JP2006128092A - Patterning method, and method for manufacturing plasma display component and plasma display using the same - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a patterning method in which the shape of a pattern is controlled to be a rectangle or trapezoid after firing a glass paste containing a large amount of low softening point glass and/or a glass paste free of filler. <P>SOLUTION: The patterning method comprises applying a paste containing an inorganic fine particle and an organic component, followed by patterning and firing. The paste containing 80 to 100wt% of a glass fine particle as an inorganic fine particle having a glass softening point between 350°C and 550°C, and 0 to 20wt% of a filler is applied and patterned into a reverse tapered shape, followed by firing to form a pattern of the shape of rectangular or trapezoid. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明はパターン形成方法に関するものである。特に、プラズマディスプレイ部材およびプラズマディスプレイ用の絶縁層や隔壁あるいは電極の形成方法に関するものである。   The present invention relates to a pattern forming method. In particular, the present invention relates to a plasma display member and a method for forming an insulating layer, partition walls or electrodes for plasma display.

近年、DC型およびAC型プラズマディスプレイ、液晶ディスプレイ、電界放出ディスプレイ等の大型フラットパネルディスプレイの開発が進み、一部のディスプレイはすでに上市され、大きな市場を形成しつつある。大型フラットパネルディスプレイには画素の仕切り等の諸機能を持った構造体が形成されている。例えばAC型プラズマディスプレイは、前面基板と背面基板との間に備えられた放電空間内で対向するアノードおよびカソード電極間にプラズマ放電を生じさせ、放電空間内に封入されているXe−Ne混合ガスなどの放電ガスから発生した147nm、172nmといった非常に波長が短い紫外線を、放電空間内に設けた蛍光体に照射することにより表示を行うものである。   In recent years, development of large flat panel displays such as DC-type and AC-type plasma displays, liquid crystal displays, and field emission displays has progressed, and some displays are already on the market and are forming a large market. A large flat panel display is formed with a structure having various functions such as pixel partitioning. For example, an AC type plasma display generates a plasma discharge between an anode and a cathode electrode facing each other in a discharge space provided between a front substrate and a rear substrate, and a Xe-Ne mixed gas sealed in the discharge space. The display is performed by irradiating a phosphor provided in the discharge space with ultraviolet rays having a very short wavelength such as 147 nm and 172 nm generated from a discharge gas such as the above.

PDPにおいては奥行きと重量の点で40インチ以上の大画面パネルとしてCRTよりも優れているが、より高い表示品位にするために、パネルの高輝度化が望まれている。放電空間に封入するガスとしてXeの高分圧化を行うことで高輝度化を達成できるが、単にXe分圧を上げただけではPDPの放電維持電圧が上昇し、消費電力が増大してしまうという欠点があった。そこで、かかる欠陥を補うために、前面板に形成する透明誘電体をパターン化し、放電が行われる部分のみ薄くした透明誘電体パターンを形成することで、消費電力の増大を防ぎ、高輝度、高効率なPDPが得られる。   A PDP is superior to a CRT as a large screen panel of 40 inches or more in terms of depth and weight, but in order to achieve a higher display quality, it is desired to increase the brightness of the panel. High luminance can be achieved by increasing the partial pressure of Xe as a gas sealed in the discharge space, but simply increasing the partial pressure of Xe increases the discharge sustaining voltage of the PDP and increases the power consumption. There was a drawback. Therefore, in order to make up for such defects, the transparent dielectric formed on the front plate is patterned, and a transparent dielectric pattern is formed by thinning only the portion where discharge is performed, thereby preventing an increase in power consumption, high brightness, An efficient PDP is obtained.

透明誘電体パターンは、スクリーン印刷法やサンドブラスト法、フォトリソグラフィー法等により、パターンを形成し、そのパターンを焼成して作製する。従来、隔壁や電極の焼成後のパターン形状は、ガラスペースト中にフィラーを含有することによって制御される(特許文献1〜3参照)。しかし、透明誘電体では焼成後に透明な膜を形成するため、ガラスペースト中にフィラーを含むと、焼成後に気泡が生じ、その気泡による光散乱によって透明にならない。そのため、フィラーを含むことができず、焼成時に低軟化点ガラスの流動性によりパターンがだれてしまい、焼成後パターン形状を保持できないという欠点がある。
特許第3440768号公報(請求項1) 特許第3402070号公報(請求項1) 特開2002−214772号公報(請求項1)
The transparent dielectric pattern is formed by forming a pattern by a screen printing method, a sand blast method, a photolithography method, or the like, and firing the pattern. Conventionally, the pattern shape after baking of a partition and an electrode is controlled by containing a filler in glass paste (refer patent documents 1-3). However, since a transparent dielectric forms a transparent film after firing, if the glass paste contains a filler, bubbles are formed after firing, and the transparent dielectric does not become transparent due to light scattering by the bubbles. Therefore, there is a drawback that the filler cannot be contained, the pattern is distorted due to the fluidity of the low softening point glass during firing, and the pattern shape after firing cannot be maintained.
Japanese Patent No. 3440768 (Claim 1) Japanese Patent No. 3402070 (Claim 1) JP 2002-214772 A (Claim 1)

そこで本発明は、上記従来技術の問題点に着目し、高性能なディスプレイ部材およびディスプレイを実現、提供することにある。具体的には、低軟化点ガラスを多く含むペーストの焼成後パターン形状が矩形又は台形となるようなパターン形成方法を提供することを課題とする。   Accordingly, the present invention aims to realize and provide a high-performance display member and display by paying attention to the above-mentioned problems of the prior art. Specifically, it is an object of the present invention to provide a pattern forming method in which the pattern shape after firing of a paste containing a large amount of low softening point glass becomes a rectangle or a trapezoid.

上記課題を解決するために本発明は以下の構成を有する。すなわち本発明は無機微粒子と有機成分を含有するペーストを塗布、パターン形成後、焼成を行うパターン形成方法において、無機微粒子としてガラス軟化点が350℃〜550℃のガラス微粒子を80〜100重量%、かつフィラーを0〜20重量%含有するペーストを塗布し、その後逆テーパー形状にパターン形成し、さらに焼成を行って矩形又は台形のパターンを形成することを特徴とするパターン形成方法である。   In order to solve the above problems, the present invention has the following configuration. That is, the present invention is a pattern forming method in which a paste containing inorganic fine particles and an organic component is applied, baked after pattern formation, and 80 to 100% by weight of glass fine particles having a glass softening point of 350 ° C. to 550 ° C. as inorganic fine particles, In addition, a pattern forming method is characterized in that a paste containing 0 to 20% by weight of a filler is applied, followed by pattern formation in a reverse taper shape, and further baking to form a rectangular or trapezoidal pattern.

低軟化点ガラスを多く含むガラスペースト及び、またはフィラーを含まないガラスペーストの焼成後パターン形状を矩形又は台形に制御できる。   The pattern shape after firing of the glass paste containing a large amount of low softening point glass and / or the glass paste containing no filler can be controlled to be rectangular or trapezoidal.

発明者らは、低軟化点ガラスを多く含むペーストの焼成後パターン形状が矩形又は台形となるパターン形成方法について鋭意検討を行った結果、以下に述べる形成方法によって達成されることを見出した。   The inventors have intensively studied a pattern forming method in which the pattern shape after firing of the paste containing a large amount of low-softening point glass is rectangular or trapezoidal, and as a result, found that this can be achieved by the forming method described below.

すなわち、本発明は無機微粒子と有機成分を含有するペーストを塗布、パターン形成後、焼成を行うパターン形成方法において、無機微粒子としてガラス軟化点が350℃〜550℃のガラス微粒子を80〜100重量%、かつフィラーを0〜20重量%含有するペーストを塗布し、その後逆テーパー形状にパターン形成し、さらに焼成を行って矩形又は台形のパターンを形成することが重要である。本発明におけるペーストの無機成分は、ガラス、セラミックス、Au、Ni、Ag、Pd、Ptなどの導電性粉末の無機微粒子であり、特に本発明において有用であるのは、ガラス微粒子を用いた場合である。ここで言う低軟化点ガラスとは軟化点が600℃以下のガラスを意味する。また、矩形、台形とは、エッジが角か丸みを帯びていて、テーパー角が45度〜80度の形状を台形、80度〜90度の形状を矩形とする。ここでテーパー角とは図1で示すθである。   That is, the present invention is a pattern forming method in which a paste containing inorganic fine particles and an organic component is applied, baked after pattern formation, and glass fine particles having a glass softening point of 350 ° C. to 550 ° C. are 80 to 100% by weight as inorganic fine particles. In addition, it is important to apply a paste containing 0 to 20% by weight of a filler, form a pattern in a reverse taper shape, and then perform baking to form a rectangular or trapezoidal pattern. The inorganic component of the paste in the present invention is inorganic fine particles of conductive powder such as glass, ceramics, Au, Ni, Ag, Pd, and Pt. Particularly useful in the present invention is when glass fine particles are used. is there. Here, the low softening point glass means a glass having a softening point of 600 ° C. or lower. In addition, the rectangle and trapezoid have corners or rounded edges, a shape with a taper angle of 45 to 80 degrees is a trapezoid, and a shape with an angle of 80 to 90 degrees is a rectangle. Here, the taper angle is θ shown in FIG.

従来、ペーストにはパターンの形状を保持するために、無機成分中に20重量%以上のフィラーを含むものが多い。ここで言うフィラーとは軟化点が600℃以上のガラス微粒子及び、セラミックス、コーディエライト(2MgO・2Al・5SiO)、セルジアン(BaO・Al・SiO)、アノーサイト(CaO・Al・2SiO)、ステアタイト(MgO−SiO)、スポジュウメン(LiO・Al・4SiO)およびフォルステライト(2MgO・SiO)、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化イットリウム、酸化セリウム、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、酸化マンガン、酸化銅、酸化鉄、酸化ホルミウム、酸化鉛、酸化錫などの無機微粒子を意味する。フィラーが20重量%以下では低軟化点ガラスの流動性が高いため焼成時にパターンがだれてしまう。すなわち、無機成分中に低軟化点ガラスを80重量%以上含むペーストでパターン形成する場合、焼成後に焼成前の形状を保持することは難しい。AC型プラズマディスプレイの前面板透明誘電体等のように透明なパターンが必要とされる場合、無機成分中にフィラーを含むと焼成後に気泡が生じ、その気泡による光散乱によって透明にならない。そのため、無機成分中にフィラーを含まず、低軟化点ガラスの割合が100重量%のペーストを用いなければならないため、形状保持がより困難となる。 Conventionally, many pastes contain 20% by weight or more filler in an inorganic component in order to maintain the pattern shape. The filler referred to here is glass fine particles having a softening point of 600 ° C. or more, ceramics, cordierite (2MgO · 2Al 2 O 3 · 5SiO 2 ), Celsian (BaO · Al 2 O 3 · SiO 2 ), anorthite ( CaO · Al 2 O 3 · 2SiO 2 ), steatite (MgO—SiO 2 ), spodumene (LiO 2 · Al 2 O 3 · 4SiO 2 ) and forsterite (2MgO · SiO 2 ), silicon oxide, aluminum oxide, oxide Meaning inorganic fine particles such as titanium, zirconium oxide, yttrium oxide, cerium oxide, magnesium oxide, zinc oxide, manganese oxide, copper oxide, iron oxide, holmium oxide, lead oxide, tin oxide. If the filler is 20% by weight or less, the flowability of the low softening point glass is high, so that the pattern is distorted during firing. That is, when a pattern is formed with a paste containing 80% by weight or more of a low softening point glass in an inorganic component, it is difficult to maintain the shape before firing after firing. When a transparent pattern such as a transparent dielectric on the front plate of an AC type plasma display is required, if an inorganic component contains a filler, bubbles are generated after firing, and it does not become transparent due to light scattering by the bubbles. Therefore, a paste is not included in the inorganic component, and a paste having a low softening point glass ratio of 100% by weight must be used, so that shape retention becomes more difficult.

そこで、無機成分中の低軟化点ガラスの割合が80〜100重量%及び、または、無機成分中にフィラーを含まないペーストを用いてパターン形成を行う場合は、焼成前の形状を焼成後まで保持することは困難であるため、図2のように焼成前に逆テーパーパターンを形成しておき、焼成時の低軟化点ガラスの流動性によるだれを利用すると、焼成後に矩形又は台形パターンを形成することができる。ここで逆テーパーとは、テーパー角が91度〜179度の形状をいう。逆テーパー形状のテーパー角はパターンの膜厚、精細度、底部と基板との密着性などと相関がある。また、焼成によるだれとはガラスペースト中の有機、無機比やガラス微粒子の軟化温度などに起因するものであり、ペースト材料によってだれ方は変わる。例えば前面板透明誘電体ペーストのようにフィラーを含まず、有機、無機体積比が40/60、軟化点が350℃〜550℃で、塗布乾燥後膜の頂部幅が100〜200μm、膜厚が40μm〜60μmの場合では逆テーパー角を100度〜135度にすることで、580℃焼成での焼成後形状がテーパー角45度〜80度の台形パターンとなり好ましい。現像後のテーパー角が100度以下では焼成後台形になりにくく、135度以上では底部が細くなりすぎるためパターンが剥がれてしまう。   Therefore, when the pattern formation is performed using a paste containing no filler in the inorganic component with a ratio of the low softening point glass in the inorganic component of 80 to 100% by weight, or the shape before firing is retained until after firing. Since it is difficult to do so, a reverse taper pattern is formed before firing as shown in FIG. 2, and if a droop due to the fluidity of the low softening point glass during firing is used, a rectangular or trapezoid pattern is formed after firing. be able to. Here, the reverse taper means a shape having a taper angle of 91 degrees to 179 degrees. The taper angle of the inversely tapered shape correlates with the film thickness of the pattern, the definition, the adhesion between the bottom and the substrate, and the like. Further, drooling due to firing is caused by the organic and inorganic ratio in the glass paste, the softening temperature of the glass fine particles, and the like, and the dripping method varies depending on the paste material. For example, it does not contain a filler like the front plate transparent dielectric paste, the organic and inorganic volume ratio is 40/60, the softening point is 350 ° C. to 550 ° C., the top width of the film after coating and drying is 100 to 200 μm, and the film thickness is In the case of 40 μm to 60 μm, by setting the reverse taper angle to 100 degrees to 135 degrees, the shape after firing at 580 ° C. is preferably a trapezoidal pattern with a taper angle of 45 degrees to 80 degrees. When the taper angle after development is 100 degrees or less, it is difficult to form a trapezoid after firing, and when it is 135 degrees or more, the bottom becomes too thin, and the pattern is peeled off.

逆テーパーパターンの作製方法としてはサンドブラスト法、型転写法、フォトリソグラフィー法等が挙げられる。特に、フォトリソグラフィー法は透明誘電体のような膜厚50μm以下のパターン化にも好適である。以下に、サンドブラスト法、フォトリソグラフィー法による逆テーパーパターンの形成方法についてAC型PDPの前面板透明誘電体パターンを例にとって説明するが、本発明はこれに限定されるわけではなく、PDPの隔壁ペーストや電極ペースト、その他ディスプレイなどの無機微粒子と有機成分を含有するペーストのパターン形成に好ましく適用することができる。   Examples of the method for producing the reverse taper pattern include a sand blast method, a mold transfer method, and a photolithography method. In particular, the photolithography method is suitable for patterning with a film thickness of 50 μm or less such as a transparent dielectric. Hereinafter, a method for forming a reverse taper pattern by a sandblasting method or a photolithography method will be described with reference to an AC type PDP front plate transparent dielectric pattern as an example. However, the present invention is not limited to this, and a PDP partition paste It can be preferably applied to pattern formation of pastes containing inorganic fine particles and organic components such as electrode paste and other displays.

