JP2006236626A - Manufacturing method for flexible resin film with electrode layer - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、可撓性の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造に有利に用いることができる電極層付き可撓性樹脂フィルムの製造方法に関する。 The present invention relates to a method for producing a flexible resin film with an electrode layer, which can be advantageously used in the production of a flexible organic electroluminescence element.
有機エレクトロルミネッセンス素子は、透明基板の表面に、透明陽電極層、有機発光材料層、そして陰電極層がこの順に積層された基本構成を有する。有機エレクトロルミネッセンス素子は、その陽電極層から正孔を、そして陰電極層から電子を有機発光材料層の内部に注入し、有機発光材料層の内部にて正孔と電子とを再結合させることにより励起子(エキシトン)を生成させ、この励起子が失活する際の光の放出(蛍光、燐光)により発光する発光素子である。有機発光材料層にて発生した光は、透明基板の側から発光素子の外部に取り出される。 The organic electroluminescence element has a basic configuration in which a transparent positive electrode layer, an organic light emitting material layer, and a negative electrode layer are laminated in this order on the surface of a transparent substrate. An organic electroluminescence device injects holes from the positive electrode layer and electrons from the negative electrode layer into the organic light emitting material layer, and recombines the holes and electrons inside the organic light emitting material layer. This is a light emitting device that emits light by emitting light (fluorescence, phosphorescence) when excitons (excitons) are generated by the excitons. The light generated in the organic light emitting material layer is extracted from the transparent substrate side to the outside of the light emitting element.
非特許文献1には、基板として可撓性を示す樹脂フィルムを用いたフレキシブル有機エレクトロルミネッセンス素子について記載されている。そして同文献には、基板として用いる樹脂フィルムの平滑性が悪いと、有機エレクトロルミネッセンス素子に非発光部(ダークスポット)が生成し易いとの記載がある。例えば、樹脂フィルム中にその成形性を向上させるための易滑剤が添加されていると、易滑剤に起因する高さが数十〜百数十nmの突起が樹脂フィルムの表面に形成され、この突起が形成された部分においては良好な素子構造が形成されずに非発光部が生成され易いとされている。 Non-Patent Document 1 describes a flexible organic electroluminescence element using a resin film exhibiting flexibility as a substrate. In the same document, there is a description that a non-light emitting portion (dark spot) is likely to be generated in an organic electroluminescence element when the smoothness of a resin film used as a substrate is poor. For example, when an easy lubricant for improving the moldability is added to the resin film, protrusions having a height of several tens to several hundreds of nanometers due to the easy lubricant are formed on the surface of the resin film. It is said that a non-light emitting portion is easily generated without forming a good element structure in the portion where the protrusion is formed.
特許文献1には、透明な陽極基板上に少なくとも高分子発光層を含む高分子層の一部の層を積層して第一の圧着面を有する第一の基板を製造する工程、金属層を有する陰極基板の金属層の表面を中心線平均粗さが0.05〜10μmとなるように加工し、この陰極基板上に上記高分子層の残部の層を積層して第二の圧着面を有する第二の基板を製造する工程、そして第一の基板の第一の圧着面と第二の基板の第二の圧着面とを圧着させる工程からなる有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法が開示されている。このように陰極基板の金属層の表面を所定の粗さに加工することにより、有機エレクトロルミネッセンス素子に外部から侵入した光(例、太陽光)の金属層における反射が防止され、発光素子のコントラストが向上するとされている。また同公報には、基板としてプラスチック製のフィルムを用いることにより、巻き取りにより有機エレクトロルミネッセンス素子の製造が可能になり、安価な発光素子が提供できると記載されている。
上記のように、基板として樹脂フィルムを用いることにより、可撓性の有機エレクトロルミネッセンス素子を作製したり、低い製造コストで有機エレクトロルミネッセンス素子を作製できるようになる。しかしながら、上記の非特許文献1に記載されているように、基板として樹脂フィルムを用いると、フィルム表面の平滑性が有機エレクトロルミネッセンス素子の発光特性の良否に大きく影響を与えるという問題がある。 As described above, by using a resin film as a substrate, a flexible organic electroluminescence element can be produced, or an organic electroluminescence element can be produced at a low production cost. However, as described in Non-Patent Document 1 described above, when a resin film is used as the substrate, there is a problem that the smoothness of the film surface greatly affects the quality of the light emission characteristics of the organic electroluminescence element.
本発明の課題は、非発光部の生成が抑制された可撓性の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造に有利に用いることができる電極層付き可撓性樹脂フィルムを提供することにある。 The subject of this invention is providing the flexible resin film with an electrode layer which can be used advantageously for manufacture of the flexible organic electroluminescent element by which the production | generation of the non-light-emitting part was suppressed.
本発明は、表面が平滑な仮支持板の前記表面に気相堆積法により電極層が形成されてなる電極層付き仮支持板、そして仮支持板の表面よりも平滑性が劣る可撓性樹脂フィルムの表面に熱硬化性もしくは紫外線硬化性の樹脂層が形成されてなる樹脂層付き可撓性樹脂フィルムを用意する工程、上記電極層付き仮支持板と樹脂層付き可撓性樹脂フィルムとを、電極層と樹脂層とが対面するように重ね合わせて積層体を形成する工程、この積層体に熱エネルギーもしくは紫外線を付与することにより樹脂層を硬化させ、同時に電極層をこの硬化樹脂層に接合する工程、そして可撓性樹脂フィルムをその表面に接合されている硬化樹脂層と電極層と共に仮支持板より引き剥がす工程からなる電極層付き可撓性樹脂フィルムの製造方法にある。 The present invention relates to a temporary support plate with an electrode layer in which an electrode layer is formed on the surface of a temporary support plate having a smooth surface by a vapor deposition method, and a flexible resin that is less smooth than the surface of the temporary support plate. A step of preparing a flexible resin film with a resin layer in which a thermosetting or ultraviolet curable resin layer is formed on the surface of the film, the temporary support plate with an electrode layer and the flexible resin film with a resin layer, , A process of forming a laminate by overlapping the electrode layer and the resin layer so that the electrode layer and the resin layer face each other, curing the resin layer by applying thermal energy or ultraviolet light to the laminate, and simultaneously applying the electrode layer to the cured resin layer There is a method for producing a flexible resin film with an electrode layer comprising a step of bonding, and a step of peeling the flexible resin film from a temporary support plate together with a cured resin layer and an electrode layer bonded to the surface thereof.
本発明の電極層付き可撓性樹脂フィルムの製造方法の好ましい態様は、下記の通りである。
(1)仮支持板がガラス板、シリコン板もしくは金属板である。
(2)仮支持板の電極層の側の表面に下地層が備えられている。
(3)下地層のガラス転移点が150℃以上である。
(4)下地層がトリス−(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウムからなる。
The preferable aspect of the manufacturing method of the flexible resin film with an electrode layer of this invention is as follows.
(1) The temporary support plate is a glass plate, a silicon plate or a metal plate.
(2) A base layer is provided on the surface of the temporary support plate on the electrode layer side.
(3) The glass transition point of the underlayer is 150 ° C. or higher.
(4) The underlayer is made of tris- (8-hydroxyquinoline) aluminum.
本発明はまた、可撓性樹脂フィルムの表面に、硬化樹脂層、そして電極層がこの順に積層された構成の電極層付き可撓性樹脂フィルムにもある。 The present invention also resides in a flexible resin film with an electrode layer having a configuration in which a cured resin layer and an electrode layer are laminated in this order on the surface of the flexible resin film.
本発明はまた、可撓性樹脂フィルムの表面に、硬化樹脂層、電極層、少なくとも有機発光材料層を含む有機材料層、そして電極層がこの順に積層された構成の有機エレクトロルミネッセンス素子にもある。 The present invention also resides in an organic electroluminescence device having a configuration in which a cured resin layer, an electrode layer, an organic material layer including at least an organic light emitting material layer, and an electrode layer are laminated in this order on the surface of the flexible resin film. .
本発明はまた、可撓性樹脂フィルムの表面に、硬化樹脂層、電極層、少なくとも有機発光材料層を含む有機材料層、電極層、硬化樹脂層、そして可撓性樹脂フィルムがこの順に積層された構成の有機エレクトロルミネッセンス素子にもある。 In the present invention, a cured resin layer, an electrode layer, an organic material layer including at least an organic light emitting material layer, an electrode layer, a cured resin layer, and a flexible resin film are laminated in this order on the surface of the flexible resin film. There is also an organic electroluminescence element having a different structure.
