JP2006148163A

JP2006148163A - Manufacturing method for semiconductor laser equipment

Info

Publication number: JP2006148163A
Application number: JP2006042588A
Authority: JP
Inventors: Naoki Obara; 直樹小原; Toshio Matsuda; 俊夫松田; Nobuyuki Iwamoto; 伸行岩元; Akira Takamori; 晃高森
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2003-01-10
Filing date: 2006-02-20
Publication date: 2006-06-08

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a semiconductor laser equipment for emitting a laser beam with high positional accuracy, by mounting a semiconductor laser element on a semiconductor substrate, with high accuracy and reliability. <P>SOLUTION: A semiconductor laser element is placed over an SiN film formed on a p-type layer, with a heat sink layer and a solder layer (about 4 μm of layer thickness), in addition to a Ti layer and an Au layer in between. The heat sink layer is inserted between the Au layer and the Ti layer and is approximately 20 μm thick. The thickness of the heat sink layer is larger than that of the Au layer (0.4 μm for the film thickness) for acquiring a mounting position for the semiconductor laser element in the thickness direction of the substrate. Further, a mirror part, acting as a reflecting part for a semiconductor laser beam, comprises an Al layer and a dielectric layer to form a reflecting film structure which exhibits high reflectance properties with respect to blue light. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、光ピックアップ装置などに用いられる半導体レーザ装置の製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor laser device used in an optical pickup device or the like.

例えば、光ピックアップ装置は、対象とする光ディスクに対しレーザ光を出射するための半導体レーザ素子と、光ディスクで反射されて戻ってきたレーザ光を受光するための受光素子と、受光したレーザ光に基づいて受光素子で生成された電気信号を処理するための信号処理回路などから構成されている。
近年では、装置の小型化、および各光学素子のアライメント調整の簡略化などを図るために、上記半導体レーザ素子、受光素子、信号処理回路が一枚の半導体基板に設けられたものも開発されている（特許文献１）。 For example, an optical pickup device is based on a semiconductor laser element for emitting laser light to a target optical disk, a light receiving element for receiving laser light reflected back from the optical disk, and the received laser light. And a signal processing circuit for processing an electric signal generated by the light receiving element.
In recent years, in order to reduce the size of the apparatus and simplify the alignment adjustment of each optical element, the semiconductor laser element, the light receiving element, and the signal processing circuit provided on one semiconductor substrate have been developed. (Patent Document 1).

このように半導体レーザ素子と受光素子とを同一基板に形成しようとする際には、半導体レーザ素子の形成時に高い位置精度が必要となる。つまり、半導体レーザ素子とレーザ光の照射対象である光ディスクとの相対位置が高い精度で調整されていないと、装置としての機能に問題を生じてしまう。
このような半導体レーザ素子の取り付け精度を確保するために、予め基板に溝を形成しておき、この溝内にレーザ光の出射源としての半導体レーザ素子のバンプ電極をはめ込むという技術も開発されている（特許文献２）。
特開昭６４−２７２８８号公報特開平９−３２６５３５号公報 Thus, when trying to form the semiconductor laser element and the light receiving element on the same substrate, high positional accuracy is required when forming the semiconductor laser element. That is, if the relative position between the semiconductor laser element and the optical disk that is the target of laser light irradiation is not adjusted with high accuracy, a problem occurs in the function of the apparatus.
In order to ensure such mounting accuracy of the semiconductor laser element, a technique has been developed in which a groove is formed in the substrate in advance, and a bump electrode of the semiconductor laser element as a laser beam emitting source is fitted in the groove. (Patent Document 2).
Japanese Unexamined Patent Publication No. 64-27288 Japanese Patent Laid-Open No. 9-326535

しかしながら、上記特許文献１に開示の技術では、基板に対する半導体レーザ素子の位置精度をある程度確保することができるが、特に基板の厚み方向（溝の深さ方向）に対する精度を十分に確保できない。即ち、半導体基板の表面における半導体レーザ素子を接合しようとする箇所には、半導体レーザ素子との接続のために金（Ａｕ）からなる電極が予め形成され、この上にはんだ層を介して半導体レーザ素子が接合されることになるが、この際に、はんだ内のスズ（Ｓｎ）と電極内のＡｕとが化学反応してしまうので、溝底面と半導体レーザ素子との間の間隙が規定の数値からずれてしまう。 However, the technique disclosed in Patent Document 1 can ensure the positional accuracy of the semiconductor laser element with respect to the substrate to some extent, but cannot particularly ensure the accuracy in the thickness direction (groove depth direction) of the substrate. That is, an electrode made of gold (Au) is formed in advance on the surface of the semiconductor substrate where the semiconductor laser element is to be joined for connection with the semiconductor laser element, and the semiconductor laser is interposed on the solder layer via the solder layer. In this case, tin (Sn) in the solder and Au in the electrode chemically react with each other, so that the gap between the groove bottom surface and the semiconductor laser element is a specified numerical value. It will deviate from.

光ピックアップ装置では、半導体レーザ素子から出射されたレーザ光が近傍のミラー部で装置上方（基板厚み方向）に反射され装置外へと出射されるが、半導体レーザ素子の取り付け位置が基板の厚み方向にずれた場合には、ミラー部におけるレーザ光の照射位置がずれてしまう。そして、ミラー部での照射位置がずれると、装置上方に出射されるレーザ光は、装置の面方向にずれることになる。よって、半導体レーザ素子が高さ方向にずれてしまった光ピックアップ装置においては、装置毎に装置と光ディスクとの間に設置される光学機器（例えば、フォログラムなど）の位置調整を行なうことが必要であり、製造プロセス上非常に煩雑なものとなる。 In the optical pickup device, the laser light emitted from the semiconductor laser element is reflected upward (in the substrate thickness direction) by the nearby mirror and emitted outside the device, but the mounting position of the semiconductor laser element is in the thickness direction of the substrate. In the case of deviation, the laser beam irradiation position in the mirror part is displaced. And if the irradiation position in a mirror part shifts | deviates, the laser beam radiate | emitted above an apparatus will shift | deviate to the surface direction of an apparatus. Therefore, in the optical pickup device in which the semiconductor laser element has shifted in the height direction, it is necessary to adjust the position of an optical device (for example, a program) installed between the device and the optical disk for each device. In addition, the manufacturing process becomes very complicated.

また、光ピックアップ装置では、半導体レーザ素子から出射されたレーザ光が近傍のミラー部で装置上方（基板厚み方向）に反射され装置外へと出射されるが、上記特許文献１、２に開示の技術において、半導体レーザ光の波長は赤〜赤外光を想定したものとして、レーザ光の反射膜にはＡｕ膜が用いられている。しかし、青色光を出射する半導体レーザを用いた場合、Ａｕ膜ではその材料物性から赤・赤外光と比較して反射率が低下し、十分な特性を確保することができない。即ち、Ａｕに代わる青色高反射膜の採用が必要不可欠となる。 In addition, in the optical pickup device, the laser light emitted from the semiconductor laser element is reflected above the device (in the substrate thickness direction) by the nearby mirror and emitted outside the device. In the technology, the wavelength of the semiconductor laser light is assumed to be red to infrared light, and an Au film is used for the reflection film of the laser light. However, when a semiconductor laser that emits blue light is used, the reflectance of the Au film is lower than that of red / infrared light due to its material properties, and sufficient characteristics cannot be ensured. That is, it is indispensable to use a blue highly reflective film in place of Au.

一方、従来より青色光の反射膜としてＡｌが高い反射率を示すことは知られていたが、半導体レーザ装置との融合という観点からは議論されておらず、それを実現するためのプロセスについての提案はなされていない。
従って、本発明は、このような問題を解決しようとなされたものであって、青色半導体レーザ素子が高い精度で、且つ確実に半導体基板に実装されることにより、高い位置精度をもってレーザ光を出射できる半導体レーザ装置の製造方法を提供することを目的とする。 On the other hand, although it has been known that Al has a high reflectance as a blue light reflecting film, it has not been discussed from the viewpoint of fusion with a semiconductor laser device, and a process for realizing it has not been discussed. No proposal has been made.
Therefore, the present invention has been made to solve such a problem, and the laser beam is emitted with high positional accuracy by mounting the blue semiconductor laser element on the semiconductor substrate with high accuracy and reliability. An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a semiconductor laser device.

上記目的を達成するために、本発明に係る半導体レーザ装置の製造方法は、半導体基板に凹部を形成する工程と、凹部の側壁に半導体レーザ素子から出射されるレーザ光を反射する光学反射面を形成する工程と、凹部の底面上に、凹部の底面と略垂直な方向における半導体レーザ素子の位置を決めるヒートシンク層を載置する工程と、ヒートシンク層の上に、導電性を有する拡散抑制層を形成する工程と、拡散抑制層上および光学反射面上に、ＡｕまたはＰｔからなる第１の金属薄膜を形成する工程と、第１の金属薄膜の上に、接合層を介して半導体レーザ素子を接合する工程とを有することを特徴とする。 In order to achieve the above object, a method of manufacturing a semiconductor laser device according to the present invention includes a step of forming a recess in a semiconductor substrate, and an optical reflecting surface that reflects laser light emitted from the semiconductor laser element on a side wall of the recess. A step of forming, a step of placing a heat sink layer for determining the position of the semiconductor laser element in a direction substantially perpendicular to the bottom surface of the recess, and a conductive diffusion suppression layer on the heat sink layer. A step of forming, a step of forming a first metal thin film made of Au or Pt on the diffusion suppression layer and the optical reflection surface, and a semiconductor laser element on the first metal thin film via a bonding layer. And a step of bonding.

