JP2006147192A - Display device - Google Patents

Display device Download PDF

Info

Publication number
JP2006147192A
JP2006147192A JP2004332210A JP2004332210A JP2006147192A JP 2006147192 A JP2006147192 A JP 2006147192A JP 2004332210 A JP2004332210 A JP 2004332210A JP 2004332210 A JP2004332210 A JP 2004332210A JP 2006147192 A JP2006147192 A JP 2006147192A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
sealing
groove
sealing substrate
element substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2004332210A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Mitsuki Hishida
光起 菱田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sanyo Electric Co Ltd filed Critical Sanyo Electric Co Ltd
Priority to JP2004332210A priority Critical patent/JP2006147192A/en
Publication of JP2006147192A publication Critical patent/JP2006147192A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To restrain an adverse effect of moisture on an organic EL element, and alleviate damage on a circuit in an application region of an element substrate. <P>SOLUTION: A contact surface area of a sealing material 7 can be enlarged by providing a groove 17 at a laminated part of a sealing substrate 13. As a result, a sealing effect is improved, and infiltration of moisture from outside can be restrained. Further, since the groove 17 is formed at a position corresponding to a drive circuit 1, a spacer 11 in the sealing material 7 can prevent the drive circuit 1 from direct pressure, so that damage on the drive circuit 1 can be restrained. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、表示装置の素子基板と封止基板をシール材により封止する封止構造に関するものである。   The present invention relates to a sealing structure for sealing an element substrate and a sealing substrate of a display device with a sealing material.

近年、CRTに代わる表示装置としてLCDやエレクトロルミネッセンス(Electro Luminescence:以下、「EL」と称する。)素子を用いたEL表示装置が注目されている。   In recent years, an EL display device using an LCD or an electroluminescence (hereinafter referred to as “EL”) element has attracted attention as a display device that replaces the CRT.

例えば、有機EL表示パネルは、素子基板上に有機EL素子と、この有機EL素子を駆動するための薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor:以下、「TFT」と称する。)を備えた画素が複数個マトリクス状に配置され、それらの複数の画素によって表示領域を形成している。有機EL素子は水分に弱いという特性を有するため、乾燥剤が塗布された金属キャップや封止基板で前記素子基板に蓋をして水分の浸入を防止する封止構造が提案されている。   For example, in an organic EL display panel, a plurality of pixels each including an organic EL element on an element substrate and a thin film transistor (hereinafter referred to as “TFT”) for driving the organic EL element are arranged in a matrix. The display region is formed by the plurality of pixels. Since the organic EL element has a characteristic that it is vulnerable to moisture, a sealing structure has been proposed in which moisture is prevented from entering by covering the element substrate with a metal cap or a sealing substrate coated with a desiccant.

封止基板を用いる封止構造の場合は、有機EL素子が形成された素子基板と封止基板とを、それら両基板の周辺部にスペーサーを含むシール材を塗布し、フラットなプレートで両基板に荷重を加え、貼り合わせていた。
特開平12-127420
In the case of a sealing structure using a sealing substrate, an element substrate on which an organic EL element is formed and the sealing substrate are coated with a sealing material including a spacer on the periphery of both substrates, and both substrates are formed by flat plates. A load was applied to and bonded together.
JP-A-12-127420

ここで、有機EL素子の有機層やLCDの液晶材料は前記素子基板周辺部と封止基板周辺部を封止しているシール材と両基板の界面から浸入する水分により劣化するという欠点を有していた。そのため、この界面の密封性を向上させたいという課題がある。   Here, the organic layer of the organic EL element and the liquid crystal material of the LCD have a drawback that the sealing material sealing the peripheral portion of the element substrate and the peripheral portion of the sealing substrate is deteriorated by moisture entering from the interface between the two substrates. Was. Therefore, there is a problem that it is desired to improve the sealing performance of the interface.

