JP2006101395A - Radiation image detector - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To enable properly eliminating a noise signal generated due to parasitic capacitance formed near a cross point between a gate control signal line and an electric charge signal line, with a simple and inexpensive configuration, in a radiation image detector of an TFT reading system. <P>SOLUTION: The radiation image detector is provided with electric charge detecting elements 12c for accumulating electric charges generated by irradiation of radiation, gate control signal lines 13 to which a gate control signal for controlling switch elements 12b of the elements 12c is applied, and electric charge signal lines 14 from which the electric charge signals accumulated in charge accumulating units 12a of the element 12c flow. In this detector, a delay circuit 16 for delaying the rise time of the gate control signal is provided for each switch element 12b of the element 12c, and an electric charge signal Q<SB>S</SB>flowing to the lines 14 after the rise time elapses is detected, and thus, the electric charge signal Q<SB>S</SB>is detected at a timing different from that of a noise signal Q<SB>N</SB>generated at an output start time point of the gate control signal. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、放射線画像を担持した放射線の照射を受けて電荷を発生して蓄積し、その蓄積された電荷を画像信号として検出する放射線画像検出器に関するものである。   The present invention relates to a radiographic image detector that generates and accumulates charges upon irradiation with radiation carrying a radiographic image and detects the accumulated charges as an image signal.

従来、医療分野などにおいて、被写体を透過した放射線の照射を受けて被写体に関する放射線画像を記録し、その記録された放射線画像に応じた画像信号を検出する放射線画像検出器が各種提案、実用化されている。   Conventionally, in the medical field and the like, various radiation image detectors that record radiation images related to a subject by receiving radiation that has passed through the subject and detect an image signal corresponding to the recorded radiation image have been proposed and put into practical use. ing.

上記放射線画像検出器としては、たとえば、放射線の照射により電荷を発生する半導体材料を利用した放射線画像検出器があり、そのような放射線画像検出器として、いわゆるTFT読取方式のものが提案されている。   As the radiation image detector, for example, there is a radiation image detector using a semiconductor material that generates an electric charge by irradiation of radiation, and a so-called TFT reading type is proposed as such a radiation image detector. .

TFT読取方式の放射線画像検出器としては、たとえば、放射線の照射を受けて電荷を発生する電荷発生層とその電荷発生層において発生した電荷を蓄積する電荷検出層とが積層された放射線画記録媒体と、その放射線画像記録媒体から流れ出した電荷信号を検出するチャージアンプなどから構成される検出部とを備えたものが提案されている。   As a radiographic image detector of a TFT reading system, for example, a radiation image recording medium in which a charge generation layer that generates charges upon irradiation with radiation and a charge detection layer that accumulates charges generated in the charge generation layer are laminated And a detection unit including a charge amplifier that detects a charge signal flowing out from the radiation image recording medium has been proposed.

そして、上記放射線画像記録媒体における電荷検出層は、具体的には、電荷発生層において発生した電荷を蓄積する蓄電部およびその蓄電部に蓄積された電荷信号を読み出すTFTスイッチ素子を有する電荷検出素子を多数備えており、この電荷検出素子は直交する方向に2次元状に配列されている。そして、さらに、電荷検出層は、電荷検出素子の列毎に並列して設けられた多数の電荷信号線と、電荷信号線に直交して、電荷検出素子の行毎に並列して設けられた多数のゲート制御信号線とを備えている。   The charge detection layer in the radiation image recording medium is specifically a charge detection element having a power storage unit that stores the charges generated in the charge generation layer and a TFT switch element that reads a charge signal stored in the power storage unit. The charge detection elements are two-dimensionally arranged in the orthogonal direction. Further, the charge detection layer is provided in parallel to each of the charge detection elements in a row perpendicular to the charge signal lines and a large number of charge signal lines provided in parallel for each column of the charge detection elements. And a large number of gate control signal lines.

そして、上記のようにして構成された放射線画像検出器を用いて放射線画像の記録を行う際には、まず、電荷発生層に放射線画像を担持した放射線が照射され、電荷発生層において発生した電荷が電荷検出層における蓄電部に蓄積されることにより放射線画像の記録が行われる。そして、放射線画像の読取りを行う際には、ゲートドライバからゲート制御信号線に選択的にゲート制御信号が出力され、そのゲート制御信号に応じてゲート制御信号線に接続された電荷検出素子のTFTスイッチ素子がオンされ、その電荷検出素子の蓄電部から電荷信号が電荷検出素子に流れ出す。そして、その電荷信号線に流れ出した電荷信号は、電荷信号線に接続されたチャージアンプなどにより画像信号として検出され、放射線画像の読取りが行われる。   When recording a radiographic image using the radiographic image detector configured as described above, first, the charge generation layer is irradiated with radiation carrying the radiographic image, and the charge generated in the charge generation layer is generated. Is stored in the power storage unit in the charge detection layer, whereby a radiographic image is recorded. When the radiation image is read, a gate control signal is selectively output from the gate driver to the gate control signal line, and the TFT of the charge detection element connected to the gate control signal line according to the gate control signal The switch element is turned on, and a charge signal flows from the power storage unit of the charge detection element to the charge detection element. The charge signal that has flowed out to the charge signal line is detected as an image signal by a charge amplifier connected to the charge signal line, and the radiation image is read.

