JP2006311053A - Infrared remote control device, and light emitting control method of infrared light emitting diode - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、赤外線リモートコントロール装置、これを備える携帯端末装置、赤外線リモートコントロール装置の赤外線発光ダイオードの発光制御方法、及び、そのプログラムに関する。 The present invention relates to an infrared remote control device, a portable terminal device including the infrared remote control device, a light emission control method of an infrared light emitting diode of the infrared remote control device, and a program thereof.
従来、赤外線リモートコントロール装置を備えた携帯電話機が提案されている(例えば、特許文献1、2)。 Conventionally, a mobile phone provided with an infrared remote control device has been proposed (for example, Patent Documents 1 and 2).
図12は従来のこの種の赤外線リモートコントロール装置1000を示す回路図である。
FIG. 12 is a circuit diagram showing a conventional infrared
図12に示すように、従来の赤外線リモートコントロール装置1000は、例えば、電源部1001と、この電源部1001に対し一端が接続された抵抗R1002と、この抵抗R1002の他端にアノード端子が接続された赤外線発光ダイオード1003と、この赤外線発光ダイオード1003のカソード端子にコレクタ端子が接続され、エミッタ端子がグランドに接続されたトランジスタTR1004と、このトランジスタTR1004のベース端子に制御信号を印加する制御部1005と、を備えて構成されている。
As shown in FIG. 12, a conventional infrared
制御部1005が所定のタイミングでトランジスタTR1004をオン/オフ制御することにより、赤外線発光ダイオード1003が所望の発光パターンで発光し、赤外線リモートコントロール動作を行うことができる。
ところで、図12に示す従来の赤外線リモートコントロール装置1000においては、赤外線発光ダイオード1003には、抵抗R1002により制限された電流が電源部1001から供給される。
By the way, in the conventional infrared
つまり、赤外線発光ダイオード1003に供給される電流値は、電源部1001の電圧変化に伴う変化はあるものの、該電流値の設定は一種類のみとなっている。
That is, the current value supplied to the infrared
図13は電源部1001の電圧と赤外線発光ダイオード1003の電流との関係を表す電圧−電流特性を示す図である。
FIG. 13 is a diagram showing a voltage-current characteristic representing the relationship between the voltage of the
図13に示す特性のうち、特性(1)は、電源部1001の電圧が携帯電話機の最低動作電圧まで低下した状態で、赤外線発光ダイオード1003に流れる電流が必要最低電流(図13の一点鎖線)となるように、抵抗R1002の抵抗値を設定した場合の電圧−電流特性である。なお、最低動作電圧は、携帯電話機における赤外線リモートコントロール装置1000以外の機能部の動作に最低限必要な電圧を意味する。また、必要最低電流は、赤外線発光ダイオード1003の発光強度が、赤外線リモートコントロールを行うために最低限必要な値となるような電流値を意味する。
Among the characteristics shown in FIG. 13, the characteristic (1) indicates that the current flowing through the infrared
図13に示す従来の特性(1)の場合、電源部1001の電圧が高いときには、必要以上の電流が赤外線発光ダイオード1003に流れてしまう。このため、例えば電池パックなどの二次電池からなる電源部1001の持続性が悪いという問題があった。
In the case of the conventional characteristic (1) shown in FIG. 13, when the voltage of the
つまり、図13に示す従来の特性(1)の場合、赤外線発光ダイオード1003の消費電力が大きいという問題があった。
That is, the conventional characteristic (1) shown in FIG. 13 has a problem that the power consumption of the infrared
また、図13に示す特性のうち、特性(2)は、電源部1001の電圧が、通常の使用状態における平均的な値のときに、赤外線発光ダイオード1003に流れる電流が必要最低電流(図13の一点鎖線)となるように、抵抗R1002の抵抗値を設定した場合の電圧−電流特性である。
Of the characteristics shown in FIG. 13, the characteristic (2) indicates that the current flowing through the infrared
図13に示す従来の特性(2)の場合、電源部1001の電圧が低いときには、赤外線発光ダイオード1003に流れる電流が必要最低電流を下回るため、該赤外線発光ダイオード1003の発光強度が不足し、発光の到達距離不足などにより赤外線リモートコントロールを行うことができないという問題があった。
In the case of the conventional characteristic (2) shown in FIG. 13, when the voltage of the
つまり、図13に示す従来の特性(2)の場合、リモートコントロール動作を安定的に行うことができないという問題があった。 That is, the conventional characteristic (2) shown in FIG. 13 has a problem that the remote control operation cannot be stably performed.
本発明は、上記のような問題点を解決するためになされたもので、消費電力の低減或いはリモートコントロール動作の安定化が可能な赤外線リモートコントロール装置、これを備える携帯端末装置、赤外線リモートコントロール装置の赤外線発光ダイオードの発光制御方法、及び、そのプログラムを提供することを目的とする。 The present invention has been made to solve the above-described problems, and an infrared remote control device capable of reducing power consumption or stabilizing a remote control operation, a portable terminal device including the infrared remote control device, and an infrared remote control device It is an object of the present invention to provide a light emission control method for an infrared light emitting diode and a program therefor.
上記課題を解決するため、本発明の赤外線リモートコントロール装置は、赤外線発光ダイオードを備え、前記赤外線発光ダイオードを所望の発光パターンで発光させることによりリモートコントロールを行う赤外線リモートコントロール装置において、前記赤外線発光ダイオードの発光強度を変化させる発光強度変化手段を備えることを特徴としている。 In order to solve the above problems, an infrared remote control device according to the present invention includes an infrared light emitting diode, and performs remote control by causing the infrared light emitting diode to emit light in a desired light emission pattern. It is characterized by comprising emission intensity changing means for changing the emission intensity.
本発明の赤外線リモートコントロール装置においては、前記赤外線発光ダイオードの電源の電圧を検出する電圧検出手段を更に備え、前記発光強度変化手段は、前記電圧検出手段により検出される電圧値に応じて、前記赤外線発光ダイオードの発光強度を変化させることが好ましい。 In the infrared remote control device of the present invention, the infrared remote control device further comprises voltage detection means for detecting the voltage of the power source of the infrared light emitting diode, and the light emission intensity changing means is configured according to the voltage value detected by the voltage detection means. It is preferable to change the emission intensity of the infrared light emitting diode.
本発明の赤外線リモートコントロール装置においては、前記発光強度変化手段は、前記電圧検出手段により検出される電圧値が比較的高電圧である場合には、前記赤外線発光ダイオードの発光強度を比較的弱くする一方で、前記電圧検出手段により検出される電圧値が比較的低電圧である場合には、前記赤外線発光ダイオードの発光強度を比較的強くすることが好ましい。 In the infrared remote control device of the present invention, the light emission intensity changing means relatively weakens the light emission intensity of the infrared light emitting diode when the voltage value detected by the voltage detection means is a relatively high voltage. On the other hand, when the voltage value detected by the voltage detection means is a relatively low voltage, it is preferable to make the emission intensity of the infrared light emitting diode relatively strong.
或いは、本発明の赤外線リモートコントロール装置においては、使用者に操作される操作手段を更に備え、前記発光強度変化手段は、前記操作手段に対する操作に応じて、前記赤外線発光ダイオードの発光強度を変化させることも好ましい。 Alternatively, in the infrared remote control device of the present invention, the infrared remote control device further includes operation means operated by a user, and the emission intensity changing means changes the emission intensity of the infrared light emitting diode in response to an operation on the operation means. It is also preferable.
本発明の赤外線リモートコントロール装置においては、前記発光強度変化手段は、前記赤外線発光ダイオードの電源から該赤外線発光ダイオードに対して供給される電流を制限する抵抗値を変化させることにより、前記赤外線発光ダイオードの発光強度を変化させることが好ましい。 In the infrared remote control device of the present invention, the light emission intensity changing means changes the resistance value for limiting the current supplied from the power source of the infrared light emitting diode to the infrared light emitting diode, thereby the infrared light emitting diode. It is preferable to change the emission intensity.
