JP2006515669A - ホスト格子中での水素同位体の多重占有を増加させるデバイス、システム、および方法。 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 293
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 98
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 title claims abstract description 98
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 84
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 228
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 228
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 204
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 135
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims abstract description 128
- 229910052805 deuterium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 127
- YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N Deuterium Chemical compound [2H] YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N 0.000 claims abstract description 106
- 125000004431 deuterium atom Chemical group 0.000 claims abstract description 28
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims abstract description 14
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 349
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims description 83
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 81
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 54
- SWQJXJOGLNCZEY-BJUDXGSMSA-N helium-3 atom Chemical compound [3He] SWQJXJOGLNCZEY-BJUDXGSMSA-N 0.000 claims description 54
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 49
- 230000008602 contraction Effects 0.000 claims description 44
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 43
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 43
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 42
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 claims description 31
- 230000004936 stimulating effect Effects 0.000 claims description 27
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 26
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 claims description 23
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 23
- UFHFLCQGNIYNRP-VVKOMZTBSA-N Dideuterium Chemical compound [2H][2H] UFHFLCQGNIYNRP-VVKOMZTBSA-N 0.000 claims description 22
- 230000000638 stimulation Effects 0.000 claims description 22
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims description 20
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims description 19
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 17
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 16
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 14
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 14
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 14
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910000497 Amalgam Inorganic materials 0.000 claims description 13
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 13
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 13
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 12
- XLYOFNOQVPJJNP-ZSJDYOACSA-N Heavy water Chemical compound [2H]O[2H] XLYOFNOQVPJJNP-ZSJDYOACSA-N 0.000 claims description 11
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 11
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 11
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 10
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 9
- 230000009466 transformation Effects 0.000 claims description 9
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 8
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 claims description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 7
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 claims description 7
- -1 vacancy increased Substances 0.000 claims description 7
- 150000001975 deuterium Chemical group 0.000 claims description 6
- 150000002371 helium Chemical class 0.000 claims description 6
- MINVSWONZWKMDC-UHFFFAOYSA-L mercuriooxysulfonyloxymercury Chemical compound [Hg+].[Hg+].[O-]S([O-])(=O)=O MINVSWONZWKMDC-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 6
- 229910000371 mercury(I) sulfate Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims description 4
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims description 4
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 claims description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 3
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 claims description 3
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 claims description 3
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 claims description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-N Sulfurous acid Chemical compound OS(O)=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 claims description 2
- 238000010612 desalination reaction Methods 0.000 claims description 2
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims description 2
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-M perchlorate Inorganic materials [O-]Cl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical compound OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000000844 transformation Methods 0.000 claims description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-IGMARMGPSA-N helium-4 atom Chemical group [4He] SWQJXJOGLNCZEY-IGMARMGPSA-N 0.000 claims 14
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 claims 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims 3
- DOBUSJIVSSJEDA-UHFFFAOYSA-L 1,3-dioxa-2$l^{6}-thia-4-mercuracyclobutane 2,2-dioxide Chemical compound [Hg+2].[O-]S([O-])(=O)=O DOBUSJIVSSJEDA-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims 2
- 229910000370 mercury sulfate Inorganic materials 0.000 claims 2
- IOVCWXUNBOPUCH-UHFFFAOYSA-M Nitrite anion Chemical compound [O-]N=O IOVCWXUNBOPUCH-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims 1
- 239000003317 industrial substance Substances 0.000 claims 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 claims 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 claims 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 claims 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 claims 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 abstract description 21
- 230000001976 improved effect Effects 0.000 abstract description 16
- 229910052987 metal hydride Inorganic materials 0.000 abstract description 10
- 150000004681 metal hydrides Chemical class 0.000 abstract description 10
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 abstract description 4
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 104
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 71
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 51
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 41
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 36
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 35
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 35
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 34
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 34
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 34
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 33
- 230000005428 wave function Effects 0.000 description 31
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 30
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 28
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 25
- 239000000463 material Substances 0.000 description 25
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 24
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 22
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 21
