JP2006156420A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2006156420A5
JP2006156420A5 JP2006066223A JP2006066223A JP2006156420A5 JP 2006156420 A5 JP2006156420 A5 JP 2006156420A5 JP 2006066223 A JP2006066223 A JP 2006066223A JP 2006066223 A JP2006066223 A JP 2006066223A JP 2006156420 A5 JP2006156420 A5 JP 2006156420A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
photoresist
buffer layer
emitting layer
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2006066223A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2006156420A (en
JP4401359B2 (en
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2006066223A priority Critical patent/JP4401359B2/en
Priority claimed from JP2006066223A external-priority patent/JP4401359B2/en
Publication of JP2006156420A publication Critical patent/JP2006156420A/en
Publication of JP2006156420A5 publication Critical patent/JP2006156420A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4401359B2 publication Critical patent/JP4401359B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Claims (13)

エレクトロルミネッセント素子を構成する有機エレクトロルミネッセント層のうち少なくともバッファー層および発光層が、フォトリソグラフィー法を用いてパターニングされることにより形成されるエレクトロルミネッセント素子の製造方法であって、A method for producing an electroluminescent element formed by patterning at least a buffer layer and a light emitting layer among organic electroluminescent layers constituting an electroluminescent element using a photolithography method,
フォトレジスト溶媒、フォトレジスト剥離液、および発光層形成に用いる溶媒に不溶であるバッファー層を、バッファー層形成に用いる溶媒に不溶であるフォトレジストを用いてパターニングすることにより、パターニングされたバッファー層を形成する工程と、  By patterning a buffer layer that is insoluble in a solvent used for forming a photoresist layer, a photoresist stripping solution, and a light emitting layer with a photoresist that is insoluble in the solvent used for forming the buffer layer, a patterned buffer layer is obtained. Forming, and
フォトレジスト溶媒、フォトレジスト現像液、およびフォトレジスト剥離液に不溶である発光層を、発光層形成に用いる溶媒に不溶であるフォトレジストを用いてパターニングすることにより、前記パターニングされたバッファー層上にパターニングされた発光層を形成する工程とを有することを特徴とするエレクトロルミネッセント素子の製造方法。  A light emitting layer that is insoluble in a photoresist solvent, a photoresist developer, and a photoresist stripper is patterned using a photoresist that is insoluble in the solvent used for forming the light emitting layer, thereby forming a pattern on the patterned buffer layer. And a step of forming a patterned light-emitting layer.
前記パターニングされたバッファー層を形成する工程には、フォトレジストを用いてバッファー層をパターニングした後、前記フォトレジストを剥離する工程が含まれることを特徴とする請求項1に記載のエレクトロルミネッセント素子の製造方法。2. The electroluminescent device according to claim 1, wherein the step of forming the patterned buffer layer includes a step of patterning the buffer layer using a photoresist and then peeling the photoresist. 3. Device manufacturing method. 前記発光層形成に用いる溶媒が、既に形成されているバッファー層に対して、貧溶媒であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のエレクトロルミネッセント素子の製造方法。The method for producing an electroluminescent device according to claim 1, wherein the solvent used for forming the light emitting layer is a poor solvent for the buffer layer already formed. 前記発光層形成に用いる溶媒の、既に形成されているバッファー層に対する溶解度が、25℃、1気圧で0.001(g/g溶媒)以下であることを特徴とする請求項3に記載のエレクトロルミネッセント素子の製造方法。4. The electro of claim 3, wherein the solvent used for forming the light emitting layer has a solubility in an already formed buffer layer of 0.001 (g / g solvent) or less at 25 ° C. and 1 atm. 5. Manufacturing method of luminescent element. 前記発光層が、種類の異なる発光層を複数回にわたるフォトリソグラフィー法により形成してなる発光層であることを特徴とする請求項1から請求項4までのいずれかの請求項に記載のエレクトロルミネッセント素子の製造方法。The electroluminescent layer according to any one of claims 1 to 4, wherein the light emitting layer is a light emitting layer formed by forming different types of light emitting layers by a photolithography method multiple times. A method for manufacturing a nescent element. 前記発光層が、赤、緑および青の光を発光する3種類の発光層であることを特徴とする請求項5に記載のエレクトロルミネッセント素子の製造方法。6. The method of manufacturing an electroluminescent element according to claim 5, wherein the light emitting layers are three types of light emitting layers that emit red, green, and blue light. エレクトロルミネッセント素子を構成する有機エレクトロルミネッセント層のうち少なくともバッファー層および発光層が、フォトリソグラフィー法を用いてパターニングされることにより形成されるエレクトロルミネッセント素子の製造方法であって、A method for producing an electroluminescent element formed by patterning at least a buffer layer and a light emitting layer among organic electroluminescent layers constituting an electroluminescent element using a photolithography method,
フォトレジスト溶媒、フォトレジスト剥離液、および発光層形成に用いる溶媒に不溶であるバッファー層を形成し、次いで前記バッファー層上にフォトレジスト溶媒、フォトレジスト現像液、およびフォトレジスト剥離液に不溶である発光層を形成し、バッファー層形成に用いる溶媒に不溶であるフォトレジストを用いて、前記バッファー層および発光層を同時にパターニングする工程を有することを特徴とするエレクトロルミネッセント素子の製造方法。  Form a buffer layer that is insoluble in the photoresist solvent, the photoresist stripping solution, and the solvent used for forming the light emitting layer, and then insoluble in the photoresist solvent, the photoresist developer, and the photoresist stripping solution on the buffer layer A method for producing an electroluminescent device, comprising: forming a light emitting layer and simultaneously patterning the buffer layer and the light emitting layer using a photoresist that is insoluble in a solvent used for forming the buffer layer.
前記フォトリソグラフィー法を用いたパターニングが、パターニングされるバッファー層および/または発光層上にフォトレジストを塗布し、露光し、現像することによりフォトレジストをパターニングした後、ドライエッチングを用いてフォトレジストが除去された部分のバッファー層および/または発光層を除去することによるパターニングであることを特徴とする請求項1から請求項7までのいずれかの請求項に記載のエレクトロルミネッセント素子の製造方法。 In the patterning using the photolithography method, a photoresist is coated on the buffer layer and / or the light emitting layer to be patterned, exposed, and developed to pattern the photoresist, and then the dry etching is used to form the photoresist. 8. The method of manufacturing an electroluminescent element according to claim 1, wherein the patterning is performed by removing the removed buffer layer and / or light emitting layer. . 前記ドライエッチングが、反応性イオンエッチングであることを特徴とする請求項8に記載のエレクトロルミネッセント素子の製造方法。 The method for manufacturing an electroluminescent element according to claim 8, wherein the dry etching is reactive ion etching. 前記ドライエッチングに、酸素単体または酸素を含むガスを用いることを特徴とする請求項8に記載のエレクトロルミネッセント素子の製造方法。 9. The method of manufacturing an electroluminescent element according to claim 8, wherein oxygen or a gas containing oxygen is used for the dry etching. 前記ドライエッチングに、大気圧プラズマを用いることを特徴とする請求項8に記載のエレクトロルミネッセント素子の製造方法。 The method for manufacturing an electroluminescent device according to claim 8, wherein atmospheric pressure plasma is used for the dry etching. 前記フォトリソグラフィー法を用いたパターニングが、パターニングされるバッファー層および/または発光層上にフォトレジストを塗布し、露光し、現像することによりフォトレジストをパターニングした後、超音波浴中でフォトレジストが除去された部分のバッファー層および/または発光層を除去することによるパターニングであることを特徴とする請求項1または請求項10に記載のエレクトロルミネッセント素子の製造方法。 In the patterning using the photolithography method, a photoresist is coated on the buffer layer and / or the light emitting layer to be patterned, exposed, and developed to pattern the photoresist. 11. The method of manufacturing an electroluminescent device according to claim 1, wherein the patterning is performed by removing the removed buffer layer and / or light emitting layer . 前記発光層、または前記バッファー層および前記発光層をパターニングした後に第2電極層を形成することを特徴とする請求項1から請求項12までのいずれかの請求項に記載のエレクトロルミネッセント素子の製造方法。The electroluminescent device according to any one of claims 1 to 12, wherein the second electrode layer is formed after patterning the light emitting layer or the buffer layer and the light emitting layer. Manufacturing method.
JP2006066223A 2000-09-25 2006-03-10 Method for manufacturing electroluminescent device Expired - Fee Related JP4401359B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006066223A JP4401359B2 (en) 2000-09-25 2006-03-10 Method for manufacturing electroluminescent device

