JP2006299371A - Method for producing fine metal structure, and fine metal structure - Google Patents

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Naoki Mizuno
直樹 水野
Fumiaki Kato
文明 加藤
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for producing a fine metal structure where electroplating can be performed to the pattern of the film to be worked formed by a nano-imprint process without removing a residue film. <P>SOLUTION: (1) A die 2 in which a fine rugged pattern is formed is pressed against the film 3 to be worked in a fluidized state made of a high polymer film having electric conductivity; (2) the film to be worked in a fluidized state is hardened, and the die is peeled from the hardened film to be worked, so as to obtain the film to be worked to which the rugged pattern of the die is transferred, and having a structure pattern; (3) plating is performed with the film to be worked as an electrode, and each plating metal 4 is deposited on each recessed part of the pattern in the film to be worked having the structure pattern; and (4) each deposited plating metal is separated from the film to be worked, so as to produce each fine metal structure 5. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

この発明は、例えばLSIをはじめとする半導体チップ用の機能部品、各種アクチュエータやプローブヘッドなどのマイクロマシンの部品などのように、微小な機械構造体、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)などに使われる微細金属構造体に関する。および、その微細金属構造体の製造方法に関する。   The present invention is a micro mechanical structure such as a functional part for a semiconductor chip such as an LSI, a micro machine part such as various actuators or a probe head, and a micro part used for MEMS (Micro Electro Mechanical Systems). The present invention relates to a metal structure. And it is related with the manufacturing method of the fine metal structure.

微細パターンの形成方法として、従来の機械加工や光リソグラフィの限界に制限されない分解能を持ち、より低コストな方法であるナノインプリント法が、近年注目されている。例えば特許文献1に開示されている内容によれば、図5に示すように、被加工膜103が形成された基板101と、25nm程度以下の微細な凹凸パターンが形成された型102を用意する(図5(A)参照)。ここで、被加工膜103は、基板101の表面に形成されるポリメチルメタクリレート等の熱可塑性樹脂よりなるレジスト膜である。   As a method for forming a fine pattern, a nanoimprint method, which has a resolution that is not limited by the limitations of conventional machining and optical lithography and is a lower cost method, has recently attracted attention. For example, according to the contents disclosed in Patent Document 1, as shown in FIG. 5, a substrate 101 on which a film 103 to be processed is formed and a mold 102 on which a fine uneven pattern of about 25 nm or less is formed are prepared. (See FIG. 5A). Here, the film to be processed 103 is a resist film made of a thermoplastic resin such as polymethyl methacrylate formed on the surface of the substrate 101.

そして、被加工膜103をガラス転移点以上にまで加熱することにより軟化して後、被加工膜103に型102を押し付ける(図5(B)参照)。それから、被加工膜103をガラス転移点以下になるまで冷却することにより固化して後、その固化した被加工膜103から型102を引き剥がして、型102の微細な凹凸パターンの反転パターンを被加工膜103に転写する(図5(C)参照)。   Then, after the film 103 to be processed is softened by being heated to the glass transition point or higher, the mold 102 is pressed against the film 103 to be processed (see FIG. 5B). Then, after the film to be processed 103 is solidified by cooling to the glass transition point or lower, the mold 102 is peeled off from the solidified film 103 to be processed, and a reversal pattern of the fine uneven pattern of the mold 102 is covered. Transfer to the processed film 103 (see FIG. 5C).

また、特許文献2に開示されている内容によれば、図6に示すように、表面に被加工膜103が形成された基板101と、石英やパイレックス(登録商標)等の光透過性の材料からなる型102を用意する(図6(A)参照)。ここで、被加工膜103は、UV硬化樹脂等の光硬化性の物質からなる。そして、被加工膜103に型102を押し付ける(図6(B)参照)。それから、型102を通して光を照射することにより硬化させた被加工膜103から型102を引き剥がし、型102の微細な凹凸パターンの反転パターンを被加工膜103に転写する(図6(C)参照)。   Moreover, according to the content currently disclosed by patent document 2, as shown in FIG. 6, the board | substrate 101 with which the to-be-processed film | membrane 103 was formed in the surface, and light transmissive materials, such as quartz and Pyrex (registered trademark) A mold 102 is prepared (see FIG. 6A). Here, the film 103 to be processed is made of a photocurable material such as a UV curable resin. Then, the mold 102 is pressed against the workpiece film 103 (see FIG. 6B). Then, the mold 102 is peeled off from the processed film 103 cured by irradiating light through the mold 102, and a reversal pattern of the fine uneven pattern of the mold 102 is transferred to the processed film 103 (see FIG. 6C). ).

以上のように、ナノインプリント法では、所望の凹凸パターンが形成された型を用意することができれば、至って簡単なプロセスで微細な凹凸パターンを複製することができる。そして、静止している被加工膜に対して型を押し付けるという方法であるので、被加工膜が薄くて広い面積を持つような板状のものであっても、精度よく凹凸パターンを転写することができる。型としては、数nm〜数10nmの解像度を持つ電子ビーム露光技術とエッチング技術により製造したシリコンや石英の型、またはこれらの型をマスターとした金属の型、数μmの解像度を持つLIGA(Lithographie Galvanoformung Adformung)技術により製造した金属の型を使用することができる。   As described above, in the nanoimprint method, if a mold on which a desired concavo-convex pattern is formed can be prepared, a fine concavo-convex pattern can be replicated by an extremely simple process. Since the mold is pressed against the stationary film, the uneven pattern can be accurately transferred even if the film is thin and has a large area. Can do. As the mold, a silicon or quartz mold manufactured by an electron beam exposure technique and an etching technique having a resolution of several nanometers to several tens of nanometers, a metal mold using these molds as a master, a LIGA (Lithographie having a resolution of several micrometers). Metal molds produced by Galvanoformung Adformung) technology can be used.