本発明はまた、剛性基板の表面に、電極層、少なくとも有機発光材料層を含む有機材料層、電極層、硬化樹脂層、そして可撓性樹脂フィルムがこの順に積層された構成の有機エレクトロルミネッセンス素子にもある。 The present invention also provides an organic electroluminescence device having a structure in which an electrode layer, an organic material layer including at least an organic light emitting material layer, an electrode layer, a cured resin layer, and a flexible resin film are laminated in this order on the surface of a rigid substrate. There is also.
本発明の方法では、平滑な表面を有する仮支持板上に電極層を形成し、この電極層を熱硬化性もしくは紫外線硬化性の樹脂層を備えた樹脂フィルムを用いて仮支持板から引き剥がすことにより電極層付き可撓性樹脂フィルムを作製する。このため、樹脂フィルムの平滑性が仮支持板の表面よりも劣り、その表面に凹凸を有する場合であっても、この樹脂フィルム上に剥がし取られた電極層の表面は仮支持板の表面に対応した優れた平滑性を持つ面となる。 In the method of the present invention, an electrode layer is formed on a temporary support plate having a smooth surface, and the electrode layer is peeled off from the temporary support plate using a resin film having a thermosetting or ultraviolet curable resin layer. Thus, a flexible resin film with an electrode layer is produced. For this reason, even if the smoothness of the resin film is inferior to the surface of the temporary support plate and the surface has irregularities, the surface of the electrode layer peeled off on the resin film is on the surface of the temporary support plate. The surface has excellent smoothness.
本発明の方法に従って陽電極層付きの可撓性樹脂フィルムを作製し、この陽電極層の表面に、例えば、正孔輸送層、有機発光材料層、そして陰電極層を積層して有機エレクトロルミネッセンス素子を作製すると、陽電極層上の各々の層を均一な厚みで形成することができる。すなわち、作製された有機エレクトロルミネッセンス素子は、樹脂フィルムの平滑性の良否の影響を受けずに良好な素子構造を持つことができるため、非発光部の生成が抑制されたものとなる。本発明の実施により得られる電極層付き樹脂フィルムは、可撓性の(フレキシブル)有機エレクトロルミネッセンス素子の製造に特に有利に用いることができる。 According to the method of the present invention, a flexible resin film with a positive electrode layer is prepared, and, for example, a hole transport layer, an organic light emitting material layer, and a negative electrode layer are laminated on the surface of the positive electrode layer to form organic electroluminescence. When the element is manufactured, each layer on the positive electrode layer can be formed with a uniform thickness. That is, since the produced organic electroluminescence element can have a good element structure without being affected by the smoothness of the resin film, the generation of the non-light-emitting portion is suppressed. The resin film with an electrode layer obtained by carrying out the present invention can be particularly advantageously used for the production of a flexible (flexible) organic electroluminescence element.
本発明を、添付の図面を用いて説明する。図1は本発明の電極層付き可撓性樹脂フィルムの製造方法の一例を示す図である。この製造方法では、図1(d)に示すように可撓性樹脂フィルム21の表面に、硬化樹脂層22b、そして有機エレクトロルミネッセンス素子を構成するための陽電極層13が積層された構成の陽電極層付き可撓性樹脂フィルム30が製造される。
The present invention will be described with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a view showing an example of a method for producing a flexible resin film with an electrode layer of the present invention. In this manufacturing method, as shown in FIG. 1 (d), a
図1に示す製造方法は、表面が平滑な仮支持板11の前記表面に気相堆積法により陽電極層13が形成されてなる陽電極層付き仮支持板10、そして仮支持板10の表面よりも平滑性が劣る可撓性樹脂フィルム21の表面に紫外線硬化性の樹脂層22aが形成されてなる樹脂層付き可撓性樹脂フィルム20を用意する工程(図1(a))、陽電極層付き仮支持板10と樹脂層付き可撓性樹脂フィルム20とを、陽電極層13と樹脂層22aとが対面するように重ね合わせて積層体を形成する工程、この積層体に紫外線14を付与することにより樹脂層を硬化させ、同時に陽電極層13をこの硬化樹脂層22bに接合する工程(図1(b))、そして可撓性樹脂フィルム21をその表面に接合されている硬化樹脂層22bと陽電極層13と共に仮支持板11より引き剥がす工程(図1(c))からなる。
The manufacturing method shown in FIG. 1 includes a
このようにして作製された陽電極層付き可撓性樹脂フィルム30の陽電極層13の表面は、樹脂フィルム21の平滑性が仮支持板11の表面よりも劣り、その表面に凹凸を有する場合であっても、仮支持板11の表面に対応した優れた平滑性を持つ面となる。この陽電極層13の表面に、例えば、正孔輸送層、有機発光材料層、そして陰電極層を積層して有機エレクトロルミネッセンス素子を作製すると、陽電極層上の各々の層を均一な厚みで形成することができる。すなわち、作製された有機エレクトロルミネッセンス素子は、樹脂フィルム21の平滑性の良否の影響を受けずに良好な素子構造を持つことができるため、非発光部の生成が抑制されたものとなる。
When the surface of the
次に、図1の製造方法で用いる陽電極層付き仮支持板10について説明する。図1(a)に示すように、陽電極層付き仮支持板10は、表面が平滑な仮支持板11の前記表面に、気相堆積法により陽電極層13が形成された構成を有している。
Next, the
仮支持板11としては、樹脂フィルム21よりも表面の平滑性に優れているものが用いられる。図1に示す仮支持板11としては、例えば、ガラス板が用いられている。仮支持板としては、ガラス板、シリコン板(例、シリコンウエハ)あるいは金属板を用いることが好ましい。これらの仮支持板は、その成形の際に樹脂フィルムのように易滑剤などを添加する必要がないため、通常は、樹脂フィルムよりも平滑性に優れた表面を有しているからである。また、仮支持板の表面は、研磨などの機械加工によって平滑にすることもできる。
As the
仮支持板11の表面の粗さは、図1(c)に示すように可撓性樹脂フィルム21と共に引き剥がされた陽電極層13の表面(仮支持板11の側の表面)を平滑にして、この陽電極層付き樹脂フィルム30を用いて作製される有機エレクトロルミネッセンス素子における非発光部の生成を抑制するために、最大高さで80nm以下であることが好ましく、50nm以下であることがさらに好ましく、30nm以下であることが特に好ましい。
The roughness of the surface of the
なお、本明細書において仮支持板の表面の粗さの程度を示す「最大高さ」とは、日本工業規格(JIS B 0601−1994)に従って、基準長さを15μmとして測定された最大高さ(Ry)を意味する。この最大高さ(Ry)は、例えば、原子間力顕微鏡(JSPM-4300、日本電子(株)製)を用いて測定することができる。 In the present specification, the “maximum height” indicating the degree of roughness of the surface of the temporary support plate is the maximum height measured with a reference length of 15 μm in accordance with Japanese Industrial Standard (JIS B 0601-1994). (Ry) is meant. This maximum height (Ry) can be measured using, for example, an atomic force microscope (JSPM-4300, manufactured by JEOL Ltd.).
仮支持板の表面には、有機エレクトロルミネッセンス素子を構成するための陽電極層あるいは陰電極層が形成される。図1の製造方法では、仮支持板11の表面に陽電極層13を形成する。
A positive electrode layer or a negative electrode layer for forming an organic electroluminescence element is formed on the surface of the temporary support plate. In the manufacturing method of FIG. 1, the
陽電極層は、仕事関数の大きい(4eV以上)金属、導電性化合物、又はこれらの混合物などから形成される。陽電極層の材料の代表例としては、錫ドープ酸化インジウム(ITO)及び亜鉛ドープ酸化インジウム(IZO)が挙げられる。 The positive electrode layer is formed of a metal having a high work function (4 eV or more), a conductive compound, or a mixture thereof. Typical examples of the material of the positive electrode layer include tin-doped indium oxide (ITO) and zinc-doped indium oxide (IZO).
陰電極層は、仕事関数の小さい(4eV未満)金属、合金組成物、導電性化合物、又はこれらの混合物などから形成される。陰電極層の材料の代表例としては、Al、Ti、In、Na、K、Mg、Li、Cs、Rb、Caおよび希土類金属などの金属、Na−K合金、Mg−Ag合金、Mg−Cu合金、およびAl−Li合金などの合金組成物が挙げられる。 The negative electrode layer is formed of a metal having a low work function (less than 4 eV), an alloy composition, a conductive compound, or a mixture thereof. Typical examples of the material of the negative electrode layer include metals such as Al, Ti, In, Na, K, Mg, Li, Cs, Rb, Ca, and rare earth metals, Na-K alloys, Mg-Ag alloys, Mg-Cu. Alloys and alloy compositions such as Al-Li alloys are mentioned.
電極層(陽電極層もしくは陰電極層)は、真空蒸着法やスパッタ法に代表される気相体積法により形成される。 The electrode layer (positive electrode layer or negative electrode layer) is formed by a gas phase volume method typified by a vacuum evaporation method or a sputtering method.
