JP2006278654A - Method and apparatus for processing substrate - Google Patents
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Abstract
Description
この発明は、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、光ディスク用基板などの各種基板に処理液を供給して該基板に対して洗浄処理などの処理を施す基板処理装置および基板処理方法に関するものである。 The present invention supplies a processing liquid to various substrates such as a semiconductor wafer, a glass substrate for a photomask, a glass substrate for a liquid crystal display, a glass substrate for a plasma display, and an optical disk substrate, and performs a process such as a cleaning process on the substrate. The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method.
従来、この種の基板処理装置として、基板の一種であるウエハの周縁部を保持ピン等の保持手段によって保持しながらウエハを回転させる回転保持手段と、ウエハの下面(裏面)に向けて、薬液、純水等の処理液を所定の流量で供給するノズルとを備えた基板処理装置がある(特許文献1参照)。この特許文献1に記載の基板処理装置においては、ウエハを保持した状態で回転保持手段をモータ等で回転させつつノズルから処理液(リンス液)をウエハの下面中心部に供給させることで、ウエハの下面に対するリンス処理が行われる。ノズルは開閉バルブを介してアスピレータまたは真空ポンプ等の吸引装置に接続されており、リンス処理後に吸引装置を動作させるとともに開閉バルブ(吸引用バルブ)を開くことによってノズル内部や該ノズルと処理液供給源との間に介装された開閉バルブ(処理液供給用バルブ)とに残留付着する処理液の液滴を吸引除去する。次いでウエハを所定の回転数で回転させながらノズルを通してウエハの下面に窒素ガスを噴射することによってウエハの乾燥処理を行っている。これにより、ガス噴射時のノズル内部での処理液のミストの発生を防止してウォーターマークの発生を抑制している。
Conventionally, as this type of substrate processing apparatus, a chemical solution is directed toward the lower surface (back surface) of the wafer, rotating holding means for rotating the wafer while holding the peripheral portion of the wafer, which is a kind of substrate, by holding means such as holding pins. There is a substrate processing apparatus including a nozzle for supplying a processing liquid such as pure water at a predetermined flow rate (see Patent Document 1). In the substrate processing apparatus described in
ところで、ノズルや該ノズルに接続された処理液供給用バルブ(供給手段)の内部に残留付着する処理液の液滴の吸引は次のような理由からできるだけゆっくりと行われることが望ましい。その理由は、処理液の液滴の吸引速度が速すぎるとノズルや処理液供給用バルブに液滴が吸引されずに多く残ってしまうこととなるからである。このようにノズルや処理液供給用バルブの内部に処理液(リンス液)の液滴が残留してしまうと、該リンス液の液滴が薬液処理開始時に薬液とともに吐出されてしまう。その結果、薬液のみを回収してランニングコストを低下させたいという要望があるにもかかわらず、薬液のみを回収することができなくなり、薬液回収率を低下させてしまう。また、ノズル付近に付着している液滴がウエハへのウォータマークやパーティクル付着の原因となってしまう。 By the way, it is desirable that the suction of the droplets of the processing liquid remaining and adhering inside the nozzle and the processing liquid supply valve (supply means) connected to the nozzle is performed as slowly as possible for the following reasons. The reason is that if the suction speed of the treatment liquid droplets is too high, many droplets remain without being sucked into the nozzle or the treatment liquid supply valve. If droplets of the processing liquid (rinsing liquid) remain inside the nozzle or the processing liquid supply valve in this way, the rinsing liquid droplets are discharged together with the chemical liquid at the start of the chemical liquid processing. As a result, in spite of the desire to collect only the chemical solution and reduce the running cost, it becomes impossible to collect only the chemical solution, thereby reducing the chemical solution recovery rate. In addition, droplets adhering to the vicinity of the nozzle cause water marks and particles to adhere to the wafer.
そこで、例えば吸引用バルブと吸引装置との間にニードル弁などの流量調整弁を設けて、該流量調整弁を流れる流体の流量を調整することによって、ノズルや処理液供給用バルブに残留付着する処理液の液滴の吸引速度を比較的低速に設定するが、次の理由から処理液の液滴の吸引速度を低速に安定させることが困難なものとなっていた。すなわち、吸引開始前は前回の吸引操作によって吸引用バルブに対して吸引装置側の配管内は気体(空気)の状態となっている。そして、このような状態で吸引操作を開始すると、つまり吸引装置を動作させるとともに吸引用バルブを開くと、吸引装置側の配管内の気体が圧縮され体積変化を起こす。その結果、ノズルや処理液用バルブの内部に残留付着する液滴が急激な速度で吸引されてしまう。 Therefore, for example, by providing a flow rate adjusting valve such as a needle valve between the suction valve and the suction device and adjusting the flow rate of the fluid flowing through the flow rate adjusting valve, the residual adhering to the nozzle or the processing liquid supply valve. Although the processing liquid droplet suction speed is set to a relatively low speed, it has been difficult to stabilize the processing liquid droplet suction speed at a low speed for the following reason. That is, before the suction is started, the inside of the pipe on the suction device side is in a gas (air) state with respect to the suction valve by the previous suction operation. When the suction operation is started in such a state, that is, when the suction device is operated and the suction valve is opened, the gas in the pipe on the suction device side is compressed to cause a volume change. As a result, the droplets remaining and adhering to the inside of the nozzle and the processing liquid valve are sucked at a rapid speed.
また、ニードル弁のニードル部分(流体通過部分)は通過する流体の流量を絞っている関係上狭くなっているが、当該ニードル部分に気体と液体(液滴)が混在して通過すると、液滴の吸引速度が乱れて安定して吸引することができない。具体的には、ニードル部分に気体が通過すると吸引速度が速くなる一方、液体が通過すると吸引速度が遅くなってしまい、吸引速度が安定しなくなってしまう。つまり、吸引初期段階においてノズルや処理液供給用バルブの内部に残留付着する処理液の液滴の吸引速度を低速に安定させることができなくなっていた。 In addition, the needle portion (fluid passage portion) of the needle valve is narrow because the flow rate of the fluid passing therethrough is reduced, but if a mixture of gas and liquid (droplet) passes through the needle portion, the droplet The suction speed is disturbed and stable suction is not possible. Specifically, when the gas passes through the needle portion, the suction speed increases. On the other hand, when the liquid passes through, the suction speed becomes slow and the suction speed becomes unstable. That is, at the initial stage of suction, the suction speed of the droplets of the processing liquid remaining and adhering inside the nozzle and the processing liquid supply valve cannot be stabilized at a low speed.
その結果、ノズルや処理液供給用バルブ(供給手段)の内部に液滴が多く残留して薬液回収率を低下させるとともに、ノズル付近に残留する液滴がウエハへのウォータマークやパーティクル付着等の欠陥を生じさせることとなる。しかしながら、従来装置では、これら吸引初期段階における液滴の吸引速度については何ら考慮されていなかった。 As a result, many liquid droplets remain inside the nozzle and the processing liquid supply valve (supply means) to reduce the chemical recovery rate, and the liquid droplets remaining in the vicinity of the nozzle may cause water mark or particle adhesion to the wafer. It will cause defects. However, in the conventional apparatus, no consideration has been given to the suction speed of the droplets at the initial stage of suction.
この発明は上記課題に鑑みなされたものであり、吸引初期段階においてノズルや該ノズルに接続された供給手段に残留付着している処理液の液滴の吸引速度を安定させることができる基板処理方法および基板処理装置を提供することを目的とする。 SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and a substrate processing method capable of stabilizing the suction speed of a treatment liquid droplet adhering to a nozzle or a supply means connected to the nozzle in an initial suction stage. It is another object of the present invention to provide a substrate processing apparatus.
この発明にかかる基板処理方法および基板処理装置は、上記目的を達成するため、以下のように構成している。この発明にかかる基板処理方法の一態様は、ノズルに接続された供給手段を介して第1処理液をノズルに供給することで該ノズルから基板に向けて第1処理液を吐出させて基板に対して第1処理液によるリンス処理を施すリンス工程と、その一方端が供給手段に接続された吸引経路に沿って、ノズルと供給手段とに残留付着する第1処理液の液滴を吸引してノズルと供給手段とから該第1処理液の液滴を除去する吸引工程とを備え、リンス工程の間に第1処理液を供給手段を介して吸引経路に供給することで吸引経路を第1処理液で満たしている。また、この発明にかかる基板処理装置の一態様は、ノズルから基板に向けて第1処理液を吐出することで基板に対して第1処理液によるリンス処理を施す基板処理装置であって、ノズルに接続され第1処理液をノズルに導くことでノズルから第1処理液を吐出させる供給手段と、その一方端が供給手段に接続された吸引経路に沿ってリンス処理後にノズルと供給手段とに残留付着する第1処理液の液滴を吸引してノズルと供給手段とから除去する吸引手段とを備え、リンス処理が実行される間、供給手段を介して第1処理液を前記吸引経路に供給することで吸引経路を第1処理液で満たしている。 In order to achieve the above object, a substrate processing method and a substrate processing apparatus according to the present invention are configured as follows. In one aspect of the substrate processing method according to the present invention, the first processing liquid is supplied to the nozzle via the supply means connected to the nozzle, so that the first processing liquid is discharged from the nozzle toward the substrate to the substrate. A rinsing process for rinsing with the first treatment liquid and a droplet of the first treatment liquid adhering to the nozzle and the supply means are sucked along a suction path whose one end is connected to the supply means. And a suction step for removing droplets of the first processing liquid from the nozzle and the supply means, and the first processing liquid is supplied to the suction path through the supply means during the rinsing step. 1 treatment liquid is filled. Another aspect of the substrate processing apparatus according to the present invention is a substrate processing apparatus for performing a rinsing process with a first processing liquid on a substrate by discharging the first processing liquid from the nozzle toward the substrate. A supply means for discharging the first treatment liquid from the nozzle by guiding the first treatment liquid to the nozzle, and a nozzle and a supply means after the rinsing process along a suction path whose one end is connected to the supply means A suction means for sucking and removing the droplets of the first processing liquid adhering to the nozzle and the supply means; and while the rinsing process is being performed, the first processing liquid is supplied to the suction path via the supply means. By supplying, the suction path is filled with the first processing liquid.
