JP2007040702A - Semiconductor ic, wireless ic tag and sensor - Google Patents

Semiconductor ic, wireless ic tag and sensor Download PDF

Info

Publication number
JP2007040702A
JP2007040702A JP2005221660A JP2005221660A JP2007040702A JP 2007040702 A JP2007040702 A JP 2007040702A JP 2005221660 A JP2005221660 A JP 2005221660A JP 2005221660 A JP2005221660 A JP 2005221660A JP 2007040702 A JP2007040702 A JP 2007040702A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
integrated circuit
temperature
sensor
semiconductor integrated
circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2005221660A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Shoichi Kokubo
正一 小久保
Original Assignee
Oki Electric Ind Co Ltd
沖電気工業株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Oki Electric Ind Co Ltd, 沖電気工業株式会社 filed Critical Oki Electric Ind Co Ltd
Priority to JP2005221660A priority Critical patent/JP2007040702A/en
Publication of JP2007040702A publication Critical patent/JP2007040702A/en
Application status is Pending legal-status Critical

Links

Images

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor IC, a wireless IC tag and a sensor which insures stable operation, can be compact/thin sized, and inhibits camouflage of sensor on temperature administration. <P>SOLUTION: To solve the problem, the semiconductor IC of this invention measures the temperature based on the variation of frequency from a oscillation circuit, wherein the capacitance of the oscillation circuit is a ferroelectric substance, therefore the oscillation frequency is characteristically varied based on the varying dielectric characteristics depending on the temperature variation of the ferroelectric substance. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、半導体集積回路、無線タグ及びセンサに関し、例えば、物品等の温度を感知することができ、物品等に簡単に取り付けることができるICカードやICタグなどの無線タグ、半導体集積回路、及びセンサに適用し得る。 The present invention relates to a semiconductor integrated circuit relates to a wireless tag and sensor, for example, can sense the temperature of the article such as a wireless tag, a semiconductor integrated circuit such as IC cards and IC tags can be easily attached to an article or the like, and it may be applied to the sensor.

従来、温度センサは主にサーミスタが用いられていた。 Conventionally, the temperature sensor primarily thermistor has been used. それ故、物流などで物品の温度管理をするために温度センサ付きの回路を物品に付与する際、温度履歴管理用に用いられるICカード、ICタグに、温度センサを内蔵することはできずに外付け部品となっていた。 Thus, when granting the circuit with temperature sensors to the like at a temperature control of the article distribution to the article, IC card used for temperature history management, the IC tag, the can not be built-in temperature sensor It had become the external components.

図2は、サーミスタを温度センサとした場合の従来の回路構成例を示す。 Figure 2 shows a conventional circuit configuration example of a case where a thermistor temperature sensor. 図2において、従来の回路は、集積回路内部に少なくとも、2系統のCR発振回路100、CR発振式アナログ−デジタル回路200を有し、集積回路の端子に、基準抵抗311、発振用コンデンサ312、サーミスタ313及び抵抗314が接続されている。 2, the conventional circuit, at least the integrated circuit, the two systems CR oscillation circuit 100, CR-oscillator analog - a digital circuit 200, the terminals of the integrated circuit, the reference resistance 311, the oscillation capacitor 312, thermistor 313 and the resistor 314 is connected. そして、CR発振回路100が、接続する部品の温度による抵抗あるいは容量の変化によって変動するCR発振周波数を発振し、CR発振式アナログ−デジタル回路200が、CR発振周波数に基づくCR発振クロックをカウントすることで抵抗値あるいは容量値をデジタル値に変換する。 Then, the CR oscillation circuit 100 oscillates a CR oscillation frequency varies according to the resistance or capacitance variation with temperature of the parts to be connected, CR-oscillator analog - digital circuit 200 counts the CR oscillation clock based on CR oscillation frequency converting the resistance value or capacitance value into a digital value by. そのデジタル値は図示しないCPUなどに与えられて対応する温度が特定されて管理される。 The digital value corresponding temperature given such a CPU (not shown) is managed by being identified. なお、CR発振回路100を2系統としたのは、例えばICカード等の表と裏の両面の温度を2点測定する必要がある場合にも対応できるようにしている。 The reason why the CR oscillation circuit 100 and two systems are to be able to cope with the case where for example, it is necessary to measure the front and back of the double-sided two points the temperature of the IC card.

また、特許文献1には、温度に依存して共振周波数が変化する共振回路を有するセンサとして構成された温度センサを用いた温度測定システムが開示されている。 In Patent Document 1, the temperature measuring system using a temperature sensor configured as a sensor having a resonant circuit which changes the resonant frequency depending on the temperature is disclosed.

特開2001−144683号公報 JP 2001-144683 JP

しかしながら、図2において、サーミスタ313は集積回路内に作りこむことは不可能であり、図2に示す回路構成ではICカード、ICタグに外付け部品として取り付けなければならず、コストの上昇や物品への実装の困難性が問題となる。 However, in FIG. 2, the thermistor 313 is impossible to fabricate in an integrated circuit, must be attached as external components to the IC card, IC tag in the circuit configuration shown in FIG. 2, the cost of rising and goods difficulty of implementation is a problem to.

また、サーミスタは外部部品であるため、サーミスタ自体を他の抵抗体などへ取り替えられ、温度履歴管理上偽装がなされるおそれなどの問題があった。 Also, the thermistor is because an external part, replaced the thermistor itself to such other resistor, there are problems such as a risk that the temperature history management impersonation is performed.

また、特許文献1の温度測定システムは、温度測定装置が、無線タグに向けて電波を発し、温度センサの共振周波数を検知し、その共振周波数に対応する温度を特定することが開示されている。 The temperature measurement system of Patent Document 1, the temperature measuring device emits a radio wave to the wireless tag, detects the resonant frequency of the temperature sensor, it is disclosed that specifying the temperature corresponding to the resonance frequency . このとき、特許文献1の温度測定装置は、電波の周波数をスイープさせることにより放出する電波の周波数を変化させることが必要となる。 At this time, the temperature measuring device of Patent Document 1, is possible to change the frequency of the radio wave emitted by sweeping the frequency of the radio wave is required. そのため、設定された電力が無線タグ側に供給されない可能性があり、無線タグ内の回路が安定して動作しないおそれがある。 Therefore, there is a possibility that power set is not supplied to the radio tag side, the circuit in the wireless tag may not operate stably.

そこで、上記の課題に鑑み、安定的な動作を保証し、小型化・薄型化が可能であり、温度管理上のセンサの偽装を防止することができる半導体集積回路、無線タグ及びセンサが求められている。 In view of the above problems, ensures stable operation, but may be smaller and thinner, the semiconductor integrated circuit can be prevented impersonation sensors on temperature management, wireless tag and sensor prompts ing.

かかる課題を解決するため、第1の本発明の半導体集積回路は、発振回路からの発振周波数の変化に基づいて温度を測定する半導体集積回路において、発振回路の容量が強誘電体であり、強誘電体の温度変化によって変化する誘電特性に基づいて、発振周波数を変化させることを特徴とする。 To solve such problems, the first semiconductor integrated circuit of the present invention is a semiconductor integrated circuit for measuring the temperature on the basis of the change in the oscillation frequency from the oscillation circuit, the capacitance of the oscillation circuit ferroelectric, strong based on the dielectric properties change with temperature change of the dielectric, and wherein the changing the oscillation frequency.

第2の本発明の半導体集積回路は、赤外線センサに強誘電体が設けられ、強誘電体が入射した赤外線により発熱し、その発熱による分極電荷量の変化を検出することで、入射する赤外線の遮断の有無を確認させることができる。 The semiconductor integrated circuit of the second aspect of the present invention, a ferroelectric is provided on the infrared sensor, the ferroelectric is heated by the infrared incident, by detecting the change in the polarization charge due to the heat generated, the infrared incident it is possible to confirm the presence or absence of blocking.

