JP2006261294A - Light emitting device of extreme ultraviolet ray - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体露光用装置や露光用マスクの検査装置などの光源に利用されるＳｎ（スズ）イオンから極端紫外光を得る極端紫外光発光装置に関する。 The present invention relates to an extreme ultraviolet light emitting device that obtains extreme ultraviolet light from Sn (tin) ions used in a light source such as a semiconductor exposure device or an exposure mask inspection device.
将来の更なる高集積化された半導体の製造プロセスの一つであるリソグラフィ工程の露光用光源として、ガスの放電により生成したプラズマ中のＳｎイオンから主波長１３．５ｎｍの極端紫外（ＥＵＶ）光を得る極端紫外光光源が期待される。
なお、通常、極端紫外（Ｅｘｔｒｅｍｅ ｕｌｔｒａ ｖｉｏｌｅｔ）はＥＵＶと称せられるので、以下では、極端紫外をＥＵＶとも呼ぶ。
ＥＵＶ光をガスの放電によりプラズマを生成して得る方法を放電生成プラズマと呼ぶ（以下、ＤＰＰ：Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ Ｐｒｏｄｕｃｅｄ Ｐｌａｓｍａ）。このＤＰＰにおいて、放電ガスをＳｎＨ4 ガスとしてＳｎイオンを得るＤＰＰは高効率のＥＵＶ発光が期待され、注目される。
Extreme ultraviolet (EUV) light having a dominant wavelength of 13.5 nm from Sn ions in plasma generated by gas discharge as an exposure light source for lithography process, which is one of the manufacturing processes of further highly integrated semiconductors in the future An extreme ultra violet light source is expected.
In addition, since extreme ultraviolet (Extreme ultra violet) is usually called EUV, in the following, extreme ultraviolet is also called EUV.
A method of obtaining EUV light by generating plasma by gas discharge is called discharge generated plasma (hereinafter referred to as DPP: Discharge Produced Plasma). In this DPP, DPP that obtains Sn ions by using the discharge gas as SnH 4 gas is expected to produce highly efficient EUV light emission, and is attracting attention.
Ｓｎイオンの発光を利用する極端紫外光発光装置は、特許文献１に開示されている。
特許文献１に記載のものは、モノスタナン（ＳｎＨ4 ）を加熱・励起部へ断続的あるいは連続的に供給し、それを放電加熱し励起して、あるいはレーザ照射加熱し励起して、プラズマ化し、主波長１３．５ｎｍの極端紫外光を放射するものである。
An extreme ultraviolet light emitting device that utilizes light emission of Sn ions is disclosed in Patent Document 1.
The one described in Patent Document 1 intermittently or continuously supplies monostannane (SnH 4 ) to the heating / excitation section, and discharges and excites it, or excites it by heating with laser irradiation, and turns it into plasma. It emits extreme ultraviolet light having a dominant wavelength of 13.5 nm.
放電ガスをＳｎＨ4 ガスとするＤＰＰにおいては、ＳｎＨ4 はガスの状態で貯蔵するとＳｎとＨ2 に分解するため、液化ＳｎＨ4 の状態で液化モノスタナン容器に貯蔵して使用する。そこで、液化モノスタナン容器は低温に保つ必要がある。
１３．５ｎｍのＥＵＶ光を得るためにＳｎＨ4 ガスを放電によりプラズマ化する放電空間をプラズマ生成部と呼ぶことにすると、液化モノスタナン容器からプラズマ生成部へのＳｎＨ4 ガスの供給は、液化モノスタナン容器内の液化ＳｎＨ4 が蒸発しガス化することにより、行われる。
液化モノスタナン容器内のＳｎＨ4 ガスの圧力は液化ＳｎＨ4 の蒸気圧で、液化ＳｎＨ4 の温度で決まる。また、液化モノスタナン容器からプラズマ生成部へのＳｎＨ4 ガスの供給流量はそのＳｎＨ4 ガスの圧力で決まる。
この場合、液化ＳｎＨ4 の温度が−７５°Ｃ以上であると、その蒸気圧すなわち、ガス化したがＳｎＨ4 ガスの圧力は２６ｋＰａ以上になり、ＳｎＨ4 の分解が無視できなくなる。
したがって、液化モノスタナン容器は低温に冷却し、液化ＳｎＨ4 は−７５°Ｃ未満の温度に保つことが必要である。この温度での液化モノスタナン容器内のＳｎＨ4 ガスの圧力は２６ｋＰａ未満である。
If a discharge space in which SnH 4 gas is converted into plasma by discharge in order to obtain EUV light of 13.5 nm is called a plasma generation unit, the supply of SnH 4 gas from the liquefied monostanan container to the plasma generation unit The liquefied SnH 4 is evaporated and gasified.
The pressure of the SnH 4 gas liquefaction Monosutanan vessel at the vapor pressure of the liquefied SnH 4, determined by the temperature of the liquefied SnH 4. In addition, the supply flow rate of SnH 4 gas from the liquefied monostanan container to the plasma generation unit is determined by the pressure of the SnH 4 gas.
