JP2007029973A - Apparatus and method for laser beam machining, and apparatus and method for collecting debris - Google Patents
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本発明は、FPD(フラットパネルディスプレイ)や太陽電池等の多層薄膜上の透明電極に利用される透明導電膜や樹脂膜・金属薄膜をパターン加工するレーザ加工装置やレーザ加工方法に係わり、特に、加工対象物の上面からレーザ光を照射して、光化学反応(アブレーション)、熱溶融或いはそれらの複合作用によるレーザ加工時に発生する加工飛散物(デブリ:debris・ドロス・ミスト・ヒュームなどの微小パーティクル)を液体によって局所的に浸漬循環させ有効に除去・回収するためのレーザ加工装置と加工方法及びデブリ回収装置とその回収方法に関するものである。 The present invention relates to a laser processing apparatus and a laser processing method for patterning a transparent conductive film, a resin film, and a metal thin film used for transparent electrodes on multilayer thin films such as FPD (flat panel display) and solar cells, Irradiation of laser light from the top surface of the object to be processed, and processing scattered matter (debris: minute particles such as debris, dross, mist, and fume) generated during laser processing by photochemical reaction (ablation), thermal melting, or their combined action The present invention relates to a laser processing device, a processing method, a debris recovery device, and a recovery method for effectively removing and recovering the substrate by immersing and circulating locally with a liquid.
液晶パネルを初めとするFPDを扱うファインプロセスの世界では、透明導電膜や樹脂膜・金属薄膜は、通常、フォトリソグラフィー法によって、所望の形状にパターンニングされる。例えばガラス、プラスチック、シリコンウェハ等の基板上に、ITO(Indium Tin Oxides)膜、またはZnO(酸化亜鉛)膜等からなる透明導電膜を真空成膜し、その上にレジスト層を形成して、所定パターンを有するフォトマスクを通して光を照射しレジスト層を感光する。そして、現像、ポストベークすることでフォトマスクパターンをレジスト層に転写し、ウエットエッチングにて透明導電膜のレジストで被覆されていない部分を除去し、最後に残留レジスト層を除去することで所望の透明導電膜のパターンが得られる。 In the world of fine processes that handle FPDs such as liquid crystal panels, transparent conductive films, resin films, and metal thin films are usually patterned into a desired shape by photolithography. For example, glass, plastic, on a substrate such as a silicon wafer, ITO (I ndium T in O xides) film, or ZnO transparent conductive film made of zinc oxide () film or the like by vacuum deposition, forming a resist layer thereon Then, the resist layer is exposed by irradiating light through a photomask having a predetermined pattern. Then, the photomask pattern is transferred to the resist layer by development and post-baking, the portion of the transparent conductive film that is not covered with the resist is removed by wet etching, and finally the residual resist layer is removed to remove the desired resist layer. A transparent conductive film pattern is obtained.
現在のFPD−やLCD(液晶表示装置)では、収率を向上させるために基板サイズが大型化され、第8世代ディスプレイでは、2メータ□が予定されているなど、フォトリソグラフィー法では設備の大型化が避けられなくなってきている。また、次世代ディスプレイでは、その設計パターンルールが2ミクロンを切ろうとしている中で、回路パターンの微細化が進み、これらの製作にはフォトリソグラフィーを用いたパターン形成技術が必須なものになっている。しかしながらフォトリソグラフィー技術を使用した場合、露光・現像・エッチングに代表されるように、コータディベローッパーなどの大型の装置が必要となり、また、現像液などの薬液を大量に使用するため、多くの設備コストと材料コストなどが費やされることになり、設備投資及びフットプリント並びに環境保全の面でも問題となる。そこで、フォトリソグラフィー工程を省略し製造工程を簡略化するのに、レーザ光を用いて直接、透明導電膜を加工する技術が特許文献1で開示されている。
In the current FPD- and LCD (liquid crystal display device), the substrate size is increased to improve the yield, and in the 8th generation display, 2 meters □ are planned. It is becoming inevitable. In the next generation display, the design pattern rule is going to cut below 2 microns, and the circuit pattern has been miniaturized, and pattern formation technology using photolithography has become indispensable for the production of these. Yes. However, when photolithography technology is used, a large device such as a coater / developer is required as represented by exposure / development / etching, and a large amount of chemical solution such as developer is used. Equipment costs, material costs, and the like are spent, and this is also a problem in terms of capital investment, footprint, and environmental conservation. Therefore,
上述のようにフォトリソグラフィー方法を用いずにレーザ光によるレーザ加工装置及び加工方法として、エキシマレーザを利用した場合で例えると、エキシマレーザは、化学結合を切断できる高いフォトンエネルギを有し、アブレーション(Abrasion)と呼ばれる光化学反応により、熱的な影響を抑えつつ加工対象物を除去することが出来る。このようなアブレーションによるレーザ加工は。エネルギ密度を調整したエキシマレーザ光を照射することにより、プラスチック、金属、セラミックス等、種々の物質をアブレーション加工することが出来る。この加工においては、レーザ照射を受けた被加工対象面からレーザ光を吸収して反応してできる生成物や、被加工材料の微小パーティクルであるデブリ(Debris)と呼ばれる飛散物が空気中を舞って拡散し、基板に再付着する。特に反応生成物は、基板に付着すると熱を奪われて凝固し、ブラシなどで物理的洗浄を行っても除去することができずに製品不良の原因となるレーザを用いたこれらの再付着は100%不良となるレベルのパーティクル(塵埃)である。よって、光レーザによって直接パターンニングする方法ではデブリやドロス・ミスト・ヒュームなどの微小パーティクルを抑制する技術が必須事項となっている。 As described above, when an excimer laser is used as a laser processing apparatus and processing method using laser light without using a photolithography method, the excimer laser has high photon energy capable of breaking chemical bonds, and ablation ( A chemical reaction called Abrasion) can remove the workpiece while suppressing the thermal effect. Laser processing by such ablation. By irradiating the excimer laser light with adjusted energy density, various materials such as plastic, metal, ceramics, and the like can be ablated. In this processing, products formed by absorbing and reacting with laser light from the surface to be processed that has been irradiated with laser, and scattered objects called debris, which are minute particles of the material to be processed, move in the air. Diffuses and reattaches to the substrate. Especially when reaction products adhere to the substrate, they are deprived of heat and solidify, and they cannot be removed even by physical cleaning with a brush or the like. Particles (dust) at a level that is 100% defective. Therefore, in the method of directly patterning with an optical laser, a technique for suppressing minute particles such as debris, dross, mist, and fume is an essential matter.