サンドブラスト法を用いる場合は、まず、ガラスペーストをガラス基板に塗布する。ガラスペーストとしては、特に限定されず例えば、低軟化点ガラスと樹脂バインダーとを塗布に適した粘度になるように溶剤で希釈した低軟化点ガラスペーストが挙げられる。低軟化点ガラスペーストに含まれる樹脂としては、エチルセルロース等のセルロース系樹脂が挙げられる。塗布方法は、バーコーター、ロールコーター、スリットダイコーター、ブレードコーター、スクリーン印刷等の方法を用いて塗布する。塗布厚みは、所望の透明誘電体の高さとペーストの焼成による収縮率を考慮して決めることができる。次に塗布膜を乾燥し、その上にサンドブラストマスクを形成する。形成されるマスクは、例えば、感光性ドライフィルムレジストをガラスペースト層上に貼り露光及び現像するか、感光性レジスト溶液を塗布し露光及び現像するか、レジスト溶液をスクリーン印刷等の方法により塗布することにより形成される。このとき感光性レジスト材としてはポジ型よりもネガ型のレジスト材が適している。それは、一般にネガ型レジスト材が弾力性に富み、後工程のサンドブラスト時の耐久性に優れるからである。感光性レジストの露光に使用される活性光線は、紫外線が最も好ましく、その光源として、例えば、低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、ハロゲンランプなどが使用される。超高圧水銀灯を光源とした平行光線を用いる露光機が一般的である。   When using the sand blast method, first, a glass paste is applied to a glass substrate. The glass paste is not particularly limited, and examples thereof include a low softening point glass paste obtained by diluting a low softening point glass and a resin binder with a solvent so as to have a viscosity suitable for coating. Examples of the resin contained in the low softening point glass paste include cellulose resins such as ethyl cellulose. As a coating method, a coating method such as a bar coater, a roll coater, a slit die coater, a blade coater, or screen printing is used. The coating thickness can be determined in consideration of the desired height of the transparent dielectric and the shrinkage rate due to baking of the paste. Next, the coating film is dried, and a sandblast mask is formed thereon. The mask to be formed is, for example, by applying a photosensitive dry film resist on a glass paste layer and exposing and developing it, applying a photosensitive resist solution and exposing and developing it, or applying the resist solution by a method such as screen printing. Is formed. At this time, a negative resist material is more suitable as a photosensitive resist material than a positive resist material. This is because the negative resist material is generally elastic and has excellent durability during sandblasting in the subsequent process. The actinic ray used for the exposure of the photosensitive resist is most preferably an ultraviolet ray, and a low pressure mercury lamp, a high pressure mercury lamp, an ultrahigh pressure mercury lamp, a halogen lamp or the like is used as the light source. An exposure machine using parallel rays using an ultra-high pressure mercury lamp as a light source is common.

次にその基板をサンドブラスト法によって吹き付け切削を行う。サンドブラスト法は、炭酸カルシウム、炭化珪素、ガラスビーズ等の大きさ10〜30μmの粒子を、1.5〜3kg/cm2 程度の圧力で15〜30分間吹きつけることが好ましい。この時、図3のように、吹きつける角度を垂直方向から左右にそれぞれ10〜30度ずつずらして粒子を吹き付けると、逆テーパーのパターンを得ることができる。その後パターンマスクのドライフィルムを剥離液で除去し、充分乾燥する。剥離用の溶液として例えば炭酸ナトリウム等を0.1〜1.0重量%含む弱アルカリ性水溶液を用いることが好ましい。 Next, the substrate is blown and cut by sandblasting. In the sand blasting method, particles having a size of 10 to 30 μm such as calcium carbonate, silicon carbide and glass beads are preferably sprayed at a pressure of about 1.5 to 3 kg / cm 2 for 15 to 30 minutes. At this time, as shown in FIG. 3, when the particles are sprayed by shifting the spray angle by 10 to 30 degrees from the vertical direction to the left and right, a reverse taper pattern can be obtained. Thereafter, the dry film of the pattern mask is removed with a peeling solution and sufficiently dried. It is preferable to use a weakly alkaline aqueous solution containing 0.1 to 1.0% by weight of sodium carbonate or the like as the peeling solution.

フォトリソグラフィー法を用いる場合は、まず、感光性ガラスペーストをガラス基板に塗布する。塗布方法は、バーコーター、ロールコーター、スリットダイコーター、ブレードコーター、スクリーン印刷等の方法を用いて塗布する。塗布厚みは、所望の透明誘電体の高さとペーストの焼成による収縮率を考慮して決めることができる。次に塗布膜を乾燥し、露光する。露光に使用される活性光線は、紫外線が最も好ましく、その光源として、例えば、低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、ハロゲンランプなどが使用される。超高圧水銀灯を光源とした平行光線を用いる露光機が一般的である。露光パターンはストライプ状パターンでも格子状パターンでもどちらでもよい。ここで、図4のように感光性ペーストの塗布膜を最適露光量で露光し、現像を行うと矩形のパターンを形成することができるが、図5のように感光性ペーストの塗布膜を最適露光量の50%〜70%の露光量で露光し光硬化を制御することによって、現像により底部が削られ、現像後に逆テーパーパターンが形成される。ここでいう最適露光量とは、現像後のパターンと基板との密着性が良好で、パターン形状が矩形になる時の露光量をいう。露光量が最適露光量の50%以下では、硬化不足のため現像時にパターンが剥がれるため好ましくない。現像は通常、浸漬法やスプレー法、ブラシ法等で行う。現像液としては感光性ペースト中の有機成分が溶解可能である有機溶媒を用いることができるが、環境面への影響を考え、本発明の感光性ペーストは、現像液としてアルカリ水溶液もしくは、中性の水を用いる。アルカリ水溶液としては水酸化ナトリウムや、炭酸ナトリウム、水酸化カリウム水溶液、アミノエタノール水溶液等を使用することができる。   When using a photolithography method, first, a photosensitive glass paste is applied to a glass substrate. As a coating method, a coating method such as a bar coater, a roll coater, a slit die coater, a blade coater, or screen printing is used. The coating thickness can be determined in consideration of the desired height of the transparent dielectric and the shrinkage rate due to baking of the paste. Next, the coating film is dried and exposed. The actinic ray used for the exposure is most preferably ultraviolet light, and as its light source, for example, a low-pressure mercury lamp, a high-pressure mercury lamp, an ultra-high pressure mercury lamp, a halogen lamp or the like is used. An exposure machine using parallel rays using an ultra-high pressure mercury lamp as a light source is common. The exposure pattern may be either a stripe pattern or a lattice pattern. Here, when the photosensitive paste coating film is exposed at the optimum exposure amount as shown in FIG. 4 and developed, a rectangular pattern can be formed, but the photosensitive paste coating film is optimal as shown in FIG. By controlling the photocuring by exposure at an exposure amount of 50% to 70% of the exposure amount, the bottom is shaved by development, and a reverse taper pattern is formed after development. The term “optimal exposure amount” as used herein means an exposure amount when the pattern after development has good adhesion between the pattern and the substrate and the pattern shape becomes rectangular. An exposure amount of 50% or less of the optimum exposure amount is not preferable because the pattern is peeled off during development due to insufficient curing. Development is usually performed by dipping, spraying, brushing, or the like. As the developer, an organic solvent in which the organic components in the photosensitive paste can be dissolved can be used. However, considering the influence on the environment, the photosensitive paste of the present invention can be used as an alkaline aqueous solution or a neutral solution. Of water. As the alkaline aqueous solution, sodium hydroxide, sodium carbonate, potassium hydroxide aqueous solution, aminoethanol aqueous solution or the like can be used.

またフォトリソグラフィー法を用いる場合は、感光性ガラスペーストの無機成分に高屈折率ガラスを用いる方法でも逆テーパーパターンを形成できる。すなわち、有機成分の屈折率と無機成分の屈折率の差を0.1以上にすると、図6のように、露光時に膜頂部での光散乱が大きくなることで透過率が下がり、底部が硬化不足となる。したがって、現像時間をコントロールすることで、硬化不足の底部が削られ、逆テーパーパターンを形成することができる。高屈折率ガラスとは、屈折率が1.6以上のガラス微粒子をいうが、有機成分との屈折率差が1.0よりも大きいと、頂部での光散乱が大き過ぎるため頂部のみが硬化し、現像によってパターンが剥がれやすくなる。そのため、有機成分と無機成分の屈折率差が0.2〜1.0となるガラス微粒子を用いるのが好ましい。現像時間は露光量、膜厚によって決めることができる。   In the case of using a photolithography method, a reverse taper pattern can also be formed by a method using high refractive index glass as an inorganic component of the photosensitive glass paste. In other words, when the difference between the refractive index of the organic component and the refractive index of the inorganic component is 0.1 or more, as shown in FIG. It becomes insufficient. Therefore, by controlling the development time, the bottom portion that is insufficiently cured can be shaved and a reverse taper pattern can be formed. High refractive index glass refers to glass fine particles having a refractive index of 1.6 or more. If the difference in refractive index from the organic component is larger than 1.0, only the top is cured because light scattering at the top is too large. However, the pattern is easily peeled off by development. Therefore, it is preferable to use glass fine particles in which the difference in refractive index between the organic component and the inorganic component is 0.2 to 1.0. The development time can be determined by the exposure amount and the film thickness.

本発明の感光性ガラスペーストにおける有機成分としては、例えば反応性モノマー、反応性オリゴマー、反応性ポリマーのうち少なくとも1種類から選ばれる感光性成分を含有し、さらに必要に応じて、バインダー、光重合開始剤、紫外線吸収剤、増感剤、増感助剤、重合禁止剤、可塑剤、増粘剤、酸化防止剤、分散剤、有機あるいは無機の沈殿防止剤やレベリング剤等の添加成分を含む。ここで、反応性モノマー、反応性オリゴマー、反応性ポリマーにおける反応性とは、感光性ペーストが活性光線の照射を受けた場合に、反応性モノマー、反応性オリゴマー、反応性ポリマーが光架橋、光重合、光解重合、光変性などの反応を通して化学構造が変化することを意味する。   As the organic component in the photosensitive glass paste of the present invention, for example, it contains a photosensitive component selected from at least one of a reactive monomer, a reactive oligomer, and a reactive polymer, and further, if necessary, a binder, photopolymerization Including additives such as initiators, ultraviolet absorbers, sensitizers, sensitizers, polymerization inhibitors, plasticizers, thickeners, antioxidants, dispersants, organic or inorganic suspending agents and leveling agents . Here, the reactivity in the reactive monomer, reactive oligomer and reactive polymer means that when the photosensitive paste is irradiated with actinic rays, the reactive monomer, reactive oligomer and reactive polymer are photocrosslinked, It means that the chemical structure changes through reactions such as polymerization, photodepolymerization, and photomodification.

また、ここで言う活性光線とはこのような化学反応を起こさしめる250〜1100nmの波長領域の光線を指し、具体的には超高圧水銀灯、メタルハライドランプなどの紫外光線、ハロゲンランプなどの可視光線、ヘリウム−カドミウムレーザー、ヘリウム−ネオンレーザー、アルゴンイオンレーザー、半導体レーザー、YAGレーザー、炭酸ガスレーザーなどの特定の波長のレーザー光線を挙げることができる。   Moreover, the actinic light mentioned here refers to light in the wavelength region of 250 to 1100 nm causing such a chemical reaction, specifically, ultraviolet light such as an ultrahigh pressure mercury lamp and a metal halide lamp, visible light such as a halogen lamp, A laser beam having a specific wavelength such as a helium-cadmium laser, a helium-neon laser, an argon ion laser, a semiconductor laser, a YAG laser, and a carbon dioxide gas laser can be given.

本発明で用いられる有機成分としては、エチレン性不飽和基を有する化合物が好ましく用いられる。このような重合性モノマーとしては、1個以上の光重合可能な(メタ)アクリレート基またはアリル基を有するモノマーなどが挙げられる。これらの具体例としては、アルコール類(例えば、エタノール、プロパノール、ヘキアノール、オクタノール、シクロヘキサノール、グリセリン、トリメチロールプロパン、ペンタエリスリトールなど)のアクリル酸エステルまたはメタクリル酸エステル、カルボン酸(例えば、酢酸プロピオン酸、安息香酸、アクリル酸、メタクリル酸、コハク酸、マレイン酸、フタル酸、酒石酸、クエン酸など)とアクリル酸グリシジル、メタクリル酸グリシジル、アリルグリシジル、またはテトラグリシジルメテキシリレンジアミンとの反応生成物、アミド誘導体(例えば、アクリルアミド、メタクリルアミド、N−メチロールアクリルアミド、メチレンビスアクリルアミドなど)、エポキシ化合物とアクリル酸またはメタクリル酸との反応物などを挙げることができる。また、多官能モノマーにおいて、不飽和基は、アクリル、メタクリル、ビニル、アリル基が混合して存在しても良い。これらは単独で用いても良く、また組み合わせて用いても良い。   As the organic component used in the present invention, a compound having an ethylenically unsaturated group is preferably used. Examples of such a polymerizable monomer include a monomer having one or more photopolymerizable (meth) acrylate groups or allyl groups. Specific examples thereof include acrylic acid esters or methacrylic acid esters and carboxylic acids (eg, propionic acid acetate) of alcohols (eg, ethanol, propanol, hexanol, octanol, cyclohexanol, glycerin, trimethylolpropane, pentaerythritol, etc.). , Benzoic acid, acrylic acid, methacrylic acid, succinic acid, maleic acid, phthalic acid, tartaric acid, citric acid, etc.) and glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate, allyl glycidyl, or tetraglycidyl methexylylene diamine, amide Derivatives (eg, acrylamide, methacrylamide, N-methylolacrylamide, methylenebisacrylamide, etc.), reaction products of epoxy compounds with acrylic acid or methacrylic acid, etc. Rukoto can. In the polyfunctional monomer, the unsaturated group may be present in a mixture of acrylic, methacrylic, vinyl, and allyl groups. These may be used alone or in combination.

上記有機成分において、エチレン性不飽和基を有する化合物としてエチレン性不飽和化合物を有するポリマーを用いても良い。エチレン性不飽和基としては、ビニル基、アリル基、アクリル基、メタクリル基などが挙げられる。   In the organic component, a polymer having an ethylenically unsaturated compound as the compound having an ethylenically unsaturated group may be used. Examples of the ethylenically unsaturated group include a vinyl group, an allyl group, an acrylic group, and a methacryl group.

本発明における有機成分として用いるポリマーとしては、カルボキシル基を有することが好ましい。カルボキシル基を有するポリマーは、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、クロトン酸、マレイン酸、フマル酸、ビニル酢酸またはこれらの酸無水物などのカルボキシル基含有モノマおよびメタクリル酸エステル、アクリル酸エステル、スチレン、アクリロニトリル、酢酸ビニル、2−ヒドロキシアクリレートなどのモノマを選択し、アゾビスイソブチロニトリルのような開始剤を用いて共重合することにより得られる。   The polymer used as the organic component in the present invention preferably has a carboxyl group. Polymers having carboxyl groups include, for example, monomers containing carboxyl groups such as acrylic acid, methacrylic acid, itaconic acid, crotonic acid, maleic acid, fumaric acid, vinyl acetic acid or anhydrides thereof, and methacrylic acid esters, acrylic acid esters, It can be obtained by selecting monomers such as styrene, acrylonitrile, vinyl acetate, 2-hydroxyacrylate and copolymerizing using an initiator such as azobisisobutyronitrile.

カルボキシル基を有するポリマーとしては、焼成時の熱分解温度が低いことから、(メタ)アクリル酸エステルおよび(メタ)アクリル酸を共重合成分とするコポリマーが好ましく用いられる。とりわけ、スチレン/メタクリル酸メチル/メタクリル酸共重合体が好ましく用いられる。   As the polymer having a carboxyl group, a copolymer having (meth) acrylic acid ester and (meth) acrylic acid as a copolymerization component is preferably used since the thermal decomposition temperature during firing is low. In particular, a styrene / methyl methacrylate / methacrylic acid copolymer is preferably used.

