JP2006303524A - Bias voltage control circuit for avalanche photodiode and its adjusting method - Google Patents

Bias voltage control circuit for avalanche photodiode and its adjusting method Download PDF

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Makoto Sudo
誠 須藤
Masaaki Maeda
正明 前田
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a bias voltage control circuit that does not exert influence on the bias voltage of an APD even if there are variations in the ambient temperature and power supply voltage, and to provide its adjusting method. <P>SOLUTION: In a bias voltage control circuit 100B, a setting circuit 41 outputs a predetermined voltage 41a for setting the voltage of an output terminal 28 to a voltage capable of obtaining an optimum multiplication factor for an APD 70, a temperature compensation circuit 42 outputs a voltage 42a corresponding to a temperature gradient of a breakdown voltage of the APD 70, an addition circuit 43 gives a reference voltage 43a to a voltage comparator 30 by adding the predetermined voltage 41a and the voltage 42a corresponding to the temperature gradient, the voltage comparator 30 inputs a voltage 50a from the output terminal 28 via an attenuation resistor and generates a voltage control signal 30a based on the voltage 50a and the reference voltage 43a, and a voltage variable circuit 20B variably controls the direct current voltage using the signal 30a. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、アバランシェフォトダイオード用バイアス電圧制御回路およびその調整方法に関し、アバランシェフォトダイオード(APD: Avalanche Photodiode) に与えるバイアス電圧の最適制御に関する。   The present invention relates to a bias voltage control circuit for an avalanche photodiode and a method for adjusting the bias voltage control circuit, and to an optimum control of a bias voltage applied to an avalanche photodiode (APD).

従来、光通信システムにおいては、受光素子としてのAPD を用いた光／電気変換器が使用されている。このAPD は、信号光電流の増幅作用をもっており、微弱な光信号を扱う光ファイバ通信システムの受光素子としては必要不可欠である。   Conventionally, in an optical communication system, an optical / electrical converter using an APD as a light receiving element is used. This APD has an amplifying function of signal photocurrent and is indispensable as a light receiving element of an optical fiber communication system that handles weak optical signals.

また、このAPD の信号光電流の増幅作用は、通常、増倍率Ｍによって表されている。APD を効率的に動作させて使用するためには、数十Ｖ以上の直流バイアス電圧を印加する必要がある。そして、増倍率Ｍと直流バイアス電圧との間には密接な関係があり、従来、直流バイアス電圧のかけ方として増倍率値一定方式と、増倍率値変動方式とがある。   Further, the amplification effect of the signal photocurrent of the APD is usually represented by a multiplication factor M. In order to operate and use the APD efficiently, it is necessary to apply a DC bias voltage of several tens of volts or more. There is a close relationship between the multiplication factor M and the DC bias voltage. Conventionally, there are a multiplication factor constant method and a multiplication factor fluctuation method as a method of applying the DC bias voltage.

増倍率値一定方式は、ツェナーダイオードなどを利用してAPD の直流バイアス電圧を安定化して増倍率Ｍを一定にしておく方法である。増倍率値変動方式は、広範囲の自動利得制御(Automatic Gain Control: AGC) をかけてAPD の直流バイアス電圧を最適値に制御する方法である。   The constant multiplication factor method is a method in which the multiplication factor M is kept constant by stabilizing the APD DC bias voltage using a Zener diode or the like. The gain value variation method is a method of controlling the DC bias voltage of the APD to an optimum value by applying a wide range of automatic gain control (AGC).

しかしながら、増倍率値変動方式の場合はAGC 増幅器の温度変動や電源変動などの影響によってAPD の増倍率が変動し、信号対雑音比が劣化するという問題がある。さらに、増倍率値変動方式や増倍率値一定方式のいずれの場合でも何らかの手段によって高電圧発生回路として、たとえば、直流電圧(DC)／直流電圧(DC)コンバータ回路や発振器出力信号を昇圧するコッククロフト回路などを制御する必要があったため、高電圧発生回路を制御ループ内に備える必要があった。このため回路規模が大きくなるといった問題もあった。   However, the multiplication factor variation method has a problem that the APD amplification factor varies due to the temperature variation of the AGC amplifier, power supply variation, etc., and the signal-to-noise ratio deteriorates. Furthermore, in either case of the gain value variation method or the constant gain value constant method, for example, a DC voltage (DC) / DC voltage (DC) converter circuit or a cockcroft that boosts an oscillator output signal is used as a high voltage generation circuit by some means. Since it was necessary to control the circuit and the like, it was necessary to provide a high voltage generation circuit in the control loop. Therefore, there is a problem that the circuit scale becomes large.

さらにまた、APD は、図２に示すように逆方向の降伏電圧（ブレークダウン電圧）において増倍率が無限に近く高くなるという作用がある。したがって、この電圧以下のバイアス電圧で使用する必要がある。しかもこのブレークダウン電圧は、図３に示すようにAPD の周囲温度が変化することによっても変化する。このため、APD を動作させるうえでは、周囲温度の変化に対する補償とブレークダウン電圧以下での最適増倍率に制御することが信号対雑音比を良好にするために非常に重要なことである。   Furthermore, the APD has an effect that the multiplication factor becomes nearly infinitely high in the reverse breakdown voltage (breakdown voltage) as shown in FIG. Therefore, it is necessary to use a bias voltage lower than this voltage. Moreover, this breakdown voltage also changes as the ambient temperature of the APD changes as shown in FIG. For this reason, in operating the APD, it is very important to compensate for changes in the ambient temperature and to control to an optimum multiplication factor below the breakdown voltage in order to improve the signal-to-noise ratio.

このようなことから、周囲温度変動や電源電圧の変動があってもその影響をAPD のバイアス電圧に与えないようにし、APD にとって最適な増倍率にバイアス電圧を制御することができ、回路の小型化も図ることができるアバランシェフォトダイオード用バイアス電圧制御回路およびその調整方法の実現が要請されている。   For this reason, even if there are ambient temperature fluctuations or power supply voltage fluctuations, the influence of the fluctuations on the APD bias voltage can be prevented, and the bias voltage can be controlled to an optimum multiplication factor for the APD. There is a demand for an avalanche photodiode bias voltage control circuit and an adjustment method thereof that can also be realized.

そこで、本発明のアバランシェフォトダイオード用バイアス電圧制御回路は、入力直流電圧を電圧制御信号によって電圧を制御し出力する電圧可変手段を含み、この出力電圧をAPD に印加するバイアス電圧として制御し出力端子から出力する回路であって、APD の逆方向の降伏電圧の温度傾斜に当たる電圧を出力する温度傾斜電圧出力手段と、出力端子の電圧を所定の電圧に設定するための設定電圧を出力する設定電圧出力手段と、温度傾斜に当たる電圧と設定電圧とから基準電圧を設定し、この基準電圧と出力端子から抵抗を介して与えられる電圧とが等しくなるように電圧制御信号を生成し、電圧可変手段に対して与える比較制御手段とを含み、電圧可変手段は、デジタル電圧制御信号によってデジタル的に抵抗値を可変し設定することができるデジタル可変抵抗手段を含み、電圧制御信号をデジタル電圧制御信号に変換し、このデジタル電圧制御信号によって、デジタル可変抵抗手段の抵抗値を設定し、入力直流電圧を制御する。   Therefore, the bias voltage control circuit for an avalanche photodiode of the present invention includes a voltage variable means for controlling and outputting the input DC voltage by a voltage control signal, and controls the output voltage as a bias voltage to be applied to the APD. A temperature ramp voltage output means for outputting a voltage corresponding to the temperature ramp of the breakdown voltage in the reverse direction of the APD, and a set voltage for outputting a set voltage for setting the output terminal voltage to a predetermined voltage. A reference voltage is set from the output means, the voltage corresponding to the temperature gradient, and the set voltage, and a voltage control signal is generated so that the reference voltage and the voltage applied from the output terminal via the resistor are equal to each other. The voltage variable means can digitally vary and set the resistance value by a digital voltage control signal. Includes a digital variable resistor means that can convert the voltage control signal to a digital voltage control signal, this digital voltage control signal to set the resistance value of the digital variable resistor means, for controlling an input DC voltage.

このような構成を採ることで、基準電圧は、出力端子の設定電圧と温度傾斜に当たる電圧とから形成され、この基準電圧と出力端子の電圧とが常に等しくなるように比較制御手段から電圧制御信号が出力される。この電圧制御信号はデジタル信号に変換され、このデジタル信号によってデジタル可変抵抗手段を可変し、精度良く忠実に抵抗値を設定することができる。したがって、出力電圧に対する温度補償を行いながら、最適増倍率に当たる電圧に設定することができ、設定精度も高くなる。   By adopting such a configuration, the reference voltage is formed from the set voltage of the output terminal and the voltage corresponding to the temperature gradient, and the voltage control signal is sent from the comparison control means so that the reference voltage and the voltage of the output terminal are always equal. Is output. This voltage control signal is converted into a digital signal, and the digital variable resistance means can be varied by this digital signal, and the resistance value can be set accurately and faithfully. Therefore, the voltage corresponding to the optimum multiplication factor can be set while performing temperature compensation for the output voltage, and the setting accuracy is also improved.

また、電圧可変手段を、入力端子に直列に接続された第１の抵抗と、この第１の抵抗に直列に接続された第２の抵抗と、この第２の抵抗に接続され、電圧制御信号によって電流の制御を行うためのトランジスタとを含む電流制御部を含み、電圧制御信号によって、トランジスタが第１の抵抗および第２の抵抗に流れる電流を制御し、第１の抵抗と第２の抵抗との間の接続点から出力端子への電圧を取り出すように構成することで、少ない回路部品点数で構成することができ、回路を小型化することができる。しかも、電圧制御信号の大きさに応じて電流制御を行い出力電圧も忠実に制御することができる。   The voltage variable means is connected to the first resistor connected in series to the input terminal, the second resistor connected in series to the first resistor, and the second resistor, and the voltage control signal And a current control unit including a transistor for controlling current by controlling the current flowing through the first resistor and the second resistor by the voltage control signal, and the first resistor and the second resistor. By configuring so that the voltage from the connection point to the output terminal is taken out, the circuit can be configured with a small number of circuit components, and the circuit can be miniaturized. In addition, current control can be performed according to the magnitude of the voltage control signal, and the output voltage can also be faithfully controlled.

さらに、本発明のAPD 用バイアス電圧制御回路は、入力端子に与えられる入力直流電圧を電圧制御信号に応じた電圧に可変制御し出力する電圧可変手段を含み、この出力電圧をAPD に印加するバイアス電圧として制御し出力端子から出力する回路であって、出力端子から第１の抵抗を介して電流を引き込む制御を行い、出力端子の電圧を所定の電圧に設定する出力電圧設定手段と、出力端子から第１の抵抗を介して電流を引き込む制御を行い、APD の逆方向の降伏電圧の温度傾斜に当たる電流を引き込む温度傾斜電流引き込み手段と、所定の基準電圧を設定し、この基準電圧と出力端子から第１の抵抗を介して与えられる電圧とが等しくなるように電圧制御信号を生成し、電圧可変手段に対して与える比較制御手段とを含む。   Further, the APD bias voltage control circuit of the present invention includes voltage variable means for variably controlling and outputting an input DC voltage applied to an input terminal to a voltage corresponding to a voltage control signal, and a bias for applying this output voltage to the APD. An output voltage setting means for controlling the current as a voltage and outputting from the output terminal through a first resistor to set the voltage of the output terminal to a predetermined voltage; A temperature ramp current pulling means for pulling a current corresponding to a temperature ramp of the breakdown voltage in the reverse direction of the APD, and a predetermined reference voltage are set, and a reference voltage and an output terminal are set. And a comparison control means for generating a voltage control signal so as to be equal to the voltage given through the first resistor and giving it to the voltage variable means.

