JP2006332351A - Substrate for mounting light-emitting element, and light-emitting device - Google Patents

Substrate for mounting light-emitting element, and light-emitting device Download PDF

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和久 糸井
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate for mounting a light-emitting element which is provided with high inductive performance for a light emitted from the light-emitting element and is excellent in long-term reliability of inductive performance when the light-emitting element is placed, and to provide a light-emitting device formed by utilizing this substrate for mounting a light-emitting element and having excellent directivity. <P>SOLUTION: This substrate 11A for mounting a light-emitting element is provided with a wiring substrate (substrate 10) in which at least two first conductive sections 22a, 22b are arranged on one surface and a region 33 for placing the light-emitting element is provided on any one of the first conductive sections or the one surface; and an insulator 30 having a convex shape from the one surface of the wiring substrate so as to surround the region or segment the region from other regions. The substrate 11A is further provided with a reflector 16 so as to cover at least part of the insulator seen from the region. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、発光素子を載置する発光素子実装用基板と、この発光素子実装用基板の上にLED等の発光素子からなる光学部品を実装した発光装置に関する。   The present invention relates to a light-emitting element mounting substrate on which a light-emitting element is placed, and a light-emitting device in which an optical component including a light-emitting element such as an LED is mounted on the light-emitting element mounting substrate.

近年、基板上に、たとえばLED等の光学部品を直接実装する方法が開発されている。この方法では、絶縁樹脂層と電解銅メッキからなる配線層の形成、LED等の光学部品の搭載、およびそれぞれの端子からワイヤーボンドで外部への接続端子の取り出し、によるウェハレベルパッケージ加工によって、基板上に土台と配線を形成する。
また、光の指向性に優れた発光装置の一例として、絶縁金属基板に凹部を設け、この凹部底面に発光素子を配置し、この凹部の側壁面が光を反射するように工夫した構成が提案されている(例えば、特許文献1参照)。
さらに、基板の凹部または凸部に配した発光素子の周りに、発光素子が発する光を反射する金属製の放熱体を配置した照明装置も提案されている(例えば、特許文献2参照)。
In recent years, methods for directly mounting optical components such as LEDs on a substrate have been developed. In this method, the substrate is formed by wafer level package processing by forming a wiring layer composed of an insulating resin layer and electrolytic copper plating, mounting optical components such as LEDs, and taking out connection terminals to the outside by wire bonding from the respective terminals. Form the foundation and wiring on top.
In addition, as an example of a light emitting device with excellent light directivity, a configuration is proposed in which a concave portion is provided on an insulating metal substrate, a light emitting element is disposed on the bottom surface of the concave portion, and the side wall surface of the concave portion reflects light. (For example, refer to Patent Document 1).
Furthermore, an illuminating device has also been proposed in which a metal radiator that reflects light emitted from the light emitting element is disposed around the light emitting element disposed in the concave portion or convex portion of the substrate (see, for example, Patent Document 2).

しかしながら、上記構成からなる発光装置または照明装置とするためには、発光素子を載置するベースとして機能する基板自体をエッチング処理したり、あるいはプレス成形する等の加工を施す必要があるので、これら加工に起因したそりやゆがみ等が基板自体に発生し易く、あるいは基板内に残存した加工歪みが長期に渡り基板自体が変形したり、変動する要因となる。その結果、これに起因して基板上に設けた発光素子から出射される光の進行方向が変化したり、この光を反射させるために基板に設けた反射体と発光素子との相対位置関係が変化することにより、発光素子から出射される光の光路が定まらず、長期的に不安定となる虞があった。ゆえに、発光特性の長期安定性に優れた発光装置や照明装置を量産することは極めて困難であった。
特開平5−11718号公報 特開平11−163412号公報
However, in order to obtain a light-emitting device or a lighting device having the above-described configuration, it is necessary to perform processing such as etching processing or press molding on the substrate itself that functions as a base on which the light-emitting element is placed. Warpage or distortion due to processing is likely to occur in the substrate itself, or processing distortion remaining in the substrate causes the substrate itself to be deformed or fluctuated over a long period of time. As a result, the traveling direction of the light emitted from the light emitting element provided on the substrate changes due to this, or the relative positional relationship between the reflector provided on the substrate and the light emitting element for reflecting this light is changed. By changing, the optical path of the light emitted from the light emitting element is not fixed, and there is a possibility that it becomes unstable in the long term. Therefore, it has been extremely difficult to mass-produce light-emitting devices and lighting devices that have excellent long-term stability of light-emitting characteristics.
JP-A-5-11718 Japanese Patent Laid-Open No. 11-163212

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、発光素子を載置した際に、発光素子の発した光に対する高い誘導性を備えるとともに、誘導性の長期信頼性にも優れた発光素子実装用基板を提供することを第一の目的とする。また本発明は、この発光素子実装用基板を用いてなる、優れた指向性を有する発光装置を提供することを第二の目的とする。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and has a high inductivity with respect to light emitted from the light-emitting element when the light-emitting element is mounted, and a light-emitting element excellent in inductive long-term reliability. A first object is to provide a mounting substrate. A second object of the present invention is to provide a light-emitting device having excellent directivity using this light-emitting element mounting substrate.

本発明の請求項1に係る発光素子実装用基板は、一面に少なくとも2つの第一導電部が配され、該第一導電部の一方又は前記一面には発光素子を載置するための領域が設けられている配線基板と、前記領域を取り囲むように、または前記領域を他の領域と区切るように、前記配線基板の一面から凸状をなす絶縁体と、を備えており、さらに、前記領域から見える、前記絶縁体の少なくとも一部を覆うように反射体が設けられていることを特徴とする。   In the light emitting element mounting substrate according to claim 1 of the present invention, at least two first conductive portions are arranged on one surface, and one or the one surface of the first conductive portion has a region for mounting the light emitting element. A wiring board provided, and an insulator that protrudes from one surface of the wiring board so as to surround the region or to divide the region from another region, and further, the region A reflector is provided so as to cover at least a part of the insulator visible from the side.

本発明の請求項2に係る発光素子実装用基板は、請求項1において、前記絶縁体が前記領域を個別に取り囲むように設けられた場合には、前記領域は前記絶縁体からなる矩形状の凹部内に位置することを特徴とする。   The light emitting element mounting substrate according to claim 2 of the present invention is the light emitting element mounting substrate according to claim 1, wherein when the insulator is provided so as to individually surround the region, the region has a rectangular shape made of the insulator. It is located in a recessed part.

本発明の請求項3に係る発光素子実装用基板は、請求項1において、前記絶縁体が前記領域を他の領域と区切るように設けられた場合には、前記領域は前記絶縁体間のライン状の凹部内に位置することを特徴とする。   The light-emitting element mounting substrate according to claim 3 of the present invention is the light-emitting element mounting substrate according to claim 1, wherein the region is a line between the insulators when the insulator is provided so as to divide the region from other regions. It is characterized by being located in a concave portion.

本発明の請求項4に係る発光素子実装用基板は、請求項1において、前記凸状をなす絶縁体は、前記配線基板の一部にのみ設けられていることを特徴とする。   The light emitting element mounting substrate according to claim 4 of the present invention is characterized in that, in claim 1, the convex insulator is provided only on a part of the wiring substrate.

本発明の請求項5に係る発光素子実装用基板は、請求項1において、前記反射体は、前記領域から見える、前記絶縁体の全域に設けられていることを特徴とする。   The substrate for mounting a light emitting element according to claim 5 of the present invention is characterized in that, in claim 1, the reflector is provided in the entire area of the insulator visible from the region.

本発明の請求項6に係る発光素子実装用基板は、請求項1において、前記凸状をなす絶縁体の上部に一端が配され、前記第一導電部の他方に他端が電気的に接続される第二導電部が設けられていることを特徴とする。   A light-emitting element mounting substrate according to a sixth aspect of the present invention is the light-emitting element mounting substrate according to the first aspect, wherein one end is disposed on an upper portion of the convex insulator and the other end is electrically connected to the other of the first conductive portion. The second conductive portion is provided.

本発明の請求項7に係る発光素子実装用基板は、請求項6において、前記第二導電部が前記反射体と同一部材であることを特徴とする。   The light emitting element mounting substrate according to claim 7 of the present invention is characterized in that, in claim 6, the second conductive portion is the same member as the reflector.

本発明の請求項8に係る発光装置は、請求項1乃至7のいずれか1項に記載の発光素子実装用基板を構成する前記領域に発光素子が設けられていることを特徴とする。   A light emitting device according to an eighth aspect of the present invention is characterized in that a light emitting element is provided in the region constituting the light emitting element mounting substrate according to any one of the first to seventh aspects.