上述のようにデブリの抑制方法として、デブリ・ドロス・ミスト・ヒュームなどの微小パーティクル発生そのものを抑制する方法や、デブリ堆積を少なくする方法や、デブリの堆積後にデブリを回収する方法などが知られている。デブリの発生量を低減するためには、加工対象物へのレーザ光の照射と共にアシストガスを吹き付けることが有効であることが知られている。また、デブリ発生そのものを抑制する方法としては、所定の雰囲気ガスによって分解、あるいは再付着を防止する方法が知られている、更に、レーザ照射部エリアを物理的に覆い、エアーを流して回収する方法も特許文献2で開示されている。更に、またデブリが基板上へ堆積するのを少なくする方法として、加工領域近傍の表面に気体を噴出する流体送出装置を設け、反対側に流体を吸引する吸引ダクトを設置して加工飛散物やデブリを加工領域から吹き去り、同時にこれを吸引して除去する手法が特許文献3に開示されている。 As described above, as a debris suppression method, there are known a method for suppressing the generation of minute particles such as debris, dross, mist and fume, a method for reducing debris accumulation, and a method for collecting debris after debris deposition. ing. In order to reduce the amount of debris generated, it is known that it is effective to spray an assist gas together with the irradiation of the laser beam onto the workpiece. In addition, as a method of suppressing the occurrence of debris itself, a method of preventing decomposition or reattachment with a predetermined atmospheric gas is known. Further, the laser irradiation area is physically covered and collected by flowing air. The method is also disclosed in Patent Document 2. Furthermore, as a method of reducing the accumulation of debris on the substrate, a fluid delivery device for ejecting gas is provided on the surface in the vicinity of the processing region, and a suction duct for sucking fluid is installed on the opposite side, and processing scattered matter and Japanese Patent Application Laid-Open No. H10-228561 discloses a method of blowing off debris from the processing region and simultaneously sucking and removing the debris.
しかし、これらはデブリ・ドロス・ミスト・ヒュームなどの微小パーティクル回収の目的は人体に影響を与えない程度にデブリを回収するレベルであり、液晶パネルガラス基板に形成する透明導電膜の様なファインデバイスに適用できる数μ〜数10μオーダのレベルのパターンを制御し除去、回収するものでなく、微細加工が必要とされている次世代デバイスでは効果は低く問題となっていた。 However, the purpose of collecting fine particles such as debris, dross, mist, and fume is to collect debris to the extent that it does not affect the human body. Fine devices such as transparent conductive films formed on liquid crystal panel glass substrates However, the effect is low and problematic in the next-generation device that requires fine processing.
更に、またデブリ付着防止方法としてレーザ加工時に発生したデブリの付着を防止し、良好な加工表面を得ることのできるレーザ加工方法として、アブレーション加工すべき被加工対象物の表面に水などの液体を接触させ、この液体を通じてYAGもしくはYLFのレーザ光を加工対象物の表面に照射することにより、発生したデブリを液体中に浮遊させ加工終了後に液体と共にデブリを洗い流し、被加工対象物に表面にデブリが付着するのを防止するものが特許文献4されている。
Furthermore, as a laser processing method that prevents adhesion of debris generated during laser processing as a debris adhesion prevention method and can obtain a good processed surface, a liquid such as water is applied to the surface of the workpiece to be ablated. The surface of the object to be processed is irradiated with YAG or YLF laser light through this liquid, and the generated debris is suspended in the liquid. After the processing is completed, the debris is washed away together with the liquid, and the surface of the object to be processed is debris.
しかし、上記方法では、加工対象物の表面に接触した液体中に浮遊するデブリが加工対象物表面に再付着する可能性があり、加工対象物表面へのデブリの付着を完全に防止することが出来なかった。そこで、これ等の課題を解決し、本発明の基礎となるレーザ加工装置とレーザ加工方法を特許文献5で提案した。この特許文献5ではレーザ光照射によりアブレーション加工する際に生ずる加工飛散物が被加工対象物の表面に付着するのを防止するため、レーザ光源と、レーザ光源から出射されるレーザ光を被加工対象物の被加工面に所定パターンで光学的に投影する光学系とを有し、被加工面をアブレーションにより加工するものであって、レーザ光が照射される被加工面にレーザ光を透過する液体を供給し、液体を被加工面上で所定方向に移動させる液体供給機構を設けたレーザ加工方法とレーザ加工装置が開示されている。
However, in the above method, there is a possibility that debris floating in the liquid in contact with the surface of the workpiece will reattach to the surface of the workpiece, and it is possible to completely prevent the debris from adhering to the surface of the workpiece. I could not do it. Therefore,
上述の特許文献5に開示の構成を図6によって説明する。図6はレーザ加工装置のデブリ付着防止機構の構造を示す断面図であり、付着防止機構50は、被加工対象物51の被加工面51FへのレーザビームLBの照射中に、レーザビームLBを透過する液体を被加工面51Fに供給し、液体を被加工面5F上で所定方向に移動させることにより、アブレーション加工により発生するデブリを洗い流すようにしたもので、付着防止機構50は、保持機構53と、液体供給源54とを有している。保持機構53は、ステージ55上に設置され加工対象物51を保持している。この保持機構53は、加工容器56と、カバー部材57とを有している。
The configuration disclosed in
上記加工容器56は、ステージ55上に設置されている。この加工容器56は、上端側が開口し、底部に被加工対象物51が設置される。カバー部材57は、加工容器56の開口側の内周に設置されており、加工容器56の開口端に固定された固定部材58により加工容器56に固定されている。固定部材58には、レーザビームLBを加工容器56内に導き入れるための開口59が形成されている。カバー部材57は、加工容器56の開口側から入射されるレーザビームLBを透過する材料たとえば、レーザ光源に波長が248nmのKrFエキシマレーザを用いた場合には、KrFエキシマレーザに対して透過率の高い合成石英ガラスやフッ化カルシウム等で形成されたものを使用する。また、カバー部材57は、加工容器56の底部に設置された被加工対象物51の被加工面51Fから所定の高さ、たとえば、1mm程度の位置に配置されている。すなわち、被加工対象物51の被加工面51Fとカバー部材57との間には、所定の隙間Gpが形成されている。この隙間Gpを液体60が通過する。カバー部材57が加工容器56の内周に設置されることにより、カバー部材57と加工容器56との間に閉空間Spが形成されている。この閉空間Spに液体60が供給され、閉空間Sp内には液体が充填される。 The processing container 56 is installed on a stage 55. The processing container 56 is opened at the upper end side, and the workpiece 51 is installed at the bottom. The cover member 57 is installed on the inner periphery of the processing container 56 on the opening side, and is fixed to the processing container 56 by a fixing member 58 fixed to the opening end of the processing container 56. An opening 59 for introducing the laser beam LB into the processing container 56 is formed in the fixing member 58. The cover member 57 is made of a material that transmits the laser beam LB incident from the opening side of the processing container 56. For example, when a KrF excimer laser having a wavelength of 248 nm is used as a laser light source, the cover member 57 has a transmittance with respect to the KrF excimer laser. The one made of high synthetic quartz glass or calcium fluoride is used. Further, the cover member 57 is disposed at a predetermined height, for example, about 1 mm from the processing surface 51F of the processing target object 51 installed at the bottom of the processing container 56. That is, a predetermined gap Gp is formed between the processed surface 51F of the workpiece 51 and the cover member 57. The liquid 60 passes through this gap Gp. By installing the cover member 57 on the inner periphery of the processing container 56, a closed space Sp is formed between the cover member 57 and the processing container 56. The liquid 60 is supplied to the closed space Sp, and the closed space Sp is filled with the liquid.