このような構成を採り、APD の最適増倍率に当たる設定電圧分の電流と、APD のブレークダウン電圧の温度傾斜分の電流を出力端子から引き込み制御し、出力電圧の設定と温度補償とを実現する。基準電圧と出力端子の電圧とが常に等しくなるように比較制御手段から電圧制御信号が出力される。この電圧制御信号によって出力端子の電圧が制御されるので、精度良く忠実に設定することができる。   By adopting such a configuration, the current corresponding to the set voltage corresponding to the optimum multiplication factor of the APD and the current corresponding to the temperature gradient of the breakdown voltage of the APD are drawn and controlled from the output terminal to realize the setting of the output voltage and temperature compensation. . A voltage control signal is output from the comparison control means so that the reference voltage and the voltage at the output terminal are always equal. Since the voltage of the output terminal is controlled by this voltage control signal, it can be set accurately and faithfully.

さらにまた、本発明によれば、入力端子に与えられる入力直流電圧を電圧制御信号に応じた電圧に可変制御し出力する電圧可変手段を含み、この出力電圧をAPD に印加するバイアス電圧として制御し出力端子から出力する回路であって、出力端子から第１の抵抗を介して電流を引き込む制御を行い、出力端子の電圧を所定の電圧に設定する出力電圧設定手段と、出力端子から第１の抵抗を介して電流を引き込む制御を行い、APD の逆方向の降伏電圧の温度傾斜に当たる電流を引き込む温度傾斜電流引き込み手段と、所定の基準電圧を設定し、この基準電圧と出力端子から第１の抵抗を介して与えられる電圧とが等しくなるように電圧制御信号を生成し、電圧可変手段に対して与える比較制御手段とを含むAPD 用バイアス電圧制御回路において、温度補償の調整と最適増倍率への調整とを行うAPD 用バイアス電圧制御回路の調整方法は、使用するAPD の逆方向の降伏電圧の温度傾斜と最適増倍率とを測定する特性測定工程と、出力端子に使用するAPD を接続し、入力端子に所定の直流電圧を印加する電圧印加工程と、温度傾斜電流引き込み手段への電流の引き込みを停止させ、この状態で出力電圧設定手段によって出力端子の電圧を所定の値に設定する出力電圧設定工程と、温度傾斜電流引き込み手段への電流の引き込みを行い、温度傾斜に当たる電流の引き込みを行う温度傾斜設定工程と、出力電圧設定手段によって、出力端子の電圧を最適増倍率に対応する電圧に調整する電圧調整工程とを含む。   Furthermore, according to the present invention, it includes voltage varying means for variably controlling and outputting the input DC voltage applied to the input terminal to a voltage according to the voltage control signal, and this output voltage is controlled as a bias voltage applied to the APD. A circuit for outputting from the output terminal, wherein control is performed to draw current from the output terminal via the first resistor, and the output voltage setting means for setting the voltage of the output terminal to a predetermined voltage; A temperature ramp current pull-in means for pulling in a current corresponding to the temperature ramp of the breakdown voltage in the reverse direction of the APD and a predetermined reference voltage are set, and a predetermined reference voltage is set. In the APD bias voltage control circuit, the voltage control signal is generated so as to be equal to the voltage applied through the resistor, and the comparison control means is provided to the voltage variable means. The adjustment method of the bias voltage control circuit for APD that performs compensation adjustment and adjustment to the optimum multiplication factor is the characteristic measurement process that measures the temperature gradient of the reverse breakdown voltage of the APD used and the optimum multiplication factor, and the output Connect the APD to be used for the terminal and stop applying the voltage to the input terminal and applying the specified DC voltage to the input terminal, and the temperature ramp current drawing means. In this state, the output voltage setting means Is set to a predetermined value, a temperature ramp setting step for drawing current corresponding to the temperature ramp, and a voltage at the output terminal by the output voltage setting means. Adjusting the voltage to a voltage corresponding to the optimum multiplication factor.

このような調整工程を採ることで、温度補償の設定を行うと共にAPD を最適増倍率で動作させるための設定を、複雑な調整を行うことなく能率的に調整を精度良く行うことができるので、APD に対するバイアス電圧制御を最適状態で行うことができる。   By adopting such an adjustment process, the temperature compensation setting and the setting for operating the APD at the optimum multiplication factor can be made efficiently and accurately without complicated adjustments. Bias voltage control for APD can be performed in an optimal state.

以上述べたように本発明は、入力端子に与えられる入力直流電圧を電圧制御信号に応じた電圧に可変制御し出力する電圧可変手段を含み、この出力電圧をAPD に印加するバイアス電圧として制御し出力端子から出力する回路において、出力端子から第１の抵抗を介して電流を引き込む制御を行い、出力端子の電圧を所定の電圧に設定し、APD の逆方向の降伏電圧の温度傾斜に当たる電流を引き込み、所定の基準電圧と出力端子から抵抗を介して与えられる電圧とが等しくなるように電圧制御信号を生成し電圧可変手段に対して与えるように構成することで、APD に対して常に最適増倍率に対応するバイアス電圧になるように精度良く設定することができ電源電圧変動の影響を受けることなく、ブレークダウン電圧の温度傾斜も設定しているので温度補償も同時に行うことができる。   As described above, the present invention includes voltage varying means for variably controlling and outputting the input DC voltage applied to the input terminal to a voltage corresponding to the voltage control signal, and this output voltage is controlled as a bias voltage applied to the APD. In the circuit that outputs from the output terminal, control is performed to draw current from the output terminal through the first resistor, the voltage at the output terminal is set to a predetermined voltage, and the current corresponding to the temperature gradient of the breakdown voltage in the reverse direction of the APD is set. The voltage control signal is generated and applied to the voltage variable means so that the predetermined reference voltage is equal to the voltage applied via the resistor from the output terminal. The bias voltage corresponding to the magnification can be set with high accuracy and the temperature gradient of the breakdown voltage is set without being affected by fluctuations in the power supply voltage. Compensation can also be performed at the same time.

次に本発明の好適な実施例を図面を用いて説明する。図１は、本発明のアバランシェフォトダイオード(APD) 用バイアス電圧制御回路100 の実施例の概略の回路構成図である（第１実施例）。この図のAPD 用バイアス電圧制御回路100 において、高電圧発生回路10は、高い直流電圧（たとえば、数十Ｖ程度）10a を出力し入力端子12に印加する。電圧可変回路20は、入力端子12に印加された直流電圧10a を電圧比較器30から出力される電圧制御信号30a によって対応する直流電圧20a に可変制御し端子28に印加する。   Next, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic circuit diagram of an embodiment of an avalanche photodiode (APD) bias voltage control circuit 100 according to the present invention (first embodiment). In the APD bias voltage control circuit 100 shown in this figure, the high voltage generation circuit 10 outputs a high DC voltage (for example, about several tens of volts) 10a and applies it to the input terminal 12. The voltage variable circuit 20 variably controls the DC voltage 10a applied to the input terminal 12 to the corresponding DC voltage 20a by the voltage control signal 30a output from the voltage comparator 30, and applies it to the terminal 28.

基準電圧発生回路40は、端子28に対して最適増倍率を得るための電圧の設定とAPD 70のブレークダウン電圧の温度傾斜に注目して基準電圧を発生し、電圧比較器30の入力31に対する基準電圧43a を与える。出力電圧設定回路41は、端子28の電圧をAPD 70に対して最適増倍率を得ることができる電圧に設定するための所定の電圧41a を出力し加算回路43に与える。温度補償回路42は、APD 70のブレークダウン電圧の温度傾斜Ａ（Ｖ／℃）に当たる電圧42a を出力し、加算回路43に与える。この温度傾斜は、図３に示すように、温度の変化に対してブレークダウン電圧がどの程度変化するかを表すものである。加算回路43は、前記所定の電圧41a と前記温度傾斜Ａ（Ｖ／℃）に当たる電圧42a とを加算し、基準電圧43a として電圧比較器30の入力31に与える。   The reference voltage generation circuit 40 generates a reference voltage by paying attention to the voltage setting for obtaining an optimum multiplication factor for the terminal 28 and the temperature gradient of the breakdown voltage of the APD 70, and to the input 31 of the voltage comparator 30. A reference voltage 43a is applied. The output voltage setting circuit 41 outputs a predetermined voltage 41 a for setting the voltage at the terminal 28 to a voltage that can obtain an optimum multiplication factor with respect to the APD 70, and gives it to the adding circuit 43. The temperature compensation circuit 42 outputs a voltage 42 a corresponding to the temperature gradient A (V / ° C.) of the breakdown voltage of the APD 70 and supplies it to the adder circuit 43. As shown in FIG. 3, the temperature gradient represents how much the breakdown voltage changes with respect to the temperature change. The adding circuit 43 adds the predetermined voltage 41a and the voltage 42a corresponding to the temperature gradient A (V / ° C.), and supplies the result to the input 31 of the voltage comparator 30 as a reference voltage 43a.

アッテネータ50は、端子28に直列に接続された抵抗51と、この抵抗51に直列に接続された抵抗52とから構成され、抵抗52の他端は回路の最低電位端子53に接続され、抵抗51と抵抗52との接続点54の分圧された電圧50a を電圧比較器30の入力32に与える。電圧比較器30は、前記電圧50a と前記基準電圧43a との電圧差を求めて、この電圧差を電圧制御信号30a として電圧可変回路20に与える。   The attenuator 50 includes a resistor 51 connected in series to the terminal 28 and a resistor 52 connected in series to the resistor 51. The other end of the resistor 52 is connected to the lowest potential terminal 53 of the circuit, and the resistor 51 The divided voltage 50 a at the connection point 54 between the resistor 52 and the resistor 52 is supplied to the input 32 of the voltage comparator 30. The voltage comparator 30 obtains a voltage difference between the voltage 50a and the reference voltage 43a, and gives this voltage difference to the voltage variable circuit 20 as a voltage control signal 30a.

ロウパスフィルタ回路60は、端子28に直列接続された抵抗61と、この抵抗61に接続されたコンデンサ62とから構成され、コンデンサ62の他端は回路の最低電位端子63に接続されており、抵抗61とコンデンサ62との接続点64からフィルタ出力電圧がバイアス電圧60a として、低域周波数成分を通過させ高域周波数成分の雑音信号が除去され端子65に印加される。   The low-pass filter circuit 60 includes a resistor 61 connected in series to the terminal 28 and a capacitor 62 connected to the resistor 61. The other end of the capacitor 62 is connected to the lowest potential terminal 63 of the circuit. The filter output voltage is applied as a bias voltage 60a from the connection point 64 between the resistor 61 and the capacitor 62, and the noise signal of the high-frequency component is removed and applied to the terminal 65.

APD 70は、端子65からバイアス電圧60a が印加されバイアスされ光信号が印加されると動作電流70a を出力し電流電圧変換増幅回路80に与える。電流電圧変換増幅回路80は、APD 70の動作電流70a を電圧変換するとともに増幅し、検出電圧信号80a を出力する。   When the bias voltage 60a is applied from the terminal 65 to be biased and an optical signal is applied, the APD 70 outputs an operating current 70a and supplies it to the current-voltage conversion amplifier circuit 80. The current-voltage conversion amplifier circuit 80 converts and amplifies the operating current 70a of the APD 70, and outputs a detection voltage signal 80a.

次に、図１の回路100 の動作を説明する。電圧可変回路20には高電圧発生回路10から高電圧が入力端子12を介して与えられる。一方、出力電圧設定回路41で端子28の電圧を所定の値に設定するための電圧41a が出力され、加算回路43に与えられ、一方、温度補償回路42でもAPD 70のブレークダウン電圧の温度傾斜に当たる電圧42a が出力され、加算回路43に与えられる。   Next, the operation of the circuit 100 of FIG. 1 will be described. A high voltage is applied to the voltage variable circuit 20 from the high voltage generation circuit 10 via the input terminal 12. On the other hand, the output voltage setting circuit 41 outputs a voltage 41a for setting the voltage at the terminal 28 to a predetermined value, which is given to the adding circuit 43. On the other hand, the temperature compensation circuit 42 also has a temperature gradient of the breakdown voltage of the APD 70. Is output to the adder circuit 43.