本発明の赤外線リモートコントロール装置においては、前記赤外線発光ダイオードの電源と前記赤外線発光ダイオードとの間において、相互に直列に接続された複数の抵抗を備え、これら抵抗のうち選択された抵抗を、前記電源から前記赤外線発光ダイオードに供給される電流の制限用に用いることが好ましい。 In the infrared remote control device of the present invention, between the power source of the infrared light emitting diode and the infrared light emitting diode, a plurality of resistors connected in series with each other, the resistance selected among these resistors, It is preferably used for limiting the current supplied from the power source to the infrared light emitting diode.
本発明の赤外線リモートコントロール装置においては、前記発光強度変化手段は、前記赤外線発光ダイオードの発光強度を、2段階の強度のうちの何れか一方の強度に設定することを好ましい一例としている。 In the infrared remote control device of the present invention, the emission intensity changing means preferably sets the emission intensity of the infrared light emitting diode to one of two intensity levels.
この場合、前記発光強度変化手段は、前記赤外線発光ダイオードの発光強度の設定を、1つの強度設定用スイッチにより行うことが好ましい。 In this case, it is preferable that the light emission intensity changing means sets the light emission intensity of the infrared light emitting diode by one intensity setting switch.
前記強度設定用スイッチは、例えば、アナログスイッチや電界効果トランジスタからなることが挙げられる。 Examples of the strength setting switch include an analog switch and a field effect transistor.
また、本発明の赤外線リモートコントロール装置においては、前記発光強度変化手段は、前記赤外線発光ダイオードの発光強度を、3段階以上の強度のうちの何れか1つの強度に設定することも好ましい。この場合の赤外線発光ダイオードの発光強度を設定する強度設定用スイッチとしても、例えば、アナログスイッチや電界効果トランジスタを適用することができる。 In the infrared remote control device of the present invention, it is also preferable that the light emission intensity changing means sets the light emission intensity of the infrared light emitting diode to any one of three or more levels. As an intensity setting switch for setting the emission intensity of the infrared light emitting diode in this case, for example, an analog switch or a field effect transistor can be applied.
本発明の赤外線リモートコントロール装置においては、前記赤外線発光ダイオードを前記所望の発光パターンで発光させるための該赤外線発光ダイオードのオン/オフ切り替えを、1つのオン/オフ切替用スイッチにより行うことが好ましい。 In the infrared remote control device of the present invention, it is preferable that on / off switching of the infrared light emitting diode for causing the infrared light emitting diode to emit light in the desired light emission pattern is performed by one on / off switching switch.
前記オン/オフ切替用スイッチは、例えば、バイポーラトランジスタや電界効果トランジスタからなることが挙げられる。 Examples of the on / off switching switch include a bipolar transistor and a field effect transistor.
また、本発明の携帯端末装置は、本発明の赤外線リモートコントロール装置を備えることを特徴としている。 Moreover, the portable terminal device of the present invention is characterized by including the infrared remote control device of the present invention.
本発明の携帯端末装置は、通信機能を有する携帯通信端末装置(例えば、携帯電話機)であることを好ましい例とする。 The mobile terminal device of the present invention is preferably a mobile communication terminal device (for example, a mobile phone) having a communication function.
或いは、本発明の携帯端末装置は、情報処理機能を有する携帯情報端末装置であることも好ましい。 Or it is also preferable that the portable terminal device of this invention is a portable information terminal device which has an information processing function.
また、本発明の赤外線発光ダイオードの発光制御方法は、赤外線発光ダイオードを備え、前記赤外線発光ダイオードを所望の発光パターンで発光させることによりリモートコントロールを行う赤外線リモートコントロール装置における前記赤外線発光ダイオードの発光を制御する方法であって、前記赤外線発光ダイオードの発光強度を変化させる強度変化過程と、前記強度変化過程による変化後の発光強度にて前記赤外線発光ダイオードを所望の発光パターンで発光させる過程と、備えることを特徴としている。 Further, the light emission control method of the infrared light emitting diode according to the present invention includes an infrared light emitting diode, and causes the infrared light emitting diode to emit light in an infrared remote control device that performs remote control by causing the infrared light emitting diode to emit light in a desired light emission pattern. A method of controlling, comprising: an intensity changing process for changing the emission intensity of the infrared light emitting diode; and a process of causing the infrared light emitting diode to emit light in a desired light emission pattern with the emission intensity after the change due to the intensity changing process. It is characterized by that.
また、本発明の赤外線発光ダイオードの発光制御方法は、赤外線発光ダイオードを備え、前記赤外線発光ダイオードを所望の発光パターンで発光させることによりリモートコントロールを行う赤外線リモートコントロール装置における前記赤外線発光ダイオードの発光を制御する方法であって、前記赤外線発光ダイオードの電源の電圧を検出する電圧検出過程と、前記電圧検出過程により検出される電圧値に応じて、前記赤外線発光ダイオードの発光強度を変化させる強度変化過程と、前記強度変化過程による変化後の発光強度にて前記赤外線発光ダイオードを所望の発光パターンで発光させる過程と、を備えることを特徴としている。 Further, the light emission control method of the infrared light emitting diode according to the present invention includes an infrared light emitting diode, and causes the infrared light emitting diode to emit light in an infrared remote control device that performs remote control by emitting light with the desired light emission pattern. A voltage detection process for detecting a power supply voltage of the infrared light emitting diode, and an intensity changing process for changing a light emission intensity of the infrared light emitting diode according to a voltage value detected by the voltage detection process. And a process of causing the infrared light emitting diode to emit light in a desired light emission pattern with the light emission intensity after the change due to the intensity change process.
また、本発明の赤外線発光ダイオードの発光制御方法は、赤外線発光ダイオードを備え、前記赤外線発光ダイオードを所望の発光パターンで発光させることによりリモートコントロールを行う赤外線リモートコントロール装置における前記赤外線発光ダイオードの発光を制御する方法であって、使用者による操作を検出する操作検出過程と、前記操作検出過程により検出される操作の種類に応じて、前記赤外線発光ダイオードの発光強度を変化させる強度変化過程と、前記強度変化過程による変化後の発光強度にて前記赤外線発光ダイオードを所望の発光パターンで発光させる過程と、を備えることを特徴としている。 Further, the light emission control method of the infrared light emitting diode according to the present invention includes an infrared light emitting diode, and causes the infrared light emitting diode to emit light in an infrared remote control device that performs remote control by emitting light with the desired light emission pattern. An operation detection process for detecting an operation by a user, an intensity changing process for changing an emission intensity of the infrared light emitting diode according to a type of operation detected by the operation detection process, And the step of causing the infrared light emitting diode to emit light in a desired light emission pattern with the light emission intensity after the change due to the intensity change process.
また、本発明のプログラムは、赤外線発光ダイオードの発光制御方法をコンピュータに実行させるためのプログラムであることを特徴としている。 The program of the present invention is a program for causing a computer to execute a light emission control method of an infrared light emitting diode.
本発明によれば、赤外線リモートコントロール装置の消費電力を低減したり、或いは、リモートコントロール動作を確実に安定的に行えるようにしたりすることができる。 According to the present invention, the power consumption of the infrared remote control device can be reduced, or the remote control operation can be reliably and stably performed.
以下、図面を参照して、本発明に係る実施形態について説明する。 Embodiments according to the present invention will be described below with reference to the drawings.
