JP2006509313A - 磁区拡大読み取りにおける使用のための動的な読み出し決定レベル調節のための方法及び装置 - Google Patents

Abstract

本発明は、読み出しパルスから導出される制御情報に応じて所定の読み取りパラメータが変化させられることによって、及び所定の付加的なパターンが前記所定のパラメータに適用されることによって、磁区コピー処理の空間的なコピーウィンドウのサイズが制御される、光磁気磁区拡大記録媒体（１０）を読み取る方法及び装置に関する。読み出し値を決定するために利用される決定レベルパターンは、前記付加的な変化パターンの特性パラメータに依存して調節される。これにより、信号検出エラーが減少させられ、これにより記憶密度がかなり改善される。

Description

本発明は、記録層即ち記憶層及び拡大層即ち読み出し層を有し、読み出しパルスから導出される制御情報に応じた所定の読み取りパラメータの変化によってコピーウィンドウが動的に制御される、ＭＡＭＭＯＳ（Magnetic AMplifying Magneto-optical System）ディスクのような磁区拡大記録媒体を読み取る方法及び装置に関する。

従来の光磁気記憶システムにおいては、記録されるマークの最小幅は、回折限界によって、即ちフォーカスレンズの開口数（ＮＡ）及びレーザ波長によって決定される。当該幅を減少させることは、一般により短い波長のレーザ及びより高いＮＡのフォーカス光学素子に基づく。光磁気記録の間、ＬＰ−ＭＦＭ（Laser Pulsed Magnetic Field Modulation）を利用することにより、最小ビット長は光回折限界よりも低くされることができる。ＬＰ−ＭＦＭにおいては、磁界の切り換えと、レーザの切り換えにより引き起こされる温度勾配とによって、ビット遷移が決定される。

ＭＡＭＭＯＳのような磁区拡大手法においては、回折限界よりも小さなサイズを持つ書き込まれたマークが、レーザによる加熱の際に外部磁界を利用して、記憶層から読み出し層へとコピーされる。当該読み出し層の低い保磁力のため、前記コピーされたマークは光スポットを満たすまで拡大し、前記マークのサイズによらない飽和された信号レベルで検出される。前記外部磁界の反転は、前記拡大された磁区を崩壊させる。一方、記憶層におけるスペース（space）はコピーされず、拡大は起こらない。それ故、この場合には信号は検出されない。

記憶層におけるビット即ち磁区を読み出すために、光スポットの熱プロファイルが利用される。読み出し層の温度が所定の閾値より高い場合、記憶層から静磁結合された読み出し層へと磁区がコピーされる。これは、記憶層の磁化に比例する記憶層からの漏れ磁界Ｈ_Ｓが、温度の関数として増大するからである。補償温度Ｔ_ｃｏｍｐのすぐ上の温度領域については、磁化Ｍ_Ｓは温度の関数として増加する。この特性は、反対の方向を持つ２つの打ち消し合う磁化Ｍ_ＲＥ（希土類成分）とＭ_ＴＭ（遷移金属成分）とを生成する、希土類遷移金属（ＲＥ−ＴＭ）の合金の利用に起因する。

外部磁界の印加は、読み出し層における前記コピーされた磁区を拡大させ、元の磁区のサイズによらない飽和された検出信号を与える。前記コピーのプロセスは非常に非線形である。温度が閾値より高い場合、磁区は記憶層から読み出し層へと結合される。閾値温度より高い温度については、以下の条件が満たされる：
Ｈ_Ｓ＋Ｈ_ｅｘｔ≧Ｈ_Ｃ （１）
ここでＨ_Ｓは読み出し層における記憶層の漏れ磁界であり、Ｈ_ｅｘｔは印加される外部磁界であり、Ｈ_Ｃは読み出し層ｒｄｌの保磁力場である。このコピーが起こる空間的な領域は、「コピーウィンドウ」ｗと呼ばれる。コピーウィンドウｗのサイズは、正確な読み出しのために非常に重要である。上記条件（１）が満たされない場合（コピーウィンドウｗ＝０）、コピーは全く起こらない。一方、大きすぎるコピーウィンドウｗは近接するビット（マーク）とのオーバラップを引き起こし、付加的な「干渉ピーク」へと導く。コピーウィンドウｗのサイズは、温度プロファイルの正確な形状（即ち正確なレーザパワーや周囲の温度）、外部から印加される磁界の強度、及び短距離（長距離）の変化を示す物質パラメータに依存する。