加工容器56には、液体60が供給される供給口61と加工容器53の閉空間Spに供給された液体60を外部に排出する排出口62とが形成されている。供給口61には、供給管63が接続されており、この供給管63はバルブ64を介して液体供給源54に接続されている。バルブ64は、供給管63の管路の開閉および液体供給源54から供給される液体60の流量調整を行う。排出口62には、排出管65が接続されており、この排出管65にはバルブ66が接続されている。バルブ66は、排出管66の管路の開閉および加工容器56から排出される液体60の流量調整を行う。液体供給源54は、液体60を所定の圧力、流量に調整して加工容器56に供給する。液体供給源54が供給する液体60は、レーザビームLBを透過する液体であり、たとえば、水が使用される。
The processing container 56 is formed with a supply port 61 for supplying the liquid 60 and a discharge port 62 for discharging the liquid 60 supplied to the closed space Sp of the processing container 53 to the outside. A supply pipe 63 is connected to the supply port 61, and the supply pipe 63 is connected to the liquid supply source 54 via a valve 64. The valve 64 opens and closes the conduit of the supply pipe 63 and adjusts the flow rate of the liquid 60 supplied from the liquid supply source 54. A discharge pipe 65 is connected to the discharge port 62, and a
しかしながら、現在のディスプレイデバイスでは、収率を向上させるために基板サイズが大型となり、2メータ□が予定されているなど、上記方法では設備の大型化が避けられなくなってきている。したがって、上記した特許文献5に記載の構成によると大型化された被加工対象物51を収納するために大きな加工容器56を必要とし、次世代ディスプレイでは、その設計パターンルールが2ミクロンを切ろうとしている中で、回路パターンの微細化が進み被加工対象物51全体を液体6で包み込むような構成では液体60中に混入したデブリが他のパターンに再付着することが避けられず多くの設備コストと材料コストなどが費やされることになる課題を有していた。
本発明は上述の課題を解決するために成されたもので、本発明が解決しようとする課題は、アブレーション加工すべき被加工対象物の被加工表面のパターンなどに局所的に水などの液体を接触させ、この浸漬させた液体を通じてレーザ光を加工対象物の表面に照射することにより、発生したデブリを液体中に浮遊させ加工終了後に液体と共にデブリを洗い流し、加工対象物に表面にデブリが付着するのを防止したレーザ加工装置とその加工方法及びデブリ回収装置とその回収方法を得ようとするものである。 The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and the problem to be solved by the present invention is that a liquid such as water is locally applied to the pattern of the surface to be processed of the workpiece to be ablated. By irradiating the surface of the object to be processed with this immersed liquid, the generated debris is suspended in the liquid, and the debris is washed away together with the liquid after the processing is completed. It is an object of the present invention to obtain a laser processing apparatus, a processing method thereof, a debris recovery apparatus, and a recovery method thereof that are prevented from adhering.
本発明の第1の目的は、レーザ照射時に液体中で飛散するデブリ・ドロス・ミスト・ヒュームなどの微小パーティクルを抑制し、被加工対象物の基板や投影レンズへのデブリが再付着することがないレーザ加工装置とその加工方法及びデブリ回収装置とその回収方法を得るにある。 The first object of the present invention is to suppress minute particles such as debris, dross, mist, and fumes that are scattered in the liquid during laser irradiation, and to reattach the debris to the substrate or projection lens of the workpiece. There is no laser processing device and its processing method and debris recovery device and its recovery method.
本発明の第2の目的は、投影光学系終端部(投影レンズ)と被加工対象物の基板間に供給された液体を供給・回収(排出)するために液体の表面張力によって液浸部を形成した液浸漬型のレーザ加工装置とその加工方法及びデブリ回収装置とその回収方法を得るにある。 The second object of the present invention is to provide a liquid immersion portion by the surface tension of the liquid in order to supply / recover (discharge) the liquid supplied between the projection optical system terminal portion (projection lens) and the substrate of the workpiece. The liquid immersion type laser processing apparatus formed, a processing method thereof, a debris recovery apparatus, and a recovery method thereof are obtained.
本発明の第3の目的は、被加工基板の局所のみ液体を浸漬させたレーザ加工装置とその加工方法及びデブリ回収装置とその回収方法を得るにある。 A third object of the present invention is to obtain a laser processing apparatus, a processing method thereof, a debris recovery apparatus, and a recovery method thereof, in which a liquid is immersed only locally on a substrate to be processed.
本発明の第4の目的は、被加工基板のレーザ照射面のパターニングが成される局所のみに液体による液浸部を形成して、デブリを回収させたレーザ加工装置とその加工方法及びデブリ回収装置とその回収方法を得るにある。 A fourth object of the present invention is to provide a laser processing apparatus that recovers debris by forming a liquid immersion portion only in a local area where patterning of a laser irradiation surface of a substrate to be processed is performed, and a processing method and debris recovery thereof. To obtain the device and its recovery method.
第1の本発明のレーザ加工装置は、被加工対象物上に形成される透明樹脂層のパターニング加工時のレーザ光の照射で発生するデブリを除去回収するレーザ加工装置に於いて、被加工対象物の上方よりレーザ光を照射すると共に被加工対象物の上部に配設させたデブリ回収手段と、このデブリ回収手段内に配設された投影光学系終端部と被加工対象物の被加工面間に液体を送通させる液体送通手段と、を具備し、被加工対象物の被加工面を液体によって局部的に浸漬させてデブリ・ドロス・ミスト・ヒュームなどの微小パーティクルを吸収回収する様にしたものである。 A laser processing apparatus according to a first aspect of the present invention is a laser processing apparatus that removes and collects debris generated by irradiation of laser light during patterning of a transparent resin layer formed on an object to be processed. A debris collection unit that irradiates a laser beam from above the object and is disposed above the object to be processed, a projection optical system terminal disposed in the debris collection unit, and a surface to be processed of the object to be processed A liquid delivery means for passing a liquid between them, and the work surface of the work piece is locally immersed in the liquid so as to absorb and collect minute particles such as debris, dross, mist, and fume. It is a thing.
第2の本発明のレーザ加工方法は、被加工対象物上に形成される透明樹脂層・樹脂膜・金属薄膜のパターニング加工時のレーザ光の照射で発生するデブリ・ドロス・ミスト・ヒュームなどの微小パーティクルを除去回収するレーザ加工方法に於いて、被加工対象物の上方より前記レーザ光を照射すると共に被加工対象物の上部に配設させたデブリ回収手段と、このデブリ回収手段内に配設された投影光学系終端部と前記被加工対象物の被加工面間に液体を送通させる液体送通手段と、を具備し、被加工対象物の被加工面を液体によって局部的に浸漬させてデブリ・ドロス・ミスト・ヒュームなどの微小パーティクルを吸収回収する様にしたものである。 The laser processing method according to the second aspect of the present invention includes debris, dross, mist, fume, etc. generated by laser light irradiation during patterning processing of a transparent resin layer, a resin film, and a metal thin film formed on a workpiece. In a laser processing method for removing and collecting minute particles, a laser beam is irradiated from above the object to be processed and a debris collecting means disposed above the object to be processed, and a debris collecting means disposed in the debris collecting means. A liquid feeding means for feeding a liquid between the projection optical system terminal portion provided and the workpiece surface of the workpiece, and locally immersing the workpiece surface of the workpiece by the liquid In this way, fine particles such as debris, dross, mist, and fume are absorbed and recovered.