このように構成された発明では、第1処理液によるリンス処理が実行されている間に吸引経路に第1処理液が供給されて該吸引経路が第1処理液によって満たされる。そのため、吸引開始時には既に吸引経路内は液体(第1処理液)で充填された状態となっている。液体は気体と比較して圧縮によってほとんど体積変化を起こすことがないため、「発明が解決しようとする課題」の項で説明したように、吸引初期段階においてノズルや供給手段に残留付着する液滴が急激な速度で吸引されてしまうことがない。その結果、吸引初期段階において液滴の吸引速度を安定させることができ、ノズルや供給手段に液滴が残るのを防止することができる。 In the invention thus configured, the first processing liquid is supplied to the suction path while the rinsing process using the first processing liquid is being performed, and the suction path is filled with the first processing liquid. Therefore, the suction path is already filled with the liquid (first processing liquid) at the start of suction. Since liquid hardly undergoes volume change due to compression compared to gas, as described in the section “Problems to be Solved by the Invention”, droplets that remain attached to nozzles and supply means in the initial stage of suction Is not sucked at a rapid rate. As a result, the droplet suction speed can be stabilized in the initial stage of suction, and it is possible to prevent the droplets from remaining on the nozzle and the supply means.
ここで、吸引経路に介装され吸引経路内を流れる流体の流量を調整する少なくとも1以上の流量調整弁によって第1処理液の液滴の吸引速度を設定するようにしてもよい。この構成により、吸引経路内を流れる流体の流量が調整されることで液滴の吸引速度を任意の速度に設定することが可能となる。しかも、吸引開始時には既に吸引経路内、つまりは該吸引経路に介装された流量調整弁の流量調整部分(流体通過部分)は液体で満たされている。そのため、吸引初期段階において流量調整弁を通過する流体が液体(第1処理液)のみとなるために、「発明が解決しようとする課題」の項で説明したように、当該流量調整部分に気体と液体(液滴)が混在して通過することによって液滴の吸引速度が乱れるということがない。その結果、吸引初期段階において液滴の吸引速度を安定させることができる。 Here, the suction speed of the droplets of the first processing liquid may be set by at least one or more flow rate adjusting valves that are interposed in the suction route and adjust the flow rate of the fluid flowing in the suction route. With this configuration, the droplet suction speed can be set to an arbitrary speed by adjusting the flow rate of the fluid flowing in the suction path. In addition, at the start of suction, the flow rate adjustment portion (fluid passage portion) of the flow rate adjustment valve interposed in the suction route, that is, the flow rate adjustment valve is filled with the liquid. Therefore, since the fluid passing through the flow rate adjustment valve is only liquid (first processing liquid) in the initial stage of suction, as described in the section “Problems to be solved by the invention”, gas is supplied to the flow rate adjustment portion. And the liquid (droplet) are mixed and passed, and the suction speed of the droplet is not disturbed. As a result, the droplet suction speed can be stabilized in the initial stage of suction.
また、液滴の吸引速度については一定に維持するようにしてもよいが、第1速度から該第1速度よりも高速の第2速度に少なくとも2段階に加速させるようにしてもよい。つまり、吸引開始直後は液滴の吸引量が多くなりノズルに液滴が残り易くなる傾向にあることから、液滴の残留を少なくするためにも液滴をゆっくりと吸引することが望ましい。そのため、液滴の吸引量が多い吸引処理の前半は比較的ゆっくりと吸引することでノズルに液滴が残留するのを防止する一方で、吸引処理の後半は吸引速度を高めて液滴を吸引することで液滴の除去に要する時間を短縮して装置のスループットを向上させることができる。 The droplet suction speed may be maintained constant, but may be accelerated in at least two stages from the first speed to the second speed higher than the first speed. That is, immediately after the start of suction, the amount of sucked droplets tends to increase, and the droplets tend to remain in the nozzle. Therefore, it is desirable to suck the droplets slowly in order to reduce the remaining of the droplets. Therefore, the first half of the suction process with a large amount of liquid droplets is sucked relatively slowly to prevent the liquid droplets from remaining on the nozzle, while the second half of the suction process sucks the liquid droplets by increasing the suction speed. As a result, the time required for removing the droplets can be shortened and the throughput of the apparatus can be improved.
この発明にかかる基板処理方法の他の態様は、基板を回転させながら基板の下面から離間して配置されたノズルに接続された供給手段を介してノズルに第1処理液を供給することでノズルの先端部より基板の下面に向けて第1処理液を吐出させて基板の下面全体に第1処理液を供給する第1工程と、第1工程後に供給手段を介してノズルに第2処理液を供給することでノズル先端部より基板の下面に向けて第2処理液を吐出させて基板の下面中央部とノズル先端部との間に液溜りを形成する第2工程と、その一方端が供給手段に接続された吸引経路に沿って、液溜りをノズル先端部より吸引して基板の下面中央部とノズル先端部との間から前記液溜りを除去する第3工程とを備え、第3工程前に第1処理液および第2処理液のいずれか一方の処理液を供給手段を介して吸引経路に供給することで吸引経路を該処理液で満たしている。 According to another aspect of the substrate processing method of the present invention, a nozzle is provided by supplying a first processing liquid to a nozzle via a supply means connected to a nozzle disposed away from the lower surface of the substrate while rotating the substrate. A first step of discharging the first processing liquid from the tip of the substrate toward the lower surface of the substrate to supply the first processing liquid to the entire lower surface of the substrate, and a second processing liquid to the nozzle via the supply means after the first step A second step of discharging the second processing liquid from the nozzle tip toward the lower surface of the substrate to form a liquid pool between the center of the lower surface of the substrate and the nozzle tip, and one end thereof is And a third step of removing the liquid reservoir from between the central portion of the lower surface of the substrate and the nozzle tip portion by sucking the liquid reservoir from the nozzle tip portion along the suction path connected to the supply means, Before the process, either one of the first treatment liquid and the second treatment liquid It is filled with the treatment liquid suction passage by supplying management solution to suction passage through the feed means.
このように構成された発明では、第1処理液による処理(第1工程)が実行されると、基板の下面中央部に比較的大きな液滴が残留することとなる。すなわち、ウエハの下面中央部と下面周縁部とでは基板回転に伴う遠心力の作用が相違しており、ウエハの下面中央部に付着する液滴は比較的大きいサイズを有し、これらの液滴に対しては比較的小さな遠心力しか作用しないため、ウエハの下面中央部に残留することとなる。そこで、第1工程に続いてノズル先端部より基板の下面に向けて第2処理液が吐出されて基板の下面中央部とノズル先端部との間に液溜りが形成される(第2工程)。このとき、第1工程後に基板の下面中央部およびノズル先端部に残留する液滴は該液溜りに取り込まれる。そして、こうして残留液滴を含有する液溜りが吸引経路に沿って吸引されて基板の下面中央部とノズル先端部との間から除去される(第3工程)。 In the invention configured as described above, when the processing using the first processing liquid (first step) is executed, relatively large droplets remain in the central portion of the lower surface of the substrate. That is, the action of the centrifugal force due to the rotation of the substrate is different between the central portion of the lower surface of the wafer and the peripheral portion of the lower surface, and the droplets adhering to the central portion of the lower surface of the wafer have a relatively large size. Since only a relatively small centrifugal force acts on the wafer, it remains in the center of the lower surface of the wafer. Therefore, following the first step, the second processing liquid is discharged from the nozzle tip toward the lower surface of the substrate, and a liquid pool is formed between the center of the lower surface of the substrate and the nozzle tip (second step). . At this time, the liquid droplets remaining at the center of the lower surface of the substrate and the tip of the nozzle after the first step are taken into the liquid reservoir. Thus, the liquid reservoir containing the residual liquid droplets is sucked along the suction path and removed from between the lower surface center portion of the substrate and the nozzle tip portion (third step).
ここで、第3工程前に、第1処理液および第2処理液のいずれか一方の処理液が吸引経路に供給されて吸引経路が該処理液によって満たされる。つまり、第1工程の間あるいは第2工程の間に吸引経路が処理液によって満たされる。そのため、吸引開始時には既に吸引経路内は液体(処理液)が充填された状態となっている。液体は気体と比較してほとんど体積変化を起こすことがないため、吸引初期段階において残留液滴を含有する液溜りが急激な速度で吸引されてしまうことがない。その結果、吸引初期段階において液溜りの吸引速度を安定させることができる。これにより、基板の下面中央部およびノズル先端部での残留液滴を確実に除去することができる。 Here, before the third step, one of the first processing liquid and the second processing liquid is supplied to the suction path, and the suction path is filled with the processing liquid. That is, the suction path is filled with the processing liquid during the first process or the second process. Therefore, at the start of suction, the suction path is already filled with a liquid (treatment liquid). Since the liquid hardly changes in volume as compared with the gas, the liquid reservoir containing the remaining droplets is not sucked at a rapid speed in the initial suction stage. As a result, the suction speed of the liquid pool can be stabilized in the initial suction stage. As a result, the remaining droplets at the center of the lower surface of the substrate and the tip of the nozzle can be reliably removed.