上記のように、本発明に係る半導体レーザ装置の製造方法では、ヒートシンク層と接合層との間に拡散抑制層が介挿されることで、半導体レーザ素子を接合する際に、ヒートシンク層と接合層との間で、互いに相手方の層への拡散が防止され、これにより接合層および金属電極層の体積変化を抑制することができる。よって、本発明に係る製造方法をもって製造される半導体レーザ装置では、高い精度で、且つ確実に半導体レーザ素子が半導体基板に実装されるので、高い位置精度をもってレーザ光を出射できる。 As described above, in the method of manufacturing a semiconductor laser device according to the present invention, the diffusion suppression layer is interposed between the heat sink layer and the bonding layer, so that the heat sink layer and the bonding layer are bonded when the semiconductor laser element is bonded. Between the two layers, diffusion to the other layer is prevented, and the volume change of the bonding layer and the metal electrode layer can be suppressed. Therefore, in the semiconductor laser device manufactured with the manufacturing method according to the present invention, the semiconductor laser element is mounted on the semiconductor substrate with high accuracy and reliability, so that laser light can be emitted with high positional accuracy.

また、上記半導体レーザ装置の製造方法においては、拡散抑制層を、ヒートシンク層および接合層と構造的に合金相を形成することなく電気的にオーミック特性を有する組成で形成すれば、電気的にオーミック特性を有するとともに、接合層とヒートシンク層との間における互いの組成の拡散が抑制されるので望ましい。
また、具体的な接合層としては、はんだからなる層があげられ、ヒートシンク層としては、Ａｕからなる層があげられ、また拡散抑制層としては、ＴｉあるいはＴｉＷからなるとともに、ヒートシンク層よりも厚みの薄い層があげられる。このような構成の半導体レーザ装置では、上記効果を得ることができるのとともに、半導体レーザ素子と半導体基板との間における電導性および伝熱性が優れることになる。 In the method of manufacturing a semiconductor laser device, if the diffusion suppression layer is formed with a composition having an electrical ohmic characteristic without structurally forming an alloy phase with the heat sink layer and the bonding layer, the electrical ohmic is achieved. This is desirable because it has properties and suppresses diffusion of the composition between the bonding layer and the heat sink layer.
In addition, a specific bonding layer is a layer made of solder, a heat sink layer is a layer made of Au, and a diffusion suppression layer is made of Ti or TiW and is thicker than the heat sink layer. A thin layer. In the semiconductor laser device having such a configuration, the above-described effects can be obtained, and electrical conductivity and heat transfer between the semiconductor laser element and the semiconductor substrate are excellent.

また、上記半導体レーザ装置の製造方法においては、接合層と拡散抑制層との間に、ＡｕまたはＰｔからなる第１の金属薄膜を介挿させておけば、接合層と拡散抑制層との間の接合性を高めることができるので望ましい。
なお、この場合には、接合時に第１の金属薄膜のＡｕまたはＰｔと接合層のＳｎとが反応を起こすことになるが、第１の金属薄膜の厚みがヒートシンク層よりも薄いので、寸法変動も小さいものとすることができる。 In the method for manufacturing the semiconductor laser device, if the first metal thin film made of Au or Pt is interposed between the bonding layer and the diffusion suppressing layer, the bonding layer and the diffusion suppressing layer are interposed. This is desirable because it can improve the bondability.
In this case, Au or Pt of the first metal thin film reacts with Sn of the bonding layer at the time of bonding. However, since the thickness of the first metal thin film is thinner than the heat sink layer, the dimensional variation Can also be small.

また、接合層と拡散抑制層との間に第１の金属薄膜を介挿させることにより、同じ厚み分を拡散抑制層だけから構成する（１層構造）よりも層表面の凹凸を小さくできるので、高い寸法精度をもって半導体レーザ素子を実装することができ、また、ＡｕまたはＰｔからなる第１の金属薄膜だけで全体を形成するよりも低コストで形成することができるという優位性が得られる。 In addition, since the first metal thin film is interposed between the bonding layer and the diffusion suppression layer, the unevenness on the surface of the layer can be made smaller than when the same thickness is formed only from the diffusion suppression layer (one-layer structure). The semiconductor laser device can be mounted with high dimensional accuracy, and an advantage is obtained that it can be formed at a lower cost than forming the whole with only the first metal thin film made of Au or Pt.

上記半導体レーザ装置の製造方法においては、凹部の底面とヒートシンク層との間にもＴｉまたはＴｉＷからなる層とＡｕまたはＰｔからなる第２の金属薄膜とを順に介挿するようにしておけば、ヒートシンク層だけで接合時における半導体レーザ素子の位置（高さ方向）を規定する場合よりも高い精度を得ることができるので望ましい。
また、上記半導体レーザ装置の製造方法において、光学反射面を半導体基板の表面に対して略４５°の傾斜角を有するとともに、表面にＡｕまたはＰｔからなる第１の金属薄膜の上にＡｌと誘電体膜の多層膜からなる構造を有するように形成しておけば、青色光に対する光学反射面を形成することができるので装置の製造コストを低減することができる。この場合において、この第１の金属薄膜が接地されていることが望ましい。 In the manufacturing method of the semiconductor laser device, if a layer made of Ti or TiW and a second metal thin film made of Au or Pt are inserted in order between the bottom surface of the recess and the heat sink layer, This is desirable because only the heat sink layer can provide higher accuracy than the case of defining the position (height direction) of the semiconductor laser element at the time of bonding.
In the method of manufacturing the semiconductor laser device, the optical reflecting surface has an inclination angle of about 45 ° with respect to the surface of the semiconductor substrate, and Al and dielectric are formed on the first metal thin film made of Au or Pt on the surface. If formed so as to have a structure composed of a multilayer film of a body film, an optical reflection surface for blue light can be formed, so that the manufacturing cost of the device can be reduced. In this case, it is desirable that the first metal thin film is grounded.

上記半導体レーザ装置の製造方法において、凹部の底面とヒートシンク層との間の第２の金属薄膜、および光学反射面上における第１の金属薄膜についてもヒートシンク層よりも薄く形成しておくことが望ましい。
さらに、半導体レーザ装置の製造方法にあっては、凹部の周辺領域に光ディスクで反射されてきたレーザ光を受光するための受光素子部と、受光素子部で生成された電気信号を処理する信号処理回路部と、装置外との信号の入出力のためのボンディングパッド部とを形成することもあるが、このような半導体レーザ装置の製造過程においては、信号処理回路部およびボンディングパッド部が形成された領域における最表面もＡｕまたはＰｔからなる第１の金属薄膜で覆っておくことが望ましい。これは、信号処理回路部における基板最表面の第１の金属薄膜が遮光機能を果たすことにより、回路の動作を安定化でき、また、ボンディングパッド部における第１の金属薄膜がワイヤボンディング時の良好なオーミック形成に寄与する。また、ＡｕおよびＰｔは、耐腐食性に優れるので、これで上記部分の最表面を覆っておくと、装置の耐腐食性を向上させるのにも効果的である。 In the method of manufacturing the semiconductor laser device, it is desirable that the second metal thin film between the bottom surface of the recess and the heat sink layer and the first metal thin film on the optical reflecting surface are also formed thinner than the heat sink layer. .
Furthermore, in the method of manufacturing a semiconductor laser device, a light receiving element unit for receiving the laser beam reflected by the optical disk in the peripheral region of the recess, and a signal processing for processing an electric signal generated by the light receiving element unit A circuit unit and a bonding pad unit for inputting / outputting signals from / to the outside of the device may be formed. In the manufacturing process of such a semiconductor laser device, a signal processing circuit unit and a bonding pad unit are formed. It is desirable that the outermost surface in the region be covered with a first metal thin film made of Au or Pt. This is because the first metal thin film on the outermost surface of the substrate in the signal processing circuit portion performs a light shielding function, so that the operation of the circuit can be stabilized, and the first metal thin film in the bonding pad portion is good at the time of wire bonding. Contributes to the formation of stable ohmics. Further, since Au and Pt are excellent in corrosion resistance, covering the outermost surface of the above portion with this is effective in improving the corrosion resistance of the apparatus.

上記半導体レーザ装置の製造方法においては、信号処理回路部およびボンディングパッド部が形成された領域における最表面の第１の金属薄膜を外部端子と接続しておき、任意の電圧を印加できるようにしておくことが望ましい。 In the semiconductor laser device manufacturing method, the first metal thin film on the outermost surface in the region where the signal processing circuit portion and the bonding pad portion are formed is connected to an external terminal so that an arbitrary voltage can be applied. It is desirable to keep it.

（実施の形態１）
（全体構成）
本発明の実施の形態１に係る光ピックアップ装置について、図１および図２を用いて説明する。図１、２では、光ピックアップ装置の一部（以下、この部分を「半導体レーザ装置１」という。）を示している。 (Embodiment 1)
(overall structure)
An optical pickup device according to Embodiment 1 of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 and 2 show a part of the optical pickup device (hereinafter, this portion is referred to as “semiconductor laser device 1”).

