JP2006219755A - Vapor deposition system - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、蒸着装置に関するものである。 The present invention relates to a vapor deposition apparatus.
近年、薄型表示装置として複数の有機EL(エレクトロルミネセンス)素子をマトリクス状に配置した有機EL表示装置が注目を集めている。有機EL素子は、陰極及び陽極間に有機材料でなる発光層を挟持して構成される。有機EL素子における発光層は耐水性が低く、発光層を形成する際には真空薄膜成膜技術の一つである真空蒸着技術によって成膜するのが一般的である。 In recent years, an organic EL display device in which a plurality of organic EL (electroluminescence) elements are arranged in a matrix as a thin display device has attracted attention. An organic EL element is configured by sandwiching a light emitting layer made of an organic material between a cathode and an anode. The light emitting layer in the organic EL element has low water resistance, and when the light emitting layer is formed, it is generally formed by a vacuum vapor deposition technique which is one of vacuum thin film forming techniques.
このような発光層の成膜を行う技術として、成膜対象となる基板とライン型蒸着源とを相対移動させる技術が知られている(例えば、特許文献1参照)。 As a technique for forming such a light emitting layer, a technique for relatively moving a substrate to be formed and a line-type evaporation source is known (see, for example, Patent Document 1).
この有機材料を基板に真空蒸着する場合には、真空雰囲気中で、基板をマスクを介してライン型蒸着源に対向して基板を配置した状態で、蒸着源を加熱させつつ、蒸着源の長手方向と直交する方向に相対移動させることにより、基板の対向面に有機材料を成膜している。 When this organic material is vacuum-deposited on a substrate, in the vacuum atmosphere, the substrate is placed facing the line-type deposition source through a mask, while the deposition source is heated, the length of the deposition source is increased. An organic material is formed on the opposite surface of the substrate by relative movement in a direction perpendicular to the direction.
蒸着源は、基板の移動方向と直交する方向の長さを充分カバーする蒸着幅を有している。
ところで、蒸着源からの出射量を制御するために、図4に示すような蒸着源として貯留部102に蓋体104を被せ配置した構造の坩堝100を考えると、蓋体104の内面にトラップされた蒸着材料が液化し、蓋体104を伝って、坩堝100の外部に漏れ出す可能性があることがわかった。
By the way, in order to control the amount of light emitted from the vapor deposition source, a
そこで、本発明は上記問題点に鑑み、蓋体にて蒸着材料が液化したとしても、この蒸着材料が坩堝の外部に漏れ出さない構造の蒸着装置を提供する。 Therefore, in view of the above problems, the present invention provides a vapor deposition apparatus having a structure in which even if a vapor deposition material is liquefied by a lid, the vapor deposition material does not leak out of the crucible.
本発明は、筐体と、前記筐体内に配置され、蒸着材料を貯留するための貯留部と、前記貯留部の上面に配置され、前記蒸着材料を出射する吹出口を備えた蓋体と、を有する坩堝と、前記坩堝を加熱する加熱手段とを有し、前記蓋体は前記貯留部の開口部内壁に嵌合するひさし部を備えたことを特徴とする蒸着装置である。 The present invention is a housing, a storage portion that is disposed in the housing and stores the vapor deposition material, a lid body that is disposed on the upper surface of the storage portion and includes a blowout port that emits the vapor deposition material, And a heating means for heating the crucible, and the lid body has an eaves portion fitted to the inner wall of the opening of the storage portion.
本発明によれば、蒸着材料が不所望に外部に漏れ出すことを防止し、蒸着レイトを安定させ、また蒸着被膜の膜厚を安定化させることができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, it can prevent that a vapor deposition material leaks outside undesirably, a vapor deposition rate can be stabilized, and the film thickness of a vapor deposition film can be stabilized.