第3の本発明のデブリ回収装置は、被加工対象物上に形成される透明樹脂層・樹脂膜・金属薄膜のパターニング加工時のレーザ光の照射で発生するデブリ・ドロス・ミスト・ヒュームなどの微小パーティクルを除去回収するデブリ回収装置に於いて、被加工対象物の上方よりレーザ光を照射すると共に被加工対象物の上部に配設させたデブリ回収手段と、このデブリ回収手段内に配設された投影光学系終端部と前記被加工対象物の被加工面間に液体を送通させる液体送通手段と、を具備し、被加工対象物の被加工面を前記液体によって局部的に浸漬させてデブリ・ドロス・ミスト・ヒュームなどの微小パーティクルを吸収回収する様にしたものである。 The debris collection device of the third aspect of the present invention is a debris, dross, mist, fume, etc. generated by laser light irradiation during patterning of a transparent resin layer, resin film, or metal thin film formed on a workpiece. In a debris collection device that removes and collects microparticles, a laser beam is irradiated from above the object to be processed, and a debris collection means disposed above the object to be processed, and disposed in the debris collection means. And a liquid feeding means for feeding a liquid between the projection optical system terminal portion and the workpiece surface of the workpiece, and the workpiece surface of the workpiece is locally immersed in the liquid. In this way, fine particles such as debris, dross, mist, and fume are absorbed and recovered.
第4の本発明のデブリ回収方法は、被加工対象物上に形成される透明樹脂層・樹脂膜・金属薄膜のパターニング加工時のレーザ光の照射で発生するデブリを除去回収するデブリ回収方法に於いて、被加工対象物の上方よりレーザ光を照射すると共に被加工対象物の上部に配設させたデブリ回収手段と、このデブリ回収手段内に配設された投影光学系終端部と被加工対象物の被加工面間に液体を送通させる液体送通手段と、を具備し、被加工対象物の被加工面を液体によって局部的に浸漬させてデブリ・ドロス・ミスト・ヒュームなどの微小パーティクルを吸収回収する様にしたものである。 The debris collection method of the fourth aspect of the present invention is a debris collection method that removes and collects debris generated by laser light irradiation during patterning of a transparent resin layer, resin film, and metal thin film formed on a workpiece. In this case, the debris collecting means that is irradiated with laser light from above the workpiece and disposed on the top of the workpiece, the projection optical system terminal portion disposed in the debris collecting means, and the workpiece Liquid feeding means for passing a liquid between the work surfaces of the object, and the work surface of the work object is locally immersed in the liquid so that a minute amount of debris, dross, mist, fume, etc. Particles are absorbed and recovered.
本発明よると下記に示す効果を有するレーザ加工装置とその加工方法及びデブリ回収装置とその回収方法を提供することが出来る。
1.レーザ光の照射によりアブレーション加工する際に生じるデブリ・ドロス・ミスト・ヒュームなどの微小パーティクルが被加工対象物の表面に再付着するのを防止することが出来る。
2.レーザ光源から照射されるレーザ光を被加工対象物の被加工面に任意のパターンを光学的に投影する光学系で、その最終光学系(投影レンズシステムまたはカバーレンズ)と加工対象面とのわずかな間に、レーザを透過する液体を供給・回収できる液浸漬循環式のデブリ回収手段によりレーザ照射によってデブリが近接するパターンに影響を与えないので微細加工が可能となる。
3.レーザ照射によって微細加工をパターンングする場合、光学系の投影レンズに高いNAが要求されるため最終光学系と被加工対象物面との距離(ワークディスタンス)が近接するようになる。 このためレーザ光の照射により被加工対象物の被加工面よりアブレーションされた蒸気物質や飛散物により最終光学系が汚染される現象(二次汚染)を防ぐことが出来る。
4.2によって、レーザ照射により微細飛散する加工対象面材料の回収が容易となり、たとえばレア金属などのITO膜片を回収し、リサイクル出来る。
5.大型化したデブリ付着防止用の保持機構を作成すること無くデブリ回収をすることが出来る。
According to the present invention, it is possible to provide a laser processing apparatus, a processing method thereof, a debris recovery apparatus, and a recovery method thereof having the following effects.
1. It is possible to prevent fine particles such as debris, dross, mist, and fumes generated during ablation processing by laser light from being reattached to the surface of the workpiece.
2. An optical system that optically projects a laser beam emitted from a laser light source onto the work surface of an object to be processed. The final optical system (projection lens system or cover lens) and the surface to be processed are slightly In particular, the liquid immersion circulation type debris collection means capable of supplying and collecting the liquid that transmits the laser does not affect the pattern where the debris comes close by the laser irradiation, so that the fine processing becomes possible.
3. When patterning fine processing by laser irradiation, a high NA is required for the projection lens of the optical system, so that the distance (work distance) between the final optical system and the workpiece surface becomes close. For this reason, it is possible to prevent a phenomenon (secondary contamination) that the final optical system is contaminated by the vapor substance or the scattered matter ablated from the processing surface of the processing object by the laser light irradiation.
By 4.2, it becomes easy to collect the surface material to be processed that is finely scattered by laser irradiation. For example, ITO film pieces such as rare metals can be collected and recycled.
5. Debris can be collected without creating a large-sized holding mechanism for preventing debris adhesion.
以下、本発明の1形態例を図1乃至図5によって説明する。図1は本発明のガスレーザ加工装置の1形態例を示す全体的概念図、図2は本発明の固体レーザ加工装置の1形態例を示す全体的概念図、図3は本発明のレーザ加工装置の投影光学系終端部溶液浸漬循環機構の断面図、図4は本発明のレーザ加工装置のデブリ回収機構の動作説明用の要部断面図、図5は図4のA−A断面矢視平面図である。 An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. FIG. 1 is an overall conceptual diagram showing an embodiment of a gas laser processing apparatus of the present invention, FIG. 2 is an overall conceptual diagram showing an embodiment of a solid-state laser processing apparatus of the present invention, and FIG. 3 is a laser processing apparatus of the present invention. 4 is a cross-sectional view of the projection immersion system solution immersion circulation mechanism of FIG. 4, FIG. 4 is a cross-sectional view of the main part for explaining the operation of the debris collection mechanism of the laser processing apparatus of the present invention, and FIG. FIG.
本発明は、被加工対象物であるガラスの基板に形成した多層膜上に透明導電膜の様な透明樹脂層を形成する際に透明樹脂層の表面にレーザ光を上面より照射して、アブレーション、熱溶融或いはそれらの複合作用によるレーザ加工時に発生する加工飛散物であるデブリを溶液を基板のパターニング部分に局所的に浸漬させてデブリを除去回収するレーザ加工装置及びレーザ加工方法並びにデブリ回収装置とその回収方法を提供するものである。 In the present invention, when a transparent resin layer such as a transparent conductive film is formed on a multilayer film formed on a glass substrate which is an object to be processed, the surface of the transparent resin layer is irradiated with laser light from the upper surface, and ablation is performed. Laser processing apparatus, laser processing method, and debris collection apparatus for removing and recovering debris by locally immersing a solution of debris, which is a scattered material generated during laser processing by heat melting or their combined action, in a patterning portion of a substrate And a method for collecting the same.
