JP2006259127A

JP2006259127A - Optical device

Info

Publication number: JP2006259127A
Application number: JP2005075348A
Authority: JP
Inventors: Yasuyuki Okudaira; 恭之奥平; Keiji Iso; 圭二礒; Shiro Yokota; 史郎横田; Shiro Hamada; 史郎浜田
Original assignee: Sumitomo Heavy Industries Ltd
Current assignee: Sumitomo Heavy Industries Ltd
Priority date: 2005-03-16
Filing date: 2005-03-16
Publication date: 2006-09-28

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a technology capable of improving the precision of incident position of a laser beam even if the performance of a scanner itself is not improved. <P>SOLUTION: The laser beam radiated from a light source is scanned by the scanner. A first optical system propagates the laser beam scanned by the scanner to almost vertically penetrate a first virtual plane. The first optical system is constituted so that, as the scanner scans the laser beam, a passing position of the laser beam in the first virtual plane moves. A second optical system propagates the laser beam which passes so as to almost vertically penetrate the first virtual plane, to almost vertically penetrate a second virtual plane. The second optical system is constituted so that, when the passing position of the laser beam moves by a distance X in the first virtual plane, the passing position of the laser beam moves by the distance Y being shorter than the distance X in the second virtual plane. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、レーザ光を走査する走査器を備えた光学装置に関する。 The present invention relates to an optical device including a scanner that scans a laser beam.

特許文献１に、レーザ光を用いて被加工基板に穴を形成するレーザ加工技術が開示されている。被加工基板の表面上におけるレーザ光の入射位置に穴が形成される。光源から放射されたレーザ光をガルバノスキャナ等の走査器によって走査することにより、レーザ光の入射位置を被加工基板の表面上で移動させることができる。これにより、被加工基板を静止させた状態で、その被加工基板に複数の穴を形成することができる。 Patent Document 1 discloses a laser processing technique for forming a hole in a substrate to be processed using laser light. A hole is formed at the incident position of the laser beam on the surface of the substrate to be processed. By scanning the laser light emitted from the light source with a scanner such as a galvano scanner, the incident position of the laser light can be moved on the surface of the substrate to be processed. Thereby, a plurality of holes can be formed in the substrate to be processed while the substrate to be processed is stationary.

特開２００２−２７３５９０号公報JP 2002-273590 A

被加工基板に形成すべき穴の小径化が望まれている。穴径が小さい程、穴を形成する位置に高い精度が要求される。また、２つの穴をより近接して配置することが望まれる。しかし、走査器そのものの性能を改善することによって、レーザ光の入射位置の精度を向上させるには限界がある。 It is desired to reduce the diameter of a hole to be formed in a substrate to be processed. The smaller the hole diameter, the higher the accuracy required at the position where the hole is formed. It is also desirable to place the two holes closer together. However, there is a limit to improving the accuracy of the incident position of the laser beam by improving the performance of the scanner itself.

本発明の目的は、走査器そのものの性能を改善しなくても、レーザ光の入射位置の精度を向上させることができる技術を提供することである。 An object of the present invention is to provide a technique capable of improving the accuracy of the incident position of laser light without improving the performance of the scanner itself.

本発明の一観点によれば、レーザ光を放射する光源と、前記光源から放射されたレーザ光を走査する走査器と、前記走査器によって走査されたレーザ光を、第１の仮想平面をほぼ垂直に貫くように伝搬させる第１の光学系であって、前記走査器が前記レーザ光を走査することに伴なって、前記第１の仮想平面内における前記レーザ光の通過位置が移動するように構成された第１の光学系と、前記第１の仮想平面をほぼ垂直に貫くように通過したレーザ光を、第２の仮想平面をほぼ垂直に貫くように伝搬させる第２の光学系であって、前記第１の仮想平面内において前記レーザ光の通過位置が距離Ｘだけ移動するときに、前記第２の仮想平面内において前記レーザ光の通過位置が前記距離Ｘよりも短い距離Ｙだけ移動するように構成された第２の光学系とを備えた光学装置が提供される。 According to one aspect of the present invention, a light source that emits laser light, a scanner that scans the laser light emitted from the light source, and the laser light that is scanned by the scanner are substantially on a first virtual plane. A first optical system for propagating the laser beam so that the laser beam passes through the first virtual plane as the scanner scans the laser beam; And a second optical system for propagating laser light that has passed through the first imaginary plane so as to pass substantially perpendicularly through the second imaginary plane. When the laser light passage position moves by a distance X in the first virtual plane, the laser light passage position is only a distance Y shorter than the distance X in the second virtual plane. A second configured to move Optical device and an optical system is provided.

