JP2006196745A - Magnetic detector and its manufacturing method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、ハードディスク装置などに搭載される再生用の磁気検出素子に係り、特にシャントロスを大きくせずに、前記フリー磁性層1と前記保護層57との拡散を低減することができるため、磁気抵抗変化率(ΔR/R)の向上を図ることが可能な磁気検出素子、およびその製造方法に関する。
The present invention relates to a magnetic sensor for reproduction mounted on a hard disk device or the like, and in particular, can reduce the diffusion between the free
図9は従来における磁気検出素子A10の構造を記録媒体との対向面側から見た部分断面図である。 FIG. 9 is a partial sectional view of the structure of the conventional magnetic detection element A10 as viewed from the side facing the recording medium.
図9に示す符号14はTaなどの下地層であり、その上にPtMnなどの反強磁性層30が形成されている。あるいは、前記磁気検出素子A10では、前記下地層14と前記反強磁性層30との間にはNiFeCrやCrなどからなるシードレイヤが形成されている。あるいは、前記下地層14は形成されていない。
前記反強磁性層30の上には、磁性材料製の固定磁性層31が形成されている。あるいは、この固定磁性層31は、第1と第2の磁性層が非磁性中間層を介して積層された積層フェリピンド構造として構成されている。前記固定磁性層31の上にはCuなどで形成された非磁性材料層32が形成され、さらに前記非磁性材料層32の上には、Co,CoFe,NiFeなどの磁性材料で形成されたフリー磁性層33が形成されている。
A pinned
図9に示すように、前記フリー磁性層33の上にはTaなどの金属層で形成された保護層37が形成されている。
As shown in FIG. 9, a
前記下地層14から保護層37までの各層のトラック幅方向(図示X1−X2方向)の両側には、ハードバイアス層35が形成され、前記ハードバイアス層35の上には電極層38が形成されている。
A
この形態の磁気検出素子では、前記固定磁性層31の磁化は、前記反強磁性層30との間で発生する交換結合磁界によってハイト方向(図示Y2方向)に固定されている。
In the magnetic sensing element of this embodiment, the magnetization of the pinned
一方、前記フリー磁性層33は、ハードバイアス層35から供給される縦バイアス磁界により、トラック幅方向の図示右方向(図示X方向)に、外部磁界に対し磁化回転できる程度に弱く単磁区化された状態にある。
On the other hand, the free
固定磁性層31の固定磁化方向と外部磁界の影響を受けるフリー磁性層33の磁化の方向との関係で、前記電極層38,38間に流れる電気抵抗が変化し、この電気抵抗値の変化に基づく電圧変化により、記録媒体からの外部信号が再生される。
Depending on the relationship between the fixed magnetization direction of the fixed
ここで、Taなどの金属層で形成された前記保護層37は、NiFeなどで形成された前記フリー磁性層33との間で拡散し易い。このように前記フリー磁性層33に前記保護層37が拡散すると、その拡散した部分の前記フリー磁性層33が磁性材料としての機能を喪失した層(デッドレイヤ)が発生し、前記フリー磁性層33が外部磁界に対して磁化回転し難くなってしまう。この結果、磁気検出素子A10の磁気抵抗変化率(ΔR/R)が劣化してしまう。特に、出力の増大や高記録密度化に伴って、近年は前記フリー磁性層33の膜厚が小さくなっている傾向があるが、前記フリー磁性層33の膜厚が小さい場合には、フリー磁性層33のうち前記デッドレイヤが占める割合が大きくなってしまい、磁気抵抗変化率の劣化が顕著になる。
Here, the
そのため、前記フリー磁性層33と前記保護層37とが拡散することを防止するため、前記保護層37自体を拡散し難い材質によって形成することが考えられる。
Therefore, in order to prevent the free
互いに上下の層同士の拡散を防止するための技術が開示されている技術文献としては、以下に示す特許文献1がある。
前記特許文献1の図26などに開示された磁気検出素子の拡散防止のための中間層として機能する非磁性膜77は、反強磁性層として機能する酸化物反強磁性膜45とフリー磁性層として機能する磁気抵抗効果膜40との間の酸素拡散を防止し、前記磁気抵抗効果膜40の抵抗変化率の劣化を防止するためのものであり、例えばRuやPtなどの各種金属を使用できることが開示されているが、前記保護層37と前記フリー磁性層33との間の拡散を防止するための機能を有するものではない。
The nonmagnetic film 77 functioning as an intermediate layer for preventing diffusion of the magnetic sensing element disclosed in FIG. 26 of
ここで、前記特許文献1に開示された前記非磁性膜77を、図9に示す前記磁気検出素子A10の前記フリー磁性層33と前記保護層37との間に設け、前記フリー磁性層33と前記保護層37との拡散を防止することも考えられる。この際、前記磁気検出素子A10は、前記フリー磁性層33がCo,CoFe,NiFeなどの磁性材料で形成され、前記保護層37がTaなどの金属で形成されていることから、前記フリー磁性層33と前記保護層37との間に形成される中間層としては、前記特許文献1に開示された非磁性膜77に使用される材料のうち、RuおよびPtなどの材料で中間層を形成すれば、前記フリー磁性層33と前記保護層37との拡散を適切に防止できる。
Here, the nonmagnetic film 77 disclosed in
しかし、中間層としてRuやPtなどの材料を使用すると、前記RuやPtは比抵抗が小さいため、前記電極層38,38間に電流が流れる際、中間層にもセンス電流が分流し、シャントロスが発生する。その結果、図9に示す前記磁気検出素子A10の抵抗変化率が劣化してしまうといった問題がある。
However, when a material such as Ru or Pt is used for the intermediate layer, since the specific resistance of Ru or Pt is small, when a current flows between the
本発明は前記従来の課題を解決するものであり、シャントロスを大きくせずに、前記フリー磁性層1と前記保護層57との拡散を低減することができるため、磁気抵抗変化率(ΔR/R)の向上を図ることができる磁気検出素子、およびその製造方法を提供するものである。
The present invention solves the above-described conventional problems, and can reduce the diffusion between the free
