluene, and xylene. You may use these in mixture of 2 or more types. Among these, aliphatic hydrocarbons, particularly hexane or heptane, or a mixed solvent containing hexane or heptane is preferable. In order to remove metal components and the like, water (for example, ultrapure water) may be used as a rinsing solvent.

リパルプ用溶媒の使用量は、ポリマーに対して、例えば1〜200重量倍、好ましくは5〜100重量倍程度である。一方、リンス溶媒の使用量は、ポリマーに対して、例えば1〜100重量倍、好ましくは2〜20重量倍程度である。リパルプ処理やリンス処理を施す際の温度は、用いる溶媒の種類等によっても異なるが、一般には0〜100℃、好ましくは10〜60℃程度である。リパルプ処理、リンス処理は適当な容器中で行われる。リパルプ処理、リンス処理はそれぞれ複数回行ってもよい。処理済みの液(リパルプ液、リンス液)は、デカンテーション、濾過等により除去される。   The amount of the repulping solvent used is, for example, about 1 to 200 times by weight, preferably about 5 to 100 times by weight with respect to the polymer. On the other hand, the usage-amount of a rinse solvent is 1-100 weight times with respect to a polymer, Preferably it is about 2-20 weight times. Although the temperature at the time of performing a repulping process and a rinse process changes with kinds etc. of the solvent to be used, generally it is 0-100 degreeC, Preferably it is about 10-60 degreeC. The repulping process and the rinsing process are performed in a suitable container. You may perform a repulping process and a rinse process in multiple times, respectively. The treated liquid (repulp liquid, rinse liquid) is removed by decantation, filtration or the like.

沈殿又は再沈殿、又はさらに必要に応じてリパルプ処理、リンス処理を経て得られた湿ポリマーは乾燥処理に付される。乾燥温度は、例えば20〜120℃、好ましくは40〜100℃程度である。乾燥は減圧下、例えば200mmHg(26.6kPa)以下、特に100mmHg(13.3kPa)以下で行うのが好ましい。   The wet polymer obtained through precipitation or reprecipitation, or further repulping and rinsing as necessary is subjected to a drying treatment. A drying temperature is 20-120 degreeC, for example, Preferably it is about 40-100 degreeC. Drying is preferably performed under reduced pressure, for example, 200 mmHg (26.6 kPa) or less, particularly 100 mmHg (13.3 kPa) or less.

本発明のフォトレジスト組成物は、上記の方法により製造されたフォトレジスト用高分子化合物と光酸発生剤とを少なくとも含んでいる。フォトレジスト組成物は、前記のように沈殿又は再沈殿等により単離されたフォトレジスト用高分子化合物を光酸発生剤とともにレジスト用溶剤に溶解して調製してもよく、また、重合により得られたポリマードープに、必要に応じて、濾過、希釈、濃縮、溶媒置換(レジスト用溶剤への置換)等の操作を施し、光酸発生剤を添加することにより調製してもよい。なお、フォトレジスト組成物の調製過程の適宜な段階で、微量の付与分を除去するために濾過操作を行うことが多い。例えば、フォトレジスト用高分子化合物をレジスト用溶剤に溶解した後、濾過し、その濾液に光酸発生剤及び必要に応じて添加剤を添加して、フォトレジスト組成物が調製される。本発明の方法により製造されたフォトレジスト用高分子化合物を用いると、不溶分が極めて少ないため、この濾過操作を簡易に効率よく実施することができる。   The photoresist composition of the present invention contains at least a photoresist polymer compound produced by the above method and a photoacid generator. The photoresist composition may be prepared by dissolving the polymer compound for photoresist isolated by precipitation or reprecipitation as described above in a resist solvent together with a photoacid generator, or obtained by polymerization. The polymer dope thus obtained may be prepared by performing operations such as filtration, dilution, concentration, solvent substitution (substitution with a resist solvent) and the like, if necessary, and adding a photoacid generator. In many cases, a filtration operation is performed at an appropriate stage of the preparation process of the photoresist composition in order to remove a minute amount of the applied component. For example, a photoresist polymer compound is dissolved in a resist solvent and then filtered, and a photoacid generator and, if necessary, additives are added to the filtrate to prepare a photoresist composition. When the polymer compound for photoresist produced by the method of the present invention is used, the insoluble content is extremely small, so that this filtration operation can be carried out simply and efficiently.

