JP2006176838A - Atomic layer film deposition system - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To improve a film deposition rate by reducing exhausting time. <P>SOLUTION: In a state where the feed of a gaseous starting material is stopped, and an exhausting mechanism 104 and a film deposition chamber exhausting mechanism 110 are operated, a state where purge gas such as Ar and nitrogen is fed into a film deposition part 102 by a gas feeding mechanism 108. In this way, a wide pressure difference is generated between the inside of the film deposition part 102 and the inside of a vacuum chamber 101 at the outside thereof, and a state where the pressure at the inside of the film deposition part 102 is higher than that of the outside is made, thus a state where the film deposition part 102 is separated from a cover 105, and the inside of the film deposition part 102 communicates with the inside of the vacuum chamber 101 is made. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、原子層及び分子層単位で薄膜の形成が可能な原子層成膜装置に関する。   The present invention relates to an atomic layer deposition apparatus capable of forming a thin film in units of atomic layers and molecular layers.

近年、大きな面積の基板の上に均一な薄膜を細線性よく形成する技術として、原子層成長（Atomic Layer Deposition：ＡＬＤ）法が用いられている（特許文献１，２，３，４参照）。原子層成長方法は、形成しようとする膜を構成する各元素の原料を基板に交互に供給することにより、原子層単位で薄膜を形成する技術である。原子層成長方法では、各元素の原料を供給している間に１層あるいはｎ層だけを表面に吸着させ、余分な原料は成長に寄与させないようにしている。これを、成長の自己停止作用という。原子層成長方法では、プラズマを利用することがないので、高品質な膜が形成できる。また、原子層成長方法では、例えば３００℃程度と処理の温度を高くする必要が無く、ガラス基板の上でも絶縁膜が形成できるなど、適用範囲が広いという特徴を有している。   In recent years, an atomic layer deposition (ALD) method has been used as a technique for forming a uniform thin film on a large-area substrate with a fine lineability (see Patent Documents 1, 2, 3, and 4). The atomic layer growth method is a technique for forming a thin film in units of atomic layers by alternately supplying a raw material of each element constituting a film to be formed to a substrate. In the atomic layer growth method, only one layer or n layer is adsorbed on the surface while the raw materials for each element are being supplied, so that excess raw materials do not contribute to the growth. This is called self-stopping action of growth. Since the atomic layer growth method does not use plasma, a high-quality film can be formed. In addition, the atomic layer growth method has a feature that the application range is wide, for example, it is not necessary to increase the processing temperature to about 300 ° C. and an insulating film can be formed on a glass substrate.

このような特徴を備えた原子層成長方法を実現するための成膜装置は、図４に示すように、気相による膜の成長が行われる成膜チャンバー４０１と、成膜チャンバー４０１の内部に配置された加熱機構を備えた基板台４０２とを備える。また、成膜チャンバー４０１は、排気機構４０４と、ガス供給機構４０５を備える。図４に示す処理装置では、まず、処理対象の基板４０３を基板台４０２の上に搬入し、成膜チャンバー４０１を密閉された状態とした後、基板台４０２の加熱機構により基板４０３を所定温度に加熱した状態で、ガス供給機構４０５による所定のガスの供給と、排気機構４０４による排気と，ガス供給機構４０５によるパージガスの供給によるパージと、排気機構４０４による排気とを繰り返すことで、所望の薄膜が形成された状態としている。   As shown in FIG. 4, a film forming apparatus for realizing an atomic layer growth method having such a feature includes a film forming chamber 401 in which a film is grown in a gas phase, and a film forming chamber 401 inside. And a substrate table 402 provided with a heating mechanism. The film formation chamber 401 includes an exhaust mechanism 404 and a gas supply mechanism 405. In the processing apparatus shown in FIG. 4, first, the substrate 403 to be processed is loaded onto the substrate table 402, the film formation chamber 401 is sealed, and then the substrate 403 is heated to a predetermined temperature by the heating mechanism of the substrate table 402. In the heated state, a predetermined gas supply by the gas supply mechanism 405, an exhaust by the exhaust mechanism 404, a purge by a purge gas supply by the gas supply mechanism 405, and an exhaust by the exhaust mechanism 404 are repeated. A thin film is formed.

