JP2006296848A - Atmospheric-pressure plasma sterilization apparatus - Google Patents

Atmospheric-pressure plasma sterilization apparatus Download PDF

Info

Publication number
JP2006296848A
JP2006296848A JP2005125093A JP2005125093A JP2006296848A JP 2006296848 A JP2006296848 A JP 2006296848A JP 2005125093 A JP2005125093 A JP 2005125093A JP 2005125093 A JP2005125093 A JP 2005125093A JP 2006296848 A JP2006296848 A JP 2006296848A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
processing chamber
gas
atmospheric pressure
plasma
unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2005125093A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masayasu Suzuki
正康 鈴木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shimadzu Corp
Original Assignee
Shimadzu Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shimadzu Corp filed Critical Shimadzu Corp
Priority to JP2005125093A priority Critical patent/JP2006296848A/en
Publication of JP2006296848A publication Critical patent/JP2006296848A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Apparatus For Disinfection Or Sterilisation (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an atmospheric-pressure plasma sterilization apparatus having a high sterilizing capacity and reducing the cost of the apparatus. <P>SOLUTION: An atmospheric-pressure surface wave excitation plasma unit 2 is connected to the upper part of the side of a treatment chamber 1 storing a sterilization object. When performing the sterilization, gas (for example, mixed gas of oxygen gas and argon gas) from a gas supply part 3 is introduced from a treatment chamber lower part, and the atmosphere in the treatment chamber 1 is exhausted from a pipe D3 connected to the treatment chamber upper part. When performing the sterilization, the gas in the treatment chamber 1 is circulated between the treatment chamber 1 and the ASWP (atmospheric-pressure surface wave excitation plasma) unit 2 via a pipe D4. The oxygen gas contained in the circulating gas is activated by the plasma in the ASWP unit 2 to generate oxygen radical. The oxygen radical is guided to an atmospheric-pressure treatment chamber 1 to sterilize the sterilization object by the strong sterilizing effect of the oxygen radical. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、医療用器具等の滅菌を行う装置であって、大気圧平面波励起プラズマを用いた大気圧プラズマ滅菌装置に関する。   The present invention relates to an apparatus for sterilizing medical instruments and the like, and relates to an atmospheric pressure plasma sterilization apparatus using atmospheric pressure plane wave excitation plasma.

従来、医療用器具等を滅菌する方法には、化学的方法としてはE.O.(エチレンオキサイド)ガス滅菌法、減圧過酸化水素プラズマ滅菌法などがあり、物理的方法としては高圧蒸気滅菌法(オートクレープ)、ガンマ線滅菌法、電子線滅菌法などがある。また、マイクロ波プラズマを用いた滅菌法も知られている(例えば、特許文献1参照)。   Conventional methods for sterilizing medical instruments include chemical methods such as EO (ethylene oxide) gas sterilization and reduced-pressure hydrogen peroxide plasma sterilization, and physical methods include high-pressure steam sterilization (autoclave). ), Gamma ray sterilization method, electron beam sterilization method and the like. A sterilization method using microwave plasma is also known (for example, see Patent Document 1).

特開2004−223038号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2004-223038

しかしながら、E.O.ガス滅菌法の場合には、エチレンオキサイドガス自体の毒性が極めて強く、かつ、爆発性であるため、取り扱いが難しく環境への影響が問題となる。そのため、残留ガスや排出ガスの無害化処理が必要となり無害化に要するコストが高くなる。また、減圧過酸化水素プラズマ滅菌法やマイクロ波プラズマを用いた滅菌法は減圧下で処理が行われ、逆に高圧蒸気滅菌法では高圧下で処理が行われるため、それぞれ圧力容器が必要となりコスト高となる。さらに、ガンマ線滅菌法や電子線滅菌法はガンマ線や電子線を発生させる装置が必要なため装置が大規模となるとともにコスト高となり、小規模な滅菌装置には不向きであった。   However, in the case of the E.O. gas sterilization method, ethylene oxide gas itself is extremely toxic and explosive, so that it is difficult to handle and the effect on the environment becomes a problem. This necessitates detoxification treatment of residual gas and exhaust gas, which increases the cost for detoxification. In addition, the reduced pressure hydrogen peroxide plasma sterilization method and the sterilization method using microwave plasma are performed under reduced pressure, and conversely, the high pressure steam sterilization method is performed under high pressure. Become high. Further, the gamma ray sterilization method and the electron beam sterilization method require a device for generating gamma rays and an electron beam, so that the device becomes large-scale and high in cost, and is not suitable for a small-scale sterilization device.

