JP2006203415A - Linear solenoid driving circuit - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、ハイサイド駆動信号が入力されるハイサイドスイッチング素子と、ローサイド駆動信号が入力されるローサイドスイッチング素子とを備えたリニアソレノイド駆動回路に関し、特に、リニアソレノイドに流れる電流を高精度で測定可能な電流検出手段を備えたリニアソレノイド駆動回路に関する。 The present invention relates to a linear solenoid drive circuit including a high-side switching element to which a high-side drive signal is input and a low-side switching element to which a low-side drive signal is input. In particular, the current flowing through the linear solenoid is measured with high accuracy. The present invention relates to a linear solenoid drive circuit provided with possible current detection means.
従来、ECB(Electronicaly Controled Brake)システムにおいては、油圧制御用リニアソレノイドをPWM駆動する回路として、図5に示すような回路が用いられていた。
図5に示すリニアソレノイド駆動回路は、リニアソレノイド101をPWM駆動するための回路であり、ハイサイド駆動信号が入力されるハイサイドスイッチング素子102と、ローサイド駆動信号が入力されるローサイドスイッチング素子103とを備えている。
また、ローサイドスイッチング素子103は、ローサイド駆動信号によりPWM制御時には常時オンしており、ハイサイドスイッチング素子102にはハイサイド駆動信号としてPWM信号が入力されている。
そして、このリニアソレノイド駆動回路には、リニアソレノイド101に流れる電流を検出するために、リニアソレノイド101とローサイドスイッチング素子103との間にシャント抵抗104が介装されており、シャント抵抗104に流れる電流による発生電圧を用いて電流検出を行うように構成している。
Conventionally, in an ECB (Electronically Controlled Break) system, a circuit as shown in FIG. 5 is used as a circuit for PWM driving a hydraulic control linear solenoid.
The linear solenoid drive circuit shown in FIG. 5 is a circuit for PWM driving the
The low-
In this linear solenoid drive circuit, a
また、特許文献1に示される同期整流式の制御回路においては、カレントトランスを用いて電流検出を行うように構成している。
前述の図5示すリニアソレノイド駆動回路では、PWM信号のオン時(ハイサイドスイッチング素子102のオン時)には、電源106から、オン状態のハイサイドスイッチング素子102、リニアソレノイド101、シャント抵抗104、およびローサイドスイッチング素子103の順に電流が流れる。また、PWM信号のオフ時(ハイサイドスイッチング素子102のオフ時)には、リニアソレノイド101、シャント抵抗104、および還流ダイオード105の間で電流が還流している。
このように、従来のリニアソレノイド駆動回路におけるシャント抵抗104には、PWM信号がオンのときもオフのときも、常に電流が流れている状態となっていたので、発熱量が大きくなっていた。また、電圧ロスも発生するため、効率の悪化が見られる。さらに、シャント抵抗104による電流検出値は温度依存性が高いため、高精度の制御が実現できなかった。
In the linear solenoid drive circuit shown in FIG. 5 described above, when the PWM signal is on (when the high-
As described above, since the current always flows through the
上記課題を解決するリニアソレノイド駆動回路は、以下の特徴を有する。
即ち、請求項1記載のごとく、ハイサイド駆動信号が入力されるハイサイドスイッチング素子と、ローサイド駆動信号が入力されるローサイドスイッチング素子とを備えたリニアソレノイド駆動回路において、該ハイサイドスイッチング素子およびローサイドスイッチング素子の少なくとも何れか一方のスイッチング素子に対して、並列に電流検出手段を設け、該リニアソレノイド駆動回路の電流駆動時および電流還流時に、前記電流検出手段が設けられた側のスイッチング素子に流れる電流の検出を可能とする。
このように、スイッチング素子により構成される電流検出手段は、シャント抵抗を用いて電流検出を行う場合に比べて発熱量が少なくなり、また、電流を流した場合の電圧降下が小さくて高効率化を図ることもできる。
また、ECBシステムの油圧制御用に用いられるリニアソレノイドは、その駆動制御によりブレーキフィーリングに大きな影響を与えるため、高精度な駆動制御が望まれるが、電流検出手段にセンスMOSFET等のスイッチング素子を用いた場合、シャント抵抗に比べて温度依存性が少ないため、リニアソレノイドの駆動制御を高精度化することができ、ブレーキ操作時のフィーリング向上を図ることが可能となる。
また、検出電流値に閾値を設定することにより、回路中の断線検出や過電流検出の機能を駆動回路に備えさせることが可能となる。
A linear solenoid drive circuit that solves the above problems has the following characteristics.
