JP2006100090A - Method and device for manufacturing organic el device, organic el device and electronic apparatus - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To display a high quality image in an organic EL device, and to manufacture an organic EL device with uniform display property. <P>SOLUTION: This manufacturing method for the organic EL device provided with first and second electrodes and at least one functional layer sandwiched between the first and second electrodes for every pixel on a substrate comprises a process forming the first electrode for every pixel on the substrate, a process holding the substrate in a processing chamber wherein steam of a solvent in which a material of the functional layer is soluble is set at a prescribed pressure after forming the first electrode, and a process forming the functional layer as a film on the first electrode after holding the substrate in the processing chamber. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、有機EL(Electro-Luminescence)装置の製造方法及び製造装置、並びに該製造方法によって製造された有機EL装置及び該有機EL装置を備えた各種電子機器の技術分野に関する。   The present invention relates to a manufacturing method and manufacturing apparatus for an organic EL (Electro-Luminescence) device, an organic EL device manufactured by the manufacturing method, and a technical field of various electronic devices including the organic EL device.

この種の有機EL装置の製造方法によって製造される有機EL装置は、基板上において、画素毎に、第1及び第2電極間に挟持される、発光層や電子注入層等の機能層を備えている。特許文献1に開示されているように、例えば機能層として発光層を成膜する際、発光材料を液体化して、画素電極である陽極上に塗布する。   An organic EL device manufactured by a manufacturing method of this type of organic EL device includes functional layers such as a light emitting layer and an electron injection layer that are sandwiched between first and second electrodes on a substrate for each pixel. ing. As disclosed in Patent Document 1, for example, when a light emitting layer is formed as a functional layer, a light emitting material is liquefied and applied onto an anode which is a pixel electrode.

また特許文献2又は3によれば、液晶パネルや半導体ウェハ等のワークをイソプロピルアルコール(IPA)の蒸気により洗浄処理するための装置が開示されている。   Patent Document 2 or 3 discloses an apparatus for cleaning a workpiece such as a liquid crystal panel or a semiconductor wafer with isopropyl alcohol (IPA) vapor.

特開2003−249375号公報JP 2003-249375 A 特開平11−351747号公報JP-A-11-351747 特開平5−166792号公報Japanese Patent Laid-Open No. 5-166792

しかしながら、成膜時における各製造工程の処理状況のばらつきに起因して、画素電極の表面における発光材料に対する濡れ性が、画素内や基板面内の各画素又は基板毎で、不均一になるという問題が生じる。例えば、機能層の形成領域を規定するバンク層における機能層と接することになる一部や画素電極の表面における、発光材料に対する濡れ性を制御するために、プラズマ処理が行われることがあるが、この処理状況が、画素内や基板面内の各画素又は基板毎でばらつくと、上述したように濡れ性が不均一となる。その結果、画素内や基板面内の各画素又は基板毎で、発光材料の塗布ムラが生じて、発光層の膜厚が不均一となると共に平坦性が悪化する。   However, the wettability with respect to the light emitting material on the surface of the pixel electrode becomes non-uniform in each pixel or each substrate in the substrate surface due to variations in the processing status of each manufacturing process during film formation. Problems arise. For example, plasma treatment may be performed in order to control the wettability with respect to the light emitting material on the part of the bank layer that defines the formation region of the functional layer or the surface of the pixel electrode that is in contact with the functional layer. If this processing state varies among pixels or each pixel or substrate within the substrate surface, the wettability becomes non-uniform as described above. As a result, uneven application of the luminescent material occurs in each pixel or each pixel or substrate in the substrate surface, the thickness of the luminescent layer becomes nonuniform, and the flatness deteriorates.

また、前述したような塗布ムラが発生しなかった場合でも、液体化した発光材料を塗布後乾燥させる際に、乾燥速度の違い等により、画素内や基板における各画素又は基板毎に、発光層の表面の平坦性が不均一となる恐れがある。前述の発光材料の乾燥速度の違いは、基板面内における画素の配置、基板面内の温度分布、基板表面の気体の流れ等の影響により生じ、乾燥速度を均一に制御するのは、通常の製造方法によれば困難である。   In addition, even when the coating unevenness as described above does not occur, when the liquefied light emitting material is dried after being applied, the light emitting layer is formed in each pixel or each substrate in the pixel due to a difference in drying speed or the like. There is a risk that the flatness of the surface of the film becomes non-uniform. The above-mentioned difference in the drying speed of the luminescent material is caused by the influence of the pixel arrangement in the substrate surface, the temperature distribution in the substrate surface, the gas flow on the substrate surface, and the like. According to the manufacturing method, it is difficult.

以上説明したような、発光層における膜厚の均一性や平坦性の悪化は、電子注入層等にも同様に生じ得る。このように機能層の膜厚が不均一となったり、機能層の表面における平坦性が確保できないと、有機EL装置における表示画像において輝度ムラ等の表示不良が発生することにより、高品質な画像表示を行うことができなくなる恐れがある。また、同一の製造プロセスによって製造された有機EL装置について、均一な表示特性が得られない、という問題点も生じる。   As described above, the uniformity and flatness of the film thickness in the light emitting layer can occur in the electron injection layer as well. Thus, when the film thickness of the functional layer becomes non-uniform or the flatness on the surface of the functional layer cannot be ensured, display defects such as luminance unevenness occur in the display image in the organic EL device, resulting in a high quality image. There is a risk that the display cannot be performed. There is also a problem that uniform display characteristics cannot be obtained for organic EL devices manufactured by the same manufacturing process.

本発明は、例えば上記問題点に鑑みなされたものであり、有機EL装置において高品質な画像表示を行うと共に、均一な表示特性の有機EL装置を製造することが可能な有機EL装置の製造方法及び製造装置、並びに該製造方法によって製造された有機EL装置及び該有機EL装置を備える電子機器を提供することを課題とする。   The present invention has been made in view of the above problems, for example, and a method for manufacturing an organic EL device capable of displaying a high-quality image in the organic EL device and manufacturing an organic EL device with uniform display characteristics. It is another object of the present invention to provide a manufacturing apparatus, an organic EL device manufactured by the manufacturing method, and an electronic apparatus including the organic EL device.

本発明の第1の有機EL装置の製造方法は上記課題を解決するために、基板上に、画素毎に、第1及び第2電極と、該第1及び第2電極間に挟持される、少なくとも一層の機能層とを備える有機EL装置の製造方法であって、前記基板上に、前記画素毎に前記第1電極を形成する工程と、前記第1電極を形成した後に、前記機能層の材料が可溶な溶媒の蒸気を所定の圧力とした処理室に、前記基板を保持する工程と、前記処理室で前記基板を保持した後に、前記第1電極上に前記機能層を成膜する工程とを備える。   In order to solve the above problems, the first method for manufacturing an organic EL device of the present invention is sandwiched between the first and second electrodes and the first and second electrodes for each pixel on the substrate. A method of manufacturing an organic EL device comprising at least one functional layer, the step of forming the first electrode for each pixel on the substrate, and after forming the first electrode, A step of holding the substrate in a processing chamber in which a vapor of a solvent in which a material is soluble is set to a predetermined pressure, and after holding the substrate in the processing chamber, forming the functional layer on the first electrode A process.

本発明の第1の有機EL装置の製造方法によって製造される有機EL装置は、画素毎に、第1及び第2電極間に少なくとも一層の機能層を挟持してなる有機EL素子が設けられている。有機EL素子において、機能層として、発光層や正孔注入層、正孔輸送層、又は電子注入層や電子輸送層が形成される。発光層に加えて、このように正孔注入層や正孔輸送層又は電子注入層や電子輸送層を形成することで、有機EL素子を効率良く発光させると共に、各画素で高輝度で画像表示を行うことが可能となる。   The organic EL device manufactured by the first organic EL device manufacturing method of the present invention is provided with an organic EL element having at least one functional layer sandwiched between the first and second electrodes for each pixel. Yes. In the organic EL element, a light emitting layer, a hole injection layer, a hole transport layer, an electron injection layer, or an electron transport layer is formed as a functional layer. In addition to the light emitting layer, by forming the hole injection layer, hole transport layer, electron injection layer, or electron transport layer in this way, the organic EL element can emit light efficiently, and each pixel can display images with high brightness. Can be performed.