請求項1の発明による大気圧プラズマ滅菌装置は、滅菌対象物が収容され、ほぼ大気圧に保たれる処理室と、大気圧表面波励起プラズマを発生してラジカルを生成するラジカル生成部とを備え、ラジカル生成部で生成されたラジカルにより滅菌対象物を滅菌処理することを特徴とする。
請求項2の発明は、請求項1に記載の大気圧プラズマ滅菌装置において、ラジカル生成部は、処理室とは別の空間において大気圧表面波励起プラズマによりラジカルを生成し、滅菌処理時にラジカル生成部で生成されたラジカルを処理室に導入する導入手段とを備えたものである。
請求項3の発明は、請求項2に記載の大気圧プラズマ滅菌装置において、一つの前記ラジカル生成部に対して処理室を複数備え、導入手段は、ラジカル生成部で生成されたラジカルを複数の処理室にそれぞれ導入するようにしたものである。
請求項4の発明は、請求項2または3に記載の大気圧プラズマ滅菌装置において、導入手段は、処理室内の上部領域に導入し、処理室内に導入されたラジカルを下方に送る移送手段を設けたものである。
請求項5の発明は、請求項2〜4のいずれか一項に記載の大気圧プラズマ滅菌装置において、処理室内の下部領域にラジカル生成用ガスを導入するガス供給手段と、処理室の上部から処理室内のガスを排出する排出手段と、処理室内に導入されたラジカル生成用ガスを、処理室とラジカル生成部との間で循環させる循環手段とを備え、ラジカル生成部は循環手段により導かれたラジカル生成用ガスを用いてラジカルを生成する。
請求項6の発明は、請求項1〜5のいずれか一項に記載の大気圧プラズマ滅菌装置において、滅菌処理後に、乾燥空気をラジカル生成部に発生する大気圧表面波励起プラズマ中を通過させ、その通過した乾燥空気を処理室に供給する乾燥空気供給手段を設けたものである。
The atmospheric pressure plasma sterilization apparatus according to the invention of claim 1 includes a processing chamber in which an object to be sterilized is accommodated and maintained at substantially atmospheric pressure, and a radical generator that generates radicals by generating atmospheric pressure surface wave excitation plasma. And sterilizing an object to be sterilized with radicals generated by the radical generator.
The invention according to claim 2 is the atmospheric pressure plasma sterilization apparatus according to claim 1, wherein the radical generation unit generates radicals by atmospheric pressure surface wave excitation plasma in a space different from the processing chamber, and generates radicals during sterilization processing. And introducing means for introducing radicals generated in the section into the processing chamber.
A third aspect of the present invention provides the atmospheric pressure plasma sterilization apparatus according to the second aspect, wherein a plurality of treatment chambers are provided for one radical generation unit, and the introducing means includes a plurality of radicals generated by the radical generation unit. Each is introduced into a processing chamber.
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided the atmospheric pressure plasma sterilization apparatus according to the second or third aspect, wherein the introduction means is provided with a transfer means for introducing the radical introduced into the processing chamber downward into the upper region of the processing chamber. It is a thing.
A fifth aspect of the present invention is the atmospheric pressure plasma sterilization apparatus according to any one of the second to fourth aspects, wherein a gas supply means for introducing a radical generating gas into a lower region in the processing chamber, and an upper portion of the processing chamber. Discharging means for discharging the gas in the processing chamber, and circulation means for circulating the radical generating gas introduced into the processing chamber between the processing chamber and the radical generating portion, the radical generating portion being guided by the circulating means. The radical is generated using the radical generating gas.
The invention of claim 6 is the atmospheric pressure plasma sterilization apparatus according to any one of claims 1 to 5, wherein after the sterilization treatment, the dry air is passed through the atmospheric pressure surface wave excitation plasma generated in the radical generation unit. The dry air supply means for supplying the passed dry air to the processing chamber is provided.

本発明によれば、大気圧表面波励起プラズマを発生することにより生成されるラジカルにより対象物の滅菌処理を行うようにしたので、処理室はほぼ大気圧に保たれ、処理室を圧力容器とする必要がなくコスト低減を図ることができると同時に、圧力を調整する必要がなく迅速な処理が可能となる。また、ラジカルによる滅菌作用が強く、処理時間が短縮される。   According to the present invention, since the object is sterilized by radicals generated by generating atmospheric pressure surface wave excitation plasma, the processing chamber is maintained at substantially atmospheric pressure, and the processing chamber and the pressure vessel are It is not necessary to reduce the cost, and at the same time, it is not necessary to adjust the pressure, and quick processing is possible. In addition, the sterilization effect by radicals is strong, and the processing time is shortened.

以下、図を参照して本発明を実施するための最良の形態について説明する。図1は、本発明による大気圧プラズマ滅菌装置の一実施の形態を示す図であり、装置全体の概略構成を示す図である。本実施の形態の大気圧プラズマ滅菌装置は、医療器具の滅菌や食料包装容器等の滅菌・消毒など、種々のものの滅菌・消毒をほぼ大気圧下で行うことができるものである。   Hereinafter, the best mode for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a diagram showing an embodiment of an atmospheric pressure plasma sterilization apparatus according to the present invention, and is a diagram showing a schematic configuration of the entire apparatus. The atmospheric pressure plasma sterilization apparatus according to the present embodiment can sterilize and disinfect various items such as sterilization of medical instruments and sterilization / disinfection of food packaging containers under almost atmospheric pressure.

1は処理室を構成するチャンバであって、この処理室1内に滅菌対象である医療器具等を不図示の保持部(例えば、台や棚など)に収容して滅菌処理が行われる。処理室1の側面上部には、大気圧表面波励起プラズマ(ASWP)ユニット2が接続されている。ASWPユニット2は大気圧下においてプラズマを発生して滅菌用ガスをラジカル化する装置であり、詳細は後述する。   Reference numeral 1 denotes a chamber constituting a processing chamber. A sterilization process is performed by storing a medical instrument or the like to be sterilized in a processing unit 1 in a holding unit (not shown) (for example, a table or a shelf). An atmospheric pressure surface wave excited plasma (ASWP) unit 2 is connected to the upper side surface of the processing chamber 1. The ASWP unit 2 is a device that generates plasma under atmospheric pressure to radicalize the sterilization gas, which will be described in detail later.

ガス供給部3は、酸素ラジカルまたはヒドロキシラジカルを生成するための酸素(O)ガスや過酸化水素(H)ガス、放電を行わせるためのアルゴン(Ar)ガス、および乾燥空気を、ガス供給用の配管D1,D2を介して処理室1およびASWPユニット2に供給する。以下では、ラジカルを発生させるためのガスとして酸素ガスを用いる場合について説明する。図1において、破線矢印で示す方向が鉛直上下方向であり、配管D1はバルブV4を介して処理室1の底面部に接続されている。一方、処理室1の上面にはガス排出用の配管D3が接続されるとともに、処理室1内のガスを下方に送風して後述するラジカルを拡散させる拡散ファンF3が設けられている。 The gas supply unit 3 includes oxygen (O 2 ) gas and hydrogen peroxide (H 2 O 2 ) gas for generating oxygen radicals or hydroxy radicals, argon (Ar) gas for causing discharge, and dry air. Then, the gas is supplied to the processing chamber 1 and the ASWP unit 2 through the gas supply pipes D1 and D2. Below, the case where oxygen gas is used as gas for generating a radical is demonstrated. In FIG. 1, the direction indicated by the broken line arrow is the vertical vertical direction, and the pipe D1 is connected to the bottom surface of the processing chamber 1 via the valve V4. On the other hand, a gas exhaust pipe D3 is connected to the upper surface of the processing chamber 1, and a diffusion fan F3 is provided to blow the gas in the processing chamber 1 downward and diffuse radicals described later.