〔第1の実施形態〕
図1は第1の実施形態に係る携帯電話機100の構成を示すブロック図である。
[First Embodiment]
FIG. 1 is a block diagram showing the configuration of the
図1に示すように、第1の実施形態に係る携帯電話機(携帯端末装置、携帯通信端末装置)100は、例えば複数の操作キーからなり使用者により操作される操作部11と、例えば液晶表示装置からなり各種の表示動作を行う表示部12と、無線通信を行う無線部13と、発音動作を行う発音部(スピーカ)14と、受話動作を行う受話部(マイク)15と、各種の制御動作を行う制御部20と、当該携帯電話機100の電源である電源部22と、このうち電源部(電源)22及び制御部(発光強度変化手段)20を含んで構成された赤外線リモートコントロール部(赤外線リモートコントロール装置)30と、を備えて構成されている。
As shown in FIG. 1, a mobile phone (mobile terminal device, mobile communication terminal device) 100 according to the first embodiment includes, for example, an
無線部13は、図示しないアンテナを備え、このアンテナにより外部(例えば、無線基地局など)との間で無線信号を送受信する。
The
また、無線部13は、受信した無線信号を復調し、制御部20に入力する。
The
制御部20は、無線部13からの信号に基づいて、例えば、発音部14に対して発音動作(通話の際の相手方の音声の発音動作など)を行わせたり、表示部12に対して表示動作(通話中である旨を示す表示動作など)を行わせたりする。
Based on the signal from the
また、無線部13は、(受話部15からの音声入力に基づき生成される)制御部20からの音声信号や制御部20からの制御信号を変調し無線信号に変えて、該無線信号をアンテナより外部に対して送信する。
Further, the
携帯電話機100は、このように無線部13を介して無線通信を行うことにより、通話、電子メールの送受信、インターネット接続といった通信機能を実行することが可能となっている。
The
制御部20は、例えば、表示部12、無線部13、発音部14などの動作制御を含む各種の制御動作を行うCPUと、このCPUにより実行される各種の制御プログラム(プログラム)を記憶したROM(記録媒体)と、CPUの作業領域などとして機能するRAMと、を備えて構成されている。制御部20の動作はROMに格納されている制御プログラムに従って行われる。
The
また、赤外線リモートコントロール部30は、制御部(発光強度変化手段)20及び電源部(電源)22の他に、赤外線を発光する赤外線LED(赤外線発光ダイオード)21と、この赤外線LED21のオン/オフ切り替え動作を制御部20の制御下で行うオン/オフ切替用トランジスタ(オン/オフ切替用スイッチ)TR1と、電源部22から赤外線LED21に供給される電流を制限する第1及び第2の抵抗(抵抗)R1、R2と、電源部22から赤外線LED21に供給される電流を制限する抵抗値の切り替えを行う抵抗値切替用アナログスイッチ(強度設定用スイッチ)ASW1と、電源部22から供給される電圧の値を検出する電圧検出部(電圧検出手段)23と、を備えて構成されている。
The infrared
電源部22は、例えば電池パックなどの充電可能な二次電池であり、例えば、電圧検出部23を介して制御部20に電源を供給する。なお、制御部20は、電源部22から供給される電源を表示部12,無線部13,発音部14などに供給する。
The
また、電源部22は、第1及び第2の抵抗R1、R2の双方を介して、或いは、第1の抵抗R1のみを介して、赤外線LED21に対しても電源を供給する。
The
第1の抵抗R1は、その一方の端子が電源部22に接続されている。第1の抵抗R1の他方の端子は第2の抵抗R2の一方の端子に接続されている。
One terminal of the first resistor R <b> 1 is connected to the
第2の抵抗R2の他方の端子は、赤外線LED21のアノード端子に接続されている。
The other terminal of the second resistor R2 is connected to the anode terminal of the
また、赤外線LED21のカソード端子は、オン/オフ切替用トランジスタTR1のコレクタ端子に接続されている。
The cathode terminal of the
オン/オフ切替用トランジスタTR1のベース端子は制御部20に接続され、エミッタ端子はグランドに接続されている。
The base terminal of the on / off switching transistor TR1 is connected to the
なお、本実施形態の場合、オン/オフ切替用トランジスタTR1は、例えば、バイポーラ型のNチャネルトランジスタからなる。 In the present embodiment, the on / off switching transistor TR1 is composed of, for example, a bipolar N-channel transistor.
このオン/オフ切替用トランジスタTR1がオン状態となると、赤外線発光LED21には電源部22から電流が供給され、該赤外線発光LED21が発光する。
When the on / off switching transistor TR1 is turned on, a current is supplied to the infrared
従って、制御部20がオン/オフ切替用トランジスタTR1を所望のタイミングでオン/オフさせることにより、赤外線発光LED21が所望の発光パターンで発光する。このような赤外線発光LED21の発光は、該発光の被照射機器(図示略)に対する制御信号として機能する。つまり、赤外線発光LED21の発光の被照射機器は、該発光を受信することにより、リモートコントロールされる。
Therefore, when the
なお、リモートコントロールのための赤外線発光LED21の発光の契機、すなわち、オン/オフ切替用トランジスタTR1のオン/オフ切り替えの契機は、例えば、制御部20が操作部11に対するリモートコントロール操作を検出することであることが挙げられる。
Note that the trigger of light emission of the infrared
また、抵抗値切替用アナログスイッチASW1の制御端子は、制御部20に接続されている。
Further, the control terminal of the resistance value switching analog switch ASW 1 is connected to the
更に、抵抗値切替用アナログスイッチASW1の他の2つの端子のうち、一方の端子は、第1の抵抗R1と第2の抵抗R2との接続点に対して接続され、他方の端子は、第2の抵抗R2と赤外線LED21のカソード端子との接続点に対して接続されている。
Further, of the other two terminals of the resistance value switching analog switch ASW1, one terminal is connected to a connection point between the first resistor R1 and the second resistor R2, and the other terminal is connected to the first terminal. 2 is connected to a connection point between the resistor R2 and the cathode terminal of the
電圧検出部23は、電源部22及び制御部20へそれぞれ接続され、電源部22の電圧を検出した検出結果を制御部20に対して出力する。
The
制御部20は、電圧検出部23による検出結果(電源部22の電圧値)と、予め設定された基準値とを比較し、該比較結果に応じて、抵抗値切替用アナログスイッチASW1をオン又はオフする。
The
すなわち、制御部20は、電圧検出部23による検出結果が、予め設定された基準値よりも高電圧である場合には、抵抗値切替用アナログスイッチASW1をオフする一方で、予め設定された基準値よりも高電圧ではない場合(予め設定された基準値以下の場合)には、抵抗値切替用アナログスイッチASW1をオンする。
That is, when the detection result by the
抵抗値切替用アナログスイッチASW1がオフの場合には、電源部22から赤外線LED21への供給電流は、第1及び第2の抵抗R1,R2の双方により制限される。よって、赤外線LED21の電流が小さめになり、該赤外線LED21の発光強度が弱めになる。つまり、抵抗値切替用アナログスイッチASW1がオフの場合に、例えば、制御部20が操作部11に対するリモートコントロール操作を検出するなどの契機が生ずると、制御部20は、弱めの発光強度にて、赤外線LED21を所望の発光パターンで発光させる。
When the resistance value switching analog switch ASW1 is off, the supply current from the
他方、抵抗値切替用アナログスイッチASW1がオンの場合には、第2の抵抗R2の両端子間が相互に接続されるので、電源部22から赤外線LED21への供給電流は、第1及び第2の抵抗R1,R2のうち第1の抵抗R1のみにより制限される。よって、赤外線LED21の電流が大きめになり、該赤外線LED21の発光強度が強めになる。つまり、抵抗値切替用アナログスイッチASW1がオンの場合に、例えば、制御部20が操作部11に対するリモートコントロール操作を検出するなどの契機が生ずると、制御部20は、強めの発光強度にて、赤外線LED21を所望の発光パターンで発光させる。
On the other hand, when the resistance value switching analog switch ASW1 is on, both terminals of the second resistor R2 are connected to each other, so that the supply current from the
このように、制御部20は、電圧検出部23により検出される電圧値が基準値以下の場合(比較的低電圧である場合)には、赤外線LED21の発光強度を強くする一方で、電圧検出部23により検出される電圧値が基準値よりも高電圧である場合(比較的高電圧である場合)には、赤外線LED21の発光強度を弱くする。
As described above, when the voltage value detected by the
また、このように、制御部20は、赤外線LED21の電源である電源部22から該赤外線LED21に対して供給される電流を制限する抵抗値を変化させることにより、該赤外線LED21の発光強度を変化させる。
Further, in this way, the
また、このように、赤外線リモートコントロール部30は、赤外線LED21の電源である電源部22と赤外線LED21との間において、相互に直列に接続された複数の抵抗R1、R2を備え、これら抵抗R1、R2のうち選択された抵抗(例えば、第1及び第2の抵抗の双方、又は、第1の抵抗R1のみ)を、電源部22赤外線LED21に供給される電流の制限用に用いる。
As described above, the infrared
また、このように、制御部20は、赤外線LED21の発光強度を、2段階の強度のうちの何れか一方の強度に設定する。
In this way, the
また、このように、制御部20は、赤外線LED21の発光強度の設定を、1つの抵抗値切替用アナログスイッチ(強度設定用スイッチ)ASW1のオン/オフ切り替えにより行う。
In this way, the
また、このように、赤外線LED21を所望の発光パターンで発光させるための該赤外線LED21のオン/オフ切り替えを、1つのオン/オフ切替用トランジスタ(オン/オフ切替用スイッチ)TR1により行う。
Further, in this way, on / off switching of the
このように、赤外線リモートコントロール部30においては、制御部20がオン/オフ切替用トランジスタTR1及び抵抗値切替用アナログスイッチASW1をオン/オフすることによって、所望の電流を赤外線LED21に印加し、該赤外線LED21の発光制御を行う。なお、赤外線LED21の電流とその発光強度とは比例の関係にある。
In this way, in the infrared
次に、動作を説明する。 Next, the operation will be described.