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 21
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 17
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 16
- 239000000047 product Substances 0.000 description 15
- 230000006870 function Effects 0.000 description 13
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 13
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 12
- 238000011160 research Methods 0.000 description 12
- 238000012216 screening Methods 0.000 description 12
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 11
- 230000005658 nuclear physics Effects 0.000 description 11
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 11
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 10
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 10
- 241000282461 Canis lupus Species 0.000 description 8
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 8
- 238000013461 design Methods 0.000 description 8
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 8
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 8
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 8
- 230000037361 pathway Effects 0.000 description 7
- 239000011232 storage material Substances 0.000 description 7
- 241000408659 Darpa Species 0.000 description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 6
- 238000011161 development Methods 0.000 description 6
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- YZCKVEUIGOORGS-NJFSPNSNSA-N Tritium Chemical compound [3H] YZCKVEUIGOORGS-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 5
- 230000005535 acoustic phonon Effects 0.000 description 5
- 230000002547 anomalous effect Effects 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 5
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 5
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 5
- 241000894007 species Species 0.000 description 5
- 229910052722 tritium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 4
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- 230000005518 electrochemistry Effects 0.000 description 4
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 4
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 4
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 3
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 3
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 3
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 3
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 3
- 238000001983 electron spin resonance imaging Methods 0.000 description 3
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 3
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 3
- 230000004807 localization Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- 230000005610 quantum mechanics Effects 0.000 description 3
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- GPRLSGONYQIRFK-MNYXATJNSA-N triton Chemical compound [3H+] GPRLSGONYQIRFK-MNYXATJNSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 238000007707 calorimetry Methods 0.000 description 2
- 210000005056 cell body Anatomy 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 2
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 2
- 238000005429 filling process Methods 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 2
- 230000008014 freezing Effects 0.000 description 2
- 238000007710 freezing Methods 0.000 description 2
- 230000005251 gamma ray Effects 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- INHCSSUBVCNVSK-UHFFFAOYSA-L lithium sulfate Chemical compound [Li+].[Li+].[O-]S([O-])(=O)=O INHCSSUBVCNVSK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000005297 material degradation process Methods 0.000 description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920006173 natural rubber latex Polymers 0.000 description 2
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 2
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 2
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 2
- 238000012552 review Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- UBXAKNTVXQMEAG-UHFFFAOYSA-L strontium sulfate Chemical compound [Sr+2].[O-]S([O-])(=O)=O UBXAKNTVXQMEAG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- YBJHBAHKTGYVGT-ZKWXMUAHSA-N (+)-Biotin Chemical compound N1C(=O)N[C@@H]2[C@H](CCCCC(=O)O)SC[C@@H]21 YBJHBAHKTGYVGT-ZKWXMUAHSA-N 0.000 description 1
- WMFOQBRAJBCJND-DYCDLGHISA-M 12159-20-5 Chemical compound [Li+].[2H][O-] WMFOQBRAJBCJND-DYCDLGHISA-M 0.000 description 1
- CVOFKRWYWCSDMA-UHFFFAOYSA-N 2-chloro-n-(2,6-diethylphenyl)-n-(methoxymethyl)acetamide;2,6-dinitro-n,n-dipropyl-4-(trifluoromethyl)aniline Chemical compound CCC1=CC=CC(CC)=C1N(COC)C(=O)CCl.CCCN(CCC)C1=C([N+]([O-])=O)C=C(C(F)(F)F)C=C1[N+]([O-])=O CVOFKRWYWCSDMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003078 Hartree-Fock method Methods 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 229910052770 Uranium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- YAJCHEVQCOHZDC-QMMNLEPNSA-N actrapid Chemical compound C([C@@H](C(=O)N[C@@H](CC(C)C)C(=O)N[C@H]1CSSC[C@H]2C(=O)N[C@H](C(=O)N[C@@H](CO)C(=O)N[C@H](C(=O)N[C@@H](C(N[C@@H](CO)C(=O)N[C@@H](CC(C)C)C(=O)N[C@@H](CC=3C=CC(O)=CC=3)C(=O)N[C@@H](CCC(N)=O)C(=O)N[C@@H](CC(C)C)C(=O)N[C@@H](CCC(O)=O)C(=O)N[C@@H](CC(N)=O)C(=O)N[C@@H](CC=3C=CC(O)=CC=3)C(=O)N[C@@H](CSSC[C@H](NC(=O)[C@H](C(C)C)NC(=O)[C@H](CC(C)C)NC(=O)[C@H](CC=3C=CC(O)=CC=3)NC(=O)[C@H](CC(C)C)NC(=O)[C@H](C)NC(=O)[C@H](CCC(O)=O)NC(=O)[C@H](C(C)C)NC(=O)[C@H](CC(C)C)NC(=O)[C@H](CC=3N=CNC=3)NC(=O)[C@H](CO)NC(=O)CNC1=O)C(=O)NCC(=O)N[C@@H](CCC(O)=O)C(=O)N[C@@H](CCCNC(N)=N)C(=O)NCC(=O)N[C@@H](CC=1C=CC=CC=1)C(=O)N[C@@H](CC=1C=CC=CC=1)C(=O)N[C@@H](CC=1C=CC(O)=CC=1)C(=O)N[C@@H]([C@H](C)O)C(=O)N1[C@@H](CCC1)C(=O)N[C@@H](CCCCN)C(=O)N[C@@H]([C@H](C)O)C(O)=O)C(=O)N[C@@H](CC(N)=O)C(O)=O)=O)CSSC[C@@H](C(N2)=O)NC(=O)[C@H](CCC(N)=O)NC(=O)[C@H](CCC(O)=O)NC(=O)[C@H](C(C)C)NC(=O)[C@@H](NC(=O)CN)[C@H](C)CC)[C@H](C)CC)[C@H](C)O)NC(=O)[C@H](CCC(N)=O)NC(=O)[C@@H](NC(=O)[C@@H](NC(=O)[C@@H](N)CC=1C=CC=CC=1)C(C)C)C(N)=O)C1=CNC=N1 YAJCHEVQCOHZDC-QMMNLEPNSA-N 0.000 description 1
- 230000001476 alcoholic effect Effects 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 238000010009 beating Methods 0.000 description 1
- 230000008275 binding mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 235000015115 caffè latte Nutrition 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 230000001364 causal effect Effects 0.000 description 1
- 210000002421 cell wall Anatomy 0.000 description 1
- 238000001311 chemical methods and process Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- ZPUCINDJVBIVPJ-LJISPDSOSA-N cocaine Chemical compound O([C@H]1C[C@@H]2CC[C@@H](N2C)[C@H]1C(=O)OC)C(=O)C1=CC=CC=C1 ZPUCINDJVBIVPJ-LJISPDSOSA-N 0.000 description 1
- 238000004883 computer application Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 1
- 238000005202 decontamination Methods 0.000 description 1
- 230000003588 decontaminative effect Effects 0.000 description 1
- 238000006356 dehydrogenation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000011033 desalting Methods 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 238000011982 device technology Methods 0.000 description 1
- 238000005485 electric heating Methods 0.000 description 1
- 230000005274 electronic transitions Effects 0.000 description 1
- 230000009881 electrostatic interaction Effects 0.000 description 1