側鎖にエチレン性不飽和結合を導入する方法として、ポリマー中のメルカプト基、アミノ基、水酸基やカルボキシル基に対して、グリシジル基やイソシアネート基を有するエチレン性不飽和化合物やアクリル酸クロライド、メタクリル酸クロライドまたはアリルクロライド、マレイン酸などのカルボン酸を反応させて作る方法がある。   As a method for introducing an ethylenically unsaturated bond into a side chain, an ethylenically unsaturated compound having a glycidyl group or an isocyanate group, acrylic acid chloride, methacrylic acid with respect to a mercapto group, amino group, hydroxyl group or carboxyl group in the polymer. There is a method in which a carboxylic acid such as chloride, allyl chloride or maleic acid is reacted.

グリシジル基を有するエチレン性不飽和化合物としては、アクリル酸グリシジル、メタクリル酸グリシジル、アリルグリシジルエーテル、エチルアクリル酸グリシジル、クロトニルグリシジルエーテル、クロトン酸グリシジルエーテル、イソクロトン酸グリシジルエーテルなどが挙げられる。とりわけ、CH2=CCH3COOCH2CHOHCH2−が好ましく用いられる。 Examples of the ethylenically unsaturated compound having a glycidyl group include glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate, allyl glycidyl ether, glycidyl ethyl acrylate, crotonyl glycidyl ether, glycidyl crotonic acid, and glycidyl ether of isocrotonic acid. Especially, CH 2 = CCH 3 COOCH 2 CHOHCH 2 - is preferably used.

イソシアネート基を有するエチレン性不飽和化合物としては、(メタ)アクリロイルイソシアナート、(メタ)アクリロイルエチルイソシアネートなどがある。また、グリシジル基やイソシアネート基を有するエチレン性不飽和化合物やアクリル酸クロライド、メタクリル酸クロライドまたはアリルクロライドは、ポリマー中のメルカプト基、アミノ基、水酸基やカルボキシル基に対して0.05〜1モル当量反応させることが好ましい。   Examples of the ethylenically unsaturated compound having an isocyanate group include (meth) acryloyl isocyanate and (meth) acryloylethyl isocyanate. In addition, the ethylenically unsaturated compound having a glycidyl group or an isocyanate group, acrylic acid chloride, methacrylic acid chloride or allyl chloride is 0.05 to 1 molar equivalent with respect to a mercapto group, amino group, hydroxyl group or carboxyl group in the polymer. It is preferable to react.

エチレン性不飽和結合を有するアミン化合物の調製は、エチレン性不飽和結合を有するグリシジル(メタ)アクリレート、(メタ)アクリル酸クロリド、(メタ)アクリル酸無水物等をアミノ化合物と反応させればよい。複数のエチレン性不飽和基含有化合物を混合して用いてもよい。   Preparation of an amine compound having an ethylenically unsaturated bond may be carried out by reacting glycidyl (meth) acrylate, (meth) acrylic acid chloride, (meth) acrylic anhydride, etc. having an ethylenically unsaturated bond with an amino compound. . A plurality of ethylenically unsaturated group-containing compounds may be mixed and used.

バインダー成分が必要な場合にはポリマーとして、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール、メタクリル酸エステル重合体、アクリル酸エステル重合体、アクリル酸エステル−メタクリル酸エステル共重合体、ブチルメタクリレート樹脂などを用いることができる。   When a binder component is required, polyvinyl alcohol, polyvinyl butyral, methacrylic acid ester polymer, acrylic acid ester polymer, acrylic acid ester-methacrylic acid ester copolymer, butyl methacrylate resin, or the like can be used as the polymer.

カルボキシル基を有するコポリマーの樹脂酸価は50〜150mgKOH/gであることが好ましい。酸価が150mgKOH/gを越えると、現像許容幅が狭くなる。また、酸価が50mgKOH/g未満では未露光部の現像液に対する溶解性が低下する。現像液濃度を高くすると露光部まで剥がれが発生し、高精細なパターンが得られにくくなる。
以下に水現像に適したポリマーについて特に記載する。本発明において水現像が可能となるポリマーとして側鎖または末端にエチレン性不飽和基とカルボキシル基を有するアクリル系共重合体が好ましく用いられる。このようなポリマーは光硬化性とバインダー性を兼ね備えており、不飽和カルボン酸とエチレン性不飽和化合物とを共重合させて形成したアクリル系共重合体にエチレン性不飽和基を側鎖または末端に付加させることによって製造することができる。好ましいのは、側鎖にエチレン性不飽和基とカルボキシル基を有するものである。
The resin acid value of the copolymer having a carboxyl group is preferably 50 to 150 mgKOH / g. When the acid value exceeds 150 mgKOH / g, the allowable development width becomes narrow. On the other hand, when the acid value is less than 50 mgKOH / g, the solubility of the unexposed portion in the developer is lowered. When the developer concentration is increased, the exposed portion is peeled off and it becomes difficult to obtain a high-definition pattern.
In the following, polymers suitable for water development are specifically described. In the present invention, an acrylic copolymer having an ethylenically unsaturated group and a carboxyl group at the side chain or terminal is preferably used as the polymer that can be developed with water. Such a polymer has both photocuring properties and binder properties, and an ethylenically unsaturated group is added to an acrylic copolymer formed by copolymerizing an unsaturated carboxylic acid and an ethylenically unsaturated compound. It can manufacture by adding to. Preference is given to those having an ethylenically unsaturated group and a carboxyl group in the side chain.

水現像可能なアクリル系共重合体のモノマー成分として重合させるエチレン性不飽和化合物としては特に限定されないが、不飽和カルボン酸および、以下の一般式(1)で表される多価アルコールとエチレン性不飽和カルボン酸とのモノエステルを含有する化合物を含むことが好ましい。感光性ガラスペーストの塗布膜に水現像性を付与するためには、バインダーポリマーがある一定以上の水溶解性を有しなければならない。バインダーポリマーに水溶性を与えるためにポリアミドやポリエーテルなどの親水性部位を骨格に導入する方法があるが、これらをバインダーポリマーとした無機成分を含有するペーストの塗布膜は膨潤するものの、十分な水溶解性が発揮されず、現像残渣が残るので良好なパターンが得られない。そこで、バインダーポリマーの骨格ではなく、側鎖部分にヒドロキシル基やカルボキシル基といった、水溶性置換基を導入することで、バインダーポリマーに十分な水溶解性を与えることが可能となる。   Although it does not specifically limit as an ethylenically unsaturated compound polymerized as a monomer component of the acrylic copolymer which can be developed with water, Unsaturated carboxylic acid and the polyhydric alcohol and ethylenic represented by the following General formula (1) It is preferable to include a compound containing a monoester with an unsaturated carboxylic acid. In order to impart water developability to the coating film of the photosensitive glass paste, the binder polymer must have a certain level of water solubility. In order to give water solubility to the binder polymer, there is a method of introducing a hydrophilic site such as polyamide or polyether into the skeleton, but the coating film of the paste containing an inorganic component using these as a binder polymer swells, but is sufficient Since water solubility is not exhibited and a development residue remains, a good pattern cannot be obtained. Therefore, it is possible to impart sufficient water solubility to the binder polymer by introducing a water-soluble substituent such as a hydroxyl group or a carboxyl group into the side chain portion instead of the skeleton of the binder polymer.

Figure 2006128092
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また、ポリエーテルやポリエステルから選ばれた親水性樹脂を含むペーストを用いれば、基板との密着性が高くなり、スプレー現像などによる激しい現像環境においても、露光部が剥がれることなくパターン加工を行うことが知られている。通常、水現像用の感光性塗布膜を露光後、アルカリ性の現像液を用いてスプレー現像を行うといった極端な現像環境では、露光部の剥がれが発生するが、本発明のように、バインダーポリマー成分としてヒドロキシル基を有する感光性アクリル樹脂を使用すれば、別成分として剥がれ防止の化合物を添加することなく高い現像耐性が得られ、アルカリ性の現像液を使用する現像環境においても露光部剥がれの防止が可能である。   Also, if a paste containing a hydrophilic resin selected from polyether and polyester is used, the adhesion to the substrate will be high, and even in severe development environments such as spray development, pattern processing will be performed without peeling the exposed area. It has been known. Usually, in an extreme development environment in which a photosensitive coating film for water development is exposed and then spray development is performed using an alkaline developer, the exposed area is peeled off. If a photosensitive acrylic resin having a hydroxyl group is used, high development resistance can be obtained without adding an anti-peeling compound as a separate component, and exposure area peeling can be prevented even in a development environment using an alkaline developer. Is possible.

多価アルコールとしては例えば、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、テトラエチレングリコール、ポリエチレングリコール、1,3−プロパンジオール、グリセリン、ポリグリセリン、1,3−ブタンジオール、1,4−ブタンジオール、1,2−プロパンジオール、ネオペンチルグリコール、ペンタエリスリトール、ジペンタエリスリトール、トリメチロールプロパン、ジトリメチロールプロパン、トリメチロールエタン、1,2−ペンタンジオール、1,4−ペンタンジオール、1,5−ペンタンジオール、2,4−ペンタンジオール、1,2,6−ヘキサントリオール、シクロヘキサンジメタノールなどを挙げることができる。エチレン性不飽和カルボン酸の例としては、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、クロトン酸、マレイン酸、フマル酸、ビニル酢酸、およびこれらの酸無水物を挙げることができる。従って、多価アルコールとエチレン性不飽和カルボン酸とのエステルとは上記の多価アルコール化合物と、エチレン性不飽和カルボン酸の組み合わせによって成されるエステル化物を表す。   Examples of the polyhydric alcohol include ethylene glycol, diethylene glycol, triethylene glycol, tetraethylene glycol, polyethylene glycol, 1,3-propanediol, glycerin, polyglycerin, 1,3-butanediol, 1,4-butanediol, , 2-propanediol, neopentyl glycol, pentaerythritol, dipentaerythritol, trimethylolpropane, ditrimethylolpropane, trimethylolethane, 1,2-pentanediol, 1,4-pentanediol, 1,5-pentanediol, Examples include 2,4-pentanediol, 1,2,6-hexanetriol, cyclohexanedimethanol and the like. Examples of the ethylenically unsaturated carboxylic acid include acrylic acid, methacrylic acid, itaconic acid, crotonic acid, maleic acid, fumaric acid, vinyl acetic acid, and acid anhydrides thereof. Therefore, an ester of a polyhydric alcohol and an ethylenically unsaturated carboxylic acid represents an esterified product formed by a combination of the above polyhydric alcohol compound and an ethylenically unsaturated carboxylic acid.

本発明においては、アクリル系共重合体の側鎖または末端にカルボキシル基を導入するために、共重合体の成分として不飽和カルボン酸などの不飽和酸を加える。カルボン酸の具体的な例としては、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、クロトン酸、マレイン酸、フマル酸、ビニル酢酸やこれらの酸無水物を挙げることができる。   In the present invention, an unsaturated acid such as an unsaturated carboxylic acid is added as a component of the copolymer in order to introduce a carboxyl group into the side chain or terminal of the acrylic copolymer. Specific examples of the carboxylic acid include acrylic acid, methacrylic acid, itaconic acid, crotonic acid, maleic acid, fumaric acid, vinyl acetic acid, and acid anhydrides thereof.

上記共重合成分と重合可能なその他の共重合成分としては、メチルアクリレート、エチルアクリレート、n−プロピルアクリレート、イソプロピルアクリレート、n−ブチルアクリレート、sec−ブチルアクリレート、イソブチルアクリレート、tert−ブチルアクリレート、n−ペンチルアクリレート、シクロへキシルアクリレート、2−エチルへキシルアクリレート、アリルアクリレート、ブトキシエチルアクリレート、ジシクロペンタニルアクリレート、ジシクロペンテニルアクリレート、グリシジルアクリレート、ヘプタデカフロロデシルアクリレート、2−ヒドロキシエチルアクリレート、イソボニルアクリレート、2−ヒドロキシプロピルアクリレート、イソデキシルアクリレート、イソオクチルアクリレート、ラウリルアクリレート、ステアリルアクリレート、フェノキシエチルアクリレート、2−メトキシエチルアクリレート、オクタフロロペンチルアクリレート、トリフロロエチルアクリレート、アクリルアミド、アミノエチルアクリレート、フェニルアクリレート、ベンジルアクリレート、フェノキシエチルアクリレート、1−ナフチルアクリレート、2−ナフチルアクリレート、チオフェノールアクリレート、ベンジルメルカプタンアクリレート、また、これらの芳香環の水素原子のうち、1〜5個を塩素または臭素に置換したモノマー、もしくは、スチレン、p−メチルスチレン、o−メチルスチレン、m−メチルスチレン、塩素化スチレン、臭素化スチレン、α−メチルスチレン、塩素化α−メチルスチレン、臭素化α−メチルスチレン、クロロメチルスチレン、ヒドロキシメチルスチレン、カルボキシメチルスチレン、ビニルナフタレン、ビニルアントラセン、ビニルカルバゾール、および上記化合物のアクリレートをメタクリレートに変えたものが挙げられる。本発明ではこれらを1種または2種以上組み合わせて使用することができる。   Examples of other copolymerizable components that can be polymerized with the copolymerized component include methyl acrylate, ethyl acrylate, n-propyl acrylate, isopropyl acrylate, n-butyl acrylate, sec-butyl acrylate, isobutyl acrylate, tert-butyl acrylate, n- Pentyl acrylate, cyclohexyl acrylate, 2-ethylhexyl acrylate, allyl acrylate, butoxyethyl acrylate, dicyclopentanyl acrylate, dicyclopentenyl acrylate, glycidyl acrylate, heptadecafluorodecyl acrylate, 2-hydroxyethyl acrylate, isobonyl Acrylate, 2-hydroxypropyl acrylate, isodexyl acrylate, isooctyl acrylate, lauryl acrylate Relate, stearyl acrylate, phenoxyethyl acrylate, 2-methoxyethyl acrylate, octafluoropentyl acrylate, trifluoroethyl acrylate, acrylamide, aminoethyl acrylate, phenyl acrylate, benzyl acrylate, phenoxyethyl acrylate, 1-naphthyl acrylate, 2-naphthyl acrylate , Thiophenol acrylate, benzyl mercaptan acrylate, a monomer in which 1 to 5 of the aromatic ring hydrogen atoms are substituted with chlorine or bromine, or styrene, p-methylstyrene, o-methylstyrene, m- Methyl styrene, chlorinated styrene, brominated styrene, α-methyl styrene, chlorinated α-methyl styrene, brominated α-methyl styrene, chloromethyl Styrene, hydroxy styrene, carboxymethyl styrene, vinyl naphthalene, vinyl anthracene, vinyl carbazole, and those that were changed to methacrylate acrylate of the above compounds. In this invention, these can be used 1 type or in combination of 2 or more types.

側鎖にエチレン性不飽和結合を導入する方法として、ポリマー中のメルカプト基、アミノ基、水酸基やカルボキシル基に対して、グリシジル基やイソシアネート基を有するエチレン性不飽和化合物やアクリル酸クロライド、メタクリル酸クロライドまたはアリルクロライド、マレイン酸などのカルボン酸を反応させて作る方法がある。   As a method for introducing an ethylenically unsaturated bond into a side chain, an ethylenically unsaturated compound having a glycidyl group or an isocyanate group, acrylic acid chloride, methacrylic acid with respect to a mercapto group, amino group, hydroxyl group or carboxyl group in the polymer. There is a method in which a carboxylic acid such as chloride, allyl chloride or maleic acid is reacted.

