JP2006147192A - Display device - Google Patents
Display device Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006147192A JP2006147192A JP2004332210A JP2004332210A JP2006147192A JP 2006147192 A JP2006147192 A JP 2006147192A JP 2004332210 A JP2004332210 A JP 2004332210A JP 2004332210 A JP2004332210 A JP 2004332210A JP 2006147192 A JP2006147192 A JP 2006147192A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- sealing
- groove
- sealing substrate
- element substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 109
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 71
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 abstract description 19
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 abstract description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 9
- 230000002411 adverse Effects 0.000 abstract 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 abstract 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 2
- -1 3-methylphenylphenylamino Chemical group 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000846 In alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical class N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000009849 deactivation Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- WQGTYCVOVMYEQV-UHFFFAOYSA-N n-(3-methylphenyl)-n,2-diphenylaniline Chemical group CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C(=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 WQGTYCVOVMYEQV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
Description
本発明は、表示装置の素子基板と封止基板をシール材により封止する封止構造に関するものである。 The present invention relates to a sealing structure for sealing an element substrate and a sealing substrate of a display device with a sealing material.
近年、CRTに代わる表示装置としてLCDやエレクトロルミネッセンス(Electro Luminescence:以下、「EL」と称する。)素子を用いたEL表示装置が注目されている。 In recent years, an EL display device using an LCD or an electroluminescence (hereinafter referred to as “EL”) element has attracted attention as a display device that replaces the CRT.
例えば、有機EL表示パネルは、素子基板上に有機EL素子と、この有機EL素子を駆動するための薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor:以下、「TFT」と称する。)を備えた画素が複数個マトリクス状に配置され、それらの複数の画素によって表示領域を形成している。有機EL素子は水分に弱いという特性を有するため、乾燥剤が塗布された金属キャップや封止基板で前記素子基板に蓋をして水分の浸入を防止する封止構造が提案されている。 For example, in an organic EL display panel, a plurality of pixels each including an organic EL element on an element substrate and a thin film transistor (hereinafter referred to as “TFT”) for driving the organic EL element are arranged in a matrix. The display region is formed by the plurality of pixels. Since the organic EL element has a characteristic that it is vulnerable to moisture, a sealing structure has been proposed in which moisture is prevented from entering by covering the element substrate with a metal cap or a sealing substrate coated with a desiccant.
封止基板を用いる封止構造の場合は、有機EL素子が形成された素子基板と封止基板とを、それら両基板の周辺部にスペーサーを含むシール材を塗布し、フラットなプレートで両基板に荷重を加え、貼り合わせていた。
ここで、有機EL素子の有機層やLCDの液晶材料は前記素子基板周辺部と封止基板周辺部を封止しているシール材と両基板の界面から浸入する水分により劣化するという欠点を有していた。そのため、この界面の密封性を向上させたいという課題がある。 Here, the organic layer of the organic EL element and the liquid crystal material of the LCD have a drawback that the sealing material sealing the peripheral portion of the element substrate and the peripheral portion of the sealing substrate is deteriorated by moisture entering from the interface between the two substrates. Was. Therefore, there is a problem that it is desired to improve the sealing performance of the interface.
また有機ELパネルやLCDパネルは、素子基板側の、素子基板と封止基板の周辺部分の貼り合せ領域に表示素子を駆動するための所定の大きさの駆動回路を有しており、貼り合せの圧力をかける際にシール材内にあるスペーサーにより、その駆動回路が破損するという問題があった。 In addition, organic EL panels and LCD panels have a drive circuit of a predetermined size for driving the display element in the bonding area of the peripheral portion of the element substrate and the sealing substrate on the element substrate side. When applying this pressure, there is a problem that the drive circuit is damaged by the spacer in the sealing material.
そこで本発明は、表示素子が複数設けられた素子基板と、前記素子基板に対向し所定間隔をおいて配置される封止基板と、前記素子基板の周辺部分と前記封止基板の周辺部分とを接合し、その接合によって形成される内部空間を密封するシール材と、を含み、前記素子基板の周辺部と接合する前記封止基板の周辺部の貼り合せ領域に、所定の深さと所定の幅を持つ溝を設けた。 Therefore, the present invention provides an element substrate provided with a plurality of display elements, a sealing substrate disposed opposite to the element substrate at a predetermined interval, a peripheral portion of the element substrate, and a peripheral portion of the sealing substrate. And a sealing material that seals the internal space formed by the bonding, and in a bonding region of the peripheral portion of the sealing substrate that is bonded to the peripheral portion of the element substrate, a predetermined depth and a predetermined amount A groove with a width was provided.