また有機ELパネルやLCDパネルは、素子基板側の、素子基板と封止基板の周辺部分の貼り合せ領域に表示素子を駆動するための所定の大きさの駆動回路を有しており、貼り合せの圧力をかける際にシール材内にあるスペーサーにより、その駆動回路が破損するという問題があった。   In addition, organic EL panels and LCD panels have a drive circuit of a predetermined size for driving the display element in the bonding area of the peripheral portion of the element substrate and the sealing substrate on the element substrate side. When applying this pressure, there is a problem that the drive circuit is damaged by the spacer in the sealing material.

そこで本発明は、表示素子が複数設けられた素子基板と、前記素子基板に対向し所定間隔をおいて配置される封止基板と、前記素子基板の周辺部分と前記封止基板の周辺部分とを接合し、その接合によって形成される内部空間を密封するシール材と、を含み、前記素子基板の周辺部と接合する前記封止基板の周辺部の貼り合せ領域に、所定の深さと所定の幅を持つ溝を設けた。   Therefore, the present invention provides an element substrate provided with a plurality of display elements, a sealing substrate disposed opposite to the element substrate at a predetermined interval, a peripheral portion of the element substrate, and a peripheral portion of the sealing substrate. And a sealing material that seals the internal space formed by the bonding, and in a bonding region of the peripheral portion of the sealing substrate that is bonded to the peripheral portion of the element substrate, a predetermined depth and a predetermined amount A groove with a width was provided.

また本発明は、前記溝は、前記素子基板の周辺部と接合する前記封止基板の周辺部のすべての辺の貼り合せ領域に形成されている。このように溝を設けることにより、封止基板とシール材の接する表面積を大きくすることができる。この結果シール効果が向上することができる。   In the present invention, the groove is formed in a bonding region of all sides of the peripheral portion of the sealing substrate that is joined to the peripheral portion of the element substrate. By providing the groove in this manner, the surface area where the sealing substrate and the sealing material are in contact with each other can be increased. As a result, the sealing effect can be improved.

さらにまた本発明は、前記表示素子を駆動する回路が、前記素子基板側の、前記素子基板と前記封止基板の貼り合せ領域の前記溝に対応して形成されている。前記溝を設けることで、シール材内のスペーサーが回路に直接圧力がかかるのを回避することができ、回路
のダメージが抑制できる。
Furthermore, according to the present invention, a circuit for driving the display element is formed corresponding to the groove in the bonding region of the element substrate and the sealing substrate on the element substrate side. By providing the groove, it is possible to prevent the spacer in the sealing material from directly applying pressure to the circuit, and to suppress damage to the circuit.

本発明は、素子基板と封止基板との貼り合せ領域において、封止基板に溝を設けることにより、封止基板とシール材の接する面積を大きくすることができる。この結果シール効果が向上し、外部からの水分の浸入を抑制することができる。また、その溝によりシール材内のスペーサーが駆動回路に直接圧力がかかるのを回避することができ、その駆動回路へのダメージが抑制できる。   In the present invention, in the bonding region between the element substrate and the sealing substrate, by providing a groove in the sealing substrate, an area where the sealing substrate and the sealing material are in contact with each other can be increased. As a result, the sealing effect is improved and the intrusion of moisture from the outside can be suppressed. Further, it is possible to prevent the spacer in the sealing material from directly applying pressure to the drive circuit by the groove, and damage to the drive circuit can be suppressed.