本発明の第1の製造方法では、先ず、画素毎に第1電極として、有機EL素子の陽極若しくは陰極を形成する。ここで、予め基板上に画素毎に第1電極を駆動するための各種配線や薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor;以下適宜、”TFT”と称する)等の駆動素子を形成しておいてもよい。或いは、有機EL素子を形成する基板とは別の基板に、各種配線や駆動素子を形成しておいて、この別の基板を有機EL素子を形成した基板に電気的に接続して貼り合せるようにしてもよい。   In the first manufacturing method of the present invention, first, an anode or a cathode of an organic EL element is formed as a first electrode for each pixel. Here, various wirings for driving the first electrode for each pixel and driving elements such as a thin film transistor (hereinafter referred to as “TFT” as appropriate) may be formed on the substrate in advance. Alternatively, various wirings and driving elements are formed on a substrate different from the substrate on which the organic EL element is formed, and the other substrate is electrically connected to and bonded to the substrate on which the organic EL element is formed. It may be.

続いて、画素毎に第1電極が形成された基板を、後述する処理室内で保持した後、第1電極上に機能層の材料を例えばインクジェット法により塗布して、塗布した材料を乾燥させる。この際、機能層の材料、例えば正孔注入層や正孔輸送層、或いは発光層の材料を、該材料が可溶な溶媒に溶解させて得られる液状の混合物を、インクジェット法により、第1電極上に塗布する。これにより第1電極上に機能層が成膜される。尚、複数層の機能層を成膜させる場合には、各機能層を成膜させる際に、予め処理室に基板を保持する工程を行うようにするとよい。   Subsequently, after the substrate on which the first electrode is formed for each pixel is held in a processing chamber to be described later, a functional layer material is applied onto the first electrode by, for example, an inkjet method, and the applied material is dried. At this time, a liquid mixture obtained by dissolving a material of a functional layer, for example, a material of a hole injection layer, a hole transport layer, or a light emitting layer, in a solvent in which the material is soluble is obtained by an ink jet method. Apply on electrode. Thereby, a functional layer is formed on the first electrode. Note that in the case of forming a plurality of functional layers, it is preferable to perform a process of holding the substrate in the processing chamber in advance when forming each functional layer.

ここで、処理室に基板を保持する工程では、予め、機能層として形成される、発光層や正孔注入層、正孔輸送層、又は電子注入層や電子輸送層の材料が可溶な溶媒を気化させて、これにより得られた蒸気を、密閉した処理室内で、所定の圧力例えば飽和蒸気圧となるように、供給する。このように蒸気が処理室内に供給されている状態で、基板を保持する。尚、この際、溶媒は、機能層の材料が可溶であれば、極性溶媒を用いてもよいし、非極性溶媒を用いるようにしてもよい。   Here, in the step of holding the substrate in the processing chamber, a solvent in which the material of the light emitting layer, the hole injection layer, the hole transport layer, or the electron injection layer or the electron transport layer is formed in advance as a functional layer is soluble. Is vaporized, and the vapor thus obtained is supplied to a predetermined pressure, for example, a saturated vapor pressure, in a sealed processing chamber. Thus, the substrate is held in a state where the vapor is supplied into the processing chamber. In this case, the solvent may be a polar solvent or a nonpolar solvent as long as the functional layer material is soluble.

処理室内では、基板の表面は全体的に溶媒の蒸気と接触すると共に、基板の表面におけるいずれの個所も所定の圧力の蒸気と接触することとなる。そして、基板上では、各画素内において、第1電極若しくは既に成膜された機能層の表面に溶媒が液化して付着する。よって、画素内で濡れ性を向上させると共に、均一な濡れ性を確保することができる。また、基板における各画素で、濡れ性を向上させると共に、均一な濡れ性を確保することが可能となる。   In the processing chamber, the entire surface of the substrate comes into contact with the vapor of the solvent, and any part of the surface of the substrate comes into contact with the vapor at a predetermined pressure. Then, on the substrate, in each pixel, the solvent liquefies and adheres to the surface of the first electrode or the functional layer already formed. Therefore, wettability can be improved in the pixel and uniform wettability can be ensured. In addition, in each pixel on the substrate, it is possible to improve wettability and ensure uniform wettability.

尚、複数の基板を夫々、画素毎に第1電極が形成された状態で、処理室において順次保持する場合には、各基板を、所定時間で所定温度で且つ溶媒の蒸気を所定の圧力に調整して、保持するのが好ましい。このようにすれば、各基板において、画素内又は各画素で濡れ性を均一にすることができる。   In the case where the plurality of substrates are sequentially held in the processing chamber with the first electrode formed for each pixel, each substrate is kept at a predetermined temperature for a predetermined time and a solvent vapor at a predetermined pressure. It is preferable to adjust and hold. In this way, the wettability can be made uniform in each pixel or in each pixel in each substrate.

よって、各基板において、画素内で均一に機能層の材料を塗布すると共に、各画素でも均一に機能層の材料を塗布させることが可能となり、塗布ムラが発生するのを防止することができる。その結果、各基板において、画素内や各画素で、表面が平坦で膜厚が均一な機能層を得ることができる。   Accordingly, the functional layer material can be uniformly applied in the pixels in each substrate, and the functional layer material can be uniformly applied in each pixel, and the occurrence of uneven application can be prevented. As a result, in each substrate, a functional layer having a flat surface and a uniform film thickness can be obtained in the pixel and in each pixel.

従って、以上説明したような本発明の第1の製造方法によれば、歩留まりを向上させることが可能となる。また、本発明の第1の製造方法により製造された有機EL装置では夫々、画素内又は各画素で均一な発光状態を得ることが可能となり、輝度ムラ等の表示不良が発生するのを防止することができる。その結果、各有機EL装置において、高品質な画像表示を行うと共に、均一な表示特性を得ることが可能となる。   Therefore, according to the first manufacturing method of the present invention as described above, the yield can be improved. In addition, in the organic EL device manufactured by the first manufacturing method of the present invention, it is possible to obtain a uniform light emission state within the pixel or in each pixel, thereby preventing display defects such as luminance unevenness from occurring. be able to. As a result, each organic EL device can perform high-quality image display and obtain uniform display characteristics.

本発明の第2の有機EL装置の製造方法は上記課題を解決するために、基板上に、画素毎に、第1及び第2電極と、該第1及び第2電極間に挟持される、少なくとも一層の機能層とを備える有機EL装置の製造方法であって、前記基板上に、前記画素毎に前記第1電極を形成する工程と、前記第1電極を形成した後であって、前記機能層を成膜する前に、前記機能層の材料が可溶な溶媒の蒸気を所定の圧力とした処理室に、前記基板を保持する工程と、前記第1電極上に前記機能層を成膜する工程と、前記機能層を成膜した後に、前記基板を前記処理室に保持する工程とを備える。   In order to solve the above-described problem, the second organic EL device manufacturing method of the present invention is sandwiched between the first and second electrodes and the first and second electrodes for each pixel on the substrate. A method of manufacturing an organic EL device comprising at least one functional layer, the step of forming the first electrode for each pixel on the substrate, and after forming the first electrode, Before forming the functional layer, the step of holding the substrate in a processing chamber in which a vapor of a solvent in which the functional layer material is soluble is set to a predetermined pressure; and the functional layer is formed on the first electrode. Forming a film, and holding the substrate in the processing chamber after forming the functional layer.