- 238000004134 energy conservation Methods 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 230000004992 fission Effects 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 239000002803 fossil fuel Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000013632 homeostatic process Effects 0.000 description 1
- 238000005984 hydrogenation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 238000009533 lab test Methods 0.000 description 1
- 230000003137 locomotive effect Effects 0.000 description 1
- 230000005923 long-lasting effect Effects 0.000 description 1
- 231100000053 low toxicity Toxicity 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000008450 motivation Effects 0.000 description 1
- 230000005405 multipole Effects 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- 231100000252 nontoxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000003000 nontoxic effect Effects 0.000 description 1
- 238000009377 nuclear transmutation Methods 0.000 description 1
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 230000005624 perturbation theories Effects 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 1
- 238000005057 refrigeration Methods 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 230000000284 resting effect Effects 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- 238000010517 secondary reaction Methods 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 230000008093 supporting effect Effects 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000476 thermogenic effect Effects 0.000 description 1
- 238000001931 thermography Methods 0.000 description 1
- 230000036962 time dependent Effects 0.000 description 1
- 150000003608 titanium Chemical class 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 1
- JFALSRSLKYAFGM-UHFFFAOYSA-N uranium(0) Chemical compound [U] JFALSRSLKYAFGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009617 vacuum fusion Methods 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 1
- FEPMHVLSLDOMQC-UHFFFAOYSA-N virginiamycin-S1 Natural products CC1OC(=O)C(C=2C=CC=CC=2)NC(=O)C2CC(=O)CCN2C(=O)C(CC=2C=CC=CC=2)N(C)C(=O)C2CCCN2C(=O)C(CC)NC(=O)C1NC(=O)C1=NC=CC=C1O FEPMHVLSLDOMQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004846 x-ray emission Methods 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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Abstract
Description
M.Fleischmann and S.Pons; J.Electroanalytical Chemistry and Interfacial Chemistry、261; 301頁(1989) Errata、263;187頁 M.Fleischmann、S.Pons、M.W.Anderson、L.J.Li、and M.Hawkins; J.Electroanalytical Chemistry and Interfacial Chemistry、287; 293頁 S.E.Jones、E.P.Palmer、J.B.Czirr、D.L.Decker、G.L.Jensen、J.M.Thorne、S.F.Taylor、and J.Rafelski; Nature、338;737頁(1989) S.E.Jones、Troy K.Bartlett、David B.Buehler、J.Bart Czirr、Gary L.Jensen、and J.C.Wang; AIP Conference Proceedings228; 397頁(1990); Brigham Young Univ.、Provo、UT:American Institute of Physics、New York J.Huizenga in Cold Fusion−The Scientific Fiasco of the Century; University of Rochester Press、1992
我々がここに提出する特許出願において、我々はいくつかの重要な進歩を利用し、また新しい現象に関連する基本物理学に対する我々の理解における最近の進展を利用する。我々は今、容認された真空物理学の図式が何故新しいクラスの反応に当てはまらないかを理解し、新しい結果と古い結果とを等しい立場で含む核物理学の一般化を展開した。固体中で起きる核反応は、意図している系の基礎的な部分として固体であることを考慮しなければならないとする考え方に立脚すれば、替わりに、論じている種類の現象が自然に起きることができ、起きなければならないという結論に導かれるであろう。さらに、新しい結果が何であるか、いかにして、また何故新しい結果が起きるのか、最後に、この当時は制御されない変数のまま留まらなければならなかったが、今や過度の実験を行うことなく当業者によって正当に制御することのできる、重要な変数が何であるかを明らかにする。
この反応の理論モデルは、アルファ粒子を一次放出として説明することができ、実験と一致した放出エネルギーを与えるが、計算された関連の反応速度は実験から大きくはずれる。我々はパズルの一片の一部を得たように見えたが、全体は獲得しなかった。
これらの反応において、一方の部位の2個の重陽子は互いに一緒になってヘリウムを作り、微視的選択則に合うようにフォノンを交換する。他の部位では、ヘリウム核はフォノン交換によって分裂して2個の重陽子を作る。反応全体は保存的であり、非常に接近した内部でエネルギーは発生しない。これは図2に概要が示されている。図2では、1対の2レベル量子系が非共鳴振動器によって結合する。異なる部位での核反応間の結合を可能にするために、共通の高度に励起されたフォノンモードの交換が提案される。等しい系の間のこの種の励起移動は“ゼロ(null)”反応と呼ばれる。
式中、V(x)は、以下に示す一次元の等しい分子ポテンシャルである。我々は、f(x)を元の位置近くに位置するデルタ関数とした。ゼロ反応の強さは、定数Kでモデル化される。図3は、一次元類似モデルの図示である。分子のポテンシャルは、dとLの間のゼロポテンシャルおよびdより低い一定のポテンシャルの矩形の谷でモデル化される。摂動されない基底状態(分子の基底状態に類似している)は、Ψ(x)として示される。ヘリウムの分裂は、僅かに分離した2個の重陽子をもたらす。これは関数f(x)で記述される。この類似モデルの問題は容易に解決される。結合定数Kが小さいとき、解は谷の基底状態に非常に近い状態からなり、元の位置に近い局在化した状態が少量混入する。関連した直観は、重陽子が時間の一部を分子状態で費やし、時間の一部を局在化状態で費やすことである。我々は、局在化された成分が、ヘリウムの分裂から生成されてトンネルを通り抜けて離れる近距離の重陽子の寄与を受けることを連想する。
それらの三体反応は、非常に大きく広がったエネルギー、およびKasagiによって観察されたものと一致する端部エネルギーを有するプロトンおよびアルファ信号を与える。それらの反応の相空間を考慮することから予測されるスペクトルは、彼の観察と一致する。唯一の問題は、3個の重陽子がいかにして互いに反応し得るかである。この種の反応(3個の核が入力チャンネル中で反応する反応)の証拠は、研究室の実験において以前には見られなかった。
F.我々の研究の大部分は、物理メカニズムを解明するための関連の実験観察が重水素化金属で行われたので、4Heを生み出すd+d反応に焦点を合わせた。しかし、基本的な原理は全て本質的にp+d系について適用する。プロトンと重陽子との間のトンネル効果は、より小さく収縮した質量のため大きく改善される。収縮状態の安定性は、減衰チャンネルを介して強い力がないため改善される。最近バージョンのモデルにおける唯一の必要事項は、(格子からの最大の角運動量の投入を最大にするため)自由ニュートロンが関与する収縮状態チャンネルについてであり、それらのチャンネルはp+d系では利用可能である。したがって、p+d反応に基づくエネルギー生成系を実現するためには、プロトンと重陽子とが格子中にほぼ同じ濃度である重水素化金属/水素化金属の混合物が求められる(これは、多くの金属が1とは非常に異なる分離係数を有するので重要である。Pd中では、このため重水約90%、軽水約10%の電解質が必要となる)。最初は、格子中に4Heに代わって3Heを含むことが必要である。金属中の分子状態の形成もやはり必要である。上述のフォノン励起が必要であるが、収縮状態の安定性が改善されたことによって、角運動量の移動は少なくてよく、したがってフォノン性励起は小さくてもよい。このモデルの態様は、軽水系中の過剰熱の観察を報告する多くの実験で支持され、要求される電流密度(これはフォノンの励起に比例すると推量される)は類似の重水実験よりも大きく低減される。p+d反応の存在を支持する証拠はSwartzの観察から得られ、少量の重水素を軽水セルに加えることで過剰熱の出力増加が見られ、50−50混合物での最大の過剰熱生成を示すモデルと一致する。
l)金属中の分子状重水素の濃度を最大にするために、我々は充填を最大にし、ホスト格子金属の単一空孔濃度を最大にしたい。これは多くの方法で行うことができる。電子ビーム照射はFrenkel欠陥を作るのに非常に効率的であり、その欠陥は、金属が十分水素または重水素で充填されれば、安定化することができる。最大空孔濃度は金属中に0.1〜0.2%程度であり、室温では内部で自発的なアニーリングにより限定される。水素または重水素の充填はこれらの空孔を安定化し、25%までの空孔濃度がNiHおよびPdHについて文献に報告された。イオン・ビーム照射は多重空孔を作り出し、電子ビーム照射よりも効果が少ないと現在考えられているが、どちらの場合も過剰エネルギー生成に関する刊行されたデータは入手できない。格子定数の一致しない基板上への金属の堆積は欠陥格子を発生し、これは金属中の分子状重水素濃度の最大化を促進するのに有効であろう。
問題の真空方式に適用された共鳴群法(Resonating Group Method)は、一般式、
この手法において核の波動関数を固定したことによって、最適化し得る変分波動関数Ψtで利用可能な唯一の自由度は、チャンネル分離因子Fjの選択である。
問題の真空公式に関する共鳴群法の主な弱点は、波動関数が最適化できないことである。例えば、これらの波動関数はそれらが近接するとき分極するであろうことを予測するが、この公式の中では説明できない。さらに、重なり合いが大きい条件下で、それらが強く相互作用するとき核波動関数の修正が可能である。これらの効果は、R−マトリックス法「A.M.Lane and D.Robson、Phys.Rev.、Vol.151、774頁(1966)、D.Robson and A.M.Lane、Phys.Rev.、Vol.161、982頁(1967)、A.M.Lane and D.Robson、Phys.Rev.、Vol.185、1403頁(1969)、R.J.Philpott and J.George、Nucl.Phys.、Vol.A233、164頁(1974)」、または時間に依存しないHartree−Fock法など、共鳴群法よりも強い公式の中で説明することができる。R−マトリックス法を一般化して格子効果を含ませることは可能であるが、我々はまだ、我々の研究のこの段階でそのような計画を追及していない。その理由は、全ての異なる公式が技術的に極めて複雑であり、我々は、より複雑な公式に進む前に、関心のある物理学を含むできる限り最も単純な公式を用いて研究したいからである。
反応が固体中で起きるとき反応している核の近傍には他の粒子があり、我々はそれらを一般化したチャンネル分離因子の部分として含みたい。これは、一般化によって容易に達成することができ、数学的に、
新しい格子チャンネル分離因子Ψjは、ここでは真空公式に存在した核の分離因子、並びに関連し得る反応核の近傍にある全ての核と電子の分離因子を含む。我々が今までに探求した研究において、電子の寄与はBorn−Oppenheimer近似内の核座標間の有効ポテンシャルを通じて含まれる。しかし全般的には、ここでの一般化のために、我々は、以下のどの分析も最も重要なことへの注目を制限するとの仮定の下、周辺の固体中に関連するどんなものについての物理学をも表現することを意図している。
前の刊行物中における共鳴群法の一般化についての我々の議論では、我々は新しい方法を格子共鳴群法(Lattice Resonating Group Method)と呼んだ。我々は、R−マトリックス法が同じくそのように一般化できることを前に述べた。
フォノンモードの1つが非常に高度に励起されている条件下で、核の相互作用にはフォノンの寄与が含まれると理解するとき、技術的な論争が生じる。この状況を考慮する動機は、フォノン相互作用が非線形の場合に異なる部位にある核の間の二次相互作用が代数的になり、したがって、核の尺度では遠距離になることである。この理由は、多数の状態が関与する二次過程の典型的な量子計算において、異なる状態は互いに破壊的に干渉する傾向があるからである。単一フォノン交換を含む非共鳴二次過程は、全てのフォノンモードに多かれ少なかれ同等の立場で結合し、相互作用の範囲を制限する重大な干渉効果を招いてしまう。しかし、非線形相互作用の場合、高度に励起したモードとの結合はそのモードとの優先的な結合となり、線形相互作用で通常遭遇する強い干渉効果が相互作用を減衰させることはない。この理由のため、全ての部位間の相互作用が、少なくとも1つの非常に高度に励起したフォノンモードを持った非線形の相互作用を含まなければならない。
技術的な困難さは、核相互作用をフォノンモードの項で展開することを試みるときに生じ、この場合に、我々は非常に高次の非常に多数のフォノンモードを含む必要のある展開式を開発する。別法として、高度に励起したフォノンモードの動力学を位置演算子でモデル化することを試みるならば、我々の記述は、当然、非局在化されたフォノンモードの動力学に関与する全ての核についての位置演算子を必要とする。いずれの手法も単独では魅力的とも特に有用とも思われない。
残差の位置演算子、
分離されたフォノンモードが励起されなかったか熱的に励起されたかのいずれの場合も、演算子の相違は局部的に小さい。我々は、格子共鳴群法から生じる格子と核との結合したモデルを解析するために、この局部と非局部との自由度の間の分離を用いることができる。
我々はこの問題を、一般式、