本発明によれば、発光素子を載置するための領域が設けられている配線基板上に、前記領域を取り囲むように、または前記領域を他の領域と区切りように、前記配線基板の一面から凸状をなす絶縁体を備えると共に、前記領域から見える、前記絶縁体の少なくとも一部を覆うように反射体が設けられているので、配線基板自体に対してエッチング処理やプレス成形等の加工を施すことなく、配線基板上に反射体を配置することができる。ゆえに、このような加工の影響を発光素子と反射体との相対的な位置関係が変動しないので、配線基板上の前記領域に発光素子を載置するだけで、発光素子の発した光を外部に安定した光路に沿って誘導できる発光素子実装用基板が得られる。   According to the present invention, on the wiring board on which the region for mounting the light emitting element is provided, from one surface of the wiring board so as to surround the region or to separate the region from other regions. Since a reflector is provided so as to cover at least a part of the insulator, which is visible from the region, and includes a convex insulator, the wiring board itself is subjected to processing such as etching and press molding. A reflector can be disposed on the wiring board without application. Therefore, since the relative positional relationship between the light emitting element and the reflector does not fluctuate due to the influence of such processing, the light emitted from the light emitting element can be transmitted to the outside only by placing the light emitting element in the region on the wiring board. A light emitting element mounting substrate that can be guided along a stable optical path is obtained.

本発明に係る発光装置は、上述した発光素子実装用基板を構成する前記領域に発光素子が設けられているので、発光素子の発した光を外部に誘導する優れた指向性を備えた発光装置が得られる。特に、この構成を採用した発光素子実装用基板は、反射体を設けるにあたり基板自体に加工を施していないので、加工に起因したそりやゆがみ等が発生せず、また基板内に残存した加工歪みが長期に渡る変動要因となる虞もないので、本発明は長期安定性や長期信頼性に優れた発光装置の提供に寄与する。   In the light emitting device according to the present invention, since the light emitting element is provided in the region constituting the substrate for mounting the light emitting element, the light emitting device having excellent directivity for guiding the light emitted from the light emitting element to the outside. Is obtained. In particular, a substrate for mounting a light-emitting element using this configuration is not processed on the substrate itself when providing a reflector, so that warpage or distortion caused by the processing does not occur, and the remaining processing distortion in the substrate. Therefore, the present invention contributes to the provision of a light emitting device with excellent long-term stability and long-term reliability.

以下、最良の形態に基づき、図面を参照して本発明を説明する。
図1および図2は、本発明による第一例の発光素子実装用基板を用いた発光装置を示す図面であり、図1は概略平面図、図2は図1のA−A線に沿う断面図である。
The present invention will be described below with reference to the drawings based on the best mode.
1 and 2 are views showing a light emitting device using a light emitting element mounting substrate of a first example according to the present invention, FIG. 1 is a schematic plan view, and FIG. 2 is a cross section taken along the line AA of FIG. FIG.

以下に述べる第一例の実施形態は、発光素子を個別に取り囲むように絶縁体を設け、発光素子を載置するための領域として平面矩形状をした凹部を基板上の一部に形成し、発光素子から見える絶縁体の部分を反射体で覆うようにした例である。   In the embodiment of the first example described below, an insulator is provided so as to individually surround the light emitting elements, and a concave portion having a planar rectangular shape as a region for mounting the light emitting elements is formed on a part of the substrate. This is an example in which a portion of the insulator visible from the light emitting element is covered with a reflector.

すなわち、第一例の実施形態における発光装置1Aは、たとえば一面に2つの第一導電部22a、22bが配され、発光素子23を載置するための領域33が一方の第一導電部22a上に設けられている配線基板10Aと、前記領域33を取り囲むように配線基板10Aの一面から凸状をなして設けられた絶縁体30と、絶縁体30の上部に一端が配され、他方の第一導電部22bに他端が電気的に接続される第二導電部32と、さらに、前記領域33から見える、前記絶縁体30の少なくとも一部を覆うように設けられた反射体16と、を備えている。したがって、この発光装置1Aに用いられている発光素子実装用基板11Aは、上記領域33内に発光素子23が載置されていない状態の基板をいう。   That is, in the light emitting device 1A according to the first embodiment, for example, two first conductive portions 22a and 22b are arranged on one surface, and a region 33 on which the light emitting element 23 is placed is on one first conductive portion 22a. The wiring board 10A provided on the insulating board 30, the insulator 30 provided so as to protrude from one surface of the wiring board 10A so as to surround the region 33, and one end disposed on the top of the insulator 30. A second conductive portion 32 whose other end is electrically connected to one conductive portion 22b, and a reflector 16 that is visible from the region 33 and is provided so as to cover at least a part of the insulator 30. I have. Therefore, the light emitting element mounting substrate 11A used in the light emitting device 1A is a substrate in which the light emitting element 23 is not placed in the region 33.

本発明において、配線基板10Aは、発光素子23を実装する基材である。この配線基板10Aの一面に配された2つの第一導電部22a,22bは、発光素子23と接続される再配線層である。この第一導電部22a,22bの材料としては、例えばCu等が用いられ、その厚さは例えば0.1〜10μmである。これにより充分な導電性が得られる。第一導電部22a,22bは、例えば、電解銅メッキ法等のメッキ法、スパッタリング法、蒸着法、または2つ以上の方法の組み合わせにより形成することができる。   In the present invention, the wiring board 10 </ b> A is a base material on which the light emitting element 23 is mounted. The two first conductive portions 22 a and 22 b arranged on one surface of the wiring board 10 </ b> A are rewiring layers connected to the light emitting element 23. For example, Cu or the like is used as the material of the first conductive portions 22a and 22b, and the thickness thereof is, for example, 0.1 to 10 μm. Thereby, sufficient conductivity can be obtained. The first conductive portions 22a and 22b can be formed by, for example, a plating method such as an electrolytic copper plating method, a sputtering method, a vapor deposition method, or a combination of two or more methods.

また、配線基板10Aは、セラミックやガラス、ポリイミド等の絶縁性基板の他に、シリコンウェハ等の半導体ウェハでもよく、半導体ウェハをチップ寸法に切断(ダイシング)した半導体チップであってもよい。半導体基板が半導体チップである場合は、まず、半導体ウェハの上に、各種半導体素子やIC、誘導素子等を複数組、形成した後、チップ寸法に切断することで複数の半導体チップを得ることができる。   Further, the wiring substrate 10A may be a semiconductor wafer such as a silicon wafer in addition to an insulating substrate such as ceramic, glass, and polyimide, or may be a semiconductor chip obtained by cutting (dicing) the semiconductor wafer into chip dimensions. When the semiconductor substrate is a semiconductor chip, first, a plurality of semiconductor elements, ICs, induction elements, etc. are formed on a semiconductor wafer and then cut into chip dimensions to obtain a plurality of semiconductor chips. it can.

絶縁体30は、発光素子23を個別に取り囲むように配線基板10Aの上方に突出して設けられ、平面矩形状をした凹部を形成する。この凹部が、発光素子23を載置するための領域33を構成する。絶縁体30は、例えばポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂等からなり、その厚さは例えば400〜500μmとすると良い。この絶縁体30は、たとえばフォトリソグラフィ法などにより形成することができる。この凹部の深さは、発光素子23の高さと同等か、それより深くすると、横方向に漏れる光を効率的に指向させることができるので望ましい。   The insulator 30 is provided so as to protrude above the wiring substrate 10A so as to individually surround the light emitting elements 23, and forms a concave portion having a planar rectangular shape. This recess constitutes a region 33 on which the light emitting element 23 is placed. The insulator 30 is made of, for example, polyimide resin, epoxy resin, silicon resin, or the like, and the thickness thereof is preferably 400 to 500 μm, for example. The insulator 30 can be formed by, for example, a photolithography method. It is desirable that the depth of the recess be equal to or greater than the height of the light emitting element 23 because light leaking in the lateral direction can be efficiently directed.

第二導電部32は、絶縁体30の上面と配線基板10Aとを電気的に接続するものであり、材料としては、例えばCuやAl等が用いられ、その厚さは例えば0.1〜10μmである。これにより充分な導電性が得られる。第二導電部32は、例えば電解銅メッキ法等のメッキ法、スパッタリング法、蒸着法、または2つ以上の方法の組み合わせにより形成することができる。   The second conductive portion 32 electrically connects the upper surface of the insulator 30 and the wiring substrate 10A, and as a material, for example, Cu or Al is used, and the thickness thereof is, for example, 0.1 to 10 μm. It is. Thereby, sufficient conductivity can be obtained. The second conductive portion 32 can be formed by, for example, a plating method such as an electrolytic copper plating method, a sputtering method, a vapor deposition method, or a combination of two or more methods.

反射体16は、発光素子23から発散する光を反射し、効率良く利用するように形成されている。反射体16は、例えばAl等からなり、その厚さは例えば0.1〜10μmとすると良い。この反射体16は、例えば電解銅メッキ法等のメッキ法、スパッタリング法、蒸着法、または2つ以上の方法の組み合わせにより形成することができる。また、反射体16は、第二導電部32と同一部材とし、同一工程で配線22とともに形成するようにしても良い。これにより、工程の簡略化が行われる。   The reflector 16 is formed so as to reflect the light emitted from the light emitting element 23 and use it efficiently. The reflector 16 is made of, for example, Al, and the thickness thereof is preferably 0.1 to 10 μm, for example. The reflector 16 can be formed by, for example, a plating method such as an electrolytic copper plating method, a sputtering method, a vapor deposition method, or a combination of two or more methods. The reflector 16 may be the same member as the second conductive portion 32 and may be formed together with the wiring 22 in the same process. This simplifies the process.