That is, as described in claim 1, in a linear solenoid drive circuit including a high side switching element to which a high side drive signal is input and a low side switching element to which a low side drive signal is input, the high side switching element and the low side switching element are provided. Current detection means is provided in parallel to at least one of the switching elements, and flows to the switching element on the side where the current detection means is provided when the linear solenoid drive circuit is driven and recirculated. Allows detection of current.
As described above, the current detection means configured by the switching element has a smaller amount of heat generation than the case where current detection is performed using a shunt resistor, and the voltage drop when a current is passed is small, resulting in high efficiency. Can also be planned.
In addition, the linear solenoid used for the hydraulic control of the ECB system has a great influence on the brake feeling due to its drive control, so high-precision drive control is desired. However, a switching element such as a sense MOSFET is used as the current detection means. When used, since the temperature dependency is less than that of the shunt resistor, the drive control of the linear solenoid can be made highly accurate, and the feeling during braking can be improved.
In addition, by setting a threshold value for the detected current value, it is possible to provide the drive circuit with functions for detecting disconnection and overcurrent in the circuit.
また、請求項2記載のごとく、ハイサイド駆動信号が入力されるハイサイドスイッチング素子と、ローサイド駆動信号が入力されるローサイドスイッチング素子とを備えたリニアソレノイド駆動回路において、該ハイサイドスイッチング素子に対して並列にハイサイド電流検出手段を設けるとともに、ローサイドスイッチング素子に対して並列にローサイド電流検出手段を設け、該ハイサイド電流検出手段およびローサイド電流検出手段により、それぞれハイサイドスイッチング素子およびローサイドスイッチング素子に流れる電流の検出を可能とし、該リニアソレノイド駆動回路の電流駆動時と電流還流時とで、ハイサイド電流検出手段による電流検出と、ローサイド電流検出手段による電流検出とが切り換えられる。
このように設けられるハイサイド電流検出手段およびローサイド電流検出手段としてはセンスMOSFET等が用いられるが、シャント抵抗を用いて電流検出を行う場合に比べて発熱量が少なくなり、また、電流を流した場合の電圧降下が小さくて高効率化を図ることもできる。
また、ECBシステムの油圧制御用に用いられるリニアソレノイドは、その駆動制御によりブレーキフィーリングに大きな影響を与えるため、高精度な駆動制御が望まれるが、電流検出手段にセンスMOSFET等を用いた場合、シャント抵抗に比べて温度依存性が少ないため、リニアソレノイドの駆動制御を高精度化することができ、ブレーキ操作時のフィーリング向上を図ることが可能となる。
また、検出電流値に閾値を設定することにより、回路中の断線検出や過電流検出の機能を駆動回路に備えさせることが可能となる。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a linear solenoid drive circuit including a high-side switching element to which a high-side drive signal is input and a low-side switching element to which a low-side drive signal is input. The high side current detecting means is provided in parallel, and the low side current detecting means is provided in parallel to the low side switching element. The high side current detecting means and the low side current detecting means respectively provide a high side switching element and a low side switching element. It is possible to detect the flowing current, and the current detection by the high-side current detection means and the current detection by the low-side current detection means are switched between the current driving and the current return of the linear solenoid drive circuit.