図１に示すように、本形態に係る光ピックアップ装置における半導体レーザ装置１には、光ディスク（不図示）に対してレーザ光を出射する半導体レーザ素子１０とともに、受光素子部２０、ボンディングパッド部３０、遮光部４０、ミラー部５０などが形成されている。また、図１には示していないが、装置の内部には、信号処理回路部６０も形成されている。 As shown in FIG. 1, the semiconductor laser device 1 in the optical pickup device according to this embodiment includes a light receiving element portion 20 and a bonding pad portion 30 together with a semiconductor laser element 10 that emits laser light to an optical disc (not shown). A light shielding part 40, a mirror part 50, and the like are formed. Although not shown in FIG. 1, a signal processing circuit unit 60 is also formed inside the apparatus.

この半導体レーザ装置１は、全体が略直方体状をしており、一方の主表面に、その厚み方向に向け複数の凹部が設けられている。その中で装置中央部分に設けられた最も大きな凹部の内側底面には、半導体レーザ素子１０が収納されている。そして、半導体レーザ素子１０が収納された凹部は、その深さ方向の下部分における側壁面が装置の表面に対して４５°の傾斜角を有するミラー部５０となっており、表面がＡｕ層で覆われている。即ち、半導体レーザ素子１０からシリコン基板表面と略平行方向に出射されたレーザ光（出射光）は、ミラー部５０で反射され、図１における装置上方に向けレーザ光を出射することができる。 The entire semiconductor laser device 1 has a substantially rectangular parallelepiped shape, and a plurality of recesses are provided on one main surface in the thickness direction. Among them, the semiconductor laser element 10 is accommodated on the inner bottom surface of the largest concave portion provided in the central portion of the apparatus. The concave portion in which the semiconductor laser element 10 is housed is a mirror portion 50 whose side wall surface in the lower portion in the depth direction has an inclination angle of 45 ° with respect to the surface of the device, and the surface is an Au layer. Covered. That is, laser light (emitted light) emitted from the semiconductor laser element 10 in a direction substantially parallel to the surface of the silicon substrate is reflected by the mirror unit 50 and can be emitted upward in the apparatus in FIG.

また、半導体レーザ素子１０が収納された凹部の両側周辺領域には、少し間隙をあけて合計６箇所に受光素子部２０が形成されている。図１には、受光素子部２０における凹部だけが描かれている。この凹部は、光ディスクで反射されて戻ってきたレーザ光を受光するためのものである。
また、受光素子部２０が半導体レーザ素子１０を中心に左右両側３箇所ずつ、計６箇所形成されているのは、戻ってきたレーザ光を各々の受光素子部２０で受光し、その受光したレーザ光の光量差等から、種々の信号（例えば、フォーカスエラー信号、トラッキングエラー信号など）を信号処理回路部（図１では、不図示。）６０に演算させるためである。 In addition, light receiving element portions 20 are formed in a total of six places with a slight gap in the peripheral regions on both sides of the concave portion in which the semiconductor laser element 10 is accommodated. In FIG. 1, only the concave portion in the light receiving element portion 20 is depicted. This concave portion is for receiving the laser beam that is reflected by the optical disc and returned.
Further, the light receiving element section 20 is formed at three positions on both the left and right sides with the semiconductor laser element 10 as the center, that is, a total of six positions are formed. This is because the signal processing circuit unit (not shown in FIG. 1) 60 calculates various signals (for example, a focus error signal, a tracking error signal, etc.) from the difference in the amount of light.

半導体レーザ装置１における主表面上における周縁領域には、１２個のボンディングパッド部３０が形成されている。これらボンディングパッド部３０は、半導体レーザ装置１と外部回路とを接続するための端子としての役割を果たすものである。
なお、半導体レーザ装置１における上記の面は、ボンディングパッド部３０が形成された領域を除いて、Ａｕ層で表面が覆われることによって遮光部４０が形成されている。これは、装置の内部にレーザ光の影響が及ばないようにするために設けられているものである。 Twelve bonding pad portions 30 are formed in the peripheral region on the main surface of semiconductor laser device 1. These bonding pad portions 30 serve as terminals for connecting the semiconductor laser device 1 and an external circuit.
The above-described surface of the semiconductor laser device 1 is covered with an Au layer, except for the region where the bonding pad portion 30 is formed, so that the light shielding portion 40 is formed. This is provided in order to prevent the laser beam from affecting the inside of the apparatus.

また、遮光部４０は、Ａｕ層で表面が覆われているために、腐食から装置を保護するという機能も果たす。
次に、図２を用いて、本実施の形態に係る光ピックアップ装置における半導体レーザ装置１の内部構成について説明する。図２は、図１におけるＡ−Ａ矢視断面図である。
図２に示すように、半導体レーザ装置１は、ｐ型層１００の上に、ｎ型エピタキシャル層１０１、シリコン熱酸化膜（以下、「ＳｉＯ2膜」という。）１０２、ＳｉＮ膜１０３、層間絶縁膜としてのボロン・リン添加ＳｉＯ2（以下、「ＢＰＳＧ」という。）膜１０４、ＳｉＮ膜１０５が順に積層された構成の基板を有している。 Further, since the surface of the light shielding portion 40 is covered with the Au layer, the light shielding portion 40 also functions to protect the device from corrosion.
Next, the internal configuration of the semiconductor laser device 1 in the optical pickup device according to the present embodiment will be described with reference to FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line AA in FIG.
As shown in FIG. 2, the semiconductor laser device 1 includes an n-type epitaxial layer 101, a silicon thermal oxide film (hereinafter referred to as “SiO 2 film”) 102, a SiN film 103, an interlayer insulating film on a p-type layer 100. The substrate has a structure in which a boron-phosphorus-added SiO2 (hereinafter referred to as “BPSG”) film 104 and a SiN film 105 are sequentially stacked.

また、半導体レーザ装置１における図中右側部分には、半導体レーザ素子１０をその底面に半導体レーザ素子１０を取り付けるための凹部１１５が形成されている。この凹部１１５においては、ｎ型エピタキシャル層１０１、ＳｉＯ2膜１０２、ＳｉＮ膜１０３、層間絶縁膜としてのＢＰＳＧ膜１０４は形成されておらず、ｐ型層１００の上にＳｉＮ膜１０５が積層された構成となっている。 In addition, a concave portion 115 for attaching the semiconductor laser element 10 to the bottom surface of the semiconductor laser element 10 is formed on the right side of the semiconductor laser device 1 in the drawing. In this recess 115, the n-type epitaxial layer 101, the SiO 2 film 102, the SiN film 103, and the BPSG film 104 as an interlayer insulating film are not formed, and the SiN film 105 is laminated on the p-type layer 100. It has become.

また、図中における中央よりやや左側には、凹部２１が形成されており、ＳｉＮ膜１０３が露出するようになっている。この部分は、受光素子部２０におけるレーザ光を受ける箇所である。
ＳｉＮ膜１０５の面上には、一部領域を除いてＴｉ層１１０ａ、Ａｕ層１１１ａ、Ｔｉ層１１０ｂ、Ａｕ層１１１ｂが順に積層されている。Ｔｉ膜１１０ａ、１１０ｂは、ともに０．２μｍの厚みを有しており、Ａｕ膜１１１ａ、１１１ｂは、ともに０．４μｍの膜厚を有している。 Further, a recess 21 is formed slightly to the left of the center in the figure so that the SiN film 103 is exposed. This portion is a portion that receives the laser light in the light receiving element portion 20.
On the surface of the SiN film 105, a Ti layer 110a, an Au layer 111a, a Ti layer 110b, and an Au layer 111b are sequentially stacked except for a part of the region. The Ti films 110a and 110b both have a thickness of 0.2 μm, and the Au films 111a and 111b both have a thickness of 0.4 μm.

これらＴｉ層１１０ａ、１１０ｂおよびＡｕ層１１１ａ、１１１ｂは、上記凹部２１および溝部１１、３１で形成されていない以外は装置の表面全体を覆うように形成されている。
ｐ型層１００とｎ型エピタキシャル層１０１との境界部分においては、凹部２１と凹部１１５との間にｎ型拡散層１０６が形成されている。ｎ型拡散層１０６は、ｐ型層１００とｎ型エピタキシャル層１０１との境界を挟んで両層に渡って形成されている。 These Ti layers 110a, 110b and Au layers 111a, 111b are formed so as to cover the entire surface of the apparatus except that they are not formed by the concave portions 21 and the groove portions 11, 31.
At the boundary portion between the p-type layer 100 and the n-type epitaxial layer 101, an n-type diffusion layer 106 is formed between the recess 21 and the recess 115. The n-type diffusion layer 106 is formed across both layers across the boundary between the p-type layer 100 and the n-type epitaxial layer 101.

ｎ型エピタキシャル層１０１とＳｉＯ2膜１０２との境界からｎ型エピタキシャル層１０１層の内側方向に向けての部分には、２箇所のｎ型拡散層１０７と３箇所のｐ型拡散層１０８が形成されている。
また、ｎ型エピタキシャル層１０１とＳｉＯ2膜１０２との境界からｎ型エピタキシャル層１０１を貫通してｐ型層１００に至る箇所には、ポリシリコンなどの埋め込みによる素子分離層１０９が３箇所形成されている。 Two n-type diffusion layers 107 and three p-type diffusion layers 108 are formed in a portion from the boundary between the n-type epitaxial layer 101 and the SiO 2 film 102 toward the inner side of the n-type epitaxial layer 101 layer. ing.
In addition, three element isolation layers 109 formed by embedding polysilicon or the like are formed at locations extending from the boundary between the n-type epitaxial layer 101 and the SiO 2 film 102 to the p-type layer 100 through the n-type epitaxial layer 101. Yes.