図2は、電源部22の電圧と赤外線LED21に流れる電流との関係を表す電圧−電流特性を示す図である。
FIG. 2 is a diagram showing voltage-current characteristics representing the relationship between the voltage of the
オン/オフ切替用トランジスタTR1がオン状態で且つ抵抗値切替用アナログスイッチASW1がオフ状態の場合、赤外線LED21は、電源部22から供給され第1及び第2の抵抗R1、R2により制限された電流にて発光する。このときの電圧−電流特性は図2のA−B(点Aと点Bとを結ぶ直線)のようになる。
When the on / off switching transistor TR1 is in the on state and the resistance value switching analog switch ASW1 is in the off state, the
他方、オン/オフ切替用トランジスタTR1がオン状態で且つ抵抗値切替用アナログスイッチASW1がオン状態の場合、赤外線LED21は、電源部22から供給され第1の抵抗R1により制限された電流にて発光する。このときの電圧−電流特性は図2のA−C(点Aと点Cとを結ぶ直線)のようになる。
On the other hand, when the on / off switching transistor TR1 is in the on state and the resistance value switching analog switch ASW1 is in the on state, the
なお、オン/オフ切替用トランジスタTR1がオフ状態の場合、赤外線LED21は発光しない。
When the on / off switching transistor TR1 is in the off state, the
図3は、電源部22の電圧に応じた赤外線LED21の発光制御特性を示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing the light emission control characteristics of the
図3に示すように、電源部22の電圧が基準値Gよりも高い場合には(図3のB−D間)、制御部20は抵抗値切替用アナログスイッチASW1をオフする。この場合に、リモートコントロールのための赤外線発光LED21の発光の契機が生ずると、制御部20は、弱めの発光強度にて、赤外線LED21を所望の発光パターンで発光させる。つまり、この場合、赤外線LED21に流れる電流は第1及び第2の抵抗R1、R2により制限されるので、赤外線LED21の消費電力が抑制される。
As shown in FIG. 3, when the voltage of the
他方、電源部22の電圧が基準値Gよりも高くはない場合(基準値G以下の場合)には(図3のE−F間)、制御部20は抵抗値切替用アナログスイッチASW1をオンする。この場合に、リモートコントロールのための赤外線発光LED21の発光の契機が生ずると、制御部20は、強めの発光強度にて、赤外線LED21を所望の発光パターンで発光させる。つまり、この場合、赤外線LED21に流れる電流は第1及び第2の抵抗R1、R2のうち第1の抵抗R1のみにより制限されるので、電源部22の電圧が低くても赤外線LED21に流れる電流値が十分な値となり、該赤外線LED21の十分な発光強度が確保できる。
On the other hand, when the voltage of the
このように、電源部22の電圧に応じて抵抗値切替用アナログスイッチASW1を制御することにより、赤外線LED21の発光時の電流を変化させ、その発光強度を切り替えることが可能となる。
In this way, by controlling the resistance value switching analog switch ASW1 in accordance with the voltage of the
以上のような第1の実施形態によれば、電源部22の電圧が高い場合には、赤外線LED21の電流を小さめに切り替えるので、赤外線LED21の最大電流を低く抑えることができる。よって、携帯電話機100の低消費電力化が可能となる。
According to the first embodiment as described above, when the voltage of the
また、電源部22の電圧が低い場合には、赤外線LED21の電流を大きめに切り替えるので、赤外線LED21の十分な発光強度が確保でき、所望のリモートコントロール動作を確実に安定的に行うことができる。
Further, when the voltage of the
〔第2の実施形態〕
図4は第2の実施形態に係る携帯電話機(携帯端末装置、携帯通信端末装置:全体図示略)が備える赤外線リモートコントロール部(赤外線リモートコントロール装置)200の構成を示す回路図である。
[Second Embodiment]
FIG. 4 is a circuit diagram showing a configuration of an infrared remote control unit (infrared remote control device) 200 provided in the mobile phone (mobile terminal device, mobile communication terminal device: overall illustration not shown) according to the second embodiment.
図4に示すように、本実施形態の場合の赤外線リモートコントロール部200は、バイポーラ型のオン/オフ切替用トランジスタTR1(図1)に代えてFET(電界効果トランジスタ)からなるオン/オフ切替用トランジスタ(オン/オフ切替用スイッチ)TR201を備える点でのみ、上記の第1の実施形態の場合の赤外線リモートコントロール部30(図1)と相違し、その他の点では上記の第1の実施形態の場合の赤外線リモートコントロール部30と同様に構成されている。
As shown in FIG. 4, the infrared
よって、本実施形態の場合の赤外線リモートコントロール部200の各構成要素のうち、上記の第1の実施形態の場合の赤外線リモートコントロール部30におけるのと同様の構成要素には同一の符号を付し、その説明を省略する。
Therefore, among the components of the infrared
本実施形態の場合、オン/オフ切替用トランジスタTR201の各端子のうち、ゲート端子は制御部20に、ドレイン端子は赤外線LED21のカソード端子に、ソース端子はグランドに、それぞれ接続されている。
In the present embodiment, among the terminals of the on / off switching transistor TR201, the gate terminal is connected to the
そして、オン/オフ切替用トランジスタTR201は、上記の第1の実施形態におけるオン/オフ切替用トランジスタTR1と同様に、制御部20によりオン/オフ制御され、赤外線LED21のオン/オフ切り替えを行う。
The on / off switching transistor TR201 is on / off controlled by the
なお、本実施形態の場合も、携帯電話機のその他の構成は、上記の第1の実施形態と同様である。 In the present embodiment, the other configurations of the mobile phone are the same as those in the first embodiment.
第2の実施形態によれば、第1の実施形態と同様の効果が得られる。 According to the second embodiment, the same effect as in the first embodiment can be obtained.
