JP2007027924A - Piezoelectric device and lead frame - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a piezoelectric device with a low profile wherein a semiconductor element and a piezoelectric package with with a piezoelectric element incorporated therein are respectively mounted on a front side and a rear side of a lead frame and the semiconductor element and the piezoelectric element package are resin-molded to the lead frame except its outer-lead part, handling on a lead frame process is facilitated and further lower profiling is attained while the strength of the outer lead or the like is ensured. <P>SOLUTION: A recessed part 15 is formed to an IC chip mount region on one side of the lead frame 1 on which an IC chip 21 is mounted so as to reduce the thickness of the lead frame 1 and the IC chip 21 is mounted on the recessed part 15. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&amp;INPIT

Description

本発明は、リードフレームの表裏に半導体素子と圧電素子パッケージとを搭載し、それらを樹脂モールドした圧電デバイスおよびリードフレームに関する。   The present invention relates to a piezoelectric device and a lead frame in which a semiconductor element and a piezoelectric element package are mounted on the front and back of a lead frame, and they are resin-molded.

近年、携帯電子機器の普及により圧電デバイスの小型化・薄型化が要求されている。この圧電デバイスにおける小型化・薄型化の要求に対応して、特許文献１に示すような、リードフレームの表裏に半導体素子と圧電素子パッケージを搭載し、それらを樹脂にてモールドした構造の圧電デバイスが提案されている。   In recent years, downsizing and thinning of piezoelectric devices have been demanded due to the spread of portable electronic devices. In response to the demand for miniaturization and thinning in this piezoelectric device, a piezoelectric device having a structure in which a semiconductor element and a piezoelectric element package are mounted on the front and back of a lead frame and molded with resin as shown in Patent Document 1. Has been proposed.

しかし、市場ではさらなる圧電デバイスの小型化・薄型化が望まれている。特に薄型化に対応するために、圧電デバイスの構成要素である半導体素子、圧電素子パッケージ、リードフレームについて様々な検討がなされている。
例えば、半導体素子については半導体基板を研磨して厚みを薄くすることがなされ、圧電素子パッケージについては、セラミックなどのパッケージ基板を薄くするなどの対応が図られている。また、リードフレームについては、リードフレーム基材として従来に比べて薄い基材を選択することが行われている。 However, further downsizing / thinning of piezoelectric devices is desired in the market. In particular, various studies have been made on semiconductor elements, piezoelectric element packages, and lead frames, which are constituent elements of piezoelectric devices, in order to cope with the reduction in thickness.
For example, for semiconductor elements, the semiconductor substrate is polished to reduce the thickness, and for the piezoelectric element package, measures are taken such as reducing the thickness of the package substrate such as ceramic. In addition, as for the lead frame, a thin base material is selected as a lead frame base material as compared with the conventional case.

特開２００５−３３７６１号公報（図１）Japanese Patent Laying-Open No. 2005-33761 (FIG. 1)

しかしながら、これらの提案を量産における圧電デバイスの製造工程で実施した場合に、多くの不具合が生じている。なかでも、リードフレームに薄い基材を用いた場合には、リードフレームの剛性低下による曲がり・うねりなどが発生し、工程での取り扱いが困難であることに加え、アウターリード曲げ工程での強度不足によるリード折れなど問題が多く、圧電デバイスの薄型化には限界があった。   However, when these proposals are implemented in the manufacturing process of piezoelectric devices in mass production, many problems have occurred. In particular, when a thin base material is used for the lead frame, bending and undulation due to a decrease in the rigidity of the lead frame occurs, making it difficult to handle in the process, and insufficient strength in the outer lead bending process There are many problems such as lead breakage, and there is a limit to thinning the piezoelectric device.

本発明は上記課題を解決するためになされたものであり、その目的は、リードフレームに起因する不具合を解消すべく、工程上の取り扱いを容易にし、アウターリードなどの強度を確保しつつ薄型化を可能とする圧電デバイスを提供することにある。
また、他の目的として工程での取り扱いが容易で、樹脂封止型の圧電デバイスなどの電子デバイスを薄型化できるリードフレームを提供することにある。 The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and its purpose is to make it easy to handle in the process and to reduce the thickness while securing the strength of the outer leads, etc. in order to eliminate the problems caused by the lead frame. It is an object of the present invention to provide a piezoelectric device that enables the above.
Another object of the present invention is to provide a lead frame that can be easily handled in the process and that can reduce the thickness of an electronic device such as a resin-encapsulated piezoelectric device.

上記課題を解決するために、本発明の圧電デバイスは、リードフレームの表裏に半導体素子と、圧電素子が内蔵された圧電素子パッケージとがそれぞれ搭載され、前記リードフレームのアウターリードを除いて前記半導体素子と前記圧電素子パッケージが樹脂モールドされている圧電デバイスであって、前記リードフレームにおける一方の面の前記半導体素子が搭載される半導体素子搭載領域に前記リードフレームの厚みが薄くなるように凹部が形成され、この前記凹部に前記半導体素子が搭載されていることを特徴とする。   In order to solve the above-described problems, a piezoelectric device according to the present invention includes a semiconductor element and a piezoelectric element package in which a piezoelectric element is embedded on both sides of a lead frame, and the semiconductor except for the outer lead of the lead frame. A piezoelectric device in which an element and the piezoelectric element package are resin-molded, and a recess is formed in a semiconductor element mounting region on one surface of the lead frame where the semiconductor element is mounted so that the thickness of the lead frame is reduced. It is formed, and the semiconductor element is mounted in the recess.