本発明の第2の有機EL装置の製造方法では、上述した本発明の第1の製造方法と同様に、第1電極を形成した後であって、機能層を成膜する前に、処理室に基板を保持して、成膜される機能層の材料が可溶な溶媒の蒸気と、基板とを接触させる。よって、各基板において、画素内や各画素で、均一に機能層の材料を塗布させることが可能となり、塗布ムラが発生するのを防止することができる。   In the second method for manufacturing an organic EL device of the present invention, as in the first method of manufacturing of the present invention described above, after forming the first electrode and before forming the functional layer, the processing chamber The substrate is held, and the substrate is brought into contact with the vapor of the solvent in which the material of the functional layer to be formed is soluble. Therefore, the functional layer material can be uniformly applied in each pixel or in each pixel in each substrate, and application unevenness can be prevented.

また、機能層を成膜した後、再び基板を処理室に保持する。この際、処理室には、成膜された機能層の材料が可溶な溶媒の蒸気を、当該処理室において所定の圧力となるように供給する。これにより、再び基板と溶媒の蒸気とが接触することで、各画素内において機能層の表面に溶媒が液化して付着する。そして、機能層の表面付近では、機能層の材料が溶媒に再溶解する。よって、機能層の成膜時、機能層の材料を塗布後乾燥させる際に、画素内又は基板における各画素で乾燥速度が不均一となったとしても、前述したように機能層の材料を再溶解させることで、機能層の表面に生じた段差を緩和して、機能層の表面を平坦化することが可能となる。従って、基板における各画素で、機能層の平坦性を改善することができる。   Further, after the functional layer is formed, the substrate is held again in the processing chamber. At this time, a vapor of a solvent in which the deposited material of the functional layer is soluble is supplied to the processing chamber so as to have a predetermined pressure in the processing chamber. As a result, when the substrate and the vapor of the solvent come into contact again, the solvent liquefies and adheres to the surface of the functional layer in each pixel. In the vicinity of the surface of the functional layer, the material of the functional layer is redissolved in the solvent. Therefore, when the functional layer material is formed, when the functional layer material is applied and then dried, even if the drying speed becomes uneven in each pixel in the pixel or on the substrate, the functional layer material is reused as described above. By dissolving, the step generated on the surface of the functional layer can be relaxed and the surface of the functional layer can be flattened. Therefore, the flatness of the functional layer can be improved in each pixel on the substrate.

また、例えば溶媒を基板に直接スプレーコートさせるような場合と比較して、基板表面全体を均一に溶媒の蒸気と接触させることができるため、溶媒の塗布ムラを防止して、画素内で均一な平坦性を得ると共に、基板における各画素で、均一な平坦性を得ることが可能となる。   In addition, compared to the case where the solvent is directly spray coated on the substrate, for example, the entire substrate surface can be brought into contact with the vapor of the solvent uniformly. It is possible to obtain flatness and uniform flatness at each pixel on the substrate.

また、本発明の第1の製造方法と同様に、複数の基板を夫々処理室において順次保持する場合には、各基板を、所定時間で所定温度で且つ溶媒の蒸気を所定の圧力に調整して、保持するのが好ましい。このようにすれば、各基板において、画素内または各画素で均一な平坦性を確保することが可能となる。   Similarly to the first manufacturing method of the present invention, when a plurality of substrates are sequentially held in the processing chamber, each substrate is adjusted to a predetermined temperature for a predetermined time and a solvent vapor to a predetermined pressure. It is preferable to hold it. This makes it possible to ensure uniform flatness within the pixel or in each pixel in each substrate.

よって、各基板において、画素内又は各画素で、表面が平坦で膜厚が均一な機能層を成膜することができる。従って、本発明の第2の製造方法によれば、本発明の第1の製造方法と同様の利益を享受することが可能となる。但し、本発明の第2の製造方法によれば、上述した本発明の第1の製造方法或いは後述する本発明の第3の製造方法と比較して、各基板において、各画素で、より確実に機能層の表面の平坦性を改善することが可能となる。また、各基板において、画素内で機能層の表面の平坦性及び機能層の膜厚を均一にすると共に、各画素で機能層の表面の平坦性及び機能層の膜厚を均一にすることが可能となる。   Therefore, in each substrate, a functional layer having a flat surface and a uniform film thickness can be formed within the pixel or in each pixel. Therefore, according to the second manufacturing method of the present invention, it is possible to receive the same benefits as the first manufacturing method of the present invention. However, according to the second manufacturing method of the present invention, compared with the above-described first manufacturing method of the present invention or the third manufacturing method of the present invention described later, each substrate is more reliable in each pixel. In addition, the flatness of the surface of the functional layer can be improved. Further, in each substrate, the flatness of the surface of the functional layer and the thickness of the functional layer in the pixel are made uniform, and the flatness of the surface of the functional layer and the thickness of the functional layer are made uniform in each pixel. It becomes possible.

本発明の第1又は第2の有機EL装置の製造方法の一態様では、前記第1電極を形成する工程の後であって、前記機能層を成膜する前で且つ前記基板を保持する工程の前に、前記基板に対してプラズマ処理をインク塗布前処理として行う工程を更に備え、前記機能層を成膜する工程は、インク塗布によって前記機能層を成膜する。   In one aspect of the method for manufacturing the first or second organic EL device of the present invention, the step of holding the substrate after the step of forming the first electrode and before forming the functional layer. Before the step, a step of performing plasma treatment on the substrate as a pre-ink application treatment is further provided, and the step of forming the functional layer forms the functional layer by ink application.

この態様によれば、各画素において、インク塗布前処理としてのプラズマ処理が行われる。ここに「インク塗布前処理」とは、後工程となるインク塗布に対して、濡れ性を向上させるための、或いは親液性及び撥液性のうち少なくとも一方を示す領域を形成するための前処理を意味する。また、ここでいう”インク”は、前述したような機能層の材料を、該材料が可溶な溶媒に溶解させて得られる液状の混合物に相当する。   According to this aspect, plasma processing is performed as pre-ink application processing in each pixel. Here, the “ink application pretreatment” is a process for improving wettability or forming a region showing at least one of lyophilicity and liquid repellency with respect to ink application as a subsequent process. Means processing. The “ink” as used herein corresponds to a liquid mixture obtained by dissolving the material of the functional layer as described above in a solvent in which the material is soluble.

よって、この態様では、プラズマ処理により、第1電極の表面の濡れ性を向上させることができる。また、プラズマ処理において、たとえ、同一の基板における画素内や各画素、又は各基板で、処理状況が異ってしまっても、その後に、処理室において基板を保持することで、画素内や各画素又は各基板で、均一な濡れ性を確保することが可能となる。   Therefore, in this aspect, the wettability of the surface of the first electrode can be improved by the plasma treatment. Further, in the plasma processing, even if the processing situation differs in the pixels on the same substrate or in each pixel, or in each substrate, the substrate is held in the processing chamber and then in the pixel or each pixel. Uniform wettability can be ensured in the pixel or each substrate.

本発明の第3の有機EL装置の製造方法は上記課題を解決するために、基板上に、画素毎に、第1及び第2電極と、該第1及び第2電極間に挟持される、少なくとも一層の機能層とを備える有機EL装置の製造方法であって、前記第1電極上に前記機能層を成膜する工程と、前記機能層を成膜した後に、前記機能層の材料が可溶な溶媒の蒸気を所定の圧力とした処理室に、前記基板を保持する工程とを備える。   In order to solve the above-described problem, the third organic EL device manufacturing method of the present invention is sandwiched between the first and second electrodes and the first and second electrodes for each pixel on the substrate. A method of manufacturing an organic EL device comprising at least one functional layer, wherein the functional layer is formed on the first electrode, and the functional layer is formed after the functional layer is formed. And a step of holding the substrate in a processing chamber having a predetermined pressure of a solvent vapor.

