JP2006262259A - Signal converting device and communication device for etc - Google Patents

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Takeshi Kondou
丈詞 近藤
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a signal converting device for performing DA conversion of a digital signal to an analog signal, and a communication device for ETC (ETC vehicle mounted device) using the signal converting device at low cost, wherein the analog signal is a sine wave having the same amplitude in a plus side and a minus side from an offset voltage. <P>SOLUTION: The ETC vehicle mounted device 10 is constituted by a DSRC control LSI 11, a signal converter 12, an RF circuit 53, and an antenna 54. The LSI 11 produces 4-bit digital signals D0 to D3. The LSI 11 comprises a MAC circuit 61 and a RAM 21 therein. The circuit 61 produces the digital signals and applies ASK. The RAM 21 is set a conversion table for correcting distortion of the RF circuit 53, and produces the digital signals D0 to D3. The signal converter 12 is constituted by each of reference voltage generating circuits 22, 23, and a 4-bit DA converter 24. Each of the circuits 22, 23 produces reference voltages VH, VL based on control signals SH, SL. The DA converter 24 is designed to perform the DA conversion of the digital signals D0 tol D3, and to produce an analog signal Vout which is the sine wave to be varied its voltage value between each of the reference voltages VH, VL. The RF circuit 53 is designed to convert the analog signal Vout to a high frequency signal, and to transmit from the antenna 54. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は信号変換装置およびETC用通信装置に係り、詳しくは、デジタル信号をアナログ信号にDA変換し、そのアナログ信号は、オフセット電圧からプラス側およびマイナス側に同一の振幅電圧をとるサイン波である信号変換装置と、その信号変換装置を用いたETC用通信装置とに関するものである。   The present invention relates to a signal conversion device and an ETC communication device. Specifically, a digital signal is DA-converted into an analog signal, and the analog signal is a sine wave having the same amplitude voltage from the offset voltage to the plus side and the minus side. The present invention relates to a signal conversion device and an ETC communication device using the signal conversion device.

近年、ETC(Electronic Toll Collection system)の普及がすすめられている。
ETCは、自動車が高速道路の料金所や検札所の通過をスムーズに行うために自動で料金を精算するシステムであり、料金所や検札所のゲートに設置されたアンテナと自動車に搭載されたETC用通信装置(一般に「ETC車載器」と呼ばれる)との間で通行料金に関する情報などを無線通信により交信し、その通行料金を自動車の所有者が登録した銀行口座から後日引き落とすことにより、料金所や検札所を自動車がノンストップで通行可能にするものである。
In recent years, the spread of ETC (Electronic Toll Collection system) has been promoted.
The ETC is a system that automatically settles charges so that cars can pass through toll gates and checkpoints on highways smoothly. The antennas installed at the gates of tollgates and checkpoints and the ETC installed in the cars By communicating wirelessly with information related to tolls, etc., with a communication device for communication (generally called “ETC OBE”), and then debiting the toll from the bank account registered by the car owner at a later date And the checkpoint can be passed non-stop by a car.

図6は、従来のETC車載器50の要部概略構成を示すブロック回路図である。
ETC車載器50は、DSRC制御用LSI51、10bitのDA変換器52、RF回路53、アンテナ54などから構成されている。
FIG. 6 is a block circuit diagram showing a schematic configuration of a main part of a conventional ETC vehicle-mounted device 50.
The ETC vehicle-mounted device 50 includes a DSRC control LSI 51, a 10-bit DA converter 52, an RF circuit 53, an antenna 54, and the like.

DSRC(Dedicated Short Range Communication:狭帯域通信方式)制御用LSI(Large Scale Integration)51は、10bitのデジタル信号(デジタルデータ)d0〜d9を生成し、そのデジタル信号d0〜d9をDA変換器52へ出力する。
DA(Digital-to-Analog)変換器52は、DSRC制御用LSI51の生成した10bitのデジタル信号d0〜d9をDA変換してアナログ信号Voutを生成し、そのアナログ信号VoutをRF回路53へ出力する。
RF(Radio Frequency:高周波)回路53は、アナログ信号Voutを高周波信号に変換し、その高周波信号をアンテナ54から送信する。
A DSRC (Dedicated Short Range Communication) control LSI (Large Scale Integration) 51 generates 10-bit digital signals (digital data) d0 to d9, and the digital signals d0 to d9 are sent to the DA converter 52. Output.
A DA (Digital-to-Analog) converter 52 DA-converts the 10-bit digital signals d0 to d9 generated by the DSRC control LSI 51 to generate an analog signal Vout, and outputs the analog signal Vout to the RF circuit 53. .
An RF (Radio Frequency: high frequency) circuit 53 converts the analog signal Vout into a high frequency signal and transmits the high frequency signal from the antenna 54.

DSRC制御用LSI51内には、MAC回路61およびRAM62が備えられている。
MAC(Media Accesss Control)回路61は、データの送受信単位であるフレームの送受信方法、フレームの形式、誤り検出方法などを規定してデジタル信号を生成し、そのデジタル信号にASK(Amplitude Shift Keying:振幅偏移変調)をかける。
In the DSRC control LSI 51, a MAC circuit 61 and a RAM 62 are provided.
A MAC (Media Access Control) circuit 61 generates a digital signal by defining a frame transmission / reception method, a frame format, an error detection method, etc., which is a data transmission / reception unit, and generates an ASK (Amplitude Shift Keying: amplitude) on the digital signal. (Shift modulation).

RAM(Random Access Memory)62には、RF回路53の特性の製品バラツキを補正して吸収するための変換テーブル(ルックアップテーブル)が設定されている。RAM62は、変換テーブルに基づいてMAC回路61の生成したデジタル信号を変換して補正することにより、10bitのデジタル信号d0〜d9を生成する。
そして、10bitのデジタル信号d0〜d9は、DSRC制御用LSI51に設けられた10個の出力端子(出力ピン)p0〜p9からそれぞれ出力される。
In a RAM (Random Access Memory) 62, a conversion table (lookup table) for correcting and absorbing product variations in the characteristics of the RF circuit 53 is set. The RAM 62 generates 10-bit digital signals d0 to d9 by converting and correcting the digital signal generated by the MAC circuit 61 based on the conversion table.
The 10-bit digital signals d0 to d9 are respectively output from ten output terminals (output pins) p0 to p9 provided in the DSRC control LSI 51.

図7は、DA変換器52からRF回路53へ出力されるアナログ信号Voutを示す特性図である。
アナログ信号Voutは、オフセット電圧Voffを中心電圧とし、その中心電圧からプラス側およびマイナス側に同一の振幅電圧Vaをとるサイン波である。
ここで、アナログ信号Voutのオフセット電圧Voffおよび振幅電圧Vaは、RF回路53の特性の製品バラツキを補正可能な値に設定されている。
また、アナログ信号Voutには、RF回路53の歪みを打ち消して補正するための歪み成分(図示略)が含ませてある。
FIG. 7 is a characteristic diagram showing the analog signal Vout output from the DA converter 52 to the RF circuit 53.
The analog signal Vout is a sine wave having the offset voltage Voff as the center voltage and the same amplitude voltage Va from the center voltage to the plus side and the minus side.
Here, the offset voltage Voff and the amplitude voltage Va of the analog signal Vout are set to values that can correct the product variation in the characteristics of the RF circuit 53.
The analog signal Vout includes a distortion component (not shown) for canceling and correcting the distortion of the RF circuit 53.

ETC車載器50を製造する際には、ETC車載器50の構成部材(DSRC制御用LSI51、DA変換器52、RF回路53、アンテナ54)を組み立てた後に動作試験を行い、アンテナ54から所望の高周波信号が送信されるように、RAM62の変換テーブルの最適な状態をカット・アンド・トライで実験的に見つけて設定する。   When manufacturing the ETC vehicle-mounted device 50, an operation test is performed after assembling the constituent members of the ETC vehicle-mounted device 50 (DSRC control LSI 51, DA converter 52, RF circuit 53, and antenna 54). The optimum state of the conversion table in the RAM 62 is experimentally found and set by cut-and-try so that a high-frequency signal is transmitted.

つまり、RF回路53の特性には製品バラツキがあるため、MAC回路61の生成したデジタル信号をそのままDA変換器52でDA変換してアナログ信号Voutを生成した場合には、アンテナ54から送信される高周波信号にもRF回路53の製品バラツキの影響が表れることになり、所望の高周波信号を送信できない。
そこで、MAC回路61の生成したデジタル信号を変換するRAM62を設け、そのRAM62の変換テーブルを適宜設定することにより、RF回路53の特性の製品バラツキが補正されて吸収されるように、DA変換器52から出力されるアナログ信号Voutのオフセット電圧Voff,振幅電圧Va,歪みを調節するわけである。
That is, since there is a product variation in the characteristics of the RF circuit 53, when the digital signal generated by the MAC circuit 61 is directly DA-converted by the DA converter 52 to generate the analog signal Vout, it is transmitted from the antenna 54. The influence of product variations of the RF circuit 53 also appears in the high-frequency signal, and a desired high-frequency signal cannot be transmitted.
Thus, a RAM 62 for converting the digital signal generated by the MAC circuit 61 is provided, and by appropriately setting a conversion table of the RAM 62, a DA converter is provided so that product variations in the characteristics of the RF circuit 53 are corrected and absorbed. The offset voltage Voff, amplitude voltage Va, and distortion of the analog signal Vout output from 52 are adjusted.

ところで、DSRC制御用LSI51は10bitのデジタル信号d0〜d9を生成しているが、これは、ETCの確実な無線通信を行うための高周波信号を生成するのに必要なアナログ信号Voutを得るのに、少なくとも10bit以上の高精度なデジタル信号が要求されるためである。
そして、10bitのデジタル信号d0〜d9をアナログ信号Voutに変換するDA変換器52には、例えば、特許文献1に開示されているような高精度なDA変換器を用いる必要がある。
特開平5−191280号公報(第2〜5頁 図1〜図5)
By the way, the DSRC control LSI 51 generates 10-bit digital signals d0 to d9, which is used to obtain an analog signal Vout necessary for generating a high-frequency signal for reliable ETC wireless communication. This is because a high-precision digital signal of at least 10 bits or more is required.
For the DA converter 52 that converts the 10-bit digital signals d0 to d9 into the analog signal Vout, it is necessary to use a high-precision DA converter as disclosed in Patent Document 1, for example.
Japanese Patent Laid-Open No. 5-191280 (pages 2 to 5 and FIGS. 1 to 5)

従来のETC車載器50には以下の問題があり、その結果、ETC車載器50の製造コストが増大することになる。   The conventional ETC vehicle-mounted device 50 has the following problems. As a result, the manufacturing cost of the ETC vehicle-mounted device 50 increases.