加算回路43では、電圧41a と電圧42a とが加算され、この加算電圧が基準電圧43a として電圧比較器30の入力31に与えられる。電圧比較器30の他方の入力32には端子28の電圧がアッテネータ50で減衰された電圧50a が入力され、基準電圧43a と電圧比較され、電圧差が電圧制御信号30a として出力され、電圧可変回路20に与えられる。電圧変換回路20では、電圧制御信号30a に応じた出力直流電圧が出力され端子28に印加される。端子28に印加された直流電圧は、ロウパスフィルタ回路60で雑音が除去されAPD 70へのバイアス電圧60a として端子65に印加される。   In the adding circuit 43, the voltage 41a and the voltage 42a are added, and this added voltage is given to the input 31 of the voltage comparator 30 as the reference voltage 43a. The other input 32 of the voltage comparator 30 receives the voltage 50a obtained by attenuating the voltage at the terminal 28 by the attenuator 50, compares the voltage 50a with the reference voltage 43a, and outputs the voltage difference as the voltage control signal 30a. Given to 20. In the voltage conversion circuit 20, an output DC voltage corresponding to the voltage control signal 30a is output and applied to the terminal 28. The DC voltage applied to the terminal 28 is subjected to noise removal by the low-pass filter circuit 60 and applied to the terminal 65 as a bias voltage 60a to the APD 70.

同時に端子28の電圧は、アッテネータ50で減衰された電圧50a が電圧比較器30の入力32に与えられ、他方の入力31に与えられている基準電圧43a と比較され、電圧差に応じた電圧制御信号30a が出力され電圧可変回路20に与えられる。このような電圧制御が、電圧50a と基準電圧43a とが同じになるまで行われ、等しくなると、その時点の電圧制御信号30a が継続して電圧可変回路20に与えられ続ける。これによって、端子28から出力される電圧が温度補償をされながら最適増倍率に当たるように制御される。   At the same time, the voltage 50a attenuated by the attenuator 50 is applied to the input 32 of the voltage comparator 30 and compared with the reference voltage 43a applied to the other input 31 to control the voltage at the terminal 28 according to the voltage difference. The signal 30a is output and applied to the voltage variable circuit 20. Such voltage control is performed until the voltage 50a and the reference voltage 43a become the same, and when they become equal, the voltage control signal 30a at that time is continuously applied to the voltage variable circuit 20. As a result, the voltage output from the terminal 28 is controlled so as to reach the optimum multiplication factor while performing temperature compensation.

このように構成し動作させることによって、増倍率値変動方式のようなAGC 増幅器の温度変動や電源電圧変動によって、APD 70の増倍率が変動し信号対雑音比が劣化するという問題がおきず、増倍率値一定方式のようにDC／DCコンバータや発振器出力を昇圧したりするコッククロフト回路などを制御する必要がないため、高電圧発生回路10を制御ループ外に備えることができ、回路規模を小さくすることが可能になる。たとえば、高電圧発生回路10としては、比較的回路規模の小さい簡易的なDC／DCコンバータを採用することも可能であり、これによって実装面積を狭くすることができる。また、数十Ｖ程度の交換機用の直流電源電圧を直接取り込むことも可能で、この場合は、高電圧発生回路10は不必要になる。   By configuring and operating in this way, there is no problem that the APD 70's multiplication factor fluctuates and the signal to noise ratio deteriorates due to temperature fluctuations and power supply voltage fluctuations of the AGC amplifier like the multiplication factor fluctuation method, There is no need to control the DC / DC converter or the cockcroft circuit that boosts the oscillator output as in the constant gain value method, so the high voltage generator circuit 10 can be provided outside the control loop, reducing the circuit scale. It becomes possible to do. For example, as the high voltage generation circuit 10, a simple DC / DC converter having a relatively small circuit scale can be adopted, thereby reducing the mounting area. It is also possible to directly take in a DC power supply voltage for an exchange of about several tens of volts. In this case, the high voltage generation circuit 10 is unnecessary.

図４は、APD 用バイアス電圧制御回路100Aの実施例の回路構成であり、電圧可変回路20A を具体的にはデジタル可変抵抗器23を使用して電圧可変する回路構成を示す図である（第２実施例）。この図において、前述の図１の回路100 と異なるところは、電圧可変回路20A を具体的に詳細に示しているところである。すなわち、本電圧可変回路20A のアナログ／デジタル変換回路22は、電圧比較器30から与えられる電圧制御信号30a をデジタル電圧制御信号22a に変換してデジタル可変抵抗回路23に与える。   FIG. 4 is a circuit configuration of an embodiment of the APD bias voltage control circuit 100A, and is a diagram showing a circuit configuration in which the voltage variable circuit 20A is specifically variable using the digital variable resistor 23 (first configuration). 2 examples). In this figure, the difference from the circuit 100 shown in FIG. 1 is that the voltage variable circuit 20A is shown in detail. That is, the analog / digital conversion circuit 22 of the voltage variable circuit 20A converts the voltage control signal 30a given from the voltage comparator 30 into the digital voltage control signal 22a and gives it to the digital variable resistance circuit 23.

デジタル可変抵抗回路23は、デジタル電圧制御信号22a に対応した抵抗値に設定する。抵抗21は、高電圧発生回路10からの直流電圧10a を、デジタル可変抵抗回路23で設定されている抵抗との抵抗比によって減衰させ、端子29に印加する。端子29の電圧は端子28にも印加される。このようなデジタル可変抵抗回路23は、ICパッケージに集積化されて市販されてもいる。デジタル的に抵抗値をステップ的に可変することができるので、デジタル電圧制御信号22a の変化に応じて精度良く抵抗値を可変することができる。このため端子29における分圧出力電圧もデジタル電圧制御信号22a の変化に応じて精度良く変えることができる。   The digital variable resistance circuit 23 is set to a resistance value corresponding to the digital voltage control signal 22a. The resistor 21 attenuates the DC voltage 10a from the high voltage generation circuit 10 by a resistance ratio with the resistor set by the digital variable resistor circuit 23, and applies it to the terminal 29. The voltage at terminal 29 is also applied to terminal 28. Such a digital variable resistance circuit 23 is also commercially available integrated in an IC package. Since the resistance value can be varied digitally stepwise, the resistance value can be varied with high accuracy in accordance with the change in the digital voltage control signal 22a. Therefore, the divided output voltage at the terminal 29 can also be accurately changed according to the change in the digital voltage control signal 22a.

なお、高電圧発生回路10の出力インピーダンスが高い場合は、抵抗21は省略することができる。   When the output impedance of the high voltage generation circuit 10 is high, the resistor 21 can be omitted.

次に、図４の回路100Aの動作を説明する。電圧可変回路20A には高電圧発生回路10から高電圧が入力端子12を介して与えられ、抵抗21に印加される。一方、出力電圧設定回路41で端子28の電圧を所定の値に設定するための電圧41a が出力されると、加算回路43に与えられ、一方、温度補償回路42でもAPD 70のブレークダウン電圧の温度傾斜に当たる電圧42a が出力され、加算回路43に与えられる。   Next, the operation of the circuit 100A in FIG. 4 will be described. A high voltage is applied to the voltage variable circuit 20A from the high voltage generation circuit 10 via the input terminal 12, and is applied to the resistor 21. On the other hand, when the output voltage setting circuit 41 outputs a voltage 41a for setting the voltage at the terminal 28 to a predetermined value, it is given to the adding circuit 43. On the other hand, the temperature compensation circuit 42 also provides the breakdown voltage of the APD 70. A voltage 42a corresponding to the temperature gradient is output and applied to the adder circuit 43.

加算回路43では、電圧41a と電圧42a とが加算され、この加算電圧が基準電圧43a として電圧比較器30の入力31に与えられる。電圧比較器30の他方の入力32には端子28の電圧がアッテネータ50で減衰された電圧50a が入力され、基準電圧43a と電圧比較され、電圧差が電圧制御信号30a として出力され、電圧可変回路20A に与えられる。電圧変換回路20A では、電圧制御信号30a がデジタル電圧制御信号22a に変換され、この信号22a によってデジタル抵抗回路23が対応する抵抗値に設定され、抵抗21との分圧出力電圧が端子29に印加され、さらにこの電圧が端子28にも印加される。端子28に印加された直流電圧はロウパスフィルタ回路60で雑音が除去され、APD 70へのバイアス電圧60a として端子65に印加される。   In the adding circuit 43, the voltage 41a and the voltage 42a are added, and this added voltage is given to the input 31 of the voltage comparator 30 as the reference voltage 43a. The other input 32 of the voltage comparator 30 receives the voltage 50a obtained by attenuating the voltage at the terminal 28 by the attenuator 50, compares the voltage 50a with the reference voltage 43a, and outputs the voltage difference as the voltage control signal 30a. Given to 20A. In the voltage conversion circuit 20A, the voltage control signal 30a is converted into a digital voltage control signal 22a, the digital resistor circuit 23 is set to a corresponding resistance value by this signal 22a, and a divided output voltage with the resistor 21 is applied to the terminal 29. Further, this voltage is also applied to the terminal 28. Noise is removed from the DC voltage applied to the terminal 28 by the low-pass filter circuit 60 and applied to the terminal 65 as a bias voltage 60a to the APD 70.

同時に端子28の直流電圧は、アッテネータ50で減衰された電圧50a が電圧比較器30の入力32に与えられ、他方の入力31に与えられている基準電圧43a と比較され、電圧差に応じた電圧制御信号30a が出力され、電圧可変回路20A に与えられる。このような電圧制御が、電圧50a と基準電圧43a とが同じになるまで行われ、等しくなると、その時点の電圧制御信号30a が継続して電圧可変回路20A に与えられ続ける。これによって、端子28から出力される電圧が温度補償をされながら最適増倍率に当たるように制御される。   At the same time, the voltage 50a attenuated by the attenuator 50 is given to the input 32 of the voltage comparator 30 and compared with the reference voltage 43a given to the other input 31, and the DC voltage at the terminal 28 is compared with the voltage corresponding to the voltage difference. A control signal 30a is output and applied to the voltage variable circuit 20A. Such voltage control is performed until the voltage 50a and the reference voltage 43a become the same, and when they become equal, the voltage control signal 30a at that time is continuously applied to the voltage variable circuit 20A. As a result, the voltage output from the terminal 28 is controlled so as to reach the optimum multiplication factor while performing temperature compensation.

以上のような電圧可変回路20A の構成を採ることで、電圧制御信号30a の変化に応じて忠実に精度良くデジタル可変抵抗回路23で抵抗値を変えることができるので、端子29、28の電圧を精度良く変えることができる。したがって、回路100Aとしては、温度変動や電源電圧変動があっても、最適増倍率にするように精度良くバイアス電圧を制御することができる。しかも、集積化を可能にすることができ、部品点数を削減し、実装面積もさらに低減することができる。   By adopting the configuration of the voltage variable circuit 20A as described above, the resistance value can be changed faithfully and accurately by the digital variable resistor circuit 23 according to the change of the voltage control signal 30a. It can be changed with high accuracy. Therefore, the circuit 100A can accurately control the bias voltage so as to obtain the optimum multiplication factor even if there is a temperature variation or a power supply voltage variation. In addition, integration can be achieved, the number of parts can be reduced, and the mounting area can be further reduced.

図５は、APD 用バイアス電圧制御回路100Bの実施例の回路構成であり、電圧可変回路20B をトランジスタ24を使用して電流制御を行い、出力電圧を可変する回路構成を示す図である（第３実施例）。この図において、前述の図１の回路100 と異なるところは、電圧可変回路20B を具体的に詳細に示していることである。すなわち、本電圧可変回路20B において、高電圧発生回路10からの出力直流電圧が印加される入力端子12には直列に抵抗21が接続され、他端は端子29に接続され、端子29と端子28とは同じ電圧が印加されており、端子29には直列に抵抗26が接続され、他端はトランジスタ24のコレクタに接続され、ベースには電圧比較器30から電圧制御信号30a が与えられる。エミッタには抵抗25が接続され、抵抗25の他端は回路の最低電位端子27に接続されている。   FIG. 5 is a circuit configuration of an embodiment of the APD bias voltage control circuit 100B, and shows a circuit configuration in which the voltage control circuit 20B performs current control using the transistor 24 to vary the output voltage (first). 3 examples). In this figure, the difference from the circuit 100 shown in FIG. 1 is that the voltage variable circuit 20B is shown in detail. That is, in the voltage variable circuit 20B, the resistor 21 is connected in series to the input terminal 12 to which the output DC voltage from the high voltage generation circuit 10 is applied, the other end is connected to the terminal 29, and the terminals 29 and 28 are connected. The resistor 26 is connected in series to the terminal 29, the other end is connected to the collector of the transistor 24, and a voltage control signal 30a is supplied from the voltage comparator 30 to the base. A resistor 25 is connected to the emitter, and the other end of the resistor 25 is connected to the lowest potential terminal 27 of the circuit.