なお、これらの層の構成などについては、広く知られた技術を用いたものであるので、個々での説明は省略する。
図示はしていないが、ＢＰＳＧ膜１０４を挟んだ上下には、各々に所望のパターン形成が行なわれたＡｌ配線層が設けられている。この２層のＡｌ配線層間を接続するようにスルーホール１１２ａ、１１２ｇが設けられている。 In addition, about the structure of these layers, since the technique known widely is used, description for each is abbreviate | omitted.
Although not shown, Al wiring layers each having a desired pattern are provided above and below the BPSG film 104. Through holes 112a and 112g are provided so as to connect the two Al wiring layers.

また、ＢＰＳＧ膜１０４の下側に設けられたＡｌ配線層からは、上記ｎ型拡散層１０７あるいはｐ型拡散層１０８に接続のためのスルーホール１１２ｂ、１１２ｃ、１１２ｄ、１１２ｅ、１１２ｆが設けられている。このようなスルーホール１１２ａ〜１１２ｇは、エッチングにより設けられた孔にＷなどの物質が埋め込まれて形成されている。
図２の左部分に示すように、ボンディングパッド部３０は、ＳｉＮ膜１０５におけるスルーホール１１２ａの上面に当たる部分が開口されており、Ｔｉ膜１１０ａとスルーホール１１２ａとが接続されている。これによって、ボンディングパッド部３０は、上側のＡｌ配線層における所要の部分との間で、信号あるいは電力の入出力が行なうための外部接続が可能となっている。そして、この部分では、Ｔｉ層１１０ａ、１１０ｂおよびＡｕ層１１１ａ、１１１ｂがボンディングパッド部３０毎に分離されており、各々のボンディングパッド部３０どうしの間あるいはボンディングパッド部３０と遮光部４０とが電気的に分離されている。 Further, through holes 112b, 112c, 112d, 112e, 112f for connection to the n-type diffusion layer 107 or the p-type diffusion layer 108 are provided from the Al wiring layer provided below the BPSG film 104. Yes. Such through holes 112a to 112g are formed by embedding a substance such as W in a hole provided by etching.
As shown in the left part of FIG. 2, the bonding pad portion 30 is opened at a portion corresponding to the upper surface of the through hole 112 a in the SiN film 105, and the Ti film 110 a and the through hole 112 a are connected. As a result, the bonding pad portion 30 can be externally connected to the required portion of the upper Al wiring layer for input / output of signals or power. In this portion, the Ti layers 110a and 110b and the Au layers 111a and 111b are separated for each bonding pad portion 30, and between the bonding pad portions 30 or between the bonding pad portion 30 and the light shielding portion 40. Separated.

受光素子部２０は、光ディスクから反射されてきたレーザ光を受光するための凹部２１と、これより変換された電気信号を信号処理回路部６０へと送るための電極であるスルーホール１１２ｂ、１１２ｃとから構成されている。
また、図中における上記受光素子部２０の右隣部分には、２層のＡｌ配線層（不図示）、ｎ型エピタキシャル層１０１、ｎ型拡散層１０７、ｐ型拡散層１０８およびスルーホール１１２ｄ〜１１２ｇによって、信号処理回路部６０が形成されている。この信号処理回路部６０は、上述のように合計６箇所の受光素子部２０によって生成された電気信号を、演算処理によって各種信号（例えば、フォーカスエラー信号、トラッキングエラー信号など）に変換する部分である。 The light receiving element unit 20 includes a recess 21 for receiving the laser beam reflected from the optical disc, and through holes 112b and 112c that are electrodes for sending an electric signal converted thereby to the signal processing circuit unit 60. It is composed of
Further, in the right adjacent portion of the light receiving element portion 20 in the figure, there are two Al wiring layers (not shown), an n-type epitaxial layer 101, an n-type diffusion layer 107, a p-type diffusion layer 108, and through holes 112d˜ The signal processing circuit unit 60 is formed by 112g. The signal processing circuit unit 60 is a part that converts the electrical signals generated by the six light receiving element units 20 in total as described above into various signals (for example, a focus error signal, a tracking error signal, and the like) through arithmetic processing. is there.

次に、図２の右部分に示すように、凹部１１５は、基板の厚み方向中程までが垂直の側壁面を有し、中程から内底面にかけての側壁がシリコン基板の表面方向に対して４５°の傾斜角を有するように加工されている。そして、凹部１１５における一方向側の側壁（図では、左側側壁。）には、Ｔｉ層１１０ａ、１１０ｂおよびＡｕ層１１１ａ、１１１ｂが積層されている。特に、４５°の傾斜角を有する側壁面は、最表面に形成されたＡｕ層１１１ｂによって半導体レーザ素子１０から出射されたレーザ光を装置の上方に反射するためのミラー部５０となっている。 Next, as shown in the right part of FIG. 2, the recess 115 has a vertical side wall surface up to the middle in the thickness direction of the substrate, and the side wall from the middle to the inner bottom surface with respect to the surface direction of the silicon substrate. It is processed to have an inclination angle of 45 °. And Ti layer 110a, 110b and Au layer 111a, 111b are laminated | stacked on the side wall (the left side wall in the figure) of the one direction side in the recessed part 115. FIG. In particular, the side wall surface having an inclination angle of 45 ° serves as a mirror portion 50 for reflecting the laser light emitted from the semiconductor laser element 10 upward of the apparatus by the Au layer 111b formed on the outermost surface.

半導体レーザ素子１０は、ｐ型層１００上に形成されたＳｉＮ膜１０５との間に、Ｔｉ層１１０ａ、１１０ｂおよびＡｕ層１１１ａ、１１１ｂに加えてヒートシンク層１１３およびはんだ層１１４（例えば、層厚４μｍ程度）を介して載置・接合されている。
この中で、ヒートシンク層１１３は、Ａｕ層１１１ａとＴｉ層１１０ｂとの間に介挿されており、２０μｍ程度の厚みを有する。このようにヒートシンク層１１３がＡｕ層１１１ａ、１１１ｂ（膜厚０．４μｍ）よりも厚いのは、これによって装置の厚み方向における半導体レーザ素子１０の取り付け位置を確保するためのものである。つまり、ヒートシンク層１１３は、駆動時における半導体レーザ素子１０の熱を逃がすという機能とともに、半導体レーザ素子１０における片側の電極という機能と、取り付け時における装置厚み方向の寸法精度確保のための台座としての機能を有する。 In addition to the Ti layers 110a and 110b and the Au layers 111a and 111b, the semiconductor laser device 10 includes a heat sink layer 113 and a solder layer 114 (for example, a layer thickness of 4 μm) between the SiN film 105 formed on the p-type layer 100. Degree).
Among these, the heat sink layer 113 is interposed between the Au layer 111a and the Ti layer 110b, and has a thickness of about 20 μm. Thus, the heat sink layer 113 is thicker than the Au layers 111a and 111b (film thickness 0.4 μm) in order to secure the mounting position of the semiconductor laser element 10 in the thickness direction of the apparatus. That is, the heat sink layer 113 has a function of releasing heat of the semiconductor laser element 10 during driving, a function of one side electrode in the semiconductor laser element 10, and a pedestal for ensuring dimensional accuracy in the apparatus thickness direction at the time of attachment. It has a function.

凹部１１５の内底において、半導体レーザ素子１０が形成された領域とミラー部５０とは、Ｔｉ層１１０ａ、１１０ｂおよびＡｕ層１１１ａ、１１１ｂが溝部１１によって分離されており、電気的に分離されている。
（半導体レーザ装置１が有する優位性）
上記半導体レーザ装置１では、受光素子部２０と半導体レーザ素子１０とを同一基板に実装しているので、装置のコンパクト化を図ることができる。これによって、半導体レーザ装置１では、レーザ光の出射部である半導体レーザ素子１０と受光素子部２０との間の間隙を小さくすることができるので、レーザ光の光路を効率的に設計することができ、半導体レーザ装置１と光ディスクとの間に配する各光学素子のアライメント調整の簡略化が可能となる。 In the inner bottom of the recess 115, the region where the semiconductor laser element 10 is formed and the mirror portion 50 are electrically separated by the Ti layers 110a and 110b and the Au layers 111a and 111b being separated by the groove portion 11. .
(Superiority of the semiconductor laser device 1)
In the semiconductor laser device 1, since the light receiving element portion 20 and the semiconductor laser device 10 are mounted on the same substrate, the device can be made compact. As a result, in the semiconductor laser device 1, the gap between the semiconductor laser element 10, which is a laser beam emitting part, and the light receiving element part 20 can be reduced, so that the optical path of the laser beam can be efficiently designed. In addition, the alignment adjustment of each optical element disposed between the semiconductor laser device 1 and the optical disk can be simplified.

また、ボンディングパッド部３０においては、スルーホール１１２ａの上面にＴｉ層１１０ａ、１１０ｂおよびＡｕ層１１１ａ、１１１ｂが積層されているので、組み立ての際のワイヤボンディングによる良好なオーミック形成を図ることができる。
また、遮光部４０およびミラー部５０は、その表面にともにＡｕ層１１１ｂが形成されているので、同一プロセスで形成することが可能であり、製造コストの低減を図ることができる。 In the bonding pad portion 30, since the Ti layers 110a and 110b and the Au layers 111a and 111b are laminated on the upper surface of the through hole 112a, a good ohmic formation by wire bonding at the time of assembly can be achieved.
Further, since both the light shielding part 40 and the mirror part 50 have the Au layer 111b formed on the surfaces thereof, they can be formed by the same process, and the manufacturing cost can be reduced.