ここで、上記のような放射線画像検出器においては、ゲート制御信号線と電荷検出信号線とが絶縁層を介して直交して設けられているため、ゲート制御信号線と電荷検出信号線との交差点近傍において寄生容量が形成される。そして、上記のように放射線画像の読取りを行う際にゲート制御信号線にゲート制御信号が流されると、ゲート制御信号線と電荷検出信号線との間で電位差が発生し、上記寄生容量に電荷が蓄積され、その電荷がノイズ信号として電荷信号線に流れ出し、このノイズ信号が電荷検出素子の蓄電部から流れ出した電荷信号に加算されてしまう。   Here, in the radiation image detector as described above, since the gate control signal line and the charge detection signal line are provided orthogonally via the insulating layer, the gate control signal line and the charge detection signal line are separated from each other. Parasitic capacitance is formed in the vicinity of the intersection. When a radiographic image is read as described above, if a gate control signal is passed through the gate control signal line, a potential difference is generated between the gate control signal line and the charge detection signal line, and the parasitic capacitance is charged. Is accumulated, and the charge flows out to the charge signal line as a noise signal, and this noise signal is added to the charge signal flowing out from the power storage unit of the charge detection element.

そこで、たとえば、特許文献1においては、ゲート制御信号線とは別に、電荷信号線に直交するノイズ補償信号線を絶縁層を介して設けるとともに、そのノイズ補償信号線と電荷信号線とに接続されたTFTスイッチ素子とそのTFTスイッチ素子に接続されたダミー容量とを設け、ゲート制御信号線にゲート制御信号を出力する際、上記ノイズ補償信号線にも上記ゲート制御信号とは逆極性の信号を出力し、その逆極性の信号に応じて電荷信号線とノイズ補償信号線との交差点近傍で発生したノイズ補償信号を上記ダミー容量に蓄積し、その蓄積されたノイズ補償信号をTFTスイッチ素子を介して電荷信号線に流すことにより、上記ノイズ信号を取り除く方法が提案されている。   Therefore, for example, in Patent Document 1, a noise compensation signal line orthogonal to the charge signal line is provided via an insulating layer separately from the gate control signal line, and is connected to the noise compensation signal line and the charge signal line. TFT switching element and a dummy capacitor connected to the TFT switching element are provided, and when a gate control signal is output to the gate control signal line, a signal having a polarity opposite to that of the gate control signal is also applied to the noise compensation signal line. The noise compensation signal generated near the intersection of the charge signal line and the noise compensation signal line according to the signal of the opposite polarity is accumulated in the dummy capacitor, and the accumulated noise compensation signal is passed through the TFT switch element. There has been proposed a method of removing the noise signal by flowing it through a charge signal line.

特開2004−37382号公報JP 2004-37382 A

しかしながら、上記特許文献1に記載のノイズ補償信号線は、ゲート制御信号線が配置された領域とは別の領域に設けられており、ゲート制御信号線およびノイズ補償信号線と電荷信号線との間の絶縁層の厚さには面内バラツキがあるため、ゲート制御信号線と電荷信号線との交差点近傍に形成される寄生容量と、ノイズ補償信号線と電荷信号線との交差点近傍に形成される寄生容量とはその大きさが異なる。したがって、上記ノイズ信号と上記ノイズ補償信号の大きさが異なり、上記ノイズ信号を適切に取り除くことができず、電荷信号中にノイズ信号が残ってしまう。また、上記のような逆極性の信号をノイズ補償信号線に出力するゲートドライバを別個に設ける必要があるため、回路が複雑になり、高コストになる。   However, the noise compensation signal line described in Patent Document 1 is provided in a region different from the region where the gate control signal line is disposed, and the gate control signal line, the noise compensation signal line, and the charge signal line are not provided. Because there is in-plane variation in the thickness of the insulating layer between them, parasitic capacitance formed near the intersection between the gate control signal line and the charge signal line and formed near the intersection between the noise compensation signal line and the charge signal line The size of the parasitic capacitance is different. Therefore, the magnitudes of the noise signal and the noise compensation signal are different, and the noise signal cannot be appropriately removed, and the noise signal remains in the charge signal. Further, since it is necessary to separately provide a gate driver for outputting a signal having the reverse polarity as described above to the noise compensation signal line, the circuit becomes complicated and the cost is increased.