本発明は、反強磁性層と、前記反強磁性層に接して形成される固定磁性層と、前記固定磁性層に非磁性材料層を介して対向するフリー磁性層と、前記フリー磁性層に対向して形成される保護層と、を有する磁気検出素子において、
前記保護層は金属酸化物からなり、
前記フリー磁性層と前記保護層との間には、中間層が形成されていることを特徴とするものである。
The present invention provides an antiferromagnetic layer, a pinned magnetic layer formed in contact with the antiferromagnetic layer, a free magnetic layer facing the pinned magnetic layer via a nonmagnetic material layer, and the free magnetic layer. In a magnetic detection element having a protective layer formed oppositely,
The protective layer is made of a metal oxide,
An intermediate layer is formed between the free magnetic layer and the protective layer.
この場合、前記保護層は、Taの酸化物からなるものとして構成することができる。
この場合、前記保護層の膜厚は10Å〜60Åであるものとして構成することができる。
In this case, the protective layer can be formed of Ta oxide.
In this case, the protective layer can be configured to have a thickness of 10 to 60 mm.
また、前記中間層は、PtMnからなるものとして構成することができる。
この場合、前記中間層の膜厚は、2Å〜10Åであるものとして構成することができる。
The intermediate layer can be composed of PtMn.
In this case, the film thickness of the intermediate layer can be 2 to 10 mm.
また前記中間層は、RuまたはPtからなるものとして構成しても良い。
この場合、前記中間層の膜厚は、2Å〜10Åであるものとして構成することができる。
The intermediate layer may be made of Ru or Pt.
In this case, the film thickness of the intermediate layer can be 2 to 10 mm.
また、前記フリー磁性層は、非磁性中間層を介して第1磁性材料層と第2磁性材料層とが積層された積層フェリ構造であるものとして構成することが好ましい。 The free magnetic layer is preferably configured as a laminated ferrimagnetic structure in which a first magnetic material layer and a second magnetic material layer are laminated via a nonmagnetic intermediate layer.
前記した磁気検出素子では、前記中間層が、前記フリー磁性層と前記保護層との拡散を防止する層であるものとして機能する。 In the magnetic detection element described above, the intermediate layer functions as a layer that prevents diffusion of the free magnetic layer and the protective layer.
また、本発明の磁気検出素子の製造方法は、以下の工程を有することを特徴とするものである。
(a)反強磁性層と、前記反強磁性層に接して形成される固定磁性層と、非磁性材料層を介して対向するフリー磁性層と、中間層と、金属材料からなる保護層とを積層し、このとき前記中間層が前記フリー磁性層と保護層との間に位置するように形成する工程と、(b)前記保護層を自然酸化して、前記保護層の全体を金属酸化物とする工程。
In addition, the method for manufacturing a magnetic detection element according to the present invention includes the following steps.
(A) an antiferromagnetic layer, a pinned magnetic layer formed in contact with the antiferromagnetic layer, a free magnetic layer opposed via a nonmagnetic material layer, an intermediate layer, and a protective layer made of a metal material, A step of forming the intermediate layer so that the intermediate layer is located between the free magnetic layer and the protective layer, and (b) natural oxidation of the protective layer and metal oxidation of the entire protective layer. The process of making things.
この場合、前記(a)工程で、前記保護層をTaで形成するものとして構成することができる。 In this case, the protective layer may be formed of Ta in the step (a).
この場合、前記(a)工程で、前記保護層を5Å〜15Åの膜厚で形成することができる。 In this case, in the step (a), the protective layer can be formed with a thickness of 5 to 15 mm.
また、前記(b)工程で、前記保護層をTa−Oへと自然酸化することが好ましい。
この場合、前記(b)工程で、前記保護層をTa−Oへと自然酸化して、膜厚を10Å〜60Åとすることができる。
In the step (b), it is preferable that the protective layer is naturally oxidized to Ta-O.
In this case, in the step (b), the protective layer can be naturally oxidized to Ta-O, so that the film thickness can be 10 to 60 mm.
また、前記(a)工程で、前記中間層をPtMnで形成するものとして構成することができる。 In the step (a), the intermediate layer can be formed of PtMn.