光酸発生剤としては、露光により効率よく酸を生成する慣用乃至公知の化合物、例えば、ジアゾニウム塩、ヨードニウム塩(例えば、ジフェニルヨードヘキサフルオロホスフェートなど)、スルホニウム塩(例えば、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、トリフェニルスルホニウムメタンスルホネートなど)、スルホン酸エステル[例えば、1−フェニル−1−(4−メチルフェニル)スルホニルオキシ−1−ベンゾイルメタン、1,2,3−トリスルホニルオキシメチルベンゼン、1,3−ジニトロ−2−(4−フェニルスルホニルオキシメチル)ベンゼン、1−フェニル−1−(4−メチルフェニルスルホニルオキシメチル)−1−ヒドロキシ−1−ベンゾイルメタンなど]、オキサチアゾール誘導体、s−トリアジン誘導体、ジスルホン誘導体(ジフェニルジスルホンなど)、イミド化合物、オキシムスルホネート、ジアゾナフトキノン、ベンゾイントシレートなどを使用できる。これらの光酸発生剤は単独で又は2種以上組み合わせて使用できる。   Examples of the photoacid generator include conventional or known compounds that efficiently generate acid upon exposure, such as diazonium salts, iodonium salts (for example, diphenyliodohexafluorophosphate), sulfonium salts (for example, triphenylsulfonium hexafluoroantimony). Nates, triphenylsulfonium hexafluorophosphate, triphenylsulfonium methanesulfonate, etc.), sulfonate esters [eg 1-phenyl-1- (4-methylphenyl) sulfonyloxy-1-benzoylmethane, 1,2,3-tri Sulfonyloxymethylbenzene, 1,3-dinitro-2- (4-phenylsulfonyloxymethyl) benzene, 1-phenyl-1- (4-methylphenylsulfonyloxymethyl) -1-hydroxy-1-benzo Rumetan etc.], oxathiazole derivatives, s- triazine derivatives, disulfone derivatives (diphenyl sulfone) imide compound, an oxime sulfonate, a diazonaphthoquinone, and benzoin tosylate. These photoacid generators can be used alone or in combination of two or more.

光酸発生剤の使用量は、光照射により生成する酸の強度やポリマー(フォトレジスト用高分子化合物)における各繰り返し単位の比率などに応じて適宜選択でき、例えば、ポリマー100重量部に対して0.1〜30重量部、好ましくは1〜25重量部、さらに好ましくは2〜20重量部程度の範囲から選択できる。   The amount of the photoacid generator used can be appropriately selected according to the strength of the acid generated by light irradiation or the ratio of each repeating unit in the polymer (polymer compound for photoresist), for example, with respect to 100 parts by weight of the polymer It can be selected from the range of 0.1 to 30 parts by weight, preferably 1 to 25 parts by weight, more preferably about 2 to 20 parts by weight.

レジスト用溶剤としては、前記重合溶媒として例示したグリコール系溶媒、エステル系溶媒、ケトン系溶媒、これらの混合溶媒などが挙げられる。これらのなかでも、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、乳酸エチル、メチルイソブチルケトン、メチルアミルケトン、これらの混合液が好ましく、特に、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート単独溶媒、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートとプロピレングリコールモノメチルエーテルとの混合溶媒、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートと乳酸エチルとの混合溶媒などの、少なくともプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを含む溶媒が好適に用いられる。   Examples of the resist solvent include glycol solvents, ester solvents, ketone solvents, and mixed solvents exemplified as the polymerization solvent. Among these, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, ethyl lactate, methyl isobutyl ketone, methyl amyl ketone, and a mixed solution thereof are preferable, and in particular, propylene glycol monomethyl ether acetate alone solvent, propylene glycol monomethyl ether acetate and A solvent containing at least propylene glycol monomethyl ether acetate such as a mixed solvent of propylene glycol monomethyl ether and a mixed solvent of propylene glycol monomethyl ether acetate and ethyl lactate is preferably used.