電極層の厚みは、1μm以下であることが一般的であり、200nm以下であることが好ましい。電極層の抵抗は、数百Ω/sq.以下であることが好ましい。 The thickness of the electrode layer is generally 1 μm or less, and preferably 200 nm or less. The resistance of the electrode layer is several hundred Ω / sq. The following is preferable.
図1(a)に示すように、仮支持板11の陽電極層13の側の表面(仮支持板の上に陰電極層を形成する場合には、陰電極層の側の表面)には、下地層12が備えられていることが好ましい。本発明者の研究により、有機エレクトロルミネッセンス素子を作製するために通常用いられるガラス板、あるいはアルミニウムやステンレススチールなどから形成された金属板の表面に直接陽電極層13を形成すると、仮支持板11と陽電極層13との密着力が大きく、陽電極層13を引き剥がすために用いる樹脂層22aの材料、あるいは仮支持板11から樹脂フィルム21を引き剥がす方向や速度によっては、仮支持板11の表面から陽電極層13の全体を引き剥がすことができない場合があることが判明している。そして仮支持板11の表面に、例えば、トリス−(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウムから形成された下地層12を形成することにより、仮支持板11から陽電極層13の全体を引き剥がすことが容易になることも判明している。
As shown in FIG. 1 (a), the surface on the
下地層12を形成する材料は、硬化樹脂層22bよりも陽電極層13との密着力が小さい材料から形成することが好ましい。このような材料は、下地層12の上に形成された陽電極層13を実際に引き剥がし、下地層の表面に陽電極層が残存しているか否かを確認するという簡単な実験によって選定することができる。
The material for forming the
下地層のガラス転移点(Tg)は150℃以上であることが好ましい。一般に、ガラス転移点と融点にはある程度の相関があることが知られており、例えば、ガラス転移点が150℃以上の材料(即ち、ガラス転移点を持つ非晶質材料、あるいは非晶相と結晶相とが混在する材料)は、その材料が結晶である場合に融点が280℃程度以上であるものが多い。すなわち下地層は、そのガラス転移点が150℃以上であると、280℃程度以下の温度では完全には溶融せず液化し難い。 The glass transition point (Tg) of the underlayer is preferably 150 ° C. or higher. Generally, it is known that there is a certain degree of correlation between the glass transition point and the melting point. For example, a material having a glass transition point of 150 ° C. or higher (that is, an amorphous material having a glass transition point or an amorphous phase) Many materials having a mixed crystal phase have a melting point of about 280 ° C. or higher when the material is a crystal. That is, when the glass transition point is 150 ° C. or higher, the underlayer does not melt completely at a temperature of about 280 ° C. or lower and is difficult to liquefy.
仮支持板上に電極層(陽電極層もしくは陰電極層)を形成する際には、例えば、電極層の特性(抵抗率や透明性など)を調整するための仮支持板の加熱によって、あるいは電極層を気相堆積法(特に、スパッタ法)で形成する際の電極層の材料の分子の衝突のエネルギーによって、下地層が高温(例えば、150〜250℃)になる。この電極層を形成する際の高温下にて下地層が液化すると、電極層を形成後の降温過程で下地層が固化する際の体積の減少によって電極層にクラックあるいは細片化を生じ易い。上記のように下地層のガラス転移点が150℃以上であると、電極層を形成する際の高温下においても下地層が液化し難いため、電極層にクラックあるいは細片化を生じ難い。なお、下地層が明確にガラス転移点を示さない場合(下地層の結晶性が高い場合)には、下地層の融点が280℃以上であることが好ましい。 When the electrode layer (positive electrode layer or negative electrode layer) is formed on the temporary support plate, for example, by heating the temporary support plate to adjust the characteristics (resistance, transparency, etc.) of the electrode layer, or The underlying layer becomes a high temperature (for example, 150 to 250 ° C.) due to energy of collision of molecules of the material of the electrode layer when the electrode layer is formed by vapor deposition (particularly, sputtering). When the underlayer is liquefied at a high temperature when forming the electrode layer, the electrode layer is likely to be cracked or fragmented due to a decrease in volume when the underlayer is solidified in the temperature lowering process after the electrode layer is formed. As described above, when the glass transition point of the underlayer is 150 ° C. or higher, the underlayer is difficult to be liquefied even at a high temperature when forming the electrode layer, so that the electrode layer is hardly cracked or fragmented. When the underlayer does not clearly show a glass transition point (when the underlayer has high crystallinity), the underlayer preferably has a melting point of 280 ° C. or higher.
下地層の材料は、仮支持板から引き剥がされた電極層に下地層の一部分が付着した場合であっても、有機エレクトロルミネッセンス素子の特性に影響を与えない材料を用いることが好ましい。すなわち、電極層の上に形成される、正孔輸送層、有機発光材料層あるいは電子輸送層などと同一の材料から下地層を形成することが好ましい。 As the material for the underlayer, it is preferable to use a material that does not affect the characteristics of the organic electroluminescence element even when a part of the underlayer adheres to the electrode layer peeled off from the temporary support plate. That is, it is preferable to form the base layer from the same material as the hole transport layer, the organic light emitting material layer, or the electron transport layer formed on the electrode layer.
上記のトリス−(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウム(Tg:約170℃)は、有機エレクトロルミネッセンス素子の有機発光材料層を形成する代表的な材料であり、下地層の材料として好ましく用いることができる。下地層の材料の例としては、トリス−(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウムの他に、1,3,5−トリス(9,9−ジメチル−フルオレン−2−イル)フェニルベンゼン、4,4’,4”−トリ(N−カルバゾリル)トリフェニルアミン、1,3,5−トリス(カルバゾイル−フェニル)ベンゼン、およびN,N’−ビス(4−ジフェニルアミノ−4’−ビフェニル)−N,N’−ジフェニル−9,9’−ビス(4−アミノ−3−メチルフェニル)フルオレンを挙げることができる。これらの材料は、有機エレクトロルミネッセンス素子を構成するために一般に用いられている材料である。 Tris- (8-hydroxyquinoline) aluminum (Tg: about 170 ° C.) is a typical material for forming an organic light emitting material layer of an organic electroluminescence element, and can be preferably used as a material for an underlayer. Examples of the material for the underlayer include tris- (8-hydroxyquinoline) aluminum, 1,3,5-tris (9,9-dimethyl-fluoren-2-yl) phenylbenzene, 4,4 ′, 4 "-tri (N-carbazolyl) triphenylamine, 1,3,5-tris (carbazoyl-phenyl) benzene, and N, N'-bis (4-diphenylamino-4'-biphenyl) -N, N ' -Diphenyl-9,9'-bis (4-amino-3-methylphenyl) fluorene can be mentioned These materials are materials generally used for constituting organic electroluminescence devices.
また、下地層の材料としては、例えば、ポリ(4−N−フェニル−[4’−(N,N−ジフェニル−アミノ)−ビフェニル−4−イル]−アミノ)スチレン、ポリ[3−(5−フェニル−[1,3,4]オキサジアゾール−2−イル)−フェニル]メタアクリレート、あるいは芳香族酸又は脂肪族酸ジ無水物と芳香族ジアミンの適当な組み合わせによって得られる有機溶剤可溶性ポリイミドなどの高分子材料を用いることもできる。 Examples of the material for the underlayer include poly (4-N-phenyl- [4 ′-(N, N-diphenyl-amino) -biphenyl-4-yl] -amino) styrene, poly [3- (5 -Phenyl- [1,3,4] oxadiazol-2-yl) -phenyl] methacrylate, or an organic solvent-soluble polyimide obtained by an appropriate combination of an aromatic acid or aliphatic acid dianhydride and an aromatic diamine Polymer materials such as can also be used.
下地層の厚みは、1乃至300nmの範囲にあることが好ましく、5乃至300nmの範囲にあることがさらに好ましく、10乃至100nmの範囲にあることが特に好ましい。下地層の厚みが1nm以下であると仮支持板から電極層の全体を均一に引き剥がすことが難しく、剥離層の厚みが300nm以上であると仮支持板から引き剥がされた電極層に下地層の一部分が付着し易い傾向にある。なお、電極層の表面に付着した下地層は、紫外線−オゾン処理(UV−O3 処理)によって除去することもできる。 The thickness of the underlayer is preferably in the range of 1 to 300 nm, more preferably in the range of 5 to 300 nm, and particularly preferably in the range of 10 to 100 nm. If the thickness of the underlayer is 1 nm or less, it is difficult to uniformly peel the entire electrode layer from the temporary support plate. If the thickness of the release layer is 300 nm or more, the underlayer is applied to the electrode layer peeled off from the temporary support plate. There is a tendency that a part of the surface is easily attached. Note that the base layer attached to the surface of the electrode layer can also be removed by ultraviolet-ozone treatment (UV-O 3 treatment).