この場合、前記(a)工程で、前記中間層の膜厚を、2Å〜10Åで形成するものとして構成することができる。 In this case, in the step (a), the intermediate layer can be formed to have a thickness of 2 to 10 mm.
また、前記(a)工程で、前記中間層をRuまたはPtで形成するものとして構成しても良い。 In the step (a), the intermediate layer may be formed of Ru or Pt.
この場合、前記(a)工程で、前記中間層の膜厚を、2Å〜10Åで形成するものとして構成することができる。 In this case, in the step (a), the intermediate layer can be formed to have a thickness of 2 to 10 mm.
また、前記(a)工程で、前記フリー磁性層を、非磁性中間層を介して第1磁性材料層と第2磁性材料層とが積層された積層フェリ構造で形成するものとして構成することが好ましい。 In the step (a), the free magnetic layer may be formed in a laminated ferrimagnetic structure in which a first magnetic material layer and a second magnetic material layer are laminated via a nonmagnetic intermediate layer. preferable.
本発明の磁気検出素子では、フリー磁性層の上に形成される保護層の拡散を抑制して磁気抵抗変化率の劣化を抑制するために、前記保護層を金属酸化物で形成し、さらに両者の拡散を効果的に抑制するために、前記フリー磁性層と前記保護層との間に、中間層を形成している。したがって、拡散防止効果を効果的に達成することが可能となるとともに、シャントロスの低減を図ることができるため、磁気抵抗変化率(ΔR/R)の向上を図ることができる。 In the magnetic sensing element of the present invention, in order to suppress the diffusion of the protective layer formed on the free magnetic layer and suppress the deterioration of the magnetoresistance change rate, the protective layer is formed of a metal oxide, and both In order to effectively suppress the diffusion of the intermediate layer, an intermediate layer is formed between the free magnetic layer and the protective layer. Accordingly, it is possible to effectively achieve the diffusion preventing effect and to reduce the chantroth, so that the magnetoresistance change rate (ΔR / R) can be improved.
図1は、本発明における第1実施形態の磁気検出素子を、記録媒体との対向面から見た部分断面図である。なお、図1ではトラック幅方向(図示X1−X2方向)に延びる素子の中央部分のみを破断して示している。 FIG. 1 is a partial cross-sectional view of a magnetic detection element according to a first embodiment of the present invention as viewed from a surface facing a recording medium. In FIG. 1, only the central portion of the element extending in the track width direction (the X1-X2 direction in the drawing) is shown in a cutaway manner.
図1に示す磁気検出素子A1は、スピンバルブ型磁気抵抗効果素子と呼ばれるものであり、ハードディスク装置に設けられた浮上式スライダのトレーリング側端部などに設けられて、ハードディスクなどの記録磁界を検出するものである。なお、ハードディスクなどの磁気記録媒体の移動方向は図示Z方向であり、磁気記録媒体からの漏れ磁界の方向はY方向である。 The magnetic detection element A1 shown in FIG. 1 is a so-called spin valve magnetoresistive effect element, and is provided at the trailing side end of a floating slider provided in a hard disk device, so that a recording magnetic field of a hard disk or the like is generated. It is to detect. The moving direction of a magnetic recording medium such as a hard disk is the Z direction in the figure, and the direction of the leakage magnetic field from the magnetic recording medium is the Y direction.
図1の最も下に形成されているのはTa,Hf,Nb,Zr,Ti,Mo,Wのうち1種または2種以上の元素などの非磁性材料で形成された下地層6である。なお、前記下地層6は形成されていなくても良い。
The lowermost layer in FIG. 1 is an
前記下地層6の上には、シードレイヤ22が形成されている。前記シードレイヤ22を形成することで、前記シードレイヤ22上に形成される各層の膜面と平行な方向における結晶粒径を大きくでき、耐エレクトロマイグレーションの向上に代表される通電信頼性の向上や磁気抵抗変化率(ΔR/R)の向上などをより適切に図ることができる。
A
前記シードレイヤ22はNiFeCr合金やCrなどで形成される。
前記シードレイヤ22の上に形成された反強磁性層4は、元素X(ただしXは、Pt,Pd,Ir,Rh,Ru,Osのうち1種または2種以上の元素である)とMnとを含有する反強磁性材料で形成されることが好ましい。
The
The
これら白金族元素を用いたX−Mn合金は、耐食性に優れ、またブロッキング温度も高く、さらに交換結合磁界(Hex)を大きくできるなど反強磁性材料として優れた特性を有している。特に白金族元素のうちPtを用いることが好ましく、例えば二元系で形成されたPtMn合金を使用することができる。 X-Mn alloys using these platinum group elements have excellent properties as antiferromagnetic materials, such as excellent corrosion resistance, a high blocking temperature, and a large exchange coupling magnetic field (Hex). Among platinum group elements, it is particularly preferable to use Pt. For example, a PtMn alloy formed in a binary system can be used.