以下本発明のレーザ加工装置の1形態例を図1によって説明する。図1は本発明の概略的レーザ光学系とデブリ回収装置を示すもので、図1に於いて、15は液浸循環型のガスレーザ加工装置を示すもので、ガスレーザ光源を有するガスレーザ発振器11から出射したレーザ光16はミラー10を介して光路を直角に曲げられ、例えば、ホモジナイズ光学系や回折格子から構成される平坦化光学系9を通り、レーザ光源からのエネルギが一様となるよう平坦化される。レーザ光16のサイズを決定するマスク又は可変アパーチャー8で所望のサイズのレーザビーム17に整形される。又、マスクや可変アパーチャー8でサイズが決定されたレーザビーム17は投影レンズユニット7内の光学投影レンズ群18、19、720、21等により縮小集光されて、XYステージ1上に載置されたガラス等の基板2の上方より基板2の表面の多層膜上に形成される透明樹脂層22に照射される。基板2の上方に配設した投影レンズユニット7と透明樹脂層22との間には、デブリ回収装置を構成する投影光学系終端部兼液浸漬循環機構(以下デブリ回収部と記す)4が設置されており、発生する透明樹脂層22から発生するデブリ12をデブリ回収部4によって回収する。
An embodiment of the laser processing apparatus of the present invention will be described below with reference to FIG. FIG. 1 shows a schematic laser optical system and a debris recovery apparatus according to the present invention. In FIG. 1, reference numeral 15 denotes an immersion circulation type gas laser processing apparatus, which emits from a
略円筒状の筐体から成る投影レンズユニット7に連接して形成された略漏斗状の筐体で構成したデプリ回収部4は液体3を供給する液体供給口5と液体3を排出する液体排出口6を備えている。液体供給口5には図6と同様に液体供給源54から液体3が図示しないがバルブ64などを介して調整供給される。液体供給口5からの液体3は液浸型デブリ回収機構概略図の図3とデブリ回収機構の動作メカニズムを示す図4及び図5の様にデブリ回収部4の漏斗状の筐体壁内に形成した液体供給部5−供給路13を通りデブリ回収部4の底部に形成した開口部23上に嵌めこまれた光学系の終端レンズ21の下端を通って液体排出口6に連通する排出賂14に排出される。この際、XYステージ1上の基板2の透明樹脂層22とデプリ回収部4内に配設された光学系終端部のレンズ21(図3参照)間の開口部23の下端に液体3が液浸された状態で表面張力によって保持される液浸部24が構成される。
A
ここで、液浸循環型デブリ回収部4のメカニズムの動作を具体的な説明する。光学投影レンズ群18、19、20、21の終端レンズ21と基板2上の透明樹脂層22の距離が一定に保たれた開口部23の空間に、液体供給口5から液体3を一定量供給し、かつ液体排出口6から同じ量の液体3を排出して液体3を基板2上の加工面上で移動させ、液浸部24の状態を維持する。液体供給口5には、図示しないが流量調整機能が備わった流量ポンプや、液体排出口6には排出ポンプが備わっている。この液浸部24の液浸循環による連続動作を維持したまま、レーザビーム17を照射させ、アブレーション加工により発生するデブリ12を洗い流し、液排出口6によって基板2上の透明樹脂層22の加工面上の清浄性を保つ様に成される。
Here, the operation of the mechanism of the immersion circulation type
上記した液浸循環型のガスレーザ加工装置15では図1のガスレーザ発振器11からのレーザ光16はミラー10を介してホモジナイズ等の平坦化光学系9を通り平坦化されたレーザ光16は、マスク又は可変アパーチャー8によって任意の形状にパターン化されたレーザビーム17が投影レンズユニット7の光学投影レンズ群18、19、20、21を通じて基板2の被加工面である透明樹脂層22上にレーザ光を照射する。この際、あらかじめマスク又は可変アパーチャー8のパターンが投影レンズの縮小率に合わせてそのパターンやサイズが合致するように、デブリ回収部4の光学投影レンズ群18、19、20、21の終端レンズ21の高さ(位置)制御を行なうことで基板2の被加工面の透明樹脂層22上にレーザビーム17がフォーカシングされて、光学投影レンズ群の終端レンズ21と基板2上の透明樹脂層22の距離であるワーキングディスタンス(以下WDと記す)が一定に保たれる。
In the above-described immersion circulation type gas laser processing apparatus 15, the
たとえば、光学投影レンズの開口数NA(開口数は、対物レンズのレンズ径rと焦点距離fできまり、NA=n×sinθでnは光路の屈折率、θは焦点距離とレンズ径できまりθ=tan-1(r/f)である)とすると、 焦点深度はd=λ/(2×NA×NA)と成る。本例では上記したWDが50ミクロンから5ミリメートル位で、WD間の表面張力で釣り合った状態を液浸部24とする。この液浸部22に用いる液体3は、屈折率が1以上のもので、たとえば、純水(屈折率=1.14)を使用する事ができる。又、使用するレーザ光16の波長透過性が良く、液体に可溶な樹脂や界面活性剤を含有させて粘度や濡れ性をコントロールした液体でも良いことは明らかである。
For example, the numerical aperture NA of the optical projection lens (the numerical aperture is determined by the lens diameter r and the focal length f of the objective lens, where NA = n × sin θ, where n is the refractive index of the optical path, θ is the focal length and the lens diameter θ. = Tan −1 (r / f)), the depth of focus is d = λ / (2 × NA × NA). In this example, the liquid immersion part 24 is a state in which the above-mentioned WD is about 50 microns to 5 millimeters and is balanced by the surface tension between the WDs. The liquid 3 used in the liquid immersion unit 22 has a refractive index of 1 or more, and for example, pure water (refractive index = 1.14) can be used. In addition, it is obvious that the liquid having good wavelength transmittance of the
図1に示すガスレーザ発振器11のガスレーザ光源には、例えば、エキシマレーザ等を用いることが出来る。エキシマレーザには、レーザ媒質の異なる複数の種類が存在し、波長の長い方からXeF(351nm)、XeCl(308nm)、KrF(248nm)、ArF(193nm)、F2(157nm)が存在する。但し、レーザ源はエキシマレーザに限ることは無く、後述する図2の様に固体レーザ等であっても良い。平滑化光学系9は、ミラー10によって反射されたレーザ光源からのレーザ光16を整形、ビーム強度の均一化を行い出力する。可変アパーチャー8は、例えば金属材料で形成された所定アパーチャアの穴明きパーチャーマスク、透明なガラス材料や金属薄膜で形成されたフォトマスク、誘電体材料で形成された誘電体マスクやアパーャが可変可能な可変アパーチャーが用いられる。エキシマレーザはアブレーションといわれる光化学的な直接結合を解離して熱的な影響を受けにくい加工を行うため、加工面のエッジの仕上がりが非常にシャープである。これに対して、熱エネルギを利用したレーザ加工を行うYAGレーザ(1.06um)やCO2レーザ(1.06um)等は熱溶融後に蒸発を伴い、デブリの発生量も多くなる。
As the gas laser light source of the
図1に示す構成のガスレーザ加工装置15では、レーザ発振器11にエキシマレーザを用いることにより、加工対象物である基板2の加工面に所定パターンのレーザビームが照射され、投影光学系終端部兼液浸循環機構部(デブリ回収部)4を通じて基板2との間に液体3の液浸部22を介して基板2上の加工面がアブレーション加工されるが、図2に示す様に固体レーザ発振器25からのレーザ光16をホモジナィズ光学系9aで平坦化した固体レーザ光16を用いても良い。この固体レーザ光16は軸28にモータ等の駆動源で揺動可能にされたガルバノミラー26によって略直交する様に折り曲げられ、かつ、基板2上の透明樹脂層22のパターンに沿って例えばX軸方向に走査される。対物レンズ29を透過したレーザビーム17は図3に示す光学投影レンズ群18、19、20、21を介して、基板2上の透明樹層22上に液体3によって形成される液浸部24を通じて被加工表面に所定のパターニングを施す。 図2には、液浸循環型固体レーザ加工装置30として半導体レーザを用いた場合であってもこの液浸型のデブリ回収部4は使用でき、各種レーザや波長別によるエッチング反応メカニズム(熱溶融、光化学反応、アブレーション、エクスプロージョン現象(膜崩壊)、多光子吸収)で発生するデブリやドロスなどの低減・抑制効果を発揮させることが出来る。
In the gas laser processing apparatus 15 having the configuration shown in FIG. 1, an excimer laser is used for the
勿論、この場合も、図5の拡大図に示す様に、デブリ回収部4の漏斗状の壁内に形成した供給路13を通りデブリ回収部4の底部に形成した開口部23上に嵌めこまれた光学系の終端レンズ21の下端を通って液体排出口6に連通する排出賂14に排出される。この際、XYステージ1上の基板2の透明樹脂層22とデプリ回収部4内に配設された光学系終端部のレンズ21(図3参照)間の開口部23の下端に液体3が液浸された状態で表面張力によって保持される液浸部24内にはレーザビーム17の照射のアプレーションによって生ずるデブリ12が液浸部24内に放出され液体供給源54(図6参照)から液体供給口5に供給され供給路13を通じて開口部13に循環する液体3に流入し、排出路14を介しテ液体排出口6を経由して、図示しないデブリ回収装置内に送出される。
Of course, also in this case, as shown in the enlarged view of FIG. 5, it fits on the
本発明のレーザ加工装置とその加工方法及びデブリ回収装置とその回収方法照射によれば、以下の効果が達成される。
1.レーザ光の照射によりアブレーション加工する際に生じるデブリ・ドロス・ミスト・ヒュームなどの微小パーティクルが被加工対象物の表面に再付着するのを防止することが出来る。