次に、樹脂層付きの可撓性樹脂フィルム20について説明する。図1(a)に示すように、樹脂層付き可撓性樹脂フィルム20は、上記の仮支持板11の表面よりも平滑性が劣る可撓性樹脂フィルム21の表面に紫外線硬化性の樹脂層22aが形成された構成を有している。
Next, the
可撓性樹脂フィルム21の代表例としては、ポリエステルフィルム(例、ポリエチレンテレフタレートフィルム)及びポリカーボネートフィルムが挙げられる。可撓性樹脂フィルム21には、例えば、易滑剤などの微粒子が添加されていてもよい。樹脂フィルムの厚みは、5乃至500μmの範囲にあることが好ましい。
Typical examples of the
樹脂層の材料としては、上記の紫外線硬化性樹脂の他に、熱硬化性の樹脂を用いることもできる。樹脂層は、例えば、公知の熱硬化性あるいは紫外線硬化性の樹脂を含む接着剤を薄膜状に塗布することによって形成することができる。樹脂層の厚みは、100μm以下、好ましくは5乃至50μmの範囲にあることが好ましい。 As a material for the resin layer, a thermosetting resin can be used in addition to the ultraviolet curable resin. The resin layer can be formed, for example, by applying an adhesive containing a known thermosetting or ultraviolet curable resin in the form of a thin film. The thickness of the resin layer is 100 μm or less, preferably 5 to 50 μm.
次に、図1の陽電極層付き可撓性樹脂フィルム30を用いて本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子を作製する手順について簡単に説明する。
Next, a procedure for producing the organic electroluminescence element of the present invention using the
図2は、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の構成例を示す断面図である。図2の有機エレクトロルミネッセンス素子70は、可撓性樹脂フィルム21の表面に、硬化樹脂層22b、陽電極層13、正孔輸送層51と有機発光材料層52とからなる有機材料層、そして陰電極層23がこの順に積層された構成を有しており、上記の陽電極層付き樹脂フィルム30の表面に、正孔輸送層51、有機発光材料層52、そして陰電極層23をこの順に積層することにより作製することができる。
FIG. 2 is a cross-sectional view showing a configuration example of the organic electroluminescence element of the present invention. The
図2の有機エレクトロルミネッセンス素子70は、樹脂フィルム21を基材として用いているために可撓性を示す。そして、上記のように樹脂フィルム21の平滑性が劣る場合であっても、陽電極層13が平滑性に優れた表面を有しているため、この陽電極層上には均一な厚みの正孔輸送層51、有機発光材料層52及び陰電極層23が形成される。すなわち、有機エレクトロルミネッセンス素子70は、樹脂フィルム21の平滑性の良否の影響を受けずに良好な素子構造を持つことができるため、非発光部の生成が抑制されたものとなる。なお、陽電極層13と陰電極層23との間に配置される有機材料層(図2においては、正孔輸送層51と有機発光材料層52)の層構成は、公知の有機エレクトロルミネッセンス素子の場合と同様であり、後に簡単に説明する。
The
図2の有機エレクトロルミネッセンス素子70の陽電極層13と陰電極層23とはそれぞれ線状の形状に設定され、これらの電極層は互いに直交するように配置されている。そして有機エレクトロルミネッセンス素子70は、その陽電極13と陰電極層23との間に電気的エネルギーを印加することにより、これらの電極層が交差している領域(発光領域)にある有機発光材料層52にて発光を生じる。
The
有機エレクトロルミネッセンス素子70において、例えば、可撓性樹脂フィルム21としては透明なポリエチレンテレフタレート(PET)フィルムが用いられ、そして陽電極層13としては透明な亜鉛ドープ酸化インジウム(IZO)薄膜が用いられており、上記の有機発光材料層52にて生じた発光は、図2に記入した矢印71が示す方向に取り出される。
In the
また、一般に、有機エレクトロルミネッセンス素子は、大気中の水分の影響を受けてその発光特性が劣化(発光輝度の低下あるいは非発光部の拡大など)することが知られている。上記の非特許文献1には、このような発光特性の劣化を防止するために、表面に低透湿性の薄膜を備えた樹脂フィルムを用いて有機エレクトロルミネッセンス素子(発光素子)を作製し、さらに発光素子の表面を同様に低透湿性薄膜で覆う防湿方法が開示されている。この低透湿性薄膜としては、窒化シリコン薄膜、酸化シリコン薄膜あるいは窒化酸化シリコン薄膜が用いられている。本発明においても、このような低透湿性薄膜を用いた防湿方法に代表される公知の防湿方法を適用することができる。 In general, it is known that an organic electroluminescence element is deteriorated in light emission characteristics (such as a decrease in light emission luminance or an enlargement of a non-light emitting portion) due to the influence of moisture in the atmosphere. In Non-Patent Document 1 described above, in order to prevent such deterioration of the light emission characteristics, an organic electroluminescence element (light emitting element) is prepared using a resin film having a low moisture permeability thin film on the surface, Similarly, a moisture-proof method for covering the surface of a light-emitting element with a low moisture-permeable thin film is disclosed. As this low moisture-permeable thin film, a silicon nitride thin film, a silicon oxide thin film or a silicon nitride oxide thin film is used. Also in the present invention, a known moisture-proof method represented by a moisture-proof method using such a low moisture-permeable thin film can be applied.
図3は、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の別の構成例を示す断面図である。図3の有機エレクトロルミネッセンス素子80は、可撓性樹脂フィルム21の表面に、硬化樹脂層22b、陽電極層13、正孔輸送層51と有機発光材料層52とからなる有機材料層、陰電極層33、陰電極補助層34、硬化樹脂層32b、そして可撓性樹脂フィルム31がこの順に積層された構成を有している。
FIG. 3 is a cross-sectional view showing another configuration example of the organic electroluminescence element of the present invention. The
図3の有機エレクトロルミネッセンス素子80において、例えば、可撓性樹脂フィルム21としては透明なPETフィルムが用いられ、そして陽電極層13としては透明なIZO薄膜が用いられる。一方、陰電極層33としては、例えば、Mg−Ag合金から形成された厚みが10nm程度の薄膜が用いられ、陰電極補助層34としては透明なIZO薄膜が用いられ、そして可撓性樹脂フィルム31としては透明なPETフィルムが用いられる。この陰電極層33は、その厚みが薄いために可視光透過性を示す。このため有機発光材料層52にて生じた発光は、図3に記入した矢印71が示す方向に、すなわち発光素子の各々の表面の側から取り出される。なお、陰電極補助層34は、厚みが薄いために陰電極層33が高い抵抗値を示すため、この陰電極層と陰電極補助層との全体で抵抗値を低くするために用いられている。
In the
図3の有機エレクトロルミネッセンス素子80は、例えば、次のようにして作製することができる。先ず、図1の有機エレクトロルミネッセンス素子70の場合と同様にして陽電極層付き可撓性樹脂フィルム30を作製し、次いで陽電極層13の表面に、正孔輸送層51、そして有機発光材料層52を形成する。一方、仮支持板の表面に陰電極層と陰電極補助層とをこの順に形成した電極層付き仮支持板を用いること以外は陽電極層付き樹脂フィルム30と同様にして陰電極層付き可撓性樹脂フィルム40を作製する。
The
次にこれらの樹脂フィルムを、有機発光材料層52と陰電極層33とが接触するようにして重ね合わせ、例えば、一対の加熱ロールの間を通過させて互いに加熱圧着することにより、有機エレクトロルミネッセンス素子80を作製することができる。
Next, these resin films are superposed so that the organic light emitting
図3の有機エレクトロルミネッセンス素子80は、樹脂フィルム21、31を基材として用いているために可撓性を示す。そして有機エレクトロルミネッセンス素子80は、その電極層13が平滑性に優れた表面を有しており、樹脂フィルム21の平滑性の良否の影響を受けずに良好な素子構造を持つことができるため、非発光部の生成が抑制されたものとなる。
The
有機エレクトロルミネッセンス素子80は、例えば、正孔輸送層と有機発光材料層とが形成された陽電極層付き可撓性樹脂フィルムと、陰電極層付き可撓性樹脂フィルムとをそれぞれロール状に巻き取っておき、これらのフィルムを巻き出しながら互いに圧着していくことにより効率良く作製することができる。このため、低い製造コストで可撓性の(フレキシブル)有機エレクトロルミネッセンス素子を作製できるようになる。
The
図4は、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子のさらに別の構成例を示す断面図である。図4の有機エレクトロルミネッセンス素子90は、剛性基板41の表面に、陽電極層13、正孔輸送層51と有機発光材料層52とからなる有機材料層、陰電極層23、硬化樹脂層32b、そして可撓性樹脂フィルム31がこの順に積層された構成を有している。
FIG. 4 is a cross-sectional view showing still another configuration example of the organic electroluminescence element of the present invention. The
図4の有機エレクトロルミネッセンス素子90において、例えば、剛性基板41としては透明なガラス板が用いられ、そして陽電極層13としては透明なIZO薄膜が用いられており、有機発光材料層52にて生じた発光は、図4に記入した矢印71が示す方向に取り出される。
In the
図4の有機エレクトロルミネッセンス素子90は、例えば、次のようにして作製することができる。先ず、剛性基板41の表面に陽電極層13を形成して陽電極層付き剛性基板60を作製し、次いで陽電極層13の表面に、正孔輸送層51、そして有機発光材料層52を形成する。一方、仮支持板の表面に陰電極層を形成した陰電極層付き仮支持板を用いること以外は図1に示す陽電極層付き樹脂フィルム30と同様にして作製された陰電極層付き可撓性樹脂フィルム50を用意する。
The
次に陽電極層付き剛性基板と陰電極層付き可撓性樹脂フィルムとを、有機発光材料層52と陰電極層23とが接触するようにして重ね合わせ、例えば、一対の加熱ロールの間を通過させて互いに加熱圧着することにより、有機エレクトロルミネッセンス素子90を作製することができる。
Next, the rigid substrate with the positive electrode layer and the flexible resin film with the negative electrode layer are overlapped so that the organic light emitting