以下に本発明の表示装置の実施形態を、有機ELパネルの場合について図面に基づいて説明する。
<実施例>
図1に、本発明に係る表示装置のうち、有機ELパネルの全体の構成を示す。
本発明の有機ELパネルは、有機EL素子を備えた素子基板3と、その素子基板3に対向して設けられた封止基板13とを備えており、これら両基板3・13の周辺部をシール材7で貼り合わされている。また、貼り合わされた素子基板3と封止基板13の側面には保護樹脂11で覆っている。そうすることにより、さらに水分の浸入を抑制することができる。
Hereinafter, embodiments of a display device of the present invention will be described based on the drawings in the case of an organic EL panel.
<Example>
FIG. 1 shows the overall configuration of an organic EL panel in a display device according to the present invention.
The organic EL panel of the present invention includes an element substrate 3 provided with an organic EL element, and a sealing substrate 13 provided so as to face the element substrate 3, and the peripheral portions of both the substrates 3 and 13 are provided. Bonded with sealant 7. Further, the side surfaces of the bonded element substrate 3 and sealing substrate 13 are covered with a protective resin 11. By doing so, it is possible to further suppress the intrusion of moisture.

まず、図2に素子基板の表示素子形成面から見た平面図(図1において、封止基板13側から表示領域を含む素子基板3を見た平面図)を示し、その素子基板3について説明する。   First, FIG. 2 shows a plan view of the element substrate as viewed from the display element formation surface (in FIG. 1, a plan view of the element substrate 3 including the display region from the sealing substrate 13 side). The element substrate 3 will be described. To do.

素子基板3の基板表面には複数の画素19がマトリクス状に配置された表示領域5と、その表示領域5の周辺部に表示領域5に形成されている薄膜トランジスタ及び有機EL素子を駆動する周辺駆動回路(水平ドライバ、垂直ドライバ)1とを備えている。   A display area 5 in which a plurality of pixels 19 are arranged in a matrix on the surface of the element substrate 3, and a peripheral drive that drives a thin film transistor and an organic EL element formed in the display area 5 in the periphery of the display area 5 A circuit (horizontal driver, vertical driver) 1 is provided.

また、図2の噴出し部に1つの画素19の構成を示す。画素19は、有機EL素子(EL)、その有機EL素子(EL)を駆動するスイッチングTFT(TR1)と駆動TFT(TR2)を備えている。スイッチングTFT(TR1)は垂直ドライバからの走査信号Gmによりオンし、信号線信号に流れる映像信号が保持容量(SC)に充電され、その電圧に応じて駆動TFT(TR2)を解して電源線PVddの電流がEL素子(EL)に流れて、EL素子(EL)が発光する。   Further, the configuration of one pixel 19 is shown in the ejection portion of FIG. The pixel 19 includes an organic EL element (EL), a switching TFT (TR1) that drives the organic EL element (EL), and a driving TFT (TR2). The switching TFT (TR1) is turned on by the scanning signal Gm from the vertical driver, and the video signal flowing in the signal line signal is charged to the holding capacitor (SC). PVdd current flows to the EL element (EL), and the EL element (EL) emits light.

次に有機EL素子について説明する。有機EL素子は、ITO(Indium Tin Oxide)等の透明電極から成る陽極、MTDATA(4,4,4-tris(3-methylphenylphenylamino) triphenylanine)から成る第1ホール輸送層、TPD(4,4-bis(3-methylphenylphenylamino)biphenyl)からなる第2ホール輸送層から成るホール輸送層、キナクリドン(Quinacridone)誘導体を含むBebq2(10-ベンゾ〔h〕キノリノール−ベリリウム錯体)から成る発光層、及びBebq2から成る電子輸送層、マグネシウム・インジウム合金もしくはアルミニウム、もしくはアルミニウム合金から成る陰極が、この順番で積層形成された構造である。   Next, the organic EL element will be described. The organic EL element includes an anode made of a transparent electrode such as ITO (Indium Tin Oxide), a first hole transport layer made of MTDATA (4,4,4-tris (3-methylphenylphenylamino) triphenylanine), TPD (4,4-bis). A hole transport layer comprising a second hole transport layer comprising (3-methylphenylphenylamino) biphenyl), a light emitting layer comprising Bebq2 (10-benzo [h] quinolinol-beryllium complex) containing a quinacridone derivative, and an electron comprising Bebq2. This is a structure in which a transport layer, a cathode made of magnesium / indium alloy or aluminum, or an aluminum alloy are laminated in this order.