第3の本発明の無線タグは、センサを搭載した半導体集積回路を備えた無線タグにおいて、半導体集積回路が第1又は第2の本発明の半導体集積回路であることを特徴とする。 The wireless tag of the third invention, in a wireless tag having a semiconductor integrated circuit having a sensor, and wherein the semiconductor integrated circuit is a semiconductor integrated circuit of the first or second aspect of the present invention.

第4の本発明のセンサは、強誘電体の温度変化によって変化する誘電特性に基づいて、直接的又は間接的に感知対象を感知することを特徴とするセンサ。 Sensor of the fourth invention, based on the dielectric properties change with temperature variation of the ferroelectric, and wherein the sensing directly or indirectly sensed.

本発明の半導体集積回路、無線タグ及びセンサによれば、安定的な動作を保証し、小型化・薄型化が可能であり、温度管理上のセンサの偽装を防止することができる。 The semiconductor integrated circuit of the present invention, according to the radio tag and sensor, ensures stable operation, but may be smaller and thinner, it is possible to prevent the impersonation of the sensors on the temperature management.

(A)第1の実施形態 以下、本発明の半導体集積回路、無線タグ及びセンサの第1の実施形態について図面を参照して説明する。 (A) First Embodiment Hereinafter, a semiconductor integrated circuit of the present invention will be described with reference to the drawings for the first embodiment of wireless tag and sensor.

本実施形態は、温度センサを搭載した半導体集回路を備える無線タグを物品に備え付けて、その物品に対する温度管理を行なうシステムに適用した場合を示す。 This embodiment shows a case where equipped with a wireless tag having a semiconductor collector circuit equipped with temperature sensors to the article, was applied to a system that performs temperature control for the article.

(A−1)第1の実施形態の構成 図3は、物品に備え付けられた無線タグとリーダライタ装置との関係を示すイメージ図である。 (A-1) Configuration FIG. 3 of the first embodiment is an image diagram showing the relationship between the wireless tag and the reader-writer device equipped to the article. 図3に示すように、物品1には、後述する、強誘電体薄膜キャパシタを温度センサとして同一基板上に有する半導体集積回路を持つ無線タグ2が備え付けられている。 As shown in FIG. 3, the article 1 will be described later, the wireless tag 2 with a semiconductor integrated circuit having a ferroelectric thin film capacitor on the same substrate as a temperature sensor is equipped.

リーダライタ装置3は、所定帯域の無線電波を利用して無線タグ2との間で情報の送受信をし、無線タグ2に対して温度測定開始指示したり、無線タグ2が格納している又は測定した温度情報を読み込んだりするものである。 Writer device 3 utilizes a radio wave of a predetermined band and transmits and receives information to and from the wireless tag 2, or start instruction temperature measurement to the wireless tag 2, or the wireless tag 2 is stored it is intended to or read the measured temperature information. また、リーダライタ装置3は、据置式、カード式、携帯式など種々の形態のものを適用することができる。 The reader-writer device 3 is applicable stationary type, card type, any of various forms such as portable.

リーダライタ装置3と無線タグ2との間の通信方式は、特に限定されず種々の通信方式を適用することができ、例えば、国際標準化機構が推進するISO15693等で規格された13.56MHz帯周波数を用いた方式を適用できる。 Communication method between the reader-writer device 3 and the wireless tag 2 is particularly able to apply a limited variety of communication methods without, for example, 13.56 MHz band frequency by the International Standards Organization has been standardized in ISO15693 or the like to promote It can be applied a method was used.

図4は、無線タグ2の内部構成例を示したブロック図である。 Figure 4 is a block diagram showing an internal configuration example of the wireless tag 2. 図4に示すように、本実施形態の無線タグ2は、CPU21、メモリ22、アンテナ部23、温度センサ24、CR発信器25、アナログ/デジタル(A/D)変換器26を少なくとも有する。 As shown in FIG. 4, the wireless tag 2 of the present embodiment has CPU 21, memory 22, antenna 23, temperature sensor 24, CR oscillator 25, an analog / digital (A / D) converter 26 at least. CPU21は、無線タグ2の機能を司るものであり、メモリ22は、例えば、ROM、RAM、不揮発性の書き換え可能メモリ等を適用できる。 CPU21 is governs the function of the wireless tag 2, the memory 22 can be applied, for example, ROM, RAM, non-volatile rewritable memory.

温度センサ24、CR発振器25、A/D変換器26は、同一基板上の半導体集積回路として構成することができる。 Temperature sensor 24, CR oscillator 25, A / D converter 26 may be configured as a semiconductor integrated circuit on the same substrate. 勿論、CPU21やメモリ22なども同一基板上に設けることも可能である。 Of course, it is also possible to provide on the same substrate well as CPU21 and memory 22. つまり、従来のように、温度センサを外部部品とするのではなく、同一基板上に設けることができるので、システムの小型化、温度センサの取替え等による偽装を防止できる。 In other words, as in the conventional, rather than a temperature sensor and an external component, it is possible to provide on the same substrate, miniaturization of the system, the impersonation by replacement or the like of the temperature sensor can be prevented.

以下では、本実施形態の無線タグ2が備える温度センサ24、CR発振器25、A/D変換器26の構成について図面を参照しながら詳細に説明する。 Hereinafter, a temperature sensor 24 provided in the wireless tag 2 of the present embodiment, CR oscillator 25, the configuration of the A / D converter 26 will be described in detail with reference to the drawings.

図1は、温度センサ、CR発振器、A/D変換器を同一基板上に備えた半導体集積回路の回路図である。 Figure 1 is a circuit diagram of a semiconductor integrated circuit including a temperature sensor, CR oscillator, A / D converter on the same substrate. なお、図1のCR発振器及びA/D変換器の回路は、図2に示す従来の回路に対応するものを適用できるので、対応する部品については対応する符号を付して示す。 The circuit of CR oscillator and the A / D converter of FIG. 1, it is possible to apply the one corresponding to the conventional circuit shown in FIG. 2, for the corresponding parts are denoted with corresponding reference numerals.

図1に示すように、2系統のCR発振回路100、A/D変換器200が同一基板上にあり、CR発振回路100には、基準抵抗31、基準キャパシタ32、強誘電体薄膜キャパシタ33、発振用抵抗34が接続される。 As shown in FIG. 1, there are two systems of CR oscillation circuit 100, A / D converter 200 on the same substrate, CR oscillation circuit 100 includes a reference resistor 31, the reference capacitor 32, a ferroelectric thin film capacitor 33, oscillation resistor 34 is connected.

また、少なくとも強誘電体薄膜キャパシタ33は、CR発振回路100及びA/D変換器200の半導体集積回路内の同一基板上に形成される。 At least the ferroelectric thin film capacitor 33 is formed on the same substrate in the semiconductor integrated circuit of the CR oscillation circuit 100 and the A / D converter 200. なお、CR発振回路100に接続する他の部品類は、半導体集積回路内部あるいは外部のいずれで形成されても良い。 Incidentally, other components such connecting to CR oscillation circuit 100 may be formed by any of the semiconductor integrated circuit inside or outside.

本実施形態では、温度センサ24として、CR発振回路100の容量に強誘電体薄膜キャパシタ33を使用する。 In the present embodiment, as the temperature sensor 24, using the ferroelectric thin film capacitor 33 to the capacitance of the CR oscillation circuit 100. 例えばICカード等には近年強誘電体メモリが採用されており、強誘電体薄膜キャパシタを形成するプロセスが使用されているため、特別な工程を追加することなく容易に強誘電体薄膜キャパシタを追加できる。 For example, the IC card or the like has been adopted in recent years ferroelectric memory, because it is used a process for forming a ferroelectric thin film capacitor, easily add ferroelectric thin film capacitor without adding a special process it can.

