JP2006183120A - Plating device and plating formation method - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a plating device and a plating formation method where the overlap between electronic components is released, so as to be separated. <P>SOLUTION: Chip-shaped electronic components 40 as the objects for plating are stored inside a barrel 31 together with conductive media, and they are dipped into a vessel 11 stored with a plating liquid 12. The barrel 31 is composed of meshes so that the plating liquid can be circulated therethrough, the barrel 31 is rotated in a state that the whole of the barrel 31 is dipped into the plating liquid 12, and tip-shaped electronic components 40 and the conductive media are mixed. Further, the chip-shaped electronic components 40 are irradiated with shock waves by shock wave generators 23, 25. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、例えば、チップ形抵抗器、チップ形コンデンサ、チップ形インダクタ、チップ形センサ等のチップ形電子部品の電極等にメッキを施すためのメッキ装置およびメッキ形成方法に関するものである。   The present invention relates to a plating apparatus and a plating method for plating an electrode of a chip-type electronic component such as a chip resistor, a chip capacitor, a chip inductor, and a chip sensor.

電子機器等に使用する回路基板上にチップ形電子部品をハンダ付けする際、それらのハンダ付け性の向上や良好な電気的導通を確保する必要があるため、チップ形電子部品の外部電極にメッキが施されている。電極に電解メッキを施すための装置として従来より使用されているものに、ラック法(ラックメッキ法)を用いた装置やバレル法(バレルメッキ法)を採用した装置等がある。   When soldering chip-type electronic components on circuit boards used in electronic devices, etc., it is necessary to improve their solderability and ensure good electrical continuity, so plating on the external electrodes of chip-type electronic components Is given. Conventionally used apparatuses for electrolytic plating of electrodes include apparatuses using a rack method (rack plating method) and apparatuses using a barrel method (barrel plating method).

ラック法は、ラックにメッキ対象を固定し、金属化する面に陰極を接続して電流を流すものであり、バレル法は、例えば、筒状のバレル内に金属メディアとともにメッキ対象を投入し、メッキ液が満たされたメッキ槽内でバレルを回転させながら対象物に電気メッキを施す方法である。上記のバレル法は、一度に多数の対象物にメッキ処理できるが、メッキ対象物どうしが互いに重なり合う可能性がある。   In the rack method, a plating target is fixed to the rack, and a cathode is connected to the surface to be metallized so that a current flows. For example, the barrel method, for example, throws the plating target together with metal media in a cylindrical barrel, In this method, an object is electroplated while rotating a barrel in a plating tank filled with a plating solution. Although the above barrel method can plate a large number of objects at a time, there is a possibility that the objects to be plated overlap each other.

これら以外の方法として、例えば、特許文献1には、導電線を有する網状の板の上に、金属化面が形成されたセラミックスを金属化面と網状の板とが接触するように並べ、その網状の板を陰極接点として金属化面に電流を流し、網状の板を振動あるいは揺動させて金属化面と網状の板との接点を移動させながら金属化面に電解メッキを施す方法が開示されている。   As a method other than these, for example, in Patent Document 1, ceramics having a metallized surface are arranged on a mesh-like plate having conductive wires so that the metallized surface and the mesh-like plate are in contact with each other. Disclosed is a method in which an electroplating is applied to a metallized surface while passing a current through the metallized surface using the meshed plate as a cathode contact and vibrating or swinging the meshed plate to move the contact between the metallized surface and the meshed plate. Has been.

さらに、特許文献2には、エアシリンダを駆動し、ストッパにより移動を規制して陰極に振動を与え、その陰極上に載置したメッキ対象物を揺動しながらメッキを行う装置が開示されている。これらの特許文献1,2に開示された方法や装置では、メッキ膜によりチップ部品が互いに付着したり、チップ部品と陰極との付着を防止するために、網状の板を振動させたり、あるいは陰極を往復移動している。   Further, Patent Document 2 discloses an apparatus that drives an air cylinder, restricts movement by a stopper to give vibration to the cathode, and performs plating while swinging a plating object placed on the cathode. Yes. In the methods and apparatuses disclosed in these Patent Documents 1 and 2, chip parts are attached to each other by a plating film, or a net-like plate is vibrated in order to prevent adhesion between the chip parts and the cathode, or the cathode Is moving back and forth.