本発明は、上記事情に鑑み、上記のようなTFT読取方式の放射線画像検出器において、簡易かつ安価な回路構成で、上記のような寄生容量により発生するノイズ信号を適切に取り除くことができる放射線画像検出器を提供することを目的とするものである。   In view of the above circumstances, the present invention provides a radiation image detector capable of appropriately removing the noise signal generated by the parasitic capacitance as described above with a simple and inexpensive circuit configuration in the above-described TFT reading type radiation image detector. An object of the present invention is to provide an image detector.

本発明の放射線画像検出器は、放射線画像を担持した放射線の照射を受けて電荷を発生する電荷発生部と、電荷発生部において発生した電荷を蓄積する蓄電部および蓄電部に蓄積された電荷信号を読み出すスイッチ素子を有し、直交する方向に2次元状に多数配列された電荷検出素子と、上記直交する方向のうちのいずれか一方の方向に配列された電荷検出素子の列毎に並列して設けられた、電荷信号が流れ出す多数の電荷信号線と、上記直交する方向のうちの他方の方向に配列された電荷検出素子の行毎に並列して設けられた、スイッチ素子をオンオフ制御するゲート制御信号が出力される多数のゲート制御信号線とを有する放射線画像記録媒体と、放射線画像記録媒体の電荷信号線に流れ出した電荷信号を検出する検出部とを備えた放射線画像検出器において、放射線画像記録媒体が、電荷検出素子のスイッチ素子毎に設けられた、各スイッチ素子をオン状態とするゲート制御信号の立ち上がり時間を遅延させる多数の遅延回路を有し、検出部が、立ち上がり時間経過時以後に電荷信号線に流れ出した電荷信号を検出するものであることを特徴とする。   The radiation image detector of the present invention includes a charge generation unit that generates charges upon irradiation with radiation carrying a radiographic image, a power storage unit that stores charges generated in the charge generation unit, and a charge signal stored in the power storage unit. A plurality of charge detection elements arranged two-dimensionally in an orthogonal direction and parallel to each column of charge detection elements arranged in one of the orthogonal directions. ON / OFF control of switching elements provided in parallel for each row of charge detection elements arranged in the other of the orthogonal directions and a large number of charge signal lines from which charge signals flow out is provided. Radiation comprising a radiation image recording medium having a number of gate control signal lines from which a gate control signal is output, and a detector for detecting a charge signal flowing out to the charge signal lines of the radiation image recording medium In the image detector, the radiographic image recording medium has a plurality of delay circuits provided for each switch element of the charge detection element and delays the rising time of the gate control signal for turning on each switch element, Is characterized in that it detects a charge signal that has flowed out to the charge signal line after the rise time has elapsed.

また、上記放射線画像検出器においては、遅延回路を、ローパスフィルタ回路で構成するようにすることができる。   In the radiation image detector, the delay circuit can be constituted by a low-pass filter circuit.

また、検出部を、電荷信号線に流れ出した電荷信号を積分するチャージアンプと、ゲート制御信号線へのゲート制御信号の出力開始後立ち上がり時間経過時前にチャージアンプによる積分を開始し、積分開始後上記立ち上がり時間経過前の間の所定の時点までにチャージアンプにより積分された第1の信号を取得し、積分開始後所定の積分時間経過直前までの間にチャージアンプにより積分された第2の信号を取得し、第2の信号と第1の信号との差を放射線画像を表す画像信号として取得する相関2重サンプリング制御部とを備えたものとすることができる。   In addition, the charge amplifier that integrates the charge signal that has flowed out to the charge signal line, and the integration by the charge amplifier is started before the rise time elapses after the start of the output of the gate control signal to the gate control signal line. After that, a first signal integrated by the charge amplifier until a predetermined time point before the rise time elapses is acquired, and a second signal integrated by the charge amplifier immediately before the predetermined integration time elapses after the integration starts. It is possible to include a correlated double sampling control unit that acquires a signal and acquires a difference between the second signal and the first signal as an image signal representing a radiographic image.

ここで、上記「立ち上がり時間」とは、スイッチ素子にゲート制御信号が印加されてからスイッチ素子がオン状態となるまでの時間のことをいい、上記「立ち上がり時間を遅延させる」とは、ゲート制御信号の立ち上がりに所定の時定数を持たせることをいう。   Here, the “rise time” means the time from when the gate control signal is applied to the switch element until the switch element is turned on. The above “delay the rise time” means the gate control. This means that a predetermined time constant is given to the rising edge of the signal.