2.レーザ光源から照射されるレーザ光を被加工対象物の被加工面に任意のパターンを光学的に投影する光学系で、その最終光学系(投影レンズシステムまたはカバーレンズ)と加工対象面とのわずかな間に、レーザを透過する液体を供給・回収できる液浸漬循環式のデブリ回収手段によりレーザ照射によってデブリが近接するパターンに影響を与えないので微細加工が可能となる。
3.レーザ照射によって微細加工をパターンングする場合、光学系の投影レンズに高いNAが要求されるため最終光学系と被加工対象物面との距離(ワークディスタンス)が近接するようになる。 このためレーザ光の照射により被加工対象物の被加工面よりアブレーションされた蒸気物質や飛散物により最終光学系が汚染される現象(二次汚染)を防ぐことが出来る。
4.2によって、レーザ照射により微細飛散する加工対象面材料の回収が容易となり、たとえばレア金属などのITO膜片を回収し、リサイクル出来る。
5.大型化したデブリ付着防止用の保持機構を作成すること無くデブリ回収をすることが出来る。
According to the laser processing apparatus, the processing method thereof, the debris recovery apparatus, and the recovery method irradiation of the present invention, the following effects are achieved.
1. It is possible to prevent fine particles such as debris, dross, mist, and fumes generated during ablation processing by laser light from being reattached to the surface of the workpiece.
2. An optical system that optically projects a laser beam emitted from a laser light source onto the work surface of an object to be processed. The final optical system (projection lens system or cover lens) and the surface to be processed are slightly In particular, the liquid immersion circulation type debris collection means capable of supplying and collecting the liquid that transmits the laser does not affect the pattern where the debris comes close by the laser irradiation, so that the fine processing becomes possible.
3. When patterning fine processing by laser irradiation, a high NA is required for the projection lens of the optical system, so that the distance (work distance) between the final optical system and the workpiece surface becomes close. For this reason, it is possible to prevent a phenomenon (secondary contamination) that the final optical system is contaminated by the vapor substance or the scattered matter ablated from the processing surface of the processing object by the laser light irradiation.
By 4.2, it becomes easy to collect the surface material to be processed that is finely scattered by laser irradiation. For example, ITO film pieces such as rare metals can be collected and recycled.
5. Debris can be collected without creating a large-sized holding mechanism for preventing debris adhesion.
1・・・XYステージ、2・・・基板、3・・・液体(水)、4・・・投影光学系終端部兼液浸循環機構(デブリ回収部)、5・・・液体供給口、6・・・液体排出口、7・・・投影レンズユニット、8・・・マスク又は可変アパーチャー、9・・・平均化光学系、9a・・・ホモジナイズ光学系、10・・・ミラー、11・・・ガスレーザ発振器、12・・・デブリ、13・・・供給路、14・・・排出路、15・・・液浸循環型ガスレーザ加工装置、16・・・レーザ光、17・・・レーザビーム、18、19、20、21(終端レンズ)・・・光学投影レンズ群、22・・・透明樹脂層、23・・・開口部、24・・・液浸部、25・・・固体レーザ発振器、26・・・ガルバノミラー
DESCRIPTION OF
Claims (8)
前記デブリ回収手段内に配設された投影光学系終端部と前記被加工対象物の被加工面間に液体を送通させる液体送通手段と、
を具備し、前記被加工対象物の前記被加工面を前記液体によって局部的に浸漬させてデブリを吸収回収する様にしたことを特徴とするレーザ加工装置。 In a laser processing device that removes and collects microparticles such as debris, dross, mist, and fumes generated by laser light irradiation during patterning of transparent resin layers, resin layers, and metal layers formed on the workpiece. And debris recovery means that irradiates the laser beam from above the workpiece and is disposed on top of the workpiece.
Liquid passing means for passing liquid between the projection optical system terminal portion disposed in the debris collecting means and the processing surface of the workpiece;
The laser processing apparatus is characterized in that the processing surface of the processing object is locally immersed in the liquid to absorb and recover debris.
前記被加工対象物の上方より前記レーザ光を照射すると共に該被加工対象物の上部に配設させたデブリ回収手段と、
前記デブリ回収手段内に配設された投影光学系終端部と前記被加工対象物の被加工面間に液体を送通させる液体送通手段と、
を具備し、
前記被加工対象物の前記被加工面を前記液体によって局部的に浸漬させてデブリ・ドロス・ミスト・ヒュームなどの微小パーティクルを吸収回収する様にしたことを特徴とするレーザ加工方法。 A laser processing method that removes and collects microparticles such as debris, dross, mist, and fumes generated by laser light irradiation during patterning of transparent resin layers, resin layers, metal layers, etc. formed on the workpiece. In
Debris collection means for irradiating the laser beam from above the workpiece and disposing the laser beam on the workpiece;
Liquid passing means for passing liquid between the projection optical system terminal portion disposed in the debris collecting means and the processing surface of the workpiece;
Comprising
A laser processing method characterized by absorbing and collecting minute particles such as debris, dross, mist, and fume by locally immersing the processing surface of the processing object with the liquid.
前記被加工対象物の上方より前記レーザ光を照射すると共に該被加工対象物の上部に配設させたデブリ回収手段と、前記デブリ回収手段内に配設された投影光学系終端部と前記被加工対象物の被加工面間に液体を送通させる液体送通手段と、
前記被加工対象物の前記被加工面を前記液体によって局部的に浸漬させてデブリを吸収回収する様にしたことを特徴とするデブリ回収装置。 In a debris collection device that removes and collects debris generated by laser light irradiation during patterning of transparent resin layers, resin layers, metal layers, etc. formed on the workpiece,
The laser beam is irradiated from above the object to be processed and the debris collecting means disposed above the object to be processed, the projection optical system terminal section disposed in the debris collecting means, and the object to be processed Liquid passing means for passing liquid between the workpiece surfaces of the workpiece;
A debris collection apparatus, wherein the work surface of the work object is locally immersed in the liquid to absorb and collect debris.