In this case, when the temperature of the liquefied SnH 4 is −75 ° C. or higher, the vapor pressure, that is, gasification, but the pressure of SnH 4 gas becomes 26 kPa or higher, and the decomposition of SnH 4 cannot be ignored.
Therefore, it is necessary to cool the liquefied monostannane container to a low temperature and keep the liquefied SnH 4 at a temperature below -75 ° C. The pressure of SnH 4 gas in the liquefied monostannane container at this temperature is less than 26 kPa.
図５にＤＰＰ方式ＥＵＶ発光装置の概略図を示す。
冷却用冷媒６中に置かれた液化モノスタナン容器１から供給されるＳｎＨ4 ガスがプラズマ生成部３において放電によりプラズマ化され、ＥＵＶ光５が得られる。
ＳｎＨ4 ガスは、液化モノスタナン容器１内の液化ＳｎＨ4 ２がＳｎＨ4 ガス空間Ａに蒸発して得られ、配管４を通しプラズマ生成部３に供給される。
上記ＥＵＶ発光装置において、プラズマ生成部３で安定なＥＵＶ光出力を得るためは、ＳｎＨ4 ガスのプラズマ生成部３への供給流量を一定にすることが不可欠である。
しかし、図５に示す、液化ＳｎＨ4 の状態で液化モノスタナン容器１に貯蔵し、−７５°Ｃ未満の温度に保った冷媒６中に置いた液化モノスタナン容器１からプラズマ生成部３へＳｎＨ4 ガスを供給する構成では、プラズマ生成部３へのＳｎＨ4 ガスの供給流量が必ずしも一定にならなかった。
本発明は、上記問題点を解決するためになされたものであって、液化モノスタナン容器からプラズマ生成部へのＳｎＨ4 ガスの供給流量を一定にし、ＥＵＶ出力を安定化し、ＤＰＰを実用に供することを目的にする。
FIG. 5 shows a schematic diagram of a DPP EUV light emitting device.
The SnH 4 gas supplied from the liquefied monostanan container 1 placed in the cooling refrigerant 6 is converted into plasma by discharge in the plasma generating unit 3, and EUV light 5 is obtained.
The SnH 4 gas is obtained by evaporating the liquefied SnH 4 2 in the liquefied monostanan container 1 into the SnH 4 gas space A, and is supplied to the plasma generation unit 3 through the pipe 4.
In the EUV light emitting device, in order to obtain a stable EUV light output in the plasma generation unit 3, it is essential to keep the supply flow rate of the SnH 4 gas to the plasma generation unit 3 constant.
However, shown in FIG. 5, liquefied and stored in a liquefied Monosutanan container 1 in a state of SnH 4, SnH 4 gas from a liquified Monosutanan container 1 placed in the refrigerant 6 kept at a temperature of less than -75 ° C to the plasma generator 3 In the configuration in which the supply flow rate of SnH 4 gas to the plasma generation unit 3 is not necessarily constant.
The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and is intended to make the supply of SnH 4 gas from the liquefied monostanan container to the plasma generation unit constant, stabilize the EUV output, and provide DPP for practical use. For the purpose.
プラズマ生成部３へのＳｎＨ4 ガスの供給流量が一定にならない理由は、液化ＳｎＨ4 が蒸発するときに気化熱を奪うためであると考えられる。すなわち、気化熱により、液化ＳｎＨ4 の温度が低下し、液化モノスタナン容器内のＳｎＨ4 ガス圧力は低下し、その結果、プラズマ生成部へのＳｎＨ4 ガスの供給流量は減少し、ＥＵＶ光出力は変動するものと考えられる。
そこで、液化ＳｎＨ4 の温度調節し、ガス化したときの気化熱による温度低下を補正した。これにより、液化モノスタナン容器内のＳｎＨ4 ガス圧を一定にすることができた。その結果、プラズマ生成部へのＳｎＨ4 ガスの供給流量を一定にすることができ、プラズマ生成部からのＥＵＶ出力は変動しないようになった。
ＤＰＰの実験によれば、ＳｎＨ4 ガス圧の低下は４．３ｋＰａ／分とかなり大きく、少なくとも４秒毎に入熱量の制御が可能な方法を用いることが必要となることが判っている。
少なくとも４秒毎に液化ＳｎＨ4 の温度を調整する方法として、液化モノスタナン容器の外周にガスパイプを巻き、そこにＮ2 ガスやＡｒガスを流し、その流量を制御することによる方法、液化モノスタナン容器の外周にガスパイプを巻き、そこに液体Ｎ2 や液体Ａｒ等の低温液化ガスを流したり、低温液化ガスを直接液化モノスタナン容器に吹きつけ、その吹きつけ量により温度調節を行う方法、等が挙げられる。
The reason why the supply flow rate of the SnH 4 gas to the plasma generation unit 3 is not constant is considered to be because heat of vaporization is taken away when the liquefied SnH 4 evaporates. That is, due to the heat of vaporization, the temperature of the liquefied SnH 4 is lowered, the SnH 4 gas pressure in the liquefied monostanan container is lowered, and as a result, the supply flow rate of SnH 4 gas to the plasma generation unit is reduced, and the EUV light output is It is considered to fluctuate.
