JP2006179800A - R-t-b system permanent magnet and plated film - Google Patents

R-t-b system permanent magnet and plated film Download PDF

Info

Publication number
JP2006179800A
JP2006179800A JP2004373522A JP2004373522A JP2006179800A JP 2006179800 A JP2006179800 A JP 2006179800A JP 2004373522 A JP2004373522 A JP 2004373522A JP 2004373522 A JP2004373522 A JP 2004373522A JP 2006179800 A JP2006179800 A JP 2006179800A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plating film
plating
permanent magnet
content
plated film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2004373522A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP4180048B2 (en
Inventor
Yasuyuki Nakayama
靖之 中山
Kazuto Yamazawa
和人 山沢
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TDK Corp filed Critical TDK Corp
Priority to JP2004373522A priority Critical patent/JP4180048B2/en
Priority to US11/317,550 priority patent/US20060141281A1/en
Priority to EP20050028375 priority patent/EP1675132B1/en
Priority to DE200560026250 priority patent/DE602005026250D1/en
Priority to CNB2005101341108A priority patent/CN100573752C/en
Publication of JP2006179800A publication Critical patent/JP2006179800A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4180048B2 publication Critical patent/JP4180048B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an R-T-B system permanent magnet equipped with a plated film which is easily used for actual manufacturing of the R-T-B system permanent magnet and is effective for securing hardness. <P>SOLUTION: The R-T-B system permanent magnet 1 comprises a magnet element assembly 2 which consists of a sintered material containing at least main phase crystal grains consisting of an R<SB>2</SB>T<SB>14</SB>B compound, where R is one or two or more rare earth elements containing Y and T is one or two or more transition metal elements containing Fe or Fe and Co as essentials, and a grain boundary phase containing more R than the main phase crystal grains; and the plating film 3 for coating the surface of the magnet element assembly 2 which meets 0.005<Cc≤0.2 wt.%, where Cc (wt.%) is the content of C of the plated film 3. It is preferred that the content of C of the plated film 3 is 0.007≤Cc≤0.18 wt.%. The plated film 3 may include an electrolytic Ni plated film. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、表面にめっき膜が形成されたR−T−B系永久磁石及びめっき膜に関する。   The present invention relates to an R-T-B permanent magnet having a plating film formed on the surface and a plating film.

214B型金属間化合物を主相とするR−T−B系永久磁石(RはYを含む希土類元素の1種又は2種以上であり、TはFe又はFeとCoを必須とする1種又は2種以上の遷移金属元素)は、磁気特性に優れていること、主成分であるNdが資源的に豊富で比較的安価であることから、各種電気機器に使用されている。
優れた磁気特性を有するR−T−B系永久磁石にもいくつかの技術的な課題がある。その一つが耐食性である。つまり、R−T−B系永久磁石は、主構成元素であるR及びFeが酸化されやすい元素であるために耐食性が劣る。そのため、磁石表面に腐食防止のための保護膜を形成している。保護膜としては、樹脂コーティング、クロメート膜あるいはめっきなどが採用されているが、特にNiめっき、CuめっきあるいはSnめっきに代表される金属めっき層を表面に形成する方法が耐食性および耐磨耗性等に優れており多用されている。
R—T—B system permanent magnet having R 2 T 14 B type intermetallic compound as the main phase (R is one or more of rare earth elements including Y, and T is essential for Fe or Fe and Co) 1 type or 2 types or more of transition metal elements) are used in various electric devices because they have excellent magnetic properties and Nd as a main component is abundant in resources and relatively inexpensive.
R-T-B permanent magnets having excellent magnetic properties also have some technical problems. One of them is corrosion resistance. That is, the R-T-B permanent magnet is inferior in corrosion resistance because R and Fe, which are main constituent elements, are easily oxidized. Therefore, a protective film for preventing corrosion is formed on the magnet surface. As the protective film, a resin coating, a chromate film, or plating is adopted. In particular, a method of forming a metal plating layer typified by Ni plating, Cu plating, or Sn plating on the surface is corrosion resistance, wear resistance, etc. It is excellent in and widely used.

R−T−B系永久磁石の表面に形成する金属めっき層の耐食性を向上する提案がなされている。例えば、特許第2941446号公報(特許文献1)では、0.001〜0.01wt%のSを含有するNiめっき層を下層として設け、その上に0.001〜1.0wt%のSを含有するNiめっき層を上層として設け、上層のNiめっき層に下層のNiめっき層よりも0.01wt%以上多くSを含有させることにより、耐食性の向上を図っている。特許文献1は、以上のようなS含有量の関係を有する2層のNiめっき層を設けることにより、上層がアノード化して陽極効果を発生することにより、下層が防食されることを示している。   Proposals have been made to improve the corrosion resistance of the metal plating layer formed on the surface of the RTB-based permanent magnet. For example, in Japanese Patent No. 2941446 (Patent Document 1), a Ni plating layer containing 0.001 to 0.01 wt% of S is provided as a lower layer, and 0.001 to 1.0 wt% of S is contained thereon. The Ni plating layer is provided as an upper layer, and the upper Ni plating layer contains 0.01 wt% or more of S than the lower Ni plating layer, thereby improving the corrosion resistance. Patent Document 1 shows that by providing two Ni plating layers having the above S content relationship, the upper layer is anodized to generate an anodic effect, thereby preventing the lower layer from being corroded. .

特許第2941446号公報Japanese Patent No. 2941446

特許文献1によれば、改善された耐食性をR−T−B系永久磁石に付与することができる。しかし、本発明者等の検討によれば、めっき膜中のS含有量を制御することは容易ではない。めっき膜中に含まれるSは、主にめっき浴に添加される光沢剤に由来する。ところが、光沢剤の種類が特定されると、めっき膜中に含まれるSの量を自由に設定することが困難である。したがって、めっき膜中のS含有量を制御することによる耐食性の向上手法は、実際のR−T−B系永久磁石の製造に対して汎用性が小さいといわなければならない。   According to Patent Document 1, improved corrosion resistance can be imparted to the RTB-based permanent magnet. However, according to the study by the present inventors, it is not easy to control the S content in the plating film. S contained in the plating film is mainly derived from the brightener added to the plating bath. However, when the type of brightener is specified, it is difficult to freely set the amount of S contained in the plating film. Therefore, it must be said that the method for improving the corrosion resistance by controlling the S content in the plating film has little versatility with respect to the actual production of the R-T-B permanent magnet.