A sense MOSFET or the like is used as the high-side current detection means and the low-side current detection means provided as described above, but the amount of heat generation is smaller than when current detection is performed using a shunt resistor, and a current is passed. In this case, the voltage drop is small and high efficiency can be achieved.
In addition, the linear solenoid used for the hydraulic control of the ECB system has a great influence on the brake feeling due to its drive control, so high-precision drive control is desired. However, when a sense MOSFET is used as the current detection means Since the temperature dependency is less than that of the shunt resistor, the drive control of the linear solenoid can be made highly accurate, and the feeling during braking can be improved.
In addition, by setting a threshold value for the detected current value, it is possible to provide the drive circuit with functions for detecting disconnection and overcurrent in the circuit.
また、請求項3記載のごとく、前記リニアソレノイド駆動回路におけるデッドタイム期間中、電流検出出力を保持する出力保持手段を有する。
これにより、ハイサイド電流検出手段およびローサイド電流検出手段により検出された電流検出波形の歪を小さくすることができる。
そして、ECBのブレーキ制御に与える影響が少なくなって、高精度な電流検出を行うことができ、ブレーキの操作フィーリングを向上することが可能となる。
According to a third aspect of the present invention, there is provided output holding means for holding a current detection output during a dead time period in the linear solenoid drive circuit.
Thereby, distortion of the current detection waveform detected by the high side current detection means and the low side current detection means can be reduced.
Further, the influence on ECB brake control is reduced, current detection can be performed with high accuracy, and the operation feeling of the brake can be improved.
本発明によれば、シャント抵抗を用いて電流検出を行う場合に比べて発熱量が少なくなり、また、電流を流した場合の電圧降下が小さくて高効率化を図ることもできる。
また、シャント抵抗に比べて温度依存性が少ないため、リニアソレノイドの駆動制御を高精度化することができ、ブレーキ操作時のフィーリング向上を図ることが可能となる。
According to the present invention, compared with the case where current detection is performed using a shunt resistor, the amount of heat generation is reduced, and the voltage drop when a current is passed is small, so that high efficiency can be achieved.
Further, since the temperature dependency is less than that of the shunt resistor, the drive control of the linear solenoid can be made highly accurate, and the feeling during braking can be improved.
次に、本発明を実施するための形態を、添付の図面を用いて説明する。 Next, modes for carrying out the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
図1に示すリニアソレノイド駆動回路Cは、リニアソレノイド1をPWM駆動するための回路であり、ハイサイド駆動信号が入力されるハイサイドスイッチング素子2と、ローサイド駆動信号が入力されるローサイドスイッチング素子3とを備えている。
リニアソレノイド1は、ECB(Electronicaly Controled Brake)システムにおける油圧制御用のリニアソレノイドである。
A linear solenoid drive circuit C shown in FIG. 1 is a circuit for PWM driving the linear solenoid 1, and includes a high-
The linear solenoid 1 is a linear solenoid for hydraulic control in an ECB (Electronically Controlled Break) system.
