JP2006156369A - Display device and method for producing display device - Google Patents
Display device and method for producing display device Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006156369A JP2006156369A JP2005320229A JP2005320229A JP2006156369A JP 2006156369 A JP2006156369 A JP 2006156369A JP 2005320229 A JP2005320229 A JP 2005320229A JP 2005320229 A JP2005320229 A JP 2005320229A JP 2006156369 A JP2006156369 A JP 2006156369A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- electrode layer
- film
- display device
- titanium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 28
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims abstract description 124
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 92
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 91
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 91
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 86
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 80
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 80
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims abstract description 80
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 77
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 66
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 47
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims abstract description 47
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 791
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 501
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 143
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 115
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 70
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 63
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 22
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 139
- 239000000463 material Substances 0.000 description 80
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 68
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 59
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 50
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 42
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 36
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 34
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 34
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 30
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 29
- 230000008569 process Effects 0.000 description 29
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 29
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 29
- -1 aromatic amine compounds Chemical class 0.000 description 28
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 25
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 230000006870 function Effects 0.000 description 24
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 24
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 22
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 19
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 239000002585 base Substances 0.000 description 18
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 18
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 17
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 16
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 15
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 15
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 15
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 14
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 14
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 13
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 12
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 12
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 12
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 11
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 11
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 11
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 11
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 11
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 10
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 10
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 10
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 10
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 10
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 10
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 9
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 8
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 8
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 8
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 8
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 7
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 7
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 7
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 7
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 7
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 7
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 7
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 6
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 6
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 6
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 6
- 230000005236 sound signal Effects 0.000 description 6
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 6
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 6
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 6
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 6
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 5
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 5
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 5
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 5
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 5
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 5
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 5
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 5
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 5
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 5
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- IYZMXHQDXZKNCY-UHFFFAOYSA-N 1-n,1-n-diphenyl-4-n,4-n-bis[4-(n-phenylanilino)phenyl]benzene-1,4-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 IYZMXHQDXZKNCY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=NC2=C1C=CC1=C(C=3C=CC=CC=3)C=CN=C21 DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 4
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 4
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 4
- 238000005247 gettering Methods 0.000 description 4
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 239000003550 marker Substances 0.000 description 4
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 4
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 4
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 4
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 4
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 4
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 description 3
- UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 1-(2,2-diphenylethenyl)-4-[4-(2,2-diphenylethenyl)phenyl]benzene Chemical group C=1C=C(C=2C=CC(C=C(C=3C=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=CC=1C=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- SPDPTFAJSFKAMT-UHFFFAOYSA-N 1-n-[4-[4-(n-[4-(3-methyl-n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]anilino)phenyl]phenyl]-4-n,4-n-bis(3-methylphenyl)-1-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 SPDPTFAJSFKAMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UOCMXZLNHQBBOS-UHFFFAOYSA-N 2-(1,3-benzoxazol-2-yl)phenol zinc Chemical compound [Zn].Oc1ccccc1-c1nc2ccccc2o1.Oc1ccccc1-c1nc2ccccc2o1 UOCMXZLNHQBBOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FQJQNLKWTRGIEB-UHFFFAOYSA-N 2-(4-tert-butylphenyl)-5-[3-[5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazol-2-yl]phenyl]-1,3,4-oxadiazole Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C1=NN=C(C=2C=C(C=CC=2)C=2OC(=NN=2)C=2C=CC(=CC=2)C(C)(C)C)O1 FQJQNLKWTRGIEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 2-[3,5-bis(1-phenylbenzimidazol-2-yl)phenyl]-1-phenylbenzimidazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2N=C1C1=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZVFQEOPUXVPSLB-UHFFFAOYSA-N 3-(4-tert-butylphenyl)-4-phenyl-5-(4-phenylphenyl)-1,2,4-triazole Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C(N1C=2C=CC=CC=2)=NN=C1C1=CC=C(C=2C=CC=CC=2)C=C1 ZVFQEOPUXVPSLB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 4-carbazol-9-yl-n,n-bis(4-carbazol-9-ylphenyl)aniline Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(N(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 108091006149 Electron carriers Proteins 0.000 description 3
- 101000837344 Homo sapiens T-cell leukemia translocation-altered gene protein Proteins 0.000 description 3
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 3
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 102100028692 T-cell leukemia translocation-altered gene protein Human genes 0.000 description 3
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 3
- CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N acetylacetonate Chemical compound CC(=O)[CH-]C(C)=O CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 3
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 3
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005499 laser crystallization Methods 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 3
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 3
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 3
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 3
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 3
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 3
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 3
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 3
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- POXIZPBFFUKMEQ-UHFFFAOYSA-N 2-cyanoethenylideneazanide Chemical group [N-]=C=[C+]C#N POXIZPBFFUKMEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 9-[4-(4-carbazol-9-ylphenyl)phenyl]carbazole Chemical group C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000282 Poly(3-cyclohexylthiophene) Polymers 0.000 description 2
- 229920000291 Poly(9,9-dioctylfluorene) Polymers 0.000 description 2
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 2
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 2
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 2
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000002147 dimethylamino group Chemical group [H]C([H])([H])N(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- VQCBHWLJZDBHOS-UHFFFAOYSA-N erbium(iii) oxide Chemical compound O=[Er]O[Er]=O VQCBHWLJZDBHOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- IDBFBDSKYCUNPW-UHFFFAOYSA-N lithium nitride Chemical compound [Li]N([Li])[Li] IDBFBDSKYCUNPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N lithium oxide Chemical compound [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001947 lithium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 2
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DYIZHKNUQPHNJY-UHFFFAOYSA-N oxorhenium Chemical compound [Re]=O DYIZHKNUQPHNJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YRZZLAGRKZIJJI-UHFFFAOYSA-N oxyvanadium phthalocyanine Chemical compound [V+2]=O.C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 YRZZLAGRKZIJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000301 poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 2
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920001709 polysilazane Polymers 0.000 description 2
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 2
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 2
- 229910003449 rhenium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N strontium oxide Chemical compound [O-2].[Sr+2] IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 2
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 2
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- IWZZBBJTIUYDPZ-DVACKJPTSA-N (z)-4-hydroxypent-3-en-2-one;iridium;2-phenylpyridine Chemical compound [Ir].C\C(O)=C\C(C)=O.[C-]1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.[C-]1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 IWZZBBJTIUYDPZ-DVACKJPTSA-N 0.000 description 1
- RTSZQXSYCGBHMO-UHFFFAOYSA-N 1,2,4-trichloro-3-prop-1-ynoxybenzene Chemical compound CC#COC1=C(Cl)C=CC(Cl)=C1Cl RTSZQXSYCGBHMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzoxazole Chemical class C1=CC=C2OC=NC2=C1 BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OBMPIWRNYHXYBC-UHFFFAOYSA-N 1-n,1-n,3-n,3-n,5-n,5-n-hexakis(3-methylphenyl)benzene-1,3,5-triamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=C(C=C(C=2)N(C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)N(C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OBMPIWRNYHXYBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEUMBMHMMCOFAG-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydrooxadiazole Chemical compound N1NC=CO1 VEUMBMHMMCOFAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BFTIPCRZWILUIY-UHFFFAOYSA-N 2,5,8,11-tetratert-butylperylene Chemical group CC(C)(C)C1=CC(C2=CC(C(C)(C)C)=CC=3C2=C2C=C(C=3)C(C)(C)C)=C3C2=CC(C(C)(C)C)=CC3=C1 BFTIPCRZWILUIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C=12C=CC3=C(C=4C=CC=CC=4)C=C(C)N=C3C2=NC(C)=CC=1C1=CC=CC=C1 STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLYPIBBGWLKELC-RMKNXTFCSA-N 2-[2-[(e)-2-[4-(dimethylamino)phenyl]ethenyl]-6-methylpyran-4-ylidene]propanedinitrile Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1\C=C\C1=CC(=C(C#N)C#N)C=C(C)O1 YLYPIBBGWLKELC-RMKNXTFCSA-N 0.000 description 1
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HONWGFNQCPRRFM-UHFFFAOYSA-N 2-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n,2-n-triphenylbenzene-1,2-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C(=CC=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 HONWGFNQCPRRFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WMAXWOOEPJQXEB-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-5-(4-phenylphenyl)-1,3,4-oxadiazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NN=C(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)O1 WMAXWOOEPJQXEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OBAJPWYDYFEBTF-UHFFFAOYSA-N 2-tert-butyl-9,10-dinaphthalen-2-ylanthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC(C3=C4C=CC=CC4=C(C=4C=C5C=CC=CC5=CC=4)C4=CC=C(C=C43)C(C)(C)C)=CC=C21 OBAJPWYDYFEBTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LNILPZLJSRHNPD-UHFFFAOYSA-N 3,4-dicyclohexylthiophene Chemical compound C1CCCCC1C1=CSC=C1C1CCCCC1 LNILPZLJSRHNPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YEWTUGLUENRXFN-UHFFFAOYSA-N 3-(4-octylphenyl)-2-thiophen-2-ylthiophene Chemical compound C1=CC(CCCCCCCC)=CC=C1C1=C(C=2SC=CC=2)SC=C1 YEWTUGLUENRXFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CHMILGIDWWDNMF-UHFFFAOYSA-N 3-(4-octylphenyl)thiophene Chemical compound C1=CC(CCCCCCCC)=CC=C1C1=CSC=C1 CHMILGIDWWDNMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZLZJGZGJHZQAU-UHFFFAOYSA-N 3-(4-tert-butylphenyl)-4-(4-ethylphenyl)-5-(4-phenylphenyl)-1,2,4-triazole Chemical compound C1=CC(CC)=CC=C1N1C(C=2C=CC(=CC=2)C(C)(C)C)=NN=C1C1=CC=C(C=2C=CC=CC=2)C=C1 PZLZJGZGJHZQAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNJRONVKWRHYBF-VOTSOKGWSA-N 4-(dicyanomethylene)-2-methyl-6-julolidyl-9-enyl-4h-pyran Chemical compound O1C(C)=CC(=C(C#N)C#N)C=C1\C=C\C1=CC(CCCN2CCC3)=C2C3=C1 ZNJRONVKWRHYBF-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 1
- DWSKWYAKBATHET-UHFFFAOYSA-N 5,12-diphenyltetracene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=CC2=CC=CC=C2C=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 DWSKWYAKBATHET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VIZUPBYFLORCRA-UHFFFAOYSA-N 9,10-dinaphthalen-2-ylanthracene Chemical compound C12=CC=CC=C2C(C2=CC3=CC=CC=C3C=C2)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=C(C=CC=C2)C2=C1 VIZUPBYFLORCRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FCNCGHJSNVOIKE-UHFFFAOYSA-N 9,10-diphenylanthracene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 FCNCGHJSNVOIKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XCICDYGIJBPNPC-UHFFFAOYSA-N 9-[4-[3,5-bis(4-carbazol-9-ylphenyl)phenyl]phenyl]carbazole Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(C=2C=C(C=C(C=2)C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 XCICDYGIJBPNPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910017073 AlLi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018575 Al—Ti Inorganic materials 0.000 description 1
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001339 C alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- WYZWJLZUSHFFOR-UHFFFAOYSA-N C1=CC=C2SC(C3=CC=4C=C5CCCN6CCCC(=C56)C=4OC3=O)=NC2=C1 Chemical compound C1=CC=C2SC(C3=CC=4C=C5CCCN6CCCC(=C56)C=4OC3=O)=NC2=C1 WYZWJLZUSHFFOR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MSDMPJCOOXURQD-UHFFFAOYSA-N C545T Chemical compound C1=CC=C2SC(C3=CC=4C=C5C6=C(C=4OC3=O)C(C)(C)CCN6CCC5(C)C)=NC2=C1 MSDMPJCOOXURQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004640 Melamine resin Substances 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017911 MgIn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004693 Polybenzimidazole Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 238000001237 Raman spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002808 Si–O–Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical group C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RQMIWLMVTCKXAQ-UHFFFAOYSA-N [AlH3].[C] Chemical compound [AlH3].[C] RQMIWLMVTCKXAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GDFCWFBWQUEQIJ-UHFFFAOYSA-N [B].[P] Chemical compound [B].[P] GDFCWFBWQUEQIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 239000004844 aliphatic epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000109 alkoxy-substituted poly(p-phenylene vinylene) Polymers 0.000 description 1
- UQZIWOQVLUASCR-UHFFFAOYSA-N alumane;titanium Chemical compound [AlH3].[Ti] UQZIWOQVLUASCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N alumanylidynesilicon Chemical compound [Al].[Si] CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-O azanium;hydrofluoride Chemical compound [NH4+].F LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- QCLQZCOGUCNIOC-UHFFFAOYSA-N azanylidynelanthanum Chemical compound [La]#N QCLQZCOGUCNIOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AJXBBNUQVRZRCZ-UHFFFAOYSA-N azanylidyneyttrium Chemical compound [Y]#N AJXBBNUQVRZRCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- GQVWHWAWLPCBHB-UHFFFAOYSA-L beryllium;benzo[h]quinolin-10-olate Chemical compound [Be+2].C1=CC=NC2=C3C([O-])=CC=CC3=CC=C21.C1=CC=NC2=C3C([O-])=CC=CC3=CC=C21 GQVWHWAWLPCBHB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N chlorosilicon Chemical compound Cl[Si] SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- JRUYYVYCSJCVMP-UHFFFAOYSA-N coumarin 30 Chemical compound C1=CC=C2N(C)C(C=3C4=CC=C(C=C4OC(=O)C=3)N(CC)CC)=NC2=C1 JRUYYVYCSJCVMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N coumarin 6 Chemical compound C1=CC=C2SC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- ZOCHARZZJNPSEU-UHFFFAOYSA-N diboron Chemical compound B#B ZOCHARZZJNPSEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OLLFKUHHDPMQFR-UHFFFAOYSA-N dihydroxy(diphenyl)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](O)(O)C1=CC=CC=C1 OLLFKUHHDPMQFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BKMIWBZIQAAZBD-UHFFFAOYSA-N diindenoperylene Chemical compound C12=C3C4=CC=C2C2=CC=CC=C2C1=CC=C3C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C3=CC=C4C1=C32 BKMIWBZIQAAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000078 germane Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N germanium oxide Inorganic materials O=[Ge]=O YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 229920001519 homopolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000004050 hot filament vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- AOZVYCYMTUWJHJ-UHFFFAOYSA-K iridium(3+) pyridine-2-carboxylate Chemical compound [Ir+3].[O-]C(=O)C1=CC=CC=N1.[O-]C(=O)C1=CC=CC=N1.[O-]C(=O)C1=CC=CC=N1 AOZVYCYMTUWJHJ-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 1
- 125000000040 m-tolyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C([H])C(=C1[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 231100000252 nontoxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000003000 nontoxic effect Effects 0.000 description 1
- AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N orlistat Chemical compound CCCCCCCCCCC[C@H](OC(=O)[C@H](CC(C)C)NC=O)C[C@@H]1OC(=O)[C@H]1CCCCCC AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N 0.000 description 1
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical group C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- AFEQENGXSMURHA-UHFFFAOYSA-N oxiran-2-ylmethanamine Chemical compound NCC1CO1 AFEQENGXSMURHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N oxogermanium Chemical compound [Ge]=O PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N phenylbenzene Natural products C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920002480 polybenzimidazole Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010979 ruby Substances 0.000 description 1
- 229910001750 ruby Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012266 salt solution Substances 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 125000002023 trifluoromethyl group Chemical group FC(F)(F)* 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
Description
本発明は、表示装置、及び表示装置の作製方法に関する。 The present invention relates to a display device and a method for manufacturing the display device.
エレクトロルミネセンス(以下「EL」ともいう。)素子、或いは液晶素子を有する表示装置の大画面化、高精細化に伴い、配線材料として、比抵抗が低く、配線加工が容易である純アルミニウムが注目されている。 As a display device having an electroluminescence (hereinafter also referred to as “EL”) element or a liquid crystal element has been enlarged and refined, pure aluminum, which has a low specific resistance and is easy to process, is used as a wiring material. Attention has been paid.
しかし純アルミニウムは、耐熱性に問題があり、表示装置の作製工程における加熱処理によって、純アルミニウム膜表面にヒロックと呼ばれるコブ状の突起が発生する。ヒロックは、配線間のショートなどを引き起こし、不良の原因となっている。 However, pure aluminum has a problem in heat resistance, and a bump-like protrusion called hillock is generated on the surface of the pure aluminum film by heat treatment in the manufacturing process of the display device. A hillock causes a short circuit between wirings and causes a defect.
よって、低抵抗で耐熱性があり、ヒロックを抑えることのできる配線材料が望まれており、他の元素を添加したアルミニウム合金薄膜が開発されている(例えば、特許文献1参照。)。
本発明では、低抵抗で耐熱性があり、ヒロックを抑えることのできる配線材料を用いることによって、工程、装置を複雑化することなく、高い信頼性や優れた電気特性を有する表示装置を歩留まり良く製造することができる技術を提供することを目的とする。 In the present invention, by using a wiring material that has low resistance, heat resistance, and can suppress hillocks, a display device having high reliability and excellent electrical characteristics can be obtained without complicating the process and the device with high yield. It aims at providing the technology which can be manufactured.
本発明においては、反射電極層である第1の電極層にモリブデン、チタン、及び炭素のうち少なくとも一種、又は複数種を有するアルミニウム合金を含む。モリブデン、チタン、及び炭素のうち少なくとも一種、又は複数種を有するアルミニウム合金を含む膜は、加熱処理を行っても結晶化しにくく、膜表面の平坦性が良好である。さらに可視光領域付近における光に対する反射性も高く、効率のよい光の反射を行うことができる。モリブデン、チタン、及び炭素のうち少なくとも一種、又は複数種を有するアルミニウム合金を含む膜は、有毒性もなく、人体や環境に対して安全であるという優れた利点もある。 In the present invention, the first electrode layer, which is the reflective electrode layer, includes an aluminum alloy having at least one of molybdenum, titanium, and carbon, or a plurality of types. A film containing an aluminum alloy having at least one of molybdenum, titanium, and carbon, or a plurality of kinds of carbon is difficult to crystallize even when heat treatment is performed, and the film surface has excellent flatness. Furthermore, it has high reflectivity with respect to light in the vicinity of the visible light region, and can efficiently reflect light. A film containing an aluminum alloy having at least one or more of molybdenum, titanium, and carbon has an excellent advantage that it is not toxic and is safe to the human body and the environment.
本発明を用いることのできる表示装置には、エレクトロルミネセンス(以下「EL」ともいう。)と呼ばれる発光を発現する有機物、若しくは有機物と無機物の混合物を含む層を、電極間に介在させた発光素子とTFTとが接続された発光表示装置がある。 In a display device to which the present invention can be used, light emission in which an organic substance that emits light called electroluminescence (hereinafter also referred to as “EL”) or a layer containing a mixture of an organic substance and an inorganic substance is interposed between electrodes is used. There is a light-emitting display device in which an element and a TFT are connected.
本発明の表示装置の一は、反射性の第1の電極層上に電界発光層を有し、電界発光層上に透光性の第2の電極層を有し、電界発光層は第1の電極層に接して有機化合物と無機化合物とを含む層を有し、第1の電極層は、モリブデン、チタン、及び炭素のうち少なくとも一種、又は複数種を有するアルミニウム合金を含む。 One display device of the present invention has an electroluminescent layer on a reflective first electrode layer, a translucent second electrode layer on the electroluminescent layer, and the electroluminescent layer is a first electroluminescent layer. The first electrode layer contains an aluminum alloy containing at least one kind or a plurality of kinds of molybdenum, titanium, and carbon.
本発明の表示装置の一は、反射性の第1の電極層上に透光性の導電膜を有し、導電膜上に電界発光層を有し、電界発光層上に透光性の第2の電極層を有し、電界発光層は導電膜に接して有機化合物と無機化合物とを含む層を有し、第1の電極層は、モリブデン、チタン、及び炭素のうち少なくとも一種、又は複数種を有するアルミニウム合金を含む。 One display device of the present invention includes a light-transmitting conductive film over a reflective first electrode layer, an electroluminescent layer over the conductive film, and a light-transmitting first electrode over the electroluminescent layer. The electroluminescent layer has a layer containing an organic compound and an inorganic compound in contact with the conductive film, and the first electrode layer is at least one of molybdenum, titanium, and carbon, or a plurality of layers. Includes aluminum alloy with seeds.
本発明の表示装置の一は、半導体層、ゲート絶縁層、ゲート電極層、ソース電極層及びドレイン電極層を有する薄膜トランジスタを有し、薄膜トランジスタ上に絶縁層を有し、絶縁層上に層間膜を有し、層間膜上に反射性の第1の電極層を有し、第1の電極層上に電界発光層を有し、電界発光層上に透光性の第2の電極層を有し、電界発光層は第1の電極層に接して有機化合物と無機化合物とを含む層を有し、層間膜は第1の電極層の下にのみ有し、第1の電極層は、モリブデン、チタン、及び炭素のうち少なくとも一種、又は複数種を有するアルミニウム合金を含む。 One embodiment of the display device of the present invention includes a thin film transistor including a semiconductor layer, a gate insulating layer, a gate electrode layer, a source electrode layer, and a drain electrode layer, an insulating layer over the thin film transistor, and an interlayer film over the insulating layer. A reflective first electrode layer on the interlayer film, an electroluminescent layer on the first electrode layer, and a translucent second electrode layer on the electroluminescent layer The electroluminescent layer has a layer containing an organic compound and an inorganic compound in contact with the first electrode layer, the interlayer film has only under the first electrode layer, the first electrode layer has molybdenum, An aluminum alloy containing at least one or more of titanium and carbon is included.
本発明の表示装置の一は、半導体層、ゲート絶縁層、ゲート電極層、ソース電極層及びドレイン電極層を有する薄膜トランジスタを有し、薄膜トランジスタ上に絶縁層を有し、絶縁層上に層間膜を有し、層間膜上に反射性の第1の電極層を有し、第1の電極層上に透光性の導電膜を有し、導電膜上に電界発光層を有し、電界発光層上に透光性の第2の電極層を有し、電界発光層は導電膜に接して有機化合物と無機化合物とを含む層を有し、層間膜は第1の電極層の下にのみ有し、第1の電極層は、モリブデン、チタン、及び炭素のうち少なくとも一種、又は複数種を有するアルミニウム合金を含む。 One embodiment of the display device of the present invention includes a thin film transistor including a semiconductor layer, a gate insulating layer, a gate electrode layer, a source electrode layer, and a drain electrode layer, an insulating layer over the thin film transistor, and an interlayer film over the insulating layer. A reflective first electrode layer on the interlayer film, a translucent conductive film on the first electrode layer, an electroluminescent layer on the conductive film, and an electroluminescent layer A light-transmitting second electrode layer is provided above, the electroluminescent layer is in contact with the conductive film and includes a layer containing an organic compound and an inorganic compound, and the interlayer film is provided only below the first electrode layer. In addition, the first electrode layer includes an aluminum alloy having at least one of molybdenum, titanium, and carbon, or a plurality of them.
本発明の表示装置の作製方法の一は、モリブデン、チタン、及び炭素のうち少なくとも一種、又は複数種を有するアルミニウム合金を含む反射性の第1の電極層を形成し、第1の電極層上に電界発光層を形成し、電界発光層上に透光性の第2の電極層を形成し、電界発光層は有機化合物と無機化合物とを含む層を第1の電極層に接して形成する。 According to one method for manufacturing a display device of the present invention, a reflective first electrode layer including an aluminum alloy including at least one of molybdenum, titanium, and carbon or a plurality of types is formed, and the first electrode layer is formed. An electroluminescent layer is formed on the electroluminescent layer, and a light-transmitting second electrode layer is formed on the electroluminescent layer. The electroluminescent layer is formed by contacting a layer containing an organic compound and an inorganic compound with the first electrode layer. .
本発明の表示装置の作製方法の一は、モリブデン、チタン、及び炭素のうち少なくとも一種、又は複数種を有するアルミニウム合金を含む反射性の第1の電極層を形成し、第1の電極層上に透光性の導電膜を形成し、導電膜上に電界発光層を形成し、電界発光層上に透光性の第2の電極層を形成し、電界発光層は有機化合物と無機化合物とを含む層を導電膜に接して形成する。 According to one method for manufacturing a display device of the present invention, a reflective first electrode layer including an aluminum alloy including at least one of molybdenum, titanium, and carbon or a plurality of types is formed, and the first electrode layer is formed. A light-transmitting conductive film is formed, an electroluminescent layer is formed on the conductive film, and a light-transmitting second electrode layer is formed on the electroluminescent layer. The electroluminescent layer includes an organic compound and an inorganic compound. And a layer containing is formed in contact with the conductive film.
本発明の表示装置の作製方法の一は、半導体層、ゲート絶縁層、ゲート電極層、ソース電極層及びドレイン電極層を有する薄膜トランジスタを形成し、薄膜トランジスタ上に絶縁層を形成し、絶縁層上に層間膜を形成し、絶縁層及び層間膜にソース電極層又はドレイン電極層に達する開口部を形成し、開口部及び層間膜上に、ソース電極層又はドレイン電極層に接して、モリブデン、チタン、及び炭素のうち少なくとも一種、又は複数種を有するアルミニウム合金を含む導電膜を形成し、導電膜及び層間膜を加工し、反射性の第1の電極層を形成し、第1の電極層上に電界発光層を形成し、電界発光層上に透光性の第2の電極層を形成し、電界発光層は有機化合物と無機化合物とを含む層を第1の電極層に接して形成する。 One embodiment of a method for manufacturing a display device of the present invention is to form a thin film transistor including a semiconductor layer, a gate insulating layer, a gate electrode layer, a source electrode layer, and a drain electrode layer, form an insulating layer over the thin film transistor, An interlayer film is formed, an opening reaching the source electrode layer or the drain electrode layer is formed in the insulating layer and the interlayer film, and molybdenum, titanium, And a conductive film containing an aluminum alloy having at least one kind or a plurality of kinds of carbon, a conductive film and an interlayer film are processed, a reflective first electrode layer is formed, and a first electrode layer is formed on the first electrode layer. An electroluminescent layer is formed, and a light-transmitting second electrode layer is formed over the electroluminescent layer, and the electroluminescent layer is formed in contact with the first electrode layer including an organic compound and an inorganic compound.
本発明の表示装置の作製方法の一は、半導体層、ゲート絶縁層、ゲート電極層、ソース電極層及びドレイン電極層を有する薄膜トランジスタを形成し、薄膜トランジスタ上に絶縁層を形成し、絶縁層上に層間膜を形成し、絶縁層及び層間膜にソース電極層又はドレイン電極層に達する開口部を形成し、開口部及び層間膜上に、ソース電極層又はドレイン電極層に接して、モリブデン、チタン、及び炭素のうち少なくとも一種、又は複数種を有するアルミニウム合金を含む第1の導電膜を形成し、第1の導電膜上に第2の導電膜を形成し、第1の導電膜、第2の導電膜及び層間膜を加工し、反射性の第1の電極層を形成し、第1の電極層上に電界発光層を形成し、電界発光層上に透光性の第2の電極層を形成し、電界発光層は有機化合物と無機化合物とを含む層を第1の電極層に接して形成する。 One embodiment of a method for manufacturing a display device of the present invention is to form a thin film transistor including a semiconductor layer, a gate insulating layer, a gate electrode layer, a source electrode layer, and a drain electrode layer, form an insulating layer over the thin film transistor, An interlayer film is formed, an opening reaching the source electrode layer or the drain electrode layer is formed in the insulating layer and the interlayer film, and molybdenum, titanium, And a first conductive film containing an aluminum alloy having at least one kind or a plurality of kinds of carbon, a second conductive film is formed over the first conductive film, and the first conductive film, the second conductive film, The conductive film and the interlayer film are processed, a reflective first electrode layer is formed, an electroluminescent layer is formed on the first electrode layer, and a translucent second electrode layer is formed on the electroluminescent layer. Forming and electroluminescent layer with organic compound and inorganic A layer containing a compound in contact with the first electrode layer is formed.