〔第3の実施形態〕
図5は第3の実施形態に係る携帯電話機(携帯端末装置、携帯通信端末装置:全体図示略)が備える赤外線リモートコントロール部300の構成を示す回路図である。
[Third Embodiment]
FIG. 5 is a circuit diagram showing a configuration of an infrared
図5に示すように、本実施形態の場合の赤外線リモートコントロール部300は、Nチャネル型のオン/オフ切替用トランジスタTR1(図1)に代えてPチャネル型のオン/オフ切替用トランジスタ(オン/オフ切替用スイッチ、バイポーラトランジスタ)TR301を備える点でのみ、上記の第1の実施形態の場合の赤外線リモートコントロール部30(図1)と相違し、その他の点では上記の第1の実施形態の場合の赤外線リモートコントロール部30と同様に構成されている。
As shown in FIG. 5, the infrared
よって、本実施形態の場合の赤外線リモートコントロール部300の各構成要素のうち、上記の第1の実施形態の場合の赤外線リモートコントロール部30におけるのと同様の構成要素には同一の符号を付し、その説明を省略する。
Therefore, among the components of the infrared
本実施形態の場合、オン/オフ切替用トランジスタTR301は、電源部22と第1の抵抗R1との間に接続されている。
In the present embodiment, the on / off switching transistor TR301 is connected between the
すなわち、オン/オフ切替用トランジスタTR301の各端子のうち、コレクタ端子は電源部22に、エミッタ端子は第1の抵抗R1の一方の端子に、ベース端子は制御部20に、それぞれ接続されている。
That is, among the terminals of the on / off switching transistor TR301, the collector terminal is connected to the
また、赤外線LED21のカソード端子はグランドに接続されている。
The cathode terminal of the
本実施形態の場合、オン/オフ切替用トランジスタTR301は、上記の第1の実施形態におけるオン/オフ切替用トランジスタTR1と同様に、制御部20によりオン/オフ制御され、赤外線LED21のオン/オフ切り替えを行う。
In the case of this embodiment, the on / off switching transistor TR301 is on / off controlled by the
なお、本実施形態の場合も、携帯電話機のその他の構成は、上記の第1の実施形態と同様である。 In the present embodiment, the other configurations of the mobile phone are the same as those in the first embodiment.
第3の実施形態によれば、第1の実施形態と同様の効果が得られる。 According to the third embodiment, the same effect as in the first embodiment can be obtained.
〔第4の実施形態〕
図6は第4の実施形態に係る携帯電話機(携帯端末装置、携帯通信端末装置:全体図示略)が備える赤外線リモートコントロール部400の構成を示す回路図である。
[Fourth Embodiment]
FIG. 6 is a circuit diagram showing a configuration of an infrared
図6に示すように、本実施形態の場合の赤外線リモートコントロール部400は、抵抗値切替用アナログスイッチASW1(図1)に代えて、FET(電界効果トランジスタ)からなる抵抗値切替用スイッチ(強度設定用スイッチ)401を備える点でのみ、上記の第1の実施形態の場合の赤外線リモートコントロール部30(図1)と相違し、その他の点では上記の第1の実施形態の場合の赤外線リモートコントロール部30と同様に構成されている。
As shown in FIG. 6, the infrared
よって、本実施形態の場合の赤外線リモートコントロール部400の各構成要素のうち、上記の第1の実施形態の場合の赤外線リモートコントロール部30におけるのと同様の構成要素には同一の符号を付し、その説明を省略する。
Therefore, among the components of the infrared
本実施形態の場合、抵抗値切替用スイッチ401の各端子のうち、ゲート端子は制御部20に、ドレイン端子は第1の抵抗R1と第2の抵抗R2との接続点に、ソース端子は第2の抵抗R2と赤外線LED21のアノード端子との接続点に、それぞれ接続されている。
In the case of this embodiment, among the terminals of the resistance
そして、抵抗値切替用スイッチ401は、上記の第1の実施形態における抵抗値切替用アナログスイッチASW1と同様に、制御部20によりオン/オフ制御され、赤外線LED21の発光強度の切り替えを行う。
The resistance
なお、本実施形態の場合も、携帯電話機のその他の構成は、上記の第1の実施形態と同様である。 In the present embodiment, the other configurations of the mobile phone are the same as those in the first embodiment.
第4の実施形態によれば、第1の実施形態と同様の効果が得られる。 According to the fourth embodiment, the same effect as in the first embodiment can be obtained.
〔第5の実施形態〕
上記の第1の実施形態では、赤外線LED21の発光強度を2段階の強度のうちの何れか一方の強度に設定する例を説明したが、第5の実施形態では、赤外線LED21の発光強度を3段階の強度のうちの何れか1つの強度に設定可能な例について説明する。
[Fifth Embodiment]
In the first embodiment, the example in which the emission intensity of the
図7は第5の実施形態に係る携帯電話機(携帯端末装置、携帯通信端末装置:全体図示略)が備える赤外線リモートコントロール部(赤外線リモートコントロール装置)500の構成を示す回路図である。 FIG. 7 is a circuit diagram showing a configuration of an infrared remote control unit (infrared remote control device) 500 provided in a mobile phone (mobile terminal device, mobile communication terminal device: overall illustration not shown) according to the fifth embodiment.
図7に示すように、本実施形態の場合の赤外線リモートコントロール部500は、第2の抵抗値切替用アナログスイッチASW2及び第3の抵抗R3を追加で備える点でのみ、上記の第1の実施形態の場合の赤外線リモートコントロール部30(図1)と相違し、その他の点では上記の第1の実施形態の場合の赤外線リモートコントロール部30と同様に構成されている。
As shown in FIG. 7, the infrared
よって、本実施形態の場合の赤外線リモートコントロール部500の各構成要素のうち、上記の第1の実施形態の場合の赤外線リモートコントロール部30におけるのと同様の構成要素には同一の符号を付し、その説明を省略する。
Therefore, among the components of the infrared
本実施形態の場合、第2の抵抗R2の両端子のうち、第1の抵抗R1に接続されているのとは反対側の端子は、赤外線LED21のアノード端子には接続されておらず、第3の抵抗R3の一方の端子に接続されている。
In the case of the present embodiment, of the two terminals of the second resistor R2, the terminal opposite to the one connected to the first resistor R1 is not connected to the anode terminal of the
そして、第3の抵抗R3の他方の端子が、赤外線LED21のアノード端子に接続されている。
The other terminal of the third resistor R3 is connected to the anode terminal of the
また、本実施形態の場合、抵抗値切替用アナログスイッチASW1の制御端子が制御部20に接続され、抵抗値切替用アナログスイッチASW1の他の2つの端子のうちの一方の端子が第1の抵抗R1と第2の抵抗R2との接続点に対して接続されている点は、上記の第1の実施形態と同様であるが、該抵抗値切替用アナログスイッチASW1の残りの1つの端子は、第3の抵抗R3と赤外線LED21のアノード端子との接続点に対して接続されている。
In the present embodiment, the control terminal of the resistance value switching analog switch ASW1 is connected to the
また、本実施形態の場合、第2の抵抗値切替用アナログスイッチASW2の制御端子は、制御部20に接続され、該第2の抵抗値切替用アナログスイッチASW2の他の2つの端子のうち、一方の端子は、第2の抵抗R2と第3の抵抗R3との接続点に対して接続され、他方の端子は、第3の抵抗R3と赤外線LED21のアノード端子との接続点に対して接続されている。
In the case of the present embodiment, the control terminal of the second resistance value switching analog switch ASW2 is connected to the
また、本実施形態の場合、制御部20は、電圧検出部23による検出結果(電源部22の電圧値)と、予め設定された第1及び第2の基準値(第1の基準値>第2の基準値)とを比較し、該比較結果に応じて、抵抗値切替用アナログスイッチASW1及び第2の抵抗値切替用アナログスイッチASW2を個別にオン又はオフする。
In the case of the present embodiment, the
