JP2006145478A - Temperature abnormality detection method and system - Google Patents

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トニー・ファング
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a temperature abnormality detection method for specifying a part where temperature abnormality occurs, by detecting the occurrence of the temperature abnormality in a plurality of object locations. <P>SOLUTION: In the temperature abnormality detection method at least two modules 10 are connected serially, including a PTC element 1 and a resistor 2 connected to it, in parallel. The module 10 indicates a low-resistance value (the resistance value of the low-state of the PTC element 1) in a normal temperature state, and is switched with the PTC element 1 so as to indicate mutually different high resistance values (the resistance value of the resistor 2) in a temperature abnormality state. Each module 10 is arranged, by thermally connecting the PTC element 1 at the prescribed object part. A current is made to flow in the module 10 that is connected in series for measuring both-end voltages, the method specifies the module 10 indicating the high resistance value from the values of the both-end voltages, when the both end voltages fluctuate, to detect the occurrence of temperature abnormality, by indicating that one of these is the high-resistance value regarding the time, when all the modules 10 are low-resistance value as a reference. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、PTC素子を用いることにより、複数の対象箇所において温度異常を検知する方法およびそのための装置に関する。   The present invention relates to a method for detecting temperature abnormality at a plurality of target locations by using a PTC element, and an apparatus therefor.

尚、「PTC素子」とは、電気/電子回路技術の分野において知られているように、正の温度係数(Positive Temperature Coefficient)を有するサーミスタを言う。PTC素子は、比較的低い温度条件下(例えば常温時)ではその電気抵抗は低いが、ある温度(以下、トリップ温度と言う)を超えると電気抵抗が急激に増加する。本明細書において、PTC素子の前者の状態をロー状態、後者の状態をハイ状態とも言うものとする。PTC素子のこのような温度依存抵抗特性(または抵抗変化)は可逆的である。   The “PTC element” means a thermistor having a positive temperature coefficient as known in the field of electric / electronic circuit technology. A PTC element has a low electric resistance under relatively low temperature conditions (for example, at room temperature), but when the temperature exceeds a certain temperature (hereinafter referred to as a trip temperature), the electric resistance rapidly increases. In the present specification, the former state of the PTC element is referred to as a low state, and the latter state is referred to as a high state. Such a temperature-dependent resistance characteristic (or resistance change) of the PTC element is reversible.

近年、対象物の温度異常を検出するためにPTC素子が用いられるようになって来ている。特に、温度異常の発生を複数の対象箇所にて同時に検出することが所望される場合、その箇所毎にPTC素子を取り付け、各PTC素子の抵抗変化を調べることにより温度異常の検出を個々に行なうこともできるが、より簡素化された方法もまた当該技術分野において知られている。   In recent years, PTC elements have been used to detect temperature abnormalities of objects. In particular, when it is desired to detect the occurrence of temperature abnormality at a plurality of target locations at the same time, a PTC element is attached to each location, and the temperature abnormality is detected individually by examining the resistance change of each PTC element. However, more simplified methods are also known in the art.

このような従来の温度異常検出方法の一例として、直列接続された複数のPTC素子を、温度異常検出が所望される複数の対象箇所にそれぞれ接触して配置し、これらPTC素子全体の抵抗変化を調べる方法がある(例えば特許文献1を参照のこと)。より具体的には、図2に示すような、複数のPTC素子61を直列接続し、これにオーム計(抵抗測定器)62を直列接続して電気回路(閉ループ)としたものを温度異常検出装置70として用い、これらPTC素子61を温度異常を検出したい所定の対象箇所に(例えば複数の電池毎に)それぞれ接触して配置し、直列接続された複数のPTC素子61全体の抵抗値をオーム計62で測定している。このような方法によれば、PTC素子61を接触配置した複数の対象箇所のうちのいずれか1箇所でも温度異常をきたした場合に、温度異常の発生を検出することが可能である。   As an example of such a conventional temperature abnormality detection method, a plurality of PTC elements connected in series are arranged in contact with a plurality of target locations where temperature abnormality detection is desired, and the resistance change of the entire PTC elements is measured. There is a method for checking (see, for example, Patent Document 1). More specifically, as shown in FIG. 2, a plurality of PTC elements 61 are connected in series, and an ohm meter (resistance measuring device) 62 is connected in series to form an electric circuit (closed loop) to detect temperature abnormality. These PTC elements 61 are used as a device 70 and placed in contact with predetermined target locations where temperature anomalies are to be detected (for example, for each of a plurality of batteries), and the resistance values of the plurality of PTC elements 61 connected in series are ohms. A total of 62 is measured. According to such a method, it is possible to detect the occurrence of a temperature abnormality when a temperature abnormality occurs in any one of a plurality of target places where the PTC element 61 is disposed in contact.

特開平10−270094号公報JP-A-10-270094

しかしながら、上述のような従来の温度異常検出方法および装置では、複数の対象箇所全体での温度異常の発生を検出することができるものの、温度異常が発生している箇所を特定することはできない。即ち、複数の対象箇所のうち少なくとも1つの箇所にて温度異常をきたした場合、複数の対象箇所に接触配置されたPTC素子のオーバーオールな抵抗変化を調べることによって、温度異常の発生の「有無」を知ることはできるが、検出対象である複数の対象箇所のうち、どの箇所にて温度異常が生じているかを知ることまではできない。   However, although the conventional temperature abnormality detection method and apparatus as described above can detect the occurrence of temperature abnormality in a plurality of target portions as a whole, it is not possible to specify the location where the temperature abnormality occurs. That is, when a temperature abnormality occurs in at least one of a plurality of target locations, the “presence / absence” of the occurrence of the temperature abnormality is examined by examining the overall resistance change of the PTC elements arranged in contact with the plurality of target locations. However, it is impossible to know where the temperature abnormality is occurring among the plurality of target portions that are detection targets.

例えば、製造されたPTC素子の温度依存抵抗特性を調べてスペック毎に分類するPTC抵抗ソータなどでは、装置の抵抗測定部位モニターや、その周囲のメカニカル動作により昇温する部位およびモニター動作付近において、複数の対象箇所において温度異常を検知し、かつ温度異常箇所を特定することが必要とされる。このような装置では、上記のような従来の温度異常検出装置を適用することはできず、その箇所毎に温度異常検出装置を設けて、個々に温度異常を検出しているのが現状である。また、複数の対象箇所において温度異常を検知し、かつ温度異常箇所を特定することに対する要望は、温度異常が問題となるようなその他のモニターシステムにおいても存在し得る。   For example, in a PTC resistance sorter that investigates the temperature-dependent resistance characteristics of manufactured PTC elements and classifies them by spec, the resistance measurement part monitor of the device, the part heated by mechanical action around it, and the vicinity of the monitor action, It is necessary to detect temperature abnormalities at a plurality of target locations and identify the temperature abnormal locations. In such a device, the conventional temperature abnormality detection device as described above cannot be applied, and a temperature abnormality detection device is provided for each portion, and the temperature abnormality is detected individually. . Further, the demand for detecting temperature abnormality at a plurality of target locations and specifying the temperature abnormality location may exist in other monitor systems in which the temperature abnormality becomes a problem.

本発明は、複数の対象箇所における温度異常検出を指向したものであり、本発明の目的は、温度異常の発生を検出した場合に、温度異常が発生している箇所を特定することの可能な簡素化された温度異常検出方法およびそのための装置を提供することにある。   The present invention is directed to temperature abnormality detection at a plurality of target locations, and an object of the present invention is to identify a location where a temperature abnormality has occurred when the occurrence of a temperature abnormality is detected. An object of the present invention is to provide a simplified temperature abnormality detection method and an apparatus therefor.

本発明の1つの要旨によれば、PTC素子と該PTC素子に並列接続された抵抗器とを含むモジュールであって、各モジュールは通常の温度状態では(または所定温度以下、例えば常温、具体的には約0〜70℃では)低抵抗値を示し、温度異常状態では(または所定温度を超える温度、例えば約90〜120℃では)高抵抗値を示すようにPTC素子により切り換え可能であり、該高抵抗値はモジュール間で相互に異なる値であるモジュールを少なくとも2つ直列接続し、PTC素子が所定の対象箇所に熱的に結合するように各モジュールを配置し、直列接続された少なくとも2つのモジュールに実質的に一定の電流を流して、直列接続されたモジュールの両端電圧を測定し、全てのモジュールが低抵抗値を示すときの両端電圧の値を基準値として、いずれか1つのモジュールが高抵抗値を示すことによって両端電圧の測定値が基準値から変動したときに、高抵抗値を示しているモジュールを両端電圧の測定値から特定する、温度異常検出方法が提供される。尚、通常の温度状態と温度異常状態とは、本発明が適用される用途に応じて予め決定される所定温度を基準として区別されるものである。   According to one aspect of the present invention, a module includes a PTC element and a resistor connected in parallel to the PTC element, and each module is in a normal temperature state (or below a predetermined temperature, for example, room temperature, specifically Can be switched by the PTC element so as to show a low resistance value at a temperature of about 0 to 70 ° C. and a high resistance value at a temperature abnormal state (or at a temperature exceeding a predetermined temperature, for example, about 90 to 120 ° C.), At least two modules having different high resistance values are connected in series, and each module is arranged so that the PTC element is thermally coupled to a predetermined target location. Apply a substantially constant current to one module, measure the voltage across the modules connected in series, and use the value of the voltage across all modules as a low resistance value. As any one module shows a high resistance value, when the measured value of both-end voltage fluctuates from the reference value, the module showing the high resistance value is identified from the measured value of the both-end voltage, temperature abnormality detection A method is provided. In addition, a normal temperature state and a temperature abnormal state are distinguished on the basis of the predetermined temperature previously determined according to the use to which this invention is applied.

尚、本発明において「低」抵抗値および「高」抵抗値とはこれら抵抗値の相対的な大きさを言うものである。低抵抗値と高抵抗値とは、例えば1個のPTC素子中で約10Ω程度またはそれ以上のオーダーの差がある。低抵抗値は、例えば約10Ω以下であり得る。高抵抗値は、低抵抗値と有意に区別し得る程度に大きければ特に限定されないが、例えば約1kΩ以上であり得る。低抵抗値は、好ましくはモジュール間で相互に実質的に等しい値であるが、本発明はこれに限定されずモジュール間で相互に異なる値であってもよい(但し、異なる場合であっても、高抵抗値間の差に比べて無視し得る程度とする)。 In the present invention, the “low” resistance value and the “high” resistance value refer to relative sizes of these resistance values. The low resistance value and the high resistance value have a difference of the order of about 10 5 Ω or more, for example, in one PTC element. The low resistance value can be, for example, about 10Ω or less. The high resistance value is not particularly limited as long as it is large enough to be significantly distinguishable from the low resistance value, but may be, for example, about 1 kΩ or more. The low resistance value is preferably a value substantially equal to each other between modules, but the present invention is not limited to this, and may be a value different from module to module (however, even if different) And negligible compared to the difference between high resistance values).

このように、高抵抗値は低抵抗値に比べて十分に大きいため、低抵抗値がモジュール間で相互に異なっていても、高抵抗値のモジュール間における差に比べて無視できるため、全てのモジュールについて得られる、各モジュールが単独で高抵抗値を示し、かつ、残りのモジュールが低抵抗値を示す場合の直列接続されたモジュールの全抵抗(合成抵抗)は実質的に高抵抗値にのみ依存して変化する。特に、低抵抗値が全てのモジュールで実質的に等しければ、該直列接続されたモジュールの全抵抗(合成抵抗)は厳密に高抵抗値のみに依存して変化する。   In this way, since the high resistance value is sufficiently large compared to the low resistance value, even if the low resistance value is different between modules, it can be ignored compared to the difference between modules of high resistance value. The total resistance of the modules connected in series (synthetic resistance) when each module shows a high resistance value alone and the remaining modules show a low resistance value is substantially only high. It changes depending on. In particular, if the low resistance value is substantially equal in all modules, the total resistance (combined resistance) of the modules connected in series varies strictly depending only on the high resistance value.

よって、このような構成によれば高抵抗値がモジュール間で相互に異なるため、全てのモジュールについて得られる、各モジュールが単独で高抵抗値を示し、かつ、残りのモジュールが低抵抗値を示す場合の直列接続されたモジュールの全抵抗、ひいては両端電圧の値は各場合毎に固有の値となり、一致しない。   Therefore, according to such a configuration, since the high resistance value is different between the modules, each module is obtained for all modules, and each module shows a high resistance value alone, and the remaining modules show a low resistance value. In this case, the total resistance of the modules connected in series, and thus the voltage values at both ends, are unique values in each case and do not match.

このような本発明の方法によれば、モジュールのPTC素子が熱的に結合されている所定の対象箇所が通常の温度状態から温度異常状態に移ると、該モジュールは高抵抗値を示し、実質的に一定の電流下において、両端電圧の測定値が基準値から変動(より具体的には増大)するので、温度異常の発生を検出することができる。加えて、この高抵抗値はモジュール毎に異なるので、いずれか1つのモジュールが高抵抗値を示すことにより温度異常の発生を検出した場合、両端電圧の測定値からいずれのモジュールが高抵抗値を示しているか、即ち、どの箇所で温度異常が発生しているかを特定することができる。   According to such a method of the present invention, when a predetermined target portion where the PTC element of the module is thermally coupled moves from a normal temperature state to a temperature abnormal state, the module exhibits a high resistance value, Therefore, since the measured value of the voltage across the terminal fluctuates (more specifically, increases) from the reference value under a constant current, the occurrence of temperature abnormality can be detected. In addition, since this high resistance value varies from module to module, if any one of the modules shows a high resistance value and the occurrence of a temperature abnormality is detected, which module has a high resistance value from the measured value of both-end voltage. In other words, it is possible to specify where the temperature abnormality has occurred.

より具体的には、全てのモジュールについて得られる、各モジュールが単独で高抵抗値を示し、かつ、残りのモジュールが低抵抗値を示す場合の両端電圧(直列接続されたモジュールの両端電圧)の値からなる群(換言すれば、ある1つのモジュールのみが高抵抗値を示し、かつ、残りの全てのモジュールが低抵抗値を示す場合の両端電圧を、全てのモジュールについて各場合毎に得た値からなる集合)から、両端電圧の測定値に実質的に等しい値を見つけ出すことによって、高抵抗値を示しているモジュールを特定できる。上記の両端電圧の値からなる群は、温度異常検出を行なうに際し、理論計算および実測のいずれでもよいが、予め求めておくことが好ましい。   More specifically, the voltage of both ends (the voltages of both ends of the modules connected in series) obtained for all modules when each module shows a high resistance value alone and the remaining modules show a low resistance value. A group of values (in other words, the voltage across the case where only one module showed a high resistance value and all the remaining modules showed a low resistance value was obtained for each case for all modules. A module showing a high resistance value can be identified by finding a value substantially equal to the measured value of the voltage between both ends from the set of values). The group consisting of the voltage values at both ends may be either theoretical calculation or actual measurement when performing temperature abnormality detection, but is preferably obtained in advance.

理解を容易にするために、直列接続された3つのモジュールA、BおよびC(この順に直列接続されているものとする)を用いる場合を一例として説明する。この場合、これらの高抵抗値(それぞれR、RおよびRとする)は「モジュール間で相互に異なる」ように設定され、互いに相違する(即ち、いずれの2つの値も互いに相違する)。 In order to facilitate understanding, a case where three modules A, B and C connected in series (assumed to be connected in series in this order) will be described as an example. In this case, these high resistance values (referred to as R A , R B and RC , respectively) are set to be “different from one another between modules” and are different from each other (ie, any two values are different from each other). ).

また、「全てのモジュールについて得られる、各モジュールが単独で高抵抗値を示し、かつ、残りのモジュールが低抵抗値を示すときの直列接続されたモジュールの両端電圧の値からなる群」とは、全てのモジュールA、BおよびCから1つのモジュールを選択するあらゆる場合について得られる、モジュールA〜Cの両端電圧の値からなる群(または集合)を意味する。即ち、モジュールAのみが高抵抗値を示し、残りのモジュールBおよびCが低抵抗値を示す場合におけるモジュールA〜Cの両端電圧(以下同様)の値(Vとする)と、モジュールBのみが高抵抗値を示し、残りのモジュールAおよびCが低抵抗値を示す場合における両端電圧の値(Vとする)と、モジュールCのみが高抵抗値を示し、残りのモジュールBおよびAが低抵抗値を示す場合における両端電圧の値(Vとする)とからなる群{V,V,V}を意味する(表1の場合1〜3を参照のこと)。R、RおよびRが互いに相違するため、各場合において、モジュールA、BおよびCの全抵抗(合成抵抗)も相違し(上記の説明を参照のこと)、よって、両端電圧値V、V、およびVも互いに相違する。これら両端電圧値は理論値によっても実測値によってもよい。尚、全てのモジュールA、BおよびCが低抵抗値を示す場合における両端電圧の基準値(Vとする)は、V、VおよびVのいずれの値よりも小さく、好ましくははるかに小さい。 In addition, “a group consisting of the values of the voltage of both ends of modules connected in series when each module shows a high resistance value alone and the remaining modules show a low resistance value” is obtained for all modules. , Means a group (or set) of values of voltage across modules A-C, obtained for every case of selecting one module from all modules A, B and C. That is, only the module A shows a high resistance value, the value of the voltage across the module A~C when the remaining modules B and C indicates a low resistance value (hereinafter the same) (the V 1), module B only Indicates a high resistance value, and when the remaining modules A and C exhibit a low resistance value, the value of the voltage between both ends (V 2 ), only the module C exhibits a high resistance value, and the remaining modules B and A This means a group {V 1 , V 2 , V 3 } consisting of the voltage values (V 3 ) at both ends in the case of showing a low resistance value (see cases 1 to 3 in Table 1). Since R A , R B and R C are different from each other, in each case, the total resistances (combined resistances) of the modules A, B and C are also different (see the above description). 1 , V 2 , and V 3 are also different from each other. These voltage values at both ends may be theoretical values or measured values. Note that the reference value (V 0 ) of the both-end voltage when all the modules A, B and C exhibit low resistance values is smaller than any of V 1 , V 2 and V 3 , preferably far Small.

次に、温度異常検出のために、モジュールA〜Cの両端電圧を実際に測定し(測定値Vとする)、上記の群{V,V,V}のうちから両端電圧の測定値Vに実質的に等しい値を見つけ出すことによって、どのモジュールが高抵抗値を示しているか(即ち、温度異常状態にあるか)を特定できる。例えば、両端電圧の測定値VがVに実質的に等しい場合には、両端電圧Vとなる場合1(表1を参照のこと)しかあり得ず、よって、場合1に対応するモジュールAが高抵抗値を示しており、該モジュールA(より詳細にはこれに含まれるPTC素子)を配置した箇所にて温度異常が発生していることがわかる。尚、温度異常が発生していない状態(即ち、全てのモジュールA、BおよびCが低抵抗値を示す場合)における両端電圧の測定値V(=V)は、V、VおよびVのいずれの値よりも小さく、好ましくははるかに小さいため、これら値と区別し得る。 Next, in order to detect temperature abnormality, the voltage across the modules A to C is actually measured (measured value V), and the voltage across the module {V 1 , V 2 , V 3 } is measured. By finding a value substantially equal to the value V, it is possible to identify which module exhibits a high resistance value (ie, is in a temperature abnormal state). For example, if substantially equal to the measured value V is V 1 of the voltage across, 1 if the voltage across V 1 (see Table 1) only obtained there, therefore, if the module corresponding to 1 A Indicates a high resistance value, and it can be seen that a temperature abnormality has occurred at a location where the module A (more specifically, a PTC element included therein) is arranged. Note that the measured value V (= V 0 ) of both-end voltages in a state where no temperature abnormality has occurred (that is, when all the modules A, B and C show low resistance values) are V 1 , V 2 and V It can be distinguished from these values because it is smaller than any value of 3 , preferably much smaller.

本発明のもう1つの要旨によれば、温度異常を検出するための装置であって、直列接続されて成る少なくとも2つのモジュールを含み、各モジュールは、所定の対象箇所に熱的に結合して配置されるPTC素子と該PTC素子に並列接続された抵抗器とを含み、通常の温度状態では(または所定温度以下では)低抵抗値を示し、温度異常状態では(または所定温度を超えると)高抵抗値を示すようにPTC素子により切り換え可能であり、該高抵抗値はモジュール間で相互に異なる値である装置が提供される。   According to another aspect of the present invention, there is provided a device for detecting a temperature abnormality, including at least two modules connected in series, each module being thermally coupled to a predetermined target location. Including a PTC element to be arranged and a resistor connected in parallel to the PTC element, exhibiting a low resistance value in a normal temperature state (or below a predetermined temperature), and in a temperature abnormal state (or exceeding a predetermined temperature) A device is provided that can be switched by a PTC element to exhibit a high resistance value, and the high resistance value is different from module to module.

このような本発明の装置を用いれば、上記の本発明の方法を実施することができ、該方法と同様の効果を奏することができる。   By using such an apparatus of the present invention, the above-described method of the present invention can be carried out, and the same effects as the method can be achieved.

本発明の方法および装置において用いられるPTC素子は、温度異常の判定基準となる温度(所定温度)と実質的に等しいか、これに近いトリップ温度を有するものである。本発明に用いられる少なくとも2つのPTC素子は、温度異常の検出が所望される用途に応じて種々の温度依存抵抗特性を有し得、実質的に同じ温度依存抵抗特性を有していても、互いに異なる温度依存抵抗特性を有していてもよい。   The PTC element used in the method and apparatus of the present invention has a trip temperature that is substantially equal to or close to a temperature (predetermined temperature) that is a criterion for temperature abnormality. The at least two PTC elements used in the present invention can have various temperature-dependent resistance characteristics depending on the application for which temperature abnormality detection is desired, and even if they have substantially the same temperature-dependent resistance characteristics, They may have different temperature dependent resistance characteristics.

尚、本発明において、PTC素子が、所定の対象箇所に「熱的に結合」するとは、該箇所の温度影響下に置かれることを言う。例えば、PTC素子が、所定の対象箇所に少なくとも部分的に接触して、好ましくはこれに密着して配置されることを示す。本発明のように、PTC素子を所定の対象箇所に熱的に結合させることにより、該所定の対象箇所の温度に依存してPTC素子の抵抗を変化させることができ、該所定の対象箇所の温度異常を検知することができる。より具体的には、該所定の対象箇所がトリップ温度以下の温度であるときはPTC素子はロー状態にあり、低抵抗値を示すが、過熱等によりトリップ温度を超える温度となったときにPTC素子はハイ状態となり、その抵抗が急激に増大する。   In the present invention, “thermally coupling” a PTC element to a predetermined target location means that the PTC element is placed under the influence of the temperature of the location. For example, it indicates that the PTC element is at least partially in contact with a predetermined target location, preferably in close contact with it. As in the present invention, by thermally coupling the PTC element to a predetermined target location, the resistance of the PTC element can be changed depending on the temperature of the predetermined target location. Temperature abnormality can be detected. More specifically, the PTC element is in a low state when the predetermined target location is at or below the trip temperature and exhibits a low resistance value, but when the temperature exceeds the trip temperature due to overheating, etc. The element goes high and its resistance increases rapidly.

また、本発明においてPTC素子に並列接続して用いられる抵抗器は一般的な抵抗器であり得るが、抵抗器そのものでなくても、抵抗として実質的に機能するものであればよい。更に、抵抗器(または抵抗)は各モジュールにおいて必ずしも1つである必要はなく、複数の抵抗器(または抵抗)が、全体として、PTC素子に並列接続されるような構成であればよい。例えば、2つまたはそれ以上の抵抗器がPTC素子に並列接続されていてもよく、これら2つまたはそれ以上の抵抗器を全体として、PTC素子に並列接続された1つの抵抗器と見なし得る。   In addition, the resistor used in parallel connection with the PTC element in the present invention may be a general resistor, but it is not limited to the resistor itself as long as it substantially functions as a resistor. Furthermore, the number of resistors (or resistors) is not necessarily one in each module, and any configuration may be employed as long as a plurality of resistors (or resistors) are connected in parallel to the PTC element as a whole. For example, two or more resistors may be connected in parallel to the PTC element, and the two or more resistors may be considered as a single resistor connected in parallel to the PTC element.

本発明の好ましい態様においては、1つまたは2つ以上のモジュールが高抵抗値を示すことによって両端電圧の測定値が基準値から変動したときに、高抵抗値を示しているモジュールを両端電圧の測定値から特定できる。これは、(a)各モジュールの高抵抗値、および(b)2つ以上のモジュールからなる全ての組み合せについて得られるそれら2つ以上のモジュールの高抵抗値の和からなる群(換言すれば、全てのモジュールから選択される1つまたは2つ以上のモジュールのあらゆる場合について得られる、該1つまたは2つ以上のモジュールの高抵抗値または2つ以上の場合にあっては高抵抗値の和からなる群)から選択されるいずれの2つの値も互いに相違するように、各モジュールを構成することにより実施可能となる。   In a preferred embodiment of the present invention, when one or two or more modules exhibit a high resistance value, and the measured value of the voltage across the terminal fluctuates from the reference value, the module indicating the high resistance value is It can be identified from the measured value. This is a group consisting of (a) the high resistance value of each module, and (b) the sum of the high resistance values of those two or more modules obtained for all combinations of two or more modules (in other words, The high resistance value of one or more modules, or the sum of the high resistance values in the case of two or more, obtained for all cases of one or more modules selected from all modules This can be implemented by configuring each module such that any two values selected from the group consisting of:

よって、このような構成によれば、高抵抗値がいずれの1つの値または2つ以上の和の値も相互に異なるため、全てのモジュールについて得られる、各モジュールが単独で高抵抗値を示し、かつ、残りのモジュールが低抵抗値を示す場合および2つ以上のモジュールからなる全ての組み合せについて得られる、該2つ以上のモジュールが高抵抗値を示し、かつ、残りのモジュールが低抵抗値を示す場合の直列接続されたモジュールの全抵抗、ひいては両端電圧の値は各場合毎に固有の値となり、一致しない。   Therefore, according to such a configuration, any one value or the sum of two or more of the high resistance values are different from each other. Therefore, each module obtained for all the modules exhibits a high resistance value independently. And when the remaining module exhibits a low resistance value and for all combinations of two or more modules, the two or more modules exhibit a high resistance value and the remaining modules exhibit a low resistance value. In this case, the total resistance of the modules connected in series, and thus the value of the voltage at both ends, is a unique value in each case and does not match.

従って、1つのモジュールのみが高抵抗値を示している場合だけでなく、2つ以上のモジュールが同時に高抵抗値を示している場合であっても、両端電圧の測定値から、どのモジュールが高抵抗値を示しているかを一義的に特定することができる。   Therefore, not only when one module shows a high resistance value, but also when two or more modules show a high resistance value at the same time, which module has a high Whether the resistance value is indicated can be uniquely specified.

より具体的には、(i)全てのモジュールについて得られる、各モジュールが単独で高抵抗値を示し、かつ、残りのモジュールが低抵抗値を示す場合の両端電圧(直列接続されたモジュールの両端電圧)の値、および(ii)2つ以上のモジュールからなる全ての組み合せについて得られる、それら2つ以上のモジュールが高抵抗値を示し、かつ、残りのモジュールが低抵抗値を示す場合(全てのモジュールが高抵抗値を示す場合を含む)の両端電圧の値からなる群(換言すれば、(i)ある1つのモジュールのみが高抵抗値を示し、かつ、残りの全てのモジュールが低抵抗値を示す場合の両端電圧を、全てのモジュールについて各場合毎に得た値からなる部分集合と、(ii)ある2つまたはそれ以上のモジュールのみが高抵抗値を示し、かつ、残りの全てのモジュールが低抵抗値を示す場合の両端電圧を、2つ以上のモジュールからなる全ての組み合せについて各場合毎に得た値からなる部分集合とで構成される全体集合)から、両端電圧の測定値に実質的に等しい値を見つけ出すことによって、高抵抗値を示しているモジュールを特定できる。上記の両端電圧の値からなる群は、温度異常検出を行なうに際し、理論計算および実測のいずれでもよいが、予め求めておくことが好ましい。   More specifically, (i) the voltage obtained across all modules, when each module alone exhibits a high resistance value and the remaining modules exhibit a low resistance value (both ends of the modules connected in series) Voltage), and (ii) obtained for all combinations of two or more modules, where two or more modules exhibit high resistance values and the remaining modules exhibit low resistance values (all (I) only one module exhibits a high resistance value, and all the remaining modules have a low resistance. The voltage at both ends in the case of showing a value is a subset of values obtained for each case for all modules, and (ii) only two or more modules show a high resistance value and the remaining The voltage between both ends when all the modules of (1) show a low resistance value is obtained from the entire set consisting of a subset of values obtained in each case for all combinations of two or more modules). By finding a value that is substantially equal to the measured value, a module that exhibits a high resistance value can be identified. The group consisting of the voltage values at both ends may be either theoretical calculation or actual measurement when performing temperature abnormality detection, but is preferably obtained in advance.

理解を容易にするために、上述の例の3つのモジュールA、BおよびC(高抵抗値はそれぞれR、RおよびR)を用いる場合の例について説明する。この場合、「(a)各モジュールの高抵抗値、および(b)2つ以上のモジュールからなる全ての組み合せについて得られるそれら特定の2つ以上のモジュールの高抵抗値の和からなる群」とは、(a)各モジュールの高抵抗値からなる部分集合{R,R,R}と、(b)2つ以上のモジュールからなる全ての組み合せについて得られるそれら特定の2つ以上のモジュールの高抵抗値の和からなる部分集合{R+R,R+R,R+R,R+R+R}とで構成される群(または全体集合)を意味する(表1を参照のこと)。この群(全体集合)から選択される「いずれの2つの値も互いに相違する」ように、換言すれば、どの2つを取っても一致しないように、高抵抗値R、RおよびRが設定される。 In order to facilitate understanding, an example in which the three modules A, B, and C (the high resistance values are R A , R B, and R C , respectively) in the above example will be described. In this case, “(a) a high resistance value of each module, and (b) a group consisting of the sum of the high resistance values of those two or more modules obtained for all combinations of two or more modules”. (A) a subset {R A , R B , R C } consisting of the high resistance value of each module, and (b) those particular two or more obtained for all combinations consisting of two or more modules. It means a group (or entire set) composed of a subset {R A + R B , R A + R C , R B + R C , R A + R B + R C } composed of the sum of high resistance values of modules (table) 1). The high resistance values R A , R B and R are selected from this group (entire set), in other words, so that any two values are different from each other. C is set.

Figure 2006145478
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また、「(i)全てのモジュールについて得られる、各モジュールが単独で高抵抗値を示し、かつ、残りのモジュールが低抵抗値を示すときの直列接続されたモジュールの両端電圧の値、および(ii)2つ以上のモジュールからなる全ての組み合せについて得られる、それら2つ以上のモジュールが高抵抗値を示し、かつ、残りのモジュールが低抵抗値を示すときの直列接続されたモジュールの両端電圧の値からなる群」とは、全てのモジュールA、BおよびCから1つまたは2つ以上のモジュールを選択するあらゆる場合について得られる、モジュールA〜Cの両端電圧の値からなる群(または集合)を意味する。即ち、表1に示す場合1〜7のように、選択した特定の(i)1つのモジュールまたは(ii)2つ以上のモジュールのみが高抵抗値(温度異常)を示し、残りのモジュールが低抵抗値を示す(但し、全てのモジュールA、BおよびCが高抵抗値を示す場合には、当然、低抵抗値を示すモジュールは存在しない)場合について得られる両端電圧の値からなる群{V,V,V,V,V,V,V}を意味する(表1を参照のこと)。上述のように、R、R、R、R+R、R+R、R+RおよびR+R+Rが互いに相違するため、各場合において、モジュールA、BおよびCの全抵抗(合成抵抗)も相違し、よって、両端電圧値V〜Vも互いに相違する。これら両端電圧値は理論値によっても実測値によってもよい。 In addition, “(i) obtained for all modules, the value of the voltage between both ends of the modules connected in series when each module independently exhibits a high resistance value and the remaining modules exhibit a low resistance value, and ( ii) The voltage across the series connected modules obtained for all combinations of two or more modules when the two or more modules exhibit a high resistance value and the remaining modules exhibit a low resistance value. Is a group (or set of voltage values across modules A to C obtained for all cases where one or more modules are selected from all modules A, B and C). ). That is, as shown in Table 1 in the case of 1 to 7, only the selected specific (i) one module or (ii) two or more modules show a high resistance value (temperature abnormality), and the remaining modules are low. A group {V consisting of values of both-end voltages obtained for cases where resistance values are shown (however, when all modules A, B and C show high resistance values, there is naturally no module showing low resistance values). 1 , V 2 , V 3 , V 4 , V 5 , V 6 , V 7 } (see Table 1). As mentioned above, R A, R B, R C, R A + R B, R A + R C, since R B + R C and R A + R B + R C are different from one another, in each case, modules A, B and The total resistance (combined resistance) of C is also different, and thus the voltage values V 1 to V 7 at both ends are also different from each other. These voltage values at both ends may be theoretical values or measured values.

次に、温度異常検出のために、モジュールA〜Cの両端電圧を実際に測定し(測定値V)、上記の群{V,V,・・・,V}のうちから両端電圧の測定値Vに実質的に等しい値を見つけ出すことによって、どのモジュールが高抵抗値を示しているか(即ち、温度異常状態にあるか)を特定できる。例えば、両端電圧の測定値VがVに実質的に等しい場合には、両端電圧Vとなる場合4(表1を参照のこと)しかあり得ず、よって、場合4に対応するモジュールAおよびBが高抵抗値を示しており、該モジュールAおよびB(より詳細にはこれに含まれるPTC素子)を配置した箇所にて温度異常が発生していることがわかる。 Next, the voltage across the modules A to C is actually measured (measured value V) for temperature abnormality detection, and the voltage across the group {V 1 , V 2 ,..., V 7 } is measured. By finding a value substantially equal to the measured value V, it is possible to identify which module exhibits a high resistance value (i.e., is in an abnormal temperature state). For example, if substantially equal to the measured value V is V 4 across the voltage, the voltage across (see Table 1) 4 as the V 4 only obtained there, thus, when corresponding to the four modules A And B show high resistance values, and it can be seen that a temperature abnormality has occurred at the location where the modules A and B (more specifically, the PTC elements included therein) are arranged.

尚、本明細書において「実質的に等しい(または実質的に同じ)」との用語は、完全に一致する場合だけでなく、本発明の目的を達し得る範囲で多少の差異があることを許容する趣旨で用いるものである。例えば、「実質的に等しい値」とは、電圧計などの装置の測定誤差や、環境的要因による誤差等を考慮しつつ、等しいと見なして差し支えない値を言うものである。   In the present specification, the term “substantially equal (or substantially the same)” is not limited to the case where they are completely coincident with each other, and it is allowed to have a slight difference within a range that can achieve the object of the present invention. It is used for the purpose. For example, the “substantially equal value” refers to a value that can be regarded as equal while taking into account measurement errors of a device such as a voltmeter, errors due to environmental factors, and the like.

また、本明細書において両端電圧の測定値に実質的に等しい値を「見つけ出す」とは、予め準備してある可能性のあるあらゆる両端電圧の値の群から、両端電圧の測定値に実質的に等しい値を何らかの手法により検索して抽出することを意味し、抽出した値をもたらすモジュール(1つまたは2つ以上の組み合せ)を調べることにより、温度異常モジュール(即ち、高抵抗値を示しているモジュール)を特定することができる。例えば、予め求めた両端電圧の値からなる群(例えば表1を参照のこと)のうちの1つの値と、両端電圧の測定値とを順次比較していくことにより(例えば両者の差の大きさを求めることにより)、両端電圧の値からなる群から両端電圧の測定値に実質的に等しい値を「見つけ出す」ことができる。   Further, in this specification, “finding” a value substantially equal to the measured value of the voltage across the terminal means that the measured value of the voltage across the terminal is substantially equal to the measured value of the voltage across the terminal from any group of voltage values that may be prepared in advance. Means to search for and extract a value equal to some method, and by examining the module (one or a combination of two or more) that yields the extracted value, a temperature anomaly module (ie, indicating a high resistance value) Module). For example, by sequentially comparing one value in a group of values of the both-end voltage obtained in advance (see, for example, Table 1) and the measured value of the both-end voltage (for example, the magnitude of the difference between the two) By determining the value, a value substantially equal to the measured value of the voltage across both ends can be “found” from the group of values of the voltage across the ends.

本発明の1つの態様においては、直列接続されて成るn個(当然、nは2以上の整数、以下同様)のモジュールを用いる場合、モジュールの高抵抗値の比が、Z:Z:・・・:Z:・・・:Zn−1(Zは1より大きい所定の実数、mは1〜n−1の整数)により表されるように各モジュールを構成し得る。このように高抵抗値を選択すれば、(a)各モジュールの高抵抗値、および(b)2つ以上のモジュールからなるあらゆる組み合せについて得られるそれら2つ以上のモジュールの高抵抗値の和からなる群から選択されるいずれの2つの値も互いに相違し、どの2つを取っても一致することはない。 In one embodiment of the present invention, when n modules connected in series (naturally, n is an integer of 2 or more, and so on) are used, the ratio of the high resistance values of the modules is Z 0 : Z 1 : ..: Z m :...: Z n-1 (Z is a predetermined real number larger than 1 and m is an integer of 1 to n-1). If a high resistance value is selected in this way, (a) the high resistance value of each module, and (b) the sum of the high resistance values of two or more modules obtained for any combination of two or more modules. Any two values selected from the group are different from each other, and no two of them will match.

しかし、上記の態様は本発明を実施する1つの態様に過ぎないことに留意されるべきである。即ち、本発明はこれに限定されず、各モジュールの高抵抗値および2つ以上のモジュールからなる全ての組み合せにおける該2つ以上のモジュールの高抵抗値の和からなる群から選択されるいずれの2つの値も互いに相違する限り、どのような高抵抗値を選択してもよい。例えば、モジュールの高抵抗値の比を、Zx1:Zx2:・・・:Zxm:・・・(Zは1より大きい所定の実数)とし、xm(x1、x2、・・・)を任意の適当な実数としてよく、当業者であれば、各モジュールの高抵抗値および2つ以上のモジュールからなる全ての組み合せにおける該2つ以上のモジュールの高抵抗値の和からなる群から選択されるいずれの2つの値も互いに相違するように、xmの値を適当に選択することができるであろう。また例えば、モジュールの高抵抗値は任意の適切な手法により、例えばトライアルアンドエラーや数学的(または数論的)アプローチにより,各モジュールの高抵抗値を決定してよい。 However, it should be noted that the above aspect is only one aspect of practicing the present invention. That is, the present invention is not limited to this, and any one selected from the group consisting of the high resistance value of each module and the sum of the high resistance values of the two or more modules in all combinations of two or more modules. Any high resistance value may be selected as long as the two values are different from each other. For example, the ratio of the high resistance values of the modules is Z x1 : Z x2 :...: Z xm :... (Z is a predetermined real number greater than 1), and xm (x1, x2,...) Any suitable real number may be used, and those skilled in the art will be selected from the group consisting of the high resistance value of each module and the high resistance value of the two or more modules in all combinations of two or more modules. The value of xm could be chosen appropriately so that any two values are different from each other. Further, for example, the high resistance value of each module may be determined by any appropriate method, for example, a trial and error or a mathematical (or mathematical) approach.

本発明の1つの態様においては、モジュールの低抵抗値は該モジュールに含まれるPTC素子のロー状態の抵抗値と実質的に等しく、モジュールの高抵抗値は該モジュールに含まれる抵抗器の抵抗値と実質的に等しい。このような構成によれば、温度異常状態にあるモジュールを特定するためのパラメータとなる各モジュールの高抵抗値を、抵抗器の抵抗率を適切に選択することにより容易に決定することができる。   In one aspect of the invention, the low resistance value of the module is substantially equal to the low state resistance value of the PTC element included in the module, and the high resistance value of the module is the resistance value of the resistor included in the module. Is substantially equal. According to such a configuration, it is possible to easily determine the high resistance value of each module, which is a parameter for specifying the module in the abnormal temperature state, by appropriately selecting the resistivity of the resistor.

例えば、直列接続されて成るn個のモジュールを用いる場合、モジュールの高抵抗値の比が、Z:Z:・・・:Z:・・・:Zn−1(Zは1より大きい所定の実数、mは1〜n−1の整数)により表されるように各モジュールを構成するには、モジュールに各々含まれる抵抗器の抵抗値の比がこのように表されるように各抵抗器を構成すればよい。 For example, when using the n modules comprising connected in series, the ratio of the high resistance of the module is, Z 0: Z 1: ··· : Z m: ···: Z n-1 (Z than 1 In order to configure each module as represented by a large predetermined real number, m is an integer of 1 to n−1, the ratio of the resistance values of the resistors included in each module is represented in this way. What is necessary is just to comprise each resistor.

しかし、本発明はこれに限定されず、モジュールは、PTC素子と該PTC素子に並列接続された抵抗器とを含み、通常の温度状態では低抵抗値を示し、温度異常状態ではモジュール間で異なる高抵抗値を示すようにPTC素子により切り換え可能であり、好ましくは各モジュールの高抵抗値および2つ以上のモジュールのあらゆる組み合せにおける該2つ以上のモジュールの高抵抗値の和からなる群から選択されるいずれの2つの値も互いに相違する限り、モジュールはどのような内部構成を有するものであってもよい。   However, the present invention is not limited to this, and the module includes a PTC element and a resistor connected in parallel to the PTC element, and exhibits a low resistance value in a normal temperature state, and varies between modules in a temperature abnormal state. Switchable by a PTC element to indicate a high resistance value, preferably selected from the group consisting of the high resistance value of each module and the high resistance value of the two or more modules in any combination of two or more modules As long as any two values are different from each other, the module may have any internal configuration.

本発明の好ましい態様においては、PTC素子としてポリマーPTC素子が用いられる。本明細書において「ポリマーPTC素子」は、電気/電子回路技術の分野において一般的にそのようなものとして、あるいはPPTC素子またはポリスイッチ(商標)として知られている素子を言う。ポリマーPTC素子は、代表的には、導電性フィラーが分散されたポリマー層を2枚の金属電極箔で挟んだような構造を有するものである。ポリマーPTC素子は、他のPTC素子、例えばセラミックPTC素子(CPTC素子)に比べて、ロー状態の抵抗値とハイ状態の抵抗値との差が大きく、温度変化に対する抵抗の立ち上がりが急峻である。また、CPTC素子では、温度が低くなり過ぎると抵抗が上昇するようになる(即ち、温度係数が正から負に逆転する)が、ポリマーPTC素子ではそのような現象は起こらない。よって、本発明の目的を達するには、ポリマーPTC素子を用いることが特に適切である。   In a preferred embodiment of the present invention, a polymer PTC element is used as the PTC element. As used herein, “polymer PTC element” refers to an element generally known as such in the field of electrical / electronic circuit technology, or as a PPTC element or polyswitch ™. The polymer PTC element typically has a structure in which a polymer layer in which a conductive filler is dispersed is sandwiched between two metal electrode foils. The polymer PTC element has a larger difference between the resistance value in the low state and the resistance value in the high state than other PTC elements, for example, ceramic PTC elements (CPTC elements), and the rise of the resistance with respect to temperature change is steep. In the CPTC element, the resistance increases when the temperature becomes too low (that is, the temperature coefficient is reversed from positive to negative), but such a phenomenon does not occur in the polymer PTC element. Therefore, it is particularly appropriate to use a polymer PTC element in order to achieve the object of the present invention.

尚、本発明の方法は、温度異常を検出するために、直列接続された複数のモジュールに、好ましくは実質的に一定の電流を流して、その両端電圧を電圧計で測定することによって実施され得る。しかしながら、本発明はこれに限定されず、例えば、直列接続された複数のモジュールの全抵抗をオーム計で測定するようにしてもよい。また、通常の温度状態における消費電力をより低くするという観点からは、本発明の概念を逸脱しない範囲内にてなるべく高い低抵抗値を有するPTC素子を選択して用い、モニター時の一定電流値を小さく設定することが好ましい。   Note that the method of the present invention is preferably performed by passing a substantially constant current through a plurality of modules connected in series, and measuring the voltage between both ends with a voltmeter in order to detect a temperature abnormality. obtain. However, the present invention is not limited to this, and for example, the total resistance of a plurality of modules connected in series may be measured with an ohmmeter. Further, from the viewpoint of lowering power consumption in a normal temperature state, a PTC element having a low resistance value as high as possible is selected and used within a range not departing from the concept of the present invention, and a constant current value at the time of monitoring is used. Is preferably set small.

また、本発明において、温度異常の検出の対象となる複数の所定の対象箇所は、同一対象物におけるものであっても、2以上の対象物におけるもの(例えば対象物毎に1箇所)であってもよい。   Further, in the present invention, the plurality of predetermined target portions that are targets of temperature abnormality detection are those in two or more objects (for example, one place for each target object) even if they are in the same target object. May be.

本発明によれば、複数の対象箇所における温度異常発生を検出すると共に、温度異常発生箇所を特定することが可能な温度異常検出方法およびそのための装置が提供される。本発明の方法および装置は、複数の対象箇所における温度異常を検出するために、各箇所に配置されたPTC素子の抵抗変化を個々に調べる手法と比較して簡素化されたシステム構成を可能にし、また、各箇所に配置された複数のPTC素子のオーバーオールな抵抗変化を調べて温度異常を検出する場合に不可能であった、温度異常箇所の特定を可能にするという利点がある。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, while detecting the temperature abnormality generation | occurrence | production in a some target location, the temperature abnormality detection method and apparatus for it which can identify a temperature abnormality generation location are provided. The method and apparatus of the present invention enables a simplified system configuration compared to a method of individually examining resistance changes of PTC elements arranged at each location in order to detect temperature abnormalities at a plurality of target locations. In addition, there is an advantage that it is possible to specify a temperature abnormal portion, which is impossible when detecting an abnormal temperature by examining an overall resistance change of a plurality of PTC elements arranged in each portion.

発明を実施するための形態BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION

本発明の1つの実施形態について、以下、図面を参照しながら説明する。図1は、本実施形態において用いる温度異常検出装置20の電気回路図である。   One embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is an electric circuit diagram of a temperature abnormality detection device 20 used in the present embodiment.

図1に示すように、温度異常検出装置20は、n個(nは2以上の整数)のモジュール10を直列接続し、これに定電流電源装置11を直列接続して成る電気回路(閉ループ)を有する。この電気回路には、直列接続されたn個のモジュール10の両端電圧を測定するため、電圧計12がこれらモジュール10に並列に挿入されている。   As shown in FIG. 1, the temperature abnormality detection device 20 is an electric circuit (closed loop) formed by connecting n (n is an integer of 2 or more) modules 10 in series and a constant current power supply device 11 connected in series thereto. Have In this electric circuit, a voltmeter 12 is inserted in parallel with these modules 10 in order to measure the voltage across n modules 10 connected in series.

各モジュール10は、図示するように、PTC素子1とPTC素子1に並列に接続された抵抗器2とを含んで成り、モジュール10に流れる電流がPTC素子1および/または抵抗器2に流れるようになっている。PTC素子1には、ポリマーPTCを用いることが好ましい。特に好ましいポリマーPTC素子は、カーボンブラックが分散したポリエチレンがNiメッキされたCu箔および無メッキのCu箔の一対の電極により挟まれた構造のポリマーPTC素子である。抵抗器2には、市販の適当な固定抵抗器を用い得る。定電流電源装置11および電圧計12は、当該技術分野において一般的なものであるので説明を省略する。尚、定電流電源装置11および電圧計12は、本実施形態においては直流電源および直流電圧計としている。   As illustrated, each module 10 includes a PTC element 1 and a resistor 2 connected in parallel to the PTC element 1 so that a current flowing through the module 10 flows through the PTC element 1 and / or the resistor 2. It has become. The PTC element 1 is preferably a polymer PTC. A particularly preferred polymer PTC element is a polymer PTC element having a structure in which polyethylene in which carbon black is dispersed is sandwiched between a pair of electrodes of a Ni-plated Cu foil and an unplated Cu foil. As the resistor 2, a commercially available suitable fixed resistor can be used. Since the constant current power supply device 11 and the voltmeter 12 are common in the technical field, description thereof is omitted. The constant current power supply device 11 and the voltmeter 12 are a DC power supply and a DC voltmeter in this embodiment.

PTC素子1のトリップ温度は、温度異常の判断の基準となるものであり、温度異常の判断基準とする所定温度と実質的に同じか、それに近い温度とされる。トリップ温度は、例えば約90〜120℃の範囲で用途に応じて適当に選択され得る。   The trip temperature of the PTC element 1 serves as a criterion for determining a temperature abnormality, and is substantially the same as or close to a predetermined temperature used as a criterion for determining a temperature abnormality. The trip temperature can be appropriately selected depending on the application, for example, in the range of about 90 to 120 ° C.

モジュール10の抵抗は、PTC素子1および抵抗器2の合成抵抗CRとして求められる(CR=P・R/(P+R)、式中、PはPTC素子1の抵抗値、Rは抵抗器2の抵抗値である)。   The resistance of the module 10 is obtained as a combined resistance CR of the PTC element 1 and the resistor 2 (CR = P · R / (P + R), where P is the resistance value of the PTC element 1 and R is the resistance of the resistor 2. Value).

PTC素子1のロー状態における抵抗値(Plow)およびハイ状態における抵抗値(Phigh、一般にハイインピーダンス状態とも呼ばれる)ならびに抵抗器2の抵抗値(R)は、各モジュール10の低抵抗値および高抵抗値がそれぞれPlowおよびRに実質的に等しくなるように適切に選択される。より具体的には、例えばRがPlowの100倍以上、Phighの1/100倍以下(Plow×100≦R≦Phigh×1/100)となるように、PTC素子1および抵抗器2が構成され得る。RがPlowの100倍以上であれば、通常の温度状態(PTC素子1はロー状態)において、モジュール10の抵抗は実質的にPlowに等しいと見なせる(Plow+R≒RよりCR≒Plow)。また、RがPhighの1/100倍以下であれば、温度異常状態(PTC素子1はハイ状態)において、モジュール10の抵抗は実質的にRに等しいと見なせる(Phigh+R≒PhighよりCR≒R)。Rは、Plowの例えば約10〜1000倍、好ましくは約100〜1000倍であり、Phighの例えば約1/10〜1/1000倍、好ましくは約1/100〜1/1000倍とされる。 The resistance value of the PTC element 1 in the low state (P low ), the resistance value in the high state (P high , generally referred to as a high impedance state), and the resistance value (R) of the resistor 2 are the low resistance value of each module 10 and The high resistance value is appropriately selected to be substantially equal to P low and R, respectively. More specifically, for example, the PTC element 1 and the resistor so that R is 100 times or more of P low and 1/100 times or less of P high (P low × 100 ≦ R ≦ P high × 1/100). 2 can be configured. If R is 100 times P low or more, the resistance of the module 10 can be regarded as being substantially equal to P low in the normal temperature state (the PTC element 1 is in the low state) (CR ≈ P from P low + R≈R). low ). Further, if R is 1/100 times or less of P high , the resistance of the module 10 can be regarded as being substantially equal to R in a temperature abnormal state (the PTC element 1 is in a high state) (P high + R≈P high CR≈R). R is, for example, about 10 to 1000 times, preferably about 100 to 1000 times P low , and is about 1/10 to 1/1000 times, preferably about 1/100 to 1/1000 times P high. The

モジュール10間において、抵抗器2は互いに異なる抵抗値を有する。本実施形態では、n個のモジュール10に各々備えられる抵抗器2の抵抗値の比が(換言すれば、モジュール10の高抵抗値の比が)、Z:Z:・・・:Z:・・・:Zn−1(Zは1より大きい所定の実数、mは1〜n−1の整数)により表されるように構成される。即ち、抵抗器2の抵抗値の大きさは、一般的にkZ(kは正の比例定数)で表される。このような構成により、各モジュール10の高抵抗値(kZ,kZ,・・・,kZ,・・・,Zn−1)および2つ以上のモジュールからなるあらゆる組み合せについて得られるそれらモジュールの高抵抗値の和(kZ+kZ,kZ+kZ,・・・,kZ+kZ,・・・,kZ+Zn−1;kZ+kZ,・・・,kZ+kZ,・・・,kZ+Zn−1;・・・・・・・・・;kZ+kZ+・・・+Zn−1)からなる群から任意に選択されるいずれの2つの値も互いに相違し、一致しないことは、当業者には容易に理解されるであろう。尚、n、Zおよびkの大きさは、抵抗器2のうちの最大の抵抗値(kZ)との関係上、PTC素子1のPhighの値を考慮して制限される(kZ≦Phigh×1/100)のみならず、後述するように測定精度によっても制限される点に留意すべきである。 Between the modules 10, the resistors 2 have different resistance values. In this embodiment, the ratio of the resistance values of the resistors 2 provided in each of the n modules 10 (in other words, the ratio of the high resistance values of the modules 10) is Z 0 : Z 1 :... Z m : ...: Zn -1 (Z is a predetermined real number larger than 1 and m is an integer of 1 to n-1). That is, the magnitude of the resistance value of the resistor 2 is generally represented by kZ m (k is a positive proportionality constant). With such a configuration, the high resistance values (kZ 0 , kZ 1 ,..., KZ m ,..., Z n-1 ) of each module 10 and those obtained for any combination of two or more modules. Sum of high resistance values of modules (kZ 0 + kZ 1 , kZ 0 + kZ 2 ,..., KZ 0 + kZ m ,..., KZ 0 + Z n−1 ; kZ 1 + kZ 2 ,..., KZ 1 + kZ m ,..., kZ 1 + Z n−1 ;...; any two values arbitrarily selected from the group consisting of kZ 0 + kZ 1 +... + Z n−1 ) It will be readily appreciated by those skilled in the art that they are different from and inconsistent with each other. The size of n, Z and k is limited in consideration of the value of P high of the PTC element 1 in relation to the maximum resistance value (kZ n ) of the resistor 2 (kZ n ≦ It should be noted that not only P high × 1/100) but also the measurement accuracy is limited as described later.

他方、PTC素子1は、本実施形態では、モジュール10間において実質的に同じ温度依存抵抗特性を有し、よって、実質的に同じPlowおよびPhighを有するものとするが、本発明はこれに限定されるものではない。 On the other hand, in the present embodiment, the PTC element 1 has substantially the same temperature-dependent resistance characteristics between the modules 10, and thus has substantially the same P low and P high. It is not limited to.

直列接続されたn個のモジュール10の全抵抗(合成抵抗)は、各モジュール10の抵抗の総和として求められる。よって、本実施形態では、全抵抗は、通常の温度状態ではn×Plowとなり、温度異常状態では、例えば1個のモジュール(m)にて温度異常状態を検出している場合には(n−1)×Plow+kZとなる。温度異常状態におけるn個のモジュール10の全抵抗は、どのモジュール10(1個または2個以上)において温度異常が発生しているかにより、全ての場合につき異なる値となる。この結果、温度異常状態において示す両端電圧の値もまた、どのモジュール10(1個または2個以上)において温度異常が発生しているかにより、全ての場合につき異なる値となる。 The total resistance (combined resistance) of the n modules 10 connected in series is obtained as the sum of the resistances of the modules 10. Therefore, in this embodiment, the total resistance is n × P low in the normal temperature state, and in the abnormal temperature state, for example, when the abnormal temperature state is detected by one module (m) (n −1) × P low + kZ m The total resistance of the n modules 10 in the abnormal temperature state is different in all cases depending on which module 10 (one or two or more) has a temperature abnormality. As a result, the value of the both-end voltage shown in the abnormal temperature state also becomes a different value in all cases depending on which module 10 (one or two or more) has the abnormal temperature.

各モジュール10は、例えば樹脂モールドやフィルムラミネーションなどで封止され得るが、これに限定されず、他の任意の適切な形態を有していてもよい。   Each module 10 may be sealed with, for example, a resin mold or film lamination, but is not limited thereto, and may have any other appropriate form.

次に、上記のような温度異常検出装置20を用いる温度異常検出方法について説明する。   Next, a temperature abnormality detection method using the temperature abnormality detection device 20 as described above will be described.

まず、温度異常検出が所望される対象物(対象物自体は1つであるか、複数であるかを問わない)の所定の対象箇所(n箇所)に、上述のn個のモジュール10をPTC素子がそこに熱的に結合するようにしてそれぞれ配置する。例えば、ネジ止め、耐熱テープ、およびホットメルト材などを用いて、モジュール10を所定の対象箇所に密着して配置することができる。PTC素子10は該所定の対象箇所に熱的に結合されることにより、その温度影響下に置かれる。   First, the above-mentioned n modules 10 are placed in a PTC at a predetermined target location (n locations) of an object for which temperature abnormality detection is desired (whether the object itself is one or plural). Each element is arranged so as to be thermally coupled thereto. For example, the module 10 can be disposed in close contact with a predetermined target portion using screwing, heat-resistant tape, hot melt material, or the like. The PTC element 10 is placed under the influence of temperature by being thermally coupled to the predetermined target portion.

次に、温度異常検出装置20の定電流電源装置11を用いて所定の電流を、直列接続されたn個のモジュール10に流し、電圧計12によりn個のモジュール10の両端電圧を測定する。   Next, a predetermined current is passed through the n modules 10 connected in series using the constant current power supply device 11 of the temperature abnormality detection device 20, and the voltage across the n modules 10 is measured by the voltmeter 12.

全てのモジュール10が通常の温度状態にあり、低抵抗値(Plow)を示すときの両端電圧の値(実測値または理論値)を基準値とする。対象物を試験に付す間または対象物を使用する間に亘って両端電圧を(例えば連続的または定期的に)測定する。モジュール10を配置した箇所が通常の温度状態から温度異常状態に移ると、該モジュール10のみが高抵抗値(R)を示し、この結果、両端電圧の測定値が基準値から変動する。このような変動が計測された場合、温度異常が発生していることがわかる。 The voltage value (measured value or theoretical value) at both ends when all the modules 10 are in a normal temperature state and show a low resistance value (P low ) is used as a reference value. The voltage across the object is measured (e.g., continuously or periodically) while the object is subjected to testing or while the object is used. When the place where the module 10 is arranged moves from the normal temperature state to the abnormal temperature state, only the module 10 exhibits a high resistance value (R), and as a result, the measured value of the voltage across the terminal fluctuates from the reference value. When such a variation is measured, it is understood that a temperature abnormality has occurred.

更に、上記の場合において、両端電圧の測定値から、高抵抗値(R)を示している(即ち温度異常状態にある)モジュールを特定する。各モジュール10の高抵抗値は互いに異なるので、いずれか1つのモジュール10が高抵抗値を示している場合に、いずれのモジュール10が温度異常状態にあるのかを、両端電圧の測定値から特定することができる。加えて、本実施形態においては、モジュール10の高抵抗値は、(a)それぞれ単独のモジュールにおける場合の値、および(b)2つ以上のモジュールからなるあらゆる組み合せにおける場合の各値の和からなる群から選択されるいずれの2つの値も互いに相違し、一致しないように設定されている。よって、いずれか1つだけでなく、2つ以上のモジュール10が同時に高抵抗値を示している場合であっても、どのモジュール10が温度異常状態にあるのかを、両端電圧の測定値から一義的に特定することができる。   Further, in the above case, a module showing a high resistance value (R) (that is, in a temperature abnormal state) is specified from the measured value of the voltage across the both ends. Since the high resistance values of the modules 10 are different from each other, when any one of the modules 10 exhibits a high resistance value, the module 10 is identified from the measured value of the voltage at both ends to determine which module 10 is in an abnormal temperature state. be able to. In addition, in the present embodiment, the high resistance value of the module 10 is calculated from (a) the value in the case of each single module, and (b) the sum of the values in all combinations of two or more modules. Any two values selected from the group are different from each other and set so as not to match. Therefore, even if not only one but also two or more modules 10 are simultaneously showing a high resistance value, which module 10 is in an abnormal temperature state is uniquely determined from the measured value of the voltage at both ends. Can be identified.

このような特定は、(i)全てのモジュールについて得られる、各モジュールが単独で高抵抗値を示し、かつ、残りのモジュールが低抵抗値を示す場合の両端電圧の値、および(ii)2つ以上のモジュールからなる全ての組み合せについて得られる、それら特定の2つ以上のモジュールが高抵抗値を示し、かつ、残りのモジュールが低抵抗値を示す場合の両端電圧の値からなる群を予め求めておき、この群から、両端電圧の測定値に実質的に等しい値を見つけ出すことによって実施し得る。   Such specification is (i) obtained for all modules, the value of the both-end voltage when each module alone exhibits a high resistance value, and the remaining modules exhibit a low resistance value, and (ii) 2 A group consisting of the values of both-end voltages obtained when all the combinations of two or more modules have a high resistance value and the remaining modules have a low resistance value is obtained in advance. This can be done by finding a value from this group that is substantially equal to the measured value of the voltage across it.

例えば、1つまたは2つ以上のモジュールのあらゆる組み合せについて、それら特定のモジュールが温度異常を検出したときに想定または実測される両端電圧の値と、温度異常モジュールを特定するための識別ラベル(例えば、アルファベットや数字などの番号)とを対応させたテーブル(例えば、表1の温度異常モジュールの欄と両端電圧値(各値は具体的数値となる)の欄とからなる表)を予め作成しておき、温度異常モジュールを両端電圧の測定値から特定するために用いることができる。このようなテーブルは、オペレータが利用するようにしてもよいし、例えば電子計算機などによるプログラムの実行によって利用するようにしてもよい。このような実施形態は、モジュールの数(n)が多い場合に特に有用である。   For example, for any combination of one or more modules, the value of the voltage that is assumed or measured when the particular module detects a temperature abnormality, and an identification label for identifying the temperature abnormality module (for example, , A table (for example, a table composed of a column of temperature abnormal modules and a column of voltage values at both ends (each value is a specific value) in Table 1) that associates numbers with numbers such as alphabets and numbers). In addition, the temperature abnormality module can be used to specify the measured value of the voltage across the both ends. Such a table may be used by an operator, or may be used by executing a program by an electronic computer, for example. Such an embodiment is particularly useful when the number of modules (n) is large.

温度異常状態にあるモジュール10を特定するためには、最小の抵抗値(kZ=k)を有する抵抗器2を含むモジュール10のみが温度異常状態にある場合における両端電圧の測定値と、n個全てのモジュール10が温度異常状態にある場合における両端電圧の測定値とを有意に区別し得る必要がある。よって、定電流電源装置11により定電流を流した状態における電圧計12の測定精度を考慮して、n、Zおよびkの値が制限される点に留意すべきである。nは例えば2〜10個、Zは例えば1より大きく、2以下の範囲の実数、kは例えば1〜100の範囲の実数、好ましくは約1とされ得る。 In order to identify the module 10 in the abnormal temperature state, the measured value of the both-end voltage when only the module 10 including the resistor 2 having the minimum resistance value (kZ 0 = k) is in the abnormal temperature state, n It is necessary to be able to distinguish significantly the measured value of the voltage between both ends when all the modules 10 are in the abnormal temperature state. Therefore, it should be noted that the values of n, Z, and k are limited in consideration of the measurement accuracy of the voltmeter 12 in a state where a constant current is supplied by the constant current power supply device 11. n may be 2 to 10, for example, Z may be a real number greater than 1, for example, and less than or equal to 2, and k may be a real number in the range of 1 to 100, preferably about 1.

本実施形態において、例えば、Plowが1Ω、Phighが100MΩ、トリップ温度が120℃でトリップ時の抵抗値が1MΩであるポリマーPTC素子を用い、抵抗値が1kΩ、2kΩ、・・・、2kΩ、・・・、2n−1kΩである抵抗器2(即ち、Z=2,k=1000)を用い、定電流電源装置11により約1mAの電流を流した場合、モジュールの数(n)は、例えば約2個以上、好ましくは約2〜8個とすることができる。しかし、少なくとも2個のモジュールを用いる限り、本発明はこれに限定されない。 In this embodiment, for example, a polymer PTC element in which P low is 1Ω, P high is 100 MΩ, the trip temperature is 120 ° C., and the resistance value at the time of trip is 1 MΩ, the resistance value is 1 kΩ, 2 kΩ,. When the resistor 2 (ie, Z = 2, k = 1000) with m kΩ,..., 2 n−1 kΩ is used and a current of about 1 mA is supplied by the constant current power supply device 11, the number of modules ( n) can be, for example, about 2 or more, preferably about 2 to 8. However, the present invention is not limited to this as long as at least two modules are used.

また、PTC素子1としては、本実施形態のようにポリマーPTC素子を用いることが好ましい。ポリマーPTC素子は、ロー状態での抵抗値(Plow)とハイ状態での抵抗値(Phigh)との差異(以下、単に抵抗値差と言う)が一般的に8桁程度存在するので、該差異が4桁程度であるセラミックPTC素子を用いる場合よりも抵抗器2の抵抗値の最小値から最大値までの幅を広くできる。また、ポリマーPTC素子は、温度変化に対する電気抵抗の立ち上がりが急峻で、かつ抵抗値差が大きいので、立ち上がりが比較的緩やかで、抵抗値差が小さいセラミックPTC素子を用いる場合よりも、両端電圧の測定値の信頼度が高く(換言すれば含み誤差が小さく)、測定精度を向上させることができる。よって、なるべく多くの箇所において温度異常を検出するには、ポリマーPTC素子が適する。 As the PTC element 1, it is preferable to use a polymer PTC element as in the present embodiment. Since a polymer PTC element generally has a difference between a resistance value (P low ) in a low state and a resistance value (P high ) in a high state (hereinafter simply referred to as a resistance value difference), The width from the minimum value to the maximum value of the resistance value of the resistor 2 can be made wider than when a ceramic PTC element having the difference of about 4 digits is used. The polymer PTC element has a steep rise in electrical resistance with respect to temperature change and a large resistance value difference. Therefore, the voltage rise at both ends is higher than that in the case of using a ceramic PTC element with a relatively slow rise and small resistance value difference. The reliability of the measured value is high (in other words, the error is small), and the measurement accuracy can be improved. Therefore, a polymer PTC element is suitable for detecting temperature abnormality in as many locations as possible.

以上のようにして、本実施形態によれば、複数の対象箇所における温度異常発生を同時に検出すると共に、温度異常発生箇所(または温度異常モジュール)の特定をすることが可能となる。特に、本実施形態によれば、モジュールに各々含まれる抵抗器の抵抗値(2つ以上の場合には各抵抗値の和)が、1つまたは2つ以上のあらゆる組み合せについて互いに異なるので、いずれか1つのモジュールにおいて温度異常が発生している場合はもちろん、2つ以上のモジュールにおいて同時に温度異常が発生している場合にも、どのモジュールが温度異常状態にあるかを一義的に特定することができる。   As described above, according to the present embodiment, it is possible to simultaneously detect the occurrence of temperature abnormalities at a plurality of target locations and specify the location where the temperature abnormality has occurred (or temperature abnormality module). In particular, according to the present embodiment, the resistance value of each resistor included in each module (the sum of the resistance values in the case of two or more) is different from each other for any combination of one or two. Of course, when a temperature abnormality occurs in one module, it is possible to uniquely identify which module is in a temperature abnormality state even when two or more modules have a temperature abnormality at the same time. Can do.

以上、本発明の1つの実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されず、当業者には、本発明の概念を逸脱しない範囲で種々の改変がなされることが理解されるであろう。本発明の温度異常検出方法および装置は、複数の対象箇所における温度異常の検出が所望されるあらゆる用途、例えば電子部品等の生産設備等の対象物の局所的な温度異常の発生が懸念される製造設備や、電子部品の検査設備等の個々の対象物の温度特性を検査する検査設備、あるいは、多数の2次電池を用いるバッテリ等の個々の対象物を使用する際の過熱保護装置等の種々の用途において利用され得るであろう。   Although one embodiment of the present invention has been described above, the present invention is not limited to this, and those skilled in the art will understand that various modifications can be made without departing from the concept of the present invention. Let's go. The temperature abnormality detection method and apparatus according to the present invention are concerned with the occurrence of local temperature abnormality in an object such as a production facility such as an electronic component, for example, in any application where temperature abnormality detection is desired at a plurality of target locations. Inspection equipment that inspects the temperature characteristics of individual objects such as manufacturing equipment and electronic parts inspection equipment, or an overheat protection device when using individual objects such as batteries using a number of secondary batteries It could be used in various applications.

本発明の1つの態様における温度異常検出装置の電気回路図である。It is an electric circuit diagram of the temperature abnormality detection apparatus in one aspect of the present invention. 従来の温度異常検出装置の電気回路図である。It is an electrical circuit diagram of the conventional temperature abnormality detection apparatus.

符号の説明Explanation of symbols

1 PTC素子
2 抵抗器
10 モジュール
11 定電流電源装置
12 電圧計
20 温度異常検出装置
61 PTC素子
62 オーム計
70 温度異常検出装置
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 PTC element 2 Resistor 10 Module 11 Constant current power supply device 12 Voltmeter 20 Temperature abnormality detection apparatus 61 PTC element 62 Ohm meter 70 Temperature abnormality detection apparatus

Claims (11)

温度異常を検出する方法であって、
PTC素子と該PTC素子に並列接続された抵抗器とを含むモジュールを少なくとも2つ直列接続し、
各モジュールは通常の温度状態では低抵抗値を示し、温度異常状態では高抵抗値を示すようにPTC素子により切り換え可能であり、該高抵抗値はモジュール間で相互に異なる値であり、
PTC素子が所定の対象箇所に熱的に結合するように各モジュールを配置し、
直列接続された少なくとも2つのモジュールに実質的に一定の電流を流して、直列接続されたモジュールの両端電圧を測定し、
全てのモジュールが低抵抗値を示すときの両端電圧の値を基準値として、いずれか1つのモジュールが高抵抗値を示すことによって両端電圧の測定値が基準値から変動したときに、高抵抗値を示しているモジュールを両端電圧の測定値から特定する
ことを含む、方法。
A method for detecting temperature anomalies,
At least two modules including a PTC element and a resistor connected in parallel to the PTC element are connected in series;
Each module can be switched by a PTC element so as to exhibit a low resistance value in a normal temperature state and a high resistance value in a temperature abnormal state, and the high resistance value is different from one module to another.
Each module is arranged so that the PTC element is thermally coupled to a predetermined target location,
Passing a substantially constant current through at least two modules connected in series to measure the voltage across the modules connected in series;
The high resistance value is obtained when the measured value of the voltage at both ends fluctuates from the reference value because any one of the modules exhibits a high resistance value with the value of the voltage at both ends when all the modules exhibit a low resistance value as a reference value. Identifying a module indicative of from a measurement of the voltage across it.
全てのモジュールについて得られる、各モジュールが単独で高抵抗値を示し、かつ、残りのモジュールが低抵抗値を示すときの直列接続されたモジュールの両端電圧の値からなる群から、両端電圧の測定値に実質的に等しい値を見つけ出すことによって、高抵抗値を示しているモジュールを特定する、請求項1に記載の方法。   Measurement of both-end voltage obtained from the group consisting of the values of both-end voltage of modules connected in series when each module shows high resistance value alone and the remaining modules show low resistance value obtained for all modules The method of claim 1, wherein a module exhibiting a high resistance value is identified by finding a value substantially equal to the value. 各モジュールの高抵抗値、および2つ以上のモジュールからなる全ての組み合せについて得られる該2つ以上のモジュールの高抵抗値の和からなる群から選択されるいずれの2つの値も互いに相違し、
1つまたは2つ以上のモジュールが高抵抗値を示すことによって両端電圧の測定値が基準値から変動したときに、高抵抗値を示しているモジュールを両端電圧の測定値から特定する、請求項1に記載の方法。
Any two values selected from the group consisting of the high resistance value of each module and the sum of the high resistance values of the two or more modules obtained for all combinations of two or more modules are different from each other;
The module showing the high resistance value is identified from the measured value of the both-end voltage when the measured value of the both-end voltage varies from the reference value due to one or more modules exhibiting the high-resistance value. The method according to 1.
全てのモジュールについて得られる、各モジュールが単独で高抵抗値を示し、かつ、残りのモジュールが低抵抗値を示すときの直列接続されたモジュールの両端電圧の値、および2つ以上のモジュールからなる全ての組み合せについて得られる、該2つ以上のモジュールが高抵抗値を示し、かつ、残りのモジュールが低抵抗値を示すときの直列接続されたモジュールの両端電圧の値からなる群から、両端電圧の測定値に実質的に等しい値を見つけ出すことによって、高抵抗値を示しているモジュールを特定する、請求項3に記載の方法。   It is obtained for all modules, and consists of two or more modules, and the value of the voltage across the modules connected in series when each module exhibits a high resistance value alone and the remaining modules exhibit a low resistance value. Obtained for all combinations from the group consisting of the values of the voltage across the modules connected in series when the two or more modules exhibit a high resistance value and the remaining modules exhibit a low resistance value. 4. The method of claim 3, wherein a module exhibiting a high resistance value is identified by finding a value substantially equal to the measured value of. 温度異常を検出するための装置であって、
直列接続されて成る少なくとも2つのモジュールを含み、
各モジュールは、所定の対象箇所に熱的に結合して配置されるPTC素子と該PTC素子に並列接続された抵抗器とを含み、通常の温度状態では低抵抗値を示し、温度異常状態では高抵抗値を示すように該PTC素子により切り換え可能であり、
該高抵抗値はモジュール間で相互に異なる値である、装置。
A device for detecting a temperature abnormality,
Including at least two modules connected in series;
Each module includes a PTC element that is thermally coupled to a predetermined target location and a resistor connected in parallel to the PTC element, and exhibits a low resistance value in a normal temperature state, and in a temperature abnormal state. It can be switched by the PTC element to show a high resistance value,
The device, wherein the high resistance value is different between modules.
各モジュールの高抵抗値、および2つ以上のモジュールからなる全ての組み合せについて得られる該2つ以上のモジュールの高抵抗値の和からなる群から選択されるいずれの2つの値も互いに相違する、請求項5に記載の装置。   Any two values selected from the group consisting of the high resistance value of each module and the sum of the high resistance values of the two or more modules obtained for all combinations of two or more modules are different from each other; The apparatus according to claim 5. 直列接続されて成るn個のモジュールを含み、モジュールの高抵抗値の比が、Z:Z:・・・:Z:・・・:Zn−1(Zは1より大きい所定の実数、mは1〜n−1の整数)により表される、請求項6に記載の装置。 It includes n modules connected in series, and the ratio of the high resistance values of the modules is Z 0 : Z 1 : ...: Z m : ...: Z n-1 (Z is a predetermined value greater than 1) The apparatus according to claim 6, represented by a real number, m is an integer of 1 to n−1. モジュールの低抵抗値は該モジュールに含まれるPTC素子のロー状態の抵抗値と実質的に等しく、モジュールの高抵抗値は該モジュールに含まれる抵抗器の抵抗値と実質的に等しい、請求項5〜7のいずれかに記載の装置。   The low resistance value of the module is substantially equal to a low resistance value of a PTC element included in the module, and a high resistance value of the module is substantially equal to a resistance value of a resistor included in the module. The apparatus in any one of -7. 直列接続されて成るn個のモジュールを含み、モジュールに各々含まれる抵抗器の抵抗値の比が、Z:Z:・・・:Z:・・・:Zn−1(Zは1より大きい所定の実数、mは1〜n−1の整数)により表される、請求項8に記載の装置。 It includes n modules connected in series, and the ratio of the resistance values of the resistors included in each module is Z 0 : Z 1 : ...: Z m : ...: Z n-1 (Z is The apparatus according to claim 8, represented by a predetermined real number greater than 1, m being an integer from 1 to n−1. PTC素子がポリマーPTC素子である、請求項5〜9のいずれかに記載の装置。   The apparatus according to claim 5, wherein the PTC element is a polymer PTC element. 請求項5〜10のいずれかに記載の装置を用いる、請求項1〜4のいずれかに記載の方法。   The method in any one of Claims 1-4 using the apparatus in any one of Claims 5-10.
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