ここで、強誘電体薄膜キャパシタ33には様々な種類があるが、本実施形態では、鉛を含まない強誘電体メモリ材料として注目されているSrBi2Ta209(SBT)を例にあげて説明する。 Here, the ferroelectric thin film capacitor 33 there are various types, in this embodiment, SrBi2Ta209 has attracted attention as a ferroelectric memory material containing no lead and (SBT) will be described as an example.

強誘電体薄膜キャパシタ33は、組成、電極、焼成温度他いろいろなパラメータにより特性が変化するが、全般的にキュリー温度(Tc)をピークに誘電率が温度に応じて変化する特性がある。 Ferroelectric thin film capacitor 33, the composition, the electrode, although the characteristics by sintering temperature other various parameters are changed, there is a characteristic that generally Curie temperature (Tc) permittivity peak varies depending on the temperature.

図5は、SrBi2Ta209(SBT)の誘電率の温度特性を示す図である。 Figure 5 is a diagram showing temperature characteristics of the dielectric constant of SrBi2Ta209 (SBT). 図5に示すように、例えば、SrBi2Ta209(SBT)は、20℃では約180程度の誘電率があり、60℃では約200程度の誘電率があるので、20℃と60℃と間の40℃の温度差で約10%以上の誘電率の変化がみられる。 As shown in FIG. 5, for example, SrBi2Ta209 (SBT), there is a dielectric constant of about at 20 ° C. to about 180, there is a dielectric constant of about at 60 ° C. to about 200, 20 ° C. and 60 ° C. and 40 ° C. between change of about 10% or more of dielectric constant temperature difference is observed.

そこで、本実施形態では、このような温度特性のある強誘電体薄膜キャパシタ33をCR発振回路100の容量として使用し、温度変化により変化する誘電率の変動によりCR発振周波数も変化するから、CR発振回路100で発振させるCR発振クロックの周波数も変化させることができる。 Therefore, in this embodiment, since the ferroelectric thin film capacitor 33 having such temperature characteristics is used as a capacitor of the CR oscillation circuit 100, CR oscillation frequency also varies due to variations in the dielectric constant which changes with temperature change, CR frequency of the CR oscillation clock oscillating at the oscillation circuit 100 can also be varied. そして、A/D変換器200が抵抗値あるいは容量をデジタル化することで、その後の温度管理をデジタルで管理することができる。 Then, by the A / D converter 200 digitizes the resistance or capacitance, it is possible to manage the subsequent temperature control digitally.

CR発振回路100は、接続する基準抵抗31、基準キャパシタ32、強誘電体薄膜キャパシタ33、発振用抵抗34の容量あるいは抵抗の変化によって変化するCR発振周波数を発振させ、A/D変換器200に与えるものである。 CR oscillation circuit 100 includes a reference resistor 31, the reference capacitor 32 connected, the ferroelectric thin film capacitor 33, to oscillate the CR oscillation frequency varies with the capacitance or the resistance change of the oscillation resistor 34, the A / D converter 200 it is intended to give.

A/D変換器200は、CR発振式A/D変換器であり、所定時間内で、CR発振回路100から与えられたCR発振周波数に基づくCR発振クロックをカウントし、抵抗値あるいは容量値をデジタル化するものである。 A / D converter 200 is a CR oscillation type A / D converter, within a predetermined time period, counts the CR oscillation clock based on CR oscillation frequency given from the CR oscillator 100, a resistance value or capacitance value it is intended to digitize. なお、A/D変換器200は、CR発振クロックのカウント値を図示しないCPU21に与える。 Incidentally, A / D converter 200 provides the CPU21 not shown, the count value of the CR oscillation clock.

また、図1に示すように、A/D変換器200は、基準カウンタ201、測定カウンタ202、ADCコントロールレジスタ203、デコーダ204、Enable AD−Cレジスタ205、OR回路206、同期回路207、微分器208及び209、出力回路210、入力回路211、Select AD−C intレジスタ212、AND回路213、OR回路214を有して構成される。 Further, as shown in FIG. 1, A / D converter 200, the reference counter 201, the measurement counter 202, ADC control register 203, a decoder 204, Enable ADC register 205, OR circuit 206, the synchronization circuit 207, a differentiator 208 and 209, an output circuit 210, configured to have an input circuit 211, Select AD-C int register 212, the aND circuit 213, oR circuit 214.

(A−2)第1の実施形態の動作 次に、図1に示す半導体集積回路における動作について図面を参照して説明する。 (A-2) Operation of the first embodiment will now be described with reference to the drawings, the operation of the semiconductor integrated circuit shown in FIG.

A/D変換器200の動作について図6の動作波形を参照して説明する。 With reference to an operation waveform of FIG. 6, the operation of the A / D converter 200 will be described.

A/D変換器200は、CR発振回路100に接続される抵抗あるいは容量の変化によって変化するCR発振周波数に基づくCR発振クロック(OSC clock)をカウントし、抵抗値あるいは容量値をデジタル値に変換するものである。 A / D converter 200, counts the CR oscillation circuit CR oscillation clock based on CR oscillation frequency varies with connected thereto resistance or capacitance changes in 100 (OSC clock), converts the resistance value or capacitance value into a digital value it is intended to.

ここで、CR発振回路100のCR発振周波数f oscclkとCR定数との関係は、以下の式で表される。 Here, the relationship between the CR oscillation frequency f OSCCLK and CR constant of the CR oscillation circuit 100 is expressed by the following equation.

1/f oscclk =t oscclk =k oscclk・C・R…(1) 1 / f oscclk = t oscclk = k oscclk · C · R ... (1)
ここで、k oscclkは、電源電圧、基準抵抗、構成するトランジスタなどから決まる比例定数をいう。 Here, k OSCCLK refers supply voltage, a reference resistor, a proportionality constant determined from such transistors constituting.

まず、基準カウンタ201に所望のゲート時間となるようカウンタ値(ここではnA0とする)を設定する。 First, to set a desired gate time so as counter value in the reference counter 201 (here, the nA0). なお、ゲート時間は、システムクロック(System_C1ock)とカウント値(カウンタ最大値nA0)との積であらわされる。 The gate time is expressed by the product of the system clock and (System_C1ock) count value (counter maximum value nA0). また、測定カウンタ202の値を“0”にプリセットする。 Further, the value of the measurement counter 202 is preset to "0".

次に、ADCコントロールレジスタ203を所望の発振モードに設定することで、デコーダ204に発振モードが決まり、発振に用いられる抵抗及びキャパシタが選択される。 Then, the ADC control register 203 by setting the desired oscillation mode, determines the oscillation mode to the decoder 204, resistors and capacitors used in the oscillator is selected. 発振モードは、図示しないCPUを通じた操作により設定可能としてよい。 Oscillation mode may be settable by an operation through the CPU (not shown).

そこで、EnableAD−Cレジスタ205をセットすると、EnableAD−Cレジスタ205からの出力がOR回路206及び同期回路207に与えられる。 Therefore, by setting the EnableAD-C register 205, the output from EnableAD-C register 205 is provided to OR circuit 206 and synchronization circuit 207. そして、同期回路207からのCRON信号がAND回路213でシステムクロックに同期してセットされ、システムクロックにより基準カウンタ201はカウントアップを開始する。 Then, CRON signal from the synchronization circuit 207 is set in synchronization with the system clock AND circuit 213, the reference counter 201 by the system clock starts counting up.

また、同期回路207からCRON信号がCR発振回路100に与えられると、CR発振回路100は動作を開始する。 Further, when the CRON signal from the synchronization circuit 207 is supplied to the CR oscillation circuit 100, the CR oscillation circuit 100 starts operating.

ここで、CR発振回路100の動作について図面を参照して説明する。 Here it will be described with reference to the drawings, the operation of the CR oscillation circuit 100. 図7は、CR発振の動作開始を示す概略的な回路図であり、図8はCR発振回路100における動作波形図である。 Figure 7 is a schematic circuit diagram showing the operation start of the CR oscillation, FIG. 8 is an operation waveform diagram in CR oscillation circuit 100.