また、この発明にかかる基板処理装置の他の態様は、基板を回転させながら基板の下面から離間して配置されたノズルの先端部より基板の下面中央部に向けて第1処理液を吐出させて基板の下面全体に対して第1処理液によるリンス処理を施す基板処理装置であって、第2処理液をノズルに導くことでリンス処理を受けた基板の下面に向けてノズル先端部より第2処理液を吐出させて基板の下面中央部とノズル先端部との間に液溜りを形成する供給手段と、その一方端が供給手段に接続された吸引経路に沿って液溜りをノズル先端部より吸引して基板の下面中央部とノズル先端部との間から液溜りを除去する吸引手段とを備え、液溜りの吸引動作前に、供給手段を介して第1処理液および第2処理液のいずれか一方の処理液を吸引経路に供給することで吸引経路を該処理液で満たしている。 In another aspect of the substrate processing apparatus according to the present invention, the first processing liquid is discharged from the tip of a nozzle disposed away from the lower surface of the substrate toward the center of the lower surface of the substrate while rotating the substrate. A substrate processing apparatus that performs rinsing with the first processing liquid on the entire lower surface of the substrate, and guides the second processing liquid to the nozzle so that the second processing liquid is directed from the tip of the nozzle toward the lower surface of the substrate subjected to the rinsing processing. (2) A supply means for discharging a processing liquid to form a liquid reservoir between the central portion of the lower surface of the substrate and the tip of the nozzle, and a nozzle at the tip of the nozzle along the suction path connected to the supply means. Suction means for removing the liquid pool from between the lower surface center portion of the substrate and the nozzle tip portion by suction, and before the liquid pool suction operation, the first processing liquid and the second processing liquid are supplied via the supply means. Supply either treatment liquid to the suction path Meets suction passage with said treatment liquid Rukoto.
このように構成された発明では、供給手段が第2処理液をノズルに導くことで、既に所定の処理を受けた基板の下面中央部とノズル先端部との間に液溜りが形成される。こうして液溜りを形成する前、つまりリンス処理を受けた直後の基板では、その下面中央部に比較的大きな液滴が残留しているが、液溜り形成によって残留液滴が該液溜りに取り込まれる。また、吸引手段が該液溜りを吸引して基板の下面中央部とノズル先端部との間から液溜りを除去する。ここで、液溜りの吸引動作前に、第1処理液および第2処理液のいずれか一方の処理液が吸引経路に供給されて吸引経路が該処理液によって満たされる。そのため、吸引初期段階において残留液滴を含有する液溜りが急激な速度で吸引されてしまうということがない。その結果、吸引初期段階において液溜りの吸引速度を安定させることができ、基板の下面中央部およびノズル先端部での残留液滴が確実に除去される。 In the invention configured as described above, the supply unit guides the second processing liquid to the nozzle, so that a liquid pool is formed between the center portion of the lower surface of the substrate that has already undergone the predetermined processing and the tip portion of the nozzle. In this way, relatively large droplets remain at the center of the lower surface of the substrate before forming the liquid reservoir, that is, immediately after rinsing, but the residual droplet is taken into the liquid reservoir by forming the liquid reservoir. . Further, the suction means sucks the liquid pool to remove the liquid pool from between the central portion of the lower surface of the substrate and the tip of the nozzle. Here, before the liquid pool suction operation, one of the first processing liquid and the second processing liquid is supplied to the suction path, and the suction path is filled with the processing liquid. For this reason, the liquid reservoir containing residual droplets is not sucked at a rapid speed in the initial stage of suction. As a result, the suction speed of the liquid pool can be stabilized at the initial suction stage, and the residual liquid droplets at the center of the lower surface of the substrate and the tip of the nozzle are reliably removed.
ここで、吸引経路に介装され吸引経路内を流れる流体の流量を調整する少なくとも1以上の流量調整弁によって液溜りの吸引速度を設定するようにしてもよい。この構成により、吸引経路内を流れる流体の流量が調整されることで液溜りの吸引速度を任意の速度に設定することが可能となる。しかも、吸引開始時には既に該吸引経路に介装された流量調整弁の流量調整部分(流体通過部分)は液体で満たされている。そのため、吸引初期段階において流量調整弁を通過する流体が液体(第1処理液または第2処理液)のみとなるために、当該流量調整部分に気体と液体が混在して通過することによって液溜りの吸引速度が乱れるということがない。その結果、吸引初期段階において液溜りの吸引速度を安定させることができる。 Here, the suction speed of the liquid pool may be set by at least one flow rate adjustment valve that is interposed in the suction route and adjusts the flow rate of the fluid flowing in the suction route. With this configuration, the suction speed of the liquid pool can be set to an arbitrary speed by adjusting the flow rate of the fluid flowing in the suction path. In addition, the flow rate adjustment portion (fluid passage portion) of the flow rate adjustment valve already interposed in the suction path is filled with liquid at the start of suction. Therefore, since the fluid passing through the flow rate adjustment valve in the initial stage of suction is only the liquid (first processing liquid or second processing liquid), the liquid pool is obtained by passing a mixture of gas and liquid in the flow rate adjustment portion. The suction speed is not disturbed. As a result, the suction speed of the liquid pool can be stabilized in the initial suction stage.
ここでは、液溜りを形成するために用いる第2処理液の種類については任意であるが、第1処理液と同一成分の液体を第2処理液として用いたり、ノズルや配管等を洗浄する洗浄液を用いてもよい。特に前者の場合には、同一成分の液体により液溜りが形成されることとなるため、液溜りを良好に形成することができる。また、第1工程に用いる液体、液溜りを形成する液体および吸引経路を満たす液体の種類を切り換える必要がないため、液体の導入をスムーズに行うことができ、スループットを向上させることができるとともに、制御も容易なものとなる。また、後者の場合には、液溜り形成(第2工程)と液溜り除去(第3工程)とを実行することで残留液滴の除去作用以外に、ノズルや配管等の洗浄作用も同時に得られる。したがって、この洗浄作用によりノズルや配管等を清浄な状態に保つことができる。 Here, the type of the second processing liquid used for forming the liquid pool is arbitrary, but a liquid having the same component as the first processing liquid is used as the second processing liquid, or a cleaning liquid for cleaning nozzles, pipes, and the like. May be used. In particular, in the former case, since the liquid pool is formed by the liquid of the same component, the liquid pool can be formed satisfactorily. In addition, since there is no need to switch between the liquid used in the first step, the liquid forming the liquid pool, and the liquid satisfying the suction path, the liquid can be introduced smoothly and the throughput can be improved. Control is also easy. In the latter case, by performing the liquid pool formation (second process) and the liquid pool removal (third process), in addition to the residual liquid droplet removing action, a cleaning action for nozzles and pipes can be obtained at the same time. It is done. Therefore, the nozzle and the piping can be kept clean by this cleaning action.
また、液溜りの吸引速度については、一定に維持するようにしてもよいが、少なくとも2段階に加速させるようにしてもよい。すなわち、液溜りを確実に連続的に吸引除去するためには、吸引開始時点で静止状態の液溜りをゆっくりと吸引して液溜りが分離するのを防止するのが望ましい。そのため、基板の下面中央部とノズル先端部との間から液溜りを除去する間は比較的ゆっくりと吸引することで基板の下面中央部あるいはノズル先端部に液滴が残留するのを防止する一方で、ノズル内部に吸引された後は液溜りの分離が問題とならない範囲で吸引速度を高めてもよく、これによって液溜りの除去に要する時間が短縮され、スループットを向上させることができる。 Further, the suction speed of the liquid pool may be maintained constant, but may be accelerated in at least two stages. That is, in order to reliably and continuously remove and remove the liquid pool, it is desirable to slowly suck the liquid pool in a stationary state at the start of suction to prevent the liquid pool from being separated. Therefore, while removing the liquid pool from between the center of the lower surface of the substrate and the tip of the nozzle, the liquid is prevented from remaining at the center of the lower surface of the substrate or the tip of the nozzle by sucking relatively slowly. Thus, after the liquid is sucked into the nozzle, the suction speed may be increased within a range where separation of the liquid pool does not become a problem, thereby shortening the time required for removing the liquid pool and improving the throughput.
この発明によれば、吸引開始前に処理液が吸引経路に供給されて該吸引経路が処理液によって満たされる。液体(処理液)は気体と比較してほとんど圧縮によって体積変化を起こすことがないため、吸引初期段階においてノズルや該ノズルに接続された供給手段に残留付着する液滴が急激な速度で吸引されてしまうことがない。その結果、吸引初期段階において液滴の吸引速度を安定させることができ、ノズルや供給手段に液滴が残留するのを防止することができる。 According to the present invention, the processing liquid is supplied to the suction path before the suction starts, and the suction path is filled with the processing liquid. Since liquid (treatment liquid) hardly undergoes volume change due to compression compared to gas, droplets remaining and adhering to the nozzle and the supply means connected to the nozzle are sucked at a rapid speed at the initial stage of suction. There is no end. As a result, the suction speed of the droplets can be stabilized at the initial stage of suction, and the droplets can be prevented from remaining on the nozzle and the supply means.
また、吸引経路内を流れる流体の流量を調整して液滴の吸引速度を設定する流量調整弁を吸引経路に介装する場合、吸引開始時には流量調整弁の流量調整部分(流体通過部分)は液体(処理液)で満たされることとなる。そのため、吸引初期段階において流量調整弁を通過する流体が液体のみとなるために、当該流量調整部分に気体と液体(液滴)が混在して通過することがなく、液滴の吸引速度が乱れるようなことがない。その結果、吸引初期段階において液滴の吸引速度を安定させることができる。 In addition, when a flow rate adjustment valve that adjusts the flow rate of the fluid flowing in the suction path to set the suction speed of droplets is installed in the suction path, the flow rate adjustment part (fluid passage part) of the flow rate adjustment valve at the start of suction is It will be filled with liquid (treatment liquid). For this reason, since only the liquid passes through the flow rate adjustment valve in the initial stage of suction, gas and liquid (droplets) do not pass through the flow rate adjustment portion, and the suction speed of the droplets is disturbed. There is no such thing. As a result, the droplet suction speed can be stabilized in the initial stage of suction.