距離Ｙが距離Ｘよりも短くなるような構成とすることにより、走査器そのものの性能を改善しなくても、レーザ光の入射位置の精度を向上できる。 By adopting a configuration in which the distance Y is shorter than the distance X, the accuracy of the incident position of the laser beam can be improved without improving the performance of the scanner itself.

図１に、実施例によるレーザ加工装置の構成を示す。光源１がレーザ光を放射する。光源１は、ＣＯ_２レーザ発振器を含んで構成されている。光源１から放射されるレーザ光は、赤外域の波長（約１０μｍ）を有するパルスレーザ光である。 FIG. 1 shows a configuration of a laser processing apparatus according to the embodiment. The light source 1 emits laser light. The light source 1 includes a CO ₂ laser oscillator. The laser light emitted from the light source 1 is a pulsed laser light having an infrared wavelength (about 10 μm).

光源１から放射されたレーザ光が入射する位置に、マスク２が配置されている。マスク２には、ピンホール２ａが形成されていて、そのピンホール２ａの部分だけがレーザ光を通過させる。これにより、レーザ光のビーム径が制限されると共に、ビーム断面が整形される。マスク２を通過したレーザ光が入射する位置に、コリメータ３が配置されている。コリメータ３は、レーザ光をコリメートする。 A mask 2 is disposed at a position where the laser light emitted from the light source 1 is incident. The mask 2 is formed with pinholes 2a, and only the portions of the pinholes 2a allow laser light to pass therethrough. Thereby, the beam diameter of the laser beam is limited and the beam cross section is shaped. A collimator 3 is disposed at a position where the laser light that has passed through the mask 2 enters. The collimator 3 collimates the laser beam.

コリメートされたレーザ光がミラー４で反射され、ガルバノスキャナ５に入射する。ガルバノスキャナ５は、Ｘ用ミラー５１及びＹ用ミラー５２を含む。Ｘ用ミラー５１は、１次元方向（Ｘ方向）にレーザ光を走査する。Ｙ用ミラー５２は、Ｘ用ミラー５１によるレーザ光の走査方向とは直交する１次元方向（Ｙ方向）にレーザ光を走査する。 The collimated laser beam is reflected by the mirror 4 and enters the galvano scanner 5. The galvano scanner 5 includes an X mirror 51 and a Y mirror 52. The X mirror 51 scans the laser beam in a one-dimensional direction (X direction). The Y mirror 52 scans the laser light in a one-dimensional direction (Y direction) orthogonal to the scanning direction of the laser light by the X mirror 51.

ガルバノスキャナ５によって走査されたレーザ光が入射する位置に、第１の光学系６が配置されている。第１の光学系６は、ｆθレンズからなる。第１の光学系６は、ガルバノスキャナ５によって走査されたレーザ光を収束するとともに、第１の仮想平面ＶＰ_１をほぼ垂直に貫くように伝搬させる。 The first optical system 6 is disposed at a position where the laser beam scanned by the galvano scanner 5 is incident. The first optical system 6 includes an fθ lens. The first optical system 6 converges the laser light scanned by the galvano scanner 5 and propagates it so as to penetrate the _first virtual plane VP ₁ substantially perpendicularly.