[1]DA変換器52は、10bitのデジタル信号d0〜d9をアナログ信号Voutに変換する。このような高精度なDA変換器52は、例えば特許文献1に開示されたDA変換器のように、構成が複雑で高価である。   [1] The DA converter 52 converts the 10-bit digital signals d0 to d9 into the analog signal Vout. Such a high-accuracy DA converter 52 has a complicated structure and is expensive like the DA converter disclosed in Patent Document 1, for example.

[2]10bitのデジタル信号d0〜d9を生成するDSRC制御用LSI51は、10個の出力端子p0〜p9を設ける必要がある。そのため、DSRC制御用LSI51は、出力端子p0〜p9の分だけパッケージの外形寸法が大きくなることに加えて製造コストが増大する。   [2] The DSRC control LSI 51 that generates the 10-bit digital signals d0 to d9 needs to have ten output terminals p0 to p9. For this reason, the DSRC control LSI 51 increases the manufacturing cost in addition to the increase in the outer dimensions of the package by the output terminals p0 to p9.

[3]RAM62には、RF回路53の特性の製品バラツキを補正して吸収することを目的に、DA変換器52から出力されるアナログ信号Voutのオフセット電圧Voff,振幅電圧Va,歪みの3つの要素を調節するための変換テーブルが設けてある。そのため、RAM62には大きな記憶容量が必要であり、このような記憶容量の大きなRAMは高価である。   [3] In the RAM 62, for the purpose of correcting and absorbing the product variation in the characteristics of the RF circuit 53, the offset voltage Voff, the amplitude voltage Va, and the distortion of the analog signal Vout output from the DA converter 52 are stored. A conversion table for adjusting the elements is provided. For this reason, the RAM 62 requires a large storage capacity, and such a large storage capacity RAM is expensive.

本発明は上記問題を解決するためになされたものであって、以下の目的を有するものである。
(1)デジタル信号をアナログ信号にDA変換し、そのアナログ信号は、オフセット電圧からプラス側およびマイナス側に同一の振幅電圧をとるサイン波である信号変換装置を低コストに提供する。
(2)前記(1)の信号変換装置を用いたETC用通信装置(ETC車載器)を低コストに提供する。
The present invention has been made to solve the above-described problems, and has the following objects.
(1) DA conversion of a digital signal into an analog signal, and the analog signal provides a signal conversion device that is a sine wave having the same amplitude voltage from the offset voltage to the plus side and the minus side at a low cost.
(2) To provide an ETC communication device (ETC vehicle-mounted device) using the signal conversion device of (1) at a low cost.

係る目的を達成するためになされた請求項1に記載の発明は、
デジタル信号(D0〜D3)をアナログ信号(Vout)にDA変換し、そのアナログ信号は、オフセット電圧(Voff)からプラス側およびマイナス側に同一の振幅電圧(Va)をとるサイン波である信号変換装置(12)であって、
高電位側基準電圧(VH)を生成する高電位側基準電圧生成手段(22)と、
低電位側基準電圧(VL)を生成する低電位側基準電圧生成手段(23)と、
前記各基準電圧生成手段(22,23)が生成した各基準電圧(VH,VL)の差電圧(VH−VL)の範囲を入力電圧の範囲として前記デジタル信号(D0〜D3)をDA変換することによりアナログ信号(Vout)を生成するDA変換手段(24)と
を備え、
前記アナログ信号(Vout)は、前記高電位側基準電圧と前記オフセット電圧の差電圧(VH−Voff)が前記振幅電圧(Va)になると共に、前記低電位側基準電圧と前記オフセット電圧の差電圧(Voff−VL)が前記振幅電圧(Va)になることを技術的特徴とする。
The invention according to claim 1 made to achieve such an object,
The digital signal (D0 to D3) is DA converted into an analog signal (Vout), and the analog signal is a sine wave that takes the same amplitude voltage (Va) from the offset voltage (Voff) to the plus side and the minus side. A device (12) comprising:
High potential side reference voltage generating means (22) for generating a high potential side reference voltage (VH);
Low potential side reference voltage generating means (23) for generating a low potential side reference voltage (VL);
The digital signals (D0 to D3) are D / A converted with the range of the difference voltage (VH−VL) between the reference voltages (VH, VL) generated by the reference voltage generation means (22, 23) as the input voltage range. D / A conversion means (24) for generating an analog signal (Vout) by
The analog signal (Vout) includes a difference voltage (VH−Voff) between the high potential side reference voltage and the offset voltage becomes the amplitude voltage (Va), and a difference voltage between the low potential side reference voltage and the offset voltage. A technical feature is that (Voff−VL) becomes the amplitude voltage (Va).

請求項2に記載の発明は、
請求項1に記載の信号変換装置において、
前記各基準電圧生成手段(22,23)は、
外部から入力される制御信号(SH,SL)によってパルス幅変調がかけられることにより、その制御信号に基づいたパルス幅(Wa,Wb)の矩形波である出力信号(RH,RL)を生成するパルス幅変調回路(31,32)と、
そのパルス幅変調回路(31,32)の出力信号(RH,RL)が通されることにより、直流電圧である前記基準電圧(VH,VL)を生成する積分回路(33,34)と
を備えたことを技術的特徴とする。
The invention described in claim 2
The signal converter according to claim 1,
Each of the reference voltage generating means (22, 23)
By applying pulse width modulation with control signals (SH, SL) input from the outside, output signals (RH, RL) that are rectangular waves with pulse widths (Wa, Wb) based on the control signals are generated. A pulse width modulation circuit (31, 32);
And an integration circuit (33, 34) for generating the reference voltage (VH, VL) which is a DC voltage by passing the output signals (RH, RL) of the pulse width modulation circuit (31, 32). This is a technical feature.

請求項3に記載の発明は、
請求項1または請求項2に記載の信号変換装置において、
前記DA変換手段(24)は、
前記デジタル信号のビット数に対応したR−2R型のラダー抵抗回路網(29)から成る電圧加算方式のDA変換器と、
前記デジタル信号の各ビット(D0〜D3)を、前記各基準電圧生成手段(22,23)が生成した前記高電位側基準電圧(VH)または前記低電位側基準電圧(VL)に変換して前記ラダー抵抗回路網(29)へ出力するバッファ回路(35〜38)と
を備えたことを技術的特徴とする。
The invention according to claim 3
In the signal converter according to claim 1 or 2,
The DA conversion means (24)
A voltage adding DA converter comprising an R-2R ladder resistor network (29) corresponding to the number of bits of the digital signal;
Each bit (D0 to D3) of the digital signal is converted into the high potential side reference voltage (VH) or the low potential side reference voltage (VL) generated by the reference voltage generation means (22, 23). A buffer circuit (35 to 38) for outputting to the ladder resistor network (29) is provided as a technical feature.

請求項4に記載の発明は、
デジタル信号を生成するDSRC制御用LSI(11)と、
そのDSRC制御用LSI(11)が生成したデジタル信号(D0〜D3)をアナログ信号(Vout)に変換する請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の信号変換装置(12)と、
その信号変換装置(12)が変換したアナログ信号(Vout)を高周波信号に変換し、その高周波信号をアンテナ(54)から送信する高周波回路(53)と
を備えたETC用通信装置(10)であって、
前記DSRC制御用LSI(11)は、
生成したデジタル信号にASKをかけるMAC回路(61)と、
前記高周波回路(53)の歪みを補正して吸収するための変換テーブルが設定され、その変換テーブルに基づいて前記MAC回路(61)の生成したデジタル信号を変換して補正するRAM(21)と
を備えたことを技術的特徴とする。
The invention according to claim 4
A DSRC control LSI (11) for generating a digital signal;
The signal converter (12) according to any one of claims 1 to 3, wherein the digital signal (D0 to D3) generated by the DSRC control LSI (11) is converted into an analog signal (Vout).
An ETC communication device (10) including an analog signal (Vout) converted by the signal conversion device (12) into a high-frequency signal and a high-frequency circuit (53) that transmits the high-frequency signal from the antenna (54). There,
The DSRC control LSI (11)
A MAC circuit (61) for applying ASK to the generated digital signal;
A conversion table for correcting and absorbing distortion of the high-frequency circuit (53) is set, and a RAM (21) for converting and correcting the digital signal generated by the MAC circuit (61) based on the conversion table The technical feature is that

[請求項1]
請求項1の発明において、DA変換手段(24)は、各基準電圧生成手段(22,23)が生成した各基準電圧(VH,VL)の差電圧(VH−VL)の範囲を入力電圧の範囲としてデジタル信号(D0〜D3)をDA変換することによりアナログ信号(Vout)を生成している。
[Claim 1]
In the first aspect of the present invention, the DA conversion means (24) determines the range of the difference voltage (VH−VL) between the reference voltages (VH, VL) generated by the reference voltage generation means (22, 23) as the input voltage. The analog signal (Vout) is generated by DA-converting the digital signal (D0 to D3) as a range.

そのため、アナログ信号(Vout)は、高電位側基準電圧(VH)と低電位側基準電圧(VL)の範囲で変化し、高電位側基準電圧とオフセット電圧(Voff)の差電圧(VH−Voff)が振幅電圧(Va)になると共に、低電位側基準電圧とオフセット電圧の差電圧(Voff−VL)が前記振幅電圧(Va)になる。
ここで、各基準電圧(VH,VL)を適宜設定することにより、アナログ信号(Vout)のオフセット電圧(Voff)および振幅電圧(Va)を所望の電圧値に設定することができる。
Therefore, the analog signal (Vout) changes in the range of the high potential side reference voltage (VH) and the low potential side reference voltage (VL), and the difference voltage (VH−Voff) between the high potential side reference voltage and the offset voltage (Voff). ) Becomes the amplitude voltage (Va), and the difference voltage (Voff−VL) between the low potential side reference voltage and the offset voltage becomes the amplitude voltage (Va).
Here, the offset voltage (Voff) and the amplitude voltage (Va) of the analog signal (Vout) can be set to desired voltage values by appropriately setting each reference voltage (VH, VL).