なお、出願人は、本明細書に記載した先行技術文献情報で特定される先行技術文献以外には、本発明に関連する先行技術文献を出願時までに発見するには至らなかった。
特開平１−１７９４２３号公報 特開平５−１６０１５２号公報 特開２００１−１７２７６７号公報 特開２００２−３５３１５４号公報 The applicant has not yet found prior art documents related to the present invention by the time of filing other than the prior art documents specified by the prior art document information described in this specification.
JP-A-1-179423 JP-A-5-160152 JP 2001-172767 A JP 2002-353154 A

ところで、製造コストの低減などの観点から、成膜チャンバー４０１の容積は、処理対象の基板が収容できる範囲で、可能な限り小さくしている。従って、排気の経路に大きな口径の配管を用いることが困難であり、従来の成膜装置では、排気の速度を速くすることが困難であった。このため、パージを含めた原料ガスの交換に時間を要し、成膜速度を向上させることが容易ではなかった。   By the way, from the viewpoint of reducing the manufacturing cost, the volume of the film forming chamber 401 is made as small as possible within a range that can accommodate the substrate to be processed. Therefore, it is difficult to use a large-diameter pipe in the exhaust path, and it has been difficult to increase the exhaust speed in the conventional film forming apparatus. For this reason, it takes time to exchange the source gas including the purge, and it is not easy to improve the film formation rate.

本発明は、以上のような問題点を解消するためになされたものであり、排気時間を短縮することで成膜速度が向上できるようにすることを目的とする。   The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to improve the deposition rate by shortening the exhaust time.

本発明に係る原子層成膜装置は、密閉可能な内部空間を備えた真空チャンバーと、真空チャンバーの内部に配置されて開口部を備えた成膜部と、真空チャンバーの第１領域に第１配管を介して連通する第１排気機構と、真空チャンバーの第２領域に例えば第１配管より大きい口径の第２配管を介して連通する第２排気機構と、真空チャンバーの内部に所定のガスを供給するガス供給機構とを少なくとも備え、成膜部は、開口部が第１領域を含むように真空チャンバーの内壁に所定の大きさの押し付け力で押し付けられ、成膜部と真空チャンバーの第１領域の部分とにより密閉された成膜室が形成され、ガス供給機構は、真空チャンバーの第１領域を介して成膜室の内部にガスを供給するようにしたものである。従って、成膜室の内部圧力が、押し付け力の大きさ以上に真空チャンバー内の圧力より大きくなると、成膜室が、成膜部の外側の真空チャンバーの内部と連通した状態となる。   An atomic layer deposition apparatus according to the present invention includes a vacuum chamber having a sealable internal space, a deposition unit disposed in the vacuum chamber and having an opening, and a first region in a first region of the vacuum chamber. A first exhaust mechanism communicating with the pipe, a second exhaust mechanism communicating with the second area of the vacuum chamber via, for example, a second pipe having a larger diameter than the first pipe, and a predetermined gas inside the vacuum chamber. And a gas supply mechanism for supplying the film forming unit, and the film forming unit is pressed against the inner wall of the vacuum chamber with a predetermined pressing force so that the opening includes the first region. A film forming chamber hermetically sealed is formed by the region portion, and the gas supply mechanism supplies gas into the film forming chamber through the first region of the vacuum chamber. Therefore, when the internal pressure of the film forming chamber becomes larger than the pressure in the vacuum chamber beyond the pressing force, the film forming chamber is in communication with the inside of the vacuum chamber outside the film forming portion.

上記原子層成膜装置において、真空チャンバーは、平板状の上蓋と、真空チャンバーの内部において成膜部を上蓋の側に押し付けるように支持する弾性部材とを備え、第１領域は上蓋に配置され、成膜部は、弾性部材の弾性力により上蓋の内壁に押し付けられているようにすればよい。また、第１領域は真空チャンバーの底面に配置され、成膜部は、開口部が第１領域を含むように真空チャンバーの底面に成膜部の重量により押し付けられているようにしてもよい。   In the atomic layer deposition apparatus, the vacuum chamber includes a flat top lid and an elastic member that supports the deposition unit to be pressed against the top lid inside the vacuum chamber, and the first region is disposed on the top lid. The film forming unit may be pressed against the inner wall of the upper lid by the elastic force of the elastic member. The first region may be disposed on the bottom surface of the vacuum chamber, and the film forming unit may be pressed against the bottom surface of the vacuum chamber by the weight of the film forming unit so that the opening includes the first region.

