JP2006243484A - Optical waveguide element and manufacturing method therefor - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、光導波路素子およびその製造方法に関する。 The present invention relates to an optical waveguide element and a method for manufacturing the same.
例えば、電気光学効果を有する基板上に、マッハツェンダー型光導波路が設けられた光強度変調器や可変減衰器、光スイッチ等の光導波路素子は、印加電圧によって光の干渉状態が変化し、それによって出力光の強度が変化する。
このような光導波路素子にあっては、印加される信号電圧がゼロのときに所定の光出力状態にあることが要求される。以下、このような信号電圧がゼロの状態における光出力状態をゼロ点とよぶ。
ゼロ点は、要求される機能や特性に応じて設定される。例えば光強度変調器の場合、信号電圧がゼロのときに出力光の強度が(1)最大となるように設定する、(2)最小となるように設定する、(3)最大と最小の中間点となるように設定するなどの方法がある。
For example, in an optical waveguide device such as a light intensity modulator, a variable attenuator, or an optical switch provided with a Mach-Zehnder type optical waveguide on a substrate having an electro-optic effect, the light interference state changes depending on the applied voltage. The intensity of output light changes depending on.
Such an optical waveguide element is required to be in a predetermined light output state when the applied signal voltage is zero. Hereinafter, such a light output state when the signal voltage is zero is referred to as a zero point.
The zero point is set according to the required function and characteristics. For example, in the case of a light intensity modulator, when the signal voltage is zero, the output light intensity is set to be (1) maximum, (2) set to be minimum, and (3) between the maximum and minimum There are methods such as setting to be dots.
しかし、同じ製造条件で複数個の光導波路素子を製造しても、実際には、製造時の誤差や、成膜時の内部応力等の影響により、信号電圧がゼロの状態における光出力状態、すなわちゼロ点が個々の素子ごとに若干異なっており、設計値に対するばらつきが生じてしまう。
そこで、このようなばらつきを調整するために、信号電圧とは別に、外部からバイアス電圧(DC電圧)を印加することによりゼロ点の補正を行う方法が知られている。
However, even if a plurality of optical waveguide elements are manufactured under the same manufacturing conditions, in reality, the light output state when the signal voltage is zero, due to the influence of manufacturing error, internal stress during film formation, That is, the zero point is slightly different for each element, resulting in variations with respect to the design value.
Therefore, in order to adjust such variation, a method of correcting the zero point by applying a bias voltage (DC voltage) from the outside separately from the signal voltage is known.
しかしながら、光強度変調器においてDC電圧を印加することによってゼロ点を調整しようとすると、DC電圧に起因するDCドリフトと呼ばれるゼロ点変動を誘発する。
このため、実際の使用時には、常にゼロ点をモニターしながらDC電圧の制御を行う制御回路を設けることが必要であり、装置の複雑化をまねく。
そこで、DC電圧を印加する以外の方法で、ゼロ点、すなわち信号電圧がゼロの状態における光出力状態を制御できる技術が望まれる。
However, when the zero point is adjusted by applying a DC voltage in the light intensity modulator, a zero point variation called DC drift caused by the DC voltage is induced.
For this reason, in actual use, it is necessary to provide a control circuit for controlling the DC voltage while constantly monitoring the zero point, resulting in a complicated apparatus.
Therefore, a technique is desired that can control the light output state at a zero point, that is, a state where the signal voltage is zero, by a method other than applying a DC voltage.
また、マッハツェンダー型光導波路を用いる波長フィルタや固定型の光減衰器などの光素子においても、製造誤差や成膜時の内部応力などのために光学的特性に設計値とのずれが生じる場合があり、調整が必要な場合が多い。このような素子は、特性固定型であるため、前記の光強度変調器や可変減衰器、光スイッチなどと異なり電極が設置されていないので、バイアス電圧の印加は行なうことができない。従って、調整には電圧印加以外の方法が必要となる。
なお、このような素子においては、その素子が示す特性自体がゼロ点である。
Also, in optical elements such as wavelength filters that use Mach-Zehnder type optical waveguides and fixed optical attenuators, deviations from design values occur due to manufacturing errors and internal stresses during film formation. There are many cases where adjustment is necessary. Since such an element is of a fixed characteristic type, unlike the light intensity modulator, variable attenuator, optical switch, etc., since no electrode is provided, it is impossible to apply a bias voltage. Therefore, a method other than voltage application is required for adjustment.
In such an element, the characteristic itself of the element is a zero point.
電圧を印加することなくゼロ点の調整を行なう方法としては、これまで、例えば以下の方法が知られている。
(A)導波路自体の物性を変化させる方法;具体的には、(A−1)導波路に紫外光を照射する方法(下記特許文献1、2)、(A−2)屈折率制御成分を追拡散する方法(下記特許文献3)。
(B)導波路外周のクラッド部ないし導波路直上のバッファ層部の屈折率を変化させる方法;具体的には、(B−1)導波路上に高屈折率膜を形成し、該高屈折率膜を部分的に除去する方法(下記特許文献4)。
(C)導波路および/または基板に応力を与えて実質的な光路長を変化させる方法;具体的には、(C−1)応力付与膜を形成する方法(下記特許文献5)、(C−2)応力付与ミゾを形成する方法(下記特許文献6)などがある。
(A) Method of changing the physical properties of the waveguide itself; specifically, (A-1) Method of irradiating the waveguide with ultraviolet light (
(B) A method of changing the refractive index of the cladding portion on the outer periphery of the waveguide or the buffer layer portion immediately above the waveguide; specifically, (B-1) forming a high refractive index film on the waveguide, and A method of partially removing the rate film (
(C) A method of changing the substantial optical path length by applying stress to the waveguide and / or the substrate; specifically, (C-1) a method of forming a stress applying film (Patent Document 5 below), (C -2) There is a method of forming a stress imparting groove (
しかし、前記(A−1)の方法は長期安定性が良くない。前記(A−2)の方法は、工程が複雑化すると共に局所加熱のための特殊な装置が必要である。前記(B−1)の方法は工程が複雑化すると共に高屈折率膜の部分的な除去では、加工量に対するゼロ点の変化量が小さい。前記(C−1)の方法は応力付与膜として有機材料を用いるため長期安定性が良くない。前記(C−2)の方法は導波路外周部を加工するので、加工量に対するゼロ点の変化量が小さい等の問題点がある。
本発明は前記事情に鑑みてなされたもので、電圧を印加せずに、工程の複雑化を招くことなく、長期安定性に優れた方法で、光導波路素子のゼロ点を調整できるようにすることを目的とする。
However, the method (A-1) has poor long-term stability. In the method (A-2), the process is complicated and a special apparatus for local heating is required. In the method (B-1), the process is complicated, and in the partial removal of the high refractive index film, the change amount of the zero point with respect to the processing amount is small. The method (C-1) has poor long-term stability because an organic material is used as the stress imparting film. Since the method (C-2) processes the outer periphery of the waveguide, there is a problem that the change amount of the zero point with respect to the processing amount is small.