フォトレジスト組成物中のポリマー濃度は、例えば10〜40重量%程度である。フォトレジスト組成物は、アルカリ可溶性樹脂(例えば、ノボラック樹脂、フェノール樹脂、イミド樹脂、カルボキシル基含有樹脂など)などのアルカリ可溶成分、着色剤(例えば、染料など)などを含んでいてもよい。   The polymer concentration in the photoresist composition is, for example, about 10 to 40% by weight. The photoresist composition may contain an alkali-soluble component such as an alkali-soluble resin (for example, a novolac resin, a phenol resin, an imide resin, a carboxyl group-containing resin), a colorant (for example, a dye), and the like.

こうして得られるフォトレジスト組成物を基材又は基板上に塗布し、乾燥した後、所定のマスクを介して、塗膜(レジスト膜)に光線を露光して(又は、さらに露光後ベークを行い)潜像パターンを形成し、次いで現像することにより、微細なパターンを高い精度で形成できる。   The photoresist composition thus obtained is applied onto a substrate or a substrate, dried, and then exposed to light on a coating film (resist film) through a predetermined mask (or further subjected to post-exposure baking). By forming the latent image pattern and then developing it, a fine pattern can be formed with high accuracy.

基材又は基板としては、シリコンウエハ、金属、プラスチック、ガラス、セラミックなどが挙げられる。フォトレジスト組成物の塗布は、スピンコータ、ディップコータ、ローラコータなどの慣用の塗布手段を用いて行うことができる。塗膜の厚みは、例えば0.1〜20μm、好ましくは0.3〜2μm程度である。   Examples of the base material or the substrate include a silicon wafer, metal, plastic, glass, and ceramic. The photoresist composition can be applied using a conventional application means such as a spin coater, a dip coater, or a roller coater. The thickness of the coating film is, for example, about 0.1 to 20 μm, preferably about 0.3 to 2 μm.

露光には、種々の波長の光線、例えば、紫外線、X線などが利用でき、半導体レジスト用では、通常、g線、i線、エキシマレーザー(例えば、XeCl、KrF、KrCl、ArF、ArClなど)などが使用される。露光エネルギーは、例えば1〜1000mJ/cm2、好ましくは10〜500mJ/cm2程度である。 For exposure, light of various wavelengths such as ultraviolet rays and X-rays can be used. For semiconductor resists, g-rays, i-rays, and excimer lasers (eg, XeCl, KrF, KrCl, ArF, ArCl, etc.) are usually used. Etc. are used. The exposure energy is, for example, about 1 to 1000 mJ / cm 2 , preferably about 10 to 500 mJ / cm 2 .

光照射により光酸発生剤から酸が生成し、この酸により、例えばフォトレジスト用高分子化合物の酸の作用によりアルカリ可溶性となる繰り返し単位(酸脱離性基を有する繰り返し単位)のカルボキシル基等の保護基(脱離性基)が速やかに脱離して、可溶化に寄与するカルボキシル基等が生成する。そのため、水又はアルカリ現像液による現像により、所定のパターンを精度よく形成できる。   An acid is generated from the photoacid generator by light irradiation, and this acid, for example, a carboxyl group of a repeating unit (a repeating unit having an acid-eliminable group) that becomes alkali-soluble by the action of an acid of a polymer compound for photoresist, etc. This protecting group (leaving group) is rapidly eliminated, and a carboxyl group and the like that contribute to solubilization are generated. Therefore, a predetermined pattern can be accurately formed by development with water or an alkali developer.

以下に、実施例に基づいて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例により何ら限定されるものではない。   Hereinafter, the present invention will be described in more detail based on examples, but the present invention is not limited to these examples.