Therefore, the temperature of the liquefied SnH 4 was adjusted to correct the temperature drop due to the heat of vaporization when gasified. As a result, the SnH 4 gas pressure in the liquefied monostannane container could be made constant. As a result, the supply flow rate of SnH 4 gas to the plasma generation unit can be made constant, and the EUV output from the plasma generation unit does not vary.
According to DPP experiments, the decrease in SnH 4 gas pressure is quite large at 4.3 kPa / min, and it is necessary to use a method capable of controlling the heat input at least every 4 seconds.
As a method of adjusting the temperature of the liquefied SnH 4 at least every 4 seconds, a gas pipe is wound around the outer periphery of the liquefied monostanan container, N 2 gas or Ar gas is flowed there, and the flow rate is controlled. A gas pipe is wound around the outer periphery, and a low-temperature liquefied gas such as liquid N 2 or liquid Ar is allowed to flow there, or a low-temperature liquefied gas is directly sprayed onto a liquefied monostannan container, and the temperature is adjusted by the amount of the spray. .
プラズマ生成部へのＳｎＨ4 ガスの供給流量を制御するには、液化モノスタナン容器からプラズマ生成部へＳｎＨ4 ガスを供給するための配管に流量計を設け、その流量計の信号により液化モノスタナン容器内の液化ＳｎＨ4 温度を調節すればよい。
また、液化モノスタナン容器内のＳｎＨ4 ガスの圧力（蒸気圧）を検知するガス圧計を液化モノスタン容器に設け、そのガス圧計の信号により液化ＳｎＨ4 の温度を制御しても、プラズマ生成部へのＳｎＨ4 ガスの供給流量を一定することができる。
In order to control the supply flow rate of SnH 4 gas to the plasma generator, a flow meter is provided in the piping for supplying SnH 4 gas from the liquefied monostanan vessel to the plasma generator, and the inside of the liquefied monostanan vessel is controlled by the flow meter signal. The temperature of the liquefied SnH 4 should be adjusted.
Even if a gas pressure gauge for detecting the pressure (vapor pressure) of SnH 4 gas in the liquefied monostanan container is provided in the liquefied monostan container and the temperature of the liquefied SnH 4 is controlled by the signal of the gas pressure gauge, The supply flow rate of the SnH 4 gas can be made constant.
本発明によれば、以下の効果を得ることができる。
（１）液化モノスタナン容器内の液化ＳｎＨ4 の温度調整を行うようにしたので、プラズマ生成部へのＳｎＨ4 ガスの供給流量を一定にでき、ＥＵＶ光出力が変動しないＥＵＶ発光装置を得ることができる。
（２）本発明のＥＵＶ発光装置を半導体露光装置に使用することで、微細半導体の半導体露光に実使用される可能性を高めることができる。
According to the present invention, the following effects can be obtained.
(1) Since the temperature of the liquefied SnH 4 in the liquefied monostannane container is adjusted, the supply flow rate of the SnH 4 gas to the plasma generation unit can be made constant, and an EUV light emitting device in which the EUV light output does not fluctuate can be obtained. it can.
(2) By using the EUV light emitting device of the present invention in a semiconductor exposure device, the possibility of actual use in semiconductor exposure of a fine semiconductor can be increased.
図１は、本発明の第１の実施例のＤＰＰ方式のＥＵＶ発光装置の概略構成を示す図である。同図（ａ）は、ＥＵＶ発光装置の全体の概略構成を示し、（ｂ）は液化モノスタナン容器および制御系の構成例を示している。なお、同図（ａ）は液化モノスタナン容器の断面図を示している。
図１において、１は液化モノスタナン容器であり、液化モノスタナン容器１は、フロリナートなどの冷媒に浸され、液化ＳｎＨ4 ２は低温に保たれている。また、液化モノスタナン容器１の外周には、同図（ｂ）に示すように、ガスパイプ９が巻かれており、ガスパイプ９にガス８が流され、プラズマ生成部３へのＳｎＨ4 ガスの供給量が一定になるように、ガス８の流量が調整される。
液化モノスタナン容器１から供給されるＳｎＨ4 ガスは、プラズマ生成部３に供給され、放電によりプラズマ化してＥＵＶ光５が得られる。本実施例のプラズマ生成部３は、ＤＰＰ方式であり、例えば前記特許文献１に記載されるＺピンチ型あるいはキャピラリー型のプラズマ生成部を用いることができる。
FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a DPP type EUV light emitting apparatus according to a first embodiment of the present invention. FIG. 4A shows a schematic configuration of the entire EUV light emitting device, and FIG. 4B shows a configuration example of a liquefied monostanan container and a control system. In addition, the figure (a) has shown sectional drawing of the liquefied monostanan container.