図7において、A/D変換器200から変換開始信号(CRON信号)が入力されると、図7(A)から図7(B)のように変換してCR発振周波数を発振させる。 7, when the conversion start signal from the A / D converter 200 (CRON signal) is input, to oscillate converted to CR oscillation frequency as shown in FIG. 7 (B) from FIG. 7 (A).

図8に示すように、CR発振回路100にCRON信号が与えられると(図7(ア))、インバータ101を通じて抵抗34に電流が流れ、CR発振周波数が発振される(図7(イ))。 As shown in FIG. 8, the CRON signal to the CR oscillation circuit 100 is provided (FIG. 7 (A)), current flows through resistor 34 through an inverter 101, CR oscillation frequency is oscillated (FIG. 7 (b)) . そして、基準抵抗31の抵抗値に達するとインバータ102に信号が通り、インバータ102から反転した信号が出力され(図7(ウ))、インバータ103からさらに反転した信号が出力されると(図7(エ))、図7(イ)の抵抗値が下がりCR発振波形を形成する。 Then, when it reaches the resistance value of the reference resistor 31 signal passes to the inverter 102, is output signal inverted by the inverter 102 (FIG. 7 (c)), further the inverted signal is output from the inverter 103 (FIG. 7 (d)), to form a resistance value lowers CR oscillation waveform of FIG. 7 (b). なお、図7(ウ)の信号がA/D変換器200に与えられる。 The signal of FIG. 7 (c) is applied to the A / D converter 200.

図1に戻り、同期回路207からCRON信号がCR発振回路100に与えられ、CR発振回路100が動作を開始すると、CR発振周波数がCR発振回路100から入力回路211に与えられる。 Returning to Figure 1, CRON signal from the synchronization circuit 207 is supplied to the CR oscillation circuit 100, the CR oscillation circuit 100 starts operating, CR oscillation frequency is applied to the input circuit 211 from the CR oscillating circuit 100.

そして、入力回路211からの出力がCR発振クロックとして測定カウンタ202に与えられ、測定カウンタ202はCR発振クロックのカウントを開始する。 The output from the input circuit 211 is applied to the measurement counter 202 as CR oscillation clock, the measurement counter 202 starts counting of the CR oscillation clock.

ゲート時間経過後(本実施形態では、nA0+1〜FFFFをゲート時間とする)、基準カウンタ201はオーバーフローしてオーバーフローフラグをセットし、その信号によりCR発振は停止し、測定カウンタ202もカウントを停止する。 After the gate time (in this embodiment, the gate time nA0 + 1~FFFF), the reference counter 201 sets the overflow flag overflows, CR oscillation is stopped by the signal, also stops the counting measurement counter 202 .

図6において、測定カウンタ202のカウント値nB0は、ゲート時間中のCR発振クロックのカウント値であり、CR発振クロックの周波数に比例したものとなる。 6, the count value nB0 measurement counter 202 is a count value of the CR oscillation clock in the gate time becomes proportional to the frequency of the CR oscillation clock.

ここで、CR発振回路100自体を構成するトランジスタ等にも温度よる特性変化があるため、同じ容量、抵抗の場合でも周波数が変化してしまう。 Here, since there is a characteristic change due temperature in transistors or the like constituting the CR oscillation circuit 100 itself, the same capacity, the frequency even when the resistance changes. そのため、その温度センサではない、温度による特性変化を有しない基準抵抗、基準容量をその都度発振させ周波数を測定し、CR発振回路100の温度特性を相殺させる。 Therefore, not a temperature sensor, no reference resistance characteristic changes due to temperature, the reference capacity is measured in each case the frequency is oscillated, to cancel the temperature characteristics of the CR oscillation circuit 100.

ところが、本実施形態では、温度センサとしてCR発振回路100の容量に強誘電体薄膜キャパシタ33を使用するため、強誘電体薄膜キャパシタ33の誘電率の温度特性により、CR発振周波数もそれに比例して変動するため、温度センサとして機能させることができる。 However, in the present embodiment, in order to use a ferroelectric thin film capacitor 33 to the capacitance of the CR oscillation circuit 100 as a temperature sensor, the temperature characteristic of the dielectric constant of the ferroelectric thin film capacitor 33, in proportion to be CR oscillation frequency to change, it can function as a temperature sensor.

また、本実施形態では表、裏などの温度を測定することは不可能になるが、半導体集積回路内で発熱する箇所がある場合、離れた2箇所の温度を測定することで平均化できるようになるので、例ではCR発振回路を2系統のままとした。 Further, the table in the present embodiment, becomes impossible to measure the temperature of such backing, if there is a portion that generates heat in a semiconductor integrated circuit, so that can be averaged by measuring the temperature of the two distant locations since, in the example it was left two systems of CR oscillation circuit.

(A−3)第1の実施形態の効果 以上のように、第1の実施形態によれば、半導体集積回路内部の強誘電体薄膜キャパシタをCR発振式A/D変換回路に接続したことで、集積回路外部のサーミスタなどの温度センサを不要にできる。 (A-3) Effect As described above in the first embodiment, according to the first embodiment, by connecting the semiconductor integrated circuit inside the ferroelectric thin film capacitor CR oscillation type A / D converter circuit , it can be made unnecessary temperature sensor, such as an integrated circuit externally of the thermistor. その結果、従来のように外部部品が不要になり、商品のコストを下げることが可能になる。 As a result, the conventional external part as is not required, it is possible to reduce the cost of the product. また、本実施形態によれば、ICカード、ICタグなどの製品では形状の薄型化、小型化が重要な要件であり、これも容易に実現することが可能になる。 Further, according to this embodiment, IC card, thin shape products such as IC tags, downsizing is an important requirement, which also makes it possible to easily realize.

(B)第2の実施形態 次に、本発明の半導体集積回路、無線タグ及びセンサの第2の実施形態について図面を参照して説明する。 (B) Second Embodiment Next, a semiconductor integrated circuit of the present invention will be described with reference to the drawings, a second embodiment of a wireless tag and sensor.

第2の実施形態も、強誘電体薄膜キャパシタを用いる点で第1の実施形態と共通する。 The second embodiment is also common to the first embodiment in that it uses a ferroelectric thin film capacitor. しかし、第1の実施形態では、強誘電体薄膜キャパシタが触れる温度を直接的に感知するのに対して、第2の実施形態では、強誘電体薄膜キャパシタが赤外線を受光することにより熱を発生しその熱により強誘電体の分極が減少する。 However, in the first embodiment, the temperature at which the ferroelectric thin film capacitor touches against to directly sense, in the second embodiment, generates heat by the ferroelectric thin film capacitor receives infrared polarization of the ferroelectric is reduced by the heat of perilla. そして、その分極の減少からキャパシタの電極に電圧が発生することをセンサとして利用する。 Then, utilizing the fact that a voltage is generated in the capacitor electrode from a decrease in the polarization as a sensor.

図9は、第2の実施形態に係る回路構成図を示す。 Figure 9 shows a circuit diagram according to the second embodiment. 図9に示す回路は、1つの半導体集積回路上に形成されるものである。 The circuit shown in Figure 9 is intended to be formed on a single semiconductor integrated circuit.

図9示すように、本実施形態の半導体集集積回路は、並列比較式A/D変換器400、赤外線センサ500、アンプ600、出力電圧変化検出回路700を少なくとも備える。 As shown FIG. 9, a semiconductor collector integrated circuit of the present embodiment includes the parallel comparison type A / D converter 400, an infrared sensor 500, an amplifier 600, an output voltage change detecting circuit 700 at least.