また、上記「列」と上記「行」は、直交する2方向を区別するために用いたものであり、たとえば、水平方向または垂直方向といった特定の方向を規定するものでない。   The “column” and the “row” are used to distinguish two orthogonal directions, and do not define a specific direction such as a horizontal direction or a vertical direction.

本発明の放射線画像検出器によれば、電荷検出素子のスイッチ素子毎にゲート制御信号の立ち上がり時間を遅延させる遅延回路を設け、上記立ち上がり時間経過時以後に電荷信号線に流れ出した電荷信号を検出するようにしたので、ゲート制御信号線へゲート制御信号が出力開始された時点において上記寄生容量により発生するノイズ信号と、電荷検出素子の蓄電部に蓄積された電荷信号とを異なるタイミングで電荷信号線に流すことができ、上記ノイズ信号を含まない電荷信号を検出することができる。   According to the radiation image detector of the present invention, a delay circuit that delays the rise time of the gate control signal is provided for each switch element of the charge detection element, and the charge signal that has flowed out to the charge signal line after the rise time elapses is detected. As a result, when the gate control signal starts to be output to the gate control signal line, the noise signal generated by the parasitic capacitance and the charge signal accumulated in the power storage unit of the charge detection element are charged at different timings. A charge signal that does not include the noise signal can be detected.

また、上記放射線画像検出器において、遅延回路を、ローパスフィルタ回路とした場合には、たとえば、抵抗素子とコンデンサとから構成される安価なCR回路で遅延回路を構成することができる。   In the radiation image detector, when the delay circuit is a low-pass filter circuit, the delay circuit can be configured by an inexpensive CR circuit including a resistance element and a capacitor, for example.

以下、図面を参照して本発明の放射線画像検出器の一実施形態について説明する。   Hereinafter, an embodiment of the radiation image detector of the present invention will be described with reference to the drawings.

本放射線画像検出器は、図1に示すように、放射線の照射を受けて電荷を発生する電荷発生層11と電荷発生層11において発生した電荷を蓄積する電荷検出層12とを有する放射線画記録媒体10と、放射線画像記録媒体10から流れ出した電荷信号を検出する、後述する検出部20とを備えている。   As shown in FIG. 1, the radiation image detector includes a charge generation layer 11 that generates a charge upon irradiation of radiation and a charge detection layer 12 that stores a charge generated in the charge generation layer 11. A medium 10 and a detection unit 20 that detects a charge signal flowing out from the radiation image recording medium 10 are described below.

電荷発生層11は、たとえば、放射線の照射を受けて電荷を発生する材料であれば如何なる材料で形成してもよいが、たとえば、量子効率が高く、暗電流の少ないa−Seなどの材料から形成することが望ましい。また、電荷発生層11を、放射線の照射を受けて蛍光を発する蛍光体層と、その蛍光体層から発せられた蛍光の照射を受けて電荷を発生する光導電層との2層から構成するようにしてもよい。   The charge generation layer 11 may be formed of any material as long as it is a material that generates charges when irradiated with radiation. For example, the charge generation layer 11 is made of a material such as a-Se having high quantum efficiency and low dark current. It is desirable to form. The charge generation layer 11 is composed of two layers: a phosphor layer that emits fluorescence when irradiated with radiation, and a photoconductive layer that generates charge when irradiated with fluorescence emitted from the phosphor layer. You may do it.

電荷検出層12は、具体的には、図2に示すように、電荷発生層11において発生した電荷を蓄積する蓄電部12aおよび蓄電部12aに蓄積された電荷信号を読み出すスイッチ素子12bを有する電荷検出素子12cを多数備えており、この電荷検出素子12cは直交する方向に2次元状に配列されている。蓄電部12aはコンデンサであり、スイッチ素子12bはTFTスイッチにより構成されている。   Specifically, as shown in FIG. 2, the charge detection layer 12 includes a power storage unit 12 a that stores the charge generated in the charge generation layer 11 and a switch element 12 b that reads a charge signal stored in the power storage unit 12 a. A large number of detection elements 12c are provided, and the charge detection elements 12c are two-dimensionally arranged in the orthogonal direction. The power storage unit 12a is a capacitor, and the switch element 12b is configured by a TFT switch.