In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a liquefied monostannane container. The liquefied monostannane container 1 is immersed in a refrigerant such as florinate, and the liquefied SnH 4 2 is kept at a low temperature. Further, as shown in FIG. 2B, a gas pipe 9 is wound around the outer periphery of the liquefied monostanan container 1, and the gas 8 flows through the gas pipe 9, and the supply amount of SnH 4 gas to the plasma generation unit 3. The flow rate of the gas 8 is adjusted so that is constant.
The SnH 4 gas supplied from the liquefied monostannane container 1 is supplied to the plasma generation unit 3 and converted into plasma by discharge, whereby EUV light 5 is obtained. The plasma generation unit 3 of the present embodiment is a DPP system, and for example, a Z-pinch type or capillary type plasma generation unit described in Patent Document 1 can be used.
ＳｎＨ4 ガスは、液化モノスタナン容器１内の液化ＳｎＨ4 ２がＳｎＨ4 ガス空間Ａに蒸発して得られる。ＳｎＨ4 ガス空間ＡのＳｎＨ4 ガスの圧力は液化ＳｎＨ4 の蒸気圧でであり、液化ＳｎＨ4 ２の温度で決まる。
ＳｎＨ4 ガス空間ＡにおけるＳｎＨ4 ガスの圧力が２６ｋＰａ程度以上であるとＳｎＨ4 ガスの分解が無視できなくなるので、液化ＳｎＨ4 の温度を蒸気圧が２６ｋＰａ未満である−７５°Ｃ未満に保つことが必要である。
ＳｎＨ4 ガス空間ＡのＳｎＨ4 ガスは配管４を通し、プラズマ生成部３に供給され、放電によりプラズマ化することでＥＵＶ光５が得られる。
液化モノスタナン容器１からプラズマ生成部３へのＳｎＨ4 ガスの流量はＳｎＨ4 ガス空間ＡのＳｎＨ4 ガスの圧力で決まる。液化ＳｎＨ4 ２がＳｎＨ4 ガス空間Ａに蒸発する場合、前記したように気化熱により、液化ＳｎＨ4 ２の温度が低下し、液化ＳｎＨ4 ２の蒸気圧は低下する。その結果、ＳｎＨ4 ガス空間ＡのＳｎＨ4 ガスの圧力は低下し、プラズマ生成部３へのＳｎＨ4 ガスの供給流量は低下する。
The SnH 4 gas is obtained by evaporating the liquefied SnH 4 2 in the liquefied monostanan container 1 into the SnH 4 gas space A. SnH 4 the pressure of the SnH 4 gas in the gas space A is in the vapor pressure of the liquefied SnH 4, determined by the temperature of the liquefied SnH 4 2.
If the pressure of the SnH 4 gas in the SnH 4 gas space A is about 26 kPa or more, decomposition of the SnH 4 gas cannot be ignored. Therefore, the temperature of the liquefied SnH 4 should be kept below −75 ° C. where the vapor pressure is less than 26 kPa. is required.
SnH 4 gas SnH 4 gas space A is passed through a pipe 4, it is supplied to the plasma generator 3, the EUV light 5 obtained by plasma by discharge.
The flow rate of SnH 4 gas from the liquefaction Monosutanan container 1 to the plasma generator 3 is determined by the pressure of the SnH 4 gas SnH 4 gas space A. When the liquefied SnH 4 2 evaporates into the SnH 4 gas space A, as described above, the temperature of the liquefied SnH 4 2 decreases due to the heat of vaporization, and the vapor pressure of the liquefied SnH 4 2 decreases. As a result, the pressure of SnH 4 gas in the SnH 4 gas space A decreases, and the supply flow rate of SnH 4 gas to the plasma generation unit 3 decreases.
プラズマ生成部３でのＥＵＶ光５の出力はプラズマ生成部３へのＳｎＨ4 ガスの供給流量できまるから、ＳｎＨ4 ガス供給流量の低下すると、ＥＵＶ光５の出力は変動する。
そこで、本実施例では、液化ＳｎＨ4 ２の温度を調節し、気化熱での温度低下を補正し、液化モノスタナン容器１内の気化熱での温度低下を補正する。これにより、液化モノスタナン容器１内のＳｎＨ4 ガス圧を一定にすることができ、プラズマ生成部３へのＳｎＨ4 ガスの供給量を一定に保つことができる。
本実施例では、図１（ａ）に示すように、配管４に流量計１４を設けて、該流量計１４でプラズマ生成部３へのＳｎＨ4 ガスの供給流量を計測する。そして、得られた流量計１４の出力信号を制御部１５に入力し、制御部１５によりバルブ１０の開度を調整し、ガスパイプ９に流すガス８の流量を調整する。
すなわち、ガスパイプ９に流すガス８の量を調整して液化ＳｎＨ4 ２の温度を調整することにより、ＳｎＨ4 ガスの供給流量を一定に制御する。
これにより、ＳｎＨ4 ガスのプラズマ生成部３への供給量を一定に制御することができ、ＥＵＶ光出力が変動しないＥＵＶ発光装置を得ることができる。なお、ガス８は安価で−７５°Ｃ以下での液体化しない空気、窒素、Ａｒ、などが望ましい。
制御部１５は、例えば図１（ｂ）に示すように構成される。流量計１４により検出された流量検出値と流量設定値を比較器１５ａで比較し、その偏差を制御器１５ｂに与える。制御器１５ｂは流量検出値と流量設定値が一致するように、操作部１５ｃを介してガスパイプ９に設けたバルブ１０を操作する。これにより、液化ＳｎＨ4 ２の温度が調節され、ＳｎＨ4 ガスの流量が流量設定値に一致するように制御される。
Since the output of the EUV light 5 from the plasma generation unit 3 is determined by the supply flow rate of the SnH 4 gas to the plasma generation unit 3, the output of the EUV light 5 varies as the SnH 4 gas supply flow rate decreases.