この構成によれば、リードフレームにおける一方の面の半導体素子が搭載される半導体素子搭載領域にリードフレームの厚みが薄くなるように凹部が形成されていることから、この凹部におけるリードフレームの厚みが薄くなった分、圧電デバイスを薄くすることができる。また、リードフレームの厚みは、工程での取り扱いに支障がない厚みのものを選択することができ、アウターリードの強度を十分に確保できる圧電デバイスを提供することができる。   According to this configuration, since the recess is formed so that the thickness of the lead frame is reduced in the semiconductor element mounting region where the semiconductor element on one side of the lead frame is mounted, the thickness of the lead frame in this recess is reduced. The piezoelectric device can be made thinner by the thinning. In addition, the lead frame can be selected to have a thickness that does not hinder handling in the process, and a piezoelectric device that can sufficiently secure the strength of the outer lead can be provided.

本発明の圧電デバイスは、前記リードフレームの前記凹部がパッド部に形成され、前記パッド部に切り欠き部を設けることが望ましい。   In the piezoelectric device according to the aspect of the invention, it is preferable that the concave portion of the lead frame is formed in a pad portion and a notch portion is provided in the pad portion.

このようにすれば、リードフレームに設ける凹部をプレス加工にて形成する場合、パッド部が潰れて外形が広がりリードフレームに歪が生ずるが、パッド部に切り欠き部を設けることにより、この切り欠き部で歪を吸収することができる。さらに、この切り欠き部に接着剤を設け、リードフレームと半導体素子および圧電素子パッケージを接着することで、接着剤層の厚みを考慮せずそれぞれをリードフレームに搭載でき、圧電デバイスの薄型化に寄与できる。   In this way, when the concave portion provided in the lead frame is formed by press working, the pad portion is crushed and the outer shape expands and the lead frame is distorted, but this notch is provided by providing the pad portion with a notch portion. The strain can be absorbed by the part. Furthermore, an adhesive is provided in the notch, and the lead frame, semiconductor element, and piezoelectric element package are bonded to each other, so that each can be mounted on the lead frame without considering the thickness of the adhesive layer. Can contribute.

また、本発明の圧電デバイスは、リードフレームの表裏に半導体素子と、圧電素子が内蔵された圧電素子パッケージとがそれぞれ搭載され、前記リードフレームのアウターリードを除いて前記半導体素子と前記圧電素子パッケージが樹脂モールドされている圧電デバイスであって、前記リードフレームにおける一方の面の前記圧電素子パッケージが搭載される圧電素子パッケージ搭載領域に前記リードフレームの厚みが薄くなるように凹部が形成され、この前記凹部に前記圧電素子パッケージが搭載されていることを特徴とする。   In the piezoelectric device of the present invention, a semiconductor element and a piezoelectric element package incorporating the piezoelectric element are respectively mounted on the front and back of the lead frame, and the semiconductor element and the piezoelectric element package except for the outer lead of the lead frame. Is a resin-molded piezoelectric device, and a recess is formed in the piezoelectric element package mounting area on one side of the lead frame where the piezoelectric element package is mounted so that the thickness of the lead frame is reduced. The piezoelectric element package is mounted in the recess.

この構成によれば、リードフレームにおける一方の面の圧電素子パッケージが搭載される圧電素子パッケージ搭載領域にリードフレームの厚みが薄くなるように凹部が形成されていることから、この凹部におけるリードフレームの厚みが薄くなった分、圧電デバイスを薄くすることができる。また、リードフレームの厚みは、工程での取り扱いに支障がない厚みのものを選択することができ、アウターリードの強度を十分に確保できる圧電デバイスを提供することができる。   According to this configuration, since the recess is formed in the piezoelectric element package mounting region in which the piezoelectric element package on one surface of the lead frame is mounted so that the thickness of the lead frame is reduced, The piezoelectric device can be made thinner as the thickness is reduced. In addition, the lead frame can be selected to have a thickness that does not hinder handling in the process, and a piezoelectric device that can sufficiently secure the strength of the outer lead can be provided.

また、本発明の圧電デバイスは、前記リードフレームの前記凹部がパッド部および前記パッド部を保持する吊りリード部に形成され、前記パッド部に切り欠き部を設けることが望ましい。   In the piezoelectric device of the present invention, it is preferable that the concave portion of the lead frame is formed in a pad portion and a suspension lead portion that holds the pad portion, and a notch portion is provided in the pad portion.

このようにすれば、リードフレームに設ける凹部をプレス加工にて形成する場合、パッド部が潰れて外形が広がりリードフレームに歪が生ずるが、パッド部に切り欠き部を設けることにより、この切り欠き部で歪を吸収することができる。さらに、この切り欠き部に接着剤を設け、リードフレームと半導体素子および圧電素子パッケージを接着することで、接着剤層の厚みを考慮せずそれぞれをリードフレームに搭載でき、圧電デバイスの薄型化に寄与できる。   In this way, when the concave portion provided in the lead frame is formed by press working, the pad portion is crushed and the outer shape expands and the lead frame is distorted, but this notch is provided by providing the pad portion with a notch portion. The strain can be absorbed by the part. Furthermore, an adhesive is provided in the notch, and the lead frame, semiconductor element, and piezoelectric element package are bonded to each other, so that each can be mounted on the lead frame without considering the thickness of the adhesive layer. Can contribute.

本発明のリードフレームは、インナーリードと、アウターリードと、前記インナーリードと前記アウターリードを接続するタイバーと、半導体素子を搭載するためのパッド部と、前記パッド部を保持する吊りリードと、を備えたリードフレームであって、前記リードフレームの一方の面において、少なくとも前記パッド部の厚みが薄くなるように凹部が形成されたことを特徴とする。   The lead frame according to the present invention includes an inner lead, an outer lead, a tie bar connecting the inner lead and the outer lead, a pad portion for mounting a semiconductor element, and a suspension lead holding the pad portion. A lead frame is provided, wherein a recess is formed on one surface of the lead frame so that at least the pad portion is thin.