そして、電荷検出層12は、図2に示すように、X方向に配列された電荷検出素子12cの行毎に並列して設けられた多数のゲート制御信号線13と、Y方向に配列された電荷検出素子12cの列毎に並列して設けられた多数の電荷信号線14とを備えている。ゲート制御信号線13には、各ゲート制御信号線13に接続されたスイッチ素子12bをオンオフ制御するためゲート制御信号が流される。また、各電荷信号線14には、各電荷信号線14に接続された蓄電部12aに蓄積された電荷信号が流れ出す。なお、上記ゲート制御信号は、後述するゲートドライバから出力される。   As shown in FIG. 2, the charge detection layer 12 is arranged in the Y direction with a large number of gate control signal lines 13 provided in parallel for each row of the charge detection elements 12c arranged in the X direction. And a large number of charge signal lines 14 provided in parallel for each column of the charge detection elements 12c. A gate control signal is supplied to the gate control signal line 13 in order to turn on / off the switch element 12b connected to each gate control signal line 13. In addition, a charge signal accumulated in the power storage unit 12 a connected to each charge signal line 14 flows out to each charge signal line 14. The gate control signal is output from a gate driver described later.

ゲート制御信号線13と電荷信号線14とは、上記のように直交して設けられているが、これらはその交差点15において接触しておらず、図3に示すように所定の間隔を空けて設けられている。そして、上記間隔の部分には絶縁層が設けられている。   The gate control signal line 13 and the charge signal line 14 are provided orthogonally as described above, but they are not in contact at the intersection 15 and are spaced at a predetermined interval as shown in FIG. Is provided. In addition, an insulating layer is provided at the interval.

ここで、本実施形態の放射線画像記録媒体10には、さらに、図2に示すように、各電荷検出素子12c毎に遅延回路16が設けられている。そして、この遅延回路16は、ローパスフィルタ回路(LPF)であり、抵抗素子とコンデンサとから構成されている。ローパスフィルタの構成については、如何なる既知の構成を採用してもよい。また、本実施形態においては、遅延回路としてローパスフィルタ回路を採用するようにしたが、ゲート制御信号の立ち上がり時間を遅延させる回路であれば如何なる既知の回路を採用するようにしてもよい。なお、遅延回路16は、図2に示すように、ゲート制御信号線13と電荷信号線14と交差しない位置に設けられている。この遅延回路16の作用については後述する。   Here, as shown in FIG. 2, the radiation image recording medium 10 of this embodiment is further provided with a delay circuit 16 for each charge detection element 12c. The delay circuit 16 is a low-pass filter circuit (LPF), and includes a resistance element and a capacitor. Any known configuration may be adopted for the configuration of the low-pass filter. In this embodiment, the low-pass filter circuit is employed as the delay circuit. However, any known circuit may be employed as long as the circuit delays the rise time of the gate control signal. The delay circuit 16 is provided at a position where the gate control signal line 13 and the charge signal line 14 do not intersect, as shown in FIG. The operation of the delay circuit 16 will be described later.

また、検出部20は、多数の差動アンプ21と、ゲートドライバ30と、サンプリング回路40と、マルチプレクサ50と、AD変換器60とを備えている。   The detection unit 20 includes a number of differential amplifiers 21, a gate driver 30, a sampling circuit 40, a multiplexer 50, and an AD converter 60.

各差動アンプ21には、各電荷信号線14が接続されている。差動アンプ21はチャージアンプであり、リセットスイッチ21aと積分用コンデンサ21bとを備えている。   Each charge signal line 14 is connected to each differential amplifier 21. The differential amplifier 21 is a charge amplifier, and includes a reset switch 21a and an integrating capacitor 21b.

ゲートドライバ30は、放射線画像記録媒体10の各ゲート制御信号線13に選択的に順次ゲート制御信号を出力するものである。   The gate driver 30 selectively outputs gate control signals sequentially to each gate control signal line 13 of the radiation image recording medium 10.

サンプリング回路40は、各差動アンプ21から出力された信号を所定のタイミングでサンプリングするものであり、いわゆる相関2重サンプリングを行うものである。その作用については後で詳述する。   The sampling circuit 40 samples the signal output from each differential amplifier 21 at a predetermined timing, and performs so-called correlated double sampling. The operation will be described in detail later.

マルチプレクサ50は、サンプリング回路40から出力されたアナログ画像信号を選択的に切り替えてAD変換器60に出力するものである。   The multiplexer 50 selectively switches the analog image signal output from the sampling circuit 40 and outputs the analog image signal to the AD converter 60.

AD変換器60は、マルチプレクサ50から出力されたアナログ画像信号をデジタル画像信号に変換するものである。   The AD converter 60 converts the analog image signal output from the multiplexer 50 into a digital image signal.

次に、本放射線画像検出器による放射線画像の記録および読取りの作用について説明する。   Next, the operation of recording and reading a radiographic image by the radiographic image detector will be described.

