JP2006237634A - 剥離方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】金属を有する酸化物層を形成し、酸化物層上に薄膜トランジスタ等を有する被剥離層を形成し、酸化物層に対して加熱処理を行うことにより、酸化物層を結晶化し、結晶化された酸化物層に、結晶歪み、又は格子欠陥を生じさせることにより、被剥離層を剥がす方法である。
【選択図】図1
Description
を有する半導体装置およびその作製方法に関する。
まず図1(A)に示すように第1の基板10上に、金属膜11を形成する。なお、第1の基板は後の剥離工程に耐えうる剛性を有していればよく、例えばガラス基板、石英基板、セラミック基板、シリコン基板、金属基板またはステンレス基板を用いることができる。金属膜としては、W、Ti、Ta、Mo、Nd、Ni、Co、Zr、Zn、Ru、Rh、Pd、Os、Irから選ばれた元素または前記元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料からなる単層、或いはこれらの積層を用いることができる。金属膜の作製方法としてスパッタリング法を用い、金属をターゲットして、第1の基板上に形成すればよい。なお金属膜の膜厚は、10nm〜200nm、好ましくは50nm〜75nmとする。
、拡張欠陥)が生じ、それらの界面から剥離すると考えられる。
なお試料イのW膜上には自然酸化膜が形成されているが、膜厚が薄いため、TEM写真にははっきりと見えてこなかった。
が組成比に相当する。
Claims (11)
- 金属膜を形成し、
前記金属膜上に該金属を有する酸化物層を形成し、
前記酸化物層上に被剥離層を形成し、
前記酸化物層に対して加熱処理を行うことにより、前記酸化物層を結晶化し、
前記結晶化された酸化物層に、結晶歪み、又は格子欠陥が生じることにより、前記酸化物層の層内、又は前記酸化物層と該酸化物層に接する膜との境界で分離し、前記被剥離層を剥がすことを特徴とする剥離方法。 - 金属膜を形成し、
前記金属膜をオゾン水により処理することで、前記金属膜上に該金属を有する酸化物層を形成し、
前記酸化物層上に被剥離層を形成し、
前記酸化物層に対して加熱処理を行うことにより、前記酸化物層を結晶化し、
前記結晶化された酸化物層に、結晶歪み、又は格子欠陥が生じることにより、前記酸化物層の層内、又は前記酸化物層と該酸化物層に接する膜との境界で分離し、前記被剥離層を剥がすことを特徴とする剥離方法。 - 金属膜を形成し、
前記金属膜上に該金属を有する酸化物層を形成し、
前記酸化物層上に被剥離層を形成し、
前記酸化物層に対して加熱処理を行うことにより、前記酸化物層を結晶化させ、前記結晶化された酸化物層の組成が変化し、
前記変化された酸化物層により、前記酸化物層の層内、又は前記酸化物層と該酸化物層に接する膜との境界で分離し、前記被剥離層を剥がすことを特徴とする剥離方法。 - 金属膜を形成し、
前記金属膜をオゾン水により処理することで、前記金属膜上に該金属を有する酸化物層を形成し、
前記酸化物層上に被剥離層を形成し、
前記酸化物層に対して加熱処理を行うことにより、前記酸化物層を結晶化させ、前記結晶化された酸化物層の組成が変化し、
前記変化された酸化物層により、前記酸化物層の層内、又は前記酸化物層と該酸化物層に接する膜との境界で分離し、前記被剥離層を剥がすことを特徴とする剥離方法。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一において、
前記被剥離層を剥がすと、前記酸化物層は前記金属膜に接して不均一に存在することを特徴とする剥離方法。 - 請求項1乃至請求項5のいずれか一において、
前記格子欠陥は、点欠陥、線欠陥、又は面欠陥であることを特徴とする剥離方法。 - 請求項6において、
前記面欠陥は、酸素空孔が集まってできる結晶学的せん断面による面欠陥であることを特徴とする剥離方法。 - 請求項1乃至請求項7のいずれか一において、
前記加熱処理は430℃以上の温度で行うことを特徴とする剥離方法。 - 請求項1乃至請求項8のいずれか一において、
前記金属膜は基板に形成され、前記金属膜はタングステンを有することを特徴とする剥離方法。 - 請求項9において、
前記酸化物層はWO2及びWO3を有し、前記酸化物層の層内、又は前記酸化物層と当該酸化物層に接する膜との境界で分離し、分離後、前記基板側の酸化物層はWO 2 がWO 3 より多く存在し、前記半導体膜側の酸化物層はWO3がWO2より多く存在することを特徴とする剥離方法。 - 請求項10において、
前記加熱処理により前記酸化物層の結晶構造がWO3からWO2へと組成変化することを特徴とする剥離方法。
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