第１の仮想平面ＶＰ_１を通過したレーザ光が入射する位置に、第２の光学系７が配置されている。第２の光学系７は、第１の仮想平面ＶＰ_１をほぼ垂直に貫くように通過したレーザ光を、第２の仮想平面ＶＰ_２をほぼ垂直に貫くように伝搬させる。 The second optical system 7 is arranged at a position where the laser beam that has passed through the first virtual plane VP ₁ is incident. The second optical system 7 propagates the laser light that has passed through the _first virtual plane VP ₁ so as to pass substantially perpendicularly through the second virtual plane VP ₂ .

第２の仮想平面ＶＰ_２を通過したレーザ光Ｌが入射する位置に、被加工基板Ｗが配置されている。被加工基板Ｗは、プリント基板の中間生成体としての多層基板である。被加工基板Ｗは、ＸＹテーブル８によって、第２の仮想平面ＶＰ_２とほぼ平行に保持されている。被加工基板Ｗの表面のうち、レーザ光Ｌの入射位置にビアホールが形成される。ＸＹステージ８は、被加工基板Ｗの位置を２次元方向に移動させる。なお、コリメータ３、第１の光学系６、及び第２の光学系７が、マスク２のピンホール２ａを、被加工基板Ｗの表面に結像させる。 A position where the laser beam L that has passed through the second virtual plane VP ₂ is incident, are arranged workpiece substrate W. The substrate W to be processed is a multilayer substrate as an intermediate product of a printed circuit board. The substrate W to be processed is held by the XY table 8 substantially in parallel with the _second virtual plane VP2. A via hole is formed at the incident position of the laser beam L on the surface of the substrate W to be processed. The XY stage 8 moves the position of the substrate W to be processed in a two-dimensional direction. The collimator 3, the first optical system 6, and the second optical system 7 form an image of the pinhole 2 a of the mask 2 on the surface of the substrate W to be processed.

被加工基板Ｗの表面上には、ビアホールを形成する被加工位置を示す加工点が多数（例えば、数千〜数万個）画定されている。ガルバノスキャナ５でレーザ光を走査することにより、被加工基板Ｗを静止させた状態で、ガルバノスキャナ５の走査可能な領域内に位置する被加工位置にレーザ光を入射させ、その位置にビアホールを形成することができる。 On the surface of the substrate to be processed W, a large number of processing points (for example, several thousand to several tens of thousands) indicating processing positions for forming via holes are defined. By scanning the laser beam with the galvano scanner 5, the laser beam is incident on the processing position located within the scannable region of the galvano scanner 5 while the processing target substrate W is stationary, and a via hole is formed at the position. Can be formed.

ガルバノスキャナ５で走査可能な領域内に配置されたすべての被加工位置にビアホールを形成したら、ＸＹステージ８が被加工基板Ｗの位置を移動させる。これにより、ガルバノスキャナ５で走査可能な領域内に、被加工基板Ｗの表面の未加工領域を配置することができる。この状態で被加工基板Ｗを静止させ、未加工領域内の被加工位置に穴あけ加工を行う。 When via holes are formed in all the processing positions arranged in the region that can be scanned by the galvano scanner 5, the XY stage 8 moves the position of the processing substrate W. Thereby, the unprocessed area | region of the surface of the to-be-processed substrate W can be arrange | positioned in the area | region which can be scanned with the galvano scanner 5. FIG. In this state, the substrate W to be processed is stopped, and drilling is performed at a processing position in an unprocessed region.

図２に、第２の光学系７の概略図を示す。第２の光学系７は、第１の仮想平面ＶＰ_１に垂直な光軸をもつ第１のレンズ７１と、第１のレンズ７１の光軸と一致する光軸をもち、かつ第１のレンズ７１の後側焦点を自己の前側焦点とするように配置された第２のレンズ７２とを含む。第１のレンズ７１及び第２のレンズ７２は、ともに凸レンズである。第２のレンズ７２の焦点距離Ｂは、第１のレンズ７１の焦点距離Ａよりも短い。第２のレンズ７２の有効径は、第１のレンズ７１の有効径よりも小さい。 FIG. 2 shows a schematic diagram of the second optical system 7. The second optical system 7 includes a first lens 71 having an optical axis perpendicular to the first virtual plane VP ₁ , an optical axis that matches the optical axis of the first lens 71, and the first lens And a second lens 72 arranged so that the rear focal point of 71 is the front focal point of itself. Both the first lens 71 and the second lens 72 are convex lenses. The focal length B of the second lens 72 is shorter than the focal length A of the first lens 71. The effective diameter of the second lens 72 is smaller than the effective diameter of the first lens 71.