本発明の一実施形態について、図1〜図3に基づいて説明する。 An embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
本実施形態は、有機EL装置に用いられる基板10に正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層等よりなる有機層を積層するための真空蒸着装置に関し、真空状態を実現すチャンバー(筐体)内部に基板10を配し、真空蒸着を行なう。
This embodiment relates to a vacuum deposition apparatus for stacking an organic layer composed of a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and the like on a
(1)真空蒸着の方法
以下、図2及び図3に基づいて、基板10に有機材料を真空蒸着する方法について説明する。
(1) Method of vacuum deposition Hereinafter, a method of vacuum depositing an organic material on the
基板10は、チャンバー内部の真空雰囲気中においてマグネット20によって吸引して被蒸着面が蒸着源に対向して配置されるよう、被蒸着面を下向きにした状態で保持機構により保持している。すなわち、図3に示すように、基板10の被蒸着面には、ステンレス製のマスク支持部12が配され、基板10の被蒸着面の反対側の面には、アルミニウム製、または、カッパー製の押え板18が配され、マグネット20がマスク支持部12を吸引することにより、基板10を保持している。マスク支持部12には、額縁状の枠部14内部に鉄−クロム合金製のマスクが設けられている。
The
上記のようにして保持された基板10の下方には、所定間隔(例えば、150mmである)を開けて坩堝22が配されている。坩堝22は、直方体の箱形であって、坩堝22を移動可能とする移動手段により、坩堝22の長手方向と直交する方向に一定速度(例えば、10〜20mm/秒である)で走査される。坩堝22の長手方向の長さは、蒸着幅が相対移動方向と直交する方向の基板の長さをカバーできる程度に設定される。
Below the
坩堝22は、貯留部24と蓋体26とより構成され、貯留部24内部に有機材料が貯留されている。この詳しい構成については後から説明する。蓋体26の上面には、昇華した有機材料が出射するための吹出口28が坩堝長手方向に沿って複数開口している。また、坩堝22の両側壁には、ヒータ25が内蔵され、貯留されている有機材料を加熱する。
The
そして、上記にように、所定速度で坩堝22を基板10の縦方向に移動させると、加熱により昇華した有機材料が基板10の被蒸着面におけるマスク16によって覆われていない部分に、選択的に有機材料が蒸着される。尚、吹出口は、坩堝長手方向に沿った長方形形状であってもよい。
As described above, when the
(2)坩堝22の構造
上記真空蒸着で用いられる坩堝22の構造について図1及び図2に基づいて説明する。
(2) Structure of the
坩堝22は、直方体の箱形であって貯留部24と蓋体26とより構成されている。貯留部24は、二層構造であって外側がカーボン、または、グラファイトより構成され、有機材料が接触する内側は石英ガラスより構成されている。
The
蓋体26は、貯留部24の上面の開口部及び貯留部24の側壁を覆う形状となっており、蓋体26の上面には吹出口28が所定間隔毎に複数開口している。さらに、蓋体26の下面には、ひさし部30が下方に突出している。このひさし部30は、図1及び図2に示すように、貯留部24の壁の内側に嵌合するように、蓋体26の下面の四周部に沿って突出している。
The
貯留部24の開口部内壁と、この内壁に嵌合するひさし部30との距離(隙間)は、0.5mm以下とすることが望ましい。こうすることで、ひさし部と貯留部の間での蓋体の天井面で、蒸着材料が液化することを防止することができる。
The distance (gap) between the inner wall of the opening of the
尚、蒸着材料の融解温度と昇華温度(蒸着温度)との差が大きい場合に、本実施形態は特に効果を奏する。融解温度と昇華温度との差が150℃以上ある場合には、本実施形態は必須となる。例えば蒸着材料の融点は200℃より小さく、蒸着温度は350℃を超える。 The present embodiment is particularly effective when the difference between the melting temperature of the vapor deposition material and the sublimation temperature (vapor deposition temperature) is large. This embodiment is essential when the difference between the melting temperature and the sublimation temperature is 150 ° C. or more. For example, the melting point of the vapor deposition material is smaller than 200 ° C., and the vapor deposition temperature exceeds 350 ° C.