有機エレクトロルミネッセンス素子90は、その陰電極層23が平滑性に優れた表面を有しているため、上記の加熱圧着工程において有機発光材料層52を凹ませ、その厚みを不均一にさせることがない。このため、有機エレクトロルミネッセンス素子90は、樹脂フィルム31の平滑性の良否の影響を受けずに良好な素子構造を持つことができるため、非発光部の生成が抑制されたものとなる。
In the
有機エレクトロルミネッセンス素子90は、例えば、陰電極層付き可撓性樹脂フィルム50をロール状に巻き取っておき、これを巻き出しながら、正孔輸送層と有機発光材料層とが形成された陽電極層付き剛性基板60と加熱圧着していくことにより効率良く作製することができる。このため、低い製造コストで有機エレクトロルミネッセンス素子を作製できるようになる。
The
一般に、有機発光材料層には、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光効率を高くするために、その陽電極層側の面に正孔輸送層を、あるいはその陰電極層側の面に電子輸送層を付設することが知られている。本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子においても、有機発光材料層に正孔輸送層や電子輸送層を付設することができる。以下に、これらの層(有機材料層)の構成例を示す。 In general, in order to increase the luminous efficiency of an organic electroluminescent element, a hole transport layer is attached to the surface on the positive electrode layer side, or an electron transport layer is attached to the surface on the negative electrode layer side in the organic light emitting material layer. It is known to do. Also in the organic electroluminescent element of the present invention, a hole transport layer or an electron transport layer can be attached to the organic light emitting material layer. Below, the structural example of these layers (organic material layer) is shown.
(a)陽電極層/有機発光材料層/陰電極層
(b)陽電極層/正孔輸送層/有機発光材料層/陰電極層
(c)陽電極層/有機発光材料層/電子輸送層/陰電極層
(d)陽電極層/正孔輸送層/有機発光材料層/電子輸送層/陰電極層
(A) Anode layer / organic light emitting material layer / cathode electrode layer (b) Anode layer / hole transport layer / organic light emitting material layer / cathode layer (c) Anode layer / organic light emitting material layer / electron transport layer / Negative electrode layer (d) positive electrode layer / hole transport layer / organic light emitting material layer / electron transport layer / cathode layer
正孔輸送層の材料の例としては、NPD(N,N’−ジ(ナフタレン−1−イル)−N,N’−ジフェニルベンジジン)に代表される芳香族アミン類、テトラアリールベンジシン化合物、ピラゾリン誘導体、およびトリフェニレン誘導体などが挙げられる。正孔輸送層の厚みは、2乃至200nmの範囲にあることが好ましい。 Examples of the material for the hole transport layer include aromatic amines represented by NPD (N, N′-di (naphthalen-1-yl) -N, N′-diphenylbenzidine), tetraarylbenzidine compounds, Examples include pyrazoline derivatives and triphenylene derivatives. The thickness of the hole transport layer is preferably in the range of 2 to 200 nm.
正孔輸送層を形成する方法の例としては、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、LB法、スプレー法、ブレードコート法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、およびインクジェット印刷法などが挙げられる。 Examples of the method for forming the hole transport layer include vacuum deposition, spin coating, casting, LB, spraying, blade coating, screen printing, gravure printing, and inkjet printing. .
正孔輸送層には、その正孔移動度を改善するために、電子受容性アクセプタを添加することが好ましい。電子受容性アクセプタの例としては、ハロゲン化金属、ルイス酸、および有機酸などが挙げられる。電子受容性アクセプタが添加された正孔輸送層については、特開平11−283750号公報に記載がある。 In order to improve the hole mobility, an electron accepting acceptor is preferably added to the hole transporting layer. Examples of electron-accepting acceptors include metal halides, Lewis acids, and organic acids. A hole transport layer to which an electron accepting acceptor is added is described in JP-A No. 11-283750.
有機発光材料層は、有機発光材料から形成するか、キャリア輸送性(正孔輸送性、電子輸送性、または両性輸送性)を示す有機材料(以下、ホスト材料と記載する)に少量の有機発光材料を添加した材料から形成される。有機発光材料層に用いる有機発光材料の選択により、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光色を容易に設定することができる。 The organic light-emitting material layer is formed from an organic light-emitting material or a small amount of organic light-emitting material on an organic material (hereinafter referred to as host material) that exhibits carrier transport properties (hole transport property, electron transport property, or amphoteric transport property). It is formed from the material which added the material. By selecting the organic light emitting material used for the organic light emitting material layer, the emission color of the organic electroluminescence element can be easily set.
有機発光材料層を有機発光材料から形成する場合、有機発光材料としては、成膜性に優れ、膜の安定性に優れた材料が用いられる。このような有機発光材料の例としては、Alq3 (トリス−(8−ヒドロキシキノリナト)アルミニウム)に代表される有機金属錯体、MEH−PPV(ポリ2−メトキシ,5−(2’−エチル−ヘキシルオキシ−1,4−フェニレンビニレン))に代表されるポリフェニレンビニレン(PPV)誘導体、およびポリフルオレン誘導体などが挙げられる。有機発光材料層をホスト材料に少量の有機発光材料を添加した材料から形成する場合、ホスト材料としては、例えば、前記のAlq3 、TPD(トリフェニルジアミン)、電子輸送性のオキサジアゾール誘導体(PBD)、ポリカーボネート系共重合体、あるいはポリビニルカルバゾールなどが用いられる。ホスト材料と共に用いる有機発光材料としては、添加量が少ないために、前記の有機発光材料の他に、単独では安定な薄膜を形成し難い蛍光色素なども用いることができる。蛍光色素の例としては、クマリン、DCM誘導体、キナクリドン、ペリレン、およびルブレンが挙げられる。なお、上記のように有機発光材料層を有機発光材料から形成する場合にも、発光色を調節するために、蛍光色素などの有機発光材料を少量添加することもできる。 In the case where the organic light emitting material layer is formed from an organic light emitting material, a material having excellent film forming properties and excellent film stability is used as the organic light emitting material. Examples of such organic light emitting materials include organometallic complexes represented by Alq 3 (tris- (8-hydroxyquinolinato) aluminum), MEH-PPV (poly-2-methoxy, 5- (2′-ethyl-) Hexyloxy-1,4-phenylene vinylene))), polyphenylene vinylene (PPV) derivatives, and polyfluorene derivatives. When the organic light emitting material layer is formed from a material obtained by adding a small amount of an organic light emitting material to a host material, examples of the host material include Alq 3 , TPD (triphenyldiamine), and an electron transporting oxadiazole derivative ( PBD), polycarbonate copolymer, polyvinyl carbazole, or the like is used. As the organic light-emitting material used together with the host material, since the addition amount is small, in addition to the organic light-emitting material, a fluorescent dye that is difficult to form a stable thin film by itself can be used. Examples of fluorescent dyes include coumarin, DCM derivatives, quinacridone, perylene, and rubrene. Even when the organic light emitting material layer is formed of an organic light emitting material as described above, a small amount of an organic light emitting material such as a fluorescent dye can be added in order to adjust the emission color.