また本発明は、前記溝は、前記素子基板の周辺部と接合する前記封止基板の周辺部のすべての辺の貼り合せ領域に形成されている。このように溝を設けることにより、封止基板とシール材の接する表面積を大きくすることができる。この結果シール効果が向上することができる。 In the present invention, the groove is formed in a bonding region of all sides of the peripheral portion of the sealing substrate that is joined to the peripheral portion of the element substrate. By providing the groove in this manner, the surface area where the sealing substrate and the sealing material are in contact with each other can be increased. As a result, the sealing effect can be improved.
さらにまた本発明は、前記表示素子を駆動する回路が、前記素子基板側の、前記素子基板と前記封止基板の貼り合せ領域の前記溝に対応して形成されている。前記溝を設けることで、シール材内のスペーサーが回路に直接圧力がかかるのを回避することができ、回路
のダメージが抑制できる。
Furthermore, according to the present invention, a circuit for driving the display element is formed corresponding to the groove in the bonding region of the element substrate and the sealing substrate on the element substrate side. By providing the groove, it is possible to prevent the spacer in the sealing material from directly applying pressure to the circuit, and to suppress damage to the circuit.
本発明は、素子基板と封止基板との貼り合せ領域において、封止基板に溝を設けることにより、封止基板とシール材の接する面積を大きくすることができる。この結果シール効果が向上し、外部からの水分の浸入を抑制することができる。また、その溝によりシール材内のスペーサーが駆動回路に直接圧力がかかるのを回避することができ、その駆動回路へのダメージが抑制できる。 In the present invention, in the bonding region between the element substrate and the sealing substrate, by providing a groove in the sealing substrate, an area where the sealing substrate and the sealing material are in contact with each other can be increased. As a result, the sealing effect is improved and the intrusion of moisture from the outside can be suppressed. Further, it is possible to prevent the spacer in the sealing material from directly applying pressure to the drive circuit by the groove, and damage to the drive circuit can be suppressed.
以下に本発明の表示装置の実施形態を、有機ELパネルの場合について図面に基づいて説明する。
<実施例>
図1に、本発明に係る表示装置のうち、有機ELパネルの全体の構成を示す。
本発明の有機ELパネルは、有機EL素子を備えた素子基板3と、その素子基板3に対向して設けられた封止基板13とを備えており、これら両基板3・13の周辺部をシール材7で貼り合わされている。また、貼り合わされた素子基板3と封止基板13の側面には保護樹脂11で覆っている。そうすることにより、さらに水分の浸入を抑制することができる。
Hereinafter, embodiments of a display device of the present invention will be described based on the drawings in the case of an organic EL panel.
<Example>
FIG. 1 shows the overall configuration of an organic EL panel in a display device according to the present invention.
The organic EL panel of the present invention includes an
まず、図2に素子基板の表示素子形成面から見た平面図(図1において、封止基板13側から表示領域を含む素子基板3を見た平面図)を示し、その素子基板3について説明する。
First, FIG. 2 shows a plan view of the element substrate as viewed from the display element formation surface (in FIG. 1, a plan view of the
素子基板3の基板表面には複数の画素19がマトリクス状に配置された表示領域5と、その表示領域5の周辺部に表示領域5に形成されている薄膜トランジスタ及び有機EL素子を駆動する周辺駆動回路(水平ドライバ、垂直ドライバ)1とを備えている。
A
また、図2の噴出し部に1つの画素19の構成を示す。画素19は、有機EL素子(EL)、その有機EL素子(EL)を駆動するスイッチングTFT(TR1)と駆動TFT(TR2)を備えている。スイッチングTFT(TR1)は垂直ドライバからの走査信号Gmによりオンし、信号線信号に流れる映像信号が保持容量(SC)に充電され、その電圧に応じて駆動TFT(TR2)を解して電源線PVddの電流がEL素子(EL)に流れて、EL素子(EL)が発光する。
Further, the configuration of one
次に有機EL素子について説明する。有機EL素子は、ITO(Indium Tin Oxide)等の透明電極から成る陽極、MTDATA(4,4,4-tris(3-methylphenylphenylamino) triphenylanine)から成る第1ホール輸送層、TPD(4,4-bis(3-methylphenylphenylamino)biphenyl)からなる第2ホール輸送層から成るホール輸送層、キナクリドン(Quinacridone)誘導体を含むBebq2(10-ベンゾ〔h〕キノリノール−ベリリウム錯体)から成る発光層、及びBebq2から成る電子輸送層、マグネシウム・インジウム合金もしくはアルミニウム、もしくはアルミニウム合金から成る陰極が、この順番で積層形成された構造である。 Next, the organic EL element will be described. The organic EL element includes an anode made of a transparent electrode such as ITO (Indium Tin Oxide), a first hole transport layer made of MTDATA (4,4,4-tris (3-methylphenylphenylamino) triphenylanine), TPD (4,4-bis). A hole transport layer comprising a second hole transport layer comprising (3-methylphenylphenylamino) biphenyl), a light emitting layer comprising Bebq2 (10-benzo [h] quinolinol-beryllium complex) containing a quinacridone derivative, and an electron comprising Bebq2. This is a structure in which a transport layer, a cathode made of magnesium / indium alloy or aluminum, or an aluminum alloy are laminated in this order.
