JP2007004901A - Magnetoresistive effect element, thin film magnetic head, magnetic head device and magnetic disk device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気ディスク装置に関する。 The present invention relates to a magnetoresistive element, a thin film magnetic head, a magnetic head device, and a magnetic disk device.
磁気抵抗効果(以下、MRと称する)素子は、磁気記憶素子、磁気センサまたは薄膜磁気ヘッドに用いられる。これらの用途のうちでも、薄膜磁気ヘッドへの適用が特に重要である。薄膜磁気ヘッドにおいては、ハードディスクドライブ(HDD)の大容量及び小型化に対応すべく、高感度、高出力のものが要求されている。 Magnetoresistive (hereinafter referred to as MR) elements are used in magnetic memory elements, magnetic sensors, or thin film magnetic heads. Among these uses, application to a thin film magnetic head is particularly important. Thin film magnetic heads are required to have high sensitivity and high output in order to cope with the large capacity and miniaturization of hard disk drives (HDDs).
薄膜磁気ヘッドにおいて、高感度、高出力への対応として、記録素子は、磁気記録媒体の記録層を長手方向に磁化する面内記録素子から、記録層を膜面に対して垂直方向に磁化する垂直記録素子に移行しつつあり、これに対応して、再生素子として、巨大磁気抵抗効果膜(以下、GMR膜と称する)や、強磁性トンネル接合膜(以下、TMR膜と称する)を適用したものが検討されている。 In the thin film magnetic head, as a response to high sensitivity and high output, the recording element magnetizes the recording layer in the direction perpendicular to the film surface from the in-plane recording element that magnetizes the recording layer of the magnetic recording medium in the longitudinal direction. Corresponding to this, a giant magnetoresistive film (hereinafter referred to as GMR film) and a ferromagnetic tunnel junction film (hereinafter referred to as TMR film) were applied as reproducing elements. Things are being considered.
GMR膜やTMR膜を用いた再生素子として、膜面に対して垂直にセンス電流を流すCPP(Current Perpendicular to Plane)構造(特許文献1参照)のものが知られている。CPP構造をとる場合、MR素子を、膜厚の両面側から挟み込むように、第1のシールド層及び第2のシールド層を配置し、第1のシールド層及び第2のシールド層を、シールドのみならず、センス電流を供給するための電極としても兼用する。 As a reproducing element using a GMR film or a TMR film, a CPP (Current Perpendicular to Plane) structure (see Patent Document 1) in which a sense current flows perpendicularly to the film surface is known. When the CPP structure is adopted, the first shield layer and the second shield layer are arranged so that the MR element is sandwiched from both sides of the film thickness, and the first shield layer and the second shield layer are only shielded. It is also used as an electrode for supplying a sense current.
ところが、CPP構造の薄膜磁気ヘッドにおいては、出力波形の線形性が著しく悪化する場合があることがわかった。このような出力波形の線形性の悪化は、高密度記録された磁気記録媒体(磁気ディスク)のデータを、高速度で、忠実に読み取らなければならないこの種の薄膜磁気ヘッドにおいて、致命的な欠点となりかねない。
本発明の課題は、再生出力波形歪を改善したMR素子、薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気ディスク装置を提供することである。 An object of the present invention is to provide an MR element, a thin film magnetic head, a magnetic head device, and a magnetic disk device with improved reproduction output waveform distortion.
1.MR素子
上述した課題を解決するため、本発明に係るMR素子は、第1のシールド層と、第2のシールド層と、MR膜と、収縮部とを含んでいる。前記MR膜は、前記第1のシールド層及び前記第2のシールド層の間に設けられている。前記収縮部は、前記MR膜に対し、膜面と平行となる方向の引張力を与える。
1. MR element In order to solve the above-described problem, an MR element according to the present invention includes a first shield layer, a second shield layer, an MR film, and a contraction portion. The MR film is provided between the first shield layer and the second shield layer. The contraction portion applies a tensile force in a direction parallel to the film surface to the MR film.
上述したように、収縮部により、第1のシールド層及び第2のシールド層を介して、MR膜に対し、膜面と平行となる方向の引張力を与えると、再生出力波形の歪が解消できることが分かった。 As described above, when the tensile force in the direction parallel to the film surface is applied to the MR film via the first shield layer and the second shield layer by the contraction part, the distortion of the reproduced output waveform is eliminated. I understood that I could do it.