本放射線画像検出器を用いて放射線画像の記録を行う際には、まず、放射線画像記録媒体10の電荷発生層11側から被写体を透過した放射線が照射される。そして、その放射線の照射に応じて電荷発生層11において電荷が発生し、その電荷が電荷検出層12における蓄電部12aに蓄積されることにより放射線画像が蓄積記録される。   When a radiographic image is recorded using this radiographic image detector, first, radiation that has passed through the subject is irradiated from the side of the charge generation layer 11 of the radiographic image recording medium 10. Then, charges are generated in the charge generation layer 11 in response to the irradiation of the radiation, and the charges are accumulated in the power storage unit 12a in the charge detection layer 12, whereby a radiographic image is accumulated and recorded.

次に、上記のようにして蓄積記録された放射線画像を読取る作用について、図4に示すタイミングチャートを参照しながら説明する。なお、図4に示すゲート制御信号線の電圧波形は、図2のA点における電圧波形を示すものであり、スイッチ素子の電圧波形は、図2のB点における電圧波形を示すものであり、電荷信号線の電圧波形は、図2のC点における電圧波形を示すものであり、差動アンプの出力電圧の電圧波形は、図2のD点における電圧波形を示すものである。   Next, the operation of reading the radiation image stored and recorded as described above will be described with reference to the timing chart shown in FIG. The voltage waveform of the gate control signal line shown in FIG. 4 shows the voltage waveform at point A in FIG. 2, and the voltage waveform of the switch element shows the voltage waveform at point B in FIG. The voltage waveform of the charge signal line shows the voltage waveform at point C in FIG. 2, and the voltage waveform of the output voltage of the differential amplifier shows the voltage waveform at point D in FIG.

放射線画像を読取る際には、まず、図4のタイミングチャートに示すように、ゲートドライバ30からゲート制御信号線13の1本にスイッチ素子12bをオン状態にするゲート制御信号が出力される。ゲート制御信号線13に流されたゲート制御信号は、そのゲート制御信号線に接続されたスイッチ素子12bに印加されるが、本実施形態の放射線画像記録媒体10においては、上記のように各スイッチ素子12bに遅延回路16が設けられているので、図4のタイミングチャートに示すように、スイッチ素子12bのゲート端子に印加されるゲート制御信号の電圧は、その立ち上がりにおいて時定数をもち、立ち上がり時間が遅延される。   When reading a radiation image, first, as shown in the timing chart of FIG. 4, a gate control signal for turning on the switch element 12 b is output from the gate driver 30 to one of the gate control signal lines 13. The gate control signal supplied to the gate control signal line 13 is applied to the switch element 12b connected to the gate control signal line. In the radiographic image recording medium 10 of the present embodiment, each switch as described above. Since the delay circuit 16 is provided in the element 12b, as shown in the timing chart of FIG. 4, the voltage of the gate control signal applied to the gate terminal of the switch element 12b has a time constant at the rise, and the rise time Is delayed.

したがって、ゲートドライバ30からゲート制御信号線13へのゲート制御信号の出力開始時t1においては、スイッチ素子12bはオン状態とならない。なお、本実施形態においては、スイッチ素子12bは、図4に示す閾値thになったときオン状態になるものとする。一方、ゲートドライバ30からゲート制御信号線13へのゲート制御信号の出力開始時t1においては、上述したようにゲート制御信号線13と電荷信号線14との交差点近傍において形成された寄生容量CP1から電荷信号線14にノイズ信号Qが流れ出す。 Accordingly, the switch element 12b is not turned on at the start t1 of the output of the gate control signal from the gate driver 30 to the gate control signal line 13. In this embodiment, the switch element 12b is turned on when the threshold value th shown in FIG. 4 is reached. On the other hand, at the start t1 of the output of the gate control signal from the gate driver 30 to the gate control signal line 13, the parasitic capacitance CP1 formed near the intersection of the gate control signal line 13 and the charge signal line 14 as described above. noise signal Q N to the charge signal line 14 from the flow-out.

そして、上記のようにノイズ信号Qが電荷信号線14に流れ出した後であって、スイッチ素子12bのゲート端子電圧が閾値thとなる前の時点t2において、差動アンプ21におけるリセットスイッチ21aがオフされ、差動アンプ21における積分が開始される。そして、そのリセットスイッチ21aがオフされた後であって、スイッチ素子12bのゲート端子電圧が閾値thとなる前の時点t3において、サンプリング回路40により各差動アンプ21から出力された出力電圧S1がサンプリングされる。そして、上記のように出力電圧S1がサンプリングされた後、スイッチ素子12bのゲート端子電圧が閾値thとなり、スイッチ素子12bがオン状態となる。なお、遅延回路16の時定数は上記のようなタイミングとなるように選択されている。 Then, even after the noise signal Q N as described above flew to charge the signal line 14, at time t2 before the gate terminal voltage of the switching element 12b is the threshold value th, the reset switch 21a in the differential amplifier 21 It is turned off and integration in the differential amplifier 21 is started. The output voltage S1 output from each differential amplifier 21 by the sampling circuit 40 at time t3 after the reset switch 21a is turned off and before the gate terminal voltage of the switch element 12b reaches the threshold th. Sampled. Then, after the output voltage S1 is sampled as described above, the gate terminal voltage of the switch element 12b becomes the threshold value th, and the switch element 12b is turned on. The time constant of the delay circuit 16 is selected so as to have the timing as described above.