第１のレンズ７１と第２のレンズ７２との間に、絞り７３が配置されている。第１のレンズ７１から絞り７３までの距離は、第１のレンズ７１の焦点距離Ａに等しい。絞り７３から第２のレンズ７２までの距離は、第２のレンズ７２の焦点距離Ｂに等しい。絞り７３は、第１のレンズ７１の後側焦点位置、即ち第２のレンズ７２の前側焦点位置に、レーザ光を通過させる開口をもつ。 A diaphragm 73 is disposed between the first lens 71 and the second lens 72. The distance from the first lens 71 to the stop 73 is equal to the focal length A of the first lens 71. The distance from the diaphragm 73 to the second lens 72 is equal to the focal length B of the second lens 72. The diaphragm 73 has an aperture through which laser light passes at the rear focal position of the first lens 71, that is, the front focal position of the second lens 72.

このように第２の光学系７は、第１のレンズ７１、第２のレンズ７２、及び絞り７３を含む両側テレセントリック光学系を構成する。なお、第１のレンズ７１に対しては、この第１のレンズ７１の光軸に平行なレーザ光のみが入射するから、絞り７３は必須ではない。また、第２のレンズ７２として凹レンズを用い、ガリレオタイプのアフォーカル系により第２の光学系７を構成してもよい。 Thus, the second optical system 7 constitutes a double-sided telecentric optical system including the first lens 71, the second lens 72, and the stop 73. Note that the diaphragm 73 is not essential because only laser light parallel to the optical axis of the first lens 71 is incident on the first lens 71. Alternatively, a concave lens may be used as the second lens 72, and the second optical system 7 may be configured by a Galileo type afocal system.

第１の仮想平面ＶＰ_１をほぼ垂直に貫いたレーザ光が、第１のレンズ７１に入射する。第１のレンズ７１に入射するレーザ光は、その伝搬方向が第１のレンズ７１の光軸に平行であるため、第１のレンズ７１の後側焦点を通る。第１のレンズ７１の後側焦点、即ち第２のレンズ７２の前側焦点を通って第２のレンズ７２に入射するレーザ光は、第２のレンズ７２を通過した後、第２のレンズ７２の光軸と平行に進む。従って、第２のレンズ７２は、自己に入射したレーザ光を、第２の仮想平面ＶＰ_２をほぼ垂直に貫くように伝搬させることができる。 The laser beam penetrating the first virtual plane VP ₁ substantially perpendicularly enters the first lens 71. Since the propagation direction of the laser light incident on the first lens 71 is parallel to the optical axis of the first lens 71, it passes through the rear focal point of the first lens 71. The laser light incident on the second lens 72 through the rear focal point of the first lens 71, that is, the front focal point of the second lens 72, passes through the second lens 72 and then passes through the second lens 72. Proceed parallel to the optical axis. Therefore, the second lens 72 can propagate the laser light incident thereon so as to penetrate the _second virtual plane VP ₂ substantially perpendicularly.

第２の仮想平面ＶＰ_２をほぼ垂直に貫くように通過したレーザ光は、被加工基板Ｗの表面に入射する。被加工基板Ｗは、第２の仮想平面ＶＰ_２とほぼ平行に保持されている。従って、被加工基板Ｗの表面には、レーザ光がほぼ垂直に入射する。そのため、ビアホールを被加工基板Ｗの表面にほぼ垂直に掘ることができる。 The laser beam that has passed through the second virtual plane VP ₂ substantially perpendicularly enters the surface of the substrate W to be processed. The substrate to be processed W is substantially parallel to the holding and the second virtual plane VP _2. Accordingly, the laser beam is incident on the surface of the substrate W to be processed substantially perpendicularly. Therefore, the via hole can be dug almost perpendicularly to the surface of the substrate W to be processed.