本発明を用いると、信頼性の高い表示装置を作製することができる。よって、高精細、高画質な表示装置を歩留まり良く製造することができる。 By using the present invention, a highly reliable display device can be manufactured. Therefore, a display device with high definition and high image quality can be manufactured with high yield.
本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する本発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。 Embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. However, the present invention is not limited to the following description, and it is easily understood by those skilled in the art that modes and details can be variously changed without departing from the spirit and scope of the present invention. Therefore, the present invention should not be construed as being limited to the description of the embodiments below. Note that in structures of the present invention described below, the same portions or portions having similar functions are denoted by the same reference numerals in different drawings, and description thereof is not repeated.
(実施の形態1)
本実施の形態における表示装置を図1を用いて説明する。
(Embodiment 1)
A display device in this embodiment will be described with reference to FIG.
図1に示すように本実施の形態で示す表示装置は、封止基板を通過して光を取り出す、上面放射型の表示装置である。図1(A)及び図1(B)の表示装置は、発光素子の電極構造が異なる例である。 As shown in FIG. 1, the display device described in this embodiment is a top emission display device which extracts light through a sealing substrate. The display devices in FIGS. 1A and 1B are examples in which the electrode structures of the light-emitting elements are different.
図1(A)の表示装置は、基板600上に、下地膜601a、下地膜601b、薄膜トランジスタ605、ゲート絶縁層602、絶縁層603、絶縁層606、絶縁層607、層間膜608、隔壁として機能する絶縁層609、第1の電極層610、電界発光層611、第2の電極層612、保護膜613を有して構成されている。薄膜トランジスタ605は、ソース領域及びドレイン領域として機能する不純物領域を有する半導体層、ゲート絶縁層602、2層の積層構造であるゲート電極層、ソース電極層及びドレイン電極層からなっており、ソース電極層又はドレイン電極層は、半導体層の不純物領域と第1の電極層610に接して電気的に接続している。
The display device in FIG. 1A functions as a
本実施の形態の表示装置は、第1の電極層610に反射性を有する反射電極層とし、発光素子614より放射される光を反射する。よって、光は、第2の電極層612側から矢印の方向に放射される。このように、発光素子の画素電極層に用いられる反射電極層としては、高い反射性と表面の良好な平坦性が必要となる。
In the display device of this embodiment, the
本発明においては、反射電極層である第1の電極層610に、モリブデン、チタン、及び炭素のうち少なくとも一種、又は複数種を有するアルミニウム合金を含む膜を用いる。本実施の形態では、第1の電極層610に、モリブデンを有するアルミニウム合金を含む膜(以下、Al(Mo)膜とも記す)を用いる。モリブデン、チタン、及び炭素のうち少なくとも一種、又は複数種を有するアルミニウム合金を含む膜は、加熱処理を行っても結晶化しにくく、膜表面の平坦性が良好である。さらに可視光領域付近における光に対する反射性も高く、効率のよい光の反射を行うことができる。モリブデン、チタン、及び炭素のうち少なくとも一種、又は複数種を有するアルミニウム合金を含む膜は、有毒性もなく、人体や環境に対して安全であるという優れた利点もある。
In the present invention, a film containing an aluminum alloy having at least one kind or a plurality of kinds of molybdenum, titanium, and carbon is used for the
また、第1の電極層610の一部を覆う隔壁として機能する絶縁層609を形成する際に用いられる現像液などの薬液に対して、ニッケルを含むアルミニウム合金は耐性が低いが、本発明のモリブデン、チタン、及び炭素のうち少なくとも一種、又は複数種を有するアルミニウム合金を含む膜は耐性が高い。特にチタンを有するアルミニウム合金を含む膜(以下、Al(Ti)膜とも記す)、モリブデンを20atoms%以上含むアルミニウム合金を含む膜においては薬液に対して耐性が高いので、作製工程において表面の膜減りや荒れなどの不良が生じにくい。よって良好な表面状態を保てるので、積層される電界発光層611も安定して形成することができ、表示装置として信頼性も高くなる。なお、勿論、前記現像液は防蝕性の高い現像液を用いた方が効果的である。また、モリブデン、チタン、及び炭素のうち少なくとも一種、又は複数種を有するアルミニウム合金を含む膜中の、モリブデン、またはチタンの含有量を大きくすると、発光素子より放射された光の偏光を抑える効果もある。
Further, although an aluminum alloy containing nickel has low resistance to a chemical solution such as a developer used when forming the insulating
モリブデン、チタン、及び炭素のうち少なくとも一種、又は複数種を有するアルミニウム合金を含む膜において、膜中のモリブデン、またはチタンの含有量が7.0atoms%より多い方が好ましい。また、モリブデン、チタン、及び炭素のうち少なくとも一種、又は複数種を有するアルミニウム合金を含む膜において、膜中のモリブデン、またはチタンの含有量が20atoms%以下であると、可視光領域の光に対して反射率が高いという利点がある。炭素を有するアルミニウム合金を含む膜(以下、Al(C)膜とも記す)においては、膜中の炭素の含有量は0.1atoms%以上10atoms%以下、好ましくは1atoms%未満がよい。モリブデン及び炭素を有するアルミニウム合金を含む膜、チタン及び炭素を有するアルミニウム合金を含む膜においては、含まれる炭素の量は微量であっても効果があり、膜中の炭素の含有量は0.3atoms%以下、さらに0.1atoms%以下であってもよい。 In a film containing an aluminum alloy having at least one or more of molybdenum, titanium, and carbon, it is preferable that the content of molybdenum or titanium in the film is higher than 7.0 atoms%. In addition, in a film including an aluminum alloy including at least one kind or plural kinds of molybdenum, titanium, and carbon, the content of molybdenum or titanium in the film is 20 atoms% or less with respect to light in the visible light region. And has an advantage of high reflectivity. In a film containing an aluminum alloy containing carbon (hereinafter, also referred to as an Al (C) film), the carbon content in the film is 0.1 atom% or more and 10 atom% or less, preferably less than 1 atom%. In a film containing an aluminum alloy containing molybdenum and carbon and a film containing an aluminum alloy containing titanium and carbon, the amount of carbon contained is effective even when the amount is small, and the carbon content in the film is 0.3 atoms. % Or less, and further 0.1 atom% or less.
チタンを有するアルミニウム合金を含む膜は、チタン−アルミニウム合金を含む膜、炭素を有するアルミニウム合金を含む膜は、アルミニウム合金炭素膜、アルミニウム−炭素合金膜ともいう。 A film containing an aluminum alloy containing titanium is also called a film containing a titanium-aluminum alloy, and a film containing an aluminum alloy containing carbon is also called an aluminum alloy carbon film or an aluminum-carbon alloy film.
本実施の形態において、基板600はガラス基板、下地膜601aは窒化酸化珪素膜、下地膜601bは酸化窒化珪素膜、ゲート絶縁層602は酸化窒化珪素膜、絶縁層603は窒化酸化珪素膜、絶縁層606は酸化珪素膜、絶縁層607はアルキル基を含む酸化珪素膜、層間膜608は窒化酸化珪素膜、隔壁として機能する絶縁層609はポリイミド、保護膜613は窒化酸化珪素膜で構成されている。層間膜608は第1の電極層610と絶縁層607の密着性を向上させるために形成している。
In this embodiment, the
本実施の形態で適用することができる発光素子614の構成を図18を用いて詳細に説明する。なお図18において第1の電極層870は、図1における第1の電極層610に対応し、電界発光層860は、電界発光層611に対応し、第2の電極層850は第2の電極層612に対応する。
A structure of the light-emitting
図18は本発明の発光素子の素子構造であり、第1の電極層870と第2の電極層850との間に、有機化合物と無機化合物を混合してなる電界発光層860が狭持されている発光素子である。電界発光層860は、図示した通り、第1の層804、第2の層803、第3の層802から構成されており、特に第1の層804および第3の層802に大きな特徴を有する。
FIG. 18 illustrates an element structure of a light-emitting element of the present invention, in which an
まず、第1の層804は、第2の層803にホールを輸送する機能を担う層であり、少なくとも第1の有機化合物と、第1の有機化合物に対して電子受容性を示す第1の無機化合物とを含む構成である。重要なのは、単に第1の有機化合物と第1の無機化合物が混ざり合っているのではなく、第1の無機化合物が第1の有機化合物に対して電子受容性を示す点である。このような構成とすることで、本来内在的なキャリアをほとんど有さない第1の有機化合物に多くのホールキャリアが発生し、極めて優れたホール注入性、ホール輸送性を示す。
First, the
したがって第1の層804は、無機化合物を混合することによって得られると考えられている効果(耐熱性の向上など)だけでなく、優れた導電性(第1の層804においては特に、ホール注入性および輸送性)をも得ることができる。このことは、互いに電子的な相互作用を及ぼさない有機化合物と無機化合物を単に混合した従来のホール輸送層では、得られない効果である。この効果により、従来よりも駆動電圧を低くすることができる。また、駆動電圧の上昇を招くことなく第1の層804を厚くすることができるため、ゴミ等に起因する素子の短絡も抑制することができる。
Therefore, the
ところで、上述したように、第1の有機化合物にはホールキャリアが発生するため、第1の有機化合物としてはホール輸送性の有機化合物が好ましい。ホール輸送性の有機化合物としては、例えば、フタロシアニン(略称:H2Pc)、銅フタロシアニン(略称:CuPc)、バナジルフタロシアニン(略称:VOPc)、4,4’,4’’−トリス(N,N−ジフェニルアミノ)トリフェニルアミン(略称:TDATA)、4,4’,4’’−トリス[N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ]トリフェニルアミン(略称:MTDATA)、1,3,5−トリス[N,N−ジ(m−トリル)アミノ]ベンゼン(略称:m−MTDAB)、N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン(略称:TPD)、4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(略称:NPB)、4,4’−ビス{N−[4−ジ(m−トリル)アミノ]フェニル−N−フェニルアミノ}ビフェニル(略称:DNTPD)、4,4’,4’’−トリス(N−カルバゾリル)トリフェニルアミン(略称:TCTA)などが挙げられるが、これらに限定されることはない。また、上述した化合物の中でも、TDATA、MTDATA、m−MTDAB、TPD、NPB、DNTPD、TCTAなどに代表される芳香族アミン化合物は、ホールキャリアを発生しやすく、第1の有機化合物として好適な化合物群である。 By the way, as described above, since hole carriers are generated in the first organic compound, the first organic compound is preferably a hole-transporting organic compound. Examples of the hole-transporting organic compound include phthalocyanine (abbreviation: H 2 Pc), copper phthalocyanine (abbreviation: CuPc), vanadyl phthalocyanine (abbreviation: VOPc), 4,4 ′, 4 ″ -tris (N, N -Diphenylamino) triphenylamine (abbreviation: TDATA), 4,4 ′, 4 ″ -tris [N- (3-methylphenyl) -N-phenylamino] triphenylamine (abbreviation: MTDATA), 1,3 , 5-tris [N, N-di (m-tolyl) amino] benzene (abbreviation: m-MTDAB), N, N′-diphenyl-N, N′-bis (3-methylphenyl) -1,1 ′ -Biphenyl-4,4'-diamine (abbreviation: TPD), 4,4'-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl (abbreviation: NPB), 4,4'-bis {N -[4-di m-tolyl) amino] phenyl-N-phenylamino} biphenyl (abbreviation: DNTPD), 4,4 ′, 4 ″ -tris (N-carbazolyl) triphenylamine (abbreviation: TCTA), and the like. It is not limited to. Among the above-mentioned compounds, aromatic amine compounds represented by TDATA, MTDATA, m-MTDAB, TPD, NPB, DNTPD, TCTA, etc. are likely to generate hole carriers and are suitable as the first organic compound. A group.
一方、第1の無機化合物は、第1の有機化合物から電子を受け取りやすいものであれば何であってもよく、種々の金属酸化物または金属窒化物が可能であるが、周期表第4族乃至第12族のいずれかの遷移金属酸化物が電子受容性を示しやすく好適である。具体的には、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化レニウム、酸化ルテニウム、酸化亜鉛などが挙げられる。また、上述した金属酸化物の中でも、周期表第4族乃至第8族のいずれかの遷移金属酸化物は電子受容性の高いものが多く、好ましい一群である。特に酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化レニウムは真空蒸着が可能で扱いやすいため、好適である。 On the other hand, the first inorganic compound may be anything as long as it can easily receive electrons from the first organic compound, and various metal oxides or metal nitrides can be used. Any transition metal oxide belonging to Group 12 is preferable because it easily exhibits electron acceptability. Specific examples include titanium oxide, zirconium oxide, vanadium oxide, molybdenum oxide, tungsten oxide, rhenium oxide, ruthenium oxide, and zinc oxide. Among the metal oxides described above, any of the transition metal oxides in Groups 4 to 8 of the periodic table has a high electron accepting property and is a preferred group. Vanadium oxide, molybdenum oxide, tungsten oxide, and rhenium oxide are particularly preferable because they can be vacuum-deposited and are easy to handle.
なお、第1の層804は、上述した有機化合物と無機化合物の組み合わせを適用した層を、複数積層して形成していてもよい。また、他の有機化合物あるいは他の無機化合物をさらに含んでいてもよい。
Note that the
次に、第3の層802について説明する。第3の層802は、第2の層803に電子を輸送する機能を担う層であり、少なくとも第3の有機化合物と、第3の有機化合物に対して電子供与性を示す第3の無機化合物とを含む構成である。重要なのは、単に第3の有機化合物と第3の無機化合物が混ざり合っているのではなく、第3の無機化合物が第3の有機化合物に対して電子供与性を示す点である。このような構成とすることで、本来内在的なキャリアをほとんど有さない第3の有機化合物に多くの電子キャリアが発生し、極めて優れた電子注入性、電子輸送性を示す。
Next, the
したがって第3の層802は、無機化合物を混合することによって得られると考えられている効果(耐熱性の向上など)だけでなく、優れた導電性(第3の層802においては特に、電子注入性および輸送性)をも得ることができる。このことは、互いに電子的な相互作用を及ぼさない有機化合物と無機化合物を単に混合した従来の電子輸送層では、得られない効果である。この効果により、従来よりも駆動電圧を低くすることができる。また、駆動電圧の上昇を招くことなく第3の層802を厚くすることができるため、ゴミ等に起因する素子の短絡も抑制することができる。
Therefore, the
ところで、上述したように、第3の有機化合物には電子キャリアが発生するため、第3の有機化合物としては電子輸送性の有機化合物が好ましい。電子輸送性の有機化合物としては、例えば、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム(略称:Alq3)、トリス(4−メチル−8−キノリノラト)アルミニウム(略称:Almq3)、ビス(10−ヒドロキシベンゾ[h]−キノリナト)ベリリウム(略称:BeBq2)、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(4−フェニルフェノラト)アルミニウム(略称:BAlq)、ビス[2−(2’−ヒドロキシフェニル)ベンズオキサゾラト]亜鉛(略称:Zn(BOX)2)、ビス[2−(2’−ヒドロキシフェニル)ベンゾチアゾラト]亜鉛(略称:Zn(BTZ)2)、バソフェナントロリン(略称:BPhen)、バソキュプロイン(略称:BCP)、2−(4−ビフェニリル)−5−(4−tert−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール(略称:PBD)、1,3−ビス[5−(4−tert−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール−2−イル]ベンゼン(略称:OXD−7)、2,2’,2’’−(1,3,5−ベンゼントリイル)−トリス(1−フェニル−1H−ベンズイミダゾール)(略称:TPBI)、3−(4−ビフェニリル)−4−フェニル−5−(4−tert−ブチルフェニル)−1,2,4−トリアゾール(略称:TAZ)、3−(4−ビフェニリル)−4−(4−エチルフェニル)−5−(4−tert−ブチルフェニル)−1,2,4−トリアゾール(略称:p−EtTAZ)などが挙げられるが、これらに限定されることはない。また、上述した化合物の中でも、Alq3、Almq3、BeBq2、BAlq、Zn(BOX)2、Zn(BTZ)2などに代表される芳香環を含むキレート配位子を有するキレート金属錯体や、BPhen、BCPなどに代表されるフェナントロリン骨格を有する有機化合物や、PBD、OXD−7などに代表されるオキサジアゾール骨格を有する有機化合物は、電子キャリアを発生しやすく、第3の有機化合物として好適な化合物群である。 By the way, as described above, since an electron carrier is generated in the third organic compound, the third organic compound is preferably an electron-transporting organic compound. Examples of the electron-transporting organic compound include tris (8-quinolinolato) aluminum (abbreviation: Alq 3 ), tris (4-methyl-8-quinolinolato) aluminum (abbreviation: Almq 3 ), bis (10-hydroxybenzo [ h] -quinolinato) beryllium (abbreviation: BeBq 2 ), bis (2-methyl-8-quinolinolato) (4-phenylphenolato) aluminum (abbreviation: BAlq), bis [2- (2′-hydroxyphenyl) benzoxa Zolato] zinc (abbreviation: Zn (BOX) 2 ), bis [2- (2′-hydroxyphenyl) benzothiazolate] zinc (abbreviation: Zn (BTZ) 2 ), bathophenanthroline (abbreviation: BPhen), bathocuproin (abbreviation: BCP), 2- (4-biphenylyl) -5- (4-tert-butylphenyl)- , 3,4-oxadiazole (abbreviation: PBD), 1,3-bis [5- (4-tert-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazol-2-yl] benzene (abbreviation: OXD) -7), 2,2 ′, 2 ″-(1,3,5-benzenetriyl) -tris (1-phenyl-1H-benzimidazole) (abbreviation: TPBI), 3- (4-biphenylyl)- 4-phenyl-5- (4-tert-butylphenyl) -1,2,4-triazole (abbreviation: TAZ), 3- (4-biphenylyl) -4- (4-ethylphenyl) -5- (4- tert-butylphenyl) -1,2,4-triazole (abbreviation: p-EtTAZ) and the like, but are not limited thereto. Among the compounds described above, a chelate metal complex having a chelate ligand containing an aromatic ring typified by Alq 3 , Almq 3 , BeBq 2 , BAlq, Zn (BOX) 2 , Zn (BTZ) 2 , Organic compounds having a phenanthroline skeleton typified by BPhen, BCP, etc., and organic compounds having an oxadiazole skeleton typified by PBD, OXD-7, etc., are likely to generate electron carriers and are suitable as a third organic compound. Compound group.
一方、第3の無機化合物は、第3の有機化合物に電子を与えやすいものであれば何であってもよく、種々の金属酸化物または金属窒化物が可能であるが、アルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属酸化物、希土類金属酸化物、アルカリ金属窒化物、アルカリ土類金属窒化物、希土類金属窒化物が電子供与性を示しやすく好適である。具体的には、酸化リチウム、酸化ストロンチウム、酸化バリウム、酸化エルビウム、窒化リチウム、窒化マグネシウム、窒化カルシウム、窒化イットリウム、窒化ランタンなどが挙げられる。特に酸化リチウム、酸化バリウム、窒化リチウム、窒化マグネシウム、窒化カルシウムは真空蒸着が可能で扱いやすいため、好適である。 On the other hand, the third inorganic compound may be anything as long as it easily gives electrons to the third organic compound, and various metal oxides or metal nitrides can be used. Earth metal oxides, rare earth metal oxides, alkali metal nitrides, alkaline earth metal nitrides, and rare earth metal nitrides are preferable because they easily exhibit electron donating properties. Specific examples include lithium oxide, strontium oxide, barium oxide, erbium oxide, lithium nitride, magnesium nitride, calcium nitride, yttrium nitride, and lanthanum nitride. In particular, lithium oxide, barium oxide, lithium nitride, magnesium nitride, and calcium nitride are preferable because they can be vacuum-deposited and are easy to handle.
なお、第3の層802は、上述した有機化合物と無機化合物の組み合わせを適用した層を、複数積層して形成していてもよい。また、他の有機化合物あるいは他の無機化合物をさらに含んでいてもよい。
Note that the
次に、第2の層803について説明する。第2の層803は発光機能を担う層であり、発光性の第2の有機化合物を含む。また、第2の無機化合物を含む構成であってもよい。第2の層803は、種々の発光性の有機化合物、無機化合物を用いて形成することができる。ただし、第2の層803は、第1の層804や第3の層802に比べて電流が流れにくいと考えられるため、その膜厚は10nm〜100nm程度が好ましい。
Next, the
第2の有機化合物としては、発光性の有機化合物であれば特に限定されることはなく、例えば、9,10−ジ(2−ナフチル)アントラセン(略称:DNA)、9,10−ジ(2−ナフチル)−2−tert−ブチルアントラセン(略称:t−BuDNA)、4,4’−ビス(2,2−ジフェニルビニル)ビフェニル(略称:DPVBi)、クマリン30、クマリン6、クマリン545、クマリン545T、ペリレン、ルブレン、ペリフランテン、2,5,8,11−テトラ(tert−ブチル)ペリレン(略称:TBP)、9,10−ジフェニルアントラセン(略称:DPA)、5,12−ジフェニルテトラセン、4−(ジシアノメチレン)−2−メチル−[p−(ジメチルアミノ)スチリル]−4H−ピラン(略称:DCM1)、4−(ジシアノメチレン)−2−メチル−6−[2−(ジュロリジン−9−イル)エテニル]−4H−ピラン(略称:DCM2)、4−(ジシアノメチレン)−2,6−ビス[p−(ジメチルアミノ)スチリル]−4H−ピラン(略称:BisDCM)等が挙げられる。また、ビス[2−(4’,6’−ジフルオロフェニル)ピリジナト−N,C2’]イリジウム(ピコリナート)(略称:FIrpic)、ビス{2−[3’,5’−ビス(トリフルオロメチル)フェニル]ピリジナト−N,C2’}イリジウム(ピコリナート)(略称:Ir(CF3ppy)2(pic))、トリス(2−フェニルピリジナト−N,C2’)イリジウム(略称:Ir(ppy)3)、ビス(2−フェニルピリジナト−N,C2’)イリジウム(アセチルアセトナート)(略称:Ir(ppy)2(acac))、ビス[2−(2’−チエニル)ピリジナト−N,C3’]イリジウム(アセチルアセトナート)(略称:Ir(thp)2(acac))、ビス(2−フェニルキノリナト−N,C2’)イリジウム(アセチルアセトナート)(略称:Ir(pq)2(acac))、ビス[2−(2’−ベンゾチエニル)ピリジナト−N,C3’]イリジウム(アセチルアセトナート)(略称:Ir(btp)2(acac))などの燐光を放出できる化合物用いることもできる。
The second organic compound is not particularly limited as long as it is a luminescent organic compound. For example, 9,10-di (2-naphthyl) anthracene (abbreviation: DNA), 9,10-di (2 -Naphthyl) -2-tert-butylanthracene (abbreviation: t-BuDNA), 4,4'-bis (2,2-diphenylvinyl) biphenyl (abbreviation: DPVBi),
第2の層803を一重項励起発光材料の他、金属錯体などを含む三重項励起材料を用いても良い。例えば、赤色の発光性の画素、緑色の発光性の画素及び青色の発光性の画素のうち、輝度半減時間が比較的短い赤色の発光性の画素を三重項励起発光材料で形成し、他を一重項励起発光材料で形成する。三重項励起発光材料は発光効率が良いので、同じ輝度を得るのに消費電力が少なくて済むという特徴がある。すなわち、赤色画素に適用した場合、発光素子に流す電流量が少なくて済むので、信頼性を向上させることができる。低消費電力化として、赤色の発光性の画素と緑色の発光性の画素とを三重項励起発光材料で形成し、青色の発光性の画素を一重項励起発光材料で形成しても良い。人間の視感度が高い緑色の発光素子も三重項励起発光材料で形成することで、より低消費電力化を図ることができる。
For the
また、第2の層803においては、上述した発光を示す第2の有機化合物だけでなく、さらに他の有機化合物が添加されていてもよい。添加できる有機化合物としては、例えば、先に述べたTDATA、MTDATA、m−MTDAB、TPD、NPB、DNTPD、TCTA、Alq3、Almq3、BeBq2、BAlq、Zn(BOX)2、Zn(BTZ)2、BPhen、BCP、PBD、OXD−7、TPBI、TAZ、p−EtTAZ、DNA、t−BuDNA、DPVBiなどの他、4,4’−ビス(N−カルバゾリル)ビフェニル(略称:CBP)、1,3,5−トリス[4−(N−カルバゾリル)フェニル]ベンゼン(略称:TCPB)などを用いることができるが、これらに限定されることはない。なお、このように第2の有機化合物以外に添加する有機化合物は、第2の有機化合物を効率良く発光させるため、第2の有機化合物の励起エネルギーよりも大きい励起エネルギーを有し、かつ第2の有機化合物よりも多く添加されていることが好ましい(それにより、第2の有機化合物の濃度消光を防ぐことができる)。あるいはまた、他の機能として、第2の有機化合物と共に発光を示してもよい(それにより、白色発光なども可能となる)。
Further, in the
第2の層803は、発光波長帯の異なる発光層を画素毎に形成して、カラー表示を行う構成としても良い。典型的には、R(赤)、G(緑)、B(青)の各色に対応した発光層を形成する。この場合にも、画素の光放射側にその発光波長帯の光を透過するフィルターを設けた構成とすることで、色純度の向上や、画素部の鏡面化(映り込み)の防止を図ることができる。フィルターを設けることで、従来必要であるとされていた円偏光版などを省略することが可能となり、発光層から放射される光の損失を無くすことができる。さらに、斜方から画素部(表示画面)を見た場合に起こる色調の変化を低減することができる。
The
第2の層803で用いることのできる材料は低分子系有機発光材料でも高分子系有機発光材料でもよい。高分子系有機発光材料は低分子系に比べて物理的強度が高く、素子の耐久性が高い。また塗布により成膜することが可能であるので、素子の作製が比較的容易である。
The material that can be used for the
発光色は、発光層を形成する材料で決まるため、これらを選択することで所望の発光を示す発光素子を形成することができる。発光層の形成に用いることができる高分子系の電界発光材料は、ポリパラフェニレンビニレン系、ポリパラフェニレン系、ポリチオフェン系、ポリフルオレン系が挙げられる。 Since the light emission color is determined by the material for forming the light emitting layer, a light emitting element exhibiting desired light emission can be formed by selecting these materials. Examples of the polymer electroluminescent material that can be used for forming the light emitting layer include polyparaphenylene vinylene, polyparaphenylene, polythiophene, and polyfluorene.