電圧制御信号30a がトランジスタ24のベースに与えられると、電圧制御信号30a の大きさに応じて抵抗21、26および25に流れるバイパス電流21a の値を制御する。これによって抵抗21と抵抗26との間の接続点の端子29の電圧を電圧制御信号30a の大きさに応じて変えることができる。すなわち、電圧制御信号30a の電圧が大きくなると、バイパス電流21a の大きさが大きくなり、抵抗21における電圧降下が大きくなり、端子29の電圧は下げられる。また、逆に、電圧制御信号30a の電圧が小さくなると、バイパス電流21a の大きさが小さくなり、抵抗21における電圧降下が小さくなり端子29の電圧は高くなる。したがって、端子29の電圧の変化に応じて端子28の電圧の大きさも同じように変えられる。   When the voltage control signal 30a is applied to the base of the transistor 24, the value of the bypass current 21a flowing through the resistors 21, 26 and 25 is controlled according to the magnitude of the voltage control signal 30a. As a result, the voltage at the terminal 29 at the connection point between the resistor 21 and the resistor 26 can be changed according to the magnitude of the voltage control signal 30a. That is, when the voltage of the voltage control signal 30a increases, the magnitude of the bypass current 21a increases, the voltage drop across the resistor 21 increases, and the voltage at the terminal 29 decreases. Conversely, when the voltage of the voltage control signal 30a decreases, the magnitude of the bypass current 21a decreases, the voltage drop across the resistor 21 decreases, and the voltage at the terminal 29 increases. Therefore, the magnitude of the voltage at the terminal 28 can be changed in the same manner according to the change in the voltage at the terminal 29.

このように電圧制御信号30a によってトランジスタ24がバイパス電流21a を制御することによって、電圧比較器30の入力32の電圧が、入力31に与えられている基準電圧43a と等しくなるように制御することができるようになる。   Thus, the transistor 24 controls the bypass current 21a by the voltage control signal 30a, so that the voltage of the input 32 of the voltage comparator 30 can be controlled to be equal to the reference voltage 43a applied to the input 31. become able to.

このため、温度変動や電源電圧変動があっても、端子28のバイアス電圧を最適増倍率にするように精度良くバイアス電圧を制御することができる。しかも、電圧可変回路20B の構成が、抵抗21、25、26と、トランジスタ24とによって構成されるため、部品点数も少なく集積化を容易に行うことができ、実装面積もさらに低減することができる。   For this reason, even if there are temperature fluctuations and power supply voltage fluctuations, it is possible to control the bias voltage with high precision so that the bias voltage at the terminal 28 becomes the optimum multiplication factor. In addition, since the voltage variable circuit 20B is configured by the resistors 21, 25, and 26 and the transistor 24, the number of components can be reduced, integration can be performed easily, and the mounting area can be further reduced. .

図６は、APD 用バイアス電圧制御回路100Cの実施例の回路構成であり、電流バイパス回路40A を使用して出力電圧の設定および温度補償の設定を行う回路構成を示す図である（第４実施例）。この図において、電圧可変回路20B は、前述の図５と同じトランジスタ24を用いてバイパス電流を制御する回路方式を採用している。さらに、前述と異なるところは、電圧比較器30の入力31には、この電圧比較器30の電源電圧範囲のたとえば、中間電位に当たる基準電圧31a を与えられるように、基準電圧発生回路33から発生する。電圧比較器30の他方の入力32には端子28に直列に接続されたアッテネータ50A によって電圧降下された電圧50a が入力される。しかも、アッテネータ50A には電流バイパス回路40A が接続されている。   FIG. 6 shows a circuit configuration of an embodiment of the APD bias voltage control circuit 100C, and shows a circuit configuration for setting the output voltage and temperature compensation using the current bypass circuit 40A (fourth embodiment). Example). In this figure, the voltage variable circuit 20B employs a circuit system that controls the bypass current using the same transistor 24 as in FIG. Further, the difference from the above is generated from the reference voltage generating circuit 33 so that the reference voltage 31a corresponding to, for example, an intermediate potential in the power supply voltage range of the voltage comparator 30 can be given to the input 31 of the voltage comparator 30. . The other input 32 of the voltage comparator 30 receives the voltage 50a that has been dropped by the attenuator 50A connected in series with the terminal 28. In addition, a current bypass circuit 40A is connected to the attenuator 50A.

この電流バイパス回路40A は、端子28に接続されているアッテネータ50A から電流を引き込み、最適増倍率の電圧に当たるように電流の引き込みを行うと共に、APD 70のブレークダウン電圧の温度傾斜分に当たる電流とを引き込むためのものである。そこで、具体的には、電流バイパス回路40A の出力電圧設定回路41A は、端子28の電圧をAPD 70に対して最適増倍率を得ることができる電圧に設定するため電流の引き込みを行い、抵抗21とアッテネータ50A の抵抗値との分圧比によって端子28の電圧設定を行う。温度補償回路42A は、APD 70のブレークダウン電圧の温度傾斜分に当たる電流をアッテネータ50A から引き込み、電圧比較器30の入力32の電圧を調整するように作用する。   This current bypass circuit 40A draws a current from the attenuator 50A connected to the terminal 28, draws the current so as to hit the voltage of the optimum multiplication factor, and generates a current corresponding to the temperature gradient of the breakdown voltage of the APD 70. It is for drawing in. Therefore, specifically, the output voltage setting circuit 41A of the current bypass circuit 40A draws current in order to set the voltage at the terminal 28 to a voltage that can obtain the optimum multiplication factor with respect to the APD 70, and the resistor 21 And the voltage of the terminal 28 are set according to the voltage dividing ratio between the A and the resistance value of the attenuator 50A. The temperature compensation circuit 42A draws a current corresponding to the temperature gradient of the breakdown voltage of the APD 70 from the attenuator 50A, and acts to adjust the voltage at the input 32 of the voltage comparator 30.

次に、図６の回路100Cの動作を説明する。高電圧発生回路10から直流電圧が出力され、電圧可変回路20B の抵抗21に与えられる。基準電圧回路33から電圧比較器30の入力31に基準電圧31a が入力される。出力電圧設定回路41A によって、APD 70の最適増倍率による動作を実現する設定電圧分の電流が引き込まれる。さらに、APD 70のブレークダウン電圧の温度傾斜分の電流を電圧比較器30の入力32点からバイパスする。   Next, the operation of the circuit 100C in FIG. 6 will be described. A DC voltage is output from the high voltage generation circuit 10 and applied to the resistor 21 of the voltage variable circuit 20B. A reference voltage 31 a is input from the reference voltage circuit 33 to the input 31 of the voltage comparator 30. The output voltage setting circuit 41A draws a current corresponding to a set voltage that realizes the operation of the APD 70 at the optimum multiplication factor. Further, the current corresponding to the temperature gradient of the breakdown voltage of the APD 70 is bypassed from the input 32 points of the voltage comparator 30.

電圧比較器30では、アッテネータ50A で電圧降下された電圧50a が入力32に与えられ、入力31に与えられている基準電圧31a と比較され、両方の電圧が常に等しくなるまで電圧制御信号30a が出力され端子28の出力電圧が可変制御される。すなわち、トランジスタ24は電圧制御信号30a によってバイパス電流21a が制御される。電流バイパス用のトランジスタ24によってバイパスされる電流と抵抗21との積により生じる電圧降下によって端子28の出力電圧を安定化するように動作する。   In the voltage comparator 30, the voltage 50a dropped by the attenuator 50A is applied to the input 32, compared with the reference voltage 31a applied to the input 31, and the voltage control signal 30a is output until both voltages are always equal. The output voltage of the terminal 28 is variably controlled. That is, the bypass current 21a of the transistor 24 is controlled by the voltage control signal 30a. The output voltage of the terminal 28 is stabilized by a voltage drop caused by the product of the current bypassed by the current bypass transistor 24 and the resistor 21.

また、電流バイパス回路40A は、APD 70の最適増倍率による動作を実現する設定電圧分の電流と、APD 70のブレークダウン電圧の温度傾斜分の電流を電圧比較器30の入力32からバイパスするように動作するが、入力31、入力32の電圧は電圧比較器30の電圧制御信号30a によって常に等しくなるように制御されているため、電流バイパス回路40A によってバイパスされる電流と、アッテネータ50A の抵抗値と抵抗21との分圧抵抗との積によって生じる電圧降下分だけ端子28の電圧を上昇させるように動作する。   In addition, the current bypass circuit 40A bypasses the current corresponding to the set voltage for realizing the operation by the optimum multiplication factor of the APD 70 and the current corresponding to the temperature gradient of the breakdown voltage of the APD 70 from the input 32 of the voltage comparator 30. However, since the voltages of the input 31 and the input 32 are always controlled to be equal by the voltage control signal 30a of the voltage comparator 30, the current bypassed by the current bypass circuit 40A and the resistance value of the attenuator 50A The voltage at the terminal 28 is increased by a voltage drop caused by the product of the voltage dividing resistor of the resistor 21 and the resistor 21.

そして、たとえば、電流バイパス回路40A によってバイパスされる電流がゼロになる場合は、端子28の電圧は、電圧比較器30の入力32に与えられて基準電圧31a だけによって決定される。ロウパスフィルタ回路60によってAPD 70に印加されるバイアス電圧の雑音成分が除去され、さらにAPD 70の入力電流が増大した場合は、端子65の電圧上昇を防止するようにも動作する。   For example, when the current bypassed by the current bypass circuit 40A becomes zero, the voltage at the terminal 28 is given to the input 32 of the voltage comparator 30 and is determined only by the reference voltage 31a. When the noise component of the bias voltage applied to the APD 70 is removed by the low-pass filter circuit 60 and the input current of the APD 70 is further increased, the low-pass filter circuit 60 operates to prevent the voltage at the terminal 65 from rising.

以上のような構成を採り、動作を行うことによって、前述の図５における加算回路43を削除することができ、回路規模をさらに小さくすることができる。出力電圧設定とAPD 70の温度補償とを行うために端子28から電流バイパス回路40A に電流を引き込むように構成したので、電圧比較器30において発生するオフセットや図５における加算回路43において発生するオフセットに起因して発生する調整誤差を除外することが可能となり、調整精度を飛躍的に向上させることができる。なお、電圧可変回路20B を、図４の電圧可変回路20A に代えるように構成してもよい。   By adopting the configuration as described above and performing the operation, the adding circuit 43 in FIG. 5 described above can be eliminated, and the circuit scale can be further reduced. Since the current is drawn from the terminal 28 to the current bypass circuit 40A in order to perform the output voltage setting and the temperature compensation of the APD 70, the offset generated in the voltage comparator 30 or the offset generated in the adder circuit 43 in FIG. It is possible to eliminate the adjustment error caused by this, and the adjustment accuracy can be drastically improved. The voltage variable circuit 20B may be configured to replace the voltage variable circuit 20A shown in FIG.

図７は、図６のAPD 用バイアス電圧制御回路100Cの実施例の回路構成における出力電圧設定回路41A の具体的な回路構成を示す図である（第５実施例）。この図において、出力電圧設定回路41A は、端子28の電圧を設定するために、アッテネータ50A を通じて電圧比較器30の入力32に入力されている電流をバイパスするために電流を引き込みトランジスタ412 のコレクタに引き込む。ベースには基準電圧発生回路411 からトランジスタ412 を動作させるための電圧が加えられている。エミッタには可変抵抗器413 が接続され、他端は回路の最低電位端子414 に接続されている。   FIG. 7 is a diagram showing a specific circuit configuration of the output voltage setting circuit 41A in the circuit configuration of the embodiment of the APD bias voltage control circuit 100C of FIG. 6 (fifth embodiment). In this figure, the output voltage setting circuit 41A draws current to bypass the current input to the input 32 of the voltage comparator 30 through the attenuator 50A in order to set the voltage of the terminal 28, and to the collector of the transistor 412. Pull in. A voltage for operating the transistor 412 is applied from the reference voltage generation circuit 411 to the base. A variable resistor 413 is connected to the emitter, and the other end is connected to the lowest potential terminal 414 of the circuit.