特許第2627775号公報Japanese Patent No. 2627775 特許第3106854号公報Japanese Patent No. 3106854

しかしながら、バレル法は、メッキ対象物の重なり合いによる不良品の発生が避けられない。また、上記特許文献1,2に開示された方法は、いずれもメッキ対象物に機械的な振動を与えるために、それらを載置している板や陰極そのものを、例えば、振動発生機や超音波発生機、エアシリンダ等を用いて振動させたり揺動する方法を採用している。すなわち、上記従来の方法では、板や陰極に与えた振動が、間接的にメッキ対象物(被メッキ物)に伝わるような構成をとっている。そのため、装置構造が複雑になるばかりでなく、各メッキ対象物に到達する振動がチップ部品どうしの付着を防止するのに不十分であり、振動が伝わったとしてもそれが各部品に対して均等にならないという問題があった。   However, the barrel method inevitably generates defective products due to overlapping of plating objects. In addition, the methods disclosed in Patent Documents 1 and 2 both provide a plate and a cathode on which they are placed, for example, a vibration generator and a super A method of vibrating or swinging using a sound wave generator, an air cylinder or the like is employed. In other words, the conventional method has a configuration in which the vibration applied to the plate or the cathode is indirectly transmitted to the object to be plated (the object to be plated). Therefore, not only the structure of the device is complicated, but also the vibration that reaches each plating object is insufficient to prevent the chip parts from sticking to each other. There was a problem of not becoming.

その結果バレル法では、金属メディアとメッキ対象物の金属化面とが接触したときだけメッキされたり、メッキに要する時間が長くなってしまう等の問題がある。また、上記特許文献1,2の方法は、構造が複雑で故障の原因となるばかりでなく、バレル法の有する問題と同様の問題点を十分に解決していなかった。   As a result, the barrel method has problems such as plating only when the metal media and the metallized surface of the object to be plated are in contact with each other, and the time required for plating is increased. Further, the methods of Patent Documents 1 and 2 not only have a complicated structure and cause a failure, but also have not sufficiently solved the same problem as that of the barrel method.

本発明は、上述した課題に鑑みなされたものであり、その目的とするところは、簡単な構成でメッキ処理工程におけるチップ部品どうしの付着を防止できるメッキ装置およびメッキ形成方法を提供することである。   The present invention has been made in view of the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a plating apparatus and a plating forming method capable of preventing adhesion of chip parts in a plating process with a simple configuration. .

かかる目的を達成し、上述した課題を解決する一手段として、例えば、以下の構成を備える。すなわち、本発明は、メッキ液が貯留された容器中にメッキ対象物を浸漬して、そのメッキ対象物にメッキを施すメッキ装置であって、上記メッキ液が流通可能に構成され上記メッキ対象物を収容する収容手段と、上記収容手段に収容された上記メッキ対象物を攪拌する攪拌手段と、上記攪拌手段によって攪拌された上記収容手段内の上記メッキ対象物に対して所定出力の衝撃波を照射する衝撃波発生手段とを備えることを特徴とする。   As a means for achieving this object and solving the above-mentioned problems, for example, the following configuration is provided. That is, the present invention is a plating apparatus for immersing a plating object in a container in which a plating solution is stored and plating the plating object, wherein the plating liquid is configured to be circulated and the plating object. , A stirring means for stirring the plating object stored in the storage means, and a shock wave having a predetermined output is applied to the plating object in the storage means stirred by the stirring means. And a shock wave generating means.

例えば、上記攪拌手段は、上記収容手段を上記容器内のメッキ液中で所定方向に回転することによって上記メッキ対象物が導電性メディアと混合されるよう攪拌を行うことを特徴とする。   For example, the stirring means performs stirring so that the object to be plated is mixed with the conductive medium by rotating the storage means in a predetermined direction in the plating solution in the container.

また、例えば、上記衝撃波発生手段は、異なる複数の方向から上記衝撃波を照射可能とすることを特徴とする。例えば、上記衝撃波の出力は、上記メッキ対象物に応じて調整可能であることを特徴とする。   Further, for example, the shock wave generating means can irradiate the shock wave from a plurality of different directions. For example, the output of the shock wave can be adjusted according to the plating object.