排気用の配管D3にはバルブV1が設けられるとともに、処理室1内のガスを強制的に排気するための排気ファンF2が設けられている。処理室1内の圧力は圧力計PGで検出される。処理室1は常圧用の容器として構成されており、処理室1内の圧力と排気ラインの圧力との差圧が所定圧力(例えば、1.01気圧)以上となったならば処理室底面に設けられたリリーフバルブLVが開き、処理室1内のガスを排気ラインへと逃がすようにしている。すなわち、処理室1内の圧力は、滅菌処理中も含めてほぼ大気圧に保たれる。   The exhaust pipe D3 is provided with a valve V1 and an exhaust fan F2 for forcibly exhausting the gas in the processing chamber 1. The pressure in the processing chamber 1 is detected by a pressure gauge PG. The processing chamber 1 is configured as a container for atmospheric pressure, and if the pressure difference between the pressure in the processing chamber 1 and the pressure in the exhaust line exceeds a predetermined pressure (for example, 1.01 atm), the processing chamber 1 is placed on the bottom of the processing chamber. The provided relief valve LV is opened so that the gas in the processing chamber 1 is released to the exhaust line. That is, the pressure in the processing chamber 1 is maintained at almost atmospheric pressure even during the sterilization process.

処理室1の下部に設けられた排気ファンF1は処理室1内のガスをASWPユニット2または排気ラインへと送るためのファンであり、三方弁V2の弁AおよびBを開き、弁Cを閉じると、処理室1内のガスは排気ラインへと排出される。一方、三方弁V2の弁BおよびCを開いて弁Aを閉じると、処理室1内のガスは循環用配管D4を介してASWPユニット2に送られる。   The exhaust fan F1 provided at the lower part of the processing chamber 1 is a fan for sending the gas in the processing chamber 1 to the ASWP unit 2 or the exhaust line, and opens the valves A and B of the three-way valve V2 and closes the valve C. Then, the gas in the processing chamber 1 is discharged to the exhaust line. On the other hand, when the valves B and C of the three-way valve V2 are opened and the valve A is closed, the gas in the processing chamber 1 is sent to the ASWP unit 2 via the circulation pipe D4.

図2はASWPユニット2の全体構成を示す図であり、図3はプラズマ生成部10の軸方向(図2の紙面表裏方向)の断面を示したものである。図2に示すように、ASWPユニット2はプラズマ生成部10と、プラズマ生成部10にマイクロ波を供給するマイクロ波供給部20とから成る。マイクロ波供給部20は、マイクロ波電源21、マイクロ波発振器22、アイソレータ23、方向性結合器24、整合器25および導波管26を備えている。なお、アイソレータ23、方向性結合器24および整合器25は省略することも可能である。   FIG. 2 is a diagram showing the overall configuration of the ASWP unit 2, and FIG. 3 shows a cross section of the plasma generation unit 10 in the axial direction (front and back direction in FIG. 2). As shown in FIG. 2, the ASWP unit 2 includes a plasma generation unit 10 and a microwave supply unit 20 that supplies a microwave to the plasma generation unit 10. The microwave supply unit 20 includes a microwave power source 21, a microwave oscillator 22, an isolator 23, a directional coupler 24, a matching unit 25, and a waveguide 26. The isolator 23, the directional coupler 24, and the matching unit 25 may be omitted.

マイクロ波発振器22で発生した例えば2.45GHzのマイクロ波は、導波管26によりプラズマ生成部10の環状導波管11に導かれる。なお、図2のプラズマ生成部10は、図3のC−C断面を示したものであり、環状導波管11の内側面に接するように、石英やアルミナ等で形成された筒状の誘電体チューブ12が配設されている。環状導波管11の内側面にはスリット状開口から成る複数のスロットアンテナ110が所定の間隔で形成されている。   For example, a microwave of 2.45 GHz generated by the microwave oscillator 22 is guided to the annular waveguide 11 of the plasma generation unit 10 by the waveguide 26. 2 is a cross-sectional view taken along the line CC of FIG. 3 and is a cylindrical dielectric formed of quartz, alumina or the like so as to be in contact with the inner surface of the annular waveguide 11. A body tube 12 is disposed. A plurality of slot antennas 110 having slit-like openings are formed on the inner side surface of the annular waveguide 11 at predetermined intervals.

11aは環状導波管11に設けられた終端板であり、導波管26から環状導波管11内に導入されたマイクロ波は終端板11aで反射される。環状導波管11の周長を管内波長の整数倍とし、この終端板11aを設けて環状導波管11内の定在波とスロットアンテナ110の位置を最適化することで、スロットアンテナ110の効率を向上させることができる。   Reference numeral 11a denotes a termination plate provided in the annular waveguide 11, and the microwave introduced into the annular waveguide 11 from the waveguide 26 is reflected by the termination plate 11a. The circumferential length of the annular waveguide 11 is set to an integral multiple of the in-tube wavelength, and the termination plate 11a is provided to optimize the position of the standing wave in the annular waveguide 11 and the slot antenna 110. Efficiency can be improved.

環状導波管11は、例えばアルミニウム合金や非磁性のステンレス鋼で作製され、図3に示すように、環状導波管11の左右両端面には冷却ジャケット111がそれぞれ取り付けられている。冷却ジャケット111には冷媒用通路112が形成されており、この通路112に冷媒を流すことにより環状導波管11を冷却するようにしている。冷却ジャケット111に装着されたOリングシール113は、誘電体チューブ12の端面と冷却ジャケット111との間をシールしている。   The annular waveguide 11 is made of, for example, an aluminum alloy or nonmagnetic stainless steel, and cooling jackets 111 are attached to the left and right end faces of the annular waveguide 11 as shown in FIG. A coolant passage 112 is formed in the cooling jacket 111, and the annular waveguide 11 is cooled by flowing a coolant through the passage 112. An O-ring seal 113 attached to the cooling jacket 111 seals between the end face of the dielectric tube 12 and the cooling jacket 111.

環状導波管11の各スロットアンテナ110から放射されたマイクロ波は、誘電体チューブ12の内周面に表面波として拡がり、この表面波により誘電体チューブ12内に導入されたアルゴンガスが励起されてプラズマ化する。図2に示すプラズマ生成部10では、筒状の誘電体チューブ12の壁面全域にわたって表面波が拡がるため、誘電体チューブ12の内部空間に高密度プラズマを効率的に形成することができる。114はプラズマによる加熱を防止するために設けられた筒状シールドであり、アルミナ、石英、チタン等で形成される。   The microwaves radiated from the slot antennas 110 of the annular waveguide 11 spread as surface waves on the inner peripheral surface of the dielectric tube 12, and the argon gas introduced into the dielectric tube 12 is excited by the surface waves. And turn into plasma. In the plasma generation unit 10 shown in FIG. 2, since the surface wave spreads over the entire wall surface of the cylindrical dielectric tube 12, high-density plasma can be efficiently formed in the internal space of the dielectric tube 12. 114 is a cylindrical shield provided to prevent heating by plasma, and is made of alumina, quartz, titanium or the like.