すなわち、制御部20は、電圧検出部23による検出結果が、予め設定された第1の基準値よりも高電圧である場合には、抵抗値切替用アナログスイッチASW1及び第2の抵抗値切替用アナログスイッチASW2をそれぞれオフする。
That is, when the detection result by the
また、電圧検出部23による検出結果が、予め設定された第1の基準値よりも高電圧ではなく(予め設定された第1の基準値以下)、且つ、予め設定された第2の基準値よりも高電圧である場合には、抵抗値切替用アナログスイッチASW1はオフにする一方で、第2の抵抗値切替用アナログスイッチASW2はオンにする。
Further, the detection result by the
また、電圧検出部23による検出結果が、予め設定された第2の基準値よりも高電圧ではない場合(予め設定された第2の基準値以下の場合)には、抵抗値切替用アナログスイッチASW1はオンにする一方で、第2の抵抗値切替用アナログスイッチASW2はオフにする。
Further, when the detection result by the
抵抗値切替用アナログスイッチASW1及び第2の抵抗値切替用アナログスイッチASW2をそれぞれオフの場合には、電源部22から赤外線LED21への供給電流は、第1、第2及び第3の抵抗R1,R2,R3により制限される。よって、赤外線LED21の電流が最も小さめになり、該赤外線LED21の発光強度が最も弱めになる。
When the resistance value switching analog switch ASW1 and the second resistance value switching analog switch ASW2 are turned off, the supply current from the
また、抵抗値切替用アナログスイッチASW1がオフで第2の抵抗値切替用アナログスイッチASW2がオンの場合には、第3の抵抗R3の両端子間が相互に接続されるので、電源部22から赤外線LED21への供給電流は、第1、第2及び第3の抵抗R1,R2,R3のうち、第1及び第2の抵抗R1、R2により制限される。よって、赤外線LED21の電流は中程度になり、該赤外線LED21の発光強度も中程度になる。
Further, when the resistance value switching analog switch ASW1 is off and the second resistance value switching analog switch ASW2 is on, the terminals of the third resistor R3 are connected to each other. The supply current to the
また、抵抗値切替用アナログスイッチASW1がオンで第2の抵抗値切替用アナログスイッチASW2がオフの場合には、第1の抵抗R1と第2の抵抗R2との接続点と、第3の抵抗R3と赤外線LED21のカソード端子との接続点とが相互に接続されるので、電源部22から赤外線LED21への供給電流は、第1及び第2の抵抗R1,R2のうち第1の抵抗R1のみにより制限される。よって、赤外線LED21の電流が最も大きめになり、該赤外線LED21の発光強度が最も強めになる。
When the resistance value switching analog switch ASW1 is on and the second resistance value switching analog switch ASW2 is off, the connection point between the first resistor R1 and the second resistor R2 and the third resistor Since the connection point between R3 and the cathode terminal of the
このように、本実施形態の場合、制御部20は、赤外線LED21の発光強度を、3段階の強度のうちの何れか一方の強度に設定する。
Thus, in the case of the present embodiment, the
なお、本実施形態の場合も、携帯電話機のその他の構成は、上記の第1の実施形態と同様である。 In the present embodiment, the other configurations of the mobile phone are the same as those in the first embodiment.
次に、動作を説明する。 Next, the operation will be described.
図8は、電源部22の電圧と赤外線LED21に流れる電流との関係を表す電圧−電流特性を示す図である。
FIG. 8 is a diagram illustrating a voltage-current characteristic representing the relationship between the voltage of the
オン/オフ切替用トランジスタTR1がオン状態で、且つ、抵抗値切替用アナログスイッチASW1及び第2の抵抗値切替用アナログスイッチASW2がそれぞれオフ状態の場合、赤外線LED21は、電源部22から供給され第1、第2及び第3の抵抗R1、R2、R3により制限された電流にて発光する。このときの電圧−電流特性は図8のA−H(点Aと点Hとを結ぶ直線)のようになる。
When the on / off switching transistor TR1 is in the on state and the resistance value switching analog switch ASW1 and the second resistance value switching analog switch ASW2 are in the off state, the
また、オン/オフ切替用トランジスタTR1がオン状態で、且つ、抵抗値切替用アナログスイッチASW1がオフ状態、第2の抵抗値切替用アナログスイッチASW2がオン状態の場合、赤外線LED21は、電源部22から供給され第1及び第2の抵抗R1、R2により制限された電流にて発光する。このときの電圧−電流特性は図8のA−B(点Aと点Bとを結ぶ直線)のようになる。
Further, when the on / off switching transistor TR1 is on, the resistance value switching analog switch ASW1 is off, and the second resistance value switching analog switch ASW2 is on, the
また、オン/オフ切替用トランジスタTR1がオン状態で、且つ、抵抗値切替用アナログスイッチASW1がオン状態、第2の抵抗値切替用アナログスイッチASW2がオフ状態の場合、赤外線LED21は、電源部22から供給され第1の抵抗R1により制限された電流にて発光する。このときの電圧−電流特性は図8のA−C(点Aと点Cとを結ぶ直線)のようになる。
When the on / off switching transistor TR1 is on, the resistance value switching analog switch ASW1 is on, and the second resistance value switching analog switch ASW2 is off, the
なお、オン/オフ切替用トランジスタTR1がオフ状態の場合、赤外線LED21は発光しない。
When the on / off switching transistor TR1 is in the off state, the
図9は、電源部22の電圧に応じた赤外線LED21の発光制御特性を示す図である。
FIG. 9 is a diagram illustrating the light emission control characteristics of the
図9に示すように、電源部22の電圧が第1の基準値Iよりも高い場合には(図9のH−J間)、制御部20は抵抗値切替用アナログスイッチASW1及び第2の抵抗値切替用アナログスイッチASW2をそれぞれオフする。この場合に、リモートコントロールのための赤外線発光LED21の発光の契機が生ずると、制御部20は、最も弱めの発光強度にて、赤外線LED21を所望の発光パターンで発光させる。つまり、この場合、赤外線LED21に流れる電流は第1、第2及び第3の抵抗R1、R2、R3により制限されるので、赤外線LED21の消費電力が最も抑制される。
As shown in FIG. 9, when the voltage of the
また、電源部22の電圧が第1の基準値Iよりも高くはなく(第1の基準値I以下で)第2の基準値G(第2の基準値G<第1の基準値I)よりも高い場合には(図9のK−D間)、制御部20は抵抗値切替用アナログスイッチASW1をオフ、第2の抵抗値切替用アナログスイッチASW2をオンにする。この場合に、リモートコントロールのための赤外線発光LED21の発光の契機が生ずると、制御部20は、中程度の発光強度にて、赤外線LED21を所望の発光パターンで発光させる。つまり、この場合、赤外線LED21に流れる電流は第1及び第2の抵抗R1、R2により制限されるので、電源部22の電圧が図9のH−J間よりも低くても赤外線LED21に流れる電流値が十分な値となり、該赤外線LED21の十分な発光強度が確保できる。また、電源部22の電圧が図9のE−F間の場合と比べると赤外線LED21の消費電力が抑制される。
Further, the voltage of the
また、電源部22の電圧が第2の基準値Gよりも高くはない場合(第2の基準値G以下の場合)には(図9のE−F間)、制御部20は抵抗値切替用アナログスイッチASW1をオン、第2の抵抗値切替用アナログスイッチASW2をオフにする。この場合に、リモートコントロールのための赤外線発光LED21の発光の契機が生ずると、制御部は、最も強めの発光強度にて、赤外線LED21を所望の発光パターンで発光させる。つまり、この場合、赤外線LED21に流れる電流は第1、第2及び第3の抵抗R1、R2、R3のうち第1の抵抗R1のみにより制限されるので、電源部22の電圧が図9のK−D間よりも低くても赤外線LED21に流れる電流値が十分な値となり、該赤外線LED21の十分な発光強度が確保できる。
In addition, when the voltage of the
以上のような第5の実施形態によれば、上記の第1の実施形態と同様の効果が得られる。 According to the fifth embodiment as described above, the same effect as in the first embodiment can be obtained.