有機EL素子は、陽極から注入された正孔と、陰極から注入された電子とが発光層の内部で再結合し、発光層を形成する有機分子を励起して励起子が生じる。この励起子が放射失活する過程で発光層から光が放たれ、この光が透明な陽極から透明絶縁基板を介して外部へ放出されて発光する。 In the organic EL element, holes injected from the anode and electrons injected from the cathode are recombined inside the light emitting layer, and excitons are generated by exciting organic molecules forming the light emitting layer. Light is emitted from the light emitting layer in the process of radiation deactivation of the excitons, and this light is emitted from the transparent anode through the transparent insulating substrate to emit light.
有機EL素子の上には、有機EL素子を水分などから保護するために、保護膜が形成される。保護膜は、無機材料からなる無機層であってもよいし、有機材料からなる有機層と無機層とを積層した複合層であってもよい。 A protective film is formed on the organic EL element in order to protect the organic EL element from moisture and the like. The protective film may be an inorganic layer made of an inorganic material, or a composite layer in which an organic layer made of an organic material and an inorganic layer are laminated.
次に、封止基板13について説明する。この封止基板13は素子基板5に対向して設けられており、素子基板3の表示領域5に対応して形成された凹部29を備え、その周辺には基板の各辺に沿って環状の溝17が形成されている。その凹部29には、その内面に乾燥剤15を塗布している。
Next, the
図3に基づき、封止基板13の凹部29と溝17の形成方法を示す。
(a)金属膜23(例えばクロム)で覆われた封止基板(例えばガラスや石英)13(厚さは0.7mm程度)にレジストマスク21を封止基板の周辺部のみが覆われるように配置する(b)金属膜23をエッチングし、その後レジストマスク21を除去する。(c)フッ酸等のエッチング液によりガラスをエッチングし凹部29を形成する。後の工程で溝部を形成する際にも凹部29はエッチングされるので、このときは溝部をエッチングすることを考慮した深さにエッチングする。また、凹部29の面積は素子基板3の表示領域5と同様かそれ以上である。(d)封止基板13の周辺部の凸部(幅は3mm程度で、後の貼り合わせ領域)を覆い、その凸部のほぼ中央部を駆動回路1と同程度の幅(1.5mm程度)の部分だけエッチングするための溝形成用のレジストマスクを配置する(e)金属膜23をエッチングし、その後レジストマスク21を除去する(f)そのエッチングした金属膜をマスクとしてフッ酸によりガラスをエッチングし凹部29(2回のエッチングで深さ0.3mm程度)・溝部(深さ40μm)を形成する。(g)金属膜23を除去する。
Based on FIG. 3, the formation method of the
(A) A
以上のようなプロセスで行うことで、封止基板3の凹部29と溝17を形成することができる。
By performing the above process, the
次に、図4に、封止基板の一辺を取り除くように切断した封止基板の斜視図を示す。封止基板13の周辺部の溝17は各辺に形成されている。この溝17によりシール材の封止基板との界面の面積が増加しシール効果が増加し外部からの水分の浸入が抑制される。また、シール効果が十分に得られる場合には、図5のようにすべての辺を囲むように溝17を設けなくても、素子基板の駆動回路(水平ドライバ・垂直ドライバ)1を封止基板の4辺を形成した場合は、それに対応する位置にのみ溝17を設けてもよい。つまり、図6のようにすべての辺を囲む溝17の少なくとも一部が離れていてもよい。なお、駆動回路1が図2のように2辺にのみ形成されている場合は、それに対応して、溝17は図6において2辺のみに形成しても良いし、水分の浸入を抑制するため回路が形成されていない辺にも溝を形成しても良い。
Next, FIG. 4 shows a perspective view of the sealing substrate cut so as to remove one side of the sealing substrate.