発光素子23は、電流を流すことによって発光する光半導体であり、本実施形態では、表面実装型の発光ダイオード(LED)が用いられる。発光素子23は、例えばボンディングワイヤ24などによってその上面側で第二導電部32と適宜接続され、配線基板10Aに電気的に接続される。また、発光素子23と第二導電部32は、上面側で接続されるものに限らず、発光素子23の下面側で適宜第二導電部32と接続されるようにしても良い。これにより、ボンディングワイヤ用のパッドを省略することができる。   The light emitting element 23 is an optical semiconductor that emits light when an electric current is passed. In the present embodiment, a surface mount type light emitting diode (LED) is used. The light emitting element 23 is appropriately connected to the second conductive portion 32 on the upper surface side thereof by, for example, a bonding wire 24 and is electrically connected to the wiring board 10A. The light emitting element 23 and the second conductive portion 32 are not limited to being connected on the upper surface side, and may be appropriately connected to the second conductive portion 32 on the lower surface side of the light emitting element 23. Thereby, the pad for bonding wires can be omitted.

次に、図1および図2に示す発光装置1Aの製造方法について説明する。
図3〜図11は、上記発光装置の製造方法の一例を工程順に示す模式的断面図である。図3〜図11の断面図は、図1のA−A線に沿う位置の断面を示す。
Next, a method for manufacturing the light emitting device 1A shown in FIGS. 1 and 2 will be described.
3 to 11 are schematic cross-sectional views illustrating an example of the manufacturing method of the light-emitting device in the order of steps. The cross-sectional views of FIGS. 3 to 11 show a cross section at a position along the line AA of FIG.

まず、発光素子23を実装する基材としての基板10を用意する。この基板10は、例えばセラミックやガラス、ポリイミド等の絶縁性基板等からなり、その厚さは例えば100〜1000μmとすると良い。   First, the substrate 10 as a base material on which the light emitting element 23 is mounted is prepared. The substrate 10 is made of, for example, an insulating substrate such as ceramic, glass, or polyimide, and the thickness thereof is preferably set to 100 to 1000 μm, for example.

次いで、図3に示すように、基板10の上に、電解めっき用の薄いシード層20を形成する。シード層20は、基板10上の全面または必要な領域に形成する。このシード層20は、例えばスパッタ法により形成されたCu層及びCr層からなる積層体、またはCu層及びTi層からなる積層体である。また、無電解Cuメッキ層でもよいし、蒸着法、塗布法または化学気相成長法(CVD)等により形成された金属薄膜層であってもよいし、上記の金属層形成方法を組み合わせてもよい。   Next, as shown in FIG. 3, a thin seed layer 20 for electrolytic plating is formed on the substrate 10. The seed layer 20 is formed on the entire surface of the substrate 10 or a necessary region. The seed layer 20 is, for example, a laminated body made of a Cu layer and a Cr layer formed by sputtering, or a laminated body made of a Cu layer and a Ti layer. Further, it may be an electroless Cu plating layer, a metal thin film layer formed by a vapor deposition method, a coating method, a chemical vapor deposition method (CVD), or the like, or a combination of the above metal layer forming methods. Good.

次いで、図4に示すように、シード層20の上に、電解メッキ用のレジスト膜21を形成する。このレジスト膜21には、2つの第一導電部22a,22bの形成すべき領域に開口部を設け、該開口部において前記シード層20を露出させておく。レジスト膜21は、例えばフィルムレジストをラミネートする方法、液体レジストを回転塗布する方法等により形成することができる。   Next, as shown in FIG. 4, a resist film 21 for electrolytic plating is formed on the seed layer 20. The resist film 21 is provided with an opening in a region where the two first conductive portions 22a and 22b are to be formed, and the seed layer 20 is exposed in the opening. The resist film 21 can be formed by, for example, a method of laminating a film resist or a method of spin-coating a liquid resist.

次に、図5に示すように、前記レジスト膜21をマスクとして露出したシード層20上に、電解めっき法等によりCu等から構成された第一導電部22a,22bを形成する。
そして、所望の領域に第一導電部22a,22bが形成された後、図6に示すように、不要なレジスト膜21及びシード層20をエッチングにより除去し、第一導電部22a,22bが形成された領域以外の部分では基板10が露出されるように回路形成を行なう。
Next, as shown in FIG. 5, on the seed layer 20 exposed using the resist film 21 as a mask, first conductive portions 22a and 22b made of Cu or the like are formed by electrolytic plating or the like.
Then, after the first conductive portions 22a and 22b are formed in desired regions, as shown in FIG. 6, the unnecessary resist film 21 and seed layer 20 are removed by etching to form the first conductive portions 22a and 22b. Circuit formation is performed so that the board | substrate 10 is exposed in parts other than the performed area | region.

次いで、図7に示すように、基板10の上に、均一厚となるように絶縁体30層を形成する。この絶縁体30層は、例えばポリイミドやエポキシ等の感光性樹脂よりなり、その厚さは例えば400〜500μmとすると良い。このような絶縁体30層は、例えば回転塗布法やラミネート法、印刷法等により基板10上の全面に成膜することができる。また、絶縁体30層は、ポリイミドやエポキシ等の絶縁フィルムを基板10の上に貼り合わせることで形成するようにしてもよい。   Next, as shown in FIG. 7, an insulator 30 layer is formed on the substrate 10 so as to have a uniform thickness. The insulator 30 layer is made of, for example, a photosensitive resin such as polyimide or epoxy, and the thickness thereof is preferably set to 400 to 500 μm, for example. Such an insulator 30 layer can be formed on the entire surface of the substrate 10 by, for example, a spin coating method, a laminating method, a printing method, or the like. The insulator 30 layer may be formed by bonding an insulating film such as polyimide or epoxy on the substrate 10.

次に、図8に示すように、基板10上に、上方へ突出した凸状の絶縁体30を形成する。凸状の絶縁体30は、フォトリソグラフィ技術を利用してパターニングにより形成できる。たとえば基板10上に塗布された感光性樹脂よりなる絶縁体30上にフォトレジストを塗布してフォトレジスト膜を成膜し、このレジスト膜上にマスクを被せて露光し、露光された部分を薬液で溶かしてレジストマスクを形成する。続いて、このレジストマスクを介して感光性樹脂層をエッチングすることで形成する。そして、この突部の上面に残存するレジストマスクを除去して、その後焼成することで樹脂製凸部を完成する。   Next, as shown in FIG. 8, a convex insulator 30 protruding upward is formed on the substrate 10. The convex insulator 30 can be formed by patterning using a photolithography technique. For example, a photoresist is applied on the insulator 30 made of a photosensitive resin applied on the substrate 10 to form a photoresist film, and the resist film is covered with a mask and exposed, and the exposed portion is treated with a chemical solution. To form a resist mask. Subsequently, the photosensitive resin layer is formed by etching through this resist mask. Then, the resist mask remaining on the upper surface of the protrusion is removed and then baked to complete the resin protrusion.

次に、図9に示すように、第一導電部22a,22bおよび突出した凸状の絶縁体30上に、例えばスパッタ法により電解めっき用の薄いシード層(図示せず)を形成し、このシード層の上に、電解メッキ用のレジスト膜31を形成する。このレジスト膜31は、反射体16および第二導電部32を形成すべき領域に開口部を設け、該開口部において前記シード層を露出させておく。この実施形態では、凸状の絶縁体30により形成された平面矩形状をした凹部、すなわち発光素子23を載置するための領域33内の側面に反射体16が形成されるものとなる。なお、この場合、平面円形状をした凹部としても良いが、発光素子を近接して密に設計することができないので、平面矩形状をした凹部とする方が全体的に小型化でき望ましい。   Next, as shown in FIG. 9, a thin seed layer (not shown) for electrolytic plating is formed on the first conductive portions 22a and 22b and the protruding convex insulator 30 by, for example, a sputtering method. A resist film 31 for electrolytic plating is formed on the seed layer. In the resist film 31, an opening is provided in a region where the reflector 16 and the second conductive portion 32 are to be formed, and the seed layer is exposed in the opening. In this embodiment, the reflector 16 is formed on a concave portion having a planar rectangular shape formed by the convex insulator 30, that is, on the side surface in the region 33 on which the light emitting element 23 is placed. In this case, a concave portion having a planar circular shape may be used. However, since the light emitting elements cannot be closely designed closely, it is desirable that the concave portion has a planar rectangular shape because the overall size can be reduced.

引き続き、図10に示すように、前記レジスト膜31をマスクとして露出した第一導電部22a上における発光素子搭載箇所に反射体16を形成するとともに、電解めっき法等によりCu等から構成された第二導電部32を所定箇所に形成する。また、第二導電部32は、Au等によって形成しても良い。第二導電部32は、電解めっき法の他、たとえばスパッタリング法、蒸着法、または2つ以上の方法の組み合わせにより形成することができる。   Subsequently, as shown in FIG. 10, the reflector 16 is formed on the light-emitting element mounting portion on the first conductive portion 22a exposed using the resist film 31 as a mask, and the first electrode made of Cu or the like is formed by electrolytic plating or the like. The two conductive portions 32 are formed at predetermined positions. Further, the second conductive portion 32 may be formed of Au or the like. In addition to the electrolytic plating method, the second conductive portion 32 can be formed by, for example, a sputtering method, a vapor deposition method, or a combination of two or more methods.