次に、このナノインプリント法を応用して微細な金属製構造体を製造する方法を説明する。例えば図7に示すように、まず前述したナノインプリント法によって型102の微細な凹凸パターンの反転パターンが転写された被加工膜103を用意する(図7(A)参照)。被加工膜103は、導電性を持つ基板101の上に形成されている。   Next, a method for producing a fine metal structure by applying the nanoimprint method will be described. For example, as shown in FIG. 7, first, a film to be processed 103 to which a reversal pattern of a fine uneven pattern of the mold 102 is transferred by the nanoimprint method described above is prepared (see FIG. 7A). The processed film 103 is formed on a conductive substrate 101.

そして、型の凹凸パターンが転写された被加工膜にパターン凹部を形成し、そのパターン凹部底面に生じる残渣膜を、エッチングやエキシマレーザ等で除去する(図7(B)参照)。次に、露出した導電性を持つ基板101を電極として電解めっきを行い、型102の微細な凹凸パターンの反転パターンが転写された被加工膜103のパターン凹部にめっき金属104を堆積する(図7(C)参照)。そして、被加工膜103をプラズマアッシングや有機溶剤により除去し、基板101をエッチングにより除去し、微細金属構造体105を得る(図7(D)参照)。   Then, a pattern concave portion is formed in the film to be processed onto which the concave / convex pattern of the mold has been transferred, and the residual film formed on the bottom surface of the pattern concave portion is removed by etching, excimer laser, or the like (see FIG. 7B). Next, electrolytic plating is performed using the exposed conductive substrate 101 as an electrode, and a plating metal 104 is deposited in the pattern concave portion of the film 103 to which the reversal pattern of the fine concavo-convex pattern of the mold 102 is transferred (FIG. 7). (See (C)). Then, the processed film 103 is removed by plasma ashing or an organic solvent, and the substrate 101 is removed by etching to obtain a fine metal structure 105 (see FIG. 7D).

図8には、ナノインプリント法を応用して微細な金属製構造体を製造する別の方法を示す。まず前述したナノインプリント法によって型102の微細な凹凸パターンの反転パターンが転写された被加工膜103を用意し、この被加工膜103を基板101から分離する(図8(A)参照)。   FIG. 8 shows another method for producing a fine metal structure by applying the nanoimprint method. First, a processed film 103 to which a reversal pattern of a fine uneven pattern of the mold 102 is transferred by the nanoimprint method described above is prepared, and the processed film 103 is separated from the substrate 101 (see FIG. 8A).

次に、分離された被加工膜103の凹凸パターンが転写された面を導電性を持つ第2の基板107に接着する(図8(B)参照)。そして、被加工膜103に転写された凹凸パターンが開口するまで被加工膜103の凹凸パターンが転写されていない面を研磨やエッチングにより除去する(図8(C)参照)。それから、導電性を持つ第2の基板107を電極として電解めっきを行い、型102の微細な凹凸パターンの反転パターンが転写された被加工膜103のパターン凹部にめっき金属104を堆積する(図8(D)参照)。その後、被加工膜103をプラズマアッシングや有機溶剤により除去し、基板101をエッチングにより除去し、微細金属構造体105を得る(図8(E)参照)。   Next, the surface to which the uneven pattern of the separated processed film 103 is transferred is bonded to a conductive second substrate 107 (see FIG. 8B). Then, the surface of the processed film 103 where the uneven pattern is not transferred is removed by polishing or etching until the uneven pattern transferred to the processed film 103 is opened (see FIG. 8C). Then, electroplating is performed using the conductive second substrate 107 as an electrode, and the plating metal 104 is deposited in the pattern recess of the processed film 103 to which the reverse pattern of the fine uneven pattern of the mold 102 is transferred (FIG. 8). (See (D)). After that, the film 103 to be processed is removed by plasma ashing or an organic solvent, and the substrate 101 is removed by etching to obtain a fine metal structure 105 (see FIG. 8E).

米国特許第5772905号公報US Pat. No. 5,772,905 特開2000‐194142号公報JP 2000-194142 A

しかしながら、従来のナノインプリント法では、型の破損を防ぐために、型が基板に接触しない深さまでしか型を被加工膜に押し付けることができず、また樹脂の流動性の影響からも、型の凹凸パターンが転写された被加工膜のパターン凹部底面に残渣膜を生じていた。このために、被加工膜の下層にある導電性を持つ基板、または基板表面に形成された導電性を持つ膜を電極として電解めっきを行うには、その残渣膜をエッチング、エキシマレーザ、研磨などの手段を用いて除去する必要があり、生産性が悪く、加工精度が低下するなどの問題があった。   However, in the conventional nanoimprint method, in order to prevent damage to the mold, the mold can only be pressed to the film to be processed to a depth at which the mold does not contact the substrate. As a result, a residue film was formed on the bottom of the pattern concave portion of the film to be processed. For this reason, in order to perform electroplating using the conductive substrate under the film to be processed or the conductive film formed on the substrate surface as an electrode, the residual film is etched, excimer laser, polished, etc. Therefore, there is a problem that productivity is poor and processing accuracy is lowered.

そこで、この発明の目的は、残渣膜を除去する必要なしに、ナノインプリント法で形成された被加工膜のパターンに電解めっきを施すことができる微細金属構造体の製造方法を提供することにある。   Accordingly, an object of the present invention is to provide a method for producing a fine metal structure capable of performing electroplating on a pattern of a film to be processed formed by a nanoimprint method without having to remove a residual film.