Therefore, in the present embodiment, the temperature of the liquefied SnH 4 2 is adjusted to correct the temperature decrease due to the heat of vaporization, and the temperature decrease due to the heat of vaporization in the liquefied monostanan container 1 is corrected. Thereby, the SnH 4 gas pressure in the liquefied monostannane container 1 can be made constant, and the supply amount of SnH 4 gas to the plasma generating unit 3 can be kept constant.
In the present embodiment, as shown in FIG. 1A, a flow meter 14 is provided in the pipe 4, and the supply flow rate of SnH 4 gas to the plasma generation unit 3 is measured by the flow meter 14. And the output signal of the obtained flowmeter 14 is input into the control part 15, the opening degree of the valve | bulb 10 is adjusted by the control part 15, and the flow volume of the gas 8 sent through the gas pipe 9 is adjusted.
That is, by adjusting the temperature of the liquefied SnH 4 2 by adjusting the amount of the gas 8 flowing through the gas pipe 9, the supply flow rate of the SnH 4 gas is controlled to be constant.
Thereby, the supply amount of SnH 4 gas to the plasma generation unit 3 can be controlled to be constant, and an EUV light emitting device in which the EUV light output does not fluctuate can be obtained. Note that the gas 8 is preferably inexpensive, non-liquefied air at −75 ° C. or less, nitrogen, Ar, or the like.
For example, the control unit 15 is configured as shown in FIG. The flow rate detection value detected by the flow meter 14 and the flow rate set value are compared by the
図２は、本発明の第２の実施例のＤＰＰ方式のＥＵＶ発光装置の概略構成を示す図である。同図（ａ）は、図１と同様、ＥＵＶ発光装置の全体の概略構成を示し、（ｂ）は液化モノスタナン容器および制御系の構成例を示している。
前記第１の実施例では配管４に流量計１４を設けたが、本実施例では、液化モノスタナン容器１にＳｎＨ4 ガス圧を検知するガス圧計１６を設けたものである。
図２において、図１と同様、液化モノスタナン容器１は、フロリナートなどの冷媒６に浸され、液化ＳｎＨ4 ２は低温に保たれている。また、液化モノスタナン容器１の外周には、同図（ｂ）に示すように、ガスパイプ９が巻かれており、ガスパイプ９にガス８が流され、液化モノスタナン容器１のＳｎＨ4 ガス圧が一定になるように、ガス８の流量が調整される。すなわち、ガス圧計１６で液化モノスタナン容器１のＳｎＨ4 ガス圧を計測する。そして、得られたガス圧計１６の出力信号を制御部１５に入力し、制御部１５によりバルブ１０の開度を調整し、ガスパイプ９に流すガス８の流量を調整する。
液化モノスタナン容器１のＳｎＨ4 ガス圧が一定に制御されれば、プラズマ生成部３へのＳｎＨ4 ガスの流量が一定になるので、前記第１の実施例と同様、ＥＵＶ光出力が変動しないＥＵＶ発光装置を得ることができる。
制御部１５は、例えば図２（ｂ）に示すように構成される。ガス圧計１６により検出された圧力検出値と圧力設定値を比較器１５ａで比較し、その偏差を制御器１５ｂに与える。制御器１５ｂは圧力検出値と圧力設定値が一致するように、操作部１５ｃを介してガスパイプ９に設けたバルブ１０を操作する。これにより、液化ＳｎＨ4 の温度が調節され、液化モノスタナン容器１のＳｎＨ4 ガス圧が圧力設定値に一致するように制御され、その結果、プラズマ生成部３へのＳｎＨ4 ガスの流量が一定に保たれる。
FIG. 2 is a diagram showing a schematic configuration of a DPP-type EUV light emitting apparatus according to the second embodiment of the present invention. FIG. 1A shows the overall schematic configuration of the EUV light emitting device, as in FIG. 1, and FIG. 1B shows the configuration example of the liquefied monostanan container and the control system.