次いで、図11に示すように、所望の領域に反射体16および第二導電部32が形成された後、不要なレジスト膜31及びシード層(図示せず)はエッチングにより除去することで、この発光装置1Aに用いられる発光素子実装用基板11Aとする。
その後、反射体16が形成された発光素子23を載置するための領域33内に発光素子23を搭載し、発光素子23と第二導電部32とをボンディングワイヤ24によって電気的に接続することにより、図1および図2に示す発光装置1Aが製造される。
Next, as shown in FIG. 11, after the reflector 16 and the second conductive portion 32 are formed in a desired region, the unnecessary resist film 31 and seed layer (not shown) are removed by etching. A light emitting element mounting substrate 11A used in the light emitting device 1A is used.
Thereafter, the light emitting element 23 is mounted in the region 33 for placing the light emitting element 23 on which the reflector 16 is formed, and the light emitting element 23 and the second conductive portion 32 are electrically connected by the bonding wire 24. As a result, the light emitting device 1A shown in FIGS. 1 and 2 is manufactured.

なお、上記第一例の実施形態においては、発光素子を載置するための領域が第一導電部の一方にある形態について詳述したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば図12および図13に示すように、発光素子を載置するための領域が基板10Aの一面にある形態としても構わない。ここで、図12および図13は、本発明に係る発光装置の第一例に関連する変形例を示す図面であり、図12は概略平面図、図13は図12のA’−A’線に沿う断面図である。この場合、第一導電部の一方22aは第一導電部の他方22bと同様に基板10Aの一面に配され、第二導電部32bと同様に、第一導電部の一方22aの上面と絶縁体30の上面とを結ぶように第二導電部32aを設け、さらに発光素子23と第二導電部32a、32bとの間をそれぞれボンディングワイヤ24a、24bによって電気的に接続することにより、図12および図13に示す発光装置1A’が製造される。   In the embodiment of the first example, the embodiment in which the region for mounting the light emitting element is on one side of the first conductive portion has been described in detail, but the present invention is not limited to this, for example, As shown in FIG. 12 and FIG. 13, the area for mounting the light emitting element may be on one surface of the substrate 10 </ b> A. Here, FIG. 12 and FIG. 13 are drawings showing a modification related to the first example of the light emitting device according to the present invention, FIG. 12 is a schematic plan view, and FIG. 13 is a line A′-A ′ in FIG. FIG. In this case, the one 22a of the first conductive part is arranged on one surface of the substrate 10A similarly to the other 22b of the first conductive part, and the upper surface of the one 22a of the first conductive part and the insulator are the same as the second conductive part 32b. The second conductive portion 32a is provided so as to connect to the upper surface of 30, and the light emitting element 23 and the second conductive portions 32a and 32b are electrically connected by bonding wires 24a and 24b, respectively. The light emitting device 1A ′ shown in FIG. 13 is manufactured.

以上のように構成された発光装置1A、1A’は、配線基板自身を加工する必要がないので基板自身にそりが発生する恐れが低減されるとともに、発光素子を載置するための領域を取り囲むように前記配線基板の一面から凸状をなす絶縁体を備え、この絶縁体の少なくとも一部を覆うように反射体を有するので、発光素子から発散する光がこの反射体によって効率良く反射され、指向性が向上した安定した高性能を有する発光装置とすることができる。これに加えて、発光素子を載置するための領域として平面矩形状をした凹部を基板上の一部に形成することにより、それ以外の部分の基板の厚みを薄くし、軽量化を図ることもできる。   Since the light emitting devices 1A and 1A ′ configured as described above do not require processing of the wiring substrate itself, the possibility of warping of the substrate itself is reduced and the region for mounting the light emitting element is surrounded. As described above, since the insulator is formed so as to protrude from one surface of the wiring board and has a reflector so as to cover at least a part of the insulator, light emitted from the light emitting element is efficiently reflected by the reflector, A light-emitting device having stable high performance with improved directivity can be obtained. In addition to this, by forming a concave portion having a planar rectangular shape as a region for mounting the light emitting element on a part of the substrate, the thickness of the other part of the substrate is reduced, and the weight is reduced. You can also.

なお、上記第一例の実施形態を説明する図では、基板10上に発光素子23が1個だけ設けられたものとなっているが、本発明はこれに限らず、基板10上に発光素子23が2個以上設けられたものであっても良い。   In addition, in the figure explaining embodiment of the said 1st example, although the single light emitting element 23 is provided on the board | substrate 10, this invention is not limited to this, The light emitting element on the board | substrate 10 is shown. Two or more 23 may be provided.

また、上記第一例の実施形態においては、感光性樹脂により絶縁体30を形成したが、これに限らず非感光性樹脂を用いて絶縁体30を形成することもできる。以下、その製造方法の相違部分について説明する。図14および図15は、非感光性樹脂を用いて絶縁体30を形成した場合の上記発光装置1Aの製造方法の一例を工程順に示す模式的断面図である。図14および図15の断面図も同様に、図1のA−A線に沿う位置の断面を示す。   In the first embodiment, the insulator 30 is formed of a photosensitive resin. However, the insulator 30 may be formed using a non-photosensitive resin. Hereinafter, the difference in the manufacturing method will be described. 14 and 15 are schematic cross-sectional views illustrating an example of a method for manufacturing the light emitting device 1A in the order of steps when the insulator 30 is formed using a non-photosensitive resin. Similarly, the cross-sectional views of FIGS. 14 and 15 also show a cross-section at a position along the line AA of FIG.

まず、上記第一例の感光性樹脂により絶縁体を形成した場合と同様に、発光素子を実装する基材としての基板10を用意し、基板10の上に、電解めっき用の薄いシード層を形成する(図3参照)。次いで、シード層の上に、電解メッキ用のレジスト膜を形成し(図4参照)、このレジスト膜をマスクとして露出したシード層上に、第一導電部22a,22bを形成する(図5参照)。次に、所望の領域に第一導電部22a,22bが形成された後、不要なレジスト膜及びシード層はエッチングにより除去する(図6参照)。   First, as in the case where the insulator is formed of the photosensitive resin of the first example, a substrate 10 is prepared as a base material for mounting the light emitting element, and a thin seed layer for electrolytic plating is formed on the substrate 10. Form (see FIG. 3). Next, a resist film for electrolytic plating is formed on the seed layer (see FIG. 4), and first conductive portions 22a and 22b are formed on the exposed seed layer using the resist film as a mask (see FIG. 5). ). Next, after the first conductive portions 22a and 22b are formed in desired regions, unnecessary resist films and seed layers are removed by etching (see FIG. 6).

そして、基板10の上に、均一厚となるように絶縁体30層を形成する(図7参照)。絶縁体30層は、例えばポリイミドやエポキシ等の非感光性樹脂よりなり、例えば回転塗布法やラミネート法、印刷法等によって基板10の上に形成することができる。   Then, an insulator 30 layer is formed on the substrate 10 so as to have a uniform thickness (see FIG. 7). The insulator 30 layer is made of a non-photosensitive resin such as polyimide or epoxy, and can be formed on the substrate 10 by, for example, a spin coating method, a laminating method, a printing method, or the like.

次いで、図14に示すように、非感光性樹脂よりなる絶縁体30層上における、凸状の絶縁体30形成箇所に例えば塗布法によりレジスト膜41を形成する。   Next, as shown in FIG. 14, a resist film 41 is formed by, for example, a coating method on the projecting insulator 30 formation portion on the insulator 30 layer made of the non-photosensitive resin.

次に、このレジスト膜41を介して非感光性樹脂よりなる絶縁体30層をエッチングし、図15に示すように、基板10の上に突出する凸状の絶縁体30を形成する。そして、この突部の上面に残存するレジストマスクを除去して、その後焼成することで絶縁樹脂製凸部を完成する。   Next, the insulator 30 layer made of a non-photosensitive resin is etched through the resist film 41 to form a convex insulator 30 protruding on the substrate 10 as shown in FIG. Then, the resist mask remaining on the upper surface of the protrusion is removed and then baked to complete the insulating resin protrusion.

これにより、図8に示すような、基板10上に突出する凸状の絶縁体30が形成される。その後は、絶縁体30として感光性樹脂を用いた上記第一例の場合と同様に行うことができる。なお、上述のように。絶縁体30は感光性樹脂に限らず非感光性樹脂を用いても形成することができるが、感光性樹脂であると、露光条件によって凹部側面の傾斜角度や形状を調整でき、微細化が可能であるので望ましい。   Thereby, a convex insulator 30 protruding on the substrate 10 as shown in FIG. 8 is formed. Thereafter, it can be performed in the same manner as in the first example using a photosensitive resin as the insulator 30. As mentioned above. The insulator 30 is not limited to a photosensitive resin, but can be formed using a non-photosensitive resin. However, if the insulator 30 is a photosensitive resin, the inclination angle and shape of the side surface of the recess can be adjusted depending on the exposure conditions, and miniaturization is possible. This is desirable.