この構成によれば、例えば凹部が形成されたパッド部に半導体素子を搭載すれば、パッド部の厚みが少なくなった分、圧電デバイスなどの電子デバイスを薄型化できる。また、リードフレームの厚みは、工程での取り扱いに支障がない厚みのものを使用することができ、さらに、アウターリードの強度を十分に確保できる圧電デバイスなどの電子デバイスを提供することができる。   According to this configuration, for example, if a semiconductor element is mounted on a pad portion in which a concave portion is formed, an electronic device such as a piezoelectric device can be thinned as the thickness of the pad portion is reduced. In addition, the lead frame can be of a thickness that does not hinder handling in the process, and further, an electronic device such as a piezoelectric device that can sufficiently secure the strength of the outer lead can be provided.

また、本発明のリードフレームは、前記パッド部に切り欠き部を設けることが望ましい。   In the lead frame of the present invention, it is desirable to provide a notch in the pad portion.

このようにすれば、リードフレームに設ける凹部をプレス加工にて形成する場合、パッド部が潰れて外形が広がりリードフレームに歪が生ずるが、パッド部に切り欠き部を設けることにより、この切り欠き部で歪を吸収することができる。さらに、この切り欠き部に接着剤を設け、リードフレームと半導体素子および圧電素子パッケージを接着することで、接着剤層の厚みを考慮せずそれぞれをリードフレームに搭載でき、圧電デバイスなどの電子デバイスの薄型化に寄与できる。   In this way, when the concave portion provided in the lead frame is formed by press working, the pad portion is crushed and the outer shape expands and the lead frame is distorted, but this notch is provided by providing the pad portion with a notch portion. The strain can be absorbed by the part. Furthermore, by providing an adhesive in the notch and bonding the lead frame, the semiconductor element and the piezoelectric element package, each can be mounted on the lead frame without considering the thickness of the adhesive layer, and an electronic device such as a piezoelectric device. Can contribute to the reduction in thickness.

以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。
なお、以下の実施形態では圧電デバイスとして、水晶発振器を例にとり説明する。
（第１の実施形態） DESCRIPTION OF EXEMPLARY EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the invention will be described with reference to the drawings.
In the following embodiments, a crystal oscillator will be described as an example of a piezoelectric device.
(First embodiment)

図１は水晶発振器の構造を示す説明図であり、図１（ａ）は模式正面断面図、図１（ｂ）は模式側面断面図である。
水晶発振器５は、リードフレーム１と半導体素子としてのＩＣチップ２１および圧電素子パッケージとしての水晶振動子パッケージ２５とを備え、これらをエポキシ樹脂などの樹脂２９にて樹脂モールドすることにより構成されている。
リードフレーム１にはＩＣチップ２１を搭載するパッド部１１が設けられ、このパッド部１１はリードフレーム１の厚みが薄くなるように、その一方の面に凹部１５が設けられている。そして、この凹部１５にＩＣチップ２１が搭載され、他方の面のリードフレーム１に水晶振動子パッケージ２５が搭載されている。水晶振動子パッケージ２５はセラミックなどの箱体に水晶振動片２４が内蔵され、内部が気密に保たれている。また、ＩＣチップ２１には、水晶振動片２４を発振させる発振回路を内蔵している。
ＩＣチップ２１の端子は、リードフレーム１のインナーリード１６および水晶振動子パッケージ２５の端子にＡｕ線などの金属ワイヤ２２を介して接続されている。
また、リードフレーム１のアウターリード１７は曲げ加工され、いわゆるＪリード形状に形成されている。 1A and 1B are explanatory views showing the structure of a crystal oscillator. FIG. 1A is a schematic front sectional view, and FIG. 1B is a schematic side sectional view.
The crystal oscillator 5 includes a lead frame 1, an IC chip 21 as a semiconductor element, and a crystal resonator package 25 as a piezoelectric element package, and is configured by resin molding with a resin 29 such as an epoxy resin. .
The lead frame 1 is provided with a pad portion 11 on which an IC chip 21 is mounted, and the pad portion 11 is provided with a recess 15 on one surface so that the lead frame 1 is thin. An IC chip 21 is mounted in the recess 15, and a crystal resonator package 25 is mounted on the lead frame 1 on the other surface. The quartz resonator package 25 has a quartz vibrating piece 24 built in a box made of ceramic or the like, and the inside thereof is kept airtight. The IC chip 21 includes an oscillation circuit that oscillates the crystal vibrating piece 24.
The terminals of the IC chip 21 are connected to the inner leads 16 of the lead frame 1 and the terminals of the crystal resonator package 25 via metal wires 22 such as Au wires.
Further, the outer lead 17 of the lead frame 1 is bent and formed into a so-called J lead shape.

次に、本実施形態に用いるリードフレーム１について詳しく説明する。
図２はリードフレームを示す説明図であり、図２（ａ）は模式平面図、図２（ｂ）は同図（ａ）のＢ−Ｂ断線に沿う模式断面図である。
リードフレーム１は４２アロイなどのＦｅ合金、あるいはＣｕ−Ｓｎ，Ｃｕ−Ｆｅ，Ｃｕ−Ｚｎ，Ｃｕ−Ｎｉ等のＣｕ合金材料で形成されている。
このリードフレーム１のほぼ中央部にはＩＣチップが搭載されるパッド部１１が設けられ、吊りリード１２により外枠部１９に接続されている。 Next, the lead frame 1 used in this embodiment will be described in detail.
2A and 2B are explanatory views showing a lead frame. FIG. 2A is a schematic plan view, and FIG. 2B is a schematic cross-sectional view taken along the line BB in FIG.
The lead frame 1 is made of an Fe alloy such as 42 alloy, or a Cu alloy material such as Cu—Sn, Cu—Fe, Cu—Zn, or Cu—Ni.
A pad portion 11 on which an IC chip is mounted is provided at a substantially central portion of the lead frame 1 and is connected to the outer frame portion 19 by a suspension lead 12.