ポリパラフェニレンビニレン系には、ポリ(パラフェニレンビニレン) [PPV] の誘導体、ポリ(2,5−ジアルコキシ−1,4−フェニレンビニレン) [RO−PPV]、ポリ(2−(2’−エチル−ヘキソキシ)−5−メトキシ−1,4−フェニレンビニレン)[MEH−PPV]、ポリ(2−(ジアルコキシフェニル)−1,4−フェニレンビニレン)[ROPh−PPV]等が挙げられる。ポリパラフェニレン系には、ポリパラフェニレン[PPP]の誘導体、ポリ(2,5−ジアルコキシ−1,4−フェニレン)[RO−PPP]、ポリ(2,5−ジヘキソキシ−1,4−フェニレン)等が挙げられる。ポリチオフェン系には、ポリチオフェン[PT]の誘導体、ポリ(3−アルキルチオフェン)[PAT]、ポリ(3−ヘキシルチオフェン)[PHT]、ポリ(3−シクロヘキシルチオフェン)[PCHT]、ポリ(3−シクロヘキシル−4−メチルチオフェン)[PCHMT]、ポリ(3,4−ジシクロヘキシルチオフェン)[PDCHT]、ポリ[3−(4−オクチルフェニル)−チオフェン][POPT]、ポリ[3−(4−オクチルフェニル)−2,2ビチオフェン][PTOPT]等が挙げられる。ポリフルオレン系には、ポリフルオレン[PF]の誘導体、ポリ(9,9−ジアルキルフルオレン)[PDAF]、ポリ(9,9−ジオクチルフルオレン)[PDOF]等が挙げられる。 Examples of the polyparaphenylene vinylene include poly (paraphenylene vinylene) [PPV] derivatives, poly (2,5-dialkoxy-1,4-phenylene vinylene) [RO-PPV], poly (2- (2′- Ethyl-hexoxy) -5-methoxy-1,4-phenylenevinylene) [MEH-PPV], poly (2- (dialkoxyphenyl) -1,4-phenylenevinylene) [ROPh-PPV] and the like. Examples of polyparaphenylene include derivatives of polyparaphenylene [PPP], poly (2,5-dialkoxy-1,4-phenylene) [RO-PPP], poly (2,5-dihexoxy-1,4-phenylene). ) And the like. The polythiophene series includes polythiophene [PT] derivatives, poly (3-alkylthiophene) [PAT], poly (3-hexylthiophene) [PHT], poly (3-cyclohexylthiophene) [PCHT], poly (3-cyclohexyl). -4-methylthiophene) [PCHMT], poly (3,4-dicyclohexylthiophene) [PDCHT], poly [3- (4-octylphenyl) -thiophene] [POPT], poly [3- (4-octylphenyl) -2,2 bithiophene] [PTOPT] and the like. Examples of the polyfluorene series include polyfluorene [PF] derivatives, poly (9,9-dialkylfluorene) [PDAF], poly (9,9-dioctylfluorene) [PDOF], and the like.
前記第2の無機化合物としては、第2の有機化合物の発光を消光しにくい無機化合物であれば何であってもよく、種々の金属酸化物や金属窒化物を用いることができる。特に、周期表第13族または第14族の金属酸化物は、第2の有機化合物の発光を消光しにくいため好ましく、具体的には酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化ケイ素、酸化ゲルマニウムが好適である。ただし、これらに限定されることはない。 The second inorganic compound may be any inorganic compound as long as it is difficult to quench the light emission of the second organic compound, and various metal oxides and metal nitrides can be used. In particular, a metal oxide of Group 13 or Group 14 of the periodic table is preferable because it is difficult to quench the light emission of the second organic compound, and specifically, aluminum oxide, gallium oxide, silicon oxide, and germanium oxide are preferable. . However, it is not limited to these.
なお、第2の層803は、上述した有機化合物と無機化合物の組み合わせを適用した層を、複数積層して形成していてもよい。また、他の有機化合物あるいは他の無機化合物をさらに含んでいてもよい。
発光層の層構造は変化しうるものであり、特定の電子注入領域や発光領域を備えていない代わりに、もっぱらこの目的用の電極層を備えたり、発光性の材料を分散させて備えたりする変形は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において許容されうるものである。
Note that the
The layer structure of the light-emitting layer can be changed, and instead of having a specific electron injection region or light-emitting region, an electrode layer for this purpose is provided, or a light-emitting material is dispersed. Modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.
上記のような材料で形成した発光素子は、順方向にバイアスすることで発光する。発光素子を用いて形成する表示装置の画素は、単純マトリクス方式、若しくはアクティブマトリクス方式で駆動することができる。いずれにしても、個々の画素は、ある特定のタイミングで順方向バイアスを印加して発光させることとなるが、ある一定期間は非発光状態となっている。この非発光時間に逆方向のバイアスを印加することで発光素子の信頼性を向上させることができる。発光素子では、一定駆動条件下で発光強度が低下する劣化や、画素内で非発光領域が拡大して見かけ上輝度が低下する劣化モードがあるが、順方向及び逆方向にバイアスを印加する交流的な駆動を行うことで、劣化の進行を遅くすることができ、発光装置の信頼性を向上させることができる。また、デジタル駆動、アナログ駆動どちらでも適用可能である。 A light-emitting element formed using the above materials emits light by being forward-biased. A pixel of a display device formed using a light-emitting element can be driven by a simple matrix method or an active matrix method. In any case, each pixel emits light by applying a forward bias at a specific timing, but is in a non-light emitting state for a certain period. By applying a reverse bias during this non-light emitting time, the reliability of the light emitting element can be improved. The light emitting element has a degradation mode in which the light emission intensity decreases under a constant driving condition and a degradation mode in which the non-light emitting area is enlarged in the pixel and the luminance is apparently decreased. However, alternating current that applies a bias in the forward and reverse directions. By performing a typical drive, the progress of deterioration can be slowed and the reliability of the light emitting device can be improved. Further, either digital driving or analog driving can be applied.
よって、封止基板にカラーフィルタ(着色層)を形成してもよい。カラーフィルタ(着色層)は、蒸着法や液滴吐出法によって形成することができ、カラーフィルタ(着色層)を用いると、高精細な表示を行うこともできる。カラーフィルタ(着色層)により、各RGBの発光スペクトルにおいてブロードなピークを鋭くなるように補正できるからである。 Therefore, a color filter (colored layer) may be formed on the sealing substrate. The color filter (colored layer) can be formed by an evaporation method or a droplet discharge method. When the color filter (colored layer) is used, high-definition display can be performed. This is because the color filter (colored layer) can correct a broad peak to be sharp in the emission spectrum of each RGB.
単色の発光を示す材料を形成し、カラーフィルターや色変換層を組み合わせることによりフルカラー表示を行うことができる。カラーフィルタ(着色層)や色変換層は、例えば第2の基板(封止基板)に形成し、基板へ張り合わせればよい。 A full color display can be performed by forming a material exhibiting monochromatic light emission and combining a color filter and a color conversion layer. The color filter (colored layer) and the color conversion layer may be formed, for example, on the second substrate (sealing substrate) and attached to the substrate.
もちろん単色発光の表示を行ってもよい。例えば、単色発光を用いてエリアカラータイプの表示装置を形成してもよい。エリアカラータイプは、パッシブマトリクス型の表示部が適しており、主に文字や記号を表示することができる。 Of course, monochromatic light emission may be displayed. For example, an area color type display device may be formed using monochromatic light emission. As the area color type, a passive matrix type display unit is suitable, and characters and symbols can be mainly displayed.
第1の電極層870及び第2の電極層850は仕事関数を考慮して材料を選択する必要があり、そして第1の電極層870及び第2の電極層850は、画素構成によりいずれも陽極、又は陰極となりうる。駆動用薄膜トランジスタの極性がpチャネル型である場合、図18(A)のように第1の電極層870を陽極、第2の電極層850を陰極とするとよい。また、駆動用薄膜トランジスタの極性がnチャネル型である場合、図18(B)のように、第1の電極層870を陰極、第2の電極層850を陽極とすると好ましい。第1の電極層870および第2の電極層850に用いることのできる材料について述べる。第1の電極層870、第2の電極層850が陽極として機能する場合は仕事関数の大きい材料(具体的には4.5eV以上の材料)が好ましく、第1の電極層、第2の電極層850が陰極として機能する場合は仕事関数の小さい材料(具体的には3.5eV以下の材料)が好ましい。しかしながら、第1の層804のホール注入特性、ホール輸送特性や、第3の層802の電子注入特性、電子輸送特性が優れているため、第1の電極層870、第2の電極層850共に、ほとんど仕事関数の制限を受けることなく、種々の材料を用いることができる。
The materials of the
第2の電極層850は、光透過性であればよい。その場合、具体的には透明導電膜を用いればよく、インジウム錫酸化物(ITO)、インジウム亜鉛酸化物(IZO)、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物(ITSO)などを用いることができる。また、金属膜であっても膜厚を薄く(好ましくは、5nm〜30nm程度の厚さ)して光を透過可能な状態としておくことで、第2の電極層850から光を放射することが可能となる。また、第2の電極層850に用いることのできる金属薄膜としては、チタン、タングステン、ニッケル、金、白金、銀、アルミニウム、マグネシウム、カルシウム、リチウム、およびそれらの合金からなる導電膜などを用いることができる。さらに、第1の電極層870および第2の電極層850は、モリブデン、チタン、及び炭素のうち少なくとも一種、又は複数種を有するアルミニウム合金を含む膜などの金属薄膜と上述した透明導電膜とを積層してもよい。第2の電極層850に上記透明導電膜であるITOやITSOを用いる場合、ベンゾオキサゾール誘導体(BzOs)にLiを添加したBzOs−Li膜上に形成するとよい。
The
なお、第1の電極層870や第2の電極層850の種類を変えることで、本発明の発光素子は様々なバリエーションを有する。
Note that the light-emitting element of the present invention has various variations by changing types of the
図18(B)は、電界発光層860が、第1の電極層870側から第3の層802、第2の層、第1の層804の順で構成されているケースである。
FIG. 18B illustrates a case where the
以上で述べたように、本発明の発光素子は、第1の電極層870と第2の電極層850との間に狭持された層が、有機化合物と無機化合物が複合された層を含む電界発光層860から成っている。そして、有機化合物と無機化合物を混合することにより、それぞれ単独では得られない高いキャリア注入性、キャリア輸送性という機能が得られる層(すなわち、第1の層804および第3の層802)が設けられている新規な有機無機複合型の発光素子である。また、上記第1の層804、第3の層802は、反射電極である第1の電極層870側に設けられる場合、特に有機化合物と無機化合物が複合された層である必要があり、第2の電極層850側に設けられる場合、有機化合物、無機化合物のみであってもよい。
As described above, in the light-emitting element of the present invention, the layer sandwiched between the
なお、電界発光層860は有機化合物と無機化合物が混合された層であるが、その形成方法としては公知の種々の手法を用いることができる。例えば、有機化合物と無機化合物の両方を抵抗加熱により蒸発させ、共蒸着する手法が挙げられる。その他、有機化合物を抵抗加熱により蒸発させる一方で、無機化合物をエレクトロンビーム(EB)により蒸発させ、共蒸着してもよい。また、有機化合物を抵抗加熱により蒸発させると同時に、無機化合物をスパッタリングし、両方を同時に堆積する手法も挙げられる。その他、湿式法により成膜してもよい。
Note that although the
また、第1の電極層870および第2の電極層850に関しても同様に、抵抗加熱による蒸着法、EB蒸着法、スパッタリング、湿式法などを用いることができる。
Similarly, for the
図1(B)の表示装置は、基板620上に、下地膜621a、下地膜621b、薄膜トランジスタ625、ゲート絶縁層622、絶縁層623、絶縁層626、絶縁層627、層間膜628、層間膜636、隔壁として機能する絶縁層629、第1の電極層630、透明導電膜635、電界発光層631、第2の電極層632、保護膜633を有して構成されている。薄膜トランジスタ625は、ソース領域及びドレイン領域として機能する不純物領域を有する半導体層、ゲート絶縁層622、2層の積層構造であるゲート電極層、ソース電極層及びドレイン電極層からなっており、ソース電極層又はドレイン電極層は、半導体層の不純物領域と第1の電極層630に接して電気的に接続している。
In the display device in FIG. 1B, a
図1(B)の表示装置における発光素子634は、第1の電極層630、透明導電膜635、電界発光層631、第2の電極層632で構成されている。第1の電極層630と透明導電膜635が積層構造となっており、第1の電極層630としては、モリブデン、チタン、及び炭素のうち少なくとも一種、又は複数種を有するアルミニウム合金を含む膜を用い、透明導電膜635としてITSO膜を用いる。図1(B)のように透明導電膜635を積層すると、第1の電極層630を保護することができるため、歩留まりが向上する効果がある。また図1(B)の第2の電極層632には、透光性を有するように薄膜化された銀薄膜を用いている。
A light-emitting
図1(B)の他の構成物は、図1(A)同様の材料で同様に作製すればよい。また、図1(B)の表示装置において、層間膜628は窒化酸化珪素膜であり、層間膜636は窒化チタン膜である。この層間膜628と層間膜636とを、絶縁層627及び第1の電極層630の間に形成することによって、絶縁層627と第1の電極層630との密着性を向上させることができる。また、窒化チタン膜は静電対策としての役割も担うことができる。層間膜628として用いる窒化酸化珪素膜と窒化チタン膜の間に、絶縁層627で用いるアルキル基を含む酸化珪素膜を絶縁層627よりも薄い膜厚で形成してもよい。
Other components in FIG. 1B may be formed using the same materials as in FIG. In the display device in FIG. 1B, the
以上のように、本発明を用いると、信頼性の高い表示装置を作製することができる。よって、高精細、高画質な表示装置を歩留まり良く製造することができる。 As described above, by using the present invention, a highly reliable display device can be manufactured. Therefore, a display device with high definition and high image quality can be manufactured with high yield.
(実施の形態2)
本実施の形態における表示装置の作製方法を、図2乃至図7、図16、図17を用いて詳細に説明する。
(Embodiment 2)
A method for manufacturing the display device in this embodiment will be described in detail with reference to FIGS.
図16(A)は本発明に係る表示パネルの構成を示す上面図であり、絶縁表面を有する基板2700上に画素2702をマトリクス状に配列させた画素部2701、走査線側入力端子2703、信号線側入力端子2704が形成されている。画素数は種々の規格に従って設ければ良く、XGAであれば1024×768×3(RGB)、UXGAであれば1600×1200×3(RGB)、フルスペックハイビジョンに対応させるのであれば1920×1080×3(RGB)とすれば良い。
FIG. 16A is a top view illustrating a structure of a display panel according to the present invention, in which a
画素2702は、走査線側入力端子2703から延在する走査線と、信号線側入力端子2704から延在する信号線とが交差することで、マトリクス状に配設される。画素2702のそれぞれには、スイッチング素子とそれに接続する画素電極層が備えられている。スイッチング素子の代表的な一例はTFTであり、TFTのゲート電極層側が走査線と、ソース若しくはドレイン側が信号線と接続されることにより、個々の画素を外部から入力する信号によって独立して制御可能としている。
The
TFTは、その主要な構成要素として、半導体層、ゲート絶縁層及びゲート電極層が挙げられ、半導体層に形成されるソース及びドレイン領域に接続する配線層がそれに付随する。構造的には基板側から半導体層、ゲート絶縁層及びゲート電極層を配設したトップゲート型と、基板側からゲート電極層、ゲート絶縁層及び半導体層を配設したボトムゲート型などが代表的に知られているが、本発明においてはそれらの構造のどのようなものを用いても良い。 A TFT includes a semiconductor layer, a gate insulating layer, and a gate electrode layer as main components, and a wiring layer connected to a source region and a drain region formed in the semiconductor layer is attached to the TFT. Structurally, the top gate type in which the semiconductor layer, the gate insulating layer and the gate electrode layer are arranged from the substrate side, and the bottom gate type in which the gate electrode layer, the gate insulating layer and the semiconductor layer are arranged from the substrate side are representative. In the present invention, any of those structures may be used.
図16(A)は、走査線及び信号線へ入力する信号を、外付けの駆動回路により制御する表示パネルの構成を示しているが、図17(A)に示すように、COG(Chip on Glass)方式によりドライバIC2751を基板2700上に実装しても良い。また他の実装形態として、図17(B)に示すようなTAB(Tape Automated Bonding)方式を用いてもよい。ドライバICは単結晶半導体基板に形成されたものでも良いし、ガラス基板上にTFTで回路を形成したものであっても良い。図17において、ドライバIC2751は、FPC(Flexible printed circuit)2750と接続している。
FIG. 16A illustrates a structure of a display panel in which signals input to the scan lines and the signal lines are controlled by an external driver circuit. As illustrated in FIG. 17A, COG (Chip on The
また、画素に設けるTFTを結晶性を有する半導体で形成する場合には、図16(B)に示すように走査線側駆動回路3702を基板3700上に形成し一体化することもできる。図16(B)において、画素部3701は、信号線側入力端子3704と接続した図16(A)と同様に外付けの駆動回路により制御する。画素に設けるTFTを移動度の高い、多結晶(微結晶)半導体、単結晶半導体などで形成する場合は、図16(C)は、画素部4701、走査線駆動回路4702と、信号線駆動回路4704を基板4700上に一体形成することもできる。
In the case where a TFT provided for a pixel is formed using a crystalline semiconductor, a scan
絶縁表面を有する基板100の上に下地膜として、スパッタリング法、PVD法(Physical Vapor Deposition)、減圧CVD法(LPCVD法)、またはプラズマCVD法等のCVD法(Chemical Vapor Deposition)などにより窒化酸化珪素膜(SiNO)を用いて下地膜101aを10〜200nm(好ましくは50〜100nm)形成し、酸化窒化珪素膜(SiON)を用いて下地膜101bを50〜200nm(好ましくは100〜150nm)積層する。本実施の形態では、プラズマCVD法を用いて下地膜101a、下地膜101bを形成する。基板100としてはガラス基板、石英基板やシリコン基板、金属基板、またはステンレス基板の表面に絶縁膜を形成したものを用いて良い。また、本実施の形態の処理温度に耐えうる耐熱性を有するプラスチック基板を用いてもよいし、フィルムのような可撓性基板を用いても良い。プラスチック基板としてはPET(ポリエチレンテレフタレート)、PEN(ポリエチレンナフタレート)、PES(ポリエーテルスルホン)からなる基板、可撓性基板としてはアクリル等の合成樹脂を用いることができる。
Silicon nitride oxide by a sputtering method, a PVD method (Physical Vapor Deposition), a low pressure CVD method (LPCVD method), or a CVD method (Chemical Vapor Deposition) such as a plasma CVD method as a base film over the
下地膜としては、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素、窒化酸化珪素などを用いることができ、単層でも2層、3層といった積層構造でもよい。なお本明細書中において酸化窒化珪素とは酸素の含有量が窒素の含有量より大きい物質であり、窒素を含む酸化珪素とも言える。同様に、窒化酸化珪素とは、窒素の含有量が酸素の含有量より大きい物質であり、酸素を含む窒化珪素とも言える。本実施の形態では、基板上にSiH4、NH3、N2O、N2及びH2を反応ガスとして窒化酸化珪素膜を膜厚50nm形成し、SiH4及びN2Oを反応ガスとして酸化窒化珪素膜を膜厚100nmで形成する。また窒化酸化珪素膜の膜厚を140nm、積層する酸化窒化珪素膜の膜厚を100nmとしてもよい。 As the base film, silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride, silicon nitride oxide, or the like can be used, and a single layer or a laminated structure of two layers or three layers may be used. Note that in this specification, silicon oxynitride is a substance in which the oxygen content is higher than the nitrogen content, and can also be referred to as silicon oxide containing nitrogen. Similarly, silicon nitride oxide is a substance in which the nitrogen content is higher than the oxygen content, and can be said to be silicon nitride containing oxygen. In this embodiment, a silicon nitride oxide film is formed to a thickness of 50 nm on a substrate using SiH 4 , NH 3 , N 2 O, N 2, and H 2 as reactive gases, and oxidized using SiH 4 and N 2 O as reactive gases. A silicon nitride film is formed with a thickness of 100 nm. The thickness of the silicon nitride oxide film may be 140 nm, and the thickness of the stacked silicon oxynitride film may be 100 nm.
次いで、下地膜上に半導体膜を形成する。半導体膜は25〜200nm(好ましくは30〜150nm)の厚さで公知の手段(スパッタ法、LPCVD法、またはプラズマCVD法等)により成膜すればよい。本実施の形態では、非晶質半導体膜を、レーザ結晶化し、結晶性半導体膜とするものを用いるのが好ましい。 Next, a semiconductor film is formed over the base film. The semiconductor film may be formed by a known means (a sputtering method, an LPCVD method, a plasma CVD method, or the like) with a thickness of 25 to 200 nm (preferably 30 to 150 nm). In this embodiment mode, it is preferable to use a crystalline semiconductor film obtained by crystallizing an amorphous semiconductor film by laser crystallization.
半導体膜を形成する材料は、シランやゲルマンに代表される半導体材料ガスを用いて気相成長法やスパッタリング法で作製される非晶質半導体(以下「アモルファス半導体:AS」ともいう。)、該非晶質半導体を光エネルギーや熱エネルギーを利用して結晶化させた多結晶半導体、或いはセミアモルファス(微結晶若しくはマイクロクリスタルとも呼ばれる。以下「SAS」ともいう。)半導体などを用いることができる。 As a material for forming the semiconductor film, an amorphous semiconductor (hereinafter also referred to as “amorphous semiconductor: AS”) manufactured by a vapor deposition method or a sputtering method using a semiconductor material gas typified by silane or germane is used. A polycrystalline semiconductor obtained by crystallizing a crystalline semiconductor using light energy or thermal energy, or a semi-amorphous (also referred to as microcrystal or microcrystal; hereinafter, also referred to as “SAS”) semiconductor can be used.
SASは、非晶質と結晶構造(単結晶、多結晶を含む)の中間的な構造を有し、自由エネルギー的に安定な第3の状態を有する半導体であって、短距離秩序を持ち格子歪みを有する結晶質な領域を含んでいる。少なくとも膜中の一部の領域には、0.5〜20nmの結晶領域を観測することが出来、珪素を主成分とする場合にはラマンスペクトルが520cm−1よりも低波数側にシフトしている。X線回折では珪素結晶格子に由来するとされる(111)、(220)の回折ピークが観測される。未結合手(ダングリングボンド)を終端化するための水素またはハロゲンを少なくとも1原子%またはそれ以上含ませている。SASは、珪化物気体をグロー放電分解(プラズマCVD)して形成する。珪化物気体としては、SiH4、その他にもSi2H6、SiH2Cl2、SiHCl3、SiCl4、SiF4などを用いることが可能である。またF2、GeF4を混合させても良い。この珪化物気体をH2、又は、H2とHe、Ar、Kr、Neから選ばれた一種または複数種の希ガス元素で希釈しても良い。希釈率は2〜1000倍の範囲、圧力は概略0.1Pa〜133Paの範囲、電源周波数は1MHz〜120MHz、好ましくは13MHz〜60MHzである。基板加熱温度は300℃以下が好ましく、100〜200℃の基板加熱温度でも形成可能である。ここで、主に成膜時に取り込まれる不純物元素として、酸素、窒素、炭素などの大気成分に由来する不純物は1×1020cm−3以下とすることが望ましく、特に、酸素濃度は5×1019cm−3以下、好ましくは1×1019cm−3以下となるようにすることが好ましい。また、ヘリウム、アルゴン、クリプトン、ネオンなどの希ガス元素を含ませて格子歪みをさらに助長させることで安定性が増し良好なSASが得られる。また半導体膜としてフッ素系ガスより形成されるSAS層に水素系ガスより形成されるSAS層を積層してもよい。 SAS is a semiconductor having an intermediate structure between amorphous and crystalline structures (including single crystal and polycrystal) and having a third state that is stable in terms of free energy and has a short-range order and a lattice. It includes a crystalline region with strain. A crystal region of 0.5 to 20 nm can be observed in at least a part of the film, and when silicon is a main component, the Raman spectrum is shifted to a lower wave number side than 520 cm −1. Yes. In X-ray diffraction, diffraction peaks of (111) and (220) that are derived from the silicon crystal lattice are observed. At least 1 atomic% or more of hydrogen or halogen for terminating dangling bonds (dangling bonds) is contained. The SAS is formed by glow discharge decomposition (plasma CVD) of a silicide gas. As the silicide gas, SiH 4 , Si 2 H 6 , SiH 2 Cl 2 , SiHCl 3 , SiCl 4 , SiF 4, and the like can be used. Further, F 2 and GeF 4 may be mixed. This silicide gas may be diluted with H 2 , or H 2 and one or more kinds of rare gas elements selected from He, Ar, Kr, and Ne. The dilution rate is in the range of 2 to 1000 times, the pressure is in the range of approximately 0.1 Pa to 133 Pa, and the power supply frequency is 1 MHz to 120 MHz, preferably 13 MHz to 60 MHz. The substrate heating temperature is preferably 300 ° C. or lower, and can be formed even at a substrate heating temperature of 100 to 200 ° C. Here, as an impurity element mainly taken in at the time of film formation, impurities derived from atmospheric components such as oxygen, nitrogen, and carbon are preferably 1 × 10 20 cm −3 or less, and in particular, the oxygen concentration is 5 × 10 5. It is preferable to be 19 cm −3 or less, preferably 1 × 10 19 cm −3 or less. Further, by adding a rare gas element such as helium, argon, krypton, or neon to further promote lattice distortion, stability is improved and a favorable SAS can be obtained. In addition, a SAS layer formed of a hydrogen-based gas may be stacked on a SAS layer formed of a fluorine-based gas as a semiconductor film.
非晶質半導体としては、代表的には水素化アモルファスシリコン、結晶性半導体としては代表的にはポリシリコンなどがあげられる。ポリシリコン(多結晶シリコン)には、800℃以上のプロセス温度を経て形成されるポリシリコンを主材料として用いた所謂高温ポリシリコンや、600℃以下のプロセス温度で形成されるポリシリコンを主材料として用いた所謂低温ポリシリコン、また結晶化を促進する元素などを添加し結晶化させたポリシリコンなどを含んでいる。もちろん、前述したように、セミアモルファス半導体又は半導体膜の一部に結晶相を含む半導体を用いることもできる。 A typical example of an amorphous semiconductor is hydrogenated amorphous silicon, and a typical example of a crystalline semiconductor is polysilicon. Polysilicon (polycrystalline silicon) is mainly made of so-called high-temperature polysilicon using polysilicon formed through a process temperature of 800 ° C. or higher as a main material, or polysilicon formed at a process temperature of 600 ° C. or lower. And so-called low-temperature polysilicon, and polysilicon crystallized by adding an element that promotes crystallization. Needless to say, as described above, a semi-amorphous semiconductor or a semiconductor containing a crystal phase in part of a semiconductor film can also be used.