また、上記第一例の実施形態は、発光素子を個別に取り囲むように絶縁体を設け、発光素子を載置するための領域として平面矩形状をした凹部を基板上の一部に形成し、発光素子から見える絶縁体の部分を反射体で覆うようにした例を説明したが、上記第一例の実施形態と同様に、発光素子を個別に取り囲むように絶縁体を設ける他の例として、この絶縁体を基板上に全体的に設け、発光素子を載置するための領域として平面矩形状をした凹部を基板上に形成し、発光素子から見える絶縁体の部分を反射体で覆うようにした本発明の発光装置の第二例を説明する。なお、後述する各実施形態の説明では、前述した実施形態と共通する部分は同じ符号を付し、その説明は省略する。   In the first embodiment, an insulator is provided so as to individually surround the light emitting elements, and a concave portion having a planar rectangular shape is formed on a part of the substrate as a region for placing the light emitting elements. Although the example in which the portion of the insulator that can be seen from the light emitting element is covered with the reflector has been described, as another example in which an insulator is provided so as to individually surround the light emitting element, as in the embodiment of the first example, This insulator is entirely provided on the substrate, a concave portion having a planar rectangular shape is formed on the substrate as a region for mounting the light emitting element, and the portion of the insulator visible from the light emitting element is covered with the reflector. A second example of the light emitting device of the present invention will be described. In the description of each embodiment to be described later, portions common to the above-described embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.

図16および図17は、本発明の発光装置の第二例を示す図面であり、図16は概略平面図、図17は図16のB−B線に沿う断面図である。   16 and 17 are drawings showing a second example of the light-emitting device of the present invention. FIG. 16 is a schematic plan view, and FIG. 17 is a cross-sectional view taken along the line BB of FIG.

以下に述べる第二例の実施形態は、前述した第一例と同様に、発光素子を個別に取り囲むように絶縁体を設け、発光素子を載置するための領域として平面矩形状をした凹部を基板上の一部に形成し、発光素子から見える絶縁体の部分を反射体で覆うようにした例である。第二例の実施形態が第一例と異なる点は、凹部を設けた基板の一面において凹部底面以外の領域が絶縁体により全て覆われている点である。   In the second embodiment described below, as in the first example described above, an insulator is provided so as to individually surround the light emitting elements, and a concave portion having a planar rectangular shape is provided as a region for mounting the light emitting elements. This is an example in which a portion of an insulator that is formed on a part of a substrate and is visible from a light emitting element is covered with a reflector. The second embodiment is different from the first embodiment in that the region other than the bottom surface of the recess is entirely covered with an insulator on one surface of the substrate provided with the recess.

すなわち、第二例の実施形態における発光装置1Bは、第一例の実施形態における発光装置1Aと同様に、たとえば一面に2つの第一導電部22a,22bが配され、発光素子23を載置するための領域33が一方の第一導電部22a上に設けられている配線基板10Bと、前記領域33を取り囲むように配線基板の一面から全面的に凸状をなして設けられた絶縁体30と、絶縁体30の上部に一端が配され、他方の第一導電部22bに他端が電気的に接続される第二導電部32と、さらに、前記領域33から見える、前記絶縁体30の少なくとも一部を覆うように設けられた反射体16と、を備えている。したがって、この発光装置1Bに用いられている発光素子実装用基板11Bは、上記領域33内に発光素子23が載置されていない状態の基板をいう。   That is, in the light emitting device 1B according to the second embodiment, for example, the two first conductive portions 22a and 22b are arranged on one surface, and the light emitting element 23 is mounted, similarly to the light emitting device 1A according to the first embodiment. A wiring board 10B provided with a region 33 on one of the first conductive portions 22a, and an insulator 30 provided so as to entirely project from one surface of the wiring board so as to surround the region 33. A second conductive portion 32 having one end arranged on the top of the insulator 30 and the other end electrically connected to the other first conductive portion 22b, and further visible from the region 33 of the insulator 30. And a reflector 16 provided so as to cover at least a part thereof. Therefore, the light emitting element mounting substrate 11B used in the light emitting device 1B refers to a substrate in which the light emitting element 23 is not placed in the region 33.

第一導電部22a,22bは、たとえば配線基板10Bの一面に2つ設けられ、一方の第一導電部22aは配線基板10B上に直接配され、他方の第一導電部22bは配線基板10B上に形成された絶縁体30上に配されている。   For example, two first conductive portions 22a and 22b are provided on one surface of the wiring substrate 10B, for example, one first conductive portion 22a is directly arranged on the wiring substrate 10B, and the other first conductive portion 22b is on the wiring substrate 10B. It is arranged on the insulator 30 formed in the above.

次に、図16および図17に示す発光装置1Bの製造方法について説明する。
図18〜図28は、上記発光装置1Bの製造方法の一例を工程順に示す模式的断面図である。図18〜図28の断面図は、図16のB−B線に沿う位置の断面を示す。
Next, a method for manufacturing the light emitting device 1B shown in FIGS. 16 and 17 will be described.
18 to 28 are schematic cross-sectional views illustrating an example of a manufacturing method of the light-emitting device 1B in the order of steps. The cross-sectional views in FIGS. 18 to 28 show a cross section at a position along the line BB in FIG.

まず、上記第一例の実施形態と同様に、発光素子を実装する基材としての基板10を用意し、基板10の上に、電解めっき用の薄いシード層を形成する(図3参照)。
次に、図18に示すように、シード層20の上に、電解メッキ用のレジスト膜21を形成する。このレジスト膜21には、2つの第一導電部22a,22bのうち一方の第一導電部22aを形成すべき領域に開口部を設け、該開口部において前記シード層20を露出させておく。
First, as in the first embodiment, a substrate 10 is prepared as a base material on which a light emitting element is mounted, and a thin seed layer for electrolytic plating is formed on the substrate 10 (see FIG. 3).
Next, as shown in FIG. 18, a resist film 21 for electrolytic plating is formed on the seed layer 20. The resist film 21 is provided with an opening in a region where one of the two first conductive portions 22a and 22b is to be formed, and the seed layer 20 is exposed in the opening.

次いで、図19に示すように、前記レジスト膜21をマスクとして露出したシード層20上に、電解めっき法等によりCu等から構成された一方の第一導電部22aを形成する。
そして、所望の領域に第一導電部22aが形成された後、図20に示すように、不要なレジスト膜21及びシード層20をエッチングにより除去し、一方の第一導電部22aが形成された領域以外の部分では基板10が露出されるように回路形成を行なう。
Next, as shown in FIG. 19, one first conductive portion 22a made of Cu or the like is formed on the exposed seed layer 20 using the resist film 21 as a mask by an electrolytic plating method or the like.
Then, after the first conductive portion 22a is formed in a desired region, as shown in FIG. 20, the unnecessary resist film 21 and seed layer 20 are removed by etching, and one first conductive portion 22a is formed. Circuit formation is performed so that the board | substrate 10 is exposed in parts other than an area | region.

次いで、基板10の上に、均一厚となるように絶縁体30層を形成した後(図7参照)、絶縁体30層上にフォトレジストを塗布してフォトレジスト膜を成膜し、このレジスト膜上にマスクを被せて露光し、露光された部分を薬液で溶かしてレジストマスクを形成する。続いて、このレジストマスク介して感光性樹脂層をエッチングし、図21に示すように、基板10上に、発光素子23を個別に取り囲むように下方に窪んで設けられ、平面矩形状をした凹部、すなわち発光素子23を載置するための領域33が形成された、上方へ突出した凸状の絶縁体30を形成する。   Next, an insulator 30 layer having a uniform thickness is formed on the substrate 10 (see FIG. 7), and then a photoresist is applied on the insulator 30 layer to form a photoresist film. A mask is put on the film for exposure, and the exposed portion is dissolved with a chemical solution to form a resist mask. Subsequently, the photosensitive resin layer is etched through the resist mask, and as shown in FIG. 21, a concave portion having a planar rectangular shape provided on the substrate 10 so as to surround the light emitting elements 23 individually. That is, the convex insulator 30 protruding upward, in which the region 33 for mounting the light emitting element 23 is formed, is formed.

次に、図22に示すように、第一導電部22aおよび絶縁体30の上に、電解めっき用の薄いシード層40を形成する。
さらに、図23に示すように、シード層40の上に、電解メッキ用のレジスト膜41を形成する。この第二例の実施形態では、2つの第一導電部22a,22bのうち他方の第一導電部22−を形成すべき領域に開口部を設け、該開口部において前記シード層40を露出させておく。
Next, as shown in FIG. 22, a thin seed layer 40 for electrolytic plating is formed on the first conductive portion 22 a and the insulator 30.
Further, as shown in FIG. 23, a resist film 41 for electrolytic plating is formed on the seed layer 40. In the second embodiment, an opening is provided in a region where the other first conductive portion 22- of the two first conductive portions 22a and 22b is to be formed, and the seed layer 40 is exposed in the opening. Keep it.

次いで、図24に示すように、前記レジスト膜41をマスクとして露出したシード層40上に、電解めっき法等によりCu等から構成された他方の第一導電部22bを形成する。
そして、所望の領域に第一導電部22bが形成された後、図25に示すように、不要なレジスト膜41及びシード層40をエッチングにより除去し、他方の第一導電部22bが形成された領域以外の部分では一方の第一導電部22aおよび絶縁体30が露出されるように回路形成を行なう。
Next, as shown in FIG. 24, the other first conductive portion 22b made of Cu or the like is formed on the exposed seed layer 40 using the resist film 41 as a mask by an electrolytic plating method or the like.
Then, after the first conductive portion 22b is formed in a desired region, as shown in FIG. 25, the unnecessary resist film 41 and seed layer 40 are removed by etching, and the other first conductive portion 22b is formed. Circuit formation is performed so that one of the first conductive portions 22a and the insulator 30 are exposed in a portion other than the region.