有機EL素子は、陽極から注入された正孔と、陰極から注入された電子とが発光層の内部で再結合し、発光層を形成する有機分子を励起して励起子が生じる。この励起子が放射失活する過程で発光層から光が放たれ、この光が透明な陽極から透明絶縁基板を介して外部へ放出されて発光する。   In the organic EL element, holes injected from the anode and electrons injected from the cathode are recombined inside the light emitting layer, and excitons are generated by exciting organic molecules forming the light emitting layer. Light is emitted from the light emitting layer in the process of radiation deactivation of the excitons, and this light is emitted from the transparent anode through the transparent insulating substrate to emit light.

有機EL素子の上には、有機EL素子を水分などから保護するために、保護膜が形成される。保護膜は、無機材料からなる無機層であってもよいし、有機材料からなる有機層と無機層とを積層した複合層であってもよい。   A protective film is formed on the organic EL element in order to protect the organic EL element from moisture and the like. The protective film may be an inorganic layer made of an inorganic material, or a composite layer in which an organic layer made of an organic material and an inorganic layer are laminated.

次に、封止基板13について説明する。この封止基板13は素子基板5に対向して設けられており、素子基板3の表示領域5に対応して形成された凹部29を備え、その周辺には基板の各辺に沿って環状の溝17が形成されている。その凹部29には、その内面に乾燥剤15を塗布している。   Next, the sealing substrate 13 will be described. The sealing substrate 13 is provided so as to face the element substrate 5, and includes a recess 29 formed corresponding to the display region 5 of the element substrate 3, and has a ring shape around each side of the substrate. A groove 17 is formed. The recess 29 is coated with the desiccant 15 on the inner surface.

図3に基づき、封止基板13の凹部29と溝17の形成方法を示す。
(a)金属膜23(例えばクロム)で覆われた封止基板(例えばガラスや石英)13(厚さは0.7mm程度)にレジストマスク21を封止基板の周辺部のみが覆われるように配置する(b)金属膜23をエッチングし、その後レジストマスク21を除去する。(c)フッ酸等のエッチング液によりガラスをエッチングし凹部29を形成する。後の工程で溝部を形成する際にも凹部29はエッチングされるので、このときは溝部をエッチングすることを考慮した深さにエッチングする。また、凹部29の面積は素子基板3の表示領域5と同様かそれ以上である。(d)封止基板13の周辺部の凸部(幅は3mm程度で、後の貼り合わせ領域)を覆い、その凸部のほぼ中央部を駆動回路1と同程度の幅(1.5mm程度)の部分だけエッチングするための溝形成用のレジストマスクを配置する(e)金属膜23をエッチングし、その後レジストマスク21を除去する(f)そのエッチングした金属膜をマスクとしてフッ酸によりガラスをエッチングし凹部29(2回のエッチングで深さ0.3mm程度)・溝部(深さ40μm)を形成する。(g)金属膜23を除去する。
Based on FIG. 3, the formation method of the recessed part 29 and the groove | channel 17 of the sealing substrate 13 is shown.
(A) A resist substrate 21 is covered with a sealing substrate (eg, glass or quartz) 13 (thickness is about 0.7 mm) covered with a metal film 23 (eg, chromium) so that only the peripheral portion of the sealing substrate is covered. (B) The metal film 23 to be disposed is etched, and then the resist mask 21 is removed. (C) The glass 29 is etched with an etchant such as hydrofluoric acid to form the recesses 29. Since the concave portion 29 is also etched when forming the groove portion in a later step, the etching is performed at a depth in consideration of etching the groove portion. The area of the recess 29 is the same as or larger than that of the display area 5 of the element substrate 3. (D) Covers the convex portion (width is about 3 mm, the later bonding region) of the peripheral portion of the sealing substrate 13, and the substantially central portion of the convex portion has the same width as the drive circuit 1 (about 1.5 mm). (E) The metal film 23 is etched and then the resist mask 21 is removed. (F) The glass is etched with hydrofluoric acid using the etched metal film as a mask. Etching is performed to form a recess 29 (depth of about 0.3 mm by two etchings) and a groove (depth of 40 μm). (G) The metal film 23 is removed.