半導体膜に、結晶性半導体膜を用いる場合、その結晶性半導体膜の作製方法は、公知の方法(レーザ結晶化法、熱結晶化法、またはニッケルなどの結晶化を助長する元素を用いた熱結晶化法等)を用いれば良い。また、SASである微結晶半導体をレーザ照射して結晶化し、結晶性を高めることもできる。結晶化を助長する元素を導入しない場合は、非晶質半導体膜にレーザ光を照射する前に、窒素雰囲気下500℃で1時間加熱することによって非晶質半導体膜の含有水素濃度を1×1020atoms/cm3以下にまで放出させる。これは水素を多く含んだ非晶質半導体膜にレーザ光を照射すると非晶質半導体膜が破壊されてしまうからである。結晶化のための加熱処理は、加熱炉、レーザ照射、若しくはランプから発する光の照射(ランプアニールともいう)などを用いることができる。加熱方法として加熱したガスを用いるGRTA(Gas Rapid Thermal Anneal)法、ランプを用いるLRTA(Lamp Rapid Thermal Anneal)法等のRTA法がある。 In the case where a crystalline semiconductor film is used as the semiconductor film, a method for manufacturing the crystalline semiconductor film can be a known method (laser crystallization method, thermal crystallization method, or heat using an element that promotes crystallization such as nickel. A crystallization method or the like may be used. In addition, a microcrystalline semiconductor that is a SAS can be crystallized by laser irradiation to improve crystallinity. In the case where an element for promoting crystallization is not introduced, the concentration of hydrogen contained in the amorphous semiconductor film is set to 1 × by heating at 500 ° C. for 1 hour in a nitrogen atmosphere before irradiating the amorphous semiconductor film with laser light. Release to 10 20 atoms / cm 3 or less. This is because when an amorphous semiconductor film containing a large amount of hydrogen is irradiated with laser light, the amorphous semiconductor film is destroyed. As the heat treatment for crystallization, a heating furnace, laser irradiation, irradiation with light emitted from a lamp (also referred to as lamp annealing), or the like can be used. As a heating method, there are RTA methods such as a GRTA (Gas Rapid Thermal Anneal) method using a heated gas and an LRTA (Lamp Rapid Thermal Anneal) method using a lamp.
非晶質半導体膜への金属元素の導入の仕方としては、当該金属元素を非晶質半導体膜の表面又はその内部に存在させ得る手法であれば特に限定はなく、例えばスパッタ法、CVD法、プラズマ処理法(プラズマCVD法も含む)、吸着法、金属塩の溶液を塗布する方法を使用することができる。このうち溶液を用いる方法は簡便であり、金属元素の濃度調整が容易であるという点で有用である。また、このとき非晶質半導体膜の表面のぬれ性を改善し、非晶質半導体膜の表面全体に水溶液を行き渡らせるため、酸素雰囲気中でのUV光の照射、熱酸化法、ヒドロキシラジカルを含むオゾン水又は過酸化水素による処理等により、酸化膜を成膜することが望ましい。 The method of introducing the metal element into the amorphous semiconductor film is not particularly limited as long as the metal element can be present on the surface of the amorphous semiconductor film or inside the amorphous semiconductor film. For example, sputtering, CVD, A plasma treatment method (including a plasma CVD method), an adsorption method, or a method of applying a metal salt solution can be used. Among these, the method using a solution is simple and useful in that the concentration of the metal element can be easily adjusted. At this time, in order to improve the wettability of the surface of the amorphous semiconductor film and to spread the aqueous solution over the entire surface of the amorphous semiconductor film, irradiation with UV light in an oxygen atmosphere, thermal oxidation method, hydroxy radical It is desirable to form an oxide film by treatment with ozone water or hydrogen peroxide.
連続発振が可能な固体レーザを用い、基本波の第2高調波〜第4高調波のレーザ光を照射することで、大粒径の結晶を得ることができる。例えば、代表的には、Nd:YVO4レーザ(基本波1064nm)の第2高調波(532nm)や第3高調波(355nm)を用いるのが望ましい。具体的には、連続発振のYVO4レーザから射出されたレーザ光を非線形光学素子により高調波に変換し、出力数W以上のレーザ光を得る。そして、好ましくは光学系により照射面にて矩形状または楕円形状のレーザ光に成形して、半導体膜に照射する。このときのエネルギー密度は0.001〜100MW/cm2程度(好ましくは0.1〜10MW/cm2)が必要である。そして、走査速度を0.5〜2000cm/sec程度(好ましくは10〜200cm/sec)とし、照射する。 By using a solid-state laser capable of continuous oscillation and irradiating laser light of the second to fourth harmonics of the fundamental wave, a crystal having a large grain size can be obtained. For example, typically, it is desirable to use the second harmonic (532 nm) or the third harmonic (355 nm) of an Nd: YVO 4 laser (fundamental wave 1064 nm). Specifically, laser light emitted from a continuous wave YVO 4 laser is converted into a harmonic by a non-linear optical element to obtain laser light having an output number of W or more. Then, it is preferably formed into a rectangular or elliptical laser beam on the irradiation surface by an optical system and irradiated onto the semiconductor film. At this time, the energy density of about 0.001~100MW / cm 2 (preferably 0.1 to 10 MW / cm 2) is required. Then, irradiation is performed at a scanning speed of about 0.5 to 2000 cm / sec (preferably 10 to 200 cm / sec).
レーザのビーム形状は、線状とすると好ましい。その結果、スループットを向上させることができる。またさらにレーザは、半導体膜に対して入射角θ(0<θ<90度)を持たせて照射させるとよい。レーザの干渉を防止することができるからである。 The laser beam shape is preferably linear. As a result, throughput can be improved. Further, the laser may be irradiated with an incident angle θ (0 <θ <90 degrees) with respect to the semiconductor film. This is because laser interference can be prevented.
このようなレーザと、半導体膜とを相対的に走査することにより、レーザ照射を行うことができる。またレーザ照射において、ビームを精度よく重ね合わせたり、レーザ照射開始位置やレーザ照射終了位置を制御するため、マーカーを形成することもできる。マーカーは非晶質半導体膜と同時に、基板上へ形成すればよい。 Laser irradiation can be performed by relatively scanning such a laser and the semiconductor film. In laser irradiation, a marker can be formed in order to superimpose beams with high accuracy and to control the laser irradiation start position and laser irradiation end position. The marker may be formed on the substrate simultaneously with the amorphous semiconductor film.
なおレーザは、連続発振またはパルス発振の気体レーザ、固体レーザ、銅蒸気レーザまたは金蒸気レーザなどを用いることができる。気体レーザとして、エキシマレーザ、Arレーザ、Krレーザ、He−Cdレーザなどがあり、固体レーザとして、YAGレーザ、YVO4レーザ、YLFレーザ、YAlO3レーザ、Y2O3レーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライトレーザ、Ti:サファイアレーザなどが挙げられる。 As the laser, a continuous wave or pulsed gas laser, solid state laser, copper vapor laser, gold vapor laser, or the like can be used. Examples of the gas laser include an excimer laser, an Ar laser, a Kr laser, and a He—Cd laser, and the solid laser includes a YAG laser, a YVO 4 laser, a YLF laser, a YAlO 3 laser, a Y 2 O 3 laser, a glass laser, and a ruby laser. Alexandrite laser, Ti: sapphire laser, and the like.
また、パルス発振のレーザ光の発振周波数を0.5MHz以上とし、通常用いられている数十Hz〜数百Hzの周波数帯よりも著しく高い周波数帯を用いてレーザ結晶化を行っても良い。パルス発振でレーザ光を半導体膜に照射してから半導体膜が完全に固化するまでの時間は数十nsec〜数百nsecと言われている。よって上記周波数帯を用いることで、半導体膜がレーザ光によって溶融してから固化するまでに、次のパルスのレーザ光を照射できる。したがって、半導体膜中において固液界面を連続的に移動させることができるので、走査方向に向かって連続的に成長した結晶粒を有する半導体膜が形成される。具体的には、含まれる結晶粒の走査方向における幅が10〜30μm、走査方向に対して垂直な方向における幅が1〜5μm程度の結晶粒の集合を形成することができる。該走査方向に沿って長く延びた単結晶の結晶粒を形成することで、少なくとも薄膜トランジスタのチャネル方向には結晶粒界のほとんど存在しない半導体膜の形成が可能となる。 Further, the laser crystallization may be performed using a frequency band significantly higher than a frequency band of several tens to several hundreds Hz that is usually used with an oscillation frequency of pulsed laser light of 0.5 MHz or more. It is said that the time from irradiating a semiconductor film with laser light by pulse oscillation until the semiconductor film is completely solidified is several tens to several hundreds nsec. Therefore, by using the above frequency band, it is possible to irradiate the next pulse of laser light from when the semiconductor film is melted by the laser light to solidification. Accordingly, since the solid-liquid interface can be continuously moved in the semiconductor film, a semiconductor film having crystal grains continuously grown in the scanning direction is formed. Specifically, a set of crystal grains having a width of 10 to 30 μm in the scanning direction of the included crystal grains and a width of about 1 to 5 μm in a direction perpendicular to the scanning direction can be formed. By forming single crystal grains extending long along the scanning direction, a semiconductor film having almost no crystal grain boundary at least in the channel direction of the thin film transistor can be formed.
また、希ガスや窒素などの不活性ガス雰囲気中でレーザ光を照射するようにしても良い。これにより、レーザ光の照射により半導体表面の荒れを抑えることができ、界面準位密度のばらつきによって生じるしきい値のばらつきを抑えることができる。 Further, laser light may be irradiated in an inert gas atmosphere such as a rare gas or nitrogen. Accordingly, the surface roughness of the semiconductor can be suppressed by laser light irradiation, and variations in threshold values caused by variations in interface state density can be suppressed.
非晶質半導体膜の結晶化は、熱処理とレーザ光照射による結晶化を組み合わせてもよく、熱処理やレーザ光照射を単独で、複数回行っても良い。 Crystallization of the amorphous semiconductor film may be a combination of heat treatment and crystallization by laser light irradiation, or may be performed multiple times by heat treatment or laser light irradiation alone.
本実施の形態では、下地膜101b上に、非晶質半導体膜を形成し、非晶質半導体膜を結晶化させることによって結晶性半導体膜を形成する。非晶質半導体膜としては、SiH4、H2の反応ガスにより形成する非晶質珪素を用いる。本実施の形態において、下地膜101a、下地膜101b、非晶質半導体膜は、同チャンバー内で真空を破らずに330℃の同一温度下で、反応ガスを切り変えながら連続的に形成する。
In this embodiment, an amorphous semiconductor film is formed over the
非晶質半導体膜上に形成された酸化膜を除去した後、酸素雰囲気中でのUV光の照射、熱酸化法、ヒドロキシラジカルを含むオゾン水又は過酸化水素による処理等により、酸化膜を1〜5nm形成する。本実施の形態では、結晶化を助長する元素としてNiを用いる。Ni酢酸塩10ppmを含有した水溶液をスピンコーティング法により塗布する。 After removing the oxide film formed on the amorphous semiconductor film, the oxide film is made 1 by irradiation with UV light in an oxygen atmosphere, a thermal oxidation method, treatment with ozone water containing hydrogen radicals or hydrogen peroxide, and the like. Form ~ 5 nm. In this embodiment mode, Ni is used as an element for promoting crystallization. An aqueous solution containing 10 ppm of Ni acetate is applied by spin coating.
本実施の形態では、熱処理をRTA法により750℃で3分間行った後、半導体膜上に形成される酸化膜を除去し、レーザ光を照射する。非晶質半導体膜は以上の結晶化処理により結晶化し、結晶性半導体膜として形成される。 In this embodiment mode, heat treatment is performed at 750 ° C. for 3 minutes by an RTA method, and then an oxide film formed over the semiconductor film is removed and laser light is irradiated. The amorphous semiconductor film is crystallized by the above crystallization treatment and formed as a crystalline semiconductor film.
金属元素を用いた結晶化を行った場合、金属元素を低減、又は除去するためにゲッタリング工程を施す。本実施の形態では、非晶質半導体膜をゲッタリングシンクとして金属元素を捕獲する。まず、結晶性半導体膜上に酸素雰囲気中でのUV光の照射、熱酸化法、ヒドロキシラジカルを含むオゾン水又は過酸化水素による処理等により、酸化膜を形成する。酸化膜は加熱処理によって厚膜化することが望ましい。次いでプラズマCVD法(本実施の形態における条件350W、35Pa)を用いて、非晶質半導体膜を50nmの膜厚で形成する。
When crystallization using a metal element is performed, a gettering step is performed in order to reduce or remove the metal element. In this embodiment mode, a metal element is captured using an amorphous semiconductor film as a gettering sink. First, an oxide film is formed over the crystalline semiconductor film by irradiation with UV light in an oxygen atmosphere, a thermal oxidation method, treatment with ozone water containing hydroxyl radicals or hydrogen peroxide, and the like. The oxide film is preferably thickened by heat treatment. Next, an amorphous semiconductor film is formed to a thickness of 50 nm by a plasma CVD method (
その後、RTA法により744℃で3分間熱処理を行い、金属元素を低減、又は除去する。熱処理は窒素雰囲気下で行ってもよい。そして、ゲッタリングシンクとなっていた非晶質半導体膜、及び非晶質半導体膜上に形成された酸化膜をフッ酸等により除去し、金属元素が低減、又は除去された結晶性半導体膜102を得ることができる(図2(A)参照。)。本実施の形態では、ゲッタリングシンクとなった非晶質半導体膜の除去をTMAH(Tetramethyl ammonium hydroxide)を用いて行う。
Thereafter, heat treatment is performed at 744 ° C. for 3 minutes by the RTA method to reduce or remove the metal element. The heat treatment may be performed in a nitrogen atmosphere. Then, the amorphous semiconductor film serving as the gettering sink and the oxide film formed over the amorphous semiconductor film are removed by hydrofluoric acid or the like, and the
このようにして得られた半導体膜に対して、薄膜トランジスタのしきい値電圧を制御するために微量な不純物元素(ボロンまたはリン)のドーピングを行ってもよい。この不純物元素のドーピングは、結晶化工程の前の非晶質半導体膜に行ってもよい。非晶質半導体膜の状態で不純物元素をドーピングすると、その後の結晶化のための加熱処理によって、不純物の活性化も行うことができる。また、ドーピングの際に生じる欠陥等も改善することができる。 In order to control the threshold voltage of the thin film transistor, the semiconductor film thus obtained may be doped with a trace amount of impurity element (boron or phosphorus). This doping of the impurity element may be performed on the amorphous semiconductor film before the crystallization step. When the impurity element is doped in the state of the amorphous semiconductor film, the impurity can be activated by heat treatment for subsequent crystallization. In addition, defects and the like generated during doping can be improved.
次に結晶性半導体膜102をマスクを用いて所望の形状に加工する。本実施の形態では結晶性半導体膜102上に形成された酸化膜を除去した後、新たに酸化膜を形成する。そして、フォトマスクを作製し、フォトリソグラフィ法を用いた加工処理により、半導体層103、半導体層104、半導体層105、及び半導体層106を形成する。
Next, the
エッチング加工は、プラズマエッチング(ドライエッチング)又はウエットエッチングのどちらを採用しても良いが、大面積基板を処理するにはプラズマエッチングが適している。エッチングガスとしては、CF4、NF3、Cl2、BCl3、などのフッ素系又は塩素系のガスを用い、HeやArなどの不活性ガスを適宜加えても良い。また、大気圧放電のエッチング加工を適用すれば、局所的な放電加工も可能であり、基板の全面にマスク層を形成する必要はない。 As the etching process, either plasma etching (dry etching) or wet etching may be employed, but plasma etching is suitable for processing a large area substrate. As an etching gas, a fluorine-based or chlorine-based gas such as CF 4 , NF 3 , Cl 2 , or BCl 3 may be used, and an inert gas such as He or Ar may be appropriately added. Further, if an atmospheric pressure discharge etching process is applied, a local electric discharge process is also possible, and it is not necessary to form a mask layer on the entire surface of the substrate.
本発明において、配線層若しくは電極層を形成する導電層や、所定のパターンを形成するためのマスク層などを、液滴吐出法のような選択的にパターンを形成できる方法により形成してもよい。液滴吐出(噴出)法(その方式によっては、インクジェット法とも呼ばれる。)は、特定の目的に調合された組成物の液滴を選択的に吐出(噴出)して所定のパターン(導電層や絶縁層など)を形成することができる。この際、被形成領域にぬれ性や密着性を制御する処理を行ってもよい。また、パターンが転写、または描写できる方法、例えば印刷法(スクリーン印刷やオフセット印刷などパターンが形成される方法)なども用いることができる。 In the present invention, a conductive layer for forming a wiring layer or an electrode layer, a mask layer for forming a predetermined pattern, or the like may be formed by a method capable of selectively forming a pattern such as a droplet discharge method. . A droplet discharge (ejection) method (also called an ink-jet method depending on the method) is a method in which a droplet of a composition prepared for a specific purpose is selectively ejected (ejection) to form a predetermined pattern (such as a conductive layer or a conductive layer). An insulating layer or the like can be formed. At this time, a process for controlling wettability and adhesion may be performed on the formation region. In addition, a method by which a pattern can be transferred or drawn, for example, a printing method (a method for forming a pattern such as screen printing or offset printing) can be used.
本実施の形態において、用いるマスクは、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、ノボラック樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂等の樹脂材料を用いる。また、ベンゾシクロブテン、パリレン、フレア、透過性を有するポリイミドなどの有機材料、シロキサン系ポリマー等の重合によってできた化合物材料、水溶性ホモポリマーと水溶性共重合体を含む組成物材料等を用いることもできる。或いは、感光剤を含む市販のレジスト材料を用いてもよく、例えば、代表的なポジ型レジストである、ノボラック樹脂と感光剤であるナフトキノンジアジド化合物、ネガ型レジストであるベース樹脂、ジフェニルシランジオール及び酸発生剤などを用いてもよい。液滴吐出法を用いる場合、いずれの材料を用いるとしても、その表面張力と粘度は、溶媒の濃度を調整したり、界面活性剤等を加えたりして適宜調整する。 In this embodiment mode, a resin material such as an epoxy resin, an acrylic resin, a phenol resin, a novolac resin, a melamine resin, or a urethane resin is used as a mask to be used. Also, organic materials such as benzocyclobutene, parylene, flare, permeable polyimide, compound materials made by polymerization of siloxane polymers, composition materials containing water-soluble homopolymers and water-soluble copolymers, etc. are used. You can also Alternatively, a commercially available resist material containing a photosensitizer may be used. For example, a novolak resin that is a typical positive resist and a naphthoquinonediazide compound that is a photosensitizer, a base resin that is a negative resist, diphenylsilanediol, and An acid generator or the like may be used. When using the droplet discharge method, regardless of which material is used, the surface tension and viscosity are appropriately adjusted by adjusting the concentration of the solvent or adding a surfactant or the like.
半導体層上の酸化膜を除去し、半導体層103、半導体層104、半導体層105、及び半導体層106を覆うゲート絶縁層107を形成する。ゲート絶縁層107はプラズマCVD法またはスパッタ法などを用い、厚さを10〜150nmとして珪素を含む絶縁膜で形成する。ゲート絶縁層107としては、窒化珪素、酸化珪素、酸化窒化珪素、窒化酸化珪素に代表される珪素の酸化物材料又は窒化物材料等の公知の材料で形成すればよく、積層でも単層でもよい。また、絶縁層は窒化珪素膜、酸化珪素膜、窒化珪素膜の3層の積層、酸化窒化珪素膜の単層、2層からなる積層でも良い。好適には、緻密な膜質を有する窒化珪素膜を用いるとよい。さらに半導体層とゲート絶縁層の間に、膜厚1〜100nm、好ましくは1〜10nm、さらに好ましくは2〜5nmである膜厚の薄い酸化珪素膜を形成してもよい。薄い酸化珪素膜の形成方法としては、GRTA法、LRTA法等を用いて半導体領域表面を酸化し、熱酸化膜を形成することで、膜厚の薄い酸化珪素膜を形成することができる。なお、低い成膜温度でゲートリーク電流が少ない緻密な絶縁膜を形成するには、アルゴンなどの希ガス元素を反応ガスに含ませ、形成される絶縁膜中に混入させると良い。本実施の形態では、ゲート絶縁層107として酸化窒化珪素膜を膜厚115nm形成する。
The oxide film over the semiconductor layer is removed, and a
次いで、ゲート絶縁層107上にゲート電極層として用いる膜厚20〜100nmの第1の導電膜108と、膜厚100〜400nmの第2の導電膜109とを積層して形成する(図2(B)参照。)。第1の導電膜108及び第2の導電膜109は、スパッタリング法、蒸着法、CVD法等の公知の手法により形成することができる。第1の導電膜108及び第2の導電膜109はタンタル(Ta)、タングステン(W)、チタン(Ti)、モリブデン(Mo)、アルミニウム(Al)、銅(Cu)、クロム(Cr)、ネオジウム(Nd)から選ばれた元素、又は前記元素を主成分とする合金材料もしくは化合物材料で形成すればよい。また、第1の導電膜108及び第2の導電膜109としてリン等の不純物元素をドーピングした多結晶シリコン膜に代表される半導体膜や、AgPdCu合金を用いてもよい。また、2層構造に限定されず、例えば、第1の導電膜として膜厚50nmのタングステン膜、第2の導電膜として膜厚500nmのアルミニウムとシリコンの合金(Al−Si)膜、第3の導電膜として膜厚30nmの窒化チタン膜を順次積層した3層構造としてもよい。また、3層構造とする場合、第1の導電膜のタングステンに代えて窒化タングステンを用いてもよいし、第2の導電膜のアルミニウムとシリコンの合金(Al−Si)膜に代えてアルミニウムとチタンの合金膜(Al−Ti)を用いてもよいし、第3の導電膜の窒化チタン膜に代えてチタン膜を用いてもよい。また、単層構造であってもよい。本実施の形態では、第1の導電膜108として窒化タンタル(TaN)を膜厚30nm形成し、第2の導電膜109としてタングステン(W)を膜厚370nm形成する。
Next, a first
次に、フォトリソグラフィ法を用いてレジストからなるマスク110a、マスク110b、マスク110c、マスク110d、及びマスク110fを形成し、第1の導電膜108及び第2の導電膜109を所望の形状に加工し、第1のゲート電極層121、第1のゲート電極層122、第1のゲート電極層124、第1のゲート電極層125、及び第1のゲート電極層126、並びに導電層111、導電層112、導電層114、導電層115、及び導電層116を形成する(図2(C)参照。)。ICP(Inductively Coupled Plasma:誘導結合型プラズマ)エッチング法を用い、エッチング条件(コイル型の電極層に印加される電力量、基板側の電極層に印加される電力量、基板側の電極温度等)を適宜調節することにより、第1のゲート電極層121、第1のゲート電極層122、第1のゲート電極層124、第1のゲート電極層125、及び第1のゲート電極層126、並びに導電層111、導電層112、導電層114、導電層115、及び導電層116を所望のテーパー形状を有するようにエッチングすることができる。また、テーパー形状は、マスク110a、マスク110b、マスク110d、及びマスク110fの形状によっても角度等を制御することができる。なお、エッチング用ガスとしては、Cl2、BCl3、SiCl4もしくはCCl4などを代表とする塩素系ガス、CF4、C2F8、SF6もしくはNF3などを代表とするフッ素系ガス又はO2を適宜用いることができる。本実施の形態では、CF4、Cl2、O2からなるエッチング用ガスを用いて第2の導電膜109のエッチングを行い、連続してCF4、Cl2からなるエッチング用ガスを用いて第1の導電膜108をエッチングする。
Next, a resist
次に、マスク110a、マスク110b、マスク110d、及びマスク110fを用いて、導電層111、導電層112、導電層114、導電層115、及び導電層116を所望の形状に加工する。このとき、導電層を形成する第2の導電膜109と、第1のゲート電極層を形成する第1の導電膜108との選択比の高いエッチング条件で、導電層をエッチングする。このエッチングによって、導電層111、導電層112、導電層114、導電層115、及び導電層116をエッチングし、第2のゲート電極層131、第2のゲート電極層132、第2のゲート電極層134、第2のゲート電極層135、及び第2のゲート電極層136を形成する。本実施の形態では、第3導電層もテーパー形状を有しているが、そのテーパー角度は、第1のゲート電極層121、第1のゲート電極層122、第1のゲート電極層124、第1のゲート電極層125、及び第1のゲート電極層126の有するテーパー角度より大きい。なおテーパー角度とは第1のゲート電極層、第2のゲート電極層、導電層表面に対する側面の角度である。よって、テーパー角度を大きくし、90度の場合導電層は垂直な側面を有しており、テーパー形状を有さなくなる。本実施の形態では、第2のゲート電極層を形成するためのエッチング用ガスとしてCl2、SF6、O2を用いる。
Next, the
本実施の形態では第1のゲート電極層、導電層、及び第2のゲート電極層をテーパー形状を有する様に形成するため、2層のゲート電極層両方がテーパー形状を有している。しかし、本発明はそれに限定されず、ゲート電極層の一層のみがテーパー形状を有し、他方は異方性エッチングによって垂直な側面を有していてもよい。本実施の形態のように、テーパー角度も積層するゲート電極層間で異なっていても良いし、同一でもよい。テーパー形状を有することによって、その上に積層する膜の被覆性が向上し、欠陥が軽減されるので信頼性が向上する。 In this embodiment, since the first gate electrode layer, the conductive layer, and the second gate electrode layer are formed to have a tapered shape, both of the two gate electrode layers have a tapered shape. However, the present invention is not limited thereto, and only one gate electrode layer may have a tapered shape, and the other may have a vertical side surface by anisotropic etching. As in this embodiment, the taper angle may be different between the stacked gate electrode layers, or may be the same. By having a tapered shape, the coverage of a film stacked thereon is improved and defects are reduced, so that reliability is improved.
以上の工程によって、周辺駆動回路領域204に第1のゲート電極層121及び第2のゲート電極層131からなるゲート電極層117、第1のゲート電極層122及び第2のゲート電極層132からなるゲート電極層118、画素領域206に第1のゲート電極層124及び第2のゲート電極層134からなるゲート電極層127、第1のゲート電極層125及び第2のゲート電極層135からなるゲート電極層128、第1のゲート電極層126及び第2のゲート電極層136からなるゲート電極層129を形成することができる(図2(D)参照。)。本実施の形態では、ゲート電極層の形成をドライエッチングで行うがウェットエッチングでもよい。
Through the above steps, the peripheral
ゲート電極層を形成する際のエッチング工程によって、ゲート絶縁層107は多少エッチングされ、膜厚が減る(いわゆる膜減り)ことがある。
The
ゲート電極層を形成する際、ゲート電極層の幅を細くすることによって、高速動作が可能な薄膜トランジスタを形成することができる。ゲート電極層をチャネル方向の幅を細く形成する2つの方法を以下に示す。 When forming the gate electrode layer, a thin film transistor capable of high-speed operation can be formed by reducing the width of the gate electrode layer. Two methods for forming the gate electrode layer with a narrow width in the channel direction are described below.
第1の方法はゲート電極層のマスクを形成した後、マスクを幅方向にエッチング、アッシング等によりスリミングして、さらに幅の細いマスクを形成する。あらかじめ幅細い形状に形成されたマスクを用いることによって、ゲート電極層も幅細い形状に形成することができる。 In the first method, after a mask for the gate electrode layer is formed, the mask is slimmed in the width direction by etching, ashing, or the like to form a mask having a narrower width. By using a mask formed in advance in a narrow shape, the gate electrode layer can also be formed in a narrow shape.