その理由は、次のように考えられる。即ち、GMR膜やTMR膜は、nmオーダの膜を積層した多層膜構造を持っており、その成膜工程や熱処理工程において、膜に圧縮応力が蓄積されるため、蓄積された圧縮応力の影響を受け、印加磁界と出力との間の線形性が失われ、出力波形に歪が生じるというものである。本発明では、収縮部により、MR膜に対し、膜面と平行となる方向の引張力を与えるので、GMR膜やTMR膜に蓄積された圧縮応力が開放され、その結果、出力波形歪が解消したと考えられる。 The reason is considered as follows. That is, the GMR film and the TMR film have a multilayer film structure in which films of the order of nm are laminated, and compressive stress is accumulated in the film during the film forming process and the heat treatment process. As a result, the linearity between the applied magnetic field and the output is lost, and the output waveform is distorted. In the present invention, the contraction part gives the MR film a tensile force in a direction parallel to the film surface, so that the compressive stress accumulated in the GMR film and the TMR film is released, and as a result, the output waveform distortion is eliminated. It is thought that.
MR膜は、第1のシールド層及び第2のシールド層の間に設けられているから、MR膜に対し、膜面と平行となる方向の引張力を与えるのに合理的で有効な手段の一つは、前記第1のシールド層及び前記第2のシールド層と一体化された剛性の支持体を有する構造とし、前記収縮部を、前記MR膜の膜面と平行となる方向において、前記第1のシールド層及び前記第2のシールド層の側方に存在する前記支持体に埋め込むことである。 Since the MR film is provided between the first shield layer and the second shield layer, it is a reasonable and effective means for applying a tensile force in a direction parallel to the film surface to the MR film. One has a structure having a rigid support body integrated with the first shield layer and the second shield layer, and the contraction portion is in a direction parallel to the film surface of the MR film, And embedding in the support that is present laterally of the first shield layer and the second shield layer.
支持体は、典型的には、セラミックなどの無機絶縁材料で構成される。このような無機絶縁材料は、薄膜磁気ヘッドなどでは、ごく一般的に用いられている。 The support is typically composed of an inorganic insulating material such as ceramic. Such inorganic insulating materials are very commonly used in thin film magnetic heads and the like.
更に望ましい形態は、収縮部を、第1のシールド層及び第2のシールド層と、横並び、つまり同一階層を共有するように配置することである。こうすることにより、収縮部の収縮力を、剛性の支持体を介して、第1のシールド層及び第2のシールド層に確実に、かつ、効率よく作用させ、収縮部の収縮力に基づく引張力を、面積、体積の大きな第1のシールド層及び第2のシールド層から、面積、体積の小さなMR膜に、効果的に作用させることができる。MR膜としては、膜面に対して垂直方向にセンス電流を流すCPP構造のものが基本であるが、CIP構造のMR膜を排除する趣旨ではない。 A more desirable mode is to arrange the contraction portion side by side with the first shield layer and the second shield layer, that is, to share the same layer. By doing so, the contraction force of the contraction part is reliably and efficiently applied to the first shield layer and the second shield layer via the rigid support, and the tension based on the contraction force of the contraction part is obtained. Force can be effectively applied from the first shield layer and the second shield layer having a large area and volume to the MR film having a small area and volume. The MR film basically has a CPP structure in which a sense current flows in a direction perpendicular to the film surface. However, the MR film having a CIP structure is not excluded.
なお、引張力を発生させる手段として、圧電素子を利用する構成も考えられるが、この場合は、別途圧電素子を形成することになるので、積層工程が増加し、コストアップにつながる。これに対して、本発明は、収縮方向にのみ応力をかければよく、圧電素子のような通電機構等を設ける必要がないため、プロセス的にメリットがある。 In addition, although the structure using a piezoelectric element is also considered as a means to generate | occur | produce a tensile force, since a piezoelectric element is separately formed in this case, a lamination process increases and it leads to a cost increase. On the other hand, the present invention has a merit in terms of process because it is sufficient to apply stress only in the contraction direction and it is not necessary to provide an energization mechanism such as a piezoelectric element.
2.薄膜磁気ヘッド
本発明に係る薄膜磁気ヘッドでは、再生素子として、上述したMR素子を用いる。これにより、上述したMR素子の有する利点、即ち、再生出力波形歪の改善効果を有する薄膜磁気ヘッドが得られる。
2. Thin Film Magnetic Head In the thin film magnetic head according to the present invention, the above-described MR element is used as a reproducing element. As a result, the thin film magnetic head having the above-described advantage of the MR element, that is, the effect of improving the reproduction output waveform distortion is obtained.