また、微細金属構造体を生産性よく製造する微細金属構造体の製造方法を提供することにある。また、型と基板の接触を確実に防ぐことができる微細金属構造体の製造方法を提供することにある。   Moreover, it is providing the manufacturing method of the fine metal structure which manufactures a fine metal structure with sufficient productivity. Another object of the present invention is to provide a method for manufacturing a fine metal structure that can reliably prevent the mold and the substrate from contacting each other.

かかる目的を達成すべく、この発明の第一の態様は、
1)基板上の、導電性を持つ高分子膜でつくった流動状態にある被加工膜に、微細な凹凸パターンが形成された型を押し付け、
2)前記流動状態にある被加工膜を硬化して、その硬化した被加工膜から前記型を剥離し、その型の凹凸パターンが転写されて構造体パターンを有する被加工膜を得、
3)その被加工膜を電極としてめっきを行って、前記構造体パターンを有する被加工膜のパターン凹部にめっき金属を堆積し、
4)その堆積しためっき金属を前記被加工膜から分離し、
微細金属構造体を製造する、微細金属構造体の製造方法である。
In order to achieve such an object, the first aspect of the present invention provides:
1) Press a mold with a fine concavo-convex pattern formed on a substrate to be processed in a fluid state made of a conductive polymer film,
2) Curing the film to be processed in the fluidized state, peeling the mold from the cured film to be processed, and transferring the uneven pattern of the mold to obtain a film to be processed having a structure pattern.
3) performing plating using the processed film as an electrode, and depositing a plating metal on the pattern recess of the processed film having the structure pattern;
4) separating the deposited plated metal from the film to be processed;
It is a manufacturing method of a fine metal structure which manufactures a fine metal structure.

例えば、前記被加工膜としては、導電性樹脂組成物を使用する。前記基板としては、絶縁性のものを使用する。   For example, a conductive resin composition is used as the film to be processed. An insulating material is used as the substrate.

前記型を剥離して前記構造体パターンを有する被加工膜を得、その被加工膜を電極としてめっきを行い、前記被加工膜の表裏のめっき金属と前記基板を除去し、前記被加工膜を除去してパターン凹部に堆積しためっき金属を前記被加工膜から分離する。また、前記型を剥離して前記構造体パターンを有する被加工膜を得、その被加工膜から前記基板を分離して後、前記構造体パターンを有する被加工膜のパターン凹部を除いて前記被加工膜を絶縁性材料で被覆し、その絶縁性材料をマスクとして前記被加工膜を電極としてめっきを行って、前記パターン凹部にめっき金属を堆積するとよい。さらに、前記被加工膜を前記型の凹凸パターンの高さより厚くするとよい。   The mold is peeled to obtain a work film having the structure pattern, plating is performed using the work film as an electrode, the plating metal on the front and back of the work film and the substrate are removed, and the work film is removed. The plating metal removed and deposited in the pattern recess is separated from the film to be processed. In addition, after removing the mold to obtain a film to be processed having the structure pattern, separating the substrate from the film to be processed, the film to be processed except for the pattern concave portion of the film to be processed having the structure pattern. It is preferable to coat the processed film with an insulating material, perform plating using the processed film as an electrode using the insulating material as a mask, and deposit a plating metal in the pattern recess. Furthermore, it is preferable that the film to be processed is thicker than the height of the uneven pattern of the mold.

この発明の第二の態様は、請求項1ないし6のいずれか1に記載の微細金属構造体の製造方法を用いて製造してなる、微細金属構造体である。   A second aspect of the present invention is a fine metal structure produced by using the method for producing a fine metal structure according to any one of claims 1 to 6.

この発明によれば、基板上の、導電性を持つ高分子膜でつくった被加工膜に、微細な凹凸パターンが形成された型を押し付けるので、型の凹凸パターンを転写して後の被加工膜に対して電解めっきを施すことができる。したがって、型の凹凸パターンが転写された被加工膜に構造体パターンを形成し、そのパターン凹部底面に生じる残渣膜を、エッチング、エキシマレーザ、研磨などにより除去する工程を必要とせず、ナノインプリント法で形成された被加工膜の構造体パターンに電解めっきを施すことができ、生産性が改善されるとともに、追加工による加工精度の低下を防止した加工精度の高い微細金属構造体の製造方法を提供することができる。   According to the present invention, a mold having a fine uneven pattern formed is pressed against a processed film made of a conductive polymer film on a substrate. Electrolytic plating can be applied to the membrane. Therefore, the nanoimprint method does not require a process of forming a structure pattern on a film to be processed onto which the concave / convex pattern of the mold has been transferred, and removing the residual film formed on the bottom of the pattern recess by etching, excimer laser, polishing, etc. Providing a method of manufacturing a fine metal structure with high processing accuracy that can be electroplated on the structure pattern of the film to be processed, improving productivity and preventing deterioration of processing accuracy due to additional machining can do.

また、この微細金属構造体を得るプロセスは、構造体パターンを有する被加工膜のパターン凹部底面に生じる残渣膜の量に依存しない。よって、型の凹凸パターンの高さよりも被加工膜を十分に厚く形成することができる。したがって、型が基板に接触することがなくなり、型の破損を確実に防止することができる。   Further, the process for obtaining the fine metal structure does not depend on the amount of the residual film formed on the bottom of the pattern recess of the film to be processed having the structure pattern. Therefore, the film to be processed can be formed sufficiently thicker than the height of the uneven pattern of the mold. Therefore, the mold does not contact the substrate, and the mold can be reliably prevented from being damaged.