有機発光材料層の厚みは、実用的な発光輝度を得るために、200nm以下であることが好ましい。有機発光材料層は、正孔輸送層と同様の方法により形成される。 The thickness of the organic light emitting material layer is preferably 200 nm or less in order to obtain practical light emission luminance. The organic light emitting material layer is formed by the same method as the hole transport layer.
電子輸送層の材料の例としては、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、ナフタレンピリレンなどの複素環テトラカルボン酸無水物、アントラキノジメタン及びアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体、キノリン誘導体、キノキサリン誘導体、ペリレン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、およびスチルベン誘導体などの電子輸送性材料が挙げられる。また、トリス(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウム(Alq)などのアルミキノリノール錯体を用いることもできる。電子輸送層の厚みは、5乃至300nmの範囲にあることが好ましい。電子輸送層は、正孔輸送層と同様の方法により形成される。 Examples of materials for the electron transport layer include nitro-substituted fluorene derivatives, diphenylquinone derivatives, thiopyran dioxide oxide derivatives, heterocyclic tetracarboxylic anhydrides such as naphthalene pyrylene, anthraquinodimethane and anthrone derivatives, oxadiazole derivatives , Electron transport materials such as quinoline derivatives, quinoxaline derivatives, perylene derivatives, pyridine derivatives, pyrimidine derivatives, and stilbene derivatives. An aluminum quinolinol complex such as tris (8-hydroxyquinoline) aluminum (Alq) can also be used. The thickness of the electron transport layer is preferably in the range of 5 to 300 nm. The electron transport layer is formed by the same method as the hole transport layer.
また、有機エレクトロルミネッセンス素子の陽電極層と陰電極層との間には、発光素子の発光特性などを改良するために、上記の正孔輸送層や電子輸送層の他にも様々な層、例えば、陽電極層(もしくは陰電極層)の有機発光材料層側の表面に正孔注入層(もしくは電子注入層)を付設することができる。 Also, between the positive electrode layer and the negative electrode layer of the organic electroluminescence device, various layers other than the above-described hole transport layer and electron transport layer in order to improve the light emission characteristics of the light emitting device, For example, a hole injection layer (or electron injection layer) can be provided on the surface of the positive electrode layer (or negative electrode layer) on the organic light emitting material layer side.
正孔注入層の材料の代表例としては、銅フタロシアニン(CuPc)が、そして電子注入層の材料の代表例としては、LiF(フッ化リチウム)などのアルカリ金属化合物が挙げられる。正孔注入層は陽極バッファ層と、電子注入層は陰極バッファ層とも呼ばれ、これらの層の詳細については、「有機LED素子の残された研究課題と実用化戦略」(ぶんしん出版、1999年、p44−45)などの文献に詳しく記載されている。 A typical example of the material for the hole injection layer is copper phthalocyanine (CuPc), and a typical example of the material for the electron injection layer is an alkali metal compound such as LiF (lithium fluoride). The hole injection layer is also referred to as an anode buffer layer and the electron injection layer is also referred to as a cathode buffer layer. For details of these layers, see “Remaining research subjects and strategies for practical use of organic LED elements” (Bunshin Publishing, 1999). It is described in detail in literatures such as year, p44-45).
[実施例1]
(陽電極層付き仮支持板の作製)
ガラス板(仮支持板)を中性洗剤、純水、そして有機溶剤を用いて洗浄したのち、その表面を酸素プラズマ処理した。このガラス板を真空蒸着法とスパッタ法とによる成膜を続けて行なえる真空成膜装置(SCM−202、トッキ(株)製)の成膜室内に配置し、そして成膜室内を0.001Pa以下の圧力まで減圧した。一方、上記と同様にして洗浄、そして酸素プラズマ処理したガラス板の表面粗さを、原子間力顕微鏡(JSPM-4300、日本電子(株)製)を用いて測定したところ、最大高さ(Ry)は0.3nmであった。
[Example 1]
(Preparation of temporary support plate with anode layer)
The glass plate (temporary support plate) was washed with a neutral detergent, pure water, and an organic solvent, and then its surface was subjected to oxygen plasma treatment. This glass plate is placed in a film forming chamber of a vacuum film forming apparatus (SCM-202, manufactured by Tokki Co., Ltd.) capable of continuously performing film forming by vacuum deposition and sputtering, and the film forming chamber is set to 0.001 Pa. The pressure was reduced to the following pressure. On the other hand, when the surface roughness of the glass plate cleaned and oxygen plasma treated in the same manner as described above was measured using an atomic force microscope (JSPM-4300, manufactured by JEOL Ltd.), the maximum height (Ry ) Was 0.3 nm.
次に、成膜室内に配置したガラス板の表面に、下地層として厚みが約10nmのトリス−(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウム薄膜(ガラス転移点:約170℃)を、蒸着速度が6nm/分の条件にて真空蒸着法により形成した。この下地層付きガラス板をIZO(亜鉛ドープ酸化インジウム)ターゲットが設置された成膜室内に移動して、下地層の上に幅が2mmの線状の透孔が形成されたマスクを配置した。このマスクの透孔を介して下地層の表面に陽電極層として厚みが150nm、そして幅が2mmの線状のIZO薄膜を、アルゴンガスの圧力が0.7Pa、投入電力が50Wの条件にてスパッタ法により形成したのち、下地層の上からマスクを取り除いた。このようにして陽電極層付きガラス板(仮支持板)を作製した。 Next, a tris- (8-hydroxyquinoline) aluminum thin film (glass transition point: about 170 ° C.) having a thickness of about 10 nm is deposited on the surface of the glass plate placed in the film forming chamber at a deposition rate of 6 nm / min. It formed by the vacuum evaporation method on the conditions of this. This glass plate with an underlayer was moved into a film forming chamber in which an IZO (zinc-doped indium oxide) target was installed, and a mask in which a linear through hole having a width of 2 mm was formed on the underlayer. A linear IZO thin film having a thickness of 150 nm and a width of 2 mm as a positive electrode layer is formed on the surface of the underlayer through the mask through-holes under the conditions of an argon gas pressure of 0.7 Pa and an input power of 50 W. After forming by sputtering, the mask was removed from the top layer. In this way, a glass plate with a positive electrode layer (temporary support plate) was produced.
(樹脂層付き可撓性樹脂フィルムの作製)
厚みが200μmのポリエチレンテレフタレート(PET)フィルムの表面に、バーコーターを用いて紫外線硬化性樹脂(UVPOTミディアム0、帝国インキ(株)製)を約30μmの厚みに塗布して樹脂層付きPETフィルム(可撓性樹脂フィルム)を作製した。一方、使用したPETフィルムの表面粗さを上記と同様にして原子間力顕微鏡で測定したところ、最大高さ(Ry)は136nmであった。
(Preparation of flexible resin film with resin layer)
A UV curable resin (UVPOT Medium 0, manufactured by Teikoku Ink Co., Ltd.) is applied to the surface of a polyethylene terephthalate (PET) film having a thickness of 200 μm using a bar coater to a thickness of about 30 μm. A flexible resin film) was prepared. On the other hand, when the surface roughness of the used PET film was measured with an atomic force microscope in the same manner as described above, the maximum height (Ry) was 136 nm.
(陽電極層付き可撓性樹脂フィルムの作製)
作製した陽電極層付きガラス板と樹脂層付きPETフィルムとを、電極層と樹脂層とが対面するように重ね合わせて積層体を形成した。次いでPETフィルムの側から紫外線を照射して樹脂層を硬化させ、この硬化樹脂層と陽電極層とを接合した。そしてPETフィルムの上に直径が80mmのローラーを置き、PETフィルムをローラーの外周に沿わせながら垂直方向に引き剥がした。これによりPETフィルムを硬化樹脂層及び陽電極層と共にガラス板(仮支持板)から引き剥がした。このようにして陽電極層付きPETフィルム(可撓性樹脂フィルム)を作製した。
(Preparation of flexible resin film with anode layer)
The produced glass plate with a positive electrode layer and the PET film with a resin layer were overlapped so that the electrode layer and the resin layer faced to form a laminate. Next, the resin layer was cured by irradiating ultraviolet rays from the PET film side, and the cured resin layer and the positive electrode layer were joined. A roller having a diameter of 80 mm was placed on the PET film, and the PET film was peeled off in the vertical direction along the outer periphery of the roller. Thereby, the PET film was peeled off from the glass plate (temporary support plate) together with the cured resin layer and the positive electrode layer. In this way, a PET film with a positive electrode layer (flexible resin film) was produced.