従って、請求項1の発明によれば、各基準電圧生成手段(22,23)とDA変換手段(24)だけで信号変換装置(12)を構成可能であるため、特許文献1に開示されているような高精度なDA変換器に比べて、信号変換装置(12)を低コスト化に提供できる。   Therefore, according to the first aspect of the invention, since the signal conversion device (12) can be configured by only the reference voltage generation means (22, 23) and the DA conversion means (24), it is disclosed in Patent Document 1. Compared with such a high-precision DA converter, the signal converter (12) can be provided at a low cost.

[請求項2]
請求項2の発明において、各基準電圧生成手段(22,23)はそれぞれ、パルス幅変調回路(31,32)と積分回路(33,34)から構成されている。
パルス幅変調回路(31,32)は、外部から入力される制御信号(SH,SL)によってデューティ比50%の矩形波にパルス幅変調がかけられることにより、その制御信号に基づいたパルス幅(Wa,Wb)の矩形波である出力信号(RH,RL)を生成する。
そして、パルス幅変調回路(31,32)の出力信号(RH,RL)を積分回路(33,34)に通すことにより、直流電圧である基準電圧(VH,VL)が生成される。
[Claim 2]
In the invention of claim 2, each of the reference voltage generating means (22, 23) includes a pulse width modulation circuit (31, 32) and an integration circuit (33, 34).
The pulse width modulation circuit (31, 32) performs pulse width modulation on a rectangular wave having a duty ratio of 50% by a control signal (SH, SL) input from the outside, whereby a pulse width (based on the control signal) Output signals (RH, RL) that are rectangular waves of Wa, Wb) are generated.
Then, by passing the output signals (RH, RL) of the pulse width modulation circuit (31, 32) through the integration circuit (33, 34), the reference voltage (VH, VL) which is a DC voltage is generated.

ここで、各制御信号(SH,SL)に基づいて各パルス幅(Wa,Wb)を適宜設定することにより、各基準電圧(VH,VL)を調節して所望の電圧値に設定することができる。つまり、各パルス幅(Wa,Wb)が大きくなるほど、各基準電圧(VH,VL)を高い電圧値にすることができる。
また、積分回路(33,34)には、抵抗(R1,R2)とコンデンサ(C1,C2)から構成されたスロープ特性が−6dB/octのパッシブ型一次のローパスフィルタを用いればよい。
従って、請求項2の発明によれば、各基準電圧生成手段(22,23)を単純な構成で安価に提供できるため、結果として、信号変換装置(12)の低コスト化を図ることが可能になる。
Here, by appropriately setting each pulse width (Wa, Wb) based on each control signal (SH, SL), each reference voltage (VH, VL) can be adjusted and set to a desired voltage value. it can. That is, as each pulse width (Wa, Wb) increases, each reference voltage (VH, VL) can be set to a higher voltage value.
The integrating circuit (33, 34) may be a passive first-order low-pass filter having a slope characteristic of −6 dB / oct composed of resistors (R1, R2) and capacitors (C1, C2).
Therefore, according to the invention of claim 2, each reference voltage generating means (22, 23) can be provided at a low cost with a simple configuration. As a result, the cost of the signal converter (12) can be reduced. become.

[請求項3]
請求項3の発明において、DA変換手段(24)は、R−2R型のラダー抵抗回路網(29)とバッファ回路(35〜38)から構成されている。
デジタル信号のビット数に対応したR−2R型のラダー抵抗回路網(29)は、電圧加算方式のDA変換器として機能する。
バッファ回路(35〜38)は、デジタル信号の各ビット(D0〜D3)を、各基準電圧生成手段(22,23)が生成した高電位側基準電圧(VH)または低電位側基準電圧(VL)に変換してラダー抵抗回路網(29)へ出力する。
[Claim 3]
In the invention of claim 3, the DA conversion means (24) comprises an R-2R type ladder resistor network (29) and a buffer circuit (35-38).
The R-2R ladder resistor network (29) corresponding to the number of bits of the digital signal functions as a voltage addition type DA converter.
The buffer circuit (35 to 38) converts each bit (D0 to D3) of the digital signal into a high potential side reference voltage (VH) or a low potential side reference voltage (VL) generated by each reference voltage generation means (22, 23). ) And output to the ladder resistor network (29).

ここで、R−2R型のラダー抵抗回路網(39)は、構成が単純であるためIC化に適しており安価に提供できる。また、バッファ回路(35〜38)は、コンプリメンタリの2個のトランジスタ(Q1とQ2、Q3とQ4)を用いれば単純な構成で安価に提供できる。
従って、請求項3の発明によれば、DA変換手段(24)を単純な構成で安価に提供できるため、結果として、信号変換装置(12)の低コスト化を図ることが可能になる。
Here, the R-2R type ladder resistor network (39) has a simple configuration and is therefore suitable for an IC and can be provided at low cost. The buffer circuit (35 to 38) can be provided at a low cost with a simple configuration by using two complementary transistors (Q1 and Q2, Q3 and Q4).
Therefore, according to the third aspect of the present invention, the DA conversion means (24) can be provided at a low cost with a simple configuration. As a result, the cost of the signal conversion device (12) can be reduced.

[請求項4]
請求項4の発明において、ETC用通信装置(10)は、DSRC制御用LSI(11)、請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の信号変換装置(12)、高周波回路(53)、アンテナ(54)から構成されている。
そして、DSRC制御用LSI(11)は、MAC回路(61)とRAM(21)から構成されている。
[Claim 4]
In the invention of claim 4, the ETC communication device (10) includes a DSRC control LSI (11), the signal conversion device (12) according to any one of claims 1 to 3, and a high-frequency circuit (53). ) And an antenna (54).
The DSRC control LSI (11) includes a MAC circuit (61) and a RAM (21).

背景技術で説明したように、アナログ信号(Vout)のオフセット電圧(Voff)および振幅電圧(Va)は、高周波回路(53)の特性の製品バラツキを補正可能な値に設定する必要がある。
また、アナログ信号(Vout)には、高周波回路(53)の歪みを打ち消して補正するための歪み成分を含ませる必要がある。
As described in the background art, it is necessary to set the offset voltage (Voff) and the amplitude voltage (Va) of the analog signal (Vout) to values that can correct the product variation in the characteristics of the high-frequency circuit (53).
The analog signal (Vout) needs to include a distortion component for canceling and correcting the distortion of the high-frequency circuit (53).

そのため、ETC用通信装置(10)を製造する際には、ETC用通信装置の構成部材(DSRC制御用LSI、信号変換装置、高周波回路、アンテナ)を組み立てた後に動作試験を行い、アンテナ(54)から所望の高周波信号が送信されるように、RAM(21)の変換テーブルの最適な状態をカット・アンド・トライで実験的に見つけて設定する。   Therefore, when the ETC communication device (10) is manufactured, an operation test is performed after the components of the ETC communication device (DSRC control LSI, signal conversion device, high-frequency circuit, antenna) are assembled, and the antenna (54 The optimum state of the conversion table of the RAM (21) is experimentally found and set by cut-and-try so that a desired high-frequency signal is transmitted.

つまり、高周波回路(53)の特性には製品バラツキがあるため、MAC回路(61)の生成したデジタル信号をそのままDA変換してアナログ信号(Vout)を生成した場合には、アンテナ(54)から送信される高周波信号にも高周波回路(53)の製品バラツキの影響が表れることになり、所望の高周波信号を送信できない。
そこで、高周波回路(53)の特性の製品バラツキが補正されて吸収されるように、信号変換装置(12)から出力されるアナログ信号(Vout)のオフセット電圧(Voff),振幅電圧(Va),歪みを調節する必要がある。
That is, since there is a product variation in the characteristics of the high-frequency circuit (53), when the digital signal generated by the MAC circuit (61) is directly DA-converted to generate an analog signal (Vout), the antenna (54) The high-frequency signal to be transmitted is also affected by product variations of the high-frequency circuit (53), and a desired high-frequency signal cannot be transmitted.
Therefore, the offset voltage (Voff), the amplitude voltage (Va), the amplitude voltage (Va) of the analog signal (Vout) output from the signal converter (12) so that the product variation in the characteristics of the high frequency circuit (53) is corrected and absorbed. It is necessary to adjust the distortion.

請求項4の発明では、各基準電圧生成手段(22,23)を設けて各基準電圧(VH,VL)を生成してDA変換手段(24)へ出力し、DA変換手段(24)が各基準電圧(VH,VL)の差電圧(VH−VL)の範囲を入力電圧の範囲として各デジタル信号(D0〜D3)をDA変換してアナログ信号(Vout)を生成することにより、当該差電圧(VH−VL)の範囲でサイン波であるアナログ信号(Vout)が変化するようにしている。
そのため、各基準電圧(VH,VL)を適宜設定することにより、高周波回路(53)の特性の製品バラツキが補正されて吸収されるように、アナログ信号(Vout)のオフセット電圧(Voff)および振幅電圧(Va)を調節することができる。
In the invention of claim 4, each reference voltage generation means (22, 23) is provided to generate each reference voltage (VH, VL) and output it to the DA conversion means (24). The DA conversion means (24) The digital signal (D0 to D3) is DA-converted to generate an analog signal (Vout) by setting the difference voltage (VH−VL) range of the reference voltage (VH, VL) as the input voltage range, thereby generating the difference signal. The analog signal (Vout) which is a sine wave is changed in the range of (VH−VL).
Therefore, by appropriately setting each reference voltage (VH, VL), the offset voltage (Voff) and amplitude of the analog signal (Vout) are corrected so that the product variation in the characteristics of the high-frequency circuit (53) is corrected and absorbed. The voltage (Va) can be adjusted.

そして、MAC回路(61)の生成したデジタル信号を変換するRAM(21)を設け、そのRAM(21)の変換テーブルを適宜設定することにより、高周波回路(53)の特性の製品バラツキが補正されて吸収されるように、アナログ信号(Vout)の歪みを調節することができる。   Then, a RAM (21) for converting the digital signal generated by the MAC circuit (61) is provided, and by appropriately setting the conversion table of the RAM (21), product variations in the characteristics of the high-frequency circuit (53) are corrected. So that the distortion of the analog signal (Vout) can be adjusted.