また、赤外線LED21の発光強度を3段階の強度のうちの何れか1つの強度に設定するので、より好適に携帯電話機100の低消費電力化が可能となる。
Moreover, since the light emission intensity of the
なお、上記の第5の実施形態では、赤外線LED21の発光強度を3段階の強度のうちの何れか1つの強度に設定可能な例について説明したが、本発明はこの例に限らず、赤外線LED21の発光強度を4段階以上の強度のうちの何れか1つの強度に設定可能であるように赤外線リモートコントロール部を構成しても良い。すなわち、第5の実施形態では、赤外線LED21への供給電流を制限する抵抗が3つであり、赤外線LED21の発光強度を切り替えるアナログスイッチが2つである例を説明したが、このアナログスイッチや抵抗の数を適宜に増加させることにより、切り替え可能な発光強度の段階数を増加させることができる。
In the fifth embodiment, the example in which the emission intensity of the
〔第6の実施形態〕
図10は第6の実施形態に係る携帯電話機(携帯端末装置、携帯通信端末装置:全体図示略)が備える赤外線リモートコントロール部600の構成を示す回路図である。
[Sixth Embodiment]
FIG. 10 is a circuit diagram showing a configuration of an infrared
図10に示すように、本実施形態の場合の赤外線リモートコントロール部600は、電圧検出部23(図1)を備えていない代わりに、操作部(操作手段)11(図1)を含んで構成されている。
As shown in FIG. 10, the infrared
なお、本実施形態の場合の赤外線リモートコントロール部600は、その他の点では上記の第1の実施形態の場合の赤外線リモートコントロール部30と同様に構成されているため、本実施形態の場合の赤外線リモートコントロール部600の各構成要素のうち、上記の第1の実施形態の場合の赤外線リモートコントロール部30におけるのと同様の構成要素には同一の符号を付し、その説明を省略する。
The infrared
本実施形態の場合、制御部20は、操作部11に対する操作に応じて、抵抗値切替用アナログスイッチASW1をオン又はオフし、赤外線LED21の発光強度を変化させる。
In the case of the present embodiment, the
すなわち、制御部20は、赤外線発光強度の増加を要求する旨の操作を操作部11が受け付けた場合に、抵抗値切替用アナログスイッチASW1をオンし、赤外線LED21の発光強度を変化させる。
That is, when the
なお、制御部20は、例えば、赤外線発光強度の増加を要求する旨の操作を操作部11が受け付けた後、所定時間(例えば、15秒間)が経過した場合には、抵抗値切替用アナログスイッチASW1を再びオフにする。
For example, when a predetermined time (for example, 15 seconds) elapses after the
また、本実施形態の場合も、携帯電話機のその他の構成は、上記の第1の実施形態と同様である。 Also in the present embodiment, the other configurations of the mobile phone are the same as those in the first embodiment.
次に、動作を説明する。 Next, the operation will be described.
図11は、本実施形態の場合の赤外線LED21の発光制御特性を示す図である。
FIG. 11 is a diagram showing the light emission control characteristics of the
通常の設定では、抵抗値切替用アナログスイッチASW1はオフであり、電圧−電流特性は図11のD−B(点Dと点Bとを結ぶ直線)である。 In a normal setting, the resistance value switching analog switch ASW1 is OFF, and the voltage-current characteristic is DB in FIG. 11 (a straight line connecting the point D and the point B).
この設定にて被照射機器への距離が遠くリモコン機能が動作しないような場合、携帯電話機の使用者は、赤外線発光強度の増加を要求する旨の操作を操作部11に対して行う。
When the remote control function does not operate because the distance to the irradiated device is long with this setting, the user of the mobile phone performs an operation for requesting an increase in infrared light emission intensity on the
すると、この操作を制御部20が検知し、抵抗値切替用アナログスイッチASW1をオンさせ、図11のL点からM点のように一時的に(例えば、15秒間の間だけ)赤外線LED21への電流を増加させることが可能となる。
Then, the
これにより、赤外線LED21の発光強度も増加し、リモートコントロール動作を確実に安定的に行うことができる。
Thereby, the light emission intensity of the
以上のような第6の実施形態によれば、使用者の操作に応じて赤外線LED21の電流を大きめに切り替えるので、必要に応じて赤外線LED21の十分な発光強度を確保することができ、所望のリモートコントロール動作を確実に安定的に行うことができる。
According to the sixth embodiment as described above, since the current of the
なお、上記の各実施形態では、赤外線リモートコントロール部(赤外線リモートコントロール装置)を備える携帯端末装置として、携帯電話機を例示したが、本発明はこの例に限らず、例えば、携帯電話機以外の携帯通信端末装置(例えば、PHS(Personal Handy Phone System)など)や、或いは、PDA:Personal Digital Assistant)やノート型パーソナルコンピュータなどの(情報処理機能を有する)携帯情報端末装置にも同様に適用することが可能である。 In each of the above embodiments, a mobile phone is exemplified as a mobile terminal device including an infrared remote control unit (infrared remote control device). However, the present invention is not limited to this example, and for example, mobile communication other than a mobile phone. The present invention can be similarly applied to a terminal device (for example, PHS (Personal Handy Phone System)) or a portable information terminal device (having an information processing function) such as a PDA (Personal Digital Assistant) or a notebook personal computer. Is possible.
また、上記の第2の実施形態で説明したように、バイポーラ型のオン/オフ切替用トランジスタTR1に代えてFET(電界効果トランジスタ)からなるオン/オフ切替用トランジスタ(オン/オフ切替用スイッチ)TR201(図4)を備える構成は、上記の第4の実施形態(図6)、第5の実施形態(図7)及び第6の実施形態(図10)にも同様に適用可能である。 Further, as described in the second embodiment, an on / off switching transistor (on / off switching switch) including a FET (field effect transistor) instead of the bipolar on / off switching transistor TR1. The configuration including the TR 201 (FIG. 4) can be similarly applied to the fourth embodiment (FIG. 6), the fifth embodiment (FIG. 7), and the sixth embodiment (FIG. 10).
また、上記の第3の実施形態で説明したように、Nチャネル型のオン/オフ切替用トランジスタTR1に代えてPチャネル型のオン/オフ切替用トランジスタ(オン/オフ切替用スイッチ、バイポーラトランジスタ)TR301(図5)を備える構成は、上記の第4の実施形態(図6)、第5の実施形態(図7)及び第6の実施形態(図10)にも同様に適用可能である。 Further, as described in the third embodiment, a P-channel on / off switching transistor (on / off switching switch, bipolar transistor) is used instead of the N-channel on / off switching transistor TR1. The configuration including the TR 301 (FIG. 5) can be similarly applied to the fourth embodiment (FIG. 6), the fifth embodiment (FIG. 7), and the sixth embodiment (FIG. 10).
また、上記の第4の実施形態で説明したように、抵抗値切替用アナログスイッチASW1に代えて、FET(電界効果トランジスタ)からなる抵抗値切替用スイッチ(強度設定用スイッチ)401(図6)を備える構成は、上記の第2の実施形態(図4)、第3の実施形態(図5)及び第6の実施形態(図10)にも同様に適用可能である。同様に、第5の実施形態(図7)の場合、抵抗値切替用アナログスイッチASW1及び第2の抵抗値切替用アナログスイッチASW2のうちの一方或いは両方を、FETからなる抵抗値切替用スイッチに代えることができる。 Further, as described in the fourth embodiment, instead of the resistance value switching analog switch ASW1, a resistance value switching switch (strength setting switch) 401 including a FET (field effect transistor) 401 (FIG. 6). The configuration including the above can be similarly applied to the second embodiment (FIG. 4), the third embodiment (FIG. 5), and the sixth embodiment (FIG. 10). Similarly, in the case of the fifth embodiment (FIG. 7), one or both of the resistance value switching analog switch ASW1 and the second resistance value switching analog switch ASW2 is used as a resistance value switching switch formed of an FET. Can be replaced.