また、めっき膜に要求される特性として硬度が掲げられる。R−T−B系永久磁石の製造過程又は用途によっては、めっき膜表面に対して相当の応力が付与される場合があり、また、周囲の環境に対して耐磨耗性が要求される場合があるためである。しかしながら、これまでめっき膜の硬度を向上する有効な手法は提案されていない。特に、めっき膜に要求される本質的な特性である耐食性を含めた硬度の向上についての提案を本発明者等は見出していない。
本発明は、このような技術的課題に基づいてなされたもので、実際のR−T−B系永久磁石の製造に対して適用が容易であるとともに、硬度の確保にも有効なめっき膜及びそのめっき膜を備えたR−T−B系永久磁石の提供を目的とする。
Further, hardness is listed as a characteristic required for the plating film. Depending on the manufacturing process or application of the R-T-B system permanent magnet, considerable stress may be applied to the plating film surface, and wear resistance is required for the surrounding environment. Because there is. However, no effective method for improving the hardness of the plating film has been proposed so far. In particular, the present inventors have not found a proposal for improving hardness including corrosion resistance, which is an essential characteristic required for a plating film.
The present invention has been made on the basis of such a technical problem, and is easily applied to the production of an actual R-T-B system permanent magnet, and is also effective in ensuring hardness. An object of the present invention is to provide an R-T-B system permanent magnet provided with the plating film.

本発明者等は、めっき膜の耐食性向上のためのめっき膜中における含有量の制御が容易であるとともに、めっき膜の硬度向上に対して、Cが有効な元素であることを確認した。また、めっき膜中に所定量のCを含有させることにより、めっき膜の密着性を向上できることも知見した。すなわち本発明は、R214B化合物(ただし、RはYを含む希土類元素の1種又は2種以上、TはFe又はFe及びCoを必須とする1種又は2種以上の遷移金属元素)からなる主相結晶粒と、主相結晶粒よりRを多く含む粒界相とを少なくとも含む焼結体からなる磁石素体と、磁石素体表面を被覆する、C含有量をCc(wt%)としたとき、0.005<Cc≦0.2wt%であるめっき層と、を備えることを特徴とするR−T−B系永久磁石である。
本発明において、めっき層のC含有量が0.007≦Cc≦0.18wt%、さらには0.007≦Cc≦0.15wt%とすることが望ましい。また、めっき層は、電解Niめっき層又は電解Cuめっき層を含むことが望ましい。
The inventors of the present invention have confirmed that C is an effective element for improving the hardness of the plating film while easily controlling the content in the plating film for improving the corrosion resistance of the plating film. It has also been found that the adhesion of the plating film can be improved by containing a predetermined amount of C in the plating film. That is, the present invention relates to an R 2 T 14 B compound (where R is one or more of rare earth elements including Y, and T is one or more transition metal elements essential for Fe, Fe and Co). ) And a magnet body made of a sintered body including at least a grain boundary phase containing more R than the main phase crystal grains, and a C content covering the surface of the magnet body, Cc (wt %)), An R-T-B permanent magnet having a plating layer of 0.005 <Cc ≦ 0.2 wt%.
In the present invention, the C content of the plating layer is preferably 0.007 ≦ Cc ≦ 0.18 wt%, and more preferably 0.007 ≦ Cc ≦ 0.15 wt%. The plating layer preferably includes an electrolytic Ni plating layer or an electrolytic Cu plating layer.

本発明のめっき層は、R−T−B系永久磁石の表面に形成される場合に限らず、他のいかなる部材にも耐食性向上のために被覆して用いることができる。したがって本発明は、耐食性向上のために基体上に被覆され、C含有量をCc(wt%)としたとき、0.005<Cc≦0.2wt%のCを含有することを特徴とするめっき膜を提供する。   The plating layer of the present invention is not limited to being formed on the surface of an R-T-B system permanent magnet, but can be used by coating any other member to improve corrosion resistance. Accordingly, the present invention is a plating characterized in that it contains 0.005 <Cc ≦ 0.2 wt% of C when coated on a substrate for improving corrosion resistance and the C content is Cc (wt%). Providing a membrane.

本発明によれば、めっき膜中における含有量制御が容易なCを用いて、めっき膜の耐食性を確保することができる。また、めっき膜におけるCの所定量の含有は、めっき膜の硬度向上、磁石素体への密着性の向上を図ることもできる。   According to the present invention, the corrosion resistance of the plating film can be ensured by using C whose content in the plating film can be easily controlled. The inclusion of a predetermined amount of C in the plating film can also improve the hardness of the plating film and the adhesion to the magnet body.

以下、添付図面に示す実施の形態に基づいてこの発明を詳細に説明する。
本発明のR−T−B系永久磁石1は、図1に示すように、磁石素体2と、磁石素体2の表面に被覆されためっき膜3を備えている。本発明は、めっき膜3に特徴を有し、このめっき膜3は0.005<Cc≦0.2wt%のCを含有することにより、めっき膜3に優れた耐食性を付与することができる。また、このような量のCを含有するめっき膜3は、硬度向上の効果を有するとともに、磁石素体2に対するめっき膜3の密着性を向上することができる。C含有量が0.005wt%以下(ゼロを含む)しか含まないと、上記効果を得ることかできない。一方、C含有量が0.2wt%を超えるとめっき膜3にクラックが発生してしまい耐食性を確保することができなくなる。したがって、本発明はめっき膜3に含有するC量を0.005<Cc≦0.2wt%とする。めっき膜3に含有させる望ましいC量は0.007≦Cc≦0.18wt%、さらに望ましいC量は0.007≦Cc≦0.15wt%である。
Hereinafter, the present invention will be described in detail based on embodiments shown in the accompanying drawings.
As shown in FIG. 1, the RTB-based permanent magnet 1 of the present invention includes a magnet body 2 and a plating film 3 coated on the surface of the magnet body 2. The present invention is characterized by the plating film 3, and the plating film 3 can impart excellent corrosion resistance to the plating film 3 by containing 0.005 <Cc ≦ 0.2 wt% of C. In addition, the plating film 3 containing such an amount of C has an effect of improving hardness and can improve the adhesion of the plating film 3 to the magnet body 2. If the C content is not more than 0.005 wt% (including zero), the above effect cannot be obtained. On the other hand, if the C content exceeds 0.2 wt%, cracks occur in the plating film 3 and it becomes impossible to ensure corrosion resistance. Accordingly, in the present invention, the amount of C contained in the plating film 3 is set to 0.005 <Cc ≦ 0.2 wt%. The desirable amount of C contained in the plating film 3 is 0.007 ≦ Cc ≦ 0.18 wt%, and the more desirable amount of C is 0.007 ≦ Cc ≦ 0.15 wt%.