図1は本発明にかかる基板処理装置の一実施形態を示す図である。この基板処理装置は、本発明の「基板」の一種である半導体ウエハ(以下、単に「ウエハ」という)Wの上面および下面に対して薬液を供給してエッチングなどの薬液処理を行い、また薬液処理後に純水やDIW(=deionized water)などのリンス液によるリンス処理を施した後にスピン乾燥する装置である。この基板処理装置では、中空の回転軸1が、モータ3の回転軸に連結されており、このモータ3の駆動により鉛直軸周りに回転可能となっている。この回転軸1の上端部には、円板状のスピンベース5が一体的にネジなどの締結部品によって連結されている。また、スピンベース5の周縁部付近には、ウエハWの外周端部に当接しつつウエハWを支持する支持ピン7が複数本設けられている。そして、複数本の支持ピン7によってウエハWの下面と対向するスピンベース5から所定の間隔離した状態でウエハWが水平に支持されている。このように、この実施形態ではスピンベース5と複数本の支持ピン7とでウエハ(基板)Wを支持する基板支持手段が構成されている。
FIG. 1 is a view showing an embodiment of a substrate processing apparatus according to the present invention. This substrate processing apparatus supplies a chemical solution to the upper and lower surfaces of a semiconductor wafer (hereinafter simply referred to as “wafer”) W, which is a kind of “substrate” of the present invention, and performs chemical treatment such as etching. It is an apparatus that spin-drys after rinsing with a rinsing liquid such as pure water or DIW (= deionized water) after the treatment. In this substrate processing apparatus, a hollow
スピンベース5の上方には、中心部に開口を有する雰囲気遮断部材9が配置されている。この雰囲気遮断部材9はウエハWの径より若干大きく、中空を有する筒状の支持軸11の下端部に一体回転可能に取り付けられている。この支持軸11には、図示を省略する遮断駆動機構が連結されており、遮断駆動機構のモータを駆動することにより支持軸11とともに雰囲気遮断部材9が鉛直軸J周りに回転されるように構成されている。また、遮断駆動機構の昇降駆動用アクチュエータ(例えばエアシリンダーなど)を作動させることで雰囲気遮断部材9をスピンベース5に近接させたり、逆に離間させることが可能となっている。
Above the
また、支持軸11の中空部には、上部洗浄ノズル12が同軸に設けられ、その下端部のノズル口12aから支持ピン7によって支持されたウエハWの上面の回転中心付近に薬液、純水等の処理液(薬液やリンス液)を供給できるように構成されている。すなわち、この上部洗浄ノズル12は、開閉弁13を介して処理液供給源15に連通接続されており、装置全体を制御する制御部17による開閉弁13の開閉制御によって上部洗浄ノズル12からウエハWの上面に薬液やリンス液(純水やDIWなど)が供給される。
An upper cleaning nozzle 12 is coaxially provided in the hollow portion of the support shaft 11, and a chemical solution, pure water, or the like is provided near the rotation center of the upper surface of the wafer W supported by the support pins 7 from the nozzle port 12 a at the lower end portion thereof. The treatment liquid (chemical liquid or rinse liquid) can be supplied. That is, the upper cleaning nozzle 12 is connected to the processing liquid supply source 15 through the on-off valve 13 and is controlled from the upper cleaning nozzle 12 to the wafer W by the on-off control of the on-off valve 13 by the
また、支持軸11の中空部の内壁面と、上部洗浄ノズル12の外壁面との間の隙間は、気体供給路18となっている。この気体供給路18は、開閉弁19を介して気体供給源21に連続接続されている。そして、上部洗浄ノズル12による薬液処理およびリンス処理を行った後、制御部17による開閉弁19の開閉制御によって気体供給路18を介してウエハWの上面に窒素ガス等の気体を供給することによって、ウエハWの乾燥処理を行うことが可能となっている。
Further, a gap between the inner wall surface of the hollow portion of the support shaft 11 and the outer wall surface of the upper cleaning nozzle 12 serves as a gas supply path 18. The gas supply path 18 is continuously connected to a gas supply source 21 via an on-off
また、スピンベース5の側方には、雰囲気遮断部材9とウエハWの上面との間やスピンベース5の上面とウエハWの下面との間にDIWを供給する側部洗浄ノズル23が備えられている。この側部洗浄ノズル23は、開閉弁25を介してDIW供給源27に連通接続されている。また、側部洗浄ノズル23には、上下昇降機構(図示省略)が連結されており、制御部17からの制御指令に応じて該ノズル23を鉛直方向に位置決め可能となっている。そして、制御部17により側部洗浄ノズル23の高さ位置を制御しつつ開閉弁25の開閉タイミングを調整することで、側部洗浄ノズル23からDIWが、雰囲気遮断部材9とウエハWの上面との間の空間を通過して雰囲気遮断部材9の下面へ供給されたり、スピンベース5の対向面とウエハWの下面との間の空間を通過してスピンベース5の対向面へ供給される。
Further, a
回転軸1の中空部には、本発明の「ノズル」に相当する下部洗浄ノズル29が同軸に設けられている。この下部洗浄ノズル29には、供給・吸引機構33が接続されている。また、回転軸1の内壁面と下部洗浄ノズル29の外壁面との間の隙間には、円筒状の気体供給路59が形成されており、この気体供給路59の先端部は気体噴出口61として機能し、気体噴出口61からウエハWの下面とスピンベース5の対向面との間の空間に窒素ガス等の気体が供給される。なお、気体噴出口61は、制御部17により開閉制御される開閉弁63と流量調節弁65とを介して気体供給源67に連通接続されている。
A
図2は下部洗浄ノズルの上端部を示す図であり、同図(a)は平面図であり、同図(b)は断面図である。下部洗浄ノズル29の先端部には、ノズル本体29aの先端に平板状の遮断部材30が取り付けられており、その上面30aが支持ピン7によって支持されたウエハWの下面に平行して対向している。また、この遮断部材30では、その略中央部に吐出口30bが設けられて該吐出口30bを介してウエハWの下面に向けて薬液やリンス液などの処理液を吐出可能となっている。一方、吐出口30bを取り囲む円環部位が気体噴出口61の上方を覆っている。このため、気体噴出口61から噴出された気体は遮断部材30の下面とスピンベース5の対向面との隙間から、ウエハWの下面とスピンベース5の対向面との間の空間に供給される。なお、遮断部材30の平面サイズDについては任意であるが、上記したように気体噴出口61を塞ぐ程度に設定したり、また該平面サイズDをさらに広げて回転軸1とスピンベース5とを連結するために両者の連結部に締結された締結部品を覆うように構成してもよい。このように締結部品を覆うためには、平面サイズDを例えば50mm以上設定すればよく、これによって締結部品の部位、例えばネジ溝などに薬液やリンス液が入り込むのを効果的に防止することができる。また、この平面サイズDが大きくなるにしたがって液溜りが大型化し、後述するようにしてウエハWの下面中央部および下部洗浄ノズル29からの液滴を除去するのに要する時間が長くなる。また、ウエハWの搬送の際に、ウエハ搬送機構と干渉するという問題が生じる。したがって、これらの点を考慮すると、平面サイズDを例えば120mm以下に設定するのが望ましい。
2A and 2B are views showing the upper end of the lower cleaning nozzle. FIG. 2A is a plan view and FIG. 2B is a cross-sectional view. A
次に、供給・吸引機構33について図3を参照して説明する。図3は供給・吸引機構の概略構成を示すブロック図である。この供給・吸引機構33は大きく2つの機能、つまり(1)下部洗浄ノズル29に対して薬液やリンス液を供給する機能と、(2)下部洗浄ノズル29を介して後述するようにしてウエハWの下面中央部と遮断部材30との間に形成される液溜りを吸引除去する機能とを兼ね備えている。
Next, the supply /
まず、供給機能について説明する。この供給・吸引機構33では、薬液供給源からの薬液およびDIW供給源からのDIWを下部洗浄ノズル29に導くための処理液供給部43が本発明の「供給手段」として設けられている。この処理液供給部43の一端側は下部洗浄ノズル29の後端部に接続される一方、処理液供給部43の他端側は開閉弁81を介して吸引配管82に接続されている。また、処理液供給部43の他端側であって開閉弁81に対してノズル側には、開閉弁51を介装した配管31の一端が接続されるとともに、この配管31の他方端側は第1のDIW供給源35と連通接続されている。
First, the supply function will be described. In the supply /
この配管31には、第1のDIW供給源35からのDIWの流量を調整するために圧力調節器37が設けられている。また、この圧力調節器37の下流側の配管31には、第1のDIW供給源35からのDIWの供給量を計測する流量計39が設けられている。この流量計39で計測された供給量と予め設定されている供給量(第1の供給量SV1)との差分を制御部17が求め、この差分に基づく指令電圧に基づいて電空変換器41が圧力調節器37への空気圧を調整する。
The pipe 31 is provided with a pressure regulator 37 for adjusting the flow rate of DIW from the first DIW supply source 35. A
また、処理液供給部43は、下部洗浄ノズル29に接続された一端側(ノズル側)から他方端側にかけて、処理液供給部43への各流体の導入量を各々独立に調整することができるようにするために開閉弁と流量調節弁との機能を備え3つの導入弁45,47,49と接続されている。第1の導入弁45は、第1の薬液供給源53に連通されており、処理液供給部43に対する第1の薬液の導入量を調整し、第2の導入弁47は、第2の薬液供給源55に連通されており、処理液供給部43に対する第2の薬液の導入量を調整する。また、第3の導入弁49は、第2のDIW供給源57に連通されており、処理液供給部43に対するDIWの導入量を調整する。第1の薬液と第2の薬液は、例えばエッチング液であってもよく、互いに種類が異なるものとすることができる。なお、開閉弁51,81と導入弁45,47,49の開閉制御は、すべて制御部17によって統括的に制御される。
Further, the processing
このような構成により、ウエハWの下面を薬液処理する際には、制御部17は導入弁45,47を調整して所要量の第1または第2の薬液を処理液供給部43へ導入する。すなわち、導入弁47,49と開閉弁51とを閉じて導入弁45を開くことにより、第1の薬液を処理液供給部43に導入することができる。また、導入弁45,49と開閉弁51とを閉じて導入弁47を開くことにより、第2の薬液を処理液供給部43に導入することができる。一方で、ウエハWの下面をリンス処理する際には、制御部17は開閉弁51を開放し、電空変換器41を介して圧力調節器37により第1の供給量SV1になるように調整されて第1のDIW供給源35からのDIWを処理液供給部43へ導入するとともに、導入弁49により第1の供給量SV1よりも少ない第2の供給量SV2になるように調整されて第2のDIW供給源57からのDIWを処理液供給部43へ導入する。したがって、第1の供給量SV1と第2の供給量SV2とを合わせた大流量のDIWがウエハWの下面へ供給される。