また、パッド部１１の両側には、パッド部１１とは分離されたインナーリード１６とアウターリード１７が配置されている。各インナーリード１６と各アウターリード１７はそれぞれタイバー１８に接続され、このタイバー１８により外枠部１９に支持されている。
パッド部１１はＩＣチップ搭載領域１４よりやや大きく形成され、インナーリード１６が伸びる方向に交互に配置された切り欠き部１３が形成されている。さらに、パッド部１１の一方の面には、プレス加工により凹部１５が形成されている。この凹部１５は、例えば、リードフレーム１の厚みに対し、およそ１／３〜１／２の深さのくぼみに形成されている。 In addition, on both sides of the pad portion 11, an inner lead 16 and an outer lead 17 separated from the pad portion 11 are disposed. Each inner lead 16 and each outer lead 17 are connected to a tie bar 18 and supported by the outer frame portion 19 by this tie bar 18.
The pad portion 11 is formed to be slightly larger than the IC chip mounting region 14, and the cutout portions 13 are alternately arranged in the direction in which the inner leads 16 extend. Further, a concave portion 15 is formed on one surface of the pad portion 11 by pressing. For example, the recess 15 is formed in a recess having a depth of about 1/3 to 1/2 of the thickness of the lead frame 1.

次に、図３は、リードフレーム１にＩＣチップ２１と水晶振動子パッケージ２５を搭載した状態を説明する説明図であり、図３（ａ）は模式平面図、図３（ｂ）は同図（ａ）のＣ−Ｃ断線に沿う模式断面図である。   Next, FIG. 3 is an explanatory diagram for explaining a state in which the IC chip 21 and the crystal resonator package 25 are mounted on the lead frame 1, FIG. 3 (a) is a schematic plan view, and FIG. 3 (b) is the same drawing. It is a schematic cross section along CC disconnection of (a).

リードフレーム１におけるパッド部１１の一方の面に形成された凹部１５には、ＩＣチップ２１が搭載されている。また、このリードフレーム１の他方の面には、パッド部１１から吊りリード１２にかけて、水晶振動子パッケージ２５が搭載されている。これらＩＣチップ２１と水晶振動子パッケージ２５のリードフレーム１への搭載は、パッド部１１の切り欠き部１３にＡｇペーストなど接着剤を設けることにより、リードフレーム１にＩＣチップ２１、水晶振動子パッケージ２５をそれぞれ固着している。   An IC chip 21 is mounted in the recess 15 formed on one surface of the pad portion 11 in the lead frame 1. A crystal resonator package 25 is mounted on the other surface of the lead frame 1 from the pad portion 11 to the suspension lead 12. The IC chip 21 and the crystal resonator package 25 are mounted on the lead frame 1 by providing an adhesive such as an Ag paste at the notch 13 of the pad portion 11 so that the lead frame 1 has the IC chip 21 and the crystal resonator package. 25 is fixed.

そして、ＩＣチップ２１の各端子からリードフレーム１のインナーリード１６および水晶振動子パッケージ２５の端子に、金属ワイヤ２２により所定の配線がなされている。
上記のＩＣチップ２１と水晶振動子パッケージ２５を搭載したリードフレーム１のモールド領域２８に、トランスファーモールド装置を用いて樹脂がモールドされ、吊りリード１２、タイバー１８を切断してアウターリード１７に曲げ加工が施され、図１で説明した水晶発振器５が得られる。 Then, predetermined wiring is made by metal wires 22 from the terminals of the IC chip 21 to the inner leads 16 of the lead frame 1 and the terminals of the crystal resonator package 25.
Resin is molded into the mold region 28 of the lead frame 1 on which the IC chip 21 and the crystal oscillator package 25 are mounted using a transfer molding apparatus, and the suspension lead 12 and the tie bar 18 are cut and bent into the outer lead 17. The crystal oscillator 5 described in FIG. 1 is obtained.

以上、本発明に係る水晶発振器は、リードフレーム１における一方の面のＩＣチップ２１が搭載される半導体素子搭載領域にリードフレーム１の厚みが薄くなるように凹部１５が形成されていることから、この凹部１５におけるリードフレーム１の厚みが薄くなった分、水晶発振器５を薄くすることができる。また、リードフレーム１の厚みは、工程での取り扱いに支障がない厚みのものを選択することができ、さらに、アウターリード１７の強度を十分に確保できる水晶発振器５を提供することができる。   As described above, the crystal oscillator according to the present invention has the recess 15 formed so that the thickness of the lead frame 1 is reduced in the semiconductor element mounting region where the IC chip 21 on one side of the lead frame 1 is mounted. Since the thickness of the lead frame 1 in the recess 15 is reduced, the crystal oscillator 5 can be made thinner. In addition, the thickness of the lead frame 1 can be selected so as not to interfere with handling in the process, and the crystal oscillator 5 capable of sufficiently securing the strength of the outer lead 17 can be provided.