出力電圧設定回路41A によってバイパスされる電流は可変抵抗器413 によって設定され、電流バイパス用のトランジスタ412 のコレクタ側の抵抗（アッテネータ50A の抵抗値RLと抵抗21との分圧抵抗）とバイパス電流との積によって生じる電圧降下分だけ端子28の電圧を上昇させるように動作する。なお、その他の温度補償の動作や全体的な動作は、前述の図６の説明と同様である。   The current bypassed by the output voltage setting circuit 41A is set by the variable resistor 413. The resistance on the collector side of the transistor 412 for current bypass (the voltage dividing resistance between the resistance value RL of the attenuator 50A and the resistor 21), the bypass current, The voltage of the terminal 28 is increased by the voltage drop caused by the product of. The other temperature compensation operations and the overall operation are the same as described above with reference to FIG.

出力電圧設定回路41A の構成を図７のようにしたので、回路構成が非常に簡単で、部品点数も少ないので回路を小型にすることができ、集積化も容易にできるようになる。なお、電圧可変回路20B を図４の電圧可変回路20A に置き換えることもよい。   Since the configuration of the output voltage setting circuit 41A is as shown in FIG. 7, the circuit configuration is very simple and the number of parts is small, so that the circuit can be reduced in size and can be easily integrated. The voltage variable circuit 20B may be replaced with the voltage variable circuit 20A shown in FIG.

図８は、図６のAPD 用バイアス電圧制御回路100Cの実施例の回路構成における温度補償回路42A の具体的な回路構成を示す図である（第６実施例）。この図において、温度補償回路42A は、APD 70のブレークダウン電圧の温度傾斜分に対応する電流を電圧比較器30の入力32からバイパスして電流を引き込む。引き込む電流は、トランジスタ422 のコレクタに吸い込まれる。ベースには温度センサ421 が接続されている。エミッタには可変抵抗423 が接続され、他端は回路の最低電位端子424 に接続されている。   FIG. 8 is a diagram showing a specific circuit configuration of the temperature compensation circuit 42A in the circuit configuration of the embodiment of the APD bias voltage control circuit 100C of FIG. 6 (sixth embodiment). In this figure, the temperature compensation circuit 42A bypasses the current corresponding to the temperature gradient of the breakdown voltage of the APD 70 from the input 32 of the voltage comparator 30, and draws the current. The current drawn is drawn into the collector of transistor 422. A temperature sensor 421 is connected to the base. A variable resistor 423 is connected to the emitter, and the other end is connected to the lowest potential terminal 424 of the circuit.

この温度補償回路42A によってバイパスされる電流は、可変抵抗423 によって可変され、トランジスタ422 のコレクタ側の抵抗（アッテネータ50A の抵抗値RLと抵抗21との分圧抵抗）とバイパス電流との積によって生じる電圧降下分だけ端子28の電圧を上昇させるように動作する。   The current bypassed by the temperature compensation circuit 42A is varied by the variable resistor 423, and is generated by the product of the resistance on the collector side of the transistor 422 (the voltage dividing resistance of the resistance value RL of the attenuator 50A and the resistor 21) and the bypass current. It operates to increase the voltage at the terminal 28 by the voltage drop.

この温度センサ421 は、周囲温度を検出し対応する電圧を出力しベースに与える。温度センサ421 は、その出力電圧に任意の温度係数を持つ素子であり、トランジスタ422 のコレクタ側の抵抗（アッテネータ50A の抵抗値RLと抵抗21との分圧抵抗）と、エミッタ側の抵抗（可変抵抗423 と、エミッタとべースとの間の接合部の温度変化に対する抵抗値の変化を表す微分抵抗と、エミッタ抵抗との和）とが等しい場合、すなわち、トランジスタ422 とコレクタ抵抗とエミッタ抵抗とによって構成される増幅回路系統の利得がゼロになる場合、温度センサ421 が持つ出力電圧の温度係数はそのまま端子28の温度係数として現れる。   This temperature sensor 421 detects the ambient temperature and outputs a corresponding voltage to the base. The temperature sensor 421 is an element having an arbitrary temperature coefficient in its output voltage. The resistance on the collector side of the transistor 422 (the voltage dividing resistance between the resistance value RL of the attenuator 50A and the resistance 21) and the resistance on the emitter side (variable) If the resistance 423 is equal to the differential resistance representing the change in resistance value with respect to the temperature change of the junction between the emitter and the base, and the emitter resistance), that is, the transistor 422, the collector resistance, and the emitter resistance Is zero, the temperature coefficient of the output voltage of the temperature sensor 421 appears as it is as the temperature coefficient of the terminal 28.

また、トランジスタ422 とコレクタ抵抗とエミッタ抵抗とによって構成される増幅回路系統が利得を持つ場合、温度センサ421 が持つ出力電圧の温度係数は利得倍されて端子28の温度係数として現れる。さらに、トランジスタ422 とコレクタ抵抗とエミッタ抵抗とによって構成される増幅回路系統がマイナス利得を持つ場合、温度センサ421 が持つ出力電圧の温度係数はマイナス利得倍されて端子28の温度係数として現れる。   When the amplifier circuit system constituted by the transistor 422, the collector resistor, and the emitter resistor has a gain, the temperature coefficient of the output voltage of the temperature sensor 421 is multiplied by the gain and appears as the temperature coefficient of the terminal 28. Further, when the amplifier circuit system constituted by the transistor 422, the collector resistance, and the emitter resistance has a negative gain, the temperature coefficient of the output voltage of the temperature sensor 421 is multiplied by the negative gain and appears as the temperature coefficient of the terminal 28.

以上のように、APD 70の温度傾斜の設定を温度センサ421 が検出した温度に対応する出力電圧によってトランジスタを動作させバイパス電流を制御するように構成したので、非常に簡単な回路構成で実現することができる。したがって、小さい回路規模で実現することができる。なお、電圧可変回路20B を図４の電圧可変回路20A に置き換えてもよい。   As described above, the temperature gradient setting of the APD 70 is realized by operating the transistor with the output voltage corresponding to the temperature detected by the temperature sensor 421 to control the bypass current, so that it can be realized with a very simple circuit configuration. be able to. Therefore, it can be realized with a small circuit scale. The voltage variable circuit 20B may be replaced with the voltage variable circuit 20A shown in FIG.

図９は、APD 用バイアス電圧制御回路100Dの実施例の回路構成であり、図７の出力電圧設定回路41A および図８の温度補償回路42A を使用した回路構成を示す図である（第７実施例）。この図において、高電圧発生回路10から直流電圧が抵抗21に印加され、基準電圧31a が電圧比較器30の入力31に与えられると、出力電圧設定回路41A は、APD 70の最適増倍率を設定する電流を電圧比較器30の入力32からバイパスして電流を引き込む。電圧比較器30は、入力32に与えられているアッテネータ50A の出力電圧50a と基準電圧30a とを比較し、両方の入力31、32の電圧が等しくなるように端子28の出力電圧を可変するように動作する。   FIG. 9 shows a circuit configuration of an embodiment of the APD bias voltage control circuit 100D, and shows a circuit configuration using the output voltage setting circuit 41A of FIG. 7 and the temperature compensation circuit 42A of FIG. 8 (seventh embodiment). Example). In this figure, when a DC voltage is applied from the high voltage generation circuit 10 to the resistor 21 and the reference voltage 31a is applied to the input 31 of the voltage comparator 30, the output voltage setting circuit 41A sets the optimum multiplication factor of the APD 70. Current to be bypassed from the input 32 of the voltage comparator 30 to draw current. The voltage comparator 30 compares the output voltage 50a of the attenuator 50A applied to the input 32 with the reference voltage 30a, and adjusts the output voltage of the terminal 28 so that the voltages of both the inputs 31 and 32 are equal. To work.

電流バイパス用のトランジスタ24、抵抗25、26は、電圧比較器30から出力される電圧制御信号30a によって電流バイパス量が制御される。トランジスタ24によってバイパスされる電流と抵抗21との積によって生じる電圧降下によって端子29、28の出力電圧を安定化させるように動作する。また、出力電圧設定回路41A は、APD 70の最適増倍率で動作することを実現する設定電圧分の電流を電圧比較器30の入力32点からバイパスするように動作するが、入力31と入力32との電圧は、電圧比較器30が出力する電圧制御信号30a によって常に等しい電圧になるように制御されているため、出力電圧設定回路41A によってバイパスされる電流は、可変抵抗413 によって設定され、トランジスタ412 のコレクタ側の抵抗（アッテネータ50A の抵抗値RLと抵抗21との分圧抵抗）とバイパス電流との積によって生じる電圧降下分だけ端子29、28の電圧を上昇させるように動作する。たとえば、電流バイパス回路40A によってバイパスされる電流がゼロの場合は、端子28の電圧は電圧比較器30に与えられている基準電圧31a だけによって決定される。   The current bypass amount of the current bypass transistor 24 and the resistors 25 and 26 are controlled by the voltage control signal 30 a output from the voltage comparator 30. The output voltage at the terminals 29 and 28 is stabilized by a voltage drop caused by the product of the current bypassed by the transistor 24 and the resistor 21. The output voltage setting circuit 41A operates so as to bypass the current corresponding to the set voltage that realizes the operation at the optimum multiplication factor of the APD 70 from the input 32 points of the voltage comparator 30, but the input 31 and the input 32 Is controlled by the voltage control signal 30a output from the voltage comparator 30 so that the voltage is always equal, the current bypassed by the output voltage setting circuit 41A is set by the variable resistor 413, and the transistor 412 operates so as to increase the voltages at the terminals 29 and 28 by the voltage drop caused by the product of the collector-side resistance (the resistance value RL of the attenuator 50A and the voltage dividing resistance of the resistor 21) and the bypass current. For example, if the current bypassed by current bypass circuit 40A is zero, the voltage at terminal 28 is determined solely by reference voltage 31a applied to voltage comparator 30.

温度補償回路42A では、APD 70のブレークダウン電圧の温度傾斜分の電流を電圧比較器30の入力32点からバイパスするように動作するが、入力31と入力32の電圧が常に等しくなるように制御されているため、温度補償回路42A によってバイパスされる電流は、可変抵抗423 によって可変され、トランジスタ422 のコレクタ側の抵抗（アッテネータ50A の抵抗値RLと抵抗21の分圧抵抗）とバイパス電流との積によって生じる電圧降下分だけ端子28の電圧を上昇させるように動作する。   The temperature compensation circuit 42A operates to bypass the current for the temperature gradient of the breakdown voltage of the APD 70 from the input 32 points of the voltage comparator 30, but it is controlled so that the voltages at the input 31 and the input 32 are always equal. Therefore, the current bypassed by the temperature compensation circuit 42A is varied by the variable resistor 423, and the resistance on the collector side of the transistor 422 (the resistance value RL of the attenuator 50A and the voltage dividing resistor of the resistor 21) and the bypass current It operates so as to increase the voltage at the terminal 28 by the voltage drop caused by the product.

ここで、温度センサ421 は、出力電圧に任意の温度係数を持つ素子であるので、トランジスタ422 のコレクタ側の抵抗と、エミッタ側の抵抗（可変抵抗423 と微分抵抗とエミッタ抵抗との和）が等しい場合、すなわち、トランジスタ422 とコレクタ側の抵抗とエミッタ側の抵抗とによって構成される増幅回路系統の利得がゼロの場合、温度センサ421 が持つ出力電圧の温度係数は、そのまま端子28の電圧に対する温度係数として現れる。   Here, since the temperature sensor 421 is an element having an arbitrary temperature coefficient in the output voltage, the resistance on the collector side of the transistor 422 and the resistance on the emitter side (the sum of the variable resistance 423, the differential resistance, and the emitter resistance) are If they are equal, that is, if the gain of the amplifier circuit system constituted by the transistor 422, the resistance on the collector side, and the resistance on the emitter side is zero, the temperature coefficient of the output voltage of the temperature sensor 421 is as it is with respect to the voltage at the terminal 28. Appears as a temperature coefficient.