読み出し処理に利用されるレーザパワーは、コピーを可能とするために十分に高いべきである。一方で、より高いレーザパワーは、温度により引き起こされる保磁力プロファイルとビットパターンの漏れ磁界プロファイルとのオーバラップをも増大させる。温度の増大と共に、保磁力Ｈ_Ｃは減少し、漏れ磁界は増大する。当該オーバラップが大きくなりすぎると、近隣のマークによって生成される偽の信号によって、スペースの正確な読み出しはもはや不可能となる。この最大レーザパワーと最小レーザパワーとの間の差がパワーマージンを決定し、該パワーマージンはビット長の減少と共に大きく減少する。実験は、０．１０μｍのビット長が、現在の方法を用いて正しく検出されることを示しているが、それは１％未満の小さなパワーマージンの場合である。かくして、最大の密度のためにはパワーマージンが非常に小さいままであり、そのため読み出しの間の光パワー制御が必須である。

ＭＡＭＭＯＳにおいては、記録されたデータとの外部磁界の同期が重要である。データ依存の磁界切り換えを利用することにより、正確なクロック再生が可能である。更に、高密度における正常な読み出しのために許容されるレーザパワーの範囲は、非常に小さい。しかしながら、読み出しレーザパワーに対するこの敏感さは、記録されたデータからの読み出し信号を利用して、正確なパワー制御ループ即ち動的なコピーウィンドウ制御を達成するために利用されることもできる。このことは、小さな変調成分をレーザパワーに追加し、ＭＡＭＭＯＳ信号のタイミングシフトを引き起こすことにより為される。これらのシフトのロックイン検出は、コピーウィンドウを一定に保つために、レーザパワー、外部磁界又は周囲温度のいずれの変化をも補正するように働くことができる。このようにして、正確で且つ頑強な読み出しが可能であり、従来のシステムよりもかなり高い密度を可能としている。

図２は、一定のレーザパワー、一定の周囲温度、均一なディスク特性、一定の磁界強度、一定のコイル−ディスク間距離等を持つ定常状態の状況における、ＭＡＭＭＯＳディスクの読み出しのための幾つかの重要な信号を示す。一番上のグラフは、記憶層における磁気ビットを示す。２番目のグラフは、磁気ビットパターンとコピーウィンドウとのオーバラップ信号（たたみ込み）を示す。３番目のグラフは外部磁界を示し、一番下のグラフは得られるＭＡＭＭＯＳ信号を示す。前記オーバラップ信号がゼロでない場合、磁区のコピーが起こる。前記外部磁界は、ビット即ち磁区が記憶層からコピーされ読み出し層において拡大されるまで、高く保たれる（図２における太線参照）。次いで、一定の遅延の後、前記外部磁界は反転され、次のビット遷移又は磁区コピーが発生するまで前記磁区は崩壊させられる。

図３は、図２に類似した図を示すが、ここでは、例えばレーザパワーのような制御されるべきパラメータの１つが、例えば上述の動的コピーウィンドウ制御機能によって故意に増大させられる。この増大／減少（ウォブリング）は、例えば小さな振幅を持つ周期的なパターンのような、所定の変化パターンで為される。前記ウォブリングは、ウォブル周波数と同期して、コピーウィンドウにサイズを増大又は減少させる。図２と図３とを比較すると、コピーウィンドウがサイズを増大させた場合、次の遷移が予期されるよりも幾分か早く出現することが明らかとなる。一方、コピーウィンドウがサイズを減少させた場合、次の遷移は僅かに遅延される。これは図３に示された位相エラーΔφである。

この動的制御方法の不利な点は、十分に低いエラーレートが得られるべきである場合、引き起こされるタイミングシフト又は位相シフト即ちエラーΔφは、スペースのランレングス又はパルス位置の増分に比べて小さいべきであるという点である。一方、前記シフトは信頼性高く検出されるために十分に大きいべきであり、かくして可能な記憶密度を制限する。