並列比較式A/D変換器400は、アンプ600を通じて受け取った赤外線センサ500の出力をデジタル化するものである。 Parallel comparison type A / D converter 400, the output of the infrared sensor 500 received via the amplifier 600 is to digitize. なお、本実施形態では、赤外線センサ500からの出力が電圧であるため、並列比較式A/D変換器400を適用したが、電圧変換式であれば他のA/D変換器を適用しても良い。 In the present embodiment, since the output from the infrared sensor 500 is a voltage, is applied to the parallel comparison type A / D converter 400, by applying the other A / D converter if the voltage conversion equation it may be.

赤外線センサ500は、直列に接続された強誘電体薄膜キャパシタ501、それに並列に接続された抵抗502、インピーダンス変換用のFET503を有して構成される。 Infrared sensor 500, a ferroelectric thin film capacitor 501 connected in series, the resistor 502 are connected in parallel to it, a FET503 for impedance conversion configured.

ここで、図10は、本実施形態の赤外線受光用窓を有したパッケージの例を示す。 Here, FIG. 10 shows an example of a package that includes an infrared light receiving window of the present embodiment. また、図11は、本実施形態の集積回路例の断面図である。 11 is a cross-sectional view of an integrated circuit of the present embodiment. 図10に示すように、本実施形態の半導体集積回路は、例えばガラス等でなる赤外線の受光窓10aで封止し、その受光窓10aから入射した赤外線が、強誘電体薄膜キャパシタ501に照射し熱を発生させることができる構成である。 As shown in FIG. 10, a semiconductor integrated circuit of this embodiment, for example, of glass or the like sealed by infrared light receiving window 10a, the infrared rays incident from the light receiving window 10a is irradiated on the ferroelectric thin film capacitor 501 a structure capable of generating heat. また、例えば、ICカードやICタグ等のように実装上薄くなくてはならないものの場合には、図11に示すように、集積回路裏面に、例えばシリコン基板をエッチングするなどして赤外線の入射口10bを形成するようにしても良い。 Further, for example, in the case of a must no thin on implementation as an IC card or IC tag, as shown in FIG. 11, the integrated circuit backside, for example, a silicon substrate, such as by etching the infrared incident port 10b may be formed to.

また、図12は、強誘電体薄膜キャパシタ501への赤外線入射と出力電圧との関係を示す関係図である。 12 is a relationship diagram showing the relationship between the infrared incident and the output voltage to the ferroelectric thin film capacitor 501.

一般に、強誘電体薄膜キャパシタ501は、赤外線があたると熱が発生し、その熱により強誘電体の分極が減少する。 In general, the ferroelectric thin film capacitor 501, the infrared heat is generated and the hit, the polarization decreases ferroelectric by the heat. そのため、図12(a)に示すように、分極の減少から強誘電体薄膜キャパシタの電極に電圧が発生する。 Therefore, as shown in FIG. 12 (a), a voltage is generated in the electrodes of the ferroelectric thin film capacitor from the reduction in polarization. また、強誘電体薄膜キャパシタ501への赤外線照射をやめると熱の発生をやめ、強誘電体の分極が増加する。 Further, when stop infrared radiation into the ferroelectric thin film capacitor 501 stop the generation of heat, the polarization of the ferroelectric is increased. そのため、図12(b)に示すように、分極の増加から強誘電体薄膜キャパシタの電極に電圧が減少する。 Therefore, as shown in FIG. 12 (b), the voltage is reduced to the electrodes of the ferroelectric thin film capacitor from the increase of the polarization.

そこで、本実施形態では、この強誘電体薄膜キャパシタ501への赤外線照射に係る熱の変化に応じた出力電圧の変化を検知することで、間接的なセンサとして機能させるものとする。 Therefore, in this embodiment, by detecting the change in output voltage in response to changes in the heat of the infrared radiation to the ferroelectric thin film capacitor 501 is assumed to function as an indirect sensor.

アンプ600は、赤外線センサ500からの出力電圧を増幅して、並列比較式A/D変換器400及び出力電圧変化検出回路700に与えるものである。 Amplifier 600 amplifies the output voltage from the infrared sensor 500 and gives the parallel comparison type A / D converter 400 and the output voltage change detecting circuit 700. これにより、強誘電体薄膜キャパシタ501からの出力電圧を所望の倍率に増幅することができる。 Thus, the output voltage from the ferroelectric thin film capacitor 501 may be amplified to a desired magnification. なお、アンプ60による出力電圧の増幅率は、強誘電体薄膜キャパシタの材料や検知したい対象物、パッケージなどにより調整することができる。 Incidentally, the amplification factor of the output voltage by the amplifier 60, the material and the detected desired object of the ferroelectric thin film capacitor can be adjusted by such as a package.

出力電圧変化検出回路700は、アンプ600を通じて赤外線センサ500の出力を受け取り、赤外線センサ500の出力電圧が変化したことを検出すると出力するものである。 Output voltage change detecting circuit 700 receives the output of the infrared sensor 500 through the amplifier 600, and outputs the detected that the output voltage of the infrared sensor 500 has changed. また、出力電圧変化検出回路700は、赤外線センサ500の出力変化を検出すると、A/D変換割り込み(ADINT)を発生させて、A/D変換を行い温度の変化を記録させる。 Further, the output voltage change detecting circuit 700 detects a change in the output of the infrared sensor 500, to generate an A / D conversion interrupt (ADINT), to record the change in temperature A / D conversion is performed.

(B−3)第2の実施形態の効果 以上のように、本実施形態によれば、サーミスタ、サーモパイルなどの外つけセンサの替わりに強誘電体薄膜キャパシタで焦電式の赤外線センサを構成することで外つけ部品を不要にすることができる。 (B-3) Effect As described above in the second embodiment, according to the present embodiment, constitutes a thermistor, an infrared sensor of pyroelectric ferroelectric thin film capacitor instead of the outer wear sensor such as a thermopile it is possible to eliminate the need for outside wearing parts by.

さらに、本実施形態によれば、強誘電体薄膜キャパシタを発振に用いたりしないため、キャパシタは分極反転をすることはなく、キャパシタ特性の劣化しないセンサを実現できる。 Further, according to this embodiment, since no or using a ferroelectric thin film capacitor to the oscillator, the capacitor is not able to polarization inversion can be realized a sensor does not deteriorate the capacitor characteristics. また、センサを駆動する必要がないため、低消費電力化が可能になる。 Further, since it is not necessary to drive the sensor, it becomes possible to lower power consumption.

(C)他の実施形態 上述した第1及び第2の実施形態に係るシステムは、強誘電体メモリなど強誘電体薄膜キャパシタを有する集積回路、特にICカード、ICタグなどで温度履歴などを監視するシステムを安価で、且つ小型に構成することを可能にする。 (C) system according to the first and second embodiment described above other embodiments, an integrated circuit having a ferroelectric thin film capacitor including a ferroelectric memory, in particular an IC card, such as the monitoring temperature history such IC tag a system that is inexpensive, and makes it possible to configure a compact.

また、第1及び第2の実施形態はともに、センサとなる強誘電体薄膜キャパシタを同一基板上に形成するとしたが、別基板に形成後、同一のパッケージに組み入れることも可能である。 The first and second embodiments together, although a ferroelectric thin film capacitor comprising a sensor was formed on the same substrate, after forming on another substrate, it is also possible to incorporate into the same package. さらに、強誘電体薄膜はSBTを例に説明しているが、これに限定されず、PZTなど強誘電体特性を有し薄膜化が可能なものであれば良い。 Furthermore, strong but the dielectric thin film has been described as an example SBT, without being limited thereto, as long as it can thin has a ferroelectric characteristics such as PZT.