次に、第2の方法は通常のマスクを形成し、そのマスクを用いてゲート電極層を形成する。次に得られたゲート電極層を幅方向にさらにサイドエッチングして細らせる。よって最終的に幅の細いゲート電極層を形成することができる。以上の工程を経ることによって、後にチャネル長の短い薄膜トランジスタを形成することが可能であり、高速度動作が可能な薄膜トランジスタを作製することが可能である。 Next, in the second method, a normal mask is formed, and a gate electrode layer is formed using the mask. Next, the obtained gate electrode layer is further thinned by side etching in the width direction. Therefore, a narrow gate electrode layer can be finally formed. Through the above steps, a thin film transistor with a short channel length can be formed later, and a thin film transistor capable of high-speed operation can be manufactured.
次に、ゲート電極層117、ゲート電極層118、ゲート電極層127、ゲート電極層128、ゲート電極層129をマスクとして、n型を付与する不純物元素151を添加し、第1のn型不純物領域140a、第1のn型不純物領域140b、第1のn型不純物領域141a、第1のn型不純物領域141b、第1のn型不純物領域142a、第1のn型不純物領域142b、第1のn型不純物領域142c、第1のn型不純物領域143a、第1のn型不純物領域143bを形成する(図3(A)参照。)。本実施の形態では、不純物元素を含むドーピングガスとしてホスフィン(PH3)(ドーピングガスはPH3を水素(H2)で希釈しており、ガス中のPH3の比率は5%)を用い、ガス流量80sccm、ビーム電流54μA/cm、加速電圧50kV、添加するドーズ量7.0×1013ions/cm2でドーピングを行う。ここでは、第1のn型不純物領域140a、第1のn型不純物領域140b、第1のn型不純物領域141a、第1のn型不純物領域141b、第1のn型不純物領域142a、第1のn型不純物領域142b、第1のn型不純物領域142c、第1のn型不純物領域143a、第1のn型不純物領域143bに、n型を付与する不純物元素が1×1017〜5×1018/cm3程度の濃度で含まれるように添加する。本実施の形態では、n型を付与する不純物元素としてリン(P)を用いる。
Next, an
本実施の形態では、不純物領域がゲート絶縁層を介してゲート電極層と重なる領域をLov領域と示し、不純物領域がゲート絶縁層を介してゲート電極層と重ならない領域をLoff領域と示す。図3では、不純物領域においてハッチングと白地で示されているが、これは、白地部分に不純物元素が添加されていないということを示すのではなく、この領域の不純物元素の濃度分布がマスクやドーピング条件を反映していることを直感的に理解できるようにしたためである。なお、このことは本明細書の他の図面においても同様である。 In this embodiment, a region where the impurity region overlaps with the gate electrode layer through the gate insulating layer is referred to as a Lov region, and a region where the impurity region does not overlap with the gate electrode layer through the gate insulating layer is referred to as a Loff region. In FIG. 3, hatching and white background are shown in the impurity region, but this does not indicate that the impurity element is not added to the white background part, but the concentration distribution of the impurity element in this region is mask or doping. This is because it is possible to intuitively understand that the conditions are reflected. This also applies to other drawings in this specification.
次に半導体層103、半導体層105の一部、半導体層106を覆うマスク153a、マスク153b、マスク153c、及びマスク153dを形成する。マスク153a、マスク153b、マスク153c、マスク153d、第2のゲート電極層132をマスクとしてn型を付与する不純物元素152を添加し、第2のn型不純物領域144a、第2のn型不純物領域144b、第3のn型不純物領域145a、第3のn型不純物領域145b、第2のn型不純物領域147a、第2のn型不純物領域147b、第2のn型不純物領域147c、第3のn型不純物領域148a、第3のn型不純物領域148b、第3のn型不純物領域148c、第3のn型不純物領域148dが形成される。本実施の形態では、不純物元素を含むドーピングガスとしてPH3(ドーピングガスはPH3を水素(H2)で希釈しており、ガス中のPH3の比率は5%)を用い、ガス流量80sccm、ビーム電流540μA/cm、加速電圧70kV、添加するドーズ量5.0×1015ions/cm2でドーピングを行う。ここでは、第2のn型不純物領域144a、第2のn型不純物領域144bにn型を付与する不純物元素が5×1019〜5×1020/cm3程度の濃度で含まれるように添加する。第3のn型不純物領域145a、第3のn型不純物領域145bは、第3のn型不純物領域148a、第3のn型不純物領域148b、第3のn型不純物領域148c、第3のn型不純物領域148dと同程度、もしくは少し高めの濃度でn型を付与する不純物元素を含むように形成される。また、半導体層104にチャネル形成領域146、半導体層105にチャネル形成領域149a及びチャネル形成領域149bが形成される(図3(B)参照。)。
Next, a
第2のn型不純物領域144a、第2のn型不純物領域144b、第2のn型不純物領域147a、第2のn型不純物領域147b、第2のn型不純物領域147cは高濃度n型不純物領域であり、ソース、ドレインとして機能する。一方、第3のn型不純物領域145a、第3のn型不純物領域145b、第3のn型不純物領域148a、第3のn型不純物領域148b、第3のn型不純物領域148c、第3のn型不純物領域148dは低濃度不純物領域であり、LDD(LightlyDoped Drain)領域となる。n型不純物領域145a、n型不純物領域145bは、ゲート絶縁層107を介して、第1のゲート電極層122に覆われているのでLov領域であり、ドレイン近傍の電界を緩和し、ホットキャリアによるオン電流の劣化を抑制することが可能である。この結果、高速動作が可能な薄膜トランジスタを形成することができる。一方、第3のn型不純物領域148a、第3のn型不純物領域148b、第3のn型不純物領域148c、第3のn型不純物領域148dはゲート電極層127、ゲート電極層128に覆われていないLoff領域に形成されるため、ドレイン近傍の電界を緩和してホットキャリア注入による劣化を防ぐとともに、オフ電流を低減する効果がある。この結果、信頼性の高く、低消費電力の半導体装置を作製することが可能である。
The second n-
次に、マスク153a、マスク153b、マスク153c及びマスク153dを除去し、半導体層103、半導体層105を覆うマスク155a、マスク155bを形成する。マスク155a、マスク155b、ゲート電極層117及びゲート電極層129をマスクとしてp型を付与する不純物元素154を添加し、第1のp型不純物領域160a、第1のp型不純物領域160b、第1のp型不純物領域163a、第1のp型不純物領域163b、第2のp型不純物領域161a、第2のp型不純物領域161b、第2のp型不純物領域164a、第2のp型不純物領域164bが形成される。本実施の形態では、不純物元素としてボロン(B)を用いるため、不純物元素を含むドーピングガスとしてジボラン(B2H6)(ドーピングガスはB2H6を水素(H2)で希釈しており、ガス中のB2H6の比率は15%)を用い、ガス流量70sccm、ビーム電流180μA/cm、加速電圧80kV、添加するドーズ量2.0×1015ions/cm2でドーピングを行う。ここでは、第1のp型不純物領域160a、第1のp型不純物領域160b、第1のp型不純物領域163a、第1のp型不純物領域163b、第2のp型不純物領域161a、第2のp型不純物領域161b、第2のp型不純物領域164a、第2のp型不純物領域164bにp型を付与する不純物元素が1×1020〜5×1021/cm3程度の濃度で含まれるように添加する。本実施の形態では、第2のp型不純物領域161a、第2のp型不純物領域161b、第2のp型不純物領域164a、第2のp型不純物領域164bは、ゲート電極層117及びゲート電極層129の形状を反映し、自己整合的に第1のp型不純物領域160a、第1のp型不純物領域160b、第1のp型不純物領域163a、第1のp型不純物領域163bより低濃度となるように形成する。また、半導体層103にチャネル形成領域162、半導体層106にチャネル形成領域165が形成される(図3(C)参照。)。
Next, the
第2のn型不純物領域144a、第2のn型不純物領域144b、第2のn型不純物領域147a、第2のn型不純物領域147b、第2のn型不純物領域147cは高濃度n型不純物領域であり、ソース、ドレインとして機能する。一方、第2のp型不純物領域161a、第2のp型不純物領域161b、第2のp型不純物領域164a、第2のp型不純物領域164bは低濃度不純物領域であり、LDD(LightlyDoped Drain)領域となる。第2のp型不純物領域161a、第2のp型不純物領域161b、第2のp型不純物領域164a、第2のp型不純物領域164bは、ゲート絶縁層107を介して、第1のゲート電極層121、第1のゲート電極層126に覆われているのでLov領域であり、ドレイン近傍の電界を緩和し、ホットキャリアによるオン電流の劣化を抑制することが可能である。
The second n-
マスク155a、マスク155bをO2アッシングやレジスト剥離液により除去し、酸化膜も除去する。その後、ゲート電極層の側面を覆うように、絶縁膜、いわゆるサイドウォールを形成してもよい。サイドウォールは、プラズマCVD法や減圧CVD(LPCVD)法を用いて、珪素を有する絶縁膜により形成することができる。
The
不純物元素を活性化するために加熱処理、強光の照射、又はレーザ光の照射を行ってもよい。活性化と同時にゲート絶縁層へのプラズマダメージやゲート絶縁層と半導体層との界面へのプラズマダメージを回復することができる。 In order to activate the impurity element, heat treatment, intense light irradiation, or laser light irradiation may be performed. Simultaneously with activation, plasma damage to the gate insulating layer and plasma damage to the interface between the gate insulating layer and the semiconductor layer can be recovered.
次いで、ゲート電極層、ゲート絶縁層を覆う層間絶縁層を形成する。本実施の形態では、絶縁膜167と絶縁膜168との積層構造とする(図4(A)参照。)。絶縁膜167として窒化酸化珪素膜を膜厚100nm形成し、絶縁膜168として酸化窒化絶縁膜を膜厚900nm形成し、積層構造とする。また、ゲート電極層、ゲート絶縁層を覆って、酸化窒化珪素膜を膜厚30nm形成し、窒化酸化珪素膜を膜厚140nm形成し、酸化窒化珪素膜を膜厚800nm形成し、3層の積層構造としてもよい。本実施の形態では、絶縁膜167及び絶縁膜168を下地膜と同様にプラズマCVD法を用いて連続的に形成する。絶縁膜167と絶縁膜168は上記材料に限定されるものでなく、スパッタ法、またはプラズマCVDを用いた窒化珪素膜、窒化酸化珪素膜、酸化窒化珪素膜、酸化珪素膜でもよく、他の珪素を含む絶縁膜を単層または3層以上の積層構造として用いても良い。
Next, an interlayer insulating layer is formed to cover the gate electrode layer and the gate insulating layer. In this embodiment, a stacked structure of the insulating
さらに、窒素雰囲気中で、300〜550℃で1〜12時間の熱処理を行い、半導体層を水素化する工程を行う。好ましくは、400〜500℃で行う。この工程は層間絶縁層である絶縁膜167に含まれる水素により半導体層のダングリングボンドを終端する工程である。本実施の形態では、410度(℃)で1時間加熱処理を行う。
Further, a heat treatment is performed at 300 to 550 ° C. for 1 to 12 hours in a nitrogen atmosphere to perform a step of hydrogenating the semiconductor layer. Preferably, it carries out at 400-500 degreeC. This step is a step of terminating dangling bonds in the semiconductor layer with hydrogen contained in the insulating
絶縁膜167、絶縁膜168としては他に窒化アルミニウム(AlN)、酸化窒化アルミニウム(AlON)、窒素含有量が酸素含有量よりも多い窒化酸化アルミニウム(AlNO)または酸化アルミニウム、ダイアモンドライクカーボン(DLC)、窒素含有炭素膜(CN)その他の無機絶縁性材料を含む物質から選ばれた材料で形成することができる。また、シロキサン材料を用いてもよい。なお、シロキサン材料とは、Si−O−Si結合を含む樹脂に相当する。シロキサンは、シリコン(Si)と酸素(O)との結合で骨格構造が構成される。置換基として、少なくとも水素を含む有機基(例えばアルキル基、芳香族炭化水素)が用いられる。置換基として、フルオロ基を用いてもよい。または置換基として、少なくとも水素を含む有機基と、フルオロ基とを用いてもよい。また、有機絶縁性材料を用いてもよく、有機材料としては、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、レジスト又はベンゾシクロブテン、ポリシラザンを用いることができる。平坦性のよい塗布法によってされる塗布膜を用いてもよい。
In addition, as the insulating
次いで、レジストからなるマスクを用いて絶縁膜167、絶縁膜168、ゲート絶縁層107に半導体層に達するコンタクトホール(開口部)を形成する。エッチングは、用いる材料の選択比によって、一回で行っても複数回行っても良い。本実施の形態では、酸化窒化珪素膜である絶縁膜168と、窒化酸化珪素膜である絶縁膜167及びゲート絶縁層107と選択比が取れる条件で、第1のエッチングを行い、絶縁膜168を除去する。次に第2のエッチングによって、絶縁膜167及びゲート絶縁層107を除去し、ソース領域又はドレイン領域である第1のp型不純物領域160a、第1のp型不純物領域160b、第1のp型不純物領域163a、第1のp型不純物領域163b、第2のn型不純物領域144a、第2のn型不純物領域144b、第2のn型不純物領域147a、第2のn型不純物領域147bに達する開口部を形成する。本実施の形態では、第1のエッチングをウェットエッチングによって行い、第2のエッチングをドライエッチングによって行う。ウェットエッチングのエッチャントは、フッ素水素アンモニウム及びフッ化アンモニウムを含む混合溶液のようなフッ酸系の溶液を用いるとよい。エッチング用ガスとしては、Cl2、BCl3、SiCl4もしくはCCl4などを代表とする塩素系ガス、CF4、SF6もしくはNF3などを代表とするフッ素系ガス又はO2を適宜用いることができる。また用いるエッチング用ガスに不活性気体を添加してもよい。添加する不活性元素としては、He、Ne、Ar、Kr、Xeから選ばれた一種または複数種の元素を用いることができる。
Next, contact holes (openings) reaching the semiconductor layers are formed in the insulating
開口部を覆うように導電膜を形成し、導電膜をエッチングして各ソース領域又はドレイン領域の一部とそれぞれ電気的に接続するソース電極層又はドレイン電極層169a、ソース電極層又はドレイン電極層169b、ソース電極層又はドレイン電極層170a、ソース電極層又はドレイン電極層170b、ソース電極層又はドレイン電極層171a、ソース電極層又はドレイン電極層171b、ソース電極層又はドレイン電極層172a、ソース電極層又はドレイン電極層172bを形成する。ソース電極層又はドレイン電極層は、PVD法、CVD法、蒸着法等により導電膜を成膜した後、所望の形状にエッチングして形成することができる。また、液滴吐出法、印刷法、電界メッキ法等により、所定の場所に選択的に導電層を形成することができる。更にはリフロー法、ダマシン法を用いても良い。ソース電極層又はドレイン電極層の材料は、Ag、Au、Cu、Ni、Pt、Pd、Ir、Rh、W、Al、Ta、Mo、Cd、Zn、Fe、Ti、Si、Ge、Zr、Ba等の金属又はその合金、若しくはその金属窒化物を用いて形成する。また、これらの積層構造としても良い。本実施の形態では、チタン(Ti)を膜厚60nm形成し、窒化チタン膜を膜厚40nm形成し、アルミニウムを膜厚700nm形成し、チタン(Ti)を膜厚200nm形成して積層構造とし、所望な形状に加工する。
A conductive film is formed so as to cover the opening, and the conductive film is etched to be electrically connected to a part of each source region or drain region, respectively, a source or drain
以上の工程で周辺駆動回路領域204にLov領域にp型不純物領域を有するpチャネル型薄膜トランジスタ173、Lov領域にnチャネル型不純物領域を有するnチャネル型薄膜トランジスタ174を、画素領域206にLoff領域にn型不純物領域を有するマルチチャネル型のnチャネル型薄膜トランジスタ175、Lov領域にp型不純物領域を有するpチャネル型薄膜トランジスタ176を有するアクティブマトリクス基板を作製することができる(図4(B)参照。)。
Through the above steps, a p-channel
そして、アクティブマトリクス基板は、自発光素子を有する発光装置、液晶素子を有する液晶表示装置、その他の表示装置に用いることができる。またCPU(中央演算処理装置)に代表される各種プロセッサやIDチップを搭載したカード等の半導体装置に用いることができる。 The active matrix substrate can be used for a light emitting device having a self light emitting element, a liquid crystal display device having a liquid crystal element, and other display devices. Further, it can be used for various processors typified by a CPU (Central Processing Unit) and a semiconductor device such as a card equipped with an ID chip.
本実施の形態に限定されず、薄膜トランジスタはチャネル形成領域が一つ形成されるシングルゲート構造でも、二つ形成されるダブルゲート構造もしくは三つ形成されるトリプルゲート構造であっても良い。また、周辺駆動回路領域の薄膜トランジスタも、シングルゲート構造、ダブルゲート構造もしくはトリプルゲート構造であっても良い。 Without being limited to this embodiment mode, the thin film transistor may have a single gate structure in which one channel formation region is formed, a double gate structure in which two channel formation regions are formed, or a triple gate structure in which three channel formation regions are formed. The thin film transistor in the peripheral driver circuit region may have a single gate structure, a double gate structure, or a triple gate structure.
なお、本実施の形態で示した薄膜トランジスタの作製方法に限らず、トップゲート型(プレーナー型)、ボトムゲート型(逆スタガ型)、あるいはチャネル領域の上下にゲート絶縁膜を介して配置された2つのゲート電極層を有する、デュアルゲート型やその他の構造においても適用できる。 Note that, not limited to the method for manufacturing the thin film transistor described in this embodiment mode, a top gate type (planar type), a bottom gate type (reverse stagger type), or 2 arranged above and below a channel region with a gate insulating film interposed therebetween. The present invention can also be applied to a dual gate type or other structure having two gate electrode layers.
次に第2の層間絶縁層として絶縁層181を形成し、絶縁層181と第1の電極層396との間に層間膜180を形成する(図5(A)参照。)。図5は、表示装置の作製工程を示しており、スクライブによる切り離しのための切り離し領域201、FPCの貼り付け部である外部端子接続領域202、周辺部の引き回し配線領域である配線領域203、周辺駆動回路領域204、画素領域206である。配線領域203には配線179a、配線179bが設けられ、外部端子接続領域202には、外部端子と接続する端子電極層178が設けられている。
Next, an insulating
層間膜180、絶縁層181としては酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素、窒化酸化珪素、窒化アルミニウム(AlN)、酸化窒化アルミニウム(AlON)、窒素含有量が酸素含有量よりも多い窒化酸化アルミニウム(AlNO)または酸化アルミニウム、ダイアモンドライクカーボン(DLC)、窒素含有炭素膜(CN)、PSG(リンガラス)、BPSG(リンボロンガラス)、アルミナ膜、その他の無機絶縁性材料を含む物質から選ばれた材料で形成することができる。また、シロキサン材料(無機シロキサン、有機シロキサン)を用いてもよい。また、有機絶縁性材料を用いてもよく、有機材料としては、感光性、非感光性どちらでも良く、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、レジスト又はベンゾシクロブテン、ポリシラザン、低誘電率であるLow k材料を用いることができる。
The
本実施の形態では、平坦化のために設ける層間絶縁層としては、耐熱性および絶縁性が高く、且つ、平坦化率の高いものが要求されるので、絶縁層181の形成方法としては、スピンコート法で代表される塗布法を用いると好ましい。本実施の形態では、層間膜180は、絶縁層181と第1の電極層396との密着性を向上させる機能を有し、絶縁層181上に、窒化酸化珪素膜、窒化チタン膜と積層して形成する。CVD法を用いて窒化酸化珪素膜を膜厚50nm形成し、その上にスパッタ法を用いて窒化チタン膜を膜厚10nm形成する。この層間膜180によって、絶縁層181と第1の電極層396との密着性が向上するため、作製される表示装置の信頼性、歩留まりも向上する。
In this embodiment mode, an interlayer insulating layer provided for planarization is required to have high heat resistance, high insulating property, and a high planarization rate. It is preferable to use a coating method typified by a coating method. In this embodiment, the
本実施の形態では、絶縁層181の材料としては、シロキサン材料を用いた塗布膜を用いる。焼成した後の膜は、アルキル基を含む酸化珪素膜(SiOx))(x=1、2・・・)と呼べる。このアルキル基を含む酸化珪素膜は、300℃以上の加熱処理にも耐えうるものである。
In this embodiment, as the material of the insulating
層間膜180、絶縁層181は、ディップ、スプレー塗布、ドクターナイフ、ロールコーター、カーテンコーター、ナイフコーター、CVD法、蒸着法等を採用することができる。液滴吐出法により層間膜180、絶縁層181を形成してもよい。液滴吐出法を用いた場合には材料液を節約することができる。また、液滴吐出法のようにパターンが転写、または描写できる方法、例えば印刷法(スクリーン印刷やオフセット印刷などパターンが形成される方法)なども用いることができる。
For the
次に、図5(B)に示すように、第2の層間絶縁層である絶縁層181及び層間膜180に開口部を形成する。層間膜180及び絶縁層181は、接続領域(図示せず)、配線領域203、外部端子接続領域202、切り離し領域201等では広面積にエッチングする必要がある。しかし、画素領域206においては開口面積が、接続領域等の開口面積と比較して非常に小さく、微細なものとなる。従って、画素領域の開口部形成用のフォトリソグラフィー工程と、接続領域の開口部形成用のフォトリソグラフィー工程とを設けることにより、エッチング条件のマージンをより広げることができる。その結果、歩留まりを向上させることができる。またエッチング条件のマージンが広がることにより、画素領域に形成されるコンタクトホールを高精度に形成することができる。
Next, as illustrated in FIG. 5B, openings are formed in the insulating
具体的には、接続領域、配線領域203、外部端子接続領域202、切り離し領域201、周辺駆動回路領域204の一部に設けられた層間膜180及び絶縁層181に広面積な開口部を形成する。そのため、画素領域206、接続領域の一部、及び周辺駆動回路領域204の一部の層間膜180及び絶縁層181を覆うようにマスクを形成する。エッチングは並行平板RIE装置やICPエッチング装置を用いることができる。なおエッチング時間は、配線層や第1の層間絶縁層がオーバーエッチングされる程度とするとよい。このようにオーバーエッチングされる程度とすると、基板内の膜厚バラツキと、エッチングレートのバラツキを低減することができる。このようにして外部端子接続領域202には開口部183がそれぞれ形成される。
Specifically, wide-area openings are formed in the
その後、画素領域206の層間膜180及び絶縁層181に微細な開口部、つまりコンタクトホールを形成する(図5(C)参照。)。このとき、画素領域206、及び周辺駆動回路領域204、画素領域206を覆うようにマスクを形成する。マスクは、画素領域206の開口部形成用のマスクであり、所定な箇所に微細な開口部が設けられている。このようなマスクとしては、例えばレジストマスクを用いることができる。
After that, a fine opening, that is, a contact hole is formed in the
そして、並行平板RIE装置を用いて、層間膜180及び絶縁層181をエッチングする。なおエッチング時間は、配線層や第1の層間絶縁層がオーバーエッチングされる程度とするとよい。このようにオーバーエッチングされる程度とすると、基板内の膜厚バラツキと、エッチングレートのバラツキを低減することができる。
Then, the
またエッチング装置にICP装置を用いてもよい。以上の工程で、画素領域206にソース電極層又はドレイン電極層172aに達する開口部184を形成する。また、第1の電極層と接続するソース電極層又はドレイン電極層を、多くの薄膜が積層しており総膜厚が大きい領域に形成することもできる。本実施の形態の薄膜トランジスタにおいては、ソース電極層又はドレイン電極層を、ゲート電極層上に形成するとよい。この場合、開口部184を膜厚深く開口する必要がないため、開口工程が短縮でき、制御性も向上する。また、開口部に形成される電極層も、角度の大きい開口部を広く被覆する必要がないため、被覆性良く形成することができ、信頼性も向上する。
An ICP apparatus may be used as the etching apparatus. Through the above process, an
本実施の形態では、配線領域203、外部端子接続領域202、切り離し領域201、周辺駆動回路領域204の一部を覆い、画素領域206に所定の開口部が設けられたマスクで、層間膜180及び絶縁層181をエッチングする場合を説明したが、本発明はこれに限定されない。例えば、接続領域の開口部は広面積であるため、エッチングする量が多い。このような広面積な開口部は、複数回エッチングしてもよい。また、その他の開口部と比較して、深い開口部を形成する場合、同様に複数回エッチングしてもよい。そのため、配線領域203、外部端子接続領域202、切り離し領域201、周辺駆動回路領域204の一部の層間膜180及び絶縁層181のみ覆い、画素領域206には所定の開口部が設けられたマスクを用いて、層間膜180及び絶縁層181をエッチングしてもよい。
In this embodiment mode, a mask that covers a part of the
また、本実施の形態では、層間膜180及び絶縁層181への開口部の形成を図5(B)、(C)で示すように複数回に分けて行うが、一回のエッチング工程によって形成しても良い。この場合、ICP装置を用いて、ICPパワー7000W、バイアスパワー1000W、圧力0.8パスカル(Pa)、エッチングガスとしてCF4を240sccm、O2を160sccmとしてエッチングする。バイアスパワーは1000〜4000Wが好ましい。一回のエッチング工程で開口部が形成できるので工程が簡略化する利点がある。
In this embodiment mode, the openings in the
次に、ソース電極層又はドレイン電極層172aと接するように、第1の電極層396(画素電極層ともいう。)を形成する。
Next, a first electrode layer 396 (also referred to as a pixel electrode layer) is formed so as to be in contact with the source or drain
本実施の形態では、表示素子として発光素子を用い、発光素子からの光を第2の電極層189側から取り出す構造のため、第1の電極層185が反射性を有する。第1の電極層396として、Al(アルミニウム)、Mo(モリブデン)、Ti(チタン)、及びC(炭素)のうち少なくとも一種、又は複数種を含む材料で形成し、所望の形状にエッチングすることで第1の電極層396を形成する。本実施の形態では、層間膜180に窒化酸化珪素膜と窒化チタン膜との積層を用いており、窒化チタン膜は導電性を有しているので、第1の電極層396を所望の形状に加工する際に層間膜180も加工する。
In this embodiment, a light-emitting element is used as a display element and light from the light-emitting element is extracted from the
本発明においては、反射電極層である第1の電極層396に、モリブデン、チタン、及び炭素のうち少なくとも一種、又は複数種を有するアルミニウム合金を含む膜を用いる。本実施の形態では、第1の電極層396に、Al(Mo)膜を用いる。第1の電極層396の膜厚は、20nm〜200nm、好ましくは35nm〜100nmとすればよい。本実施の形態では、スパッタ法を用いて、膜厚35nmで形成する。モリブデン、チタン、及び炭素のうち少なくとも一種、又は複数種を有するアルミニウム合金を含む膜は、加熱処理を行っても結晶化しにくく、膜表面の平坦性が良好である。さらに可視光領域付近における光に対する反射性も高く、効率のよい光の反射を行うことができる。モリブデン、チタン、及び炭素のうち少なくとも一種、又は複数種を有するアルミニウム合金を含む膜は、有毒性もなく、人体や環境に対して安全であるという優れた利点もある(図6(A)参照。)。
In the present invention, a film containing an aluminum alloy including at least one kind or plural kinds of molybdenum, titanium, and carbon is used for the
モリブデン、チタン、及び炭素のうち少なくとも一種、又は複数種を有するアルミニウム合金を含む膜において、膜中のモリブデン、またはチタンの含有量が7.0atoms%より多い方が好ましい。また、モリブデン、チタン、及び炭素のうち少なくとも一種、又は複数種を有するアルミニウム合金を含む膜において、膜中のモリブデン、またはチタンの含有量が20atoms%以下であると、可視光領域の光に対して反射率が高いという利点がある。Al(C)膜においては、膜中の炭素の含有量は0.1atoms%以上10atoms%以下、好ましくは1atoms%未満がよい。モリブデン及び炭素を有するアルミニウム合金を含む膜、チタン及び炭素を有するアルミニウム合金を含む膜においては、含まれる炭素の量は微量であっても効果があり、膜中の炭素の含有量は0.3atoms%以下、さらに0.1atoms%以下であってもよい。 In a film containing an aluminum alloy having at least one or more of molybdenum, titanium, and carbon, it is preferable that the content of molybdenum or titanium in the film is higher than 7.0 atoms%. In addition, in a film including an aluminum alloy including at least one kind or plural kinds of molybdenum, titanium, and carbon, the content of molybdenum or titanium in the film is 20 atoms% or less with respect to light in the visible light region. And has an advantage of high reflectivity. In the Al (C) film, the carbon content in the film is not less than 0.1 atoms% and not more than 10 atoms%, preferably less than 1 atoms%. In a film containing an aluminum alloy containing molybdenum and carbon and a film containing an aluminum alloy containing titanium and carbon, the amount of carbon contained is effective even when the amount is small, and the carbon content in the film is 0.3 atoms. % Or less, and further 0.1 atom% or less.