つまり、アナログ信号(Vout)はオフセット電圧(Voff)を中心電圧とした振幅電圧(Va)のサイン波であるため、従来技術において10bitのデジタル信号(d0〜d9)をDA変換器(52)でDA変換して生成したアナログ信号(Vout)を、請求項4の発明では例えば4bitのデジタル信号(D0〜D3)を信号変換装置(12)でDA変換して生成することができる。
言い換えれば、従来技術ではアナログ信号(Vout)を生成するのに10bitのデジタル信号(d0〜d9)を必要としたのに対して、請求項4の発明ではアナログ信号(Vout)を生成するのに例えば4bitのデジタル信号(D0〜D3)しか必要としない。
That is, since the analog signal (Vout) is a sine wave of the amplitude voltage (Va) with the offset voltage (Voff) as the center voltage, the 10-bit digital signal (d0 to d9) is converted by the DA converter (52) in the prior art. The analog signal (Vout) generated by DA conversion can be generated by DA converting, for example, a 4-bit digital signal (D0 to D3) by the signal converter (12).
In other words, the conventional technique requires a 10-bit digital signal (d0 to d9) to generate the analog signal (Vout), whereas the invention of claim 4 generates the analog signal (Vout). For example, only a 4-bit digital signal (D0 to D3) is required.

このように、従来技術では、アナログ信号(Vout)のオフセット電圧(Voff),振幅電圧(Va),歪みを設定するのに、RAM(62)、10bitのデジタル信号(d0〜d9)、10bitのDA変換器(52)を使用している。
それに対して、請求項4の発明では、アナログ信号(Vout)のオフセット電圧(Voff)および振幅電圧(Va)を設定するのに、各基準電圧生成手段(22,23)、例えば4bitのデジタル信号(D0〜D3)、例えば4bitのDA変換手段(24)を使用すればよい。また、請求項4の発明では、アナログ信号(Vout)の歪みを設定するのに、RAM(21)、例えば4bitのデジタル信号(D0〜D3)、例えば4bitのDA変換手段(24)を使用すればよい。
Thus, in the prior art, the RAM (62), 10-bit digital signal (d0 to d9), 10-bit are used to set the offset voltage (Voff), amplitude voltage (Va), and distortion of the analog signal (Vout). A DA converter (52) is used.
On the other hand, in the invention of claim 4, each reference voltage generating means (22, 23), for example, a 4-bit digital signal is used to set the offset voltage (Voff) and the amplitude voltage (Va) of the analog signal (Vout). (D0 to D3), for example, a 4-bit DA conversion means (24) may be used. In the invention of claim 4, a RAM (21), for example, a 4-bit digital signal (D0 to D3), for example, a 4-bit DA conversion means (24) is used to set the distortion of the analog signal (Vout). That's fine.

ここで、請求項1〜3の発明の効果で説明したように、信号変換装置(12)は低コストに提供できる。
また、例えば4bitのデジタル信号(D0〜D3)を生成するDSRC制御用LSI(11)は、4個の出力端子(P0〜P3)を設けるだけでよいため、10個の出力端子(p0〜p9)を設ける必要がある従来技術のDSRC制御用LSI(51)に比べ、パッケージの外形寸法を小さくできること加えて製造コストを低減することができる。
Here, as explained in the effects of the first to third aspects of the invention, the signal converter (12) can be provided at low cost.
Further, for example, since the DSRC control LSI (11) for generating the 4-bit digital signals (D0 to D3) only needs to have four output terminals (P0 to P3), ten output terminals (p0 to p9). ), It is possible to reduce the outer dimensions of the package and to reduce the manufacturing cost.

そして、請求項4の発明のRAM(21)には、アナログ信号(Vout)の歪みのみを調節するための変換テーブルを設けるだけでよいことから、アナログ信号(Vout)のオフセット電圧(Voff),振幅電圧(Va),歪みの3つの要素を調節するための変換テーブルが設ける必要がある従来技術のRAM(62)に比べ、請求項4の発明におけるRAM(21)の記憶容量は小さくて済み、このような記憶容量の小さなRAMは安価である。   Since the RAM (21) of the invention of claim 4 only needs to be provided with a conversion table for adjusting only the distortion of the analog signal (Vout), the offset voltage (Voff) of the analog signal (Vout), The RAM (21) according to the invention of claim 4 requires a smaller storage capacity than the prior art RAM (62) that needs to provide a conversion table for adjusting the three components of amplitude voltage (Va) and distortion. Such a small storage capacity RAM is inexpensive.

従って、請求項4の発明のETC用通信装置(10)は、従来のETC用通信装置(50)に比べて製造コストを低減することができる。   Therefore, the ETC communication apparatus (10) of the invention of claim 4 can reduce the manufacturing cost as compared with the conventional ETC communication apparatus (50).

(用語の説明)
尚、上術した[課題を解決するための手段][発明の効果]に記載した( )内の数字等は、上述した[背景技術]と後述する[発明を実施するための最良の形態]に記載した構成部材・構成要素の符号に対応したものである。
そして、[課題を解決するための手段][発明の効果]に記載した構成部材・構成要素と、[発明を実施するための最良の形態]に記載した構成部材・構成要素との対応関係は以下のようになっている。
(Explanation of terms)
It should be noted that the numbers in parentheses described in [Means for Solving the Problems] and [Effects of the Invention] described above are the [Background Art] described above and [Best Mode for Carrying Out the Invention] described later. This corresponds to the reference numerals of the constituent members and constituent elements described in.
The correspondence between the constituent members and constituent elements described in [Means for Solving the Problems] and [Effects of the Invention] and the constituent members and constituent elements described in [Best Mode for Carrying Out the Invention] is as follows: It is as follows.

「高電位側基準電圧生成手段」は、高電位側基準電圧生成回路22に該当する。
「低電位側基準電圧生成手段」は、低電位側基準電圧生成回路23に該当する。
「DA変換手段」は、DA変換器24に該当する。
「信号変換装置」は、信号変換器12に該当する。
「積分回路」は、ローパスフィルタ33,34に該当する。
「ETC用通信装置」は、ETC車載器10に該当する。
The “high potential side reference voltage generation means” corresponds to the high potential side reference voltage generation circuit 22.
The “low potential side reference voltage generating means” corresponds to the low potential side reference voltage generating circuit 23.
The “DA conversion means” corresponds to the DA converter 24.
The “signal converter” corresponds to the signal converter 12.
The “integrating circuit” corresponds to the low-pass filters 33 and 34.
The “ETC communication device” corresponds to the ETC vehicle-mounted device 10.

以下、本発明を具体化した一実施形態について図面を参照しながら説明する。尚、本実施形態において、図6および図7に示した従来技術と同一の構成部材および構成要素については符号を等しくしてある。   Hereinafter, an embodiment embodying the present invention will be described with reference to the drawings. In the present embodiment, the same reference numerals are used for the same constituent members and constituent elements as those of the prior art shown in FIGS.

図1は、本実施形態のETC車載器(ETC用通信装置)10の要部概略構成を示すブロック回路図である。
ETC車載器10は、DSRC制御用LSI11、信号変換器12、RF回路53、アンテナ54などから構成されている。
FIG. 1 is a block circuit diagram showing a schematic configuration of a main part of an ETC on-vehicle device (ETC communication device) 10 according to the present embodiment.
The ETC vehicle-mounted device 10 includes a DSRC control LSI 11, a signal converter 12, an RF circuit 53, an antenna 54, and the like.

DSRC制御用LSI11は、4bitのデジタル信号(デジタルデータ)D0〜D3を生成し、そのデジタル信号D0〜D3を信号変換器12へ出力する。
DSRC制御用LSI11内には、MAC回路61およびRAM21が備えられている。
The DSRC control LSI 11 generates 4-bit digital signals (digital data) D0 to D3 and outputs the digital signals D0 to D3 to the signal converter 12.
In the DSRC control LSI 11, a MAC circuit 61 and a RAM 21 are provided.

MAC回路61は、データの送受信単位であるフレームの送受信方法、フレームの形式、誤り検出方法などを規定してデジタル信号を生成し、そのデジタル信号にASKをかける。   The MAC circuit 61 generates a digital signal by defining a frame transmission / reception method, a frame format, an error detection method, and the like, which are data transmission / reception units, and applies ASK to the digital signal.

RAM21には、RF回路53の特性の製品バラツキのうち、RF回路53の歪みを補正して吸収するための変換テーブル(ルックアップテーブル)が設定されている。RAM21は、変換テーブルに基づいてMAC回路61の生成したデジタル信号を変換して補正することにより、4bitのデジタル信号D0〜D3を生成する。
そして、4bitのデジタル信号D0〜D3は、DSRC制御用LSI11に設けられた4個の出力端子(出力ピン)P0〜P3からそれぞれ出力される。
In the RAM 21, a conversion table (lookup table) for correcting and absorbing the distortion of the RF circuit 53 among the product variations in the characteristics of the RF circuit 53 is set. The RAM 21 generates 4-bit digital signals D0 to D3 by converting and correcting the digital signal generated by the MAC circuit 61 based on the conversion table.
The 4-bit digital signals D0 to D3 are output from four output terminals (output pins) P0 to P3 provided in the DSRC control LSI 11, respectively.

信号変換器12は、高電位側基準電圧生成回路22、低電位側基準電圧生成回路23、4bitのDA変換器24から構成されている。
高電位側基準電圧生成回路22は、外部から入力される制御信号SHに基づいて高電位側基準電圧VHを生成し、その高電位側基準電圧VHをDA変換器24へ出力する。
低電位側基準電圧生成回路23は、外部から入力される制御信号SLに基づいて低電位側基準電圧VLを生成し、その低電位側基準電圧VLをDA変換器24へ出力する。
The signal converter 12 includes a high potential side reference voltage generation circuit 22, a low potential side reference voltage generation circuit 23, and a 4-bit DA converter 24.
The high potential side reference voltage generation circuit 22 generates a high potential side reference voltage VH based on a control signal SH input from the outside, and outputs the high potential side reference voltage VH to the DA converter 24.
The low potential side reference voltage generation circuit 23 generates a low potential side reference voltage VL based on a control signal SL input from the outside, and outputs the low potential side reference voltage VL to the DA converter 24.