(有機エレクトロルミネッセンス素子の作製)
作製した陽電極層付きPETフィルムを真空蒸着装置の成膜室内に配置し、そして成膜室を0.001Pa以下の圧力まで減圧した。そして陽電極層の表面に、正孔輸送層として厚みが50nmのNPD(N,N’−ジ(ナフタレン−1−イル)−N,N’−ジフェニルベンジジン)薄膜を、蒸着速度が6nm/分の条件にて真空蒸着法により形成した。この正孔輸送層の表面に、有機発光材料層兼電子輸送層として厚みが50nmのAlq3 (トリス−(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウム)の薄膜を、蒸着速度が6nm/分の条件にて真空蒸着法により形成した。このAlq3 薄膜の上に幅が2mmの線状の透孔が形成されたマスクを、透孔の長さ方向が陽電極層の長さ方向と直交するようにして配置した。このマスクの透孔を介してAlq3 薄膜の表面に、陰電極層として厚みが200nm、そして幅が2mmの線状のMg−Ag薄膜(組成比10:1)を共蒸着法により形成したのち、Alq3 薄膜の上からマスクを取り除いた。このようにして有機エレクトロルミネッセンス素子を作製した。
(Production of organic electroluminescence device)
The produced PET film with a positive electrode layer was placed in a film forming chamber of a vacuum vapor deposition apparatus, and the film forming chamber was depressurized to a pressure of 0.001 Pa or less. Then, an NPD (N, N′-di (naphthalen-1-yl) -N, N′-diphenylbenzidine) thin film having a thickness of 50 nm as a hole transport layer is formed on the surface of the positive electrode layer with a deposition rate of 6 nm / min. It formed by the vacuum evaporation method on the conditions of this. On the surface of the hole transport layer, a thin film of Alq 3 (tris- (8-hydroxyquinoline) aluminum) having a thickness of 50 nm as an organic light-emitting material layer / electron transport layer was vacuumed at a deposition rate of 6 nm / min. It formed by the vapor deposition method. A mask in which a linear through hole having a width of 2 mm was formed on the Alq 3 thin film was disposed so that the length direction of the through hole was orthogonal to the length direction of the positive electrode layer. After forming a linear Mg-Ag thin film (composition ratio 10: 1) having a thickness of 200 nm and a width of 2 mm as a negative electrode layer on the surface of the Alq 3 thin film through the through-holes of this mask, The mask was removed from the top of the Alq 3 thin film. In this way, an organic electroluminescence element was produced.
作製した有機エレクトロルミネッセンス素子は、その陽電極層と陰電極層との間に6Vの電圧を印加したところ100cd/m2 の輝度で緑色に発光した。また、この有機エレクトロルミネッセンス素子の発光領域(陽電極層と陰電極層とが交差している領域)を光学顕微鏡により50倍の倍率にて観察したところ、非発光部は生成されていなかった。 The produced organic electroluminescence device emitted green light with a luminance of 100 cd / m 2 when a voltage of 6 V was applied between the positive electrode layer and the negative electrode layer. Further, when the light emitting region of the organic electroluminescence device (the region where the positive electrode layer and the negative electrode layer intersect) was observed with an optical microscope at a magnification of 50, no non-light emitting portion was generated.
[実施例2]
(陽電極層付き可撓性樹脂フィルムへの正孔輸送層及び有機発光材料層の形成)
実施例1と同様にして陽電極層付きPETフィルム(可撓性樹脂フィルム)を作製した。この陽電極層の表面にPEDOT/PSS(ポリエチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルフォン酸)水溶液(H.C.Stark社製)をスピンコートして塗布膜を形成し、この塗布膜を200℃で10分間乾燥して厚みが約60nmのPEDOT/PSS薄膜(正孔輸送層)を形成した。そして正孔輸送層の表面に、MEH−PPV(ポリ2−メトキシ,5−(2’−エチル−ヘキシルオキシ−1,4−フェニレンビニレン))(H.W.Sands社製)の1%テトラハイドロフラン溶液をスピンコートして塗布膜を形成し、この塗布膜を130℃で1時間乾燥して厚みが約60nmのMEH−PPV薄膜(有機発光材料層)を形成した。
[Example 2]
(Formation of hole transport layer and organic light emitting material layer on flexible resin film with anode layer)
In the same manner as in Example 1, a positive electrode layer-attached PET film (flexible resin film) was produced. The surface of this positive electrode layer is spin-coated with an aqueous solution of PEDOT / PSS (polyethylenedioxythiophene / polystyrene sulfonic acid) (manufactured by HC Stark) to form a coating film, and this coating film is formed at 200 ° C. for 10 minutes. It dried and formed the PEDOT / PSS thin film (hole transport layer) about 60 nm thick. And on the surface of the hole transport layer, MEH-PPV (poly-2-methoxy, 5- (2′-ethyl-hexyloxy-1,4-phenylenevinylene)) (manufactured by HW Sands) 1% tetra A hydrofuran solution was spin-coated to form a coating film, and this coating film was dried at 130 ° C. for 1 hour to form a MEH-PPV thin film (organic light emitting material layer) having a thickness of about 60 nm.
(陰電極層付き仮支持板の作製)
実施例1と同様にして、ガラス板の表面に、下地層として厚みが10nmのトリス−(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウムの薄膜を形成した。この下地層の上に実施例1で用いたマスクを配置し、マスクの透孔を介して下地層の表面に厚みが10nmの線状のMg−Ag薄膜(陰電極層)、そして厚みが150nmの線状のIZO薄膜(陰電極補助層)を積層したのち、下地層の上からマスクを取り除いた。このようにして陰電極層付きガラス板(仮支持板)を作製した。
(Preparation of temporary support plate with negative electrode layer)
In the same manner as in Example 1, a thin film of tris- (8-hydroxyquinoline) aluminum having a thickness of 10 nm was formed on the surface of the glass plate as a base layer. The mask used in Example 1 was placed on this underlayer, a linear Mg-Ag thin film (negative electrode layer) having a thickness of 10 nm was formed on the surface of the underlayer through the hole of the mask, and the thickness was 150 nm. After the linear IZO thin film (negative electrode auxiliary layer) was laminated, the mask was removed from the upper layer. In this way, a glass plate with a negative electrode layer (temporary support plate) was produced.
(陰電極層付き可撓性樹脂フィルムの作製)
次いで、陰電極層付きガラス板と、実施例1と同様にして作製した紫外線硬化性樹脂を塗布したPETフィルムとを、電極層と樹脂層とが対面するように重ね合わせて積層体を形成した。そして実施例1と同様にして紫外線を照射して樹脂層を硬化させ、この硬化樹脂層と、陰電極補助層付きの陰電極層とを接合し、次いでPETフィルムを硬化樹脂層、陰電極補助層及び陰電極層と共にガラス板(仮支持板)から引き剥がすことにより、陰電極層付きのPETフィルム(可撓性樹脂フィルム)を作製した。
(Preparation of flexible resin film with negative electrode layer)
Next, a glass plate with a negative electrode layer and a PET film coated with an ultraviolet curable resin produced in the same manner as in Example 1 were laminated so that the electrode layer and the resin layer faced to form a laminate. . Then, the resin layer is cured by irradiating with ultraviolet rays in the same manner as in Example 1, and this cured resin layer is bonded to the negative electrode layer with the negative electrode auxiliary layer, and then the PET film is cured with the cured resin layer and the negative electrode auxiliary. The PET film (flexible resin film) with a negative electrode layer was produced by peeling off from the glass plate (temporary support plate) together with the layer and the negative electrode layer.
(有機エレクトロルミネッセンス素子の作製)
上記のようにして作製した陽電極層付きPETフィルムと陰電極層付きPETフィルムとを、有機発光材料層と陰電極層とが接触するようにして、かつ陽電極層と陰電極層とが直交するようにして重ね合わせ、これらを150℃に加熱した二本の加熱ロールの間を通過させて互いに加熱圧着した。このようにして有機エレクトロルミネッセンス素子を作製した。
(Production of organic electroluminescence device)
The PET film with the positive electrode layer and the PET film with the negative electrode layer produced as described above are brought into contact with the organic light emitting material layer and the negative electrode layer, and the positive electrode layer and the negative electrode layer are orthogonal to each other. In this way, they were superposed and passed through two heating rolls heated to 150 ° C., and were thermocompression bonded to each other. In this way, an organic electroluminescence element was produced.
作製した有機エレクトロルミネッセンス素子は可撓性を示し、その陽電極層と陰電極層との間に11Vの電圧を印加したところ、100cd/m2 の輝度で橙色に発光した。この有機エレクトロルミネッセンス素子は、その陰電極層(Mg−Ag薄膜)が極めて薄い厚み(10nm)に設定されているため、その発光を発光素子の各々の表面の側から見ることができる、いわゆるシースルー素子であった。また、実施例1と同様にして有機エレクトロルミネッセンス素子の発光領域を光学顕微鏡により観察したところ、非発光部は生成されていなかった。 The produced organic electroluminescent element showed flexibility, and when a voltage of 11 V was applied between the positive electrode layer and the negative electrode layer, it emitted orange light with a luminance of 100 cd / m 2 . In this organic electroluminescence element, since the negative electrode layer (Mg—Ag thin film) is set to a very thin thickness (10 nm), the light emission can be seen from each surface side of the light emitting element. It was an element. Moreover, when the light emission area | region of the organic electroluminescent element was observed with the optical microscope similarly to Example 1, the non-light-emission part was not produced | generated.