グリシジル基を有するエチレン性不飽和化合物としては、グリシジル(メタ)アクリレート、アリルグリシジルエーテル、エチルアクリル酸グリシジル、クロトニルグリシジルエーテル、クロトン酸グリシジルエーテル、イソクロトン酸グリシジルエーテルなどが挙げられる。とりわけ、グリシジル(メタ)アクリレートが好ましく用いられる。   Examples of the ethylenically unsaturated compound having a glycidyl group include glycidyl (meth) acrylate, allyl glycidyl ether, glycidyl ethyl acrylate, crotonyl glycidyl ether, crotonic acid glycidyl ether, and isocrotonic acid glycidyl ether. In particular, glycidyl (meth) acrylate is preferably used.

イソシアネート基を有するエチレン性不飽和化合物としては、(メタ)アクリロイルイソシアナート、(メタ)アクリロイルエチルイソシアネートなどがある。   Examples of the ethylenically unsaturated compound having an isocyanate group include (meth) acryloyl isocyanate and (meth) acryloylethyl isocyanate.

また、グリシジル基やイソシアネート基を有するエチレン性不飽和化合物やアクリル酸クロライド、メタクリル酸クロライドまたはアリルクロライドは、ポリマー中のメルカプト基、アミノ基、水酸基やカルボキシル基に対して0.05〜1モル当量反応させることが好ましく、さらに好ましくは0.1〜0.8モル当量である。付加量が0.05モル当量未満では感光特性が不良となり、パターンの形成が困難となり、1モル当量より大きい場合は、未露光部の溶解性が低下するので好ましくない。   In addition, the ethylenically unsaturated compound having a glycidyl group or an isocyanate group, acrylic acid chloride, methacrylic acid chloride or allyl chloride is 0.05 to 1 molar equivalent with respect to a mercapto group, amino group, hydroxyl group or carboxyl group in the polymer. It is preferable to make it react, More preferably, it is 0.1-0.8 molar equivalent. If the addition amount is less than 0.05 molar equivalent, the photosensitivity will be poor and pattern formation will be difficult, and if it is greater than 1 molar equivalent, the solubility of the unexposed area will decrease, which is not preferred.

上記の成分を重合して得られる、側鎖または末端にエチレン性不飽和基とカルボキシル基を有するアクリル系共重合体の酸価は2〜50mgKOH/gであることが好ましい。さらに好ましくは5〜40mg/KOHである。酸価が50mgKOH/gを超えると亜鉛や鉛を含有するガラス粉末との共存下において、カルボキシル基によるイオン架橋密度が増し、ペーストのゲル化が促進され、未露光部の現像液に対する溶解性の低下やペーストポットライフの低下を引き起こす。また、酸価が2mgKOH/g以下では、未露光部の溶解性を左右するカルボキシル基の含有量が低すぎるため、未露光部の現像液に対する溶解性が著しく低下し、高精細なパターンが得られにくくなる。   The acid value of the acrylic copolymer having an ethylenically unsaturated group and a carboxyl group at the side chain or terminal obtained by polymerizing the above components is preferably 2 to 50 mgKOH / g. More preferably, it is 5-40 mg / KOH. When the acid value exceeds 50 mgKOH / g, in the presence of glass powder containing zinc or lead, the ion crosslinking density due to the carboxyl group increases, the gelation of the paste is promoted, and the solubility of the unexposed part in the developer is increased. Causes a drop and paste pot life. On the other hand, when the acid value is 2 mgKOH / g or less, the content of the carboxyl group that affects the solubility of the unexposed area is too low, so the solubility of the unexposed area in the developing solution is remarkably lowered, and a high-definition pattern is obtained. It becomes difficult to be.

また、側鎖または末端にエチレン性不飽和基とカルボキシル基を有するアクリル系共重合体の重量平均分子量は、5000〜20000であることが好ましく、さらに好ましくは8000〜15000である。分子量が5000未満では感光性共重合体がバインダーとしての作用が弱くなり、現像耐性が低下するので、露光部まで剥がれが発生する。また分子量が20000より大きいと現像耐性が高すぎるため、未露光部の溶解性が低下し、パターン形成が難しくなる。 本発明に用いる光重合開始剤は、ラジカル種を発生するものから選んで用いられる。光重合開始剤の具体例としては、ジエトキシアセトフェノン、2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニルプロパン−1−オン、ベンジルジメチルケタール、1−(4−イソプロピルフェニル)−2−ヒドロキシ−2−メチルプロパン−1−オン、4−(2−ヒドロキシエトキシ)フェニル−(2−ヒドロキシ−2−プロピル)ケトン、1−ヒドロキシシクロヘキシル−フェニルケトン、1−フェニル−1,2−プロパンジオン−2−(o−エトキシカルボニル)オキシム、2−メチル−[4−(メチルチオ)フェニル]−2−モルフォリノプロパン−1−オン、2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルフォリノフェニル)−ブタノン−1、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾフェノン、o−ベンゾイル安息香酸メチル、4−フェニルベンゾフェノン、4,4−ジクロロベンゾフェノン、ヒドロキシベンゾフェノン、4−ベンゾイル−4’−メチル−ジフェニルサルファイド、アルキル化ベンゾフェノン、3,3’,4,4’−テトラ(t−ブチルパーオキシカルボニル)ベンゾフェノン、4−ベンゾイル−N,N−ジメチル−N−[2−(1−オキソ−2−プロペニルオキシ)エチル]ベンゼンメタナミニウムブロミド、(4−ベンゾイルベンジル)トリメチルアンモニウムクロリド、2−ヒドロキシ−3−(4−ベンゾイルフェノキシ)−N,N,N−トリメチル−1−プロペンアミニウムクロリド一水塩、2−イソプロピルチオキサントン、2,4−ジメチルチオキサントン、2,4−ジエチルチオキサントン、2,4−ジクロロチオキサントン、2ーヒドロキシ−3−(3,4−ジメチル−9−オキソ−9H−チオキサンテン−2−イロキシ)−N,N,N−トリメチル−1−プロパナミニウムクロリド、2,4,6−トリメチルベンゾイルフェニルホスフィンオサイド、2,2’−ビス(o−クロロフェニル)−4,5,4’,5’−テトラフェニル−1,2−ビイミダゾール、10−ブチル−2−クロロアクリドン、2−エチルアンスラキノン、ベンジル、9,10−フェナンスレンキノン、カンファーキノン、メチルフェニルグリオキシエステル、η5−シクロペンタジエニル−η6−クメニル−アイアン(1+)−ヘキサフルオロフォスフェイト(1−)、ジフェニルスルフィド誘導体、ビス(η5−2,4−シクロペンタジエン−1−イル)−ビス(2,6−ジフルオロ−3−(1H−ピロール−1−イル)−フェニル)チタニウム、4,4−ビス(ジメチルアミノ)ベンゾフェノン、4,4−ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフェノン、チオキサントン、2−メチルチオキサントン、2−クロロチオキサントン、4−ベンゾイル−4−メチルフェニルケトン、ジベンジルケトン、フルオレノン、2,3−ジエトキシアセトフェノン、2,2−ジメトキシ−2−フェニル−2−フェニルアセトフェノン、2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオフェノン、p−t−ブチルジクロロアセトフェノン、ベンジルメトキシエチルアセタール、アントラキノン、2−t−ブチルアントラキノン、2−アミノアントラキノン、β−クロルアントラキノン、アントロン、ベンズアントロン、ジベンズスベロン、メチレンアントロン、4−アジドベンザルアセトフェノン、2,6−ビス(p−アジドベンジリデン)シクロヘキサン、2,6−ビス(p−アジドベンジリデン)−4−メチルシクロヘキサノン、2−フェニル−1,2−ブタジオン−2−(o−メトキシカルボニル)オキシム、1,3−ジフェニルプロパントリオン−2−(o−エトキシカルボニル)オキシム、N−フェニルグリシン、ナフタレンスルフォニルクロライド、キノリンスルホニルクロライド、N−フェニルチオアクリドン、4,4−アゾビスイソブチロニトリル、ベンズチアゾールジスルフィド、トリフェニルホスフィン、四臭素化炭素、トリブロモフェニルスルホン、過酸化ベンゾイルおよびエオシン、メチレンブルーなどの光還元性の色素とアスコルビン酸、トリエタノールアミンなどの還元剤の組み合わせなどが挙げられる。本発明では、これらを1種または2種以上使用することができる。光重合開始剤の添加量は、感光性有機成分に対し、0.05〜10重量%の範囲が好ましい。より好ましくは、0.1〜10重量%である。重合開始剤の量が0.05重量%以下では光感度が不良となり、光重合開始剤の量が多すぎる場合には露光部の残存率が小さくなるおそれがある。   The weight average molecular weight of the acrylic copolymer having an ethylenically unsaturated group and a carboxyl group at the side chain or terminal is preferably 5000 to 20000, more preferably 8000 to 15000. When the molecular weight is less than 5,000, the photosensitive copolymer has a weak action as a binder and the development resistance is lowered, and therefore, the exposed portion is peeled off. On the other hand, if the molecular weight is larger than 20000, the development resistance is too high, so that the solubility of the unexposed area is lowered and pattern formation becomes difficult. The photopolymerization initiator used in the present invention is selected from those generating radical species. Specific examples of the photopolymerization initiator include diethoxyacetophenone, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one, benzyldimethyl ketal, 1- (4-isopropylphenyl) -2-hydroxy-2- Methylpropan-1-one, 4- (2-hydroxyethoxy) phenyl- (2-hydroxy-2-propyl) ketone, 1-hydroxycyclohexyl-phenylketone, 1-phenyl-1,2-propanedione-2- ( o-ethoxycarbonyl) oxime, 2-methyl- [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholinopropan-1-one, 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butanone -1, benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin iso Lopyl ether, benzoin isobutyl ether, benzophenone, methyl o-benzoylbenzoate, 4-phenylbenzophenone, 4,4-dichlorobenzophenone, hydroxybenzophenone, 4-benzoyl-4'-methyl-diphenyl sulfide, alkylated benzophenone, 3,3 ' , 4,4′-tetra (t-butylperoxycarbonyl) benzophenone, 4-benzoyl-N, N-dimethyl-N- [2- (1-oxo-2-propenyloxy) ethyl] benzenemethananium bromide, (4-Benzoylbenzyl) trimethylammonium chloride, 2-hydroxy-3- (4-benzoylphenoxy) -N, N, N-trimethyl-1-propenaminium chloride monohydrate, 2-isopropylthioxanthone, 2,4- The Tylthioxanthone, 2,4-diethylthioxanthone, 2,4-dichlorothioxanthone, 2-hydroxy-3- (3,4-dimethyl-9-oxo-9H-thioxanthen-2-yloxy) -N, N, N-trimethyl -1-propanaminium chloride, 2,4,6-trimethylbenzoylphenylphosphine oxide, 2,2′-bis (o-chlorophenyl) -4,5,4 ′, 5′-tetraphenyl-1,2- Biimidazole, 10-butyl-2-chloroacridone, 2-ethylanthraquinone, benzyl, 9,10-phenanthrenequinone, camphorquinone, methylphenylglyoxyester, η5-cyclopentadienyl-η6-cumenyl- Iron (1 +)-hexafluorophosphate (1-), derived from diphenyl sulfide Bis (η5-2,4-cyclopentadien-1-yl) -bis (2,6-difluoro-3- (1H-pyrrol-1-yl) -phenyl) titanium, 4,4-bis (dimethylamino) Benzophenone, 4,4-bis (diethylamino) benzophenone, thioxanthone, 2-methylthioxanthone, 2-chlorothioxanthone, 4-benzoyl-4-methylphenylketone, dibenzylketone, fluorenone, 2,3-diethoxyacetophenone, 2, 2-dimethoxy-2-phenyl-2-phenylacetophenone, 2-hydroxy-2-methylpropiophenone, pt-butyldichloroacetophenone, benzylmethoxyethyl acetal, anthraquinone, 2-t-butylanthraquinone, 2-aminoanthraquinone , Β-Chlorua Traquinone, anthrone, benzanthrone, dibenzsuberon, methyleneanthrone, 4-azidobenzalacetophenone, 2,6-bis (p-azidobenzylidene) cyclohexane, 2,6-bis (p-azidobenzylidene) -4-methylcyclohexanone, 2 -Phenyl-1,2-butadion-2- (o-methoxycarbonyl) oxime, 1,3-diphenylpropanetrione-2- (o-ethoxycarbonyl) oxime, N-phenylglycine, naphthalenesulfonyl chloride, quinolinesulfonyl chloride, N-phenylthioacridone, 4,4-azobisisobutyronitrile, benzthiazole disulfide, triphenylphosphine, carbon tetrabromide, tribromophenylsulfone, benzoyl peroxide and eosin, Light reducing dyes and ascorbic acid, such as Chirenburu, a combination of a reducing agent such as triethanolamine. In the present invention, one or more of these can be used. The addition amount of the photopolymerization initiator is preferably in the range of 0.05 to 10% by weight with respect to the photosensitive organic component. More preferably, it is 0.1 to 10% by weight. When the amount of the polymerization initiator is 0.05% by weight or less, the photosensitivity becomes poor, and when the amount of the photopolymerization initiator is too large, there is a possibility that the residual ratio of the exposed portion becomes small.

光重合開始剤と共に増感剤を使用し、感度を向上させたり、反応に有効な波長範囲を拡大することができる。増感剤の具体例としては、2,4−ジメチルチオキサントン、2,4−ジエチルチオキサントン、2−イソプロピルチオキサントン、2,3−ビス(4−ジエチルアミノベンザル)シクロペンタノン、2,6−ビス(4−ジメチルアミノベンザル)シクロヘキサノン、2,6−ビス(4−ジメチルアミノベンザル)−4−メチルシクロヘキサノン、ミヒラーケトン、4,4−ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフェノン、4,4−ビス(ジメチルアミノ)カルコン、4,4−ビス(ジエチルアミノ)カルコン、p−ジメチルアミノシンナミリデンインダノン、p−ジメチルアミノベンジリデンインダノン、2−(p−ジメチルアミノフェニルビニレン)イソナフトチアゾール、1,3−ビス(4−ジメチルアミノフェニルビニレン)イソナフトチアゾール、1,3−ビス(4−ジメチルアミノベンザル)アセトン、1,3−カルボニルビス(4−ジエチルアミノベンザル)アセトン、3,3−カルボニルビス(7−ジエチルアミノクマリン)、トリエタノールアミン、メチルジエタノールアミン、トリイソプロパノールアミン、N−フェニル−N−エチルエタノールアミン、N−フェニルエタノールアミン、N−トリルジエタノールアミン、4−ジメチルアミノ安息香酸メチル、4−ジメチルアミノ安息香酸エチル、ジメチルアミノ安息香酸イソアミル、ジエチルアミノ安息香酸イソアミル、安息香酸(2−ジメチルアミノ)エチル、4−ジメチルアミノ安息香酸(n−ブトキシ)エチル、4−ジメチルアミノ安息香酸2−エチルヘキシル、3−フェニル−5−ベンゾイルチオテトラゾール、1−フェニル−5−エトキシカルボニルチオテトラゾールなどが挙げられる。   A sensitizer can be used together with a photopolymerization initiator to improve sensitivity and to expand the effective wavelength range for the reaction. Specific examples of the sensitizer include 2,4-dimethylthioxanthone, 2,4-diethylthioxanthone, 2-isopropylthioxanthone, 2,3-bis (4-diethylaminobenzal) cyclopentanone, 2,6-bis ( 4-dimethylaminobenzal) cyclohexanone, 2,6-bis (4-dimethylaminobenzal) -4-methylcyclohexanone, Michler's ketone, 4,4-bis (diethylamino) benzophenone, 4,4-bis (dimethylamino) chalcone 4,4-bis (diethylamino) chalcone, p-dimethylaminocinnamylidene indanone, p-dimethylaminobenzylidene indanone, 2- (p-dimethylaminophenylvinylene) isonaphthothiazole, 1,3-bis (4 -Dimethylaminophenylvinylene) Isonaphtho Sol, 1,3-bis (4-dimethylaminobenzal) acetone, 1,3-carbonylbis (4-diethylaminobenzal) acetone, 3,3-carbonylbis (7-diethylaminocoumarin), triethanolamine, methyl Diethanolamine, triisopropanolamine, N-phenyl-N-ethylethanolamine, N-phenylethanolamine, N-tolyldiethanolamine, methyl 4-dimethylaminobenzoate, ethyl 4-dimethylaminobenzoate, isoamyl dimethylaminobenzoate, diethylamino Isoamyl benzoate, (2-dimethylamino) ethyl benzoate, ethyl 4-dimethylaminobenzoate (n-butoxy), 2-ethylhexyl 4-dimethylaminobenzoate, 3-phenyl-5-benzoylthiotetrazo Le, such as 1-phenyl-5-ethoxycarbonyl-thiotetrazole the like.