ハイサイドスイッチング素子2は、ハイサイド駆動信号によりPWM制御時には常時オンしており、ローサイドスイッチング素子3にはローサイド駆動信号としてPWM信号が入力されており、リニアソレノイド1に流れる電流をデューティーコントロールして、PWM制御するように構成している。
The high-
なお、本例では、ハイサイドスイッチング素子2は、P−chMOSFETにて構成され、ローサイドスイッチング素子3はN−chMOSFETにて構成されている。
また、リニアソレノイド駆動回路Cにおいては、ハイサイドスイッチング素子2に対して並列に電流検出回路4が設けられている。
In this example, the high
In the linear solenoid drive circuit C, a
このように構成されるリニアソレノイド駆動回路Cでは、PWM信号のオン時(ローサイドスイッチング素子3のオン時)には、電源6から、オン状態のハイサイドスイッチング素子2、リニアソレノイド1、およびローサイドスイッチング素子3の順に電流が流れる。
また、PWM信号のオフ時(ローサイドスイッチング素子3のオフ時)には、ハイサイドスイッチング素子2、リニアソレノイド1、およびリニアソレノイド駆動回路C内に設けられる還流ダイオード5の間で電流が還流するように構成している。
In the linear solenoid drive circuit C configured as described above, when the PWM signal is on (when the low-
Further, when the PWM signal is turned off (when the low-
このように、リニアソレノイド駆動回路Cでは、PWM信号がオンのときとオフのときの両方で、ハイサイドスイッチング素子2がオン状態になっており、該ハイサイドスイッチング素子2に流れる電流を電流検出回路4により検出するようにしている。
電流検出回路4は、例えばセンサMOSFETにて構成されており、ハイサイドスイッチング素子2に流れている電流に比例した小電流を電流検出回路4に流し、その流した電流を電圧に変換して出力するようにしている。
電流検出回路4からの電流検出値は、制御装置7に出力され、リニアソレノイド1の駆動制御にフィードバックされる。
As described above, in the linear solenoid drive circuit C, the high-
The
The detected current value from the
センスMOSFET等を用いる前記電流検出回路4は、シャント抵抗を用いて電流検出を行う場合に比べて発熱量が少なくなり、また、電流を流した場合の電圧降下が小さくて高効率化を図ることもできる。
また、ECBシステムの油圧制御用に用いられるリニアソレノイド1は、その駆動制御によりブレーキフィーリングに大きな影響を与えるため、高精度な駆動制御が望まれるが、電流検出回路4にセンスMOSFETを用いた場合、シャント抵抗に比べて温度依存性が少ないため、リニアソレノイド1の駆動制御を高精度化することができ、ブレーキ操作時のフィーリング向上を図ることが可能となる。
The
In addition, the linear solenoid 1 used for hydraulic control of the ECB system has a great influence on the brake feeling due to the drive control, and therefore high-precision drive control is desired. However, a sense MOSFET is used for the
また、電流検出回路4にセンスMOSFETを用いた場合、電流検出回路4による検出電流値から、センスMOSFETとハイサイドスイッチング素子2とのサイズ比に基づいて、リニアソレノイド1に流れる電流値を求めることができる。
従って、検出電流値に閾値を設定することにより、回路中の断線検出や過電流検出の機能をリニアソレノイド駆動回路Cに備えさせることが可能となる。
Further, when a sense MOSFET is used for the
Therefore, by setting a threshold value for the detected current value, it is possible to provide the linear solenoid drive circuit C with functions for detecting disconnection and overcurrent in the circuit.
また、前記リニアソレノイド駆動回路CはICチップ10の中に構成されており、一つのICチップ10内に複数のリニアソレノイド駆動回路Cを組み込むことも可能である。
このように、複数のリニアソレノイド駆動回路Cを一つのICチップ10内に組み込むことで、1系統に複数のリニアソレノイド1が用いられるECBの場合、リニアソレノイド1間における駆動制御の精度向上を図ることができる。
The linear solenoid drive circuit C is configured in the
In this way, by incorporating a plurality of linear solenoid drive circuits C into one
次に、リニアソレノイド駆動回路Cの第二の実施形態について説明する。
図2に示すリニアソレノイド駆動回路Cは、図1に示した第一の実施形態における駆動回路Cの還流ダイオード5を、MOSFET等で構成される還流用スイッチング素子8に置き換えるとともに、ローサイドスイッチング素子3がオン状態にある駆動時と、ローサイドスイッチング素子3がオフ状態にある還流時とを切り換える際に貫通電流が流れないようにするデッドタイムを生成するための貫通防止駆動信号生成回路9を設けたものである。
Next, a second embodiment of the linear solenoid drive circuit C will be described.