本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、その一般的な構成として、記録素子を含んでいる。記録素子としては、面内記録素子のほか、高密度記録に適した垂直記録素子を用いることができる。 The thin film magnetic head according to the present invention includes a recording element as a general configuration. As the recording element, in addition to the in-plane recording element, a perpendicular recording element suitable for high-density recording can be used.
本発明は、更に、上述した薄膜磁気ヘッドと、サスペンションとを含む磁気ヘッド装置、この磁気ヘッドと磁気ディスクとを含む磁気ディスク装置をも開示する。 The present invention further discloses a magnetic head device including the above-described thin film magnetic head and a suspension, and a magnetic disk device including the magnetic head and a magnetic disk.
1.MR素子
図1は本発明に係るMR素子の構造を模式的に示す図、図2は図1に示したMR素子を、印加磁界が入る感磁面から見た図である。図示のMR素子は、磁気記憶素子または磁気センサとしても利用できるほか、後述するように薄膜磁気ヘッドの再生素子としても利用できる。図1及び図2において、各構成部分を明確に表示するため、誤解を招かないであろう範囲で、通常の図面表示によれば、点線によって表示すべき部分を実線によって表示してあること、及び、ハッチング表示とすべきでない部分をハッチング表示してあることに注意されたい。図1、図2に図示されたMR素子は、第1のシールド層31と、絶縁層32と、第2のシールド層33と、MR膜30とを含む。
1. MR Element FIG. 1 is a diagram schematically showing the structure of an MR element according to the present invention, and FIG. 2 is a diagram of the MR element shown in FIG. The illustrated MR element can be used not only as a magnetic storage element or a magnetic sensor, but also as a reproducing element of a thin film magnetic head as will be described later. In FIG. 1 and FIG. 2, in order to display each component clearly, in a range that would not cause misunderstanding, according to a normal drawing display, the portion to be displayed by a dotted line is displayed by a solid line, and It should be noted that the portions that should not be hatched are hatched. The MR element shown in FIGS. 1 and 2 includes a
第1のシールド層31及び第2のシールド層33は、例えばNiFe膜によって構成され、絶縁層32は、Al2O3、SiO2などの金属酸化物絶縁材料で構成される。第1のシールド層31、絶縁層32、第2のシールド層33及びMR膜30は、剛性を有する支持体1によって覆われ、かつ、支持されている。支持体1は、例えばAl2O3などの無機絶縁材料によって構成されている。
The
MR膜30は、第1のシールド層31及び第2のシールド層33の間に設けられ、第1のシールド層31及び第2のシールド層33を電極層として、センス電流の供給を受ける。MR膜30の周囲は、絶縁層32によって埋められている。MR膜30は、感磁面10から入る印加磁界に応答する。
The
収縮部41、42は、MR膜30に対し、膜面と平行となる方向W1の引張力T1、T2を与える。収縮部41、42は、それ自体で、例えば、矢印S1、S2で示すように収縮する特性を有する。図示の実施例では、収縮部41、42は、第1のシールド層31及び第2のシールド層33から離れた位置で、剛性の支持体1の面内に埋め込まれている。
The
従って、収縮部41、42が矢印S1、S2で示すように収縮した場合、剛性の支持体1を介して、第1のシールド層31、絶縁層32及びMR膜30に対し、膜面と平行となる方向W1の引張力T1、T2が与えられる。
Therefore, when the contracting
収縮部41、42を構成する材料としては、収縮性があり、伸びにくく、しかも、周りの層、即ち、剛性の支持体1に対する密着性、接着性の高いものが用いられる。上述した要求特性を満たすものであれば、金属/合金系材料、無機材料または有機材料の何れでも用いることができる。金属/合金系材料の例としては、形状記憶合金の一種であるNiTiや、CuZnAlなどを挙げることができる。
As the material constituting the
有機材料としては、ポリエチレンやエチレン酢酸ビニル共重合体のようなエチレン系の共重合体、エチレンプロピレンゴム、クロロプレンゴムもしくはフッ素ゴムのような合成ゴム、ポリエチレンテレフタレートのようなポリエステル樹脂、12−ナイロンのようなポリアミド樹脂、又は、ポリ塩化ビニル樹脂又はフッ素樹脂などを例示できる。これらは、単独で用いてもよいし、そのいくつかをブレンドして用いてもよい。 Examples of organic materials include ethylene copolymers such as polyethylene and ethylene vinyl acetate copolymers, synthetic rubbers such as ethylene propylene rubber, chloroprene rubber and fluoro rubber, polyester resins such as polyethylene terephthalate, and 12-nylon. Such a polyamide resin, a polyvinyl chloride resin, a fluororesin, etc. can be illustrated. These may be used singly or some of them may be blended.