DA変換器24は、DSRC制御用LSI11の生成した4bitのデジタル信号D0〜D3をDA変換し、各基準電圧生成回路22,23の生成した各基準電圧VH,VLの間で電圧値が変化するサイン波であるアナログ信号Voutを生成し、そのアナログ信号VoutをRF回路53へ出力する。
RF回路53は、アナログ信号Voutを高周波信号に変換し、その高周波信号をアンテナ54から送信する。
The DA converter 24 DA-converts the 4-bit digital signals D0 to D3 generated by the DSRC control LSI 11, and the voltage value changes between the reference voltages VH and VL generated by the reference voltage generation circuits 22 and 23. An analog signal Vout that is a sine wave is generated, and the analog signal Vout is output to the RF circuit 53.
The RF circuit 53 converts the analog signal Vout into a high frequency signal and transmits the high frequency signal from the antenna 54.

このように、本実施形態のETC車載器10において、従来技術のETC車載器50と異なるのは、RAM62がRAM21に置き換えられると共に、DA変換器52が信号変換器12に置き換えられている点だけである。   As described above, the ETC vehicle-mounted device 10 of the present embodiment is different from the conventional ETC vehicle-mounted device 50 only in that the RAM 62 is replaced with the RAM 21 and the DA converter 52 is replaced with the signal converter 12. It is.

図2は、信号変換器12の内部構成を示すブロック回路図である。
高電位側基準電圧生成回路22は、PWM(Pulse Width Modulation:パルス幅変調)回路31およびローパスフィルタ(LPF:Low-Pass Filter)33から構成されている。
低電位側基準電圧生成回路23は、PWM回路32およびローパスフィルタ(LPF)34から構成されている。
FIG. 2 is a block circuit diagram showing the internal configuration of the signal converter 12.
The high potential side reference voltage generation circuit 22 includes a PWM (Pulse Width Modulation) circuit 31 and a low-pass filter (LPF) 33.
The low potential side reference voltage generation circuit 23 includes a PWM circuit 32 and a low pass filter (LPF) 34.

図3(A)は、PWM回路31の出力信号RHを示す特性図である。
図3(B)は、PWM回路32の出力信号RLを示す特性図である。
PWM回路31は、外部から入力される制御信号SHによってデューティ比50パーセントの矩形波にパルス幅変調がかけられることにより、その制御信号SHに基づいたパルス幅Waの矩形波である出力信号RHを生成する。
PWM回路32は、外部から入力される制御信号SLによってデューティ比50パーセントの矩形波にパルス幅変調がかけられることにより、その制御信号SLに基づいたパルス幅Wbの矩形波である出力信号RLを生成する。
FIG. 3A is a characteristic diagram showing the output signal RH of the PWM circuit 31.
FIG. 3B is a characteristic diagram showing the output signal RL of the PWM circuit 32.
The PWM circuit 31 applies an output signal RH that is a rectangular wave having a pulse width Wa based on the control signal SH by applying pulse width modulation to the rectangular wave having a duty ratio of 50% by the control signal SH input from the outside. Generate.
The PWM circuit 32 applies an output signal RL, which is a rectangular wave having a pulse width Wb based on the control signal SL, by applying pulse width modulation to the rectangular wave having a duty ratio of 50% by the control signal SL input from the outside. Generate.

ローパスフィルタ33,34はそれぞれ、抵抗R1,R2とコンデンサC1,C2から構成されたスロープ特性が−6dB/octのパッシブ型一次フィルタである。
そして、PWM回路31の出力信号RHをローパスフィルタ(積分回路)33に通すことにより、直流電圧である高電位側基準電圧VHが生成される。
また、PWM回路32の出力信号をローパスフィルタ(積分回路)34に通すことにより、直流電圧である低電位側基準電圧VLが生成される。
尚、高電位側基準電圧VHに比べて低電位側基準電圧VLは低い電圧値に設定されている。
The low-pass filters 33 and 34 are passive primary filters each having a slope characteristic of −6 dB / oct and configured by resistors R1 and R2 and capacitors C1 and C2.
Then, the output signal RH of the PWM circuit 31 is passed through a low-pass filter (integration circuit) 33 to generate a high potential side reference voltage VH that is a DC voltage.
Further, by passing the output signal of the PWM circuit 32 through a low pass filter (integration circuit) 34, a low potential side reference voltage VL which is a DC voltage is generated.
The low potential side reference voltage VL is set to a lower voltage value than the high potential side reference voltage VH.

ここで、各制御信号SH,SLに基づいて各パルス幅Wa,Wbを適宜設定することにより、各基準電圧VH,VLを調節して所望の電圧値に設定することができる。
つまり、各パルス幅Wa,Wbが大きくなるほど、各基準電圧VH,VLを高い電圧値にすることができる。
Here, by appropriately setting the pulse widths Wa and Wb based on the control signals SH and SL, the reference voltages VH and VL can be adjusted and set to desired voltage values.
That is, the reference voltages VH and VL can be set to higher voltage values as the pulse widths Wa and Wb become larger.

図2に示すように、DA変換器24は、バッファ回路35〜38およびラダー抵抗回路網39から構成されている。
各バッファ回路35〜38は、抵抗R3,R4、PNPトランジスタQ1、NPNトランジスタQ2から構成されている。
各トランジスタQ1,Q2は直列接続され、トランジスタQ1のエミッタは高電位側基準電圧生成回路22のローパスフィルタ33の出力側に接続されて高電位側基準電圧VHが印加され、トランジスタQ2のエミッタは低電位側基準電圧生成回路23のローパスフィルタ34の出力側に接続されて低電位側基準電圧VLが印加され、両トランジスタQ1,Q2のコレクタは共通接続されて各バッファ回路35〜38の出力端子を構成している。
As shown in FIG. 2, the DA converter 24 includes buffer circuits 35 to 38 and a ladder resistor network 39.
Each of the buffer circuits 35 to 38 includes resistors R3 and R4, a PNP transistor Q1, and an NPN transistor Q2.
The transistors Q1 and Q2 are connected in series, the emitter of the transistor Q1 is connected to the output side of the low-pass filter 33 of the high-potential-side reference voltage generation circuit 22 and the high-potential-side reference voltage VH is applied, and the emitter of the transistor Q2 is low The low-side reference voltage VL is applied to the output side of the low-pass filter 34 of the potential-side reference voltage generation circuit 23, the collectors of both transistors Q1 and Q2 are connected in common, and the output terminals of the buffer circuits 35 to 38 are connected. It is composed.

各バッファ回路35〜38における各トランジスタQ1,Q2のベースには、それぞれ抵抗R3,R4を介して、DSRC制御用LSI11の生成した4bitのデジタル信号D0〜D3が入力されている。
すなわち、バッファ回路35の各トランジスタQ1,Q2のベースには各抵抗R3,R4を介してデジタル信号D0が入力され、バッファ回路36の各トランジスタQ1,Q2のベースには各抵抗R3,R4を介してデジタル信号D1が入力され、バッファ回路37の各トランジスタQ1,Q2のベースには各抵抗R3,R4を介してデジタル信号D2が入力され、バッファ回路38の各トランジスタQ1,Q2のベースには各抵抗R3,R4を介してデジタル信号D3が入力されている。
4-bit digital signals D0 to D3 generated by the DSRC control LSI 11 are input to the bases of the transistors Q1 and Q2 in the buffer circuits 35 to 38 via resistors R3 and R4, respectively.
That is, the digital signal D0 is input to the bases of the transistors Q1 and Q2 of the buffer circuit 35 via the resistors R3 and R4, and the bases of the transistors Q1 and Q2 of the buffer circuit 36 are connected to the bases of the transistors R1 and R4. The digital signal D1 is input, the digital signal D2 is input to the bases of the transistors Q1 and Q2 of the buffer circuit 37 via the resistors R3 and R4, and the bases of the transistors Q1 and Q2 of the buffer circuit 38 are The digital signal D3 is input via the resistors R3 and R4.

尚、各抵抗R3,R4は、各トランジスタQ1,Q2のベース電流を制限することにより、各トランジスタQ1,Q2に過大なベース電流が流れて故障するのを防止するために設けられている。
従って、各抵抗R3,R4の抵抗値は、各トランジスタQ1,Q2を保護して故障を防止すると共に、デジタル信号D0〜D3に従って各トランジスタQ1,Q2が確実にオンオフ動作できるように、カット・アンド・トライで実験的に最適値を見つけて設定すればよい。
The resistors R3 and R4 are provided in order to prevent the base currents of the transistors Q1 and Q2 from restricting, thereby preventing an excessive base current from flowing through the transistors Q1 and Q2.
Therefore, the resistance values of the resistors R3 and R4 are cut and used so as to protect the transistors Q1 and Q2 to prevent failure and to ensure that the transistors Q1 and Q2 can be turned on and off according to the digital signals D0 to D3. -Find and set the optimum value experimentally in a trial.

ここで、各デジタル信号D0〜D3がハイレベルの場合には、PNPトランジスタQ1がオフすると共に、NPNトランジスタQ2がオンし、両トランジスタQ1,Q2のコレクタの電圧は低電位側基準電圧VLからトランジスタQ2のコレクタ・エミッタ間電圧(VCE)を差し引いた電圧値になる。
また、各デジタル信号D0〜D3がローレベルの場合には、PNPトランジスタQ1がオンすると共に、NPNトランジスタQ2がオフし、両トランジスタQ1,Q2のコレクタの電圧は高電位側基準電圧VHからトランジスタQ1のコレクタ・エミッタ間電圧を差し引いた電圧値になる。
Here, when each of the digital signals D0 to D3 is at a high level, the PNP transistor Q1 is turned off and the NPN transistor Q2 is turned on, and the collector voltage of both the transistors Q1 and Q2 is changed from the low potential side reference voltage VL to the transistor. The voltage value is obtained by subtracting the collector-emitter voltage (VCE) of Q2.
When the digital signals D0 to D3 are at the low level, the PNP transistor Q1 is turned on and the NPN transistor Q2 is turned off. The collector voltages of both the transistors Q1 and Q2 are changed from the high potential side reference voltage VH to the transistor Q1. The voltage value is obtained by subtracting the collector-emitter voltage.