また、この溝17はシール効果を高めるため1つの辺に溝17が複数本あってもよい。次に、図7を用いて素子基板3と封止基板13とを貼り合わせる工程を説明する。N2ガスなどの不活性ガス雰囲気中において、封止基板13は石英プレート25上に載置され、周辺の貼り合わせ領域にシール材を塗布し、一方、素子基板3は、石英プレート25の上方に対向配置された金属製吸着プレート27に真空吸着して載置される。そして、素子基板3の主表面に形成されたEL素子と、封止基板13の主表面に形成された乾燥剤15が向き合うように配置される。次に、移動機構により吸着プレートを下降させ封止基板13と素子基板3を密着させる。その後、石英プレート25の裏面からUV照射装置によって、石英プレート25及び封止基板13を通して、シール材7にUV照射が行われ、シール材7が硬化することで、素子基板3と封止基板13が接着される。
Further, the
次に、図8に素子基板3、封止基板13、シール材7の配置図を示す。
Next, FIG. 8 shows a layout of the
封止基板13の溝部17について説明する。封止基板13の溝17の深さは、スペーサー11の球(材料はアルミニウムなどであり直径は10μm程度)の直径と回路の厚さ(30μm程度)をあわせたもの以上の深さであればよく、例えば40μm程度である。
The
また封止基板13の溝17は、図8に示すように、駆動回路1上方に形成されるため駆動回路1の幅(1.5mm程度)かそれ以上に溝の幅を持たしている。このような構成をとることにより、素子基板3と封止基板13を密着させる際に、スペーサー9が溝部17に入りスペーサー9による駆動回路1へのダメージを抑制することができる。
Further, as shown in FIG. 8, the
なお、溝17の形状は水分の侵入を抑制し、駆動回路1のダメージを抑制できるものであれば、断面形状がV字形状でなくても、図9に示すU字形状や図10に示すコの字形状でもかまわない。このような形を形成することで、スペーサー9が溝部17にさらに入りやすくなり、スペーサー9によるダメージを抑制できる。また、図9や図10に示している溝17は、駆動回路1をすべて覆うように対向して配置されているが、スペーサー9を溝部17に入れることができるなら、溝17は駆動回路1をすべて覆わず一部だけ対向するように形成されていてもよい。
As long as the shape of the
素子基板3と封止基板13を密着後さらに、図1に示すように素子基板3、封止基板13およびシール材7の側面を保護樹脂11で覆っている。この保護樹脂11は、例えばエポキシ樹脂で形成され、シール材7によるシールをより完全なものにしている。なお、この保護樹脂11は、側面だけでなく、全面を覆ってもよい。
After the
以上のような構成にすることで、溝部形成によるシール効果をさらに向上させ、外部からの水分による有機EL素子のダメージを抑制することができる。 With the above configuration, the sealing effect due to the groove formation can be further improved, and damage to the organic EL element due to moisture from the outside can be suppressed.
上述の実施形態においては、駆動回路(水平ドライバ・垂直ドライバ)は、水平ドライバ・垂直ドライバの両方が溝に対応して配置されているものを説明したが、溝に対応するのは水平ドライバ・垂直ドライバのどちらか一方だけであってもよい。 In the above-described embodiment, the drive circuit (horizontal driver / vertical driver) has been described in which both the horizontal driver and the vertical driver are arranged corresponding to the grooves. Only one of the vertical drivers may be used.
また、上述の実施形態においては、有機EL素子を備えた有機ELパネルについて説明したが、本願はそれに限定されるものではなく、LCD、VFDなどの表示装置に採用が可能であり、有機ELパネルの場合と同等の効果が得られる。 In the above-described embodiment, the organic EL panel including the organic EL element has been described. However, the present application is not limited thereto, and the organic EL panel can be used for a display device such as an LCD or a VFD. The same effect as in the case of.
1 駆動回路(水平ドライバ・垂直ドライバ)、3 素子基板、5 表示領域、
7 シール材、9 スペーサー、11 保護樹脂、13 封止基板 、
15 乾燥剤、17 溝、19 画素、21 レジストマスク、23 金属マスク、
25 石英プレート、27 金属製吸着プレート、29 凹部
1 drive circuit (horizontal driver / vertical driver), 3 element substrate, 5 display area,
7 sealing material, 9 spacer, 11 protective resin, 13 sealing substrate,
15 desiccant, 17 grooves, 19 pixels, 21 resist mask, 23 metal mask,
25 quartz plate, 27 metal suction plate, 29 recess
Claims (3)
前記素子基板に対向し所定間隔をおいて配置される封止基板と、前記素子基板の周辺部分と前記封止基板の周辺部分とを接合し、その接合によって形成される内部空間を密封するシール材と、
を含み、
前記素子基板の周辺部と接合する前記封止基板の周辺部の貼り合せ領域に、所定の深さと所定の幅を持つ溝を設けることを特徴とする表示装置。 An element substrate provided with a plurality of display elements;
A sealing substrate that faces the element substrate and is disposed at a predetermined interval, a seal that joins a peripheral portion of the element substrate and a peripheral portion of the sealing substrate, and seals an internal space formed by the joining Material,
Including
A display device, wherein a groove having a predetermined depth and a predetermined width is provided in a bonding region of the peripheral portion of the sealing substrate to be bonded to the peripheral portion of the element substrate.
3. The circuit for driving the display element is formed on the element substrate so as to correspond to the groove in a bonding region of the element substrate and the sealing substrate. The display device described in 1.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004332210A JP2006147192A (en) | 2004-11-16 | 2004-11-16 | Display device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004332210A JP2006147192A (en) | 2004-11-16 | 2004-11-16 | Display device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006147192A true JP2006147192A (en) | 2006-06-08 |
Family
ID=36626643
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004332210A Pending JP2006147192A (en) | 2004-11-16 | 2004-11-16 | Display device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006147192A (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010257830A (en) * | 2009-04-27 | 2010-11-11 | Dainippon Printing Co Ltd | Organic el element, cap base material for the same, and method of manufacturing the same |
JP2011203492A (en) * | 2010-03-25 | 2011-10-13 | Casio Computer Co Ltd | Transistor device, electronic device including the same, and method for producing the transistor device |
KR101107180B1 (en) * | 2009-11-10 | 2012-01-25 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | Organic light emitting diode display and method for manufacturing the same |
-
2004
- 2004-11-16 JP JP2004332210A patent/JP2006147192A/en active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010257830A (en) * | 2009-04-27 | 2010-11-11 | Dainippon Printing Co Ltd | Organic el element, cap base material for the same, and method of manufacturing the same |
KR101107180B1 (en) * | 2009-11-10 | 2012-01-25 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | Organic light emitting diode display and method for manufacturing the same |
US8471466B2 (en) | 2009-11-10 | 2013-06-25 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display device and method for manufacturing the same |
JP2011203492A (en) * | 2010-03-25 | 2011-10-13 | Casio Computer Co Ltd | Transistor device, electronic device including the same, and method for producing the transistor device |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7888862B2 (en) | Organic electroluminescent display device | |
JP6232277B2 (en) | ORGANIC EL ELEMENT STRUCTURE, ITS MANUFACTURING METHOD, AND LIGHT EMITTING PANEL | |
US20070285007A1 (en) | Organic electroluminescent display device and method of fabricating the same | |
JP4448148B2 (en) | Organic light emitting device | |
JP2007335365A (en) | Organic el display device | |
US9231230B2 (en) | Organic light emitting diode display and method of manufacturing the same | |
KR20030084234A (en) | Dual Panel Type Organic Electroluminescent Device and Method for Fabricating the same | |
JP2009123645A (en) | Organic el display device and its manufacturing method | |
JP2006338946A (en) | Display panel | |
WO2016132954A1 (en) | Electroluminescence device | |
JP2006202722A (en) | Manufacturing method of organic electroluminescent display device | |
KR20100010215A (en) | Organic electro-luminescence display device and manufacturing method thereof | |
JP2006253097A (en) | Spontaneous light-emitting panel and its manufacturing method | |
KR101362168B1 (en) | Organic Electro Luminescence Display and Method for manufacturing the same | |
KR20030094003A (en) | Organic electro luminescence panel | |
KR101671515B1 (en) | Organic light emitting diodde desplay device and fabricating method thereof | |
KR100500061B1 (en) | Manufacturing method of electroluminescence display device | |
KR20110035444A (en) | Method of fabricating for dual panel type organic electro-luminescent device | |
US9954045B2 (en) | Electroluminescence device and method for producing same | |
KR100796128B1 (en) | Method for manufacturing organic light emitting display device | |
JP4969963B2 (en) | Organic EL display device | |
JP2006147192A (en) | Display device | |
JP4754387B2 (en) | EL device | |
JP3992450B2 (en) | Electroluminescence display device and manufacturing method thereof | |
JP4675747B2 (en) | Organic EL display device |