さらに、2つの第一導電部22a,22bおよび絶縁体30の上に、電解めっき用の薄いシード層(図示せず)を形成した後、図26に示すように、シード層の上に、電解メッキ用のレジスト膜42を形成する。
引き続き、この第二例の実施形態では、図27に示すように、絶縁体30の上部に一端が配され、他端が他方の第一導電部22bに電気的に接続されるように第二導電部32を形成するとともに、絶縁体30により形成された平面矩形状をした凹部33内の側面に反射体16を形成する。
Further, after forming a thin seed layer (not shown) for electroplating on the two first conductive portions 22a and 22b and the insulator 30, the electrolysis is performed on the seed layer as shown in FIG. A resist film 42 for plating is formed.
Subsequently, in the second embodiment, as shown in FIG. 27, the second end is arranged such that one end is arranged on the upper portion of the insulator 30 and the other end is electrically connected to the other first conductive portion 22b. The conductive portion 32 is formed, and the reflector 16 is formed on the side surface in the concave portion 33 having a planar rectangular shape formed by the insulator 30.

そして、上記第一例の場合と同様、図28に示すように、電解めっき法等によりCu等から構成された第二導電部32を所定箇所に形成するとともに、所望の領域に反射体16が形成された後、不要なレジスト膜42及びシード層(図示せず)はエッチングにより除去し、反射体16、2つの第一導電部22a,22bおよび第二導電部32が形成された領域以外の部分では絶縁体30が露出されるようにする。   As in the case of the first example, as shown in FIG. 28, the second conductive portion 32 made of Cu or the like is formed at a predetermined location by an electrolytic plating method or the like, and the reflector 16 is formed in a desired region. After the formation, the unnecessary resist film 42 and the seed layer (not shown) are removed by etching, and the regions other than the region where the reflector 16, the two first conductive portions 22a and 22b, and the second conductive portion 32 are formed. The insulator 30 is exposed at the portion.

その後、反射体16が形成された発光素子23を載置するための領域33内に発光素子23を搭載し、発光素子23と第二導電部32とをボンディングワイヤ24によって電気的に接続することにより、図16および図17に示す発光装置1Bが製造される。   Thereafter, the light emitting element 23 is mounted in the region 33 for placing the light emitting element 23 on which the reflector 16 is formed, and the light emitting element 23 and the second conductive portion 32 are electrically connected by the bonding wire 24. Thus, the light emitting device 1B shown in FIGS. 16 and 17 is manufactured.

また、上記第二例の実施形態においては、発光素子を載置するための領域が第一導電部の一方にある形態について詳述したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば図29および図30に示すように、発光素子を載置するための領域が基板10Bの一面にある形態としても構わない。ここで、図29および図30は、本発明に係る発光装置の第二例に関連する変形例を示す図面であり、図29は概略平面図、図30は図29のB’−B’線に沿う断面図である。この場合、第一導電部の一方22aは第一導電部の他方22bと同様に絶縁体30の上面に配され、第二導電部32bと同様に、第一導電部の一方22aから領域33向けて延びる第二導電部32aを設け、さらに発光素子23と第二導電部32a、32bとの間をそれぞれボンディングワイヤ24a、24bによって電気的に接続することにより、図29および図30に示す発光装置1B’が製造される。   Further, in the second embodiment, the embodiment in which the region for placing the light emitting element is on one side of the first conductive portion has been described in detail, but the present invention is not limited to this, for example, As shown in FIGS. 29 and 30, a region for mounting the light emitting element may be provided on one surface of the substrate 10 </ b> B. Here, FIG. 29 and FIG. 30 are drawings which show the modification regarding the 2nd example of the light-emitting device based on this invention, FIG. 29 is a schematic plan view, FIG. 30 is the B'-B 'line | wire of FIG. FIG. In this case, one of the first conductive parts 22a is arranged on the upper surface of the insulator 30 in the same manner as the other of the first conductive parts 22b, and from the first conductive part 22a to the region 33, like the second conductive part 32b. 29 and 30 are provided by providing a second conductive portion 32a extending in an extended manner and electrically connecting the light emitting element 23 and the second conductive portions 32a and 32b by bonding wires 24a and 24b, respectively. 1B ′ is manufactured.

以上のように構成された発光装置1B、1B’もまた、配線基板自身を加工する必要がないので基板自身にそりが発生する恐れが低減されるとともに、発光素子を載置するための領域を取り囲むように前記配線基板の一面から凸状をなす絶縁体を備え、この絶縁体の少なくとも一部を覆うように反射体を有するので、発光素子から発散する光がこの反射体によって効率良く反射され、指向性が向上した、安定した高性能を有する発光装置とすることができる。   Since the light emitting devices 1B and 1B ′ configured as described above do not need to process the wiring substrate itself, the possibility of warping of the substrate itself is reduced, and an area for mounting the light emitting element is reduced. Since an insulator is formed so as to surround the wiring substrate so as to surround the reflector and a reflector is provided so as to cover at least a part of the insulator, light emitted from the light emitting element is efficiently reflected by the reflector. Thus, a light emitting device with improved directivity and stable high performance can be obtained.

なお、上記第二例の実施形態においても、感光性樹脂により絶縁体30を形成することもできるとともに、非感光性樹脂を用いて絶縁体30を形成することができる。
また、上記第一例および第二例の実施形態は、発光素子を個別に取り囲むように絶縁体を設けた場合について説明したが、発光素子同士を区切るように絶縁体を設けることで、反射体によって発光素子から発散する光を反射するとともに、発散する光の指向性を高めるようにすることもできる。以下では、本発明の発光装置の第三例として、その場合について説明する。
In the second example embodiment as well, the insulator 30 can be formed of a photosensitive resin, and the insulator 30 can be formed of a non-photosensitive resin.
Moreover, although the embodiment of the first example and the second example has been described with respect to the case where the insulator is provided so as to individually surround the light emitting elements, the reflector is provided by providing the insulator so as to separate the light emitting elements. Thus, the light emitted from the light emitting element can be reflected and the directivity of the emitted light can be enhanced. The case will be described below as a third example of the light emitting device of the present invention.

図31および図32は、本発明の発光装置の第三例を示す図面であり、図31は概略平面図、図32は図31のC−C線に沿う概略断面図である。   31 and 32 are views showing a third example of the light emitting device of the present invention, FIG. 31 is a schematic plan view, and FIG. 32 is a schematic cross-sectional view taken along the line CC of FIG.

すなわち、第三例の実施形態における発光装置1Cは、一面に2つの第一導電部22a,22bが配され、発光素子23を載置するための領域35が一方の第一導電部22a上に設けられている配線基板10Cと、前記領域35を他の領域と区切るように配線基板の一面から凸状をなして設けられた絶縁体34と、絶縁体34の上部に一端が配され、他方の第一導電部22bに他端が電気的に接続される第二導電部32と、さらに、前記領域35から見える、前記絶縁体34の少なくとも一部を覆うように設けられた反射体16と、を備えている。したがって、この発光装置1Cに用いられている発光素子実装用基板11Cは、上記領域35内に発光素子23が載置されていない状態の基板をいう。   That is, in the light emitting device 1C in the third example embodiment, two first conductive portions 22a and 22b are arranged on one surface, and a region 35 for placing the light emitting element 23 is on one first conductive portion 22a. The provided wiring board 10C, the insulator 34 provided so as to protrude from one surface of the wiring board so as to divide the region 35 from other regions, and one end disposed on the upper side of the insulator 34, the other A second conductive portion 32 whose other end is electrically connected to the first conductive portion 22b, and a reflector 16 which is visible from the region 35 and is provided so as to cover at least a part of the insulator 34; It is equipped with. Therefore, the light emitting element mounting substrate 11 </ b> C used in the light emitting device 1 </ b> C is a substrate in which the light emitting element 23 is not placed in the region 35.

絶縁体34は、発光素子23同士を区切るように上方に突出して設けられた凸状体であり、ライン状をした凹部35を形成する。絶縁体34は、絶縁体30と同様に、例えばポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂等からなり、その厚さは例えば400〜500μmとすると良い。この絶縁体34は、たとえばフォトリソグラフィ法などにより形成することができる。この凹部35の深さ(すなわち、凸状体の高さ)は、発光素子23の高さと同等か、それより深く(高く)すると、横方向に漏れる光を効率的に指向させることができるので望ましい。   The insulator 34 is a convex body provided so as to protrude upward so as to separate the light emitting elements 23, and forms a line-shaped concave portion 35. Like the insulator 30, the insulator 34 is made of, for example, polyimide resin, epoxy resin, silicon resin, or the like, and the thickness thereof is preferably set to 400 to 500 μm, for example. The insulator 34 can be formed by, for example, a photolithography method. If the depth of the concave portion 35 (that is, the height of the convex body) is equal to or deeper (higher) than the height of the light emitting element 23, light leaking in the lateral direction can be efficiently directed. desirable.