上述した課題を解決する他の手段として、例えば、以下の構成を備える。すなわち、本発明は、メッキ液が貯留された容器中にメッキ対象物を浸漬して、そのメッキ対象物にメッキを施すメッキ形成方法であって、上記メッキ液が流通可能な収容手段に上記メッキ対象物を収容するステップと、上記メッキ対象物が収容された上記収容手段を上記メッキ液に浸すステップと、上記メッキ液に浸した上記収容手段に収容された上記メッキ対象物を攪拌するステップと、上記攪拌された上記収容手段内の上記メッキ対象物に対して所定出力の衝撃波を照射するステップとを備えることを特徴とする。   As another means for solving the above-described problem, for example, the following configuration is provided. That is, the present invention is a plating forming method in which a plating object is immersed in a container in which a plating solution is stored, and the plating object is plated. A step of accommodating an object; a step of immersing the accommodating means accommodating the plating object in the plating solution; and agitating the plating object accommodated in the accommodating means immersed in the plating solution; And irradiating a shock wave having a predetermined output to the object to be plated in the agitated storage means.

例えば、上記攪拌ステップでは、上記収容手段を上記容器内のメッキ液中で所定方向に回転することで上記メッキ対象物が導電性メディアと混合されることを特徴とする。   For example, in the stirring step, the object to be plated is mixed with a conductive medium by rotating the housing means in a predetermined direction in the plating solution in the container.

例えば、上記衝撃波は、異なる複数の方向から照射されることを特徴とする。また、例えば、さらに、上記衝撃波の出力を上記メッキ対象物に応じて調整するステップを備えることを特徴とする。   For example, the shock wave is irradiated from a plurality of different directions. For example, the method further includes a step of adjusting the output of the shock wave in accordance with the plating object.

本発明によれば、メッキ処理中における電子部品どうしの重なりを容易に砕いて、分離させることができる。また、これらを簡単な構造で実現できるため、メッキ装置としての信頼性を十分確保できる。   According to the present invention, it is possible to easily break and separate the overlapping of electronic components during plating. Further, since these can be realized with a simple structure, sufficient reliability as a plating apparatus can be secured.

以下、添付図面を参照して、本発明に係る一実施の形態例を詳細に説明する。具体的には、本発明の一実施の形態例に係る、チップ形電子部品にメッキ処理を施すためのメッキ装置、およびメッキ処理工程について説明する。なお、ここで説明するメッキ装置は、バレル法を採用したメッキ装置である。図1は、本実施の形態例に係るメッキ装置の構造を示す断面図である。また、図2は、本実施の形態例に係るメッキ装置に使用する、バレルやその駆動機構部等からなるバレルユニットの外観斜視図である。   Hereinafter, an embodiment according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Specifically, a plating apparatus and a plating process for plating a chip-type electronic component according to an embodiment of the present invention will be described. In addition, the plating apparatus demonstrated here is a plating apparatus which employ | adopted the barrel method. FIG. 1 is a cross-sectional view showing the structure of a plating apparatus according to this embodiment. FIG. 2 is an external perspective view of a barrel unit including a barrel and its drive mechanism used in the plating apparatus according to the present embodiment.

図1に示すメッキ装置は、上面が開口したメッキ槽11内に、例えば、メッキする金属を含有するメッキ液12が貯留され、そのメッキ液12の中には、メッキ対象である、例えば、抵抗チップ等のチップ形電子部品40が投入されたバレル31が、メッキ液12に完全に浸る深さまで浸漬されている。バレル31は、後述するようにバレルユニット30内において回転可能なように支持されており、メッキ液12にバレルユニット30の下部を浸すことで、バレル31全体がメッキ液12に浸る構成になっている。   In the plating apparatus shown in FIG. 1, for example, a plating solution 12 containing a metal to be plated is stored in a plating tank 11 whose upper surface is open. The barrel 31 into which the chip-type electronic component 40 such as a chip is inserted is immersed to a depth at which it is completely immersed in the plating solution 12. As will be described later, the barrel 31 is supported so as to be rotatable in the barrel unit 30, and the entire barrel 31 is immersed in the plating solution 12 by immersing the lower portion of the barrel unit 30 in the plating solution 12. Yes.