また、収縮部41、41は、支持体1の内部に完全に埋設(図2参照)してあってもよいし、少なくとも一部が外部に露出(図3参照)していてもよい。
Further, the
更に、収縮部41、42は、図1の円形状のほか、楕円形状(図4参照)、角形状(図5参照)、又は、トラック形状(図6参照)など、任意の形態を採ることができる。図示は省略するが、収納部41、42のそれぞれを、複数に分割して設けてもよいし、収納部41、42の一方を省略してもよい。更に、収縮部41、42は、第1のシールド層31及び第2のシールド層33の中に設けてもよい。なお、図3〜図6においても、図の表示方式(ハッチング表示等)は図1、図2に準じている。
Furthermore, in addition to the circular shape of FIG. 1, the
MR膜30に対し、膜面と平行となる方向W1の引張力T1、T2を与えるのに合理的で有効な手段の一つは、図1〜図6に図示するように、収縮部41、42を、MR膜30の膜面と平行となる方向W1の両側において、支持体1の内部に設けることである。
One of the rational and effective means for giving the
特に好ましい形態は、図2、図3に図示するように、収縮部41、42を、第1のシールド層31及び第2のシールド層33に対して、横並びに配置することである。こうすることにより、収縮部41、42の収縮力を、剛性を有する支持体1を介して、第1のシールド層31及び第2のシールド層33に確実に、かつ、効率よく作用させ、更に、面積、体積の大きな第1のシールド層31及び第2のシールド層33から、面積、体積の小さなMR膜30に効果的に作用させることができる。
As shown in FIGS. 2 and 3, the particularly preferable form is to arrange the
上述したように、収縮部41、42により、MR膜30に対し、膜面と平行となる方向W1の引張力T1、T2を与えると、再生出力波形の歪が解消できる。その理由は、既に述べたとおりである。
As described above, when the tensile forces T1 and T2 in the direction W1 parallel to the film surface are applied to the
図7は、CPP型MR素子の具体的な層構造を示す断面図である。MR膜30は、TMR膜であって、フリー層302を含み、フリー層302の一面に、Al2O3層などでなる絶縁層303の一面が隣接し、絶縁層303の他面に、ピンド層304の一面が隣接している。ピンド層304の他面には反強磁性層305の一面が隣接している。ピンド層304は、反強磁性層305との交換結合により、磁化方向が、一方向に固定される。
FIG. 7 is a cross-sectional view showing a specific layer structure of a CPP type MR element. The
フリー層302、絶縁層303、ピンド層304及び反強磁性層305の層構造及び組成材料等については、既に知られている技術を任意に適用できる。一例をあげると、フリー層302及びピンド層304は、例えば、NiFe、NiFeCo、CoFe等で構成され、反強磁性層305はFeMn、MnIr、NiMn、CrMnPtなどによって構成される。
For the layer structure and composition material of the
第1のシールド層31は、めっき下地層306を介して、MR膜30の一面に隣接し、第2のシールド層33は、めっき下地層301を介して、MR膜30の他面に隣接している。したがって、MR膜30の膜面に対して垂直方向にセンス電流を流すCPP型のMR素子を得ることができる。
The
MR膜30の幅方向の両側部には、フリー層302の磁区を制御する磁区制御層201、202が配置されている。磁区制御層201と、MR膜30及びめっき下地膜306との間には、絶縁膜203が介在しており、磁区制御層202と、MR膜30とめっき下地膜306との間には絶縁膜204が介在している。
On both sides of the
収縮部41、42は、第1のシールド層31及び第2のシールド層33に対して、横並びとなる関係で、支持体1の内部に配置されている。これにより、収縮部41、42の収縮力を、剛性を有する支持体1を介して、面積、体積の大きな第1のシールド層31及び第2のシールド層33に作用させ、更に、第1のシールド層31及び第2のシールド層33からMR膜30に効果的に作用させることができる。
The
図8は、図7に示した構造において、収縮部41、42を持たない従来のMR素子について、外部から印加される印加磁界と再生素子の再生出力電圧との関係を示すグラフ、図9は図7に示した本発明に係るMR素子について、印加磁界と、再生素子の再生出力電圧との関係を示すグラフである。図において、横軸に印加磁界(×79A/m)をとり、縦軸に再生出力電圧(μV)をとってある。
FIG. 8 is a graph showing the relationship between the externally applied magnetic field and the reproduction output voltage of the reproducing element for a conventional MR element having no
図8を参照すると、印加磁界(−300)〜(−150)(×79A/m)の範囲で、印加磁界に対する再生出力電圧の線形性が著しく損なわれており、再生出力波形に大きな歪が生じていることが分かる。 Referring to FIG. 8, in the range of applied magnetic field (−300) to (−150) (× 79 A / m), the linearity of the reproduced output voltage with respect to the applied magnetic field is significantly impaired, and the reproduced output waveform is greatly distorted. You can see that it has occurred.