本発明の第3の有機EL装置の製造方法によれば、画素毎に第1電極上に少なくとも一層の機能層が成膜されている状態で、基板を処理室に保持する。この際、処理室において、上述した本発明の第2の製造方法と同様に、機能層の表面付近では、機能層の材料が溶媒に再溶解する。ここで、複数の機能層を成膜する場合に、処理室内に基板が保持された状態で、この基板上に成膜された機能層のうち最上層に形成された機能層の材料が可溶な溶媒の蒸気が、処理室内に所定の圧力で供給される。   According to the third method for manufacturing an organic EL device of the present invention, the substrate is held in the processing chamber in a state where at least one functional layer is formed on the first electrode for each pixel. At this time, in the processing chamber, the material of the functional layer is re-dissolved in the solvent in the vicinity of the surface of the functional layer, as in the second manufacturing method of the present invention described above. Here, when a plurality of functional layers are formed, the functional layer material formed on the uppermost layer among the functional layers formed on the substrate is soluble while the substrate is held in the processing chamber. A solvent vapor is supplied into the processing chamber at a predetermined pressure.

よって、各基板において、各画素で、機能層の平坦性を改善することができる。また、各基板において、画素内で均一な平坦性を確保すると共に、各画素で均一な平坦性を確保することができる。従って、本発明の第3製造方法によれば、本発明の第1又は第2の製造方法と同様の利益を享受することが可能となる。   Therefore, the flatness of the functional layer can be improved in each pixel in each substrate. Further, in each substrate, uniform flatness can be ensured in the pixels, and uniform flatness can be ensured in each pixel. Therefore, according to the third manufacturing method of the present invention, it is possible to receive the same benefits as the first or second manufacturing method of the present invention.

本発明の第1から3のいずれかの有機EL装置の製造方法の他の態様では、前記基板を保持する工程では、前記所定の圧力が、前記溶媒の飽和蒸気圧の80[%]以上の値となるように調整する。   In another aspect of the method for manufacturing an organic EL device according to any one of the first to third aspects of the present invention, in the step of holding the substrate, the predetermined pressure is 80% or more of a saturated vapor pressure of the solvent. Adjust to be a value.

この態様によれば、処理室内において、基板と蒸気とが接触することで、各画素内において第1電極若しくは機能層の表面に溶媒を液化して付着させることが可能となる。   According to this aspect, when the substrate and the vapor come into contact with each other in the processing chamber, the solvent can be liquefied and attached to the surface of the first electrode or the functional layer in each pixel.

本発明の第1から3のいずれかの有機EL装置の製造方法の他の態様では、前記機能層を成膜する工程では、前記機能層として発光層を成膜する。   In another aspect of the method for manufacturing an organic EL device according to any one of the first to third aspects of the present invention, in the step of forming the functional layer, a light emitting layer is formed as the functional layer.

この態様によれば、各基板において、画素内や各画素で、表面が平坦で且つ膜厚が均一な発光層を得ることができる。   According to this aspect, in each substrate, a light emitting layer having a flat surface and a uniform film thickness can be obtained in the pixel or in each pixel.

本発明の第1から3のいずれかの有機EL装置の製造方法の他の態様では、前記機能層を成膜する工程では、前記機能層として正孔注入層又は正孔輸送層を成膜する。   In another aspect of the method for manufacturing an organic EL device according to any one of the first to third aspects of the present invention, in the step of forming the functional layer, a hole injection layer or a hole transport layer is formed as the functional layer. .

この態様によれば、各基板において、画素内や各画素で、表面が平坦で且つ膜厚が均一な正孔注入層又は正孔輸送層を得ることができる。   According to this aspect, a hole injection layer or a hole transport layer having a flat surface and a uniform film thickness can be obtained in each pixel or in each pixel in each substrate.

本発明の第1から3のいずれかの有機EL装置の製造方法の他の態様では、前記機能層を成膜する工程では、前記機能層として電子注入層又は電子輸送層を成膜する。   In another aspect of the method for manufacturing an organic EL device according to any one of the first to third aspects of the present invention, in the step of forming the functional layer, an electron injection layer or an electron transport layer is formed as the functional layer.

この態様によれば、各基板において、画素内や各画素で、表面が平坦で且つ膜厚が均一な電子注入層又は電子輸送層を得ることができる。   According to this aspect, in each substrate, an electron injection layer or an electron transport layer having a flat surface and a uniform film thickness can be obtained in each pixel or in each pixel.

本発明の有機EL装置は上記課題を解決するために、本発明の有機EL装置の製造方法(但し、その各種態様を含む)により製造される。   In order to solve the above problems, the organic EL device of the present invention is manufactured by the method for manufacturing the organic EL device of the present invention (including various aspects thereof).

本発明の有機EL装置は、上述した本発明の有機EL装置の製造方法(但し、その各種態様を含む)によって製造されるため、各有機EL装置において、高品質な画像表示を行い且つ均一な表示特性を得ることが可能となる。   Since the organic EL device of the present invention is manufactured by the above-described method for manufacturing the organic EL device of the present invention (including various aspects thereof), each organic EL device performs high-quality image display and is uniform. Display characteristics can be obtained.

本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の有機EL装置を具備する。   In order to solve the above problems, an electronic apparatus according to the present invention includes the above-described organic EL device according to the present invention.

本発明の電子機器は、上述した本発明の有機EL装置を具備してなるので、高品質の画像表示を行い且つ均一な表示特性を得ることが可能なテレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネルなど、更には有機EL装置を露光用ヘッドとして用いたプリンタ、コピー、ファクシミリ等の画像形成装置などの各種電子機器を実現できる。   Since the electronic device of the present invention includes the above-described organic EL device of the present invention, a television, a mobile phone, an electronic notebook, a word processor, which can perform high-quality image display and obtain uniform display characteristics, Various electronic devices such as viewfinder type or monitor direct view type video tape recorders, workstations, videophones, POS terminals, touch panels, etc., printers using organic EL devices as exposure heads, image forming devices such as copiers and facsimiles Equipment can be realized.

本発明の第1の有機EL装置の製造装置は上記課題を解決するために、基板上に、画素毎に、第1及び第2電極と、該第1及び第2電極間に挟持される少なくとも一層の機能層とを備える有機EL装置の製造装置であって、前記基板上に、前記画素毎に前記第1電極を形成する手段と、前記第1電極を形成した後に、前記機能層の材料が可溶な溶媒の蒸気を所定の圧力とした処理室に、前記基板を保持する手段と、前記処理室で前記基板を保持した後に、前記第1電極上に前記機能層を成膜する手段とを備える。   In order to solve the above-described problem, the first organic EL device manufacturing apparatus of the present invention has at least a first electrode and a second electrode, and is sandwiched between the first and second electrodes on a substrate for each pixel. An apparatus for manufacturing an organic EL device comprising a single layer of functional layers, the means for forming the first electrode for each pixel on the substrate, and the material of the functional layer after forming the first electrode Means for holding the substrate in a processing chamber having a predetermined pressure of vapor of a soluble solvent, and means for forming the functional layer on the first electrode after holding the substrate in the processing chamber With.

本発明の第1の有機EL装置の製造装置によれば、上述した本発明の第1の製造方法と同様に、有機EL装置の製造工程における歩留まりを向上させることが可能となる。また、本発明の第1の製造装置により製造された有機EL装置において、高品質な画像表示を行うと共に、均一な表示特性を得ることが可能となる。   According to the first organic EL device manufacturing apparatus of the present invention, the yield in the manufacturing process of the organic EL device can be improved in the same manner as the above-described first manufacturing method of the present invention. In addition, in the organic EL device manufactured by the first manufacturing apparatus of the present invention, it is possible to perform high-quality image display and obtain uniform display characteristics.