プラズマの高密度領域は誘電体チューブ12の壁面近傍に形成されるので、例えば、破線Lで示すようにガスを螺旋状に導入して、ガスが誘電体チューブ12の壁面付近を流れるようにすると、効率的にプラズマが形成される。形成されたプラズマ領域に図示左側から右側へと酸素ガスを流すと、酸素ガスがプラズマにより活性化され、酸素ラジカル(スーパーオキシド、一重項酸素)が生成される。酸素ガスに代えて過酸化水素ガスを流すと、ヒドロキシラジカルが生成される。いずれのラジカルも滅菌能力に優れている。生成されたラジカルはガスの流れにより処理室1へと導かれる。   Since the high-density region of the plasma is formed near the wall surface of the dielectric tube 12, for example, when the gas is spirally introduced as indicated by the broken line L, the gas flows near the wall surface of the dielectric tube 12. , Plasma is efficiently formed. When oxygen gas is allowed to flow from the left side to the right side of the formed plasma region, the oxygen gas is activated by the plasma, and oxygen radicals (superoxide, singlet oxygen) are generated. When hydrogen peroxide gas is allowed to flow instead of oxygen gas, hydroxy radicals are generated. All radicals are excellent in sterilization ability. The generated radicals are guided to the processing chamber 1 by the gas flow.

図4は滅菌処理の手順を示す工程図である。また、図5は、図4に示す各工程におけるバルブ,排気ファンおよびASWPユニット2の動作を示したものである。滅菌処理を行う場合、本実施の形態の装置では、処理室1にガスを充填して処理を行うガス充填方式(図5(A))と、処理室1に対してガスを流入・流出させるガスフロー方式(図5(B))との両方式を採用することができる。   FIG. 4 is a process diagram showing the procedure of sterilization treatment. FIG. 5 shows the operation of the valve, the exhaust fan, and the ASWP unit 2 in each step shown in FIG. In the case of performing sterilization, in the apparatus of the present embodiment, a gas filling method (FIG. 5A) in which processing is performed by filling the processing chamber 1 with gas, and gas flows into and out of the processing chamber 1. Both of the gas flow method and the gas flow method (FIG. 5B) can be employed.

最初に、図5(A)に示すガス充填方式の処理について説明する。図4の工程1は滅菌処理を開始する前の準備工程であり、滅菌対象器具を処理室1内に収容し、処理室1内のガス置換・充填作業を行う。この工程1においては、図5(A)に示すように、排出側のバルブV1を開くとともに、供給側のバルブV4を開いてガス供給部3から酸素ガスにアルゴンガスを数パーセント加えた混合ガスを処理室1内に流入させる。   First, the gas filling process shown in FIG. 5A will be described. Step 1 in FIG. 4 is a preparatory step before starting the sterilization process. The sterilization target instrument is accommodated in the process chamber 1 and the gas replacement / filling operation in the process chamber 1 is performed. In this step 1, as shown in FIG. 5 (A), the discharge side valve V1 is opened and the supply side valve V4 is opened, and a mixed gas in which argon gas is added to the oxygen gas from the gas supply unit 3 by several percent. Into the processing chamber 1.

比重の重い酸素ガス、アルゴンガスは処理室1の下部から順に充満し、処理室1にあった大気は混合ガスにより上方に押しやられる。このとき、排出用配管D3に設けられた排気ファンF2はオンとされ、上方に押しやられた大気は排気ファンF2によって排気ラインへと強制的に排気される。また、三方弁V2に関しては弁B,Cが開状態、弁Aが閉状態とされ、処理室1内のガスが配管D4を介してASWPユニット2にも循環されるようにする。   Oxygen gas and argon gas having a high specific gravity are sequentially filled from the lower part of the processing chamber 1, and the atmosphere in the processing chamber 1 is pushed upward by the mixed gas. At this time, the exhaust fan F2 provided in the exhaust pipe D3 is turned on, and the air pushed upward is forcibly exhausted to the exhaust line by the exhaust fan F2. Further, regarding the three-way valve V2, the valves B and C are opened and the valve A is closed so that the gas in the processing chamber 1 is circulated also to the ASWP unit 2 via the pipe D4.

このようにして、処理室1内およびASWPユニット2に充満していた大気はバルブV1を介して排出されるとともに、バルブV4を介して混合ガスが処理室1に充填される。処理室1内は、下部から順に混合ガスへと置換され、最終的に処理室1およびASWPユニット2のガスが置換されたなら、工程1を終了して工程2へと進む。なお、工程1では、バルブV3は閉状態とされ、排気ファンF1およびASWPユニット2はオフ状態とされる。   In this manner, the atmosphere filled in the processing chamber 1 and the ASWP unit 2 is discharged through the valve V1, and the mixed gas is filled into the processing chamber 1 through the valve V4. If the gas in the processing chamber 1 and the ASWP unit 2 is finally replaced in the processing chamber 1 from the bottom, the processing chamber 1 is finished and the processing proceeds to the processing step 2. In step 1, the valve V3 is closed and the exhaust fan F1 and the ASWP unit 2 are turned off.

工程2では、ASWPユニット2をオンとして放電を開始する。放電開始時には、バルブV1およびV4は閉状態とされ、排気ファンF2はオフとされる。また、放電時にはバルブV3を2秒間程度開状態にして放電ガスであるアルゴンガス(またはアルゴンガスと酸素ガスの混合ガス)をASWPユニット2に流入させ、放電が発生しやすいようにする。放電が開始してプラズマが生成されたならば、バルブV3は閉じられる。   In step 2, the ASWP unit 2 is turned on to start discharging. At the start of discharge, the valves V1 and V4 are closed and the exhaust fan F2 is turned off. Further, at the time of discharging, the valve V3 is opened for about 2 seconds, and argon gas (or a mixed gas of argon gas and oxygen gas), which is a discharge gas, is caused to flow into the ASWP unit 2 so that discharge is easily generated. If discharge starts and plasma is generated, the valve V3 is closed.

