JP2006252862A - Memory card, mobile information terminal unit and charger - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、耐久性に優れた電気接点を備えたメモリカード、モバイル情報端末機器及び充電器に関するものである。 The present invention relates to a memory card, a mobile information terminal device, and a charger having an electrical contact excellent in durability.
従来より、メモリチップをカード型外殻に封止しカード形状に形成したメモリカード(メモリスティック、SDカード、マルチメディアカード、スマートメディアなど)、モバイル情報端末機器(携帯電話やポータブル電子機器など)の充電部、コネクタ等の電気接点部分には、銅(Cu)系素材の上にNiめっきおよびAuめっきを施した金属接点が一般的に使用されている(例えば、特許文献1参照。)。 Conventionally, memory cards (memory sticks, SD cards, multimedia cards, smart media, etc.) and mobile information terminal devices (cell phones, portable electronic devices, etc.) formed by sealing a memory chip in a card-type outer shell In general, a metal contact obtained by applying Ni plating and Au plating on a copper (Cu) -based material is used for electrical contact portions such as a charging part and a connector (see, for example, Patent Document 1).
このような材料構成の電気接点には、以下に示す2つのメカニズムによる腐食課題があり、接点の接触不良の原因となっていた。
1)Auめっきに存在するピンホールを通して、下層めっきのNiあるいは下地素材のCuが腐食する。
2)挿抜や摺動が繰り返し行われると、Auめっきが削られてしまい、露出した下層めっきのNiや下地素材のCuが腐食する。
The electrical contact having such a material configuration has a corrosion problem due to the following two mechanisms, which causes a contact failure of the contact.
1) Ni of the lower layer plating or Cu of the base material corrodes through the pinholes existing in the Au plating.
2) When the insertion / extraction and sliding are repeated, the Au plating is scraped, and the exposed Ni of the lower layer plating and Cu of the base material are corroded.
前記課題に対する従来の解決法は、Auめっきを厚くすることであった。ピンホール数はめっき厚に反比例するため、ある程度の厚さのAuめっきを施せばピンホール数を問題ないレベルまで低減することができる。また、ある程度の挿抜や摺動にも耐えられる。例えば、市販のメモリカードの場合、Auめっき層の膜厚を1〜2.5μm程度としていた。 The conventional solution to the problem has been to thicken the Au plating. Since the number of pinholes is inversely proportional to the plating thickness, the number of pinholes can be reduced to a problem-free level by applying a certain amount of Au plating. In addition, it can withstand a certain amount of insertion and removal and sliding. For example, in the case of a commercially available memory card, the film thickness of the Au plating layer is about 1 to 2.5 μm.
しかしながら、上記メモリカードを機器に挿抜することやモバイル情報端末機器を充電器に着脱することは、ほぼ毎日のように行われその挿抜回数や着脱回数は飛躍的に多くなってきている。そのため、電気接点ではAuめっき層の摩耗や損傷が進み、単にAuめっき層の膜厚を厚くするだけでは相対的なピンホール数の増加や下地金属の露出に伴う腐食を防ぐことができなかった。 However, the insertion / extraction of the memory card and the attachment / detachment of the mobile information terminal device to / from the charger are performed almost every day, and the number of insertions / removals and the number of attachments / detachments have increased dramatically. Therefore, the wear and damage of the Au plating layer proceeded in electrical contacts, and simply increasing the film thickness of the Au plating layer did not prevent the relative increase in the number of pinholes and corrosion due to the exposure of the underlying metal. .
また、最近のようにメモリカードやモバイル情報端末機器、それに伴う充電器が数多く広く普及している状況では、上記のようにAuめっき層を厚くすることは、全体でみると多大な経済的損失となってしまい、好ましくなかった。
そこで、上記メモリカード、モバイル情報端末機器や充電器においてはコストアップすることなく、耐摩耗性/耐食性に優れた金属電気接点が必要とされていた。
Moreover, in the situation where memory cards, mobile information terminal devices, and chargers associated therewith are widely spread as recently, increasing the thickness of the Au plating layer as described above is a significant economic loss. It was not preferable.
Therefore, the above-mentioned memory card, mobile information terminal device and charger require a metal electrical contact excellent in wear resistance / corrosion resistance without increasing the cost.
本発明は、以上の従来技術における問題に鑑みてなされたものであり、耐摩耗性及び耐食性に優れた金属電気接点を備えるメモリカード、モバイル情報端末機器及び充電器を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems in the prior art, and an object of the present invention is to provide a memory card, a mobile information terminal device, and a charger having metal electrical contacts that are excellent in wear resistance and corrosion resistance. .