以上のようなプロセスで行うことで、封止基板3の凹部29と溝17を形成することができる。   By performing the above process, the concave portion 29 and the groove 17 of the sealing substrate 3 can be formed.

次に、図4に、封止基板の一辺を取り除くように切断した封止基板の斜視図を示す。封止基板13の周辺部の溝17は各辺に形成されている。この溝17によりシール材の封止基板との界面の面積が増加しシール効果が増加し外部からの水分の浸入が抑制される。また、シール効果が十分に得られる場合には、図5のようにすべての辺を囲むように溝17を設けなくても、素子基板の駆動回路(水平ドライバ・垂直ドライバ)1を封止基板の4辺を形成した場合は、それに対応する位置にのみ溝17を設けてもよい。つまり、図6のようにすべての辺を囲む溝17の少なくとも一部が離れていてもよい。なお、駆動回路1が図2のように2辺にのみ形成されている場合は、それに対応して、溝17は図6において2辺のみに形成しても良いし、水分の浸入を抑制するため回路が形成されていない辺にも溝を形成しても良い。   Next, FIG. 4 shows a perspective view of the sealing substrate cut so as to remove one side of the sealing substrate. Grooves 17 at the periphery of the sealing substrate 13 are formed on each side. The groove 17 increases the area of the interface between the sealing material and the sealing substrate, increases the sealing effect, and suppresses intrusion of moisture from the outside. If a sufficient sealing effect is obtained, the element substrate drive circuit (horizontal driver / vertical driver) 1 can be used as a sealing substrate without providing the grooves 17 so as to surround all sides as shown in FIG. When the four sides are formed, the grooves 17 may be provided only at positions corresponding to the four sides. That is, as shown in FIG. 6, at least a part of the groove 17 surrounding all sides may be separated. If the drive circuit 1 is formed on only two sides as shown in FIG. 2, the groove 17 may be formed on only two sides in FIG. 6 to suppress the ingress of moisture. Therefore, a groove may be formed on a side where no circuit is formed.

また、この溝17はシール効果を高めるため1つの辺に溝17が複数本あってもよい。次に、図7を用いて素子基板3と封止基板13とを貼り合わせる工程を説明する。N2ガスなどの不活性ガス雰囲気中において、封止基板13は石英プレート25上に載置され、周辺の貼り合わせ領域にシール材を塗布し、一方、素子基板3は、石英プレート25の上方に対向配置された金属製吸着プレート27に真空吸着して載置される。そして、素子基板3の主表面に形成されたEL素子と、封止基板13の主表面に形成された乾燥剤15が向き合うように配置される。次に、移動機構により吸着プレートを下降させ封止基板13と素子基板3を密着させる。その後、石英プレート25の裏面からUV照射装置によって、石英プレート25及び封止基板13を通して、シール材7にUV照射が行われ、シール材7が硬化することで、素子基板3と封止基板13が接着される。 Further, the groove 17 may have a plurality of grooves 17 on one side in order to enhance the sealing effect. Next, a process of bonding the element substrate 3 and the sealing substrate 13 will be described with reference to FIG. In an inert gas atmosphere such as N 2 gas, the sealing substrate 13 is placed on the quartz plate 25 and a sealing material is applied to the peripheral bonding region, while the element substrate 3 is located above the quartz plate 25. Are placed on a metal suction plate 27 opposite to each other by vacuum suction. Then, the EL element formed on the main surface of the element substrate 3 and the desiccant 15 formed on the main surface of the sealing substrate 13 are arranged to face each other. Next, the suction plate is lowered by the moving mechanism to bring the sealing substrate 13 and the element substrate 3 into close contact. Thereafter, UV irradiation is performed on the sealing material 7 from the back surface of the quartz plate 25 through the quartz plate 25 and the sealing substrate 13 by the UV irradiation device, and the sealing material 7 is cured, whereby the element substrate 3 and the sealing substrate 13 are cured. Is glued.