メッキ液12には、さらに陽極(アノード)35が浸漬されており、この陽極35と、カソード(陰極)33との間に電圧を印加することで、バレル31内に投入されたチップ形電子部品40に電解メッキを行う。なお、バレル31内には、チップ形電子部品40とともに、例えば、鉄球のような導電性メディア(通電用ダミー、あるいは金属メディアともいう)を投入して、チップ形電子部品40の外部電極へのメッキ形成を確実にしている。   An anode (anode) 35 is further immersed in the plating solution 12. By applying a voltage between the anode 35 and the cathode (cathode) 33, a chip-type electronic component placed in the barrel 31 is used. 40 is electroplated. In addition, in the barrel 31, together with the chip-type electronic component 40, for example, a conductive medium such as an iron ball (also referred to as a current-carrying dummy or a metal medium) is introduced to the external electrode of the chip-type electronic component 40. The plating formation is ensured.

バレルユニット30の上部近傍には、図2に示すように、その両側に水平に支持部32a,32bが取り付けられており、バレル31をメッキ液12に浸すとき、メッキ槽11の側面部から中央部に突出した保持部13,14にバレルユニット30の支持部32a,32bを乗せる。そうすることで、バレルユニット30全体がメッキ槽11に支持され、同時にバレル31がメッキ液12に漬かることになる。   As shown in FIG. 2, support portions 32 a and 32 b are attached horizontally on both sides of the barrel unit 30 in the vicinity of the upper portion of the barrel unit 30. The support portions 32 a and 32 b of the barrel unit 30 are placed on the holding portions 13 and 14 protruding from the portions. By doing so, the whole barrel unit 30 is supported by the plating tank 11, and at the same time, the barrel 31 is immersed in the plating solution 12.

バレル31は、図2に示すように、その周辺部がメッシュ37で囲まれた筒状の形状をしており、その両端部の円板状部材のうち、一方の円板41の外周には、ギア21を介してモーター22の回転駆動力をバレル31に伝達するため、ギア21と噛み合う歯43が刻まれている。すなわち、バレル31は、モーター22の回転駆動力を得て、図1において矢印で示す方向に、その長手方向の軸を中心に一定速度で回転する。   As shown in FIG. 2, the barrel 31 has a cylindrical shape whose peripheral portion is surrounded by a mesh 37. Of the disc-like members at both ends, the barrel 31 has an outer periphery on one disc 41. In order to transmit the rotational driving force of the motor 22 to the barrel 31 via the gear 21, teeth 43 that mesh with the gear 21 are engraved. That is, the barrel 31 obtains the rotational driving force of the motor 22 and rotates at a constant speed around the longitudinal axis in the direction indicated by the arrow in FIG.

一方、バレル31内に投入されたチップ形電子部品40は、バレル31の回転に伴ない、例えば、図1において陰影を付して示す位置、あるいはその近傍において、バレル31のメッシュ37の回転移動とともに上昇と落下を繰り返す。それにより、チップ形電子部品40と金属メディアが混合状態となり、導電性メディアの通電作用でチップ形電子部品40に電気メッキが施される。   On the other hand, the chip-type electronic component 40 put into the barrel 31 is rotated and moved by the mesh 37 of the barrel 31 at the position indicated by the shade in FIG. Along with the rise and fall. Thereby, the chip-type electronic component 40 and the metal media are mixed, and the chip-type electronic component 40 is electroplated by the energizing action of the conductive media.

本実施の形態例に係るメッキ装置では、バレル31内のチップ形電子部品40が重なり合った状態でメッキされるのを防ぐため、外部よりバレル31内のチップ形電子部品40に対して衝撃波を照射するための衝撃波発生装置23,25を配設している。これは、チップ形電子部品40に衝撃波を与えることで、メッキ処理の過程で製品どうしが重なり合ったり、対になる(W不良、あるいはアベック不良ともいう)のを防止するためである。なお、これらの衝撃波発生装置23,25については、照射方向が固定されておらず、衝撃波を照射したい方向に応じて自在にその位置を変更可能に構成されている。   In the plating apparatus according to the present embodiment, the chip-type electronic component 40 in the barrel 31 is irradiated with a shock wave from the outside in order to prevent the chip-type electronic component 40 in the barrel 31 from being plated in an overlapping state. Shock wave generators 23 and 25 are provided. This is to prevent the products from overlapping or pairing (also referred to as W failure or Abeck failure) during the plating process by applying a shock wave to the chip-type electronic component 40. The shock wave generators 23 and 25 are not fixed in irradiation direction, and can be freely changed in position according to the direction in which the shock wave is desired to be irradiated.