工程2で放電が開始したならば、放電を維持する工程3に進んで排気ファンF1をオン状態にし、処理室1内のガスをASWPユニット2に循環させる。また、処理室1内に設けられた拡散ファンF3を回転させる。ASWPユニット2にプラズマが発生すると、そのプラズマの作用により酸素ガスが活性化されて酸素ラジカルが大量に発生する。ASWPユニット2に発生した酸素ラジカルは、配処理室1、管D4およびASWPユニット2を循環するガスの流れによってASWPユニット2から処理室1へと供給される。   If the discharge starts in step 2, the process proceeds to step 3 for maintaining the discharge, the exhaust fan F1 is turned on, and the gas in the processing chamber 1 is circulated to the ASWP unit 2. Further, the diffusion fan F3 provided in the processing chamber 1 is rotated. When plasma is generated in the ASWP unit 2, oxygen gas is activated by the action of the plasma, and a large amount of oxygen radicals are generated. Oxygen radicals generated in the ASWP unit 2 are supplied from the ASWP unit 2 to the processing chamber 1 by the flow of gas circulating through the distribution processing chamber 1, the pipe D 4 and the ASWP unit 2.

処理室1のガスは拡散ファンF3によってミキシングされるとともにダウンフローとされるので、酸素ラジカルも処理室1内に均等に分布するとともに、ダウンフローとなって上方から下方へと滅菌対象器具に降り注ぎ、対象器具の背後にも回りこむ。その結果、酸素ラジカルの強い滅菌作用により、滅菌対象器具に付着している細菌やウィルスなどが死滅する。ASWPユニット2により生じる酸素ラジカルやヒドロキシラジカルは滅菌作用が強力なため、数分程度の処理により滅菌処理が終了する。なお、従来のエチレンオキサイドによる滅菌装置では、処理状態を一週間程度保持しなければならなく、その後の無害化処理にも時間を必要とする。   Since the gas in the processing chamber 1 is mixed and diffused by the diffusion fan F3, the oxygen radicals are evenly distributed in the processing chamber 1 and flow down to the sterilization target device from the top to the bottom. Wrap around behind the target device. As a result, bacteria and viruses attached to the sterilization target device are killed by the strong sterilization action of oxygen radicals. Oxygen radicals and hydroxy radicals generated by the ASWP unit 2 have a strong sterilization action, and thus the sterilization process is completed by a process of several minutes. In addition, in the conventional sterilization apparatus using ethylene oxide, the treatment state must be maintained for about one week, and time is also required for the subsequent detoxification treatment.

工程3の放電維持を所定時間継続することにより滅菌処理が終了したならば、工程4に進んでASWPユニット2をオフし、放電を停止する。続く工程5では、処理室1内のガスを排気し、乾燥空気と置換する。すなわち、バルブV1,V4を開くとともに三方弁V3の弁A,Bを開いて弁Cを閉じることによりガス供給部3から滅菌乾燥空気を供給し、バルブV4を介して処理室1へと滅菌乾燥空気を流入させる。   If the sterilization process is completed by continuing the discharge maintenance in step 3 for a predetermined time, the process proceeds to step 4 to turn off the ASWP unit 2 and stop the discharge. In the subsequent step 5, the gas in the processing chamber 1 is exhausted and replaced with dry air. That is, by opening the valves V1 and V4 and opening the valves A and B of the three-way valve V3 and closing the valve C, sterilized dry air is supplied from the gas supply unit 3 and sterilized and dried to the processing chamber 1 via the valve V4. Allow air to flow in.

このとき、拡散ファンF3を停止するとともに排気ファンF1,F2を駆動して、処理室1の下部および上部から処理室1内のガス(酸素ガス、アルゴンガス、酸素ラジカル等)を排気ラインへと排出する。所定時間が経過して、処理室1内のガスの滅菌乾燥空気への置換が終了したならば工程5を終了する。その後、処理室1を大気開放して滅菌が終了した器具類を取り出す。   At this time, the diffusion fan F3 is stopped and the exhaust fans F1 and F2 are driven so that the gas (oxygen gas, argon gas, oxygen radicals, etc.) in the process chamber 1 flows from the lower and upper portions of the process chamber 1 to the exhaust line. Discharge. When the predetermined time has elapsed and the replacement of the gas in the processing chamber 1 with the sterilized dry air is completed, the step 5 is terminated. Thereafter, the processing chamber 1 is opened to the atmosphere, and instruments that have been sterilized are removed.

一方、ガスフロー方式の処理に関しても、図4と同様の工程で処理が行われるが、図5(B)に示すように、工程2および工程3におけるバルブ等の動作がガス充填方式と異なっている。すなわち、工程2の放電開始処理ではバルブV3は開状態とされ、常にガス供給部3からASWPユニット2にアルゴンガスと酸素ガスの混合ガスが供給される。また、排気ファンF1が駆動されるとともに三方弁V2の弁A,Bを開いて弁Cを閉じることにより、処理室1内のガスが排気ファンF1により強制的に排気ラインへと排出される。   On the other hand, the gas flow process is performed in the same process as in FIG. 4, but the operation of valves and the like in process 2 and process 3 is different from that in the gas filling process, as shown in FIG. Yes. That is, in the discharge start process of step 2, the valve V3 is opened, and a mixed gas of argon gas and oxygen gas is always supplied from the gas supply unit 3 to the ASWP unit 2. Further, when the exhaust fan F1 is driven and the valves A and B of the three-way valve V2 are opened and the valve C is closed, the gas in the processing chamber 1 is forcibly discharged to the exhaust line by the exhaust fan F1.

すなわち、工程2では、混合ガスは、配管D2からバルブV3およびASWPユニット2を介して、側面から処理室1に供給され、拡散ファンF3によりダウンフローとされた後に、処理室1の下部から排出される。工程3においても、工程2と同様のガスフローが採用される。その他の工程については、ガス充填方式と同様である。   That is, in step 2, the mixed gas is supplied from the side surface to the processing chamber 1 via the valve D3 and the ASWP unit 2 from the pipe D2, and is discharged from the lower portion of the processing chamber 1 after being downflowed by the diffusion fan F3. Is done. In step 3, the same gas flow as in step 2 is employed. Other processes are the same as those in the gas filling method.

なお、上述した説明では、工程5において滅菌乾燥空気をガス供給部3から供給して、処理室1のガス置換を行ったが、ASWPユニット2を稼働させた状態で配管D2から単なる乾燥空気を供給し、乾燥空気をプラズマ中に通すことによって滅菌乾燥空気とするようにしても良い。   In the above description, in step 5, sterilized dry air is supplied from the gas supply unit 3 to perform gas replacement in the processing chamber 1, but mere dry air is supplied from the pipe D2 while the ASWP unit 2 is in operation. It is also possible to provide sterilized dry air by supplying and passing dry air through the plasma.