これに対して、本発明に係るMR素子では、図9に図示するように、印加磁界(−300)〜(−150)(×79A/m)の範囲のみならず、全体として、印加磁界に対する再生出力電圧の線形性が良好に保たれており、従って、再生出力波形の歪が緩和されている。 On the other hand, in the MR element according to the present invention, as shown in FIG. 9, not only the range of the applied magnetic field (−300) to (−150) (× 79 A / m) but also the applied magnetic field as a whole. The linearity of the reproduction output voltage is kept good, and therefore the distortion of the reproduction output waveform is reduced.
2.薄膜磁気ヘッド
図10は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの断面図、図11は図10に示した薄膜磁気ヘッドを、図1〜図7の感磁面10に相当する空気ベアリング面(ABS)側から見た図である。図において、各構成部分の寸法比等は、図示の都合を優先し、実際とは異ならせてある。また、先に掲示された図面に現れた構成部分に相当する部分については、同一の参照符号を付してある。図示された薄膜磁気ヘッドは、スライダ基体11と、記録素子2と、再生素子3とを含む複合型ヘッドである。矢印F1は、磁気ディスクと組み合わせた場合に生じる空気の流れ方向を示している。
2. FIG. 10 is a cross-sectional view of a thin film magnetic head according to the present invention. FIG. 11 shows the thin film magnetic head shown in FIG. 10 on the air bearing surface (ABS) side corresponding to the
スライダ基体11は、耐摩耗性に優れたアルティック等からなる。アルティックでなるスライダ基体11は、Al2O3などの無機絶縁材料と比較して、耐磨耗性及び潤滑性に優れているが、導電性が高い。そこで、スライダ基体11の素子形成面には、通常、Al2O3、SiO2などの絶縁層(図示しない)が付着されている。
The
記録素子2は、下部磁性層21と、第2の磁性層22と、薄膜コイル231、232と、記録ギャップ層24とを含み、その全体が、保護膜12によって覆われている。下部磁性層21は、NiFe、CoNiFe、CoFeなどのめっき層で構成されており、第1の磁極層210と、第1の磁極211とを有し、第2のシールド層33に隣接する第3の絶縁層34の上に形成されている。第3の絶縁層34は、例えばAl2O3(アルミナ)などでなる。
The
第1の磁極211は、記録媒体に対向する側、即ち、ABSの側において、第1の磁極層210の端部に備えられている。第2の磁性層22は、第2の磁極層221と、第2の磁極222とを有している。第2の磁極層221は、第1の磁極層210から間隔を隔て形成され、後方に位置する後方結合部25により、第1の磁極層210と磁気的に結合されている。第2の磁極層221は、前端が第2の磁極222に隣接しており、NiFe、CoNiFe、CoFeなどの磁性材料によって構成されている。第2の磁極222は、記録ギャップ層24を介して、第1の磁極211と、同一トラック幅を持って対向している。
The first
薄膜コイル231、232は、Cuなどのめっき層として構成され、後方結合部25の周りを周回している。絶縁層261〜265は、薄膜コイル231、232に対する電気絶縁を担う。
The thin film coils 231 and 232 are configured as plated layers of Cu or the like, and circulate around the
再生素子3は、図1〜図7に示したMR素子によって構成されている。MR素子は、既に詳説したように、第1のシールド層31と、第2のシールド層33と、MR膜30とを含む。もっとも、薄膜磁気ヘッドへの適用において、それに適した設計的変形を伴うことは当然であり、例えば、図7に示した構造との対比において、各構成部分の寸法比、及び、具体的な層構造等は異なる。
The reproducing element 3 is constituted by the MR element shown in FIGS. As already described in detail, the MR element includes the
MR膜30は、第1のシールド層31及び第2のシールド層33の間に設けられ、第1のシールド層31及び第2のシールド層33を電極層として、センス電流の供給を受ける。MR膜30の周囲は、絶縁層32によって埋められている。
The