In the first embodiment, the flow meter 14 is provided in the pipe 4, but in this embodiment, the gas monometer 16 for detecting the SnH 4 gas pressure is provided in the liquefied monostanan container 1.
In FIG. 2, as in FIG. 1, the liquefied monostanan container 1 is immersed in a refrigerant 6 such as florinate, and the liquefied SnH 4 2 is kept at a low temperature. Further, as shown in FIG. 2B, a gas pipe 9 is wound around the outer periphery of the liquefied monostanan container 1, and a gas 8 is caused to flow through the gas pipe 9, so that the SnH 4 gas pressure in the liquefied monostanan container 1 is constant. Thus, the flow rate of the gas 8 is adjusted. That is, the SnH 4 gas pressure in the liquefied monostanan container 1 is measured by the gas pressure gauge 16. And the output signal of the obtained gas pressure gauge 16 is input into the control part 15, the opening degree of the valve | bulb 10 is adjusted by the control part 15, and the flow volume of the gas 8 sent through the gas pipe 9 is adjusted.
If the SnH 4 gas pressure in the liquefied monostannane container 1 is controlled to be constant, the flow rate of SnH 4 gas to the plasma generation unit 3 becomes constant, so that the EUV light output does not fluctuate as in the first embodiment. A light emitting device can be obtained.
The control unit 15 is configured as shown in FIG. The pressure detection value detected by the gas pressure gauge 16 and the pressure set value are compared by the
図３は本発明の第３の実施例のＤＰＰ方式のＥＵＶ発光装置の概略構成を示す図である。本実施例は、ガスパイプ９に流す低温液化ガスの流量を変化させることにより、液化ＳｎＨ4 の温度を一定にし、プラズマ生成部３へのＳｎＨ4 ガスの供給流量を一定にするように構成したものである。
図３において、液化モノスタナン容器１の外周には、ガスパイプ９が巻かれており、ガスパイプ９に低温液化ガスを流すことで、液化モノスタナン容器１内は低温に維持され、ＳｎＨ4 の液体状態が維持される。なお、図３では、液化モノスタナン容器１の外観は図示していないが、図１（ｂ）と同様の構成を有している。
液化モノスタナン容器１から供給されるＳｎＨ4 ガスは、前記第１の実施例と同様、プラズマ生成部３に供給され、放電によりプラズマ化してＥＵＶ光５が得られる。
本実施例においては、ガスパイプ９に流す低温液化ガス７の量を調整し、液化ＳｎＨ4 ２の温度を調整することにより、ＳｎＨ4 ガスの供給流量を一定に制御する。
すなわち、前記第１の実施例と同様、液化モノスタナン容器１からのＳｎＨ4 ガスをプラズマ生成部３に供給するために設けた配管４に流量計１４を設置し、該流量計１４でプラズマ生成部３へのＳｎＨ4 ガスの供給流量を計測する。そして、得られた流量計１４の出力信号を制御部１５に入力し、制御部１５により、バルブ１０の開度を調整し、ガスパイプ９に流す低温液化ガス７の流量を調整する。なお、制御系の構成は、前記図１（ｂ）に示したものと同様である。
これにより、第１、第２の実施例と同様、プラズマ生成部３へのＳｎＨ4 ガスの流量が一定に制御され、ＥＵＶ光出力が変動しないＥＵＶ発光装置を得ることができる。
上記実施例では、配管４に流量計１４を設置し、該流量計１４でプラズマ生成部３へのＳｎＨ4 ガスの供給流量を計測しているが、前記図２のように、液化モノスタナン容器１にＳｎＨ4 ガス圧を検知するガス圧計１６を設け、液化モノスタナン容器１のＳｎＨ4 ガス圧を一定に制御することで、プラズマ生成部３へのＳｎＨ4 ガスの流量が一定になるようにしてもよい。
FIG. 3 is a diagram showing a schematic configuration of a DPP type EUV light emitting apparatus according to a third embodiment of the present invention. In this embodiment, the temperature of the liquefied SnH 4 is made constant by changing the flow rate of the low-temperature liquefied gas flowing through the gas pipe 9, and the supply flow rate of the SnH 4 gas to the plasma generator 3 is made constant. It is.
In FIG. 3, a gas pipe 9 is wound around the outer periphery of the liquefied monostanan container 1. By flowing a low-temperature liquefied gas through the gas pipe 9, the inside of the liquefied monostanan container 1 is maintained at a low temperature and the SnH 4 liquid state is maintained. Is done. In addition, in FIG. 3, although the external appearance of the liquefied monostannane container 1 is not shown in figure, it has the same structure as FIG.1 (b).
The SnH 4 gas supplied from the liquefied monostannane container 1 is supplied to the plasma generation unit 3 as in the first embodiment, and is converted into plasma by discharge to obtain EUV light 5.
In the present embodiment, the supply flow rate of the SnH 4 gas is controlled to be constant by adjusting the amount of the low-temperature liquefied gas 7 flowing through the gas pipe 9 and adjusting the temperature of the liquefied SnH 4 2.