次に、図8に素子基板3、封止基板13、シール材7の配置図を示す。   Next, FIG. 8 shows a layout of the element substrate 3, the sealing substrate 13, and the sealing material 7. As shown in FIG.

封止基板13の溝部17について説明する。封止基板13の溝17の深さは、スペーサー11の球(材料はアルミニウムなどであり直径は10μm程度)の直径と回路の厚さ(30μm程度)をあわせたもの以上の深さであればよく、例えば40μm程度である。   The groove portion 17 of the sealing substrate 13 will be described. The depth of the groove 17 of the sealing substrate 13 is not less than the sum of the diameter of the sphere of the spacer 11 (the material is aluminum or the like and the diameter is about 10 μm) and the thickness of the circuit (about 30 μm). For example, it is about 40 μm.

また封止基板13の溝17は、図8に示すように、駆動回路1上方に形成されるため駆動回路1の幅(1.5mm程度)かそれ以上に溝の幅を持たしている。このような構成をとることにより、素子基板3と封止基板13を密着させる際に、スペーサー9が溝部17に入りスペーサー9による駆動回路1へのダメージを抑制することができる。   Further, as shown in FIG. 8, the groove 17 of the sealing substrate 13 is formed above the drive circuit 1, and thus has a groove width that is greater than or equal to the width of the drive circuit 1 (about 1.5 mm). By adopting such a configuration, when the element substrate 3 and the sealing substrate 13 are brought into close contact with each other, the spacer 9 enters the groove portion 17 and damage to the drive circuit 1 due to the spacer 9 can be suppressed.

なお、溝17の形状は水分の侵入を抑制し、駆動回路1のダメージを抑制できるものであれば、断面形状がV字形状でなくても、図9に示すU字形状や図10に示すコの字形状でもかまわない。このような形を形成することで、スペーサー9が溝部17にさらに入りやすくなり、スペーサー9によるダメージを抑制できる。また、図9や図10に示している溝17は、駆動回路1をすべて覆うように対向して配置されているが、スペーサー9を溝部17に入れることができるなら、溝17は駆動回路1をすべて覆わず一部だけ対向するように形成されていてもよい。   As long as the shape of the groove 17 can suppress moisture intrusion and suppress damage to the drive circuit 1, even if the cross-sectional shape is not V-shaped, the U-shape shown in FIG. A U shape is also acceptable. By forming such a shape, the spacer 9 can easily enter the groove portion 17 and damage due to the spacer 9 can be suppressed. The grooves 17 shown in FIGS. 9 and 10 are arranged to face each other so as to cover the entire drive circuit 1. However, if the spacer 9 can be inserted into the groove portion 17, the grooves 17 are formed in the drive circuit 1. It may be formed so as to face only a part without covering all.

素子基板3と封止基板13を密着後さらに、図1に示すように素子基板3、封止基板13およびシール材7の側面を保護樹脂11で覆っている。この保護樹脂11は、例えばエポキシ樹脂で形成され、シール材7によるシールをより完全なものにしている。なお、この保護樹脂11は、側面だけでなく、全面を覆ってもよい。   After the element substrate 3 and the sealing substrate 13 are in close contact with each other, the side surfaces of the element substrate 3, the sealing substrate 13 and the sealing material 7 are covered with a protective resin 11 as shown in FIG. This protective resin 11 is formed of, for example, an epoxy resin, and makes the sealing with the sealing material 7 more complete. The protective resin 11 may cover not only the side surface but the entire surface.

以上のような構成にすることで、溝部形成によるシール効果をさらに向上させ、外部からの水分による有機EL素子のダメージを抑制することができる。   With the above configuration, the sealing effect due to the groove formation can be further improved, and damage to the organic EL element due to moisture from the outside can be suppressed.