第1の実施形態の温度センサを搭載した半導体集積回路の回路構成図である。 It is a circuit diagram of a semiconductor integrated circuit having a temperature sensor in the first embodiment. 従来の温度センサを搭載した半導体集積回路の回路構成図である。 It is a circuit diagram of a semiconductor integrated circuit equipped with a conventional temperature sensor. 第1の実施形態の無線タグとリーダライタ装置との関係を示すイメージ図である。 Is an image diagram showing a relationship between the wireless tag and the reader-writer device of the first embodiment. 第1の実施形態の無線タグの内部構成を示す機能ブロック図である。 It is a functional block diagram showing the internal configuration of the wireless tag of the first embodiment. 第1の実施形態の強誘電体薄膜キャパシタ(SBT)の誘電率の温度特性を示す図である。 Is a diagram showing temperature characteristics of the dielectric constant of the ferroelectric thin film capacitor of the first embodiment (SBT). 第1の実施形態の半導体集積回路の動作波形図である。 It is an operation waveform diagram of the semiconductor integrated circuit of the first embodiment. 第1の実施形態のCR発振回路の概略的な回路図である。 It is a schematic circuit diagram of the CR oscillating circuit of the first embodiment. 第1の実施形態のCR発振回路の動作波形図である。 It is an operation waveform diagram of the CR oscillating circuit of the first embodiment. 第2の実施形態の半導体集積回路の回路構成図である。 It is a circuit diagram of a semiconductor integrated circuit of the second embodiment. 第2の実施形態の赤外線受光窓を有したパッケージの例を示す図である。 Is a diagram illustrating an example of a package that includes an infrared light receiving window of the second embodiment. 第2の実施形態の半導体集積回路の断面図である。 It is a cross-sectional view of a semiconductor integrated circuit of the second embodiment. 第2の実施形態の強誘電体薄膜キャパシタの赤外線入射と出力電圧との関係を示す関係図である。 Is a relationship diagram showing the relationship between the intensity infrared incident and the output voltage of the dielectric thin film capacitor of the second embodiment.

符号の説明 DESCRIPTION OF SYMBOLS

2…無線タグ、24…温度センサ、25、100…CR発振器、16、200…A/D変換器、33、501…強誘電体薄膜キャパシタ、500…赤外線センサ。 2 ... wireless tag, 24 ... temperature sensor, 25,100 ... CR oscillator, 16,200 ... A / D converter, 33,501 ... ferroelectric thin film capacitor, 500 ... infrared sensor.

Claims (9)

  1. 発振回路からの発振周波数の変化に基づいて温度を測定する半導体集積回路において、上記発振回路の容量が強誘電体であり、上記強誘電体の温度変化によって変化する誘電特性に基づいて、上記発振周波数を変化させることを特徴とする半導体集積回路。 In the semiconductor integrated circuit to measure the temperature on the basis of the change in the oscillation frequency from the oscillation circuit, the capacitance of the oscillation circuit is ferroelectric, based on the dielectric properties vary with temperature changes in the ferroelectric, the oscillation the semiconductor integrated circuit, characterized in that to change the frequency.
  2. 上記強誘電体は、少なくとも上記発振回路と同一基板上に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路。 The ferroelectric The semiconductor integrated circuit according to claim 1, characterized in that it is formed at least on the oscillation circuit on the same substrate.
  3. 赤外線センサに強誘電体が設けられ、上記強誘電体が入射した赤外線により発熱し、その発熱による分極電荷量の変化を検出することで、入射する赤外線の遮断の有無を確認させることができる半導体集積回路。 Ferroelectric is provided on the infrared sensor, the ferroelectric is heated by the infrared incident, by detecting the change in the polarization charge due to the heat generation, the semiconductor that can confirm the presence or absence of interruption of the incident infrared rays integrated circuit.
  4. 請求項3に記載の半導体集積回路は、上記赤外線センサを赤外線の入射用の窓つきのパッケージに封止したことを特徴とする半導体集積回路。 The semiconductor integrated circuit according to claim 3, the semiconductor integrated circuit, characterized in that sealing the infrared sensor to the infrared window with the package for the incident.
  5. 請求項3に記載の半導体集積回路は、集積回路の裏面をエッチングすることにより、赤外線入射口を形成したことを特徴とする半導体集積回路。 The semiconductor integrated circuit according to claim 3, by etching the back surface of the integrated circuit, the semiconductor integrated circuit, characterized in that the formation of the infrared entrance.
  6. センサを搭載した半導体集積回路を備えた無線タグにおいて、上記半導体集積回路が請求項1〜5のいずれかに記載の半導体集積回路であることを特徴とする無線タグ。 The RFID tag having a semiconductor integrated circuit having a sensor, a wireless tag, wherein said semiconductor integrated circuit is a semiconductor integrated circuit according to claim 1.
  7. 強誘電体の温度変化によって変化する誘電特性に基づいて、直接的又は間接的に感知対象を感知することを特徴とするセンサ。 Sensor based on the dielectric properties, characterized by sensing directly or indirectly sensed that varies with changes in temperature of the ferroelectric.
  8. 上記強誘電体が発振回路の容量として使用され、温度変化による誘電率の変化により発振周波数を変化させることで温度を感知することを特徴とする請求項7に記載のセンサ。 The sensor of claim 7 in which the ferroelectric is used as the capacitance of the oscillating circuit, characterized by sensing the temperature by changing the oscillation frequency due to a change in dielectric constant with temperature change.
  9. 上記強誘電体が、入射した赤外線により発熱し、その発熱による分極電荷量の変化を検出することで、入射する赤外線の遮断の有無を確認することを特徴とする請求項7に記載のセンサ。 The sensor of claim 7 the ferroelectric is heated by infrared radiation incident, by detecting the change in the polarization charge due to the heat generation, which is characterized in that to check for blocking the incident infrared rays.



JP2005221660A 2005-07-29 2005-07-29 Semiconductor ic, wireless ic tag and sensor Pending JP2007040702A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005221660A JP2007040702A (en) 2005-07-29 2005-07-29 Semiconductor ic, wireless ic tag and sensor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005221660A JP2007040702A (en) 2005-07-29 2005-07-29 Semiconductor ic, wireless ic tag and sensor

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2007040702A true JP2007040702A (en) 2007-02-15

Family

ID=37798848

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005221660A Pending JP2007040702A (en) 2005-07-29 2005-07-29 Semiconductor ic, wireless ic tag and sensor

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2007040702A (en)