前記課題を解決するために提供する本発明は、バネ接点を有する機器に挿入して使用するメモリカードにおいて、電極基材上に、膜厚1〜3μmのNiめっき層、膜厚0.2〜1μmのPd−Ni合金めっき層、膜厚0.03〜0.05μmのCo含有Auめっき層が順次積層されてなる電気接点と、フラッシュメモリ素子とを備え、前記機器への挿入の際に前記電気接点がバネ接点と接触することを特徴とするメモリカードである(請求項1)。 The present invention provided to solve the above problems is a memory card used by being inserted into a device having a spring contact. On the electrode substrate, a Ni plating layer having a thickness of 1 to 3 μm, a thickness of 0.2 to 1 μm Pd—Ni alloy plating layer, 0.03 to 0.05 μm thick Co-containing Au plating layer, and a flash memory device. The memory card is characterized in that the electrical contact is in contact with the spring contact (claim 1).
前記課題を解決するために提供する本発明は、電源となる充電可能なバッテリと、該バッテリに接続される電極基材上に、膜厚1〜3μmのNiめっき層、膜厚0.2〜1μmのPd−Ni合金めっき層、膜厚0.03〜0.05μmのCo含有Auめっき層が順次積層されてなる充電用電気接点とを備えることを特徴とするモバイル情報端末機器である(請求項2)。 The present invention provided in order to solve the above problems is a rechargeable battery serving as a power source, and an Ni plating layer having a film thickness of 1 to 3 μm, a film thickness of 0.2 to A mobile information terminal device comprising: a 1 μm Pd—Ni alloy plating layer; and a charging electrical contact formed by sequentially laminating a Co-containing Au plating layer having a thickness of 0.03 to 0.05 μm. Item 2).
前記課題を解決するために提供する本発明は、モバイル情報端末機器に充電をする充電器であって、外部電源と接続される電極基材の前記モバイル情報端末機器の充電用電気接点と接触する部分に、膜厚1〜3μmのNiめっき層、膜厚0.2〜1μmのPd−Ni合金めっき層、膜厚0.03〜0.05μmのCo含有Auめっき層が順次積層されてなる電気接点を備えることを特徴とする充電器である(請求項3)。 The present invention provided to solve the above-mentioned problems is a charger for charging a mobile information terminal device, which is in contact with an electric contact for charging of the mobile information terminal device of an electrode base connected to an external power source Electricity in which a Ni plating layer with a thickness of 1 to 3 μm, a Pd—Ni alloy plating layer with a thickness of 0.2 to 1 μm, and a Co-containing Au plating layer with a thickness of 0.03 to 0.05 μm are sequentially laminated on the portion. A charger comprising a contact (claim 3).
本発明のメモリカードによれば、その接点部を耐摩耗性及び耐食性に優れた電気接点としていることにより、1日に何回もメモリカード装着装置などの機器への挿抜が繰り返して行われる場合であっても接点部は良好な状態が保たれ、長期使用が可能となる。
本発明のモバイル情報端末機器によれば、その充電用電気接点を耐摩耗性及び耐食性に優れた電気接点としていることにより、1日に何回も充電が繰り返して行われる場合であっても充電用電気接点は良好な状態が保たれ、長期使用が可能となる。
本発明の充電器によれば、充電端子を構成する電気接点を耐食性に優れた電気接点としていることにより、1日に何回も充電が繰り返して行われる場合であっても充電端子の電気接点は良好な状態が保たれ、長期使用が可能となる。
According to the memory card of the present invention, when the contact portion is an electrical contact having excellent wear resistance and corrosion resistance, the card is repeatedly inserted into and removed from a device such as a memory card mounting device several times a day. Even so, the contact portion is kept in a good state and can be used for a long time.
According to the mobile information terminal device of the present invention, the charging electrical contact is an electrical contact having excellent wear resistance and corrosion resistance, so that charging can be performed even when charging is repeated several times a day. The electrical contacts for the use are kept in good condition and can be used for a long time.
According to the charger of the present invention, the electrical contact constituting the charging terminal is an electrical contact having excellent corrosion resistance, so that the electrical contact of the charging terminal can be performed even when charging is repeated several times a day. Is kept in good condition and can be used for a long time.
以下に、本発明の根幹となる電気接点について説明する。
図1は、本発明で使用する電気接点の構成を示す断面図である。
図1に示すように、電気接点6は、電極基材1上に膜厚1〜3μmのNiめっき層2、膜厚0.2〜1μmのPd−Ni合金めっき層3、膜厚0.03〜0.05μmのCo含有Auめっき層4を順次積層したものである。
Below, the electrical contact used as the basis of this invention is demonstrated.