また、上記の第5の実施形態で説明したように、赤外線LED21の発光強度を3段階或いはそれ以上の段階数の強度のうちの何れか1つの強度に設定可能な構成は、上記の第2の実施形態(図4)、第3の実施形態(図5)、第4の実施形態(図6)及び第6の実施形態(図10)にも同様に適用可能である。
In addition, as described in the fifth embodiment, the configuration in which the emission intensity of the
また、上記の第6の実施形態で説明したように、操作部11に対する操作に応じて抵抗値切替用アナログスイッチASW1をオン又はオフする構成は、上記の第2の実施形態(図4)、第3の実施形態(図5)及び第4の実施形態(図6)にも同様に適用可能である。同様に、第5の実施形態(図7)の場合、操作部11に対する操作に応じて抵抗値切替用アナログスイッチASW1及び第2の抵抗値切替用アナログスイッチASW2を個別にオン又はオフする構成とすることができる。
Further, as described in the sixth embodiment, the configuration in which the resistance value switching analog switch ASW1 is turned on or off according to the operation on the
20 制御部(発光強度変化手段)
21 赤外線LED(赤外線発光ダイオード)
30 赤外線リモートコントロール部(赤外線リモートコントロール装置)
ASW1 抵抗値切替用アナログスイッチ(強度設定用スイッチ、アナログスイッチ)
22 電源部(電源)
23 電圧検出部(電圧検出手段)
R1 第1の抵抗(抵抗)
R2 第2の抵抗(抵抗)
TR1 オン/オフ切替用トランジスタ(オン/オフ切替用スイッチ、バイポーラトランジスタ)
100 携帯電話機(携帯端末装置、携帯通信端末装置)
操作手段
200 赤外線リモートコントロール部(赤外線リモートコントロール装置)
TR201 オン/オフ切替用トランジスタ(オン/オフ切替用スイッチ、電界効果トランジスタ)
300 赤外線リモートコントロール部(赤外線リモートコントロール装置)
TR301 オン/オフ切替用トランジスタ(オン/オフ切替用スイッチ、バイポーラトランジスタ)
400 赤外線リモートコントロール部(赤外線リモートコントロール装置)
401 抵抗値切替用スイッチ(強度設定用スイッチ、電界効果トランジスタ)
500 赤外線リモートコントロール部(赤外線リモートコントロール装置)
R3 第3の抵抗(抵抗)
ASW2 第2の抵抗値切替用アナログスイッチ(強度設定用スイッチ、アナログスイッチ)
600 赤外線リモートコントロール部(赤外線リモートコントロール装置)
11 操作部(操作手段)
20 Control unit (light emission intensity changing means)
21 Infrared LED (Infrared LED)
30 Infrared remote control unit (Infrared remote control device)
ASW1 Resistance switch analog switch (strength setting switch, analog switch)
22 Power supply (power supply)
23 Voltage detector (voltage detection means)
R1 first resistance (resistance)
R2 Second resistance (resistance)
TR1 ON / OFF switching transistor (ON / OFF switching switch, bipolar transistor)
100 Mobile phone (mobile terminal device, mobile communication terminal device)
Operating means 200 Infrared remote control unit (infrared remote control device)
TR201 ON / OFF switching transistor (ON / OFF switching switch, field effect transistor)
300 Infrared remote control unit (infrared remote control device)
TR301 On / off switching transistor (on / off switching switch, bipolar transistor)
400 Infrared remote control unit (infrared remote control device)
401 Resistance value switch (strength setting switch, field effect transistor)
500 Infrared remote control unit (infrared remote control device)
R3 Third resistance (resistance)
ASW2 Second resistance value switching analog switch (strength setting switch, analog switch)
600 Infrared remote control unit (Infrared remote control device)
11 Operation part (operation means)
Claims (22)
前記赤外線発光ダイオードの発光強度を変化させる発光強度変化手段を備えることを特徴とする赤外線リモートコントロール装置。 In an infrared remote control device comprising an infrared light emitting diode and performing remote control by causing the infrared light emitting diode to emit light in a desired light emission pattern,
An infrared remote control device comprising emission intensity changing means for changing the emission intensity of the infrared light emitting diode.
前記発光強度変化手段は、前記電圧検出手段により検出される電圧値に応じて、前記赤外線発光ダイオードの発光強度を変化させることを特徴とする請求項1に記載の赤外線リモートコントロール装置。 Voltage detecting means for detecting a voltage of a power source of the infrared light emitting diode;
2. The infrared remote control device according to claim 1, wherein the emission intensity changing unit changes the emission intensity of the infrared light emitting diode in accordance with a voltage value detected by the voltage detection unit.
前記発光強度変化手段は、前記操作手段に対する操作に応じて、前記赤外線発光ダイオードの発光強度を変化させることを特徴とする請求項1に記載の赤外線リモートコントロール装置。 It further comprises operating means operated by the user,
2. The infrared remote control device according to claim 1, wherein the light emission intensity changing unit changes a light emission intensity of the infrared light emitting diode in accordance with an operation on the operation unit.
前記赤外線発光ダイオードの発光強度を変化させる強度変化過程と、
前記強度変化過程による変化後の発光強度にて前記赤外線発光ダイオードを所望の発光パターンで発光させる過程と、
備えることを特徴とする赤外線発光ダイオードの発光制御方法。 A method for controlling light emission of the infrared light emitting diode in an infrared remote control device comprising an infrared light emitting diode and performing remote control by causing the infrared light emitting diode to emit light in a desired light emission pattern,
An intensity changing process for changing the emission intensity of the infrared light emitting diode;
A process of causing the infrared light emitting diode to emit light in a desired light emission pattern at a light emission intensity after change due to the intensity change process;
A method for controlling light emission of an infrared light emitting diode.
前記赤外線発光ダイオードの電源の電圧を検出する電圧検出過程と、
前記電圧検出過程により検出される電圧値に応じて、前記赤外線発光ダイオードの発光強度を変化させる強度変化過程と、
前記強度変化過程による変化後の発光強度にて前記赤外線発光ダイオードを所望の発光パターンで発光させる過程と、
を備えることを特徴とする赤外線発光ダイオードの発光制御方法。 A method for controlling light emission of the infrared light emitting diode in an infrared remote control device comprising an infrared light emitting diode and performing remote control by causing the infrared light emitting diode to emit light in a desired light emission pattern,
A voltage detection process for detecting a power supply voltage of the infrared light emitting diode;
An intensity changing process for changing the emission intensity of the infrared light emitting diode according to the voltage value detected by the voltage detecting process;
A process of causing the infrared light emitting diode to emit light in a desired light emission pattern at a light emission intensity after change due to the intensity change process;
An infrared light emitting diode light emission control method comprising:
使用者による操作を検出する操作検出過程と、
前記操作検出過程により検出される操作の種類に応じて、前記赤外線発光ダイオードの発光強度を変化させる強度変化過程と、
前記強度変化過程による変化後の発光強度にて前記赤外線発光ダイオードを所望の発光パターンで発光させる過程と、
を備えることを特徴とする赤外線発光ダイオードの発光制御方法。 A method for controlling light emission of the infrared light emitting diode in an infrared remote control device comprising an infrared light emitting diode and performing remote control by causing the infrared light emitting diode to emit light in a desired light emission pattern,
An operation detection process for detecting an operation by a user;
Intensity changing process for changing the emission intensity of the infrared light emitting diode according to the type of operation detected by the operation detecting process,
A process of causing the infrared light emitting diode to emit light in a desired light emission pattern at a light emission intensity after change due to the intensity change process;
An infrared light emitting diode light emission control method comprising:
A program for causing a computer to execute the light emission control method for an infrared light emitting diode according to any one of claims 19 to 21.
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JP2005129429A JP2006311053A (en) | 2005-04-27 | 2005-04-27 | Infrared remote control device, and light emitting control method of infrared light emitting diode |
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JP2011058720A (en) * | 2009-09-09 | 2011-03-24 | Hitachi Appliances Inc | Air conditioner |
-
2005
- 2005-04-27 JP JP2005129429A patent/JP2006311053A/en not_active Withdrawn
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