Cを0.005<Cc≦0.2wt%含有するめっき膜3が、耐食性向上に有効である他、磁石素体2への密着性が向上し、さらに硬度が向上する理由は明らかでない。しかし、めっき膜3に含有されたCが、めっき膜3を構成する組織の成長、特に面方向への成長を抑制する効果を有し、そのためにめっき膜3の組織が微細化し、かつ緻密化して耐食性、密着性が向上したものと推定される。また同様に、組織の微細化が硬度向上に寄与したものと推定される。
めっき膜3に含有されるCは、めっき膜3の全域でその含有量が均等であってもよいし、含有量が変動してもよい。C含有量がめっき膜3で変動する場合、その全域でCを0.005<Cc≦0.2wt%の範囲とすべきである。
The plating film 3 containing C in an amount of 0.005 <Cc ≦ 0.2 wt% is effective for improving the corrosion resistance, and further improves the adhesion to the magnet body 2 and further improves the hardness. However, C contained in the plating film 3 has an effect of suppressing the growth of the structure constituting the plating film 3, particularly the growth in the plane direction. For this reason, the structure of the plating film 3 is refined and densified. It is estimated that the corrosion resistance and adhesion are improved. Similarly, it is presumed that the refinement of the structure contributed to the improvement in hardness.
The content of C contained in the plating film 3 may be uniform throughout the entire plating film 3, or the content may vary. When the C content varies in the plating film 3, C should be in the range of 0.005 <Cc ≦ 0.2 wt% over the entire area.

本発明はめっき膜3を構成する金属を限定するものではないが、Ni、Cu及びSnのいずれかからなるめっき膜3とすることが望ましい。Ni、Cu及びSnは、R−T−B系永久磁石1のめっき膜3を構成した場合に優れた耐食性を有するからである。もちろん本発明を適用することにより、さらなる耐食性向上を成し遂げる。めっき膜3は、単一の金属から構成することができる。例えば、Niめっき、Cuめっき又はSnめっきのみからめっき膜3を構成することができる。また、めっき膜3は、複数種の金属を積層して構成することもできる。例えば、磁石素体2側からCuめっき及びNiめっきを順次積層してめっき膜3を構成することができる。また、例えば、磁石素体2側からCuめっき、Niめっき及びSnめっきを順次積層してめっき膜3を構成することもできる。さらに、同一種の金属を複数積層することによりめっき膜3を構成することもできる。例えば、磁石素体2にNiめっきを一層形成した後に、さらにNiめっきを積層することが好ましい。めっき膜3が複数の層から構成されている場合、少なくとも1つの層が本発明の要件を満足していればよいが、全部の層が本発明の要件を満足していれば更に好ましい。   Although this invention does not limit the metal which comprises the plating film 3, it is desirable to set it as the plating film 3 which consists of either Ni, Cu, and Sn. This is because Ni, Cu, and Sn have excellent corrosion resistance when the plating film 3 of the RTB-based permanent magnet 1 is configured. Of course, further improvement in corrosion resistance can be achieved by applying the present invention. The plating film 3 can be composed of a single metal. For example, the plating film 3 can be comprised only from Ni plating, Cu plating, or Sn plating. Moreover, the plating film 3 can also be configured by laminating a plurality of types of metals. For example, the plating film 3 can be configured by sequentially laminating Cu plating and Ni plating from the magnet body 2 side. Also, for example, the plating film 3 can be configured by sequentially laminating Cu plating, Ni plating, and Sn plating from the magnet body 2 side. Furthermore, the plating film 3 can also be configured by laminating a plurality of the same type of metal. For example, it is preferable to form a Ni plating layer on the magnet body 2 and then further laminate the Ni plating. In the case where the plating film 3 is composed of a plurality of layers, it is sufficient that at least one layer satisfies the requirements of the present invention, but it is more preferable that all the layers satisfy the requirements of the present invention.

めっき膜3中のC含有量を本発明で規定する0.005<Cc≦0.2wt%の範囲にする手法は問わないが、以下の事項を調整することによりめっき膜3中のC含有量を制御することができる。
めっき膜3中のC含有量は、めっき浴中のC−C結合数を変えることによって変動させることができる。具体的には、めっき浴中の有機官能基の種類を変えることにより、めっき膜3中のC含有量を制御することができる。例えば、めっき浴中に含まれることのある半光沢剤の一種であるHCHOをCH3CHO、さらにはC25CHOに変えることによりめっき膜3中のC含有量を変えることができる。また、めっき浴中に含まれることのある光沢剤の濃度を変えることによってもめっき膜3中のC含有量を変えることができる。光沢剤としては、1,5ナフタレンジスルホン酸ナトリウム、1,3,6ナフタレントリスルホン酸ナトリウム等のスルホン酸塩、パラトルエンスルホンアミド、サッカリン、ホルムアルデヒド、1,4ブチンジオール、プロパギルアルコール、エチレンシアンヒドリン等を用いることができる。
The method for setting the C content in the plating film 3 in the range of 0.005 <Cc ≦ 0.2 wt% specified in the present invention is not limited, but the C content in the plating film 3 is adjusted by adjusting the following matters. Can be controlled.
The C content in the plating film 3 can be varied by changing the number of C—C bonds in the plating bath. Specifically, the C content in the plating film 3 can be controlled by changing the type of the organic functional group in the plating bath. For example, the C content in the plating film 3 can be changed by changing HCHO, which is a kind of semi-brightening agent that may be contained in the plating bath, to CH 3 CHO, and further to C 2 H 5 CHO. Further, the C content in the plating film 3 can also be changed by changing the concentration of the brightening agent that may be contained in the plating bath. Brighteners include sulfonates such as sodium 1,5 naphthalene disulfonate, sodium 1,3,6 naphthalene trisulfonate, paratoluenesulfonamide, saccharin, formaldehyde, 1,4 butynediol, propargyl alcohol, ethylene cyanide Hydrine or the like can be used.

めっき膜3中のC含有量を制御することができる他の方法として、めっき工程中のめっき浴に印加される電流密度を変動する方法がある。めっき浴中に添加される添加剤によって変動するが、一般に電流密度が大きいと形成されるめっき膜3中のC含有量を増加することができる。したがって、めっき膜3中のC含有量を多くしたいときには、めっき工程中のめっき浴の電流密度を大きくすればよい。逆に、めっき膜3中のC含有量を少なくしたいときには、めっき工程中のめっき浴の電流密度を小さくすればよい。   As another method capable of controlling the C content in the plating film 3, there is a method of changing the current density applied to the plating bath during the plating step. Although it varies depending on the additive added to the plating bath, in general, when the current density is large, the C content in the formed plating film 3 can be increased. Therefore, when it is desired to increase the C content in the plating film 3, the current density of the plating bath during the plating process may be increased. Conversely, when it is desired to reduce the C content in the plating film 3, the current density of the plating bath during the plating process may be reduced.