反射体16は、絶縁体34間のライン状に形成された凹部35内の側面を覆うように設けられる。反射体16の形成方法は、上記第一例の実施形態と同じに行うことができる。そして、この凹部35内に発光素子23が搭載される。なお、この第三例の実施形態を説明する図では、凹部35内に発光素子23が1個だけ搭載されたものとなっているが、本発明はこれに限らず、凹部35内に発光素子23を2個以上の複数個搭載したものであっても良い。   The reflector 16 is provided so as to cover a side surface in the recess 35 formed in a line shape between the insulators 34. The method of forming the reflector 16 can be performed in the same manner as in the first embodiment. The light emitting element 23 is mounted in the recess 35. In addition, in the figure explaining embodiment of this 3rd example, although the single light emitting element 23 is mounted in the recessed part 35, this invention is not restricted to this, The light emitting element in the recessed part 35 is shown. Two or more 23 may be mounted.

そして、上記発光装置1Cの製造方法は、上記第一例の実施形態を参考に行うことができる。
まず、上記第一例の実施形態と同様に、発光素子を実装する基材としての基板10を用意し、基板10の上に、電解めっき用の薄いシード層を形成する(図3参照)。
次いで、シード層の上に、電解メッキ用のレジスト膜を形成する(図4参照)。このレジスト膜には、2つの第一導電部の形成すべき領域に開口部を設け、該開口部において前記シード層を露出させておく。
And the manufacturing method of the said light-emitting device 1C can be performed with reference to embodiment of said 1st example.
First, as in the first embodiment, a substrate 10 is prepared as a base material on which a light emitting element is mounted, and a thin seed layer for electrolytic plating is formed on the substrate 10 (see FIG. 3).
Next, a resist film for electrolytic plating is formed on the seed layer (see FIG. 4). The resist film is provided with an opening in a region where two first conductive portions are to be formed, and the seed layer is exposed in the opening.

次に、前記レジスト膜をマスクとして露出したシード層上に、電解めっき法等によりCu等から構成された2つの第一導電部を形成する(図5参照)。
そして、所望の領域に第一導電部が形成された後、不要なレジスト膜及びシード層をエッチングにより除去し、第一導電部が形成された領域以外の部分では基板が露出されるように回路形成を行なう(図6参照)。
Next, two first conductive portions made of Cu or the like are formed on the exposed seed layer using the resist film as a mask by electrolytic plating or the like (see FIG. 5).
Then, after the first conductive portion is formed in a desired region, the unnecessary resist film and seed layer are removed by etching, and the circuit board is exposed in a portion other than the region where the first conductive portion is formed. Formation is performed (see FIG. 6).

次いで、基板の上に、均一厚となるように絶縁体層を形成する(図7参照)。
次に、基板上に、上方へ突出した凸状の絶縁体34を形成する。凸状の絶縁体34は、上記第一例の実施形態と同様に、フォトリソグラフィ技術を利用してパターニングにより形成できる。たとえば基板上に塗布された感光性樹脂よりなる絶縁体上にフォトレジストを塗布してフォトレジスト膜を成膜し、このレジスト膜上にマスクを被せて露光し、露光された部分を薬液で溶かしてレジストマスクを形成する。続いて、このレジストマスク介して感光性樹脂層をエッチングすることで形成する。そして、この突部の上面に残存するレジストマスクを除去して、その後焼成することで樹脂製凸部を完成する(図8参照)。
Next, an insulator layer is formed on the substrate so as to have a uniform thickness (see FIG. 7).
Next, a convex insulator 34 protruding upward is formed on the substrate. The convex insulator 34 can be formed by patterning using a photolithography technique as in the first embodiment. For example, a photoresist is applied on an insulator made of a photosensitive resin applied on a substrate to form a photoresist film, and the resist film is covered with a mask for exposure, and the exposed portion is dissolved with a chemical solution. To form a resist mask. Subsequently, the photosensitive resin layer is formed by etching through this resist mask. Then, the resist mask remaining on the upper surface of the protrusion is removed and then baked to complete the resin protrusion (see FIG. 8).

次に、第一導電部および突出した凸状の絶縁体34上に、例えばスパッタ法により電解めっき用の薄いシード層(図示せず)を形成し、このシード層の上に、電解メッキ用のレジスト膜を形成する(図9参照)。
引き続き、前記レジスト膜をマスクとして露出した第一導電部上における発光素子搭載箇所に反射体を形成するとともに、電解めっき法等によりCu等から構成された第二導電部を所定箇所に形成する(図10参照)。
Next, a thin seed layer (not shown) for electrolytic plating is formed on the first conductive portion and the protruding convex insulator 34 by, for example, sputtering, and the electrolytic plating is formed on the seed layer. A resist film is formed (see FIG. 9).
Subsequently, a reflector is formed at a light emitting element mounting location on the exposed first conductive portion using the resist film as a mask, and a second conductive portion made of Cu or the like is formed at a predetermined location by electrolytic plating or the like ( (See FIG. 10).

そして、図33に示すように、所望の領域に反射体16および第二導電部32が形成された後、不要なレジスト膜及びシード層(図示せず)はエッチングにより除去することで、この発光装置1Cに用いられる発光素子実装用基板11Cとする。
その後、反射体16が形成された発光素子23を載置するための領域35内に発光素子23を搭載し、発光素子23と第二導電部32とをボンディングワイヤ24によって電気的に接続することにより、図31および図32に示す発光装置1Cが製造される。
Then, as shown in FIG. 33, after the reflector 16 and the second conductive portion 32 are formed in a desired region, unnecessary resist film and seed layer (not shown) are removed by etching, whereby this light emission. A light emitting element mounting substrate 11C used in the device 1C is used.
Thereafter, the light emitting element 23 is mounted in the region 35 for placing the light emitting element 23 on which the reflector 16 is formed, and the light emitting element 23 and the second conductive portion 32 are electrically connected by the bonding wire 24. Thus, the light emitting device 1C shown in FIGS. 31 and 32 is manufactured.

なお、上記第三例の実施形態においては、発光素子を載置するための領域が第一導電部の一方にある形態について詳述したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば図34および図35に示すように、発光素子を載置するための領域が基板10Cの一面にある形態としても構わない。ここで、図34および図35は、本発明に係る発光装置の第二例に関連する変形例を示す図面であり、図34は概略平面図、図35は図34のC’−C’線に沿う断面図である。この場合、第一導電部の一方22aは第一導電部の他方22bと同様に基板10Cの一面に配され、第二導電部32bと同様に、第一導電部の一方22aの上面と絶縁体30の上面とを結ぶように第二導電部32aを設け、さらに発光素子23と第二導電部32a、32bとの間をそれぞれボンディングワイヤ24a、24bによって電気的に接続することにより、図34および図35に示す発光装置1C’が製造される。   In the embodiment of the third example, the embodiment in which the region for placing the light emitting element is on one side of the first conductive portion has been described in detail. However, the present invention is not limited to this, for example, As shown in FIGS. 34 and 35, a region for mounting the light emitting element may be provided on one surface of the substrate 10C. Here, FIG. 34 and FIG. 35 are drawings showing a modification related to the second example of the light emitting device according to the present invention, FIG. 34 is a schematic plan view, and FIG. 35 is a C′-C ′ line in FIG. FIG. In this case, the one 22a of the first conductive part is arranged on one surface of the substrate 10C like the other 22b of the first conductive part, and the upper surface of the one 22a of the first conductive part and the insulator are the same as the second conductive part 32b. 34 is provided so as to connect the upper surface of 30, and the light emitting element 23 and the second conductive portions 32a and 32b are electrically connected by bonding wires 24a and 24b, respectively, so that FIG. The light emitting device 1C ′ shown in FIG. 35 is manufactured.

以上のように構成された発光装置1C、1C’もまた、配線基板自身を加工する必要がないので基板自身にそりが発生する恐れが低減されるとともに、発光素子を載置するための領域を他の領域と区切るように前記配線基板の一面から凸状をなす絶縁体を備え、凸状の絶縁体34間のライン状に形成された凹部35内の側面に形成された反射体16によって、発光素子23から発散する光が周囲に漏れて、光が混在しないように光の指向性を高めるようにすることもできる。   In the light emitting devices 1C and 1C ′ configured as described above, since there is no need to process the wiring substrate itself, the possibility of warping of the substrate itself is reduced, and an area for mounting the light emitting element is reduced. By the reflector 16 formed on the side surface in the concave portion 35 formed in a line shape between the convex insulators 34, including an insulator having a convex shape from one surface of the wiring board so as to be separated from other regions, It is also possible to increase the directivity of light so that light emitted from the light emitting element 23 leaks to the surroundings and light is not mixed.

また、上述した発光装置の製造方法は何れも好適な一例であって、特に限定されるものではない。したがって、絶縁体は、側面が基板に対して垂直となっているものに限らず、図36に示すように、側面が基板10に対して斜めに形成されている絶縁体30Bとしたり、図37に示すように、側面が基板10に対して弧状に形成されている絶縁体30Cとしたりしても良い。これにより、絶縁体の側面に対して反射体や第二導電部が形成し易くなるとともに、発光素子から発散する光がこの反射体によって効率良く反射され、指向性が向上したものとなる。   In addition, any of the above-described light emitting device manufacturing methods is a suitable example, and is not particularly limited. Therefore, the insulator is not limited to the one whose side surface is perpendicular to the substrate, and as shown in FIG. 36, the insulator may be an insulator 30B whose side surface is formed obliquely with respect to the substrate 10, or FIG. As shown in FIG. 4, the insulator 30C may be formed such that the side surface is formed in an arc shape with respect to the substrate 10. Accordingly, it is easy to form a reflector and the second conductive portion on the side surface of the insulator, and light emitted from the light emitting element is efficiently reflected by the reflector and the directivity is improved.

本発明は、例えばパーソナルコンピュータや携帯電話機の液晶ディスプレイのバックライトに用いられる発光装置に適用できる。   The present invention can be applied to a light emitting device used for a backlight of a liquid crystal display of a personal computer or a mobile phone, for example.

本発明に係る発光装置の第一例を示す平面図である。It is a top view which shows the 1st example of the light-emitting device which concerns on this invention. 図1に示す発光装置のA−A線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the AA line of the light-emitting device shown in FIG. 図1に示す発光装置が使用する発光素子実装用基板の製造方法の第一工程を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the 1st process of the manufacturing method of the light emitting element mounting substrate which the light-emitting device shown in FIG. 1 uses. 図3の次工程(第二工程)を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the next process (2nd process) of FIG. 図4の次工程(第三工程)を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the next process (3rd process) of FIG. 図5の次工程(第四工程)を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the next process (4th process) of FIG. 図6の次工程(第五工程)を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the next process (5th process) of FIG. 図7の次工程(第六工程)を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the next process (sixth process) of FIG. 図8の次工程(第七工程)を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the next process (seventh process) of FIG. 図9の次工程(第八工程)を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the next process (8th process) of FIG. 図10の次工程(第九工程)を示す断面図であり、本発明に係る発光素子実装用基板の第一例を示す。It is sectional drawing which shows the next process (9th process) of FIG. 10, and shows the 1st example of the light emitting element mounting substrate which concerns on this invention. 本発明に係る発光装置の第一例の変形例を示す平面図である。It is a top view which shows the modification of the 1st example of the light-emitting device which concerns on this invention. 図12に示す発光装置のA’−A’線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the A'-A 'line of the light-emitting device shown in FIG. 図1に示す発光装置が使用する発光素子実装用基板の他の製造方法の第六工程を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the 6th process of the other manufacturing method of the light emitting element mounting substrate which the light emitting device shown in FIG. 1 uses. 図1に示す発光装置が使用する発光素子実装用基板の他の製造方法の第七工程を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the 7th process of the other manufacturing method of the light emitting element mounting substrate which the light emitting device shown in FIG. 1 uses. 本発明に係る発光装置の第二例を示す平面図である。It is a top view which shows the 2nd example of the light-emitting device which concerns on this invention. 図16に示す発光装置のB−B線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the BB line of the light-emitting device shown in FIG. 図16に示す発光装置が使用する発光素子実装用基板の製造方法の第一工程を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the 1st process of the manufacturing method of the light emitting element mounting substrate which the light-emitting device shown in FIG. 16 uses. 図18の次工程(第二工程)を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the next process (2nd process) of FIG. 図19の次工程(第三工程)を示す断面図である。FIG. 20 is a cross-sectional view showing the next step (third step) in FIG. 19. 図20の次工程(第四工程)を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the next process (4th process) of FIG. 図21の次工程(第五工程)を示す断面図である。FIG. 22 is a cross-sectional view showing a next step (fifth step) of FIG. 21. 図22の次工程(第六工程)を示す断面図である。FIG. 23 is a cross-sectional view showing a next step (sixth step) of FIG. 22. 図23の次工程(第七工程)を示す断面図である。FIG. 24 is a cross-sectional view showing a next step (seventh step) in FIG. 23. 図24の次工程(第八工程)を示す断面図である。FIG. 25 is a cross-sectional view showing a next step (eighth step) of FIG. 24. 図25の次工程(第九工程)を示す断面図である。FIG. 26 is a cross-sectional view showing a next step (ninth step) of FIG. 25. 図26の次工程(第十工程)を示す断面図である。FIG. 27 is a cross-sectional view showing a next process (tenth process) of FIG. 26. 図27の次工程(第十一工程)を示す断面図であり、本発明に係る発光素子実装用基板の第二例を示す。It is sectional drawing which shows the next process (11th process) of FIG. 27, and shows the 2nd example of the light emitting element mounting substrate which concerns on this invention. 本発明に係る発光装置の第二例の変形例を示す平面図である。It is a top view which shows the modification of the 2nd example of the light-emitting device which concerns on this invention. 図29に示す発光装置のB’−B’線に沿う断面図である。FIG. 30 is a cross-sectional view taken along line B′-B ′ of the light emitting device shown in FIG. 29. 本発明に係る発光装置の第三例を示す概略平面図である。It is a schematic plan view which shows the 3rd example of the light-emitting device which concerns on this invention. 図31に示す発光装置のC−C線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the CC line of the light-emitting device shown in FIG. 図31に示す発光装置が使用する発光素子実装用基板の製造方法の第九工程を示す断面図であり、本発明に係る発光素子実装用基板の第三例を示す。It is sectional drawing which shows the 9th process of the manufacturing method of the light emitting element mounting substrate which the light emitting device shown in FIG. 31 uses, and shows the 3rd example of the light emitting element mounting substrate which concerns on this invention. 本発明に係る発光装置の第三例の変形例を示す平面図である。It is a top view which shows the modification of the 3rd example of the light-emitting device which concerns on this invention. 図34に示す発光装置のC’−C’線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the C'-C 'line | wire of the light-emitting device shown in FIG. 本発明に係る発光素子実装用基板において凸状をなす絶縁体の形状の第二例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the 2nd example of the shape of the insulator which makes convex shape in the light emitting element mounting substrate which concerns on this invention. 本発明に係る発光素子実装用基板において凸状をなす絶縁体の形状の第三例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the 3rd example of the shape of the insulator which makes convex shape in the light emitting element mounting substrate which concerns on this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1A、1A’、1B、1B’、1C、1C’ 発光装置、10(10A、10B、10C) 基板(配線基板)、11A、11B、11C 発光素子実装用基板、16 反射体、22a、22b 第一導電部、23 発光素子、24、24a、24b ボンディングワイヤ、30、34 絶縁体、32 第二導電部、33、35 領域(凹部)。
1A, 1A ′, 1B, 1B ′, 1C, 1C ′ Light emitting device, 10 (10A, 10B, 10C) Substrate (wiring substrate), 11A, 11B, 11C Light emitting element mounting substrate, 16 Reflector, 22a, 22b First 1 conductive part, 23 light emitting element, 24, 24a, 24b bonding wire, 30, 34 insulator, 32 2nd conductive part, 33, 35 area | region (recessed part).

Claims (8)

一面に少なくとも2つの第一導電部が配され、該第一導電部の一方又は前記一面には発光素子を載置するための領域が設けられている配線基板と、
前記領域を取り囲むように、または前記領域を他の領域と区切るように、前記配線基板の一面から凸状をなす絶縁体と、
を備えており、
さらに、前記領域から見える、前記絶縁体の少なくとも一部を覆うように反射体が設けられていることを特徴とする発光素子実装用基板。
A wiring board in which at least two first conductive portions are arranged on one surface, and a region for placing a light emitting element is provided on one or the one surface of the first conductive portion;
An insulator having a convex shape from one surface of the wiring board so as to surround the region or to divide the region from other regions;
With
Furthermore, a reflector is provided so as to cover at least a part of the insulator visible from the region.
前記絶縁体が前記領域を個別に取り囲むように設けられた場合には、
前記領域は前記絶縁体からなる矩形状の凹部内に位置する
ことを特徴とする請求項1に記載の発光素子実装用基板。
When the insulator is provided so as to individually surround the region,
The light emitting element mounting substrate according to claim 1, wherein the region is located in a rectangular recess made of the insulator.
前記絶縁体が前記領域を他の領域と区切るように設けられた場合には、
前記領域は前記絶縁体間のライン状の凹部内に位置する
ことを特徴とする請求項1に記載の発光素子実装用基板。
When the insulator is provided so as to separate the region from other regions,
The light emitting element mounting substrate according to claim 1, wherein the region is located in a line-shaped recess between the insulators.
前記凸状をなす絶縁体は、前記配線基板の一部にのみ設けられている
ことを特徴とする請求項1に記載の発光素子実装用基板。
The light emitting element mounting board according to claim 1, wherein the convex insulator is provided only on a part of the wiring board.
前記反射体は、前記領域から見える、前記絶縁体の全域に設けられている
ことを特徴とする請求項1に記載の発光素子実装用基板。
The light-emitting element mounting substrate according to claim 1, wherein the reflector is provided over the entire area of the insulator visible from the region.
前記凸状をなす絶縁体の上部に一端が配され、前記第一導電部の他方に他端が電気的に接続される第二導電部が設けられている
ことを特徴とする請求項1に記載の発光素子実装用基板。
2. The second conductive portion, wherein one end is disposed on an upper portion of the convex insulator, and the other end of the first conductive portion is electrically connected to the other end of the first conductive portion. The board | substrate for light emitting element mounting of description.
前記第二導電部が前記反射体と同一部材である
ことを特徴とする請求項6に記載の発光素子実装用基板。
The light emitting element mounting substrate according to claim 6, wherein the second conductive portion is the same member as the reflector.
前記請求項1乃至7のいずれか1項に記載の発光素子実装用基板を構成する前記領域に発光素子が設けられている
ことを特徴とする発光装置。
A light-emitting device, wherein a light-emitting element is provided in the region constituting the light-emitting element mounting substrate according to any one of claims 1 to 7.
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