(変形例)
図6は、図1に示した大気圧プラズマ滅菌装置の変形例を示す図である。この変形例では、2つの処理室1A,1Bを備え、ASWPユニット2で生成されたラジカル(酸素ラジカル、ヒドロキシラジカル)は、配管D100により処理室1A,1Bに導かれる。配管D100にはバルブV100,V101が設けられており、バルブV100,V101の開閉により、ASWPユニット2から処理室1A,1Bへのラジカルの供給を独立にオンオフすることができる。すなわち、バルブV100,V101の開閉を制御することにより、処理室1A,1Bのいずれか一方で滅菌処理を行うこともできるし、両方同時に滅菌処理することもできる。なお、1台のASWPユニット2に対して、処理室を3つ以上設けてもかまわない。
(Modification)
FIG. 6 is a diagram showing a modification of the atmospheric pressure plasma sterilization apparatus shown in FIG. In this modification, two processing chambers 1A and 1B are provided, and radicals (oxygen radicals and hydroxy radicals) generated in the ASWP unit 2 are guided to the processing chambers 1A and 1B through a pipe D100. The piping D100 is provided with valves V100 and V101, and the supply of radicals from the ASWP unit 2 to the processing chambers 1A and 1B can be independently turned on and off by opening and closing the valves V100 and V101. That is, by controlling the opening and closing of the valves V100 and V101, the sterilization process can be performed in one of the processing chambers 1A and 1B, or both can be performed simultaneously. Note that three or more processing chambers may be provided for one ASWP unit 2.

なお、図1におけるASWPユニット2、バルブV3、配管D2およびガス供給部3以外の処理室1に関する構成は、図6の各処理室1A,1Bにそれぞれ設けられている。すなわち、配管D11,D12は配管D1に対応し、配管D31,D32は配管D3に対応し、配管D41,D42は配管D4に対応し、バルブV11,V12はバルブV1に対応し、三方弁V21,V22は三方弁V2に対応し、バルブV41,V42はバルブV4に対応し、リリーフバルブLV1,LV2はリリーフバルブLVに対応し、排気ファンF11,F12は排気ファンF1に対応し、排気ファンF21,F22は排気ファンF2に対応し、拡散ファンF31,F32は拡散ファンF3に対応し、圧力計PG1,PG2は圧力計PGに対応する。   In addition, the structure regarding the process chamber 1 other than ASWP unit 2, valve | bulb V3, piping D2, and gas supply part 3 in FIG. 1 is each provided in each process chamber 1A, 1B of FIG. That is, pipes D11 and D12 correspond to pipe D1, pipes D31 and D32 correspond to pipe D3, pipes D41 and D42 correspond to pipe D4, valves V11 and V12 correspond to valve V1, three-way valve V21, V22 corresponds to three-way valve V2, valves V41 and V42 correspond to valve V4, relief valves LV1 and LV2 correspond to relief valve LV, exhaust fans F11 and F12 correspond to exhaust fan F1, exhaust fan F21, F22 corresponds to the exhaust fan F2, diffusion fans F31 and F32 correspond to the diffusion fan F3, and pressure gauges PG1 and PG2 correspond to the pressure gauge PG.

上述した本実施の形態の大気圧プラズマ滅菌装置は次のような作用効果を奏する。
(1)ASWPユニット2によりラジカルを生成するようにしたので、常圧で滅菌処理が行える。そのため、処理室1を圧力容器とする必要がなく、装置のコスト低減を図ることができる。また、滅菌処理を常温で行うことができる。
(2)毒性または爆発性のガスを用いていないので取り扱いが容易であるとともに、無害化処理を必要としない。
(3)ASWPユニット2を用いることにより、従来よりも密度が高くプラズマ領域の大きなプラズマが得られ、ラジカルがより大量に生成される。その大量のラジカルを滅菌に利用することにより、滅菌処理を効果的に行うことができる。また、ラジカルの滅菌能力が高いので、滅菌処理時間の短縮を図ることができる。
The atmospheric pressure plasma sterilization apparatus of the present embodiment described above has the following operational effects.
(1) Since radicals are generated by the ASWP unit 2, sterilization can be performed at normal pressure. Therefore, it is not necessary to use the processing chamber 1 as a pressure vessel, and the cost of the apparatus can be reduced. Moreover, sterilization can be performed at normal temperature.
(2) Since no toxic or explosive gas is used, handling is easy and no detoxification treatment is required.
(3) By using the ASWP unit 2, a plasma having a higher density and a larger plasma region than before can be obtained, and a larger amount of radicals are generated. By utilizing the large amount of radicals for sterilization, sterilization can be effectively performed. In addition, since the radical sterilization ability is high, the sterilization time can be shortened.

(4)処理室下部からガス導入を行うとともに処理室上部からガス排出を行うような構成としたので、ガス置換を速やかに行うことができ、滅菌処理の前後の処理を含むトータルの処理時間を短縮することができる。
(5)拡散ファンを用いてラジカルを分散させるとともに、処理室内の上方から下方へとダウンフローさせることにより十分に拡散し、処理室内に収容された複数の滅菌対象器具の全面に対して均一に滅菌処理を行うことができる。
(6)ガス充填方式の場合に、酸素ガスを処理室1とASWPユニット2との間で循環させるようにしたので、ラジカルが効率的に処理室1に供給される。
(7)図6に示すように、一台のASWPユニット2により複数の処理室を設けることにより、コストアップを抑えつつ処理能力の増大を図ることができる。
(8)ガス供給部3からの乾燥空気をASWPユニット2のプラズマで滅菌して処理室1供給することにより、滅菌乾燥空気を供給する装置を新たに設ける必要がない。
(4) Since gas is introduced from the lower portion of the processing chamber and gas is discharged from the upper portion of the processing chamber, gas replacement can be performed quickly, and the total processing time including the processing before and after the sterilization processing is reduced. It can be shortened.
(5) Disperse radicals using a diffusion fan, and sufficiently diffuse by downflowing from the upper side to the lower side of the processing chamber, and uniformly over the entire surfaces of a plurality of instruments to be sterilized accommodated in the processing chamber Sterilization can be performed.
(6) In the case of the gas filling method, since oxygen gas is circulated between the processing chamber 1 and the ASWP unit 2, radicals are efficiently supplied to the processing chamber 1.
(7) As shown in FIG. 6, by providing a plurality of processing chambers with one ASWP unit 2, it is possible to increase the processing capacity while suppressing an increase in cost.
(8) By sterilizing the dry air from the gas supply unit 3 with the plasma of the ASWP unit 2 and supplying it to the processing chamber 1, there is no need to newly provide a device for supplying sterilized dry air.