尚、各トランジスタQ1,Q2のオン時におけるコレクタ・エミッタ間電圧は各基準電圧VH,VLに比べて十分に小さいことから、説明を分かり易くするため、各トランジスタQ1,Q2のオン時のコレクタ電圧はそれぞれ基準電圧VH,VLに等しいことにして説明をすすめる。   Note that the collector-emitter voltage when each transistor Q1, Q2 is on is sufficiently smaller than the reference voltages VH, VL, so that the collector voltage when each transistor Q1, Q2 is on is easy to understand. The explanation will be made assuming that they are equal to the reference voltages VH and VL, respectively.

このように、各バッファ回路35〜38は、各デジタル信号D0〜D3がハイレベルの場合には低電位側基準電圧VLを出力し、各デジタル信号D0〜D3がローレベルの場合には高電位側基準電圧VHを出力する。
つまり、各バッファ回路35〜38は、デジタル信号D0〜D3の各ビット(D0〜D3)を、高電位側基準電圧VHまたは低電位側基準電圧VLに変換してラダー抵抗回路網39へ出力する。
As described above, each of the buffer circuits 35 to 38 outputs the low potential side reference voltage VL when each of the digital signals D0 to D3 is at a high level, and the high potential when each of the digital signals D0 to D3 is at a low level. The side reference voltage VH is output.
That is, each of the buffer circuits 35 to 38 converts each bit (D0 to D3) of the digital signals D0 to D3 into the high potential side reference voltage VH or the low potential side reference voltage VL and outputs it to the ladder resistor network 39. .

すなわち、デジタル信号D0がハイレベルの場合には低電位側基準電圧VLがバッファ回路35の出力になり、デジタル信号D0がローレベルの場合には高電位側基準電圧VHがバッファ回路35の出力になる。また、デジタル信号D1がハイレベルの場合には低電位側基準電圧VLがバッファ回路36の出力になり、デジタル信号D1がローレベルの場合には高電位側基準電圧VHがバッファ回路36の出力になる。また、デジタル信号D2がハイレベルの場合には低電位側基準電圧VLがバッファ回路37の出力になり、デジタル信号D2がローレベルの場合には高電位側基準電圧VHがバッファ回路37の出力になる。また、デジタル信号D3がハイレベルの場合には低電位側基準電圧VLがバッファ回路38の出力になり、デジタル信号D3がローレベルの場合には高電位側基準電圧VHがバッファ回路38の出力になる。   That is, when the digital signal D0 is at high level, the low potential side reference voltage VL is output from the buffer circuit 35, and when the digital signal D0 is at low level, the high potential side reference voltage VH is output from the buffer circuit 35. Become. When the digital signal D1 is at a high level, the low potential side reference voltage VL is output from the buffer circuit 36. When the digital signal D1 is at a low level, the high potential side reference voltage VH is output from the buffer circuit 36. Become. Further, when the digital signal D2 is at a high level, the low potential side reference voltage VL is output from the buffer circuit 37, and when the digital signal D2 is at a low level, the high potential side reference voltage VH is output from the buffer circuit 37. Become. Further, when the digital signal D3 is at a high level, the low potential side reference voltage VL is an output of the buffer circuit 38, and when the digital signal D3 is at a low level, the high potential side reference voltage VH is an output of the buffer circuit 38. Become.

デジタル信号D0〜D3のビット数(4bit)に対応した4bitのラダー抵抗回路網39は、同一抵抗値の各抵抗R5〜R19から構成されている。
すなわち、抵抗R5,R9、抵抗R6,R10、抵抗R7,R11、抵抗R8,R12、抵抗R13,R14、抵抗R15,R16はそれぞれ直列接続され、各抵抗R9,R10の間には抵抗R17が接続され、各抵抗R10,R11の間には抵抗R18が接続され、各抵抗R11,R12の間には抵抗R19が接続され、低電位側基準電圧生成回路23のローパスフィルタ34の出力側と抵抗R19との間には各抵抗R13,R14が接続され、直列接続された各抵抗R17〜R19,R13,R14には各抵抗R15,R16が並列接続されている。
A 4-bit ladder resistor network 39 corresponding to the number of bits (4 bits) of the digital signals D0 to D3 is composed of resistors R5 to R19 having the same resistance value.
That is, resistors R5 and R9, resistors R6 and R10, resistors R7 and R11, resistors R8 and R12, resistors R13 and R14, and resistors R15 and R16 are connected in series, and a resistor R17 is connected between the resistors R9 and R10. The resistor R18 is connected between the resistors R10 and R11, the resistor R19 is connected between the resistors R11 and R12, and the output side of the low-pass filter 34 of the low potential side reference voltage generation circuit 23 and the resistor R19. The resistors R13 and R14 are connected to each other, and the resistors R15 to R19, R13, and R14 connected in series are connected in parallel to the resistors R15 and R16.

このように、同一抵抗値の各抵抗R17〜R19と、直列接続されて抵抗値が2倍になっている各抵抗R5〜R16とが、梯子状に接続された抵抗回路網はR−2R型のラダー抵抗回路網と呼ばれる。
そして、各抵抗R5〜R19から成るR−2R型のラダー抵抗回路網39は、4bitの電圧加算方式DA変換器を構成している。
In this way, the resistor network in which the resistors R17 to R19 having the same resistance value and the resistors R5 to R16 that are connected in series and have doubled resistance values are connected in a ladder shape is an R-2R type. Called the ladder resistor network.
The R-2R type ladder resistor network 39 composed of the resistors R5 to R19 constitutes a 4-bit voltage addition type DA converter.

各バッファ回路35〜38の出力端子(各トランジスタQ1,Q2のコレクタ)は、それぞれ抵抗R5〜R8に接続されている。そして、各バッファ回路35〜38の出力は、各抵抗R5〜R8からラダー抵抗回路網39に入力される。
そして、ラダー抵抗回路網39における各抵抗R9,R17,R15の接続点からアナログ信号Voutが生成されて出力される。
Output terminals of the buffer circuits 35 to 38 (collectors of the transistors Q1 and Q2) are connected to resistors R5 to R8, respectively. The outputs of the buffer circuits 35 to 38 are input to the ladder resistor network 39 from the resistors R5 to R8.
Then, an analog signal Vout is generated and output from the connection point of each resistor R9, R17, R15 in the ladder resistor network 39.

R−2R型のラダー抵抗回路網39から構成される電圧加算方式DA変換器では、高電位側基準電圧VHと低電位側基準電圧VLの差電圧(VH−VL)の範囲が入力電圧の範囲となり、各デジタル信号D0〜D3をDA変換したアナログ信号Vout が出力される。但し、アナログ信号Vout はビット数に基づいて階段状に変化した値となり、その変化量の最小レベルは、入力電圧の範囲(VH−VL)をビット数(4bit)で分割した電圧になる。   In the voltage addition type DA converter including the R-2R type ladder resistor network 39, the range of the difference voltage (VH−VL) between the high potential side reference voltage VH and the low potential side reference voltage VL is the input voltage range. Thus, an analog signal Vout obtained by DA-converting each of the digital signals D0 to D3 is output. However, the analog signal Vout has a value that changes stepwise based on the number of bits, and the minimum level of change is a voltage obtained by dividing the input voltage range (VH−VL) by the number of bits (4 bits).

尚、電圧加算方式DA変換器のDA変換動作については、特許文献(例えば、特開平8−8748号公報など)や非特許文献(例えば、「新版・図解A/Dコンバータ入門」著者:米山寿一,出版社:オーム社,平成5年3月20日発行,ISBN4-274-03424-0,p.139~p.140など)に詳述されており公知であるため説明を省略する。   Regarding the DA conversion operation of the voltage addition type DA converter, there is a patent document (for example, Japanese Patent Laid-Open No. 8-8748) or a non-patent document (for example, “New Edition / Introduction to Illustrated A / D Converter”) Author: Koichi Yoneyama Publishing company: Ohmsha, published on March 20, 1993, ISBN4-274-03424-0, p.139-p.140, etc.

[実施形態の作用・効果]
図4は、信号変換器12からRF回路53へ出力されるアナログ信号Voutを示す特性図である。
アナログ信号Voutは、オフセット電圧Voffを中心電圧とし、その中心電圧からプラス側およびマイナス側に同一の振幅電圧Vaをとるサイン波である。そして、アナログ信号Voutは、高電位側基準電圧VHと低電位側基準電圧VLの差電圧(VH−VL)の範囲で変化する。
[Operations and effects of the embodiment]
FIG. 4 is a characteristic diagram showing the analog signal Vout output from the signal converter 12 to the RF circuit 53.
The analog signal Vout is a sine wave having the offset voltage Voff as the center voltage and the same amplitude voltage Va from the center voltage to the plus side and the minus side. The analog signal Vout changes in the range of the difference voltage (VH−VL) between the high potential side reference voltage VH and the low potential side reference voltage VL.

つまり、高電位側基準電圧VHとオフセット電圧Voffの差電圧(VH−Voff)が振幅電圧Vaになると共に、低電位側基準電圧VLとオフセット電圧Voffの差電圧(Voff−VL)が振幅電圧Vaになる。
従って、各基準電圧VH,VLを適宜設定することにより、アナログ信号Voutのオフセット電圧Voffおよび振幅電圧Vaを所望の電圧値に設定することができる。
That is, the difference voltage (VH−Voff) between the high potential side reference voltage VH and the offset voltage Voff becomes the amplitude voltage Va, and the difference voltage (Voff−VL) between the low potential side reference voltage VL and the offset voltage Voff is the amplitude voltage Va. become.
Therefore, the offset voltage Voff and the amplitude voltage Va of the analog signal Vout can be set to desired voltage values by appropriately setting the reference voltages VH and VL.

背景技術で説明したように、アナログ信号Voutのオフセット電圧Voffおよび振幅電圧Vaは、RF回路53の特性の製品バラツキを補正可能な値に設定する必要がある。
また、アナログ信号Voutには、RF回路53の歪みを打ち消して補正するための歪み成分(図示略)を含ませる必要がある。
As described in the background art, it is necessary to set the offset voltage Voff and the amplitude voltage Va of the analog signal Vout to values that can correct the product variation in the characteristics of the RF circuit 53.
Further, the analog signal Vout needs to include a distortion component (not shown) for canceling and correcting the distortion of the RF circuit 53.