FIG. 1 is a cross-sectional view showing a configuration of an electrical contact used in the present invention.
As shown in FIG. 1, the
電極基材1は、電気接点用の導電性材料として一般的に使用されている材料であればいずれのものでもよい。例えば、黄銅(Cu−Zn系)、りん青銅(Cu−Sn−P系)などの銅系材料が挙げられる。また、電極基材1は薄板や箔など用途に応じた形状であればよい。なお、電極基材1の表面粗さは各めっき層が形成された後の表面に電極基材1の表面凹凸が反映されない程度に滑らかであることが好ましい。
The
Niめっき層2は、電極基材1との密着性が確保され、膜厚1〜3μmにコントロールできれば、従来公知のNiめっき方法でよく、例えば電気めっき法によればよい。
The Ni plating layer 2 may be a conventionally known Ni plating method as long as adhesion to the
Pd−Ni合金めっき層3は、Niめっき層2との密着性が確保され、膜厚0.2〜1μmにコントロールできれば、従来公知のPd−Ni合金めっき方法でよく、例えば電気めっき法によればよい。また、Pd−Ni合金めっき層3のPd:Ni比(重量比)は70:30〜90:10であることが好ましく、80:20前後が最もよい。 The Pd—Ni alloy plating layer 3 may be a conventionally known Pd—Ni alloy plating method as long as adhesion with the Ni plating layer 2 is ensured and the film thickness can be controlled to 0.2 to 1 μm. That's fine. The Pd: Ni ratio (weight ratio) of the Pd—Ni alloy plating layer 3 is preferably 70:30 to 90:10, and most preferably around 80:20.
Co含有Auめっき層4は、Pd−Ni合金めっき層3との密着性が確保され、膜厚0.03〜0.05μmにコントロールできれば、従来公知のCo含有Auめっき方法でよく、例えば電気めっき法(フラッシュめっき)によればよい。膜厚が0.1μm以上になると摺動に対する潤滑効果が得られず耐摩耗性が低下するため好ましくない。また、めっき層中のCo含有率は0.3〜0.5wt%であることが好ましい。
なお、Co含有Auめっき層4に封孔処理を施してもよい。
The Co-containing Au plating layer 4 may be a conventionally known Co-containing Au plating method as long as adhesion with the Pd—Ni alloy plating layer 3 is secured and the film thickness can be controlled to 0.03 to 0.05 μm. According to the method (flash plating). A film thickness of 0.1 μm or more is not preferable because a lubricating effect on sliding cannot be obtained and wear resistance is lowered. Moreover, it is preferable that Co content rate in a plating layer is 0.3-0.5 wt%.
The Co-containing Au plating layer 4 may be sealed.
前記のような電気接点6の構成とすることにより、Co含有Auめっき層4の膜厚を従来よりも大幅に低減しつつ(膜厚比で95%以上低減)、従来の電気接点よりも耐摩耗性及び耐食性を改善することができる。これらの改善効果はつぎのようなメカニズムによる。
With the configuration of the
(1)耐摩耗性
Pd−Ni合金めっき層3の硬い層の上に、相対的に軟らかい層(Co含有Auめっき層4)を薄く付けると、軟らかい方(Co含有Auめっき層4)の金属が固体潤滑剤のような働きをし、摺動に対して摩耗しにくくなる。
(1) Abrasion resistance When a relatively soft layer (Co-containing Au plating layer 4) is thinly deposited on the hard layer of the Pd—Ni alloy plating layer 3, the metal of the softer one (Co-containing Au plating layer 4) Acts like a solid lubricant and is less likely to wear against sliding.
(2)耐食性
Pd−Ni合金めっき層3、Co含有Auめっき層4ともに、めっき層中にピンホールが存在する(Pd−Ni合金めっき層3の有孔度はCo含有Auめっき層4より少ない)が、2層に重ねることで下層めっきのNiめっき層2まで貫通するピンホール数が激減するため、耐食性が向上する。また、Niめっき層2と接する金属が従来のAuからPd−Ni合金に変わることで、局部電池効果が低減され、耐食性が向上している(AuとNiの電位差:1.73V、PdとNiの電位差:1.15V)。
(2) Corrosion resistance Both Pd-Ni alloy plating layer 3 and Co-containing Au plating layer 4 have pinholes in the plating layer (the porosity of Pd-Ni alloy plating layer 3 is less than that of Co-containing Au plating layer 4) However, since the number of pinholes penetrating to the Ni plating layer 2 of the lower layer plating is drastically reduced by overlapping two layers, the corrosion resistance is improved. Further, the metal in contact with the Ni plating layer 2 is changed from the conventional Au to the Pd—Ni alloy, so that the local battery effect is reduced and the corrosion resistance is improved (potential difference between Au and Ni: 1.73 V, Pd and Ni Potential difference: 1.15 V).