また本発明では、前記反強磁性層4は、元素Xと元素X′(ただし元素X′は、Ne,Ar,Kr,Xe,Be,B,C,N,Mg,Al,Si,P,Ti,V,Cr,Fe,Co,Ni,Cu,Zn,Ga,Ge,Zr,Nb,Mo,Ag,Cd,Sn,Hf,Ta,W,Re,Au,Pb、及び希土類元素のうち1種または2種以上の元素である)とMnとを含有する反強磁性材料で形成されてもよい。
In the present invention, the
前記反強磁性層4の上に形成されている固定磁性層3は、前記反強磁性層4との界面4aと接する第1の磁性層13、および前記第1の磁性層13上に非磁性中間層12を介して形成された第2の磁性層11とで構成された、積層フェリピンド構造として構成されている。
The pinned
前記固定磁性層3の上には非磁性材料層2が形成されている。前記非磁性材料層2は、例えばCuで形成されている。
A
さらに前記非磁性材料層2の上にはフリー磁性層1が形成される。前記磁気検出素子A1では、前記フリー磁性層1は1層構造で形成されている。
Further, a free
前記フリー磁性層1の上には、中間層50が形成され、この中間層50の上には、Ta−Oなどからなる保護層57が形成されている。
An
図1に示す磁気検出素子A1では、前記下地層6から保護層57までの積層膜のトラック幅方向の両側にハードバイアス層5,5及び電極層8,8が形成されている。
In the magnetic detection element A1 shown in FIG. 1, hard bias layers 5 and 5 and
前記ハードバイアス層5,5は、例えばCo−Pt(コバルト−白金)合金やCo−Cr−Pt(コバルト−クロム−白金)合金などで形成されており、電極層8,8は、α−Ta、Au、Ru、Rh、Cr、Cu(銅)やW(タングステン)などで形成されている。 The hard bias layers 5 and 5 are made of, for example, a Co—Pt (cobalt-platinum) alloy or a Co—Cr—Pt (cobalt-chromium-platinum) alloy, and the electrode layers 8 and 8 are made of α-Ta. , Au, Ru, Rh, Cr, Cu (copper), W (tungsten) and the like.
図1に示すように、前記磁気検出素子A1では、前記フリー磁性層1の上に中間層50が形成されている。そして、前記中間層50の上に、金属酸化物で形成される保護層57が形成されている。
As shown in FIG. 1, in the magnetic detection element A <b> 1, an
前記中間層50は、例えばPtMn、またはRu、あるいはPtで形成されており、膜面に垂直方向における膜厚が、2Å〜10Åで形成することができる。前記中間層50が前記膜厚の範囲よりも大きく形成されても良いが、前記中間層50がPtMnで形成されている場合、膜厚が50Åよりも大きくなると、前記中間層50を形成するPtMnに反強磁性が生じてしまうこととなり、前記フリー磁性層1との間で交換結合磁界を生じてしまうため、前記中間層50がPtMnで形成されている場合には、前記膜厚が50Åで形成されることが好ましい。前記中間層50をPtMnで形成した場合、膜厚を20Åよりも小さく形成すると、前記中間層50に反強磁性が生じることを確実に防止できるため、さらに好ましい。
The
前記保護層57は金属酸化物、例えばTa−Oで形成されており、その膜厚は10Å〜60Åで形成されている。
The
ここで、前記保護層57が例えばTaなどの純金属で形成されている場合、NiFeなどの磁性材料で形成された前記フリー磁性層1に接触して形成されていると、前記保護層57と前記フリー磁性層1とが拡散し易い。このように前記フリー磁性層1と前記保護層57とが拡散すると、その拡散した部分において、前記フリー磁性層1の磁性を有する部分が消失し、磁性材料としての機能を喪失した層(デッドレイヤ)が発生してしまう。このようにデッドレイヤが発生すると、前記フリー磁性層1が外部磁界に対して磁化回転し難くなってしまい、この結果、磁気検出素子A1の磁気抵抗変化率(ΔR/R)が劣化してしまう。特に、出力の増大や高記録密度化に伴って、近年は前記フリー磁性層1の膜厚が薄くなっている傾向があるが、前記フリー磁性層1の膜厚が薄い場合には、フリー磁性層1のうち前記デッドレイヤが占める割合が大きくなってしまい、磁気抵抗変化率の劣化が顕著になる。
Here, when the
しかし本願発明では、前記フリー磁性層1の上方に形成される前記保護層57をTa−Oなどの金属酸化物で形成し、さらにこの保護層57と前記フリー磁性層1との間に、前記中間層50が形成されているため、前記フリー磁性層1と前記保護層57との拡散を効果的に抑制することができる。
However, in the present invention, the
ここで、前記保護層57を、金属酸化物である例えばTa−Oで形成した場合、金属であるTaで形成した場合と比較して、前記フリー磁性層1と前記保護層57との拡散を抑制することは可能である。これは、前記保護層57が酸化物であるTa−Oで形成されていると、拡散し易いTa原子が、O原子と化合しているため、Ta原子が酸素原子から離れて前記フリー磁性層1まで移動し難くなるためである。
Here, when the
しかし、前記保護層57をTa−Oなどの酸化物で形成した場合であっても、この保護層57を前記フリー磁性層1の上に接した状態で形成すると、後記する実験結果に示すように、磁気抵抗変化率(ΔR/R)を飛躍的に大きくすることができない。特に、近年の高記録密度化に伴って、前記フリー磁性層1の膜厚は小さくなっているが、前記保護層57を前記フリー磁性層1の上に接した状態で形成した場合には、フリー磁性層1の膜厚が小さくなると、磁気抵抗変化率(ΔR/R)の低下が著しく、磁気検出特性の向上を図ることはできない。
However, even when the
また前記フリー磁性層1と前記固定磁性層3の結合磁界Hin(A/m)を小さくすることができず、磁気検出特性の向上を図るには不十分である。
Further, the coupling magnetic field Hin (A / m) between the free
なお、前記結合磁界Hin(A/m)は小さいほど磁気特性の向上が図られ、一般的に数百(A/m)以下の値となるように設計することが磁気特性の向上を図る上で好ましい。 Note that the smaller the coupling magnetic field Hin (A / m), the better the magnetic characteristics. In general, designing the magnetic field Hin (A / m) to have a value of several hundreds (A / m) or less will improve the magnetic characteristics. Is preferable.