With such a configuration, when chemical processing is performed on the lower surface of the wafer W, the
次に、吸引機能について説明する。上記したように処理液供給部43の他端側は開閉弁81を介して吸引配管82(本発明の「吸引経路」に相当)の一端と接続されている。この吸引配管82の他端には、本発明の「吸引手段」として機能するディフューザ式のコンバム83が接続されている。コンバム83は、図示省略する圧縮空気供給源(工場内の加圧エア配管やコンプレッサ)に接続され、圧縮空気供給源からコンバム83に圧縮空気を供給することで、吸引配管82内を負圧にして吸引を実行可能としている。このため、コンバム83を作動させるとともに、薬液およびDIWの供給を停止した状態で開閉弁81を開くことによって下部洗浄ノズル29や処理液供給部43の内部の液体成分のみならず、後述するように形成される液溜りについても吸引して除去することが可能となっている。また、コンバム83によって吸引された液はコンバム83の下流側のドレインに排液される。なお、「吸引手段」はコンバムに限らず、アスピレータや真空ポンプ等を用いてもよい。
Next, the suction function will be described. As described above, the other end side of the processing
吸引配管82は主配管82aと該主配管82aから2つに分岐した分岐配管82b,82cとから構成されている。液溜りの吸引速度を設定するために、主配管82aにニードル弁84が介装される一方で、一方の分岐配管82bにニードル弁85が介装されている。これらニードル弁84,85は吸引配管82内を流れる流体の流量を調整するための弁であり、ニードル弁84が主配管82a内を流れる流量を第1の流量FV1に調整するように設定される一方で、ニードル弁85が分岐配管82b内を流れる流量を第1の流量FV1よりも小さな第2の流量FV2に調整するように設定されている。また、他方の分岐配管82cには制御部17によって開閉制御される開閉弁(エア弁)86が介装されている。このように、この実施形態では、ニードル弁84,85が本発明の「流量調整弁」として機能している。
The
このような構成により、開閉弁86を開閉制御することで液溜りの吸引速度を2段階に設定することが可能となっている。つまり、開閉弁86を閉止した状態で、コンバム83を作動させると、液溜りはニードル弁84とニードル弁85とを介して吸引される。ニードル弁85は第1の流量FV1に比べて小さな第2の流量FV2に調整されているので、液溜りの吸引速度はニードル弁85によって律速された比較的低速の第1速度V1に設定される。一方、コンバム83を作動させながら開閉弁86を開放すると、液溜りはニードル弁84とオープン状態とされた開閉弁86が介装された分岐経路82cとを介して吸引される。つまり、液溜りの吸引速度はニードル弁84によって律速された第1速度よりも高速の第2速度V2に設定される。
With such a configuration, it is possible to set the suction speed of the liquid pool in two stages by controlling opening and closing of the on-off
次に、上記のように構成された基板処理装置の動作について図4および図7を参照しつつ詳述する。図4は図1の基板処理装置の動作を示すフローチャートである。また、図5ないし図7は図1の基板処理装置の動作を模式的に示す図である。詳しくは、図5ないし図7はウエハWの下面側に対する処理動作を示している。この基板処理装置では、図示を省略する基板搬送ロボットにより未処理のウエハWが基板処理装置に搬送され、支持ピン7上に載置されると、制御部17が装置各部を以下のように制御して薬液処理、リンス処理、液溜り形成処理、液溜り除去処理および乾燥処理を実行する。なお、基板搬送ロボットによるウエハWの搬送を行う際には、雰囲気遮断部材9、支持軸11および上部洗浄ノズル12は一体的にスピンベース5の上方に離間退避している。また、すべての導入弁45,47,49および開閉弁51,81,86は閉じた状態とされている。
Next, the operation of the substrate processing apparatus configured as described above will be described in detail with reference to FIGS. FIG. 4 is a flowchart showing the operation of the substrate processing apparatus of FIG. 5 to 7 schematically show the operation of the substrate processing apparatus of FIG. Specifically, FIGS. 5 to 7 show processing operations for the lower surface side of the wafer W. FIG. In this substrate processing apparatus, when an unprocessed wafer W is transferred to the substrate processing apparatus by a substrate transfer robot (not shown) and placed on the support pins 7, the
上記のようにしてウエハWが支持ピン7にセットされると、雰囲気遮断部材9、支持軸11および上部洗浄ノズル12が一体的に降下して雰囲気遮断部材9がウエハWに近接配置される。それに続いて、モータ3が回転してウエハWを第1の回転数で回転させる。このとき、図示を省略する遮断駆動機構のモータを駆動することにより支持軸11とともに雰囲気遮断部材9を鉛直軸J周りに回転する。そして、ウエハWの第1の回転数での回転開始とともに、図5(a)に示すように、制御部17は導入弁45を開いて所定量の薬液を第1の薬液供給源53から処理液供給部43へ導入し、第1の薬液が下部洗浄ノズル29の吐出口30bからウエハWの下面へ供給され、ウエハWの下面が薬液により薬液処理される(ステップS1)。第1の薬液がエッチング液であるときは、ウエハWの上面周縁部に第1の薬液を回り込ませてエッチングするベベルエッチングを行うようにしてもよい。
When the wafer W is set on the support pins 7 as described above, the
このとき、ウエハWの外周部に達した第1の薬液は、回転しているウエハWの遠心力により側方に振り切りられ、図示省略する回収ポートにより回収される。一定時間、第1の薬液によるウエハWの処理が継続された後、制御部17の制御により導入弁45が閉じられ、第1の薬液の吐出が停止される。なお、処理対象となるウエハWの種類によっては、第1の薬液の代わりに、第2の薬液によりウエハWの下面が処理される。その場合は、第1の薬液を回収する回収ポートとは別の回収ポートにより第2の薬液が回収される。
At this time, the first chemical solution that has reached the outer peripheral portion of the wafer W is shaken off to the side by the centrifugal force of the rotating wafer W and is collected by a collection port (not shown). After the processing of the wafer W with the first chemical solution is continued for a certain time, the
続いて、制御部17は以下のようにしてDIWをリンス液として用いてリンス処理を実行する(ステップS2−1;第1工程)。すなわち、制御部17はウエハWを回転させたまま開閉弁51を開放し、電空変換器41を介して圧力調節器37により第1の供給量SV1となるように調整されたDIWを第1のDIW供給源35から処理液供給部43へ導入するとともに、導入弁49により第2の供給量SV2となるように調整されたDIWを第2のDIW供給源57から処理液供給部43へ導入する(図5(b))。これにより、第1の供給量SV1と第2の供給量SV2とを合わせた大流量のDIWが下部洗浄ノズル29からウエハWの下面に供給され、薬液に触れていたウエハWの下面へのDIWによる洗浄、つまり前リンス処理が行われる。なお、この時点では、下部洗浄ノズル29の遮断部材30やスピンベース5の対向面には、薬液の液滴が一部付着した状態のままである。
Then, the
また、DIWによるウエハ下面の前リンス処理と並行して、雰囲気遮断部材9を洗浄するために、制御部17は開閉弁13を開放し、処理液供給源15から上部洗浄ノズル12を介して、ウエハWの上面にDIWの供給を開始してウエハWの上面にDIW保護膜を形成する。さらに、この保護膜を形成したまま、制御部17は開閉弁25を開放してDIW供給源27から側部洗浄ノズル23を介して雰囲気遮断部材9とウエハWの上面との間の空間にDIWの供給を開始する。これにより、ウエハWの上面を保護しながら雰囲気遮断部材9を洗浄することができる。
Further, in parallel with the pre-rinsing process of the wafer lower surface by DIW, the
これに続いて、制御部17は、側部洗浄ノズル23をウエハWとスピンベース5との間まで降下させる。これにより、雰囲気遮断部材9へのDIW供給が停止されて雰囲気遮断部材9の乾燥が実行される一方、側部洗浄ノズル23からのDIW供給先がウエハWの下面とスピンベース5の対向面との間の空間となり、同空間に位置する支持ピン7およびスピンベース5の対向面が洗浄される。
Subsequently, the
また、制御部17は、ウエハWを再び第1の回転数で回転させるとともに、導入弁49と開閉弁51とを開放し、高速回転されているウエハWの下面には下部洗浄ノズル29からDIWがリンス液として大流量で供給される。そのため、上述した前リンス処理と同様に、再びウエハWの下面がDIWで洗浄される。また、制御部17は開閉弁13を開放し、処理液供給源15から上部洗浄ノズル12を介して、ウエハWの上面にDIWを供給する。こうして、ウエハW全体にDIWを供給してラストリンス処理を実行する。
Further, the
また、図5(c)に示すように、上記したリンス処理の実行中、制御部17はコンバム83を作動させて吸引配管31内を負圧にするとともに、開閉弁81を開放して吸引配管82内に処理液供給部43に供給されているDIWの一部を吸引配管82内に導く(ステップS2−2)。これにより、気体(空気)によって満たされていた吸引配管82内が液体(DIW)によって置き換えられる。すなわち、1つ前のウエハWの処理において、後述する液溜りの吸引動作により、下部洗浄ノズル29や処理液供給部43に液滴が残らないだけの十分な時間をかけて吸引されることで吸引配管82内は気体となっているが、処理液供給部43に供給されているDIWの一部が導かれることで吸引配管82内は気体に代えてDIWで充填される。そして、吸引配管82の内部、詳しくは主配管82a、分岐配管82bおよび82cの内部がDIWによって満たされると、制御部17は開閉弁81を閉じる。なお、吸引配管82内をDIWで満たすことの作用効果については後述する。
Further, as shown in FIG. 5C, during the execution of the above-described rinsing process, the
ここではウエハWを回転させながらリンス処理を行っているため、リンス液の多くはウエハWから振り切られるのだが、リンス液の一部がウエハWの下面や下部洗浄ノズル29の先端部に液滴状に残留してしまう。しかも、ウエハの下面中央部と下面周縁部とでは基板回転に伴う遠心力の作用が相違しており、ウエハの下面中央部に付着する液滴は比較的大きいサイズを有し、これらの液滴に対しては比較的小さな遠心力しか作用しないため、残留液滴のうちウエハWの下面中央部やノズル先端部に比較的大きな液滴が残留し、これらの残留液滴Lがウォータマークやパーティクルの発生要因のひとつとなってしまう。
Here, since the rinsing process is performed while rotating the wafer W, most of the rinsing liquid is spun off from the wafer W. However, a part of the rinsing liquid drops on the lower surface of the wafer W or the tip of the