めっき膜3の厚さは、1〜30μmの範囲とすることが好ましい。めっき膜3の厚さが1μm未満では、本発明を適用しても十分な耐食性を得ることができない。また、めっき膜3の厚さが30μmを超えても、耐食性の効果が飽和するとともに、R−T−B系永久磁石1に占める磁石素体2の体積が減少することにより、単位体積当たりの磁気特性が低下してしまう。この磁気特性の低下は、小型のR−T−B系永久磁石1になるほど顕著となる。好ましいめっき膜3の厚さは5〜25μmである。めっき膜3が複数の層から構成される場合は、複数の層の合計を上記範囲とする。   The thickness of the plating film 3 is preferably in the range of 1 to 30 μm. If the thickness of the plating film 3 is less than 1 μm, sufficient corrosion resistance cannot be obtained even if the present invention is applied. Moreover, even if the thickness of the plating film 3 exceeds 30 μm, the corrosion resistance effect is saturated, and the volume of the magnet body 2 occupying in the R-T-B system permanent magnet 1 is reduced. Magnetic properties will be degraded. This decrease in magnetic characteristics becomes more prominent as the R-T-B permanent magnet 1 becomes smaller. A preferable thickness of the plating film 3 is 5 to 25 μm. When the plating film 3 is composed of a plurality of layers, the total of the plurality of layers is within the above range.

次に、磁石素体2について説明する。磁石素体2としてR−T−B系永久磁石を用いた場合に本発明の効果は顕著となる。前述したように、R−T−B系永久磁石は耐食性が劣るためである。以下、R−T−B系永久磁石の好ましい化学組成について説明する。
R−T−B系永久磁石は、希土類元素(R)を27.0〜35.0wt%含有する。ここで、希土類元素は、Yを含む概念を有しており、したがって本発明のRは、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Yb、Lu及びYの1種又は2種以上から選択される。磁石素体2の希土類元素の量が27.0wt%未満であると、軟磁性を持つα−Feなどが析出し、保磁力が著しく低下する。また、27.0wt%未満では、焼結性が劣ってくる。一方、希土類元素が35.0wt%を超えるとRリッチ相の量が多くなることにより耐食性が劣化するとともに、主相であるR214B結晶粒の体積比率が低下し、残留磁束密度が低下する。したがって、希土類元素の量は27.0〜35.0wt%とする。望ましい希土類元素の量は28.0〜33.0wt%、さらに望ましい希土類元素の量は29.0〜31.0wt%である。
Next, the magnet body 2 will be described. When an R-T-B permanent magnet is used as the magnet body 2, the effect of the present invention is remarkable. As described above, the R-T-B permanent magnet is inferior in corrosion resistance. Hereinafter, a preferable chemical composition of the R—T—B system permanent magnet will be described.
The RTB-based permanent magnet contains 27.0 to 35.0 wt% of rare earth element (R). Here, the rare earth element has a concept including Y, and therefore R of the present invention is La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Yb, Lu and It is selected from one or more of Y. When the amount of the rare earth element in the magnet body 2 is less than 27.0 wt%, α-Fe having soft magnetism is precipitated, and the coercive force is significantly reduced. Moreover, if it is less than 27.0 wt%, the sinterability is inferior. On the other hand, if the rare earth element exceeds 35.0 wt%, the amount of R-rich phase is increased and the corrosion resistance is deteriorated, and the volume ratio of R 2 T 14 B crystal grains as the main phase is lowered, and the residual magnetic flux density is reduced. descend. Therefore, the amount of rare earth elements is 27.0 to 35.0 wt%. A desirable amount of rare earth elements is 28.0 to 33.0 wt%, and a more desirable amount of rare earth elements is 29.0 to 31.0 wt%.

Rの中ではNdやPrが最も磁気特性のバランスが良いことと、資源的に豊富で比較的安価であることから、希土類元素としての主成分をNdやPrとすることが好ましい。またDyやTbは異方性磁界が大きく、保磁力を向上させる上で有効である。よって、希土類元素としてNdやPr及びDyやTbを選択し、NdやPr及びDyやTbの合計を27.0〜35.0wt%とすることが望ましい。   Among R, Nd and Pr are preferably the main component as a rare earth element is Nd or Pr because Nd and Pr have the best balance of magnetic properties and are abundant and relatively inexpensive. Dy and Tb have a large anisotropic magnetic field and are effective in improving the coercive force. Therefore, it is desirable that Nd, Pr, Dy, and Tb are selected as the rare earth elements, and the total of Nd, Pr, Dy, and Tb is 27.0 to 35.0 wt%.

磁石素体2を構成するR−T−B系永久磁石は、ホウ素(B)を0.5〜2.0wt%含有する。Bが0.5wt%未満の場合には高い保磁力を得ることができない。ただし、Bが2.0wt%を超えると残留磁束密度が低下する傾向がある。したがって、上限を2.0wt%とする。望ましいBの量は0.5〜1.5wt%、さらに望ましいBの量は0.9〜1.1wt%である。   The RTB-based permanent magnet constituting the magnet body 2 contains 0.5 to 2.0 wt% of boron (B). When B is less than 0.5 wt%, a high coercive force cannot be obtained. However, when B exceeds 2.0 wt%, the residual magnetic flux density tends to decrease. Therefore, the upper limit is 2.0 wt%. A desirable amount of B is 0.5 to 1.5 wt%, and a more desirable amount of B is 0.9 to 1.1 wt%.

磁石素体2を構成するR−T−B系永久磁石は、Nb:0.1〜2.0wt%、Zr:0.05〜0.25wt%、Al:0.02〜2.0wt%、Co:0.3〜5.0wt%及びCu:0.01〜1.0wt%の1種又は2種以上の含有を許容する。これらは、Feの一部を置換する元素として位置付けられている。   The R-T-B system permanent magnet constituting the magnet body 2 is Nb: 0.1 to 2.0 wt%, Zr: 0.05 to 0.25 wt%, Al: 0.02 to 2.0 wt%, The inclusion of one or more of Co: 0.3 to 5.0 wt% and Cu: 0.01 to 1.0 wt% is allowed. These are positioned as elements that substitute a part of Fe.

上記元素以外の元素を含有することを本発明は許容する。例えば、Ga、Bi、Snを適宜含有することが本発明にとって望ましい。Ga、Bi、Snは保磁力の向上と保磁力の温度特性向上に効果がある。ただし、これらの元素の過剰な添加は残留磁束密度の低下を招くため、0.02〜0.2wt%とすることが望ましい。また、例えば、Ti、V、Cr、Mn、Ta、Mo、W、Sb、Ge、Ni、Si、Hfの1種又は2種以上を含有させることもできる。   The present invention allows elements other than the above elements to be contained. For example, it is desirable for the present invention to contain Ga, Bi, and Sn as appropriate. Ga, Bi, and Sn are effective in improving the coercive force and the temperature characteristics of the coercive force. However, excessive addition of these elements leads to a decrease in residual magnetic flux density, so 0.02 to 0.2 wt% is desirable. Further, for example, one or more of Ti, V, Cr, Mn, Ta, Mo, W, Sb, Ge, Ni, Si, and Hf can be contained.