以上説明したように、本発明では、真空チャンバーの内部に設けられて、開口部が内壁に押し付けられた成膜部により真空チャンバーの内部で異なる空間となる成膜室が形成された状態としたので、成膜室の内部圧力を、押し付け力の大きさ以上に真空チャンバー内の圧力より大きくすることで、成膜室を成膜部の外側の真空チャンバーの内部と連通した状態とし、成膜室がより口径の大きい第２配管を介して第２排気機構により排気できるようにした。このことにより、本発明によれば、排気時間が短縮できるようになり、原子層成長法においてより高速に成膜ができるようになるという優れた効果が得られる。   As described above, in the present invention, a film forming chamber that is provided inside the vacuum chamber and has a different space inside the vacuum chamber is formed by the film forming unit whose opening is pressed against the inner wall. Therefore, by making the internal pressure of the film forming chamber larger than the pressure in the vacuum chamber more than the magnitude of the pressing force, the film forming chamber is brought into communication with the inside of the vacuum chamber outside the film forming unit, and film forming is performed. The chamber can be evacuated by the second exhaust mechanism through the second pipe having a larger diameter. As a result, according to the present invention, the exhaust time can be shortened, and the excellent effect that the film can be formed at a higher speed in the atomic layer growth method can be obtained.

以下、本発明の実施の形態について図を参照して説明する。図１は、本発明の実施の形態における原子層成膜装置の構成例を概略的に示す模式的な断面を含めた構成図である。図１に示す装置は、真空チャンバー１０１の内部に成膜部１０２を備えるようにしたものである。真空チャンバー１０１は、例えば底面側に配管１０３を介して排気機構１０４が連通している。また、真空チャンバー１０１の上面は、開閉可能な上蓋１０５から構成されている。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a configuration diagram including a schematic cross section schematically showing a configuration example of an atomic layer deposition apparatus according to an embodiment of the present invention. The apparatus shown in FIG. 1 includes a film forming unit 102 inside a vacuum chamber 101. In the vacuum chamber 101, for example, an exhaust mechanism 104 communicates with a bottom surface side via a pipe 103. The upper surface of the vacuum chamber 101 is composed of an openable / closable upper lid 105.

成膜部１０２は、上面が開放した容器であり、底面側が弾性部材１０６を介して支持部１０７により真空チャンバー１０１の底面上に支持されている。弾性部材１０６は、例えばバネやゴムなどから構成されていればよい。また、上蓋１０５の成膜部１０２の領域には、原料ガスやパージガスなどのガスを供給するガス供給機構１０８が接続し、配管１０９を介して成膜室排気機構１１０が連通している。なお、成膜部１０２の底部には、加熱機構を備えた基板載置台１２１が配置されている。   The film forming unit 102 is a container having an open top surface, and the bottom surface side is supported on the bottom surface of the vacuum chamber 101 by a support unit 107 via an elastic member 106. The elastic member 106 may be made of, for example, a spring or rubber. In addition, a gas supply mechanism 108 for supplying a gas such as a source gas or a purge gas is connected to the region of the film formation unit 102 of the upper lid 105, and a film formation chamber exhaust mechanism 110 is connected via a pipe 109. Note that a substrate platform 121 having a heating mechanism is disposed at the bottom of the film forming unit 102.

成膜部１０２は、弾性部材１０６の弾性力（押し付け力）により上蓋１０５の方向に押し上げられ、開放した上面が上蓋１０５の内側平面に押し付けられ、内部に密閉した空間からなる成膜室を形成している。従って、弾性部材１０６の押し上げる力より大きい力が反対の方向に加わると、図２に示すように、成膜部１０２の上面は上蓋１０５より離間する。このことにより、上記成膜室は、真空チャンバー１０１の内部において、一部が開放した状態となる。なお、支持部１０７を用いずに、弾性部材１０６のみで成膜部１０２が支持されているようにしてもよい。   The film forming unit 102 is pushed up in the direction of the upper lid 105 by the elastic force (pressing force) of the elastic member 106, and the opened upper surface is pressed against the inner plane of the upper lid 105 to form a film forming chamber consisting of a sealed space inside. is doing. Therefore, when a force larger than the force pushing up the elastic member 106 is applied in the opposite direction, the upper surface of the film forming unit 102 is separated from the upper lid 105 as shown in FIG. As a result, the film formation chamber is partially opened inside the vacuum chamber 101. Note that the film forming unit 102 may be supported only by the elastic member 106 without using the support unit 107.