おそらく予想された通り、我々は隣接部位の重陽子に関するトンネル効果の確率が天文学的に低いことを見出した。実際のポテンシャル・モデルに関するポテンシャル障壁は十分高く広いので、トンネル効果速度は分子状問題の速度よりも数十倍の大きさで低下した。これは、O−O、O−T、T−T占有では真実である。我々は、1つの部位の1個の重陽子が隣の部位にトンネリングする場合と、重陽子が両方の部位から部位の間の領域で出会うためにトンネリングする場合とを分離して考察した。また、我々は、八面体および四面体の両方で、2個の重陽子が同じ部位に位置する場合を研究した。我々は、これらの場合に波動関数が分子状に近いこと、および重なり合う確率が全ての他の場合に比べて最大になることを見出した。
誘電性応答は、当然、無限次数のBrillouin−Wigner理論に現れる。我々は、この応答が近距離のクーロン相互作用の修正になるかどうかに興味を持った。長距離(多くの原子と電子が2個の重陽子の間にある条件下)では、この種のモデルはIchimaruの用いた誘電性応答を再現する。
重水素化金属内で分子状態にある重陽子間のトンネル効果は、振動および回転励起に依存する。振動励起エネルギーがkBTよりもはるかに大きいので、この点で我々は角運動量状態の励起に興味を持つ。我々が行った計算から、分子状重水素の異なる回転状態の粒子数割合をプロットした図6を以下に示す。「この種の計算については、Wiley and Sonsから近く発行される、P.L.Hagelstein、S.D.Senturia、and T.P.Orlando、Introduction to Applied Quantum and Statistical Mechanicsを参照されたい。」分布は、分子状重水素の慣性運動量から予測されるように、比較的低い励起の状態に制限されることが判る。図6は、分子状重水素の異なる角運動量(l)状態の占める割合を温度の関数で示している。
重水素の流動は、おそらく、関連する電流密度Jの項で最も有意義に特徴付けられ、これは、
ほとんど完全に充填された重水素化金属中の全ての重陽子が関与すると仮定すれば、必要な電流密度はアンペア/cm2の単位で6400v程度であり、これは、当分野の実験で存在すると考えられた電流密度よりも数倍も大きい極めて高い電流密度であると我々は結論付ける。少量の重陽子だけ動くことが可能であると仮定すれば、計算は可動と仮定した割合に応じて改善される。いずれにしても、得られる数値は数万アンペア/cm2に等しい重水素流動であり、これは実験の平均的な電流の範囲を超える。我々は、到達可能なレベルの重水素流動が存在することによっては、角運動量分布は大きく変化しないと結論付ける。
これは、ゼロ反応、
2部位の問題では、我々は、2個の重陽子状態の異なる角運動量チャンネル(スピンのないまたはアイソスピンのスカラー近似において)と、高度に励起したフォノンモードとを含む、最初の波動関数を仮定した。
1930年代初めの核文献には、これらの種類の状態を用いることが普通であった。4粒子の波動関数はときどきFeenberg波動関数と呼ばれる。
この議論の基になる基本的な図式は、高い充填、高い温度、または重水素化金属内に空孔が存在するために、2個の重陽子が単一の部位を占有するものである。時折、重陽子は互いに接近するまでトンネルを通過する。互いに接近するが、重陽子はやはり格子の一部であり、格子のフォノンモードの成分を構成する。重陽子が互いに接近すると、非常に強い核とクーロンとの相互作用が、数オングストローム離れているであろう比較的離れた原子との相互作用を支配する。しかし、重陽子は強いフォノン性励起の存在下で、弱くはあるがやはり応答を示すであろう。この応答は、互いに接近しても重陽子が受ける非常に強い相互作用を考慮した線形化理論を用いて計算しなければならない。
多くの代数とWKB近似とを用いて我々は相互作用、
今のところ我々の計算は、最大フェルミの半分ほどの大きさの局部の相対的な動き|Δu|qmaxが、大きな2個のフォノン交換の相互作用を発生させるのに十分であることを示している。数フェルミ程度の相対的な動きは、この種のモデル内では10フォノン程度の交換をもたらす。このモデルの結果を以下で図7に示す(MIT 2002 RLE Annual Report(6月下旬刊行予定)から引用)。図7は、l=2とし、フォノン相互作用が距離因子Δuqmax=1fmで特徴付けられると仮定して、MeVでの相互作用の結果を示している。この単純モデルのマトリックス要素はフォノン交換がゼロで有限である。これは核状態に直交性がないことにより、Δn=0の遷移がないと予測する。
上で概説したフォノン交換を含む核相互作用の計算は、2個の重陽子の局部の相対的な動きが線形である場合に妥当な近似であろう。我々がこのモデルを発表したとき、我々は高度に励起したフォノンモード(Δuq)による2個の重陽子の相対的な動きへの寄与は、2個の重陽子間のポテンシャルの線形化を含む別の計算によって得るべきであろうことに注目した。したがって、我々はこの問題は、上で概説した計算が意味するよりも興味深いものであることを理解した。
n+3Heチャンネルの3Heは、類似の固体状態環境を見るであろう。その動力学は、
2つの場合で質量が異なるので、転移ベクトルujは当然異なる。したがって、線形軌跡の近似におけるこの場合の転移差Δuは、異なる種に付随する振動の大きさの間の相違によるものである。この場合、ujベクトルは質量の逆数の平方根の割合で起きることが予測されよう。このモデル内で、高度に励起したフォノンモードによる振動の大きさの最大総計が50〜100fmであるとき、この場合の最大の相対的な転移がこれよりも、
2個の核の相対軌跡についてのより複雑なモデルでは、近距離での相対的な動きとして表された動きの大きさの総計がより小さな割合になるであろう。しかし、現在基本的な主張は正しいと思われるけれども、距離の総計は、線形軌跡の場合における1倍の大きさの代わりに、現在収縮状態の尺度と考えられている5〜10フェルミよりもおそらく2倍程度は大きいはずであると考えられる。
解析における論点への疑問は、このモデルが分子状態のエネルギー以下のエネルギーを有する局在化した2個の重陽子に導くかどうかであった。この時のこの問題に対する我々の解析では、交換の相互作用は状態のいくつかには実際に魅力的であるが、2個の重陽子の収縮状態を安定化するには十分魅力的ではないということを示した。
核の“光”ポテンシャルを無視できるほど十分離れた核を収縮状態が含むと仮定すれば、クーロン、放射状動力学、および求心エネルギーが交換エネルギーで均衡がとれるように構成しなければならない。
図8は、動力学、求心およびクーロンの寄与による収縮状態のエネルギーを示す。エネルギーはMeVの単位である。軸はフェルミ単位での対の分離、
それらの安定な局在化状態の形成における基本的な問題は、必要な交換エネルギーが非常に大きいことである。問題の2部位バージョンでは、単純に交換ポテンシャルは収縮状態を安定化する程には十分大きくなかった。より多くの部位を含むその問題の拡張により、2個の重陽子の収縮状態は安定化するであろう。交換エネルギーは2部位の問題では負になることができ、3部位の問題では、1個だけでなく今や2個の交換すべき部位があるので、それはより大きい。等々である。フォノン励起が上述のように使用可能な大きい相互作用項を展開するのに十分であると仮定して、このメカニズムによって2個の重陽子の収縮状態を安定化するには、単一の高度に励起したフォノンモードと相互作用する約10個の部位とが必要であろうと予測した。意図しているモデルの最近のバージョンでは、我々は何が収縮状態を構成するのかに着目した。特に、2個の重陽子が、論じている研究の基本的な枠の中でp+tおよびn+3Heの収縮状態を生成することができないという理由はない。したがって、収縮状態を2個の部位で含む、
類似の考えはn+3Heの収縮状態に適用されるが、核エネルギーの差はいくらか少ない。
この場合の収縮状態の1つの候補はp+d状態である。上で論じた見地から、我々はニュートロンが自由であり、フォノン交換が最大化されるであろう他の可能な収縮状態を考えるよう動機付けられる。自由なニュートロンが関与する上述のメカニズムは、最初に収縮2He+nの形態を生じ、p+p+n形態に結合することが期待されよう。これらの可能性は、我々の研究の過程の中で提案したが、この問題に特定したモデルはまだ試みていない。
基本的な関心は結合チャンネル方程式の多部位バージョンに局在化した解が存在するかどうかという疑問である。解答は結合チャンネル方程式を力ずくで計算しないことには現れそうもないように演繹的には見える。我々のこの問題についての努力は、今のところ洞察を生んでいない。本議論の目的のために、出発点として安定または不安定であり得る有用な局在化状態を我々が定義することができるという仮定を採用し、用意した解で出発点の正当さを確認するために計算を進めることができよう。これは生産性のある手法であることが証明された。
単一部位の局在化エネルギーは、
我々は以前、局在化した2個の重陽子状態の可能性を考える前に、おそらく、分子状態がフォノンを介してヘリウム状態へ遷移する問題の多部位体バージョンに適用するために、それらのハミルトニアンに遭遇したことがある。その場合、関与する部位の数は十分多く、ディッケの増加がガモフ因子を相殺できたであろうことを期待した。ここで、我々は収縮状態が遷移する状況にハミルトニアンを適用するが、この場合ガモフ因子はなく結合は非常に強い。以前の研究において、異なる数の融合事象と著しく異なるフォノン数とを有する複数の状態の間の結合を可能にするように、いかなる条件下でそのようなモデルがnの十分な幅を持った拡張状態へ到ることができるかを理解することを目的として、我々は近似的なエネルギー保存が起こるようこの種のモデルを研究した。我々は、このモデルが、交換されたフォノンの数が付随する無次元の結合定数の程度であった局在化状態を生成することを頑強に主張することに驚いた。このことは、問題への更なるインプットがない限り、このハミルトニアンの固有関数は一般に疑問視している物理問題に関してさほど関心がないことを我々が知っている、と言っている。
我々は、問題が、基底状態、ソース状態、シンク状態および2つの状態間の中間状態の3組に分割することを想定する。例えば、我々は分子状態中に局在する重陽子の対をソース状態の一部と考えることができよう。反跳過程または他の反応から得られるエネルギー性反応生成物はシンク状態である。中間状態は、ヘリウム核または関心のある部位中の2個の重陽子の収縮状態を含むものである。我々は、付随するヒルバート(Hilbert)空間を、ソース基底状態、シンク基底状態、および中間基底状態に対応する3区画に分割することができる。結局、損失は関心を寄せているヒルバート空間の区画から他の区画への単純な遷移であると考えることができる。我々は、この異なる区画の分割をフェッシュバッハ(Feshbach)射影演算子、
我々は、
我々はコンピュータのコードと組み合わせて、中間状態の解を上述の線に沿って解析した。いくつかの体系を示すためいくつかの例を考えたい。
我々は、f(x)を原点の近くに位置するデルタ関数とした。ゼロ反応の強さは定数Kでモデル化される。これは上述の図3に示されている。この類似モデルの問題は容易に解ける(図4参照)。結合定数Kが小さいとき、解は、原点近くの局在化状態からの少量の混入物を含む谷の結合した状態に非常に近い状態からなる。関連する直観は、重陽子がその時間の一部を分子状態で過ごし、一部を局在化状態で過ごすことである。我々は、局在化した成分が、ヘリウムの分裂から生成されてトンネル効果によって分離する近距離の重陽子からの寄与によるものであると連想する。我々は、この基本的な論拠が、交換が2個の重陽子状態で起きるか、または局在化したp+tまたはn+3He状態で起きるときに適用されることを特記する。
我々は、D2の放射状の分子ポテンシャルの場合について同様の計算を検討した。この場合、我々はポテンシャルV(r)としてFrostとMusulinの経験的ポテンシャルを用い、放射状のSchroedinger方程式、
我々は、付随するエネルギー分離、したがって共鳴下の動力学を理解するため、局在化状態と分子の基底状態との間の共鳴する条件下で解を計算した。我々はr0の異なる配置について計算を行い、各場合において共鳴条件を最適化した。この種の数値計算は数値的な正確さに制限があるが、尺度は図13の結果から明らかである。結果は、等価のボックスモデルについての解析結果の見地から驚くことではない。
分離エネルギーは、(105)(10−37)=10−32eV程度に見える。これは、良い知らせでもあり悪い知らせでもある。良い知らせは、付随する周波数がO(10−17)秒−1程度であることであり、これはトンネル効果の過程のいかなる可能なバージョンよりも速い。悪い知らせは、この種の共鳴状態メカニズムに伴う実際的な問題が極めて多いことである。例えば、我々は2つの状態が分離の程度のエネルギー内で共鳴していることを必要とするであろうが、これは問題である。最も速いRabi振動速度を達成するには、目標状態の確率が時間の二次式であるので、長い間待たなければならない。また、これらの全ての問題がなんとか打破されたとしても、この種の可干渉性遷移を実施するのに対応する長い位相ずれの時間が必要である。
このモデルにおいて、EHe(基底状態のヘリウム)、Ecom(収縮状態)、Emol(分子状態)のエネルギーを有する3つの状態がある。高度に励起したフォノンモードは、以前のように、単純な調和振動子であるとした。分子状態から収縮状態への転移は、トンネル効果因子e-Gで抑制される相互作用でモデル化されるが、さもなければ上で論じたフォノン相互作用モデルによるフォノン交換を含む。収縮状態とヘリウム状態との間の転移は、前に我々が行ったようにしてモデル化される。
我々は、最初に重水素化金属のヘリウムでの因子供給をすることは、この種の異なるモデル全てにおいて有益であることに注目する。我々は、これらのモデル内でディッケ因子が起きるためには相結合が必要であることに注目する。ヘリウムと収縮状態との間の急速な遷移はこの点で役立つが、分子状態が占有する均一な相がない。したがって、ディッケ因子は単独に状態占有に基づいて希望するものよりも少ないであろう。この問題はまだ解析されていない。
この結合に関連する動力学は、系の量子状態の位相ずれに関連して決定される。これらの状態の位相ズレの速度が、
これは、
分子の問題について、我々は、
本明細書の基本的推量は、論じているモデルがここで説明した可干渉性の限界内で大きく働くと仮定して、モデルの定量的な結果が重水素化金属に観察された多数の異常と定性的に一致することである。関連する位相ずれが速く、Golden Ruleの速度が適用されるならば、このモデルは観察できないほど十分遅い速度を与える。我々はこの量子系における位相ズレの問題にいくらか研究を振り向けた。基本的な観察は、ここで説明した非常に速い結合による以外、収縮状態(特に磁気相互作用さえ持たないスピンゼロ状態)が相互作用するのは極めて困難なことである。結合が確立されたならば、個々の分子状態が破壊されてもまた拡散効果が含まれても、それが維持されるのには良い理由があるように思われる。基本的な論点は、平均して、重水素化金属の微視的または巨視的な容積中に、分子状態の重陽子が総数で非常に同量に近い量残ることである。さらに、我々は分子状態の部分集合だけが所与の時間関与すると仮定するので、相の妨害が起きれるなら、収縮状態とヘリウム状態との必要な相関係を有する、平均して常に同様の数の他の分子状態の種がある。将来の研究はこの類推に光を当てるであろう。
添付図面は本発明を実施するための装置、システム、方法を最もよく示している。これらの図面中の同じ参照数字および名称は同じ要素を指す。
“Fukai”相の重要な特性は、
1) 高い空孔含有量による高い水素貯蔵能力(ホスト格子で原子比1:1を超える)、
2) 一緒に新しいより熱力学的に安定な層を形成することによる、高い空孔および高い水素含有量の熱力学的な安定化、
3) 欠陥の多い格子相中における水素の向上した移動性、
である。
1) 化学産業(有機水素化/脱水素化、化学還元、金属洗浄、微細金属粉の製造、腐食制御、半導体加工)
2) 電力発生(水素内燃機関または燃料電池による静止および施設電力発生、自動車の可搬電力(電気ハイブリッドまたは内部燃焼)、量販車、機関車、または船舶)
3) 携帯電力(携帯式コンピュータ、計器、表示、通信装置、電動工具用の小さな燃料電池と共に使用される)
また、本発明のこの実施形態の利点に関して、注目すべきいくつかの重要な点がある。
1) 金属中の空孔の存在は水素貯蔵能力、水素貯蔵速度および放出速度を増加させる。
2) 水素の存在は、通常起きるよりもはるかに大きなレベルで空孔含有量を安定化する。
3) 構造の熱力学を正確に調整することによって、所望の動作点周辺の物理条件を少し変化させることでH2の吸収と放出を活性化することのできる相を創出できる。
4) 安定化した空孔を予め存在させることによって、さらなる材料劣化に対して複合金属構造を効果的に安定化できる。
5) この方法を用いて、我々は、現在熱力学的または動力学的に水素貯蔵の能力に限界のある、安価で便利な馴染み深い安全な材料を、既知の材料よりも優れた特性を有する水素貯蔵材料に変換できる。
1. ヘリウムの存在する雰囲気下でホスト格子材料を作る。
2. 高温でヘリウムを拡散する(本特許で論じている)。
3. ヘリウムイオンの注入(本特許で論じている)。
1) 表面パワー強度>3Wcm−2を持つ波長範囲の赤色レーザ・ダイオードを使って表面を刺激すること、