[実施例3]
(陰電極層付き仮支持板の作製)
実施例1と同様にして、ガラス板の表面に、下地層として厚みが100nmのトリス−(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウム薄膜を形成した。この下地層の表面に、実施例1で陰電極層を形成する場合と同様にして厚みが200nm、そして幅が2mmの線状のMg−Ag薄膜(陰電極層)を形成して陰電極層付きガラス板(仮支持板)を作製した。
[Example 3]
(Preparation of temporary support plate with negative electrode layer)
In the same manner as in Example 1, a tris- (8-hydroxyquinoline) aluminum thin film having a thickness of 100 nm was formed as a base layer on the surface of the glass plate. A linear Mg—Ag thin film (negative electrode layer) having a thickness of 200 nm and a width of 2 mm was formed on the surface of the underlayer in the same manner as in the case of forming the negative electrode layer in Example 1. An attached glass plate (temporary support plate) was produced.
(陰電極層付き可撓性樹脂フィルムの作製)
次に、陰電極層付きガラス板と、実施例1と同様にして作製した紫外線硬化性樹脂を塗布したPETフィルムとを、電極層と樹脂層とが対面するように重ね合わせて積層体を形成した。そして実施例1と同様にして紫外線を照射して樹脂層を硬化させ、この硬化樹脂層と陰電極層とを接合し、次いでPETフィルムを硬化樹脂層及び陰電極層と共にガラス板(仮支持板)から引き剥がすことにより、陰電極層付きのPETフィルム(可撓性樹脂フィルム)を作製した。
(Preparation of flexible resin film with negative electrode layer)
Next, a glass plate with a negative electrode layer and a PET film coated with an ultraviolet curable resin produced in the same manner as in Example 1 are overlapped so that the electrode layer and the resin layer face each other to form a laminate. did. Then, in the same manner as in Example 1, the resin layer is cured by irradiating ultraviolet rays, the cured resin layer and the negative electrode layer are joined, and then the PET film is bonded to the glass plate (temporary support plate) together with the cured resin layer and the negative electrode layer. The PET film with a negative electrode layer (flexible resin film) was produced.
(陽電極層付き剛性基板への正孔輸送層及び有機発光材料層の形成)
厚みが150nm、そして幅が2mmの線状のITO薄膜(陽電極層)が形成されたガラス基板(剛性基板)を実施例1と同様にして洗浄した。このITO薄膜の表面に実施例2と同様にして厚みが60nmのPEDOT/PSS薄膜(正孔輸送層)、そして厚みが60nmのMEH−PPV薄膜(有機発光材料層)を形成した。
(Formation of hole transport layer and organic light emitting material layer on rigid substrate with anode layer)
A glass substrate (rigid substrate) on which a linear ITO thin film (positive electrode layer) having a thickness of 150 nm and a width of 2 mm was formed was washed in the same manner as in Example 1. A PEDOT / PSS thin film (hole transport layer) having a thickness of 60 nm and a MEH-PPV thin film (organic light emitting material layer) having a thickness of 60 nm were formed on the surface of the ITO thin film in the same manner as in Example 2.
(有機エレクトロルミネッセンス素子の作製)
上記のようにして作製した陽電極層付きガラス基板と陰電極層付きPETフィルムとを、実施例2と同様にして重ね合わせ、これらを180℃に加熱した二本の加熱ロールの間を通過させて互いに加熱圧着した。このようにして有機エレクトロルミネッセンス素子を作製した。
(Production of organic electroluminescence device)
The glass substrate with a positive electrode layer and the PET film with a negative electrode layer produced as described above were superposed in the same manner as in Example 2, and these were passed between two heating rolls heated to 180 ° C. Were heat-pressed to each other. In this way, an organic electroluminescence element was produced.
作製した有機エレクトロルミネッセンス素子は、その陽電極層と陰電極層との間に9Vの電圧を印加したところ、100cd/m2 の輝度で橙色に発光した。また、実施例1と同様にして有機エレクトロルミネッセンス素子の発光領域を光学顕微鏡により観察したところ、非発光部は生成されていなかった。 The produced organic electroluminescent element emitted orange light at a luminance of 100 cd / m 2 when a voltage of 9 V was applied between the positive electrode layer and the negative electrode layer. Moreover, when the light emission area | region of the organic electroluminescent element was observed with the optical microscope similarly to Example 1, the non-light-emission part was not produced | generated.
[実施例4]
(陰電極層付き可撓性樹脂フィルムへの電子輸送層の形成)
実施例3と同様にして、陰電極層付きのPETフィルム(可撓性樹脂フィルム)を作製した。この陰電極層の表面に、厚みが60nmの1,3−ビス[2−(2,2’−ビピリジン−6−イル)−1,3,4−オキサジアゾル−5−イル]ベンゼン薄膜(電子輸送層)を形成した。
[Example 4]
(Formation of electron transport layer on flexible resin film with negative electrode layer)
In the same manner as in Example 3, a PET film (flexible resin film) with a negative electrode layer was produced. On the surface of the negative electrode layer, a 1,3-bis [2- (2,2′-bipyridin-6-yl) -1,3,4-oxadiazol-5-yl] benzene thin film (electron transport) having a thickness of 60 nm Layer).
(陽電極層付き剛性基板への正孔輸送層及び有機発光材料層の形成)
次に、実施例3と同様にして、厚みが150nmの線状のITO薄膜(陽電極層)が形成されたガラス基板(剛性基板)の表面に、厚みが60nmのPEDOT/PSS薄膜(正孔輸送層)、そして厚みが60nmのMEH−PPV薄膜(有機発光材料層)を形成した。
(Formation of hole transport layer and organic light emitting material layer on rigid substrate with anode layer)
Next, as in Example 3, a PEDOT / PSS thin film (hole) having a thickness of 60 nm was formed on the surface of a glass substrate (rigid substrate) on which a linear ITO thin film (positive electrode layer) having a thickness of 150 nm was formed. Transport layer), and a MEH-PPV thin film (organic light emitting material layer) having a thickness of 60 nm was formed.
(有機エレクトロルミネッセンス素子の作製)
上記のようにして作製した陽電極層付きガラス基板と陰電極層付きPETフィルムとを実施例2と同様にして重ね合わせ、これらを150℃に加熱した二本の加熱ロールの間を通過させて互いに加熱圧着した。このようにして有機エレクトロルミネッセンス素子を作製した。
(Production of organic electroluminescence device)
The glass substrate with a positive electrode layer and the PET film with a negative electrode layer produced as described above were superposed in the same manner as in Example 2, and these were passed between two heating rolls heated to 150 ° C. They were thermocompression bonded together. In this way, an organic electroluminescence element was produced.
作製した有機エレクトロルミネッセンス素子は、その陽電極層と陰電極層との間に7Vの電圧を印加したところ、100cd/m2 の輝度で発光した。また、実施例1と同様にして有機エレクトロルミネッセンス素子の発光領域を光学顕微鏡により観察したところ、非発光部は生成されていなかった。 The produced organic electroluminescence device emitted light with a luminance of 100 cd / m 2 when a voltage of 7 V was applied between the positive electrode layer and the negative electrode layer. Moreover, when the light emission area | region of the organic electroluminescent element was observed with the optical microscope similarly to Example 1, the non-light-emission part was not produced | generated.
10 電極層付き仮支持板
11 仮支持板
12 下地層
13 陽電極層
14 紫外線
20 樹脂層付き可撓性樹脂フィルム
21 可撓性樹脂フィルム
22a 樹脂層
22b 硬化樹脂層
23 陰電極層
30 陽電極層付き可撓性樹脂フィルム
31 可撓性樹脂フィルム
32b 硬化樹脂層
33 陰電極層
34 陰電極補助層
40、50 陰電極層付き可撓性樹脂フィルム
41 剛性基板
51 正孔輸送層
52 有機発光材料層
60 陽電極層付き剛性基板
70、80、90 有機エレクトロルミネッセンス素子
71 有機エレクトロルミネッセンス素子の発光の取り出し方向を示す矢印
DESCRIPTION OF
Claims (9)
An organic electroluminescence device having a structure in which an electrode layer, an organic material layer including at least an organic light emitting material layer, an electrode layer, a cured resin layer, and a flexible resin film are laminated in this order on the surface of a rigid substrate.
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