収縮部41、42は、それ自体の収縮により、MR膜30に対して、膜面と平行となる方向W1の引張力T1、T2を与える(図11参照)。図10、図11では、図1〜図7に示した剛性の支持体1が、スライダ基体11、第3の絶縁膜34及び保護膜12によって構成されている。収縮部41、42は、MR膜30の膜面と平行となる方向W1において、第1のシールド層31及び第2のシールド層33の両側に存在する保護膜12に埋め込まれている。従って、収縮部41、42は、保護膜12、第1のシールド層31及び第2のシールド層33を介して、間接的に、MR膜30に引張力を与える。図10及び図11は面内記録素子を示しているが、記録層を膜面に対して垂直方向に磁化する垂直記録素子であってもよい。
The
図10、図11に示した薄膜磁気ヘッドは、再生素子3として、図1〜図7に示したMR素子を用いているので、再生素子3に関しは、図1〜図7を参照して説明した全ての事項が当てはまる。 Since the thin film magnetic head shown in FIGS. 10 and 11 uses the MR element shown in FIGS. 1 to 7 as the reproducing element 3, the reproducing element 3 will be described with reference to FIGS. All the matters that apply are true.
3.磁気ヘッド装置
本発明において、磁気ヘッド装置とは、薄膜磁気ヘッドをジンバルに取り付けたヘッド・ジンバル・組立体(Head Gimbal Assembly 以下、HGAと称する)、HGAをアームに取り付けたヘッド・アーム組立体(Head Arm Assembly 以下、HAAと称する)及び複数のHAAをスタックしたヘッド・スタック組立体(Head Stack Assembly 以下、HSAと称する)を含む概念である。
3. Magnetic Head Device In the present invention, a magnetic head device means a head gimbal assembly (hereinafter referred to as HGA) in which a thin film magnetic head is attached to a gimbal, and a head / arm assembly in which an HGA is attached to an arm ( It is a concept including a head arm assembly (hereinafter referred to as HAA) and a head stack assembly (hereinafter referred to as HSA) in which a plurality of HAAs are stacked.
図12は磁気ヘッド装置の一部を示す正面図である。図示の磁気ヘッド装置は、先に述べた本発明に係る薄膜磁気ヘッド4と、ヘッド支持装置5とを含む。
FIG. 12 is a front view showing a part of the magnetic head device. The illustrated magnetic head device includes the above-described thin film
ヘッド支持装置5は、一端部で薄膜磁気ヘッド4を支持している。ヘッド支持装置5は、金属薄板でなる支持体51の長手方向の一端にある自由端に、同じく金属薄板でなる可撓体52を取付け、この可撓体52の下面に薄膜磁気ヘッド4を取付けた構造となっている。具体的には、可撓体52は、支持体51の先端を自由端とした舌状片521を有する。支持体51の下面には、例えば半球状の荷重用突起522が設けられている。この荷重用突起522により、支持体51の自由端から舌状片521へ荷重力が伝えられる。
The
薄膜磁気ヘッド4は、舌状片521の下面に接着等の手段によって取付けられ、荷重用突起522を支点として、ピッチ動作及びロール動作が許容されるように支持されている。
The thin film
本発明に適用可能なヘッド支持装置5は、上記実施例に限定するものではなく、これまで提案され、またはこれから提案されることのあるものを、広く適用できる。また、従来より周知のジンバル構造を持つものを自由に用いることができる。
The
4.磁気ディスク装置
本発明に係る磁気ディスク装置は、磁気ヘッド装置と、磁気ディスクとを含む。前記磁気ヘッド装置は、先に述べた本発明に係る磁気ヘッド装置である。前記磁気ディスクは、前記磁気ヘッド装置と協働して、磁気記録の書込み及び読出しに供される。
4). Magnetic Disk Device A magnetic disk device according to the present invention includes a magnetic head device and a magnetic disk. The magnetic head device is the magnetic head device according to the present invention described above. The magnetic disk is used for writing and reading of magnetic recording in cooperation with the magnetic head device.