第1の電極層396上に、ITO膜、ITSO膜などの透明導電膜を形成しても良い。ITSO膜は、インジウム錫酸化物に1〜10[%]の酸化珪素(SiO2)を混合したターゲットを用い、Arガス流量を120sccm、O2ガス流量を5sccm、圧力を0.25Pa、電力3.2kWとしてスパッタ法により膜厚185nmで成膜すればよい。第1の電極層396は、その表面が平坦化されるように、CMP法、ポリビニルアルコール系の多孔質体で拭浄し、研磨しても良い。またCMP法を用いた研磨後に、第1の電極層396の表面に紫外線照射、酸素プラズマ処理などを行ってもよい。
A transparent conductive film such as an ITO film or an ITSO film may be formed over the
第1の電極層396を形成後、加熱処理を行ってもよい。この加熱処理により、第1の電極層396中に含まれる水分は放出される。よって、第1の電極層396は脱ガスなどを生じないため、第1の電極層上に水分によって劣化しやすい発光材料を形成しても、発光材料は劣化せず、信頼性の高い表示装置を作製することができる。本実施の形態では、第1の電極層396にモリブデン、チタン、及び炭素のうち少なくとも一種、又は複数種を有するアルミニウム合金を含む膜を用いているので、ベークを行っても結晶化しにくく、アモルファス状態のままである。従って、平坦性が高く、有機化合物を含む層が薄くとも第2の電極層とのショートが生じにくい。
Heat treatment may be performed after the
本実施の形態では、絶縁層186、絶縁層187a、絶縁層187bに感光性のポリイミドを用いる。また絶縁層186、絶縁層187a、絶縁層187bに絶縁層181と同材料を用い、同工程で形成すると、製造コストを削減することができる。また、塗布成膜装置やエッチング装置などの装置の共通化によるコストダウンが図れる。
In this embodiment mode, photosensitive polyimide is used for the insulating
第1の電極層396の一部を覆う隔壁として機能する絶縁層186を形成する際に用いられる現像液などの薬液に対して、ニッケルを含むアルミニウム合金は耐性が低いが、本発明のモリブデン、チタン、及び炭素のうち少なくとも一種、又は複数種を有するアルミニウム合金を含む膜は耐性が高いので、作製工程において表面の膜減りや荒れなどの不良が生じにくい。よって良好な表面状態を保てるので、積層される電界発光層188も安定して形成することができ、表示装置として信頼性も高くなる。
Although an aluminum alloy containing nickel has low resistance to a chemical solution such as a developer used when forming the insulating
絶縁層186は、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化窒化アルミニウムその他の無機絶縁性材料、又はアクリル酸、メタクリル酸及びこれらの誘導体、又はポリイミド(polyimide)、芳香族ポリアミド、ポリベンゾイミダゾール(polybenzimidazole)などの耐熱性高分子、又はシロキサン樹脂材料で形成することができる。アクリル、ポリイミド等の感光性、非感光性の材料を用いて形成してもよい。絶縁層186は曲率半径が連続的に変化する形状が好ましく、上に形成される電界発光層188、第2の電極層189の被覆性が向上する。
The insulating
段差を有するように加工された層間膜180及び絶縁層181の端部は、その急激な段差のため、その上に積層する第2の電極層189の被覆性が悪い。よって、開口部周辺の段差を絶縁層186によって覆い、段差をなだらかにすることで、積層する第2の電極層189の被覆性を向上させることができる。接続領域において、第2の電極層と同工程、同材料で形成される配線層はゲート電極層と同工程、同材料で形成される配線層と電気的に接続する。
The end portions of the
また、さらに信頼性を向上させるため、電界発光層188の形成前に真空加熱を行って脱気を行うことが好ましい。例えば、有機化合物材料の蒸着を行う前に、基板に含まれるガスを除去するために減圧雰囲気や不活性雰囲気で200〜400℃、好ましくは250〜350℃の加熱処理を行うことが望ましい。またそのまま大気に晒さずに電界発光層188を真空蒸着法や、減圧下の液滴吐出法で形成することが好ましい。この熱処理で、第1の電極層となる導電膜や絶縁層(隔壁)に含有、付着している水分を放出することができる。この加熱処理は、真空を破らず、真空のチャンパー内を基板が輸送できるのであれば、先の加熱工程と兼ねることもでき、先の加熱工程を絶縁層(隔壁)形成後に、一度行えばよい。ここでは、層間絶縁膜と絶縁層(隔壁)とを高耐熱性を有する物質で形成すれば信頼性向上のための加熱処理工程を十分行うことができる。
In order to further improve the reliability, it is preferable to perform deaeration by performing vacuum heating before forming the
第1の電極層396の上には電界発光層188が形成される。なお、図1では一画素しか図示していないが、本実施の形態ではR(赤)、G(緑)、B(青)の各色に対応した電界電極層を作り分けている。電界発光層188は、実施の形態1で示したように作製すればよく、第1の電極層396上に、有機化合物と無機化合物を混合することにより、それぞれ単独では得られない高いキャリア注入性、キャリア輸送性という機能が得られる層が設けられている。
An
赤色(R)、緑色(G)、青色(B)の発光を示す材料(低分子または高分子材料など)は、液滴吐出法により形成することもできる。 A material that emits red (R), green (G), or blue (B) light (such as a low-molecular or high-molecular material) can also be formed by a droplet discharge method.
次に、電界発光層188の上に導電膜からなる第2の電極層189が設けられる。第2の電極層189としては、仕事関数の小さい材料(Al、Ag、Li、Ca、またはこれらの合金MgAg、MgIn、AlLi、化合物CaF2、または窒化カルシウム)を用いればよい。こうして第1の電極層185、電界発光層188及び第2の電極層189からなる発光素子190が形成される。
Next, a
図7に示した本実施の形態の表示装置において、発光素子190から発した光は、第2の電極層189側から、図7中の矢印の方向に透過して出射される。
In the display device of this embodiment mode illustrated in FIG. 7, light emitted from the light-emitting
第2の電極層189を覆うようにしてパッシベーション膜を設けることは有効である。パッシベーション膜としては、窒化珪素、酸化珪素、酸化窒化珪素(SiON)、窒化酸化珪素(SiNO)、窒化アルミニウム(AlN)、酸化窒化アルミニウム(AlON)、窒素含有量が酸素含有量よりも多い窒化酸化アルミニウム(AlNO)または酸化アルミニウム、ダイアモンドライクカーボン(DLC)、窒素含有炭素膜(CN)を含む絶縁膜からなり、該絶縁膜を単層もしくは組み合わせた積層を用いることができる。また、シロキサン材料を用いてもよい。
It is effective to provide a passivation film so as to cover the
この際、カバレッジの良い膜をパッシベーション膜として用いることが好ましく、炭素膜、特にDLC膜を用いることは有効である。DLC膜は室温から100℃以下の温度範囲で成膜可能であるため、耐熱性の低い電界発光層188の上方にも容易に成膜することができる。DLC膜は、プラズマCVD法(代表的には、RFプラズマCVD法、マイクロ波CVD法、電子サイクロトロン共鳴(ECR)CVD法、熱フィラメントCVD法など)、燃焼炎法、スパッタ法、イオンビーム蒸着法、レーザ蒸着法などで形成することができる。成膜に用いる反応ガスは、水素ガスと、炭化水素系のガス(例えばCH4、C2H2、C6H6など)とを用い、グロー放電によりイオン化し、負の自己バイアスがかかったカソードにイオンを加速衝突させて成膜する。また、CN膜は反応ガスとしてC2H4ガスとN2ガスとを用いて形成すればよい。DLC膜は酸素に対するブロッキング効果が高く、電界発光層188の酸化を抑制することが可能である。そのため、この後に続く封止工程を行う間に電界発光層188が酸化するといった問題を防止できる。
At this time, it is preferable to use a film with good coverage as the passivation film, and it is effective to use a carbon film, particularly a DLC film. Since the DLC film can be formed in a temperature range from room temperature to 100 ° C., it can be easily formed over the
本実施の形態で作製した表示装置の画素領域の上面図を図11に示す。図11において、画素は、薄膜トランジスタ51、薄膜トランジスタ52、発光素子190、ゲート配線層53、ソース及びドレイン配線層54、電源線55から構成されている。
A top view of a pixel region of the display device manufactured in this embodiment mode is shown in FIG. In FIG. 11, the pixel includes a
このように発光素子190が形成された基板100と、封止基板195とをシール材192によって固着し、発光素子を封止する(図7参照。)。本発明の表示装置においては、シール材192と絶縁層186とを接しないように離して形成する。このようにシール材と、絶縁層186とを離して形成すると、絶縁層186に吸湿性の高い有機材料を用いた絶縁材料を用いても、水分が侵入しにくく、発光素子の劣化が防止でき、表示装置の信頼性が向上する。シール材192としては、代表的には可視光硬化性、紫外線硬化性または熱硬化性の樹脂を用いるのが好ましい。例えば、ビスフェノールA型液状樹脂、ビスフェノールA型固形樹脂、含ブロムエポキシ樹脂、ビスフェノールF型樹脂、ビスフェノールAD型樹脂、フェノール型樹脂、クレゾール型樹脂、ノボラック型樹脂、環状脂肪族エポキシ樹脂、エピビス型エポキシ樹脂、グリシジルエステル樹脂、グリシジルアミン系樹脂、複素環式エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂を用いることができる。なお、シール材で囲まれた領域には充填材193を充填してもよく、窒素雰囲気下で封止することによって、窒素等を封入してもよい。本実施の形態は、下面出射型のため、充填材193は透光性を有する必要はないが、充填材193を透過して光を取り出す構造の場合は、透光性を有する必要がある。代表的には可視光硬化、紫外線硬化または熱硬化のエポキシ樹脂を用いればよい。以上の工程において、本実施の形態における、発光素子を用いた表示機能を有する表示装置が完成する。また充填材は、液状の状態で滴下し、表示装置内に充填することもできる。
The
ディスペンサ方式を採用した滴下注入法を図26を用いて説明する。図26の滴下注入法は、制御装置40、撮像手段42、ヘッド43、充填材33、マーカー35、マーカー45は、バリア層34、シール材32、TFT基板30、対向基板20からなる。シール材32で閉ループを形成し、その中にヘッド43より充填材33を1回若しくは複数回滴下する。充填材材料の粘性が高い場合は、連続的に吐出され、繋がったまま被形成領域に付着する。一方、充填材材料の粘性が低い場合には、図26のように間欠的に吐出され充填材が滴下される。そのとき、シール材32と充填材33とが反応することを防ぐため、バリア層34を設けてもよい。続いて、真空中で基板を貼り合わせ、その後紫外線硬化を行って、充填材が充填された状態とする。この充填剤として、乾燥剤などの吸湿性を含む物質を用いると、さらなる吸水効果が得られ、素子の劣化を防ぐことができる。
A dropping injection method employing a dispenser method will be described with reference to FIG. In the dropping injection method of FIG. 26, the
EL表示パネル内には素子の水分による劣化を防ぐため、乾燥剤を設置する。本実施の形態では、乾燥剤は、画素領域を取り囲むように封止基板に形成された凹部に設置され、薄型化を妨げない構成とする。また、ゲート配線層に対応する領域にも乾燥剤を形成し、吸水面積を広く取っているので、吸水効果が高い。また、直接発光しないゲート配線層上に乾燥剤を形成しているので、光取り出し効率を低下させることもない。 A desiccant is installed in the EL display panel in order to prevent deterioration of the element due to moisture. In this embodiment mode, the desiccant is provided in a recess formed in the sealing substrate so as to surround the pixel region, and the thickness is not hindered. Moreover, since the desiccant is formed also in the area | region corresponding to a gate wiring layer and the water absorption area is taken wide, the water absorption effect is high. Further, since the desiccant is formed on the gate wiring layer that does not emit light directly, the light extraction efficiency is not lowered.
なお、本実施の形態では、ガラス基板で発光素子を封止した場合を示すが、封止の処理とは、発光素子を水分から保護するための処理であり、カバー材で機械的に封入する方法、熱硬化性樹脂又は紫外光硬化性樹脂で封入する方法、金属酸化物や窒化物等のバリア能力が高い薄膜により封止する方法のいずれかを用いる。カバー材としては、ガラス、セラミックス、プラスチックもしくは金属を用いることができるが、カバー材側に光を放射させる場合は透光性でなければならない。また、カバー材と上記発光素子が形成された基板とは熱硬化性樹脂又は紫外光硬化性樹脂等のシール材を用いて貼り合わせられ、熱処理又は紫外光照射処理によって樹脂を硬化させて密閉空間を形成する。この密閉空間の中に酸化バリウムに代表される吸湿材を設けることも有効である。この吸湿材は、シール材の上に接して設けても良いし、発光素子よりの光を妨げないような、隔壁の上や周辺部に設けても良い。さらに、カバー材と発光素子の形成された基板との空間を熱硬化性樹脂若しくは紫外光硬化性樹脂で充填することも可能である。この場合、熱硬化性樹脂若しくは紫外光硬化性樹脂の中に酸化バリウムに代表される吸湿材を添加しておくことは有効である。 Note that in this embodiment mode, a case where a light-emitting element is sealed with a glass substrate is shown; however, the sealing process is a process for protecting the light-emitting element from moisture and is mechanically sealed with a cover material. Either a method, a method of encapsulating with a thermosetting resin or an ultraviolet light curable resin, or a method of encapsulating with a thin film having a high barrier ability such as a metal oxide or a nitride is used. As the cover material, glass, ceramics, plastic, or metal can be used. However, when light is emitted to the cover material side, it must be translucent. In addition, the cover material and the substrate on which the light emitting element is formed are bonded together using a sealing material such as a thermosetting resin or an ultraviolet light curable resin, and the resin is cured by heat treatment or ultraviolet light irradiation treatment to form a sealed space. Form. It is also effective to provide a hygroscopic material typified by barium oxide in this sealed space. This hygroscopic material may be provided in contact with the sealing material, or may be provided on the partition wall or in the peripheral portion so as not to block light from the light emitting element. Further, the space between the cover material and the substrate on which the light emitting element is formed can be filled with a thermosetting resin or an ultraviolet light curable resin. In this case, it is effective to add a moisture absorbing material typified by barium oxide in the thermosetting resin or the ultraviolet light curable resin.
図12に、本実施の形態で作製する図1の表示装置において、ソース電極層又はドレイン電極層と第1の電極層が直接接して電気的な接続を行うのではなく、配線層を介して接続する例を示す。図12の表示装置において、発光素子を駆動する薄膜トランジスタのソース電極層又はドレイン電極層と、第1の電極層395とは配線層199を介して電気的に接続している。また、図12では、配線層199の上に第1の電極層395が一部積層するように接続しているが、先に第1の電極層395を形成し、その第1の電極層395上に接するように配線層199を形成する構成でもよい。
In the display device of FIG. 1 manufactured in this embodiment mode in FIG. 12, the source electrode layer or the drain electrode layer and the first electrode layer are not in direct contact with each other and are not electrically connected, but through the wiring layer. An example of connection is shown. In the display device in FIG. 12, the source electrode layer or the drain electrode layer of the thin film transistor for driving the light emitting element and the
本実施の形態では、外部端子接続領域202において、端子電極層178に異方性導電層196によってFPC194を接続し、外部と電気的に接続する構造とする。また表示装置の上面図である図7(A)で示すように、本実施の形態において作製される表示装置は信号線駆動回路を有する周辺駆動回路領域204、周辺駆動回路領域209のほかに、走査線駆動回路を有する周辺駆動回路領域207、周辺駆動回路領域208が設けられている。
In this embodiment mode, the
本実施の形態では、上記のような回路で形成するが、本発明はこれに限定されず、周辺駆動回路としてICチップを前述したCOG方式やTAB方式によって実装したものでもよい。また、ゲート線駆動回路、ソース線駆動回路は複数であっても単数であっても良い。 In this embodiment mode, the circuit is formed as described above. However, the present invention is not limited to this, and an IC chip may be mounted as a peripheral driver circuit by the above-described COG method or TAB method. Further, the gate line driver circuit and the source line driver circuit may be plural or singular.
また、本発明の表示装置において、画面表示の駆動方法は特に限定されず、例えば、点順次駆動方法や線順次駆動方法や面順次駆動方法などを用いればよい。代表的には、線順次駆動方法とし、時分割階調駆動方法や面積階調駆動方法を適宜用いればよい。また、表示装置のソース線に入力する映像信号は、アナログ信号であってもよいし、デジタル信号であってもよく、適宜、映像信号に合わせて駆動回路などを設計すればよい。 In the display device of the present invention, the screen display driving method is not particularly limited. For example, a dot sequential driving method, a line sequential driving method, a surface sequential driving method, or the like may be used. Typically, a line sequential driving method is used, and a time-division gray scale driving method or an area gray scale driving method may be used as appropriate. The video signal input to the source line of the display device may be an analog signal or a digital signal, and a drive circuit or the like may be designed in accordance with the video signal as appropriate.
さらに、ビデオ信号がデジタルの表示装置において、画素に入力されるビデオ信号が定電圧(CV)のものと、定電流(CC)のものとがある。ビデオ信号が定電圧のもの(CV)には、発光素子に印加される電圧が一定のもの(CVCV)と、発光素子に印加される電流が一定のもの(CVCC)とがある。また、ビデオ信号が定電流のもの(CC)には、発光素子に印加される電圧が一定のもの(CCCV)と、発光素子に印加される電流が一定のもの(CCCC)とがある。 Furthermore, in a display device in which a video signal is digital, there are a video signal input to a pixel having a constant voltage (CV) and a constant current (CC). A video signal having a constant voltage (CV) includes a constant voltage (CVCV) applied to the light emitting element and a constant current (CVCC) applied to the light emitting element. In addition, a video signal having a constant current (CC) includes a constant voltage (CCCV) applied to the light emitting element and a constant current (CCCC) applied to the light emitting element.
本発明を用いると、信頼性の高い表示装置を作製することができる。よって、高精細、高画質な表示装置を歩留まり良く製造することができる。 By using the present invention, a highly reliable display device can be manufactured. Therefore, a display device with high definition and high image quality can be manufactured with high yield.
(実施の形態3)
本発明の実施の形態を、図8乃至図10を用いて説明する。本実施の形態は、実施の形態1で作製した表示装置において、第2の層間絶縁層を形成しない例を示す。よって、同一部分又は同様な機能を有する部分の繰り返しの説明は省略する。
(Embodiment 3)
An embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. This embodiment shows an example in which the second interlayer insulating layer is not formed in the display device manufactured in
実施の形態1で示したように、基板100上にpチャネル型薄膜トランジスタ173、nチャネル型薄膜トランジスタ174、nチャネル型薄膜トランジスタ175、pチャネル型薄膜トランジスタ176を形成し、絶縁膜168を形成する。各薄膜トランジスタには半導体層のソース領域又はドレイン領域に接続するソース電極層又はドレイン電極層が形成されている。画素領域206に設けられたpチャネル型薄膜トランジスタ176におけるソース電極層又はドレイン電極層172bに接して第1の電極層395を形成する(図8(A)参照。)。
As shown in
第1の電極層395は画素電極として機能し、実施の形態2における第1の電極層396と同様な材料と工程で形成すればよい。本実施の形態でも実施の形態1と同様に第2の電極層中を光を通過させて取り出すために、反射電極としてAl(Mo)膜をs第1の電極層395に用いて所望の形状に加工し形成する。
The
第1の電極層395の端部及び薄膜トランジスタを覆うように絶縁層186を形成する(図8(B)参照。)。絶縁層186には本実施の形態ではアクリルを用いる。第1の電極層上に電界発光層188を形成し、第2の電極層189を積層することによって発光素子190を形成する。外部端子接続領域202においては端子電極層178を異方性導電層196を介してFPC194が接着される。基板100はシール材192によって封止基板195と張り合わされ、表示装置内には充填材193が充填されている(図9参照。)。本発明の表示装置においては、シール材192と絶縁層186とを接しないように離して形成する。このようにシール材と、絶縁層186とを離して形成すると、絶縁層186に吸湿性の高い有機材料を用いた絶縁材料を用いても、水分が侵入しにくく、発光素子の劣化が防止でき、表示装置の信頼性が向上する。
An insulating
また図10における表示装置は、第1の電極層395を、pチャネル型薄膜トランジスタ176と接続するソース電極層又はドレイン電極層172bの形成前に、絶縁膜168上に選択的に形成するものである。この場合、本実施の形態とはソース電極層又はドレイン電極層172bと、第1の電極層395の接続構造が、第1の電極層395の上にソース電極層又はドレイン電極層172bが積層する構造となる。第1の電極層395をソース電極層又はドレイン電極層172bより先に形成すると、平坦な形成領域に形成できるので、被覆性がよく、CMPなどの研磨処理も十分に行えるので平坦性よく形成できる利点がある。
In the display device in FIG. 10, the
本発明を用いると、信頼性の高い表示装置を作製することができる。よって、高精細、高画質な表示装置を歩留まり良く製造することができる。 By using the present invention, a highly reliable display device can be manufactured. Therefore, a display device with high definition and high image quality can be manufactured with high yield.
(実施の形態4)
本発明の実施の形態を、図13を用いて説明する。本実施の形態は、実施の形態1で作製した表示装置において、薄膜トランジスタのゲート電極層の構造が異なる例を示す。よって、同一部分又は同様な機能を有する部分の繰り返しの説明は省略する。
(Embodiment 4)
An embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. This embodiment shows an example in which the structure of the gate electrode layer of the thin film transistor is different in the display device manufactured in
図13(A)乃至(C)は、作製工程にある表示装置であり、実施の形態1で示した図4(B)の表示装置と対応している。
13A to 13C illustrate a display device in a manufacturing process, which corresponds to the display device in FIG. 4B described in
図13(A)において、周辺駆動回路領域214に薄膜トランジスタ273及び薄膜トランジスタ274が、画素領域216に薄膜トランジスタ275及び薄膜トランジスタ276が設けられている。図13(A)における薄膜トランジスタのゲート電極層は2層の導電膜の積層で構成され、上層のゲート電極層が下層のゲート電極層より幅が細く加工されている。下層のゲート電極層はテーパー形状を有しているが、上層のゲート電極層はテーパー形状を有していない。このように、ゲート電極層はテーパー形状を有していても良いし、側面の角度が垂直に近いテーパー形状を有さない形状でもよい。
In FIG. 13A, a
図13(B)において、周辺駆動回路領域214に薄膜トランジスタ373及び薄膜トランジスタ374が、画素領域216に薄膜トランジスタ375及び薄膜トランジスタ376が設けられている。図13(B)における薄膜トランジスタのゲート電極層も2層の導電膜の積層で構成されているが、上層のゲート電極層と下層のゲート電極層は連続的なテーパー形状を有している。
In FIG. 13B, a
図13(C)において、周辺駆動回路領域214に薄膜トランジスタ473及び薄膜トランジスタ474が、画素領域216に薄膜トランジスタ475及び薄膜トランジスタ476が設けられている。図13(C)における薄膜トランジスタのゲート電極層は、単層構造でありテーパー形状を有している。このようにゲート電極層は単層構造でもよい。
In FIG. 13C, a
図13(C)における表示装置は、ゲート絶縁層がゲート絶縁層477とゲート絶縁層上に選択的に設けられたゲート絶縁層478とで構成されている。このように、ゲート絶縁層478は、ゲート電極層の下に選択的に設けられても良く、その端部はテーパー形状を有していてもよい。図13(C)においては、ゲート絶縁層478の端部とその上に形成されるゲート電極層の端部は両方テーパー形状を有しており、連続的に形成されているが、段差を有するように不連続に形成されても良い。本実施の形態では、ゲート絶縁層477を酸化窒化珪素膜を用い、ゲート絶縁層478に窒化珪素膜を用いる。
In the display device in FIG. 13C, a gate insulating layer includes a
以上のように、ゲート電極層はその構成と形状によって様々な構造をとりうる。よって作製される表示装置も様々な構造を示す。半導体層中の不純物領域は、ゲート電極層をマスクとして自己整合的に形成される場合、ゲート電極層の構造によってその不純物領域の構造や濃度分布が変化する。以上のことも考慮して設計を行うと所望の機能を有する薄膜トランジスタを作製することができる。 As described above, the gate electrode layer can have various structures depending on its configuration and shape. Therefore, display devices manufactured also have various structures. When the impurity region in the semiconductor layer is formed in a self-aligned manner using the gate electrode layer as a mask, the structure and concentration distribution of the impurity region vary depending on the structure of the gate electrode layer. When designing is performed in consideration of the above, a thin film transistor having a desired function can be manufactured.
本実施の形態は、実施の形態1乃至3とそれぞれと組み合わせて用いることが可能である。
This embodiment mode can be used in combination with each of
(実施の形態5)
走査線側入力端子部と信号線側入力端子部とに保護ダイオードを設けた一態様について図15を参照して説明する。図15において画素2702にはTFT501、TFT502、容量素子504、発光素子503が設けられている。このTFTは実施の形態1と同様な構成を有している。
(Embodiment 5)
One mode in which protective diodes are provided in the scanning line side input terminal portion and the signal line side input terminal portion will be described with reference to FIG. In FIG. 15, a
信号線側入力端子部には、保護ダイオード561と保護ダイオード562が設けられている。この保護ダイオードは、TFT501若しくはTFT502と同様な工程で作製され、ゲートとドレイン若しくはソースの一方とを接続することによりダイオードとして動作させている。図15で示す上面図の等価回路図を図14に示している。
A
保護ダイオード561は、ゲート電極層、半導体層、配線層から成っている。保護ダイオード562も同様な構造である。この保護ダイオードと接続する共通電位線554、共通電位線555はゲート電極層と同じ層で形成している。従って、配線層と電気的に接続するには、絶縁層にコンタクトホールを形成する必要がある。
The
絶縁層へのコンタクトホールは、マスク層を形成し、エッチング加工すれば良い。この場合、大気圧放電のエッチング加工を適用すれば、局所的な放電加工も可能であり、基板の全面にマスク層を形成する必要はない。 The contact hole to the insulating layer may be etched by forming a mask layer. In this case, if an atmospheric pressure discharge etching process is applied, a local electric discharge process is also possible, and it is not necessary to form a mask layer on the entire surface of the substrate.