一方、トランジスタ422 とコレクタ側の抵抗とエミッタ側の抵抗とによって構成される増幅回路系統が利得を持つ場合、温度センサ421 が持つ出力電圧の温度係数は、利得倍されて端子28の電圧の温度係数として現れる。また、トランジスタ422 とコレクタ側の抵抗とエミッタ側の抵抗とによって構成される増幅回路系統がマイナス利得を持つ場合、温度センサ421 が持つ出力電圧の温度係数はマイナス利得倍されて端子28の電圧に対する温度係数として現れる。   On the other hand, when the amplifier circuit system constituted by the transistor 422, the collector-side resistor, and the emitter-side resistor has gain, the temperature coefficient of the output voltage of the temperature sensor 421 is multiplied by the gain and the temperature of the voltage at the terminal 28 is increased. Appears as a coefficient. In addition, when the amplifier circuit system constituted by the transistor 422, the collector-side resistance, and the emitter-side resistance has a negative gain, the temperature coefficient of the output voltage of the temperature sensor 421 is multiplied by the negative gain so that the voltage at the terminal 28 is reduced. Appears as a temperature coefficient.

以上のような構成と動作によって、出力電圧の設定とAPD 70の温度補償とを端子28からの電流をバイパスする方法にしているため、電圧比較器の入力の基準電圧を操作する方法と比較して、電圧比較器において発生するオフセットや加算回路において発生するオフセットに起因して発生する調整誤差が発生しないようにすることが可能となる。すなわち、調整精度を向上させることができ、小型で低消費電力の回路を実現することができる。なお、電圧可変回路20B を図４の電圧可変回路20A に置き換えることもよい。   With the configuration and operation as described above, the output voltage setting and APD 70 temperature compensation are bypassed by the current from terminal 28, so compared with the method of operating the reference voltage at the input of the voltage comparator. Thus, it is possible to prevent an adjustment error that occurs due to an offset generated in the voltage comparator or an offset generated in the adder circuit. That is, adjustment accuracy can be improved, and a small and low power consumption circuit can be realized. The voltage variable circuit 20B may be replaced with the voltage variable circuit 20A shown in FIG.

図10は、APD 用バイアス電圧制御回路100Dの実施例の回路構成の調整を行うための工程を示す図である。ステップS10 では、APD 70のブレークダウン電圧の温度傾斜と、最適増倍率を測定する。ステップS20 では、温度補償回路42A に流れ込むバイパス電流をゼロにする。ステップS30 では、可変抵抗413 によって端子28の電圧を所定の電圧に設定する。ステップS40 では、温度補償回路42A に流れ込むバイパス電流をオンにする。ステップS50 では、可変抵抗423 により予め測定したAPD 70のブレークダウン電圧の温度傾斜を端子28の電圧に与える（温度傾斜の設定）。ステップS60 では、可変抵抗413 により端子65の設定電圧をAPD 70の最適増倍率に当たる電圧に設定する。   FIG. 10 is a diagram illustrating a process for adjusting the circuit configuration of the embodiment of the APD bias voltage control circuit 100D. In step S10, the temperature gradient of the breakdown voltage of the APD 70 and the optimum multiplication factor are measured. In step S20, the bypass current flowing into the temperature compensation circuit 42A is made zero. In step S30, the variable resistor 413 sets the voltage at the terminal 28 to a predetermined voltage. In step S40, the bypass current flowing into the temperature compensation circuit 42A is turned on. In step S50, the temperature gradient of the breakdown voltage of the APD 70 measured in advance by the variable resistor 423 is given to the voltage at the terminal 28 (setting of the temperature gradient). In step S60, the set voltage of the terminal 65 is set to a voltage corresponding to the optimum multiplication factor of the APD 70 by the variable resistor 413.

図11は、図10の調整工程を説明するための回路調整系統図である。ステップS10 において、APD 70のブレークダウン電圧の温度傾斜と最適増倍率とを測定するが、温度傾斜は、いくつかの周囲温度におけるブレークダウン電圧を測定して、これらの測定結果から温度変化に対する温度傾斜に相当する電圧を求めることができる。また、最適増倍率の測定方法を図１を用いて説明する。測定対象のAPD 70に端子65から直流電圧を印加する。さらに、APD 70に光信号を印加する。APD 70に誘起される電流を電流電圧変換増幅回路80で電圧変換するとともに増幅し、検出電圧信号80a を符号誤り率測定器（図示せず）に入力する。   FIG. 11 is a circuit adjustment system diagram for explaining the adjustment process of FIG. In step S10, the temperature gradient of the breakdown voltage of the APD 70 and the optimum multiplication factor are measured. A voltage corresponding to the inclination can be obtained. A method for measuring the optimum multiplication factor will be described with reference to FIG. A DC voltage is applied from the terminal 65 to the APD 70 to be measured. Further, an optical signal is applied to the APD 70. The current induced in the APD 70 is voltage-converted and amplified by the current-voltage conversion amplifier circuit 80, and the detection voltage signal 80a is input to a code error rate measuring device (not shown).

次に、APD 70にブレークダウン電圧から数Ｖ低い電圧を印加する。次に、光信号のレベルを絞り、第１の所定の符号誤り率になるように設定する。この状態から印加電圧を少しづつ変化させ符号誤り率が最も良くなるときの印加電圧とそのときの符号誤り率を測定し、特性図の横軸をAPD 70の印加電圧とし縦軸を符号誤り率としてプロットする。つぎに、さらに光信号のレベルを絞り、前述と同じように第２の所定の符号誤り率になるように設定する。この状態から印加電圧を少しづつ変化させ符号誤り率が最も良くなるときの印加電圧とそのときの符号誤り率を測定し、特性図にプロットする。このような測定を繰り返して所定の符号誤り率が最も良くなったときの印加電圧を最適増倍率に当たるバイアス電圧として採用する。   Next, a voltage several V lower than the breakdown voltage is applied to the APD 70. Next, the level of the optical signal is narrowed down and set to a first predetermined code error rate. From this state, change the applied voltage little by little to measure the applied voltage and the code error rate when the code error rate is the best. The horizontal axis of the characteristic diagram is the applied voltage of APD 70, and the vertical axis is the code error rate. Plot as. Next, the level of the optical signal is further reduced and set to a second predetermined code error rate as described above. From this state, the applied voltage is changed little by little, the applied voltage when the code error rate becomes the best and the code error rate at that time are measured, and plotted in a characteristic diagram. By repeating such measurement, the applied voltage when the predetermined code error rate becomes the best is adopted as the bias voltage corresponding to the optimum multiplication factor.

図11を参照して、次に、ステップS20 においては、出力電圧設定回路41A の単体での出力電圧を出力するために温度補償回路42A に流れ込むバイパス電流をゼロにする。このバイパス電流をゼロにする方法としては、トランジスタ422 のベース電位をスイッチ425 によって回路の最低電位426 に短絡することが望ましい。このときの端子28の設定電圧をHV1 とする。   Referring to FIG. 11, next, in step S20, the bypass current flowing into the temperature compensation circuit 42A is set to zero in order to output the output voltage of the output voltage setting circuit 41A alone. As a method of making this bypass current zero, it is desirable to short-circuit the base potential of the transistor 422 to the lowest potential 426 of the circuit by the switch 425. The set voltage at the terminal 28 at this time is HV1.

出力電圧設定回路41A は、APD 70の最適増倍率を実現する設定電圧分の電流を電圧比較器30の入力32点からバイパスするように動作するが、入力31と入力32の電圧は、電圧比較器30が出力する電圧制御信号30a によって常に等しい電圧になるように制御されているため、出力電圧設定回路41A によってバイパスされる電流は、可変抵抗413 によって設定され、トランジスタ412 のコレクタ側の抵抗（アッテネータ50A の抵抗値RLと抵抗21との分圧抵抗）と、バイパス電流との積によって生じる電圧降下分だけ端子28の電圧を上昇させるように動作する。   The output voltage setting circuit 41A operates to bypass the current for the set voltage that realizes the optimum multiplication factor of the APD 70 from the input 32 points of the voltage comparator 30, but the voltage at the input 31 and the input 32 is the voltage comparison Therefore, the current bypassed by the output voltage setting circuit 41A is set by the variable resistor 413 and the resistance on the collector side of the transistor 412 ( The voltage at the terminal 28 is increased by a voltage drop caused by the product of the bypass current and the resistance value RL of the attenuator 50A and the resistance 21).

ステップS40 においては、温度補償回路42A に流れ込むバイパス電流をオンにする。回路の最低電位端子424 に短絡したトランジスタ422 のベース電位を解放する。ステップS50 においては、可変抵抗423 によって予め測定したAPD 70のブレークダウン電圧の温度傾斜を端子28に与えるための設定を行う（温度傾斜の設定）。温度補償回路42A は、APD 70のブレークダウン電圧の温度傾斜分の電流を電圧比較器30が出力する電圧制御信号30a によって常に等しい電圧になるように制御されているため、温度補償回路42A によってバイパスされる電流は、可変抵抗423 によって可変され、トランジスタ422 のコレクタ側の抵抗とバイパス電流との積によって発生する電圧降下分だけ端子28の電圧を上昇させるように動作する。   In step S40, the bypass current flowing into the temperature compensation circuit 42A is turned on. The base potential of the transistor 422 shorted to the lowest potential terminal 424 of the circuit is released. In step S50, a setting is made to give a temperature gradient of the breakdown voltage of the APD 70 measured in advance by the variable resistor 423 to the terminal 28 (setting of the temperature gradient). Since the temperature compensation circuit 42A is controlled so that the current corresponding to the temperature gradient of the breakdown voltage of the APD 70 is always equalized by the voltage control signal 30a output from the voltage comparator 30, it is bypassed by the temperature compensation circuit 42A. The current to be applied is varied by the variable resistor 423 and operates so as to increase the voltage at the terminal 28 by the voltage drop generated by the product of the resistance on the collector side of the transistor 422 and the bypass current.

ここで、温度センサ421 は、出力電圧に任意の温度係数を持つ素子であるので、トランジスタ422 のコレクタ側の抵抗とエミッタ側の抵抗とが等しい場合、すなわち、トランジスタ422 とコレクタ抵抗と可変抵抗423 とによって構成される増幅系統の利得がゼロの場合、温度センサ421 が持つ出力電圧の温度係数はそのまま端子28の電圧に対する温度係数として現れる。一方、トランジスタ422 とコレクタ抵抗と可変抵抗423 とによって構成される増幅系統が利得を持つ場合、温度センサ421 が持つ出力電圧の温度係数は利得倍されて端子28の電圧に対する温度係数として現れる。   Here, since the temperature sensor 421 is an element having an arbitrary temperature coefficient in the output voltage, when the resistance on the collector side and the resistance on the emitter side of the transistor 422 are equal, that is, the transistor 422, the collector resistance, and the variable resistance 423 Is zero, the temperature coefficient of the output voltage of the temperature sensor 421 appears as the temperature coefficient with respect to the voltage at the terminal 28 as it is. On the other hand, when the amplification system composed of the transistor 422, the collector resistor, and the variable resistor 423 has a gain, the temperature coefficient of the output voltage of the temperature sensor 421 is multiplied by the gain and appears as a temperature coefficient with respect to the voltage at the terminal 28.