図13は、図12に示した磁気ヘッド装置を用いた磁気ディスク装置の斜視図である。図示された磁気ディスク装置は、軸70の回りに回転可能に設けられた磁気ディスク71と、薄膜磁気ヘッド4と、薄膜磁気ヘッド4を磁気ディスク71のトラック上に位置決めするためのアッセンブリキャリッジ装置とを備えている。
FIG. 13 is a perspective view of a magnetic disk device using the magnetic head device shown in FIG. The illustrated magnetic disk device includes a
アセンブリキャリッジ装置は、軸74を中心にして回動可能なキャリッジ75と、このキャリッジ75を回動駆動する例えばボイスコイルモータ(VCM)からなるアクチュエータ76とから主として構成されている。
The assembly carriage device is mainly composed of a carriage 75 that can be rotated about a
キャリッジ75には、軸74の方向にスタックされた複数の駆動アーム77の基部が取り付けられており、各駆動アーム77の先端部には、薄膜磁気ヘッド4を搭載したヘッド支持装置5が固着されている。各ヘッド支持装置5は、その先端部に有する薄膜磁気ヘッド4が、各磁気ディスク71の表面に対して対向するように駆動アーム77の先端部に設けられている。
A base portion of a plurality of drive arms 77 stacked in the direction of the
以上、好ましい実施例を参照して本発明の内容を具体的に説明したが、本発明の基本的技術思想及び教示に基づいて、当業者であれば、種々の変形態様を採り得ることは自明である。 Although the contents of the present invention have been specifically described above with reference to the preferred embodiments, it is obvious that those skilled in the art can take various modifications based on the basic technical idea and teachings of the present invention. It is.
30 MR膜
31 第1のシールド層
32 第2の絶縁層
33 第2のシールド層
34 第3の絶縁層
41、42 収縮部
1 剛性の支持体
30
Claims (7)
前記磁気抵抗効果膜は、前記第1のシールド層及び前記第2のシールド層の間に設けられており、
前記収縮部は、前記磁気抵抗効果膜に対し、その膜面と平行となる方向の引張力を与える、
磁気抵抗効果素子。 A magnetoresistive effect element including a first shield layer, a second shield layer, a magnetoresistive effect film, and a contraction part,
The magnetoresistive film is provided between the first shield layer and the second shield layer,
The contraction portion gives a tensile force in a direction parallel to the film surface to the magnetoresistive film.
Magnetoresistive effect element.
前記第1のシールド層及び前記第2のシールド層と一体化された剛性の支持体を有しており、
前記収縮部は、前記磁気抵抗効果膜の膜面と平行となる方向において、前記第1のシールド層及び前記第2のシールド層の側部に存在する前記支持体に埋め込まれている、
磁気抵抗効果素子。 The magnetoresistive effect element according to claim 1,
A rigid support integrated with the first shield layer and the second shield layer;
The contraction is embedded in the support that is present on the side of the first shield layer and the second shield layer in a direction parallel to the film surface of the magnetoresistive film.
Magnetoresistive effect element.
前記再生素子は、請求項1乃至3の何れかに記載された磁気抵抗効果素子でなる、
薄膜磁気ヘッド。 A thin film magnetic head including a reproducing element,
The reproducing element is a magnetoresistive element according to any one of claims 1 to 3.
Thin film magnetic head.
前記薄膜磁気ヘッドは、請求項4又は5に記載されたものでなり、
前記サスペンションは、前記薄膜磁気ヘッドを支持する、
磁気ヘッド装置。 A magnetic head device including a thin film magnetic head and a suspension,
The thin film magnetic head is the one described in claim 4 or 5,
The suspension supports the thin film magnetic head;
Magnetic head device.
前記磁気ヘッド装置は、請求項6に記載されたものでなり、前記磁気ディスクとの間で磁気記録、及び、再生を行なう、
磁気ディスク装置。 A magnetic disk device including a magnetic head device and a magnetic disk,
The magnetic head device is the one described in claim 6, and performs magnetic recording and reproduction with the magnetic disk.
Magnetic disk unit.
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