そのため、ETC車載器10を製造する際には、ETC車載器10の構成部材(DSRC制御用LSI11、信号変換器12、RF回路53、アンテナ54)を組み立てた後に動作試験を行い、アンテナ54から所望の高周波信号が送信されるように、RAM21の変換テーブルの最適な状態をカット・アンド・トライで実験的に見つけて設定する。   Therefore, when manufacturing the ETC on-board device 10, the operation test is performed after assembling the constituent members (DSRC control LSI 11, signal converter 12, RF circuit 53, antenna 54) of the ETC on-board device 10. The optimum state of the conversion table of the RAM 21 is experimentally found and set by cut-and-try so that a desired high-frequency signal is transmitted.

つまり、RF回路53の特性には製品バラツキがあるため、MAC回路61の生成したデジタル信号をそのままDA変換してアナログ信号Voutを生成した場合には、アンテナ54から送信される高周波信号にもRF回路53の製品バラツキの影響が表れることになり、所望の高周波信号を送信できない。
そこで、RF回路53の特性の製品バラツキが補正されて吸収されるように、信号変換器12から出力されるアナログ信号Voutのオフセット電圧Voff,振幅電圧Va,歪みを調節する必要がある。
That is, since the characteristics of the RF circuit 53 have product variations, when the digital signal generated by the MAC circuit 61 is DA-converted as it is to generate the analog signal Vout, the RF signal transmitted from the antenna 54 is also RF. The influence of the product variation of the circuit 53 appears, and a desired high-frequency signal cannot be transmitted.
Therefore, it is necessary to adjust the offset voltage Voff, amplitude voltage Va, and distortion of the analog signal Vout output from the signal converter 12 so that the product variation in the characteristics of the RF circuit 53 is corrected and absorbed.

本実施形態では、各基準電圧生成回路22,23を設けて各基準電圧VH,VLを生成してDA変換器24へ出力し、DA変換器24が各基準電圧VH,VLの差電圧(VH−VL)の範囲を入力電圧の範囲として各デジタル信号D0〜D3をDA変換してアナログ信号Voutを生成することにより、当該差電圧(VH−VL)の範囲でサイン波であるアナログ信号Voutが変化するようにしている。
そのため、各基準電圧VH,VLを適宜設定することにより、RF回路53の特性の製品バラツキが補正されて吸収されるように、アナログ信号Voutのオフセット電圧Voffおよび振幅電圧Vaを調節することができる。
In the present embodiment, the reference voltage generation circuits 22 and 23 are provided to generate the reference voltages VH and VL and output the reference voltages VH and VL to the DA converter 24. The DA converter 24 outputs the difference voltage (VH) between the reference voltages VH and VL. −VL) is set to the input voltage range, and the digital signals D0 to D3 are DA-converted to generate the analog signal Vout, whereby the analog signal Vout that is a sine wave in the range of the difference voltage (VH−VL) is obtained. To change.
Therefore, by appropriately setting the reference voltages VH and VL, the offset voltage Voff and the amplitude voltage Va of the analog signal Vout can be adjusted so that the product variation in the characteristics of the RF circuit 53 is corrected and absorbed. .

そして、MAC回路61の生成したデジタル信号を変換するRAM21を設け、そのRAM21の変換テーブルを適宜設定することにより、RF回路53の特性の製品バラツキが補正されて吸収されるように、アナログ信号Voutの歪みを調節することができる。   Then, the RAM 21 for converting the digital signal generated by the MAC circuit 61 is provided, and by appropriately setting the conversion table of the RAM 21, the analog signal Vout is adjusted so that the product variation in the characteristics of the RF circuit 53 is corrected and absorbed. You can adjust the distortion.

つまり、アナログ信号Voutはオフセット電圧Voffを中心電圧とした振幅電圧Vaのサイン波であるため、従来技術において10bitのデジタル信号d0〜d9をDA変換器52でDA変換して生成したアナログ信号Voutを、本実施形態のように4bitのデジタル信号D0〜D3を信号変換器12でDA変換して生成することができる。
言い換えれば、従来技術ではアナログ信号Voutを生成するのに10bitのデジタル信号d0〜d9を必要としたのに対して、本実施形態ではアナログ信号Voutを生成するのに4bitのデジタル信号D0〜D3しか必要としない。
That is, since the analog signal Vout is a sine wave of the amplitude voltage Va with the offset voltage Voff as the center voltage, the analog signal Vout generated by DA-converting the 10-bit digital signals d0 to d9 by the DA converter 52 in the prior art. The 4-bit digital signals D0 to D3 can be DA-converted by the signal converter 12 as in the present embodiment.
In other words, in the prior art, 10-bit digital signals d0 to d9 are required to generate the analog signal Vout, whereas in this embodiment, only the 4-bit digital signals D0 to D3 are generated to generate the analog signal Vout. do not need.

このように、従来技術では、アナログ信号Voutのオフセット電圧Voff,振幅電圧Va,歪みを設定するのに、RAM62、10bitのデジタル信号d0〜d9、10bitのDA変換器52を使用している。
それに対して、本実施形態では、アナログ信号Voutのオフセット電圧Voffおよび振幅電圧Vaを設定するのに、各基準電圧生成回路22,23、4bitのデジタル信号D0〜D3、4bitのDA変換器24を使用している。また、本実施形態では、アナログ信号Voutの歪みを設定するのに、RAM21、4bitのデジタル信号D0〜D3、4bitのDA変換器24を使用している。
As described above, in the prior art, the RAM 62, the 10-bit digital signals d0 to d9, and the 10-bit DA converter 52 are used to set the offset voltage Voff, the amplitude voltage Va, and the distortion of the analog signal Vout.
On the other hand, in this embodiment, in order to set the offset voltage Voff and the amplitude voltage Va of the analog signal Vout, the reference voltage generation circuits 22, 23, the 4-bit digital signals D0 to D3, and the 4-bit DA converter 24 are provided. I use it. In this embodiment, the RAM 21, the 4-bit digital signals D <b> 0 to D <b> 3, and the 4-bit DA converter 24 are used to set the distortion of the analog signal Vout.

ここで、各基準電圧生成回路22,23は、PWM回路31,32とローパスフィルタ33,34だけから構成されているため、単純な構成で安価に提供できる。   Here, each of the reference voltage generation circuits 22 and 23 includes only the PWM circuits 31 and 32 and the low-pass filters 33 and 34, and therefore can be provided with a simple configuration at low cost.

また、4bitのDA変換器24は、R−2R型のラダー抵抗回路網39から成る電圧加算方式DA変換器と、各バッファ回路35〜38とから構成されている。
R−2R型のラダー抵抗回路網39は、構成が単純であるためIC化に適しており安価に提供できる。そして、各バッファ回路35〜38は、コンプリメンタリの2個のトランジスタQ1,Q2を用いることにより、単純な構成で安価に提供できる。
そのため、DA変換器24は単純な構成で安価に提供できる。
The 4-bit DA converter 24 includes a voltage addition type DA converter including an R-2R type ladder resistor network 39 and buffer circuits 35 to 38.
The R-2R ladder resistance network 39 has a simple configuration and is therefore suitable for an IC and can be provided at low cost. Each of the buffer circuits 35 to 38 can be provided at a low cost with a simple configuration by using two complementary transistors Q1 and Q2.
Therefore, the DA converter 24 can be provided at a low cost with a simple configuration.

従って、各基準電圧生成回路22,23およびDA変換器24から構成された信号変換器12は、従来技術のDA変換器52に比べ、構成が単純で安価である。   Therefore, the signal converter 12 composed of the reference voltage generation circuits 22 and 23 and the DA converter 24 is simple and inexpensive compared to the conventional DA converter 52.

また、4bitのデジタル信号D0〜D3を生成するDSRC制御用LSI11は、4個の出力端子P0〜P3を設けるだけでよいため、10個の出力端子p0〜p9を設ける必要がある従来技術のDSRC制御用LSI51に比べ、パッケージの外形寸法を小さくできること加えて製造コストを低減することができる。   Further, since the DSRC control LSI 11 that generates the 4-bit digital signals D0 to D3 only needs to provide the four output terminals P0 to P3, the conventional DSRC that needs to provide the ten output terminals p0 to p9. Compared to the control LSI 51, the outer dimensions of the package can be reduced, and the manufacturing cost can be reduced.

そして、RAM21にはアナログ信号Voutの歪みのみを調節するための変換テーブルを設けるだけでよいことから、アナログ信号Voutのオフセット電圧Voff,振幅電圧Va,歪みの3つの要素を調節するための変換テーブルが設ける必要がある従来技術のRAM62に比べ、RAM21の記憶容量が小さくて済み、このような記憶容量の小さなRAMは安価である。   Since the RAM 21 only needs to be provided with a conversion table for adjusting only the distortion of the analog signal Vout, the conversion table for adjusting the three elements of the offset voltage Voff, the amplitude voltage Va, and the distortion of the analog signal Vout. Compared to the conventional RAM 62 that needs to be provided, the storage capacity of the RAM 21 is small, and such a small storage capacity RAM is inexpensive.

従って、本実施形態のETC車載器10は、従来のETC車載器50に比べて製造コストを低減することができる。   Therefore, the ETC onboard equipment 10 of this embodiment can reduce manufacturing cost compared with the conventional ETC onboard equipment 50.

[別の実施形態]
ところで、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、以下のように具体化してもよく、その場合でも、上記実施形態と同等もしくはそれ以上の作用・効果を得ることができる。
[Another embodiment]
By the way, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and may be embodied as follows, and even in that case, operations and effects equivalent to or higher than those of the above-described embodiment can be obtained.