That is, as in the first embodiment, the flow meter 14 is installed in the pipe 4 provided to supply the SnH 4 gas from the liquefied monostanan container 1 to the plasma generator 3, and the plasma generator The supply flow rate of SnH 4 gas to 3 is measured. And the output signal of the obtained flow meter 14 is input into the control part 15, the opening degree of the valve | bulb 10 is adjusted by the control part 15, and the flow volume of the low-temperature liquefied gas 7 sent through the gas pipe 9 is adjusted. The configuration of the control system is the same as that shown in FIG.
As a result, as in the first and second embodiments, an EUV light emitting device in which the flow rate of SnH 4 gas to the plasma generator 3 is controlled to be constant and the EUV light output does not fluctuate can be obtained.
In the above embodiment, the flow meter 14 is installed in the pipe 4 and the supply flow rate of the SnH 4 gas to the plasma generating unit 3 is measured by the flow meter 14, but as shown in FIG. the gas pressure gauge 16 for detecting the SnH 4 gas pressure provided, liquefied Monosutanan the SnH 4 gas pressure in the container 1 by controlling the constant, even SnH 4 gas flow rate into the plasma generation unit 3 is set to be constant Good.
図４は本発明の第４の実施例のＤＰＰ方式のＥＵＶ発光装置の概略構成を示す図である。本実施例は、低温液化ガスの吹きつけ量を変化させることで液化ＳｎＨ4 の温度を一定にし、プラズマ生成部３へのＳｎＨ4 ガスの供給流量を一定にするように構成したものである。
図４において、液化モノスタナン容器１は、容器１２内に収納され、該容器１２に配管１３を介して低温液化ガス７を供給し、液化モノスタナン容器１に吹き付け、液化モノスタナン容器１内の液化ＳｎＨ4 ２を液体状態に維持する。
液化モノスタナン容器１から供給されるＳｎＨ4 ガスは、前記第１の実施例と同様、プラズマ生成部３に供給され、放電によりプラズマ化してＥＵＶ光５が得られる。
本実施例においては、液化モノスタナン容器１に吹き付ける低温液化ガス７の量を調整し、液化ＳｎＨ4 の温度を調整することにより、ＳｎＨ4 ガスの供給流量を一定に制御する。
すなわち、前記第１の実施例と同様、液化モノスタナン容器１からのＳｎＨ4 ガスをプラズマ生成部３に供給するために設けた配管４に流量計１４を設置し、該流量計１４でプラズマ生成部３へのＳｎＨ4 ガスの供給流量を計測する。そして、得られた流量計１４の出力信号を制御部１５に入力し、制御部１５により、容器１２に接続された配管１３に設けたバルブ１１の開度を調整し、液化モノスタナン容器１に吹き付ける低温液化ガスの量を調整する。なお、制御系の構成は、前記図１（ｂ）に示したものと同様である。
これにより第１、第２、第３の実施例と同様、プラズマ生成部３へのＳｎＨ4 ガスの流量が一定に制御され、ＥＵＶ光出力が変動しないＥＵＶ発光装置を得ることができる。
上記実施例では、配管４に流量計１４を設置し、該流量計１４でプラズマ生成部３へのＳｎＨ4 ガスの供給流量を計測しているが、本実施例においても、前記図２のように、液化モノスタナン容器１にＳｎＨ4 ガス圧を検知するガス圧計１６を設け、液化モノスタナン容器１のＳｎＨ4 ガス圧を一定に制御することで、プラズマ生成部３へのＳｎＨ4 ガスの流量が一定になるようにしてもよい。
FIG. 4 is a diagram showing a schematic configuration of a DPP type EUV light emitting apparatus according to a fourth embodiment of the present invention. In this embodiment, the temperature of the liquefied SnH 4 is made constant by changing the amount of low-temperature liquefied gas sprayed, and the supply flow rate of SnH 4 gas to the plasma generator 3 is made constant.
In FIG. 4, the liquefied monostanan container 1 is housed in a container 12, a low-temperature liquefied gas 7 is supplied to the container 12 via a pipe 13, sprayed onto the liquefied monostanan container 1, and liquefied SnH 4 in the liquefied monostanan container 1. 2 is maintained in a liquid state.
The SnH 4 gas supplied from the liquefied monostannane container 1 is supplied to the plasma generation unit 3 as in the first embodiment, and is converted into plasma by discharge to obtain EUV light 5.
In this embodiment, the supply flow rate of the SnH 4 gas is controlled to be constant by adjusting the amount of the low-temperature liquefied gas 7 sprayed to the liquefied monostanan container 1 and adjusting the temperature of the liquefied SnH 4 .
That is, as in the first embodiment, the flow meter 14 is installed in the pipe 4 provided to supply the SnH 4 gas from the liquefied monostanan container 1 to the plasma generator 3, and the plasma generator The supply flow rate of SnH 4 gas to 3 is measured. And the output signal of the obtained flow meter 14 is input into the control part 15, the opening degree of the valve 11 provided in the piping 13 connected to the container 12 is adjusted by the control part 15, and it sprays on the liquefied monostanan container 1 Adjust the amount of low-temperature liquefied gas. The configuration of the control system is the same as that shown in FIG.