2) うなりレーザ(Beating Laser)、
3) テラヘルツ周波数範囲のレーザで表面を刺激すること、
4) 105Acm−2よりも大きな電流密度の、直流および交流電流(dcおよびac)およびパルス電流の両方を用いる軸方向の電流刺激。
1) 選択した刺激手段に応答するにつれた、金属ホスト温度の非接触式造影。0.1℃よりも良好な温度解像度が熱造影装置で容易に利用可能であり、効果の証明を容易に信頼性高く提供することができる。
2) 質量の小さな(熱容量の低い)微小サーミスタまたは熱電対を用いる表面接触式温度測定。
3) 軸方向の抵抗測定。ホスト金属構造の抵抗の温度係数が正確に判ると、ワイヤの全長または監視される一区画の抵抗上昇の測定を、平均温度上昇を示すのに間接的に用いることができる。温度監視のこの方法は、方法“1”または“2”と一緒に利用するとき、この方法は間接的であるが平均の測定なので、おそらく最善であろう。
(Pdを用いる試験と結果)
以下は、上記の反応過程の効果を確認するために用いた実験の一例である。本発明を実施し使用する“最良の実施形態”として設計した実験プログラムを遂行するために、プロジェクト・コバルト実験(Project Cobalt Experiment)3Aを行った。プロジェクト・コバルトは、理想的なプログラムが以下の複数のパラメータの最適化を含むであろうことを決定した。
・ 金属基板の組成。
・ 金属基板中へ重水素を電気分解で充填する速度、温度およびエネルギー(充填サイクル)。
・ 充填した重水素化金属の電気分解による刺激の速度、温度およびエネルギー(運転サイクル)。
・ 充填したMeDを刺激する間に共堆積した金属の組成。
・ 次の刺激を含む追加の刺激の使用。
・ 薄膜パラジウム(Pd)のカソード、ほぼ1cm2(総面積、前面+裏面)。
・ 以下の条件で15日+10時間充填した。
・以下の条件で13日+9時間運転した。
・ 薄膜金(Au)の二次アノード、ほぼ0.5cm2。
・ 追加の刺激は以下の構成であった。
図19a〜図19eは、本発明による他の反応過程を示している。図19a〜図19eの反応過程は、水素を導入する以外は本質的に図17a〜図17eの反応過程と同じである。2つの過程の相違についてだけ詳細に論じる。図19aにおいて、水素と重水素(HD)55およびヘリウム(3He)57がホスト金属61の原子格子中の空隙部位中に充填される。原子格子中の空孔はH+D分子が形成されるのに十分な空間を提供する。図19bにおいて、光フォノン場63が加えられて異なる部位で反応体を結合させ、共鳴反応を開始させる。図19cにおいて、1つの部位で分子状重水素はヘリウム67へ融合してエネルギー65を格子中に放出する。他の部位で、ヘリウムは近接して生じた水素−重水素対(HD対)69に分裂する。エネルギーの一部は金属格子で失われ、熱として現れる。図19dにおいて、サイクルは自動的に繰り返す。HD対はヘリウム73へ戻ってエネルギー65を格子中へ注入し、これは他の部位でヘリウム原子をより低いエネルギーのHD対71に分裂させる。再び、エネルギーの一部は金属格子で失われ、熱として現れる。最終的に、図19eにおいて、多くの振動の後に系は停止に戻る。元の水素−重水素分子55はヘリウム−3原子75へ変換された。これらの粒子間で5.5MeVのエネルギー差がホスト金属格子によって吸収された。
the most recent ICCF9 at Tsinghua University in Beijing−sometimes known as the MIT of China−in May 2002 K.Wolf、刊行されず。Passell,T.O.、Radiation data reported by Wolf at Texas A&M as Transmitted by T.Passell、1995、EPRI(刊行されなかったが、LENR−CANRウェブサイト上で入手可能) P.L.Hagelstein、DARPA Report; April 2003 G.P.Chambers、J.E.Eridon、K.S.Grabowski、B.D.Sartwell and D.B.Christy、"Charged Particle Spectra of Palladium Thin Films During Low Energy Deutrium Ion Implantation"、J.Fusion Energy、Vol.9、281頁(1990) A.G.Lipson、A.S.Roussetski、C.H.Castano、Kim S−O.、G.H.Miley、"In−situ Long−range Alpha Particles and X−ray Detection for Thin−film Pd Cathodes During Electrolysis in Li2SO4/H2O"、presented at the March 2002 APS meeting−Paper W21.005 J.Kasagi、T.Ohtsuki、K.Ishu、およびM.Hiraga、Phys.Soc.Japan Vol.64、777頁(1995) G.Hubler、private communication、2002 J.R.Pruett、F.M.Beiduk and E.J.Konopinski、Phys.Rev.、Vol.77、628頁(1950) H.J.Boersma、Nuclear Physics.、A135、609頁、(1969) J.A.Wheeler、Phys.Rev.52 1107(1937) A.M.Lane and D.Robson、Phys.Rev.、Vol.151、774頁(1966) D.Robson and A.M.Lane、Phys.Rev.、Vol.161、982頁(1967) A.M.Lane and D.Robson、Phys.Rev.、Vol.185、1403頁(1969) R.J.Philpott and J.George、Nucl.Phys.、Vol.A233、164頁(1974) P.L.Hagelstein、DARPA Report、2003 P.L.Hagelstein、ICCF9 Conference Proceedings(刊行されていない) 2002 RLE Report(まだ刊行されていない) X.A.Li、presented at ICCF9、Beijing、May 2002(未刊行) Y.Iwamura、M.Sakano、T.Itoh、Jpn.J.Appl.Phys.、41、4642頁(2002) D.Letts、"Laser Initiated Heat Release from Electrolytic Systems"、March APS Meeting paper Z33.0005 Storms,E.、Excess Power Production from Platinum Cathodes Using the Pons−Fleischmann Effect.in 8th International Conference on Cold Fusion、2000、Lerici(La Spezia)、Italy:Italian Physical Society、Bologna、Italy Warner,J. and J.Dash、Heat Produced During the Electrolysis of D20 with Titanium Cathodes、in 8th International Conference on Cold Fusion、2000、Lerici(La Spezia)、Italy:Italian Physical Society、Bologna、Italy Warner,J.、J.Dash、and S.Frantz、Electrolysis of D20 With Titanium Cathodes:Enhancement of Excess Heat and Further Evidence of Possible Transmutation、in The Ninth International Conference on Cold Fusion、2002、Beijing、China:Tsinghua University(未刊) Romodanov,V.A.、N.I.Khokhlov、and A.K.Pokrovsky、Registration of Superfluous Heat at Sorbtion−Desorbtion of Hydrogen in Metals、in 8th International Conference on Cold Fusion、2000、Lerici(La Spezia)、Italy:Italian Physical Society、Bologna、Italy Arata,Y、and Y.C.Zhang、A new energy generated in DS−cathode with ‘Pd−black’、Koon Gakkaishi、1994、20(4):148頁(日本語) Arata,Y、and Y.C.Zhang、Helium(4He,3He) within deuterated Pd−black、Proc.Jpn.Acad.、Ser.B、1997、73:1頁 Arata,Y. and C.Zhang、Presence of helium(4/2He,3/2He) confirmed in deuterated Pd−black by the "vi−effect" in a "closed QMS" environment、Proc.Jpn.Acad.、Ser.B、1997、Vol.73、62頁 J.Dea、P.A.Mosier−Boss、S.Szpak、"Thermal and Pressure Gradients in the Polarized Pd/D System"、presented at the March 2002 APS meeting−Paper W21.010 J.A.Wheeler、Phys.Rev.52 1107(1937) J.R.Pruett、F.M.Beiduk and E.J.Konopinski、Phys.Rev.、Vol.77、628頁(1950) H.J.Boersma、Nucl.Phys.、Vol.A135、609頁(1969) A.M.Lane and D.Robson、Phys.Rev.、Vol.151、774頁(1966) D.Robson and A.M.Lane、Phys.Rev.、Vol.161、982頁(1967) A.M.Lane and D.Robson、Phys.Rev.、Vol.185、1403頁(1969) R.J.Philpott and J.George、Nucl.Phys.、Vol.A233、164頁(1974) P.L.Hagelstein、Philosophical Magazine B 79 149(1999) Wiley and Sonsから近く発行される、P.L.Hagelstein、S.D.Senturia、and T.P.Orlando、Introduction to Applied Quantum and Statistical Mechanics P.L.Hagelsteinの"A unified model for anomalies in metal deuterides"、ICCF9 Conference Proceedings、Beijing、May 2002、編集X.Z.Li(印刷中) MIT 2002 RLE Annual Report(6月下旬刊行予定) Fukai Y. and N.Okama、Formation of superabundant vacancies in Pd hydride under high pressures、Phys.Rev.Lett.、1994、Vol.73、1640頁
Claims (252)
- ホスト格子構造を選択する選択工程と、
追加の原子を受容するために前記ホスト格子構造を調製する調製工程であって、前記ホスト格子構造中に前記追加の原子を充填する工程と、前記ホスト格子構造中内に空孔を創出する工程とを含む調製工程と、
前記ホスト格子構造を刺激して(stimulating)複数の反応を創出する刺激工程と、
を含むことを特徴とする方法。 - 前記格子構造を刺激する前に、前記ホスト格子構造を封止して(sealing)前記追加の原子の脱出を防止する封止工程をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記刺激工程がエネルギーを放出することを特徴とする請求項1、47、または77に記載の方法。
- 前記ホスト格子構造が、Ni、Pd、Ti、Nb、Ta、Nb、Mo、Fe、Vからなる群から選択される金属であることを特徴とする請求項1、47、または77に記載の方法。
- 前記ホスト格子構造が、結晶性固体であることを特徴とする請求項1、47、または77に記載の方法。
- 前記ホスト格子構造が、意図的に欠陥が作られたダイヤモンドを含むことを特徴とする請求項1、47、または77に記載の方法。
- 前記充填される原子が、プロトン、ヘリウム−3、ヘリウム−4、重水素、水素の少なくとも1つ、またはその組み合わせを含むことを特徴とする請求項1、47、または77に記載の方法。
- 前記原子を前記ホスト格子構造中に充填する工程が、高温拡散またはヘリウム・イオン注入の使用を含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記原子を充填する工程が、重水(D2O)または重水素化アルコール(CD3OD、CH3OD、C2D5OD、C2H5OD)の電気化学的還元を含むことを特徴とする請求項1、47、または77に記載の方法。
- 前記充填されたホスト格子構造を封止する封止工程が、前記ホスト格子構造の表面からの重水素原子の脱出を遮断することを特徴とする請求項2に記載の方法。
- 前記封止工程が、電解質に10−5Mの硫酸水銀(I)(Hg2SO4)を加えることによる前記ホスト格子構造上の表面アマルガムの使用を含むことを特徴とする請求項2、48、または78に記載の方法。
- 前記封止工程が、電解質に10−7〜10−3Mの硫酸水銀(I)(Hg2SO4)を加えることによる前記ホスト格子構造上の表面アマルガムの使用を含むことを特徴とする請求項2、48、または78に記載の方法。
- 前記封止工程が、Pb、Cd、Sn、Bi、Sbの少なくとも1つのカチオンと、亜硫酸塩、硫酸塩、硝酸塩、亜硝酸塩、塩化物、過塩素酸塩の少なくとも1つのアニオンとを加えることによる前記ホスト格子構造上の表面アマルガムの使用を含むことを特徴とする請求項2、48、または78に記載の方法。
- 前記複数の反応が、水素−重水素からヘリウム−3への少なくとも1つの変換と、ヘリウム−3から水素−重水素への少なくとも1つの変換とを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記複数の反応が、重水素からヘリウム−4への少なくとも1つの変換と、ヘリウム−4から重水素への少なくとも1つの変換とを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記ホスト格子構造中の前記複数の反応が、格子フォノン振動の励起モードによってもたらされた前記ホスト格子構造中の核反応(D+D)とヘリウム−4の生成との結果であることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記ホスト格子構造中の前記複数の反応が、格子フォノン振動の励起モードによってもたらされた前記ホスト格子構造中の核反応(D+H)とヘリウム−3の生成との結果であることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記ホスト格子構造中の前記複数の反応が、前記ホスト格子構造中におけるヘリウム−4の濃度レベルの増加またはヘリウム−3/ヘリウム−4の比の変化をもたらすことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記ホスト格子構造中の少なくとも1つの反応が、ヘリウム−3の濃度レベルの増加をもたらすことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記複数の反応によって創出されたエネルギーが、前記ホスト格子構造に吸収されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記ホスト格子構造が、純度99.5%〜99.9%の範囲のPdで構成されていることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記ホスト格子構造が、純度95%〜99.995%の範囲のPdで構成されていることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記ホスト格子構造が、Pd合金、および非金属結晶性固体の少なくとも1つで構成されていることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記非金属結晶性固体が、カーボン、カーボンのナノチューブおよび球、セラミック、および高温超伝導性金属酸化物の少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記ホスト格子構造を構成するために使用される前記Pdが、直径50〜125μm、長さ3〜30cmであることを特徴とする請求項21に記載の方法。