また、被加工膜として、成形加工用に使用される導電性樹脂組成物を使用すれば、高い成形性を維持しながら、型の凹凸パターンを転写した被加工膜に導電性を持たせることができ、加工精度の高い微細金属構造体の製造方法を提供することができる。   In addition, if a conductive resin composition used for molding is used as the film to be processed, the film to be processed to which the concave / convex pattern of the mold is transferred can be made conductive while maintaining high moldability. And a method for producing a fine metal structure with high processing accuracy can be provided.

また、基板として絶縁性を有するものを使用すれば、電解めっきの工程において、基板にはめっき金属は堆積せず、電解めっき後に基板のみを容易に除去することができる。したがって、被加工膜をその表面と裏面の両面から除去することが可能になり、被加工膜の除去効率を上げ、生産性を向上した微細金属構造体の製造方法を提供することができる。   If an insulating substrate is used, the plating metal is not deposited on the substrate in the electrolytic plating step, and only the substrate can be easily removed after the electrolytic plating. Therefore, it becomes possible to remove the film to be processed from both the front surface and the back surface, and it is possible to provide a method for manufacturing a fine metal structure with improved efficiency of removing the film to be processed and improved productivity.

また、型を剥離して凹凸パターンが転写された被加工膜を得、その被加工膜から基板を分離すれば、被加工膜を単体で取り扱うことが容易になり、被加工膜のパターン凹部底面に生じる残渣膜を除去する工程を必要とせず、被加工膜から基板を直接剥離し、生産性を向上した微細金属構造体の製造方法を提供することができる。   In addition, if a processed film having a concavo-convex pattern transferred thereon is obtained by peeling the mold and the substrate is separated from the processed film, it becomes easier to handle the processed film as a single unit, and the bottom of the pattern concave portion of the processed film Thus, it is possible to provide a method for producing a fine metal structure in which productivity is improved by removing the substrate directly from the film to be processed without requiring a step of removing the residual film generated in the process.

また、電解めっきのマスクとして、被加工膜に対して選択的に絶縁性材料を塗布するようにすれば、めっき金属が堆積しない領域を被加工膜に形成することができる。したがって、被加工膜を除去する際の起点となる領域が広くなり、被加工膜の除去効率を上げ、生産性を向上した微細金属構造体の製造方法を提供することができる。   In addition, if an insulating material is selectively applied to the film to be processed as a mask for electrolytic plating, a region where no plating metal is deposited can be formed on the film to be processed. Therefore, a region that becomes a starting point when removing the film to be processed is widened, and it is possible to provide a method for manufacturing a fine metal structure that improves the removal efficiency of the film to be processed and improves the productivity.

また、被加工膜を型の凹凸パターンの高さよりも厚くすると、型と基板の接触を確実に防いで型を破損するおそれのない微細金属構造体の製造方法を提供することができる。   Further, when the film to be processed is thicker than the height of the concave / convex pattern of the mold, it is possible to provide a method for manufacturing a fine metal structure that reliably prevents contact between the mold and the substrate and does not break the mold.

さらに、この発明によれば、上述した効果を有する微細金属構造体を提供することができる。   Furthermore, according to this invention, the fine metal structure which has the effect mentioned above can be provided.

以下、図面を参照しつつ、この発明の実施の最良形態につき説明する。
図1(A)ないし(F)には、この発明による微細金属構造体の製造工程を示す。
The best mode of the present invention will be described below with reference to the drawings.
1A to 1F show a manufacturing process of a fine metal structure according to the present invention.

この微細金属構造体を製造する工程では、まず、基板1上に、スピンコート法やシートの貼り付けなどで被加工膜3を形成し、基板1と対向する位置に型2を配置する(図1(A)参照)。   In the process of manufacturing the fine metal structure, first, a film to be processed 3 is formed on the substrate 1 by spin coating or sheet bonding, and the mold 2 is disposed at a position facing the substrate 1 (see FIG. 1 (A)).

基板1としては、各種金属基板を用いることができ、シリコン基板、サファイア基板、石英基板など、一定の強度を持つものを使用することができる。絶縁性を有する基板を使用することが好ましく、ここでは絶縁性基板であるシリコン基板を使用している。   As the substrate 1, various metal substrates can be used, and a substrate having a certain strength such as a silicon substrate, a sapphire substrate, or a quartz substrate can be used. It is preferable to use an insulating substrate, and here, a silicon substrate which is an insulating substrate is used.

その上に形成する被加工膜3としては、導電性樹脂組成物などの導電性を持つ高分子を使用することができる。導電性樹脂組成物は、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂などの高分子樹脂材料に、カーボン、炭素繊維、金属微粒子、繊維状金属などの導電性フィラーを混合、分散させて、その体積抵抗率が10−2Ω・cm以下となるような金属並みに高い導電性を持つようにしたものである。被加工膜3としては、成形加工用の導電性樹脂組成物を使用することが好ましい。ここでは、被加工膜3として、分散補助材としての金属微粒子を介して導電性フィラーとしての低融点金属、またはそれらの合金を熱可塑性樹脂に混合、分散させた成形加工用の導電性樹脂組成物を使用する。その体積抵抗率は、10−4Ω・cmである。 As the processed film 3 formed thereon, a conductive polymer such as a conductive resin composition can be used. The conductive resin composition is obtained by mixing and dispersing a conductive filler such as carbon, carbon fiber, fine metal particles, and fibrous metal in a polymer resin material such as a thermoplastic resin and a thermosetting resin, and then volume resistivity. Has a conductivity as high as that of a metal such that is 10 −2 Ω · cm or less. As the film 3 to be processed, it is preferable to use a conductive resin composition for molding. Here, a conductive resin composition for molding processing in which a low-melting-point metal as a conductive filler or an alloy thereof is mixed and dispersed in a thermoplastic resin as metal film 3 as a dispersion auxiliary material, as work film 3 Use things. Its volume resistivity is 10 −4 Ω · cm.