上述の実施形態においては、駆動回路(水平ドライバ・垂直ドライバ)は、水平ドライバ・垂直ドライバの両方が溝に対応して配置されているものを説明したが、溝に対応するのは水平ドライバ・垂直ドライバのどちらか一方だけであってもよい。   In the above-described embodiment, the drive circuit (horizontal driver / vertical driver) has been described in which both the horizontal driver and the vertical driver are arranged corresponding to the grooves. Only one of the vertical drivers may be used.

また、上述の実施形態においては、有機EL素子を備えた有機ELパネルについて説明したが、本願はそれに限定されるものではなく、LCD、VFDなどの表示装置に採用が可能であり、有機ELパネルの場合と同等の効果が得られる。   In the above-described embodiment, the organic EL panel including the organic EL element has been described. However, the present application is not limited thereto, and the organic EL panel can be used for a display device such as an LCD or a VFD. The same effect as in the case of.

本発明に係る有機ELパネルの断面構造図である。1 is a cross-sectional structure diagram of an organic EL panel according to the present invention. 素子基板表面の構成図である。It is a block diagram of the element substrate surface. 本発明に係る封止基板の凹部及び溝部の形成方法を表す図である。It is a figure showing the formation method of the recessed part and groove part of the sealing substrate which concern on this invention. 本発明に係る切断した封止基板の斜視図である。It is a perspective view of the cut | disconnected sealing substrate which concerns on this invention. 本発明に係る溝を形成した封止基板の上面図である。It is a top view of the sealing substrate in which the groove | channel concerning this invention was formed. 本発明に係る溝を形成した封止基板の上面図である。It is a top view of the sealing substrate in which the groove | channel concerning this invention was formed. 有機ELパネルの貼り合わせ工程の図である。It is a figure of the bonding process of an organic electroluminescent panel. 本発明に係る溝部がV字である封止基板の断面図である。It is sectional drawing of the sealing substrate whose groove part which concerns on this invention is V shape. 本発明に係る溝部がU字である封止基板の断面図である。It is sectional drawing of the sealing substrate whose groove part which concerns on this invention is U shape. 本発明に係る溝部がコの字である封止基板の断面図である。It is sectional drawing of the sealing substrate whose groove part which concerns on this invention is U-shaped.

符号の説明Explanation of symbols

1 駆動回路(水平ドライバ・垂直ドライバ)、3 素子基板、5 表示領域、
7 シール材、9 スペーサー、11 保護樹脂、13 封止基板 、
15 乾燥剤、17 溝、19 画素、21 レジストマスク、23 金属マスク、
25 石英プレート、27 金属製吸着プレート、29 凹部
1 drive circuit (horizontal driver / vertical driver), 3 element substrate, 5 display area,
7 sealing material, 9 spacer, 11 protective resin, 13 sealing substrate,
15 desiccant, 17 grooves, 19 pixels, 21 resist mask, 23 metal mask,
25 quartz plate, 27 metal suction plate, 29 recess

Claims (3)