蓋体26の内側は、コーティング材によってコーティングされ、有機材料が染み込まない構造となっている。このコーティング材としては、例えばBN(ボーンナイトライド)やSiC(シリコンカーバイド)が好適である。
The inside of the
なお、貯留部24の内側も石英ガラスで構成するのでなく、このコーティング材をコーティングしても良い。
In addition, the inside of the
この坩堝22であると、ヒータ25により有機材料が加熱され、昇華して気体となると吹出口28から吹出す。この場合に、蓋体26の下面、すなわち、天井面に一部の有機材料がトラップし結露して液化した場合に、図1及び図2に示すように、液化した有機材料が蓋体26の天井面、ひさし部30を伝わって貯留部24の内壁に至り液体状の有機材料に戻る。
In the case of the
そのため、従来のように貯留部24と蓋体26との間に流れ込むことがなく坩堝22の外側に有機材料が漏れ出すことがない。
Therefore, the organic material does not leak out of the
(第2の実施形態)
上記実施形態では、基板10を固定し、坩堝22を移動させたが、これに代えて坩堝22を固定し、基板10を移動させてもよい。
(Second Embodiment)
In the above embodiment, the
この場合には、基板10を直線移動させるだけでなく、基板10の下面中央部に坩堝22を配し、基板10をその中心で回転させて、真空蒸着を行なってもよい。
In this case, not only the
10 坩堝
12 貯留部
14 蓋体
28 吹出口
30 ひさし部
10 crucible 12
Claims (14)
前記筐体内に配置され、蒸着材料を貯留するための貯留部と、前記貯留部の上面に配置され、前記蒸着材料を出射する吹出口を備えた蓋体と、を有する坩堝と、
前記坩堝を加熱する加熱手段とを有し、
前記蓋体は前記貯留部の開口部内壁に嵌合するひさし部を備えた
ことを特徴とする蒸着装置。 A housing,
A crucible having a storage part for storing a vapor deposition material, and a lid provided on the upper surface of the storage part and provided with an outlet for emitting the vapor deposition material;
Heating means for heating the crucible,
The said cover was provided with the eaves part fitted to the opening inner wall of the said storage part. The vapor deposition apparatus characterized by the above-mentioned.
ことを特徴とする請求項1記載の蒸着装置。 The vapor deposition apparatus according to claim 1, wherein the vapor deposition apparatus includes a holding mechanism that holds a member to be vapor-deposited.
ことを特徴とする請求項2記載の蒸着装置。 The vapor deposition apparatus according to claim 2, wherein the vapor deposition apparatus includes moving means that can move relative to the vapor deposition target member.
ことを特徴とする請求項3記載の蒸着装置。 The vapor deposition apparatus according to claim 3, wherein the crucible has a rectangular parallelepiped box shape whose longitudinal direction is a direction orthogonal to a moving direction of the vapor deposition target member.
ことを特徴とする請求項4記載の蒸着装置。 The said blower outlet is a rectangular shape opened in the said longitudinal direction. The vapor deposition apparatus of Claim 4 characterized by the above-mentioned.
ことを特徴とする請求項4記載の蒸着装置。 The vapor deposition apparatus according to claim 4, wherein the air outlet has a plurality of openings arranged in the longitudinal direction.
ことを特徴とする請求項1記載の蒸着装置。 The vapor deposition apparatus according to claim 1, wherein a distance between the inner wall of the opening and the eaves part fitted to the inner wall of the opening is 0.5 mm or less.
ことを特徴とする請求項1記載の蒸着装置。 The vapor deposition apparatus according to claim 1, wherein the vapor deposition material is melted by the heating unit and then sublimated and emitted.
ことを特徴とする請求項8記載の蒸着装置。 The vapor deposition apparatus according to claim 8, wherein a difference between a melting temperature and a sublimation temperature of the vapor deposition material is 150 ° C. or more.
ことを特徴とする請求項1記載の蒸着装置。 The vapor deposition apparatus according to claim 1, wherein the crucible is formed of carbon or graphite, and an inner side where the organic material is in contact is formed of quartz glass.
The vapor deposition apparatus according to claim 1, wherein the crucible is made of metal.
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