そして、各スイッチ素子12bがオン状態となると、その電荷検出素子12cの蓄積部12aに蓄積された電荷信号Qが各蓄電部12aに接続された電荷信号線14に出力される。 Then, each switch element 12b is turned on, and output to the charge detection device 12c of the storage unit 12a accumulated charge signal Q S to be connected to each power storage unit 12a charges the signal line 14.

そして、上記のようにして電荷信号線14に流れ出した電荷信号Qは差動アンプ21の反転入力側から入力され、差動アンプ21において積分される。そして、所定の積分時間終了直前の時点t4において、再びサンプリング回路40により差動アンプ21の出力電圧S2がサンプリングされる。 The charge signal Q S flowing out to the charge signal line 14 as described above is input from the inverting input of the differential amplifier 21 is integrated in the differential amplifier 21. Then, at the time t4 immediately before the end of the predetermined integration time, the output voltage S2 of the differential amplifier 21 is sampled again by the sampling circuit 40.

そして、上記のようにしてサンプリングされた直後、差動アンプ21のリセットスイッチ21aがオンされ、その後、ゲートドライバ30からゲート制御信号線13にスイッチ素子12bをオフするゲート制御信号が出力され、そのゲート制御信号に応じて各スイッチ素子12bがオフされる。   Immediately after sampling as described above, the reset switch 21a of the differential amplifier 21 is turned on, and thereafter, a gate control signal for turning off the switch element 12b is output from the gate driver 30 to the gate control signal line 13, Each switch element 12b is turned off in response to the gate control signal.

そして、サンプリング回路40において、上記のようにしてサンプリングされた出力電圧S2から出力電圧S1が減算され、その減算された電圧値がアナログ画像信号として取得される。そして、上記のようにして取得されたアナログ画像信号は、マルチプレクサ50により、各差動アンプ21毎に切り替えられてAD変換器60に入力され、順次デジタル化されてデジタル画像信号が出力される。   Then, in the sampling circuit 40, the output voltage S1 is subtracted from the output voltage S2 sampled as described above, and the subtracted voltage value is acquired as an analog image signal. Then, the analog image signal acquired as described above is switched for each differential amplifier 21 by the multiplexer 50 and input to the AD converter 60, and is sequentially digitized to output a digital image signal.

そして、その後、ゲートドライバ30からゲート制御信号線13に順次選択的にゲート制御信号が出力され、上記と同様の作用が繰り返して行われることにより、放射線画像記録媒体10の全体のデジタル画像信号が取得される。   After that, gate control signals are sequentially and selectively output from the gate driver 30 to the gate control signal line 13, and the same operation as described above is repeatedly performed, so that the entire digital image signal of the radiation image recording medium 10 is To be acquired.

本放射線画像検出器によれば、電荷検出素子12cのスイッチ素子12b毎にゲート制御信号の立ち上がり時間を遅延させる遅延回路16を設け、上記立ち上がり時間経過時以後に電荷信号線14に流れ出した電荷信号Qを検出するようにしたので、ゲート制御信号線13へゲート制御信号が出力開始された時点において上記寄生容量Cにより発生するノイズ信号Qと、電荷検出素子12cの蓄電部12aに蓄積された電荷信号Qとを異なるタイミングで電荷信号線14に流すことができ、上記ノイズ信号Qを含まない電荷信号Qを検出することができる。 According to this radiation image detector, the delay circuit 16 that delays the rise time of the gate control signal is provided for each switch element 12b of the charge detection element 12c, and the charge signal that has flowed out to the charge signal line 14 after the rise time has elapsed. since to detect the Q S, and the noise signal Q N which is generated by the parasitic capacitance C P at the time when the gate control signal is started outputted to the gate control signal line 13, accumulated in the storage unit 12a of the charge detection device 12c It has been a charge signal Q S can flow to charge the signal line 14 at different timings, it is possible to detect the charge signal Q S free from said noise signal Q N.