- 前記ホスト格子構造を構成するために使用される前記Pdが、直径1ミクロン〜10cmであることを特徴とする請求項21に記載の方法。
- 前記ホスト格子構造を構成するために使用される前記Pdが、シート、プレート、ディスク、円錐、球、半球、管、棒の少なくとも1つの形状であることを特徴とする請求項21に記載の方法。
- 前記Pd中の空孔の濃度が、全ホスト金属原子の0.1%〜0.2%オーダーであることを特徴とする請求項25に記載の方法。
- 前記Pd中の空孔の濃度が、全ホスト金属原子の25%までであることを特徴とする請求項25に記載の方法。
- 前記Pd中に見出されるヘリウム−4の濃度が、1cm3当たり約1010原子であることを特徴とする請求項28に記載の方法。
- 前記Pd中に見出されるヘリウム−4の濃度が、1cm3当たり1016原子までであることを特徴とする請求項28に記載の方法。
- 前記Pd(PdD)中の重水素の平均充填が少なくとも0.85であることを特徴とする請求項30に記載の方法。
- 前記ホスト格子構造の刺激工程が、レーザ励起、表面音響発生器、DCおよびAC電流源、急速イオンまたはニュートロン衝撃、または、発熱性固体または表面化学反応の使用を含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記ホスト格子構造中に生成されたエネルギーが、前記ホスト格子構造中の反応量を検出することによって検出され得ることを特徴とする請求項3に記載の方法。
- 推進装置を用いて前記エネルギーを変換する工程をさらに含むことを特徴とする請求項3に記載の方法。
- 熱伝導、放射、対流、蒸発、昇華の少なくとも1つを用いて前記エネルギーを変換する工程をさらに含むことを特徴とする請求項3に記載の方法。
- 熱から機械への変換デバイスを用いて前記エネルギーを変換する工程をさらに含むことを特徴とする請求項3に記載の方法。
- 前記熱から機械への変換デバイスが、エンジン、スターリング・エンジン、蒸気エンジン、蒸気タービンの少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項37に記載の方法。
- 熱から電気への変換デバイスを用いて前記エネルギーを変換する工程をさらに含むことを特徴とする請求項3に記載の方法。
- 前記熱から電気への変換デバイスが、熱電エネルギー変換器、熱イオン変換器、熱ダイオードの少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項39に記載の方法。
- 直接の熱装置を用いて前記エネルギーを変換する工程をさらに含むことを特徴とする請求項3に記載の方法。
- 前記直接の熱装置が、脱塩装置、家庭用水ヒーター、商業用水ヒーター、産業用化学加熱装置および冶金加熱装置の少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項41に記載の方法。
- 前記ホスト格子構造内における分子状D2状態での重陽子の発生を検出して維持する工程をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記少なくとも1つの反応が、分子状D2状態から収縮dd状態への変換を含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記ホスト格子構造中のエネルギーが、容積10−15cm−3およびヘリウムの原子密度1016cm−3で、10個の収縮状態の重陽子対と、共通のフォノン・モードと相互作用する同数のヘリウム核とを用いて、1反応当たり5個またはそれ以上のフォノン移動から得られることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 運転温度を監視する工程と、
熱生成量を監視する工程と、
必要に応じて前記運転温度を下げて前記熱生成量を少なくし安定性を維持する工程と、
によって、前記ホスト格子中に創出されたエネルギーを維持する工程をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。 - ホスト格子構造を選択する選択工程と、
前記ホスト格子構造内の多重占有の数を増加させるために追加の原子を受容するために前記ホスト格子構造を調製する調製工程であって、前記追加の原子を前記ホスト格子構造中に充填する工程を含む調製工程と、
複数の反応を生み出すために前記ホスト格子構造を刺激する刺激工程と、
を含むことを特徴とする方法。 - 前記格子構造を刺激する前に、前記ホスト格子構造を封止して追加の原子の脱出を防止する封止工程をさらに含むことを特徴とする請求項47に記載の方法。
- 前記追加の原子を前記ホスト格子構造中に充填する工程が、高温拡散またはヘリウムイオン注入の使用を含むことを特徴とする請求項47に記載の方法。
- 前記充填されたホスト格子構造を封止する封止工程が、前記ホスト格子構造の表面からの重水素原子の脱出を遮断することを特徴とする請求項48に記載の方法。
- 前記複数の反応が、水素−重水素からヘリウム−3への少なくとも1つの変換と、ヘリウム−3から水素−重水素への少なくとも1つの変換とを含むことを特徴とする請求項47に記載の方法。
- 前記複数の反応が、重水素からヘリウム−4への少なくとも1つの変換と、ヘリウム−4から重水素への少なくとも1つの変換とを含むことを特徴とする請求項47に記載の方法。
- 前記ホスト格子構造中の前記複数の反応が、格子フォノン振動の励起モードによってもたらされた前記ホスト格子構造中の核反応(D+D)とヘリウム−4の生成との結果であることを特徴とする請求項47に記載の方法。
- 前記ホスト格子構造中の前記複数の反応が、格子フォノン振動の励起モードによってもたらされた前記ホスト格子構造中の核反応(D+H)とヘリウム−3の生成との結果であることを特徴とする請求項47に記載の方法。
- 前記ホスト格子構造中の前記複数の反応が、前記ホスト格子構造中におけるヘリウム−4の濃度レベルの増加またはヘリウム−3/ヘリウム−4の比の変化をもたらすことを特徴とする請求項47に記載の方法。
- 前記ホスト格子構造中の少なくとも1つの反応が、ヘリウム−3の濃度レベルの増加をもたらすことを特徴とする請求項47に記載の方法。
- 前記複数の反応によって創出された前記エネルギーが、前記ホスト格子構造に吸収されることを特徴とする請求項47に記載の方法。
- 前記ホスト格子構造が、純度99.5%〜99.9%の範囲のPdで構成されていることを特徴とする請求項47に記載の方法。
- 前記ホスト格子構造が、純度95%〜99.995%の範囲のPdで構成されていることを特徴とする請求項47に記載の方法。
- 前記ホスト格子構造が、Pd合金、および非金属結晶性固体の少なくとも1つで構成されていることを特徴とする請求項47に記載の方法。
- 前記非金属結晶性固体が、カーボン、カーボンのナノチューブおよび球、セラミック、および高温超伝導性金属酸化物の少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項47に記載の方法。
- 前記ホスト格子構造を構成するために使用される前記Pdが、直径50〜125μm、長さ3〜30cmであることを特徴とする請求項58に記載の方法。
- 前記ホスト格子構造を構成するために使用される前記Pdが、直径1ミクロン〜10cmであることを特徴とする請求項58に記載の方法。
- 前記ホスト格子構造を構成するために使用される前記Pdが、シート、プレート、ディスク、円錐、球、半球、管、棒の少なくとも1つの形状であることを特徴とする請求項58に記載の方法。
- 前記Pd中の空孔の濃度が、全ホスト金属原子の0.1%〜0.2%オーダーであることを特徴とする請求項62に記載の方法。
- 前記Pd中の空孔の濃度が、全ホスト金属原子の25%までであることを特徴とする請求項62に記載の方法。
- 前記Pd中に見出されるヘリウム−4の濃度が、1cm3当たり約1010原子であることを特徴とする請求項65に記載の方法。
- 前記Pd中に見出されるヘリウム−4の濃度が、1cm3当たり1016原子までであることを特徴とする請求項65に記載の方法。
- 前記Pd(PdD)中の重水素の平均充填が少なくとも0.85であることを特徴とする請求項67に記載の方法。
- 前記ホスト格子構造の刺激工程が、レーザ励起、表面音響発生器、DCおよびAC電流源、急速イオンまたはニュートロン衝撃、または、発熱性固体または表面化学反応の使用を含むことを特徴とする請求項69に記載の方法。
- 前記ホスト格子構造中に生成されるエネルギーが、前記ホスト格子構造中の反応量を検出することによって決定され得ることを特徴とする請求項47に記載の方法。
- 熱伝導、対流、放射、熱電エネルギー変換器を通る流れ、熱イオン変換器、熱ダイオード、またはスターリング・エンジンの少なくとも1つを用いて、放出されたエネルギーを変換することをさらに含むことを特徴とする請求項47に記載の方法。
- 前記ホスト格子構造内における分子状D2状態の重陽子の発生を監視し、維持する工程をさらに含むことを特徴とする請求項47に記載の方法。
- 前記少なくとも1つの反応が、前記分子状D2状態から収縮dd状態への変換を含むことを特徴とする請求項47に記載の方法。
- 前記ホスト格子構造中のエネルギーが、容積10−15cm−3およびヘリウムの原子密度1016cm−3で、10個の収縮状態の重陽子対と、共通のフォノン・モードと相互作用する同数のヘリウム核とを用いて、1反応当たり5個またはそれ以上のフォノン移動から得られることを特徴とする請求項47に記載の方法。
- 運転温度を監視する工程と、
熱生成量を監視する工程と、
前記熱生成量を少なくし安定性を維持するために必要に応じて前記運転温度を下げる工程と、
によって、前記ホスト格子中に放出されたエネルギーを維持する工程をさらに含むことを特徴とする請求項47に記載の方法。 - ホスト格子構造を選択する工程と、
追加の原子を受容するために前記ホスト格子構造を調製する調製工程であって、前記ホスト格子構造の温度を上昇させる工程を含む調製工程と、
1cm3当たり少なくとも1010原子濃度までのヘリウムを含む追加の原子を前記ホスト格子構造中に充填する工程と、
複数の反応を生み出すために前記ホスト格子構造を刺激する刺激工程と、
を含むことを特徴とする方法。 - 前記格子構造を刺激する前に、前記ホスト格子構造を封止して追加の原子の脱出を防止する工程をさらに含むことを特徴とする請求項77に記載の方法。
- 前記追加の原子を前記ホスト格子構造中に充填する工程が、高温拡散またはヘリウム・イオン注入の使用を含むことを特徴とする請求項77に記載の方法。
- 前記充填されたホスト格子構造を封止する封止工程が、前記ホスト格子構造の表面からの重水素原子の脱出を遮断することを特徴とする請求項78に記載の方法。
- 前記複数の反応が、水素−重水素からヘリウム−3への少なくとも1つの変換と、ヘリウム−3から水素−重水素への少なくとも1つの変換とを含むことを特徴とする請求項77に記載の方法。
- 前記複数の反応が、重水素からヘリウム−4への少なくとも1つの変換と、ヘリウム−4から重水素への少なくとも1つの変換とを含むことを特徴とする請求項77に記載の方法。
- 前記ホスト格子構造中の前記複数の反応が、格子フォノン振動の励起モードによってもたらされた前記ホスト格子構造中の核反応(D+D)とヘリウム−4の生成との結果であることを特徴とする請求項77に記載の方法。
- 前記ホスト格子構造中の複数の反応が、格子フォノン振動の励起モードによってもたらされた前記ホスト格子構造中の核反応(D+H)とヘリウム−3の生成との結果であることを特徴とする請求項77に記載の方法。
- 前記ホスト格子構造中の複数の反応が、前記ホスト格子構造中におけるヘリウム−4の濃度レベルの増加またはヘリウム−3/ヘリウム−4の比の変化をもたらすことを特徴とする請求項77に記載の方法。
- 前記ホスト格子構造中の少なくとも1つの反応が、ヘリウム−3の濃度レベルの増加をもたらすことを特徴とする請求項77に記載の方法。
- 前記複数の反応によって創出された前記エネルギーが、前記ホスト格子構造に吸収されることを特徴とする請求項77に記載の方法。
- 前記ホスト格子構造が、純度99.5%〜99.9%の範囲のPdで構成されていることを特徴とする請求項77に記載の方法。
- 前記ホスト格子構造が、純度95%〜99.995%の範囲のPdで構成されていることを特徴とする請求項77に記載の方法。
- 前記ホスト格子構造が、Pd合金、および非金属結晶性固体の少なくとも1つで構成されていることを特徴とする請求項77に記載の方法。
- 前記非金属結晶性固体が、カーボン、カーボンのナノチューブおよび球、セラミック、および高温超伝導性金属酸化物の少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項77に記載の方法。
- 前記ホスト格子構造を構成するために使用される前記Pdが、直径50〜125μm、長さ3〜30cmであることを特徴とする請求項88に記載の方法。
- 前記ホスト格子構造を構成するために使用される前記Pdが、直径1ミクロン〜10cmであることを特徴とする請求項88に記載の方法。
- 前記ホスト格子構造の構成に使用される前記Pdが、シート、プレート、ディスク、円錐、球、半球、管、棒の少なくとも1つの形状であることを特徴とする請求項88に記載の方法。
- 前記Pd中の空孔の濃度が、全ホスト金属原子の0.1%〜0.2%オーダーであることを特徴とする請求項92に記載の方法。
- 前記Pd中の空孔の濃度が、全ホスト金属原子の25%までであることを特徴とする請求項92に記載の方法。
- 前記Pd中に見出されるヘリウム−4の濃度が、1cm3当たり約1010原子であることを特徴とする請求項95に記載の方法。
- 前記Pd中に見出されるヘリウム−4の濃度が、1cm3当たり1016原子までであることを特徴とする請求項95に記載の方法。
- 前記Pd(PdD)中の重水素の平均充填が少なくとも0.85であることを特徴とする請求項97に記載の方法。
- 前記ホスト格子構造の刺激工程が、レーザ励起、表面音響発生器、DCおよびAC電流源、急速イオンまたはニュートロン衝撃、または、発熱性固体または表面化学反応の使用を含むことを特徴とする請求項99に記載の方法。
- 前記ホスト格子構造中に生成されるエネルギーが、前記ホスト格子構造中の反応量を検出することによって決定され得ることを特徴とする請求項77に記載の方法。
- 熱伝導、対流、放射、熱電エネルギー変換器を通る流れ、熱イオン変換器、熱ダイオード、またはスターリング・エンジンの少なくとも1つを用いて、放出されたエネルギーを変換する工程をさらに含むことを特徴とする請求項77に記載の方法。
- 前記ホスト格子構造内における分子状D2状態における重陽子の発生を監視し、維持する工程をさらに含むことを特徴とする請求項77に記載の方法。
- 前記少なくとも1つの反応が、分子状D2状態から収縮dd状態への変換を含むことを特徴とする請求項77に記載の方法。
- 前記ホスト格子構造中のエネルギーが、容積10−15cm−3およびヘリウムの原子密度1016cm−3で、10個の収縮状態の重陽子対と、共通のフォノン・モードと相互作用する同数のヘリウム核とを用いて、1反応当たり5個またはそれ以上のフォノン移動から得られることを特徴とする請求項77に記載の方法。
- 運転温度を監視する工程と、
熱生成量を監視する工程と、
前記熱生成量を少なくし安定性を維持するために必要に応じて前記運転温度を下げる工程と、
によって、前記ホスト格子中に放出されたエネルギーを維持する工程をさらに含むことを特徴とする請求項77に記載の方法。 - 前記複数の反応が、原子反応、核反応、および分子変換の少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項1、47、または77に記載の方法。
- 前記追加の原子を充填する工程が、圧力下で水素および/または重水素ガスへの露出する工程を含むことを特徴とする請求項1、100、または200に記載の方法。
- ホスト格子構造を選択する選択工程と、
追加の原子を受容する前記ホスト格子構造を調製する調製工程であって、原子を充填する工程と空孔を生成する工程を含む調製工程と、
前記ホスト格子構造を刺激して、前記ホスト格子構造内における反応の頻度を増加させる刺激工程と、
を含むことを特徴とする方法。 - ホスト格子構造を選択する選択工程と、
追加の原子を受容するために前記ホスト格子構造を調製する調製工程であって、追加の原子を充填する工程と温度を上昇する工程を含む調製工程と、
前記ホスト格子構造を刺激して分子状重水素による単一部位の多重占有を増加させる工程と、
を含むことを特徴とする方法。 - ホスト格子構造を選択する選択工程と、