実施例1
下記構造のフォトレジスト用高分子化合物の調製

Figure 2007045922
撹拌機、温度計、還流冷却管、モノマー溶液滴下ノズル(ノズルは、モノマー溶液が反応器の器壁を伝わらずに直接反応液に入るように設置されている)、及び窒素導入管を備えたセパラブルフラスコに、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)を3300g導入し、75℃に昇温後、1−ヒドロキシ−3−メタクリロイルオキシアダマンタン(HMA)500g、5−メタクリロイルオキシ−2,6−ノルボルナンカルボラクトン(MNBL)500g、2−メタクリロイルオキシ−2−メチルアダマンタン(2MMA)500gと、ジメチル−2,2´−アゾビス(2−メチルプロピオネート)(重合開始剤;和光純薬工業製、商品名「V−601」)93gと、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)4100gの混合溶液を6時間かけて、フラスコ器壁に付着しないように、直接反応液まで達するように、モノマー溶液滴下ノズルから滴下した。滴下後、2時間同温度で熟成した。得られた反応溶液(ポリマードープ)(35℃)を65600gのヘプタンと21900gの酢酸エチルの混合液(35℃)中に滴下し、滴下終了後、60分間撹拌し、90分間静置することにより沈殿精製を行った。上澄み液64000gを抜き取り、その残渣にヘプタン64000gを加え、35℃でリパルプ操作を実施した。リパルプ操作は、ヘプタン仕込み後、30分間撹拌し、90分間静置し、上澄み液を抜き取ることにより行った。このリパルプ操作を併せて2回実施した。上澄み液を抜き取った後の残渣を遠心分離機に移し、600Gの遠心力により脱液を行い、湿ポリマーを得た。この湿ポリマーに6500gのヘプタンを加え、600Gの遠心力によりリンスを行い、リンス液を除去した。次いで、10000gの超純水(Na分0.9重量ppb)を加えて、600Gの遠心力によりリンスを行い、リンス液を除去した。
得られた湿ポリマーを取り出し、棚段乾燥機に入れ、20mmHg(2.66kPa)、70℃で30時間乾燥することにより、フォトレジスト用高分子化合物(ArFレジスト樹脂)1050gが得られた。このフォトレジスト用高分子化合物をPGMEA4200gに1時間溶解させてフォトレジスト用ポリマー溶液を得た。得られたフォトレジスト用ポリマー溶液には未溶解分がなく、清澄な溶液であった。その溶液を孔径0.02μmのフィルターに通したところ、濾過開始から濾過終了まで、100g毎の濾過速度は変わらず、濾過性は非常に良好であった。
なお、得られたフォトレジスト用高分子化合物の重量平均分子量は8250、分子量分布は1.74であった。 Example 1
Preparation of polymer compound for photoresist with the following structure
Figure 2007045922
A stirrer, thermometer, reflux condenser, monomer solution dropping nozzle (nozzle is installed so that the monomer solution enters the reaction solution directly without going through the reactor wall), and a nitrogen introduction tube Into a separable flask, 3300 g of propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) was introduced. After raising the temperature to 75 ° C., 500 g of 1-hydroxy-3-methacryloyloxyadamantane (HMA), 5-methacryloyloxy-2,6-norbornanecarbox Lactone (MNBL) 500 g, 2-methacryloyloxy-2-methyladamantane (2MMA) 500 g, dimethyl-2,2′-azobis (2-methylpropionate) (polymerization initiator; manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd., trade name) “V-601”) 93 g and propylene glycol monomethyl ether Over Tate a (PGMEA) mixed solution of 4100 g 6 hours, so as not to adhere to the flask unit wall, so as to reach directly the reaction mixture was added dropwise a monomer solution dropping nozzle. After dropping, the mixture was aged at the same temperature for 2 hours. The obtained reaction solution (polymer dope) (35 ° C.) was dropped into a mixed solution (35 ° C.) of 65600 g of heptane and 21900 g of ethyl acetate, stirred for 60 minutes, and allowed to stand for 90 minutes. Precipitation purification was performed. 64,000 g of the supernatant was extracted, 64000 g of heptane was added to the residue, and repulping operation was performed at 35 ° C. The repulping operation was carried out by stirring for 30 minutes after leaving heptane, allowing to stand for 90 minutes, and removing the supernatant. This repulping operation was performed twice. After removing the supernatant, the residue was transferred to a centrifuge and drained by a 600 G centrifugal force to obtain a wet polymer. 6500 g of heptane was added to this wet polymer, and rinsing was performed with a centrifugal force of 600 G to remove the rinse solution. Next, 10000 g of ultrapure water (Na content: 0.9 wt ppb) was added, and rinsing was performed with a centrifugal force of 600 G to remove the rinse solution.
The obtained wet polymer was taken out, put into a shelf dryer, and dried at 20 mmHg (2.66 kPa) and 70 ° C. for 30 hours, to obtain 1050 g of a polymer compound for photoresist (ArF resist resin). This polymer compound for photoresist was dissolved in 4200 g of PGMEA for 1 hour to obtain a polymer solution for photoresist. The obtained photoresist polymer solution had no undissolved content and was a clear solution. When the solution was passed through a filter having a pore size of 0.02 μm, the filtration rate did not change every 100 g from the start of filtration to the end of filtration, and the filterability was very good.
The resulting polymer compound for photoresist had a weight average molecular weight of 8,250 and a molecular weight distribution of 1.74.