The linear solenoid drive circuit C shown in FIG. 2 replaces the
本例のリニアソレノイド駆動回路Cにおいては、ローサイドスイッチング素子3がオフされる還流時に還流用スイッチング素子8がオン状態となって、ハイサイドスイッチング素子2、リニアソレノイド1、および還流用スイッチング素子8の間で電流が還流することとなる。
MOSFET等のスイッチング素子は、ダイオードに比べて順方向電圧降下が小さいため、本例のリニアソレノイド駆動回路Cでは、図1のリニアソレノイド駆動回路Cが有する効果も備えつつ、図1のリニアソレノイド駆動回路Cよりも還流時の電圧ロスを低減することが可能となっている。
In the linear solenoid drive circuit C of this example, the
Since a switching element such as a MOSFET has a smaller forward voltage drop than a diode, the linear solenoid drive circuit C of this example has the effects of the linear solenoid drive circuit C of FIG. Compared with the circuit C, it is possible to reduce the voltage loss during reflux.
なお、リニアソレノイド駆動回路Cの駆動制御におけるデッドタイム時には、ローサイドスイッチング素子3および還流用スイッチング素子8の両方がオフ状態になるが、還流用スイッチング素子8には寄生ダイオード8aが設けられているため、還流電流がカットされることはない。
During the dead time in the drive control of the linear solenoid drive circuit C, both the low-
また、還流用スイッチング素子8がオンしているときと、寄生ダイオード8aに電流が流れているときとでは、電流検出回路4により検出される検出電流の波形が不連続になるが、PWM制御周期に対するデッドタイムの長さを短くしたり、電流検出回路4により電流検出を行う際のサンプリング時期を考慮したりする(例えば、PWM駆動信号のオン・オフの切り換えタイミングは制御装置7が認知しているので、そのタイミングを外してサンプリングを行う)ことで、その影響を受けないようにすることができる。
さらに、他の例として、例えば公知のサンプルホールド回路47を電流検出出力の出力保持手段として用いて、デッドタイム期間直前のサンプル値をデッドタイム期間中ホールドして、ホールドしたサンプル値をデッドタイム期間中のサンプル値として用い、デッドタイム中の実際のサンプル値を無視することで、影響を受けないようにすることもできる。
Further, the waveform of the detected current detected by the
Furthermore, as another example, for example, a known
また、リニアソレノイド駆動回路Cにおけるハイサイドスイッチング素子2をN−ch MOSFETに構成して、該リニアソレノイド駆動回路Cにチャージポンプを加えた構成でも図1における実施形態と同様の効果を奏することができる。
さらに、リニアソレノイド駆動回路Cにおける電流検出回路4をローサイドスイッチング素子3側に設ける構成とすることも可能である。
Further, even when the high-
Further, the
次に、リニアソレノイド駆動回路Cの第三の実施形態について説明する。
図3に示すリニアソレノイド駆動回路Cは、駆動信号生成回路50にて生成されたハイサイド駆動信号が入力される前記ハイサイドスイッチング素子2と、同じく駆動信号生成回路50にて生成されたローサイド駆動信号が入力される前記ローサイドスイッチング素子3とを備えた、リニアソレノイド1のリニアソレノイド駆動回路であり、該ハイサイドスイッチング素子2に対して並列にハイサイド電流検出回路41が設けられるとともに、ローサイドスイッチング素子3に対して並列にローサイド電流検出回路42が設けられている。
Next, a third embodiment of the linear solenoid drive circuit C will be described.