また、半導体レーザ素子１０の実装の形態が本実施の形態における最も特徴的な部分である。以下で、この部分についての優位性について説明する。
一般に、半導体レーザ素子１０は、側面からレーザ光が出射されるように実装される。このため、半導体レーザ素子１０は、上記図１、２に示すとおり、凹部１１５を形成した上で、その底面に載置される。 Further, the mounting form of the semiconductor laser element 10 is the most characteristic part in the present embodiment. Below, the advantage about this part is demonstrated.
In general, the semiconductor laser element 10 is mounted such that laser light is emitted from the side surface. For this reason, the semiconductor laser element 10 is mounted on the bottom surface thereof after forming the recess 115 as shown in FIGS.

半導体レーザ素子１０を載置する際の装置の厚み方向における高さは、装置から出射されるレーザ光の位置を規定する上で最も重要な要因となる。そこで、プロセス上の製造誤差などがこの高さに影響を及ぼさないように、半導体レーザ素子１０は、高さ調整機能を併せ持つヒートシンク層１１３を間に介した状態ではんだ層１１４をもって接合される。
しかし、ヒートシンク層１１３の上に直接はんだ層１１４を接合する場合には、ヒートシンク層１１３のＡｕ元素とはんだ層１１４のＳｎ元素とが化学反応を起こし、設計値通りの高さに半導体レーザ素子１０を実装できない。 The height in the thickness direction of the apparatus when mounting the semiconductor laser element 10 is the most important factor in defining the position of the laser light emitted from the apparatus. Therefore, the semiconductor laser element 10 is bonded with the solder layer 114 with a heat sink layer 113 having a height adjusting function interposed therebetween so that manufacturing errors in the process do not affect the height.
However, when the solder layer 114 is bonded directly on the heat sink layer 113, the Au element of the heat sink layer 113 and the Sn element of the solder layer 114 cause a chemical reaction, and the semiconductor laser element 10 has a height as designed. Cannot be implemented.

これに対して、本実施の形態に係る半導体レーザ装置１では、半導体レーザ素子１０を接合するためのはんだ層１１４とヒートシンク層１１３との間に、Ｔｉ層１１０ｂおよびＡｕ層１１１ｂを介挿させているので、Ａｕ元素とＳｎ元素との化学反応による高さ変動は極微小なものに抑えられる。即ち、はんだ層１１４と直に接するＡｕ層１１１ｂは、その厚みが０．４μｍ程度と、ヒートシンク層１１３の２０μｍと比べてはるかに薄く、Ａｕ層１１１ｂのＡｕ元素とＳｎ元素の反応により、半導体レーザ素子１０の位置が設計値からずれた場合も、その変動は小さなものとなる。そして、半導体レーザ装置１では、Ａｕ層１１１ｂとヒートシンク層１１３との間に介挿されたＴｉ層１１０ｂがヒートシンク層１１３とはんだ層１１４との間における拡散抑制層として機能することから、半導体レーザ素子１０を高い位置精度をもって実装することができ、高い位置精度でレーザ光を出射することができる。 On the other hand, in the semiconductor laser device 1 according to the present embodiment, the Ti layer 110b and the Au layer 111b are inserted between the solder layer 114 and the heat sink layer 113 for joining the semiconductor laser element 10. Therefore, the height fluctuation due to the chemical reaction between the Au element and the Sn element can be suppressed to an extremely small amount. That is, the Au layer 111b in direct contact with the solder layer 114 has a thickness of about 0.4 μm, which is much thinner than the 20 μm thickness of the heat sink layer 113. Even when the position of the element 10 deviates from the design value, the variation is small. In the semiconductor laser device 1, the Ti layer 110 b interposed between the Au layer 111 b and the heat sink layer 113 functions as a diffusion suppression layer between the heat sink layer 113 and the solder layer 114. 10 can be mounted with high positional accuracy, and laser light can be emitted with high positional accuracy.

さらに、本実施の形態に係る半導体レーザ装置１では、半導体レーザ素子１０を凹部１１５の内部に収納しているので、駆動時に半導体レーザ素子１０から生じる熱が半導体基板の表面を伝達して信号処理回路部６０に悪影響を及ぼすというようなことがなく、信号処理回路部６０における動作の安定化という点からも優れている。
なお、上記半導体レーザ装置１では、ミラー部５０を接地しておけば、レーザ光の照射によるキャリアのチャージアップを防ぐことができ、基板内に形成された信号処理回路部６０などの保護を図ることができるので、望ましい。 Further, in the semiconductor laser device 1 according to the present embodiment, since the semiconductor laser element 10 is housed in the recess 115, heat generated from the semiconductor laser element 10 during driving is transmitted through the surface of the semiconductor substrate to perform signal processing. The circuit unit 60 is not adversely affected, and is excellent in terms of stabilizing the operation of the signal processing circuit unit 60.
In the semiconductor laser device 1, if the mirror unit 50 is grounded, carrier charge-up due to laser light irradiation can be prevented, and the signal processing circuit unit 60 and the like formed in the substrate can be protected. It can be desirable.

また、上記半導体レーザ装置１では、遮光部４０に任意の電圧を印加できるように外部端子と接続されている構成としておけば、信号処理回路部６０での回路動作によって生じる受光部２０での暗電流等を抑制することができる。例えば、回路動作により生じた固定電荷に起因した電界の影響を、遮光部４０に印加した電圧によりキャンセルすることが可能となる。特に、本実施の形態に示したように、最表面の金属薄膜がＡｕまたはＰｔから構成されていれば、腐食や酸化等によるバイアス変動も生じ難くなるため効果がより顕著となる。 Further, in the semiconductor laser device 1, if the light-shielding unit 40 is connected to an external terminal so that an arbitrary voltage can be applied, the darkness in the light-receiving unit 20 caused by the circuit operation in the signal processing circuit unit 60 can be obtained. Current and the like can be suppressed. For example, it is possible to cancel the influence of the electric field caused by the fixed charge generated by the circuit operation by the voltage applied to the light shielding unit 40. In particular, as shown in the present embodiment, when the outermost metal thin film is made of Au or Pt, the bias fluctuation due to corrosion, oxidation or the like hardly occurs, and the effect becomes more remarkable.

（半導体レーザ装置１の製造方法）
次に、上記半導体レーザ装置１の製造方法について、図３〜６を用いて説明する。図３〜図６では、半導体レーザ装置１を製造する上で、主となる半導体レーザ素子１０を実装する部分について各工程を図示している。
先ず、図３（ａ）に示すように、ｐ型層１００上に、ｎ型エピタキシャル層１０１、ＳｉＯ2膜１０２、ＳｉＮ膜１０３、ＢＰＳＧ膜１０４が順に積層された構成の基板に対して、ＫＯＨエッチングによってＳｉＯ2膜１０２を露出させた後、このＳｉＯ2膜１０２の一部を開口する。そして、ＳｉＯ2膜１０２をマスクとして、Ｓｉ異方性エッチングによって、側壁面の一部に装置表面に対してθ（４５°）の傾斜角を有する凹部１１５を形成する。 (Method for Manufacturing Semiconductor Laser Device 1)
Next, a method for manufacturing the semiconductor laser device 1 will be described with reference to FIGS. In FIGS. 3 to 6, each process is illustrated for a portion on which the main semiconductor laser element 10 is mounted in manufacturing the semiconductor laser device 1.
First, as shown in FIG. 3A, KOH etching is performed on a substrate having a structure in which an n-type epitaxial layer 101, a SiO2 film 102, a SiN film 103, and a BPSG film 104 are sequentially laminated on a p-type layer 100. After exposing the SiO2 film 102, a part of the SiO2 film 102 is opened. Then, using the SiO2 film 102 as a mask, a recess 115 having an inclination angle of θ (45 °) with respect to the device surface is formed on a part of the side wall surface by Si anisotropic etching.

なお、ｐ型層１００には、９．７°のオフアングルを有する（１００）面方位基体を用い、この場合における（１１１）面が基体表面と４５°の傾斜角を有する側壁として加工され、半導体レーザ装置１におけるミラー部５０に相当する。
また、Ｓｉ異方性エッチングには、２０ｗｔ％ＫＯＨ水溶液を用い、ｐ型層１００に対するエッチング深さを約４０μｍで規定した。 Note that, for the p-type layer 100, a (100) plane-oriented substrate having an off-angle of 9.7 ° is used, and the (111) plane in this case is processed as a sidewall having a 45 ° inclination angle with the substrate surface, This corresponds to the mirror unit 50 in the semiconductor laser device 1.
In addition, a 20 wt% KOH aqueous solution was used for Si anisotropic etching, and the etching depth for the p-type layer 100 was specified to be about 40 μm.

次に、図３（ｂ）に示すように、凹部１１５の内壁面を含めた基板の表面全体に、蒸着法によりＳｉＮ膜１０５を形成する。
次に、図４（ａ）に示すように、ＳｉＮ膜１０５の上に、スパッタ法を用いてＴｉ層１１０ａ、Ａｕ層１１１ａを順に積層する。各層の厚みは、上述のように、Ｔｉ層１１０ａが０．２μｍであり、Ａｕ層１１１ａが０．４μｍである。 Next, as shown in FIG. 3B, an SiN film 105 is formed on the entire surface of the substrate including the inner wall surface of the recess 115 by vapor deposition.
Next, as shown in FIG. 4A, a Ti layer 110a and an Au layer 111a are sequentially stacked on the SiN film 105 by sputtering. As described above, the thickness of each layer is 0.2 μm for the Ti layer 110a and 0.4 μm for the Au layer 111a.