本発明の第2の有機EL装置の製造装置は上記課題を解決するために、基板上に、画素毎に、第1及び第2電極と、該第1及び第2電極間に挟持される、少なくとも一層の機能層とを備える有機EL装置の製造装置であって、前記基板上に、前記画素毎に前記第1電極を形成する手段と、前記第1電極を形成した後であって、前記機能層を成膜する前に、前記機能層の材料が可溶な溶媒の蒸気を所定の圧力とした処理室に、前記基板を保持する手段と、前記第1電極上に前記機能層を成膜する手段とを備えており、前記基板を保持する手段は、前記機能層を成膜した後に、前記基板を前記処理室に再び保持する。   In order to solve the above-mentioned problem, the second organic EL device manufacturing apparatus of the present invention is sandwiched between the first and second electrodes and the first and second electrodes for each pixel on the substrate. An apparatus for manufacturing an organic EL device comprising at least one functional layer, wherein the first electrode is formed on the substrate for each pixel, and the first electrode is formed. Before forming the functional layer, the functional layer is formed on the first electrode and means for holding the substrate in a processing chamber having a predetermined pressure of vapor of a solvent in which the functional layer material is soluble. The means for holding the substrate holds the substrate again in the processing chamber after the functional layer is formed.

本発明の第2の有機EL装置の製造装置によれば、本発明の第1の製造装置と同様の利益を享受することが可能となる。但し、本発明の第2の製造装置によれば、上述した本発明の第1の製造装置或いは後述する本発明の第3の製造装置と比較して、各基板において、各画素で、より確実に機能層の表面の平坦性を改善することが可能となる。また、各基板において、画素内で機能層の表面の平坦性及び機能層の膜厚を均一にすると共に、各画素で機能層の表面の平坦性及び機能層の膜厚を均一にすることが可能となる。   According to the second organic EL device manufacturing apparatus of the present invention, it is possible to receive the same benefits as the first manufacturing apparatus of the present invention. However, according to the second manufacturing apparatus of the present invention, each pixel in each substrate is more reliable than the first manufacturing apparatus of the present invention described above or the third manufacturing apparatus of the present invention described later. In addition, the flatness of the surface of the functional layer can be improved. Further, in each substrate, the flatness of the surface of the functional layer and the thickness of the functional layer in the pixel are made uniform, and the flatness of the surface of the functional layer and the thickness of the functional layer are made uniform in each pixel. It becomes possible.

本発明の第3の有機EL装置の製造装置は上記課題を解決するために、基板上に、画素毎に、第1及び第2電極と、該第1及び第2電極間に挟持される、少なくとも一層の機能層とを備える有機EL装置の製造装置であって、前記第1電極上に前記機能層を成膜する手段と、前記機能層を成膜した後に、前記機能層の材料が可溶な溶媒の蒸気を所定の圧力とした処理室に、前記基板を保持する手段とを備える。   In order to solve the above problems, the third organic EL device manufacturing apparatus of the present invention is sandwiched between the first and second electrodes and the first and second electrodes for each pixel on the substrate. An apparatus for manufacturing an organic EL device comprising at least one functional layer, the means for depositing the functional layer on the first electrode, and a material for the functional layer after the functional layer is deposited. Means for holding the substrate in a processing chamber having a predetermined pressure of a solvent vapor dissolved therein.

本発明の第3の有機EL装置の製造装置によれば、本発明の第1又は第2の製造装置と同様の利益を享受することが可能となる。   According to the third organic EL device manufacturing apparatus of the present invention, it is possible to receive the same benefits as the first or second manufacturing apparatus of the present invention.

本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施の形態から明らかにされる。   Such an operation and other advantages of the present invention will become apparent from the embodiments described below.

以下では、本発明の実施の形態について図を参照しつつ説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

<1:第1実施形態>
本発明の有機EL装置に係る第1実施形態について、図1から図6を参照して説明する。
<1: First Embodiment>
1st Embodiment which concerns on the organic EL apparatus of this invention is described with reference to FIGS.

<1−1;有機EL装置の全体構成>
先ず、図1を参照して有機EL装置の全体構成について説明する。図1は、有機EL装置の全体構成を示すブロック図である。ここでは、駆動回路内蔵型のアクティブマトリクス駆動方式の有機EL装置を例にとる。
<1-1: Overall configuration of organic EL device>
First, the overall configuration of the organic EL device will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a block diagram showing the overall configuration of the organic EL device. Here, an active matrix driving type organic EL device with a built-in driving circuit is taken as an example.

有機EL装置における画像表示領域110には、縦横に配線されたデータ線114及び走査線112が設けられており、それらの交点に対応する各画素部70はマトリクス状に配列される。更に、画像表示領域110には各データ線114に対して配列された画素部70に対応する電源供給線117が設けられている。   The image display area 110 in the organic EL device is provided with data lines 114 and scanning lines 112 wired vertically and horizontally, and the pixel units 70 corresponding to the intersections thereof are arranged in a matrix. Further, the image display area 110 is provided with power supply lines 117 corresponding to the pixel portions 70 arranged for the respective data lines 114.

また、画像表示領域110の周辺に位置する周辺領域には、走査線駆動回路130及びデータ線駆動回路150が設けられている。走査線駆動回路130は複数の走査線112に走査信号を順次供給する。また、データ線駆動回路150は、画像表示領域110に配線されたデータ線114に画像信号を供給する。尚、2種の走査線駆動回路130の動作と、データ線駆動回路150の動作とは、外部回路から供給される同期信号160によって相互に同期が図られる。また、電源供給線117には、外部回路から画素駆動用電源が供給される。   Further, a scanning line driving circuit 130 and a data line driving circuit 150 are provided in a peripheral area located around the image display area 110. The scanning line driving circuit 130 sequentially supplies scanning signals to the plurality of scanning lines 112. Further, the data line driving circuit 150 supplies an image signal to the data line 114 wired in the image display area 110. The operations of the two types of scanning line driving circuits 130 and the operation of the data line driving circuit 150 are synchronized with each other by a synchronization signal 160 supplied from an external circuit. The power supply line 117 is supplied with pixel driving power from an external circuit.

ここで、図1中、一つの画素部70に着目すれば、画素部70には、有機EL素子72が設けられると共に、例えばTFTを用いて構成されるスイッチング用トランジスタ76及び駆動用トランジスタ74、並びに保持容量78が設けられている。   Here, if attention is paid to one pixel portion 70 in FIG. 1, the pixel portion 70 is provided with an organic EL element 72 and, for example, a switching transistor 76 and a driving transistor 74 configured using TFTs, In addition, a holding capacitor 78 is provided.

スイッチング用トランジスタ76のゲート電極には走査線112が電気的に接続されており、スイッチング用トランジスタ76のソース電極にはデータ線114が電気的に接続され、スイッチング用トランジスタ76のドレイン電極には駆動用トランジスタ74のゲート電極が電気的に接続されている。また、駆動用トランジスタ74のソース電極には、電源供給線117が電気的に接続されており、駆動用トランジスタ74のドレイン電極には有機EL素子72の陽極が電気的に接続されている。   The scanning line 112 is electrically connected to the gate electrode of the switching transistor 76, the data line 114 is electrically connected to the source electrode of the switching transistor 76, and the drive is connected to the drain electrode of the switching transistor 76. The gate electrode of the transistor 74 is electrically connected. The power supply line 117 is electrically connected to the source electrode of the driving transistor 74, and the anode of the organic EL element 72 is electrically connected to the drain electrode of the driving transistor 74.

尚、図1に例示した画素回路の構成の他にも、電流プログラム方式の画素回路、電圧プログラム方式の画素回路、電圧比較方式の画素回路、サブフレーム方式の画素回路等の各種方式の画素回路を採用することが可能である。   In addition to the configuration of the pixel circuit illustrated in FIG. 1, various types of pixel circuits such as a current programming type pixel circuit, a voltage programming type pixel circuit, a voltage comparison type pixel circuit, a subframe type pixel circuit, and the like. Can be adopted.