追加の原子を受容するために前記ホスト格子構造を調製する調製工程であって、原子を充填する工程と、空孔を創出する工程とを含む調製工程と、
前記ホスト格子構造を刺激してヘリウムの分裂を増加させ、収縮状態の数を増加させる刺激工程と、
を含むことを特徴とする方法。 - 前記ホスト格子構造が、Ni、Pd、Ti、Nb、Ta、Nb、Mo、Fe、Vからなる群から選択される金属であることを特徴とする請求項109、110、または111に記載の方法。
- 前記追加の原子が、重水素原子、ヘリウム−4原子、ヘリウム−3、またはその組み合わせを含むことを特徴とする請求項109、110、または111に記載の方法。
- 前記ホスト格子構造を調製する調製工程が、前記重水素原子、およびヘリウム−4原子、ヘリウム−3、またはその組み合わせを受容するために使用される空孔の濃度fを増加させる工程を含むことを特徴とする請求項109、110、または111に記載の方法。
- 重水素原子、およびヘリウム−4原子、ヘリウム−3、またはその組み合わせが、高温拡散またはヘリウムイオン注入を用いて前記ホスト格子構造中に充填されることを特徴とする請求項113に記載の方法。
- 前記ホスト格子構造中への前記重水素の充填する工程が、重水(D2O)または重水素化アルコール(CD3OD、CH3OD、C2D5OD、C2H5OD)の電気化学的還元を含むことを特徴とする請求項113に記載の方法。
- 前記ホスト格子構造の表面から重水素原子の脱出を遮断するために、前記充填されたホスト格子構造を封止する工程をさらに含むことを特徴とする請求項109、110、または111に記載の方法。
- 前記封止する工程が、電解質に105Mの硫酸水銀(I)(Hg2SO4)を加えることによる前記ホスト格子構造上の表面アマルガムの使用の工程を含むことを特徴とする請求項117に記載の方法。
- 前記ホスト格子構造中の複数の反応が、格子フォノン振動の励起モードによってもたらされた前記ホスト格子構造中の核反応(D+D)とヘリウム−4の生成とを含むことを特徴とする請求項109、110、または111に記載の方法。
- 前記ホスト格子構造中の複数の反応が核反応(D+H)の結果であり、前記ホスト格子構造中のヘリウム−3の生成が格子フォノン振動の励起モードによってもたらされることを特徴とする請求項109、110、または111に記載の方法。
- 前記核反応と、ヘリウム−4およびヘリウム−3の生成とが、前記ホスト格子構造によって吸収される熱の形態でエネルギーを創出することを特徴とする請求項109、110、または111に記載の方法。
- 前記ホスト格子構造が、純度99.5%〜99.9%の範囲のPdで構成されることを特徴とする請求項109、110、または111に記載の方法。
- 前記ホスト格子構造の構成に使用される前記Pdが、直径50〜125μm、長さ3〜30cmであることを特徴とする請求項122に記載の方法。
- 前記Pd中の空孔の濃度が、全ホスト金属原子の0.1%〜0.2%オーダーであることを特徴とする請求項123に記載の方法。
- 前記Pd中に見出されるヘリウム−4の濃度が、1cm3当たり約1010原子であることを特徴とする請求項124に記載の方法。
- 前記Pd(PdD)中の重水素の平均充填が0.85であることを特徴とする請求項125に記載の方法。
- 前記ホスト格子構造の刺激工程が、レーザ励起、表面音響発生器、DCおよびAC電流源、急速イオンまたはニュートロン衝撃、または発熱性固体または表面化学反応の使用を含むことを特徴とする請求項109、110、または111に記載の方法。
- 前記ホスト格子構造によって発生された前記エネルギーが、前記ホスト格子構造中のヘリウム−4の濃度レベルの増加、またはヘリウム−3/ヘリウム−4の比の変化を検出することによって決定されることを特徴とする請求項121に記載の方法。
- 前記核反応と、ヘリウム−4またはヘリウム−3の生成とが、前記ホスト格子構造によって吸収される熱の形態でエネルギーを放出することを特徴とする請求項121に記載の方法。
- 熱伝導、対流、熱電エネルギー変換器を通る流れ、熱イオン変換器、熱ダイオード、またはスターリング・エンジンを用いて、前記格子ホストによって吸収された前記エネルギーを変換する工程をさらに含むことを特徴とする請求項129に記載の方法。
- 前記ホスト格子構造中の分子状D2状態の重陽子の発生の存在を監視し、維持する工程をさらに含むことを特徴とする請求項109、110、または111に記載の方法。
- 前記ホスト格子構造中の前記エネルギーが、容積10−15cm−3およびヘリウムの原子密度1016cm−3で、10個の収縮状態の重陽子対と、共通のフォノン・モードと相互作用する同数のヘリウム核とを用いて、1反応当たり5個またはそれ以上のフォノン移動から得られることを特徴とする請求項121に記載の方法。
- 前記ホスト格子構造中に作り出される前記エネルギーを維持する工程が、
運転温度を監視する工程と、
熱生成量を監視する工程と、
熱生成量を少なくし安定性を維持するために必要に応じて前記運転温度を下げる工程と、
をさらに含むことを特徴とする請求項121に記載の方法。 - ホスト格子構造を選択する選択工程と、
ヘリウム−4原子と重水素原子とを受容するために前記ホスト格子構造を調製する調製工程と、
前記ホスト格子構造中にヘリウム−4原子を充填する工程と、
前記ホスト格子構造中に重水素原子を充填する工程と、
前記充填されたホスト格子構造を封止して、ヘリウム−4と重水素との脱出を防止する工程と、
前記ホスト格子構造を刺激して前記ホスト格子構造中に複数の反応を創出する工程であって、前記複数の反応が重水素とヘリウム−4とから重水素への少なくとも1つの反応と、ヘリウム−4から重水素への1つの反応とを含み、前記複数の反応が前記ホスト格子構造中へエネルギーを放出する工程と、
を含むことを特徴とする方法。 - 前記ホスト格子構造が、Ni、Pd、Ti、Nb、Ta、Nb、Mo、Fe、Vからなる群から選択される金属であることを特徴とする請求項134に記載の方法。
- 前記ホスト格子構造を調製する調製工程が、前記重水素原子と、ヘリウム−4原子とを受容するために使用される空孔の濃度fを増加させる工程を含むことを特徴とする請求項134に記載の方法。
- 前記ホスト格子構造中へのヘリウム−4を充填する工程が、高温拡散またはヘリウムイオン注入の使用を含むことを特徴とする請求項134に記載の方法。
- 前記ホスト格子構造中への前記重水素の充填する工程が、重水(D2O)または重水素化アルコール(CD3OD、CH3OD、C2D5OD、C2H5OD)の電気化学的還元を含むことを特徴とする請求項134に記載の方法。
- 前記充填されたホスト格子構造を封止する工程は、前記ホスト格子構造の表面からの重水素原子の脱出を遮断することを特徴とする請求項134に記載の方法。
- 前記封止する工程が、電解質に105Mの硫酸水銀(I)(Hg2SO4)を加えることによる前記ホスト格子構造上の表面アマルガムの使用の工程を含むことを特徴とする請求項134に記載の方法。
- 前記ホスト格子構造中の複数の反応が、格子フォノン振動の励起モードによってもたらされた前記ホスト格子構造中の核反応(D+D)とヘリウム−4の生成とを含むことを特徴とする請求項134に記載の方法。
- 前記ホスト格子構造中の複数の反応が、前記ホスト格子構造中にヘリウム−4の濃度レベルの増加またはヘリウム−3/ヘリウム−4の比の変化をもたらすことを特徴とする請求項134に記載の方法。
- 前記核反応とヘリウム−4との生成が、前記ホスト格子構造によって吸収される熱の形態でエネルギーを創出することを特徴とする請求項141に記載の方法。
- 前記ホスト格子構造が、純度99.5%〜99.9%の範囲のPdで構成されることを特徴とする請求項134に記載の方法。
- 前記ホスト格子構造の構成に使用される前記Pdが、直径50〜125μm、長さ3〜30cmであることを特徴とする請求項144に記載の方法。
- 前記Pd中の空孔の濃度が、全ホスト金属原子の0.1%〜0.2%オーダーであることを特徴とする請求項145に記載の方法。
- 前記Pd中に見出されるヘリウム−4の濃度が、1cm3当たり約1010原子であることを特徴とする請求項146に記載の方法。
- 前記Pd(PdD)中の重水素の平均充填が0.85であることを特徴とする請求項147に記載の方法。
- 前記ホスト格子構造の刺激工程が、レーザ励起、表面音響発生器、DCおよびAC電流源、急速イオンまたはニュートロン衝撃、または、発熱性固体または表面化学反応の使用を含むことを特徴とする請求項134に記載の方法。
- 前記ホスト格子構造中に作り出される前記エネルギーが、前記ホスト格子構造中の核反応の量およびヘリウム−4の生成量を検出することによって決定できることを特徴とする請求項134に記載の方法。
- 前記ホスト格子構造によって発生された前記エネルギーが、前記ホスト格子構造中のヘリウム−4の濃度レベルの増加、またはヘリウム−3/ヘリウム−4の比の変化を検出することによって決定され得ることを特徴とする請求項134に記載の方法。
- 熱伝導、対流、熱電エネルギー変換器を通る流れ、熱イオン変換器、熱ダイオード、またはスターリング・エンジンを用いて、前記ホスト格子構造中の前記エネルギーを変換する工程をさらに含むことを特徴とする請求項134に記載の方法。
- 前記ホスト格子構造中における分子状D2状態の重陽子の発生の存在を監視し、維持する工程をさらに含むことを特徴とする請求項134に記載の方法。
- 前記少なくとも1つの反応が、分子状D2状態から収縮dd状態への変換を含むことを特徴とする請求項134に記載の方法。
- 前記ホスト格子構造中の前記エネルギーが、容積10−15cm−3およびヘリウムの原子密度1016cm−3で、10個の収縮状態の重陽子対と、共通のフォノン・モードと相互作用する同数のヘリウム核とを用いて、1反応当たり5個またはそれ以上のフォノン移動から得られることを特徴とする請求項134に記載の方法。
- 前記ホスト格子構造中に作り出される前記エネルギーの維持する工程が、
運転温度を監視する工程と、
熱生成量を監視する工程と、
熱生成量を少なくし安定性を維持するために必要に応じて前記運転温度を下げる工程と、
をさらに含むことを特徴とする請求項153に記載の方法。 - エネルギー発生のためのホスト格子構造を選択する工程と、
水素−重水素とヘリウム−3原子とを受容するために前記ホスト格子構造を調製する工程と、
前記ホスト格子構造中に水素−重水素原子を充填する工程と、
前記ホスト格子構造中にヘリウム−3原子を充填する工程と、
前記充填されたホスト格子構造を封止して、水素−重水素とヘリウム−3原子との脱出を防止する工程と、
前記ホスト格子構造を刺激して前記ホスト格子構造中に複数の反応を創出する工程であって、前記複数の反応が水素−重水素からヘリウム−3への少なくとも1つの反応と、ヘリウム−3から水素−重水素への少なくとも1つの反応とを含み、前記複数の反応が前記ホスト格子構造の中へエネルギーを放出する工程と、
を含むことを特徴とする方法。 - 前記ホスト格子構造が、Ni、Pd、Ti、Nb、Ta、Nb、Mo、Fe、Vからなる群から選択される金属であることを特徴とする請求項157に記載の方法。
- 前記ホスト格子構造を調製する工程が、前記水素−重水素対と、ヘリウム−3原子を受容するために使用される空孔の濃度fを増加させる工程を含むことを特徴とする請求項157に記載の方法。
- 前記ホスト格子構造中へのヘリウム−3の充填する工程が、高温拡散またはヘリウムイオン注入の使用を含むことを特徴とする請求項157に記載の方法。
- 前記ホスト格子構造中への水素−重水素対原子の前記充填する工程が、重水(D2O)または重水素化アルコール(CD3OD、CH3OD、C2D5OD、C2H5OD)の電気化学的還元を含むことを特徴とする請求項157に記載の方法。
- 前記充填されたホスト格子構造を封止する工程は、前記ホスト格子構造の表面からの水素−重水素とヘリウム−3原子の脱出とを遮断することを特徴とする請求項157に記載の方法。
- 前記封止する工程が、電解質に105Mの硫酸水銀(I)(Hg2SO4)を加えることによる前記ホスト格子構造上の表面アマルガムの使用の工程を含むことを特徴とする請求項157に記載の方法。
- 前記ホスト格子構造中の複数の反応が核反応(D+H)の結果であり、前記ホスト格子構造中のヘリウム−3の生成が格子フォノン振動の励起モードによってもたらされることを特徴とする請求項157に記載の方法。
- 前記ホスト格子構造中の複数の反応が、ヘリウム−3の濃度レベルの増加をもたらすことを特徴とする請求項157に記載の方法。
- 前記核反応とヘリウム−3との生成が、前記ホスト格子構造によって吸収される熱の形態でエネルギーを創出することを特徴とする請求項164に記載の方法。
- 前記ホスト格子構造の刺激工程が、レーザ励起、表面音響発生器、DCおよびAC電流源、急速イオンまたはニュートロン衝撃、または、発熱性固体または表面化学反応の使用を含むことを特徴とする請求項157に記載の方法。
- 前記エネルギー発生が、前記ホスト格子構造を刺激するために使用される刺激源の出力と、期間と、温度とに基づいて維持され得ることを特徴とする請求項157に記載の方法。
- 前記ホスト格子構造中の前記エネルギー発生が、前記ホスト格子構造中の核反応とヘリウム−3の生成とを検出することによって決定されることを特徴とする請求項157に記載の方法。
- 前記発生されたエネルギーが、前記ホスト格子構造中のヘリウム−3の濃度レベルの増加を検出することによって決定され得ることを特徴とする請求項157に記載の方法。
- 前記核反応とヘリウム−3の生成とが、前記ホスト格子構造によって吸収される熱の形態でエネルギーを創出することを特徴とする請求項169に記載の方法。
- 前記ホスト格子構造中の前記エネルギーが、熱伝導、対流、熱電エネルギー変換器を通る流れ、熱イオン変換器、熱ダイオード、またはスターリング・エンジンを用いて変換されることを特徴とする請求項157に記載の方法。
- 前記ホスト格子構造中における分子状D2状態の重陽子の発生の存在を監視し、維持する工程をさらに含むことを特徴とする請求項157に記載の方法。
- 前記少なくとも1つの反応が、分子状D2状態から収縮dd状態への変換を含むことを特徴とする請求項157に記載の方法。
- 前記ホスト格子構造中に作り出される前記エネルギーの維持する工程が、
運転温度を監視する工程と、
熱生成量を監視する工程と、
熱生成量を少なくし安定性を維持するために必要に応じて前記運転温度を下げる工程と、
をさらに含むことを特徴とする請求項173に記載の方法。 - 水素または重水素が充填され、空孔を増加され、ヘリウムが添加された金属格子ホストを作る方法であって、
金属格子ホスト構造を選択する工程と、
前記ホスト格子構造中に水素または重水素原子を充填する工程と、
前記ホスト格子構造中にヘリウム原子を充填する工程と、
前記充填されたホスト格子構造を封止して、水素、重水素、およびヘリウム原子の脱出を防止する工程と、
前記ホスト格子構造を刺激して、空孔を生成する工程と、
前記充填された水素または重水素で空孔を安定化することによって新しい金属ホストを創出する工程と、
を含み、
前記充填された水素または重水素は刺激によって創出された空孔に入ることによって前記金属ホストを安定化することを特徴とする方法。 - 前記ホスト格子が、Ni、Pd、Ti、Nb、Ta、Nb、Mo、Fe、Vからなる群から選択される金属であることを特徴とする請求項176に記載の方法。
- 前記封止する工程が、前記ホスト格子の表面からの水素または重水素の脱出を遮断することを特徴とする請求項176に記載の方法。
- 前記封止する工程が、電解質に105Mの硫酸水銀(I)(Hg2SO4)を加えることによる前記ホスト格子構造上の表面アマルガムの使用の工程を含むことを特徴とする請求項176に記載の方法。
- 前記ホスト格子の前記充填および刺激する工程が同時に行われることを特徴とする請求項176に記載の方法。
- 前記刺激する工程が、電子ビーム照射を使用して行われることを特徴とする請求項176に記載の方法。
- 前記照射の線量が1017/cm2またはそれ以上のオーダーであり、電子エネルギーが0.1〜5MeVの範囲であることを特徴とする請求項176に記載の方法。
- 水素が充填され、空孔が増加され、ヘリウムが添加された金属。
- 重水素が充填され、空孔が増加され、ヘリウムが添加された金属。
- 重水素原子とヘリウム−4原子とを受容するために適用可能なホスト格子構造と、
重水素原子の高濃度を維持する手段と、
前記ホスト格子構造中における、前記重水素原子からヘリウム−4原子への少なくとも1つの反応と、ヘリウム−4原子から重水素原子への少なくとも1つの反応とを含む複数の反応を提供する手段と、
前記ホスト格子構造中のエネルギーの形態で前記反応の効果を維持する手段と、
を備えることを特徴とするデバイス。 - 前記ホスト格子構造が、前記重水素原子とヘリウム−4原子とを受容するために使用される空孔濃度fをさらに含み、前記空孔濃度が、前記ホスト格子構造のために選択された金属に依存することを特徴とする請求項185に記載のデバイス。