次に、図１，２に示す原子層成膜装置を用いた原子層成膜方法例について説明する。まず、上蓋１０５が開放された状態として基板載置台１２１の上に処理対象の基板が載置された状態とする。ついで、上蓋１０５を閉じて真空チャンバー１０１が密閉された状態とし、成膜室排気機構１１０を動作させて成膜部１０２の内部が２〜３Ｐａ程度の圧力にされた状態とする。また、排気機構１０４を動作させて、真空チャンバー１０１も２〜３Ｐａ程度の圧力にされた状態とする。次に、基板載置台１２１が備える加熱機構により、基板の温度が３００℃程度に加熱された状態とする。これは、図１に示す状態である。   Next, an example of an atomic layer deposition method using the atomic layer deposition apparatus shown in FIGS. First, it is assumed that the substrate to be processed is placed on the substrate platform 121 with the upper lid 105 opened. Next, the upper lid 105 is closed to bring the vacuum chamber 101 into a sealed state, and the film forming chamber exhaust mechanism 110 is operated to bring the inside of the film forming unit 102 to a pressure of about 2 to 3 Pa. Further, the exhaust mechanism 104 is operated so that the vacuum chamber 101 is also set to a pressure of about 2 to 3 Pa. Next, the temperature of the substrate is heated to about 300 ° C. by the heating mechanism provided in the substrate mounting table 121. This is the state shown in FIG.

次に、ガス供給機構１０８により、成膜部１０２の内部に原料ガス（吸着ガス）として例えばＳｉＣｌ4ガスを導入して原料ガスが基板の上に供給された状態とし、基板の上に１層のＳｉＣｌ4分子が吸着した状態とする。例えば、原料ガスは、アルゴンなどの不活性なキャリアガスとともに供給するようにしてもよい。この原料ガスの供給により、成膜部１０２の内部は、圧力１００Ｐａ程度となる。原料ガスの供給は、１〜２秒程度行う。 Next, the gas supply mechanism 108 introduces, for example, SiCl 4 gas as a source gas (adsorption gas) into the film forming unit 102 so that the source gas is supplied onto the substrate, and one layer is formed on the substrate. In this state, SiCl 4 molecules are adsorbed. For example, the source gas may be supplied together with an inert carrier gas such as argon. By supplying the source gas, the pressure inside the film forming unit 102 is about 100 Pa. The source gas is supplied for about 1 to 2 seconds.

次に、原料ガスの供給を停止し、排気機構１０４及び成膜室排気機構１１０を動作させた状態で、ガス供給機構１０８により例えばＡｒや窒素などのパージガスが成膜部１０２の内部に供給された状態とする。このとき、成膜部１０２の内部圧力が例えば約１７０００Ｐａとなる程度に、パージガスが供給された状態とする。このことにより、成膜部１０２の内部と、この外部の真空チャンバー１０１内との間に大きな圧力差が発生し、成膜部１０２の内部の圧力が外部の圧力より大きい状態となる。   Next, with the supply of the source gas stopped and the exhaust mechanism 104 and the film formation chamber exhaust mechanism 110 operated, a purge gas such as Ar or nitrogen is supplied into the film formation unit 102 by the gas supply mechanism 108. State. At this time, the purge gas is supplied to such an extent that the internal pressure of the film forming unit 102 is about 17000 Pa, for example. As a result, a large pressure difference is generated between the inside of the film forming unit 102 and the inside of the external vacuum chamber 101, and the pressure inside the film forming unit 102 becomes larger than the external pressure.