これは、前記保護層57を金属酸化物で形成しただけでは、前記保護層57と前記フリー磁性層1との拡散を効果的に抑制することができず、前記フリー磁性層1の上に直接前記保護層57を接した状態で形成すると、両者の間で拡散が生じているためと考えられる。特に、保護層57に含まれるO(酸素)原子が前記フリー磁性層1へ拡散している場合が多いものと考えられる。
This is because diffusion of the
したがって、本願発明の前記磁気検出素子A4では、前記保護層57と前記フリー磁性層1との間に、前記中間層50を設けて磁気抵抗変化率(ΔR/R)の増加と前記結合磁界Hin(A/m)の大きさの減少を図り、磁気検出特性の向上を図っているのである。
Therefore, in the magnetic detection element A4 of the present invention, the
図3は、前記フリー磁性層1をCoFeおよびNiFeで形成し、このフリー磁性層中のNiFeの膜厚(横軸)と、磁気抵抗変化率(ΔR/R)との関係を測定した結果を示したグラフである。
FIG. 3 shows the result of measuring the relationship between the NiFe film thickness (horizontal axis) and the magnetoresistance change rate (ΔR / R) in which the free
図3において実線で示したグラフは前記フリー磁性層1の上に、PtMn(膜厚5Å)で形成された前記中間層50を積層し、この上に保護層57としてTa(膜厚50Å)を積層した比較例を示す。
In the graph shown by a solid line in FIG. 3, the
また、図3において破線で示したグラフは、前記フリー磁性層1の上に、PtMn(膜厚5Å)で形成された前記中間層50を積層し、この上に保護層57としてTa−O(膜厚20Å)を積層した実施例を示す。
In the graph shown by a broken line in FIG. 3, the
なお、図3では、比較例1および2、実施例1および実施例2について測定を行っているが、この2つの比較例1および2の膜構成は同じであり、また2つの実施例1および2の膜構成は同じである。 In FIG. 3, the measurement is performed for Comparative Examples 1 and 2, Example 1 and Example 2, but the film structures of the two Comparative Examples 1 and 2 are the same, and the two Examples 1 and 2 are the same. The film configuration of the two is the same.
図3の測定を行なった磁気検出素子A1の膜構成は、シードレイヤ/PtMn/CoFe/Ru/CoFe/Cu/CoFe/NiFe(膜厚はグラフ横軸参照)/PtMn/Ta(比較例の場合) or Ta−O(実施例の場合)である。 The film configuration of the magnetic detection element A1 in which the measurement of FIG. ) Or Ta-O (in the case of the example).