前記被加工対象物の上方より前記レーザ光を照射すると共に該被加工対象物の上部に配設させたデブリ回収手段と、
前記デブリ回収手段内に配設された投影光学系終端部と前記被加工対象物の被加工面間に液体を送通させる液体送通手段と、を具備し、
前記被加工対象物の前記被加工面を前記液体によって局部的に浸漬させてデブリ・ドロス・ミスト・ヒュームなどの微小パーティクルを吸収回収する様にしたことを特徴とするデブリ回収方法。 In a debris collection method for removing and collecting debris generated by laser light irradiation during patterning processing of a transparent resin layer, resin layer, metal layer, etc. formed on a workpiece,
Debris collection means for irradiating the laser beam from above the workpiece and disposing the laser beam on the workpiece;
A liquid sending means for sending a liquid between a projection optical system terminal portion disposed in the debris collecting means and a work surface of the work object;
A debris collection method characterized by absorbing and collecting fine particles such as debris, dross, mist, and fume by locally immersing the work surface of the work object with the liquid.
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---|---|
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Cited By (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010253499A (en) * | 2009-04-23 | 2010-11-11 | Disco Abrasive Syst Ltd | Laser beam processing machine |
US7916269B2 (en) | 2007-07-24 | 2011-03-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and contamination removal or prevention method |
US7927428B2 (en) | 2006-09-08 | 2011-04-19 | Nikon Corporation | Cleaning member, cleaning method, and device manufacturing method |
JP2011121061A (en) * | 2009-12-08 | 2011-06-23 | Mitsubishi Electric Corp | Method and apparatus for laser beam machining |
US7969548B2 (en) | 2006-05-22 | 2011-06-28 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and lithographic apparatus cleaning method |
US8011377B2 (en) | 2007-05-04 | 2011-09-06 | Asml Netherlands B.V. | Cleaning device and a lithographic apparatus cleaning method |
US8243255B2 (en) | 2007-12-20 | 2012-08-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and in-line cleaning apparatus |
JP2012152788A (en) * | 2011-01-26 | 2012-08-16 | Mitsubishi Electric Corp | Laser processing method and laser processing system |
JP2012245534A (en) * | 2011-05-26 | 2012-12-13 | Disco Corp | Laser beam machining apparatus |
US8339572B2 (en) | 2008-01-25 | 2012-12-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
CN103008885A (en) * | 2012-12-31 | 2013-04-03 | 宁波市埃美仪表制造有限公司 | Laser marking machine and laser engraving method thereof |
WO2013111677A1 (en) * | 2012-01-24 | 2013-08-01 | 澁谷工業株式会社 | Laser processing device |
US8587762B2 (en) | 2007-09-27 | 2013-11-19 | Asml Netherlands B.V. | Methods relating to immersion lithography and an immersion lithographic apparatus |
US8638421B2 (en) | 2007-09-27 | 2014-01-28 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method of cleaning a lithographic apparatus |
US8654305B2 (en) | 2007-02-15 | 2014-02-18 | Asml Holding N.V. | Systems and methods for insitu lens cleaning in immersion lithography |
JP2014033024A (en) * | 2012-08-01 | 2014-02-20 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Laser dicing device and method and wafer processing method |
JP2014126687A (en) * | 2012-12-26 | 2014-07-07 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | Optical fiber structure and manufacturing method for the same |
US8817226B2 (en) | 2007-02-15 | 2014-08-26 | Asml Holding N.V. | Systems and methods for insitu lens cleaning using ozone in immersion lithography |
US8902399B2 (en) | 2004-10-05 | 2014-12-02 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, cleaning system and cleaning method for in situ removing contamination from a component in a lithographic apparatus |
US8941811B2 (en) | 2004-12-20 | 2015-01-27 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8947629B2 (en) | 2007-05-04 | 2015-02-03 | Asml Netherlands B.V. | Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method |
US9013672B2 (en) | 2007-05-04 | 2015-04-21 | Asml Netherlands B.V. | Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method |
US9019466B2 (en) | 2007-07-24 | 2015-04-28 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, reflective member and a method of irradiating the underside of a liquid supply system |
JP2015155105A (en) * | 2014-02-20 | 2015-08-27 | 株式会社東芝 | Laser processing device and method |
US9289802B2 (en) | 2007-12-18 | 2016-03-22 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method of cleaning a surface of an immersion lithographic apparatus |
JP2016036818A (en) * | 2014-08-06 | 2016-03-22 | 株式会社ディスコ | Laser processing device |
WO2016084875A1 (en) * | 2014-11-28 | 2016-06-02 | 株式会社トヨコー | Laser irradiation device and surface treatment method |
JP2016189491A (en) * | 2016-08-03 | 2016-11-04 | 株式会社東京精密 | Laser dicing device and method |
JP2016195265A (en) * | 2016-06-20 | 2016-11-17 | 株式会社東京精密 | Laser dicing device and method |
JP2016213056A (en) * | 2015-05-08 | 2016-12-15 | 日本電気硝子株式会社 | Production method of substrate having transparent conductive film |
JP2017059843A (en) * | 2016-11-16 | 2017-03-23 | 株式会社東京精密 | Laser dicing device and method |
US10061207B2 (en) | 2005-12-02 | 2018-08-28 | Asml Netherlands B.V. | Method for preventing or reducing contamination of an immersion type projection apparatus and an immersion type lithographic apparatus |
CN109676259A (en) * | 2017-10-19 | 2019-04-26 | 株式会社迪思科 | Laser processing device |
JP2019217523A (en) * | 2018-06-19 | 2019-12-26 | 株式会社ディスコ | Laser processing device |
JP2020157341A (en) * | 2019-03-27 | 2020-10-01 | 株式会社オーク製作所 | Dust collector and laser processor |
KR20200130993A (en) * | 2019-05-13 | 2020-11-23 | 디아이티 주식회사 | System and method for treating the surface of semiconductor device |
CN112570386A (en) * | 2020-12-09 | 2021-03-30 | 云南电网有限责任公司临沧供电局 | Microgravity environment dust-free laser cleaning device and method |
EP3922742A1 (en) * | 2020-06-10 | 2021-12-15 | A&H Japan Corporation | Method for recovering valuables |
KR20220087214A (en) * | 2020-12-17 | 2022-06-24 | 충남대학교산학협력단 | Patterning method of electrode having metal nanowire |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6282194U (en) * | 1985-11-08 | 1987-05-26 | ||
JPH07185844A (en) * | 1993-12-28 | 1995-07-25 | Ebara Corp | Method and device for machining by laser beam |
JPH09141480A (en) * | 1995-11-20 | 1997-06-03 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | Ablation machining method |
JP2003245791A (en) * | 2002-02-25 | 2003-09-02 | Sony Corp | Laser beam machining device and laser beam machining method |
JP2004167590A (en) * | 2002-11-22 | 2004-06-17 | Tokyo Electron Ltd | Machining apparatus |
-
2005
- 2005-07-25 JP JP2005214682A patent/JP2007029973A/en active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6282194U (en) * | 1985-11-08 | 1987-05-26 | ||
JPH07185844A (en) * | 1993-12-28 | 1995-07-25 | Ebara Corp | Method and device for machining by laser beam |
JPH09141480A (en) * | 1995-11-20 | 1997-06-03 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | Ablation machining method |