The linear solenoid drive circuit C shown in FIG. 3 includes the high-
ハイサイド電流検出回路41はハイサイドスイッチング素子2に流れる電流を検出可能であり、ローサイド電流検出回路42はローサイドスイッチング素子3に流れる電流の検出可能である。
また、ハイサイド電流検出回路41およびローサイド電流検出回路42は、例えば、センサMOSFETにて構成されており、ハイサイドスイッチング素子2およびローサイドスイッチング素子3に流れている電流に比例した小電流を、それぞれハイサイド電流検出回路41およびローサイド電流検出回路42に流し、その流した電流を電圧に変換して出力するようにしている。
ハイサイド電流検出回路41による電流検出値およびローサイド電流検出回路42による電流検出値は、検出切り換え装置45に入力される。
The high side
The high-side
The current detection value by the high side
そして、検出切り換え装置45では、リニアソレノイド駆動回路CのPWM入力信号に同期して、駆動時と還流時とで、ハイサイド電流検出回路2による電流検出値と、ローサイド電流検出回路3による電流検出値とを切り換えて、制御装置7へ出力するようにしている。
例えば、駆動時にはローサイド電流検出回路3側の電流検出値を選択して出力し、還流時にはハイサイド電流検出回路2側の電流検出値を選択して出力するようにしている。
このように構成される図3に示すリニアソレノイド駆動回路Cも、図1のリニアソレノイド駆動回路Cが有する効果と同様の効果を奏することができる。
In the
For example, the current detection value on the low side
The linear solenoid drive circuit C shown in FIG. 3 configured as described above can achieve the same effect as the effect of the linear solenoid drive circuit C shown in FIG.
また、図3に示すリニアソレノイド駆動回路Cでは、PWM入力信号のオン・オフ切り換え時に、ハイサイドスイッチング素子2とローサイドスイッチング素子3とが同時にオンして貫通電流が流れることを防ぐために、ハイサイドスイッチング素子2およびローサイドスイッチング素子3の両方がオフする時間、即ちデッドタイムを、デジタルタイマーやアナログタイマー等により設定している(図4の「デッドタイム設定内部信号」を参照)。
Further, in the linear solenoid drive circuit C shown in FIG. 3, the high
一方、制御装置7へ出力される電流検出出力は、PWM入力信号のオン・オフ切り換えに同期して、ハイサイド電流検出回路2側の電流検出値と、ローサイド電流検出回路3側の電流検出値とが切り換えられるが、PWM入力信号の切り換えの過渡期にあたるデッドタイムが設定されているタイミングでは、ハイサイドスイッチング素子2およびローサイドスイッチング素子3がともにオフ状態となっているため、電流検出値が正常に検出できず、スパイクノイズNが発生することとなる(図4の「電流検出出力(保持無し)」を参照)。
制御装置7に入力される電流検出値に、このようなノイズNが発生して電流検出波形に歪が生ずると、特にECBのブレーキ制御に高精度な制御が求められている近年においては、ブレーキ制御に悪影響を与え、ブレーキの操作フィーリングが悪化する原因となってしまう。
On the other hand, the current detection output outputted to the
When such a noise N occurs in the current detection value input to the
そこで、本リニアソレノイド駆動回路Cにおいては、ハイサイド電流検出回路2およびローサイドスイッチング素子3の電流検出波形が変化するタイミングがPWM入力信号のオン・オフに同期することから、例えば電流検出出力の出力保持手段である公知のサンプルホールド回路47により、PWM入力信号のオン・オフが切り換わった時点での電流検出値を、PWM入力信号のオン・オフが切り換わった時点からデッドタイム期間Tdが経過するまでの間保持し、デットタイム期間Td経過後に保持状態を解除するようにしている(図4の「電流検出出力(保持有り)」を参照)。
Therefore, in this linear solenoid drive circuit C, the timing at which the current detection waveforms of the high-side
このように、電流検出波形にノイズNが発生するデットタイム期間Tdに、PWM入力信号のオン・オフが切り換わった時点での電流検出値を保持して、保持した電流検出値をデットタイム期間中のサンプル値として用いることで、電流検出波形の歪を小さくすることができる。
これにより、ECBのブレーキ制御に与える影響が少なくなって、高精度な電流検出を行うことができ、ブレーキの操作フィーリングを向上することが可能となる。
In this way, the current detection value at the time when the PWM input signal is switched on / off is held in the dead time period Td in which noise N occurs in the current detection waveform, and the held current detection value is used as the dead time period. By using it as the sample value in the middle, the distortion of the current detection waveform can be reduced.
Thereby, the influence on the brake control of the ECB is reduced, current detection can be performed with high accuracy, and the operation feeling of the brake can be improved.