さらに、めっき速度の遅いNiめっき層の一部をめっき速度の速いPd−Ni合金めっき層に置き換えることになるため、電気接点6のめっき層全体としては生産効率が向上する。
Furthermore, since a part of the Ni plating layer having a low plating rate is replaced with a Pd—Ni alloy plating layer having a high plating rate, the production efficiency of the entire plating layer of the
次に、本発明に係るメモリカードについて説明する。
図2及び図3は本発明のメモリカードの構成例を示す概略図である。
図2及び図3において、10はメモリカードを示し、それぞれメモリカード10の一方の面13a及びその反対側の他方の面13bから見た外観構成を示すもので薄型の略カード状の形状をしている。
Next, the memory card according to the present invention will be described.
2 and 3 are schematic views showing a configuration example of the memory card of the present invention.
2 and 3,
図3において、メモリカード10の一方の面13aの一方の端部14aの縁部に沿って2段構成の各段10列の端子配列からなる接点部16が設けられている。この2段構成からなる接点部16の1段目の接点部16a及び2段目の接点部16bは図1に示す電気接点の構成で形成されている。また、これらのうち、挿入方向の左端2列の接点は互いに切れ目なく繋がって短絡しており、他の8列の接点は間隔18をおいて1段目の接点部16a及び2段目の接点部16bの2つの接点部に区切られている。そしてこの2段構成の各段の10列の接点は隣あった接点がそれぞれ仕切り17で仕切られる如く構成されている。
In FIG. 3, a
また、メモリカード1の一方の端部14aと一方の側面15aとの角にはメモリカード10をメモリカード装着装置20のスロット部21に挿入する際に、メモリカード10の挿入方向が正しいかどうかを検出する曲面部19aを備えると共に位置決め用の凹部19が設けられている。そして位置決め用の凹部19により決められた位置にメモリカード10を固定する固定用凹部1aが側面15aの縁に設けられている。
Also, whether or not the insertion direction of the
また、図2において、メモリカード10の一方の面13aと反対の他方の面13bの端部14aと反対の端部14bの近傍にフラッシュメモリ素子(メモリ)を格納するための高さH1の第1の凸部12を設けている。これにより、外形寸法の大きな変更をすることなく容易にメモリカードのメモリ容量を増量することを達成している。
In FIG. 2, the height H 1 for storing the flash memory element (memory) in the vicinity of the
つぎに、メモリカード10をバネ接点を有する機器(メモリカード装着装置)に挿入して使用する場合を説明する。
図4A,B及び図5に、メモリカード装着装置20にメモリカード10を挿入及び装着した状態を側面15bから見た断面図を示す。
Next, a case where the
4A, 4B, and 5 show cross-sectional views of the memory
ここで、メモリカード装着装置20は、前述したメモリカード10の第1の凸部12に対応する部分に切込みを入れ開口部22が設けられている。またメモリカード10の接点部16が設けられている一方の面13aと接するメモリカード装着装置20の略箱型のスロット部21を構成する静電気対策を兼ねた金属板25の面上にメモリカードの挿入方向と平行して長い凸部25aを2箇所設け、メモリカードを滑りやすくして挿入・取出しが容易になるようにしている。
Here, the memory
図4Bは、本例メモリカード装着装置20を側面25bからみた断面図である。メモリカード装着装置20において、2段構成のバネ接点端子36a及び36bの一部を屈曲させてバネ接点37、37を形成すると共にこのバネ接点端子36a及び36bは樹脂によりモールド成形されたモールド樹脂部26の一方の面26bの端部26c縁に取付けられた可動配線部を有するフレキシブル基板27に接続されている。
FIG. 4B is a cross-sectional view of the memory
図4Aは、本例メモリカード10を側面15bから見た断面図である。30は従来から内蔵されているメモリであり30aは新しく増設されたメモリである。このメモリカード10の接点部16が設けられている一方の面13aの反対側の面13bを上側にして端部14aからメモリカード装着装置20に挿入する。
FIG. 4A is a cross-sectional view of the
図5にメモリカード装着装置20にメモリカード10を装着した状態を示す。メモリカード装着装置20のスロット部21の挿入口から挿入されたメモリカード10を所定の位置まで挿入しメモリカード装着装置20に装着する。このときメモリカード10の2段構成の接点部16a及び16bの表面は、それぞれメモリカード装着装置20のバネ接点37、37がバネ接点端子36a及び36bのバネ作用により圧接された状態で摺動され、その後この圧接された状態が保持され電気的接続が得られる。そしてこのバネ接点37、37から接点端子36a及び36bを通じてモールド樹脂部26を介してフレキシブル基板27に接続され、このフレキシブル基板27の可動配線部の先に接続されている電子機器(図示せず)に内蔵された制御手段と信号の送受信を行うことができる。