また、被加工膜3は、任意の厚さで形成しても構わないが、転写された型2の凹凸パターンの高さよりも十分に厚い厚さで形成することが好ましく、ここでは厚さを150μmとしている。   Further, the film to be processed 3 may be formed with an arbitrary thickness, but is preferably formed with a thickness sufficiently thicker than the height of the concavo-convex pattern of the transferred mold 2. 150 μm.

他方、型2は、LIGA(Lithographie Galvanoformung Adformung)技術やシリコンのドライエッチング技術などのMEMS(Micro Electro Mechanical Systems)製造技術で作製することができる。ここでは、型2として、LIGA技術、つまりX線リソグラフィと電鋳により製造したニッケル製のものを使用しており、例えば高さ100μm、幅20μmのばね構造体のパターンを少なくとも1つ持っている。   On the other hand, the mold 2 can be manufactured by a MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) manufacturing technique such as a LIGA (Lithographie Galvanoformung Adformung) technique or a silicon dry etching technique. Here, the die 2 is made of nickel manufactured by LIGA technology, that is, X-ray lithography and electroforming, and has, for example, at least one pattern of a spring structure having a height of 100 μm and a width of 20 μm. .

型2の、被加工膜3からの剥離性を向上するために、型2の表面に離型処理を施すことが好ましい。ここでは、フッ素系の離型剤(ダイキン工業株式会社製の「オプツールDSX」)で型2の表面を被覆している。   In order to improve the releasability of the mold 2 from the film 3 to be processed, it is preferable to perform a mold release treatment on the surface of the mold 2. Here, the surface of the mold 2 is coated with a fluorine-based mold release agent (“OPTOOL DSX” manufactured by Daikin Industries, Ltd.).

次に、被加工膜3をガラス転移点以上に加熱して軟化し、軟化して流動状態にある被加工膜3に型2を押し付ける(図1(B)参照)。型2には、微細な凹凸パターンが形成されている。ここでは、50MPaの圧力で型2を押し込む。   Next, the film to be processed 3 is heated to the glass transition point or higher and softened, and the mold 2 is pressed against the film to be processed 3 that is softened and in a fluid state (see FIG. 1B). The mold 2 is formed with a fine uneven pattern. Here, the mold 2 is pushed in at a pressure of 50 MPa.

それから、被加工膜3をガラス転移点以下になるまで冷却することにより硬化させ、硬化した被加工膜3から型2を剥離することにより、型2の凹凸パターンが転写されて構造体パターンを有する被加工膜3を得る(図1(C)参照)。例えば、被加工膜3として熱硬化性樹脂を用い、加熱することにより硬化してもよい。また、被加工膜として、UV硬化樹脂や電子線硬化樹脂などの活性エネルギー硬化樹脂を用い、UV光や電子線などの活性エネルギーを照射することにより硬化してもよい。   Then, the processed film 3 is cured by cooling to a glass transition point or lower, and the mold 2 is peeled off from the cured processed film 3 so that the uneven pattern of the mold 2 is transferred to have a structure pattern. A film to be processed 3 is obtained (see FIG. 1C). For example, a thermosetting resin may be used as the work film 3 and may be cured by heating. Moreover, you may harden | cure by irradiating active energy, such as UV light and an electron beam, using active energy curable resins, such as UV curable resin and an electron beam curable resin, as a to-be-processed film.

その後、被加工膜3を電極として電解めっきを行い、構造体パターンを有する被加工膜3のパターン凹部にめっき金属4を堆積する(図1(D)参照)。このめっき金属4としては、各種のめっき金属を使用することができる。ここでは、スルファミン酸ニッケル浴を使用し、ニッケル膜を堆積している。   Thereafter, electrolytic plating is performed using the film to be processed 3 as an electrode, and a plating metal 4 is deposited in the pattern recesses of the film to be processed 3 having a structure pattern (see FIG. 1D). As this plating metal 4, various plating metals can be used. Here, a nickel sulfamate bath is used to deposit a nickel film.

次いで、研磨やエッチングにより除去して、被加工膜3の表裏のめっき金属と基板1を分離する(図1(E)参照)。   Next, the substrate 1 is separated from the plated metal on the front and back sides of the film 3 to be processed by removing by polishing or etching (see FIG. 1E).

それから、研磨やエッチングで除去してめっき金属4の厚さを調整して後、有機溶剤やプラズマアッシングによりパターン凹部に堆積しためっき金属4を被加工膜3から分離し、被加工膜3を表面と裏面の両面から選択的に除去することにより、微細金属構造体5が得られる(図1(F)参照)。   Then, the thickness of the plating metal 4 is adjusted by removing it by polishing or etching, and then the plating metal 4 deposited on the pattern recesses by an organic solvent or plasma ashing is separated from the film 3 to be processed. And the fine metal structure 5 is obtained by selectively removing from both surfaces of the back surface (see FIG. 1F).