次に、磁石素体2の製造方法について説明する。
磁石素体2を構成するR−T−B系永久磁石は、よく知られているように、R2Fe14B結晶粒からなる主相と、この主相よりもRを多く含む粒界相とを少なくとも含む焼結体から構成される。この焼結体を得るための好適な製造方法について説明する。
Next, a method for manufacturing the magnet body 2 will be described.
As is well known, the RTB-based permanent magnet constituting the magnet body 2 has a main phase composed of R 2 Fe 14 B crystal grains and a grain boundary phase containing more R than the main phase. And a sintered body containing at least. A suitable manufacturing method for obtaining this sintered body will be described.

原料合金は、真空又は不活性ガス、好ましくはAr雰囲気中でストリップキャスティング、その他公知の溶解法により作製することができる。R2Fe14B結晶粒を主体とする合金(低R合金)と、低R合金よりRを多く含む合金(高R合金)とを用いる所謂混合法で本発明にかかるR−T−B系永久磁石を製造する場合も同様である。 The raw material alloy can be produced by strip casting or other known melting methods in a vacuum or an inert gas, preferably in an Ar atmosphere. The R-T-B system according to the present invention is a so-called mixing method using an alloy mainly composed of R 2 Fe 14 B crystal grains (low R alloy) and an alloy containing more R than the low R alloy (high R alloy). The same applies to the production of permanent magnets.

原料合金は粉砕工程に供される。混合法による場合には、低R合金及び高R合金は別々に又は一緒に粉砕される。粉砕工程には、粗粉砕工程と微粉砕工程とがある。まず、原料合金を、粒径数百μm程度になるまで粗粉砕する。粗粉砕は、スタンプミル、ジョークラッシャー、ブラウンミル等を用い、不活性ガス雰囲気中にて行なうことが望ましい。粗粉砕に先立って、原料合金に水素を吸蔵させた後に放出させることにより粉砕を行なうことが効果的である。この水素粉砕を粗粉砕と位置付けて、機械的な粗粉砕を省略することもできる。   The raw material alloy is subjected to a grinding process. In the case of the mixing method, the low R alloy and the high R alloy are pulverized separately or together. The pulverization process includes a coarse pulverization process and a fine pulverization process. First, the raw material alloy is coarsely pulverized until the particle size becomes about several hundred μm. The coarse pulverization is desirably performed in an inert gas atmosphere using a stamp mill, a jaw crusher, a brown mill or the like. Prior to coarse pulverization, it is effective to perform pulverization by allowing hydrogen to be stored in the raw material alloy and then releasing it. This hydrogen pulverization can be regarded as coarse pulverization, and mechanical coarse pulverization can be omitted.

粗粉砕工程後、微粉砕工程に移る。微粉砕には主にジェットミルが用いられ、粒径数百μm程度の粗粉砕粉末を、平均粒径2〜10μm、好ましくは3〜8μmとする。ジェットミルは、高圧の不活性ガスを狭いノズルより開放して高速のガス流を発生させ、この高速のガス流により粗粉砕粉末を加速し、粗粉砕粉末同士の衝突やターゲットあるいは容器壁との衝突を発生させて粉砕する方法である。   After the coarse pulverization process, the process proceeds to the fine pulverization process. A jet mill is mainly used for fine pulverization, and a coarsely pulverized powder having a particle size of about several hundreds of μm has an average particle size of 2 to 10 μm, preferably 3 to 8 μm. The jet mill releases a high-pressure inert gas from a narrow nozzle to generate a high-speed gas flow, accelerates the coarsely pulverized powder with this high-speed gas flow, collides with the coarsely pulverized powder, and collides with the target or container wall. It is a method of generating a collision and crushing.

混合法による場合、2種の合金を混合するタイミングは限定されるものではないが、微粉砕工程において低R合金及び高R合金を別々に粉砕した場合には、微粉砕された低R合金粉末及び高R合金粉末とを好ましくは不活性ガス雰囲気中で混合する。低R合金粉末及び高R合金粉末の混合比率は、重量比で80:20〜97:3程度とすればよい。低R合金及び高R合金を一緒に粉砕する場合の混合比率も同様である。微粉砕時に、ステアリン酸亜鉛等の粉砕助剤を0.01〜0.3wt%程度添加することにより、次の磁場中成形時に配向性の高い微粉を得ることができる。
以上のようにして得られた微粉末は磁場中成形に供される。この磁場中成形は、960〜1600kA/m(12〜20kOe)前後の磁場中で、68.6〜147MPa(0.7〜1.5t/cm2)前後の圧力で行なえばよい。
In the case of the mixing method, the timing of mixing the two kinds of alloys is not limited. However, when the low R alloy and the high R alloy are separately pulverized in the pulverizing step, the pulverized low R alloy powder is used. And the high R alloy powder are preferably mixed in an inert gas atmosphere. The mixing ratio of the low R alloy powder and the high R alloy powder may be about 80:20 to 97: 3 by weight. The mixing ratio when the low R alloy and the high R alloy are pulverized together is the same. By adding about 0.01 to 0.3 wt% of a grinding aid such as zinc stearate at the time of fine grinding, fine powder with high orientation can be obtained at the time of molding in the next magnetic field.
The fine powder obtained as described above is subjected to molding in a magnetic field. The forming in the magnetic field may be performed at a pressure of about 68.6 to 147 MPa (0.7 to 1.5 t / cm 2 ) in a magnetic field of about 960 to 1600 kA / m (12 to 20 kOe).

磁場中成形後、その成形体を真空又は不活性ガス雰囲気中で焼結する。焼結温度は、組成、粉砕方法、平均粒径と粒度分布の違い等、諸条件により調整する必要があるが、1000〜1100℃で1〜10時間程度焼結すればよい。焼結工程の前に成形体に含まれている粉砕助剤、ガスなどを除去する処理を行なってもよい。焼結後、得られた焼結体に時効処理を施すことができる。この工程は、保磁力を制御する重要な工程である。時効処理を2段に分けて行なう場合には、800℃近傍、600℃近傍での所定時間の保持が有効である。800℃近傍での熱処理を焼結後に行なうと、保磁力が増大するため、混合法においては特に有効である。また、600℃近傍の熱処理で保磁力が大きく増加するため、時効処理を1段で行なう場合には、600℃近傍の時効処理を施すとよい。   After molding in a magnetic field, the compact is sintered in a vacuum or an inert gas atmosphere. Although it is necessary to adjust sintering temperature by various conditions, such as a composition, a grinding | pulverization method, the difference of an average particle diameter, and a particle size distribution, what is necessary is just to sinter at 1000-1100 degreeC for about 1 to 10 hours. You may perform the process which removes the grinding | pulverization adjuvant, gas, etc. which are contained in the molded object before a sintering process. After sintering, the obtained sintered body can be subjected to an aging treatment. This process is an important process for controlling the coercive force. In the case where the aging treatment is performed in two stages, holding for a predetermined time at around 800 ° C. and around 600 ° C. is effective. When the heat treatment at around 800 ° C. is performed after sintering, the coercive force increases, which is particularly effective in the mixing method. In addition, since the coercive force is greatly increased by the heat treatment at around 600 ° C., the aging treatment at around 600 ° C. is preferably performed when the aging treatment is performed in one stage.