FIG. 5 shows a state in which the
また、メモリカード10をスロット部21の挿入口から抜き出す際には、メモリカード10の2段構成の接点部16a及び16bの表面は、それぞれメモリカード装着装置20のバネ接点37、37がバネ接点端子36a及び36bのバネ作用により圧接された状態で摺動された後、バネ接点37、37との接触から開放される。
Further, when the
このように、メモリカード10はその使用のたびに、メモリカード装着装置20への挿抜が行われ、メモリカード10の接点部16a及び16bの表面はバネ接点37、37により摺動される。本発明のメモリカード10は、その接点部16a及び16bを図1の構成からなる耐摩耗性及び耐食性に優れた電気接点としていることにより、1日に何回もメモリカード装着装置20への挿抜が繰り返して行われる場合であっても接点部16a及び16bは良好な状態が保たれ、長期使用が可能である。
Thus, each time the
次に、本発明に係るモバイル情報端末機器及び充電器について説明する。
図6は、本発明のモバイル情報端末機器の一態様である携帯電話機の構成を示す概略図である。なお、以降に各図において矢印で示す、U方向、D方向、L方向、R方向、F方向、B方向は、それぞれ、上方、下方、左方、右方、前方、後方を意味するものとする。また、本明細書において示す上記方向性は、携帯電話機40及び充電器60を本明細書において説明するための便宜上のものである。
Next, a mobile information terminal device and a charger according to the present invention will be described.
FIG. 6 is a schematic diagram showing a configuration of a mobile phone which is an aspect of the mobile information terminal device of the present invention. In the following, the U direction, D direction, L direction, R direction, F direction, and B direction indicated by arrows in the drawings mean upward, downward, leftward, rightward, forward, and backward, respectively. To do. Further, the directionality shown in the present specification is for the convenience of describing the
図6に示すように、携帯電話機40は、ほぼ同等の大きさのほぼ薄箱状を呈する操作部本体41及び表示部本体42と、これら操作部本体41と表示部本体42とを相対する一側部において回転自在に組み合わせるヒンジ部43とからなる。この基本的な構成は従来の携帯電話機と同様である。
As shown in FIG. 6, the
また、携帯電話機40は、未使用時において、操作部本体41と表示部本体42とがヒンジ部43を介して互いに重ね合わされるようにして折り畳まれた状態で携帯される。携帯電話機40は、通話時や電子メール操作等の使用時において、図6に示すようにこれら操作部本体41と表示部本体42とがヒンジ部43を介して展開された状態で用いられる。
In addition, when not in use, the
操作部本体41は、折畳み状態において表示部本体42と対向する一方の主面を操作面41aとし、この操作面41aに図6に示すように、テンキー44、ジョグダイヤル45、各種機能ボタン46が設けられている。操作部本体41には、操作面41aのヒンジ部43と反対側の自由端側に位置して図示しないマイクロホンが内蔵された送話部47が設けられている。
In the folded state, the operation unit
携帯電話機40には、操作部本体41内に充電可能な二次電池パックなどのバッテリが収納されており、各部に対して電源の供給が行われる。
The
また、操作部本体41には、その操作面41aのヒンジ部43と反対側の自由端側の側面に、前記二次電池パックに対する充電を行うための充電用端子部48が設けられている。
In addition, the operation portion
充電端子部48は、操作部本体41の自由端側面に形成された扁平な凹部49の底面にそれぞれ充電用電気接点48a、48aが露出するように構成されている。この電気接点48a、48aは図1に示す電気接点の構成で形成されている。
The charging
操作部本体41には、ヒンジ部43側の側面であって、その左端に伸縮自在なロッドアンテナを収納したアンテナ部50が設けられ、また、そのほぼ中央に充電器60の係止爪67が係止する係止穴(図示せず)が形成されている。
The operation portion
図7は、本発明のモバイル情報端末機器の充電器の一態様である携帯電話機用充電器の構成を示す概略図である。
充電器60は、前後方向に長くやや肉厚な平板状をした本体部62と該本体部62の後端側の左右角部に上方へ向かって突設された2つの支持柱63、63と本体部62の前端側の左右中央部に上方へ向かって突設された係止凸部64とから成り、本体部62の内部に充電回路(図示せず)を備えて成る。
FIG. 7 is a schematic diagram showing a configuration of a mobile phone charger which is an embodiment of the charger of the mobile information terminal device of the present invention.