本発明の放射線画像検出器の一実施形態の放射線画像記録媒体の斜視図The perspective view of the radiographic image recording medium of one Embodiment of the radiographic image detector of this invention 本発明の放射線画像検出器の一実施形態の検出部と、放射線画像記録媒体の電荷検出層の概略構成を示す図The figure which shows schematic structure of the detection part of one Embodiment of the radiographic image detector of this invention, and the electric charge detection layer of a radiographic image recording medium. ゲート制御信号線と電荷信号線との配置を説明するための図The figure for demonstrating arrangement | positioning of a gate control signal line and an electric charge signal line 本発明の放射線画像検出器の一実施形態の作用を説明するためのタイミングチャートTiming chart for explaining the operation of one embodiment of the radiation image detector of the present invention

符号の説明Explanation of symbols

10 放射線画像検出器
11 電荷発生層
12 電荷検出層
12a 蓄電部
12b スイッチ素子
12c 電荷検出素子
13 ゲート制御信号線
14 電荷信号線
16 遅延回路
21 差動アンプ
寄生容量
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Radiation image detector 11 Charge generation layer 12 Charge detection layer 12a Power storage part 12b Switch element 12c Charge detection element 13 Gate control signal line 14 Charge signal line 16 Delay circuit 21 Differential amplifier CP Parasitic capacitance

Claims (3)

放射線画像を担持した放射線の照射を受けて電荷を発生する電荷発生部と、該電荷発生部において発生した電荷を蓄積する蓄電部および該蓄電部に蓄積された電荷信号を読み出すスイッチ素子を有し、直交する方向に2次元状に多数配列された電荷検出素子と、前記直交する方向のうちのいずれか一方の方向に配列された前記電荷検出素子の列毎に並列して設けられた、前記電荷信号が流れ出す多数の電荷信号線と、前記直交する方向のうちの他方の方向に配列された前記電荷検出素子の行毎に並列して設けられた、前記スイッチ素子をオンオフ制御するゲート制御信号が出力される多数のゲート制御信号線とを有する放射線画像記録媒体と、該放射線画像記録媒体の電荷信号線に流れ出した前記電荷信号を検出する検出部とを備えた放射線画像検出器において、
前記放射線画像記録媒体が、前記電荷検出素子の前記スイッチ素子毎に設けられた、該各スイッチ素子をオン状態とする前記ゲート制御信号の立ち上がり時間を遅延させる多数の遅延回路を有し、
前記検出部が、前記立ち上がり時間経過時以後に前記電荷信号線に流れ出した電荷信号を検出するものであることを特徴とする放射線画像検出器。
A charge generation unit that generates a charge upon irradiation with radiation carrying a radiographic image; a storage unit that stores the charge generated in the charge generation unit; and a switch element that reads a charge signal stored in the storage unit A plurality of charge detection elements arranged two-dimensionally in an orthogonal direction and provided in parallel for each column of the charge detection elements arranged in any one of the orthogonal directions, A gate control signal for controlling on / off of the switch elements provided in parallel for each row of the charge detection elements arranged in the other of the orthogonal directions and a large number of charge signal lines from which charge signals flow. Radiation comprising: a radiation image recording medium having a plurality of gate control signal lines from which the signal is output; and a detection unit for detecting the charge signal flowing out to the charge signal lines of the radiation image recording medium In the image detector,
The radiation image recording medium includes a plurality of delay circuits provided for each of the switch elements of the charge detection element, for delaying a rise time of the gate control signal for turning on each of the switch elements,
The radiation image detector, wherein the detector detects a charge signal that has flowed out to the charge signal line after the rise time has elapsed.
前記遅延回路が、ローパスフィルタ回路であることを特徴とする請求項1記載の放射線画像検出器。   The radiation image detector according to claim 1, wherein the delay circuit is a low-pass filter circuit. 前記検出部が、前記電荷信号線に流れ出した電荷信号を積分するチャージアンプと、
前記ゲート制御信号線への前記ゲート制御信号の出力開始後前記立ち上がり時間経過時前に前記チャージアンプによる積分を開始し、該積分開始後前記立ち上がり時間経過前の間の所定の時点までに前記チャージアンプにより積分された第1の信号を取得し、前記積分開始後所定の積分時間経過直前までの間に前記チャージアンプにより積分された第2の信号を取得し、前記第2の信号と前記第1の信号との差を前記放射線画像を表す画像信号として取得する相関2重サンプリング制御部とを備えたことを特徴とする請求項1または2記載の放射線画像検出器。
A charge amplifier that integrates the charge signal that has flowed out to the charge signal line;
The integration by the charge amplifier is started before the rise time elapses after the start of the output of the gate control signal to the gate control signal line, and the charge is performed by a predetermined time after the start of the integration and before the rise time elapses. A first signal integrated by an amplifier is acquired, a second signal integrated by the charge amplifier is acquired immediately after a predetermined integration time has elapsed after the start of integration, and the second signal and the first signal The radiological image detector according to claim 1, further comprising: a correlated double sampling control unit that acquires a difference from the signal of 1 as an image signal representing the radiographic image.
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