図４は、コピーウィンドウの種々のサイズ、即ち公称サイズｗ_０、並びに最大及び最小の変調を表すｗ_０＋/−Δｗについて、測定される遅延（図２及び図３における太線）から決定されるスペースのランレングスを横軸に示す。縦の太線ｓ、ｓ＋１、ｓ＋２及びｓ＋３は、公称のスペースのランレングスを示し、周囲のガウス曲線は、正規化された確率分布を表す。一種の「ジッタ」成分として説明されることができる各ガウス曲線の幅は、ディスク（基板、物質）の品質や記録及び読み出し性能等によって、即ち記録された磁区の境界の精度並びにＭＡＭＭＯＳ読み出し処理の精度及び再現性によって決定される。検出の際、各測定されたランレングスは、通常公称のランレングス間の中間に配置された、細い点線で表された決定レベルｎ、ｎ＋１、ｎ＋２及びｎ＋３を有する所定の決定レベルパターンと比較される。ランレングスがレベルｎとｎ＋１との間である場合、該ランレングスは公称値ｓに割り当てられ、ｎ＋１とｎ＋２との間である場合には、公称値ｓ＋１に割り当てられる等する。かくして、ガウス曲線の一部が決定レベルを越えて延在する場合には、このことは偽のランレングス検出のゼロでない可能性を引き起こす。２つの隣接する公称のスペースランレングスの間の距離は、スペース増分又はスペースランレングス量子化ステップとみなされる。

信頼性の高い読み出しのため、（エラー訂正前の）エラーレートは、典型的に１０^−３又は１０^−４よりも低いべきである。当該エラーレートは、対応する決定レベルの外部のガウス曲線の下の総面積に等しい。図４においては、ウィンドウサイズｗ_０が振幅Δｗで変調される場合（公称のスペースのランレングスのシフト即ちエラーΔφ＝Δｗ／２に対応する）にエラーレートのかなりの増大を回避するのに十分にガウス曲線と決定レベルとが離れるように、スペースの増分が十分大きく選択される。

図５は、図４に類似した図を示すが、ここではスペースの増分はより小さく、即ち記録密度はより高い。公称のコピーウィンドウサイズｗ_０についてはエラーレートは依然として低いが、より小さな又は大きなサイズ（ｗ_０＋/−Δｗ）については、ランレングスのかなりの部分が、それぞれ大きすぎる又は小さすぎる値に割り当てられる。減少させられたコピーウィンドウサイズｗ_０−Δｗに対応する真中の曲線においては、大きすぎる値がかなりの数の検出されたスペースのランレングスに割り当てられ得る。一方増大させられたコピーウィンドウサイズｗ_０＋Δｗに対応する一番下の曲線においては、小さすぎる値がかなりの数の検出されたスペースのランレングスに割り当てられ得る。これらのことは、図５において点線の円によって示される。

本発明の目的は、高い記録密度においても、頑強で信頼性の高い読み出し処理が達成される、読み取り方法及び装置を提供することにある。本目的は、請求項１に記載の方法を提供することにより、及び請求項１６に記載の装置を提供することにより達成される。

これにより、決定レベルパターンがコピーウィンドウの変調によって引き起こされるシフトの量を補償するように、前記決定レベルパターンが調節される。前記決定レベルパターンは、誤った検出を防止し又は最小限にし、信号検出及び記憶密度をかなり改善するように調節される。

前記制御情報は、読み出しパルスから導出されるクロック信号の平均位相値に対する、又は記録媒体に備えられるウォブルを備えられたグルーブ若しくはエンボスされたマークの位相に対する、前記読み出しパルスから再生されるクロック信号の位相の逸脱から、又はこれらのいずれかの組み合わせから導出される。

読み出し値は、例えばスペースのランレングス又はパルス位置のようなコードのランレングスであっても良い。従って、位相又はランレングスのシフトのデコードは単純な位相検出に基づくものであり得、検出される位相エラー信号が決定レベルの調節に利用されても良い。

更に、所定のパラメータは、放射パワー及び／又は外部磁界の値に対応しても良い。付加的な変化パターンは、所定の周波数の周期的な変調パターンであっても良く、特性パラメータは、前記周期的な変調パターンの符号及び／又は振幅に対応しても良い。