ここで衝撃波とは、音速を超えて伝わる圧力波であり、自然界では火山の爆発や雷等によって起こるもので、気体、液体、固体等、弾力性のある媒体に圧力を極端に変化させると音速を超える速さで伝播する波を指す。衝撃波は、衝撃面における物理的膨張力と圧力が高いため、超音波等の音波とは異なる。また、衝撃波は、超音速で移動し、高圧になるに従ってその速度も増加する。   A shock wave is a pressure wave that travels beyond the speed of sound, and occurs in nature due to volcanic explosions or lightning.If the pressure is changed extremely in an elastic medium such as gas, liquid, solid, etc. A wave that propagates at a speed exceeding A shock wave is different from a sound wave such as an ultrasonic wave because of its high physical expansion force and pressure on the impact surface. In addition, the shock wave moves at supersonic speed, and its speed increases as the pressure increases.

衝撃波の発生方法としては、短時間の水中高圧放電により周囲の水を爆発的に蒸発させることにより衝撃波を発生させ、それを半回転楕円反射鏡で集束させる水中放電方式(スパークギャップ方式)、圧電セラミック素子(ピエゾ素子)を球殻状に並べ、それに高電圧(高電圧パルス)を断続的に放射して衝撃波パルスを発生させ、球殻中心に集束させる圧電式、電磁コイルに高電圧パルスをかけて衝撃波を発生させ、それを音響レンズで集める電磁音源方式(電磁変換方式)等が知られているが、本発明には、いずれの方式のものであっても適用できる。   Shock wave generation methods include underwater discharge method (spark gap method), which generates shock waves by explosively evaporating surrounding water by short-time high-pressure discharge in water, and focuses them with a semi-rotating elliptical reflector, piezoelectric Ceramic elements (piezo elements) are arranged in a spherical shell, and a high voltage (high voltage pulse) is radiated intermittently to generate a shock wave pulse, which is focused on the center of the spherical shell, and a high voltage pulse is applied to the electromagnetic coil. An electromagnetic sound source method (electromagnetic conversion method) is known in which a shock wave is generated and collected by an acoustic lens, but any method can be applied to the present invention.

なお、これらの方式で発生した衝撃波は、他に医療目的に応用されており、例えば、発生させた衝撃波を腎臓や尿路等にできた結石に照準して照射することで、皮膚切開等の外科手術を行わずに結石を破砕している。   The shock waves generated by these methods have been applied for other medical purposes.For example, by irradiating the generated shock waves to a stone formed in the kidney, urinary tract, etc. The stone is crushed without performing surgery.

本実施の形態例に係るメッキ装置で使用する衝撃波発生装置23,25は、上記いずれかの方式で衝撃波を発生させるもので、衝撃波発生装置23,25よりバレル31内のチップ形電子部品40に向けて所定圧力の衝撃波を照射する。それに伴って、個々のチップ形電子部品40が衝撃波の高圧波動の影響を受け、チップ形電子部品どうしの重なりが解かれて、それらの部品が互いに分離されることになる。   The shock wave generators 23 and 25 used in the plating apparatus according to this embodiment generate a shock wave by any one of the methods described above, and the chip-type electronic component 40 in the barrel 31 is moved from the shock wave generators 23 and 25. A shock wave with a predetermined pressure is irradiated. Along with this, the individual chip-type electronic components 40 are affected by the high-pressure wave of the shock wave, the chip-type electronic components are overlapped, and these components are separated from each other.

このとき、照射された衝撃波により、チップ形電子部品40と同様に導電性メディアも高圧波動の影響を受けるため、単にバレル31を回転させるよりも、チップ形電子部品と導電性メディアの混合が促進され、それら相互の接触の機会が増える。そのため、チップ形電子部品40におけるメッキ形成が円滑に進み、メッキ処理時間を短縮できる。   At this time, since the conductive medium is also affected by the high-pressure wave similarly to the chip-type electronic component 40 due to the irradiated shock wave, the mixing of the chip-type electronic component and the conductive medium is promoted rather than simply rotating the barrel 31. And the opportunity for mutual contact increases. Therefore, the plating formation in the chip-type electronic component 40 proceeds smoothly, and the plating process time can be shortened.