<1−2:画素部の構成>
次に、図2及び図3を参照して、画素部70の更に詳細な構成について説明する。図2は、任意の画素部の平面図であり、図3は図2に示す画素部のA−A'断面図である。なお、図2及び図3においては、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。
<1-2: Configuration of Pixel Unit>
Next, a more detailed configuration of the pixel unit 70 will be described with reference to FIGS. 2 and 3. 2 is a plan view of an arbitrary pixel portion, and FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of the pixel portion shown in FIG. In FIGS. 2 and 3, the scale is different for each layer and each member so that each layer and each member can be recognized on the drawing.

例えば透明樹脂やガラス基板等の透明部材により構成される基板10上には、スイッチング用トランジスタ76及び駆動用トランジスタ74の半導体層3が形成されている。半導体層3は例えば低温ポリシリコン技術を用いて形成される。また、半導体層3上には、半導体層3を埋め込んで、スイッチング用トランジスタ76及び駆動用トランジスタ74のゲート絶縁層2が形成されている。更には、ゲート絶縁層2上に、駆動用トランジスタ74のゲート電極3a及び走査線112が形成されている。走査線112の一部は、スイッチング用トランジスタ76のゲート電極として形成されている。ゲート電極3a及び走査線112は、Al(アルミニウム)、W(タングステン)、Ta(タンタル)、Mo(モリブデン)、Ti(チタン)、銅(Cu)等のうち少なくとも一つを含む金属材料を用いて形成されている。   For example, the semiconductor layer 3 of the switching transistor 76 and the driving transistor 74 is formed on the substrate 10 formed of a transparent member such as a transparent resin or a glass substrate. The semiconductor layer 3 is formed using, for example, a low temperature polysilicon technique. On the semiconductor layer 3, the gate insulating layer 2 of the switching transistor 76 and the driving transistor 74 is formed so as to be embedded in the semiconductor layer 3. Further, the gate electrode 3 a of the driving transistor 74 and the scanning line 112 are formed on the gate insulating layer 2. A part of the scanning line 112 is formed as a gate electrode of the switching transistor 76. The gate electrode 3a and the scanning line 112 are made of a metal material containing at least one of Al (aluminum), W (tungsten), Ta (tantalum), Mo (molybdenum), Ti (titanium), copper (Cu), and the like. Is formed.

また、走査線112や駆動用トランジスタ74のゲート電極3aを埋め込んで、ゲート絶縁層2上には層間絶縁層41が形成されている。層間絶縁層41及びゲート絶縁層2は例えばシリコン酸化膜から構成されている。   In addition, an interlayer insulating layer 41 is formed on the gate insulating layer 2 so as to bury the scanning line 112 and the gate electrode 3 a of the driving transistor 74. The interlayer insulating layer 41 and the gate insulating layer 2 are made of, for example, a silicon oxide film.

層間絶縁層41上には、例えばアルミニウム(Al)又はITO(Indium Tin Oxide)を含む導電材料から夫々構成される、データ線114及び電源供給線117、更には駆動用トランジスタ74のドレイン電極42が形成されている。層間絶縁層41には、層間絶縁層41の表面から層間絶縁層41及びゲート絶縁層2を貫通して、駆動用トランジスタ74の半導体層3に至るコンタクトホール501及び502が形成されている。図3に示すように、電源供給線117及びドレイン電極42を構成する導電膜は、コンタクトホール501及び502の各々の内壁に沿って半導体層3の表面に至るように連続的に形成されている。   On the interlayer insulating layer 41, for example, a data line 114 and a power supply line 117, and further a drain electrode 42 of the driving transistor 74, each made of a conductive material containing aluminum (Al) or ITO (Indium Tin Oxide), for example. Is formed. Contact holes 501 and 502 are formed in the interlayer insulating layer 41 from the surface of the interlayer insulating layer 41 through the interlayer insulating layer 41 and the gate insulating layer 2 to reach the semiconductor layer 3 of the driving transistor 74. As shown in FIG. 3, the conductive film constituting the power supply line 117 and the drain electrode 42 is continuously formed so as to reach the surface of the semiconductor layer 3 along the inner walls of the contact holes 501 and 502. .

ここで、保持容量78の下部容量電極は、走査線112と同一の層に、例えば同様の材料を用いて形成され、電源供給線117の一部が保持容量78の上部容量電極として形成されている。層間絶縁層41は誘電体膜として形成されており、層間絶縁層41の一部分が下部容量電極及び上部容量電極の間に挟持される。   Here, the lower capacitor electrode of the storage capacitor 78 is formed in the same layer as the scanning line 112 using, for example, the same material, and a part of the power supply line 117 is formed as the upper capacitor electrode of the storage capacitor 78. Yes. The interlayer insulating layer 41 is formed as a dielectric film, and a part of the interlayer insulating layer 41 is sandwiched between the lower capacitor electrode and the upper capacitor electrode.

層間絶縁層41上には、電源供給線117及びドレイン電極42を埋め込んで、保護層45として例えばシリコン窒化膜(SiN)が形成されている。保護層45上には、例えばシリコン酸化膜よりなる第1バンク層46が形成され、更に第1バンク層46上に第2バンク層47が形成されている。第1バンク層46及び第2バンク層47によって、画素部70における有機EL層50の形成領域が規定されている。   On the interlayer insulating layer 41, for example, a silicon nitride film (SiN) is formed as the protective layer 45 by embedding the power supply line 117 and the drain electrode 42. A first bank layer 46 made of, for example, a silicon oxide film is formed on the protective layer 45, and a second bank layer 47 is further formed on the first bank layer 46. The first bank layer 46 and the second bank layer 47 define the formation region of the organic EL layer 50 in the pixel unit 70.

有機EL層50の形成領域に、その表面が露出するように、保護層45上に本発明に係る「第1電極」である陽極34が形成されている。陽極34は、透明性導電材料としてITOを用いて、有機EL層50の形成領域から延びてドレイン電極42の一部と重畳するように形成されている。   The anode 34 which is the “first electrode” according to the present invention is formed on the protective layer 45 so that the surface is exposed in the formation region of the organic EL layer 50. The anode 34 is formed using ITO as a transparent conductive material so as to extend from the formation region of the organic EL layer 50 and overlap with a part of the drain electrode 42.

また、有機EL層50の形成領域において、陽極34上には有機EL層50が形成されている。有機EL層50は、例えば、発光層50a、正孔注入層又は正孔輸送層(以下適宜、正孔注入/輸送層と称する)50b、及び電子注入層又は電子輸送層(以下適宜、電子注入/輸送層と称する)50cを含む。有機EL層50において、例えば、基板10上に、正孔注入/輸送層50b、発光層50a、電子注入/輸送層50cは、この順に順次積層されている。尚、有機EL層50は、発光層50aのみを含むようにしてもよいし、発光層50aに加えて、正孔注入/輸送層50b及び電子注入/輸送層50cのいずれかを含むようにしてもよい。   Further, the organic EL layer 50 is formed on the anode 34 in the region where the organic EL layer 50 is formed. The organic EL layer 50 includes, for example, a light emitting layer 50a, a hole injection layer or a hole transport layer (hereinafter appropriately referred to as a hole injection / transport layer) 50b, and an electron injection layer or an electron transport layer (hereinafter appropriately referred to as an electron injection). / Referred to as transport layer) 50c. In the organic EL layer 50, for example, the hole injection / transport layer 50b, the light emitting layer 50a, and the electron injection / transport layer 50c are sequentially stacked on the substrate 10 in this order. The organic EL layer 50 may include only the light emitting layer 50a, or may include any one of the hole injection / transport layer 50b and the electron injection / transport layer 50c in addition to the light emitting layer 50a.