Ｙ用ミラー５２及びＸ用ミラー５１（図１参照）のうち少なくとも一方がレーザ光を走査することに伴なって、第１の仮想平面ＶＰ_１内におけるレーザ光の通過位置が移動する。第１の仮想平面ＶＰ_１内においてレーザ光の通過位置が移動するときは、第２の仮想平面ＶＰ_２内におけるレーザ光の通過位置も移動する。 As at least one of the Y mirror 52 and the X mirror 51 (see FIG. 1) scans the laser beam, the passing position of the laser beam in the _first virtual plane VP1 moves. When passing position of the laser beam is moved in the first virtual plane VP _1, also moves passing position of the laser beam in the second virtual plane VP _2.

第２のレンズ７２の焦点距離Ｂが、第１のレンズ７１の焦点距離Ａよりも短いから、例えば第１の仮想平面ＶＰ_１内においてレーザ光の通過位置が距離Ｘだけ移動するときには、第２の仮想平面ＶＰ_２内においてレーザ光の通過位置が距離Ｘよりも短い距離Ｙだけ移動する。距離Ｙが距離Ｘの１／Ｎ倍になるように、第２の光学系７が構成されている。ここでＮは１よりも大きな実数であり例えば２である。 The focal length B of the second lens 72, when because shorter than the focal length A of the first lens 71, for example, the passing position of the laser beam in the first virtual plane VP ₁ is moved by a distance X, the second passing position of the laser beam is moved a short distance Y than the distance X in the virtual plane VP _2. The second optical system 7 is configured so that the distance Y is 1 / N times the distance X. Here, N is a real number larger than 1, for example, 2.

第１の光学系６としてｆθレンズを用いるから、上記距離Ｘは、ｆθレンズ６に入射するレーザ光とｆθレンズ６の光軸とのなす角度に比例する。上記距離Ｙは、上記距離Ｘに比例する。従って、上記距離Ｙ、即ち被加工基板Ｗの表面上におけるレーザ光の入射位置の移動距離が、ｆθレンズ６に入射するレーザ光とｆθレンズ６の光軸とのなす角度に比例するというｆθ特性は担保される。 Since the fθ lens is used as the first optical system 6, the distance X is proportional to the angle formed by the laser beam incident on the fθ lens 6 and the optical axis of the fθ lens 6. The distance Y is proportional to the distance X. Therefore, the fθ characteristic that the distance Y, that is, the moving distance of the incident position of the laser beam on the surface of the substrate W to be processed, is proportional to the angle formed by the laser beam incident on the fθ lens 6 and the optical axis of the fθ lens 6. Is secured.

ガルバノスキャナ５を作動させて変化させることのできるレーザ光の偏向角の最小分解能をθ_ＭＩＮとする。ガルバノスキャナ５においてレーザ光の偏向角をθ_ＭＩＮだけ変化させたときに、第１の仮想平面ＶＰ_１上を移動するビームスポットの変位量をＸ_ＭＩＮとする。このとき、第２の仮想平面ＶＰ_２上を移動するビームスポットの変位量Ｙ_ＭＩＮは、Ｘ_ＭＩＮの１／Ｎ倍になる。このため、第１の仮想平面ＶＰ_１の位置に被加工基板を配置する場合に比べて、形成する２つの穴を、より近接させることができる。 Let θ _{MIN be} the minimum resolution of the deflection angle of the laser beam that can be changed by operating the galvano scanner 5. When the galvano scanner 5 changes the deflection angle of the laser beam by θ _MIN , the amount of displacement of the beam spot moving on the first virtual plane VP ₁ is defined as X _MIN . At this time, the displacement amount Y _MIN of the beam spot moving on the second virtual plane VP ₂ is 1 / N times X _MIN . For this reason, compared with the case where a to-be-processed substrate is arrange | positioned in the position of _1st virtual plane VP1, two holes to form can be brought closer.