比較例1
実施例1と同じ構造のフォトレジスト用高分子化合物の調製
撹拌機、温度計、還流冷却管、モノマー溶液滴下口、及び窒素導入管を備えたセパラブルフラスコに、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)を3300g導入し、75℃に昇温後、1−ヒドロキシ−3−メタクリロイルオキシアダマンタン(HMA)500g、5−メタクリロイルオキシ−2,6−ノルボルナンカルボラクトン(MNBL)500g、2−メタクリロイルオキシ−2−メチルアダマンタン(2MMA)500gと、ジメチル−2,2´−アゾビス(2−メチルプロピオネート)(重合開始剤;和光純薬工業製、商品名「V−601」)93gと、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)4100gの混合溶液を6時間かけてモノマー溶液滴下口から滴下した。その際、モノマー溶液滴下口から直接反応液中に入るモノマー溶液と、フラスコの器壁を伝って反応液中に入る溶液が見られた。滴下後、2時間熟成し、実施例1と同様にして精製を行った。
得られた湿ポリマーを取り出し、棚段乾燥機に入れ、20mmHg(2.66kPa)、70℃で30時間乾燥することにより、フォトレジスト用高分子化合物(ArFレジスト樹脂)1050gが得られた。このフォトレジスト用高分子化合物をPGMEA4200gに1時間溶解させてフォトレジスト用ポリマー溶液を得た。得られたフォトレジスト用ポリマー溶液は若干の未溶解分がある溶液であった。その溶液を孔径0.02μmのフィルターに通したところ、濾過開始から濾過終了まで、100g毎の濾過速度は極端に遅くなり、濾過性が非常に悪く、濾過操作に多大の時間と労力とを要した。
Comparative Example 1
Preparation of polymer compound for photoresist having same structure as Example 1 Propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) was placed in a separable flask equipped with a stirrer, thermometer, reflux condenser, monomer solution dropping port, and nitrogen inlet tube. 3300 g was introduced, the temperature was raised to 75 ° C., 1-hydroxy-3-methacryloyloxyadamantane (HMA) 500 g, 5-methacryloyloxy-2,6-norbornanecarbolactone (MNBL) 500 g, 2-methacryloyloxy-2- 500 g of methyl adamantane (2MMA), 93 g of dimethyl-2,2′-azobis (2-methylpropionate) (polymerization initiator; Wako Pure Chemical Industries, trade name “V-601”), and propylene glycol monomethyl ether Mixing 4100 g of acetate (PGMEA) It was added dropwise a monomer solution dropping inlet over the liquid 6 hours. At that time, a monomer solution entering the reaction solution directly from the monomer solution dropping port and a solution entering the reaction solution through the wall of the flask were observed. After dropping, the mixture was aged for 2 hours and purified in the same manner as in Example 1.
The obtained wet polymer was taken out, put into a shelf dryer, and dried at 20 mmHg (2.66 kPa) and 70 ° C. for 30 hours, to obtain 1050 g of a polymer compound for photoresist (ArF resist resin). This polymer compound for photoresist was dissolved in 4200 g of PGMEA for 1 hour to obtain a polymer solution for photoresist. The resulting polymer solution for photoresist was a solution with some undissolved content. When the solution was passed through a filter having a pore size of 0.02 μm, the filtration rate per 100 g was extremely slow from the start of filtration to the end of filtration, the filterability was very poor, and the filtration operation required a lot of time and labor. did.

