JP2006253542A - Processing gas supply device and substrate processing device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体ウエハ、液晶表示用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板などの基板に対して、処理液から気化した処理ガスを供給する処理ガス供給装置、および当該処理ガス供給装置を備えた基板処理装置に関する。 The present invention relates to a processing gas supply device for supplying a processing gas vaporized from a processing liquid to a substrate such as a semiconductor wafer, a glass substrate for liquid crystal display, a glass substrate for plasma display, and a substrate provided with the processing gas supply device. The present invention relates to a processing apparatus.
従来より、基板の製造工程においては、基板とフォトレジストとの密着性を向上させる密着強化処理が行われる。密着強化処理においては、処理室内に保持された基板に対して、HMDS(ヘキサメチルジシラザン)ガスを供給する。 Conventionally, in the substrate manufacturing process, an adhesion strengthening process for improving the adhesion between the substrate and the photoresist is performed. In the adhesion strengthening process, HMDS (hexamethyldisilazane) gas is supplied to the substrate held in the processing chamber.
HMDSガスは、HMDSガス供給装置から供給される。図7は、従来のHMDSガス供給装置100を示している。HMDSガス供給装置100は、HMDS液供給源110から供給されるHMDS液111を、貯留タンク120内に貯留する。そして、貯留タンク120内のHMDS液111を、窒素ガス供給源130から供給される窒素ガス131でバブリングする。
The HMDS gas is supplied from an HMDS gas supply device. FIG. 7 shows a conventional HMDS
HMDS液111の中に気泡となって供給される窒素ガス131は、HMDS液111の気化を促進する。そして、窒素ガスとHMDSガスとの混合気体が、配管140を通って処理室へ供給される。
The
このような従来のHMDSガス供給装置は、たとえば特許文献1に開示されている。
Such a conventional HMDS gas supply apparatus is disclosed in
ところで、近年では、処理対象となる基板が大型化する傾向がある。このため、密着強化処理においては、高濃度で大量のHMDSガスを、基板の表面に均一に供給しなければならない。従来のHMDSガス供給装置では、窒素ガスを大量に供給すると、HMDS液の気化自体は促進される。しかしながら、窒素ガスの供給量も増加するため、混合気体中のHMDSガスの濃度を上げることは困難であった。 By the way, in recent years, substrates to be processed tend to be large. For this reason, in the adhesion strengthening process, a large amount of HMDS gas must be uniformly supplied to the surface of the substrate. In the conventional HMDS gas supply apparatus, when a large amount of nitrogen gas is supplied, the vaporization of the HMDS liquid itself is promoted. However, since the supply amount of nitrogen gas also increases, it is difficult to increase the concentration of HMDS gas in the mixed gas.
このような問題は、HMDSガス供給装置に限らず、処理液から気化した処理ガスを供給する処理ガス供給装置に一般的に生じうる問題である。 Such a problem is not limited to the HMDS gas supply device, and may generally occur in a processing gas supply device that supplies a processing gas vaporized from the processing liquid.
本発明は、このような事情に鑑みなされたものであり、基板に対して処理ガスを高濃度で大量に供給できる処理ガス供給装置、および当該処理ガス供給装置を備えた基板処理装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of such circumstances, and provides a processing gas supply device capable of supplying a large amount of processing gas to a substrate at a high concentration and a substrate processing apparatus including the processing gas supply device. For the purpose.
上記課題を解決するため、請求項1に係る発明は、基板を処理する処理部に処理ガスを供給する処理ガス供給装置において、処理液を貯留する貯留容器と、前記貯留容器内を減圧する減圧手段と、前記減圧手段により減圧された前記貯留容器内において処理液から気化した処理ガスを、前記処理部に供給する供給手段と、を備えたことを特徴とする。
In order to solve the above-mentioned problem, the invention according to
請求項2に係る発明は、請求項1に記載の処理ガス供給装置において、前記減圧手段は、エゼクタ効果により前記貯留容器内を減圧することを特徴とする。 According to a second aspect of the present invention, in the processing gas supply apparatus according to the first aspect, the decompression means decompresses the inside of the storage container by an ejector effect.
請求項3に係る発明は、請求項2に記載の処理ガス供給装置において、処理ガスの運搬を補助するキャリアガスを供給するキャリアガス供給手段をさらに備え、前記エゼクタ効果は、前記キャリアガスの流れによって生じるエゼクタ効果であることを特徴とする。 According to a third aspect of the present invention, in the processing gas supply apparatus according to the second aspect, the apparatus further comprises carrier gas supply means for supplying a carrier gas that assists in transport of the processing gas, wherein the ejector effect is a flow of the carrier gas. It is characterized by the ejector effect caused by the above.
請求項4に係る発明は、請求項3に記載の処理ガス供給装置において、前記キャリアガス供給手段は、キャリアガスの供給量を調節する第1の調節手段を有することを特徴とする。 According to a fourth aspect of the present invention, in the processing gas supply apparatus according to the third aspect, the carrier gas supply means includes a first adjustment means for adjusting a supply amount of the carrier gas.
請求項5に係る発明は、請求項3または4に記載の処理ガス供給装置において、前記キャリアガス供給手段から供給されるキャリアガスの一部を前記貯留容器内へ導入する導入手段と、前記導入手段による前記キャリアガスの導入量を調節する第2の調節手段と、をさらに備えたことを特徴とする。
The invention according to claim 5 is the processing gas supply apparatus according to
請求項6に係る発明は、請求項1から5までのいずれかに記載の処理ガス供給装置において、前記貯留容器内に前記供給手段に通じる開口部が形成されており、前記開口部と前記処理液の液面との間を遮蔽する遮蔽板をさらに備えたことを特徴とする。 According to a sixth aspect of the present invention, in the processing gas supply apparatus according to any one of the first to fifth aspects, an opening communicating with the supply means is formed in the storage container, and the opening and the processing It further comprises a shielding plate that shields between the liquid surface of the liquid.
請求項7に係る発明は、請求項1から6までのいずれかに記載の処理ガス供給装置において、前記貯留容器内を冷却する冷却手段をさらに備えたことを特徴とする。
The invention according to claim 7 is the processing gas supply apparatus according to any one of
請求項8に係る発明は、請求項1から7までのいずれかに記載の処理ガス供給装置において、前記供給手段は、前記貯留容器内から前記処理部の上部へ処理ガスを送るための配管を備え、前記減圧手段は、前記貯留容器内および前記配管内を減圧することを特徴とする。
The invention according to claim 8 is the processing gas supply device according to any one of
請求項9に係る発明は、基板に対して処理ガスによる処理を行う基板処理装置であって、請求項1から8までのいずれかに記載の処理ガス供給装置と、前記処理部と、を備えたことを特徴とする。
An invention according to
請求項1〜7に記載の発明によれば、貯留容器内を減圧することにより、他の気体を大量に供給することなく、処理液の気化を促進することができる。このため、高濃度で大量の処理ガスを供給することができる。 According to the first to seventh aspects of the present invention, by reducing the pressure in the storage container, the vaporization of the processing liquid can be promoted without supplying a large amount of other gases. For this reason, a large amount of processing gas can be supplied at a high concentration.
特に、請求項2に記載の発明によれば、エゼクタ効果を利用して、貯留容器内を減圧する。このため、真空ポンプのような駆動体を排除でき、メンテナンスが容易となる。また、装置の小型化にも適している。
In particular, according to the invention described in
特に、請求項3に記載の発明によれば、キャリアガスの流れによって生じるエゼクタ効果を利用する。このため、貯留容器内において気化した処理ガスは、容易にキャリアガスと混合され、処理部へ運搬される。
In particular, according to the invention described in
特に、請求項4に記載の発明によれば、キャリアガスの供給量を調節することができる。貯留容器内を徐々に減圧することができるため、突沸を防止しつつ、処理液を気化させることができる。 In particular, according to the fourth aspect of the invention, the supply amount of the carrier gas can be adjusted. Since the inside of the storage container can be gradually reduced in pressure, the treatment liquid can be vaporized while preventing bumping.
特に、請求項5に記載の発明によれば、キャリアガスの一部を貯留容器内へ導入し、その導入量を調節することができる。貯留容器内を徐々に減圧することができるため、突沸を防止しつつ、処理液を気化させることができる。 In particular, according to the fifth aspect of the present invention, a part of the carrier gas can be introduced into the storage container, and the amount of introduction can be adjusted. Since the inside of the storage container can be gradually reduced in pressure, the treatment liquid can be vaporized while preventing bumping.
特に、請求項6に記載の発明によれば、供給手段に通じる開口部と処理液の液面との間を遮蔽する。このため、処理液の突沸を防止する必要はなく、貯留容器内を短時間に減圧することができる。 In particular, according to the invention described in claim 6, the space between the opening leading to the supply means and the liquid surface of the processing liquid is shielded. For this reason, it is not necessary to prevent bumping of the processing liquid, and the inside of the storage container can be decompressed in a short time.
特に、請求項7に記載の発明によれば、前記貯留容器内を冷却し、貯留容器内の飽和蒸気圧を低下させることができる。このため、貯留容器内において一旦気化した処理ガスが、その後に結露することを防止することができる。 In particular, according to the seventh aspect of the invention, the inside of the storage container can be cooled, and the saturated vapor pressure in the storage container can be reduced. For this reason, it is possible to prevent the processing gas once evaporated in the storage container from condensing thereafter.
特に、請求項8に記載の発明によれば、処理ガスを処理部の上部へ送るための配管の内部も減圧する。このため、配管内における処理ガスの結露を防止することができる。基板の大型化に伴って処理室が大型化した場合にも、配管内における処理ガスの結露を有効に防止することができる。 In particular, according to the invention described in claim 8, the inside of the piping for sending the processing gas to the upper portion of the processing section is also decompressed. For this reason, dew condensation of the processing gas in the piping can be prevented. Even when the processing chamber is enlarged along with the increase in size of the substrate, it is possible to effectively prevent the condensation of the processing gas in the piping.
以下、本発明の好適な実施形態について、図面を参照しつつ説明する。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
<1.基板処理装置の全体構成について>
図1は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置1を示している。基板処理装置1は、液晶表示用ガラス基板9に対して密着強化処理を行うための装置である。基板処理装置1は、処理室2と、HMDSガス供給装置3とを、主配管4を介して接続した構成となっている。
<1. About Overall Configuration of Substrate Processing Apparatus>
FIG. 1 shows a
処理室2は、たとえばSUS(ステンレス)製の気密チャンバによって構成される。処理室2の内部空間には、基板9を載置して保持する保持台21が設けられている。また、処理室2の側部には、基板搬出入口22と、シャッタ23とが設けられている。シャッタ23を開放したときには、搬出入口22を介して基板を搬出入することができ、シャッタ23を閉鎖したときには、処理室2内の気密を保つことができる。
The
処理室2の上部には、処理ガスであるHMDSガスと、キャリアガスである窒素ガスとを吐出するための吐出部24が設けられている。吐出部24は、主配管4およびバルブV1を介して、HMDSガス供給装置3と接続されている。このため、バルブV1を開放すると、HMDSガス供給装置3から供給されるHMDSガスおよび窒素ガスが、吐出部24から基板9へ向けて吐出される。HMDSガスを基板9の表面に均一に吐出するために、吐出部24に整流板等が付設されていてもよい。
In the upper part of the
また、処理室2には、排気管25が接続されている。排気管25は、バルブV2を介して排気ラインに接続されている。このため、バルブV2を開放すると、処理室2内のHMDSガスを排気ラインへ排出することができる。
Further, an
主配管4のバルブV1より処理室2側には、分岐配管41が接続されている。分岐配管41は、バルブV3を介して、窒素ガス供給源42と接続されている。このため、主配管4上のバルブV1を閉鎖し、分岐配管41上のバルブV3を開放すると、処理室2内に窒素ガスを充填することができる。
A
HMDSガス供給装置3は、HMDS液から気化させたHMDSガスを、窒素ガスとともに処理室2へ供給する装置である。以下に、HMDSガス供給装置3の構成を説明する。
The HMDS
<2.HMDSガス供給装置の構成について>
図2は、HMDSガス供給装置3の構成を示している。HMDSガス供給装置3は、HMDS液を貯留するための貯留タンク31を備える。貯留タンク31は、たとえばSUS(ステンレス)により構成された密閉容器である。貯留タンク31には、配管32およびバルブV4を介してHMDS液供給源33が接続されている。このため、バルブV4を開放すると、HMDS液供給源33から貯留タンク31内へ、HMDS液が供給される。
<2. Configuration of HMDS gas supply device>
FIG. 2 shows the configuration of the HMDS
貯留タンク31の上部には、T字形配管34が接続されている。T字形配管34は、HMDSガスを通すための第1配管34aと、窒素ガスを通すための第2配管34bと、これらの混合ガスを通すための第3配管34cとを、接続部34dにおいて接続した構成となっている。第1配管34aは、接続部34dと貯留タンク31内とを結んでいる。このため、貯留タンク31内で気化したHMDSガスは、第1配管34aを通って接続部34dへ供給される。第2配管34bは、バルブV5を介して窒素ガス供給源35と接続されている。このため、バルブV5を開放すると、窒素ガス供給源35から接続部34dへ、窒素ガスが供給される。第3配管34cは、バルブV1を介して主配管4と接続されている。このため、バルブV1を開放すると、接続部34dに供給されるHMDSガスおよび窒素ガスは、第3配管34cを通って主配管4へ送られる。
A T-shaped
図3は、T字形配管34の接続部34dの拡大図である。図3のように、接続部34dには、第1配管34aと、第2配管34bと、第3配管34cとが、接続されている。第2配管34bは、接続部34d内においてテーパ状に細くなり、その先端には、配管径よりも小さな径を有する吹き出し口34eが形成されている。このため、第2配管34b内を流れる窒素ガスは、吹き出し口34eから高速で吹き出される。このように高速で吹き出される窒素ガスの周囲の空間は、いわゆるエゼクタ効果により減圧される。すなわち、第1配管34aを介して接続部34dに連通する貯留タンク31内も、エゼクタ効果により減圧される。
FIG. 3 is an enlarged view of the connecting
減圧された貯留タンク31内では、HMDS液の沸点が低下し、HMDS液は沸騰する。気化したHMDSガスは、第1配管34a内を上昇し、高速で吹き出される窒素ガスとともに第3配管34cへ送られる。
In the depressurized
HMDSガス供給装置3では、このように貯留タンク31内を減圧し、HMDS液の気化を促進させる。そして、気化したHMDSガスと窒素ガスとの混合気体を、第3配管へ送る。このため、混合気体中のHMDSガスの濃度を高めることができる。
In the HMDS
吹き出し口34eの径を小さくするほど、吹き出し口34eから吹き出す窒素ガスは高速となる。そうすると、貯留タンク31内はより大きく減圧され、より多くのHMDS液が気化する。すなわち、吹き出し口34eの径を小さくすることにより、窒素ガスの供給量を増加させることなく、HMDS液の気化を促進することができる。このようにして、混合気体中のHMDSガスの濃度を高めることができる。
The smaller the diameter of the
図2に戻り、HMDSガス供給装置の説明を続ける。第2配管34bのバルブV5は、可変流量バルブである。バルブV5の開度を調節すると、窒素ガス供給源35から供給される窒素ガスの量を調節することができる。窒素ガスの供給量増加させると、吹き出し口34eから吹き出す窒素ガスはより高速となり、貯留タンク31内はより減圧され、HMDS液の気化量はより増加する。すなわち、バルブV5の開度を調節することによって、HMDS液の気化量を調節することができる。
Returning to FIG. 2, the description of the HMDS gas supply device will be continued. The valve V5 of the
たとえば、バルブV5を閉鎖した状態から徐々に開放すると、貯留タンク31内は徐々に減圧され、HMDS液は徐々に沸騰する。このようにすれば、突沸を防止しつつ、HMDS液を沸騰させることができる。
For example, when the valve V5 is gradually opened from the closed state, the inside of the
また、貯留タンク31には圧力計36が設けられている。圧力計36は、貯留タンク31内の圧力を常時計測し、その計測結果を、コンピュータ等からなる制御部37へ与える。制御部37は、圧力計36の計測結果に基づいて、バルブV5を開閉制御する。これにより、圧力の実測値に基づいて自動的にバルブV5の開度を調節することができる。
The
また、貯留タンク31内には、水冷管38aが設けられている。水冷管38aの内部には冷却水が流れており、冷却水は、温調部38bを経由して循環するようになっている。このような水冷管38aによって、HMDS液および貯留タンク31内を、室温よりも低温に維持する。すなわち、水冷管38aおよび温調部38bは、HMDS液および貯留タンク31内を冷却する冷却手段を構成している。
A
低温に維持された貯留タンク31内においては、HMDS液の飽和蒸気圧は低下する。このため、貯留タンク31内において一旦気化したHMDSガスは、室温の第1配管34a,第3配管34c,または主配管4の途中において、容易には結露しない。したがって、HMDSガスの結露により第1配管34a,第3配管34c,または主配管4が閉塞されることを防止することができる。
In the
また、貯留タンク31には、液面センサ39が設けられている。液面センサ39は、上限検知部39aと下限検知部39bとを、上下に配置している。上限検知部39aおよび下限検知部39bは、それぞれ制御部37と接続されており、制御部37は、各検知部からの検出信号に基づいて、バルブV4を開閉制御する。具体的には、制御部37は、HMDS液の液面が下限検知部39bの高さまで低下すると、バルブV4を開放し、HMDS液の液面が上限検知部39aの高さまで上昇すると、バルブV4を閉鎖する。これにより、貯留タンク31内のHMDS液の量は常に一定の範囲内に保たれ、HMDSガスを安定して供給することができる。
The
また、貯留タンク31には、排気管40が設けられている。排気管40は、バルブV6を介して排気ラインと接続されている。このため、バルブV6を開放すると、貯留タンク31内のHMDSガスを、排気ラインへ排出することができる。
The
<3.変形例>
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は上記の例に限定されるものではない。たとえば、HMDSガス供給装置3は、図4のような構成としてもよい。図4のHMDSガス供給装置3は、第2配管34bと貯留タンク31とを繋ぐ補助配管43を備えている。補助配管43には、可変流量バルブV7が介挿されている。このため、バルブV7を開放すると、窒素ガス供給源35から供給される窒素ガスの一部が、貯留タンク31内へ導入される。
<3. Modification>
As mentioned above, although one Embodiment of this invention was described, this invention is not limited to said example. For example, the HMDS
このような補助配管43を設けておけば、貯留タンク31内の急激な圧力変化を防止することができる。たとえば、まずバルブV5とバルブV7とを開放し、バルブV7の開度を徐々に小さくすると、貯留タンク31内を徐々に減圧することができる。このようにすれば、HMDS液は徐々に沸騰するため、突沸を防止することができる。
If such an
また、HMDSガス供給装置3は、図5のような構成としてもよい。図5のHMDSガス供給装置3は、HMDS液の液面の上部を部分的に覆う遮蔽板44を備えている。このようにすれば、たとえHMDS液が突沸したとしても、HMDS液の液滴が第1配管34aへ飛散して、気体の流路を塞ぐことはない。このため、HMDS液の突沸を防止する必要はなく、貯留タンク31内を短時間に減圧することができる。
Further, the HMDS
なお、遮蔽板44は、少なくとも第1配管34aの開口部分と、HMDS液の液面との間を遮蔽していることが望ましい。また、遮蔽板44の側方には、HMDSガスの流路となる空間が確保されていることが望ましい。気化したHMDSガスは、遮蔽板44の側方を通って第1配管34aに到達することができる。
The shielding
上記の実施形態では、貯留タンク31内を冷却することによりHMDSガスの結露を防止していたが、他の方法によりHMDSガスの結露を防止してもよい。たとえば、第1配管34a,第3配管34c,および主配管4をヒータで覆い、これらの配管を温めることによって、配管内におけるHMDSガスの結露を防止してもよい。
In the above embodiment, the condensation of the HMDS gas is prevented by cooling the inside of the
また、HMDSガスの結露を防止するために、図6のような構成としてもよい。図6においては、第1配管34aが処理室2の上部まで延びており、処理室2の中心部の上方に接続部34dを配置している。第1配管34a内は、エゼクタ効果により減圧されている。このため、HMDSガスが、第1配管34a内において容易に結露することはない。また、この構成においては、第3配管34cおよび主配管4は、極めて短い。このため、HMDSガスは、第3配管34cおよび主配管4内においても、容易に結露することはない。このような構成にすれば、基板9の大型化に伴って処理室2が大型化した場合にも、HMDSガスの結露を有効に防止することができる。
Moreover, in order to prevent dew condensation of HMDS gas, it is good also as a structure like FIG. In FIG. 6, the
上記の実施形態では、エゼクタ効果を利用して貯留タンク31内を減圧していたが、他の方法によって貯留タンク31内を減圧してもよい。たとえば、真空ポンプ等を用いて減圧してもよい。ただし、エゼクタ効果の場合には、キャリアガスである窒素ガスを利用して、貯留タンク31内を減圧する。このため、貯留タンク31内において気化したHMDSガスは、容易に窒素ガスと混合され、処理室2へ運搬される。すなわち、低圧の貯留タンク31から常圧の処理室2へ、HMDSガスを容易に送ることができる。また、エゼクタ効果によれば、真空ポンプのような駆動体は不要であるため、メンテナンスが容易となり、装置の小型化にも適している。
In the above embodiment, the inside of the
また、上記の実施形態では、HMDSガス供給装置3について説明したが、本発明の処理ガスはHMDSガスに限らない。本発明の処理ガスは、処理液から気化させる処理ガスであればよい。たとえば、化合物半導体の薄膜形成工程で使用されるMOCVD装置等の材料供給部の有機金属等の気化にも適用できる。
Moreover, although said embodiment demonstrated the HMDS
1 基板処理装置
2 処理室
3 HMDSガス供給装置
4 主配管
9 基板
31 貯留タンク
33 HMDS液供給源
34 T字形配管
34d 接続部
34e 吹き出し口
35 窒素ガス供給源
37 制御部
38b 温調部
43 補助配管
44 遮蔽板
V1〜V7 バルブ
DESCRIPTION OF
Claims (9)
処理液を貯留する貯留容器と、
前記貯留容器内を減圧する減圧手段と、
前記減圧手段により減圧された前記貯留容器内において処理液から気化した処理ガスを、前記処理部に供給する供給手段と、
を備えたことを特徴とする処理ガス供給装置。 In a processing gas supply apparatus that supplies a processing gas to a processing section that processes a substrate,
A storage container for storing the processing liquid;
Decompression means for decompressing the inside of the storage container;
Supply means for supplying the processing gas vaporized from the processing liquid in the storage container decompressed by the decompression means to the processing unit;
A processing gas supply device comprising:
前記減圧手段は、エゼクタ効果により前記貯留容器内を減圧することを特徴とする処理ガス供給装置。 The processing gas supply apparatus according to claim 1,
The processing gas supply apparatus, wherein the decompression means decompresses the inside of the storage container by an ejector effect.
処理ガスの運搬を補助するキャリアガスを供給するキャリアガス供給手段をさらに備え、
前記エゼクタ効果は、前記キャリアガスの流れによって生じるエゼクタ効果であることを特徴とする処理ガス供給装置。 The processing gas supply device according to claim 2,
A carrier gas supply means for supplying a carrier gas for assisting in transporting the processing gas;
The processing gas supply apparatus according to claim 1, wherein the ejector effect is an ejector effect generated by the flow of the carrier gas.
前記キャリアガス供給手段は、キャリアガスの供給量を調節する第1の調節手段を有することを特徴とする処理ガス供給装置。 The processing gas supply apparatus according to claim 3,
The processing gas supply apparatus, wherein the carrier gas supply means includes first adjusting means for adjusting a supply amount of the carrier gas.
前記キャリアガス供給手段から供給されるキャリアガスの一部を前記貯留容器内へ導入する導入手段と、
前記導入手段による前記キャリアガスの導入量を調節する第2の調節手段と、
をさらに備えたことを特徴とする処理ガス供給装置。 The processing gas supply apparatus according to claim 3 or 4,
Introducing means for introducing a part of the carrier gas supplied from the carrier gas supply means into the storage container;
Second adjusting means for adjusting the amount of the carrier gas introduced by the introducing means;
A processing gas supply apparatus, further comprising:
前記貯留容器内に前記供給手段に通じる開口部が形成されており、
前記開口部と前記処理液の液面との間を遮蔽する遮蔽板をさらに備えたことを特徴とする処理ガス供給装置。 In the processing gas supply apparatus in any one of Claim 1 to 5,
An opening leading to the supply means is formed in the storage container,
A processing gas supply apparatus, further comprising a shielding plate that shields between the opening and the liquid surface of the processing liquid.
前記貯留容器内を冷却する冷却手段をさらに備えたことを特徴とする処理ガス供給装置。 In the processing gas supply apparatus in any one of Claim 1-6,
A processing gas supply apparatus, further comprising cooling means for cooling the inside of the storage container.
前記供給手段は、前記貯留容器内から前記処理部の上部へ処理ガスを送るための配管を備え、
前記減圧手段は、前記貯留容器内および前記配管内を減圧することを特徴とする処理ガス供給装置。 In the processing gas supply apparatus in any one of Claim 1-7,
The supply means includes a pipe for sending a processing gas from the storage container to the upper part of the processing unit,
The processing gas supply apparatus, wherein the decompression means decompresses the inside of the storage container and the pipe.
請求項1から8までのいずれかに記載の処理ガス供給装置と、
前記処理部と、
を備えたことを特徴とする基板処理装置。
A substrate processing apparatus for processing a substrate with a processing gas,
A processing gas supply device according to any one of claims 1 to 8,
The processing unit;
A substrate processing apparatus comprising:
Priority Applications (1)
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JP2005070550A JP2006253542A (en) | 2005-03-14 | 2005-03-14 | Processing gas supply device and substrate processing device |
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JP2005070550A JP2006253542A (en) | 2005-03-14 | 2005-03-14 | Processing gas supply device and substrate processing device |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2005070550A Pending JP2006253542A (en) | 2005-03-14 | 2005-03-14 | Processing gas supply device and substrate processing device |
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JP (1) | JP2006253542A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009130308A (en) * | 2007-11-28 | 2009-06-11 | Renesas Technology Corp | Surface processing apparatus |
US8317924B2 (en) | 2008-09-03 | 2012-11-27 | Tokyo Electron Limited | Gas treatment apparatus, gas treatment method, and storage medium |
-
2005
- 2005-03-14 JP JP2005070550A patent/JP2006253542A/en active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2009130308A (en) * | 2007-11-28 | 2009-06-11 | Renesas Technology Corp | Surface processing apparatus |
US8317924B2 (en) | 2008-09-03 | 2012-11-27 | Tokyo Electron Limited | Gas treatment apparatus, gas treatment method, and storage medium |
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