C リニアソレノイド駆動回路
1 リニアソレノイド
2 ハイサイドスイッチング素子
3 ローサイドスイッチング素子
4 電流検出回路
5 還流ダイオード
C Linear Solenoid Drive Circuit 1
Claims (3)
該ハイサイドスイッチング素子およびローサイドスイッチング素子の少なくとも何れか一方のスイッチング素子に対して、並列に電流検出手段を設け、
該リニアソレノイド駆動回路の電流駆動時および電流還流時に、前記電流検出手段が設けられた側のスイッチング素子に流れる電流の検出を可能とすることを特徴とするリニアソレノイド駆動回路。 In a linear solenoid drive circuit including a high side switching element to which a high side drive signal is input and a low side switching element to which a low side drive signal is input,
A current detection means is provided in parallel to at least one of the high-side switching element and the low-side switching element,
A linear solenoid drive circuit capable of detecting a current flowing through a switching element on the side provided with the current detection means at the time of current driving and current return of the linear solenoid drive circuit.
該ハイサイドスイッチング素子に対して並列にハイサイド電流検出手段を設けるとともに、ローサイドスイッチング素子に対して並列にローサイド電流検出手段を設け、
該ハイサイド電流検出手段およびローサイド電流検出手段により、それぞれハイサイドスイッチング素子およびローサイドスイッチング素子に流れる電流の検出を可能とし、
該リニアソレノイド駆動回路の電流駆動時と電流還流時とで、ハイサイド電流検出手段による電流検出と、ローサイド電流検出手段による電流検出とが切り換えられることを特徴とするリニアソレノイド駆動回路。 In a linear solenoid drive circuit including a high side switching element to which a high side drive signal is input and a low side switching element to which a low side drive signal is input,
A high side current detecting means is provided in parallel to the high side switching element, and a low side current detecting means is provided in parallel to the low side switching element,
The high-side current detection means and the low-side current detection means enable detection of currents flowing through the high-side switching element and the low-side switching element, respectively.
A linear solenoid drive circuit, wherein the current detection by the high-side current detection means and the current detection by the low-side current detection means are switched between current drive and current return of the linear solenoid drive circuit.
The linear solenoid drive circuit according to claim 2, further comprising output holding means for holding a current detection output during a dead time period in the linear solenoid drive circuit.
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Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009064396A (en) * | 2007-09-10 | 2009-03-26 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | Differential amplification circuit and current controller |
JP2011205337A (en) * | 2010-03-25 | 2011-10-13 | Mitsubishi Electric Corp | Current control device for electric load |
WO2012002100A1 (en) | 2010-06-28 | 2012-01-05 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | Current control semiconductor device and control apparatus using same |
EP2568593A2 (en) | 2011-09-06 | 2013-03-13 | Hitachi Automotive Systems, Ltd. | Current regulator |
CN103080863A (en) * | 2010-08-31 | 2013-05-01 | 日立汽车系统株式会社 | Semiconductor element for current control, and control device using same |
WO2015004951A1 (en) * | 2013-07-10 | 2015-01-15 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | Current detection circuit and current control apparatus |
JP2015029232A (en) * | 2013-07-30 | 2015-02-12 | 株式会社デンソー | Pwm control device and pwm control method for the same |
WO2015045506A1 (en) * | 2013-09-25 | 2015-04-02 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | Load driving current detection device |
JP2016192695A (en) * | 2015-03-31 | 2016-11-10 | 株式会社デンソー | Inductive load drive unit |
JP2016192327A (en) * | 2015-03-31 | 2016-11-10 | 株式会社日本自動車部品総合研究所 | Relay system |
WO2017057682A1 (en) * | 2015-09-30 | 2017-04-06 | アイシン・エィ・ダブリュ株式会社 | Drive device |
GB2557973A (en) * | 2016-12-21 | 2018-07-04 | Conti Temic Microelectronic Gmbh | Solenoid Device |
DE112018002348T5 (en) | 2017-06-19 | 2020-01-23 | Hitachi Automotive Systems, Ltd. | SEMICONDUCTOR COMPONENT |
WO2021070495A1 (en) * | 2019-10-11 | 2021-04-15 | 富士電機株式会社 | Switching control circuit, drive control device, and switching control method |
-
2005
- 2005-01-19 JP JP2005011337A patent/JP2006203415A/en active Pending
Cited By (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009064396A (en) * | 2007-09-10 | 2009-03-26 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | Differential amplification circuit and current controller |
JP2011205337A (en) * | 2010-03-25 | 2011-10-13 | Mitsubishi Electric Corp | Current control device for electric load |
WO2012002100A1 (en) | 2010-06-28 | 2012-01-05 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | Current control semiconductor device and control apparatus using same |
US8653601B2 (en) | 2010-06-28 | 2014-02-18 | Hitachi Automotive Systems, Ltd. | Current control semiconductor element and control device using the same |
CN103080863A (en) * | 2010-08-31 | 2013-05-01 | 日立汽车系统株式会社 | Semiconductor element for current control, and control device using same |
CN103080863B (en) * | 2010-08-31 | 2014-10-22 | 日立汽车系统株式会社 | Semiconductor element for current control, and control device using same |
EP2568593A2 (en) | 2011-09-06 | 2013-03-13 | Hitachi Automotive Systems, Ltd. | Current regulator |
CN102981538A (en) * | 2011-09-06 | 2013-03-20 | 日立汽车系统株式会社 | Current regulator |
JP2013055620A (en) * | 2011-09-06 | 2013-03-21 | Hitachi Automotive Systems Ltd | Current control device |
WO2015004951A1 (en) * | 2013-07-10 | 2015-01-15 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | Current detection circuit and current control apparatus |
JP2015019229A (en) * | 2013-07-10 | 2015-01-29 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | Current detection circuit and current control device |
JP2015029232A (en) * | 2013-07-30 | 2015-02-12 | 株式会社デンソー | Pwm control device and pwm control method for the same |
WO2015045506A1 (en) * | 2013-09-25 | 2015-04-02 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | Load driving current detection device |
JPWO2015045506A1 (en) * | 2013-09-25 | 2017-03-09 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | Load drive current detection device |
JP2016192695A (en) * | 2015-03-31 | 2016-11-10 | 株式会社デンソー | Inductive load drive unit |
JP2016192327A (en) * | 2015-03-31 | 2016-11-10 | 株式会社日本自動車部品総合研究所 | Relay system |
US11152782B2 (en) | 2015-09-30 | 2021-10-19 | Aisin Aw Co., Ltd. | Drive device |
WO2017057682A1 (en) * | 2015-09-30 | 2017-04-06 | アイシン・エィ・ダブリュ株式会社 | Drive device |
GB2557973A (en) * | 2016-12-21 | 2018-07-04 | Conti Temic Microelectronic Gmbh | Solenoid Device |
DE112018002348T5 (en) | 2017-06-19 | 2020-01-23 | Hitachi Automotive Systems, Ltd. | SEMICONDUCTOR COMPONENT |
US11145646B2 (en) | 2017-06-19 | 2021-10-12 | Hitachi Automotive Systems, Ltd. | Semiconductor device |
DE112018002348B4 (en) | 2017-06-19 | 2023-01-19 | Hitachi Astemo, Ltd. | Semiconductor device with output MOS transistor and sense MOS transistor |
WO2021070495A1 (en) * | 2019-10-11 | 2021-04-15 | 富士電機株式会社 | Switching control circuit, drive control device, and switching control method |
JPWO2021070495A1 (en) * | 2019-10-11 | 2021-04-15 | ||
JP7099643B2 (en) | 2019-10-11 | 2022-07-12 | 富士電機株式会社 | Switching control circuit, drive control device and switching control method |
US12021441B2 (en) | 2019-10-11 | 2024-06-25 | Fuji Electric Co., Ltd. | Switching control circuit, drive control device, and switching control method |
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