図3に示すように、前記保護層57をTaで形成した比較例の場合には、フリー磁性層1の膜厚のほぼ全部にわたって磁気抵抗変化率ΔR/R(%)が低く、しかも前記フリー磁性層1の膜厚が25Å以下に小さくなると、急激に磁気抵抗変化率ΔR/R(%)が低くなる。
As shown in FIG. 3, in the case of the comparative example in which the
これに対し、前記保護層57をTa−Oで形成した実施例の場合には、フリー磁性層1の膜厚のほぼ全部にわたって磁気抵抗変化率ΔR/R(%)が高く、しかも前記フリー磁性層1の膜厚が25Å以下に小さくなっても、磁気抵抗変化率ΔR/R(%)は低くならず、むしろ大きくなっている。
On the other hand, in the case of the embodiment in which the
図3に示す結果から、前記保護層57が金属酸化物であるTa−Oで形成されていると、前記保護層57が金属であるTaで形成されている場合と比較して、磁気検出素子A4の抵抗変化率ΔR/R(%)を大きくすることができる。特に、今後の高記録密度化に伴って前記フリー磁性層1の膜厚が小さくなっても、抵抗変化率ΔR/R(%)の低下を抑制することができるのである。
From the results shown in FIG. 3, when the
また、図4は、フリー磁性層1(フリー磁性層1をCoFeとNiFeとで構成)の上に、直接保護層57としてTa−O(膜厚20Å)を積層した比較例と、前記フリー磁性層1の上に前記中間層50としてPtMn(膜厚5Å)を積層し、この中間層50であるPtMnの上に、前記保護層57としてTa−O(膜厚20Å)を積層した実施例について、それぞれの磁気抵抗変化率ΔR/R(%)および結合磁界Hin(A/m)の大きさを示した表である。なお、図11では、実施例1および実施例2について測定を行っているが、この2つの実施例1および2の膜構成は同じである。
FIG. 4 shows a comparative example in which Ta—O (thickness: 20 mm) is directly laminated as a
図4に示すように、前記フリー磁性層1と前記保護層57との間に、前記中間層50が形成された実施例1および2では、前記フリー磁性層1と前記保護層57との間に、前記中間層50が形成されていない比較例よりも、磁気抵抗変化率ΔR/R(%)が大きく、また前記フリー磁性層1と前記固定磁性層3の結合磁界Hin(A/m)が小さいことが分かる。
As shown in FIG. 4, in Examples 1 and 2 in which the
特に、前記結合磁界Hin(A/m)の大きさは、前記したように数百(A/m)以下の値であることが磁気特性の向上を図る上で好ましいが、前記比較例では、前記結合磁界Hin(A/m)の大きさが2419.9(A/m)と非常に大きな値となっていることから、磁気特性の向上を図ることが難しいが、実施例1では351.7(A/m)、実施例2では−255.4(A/m)であるため、磁気特性の向上を図り易いことができることが解る。 In particular, the magnitude of the coupling magnetic field Hin (A / m) is preferably several hundreds (A / m) or less as described above in order to improve the magnetic characteristics. Since the magnitude of the coupling magnetic field Hin (A / m) is a very large value of 2419.9 (A / m), it is difficult to improve the magnetic characteristics. 7 (A / m), which is −255.4 (A / m) in Example 2, it can be seen that the magnetic characteristics can be easily improved.
以上のように、本願発明の前記磁気検出素子A1では、前記保護層57が金属酸化物であるTa−Oで形成されているため、磁気検出素子A4の磁気抵抗変化率ΔR/R(%)を大きくすることができ、前記フリー磁性層1の膜厚が高記録密度化に伴って小さくなっても、磁気抵抗変化率ΔR/R(%)の低下を効果的に抑制することができる。
As described above, in the magnetic detection element A1 of the present invention, since the
また、前記フリー磁性層1と前記保護層57との間に中間層50が形成されているため、磁気抵抗変化率ΔR/Rを大きくすることができるとともに、前記結合磁界Hin(A/m)の大きさを小さくすることが可能となるのである。
Further, since the
また、前記保護層57をTaなどの金属材料で形成し、且つ前記中間層50をPtやRuで形成した場合には、Taで形成される前記保護層57と前記フリー磁性層1との間に、PtやRuが介在することから、前記保護層57と前記フリー磁性層1との拡散を低減することは可能であるものと考えられる。
When the
しかし、前記したPtやRuは、前記保護層57と前記フリー磁性層1との拡散を防止するためには効果的なのであるが、一方で、RuやPtは非常に比抵抗が小さく、前記電極層8,8間に電流が流れる際、前記PtやRuにもセンス電流が分流し易くなってしまい、シャントロスが発生する。その結果、前記磁気検出素子A1の磁気抵抗変化率(ΔR/R)が劣化してしまう。
However, although Pt and Ru described above are effective for preventing diffusion between the
これに対し本願発明では、前記保護層57をTa−Oなどの金属酸化物で形成することによって、本来拡散防止効果はPtやRuよりも小さいが、比抵抗が大きいPtMn用いても前記拡散を低減することができるため、シャントロスを大きくせずに、前記フリー磁性層1と前記保護層57との拡散を低減することができるため、磁気抵抗変化率(ΔR/R)の向上を図ることができるのである。
On the other hand, in the present invention, the
ただし、本発明では、前記保護層57をTa−Oなどの金属酸化物で形成し、前記中間層50をRuやPtで形成しても、前記保護層57と前記フリー磁性層1との拡散を防止することができるため、中間層50が設けられていない場合と比較して、磁気抵抗変化率(ΔR/R)を大きくすることができる。
However, in the present invention, even if the
図2は、本発明の第2実施形態の磁気検出素子A2を、記録媒体との対向面から見た部分断面図である。なお、図2ではトラック幅方向(図示X1−X2方向)に延びる素子の中央部分のみを破断して示している。 FIG. 2 is a partial cross-sectional view of the magnetic detection element A2 according to the second embodiment of the present invention as viewed from the surface facing the recording medium. In FIG. 2, only the central portion of the element extending in the track width direction (the X1-X2 direction in the drawing) is shown in a cutaway manner.
図2に示す前記磁気検出素子A2は、図1に示す磁気検出素子A1と同じ構成要素を有して構成されている。したがって、図2に示す磁気検出素子A2の構成要素のうち、図1に示す磁気検出素子A2と同じ構成要素には同じ符号を付している。 The magnetic detection element A2 shown in FIG. 2 has the same components as the magnetic detection element A1 shown in FIG. Therefore, among the components of the magnetic detection element A2 shown in FIG. 2, the same components as those of the magnetic detection element A2 shown in FIG.