有機EL素子72は、陽極34及び陰極49と、陽極34及び陰極49間に挟持される有機EL層50を含む。尚、図3には封止基板について図示を省略してある。本発明に係る「第2電極」の一例である陰極49は、例えばアルミニウム(Al)を含む金属材料を用いて形成されるか、又はカルシウム(Ca)、フッ化リチウム(LiF)、フッ化ストロンチウム(SrF2)、マグネシウム(Mg)、銀(Ag)等のうち少なくとも一つを含む金属材料を用いて形成された導電膜の積層膜として形成されている。   The organic EL element 72 includes an anode 34 and a cathode 49, and an organic EL layer 50 sandwiched between the anode 34 and the cathode 49. In FIG. 3, the sealing substrate is not shown. The cathode 49 which is an example of the “second electrode” according to the present invention is formed using a metal material containing, for example, aluminum (Al), or calcium (Ca), lithium fluoride (LiF), strontium fluoride. It is formed as a stacked film of conductive films formed using a metal material containing at least one of (SrF2), magnesium (Mg), silver (Ag), and the like.

有機EL装置の駆動時、走査線112を介して走査信号が供給されることにより、スイッチング用トランジスタ76がオン状態になる。スイッチング用トランジスタ76がオン状態となると、データ線114より画像信号が保持容量78に書き込まれる。この保持容量78に書き込まれた画像信号の電流に応じて、駆動用トランジスタ74の電気的な導通状態が決まる。そして、駆動用トランジスタ74のチャネルを介して電源供給線117より、保持容量78に書き込まれた画像信号に応じた電流が有機EL素子72の陽極34に供給されると、供給された電流に応じて有機EL層50における発光層50aが発光する。本実施形態では、図3中、矢印Xで示すように、有機EL素子72からの発光を基板10側から表示光として出射させるボトムエミッション型として、有機EL装置は構成されている。尚、本実施形態では、有機EL装置を封止基板側から表示光として有機EL素子72の発光を出射させるトップエミッション型として構成してもよい。   When the organic EL device is driven, a scanning signal is supplied via the scanning line 112, whereby the switching transistor 76 is turned on. When the switching transistor 76 is turned on, an image signal is written to the storage capacitor 78 from the data line 114. The electrical conduction state of the driving transistor 74 is determined according to the current of the image signal written in the storage capacitor 78. Then, when a current corresponding to the image signal written in the storage capacitor 78 is supplied from the power supply line 117 to the anode 34 of the organic EL element 72 through the channel of the driving transistor 74, the current corresponding to the supplied current is supplied. Thus, the light emitting layer 50a in the organic EL layer 50 emits light. In the present embodiment, as indicated by an arrow X in FIG. 3, the organic EL device is configured as a bottom emission type in which light emitted from the organic EL element 72 is emitted as display light from the substrate 10 side. In the present embodiment, the organic EL device may be configured as a top emission type that emits light emitted from the organic EL element 72 as display light from the sealing substrate side.

<1−3;有機EL装置の製造方法>
次に、図1から図3に加えて、図4から図6を参照して、有機EL装置の製造プロセスについて説明する。図4は、本実施形態における有機EL装置の製造プロセスに係る各工程を説明するためのフローチャートを示す図であって、図5は、有機EL装置の製造に用いられる製造装置における各工程の流れを模式的に説明するための模式図である。また、図6(a)及び図6(b)には、第1処理室の構成例を概略的に示してある。
<1-3: Manufacturing method of organic EL device>
Next, a manufacturing process of the organic EL device will be described with reference to FIGS. 4 to 6 in addition to FIGS. FIG. 4 is a flowchart for explaining each process related to the manufacturing process of the organic EL device in the present embodiment, and FIG. 5 is a flow of each process in the manufacturing apparatus used for manufacturing the organic EL device. It is a schematic diagram for demonstrating this. 6A and 6B schematically show a configuration example of the first processing chamber.

先ず、図4において、基板10上に、走査線112やデータ線114等の各種配線や、駆動用トランジスタ74等の駆動素子を形成し(ステップS101)、続いて、画素毎に陽極34を「第1電極」として形成する(ステップS102)。更に、陽極34より上層側に、第1及び第2バンク層46及び47を形成する。   First, in FIG. 4, various wirings such as scanning lines 112 and data lines 114 and driving elements such as driving transistors 74 are formed on the substrate 10 (step S101). The first electrode "is formed (step S102). Further, first and second bank layers 46 and 47 are formed on the upper layer side of the anode 34.

その後、基板10において、陽極34が形成された側の表面に対してプラズマ処理を行って、次のように、画素部70毎に親液性を示す領域及び撥液性を示す領域を形成する(ステップS103)。即ち、画素毎に、有機EL層50の形成領域において、第2バンク層47より露出した第1バンク層46の一部から、連続して、第1及び第2バンク層46及び47より露出した陽極34の表面に、親液性を示す領域が形成される。また、プラズマ処理によって、有機EL層50の形成領域を規定する第2バンク層47の側壁から、第2バンク層47の上面に連続して撥液性を示す領域が形成される。このように、プラズマ処理を行うことで、特に、有機EL層50の各機能層が成膜される陽極34の表面の一部における濡れ性を向上させることが可能となる。尚、画素部70毎に撥液性を示す領域を形成することで、有機EL層50の形成時に、有機EL層50の形成領域からはみ出して、第2バンク層47の上面に正孔注入/輸送層50bや発光層50aが形成されるのを防止することができる。   After that, plasma treatment is performed on the surface of the substrate 10 on which the anode 34 is formed, and a region showing lyophilicity and a region showing liquid repellency are formed for each pixel unit 70 as follows. (Step S103). That is, for each pixel, in the formation region of the organic EL layer 50, the first and second bank layers 46 and 47 are continuously exposed from a part of the first bank layer 46 exposed from the second bank layer 47. A region showing lyophilicity is formed on the surface of the anode 34. In addition, a region having liquid repellency is continuously formed on the upper surface of the second bank layer 47 from the side wall of the second bank layer 47 that defines the formation region of the organic EL layer 50 by the plasma treatment. As described above, by performing the plasma treatment, it is possible to improve wettability particularly on a part of the surface of the anode 34 on which each functional layer of the organic EL layer 50 is formed. In addition, by forming a region exhibiting liquid repellency for each pixel unit 70, when the organic EL layer 50 is formed, it protrudes from the region where the organic EL layer 50 is formed and is injected into the upper surface of the second bank layer 47. It is possible to prevent the transport layer 50b and the light emitting layer 50a from being formed.

以上説明したような、ステップS101からステップS103の工程は、図5に示す第2処理室J2において行われる。その後、第2処理室J2から矢印601で示されるように、第1処理室J1に基板10を搬送する。そして、第1処理室J1において基板10を次のように保持する(ステップS104)。   The processes from step S101 to step S103 as described above are performed in the second processing chamber J2 shown in FIG. Thereafter, as indicated by an arrow 601 from the second processing chamber J2, the substrate 10 is transferred to the first processing chamber J1. Then, the substrate 10 is held in the first processing chamber J1 as follows (step S104).

図6(a)に示すように、第1処理室J1における扉708が開閉されることにより、基板10は第1処理室J1内に搬入されて、保持手段706によって第1処理室J1内に保持される。このように基板10が保持された状態で、第1処理室J1内には、例えばコンプレッサ702により容器704内の溶媒がバブリングされて気化され、これにより得られた溶媒の蒸気が所定の圧力となるように供給されている。   As shown in FIG. 6A, when the door 708 in the first processing chamber J1 is opened and closed, the substrate 10 is loaded into the first processing chamber J1, and is held in the first processing chamber J1 by the holding means 706. Retained. In the state where the substrate 10 is held in this manner, the solvent in the container 704 is bubbled and vaporized in the first processing chamber J1 by, for example, the compressor 702, and the vapor of the solvent thus obtained is set at a predetermined pressure. It is supplied to become.