この圧力差は、弾性部材１０６の弾性力により成膜部１０２が上蓋１０５に押し付けられている力より大きいため、図２に示すように、上蓋１０５より成膜部１０２が離間して成膜部１０２の内部が真空チャンバー１０１の内部と連通した状態となる。この結果、成膜部１０２の内部は、真空チャンバー１０１の内部とともに、排気機構１０４及び成膜室排気機構１１０により排気される状態となる。連通したことにより、成膜部１０２の内部は、圧力が６００Ｐａ程度にまで低下する。   Since this pressure difference is larger than the force by which the film forming unit 102 is pressed against the upper lid 105 by the elastic force of the elastic member 106, the film forming unit 102 is separated from the upper lid 105 as shown in FIG. The interior of 102 is in communication with the interior of the vacuum chamber 101. As a result, the inside of the film forming unit 102 is exhausted by the exhaust mechanism 104 and the film forming chamber exhaust mechanism 110 together with the inside of the vacuum chamber 101. Due to the communication, the pressure inside the film forming unit 102 is reduced to about 600 Pa.

これらの結果、成膜室排気機構１１０のみで排気した場合に比較して、成膜室１０２の内部における原料ガスのパージガスへの置換（パージ）が、非常に早く行われるようになる。また、成膜部１０２の内部とは異なり、真空チャンバー１０１はあまり小さくする必要がなく、配管１０３は配管１０９に比較して大きな口径とすることができるので、成膜室排気機構１１０による排気に比較して、排気機構１０４による排気はより高速に行える。従って、成膜室排気機構１１０のみによる排気に比較して、排気機構１０４も併用した排気の方が、より高速なパージが可能となる。例えば、成膜室排気機構１１０のみで排気した場合は、パージに４秒以上必要となるが、図２に示す状態とした場合、パージが１．５秒程度で終了できる。   As a result, the replacement of the source gas with the purge gas inside the film formation chamber 102 (purge) is performed much faster than when the film formation chamber exhaust mechanism 110 is exhausted alone. In addition, unlike the inside of the film formation unit 102, the vacuum chamber 101 does not need to be made very small, and the pipe 103 can have a larger diameter than the pipe 109. In comparison, exhaust by the exhaust mechanism 104 can be performed at a higher speed. Therefore, as compared with the exhaust using only the film forming chamber exhaust mechanism 110, the exhaust using the exhaust mechanism 104 can perform a faster purge. For example, when only the film forming chamber exhaust mechanism 110 is evacuated, the purge requires 4 seconds or more. However, in the state shown in FIG. 2, the purge can be completed in about 1.5 seconds.

以上のようにパージすることで、基板に吸着した以外の余剰ガスが成膜部１０２の内部から除去された状態となる。続いて、成膜部１０２の内部に、ガス供給機構１０８により酸化ガスを導入することで、基板の上に酸化ガスが供給され、基板の表面に吸着している分子が酸化ガスと反応し、基板の表面にシリコン１原子層分の酸化シリコンの薄膜が形成された状態とする。この後、上述と同様にすることで、成膜部１０２の内部をＡｒなどの不活性ガスによってパージし、余剰なガスが反応室から除去された状態とする。以上の原料ガスの供給→パージ→酸化ガスの供給→パージを１サイクルとし、２０サイクル程度繰り返すことで、膜厚が約２ｎｍ程度の酸化シリコンの薄膜が形成できる。   By purging as described above, the surplus gas other than that adsorbed on the substrate is removed from the inside of the film forming unit 102. Subsequently, by introducing the oxidizing gas into the film forming unit 102 by the gas supply mechanism 108, the oxidizing gas is supplied onto the substrate, and the molecules adsorbed on the surface of the substrate react with the oxidizing gas, A silicon oxide thin film corresponding to one atomic layer of silicon is formed on the surface of the substrate. Thereafter, in the same manner as described above, the inside of the film forming unit 102 is purged with an inert gas such as Ar, so that excess gas is removed from the reaction chamber. The above-described source gas supply → purge → oxidation gas supply → purge is set as one cycle, and by repeating about 20 cycles, a silicon oxide thin film having a thickness of about 2 nm can be formed.