図2に示す磁気検出素子A2では、フリー磁性層1が、非磁性材料層2との界面2aと接して形成される第2磁性材料層1bと、前記第2磁性材料層1bと非磁性中間層1cを介して対向する第1磁性材料層1aとで構成される積層フェリフリー構造(SFF)で形成されている。
In the magnetic detection element A2 shown in FIG. 2, the free
図2に示す前記磁気検出素子A2では、前記ハードバイアス層5からの縦バイアス磁界によってフリー磁性層1を構成する、例えば第1磁性材料層1aがトラック幅方向の図示右方向(図示X方向)に磁化されると、第2磁性材料層1bは前記第1磁性材料層1aとの間で発生するRKKY相互作用による結合磁界によって、前記第1磁性材料層1aの磁化方向と反平行、すなわちトラック幅方向の図示左方向(図示X方向とは逆方向)に磁化される。
In the magnetic sensing element A2 shown in FIG. 2, the free
前記第1磁性材料層1aおよび前記第2磁性材料層1bは、Co,CoFe,NiFeなどの磁性材料で形成され、前記非磁性中間層1cはRuなどの非磁性材料で形成される。
The first
図2に示す前記磁気検出素子A2のように、フリー磁性層1が積層フェリ構造で形成されている場合、前記第1磁性材料層1aと前記第2磁性材料層1bとの間で発生するRKKY相互作用による結合磁界を適切に発生させるためには、前記第1磁性材料層1aと前記第2磁性材料層1bとの膜厚を異ならせる必要があるため、前記第1磁性材料層1aの膜厚を前記第2磁性材料層1bの膜厚よりも薄く形成する必要がある。
When the free
しかし、フリー磁性層1が積層フェリ構造で形成されている場合に、前記中間層50が形成されていないと、薄い膜厚で形成された前記第1磁性材料層1aが前記保護層57と接触することとなる。この場合、前記保護層57と前記第1磁性材料層1aとが拡散してしまい、前記第1磁性材料層1aに前記デッドレイヤが発生してしまうが、前記第1磁性材料層1aの膜厚はRKKY相互作用による結合磁界を適切に発生させるために薄く形成されているため、第1磁性材料層1aのうち前記デッドレイヤが占める割合が大きくなってしまい、磁気的に積層フェリフリー構造(SFF)が形成されなくなる。
However, if the
しかし本願発明では、前記第1磁性材料層1aと前記保護層57との間に、前記中間層50が形成されているため、前記第1磁性材料層1aと前記保護層57とは接触していない。したがって、前記保護層57と前記第1磁性材料層1aとの拡散を防止することが、磁気特性の向上を図ることができるのである。
However, in the present invention, since the
次に、図1に示す磁気検出素子A1の製造方法について説明する。
図12ないし図15は図8に示す磁気検出素子A4の製造方法を示す一工程図である。図5ないし図8に示す各工程図は、記録媒体との対向面側から見た部分断面図である。
Next, a method for manufacturing the magnetic detection element A1 shown in FIG. 1 will be described.
12 to 15 are process diagrams showing a method of manufacturing the magnetic detection element A4 shown in FIG. Each of the process diagrams shown in FIGS. 5 to 8 is a partial cross-sectional view as viewed from the surface facing the recording medium.
図5に示す工程では、図示しない基板上に下地層6、シードレイヤ22、反強磁性層4、第1の磁性層13と非磁性中間層12と第2の磁性層11とからなる固定磁性層3、非磁性材料層2、フリー磁性層1、中間層50、および保護層57からなる積層体60を連続成膜する。この際、前記保護層57をTaによって形成し、膜面と垂直方向における膜厚を5Å〜15Åで形成する。
In the process shown in FIG. 5, the pinned magnetic material comprising the
成膜にはスパッタや蒸着法が使用される。スパッタ法には、DCマグネトロンスパッタ法、RFスパッタ法、イオンビームスパッタ法、ロングスロースパッタ法、コリメーションスパッタ法などを使用できる。なお本発明で言う「連続成膜」とは、真空状態を破らずに、チャンバ内でターゲットを次々に代えて成膜していくことを意味する。以下同じである。 Sputtering or vapor deposition is used for film formation. As the sputtering method, a DC magnetron sputtering method, an RF sputtering method, an ion beam sputtering method, a long throw sputtering method, a collimation sputtering method, or the like can be used. In the present invention, “continuous film formation” means that the film is formed by successively changing the target in the chamber without breaking the vacuum state. The same applies hereinafter.