また、増感色素を用いることも好ましい。例えば、クマリン系色素、ケトクマリン系色素、キサンテン系色素、チオキサンテン系色素、シアニン系色素、メロシアニン系色素、ローダシアニン系色素、スチリル系色素、ベーススチリル系色素、ローダシアニン系色素、オキソノール系色素などを挙げることができる。本発明ではこれらを1種または2種以上使用することができる。なお、増感剤の中には光重合開始剤としても使用できるものがある。増感剤を本発明の感光性ペーストに添加する場合、その添加量は感光性有機成分に対して通常0.05〜10重量%、より好ましくは0.1〜10重量%である。増感剤の量が少なすぎれば光感度を向上させる効果が発揮されず、増感剤の量が多すぎれば露光部の残存率が小さくなる恐れがある。   It is also preferable to use a sensitizing dye. For example, coumarin dyes, ketocoumarin dyes, xanthene dyes, thioxanthene dyes, cyanine dyes, merocyanine dyes, rhodocyanine dyes, styryl dyes, base styryl dyes, rhodocyanine dyes, oxonol dyes, etc. Can be mentioned. In the present invention, one or more of these can be used. Some sensitizers can also be used as photopolymerization initiators. When adding a sensitizer to the photosensitive paste of this invention, the addition amount is 0.05-10 weight% normally with respect to the photosensitive organic component, More preferably, it is 0.1-10 weight%. If the amount of the sensitizer is too small, the effect of improving the photosensitivity is not exhibited, and if the amount of the sensitizer is too large, the residual ratio of the exposed portion may be reduced.

本発明では酸化防止剤を添加することも好ましい。酸化防止剤とは、ラジカル連鎖禁止作用、三重項の消去作用、ハイドロパーオキサイドの分解作用をもつものをいう。感光性ペーストは多くのガラス微粒子成分を分散状態で含有するので、露光光によるペースト内部の光散乱は避け難く、それに起因すると考えられるパターン形状の太りやパターン間の埋り(残膜形成)が発生しやすい。パターンの壁は垂直に切り立ち、矩形になることが望ましい。理想的には、ある露光量以下では現像液に溶解し、それ以上では現像液に不溶となることである。つまり、光散乱によって低い露光量で硬化しても現像液に溶解し、パターン形状の太りやパターン間の埋まりが解消され、露光量を多くしても解像できる範囲が広いことが好ましい。   In the present invention, it is also preferable to add an antioxidant. Antioxidants refer to those having radical chain inhibiting action, triplet elimination action, and hydroperoxide decomposition action. Since the photosensitive paste contains many glass fine particle components in a dispersed state, it is difficult to avoid light scattering inside the paste due to exposure light, and it is thought that this is caused by pattern thickening and pattern filling (residual film formation). Likely to happen. It is desirable that the pattern walls are vertically cut and rectangular. Ideally, it is soluble in the developer below a certain exposure dose, and insoluble in the developer above it. That is, it is preferable that even if cured at a low exposure amount by light scattering, it is dissolved in the developer, the pattern shape is thickened and the filling between patterns is eliminated, and the range that can be resolved even when the exposure amount is increased is wide.

感光性ペーストに酸化防止剤を添加すると、酸化防止剤がラジカルを捕獲したり、励起された光重合開始剤や増感剤のエネルギー状態を基底状態に戻したりすることにより散乱光による余分な光反応が抑制され、酸化防止剤で抑制できなくなる露光量で急激に光反応が起こることにより、現像液への溶解、不溶のコントラストを高くすることができる。具体的には、p−ベンゾキノン、ナフトキノン、p−キシロキノン、p−トルキノン、2,6−ジクロロキノン、2,5−ジアセトキシ−p−ベンゾキノン、2,5−ジカプロキシ−p−ベンゾキノン、ヒドロキノン、p−t−ブチルカテコール、2,5−ジブチルヒドロキノン、モノ−t−ブチルヒドロキノン、2,5−ジ−t−アミルヒドロキノン、ジ−t−ブチル−p−クレゾール、ヒドロキノンモノメチルエーテル、α−ナフトール、ヒドラジン塩酸塩、トリメチルベンジルアンモニウムクロリド、トリメチルベンジルアンモニウムオキザレート、フェニル−β−ナフチルアミン、パラベンジルアミノフェノール、ジ−β−ナフチルパラフェニレンジアミン、ジニトロベンゼン、トリニトロベンゼン、ピクリン酸、キノンジオキシム、シクロヘキサノンオキシム、ピロガロール、タンニン酸、トリエチルアミン塩酸塩、ジメチルアニリン塩酸塩、クペロン、(2,2’−チオビス(4−t−オクチルフェノレート)−2−エチルヘキシルアミノニッケル−(II)、4,4’−チオビス−(3−メチル−6−t−ブチルフェノール)、2,2’−メチレンビス−(4−メチル−6−t−ブチルフェノール)、2,2’−チオビス−(4−メチル−6−t−ブチルフェノール)、トリエチレングリコール−ビス[3−(t−ブチル−5−メチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート]、1,6−ヘキサンジオール−ビス[(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート]、1,2,3−トリヒドロキシベンゼン、などが挙げられるがこれらに限定されない。本発明では、これらを1種もしくは2種類以上を組み合わせて使用することができる。   When an antioxidant is added to the photosensitive paste, the antioxidant captures radicals and returns the energy state of the excited photopolymerization initiator and sensitizer to the ground state, thereby causing excess light due to scattered light. Since the reaction is suppressed and a photoreaction occurs abruptly at an exposure amount that cannot be suppressed by the antioxidant, it is possible to increase the contrast of dissolution and insolubility in the developer. Specifically, p-benzoquinone, naphthoquinone, p-xyloquinone, p-toluquinone, 2,6-dichloroquinone, 2,5-diacetoxy-p-benzoquinone, 2,5-dicaproxy-p-benzoquinone, hydroquinone, p- t-butylcatechol, 2,5-dibutylhydroquinone, mono-t-butylhydroquinone, 2,5-di-t-amylhydroquinone, di-t-butyl-p-cresol, hydroquinone monomethyl ether, α-naphthol, hydrazine hydrochloride Salt, trimethylbenzylammonium chloride, trimethylbenzylammonium oxalate, phenyl-β-naphthylamine, parabenzylaminophenol, di-β-naphthylparaphenylenediamine, dinitrobenzene, trinitrobenzene, picric acid, quinonedioxime, Clohexanone oxime, pyrogallol, tannic acid, triethylamine hydrochloride, dimethylaniline hydrochloride, cuperone, (2,2′-thiobis (4-tert-octylphenolate) -2-ethylhexylamino nickel- (II), 4,4 '-Thiobis- (3-methyl-6-t-butylphenol), 2,2'-methylenebis- (4-methyl-6-t-butylphenol), 2,2'-thiobis- (4-methyl-6-t -Butylphenol), triethylene glycol-bis [3- (t-butyl-5-methyl-4-hydroxyphenyl) propionate], 1,6-hexanediol-bis [(3,5-di-t-butyl-4 -Hydroxyphenyl) propionate], 1,2,3-trihydroxybenzene, and the like. In the present invention, these can be used alone or in combination of two or more.

酸化防止剤の添加量は、感光性ペースト中に0.1〜30重量%、より好ましくは、0.5〜20%の範囲である。これらの範囲より少ない場合、現像液への溶解、不溶のコントラストが小さく、またこの範囲を越えると感光性ペーストの感度が低下し、多くの露光量を必要としたり、重合度が上がらずパターン形状が維持できなくなる。   The addition amount of the antioxidant is 0.1 to 30% by weight in the photosensitive paste, and more preferably 0.5 to 20%. If it is less than these ranges, the contrast of dissolution and insolubility in the developer is small, and if this range is exceeded, the sensitivity of the photosensitive paste decreases, requiring a large amount of exposure, and the degree of polymerization does not increase and the pattern shape Cannot be maintained.

また、紫外線吸収剤を添加することで、露光光によるペースト内部の散乱光を吸収し、散乱光を弱めることができる。紫外線吸収剤としては、ベンゾフェノン系化合物、シアノアクリレート系化合物、サリチル酸系化合物、ベンゾトリアゾール系化合物、インドール系化合物、無機系の微粒子酸化金属などが挙げられる。これらの中でもベンゾフェノン系化合物、シアノアクリレート系化合物、ベンゾトリアゾール系化合物、インドール系化合物が特に有効である。これらの具体例としては、2,4−ジヒドロキシベンゾフェノン、2−ヒドロキシ−4−メトキシベンゾフェノン、2,2’−ジヒドロキシ−4−メトキシベンゾフェノン、2,2’−ジヒドロキシ−4,4’−ジメトキシベンゾフェノン、2,2’−ジヒドロキシ−4,4’−ジメトキシ−5−スルホベンゾフェノン、2−ヒドロキシ−4−メトキシ−2’−カルボキシベンゾフェノン、2−ヒドロキシ−4−メトキシ−5−スルホベンゾフェノントリヒドレート、2−ヒドロキシ−4−n−オクトキシベンゾフェノン、2−ヒドロキシ−4−オクタデシロキシベンゾフェノン、2,2’,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、4−ドデシロキシ−2−ヒドロキシベンゾフェノン、2−ヒドロキシ−4−(2−ヒドロキシ−3−メタクリロキシ)プロポキシベンゾフェノン、2−(2’−ヒドロキシ−5’−メチルフェニル)ベンゾトリアゾール、2−(2’−ヒドロキシ−3’,5’−ジ−t−ブチルフェニル)ベンゾトリアゾール、2−(2’−ヒドロキシ−3’−t−ブチル−5’−メチルフェニル)−5−クロロベンゾトリアゾール、2−(2’−ヒドロキシ−3’,5’−ジ−t−ブチルフェニル)−5−クロロベンゾトリアゾール、2−(2’−ヒドロキシ−4’−n−オクトキシフェニル)ベンゾトリアゾール、2−エチルヘキシル−2−シアノ−3,3−ジフェニルアクリレート、2−エチル−2−シアノ−3,3−ジフェニルアクリレート、インドール系の吸収剤であるBONASORB UA−3901(オリエント化学社製)、BONASORB UA−3902(オリエント化学社製)SOM−2−0008(オリエント化学社製)などが挙げられるがこれらに限定されない。さらに、これら紫外線吸収剤の骨格にメタクリル基などを導入し反応型として用いてもよい。本発明では、これらを1種以上使用することができる。   Moreover, by adding an ultraviolet absorber, scattered light inside the paste due to exposure light can be absorbed and scattered light can be weakened. Examples of the ultraviolet absorber include benzophenone compounds, cyanoacrylate compounds, salicylic acid compounds, benzotriazole compounds, indole compounds, inorganic fine-particle metal oxides, and the like. Among these, benzophenone compounds, cyanoacrylate compounds, benzotriazole compounds, and indole compounds are particularly effective. Specific examples thereof include 2,4-dihydroxybenzophenone, 2-hydroxy-4-methoxybenzophenone, 2,2′-dihydroxy-4-methoxybenzophenone, 2,2′-dihydroxy-4,4′-dimethoxybenzophenone, 2,2′-dihydroxy-4,4′-dimethoxy-5-sulfobenzophenone, 2-hydroxy-4-methoxy-2′-carboxybenzophenone, 2-hydroxy-4-methoxy-5-sulfobenzophenone trihydrate, 2 -Hydroxy-4-n-octoxybenzophenone, 2-hydroxy-4-octadecyloxybenzophenone, 2,2 ', 4,4'-tetrahydroxybenzophenone, 4-dodecyloxy-2-hydroxybenzophenone, 2-hydroxy-4 -(2-hydroxy-3-methyl (Chryloxy) propoxybenzophenone, 2- (2′-hydroxy-5′-methylphenyl) benzotriazole, 2- (2′-hydroxy-3 ′, 5′-di-t-butylphenyl) benzotriazole, 2- (2 '-Hydroxy-3'-t-butyl-5'-methylphenyl) -5-chlorobenzotriazole, 2- (2'-hydroxy-3', 5'-di-t-butylphenyl) -5-chlorobenzo Triazole, 2- (2′-hydroxy-4′-n-octoxyphenyl) benzotriazole, 2-ethylhexyl-2-cyano-3,3-diphenyl acrylate, 2-ethyl-2-cyano-3,3-diphenyl BONASORB UA-3901 (produced by Orient Chemical Co., Ltd.), BONASORB U, which is an acrylate and indole-based absorbent A-3902 (manufactured by Orient Chemical Co., Ltd.) SOM-2-0008 (manufactured by Orient Chemical Co., Ltd.) and the like are exemplified, but not limited thereto. Furthermore, a methacryl group or the like may be introduced into the skeleton of these ultraviolet absorbers and used as a reaction type. In the present invention, one or more of these can be used.

紫外線吸収剤の添加量は、ペースト中に0.001〜10重量%、より好ましくは、0.005〜5%の範囲である。これらの範囲を外れると、透過限界波長および波長傾斜幅が変化し、散乱光の吸収能力が不足したり、露光光の透過率が下がり、感光性ペーストの感度が低下するので注意を要する。   The amount of the UV absorber added is in the range of 0.001 to 10% by weight, more preferably 0.005 to 5% in the paste. Beyond these ranges, the transmission limit wavelength and the wavelength gradient width change, so that the ability to absorb scattered light is insufficient, the transmittance of exposure light is lowered, and the sensitivity of the photosensitive paste is lowered.

また、本発明では、露光、現像の目印として有機系染料を添加することができる。染料を添加して着色することにより視認性が良くなり、現像時にペーストが残存している部分と除去された部分との区別が容易になる。有機染料としては、特に限定はされないが、焼成後の絶縁膜中に残存しないものが好ましい。具体的にはアントラキノン系染料、インジゴイド系染料、フタロシアニン系染料、カルボニウム系染料、キノンイミン系染料、メチン系染料、キノリン系染料、ニトロ系染料、ニトロソ系染料、ベンゾキノン系染料、ナフトキノン系染料、フタルイミド系染料、ペリノン系染料などが使用できる。特に、h線とi線付近の波長の光を吸収するもの、例えばベーシックブルー等のカルボニウム系染料を選択するのが好ましい。有機染料の添加量は0.001〜1重量%であることが好ましい。   In the present invention, an organic dye can be added as a mark for exposure and development. By adding a dye and coloring it, the visibility is improved, and it becomes easy to distinguish the portion where the paste remains during development and the portion where it has been removed. Although it does not specifically limit as organic dye, The thing which does not remain in the insulating film after baking is preferable. Specifically, anthraquinone dyes, indigoid dyes, phthalocyanine dyes, carbonium dyes, quinoneimine dyes, methine dyes, quinoline dyes, nitro dyes, nitroso dyes, benzoquinone dyes, naphthoquinone dyes, phthalimide dyes Dyes and perinone dyes can be used. In particular, it is preferable to select one that absorbs light having a wavelength in the vicinity of h-line and i-line, for example, a carbonium dye such as basic blue. The amount of organic dye added is preferably 0.001 to 1% by weight.