また、リードフレーム１に設ける凹部１５をプレス加工にて形成する場合、パッド部１１が潰れて外形が広がりリードフレーム１に歪が生ずるが、パッド部１１に切り欠き部１３を設けることにより、この切り欠き部１３で歪を吸収することができる。さらに、この切り欠き部１３に接着剤を設け、リードフレーム１とＩＣチップ２１および水晶振動子パッケージ２５を接着することで、接着剤層の厚みを考慮せずそれぞれをリードフレーム１に搭載でき、水晶発振器５の薄型化に寄与できる。
（リードフレームのパッド部における切り欠き部形状の変形例） Further, when the recess 15 provided in the lead frame 1 is formed by press working, the pad portion 11 is crushed and the outer shape is widened, and the lead frame 1 is distorted. However, by providing the notch portion 13 in the pad portion 11, The notch 13 can absorb strain. Furthermore, by providing an adhesive in the notch 13 and bonding the lead frame 1 to the IC chip 21 and the crystal resonator package 25, each can be mounted on the lead frame 1 without considering the thickness of the adhesive layer. This can contribute to the thinning of the crystal oscillator 5.
(Modified example of notch shape in the lead frame pad)

なお、上記実施形態で説明したリードフレームのパッド部における切り欠き部形状は、次に説明する他の形状であっても良い。
図４（ａ）〜（ｄ）にリードフレームのパッド部における切り欠き形状の変形例を示す。
図４（ａ）に示すパッド部３１は、パッド部３１の中央付近から四隅に向かって略Ｖ字状の切り欠き部３２が形成されている。
図４（ｂ）に示すパッド部３３は、吊りリード１２をパッド部３３中央付近まで延長し、その吊りリード１２の両側を切り欠いた切り欠き部３４が形成されている。
図４（ｃ）に示すパッド部３５は、その内部をスリット状に抜いた切り欠き部３６が形成されている。
図４（ｄ）に示すパッド部３７は、パッド部３７の両側から吊りリード１２の延長線まで切り欠いた切り欠き部３８が形成されている。 The notch shape in the pad portion of the lead frame described in the above embodiment may be another shape described below.
4A to 4D show modified examples of the notch shape in the pad portion of the lead frame.
In the pad portion 31 shown in FIG. 4A, a substantially V-shaped cutout portion 32 is formed from the center of the pad portion 31 toward the four corners.
The pad portion 33 shown in FIG. 4B is formed with a notch 34 in which the suspension lead 12 is extended to the vicinity of the center of the pad portion 33 and both sides of the suspension lead 12 are notched.
The pad portion 35 shown in FIG. 4C is formed with a notch portion 36 in which the inside is cut out in a slit shape.
The pad portion 37 shown in FIG. 4D is formed with a notch portion 38 that is notched from both sides of the pad portion 37 to the extension line of the suspension lead 12.

以上のリードフレームのパッド部における切り欠き部形状においても、第１の実施形態で説明した切り欠き部と同様な効果を享受することができる。
（第２の実施形態） Even in the shape of the notch in the pad portion of the lead frame described above, the same effect as that of the notch described in the first embodiment can be obtained.
(Second Embodiment)

図５は第２の実施形態における水晶発振器の構造を示す説明図であり、図５（ａ）は模式正面断面図、図５（ｂ）は模式側面断面図である。   5A and 5B are explanatory views showing the structure of the crystal oscillator according to the second embodiment. FIG. 5A is a schematic front sectional view, and FIG. 5B is a schematic side sectional view.

水晶発振器６は、リードフレーム２と半導体素子としてのＩＣチップ６１および圧電素子パッケージとしての水晶振動子パッケージ６５とを備え、これらをエポキシ樹脂などの樹脂６９にて樹脂モールドすることにより構成されている。
リードフレーム２にはＩＣチップ６１を搭載するパッド部５１が設けられ、リードフレーム２における一方の面のパッド部５１にＩＣチップ６１が搭載されている。また、リードフレーム２における他方の面には、パッド部５１を含む位置に水晶振動子パッケージ６５が搭載されている。この水晶振動子パッケージ６５を搭載する部分（水晶振動子パッケージ搭載領域）のリードフレーム２にはリードフレーム２の厚みが薄くなるように凹部５５が設けられている。
水晶振動子パッケージ６５はセラミックなどの箱体に水晶振動片６４が内蔵され、内部が気密に保たれている。また、ＩＣチップ６１には、水晶振動片６４を発振させる発振回路を内蔵している。
そして、ＩＣチップ６１の端子は、リードフレーム２のインナーリード５６および水晶振動子パッケージ６５の端子にＡｕ線などの金属ワイヤ６２を介して接続されている。
また、リードフレーム２のアウターリード５７は曲げ加工され、いわゆるＪリード形状に形成されている。 The crystal oscillator 6 includes a lead frame 2, an IC chip 61 as a semiconductor element, and a crystal resonator package 65 as a piezoelectric element package, and is configured by resin molding with a resin 69 such as an epoxy resin. .
The lead frame 2 is provided with a pad portion 51 for mounting the IC chip 61, and the IC chip 61 is mounted on the pad portion 51 on one surface of the lead frame 2. A crystal resonator package 65 is mounted on the other surface of the lead frame 2 at a position including the pad portion 51. The lead frame 2 in the portion where the crystal resonator package 65 is mounted (crystal resonator package mounting region) is provided with a recess 55 so that the thickness of the lead frame 2 is reduced.
The crystal resonator package 65 has a crystal resonator element 64 built in a box made of ceramic or the like, and the inside thereof is kept airtight. Further, the IC chip 61 incorporates an oscillation circuit that oscillates the crystal vibrating piece 64.
The terminals of the IC chip 61 are connected to the inner leads 56 of the lead frame 2 and the terminals of the crystal resonator package 65 via metal wires 62 such as Au wires.
The outer lead 57 of the lead frame 2 is bent and formed into a so-called J lead shape.