焼結体を得た後に、めっき膜3を形成する。本発明によるめっき膜3は、電解めっき、無電解めっきのいずれで形成しても良いが、電解めっきで形成することがより好ましい。C含有量の制御が容易なためである。電解めっきを行なう場合、電解めっきを行う前の処理(前処理)を焼結体に対して行なう。この前処理は、例えば、焼結体を所定形状・精度に加工した後に、バレル研磨、脱脂、水洗、エッチング(例えば硝酸)、水洗を施す。この工程は、あくまで一例であって、本発明を限定する要素とはならない。次いで、電解めっきによりめっき膜3を成膜する。めっき膜3を成膜した後に、水洗、乾燥して電解めっきによるめっき膜3形成のための一連の工程を終了する。   After obtaining the sintered body, the plating film 3 is formed. The plated film 3 according to the present invention may be formed by either electrolytic plating or electroless plating, but is more preferably formed by electrolytic plating. This is because it is easy to control the C content. When performing electroplating, the process (pretreatment) before performing electroplating is performed with respect to a sintered compact. In this pretreatment, for example, barrel processing, degreasing, water washing, etching (for example, nitric acid), and water washing are performed after processing the sintered body to a predetermined shape and accuracy. This process is merely an example, and is not an element that limits the present invention. Next, a plating film 3 is formed by electrolytic plating. After the plating film 3 is formed, it is washed with water and dried to complete a series of steps for forming the plating film 3 by electrolytic plating.

めっき膜3の成膜についてさらに言及する。
めっき膜3として電解ニッケルめっき膜を形成する場合の典型的なめっき条件としては以下のものを適用することができる。ただし、以下はあくまで一例であって、本発明を限定するものではない。
(1)めっき浴:硫酸ニッケル、塩化アンモニウム、ホウ酸
pH:5.6〜5.8
温度:20〜30℃
電流密度:0.5〜5A/dm2
(2)めっき浴(ワット浴):硫酸ニッケル、塩化ニッケル、ホウ酸
pH:4.5〜5.5
温度:40〜60℃
電流密度:1〜7A/dm2
(3)めっき浴:スルファンミン酸ニッケル、臭化ニッケル、ホウ酸
pH:4.0〜5.0
温度:40〜50℃
電流密度:1〜15A/dm2
The film formation of the plating film 3 will be further described.
As typical plating conditions when forming an electrolytic nickel plating film as the plating film 3, the following can be applied. However, the following is only an example and does not limit the present invention.
(1) Plating bath: nickel sulfate, ammonium chloride, boric acid pH: 5.6 to 5.8
Temperature: 20-30 ° C
Current density: 0.5 to 5 A / dm 2
(2) Plating bath (Watt bath): Nickel sulfate, nickel chloride, boric acid pH: 4.5 to 5.5
Temperature: 40-60 ° C
Current density: 1-7 A / dm 2
(3) Plating bath: nickel sulfamate, nickel bromide, boric acid pH: 4.0-5.0
Temperature: 40-50 ° C
Current density: 1-15 A / dm 2

めっき膜3として電解銅めっき膜を形成する場合の典型的なめっき条件として以下のものを適用することができる。ただし、以下はあくまで一例であって、本発明を限定するものではない。
(1)めっき浴:ピロリン酸銅3水和物、ピロリン酸カリウム、アンモニア
pH:8〜10
温度:50〜60℃
電流密度:2〜6A/dm2
(2)めっき浴:銅塩、リン酸塩、脂肪族ホスホン酸化合物、金属水酸化物
pH:9.5〜10.5
温度:55〜65℃
電流密度:1〜10A/dm2
As typical plating conditions when an electrolytic copper plating film is formed as the plating film 3, the following can be applied. However, the following is only an example and does not limit the present invention.
(1) Plating bath: copper pyrophosphate trihydrate, potassium pyrophosphate, ammonia pH: 8-10
Temperature: 50-60 ° C
Current density: 2-6 A / dm 2
(2) Plating bath: copper salt, phosphate, aliphatic phosphonic acid compound, metal hydroxide pH: 9.5 to 10.5
Temperature: 55-65 ° C
Current density: 1-10 A / dm 2

めっき膜3として電解Snめっき膜を形成する場合、フェロスタン法、ハロゲン法、アルカリ法のいずれかを採用することができる。フェロスタン法及びハロゲン法は酸性浴を用いるめっき法であり、SnはSn2+から析出する。フェロスタン法ではフェノールスルホン酸すずを、ハロゲン法では塩化第一すずを使用する。アルカリ法ではすず酸ソーダを主成分とし、SnはSn2+から析出する。 When an electrolytic Sn plating film is formed as the plating film 3, any one of a ferrostan method, a halogen method, and an alkali method can be employed. The ferrostan method and the halogen method are plating methods using an acidic bath, and Sn is precipitated from Sn 2+ . In the ferrostan method, tin phenol sulfonate is used, and in the halogen method, stannous chloride is used. In the alkali method, sodium stannate is the main component, and Sn is precipitated from Sn 2+ .

以上、本発明によるめっき膜3をR−T−B系永久磁石に適用する例について説明した。しかし、本発明によるめっき膜3は、R−T−B系永久磁石の保護膜としての利用に限定されず、耐食性が要求される他の希土類永久磁石、さらには耐食性の要求される他の部材の保護膜として利用することができることはいうまでもない。   In the above, the example which applies the plating film 3 by this invention to a RTB type permanent magnet was demonstrated. However, the plating film 3 according to the present invention is not limited to the use as a protective film for the R-T-B system permanent magnet, but other rare earth permanent magnets that require corrosion resistance, and other members that require corrosion resistance. Needless to say, it can be used as a protective film.

所定の組成を有する薄帯状合金をストリップキャスト法で作製した。この薄帯状合金に室温にて水素を吸蔵させた後、Ar雰囲気中で400〜700℃前後まで昇温して脱水素を行なうことにより粗粉末を得た。
ジェットミルを用いてこの粗粉末を微粉砕した。微粉砕は、ジェットミル内をN2ガスで置換した後に高圧N2ガス気流を用いて行った。得られた微粉末の平均粒径は4.0μmであった。なお、微粉砕を行なう前に粉砕助剤としてステアリン酸亜鉛を0.01〜0.10wt%添加した。
A ribbon-like alloy having a predetermined composition was produced by strip casting. This thin strip alloy was occluded with hydrogen at room temperature, and then heated to about 400 to 700 ° C. in an Ar atmosphere to perform dehydrogenation, thereby obtaining a coarse powder.
The coarse powder was pulverized using a jet mill. Milling was performed using a high-pressure N 2 gas flow through the jet mill was replaced with N 2 gas. The average particle size of the obtained fine powder was 4.0 μm. In addition, before performing fine grinding, 0.01 to 0.10 wt% of zinc stearate was added as a grinding aid.