前記決定レベルパターンは、少なくとも１つの決定レベルを有しても良い。このとき、前記決定レベルパターンの各決定レベルは、それぞれの中間レベルに調節されても良い。前記それぞれの中間レベルは、少なくとも１つの離散的な中間レベルから選択されても良い。かくして、少なくとも１つの離散的な中間レベルは、前記特性パラメータの第１の範囲、例えば上側の範囲に対応する第１の中間レベルと、前記特性パラメータの第２の範囲、例えば下側の範囲に対応する第２の中間レベルとを有しても良い。

所定の前記付加的なパターンは、ＤＣフリーの（DC-free）読み出し信号が得られるように選択され、ここで調節ステップは、中間レベルの各セットについて算出された別個のランニングサム（running
sum）をモニタリングすることにより実行されても良い。前記決定レベルパターンは次いで、例えば前記別個のランニングサムが供給される、それぞれのループフィルタ手段を利用することにより調節されても良い。

上述の離散的な決定レベルの構成に対する代替として、それぞれの中間レベルは連続的なレベル調節によって得られても良い。

前記制御情報は、再生されたクロック信号の位相エラーの最大値の、所定の設定値からの逸脱から得られても良い。

読み取り装置の調節手段は、決定レベルパターンを設定するための比較手段と、前記決定レベルパターンを調節するために利用される少なくとも１つのランニングサムを算出するための合計手段とを有しても良い。更に、前記調節手段は、少なくとも１つのランニングサムをフィルタリングするためのループフィルタを有しても良い。加えて、前記調節手段は、前記少なくとも１つのランニングサムを、前記比較手段の入力信号に加算するための加算手段を有しても良い。当該入力信号は、前記制御情報を生成するために利用されるクロック再生手段の位相ロックループ回路から得られても良い。

本発明の目的、特徴及び利点は、添付する図を参照しながら、以下の本発明の実施例のより具体的な説明から明らかとなるであろう。

図１に示されるようなＭＡＭＭＯＳディスクプレイヤに基づいて実施例が以下に説明される。図１は、好適な実施例によるディスクプレイヤの構成を模式的に示す。前記ディスクプレイヤは、光磁気ディスクのような光磁気記録媒体又は記録担体１０の照射のためのレーザ光放射部を持つ光ピックアップユニット３０を有する。ここで前記光は、記録の間、コードデータと同期された周期を持つパルスに変換されている。前記ディスクプレイヤは更に、光磁気ディスク１０の記録及び再生の間、制御された方法で磁界を印加する磁気ヘッド１２を有する磁界印加部を有する。光ピックアップユニット３０において、レーザはレーザ駆動回路に接続される。該レーザ駆動回路は、記録／読み出し動作の間、記録／読み出しパルス調節ユニット３２から記録及び読み出しパルスを受信し、光ピックアップユニット３０のレーザのパルス振幅及びタイミングを制御する。記録／読み出しパルス調節回路３２は、ＰＬＬ（Phase Locked Loop）回路を有しても良いクロック生成器２６からクロック信号を受信する。

簡潔さのため、図１において磁気ヘッド１２と光ピックアップユニット３０とは、ディスク１０の反対側に示されていることに留意されたい。しかしながら、好適な実施例によれば、これらはディスク１０の同一の側に配置されるべきである。

磁気ヘッド１２はヘッドドライバユニット１４に接続され、記録の間変調器２４から位相調節回路１８を通してコード変換されたデータを受信する。変調器２４は、入力された記録データを規定のコードに変換する。

ヘッドドライバ１４は、再生の間、タイミング回路３４から再生調節回路２０を介してタイミング信号を受信する。再生調節回路２０は、磁気ヘッド１２に供給されるパルスのタイミング及び振幅を調節するための同期信号を生成する。タイミング回路３４は、後述するように、データ読み出し動作から該タイミング回路３４のタイミング信号を導出する。かくして、データ依存の磁界切り換えが達成される。記録／再生スイッチ１６は、記録の間及び再生の間、ヘッドドライバ１４に供給されるべきそれぞれの信号を切り換える又は選択するために備えられる。