(1)上記実施形態では、各バッファ回路35〜38をPNPトランジスタQ1およびNPNトランジスタQ2によって構成している。
しかし、図5に示すように、PNPトランジスタQ1をPチャネルMOSトランジスタQ3に置き換えると共に、NPNトランジスタQ2をNチャネルMOSトランジスタQ4に置き換えることにより、各バッファ回路35〜38をCMOS型バッファ回路にしてもよい。
この場合、MOSトランジスタQ3,Q4は、バイポーラトランジスタQ1,Q2のように過大なベース電流が流れるのを防止する必要がないため、各抵抗R3,R4を省くことができる。
(1) In the above embodiment, each of the buffer circuits 35 to 38 is constituted by the PNP transistor Q1 and the NPN transistor Q2.
However, as shown in FIG. 5, the PNP transistor Q1 is replaced with a P-channel MOS transistor Q3, and the NPN transistor Q2 is replaced with an N-channel MOS transistor Q4, whereby each buffer circuit 35 to 38 is made a CMOS type buffer circuit. Good.
In this case, the MOS transistors Q3 and Q4 do not need to prevent an excessive base current from flowing unlike the bipolar transistors Q1 and Q2, so that the resistors R3 and R4 can be omitted.

(2)R−2R型のラダー抵抗回路網39から構成された電圧加算方式DA変換器を、他の適宜な方式(例えば、重み抵抗方式、抵抗分圧方式、電流加算方式、重み電流方式など)のDA変換器に置き換えてもよい。   (2) A voltage addition method DA converter composed of the R-2R type ladder resistor network 39 is replaced with another appropriate method (for example, a weight resistance method, a resistance voltage division method, a current addition method, a weight current method, etc. ) DA converter.

(3)上記実施形態では4bitのDA変換器24を用いたが、DA変換器24の変換精度を5bit以上の高精度にすれば、ETCに要求される無線通信を更に確実に行うことが可能な高周波信号を得るためのアナログ信号Voutを生成することができる。
尚、R−2R型のラダー抵抗回路網39を使用したDA変換器24は構成が単純であるため、変換精度を5bit以上にしても、特許文献1に開示されたDA変換器に比べて、回路規模がはるかに小さいため、ETC車載器10の製造コストが大幅に増大することはない。
(3) In the above embodiment, the 4-bit DA converter 24 is used. However, if the conversion accuracy of the DA converter 24 is set to a high precision of 5 bits or more, the wireless communication required for ETC can be performed more reliably. An analog signal Vout for obtaining a high-frequency signal can be generated.
Since the DA converter 24 using the R-2R type ladder resistor network 39 has a simple configuration, even if the conversion accuracy is 5 bits or more, compared to the DA converter disclosed in Patent Document 1, Since the circuit scale is much smaller, the manufacturing cost of the ETC vehicle-mounted device 10 does not increase significantly.

(4)上記実施形態は本発明をETC車載器に適用したものであるが、本発明は、どのような電子装置に適用してもよい。   (4) In the above embodiment, the present invention is applied to an ETC vehicle-mounted device, but the present invention may be applied to any electronic device.

本発明を具体化した一実施形態のETC車載器(ETC用通信装置)10の要部概略構成を示すブロック回路図。The block circuit diagram which shows the principal part schematic structure of the ETC onboard equipment (ETC communication apparatus) 10 of one Embodiment which actualized this invention. ETC車載器10が備えた信号変換器12の内部構成を示すブロック回路図。The block circuit diagram which shows the internal structure of the signal converter 12 with which the ETC onboard equipment 10 was provided. 図3(A)は、信号変換器12を構成するPWM回路31の出力信号RHを示す特性図。図3(B)は、信号変換器12を構成するPWM回路32の出力信号RLを示す特性図。FIG. 3A is a characteristic diagram showing the output signal RH of the PWM circuit 31 constituting the signal converter 12. FIG. 3B is a characteristic diagram showing the output signal RL of the PWM circuit 32 constituting the signal converter 12. 信号変換器12からRF回路53へ出力されるアナログ信号Voutを示す特性図。FIG. 6 is a characteristic diagram showing an analog signal Vout output from the signal converter 12 to the RF circuit 53. 本発明を具体化した別の実施形態における信号変換器12の内部構成を示すブロック回路図。The block circuit diagram which shows the internal structure of the signal converter 12 in another embodiment which actualized this invention. 従来のETC車載器50の要部概略構成を示すブロック回路図。The block circuit diagram which shows the principal part schematic structure of the conventional ETC onboard equipment 50. FIG. ETC車載器50が備えたDA変換器52からRF回路53へ出力されるアナログ信号Voutを示す特性図。The characteristic view which shows the analog signal Vout output to the RF circuit 53 from the DA converter 52 with which the ETC onboard equipment 50 was equipped.

符号の説明Explanation of symbols

10…ETC車載器
11…DSRC制御用LSI
12…信号変換器
21…RAM
22…高電位側基準電圧生成回路
23…低電位側基準電圧生成回路
24…DA変換器
31,32…PWM回路
33,34…ローパスフィルタ
35〜38…バッファ回路
39…ラダー抵抗回路網
53…RF回路
54…アンテナ
61…MAC回路
D0〜D3…デジタル信号
Vout…アナログ信号
Voff…オフセット電圧
Va…振幅電圧
SH,SL…制御信号
10 ... ETC on-board unit 11 ... DSRC control LSI
12 ... Signal converter 21 ... RAM
DESCRIPTION OF SYMBOLS 22 ... High potential side reference voltage generation circuit 23 ... Low potential side reference voltage generation circuit 24 ... DA converter 31, 32 ... PWM circuit 33, 34 ... Low pass filter 35-38 ... Buffer circuit 39 ... Ladder resistance network 53 ... RF Circuit 54 ... Antenna 61 ... MAC circuit D0 to D3 ... Digital signal Vout ... Analog signal Voff ... Offset voltage Va ... Amplitude voltage SH, SL ... Control signal

Claims (4)

デジタル信号をアナログ信号にDA変換し、そのアナログ信号は、オフセット電圧からプラス側およびマイナス側に同一の振幅電圧をとるサイン波である信号変換装置であって、
高電位側基準電圧を生成する高電位側基準電圧生成手段と、
低電位側基準電圧を生成する低電位側基準電圧生成手段と、
前記各基準電圧生成手段が生成した各基準電圧の差電圧の範囲を入力電圧の範囲として前記デジタル信号をDA変換することによりアナログ信号を生成するDA変換手段と
を備え、
前記アナログ信号は、前記高電位側基準電圧と前記オフセット電圧の差電圧が前記振幅電圧になると共に、前記低電位側基準電圧と前記オフセット電圧の差電圧が前記振幅電圧になることを特徴とする信号変換装置。
A digital signal is converted into an analog signal, and the analog signal is a signal converter that is a sine wave having the same amplitude voltage on the plus side and the minus side from the offset voltage,
High potential side reference voltage generating means for generating a high potential side reference voltage;
Low potential side reference voltage generating means for generating a low potential side reference voltage;
DA conversion means for generating an analog signal by DA-converting the digital signal with the difference voltage range of each reference voltage generated by each reference voltage generation means as an input voltage range,
The analog signal is characterized in that a difference voltage between the high potential side reference voltage and the offset voltage becomes the amplitude voltage, and a difference voltage between the low potential side reference voltage and the offset voltage becomes the amplitude voltage. Signal converter.
請求項1に記載の信号変換装置において、
前記各基準電圧生成手段は、
外部から入力される制御信号によってパルス幅変調がかけられることにより、その制御信号に基づいたパルス幅の矩形波である出力信号を生成するパルス幅変調回路と、
そのパルス幅変調回路の出力信号が通されることにより、直流電圧である前記基準電圧を生成する積分回路と
を備えたことを特徴とする信号変換装置。
The signal converter according to claim 1,
Each of the reference voltage generation means includes
A pulse width modulation circuit that generates an output signal that is a rectangular wave with a pulse width based on the control signal by being subjected to pulse width modulation by a control signal input from the outside;
A signal conversion apparatus comprising: an integration circuit that generates the reference voltage, which is a DC voltage, by passing an output signal of the pulse width modulation circuit.
請求項1または請求項2に記載の信号変換装置において、
前記DA変換手段は、
前記デジタル信号のビット数に対応したR−2R型のラダー抵抗回路網から成る電圧加算方式のDA変換器と、
前記デジタル信号の各ビットを、前記各基準電圧生成手段が生成した前記高電位側基準電圧または前記低電位側基準電圧に変換して前記ラダー抵抗回路網へ出力するバッファ回路と
を備えたことを特徴とする信号変換装置。
In the signal converter according to claim 1 or 2,
The DA conversion means includes
A voltage addition type DA converter comprising an R-2R type ladder resistor network corresponding to the number of bits of the digital signal;
A buffer circuit that converts each bit of the digital signal into the high-potential-side reference voltage or the low-potential-side reference voltage generated by the respective reference voltage generation means and outputs the converted voltage to the ladder resistor network. A featured signal converter.
デジタル信号を生成するDSRC(Dedicated Short Range Communication)制御用LSIと、
そのDSRC制御用LSIが生成したデジタル信号をアナログ信号に変換する請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の信号変換装置と、
その信号変換装置が変換したアナログ信号を高周波信号に変換し、その高周波信号をアンテナから送信する高周波回路と
を備えたETC(Electronic Toll Collection system)用通信装置であって、
前記DSRC制御用LSIは、
生成したデジタル信号にASK(Amplitude Shift Keying)をかけるMAC(Media Accesss Control)回路と、
前記高周波回路の歪みを補正して吸収するための変換テーブルが設定され、その変換テーブルに基づいて前記MAC回路の生成したデジタル信号を変換して補正するRAM(Random Access Memory)と
を備えたことを特徴とするETC用通信装置。
DSRC (Dedicated Short Range Communication) control LSI that generates digital signals;
The signal converter according to any one of claims 1 to 3, wherein the digital signal generated by the DSRC control LSI is converted into an analog signal;
An ETC (Electronic Toll Collection System) communication device including an analog signal converted by the signal conversion device and converted to a high-frequency signal, and a high-frequency circuit that transmits the high-frequency signal from an antenna,
The DSRC control LSI is
A MAC (Media Access Control) circuit that applies ASK (Amplitude Shift Keying) to the generated digital signal;
A conversion table for correcting and absorbing distortion of the high-frequency circuit is set, and a RAM (Random Access Memory) for converting and correcting the digital signal generated by the MAC circuit based on the conversion table is provided. An ETC communication device characterized by the above.
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