得られた微粉末を1200kA/m(15kOe)の磁場中で98MPa(1.0ton/cm2)の圧力で成形して成形体を得た。この成形体を真空中において、1030℃で4時間焼結した後に、急冷した。次いで得られた焼結体に850℃×1時間と540℃×1時間(ともにAr雰囲気中)の2段時効処理を施した。焼結体の組成を分析したところ、26.5wt%Nd−5.9wt%Dy−0.25wt%Al−0.5wt%Co−0.07wt%Cu−1.0wt%B−Fe.balの組成を有していた。 The obtained fine powder was molded at a pressure of 98 MPa (1.0 ton / cm 2 ) in a magnetic field of 1200 kA / m (15 kOe) to obtain a molded body. The molded body was sintered in a vacuum at 1030 ° C. for 4 hours and then rapidly cooled. Next, the obtained sintered body was subjected to a two-stage aging treatment of 850 ° C. × 1 hour and 540 ° C. × 1 hour (both in an Ar atmosphere). When the composition of the sintered body was analyzed, 26.5 wt% Nd-5.9 wt% Dy-0.25 wt% Al-0.5 wt% Co-0.07 wt% Cu-1.0 wt% B-Fe. It had a composition of bal.

得られたR−T−B系永久磁石を加工して30mm×40mm×5mmのサイズの試料を作製した。この試料をバレル研磨後、アルカリ脱脂、硝酸洗浄、アルカリ超音波洗浄を施した。試料を乾燥後、表1に示す条件で試料表面にNiめっきを施した。   The obtained RTB-based permanent magnet was processed to prepare a sample having a size of 30 mm × 40 mm × 5 mm. This sample was barrel-polished and then subjected to alkali degreasing, nitric acid cleaning, and alkali ultrasonic cleaning. After drying the sample, Ni plating was applied to the sample surface under the conditions shown in Table 1.

Figure 2006179800
Figure 2006179800

Niめっき完了後、形成されためっき膜の評価を行った。評価項目、評価方法を以下に示す。なお、試料No.4はめっき膜にクラックが発生したため、以下の硬さ、耐食性及び密着性の評価は行わなかった。
<めっき膜厚測定>:蛍光X線微小部膜厚計にて膜厚を測定した。膜厚の測定は、試料の平面中心部で行い、5個の試料の平均値とした。
<めっき膜組成分析>:めっき膜のみを剥がし取り、酸素気流中燃焼−赤外吸光法を用いてCおよびS量を分析した。
<硬度>:ビッカース硬度計により、ビッカース硬度を測定した。5個の試料の平均値である。
<耐食性>:120℃、100%RH、2atm.なる条件にて40hr保持した後の試料表面状態(フクレ、錆)を目視にて観察した。20個の試料中、フクレおよび錆の発生した試料個数の割合にて評価した。
<密着性>:めっき膜に10mmの幅で深さ30〜40μm、長さ20mmの切れ目を2本平行にいれて、2本の切れ目同士を同様の深さの切れ目で結んで、その部分から垂直にめっき膜のみを引き剥がし、そのときの引き剥がし力を測定した。5個の試料の平均値である。
After the Ni plating was completed, the formed plating film was evaluated. Evaluation items and evaluation methods are shown below. Sample No. Since cracks occurred in the plating film 4, the following hardness, corrosion resistance, and adhesion were not evaluated.
<Plating film thickness measurement>: The film thickness was measured with a fluorescent X-ray microscopic part thickness meter. The film thickness was measured at the center of the plane of the sample, and the average value of the five samples was taken.
<Plating film composition analysis>: Only the plating film was peeled off, and the amounts of C and S were analyzed using combustion in an oxygen stream-infrared absorption method.
<Hardness>: Vickers hardness was measured with a Vickers hardness meter. The average value of 5 samples.
<Corrosion resistance>: 120 ° C., 100% RH, 2 atm. The sample surface state (swelling and rust) after being held for 40 hours under the following conditions was visually observed. The 20 samples were evaluated based on the ratio of the number of samples in which swelling and rust occurred.
<Adhesiveness>: 10 mm wide, 30-40 μm deep, 20 mm long cuts are placed in parallel on the plating film, and the two cuts are connected by a cut of the same depth. Only the plating film was peeled off vertically, and the peeling force at that time was measured. The average value of 5 samples.

以上の測定結果を表1に示す。また、めっき膜のC含有量とめっき膜の硬さの関係を図2に、めっき膜のC含有量とめっき膜の密着性の関係を図3に示す。
表1より、めっき成膜時に用いる添加剤及び電流密度を調整することにより、めっき膜のC含有量を制御できることがわかる。そして、表1、図2及び図3より、めっき膜のC含有量が多くなるにしたがってめっき膜の硬さが硬くなり、また密着性も向上することがわかる。
The above measurement results are shown in Table 1. 2 shows the relationship between the C content of the plating film and the hardness of the plating film, and FIG. 3 shows the relationship between the C content of the plating film and the adhesion of the plating film.
From Table 1, it can be seen that the C content of the plating film can be controlled by adjusting the additive and the current density used in the plating film formation. And from Table 1, FIG. 2, and FIG. 3, it turns out that the hardness of a plating film becomes hard and adhesiveness improves as the C content of a plating film increases.

実施例1と同様のR−T−B系永久磁石からなる試料を用い、表2に示す条件でめっき膜を形成した。めっき膜形成後、やはり実施例1と同様にしてめっき膜の評価を行った。その結果を表2に示す。また、評価結果に基づき、電流密度とC含有量の関係、C含有量とめっき膜の硬さ及びC含有量とめっき膜の密着性の関係を求めた。その結果を図4、図5に示す。   A plating film was formed under the conditions shown in Table 2 using a sample made of the same R-T-B permanent magnet as in Example 1. After the plating film was formed, the plating film was evaluated in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 2. Further, based on the evaluation results, the relationship between the current density and the C content, the C content and the hardness of the plating film, and the relationship between the C content and the adhesion of the plating film were determined. The results are shown in FIGS.

Figure 2006179800
Figure 2006179800

表2、図4及び図5より、Cuめっきにおいてもめっき膜のC含有量が多くなるにしたがってめっき膜の硬さが硬くなり、また密着性も向上することが確認できた。   From Table 2, FIG. 4 and FIG. 5, it was confirmed that in Cu plating, the hardness of the plating film became harder and the adhesion was improved as the C content of the plating film increased.