なお、図示はしていないが、Ｔｉ層１１０ａおよびＡｕ層１１１ａを形成するに当たっては、予め受光素子部２０における凹部２１、およびボンディンパッド部３０におけるスルーホール１１２ａの頂部におけるＳｉＮ膜１０５を除去しておく。
図４（ｂ）に示すように、凹部１１５の底部におけるＡｕ層１１１ａの上に台座としての機能を兼ね備えるヒートシンク層１１３を、ウェットエッチングによって形成する。ヒートシンク層１１３の厚みは、上記図４（ａ）における凹部１１５の開口上端面から底面におけるＡｕ層１１１ａの表面までの距離を測定し、これより半導体レーザ素子１０を所望の高さ位置に実装するために必用な距離に相当するものである。そして、ヒートシンク層１１３の厚みの中心値は、例えば、２０μｍである。ただし、この数値については、凹部１１５の深さの設定、あるいは、半導体装置１から光ディスクまでの光路長の設定などによって各々設定する必要がある。 Although not shown, when forming the Ti layer 110a and the Au layer 111a, the concave portion 21 in the light receiving element portion 20 and the SiN film 105 on the top of the through hole 112a in the bonding pad portion 30 are removed in advance. Keep it.
As shown in FIG. 4B, a heat sink layer 113 having a function as a pedestal is formed on the Au layer 111a at the bottom of the recess 115 by wet etching. The thickness of the heat sink layer 113 is measured by measuring the distance from the upper end surface of the recess 115 in FIG. 4A to the surface of the Au layer 111a on the bottom surface, thereby mounting the semiconductor laser device 10 at a desired height position. This is equivalent to the distance necessary for this purpose. The center value of the thickness of the heat sink layer 113 is, for example, 20 μm. However, it is necessary to set this numerical value by setting the depth of the recess 115 or setting the optical path length from the semiconductor device 1 to the optical disc.

なお、図４（ｂ）では、ヒートシンク層１１３は、何処とも接続されていないように図示されているが、所望の配線などにスルーホールなどで接続可能なように、ミラー部５０に相当する部分を除く領域を通って凹部１１５の外部などに続いている。この際、配線用と、台座用との２回に分けてウェットエッチングを行なってヒートシンク層１１３を形成してもよい。 In FIG. 4B, the heat sink layer 113 is illustrated as not being connected anywhere, but a portion corresponding to the mirror unit 50 so as to be connected to a desired wiring or the like through a through hole or the like. It continues to the outside of the recess 115 and the like through the region excluding. At this time, the heat sink layer 113 may be formed by performing wet etching separately for wiring and for pedestal.

図５に示すように、凹部１１５の底面にヒートシンク層１１３が形成された基板に対して、上記図４（ａ）と同様に、Ｔｉ層１１０ｂとＡｕ層１１１ｂとを積層する。各層１１０ｂ、１１１ｂについても、上記Ｔｉ層１１０ａおよびＡｕ層１１１ａと同様に、各々０．２μｍ、０、４μｍである。
図５（ｂ）に示すように、ヒートシンク層１１３の上における第２被膜１１１に対して、メッキによってはんだ層１１４を形成する。このはんだ層１１４は、４μｍの厚みで形成されている。 As shown in FIG. 5, a Ti layer 110b and an Au layer 111b are stacked on the substrate having the heat sink layer 113 formed on the bottom surface of the recess 115, as in FIG. The layers 110b and 111b are also 0.2 μm, 0, and 4 μm, respectively, similarly to the Ti layer 110a and the Au layer 111a.
As shown in FIG. 5B, a solder layer 114 is formed on the second film 111 on the heat sink layer 113 by plating. The solder layer 114 is formed with a thickness of 4 μm.

その後、図６（ａ）に示すように、フォトリソ法を用いて、ヒートシンク層１１３が形成された領域周囲のＴｉ層１１０ａ、１１０ｂおよびＡｕ層１１１ａ、１１１ｂを除去し、溝部１１を形成する。ただし、このとき、ヒートシンク層１１３から延びる接続部分（不図示）については、残すようにする。
なお、図示はしていないが、この工程において、上記図２における溝部３１、凹部２０などについても、溝部１１と同様にＴｉ層１１０ａ、１１０ｂおよびＡｕ層１１１ａ、１１１ｂの除去を行なうことで形成される。 After that, as shown in FIG. 6A, the Ti layer 110a, 110b and the Au layers 111a, 111b around the region where the heat sink layer 113 is formed are removed by using a photolithography method, and the groove 11 is formed. However, at this time, a connection portion (not shown) extending from the heat sink layer 113 is left.
Although not shown, in this step, the groove portions 31 and the recess portions 20 in FIG. 2 are also formed by removing the Ti layers 110a and 110b and the Au layers 111a and 111b in the same manner as the groove portion 11. The

最後に、図６（ｂ）に示すように、予め作製された半導体レーザ素子１０をはんだ層１１４を介して載置・接合し、半導体レーザ装置１が完成する。
以上のような製造方法では、半導体レーザ素子１０を接合する際にも、はんだ層１１４のＳｎとヒートシンク層１１３のＡｕとが互いの層に対して拡散することが抑制され、反応を生じることがない。よって、半導体レーザ素子１０を高い精度で接合することができる。つまり、ヒートシンク層１１３とはんだ層１１４との間に介されたＴｉ層１１０ｂが拡散抑制層としての役割を果たす。そして、Ａｕ層１１１ｂとはんだ層１１４との間には、拡散による反応を生じることになるが、Ａｕ層１１１ｂの厚みは、０．４μｍであり、ヒートシンク層１１３の厚み２０μｍよりも格段に薄いので、実質的に寸法精度を高めることができる。 Finally, as shown in FIG. 6B, the semiconductor laser device 10 fabricated in advance is placed and bonded via the solder layer 114, and the semiconductor laser device 1 is completed.
In the manufacturing method as described above, even when the semiconductor laser element 10 is bonded, the Sn of the solder layer 114 and the Au of the heat sink layer 113 are suppressed from diffusing with respect to each other, and a reaction occurs. Absent. Therefore, the semiconductor laser element 10 can be bonded with high accuracy. That is, the Ti layer 110b interposed between the heat sink layer 113 and the solder layer 114 serves as a diffusion suppression layer. A reaction due to diffusion occurs between the Au layer 111b and the solder layer 114, but the thickness of the Au layer 111b is 0.4 μm, which is much thinner than the thickness of the heat sink layer 113 of 20 μm. The dimensional accuracy can be substantially increased.

また、上記図３〜６では、半導体レーザ素子１０を載置する部分について主に説明したが、Ｔｉ層１１０ａ、１１０ｂおよびＡｕ層１１１ａ、１１１ｂは、半導体レーザ装置１におけるボンディングパッド部３０、遮光部４０、ミラー部５０に相当する部分に被膜されている。つまり、これらの被膜を同一工程により形成できるので、製造コストの面から優位である。 3 to 6 mainly describe the portion on which the semiconductor laser element 10 is placed. However, the Ti layers 110a and 110b and the Au layers 111a and 111b include the bonding pad portion 30 and the light shielding portion in the semiconductor laser device 1, respectively. 40 and the part corresponding to the mirror part 50 are coated. That is, since these coating films can be formed by the same process, it is advantageous from the viewpoint of manufacturing cost.

なお、半導体レーザ装置の製造方法は、ヒートシンク層１１３とはんだ層１１４との間に各々の組成であるＡｕおよびＳｎの拡散を抑制するための層が介挿できれば、上記図３〜６の工程に限定を受けるものではない。
また、ヒートシンク層１１３とはんだ層１１４との間には、Ｔｉ層１１０ａ、１１０ｂおよびＡｕ層１１１ａ、１１１ｂを介挿させたが、Ｔｉの代わりにＴｉＷ、あるいはＭｏなどを構成要素として用いてもよく、Ａｕの代わりにＰｔを用いても同様の効果が得られる。 Note that the semiconductor laser device manufacturing method can be applied to the steps shown in FIGS. 3 to 6 as long as layers for suppressing the diffusion of Au and Sn, which are the respective compositions, can be interposed between the heat sink layer 113 and the solder layer 114. Not limited.
Further, the Ti layers 110a and 110b and the Au layers 111a and 111b are interposed between the heat sink layer 113 and the solder layer 114, but TiW or Mo may be used as a constituent element instead of Ti. The same effect can be obtained by using Pt instead of Au.

また、各工程において用いる方法についても、上記に限定されるものではない。例えば、Ｔｉ層１１０ａ、１１０ｂおよびＡｕ層１１１ａ、１１１ｂの形成には、スパッタ法以外の真空蒸着法を用いるなどしてもよい。
（実施の形態２）
実施の形態２に係る光ピックアップ装置における半導体レーザ装置２について、図７および図８を用いて説明する。 Further, the method used in each step is not limited to the above. For example, the Ti layers 110a and 110b and the Au layers 111a and 111b may be formed using a vacuum deposition method other than sputtering.
(Embodiment 2)
A semiconductor laser device 2 in the optical pickup device according to the second embodiment will be described with reference to FIGS.