信号配線層はTFT501におけるソース及びドレイン配線層505と同じ層で形成され、それに接続している信号配線層とソース又はドレイン側が接続する構造となっている。
The signal wiring layer is formed of the same layer as the source and drain
走査信号線側の入力端子部も同様な構成である。保護ダイオード563は、ゲート電極層、半導体層、配線層から成っている。保護ダイオード564も同様な構造である。この保護ダイオードと接続する共通電位線556、共通電位線557はソース電極層及びドレイン電極層と同じ層で形成している。入力段に設けられる保護ダイオードを同時に形成することができる。なお、保護ダイオードを挿入する位置は、本実施の形態のみに限定されず、駆動回路と画素との間に設けることもできる。
The input terminal portion on the scanning signal line side has the same configuration. The
(実施の形態6)
本発明によって形成される表示装置によって、テレビジョン装置を完成させることができる。図27はテレビジョン装置(本実施の形態ではELテレビジョン装置)の主要な構成を示すブロック図を示している。表示パネルには、図16(A)で示すような構成として画素部701のみが形成されて走査線側駆動回路703と信号線側駆動回路702とが、図17(B)のようなTAB方式により実装される場合と、図17(A)のようなCOG方式により実装される場合と、図16(B)に示すようにTFTを形成し、画素部701と走査線側駆動回路703を基板上に一体形成し信号線側駆動回路702を別途ドライバICとして実装する場合、また図16(C)のように画素部701と信号線側駆動回路702と走査線側駆動回路703を基板上に一体形成する場合などがあるが、どのような形態としても良い。
(Embodiment 6)
A television device can be completed with the display device formed according to the present invention. FIG. 27 is a block diagram showing a main structure of a television device (in this embodiment mode, an EL television device). In the display panel, only the
その他の外部回路の構成として、映像信号の入力側では、チューナ704で受信した信号のうち、映像信号を増幅する映像信号増幅回路705と、そこから出力される信号を赤、緑、青の各色に対応した色信号に変換する映像信号処理回路706と、その映像信号をドライバICの入力仕様に変換するためのコントロール回路707などからなっている。コントロール回路707は、走査線側と信号線側にそれぞれ信号が出力する。デジタル駆動する場合には、信号線側に信号分割回路708を設け、入力デジタル信号をm個に分割して供給する構成としても良い。
As other external circuit configurations, on the input side of the video signal, among the signals received by the
チューナ704で受信した信号のうち、音声信号は、音声信号増幅回路709に送られ、その出力は音声信号処理回路710を経てスピーカ713に供給される。制御回路711は受信局(受信周波数)や音量の制御情報を入力部712から受け、チューナ704や音声信号処理回路710に信号を送出する。
Of the signals received by the
表示モジュールを、図20(A)、(B)に示すように、筐体に組みこんで、テレビジョン装置を完成させることができる。FPCまで取り付けられた図1のような表示パネルのことを一般的にはEL表示モジュールともいう。よって図1のようなEL表示モジュールを用いると、ELテレビジョン装置を完成することができる。表示モジュールにより主画面2003が形成され、その他付属設備としてスピーカー部2009、操作スイッチなどが備えられている。このように、本発明によりテレビジョン装置を完成させることができる。
As shown in FIGS. 20A and 20B, the display module can be incorporated into a housing to complete the television device. The display panel as shown in FIG. 1 attached up to the FPC is generally also referred to as an EL display module. Therefore, when an EL display module as shown in FIG. 1 is used, an EL television device can be completed. A main screen 2003 is formed by the display module, and a
また、位相差板や偏光板を用いて、外部から入射する光の反射光を遮断するようにしてもよい。また上面放射型の表示装置ならば、隔壁となる絶縁層を着色しブラックマトリクスとして用いてもよい。この隔壁は液滴吐出法などによっても形成することができ、顔料系の黒色樹脂や、ポリイミドなどの樹脂材料に、カーボンブラック等を混合させてもよく、その積層でもよい。液滴吐出法によって、異なった材料を同領域に複数回吐出し、隔壁を形成してもよい。位相差板、位相差板としてはλ/4板とλ/2板とを用い、光を制御できるように設計すればよい。構成としては、TFT素子基板側から純に、発光素子、封止基板(封止材)、位相差板、位相差板(λ/4板、λ/2板)、偏光板という構成になり、発光素子から放射された光は、これらを通過し偏光板側より外部に放射される。この位相差板や偏光板は光が放射される側に設置すればよく、両面放射される両面放射型の表示装置であれば両方に設置することもできる。また、偏光板の外側に反射防止膜を有していても良い。これにより、より高繊細で精密な画像を表示することができる。 Moreover, you may make it cut off the reflected light of the light which injects from the outside using a phase difference plate or a polarizing plate. In the case of a top emission display device, an insulating layer serving as a partition may be colored and used as a black matrix. This partition wall can also be formed by a droplet discharge method or the like. Carbon black or the like may be mixed with a pigment-based black resin or a resin material such as polyimide, or may be laminated. A different material may be discharged to the same region a plurality of times by a droplet discharge method to form a partition wall. As the phase difference plate and the phase difference plate, a λ / 4 plate and a λ / 2 plate may be used and designed so as to control light. As a configuration, it becomes a configuration of a light emitting element, a sealing substrate (sealing material), a retardation plate, a retardation plate (λ / 4 plate, λ / 2 plate), a polarizing plate, purely from the TFT element substrate side. The light emitted from the light emitting element passes through these and is emitted to the outside from the polarizing plate side. The retardation plate and the polarizing plate may be installed on the side from which light is emitted, and may be installed on both sides as long as the display is a double-sided emission type that emits light on both sides. Further, an antireflection film may be provided outside the polarizing plate. This makes it possible to display a higher-definition and precise image.
図20(A)に示すように、筐体2001に表示素子を利用した表示用パネル2002が組みこまれ、受信機2005により一般のテレビ放送の受信をはじめ、モデム2004を介して有線又は無線による通信ネットワークに接続することにより一方向(送信者から受信者)又は双方向(送信者と受信者間、又は受信者間同士)の情報通信をすることもできる。テレビジョン装置の操作は、筐体に組みこまれたスイッチ又は別体のリモコン操作機2006により行うことが可能であり、このリモコン装置にも出力する情報を表示する表示部2007が設けられていても良い。
As shown in FIG. 20A, a display panel 2002 using a display element is incorporated in a housing 2001, and reception of general television broadcasting is started by a
また、テレビジョン装置にも、主画面2003の他にサブ画面2008を第2の表示用パネルで形成し、チャネルや音量などを表示する構成が付加されていても良い。この構成において、主画面2003を視野角の優れたEL表示用パネルで形成し、サブ画面を低消費電力で表示可能な液晶表示用パネルで形成しても良い。また、低消費電力化を優先させるためには、主画面2003を液晶表示用パネルで形成し、サブ画面をEL表示用パネルで形成し、サブ画面は点滅可能とする構成としても良い。もちろん、主画面及びサブ画面両方を、本発明を適用したEL表示パネルで形成してもよい。本発明を用いると、このような大型基板を用いて、多くのTFTや電子部品を用いても、信頼性の高い表示装置とすることができる。 In addition, the television device may have a configuration in which a sub screen 2008 is formed using the second display panel in addition to the main screen 2003 to display channels, volume, and the like. In this configuration, the main screen 2003 may be formed using an EL display panel with an excellent viewing angle, and the sub screen may be formed using a liquid crystal display panel that can display with low power consumption. In order to prioritize the reduction in power consumption, the main screen 2003 may be formed using a liquid crystal display panel, the sub screen may be formed using an EL display panel, and the sub screen may blink. Of course, both the main screen and the sub screen may be formed by an EL display panel to which the present invention is applied. When the present invention is used, a highly reliable display device can be obtained even when such a large substrate is used and a large number of TFTs and electronic components are used.
図20(B)は例えば20〜80インチの大型の表示部を有するテレビジョン装置であり、筐体2010、操作部であるキーボード部2012、表示部2011、スピーカー部2013等を含む。本発明は、表示部2011の作製に適用される。図20(B)の表示部は、わん曲可能な物質を用いているので、表示部がわん曲したテレビジョン装置となっている。このように表示部の形状を自由に設計することができるので、所望な形状のテレビジョン装置を作製することができる。
FIG. 20B illustrates a television device having a large display portion of 20 to 80 inches, for example, which includes a
本発明により、簡略な工程で表示装置を形成できるため、コストダウンも達成できる。よって本発明を用いたテレビジョン装置では、大画面の表示部を有しても低いコストで形成できる。よって高性能、高信頼性のテレビジョン装置を歩留まりよく作製することができる。 According to the present invention, since a display device can be formed through a simple process, cost reduction can be achieved. Therefore, a television device using the present invention can be formed at low cost even if it has a large screen display portion. Therefore, a high-performance and highly reliable television device can be manufactured with high yield.
勿論、本発明はテレビジョン装置に限定されず、パーソナルコンピュータのモニタをはじめ、鉄道の駅や空港などにおける情報表示盤や、街頭における広告表示盤など大面積の表示媒体としても様々な用途に適用することができる。 Of course, the present invention is not limited to a television device, but can be applied to various applications such as personal computer monitors, information display boards at railway stations and airports, and advertisement display boards on streets. can do.
(実施の形態7) (Embodiment 7)
本実施の形態を図21を用いて説明する。本実施の形態は、実施の形態1乃至6で作製する表示装置を有するパネルを用いたモジュールの例を示す。
This embodiment will be described with reference to FIG. In this embodiment, an example of a module using a panel including the display device manufactured in
図21(A)に示す情報端末のモジュールは、プリント配線基板946に、コントローラ901、中央処理装置(CPU)902、メモリ911、電源回路903、音声処理回路929及び送受信回路904や、その他、抵抗、バッファ、容量素子等の素子が実装されている。また、パネル900がフレキシブル配線基板(FPC)908を介してプリント配線基板946に接続されている。
21A includes a
パネル900には、発光素子が各画素に設けられた画素部905と、前記画素部905が有する画素を選択する第1の走査線駆動回路906a、第2の走査線駆動回路906bと、選択された画素にビデオ信号を供給する信号線駆動回路907とが設けられている。
The panel 900 includes a
プリント配線基板946に備えられたインターフェース(I/F)909を介して、各種制御信号の入出力が行われる。また、アンテナとの間の信号の送受信を行なうためのアンテナ用ポート910が、プリント配線基板946に設けられている。
Various control signals are input / output via an interface (I / F) 909 provided on the printed
なお、本実施の形態ではパネル900にプリント配線基板946がFPC908を介して接続されているが、必ずしもこの構成に限定されない。COG(Chip on Glass)方式を用い、コントローラ901、音声処理回路929、メモリ911、CPU902または電源回路903をパネル900に直接実装させるようにしても良い。また、プリント配線基板946には、容量素子、バッファ等の各種素子が設けられ、電源電圧や信号にノイズがのったり、信号の立ち上がりが鈍ったりすることを防いでいる。
Note that although the printed
図21(B)は、図21(A)に示したモジュールのブロック図を示す。このモジュール999は、メモリ911としてVRAM932、DRAM925、フラッシュメモリ926などが含まれている。VRAM932にはパネルに表示する画像のデータが、DRAM925には画像データまたは音声データが、フラッシュメモリには各種プログラムが記憶されている。
FIG. 21B shows a block diagram of the module shown in FIG. The
電源回路903では、パネル900、コントローラ901、CPU902、音声処理回路929、メモリ911、送受信回路931に与える電源電圧が生成される。またパネルの仕様によっては、電源回路903に電流源が備えられている場合もある。
In the
CPU902は、制御信号生成回路920、デコーダ921、レジスタ922、演算回路923、RAM924、CPU用のインターフェース935などを有している。インターフェース935を介してCPU902に入力された各種信号は、一旦レジスタ922に保持された後、演算回路923、デコーダ921などに入力される。演算回路923では、入力された信号に基づき演算を行ない、各種命令を送る場所を指定する。一方デコーダ921に入力された信号はデコードされ、制御信号生成回路920に入力される。制御信号生成回路920は入力された信号に基づき、各種命令を含む信号を生成し、演算回路923において指定された場所、具体的にはメモリ911、送受信回路931、音声処理回路929、コントローラ901などに送る。
The
メモリ911、送受信回路931、音声処理回路929、コントローラ901は、それぞれ受けた命令に従って動作する。以下その動作について簡単に説明する。
The
入力手段930から入力された信号は、インターフェース909を介してプリント配線基板946に実装されたCPU902に送られる。制御信号生成回路920は、ポインティングデバイスやキーボードなどの入力手段930から送られてきた信号に従い、VRAM932に格納してある画像データを所定のフォーマットに変換し、コントローラ901に送付する。
A signal input from the
コントローラ901は、パネルの仕様に合わせてCPU902から送られてきた画像データを含む信号にデータ処理を施し、パネル900に供給する。またコントローラ901は、電源回路903から入力された電源電圧やCPU902から入力された各種信号をもとに、Hsync信号、Vsync信号、クロック信号CLK、交流電圧(AC Cont)、切り替え信号L/Rを生成し、パネル900に供給する。
The
送受信回路904では、アンテナ933において電波として送受信される信号が処理されており、具体的にはアイソレータ、バンドパスフィルタ、VCO(Voltage Controlled Oscillator)、LPF(Low Pass Filter)、カプラ、バランなどの高周波回路を含んでいる。送受信回路904において送受信される信号のうち音声情報を含む信号が、CPU902からの命令に従って、音声処理回路929に送られる。
In the transmission / reception circuit 904, signals transmitted / received as radio waves in the
CPU902の命令に従って送られてきた音声情報を含む信号は、音声処理回路929において音声信号に復調され、スピーカー928に送られる。またマイク927から送られてきた音声信号は、音声処理回路929において変調され、CPU902からの命令に従って、送受信回路904に送られる。
A signal including audio information sent in accordance with a command from the
コントローラ901、CPU902、電源回路903、音声処理回路929、メモリ911を、本実施の形態のパッケージとして実装することができる。本実施の形態は、アイソレータ、バンドパスフィルタ、VCO(Voltage Controlled Oscillator)、LPF(Low Pass Filter)、カプラ、バランなどの高周波回路以外であれば、どのような回路にも応用することができる。
The
(実施の形態8)
本実施の形態を図21及び図22を用いて説明する。図22は、この実施の形態10で作製するモジュールを含む無線を用いた持ち運び可能な小型電話機(携帯電話)の一態様を示している。パネル900はハウジング1001に脱着自在に組み込んでモジュール999と容易に一体化できるようにしている。ハウジング1001は組み入れる電子機器に合わせて、形状や寸法を適宜変更することができる。
(Embodiment 8)
This embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 22 shows one mode of a portable small telephone (mobile phone) using radio including the module manufactured in the tenth embodiment. The panel 900 is detachably incorporated in the
パネル900を固定したハウジング1001はプリント配線基板946に嵌着されモジュールとして組み立てられる。プリント配線基板946には、コントローラ、CPU、メモリ、電源回路、その他、抵抗、バッファ、容量素子等が実装されている。さらに、マイクロフォン994及びスピーカー995を含む音声処理回路、送受信回路などの信号処理回路993が備えられている。パネル900はFPC908を介してプリント配線基板946に接続される。
The
このようなモジュール999、入力手段998、バッテリ997は筐体996に収納される。パネル900の画素部は筐体996に形成された開口窓から視認できように配置されている。
Such a
図22で示す筐体996は、電話機の外観形状を一例として示している。しかしながら、本実施の形態に係る電子機器は、その機能や用途に応じてさまざまな態様に変容し得る。以下に示す実施の形態で、その態様の一例を説明する。
A
(実施の形態9)
本発明を適用して、様々な表示装置を作製することができる。即ち、それら表示装置を表示部に組み込んだ様々な電子機器に本発明を適用できる。
(Embodiment 9)
Various display devices can be manufactured by applying the present invention. That is, the present invention can be applied to various electronic devices in which these display devices are incorporated in a display portion.
その様な電子機器としては、ビデオカメラ、デジタルカメラ等のカメラ、プロジェクター、ヘッドマウントディスプレイ(ゴーグル型ディスプレイ)、カーナビゲーション、カーステレオ、パーソナルコンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末(モバイルコンピュータ、携帯電話または電子書籍等)、記録媒体を備えた画像再生装置(具体的にはDigital Versatile Disc(DVD)等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置)などが挙げられる。それらの例を図19に示す。 Such electronic devices include cameras such as video cameras and digital cameras, projectors, head mounted displays (goggles type displays), car navigation systems, car stereos, personal computers, game machines, personal digital assistants (mobile computers, mobile phones or And an image reproducing apparatus (specifically, an apparatus having a display capable of reproducing a recording medium such as Digital Versatile Disc (DVD) and displaying the image). Examples thereof are shown in FIG.
図19(A)は、コンピュータであり、本体2101、筐体2102、表示部2103、キーボード2104、外部接続ポート2105、ポインティングマウス2106等を含む。本発明を用いると、小型化し、画素が微細化しても、信頼性が高く、高画質な画像を表示するコンピュータを完成させることができる。
FIG. 19A illustrates a computer, which includes a
図19(B)は記録媒体を備えた画像再生装置(具体的にはDVD再生装置)であり、本体2201、筐体2202、表示部A2203、表示部B2204、記録媒体(DVD等)読み込み部2205、操作キー2206、スピーカー部2207等を含む。表示部A2203は主として画像情報を表示し、表示部B2204は主として文字情報を表示する。本発明を用いると、小型化し、画素が微細化しても、信頼性が高く、高画質な画像を表示する画像再生装置を完成させることができる。
FIG. 19B shows an image reproducing device (specifically, a DVD reproducing device) provided with a recording medium, which includes a
図19(C)は携帯電話であり、本体2301、音声出力部2302、音声入力部2303、表示部2304、操作スイッチ2305、アンテナ2306等を含む。本発明を用いると、小型化し、画素が微細化しても、信頼性が高く、高画質な画像を表示する携帯電話を完成することができる。
FIG. 19C illustrates a mobile phone, which includes a
図19(D)はビデオカメラであり、本体2401、表示部2402、筐体2403、外部接続ポート2404、リモコン受信部2405、受像部2406、バッテリー2407、音声入力部2408、接眼部2409、操作キー2410等を含む。本発明を用いると、小型化し、画素が微細化しても、信頼性が高く、高画質な画像を表示できるビデオカメラを完成することができる。本実施の形態は、上記の実施の形態と自由に組み合わせることができる。
FIG. 19D illustrates a video camera, which includes a
本実施例では、本発明で電極層として用いるモリブデン、チタン、及び炭素のうち少なくとも一種、又は複数種を有するアルミニウム合金を含む膜の特性を測定した結果を示す。 In this example, the result of measuring the characteristics of a film containing an aluminum alloy having at least one or a plurality of molybdenum, titanium, and carbon used as an electrode layer in the present invention is shown.
モリブデンを有するアルミニウム合金を含む膜(Al(Mo))、チタンを有するアルミニウム合金を含む膜(Al(Ti))、炭素を有するアルミニウム合金を含む膜(Al(C))は、アルミニウムのターゲット上に、チップ状のモリブデン、チタン、または炭素をのせてスパッタ法により成膜した。なお成膜条件は、電力1.5〜2kW、圧力は0.4Pa、アルゴンガス流量50sccmであった。試料は、Al(Mo)膜中のモリブデンの含有量、Al(Ti)膜中のチタンの含有量、Al(C)膜中の炭素の含有量をそれぞれ変化させて、各試料の特性を調べた。 A film containing an aluminum alloy containing molybdenum (Al (Mo)), a film containing an aluminum alloy containing titanium (Al (Ti)), and a film containing an aluminum alloy containing carbon (Al (C)) are formed on an aluminum target. Then, a chip-like molybdenum, titanium, or carbon was placed thereon to form a film by sputtering. The film forming conditions were an electric power of 1.5 to 2 kW, a pressure of 0.4 Pa, and an argon gas flow rate of 50 sccm. Samples were examined for the characteristics of each sample by changing the molybdenum content in the Al (Mo) film, the titanium content in the Al (Ti) film, and the carbon content in the Al (C) film. It was.
まず、モリブデン、チタン、及び炭素のうち少なくとも一種、又は複数種を有するアルミニウム合金を含む膜の反射率を測定した。試料は、Al(Mo)膜中のモリブデンの含有量を、18.3atoms%、22.2atoms%、30.0atoms%、45.3atoms%、56.6atoms%とした膜を5種類、同様にAl(Ti)膜中のチタンの含有量を、8.7atoms%、10.3atoms%、14.9atoms%、30.6atoms%、38.9atoms%とした膜を5種類、Al(C)膜中の炭素の含有量を、1atoms%未満を2種類、1.7atoms%、3.5atoms%とした膜を4種類と、純アルミニウム膜(図23の凡例にはpure−Alと記す)である。なお、試料は成膜後、300度で1時間加熱した。これは、実際の工程を想定し、反射電極を形成した後、加熱工程を行う場合があるからである。図23(A)にAl(Mo)の試料の各波長に対する反射率、図23(B)にAl(Ti)の試料の各波長に対する反射率、図23(C)にAl(C)の試料の各波長に対する反射率を示す。 First, the reflectance of a film containing an aluminum alloy having at least one or more of molybdenum, titanium, and carbon was measured. Samples are five types of films in which the content of molybdenum in the Al (Mo) film is 18.3 atoms%, 22.2 atoms%, 30.0 atoms%, 45.3 atoms%, and 56.6 atoms%. (Ti) Five types of films in which the titanium content in the film is 8.7 atoms%, 10.3 atoms%, 14.9 atoms%, 30.6 atoms%, 38.9 atoms%, in the Al (C) film There are two types of films in which the carbon content is less than 1 atom%, 1.7 types, and 3.5 atoms%, and four types of pure aluminum films (denoted as pure-Al in the legend of FIG. 23). The sample was heated at 300 ° C. for 1 hour after film formation. This is because the heating process may be performed after the reflective electrode is formed assuming an actual process. FIG. 23A shows the reflectance for each wavelength of the Al (Mo) sample, FIG. 23B shows the reflectance for each wavelength of the Al (Ti) sample, and FIG. 23C shows the Al (C) sample. The reflectance for each wavelength is shown.
図23(A)において図中のドットは、純アルミニウム膜は丸形、Al(Mo)膜中のモリブデンの含有量が18.3atoms%の測定値は三角形、Al(Mo)膜中のモリブデンの含有量が22.2atoms%の測定値は四角形、Al(Mo)膜中のモリブデンの含有量が30.0atoms%の測定値は菱形、Al(Mo)膜中のモリブデンの含有量が45.3atoms%の測定値はばつの印、Al(Mo)膜中のモリブデンの含有量が56.6atoms%の測定値は十字の印となっている。同様に、図23(B)において図中のドットは、純アルミニウム膜は丸形、Al(Ti)膜中のチタンの含有量が8.7atoms%の測定値は三角形、Al(Ti)膜中のチタンの含有量が10.3atoms%の測定値は四角形、Al(Ti)膜中のチタンの含有量が14.9atoms%の測定値は菱形、Al(Ti)膜中のチタンの含有量が30.6atoms%の測定値はばつの印、Al(Ti)膜中のチタンの含有量が38.9atoms%の測定値は十字の印となっている。図23(C)において図中のドットは、純アルミニウム膜は丸形、Al(C)膜中の炭素の含有量が1atoms%未満の測定値は三角形と四角形、Al(C)膜中の炭素の含有量が1.7atoms%の測定値は菱形、Al(C)膜中の炭素の含有量が3.5atoms%の測定値はばつの印となっており、同じAl(C)膜中の炭素の含有量が1atoms%未満であっても三角形のドットの膜の方が、四角形のドットの膜の方よりも、Al(C)膜中の含まれる炭素量が小さい。また、反射率を測定した試料の膜厚は200nmであった。 In FIG. 23A, the dots in the figure are round for the pure aluminum film, the measured value of the molybdenum content in the Al (Mo) film is 18.3 atoms%, the triangle is the measured value, and the molybdenum content in the Al (Mo) film is The measured value when the content is 22.2 atoms% is square, the measured value when the molybdenum content in the Al (Mo) film is 30.0 atoms% is rhombus, and the molybdenum content in the Al (Mo) film is 45.3 atoms. The measured value of% is a cross mark, and the measured value of the molybdenum content in the Al (Mo) film is 56.6 atoms% is a cross mark. Similarly, in FIG. 23B, the dots in the figure are round in the pure aluminum film, the measured value when the content of titanium in the Al (Ti) film is 8.7 atoms% is triangular, and in the Al (Ti) film. The measured value when the titanium content is 10.3 atoms% is a square, the measured value when the titanium content in the Al (Ti) film is 14.9 atoms% is the rhombus, and the titanium content in the Al (Ti) film is The measured value of 30.6 atoms% is a cross mark, and the measured value of the content of titanium in the Al (Ti) film is 38.9 atoms% is a cross mark. In FIG. 23C, the dots in the figure are round for the pure aluminum film, the measured values for the carbon content in the Al (C) film being less than 1 atom% are triangles and squares, and the carbon in the Al (C) film. The measured value with a 1.7 atom% content of diamond is a rhombus, and the measured value with a carbon content of 3.5 atoms% in the Al (C) film is marked as a mess, and in the same Al (C) film Even if the carbon content is less than 1 atom%, the triangular dot film contains a smaller amount of carbon in the Al (C) film than the square dot film. Moreover, the film thickness of the sample whose reflectance was measured was 200 nm.
図23(A)、(B)、(C)に示すように純アルミニウム膜においては、450nm付近より小さな波長では、反射率が低下しているが、モリブデン、チタン、及び炭素のうち少なくとも一種、又は複数種を有するアルミニウム合金を含む膜の多くにおいては、300nm〜800nmの可視光領域付近の波長で反射率はほぼ一定であり反射率の低下は見られなかった。よって、モリブデン、チタン、及び炭素のうち少なくとも一種、又は複数種を有するアルミニウム合金を含む膜では、反射率の波長依存がないので、可視光領域において一定の反射率を保てるため、反射電極として効率よく発光素子から放射される光を反射することができる。また、光を吸収しにくいので、熱も溜めにくく、熱による発光素子の劣化も防ぐことができるので、表示装置の信頼性が向上する。よって、屋外などの強い光の下で使用しても、性能が低下することなく十分に活用できる。また、モリブデン、チタン、炭素の膜中における含有量を大きくしていくと、反射率は低下していった。反射電極としての光の反射効率を考慮すると、Al(Mo)膜では、モリブデンの含有量が22.2atoms%以下が好ましく、Al(Ti)膜では、チタンの含有量が14.9atoms%以下が好ましく、Al(C)膜では、1.7atoms%以下が好ましい。 As shown in FIGS. 23A, 23B, and 23C, in the pure aluminum film, the reflectance is reduced at a wavelength smaller than around 450 nm, but at least one of molybdenum, titanium, and carbon, Alternatively, in many of the films containing an aluminum alloy having a plurality of types, the reflectance is almost constant at a wavelength in the vicinity of the visible light region of 300 nm to 800 nm, and no reduction in reflectance is observed. Therefore, a film containing an aluminum alloy having at least one or more of molybdenum, titanium, and carbon does not depend on the wavelength of reflectance, and thus can maintain a constant reflectance in the visible light region, so that it is efficient as a reflective electrode. The light emitted from the light emitting element can be reflected well. In addition, since it is difficult to absorb light, it is difficult to accumulate heat, and deterioration of the light-emitting element due to heat can be prevented, so that the reliability of the display device is improved. Therefore, even when used under strong light such as outdoors, it can be fully utilized without degrading performance. Moreover, the reflectance decreased as the content of molybdenum, titanium, and carbon in the film was increased. Considering the light reflection efficiency as the reflective electrode, the Al (Mo) film preferably has a molybdenum content of 22.2 atoms% or less, and the Al (Ti) film has a titanium content of 14.9 atoms% or less. Preferably, in an Al (C) film, 1.7 atoms% or less is preferable.