次に、本実施形態に用いるリードフレームについて詳しく説明する。
図６はリードフレーム２を示す説明図であり、図６（ａ）は模式平面図、図６（ｂ）は同図（ａ）のＤ−Ｄ断線に沿う模式断面図である。
リードフレーム２は４２アロイなどのＦｅ合金、あるいはＣｕ−Ｓｎ，Ｃｕ−Ｆｅ，Ｃｕ−Ｚｎ，Ｃｕ−Ｎｉ等のＣｕ合金材料で形成されている。
このリードフレーム２のほぼ中央部にはＩＣチップが搭載されるパッド部５１が設けられ、吊りリード５２により外枠部５９に接続されている。 Next, the lead frame used in this embodiment will be described in detail.
6A and 6B are explanatory views showing the lead frame 2. FIG. 6A is a schematic plan view, and FIG. 6B is a schematic cross-sectional view taken along the line DD in FIG.
The lead frame 2 is made of a Fe alloy such as 42 alloy, or a Cu alloy material such as Cu—Sn, Cu—Fe, Cu—Zn, or Cu—Ni.
A pad portion 51 on which an IC chip is mounted is provided at a substantially central portion of the lead frame 2 and is connected to the outer frame portion 59 by a suspension lead 52.

また、パッド部５１の両側には、パッド部５１とは分離されたインナーリード５６とアウターリード５７が配置されている。各インナーリード５６と各アウターリード５７はそれぞれタイバー５８に接続され、このタイバー５８により外枠部５９に支持されている。
パッド部５１にはインナーリード５６が伸びる方向に交互に配置された切り欠き部５３が形成されている。さらに、リードフレーム２の一方の面には、水晶振動子パッケージ搭載領域５４よりやや広い範囲で、パッド部５１を含み吊りリード５２の一部にプレス加工により凹部５５が形成されている。この凹部５５は、例えば、リードフレーム２の厚みに対し、およそ１／３〜１／２の深さのくぼみに形成されている。 Further, inner leads 56 and outer leads 57 separated from the pad portion 51 are disposed on both sides of the pad portion 51. Each inner lead 56 and each outer lead 57 are connected to a tie bar 58 and supported by the outer frame portion 59 by the tie bar 58.
The pad portion 51 has notches 53 that are alternately arranged in the direction in which the inner leads 56 extend. Further, a concave portion 55 is formed on one surface of the lead frame 2 by press working on a part of the suspension lead 52 including the pad portion 51 within a range slightly wider than the crystal resonator package mounting region 54. For example, the recess 55 is formed in a recess having a depth of about 1/3 to 1/2 of the thickness of the lead frame 2.

図７は、リードフレーム２にＩＣチップ６１と水晶振動子パッケージ６５を搭載した状態を説明する説明図であり、図７（ａ）は模式平面図、図７（ｂ）は同図（ａ）のＥ−Ｅ断線に沿う模式断面図である。   7A and 7B are explanatory views for explaining a state in which the IC chip 61 and the crystal resonator package 65 are mounted on the lead frame 2. FIG. 7A is a schematic plan view, and FIG. 7B is the same figure. It is a schematic cross section along the EE disconnection.

リードフレーム２の一方の面には、パッド部５１から吊りリード５２にかけて形成された凹部５５に、水晶振動子パッケージ６５が搭載されている。また、このリードフレーム２における他方の面のパッド部５１には、ＩＣチップ６１が搭載されている。これらＩＣチップ６１と水晶振動子パッケージ６５のリードフレーム２への搭載は、パッド部５１の切り欠き部５３にＡｇペーストなど接着剤を設けることにより、リードフレーム２にＩＣチップ６１、水晶振動子パッケージ６５をそれぞれ固着している。   On one surface of the lead frame 2, a crystal resonator package 65 is mounted in a recess 55 formed from the pad portion 51 to the suspension lead 52. An IC chip 61 is mounted on the pad portion 51 on the other surface of the lead frame 2. The IC chip 61 and the crystal resonator package 65 are mounted on the lead frame 2 by providing an adhesive such as an Ag paste in the notch portion 53 of the pad portion 51, so that the IC chip 61 and the crystal resonator package are mounted on the lead frame 2. 65 is fixed.

そして、ＩＣチップ６１の各端子からリードフレーム２のインナーリード５６および水晶振動子パッケージ６５の端子に、金属ワイヤ６２により所定の配線がなされている。
上記のＩＣチップ６１と水晶振動子パッケージ６５を搭載したリードフレーム２のモールド領域６８に、トランスファーモールド装置を用いて樹脂がモールドされ、吊りリード５２、タイバー５８を切断してアウターリード５７に曲げ加工が施され、図５で説明した水晶発振器６が得られる。 Then, predetermined wiring is made by metal wires 62 from the terminals of the IC chip 61 to the inner leads 56 of the lead frame 2 and the terminals of the crystal resonator package 65.
Resin is molded into the mold region 68 of the lead frame 2 on which the IC chip 61 and the crystal resonator package 65 are mounted using a transfer molding device, and the suspension lead 52 and the tie bar 58 are cut and bent into the outer lead 57. The crystal oscillator 6 described in FIG. 5 is obtained.