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000289946 2000-09-25
JP2006066223A JP4401359B2 (en) 2000-09-25 2006-03-10 Method for manufacturing electroluminescent device

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001156787A Division JP3839276B2 (en) 2000-09-25 2001-05-25 Method for manufacturing electroluminescent device

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2006156420A JP2006156420A (en) 2006-06-15
JP2006156420A5 true JP2006156420A5 (en) 2006-10-26
JP4401359B2 JP4401359B2 (en) 2010-01-20

Family

ID=36634355

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006066223A Expired - Fee Related JP4401359B2 (en) 2000-09-25 2006-03-10 Method for manufacturing electroluminescent device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4401359B2 (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11309529B2 (en) Photolithographic patterning of organic electronic devices
JP6016407B2 (en) Manufacturing method of organic EL display device
KR102660896B1 (en) Organic light-emitting apparatus and the method for manufacturing of the organic light-emitting display apparatus
TWI231156B (en) Method for manufacturing electroluminescent device
JP5854794B2 (en) Manufacturing method of organic EL device
US20140197394A1 (en) Organic light emitting device and manufacturing method therefor
US20130084666A1 (en) Method for manufacturing light emitting device
WO2003096754A1 (en) Production method for electroluminescent element
JP2008098106A (en) Manufacturing method of organic electroluminescent element
WO2018112992A1 (en) Organic light-emitting device and manufacturing method therefor
WO2020199008A1 (en) Light-emitting substrate and method for manufacturing same, and electronic device
CN102709487B (en) Organic light emitting display panel and manufacturing method thereof
JP2007080569A (en) Method for manufacturing organic electroluminescence element
TWI640041B (en) Methods for high-resolution patterning of multiple layers side by side
JP2008146026A5 (en)
CN107863457B (en) A kind of OLED device and preparation method thereof
CN115411215A (en) Method for transferring high-quality metal halide perovskite thin film and nanostructure
JP2006156420A5 (en)
JP2013109920A (en) Method for manufacturing organic el device
US10297796B2 (en) Method of manufacturing OLED element and an OLED element
JP2014135250A (en) Organic light emitting device and method for manufacturing the same
CN113692638A (en) Quantum dot light-emitting device, preparation method thereof and preparation method of quantum dot display panel
CN114373879A (en) Preparation method of silicon-based organic light emitting diode micro-display and tube micro-display
JP2005353509A5 (en)
JP2014002900A (en) Method for manufacturing organic el display device