このように２０サイクル繰り返す場合、パージは３９回行われる。排気機構１０４及び成膜室排気機構１１０の両方で排気した場合とで１回のパージの所要時間に２．５秒の差が発生するので、上述の場合、２ｎｍの酸化シリコン膜を形成するときに、２．５×３９＝９７．５秒時間が短縮できることになる。なお、成膜部１０２の開口部を上蓋１０５に押し付ける力は、弾性部材１０６の弾性力によりなされるので、成膜部１０２の重量及びパージにおけるパージガスの供給条件などにより、弾性部材１０６の弾性力は適宜設定すればよい。   When repeating 20 cycles in this way, purging is performed 39 times. Since there is a difference of 2.5 seconds in the time required for one purge between when exhausted by both the exhaust mechanism 104 and the film formation chamber exhaust mechanism 110, in the above case, when forming a 2 nm silicon oxide film In addition, 2.5 × 39 = 97.5 seconds can be shortened. Note that the force that presses the opening of the film forming unit 102 against the upper lid 105 is made by the elastic force of the elastic member 106, so the elastic force of the elastic member 106 depends on the weight of the film forming unit 102 and the purge gas supply conditions during the purge. May be set as appropriate.

次に、本発明の実施の形態における他の原子層成膜装置について説明する。図３は、本発明の実施の形態における他の原子層成膜装置の構成例を概略的に示す模式的な断面を含めた構成図である。図３に示す装置は、真空チャンバー３０１の内部に成膜部３０２を備えるようにしたものである。真空チャンバー３０１は、例えば上面側に配管３０３を介して排気機構３０４が連通している。成膜部３０２は、底面側が開放した容器である。また、真空チャンバー３０１の底面の成膜部３０２の領域には、原料ガスやパージガスなどのガスを供給するガス供給機構３０８が接続し、配管３０９を介して成膜室排気機構３１０が連通している。なお、成膜部３０２の内部における真空チャンバー３０１の底面には、加熱機構を備えた基板載置台３２１が配置されている。   Next, another atomic layer deposition apparatus in the embodiment of the present invention will be described. FIG. 3 is a configuration diagram including a schematic cross section schematically showing a configuration example of another atomic layer deposition apparatus in the embodiment of the present invention. The apparatus shown in FIG. 3 includes a film forming unit 302 inside a vacuum chamber 301. In the vacuum chamber 301, for example, an exhaust mechanism 304 communicates with the upper surface side via a pipe 303. The film forming unit 302 is a container whose bottom side is open. In addition, a gas supply mechanism 308 for supplying a gas such as a source gas or a purge gas is connected to the region of the film forming unit 302 on the bottom surface of the vacuum chamber 301, and a film forming chamber exhaust mechanism 310 is connected via a pipe 309. Yes. Note that a substrate mounting table 321 having a heating mechanism is disposed on the bottom surface of the vacuum chamber 301 inside the film forming unit 302.

成膜部３０２は、自重により真空チャンバー３０１の底面に押し付けられ、内部に密閉した空間からなる成膜室を形成している。従って、成膜部３０２の重量を超えて成膜部３０２を上方に押し上げる力が加わると、成膜部３０２の下面は真空チャンバー３０１の底面より離間する。この結果、上記成膜室は、真空チャンバー３０１の内部において、一部が開放した状態となる。この結果、図３に示す装置を用いることで、図１，２に示す装置と同様に、パージの段階においては、排気機構３０４及び成膜室排気機構３１０により排気される状態が得られ、より高速なパージが行えるようになる。   The film forming unit 302 is pressed against the bottom surface of the vacuum chamber 301 by its own weight, and forms a film forming chamber formed of a sealed space inside. Therefore, when a force that pushes the film forming unit 302 upward is applied beyond the weight of the film forming unit 302, the lower surface of the film forming unit 302 is separated from the bottom surface of the vacuum chamber 301. As a result, the film forming chamber is partially opened inside the vacuum chamber 301. As a result, by using the apparatus shown in FIG. 3, as in the apparatus shown in FIGS. High-speed purge can be performed.