以上、本発明に係る水晶発振器は、リードフレーム２における一方の面の水晶振動子パッケージ６５が搭載される水晶振動子パッケージ搭載領域５４にリードフレーム２の厚みが薄くなるように凹部５５が形成されていることから、この凹部５５におけるリードフレーム２の厚みが薄くなった分、水晶発振器６を薄くすることができる。また、リードフレーム２の厚みは、工程での取り扱いに支障がない厚みのものを選択することができ、アウターリード５７の強度を十分に確保できる水晶発振器６を提供することができる。   As described above, in the crystal oscillator according to the present invention, the recess 55 is formed in the crystal resonator package mounting region 54 where the crystal resonator package 65 on one surface of the lead frame 2 is mounted so that the thickness of the lead frame 2 is reduced. As a result, the crystal oscillator 6 can be made thinner by the thickness of the lead frame 2 in the recess 55. Further, the thickness of the lead frame 2 can be selected so as not to interfere with handling in the process, and the crystal oscillator 6 capable of sufficiently securing the strength of the outer lead 57 can be provided.

また、リードフレーム２に設ける凹部５５をプレス加工にて形成する場合、パッド部５１が潰れて外形が広がりリードフレーム２に歪が生ずるが、パッド部５１に切り欠き部５３を設けることにより、この切り欠き部５３で歪を吸収することができる。さらに、この切り欠き部５３に接着剤を設け、リードフレーム２とＩＣチップ６１および水晶振動子パッケージ６５を接着することで、接着剤層の厚みを考慮せずそれぞれをリードフレーム２に搭載でき、水晶発振器６の薄型化に寄与できる。   Further, when the concave portion 55 provided in the lead frame 2 is formed by press working, the pad portion 51 is crushed and the outer shape is widened, and the lead frame 2 is distorted. However, by providing the notch portion 53 in the pad portion 51, The notch 53 can absorb strain. Furthermore, by providing an adhesive in the notch 53 and bonding the lead frame 2 to the IC chip 61 and the crystal resonator package 65, each can be mounted on the lead frame 2 without considering the thickness of the adhesive layer. This can contribute to the thinning of the crystal oscillator 6.

なお、第２の実施形態においても、リードフレーム２におけるパッド部５１の切り欠き形状は、第１の実施形態の変形例（図４）で説明した形状を採用できる。   Also in the second embodiment, the shape described in the modification of the first embodiment (FIG. 4) can be adopted as the notch shape of the pad portion 51 in the lead frame 2.

また、上記第１の実施形態および第２の実施形態で説明したリードフレーム１，２（図２，６参照）は、水晶発振器などの圧電デバイスに用いられる構成部品として利用することができる。そして、これらのリードフレームを用いて圧電デバイスを構成すれば、圧電デバイスの薄型化を可能とする。
なお、パッド部またはパッド部を含み吊りリードに拡大した部分に凹部を形成するためにプレス加工を用いたが、エッチング手法を用いてこの凹部を形成しても良い。 The lead frames 1 and 2 (see FIGS. 2 and 6) described in the first embodiment and the second embodiment can be used as components used in a piezoelectric device such as a crystal oscillator. If a piezoelectric device is configured using these lead frames, the piezoelectric device can be made thinner.
In addition, although press processing was used in order to form a recessed part in the part which included the pad part or the pad part and was expanded to the suspension lead, you may form this recessed part using the etching method.

以上、本発明の実施形態では圧電デバイスとして、水晶発振器を例にとり説明したが、水晶の他に、圧電振動子としてタンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウムなどの圧電材料を用いた振動子と半導体素子を備えた発振器としても良い。また、圧電振動子に替えて、ＳＡＷ共振子を備えたＳＡＷ発振器として実施することも可能である。   As described above, in the embodiment of the present invention, the crystal oscillator has been described as an example of the piezoelectric device. However, in addition to the crystal, the vibrator and the semiconductor element using the piezoelectric material such as lithium tantalate and lithium niobate as the piezoelectric vibrator. It is good also as a provided oscillator. Further, it can be implemented as a SAW oscillator including a SAW resonator in place of the piezoelectric vibrator.

第１の実施形態における水晶発振器の構造を示す説明図であり、（ａ）は模式正面断面図、（ｂ）は模式側面断面図。It is explanatory drawing which shows the structure of the crystal oscillator in 1st Embodiment, (a) is typical front sectional drawing, (b) is typical side sectional drawing. 第１の実施形態におけるリードフレームを示す説明図であり、（ａ）は模式平面図、（ｂ）は模式断面図。It is explanatory drawing which shows the lead frame in 1st Embodiment, (a) is a schematic plan view, (b) is a schematic cross section. 第１の実施形態におけるリードフレームにＩＣチップと水晶振動子パッケージを搭載した状態を説明する説明図であり、（ａ）は模式平面図、（ｂ）は模式断面図。2A and 2B are explanatory diagrams for explaining a state in which an IC chip and a crystal resonator package are mounted on the lead frame in the first embodiment, where FIG. 3A is a schematic plan view, and FIG. 他のリードフレームのパッド部における切り欠き部形状を示す平面図。The top view which shows the notch part shape in the pad part of another lead frame. 第２の実施形態における水晶発振器の構造を示す説明図であり、（ａ）は模式正面断面図、（ｂ）は模式側面断面図。It is explanatory drawing which shows the structure of the crystal oscillator in 2nd Embodiment, (a) is typical front sectional drawing, (b) is typical side sectional drawing. 第２の実施形態におけるリードフレームを示す説明図であり、（ａ）は模式平面図、（ｂ）は模式断面図。It is explanatory drawing which shows the lead frame in 2nd Embodiment, (a) is a schematic plan view, (b) is a schematic cross section. 第２の実施形態におけるリードフレームにＩＣチップと水晶振動子パッケージを搭載した状態を説明する説明図であり、（ａ）は模式平面図、（ｂ）は模式断面図。It is explanatory drawing explaining the state which mounted the IC chip and the crystal oscillator package in the lead frame in 2nd Embodiment, (a) is a schematic plan view, (b) is a schematic cross section.