感光性ペーストを基板に塗布する時の粘度を塗布方法に応じて調整するために有機溶媒が使用される。このとき使用される有機溶媒としては、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、メチルエチルケトン、ジオキサン、アセトン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、イソブチルアルコール、イソプロピルアルコール、テトラヒドロフラン、ジメチルスルフォキシド、γ−ブチロラクトン、ブロモベンゼン、クロロベンゼン、ジブロモベンゼン、ジクロロベンゼン、ブロモ安息香酸、クロロ安息香酸などやこれらのうちの1種以上を含有する有機溶媒混合物が用いられる。   An organic solvent is used to adjust the viscosity at the time of applying the photosensitive paste to the substrate according to the application method. As an organic solvent used at this time, methyl cellosolve, ethyl cellosolve, butyl cellosolve, methyl ethyl ketone, dioxane, acetone, cyclohexanone, cyclopentanone, isobutyl alcohol, isopropyl alcohol, tetrahydrofuran, dimethyl sulfoxide, γ-butyrolactone, bromobenzene, Chlorobenzene, dibromobenzene, dichlorobenzene, bromobenzoic acid, chlorobenzoic acid, and the like, and organic solvent mixtures containing one or more of these are used.

ガラス微粒子としては、ガラス転移点が350〜550℃の低軟化点ガラスをペースト中に含有することが好ましい。通常、誘電体や隔壁ペーストは、パターンを形成した後430℃〜650℃での焼成を行う。従って、ガラス転移点が350℃未満では、焼成時のガラスの流動性が高すぎるためにパターン形状が崩れてしまい、550℃以上ではガラス粉末の焼結が起こらないので、透明化しない。より好ましくは400℃〜530℃である。   As the glass fine particles, it is preferable to contain low softening point glass having a glass transition point of 350 to 550 ° C. in the paste. Usually, the dielectric or barrier rib paste is fired at 430 ° C. to 650 ° C. after the pattern is formed. Therefore, if the glass transition point is less than 350 ° C., the flowability of the glass during firing is too high, and the pattern shape is lost. If the glass transition point is 550 ° C. or higher, the glass powder does not sinter, and thus it does not become transparent. More preferably, it is 400 degreeC-530 degreeC.

本発明においては、上記のガラス転移点が350〜550℃の低軟化点ガラスをペースト中に50〜90重量%の範囲で含有することが好ましい。ガラス粉末の含有量が少なすぎると、焼成によるパターンの収縮が大きくなり、形状が不良となる。また、多すぎるとペーストの感光特性が低下するのでパターン形成が難しくなる。より好ましくは、60〜80重量%である。   In this invention, it is preferable to contain the low softening point glass whose said glass transition point is 350-550 degreeC in the range of 50-90 weight% in a paste. When there is too little content of glass powder, the shrinkage | contraction of the pattern by baking will become large and a shape will become defect. On the other hand, if the amount is too large, the photosensitive property of the paste is deteriorated, so that pattern formation becomes difficult. More preferably, it is 60 to 80% by weight.

また、ガラス微粒子の屈折率が1.5〜1.65の範囲内にあることが好ましい。屈折率が1.5〜1.65になるように金属酸化物を配合してなるガラス微粒子を用いることにより、ガラス粉末と感光性有機成分の屈折率と整合させ、光散乱を抑制することにより高精度のパターン加工が可能になる傾向にある。例えば、酸化ケイ素:22、酸化アルミニウム:23、酸化硼素:33、酸化リチウム:9、酸化マグネシウム:7、酸化バリウム:4および酸化亜鉛2(重量%)からなるガラス粉末は、ガラス転移点:490℃、軟化点:528℃そしてg線波長(436nm)においての屈折率:1.59であり、本発明のガラス微粒子として好ましく使用することができる。より好ましくは、1.53〜1.62の範囲内にあることである。   Moreover, it is preferable that the refractive index of glass microparticles exists in the range of 1.5-1.65. By using glass fine particles formed by mixing metal oxide so that the refractive index is 1.5 to 1.65, by matching the refractive index of the glass powder and the photosensitive organic component, and suppressing light scattering High-precision pattern processing tends to be possible. For example, a glass powder composed of silicon oxide: 22, aluminum oxide: 23, boron oxide: 33, lithium oxide: 9, magnesium oxide: 7, barium oxide: 4 and zinc oxide 2 (% by weight) has a glass transition point of 490. C., softening point: 528.degree. C. and refractive index at g-line wavelength (436 nm): 1.59, and can be preferably used as the glass fine particles of the present invention. More preferably, it is in the range of 1.53 to 1.62.

本発明の感光性ペーストに用いるガラス微粒子として好ましく使用できる低軟化点ガラスは例えば下記の組成(酸化物換算)を有するものである。   The low softening point glass that can be preferably used as the glass fine particles used in the photosensitive paste of the present invention has, for example, the following composition (as oxide).

酸化リチウム、酸化ナトリウム、酸化カリウム
3〜15重量%
酸化ケイ素 5〜30重量%
酸化ホウ素 20〜45重量%
酸化バリウムまたは酸化ストロンチウム
2〜15重量%
酸化アルミニウム 10〜25重量%
酸化マグネシウムまたは酸化カルシウム
2〜15重量%
上記のように、酸化リチウム、酸化ナトリウムまたは酸化カリウムのアルカリ金属酸化物のうち少なくとも1種を用い、その合計量が3〜15重量%、さらには3〜10重量%であることが好ましい。
Lithium oxide, sodium oxide, potassium oxide
3-15% by weight
5-30% by weight of silicon oxide
Boron oxide 20-45% by weight
Barium oxide or strontium oxide
2 to 15% by weight
Aluminum oxide 10-25% by weight
Magnesium oxide or calcium oxide
2 to 15% by weight
As described above, at least one of alkali metal oxides of lithium oxide, sodium oxide or potassium oxide is used, and the total amount is preferably 3 to 15% by weight, more preferably 3 to 10% by weight.

アルカリ金属酸化物は、ガラスの軟化点、熱膨張係数のコントロールを容易にするのみならず、ガラスの屈折率を低くすることができるため、感光性有機成分との屈折率差を小さくすることが容易になる。アルカリ金属酸化物の合計量が3重量%以上とすることでガラスの低軟化点化の効果を得ることができ、15重量%以下とすることでガラスの化学的安定性を維持すると共に熱膨張係数を小さく抑えることができる。アルカリ金属としては、ガラスの屈折率を下げることやイオンのマイグレーションを防止することを考慮するならリチウムを選択するのが好ましい。   Alkali metal oxides not only facilitate the control of the softening point and thermal expansion coefficient of glass, but also can reduce the refractive index of glass, thereby reducing the difference in refractive index from the photosensitive organic component. It becomes easy. By making the total amount of alkali metal oxides 3% by weight or more, the effect of lowering the softening point of the glass can be obtained, and by making it 15% by weight or less, the chemical stability of the glass is maintained and thermal expansion is achieved. The coefficient can be kept small. As the alkali metal, lithium is preferably selected in consideration of lowering the refractive index of the glass and preventing ion migration.

酸化ケイ素の配合量は5〜30重量%が好ましく、より好ましくは10〜30重量%である。酸化ケイ素は、ガラスの緻密性、強度や安定性の向上に有効であり、また、ガラスの低屈折率化にも効果がある。熱膨張係数をコントロールしてガラス基板とのミスマッチによる剥離などを防ぐこともできる。5重量%以上とすることで、熱膨張係数を小さく抑えガラス基板に焼き付けた時にクラックを生じない。また、屈折率を低く抑えることができる。30重量%以下とすることで、ガラス転移点、軟化点を低く抑え、ガラス基板への焼き付け温度を低くすることができる。   The blending amount of silicon oxide is preferably 5 to 30% by weight, more preferably 10 to 30% by weight. Silicon oxide is effective in improving the denseness, strength and stability of glass, and is effective in lowering the refractive index of glass. The thermal expansion coefficient can be controlled to prevent peeling due to mismatch with the glass substrate. By setting the content to 5% by weight or more, the thermal expansion coefficient is kept small, and no cracks occur when baked on a glass substrate. Further, the refractive index can be kept low. By setting it to 30% by weight or less, the glass transition point and the softening point can be kept low, and the baking temperature on the glass substrate can be lowered.

酸化ホウ素は、低屈折率化にも有効であり、20〜45重量%、さらには20〜40重量%の範囲で配合することが好ましい。20重量%以上とすることで、ガラス転移点、荷重軟化点を低く抑えガラス基板への焼き付けを容易にする。また、45重量%以上とすることでガラスの化学的安定性を維持することができる。   Boron oxide is also effective for lowering the refractive index, and is preferably blended in the range of 20 to 45% by weight, more preferably 20 to 40% by weight. By setting it to 20% by weight or more, the glass transition point and the load softening point are kept low, and baking onto the glass substrate is facilitated. Moreover, the chemical stability of glass can be maintained by setting it as 45 weight% or more.

酸化バリウムおよび酸化ストロンチウムのうち少なくとも1種を用い、その合計量が2〜15重量%、さらには2〜10重量%であることが好ましい。これらの成分は、熱膨張係数の調整に有効であり、焼き付け温度の基板の耐熱性への適用、電気絶縁性、形成される隔壁の安定性や緻密性の点でも好ましい。2重量%以上とすることで結晶化による失透を防ぐこともできる。また、15重量%以下とすることにより、熱膨張係数を小さく抑え、屈折率も小さく抑えることができる。またガラスの化学的安定性も維持できる。   It is preferable that at least one of barium oxide and strontium oxide is used, and the total amount is 2 to 15% by weight, more preferably 2 to 10% by weight. These components are effective in adjusting the thermal expansion coefficient, and are preferable in terms of application of the baking temperature to the heat resistance of the substrate, electrical insulation, stability of the partition walls formed, and denseness. By setting the content to 2% by weight or more, devitrification due to crystallization can be prevented. Moreover, by setting it as 15 weight% or less, a thermal expansion coefficient can be restrained small and a refractive index can also be restrained small. Also, the chemical stability of the glass can be maintained.

酸化アルミニウムはガラス化範囲を広げてガラスを安定化する効果があり、ペーストのポットライフ延長にも有効である。10〜25重量%の範囲で配合することが好ましく、この範囲内とすることでガラス転移点、荷重軟化点を低く保ち、ガラス基板上への焼き付けを容易とすることができる。   Aluminum oxide has the effect of expanding the vitrification range and stabilizing the glass, and is effective in extending the pot life of the paste. It is preferable to mix | blend in the range of 10-25 weight%, By making it in this range, a glass transition point and a load softening point can be kept low and baking on a glass substrate can be made easy.

さらに、酸化カルシウムおよび酸化マグネシウムは、ガラスを溶融しやすくすると共に熱膨張係数を制御するために配合されることが好ましい。酸化カルシウムおよび酸化マグネシウムは合計で2〜15重量%配合するのが好ましい。合計量が2重量%以上とすることで結晶化によるガラスの失透を防ぎ、15重量%以下とすることでガラスの化学的安定性を維持することができる。   Furthermore, it is preferable that calcium oxide and magnesium oxide are blended for facilitating melting of the glass and controlling the thermal expansion coefficient. Calcium oxide and magnesium oxide are preferably blended in a total of 2 to 15% by weight. When the total amount is 2% by weight or more, devitrification of the glass due to crystallization can be prevented, and when the total amount is 15% by weight or less, the chemical stability of the glass can be maintained.

また、上記の組成には表記されていないが、酸化亜鉛や酸化チタン、酸化ジルコニウムなどを含有させることも好ましい。   Further, although not described in the above composition, it is also preferable to contain zinc oxide, titanium oxide, zirconium oxide or the like.

ガラス粉末の作製法としては、例えば原料である酸化リチウム、酸化ケイ素、酸化硼素、酸化バリウムおよび酸化アルミニウムなどを所定の配合組成となるように混合し、900〜1200℃で溶融後、急冷し、ガラスフリットにしてから粉砕して1〜5μmの微細な粉末にする。原料は高純度の炭酸塩、酸化物、水酸化物などを使用できる。また、ガラス粉末の種類や組成によっては99.99%以上の超高純度なアルコキシドや有機金属の原料を使用し、ゾル・ゲル法で均質化に作製した粉末を使用すると高電気抵抗で緻密な気孔の少ない、高強度な絶縁層が得られるので好ましい。   As a method for producing the glass powder, for example, raw materials such as lithium oxide, silicon oxide, boron oxide, barium oxide and aluminum oxide are mixed so as to have a predetermined composition, melted at 900 to 1200 ° C., and then rapidly cooled. A glass frit is pulverized to a fine powder of 1 to 5 μm. High purity carbonates, oxides, hydroxides and the like can be used as raw materials. Depending on the type and composition of the glass powder, it is possible to use ultra-pure alkoxides of 99.99% or higher and organic metal raw materials, and to use powders that are homogenized by the sol-gel method. This is preferable because a high-strength insulating layer with few pores can be obtained.

上記において使用されるガラス粉末粒子径は、作製しようとするパターンの形状を考慮して選ばれるが、粉末は、50重量%粒子径(平均粒子径)が2〜3.5μm、トップサイズ15μm以下であることが好ましい。さらに、10重量%粒子径が0.6〜1.5μm、90重量%粒子径が4〜8μm、比表面積1.5〜2.5m2/gを有していることが好ましい。より好ましくは平均粒子径2.5〜3.5μm、比表面積1.7〜2.4m2/gである。この範囲にあると紫外線露光時に光が十分透過し、上下で線幅差の少ない隔壁パターンが得られる。平均粒子径2.0μm以下、比表面積2.5m2/gを越えると粉末が細かくなり過ぎて露光時において光が散乱されて未露光部分を硬化させるので好ましくない。 The particle diameter of the glass powder used in the above is selected in consideration of the shape of the pattern to be produced. The powder has a 50% by weight particle diameter (average particle diameter) of 2 to 3.5 μm and a top size of 15 μm or less. It is preferable that Further, it is preferable that the 10% by weight particle diameter is 0.6 to 1.5 μm, the 90% by weight particle diameter is 4 to 8 μm, and the specific surface area is 1.5 to 2.5 m 2 / g. More preferably, the average particle size is 2.5 to 3.5 μm and the specific surface area is 1.7 to 2.4 m 2 / g. Within this range, light can be sufficiently transmitted at the time of ultraviolet exposure, and a barrier rib pattern having a small line width difference between the upper and lower sides can be obtained. When the average particle size is 2.0 μm or less and the specific surface area exceeds 2.5 m 2 / g, the powder becomes too fine and light is scattered during exposure to cure the unexposed portion, which is not preferable.

また、前面板透明誘電体パターンに用いられる感光性ペーストの無機微粒子として好ましく使用できる低軟化点ガラスは焼成後に透明性を示すものが好ましく、公知のガラス絶縁材料が適用できるが、例えば鉛ホウ珪酸ガラスや、ビスマスホウ珪酸、亜鉛ホウ珪酸などが挙げられる。   Further, the low softening point glass that can be preferably used as the inorganic fine particles of the photosensitive paste used for the transparent dielectric pattern on the front plate is preferably one that exhibits transparency after firing, and a known glass insulating material can be applied. Examples thereof include glass, bismuth borosilicate, and zinc borosilicate.

従って、ガラス粉末が酸化物換算表記で
PbO 0〜80重量%
BiO 0〜80重量%
ZnO 0〜80重量%
の組成範囲からなるものを主成分とし、上記以外のガラス形成成分として
2〜40重量%
SiO 2〜30重量%
BaO 1〜30重量%
の組成範囲からなるものを含有することが好ましい。この範囲であれば、ガラス転移温度が350〜550℃であり、焼成後に可視光透過率の高いガラス粉末が得られる。
Therefore, the glass powder is PbO 0-80% by weight in terms of oxide.
BiO 2 0-80% by weight
ZnO 0-80% by weight
As a glass forming component other than those described above, B 2 O 3 2 to 40% by weight
SiO 2 2-30% by weight
BaO 1-30% by weight
It is preferable to contain what consists of these composition ranges. If it is this range, a glass transition temperature is 350-550 degreeC, and the glass powder with a high visible light transmittance | permeability is obtained after baking.