衝撃波発生装置23,25から発生する衝撃波は、メッキ処理の過程で部品どうしが重なり合ったままの状態になるのを防止できる程度の圧力を有すれば足りる。そのため制御部10は、これらの衝撃波発生装置23,25よりの衝撃波が、部品そのものを破砕してしまう、あるいはチップ形電子部品の電極と基板とを分離してしまうような圧力の衝撃波が出力されないよう制御している。   It is sufficient that the shock wave generated from the shock wave generators 23 and 25 has a pressure that can prevent the components from being overlapped in the plating process. Therefore, the control unit 10 does not output a shock wave having such a pressure that the shock wave from the shock wave generators 23 and 25 crushes the component itself or separates the electrode of the chip-type electronic component from the substrate. It is controlled as follows.

本実施の形態例では、図1に示すように、バレル31そのものを軸方向に回転するとともに、バレル31内のチップ形電子部品40に対して、2つの衝撃波発生装置23,25を使用して、異なる2方向から衝撃波を照射している。これは、バレル31内で混合・攪拌状態となって互いに重なり合っている部品が、一方向からのみ衝撃波を受ける場合に比べて、むらなく衝撃波が照射されるためであり、より部品の重なりが砕かれやすく、分離が容易になる。   In the present embodiment, as shown in FIG. 1, the barrel 31 itself is rotated in the axial direction, and two shock wave generators 23 and 25 are used for the chip-type electronic component 40 in the barrel 31. The shock wave is irradiated from two different directions. This is because the parts that are mixed and agitated in the barrel 31 and overlapped with each other are irradiated with the shock wave more uniformly than when the shock wave is received from only one direction, and the overlap of the parts is more crushed. Easier to separate.

異なる方向からチップ形電子部品40に対してむらなく衝撃波を照射すれば、より確実にチップ形電子部品40を分離できる。このことから、メッキ装置の外部に配する衝撃波発生装置の数は、2つに限定されず、例えば、3方向、4方向、あるいはそれ以上の方向から衝撃波を照射できる数の衝撃波発生装置を配する構成としてもよい。また、対象に応じた異なる圧力の衝撃波を連続的、あるいは断続的に照射できるようにしてもよい。   If the shock wave is uniformly applied to the chip-type electronic component 40 from different directions, the chip-type electronic component 40 can be more reliably separated. For this reason, the number of shock wave generators arranged outside the plating apparatus is not limited to two. For example, a number of shock wave generators that can irradiate shock waves from three directions, four directions, or more are arranged. It is good also as composition to do. Moreover, you may enable it to irradiate the shock wave of the different pressure according to object continuously or intermittently.

図3は、本実施の形態例に係るメッキ装置を使用したメッキ処理工程を示すフローチャートである。最初に図3のステップS51において、バレル31内にメッキ対象(ここでは、上述したようにチップ形電子部品)と導電性メディアを投入する。次のステップS52では、そのバレル31をメッキ液12中に浸漬する。そして、ステップS53において、モーター22を駆動してバレル31を回転して、メッキ対象と金属メディアとを混合する。   FIG. 3 is a flowchart showing a plating process using the plating apparatus according to the present embodiment. First, in step S51 of FIG. 3, the object to be plated (here, the chip-type electronic component as described above) and the conductive medium are put into the barrel 31. In the next step S52, the barrel 31 is immersed in the plating solution 12. In step S53, the motor 22 is driven to rotate the barrel 31, and the object to be plated and the metal medium are mixed.

ステップS54では、バレル31を回転させながら、衝撃波発生装置23,25より、バレル31内のメッキ対象に所定出力の衝撃波を照射する。続くステップS55において、メッキ処理時間が、あらかじめ設定した時間Tを超えているかどうかを判定する。メッキ処理時間がTに満たないと判定された場合、ステップS53,S54のバレルの回転、および衝撃波の照射を継続する。なお、メッキ対象への衝撃波の照射時間は、メッキ処理時間と同じである。   In step S54, the shock wave generators 23 and 25 irradiate the plating object in the barrel 31 with a shock wave having a predetermined output while rotating the barrel 31. In a succeeding step S55, it is determined whether or not the plating processing time exceeds a preset time T. If it is determined that the plating process time is less than T, the barrel rotation and the shock wave irradiation in steps S53 and S54 are continued. In addition, the irradiation time of the shock wave to the plating target is the same as the plating processing time.