Cited By (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011037234A1 (en) * 2009-09-28 2011-03-31 株式会社村田製作所 Wireless ic device and method for detecting environmental conditions using same
US8336786B2 (en) 2010-03-12 2012-12-25 Murata Manufacturing Co., Ltd. Wireless communication device and metal article
US8400365B2 (en) 2009-11-20 2013-03-19 Murata Manufacturing Co., Ltd. Antenna device and mobile communication terminal
US8413907B2 (en) 2007-07-17 2013-04-09 Murata Manufacturing Co., Ltd. Wireless IC device and electronic apparatus
US8424769B2 (en) 2010-07-08 2013-04-23 Murata Manufacturing Co., Ltd. Antenna and RFID device
US8424762B2 (en) 2007-04-14 2013-04-23 Murata Manufacturing Co., Ltd. Wireless IC device and component for wireless IC device
US8544759B2 (en) 2009-01-09 2013-10-01 Murata Manufacturing., Ltd. Wireless IC device, wireless IC module and method of manufacturing wireless IC module
US8552870B2 (en) 2007-07-09 2013-10-08 Murata Manufacturing Co., Ltd. Wireless IC device
US8590797B2 (en) 2008-05-21 2013-11-26 Murata Manufacturing Co., Ltd. Wireless IC device
US8602310B2 (en) 2010-03-03 2013-12-10 Murata Manufacturing Co., Ltd. Radio communication device and radio communication terminal
US8613395B2 (en) 2011-02-28 2013-12-24 Murata Manufacturing Co., Ltd. Wireless communication device
US8676117B2 (en) 2006-01-19 2014-03-18 Murata Manufacturing Co., Ltd. Wireless IC device and component for wireless IC device
US8690070B2 (en) 2009-04-14 2014-04-08 Murata Manufacturing Co., Ltd. Wireless IC device component and wireless IC device
US8718727B2 (en) 2009-12-24 2014-05-06 Murata Manufacturing Co., Ltd. Antenna having structure for multi-angled reception and mobile terminal including the antenna
US8720789B2 (en) 2012-01-30 2014-05-13 Murata Manufacturing Co., Ltd. Wireless IC device
US8740093B2 (en) 2011-04-13 2014-06-03 Murata Manufacturing Co., Ltd. Radio IC device and radio communication terminal
US8770489B2 (en) 2011-07-15 2014-07-08 Murata Manufacturing Co., Ltd. Radio communication device
US8797225B2 (en) 2011-03-08 2014-08-05 Murata Manufacturing Co., Ltd. Antenna device and communication terminal apparatus
US8797148B2 (en) 2008-03-03 2014-08-05 Murata Manufacturing Co., Ltd. Radio frequency IC device and radio communication system
US8814056B2 (en) 2011-07-19 2014-08-26 Murata Manufacturing Co., Ltd. Antenna device, RFID tag, and communication terminal apparatus
US8853549B2 (en) 2009-09-30 2014-10-07 Murata Manufacturing Co., Ltd. Circuit substrate and method of manufacturing same
US8870077B2 (en) 2008-08-19 2014-10-28 Murata Manufacturing Co., Ltd. Wireless IC device and method for manufacturing same
US8878739B2 (en) 2011-07-14 2014-11-04 Murata Manufacturing Co., Ltd. Wireless communication device
US8905296B2 (en) 2011-12-01 2014-12-09 Murata Manufacturing Co., Ltd. Wireless integrated circuit device and method of manufacturing the same
US8917211B2 (en) 2008-11-17 2014-12-23 Murata Manufacturing Co., Ltd. Antenna and wireless IC device
US8937576B2 (en) 2011-04-05 2015-01-20 Murata Manufacturing Co., Ltd. Wireless communication device
US8944335B2 (en) 2010-09-30 2015-02-03 Murata Manufacturing Co., Ltd. Wireless IC device
US8976075B2 (en) 2009-04-21 2015-03-10 Murata Manufacturing Co., Ltd. Antenna device and method of setting resonant frequency of antenna device
US8981906B2 (en) 2010-08-10 2015-03-17 Murata Manufacturing Co., Ltd. Printed wiring board and wireless communication system
US8991713B2 (en) 2011-01-14 2015-03-31 Murata Manufacturing Co., Ltd. RFID chip package and RFID tag
JP2015080069A (en) * 2013-10-16 2015-04-23 富士通セミコンダクター株式会社 Semiconductor integrated circuit and operation control method for semiconductor integrated circuit
US9024837B2 (en) 2010-03-31 2015-05-05 Murata Manufacturing Co., Ltd. Antenna and wireless communication device
US9024725B2 (en) 2009-11-04 2015-05-05 Murata Manufacturing Co., Ltd. Communication terminal and information processing system
US9104950B2 (en) 2009-01-30 2015-08-11 Murata Manufacturing Co., Ltd. Antenna and wireless IC device
US9117157B2 (en) 2009-10-02 2015-08-25 Murata Manufacturing Co., Ltd. Wireless IC device and electromagnetic coupling module
US9166291B2 (en) 2010-10-12 2015-10-20 Murata Manufacturing Co., Ltd. Antenna device and communication terminal apparatus
US9165239B2 (en) 2006-04-26 2015-10-20 Murata Manufacturing Co., Ltd. Electromagnetic-coupling-module-attached article
US9236651B2 (en) 2010-10-21 2016-01-12 Murata Manufacturing Co., Ltd. Communication terminal device
US9281873B2 (en) 2008-05-26 2016-03-08 Murata Manufacturing Co., Ltd. Wireless IC device system and method of determining authenticity of wireless IC device
US9378452B2 (en) 2011-05-16 2016-06-28 Murata Manufacturing Co., Ltd. Radio IC device
US9460320B2 (en) 2009-10-27 2016-10-04 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transceiver and radio frequency identification tag reader
US9461363B2 (en) 2009-11-04 2016-10-04 Murata Manufacturing Co., Ltd. Communication terminal and information processing system
US9460376B2 (en) 2007-07-18 2016-10-04 Murata Manufacturing Co., Ltd. Radio IC device
US9543642B2 (en) 2011-09-09 2017-01-10 Murata Manufacturing Co., Ltd. Antenna device and wireless device
US9558384B2 (en) 2010-07-28 2017-01-31 Murata Manufacturing Co., Ltd. Antenna apparatus and communication terminal instrument
US9692128B2 (en) 2012-02-24 2017-06-27 Murata Manufacturing Co., Ltd. Antenna device and wireless communication device
US9727765B2 (en) 2010-03-24 2017-08-08 Murata Manufacturing Co., Ltd. RFID system including a reader/writer and RFID tag
US9761923B2 (en) 2011-01-05 2017-09-12 Murata Manufacturing Co., Ltd. Wireless communication device
US10013650B2 (en) 2010-03-03 2018-07-03 Murata Manufacturing Co., Ltd. Wireless communication module and wireless communication device
US10235544B2 (en) 2012-04-13 2019-03-19 Murata Manufacturing Co., Ltd. Inspection method and inspection device for RFID tag