The
上記2つの支持柱63、63と係止凸部64との前後方向の間の間隔は、当該充電器60により充電するもの(携帯電話機40)の前後方向の長さとほぼ同じに形成されており、これら2つの支持柱63、63及と係止凸部64とで、当該充電器60における携帯電話機40の装着部65を構成する。
The distance between the two
充電器60の上記2つの支持柱63、63の前方を向いた面には、外部電源と接続される充電端子66、66が突設されている。この充電端子66、66は図1に示す電気接点の構成で形成されている。
On the surface of the
係止凸部64のほぼ中央部には後方に向かって係止爪67が設けられており、該係止爪67は当該充電器60により充電するもの(携帯電話機40)に設けられた係止穴に係止して携帯電話機40の位置決めをするようになっている。
A locking
前記携帯電話機40は次のようにして充電器60に装着され充電が為される。
先ず、携帯電話機40を折り畳んだ状態で、これを傾斜させて充電端子部48の電気接点48a、48aを充電器60の充電端子66、66に接触させる(図8)。次に、上記充電端子部48側を支点として携帯電話機40をそのヒンジ部43側が下方へ行くように回動させる。これに伴い、電気接点48a、48aと充電端子66、66とは一定の圧力がかかった状態でお互いの表面を摺動するようになる。
The
First, in a state in which the
そして、携帯電話機20のヒンジ部23側に形成された係止穴31を充電器1の係止爪7に係止させる。
Then, the locking hole 31 formed on the hinge portion 23 side of the
これにより、携帯電話機20は折り畳まれた状態でかつ水平な状態となって充電器1に装着され、電気接点48a、48aと充電端子66、66とは電気的接続のある状態で保持される(図9)。
As a result, the
また、携帯電話機40を充電器60から外す場合には装着の場合と逆の操作が行われる。このときにも、電気接点48a、48aと充電端子66、66とは一定の圧力がかかった状態でお互いの表面を摺動した後、その接触が開放される。
Further, when the
このように、携帯電話機40はその充電のたびに、充電器60への着脱が行われ、携帯電話機40の電気接点48a、48aと、充電器60の充電端子66、66とはお互いの表面を摺動する。本発明の携帯電話機40の電気接点48a、48a及び充電器60の充電端子66、66は、図1の構成からなる耐摩耗性及び耐食性に優れた電気接点とされていることにより、1日に何回も充電が繰り返して行われる場合であっても電気接点48a、48a及び充電端子66、66は良好な状態が保たれ、長期使用が可能である。
As described above, the
以下、本発明を実施した例を示す。
(実施例1)
図2,図3に示す構成のメモリカードサンプルを作製した。なお、接点部16a,16bの電気接点の構成は以下の通りとした。
・電極基材1:銅板
・Niめっき層2:膜厚3μmを電気めっき法で形成した。
・Pd−Ni合金めっき層3:膜厚1μm、Pd:Ni重量比80:20を電気めっき法で形成した。
・Co含有Auめっき層4:膜厚0.03μm、Co含有率0.3%を電気めっき法で形成した。
Examples of carrying out the present invention are shown below.
Example 1
A memory card sample having the configuration shown in FIGS. 2 and 3 was produced. The configuration of the electrical contacts of the
Electrode base material 1: Copper plate Ni plating layer 2: A film thickness of 3 μm was formed by electroplating.
Pd—Ni alloy plating layer 3: A film thickness of 1 μm and a Pd: Ni weight ratio of 80:20 were formed by electroplating.
Co-containing Au plating layer 4: A film thickness of 0.03 μm and a Co content of 0.3% were formed by electroplating.
(比較例1)
実施例1において、Pd−Ni合金めっき層3を省略し、Co含有Auめっき層4に代えて膜厚0.5μmのAuめっき層とし、それ以外は実施例1と同じ条件でメモリカードサンプルを作製した。
(Comparative Example 1)
In Example 1, the Pd—Ni alloy plating layer 3 is omitted, the Au plating layer having a film thickness of 0.5 μm is used instead of the Co-containing Au plating layer 4, and the memory card sample is prepared under the same conditions as in Example 1. Produced.