メッキ処理時間が設定時間Tを超えた場合には、メッキ処理の終了工程に入る。すなわち、ステップS57において、バレル31の回転と衝撃波の照射を停止し、ステップS59で、バレル31より、電極等にメッキが形成されたメッキ対象を取り出す。   When the plating processing time exceeds the set time T, the plating processing is completed. That is, in step S57, the rotation of the barrel 31 and the irradiation of the shock wave are stopped, and in step S59, a plating target in which plating is formed on the electrode or the like is taken out from the barrel 31.

なお、チップ抵抗器において、その外部電極へのメッキは1層に限定されず、複数層としてもよい。複数のメッキを積層する場合、例えば、Ni膜―Cu膜―Ni膜―Sn膜が積層した状態とする場合には、各メッキ層について、本実施の形態例に係るメッキ装置を使用して、上述した図3に示すメッキ処理工程を実施する。その結果、外部電極には、電解ニッケル(Ni)メッキ―電解銅(Cu)メッキ―電解ニッケル(Ni)メッキ―電解錫(Sn)メッキが形成されることになる。   In the chip resistor, the plating on the external electrode is not limited to one layer, and may be a plurality of layers. When laminating a plurality of platings, for example, in a case where Ni film-Cu film-Ni film-Sn film is laminated, for each plating layer, using the plating apparatus according to the present embodiment, The above-described plating process shown in FIG. 3 is performed. As a result, electrolytic nickel (Ni) plating-electrolytic copper (Cu) plating-electrolytic nickel (Ni) plating-electrolytic tin (Sn) plating is formed on the external electrode.

以上説明したように、本実施の形態例によれば、メッキ装置のバレル内に投入されたチップ形電子部品にメッキ処理を施す際、これらのチップ形電子部品に対して、外部に設けた衝撃波発生装置より、異なる方向から衝撃波を照射することで、バレル内におけるチップ形電子部品どうしの重なりを容易に砕いて、分離させることができる。その結果、チップ形電子部品の電極等に高品位のメッキ層を確実かつ均一に形成することができる。   As described above, according to the present embodiment, when the chip-type electronic components put into the barrel of the plating apparatus are plated, shock waves provided outside the chip-type electronic components are applied to these chip-type electronic components. By irradiating the shock wave from different directions from the generator, the chip-type electronic components in the barrel can be easily crushed and separated. As a result, a high-quality plated layer can be reliably and uniformly formed on the electrode of the chip-type electronic component.

また、バレル内でチップ形電子部品どうしの対(重なり)が発生しないことから、それらの重なりを考慮したメッキ時間を設定する必要がないため、従来に比べてメッキ処理時間を大幅に短縮することができる。   In addition, since there is no pairing (overlap) between chip-type electronic components in the barrel, there is no need to set the plating time in consideration of the overlap, so the plating process time is greatly reduced compared to the conventional case. Can do.

さらには、バレル内の部品どうしの重なりを除去するためにバレルそのものを機械的に振動させる構成を採る必要がないので、装置構成が簡単になるほか、バレルに亀裂や磨耗等が発生することもない。従って、メッキ装置そのものの故障が少ない上、装置の構造が簡単であるため修理も容易になる。また、衝撃波発生装置をメッキ装置の外部に装置とは別に配することで、衝撃波発生装置が故障しても、それを取り替えるだけで済む。   Furthermore, since it is not necessary to adopt a configuration that mechanically vibrates the barrel itself in order to remove the overlap between the parts in the barrel, the configuration of the apparatus is simplified, and cracks and wear may occur in the barrel. Absent. Accordingly, the plating apparatus itself is less likely to fail, and the structure of the apparatus is simple, so that repair is easy. Also, by disposing the shock wave generating device outside the plating apparatus, even if the shock wave generating device fails, it is only necessary to replace it.

本発明の実施の形態例に係るメッキ装置の断面構造を示す図である。It is a figure which shows the cross-section of the plating apparatus which concerns on the embodiment of this invention. 実施の形態例に係るメッキ装置に使用するバレルおよびその駆動機構部分を示す外観斜視図である。It is an external appearance perspective view which shows the barrel used for the plating apparatus which concerns on the example of an embodiment, and its drive mechanism part. 本実施の形態例に係るメッキ装置を使用したメッキ処理工程を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the plating process process using the plating apparatus which concerns on this Example.