更に、光ピックアップユニット３０は、ディスク１０から反射されたレーザ光を検出し、デコーダ２８に供給される対応する読み取り信号を生成する検出器を有する。デコーダ２８は、前記読み取り信号をデコードして出力データを生成する。更に、光ピックアップユニット３０によって生成された前記読み取り信号は、クロック生成器２６に供給される。クロック生成器２６において、ディスク１０のエンボスされたクロックマークから得られたクロック信号が抽出即ち再生される。クロック生成器２６は、同期の目的のため、前記クロック信号を記録パルス調節回路３２及び変調器２４に供給する。とりわけ、データチャネルクロックは、クロック生成器２６のＰＬＬ回路において生成されても良い。クロック生成器２６から得られたクロック信号は、タイミング回路３４によって制御されるデータ依存の切り換え又は同期を支持しても良い基準又は予備同期を提供するため、再生調節回路２０に供給されても良いことは留意されたい。

データ記録の場合には、光ピックアップユニット３０のレーザは、データチャネルクロックの周期に対応する固定された周期で変調され、回転するディスク１０のデータ記録エリア又はスポットは等距離で局所的に加熱される。加えて、クロック生成器２６によって出力されるデータチャネルクロックは、標準クロック周期を持つデータ信号を生成するように変調器２４を制御する。記録データは、前記記録データの情報に対応するバイナリのランレングス情報を得るために、変調器２４によって変調されコード変換される。

光磁気記録媒体１０の構造は、特開２０００−２６００７９に記載された構造に対応しても良い。

図１において、データ依存のタイミング信号を再生調節回路２０に供給するためにタイミング回路３４が備えられている。外部磁界のデータ依存の切り換えは、代わりにタイミング信号がヘッドドライバ１４に供給され、それにより外部磁界のタイミング又は位相を調節することによって達成されても良い。タイミング情報は、ディスク１０上の（ユーザ）データから得られる。このことを達成するため、再生調節回路２０又はヘッドドライバ１４は、通常は拡大方向である外部磁界を供給するように構成される。光ピックアップユニット３０の出力部に接続された入力線においてタイミング回路３４によりＭＡＭＭＯＳ信号の立ち上がり信号端が観測された場合、タイミング信号が再生調節回路２０に供給され、それによりヘッドドライバ１４が短時間の後前記磁界を反転させて読み出し層において拡大された磁区を崩壊させ、そのわずか後に前記磁界を拡大方向に再設定するように制御される。ピーク検出と磁界の再設定との間の総時間は、最大許容コピーウィンドウと、ディスク１０上の１つのチャネルビット長との合計（のディスク線速度倍）に対応するように、タイミング回路３４によって設定される。

更に、読み取りモードにおいて検出されたデータ信号からの情報を利用して、レーザパワー制御信号への例えばウォブル又は変化パターンのような変調の適用、及びコピーウィンドウのサイズｗの連続的な測定を通して、動的なコピーウィンドウの制御機能が提供される。ウォブル周波数がクロック生成器２６のクロック再生ＰＬＬ回路の帯域幅よりも大きい場合、当該ＰＬＬ回路の位相エラーは、予期された遷移位置からの小さな逸脱即ち位相エラーΔφを検出するために利用されることができる。

導入されたウォブル又は変化パターンの周波数の逸脱は、ゼロの平均値を持つべきである。しかしながら、ここで得られる位相エラーΔφは、レーザパワー制御のための絶対的なエラー信号として未だ利用されることはできない。なぜなら絶対スケールのみが知られ、基準（ゼロ又はオフセット）が存在しないからである。即ち、コピーウィンドウのサイズの変化のみが測定され得る。この問題を回避するため、コピーウィンドウのサイズを制御するための制御情報を得るために、温度の関数としてのコピーウィンドウサイズの導関数が測定されることができる。コピーウィンドウサイズの導関数又は変化の量が直接に位相エラーΔφをもたらすという事実のため、検出された位相エラーΔφの振幅が前記導関数に対応し、従ってコピーウィンドウ制御のために利用されることができる。標準状態として、位相エラーΔφの当該振幅は、最初に決定された設定条件又は設定値を満たす必要がある。当該設定値からの逸脱はこのとき、レーザパワー制御処理のための、又は例えば外部磁界の強度のようないずれかの他の適切な読み取りパラメータを制御するための制御信号ＰＥとして利用されることができる。

コイル−ディスク間距離や周囲温度等のようなパラメータの変化によるコピーウィンドウのサイズのいずれの変化も、例えば本例におけるレーザパワーのような制御されたパラメータによって打ち消されることができる。

実施例によれば、図４及び図５に関連して説明された前記決定レベルは、前記変調の符号及び／又は振幅に依存して、従って対応する引き起こされる位相シフトに依存して調節される。