The present invention has been made in view of the above circumstances, and enables the zero point of an optical waveguide element to be adjusted by a method having excellent long-term stability without applying a voltage and causing a complicated process. For the purpose.
上記の目的を達成するために本発明は、基板上に、分岐型光導波路で複数に分岐された光が、複数の分離光導波路をそれぞれ伝搬した後、合波型光導波路で合波されるマッハツェンダー型光導波路を有する光導波路素子を製造する方法であって、前記分離光導波路にレーザ光を照射して該分離光導波路の一部を除去するトリミング工程を有することを特徴とする光導波路素子の製造方法を提供する。
また本発明は、基板上に、分岐型光導波路で複数に分岐された光が、複数の分離光導波路をそれぞれ伝搬した後、合波型光導波路で合波されるマッハツェンダー型光導波路を有する光導波路素子であって、前記分離光導波路の表面部分が除去されて断面積が減少している断面積減少部が存在することを特徴とする光導波路素子を提供する。
In order to achieve the above object, according to the present invention, light branched into a plurality of branched optical waveguides on a substrate is propagated through a plurality of separated optical waveguides, and then multiplexed in a multiplexed optical waveguide. A method of manufacturing an optical waveguide device having a Mach-Zehnder type optical waveguide, comprising: a trimming step of irradiating the separation optical waveguide with laser light to remove a part of the separation optical waveguide An element manufacturing method is provided.
Further, the present invention has a Mach-Zehnder type optical waveguide on the substrate where the light branched into a plurality of branched optical waveguides propagates through the plurality of separated optical waveguides and then combined in the combined optical waveguide. There is provided an optical waveguide device characterized in that there is a cross-sectional area reducing portion in which a surface portion of the separation optical waveguide is removed and a cross-sectional area is reduced.
本発明によれば、電圧を印加せずに、工程の複雑化を招くことなく、長期安定性に優れた方法で、光導波路素子のゼロ点を調整することができる。 According to the present invention, the zero point of the optical waveguide device can be adjusted by a method having excellent long-term stability without applying a voltage and without complicating the process.
以下、本発明の第1の実施形態を説明する。図1は本発明の光導波路素子の製造方法を実施するのに好適に用いられる装置の一実施形態を示した平面図である。
図中符号10は光導波路素子の一例としての光変調器である。図2は、図1中のII−II線に沿って光変調器10を断面視した断面図である。
本実施形態の光変調器10は、LiNbO3(LN)基板11の上面にマッハツェンダー型光導波路12(以下、単に光導波路12ということもある)が形成され、さらにLN基板11上にバッファ層13を介して信号電極14およびグランド電極15が設けられて概略構成されている。
Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described. FIG. 1 is a plan view showing an embodiment of an apparatus suitably used for carrying out the method for manufacturing an optical waveguide device of the present invention.
In the
マッハツェンダー型光導波路12は、分離光導波路としての第1の光導波路12a、および第2の光導波路12bと、該第1、第2の光導波路12a、12bの入射側に接続されている分岐型光導波路12cと、第1、第2の光導波路12a、12bの出射側に接続されている合波型光導波路12dとから構成されている。第1、第2の光導波路12a、12bの長さ方向中央部分は互いに平行である。なお本例ではLNのXカット基板を使用している。
The Mach-Zehnder type
バッファ層13は、電極によって光導波路を伝播する導波光が吸収されるのを防止する目的や、進行波型電極における電気信号の進行速度を調整する等の目的で設けられるもので、一般にSiO2を主成分とする厚さ0.5〜2μm程度の層である。本実施形態において、バッファ層13は基板11の全面上に設けられている。
信号電極14は、金(Au)等の導電性材料で形成されている。本例における信号電極14の中央部14aは、第1の光導波路12aおよび第2の光導波路12bの間に、該第1、第2の光導波路12a、12bの中央部分と平行に延びている。信号電極14の両端部14b、14cは、それぞれ第1の光導波路12aおよび第2の光導波路12bを横切って、前記中央部14aに対して垂直に延びている。
グランド電極15は、信号電極14を挟む入射側および出射側の両側に、信号電極14と所定の間隔を介して設けられおり、図示していないが接地されている。
本例では、第1、第2の光導波路12a、12bのうちの、合波型光導波路12dに隣接する部分には、グランド電極15は設けられていない。
The
The
The
In this example, the
本実施形態の装置は、光変調器10を固定するための手段(図示せず)を備えた微動ステージ1、該微動ステージ1上に固定された状態の光変調器10の光導波路12に対して、光を入射する光源としての半導体レーザ2、該光変調器10の光導波路12からの出力光を受光する受光手段としてのフォトダイオード4、光変調器10の信号電極14に信号電圧を印加する信号電圧入力手段としてのファンクションジェネレーター3、およびフォトダイオード4で受光した光強度をモニターする手段としてのオシロスコープ5を備えている。
微動ステージ1は水平方向に微動可能であり、図示しない駆動手段を備えている。
また図示していないが、微動ステージ1上に固定された状態の光変調器10の上方に位置するように、加工用のレーザ光を照射するレーザ光照射装置、およびレーザ光が照射された部分を観察するためのCCDカメラが設けられている。
The apparatus according to the present embodiment has a
The
Although not shown, a laser beam irradiation device for irradiating a processing laser beam so as to be positioned above the
加工用のレーザ光としては、YAGレーザ光、CO2レーザ光、エキシマレーザ光等が挙げられるが、中でもエキシマレーザ光が好ましい。エキシマレーザ光は波長が短く、照射された部分がアブレージョン(分子や原子に分解し発散すること)を起こして除去されるため、除去部分の表面の平滑度が高くなりやすい。除去部分の平滑度が高い方が、光導波路の除去による透過ロスの増加を小さく抑えるうえで望ましい。 Examples of the laser light for processing include YAG laser light, CO 2 laser light, and excimer laser light. Among these, excimer laser light is preferable. Excimer laser light has a short wavelength, and the irradiated portion is removed by ablation (decomposition and divergence into molecules and atoms), so that the smoothness of the surface of the removed portion tends to be high. A higher smoothness in the removed portion is desirable in order to suppress an increase in transmission loss due to removal of the optical waveguide.