本発明の実施の形態における原子層成膜装置の構成例を概略的に示す模式的な断面を含めた構成図である。It is a block diagram including the typical cross section which shows the structural example of the atomic layer film-forming apparatus in embodiment of this invention roughly. 本発明の実施の形態における原子層成膜装置の構成例を概略的に示す模式的な断面を含めた構成図である。It is a block diagram including the typical cross section which shows the structural example of the atomic layer film-forming apparatus in embodiment of this invention roughly. 本発明の実施の形態における他の原子層成膜装置の構成例を概略的に示す模式的な断面を含めた構成図である。It is a block diagram including the typical cross section which shows schematically the structural example of the other atomic layer film-forming apparatus in embodiment of this invention. 従来よりある原子層成膜装置の構成例を示す構成図である。It is a block diagram which shows the structural example of the conventional atomic layer film-forming apparatus.

符号の説明Explanation of symbols

１０１…真空チャンバー、１０２…成膜部、１０３…配管、１０４…排気機構、１０５…上蓋、１０６…弾性部材、１０７…支持部、１０８…ガス供給機構、１０９…配管、１１０…成膜室排気機構、１２１…基板載置台。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 101 ... Vacuum chamber, 102 ... Film-forming part, 103 ... Pipe, 104 ... Exhaust mechanism, 105 ... Upper cover, 106 ... Elastic member, 107 ... Support part, 108 ... Gas supply mechanism, 109 ... Pipe, 110 ... Exhaust film-forming chamber Mechanism, 121... Substrate mounting table.

Claims (3)

密閉可能な内部空間を備えた真空チャンバーと、
前記真空チャンバーの内部に配置されて開口部を備えた成膜部と、
前記真空チャンバーの第１領域に第１配管を介して連通する第１排気機構と、
前記真空チャンバーの第２領域に第２配管を介して連通する第２排気機構と、
前記真空チャンバーの内部に所定のガスを供給するガス供給機構と
を少なくとも備え、
前記成膜部は、前記開口部が前記第１領域を含むように前記真空チャンバーの内壁に所定の大きさの押し付け力で押し付けられ、
前記成膜部と前記真空チャンバーの第１領域の部分とにより密閉された成膜室が形成され、
前記ガス供給機構は、前記真空チャンバーの第１領域を介して前記成膜室の内部にガスを供給する
ことを特徴とする原子層成膜装置。 A vacuum chamber with a sealable internal space;
A film forming unit disposed inside the vacuum chamber and having an opening;
A first exhaust mechanism communicating with the first region of the vacuum chamber via a first pipe;
A second exhaust mechanism communicating with the second region of the vacuum chamber via a second pipe;
A gas supply mechanism for supplying a predetermined gas into the vacuum chamber;
The film forming unit is pressed against the inner wall of the vacuum chamber with a pressing force having a predetermined size so that the opening includes the first region,
A sealed film forming chamber is formed by the film forming unit and a portion of the first region of the vacuum chamber,
The atomic layer deposition apparatus, wherein the gas supply mechanism supplies a gas into the deposition chamber through the first region of the vacuum chamber. 請求項１記載の原子層成膜装置において、
前記真空チャンバーは、平板状の上蓋と、
前記真空チャンバーの内部において前記成膜部を前記上蓋の側に押し付けるように支持する弾性部材と
を備え、
前記第１領域は前記上蓋に配置され、
前記成膜部は、前記弾性部材の弾性力により前記上蓋の内壁に押し付けられている
ことを特徴とする原子層成膜装置。 The atomic layer deposition apparatus according to claim 1,
The vacuum chamber has a flat top lid,
An elastic member that supports the film forming unit to be pressed against the upper lid in the vacuum chamber;
The first region is disposed on the upper lid;
The atomic layer deposition apparatus, wherein the deposition unit is pressed against the inner wall of the upper lid by the elastic force of the elastic member. 請求項１記載の原子層成膜装置において、
前記第１領域は前記真空チャンバーの底面に配置され、
前記成膜部は、前記開口部が前記第１領域を含むように前記真空チャンバーの底面に前記成膜部の重量により押し付けられている
ことを特徴とする原子層成膜装置。
The atomic layer deposition apparatus according to claim 1,
The first region is disposed on a bottom surface of the vacuum chamber;
The atomic layer deposition apparatus, wherein the deposition unit is pressed against the bottom surface of the vacuum chamber by the weight of the deposition unit so that the opening includes the first region.
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