上記ガラス成分のうち、PbO、BiO、ZnOはガラスを低軟化点化する成分であり、本発明においてはそのいずれか1種は含有しなければならず、その含有量は合計で40〜80重量%であることが好ましい。40重量%未満ではガラス転移温度が550℃以上になり、焼成が困難となる。80重量%より多く含有すると、ガラス化が困難となる他、熱膨張係数が大きくなり、焼成においてクラックが発生する恐れがある。より好ましい含有量は合計で50〜75重量%である。 Among the glass components, PbO, BiO 2 , and ZnO are components that lower the glass softening point, and in the present invention, any one of them must be contained, and the content thereof is 40 to 80 in total. It is preferable that it is weight%. If it is less than 40% by weight, the glass transition temperature becomes 550 ° C. or higher, and firing becomes difficult. If the content is more than 80% by weight, vitrification becomes difficult and the coefficient of thermal expansion increases, which may cause cracks during firing. A more preferable content is 50 to 75% by weight in total.

はガラスを安定化させ、焼成時の流動性を増加させる成分である。また低屈折率化にも有効であり、2〜40重量%の範囲で配合することが好ましく、より好ましくは5〜30重量%である。2重量%以上とすることで、ガラス転移点、荷重軟化点を低く抑えガラス基板への焼き付けを容易にする。また、40重量%以下とすることでガラスの化学的安定性を維持することができる。 B 2 O 3 is a component that stabilizes the glass and increases the fluidity during firing. It is also effective for lowering the refractive index, and it is preferably blended in the range of 2 to 40% by weight, more preferably 5 to 30% by weight. By setting it to 2% by weight or more, the glass transition point and the load softening point are kept low, and baking onto the glass substrate is facilitated. Moreover, the chemical stability of glass can be maintained by setting it as 40 weight% or less.

SiOはガラスの緻密性、強度や安定性の向上に有効であり、また、ガラスの低屈折率化にも効果がある。その配合量は2〜30重量%が好ましい。2重量%以上とすることで、熱膨張係数を小さく抑えガラス基板に焼き付けた時にクラックを生じない。30重量%以下とすることで、ガラス転移点、軟化点を低く抑え、ガラス基板への焼き付け温度を低くすることができる。 SiO 2 is effective in improving the denseness, strength and stability of the glass, and is effective in reducing the refractive index of the glass. The blending amount is preferably 2 to 30% by weight. By making it 2% by weight or more, the thermal expansion coefficient is kept small, and cracks do not occur when baked on a glass substrate. By setting it to 30% by weight or less, the glass transition point and the softening point can be kept low, and the baking temperature on the glass substrate can be lowered.

BaOはガラス化範囲を広くするために有効な成分である。また、熱膨張係数の調整に有効であり、焼き付け温度の基板の耐熱性への適用、電気絶縁性、形成される誘電体パターンの安定性や緻密性の点でも好ましく、1〜30重量%の範囲で配合することが好ましい。より好ましくは2〜25重量%以下である。1重量%以上とすることで結晶化による失透を防ぐこともできる。また、30重量%以下とすることにより、熱膨張係数を小さく抑え、屈折率も小さく抑えることができる。またガラスの化学的安定性も維持できる。   BaO is an effective component for widening the vitrification range. Moreover, it is effective in adjusting the thermal expansion coefficient, and is preferable in terms of application of the baking temperature to the heat resistance of the substrate, electrical insulation, stability of the dielectric pattern to be formed and denseness, and is 1 to 30% by weight. It is preferable to mix in a range. More preferably, it is 2 to 25% by weight or less. By setting the content to 1% by weight or more, devitrification due to crystallization can be prevented. Moreover, by setting it as 30 weight% or less, a thermal expansion coefficient can be restrained small and a refractive index can also be restrained small. Also, the chemical stability of the glass can be maintained.

また、上記以外の成分としてLiO、NaOやKOのアルカリ金属酸化物のうち少なくとも1種を用いて含有してもよい。含有させる場合は、その合計量が25重量%以下であることが好ましい。アルカリ金属酸化物は、ガラスの荷重軟化点、熱膨張係数のコントロールを容易にするのみならず、ガラスの屈折率を低くすることができるため、感光性有機成分との屈折率差を小さくすることが容易になる。アルカリ金属酸化物の合計量が25重量%以下とすることでガラスの化学的安定性を維持すると共に熱膨張係数を小さく抑えることができる。アルカリ金属としては、ガラスの屈折率を下げることやイオンのマイグレーションを防止することを考慮するならリチウムを選択するのが好ましい。 Further, Li 2 O as a component other than the above may contain with at least one of alkali metal oxides Na 2 O and K 2 O. When contained, the total amount is preferably 25% by weight or less. Alkali metal oxide not only facilitates control of the glass load softening point and thermal expansion coefficient, but also reduces the refractive index of the glass, thus reducing the refractive index difference from the photosensitive organic component. Becomes easier. When the total amount of alkali metal oxides is 25% by weight or less, the chemical stability of the glass can be maintained and the thermal expansion coefficient can be kept small. As the alkali metal, lithium is preferably selected in consideration of lowering the refractive index of the glass and preventing ion migration.

上記成分の他にも、低軟化点ガラスの軟化点、熱膨張係数、透明性、安定性、耐候性などを調節するために、CaO、MgO、SrO、Al、TiO、ZrO、CeO、CuOなどを適宜配合してもよい。これらの成分は配合しすぎるとガラスの安定を損なうので、合計量が10重量%以下であることが好ましい。例えば、SiO:11.3、B:33.8、ZnO:40.2、NaO:2.2、KO:12.0、CuO:0.5(重量%)からなるガラス微粒子は、ガラス転移点:459℃、軟化点:561℃、屈折率:1.84を示す。このガラス微粒子は570℃〜590℃の焼結温度範囲で焼結後の透明性が高く(膜厚20μmで全光線透過率80%以上)、マイグレーションの防止等に優れているなどの特徴を有し、より好ましく使用することができる。 In addition to the above components, in order to adjust the softening point, thermal expansion coefficient, transparency, stability, weather resistance, etc. of the low softening point glass, CaO, MgO, SrO, Al 2 O 3 , TiO 2 , ZrO 2 , CeO 2 , CuO or the like may be appropriately blended. If these components are added too much, the stability of the glass is impaired, so the total amount is preferably 10% by weight or less. For example, from SiO 2 : 11.3, B 2 O 3 : 33.8, ZnO: 40.2, Na 2 O: 2.2, K 2 O: 12.0, CuO: 0.5 (% by weight) The resulting glass fine particles exhibit a glass transition point: 459 ° C., a softening point: 561 ° C., and a refractive index: 1.84. This glass fine particle has characteristics such as high transparency after sintering in a sintering temperature range of 570 ° C. to 590 ° C. (total light transmittance of 80% or more at a film thickness of 20 μm) and excellent migration prevention. And it can be used more preferably.

フィラーとしては高軟化点ガラスまたは酸化物をもちいることができる。フィラーもまた感光性ペーストにおける感光性有機成分の屈折率との整合をとり、露光光の散乱を抑えるために、屈折率が1.5〜1.65の範囲内にあることが好ましい。このフィラーの屈折率を上記の範囲内とするために組成を調整した高軟化点ガラス、コーディエライト(2MgO・2Al・5SiO)、セルジアン(BaO・Al・SiO)、アノーサイト(CaO・Al・2SiO)、ステアタイト(MgO−SiO)、スポジュウメン(LiO・Al・4SiO)およびフォルステライト(2MgO・SiO)、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化イットリウム、酸化セリウム、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、酸化マンガン、酸化銅、酸化鉄、酸化ホルミウム、酸化鉛、酸化錫を用いることができる。高軟化点ガラスとしては、ガラス転移点500〜1200℃、荷重軟化点550〜1200℃を有するものが好ましい。高軟化点ガラスの組成はこれに限定されるものではないが、例えば以下のような酸化物換算組成のものを用いることができる。 As the filler, high softening point glass or oxide can be used. The filler also preferably has a refractive index in the range of 1.5 to 1.65 in order to match the refractive index of the photosensitive organic component in the photosensitive paste and to suppress exposure light scattering. High softening point glass, cordierite (2MgO · 2Al 2 O 3 · 5SiO 2 ), Celsian (BaO · Al 2 O 3 · SiO 2 ) whose composition is adjusted so that the refractive index of the filler is within the above range. , Anorthite (CaO · Al 2 O 3 · 2SiO 2 ), steatite (MgO—SiO 2 ), spodumene (LiO 2 · Al 2 O 3 · 4SiO 2 ) and forsterite (2MgO · SiO 2 ), silicon oxide, Aluminum oxide, titanium oxide, zirconium oxide, yttrium oxide, cerium oxide, magnesium oxide, zinc oxide, manganese oxide, copper oxide, iron oxide, holmium oxide, lead oxide, and tin oxide can be used. As a high softening point glass, what has a glass transition point of 500-1200 degreeC and a load softening point of 550-1200 degreeC is preferable. Although the composition of high softening point glass is not limited to this, For example, the thing of the following oxide conversion compositions can be used.

酸化ケイ素 15〜50重量%
酸化ホウ素 5〜20重量%
酸化バリウム 2〜10重量%
酸化アルミニウム 15〜50重量%。
Silicon oxide 15-50% by weight
Boron oxide 5-20% by weight
Barium oxide 2-10% by weight
Aluminum oxide 15-50% by weight.

さらに具体的には、例えば、酸化ケイ素38重量%、酸化ホウ素10重量%、酸化バリウム5重量%、酸化アルミニウム36重量%で、その他の成分として酸化カルシウム、酸化亜鉛、酸化マグネシウムを少量ずつ含有するガラス転移点625℃、軟化点750℃の高軟化点ガラスの屈折率は1.59であり、これは本発明で好ましく使用される低軟化点ガラスの屈折率と同等である。   More specifically, for example, 38% by weight of silicon oxide, 10% by weight of boron oxide, 5% by weight of barium oxide, 36% by weight of aluminum oxide, and other components containing calcium oxide, zinc oxide, and magnesium oxide in small amounts. The refractive index of the high softening point glass having a glass transition point of 625 ° C. and a softening point of 750 ° C. is 1.59, which is equivalent to the refractive index of the low softening point glass preferably used in the present invention.

また、放電の安定性に寄与するという面でフィラーとして酸化マグネシウムを含有させることも好ましい。   Moreover, it is also preferable to contain magnesium oxide as a filler in terms of contributing to discharge stability.

以下に本発明を実施例を用いて具体的に説明する。ただし、本発明はこれに限定されるものではない。なお、実施例中の濃度(%)は特に断らない限り、重量%である。まず、屈折率測定、ガラス軟化点の測定、パターン形状の評価方法について説明する。
(屈折率測定)
有機成分の屈折率は、ペースト中の有機成分だけを調整して、塗布および乾燥工程後に、エリプソメトリー法によって、25℃における436nmの波長の光に関して測定を行った。ガラスの屈折率は、液浸法により測定した。ガラス粒子を幾つかの屈折率浸液に浸し、光学顕微鏡で粒子と浸液との境界に発生するベッケ線が消失したときの浸液の屈折率をガラスの屈折率とした。
(ガラスの軟化点の測定)
ガラスを試料ホルダーに封入し、示差走査熱量計(“DSC−600E”島津製作所製)を用い、10℃/分で30℃から700℃まで昇温した。得られた吸熱ピークのピークトップの温度をガラス軟化点とした。
(パターン形状の評価)
基板を切断して小片にし、ストライプパターンの長手方向と垂直な断面を走査型電子顕微鏡(日立製作所S2400)で観察した。
(ペーストの作製方法)
有機成分の各成分を混合、溶解し、その後、ガラス微粒子を添加し、3本ローラーで混練することによってガラス微粒子および有機成分からなるペーストを作成した。ペーストは遠心脱泡機により脱泡した。
Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to examples. However, the present invention is not limited to this. In the examples, the concentration (%) is% by weight unless otherwise specified. First, a refractive index measurement, a glass softening point measurement, and a pattern shape evaluation method will be described.
(Refractive index measurement)
The refractive index of the organic component was measured with respect to light having a wavelength of 436 nm at 25 ° C. by an ellipsometry method after adjusting the organic component in the paste and applying and drying steps. The refractive index of the glass was measured by a liquid immersion method. The glass particles were immersed in several refractive index immersion liquids, and the refractive index of the immersion liquid when the Becke line generated at the boundary between the particles and the immersion liquid disappeared with an optical microscope was defined as the refractive index of the glass.
(Measurement of glass softening point)
Glass was sealed in a sample holder, and the temperature was raised from 30 ° C. to 700 ° C. at 10 ° C./min using a differential scanning calorimeter (“DSC-600E” manufactured by Shimadzu Corporation). The temperature at the peak top of the obtained endothermic peak was defined as the glass softening point.
(Evaluation of pattern shape)
The substrate was cut into small pieces, and a cross section perpendicular to the longitudinal direction of the stripe pattern was observed with a scanning electron microscope (Hitachi, Ltd. S2400).
(Paste preparation method)
Each component of the organic component was mixed and dissolved, then glass fine particles were added and kneaded with three rollers to prepare a paste composed of the glass fine particles and the organic component. The paste was defoamed with a centrifugal defoamer.

用いたガラス微粒子1、2、フィラーの組成を表1に、有機成分1、2の組成を表2に示す。表2中の有機成分の詳細は以下の通りである。   Table 1 shows the composition of the glass particles 1 and 2 and the filler used, and Table 2 shows the composition of the organic components 1 and 2. The details of the organic components in Table 2 are as follows.

Figure 2006128092
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Figure 2006128092
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ポリマー1:メタクリル酸/メタクリル酸メチル/スチレン=40/30/30からなる共重合体のカルボキシル基に対して0.4当量のグリシジルメタクリル酸メチルを付加反応させたもの(重量平均分子量43000、酸価100)。
ポリマー2:エチルセルロース
ポリマー3:アクリル酸30%、メチルメタクリレート40%、グリセリンモノアクリレート30%からなる共重合体のカルボキシル基に対して0.9モル当量のグリシジルメタクリレートを付加反応させた感光性アクリル系重合体。酸価10mgKOH/g、重量平均分子量9000。
モノマー:ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート
IC369:2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルフォリノフェニル)ブタノン−1
スダン:アゾ系赤色染料、C2420
γ−BL:γ−ブチロラクトン
(実施例1)
ペーストP1を5インチ角のガラス基板(PD−200;旭硝子(株)製)上に、スリットダイコーターを用いて90μmの塗布厚みになるように塗布を行った後、70℃で30分乾燥した。乾燥後塗布厚みは50μmとなった。
Polymer 1: 0.4-equivalent methyl glycidyl methacrylate added to the carboxyl group of a copolymer of methacrylic acid / methyl methacrylate / styrene = 40/30/30 (weight average molecular weight 43,000, acid Value 100).
Polymer 2: Ethyl cellulose Polymer 3: Photosensitive acrylic system obtained by addition reaction of 0.9 molar equivalent of glycidyl methacrylate to the carboxyl group of a copolymer consisting of 30% acrylic acid, 40% methyl methacrylate and 30% glycerin monoacrylate Polymer. Acid value 10 mgKOH / g, weight average molecular weight 9000.
Monomer: Dipentaerythritol hexaacrylate IC 369: 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) butanone-1
Sudan: Azo-based red dye, C 24 H 20 N 4 O
γ-BL: γ-butyrolactone (Example 1)
The paste P1 was applied on a 5 inch square glass substrate (PD-200; manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.) to a coating thickness of 90 μm using a slit die coater, and then dried at 70 ° C. for 30 minutes. . The coating thickness after drying was 50 μm.