なお、上述した実施の形態ではASWPユニット2を処理室1とは別に設け、ASWPユニット2で生成したラジカルを処理室1に導入したが、ASWPユニット2を処理室1内に設けるようにしても良い。   In the above-described embodiment, the ASWP unit 2 is provided separately from the processing chamber 1 and radicals generated in the ASWP unit 2 are introduced into the processing chamber 1. However, the ASWP unit 2 may be provided in the processing chamber 1. good.

以上説明した実施の形態と特許請求の範囲の要素との対応において、ASWPユニット2はラジカル生成部を、配管D100およびバルブV100,V101は導入手段を、配管D4,三方弁V2および排気ファンF1は導入手段および循環手段を、拡散ファンF3は移送手段を、ガス供給部3,配管D1およびバルブV4はガス供給手段を、配管D3,バルブV1および排気ファンF2は排出手段を、配管D4,三方弁V2および排気ファンF1は循環手段を、ガス供給部3,配管D2およびバルブV3は乾燥空気供給手段をそれぞれ構成する。なお、以上の説明はあくまでも一例であり、発明を解釈する際、上記実施の形態の記載事項と特許請求の範囲の記載事項の対応関係に何ら限定も拘束もされない。   In the correspondence between the embodiment described above and the elements of the claims, the ASWP unit 2 is a radical generator, the pipe D100 and the valves V100 and V101 are introduction means, the pipe D4, the three-way valve V2 and the exhaust fan F1 are Introducing means and circulating means, diffusion fan F3 as transfer means, gas supply unit 3, pipe D1 and valve V4 as gas supply means, pipe D3, valve V1 and exhaust fan F2 as discharge means, pipe D4 and three-way valve V2 and the exhaust fan F1 constitute circulation means, and the gas supply unit 3, the pipe D2 and the valve V3 constitute dry air supply means, respectively. The above description is merely an example, and when interpreting the invention, there is no limitation or restriction on the correspondence between the items described in the above embodiment and the items described in the claims.

本発明による大気圧プラズマ滅菌装置の一実施の形態を示す図である。It is a figure which shows one Embodiment of the atmospheric pressure plasma sterilization apparatus by this invention. ASWPユニット2の全体構成を示す図である。FIG. 2 is a diagram illustrating an overall configuration of an ASWP unit 2. プラズマ生成部10の軸方向断面を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing an axial cross section of a plasma generation unit 10. 滅菌処理の手順を示す工程図である。It is process drawing which shows the procedure of a sterilization process. 図4に示す各工程におけるバルブ,排気ファンおよびASWPユニット2の動作を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing operations of a valve, an exhaust fan, and an ASWP unit 2 in each step shown in FIG. 4. 変形例を示す図である。It is a figure which shows a modification.

符号の説明Explanation of symbols

1 処理室
2 ASWPユニット
3 ガス供給部
10 プラズマ生成部
11 環状導波管
12 誘電体チューブ
D1〜D4,D11,D12,D31,D32,D41,D42,D100 配管
F1,F2,F11,F12,F21,F22排気ファン
F3,F31,F32拡散ファン
V1,V3,V4,V11,V12,V41,V42,V100,V101 バルブ
V2,V21,V22 三方弁
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Processing chamber 2 ASWP unit 3 Gas supply part 10 Plasma production | generation part 11 Annular waveguide 12 Dielectric tube
D1 to D4, D11, D12, D31, D32, D41, D42, D100 Piping
F1, F2, F11, F12, F21, F22 exhaust fan
F3, F31, F32 diffusion fans
V1, V3, V4, V11, V12, V41, V42, V100, V101 Valve
V2, V21, V22 3-way valve

Claims (6)

滅菌対象物が収容され、ほぼ大気圧に保たれる処理室と、
大気圧表面波励起プラズマを発生してラジカルを生成するラジカル生成部とを備え、
前記ラジカル生成部で生成されたラジカルにより滅菌対象物を滅菌処理することを特徴とする大気圧プラズマ滅菌装置。
A processing chamber in which objects to be sterilized are stored and maintained at approximately atmospheric pressure;
A radical generating unit that generates radicals by generating atmospheric pressure surface wave excitation plasma,
An atmospheric pressure plasma sterilization apparatus that sterilizes an object to be sterilized with radicals generated by the radical generator.
請求項1に記載の大気圧プラズマ滅菌装置において、
前記ラジカル生成部は、前記処理室とは別の空間において大気圧表面波励起プラズマによりラジカルを生成し、
滅菌処理時に前記ラジカル生成部で生成されたラジカルを前記処理室に導入する導入手段を備えたことを特徴とする大気圧プラズマ滅菌装置。
In the atmospheric pressure plasma sterilizer according to claim 1,
The radical generating unit generates radicals by atmospheric pressure surface wave excitation plasma in a space different from the processing chamber,
An atmospheric pressure plasma sterilization apparatus comprising an introducing means for introducing radicals generated in the radical generation unit during sterilization into the processing chamber.
請求項2に記載の大気圧プラズマ滅菌装置において、
一つの前記ラジカル生成部に対して前記処理室を複数備え、
前記導入手段は、前記ラジカル生成部で生成されたラジカルを前記複数の処理室にそれぞれ導入することを特徴とする大気圧プラズマ滅菌装置。
In the atmospheric pressure plasma sterilizer according to claim 2,
A plurality of the treatment chambers are provided for one radical generation unit,
The atmospheric pressure plasma sterilization apparatus, wherein the introduction unit introduces radicals generated by the radical generation unit into the plurality of processing chambers.
請求項2または3に記載の大気圧プラズマ滅菌装置において、
前記導入手段は、前記処理室内の上部領域に導入し、
前記処理室内に導入されたラジカルを下方に送る移送手段を設けたことを特徴とする大気圧プラズマ滅菌装置。
In the atmospheric pressure plasma sterilizer according to claim 2 or 3,
The introducing means is introduced into the upper region of the processing chamber;
An atmospheric pressure plasma sterilization apparatus comprising a transfer means for sending the radical introduced into the processing chamber downward.
請求項2〜4のいずれか一項に記載の大気圧プラズマ滅菌装置において、
前記処理室内の下部領域にラジカル生成用ガスを導入するガス供給手段と、
前記処理室の上部から前記処理室内のガスを排出する排出手段と、
前記処理室内に導入されたラジカル生成用ガスを、前記処理室と前記ラジカル生成部との間で循環させる循環手段とを備え、
前記ラジカル生成部は前記循環手段により導かれたラジカル生成用ガスを用いてラジカルを生成することを特徴とする大気圧プラズマ滅菌装置。
In the atmospheric pressure plasma sterilization apparatus according to any one of claims 2 to 4,
A gas supply means for introducing a radical generating gas into a lower region in the processing chamber;
Discharging means for discharging the gas in the processing chamber from the upper part of the processing chamber;
A circulation means for circulating the gas for generating radicals introduced into the processing chamber between the processing chamber and the radical generating unit;
The atmospheric pressure plasma sterilization apparatus, wherein the radical generation unit generates radicals using radical generation gas introduced by the circulation means.
請求項1〜5のいずれか一項に記載の大気圧プラズマ滅菌装置において、
滅菌処理後に、乾燥空気を前記ラジカル生成部に発生する大気圧表面波励起プラズマ中を通過させ、その通過した乾燥空気を前記処理室に供給する乾燥空気供給手段を設けたことを特徴とする大気圧プラズマ滅菌装置。
In the atmospheric pressure plasma sterilization apparatus according to any one of claims 1 to 5,
After the sterilization process, there is provided a dry air supply means for passing the dry air through the atmospheric pressure surface wave excitation plasma generated in the radical generating unit and supplying the passed dry air to the processing chamber. Atmospheric plasma sterilizer.
JP2005125093A 2005-04-22 2005-04-22 Atmospheric-pressure plasma sterilization apparatus Withdrawn JP2006296848A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005125093A JP2006296848A (en) 2005-04-22 2005-04-22 Atmospheric-pressure plasma sterilization apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005125093A JP2006296848A (en) 2005-04-22 2005-04-22 Atmospheric-pressure plasma sterilization apparatus