なお、上述した例では、基板1として絶縁性基板であるシリコン基板を使用し、基板1を研磨やエッチングにより除去して被加工膜3から基板1のすべてを分離した。しかし、図2(A)に示すように、表面に絶縁性を有する薄膜7を形成した基板1を使用し、その絶縁性を有する薄膜7を除去することにより、同図(B)に示すように被加工膜3から基板1を分離するようにしてもよい。   In the above-described example, a silicon substrate which is an insulating substrate is used as the substrate 1, and the substrate 1 is removed by polishing or etching to separate all of the substrate 1 from the film 3 to be processed. However, as shown in FIG. 2A, by using the substrate 1 having the insulating thin film 7 formed on the surface and removing the insulating thin film 7 as shown in FIG. Alternatively, the substrate 1 may be separated from the film 3 to be processed.

以上のように、被加工膜3を、導電性を持つ高分子膜により形成すれば、型2の凹凸パターンを転写して後の被加工膜3に対して電解めっきを施すことができ、エッチング、エキシマレーザ、研磨などの残渣膜の除去工程を経ずに、型2の凹凸パターンが転写された被加工膜3から微細金属構造体5を得ることができる。したがって、生産性が改善されるとともに、追加工による加工精度の低下を防止することができる。   As described above, if the film to be processed 3 is formed of a conductive polymer film, the uneven pattern of the mold 2 can be transferred to perform electroplating on the subsequent film to be processed, and etching. The fine metal structure 5 can be obtained from the film to be processed 3 onto which the concave / convex pattern of the mold 2 has been transferred, without passing through the residual film removal step such as excimer laser and polishing. Therefore, productivity can be improved and a reduction in processing accuracy due to additional machining can be prevented.

また、被加工膜として、成形加工用に使用される導電性樹脂組成物を使用すれば、高い成形性を維持しながら、型2の凹凸パターンを転写した被加工膜3に導電性を持たせることができる。したがって、より高い加工精度で微細金属構造体5を得ることができる。   Moreover, if the conductive resin composition used for molding is used as the film to be processed, the film 3 to which the concave / convex pattern of the mold 2 is transferred is made conductive while maintaining high moldability. be able to. Therefore, the fine metal structure 5 can be obtained with higher processing accuracy.

さらに、この微細金属構造体5を得るプロセスは、構造体パターンを有する被加工膜のパターン凹部底面に生じる残渣膜の量に依存しない。よって、型2の凹凸パターンの高さよりも被加工膜3を十分に厚く形成することができる。したがって、型2が基板1に接触することがなくなり、型2の破損を確実に防止することができる。   Furthermore, the process for obtaining the fine metal structure 5 does not depend on the amount of the residual film formed on the bottom of the pattern recess of the film to be processed having the structure pattern. Therefore, the film 3 to be processed can be formed sufficiently thicker than the height of the uneven pattern of the mold 2. Therefore, the mold 2 does not come into contact with the substrate 1 and the mold 2 can be reliably prevented from being damaged.

またさらに、基板1として絶縁性を有する基板を使用すれば、電解めっきの工程において、基板1にはめっき金属は堆積せず、電解めっき後に基板1のみを容易に除去することができる。したがって、被加工膜3をその表面と裏面の両面から除去することが可能になり、被加工膜3の除去効率を上げることができる。つまり、生産性を向上することができる。   Furthermore, if an insulating substrate is used as the substrate 1, no plating metal is deposited on the substrate 1 in the electrolytic plating step, and only the substrate 1 can be easily removed after electrolytic plating. Therefore, the film to be processed 3 can be removed from both the front and back surfaces, and the removal efficiency of the film to be processed 3 can be increased. That is, productivity can be improved.

図3(A)ないし(D)には、この発明による微細金属構造体の別の製造工程を示す。
この微細金属構造体を製造する工程では、上述した例と同様に、基板1上に、スピンコート法やシートの貼り付けなどで被加工膜3を形成し、その基板1と対向する位置に型2を配置して、被加工膜3をガラス転移点以上に加熱することにより軟化し、流動状態にある被加工膜3に、微細な凹凸パターンが形成された型2を押し付け、冷却したり加熱したり活性エネルギーを照射したりして硬化した被加工膜3から型2を剥離することにより型2の凹凸パターンが転写された被加工膜3を得る(図3(A)参照)。
3A to 3D show another manufacturing process of the fine metal structure according to the present invention.
In the process of manufacturing this fine metal structure, a film to be processed 3 is formed on the substrate 1 by spin coating or sheet pasting, as in the above-described example, and a mold is formed at a position facing the substrate 1. 2 is softened by heating the film to be processed 3 to the glass transition point or higher, and the mold 2 on which a fine uneven pattern is formed is pressed against the film to be processed 3 in a fluid state, and then cooled or heated. The mold 2 is peeled from the cured film 3 that has been cured by irradiating with active energy or the like, and the processed film 3 to which the uneven pattern of the mold 2 has been transferred is obtained (see FIG. 3A).

次に、エッチングや研磨により基板1を除去して後、構造体パターンを有する被加工膜のパターン凹部を除いて、電解めっきのマスクとして、被加工膜に対して選択的に絶縁性材料6をスピンコート、スプレーコート、刷毛塗りなどの方法で被覆する(図3(B)参照)。   Next, after removing the substrate 1 by etching or polishing, the insulating material 6 is selectively applied to the film to be processed as a mask for electrolytic plating, except for the pattern recesses of the film to be processed having a structure pattern. It is coated by a method such as spin coating, spray coating, or brush coating (see FIG. 3B).

それから、被加工膜3を電極として電解めっきを行い、構造体パターンを有する被加工膜3のパターン凹部にめっき金属4を堆積して後、研磨やエッチングで除去してめっき金属4の厚さを調整する(図3(C)参照)。   Then, electrolytic plating is performed using the film to be processed 3 as an electrode, and the plating metal 4 is deposited on the pattern recesses of the film to be processed 3 having a structure pattern, and then removed by polishing or etching to reduce the thickness of the plating metal 4. Adjust (see FIG. 3C).