ここでさらに詳細に説明する。温度センサ421 の出力電圧をVTO とし、出力電圧の温度傾斜をＡ（mV/ ℃）とした場合、トランジスタ422 とコレクタ抵抗と可変抵抗423 とによって構成される増幅回路系統がゼロ利得のときは、端子28に現れる電圧はHV1+VTO 、温度係数はＡ（mV/ ℃）である。２倍の利得の場合は、端子28に現れる電圧はHV1+2xVTO 、温度係数は 2xA（mV/ ℃）である。同様に1/2 利得のときは、端子28に現れる電圧はHV1+VTO/2 、温度係数は A/2（mV/ ℃）である。   This will be described in more detail here. When the output voltage of the temperature sensor 421 is VTO and the temperature gradient of the output voltage is A (mV / ° C), when the amplifier circuit system composed of the transistor 422, the collector resistor, and the variable resistor 423 has zero gain, The voltage appearing at the terminal 28 is HV1 + VTO, and the temperature coefficient is A (mV / ° C.). In the case of double gain, the voltage appearing at terminal 28 is HV1 + 2xVTO and the temperature coefficient is 2xA (mV / ° C). Similarly, at 1/2 gain, the voltage appearing at terminal 28 is HV1 + VTO / 2, and the temperature coefficient is A / 2 (mV / ° C).

APD 70のブレークダウン電圧の温度傾斜Ｂ（mV/ ℃）は、予め測定されているので、端子28に現れる電圧値を、他端が回路の最低電位端子428 に接続されている電圧計427 で測定し、HV1+(B/A)xVTO となるように、可変抵抗423 を設定することによって端子28の電圧の特性に温度傾斜を持たせることができる。次に、ステップS60 において、可変抵抗413 によって端子65の設定電圧を予め測定したAPD 70の最適増倍率に当たる電圧に設定することで調整を完了することができる。   Since the temperature slope B (mV / ° C) of the breakdown voltage of the APD 70 is measured in advance, the voltage value appearing at the terminal 28 is measured with a voltmeter 427 whose other end is connected to the lowest potential terminal 428 of the circuit. By measuring and setting the variable resistor 423 so as to be HV1 + (B / A) × VTO, the voltage characteristics of the terminal 28 can be given a temperature gradient. Next, in step S60, the adjustment can be completed by setting the set voltage of the terminal 65 to the voltage corresponding to the optimum multiplication factor of the APD 70 measured in advance by the variable resistor 413.

以上のような回路調整方法を行うことで、最適増倍率に設定することと、温度補償のための設定とを調整誤差が生じないように、非常に精度良く調整することができる。なお、出力電圧設定回路41A においては、可変抵抗413 を可変することでバイパス電流を制御し端子28の電圧を設定したが、可変抵抗を固定抵抗としトランジスタ412 のベースに与える電圧を可変して設定することでもよい。また、電圧比較器30は簡略化して図示しているが、実際には制御ループ内に帯域制限要素を配置するとよい。   By performing the circuit adjustment method as described above, it is possible to adjust the setting of the optimum multiplication factor and the setting for temperature compensation very accurately so as not to cause an adjustment error. In the output voltage setting circuit 41A, the variable current 413 is varied to control the bypass current and the voltage at the terminal 28 is set. You may do it. In addition, although the voltage comparator 30 is illustrated in a simplified manner, in practice, a band limiting element may be disposed in the control loop.

本発明のアバランシェフォトダイオード(APD) 用バイアス電圧制御回路の実施例（第１実施例）の概略の回路構成図である。1 is a schematic circuit configuration diagram of an embodiment (first embodiment) of a bias voltage control circuit for an avalanche photodiode (APD) according to the present invention. FIG. 一般的なAPD のバイアス電圧に対する増倍率の特性と、温度の変動に対する増倍率の変化を表す特性図である。FIG. 6 is a characteristic diagram illustrating a gain characteristic with respect to a bias voltage of a general APD and a change in gain with respect to a temperature change. 一般的なAPD の温度変化に対するブレークダウン電圧の変化を表す図である。It is a figure showing the change of the breakdown voltage with respect to the temperature change of general APD. APD 用バイアス電圧制御回路の実施例の回路構成であり、電圧可変回路を具体的にはデジタル可変抵抗器を使用して電圧可変する回路構成（第２実施例）を示す図である。It is a circuit configuration of the embodiment of the bias voltage control circuit for APD, and is a diagram showing a circuit configuration (second embodiment) in which the voltage variable circuit specifically varies the voltage using a digital variable resistor. APD 用バイアス電圧制御回路の実施例の回路構成であり、電圧可変回路をトランジスタを使用して電流制御を行い出力電圧を可変する回路構成（第３実施例）を示す図である。It is a circuit configuration of an embodiment of an APD bias voltage control circuit, and shows a circuit configuration (third embodiment) in which the voltage variable circuit performs current control using a transistor to vary the output voltage. APD 用バイアス電圧制御回路の実施例の回路構成であり、電流バイパス回路を使用して出力電圧の設定および温度補償の設定を行う回路構成（第４実施例）を示す図である。It is a circuit configuration of an embodiment of an APD bias voltage control circuit, and shows a circuit configuration (fourth embodiment) for setting an output voltage and temperature compensation using a current bypass circuit. 図６のAPD 用バイアス電圧制御回路の実施例の回路構成における出力電圧設定回路の具体的な回路構成（第５実施例）を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing a specific circuit configuration (fifth embodiment) of the output voltage setting circuit in the circuit configuration of the embodiment of the APD bias voltage control circuit of FIG. 6. 図６のAPD 用バイアス電圧制御回路の実施例の回路構成における温度補償回路の具体的な回路構成（第６実施例）を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing a specific circuit configuration (sixth embodiment) of a temperature compensation circuit in the circuit configuration of the embodiment of the APD bias voltage control circuit of FIG. 6. APD 用バイアス電圧制御回路の実施例の回路構成であり、図７の出力電圧設定回路41A および図８の温度補償回路を使用した回路構成（第７実施例）を示す図である。FIG. 9 is a circuit configuration of an embodiment of an APD bias voltage control circuit, showing a circuit configuration (seventh embodiment) using the output voltage setting circuit 41A of FIG. 7 and the temperature compensation circuit of FIG. APD 用バイアス電圧制御回路の実施例の回路構成の調整を行うための調整工程を示す図である。It is a figure which shows the adjustment process for adjusting the circuit structure of the Example of the bias voltage control circuit for APD. 図10の調整工程を説明するための回路調整系統図である。FIG. 11 is a circuit adjustment system diagram for explaining the adjustment process of FIG.

符号の説明Explanation of symbols

10 高電圧発生回路
20 電圧可変回路
30 電圧比較器
40 基準電圧発生回路
41 出力電圧設定回路
42 温度補償回路
70 アバランシェフォトダイオード(APD)
80 電流電圧変換増幅回路 10 High voltage generator
20 Voltage variable circuit
30 Voltage comparator
40 Reference voltage generator
41 Output voltage setting circuit
42 Temperature compensation circuit
70 Avalanche Photodiode (APD)
80 Current-voltage conversion amplifier circuit

Claims (14)