また、第２の仮想平面ＶＰ_２上におけるビームスポットの位置ずれ量は、第１の仮想平面ＶＰ_１上におけるビームスポットの位置ずれ量の１／Ｎ倍になる。このため、形成する穴の位置精度を高めることができる。 Further, positional deviation amount of the beam spot on the second virtual plane VP ₂ will 1 / N times the positional deviation amount of the beam spot in the first virtual plane VP on _1. For this reason, the positional accuracy of the hole to be formed can be increased.

マスク２に形成された貫通孔２ａを円形にすることにより、ビーム断面の真円度を高めることができる。さらに、絞り７３に形成されている貫通孔を円形にすることにより、被加工基板Ｗ上におけるビームスポットの真円度を高めることができる。 By making the through-hole 2a formed in the mask 2 circular, the roundness of the beam cross section can be increased. Furthermore, the roundness of the beam spot on the substrate W to be processed can be increased by making the through hole formed in the stop 73 circular.

図２に示した第１のレンズ７１及び第２のレンズ７２を、焦点距離の異なる他のレンズに置き換えることにより、第２の光学系７の縮小倍率を変化させることができる。また、第１のレンズ７１及び第２のレンズ７２を、その光軸方向に微小距離、例えば１ｍｍ程度移動させる機構を設けてもよい。レンズ位置の微調整を行うことにより、レンズの加工精度に起因する光学特性のばらつきを補償することができる。 By replacing the first lens 71 and the second lens 72 shown in FIG. 2 with other lenses having different focal lengths, the reduction magnification of the second optical system 7 can be changed. Further, a mechanism for moving the first lens 71 and the second lens 72 in the optical axis direction by a minute distance, for example, about 1 mm may be provided. By finely adjusting the lens position, it is possible to compensate for variations in optical characteristics due to the processing accuracy of the lens.

図３に、被加工基板Ｗの断面図を示す。被加工基板Ｗは、コア層２０の上に、内層の銅層２１、及び樹脂層２２がこの順に積層された構造をもつ。この被加工基板Ｗに対し、上記レーザ加工装置を用いてビアホールを形成する。 FIG. 3 shows a cross-sectional view of the substrate W to be processed. The substrate W to be processed has a structure in which an inner copper layer 21 and a resin layer 22 are laminated on the core layer 20 in this order. Via holes are formed in the substrate W to be processed using the laser processing apparatus.

図３(Ａ)に示すように、樹脂層２２の表面の加工すべき位置にレーザ光Ｌを入射させる。例えば、レーザ光Ｌのスポット径は３０μｍである。
図３(Ｂ)に示すように、形成される穴が樹脂層２２を貫通すると、ビアホール２５が完成する。なお、穴の底部に第１の銅層２１の表面が露出すると、光源１（図１参照）から放射された赤外域の波長（約１０μｍ）をもつレーザ光Ｌは、第１の銅層２１の表面で反射される。これにより、ビアホールの形成が自動的に終了する。 As shown in FIG. 3A, the laser beam L is incident on a position to be processed on the surface of the resin layer 22. For example, the spot diameter of the laser beam L is 30 μm.
As shown in FIG. 3B, when the hole to be formed penetrates the resin layer 22, the via hole 25 is completed. When the surface of the first copper layer 21 is exposed at the bottom of the hole, the laser light L having an infrared wavelength (about 10 μm) emitted from the light source 1 (see FIG. 1) is emitted from the first copper layer 21. Reflected on the surface. Thereby, the formation of the via hole is automatically terminated.

１つの被加工位置に穴が形成されると、レーザ光Ｌの入射位置を、次に加工する被加工位置に移動させる。レーザ光Ｌの入射位置の移動は、ガルバノスキャナ５（図１参照）を制御することにより行う。こうして、被加工基板Ｗに多数のビアホールを形成する。 When a hole is formed at one processing position, the incident position of the laser beam L is moved to the processing position to be processed next. The movement of the incident position of the laser beam L is performed by controlling the galvano scanner 5 (see FIG. 1). Thus, a large number of via holes are formed in the substrate W to be processed.

図１及び図２に示した加工装置を用いることにより、被加工基板Ｗに形成する穴の最小間隔を小さくすることができる。さらに、穴の位置精度を高めることができる。
以上、実施例について説明したが、本発明はこれに限られない。実施例では、マスク２（図１参照）のピンホール２ａが被加工基板Ｗの表面に結像される構成としたが、必ずしもマスク２のピンホール２ａが結像されなくてもよい。 By using the processing apparatus shown in FIGS. 1 and 2, the minimum interval between holes formed in the substrate W to be processed can be reduced. Furthermore, the hole position accuracy can be increased.
As mentioned above, although the Example was described, this invention is not limited to this. In the embodiment, the pinhole 2a of the mask 2 (see FIG. 1) is imaged on the surface of the substrate W to be processed. However, the pinhole 2a of the mask 2 does not necessarily have to be imaged.

実施例ではビアホールを形成するレーザ加工装置について説明したが、本発明は、レーザ光を走査することにより、そのレーザ光の入射位置を移動させる光学装置、例えばレーザ描画装置、表面検査装置、あるいは情報読み取り装置等にも適用できる。上記コリメータ３、ｆθレンズ６、第１のレンズ７１、及び第２のレンズ７２は、赤外線透過材料としてのＧｅ、ＺｎＳ、又はＺｎＳｅ等を用いて構成することができる。この他、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。 Although the laser processing apparatus for forming a via hole has been described in the embodiments, the present invention is an optical apparatus that moves the incident position of the laser beam by scanning the laser beam, such as a laser drawing apparatus, a surface inspection apparatus, or information. The present invention can also be applied to a reading device. The collimator 3, the fθ lens 6, the first lens 71, and the second lens 72 can be configured using Ge, ZnS, ZnSe, or the like as an infrared transmitting material. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications, improvements, combinations, and the like can be made.

実施例によるレーザ加工装置の構成を示す概略図である。It is the schematic which shows the structure of the laser processing apparatus by an Example. 第２の光学系の構成を示す概略図である。It is the schematic which shows the structure of a 2nd optical system. 被加工基板の断面図である。It is sectional drawing of a to-be-processed substrate.

Explanation of symbols

１光源
２マスク
３コリメータ
４ミラー
５ガルバノスキャナ（走査器）
６第１の光学系（ｆθレンズ）
７第２の光学系（両側テレセントリック光学系）
ＶＰ_１第１の仮想平面
ＶＰ_２第２の仮想平面
Ｗ被加工基板（多層基板） 1 Light Source 2 Mask 3 Collimator 4 Mirror 5 Galvano Scanner (Scanner)
6 First optical system (fθ lens)
7 Second optical system (bilateral telecentric optical system)
VP ₁ First virtual plane VP ₂ Second virtual plane W Substrate to be processed (multilayer substrate)

Claims

A light source that emits laser light;
A scanner for scanning the laser light emitted from the light source;
A first optical system for propagating the laser beam scanned by the scanner so as to penetrate the first imaginary plane substantially perpendicularly, with the scanner scanning the laser beam; A first optical system configured to move a passing position of the laser light in the first virtual plane;
A second optical system for propagating laser light that has passed through the first virtual plane so as to pass substantially vertically, so as to pass through the second virtual plane substantially vertically, A second optical system configured such that when the laser light passing position moves by a distance X, the laser light passing position moves by a distance Y shorter than the distance X in the second virtual plane; And an optical device.

The optical apparatus according to claim 1, wherein the second optical system is configured such that the distance Y is proportional to the distance X.

The optical apparatus according to claim 1, wherein the second optical system is a double-sided telecentric optical system.

The optical apparatus according to claim 1, wherein the first optical system includes an fθ lens.

Furthermore, the holding | maintenance means which hold | maintains a to-be-irradiated board | substrate substantially parallel to a said 2nd virtual plane in the position into which the laser beam which passed the said 2nd optical system injects was provided. Optical device.