また、下部洗浄ノズル29や処理液供給部43の内部にも液滴Lが残留している。このようにノズル29や処理液供給部43の内部にリンス液の液滴Lが残留していると、次のウエハWを薬液処理する際に処理液供給部43を介して薬液を下部洗浄ノズル29から吐出させる際に、薬液とともにリンス液の液滴が吐出されてしまい、これを回収すると薬液濃度が変化してエッチングレートの変動を起こしてしまう。そのため、薬液のみを回収してランニングコストを低下させたいという要望があるにもかかわらず、薬液を当初から回収することができず、薬液回収率を低下させることとなる(図6(a)参照)。
Further, the droplets L remain inside the
そこで、液溜り形成処理(第2工程)および液溜り除去処理(第3工程)を実行することで上記液滴Lを除去している。より具体的には、ステップS3で制御部17は本発明の「第2処理液」および「ノズル洗浄液」としてのDIWの流量およびウエハ回転数を液溜りの形成に適した条件に設定する。ここで、DIWの流量と回転数とを例えば以下のように設定することができる、
DIWの流量:1000cm3/min以下
ウエハ回転数:200rpm以下
また、
DIWの流量:400cm3/min以下
ウエハ回転数:0〜50rpm
に設定するのがより好ましい。
Therefore, the droplet L is removed by executing a liquid pool forming process (second process) and a liquid pool removing process (third process). More specifically, in step S3, the
DIW flow rate: 1000 cm 3 / min or less Wafer rotation speed: 200 rpm or less
DIW flow rate: 400 cm 3 / min or less Wafer rotation speed: 0 to 50 rpm
It is more preferable to set to.
このような条件下で、導入弁49により流量調整されたDIWが第2のDIW供給源57から処理液供給部43へ注入され、下部洗浄ノズル29の吐出口30bからウエハWの下面に向けて吐出される。また、モータ3を回転制御してウエハWを液溜り形成に適したウエハ回転数に設定することで、ウエハWの下面と遮断部材30の上面30aの全面との間でノズル洗浄液(DIW)の液溜りPを形成する(ステップS3)。
Under such conditions, DIW whose flow rate has been adjusted by the
このようなノズル洗浄液の流量およびウエハ回転数を設定することで液溜りP(図6(b))が形成されてリンス処理(第1工程)直後にウエハWの下面中央部およびノズル29の先端部に残留する液滴Lが該液溜りPに取り込まれる。また、遮断部材30の上面30aの全面にノズル洗浄液としてDIWが供給されてノズル洗浄が確実に行われる。なお、液溜りPが形成された後も所定時間だけ上記設定条件を維持してノズル洗浄を確実に行うようにしてもよいし、液溜りPが形成された直後に次の液溜り除去を行うようにしてもよい。
By setting the flow rate of the nozzle cleaning liquid and the number of rotations of the wafer, a liquid pool P (FIG. 6B) is formed, and immediately after the rinsing process (first step), the center of the lower surface of the wafer W and the tip of the
次のステップS4では、制御部17は導入弁49を閉止して下部洗浄ノズル29へのDIWの供給を停止するとともに、その停止状態で開閉弁86を閉止した状態で開閉弁81を開く(図6(c))。これによって下部洗浄ノズル29や処理液供給部43の内部の液体成分および液溜りPが吐出口30bより、ニードル弁84を介装した主配管82aとニードル弁85を介装した分岐配管82bとを介して吸引され、ウエハWの下面中央部と遮断部材30の上面30aの全面との間に存在していた液溜りPが除去される。ここで、ニードル弁85は第1の流量FV1に比べて小さな第2の流量FV2に調整されているので液溜りPの吸引速度はニードル弁85によって律速され、液溜りPは比較的低速に設定された第1速度V1で吸引される。
In the next step S4, the
このとき、吸引速度が高速に設定されると、吸引処理中に液溜りPの一部が分離し、部分的に残存する可能性があるため、液溜りPの液体成分を考慮して第1速度V1を設定するのが望ましい。すなわち、液溜りPの吸引速度が速すぎると、液の表面張力(液体の凝集力)で液滴の塊として液を吸引していくという動作をさせているために、液の表面張力よりも大きな吸引圧となるような吸引速度で動作させると、液滴の塊としての液溜りPが崩れ、ウエハWの下面や下部洗浄ノズル29に液滴が残ってしまう。したがって、吸引処理の前半における液溜りPの吸引速度、つまり第1速度は液の表面張力以下の吸引圧となるような吸引速度とする必要がある。なお、このような液の表面張力と吸引圧とがほぼ同一となる吸引速度については、ウエハWの膜種ならびに遮断部材30の材質、遮断部材30の平面サイズDおよびリンス液(第1処理液)やノズル洗浄液(第2処理液)の種類などの要因により相互に異なるものであるが、実験あるいはこれらの要因に基づく数値解析によって求めることができる。
At this time, if the suction speed is set to a high speed, a part of the liquid pool P may be separated during the suction process and may partially remain. It is desirable to set the speed V1. That is, when the suction speed of the liquid reservoir P is too high, the liquid is attracted as a lump of droplets by the liquid surface tension (liquid cohesive force). When the operation is performed at a suction speed that results in a large suction pressure, the liquid pool P as a lump of liquid droplets collapses, and the liquid droplets remain on the lower surface of the wafer W and the
また、この実施形態では、吸引配管82内は先のリンス処理の間にDIWによって満たされているので、吸引初期段階において次のような理由から低速に安定した速度で吸引させることができる。すなわち、吸引配管82内が気体であると、開閉弁81を開放した途端に吸引配管82内の気体が圧縮され体積変化を起こして液溜りPが急激な速度で吸引されてしまう。その結果、吸引開始時の液溜りPの吸引速度が速くなりすぎて、ウエハWの下面や遮断部材30の上面30aに液滴が残留することとなる。しかしながら、この実施形態では、吸引開始時に吸引配管82内は液体(DIW)によって満たされており、気体と違って吸引配管82内の液体は圧縮によってほとんど体積変化を起こすことがない。そのため、吸引初期段階において液溜りPが急激な速度で吸引されることがなく、吸引速度を低速に安定した状態で液溜りPを吸引することができる。その結果、液溜りPが分離してウエハWの下面や遮断部材30の上面30aに液滴が残留するのが防止される。
Further, in this embodiment, since the inside of the
また、この実施形態では、ニードル弁84,85で吸引配管82内を流れる流体の流量を調整することにより液溜りPの吸引速度を設定している。ここで、ニードル弁84,85のニードル部分、つまり流体の流路を狭めることによって流量を調整する部分に液体と気体とが混在して流れると、液溜りの吸引速度が乱れ安定させることができなくなる。しかしながら、この実施形態では、図8に示すように、リンス処理中に吸引配管82内をDIWで満たすことで、吸引開始時にはニードル弁84,85のニードル部分NP(流体通過部分)は液体(DIW)で満たされている。そのため、吸引初期段階においてニードル弁84,85を通過する流体が液体のみになるために、当該ニードル部分NPに気体と液体(液滴)が混在して通過することがなく、液溜りPの吸引速度が乱れるようなことがない。その結果、吸引初期段階において液溜りPの吸引速度を安定させることができる。
Further, in this embodiment, the suction speed of the liquid reservoir P is set by adjusting the flow rate of the fluid flowing through the
このように吸引除去の初期段階においては、低速度(第1速度V1)で安定した吸引速度で液溜りPを吸引することにより液溜りPの一部が分離してウエハWの下面や遮断部材30の上面30aに残存するのを確実に防止することができる。
As described above, in the initial stage of the suction removal, by sucking the liquid pool P at a low speed (first speed V1) and at a stable suction speed, a part of the liquid pool P is separated and the lower surface of the wafer W or the blocking member. It is possible to reliably prevent the remaining on the
続いて、ウエハWの下面と遮断部材30の上面30aとから液溜りPが吸引されノズル本体29a内部に取り込まれると、図1に示す開閉弁19により適宜の流量に調整した不活性ガスを気体供給源21から気体供給路18を通ってウエハWの上面へ向けて供給するとともに、開閉弁63を開放し、さらに流量調節弁65により適宜の流量に調整した不活性ガスを気体供給源67から気体供給路59を通って、気体噴出口61からウエハWの下面へ向けて供給する。そして、モータ3の回転を第1の回転数からさらに高速の回転数に設定する。これにより、ウエハWは第1の回転数よりも高速で回転されながら、不活性ガスがウエハWの上下面へ供給され、ウエハWの乾燥処理が行われる(ステップS5−1)。
Subsequently, when the liquid pool P is sucked from the lower surface of the wafer W and the
また、ウエハWの下面と遮断部材30の上面30aとから液溜りPが吸引されノズル本体29a内部に取り込まれると、制御部17は開閉弁86を開放する。これにより、ノズル本体29a内部に取り込まれた液溜りは、ニードル弁84とオープン状態とされた開閉弁86が介装された分岐配管82cとを介して吸引される(ステップS5−2)。つまり、液溜りPの吸引速度はニードル弁84によって律速された第1速度V1よりも高速の第2速度V2に切り換えられる(図7(a))。ノズル配管内を吸引する際には、液溜りPの分離を考慮する必要がないため、このように処理の途中より吸引速度を高めることで吸引処理にかかる時間を短縮してスループットの向上を図っている。そして、それ以降、高速度(第2速度V2)で吸引処理が実行される(図7(b))。なお、制御部17は、所定時間経過後、開閉弁81を閉止して吐出口30bからの吸引を停止させる。
Further, when the liquid pool P is sucked from the lower surface of the wafer W and the
このように、吸引処理の後半において吸引速度を高めているのでウエハWの乾燥処理中に吸引処理を完了させることができる。そして、ステップS5−1の乾燥処理が終了した後、制御部17はモータ3の駆動停止をモータ3に出力してウエハWの回転も停止する(図7(c))。これにより、一連の洗浄処理、リンス処理、液溜り形成処理、液溜り除去処理及び乾燥処理の動作が完了する。
Thus, since the suction speed is increased in the second half of the suction process, the suction process can be completed during the drying process of the wafer W. Then, after the drying process in step S5-1 is completed, the