As a result, as in the first, second, and third embodiments, an EUV light emitting device in which the flow rate of SnH 4 gas to the plasma generating unit 3 is controlled to be constant and the EUV light output does not fluctuate can be obtained.
In the above embodiment, the flow meter 14 is installed in the pipe 4 and the supply flow rate of the SnH 4 gas to the plasma generating unit 3 is measured by the flow meter 14, but also in this embodiment, as shown in FIG. In addition, a gas pressure gauge 16 for detecting the SnH 4 gas pressure is provided in the liquefied monostanan container 1, and the SnH 4 gas pressure in the liquefied monostanan container 1 is controlled to be constant, so that the flow rate of SnH 4 gas to the plasma generating unit 3 is constant. It may be made to become.
１ 液化モノスタナン容器
２ 液化ＳｎＨ4
３ プラズマ生成部
４ 配管
５ ＥＵＶ光
６ 冷却用冷媒
７ 低温液化ガス
８ ガス
９ ガスパイプ
１０ バルブ
１１ バルブ
１２ 容器
１３ 配管
１４ 流量計
１５ 制御部
１６ ガス圧計
1 Liquefied monostanan container 2 Liquefied SnH 4
DESCRIPTION OF SYMBOLS 3 Plasma production part 4 Piping 5 EUV light 6 Cooling refrigerant 7 Low temperature liquefied gas 8 Gas 9 Gas pipe 10 Valve 11 Valve 12 Container 13 Piping 14 Flow meter 15 Control part 16 Gas pressure gauge
Claims (6)
液化モノスタナン容器内の液体ＳｎＨ4 の温度を調整し、プラズマを生成するためのプラズマ生成部に一定量のＳｎＨ4 ガスを供給する
ことを特徴とする放電極端紫外光発光装置。 In an EUV light emitting device that converts monostanan (SnH 4 ) gas into plasma by discharge and obtains extreme ultraviolet (EUV) light having a dominant wavelength of 13.5 nm from Sn ions in the plasma.
A discharge extreme ultraviolet light emitting device characterized by adjusting a temperature of liquid SnH 4 in a liquefied monostannane container and supplying a predetermined amount of SnH 4 gas to a plasma generation unit for generating plasma.
ことを特徴とする請求項１に記載の放電極端紫外光発光装置。 The temperature of the liquefied SnH 4 in the liquefied monostanan container is adjusted by immersing the inside of the liquefied monostanan container in a refrigerant, winding a gas pipe around the outer periphery of the liquefied monostanan container, and changing the flow rate of the gas flowing through the gas pipe. The discharge extreme ultraviolet light emitting device according to claim 1.
ことを特徴とする請求項１に記載の放電極端紫外光発光装置。 Winding the gas pipe liquefied Monosutanan vessel, while maintaining the liquid state of the SnH 4 by supplying the low-temperature liquefied gas in the gas pipe, the temperature adjustment of the liquefied SnH 4 liquefied Monosutanan vessel by changing the flow rate of low-temperature liquefied gas The discharge extreme ultraviolet light emission device according to claim 1, wherein the discharge extreme ultraviolet light emission device is performed.
ことを特徴とする請求項１の記載の放電極端紫外光発光装置。 The low temperature liquefied gas is sprayed on the liquefied monostanan container to maintain the SnH 4 liquid state, and the temperature of the liquefied SnH 4 in the liquefied monostanan container is adjusted by changing the amount of low temperature liquefied gas sprayed. The discharge extreme ultraviolet light emitting device according to claim 1.
該流量計により検出された信号に基づき、上記液化モノスタナン容器内の液化ＳｎＨ4 の温度調整を行う
ことを特徴とする請求項１に記載の放電極端紫外光発光装置。 In order to detect the flow rate in the pipe for introducing the SnH 4 gas from the liquefied monostanan container into the plasma generator, a flow meter is provided between the liquefied monostanan container and the plasma generator,
2. The discharge extreme ultraviolet light emitting device according to claim 1, wherein the temperature of the liquefied SnH 4 in the liquefied monostanan container is adjusted based on a signal detected by the flow meter.
該ガス圧計により検出された信号に基づき、上記液化モノスタナン容器内の液化ＳｎＨ4 の温度調整を行う
ことを特徴とする請求項１に記載の放電極端紫外光発光装置。
In order to detect the SnH 4 gas pressure in the liquefied monostanan container, a gas pressure gauge is provided in the liquefied monostanan container,
2. The discharge extreme ultraviolet light emitting device according to claim 1, wherein the temperature of the liquefied SnH 4 in the liquefied monostannane container is adjusted based on a signal detected by the gas pressure gauge.
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008047426A (en) * | 2006-08-17 | 2008-02-28 | L'air Liquide-Sa Pour L'etude & L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Stannane gas supply system |
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2005
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