Claims (6)

酸によりアルカリ可溶性となる基を有する単量体と極性基含有脂環式骨格を含む基を有する単量体とを少なくとも含む単量体混合物を滴下重合法により重合してフォトレジスト用高分子化合物を製造する方法であって、重合系に滴下すべき溶液を重合容器の器壁に伝わらせることなく直接重合系に導入することを特徴とするフォトレジスト用高分子化合物の製造方法。   Polymer compound for photoresist obtained by polymerizing monomer mixture containing at least monomer having alkali-soluble group by acid and monomer having polar group-containing alicyclic skeleton by dropping polymerization method A method for producing a polymer compound for photoresist, wherein a solution to be dripped into the polymerization system is introduced directly into the polymerization system without being transmitted to the wall of the polymerization vessel. 重合系に滴下すべき溶液の供給ラインの先端に重合系液面に向かって延びるノズルを設け、重合系に滴下すべき溶液を該ノズルを通して、重合容器の器壁に伝わらせることなく直接重合系に導入する請求項1記載のフォトレジスト用高分子化合物の製造方法。   A nozzle extending toward the polymerization system liquid surface is provided at the tip of the supply line of the solution to be dripped into the polymerization system, and the solution to be dripped into the polymerization system is directly passed through the nozzle without being transmitted to the vessel wall of the polymerization vessel. The manufacturing method of the high molecular compound for photoresists of Claim 1 introduce | transduced in. 酸によりアルカリ可溶性となる基を有する単量体が、下記式(1a)〜(1d)
Figure 2007045922
(式中、環Zは置換基を有していてもよい炭素数6〜20の脂環式炭化水素環を示す。Rは水素原子又は置換基を有していてもよい炭素数1〜6のアルキル基を示す。R1〜R3は、同一又は異なって、置換基を有していてもよい炭素数1〜6のアルキル基を示す。R4は環Zに結合している置換基であって、同一又は異なって、オキソ基、アルキル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシアルキル基、又は保護基で保護されていてもよいカルボキシル基を示す。但し、n個のR4のうち少なくとも1つは、−COORa基を示す。前記Raは置換基を有していてもよい第3級炭化水素基、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロピラニル基、又はオキセパニル基を示す。nは1〜3の整数を示す。R5、R6は、同一又は異なって、水素原子又は置換基を有していてもよい炭素数1〜6のアルキル基を示す。R7は水素原子又は有機基を示す。R5、R6、R7のうち少なくとも2つが互いに結合して隣接する原子とともに環を形成していてもよい)
から選択された少なくとも1種の化合物である請求項1記載のフォトレジスト用高分子化合物の製造方法。
Monomers having groups that become alkali-soluble by acid are represented by the following formulas (1a) to (1d):
Figure 2007045922
(In the formula, ring Z represents an alicyclic hydrocarbon ring having 6 to 20 carbon atoms which may have a substituent. R represents a hydrogen atom or an optionally substituted substituent having 1 to 6 carbon atoms. R 1 to R 3 are the same or different and each represents an optionally substituted alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and R 4 is a substituent bonded to ring Z. And may be the same or different and may be protected with an oxo group, an alkyl group, a hydroxyl group that may be protected with a protecting group, a hydroxyalkyl group that may be protected with a protecting group, or a protecting group. Represents a carboxyl group, provided that at least one of n R 4 groups represents a —COOR a group, wherein R a represents a tertiary hydrocarbon group which may have a substituent, a tetrahydrofuranyl group, A tetrahydropyranyl group or an oxepanyl group, where n is an integer of 1 to 3. R 5 and R 6 are the same or different and each represents a hydrogen atom or an optionally substituted alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, R 7 represents a hydrogen atom or an organic group. 5 , R 6 , or R 7 may be bonded to each other to form a ring with adjacent atoms.
The method for producing a photoresist polymer compound according to claim 1, wherein the compound is at least one compound selected from the group consisting of:
極性基含有脂環式骨格を含む基を有する単量体が、下記式(2a)〜(2e)
Figure 2007045922
(式中、Rは水素原子又は置換基を有していてもよい炭素数1〜6のアルキル基を示す。R8〜R10は、同一又は異なって、水素原子、アルキル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシアルキル基、又は保護基で保護されていてもよいカルボキシル基を示し、V1〜V3は、同一又は異なって、−CH2−、−CO−又は−COO−を示す。但し、(i)V1〜V3のうち少なくとも1つは−CO−若しくは−COO−であるか、又は(ii)R8〜R10のうち少なくとも1つは、保護基で保護されていてもよいヒドロキシル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシアルキル基、又は保護基で保護されていてもよいカルボキシル基である。R11〜R15は、同一又は異なって、水素原子、アルキル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシアルキル基、保護基で保護されていてもよいカルボキシル基を示す。R16〜R24は、同一又は異なって、水素原子、アルキル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシアルキル基、保護基で保護されていてもよいカルボキシル基を示す。R25〜R33は、同一又は異なって、水素原子、アルキル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシアルキル基、保護基で保護されていてもよいカルボキシル基を示す。pは0又は1、qは1又は2を示す)
から選択された少なくとも1種の化合物である請求項1記載のフォトレジスト用高分子化合物の製造方法。
Monomers having a group containing a polar group-containing alicyclic skeleton are represented by the following formulas (2a) to (2e)
Figure 2007045922
(In the formula, R represents a hydrogen atom or an optionally substituted alkyl group having 1 to 6 carbon atoms. R 8 to R 10 are the same or different and each represents a hydrogen atom, an alkyl group, or a protecting group. A hydroxyl group which may be protected, a hydroxyalkyl group which may be protected with a protecting group, or a carboxyl group which may be protected with a protecting group, V 1 to V 3 are the same or different, and CH 2- , -CO- or -COO-, provided that (i) at least one of V 1 to V 3 is -CO- or -COO-, or (ii) R 8 to R 10 at least one of the, optionally protected hydroxyl group, a protected or unprotected hydroxyalkyl group with a protecting group, or be protected by a protecting group is also a carboxyl group which .R 11 ~ R 15 is the same or different and is a hydrogen atom , An alkyl group, a hydroxyl group that may be protected with a protecting group, a hydroxyalkyl group that may be protected with a protecting group, and a carboxyl group that may be protected with a protecting group, R 16 to R 24 represent It is the same or different and represents a hydrogen atom, an alkyl group, a hydroxyl group that may be protected with a protecting group, a hydroxyalkyl group that may be protected with a protecting group, or a carboxyl group that may be protected with a protecting group. R 25 to R 33 are the same or different and are protected by a hydrogen atom, an alkyl group, a hydroxyl group which may be protected with a protecting group, a hydroxyalkyl group which may be protected with a protecting group, or a protecting group. (P represents 0 or 1, q represents 1 or 2)
The method for producing a photoresist polymer compound according to claim 1, wherein the compound is at least one compound selected from the group consisting of:
請求項1〜4の何れかの項に記載の方法により製造されたフォトレジスト用高分子化合物と光酸発生剤とを含むフォトレジスト組成物。   The photoresist composition containing the high molecular compound for photoresists manufactured by the method of any one of Claims 1-4, and a photo-acid generator. 請求項5記載のフォトレジスト組成物を基板又は基材に塗布してレジスト塗膜を形成する工程を含む半導体の製造方法。   A method for producing a semiconductor comprising a step of applying a photoresist composition according to claim 5 to a substrate or a base material to form a resist coating film.
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