次に、前述の各試料の膜表面の凹凸の最大高低差(Peak−Valley値(P―V値):山谷値)を測定した。測定は原子間力顕微鏡(AFM:Atomic Force Microscope)を用い、測定範囲は2μm×2μmで行った。図24(A)にAl(Mo)膜のモリブデン含有量に対するP−V値の変化、図24(B)にAl(Ti)膜のチタン含有量に対するP−V値の変化を示す。なお、図24(B)において丸印のドットは、チタン及び炭素を有するアルミニウム合金を含む膜であり、チタン及び炭素を有するアルミニウム合金を含む膜中のチタンの含有量は2.7atoms%、炭素の含有量は1atoms%以下となっている。また、図24(A)、(B)はAl(Mo)膜、Al(Ti)膜の表面を測定した結果であるが、Al(Mo)膜、Al(Ti)膜それぞれの上に酸化珪素を含む酸化インジウムスズ(ITSO)膜を積層し、それぞれの上層のITSO膜表面におけるP−V値を測定した結果を図25(A)(B)に示す。なおP−V値を測定した各試料の膜厚は、35nmであった。 Next, the maximum height difference (Peak-Valley value (PV value): valley value) of the unevenness on the film surface of each sample was measured. The measurement was performed using an atomic force microscope (AFM) and the measurement range was 2 μm × 2 μm. FIG. 24A shows a change in the PV value with respect to the molybdenum content of the Al (Mo) film, and FIG. 24B shows a change in the PV value with respect to the titanium content of the Al (Ti) film. Note that in FIG. 24B, a dot with a circle is a film containing an aluminum alloy containing titanium and carbon, and the content of titanium in the film containing the aluminum alloy containing titanium and carbon is 2.7 atoms%, carbon The content of is 1 atoms% or less. FIGS. 24A and 24B show the results of measuring the surfaces of the Al (Mo) film and the Al (Ti) film, and silicon oxide is formed on each of the Al (Mo) film and the Al (Ti) film. 25 (A) and 25 (B) show the results of laminating indium tin oxide (ITSO) films containing Cu and measuring the PV value on the surface of each upper ITSO film. The film thickness of each sample for which the PV value was measured was 35 nm.
図24(A)に示す各試料のP−V値の測定値は、純アルミニウム膜は17.51nm、Al(Mo)膜中のモリブデンの含有量が18.3atoms%の測定値は4.421nm、Al(Mo)膜中のモリブデンの含有量が22.2atoms%の測定値は3.711nm、Al(Mo)膜中のモリブデンの含有量が30.0atoms%の測定値は1.738nm、Al(Mo)膜中のモリブデンの含有量が45.3atoms%の測定値は0.9358nm、Al(Mo)膜中のモリブデンの含有量が56.6atoms%の測定値は0.8159nmとなった。図24(B)に示す各試料のP−V値の測定値は、純アルミニウム膜は17.51nm、Al(Ti)膜中のチタンの含有量が8.7atoms%の測定値は8.239nm、Al(Ti)膜中のチタンの含有量が10.3atoms%の測定値は5.887nm、Al(Ti)膜中のチタンの含有量が14.9atoms%の測定値は5.75nm、Al(Ti)膜中のチタンの含有量が30.6atoms%の測定値は1.981nm、Al(Ti)膜中のチタンの含有量が38.9atoms%の測定値は2.493nm、チタン及び炭素を有するアルミニウム合金を含む膜の測定値は1.46nmとなった。 The measured PV value of each sample shown in FIG. 24A is 17.51 nm for the pure aluminum film, and 4.421 nm for the molybdenum content in the Al (Mo) film is 18.3 atoms%. The measured value when the molybdenum content in the Al (Mo) film is 22.2 atoms% is 3.711 nm, the measured value when the molybdenum content in the Al (Mo) film is 30.0 atoms% is 1.738 nm, Al The measured value when the molybdenum content in the (Mo) film was 45.3 atoms% was 0.9358 nm, and the measured value when the molybdenum content in the Al (Mo) film was 56.6 atoms% was 0.8159 nm. The measured PV value of each sample shown in FIG. 24B is 17.51 nm for a pure aluminum film, and 8.239 nm when the titanium content in the Al (Ti) film is 8.7 atoms%. The measured value when the titanium content in the Al (Ti) film is 10.3 atoms% is 5.887 nm, the measured value when the titanium content in the Al (Ti) film is 14.9 atoms% is 5.75 nm, and Al The measured value when the content of titanium in the (Ti) film is 30.6 atoms% is 1.981 nm, the measured value when the content of titanium in the Al (Ti) film is 38.9 atoms% is 2.493 nm, titanium and carbon The measured value of the film containing the aluminum alloy having 1. was 1.46 nm.
図25(A)に示す各試料の上層のITSO膜表面のP−V値の測定値は、Al(Mo)膜中のモリブデンの含有量が18.3atoms%の測定値は1.143nm、Al(Mo)膜中のモリブデンの含有量が22.2atoms%の測定値は2.32nm、Al(Mo)膜中のモリブデンの含有量が30.0atoms%の測定値は2.144nm、Al(Mo)膜中のモリブデンの含有量が45.3atoms%の測定値は2.109nm、Al(Mo)膜中のモリブデンの含有量が56.6atoms%の測定値は1.603nmとなった。図25(B)に示す各試料の上層のITSO膜表面のP−V値の測定値は、Al(Ti)膜中のチタンの含有量が8.7atoms%の測定値は8.137nm、Al(Ti)膜中のチタンの含有量が10.3atoms%の測定値は6.407nm、Al(Ti)膜中のチタンの含有量が14.9atoms%の測定値は6.005nm、Al(Ti)膜中のチタンの含有量が30.6atoms%の測定値は5.178nm、Al(Ti)膜中のチタンの含有量が38.9atoms%の測定値は2.635nmとなった。 The measured value of the PV value on the surface of the upper ITSO film shown in FIG. 25A is 1.143 nm when the molybdenum content in the Al (Mo) film is 18.3 atoms%. The measured value when the molybdenum content in the (Mo) film is 22.2 atoms% is 2.32 nm, the measured value when the molybdenum content in the Al (Mo) film is 30.0 atoms% is 2.144 nm, and Al (Mo ) The measured value when the molybdenum content in the film was 45.3 atoms% was 2.109 nm, and the measured value when the molybdenum content in the Al (Mo) film was 56.6 atoms% was 1.603 nm. The measured value of the PV value of the upper ITSO film surface of each sample shown in FIG. 25B is the measured value when the content of titanium in the Al (Ti) film is 8.7 atoms% is 8.137 nm. The measured value when the titanium content in the (Ti) film is 10.3 atoms% is 6.407 nm, the measured value when the titanium content in the Al (Ti) film is 14.9 atoms% is 6.005 nm, and Al (Ti ) The measured value when the titanium content in the film was 30.6 atoms% was 5.178 nm, and the measured value when the titanium content in the Al (Ti) film was 38.9 atoms% was 2.635 nm.
純アルミニウム膜の表面のP−V値は、Al(Mo)膜、A(Ti)膜、チタン及び炭素を有するアルミニウム合金を含む膜の表面のP−V値より倍以上大きく、純アルミニウム膜の表面は平坦性が悪い。一方、Al(Mo)膜、A(Ti)膜、チタン及び炭素を有するアルミニウム合金を含む膜は、P−V値が低いことから、膜表面の平坦性がよいことがわかる。また、モリブデン、チタン、及び炭素のうち少なくとも一種、又は複数種を有するアルミニウム合金を含む膜中に含まれるモリブデン、またはチタンは含有量が大きくなるにつれ、P−V値がさらに低くなる傾向があった。また、チタン及び炭素を有するアルミニウム合金を含む膜のP−V値はTiの含有量が2.7atoms%であるのにP−V値が1.46nmと小さく、炭素を添加すると表面の平坦性が向上する効果があることが確認できた。 The PV value of the surface of the pure aluminum film is more than double the PV value of the surface of the Al (Mo) film, the A (Ti) film, and the film containing an aluminum alloy containing titanium and carbon. The surface has poor flatness. On the other hand, an Al (Mo) film, an A (Ti) film, and a film containing an aluminum alloy containing titanium and carbon have a low PV value, which indicates that the film surface has good flatness. In addition, molybdenum or titanium contained in a film containing an aluminum alloy having at least one or more of molybdenum, titanium, and carbon tends to have a lower PV value as the content increases. It was. Further, the PV value of the film containing an aluminum alloy containing titanium and carbon is as small as 1.46 nm even though the Ti content is 2.7 atoms%, and the surface flatness is obtained when carbon is added. It was confirmed that there is an effect of improving.
また、純アルミニウム膜とAl(C)膜(膜中の炭素の含有量1atoms%未満)を成膜し、300度で焼成した膜の表面状態を調べるために、X線回折計(XRD:X−ray diffractometer)により結晶性の測定を行った。(111)の回折ピークのピーク強度が、純アルミニウム膜では4341CPSであったのに対し、Al(C)膜では684CPSと約7分の1であった。このことから、純アルミニウム膜では結晶化が進み結晶性が高くなっているが、Al(C)膜においては結晶化が抑えられ、結晶性が低いことがわかる。よって、結晶性が低いため、Al(C)膜の表面の平坦性はよいと考えられる。 Further, an X-ray diffractometer (XRD: X) is used to examine the surface state of a film obtained by forming a pure aluminum film and an Al (C) film (the carbon content in the film is less than 1 atom%) and firing at 300 degrees. The crystallinity was measured by -ray diffractometer. The peak intensity of the (111) diffraction peak was 4341 CPS for the pure aluminum film, but about 1/7 that of 684 CPS for the Al (C) film. From this, it can be seen that crystallization progresses and the crystallinity increases in the pure aluminum film, but the crystallization is suppressed in the Al (C) film and the crystallinity is low. Therefore, since the crystallinity is low, the surface flatness of the Al (C) film is considered good.
以上の測定結果より、アルミニウムにモリブデン、チタン、炭素を少なくとも一種、又は複数種添加することで、高い反射率を有しながら膜表面の平坦性を向上できることが確認できた。このような膜を表示装置の反射電極に用いると発光素子の光の取り出し効率も良好で、電極表面の荒れに起因する不良も抑えられた信頼性の高い表示装置を作製することができる。 From the above measurement results, it was confirmed that the flatness of the film surface can be improved while having high reflectance by adding at least one or more of molybdenum, titanium, and carbon to aluminum. When such a film is used for a reflective electrode of a display device, a highly reliable display device in which light extraction efficiency of the light-emitting element is favorable and defects due to surface roughness of the electrode are suppressed can be manufactured.
Claims (12)
前記電界発光層上に透光性の第2の電極層を有し、
前記電界発光層は前記第1の電極層に接して有機化合物と無機化合物とを含む層を有し、
前記第1の電極層は、モリブデン、チタン、及び炭素のうち少なくとも一種、又は複数種を有するアルミニウム合金を含むことを特徴とする表示装置。 Having an electroluminescent layer on the reflective first electrode layer;
A translucent second electrode layer on the electroluminescent layer;
The electroluminescent layer has a layer containing an organic compound and an inorganic compound in contact with the first electrode layer,
The display device is characterized in that the first electrode layer includes an aluminum alloy having at least one of molybdenum, titanium, and carbon, or a plurality of them.
前記導電膜上に電界発光層を有し、
前記電界発光層上に透光性の第2の電極層を有し、
前記電界発光層は前記導電膜に接して有機化合物と無機化合物とを含む層を有し、
前記第1の電極層は、モリブデン、チタン、及び炭素のうち少なくとも一種、又は複数種を有するアルミニウム合金を含むことを特徴とする表示装置。 A light-transmitting conductive film on the reflective first electrode layer;
Having an electroluminescent layer on the conductive film;
A translucent second electrode layer on the electroluminescent layer;
The electroluminescent layer has a layer containing an organic compound and an inorganic compound in contact with the conductive film,
The display device is characterized in that the first electrode layer includes an aluminum alloy having at least one of molybdenum, titanium, and carbon, or a plurality of them.
前記薄膜トランジスタ上に絶縁層を有し、
前記絶縁層上に層間膜を有し、
前記層間膜上に反射性の第1の電極層を有し、
前記第1の電極層上に電界発光層を有し、
前記電界発光層上に透光性の第2の電極層を有し、
前記電界発光層は前記第1の電極層に接して有機化合物と無機化合物とを含む層を有し、
前記層間膜は前記第1の電極層の下にのみ有し、
前記第1の電極層は、モリブデン、チタン、及び炭素のうち少なくとも一種、又は複数種を有するアルミニウム合金を含むことを特徴とする表示装置。 A thin film transistor having a semiconductor layer, a gate insulating layer, a gate electrode layer, a source electrode layer and a drain electrode layer;
An insulating layer on the thin film transistor;
An interlayer film on the insulating layer;
A reflective first electrode layer on the interlayer film;
An electroluminescent layer on the first electrode layer;
A translucent second electrode layer on the electroluminescent layer;
The electroluminescent layer has a layer containing an organic compound and an inorganic compound in contact with the first electrode layer,
The interlayer film has only under the first electrode layer,
The display device is characterized in that the first electrode layer includes an aluminum alloy having at least one of molybdenum, titanium, and carbon, or a plurality of them.
前記薄膜トランジスタ上に絶縁層を有し、
前記絶縁層上に層間膜を有し、
前記層間膜上に反射性の第1の電極層を有し、
前記第1の電極層上に透光性の導電膜を有し、
前記導電膜上に電界発光層を有し、
前記電界発光層上に透光性の第2の電極層を有し、
前記電界発光層は前記導電膜に接して有機化合物と無機化合物とを含む層を有し、
前記層間膜は前記第1の電極層の下にのみ有し、
前記第1の電極層は、モリブデン、チタン、及び炭素のうち少なくとも一種、又は複数種を有するアルミニウム合金を含むことを特徴とする表示装置。 A thin film transistor having a semiconductor layer, a gate insulating layer, a gate electrode layer, a source electrode layer and a drain electrode layer;
An insulating layer on the thin film transistor;
An interlayer film on the insulating layer;
A reflective first electrode layer on the interlayer film;
A translucent conductive film on the first electrode layer;
Having an electroluminescent layer on the conductive film;
A translucent second electrode layer on the electroluminescent layer;
The electroluminescent layer has a layer containing an organic compound and an inorganic compound in contact with the conductive film,
The interlayer film has only under the first electrode layer,
The display device is characterized in that the first electrode layer includes an aluminum alloy having at least one of molybdenum, titanium, and carbon, or a plurality of them.
前記第1の電極層上に電界発光層を形成し、
前記電界発光層上に透光性の第2の電極層を形成し、
前記電界発光層は有機化合物と無機化合物とを含む層を前記第1の電極層に接して形成することを特徴とする表示装置の作製方法。 Forming a reflective first electrode layer including an aluminum alloy having at least one or more of molybdenum, titanium, and carbon;
Forming an electroluminescent layer on the first electrode layer;
Forming a translucent second electrode layer on the electroluminescent layer;
The method for manufacturing a display device is characterized in that the electroluminescent layer includes a layer containing an organic compound and an inorganic compound in contact with the first electrode layer.
前記第1の電極層上に透光性の導電膜を形成し、
前記導電膜上に電界発光層を形成し、
前記電界発光層上に透光性の第2の電極層を形成し、
前記電界発光層は有機化合物と無機化合物とを含む層を前記導電膜に接して形成することを特徴とする表示装置の作製方法。 Forming a reflective first electrode layer including an aluminum alloy having at least one or more of molybdenum, titanium, and carbon;
Forming a light-transmitting conductive film on the first electrode layer;
Forming an electroluminescent layer on the conductive film;
Forming a translucent second electrode layer on the electroluminescent layer;
The method for manufacturing a display device is characterized in that the electroluminescent layer includes a layer containing an organic compound and an inorganic compound in contact with the conductive film.
前記薄膜トランジスタ上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層上に層間膜を形成し、
前記絶縁層及び層間膜に前記ソース電極層又は前記ドレイン電極層に達する開口部を形成し、
前記開口部及び前記層間膜上に、前記ソース電極層又は前記ドレイン電極層に接して、モリブデン、チタン、及び炭素のうち少なくとも一種、又は複数種を有するアルミニウム合金を含む導電膜を形成し、
前記導電膜及び前記層間膜を加工し、反射性の第1の電極層を形成し、
前記第1の電極層上に電界発光層を形成し、
前記電界発光層上に透光性の第2の電極層を形成し、
前記電界発光層は有機化合物と無機化合物とを含む層を前記第1の電極層に接して形成することを特徴とする表示装置の作製方法。 Forming a thin film transistor having a semiconductor layer, a gate insulating layer, a gate electrode layer, a source electrode layer and a drain electrode layer;
Forming an insulating layer on the thin film transistor;
Forming an interlayer film on the insulating layer;
Forming an opening reaching the source electrode layer or the drain electrode layer in the insulating layer and the interlayer film;
On the opening and the interlayer film, in contact with the source electrode layer or the drain electrode layer, a conductive film containing an aluminum alloy having at least one of molybdenum, titanium, and carbon, or a plurality of types is formed.
Processing the conductive film and the interlayer film to form a reflective first electrode layer;
Forming an electroluminescent layer on the first electrode layer;
Forming a translucent second electrode layer on the electroluminescent layer;
The method for manufacturing a display device is characterized in that the electroluminescent layer includes a layer containing an organic compound and an inorganic compound in contact with the first electrode layer.
前記薄膜トランジスタ上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層上に層間膜を形成し、
前記絶縁層及び層間膜に前記ソース電極層又は前記ドレイン電極層に達する開口部を形成し、
前記開口部及び前記層間膜上に、前記ソース電極層又は前記ドレイン電極層に接して、モリブデン、チタン、及び炭素のうち少なくとも一種、又は複数種を有するアルミニウム合金を含む第1の導電膜を形成し、
前記第1の導電膜上に第2の導電膜を形成し、
前記第1の導電膜、前記第2の導電膜及び前記層間膜を加工し、反射性の第1の電極層を形成し、
前記第1の電極層上に電界発光層を形成し、
前記電界発光層上に透光性の第2の電極層を形成し、
前記電界発光層は有機化合物と無機化合物とを含む層を前記第1の電極層に接して形成することを特徴とする表示装置の作製方法。 Forming a thin film transistor having a semiconductor layer, a gate insulating layer, a gate electrode layer, a source electrode layer and a drain electrode layer;
Forming an insulating layer on the thin film transistor;
Forming an interlayer film on the insulating layer;
Forming an opening reaching the source electrode layer or the drain electrode layer in the insulating layer and the interlayer film;
A first conductive film is formed on the opening and the interlayer film so as to be in contact with the source electrode layer or the drain electrode layer and containing an aluminum alloy having at least one or more of molybdenum, titanium, and carbon. And
Forming a second conductive film on the first conductive film;
Processing the first conductive film, the second conductive film, and the interlayer film to form a reflective first electrode layer;
Forming an electroluminescent layer on the first electrode layer;
Forming a translucent second electrode layer on the electroluminescent layer;
The method for manufacturing a display device is characterized in that the electroluminescent layer includes a layer containing an organic compound and an inorganic compound in contact with the first electrode layer.
12. The method for manufacturing a display device according to claim 11, wherein the content of molybdenum or titanium in the first electrode layer is less than 20 atoms%.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005320229A JP4689439B2 (en) | 2004-11-04 | 2005-11-03 | Light emitting device |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004320381 | 2004-11-04 | ||
JP2004320381 | 2004-11-04 | ||
JP2005320229A JP4689439B2 (en) | 2004-11-04 | 2005-11-03 | Light emitting device |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006156369A true JP2006156369A (en) | 2006-06-15 |
JP2006156369A5 JP2006156369A5 (en) | 2008-09-18 |
JP4689439B2 JP4689439B2 (en) | 2011-05-25 |
Family
ID=36634336
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005320229A Expired - Fee Related JP4689439B2 (en) | 2004-11-04 | 2005-11-03 | Light emitting device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4689439B2 (en) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008016427A (en) * | 2006-06-30 | 2008-01-24 | Lg Philips Lcd Co Ltd | Organic electroluminescent element and manufacturing method thereof |
JP2010135300A (en) * | 2008-11-10 | 2010-06-17 | Kobe Steel Ltd | Reflecting anodic electrode for organic el display, and manufacturing method thereof |
JP2010145984A (en) * | 2008-12-18 | 2010-07-01 | Samsung Mobile Display Co Ltd | Organic electroluminescent display device and method of manufacturing the same |
JP2011023287A (en) * | 2009-07-17 | 2011-02-03 | Nippon Seiki Co Ltd | Method of manufacturing organic el panel |
JP2012182119A (en) * | 2011-02-11 | 2012-09-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Light-emitting element, display device, illuminating device, and methods of producing them |
JP2013143294A (en) * | 2012-01-11 | 2013-07-22 | Panasonic Corp | Organic el element and method for manufacturing the same |
JP2014160686A (en) * | 2009-07-14 | 2014-09-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Illumination device |
US9362531B2 (en) | 2013-10-14 | 2016-06-07 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device and manufacturing method thereof |
JP2017532443A (en) * | 2014-08-20 | 2017-11-02 | プランゼー エスエー | Metal coating for thin film components, method for producing the same, and sputtering target |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10209160A (en) * | 1997-01-21 | 1998-08-07 | Casio Comput Co Ltd | Wiring and display using the same |
JPH10275683A (en) * | 1997-03-28 | 1998-10-13 | Fuji Electric Co Ltd | Thin film layered conductor |
JPH11251067A (en) * | 1998-03-02 | 1999-09-17 | Junji Kido | Organic electroluminescence element |
JP2002033198A (en) * | 2000-05-08 | 2002-01-31 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Light emitting device and manufacturing method thereof |
JP2003089864A (en) * | 2001-09-18 | 2003-03-28 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | Aluminum alloy thin film, wiring circuit having the same thin film, and target material depositing the thin film |
JP2003092191A (en) * | 2001-07-11 | 2003-03-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Luminescent device and method for manufacturing the same |
JP2004171943A (en) * | 2002-11-20 | 2004-06-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Manufacturing method of light emitting device |
WO2004062323A1 (en) * | 2002-12-27 | 2004-07-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing display |
-
2005
- 2005-11-03 JP JP2005320229A patent/JP4689439B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10209160A (en) * | 1997-01-21 | 1998-08-07 | Casio Comput Co Ltd | Wiring and display using the same |
JPH10275683A (en) * | 1997-03-28 | 1998-10-13 | Fuji Electric Co Ltd | Thin film layered conductor |
JPH11251067A (en) * | 1998-03-02 | 1999-09-17 | Junji Kido | Organic electroluminescence element |
JP2002033198A (en) * | 2000-05-08 | 2002-01-31 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Light emitting device and manufacturing method thereof |
JP2003092191A (en) * | 2001-07-11 | 2003-03-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Luminescent device and method for manufacturing the same |
JP2003089864A (en) * | 2001-09-18 | 2003-03-28 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | Aluminum alloy thin film, wiring circuit having the same thin film, and target material depositing the thin film |
JP2004171943A (en) * | 2002-11-20 | 2004-06-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Manufacturing method of light emitting device |
WO2004062323A1 (en) * | 2002-12-27 | 2004-07-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing display |
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7923916B2 (en) | 2006-06-30 | 2011-04-12 | Lg Display Co., Ltd. | Dual panel type organic electroluminescent display device and method of fabricating the same |
JP4690290B2 (en) * | 2006-06-30 | 2011-06-01 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | Organic electroluminescent device and manufacturing method thereof |
KR101276662B1 (en) * | 2006-06-30 | 2013-06-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | The organic electro-luminescence device and method for fabricating of the same |
JP2008016427A (en) * | 2006-06-30 | 2008-01-24 | Lg Philips Lcd Co Ltd | Organic electroluminescent element and manufacturing method thereof |
US8536778B2 (en) | 2006-06-30 | 2013-09-17 | Lg Display Co., Ltd. | Dual panel type organic electroluminescent display device and method of fabricating the same |
JP2010135300A (en) * | 2008-11-10 | 2010-06-17 | Kobe Steel Ltd | Reflecting anodic electrode for organic el display, and manufacturing method thereof |
JP2010145984A (en) * | 2008-12-18 | 2010-07-01 | Samsung Mobile Display Co Ltd | Organic electroluminescent display device and method of manufacturing the same |
US8592832B2 (en) | 2008-12-18 | 2013-11-26 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emission diode display device and method of fabricating the same |
JP2014160686A (en) * | 2009-07-14 | 2014-09-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Illumination device |
JP2011023287A (en) * | 2009-07-17 | 2011-02-03 | Nippon Seiki Co Ltd | Method of manufacturing organic el panel |
US9564609B2 (en) | 2011-02-11 | 2017-02-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element including electrode of three layers |
JP2012182119A (en) * | 2011-02-11 | 2012-09-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Light-emitting element, display device, illuminating device, and methods of producing them |
JP2013143294A (en) * | 2012-01-11 | 2013-07-22 | Panasonic Corp | Organic el element and method for manufacturing the same |
US9362531B2 (en) | 2013-10-14 | 2016-06-07 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device and manufacturing method thereof |
JP2017532443A (en) * | 2014-08-20 | 2017-11-02 | プランゼー エスエー | Metal coating for thin film components, method for producing the same, and sputtering target |
US11047038B2 (en) | 2014-08-20 | 2021-06-29 | Plansee Se | Metallization for a thin-film component, process for the production thereof and sputtering target |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4689439B2 (en) | 2011-05-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6612824B2 (en) | Light emitting device | |
KR101217111B1 (en) | Display device and method for manufacturing the same | |
JP5836447B2 (en) | Semiconductor device, display module, and electronic device | |
KR101262062B1 (en) | Display device and manufacturing method of the display device | |
JP4879541B2 (en) | Method for manufacturing display device | |
JP4689439B2 (en) | Light emitting device | |
JP4817946B2 (en) | Method for manufacturing display device | |
JP2006113568A (en) | Display device, and method for manufacturing the same | |
JP4860343B2 (en) | Method for manufacturing display device | |
JP5072202B2 (en) | Method for manufacturing display device | |
JP5008357B2 (en) | Method for manufacturing display device | |
JP5236903B2 (en) | Display device and method for manufacturing display device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080804 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080804 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101116 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101124 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101222 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110208 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110216 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4689439 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140225 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140225 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |