JP2006140639A - Oscillation signal generator and its device - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To securely avoid the distortion of an oscillation signal. <P>SOLUTION: Each delay circuit 21 of an oscillation signal generation portion P1 is provided with a 1st current supply portion P4 which supplies a prescribed level current corresponding to a 1st control signal Sc1 between a source voltage and a differential couple portion P3 so that the differential couple portion P3, 1st and 2nd transmission lines L1 and L2, and a variable resistance portion P6 can be placed in a floating state from the source voltage. Consequently, a voltage connected to a portion placed in the floating state is adjusted to control the oscillation center voltage of an oscillation signal So so that operation of the delay circuit 21 does not deviate from a linear region. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は発振信号生成器及びその装置に関し、例えば、PLL(Phase Locked Loop)回路内の電圧制御発振器から供給されたクロック信号に基づいて光ディスクから読み出した読出信号をサンプリングするようになされた光ディスク再生装置に適用して好適なものである。   The present invention relates to an oscillation signal generator and an apparatus therefor, for example, an optical disc reproduction adapted to sample a read signal read from an optical disc based on a clock signal supplied from a voltage controlled oscillator in a PLL (Phase Locked Loop) circuit. It is suitable for application to an apparatus.

例えば、図10に示すような光ディスク再生装置100に設けられているPLL回路101は、当該PLL回路101の内部に設けられている電圧制御発振器を、光ディスクから読み出されたデータに含まれている位相情報に同期させるように制御する。これによりこの電圧制御発振器は、かかる位相情報に同期した発振信号を生成する。   For example, the PLL circuit 101 provided in the optical disc playback apparatus 100 as shown in FIG. 10 includes the voltage controlled oscillator provided in the PLL circuit 101 in the data read from the optical disc. Control to synchronize with phase information. As a result, the voltage controlled oscillator generates an oscillation signal synchronized with the phase information.

そしてこのPLL回路101は、当該電圧制御発振器により生成された発振信号を、光ディスクからの読出信号をサンプリングするためのクロック信号としてアナログデジタル変換部102に供給する。このアナログデジタル変換部102は、当該供給されるクロック信号に基づいて光ディスクから読み出された読出信号をサンプリングすることにより、デジタル形式のデータを得るようになされている。   The PLL circuit 101 supplies the oscillation signal generated by the voltage controlled oscillator to the analog / digital conversion unit 102 as a clock signal for sampling a read signal from the optical disk. The analog-to-digital converter 102 obtains digital data by sampling a read signal read from the optical disk based on the supplied clock signal.

このような構成はクロックデータリカバリシステムとして広く知られており、この構成により光ディスクに記録されているデータを正確に復元することができる。   Such a configuration is widely known as a clock data recovery system, and the data recorded on the optical disk can be accurately restored by this configuration.

因みにこのような光ディスク再生装置100に対しては、例えば図11に示すような、複数の遅延回路120(A〜D)が環状に接続されてなるリング型の電圧制御発振器110Aが適用される。このリング型の電圧制御発振器110Aは、発振信号の周波数可変範囲を広くすることができるので、クロックデータリカバリシステムに適する。   For example, a ring-type voltage controlled oscillator 110A in which a plurality of delay circuits 120 (A to D) are connected in a ring shape as shown in FIG. The ring-type voltage controlled oscillator 110A is suitable for a clock data recovery system because the frequency variable range of the oscillation signal can be widened.

ところで一般的に、CD(Compact Disc)及びDVD(Digital Versatile Disc)といった光ディスクに対しては、EFM(Eight to Fourteen Modulation)方式等によって変調されたデータが記憶されている。これにより光ディスク再生装置100によって光ディスクから読み出される読出信号は、例えば3T〜11T(このTは光ディスクのピットを検出する際に用いる基準クロック信号の周期)のパルス幅を有することになる。   By the way, generally, data modulated by an EFM (Eight to Fourteen Modulation) method or the like is stored in an optical disc such as a CD (Compact Disc) and a DVD (Digital Versatile Disc). As a result, the read signal read from the optical disc by the optical disc reproducing apparatus 100 has a pulse width of, for example, 3T to 11T (where T is the period of the reference clock signal used when detecting pits on the optical disc).

このため光ディスク再生装置100においては、例えば、このような種々のパルス幅を有する読出信号をアナログデジタル変換部102によってオーバサンプリングすることにより、精度良くデータを復元し得るようにした構成を採る場合がある。   For this reason, the optical disc reproducing apparatus 100 may employ a configuration in which data can be accurately restored by oversampling the read signal having such various pulse widths by the analog-digital conversion unit 102, for example. is there.

このようにアナログデジタル変換部102においてオーバサンプリングを実行するための手法としては、例えば2つの手法が考えられる。以下ではこの2つの手法を、それぞれ第1の手法及び第2の手法として順次説明する。   For example, two methods are conceivable as methods for executing oversampling in the analog-digital conversion unit 102 in this way. Hereinafter, these two methods will be sequentially described as a first method and a second method, respectively.

第1の手法では、PLL回路101からアナログデジタル変換部102に供給するクロック信号の周波数を上げることにより、アナログデジタル変換部102にオーバサンプリングを実行させるようにするものである。この場合このPLL回路101は、その内部の電圧制御発振器110Aに生成させる発振信号の周波数(発振周波数)を上げる必要がある。しかしながらこのように発振周波数を上げるようにすると、この電圧制御発振器110Aにおける消費電力が増大してしまうという問題が生じる。   In the first method, the analog / digital conversion unit 102 is caused to perform oversampling by increasing the frequency of the clock signal supplied from the PLL circuit 101 to the analog / digital conversion unit 102. In this case, the PLL circuit 101 needs to increase the frequency (oscillation frequency) of the oscillation signal to be generated by the internal voltage controlled oscillator 110A. However, when the oscillation frequency is increased in this way, there arises a problem that the power consumption in the voltage controlled oscillator 110A increases.

ここでは以下においてこの問題点を具体的に説明する。かかる図11に示した電圧制御発振器110Aを構成する各遅延回路120としては、例えば図12に示すような1Pole特性の差動増幅回路が適用される。   Here, this problem will be specifically described below. As each delay circuit 120 constituting the voltage controlled oscillator 110A shown in FIG. 11, for example, a differential amplification circuit having a 1 pole characteristic as shown in FIG. 12 is applied.

この遅延回路120では、前段の遅延回路120から非反転入力端子T101及び反転入力端子T102を介して入力された発振信号が、第101トランジスタTr101及び第102トランジスタTr102のゲートにそれぞれ供給されると、この第101トランジスタTr101及び第102トランジスタTr102のドレイン電流には、それぞれのゲートに供給された発振信号の電圧変化に応じた電流変化が生じる。これにより第101トランジスタTr101及び第102トランジスタTr102のドレイン側に接続された第101可変抵抗素子R101及び第102可変抵抗素子R102においては、第101トランジスタTr101及び第102トランジスタTr102のドレイン電流に生じる電流変化に応じて、電源電圧(Vcc)からの電圧降下量が変動する。   In the delay circuit 120, when the oscillation signals input from the preceding delay circuit 120 via the non-inverting input terminal T101 and the inverting input terminal T102 are respectively supplied to the gates of the 101st transistor Tr101 and the 102nd transistor Tr102, In the drain currents of the 101st transistor Tr101 and the 102nd transistor Tr102, current changes corresponding to voltage changes of the oscillation signals supplied to the respective gates occur. As a result, in the 101st variable resistance element R101 and the 102nd variable resistance element R102 connected to the drain side of the 101st transistor Tr101 and the 102nd transistor Tr102, current changes that occur in the drain currents of the 101st transistor Tr101 and the 102nd transistor Tr102 Accordingly, the amount of voltage drop from the power supply voltage (Vcc) varies.

この結果、第101可変抵抗素子R101と第101トランジスタTr101との間から延長する第101伝送線L101に接続されている反転出力端子T103からは、この第101可変抵抗素子R101における電圧降下量の変動に応じた電圧の信号が、後段の遅延回路120に対して供給される発振信号として出力され、また第102可変抵抗素子R102と第102トランジスタTr102との間から延長する第102伝送線L102に接続されている非反転出力端子T104からは、第102可変抵抗素子R102における電圧降下量の変動に応じた電圧の信号が、後段の遅延回路120に対して供給される発振信号として出力される。   As a result, from the inverting output terminal T103 connected to the 101st transmission line L101 extending from between the 101st variable resistance element R101 and the 101st transistor Tr101, the fluctuation of the voltage drop in the 101st variable resistance element R101 is changed. Is output as an oscillation signal supplied to the delay circuit 120 at the subsequent stage, and is connected to the 102nd transmission line L102 extending from between the 102nd variable resistance element R102 and the 102nd transistor Tr102. From the non-inverted output terminal T104, a voltage signal corresponding to the variation in the voltage drop amount in the 102nd variable resistance element R102 is output as an oscillation signal supplied to the delay circuit 120 at the subsequent stage.

このような構成でなる遅延回路120の周波数特性は、次式   The frequency characteristic of the delay circuit 120 having such a configuration is expressed by the following equation:

Figure 2006140639
Figure 2006140639

により表せる。ここで、A0は1段の遅延回路120におけるDC(直流)利得を示し、sはラプラス変数を示し、ω0はこの遅延回路120のカットオフ周波数を示している。 It can be expressed by Here, A 0 represents a DC (direct current) gain in the one-stage delay circuit 120, s represents a Laplace variable, and ω 0 represents a cutoff frequency of the delay circuit 120.

またかかるDC利得A0は、次式 The DC gain A 0 is given by

Figure 2006140639
Figure 2006140639

により表せる。さらにかかるカットオフ周波数ω0は、次式 It can be expressed by Furthermore, the cut-off frequency ω 0 is given by

Figure 2006140639
Figure 2006140639

により表せる。ここで、Gmiは第101トランジスタTr101及び第102トランジスタTr102のトランスコンダクタンス値を示し、R0は第101可変抵抗素子R101及び第102可変抵抗素子R102の抵抗値(DC時の出力インピーダンス値)を示し、CPOは第101コンデンサC101及び第102コンデンサC102の容量値を示している。 It can be expressed by Here, Gm i represents the transconductance value of the 101 transistors Tr101 and the 102 transistors Tr102, R 0 is the 101 variable resistor element R101 and the resistance value of the 102 variable resistor element R102 (output impedance value at DC) C PO indicates the capacitance values of the 101st capacitor C101 and the 102nd capacitor C102.

ここでこの電圧制御発振器110Aを発振させるためには、この電圧制御発振器110A内における発振信号が環状に接続された遅延回路120(A〜D)を1周回ってきたときに、その位相が360°回転し且つオープンループ利得が1倍以上保たれているようにしなければならない。   Here, in order to oscillate the voltage controlled oscillator 110A, when the oscillation signal in the voltage controlled oscillator 110A goes around the delay circuit 120 (A to D) connected in a ring shape, the phase is 360. It must be rotated and the open loop gain must be maintained at least 1x.

ここで図11に示したようにこの電圧制御発振器110Aは、負帰還接続となるように遅延回路120(A〜D)を環状に接続して構成されているので、この構成により発振信号の位相を180°回転させるようになされている。そしてこの場合この電圧制御発振器110Aにおいては、各遅延回路120によって位相遅れを生じさせることにより、この発振信号の位相をさらに180°回転させるようになされている。   Here, as shown in FIG. 11, the voltage controlled oscillator 110A is configured by connecting the delay circuits 120 (A to D) in a ring shape so as to form a negative feedback connection. Is rotated 180 °. In this case, in this voltage controlled oscillator 110A, each delay circuit 120 causes a phase lag to further rotate the phase of this oscillation signal by 180 °.

従ってこの電圧制御発振器110Aにおいては、1段の遅延回路120により生じさせる発振信号の位相遅れを180°/N(Nは遅延回路120の段数)と表せるので、この電圧制御発振器110Aの発振周波数ωoscは、次式、 Therefore, in this voltage controlled oscillator 110A, the phase delay of the oscillation signal generated by the one-stage delay circuit 120 can be expressed as 180 ° / N (N is the number of stages of the delay circuit 120). osc is:

Figure 2006140639
Figure 2006140639

により表せる。 It can be expressed by

また上述したように、この電圧制御発振器110Aにおけるオープンループ利得を1倍以上としなければならない。ここでこの電圧制御発振器110Aにおけるオープンループ利得は、電圧制御発振器110AがN段の遅延回路120を有するとした場合、次式、   Further, as described above, the open loop gain in the voltage controlled oscillator 110A must be set to 1 or more. Here, the open loop gain in the voltage controlled oscillator 110A is expressed by the following equation when the voltage controlled oscillator 110A has an N-stage delay circuit 120:

Figure 2006140639
Figure 2006140639

と表すことができるので、電圧制御発振器110Aにおけるオープンループ利得を1倍以上とするためには、次式、 Therefore, in order to make the open loop gain in the voltage controlled oscillator 110A one or more times,

Figure 2006140639
Figure 2006140639

を満たす必要がある。 It is necessary to satisfy.

従って、この電圧制御発振器110Aにおける遅延回路120の段数を例えば3段(N=3)とした場合には、1段の遅延回路120によるDC利得Aを「A≧2」とする必要があり、またこの場合この電圧制御発振器110Aにおける発振周波数ωoscを「ωosc=(√3)ω0」と表すことができる。 Therefore, when the number of stages of the delay circuit 120 in the voltage controlled oscillator 110A is, for example, three (N = 3), the DC gain A 0 by the one-stage delay circuit 120 needs to be “A 0 ≧ 2”. In this case, the oscillation frequency ω osc in the voltage controlled oscillator 110A can be expressed as “ω osc = (√3) ω 0 ”.

この結果、この電圧制御発振器110Aにおける発振周波数ωocsを高くする場合には、当該電圧制御発振器110Aが発振するように各遅延回路120のDC利得A0を保ちながら、各遅延回路120のカットオフ周波数ω0を高める必要があることがわかる。 As a result, when the oscillation frequency ω ocs of the voltage controlled oscillator 110A is increased, the cutoff frequency of each delay circuit 120 is maintained while maintaining the DC gain A 0 of each delay circuit 120 so that the voltage controlled oscillator 110A oscillates. It can be seen that the frequency ω 0 needs to be increased.

このカットオフ周波数ωを高めるためには、第101コンデンサC101及び第102コンデンサC102の容量値CPOを下げる方法が考えられる(上述の式(3)参照)。しかしながらこの第101コンデンサC101及び第102コンデンサC102については、第101伝送線L101及び第102伝送線L102のそれぞれに発生する寄生容量を適用する場合もあることから、その容量値CPOを連続的に可変させることが困難であり、従ってこの方法は採用し難い。 In order to increase the cut-off frequency ω 0 , a method of decreasing the capacitance value C PO of the 101st capacitor C101 and the 102nd capacitor C102 is conceivable (see the above formula (3)). However, for the first 101 capacitor C101 and a 102 capacitor C102, since the case is to apply a parasitic capacitance generated in each of the 101 transmission line L101 and the second 102 transmission line L102, continuously its capacity value C PO It is difficult to vary, so this method is difficult to adopt.

このカットオフ周波数ω0を高めるための別の方法として、第101可変抵抗素子R101及び第102可変抵抗素子R102の抵抗値R0を下げる方法が考えられる(上述の式(3)参照)。因みにこの方法を実現する場合には、図12との対応部分に同一符号を付して示す図13のように、例えばPMOS(pチャンネルMOSFET)でなる2つのトランジスタTr103、Tr104の5極管領域を利用することにより、これらトランジスタTr103、Tr104を可変抵抗素子として適用する構成や、図12との対応部分に同一符号を付して示す図14(A)のように、例えばPMOSでなる2つのトランジスタTr105、Tr106をダイオード接続することにより、これらトランジスタを可変抵抗素子として適用する構成が一般的である。 As another method for increasing the cut-off frequency ω 0 , a method of reducing the resistance value R 0 of the 101st variable resistance element R101 and the 102nd variable resistance element R102 is conceivable (see the above formula (3)). Incidentally, when this method is realized, the pentode region of two transistors Tr103 and Tr104 made of, for example, PMOS (p-channel MOSFET) as shown in FIG. As shown in FIG. 14 (A) in which these transistors Tr103 and Tr104 are applied as variable resistance elements, and corresponding parts to FIG. In general, the transistors Tr105 and Tr106 are diode-connected so that these transistors are applied as variable resistance elements.

ところで、このように可変抵抗素子の抵抗値R0を下げる方法を適用した場合には、この抵抗値R0の低下に伴って遅延回路120のDC利得A0も低下してしまうので(上述の式(2)参照)、当該DC利得A0を維持するためにも第101トランジスタTr101及び第102トランジスタTr102のトランスコンダクタンス値Gmiを上げる必要がある。 By the way, when the method of lowering the resistance value R 0 of the variable resistance element is applied as described above, the DC gain A 0 of the delay circuit 120 is also lowered as the resistance value R 0 is lowered (described above). equation (2)), and it is necessary to increase the transconductance value Gm i of the DC gain 101st transistor in order to maintain the a 0 Tr101 and the 102 transistor Tr102.

しかしながら、これら第101トランジスタTr101及び第102トランジスタTr102のトランスコンダクタンス値Gmiを上げる場合には、当該第101トランジスタTr101及び第102トランジスタTr102のドレイン電流を増やすことになるので、その結果消費電力が増大してしまうという問題が生じる。 However, these first 101 when increasing the transconductance value Gm i transistor Tr101 and the 102 transistors Tr102, it means that increasing the drain current of the first 101 transistor Tr101 and the 102 transistors Tr102, resulting power consumption increases The problem of end up occurs.

ここでこの消費電力が増大する点を詳細に説明する。まず一般的なトランジスタにおいては、トランスコンダクタンス値をGmとしてドレイン電流をIdsとすると「Gm∝√Ids」の関係になることが知られている。従って第101トランジスタTr101及び第102トランジスタTr102のトランスコンダクタンス値Gmを2倍にするためには、そのドレイン電流を約4倍にしなければならない。かかる電圧制御発振器110Aにおける発振周波数ωocsを例えば2倍にする場合には、可変抵抗素子の抵抗値R0を約1/2倍することになるので、これに伴って第101トランジスタTr101及び第102トランジスタTr102のトランスコンダクタンス値Gmiを約2倍しなければならない。従ってこの場合には、第101トランジスタTr101及び第102トランジスタTr102におけるドレイン電流が約4倍に増加することになる。 Here, the point that the power consumption increases will be described in detail. First, it is known that a general transistor has a relationship of “Gm∝√Ids” where the transconductance value is Gm and the drain current is Ids. Therefore, in order to double the transconductance value Gm i of the 101st transistor Tr101 and the 102nd transistor Tr102, the drain current must be increased about 4 times. When the oscillation frequency ω ocs in the voltage controlled oscillator 110A is doubled, for example, the resistance value R 0 of the variable resistance element is approximately halved. Accordingly, the 101st transistor Tr101 and the first transistor The transconductance value Gm i of the 102 transistor Tr102 must be approximately doubled. Therefore, in this case, the drain currents in the 101st transistor Tr101 and the 102nd transistor Tr102 increase about four times.

ここまでの説明からわかるように、PLL回路101(図10)からアナログデジタル変換部102に供給するクロック信号の周波数を上げるようにする第1の手法によれば、このPLL回路101内部の電圧制御発振器110Aに生成させる発振信号の周波数を上げることに伴って、この電圧制御発振器110Aにおける消費電力が増大してしまう問題が生じることがわかる。   As can be understood from the above description, according to the first method of increasing the frequency of the clock signal supplied from the PLL circuit 101 (FIG. 10) to the analog-digital conversion unit 102, the voltage control in the PLL circuit 101 is controlled. It can be seen that there is a problem that the power consumption of the voltage controlled oscillator 110A increases as the frequency of the oscillation signal generated by the oscillator 110A is increased.

次に、オーバサンプリングを実行するための2つの手法のうちの第2の手法を説明する。   Next, a second method of the two methods for executing oversampling will be described.

この第2の手法では、例えば図11との対応部分に同一符号を付した図15に示すようなリング型の電圧制御発振器110Bを用いる。この電圧制御発振器110Bでは、環状に接続される遅延回路120の段数を増加させた上で、各遅延回路120の間からそれぞれ位相の異なる複数の発振信号So(1、2、……)を取り出す。そして、当該取り出した多相の発振信号So(1、2、……)をクロック信号としてアナログデジタル変換部102に供給する。このようにすればアナログデジタル変換部102には、擬似的に高周波のクロック信号が供給されていることになり、かくしてオーバサンプリングすることができる。   In the second method, for example, a ring-type voltage controlled oscillator 110B as shown in FIG. In this voltage controlled oscillator 110B, the number of stages of delay circuits 120 connected in a ring is increased, and a plurality of oscillation signals So (1, 2,...) Having different phases are extracted from between the delay circuits 120. . Then, the extracted multiphase oscillation signal So (1, 2,...) Is supplied to the analog-to-digital converter 102 as a clock signal. In this way, a pseudo high frequency clock signal is supplied to the analog-digital conversion unit 102, and thus oversampling can be performed.

しかしながらこの第2の手法では、電圧制御発振器110Bにおける遅延回路120の段数が増加するので、これに伴ってこの電圧制御発振器110Bの発振周波数ωoscが低下してしまう(上述の式(4)参照)。そしてこのように電圧制御発振器110Bの発振周波数ωoscが低下した状態のままにしておくと、多相の発振信号So(1、2、……)をクロック信号としてアナログデジタル変換部102に対して供給したとしても、当該クロック信号の周波数が低下しているので、オーバサンプリングを確実に実行し得るとは限らない。 However, in the second method, the number of stages of the delay circuit 120 in the voltage controlled oscillator 110B increases, and accordingly, the oscillation frequency ω osc of the voltage controlled oscillator 110B decreases (see the above formula (4)). ). If the oscillation frequency ω osc of the voltage controlled oscillator 110B is lowered as described above, the multi-phase oscillation signal So (1, 2,...) Is used as a clock signal to the analog / digital converter 102. Even if it is supplied, the frequency of the clock signal is lowered, so oversampling cannot always be performed reliably.

従って、電圧制御発振器110Bにおける遅延回路120の段数の増加に伴って発振周波数ωoscが低下してしまうことを回避しなければならないが、結局その場合には遅延回路120における消費電力が増大してしまう問題が生じる。 Therefore, it is necessary to avoid a decrease in the oscillation frequency ω osc as the number of stages of the delay circuit 120 in the voltage controlled oscillator 110B increases. However, in that case, the power consumption in the delay circuit 120 increases in the end. Problem arises.

ここでこの消費電力が増大する点を、図16を用いて詳細に説明する。因みにこの図16(A)は、電圧制御発振器110Bにおける遅延回路120の段数Nを変更した場合に、発振周波数ωoscがどのように変化するかを示している(ここでは、遅延回路120におけるカットオフ周波数ω0の値を固定して考える)。また図16(B)は、電圧制御発振器110Bにおける遅延回路120の段数Nを変更した際、この電圧制御発振器110Bにおけるオープンループ利得を1倍以上に保つために、各遅延回路120が有すべきDC利得A0の値を示している。 Here, the point that the power consumption increases will be described in detail with reference to FIG. FIG. 16A shows how the oscillation frequency ω osc changes when the number N of stages of the delay circuit 120 in the voltage controlled oscillator 110B is changed (here, the cut in the delay circuit 120). Consider a fixed value of the off-frequency ω 0 ). Further, FIG. 16B shows that each delay circuit 120 should have in order to keep the open loop gain in the voltage controlled oscillator 110B at 1 or more when the number N of stages of the delay circuit 120 in the voltage controlled oscillator 110B is changed. The value of DC gain A 0 is shown.

例えば、この電圧制御発振器110Bにおける遅延回路120の段数を3段から6段に増加させることにより、位相の異なる発振信号Soの数を2倍にする場合を考える。この場合、遅延回路120の数が2倍に増加することから、これに伴って必然的に、第101トランジスタTr101及び第102トランジスタTr102(図12)のドレインに流す電流量が2倍になってしまう。   For example, consider a case where the number of oscillation signals So having different phases is doubled by increasing the number of stages of the delay circuit 120 in the voltage controlled oscillator 110B from three to six. In this case, since the number of delay circuits 120 is doubled, the amount of current flowing through the drains of the 101st transistor Tr101 and the 102nd transistor Tr102 (FIG. 12) is necessarily doubled accordingly. End up.

さらにこの場合、図16(A)からも明らかなように、ただ単に遅延回路120の段数を3段から6段に増加させた場合には発振周波数ωoscが約1/3に低下してしまうので、この低下を回避するためにも、かかるドレイン電流を「Gm∝√Ids」の関係からさらに約9倍(すなわち3倍の自乗)する必要がある。 Further, in this case, as is clear from FIG. 16A, when the number of stages of the delay circuit 120 is simply increased from 3 stages to 6 stages, the oscillation frequency ω osc is reduced to about 3. Therefore, in order to avoid this decrease, it is necessary to further increase the drain current by about 9 times (that is, 3 times the square) from the relationship of “Gm∝√Ids”.

この一方で図16(B)に示すように、各遅延回路120のDC利得A0については、遅延回路120を3段とした場合には約2以上必要であったものが、遅延回路120を6段とした場合には約1.16以上にすればよいことがわかる。従って遅延回路120の段数を3段から6段に増加させた場合には、各遅延回路120のDC利得A0を約0.58倍にすることができ、かくしてかかるドレイン電流を約0.33倍(つまり0.58倍の自乗)に減らすことができる。 On the other hand, as shown in FIG. 16B, the DC gain A 0 of each delay circuit 120 is required to be about 2 or more when the delay circuit 120 has three stages. In the case of six stages, it can be seen that it should be about 1.16 or more. Therefore, when the number of stages of the delay circuit 120 is increased from three to six, the DC gain A 0 of each delay circuit 120 can be increased by about 0.58 times, and thus the drain current is increased by about 0.33. Can be reduced to double (that is, 0.58 times the square).

以上の結果この場合には、結局かかるドレイン電流を約6倍(2倍×9倍×0.33倍)にしなければならず、かくしてこの第2の手法においても、遅延回路120の段数を増やすことに起因して電圧制御発振器110Bにおける消費電力が増大してしまう問題が生じることがわかる。   As a result of the above, in this case, the drain current must be increased by about 6 times (2 times × 9 times × 0.33 times), and thus the number of stages of the delay circuit 120 is increased also in this second method. It can be seen that this causes a problem that the power consumption in the voltage controlled oscillator 110B increases.

ところで、以上に説明した第1及び第2の手法とは別に、位相補間という手法(以下、これを第3の手法と呼ぶ)が知られている。この第3の手法では、多相のクロック信号を得ることができるのにも関わらず、遅延回路の段数増加を回避することができ、かくして消費電力の増大を抑制することができる(非特許文献1参照)。
Wing-Hong Chan, Jack Lau, and Aaron Buchwald, "A 622-MHz Interpolating Ring VCO with Temperature Compensation and Jitter Analysis" 1997 IEEE International Symposium on Circuits and Systems, June 9-12 1997, Hong Kong
By the way, apart from the first and second methods described above, a method called phase interpolation (hereinafter referred to as the third method) is known. In the third method, an increase in the number of stages of delay circuits can be avoided in spite of being able to obtain a multi-phase clock signal, and thus an increase in power consumption can be suppressed (non-patent document). 1).
Wing-Hong Chan, Jack Lau, and Aaron Buchwald, "A 622-MHz Interpolating Ring VCO with Temperature Compensation and Jitter Analysis" 1997 IEEE International Symposium on Circuits and Systems, June 9-12 1997, Hong Kong

ここで図11との対応部分に同一符号を付して示す図17を用いて、この第3の手法が適用された電圧制御発振器110Cの一例構成を説明する。この電圧制御発振器110Cは、図13又は図14に示した遅延回路120を例えば4段有し、これら遅延回路120(A〜D)が環状に接続されて構成されている。これによりこれら遅延回路120の間からは、π/4ずつ位相がずれた計8相の発振信号So(1、2、……)が取り出される。   Here, an example configuration of the voltage-controlled oscillator 110C to which the third method is applied will be described with reference to FIG. This voltage controlled oscillator 110C has, for example, four stages of delay circuits 120 shown in FIG. 13 or FIG. 14, and these delay circuits 120 (A to D) are connected in a ring shape. As a result, a total of eight-phase oscillation signals So (1, 2,...) With phases shifted by π / 4 are extracted from between these delay circuits 120.

またこの電圧制御発振器110Cは、これら遅延回路120の間から取り出した位相の隣り合う2つの発振信号Soを足し合わせることにより当該2つの発振信号Soを位相的に補間するような補間位相信号Ss(1、2、……)を生成するための加算回路130(A、B、……)を複数有する。ここで図18を用いて、この加算回路130の構成を説明する。   The voltage-controlled oscillator 110C adds the two oscillation signals So adjacent to each other in phase extracted from between the delay circuits 120, thereby interpolating the two oscillation signals So in phase. .., 2) for generating a plurality of adder circuits 130 (A, B,...). Here, the configuration of the adder circuit 130 will be described with reference to FIG.

この加算回路130では、第111入力端子T111から入力された第1発振信号So1に応じて第111トランジスタTr111に流れるドレイン電流が変化すると共に、第113入力端子T113から入力された第3発振信号So3に応じて第113トランジスタTr113に流れるドレイン電流が変化する。そして、この第111トランジスタTr111のドレインにおける電流変化と第113トランジスタTr113のドレインにおける電流変化とは、第111伝送線L111を介して足し合わされる。これにより負荷素子として機能する第115トランジスタTr115においては、当該第111伝送線L111を介して足し合わされた電流変化に応じて、電源電圧からの電圧降下量が変動する。この結果この第111伝送線L111に接続された第115出力端子T115からは、第1発振信号So1と第3発振信号So3との中間位相となるような第1補間位相信号Ss1が得られる。   In the adder circuit 130, the drain current flowing through the 111th transistor Tr111 changes according to the first oscillation signal So1 input from the 111th input terminal T111, and the third oscillation signal So3 input from the 113th input terminal T113. Accordingly, the drain current flowing through the 113th transistor Tr113 changes. The current change at the drain of the 111th transistor Tr111 and the current change at the drain of the 113th transistor Tr113 are added through the 111th transmission line L111. Thus, in the 115th transistor Tr115 functioning as a load element, the amount of voltage drop from the power supply voltage varies according to the current change added through the 111th transmission line L111. As a result, from the 115th output terminal T115 connected to the 111th transmission line L111, a first interpolation phase signal Ss1 is obtained which has an intermediate phase between the first oscillation signal So1 and the third oscillation signal So3.

また同様にしてこの加算回路130では、第112入力端子T112から入力された第2発振信号So2に応じて第112トランジスタTr112に流れるドレイン電流が変化すると共に、第114入力端子T114から入力された第4発振信号So4に応じて第114トランジスタTr114に流れるドレイン電流が変化する。そして、この第112トランジスタTr112のドレインにおける電流変化と第114トランジスタTr114のドレインにおける電流変化とは、第112伝送線L112を介して足し合わされる。これにより負荷素子として機能する第116トランジスタTr116においては、当該第112伝送線L112を介して足し合わされた電流変化に応じて、電源電圧からの電圧降下量が変動する。この結果この第112伝送線L112に接続された第116出力端子T116からは、第2発振信号So2と第4発振信号So4との中間位相となるような第2補間位相信号Ss2が得られる。   Similarly, in the adder circuit 130, the drain current flowing through the 112th transistor Tr112 changes according to the second oscillation signal So2 input from the 112th input terminal T112, and the first input from the 114th input terminal T114 is changed. The drain current flowing through the 114th transistor Tr114 changes according to the fourth oscillation signal So4. The current change at the drain of the 112th transistor Tr112 and the current change at the drain of the 114th transistor Tr114 are added through the 112th transmission line L112. Accordingly, in the 116th transistor Tr116 functioning as a load element, the amount of voltage drop from the power supply voltage varies according to the current change added through the 112th transmission line L112. As a result, a second interpolation phase signal Ss2 is obtained from the 116th output terminal T116 connected to the 112th transmission line L112 so as to be an intermediate phase between the second oscillation signal So2 and the fourth oscillation signal So4.

以上に説明したようにしてこの電圧制御発振器110Cは、環状に接続された遅延回路120(A〜D)によって複数の発振信号So(1、2、……)を生成すると共に、これら発振信号Soを足し合わせることによって補間位相信号Ss(1、2、……)を生成し、これらをクロック信号としてアナログデジタル変換部102に対して供給することにより、アナログデジタル変換部102にオーバサンプリングを実行させるようになされている。   As described above, the voltage controlled oscillator 110C generates a plurality of oscillation signals So (1, 2,...) By the delay circuits 120 (A to D) connected in a ring shape, and these oscillation signals So. Are added together to generate an interpolated phase signal Ss (1, 2,...) And supply them as a clock signal to the analog-to-digital converter 102, thereby causing the analog-to-digital converter 102 to perform oversampling. It is made like that.

ここで、このアナログデジタル変換部102において正確にオーバサンプリングが実行されるようにするためには、クロック信号としてアナログデジタル変換部102に供給する第1補間位相信号Ss1や第2補間位相信号Ss2等を精度良く生成する必要がある。   Here, in order to accurately perform oversampling in the analog-to-digital conversion unit 102, the first interpolation phase signal Ss1, the second interpolation phase signal Ss2, and the like supplied to the analog-to-digital conversion unit 102 as a clock signal, etc. Must be generated with high accuracy.

例えば、第1発振信号So1の位相をsin(ωt+π/8)とし、当該第1発振信号So1から位相がπ/4ずれた第3発振信号So3の位相をsin(ωt−π/8)とすると、第1補間位相信号Ss1の位相は、次式   For example, when the phase of the first oscillation signal So1 is sin (ωt + π / 8) and the phase of the third oscillation signal So3 whose phase is shifted by π / 4 from the first oscillation signal So1 is sin (ωt−π / 8). The phase of the first interpolation phase signal Ss1 is given by

Figure 2006140639
Figure 2006140639

にあるように「1.85sinωt」として表せる。これにより第1発振信号So1及び第3発振信号So3において単一周波数ωのみが含まれている状態にすれば、第1補間位相信号Ss1を精度良く生成し得ることがわかる。 It can be expressed as “1.85 sin ωt”. Thus, it can be seen that if the first oscillation signal So1 and the third oscillation signal So3 include only the single frequency ω, the first interpolation phase signal Ss1 can be generated with high accuracy.

ところで、環状に接続された遅延回路120(A〜D)において発振信号Soが生成されるためには、上述したように、これら遅延回路120のDC利得Aを所定の理論値以上に維持しなければならない(例えば、遅延回路120の段数Nが3であればDC利得Aを2以上にする)。 By the way, in order to generate the oscillation signal So in the annularly connected delay circuits 120 (A to D), as described above, the DC gain A 0 of these delay circuits 120 is maintained at a predetermined theoretical value or more. (For example, if the number N of stages of the delay circuit 120 is 3, the DC gain A 0 is set to 2 or more).

このDC利得Aは上述の式(2)からも明らかなように、遅延回路120を構成する各トランジスタのパラメータ(トランスコンダクタンス値Gmiや抵抗値R0)により決定されるので、各遅延回路120のDC利得Aを所定の理論値以上にする際には、この理論値に応じたパラメータを有するトランジスタを選定することになる。 As is apparent from the above equation (2), the DC gain A 0 is determined by the parameters (transconductance value Gm i and resistance value R 0 ) of each transistor constituting the delay circuit 120. when a DC gain a 0 120 above a predetermined theoretical value will be selected transistors having parameters corresponding to the theoretical value.

ところが実際上、これら遅延回路120を構成するトランジスタについては、製造ばらつき等によりそのパラメータが一定でないので、これら遅延回路120が発振信号Soを確実に生成し得るようにするためにも、各遅延回路120のDC利得Aが理論値よりも大きめになるように、トランジスタを選定して設計することになる。 However, in practice, the parameters of the transistors constituting the delay circuit 120 are not constant due to manufacturing variations or the like. Therefore, in order to ensure that the delay circuit 120 can generate the oscillation signal So, each delay circuit 120 The transistors are selected and designed so that the DC gain A 0 of 120 is larger than the theoretical value.

しかしながらこのように設計すると、遅延回路120におけるDC利得Aが大きくなりすぎる場合があり、この場合には大きくなりすぎたDC利得Aに比例して、これら遅延回路120により生成される発振信号Soの振幅が大きくなってしまい、その結果遅延回路120の動作が線形領域から外れてしまう時間が長くなる。 However, if designed in this way, the DC gain A 0 in the delay circuit 120 may become too large. In this case, the oscillation signal generated by these delay circuits 120 in proportion to the DC gain A 0 that has become too large. The amplitude of So increases, and as a result, the time during which the operation of the delay circuit 120 deviates from the linear region becomes longer.

このように遅延回路120の動作が線形領域から外れてしまう時間が長くなると、これら遅延回路120により生成される発振信号Soが歪んでしまうので、当該発振信号Soにおいてかかる周波数ω以外の高周波成分が含まれることになり、その結果上述の式(7)が成り立たなくなって、補間位相信号Ssの精度が悪くなってしまう。   As described above, when the time during which the operation of the delay circuit 120 deviates from the linear region becomes long, the oscillation signal So generated by the delay circuit 120 is distorted. Therefore, a high-frequency component other than the frequency ω is included in the oscillation signal So. As a result, the above equation (7) does not hold, and the accuracy of the interpolation phase signal Ss deteriorates.

本発明は以上の点を考慮してなされたもので、発振信号が歪んでしまうのを確実に回避することができる発振信号生成器及びその装置を提案しようとするものである。   The present invention has been made in consideration of the above points, and an object of the present invention is to propose an oscillation signal generator and an apparatus thereof that can reliably avoid distortion of an oscillation signal.

かかる課題を解決するため本発明においては、環状に接続された複数の遅延回路を用いて発振信号を生成する発振信号生成器において、各遅延回路は、前段の遅延回路から供給される発振信号の電圧変化を電流変化に変換する電圧電流変換部と、電源電圧と電圧電流変換部との間に設けられ、所定量の電流を供給する第1の電流供給部と、第1の電流供給部から供給される電流を、電圧電流変換部を介して引き込む第1の電流引込部と、第1の電流供給部と電圧電流変換部との間から延長し、電圧電流変換部により得られた電流変化を伝送する伝送線と、伝送線により伝送された電流変化を電圧変化に変換し、当該変換結果を発振信号として後段の遅延回路に対して供給する電流電圧変換部とを備えるようにした。   In order to solve such a problem, in the present invention, in an oscillation signal generator that generates an oscillation signal using a plurality of delay circuits connected in a ring shape, each delay circuit has an oscillation signal supplied from a preceding delay circuit. A voltage-current conversion unit that converts a voltage change into a current change, a first current supply unit that is provided between the power supply voltage and the voltage-current conversion unit, and that supplies a predetermined amount of current; A current change obtained by extending the supplied current from the first current drawing unit that draws in through the voltage-current conversion unit, and between the first current supply unit and the voltage-current conversion unit. And a current-voltage conversion unit that converts a current change transmitted through the transmission line into a voltage change and supplies the conversion result as an oscillation signal to a delay circuit in the subsequent stage.

このようにこの発振信号生成器においては、所定量の電流を供給する第1の電流供給部を電源電圧と電圧電流変換部との間に設けるようにしたことにより、この電圧電流変換部とこの電圧電流変換部により得られた電流変化を伝送する伝送線とこの伝送線により伝送された電流変化を電圧変化に変換する電流電圧変換部とを電源電圧からフローティングしたような状態にすることができる。この結果このフローティングしたような状態となっている部分に接続される電圧を調節することにより、発振信号の発振中心電圧を制御することができる。   As described above, in this oscillation signal generator, the first current supply unit that supplies a predetermined amount of current is provided between the power supply voltage and the voltage-current conversion unit. The transmission line that transmits the current change obtained by the voltage-current conversion unit and the current-voltage conversion unit that converts the current change transmitted by the transmission line into a voltage change can be brought into a floating state from the power supply voltage. . As a result, the oscillation center voltage of the oscillation signal can be controlled by adjusting the voltage connected to the floating portion.

また本発明の発振信号生成器においては、電流電圧変換部によって電流変化が電圧変化に変換される変換割合を、調節する電流電圧変換割合調節手段を備えるようにした。   In the oscillation signal generator of the present invention, the current-voltage conversion ratio adjusting means for adjusting the conversion ratio at which the current change is converted into the voltage change by the current-voltage converter is provided.

かくしてこの発振信号生成器によれば、電流変化が電圧変化に変換される変換割合(抵抗値)を調節することにより、発振信号の振幅を制御することができる。   Thus, according to this oscillation signal generator, the amplitude of the oscillation signal can be controlled by adjusting the conversion ratio (resistance value) at which the current change is converted into the voltage change.

さらに本発明の発振信号生成器においては、所定量の電流を供給する第2の電流供給部と、第2の電流供給部から供給される電流を、電流電圧変換部を介して引き込む第2の電流引込部とを備え、電流電圧変換部は、伝送線により伝送された電流変化を、第2の電流供給部から当該電流電圧変換部を介して第2の電流引込部により引き込まれる電流量に応じた変換割合で、電圧変化に変換し、電流電圧変換割合調節手段は、第2の電流供給部から当該電流電圧変換部を介して第2の電流引込部により引き込まれる電流量を制御することにより、変換割合を調節するようにした。   Furthermore, in the oscillation signal generator of the present invention, a second current supply unit that supplies a predetermined amount of current, and a second current that is supplied from the second current supply unit via the current-voltage conversion unit. A current drawing unit, and the current-voltage conversion unit converts the current change transmitted by the transmission line into a current amount drawn by the second current drawing unit from the second current supply unit via the current-voltage conversion unit. The current / voltage conversion ratio adjusting means controls the amount of current drawn by the second current drawing unit from the second current supply unit via the current / voltage conversion unit. Thus, the conversion ratio was adjusted.

かくしてこの発振信号生成器によれば、第2の電流供給部から電流電圧変換部を介して第2の電流引込部により引き込まれる電流量を制御することにより、電流変化が電圧変化に変換される変換割合(抵抗値)を調節することができ、これにより発振信号の振幅を制御することができる。   Thus, according to the oscillation signal generator, the current change is converted into the voltage change by controlling the amount of current drawn from the second current supply unit via the current-voltage conversion unit by the second current drawing unit. The conversion ratio (resistance value) can be adjusted, whereby the amplitude of the oscillation signal can be controlled.

さらに本発明の発振信号生成器においては、第1及び第2の電流供給部に供給させる電流量と、第1及び第2の電流引込部に引き込ませる電流量とを制御する制御手段を備えるようにした。   Furthermore, the oscillation signal generator according to the present invention includes a control unit that controls the amount of current supplied to the first and second current supply units and the amount of current drawn to the first and second current drawing units. I made it.

かくしてこの発振信号生成器によれば、第1及び第2の電流供給部に供給させる電流量と、第1及び第2の電流引込部に引き込ませる電流量とのバランスを崩すことにより、第1及び第2の電流引込部に生じる電圧を調節することができ、これにより発振信号の発振中心電圧を制御することができる。   Thus, according to the oscillation signal generator, the first and second current supply units and the first and second current drawing units balance the current amount to be supplied to the first and second current supply units. In addition, the voltage generated in the second current drawing unit can be adjusted, whereby the oscillation center voltage of the oscillation signal can be controlled.

また本発明の発振信号生成器においては、電圧電流変換部によって発振信号の電圧変化が電流変化に変換される変換割合を、調節する電圧電流変換割合調節手段を備えるようにした。   In the oscillation signal generator of the present invention, voltage-current conversion ratio adjusting means for adjusting the conversion ratio at which the voltage change of the oscillation signal is converted into the current change by the voltage-current converter is provided.

かくしてこの発振信号生成器によれば、発振信号の電圧変化が電流変化に変換される変換割合(トランスコンダクタンス値)を調節することにより、発振信号の振幅を制御することができる。   Thus, according to the oscillation signal generator, the amplitude of the oscillation signal can be controlled by adjusting the conversion ratio (transconductance value) at which the voltage change of the oscillation signal is converted into the current change.

また本発明の発振信号生成器においては、電圧電流変換部は、前段の遅延回路から供給される発振信号の電圧変化を、第1の電流供給部から当該電圧電流変換部を介して第1の電流引込部により引き込まれる電流量に応じた変換割合で、電流変化に変換し、電圧電流変換割合調節手段は、第1の電流供給部から当該電圧電流変換部を介して第1の電流引込部により引き込まれる電流量を制御することにより、変換割合を調節するようにした。   In the oscillation signal generator according to the present invention, the voltage-current converter may change the voltage of the oscillation signal supplied from the preceding delay circuit from the first current supply via the voltage-current converter. The voltage / current conversion ratio adjusting means converts the current change at a conversion ratio corresponding to the amount of current drawn by the current drawing section, and the voltage / current conversion ratio adjusting means is connected to the first current drawing section from the first current supply section via the voltage / current conversion section. The conversion rate was adjusted by controlling the amount of current drawn by.

かくしてこの発振信号生成器によれば、第1の電流供給部から電圧電流変換部を介して第1の電流引込部により引き込まれる電流量を制御することにより、発振信号の電圧変化が電流変化に変換される変換割合(トランスコンダクタンス値)を調節することができ、これにより発振信号の振幅を制御することができる。   Thus, according to the oscillation signal generator, the voltage change of the oscillation signal is changed to the current change by controlling the amount of current drawn from the first current supply unit via the voltage-current conversion unit by the first current drawing unit. The conversion ratio (transconductance value) to be converted can be adjusted, whereby the amplitude of the oscillation signal can be controlled.

本発明によれば、所定量の電流を供給する電流供給部を電源電圧と電圧電流変換部との間に設けるようにしたことにより、この電圧電流変換部とこの電圧電流変換部により得られた電流変化を伝送する伝送線とこの伝送線により伝送された電流変化を電圧変化に変換し当該変換結果を発振信号として後段の遅延回路に供給する電流電圧変換部とを電源電圧からフローティングしたような状態にすることができ、かくしてこのフローティングしたような状態となっている部分に接続される電圧を調節することにより、発振信号の発振中心電圧を制御することができる。   According to the present invention, a current supply unit that supplies a predetermined amount of current is provided between the power supply voltage and the voltage-current conversion unit, and thus obtained by the voltage-current conversion unit and the voltage-current conversion unit. A transmission line that transmits a current change and a current-voltage conversion unit that converts the current change transmitted through the transmission line into a voltage change and supplies the conversion result as an oscillation signal to a delay circuit at a subsequent stage, such as floating from the power supply voltage The oscillation center voltage of the oscillation signal can be controlled by adjusting the voltage connected to the floating portion.

また本発明によれば、発振信号の電圧変化が電流変化に変換される変換割合(トランスコンダクタンス値)を調節することにより、発振信号の振幅を制御することができる。   According to the present invention, the amplitude of the oscillation signal can be controlled by adjusting the conversion ratio (transconductance value) at which the voltage change of the oscillation signal is converted into the current change.

さらに本発明によれば、電流変化が電圧変化に変換される変換割合(抵抗値)を調節することにより、発振信号の振幅を制御することができる。   Furthermore, according to the present invention, the amplitude of the oscillation signal can be controlled by adjusting the conversion ratio (resistance value) at which the current change is converted into the voltage change.

この結果、発振信号の振幅及び発振中心電圧を遅延回路の動作が線形領域から外れないように制御することができ、かくして発振信号が歪んでしまうのを確実に回避することができる発振信号生成器及びその装置を実現することができる。   As a result, the oscillation signal generator can control the amplitude and oscillation center voltage of the oscillation signal so that the operation of the delay circuit does not deviate from the linear region, and thus can reliably avoid the distortion of the oscillation signal. And its apparatus can be realized.

以下図面について、本発明の一実施の形態を詳述する。   Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

(1)光ディスク再生装置の構成
図1において、1は全体として光ディスク再生装置を示し、この光ディスク再生装置1は、光ディスクから光ピックアップ等を介して読み出したアナログ形式の読出信号Srを、アナログフロントエンド部2に対して供給する。このアナログフロントエンド部2は、当該供給される読出信号Srに対して例えば増幅等の処理を施した後、これをアナログデジタル変換部3に対して供給する。
(1) Configuration of Optical Disc Playback Device In FIG. 1, reference numeral 1 denotes an optical disc playback device as a whole. This optical disc playback device 1 uses an analog front end to read an analog read signal Sr read from an optical disc through an optical pickup or the like. Supply to part 2. The analog front end unit 2 performs a process such as amplification on the supplied read signal Sr and supplies the read signal Sr to the analog / digital conversion unit 3.

このアナログデジタル変換部3は、アナログフロントエンド部2から供給される読出信号Srを、PLL回路4から供給されるクロック信号Sclkに基づいてサンプリングし、この結果得られたデジタル形式のデータD1を、DSP(Digital Signal Processor)5に対して供給する。このDSP5は、当該供給されるデータD1に対して例えば再生処理を施すことにより、音楽や映像等を所定の出力手段を介して出力するようになされている。   The analog-to-digital converter 3 samples the read signal Sr supplied from the analog front-end unit 2 based on the clock signal Sclk supplied from the PLL circuit 4, and the digital data D1 obtained as a result is Supplied to a DSP (Digital Signal Processor) 5. The DSP 5 outputs music, video, and the like via predetermined output means by performing, for example, a reproduction process on the supplied data D1.

ここで本実施の形態の光ディスク再生装置1においては、クロックデータリカバリシステムが適用されている。すなわちかかるPLL回路4は、アナログデジタル変換部3からのデータD1に含まれる位相情報を位相情報信号として抽出する。そしてこのPLL回路4は、当該PLL回路4の内部に設けられている電圧制御発振器を、当該抽出した位相情報信号に同期させるように制御する。これによりこの電圧制御発振器は、この位相情報信号に同期した発振信号を生成する。   Here, a clock data recovery system is applied to the optical disc reproducing apparatus 1 of the present embodiment. That is, the PLL circuit 4 extracts the phase information included in the data D1 from the analog / digital conversion unit 3 as a phase information signal. The PLL circuit 4 controls a voltage controlled oscillator provided in the PLL circuit 4 so as to synchronize with the extracted phase information signal. As a result, the voltage controlled oscillator generates an oscillation signal synchronized with the phase information signal.

次いでこのPLL回路4は、当該電圧制御発振器により生成された発振信号を、クロック信号Sclkとしてアナログデジタル変換部3に供給する。これによりアナログデジタル変換部3は、当該供給されるクロック信号Sclkに基づいて光ディスクから読み出された読出信号Srをサンプリングし、かくして光ディスクに記録されていたデータを正確に復元することができる。   Next, the PLL circuit 4 supplies the oscillation signal generated by the voltage controlled oscillator to the analog / digital conversion unit 3 as the clock signal Sclk. As a result, the analog-to-digital converter 3 samples the read signal Sr read from the optical disc based on the supplied clock signal Sclk, and thus can accurately restore the data recorded on the optical disc.

(2)PLL回路の構成
次に図2を用いて、この光ディスク再生装置1に適用されているPLL回路4の一例構成を説明する。
(2) Configuration of PLL Circuit Next, an example configuration of the PLL circuit 4 applied to the optical disc playback apparatus 1 will be described with reference to FIG.

このPLL回路4内の位相周波数比較回路11に対しては、アナログデジタル変換部3(図1)により供給されるデータD1から抽出した位相情報信号Sp1が供給されると共に、電圧制御発振器12からの発振信号Soが分周器13を介して供給される。   A phase information signal Sp1 extracted from the data D1 supplied by the analog / digital conversion unit 3 (FIG. 1) is supplied to the phase frequency comparison circuit 11 in the PLL circuit 4 and also from the voltage controlled oscillator 12. The oscillation signal So is supplied via the frequency divider 13.

この位相周波数比較回路11は、当該位相情報信号Sp1の位相と当該発振信号Soの位相とを比較することにより、当該位相情報信号Sp1と当該発振信号Soとの位相差を検出し、その結果を示した位相差信号Sp2をチャージポンプ回路14に対して供給する。このチャージポンプ回路14は、位相周波数比較回路11からの位相差信号Sp2を電流に変換し、これを位相差電流信号Sp3としてローパスフィルタ15に対して供給する。   The phase frequency comparison circuit 11 detects the phase difference between the phase information signal Sp1 and the oscillation signal So by comparing the phase of the phase information signal Sp1 and the phase of the oscillation signal So, and obtains the result. The phase difference signal Sp2 shown is supplied to the charge pump circuit 14. The charge pump circuit 14 converts the phase difference signal Sp2 from the phase frequency comparison circuit 11 into a current, and supplies this to the low-pass filter 15 as the phase difference current signal Sp3.

このローパスフィルタ15は、チャージポンプ回路14からの位相差電流信号Sp3を電圧に変換し、これを電圧制御発振器12の発振周波数を制御するための制御電圧信号Scとして、電圧制御発振器12に対して供給する。この電圧制御発振器12は、ローパスフィルタ15からの制御電圧信号Scに応じた発振周波数となるように発振し、その結果得られた発振信号Soを分周器13を介して位相周波数比較回路11に対して供給するようになされている。   The low-pass filter 15 converts the phase difference current signal Sp3 from the charge pump circuit 14 into a voltage, which is used as a control voltage signal Sc for controlling the oscillation frequency of the voltage controlled oscillator 12 with respect to the voltage controlled oscillator 12. Supply. The voltage controlled oscillator 12 oscillates to have an oscillation frequency corresponding to the control voltage signal Sc from the low pass filter 15, and the resulting oscillation signal So is sent to the phase frequency comparison circuit 11 via the frequency divider 13. It is made to supply to.

また本実施の形態の場合この電圧制御発振器12は、それぞれ位相の異なる複数の発振信号Soと、これら発振信号Soを位相的に補間することにより得られる補間位相信号とを、クロック信号Sclkとしてアナログデジタル変換部3に供給するようになされている。以下では、この点を中心に電圧制御発振器12の構成を説明する。   In the case of this embodiment, the voltage controlled oscillator 12 uses a plurality of oscillation signals So having different phases and an interpolation phase signal obtained by interpolating these oscillation signals So in phase as an analog clock signal Sclk. The digital conversion unit 3 is supplied. Hereinafter, the configuration of the voltage controlled oscillator 12 will be described focusing on this point.

(3)電圧制御発振器の構成
次に図3を用いて、この電圧制御発振器12の全体構成を説明する。
(3) Configuration of Voltage Controlled Oscillator Next, the overall configuration of the voltage controlled oscillator 12 will be described with reference to FIG.

(3−1)全体構成
この電圧制御発振器12は、環状に接続された4つの遅延回路21(A〜D)によって発振信号Soを生成する発振信号生成部P1と、当該発振信号生成部P1から得られるそれぞれ位相の異なる8つの発振信号So(1〜8)を4つの加算回路22(A〜D)によって加算することによりこれら発振信号Soを位相的に補間するような補間位相信号Ss(1〜8)を生成する補間位相信号生成部P2と、かかる4つの遅延回路21(A〜D)により生成される発振信号Soの発振中心電圧や発振周波数や振幅を制御する制御回路23とを有する。
(3-1) Overall Configuration The voltage controlled oscillator 12 includes an oscillation signal generation unit P1 that generates an oscillation signal So by four delay circuits 21 (A to D) connected in a ring, and the oscillation signal generation unit P1. The obtained eight oscillation signals So (1 to 8) having different phases are added by four adder circuits 22 (A to D) to interpolate these oscillation signals So in a phase manner. To 8) and a control circuit 23 for controlling the oscillation center voltage, oscillation frequency and amplitude of the oscillation signal So generated by the four delay circuits 21 (A to D). .

この発振信号生成部P1においては、第1遅延回路21Aの非反転出力端子(+)及び反転出力端子(−)が第2遅延回路21Bの非反転入力端子(+)及び反転入力端子(−)に対してそれぞれ接続されている。またこれと同様の接続形態により、この第2遅延回路21Bが後段の第3遅延回路21Cに対して接続され、さらに同様の接続形態により、この第3遅延回路21Cが後段の第4遅延回路21Dに対して接続されている。   In the oscillation signal generation unit P1, the non-inverting output terminal (+) and the inverting output terminal (−) of the first delay circuit 21A are the non-inverting input terminal (+) and the inverting input terminal (−) of the second delay circuit 21B. Are connected to each other. Further, the second delay circuit 21B is connected to the third delay circuit 21C in the subsequent stage by a connection form similar to this, and the third delay circuit 21C is further connected to the fourth delay circuit 21D in the subsequent stage by a similar connection form. Connected to.

そしてこの第4遅延回路21Dの非反転出力端子及び反転出力端子は、第1遅延回路21Aの反転入力端子及び非反転入力端子に対してそれぞれ接続(負帰還接続)されている。このように接続することにより、環状に接続された遅延回路21(A〜D)を周回する発振信号Soの位相をπだけ回転させることができる。   The non-inverting output terminal and the inverting output terminal of the fourth delay circuit 21D are connected (negative feedback connection) to the inverting input terminal and the non-inverting input terminal of the first delay circuit 21A, respectively. By connecting in this way, the phase of the oscillation signal So that circulates in the delay circuit 21 (A to D) connected in a ring shape can be rotated by π.

さらにこの発振信号生成部P1においては、4つの遅延回路21のそれぞれが発振信号Soの位相をπ/4ずつ回転させることにより、遅延回路21を周回する発振信号Soの位相をさらにπだけ回転させることができる。かくしてこの発振信号生成部P1によれば、発振信号Soが環状に接続された遅延回路21(A〜D)を1周回ってきたとき、その位相を2π回転させることができる。   Further, in this oscillation signal generation unit P1, each of the four delay circuits 21 rotates the phase of the oscillation signal So by π / 4, thereby further rotating the phase of the oscillation signal So that circulates around the delay circuit 21 by π. be able to. Thus, according to the oscillation signal generation unit P1, when the oscillation signal So goes around the delay circuit 21 (A to D) connected in a ring shape, the phase can be rotated by 2π.

この結果この発振信号生成部P1においては、第1遅延回路21Aの非反転入力端子及び反転入力端子に入力される第1発振信号So1及び第2発振信号So2と比べると、第1遅延回路21Aの非反転出力端子及び反転出力端子から出力される第3発振信号So3及び第4発振信号So4の位相が、それぞれπ/4遅れることになる。   As a result, in this oscillation signal generation unit P1, the first delay circuit 21A has a first oscillation circuit So1 and a second oscillation signal So2 that are input to the non-inverting input terminal and the inverting input terminal of the first delay circuit 21A. The phases of the third oscillation signal So3 and the fourth oscillation signal So4 output from the non-inverting output terminal and the inverting output terminal are respectively delayed by π / 4.

本実施の形態の場合この発振信号生成部P1は、第1発振信号So1及び第1発振信号So1から位相がπ/4遅れた第3発振信号So3と、この第1発振信号So1から位相がπずれた第2発振信号So2及び第2発振信号So2から位相がπ/4遅れた第4発振信号So4とを、補間位相信号生成部P2における第1加算回路22Aに対して供給するようになされている。   In the case of the present embodiment, the oscillation signal generation unit P1 includes the first oscillation signal So1 and the third oscillation signal So3 whose phase is delayed by π / 4 from the first oscillation signal So1, and the phase from the first oscillation signal So1 is π. The shifted second oscillation signal So2 and the fourth oscillation signal So4 whose phase is delayed by π / 4 from the second oscillation signal So2 are supplied to the first addition circuit 22A in the interpolation phase signal generation unit P2. Yes.

また同様にしてこの発振信号生成部P1は、この第3発振信号So3及び第4発振信号So4と、第2遅延回路21Bから出力される第5発振信号So5及び第6発振信号So6とを、第2加算回路22Bに対して供給し、さらにこの第5発振信号So5及び第6発振信号So6と、第3遅延回路21Cから出力される第7発振信号So7及び第8発振信号So8とを、第3加算回路22Cに対して供給し、さらにこの第7発振信号So7及び第8発振信号So8と、第1遅延回路21Aに入力される第1発振信号So1及び第2発振信号So2とを、第4加算回路22Dに対して供給するようになされている。   Similarly, the oscillation signal generation unit P1 outputs the third oscillation signal So3 and the fourth oscillation signal So4, and the fifth oscillation signal So5 and the sixth oscillation signal So6 output from the second delay circuit 21B. The second addition circuit 22B is supplied, and the fifth oscillation signal So5 and the sixth oscillation signal So6 and the seventh oscillation signal So7 and the eighth oscillation signal So8 output from the third delay circuit 21C are supplied to the third addition circuit 22B. A fourth addition is performed on the seventh oscillation signal So7 and the eighth oscillation signal So8, and the first oscillation signal So1 and the second oscillation signal So2 input to the first delay circuit 21A. The signal is supplied to the circuit 22D.

かくして補間位相信号生成部P2における第1加算回路22Aは、供給される第1発振信号So1と第3発振信号So3とを足し合わせることにより第1補間位相信号Ss1を生成すると共に、供給される第2発振信号So2と第4発振信号So4とを足し合わせることにより第2補間位相信号Ss2を生成する。また同じようにして第2〜第4加算回路22(B〜D)も、それぞれに供給される発振信号Soを足し合わせることにより、第3〜第8補間位相信号Ss(3〜8)を生成するようになされている。   Thus, the first addition circuit 22A in the interpolation phase signal generation unit P2 generates the first interpolation phase signal Ss1 by adding the supplied first oscillation signal So1 and the third oscillation signal So3, and supplies the first interpolation phase signal Ss1. A second interpolation phase signal Ss2 is generated by adding the second oscillation signal So2 and the fourth oscillation signal So4. Similarly, the second to fourth adder circuits 22 (B to D) also generate third to eighth interpolation phase signals Ss (3 to 8) by adding the oscillation signals So supplied thereto. It is made to do.

このようにしてこの電圧制御発振器12は、それぞれ位相の異なる第1〜第8発振信号So(1〜8)を生成すると共に、これら第1〜第8発振信号So(1〜8)を位相的に補間するような第1〜8補間位相信号Ss(1〜8)を生成することができる。そしてこの電圧制御発振器12は、かくして得られた第1〜第8発振信号So(1〜8)及び第1〜8補間位相信号Ss(1〜8)を、クロック信号Sclkとしてアナログデジタル変換部3に対して供給するようになされている。   In this way, the voltage controlled oscillator 12 generates the first to eighth oscillation signals So (1-8) having different phases, and the first to eighth oscillation signals So (1-8) are phased. The first to eighth interpolation phase signals Ss (1 to 8) can be generated. The voltage controlled oscillator 12 uses the first to eighth oscillation signals So (1 to 8) and the first to eighth interpolation phase signals Ss (1 to 8) thus obtained as the clock signal Sclk as the analog-to-digital converter 3. It is made to supply against.

(3−2)遅延回路
次に図4を用いて、この電圧制御発振器12内に設けられた第1遅延回路21Aの構成を説明する。因みにこの他の遅延回路21(B〜D)については、第1遅延回路21Aと同様の構成でなるので、説明を省略する。
(3-2) Delay Circuit Next, the configuration of the first delay circuit 21A provided in the voltage controlled oscillator 12 will be described with reference to FIG. Incidentally, since the other delay circuits 21 (B to D) have the same configuration as the first delay circuit 21A, description thereof will be omitted.

この第1遅延回路21Aは、非反転入力端子Tip及び反転入力端子Timから入力される第1発振信号So1及び第2発振信号So2がゲートにそれぞれ供給されるようになされた第1トランジスタTr1及び第2トランジスタTr2を有する。この場合この差動対部P3を構成している第1トランジスタTr1及び第2トランジスタTr2は、NMOS(nチャンネルMOSFET)に相当する。   The first delay circuit 21A includes a first transistor Tr1 and a first transistor Tr1 that are supplied to a gate from a first oscillation signal So1 and a second oscillation signal So2 input from a non-inverting input terminal Tip and an inverting input terminal Tim, respectively. It has two transistors Tr2. In this case, the first transistor Tr1 and the second transistor Tr2 constituting the differential pair P3 correspond to NMOS (n-channel MOSFET).

この第1トランジスタTr1及び第2トランジスタTr2のドレインは、第1電流供給部P4として機能する第3トランジスタTr3及び第4トランジスタTr4のドレインに対してそれぞれ接続されている。この第3トランジスタTr3及び第4トランジスタTr4は、例えばPMOS(pチャンネルMOSFET)に相当し、それぞれのソースが電源電圧に接続され、それぞれのゲートに対しては図3に示した制御回路23から第1制御信号Sc1が供給される。かくしてこの第3トランジスタTr3及び第4トランジスタTr4は、それぞれのゲートに供給される第1制御信号Sc1に応じた電流を、第1トランジスタTr1及び第2トランジスタTr2に対して供給するようになされている。   The drains of the first transistor Tr1 and the second transistor Tr2 are connected to the drains of the third transistor Tr3 and the fourth transistor Tr4 that function as the first current supply unit P4, respectively. The third transistor Tr3 and the fourth transistor Tr4 correspond to, for example, a PMOS (p-channel MOSFET), their respective sources are connected to the power supply voltage, and the respective gates are connected by the control circuit 23 shown in FIG. 1 control signal Sc1 is supplied. Thus, the third transistor Tr3 and the fourth transistor Tr4 supply a current corresponding to the first control signal Sc1 supplied to the respective gates to the first transistor Tr1 and the second transistor Tr2. .

一方この第1トランジスタTr1及び第2トランジスタTr2のソースは互いに接続された後、第1電流引込部P5として機能する第5トランジスタTr5のドレインに接続されている。この第5トランジスタTr5は、例えばNMOSに相当し、そのソースがグランドに対して接続され、そのゲートに対しては図3に示した制御回路23から第2制御信号Sc2が供給される。かくしてこの第5トランジスタTr5は、そのゲートに供給される第2制御信号Sc2に応じた電流を、第1電流供給部P4から第1トランジスタTr1及び第2トランジスタTr2を介して引き込むようになされている。   On the other hand, the sources of the first transistor Tr1 and the second transistor Tr2 are connected to each other and then connected to the drain of the fifth transistor Tr5 functioning as the first current drawing part P5. The fifth transistor Tr5 corresponds to, for example, an NMOS, the source is connected to the ground, and the second control signal Sc2 is supplied to the gate from the control circuit 23 shown in FIG. Thus, the fifth transistor Tr5 draws a current corresponding to the second control signal Sc2 supplied to its gate from the first current supply unit P4 via the first transistor Tr1 and the second transistor Tr2. .

これにより制御回路23は、第1電流供給部P4及び第1電流引込部P5に供給する第1制御信号Sc1及び第2制御信号Sc2によって、第1電流供給部P4から第1トランジスタTr1及び第2トランジスタTr2を介して第1電流引込部P5に引き込まれる電流量を変化させることができ、かくして第1トランジスタTr1及び第2トランジスタTr2のドレイン・ソース間に流れる電流量を調節することができる。   Thus, the control circuit 23 causes the first transistor Tr1 and the second transistor Tr1 from the first current supply unit P4 by the first control signal Sc1 and the second control signal Sc2 to be supplied to the first current supply unit P4 and the first current drawing unit P5. The amount of current drawn into the first current drawing part P5 via the transistor Tr2 can be changed, and thus the amount of current flowing between the drain and source of the first transistor Tr1 and the second transistor Tr2 can be adjusted.

ここで、この第1トランジスタTr1及び第2トランジスタTr2においては、そのドレイン・ソース間に流れる電流量に応じてトランスコンダクタンス値Gmiが変化する。従ってかかる制御回路23は、第1トランジスタTr1及び第2トランジスタTr2のドレイン・ソース間に流れる電流量を調節することにより、第1トランジスタTr1及び第2トランジスタTr2のトランスコンダクタンス値Gmiを制御することができる。 Here, in this first transistor Tr1 and the second transistor Tr2, the transconductance value Gm i is changed according to the amount of current flowing between the drain and the source. Therefore such control circuit 23, by adjusting the amount of current flowing between the drain and source of the first transistor Tr1 and the second transistor Tr2, by controlling the transconductance Gm i of the first transistor Tr1 and the second transistor Tr2 Can do.

またこの第1遅延回路21Aは、可変抵抗部P6として機能する第6トランジスタTr6及び第7トランジスタTr7を有している。この第6トランジスタTr6及び第7トランジスタTr7は、例えばNMOSに相当し、それぞれゲートとドレインとが接続(ダイオード接続)されている。   The first delay circuit 21A includes a sixth transistor Tr6 and a seventh transistor Tr7 that function as the variable resistor P6. The sixth transistor Tr6 and the seventh transistor Tr7 correspond to, for example, an NMOS, and have a gate and a drain connected (diode connection), respectively.

またこの第6トランジスタTr6及び第7トランジスタTr7のドレインは、第2電流供給部P7として機能する第8トランジスタTr8及び第9トランジスタTr9のドレインに対してそれぞれ接続されている。この第8トランジスタTr8及び第9トランジスタTr9は、例えばPMOSに相当し、それぞれのソースが電源電圧に接続され、それぞれのゲートに対しては図3に示した制御回路23から第3制御信号Sc3が供給される。かくしてこの第8トランジスタTr8及び第9トランジスタTr9は、それぞれのゲートに供給される第3制御信号Sc3に応じた電流を、第6トランジスタTr6及び第7トランジスタTr7に対して供給するようになされている。   The drains of the sixth transistor Tr6 and the seventh transistor Tr7 are connected to the drains of the eighth transistor Tr8 and the ninth transistor Tr9 that function as the second current supply unit P7, respectively. The eighth transistor Tr8 and the ninth transistor Tr9 correspond to, for example, a PMOS, each source is connected to the power supply voltage, and the third control signal Sc3 from the control circuit 23 shown in FIG. Supplied. Thus, the eighth transistor Tr8 and the ninth transistor Tr9 supply a current corresponding to the third control signal Sc3 supplied to the respective gates to the sixth transistor Tr6 and the seventh transistor Tr7. .

さらにこの第6トランジスタTr6及び第7トランジスタTr7のソースは互いに接続された後、第2電流引込部P8として機能する第10トランジスタTr10のドレインに接続されている。この第10トランジスタTr10は、例えばNMOSに相当し、そのソースがグランドに対して接続され、そのゲートに対しては図3に示した制御回路23から第4制御信号Sc4が供給される。かくしてこの第10トランジスタTr10は、そのゲートに供給される第4制御信号Sc4に応じた電流を、第2電流供給部P7から第6トランジスタTr6及び第7トランジスタTr7を介して引き込むようになされている。   Further, the sources of the sixth transistor Tr6 and the seventh transistor Tr7 are connected to each other and then connected to the drain of the tenth transistor Tr10 functioning as the second current drawing part P8. The tenth transistor Tr10 corresponds to, for example, an NMOS, the source is connected to the ground, and the fourth control signal Sc4 is supplied to the gate from the control circuit 23 shown in FIG. Thus, the tenth transistor Tr10 draws a current corresponding to the fourth control signal Sc4 supplied to its gate from the second current supply unit P7 via the sixth transistor Tr6 and the seventh transistor Tr7. .

これにより制御回路23は、第2電流供給部P7及び第2電流引込部P8に供給する第3制御信号Sc3及び第4制御信号Sc4によって、第2電流供給部P7から第6トランジスタTr6及び第7トランジスタTr7を介して第2電流引込部P8に引き込まれる電流量を変化させることができ、かくして第6トランジスタTr6及び第7トランジスタTr7のドレイン・ソース間に流れる電流量を調節することができる。   As a result, the control circuit 23 causes the sixth transistor Tr6 and the seventh transistor Tr6 from the second current supply unit P7 by the third control signal Sc3 and the fourth control signal Sc4 to be supplied to the second current supply unit P7 and the second current drawing unit P8. The amount of current drawn into the second current drawing part P8 via the transistor Tr7 can be changed, and thus the amount of current flowing between the drain and source of the sixth transistor Tr6 and the seventh transistor Tr7 can be adjusted.

ここで、この第6トランジスタTr6及び第7トランジスタTr7においては、そのドレイン・ソース間に流れる電流量に応じてトランスコンダクタンス値Gmlが変化する。また、このトランスコンダクタンス値Gmlに応じて、可変抵抗部P6として機能する第6トランジスタTr6及び第7トランジスタTr7の抵抗値R0(R0=1/Gml)が決まるようになされている。従ってかかる制御回路23は、第6トランジスタTr6及び第7トランジスタTr7のドレイン・ソース間に流れる電流量を調節することにより、第6トランジスタTr6及び第7トランジスタTr7の抵抗値R0を制御することができる。 Here, in this sixth transistor Tr6 and the seventh transistor Tr7, transconductance Gm l is changed according to the amount of current flowing between the drain and the source. Further, the resistance value R 0 (R 0 = 1 / Gm 1 ) of the sixth transistor Tr 6 and the seventh transistor Tr 7 functioning as the variable resistance part P 6 is determined according to the transconductance value Gm 1 . Therefore, the control circuit 23 can control the resistance value R 0 of the sixth transistor Tr6 and the seventh transistor Tr7 by adjusting the amount of current flowing between the drain and source of the sixth transistor Tr6 and the seventh transistor Tr7. it can.

さらにこの第1遅延回路21Aにおいては、第1トランジスタTr1と第3トランジスタTr3との間から延長する第1伝送線L1が、第6トランジスタTr6と第8トランジスタTr8との間に接続した後、反転出力端子Tomに対して接続されている。そしてこの第1伝送線L1に対しては、他端が任意の低インピーダンスノードに接続された第1コンデンサC1が接続される。因みに本実施の形態の場合、この第1コンデンサC1は例えば寄生容量に相当する。   Further, in the first delay circuit 21A, the first transmission line L1 extending from between the first transistor Tr1 and the third transistor Tr3 is connected between the sixth transistor Tr6 and the eighth transistor Tr8, and then inverted. The output terminal Tom is connected. A first capacitor C1 having the other end connected to an arbitrary low impedance node is connected to the first transmission line L1. Incidentally, in the case of the present embodiment, the first capacitor C1 corresponds to, for example, a parasitic capacitance.

またこの第1遅延回路21Aにおいては、第2トランジスタTr2と第4トランジスタTr4との間から延長する第2伝送線L2が、第7トランジスタTr7と第9トランジスタTr9との間に接続した後、非反転出力端子Topに対して接続されている。そしてこの第2伝送線L2に対しては、他端が任意の低インピーダンスノードに接続された第2コンデンサC2が接続される。因みに本実施の形態の場合、この第2コンデンサC2も寄生容量に相当する。   In the first delay circuit 21A, the second transmission line L2 extending from between the second transistor Tr2 and the fourth transistor Tr4 is connected between the seventh transistor Tr7 and the ninth transistor Tr9. It is connected to the inverting output terminal Top. The second transmission line L2 is connected to a second capacitor C2 having the other end connected to an arbitrary low impedance node. Incidentally, in the case of the present embodiment, the second capacitor C2 also corresponds to a parasitic capacitance.

かくしてこの第1遅延回路21Aにおいては、非反転入力端子Tip及び反転入力端子Timから入力された第1発振信号So1及び第2発振信号So2が、第1トランジスタTr1のゲート及び第2トランジスタTr2のゲートにそれぞれ供給されると、これに応じて第1トランジスタTr1のドレイン電流には、第1発振信号So1の電圧変化に応じた電流変化が生じ、また第2トランジスタTr2のドレイン電流にも、第2発振信号So2の電圧変化に応じた電流変化が生じる。   Thus, in the first delay circuit 21A, the first oscillation signal So1 and the second oscillation signal So2 input from the non-inverting input terminal Tip and the inverting input terminal Tim are used as the gate of the first transistor Tr1 and the gate of the second transistor Tr2. Are supplied to the drain current of the first transistor Tr1 in response to the voltage change of the first oscillation signal So1, and the drain current of the second transistor Tr2 is also A current change occurs according to the voltage change of the oscillation signal So2.

この第1トランジスタTr1のドレイン電流に生じた電流変化分(以下、これを第1電流変化分と呼ぶ)は、第3トランジスタTr3が定電流回路として機能していることから当該第3トランジスタTr3側には流入せず、第1伝送線L1方向に折り返されて第6トランジスタTr6側へ流入する。このとき可変抵抗部P6として機能する第6トランジスタTr6においては、当該流入する第1電流変化分に応じて、そのゲート・ソース間(ドレイン・ソース間)の電位が変動する。この結果、この第6トランジスタTr6のゲート・ソース間における電位変動に応じた電圧の信号が、反転出力端子Tomから第4発振信号So4として出力される。   Since the third transistor Tr3 functions as a constant current circuit, the current change caused in the drain current of the first transistor Tr1 (hereinafter referred to as the first current change) is the third transistor Tr3 side. However, it is folded back in the direction of the first transmission line L1 and flows into the sixth transistor Tr6. At this time, in the sixth transistor Tr6 functioning as the variable resistance unit P6, the potential between the gate and the source (between the drain and the source) varies according to the amount of the first current change that flows. As a result, a signal of a voltage corresponding to the potential fluctuation between the gate and source of the sixth transistor Tr6 is output from the inverting output terminal Tom as the fourth oscillation signal So4.

また第2トランジスタTr2のドレイン電流に生じた電流変化分(以下、これを第2電流変化分と呼ぶ)も、第4トランジスタTr4が定電流回路として機能していることから当該第4トランジスタTr4側には流入せず、第2伝送線L2方向に折り返されて第7トランジスタTr7側へ流入する。このとき可変抵抗部P6として機能する第7トランジスタTr7においては、当該流入する第2電流変化分に応じて、そのゲート・ソース間(ドレイン・ソース間)の電位が変動する。この結果、この第7トランジスタTr7のゲート・ソース間における電位変動に応じた電圧の信号が、非反転出力端子Topから第3発振信号So3として出力される。   In addition, since the fourth transistor Tr4 functions as a constant current circuit, a current change amount (hereinafter referred to as a second current change amount) generated in the drain current of the second transistor Tr2 is also on the fourth transistor Tr4 side. However, it is folded back in the direction of the second transmission line L2 and flows into the seventh transistor Tr7. At this time, in the seventh transistor Tr7 functioning as the variable resistance unit P6, the potential between the gate and the source (between the drain and the source) varies according to the amount of the second current change flowing therein. As a result, a signal having a voltage corresponding to the potential fluctuation between the gate and source of the seventh transistor Tr7 is output from the non-inverting output terminal Top as the third oscillation signal So3.

(3−3)制御回路
次に、発振信号Soの発振中心電圧を制御する機能や、発振信号Soの振幅を制御する機能や、各遅延回路21の遅延時間を制御する機能を備える制御回路23について説明する。ここでは最初にこれら各機能を説明した後、制御回路23の構成を説明する。
(3-3) Control Circuit Next, a control circuit 23 having a function of controlling the oscillation center voltage of the oscillation signal So, a function of controlling the amplitude of the oscillation signal So, and a function of controlling the delay time of each delay circuit 21. Will be described. Here, after describing each of these functions first, the configuration of the control circuit 23 will be described.

(3−3−1)遅延時間の制御
まず、各遅延回路21における遅延時間の制御方法を説明する。
(3-3-1) Control of Delay Time First, a method for controlling the delay time in each delay circuit 21 will be described.

例えば図4に示した第1遅延回路21Aの遅延時間は、可変抵抗部P6における抵抗値R0と第1コンデンサC1及び第2コンデンサC2の容量値C0とによって決まる(時定数)。 For example the delay time of the first delay circuit 21A shown in FIG. 4 is determined by the resistance value R 0 in the variable resistor portion P6 and capacitance value C 0 of the first capacitor C1 and second capacitor C2 (time constant).

従って制御回路23が、第3制御信号Sc3及び第4制御信号Sc4によって第2電流供給部P7及び第2電流引込部P8を制御することにより、第6トランジスタTr6及び第7トランジスタTr7のドレイン・ソース間に流れる電流量を増加させた場合、これに応じて第6トランジスタTr6及び第7トランジスタTr7のトランスコンダクタンス値Gmlが高くなり、これにより可変抵抗部P6として機能するこれら第6トランジスタTr6及び第7トランジスタTr7の抵抗値R0が低くなるので、かかる遅延時間を短くすることができる。 Therefore, the control circuit 23 controls the second current supply unit P7 and the second current drawing unit P8 by the third control signal Sc3 and the fourth control signal Sc4, so that the drain / source of the sixth transistor Tr6 and the seventh transistor Tr7 are controlled. case of increasing the amount of current flowing between, the transconductance value Gm l of the sixth transistor Tr6 and the seventh transistor Tr7 is increased in response to this, this and their sixth transistor Tr6 which functions as a variable resistor portion P6 by the Since the resistance value R 0 of the 7-transistor Tr7 becomes low, the delay time can be shortened.

これに対して制御回路23が、第6トランジスタTr6及び第7トランジスタTr7のドレイン・ソース間に流れる電流量を減少させた場合、これに応じて第6トランジスタTr6及び第7トランジスタTr7のトランスコンダクタンス値Gmlが低くなり、これにより可変抵抗部P6として機能するこれら第6トランジスタTr6及び第7トランジスタTr7の抵抗値R0が高くなるので、かかる遅延時間を長くすることができる。 On the other hand, when the control circuit 23 decreases the amount of current flowing between the drain and source of the sixth transistor Tr6 and the seventh transistor Tr7, the transconductance values of the sixth transistor Tr6 and the seventh transistor Tr7 are correspondingly reduced. Gm l is lowered, thereby the resistance value R 0 of the sixth transistor Tr6 and the seventh transistor Tr7 which functions as a variable resistor portion P6 is increased, it is possible to lengthen the time delay required.

この結果この制御回路23は、例えば、第1遅延回路21Aの遅延時間を長くなるように制御すると共に、同じようにして他の遅延回路21の遅延時間を長くなるように制御することにより、発振信号Soの発振周波数を低めることができ、これに対して第1遅延回路21Aの遅延時間を短くなるように制御すると共に、同じようにして他の遅延回路21の遅延時間を短くなるように制御することにより、発振信号Soの発振周波数を高めることができる。   As a result, the control circuit 23 oscillates by controlling the delay time of the first delay circuit 21A to be longer and controlling the delay time of the other delay circuits 21 to be longer in the same manner. The oscillation frequency of the signal So can be lowered. In response to this, the delay time of the first delay circuit 21A is controlled to be shortened, and the delay times of the other delay circuits 21 are similarly controlled to be shortened. As a result, the oscillation frequency of the oscillation signal So can be increased.

(3−3−2)発信中心電圧の制御
次いで、発振中心電圧の制御方法について説明する。
(3-3-2) Control of Transmission Center Voltage Next, a method for controlling the oscillation center voltage will be described.

例えば図4に示した第1遅延回路21Aにおいては、第1トランジスタTr1及び第2トランジスタTr2からなる差動対部P3や、第6トランジスタTr6及び第7トランジスタTr7からなる可変抵抗部P6や、差動対部P3及び可変抵抗部P6を結ぶ第1伝送線L1及び第2伝送線L2は、定電流回路として機能する第1及び第2電流供給部P4、P7を介した後に電源電圧に接続されているので、当該電源電圧からフローティングしたような状態となっている。   For example, in the first delay circuit 21A shown in FIG. 4, the differential pair P3 composed of the first transistor Tr1 and the second transistor Tr2, the variable resistor P6 composed of the sixth transistor Tr6 and the seventh transistor Tr7, the difference The first transmission line L1 and the second transmission line L2 connecting the moving pair part P3 and the variable resistance part P6 are connected to the power supply voltage after passing through the first and second current supply parts P4 and P7 functioning as constant current circuits. Therefore, it is in a state of floating from the power supply voltage.

これによりこの第1遅延回路21Aから出力される発振信号Soの発振中心電圧は、ソースがグランドに接続されてなる第5トランジスタTr5及び第10トランジスタTr10のドレイン電圧に応じて決まると考えることができる。   Accordingly, it can be considered that the oscillation center voltage of the oscillation signal So output from the first delay circuit 21A is determined according to the drain voltages of the fifth transistor Tr5 and the tenth transistor Tr10 whose sources are connected to the ground. .

例えばここで制御回路23が、第1電流引込部P5に引き込まれる電流量よりも第1電流供給部P4から供給される電流量をわずかに増加させるような第1制御信号Sc1を、第1電流供給部P4に対して供給したとする。このとき第1電流供給部P4から供給される電流量がわずかに増加するので、当該第1電流供給部P4からの電流を引き込む第1電流引込部P5においては、当該電流量の増加に応じた分だけ第5トランジスタTr5のドレイン電圧が大きくなり、その結果発振信号Soの発振中心電圧が高くなる。   For example, here, the first control signal Sc1 is used so that the control circuit 23 slightly increases the amount of current supplied from the first current supply unit P4 over the amount of current drawn into the first current drawing unit P5. Suppose that it supplied with respect to the supply part P4. At this time, since the amount of current supplied from the first current supply unit P4 slightly increases, the first current drawing unit P5 that draws the current from the first current supply unit P4 responds to the increase in the amount of current. Accordingly, the drain voltage of the fifth transistor Tr5 increases, and as a result, the oscillation center voltage of the oscillation signal So increases.

これに対して制御回路23が、第1電流引込部P5に引き込まれる電流量よりも第1電流供給部P4から供給される電流量をわずかに減少させるような第1制御信号Sc1を、第1電流供給部P4に対して供給したとする。このとき第1電流供給部P4から供給される電流量がわずかに減少するので、当該第1電流供給部P4からの電流を引き込む第1電流引込部P5においては、当該電流量の減少に応じた分だけ第5トランジスタTr5のドレイン電圧が小さくなり、その結果発振信号Soの発振中心電圧が低くなる。   On the other hand, the first control signal Sc1 that causes the control circuit 23 to slightly reduce the amount of current supplied from the first current supply unit P4 rather than the amount of current drawn into the first current drawing unit P5, Suppose that it supplied with respect to the electric current supply part P4. At this time, since the amount of current supplied from the first current supply unit P4 slightly decreases, the first current drawing unit P5 that draws the current from the first current supply unit P4 corresponds to the decrease in the amount of current. Accordingly, the drain voltage of the fifth transistor Tr5 decreases, and as a result, the oscillation center voltage of the oscillation signal So decreases.

このようにしてこの制御回路23は、第1電流供給部P4に供給させる電流量と第1電流引込部P5に引き込ませる電流量とのバランスを崩すことにより、発振信号Soの発振中心電圧を制御することができる。   In this way, the control circuit 23 controls the oscillation center voltage of the oscillation signal So by breaking the balance between the amount of current supplied to the first current supply unit P4 and the amount of current drawn to the first current drawing unit P5. can do.

(3−3−3)発振信号の振幅の制御
続いて、振幅の制御方法について説明する。
(3-3-3) Control of Oscillation Signal Amplitude Next, an amplitude control method will be described.

基本的に、環状に接続された遅延回路21(A〜D)により生成される発振信号Soの振幅は、遅延回路21のDC利得に比例する。   Basically, the amplitude of the oscillation signal So generated by the delay circuits 21 (A to D) connected in a ring is proportional to the DC gain of the delay circuit 21.

例えば図4に示した第1遅延回路21AのDC利得をA0とすると、次式、 For example the DC gain of the first delay circuit 21A shown in FIG. 4 when the A 0, the following equation,

Figure 2006140639
Figure 2006140639

と表せる。 It can be expressed.

因みに、第1トランジスタTr1及び第2トランジスタTr2のトランスコンダクタンス値Gmについては、次式、 Incidentally, the transconductance value Gm i of the first transistor Tr1 and the second transistor Tr2 is expressed by the following equation:

Figure 2006140639
Figure 2006140639

により表される。ここでこのKは、プロセスによって決まるパラメータを示し、W及びLは、それぞれ第1トランジスタTr1及び第2トランジスタTr2のゲート幅/ゲート長を示しており、Idsは、第1トランジスタTr1及び第2トランジスタTr2のドレイン電流を示している。 It is represented by Here, K i indicates a parameter determined by the process, W i and L i indicate the gate width / gate length of the first transistor Tr1 and the second transistor Tr2, respectively, and Ids i indicates the first transistor Tr1. And the drain current of the second transistor Tr2.

また、第6トランジスタTr6及び第7トランジスタTr7のトランスコンダクタンス値Gmについても、次式、 As for the transconductance Gm l of the sixth transistor Tr6 and the seventh transistor Tr7, the following equation,

Figure 2006140639
Figure 2006140639

により表される。ここでこのKは、プロセスによって決まるパラメータを示し、W及びLは、それぞれ第6トランジスタTr6及び第7トランジスタTr7のゲート幅/ゲート長を示しており、Idsは、第6トランジスタTr6及び第7トランジスタTr7のドレイン電流を示している。 It is represented by Here, K l represents a parameter determined by the process, W l and L l represent the gate width / gate length of the sixth transistor Tr6 and the seventh transistor Tr7, respectively, and Ids l represents the sixth transistor Tr6. And the drain current of the seventh transistor Tr7.

従って制御回路23が、第1制御信号Sc1及び第2制御信号Sc2によって第1電流供給部P4及び第1電流引込部P5を制御することにより、第1トランジスタTr1及び第2トランジスタTr2のドレイン・ソース間に流れる電流量を増加させた場合、これに応じて第1トランジスタTr1及び第2トランジスタTr2のトランスコンダクタンス値Gmiが大きくなり、これによりこの第1遅延回路21AのDC利得A0が高くなる。このとき制御回路23は、同じようにしてこの他の遅延回路21のDC利得A0を高くなるように制御し、かくして発振信号Soの振幅を大きくすることができる。 Accordingly, the control circuit 23 controls the first current supply unit P4 and the first current drawing unit P5 by the first control signal Sc1 and the second control signal Sc2, and thereby the drain / source of the first transistor Tr1 and the second transistor Tr2. When the amount of current flowing between them is increased, the transconductance value Gm i of the first transistor Tr1 and the second transistor Tr2 increases accordingly, and thereby the DC gain A 0 of the first delay circuit 21A increases. . At this time, the control circuit 23 can control the DC gain A 0 of the other delay circuit 21 to be high in the same manner, and thus can increase the amplitude of the oscillation signal So.

これに対して制御回路23が、第1トランジスタTr1及び第2トランジスタTr2のドレイン・ソース間に流れる電流量を減少させた場合、これに応じて第1トランジスタTr1及び第2トランジスタTr2のトランスコンダクタンス値Gmiが小さくなり、これによりこの第1遅延回路21AのDC利得A0が低くなる。このとき制御回路23は、同じようにしてこの他の遅延回路21のDC利得A0を低くなるように制御し、かくして発振信号Soの振幅を小さくすることができる。 On the other hand, when the control circuit 23 decreases the amount of current flowing between the drain and source of the first transistor Tr1 and the second transistor Tr2, the transconductance values of the first transistor Tr1 and the second transistor Tr2 are correspondingly reduced. Gm i becomes small, and thereby the DC gain A 0 of the first delay circuit 21A becomes low. At this time, the control circuit 23 can similarly control the DC gain A 0 of the other delay circuit 21 to be low, and thus reduce the amplitude of the oscillation signal So.

(3−3−4)制御回路の構成
次に図5を用いて、制御回路23の構成を説明する。
(3-3-4) Configuration of Control Circuit Next, the configuration of the control circuit 23 will be described with reference to FIG.

因みにこの制御回路23は、これまでに説明したような各機能を用いて、発振信号Soの周波数を制御するだけでなく、各遅延回路21の動作が線形領域から外れないように発振信号Soの発振中心電圧及び振幅を制御するようにもなされている。以下では、この点を中心にして制御回路23の構成を説明する。   Incidentally, the control circuit 23 not only controls the frequency of the oscillation signal So using each function as described above, but also controls the oscillation signal So so that the operation of each delay circuit 21 does not deviate from the linear region. The oscillation center voltage and amplitude are also controlled. Below, the structure of the control circuit 23 is demonstrated centering on this point.

図5に示す制御回路23において、制御電圧信号Scが入力される制御電圧入力端子T10は、第4制御信号Sc4を出力するための第4制御信号出力端子T14に対して接続されている。   In the control circuit 23 shown in FIG. 5, the control voltage input terminal T10 to which the control voltage signal Sc is input is connected to the fourth control signal output terminal T14 for outputting the fourth control signal Sc4.

かくして第4制御信号出力端子T14からは、かかる制御電圧信号Scがそのまま第4制御信号Sc4として出力される。この第4制御信号Sc4は、図4に示した第1遅延回路21Aの第2電流引込部P8に対して供給されると共に、同じようにしてこの他遅延回路21の第2電流引込部P8に対しても供給される。この結果各遅延回路21においては、第4制御信号Sc4に応じた電流が第2電流引込部P8により引き込まれる。   Thus, the control voltage signal Sc is output as it is as the fourth control signal Sc4 from the fourth control signal output terminal T14. The fourth control signal Sc4 is supplied to the second current drawing unit P8 of the first delay circuit 21A shown in FIG. 4 and similarly to the second current drawing unit P8 of the other delay circuit 21. Also supplied. As a result, in each delay circuit 21, a current corresponding to the fourth control signal Sc4 is drawn by the second current drawing unit P8.

またこの制御回路23において、この制御電圧入力端子T10にゲートが接続されている第20トランジスタTr20(NMOS)は、そのソースがグランドに接続され、そのドレインが第21トランジスタTr21(PMOS)のドレインに対して接続されている。この第21トランジスタTr21は、そのソースが電源電圧に対して接続され、またそのゲートとドレインとが互いに接続されている。またこの第21トランジスタTr21のゲートは、第3制御信号Sc3を出力するための第3制御信号出力端子T13に対して接続されている。   In the control circuit 23, the 20th transistor Tr20 (NMOS) whose gate is connected to the control voltage input terminal T10 has its source connected to the ground and its drain connected to the drain of the 21st transistor Tr21 (PMOS). Are connected to each other. This 21st transistor Tr21 has its source connected to the power supply voltage and its gate and drain connected to each other. The gate of the twenty-first transistor Tr21 is connected to a third control signal output terminal T13 for outputting a third control signal Sc3.

かくしてこの第20トランジスタTr20においては、制御電圧入力端子T10を介してゲートに入力された制御電圧信号Scに応じて、そのドレイン側の電流I1を変化させる。そしてこの電流I1の変化に応じて、第21トランジスタTr21のゲート・ソース間電圧が変動し、その結果このゲート・ソース間電圧の変動に応じた信号が、第3制御信号Sc3として第3制御信号出力端子T13から出力される。この第3制御信号Sc3は、図4に示した第1遅延回路21Aの第2電流供給部P7に供給されると共に、同じようにしてこの他遅延回路21の第2電流供給部P7に対しても供給される。この結果各遅延回路21においては、第3制御信号Sc3に応じた電流が第2電流供給部P7から供給される。   Thus, in the twentieth transistor Tr20, the drain-side current I1 is changed according to the control voltage signal Sc input to the gate via the control voltage input terminal T10. The gate-source voltage of the twenty-first transistor Tr21 fluctuates according to the change of the current I1, and as a result, a signal corresponding to the fluctuation of the gate-source voltage becomes the third control signal Sc3. Output from the output terminal T13. The third control signal Sc3 is supplied to the second current supply unit P7 of the first delay circuit 21A shown in FIG. 4 and similarly to the second current supply unit P7 of the other delay circuit 21. Is also supplied. As a result, in each delay circuit 21, a current corresponding to the third control signal Sc3 is supplied from the second current supply unit P7.

このようにしてこの制御回路23は、制御電圧信号Scに応じた電流量を供給させるように制御する第3制御信号Sc3を各遅延回路21の第2電流供給部P7に供給することができると共に、制御電圧信号Scに応じた電流量を引き込ませるように制御する第4制御信号Sc4を各遅延回路21の第2電流引込部P8に供給することができる。これにより各遅延回路21の可変抵抗部P6においては、かかる制御電圧信号Scに応じて抵抗値R0が変化することになり、かくしてこれら遅延回路21により生成される発振信号Soの周波数を制御電圧信号Scに応じて変化させることができる。 In this way, the control circuit 23 can supply the third control signal Sc3 that is controlled to supply the amount of current corresponding to the control voltage signal Sc to the second current supply unit P7 of each delay circuit 21. The fourth control signal Sc4 that is controlled so as to draw the current amount according to the control voltage signal Sc can be supplied to the second current drawing part P8 of each delay circuit 21. As a result, in the variable resistance part P6 of each delay circuit 21, the resistance value R0 changes according to the control voltage signal Sc, and thus the frequency of the oscillation signal So generated by these delay circuits 21 is controlled by the control voltage. It can be changed according to the signal Sc.

また第21トランジスタTr21のゲートは、第22トランジスタTr22(PMOS)のゲートに接続されている。この第22トランジスタTr22においては、そのソースが電源電圧に接続され、そのドレインが第23トランジスタTr23(NMOS)のドレインに接続されている。   The gate of the 21st transistor Tr21 is connected to the gate of the 22nd transistor Tr22 (PMOS). In the twenty-second transistor Tr22, the source is connected to the power supply voltage, and the drain is connected to the drain of the twenty-third transistor Tr23 (NMOS).

この結果この第21トランジスタTr21及び第22トランジスタTr22は、カレントミラー回路を構成していることになり、かくして第21トランジスタTr21のドレイン側に流れる電流I1に相当する電流I2が第22トランジスタTr22のドレイン側に流れる。   As a result, the twenty-first transistor Tr21 and the twenty-second transistor Tr22 form a current mirror circuit, and thus the current I2 corresponding to the current I1 flowing on the drain side of the twenty-first transistor Tr21 is the drain of the twenty-second transistor Tr22. Flows to the side.

ところでこの制御回路23は、発振信号生成部P1により生成される発振信号Soの振幅を検出するための振幅検出回路24を有する。この振幅検出回路24は、発振信号生成部P1から発振信号入力端子T15を介して入力された発振信号Soの振幅を検出し、その検出結果を示した振幅検出結果信号Sx1を第1トランスコンダクタンスアンプ25(Operational Transconductance Amplifier)25に対して供給する。   The control circuit 23 includes an amplitude detection circuit 24 for detecting the amplitude of the oscillation signal So generated by the oscillation signal generation unit P1. The amplitude detection circuit 24 detects the amplitude of the oscillation signal So input from the oscillation signal generator P1 via the oscillation signal input terminal T15, and uses the amplitude detection result signal Sx1 indicating the detection result as the first transconductance amplifier. 25 (Operational Transconductance Amplifier) 25.

ここでこの第1トランスコンダクタンスアンプ25や後述する第2トランスコンダクタンスアンプ26に対しては、それぞれ第1制御電圧V1及び第2制御電圧V2が接続されている。この第1制御電圧V1及び第2制御電圧V2は、各遅延回路21の動作が線形領域から外れないような発振信号Soの振幅(以下、これを理想振幅と適宜呼ぶ)及び発振中心電圧(以下、これを理想発中心電圧と適宜呼ぶ)をそれぞれ示している。   Here, a first control voltage V1 and a second control voltage V2 are connected to the first transconductance amplifier 25 and a second transconductance amplifier 26 described later, respectively. The first control voltage V1 and the second control voltage V2 are an oscillation signal So amplitude (hereinafter referred to as an ideal amplitude as appropriate) and an oscillation center voltage (hereinafter referred to as an ideal amplitude) such that the operation of each delay circuit 21 does not depart from the linear region. , Which is referred to as an ideal center voltage as appropriate).

これにより第1トランスコンダクタンスアンプ25は、理想振幅を示す第1制御電圧V1と、発振信号生成部P1によって現在生成されている発振信号Soの振幅を示す振幅検出結果信号Sx1とを比較する。そしてこの第1トランスコンダクタンスアンプ25は、その比較結果を示した振幅比較結果信号Sx2を、第22トランジスタTr22のドレイン側に流れる電流I2に加えるようにして出力する。   Accordingly, the first transconductance amplifier 25 compares the first control voltage V1 indicating the ideal amplitude with the amplitude detection result signal Sx1 indicating the amplitude of the oscillation signal So currently generated by the oscillation signal generation unit P1. Then, the first transconductance amplifier 25 outputs the amplitude comparison result signal Sx2 indicating the comparison result so as to be added to the current I2 flowing on the drain side of the twenty-second transistor Tr22.

第22トランジスタTr22に対してドレインが接続されている第23トランジスタTr23は、そのソースがグランドに接続され、そのゲートとドレインとが互いに接続されている。またこの第23トランジスタTr23のゲートは、第2制御信号Sc2を出力するための第2制御信号出力端子T12に接続されている。   The 23rd transistor Tr23 whose drain is connected to the 22nd transistor Tr22 has its source connected to the ground and its gate and drain connected to each other. The gate of the 23rd transistor Tr23 is connected to a second control signal output terminal T12 for outputting the second control signal Sc2.

さらにこの第23トランジスタTr23のゲートは、第24トランジスタTr24(NMOS)のゲートに接続されている。この第24トランジスタTr24においては、そのソースがグランドに接続され、そのドレインが第25トランジスタTr25(PMOS)のドレインに接続されている。   Further, the gate of the 23rd transistor Tr23 is connected to the gate of the 24th transistor Tr24 (NMOS). In the 24th transistor Tr24, its source is connected to the ground, and its drain is connected to the drain of the 25th transistor Tr25 (PMOS).

この結果この第23トランジスタTr23及び第24トランジスタTr24は、カレントミラー回路を構成していることになり、かくして第23トランジスタTr23のドレイン電流I3に相当する電流I4が第24トランジスタTr24のドレイン側に流れる。   As a result, the twenty-third transistor Tr23 and the twenty-fourth transistor Tr24 form a current mirror circuit, and thus a current I4 corresponding to the drain current I3 of the twenty-third transistor Tr23 flows to the drain side of the twenty-fourth transistor Tr24. .

また第24トランジスタTr24に対してドレインが接続されている第25トランジスタTr25は、そのソースが電源電圧に接続され、そのゲートとドレインとが互いに接続されている。さらにこの第25トランジスタTr25のゲートは、第1制御信号Sc1を出力するための第1制御信号出力端子T11に対して接続されている。   The 25th transistor Tr25, whose drain is connected to the 24th transistor Tr24, has its source connected to the power supply voltage, and its gate and drain connected to each other. Further, the gate of the 25th transistor Tr25 is connected to the first control signal output terminal T11 for outputting the first control signal Sc1.

かくしてこの制御回路23では、例えば、発振信号Soの振幅が理想振幅よりも大きい場合、第1トランスコンダクタンスアンプ25から出力される振幅比較結果信号Sx2(負の電流)により、第23トランジスタTr23のドレイン電流I3が減少する。これによりこの第23トランジスタTr23のゲート・ソース間電圧が小さくなるので、その結果この第23トランジスタTr23のゲートに接続された第2制御信号出力端子T12からは、第1電流引込部P5に引き込ませる電流量を減少させるような第2制御信号Sc2が、各遅延回路21の第1電流引込部P5に対して出力される。   Thus, in the control circuit 23, for example, when the amplitude of the oscillation signal So is larger than the ideal amplitude, the drain of the 23rd transistor Tr23 is output by the amplitude comparison result signal Sx2 (negative current) output from the first transconductance amplifier 25. The current I3 decreases. As a result, the voltage between the gate and the source of the 23rd transistor Tr23 is reduced, and as a result, the second control signal output terminal T12 connected to the gate of the 23rd transistor Tr23 is drawn into the first current drawing unit P5. A second control signal Sc2 that decreases the amount of current is output to the first current drawing unit P5 of each delay circuit 21.

さらにこのとき第25トランジスタTr25においても、かかる振幅比較結果信号Sx2が反映された電流I4によってそのゲート・ソース間電圧が小さくなり、その結果この第25トランジスタTr25のゲートに接続された第1制御信号出力端子T11からは、第1電流供給部P4に供給させる電流量を減少させるような第1制御信号Sc1が、各遅延回路21の第1電流供給部P4に対して出力される。   Further, at this time, also in the 25th transistor Tr25, the gate-source voltage is reduced by the current I4 reflecting the amplitude comparison result signal Sx2, and as a result, the first control signal connected to the gate of the 25th transistor Tr25. From the output terminal T11, a first control signal Sc1 that reduces the amount of current supplied to the first current supply unit P4 is output to the first current supply unit P4 of each delay circuit 21.

このとき各遅延回路21においては、これら第1制御信号Sc1及び第2制御信号Sc2に応じて差動対部P3に流れる電流量が減少し、これにより差動対部P3のトランスコンダクタンス値Gmiが低下するので、発振信号Soの振幅が小さくなる。 At this time, in each delay circuit 21, the amount of current flowing through the differential pair P3 is decreased in accordance with the first control signal Sc1 and the second control signal Sc2, thereby the transconductance value Gm i of the differential pair P3. Decreases, the amplitude of the oscillation signal So decreases.

またこの制御回路23では、例えば、発振信号生成部P1により現在生成されている発振信号Soの振幅が理想振幅よりも小さい場合、第1トランスコンダクタンスアンプ25から出力される振幅比較結果信号Sx2(正の電流)により、第23トランジスタTr23におけるドレイン電流I3が増加する。これにより第23トランジスタTr23のゲート・ソース間電圧が大きくなるので、その結果この第23トランジスタTr23のゲートに接続された第2制御信号出力端子T12からは、第1電流引込部P5に引き込ませる電流量を増加させるような第2制御信号Sc2が、各遅延回路21の第1電流引込部P5に対して出力される。   In the control circuit 23, for example, when the amplitude of the oscillation signal So currently generated by the oscillation signal generation unit P1 is smaller than the ideal amplitude, the amplitude comparison result signal Sx2 (positive) output from the first transconductance amplifier 25 is used. ) Increases the drain current I3 in the 23rd transistor Tr23. As a result, the gate-source voltage of the 23rd transistor Tr23 increases, and as a result, the current drawn from the second control signal output terminal T12 connected to the gate of the 23rd transistor Tr23 to the first current drawing part P5. A second control signal Sc2 that increases the amount is output to the first current drawing unit P5 of each delay circuit 21.

さらにこのとき第25トランジスタTr25においても、かかる振幅比較結果信号Sx2が反映された電流I4によってそのゲート・ソース間電圧が大きくなり、その結果この第25トランジスタTr25のゲートに接続された第1制御信号出力端子T11からは、第1電流供給部P4に供給させる電流量を増加させるような第1制御信号Sc1が、各遅延回路21の第1電流供給部P4に対して出力される。   Further, at this time, also in the 25th transistor Tr25, the gate-source voltage is increased by the current I4 reflecting the amplitude comparison result signal Sx2, and as a result, the first control signal connected to the gate of the 25th transistor Tr25. From the output terminal T11, a first control signal Sc1 that increases the amount of current to be supplied to the first current supply unit P4 is output to the first current supply unit P4 of each delay circuit 21.

このとき各遅延回路21においては、これら第1制御信号Sc1及び第2制御信号Sc2に応じて差動対部P3に流れる電流量が増加し、これにより差動対部P3のトランスコンダクタンス値Gmiが高くなるので、発振信号Soの振幅が大きくなる。 At this time, in each delay circuit 21, the amount of current flowing through the differential pair P3 increases in accordance with the first control signal Sc1 and the second control signal Sc2, thereby the transconductance value Gm i of the differential pair P3. Increases, the amplitude of the oscillation signal So increases.

このようにしてこの制御回路23は、発振信号Soの振幅を理想振幅に近づけるように、発振信号生成部P1を制御することができる。   In this way, the control circuit 23 can control the oscillation signal generator P1 so that the amplitude of the oscillation signal So approaches the ideal amplitude.

さらに本実施の形態の場合この制御回路23は、かかる発振信号生成部P1により生成されている発振信号Soの発振中心電圧を検出するための発振中心電圧検出部27を有する。この場合この発振中心電圧検出部27は、図4に示した遅延回路21の半回路を複製した構成となっている。   Further, in the case of the present embodiment, the control circuit 23 has an oscillation center voltage detection unit 27 for detecting the oscillation center voltage of the oscillation signal So generated by the oscillation signal generation unit P1. In this case, the oscillation center voltage detector 27 has a configuration in which a half circuit of the delay circuit 21 shown in FIG. 4 is duplicated.

すなわちこの発振中心電圧検出部27は、第25トランジスタTr25のゲートから出力される第1制御信号Sc1が入力される第26トランジスタTr26(PMOS)を有する。この第26トランジスタTr26においては、そのソースが電源電圧に接続され、そのドレインが第27トランジスタTr27(NMOS)のドレインに対して接続されている。因みにこの第26トランジスタTr26は、遅延回路21の第1電流供給部P4を構成する第3トランジスタTr3又は第4トランジスタTr4の何れかに相当するものである   That is, the oscillation center voltage detection unit 27 includes a 26th transistor Tr26 (PMOS) to which the first control signal Sc1 output from the gate of the 25th transistor Tr25 is input. In the 26th transistor Tr26, its source is connected to the power supply voltage, and its drain is connected to the drain of the 27th transistor Tr27 (NMOS). Incidentally, the 26th transistor Tr26 corresponds to either the third transistor Tr3 or the fourth transistor Tr4 constituting the first current supply part P4 of the delay circuit 21.

またこの第26トランジスタTr26に対してドレインが接続された第27トランジスタTr27は、そのゲートとドレインとが互いに接続され、そのソースが第28トランジスタTr28(NMOS)のドレインに接続されている。因みにこの第27トランジスタTr27は、遅延回路21の差動対部P3を構成する第1トランジスタTr1又は第2トランジスタTr2の何れかに相当するものである。   The twenty-seventh transistor Tr27 whose drain is connected to the twenty-sixth transistor Tr26 has its gate and drain connected to each other and its source connected to the drain of the twenty-eighth transistor Tr28 (NMOS). Incidentally, the 27th transistor Tr27 corresponds to either the first transistor Tr1 or the second transistor Tr2 constituting the differential pair P3 of the delay circuit 21.

またこの第27トランジスタTr27に対してドレインが接続された第28トランジスタTr28は、そのゲートに対して第23トランジスタTr23のゲートから第2制御信号Sc2が供給され、そのソースがグランドに接続されている。因みにこの第28トランジスタTr28は、遅延回路21の第1電流引込部P5を構成する第5トランジスタTr5に相当する。なおこの場合、発振中心電圧検出部27が遅延回路21の半回路構成でなることから、第28トランジスタTr28の例えばゲート幅を第5トランジスタTr5の1/2にすることで、その1/2の電流能力を有するように選定している。   The twenty-eighth transistor Tr28 having a drain connected to the twenty-seventh transistor Tr27 is supplied with the second control signal Sc2 from the gate of the twenty-third transistor Tr23 to the gate, and has a source connected to the ground. . Incidentally, the 28th transistor Tr28 corresponds to the fifth transistor Tr5 constituting the first current drawing part P5 of the delay circuit 21. In this case, since the oscillation center voltage detector 27 has a half circuit configuration of the delay circuit 21, for example, by setting the gate width of the 28th transistor Tr28 to ½ of the fifth transistor Tr5, It is selected to have current capability.

さらにこの発振中心電圧検出部27は、第21トランジスタTr21のゲートから出力される第3制御信号Sc3が入力される第29トランジスタTr29(PMOS)を有する。この第29トランジスタTr29においては、そのソースが電源電圧に接続され、そのドレインが第30トランジスタTr30(NMOS)のドレインに対して接続されている。因みにこの第29トランジスタTr29は、遅延回路21の第2電流供給部P7を構成する第8トランジスタTr8又は第9トランジスタTr9の何れかに相当するものである。   The oscillation center voltage detector 27 further includes a 29th transistor Tr29 (PMOS) to which the third control signal Sc3 output from the gate of the 21st transistor Tr21 is input. In the 29th transistor Tr29, its source is connected to the power supply voltage, and its drain is connected to the drain of the 30th transistor Tr30 (NMOS). Incidentally, the 29th transistor Tr29 corresponds to either the eighth transistor Tr8 or the ninth transistor Tr9 constituting the second current supply unit P7 of the delay circuit 21.

またこの第29トランジスタTr29に対してドレインが接続された第30トランジスタTr30は、そのゲートとドレインとが互いに接続され、そのソースが第31トランジスタTr31(NMOS)のドレインに接続されている。因みにこの第30トランジスタTr30は、遅延回路21の可変抵抗部P6を構成する第6トランジスタTr6又は第7トランジスタTr7の何れかに相当するものである。   The 30th transistor Tr30 having a drain connected to the 29th transistor Tr29 has its gate and drain connected to each other and its source connected to the drain of the 31st transistor Tr31 (NMOS). Incidentally, the thirtieth transistor Tr30 corresponds to either the sixth transistor Tr6 or the seventh transistor Tr7 constituting the variable resistance portion P6 of the delay circuit 21.

またこの第30トランジスタTr30に対してドレインが接続された第31トランジスタTr31は、そのゲートに対して制御電圧入力端子T10側から第4制御信号Sc4が供給され、そのソースがグランドに接続されている。因みにこの第31トランジスタTr31は、遅延回路21の第2電流引込部P8を構成する第10トランジスタTr10に相当する。なおこの場合、発振中心電圧検出部27が遅延回路21の半回路構成でなることから、第31トランジスタTr31の例えばゲート幅を第10トランジスタTr10の1/2にすることで、その1/2の電流能力を有するように選定している。   The 31st transistor Tr31 having a drain connected to the 30th transistor Tr30 is supplied with the fourth control signal Sc4 from the control voltage input terminal T10 side to the gate, and the source is connected to the ground. . Incidentally, the 31st transistor Tr31 corresponds to the 10th transistor Tr10 that constitutes the second current drawing part P8 of the delay circuit 21. In this case, since the oscillation center voltage detection unit 27 has a half circuit configuration of the delay circuit 21, for example, by setting the gate width of the 31st transistor Tr31 to 1/2 that of the 10th transistor Tr10, 1/2 of that It is selected to have current capability.

そしてこの発振中心電圧検出部27においては、第26トランジスタTr26と第27トランジスタTr27との間が、第10伝送線L10を介して、第29トランジスタTr29と第30トランジスタTr30との間に接続されている。因みにこの第10伝送線L10は、遅延回路21の第1伝送線L1又は第2伝送線L2の何れかに相当する。   In the oscillation center voltage detection unit 27, the 26th transistor Tr26 and the 27th transistor Tr27 are connected between the 29th transistor Tr29 and the 30th transistor Tr30 via the 10th transmission line L10. Yes. Incidentally, the tenth transmission line L10 corresponds to either the first transmission line L1 or the second transmission line L2 of the delay circuit 21.

このように、遅延回路21の半回路構成でなる発振中心電圧検出部27においては、遅延回路21に対して供給される第1〜第4制御信号Sc4と同じものが、対応するトランジスタT(26、28、29、31)に供給される。これによりこの発振中心電圧検出部27においては、遅延回路21の第1伝送線L1又は第2伝送線L2に相当する第10伝送線L10の電圧が、現在生成されている発振信号Soの発振中心電圧に相当することになる。   As described above, in the oscillation center voltage detection unit 27 having the half circuit configuration of the delay circuit 21, the same thing as the first to fourth control signals Sc4 supplied to the delay circuit 21 corresponds to the corresponding transistor T (26 , 28, 29, 31). As a result, in this oscillation center voltage detector 27, the voltage of the tenth transmission line L10 corresponding to the first transmission line L1 or the second transmission line L2 of the delay circuit 21 is the oscillation center of the oscillation signal So currently generated. It corresponds to the voltage.

かくしてこの発振中心電圧検出部27は、この第10伝送線L10から得られる電圧信号を、発振信号Soの発振中心電圧を示す中心電圧検出結果信号Sx3として、第2トランスコンダクタンスアンプ26に対して供給する。   Thus, the oscillation center voltage detector 27 supplies the voltage signal obtained from the tenth transmission line L10 to the second transconductance amplifier 26 as the center voltage detection result signal Sx3 indicating the oscillation center voltage of the oscillation signal So. To do.

この第2トランスコンダクタンスアンプ26は、当該供給される中心電圧検出結果信号Sx3と、理想発振中心電圧を示す第2制御電圧V2とを比較する。そしてこの第2トランスコンダクタンスアンプ26は、その比較結果を示した中心電圧比較結果信号Sx4を、第25トランジスタTr25のゲート側に供給する。   The second transconductance amplifier 26 compares the supplied center voltage detection result signal Sx3 with the second control voltage V2 indicating the ideal oscillation center voltage. The second transconductance amplifier 26 supplies a center voltage comparison result signal Sx4 indicating the comparison result to the gate side of the 25th transistor Tr25.

かくしてこの制御回路23では、例えば、発振信号Soの発振中心電圧が理想発振中心電圧よりも大きい場合、第2トランスコンダクタンスアンプ26から出力される中心電圧比較結果信号Sx4(正の電流)が、第25トランジスタTr25のゲートとドレインとを結ぶ第11伝送線L11を介して電流I4に加わる。これに応じて第25トランジスタTr25においては、ドレイン・ソース間に流れる電流が減少し、これに伴ってゲート・ソース間電圧は小さくなる。これにより、この第25トランジスタTr25のゲートに接続されている第1制御信号出力端子T11からは、第1電流供給部P4から供給される電流量をわずかに減少させるような第1制御信号Sc1が出力される。この結果各遅延回路21においては、第1電流供給部P4から供給される電流量が減少するので、第1電流供給部P4からの電流を引き込む第1電流引込部P5においては、当該電流量の減少に応じた分だけ第5トランジスタTr5のドレイン電圧が小さくなり、その結果発振信号Soの発振中心電圧が低くなる。   Thus, in the control circuit 23, for example, when the oscillation center voltage of the oscillation signal So is larger than the ideal oscillation center voltage, the center voltage comparison result signal Sx4 (positive current) output from the second transconductance amplifier 26 is The current I4 is applied via an eleventh transmission line L11 connecting the gate and drain of the 25 transistor Tr25. Accordingly, in the twenty-fifth transistor Tr25, the current flowing between the drain and the source decreases, and the gate-source voltage decreases accordingly. As a result, the first control signal Sc1 that slightly decreases the amount of current supplied from the first current supply unit P4 is output from the first control signal output terminal T11 connected to the gate of the 25th transistor Tr25. Is output. As a result, in each delay circuit 21, the amount of current supplied from the first current supply unit P4 decreases. Therefore, in the first current drawing unit P5 that draws the current from the first current supply unit P4, The drain voltage of the fifth transistor Tr5 decreases by the amount corresponding to the decrease, and as a result, the oscillation center voltage of the oscillation signal So decreases.

またこの制御回路23では、例えば、発振信号Soの発振中心電圧が理想発振中心電圧よりも小さい場合、第2トランスコンダクタンスアンプ26から出力される中心電圧比較結果信号Sx4(負の電流)が、第25トランジスタTr25のゲートとドレインとを結ぶ第11伝送線L11を介して電流I4に加わる。これに応じて第25トランジスタTr25においては、ドレイン・ソース間に流れる電流が増加し、これに伴ってゲート・ソース間電圧は大きくなる。これにより、この第25トランジスタTr25のゲートに接続されている第1制御信号出力端子T11からは、第1電流供給部P4から供給される電流量をわずかに増加させるような第1制御信号Sc1が出力される。この結果各遅延回路21においては、第1電流供給部P4から供給される電流量が増加するので、第1電流供給部P4からの電流を引き込む第1電流引込部P5においては、当該電流量の増加に応じた分だけ第5トランジスタTr5のドレイン電圧が大きくなり、その結果発振信号Soの発振中心電圧が高くなる。   In the control circuit 23, for example, when the oscillation center voltage of the oscillation signal So is smaller than the ideal oscillation center voltage, the center voltage comparison result signal Sx4 (negative current) output from the second transconductance amplifier 26 is The current I4 is applied via an eleventh transmission line L11 connecting the gate and drain of the 25 transistor Tr25. Accordingly, in the 25th transistor Tr25, the current flowing between the drain and the source increases, and accordingly, the gate-source voltage increases. Accordingly, the first control signal Sc1 that slightly increases the amount of current supplied from the first current supply unit P4 is output from the first control signal output terminal T11 connected to the gate of the 25th transistor Tr25. Is output. As a result, in each delay circuit 21, the amount of current supplied from the first current supply unit P4 increases. Therefore, in the first current drawing unit P5 that draws the current from the first current supply unit P4, The drain voltage of the fifth transistor Tr5 increases by the amount corresponding to the increase, and as a result, the oscillation center voltage of the oscillation signal So increases.

このようにしてこの制御回路23は、発振信号Soの発振中心電圧を理想中心電圧に近づけるように、発振信号生成部P1を制御することができる。   In this way, the control circuit 23 can control the oscillation signal generation unit P1 so that the oscillation center voltage of the oscillation signal So approaches the ideal center voltage.

ここで、この制御回路23に適用される振幅検出回路24について説明する。このような振幅検出回路24は、例えば、全波整流回路とローパスフィルタとを組み合わせることにより実現可能である(例えば参考文献として、“Current-mode full-wave rectifier and vector summation circuit” Cheng-Chieh Chang; Shen-Iuan Liu; Electronics Letters, Volume:36, Issue:19, 14 Sept.2000 Pages:1599-1600 )。   Here, the amplitude detection circuit 24 applied to the control circuit 23 will be described. Such an amplitude detection circuit 24 can be realized, for example, by combining a full-wave rectifier circuit and a low-pass filter (for example, “Current-mode full-wave rectifier and vector summation circuit” Cheng-Chieh Chang Shen-Iuan Liu; Electronics Letters, Volume: 36, Issue: 19, 14 Sept.2000 Pages: 1599-1600).

ここでは図6を用いて、この振幅検出回路24の一例構成を説明する。この振幅検出回路24においては、入力端子T21に接続された第10抵抗R10に対して、第40トランジスタTr40(NMOS)のドレインが接続されていると共に、第41トランジスタTr41(NMOS)のソースが接続されている。   Here, an example configuration of the amplitude detection circuit 24 will be described with reference to FIG. In the amplitude detection circuit 24, the drain of the 40th transistor Tr40 (NMOS) is connected to the 10th resistor R10 connected to the input terminal T21, and the source of the 41st transistor Tr41 (NMOS) is connected. Has been.

この第40トランジスタTr40においては、そのソースが第42トランジスタTr42(NMOS)のソースと接続された後、グランドに接続される。またこの第40トランジスタTr40においては、そのドレインとゲートとが互いに接続されると共に、そのゲートが第42トランジスタTr42のゲートと接続されている。このようにしてこの第40トランジスタTr40と第42トランジスタTr42とは、カレントミラー回路を構成している。   In the 40th transistor Tr40, its source is connected to the source of the 42nd transistor Tr42 (NMOS) and then connected to the ground. In the 40th transistor Tr40, its drain and gate are connected to each other, and its gate is connected to the gate of the 42nd transistor Tr42. Thus, the 40th transistor Tr40 and the 42nd transistor Tr42 constitute a current mirror circuit.

一方第41トランジスタTr41においては、そのゲートが、第41トランジスタTr41及び第40トランジスタTr40に対して適切な動作電圧を与える任意のバイアス電圧Vbに接続され、そのドレインが、第42トランジスタTr42のドレインと共に、第43トランジスタTr43(PMOS)のドレインに接続される。   On the other hand, in the 41st transistor Tr41, its gate is connected to an arbitrary bias voltage Vb that gives an appropriate operating voltage to the 41st transistor Tr41 and the 40th transistor Tr40, and its drain, together with the drain of the 42nd transistor Tr42. And the drain of the 43rd transistor Tr43 (PMOS).

この第43トランジスタTr43においては、そのソースが、第44トランジスタTr44(PMOS)のソースと共に、電源電圧に接続される。またこの第43トランジスタTr43においては、そのドレインとゲートとが互いに接続されると共に、そのゲートが第44トランジスタTr44のゲートと接続されている。このようにして第43トランジスタTr43と第44トランジスタTr44とは、カレントミラー回路を構成している。   The source of the forty-third transistor Tr43 is connected to the power supply voltage together with the source of the forty-fourth transistor Tr44 (PMOS). In the 43rd transistor Tr43, its drain and gate are connected to each other, and its gate is connected to the gate of the 44th transistor Tr44. Thus, the 43rd transistor Tr43 and the 44th transistor Tr44 constitute a current mirror circuit.

さらにこの第44トランジスタTr44のドレインは、ローパスフィルタ部を構成する第10コンデンサC10及び第11抵抗R11に接続された後、出力端子T22に接続される。   Further, the drain of the forty-fourth transistor Tr44 is connected to the tenth capacitor C10 and the eleventh resistor R11 constituting the low-pass filter section, and then connected to the output terminal T22.

かくしてこの振幅検出回路24においては、発振信号生成部P1により現在生成されている発振信号Soが入力端子T21を介して第10抵抗R10に入力されると、この第10抵抗R10において当該入力された発振信号Soが電流(以下、これを発振信号電流と呼ぶ)に変換される。   Thus, in the amplitude detection circuit 24, when the oscillation signal So currently generated by the oscillation signal generation unit P1 is input to the tenth resistor R10 via the input terminal T21, the input is made at the tenth resistor R10. The oscillation signal So is converted into a current (hereinafter referred to as an oscillation signal current).

そして例えばこの発振信号電流が正の場合、この発振信号電流は第40トランジスタTr40に流れ込むので、これによりこの発振信号電流に相当する電流が、第42トランジスタTr42のドレイン側、すなわち第43トランジスタTr43のドレイン側に流れる。この第43トランジスタTr43のドレイン側に流れる電流に相当する電流は、第44トランジスタTr44のドレイン側にも流れるので、その結果、第44トランジスタTr44からローパスフィルタ部に対しては、かかる発振信号電流に相当する正の電流が入力される。   For example, when this oscillation signal current is positive, this oscillation signal current flows into the 40th transistor Tr40, so that the current corresponding to this oscillation signal current is the drain side of the 42nd transistor Tr42, that is, the 43rd transistor Tr43. Flows to the drain side. The current corresponding to the current flowing to the drain side of the 43rd transistor Tr43 also flows to the drain side of the 44th transistor Tr44. As a result, from the 44th transistor Tr44 to the low-pass filter section, the oscillation signal current is A corresponding positive current is input.

これに対して例えばかかる発振信号電流が負の場合、第41トランジスタTr41のソース側から、この発振信号電流に応じた電流が引き抜かれ、これにより第43トランジスタTr43のドレイン側には、この発振信号電流に応じた電流が流れる。この第43トランジスタTr43のドレイン側に流れる電流に相当する電流は、第44トランジスタTr44のドレイン側にも流れるので、その結果、第44トランジスタTr44からローパスフィルタ部に対しては、かかる発振信号電流に相当する正の電流が入力される。   On the other hand, for example, when the oscillation signal current is negative, a current corresponding to the oscillation signal current is drawn from the source side of the 41st transistor Tr41, and this causes the oscillation signal current to be connected to the drain side of the 43rd transistor Tr43. A current corresponding to the current flows. The current corresponding to the current flowing to the drain side of the 43rd transistor Tr43 also flows to the drain side of the 44th transistor Tr44. As a result, from the 44th transistor Tr44 to the low-pass filter section, the oscillation signal current is A corresponding positive current is input.

このようにして第10抵抗R10と第40〜第44トランジスタTr(40〜44)とは、入力される発振信号Soを全波整流する全波整流回路として機能するようになされている。   In this way, the tenth resistor R10 and the 40th to 44th transistors Tr (40 to 44) function as a full-wave rectifier circuit that full-wave rectifies the input oscillation signal So.

そしてこの第44トランジスタTr44から出力される電流は、ローパスフィルタ部により高域成分が除去されると共に電圧信号に変換された後、振幅検出結果信号Sx1として出力端子T22から第1トランスコンダクタンスアンプ25に対して出力される。   The current output from the forty-fourth transistor Tr44 is converted into a voltage signal while the high-frequency component is removed by the low-pass filter unit, and is then sent from the output terminal T22 to the first transconductance amplifier 25 as the amplitude detection result signal Sx1. Are output.

(3−4)加算回路の構成
次に図7を用いて、この電圧制御発振器12内に設けられた第1加算回路22Aの構成を説明する。因みにこの他の加算回路22(B〜D)については、第1加算回路22Aと同様の構成でなるので、説明を省略する。
(3-4) Configuration of Adder Circuit Next, the configuration of the first adder circuit 22A provided in the voltage controlled oscillator 12 will be described with reference to FIG. Incidentally, since the other adder circuits 22 (B to D) have the same configuration as the first adder circuit 22A, description thereof will be omitted.

この第1加算回路22Aは、差動対を構成する第51トランジスタTr51及び第52トランジスタTr52と、同じく差動対を構成する第53トランジスタTr53及び第54トランジスタTr54とを有する。この第51〜第54トランジスタTr(51〜54)のそれぞれのゲートは、第1〜第4発振信号入力端子T(31〜34)に接続されており、この第1〜第4発振信号入力端子T(31〜34)に対しては、発振信号生成部P1から第1〜第4発振信号So(1〜4)がそれぞれ入力される。因みにこの場合、これら第51〜第54トランジスタTr(51〜54)は例えばNMOSに相当する。   The first adder circuit 22A includes a 51st transistor Tr51 and a 52nd transistor Tr52 that form a differential pair, and a 53rd transistor Tr53 and a 54th transistor Tr54 that also form a differential pair. The gates of the 51st to 54th transistors Tr (51 to 54) are connected to the 1st to 4th oscillation signal input terminals T (31 to 34), and the 1st to 4th oscillation signal input terminals. The first to fourth oscillation signals So (1 to 4) are input from the oscillation signal generator P1 to T (31 to 34), respectively. In this case, these 51st to 54th transistors Tr (51 to 54) correspond to, for example, NMOS.

この第51トランジスタTr51及び第52トランジスタTr52のドレインは、第55トランジスタTr55及び第56トランジスタTr56のドレインに対してそれぞれ接続されている。この第55トランジスタTr55及び第56トランジスタTr56は、例えばPMOSに相当し、それぞれのソースが電源電圧に接続され、それぞれのゲートに対しては制御回路23から第1制御信号Sc1が供給される。またこの第51トランジスタTr51及び第52トランジスタTr52のソースは互いに接続された後、第57トランジスタTr57のドレインに接続されている。この第57トランジスタTr57は、例えばNMOSに相当し、そのソースがグランドに接続され、そのゲートに対しては制御回路23から第2制御信号Sc2が供給される。   The drains of the 51st transistor Tr51 and the 52nd transistor Tr52 are connected to the drains of the 55th transistor Tr55 and the 56th transistor Tr56, respectively. The 55th transistor Tr55 and the 56th transistor Tr56 correspond to, for example, a PMOS, each source is connected to the power supply voltage, and the first control signal Sc1 is supplied from the control circuit 23 to each gate. The sources of the 51st transistor Tr51 and the 52nd transistor Tr52 are connected to each other and then to the drain of the 57th transistor Tr57. The 57th transistor Tr57 corresponds to, for example, an NMOS, its source is connected to the ground, and a second control signal Sc2 is supplied from its control circuit 23 to its gate.

一方第53トランジスタTr53のドレインは、第51トランジスタTr51と第55トランジスタTr55との間から第1補間位相信号出力端子T35に対して延長する第21伝送線L21に接続されている。第54トランジスタTr54のドレインは、第52トランジスタTr52と第56トランジスタTr56との間から第2補間位相信号出力端子T36に対して延長する第22伝送線L22に接続されている。また第53トランジスタTr53及び第54トランジスタTr54のソースは互いに接続された後、第58トランジスタTr58のドレインに接続されている。この第58トランジスタTr58は、例えばNMOSに相当し、そのソースがグランドに接続され、そのゲートに対しては制御回路23から第2制御信号Sc2が供給される。   On the other hand, the drain of the 53rd transistor Tr53 is connected to a 21st transmission line L21 extending from between the 51st transistor Tr51 and the 55th transistor Tr55 to the first interpolation phase signal output terminal T35. The drain of the 54th transistor Tr54 is connected to the 22nd transmission line L22 extending from between the 52nd transistor Tr52 and the 56th transistor Tr56 to the second interpolation phase signal output terminal T36. The sources of the 53rd transistor Tr53 and the 54th transistor Tr54 are connected to each other and then to the drain of the 58th transistor Tr58. The 58th transistor Tr58 corresponds to, for example, an NMOS, its source is connected to the ground, and a second control signal Sc2 is supplied from its control circuit 23 to its gate.

さらにこの第1加算回路22Aは、可変抵抗として機能する第59トランジスタTr59及び第60トランジスタTr60を有する。この第59トランジスタTr59及び第60トランジスタTr60は、例えばNMOSに相当し、それぞれゲートとドレインとが接続(ダイオード接続)されている。またこの第59トランジスタTr59のドレインは、第21伝送線L21に接続された後、第61トランジスタTr61のドレインに接続されている。第60トランジスタTr60のドレインは、第22伝送線L22に接続された後第62トランジスタTr62のドレインに対して接続されている。   Furthermore, the first adder circuit 22A includes a 59th transistor Tr59 and a 60th transistor Tr60 that function as variable resistors. The 59th transistor Tr59 and the 60th transistor Tr60 correspond to, for example, an NMOS and have a gate and a drain connected (diode connected), respectively. The drain of the 59th transistor Tr59 is connected to the drain of the 61st transistor Tr61 after being connected to the 21st transmission line L21. The drain of the 60th transistor Tr60 is connected to the drain of the 62nd transistor Tr62 after being connected to the 22nd transmission line L22.

この第61トランジスタTr61及び第62トランジスタTr62は、例えばPMOSに相当し、それぞれのソースが電源電圧に接続され、それぞれのゲートに対しては制御回路23から第3制御信号Sc3が供給される。   The 61st transistor Tr61 and the 62nd transistor Tr62 correspond to, for example, PMOS, their sources are connected to the power supply voltage, and the third control signal Sc3 is supplied from the control circuit 23 to their gates.

一方第59トランジスタTr59及び第60トランジスタTr60のソースは互いに接続された後、第63トランジスタTr63のドレインに接続されている。この第63トランジスタTr63は、例えばNMOSに相当し、そのソースがグランドに接続され、そのゲートに対しては制御回路23から第4制御信号Sc4が供給される。   On the other hand, the sources of the 59th transistor Tr59 and the 60th transistor Tr60 are connected to each other and then to the drain of the 63rd transistor Tr63. The 63rd transistor Tr63 corresponds to, for example, an NMOS, its source is connected to the ground, and a fourth control signal Sc4 is supplied from its control circuit 23 to its gate.

かくしてこの第1加算回路22Aでは、発振信号生成部P1から第1発振信号入力端子T31を介して入力される第1発振信号So1に応じて第51トランジスタTr51のドレイン電流が変化すると共に、発振信号生成部P1から第3発振信号入力端子T33を介して入力される第3発振信号So3に応じて第53トランジスタTr53のドレイン電流が変化する。そして、この第51トランジスタTr51のドレインに生じた電流変化分と第53トランジスタTr53のドレインに生じた電流変化分とは、第21伝送線L21を介して足し合わされた後第59トランジスタTr59側に流入し、これによりこの第59トランジスタTr59のゲート・ソース間電位が変動する。この結果、この第59トランジスタTr59のゲート・ソース間における電位変動に応じた電圧の信号が、第1補間位相信号Ss1として第1補間位相信号出力端子T35から出力される。   Thus, in the first adder circuit 22A, the drain current of the 51st transistor Tr51 changes according to the first oscillation signal So1 input from the oscillation signal generator P1 via the first oscillation signal input terminal T31, and the oscillation signal The drain current of the 53rd transistor Tr53 changes according to the third oscillation signal So3 input from the generation unit P1 via the third oscillation signal input terminal T33. The current change generated at the drain of the 51st transistor Tr51 and the current change generated at the drain of the 53rd transistor Tr53 are added together via the 21st transmission line L21 and then flow into the 59th transistor Tr59 side. As a result, the gate-source potential of the 59th transistor Tr59 varies. As a result, a signal of a voltage corresponding to the potential fluctuation between the gate and source of the 59th transistor Tr59 is output from the first interpolation phase signal output terminal T35 as the first interpolation phase signal Ss1.

また同様にして第1加算回路22Aでは、発振信号生成部P1から第2発振信号入力端子T32を介して入力される第2発振信号So2に応じて第52トランジスタTr52のドレイン電流が変化すると共に、発振信号生成部P1から第4発振信号入力端子T34を介して入力される第4発振信号So4に応じて第54トランジスタTr54のドレイン電流が変化する。そして、この第52トランジスタTr52のドレインに生じた電流変化分と第54トランジスタTr54のドレインに生じた電流変化分とは、第22伝送線L22を介して足し合わされた後第60トランジスタTr60側に流入し、これによりこの第60トランジスタTr60のゲート・ソース間電位が変動する。この結果、この第60トランジスタTr60のゲート・ソース間における電位変動に応じた電圧の信号が、第2補間位相信号Ss2として第2補間位相信号出力端子T36から出力される。   Similarly, in the first adder circuit 22A, the drain current of the 52nd transistor Tr52 changes according to the second oscillation signal So2 input from the oscillation signal generation unit P1 via the second oscillation signal input terminal T32, and The drain current of the 54th transistor Tr54 changes according to the fourth oscillation signal So4 input from the oscillation signal generator P1 via the fourth oscillation signal input terminal T34. The current change generated in the drain of the 52nd transistor Tr52 and the current change generated in the drain of the 54th transistor Tr54 are added together via the 22nd transmission line L22 and then flow into the 60th transistor Tr60 side. As a result, the gate-source potential of the 60th transistor Tr60 varies. As a result, a signal of a voltage corresponding to the potential fluctuation between the gate and source of the 60th transistor Tr60 is output from the second interpolation phase signal output terminal T36 as the second interpolation phase signal Ss2.

このようにして第1加算回路22Aは、上述の式(7)において示したように、それぞれ異なる位相を持つ発振信号Soから、これら発振信号Soの中間位相となる補間位相信号Ssを生成することができる。   In this way, the first adder circuit 22A generates the interpolated phase signal Ss that is an intermediate phase of the oscillation signals So from the oscillation signals So having different phases, as shown in the equation (7). Can do.

そしてこのように第1加算回路22Aにより生成された第1補間位相信号Ss1及び第2補間位相信号Ss2や、同じようにしてこの他の加算回路22により生成された第3〜第8補間位相信号Ssや、発振信号生成部P1により生成された第1〜第8発振信号So(1〜8)は、サンプリングの際に用いられるクロック信号Sclkとしてアナログデジタル変換部3に対して供給されるようになされている。   The first interpolation phase signal Ss1 and the second interpolation phase signal Ss2 thus generated by the first addition circuit 22A, and the third to eighth interpolation phase signals generated by the other addition circuits 22 in the same manner. Ss and the first to eighth oscillation signals So (1 to 8) generated by the oscillation signal generation unit P1 are supplied to the analog-digital conversion unit 3 as a clock signal Sclk used at the time of sampling. Has been made.

因みに本実施の形態の場合、発振信号生成部P1を構成する遅延回路21は、制御回路23から各遅延回路21に対して供給されるバイアス電圧(第1〜第4制御信号Sc(1〜4))に応じて、発振信号Soの周波数や振幅や発振中心電圧を変化させる。従ってこの発振信号Soを基にして補間位相信号Ssを生成する各加算回路22においても、同じバイアス電圧(第1〜第4制御信号Sc(1〜4))を用いるようにした。かくして各加算回路22においては、かかる発振信号Soを基にして補間位相信号Ssを精度良く生成することができるようになされている。   Incidentally, in the case of the present embodiment, the delay circuit 21 constituting the oscillation signal generation unit P1 is supplied with a bias voltage (first to fourth control signals Sc (1 to 4) supplied from the control circuit 23 to each delay circuit 21. )), The frequency and amplitude of the oscillation signal So and the oscillation center voltage are changed. Therefore, the same bias voltage (first to fourth control signals Sc (1 to 4)) is also used in each adder circuit 22 that generates the interpolation phase signal Ss based on the oscillation signal So. Thus, each adder circuit 22 can generate the interpolation phase signal Ss with high accuracy based on the oscillation signal So.

またここで、本実施の形態の構成を採用した場合の消費電力と、従来手法を適用した場合の消費電力とを比較する。   Here, the power consumption when the configuration of the present embodiment is adopted is compared with the power consumption when the conventional method is applied.

例えば本実施の形態による電圧制御発振器12において、発振信号生成部P1に生成させる発振信号Soの振幅と、補間位相信号生成部P2に生成させる補間位相信号Ssの振幅とを同じにする場合、発振信号生成部P1における遅延回路21の周波数特性と、補間位相信号生成部P2における加算回路22の周波数特性とを同じにすれば良い。   For example, in the voltage controlled oscillator 12 according to the present embodiment, when the amplitude of the oscillation signal So generated by the oscillation signal generation unit P1 and the amplitude of the interpolation phase signal Ss generated by the interpolation phase signal generation unit P2 are the same, the oscillation The frequency characteristic of the delay circuit 21 in the signal generation unit P1 and the frequency characteristic of the addition circuit 22 in the interpolation phase signal generation unit P2 may be the same.

ここでこの遅延回路21の伝達関数は、上述した式(1)で表すことができる。またこの加算回路22の伝達関数は、次式、   Here, the transfer function of the delay circuit 21 can be expressed by the above-described equation (1). The transfer function of the adder circuit 22 is expressed by the following equation:

Figure 2006140639
Figure 2006140639

により表すことができる。ここでA0itpは加算回路22のDC利得を示し、sはラプラス変数を示し、ω0itpはこの加算回路22のカットオフ周波数を示している。 Can be represented by Here, A 0itp represents the DC gain of the adder circuit 22, s represents a Laplace variable, and ω 0itp represents the cut-off frequency of the adder circuit 22.

そしてこの加算回路22のDC利得A0itpは、次式、 The DC gain A 0itp of the adding circuit 22 is expressed by the following equation:

Figure 2006140639
Figure 2006140639

により表すことができる。ここで、αは、この加算回路22が生成する補間位相信号Ssの基となる2つの発振信号Soの位相差で決まる係数(以下ではこの位相差をπ/4として考え、その結果このαは1.85となる)であり、Gmiitp1は、図7に示した第51トランジスタTr51及び第52トランジスタTr52のトランスコンダクタンス値を示し、Gmiitp2は、第53トランジスタTr53及び第54トランジスタTr54のトランスコンダクタンス値を示し、R0itpは、第59トランジスタTr59及び第60トランジスタTr60のトランスコンダクタンス値をGmlitpとした場合の1/Gmlitpに相当する。 Can be represented by Here, α is a coefficient determined by the phase difference between the two oscillation signals So that is the basis of the interpolation phase signal Ss generated by the adder circuit 22 (hereinafter, this phase difference is considered as π / 4, and as a result, this α is 1.85 a), Gm iitp1 represents the transconductance value of the 51 transistors Tr51 and the 52 transistors Tr52 shown in FIG. 7, Gm iitp2 the transconductance of the 53 transistors Tr53 and the 54 transistors Tr54 R 0itp corresponds to 1 / Gm litp when the transconductance value of the 59th transistor Tr59 and the 60th transistor Tr60 is Gm litp .

さらにこの加算回路22のカットオフ周波数ω0itpは、次式 Further, the cut-off frequency ω 0itp of the adder circuit 22 is given by

Figure 2006140639
Figure 2006140639

により表せる。ここでこのCP0itpは、加算回路22における第21伝送線L21及び第22伝送線L22に生じる寄生容量の容量値に相当する。 It can be expressed by Here, C P0itp corresponds to the capacitance value of the parasitic capacitance generated in the twenty-first transmission line L21 and the twenty-second transmission line L22 in the adder circuit 22.

そして上述の式(1)で表される遅延回路21の周波数特性と、式(11)で表される加算回路22の周波数特性とを同じにすればよい。CP0itpを決める要因である補間位相信号出力端子T35、T36に接続する外部バッファサイズは遅延回路21の出力接続先と比べて設計自由度が高く、これによりCP0itpをCPOと比較して1/1.85に減らすことができたとすると、Gmiitp1及びGmiitp2はGmiと比べてそれぞれ1/3.7に減らすことができ、またGmlitpはGmlと比べて1/1.85に減らすことができる。かくしてこの加算回路22においては、第51〜第54トランジスタTr(51〜54)と第59及び第60トランジスタTr59、Tr60とに流すドレイン電流を減らすことができ、またCPOitpをさらに減らすことができればかかるドレイン電流をさらに減らすことも可能である。 The frequency characteristic of the delay circuit 21 expressed by the above equation (1) and the frequency characteristic of the adder circuit 22 expressed by the equation (11) may be made the same. The size of the external buffer connected to the interpolation phase signal output terminals T35 and T36, which is a factor for determining C P0itp , is higher in design freedom than the output connection destination of the delay circuit 21, so that C P0itp is 1 compared with C PO When could be reduced to /1.85, Gm iitp1 and Gm Iitp2 can be reduced to respectively 1 / 3.7 as compared with Gm i, Mata Gm Litp to 1 / 1.85 as compared to Gm l Can be reduced. Thus, in this adding circuit 22, it is possible to reduce the drain current flowing through the 51st to 54th transistors Tr (51 to 54) and the 59th and 60th transistors Tr59 and Tr60, and to further reduce C POitp. It is possible to further reduce the drain current.

以上のことから、発振信号生成部P1により生成した8相の発振信号So(1〜8)から8相の補間位相信号Ss(1〜8)を生成するために4つの加算回路22を設けるような構成としたとしても、この4つの加算回路22を設けたことによる消費電力の増加については、従来の第1及び第2の手法と比べて格段と抑制されていることがわかる。   From the above, the four adder circuits 22 are provided to generate the 8-phase interpolated phase signal Ss (1-8) from the 8-phase oscillation signal So (1-8) generated by the oscillation signal generator P1. Even if it is set as a simple structure, it turns out that the increase in the power consumption by providing these four addition circuits 22 is suppressed remarkably compared with the conventional 1st and 2nd method.

(4)動作及び効果
以上の構成において、この発振信号生成部P1の各遅延回路21においては、図4に示したように、第1制御信号Sc1に応じた所定量の電流を供給する第1電流供給部P4を、電源電圧と差動対部P3との間に設けるようにしたことにより、この差動対部P3とこの差動対部P3により得られた電流変化を伝送する第1及び第2伝送線L1、L2とこの第1及び第2伝送線L1、L2により伝送された電流変化を電圧変化に変換する可変抵抗部P6とを電源電圧からフローティングしたような状態にすることができる。
(4) Operation and Effect In the above configuration, each delay circuit 21 of the oscillation signal generation unit P1 has a first current that supplies a predetermined amount of current according to the first control signal Sc1, as shown in FIG. Since the current supply unit P4 is provided between the power supply voltage and the differential pair P3, the first and second current transmissions obtained by the differential pair P3 and the differential pair P3 are transmitted. The second transmission lines L1 and L2 and the variable resistance part P6 that converts the current change transmitted through the first and second transmission lines L1 and L2 into a voltage change can be brought into a floating state from the power supply voltage. .

この結果このフローティングしたような状態となっている部分に接続される電圧(例えば、第5トランジスタTr5のドレイン電圧等)を調節することにより、発振信号Soの発振中心電圧を遅延回路21の動作が線形領域から外れないように制御することができ、かくして発振信号Soが歪んでしまうのを回避することができる。   As a result, by adjusting the voltage (for example, the drain voltage of the fifth transistor Tr5, etc.) connected to the floating part, the delay circuit 21 operates the oscillation center voltage of the oscillation signal So. Control can be performed so as not to deviate from the linear region, and thus distortion of the oscillation signal So can be avoided.

また本実施の形態の場合、第1電流供給部P4から差動対部P3を介して第1電流引込部P5に引き込まれる電流量を制御することにより、この差動対部P3のトランスコンダクタンス値Gmを調節することができ、かくして発振信号Soの振幅を遅延回路21の動作が線形領域から外れないように制御することができる。 In the case of the present embodiment, by controlling the amount of current drawn from the first current supply part P4 to the first current drawing part P5 via the differential pair part P3, the transconductance value of the differential pair part P3 is controlled. Gm i can be adjusted, and thus the amplitude of the oscillation signal So can be controlled so that the operation of the delay circuit 21 does not deviate from the linear region.

以上の構成によれば、発振信号Soの振幅と発振中心電圧とを、遅延回路21の動作が線形領域から外れないように制御することができ、かくして発振信号Soが歪んでしまうのを回避することができる。   According to the above configuration, the amplitude of the oscillation signal So and the oscillation center voltage can be controlled so that the operation of the delay circuit 21 does not deviate from the linear region, and thus the oscillation signal So is prevented from being distorted. be able to.

例えばここで、図13に示した従来の遅延回路120の構成を用いて、発振信号Soの振幅や発振中心電圧を制御しようとする場合を考える。この場合、可変抵抗素子として機能するトランジスタTr103、Tr104が定電流源として動作するので、ここの部分の抵抗値が非常に大きく、その結果この遅延回路120の直流利得が必要以上に大きくなってしまう。このためこのような遅延回路120では、本実施の形態の遅延回路21のように発振信号Soの振幅を制御することができない。   For example, consider a case where the amplitude of the oscillation signal So and the oscillation center voltage are to be controlled using the configuration of the conventional delay circuit 120 shown in FIG. In this case, since the transistors Tr103 and Tr104 functioning as variable resistance elements operate as constant current sources, the resistance value here is very large, and as a result, the DC gain of the delay circuit 120 becomes larger than necessary. . For this reason, in such a delay circuit 120, the amplitude of the oscillation signal So cannot be controlled unlike the delay circuit 21 of the present embodiment.

一方図14に示した遅延回路120の場合、可変抵抗素子として機能する部分がダイオード接続されたトランジスタTr105、Tr106によって構成されている。これによりこのトランジスタTr105、Tr106に流す電流量を調節することにより、この部分の抵抗値を制御することが可能である。しかしこの遅延回路120では、これらトランジスタTr105、Tr106が電源電圧を基準としたダイオード接続となっていることから、図14(B)に示すように、発振信号Soの波形上端がダイオード接続されたトランジスタのオフ電圧になってしまう。その結果電源電圧や発振信号Soの振幅が変化すると、これに伴って発振信号Soの発振中心電圧が変動してしまうことになり、かくして遅延回路120の動作が線形領域から外れないようにすることが困難になってしまう。   On the other hand, in the case of the delay circuit 120 shown in FIG. 14, the portion functioning as a variable resistance element is constituted by diode-connected transistors Tr105 and Tr106. Accordingly, the resistance value of this portion can be controlled by adjusting the amount of current flowing through the transistors Tr105 and Tr106. However, in the delay circuit 120, since these transistors Tr105 and Tr106 are diode-connected based on the power supply voltage, as shown in FIG. 14B, the upper end of the waveform of the oscillation signal So is diode-connected. It becomes the off voltage. As a result, if the power supply voltage or the amplitude of the oscillation signal So changes, the oscillation center voltage of the oscillation signal So will fluctuate accordingly, and thus the operation of the delay circuit 120 does not deviate from the linear region. Will become difficult.

これに対して本実施の形態の遅延回路21を適用した場合には、例えば図8に概念的に示すように、制御回路23によって、遅延回路21の動作が線形領域から外れないように、発振信号Soの振幅と発振中心電圧とを制御することができ、かくして発振信号Soが歪んでしまうのを回避することができる。これにより電圧制御発振器12は、この発振信号Soを基にして精度良く補間位相信号Ssを生成することができる。この結果この光ディスク再生装置1のアナログデジタル変換部3は、光ディスクから読み出された読出信号Srを正確にサンプリングすることができる。   On the other hand, when the delay circuit 21 of the present embodiment is applied, for example, as conceptually shown in FIG. 8, the control circuit 23 oscillates so that the operation of the delay circuit 21 does not deviate from the linear region. The amplitude of the signal So and the oscillation center voltage can be controlled, and thus the oscillation signal So can be prevented from being distorted. As a result, the voltage controlled oscillator 12 can accurately generate the interpolation phase signal Ss based on the oscillation signal So. As a result, the analog-digital conversion unit 3 of the optical disc reproducing apparatus 1 can accurately sample the read signal Sr read from the optical disc.

ところで、一般的にこのような電圧制御発振器において、環状に接続された遅延回路の段数と発振信号の振幅とは、この電圧制御発振器の位相ノイズに関係することが広く知られている。因みにこの位相ノイズは、クロックデータリカバリシステムの性能に影響を及ぼす。   In general, in such a voltage controlled oscillator, it is widely known that the number of delay circuits connected in a ring and the amplitude of an oscillation signal are related to the phase noise of the voltage controlled oscillator. Incidentally, this phase noise affects the performance of the clock data recovery system.

ここでこの位相ノイズは、次式、   Where this phase noise is:

Figure 2006140639
Figure 2006140639

により表せる。ここでNは、環状に接続された遅延回路の段数を示し、Fは、経験的に得られるノイズ係数を示し、kは、ボルツマン定数を示し、Tは、絶対温度を示し、Psは、発振波形のパワーを示し、ω0は、発振中心周波数を示し、Qは、電圧制御発振器のクオリティー値を示し、Δωは、かかるω0からの差分である。因みにこの式(14)は、遅延回路が線形領域で動作する場合に適用できるものである。 It can be expressed by Here, N indicates the number of stages of delay circuits connected in a ring, F indicates an empirically obtained noise coefficient, k indicates a Boltzmann constant, T indicates an absolute temperature, and Ps indicates an oscillation. The power of the waveform is shown, ω 0 is the oscillation center frequency, Q is the quality value of the voltage controlled oscillator, and Δω is the difference from ω 0 . Incidentally, this equation (14) is applicable when the delay circuit operates in the linear region.

かくしてこの式(14)によれば、遅延回路を線形領域で動作させるようにした上で、遅延回路の段数をできるだけ小さくし、発振波形のパワー(発振信号の振幅)をできるだけ大きくすることにより、かかる位相ノイズを減らせることが分かる。この結果本実施の形態の構成によれば、従来における第1及び第2の手法と比べて遅延回路21の段数を減らすことができる上、発振信号Soの振幅等も制御することができ、かくしてかかる位相ノイズを格段と抑制し得ることがわかる。   Thus, according to this equation (14), by operating the delay circuit in the linear region, by reducing the number of stages of the delay circuit as much as possible and increasing the power of the oscillation waveform (the amplitude of the oscillation signal) as much as possible, It can be seen that such phase noise can be reduced. As a result, according to the configuration of the present embodiment, the number of stages of the delay circuit 21 can be reduced as compared with the conventional first and second methods, and the amplitude and the like of the oscillation signal So can be controlled. It can be seen that such phase noise can be significantly suppressed.

(5)他の実施の形態
なお上述の実施の形態においては、図4に示した第1電流供給部P4から供給される電流量と、第1電流引込部P5により引き込まれる電流量とのバランスを崩すことにより、発振信号Soの発振中心電圧を制御する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、図4における第2電流供給部P7から供給される電流量と、第2電流引込部P8により引き込まれる電流量とのバランスを崩すことにより、発振信号Soの発振中心電圧を制御するようにしても良い。要は、第1電流供給部P4及び第2電流供給部P7から供給される電流量と、第1電流引込部P5及び第2電流引込部P8に引き込まれる電流量とのバランスを崩すことができれば、発振信号Soの発振中心電圧を制御することができる。
(5) Other Embodiments In the above-described embodiment, the balance between the amount of current supplied from the first current supply unit P4 shown in FIG. 4 and the amount of current drawn by the first current drawing unit P5. However, the present invention is not limited to this, and the amount of current supplied from the second current supply unit P7 in FIG. 4 and the second current draw-in are described. The oscillation center voltage of the oscillation signal So may be controlled by breaking the balance with the amount of current drawn by the part P8. In short, if the balance between the amount of current supplied from the first current supply unit P4 and the second current supply unit P7 and the amount of current drawn into the first current drawing unit P5 and the second current drawing unit P8 can be broken. The oscillation center voltage of the oscillation signal So can be controlled.

また上述の実施の形態においては、図4に示すように、可変抵抗部P6として、ダイオード接続された第6トランジスタTr6及び第7トランジスタTr7を適用する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、図4との対応部分に同一符号を付して示す図9に示すように、第6トランジスタTr6及び第7トランジスタTr7に代えて周知の可変抵抗素子R21、R22を適用するようにしても良い。この場合、この可変抵抗素子R21、R22の抵抗値を例えば制御回路23によって制御するようにする。そしてこれら可変抵抗素子R21、R22の一端を第1及第2伝送線L1、L2にそれぞれ接続し、これら可変抵抗素子R21、R22の他端を電圧供給部(例えば電池)40に接続する。かくしてこの遅延回路21を適用した場合、この電圧供給部40によって供給する電圧を選定することにより、発振信号Soの発振中心電圧を制御することができる。   In the above-described embodiment, as shown in FIG. 4, the case where the diode-connected sixth transistor Tr6 and seventh transistor Tr7 are applied as the variable resistor P6 has been described. However, the present invention is not limited to this. Instead, as shown in FIG. 9 in which the same reference numerals are assigned to corresponding parts to FIG. 4, well-known variable resistance elements R21 and R22 may be applied instead of the sixth transistor Tr6 and the seventh transistor Tr7. good. In this case, the resistance values of the variable resistance elements R21 and R22 are controlled by the control circuit 23, for example. One end of each of the variable resistance elements R21 and R22 is connected to the first and second transmission lines L1 and L2, and the other end of each of the variable resistance elements R21 and R22 is connected to a voltage supply unit (for example, a battery) 40. Thus, when the delay circuit 21 is applied, the oscillation center voltage of the oscillation signal So can be controlled by selecting the voltage supplied by the voltage supply unit 40.

さらに上述の実施の形態においては、制御回路23が、第1制御信号Sc1及び第2制御信号Sc2によって第1電流供給部P4及び第1電流引込部P5を制御することにより、第1トランジスタTr1及び第2トランジスタTr2のドレイン・ソース間に流れる電流量を調節し、これにより第1トランジスタTr1及び第2トランジスタTr2のトランスコンダクタンス値Gmiを変化させ、かくして発振信号Soの振幅を制御する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、制御回路23が、第3制御信号Sc3及び第4制御信号Sc4によって第2電流供給部P7及び第2電流引込部P8を制御することにより、第6トランジスタTr6及び第7トランジスタTr7のドレイン・ソース間に流れる電流量を調節し、これにより第6トランジスタTr6及び第7トランジスタTr7の抵抗値Rを変化させ、かくして発振信号Soの振幅を制御するようにしても良い。 Furthermore, in the above-described embodiment, the control circuit 23 controls the first transistor Tr1 and the first current supply unit P4 and the first current drawing unit P5 by controlling the first control signal Sc1 and the second control signal Sc2. adjust the amount of current flowing between the drain and source of the second transistor Tr2, thereby changing the transconductance Gm i of the first transistor Tr1 and the second transistor Tr2, and thus described the case of controlling the amplitude of the oscillation signal so However, the present invention is not limited to this, and the control circuit 23 controls the second current supply unit P7 and the second current drawing unit P8 by the third control signal Sc3 and the fourth control signal Sc4, so that the sixth transistor The amount of current flowing between the drain and source of the Tr6 and the seventh transistor Tr7 is adjusted, whereby the sixth transistor Njisuta changing the resistance value R 0 of Tr6 and the seventh transistor Tr7, thus may be to control the amplitude of the oscillation signal So..

さらに上述の実施の形態においては、環状に接続された複数の遅延回路を用いて発振信号を生成する発振信号生成器として、図3に示したような電圧制御発振器12を適用する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、環状に接続された遅延回路を用いて発振信号を生成するものであれば、この他種々の構成を適用することができる。   Furthermore, in the above-described embodiment, the case where the voltage controlled oscillator 12 as shown in FIG. 3 is applied as an oscillation signal generator that generates an oscillation signal using a plurality of delay circuits connected in a ring shape has been described. However, the present invention is not limited to this, and various other configurations can be applied as long as an oscillation signal is generated using a delay circuit connected in a ring shape.

さらに上述の実施の形態においては、前段の遅延回路(21)から供給される発振信号(So)の電圧変化を電流変化に変換する電圧電流変換部として、第1トランジスタTr1及び第2トランジスタTr2からなる差動対部P3を適用する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、FET以外のこの他種々のトランジスタにより構成した差動対部を適用しても良い。   Further, in the above-described embodiment, the first and second transistors Tr1 and Tr2 serve as voltage / current converters that convert the voltage change of the oscillation signal (So) supplied from the preceding delay circuit (21) into a current change. Although the case where the differential pair P3 is applied has been described, the present invention is not limited to this, and a differential pair configured by various other transistors than the FET may be applied.

さらに上述の実施の形態においては、電源電圧(Vcc)と電圧電流変換部(P3)との間に設けられ所定量の電流を供給する第1の電流供給部として、第3トランジスタTr3及び第4トランジスタTr4からなる第1電流供給部P4を適用する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、制御回路23の制御に応じて所定量の電流を供給することができれば、この他種々の構成を適用することができる。   Further, in the above-described embodiment, the third transistor Tr3 and the fourth transistor serve as the first current supply unit that is provided between the power supply voltage (Vcc) and the voltage-current conversion unit (P3) and supplies a predetermined amount of current. Although the case where the first current supply unit P4 including the transistor Tr4 is applied has been described, the present invention is not limited to this, and various other types can be used as long as a predetermined amount of current can be supplied according to the control of the control circuit 23. Configuration can be applied.

さらに上述の実施の形態においては、第1の電流供給部(P4)から供給される電流を、電圧電流変換部(P3)を介して引き込む第1の電流引込部として、第5トランジスタTr5からなる第1電流引込部P5を適用する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、制御回路23の制御に応じて所定量の電流を引き込むことができれば、この他種々の構成を適用することができる。   Furthermore, in the above-described embodiment, the first current supply unit (P4) includes the fifth transistor Tr5 as the first current drawing unit that draws the current supplied through the voltage-current conversion unit (P3). Although the case where the first current drawing unit P5 is applied has been described, the present invention is not limited to this, and various other configurations may be applied as long as a predetermined amount of current can be drawn according to the control of the control circuit 23. Can do.

さらに上述の実施の形態においては、伝送線(L1、L2)により伝送された電流変化を電圧変化に変換し当該変換結果を発振信号(So)として後段の遅延回路(21)に対して供給する電流電圧変換部として、ダイオード接続された第6トランジスタTr6及び第7トランジスタTr7からなる可変抵抗部P6を適用する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、上述したような周知の可変抵抗素子R21、R22を採用する等、この他種々の構成を適用することができる。   Furthermore, in the above-described embodiment, the current change transmitted through the transmission lines (L1, L2) is converted into a voltage change, and the conversion result is supplied as an oscillation signal (So) to the subsequent delay circuit (21). The case where the variable resistor P6 including the sixth transistor Tr6 and the seventh transistor Tr7 connected as a diode is applied as the current-voltage converter has been described. However, the present invention is not limited to this, and the known variable resistor as described above is used. Various other configurations such as employing the elements R21 and R22 can be applied.

さらに上述の実施の形態においては、電流電圧変換部(P6)によって電流変化が電圧変化に変換される変換割合(抵抗値R0=1/Gm)を、調節する電流電圧変換割合調節手段として、制御回路23を適用する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、かかる変換割合を調節することができれば、この他種々の構成を適用することができる。 Furthermore, in the above-described embodiment, the current-voltage conversion ratio adjusting means for adjusting the conversion ratio (resistance value R 0 = 1 / Gm 1 ) at which the current change is converted into the voltage change by the current-voltage conversion section (P6) Although the case where the control circuit 23 is applied has been described, the present invention is not limited to this, and various other configurations can be applied as long as the conversion ratio can be adjusted.

さらに上述の実施の形態においては、所定量の電流を供給する第2の電流供給部として、第8トランジスタTr8及び第9トランジスタTr9からなる第2電流供給部P7を適用する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、制御回路23の制御に応じて所定量の電流を供給することができれば、この他種々の構成を適用することができる。   Furthermore, in the above-described embodiment, the case where the second current supply unit P7 including the eighth transistor Tr8 and the ninth transistor Tr9 is applied as the second current supply unit that supplies a predetermined amount of current has been described. The present invention is not limited to this, and various other configurations can be applied as long as a predetermined amount of current can be supplied according to the control of the control circuit 23.

さらに上述の実施の形態においては、第2の電流供給部(P7)から供給される電流を、電流電圧変換部(P6)を介して引き込む第2の電流引込部として、第10トランジスタTr10からなる第2電流引込部P8を適用する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、制御回路23の制御に応じて所定量の電流を引き込むことができれば、この他種々の構成を適用することができる。   Furthermore, in the above-described embodiment, the second transistor is configured by the tenth transistor Tr10 as the second current drawing unit that draws the current supplied from the second current supply unit (P7) through the current-voltage conversion unit (P6). Although the case where the second current drawing unit P8 is applied has been described, the present invention is not limited to this, and various other configurations may be applied as long as a predetermined amount of current can be drawn according to the control of the control circuit 23. Can do.

さらに上述の実施の形態においては、電圧電流変換部(P3)によって発振信号の電圧変化が電流変化に変換される変換割合(トランスコンダクタンス値Gm)を、調節する電圧電流変換割合調節手段として、制御回路23を適用する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、かかる変換割合を調節することができれば、この他種々の構成を適用することができる。 Furthermore, in the above-described embodiment, as the voltage-current conversion ratio adjusting means for adjusting the conversion ratio (transconductance value Gm i ) in which the voltage change of the oscillation signal is converted into the current change by the voltage-current converter (P3), Although the case where the control circuit 23 is applied has been described, the present invention is not limited to this, and various other configurations can be applied as long as the conversion ratio can be adjusted.

さらに上述の実施の形態においては、発振信号生成部(P1)と補間位相信号生成部(P2)とを有する信号生成装置(12)から供給される発振信号(So)及び補間位相信号(Ss)に基づいて、記憶媒体(光ディスク)から読み出された読出信号(Sr)をサンプリングすることによりデータ(D1)を再生する再生装置として、光ディスク再生装置1を適用する場合について述べた。しかしながら本発明はこれに限らず、CDやDVD以外の記憶媒体(例えばハードディスクドライブ等)から読み出された読出信号をサンプリングするような装置を適用するようにしても良い。   Further, in the above-described embodiment, the oscillation signal (So) and the interpolation phase signal (Ss) supplied from the signal generation device (12) having the oscillation signal generation unit (P1) and the interpolation phase signal generation unit (P2). Based on the above, the case where the optical disk reproducing apparatus 1 is applied as a reproducing apparatus for reproducing the data (D1) by sampling the read signal (Sr) read from the storage medium (optical disk) has been described. However, the present invention is not limited to this, and a device that samples a read signal read from a storage medium other than a CD or DVD (for example, a hard disk drive) may be applied.

本発明は、PLL回路内の電圧制御発振器から供給されたクロック信号に基づいて光ディスクから読み出した読出信号をサンプリングするようになされた光ディスク再生装置等に利用することができる。   The present invention can be used for an optical disk reproducing apparatus or the like adapted to sample a read signal read from an optical disk based on a clock signal supplied from a voltage controlled oscillator in a PLL circuit.

本実施の形態における光ディスク再生装置の構成を示す略線図である。It is a basic diagram which shows the structure of the optical disk reproducing | regenerating apparatus in this Embodiment. PLLの回路構成を示す略線図である。It is a basic diagram which shows the circuit structure of PLL. 電圧制御発振器の構成を示す略線図である。It is a basic diagram which shows the structure of a voltage controlled oscillator. 遅延回路の構成を示す略線図である。It is a basic diagram which shows the structure of a delay circuit. 制御回路の構成を示す略線図である。It is a basic diagram which shows the structure of a control circuit. 振幅検出回路の構成を示す略線図である。It is a basic diagram which shows the structure of an amplitude detection circuit. 加算回路の構成を示す略線図である。It is a basic diagram which shows the structure of an addition circuit. 発振信号生成部及び制御回路の概念図である。It is a conceptual diagram of an oscillation signal generation part and a control circuit. 他の実施の形態による遅延回路を示す略線図である。It is a basic diagram which shows the delay circuit by other embodiment. 光ディスク再生装置の構成を示す略線図である。It is a basic diagram which shows the structure of an optical disk reproducing device. リング型の電圧制御発振器(1)を示す略線図である。It is an approximate line figure showing a ring type voltage controlled oscillator (1). 遅延回路(1)を示す略線図である。It is a basic diagram which shows a delay circuit (1). 遅延回路(2)を示す略線図である。It is a basic diagram which shows a delay circuit (2). 遅延回路(3)を示す略線図である。It is a basic diagram which shows a delay circuit (3). リング型の電圧制御発振器(2)を示す略線図である。It is an approximate line figure showing a ring type voltage controlled oscillator (2). 発振周波数と遅延回路段数の関係及び直流利得と遅延回路段数の関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between an oscillating frequency and the number of delay circuit stages, and the relationship between DC gain and the number of delay circuit stages. リング型の電圧制御発振器(3)を示す略線図である。It is an approximate line figure showing a ring type voltage controlled oscillator (3). 加算回路の一例構成を示す略線図である。It is a basic diagram which shows an example structure of an addition circuit.

符号の説明Explanation of symbols

1……光ディスク再生装置、12……電圧制御発振器、21……遅延回路、22……加算回路、23……制御回路、P1……発振信号生成部、P2……補間位相信号生成部、P3……差動対部、P4……第1電流供給部、P5……第1電流引込部、P6……可変抵抗部、P7……第2電流供給部、P8……第2電流引込部。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Optical disk reproducing apparatus, 12 ... Voltage control oscillator, 21 ... Delay circuit, 22 ... Adder circuit, 23 ... Control circuit, P1 ... Oscillation signal generation part, P2 ... Interpolation phase signal generation part, P3 A differential pair, P4, a first current supply unit, P5, a first current drawing unit, P6, a variable resistance unit, P7, a second current supply unit, P8, a second current drawing unit.

Claims (8)

環状に接続された複数の遅延回路を用いて発振信号を生成する発振信号生成器において、
各上記遅延回路は、
前段の上記遅延回路から供給される上記発振信号の電圧変化を電流変化に変換する電圧電流変換部と、
電源電圧と上記電圧電流変換部との間に設けられ、所定量の電流を供給する第1の電流供給部と、
上記第1の電流供給部から供給される電流を、上記電圧電流変換部を介して引き込む第1の電流引込部と、
上記第1の電流供給部と上記電圧電流変換部との間から延長し、上記電圧電流変換部により得られた上記電流変化を伝送する伝送線と、
上記伝送線により伝送された上記電流変化を電圧変化に変換し、当該変換結果を上記発振信号として後段の上記遅延回路に対して供給する電流電圧変換部と
を具えることを特徴とする発振信号生成器。
In an oscillation signal generator that generates an oscillation signal using a plurality of delay circuits connected in a ring shape,
Each of the above delay circuits
A voltage-current converter that converts a voltage change of the oscillation signal supplied from the delay circuit in the previous stage into a current change;
A first current supply unit that is provided between a power supply voltage and the voltage-current conversion unit and supplies a predetermined amount of current;
A first current drawing unit that draws current supplied from the first current supply unit via the voltage-current conversion unit;
A transmission line that extends from between the first current supply unit and the voltage-current conversion unit and transmits the current change obtained by the voltage-current conversion unit;
An oscillation signal comprising: a current-voltage conversion unit that converts the current change transmitted by the transmission line into a voltage change and supplies the conversion result as the oscillation signal to the delay circuit at a subsequent stage. Generator.
上記電流電圧変換部によって上記電流変化が電圧変化に変換される変換割合を、調節する電流電圧変換割合調節手段
を具えることを特徴とする請求項1に記載の発振信号生成器。
2. The oscillation signal generator according to claim 1, further comprising a current-voltage conversion ratio adjusting unit that adjusts a conversion ratio at which the current change is converted into a voltage change by the current-voltage conversion unit.
所定量の電流を供給する第2の電流供給部と、
上記第2の電流供給部から供給される電流を、上記電流電圧変換部を介して引き込む第2の電流引込部と
を有し、
上記電流電圧変換部は、
上記伝送線により伝送された上記電流変化を、上記第2の電流供給部から当該電流電圧変換部を介して上記第2の電流引込部により引き込まれる電流量に応じた上記変換割合で、電圧変化に変換し、
上記電流電圧変換割合調節手段は、
上記第2の電流供給部から当該電流電圧変換部を介して上記第2の電流引込部により引き込まれる電流量を制御することにより、上記変換割合を調節する
ことを特徴とする請求項2に記載の発振信号生成器。
A second current supply unit for supplying a predetermined amount of current;
A second current drawing unit that draws the current supplied from the second current supply unit via the current-voltage conversion unit;
The current-voltage converter is
The current change transmitted by the transmission line is converted into a voltage at the conversion ratio corresponding to the amount of current drawn from the second current supply unit through the current-voltage conversion unit by the second current drawing unit. Converted to
The current-voltage conversion ratio adjusting means is
3. The conversion ratio is adjusted by controlling the amount of current drawn from the second current supply unit by the second current drawing unit through the current-voltage conversion unit. Oscillation signal generator.
上記第1及び第2の電流供給部に供給させる電流量と、上記第1及び第2の電流引込部に引き込ませる電流量とを制御する制御手段
を具えることを特徴とする請求項3に記載の発振信号生成器。
4. A control means for controlling the amount of current supplied to the first and second current supply sections and the amount of current drawn to the first and second current drawing sections. The oscillation signal generator described.
上記電圧電流変換部によって上記発振信号の電圧変化が電流変化に変換される変換割合を、調節する電圧電流変換割合調節手段
を具えることを特徴とする請求項1に記載の発振信号生成器。
2. The oscillation signal generator according to claim 1, further comprising voltage-current conversion ratio adjusting means for adjusting a conversion ratio at which the voltage change of the oscillation signal is converted into a current change by the voltage-current converter.
上記電圧電流変換部は、
前段の上記遅延回路から供給される上記発振信号の電圧変化を、上記第1の電流供給部から当該電圧電流変換部を介して上記第1の電流引込部により引き込まれる電流量に応じた上記変換割合で、電流変化に変換し、
上記電圧電流変換割合調節手段は、
上記第1の電流供給部から当該電圧電流変換部を介して上記第1の電流引込部により引き込まれる電流量を制御することにより、上記変換割合を調節する
ことを特徴とする請求項5に記載の発振信号生成器。
The voltage-current converter is
The voltage change of the oscillation signal supplied from the delay circuit in the previous stage is converted according to the amount of current drawn from the first current supply unit by the first current drawing unit through the voltage-current conversion unit. In percentage, it converts to current change,
The voltage-current conversion ratio adjusting means is
6. The conversion ratio is adjusted by controlling an amount of current drawn from the first current supply unit by the first current drawing unit via the voltage-current conversion unit. Oscillation signal generator.
環状に接続された複数の遅延回路を用いて発振信号を生成する発振信号生成部と、上記発振信号生成部から得られる複数の上記発振信号に基づいてそれぞれ位相の異なる当該複数の発振信号を位相的に補間するような補間位相信号を生成する補間位相信号生成部とを有する信号生成装置において、
各上記遅延回路は、
前段の上記遅延回路から供給される上記発振信号の電圧変化を電流変化に変換する電圧電流変換部と、
電源電圧と上記電圧電流変換部との間に設けられ、所定量の電流を供給する電流供給部と、
上記電流供給部から供給される電流を、上記電圧電流変換部を介して引き込む電流引込部と、
上記電圧電流変換部と上記電流供給部との間から延長し、上記電圧電流変換部により得られた上記電流変化を伝送する伝送線と、
上記伝送線により伝送された上記電流変化を電圧変化に変換し、当該変換結果を上記発振信号として後段の上記遅延回路に対して供給する電流電圧変換部と
を具えることを特徴とする信号生成装置。
An oscillation signal generation unit that generates an oscillation signal using a plurality of delay circuits connected in a ring, and a plurality of oscillation signals having different phases based on the plurality of oscillation signals obtained from the oscillation signal generation unit In a signal generation device having an interpolation phase signal generation unit that generates an interpolation phase signal that is interpolated automatically,
Each of the above delay circuits
A voltage-current converter that converts a voltage change of the oscillation signal supplied from the delay circuit in the previous stage into a current change;
A current supply unit that is provided between a power supply voltage and the voltage-current conversion unit and supplies a predetermined amount of current;
A current drawing unit that draws in the current supplied from the current supply unit via the voltage-current conversion unit;
A transmission line that extends from between the voltage-current converter and the current supply unit and transmits the current change obtained by the voltage-current converter;
A current-voltage conversion unit that converts the current change transmitted by the transmission line into a voltage change, and supplies the conversion result as the oscillation signal to the delay circuit at a subsequent stage. apparatus.
環状に接続された複数の遅延回路を用いて発振信号を生成する発振信号生成部と、上記発振信号生成部から得られる複数の上記発振信号に基づいてそれぞれ位相の異なる当該複数の発振信号を位相的に補間するような補間位相信号を生成する補間位相信号生成部とを有する信号生成装置から供給される上記発振信号及び上記補間位相信号に基づいて、記憶媒体から読み出された読出信号をサンプリングすることによりデータを再生する再生装置において、
各上記遅延回路は、
前段の上記遅延回路から供給される上記発振信号の電圧変化を電流変化に変換する電圧電流変換部と、
電源電圧と上記電圧電流変換部との間に設けられ、所定量の電流を供給する電流供給部と、
上記電流供給部から供給される電流を、上記電圧電流変換部を介して引き込む電流引込部と、
上記電圧電流変換部と上記電流供給部との間から延長し、上記電圧電流変換部により得られた上記電流変化を伝送する伝送線と、
上記伝送線により伝送された上記電流変化を電圧変化に変換し、当該変換結果を上記発振信号として後段の上記遅延回路に対して供給する電流電圧変換部と
を具えることを特徴とする再生装置。
An oscillation signal generation unit that generates an oscillation signal using a plurality of delay circuits connected in a ring, and a plurality of oscillation signals having different phases based on the plurality of oscillation signals obtained from the oscillation signal generation unit A read signal read from the storage medium based on the oscillation signal and the interpolated phase signal supplied from a signal generating device having an interpolated phase signal generating unit that generates an interpolated phase signal to be interpolated In a playback device for playing back data by
Each of the above delay circuits
A voltage-current converter that converts a voltage change of the oscillation signal supplied from the delay circuit in the previous stage into a current change;
A current supply unit that is provided between a power supply voltage and the voltage-current conversion unit and supplies a predetermined amount of current;
A current drawing unit that draws in the current supplied from the current supply unit via the voltage-current conversion unit;
A transmission line that extends from between the voltage-current converter and the current supply unit and transmits the current change obtained by the voltage-current converter;
A reproduction apparatus comprising: a current-voltage conversion unit that converts the current change transmitted by the transmission line into a voltage change, and supplies the conversion result as the oscillation signal to the delay circuit at a later stage. .
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009055569A (en) * 2007-08-29 2009-03-12 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Electric dispersion equalizing circuit
JP2009258275A (en) * 2008-04-15 2009-11-05 Sony Corp Display device and output buffer circuit
JP2012060666A (en) * 2011-11-15 2012-03-22 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Electric dispersion equivalent circuit
US8508277B2 (en) 2010-05-25 2013-08-13 Fujitsu Limited Phase interpolator, reception circuit and information processing apparatus
JP2015126346A (en) * 2013-12-26 2015-07-06 株式会社メガチップス Delay unit
JP2016082278A (en) * 2014-10-10 2016-05-16 富士通株式会社 Delay circuit, phase locked loop having the delay circuit, and processor having the phase locked loop
US9496860B2 (en) 2014-09-18 2016-11-15 Fujitsu Limited Phase control circuit and receiving device

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009055569A (en) * 2007-08-29 2009-03-12 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Electric dispersion equalizing circuit
US9001094B2 (en) 2008-04-15 2015-04-07 Sony Corporation Display device and output buffer circuit for driving the same
US8482550B2 (en) 2008-04-15 2013-07-09 Sony Corporation Display device and output buffer circuit for driving the same
US8754876B2 (en) 2008-04-15 2014-06-17 Sony Corporation Display device and output buffer circuit for driving the same
JP2009258275A (en) * 2008-04-15 2009-11-05 Sony Corp Display device and output buffer circuit
US9035928B2 (en) 2008-04-15 2015-05-19 Sony Corporation Display device and output buffer circuit for driving the same
US9349320B2 (en) 2008-04-15 2016-05-24 Sony Corporation Display device and output buffer circuit for driving the same
US9626914B2 (en) 2008-04-15 2017-04-18 Sony Corporation Display device and output buffer circuit for driving the same
US8508277B2 (en) 2010-05-25 2013-08-13 Fujitsu Limited Phase interpolator, reception circuit and information processing apparatus
JP2012060666A (en) * 2011-11-15 2012-03-22 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Electric dispersion equivalent circuit
JP2015126346A (en) * 2013-12-26 2015-07-06 株式会社メガチップス Delay unit
US9496860B2 (en) 2014-09-18 2016-11-15 Fujitsu Limited Phase control circuit and receiving device
JP2016082278A (en) * 2014-10-10 2016-05-16 富士通株式会社 Delay circuit, phase locked loop having the delay circuit, and processor having the phase locked loop

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