その後、前記積層体60を大気中に暴露し、前記保護層57を自然酸化させる。この際、前記保護層はTaで形成され、しかも5Å〜15Åの前記膜厚で形成されると、前記Taは膜厚方向において全てが酸化され、Ta−Oとなる。またこれに伴って、前記保護層57の膜厚は10Å〜60Åとなる。ただし、前記保護層57の酸化は自然酸化の他、プラズマ酸化、あるいはラジカル酸化など、他の方法を使用することができる。
Thereafter, the laminate 60 is exposed to the atmosphere, and the
ここで、前記保護層57をTaによって形成する際、膜面と垂直方向における膜厚が15Åを超えてで形成されると、前記保護層57の酸化の際、前記保護層57の前記膜厚方向において全て酸化させることができなくなり、前記保護層57のうち酸化されずに残ったTaと、前記フリー磁性層1とが拡散してしまう。
Here, when the
また、前記保護層57をTaによって形成する際、膜面と垂直方向における膜厚が5Å未満で形成されると、前記保護層57を酸化した後の膜厚が10Å未満と薄くなるため、外気に含まれる酸素原子が前記フリー磁性層1にまで貫通して到達してしまい、前記フリー磁性層1が酸化されてしまう。
Further, when the
その後、第1の磁場中アニールを施す。トラック幅Tw(図示X方向)と直交する方向である第1の磁界(図示Y方向)を印加しつつ、第1の熱処理温度で熱処理し、反強磁性層4と固定磁性層3を構成する第1の磁性層13との間に交換結合磁界を発生させて、前記第1の磁性層13の磁化を図示Y方向に固定する。すると、第2の磁性層11の磁化は、前記第1の磁性層13との間で働くRKKY相互作用による交換結合によって図示Y方向とは逆方向に固定される。
Thereafter, annealing in the first magnetic field is performed. An
次に、前記保護層57上にリフトオフ用のレジスト層70を形成(図5参照)した後、前記レジスト層70に覆われていない前記積層体60を、図6に示す破線部分でイオンミリングなどの方法で削る。これにより前記レジスト層70からはみ出した前記積層体60の両側部分は削れて、前記積層体60は記録媒体との対向面側から見ると略台形形状に画定される。この状態を示したのが図6である。
Next, after forming a resist
次に図7に示す工程では、前記レジスト層70をそのまま残して、前記積層体60の両側方部にハードバイアス層5をスパッタや蒸着法で成膜する。これにより前記レジスト層70上にもハードバイアス層5と同じ材料層105が付着する。
Next, in the step shown in FIG. 7, the
なお、前記ハードバイアス層5の下には、Cr−X(ただし、XはTa,Si,W,Moから選択される1種または2種以上)合金で形成される単層、または多層の下地層が形成されていても良い。
Under the
次に図8に示す工程で、前記ハードバイアス層5の上に電極層8をスパッタ法や蒸着法で成膜する。これにより、前記材料層105上にも電極層8と同じ材料層108が付着する。
Next, in the step shown in FIG. 8, the
その後、前記材料層105および108が付着した前記レジスト層70を除去し、前記ハードバイアス層5を図示X方向に着磁すると、図1に示す前記磁気検出素子A1が製造される。
Thereafter, the resist
図2に示す前記磁気検出素子A2を製造するには、図5に示す工程で、前記フリー磁性層1を、非磁性材料層2との界面2aと接して形成される第2磁性材料層1bと非磁性中間層1cと第1磁性材料層1aとを順次積層して積層フェリ構造(SFF)として形成すれば良い。
To manufacture the magnetic detection element A2 shown in FIG. 2, the second magnetic material layer 1b formed by contacting the free
図5ないし図8に示す製造方法によれば、前記保護層57をTaで形成した後に酸化することで前記保護層57をTa−Oなどの金属酸化物としているため、前記保護層57を少ない工程数で簡単に形成することが可能となる。
According to the manufacturing method shown in FIGS. 5 to 8, since the
1 フリー磁性層
1a 第1磁性材料層
1b 第2磁性材料層
1c 非磁性中間層
2 非磁性材料層
3 固定磁性層
4 反強磁性層
5 ハードバイアス層
8 電極層
11 第2の磁性層
12 非磁性中間層
13 第1の磁性層
50 中間層
57 保護層
DESCRIPTION OF
Claims (19)
前記保護層は金属酸化物からなり、
前記フリー磁性層と前記保護層との間には、中間層が形成されていることを特徴とする磁気検出素子。 An antiferromagnetic layer, a pinned magnetic layer formed in contact with the antiferromagnetic layer, a free magnetic layer facing the pinned magnetic layer via a nonmagnetic material layer, and formed facing the free magnetic layer A magnetic sensing element having a protective layer,
The protective layer is made of a metal oxide,
A magnetic detecting element, wherein an intermediate layer is formed between the free magnetic layer and the protective layer.
(a)反強磁性層と、前記反強磁性層に接して形成される固定磁性層と、非磁性材料層を介して対向するフリー磁性層と、中間層と、金属材料からなる保護層とを積層し、このとき前記中間層が前記フリー磁性層と保護層との間に位置するように形成する工程と、
(b)前記保護層を自然酸化して、前記保護層の全体を金属酸化物とする工程。 The manufacturing method of the magnetic detection element characterized by having the following processes.
(A) an antiferromagnetic layer, a pinned magnetic layer formed in contact with the antiferromagnetic layer, a free magnetic layer opposed via a nonmagnetic material layer, an intermediate layer, and a protective layer made of a metal material, Forming the intermediate layer so that the intermediate layer is positioned between the free magnetic layer and the protective layer,
(B) A step of naturally oxidizing the protective layer to make the entire protective layer a metal oxide.
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