図６は、図４及び図５に類似した、高密度における公称のスペースのランレングスと、実施例による調節された決定レベルパターンとを示す図を示す。図６に示されるように、前記決定レベルパターンの決定レベルは、位相シフト即ちエラーΔφに従って調節される。このことは、変調の間エラーレートを十分に低く保ちつつ、小さなスペースの増分（即ち高密度）の利用を可能とする。好ましくは、切り換えの間のエラーを回避するために、低周波レーザ変調がデータと同期させられる。例えば図５に示されたような「＋」、「０」及び「−」若しくは１以上の中間レベル、又は（例えば正弦変調のための）前記レベルの連続的な調節のような更なるレベルもまた利用されても良い。更に、本方法はパルス位置変調に限定されるものではなく、デコード又は復調のために決定レベルが利用されるあらゆる種類の変調に、より一般的に利用されても良い。

本発明の実施例においては、ビット周波数のＮ／Ｍ倍における矩形波変調が利用されても良い。ここでＭは２よりかなり大きいが、ＰＬＬ回路の帯域幅を超える変調周波数を達成するために十分に小さい。この場合においては、それぞれ前記変調の低い期間即ち範囲（ｗ＝ｗ_０−Δｗ）及び高い期間即ち範囲（ｗ＝ｗ_０＋Δｗ）に対応する、決定レベルの２つのセット「−」及び「＋」（図６を参照）が、ランレングス決定の間に利用される。このとき正確な決定レベルのセットが選択され、前記変調と同期させられる。本実施例においては、パルス位置変調のみが情報を保存するために利用される。即ちスペースのランレングスを分離するために実データを含む短いマークのみが利用される。変調コードは、以降の低い期間が、以降の高い期間におけるデータと同様にＤＣフリーとなるように構成される。この場合において、別個のランニング・ディジタル・サム（ＲＤＳ）がレベルの各セットについて算出されることができ、該ＲＤＳは次いで決定レベルを能動的に調節するためにループフィルタにおいて利用されても良い。

図７は、本発明の実施例による決定レベル調節機能を備えた回路構成の例を示す。図１のピックアップユニット３０から出力された、検出されたＭＡＭＭＯＳランレングス信号は、図１のクロック生成器２６のＰＬＬ回路の位相検出器２６１に供給される。位相検出器２６１において、前記ランレングス信号の位相が、前記ＰＬＬ回路の電圧制御発振器（ＶＣＯ）２６３の出力信号の位相と比較される。加えて、フィードバック信号がクロック分周器２６４に供給され、クロック分周器２６４は前記クロック周波数を分周し、レーザパワー変調のために変調回路２７９へ供給する。前記ランレングス信号と前記フィードバック信号との間の位相差に対応する位相検出器２６１の出力は、前記ＰＬＬ回路において位相制御されるべき所望の周波数を抽出するために、ループフィルタ２６２に供給される。

データ依存の磁界切り換えにより、位相検出器２６１からの位相エラーΔφの高周波成分は、再生されたデータのパルス位置を含む。適切な決定レベルを持つウィンドウ比較器２７１は、どの公称のランレングスが検出されたかを決定する。前記コードはＤＣフリーであるから、例えば期間［−Ｎ，Ｎ］に渡るパルス位置の平均は、レーザパワーが一定である場合にはゼロに等しい。レーザパワーがビットクロックよりもＭ倍小さい周波数で変調させられる場合には、位相検出器２６１からの位相エラーは、同期した低周波レーザパワーエラー情報を含む。該情報は、復調又は混合回路２７４によって復調され、ローパスフィルタ２７６によって抽出される。該回路には、クロック分周器２６４の出力部におけるレーザ変調信号が供給される。前記混合回路とローパスフィルタとの組み合わせは、前記変調周波数のまわりのバンドパスフィルタ（ロックイン検出）と等価なものとして考えることができる。前記抽出された位相エラー信号は次いで、パワー制御のための制御信号ＰＥとして利用される。該信号ＰＥは、例えばフィルタ回路のような平均化回路２８０に供給され、付加的な加算回路２７８において前記レーザパワー変調信号に加算されるべき平均化されたパワー制御信号ＡＬＰを得る。結合されたパワー制御信号は、駆動増幅器２７７を介して、図１のピックアップユニット３０のレーザダイオードに供給される。