以上のように、この実施形態によれば、リンス処理が行われている間に吸引配管82にDIWを供給することで、液溜りPの吸引開始時には吸引配管82内を液体(DIW)で満たした状態としている。液体は気体と比較して圧縮によってほとんど体積変化を起こすことがないため、吸引初期段階において液溜りPが急激な速度で吸引されるということがない。これにより、吸引初期段階において液溜りPの吸引速度を安定させることができる。
As described above, according to this embodiment, by supplying DIW to the
また、リンス処理の間にニードル弁84,85のニードル部分NP(流体通過部分)が液体(DIW)で満たされることより、吸引初期段階においてニードル弁84,85を通過する流体が液体のみになる。そのため、ニードル部分NPに気体と液体(液滴)が混在して通過することによって液溜りPの吸引速度が乱れるということがない。これにより、吸引初期段階において液溜りPの吸引速度を安定させることができる。
Further, since the needle portion NP (fluid passage portion) of the
このように、吸引初期段階における液溜りPの吸引速度を安定させることができるので、下部洗浄ノズル29や処理液供給部43にリンス液の液滴が残るのを防止することができる。その結果、薬液吐出の際にリンス液の液滴が吐出されるのが防止され、薬液回収率を向上させて薬液消費量を低減することができる。また、下部洗浄ノズル29付近に液滴が残るのが防止されることで、スピン乾燥時にウォータマークの発生やパーティクルの付着などを効果的に抑制することができる。
In this way, the suction speed of the liquid reservoir P in the initial suction stage can be stabilized, so that it is possible to prevent rinsing liquid droplets from remaining in the
また、この実施形態によれば、液溜りPの吸引速度を2段階に加速させながら吸引しているので、下部洗浄ノズル29や処理液供給部43に液滴が残るのを防止しながらも、スピン乾燥処理中に吸引処理を完了させることができ、スループットを向上させることができる。すなわち、ウエハWの下面中央部と遮断部材30の上面30aとの間から液溜りPを除去する間は比較的ゆっくりと吸引することでウエハWの下面中央部と遮断部材30の上面30aに液滴が残留するのを防止する一方で、ノズル本体29a内部に取り込まれた後は液溜りPの分離が問題とならない範囲で吸引速度を高めることで液溜りPの除去に要する時間を短縮してスループットを向上させることができる。
Further, according to this embodiment, since the suction is performed while accelerating the suction speed of the liquid reservoir P in two stages, it is possible to prevent droplets from remaining in the
ここで、スループットについて着目すると、本実施形態では次のような作用効果が期待できる。すなわち、液滴の吸引速度を一定にするのが困難であった従来装置では、ノズルや処理液供給部に液滴が残るのを防止するために、レシピ上の吸引時間を長めに設定していた。というのも、従来装置では、液滴の残留を防止するために、吸引速度の変動を見込んで吸引速度がよりゆっくりとなるように流量調整弁を設定させざるを得なかった。その結果、ノズルや処理液供給部の配管内に付着する液滴をすべて吸引するために、吸引時間を長めに設定せざるを得なかった。これに対し、本実施形態では、吸引速度を安定させることができるため、液滴の残留が防止できるほどに吸引速度を比較的高速に設定することが可能となっている。その結果、吸引時間を短めに設定することができ、スループットを向上させる上で本実施形態は非常に有効なものとなっている。 Here, when attention is paid to the throughput, the following effects can be expected in this embodiment. That is, in the conventional apparatus in which it is difficult to make the suction speed of the droplets constant, the suction time on the recipe is set longer in order to prevent the droplets from remaining in the nozzle and the processing liquid supply unit. It was. This is because in the conventional apparatus, in order to prevent the remaining of the droplets, the flow rate adjustment valve has to be set so that the suction speed becomes slower in consideration of fluctuations in the suction speed. As a result, in order to suck all the liquid droplets adhering to the nozzle and the pipe of the processing liquid supply unit, it is necessary to set the suction time longer. On the other hand, in this embodiment, since the suction speed can be stabilized, it is possible to set the suction speed relatively high enough to prevent droplets from remaining. As a result, the suction time can be set short, and this embodiment is very effective in improving the throughput.
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記実施形態では、第1処理液によるリンス処理(第1工程)の間に吸引配管82に第1処理液を供給することで該吸引配管82内を液体(第1処理液)で満たしているが、第2処理液による液溜りの形成(第2工程)の際に、吸引配管82に第2処理液を供給することで該吸引配管82内を液体(第2処理液)で満たすようにしてもよい。要は、吸引開始時点において吸引配管82内が液体で満たされるようにすればよい。
The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications other than those described above can be made without departing from the spirit of the present invention. For example, in the above embodiment, the
また、上記実施形態では、第1処理液および第2処理液としてDIWを用いて、DIWを吸引配管82に供給して該吸引配管82内をDIWにより満たしているが、第1処理液および第2処理液の種類については任意である。したがって、液溜りを形成するために用いる第2処理液は第1処理液と同一成分である必要はないが、残留液滴Lを液溜りPに確実に取り込むためには、リンス処理によりウエハWの下面やノズル先端部に付着しているリンス液(第1処理液)と相溶性を有する液体を用いるのが望ましく、上記実施形態では同一のリンス液を第2処理液として用いている。このため、残留液滴Lを取り込んで液溜りPを良好に形成することができる。また、リンス処理に用いる液体、液溜りを形成する液体および吸引配管82を満たす液体の種類を切り換える必要がないため、液体の導入をスムーズに行うことができ、スループットを向上させることができるとともに、制御も容易なものとなる。なお、リンス液はノズルや配管等の洗浄作用も有するため、上記実施形態では残留液滴Lの除去と同時にノズルや配管等の洗浄が実行されている。したがって、ノズルや配管等を清浄な状態に保ちながらも、スループットの低減を防止することなく、洗浄処理から乾燥処理までの一連の基板処理を良好に行うことができる。
In the above embodiment, DIW is used as the first processing liquid and the second processing liquid, and DIW is supplied to the
また、上記実施形態では、ノズル先端部においてウエハWの下面と対向する対向面(遮断部材30の上面30a)を有するノズル、いわゆる傘型ノズルからウエハWの下面中央部にウエハ洗浄液、リンス液やノズル洗浄液などを吐出する基板処理装置に対して本発明を適用している。しかしながら、本発明の適用対象はこれに限定されるものではなく、任意のノズル形態の基板処理装置に対して本発明を適用できる。例えば上記実施形態では、遮断部材の上面がウエハの下面に平行して対向しているが、略中央部の吐出口に向かってすり鉢状に下方に向かって傾斜していてもよい。こうすることで液溜りの吸引除去がよりスムーズとなる。
Further, in the above embodiment, a nozzle having a facing surface (the
また、上記実施形態では、リンス処理後に液溜りPを形成して該液溜りPを吸引除去するようにしているが、液溜りPの形成は必須でなく、リンス処理後にノズルや該ノズルに接続された処理液供給部(供給手段)に残留付着するリンス液の液滴を吸引するようにしてもよい。この場合においても、リンス処理中に吸引配管82内に処理液供給部に供給されているリンス液(第1処理液)の一部を吸引配管82内に導くことで、液滴の吸引開始時点において吸引配管82内を液体(第1処理液)で満たされた状態とすることができる。そのため、吸引初期段階において液滴の吸引速度を安定させることができ、ノズルや処理液供給部に液滴が残るのを防止することができる。
Further, in the above embodiment, the liquid pool P is formed after the rinsing process and the liquid pool P is removed by suction. However, the formation of the liquid pool P is not essential and is connected to the nozzle and the nozzle after the rinsing process. Alternatively, the rinse liquid droplet remaining and adhering to the treated liquid supply section (supply means) may be sucked. Also in this case, a part of the rinsing liquid (first processing liquid) supplied to the processing liquid supply unit in the
また、上記実施形態では、液溜り(液滴)の吸引速度を第1速度から第2速度に2段階に加速させるようにしているが、液溜り(液滴)の吸引速度については第1速度のまま一定に維持するようにしてもよいし、第1速度から第2速度を含む多段階に吸引速度を段階的に加速させたり、第1速度から第2速度を含むかたちで連続的に吸引速度を加速させるようにしてもよい。 In the above embodiment, the suction speed of the liquid pool (droplet) is accelerated in two stages from the first speed to the second speed. However, the suction speed of the liquid pool (droplet) is the first speed. The suction speed may be kept constant, or the suction speed may be gradually increased from the first speed to the second speed including the second speed, or continuously from the first speed to the second speed. The speed may be accelerated.