めっき膜を有するR−T−B系永久磁石を示す図である。It is a figure which shows the RTB system permanent magnet which has a plating film. 実施例1におけるめっき膜のC含有量とめっき膜の硬さの関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between C content of the plating film in Example 1, and the hardness of a plating film. 実施例1におけるめっき膜のC含有量とめっき膜の密着性の関係を示すグラフである。3 is a graph showing the relationship between the C content of the plating film and the adhesion of the plating film in Example 1. 実施例2におけるめっき膜のC含有量とめっき膜の硬さの関係を示すグラフである。It is a graph which shows the C content of the plating film in Example 2, and the relationship between the hardness of a plating film. 実施例2におけるめっき膜のC含有量とめっき膜の密着性の関係を示すグラフである。It is a graph which shows the C content of the plating film in Example 2, and the relationship of the adhesiveness of a plating film.

符号の説明Explanation of symbols

1…R−T−B系永久磁石、2…磁石素体、3…めっき膜   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... RTB system permanent magnet, 2 ... Magnetic body, 3 ... Plating film

Claims (3)

214B化合物(ただし、RはYを含む希土類元素の1種又は2種以上、TはFe又はFe及びCoを必須とする1種又は2種以上の遷移金属元素)からなる主相結晶粒と、前記主相結晶粒よりRを多く含む粒界相とを少なくとも含む焼結体からなる磁石素体と、
前記磁石素体表面を被覆する、C含有量をCc(wt%)としたとき、0.005<Cc≦0.2wt%であるめっき膜と、
を備えることを特徴とするR−T−B系永久磁石。
Main phase comprising R 2 T 14 B compound (where R is one or more of rare earth elements including Y and T is one or more transition metal elements essential for Fe, Fe and Co) A magnet body composed of a sintered body including at least crystal grains and a grain boundary phase containing more R than the main phase crystal grains;
A plated film that covers the surface of the magnet body and has a C content of Cc (wt%) and 0.005 <Cc ≦ 0.2 wt%;
An R-T-B system permanent magnet comprising:
前記めっき膜は、電解Niめっき層又は電解Cuめっき層を含むことを特徴とする請求項1又は2に記載のR−T−B系永久磁石。   The RTB-based permanent magnet according to claim 1, wherein the plating film includes an electrolytic Ni plating layer or an electrolytic Cu plating layer. 耐食性向上のために基体上に被覆され、C含有量をCc(wt%)としたとき、0.005<Cc≦0.2wt%のCを含有することを特徴とするめっき膜。   A plated film characterized by containing 0.005 <Cc ≦ 0.2 wt% of C when coated on a substrate for improving corrosion resistance and the C content is Cc (wt%).
JP2004373522A 2004-12-24 2004-12-24 R-T-B permanent magnet Active JP4180048B2 (en)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004373522A JP4180048B2 (en) 2004-12-24 2004-12-24 R-T-B permanent magnet
US11/317,550 US20060141281A1 (en) 2004-12-24 2005-12-22 R-T-B system permanent magnet and plating film
EP20050028375 EP1675132B1 (en) 2004-12-24 2005-12-23 R-T-B permanent magnet and plating film
DE200560026250 DE602005026250D1 (en) 2004-12-24 2005-12-23 R-T-B permanent magnet and plating layer
CNB2005101341108A CN100573752C (en) 2004-12-24 2005-12-26 R-T-B based permanent magnet and plated film

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004373522A JP4180048B2 (en) 2004-12-24 2004-12-24 R-T-B permanent magnet

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008176214A Division JP4730564B2 (en) 2008-07-04 2008-07-04 R-T-B permanent magnet

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2006179800A true JP2006179800A (en) 2006-07-06
JP4180048B2 JP4180048B2 (en) 2008-11-12

Family

ID=36733588

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004373522A Active JP4180048B2 (en) 2004-12-24 2004-12-24 R-T-B permanent magnet

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP4180048B2 (en)
CN (1) CN100573752C (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011009627A (en) * 2009-06-29 2011-01-13 Tdk Corp Metal magnet, and motor using the same
CN103121312A (en) * 2011-11-19 2013-05-29 大连得达科技发展有限公司 Alloy material for making cutter
CN107408437A (en) * 2015-03-25 2017-11-28 Tdk株式会社 Rare earth element magnet

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011009627A (en) * 2009-06-29 2011-01-13 Tdk Corp Metal magnet, and motor using the same
US9028981B2 (en) 2009-06-29 2015-05-12 Tdk Corporation Metal magnet and motor using the same
CN103121312A (en) * 2011-11-19 2013-05-29 大连得达科技发展有限公司 Alloy material for making cutter
CN107408437A (en) * 2015-03-25 2017-11-28 Tdk株式会社 Rare earth element magnet
CN107430917A (en) * 2015-03-25 2017-12-01 Tdk株式会社 Rare earth element magnet
CN107430918A (en) * 2015-03-25 2017-12-01 Tdk株式会社 Rare earth element magnet
CN107430918B (en) * 2015-03-25 2020-08-18 Tdk株式会社 Rare earth magnet
CN107408437B (en) * 2015-03-25 2020-08-18 Tdk株式会社 Rare earth magnet

Also Published As

Publication number Publication date
CN1794375A (en) 2006-06-28
JP4180048B2 (en) 2008-11-12
CN100573752C (en) 2009-12-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9607743B2 (en) R-T-B based sintered magnet
WO2006009137A1 (en) Rare earth element magnet
US7462403B2 (en) R-T-B system permanent magnet
JP4595237B2 (en) Copper plating solution and copper plating method
US7740716B2 (en) Rare earth sintered magnet
JP4180048B2 (en) R-T-B permanent magnet
JP4180049B2 (en) R-T-B permanent magnet
JP2005015886A (en) Rare earth permanent magnet
JP4730564B2 (en) R-T-B permanent magnet
EP1675132B1 (en) R-T-B permanent magnet and plating film
JP3641477B2 (en) R-T-B permanent magnet
JPH0529119A (en) High corrosion-resistant rare earth magnet
JP3914557B2 (en) Rare earth sintered magnet
JPH01268004A (en) R-tm-b permanent magnet with improved corrosion resistance and manufacture thereof
JP3642781B2 (en) R-T-B permanent magnet
JP2631492B2 (en) Manufacturing method of corrosion resistant permanent magnet
JP2001295091A (en) Surface-treating method and method for manufacturing magnet
JP2005079544A (en) R-t-b permanent magnet
JPH06290935A (en) Rare earth magnet
JPH04288804A (en) Permanent magnet and manufacture thereof
JP4089948B2 (en) Method for manufacturing permanent magnet for hard disk drive
JPH02139904A (en) Permanent magnet
JPH0529118A (en) High corrosion-resistant rare earth magnet
JP2002158106A (en) Rare earth permanent magnet superior in oxidation resistance and its manufacturing method
JPH08236328A (en) Rare earth element-iron-boron based permanent magnet

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060531

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070905

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20071105

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20080507

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080704

A911 Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20080715

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20080820

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20080826

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4180048

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110905

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120905

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130905

Year of fee payment: 5