Cited By (64)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8725071B2 (en) 2006-01-19 2014-05-13 Murata Manufacturing Co., Ltd. Wireless IC device and component for wireless IC device
US8676117B2 (en) 2006-01-19 2014-03-18 Murata Manufacturing Co., Ltd. Wireless IC device and component for wireless IC device
US9165239B2 (en) 2006-04-26 2015-10-20 Murata Manufacturing Co., Ltd. Electromagnetic-coupling-module-attached article
US8424762B2 (en) 2007-04-14 2013-04-23 Murata Manufacturing Co., Ltd. Wireless IC device and component for wireless IC device
US8662403B2 (en) 2007-07-04 2014-03-04 Murata Manufacturing Co., Ltd. Wireless IC device and component for wireless IC device
US8552870B2 (en) 2007-07-09 2013-10-08 Murata Manufacturing Co., Ltd. Wireless IC device
US8413907B2 (en) 2007-07-17 2013-04-09 Murata Manufacturing Co., Ltd. Wireless IC device and electronic apparatus
US9460376B2 (en) 2007-07-18 2016-10-04 Murata Manufacturing Co., Ltd. Radio IC device
US9830552B2 (en) 2007-07-18 2017-11-28 Murata Manufacturing Co., Ltd. Radio IC device
US8797148B2 (en) 2008-03-03 2014-08-05 Murata Manufacturing Co., Ltd. Radio frequency IC device and radio communication system
US8973841B2 (en) 2008-05-21 2015-03-10 Murata Manufacturing Co., Ltd. Wireless IC device
US8590797B2 (en) 2008-05-21 2013-11-26 Murata Manufacturing Co., Ltd. Wireless IC device
US9022295B2 (en) 2008-05-21 2015-05-05 Murata Manufacturing Co., Ltd. Wireless IC device
US9281873B2 (en) 2008-05-26 2016-03-08 Murata Manufacturing Co., Ltd. Wireless IC device system and method of determining authenticity of wireless IC device
US8870077B2 (en) 2008-08-19 2014-10-28 Murata Manufacturing Co., Ltd. Wireless IC device and method for manufacturing same
US8917211B2 (en) 2008-11-17 2014-12-23 Murata Manufacturing Co., Ltd. Antenna and wireless IC device
US8544759B2 (en) 2009-01-09 2013-10-01 Murata Manufacturing., Ltd. Wireless IC device, wireless IC module and method of manufacturing wireless IC module
US9104950B2 (en) 2009-01-30 2015-08-11 Murata Manufacturing Co., Ltd. Antenna and wireless IC device
US8690070B2 (en) 2009-04-14 2014-04-08 Murata Manufacturing Co., Ltd. Wireless IC device component and wireless IC device
US8876010B2 (en) 2009-04-14 2014-11-04 Murata Manufacturing Co., Ltd Wireless IC device component and wireless IC device
US9203157B2 (en) 2009-04-21 2015-12-01 Murata Manufacturing Co., Ltd. Antenna device and method of setting resonant frequency of antenna device
US8976075B2 (en) 2009-04-21 2015-03-10 Murata Manufacturing Co., Ltd. Antenna device and method of setting resonant frequency of antenna device
US9564678B2 (en) 2009-04-21 2017-02-07 Murata Manufacturing Co., Ltd. Antenna device and method of setting resonant frequency of antenna device
JP5182431B2 (en) * 2009-09-28 2013-04-17 株式会社村田製作所 Wireless ic devices and environmental state detection method using the same
WO2011037234A1 (en) * 2009-09-28 2011-03-31 株式会社村田製作所 Wireless ic device and method for detecting environmental conditions using same
US8680971B2 (en) 2009-09-28 2014-03-25 Murata Manufacturing Co., Ltd. Wireless IC device and method of detecting environmental state using the device
US8853549B2 (en) 2009-09-30 2014-10-07 Murata Manufacturing Co., Ltd. Circuit substrate and method of manufacturing same
US9117157B2 (en) 2009-10-02 2015-08-25 Murata Manufacturing Co., Ltd. Wireless IC device and electromagnetic coupling module
US9460320B2 (en) 2009-10-27 2016-10-04 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transceiver and radio frequency identification tag reader
US9461363B2 (en) 2009-11-04 2016-10-04 Murata Manufacturing Co., Ltd. Communication terminal and information processing system
US9024725B2 (en) 2009-11-04 2015-05-05 Murata Manufacturing Co., Ltd. Communication terminal and information processing system
US8400365B2 (en) 2009-11-20 2013-03-19 Murata Manufacturing Co., Ltd. Antenna device and mobile communication terminal
US8704716B2 (en) 2009-11-20 2014-04-22 Murata Manufacturing Co., Ltd. Antenna device and mobile communication terminal
US8718727B2 (en) 2009-12-24 2014-05-06 Murata Manufacturing Co., Ltd. Antenna having structure for multi-angled reception and mobile terminal including the antenna
US8602310B2 (en) 2010-03-03 2013-12-10 Murata Manufacturing Co., Ltd. Radio communication device and radio communication terminal
US10013650B2 (en) 2010-03-03 2018-07-03 Murata Manufacturing Co., Ltd. Wireless communication module and wireless communication device
US8336786B2 (en) 2010-03-12 2012-12-25 Murata Manufacturing Co., Ltd. Wireless communication device and metal article
US8528829B2 (en) 2010-03-12 2013-09-10 Murata Manufacturing Co., Ltd. Wireless communication device and metal article
US9727765B2 (en) 2010-03-24 2017-08-08 Murata Manufacturing Co., Ltd. RFID system including a reader/writer and RFID tag
US9024837B2 (en) 2010-03-31 2015-05-05 Murata Manufacturing Co., Ltd. Antenna and wireless communication device
US8424769B2 (en) 2010-07-08 2013-04-23 Murata Manufacturing Co., Ltd. Antenna and RFID device
US9558384B2 (en) 2010-07-28 2017-01-31 Murata Manufacturing Co., Ltd. Antenna apparatus and communication terminal instrument
US8981906B2 (en) 2010-08-10 2015-03-17 Murata Manufacturing Co., Ltd. Printed wiring board and wireless communication system
US8944335B2 (en) 2010-09-30 2015-02-03 Murata Manufacturing Co., Ltd. Wireless IC device
US9166291B2 (en) 2010-10-12 2015-10-20 Murata Manufacturing Co., Ltd. Antenna device and communication terminal apparatus
US9236651B2 (en) 2010-10-21 2016-01-12 Murata Manufacturing Co., Ltd. Communication terminal device
US9761923B2 (en) 2011-01-05 2017-09-12 Murata Manufacturing Co., Ltd. Wireless communication device
US8991713B2 (en) 2011-01-14 2015-03-31 Murata Manufacturing Co., Ltd. RFID chip package and RFID tag
US8757502B2 (en) 2011-02-28 2014-06-24 Murata Manufacturing Co., Ltd. Wireless communication device
US8960561B2 (en) 2011-02-28 2015-02-24 Murata Manufacturing Co., Ltd. Wireless communication device
US8613395B2 (en) 2011-02-28 2013-12-24 Murata Manufacturing Co., Ltd. Wireless communication device
US8797225B2 (en) 2011-03-08 2014-08-05 Murata Manufacturing Co., Ltd. Antenna device and communication terminal apparatus
US8937576B2 (en) 2011-04-05 2015-01-20 Murata Manufacturing Co., Ltd. Wireless communication device
US8740093B2 (en) 2011-04-13 2014-06-03 Murata Manufacturing Co., Ltd. Radio IC device and radio communication terminal
US9378452B2 (en) 2011-05-16 2016-06-28 Murata Manufacturing Co., Ltd. Radio IC device
US8878739B2 (en) 2011-07-14 2014-11-04 Murata Manufacturing Co., Ltd. Wireless communication device
US8770489B2 (en) 2011-07-15 2014-07-08 Murata Manufacturing Co., Ltd. Radio communication device
US8814056B2 (en) 2011-07-19 2014-08-26 Murata Manufacturing Co., Ltd. Antenna device, RFID tag, and communication terminal apparatus
US9543642B2 (en) 2011-09-09 2017-01-10 Murata Manufacturing Co., Ltd. Antenna device and wireless device
US8905296B2 (en) 2011-12-01 2014-12-09 Murata Manufacturing Co., Ltd. Wireless integrated circuit device and method of manufacturing the same
US8720789B2 (en) 2012-01-30 2014-05-13 Murata Manufacturing Co., Ltd. Wireless IC device
US9692128B2 (en) 2012-02-24 2017-06-27 Murata Manufacturing Co., Ltd. Antenna device and wireless communication device
US10235544B2 (en) 2012-04-13 2019-03-19 Murata Manufacturing Co., Ltd. Inspection method and inspection device for RFID tag
JP2015080069A (en) * 2013-10-16 2015-04-23 富士通セミコンダクター株式会社 Semiconductor integrated circuit and operation control method for semiconductor integrated circuit

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1411630B1 (en) Crystal oscillator emulator
EP2082382B1 (en) Multi-mode tags and methods of reading the same
US20140125458A1 (en) MEMS Sensor Enabled RFID System and Method for Operating the Same
US7659716B2 (en) Sensor circuit, semiconductor device, and electronic apparatus
JP4368219B2 (en) Crystal oscillator, the oscillation method and a heater
US7831873B1 (en) Method and apparatus for detecting sudden temperature/voltage changes in integrated circuits
JP5052079B2 (en) Sensor devices and containers with it
JP4236402B2 (en) Semiconductor device
CN101150309B (en) A self-adapted capacitance touch sensing control circuit
US20050272468A1 (en) Cellular phone capable of measuring temperature by IR means
US5232284A (en) Radiation clinical thermometer
Curty et al. Remotely powered addressable UHF RFID integrated system
CA2419427C (en) Wireless spread-spectrum telesensor chip with synchronous digital architecture
US7332975B2 (en) Reference-less clock circuit
EP1840790B1 (en) Transponder detector for an RFID system generating a progression of detection signals
US6695475B2 (en) Temperature sensing circuit and method
US8076904B2 (en) Circuit for detecting remaining battery capacity
US7228102B2 (en) Resonant frequency user proximity detection
US7173882B2 (en) Methods and systems for performing horological functions using time cells
US7554448B2 (en) RFID transponder and RFID transponder chip
US20030070106A1 (en) Information processing apparatus
BR0105998A (en) Temperature sensor with adjustable response to transceiver
CN101865733B (en) Circuits and methods and electronic system for temperature detection
CN103329178B (en) Wake-up circuit for safety equipment
CN101042626B (en) Position detecting means and a computer