以上のように、この実施形態では、基板の一種であるウエハWの上下面を洗浄する基板処理装置に対して本発明を適用している。しかしながら、本発明の適用対象はこれに限定されるものではなく、ノズルが基板の下面から離間配置されノズルから基板の下面に向けて第1処理液を吐出することで第1処理液によるリンス処理を行う基板処理装置、ノズルが基板の上面から離間配置されノズルから基板の上面に向けて第1処理液を吐出することで第1処理液によるリンス処理を行う基板処理装置、あるいはノズルが基板の側面から離間配置されノズルから基板の上面および/または下面に向けて第1処理液を吐出することで第1処理液によるリンス処理を行う基板処理装置など、ノズルから基板に向けて第1処理液を吐出することで第1処理液によるリンス処理を行う基板処理装置全般に適用可能である。 As described above, in this embodiment, the present invention is applied to the substrate processing apparatus that cleans the upper and lower surfaces of the wafer W, which is a kind of substrate. However, the application target of the present invention is not limited to this, and the nozzle is spaced from the lower surface of the substrate, and the first processing liquid is discharged from the nozzle toward the lower surface of the substrate, thereby rinsing with the first processing liquid. A substrate processing apparatus that performs a rinsing process with a first processing liquid by discharging a first processing liquid from the nozzle toward the upper surface of the substrate, or a nozzle that is disposed on the substrate. First processing liquid from nozzle to substrate, such as a substrate processing apparatus that performs a rinsing process with the first processing liquid by discharging the first processing liquid from the nozzle toward the upper surface and / or lower surface of the substrate. Can be applied to all substrate processing apparatuses that perform a rinsing process using a first processing liquid.
29…下部洗浄ノズル
43…処理液供給部(供給手段)
82…吸引配管(吸引経路)
83…コンバム(吸引手段)
84,85…ニードル弁(流量調整弁)
L…(残留)液滴
P…液溜り
V1…第1速度
V2…第2速度
W…ウエハ(基板)
29 ...
82 ... Suction piping (suction path)
83 ... Combum (suction means)
84, 85 ... Needle valve (flow adjustment valve)
L ... (residual) droplet P ... Liquid reservoir V1 ... First speed V2 ... Second speed W ... Wafer (substrate)
Claims (9)
その一方端が前記供給手段に接続された吸引経路に沿って、前記ノズルと前記供給手段とに残留付着する前記第1処理液の液滴を吸引して前記ノズルと前記供給手段とから前記第1処理液の液滴を除去する吸引工程と
を備え、
前記リンス工程の間に前記第1処理液を前記供給手段を介して前記吸引経路に供給することで前記吸引経路を前記第1処理液で満たすことを特徴とする基板処理方法。 The first processing liquid is supplied to the nozzle through a supply means connected to the nozzle, so that the first processing liquid is discharged from the nozzle toward the substrate, and the substrate is rinsed by the first processing liquid. A rinsing step for performing the treatment;
A liquid droplet of the first treatment liquid remaining on and adhering to the nozzle and the supply means is sucked along a suction path connected at one end to the supply means, and the first treatment liquid is sucked from the nozzle and the supply means. A suction step for removing one treatment liquid droplet,
A substrate processing method, wherein the suction path is filled with the first processing liquid by supplying the first processing liquid to the suction path via the supply means during the rinsing step.
前記第1工程後に前記供給手段を介して前記ノズルに第2処理液を供給することで前記ノズル先端部より前記基板の下面に向けて前記第2処理液を吐出させて前記基板の下面中央部と前記ノズル先端部との間に液溜りを形成する第2工程と、
その一方端が前記供給手段に接続された吸引経路に沿って、前記液溜りを前記ノズル先端部より吸引して前記基板の下面中央部と前記ノズル先端部との間から前記液溜りを除去する第3工程と
を備え、
前記第3工程前に前記第1処理液および前記第2処理液のいずれか一方の処理液を前記供給手段を介して前記吸引経路に供給することで前記吸引経路を該処理液で満たすことを特徴とする基板処理方法。 A first processing liquid is supplied to the nozzle through a supply means connected to a nozzle arranged away from the lower surface of the substrate while rotating the substrate, so that the tip of the nozzle faces the lower surface of the substrate. A first step of discharging the first processing liquid and supplying the first processing liquid to the entire lower surface of the substrate;
After the first step, the second processing liquid is supplied to the nozzle through the supply means, so that the second processing liquid is discharged from the tip of the nozzle toward the lower surface of the substrate, so that the central portion on the lower surface of the substrate. And a second step of forming a liquid pool between the nozzle tip and the nozzle tip,
The liquid reservoir is removed from between the central portion of the lower surface of the substrate and the nozzle tip portion by sucking the liquid reservoir from the nozzle tip portion along a suction path connected at one end to the supply means. A third step,
Filling the suction path with the processing liquid by supplying one of the first processing liquid and the second processing liquid to the suction path via the supply means before the third step. A substrate processing method.
前記ノズルに接続され前記第1処理液を前記ノズルに導くことで前記ノズルから前記第1処理液を吐出させる供給手段と、
その一方端が前記供給手段に接続された吸引経路に沿って前記リンス処理後に前記ノズルと前記供給手段とに残留付着する前記第1処理液の液滴を吸引して前記ノズルと前記供給手段とから除去する吸引手段と
を備え、
前記リンス処理が実行される間、前記供給手段を介して前記第1処理液を前記吸引経路に供給することで前記吸引経路を前記第1処理液で満たすことを特徴とする基板処理装置。 In the substrate processing apparatus for performing a rinsing process with the first processing liquid on the substrate by discharging the first processing liquid from the nozzle toward the substrate,
A supply means connected to the nozzle for discharging the first processing liquid from the nozzle by guiding the first processing liquid to the nozzle;
The nozzle and the supply unit are configured to suck a droplet of the first processing liquid that adheres to the nozzle and the supply unit after the rinsing process along a suction path connected at one end to the supply unit. A suction means for removing from,
A substrate processing apparatus, wherein the suction path is filled with the first processing liquid by supplying the first processing liquid to the suction path via the supply means while the rinsing process is performed.
第2処理液を前記ノズルに導くことで前記リンス処理を受けた基板の下面に向けて前記ノズル先端部より前記第2処理液を吐出させて前記基板の下面中央部と前記ノズル先端部との間に液溜りを形成する供給手段と、
その一方端が前記供給手段に接続された吸引経路に沿って前記液溜りを前記ノズル先端部より吸引して前記基板の下面中央部と前記ノズル先端部との間から前記液溜りを除去する吸引手段と
を備え、
前記液溜りの吸引動作前に、前記供給手段を介して前記第1処理液および前記第2処理液のいずれか一方の処理液を前記吸引経路に供給することで前記吸引経路を該処理液で満たすことを特徴とする基板処理装置。 While rotating the substrate, the first processing liquid is discharged from the tip portion of the nozzle disposed away from the lower surface of the substrate toward the lower surface central portion of the substrate, and the first processing is performed on the entire lower surface of the substrate. In a substrate processing apparatus for rinsing with a liquid,
By guiding the second processing liquid to the nozzle, the second processing liquid is discharged from the nozzle tip toward the lower surface of the substrate that has undergone the rinsing process, so that the center of the lower surface of the substrate and the tip of the nozzle A supply means for forming a liquid pool therebetween;
Suction that removes the liquid reservoir from between the center of the bottom surface of the substrate and the nozzle tip by sucking the liquid reservoir from the nozzle tip along a suction path connected at one end to the supply means. Means and
Before the suction operation of the liquid reservoir, the processing liquid is supplied to the suction path by supplying one of the first processing liquid and the second processing liquid to the suction path through the supply unit. A substrate processing apparatus characterized by satisfying.
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