本実施の形態に係る半導体レーザ装置２の基本構成は、上記実施の形態１に係る半導体レーザ装置１と同一であり、半導体レーザ素子１０の電極の取り出し方法だけが異なっている。このため、上記半導体レーザ装置１と同様の部分については、同一の符号を付し、異なる部分のみを、以下で説明する。
図７に示すように、半導体レーザ素子１０には、２つの電極１５、１６が凹部１１５の縁部から装置の縁部にかけて形成されている。 The basic configuration of the semiconductor laser device 2 according to the present embodiment is the same as that of the semiconductor laser device 1 according to the first embodiment, and only the method for extracting the electrodes of the semiconductor laser element 10 is different. For this reason, the same parts as those of the semiconductor laser device 1 are denoted by the same reference numerals, and only different parts will be described below.
As shown in FIG. 7, in the semiconductor laser element 10, two electrodes 15 and 16 are formed from the edge of the recess 115 to the edge of the device.

図示していないが、電極１５、１６は、ＳｉＮ膜１０５の上に形成された、Ｔｉ層１１０ａおよびＡｕ層１１１ａ、ヒートシンク層１１３、Ｔｉ層１１０ｂおよびＡｕ層１１１ｂから構成されている。そして、電極１６については、凹部１１５の縁部において、半導体レーザ素子１０が接続された部分のヒートシンク層１１３などとは電気的な分離が図られている。 Although not shown, the electrodes 15 and 16 are composed of a Ti layer 110a and an Au layer 111a, a heat sink layer 113, a Ti layer 110b and an Au layer 111b formed on the SiN film 105. The electrode 16 is electrically separated from the heat sink layer 113 and the like of the portion to which the semiconductor laser element 10 is connected at the edge of the recess 115.

電極１６は、半導体レーザ素子１０の上面側電極とワイヤボンディング１７により接続されている。
一方、電極１５は、ヒートシンク層１１３の下部から凹部１１５の側壁面を伝って形成されている。この構造について、図８を用いて少し詳しく説明する。図８は、図７におけるＢ−Ｂ断面を示す断面図である。 The electrode 16 is connected to the upper surface side electrode of the semiconductor laser element 10 by wire bonding 17.
On the other hand, the electrode 15 is formed along the side wall surface of the recess 115 from the lower part of the heat sink layer 113. This structure will be described in some detail with reference to FIG. FIG. 8 is a cross-sectional view showing a BB cross section in FIG. 7.

図８に示すように、半導体レーザ装置２においては、第１被膜１１０とヒートシンク層１１３との間にＡｕ引出電極１１６が介挿されている。このＡｕ引出電極１１６は、ウェットエッチングにより形成されたものであって、凹部１１５の側壁面を伝って基板の縁部まで延びている。
このように電極１５、１６が形成された半導体レーザ装置２では、基板の縁部でボンディングして外部回路と接続を図ることができるので、半導体レーザ素子１０の部分から直接外部回路にボンディングする場合に比べて、過剰な応力が係るのを抑制することができる。 As shown in FIG. 8, in the semiconductor laser device 2, an Au extraction electrode 116 is interposed between the first coating 110 and the heat sink layer 113. The Au extraction electrode 116 is formed by wet etching, and extends to the edge of the substrate along the side wall surface of the recess 115.
In the semiconductor laser device 2 in which the electrodes 15 and 16 are formed in this way, bonding to the external circuit can be achieved by bonding at the edge of the substrate, so that the semiconductor laser device 10 can be directly bonded to the external circuit. As compared with the above, it is possible to suppress excessive stress.

従って、半導体レーザ装置２では、上記実施の形態１に係る半導体レーザ装置１が有する優位性に加えて、多少の力か装置外からかかった場合にも、半導体レーザ素子１０へのワイヤボンディングに配線切れを生じにくい。
（その他の事項）
上記実施の形態１、２では、本発明の特徴、効果について、光ピックアップ装置における半導体レーザ装置を一例に説明したが、本発明は、光ピックアップ装置に用いられる半導体レーザ装置に限定を受けるものではなく、半導体レーザ素子とミラー部との組み合わせを有する、半導体レーザ装置に対して適用することができる。 Therefore, in the semiconductor laser device 2, in addition to the superiority of the semiconductor laser device 1 according to the first embodiment, wiring is performed for wire bonding to the semiconductor laser element 10 even when some force is applied from outside the device. It is hard to produce a piece.
(Other matters)
In the first and second embodiments, the characteristics and effects of the present invention have been described by taking the semiconductor laser device in the optical pickup device as an example. However, the present invention is not limited to the semiconductor laser device used in the optical pickup device. The present invention can be applied to a semiconductor laser device having a combination of a semiconductor laser element and a mirror portion.

また、本発明は、上記Ｔｉ層１１０ｂによってヒートシンク層１１３とはんだ層１１４との間におけるＡｕおよびＳｎの拡散が抑制されるという部分以外、上記実施の形態１、２に限定を受けるものではない。例えば、上記実施の形態１、２では、拡散抑制層としてＴｉ層１１０ａ、１１０ｂを形成したが、その組成としては、ヒートシンク層１１３およびはんだ層１１４と構造的に合金相を形成することなく電気的にオーミック特性を有する材料であれば用いることができ、Ｔｉに限定されるものではない。例えば、Ｔｉ、Ｗ、Ｍｏからなる材料より選択される少なくとも１種を用いることができる。 In addition, the present invention is not limited to the first and second embodiments, except that the Ti layer 110b suppresses the diffusion of Au and Sn between the heat sink layer 113 and the solder layer 114. For example, in the first and second embodiments, the Ti layers 110a and 110b are formed as the diffusion suppressing layers. However, the composition thereof is electrically without structurally forming an alloy phase with the heat sink layer 113 and the solder layer 114. Any material having ohmic characteristics can be used, and the material is not limited to Ti. For example, at least one selected from materials consisting of Ti, W, and Mo can be used.

また、Ａｕ層の代わりとしては、Ｐｔ層を用いてもよい。
さらに、上記実施の形態のように２層構造に限定されるものでもない。例えば、３層以上の構造などにしてもよい。
なお、Ｔｉ層１１０ｂだけをヒートシンク層１１３とはんだ層１１４との間に介挿させることも可能ではあるが、この場合、膜厚の関係から表面の凹凸が大きくなり半導体レーザ素子１０の寸法精度を確保し難くなる。また、逆にＡｕ層１１１ｂだけを介挿させる場合も同様である。よって、ヒートシンク層１１３とはんだ層１１４との間には、２層以上を介挿させることが望ましい。 Further, as a substitute for the Au layer, a Pt layer may be used.
Further, it is not limited to the two-layer structure as in the above embodiment. For example, a structure having three or more layers may be used.
Although it is possible to insert only the Ti layer 110b between the heat sink layer 113 and the solder layer 114, in this case, the surface unevenness increases due to the film thickness, and the dimensional accuracy of the semiconductor laser device 10 is improved. It becomes difficult to secure. The same applies to the case where only the Au layer 111b is inserted. Therefore, it is desirable to insert two or more layers between the heat sink layer 113 and the solder layer 114.

さらに、上記実施の形態１、２では、受光素子部２０が合計６箇所形成されているものを例にとったが、受光素子部２０の形態などについてもこれに限定を受けるものではない。
（実施の形態３）
実施の形態３に係る光ピックアップ装置における半導体レーザ装置３について、図９および図１０を用いて説明する。 Further, in the first and second embodiments, the case where the light receiving element portion 20 is formed in a total of six places is taken as an example, but the form of the light receiving element portion 20 and the like are not limited thereto.
(Embodiment 3)
A semiconductor laser device 3 in the optical pickup device according to the third embodiment will be described with reference to FIGS.

本実施の形態に係る半導体レーザ装置３の基本構成は、上記実施の形態１に係る半導体レーザ装置１と同一であり、ミラー部５０の構造だけが異なっている。このため、上記半導体レーザ装置１と同様の部分については、同一の符号を付し、異なる部分のみを、以下で説明する。
実施の形態１では、ミラー部の反射膜構造は表面よりＡｕ層１１１ｂ／Ｔｉ層１１０ｂ／Ａｕ層１１１ａ／Ｔｉ層１１０ａであるのに対し、本実施例では、図９に示すように、Ａｕ層１１１ｂの表面にＡｌ層１１６と誘電体層１１７が形成されている。誘電体層には屈折率ｎ＝１．３〜１．５程度の値を有する材料が好ましく、ＳｉＯx（ｘ≦2）、もしくはＭｇＦ2などが挙げられるが、加工性、安定性の観点からＳｉＯxを用いることが好ましい。 The basic configuration of the semiconductor laser device 3 according to the present embodiment is the same as that of the semiconductor laser device 1 according to the first embodiment, and only the structure of the mirror unit 50 is different. For this reason, the same parts as those of the semiconductor laser device 1 are denoted by the same reference numerals, and only different parts will be described below.
In the first embodiment, the reflective film structure of the mirror part is Au layer 111b / Ti layer 110b / Au layer 111a / Ti layer 110a from the surface, whereas in this example, as shown in FIG. An Al layer 116 and a dielectric layer 117 are formed on the surface of 111b. The dielectric layer is preferably made of a material having a refractive index n of about 1.3 to 1.5, and examples thereof include SiOx (x ≦ 2) or MgF2. SiOx is used from the viewpoint of workability and stability. It is preferable to use it.