(比較例2)
実施例1において、Niめっき層2の膜厚を4μm、Co含有Auめっき層4に代えて膜厚0.03μmのAuめっき層とし、それ以外は実施例1と同じ条件でメモリカードサンプルを作製した。
(Comparative Example 2)
In Example 1, the Ni plating layer 2 is 4 μm thick, and instead of the Co-containing Au plating layer 4, a 0.03 μm thick Au plating layer is used. Otherwise, a memory card sample is manufactured under the same conditions as in Example 1. did.
(比較例3)
実施例1において、Niめっき層2の膜厚を1.5μm、Pd−Ni合金めっき層3のPd:Ni重量比を50:50、Co含有Auめっき層4の膜厚を0.5μmとし、それ以外は実施例1と同じ条件でメモリカードサンプルを作製した。
(Comparative Example 3)
In Example 1, the thickness of the Ni plating layer 2 is 1.5 μm, the Pd: Ni weight ratio of the Pd—Ni alloy plating layer 3 is 50:50, and the thickness of the Co-containing Au plating layer 4 is 0.5 μm. Otherwise, a memory card sample was produced under the same conditions as in Example 1.
得られたサンプルを用いて、以下に示す挿抜試験及び混合ガス腐食試験による劣化試験を行った。
(1)挿抜試験
図4,図5に示したメモリカード装着装置20への挿抜を12000回繰り返す試験を行った。このときの接点圧力は0.5Nであった。
(2)混合ガス腐食試験
ついで、挿抜試験後のサンプルについて、二酸化硫黄ガス:10ppm、二酸化窒素ガス:10ppm、温度:40℃、湿度:75%RHの環境下に48時間暴露する混合ガス腐食試験を行った。
Using the obtained sample, the deterioration test by the following insertion / extraction test and mixed gas corrosion test was performed.
(1) Insertion / extraction test The test which repeats the insertion / extraction to the memory
(2) Mixed gas corrosion test Next, the sample after the insertion / extraction test is exposed to a mixed gas corrosion test for 48 hours in an environment of sulfur dioxide gas: 10 ppm, nitrogen dioxide gas: 10 ppm, temperature: 40 ° C., humidity: 75% RH. Went.
前記劣化試験を行った後の実施例1、比較例1〜3の接点部16a,16bの表面を走査型電子顕微鏡(SEM)で観察した。それぞれの結果を図10〜図13に示す。
The surface of
実施例1では、挿抜試験にてバネ接点と擦れた部分(摺動部)における明確な摺動痕が見られず、ほとんど摩耗を受けていなかった(図10)。また、腐食も発生していなかった。
これに対して、比較例1では摺動部におけるめっき層の削れが大きく、激しく腐食されている状態(図中黒色部分)が確認された(図11)。また、比較例2では摺動部におけるめっき層の削れがあり、かなり腐食されている状態が確認された(図12)。Auめっき層中にCoを含有していないために耐摩耗性が低下したことによると考えられる。さらに、比較例3ではCo含有Auめっき層4の膜厚が0.5μmあるにも関わらず、摺動部における腐食が認められた(図13)。
In Example 1, in the insertion / extraction test, a clear sliding mark was not seen in a portion (sliding portion) rubbed with the spring contact, and the wear was hardly received (FIG. 10). Further, no corrosion occurred.
On the other hand, in Comparative Example 1, the plating layer was greatly scraped at the sliding portion, and a state of severe corrosion (black portion in the figure) was confirmed (FIG. 11). Further, in Comparative Example 2, the plating layer was scraped at the sliding portion, and it was confirmed that the plate was considerably corroded (FIG. 12). This is probably because the wear resistance was lowered because Co was not contained in the Au plating layer. Further, in Comparative Example 3, although the Co-containing Au plating layer 4 had a thickness of 0.5 μm, corrosion at the sliding portion was observed (FIG. 13).
つぎに、前記劣化試験前後における、実施例1、比較例1の接点部16a,16bについて印加電流と電圧との関係を調査した。それぞれの結果を図14,図15に示す。
実施例1では劣化試験前後で電流と電圧との関係にほとんど差がなく、良好な金属接点であることが分かる(図14)。これに対して、比較例1では劣化試験後に電圧上昇、すなわち接触抵抗値の増加が認められた(図15)。
Next, the relationship between the applied current and voltage was investigated for the
In Example 1, there is almost no difference in the relationship between current and voltage before and after the deterioration test, and it can be seen that this is a good metal contact (FIG. 14). On the other hand, in Comparative Example 1, a voltage increase, that is, an increase in contact resistance value was observed after the deterioration test (FIG. 15).