その後、絶縁性基材6を有機溶剤やプラズマアッシングで除去して後、絶縁性基材6が塗布されてめっき金属が堆積していない領域を起点として、有機溶剤やプラズマアッシングにより被加工膜3も選択的に除去して、微細金属構造体5が得られる(図3(D)参照)。   Thereafter, the insulating base 6 is removed by an organic solvent or plasma ashing, and then the film 3 to be processed by an organic solvent or plasma ashing is used as a starting point from a region where the insulating base 6 is applied and no plating metal is deposited. Are also selectively removed to obtain a fine metal structure 5 (see FIG. 3D).

以上のように、電解めっきのマスクとして、被加工膜3に対して選択的に絶縁性材料6を塗布するようにすれば、めっき金属が堆積しない領域を被加工膜3に形成することができる。したがって、被加工膜を除去する際の起点となる領域が広くなり、被加工膜3の除去効率を上げ、生産性を向上することができる。   As described above, if the insulating material 6 is selectively applied to the film to be processed 3 as a mask for electrolytic plating, a region where no plating metal is deposited can be formed on the film to be processed 3. . Therefore, the starting region for removing the film to be processed is widened, the removal efficiency of the film to be processed 3 can be increased, and the productivity can be improved.

図4(A)ないし(D)には、この発明による微細金属構造体のさらに別の製造工程を示す。
この微細金属構造体を製造する工程では、被加工膜3の厚さを型2の凹凸パターンの高さよりも十分に高くした場合に、被加工膜3を型の凹凸パターンを転写して後に、基板である支持体8上に形成された被加工膜3を支持体8から剥離するようにしている。
4A to 4D show still another manufacturing process of the fine metal structure according to the present invention.
In the process of manufacturing the fine metal structure, when the thickness of the processed film 3 is sufficiently higher than the height of the concave / convex pattern of the mold 2, after the concave / convex pattern of the mold is transferred to the processed film 3, The processed film 3 formed on the support 8 that is a substrate is peeled off from the support 8.

例えば、厚さ1mmで、シート状の被加工膜3を支持体8で保持し、支持体8と対向する位置に型2を配置する(図4(A)参照)。支持体8としては、一定の強度を有する各種基板だけでなく、この発明の微細金属構造体を製造する装置の構成要素を使用することができる。ここでは、この発明の微細金属構造体を製造する装置の加熱機構を支持体8として使用している。   For example, the sheet-like processed film 3 having a thickness of 1 mm is held by the support 8, and the mold 2 is disposed at a position facing the support 8 (see FIG. 4A). As the support 8, not only various substrates having a certain strength but also components of an apparatus for producing the fine metal structure of the present invention can be used. Here, the heating mechanism of the apparatus for producing the fine metal structure of the present invention is used as the support 8.

そして、上述した例と同様に、例えば被加工膜3をガラス転移点以上に加熱することにより軟化し、流動状態にある被加工膜3に、微細な凹凸パターンが形成された型2を押し付け、冷却したり加熱したり活性エネルギーを照射したりして硬化した被加工膜3から型2を剥離することにより型2の凹凸パターンが転写されて構造体パターンを有する被加工膜3を得る(図4(B)参照)。なお、型2は、例えば高さ150μmのパターンを有している。   And like the example mentioned above, for example, the processed film 3 is softened by heating to a glass transition point or higher, and the mold 2 on which a fine uneven pattern is formed is pressed against the processed film 3 in a fluid state, The mold 2 is peeled from the processed film 3 that has been cured by cooling, heating, or irradiation of active energy, whereby the concave / convex pattern of the mold 2 is transferred to obtain the processed film 3 having a structure pattern (see FIG. 4 (B)). The mold 2 has a pattern having a height of 150 μm, for example.

次に、被加工膜3を支持体8から剥離して後、被加工膜3を電極として電解めっきを行い、構造体パターンを有する被加工膜3のパターン凹部にめっき金属4を堆積する(図4(C)参照)。なお、被加工膜3の支持体8からの剥離を容易にするために、支持体8の表面を離型剤などで離型処理することが好ましい。また、電解めっきを行う際には、電解めっきのマスクとして、被加工膜3に対して絶縁性材料(図示せず)を選択的に塗布することもできる。   Next, after peeling the processed film 3 from the support 8, electrolytic plating is performed using the processed film 3 as an electrode, and the plating metal 4 is deposited in the pattern recesses of the processed film 3 having the structure pattern (FIG. 4 (C)). In addition, in order to make peeling of the to-be-processed film 3 from the support body 8 easy, it is preferable to perform the mold release process on the surface of the support body 8 with a mold release agent or the like. In addition, when performing electroplating, an insulating material (not shown) can be selectively applied to the film 3 to be processed as a mask for electroplating.

それから、被加工膜3とめっき金属4を研磨やエッチングで除去してめっき金属4の厚さを調整して後、有機溶剤やプラズマアッシングにより被加工膜3を選択的に除去して、微細金属構造体5が得られる(図4(D)参照)。   Then, the processed film 3 and the plated metal 4 are removed by polishing or etching to adjust the thickness of the plated metal 4, and then the processed film 3 is selectively removed by an organic solvent or plasma ashing to obtain a fine metal. A structure 5 is obtained (see FIG. 4D).