表示素子が複数設けられた素子基板と、
前記素子基板に対向し所定間隔をおいて配置される封止基板と、前記素子基板の周辺部分と前記封止基板の周辺部分とを接合し、その接合によって形成される内部空間を密封するシール材と、
を含み、
前記素子基板の周辺部と接合する前記封止基板の周辺部の貼り合せ領域に、所定の深さと所定の幅を持つ溝を設けることを特徴とする表示装置。
An element substrate provided with a plurality of display elements;
A sealing substrate that faces the element substrate and is disposed at a predetermined interval, a seal that joins a peripheral portion of the element substrate and a peripheral portion of the sealing substrate, and seals an internal space formed by the joining Material,
Including
A display device, wherein a groove having a predetermined depth and a predetermined width is provided in a bonding region of the peripheral portion of the sealing substrate to be bonded to the peripheral portion of the element substrate.
前記溝は、前記素子基板の周辺部と接合する前記封止基板の周辺部のすべての辺の貼り合せ領域に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。 The display device according to claim 1, wherein the groove is formed in a bonding region of all sides of the peripheral portion of the sealing substrate that is bonded to the peripheral portion of the element substrate. 前記表示素子を駆動する回路が、前記素子基板上であって、前記素子基板と前記封止基板の貼り合せ領域の前記溝に対応して形成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の表示装置。
3. The circuit for driving the display element is formed on the element substrate so as to correspond to the groove in a bonding region of the element substrate and the sealing substrate. The display device described in 1.
JP2004332210A 2004-11-16 2004-11-16 Display device Pending JP2006147192A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004332210A JP2006147192A (en) 2004-11-16 2004-11-16 Display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004332210A JP2006147192A (en) 2004-11-16 2004-11-16 Display device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2006147192A true JP2006147192A (en) 2006-06-08

Family

ID=36626643

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004332210A Pending JP2006147192A (en) 2004-11-16 2004-11-16 Display device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2006147192A (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010257830A (en) * 2009-04-27 2010-11-11 Dainippon Printing Co Ltd Organic el element, cap base material for the same, and method of manufacturing the same
JP2011203492A (en) * 2010-03-25 2011-10-13 Casio Computer Co Ltd Transistor device, electronic device including the same, and method for producing the transistor device
KR101107180B1 (en) * 2009-11-10 2012-01-25 삼성모바일디스플레이주식회사 Organic light emitting diode display and method for manufacturing the same

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010257830A (en) * 2009-04-27 2010-11-11 Dainippon Printing Co Ltd Organic el element, cap base material for the same, and method of manufacturing the same
KR101107180B1 (en) * 2009-11-10 2012-01-25 삼성모바일디스플레이주식회사 Organic light emitting diode display and method for manufacturing the same
US8471466B2 (en) 2009-11-10 2013-06-25 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display device and method for manufacturing the same
JP2011203492A (en) * 2010-03-25 2011-10-13 Casio Computer Co Ltd Transistor device, electronic device including the same, and method for producing the transistor device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7888862B2 (en) Organic electroluminescent display device
JP6232277B2 (en) ORGANIC EL ELEMENT STRUCTURE, ITS MANUFACTURING METHOD, AND LIGHT EMITTING PANEL
US20070285007A1 (en) Organic electroluminescent display device and method of fabricating the same
JP4448148B2 (en) Organic light emitting device
JP2007335365A (en) Organic el display device
US9231230B2 (en) Organic light emitting diode display and method of manufacturing the same
KR20030084234A (en) Dual Panel Type Organic Electroluminescent Device and Method for Fabricating the same
JP2009123645A (en) Organic el display device and its manufacturing method
JP2006338946A (en) Display panel
WO2016132954A1 (en) Electroluminescence device
JP2006202722A (en) Manufacturing method of organic electroluminescent display device
KR20100010215A (en) Organic electro-luminescence display device and manufacturing method thereof
JP2006253097A (en) Spontaneous light-emitting panel and its manufacturing method
KR101362168B1 (en) Organic Electro Luminescence Display and Method for manufacturing the same
KR20030094003A (en) Organic electro luminescence panel
KR101671515B1 (en) Organic light emitting diodde desplay device and fabricating method thereof
KR100500061B1 (en) Manufacturing method of electroluminescence display device
KR20110035444A (en) Method of fabricating for dual panel type organic electro-luminescent device
US9954045B2 (en) Electroluminescence device and method for producing same
KR100796128B1 (en) Method for manufacturing organic light emitting display device
JP4969963B2 (en) Organic EL display device
JP2006147192A (en) Display device
JP4754387B2 (en) EL device
JP3992450B2 (en) Electroluminescence display device and manufacturing method thereof
JP4675747B2 (en) Organic EL display device