(比較例4〜8)
市販されている各種メモリカード(5種)を比較例4〜8のサンプルとして、前記劣化試験を行い、印加電流と電圧との関係を調査した。なお、挿抜試験ではそれぞれのサンプルについて、接点圧力が0.5Nとなるようにした。
(Comparative Examples 4 to 8)
The deterioration test was conducted using various commercially available memory cards (5 types) as samples of Comparative Examples 4 to 8, and the relationship between applied current and voltage was investigated. In the insertion / extraction test, the contact pressure was set to 0.5 N for each sample.
また、比較例4〜8のサンプルの接点部についてめっき層構成を分析したところ、すべてAu/Niの2層構造であり、それぞれの膜厚は次の通りであった。
・比較例4:Niめっき層=6.92μm、Auめっき層=0.58μm
・比較例5:Niめっき層=9.50μm、Auめっき層=1.08μm
・比較例6:Niめっき層=3.33μm、Auめっき層=1.67μm
・比較例7:Niめっき層=13.00μm、Auめっき層=2.50μm
・比較例8:Niめっき層=11.70μm、Auめっき層=1.83μm
Moreover, when the plating layer structure was analyzed about the contact part of the sample of Comparative Examples 4-8, all were 2 layer structures of Au / Ni, and each film thickness was as follows.
Comparative Example 4: Ni plating layer = 6.92 μm, Au plating layer = 0.58 μm
Comparative Example 5: Ni plating layer = 9.50 μm, Au plating layer = 1.08 μm
Comparative Example 6: Ni plating layer = 3.33 μm, Au plating layer = 1.67 μm
Comparative Example 7: Ni plating layer = 13.00 μm, Au plating layer = 2.50 μm
Comparative Example 8: Ni plating layer = 11.70 μm, Au plating layer = 1.83 μm
その結果を図16に示す。ここでは、接点に電流Mを流した時に得られる電圧yの平均値と、実データとのばらつきの関係をSN比として求め、その値に65dbを加算したものを示している。
実施例1は、比較例4〜8と比べて少なくとも5db以上(信頼性で4倍以上)耐食性及び耐摩耗性に優れていることが分かった。
The result is shown in FIG. Here, the relationship between the average value of the voltage y obtained when the current M is supplied to the contact and the variation between the actual data is obtained as an SN ratio, and 65 dB is added to that value.
Example 1 was found to be superior to Comparative Examples 4 to 8 in at least 5 db (more than 4 times in reliability) corrosion resistance and wear resistance.
1・・・電極基材、2・・・Niめっき層、3・・・Pd−Ni合金めっき層、4・・・Co含有Auめっき層、6・・・電気接点、10・・・メモリカード、12・・・メモリ格納用凸部、12a・・・ラベル貼り付け面、12b・・・引っ掛かり用凸部、12c・・・ラベル、13a,13b・・・面、14a,14b・・・端部、15a,15b・・・側面、16,16a,16b・・・接点部、17・・・仕切り、18・・・間隔、19・・・凹部、19a・・・曲面部、1a・・・固定用凹部、20・・・メモリカード装着装置、21・・・スロット部、22・・・開口部、25・・・金属板、26・・・モールド樹脂部、30,30a・・・メモリ、36a,36b・・・バネ接点端子、37・・・バネ接点、40・・・モバイル情報端末機器(携帯電話機)、41・・・操作部本体、42・・・表示部本体、43・・・ヒンジ部、44・・・テンキー、45・・・ジョグダイヤル、46・・・各種機能ボタン、47・・・送話部、48・・・充電端子部、48a,48b・・・充電用電気接点、49…凹部、50・・・アンテナ部、60・・・充電器、62・・・本体部、63・・・支持柱、64・・・係止凸部、65・・・装着部、66・・・充電端子、67・・・係止爪
DESCRIPTION OF
Claims (3)
外部電源と接続される電極基材の前記モバイル情報端末機器の充電用電気接点と接触する部分に、膜厚1〜3μmのNiめっき層、膜厚0.2〜1μmのPd−Ni合金めっき層、膜厚0.03〜0.05μmのCo含有Auめっき層が順次積層されてなる電気接点を備えることを特徴とする充電器。 A charger for charging a mobile information terminal device,
A portion of the electrode base material connected to an external power source that comes into contact with the charging electrical contact of the mobile information terminal device has a Ni plating layer with a thickness of 1 to 3 μm and a Pd—Ni alloy plating layer with a thickness of 0.2 to 1 μm. A battery charger comprising an electrical contact formed by sequentially laminating a Co-containing Au plating layer having a thickness of 0.03 to 0.05 μm.
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