以上のように、型2を剥離して凹凸パターンが転写された被加工膜3を得、その被加工膜3から、基板である支持体8を分離すれば、被加工膜3を単体で取り扱うことが容易になり、エッチングや研磨などの除去工程を経ずに、被加工膜3から支持体8を直接剥離し、生産性を向上することができる。また、被加工膜3を型2の凹凸パターンの高さよりも厚くすると、型2と支持体8の接触を確実に防ぐことができる。   As described above, if the mold 2 is peeled off to obtain the film to be processed 3 to which the concavo-convex pattern is transferred, and the support 8 that is the substrate is separated from the film to be processed 3, the film to be processed 3 is handled alone. This makes it easy to peel the support 8 directly from the film to be processed 3 without performing a removal step such as etching or polishing, thereby improving productivity. Further, when the film to be processed 3 is thicker than the height of the concave / convex pattern of the mold 2, the contact between the mold 2 and the support 8 can be reliably prevented.

(A)ないし(F)はこの発明による微細金属構造体の製造工程図である。(A) thru | or (F) is a manufacturing-process figure of the fine metal structure by this invention. 別の製造工程の部分工程図である。It is a partial process diagram of another manufacturing process. さらに別の製造工程の変更部分工程図である。It is a change partial process figure of another manufacturing process. またさらに別の製造工程図である。It is another manufacturing process figure. 従来のナノインプリント法を用いた微細パターンの製造工程図である。It is a manufacturing-process figure of the fine pattern using the conventional nanoimprint method. 従来のナノインプリント法を用いた別の微細パターンの製造工程図である。It is a manufacturing-process figure of another fine pattern using the conventional nanoimprint method. ナノインプリント法を応用して微細な金属製構造体を製造する従来の製造工程図である。It is the conventional manufacturing process figure which applies a nanoimprint method and manufactures a fine metal structure. また別の従来の製造工程図である。It is another conventional manufacturing process diagram.

符号の説明Explanation of symbols

1 基板
2 型
3 被加工膜
4 めっき金属
5 微細金属構造体
6 絶縁性材料
7 絶縁性を有する薄膜
8 支持体
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 Type 3 Workpiece film 4 Plating metal 5 Fine metal structure 6 Insulating material 7 Insulating thin film 8 Support

Claims (7)

1)基板上の、導電性を持つ高分子膜でつくった流動状態にある被加工膜に、微細な凹凸パターンが形成された型を押し付け、
2)前記流動状態にある被加工膜を硬化して、その硬化した被加工膜から前記型を剥離し、その型の凹凸パターンが転写されて構造体パターンを有する被加工膜を得、
3)その被加工膜を電極としてめっきを行って、前記構造体パターンを有する被加工膜のパターン凹部にめっき金属を堆積し、
4)その堆積しためっき金属を前記被加工膜から分離し、
微細金属構造体を製造することを特徴とする、微細金属構造体の製造方法。
1) Press a mold with a fine concavo-convex pattern formed on a substrate to be processed in a fluid state made of a conductive polymer film,
2) Curing the film to be processed in the fluidized state, peeling the mold from the cured film to be processed, and transferring the uneven pattern of the mold to obtain a film to be processed having a structure pattern.
3) performing plating using the processed film as an electrode, and depositing a plating metal on the pattern recess of the processed film having the structure pattern;
4) separating the deposited plated metal from the film to be processed;
A method for producing a fine metal structure, comprising producing a fine metal structure.
前記被加工膜として導電性樹脂組成物を使用することを特徴とする、請求項1に記載の微細金属構造体の製造方法。   The method for producing a fine metal structure according to claim 1, wherein a conductive resin composition is used as the film to be processed. 前記基板として絶縁性のものを使用することを特徴とする、請求項1または2に記載の微細金属構造体の製造方法。   The method for manufacturing a fine metal structure according to claim 1, wherein an insulating material is used as the substrate. 前記型を剥離して前記構造体パターンを有する被加工膜を得、その被加工膜を電極としてめっきを行い、前記被加工膜の表裏のめっき金属と前記基板を除去し、前記被加工膜を除去してパターン凹部に堆積しためっき金属を前記被加工膜から分離することを特徴とする、請求項1ないし3のいずれか1に記載の微細金属構造体の製造方法。   The mold is peeled to obtain a work film having the structure pattern, plating is performed using the work film as an electrode, the plating metal on the front and back of the work film and the substrate are removed, and the work film is removed. 4. The method for manufacturing a fine metal structure according to claim 1, wherein the plating metal removed and deposited in the pattern concave portion is separated from the film to be processed. 前記型を剥離して前記構造体パターンを有する被加工膜を得、その被加工膜から前記基板を分離して後、前記構造体パターンを有する被加工膜のパターン凹部を除いて前記被加工膜を絶縁性材料で被覆し、その絶縁性材料をマスクとして前記被加工膜を電極としてめっきを行って、前記パターン凹部にめっき金属を堆積することを特徴とする、請求項4に記載の微細金属構造体の製造方法。   The processed film having the structure pattern is obtained by peeling the mold, and after separating the substrate from the processed film, the processed film except for the pattern recess of the processed film having the structure pattern. 5. The fine metal according to claim 4, wherein plating is performed using the insulating material as a mask and the film to be processed as an electrode to deposit a plating metal in the pattern recess. Manufacturing method of structure. 前記被加工膜を前記型の凹凸パターンの高さより厚くすることを特徴とする、請求項1ないし5のいずれか1に記載の微細金属構造体の製造方法。   The method of manufacturing a fine metal structure according to claim 1, wherein the film to be processed is thicker than the height of the uneven pattern of the mold. 請求項1ないし6のいずれか1に記載の微細金属構造体の製造方法を用いて製造してなることを特徴とする、微細金属構造体。   A fine metal structure produced by the method for producing a fine metal structure according to any one of claims 1 to 6.
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