次に、フォトマスクを介して露光を行った。フォトマスクとして、ストライプパターンのエマルジョンマスクを用いた。この時、マスクが汚染されるのを防ぐためマスクと塗布面に100μmのギャップを設けた。露光は、400mJ/cm2 で紫外線露光を行った。その後、35℃に保持したpH=7.0の純水をシャワーで30秒間かけることにより現像を行い、光硬化していない部分を除去してガラス基板上にパターンを形成した。 Next, exposure was performed through a photomask. A stripe pattern emulsion mask was used as the photomask. At this time, in order to prevent the mask from being contaminated, a gap of 100 μm was provided between the mask and the coating surface. The exposure was performed by ultraviolet exposure at 400 mJ / cm 2 . Thereafter, development was performed by applying pure water having a pH of 7.0 maintained at 35 ° C. for 30 seconds in a shower, and a portion not photocured was removed to form a pattern on the glass substrate.

頂部での光散乱が大きくなるように、高屈折率のガラス微粒子A1を用いたペーストでパターン加工を行い、現像後にテーパー角が135度の逆テーパーのパターンを得た。   Pattern processing was performed with a paste using glass fine particles A1 having a high refractive index so that light scattering at the top portion was increased, and a reverse taper pattern having a taper angle of 135 degrees after development was obtained.

さらに、得られたガラス基板を80℃で5分乾燥した後、最高温度580℃(最高温度保持時間15分)で焼成した。フィラーを含まないことから、焼成時に逆テーパーの形状がだれ、焼成後のテーパー角が60度の台形パターンを得た。
(実施例2)
ペーストP2を用いることと、紫外線露光の露光量を200mJ/cm2、現像時間を10秒とした以外は実施例1と同様の方法でパターンを形成した。紫外線露光の露光量を最適露光量(400mJ/cm2)よりも低い露光量で光硬化を制御し、現像によって底部を削り、テーパー角が130度の逆テーパーのパターンを得た。焼成後はテーパー角が50度の台形パターンを得た。
(比較例1)
紫外線露光の露光量を400mJ/cm2、現像時間を15秒とした以外は実施例2と同様の方法でパターンを形成した。現像後、テーパー角が85度の矩形パターンとなり、焼成後は形状不良パターンとなった。
(実施例3)
ペーストP3を5インチ角のガラス基板(PD−200;旭硝子(株)製)上に、スリットダイコーターを用いて90μmの塗布厚みになるように塗布を行った後、70℃で30分乾燥した。乾燥後塗布厚みは50μmとなった。
Further, the obtained glass substrate was dried at 80 ° C. for 5 minutes, and then fired at a maximum temperature of 580 ° C. (maximum temperature holding time of 15 minutes). Since the filler was not included, a reverse taper shape was obtained during firing, and a trapezoidal pattern having a taper angle of 60 degrees after firing was obtained.
(Example 2)
A pattern was formed in the same manner as in Example 1 except that the paste P2 was used, the exposure amount of ultraviolet exposure was 200 mJ / cm 2 , and the development time was 10 seconds. Photocuring was controlled with an exposure amount of ultraviolet exposure lower than the optimum exposure amount (400 mJ / cm 2 ), and the bottom was shaved by development to obtain a reverse taper pattern with a taper angle of 130 degrees. After firing, a trapezoidal pattern with a taper angle of 50 degrees was obtained.
(Comparative Example 1)
A pattern was formed in the same manner as in Example 2 except that the exposure amount of ultraviolet exposure was 400 mJ / cm 2 and the development time was 15 seconds. After development, it became a rectangular pattern with a taper angle of 85 degrees, and after baking, it became a defective pattern.
(Example 3)
The paste P3 was applied on a 5-inch square glass substrate (PD-200; manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.) to a coating thickness of 90 μm using a slit die coater, and then dried at 70 ° C. for 30 minutes. . The coating thickness after drying was 50 μm.

その上にドライフィルム状のネガ型感光性レジスト材を、ラミネータを用いて80〜100℃程度の温度で圧着し、パターン露光及び現像処理を行いサンドブラストマスクを形成した。   A dry film negative photosensitive resist material was pressure-bonded thereon at a temperature of about 80 to 100 ° C. using a laminator, and pattern exposure and development treatment were performed to form a sandblast mask.

次にその基板をサンドブラスト法によって吹き付け切削を行った。その後パターンマスクのドライフィルムを剥離液で除去し、充分乾燥した。サンドブラストを行う際に、角度を垂直方向から左右にそれぞれ30度ずつずらして粉体を吹き付け、テーパー角が120度の逆テーパーのパターンを得た。   Next, the substrate was blown and cut by a sandblast method. Thereafter, the dry film of the pattern mask was removed with a peeling solution and sufficiently dried. During sandblasting, the angle was shifted 30 degrees from the vertical direction to the left and right, and the powder was sprayed to obtain a reverse taper pattern with a taper angle of 120 degrees.

さらに、得られたガラス基板を最高温度580℃(最高温度保持時間15分)で焼成した。フィラーを含まないことから、焼成時に逆テーパーの形状がだれ、テーパー角が45度の台形パターンが得られた。しかしながら、実施例1や2よりも工程数が増えるため生産性が悪い。
(実施例4)
ガラス微粒子A2とフィラーの割合が重量%で80:20のペーストP4を用いることと、サンドブラストの吹きつけ角度を10度にしたこと以外は実施例3と同様の方法でパターンを形成した。サンドブラスト後にテーパー角が100度の逆テーパー形状となり、焼成後にテーパー角が80度の台形形状を得た。フィラーを含むため実施例1〜3よりもだれが小さかった。
(実施例5)
ガラス微粒子A2とフィラーの割合が重量%で90:10のペーストP5を用いること以外は実施例4と同様の方法でパターンを形成した。サンドブラスト後にテーパー角が100度の逆テーパー形状となり、焼成後にテーパー角が65度の台形形状を得た。フィラー量が実施例4よりも少ないため、実施例4よりもだれが大きかった。
(比較例2)
ガラス微粒子A2とフィラーの割合が重量%で70:30のペーストP6を用いること以外は実施例4と同様の方法でパターンを形成した。フィラーの割合が多いため焼成不足となり、テーパー角が100度の逆テーパー形状を保持した。
Further, the obtained glass substrate was fired at a maximum temperature of 580 ° C. (maximum temperature holding time of 15 minutes). Since the filler was not included, a reverse tapered shape was formed during firing, and a trapezoidal pattern having a taper angle of 45 degrees was obtained. However, since the number of processes is increased as compared with Examples 1 and 2, the productivity is poor.
Example 4
A pattern was formed in the same manner as in Example 3 except that the paste P4 having a weight ratio of glass fine particles A2 and filler of 80:20 was used and that the sandblasting spray angle was 10 degrees. After sandblasting, an inverted taper shape with a taper angle of 100 degrees was obtained, and after firing, a trapezoidal shape with a taper angle of 80 degrees was obtained. Since the filler was included, who was smaller than Examples 1-3.
(Example 5)
A pattern was formed in the same manner as in Example 4 except that paste P5 having a ratio of glass fine particles A2 to filler of 90:10 in terms of% by weight was used. After sandblasting, an inverted taper shape with a taper angle of 100 degrees was obtained, and after firing, a trapezoidal shape with a taper angle of 65 degrees was obtained. Since the amount of filler was less than in Example 4, the amount of filler was greater than in Example 4.
(Comparative Example 2)
A pattern was formed in the same manner as in Example 4 except that paste P6 in which the ratio of glass fine particles A2 to filler was 70% by weight was used. Since the ratio of the filler was large, firing was insufficient, and an inverted taper shape having a taper angle of 100 degrees was maintained.

実施例1〜5、比較例1〜2で用いたペーストのガラス微粒子、有機成分を表3に、結果を表4に示した。   Table 3 shows the glass fine particles and organic components of the pastes used in Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 and 2, and Table 4 shows the results.

Figure 2006128092
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Figure 2006128092
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(実施例6)
ペーストP4を5インチ角のガラス基板(PD−200;旭硝子(株)製)上に、スリットダイコーターを用いて300μmの塗布厚みになるように塗布を行った後、100℃で90分乾燥した。乾燥後塗布厚みは180μmとなった。
(Example 6)
The paste P4 was applied on a 5-inch square glass substrate (PD-200; manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.) using a slit die coater to a coating thickness of 300 μm, and then dried at 100 ° C. for 90 minutes. . The coating thickness after drying was 180 μm.

その上にドライフィルム状のネガ型感光性レジスト材を、ラミネータを用いて80〜100℃程度の温度で圧着し、パターン露光及び現像処理を行いサンドブラストマスクを形成した。   A dry film negative photosensitive resist material was pressure-bonded thereon at a temperature of about 80 to 100 ° C. using a laminator, and pattern exposure and development treatment were performed to form a sandblast mask.

次にその基板をサンドブラスト法によって吹き付け切削を行った。その後パターンマスクのドライフィルムを剥離液で除去し、充分乾燥した。サンドブラストを行う際に、角度を垂直方向から左右にそれぞれ10度ずつずらして粉体を吹き付け、テーパー角が100度の逆テーパーのパターンを得た。   Next, the substrate was blown and cut by a sandblast method. Thereafter, the dry film of the pattern mask was removed with a peeling solution and sufficiently dried. When sandblasting, the powder was sprayed by shifting the angle from the vertical direction to the left and right by 10 degrees to obtain a reverse taper pattern with a taper angle of 100 degrees.

さらに、得られたガラス基板を最高温度580℃(最高温度保持時間15分)で焼成し、焼成後にテーパー角が80度の台形形状を得た。

(実施例7)
340×260×2.8mmサイズのガラス基板(旭硝子(株)製“PD−200”)を使用してAC(交流)型プラズマディスプレイパネルの背面板を形成した。
Furthermore, the obtained glass substrate was fired at a maximum temperature of 580 ° C. (maximum temperature holding time of 15 minutes), and a trapezoidal shape having a taper angle of 80 degrees was obtained after baking.

(Example 7)
A back plate of an AC (alternating current) type plasma display panel was formed using a glass substrate having a size of 340 × 260 × 2.8 mm (“PD-200” manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.).

基板上に、ピッチ140μm、線幅60μm、焼成後厚み4μmのストライプ状電極と、厚み10μmの誘電体層を形成した。次いで、実施例5と同様の方法で隔壁パターンを形成した。   A striped electrode having a pitch of 140 μm, a line width of 60 μm, a thickness of 4 μm after firing, and a dielectric layer having a thickness of 10 μm were formed on the substrate. Next, a barrier rib pattern was formed in the same manner as in Example 5.

隔壁間に、上記蛍光体ペーストをスクリーン印刷法により塗布したが、繊維くず以外のスクリーン版の詰りなどは発生せず、安定して連続的に製造することができた。ダイレクト塗布法でも同様に安定した製造ができた。その後、乾燥、焼成(500℃、30分)して隔壁の側面および底部に蛍光体層を形成した。   The phosphor paste was applied between the barrier ribs by screen printing, but the screen plate other than the fiber waste was not clogged, and it could be produced stably and continuously. The direct coating method was able to produce a stable production as well. Then, it dried and baked (500 degreeC, 30 minutes), and formed the fluorescent substance layer in the side and bottom part of a partition.

前面ガラス基板を作製し、前記の背面ガラス基板と貼り合わせ封着した後、放電用ガスを封入し、駆動回路を接合してPDPを作製した。このパネルに電圧を印加して表示を観察した。表1のいずれのペーストを用いたものも輝度が明るく、かつ表示不良のない良好なディスプレイを得ることができた。
(実施例8)
ペーストP7を用いることと、現像時間を15秒とした以外は実施例1と同様の方法でパターンを形成した。テーパー角が135度の逆テーパーパターンを得た。焼成後にテーパー角60度の台形パターンを得た。
(実施例9)
ペーストP8を用いること以外は実施例8と同様の方法でパターンを作成した。テーパー角が130度の逆テーパーパターンを得た。焼成後にテーパー角65度の台形パターンを得た。
A front glass substrate was prepared and bonded and sealed to the back glass substrate, and then a discharge gas was sealed, and a driving circuit was joined to prepare a PDP. A voltage was applied to this panel to observe the display. Those using any of the pastes in Table 1 had a bright brightness and a good display free from display defects.
(Example 8)
A pattern was formed in the same manner as in Example 1 except that the paste P7 was used and the development time was 15 seconds. A reverse taper pattern with a taper angle of 135 degrees was obtained. After firing, a trapezoidal pattern with a taper angle of 60 degrees was obtained.
Example 9
A pattern was prepared in the same manner as in Example 8 except that the paste P8 was used. A reverse taper pattern having a taper angle of 130 degrees was obtained. After firing, a trapezoidal pattern with a taper angle of 65 degrees was obtained.

テーパー角を示す図である。It is a figure which shows a taper angle. 逆テーパー形状から、焼成後に台形形状になる図である。It is a figure which becomes trapezoid shape after baking from reverse taper shape. 塗布膜にサンドブラストを行う図である。It is a figure which performs sandblasting to a coating film. 塗布膜を最適露光量で露光し、現像後に矩形パターンを形成する図である。It is a figure which exposes a coating film by optimal exposure amount, and forms a rectangular pattern after image development. 塗布膜を最適露光量の50%〜70%で露光し、現像後に逆テーパーパターンを形成する図である。It is a figure which exposes a coating film by 50 to 70% of optimal exposure amount, and forms a reverse taper pattern after image development. 高屈折率のガラス微粒子を含む塗布膜を、露光、現像し逆テーパーパターンを形成する図である。It is a figure which forms the reverse taper pattern by exposing and developing the coating film containing the glass fine particle of high refractive index.

符号の説明Explanation of symbols

1:パターン
2:逆テーパーパターン
3:基板
4:台形パターン
5:サンドブラストの吹きつけ
6:サンドブラストマスク
7:ペースト塗布膜
8:露光マスク
9:露光光
10:露光部
11:現像液
1: Pattern 2: Reverse taper pattern
3: Substrate 4: Trapezoid pattern 5: Spraying sandblast 6: Sandblast mask 7: Paste coating film 8: Exposure mask 9: Exposure light 10: Exposure part 11: Developer

Claims (5)

無機微粒子と有機成分を含有するペーストを塗布、パターン形成後、焼成を行うパターン形成方法において、無機微粒子としてガラス軟化点が350℃〜550℃のガラス微粒子を80〜100重量%、かつフィラーを0〜20重量%含有するペーストを塗布し、その後逆テーパー形状にパターン形成し、さらに焼成を行って矩形又は台形のパターンを形成することを特徴とするパターン形成方法。 In a pattern forming method in which a paste containing inorganic fine particles and an organic component is applied, baked after forming a pattern, 80 to 100% by weight of glass fine particles having a glass softening point of 350 ° C. to 550 ° C. and 0% filler as inorganic fine particles A pattern forming method, wherein a paste containing ˜20% by weight is applied, and thereafter a pattern is formed in a reverse taper shape, followed by baking to form a rectangular or trapezoidal pattern. パターン形成の方法がフォトリソグラフィー法であることを特徴とする請求項1記載のパターン形成方法。 2. The pattern forming method according to claim 1, wherein the pattern forming method is a photolithography method. ペーストの有機成分の屈折率とガラス微粒子の屈折率の差が0.1より大きいことを特徴とする請求項1または2記載のパターン形成方法。 3. The pattern forming method according to claim 1, wherein the difference between the refractive index of the organic component of the paste and the refractive index of the glass fine particles is larger than 0.1. 請求項1〜3のいずれかに記載のパターン形成方法を用いることを特徴とするプラズマディスプレイ部材の製造方法。 A method for producing a plasma display member, wherein the pattern forming method according to claim 1 is used. 請求項4に記載のプラズマディスプレイ部材の製造方法を用いることを特徴とするプラズマディスプレイの製造方法。 A method for manufacturing a plasma display, wherein the method for manufacturing a plasma display member according to claim 4 is used.
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