前記レーザ変調はまた、図５に示されるように、前記変調の符号に依存してパルス位置をシフトさせる。このことは、以降の低い期間における、及び以降の高い期間における平均パルス位置が、もはやＤＣフリーではないこと、即ちそれぞれＲＤＳ＞０及びＲＤＳ＜０であることを意味する。

本発明の実施例においては、それぞれの合計回路ＲＤＳ１及びＲＤＳ２において、それぞれ積分器又はループフィルタ２７２、２７３を利用して、低い及び高い期間又は均一な範囲についてランニング・ディジタル・サム（ＲＤＳ）が決定されモニタリングされる。これらのＲＤＳ値は次いで、検出されたパルス位置がＤＣフリーとなるように、ウィンドウ比較器２７１の決定レベルを調節するために利用される。換言すれば、ループフィルタ２７２及び２７３は、ウィンドウ比較器２７１の決定レベルに供給されるべき適切なオフセット（理想的には図６に示される±Δφ）を生成することにより、それぞれのＲＤＳ値を最小化するように構成される。決定レベル調節は、加算回路２７５が、選択されたそれぞれのフィルタリングされたＲＤＳ値を、位相検出器２６１の出力部において得られた位相エラー信号に加算するように構成されることにより達成される。図７に示されるように、レーザ変調信号が、制御された切り換え装置を利用して、対応するＲＤＳ及びオフセット値を選択するために利用される。これにより、例えばレベル「＋」又は「−」のような実際の範囲に対応するＲＤＳ値が、変調信号と同期して選択されることができる。好ましくは、ディジタルフィルタであっても良いループフィルタ２７２及び２７３は、これらのフィルタが信号を受信しない期間の間クランプされる。

本発明は、読み出されたデータを検出又はデコードするために決定レベルパターンが利用される磁区拡大光磁気ディスク記憶システムのためのいずれの読み取りシステムにも適用されても良いことに留意されたい。いずれの適切な読み取りパラメータも、コピーウィンドウサイズを制御するために変化させられても良い。更に、いずれの適切な変化又は変調パターンもが、読み出し信号の位相エラーを引き起こすために選択された読み取りパラメータに加えられても良く、このとき前記変化パターンのいずれの特性値もが、提案された決定レベル調節のために利用されても良い。前記決定レベル調節は、前記変化パターンの選択された特性値に対応する信号のいずれの論理演算処理に基づいても良い。それ故、ブロックＲＤＳ１、ＲＤＳ２、２７１乃至２７３及び２７５から成るＲＤＳループは、前記決定レベルの線形又は非線形のシフトを生成できる、ハードウェア又はソフトウェアによって制御されたアナログ又はディジタル処理回路によって置き換えられても良い。その上、上述の実施例において提案されたオフセット制御の代わりに、それぞれの基準信号の制御又は基準信号調節回路によって、ウィンドウ比較器２７１において前記決定レベルが調節されても良い。

本発明の実施例による光磁気ディスクプレイヤの模式的な図である。 所定の一定のコピーウィンドウサイズについての、ＭＡＭＭＯＳ読み出し方式の特徴的な信号を示す図である。 検出されるスペースのランレングスにおけるシフトを引き起こす変調されたコピーウィンドウサイズについての、ＭＡＭＭＯＳ読み出し方式の特徴的な信号を示す図である。 低密度における公称のスペースのランレングス及び対応する決定レベルパターンを示す図である。 高密度における公称のスペースのランレングス及び対応する決定レベルパターンを示す図である。 高密度における公称のスペースのランレングス、及び本発明の実施例による調節された決定レベルパターンを示す図である。 本発明の実施例による調節可能な決定レベルパターンを用いた、ランレングス決定回路の模式的なブロック図である。

Claims (21)