符号の説明Explanation of symbols

10 制御部
11 メッキ槽
12 メッキ液
21 ギア
22 モーター
23,25 衝撃波発生装置
30 バレルユニット
31 バレル
32a,32b 支持部
33 カソード(陰極)
35 陽極(アノード)
37 メッシュ
40 チップ形電子部品
41 円板
43 歯
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Control part 11 Plating tank 12 Plating liquid 21 Gear 22 Motor 23, 25 Shock wave generator 30 Barrel unit 31 Barrel 32a, 32b Support part 33 Cathode (cathode)
35 Anode
37 mesh 40 chip-type electronic component 41 disc 43 teeth

Claims (8)

メッキ液が貯留された容器中にメッキ対象物を浸漬して、そのメッキ対象物にメッキを施すメッキ装置であって、
前記メッキ液が流通可能に構成され前記メッキ対象物を収容する収容手段と、
前記収容手段に収容された前記メッキ対象物を攪拌する攪拌手段と、
前記攪拌手段によって攪拌された前記収容手段内の前記メッキ対象物に対して所定出力の衝撃波を照射する衝撃波発生手段とを備えることを特徴とするメッキ装置。
A plating apparatus for immersing a plating object in a container in which a plating solution is stored and plating the plating object,
A storage means configured to allow the plating solution to flow and to store the plating object;
Agitating means for agitating the plating object accommodated in the accommodating means;
A plating apparatus comprising: a shock wave generating unit that irradiates a shock wave having a predetermined output to the plating object in the housing unit stirred by the stirring unit.
前記攪拌手段は、前記収容手段を前記容器内のメッキ液中で所定方向に回転することによって前記メッキ対象物が導電性メディアと混合されるよう攪拌を行うことを特徴とする請求項1記載のメッキ装置。 The agitation means performs agitation so that the plating object is mixed with a conductive medium by rotating the storage means in a predetermined direction in a plating solution in the container. Plating equipment. 前記衝撃波発生手段は、異なる複数の方向から前記衝撃波を照射可能とすることを特徴とする請求項2記載のメッキ装置。 The plating apparatus according to claim 2, wherein the shock wave generating unit can irradiate the shock wave from a plurality of different directions. 前記衝撃波の出力は、前記メッキ対象物に応じて調整可能であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載のメッキ装置。 The plating apparatus according to claim 1, wherein the output of the shock wave can be adjusted according to the plating object. メッキ液が貯留された容器中にメッキ対象物を浸漬して、そのメッキ対象物にメッキを施すメッキ形成方法であって、
前記メッキ液が流通可能な収容手段に前記メッキ対象物を収容するステップと、
前記メッキ対象物が収容された前記収容手段を前記メッキ液に浸すステップと、
前記メッキ液に浸した前記収容手段に収容された前記メッキ対象物を攪拌するステップと、
前記攪拌された前記収容手段内の前記メッキ対象物に対して所定出力の衝撃波を照射するステップとを備えることを特徴とするメッキ形成方法。
A plating method for immersing a plating object in a container in which a plating solution is stored and plating the plating object,
Storing the plating object in a storage means through which the plating solution can flow; and
Immersing the containing means containing the plating object in the plating solution;
Stirring the plating object accommodated in the accommodating means immersed in the plating solution;
Irradiating a shock wave having a predetermined output to the object to be plated in the agitated storage means.
前記攪拌ステップでは、前記収容手段を前記容器内のメッキ液中で所定方向に回転することで前記メッキ対象物が導電性メディアと混合されることを特徴とする請求項5記載のメッキ形成方法。 6. The plating method according to claim 5, wherein, in the stirring step, the object to be plated is mixed with a conductive medium by rotating the container in a predetermined direction in the plating solution in the container. 前記衝撃波は、異なる複数の方向から照射されることを特徴とする請求項6記載のメッキ形成方法。 The plating method according to claim 6, wherein the shock wave is irradiated from a plurality of different directions. さらに、前記衝撃波の出力を前記メッキ対象物に応じて調整するステップを備えることを特徴とする請求項5乃至7のいずれかに記載のメッキ形成方法。 The plating method according to claim 5, further comprising a step of adjusting an output of the shock wave according to the plating object.
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