入力端子に与えられる入力直流電圧を電圧制御信号に応じた電圧に可変制御し出力する電圧可変手段を含み、該出力電圧をアバランシェフォトダイオードに印加するバイアス電圧として制御し出力端子から出力するアバランシェフォトダイオード用バイアス電圧制御回路において、該回路は、
前記アバランシェフォトダイオードの逆方向の降伏電圧の温度傾斜に当たる電圧を出力する温度傾斜電圧出力手段と、
前記出力端子の電圧を所定の電圧に設定するための設定電圧を出力する設定電圧出力手段と、
前記温度傾斜に当たる電圧と前記設定電圧とから基準電圧を設定し、該基準電圧と前記出力端子から減衰抵抗を介して与えられる電圧とが等しくなるように前記電圧制御信号を生成し、前記電圧可変手段に対して与える比較制御手段とを含み、
前記電圧可変手段は、前記入力端子に直列に接続された第１の抵抗と、該第１の抵抗と直列に接続された第２の抵抗と、該第２の抵抗に接続され前記電圧制御信号によって電流の制御を行うためのトランジスタとを含む電流制御部を含み、前記電圧制御信号によって、前記トランジスタが前記第１の抵抗および第２の抵抗に流れる電流を制御し、前記第１の抵抗と第２の抵抗との間の接続点から前記出力端子への電圧を取り出すことを特徴とするアバランシェフォトダイオード用バイアス電圧制御回路。 An avalanche photo which includes a voltage variable means for variably controlling and outputting an input DC voltage applied to the input terminal to a voltage according to a voltage control signal, and controlling the output voltage as a bias voltage applied to the avalanche photodiode and outputting it from the output terminal. In the diode bias voltage control circuit, the circuit includes:
Temperature ramp voltage output means for outputting a voltage corresponding to the temperature ramp of the reverse breakdown voltage of the avalanche photodiode;
Setting voltage output means for outputting a setting voltage for setting the voltage of the output terminal to a predetermined voltage;
A reference voltage is set from the voltage corresponding to the temperature gradient and the set voltage, and the voltage control signal is generated so that the reference voltage and a voltage given from the output terminal via an attenuation resistor are equal, and the voltage variable Comparison control means to be given to the means,
The voltage variable means includes a first resistor connected in series to the input terminal, a second resistor connected in series with the first resistor, and the voltage control signal connected to the second resistor. A current control unit including a transistor for controlling a current by controlling the current flowing through the first resistor and the second resistor by the voltage control signal, and the first resistor A bias voltage control circuit for an avalanche photodiode, wherein a voltage from the connection point between the second resistor and the output terminal is taken out. 請求項１に記載の回路において、前記比較制御手段は、電圧比較器によって前記基準電圧と前記出力端子に設定されている電圧とを比較し制御をすることを特徴とするアバランシェフォトダイオード用バイアス電圧制御回路。 2. The bias voltage for an avalanche photodiode according to claim 1, wherein the comparison control means compares and controls the reference voltage and a voltage set at the output terminal by a voltage comparator. Control circuit. 入力端子に与えられる入力直流電圧を電圧制御信号に応じた電圧に可変制御し出力する電圧可変手段を含み、該出力電圧をアバランシェフォトダイオードに印加するバイアス電圧として制御し出力端子から出力するアバランシェフォトダイオード用バイアス電圧制御回路において、該回路は、
前記出力端子から第１の抵抗を介して電流を引き込む制御を行い、前記出力端子の電圧を所定の電圧に設定する出力電圧設定手段と、
前記出力端子から前記第１の抵抗を介して電流を引き込む制御を行い、前記アバランシェフォトダイオードの逆方向の降伏電圧の温度傾斜に当たる電流を引き込む温度傾斜電流引き込み手段と、
所定の基準電圧を設定し、該基準電圧と前記出力端子から前記第１の抵抗を介して与えられる電圧とが等しくなるように前記電圧制御信号を生成し、前記電圧可変手段に対して与える比較制御手段とを含むことを特徴とするアバランシェフォトダイオード用バイアス電圧制御回路。 An avalanche photo which includes a voltage variable means for variably controlling and outputting an input DC voltage applied to the input terminal to a voltage according to a voltage control signal, and controlling the output voltage as a bias voltage applied to the avalanche photodiode and outputting it from the output terminal. In the diode bias voltage control circuit, the circuit includes:
An output voltage setting means for controlling the current to be drawn from the output terminal via a first resistor and setting the voltage of the output terminal to a predetermined voltage;
Temperature gradient current drawing means for performing a control for drawing current from the output terminal via the first resistor, and drawing current corresponding to a temperature gradient of a reverse breakdown voltage of the avalanche photodiode;
A comparison is made by setting a predetermined reference voltage, generating the voltage control signal so that the reference voltage is equal to the voltage supplied from the output terminal via the first resistor, and supplying the voltage control signal to the voltage variable means A bias voltage control circuit for an avalanche photodiode, comprising: a control means; 請求項３に記載の回路において、前記出力電圧設定手段は、
前記第１の抵抗に接続され引き込み電流の制御を行うための第１のトランジスタと、
該第１のトランジスタに接続され引き込み電流の調整を行う第１の可変抵抗とを含み、
所定の電圧を前記第１のトランジスタに与えて動作させ、前記第１の可変抵抗の抵抗値を調整して引き込み電流を制御し、前記出力端子の電圧を所定の値に設定することを特徴とするアバランシェフォトダイオード用バイアス電圧制御回路。 4. The circuit according to claim 3, wherein the output voltage setting means is
A first transistor connected to the first resistor for controlling an incoming current;
A first variable resistor connected to the first transistor for adjusting a drawn current;
A predetermined voltage is applied to the first transistor for operation, the resistance value of the first variable resistor is adjusted to control the current drawn, and the voltage at the output terminal is set to a predetermined value. A bias voltage control circuit for an avalanche photodiode. 請求項３または４に記載の回路において、前記温度傾斜電流引き込み手段は、
周囲温度を検出し検出信号を出力する温度センサと、
前記第１の抵抗に接続され、引き込み電流の制御を行うための第２のトランジスタと、
該第２のトランジスタに接続され、引き込み電流の調整を行う第２の可変抵抗とを含み、
前記検出信号を前記第２のトランジスタに与えて動作させ、前記第２の可変抵抗の抵抗値を調整して引き込み電流を制御することを特徴とするアバランシェフォトダイオード用バイアス電圧制御回路。 The circuit according to claim 3 or 4, wherein the temperature gradient current drawing means is
A temperature sensor that detects the ambient temperature and outputs a detection signal;
A second transistor connected to the first resistor for controlling the pull-in current;
A second variable resistor connected to the second transistor for adjusting the pull-in current;
A bias voltage control circuit for an avalanche photodiode, wherein the detection signal is supplied to the second transistor to operate, and a resistance value of the second variable resistor is adjusted to control a drawing current. 請求項３、４または５に記載の回路において、
前記電圧可変手段は、前記入力端子に直列に接続された第２の抵抗と、該第２の抵抗と直列に接続された第３の抵抗と、該第３の抵抗に接続され、前記電圧制御信号によって電流の制御を行うための第３のトランジスタとを含む電流制御部を含み、
前記電圧制御信号によって、前記第３のトランジスタが前記第２の抵抗および第３の抵抗に流れる電流を制御し、前記第２の抵抗と第３の抵抗との間の接続点から前記出力端子への電圧を取り出すことを特徴とするアバランシェフォトダイオード用バイアス電圧制御回路。 The circuit according to claim 3, 4 or 5,
The voltage varying means is connected to the second resistor connected in series to the input terminal, a third resistor connected in series to the second resistor, and the third resistor, and the voltage control unit A current control unit including a third transistor for controlling current according to a signal;
According to the voltage control signal, the third transistor controls the current flowing through the second resistor and the third resistor, and the connection point between the second resistor and the third resistor is connected to the output terminal. A bias voltage control circuit for an avalanche photodiode, wherein 請求項３、４または５に記載の回路において、前記電圧可変手段は、デジタル電圧制御信号によってデジタル的に抵抗値を可変し設定することができるデジタル可変抵抗手段を含み、前記電圧制御信号を前記デジタル電圧制御信号に変換し、該デジタル電圧制御信号によって、前記デジタル可変抵抗手段の抵抗値を設定し、前記入力直流電圧を制御することを特徴とするアバランシェフォトダイオード用バイアス電圧制御回路。 6. The circuit according to claim 3, wherein the voltage variable means includes digital variable resistance means capable of digitally changing and setting a resistance value by a digital voltage control signal, and the voltage control signal is set to the voltage control signal. A bias voltage control circuit for an avalanche photodiode, which converts to a digital voltage control signal, sets a resistance value of the digital variable resistance means according to the digital voltage control signal, and controls the input DC voltage. 請求項３ないし７のいずれかに記載の回路において、前記比較制御手段は、電圧比較器によって前記基準電圧と前記出力端子から前記第１の抵抗を介して与えられる電圧とを比較し制御をすることを特徴とするアバランシェフォトダイオード用バイアス電圧制御回路。 8. The circuit according to claim 3, wherein the comparison control unit compares and controls the reference voltage and a voltage supplied from the output terminal via the first resistor by a voltage comparator. A bias voltage control circuit for an avalanche photodiode. 請求項１ないし８のいずれかに記載の回路において、該回路は、前記出力端子に接続されたロウパスフィルタ手段を含み、該ロウパスフィルタ手段は、前記出力端子に出力されている電圧に含まれる低域周波数成分を通過させ高域周波数成分を除去した電圧を出力し、該ロウパスフィルタ手段の出力電圧を前記アバランシェフォトダイオード用のバイアス電圧とすることを特徴とするアバランシェフォトダイオード用バイアス電圧制御回路。 9. The circuit according to claim 1, wherein the circuit includes low-pass filter means connected to the output terminal, and the low-pass filter means is included in the voltage output to the output terminal. A bias voltage for the avalanche photodiode, wherein the output voltage of the low-pass filter means is used as a bias voltage for the avalanche photodiode. Control circuit. 入力端子に与えられる入力直流電圧を電圧制御信号に応じた電圧に可変制御し出力する電圧可変手段を含み、該出力電圧をアバランシェフォトダイオードに印加するバイアス電圧として制御し出力端子から出力するアバランシェフォトダイオード用バイアス電圧制御回路であって、
前記出力端子から第１の抵抗を介して電流を引き込む制御を行い、前記出力端子の電圧を所定の電圧に設定する出力電圧設定手段と、
前記出力端子から前記第１の抵抗を介して電流を引き込む制御を行い、前記アバランシェフォトダイオードの逆方向の降伏電圧の温度傾斜に当たる電流を引き込む温度傾斜電流引き込み手段と、
所定の基準電圧を設定し、該基準電圧と前記出力端子から前記第１の抵抗を介して与えられる電圧とが等しくなるように前記電圧制御信号を生成し、前記電圧可変手段に対して与える比較制御手段とを含むアバランシェフォトダイオード用バイアス電圧制御回路において、温度補償の調整と最適増倍率への調整とを行う調整方法において、該方法は、
使用するアバランシェフォトダイオードの逆方向の降伏電圧の温度傾斜と最適増倍率とを測定する特性測定工程と、
前記出力端子に使用するアバランシェフォトダイオードを接続し、前記入力端子に所定の直流電圧を印加する電圧印加工程と、
前記温度傾斜電流引き込み手段への電流の引き込みを停止させ、この状態で前記出力電圧設定手段によって前記出力端子の電圧を所定の値に設定する出力電圧設定工程と、
前記温度傾斜電流引き込み手段への電流の引き込みを行い、前記温度傾斜に当たる電流の引き込みを行う温度傾斜設定工程と、
前記出力電圧設定手段によって、前記出力端子の電圧を前記最適増倍率に対応する電圧に調整する電圧調整工程とを含むことを特徴とするアバランシェフォトダイオード用バイアス電圧制御回路の調整方法。 An avalanche photo which includes a voltage variable means for variably controlling and outputting an input DC voltage applied to the input terminal to a voltage according to a voltage control signal, and controlling the output voltage as a bias voltage applied to the avalanche photodiode and outputting it from the output terminal. A bias voltage control circuit for a diode,
An output voltage setting means for controlling the current to be drawn from the output terminal via a first resistor and setting the voltage of the output terminal to a predetermined voltage;
Temperature gradient current drawing means for performing a control for drawing current from the output terminal via the first resistor, and drawing current corresponding to a temperature gradient of a reverse breakdown voltage of the avalanche photodiode;
A comparison is made by setting a predetermined reference voltage, generating the voltage control signal so that the reference voltage is equal to the voltage supplied from the output terminal via the first resistor, and supplying the voltage control signal to the voltage variable means In an avalanche photodiode bias voltage control circuit including a control means, in an adjustment method for adjusting temperature compensation and adjusting to an optimum multiplication factor, the method includes:
A characteristic measuring step for measuring the temperature gradient of the reverse breakdown voltage and the optimum multiplication factor of the avalanche photodiode used;
A voltage application step of connecting an avalanche photodiode used for the output terminal and applying a predetermined DC voltage to the input terminal;
An output voltage setting step of stopping current drawing to the temperature ramp current drawing means, and setting the voltage of the output terminal to a predetermined value by the output voltage setting means in this state;
A temperature gradient setting step of drawing current to the temperature gradient current drawing means and drawing current corresponding to the temperature gradient;
And a voltage adjusting step of adjusting the voltage of the output terminal to a voltage corresponding to the optimum multiplication factor by the output voltage setting means. A method of adjusting a bias voltage control circuit for an avalanche photodiode. 請求項１０に記載の方法において、
前記出力電圧設定手段は、前記第１の抵抗に接続され引き込み電流の制御を行うための第１のトランジスタと、該第１のトランジスタに接続され引き込み電流の調整を行う第１の可変抵抗とを含み、所定の電圧を前記第１のトランジスタに与えて動作させ、
前記出力電圧設定工程では、前記第１の可変抵抗の抵抗値を調整して引き込み電流を制御し、前記出力端子の電圧を所定の値に設定することを特徴とするアバランシェフォトダイオード用バイアス電圧制御回路の調整方法。 The method of claim 10, wherein
The output voltage setting means includes a first transistor connected to the first resistor for controlling a pull-in current, and a first variable resistor connected to the first transistor for adjusting the pull-in current. Including a predetermined voltage applied to the first transistor,
The avalanche photodiode bias voltage control is characterized in that, in the output voltage setting step, a pull-in current is controlled by adjusting a resistance value of the first variable resistor, and a voltage of the output terminal is set to a predetermined value. Circuit adjustment method. 請求項１０または１１に記載の方法において、
前記温度傾斜電流引き込み手段は、周囲温度を検出し検出信号を出力する温度センサと、前記第１の抵抗に接続され、引き込み電流の制御を行うための第２のトランジスタと、該第２のトランジスタに接続され、引き込み電流の調整を行う第２の可変抵抗とを含み、前記検出信号を前記第２のトランジスタに与えて動作させ、
前記温度傾斜設定工程では、前記第２の可変抵抗の抵抗値を調整して引き込み電流を制御することを特徴とするアバランシェフォトダイオード用バイアス電圧制御回路の調整方法。 12. The method according to claim 10 or 11,
The temperature gradient current drawing means includes a temperature sensor that detects an ambient temperature and outputs a detection signal, a second transistor that is connected to the first resistor and controls the drawn current, and the second transistor And a second variable resistor for adjusting a drawn current, and supplying the detection signal to the second transistor for operation.
The method for adjusting a bias voltage control circuit for an avalanche photodiode, wherein, in the temperature gradient setting step, a pull-in current is controlled by adjusting a resistance value of the second variable resistor. 請求項１０、１１または１２に記載の方法において、
前記電圧可変手段は、前記入力端子に直列に接続された第２の抵抗と、該第２の抵抗と直列に接続された第３の抵抗と、該第３の抵抗に接続され、前記電圧制御信号によって電流の制御を行うための第３のトランジスタとを含む電流制御部を含み、
前記電圧制御信号によって、前記第３のトランジスタが前記第２の抵抗および第３の抵抗に流れる電流を制御し、前記第２の抵抗と第３の抵抗との間の接続点から前記出力端子への電圧を取り出すことを特徴とするアバランシェフォトダイオード用バイアス電圧制御回路の調整方法。 A method according to claim 10, 11 or 12,
The voltage varying means is connected to the second resistor connected in series to the input terminal, a third resistor connected in series to the second resistor, and the third resistor, and the voltage control unit A current control unit including a third transistor for controlling current according to a signal;
According to the voltage control signal, the third transistor controls the current flowing through the second resistor and the third resistor, and the connection point between the second resistor and the third resistor is connected to the output terminal. A method for adjusting a bias voltage control circuit for an avalanche photodiode, characterized in that 請求項１０、１１または１２に記載の方法において、前記電圧可変手段は、デジタル電圧制御信号によってデジタル的に抵抗値を可変し設定することができるデジタル可変抵抗手段を含み、前記電圧制御信号を前記デジタル電圧制御信号に変換し、該デジタル電圧制御信号によって、前記デジタル可変抵抗手段の抵抗値を設定し、前記入力直流電圧を制御することを特徴とするアバランシェフォトダイオード用バイアス電圧制御回路の調整方法。 13. The method according to claim 10, 11 or 12, wherein the voltage variable means includes digital variable resistance means capable of digitally changing and setting a resistance value by a digital voltage control signal, and the voltage control signal is set to the voltage control signal. A method for adjusting a bias voltage control circuit for an avalanche photodiode, characterized by converting to a digital voltage control signal, setting a resistance value of the digital variable resistance means by the digital voltage control signal, and controlling the input DC voltage .
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