1. 光磁気記録媒体を読み取る方法であって、前記記録媒体は記憶層及び読み出し層を有し、放射パワーによる加熱の際に外部磁界を利用して前記記憶層から前記読み出し層へマーク領域をコピーすることによって、読み出しパルスをもたらす拡大された磁区が前記読み出し層において生成され、前記方法は、
   前記読み出しパルスから導出される制御情報に応じて所定の読み取りパラメータを変化させることにより、前記コピーのプロセスの空間的なコピーウィンドウのサイズを制御するステップと、
   前記所定のパラメータに所定の付加的な変化パターンを加えるステップと、
   前記付加的な変化のパターンの特性パラメータに依存して、読み出し値を決定するために利用される決定レベルパターンを調節するステップと、
   を有する方法。
2. 前記制御情報は、前記読み出しパルスから再生されるクロック信号の位相の、前記読み出しパルスから導出されるクロック信号の平均位相値に対する逸脱から導出される、請求項１に記載の方法。
3. 前記制御情報は、前記読み出しパルスから再生されるクロック信号の位相の、前記記録媒体上に備えられたウォブルを一連のエンボスされたマーク又は備えられたグルーブの位相に対する逸脱から導出される、請求項１又は２に記載の方法。
4. 前記読み出し値はコードのランレングスである、請求項１に記載の方法。
5. 前記コードのランレングスは、スペースのランレングス又はパルス位置である、請求項４に記載の方法。
6. 前記所定のパラメータは、前記放射パワー及び／又は前記外部磁界の値に対応する、請求項１に記載の方法。
7. 前記付加的な変化パターンは、所定の周波数を持つ周期的な変調パターンであり、前記特性パラメータは、前記周期的な変調パターンの符号及び／又は振幅に対応する、請求項１に記載の方法。
8. 前記決定レベルパターンは、少なくとも１つの決定レベルを有する、請求項１に記載の方法。
9. 前記決定レベルパターンの決定レベルは、それぞれの中間レベルに調節される、請求項８に記載の方法。
10. 前記それぞれの中間レベルは、少なくとも１つの離散的な中間レベルから選択される、請求項９に記載の方法。
11. 前記少なくとも１つの離散的な中間レベルは、前記特性パラメータの第１の範囲に対応する第１の中間レベルと、前記特性パラメータの第２の範囲に対応する第２の中間レベルとを有する、請求項１０に記載の方法。
12. 前記所定の付加的なパターンはＤＣフリーの読み出しデータが得られるように選択され、前記調節するステップは、中間レベルの各セットについて算出されたランニングサムのモニタリングによって実行される、請求項９に記載の方法。
13. 前記決定レベルパターンは、別個の前記ランニングサムが供給されるそれぞれのループフィルタ手段によって調節される、請求項１２に記載の方法。
14. 前記それぞれの中間レベルは、連続的なレベル調節によって得られる、請求項９に記載の方法。
15. 前記制御情報は、前記再生されたクロック信号の位相エラーの最大値の、所定の設定値からの逸脱から得られる、請求項１に記載の方法。
16. 光磁気記録媒体から読み取るための読み取り装置であって、前記記録媒体は記憶層及び読み出し層を有し、放射パワーによる加熱の際に外部磁界を利用して前記記憶層から前記読み出し層へマーク領域をコピーすることによって、読み出しパルスをもたらす拡大された磁区が前記読み出し層において生成され、前記装置は、
    前記読み出しパルスから導出される制御情報に応じた所定の読み取りパラメータの変化によって、前記コピーのプロセスの空間的なコピーウィンドウのサイズを制御する制御手段と、
    前記所定のパラメータに所定の付加的な変化パターンを加える変化手段と、
    前記付加的な変化パターンの特性パラメータに依存して、読み出し値を決定するために利用される決定レベルパターンを調節する調節手段と、
    を有する装置。
17. 前記調節手段は、前記決定レベルパターンを設定するための比較手段と、前記決定レベルパターンを調節するために利用される少なくとも１つのランニングサムを算出するための合計手段とを有する、請求項１６に記載の読み取り装置。
18. 前記調節手段は、前記少なくとも１つのランニングサムをフィルタリングするループフィルタ手段を有する、請求項１７に記載の読み取り装置。
19. 前記調節手段は、前記少なくとも１つのランニングサムを、前記比較手段の入力信号に加算する加算手段を有する、請求項１７又は１８に記載の読み取り装置。
20. 前記入力信号は、前記制御情報を生成するために利用されるクロック再生手段の位相ロックループ回路から得られる、請求項１６に記載の読み取り装置。
21. 前記変化手段は、所定の周波数の周期的なパターンを、前記所定の付加的な変化のパターンとして利用するように構成される、請求項１６に記載の読み取り装置。
    

Images