JP2003245791A (en) * | 2002-02-25 | 2003-09-02 | Sony Corp | Laser beam machining device and laser beam machining method |
JP2004167590A (en) * | 2002-11-22 | 2004-06-17 | Tokyo Electron Ltd | Machining apparatus |
Cited By (54)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8902399B2 (en) | 2004-10-05 | 2014-12-02 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, cleaning system and cleaning method for in situ removing contamination from a component in a lithographic apparatus |
US10509326B2 (en) | 2004-12-20 | 2019-12-17 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8941811B2 (en) | 2004-12-20 | 2015-01-27 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US9703210B2 (en) | 2004-12-20 | 2017-07-11 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US10061207B2 (en) | 2005-12-02 | 2018-08-28 | Asml Netherlands B.V. | Method for preventing or reducing contamination of an immersion type projection apparatus and an immersion type lithographic apparatus |
US7969548B2 (en) | 2006-05-22 | 2011-06-28 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and lithographic apparatus cleaning method |
US7927428B2 (en) | 2006-09-08 | 2011-04-19 | Nikon Corporation | Cleaning member, cleaning method, and device manufacturing method |
US8817226B2 (en) | 2007-02-15 | 2014-08-26 | Asml Holding N.V. | Systems and methods for insitu lens cleaning using ozone in immersion lithography |
US8654305B2 (en) | 2007-02-15 | 2014-02-18 | Asml Holding N.V. | Systems and methods for insitu lens cleaning in immersion lithography |
US8947629B2 (en) | 2007-05-04 | 2015-02-03 | Asml Netherlands B.V. | Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method |
US9013672B2 (en) | 2007-05-04 | 2015-04-21 | Asml Netherlands B.V. | Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method |
US8011377B2 (en) | 2007-05-04 | 2011-09-06 | Asml Netherlands B.V. | Cleaning device and a lithographic apparatus cleaning method |
US9019466B2 (en) | 2007-07-24 | 2015-04-28 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, reflective member and a method of irradiating the underside of a liquid supply system |
US9158206B2 (en) | 2007-07-24 | 2015-10-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and contamination removal or prevention method |
US9599908B2 (en) | 2007-07-24 | 2017-03-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and contamination removal or prevention method |
US7916269B2 (en) | 2007-07-24 | 2011-03-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and contamination removal or prevention method |
US8587762B2 (en) | 2007-09-27 | 2013-11-19 | Asml Netherlands B.V. | Methods relating to immersion lithography and an immersion lithographic apparatus |
US8638421B2 (en) | 2007-09-27 | 2014-01-28 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method of cleaning a lithographic apparatus |
US9289802B2 (en) | 2007-12-18 | 2016-03-22 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method of cleaning a surface of an immersion lithographic apparatus |
US8243255B2 (en) | 2007-12-20 | 2012-08-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and in-line cleaning apparatus |
US9785061B2 (en) | 2007-12-20 | 2017-10-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and in-line cleaning apparatus |
US9036128B2 (en) | 2007-12-20 | 2015-05-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and in-line cleaning apparatus |
US9405205B2 (en) | 2007-12-20 | 2016-08-02 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and in-line cleaning apparatus |
US8339572B2 (en) | 2008-01-25 | 2012-12-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2010253499A (en) * | 2009-04-23 | 2010-11-11 | Disco Abrasive Syst Ltd | Laser beam processing machine |
JP2011121061A (en) * | 2009-12-08 | 2011-06-23 | Mitsubishi Electric Corp | Method and apparatus for laser beam machining |
JP2012152788A (en) * | 2011-01-26 | 2012-08-16 | Mitsubishi Electric Corp | Laser processing method and laser processing system |
JP2012245534A (en) * | 2011-05-26 | 2012-12-13 | Disco Corp | Laser beam machining apparatus |
JP2013150995A (en) * | 2012-01-24 | 2013-08-08 | Shibuya Kogyo Co Ltd | Laser processing device |
WO2013111677A1 (en) * | 2012-01-24 | 2013-08-01 | 澁谷工業株式会社 | Laser processing device |
JP2014033024A (en) * | 2012-08-01 | 2014-02-20 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Laser dicing device and method and wafer processing method |
JP2014126687A (en) * | 2012-12-26 | 2014-07-07 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | Optical fiber structure and manufacturing method for the same |
CN103008885A (en) * | 2012-12-31 | 2013-04-03 | 宁波市埃美仪表制造有限公司 | Laser marking machine and laser engraving method thereof |
JP2015155105A (en) * | 2014-02-20 | 2015-08-27 | 株式会社東芝 | Laser processing device and method |
JP2016036818A (en) * | 2014-08-06 | 2016-03-22 | 株式会社ディスコ | Laser processing device |
JP2016101596A (en) * | 2014-11-28 | 2016-06-02 | 株式会社トヨコー | Laser irradiation device and surface treatment method |
WO2016084875A1 (en) * | 2014-11-28 | 2016-06-02 | 株式会社トヨコー | Laser irradiation device and surface treatment method |
JP2016213056A (en) * | 2015-05-08 | 2016-12-15 | 日本電気硝子株式会社 | Production method of substrate having transparent conductive film |
JP2016195265A (en) * | 2016-06-20 | 2016-11-17 | 株式会社東京精密 | Laser dicing device and method |
JP2016189491A (en) * | 2016-08-03 | 2016-11-04 | 株式会社東京精密 | Laser dicing device and method |
JP2017059843A (en) * | 2016-11-16 | 2017-03-23 | 株式会社東京精密 | Laser dicing device and method |
CN109676259A (en) * | 2017-10-19 | 2019-04-26 | 株式会社迪思科 | Laser processing device |
JP2019217523A (en) * | 2018-06-19 | 2019-12-26 | 株式会社ディスコ | Laser processing device |
JP2020157341A (en) * | 2019-03-27 | 2020-10-01 | 株式会社オーク製作所 | Dust collector and laser processor |
JP7224992B2 (en) | 2019-03-27 | 2023-02-20 | 株式会社オーク製作所 | Dust collector and laser processing equipment |
KR20200130993A (en) * | 2019-05-13 | 2020-11-23 | 디아이티 주식회사 | System and method for treating the surface of semiconductor device |
KR102225208B1 (en) | 2019-05-13 | 2021-03-09 | 디아이티 주식회사 | System and method for treating the surface of semiconductor device |
EP3922742A1 (en) * | 2020-06-10 | 2021-12-15 | A&H Japan Corporation | Method for recovering valuables |
US20210388461A1 (en) * | 2020-06-10 | 2021-12-16 | A&H Japan Corporation | Method for recovering valuables |
TWI765719B (en) * | 2020-06-10 | 2022-05-21 | 日商A和H日本股份有限公司 | Method for recovering valuables |
AU2021203602B2 (en) * | 2020-06-10 | 2022-12-08 | A&H Japan Corporation | Method for recovering valuables |
CN112570386A (en) * | 2020-12-09 | 2021-03-30 | 云南电网有限责任公司临沧供电局 | Microgravity environment dust-free laser cleaning device and method |
KR20220087214A (en) * | 2020-12-17 | 2022-06-24 | 충남대학교산학협력단 | Patterning method of electrode having metal nanowire |
KR102487098B1 (en) * | 2020-12-17 | 2023-01-09 | 충남대학교산학협력단 | Patterning method of electrode having metal nanowire |
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