- 重水素の高濃度を維持する手段が、前記ホスト格子構造の表面から重水素原子の脱出を遮断する封止表面の使用を含むことを特徴とする請求項185に記載のデバイス。
- 前記封止表面が、前記充填されたPd(PdD)表面上のアマルガムから構成されることを特徴とする請求項187に記載のデバイス。
- 前記ホスト格子構造中の重水素の高濃度を維持する手段が、77Kまたはそれ以下の範囲の液体窒素温度の使用を含むことを特徴とする請求項185に記載のデバイス。
- 前記ホスト格子構造中における前記複数の反応のための前記手段が、格子フォノン振動の励起モードによってもたらされる前記ホスト格子構造中の核反応(D+D)とヘリウム−4の生成とを含むことを特徴とする請求項185に記載のデバイス。
- 前記ホスト格子構造中における前記複数の反応のための前記手段が、前記ホスト格子構造中にヘリウム−4の濃度レベルの増加またはヘリウム−3/ヘリウム−4の比の変化をもたらすことを特徴とする請求項185に記載のデバイス。
- 前記核反応とヘリウム−4の生成とが、前記ホスト格子構造に吸収される熱の形態でエネルギーを創出することを特徴とする請求項190に記載のデバイス。
- 前記ホスト格子が、Ni、Pd、Ti、Nb、Ta、Nb、Mo、Fe、Vからなる群から選択される金属であることを特徴とする請求項185に記載のデバイス。
- 前記ホスト格子構造が、純度99.5%〜99.9%の範囲のPdで構成されることを特徴とする請求項193に記載のデバイス。
- 前記ホスト格子構造の構成に使用される前記Pdが、直径50〜125μm、長さ3〜30cmであることを特徴とする請求項194に記載のデバイス。
- 前記Pd中の空孔濃度が、全ホスト金属原子の0.1%〜0.2%オーダーであることを特徴とする請求項195に記載のデバイス。
- 前記Pd中に見出されるヘリウム−4の濃度が、1cm3当たり約1010原子であることを特徴とする請求項196に記載のデバイス。
- 重水素(PdD)の平均充填が0.85であることを特徴とする請求項197に記載のデバイス。
- 重水素原子とヘリウム−4原子とを受容するために適用可能なホスト格子構造と、
重水素原子の高濃度を維持するための封止層と、
前記ホスト格子構造中に、前記重水素原子からヘリウム−4原子への少なくとも1つの反応と、ヘリウム−4原子から重水素原子への少なくとも1つの反応とを含む複数の反応を提供する反応部位と、
を含み、
前記複数の反応が前記ホスト格子構造中にエネルギーを放出することを特徴とするデバイス。 - 前記ホスト格子構造が、前記重水素原子とヘリウム−4原子とを受容するために使用される空孔濃度をさらに含み、前記空孔濃度が、前記ホスト格子構造のために選択された前記金属に依存することを特徴とする請求項199に記載のデバイス。
- 前記封止表面が、前記ホスト格子構造の表面からの重水素原子の脱出を遮断することを特徴とする請求項199に記載のデバイス。
- 前記封止表面が、前記ホスト格子構造の前記充填されたPd(PdD)表面上のアマルガムから構成されることを特徴とする請求項201に記載のデバイス。
- 前記ホスト格子構造中の重水素濃度を維持するために、77Kまたはそれ以下の範囲の液体窒素温度の使用をさらに含むことを特徴とする請求項201に記載のデバイス。
- 前記ホスト格子構造中の前記複数の反応が、格子フォノン振動の励起モードによってもたらされる前記ホスト格子構造中の核反応(D+D)とヘリウム−4の生成とを含むことを特徴とする請求項199に記載のデバイス。
- 前記ホスト格子構造中の前記複数の反応が、前記ホスト格子構造中にヘリウム−4の濃度レベルの増加またはヘリウム−3/ヘリウム−4の比の変化をもたらすことを特徴とする請求項199に記載のデバイス。
- 前記核反応およびヘリウム−4の生成が、前記ホスト格子構造に吸収される熱の形態でエネルギーを創出することを特徴とする請求項204に記載のデバイス。
- 前記ホスト格子構造が、Ni、Pd、Ti、Nb、Ta、Nb、Mo、Fe、Vからなる群から選択される金属であることを特徴とする請求項199に記載のデバイス。
- 前記ホスト格子構造が、純度99.5%〜99.9%の範囲のPdで構成されることを特徴とする請求項207に記載のデバイス。
- 前記ホスト格子構造の構成に使用される前記Pdが、直径50〜125μm、長さ3〜30cmであることを特徴とする請求項208に記載のデバイス。
- 前記Pd中の空孔濃度が、全ホスト金属原子の0.1%〜0.2%オーダーであることを特徴とする請求項209に記載のデバイス。
- 前記Pd中に見出されるヘリウム−4の濃度が、1cm3当たり約1010原子であることを特徴とする請求項210に記載のデバイス。
- Pd(PdD)中の重水素の平均充填が0.85であることを特徴とする請求項211に記載のデバイス。
- 水素−重水素とヘリウム−3原子とを受容するために適用可能なホスト格子構造と、
水素−重水素原子の高濃度を維持するための封止層と、
前記ホスト格子構造中に、前記水素−重水素からヘリウム−3原子への少なくとも1つの反応と、ヘリウム原子から水素−重水素への少なくとも1つの反応とを含む複数の反応を提供する反応部位と、
を含み、
前記複数の反応が前記ホスト格子構造中にエネルギーを放出することを特徴とするデバイス。 - 前記ホスト格子構造が、前記水素−重水素原子とヘリウム−3原子とを受容するために使用される空孔の濃度fをさらに含むことを特徴とする請求項213に記載のデバイス。
- 前記封止表面が、前記ホスト格子構造の表面からの水素−重水素原子の脱出を遮断することを特徴とする請求項213に記載のデバイス。
- 前記封止表面が、前記ホスト格子構造の前記充填されたPd(PdD)表面上のアマルガムから構成されることを特徴とする請求項213に記載のデバイス。
- 前記ホスト格子構造中の重水素の濃度を維持するために、77Kまたはそれ以下の範囲の液体窒素温度の使用をさらに含むことを特徴とする請求項213に記載のデバイス。
- 前記ホスト格子構造中の前記複数の反応が、格子フォノン振動の励起モードによってもたらされる前記ホスト格子構造中の核反応(D+H)とヘリウム−3の生成との結果であることを特徴とする請求項213に記載のデバイス。
- 前記ホスト格子構造中の前記複数の反応が、前記ホスト格子構造中にヘリウム−3の濃度レベルの増加をもたらすことを特徴とする請求項213に記載のデバイス。
- 前記核反応およびヘリウム−3の生成が、前記ホスト格子構造に吸収される熱の形態でエネルギーを創出することを特徴とする請求項218に記載のデバイス。
- 前記ホスト格子構造が、Ni、Pd、Ti、Nb、Ta、Nb、Mo、Fe、Vからなる群から選択される金属であることを特徴とする請求項213に記載のデバイス。
- 前記ホスト格子構造が、純度99.5%〜99.9%の範囲のPdで構成されることを特徴とする請求項221に記載のデバイス。
- 前記ホスト格子構造の構成に使用される前記Pdが、直径50〜125μm、長さ3〜30cmであることを特徴とする請求項222に記載のデバイス。
- 前記Pd中の空孔の濃度が、全てのホスト金属原子の0.1%〜0.2%オーダーであることを特徴とする請求項223に記載のデバイス。
- 水素もしくは重水素と、ヘリウムとを受容するために適用可能なホスト格子構造と、
水素もしくは重水素原子と、ヘリウムの高濃度を維持するための封止層と、
前記ホスト格子を安定化するための空孔を提供する反応部位と、
を含み、
前記水素もしくは重水素が前記空孔に入るときに安定化が起きることを特徴とするデバイス。 - 前記ホスト格子構造が、前記水素もしくは重水素を受容するために使用される空孔濃度fをさらに含むことを特徴とする請求項225に記載のデバイス。
- 前記封止表面が、前記ホスト格子構造の表面からの水素もしくは重水素原子の脱出を遮断することを特徴とする請求項225に記載のデバイス。
- 前記封止表面が、前記ホスト格子構造の前記充填されたPd(PdD)表面上のアマルガムから構成されることを特徴とする請求項225に記載のデバイス。
- 前記ホスト格子構造が、Ni、Pd、Ti、Nb、Ta、Nb、Mo、Fe、Vからなる群から選択される金属であることを特徴とする請求項225に記載のデバイス。
- 前記ホスト格子の前記充填と刺激が同時に行われることを特徴とする請求項225に記載のデバイス。
- 前記刺激が電子ビーム照射を使用して行われることを特徴とする請求項225に記載のデバイス。
- 前記照射の線量が1017/cm2またはそれ以上のオーダーであり、電子エネルギーが0.1〜5MeVの範囲であることを特徴とする請求項231に記載のデバイス。
- 重水素とヘリウム−4との濃度を含むホスト格子構造と、
前記ホスト格子構造中に複数の反応を刺激する手段であって、前記複数の反応が重水素からヘリウム−4への少なくとも1つの反応と、ヘリウム−4から重水素への1つの反応とを含む手段と、
エネルギーを発生する手段と、
前記格子構造中に発生した前記エネルギーを再使用可能な形態のエネルギーに変換する手段と、
を含むことを特徴とするシステム。 - 前記複数の反応を刺激する手段が、レーザ励起、表面音響発生器、DCおよびAC電流源、急速イオンまたはニュートロン衝撃、または発熱性固体または表面化学反応の使用を含むことを特徴とする請求項233に記載のシステム。
- 前記複数の反応が核反応を含み、ヘリウム−4の生成が前記ホスト格子構造によって吸収される熱の形態でエネルギーを創出することを特徴とする請求項233に記載のシステム。
- 前記エネルギーを変換する手段が、熱伝導、対流、熱電エネルギー変換器を通る流れ、熱イオン変換器、熱ダイオード、またはスターリング・エンジンを含むことを特徴とする請求項233に記載のシステム。
- 前記ホスト格子構造が、Ni、Pd、Ti、Nb、Ta、Nb、Mo、Fe、Vからなる群から選択される金属であることを特徴とする請求項233に記載のシステム。
- 前記ホスト格子構造が、純度99.5%〜99.9%の範囲のPdで構成されることを特徴とする請求項237に記載のシステム。
- 前記ホスト格子構造の構成に使用される前記Pdが、直径50〜125μm、長さ3〜30cmであることを特徴とする請求項238に記載のシステム。
- 前記Pd中の空孔濃度が、全ホスト金属原子の0.1%〜0.2%オーダーであることを特徴とする請求項239に記載のシステム。
- 前記Pd中のヘリウム−4の濃度が、1cm3当たり約1010原子であることを特徴とする請求項240に記載のシステム。
- 重水素(PdD)の平均充填が0.85であることを特徴とする請求項241に記載のシステム。
- 特定濃度の水素−重水素とヘリウム−3とを含むホスト格子構造と、
前記ホスト格子構造中に複数の反応を刺激するためのエネルギー源であって、前記複数の反応が水素−重水素からヘリウム−3への少なくとも1つの反応と、ヘリウム−3から水素−重水素への少なくとも1つの反応とを含むエネルギー源と、
前記変換によって発生したエネルギーを検出する検出器と、
前記格子構造中に発生したエネルギーを、再使用可能な形態のエネルギーに変換する変換器と、
を含むことを特徴とするシステム。 - 前記複数の反応を刺激するために作動可能なエネルギー源が、レーザ励起、表面音響発生器、DCおよびAC電流源、急速イオンまたはニュートロン衝撃、または発熱性固体または表面化学反応の使用を含むことを特徴とする請求項243に記載のシステム。
- 前記検出器が、前記ホスト格子構造中の核反応(D+H)とヘリウム−3の生成とを検出することによって、前記ホスト格子構造中で起こる前記複数の反応を決定することを特徴とする請求項243に記載のシステム。
- 前記検出器が、ヘリウム−3濃度のレベルの増加を検出することによって、前記ホスト格子構造中で起きている反応の量を決定することを特徴とする請求項243に記載のシステム。
- 前記核反応とヘリウム−3の生成が、前記ホスト格子構造によって吸収される熱の形態でエネルギーを創出することを特徴とする請求項245に記載のシステム。
- 前記変換器が、熱伝導、対流、熱電エネルギー変換器を通る流れ、熱イオン変換器、熱ダイオード、またはスターリング・エンジンの使用を含むことを特徴とする請求項243に記載のシステム。
- 前記ホスト格子構造が、Ni、Pd、Ti、Nb、Ta、Nb、Mo、Fe、Vからなる群から選択される金属であることを特徴とする請求項243に記載のシステム。
- ヘリウム核が周囲の格子に対して局部的に約100fmまたはそれ以上のレベルで動くことを特徴とする請求項1、47、または77に記載の方法。
- ヘリウムが周囲の原子に対して少なくとも100fm動くことを特徴とする請求項1、47、または77に記載の方法。
- 前記ホスト格子構造が、合金および複合材料で構成されることを特徴とする請求項1、47、または77に記載の方法。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US38186302P | 2002-05-18 | 2002-05-18 | |
US44924703P | 2003-02-14 | 2003-02-14 | |
US44189103A | 2003-05-17 | 2003-05-17 | |
US44042603A | 2003-05-19 | 2003-05-19 | |
PCT/US2003/015713 WO2004044923A2 (en) | 2002-05-18 | 2003-05-19 | A device, system and method for increasing multiple occupancy of hydrogen isotopes in a host lattice |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006515669A true JP2006515669A (ja) | 2006-06-01 |
JP2006515669A5 JP2006515669A5 (ja) | 2006-07-13 |
Family
ID=34923439
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004551404A Pending JP2006515669A (ja) | 2002-05-18 | 2003-05-19 | ホスト格子中での水素同位体の多重占有を増加させるデバイス、システム、および方法。 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP1576616A2 (ja) |
JP (1) | JP2006515669A (ja) |
IL (1) | IL165281A0 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101514792B1 (ko) * | 2013-12-31 | 2015-04-24 | 이웅무 | 수소 용해 금속을 이용한 발열원, 이를 구비한 소형 전력 발생 장치 및 발열원의 제조 방법 |
KR20170132501A (ko) * | 2016-05-24 | 2017-12-04 | 삼성전자주식회사 | 금속 쌍을 이용한 구조 결정 방법 및 장치 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20210272706A1 (en) * | 2018-06-03 | 2021-09-02 | Cambridge Phonon Systems, Inc | System and method for phonon-mediated excitation and de-excitation of nuclear states |
-
2003
- 2003-05-19 IL IL16528103A patent/IL165281A0/xx unknown
- 2003-05-19 EP EP03808381A patent/EP1576616A2/en not_active Withdrawn
- 2003-05-19 JP JP2004551404A patent/JP2006515669A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101514792B1 (ko) * | 2013-12-31 | 2015-04-24 | 이웅무 | 수소 용해 금속을 이용한 발열원, 이를 구비한 소형 전력 발생 장치 및 발열원의 제조 방법 |
KR20170132501A (ko) * | 2016-05-24 | 2017-12-04 | 삼성전자주식회사 | 금속 쌍을 이용한 구조 결정 방법 및 장치 |
KR102523471B1 (ko) * | 2016-05-24 | 2023-04-18 | 삼성전자주식회사 | 금속 쌍을 이용한 구조 결정 방법 및 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1576616A2 (en) | 2005-09-21 |
IL165281A0 (en) | 2005-12-18 |
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