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2006296848A true JP2006296848A (en) 2006-11-02

Family

ID=37465660

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005125093A Withdrawn JP2006296848A (en) 2005-04-22 2005-04-22 Atmospheric-pressure plasma sterilization apparatus

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2006296848A (en)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007102532A1 (en) * 2006-03-07 2007-09-13 University Of The Ryukyus Sterilizer and sterilization method using the same
JP2008237047A (en) * 2007-03-26 2008-10-09 Masaru Hori Insecticidal and germicidal method, and insecticidal and germicidal apparatus
WO2008146990A1 (en) * 2007-05-31 2008-12-04 Sung-Chun Kim Plasma radical sterilization apparatus and method
WO2009119593A1 (en) * 2008-03-26 2009-10-01 ノーリツ鋼機株式会社 Sterilizer and sterilization method
WO2011147595A1 (en) * 2010-05-27 2011-12-01 Arann Healthcare Ltd. Method and apparatus for the sterilisation of articles
KR101474147B1 (en) 2013-06-24 2014-12-17 한국기초과학지원연구원 Microwave plasma sterilization apparatus
US8945467B2 (en) 2010-05-27 2015-02-03 Arann Healthcare Ltd. Method and apparatus for the sterilisation of articles
CN113197247A (en) * 2021-06-01 2021-08-03 苏州屹润食品科技有限公司 Low-temperature plasma airflow type cold sterilization production line for boxed fruits and vegetables

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007102532A1 (en) * 2006-03-07 2007-09-13 University Of The Ryukyus Sterilizer and sterilization method using the same
JP2008237047A (en) * 2007-03-26 2008-10-09 Masaru Hori Insecticidal and germicidal method, and insecticidal and germicidal apparatus
WO2008146990A1 (en) * 2007-05-31 2008-12-04 Sung-Chun Kim Plasma radical sterilization apparatus and method
WO2009119593A1 (en) * 2008-03-26 2009-10-01 ノーリツ鋼機株式会社 Sterilizer and sterilization method
WO2011147595A1 (en) * 2010-05-27 2011-12-01 Arann Healthcare Ltd. Method and apparatus for the sterilisation of articles
US8945467B2 (en) 2010-05-27 2015-02-03 Arann Healthcare Ltd. Method and apparatus for the sterilisation of articles
KR101474147B1 (en) 2013-06-24 2014-12-17 한국기초과학지원연구원 Microwave plasma sterilization apparatus
WO2014208806A1 (en) * 2013-06-24 2014-12-31 한국 기초 과학 지원연구원 Microwave plasma sterilizing device
CN113197247A (en) * 2021-06-01 2021-08-03 苏州屹润食品科技有限公司 Low-temperature plasma airflow type cold sterilization production line for boxed fruits and vegetables

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2006296848A (en) Atmospheric-pressure plasma sterilization apparatus
US5288460A (en) Plasma cycling sterilizing process
US5413758A (en) Apparatus for plasma sterilizing with pulsed antimicrobial agent treatment
US5645796A (en) Process for plasma sterilizing with pulsed antimicrobial agent treatment
AU762074B2 (en) Method of enhanced sterilization with improved material compatibility
US5186893A (en) Plasma cycling sterilizing process
EP0387022B1 (en) Plasma sterilizer and method
US5413760A (en) Plasma sterilizer and method
US5413759A (en) Plasma sterilizer and method
US5084239A (en) Plasma sterilizing process with pulsed antimicrobial agent treatment
US5178829A (en) Flash sterilization with plasma
RU2413537C2 (en) Nitrogen and hydrogen gas plasma sterilising unit
JPH11506677A (en) Plasma steam sterilization apparatus and method
JPH11501530A (en) Apparatus and method for plasma sterilization
JPWO2009119593A1 (en) Sterilization apparatus and sterilization method
EP0753241B1 (en) Plasma gas mixture for sterilizer and method
JP2011110326A (en) Plasma treatment method and device in packaging container
JPH04231053A (en) Disinfection using hydroperoxide and plasma
US5376332A (en) Plasma sterilizing with downstream oxygen addition
JPH11505166A (en) Dry sterilization method and apparatus for medical equipment
JPH04231052A (en) Disinfection using peracid and plasma
KR20170064622A (en) Plasma sterilizer and apparatus for generating hydrogen peroxide vapor in the sterilizer
EP1459771A2 (en) Method of reducing sterilant residuals

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Effective date: 20070706

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

A761 Written withdrawal of application

Effective date: 20090930

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761