図１０（ａ）、（ｂ）は、図９の構造を実現するための工程を図示している。図５（ａ）の後、Ａｌ層１１６と誘電体層１１７とを積層する。その後、フォトリソ法を用いて、ミラー部５０の領域のみにＡｌ層と誘電体層を残し、周囲の膜は除去する。ミラー部の形成が完了した後、工程は図５（ｂ）へと進み、以後は同様である。
このようにして形成されたミラー部５０において、波長４１０ｎｍの光における反射率を測定したところ、Ａｕ層の２８％であったのに対し、本発明のＡｌ層＋誘電体層では９５％の値を示した。このように、ミラー部にＡｌ層＋誘電体層の構造を追加するだけで、青色光に対する高反射率な反射膜構造を得ることができ、高品質な青色半導体レーザ装置を提供することができる。
（その他の事項）
上記実施の形態１〜３では、本発明の特徴、効果について、光ピックアップ装置における半導体レーザ装置を一例に説明したが、本発明は、光ピックアップ装置に用いられる半導体レーザ装置に限定を受けるものではなく、半導体レーザ素子とミラー部との組み合わせを有する、半導体レーザ装置に対して適用することができる。 10A and 10B illustrate steps for realizing the structure of FIG. After FIG. 5A, an Al layer 116 and a dielectric layer 117 are stacked. Thereafter, by using the photolithography method, the Al layer and the dielectric layer are left only in the region of the mirror portion 50, and the surrounding film is removed. After the formation of the mirror portion is completed, the process proceeds to FIG. 5B, and so on.
In the mirror part 50 thus formed, the reflectance of light with a wavelength of 410 nm was measured and found to be 28% of the Au layer, whereas the Al layer + dielectric layer of the present invention was 95%. showed that. As described above, a reflective film structure having a high reflectivity for blue light can be obtained simply by adding an Al layer + dielectric layer structure to the mirror portion, and a high-quality blue semiconductor laser device can be provided. .
(Other matters)
In the first to third embodiments, the features and effects of the present invention have been described by taking the semiconductor laser device in the optical pickup device as an example. However, the present invention is not limited to the semiconductor laser device used in the optical pickup device. The present invention can be applied to a semiconductor laser device having a combination of a semiconductor laser element and a mirror portion.

また、Ａｕ層の代わりとしては、Ｐｔ層を用いてもよい。
また、Ａｌ層の代わりにＡｇ層を用いることも可能であるが、形成工程上の安定性の観点から、Ａｌ層の方が好ましい。
さらに、上記実施の形態のように２層構造に限定されるものでもない。例えば、３層以上の構造などにしてもよい。 Further, as a substitute for the Au layer, a Pt layer may be used.
An Ag layer can be used instead of the Al layer, but the Al layer is preferred from the viewpoint of stability in the formation process.
Further, it is not limited to the two-layer structure as in the above embodiment. For example, a structure having three or more layers may be used.

なお、Ｔｉ層１１０ｂだけをヒートシンク層１１３とはんだ層１１４との間に介挿させることも可能ではあるが、この場合、膜厚の関係から表面の凹凸が大きくなり半導体レーザ素子１０の寸法精度を確保し難くなる。また、逆にＡｕ層１１１ｂだけを介挿させる場合も同様である。よって、ヒートシンク層１１３とはんだ層１１４との間には、２層以上を介挿させることが望ましい。 Although it is possible to insert only the Ti layer 110b between the heat sink layer 113 and the solder layer 114, in this case, the surface unevenness increases due to the film thickness, and the dimensional accuracy of the semiconductor laser device 10 is improved. It becomes difficult to secure. The same applies to the case where only the Au layer 111b is inserted. Therefore, it is desirable to insert two or more layers between the heat sink layer 113 and the solder layer 114.

さらに、上記実施の形態１、２では、受光素子部２０が合計６箇所形成されているものを例にとったが、受光素子部２０の形態などについてもこれに限定を受けるものではない。 Further, in the first and second embodiments, the case where the light receiving element portion 20 is formed in a total of six places is taken as an example, but the form of the light receiving element portion 20 and the like are not limited thereto.

本発明は、光ピックアップ装置に用いられる半導体レーザ装置にのみならず、半導体レーザ素子とミラー部との組み合わせを有する半導体レーザ装置を製造するのに対して有用である。 The present invention is useful not only for manufacturing a semiconductor laser device used in an optical pickup device but also for manufacturing a semiconductor laser device having a combination of a semiconductor laser element and a mirror portion.

本発明の実施の形態１に係る光ピックアップ装置における半導体レーザ装置１を示す斜視図である。1 is a perspective view showing a semiconductor laser device 1 in an optical pickup device according to Embodiment 1 of the present invention. 図１におけるＡ−Ａ断面を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the AA cross section in FIG. 図１における半導体レーザ装置１のプロセス図である。FIG. 2 is a process diagram of the semiconductor laser device 1 in FIG. 1. 図１における半導体レーザ装置１のプロセス図である。FIG. 2 is a process diagram of the semiconductor laser device 1 in FIG. 1. 図１における半導体レーザ装置１のプロセス図である。FIG. 2 is a process diagram of the semiconductor laser device 1 in FIG. 1. 図１における半導体レーザ装置１のプロセス図である。FIG. 2 is a process diagram of the semiconductor laser device 1 in FIG. 1. 本発明の実施の形態２に係る光ピックアップ装置における半導体レーザ装置２の部分斜視図である。It is a fragmentary perspective view of the semiconductor laser apparatus 2 in the optical pick-up apparatus which concerns on Embodiment 2 of this invention. 図７における半導体レーザ装置２のＢ−Ｂ断面を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the BB cross section of the semiconductor laser apparatus 2 in FIG. 本発明の実施の形態３に係る光ピックアップ装置における半導体レーザ装置３の部分斜視図である。It is a fragmentary perspective view of the semiconductor laser apparatus 3 in the optical pick-up apparatus which concerns on Embodiment 3 of this invention. 図９における半導体レーザ装置３のプロセス図である。FIG. 10 is a process diagram of the semiconductor laser device 3 in FIG. 9.

Explanation of symbols

１、２．半導体レーザ装置
１０．半導体レーザ素子
２０．受光素子部
３０．ボンディングパッド部
４０．遮光部
５０．ミラー部
１００．ｐ型層
１０１．ｎ型エピタキシャル層
１０２．シリコン熱酸化膜
１０３、１０５．ＳｉＮ膜
１０４．ＢＰＳＧ膜
１０６、１０７．ｎ型拡散層
１０８．ｐ型拡散層
１１０ａ、１１０ｂ．Ｔｉ層
１１１ａ、１１１ｂ．Ａｕ層
１１３．ヒートシンク層
１１４．はんだ層
１１５．凹部
１１６．Ａｌ層
１１７．誘電体層 1,2. Semiconductor laser device 10. Semiconductor laser device 20. Light receiving element section 30. Bonding pad part 40. Light shielding part 50. Mirror unit 100. p-type layer 101. n-type epitaxial layer 102. Silicon thermal oxide films 103 and 105. SiN film 104. BPSG films 106 and 107. n-type diffusion layer 108. p-type diffusion layers 110a, 110b. Ti layers 111a, 111b. Au layer 113. Heat sink layer 114. Solder layer 115. Recess 116. Al layer 117. Dielectric layer

Claims

Forming a recess in the semiconductor substrate;
Forming an optical reflecting surface for reflecting the laser light emitted from the semiconductor laser element on the side wall of the recess;
Placing a heat sink layer on the bottom surface of the recess for determining the position of the semiconductor laser element in a direction substantially perpendicular to the bottom surface of the recess;
Forming a conductive diffusion suppression layer on the heat sink layer;
Forming a first metal thin film made of Au or Pt on the diffusion suppressing layer and the optical reflection surface;
And a step of bonding the semiconductor laser element to the first metal thin film via a bonding layer. A method of manufacturing a semiconductor laser device, comprising:

Before the step of forming the diffusion suppression layer,
The method of manufacturing a semiconductor laser device according to claim 1, further comprising: forming a signal processing circuit unit that processes an electrical signal generated by the light receiving element unit in a region other than the recess.

The method for manufacturing a semiconductor laser device according to claim 2, wherein in the step of forming the first metal thin film, the signal processing circuit unit is covered with the first metal thin film.

The method of manufacturing a semiconductor laser device according to claim 3, wherein the first metal thin film in the region where the signal processing circuit unit is formed is connected to an external terminal.

5. The diffusion suppression layer is made of an element having an electrically ohmic characteristic without structurally forming an alloy phase with the heat sink layer and the bonding layer. 6. Manufacturing method of the semiconductor laser device.

The bonding layer is made of solder,
The heat sink layer is made of Au,
The method of manufacturing a semiconductor laser device according to claim 1, wherein the diffusion suppression layer is made of Ti or TiW and is thinner than the heat sink layer.

Before the step of placing the heat sink layer,
The method of manufacturing a semiconductor laser device according to claim 1, further comprising: forming a SiN layer on a bottom surface of the concave portion and on the optical reflection surface.

After the step of forming the SiN layer and before the step of placing the heat sink layer,
The method of manufacturing a semiconductor laser device according to claim 7, further comprising: sequentially depositing a layer made of Ti or TiW and a second metal thin film made of Au or Pt on the SiN layer. .

The method of manufacturing a semiconductor laser device according to claim 8, wherein the first metal thin film and the second metal thin film are thinner than the heat sink layer.

The method for manufacturing a semiconductor laser device according to claim 1, wherein the first metal thin film on the optical reflecting surface is grounded.

For a region other than the concave portion, a step of forming a bonding pad portion for input / output of signals with other devices,
The method of manufacturing a semiconductor laser device according to claim 1, wherein in the step of forming the first metal thin film, the bonding pad portion is covered with the first metal thin film.

The method of manufacturing a semiconductor laser device according to claim 11, wherein the first metal thin film in a region where the bonding pad portion is formed is connected to an external terminal.