符号の説明Explanation of symbols

１，２…リードフレーム、５，６…圧電デバイスとしての水晶発振器、１１…パッド部、１２…吊りリード、１３…切り欠き部、１４…半導体素子搭載領域としてのＩＣチップ搭載領域、１５…凹部、１６…インナーリード、１７…アウターリード、１８…タイバー、１９…外枠部、２１…半導体素子としてのＩＣチップ、２２…金属ワイヤ、２４…水晶振動片、２５…圧電素子パッケージとしての水晶振動子パッケージ、２９…樹脂、５１…パッド部、５２…吊りリード、５３…切り欠き部、５４…圧電素子パッケージ搭載領域としての水晶振動子パッケージ搭載領域、５５…凹部、５６…インナーリード、５７…アウターリード、５８…タイバー、５９…外枠部、６１…半導体素子としてのＩＣチップ、６２…金属ワイヤ、６４…水晶振動片、６５…圧電素子パッケージとしての水晶振動子パッケージ、６９…樹脂。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1, 2 ... Lead frame, 5, 6 ... Crystal oscillator as piezoelectric device, 11 ... Pad part, 12 ... Suspension lead, 13 ... Notch part, 14 ... IC chip mounting area as a semiconductor element mounting area, 15 ... Recessed part , 16 ... Inner lead, 17 ... Outer lead, 18 ... Tie bar, 19 ... Outer frame part, 21 ... IC chip as semiconductor element, 22 ... Metal wire, 24 ... Crystal vibrating piece, 25 ... Crystal vibration as piezoelectric element package Child package, 29 ... resin, 51 ... pad portion, 52 ... suspended lead, 53 ... notch, 54 ... crystal resonator package mounting region as piezoelectric element package mounting region, 55 ... recess, 56 ... inner lead, 57 ... Outer lead, 58 ... Tie bar, 59 ... Outer frame part, 61 ... IC chip as semiconductor element, 62 ... Metal wire, 64 ... Quartz crystal Piece, 65 ... crystal resonator package as a piezoelectric element package, 69 ... resin.

Claims (6)

リードフレームの表裏に半導体素子と、圧電素子が内蔵された圧電素子パッケージとがそれぞれ搭載され、前記リードフレームのアウターリードを除いて前記半導体素子と前記圧電素子パッケージが樹脂モールドされている圧電デバイスであって、
前記リードフレームにおける一方の面の前記半導体素子が搭載される半導体素子搭載領域に前記リードフレームの厚みが薄くなるように凹部が形成され、この前記凹部に前記半導体素子が搭載されていることを特徴とする圧電デバイス。 A piezoelectric device in which a semiconductor element and a piezoelectric element package containing a piezoelectric element are respectively mounted on the front and back of the lead frame, and the semiconductor element and the piezoelectric element package are resin-molded except for the outer lead of the lead frame. There,
A recess is formed in the semiconductor element mounting region on one surface of the lead frame where the semiconductor element is mounted so that the thickness of the lead frame is reduced, and the semiconductor element is mounted in the recess. Piezoelectric device. 請求項１に記載の圧電デバイスにおいて、前記リードフレームの前記凹部がパッド部に形成され、前記パッド部に切り欠き部を設けたことを特徴とする圧電デバイス。   2. The piezoelectric device according to claim 1, wherein the concave portion of the lead frame is formed in a pad portion, and a notch portion is provided in the pad portion. リードフレームの表裏に半導体素子と、圧電素子が内蔵された圧電素子パッケージとがそれぞれ搭載され、前記リードフレームのアウターリードを除いて前記半導体素子と前記圧電素子パッケージが樹脂モールドされている圧電デバイスであって、
前記リードフレームにおける一方の面の前記圧電素子パッケージが搭載される圧電素子パッケージ搭載領域に前記リードフレームの厚みが薄くなるように凹部が形成され、この前記凹部に前記圧電素子パッケージが搭載されていることを特徴とする圧電デバイス。 A piezoelectric device in which a semiconductor element and a piezoelectric element package containing a piezoelectric element are respectively mounted on the front and back of the lead frame, and the semiconductor element and the piezoelectric element package are resin-molded except for the outer lead of the lead frame. There,
A recess is formed in the piezoelectric element package mounting region on one surface of the lead frame where the piezoelectric element package is mounted so that the thickness of the lead frame is reduced, and the piezoelectric element package is mounted in the recess. A piezoelectric device characterized by that. 請求項３に記載の圧電デバイスにおいて、前記リードフレームの前記凹部がパッド部および前記パッド部を保持する吊りリード部に形成され、前記パッド部に切り欠き部を設けたことを特徴とする圧電デバイス。   4. The piezoelectric device according to claim 3, wherein the concave portion of the lead frame is formed in a pad portion and a suspension lead portion that holds the pad portion, and a notch portion is provided in the pad portion. . インナーリードと、
アウターリードと、
前記インナーリードと前記アウターリードを接続するタイバーと、
半導体素子を搭載するためのパッド部と、
前記パッド部を保持する吊りリードと、を備えたリードフレームであって、
前記リードフレームの一方の面において、少なくとも前記パッド部の厚みが薄くなるように凹部が形成されたことを特徴とするリードフレーム。 Inner leads,
Outer leads,
A tie bar connecting the inner lead and the outer lead;
A pad portion for mounting a semiconductor element;
A lead frame comprising a suspension lead for holding the pad portion,
A lead frame, wherein a concave portion is formed on one surface of the lead frame so that at least the pad portion is thin. 請求項５に記載のリードフレームにおいて、前記パッド部に切り欠き部を設けたことを特徴とするリードフレーム。
6. The lead frame according to claim 5, wherein a notch portion is provided in the pad portion.
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