また、トリミングしようとする光導波路の上にバッファ層が存在する場合、バッファ層に予め開口部を設け、該開口部内の光導波路にレーザ光を照射する方法もあるが、特にエキシマレーザ光を用いる場合には、光導波路上にバッファ層が存在する状態のままで、トリミング加工を行なうことが可能である。これは、光導波路を形成するLNはエキシマレーザ光を吸収してアブレージョンされるのに対し、バッファ層を形成するSiO2 はエキシマレーザ光を透過してしまうためである。すなわち、バッファ層が存在する状態でエキシマレーザ光を照射しても、バッファ層はエキシマレーザ光を透過してしまうため、アブレージョンはバッファ層下にある光導波路に直接発生し、光導波路部が直接トリミングされるのである。ここで、照射部分のバッファ層はエキシマレーザ光による直接の作用は受けないが、その下層である光導波路がトリミングにより除去されてしまうことから、間接的に除去される。したがって、バッファ層を予め除去しておいた場合と同等の効果を得ることができる。さらに、バッファ層の除去が間接的作用によるものであることから、バッファ層の有無にかかわらず、エキシマレーザ光のパワーが等しい場合にはトリミングされる光導波路の量(深さ)は一定である。したがって、バッファ層の有無に伴うエキシマレーザ光のパワー調整を行なう必要もない。
このように、バッファ層に予め開口部を設けなくて済むということは、バッファ層の成膜時に開口部を設けることによる成膜不良を招くリスクが無くなる、バッファ層の成膜後に開口部を設けるための手間が不要になる等の利点がある。
In addition, when there is a buffer layer on the optical waveguide to be trimmed, there is a method of providing an opening in the buffer layer in advance and irradiating the optical waveguide in the opening with laser light, but excimer laser light is particularly used. In some cases, trimming can be performed while the buffer layer is present on the optical waveguide. This is because the LN that forms the optical waveguide absorbs excimer laser light and is ablated, whereas the SiO 2 that forms the buffer layer transmits the excimer laser light. In other words, even when excimer laser light is irradiated in the presence of the buffer layer, the buffer layer transmits the excimer laser light, so that abrasion occurs directly in the optical waveguide below the buffer layer, and the optical waveguide portion directly It is trimmed. Here, the buffer layer in the irradiated portion is not directly affected by the excimer laser beam, but is indirectly removed because the underlying optical waveguide is removed by trimming. Therefore, an effect equivalent to that obtained when the buffer layer is removed in advance can be obtained. Further, since the removal of the buffer layer is due to an indirect action, the amount (depth) of the optical waveguide to be trimmed is constant when the power of the excimer laser light is the same regardless of the presence or absence of the buffer layer. . Therefore, it is not necessary to adjust the power of the excimer laser light according to the presence or absence of the buffer layer.
As described above, the fact that the buffer layer does not need to be provided with an opening in advance eliminates the risk of film formation failure due to the opening provided when the buffer layer is formed. The opening is provided after the buffer layer is formed. For example, there is an advantage that the labor for the operation becomes unnecessary.
加工用のレーザ光は、集光手段やマスク等の遮蔽手段を組み合わせることによって、所望のスポット形、スポットサイズで光導波路上に照射されることが好ましい。
照射されるレーザ光のスポット形は特に制限されない。例えば矩形でもよい。
またレーザ光のスポットサイズは、レーザ光が照射される光導波路の幅の1/4以上の幅を有することが好ましい。光導波路の幅が一定でない場合は、光導波路の幅の最小値の1/4以上であることが好ましい。より好ましくは1/2以上であり、更に好ましくは3/4以上である。本実施形態において、第1、第2の光導波路12a、12bの幅は一定であり約10μm程度である。
上記レーザ光のスポットサイズの幅が上記範囲の下限値より小さくなると、光導波路がその幅方向の一部分しか除去されないため、光導波路のトリミングによるゼロ点変化量の減少を招くほか、透過ロスの増大を起こすおそれがある。
一方、該スポットサイズの幅が大きすぎてもレーザ光が照射される光導波路に対する影響は少ないが、近接する他の光導波路等に対する影響を考慮すると、レーザ光の照射領域内における光導波路の幅の4倍を越えない範囲が望ましい。例えば、本実施形態ではスポットサイズの幅は2〜40μm程度が好ましく、5〜25μm程度がより好ましい。
また、光導波路の長さ方向におけるスポットサイズの長さは、照射領域において均一なレーザ光強度が得られる範囲であればよく、特に制限されない。
The laser beam for processing is preferably irradiated onto the optical waveguide with a desired spot shape and spot size by combining a condensing unit and a shielding unit such as a mask.
The spot shape of the irradiated laser beam is not particularly limited. For example, a rectangle may be used.
Further, the spot size of the laser light preferably has a width equal to or greater than ¼ of the width of the optical waveguide irradiated with the laser light. When the width of the optical waveguide is not constant, it is preferably equal to or more than 1/4 of the minimum value of the width of the optical waveguide. More preferably, it is 1/2 or more, and more preferably 3/4 or more. In the present embodiment, the widths of the first and second
When the laser beam spot size width is smaller than the lower limit of the above range, the optical waveguide is removed only in the width direction, leading to a decrease in the zero point variation due to the optical waveguide trimming and an increase in transmission loss. There is a risk of causing.
On the other hand, even if the spot size width is too large, there is little effect on the optical waveguide irradiated with laser light. However, considering the influence on other adjacent optical waveguides, the width of the optical waveguide in the laser light irradiation area A range not exceeding 4 times is desirable. For example, in this embodiment, the width of the spot size is preferably about 2 to 40 μm, and more preferably about 5 to 25 μm.
Further, the length of the spot size in the length direction of the optical waveguide is not particularly limited as long as it is a range in which uniform laser light intensity can be obtained in the irradiation region.
ここで、本明細書における光導波路の寸法(幅、深さ)は、導波路と基板の境の位置が容易に確認できて光導波路の寸法を明確に示すことができる場合にはその寸法とする。一方、不純物拡散型で形成された光導波路の場合には導波路と基板の境の判定が容易でないため、該光導波路を伝搬する光の強度が(光導波路中心付近の)最大値の1/e2まで低下した点を導波路と基板の境の位置であると規定して、光導波路の寸法を求めるものとする。 Here, the dimensions (width and depth) of the optical waveguide in this specification are the dimensions when the position of the boundary between the waveguide and the substrate can be easily confirmed and the dimensions of the optical waveguide can be clearly shown. To do. On the other hand, in the case of an optical waveguide formed of an impurity diffusion type, it is not easy to determine the boundary between the waveguide and the substrate, so that the intensity of light propagating through the optical waveguide is 1 / (maximum) of the maximum value (near the optical waveguide center). The point that has decreased to e 2 is defined as the position of the boundary between the waveguide and the substrate, and the dimensions of the optical waveguide are obtained.
以下、本実施形態の装置を用いて光変調器10を製造する方法を説明する。
まず任意の製造方法で製造した光変調器10を微動ステージ1上に固定する。半導体レーザ2から光変調器10の光導波路12に光(光変調器10の使用波長)を入射するとともに、電極に信号電圧を印加し、フォトダイオード4で受光した光強度の波形と印加電圧との関係(リサージュ波形)をオシロスコープ5でモニターする。これによりゼロ点(信号電圧がゼロのとき出力光強度)の初期状態を確認する〔初期ゼロ点確認工程〕。
Hereinafter, a method for manufacturing the
First, the
これとは別に、基板11上の光導波路12が設けられていない余白領域16に、加工用のレーザ光を照射し、該照射によって除去された除去部分を観察する〔予備照射工程〕。
前記余白領域16は、電極等が設けられておらず、トリミング工程におけるレーザ光照射領域17aと同じ構成であることが好ましい。余白領域16における光導波路の有無は任意であるが、光導波路12と同構成のダミー導波路等を備えることがより望ましい。
また余白領域16は、光導波路12の光伝播特性に影響を与えない程度に、光導波路12から離れていることが好ましい。
レーザ光照射による余白領域16内の除去部分を観察した結果を用いて、トリミング工程において光導波路12に対して照射するレーザ光の強度を決定する。
レーザ光強度が弱すぎると除去部分が不均一となる。したがって、トリミング工程で用いるレーザ光強度は、除去部分の均一性が得られるレーザ光強度の最小値(最低照射強度P)以上とすることが好ましい。
なお除去部分の「均一性」は、除去部分を目視で観察して、段差等に起因する線が見られないときに「均一性が得られている」と判定する。
一方、レーザ光強度が強すぎると、加工量に対するゼロ点の変化量が大き過ぎて制御性が悪くなる。したがって、トリミング工程で用いるレーザ光強度の範囲を、前記最低照射強度P以上、かつ該Pの5倍以下の範囲内とすることが好ましい。より好ましい範囲はP以上、かつ該Pの2倍以下である。
また、トリミング工程におけるレーザ光の照射強度が予め決まっている場合には、この予備照射工程を省略することができる。
Separately, the
The
The
The intensity of the laser beam irradiated to the
If the laser beam intensity is too weak, the removed portion becomes non-uniform. Therefore, it is preferable that the laser beam intensity used in the trimming step be equal to or higher than the minimum value (minimum irradiation intensity P) of the laser beam intensity that can obtain the uniformity of the removed portion.
The “uniformity” of the removed portion is determined by visually observing the removed portion and determining that “uniformity is obtained” when a line due to a step or the like is not seen.
On the other hand, if the laser beam intensity is too strong, the change amount of the zero point with respect to the processing amount is too large, and the controllability is deteriorated. Therefore, it is preferable that the range of the laser light intensity used in the trimming step be in the range of the minimum irradiation intensity P or more and 5 times or less of the P. A more preferable range is P or more and 2 or less of P.
Further, when the irradiation intensity of the laser beam in the trimming process is determined in advance, this preliminary irradiation process can be omitted.
次いでトリミング工程を行う。
本実施形態では、第1の光導波路12aを含む照射領域17aにレーザ光を照射して、第1の光導波路12aの一部を除去する。図3は、レーザ光照射による除去部分の例を拡大して示した断面図であり、図中符号18は除去部分を示している。除去部分18では、バッファ層13、および光導波路12aの表面部分を含む基板11の表面部分が除去されている。除去部分18の平面形状は、レーザ光のスポット形と略同一である。
レーザ光の照射領域17aは、光導波路12aが電極で覆われていない部分であって、第1の光導波路12aを伝播する光と第2の光導波路12bを伝播する光との合波が生じる部分よりも入射側に設けられる。本実施形態では第1の光導波路12aのうち、合波型光導波路12dに隣接する部分が除去部分18となっている。
また除去部分18は、第1の光導波路12aを伝播する光の伝播モード状態が、除去された部分(除去部分18)と除去されていない部分とで異なるような部分であればよい。高屈折率の部分を除去する方が、除去によるゼロ点の変化量は大きくなる。好ましくは、図3に示すように第1の光導波路12aの表面部分を除去する。
Next, a trimming process is performed.
In the present embodiment, the
The laser
The removed
後述するように、ゼロ点の変化量は、基板11の厚さ方向(図中X方向)における除去部分18の深さに依存する。除去部分18の深さは、そこに照射されるレーザ光の強度および照射時間によって制御できる。除去部分18の深さは、所望のゼロ点変化量が得られる範囲であればよいが、大きい(深い)ほど透過損失は増大する。したがって、除去部分18の深さは、光導波路12aの深さ方向(本実施形態においてはLNのX軸方向、図中X方向)における光導波路12aの大きさ(深さ)の15%以下であることが好ましく、9%以下がより好ましい。
また、除去部分18の深さの下限(最小値)は、所望のゼロ点が得られる範囲であればよく特に限定されない。
なお、本発明における「除去部分の深さ」は基板11の表面を基準とした深さとする。
As will be described later, the amount of change at the zero point depends on the depth of the removed
The lower limit (minimum value) of the depth of the removed
The “depth of the removed portion” in the present invention is a depth based on the surface of the
第1の光導波路12aの表面部分が除去されると、該除去部分18は、レーザ光が照射されていない部分(非除去部分)と比べて第1の光導波路12aの断面積が減少している断面積減少部となる。除去部分18は好ましくは深さが一定であり、その場合には断面積減少部(除去部分18)と、これに隣接する非除去部分との境目では第1の光導波路12aの断面積が不連続に変化する。
第1の光導波路12aの断面積が変化すると、実効屈折率が変化し、実質的に光路長が変化したのと同じ効果が得られる。
したがって、製造時は第1の光導波路12aと第2の光導波路12bの光路長が等しくなるように設計されていても、第1の光導波路12aに断面積減少部(除去部分18)を形成することにより、第1の光導波路12aの光路長と第2の光導波路12bの光路長とに差を設けることができる。これにより、合波型光導波路12dで合波される第1の光導波路12aを伝播する光と第2の光導波路12bを伝播する光との位相差を制御して、合波型光導波路12dから出力される出力光の強度を変化させることができる。すなわち、光変調器10のゼロ点を変化させることができる。
When the surface portion of the first
When the cross-sectional area of the first
Therefore, even when the optical path lengths of the first
トリミング工程によるゼロ点の変化量と、除去部分(断面積減少部)18の、光の進行方向に沿う長さとは略比例関係にある。また除去部分(断面積減少部)18の深さとゼロ点の変化量も略比例関係にある。さらに、除去部分(断面積減少部)18の幅によっても、ゼロ点の変化量が変わる。
したがって、ゼロ点の変化量をモニターしながら、レーザ光の照射を行い、所望のゼロ点が得られた時点でレーザ光照射を止める方法が好ましい。
The amount of change of the zero point due to the trimming process and the length of the removed portion (cross-sectional area reducing portion) 18 along the light traveling direction are substantially proportional. Further, the depth of the removed portion (cross-sectional area decreasing portion) 18 and the amount of change of the zero point are also in a substantially proportional relationship. Furthermore, the amount of change at the zero point also changes depending on the width of the removed portion (cross-sectional area reducing portion) 18.
Therefore, it is preferable to irradiate the laser beam while monitoring the amount of change of the zero point and stop the laser beam irradiation when a desired zero point is obtained.
例えば(1)レーザ光の照射領域17aにレーザ光を照射した後、前記初期ゼロ点確認工程と同様の操作を行ってゼロ点を確認し、照射位置を第1の光導波路12aの長さ方向(図中、Y方向)に移動させ、再びレーザ光を照射する、という一連の操作を繰り返すことによって、除去部分18の長さを増していき、所望のゼロ点が得られた時点でレーザ光照射を止める方法を用いることができる。照射位置の移動は、レーザ光照射装置と第1の光導波路12aとの相対位置をY方向に移動させる方法で行うことができ、好ましくは微動ステージをY方向に微動させる。
For example, (1) after irradiating the laser
または(2)レーザ光の照射領域17aにレーザ光を照射し、前記初期ゼロ点確認工程と同様の操作を行ってゼロ点を確認し、同じ照射位置に再びレーザ光を照射する、という一連の操作を繰り返すことによって、除去部分18の深さを増していき、所望のゼロ点が得られた時点でレーザ光照射を止める方法を用いることができる。
Or (2) A series of laser beam irradiation to the laser
さらに、(1)の方法と(2)の方法を両方組み合わせてもよい。例えば、上記(2)の方法で除去部分18の深さをある程度まで増し、次いで(1)の方法で除去部分18の長さを増して所望のゼロ点を得ることもできる。その結果、長さ方向において除去部分18の深さが不連続に変化してもよい。
Furthermore, both the method (1) and the method (2) may be combined. For example, the depth of the removed
なお、(1)の方法を用いる場合において、レーザ光の、光導波路の長さ方向におけるスポットサイズは通常数10μmから100μm程度であるのに対し、実際に照射を行なう長さは通常mmオーダーであり、単純に移動と照射を行なった場合には数回から数10回の繰り返し作業を必要とする。このとき、各照射スポットが不連続であると、光導波路上にアブレージョン部(除去部分)と非アブレージョン部の境界がスポット数の2倍存在することとなり、透過損失の増大を招きやすい。さらに、周期的な加工部(除去部分)の存在は透過光の干渉作用を発生させる可能性もある。
一方、各照射スポットを連続させた場合でも、各照射スポットを重ならずかつ密接させることは困難であるため、該スポット間に多重照射によって深くアブレージョンされた部分や密接不良によるアブレージョン残りが発生するため、やはり、透過損失の増大を招きやすい。
この問題は、レーザ光を照射しつつ、レーザ光照射装置と第1の光導波路12aとの相対位置をY方向に連続的に移動させる方法、好ましくはレーザ光を照射しつつX−YステージをY方向に移動させることにより、解決できる。本方法を用いることにより、光導波路上に、光導波路方向にmmオーダーの長寸法でかつ一様に連続した深さのアブレージョン部を設けることができる。
In the case of using the method (1), the spot size of the laser beam in the length direction of the optical waveguide is usually several tens to 100 μm, whereas the actual irradiation length is usually in the order of mm. Yes, when moving and irradiating simply, several to several tens of repetitions are required. At this time, if each irradiation spot is discontinuous, the boundary between the ablation portion (removal portion) and the non-abrasion portion exists on the optical waveguide twice as many as the number of spots, and transmission loss tends to increase. Furthermore, the presence of a periodic processing part (removal part) may cause interference of transmitted light.
On the other hand, even if each irradiation spot is made continuous, it is difficult to make the irradiation spots overlap and be in close contact with each other. Therefore, a portion that is deeply ablated by multiple irradiation between the spots or an ablation residue due to poor contact occurs. Therefore, it is easy to cause an increase in transmission loss.
This problem is caused by a method of continuously moving the relative position between the laser beam irradiation apparatus and the first
また、上記したように除去部分18の形状(幅、深さ、および/または長さ)変化量とゼロ点の変化量とは略比例関係にあり、除去部分18の形状(幅、深さ、および/または長さ)変化量はレーザ光の照射条件に依存する。したがって、これらの関係を予め実験で求めておけば、初期ゼロ点確認工程において得られた初期のゼロ点と、得ようとするゼロ点との差から、必要な除去部分18の形状の変化量を求めることができ、そのためのレーザ光照射条件を計算で求めることが可能である。
すなわち、まず初期ゼロ点確認工程を行い、その結果に基づいて必要なレーザ光照射条件を計算で求め、該条件でレーザ光の照射を行った後、初期ゼロ点確認工程と同様の操作を行って所望のゼロ点が得られているかを確認する方法を用いることもできる。
この方法によれば、前記(1)(2)の方法のように、ゼロ点をモニターしつつレーザ光照射を行う必要がなく、ゼロ点確認はレーザ光照射前後の2回のみでよいため、工程の簡略化が期待できる。
なお、前記(1)(2)の方法のように、ゼロ点をモニターしつつレーザ光照射を行う場合でも、除去部分18の形状変化量とゼロ点の変化量とレーザ光の照射条件との関係を予め実験で求めておけば、各回のレーザ光照射時の好ましい照射条件を予測することができるので、これにより作業性の改善を図ることができる。
Further, as described above, the change amount of the shape (width, depth, and / or length) of the removed
That is, first, an initial zero point confirmation step is performed, and necessary laser light irradiation conditions are calculated based on the result. After performing laser light irradiation under the conditions, the same operation as the initial zero point confirmation step is performed. It is also possible to use a method for confirming whether a desired zero point is obtained.
According to this method, unlike the methods (1) and (2), it is not necessary to perform laser beam irradiation while monitoring the zero point, and the zero point confirmation only needs to be performed twice before and after laser beam irradiation. Simplification of the process can be expected.
Even when the laser beam irradiation is performed while monitoring the zero point as in the methods (1) and (2), the shape change amount of the removed
本実施形態によれば、第1の光導波路12aの一部をレーザ光照射により除去するという簡単な工程で、ゼロ点の調整を行うことができる。この方法は、光導波路の一部を除去するので、加工量に対するゼロ点の変化量を大きくすることができる。また、導波路の組成を変化させるものでなく、有機材料の使用も無いので長期的安定性の面においても問題が無い。
一般的には、光導波路の一部を除去すると透過損失の増大を招くと予測されがちであるが、本発明によれば、透過損失の増大、光強度変調器における消光比の劣化、光スイッチにおける分岐比の劣化等の実用上の弊害を招くことなく、ゼロ点の調整を効果的に行うことができる。除去部分(断面積減少部)18の均一性が良好であるほど、透過損失を小さく抑えることができる。
According to the present embodiment, the zero point can be adjusted by a simple process of removing a part of the first
In general, it is often predicted that removing a part of an optical waveguide will cause an increase in transmission loss. However, according to the present invention, an increase in transmission loss, deterioration of an extinction ratio in a light intensity modulator, an optical switch, The zero point can be adjusted effectively without causing practical problems such as deterioration of the branching ratio. The better the uniformity of the removed portion (cross-sectional area reduced portion) 18, the smaller the transmission loss.
次に、本発明の第2の実施形態を説明する。
本実施形態が前記第1の実施形態と大きく異なる点は、第1の実施形態ではトリミング工程において第1の光導波路12aに対してのみレーザ光照射を行って除去部分(断面積減少部)18を形成したが、本実施形態では第1、第2の光導波路12a、12bの両方に対してレーザ光照射を行い、それぞれに除去部分(断面積減少部)を形成する点である。
本実施形態によれば、複数の分離光導波路(本実施形態では第1、第2の光導波路12a、12b)それぞれの透過損失を調整できるので、これによって消光比の向上を図ることができる。
Next, a second embodiment of the present invention will be described.
The present embodiment is greatly different from the first embodiment in the first embodiment. In the first embodiment, only the first
According to the present embodiment, the transmission loss of each of the plurality of separated optical waveguides (the first and second
具体的には、光変調器10を微動ステージ1上に固定し、半導体レーザ2から光変調器10の光導波路12に光(光変調器10の使用波長)を入射するとともに、電極に信号電圧を印加し、フォトダイオード4で受光した光強度の波形と印加電圧との関係(リサージュ波形)をオシロスコープ5でモニターする。これにより消光比の初期状態を確認する〔初期消光比確認工程〕。
Specifically, the
これとは別に、第1の実施形態と同様にして予備照射工程を行う。
本実施形態のように、第1、第2の光導波路12a、12bにおける透過損失の調整を目的としてレーザ光を照射する場合のレーザ光強度の下限は、第1の実施形態と同様に除去部分の均一性が得られる最低照射強度P以上が好ましい。一方、レーザ光強度が強すぎると、加工量に対する透過損失の変化量が大き過ぎて制御性が悪くなる。したがって、トリミング工程で用いるレーザ光強度の範囲を、前記最低照射強度P以上、かつ該Pの5倍以下の範囲内とすることが好ましい。より好ましい範囲はP以上、かつ該Pの2倍以下である。
Apart from this, the preliminary irradiation step is performed in the same manner as in the first embodiment.
As in the present embodiment, the lower limit of the laser light intensity when irradiating laser light for the purpose of adjusting the transmission loss in the first and second
次いでトリミング工程を行う。
まず、一方の分離光導波路(第1の光導波路12a)に対して、レーザ光の照射を行うと、第1の光導波路12aはその一部が除去されたことにより透過損失が増大する。
このレーザ光の照射前後で消光比の変化を測定し、レーザ光照射によって消光比が向上した場合には、第1の光導波路12aの透過損失が、他方の分離光導波路(第2の光導波路12b)の透過損失より低くなっていることがわかる。そこで、第1の光導波路12aに対して、さらにレーザ光の照射を行って透過損失をさらに増加させる。このようにして第1の光導波路12aと2の光導波路12bとの透過損失の差を小さくするほど、消光比は向上する。消光比の変化をモニターしつつ、所望の消光比が得られるまでレーザ光照射を行うことが好ましい。
第1の光導波路12aおよび第2の光導波路12bにおけるレーザ光の照射領域は、第1の実施形態と同様に設定することが好ましい。
Next, a trimming process is performed.
First, when one of the separated optical waveguides (first
When the change in the extinction ratio is measured before and after the laser light irradiation, and the extinction ratio is improved by the laser light irradiation, the transmission loss of the first
The laser light irradiation areas in the first
一方、レーザ光の照射前後で消光比の変化を測定したときに、レーザ光照射によって消光比が劣化した場合には、第1の光導波路12aの透過損失が、他方の分離光導波路(第2の光導波路12b)の透過損失より高くなっていることがわかる。そこで、透過損失がより低い方、すなわち第2の光導波路12bに対してレーザ光の照射を行って透過損失を増加させる。このようにして第1の光導波路12aと2の光導波路12bとの透過損失の差を小さくするほど、消光比は向上する。
On the other hand, when a change in the extinction ratio is measured before and after the laser light irradiation, if the extinction ratio deteriorates due to the laser light irradiation, the transmission loss of the first
本実施形態における消光比の変化量は、レーザ光照射によって除去された除去部分の長さ、深さ、幅、表面状態に依存する。したがって、これらの関係を予め実験で求めておけば、初期消光比確認工程において得られた消光比の値から、必要なレーザ光照射条件を計算で求めることが可能である。 The amount of change in the extinction ratio in the present embodiment depends on the length, depth, width, and surface state of the removed portion removed by laser light irradiation. Therefore, if these relationships are obtained in advance by experiments, it is possible to obtain the necessary laser light irradiation conditions by calculation from the extinction ratio value obtained in the initial extinction ratio confirmation step.
また本実施形態に、前記第1の実施形態と同様の初期ゼロ点確認工程を加えれば、初期のゼロ点および消光比の測定結果から、ゼロ点および消光比が両方とも好ましい状態となるレーザ光照射条件を計算で求めることが可能である。したがって、第1、第2の光導波路12a、12bの両方に対してレーザ光照射を行うことにより、ゼロ点を調整するとともに、消光比も向上させることができる。
前述したように、前記第1の実施形態では、透過損失の増大を抑えつつゼロ点の調整を行うことができるが、トリミング工程においては若干の透過損失増大は避けられないので、このようにしてゼロ点調整と消光比向上の両立ができることはより好ましい。
In addition, if the initial zero point confirmation step similar to that of the first embodiment is added to the present embodiment, the laser beam in which both the zero point and the extinction ratio are preferable from the initial zero point and extinction ratio measurement results. Irradiation conditions can be calculated. Therefore, by irradiating both the first and second
As described above, in the first embodiment, the zero point can be adjusted while suppressing an increase in transmission loss. However, a slight increase in transmission loss is unavoidable in the trimming process. It is more preferable that both the zero point adjustment and the extinction ratio can be improved.
なお上記の実施形態では、マッハツェンダー型光導波路12の入射側に信号電極14およびグランド電極15が設けられており、出射側にレーザ光照射領域17aが設けられている構成としたが、信号電極14およびグランド電極15と、レーザ光照射領域17aとの位置関係が上記の実施形態と逆であってもよい。
また上記の実施形態では、LNのXカット基板を用いた例を示したが、Zカット基板も使用可能である。Zカット基板の場合は、電極と光導波路の相対位置関係が上記実施形態とは異なるが原理的には同じである。さらに、LN基板だけでなく、LiTaO3(LT)基板も同様に使用可能である。
また上記実施形態では、予備照射工程において加工用のレーザ光を照射するのは、加工対照である基板11上の光導波路12が設けられていない余白領域16としたが、加工対照と同じ材質からなる別の基板の任意の領域としてもよい。
In the above embodiment, the
In the above embodiment, an example using an LN X-cut substrate is shown, but a Z-cut substrate can also be used. In the case of a Z-cut substrate, the relative positional relationship between the electrode and the optical waveguide is different from that in the above embodiment, but is the same in principle. Furthermore, not only an LN substrate but also a LiTaO 3 (LT) substrate can be used similarly.
In the above embodiment, the laser beam for processing is irradiated in the preliminary irradiation step in the
(実施例1)
図1に示す構成の装置を用い、第1の実施形態と同様の手順で光変調器10のゼロ点調整を行った。光変調器10の基板11としてはLN基板を用い、マッハツェンダー型光導波路12はチタン(Ti)拡散法にて形成した。
光変調器10における第1、第2の光導波路12a、12bの幅(Z方向の幅)は約10μmであり、深さ(X方向の深さ)は約7μm程度である。照射領域17aにおいて、第1の光導波路12aは、SiO2からなるバッファ層13(厚さ約1μm)で覆われている。なお、光変調器10におけるマッハツェンダー型光導波路12の全長(第1の光導波路12aの長さ+分岐型光導波路12cの長さ+合波型光導波路12dの長さ)は50mmである。
加工用のレーザ光としては、KrFエキシマレーザ光(波長248nm)を用いた。レーザ光のスポット形は矩形、スポットサイズは、第1の光導波路12aの幅方向(Z方向)の幅が10μm、光の進行方向(Y方向)の長さが100μmとし、このスポットをY方向に連続的に移動させ、Y方向の長さ2mmにわたってレーザ光を照射した。照射するレーザ光強度は、トータルパワーを1mJとし、そのレーザ光の一部をアパーチャーによりビーム成形して照射した。
まず、ゼロ点の初期値および透過損失の初期値を測定した後、第1の光導波路12a上の1つの照射位置に対して、同じ照射条件で複数回レーザ光を照射した。毎回、照射後にゼロ点および透過損失を測定した。
Example 1
Using the apparatus having the configuration shown in FIG. 1, the zero point of the
The width (Z direction width) of the first and second
As the processing laser light, KrF excimer laser light (wavelength 248 nm) was used. The spot shape of the laser light is rectangular, the spot size is 10 μm in the width direction (Z direction) of the first
First, after measuring the initial value of the zero point and the initial value of the transmission loss, the laser beam was irradiated a plurality of times under the same irradiation condition to one irradiation position on the first
ゼロ点の測定結果を図4に示す。図4の横軸は除去部分18の深さ(単位;μm)を示す。この深さの値は実測値ではなく、予め上記条件でレーザ光を照射したときの1回当たりの除去部分の深さを実験で求めておき、それに基づいて算出した値である。
図4の縦軸はゼロ点の変化量(△V)を駆動電圧(Vπ)で規格化した値、すなわち(ΔV/Vπ)×100(単位;%)により算出した値である。
The measurement result of the zero point is shown in FIG. The horizontal axis of FIG. 4 indicates the depth (unit: μm) of the removed
The vertical axis in FIG. 4 is a value obtained by normalizing the change amount (ΔV) of the zero point with the drive voltage (Vπ), that is, a value calculated by (ΔV / Vπ) × 100 (unit:%).
透過損失の測定結果を図5に示す。図5の横軸は除去部分18の深さ(単位;μm)であり、図4の横軸と同じである。
図5の縦軸は、透過損失の初期値からの増加量(単位;dB)である。
本実施例の光変調器における透過損失増の許容範囲は、一般的に0.4dB以下である。
The measurement result of the transmission loss is shown in FIG. The horizontal axis in FIG. 5 is the depth (unit: μm) of the removed
The vertical axis in FIG. 5 represents an increase amount (unit: dB) from the initial value of the transmission loss.
The allowable range of increase in transmission loss in the optical modulator of this embodiment is generally 0.4 dB or less.
図4の結果より、トリミング工程による除去部分18の深さとゼロ点の変化量とは略比例関係にあることがわかる。
図5の結果より、トリミング工程による除去部分18の深さが増すほど透過損失は増大する傾向にあることがわかる。
From the result of FIG. 4, it can be seen that the depth of the removed
From the result of FIG. 5, it can be seen that the transmission loss tends to increase as the depth of the removed
(実施例2)
図1に示す構成の装置を用い、第1の実施形態と同様の手順で、実施例1と同様に製造された光変調器10のゼロ点調整を行った。
加工用のレーザ光のスポットサイズは実施例1と同じとし、該スポットをY方向に連続的に移動させて、Y方向の長さ0.5mmにわたってレーザ光を照射した。その他は実施例1と同条件で照射した。
まず、ゼロ点の初期値を測定した後、第1の光導波路12a上の第1の照射位置に対してレーザ光を照射し、Y方向の長さが0.5mm、Z方向の幅が10μm、深さが0.3μmの除去部分18を形成した。照射後、ゼロ点を測定した。
次に、微動ステージをY方向に0.5mm移動させ前記第1の照射位置に隣接する第2の照射位置に対してレーザ光を照射した。これにより除去部分18は、設計上、Y方向の長さが1mm、Z方向の幅が10μm、深さが0.3μmに拡大されたことになる。照射後ゼロ点を測定した。
以後、同様に微動ステージをY方向に0.5mm移動させてはレーザ光を照射することにより、除去部分18のY方向の長さを0.5mmずつ拡大させた。毎回の照射後、ゼロ点を測定した。
ゼロ点の測定は実施例1と同様にして行った。
(Example 2)
Using the apparatus having the configuration shown in FIG. 1, the zero point of the
The spot size of the laser beam for processing was the same as in Example 1, the spot was continuously moved in the Y direction, and the laser beam was irradiated over a length of 0.5 mm in the Y direction. Others were irradiated under the same conditions as in Example 1.
First, after measuring the initial value of the zero point, the first irradiation position on the first
Next, the fine movement stage was moved 0.5 mm in the Y direction, and the second irradiation position adjacent to the first irradiation position was irradiated with laser light. Thus, the removed
Thereafter, similarly, the fine movement stage was moved 0.5 mm in the Y direction, and the length of the
The zero point was measured in the same manner as in Example 1.
ゼロ点の測定結果を図6に示す。図6の横軸は除去部分18の長さ(単位;mm)を示す。この長さの値は設計値である。図6の縦軸はゼロ点の変化量であり、図4の縦軸と同じである。
図6の結果より、トリミング工程による除去部分18の光の進行方向に沿う長さとゼロ点の変化量とは略比例関係にあることがわかる。
The measurement result of the zero point is shown in FIG. The horizontal axis in FIG. 6 indicates the length (unit: mm) of the removed
From the result of FIG. 6, it can be seen that the length along the light traveling direction of the removed
(実施例3)
実施例1において、除去部分18の深さが0.5μmのとき得られた光変調器10について、以下の特性を測定した。
(1)挿入損失は4.2dB、(2)DCのon−off消光比は28dB、(3)2.5Gbps信号時における駆動電圧は3.7V(peak to peak)であった。
(Example 3)
In Example 1, the following characteristics were measured for the
(1) The insertion loss was 4.2 dB, (2) the on-off extinction ratio of DC was 28 dB, and (3) the driving voltage at the time of 2.5 Gbps signal was 3.7 V (peak to peak).
また、該光変調器10の伝送特性を確認するため、下記の各条件によるアイ評価を行った。
(4)アイ消光比の温度依存性;波長1550nm、10〜85℃の温度範囲にて、2.5Gbps、3.7Vp−pのPRBS(Pseudo Random Binary Sequence、疑似ランダム信号)で光変調器10を駆動したときに得られるアイ波形の消光比を測定した。駆動電圧は測定中一定とした。結果を図7に示す。測定の結果、温度が10〜85℃の範囲で変化しても、消光比は15.6dB〜16.2dBと変動が少なく、安定であった。
(5)アイ消光比の波長依存性;温度を25℃に保持し、波長を1530〜1565nm(Cバンド)の範囲で変化させた他は上記(4)と同様にしてアイ波形の消光比を測定した。結果を図8に示す。測定の結果、上記の波長範囲全体において15dB以上の消光比が得られた。
(4)、(5)の結果より、実施例1において、除去部分18の深さが0.5μmのとき得られた光変調器10は、Cバンド全体の波長領域および10〜85℃の温度範囲において、アイ波形消光比は14dB以上であると見積もられる。
In addition, in order to confirm the transmission characteristics of the
(4) Temperature dependence of eye extinction ratio;
(5) Wavelength dependence of eye extinction ratio; the extinction ratio of the eye waveform is set in the same manner as in (4) above except that the temperature is kept at 25 ° C. and the wavelength is changed in the range of 1530 to 1565 nm (C band). It was measured. The results are shown in FIG. As a result of the measurement, an extinction ratio of 15 dB or more was obtained over the entire wavelength range.
From the results of (4) and (5), the
10 光変調器(光導波路素子)
11 基板
12 マッハツェンダー型光導波路
12a 第1の光導波路(分離光導波路)
12b 第2の光導波路(分離光導波路)
12c 分岐型光導波路
12d 合波型光導波路
17a 照射領域
18 除去部分(断面積減少部)
10 Optical modulator (optical waveguide device)
11
12b Second optical waveguide (separated optical waveguide)
12c Branched-type
Claims (9)
前記分離光導波路にレーザ光を照射して該分離光導波路の一部を除去するトリミング工程を有することを特徴とする光導波路素子の製造方法。 Manufactures an optical waveguide device having a Mach-Zehnder type optical waveguide on a substrate where light branched into a plurality of branched optical waveguides propagates through a plurality of separated optical waveguides and then combined in a combined optical waveguide A way to
A method of manufacturing an optical waveguide device, comprising: a trimming step of irradiating the separation optical waveguide with laser light to remove a part of the separation optical waveguide.
前記分離光導波路の表面部分が除去されて断面積が減少している断面積減少部が存在することを特徴とする光導波路素子。 An optical waveguide device having a Mach-Zehnder type optical waveguide on a substrate where light branched into a plurality of branched optical waveguides propagates through a plurality of separated optical waveguides, and then is combined in a combined optical waveguide. And
An optical waveguide device characterized in that there is a cross-sectional area reduction portion in which a cross-sectional area is reduced by removing a surface portion of the separation optical waveguide.
9. The optical waveguide device according to claim 7, wherein the cross-sectional area reducing portion has uniformity.
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