第1処理室J1において、溶媒の蒸気の圧力は、溶媒の飽和蒸気圧の80[%]以上の値となるように調整するのが好ましい。また、第1処理室J1内の圧力は、例えば、溶媒の蒸気と空気又は窒素(N2)とを合わせて大気圧となるように調整している。   In the first processing chamber J1, it is preferable to adjust the pressure of the solvent vapor so as to be 80% or more of the saturated vapor pressure of the solvent. In addition, the pressure in the first processing chamber J1 is adjusted so that, for example, the vapor of the solvent and air or nitrogen (N2) are combined to become an atmospheric pressure.

更に、容器704内には、後述するステップS105の工程において成膜される機能層が可溶な溶媒が保持される。機能層として正孔注入/輸送層50bを成膜する場合には、例えば、水、又は低級アルコールとして、メタノール、エタノール、プロバノール、ヘキサノール、ブタノール等のうち少なくとも一種の極性溶媒を容器704内に保持する。或いは、機能層として発光層50aを成膜する場合には、例えば、キシレン、トリメチルベンゼン、テトラメチルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、エチルビフェニル、イソプロピルビフェニル、n(ノルマル)−プロピルビフェニル等のうち少なくとも一種の非極性溶媒を容器704内に保持する。   Furthermore, in the container 704, a solvent in which the functional layer formed in the process of step S105 described later is soluble is retained. When the hole injection / transport layer 50b is formed as a functional layer, for example, at least one polar solvent of methanol, ethanol, propanol, hexanol, butanol, etc. is held in the container 704 as water or lower alcohol. To do. Alternatively, in the case of forming the light emitting layer 50a as the functional layer, for example, at least one of xylene, trimethylbenzene, tetramethylbenzene, cyclohexylbenzene, ethylbiphenyl, isopropylbiphenyl, n (normal) -propylbiphenyl, and the like. Polar solvent is held in container 704.

尚、図6(b)に示すように、第1処理室J1の外部に、コンプレッサ702及び容器704を設置するようにしてもよい。また、そのほか、コンプレッサ702から容器704への経路にフィルタ703を設けたり、容器704における溶媒の液面の高さに基づいて、溶媒の量を観測するセンサ(図示せず)を設けたりするようにしてもよい。更に、図6(b)に示すように、第1処理室J1内の気体をコンプレッサ702によって吸気することにより、排気するように構成してもよい。   As shown in FIG. 6B, a compressor 702 and a container 704 may be installed outside the first processing chamber J1. In addition, a filter 703 is provided in the path from the compressor 702 to the container 704, or a sensor (not shown) for observing the amount of the solvent based on the level of the solvent in the container 704 is provided. It may be. Further, as shown in FIG. 6B, the gas in the first processing chamber J <b> 1 may be exhausted by being sucked by a compressor 702.

第1処理室J1内では、基板10は陽極34が形成された側の表面が溶媒の蒸気と接触するように、保持手段706によって保持される。そして、基板10の表面は全体的に溶媒の蒸気と接触すると共に、基板10の表面におけるいずれの個所も所定の圧力の蒸気と接触することとなる。上述したように、第1処理室J1における溶媒の蒸気の圧力を調整することにより、基板10上で、各画素部70内において、陽極34の表面に溶媒を液化して付着させることができる。   In the first processing chamber J1, the substrate 10 is held by the holding means 706 so that the surface on the side where the anode 34 is formed comes into contact with the vapor of the solvent. The entire surface of the substrate 10 is in contact with the vapor of the solvent, and any part of the surface of the substrate 10 is in contact with the vapor having a predetermined pressure. As described above, by adjusting the pressure of the solvent vapor in the first processing chamber J1, the solvent can be liquefied and adhered to the surface of the anode 34 in each pixel portion 70 on the substrate 10.

よって、基板10上の各画素部70で濡れ性を向上させると共に、均一な濡れ性を確保することが可能となる。また、基板10における各画素部70に着目してみれば、画素部70内においても、濡れ性を向上させると共に、均一な濡れ性を確保することが可能となる。従って、従って、ステップS103におけるプラズマ処理で、基板10上における画素部70内や基板10における各画素部70で、夫々処理状況が異ってしまっても、その後に、第1処理室J1において基板10を保持することで、基板10上における画素部70内や基板10における各画素部70で、均一な濡れ性を確保することが可能となる。   Therefore, it is possible to improve wettability at each pixel portion 70 on the substrate 10 and to ensure uniform wettability. Further, when attention is paid to each pixel portion 70 in the substrate 10, it is possible to improve wettability and ensure uniform wettability even within the pixel portion 70. Therefore, even if the processing conditions differ in the pixel unit 70 on the substrate 10 or in each pixel unit 70 on the substrate 10 by the plasma processing in step S103, the substrate is subsequently processed in the first processing chamber J1. By holding 10, uniform wettability can be ensured in the pixel portion 70 on the substrate 10 and in each pixel portion 70 on the substrate 10.

第1処理室J1における基板10の保持時間は例えば1〜30分程度とし、第1処理室J1内の温度は、好ましくは20〜60[℃]とする。本発明者らの研究によれば、基板10を第1処理室J1に1分程度保持するだけで、画素部70内や各画素部70で濡れ性を向上させることができ、保持時間を長くしても、30分程度でその効果は頭打ちとなる。   The holding time of the substrate 10 in the first processing chamber J1 is, for example, about 1 to 30 minutes, and the temperature in the first processing chamber J1 is preferably 20 to 60 [° C.]. According to the study by the present inventors, the wettability can be improved in the pixel unit 70 or in each pixel unit 70 only by holding the substrate 10 in the first processing chamber J1 for about 1 minute, and the holding time is lengthened. Even in about 30 minutes, the effect reaches its peak.

続いて、図5に示す第1処理室J1から、基板10を、矢印602で示すように第3処理室J3に搬送する。そして、第3処理室J3において、正孔注入/輸送層50bの材料を、例えばインクジェット法により、画素部70毎に陽極34上に塗布する。その後、正孔注入/輸送層50bの材料が塗布された基板10を、図5中の矢印603で示すように、第3処理室J3から第4処理室J4に搬送する。そして、第4処理室J4内で、基板10上に塗布された正孔注入/輸送層50bの材料を、例えば減圧乾燥して、正孔注入/輸送層50bを成膜する(ステップS105)。   Subsequently, the substrate 10 is transferred from the first processing chamber J1 shown in FIG. 5 to the third processing chamber J3 as indicated by an arrow 602. Then, in the third processing chamber J3, the material of the hole injection / transport layer 50b is applied on the anode 34 for each pixel portion 70 by, for example, an inkjet method. Thereafter, the substrate 10 coated with the material of the hole injection / transport layer 50b is transferred from the third processing chamber J3 to the fourth processing chamber J4 as indicated by an arrow 603 in FIG. Then, in the fourth processing chamber J4, the material of the hole injection / transport layer 50b applied on the substrate 10 is dried, for example, under reduced pressure to form the hole injection / transport layer 50b (step S105).

本実施形態では、ステップS104の工程を行うことにより、第3処理室J3において、画素部70内で均一に正孔注入/輸送層50bの材料を塗布させると共に、基板10上の各画素部70でも均一に正孔注入/輸送層50bの材料を塗布させることが可能となり、塗布ムラが発生するのを防止することができる。その結果、基板10上における画素部70内や各画素部70で、表面が平坦で膜厚が均一な正孔注入/輸送層50bを得ることができる。   In the present embodiment, by performing the process of step S104, the material of the hole injection / transport layer 50b is uniformly applied in the pixel unit 70 in the third processing chamber J3, and each pixel unit 70 on the substrate 10 is applied. However, it is possible to uniformly apply the material of the hole injection / transport layer 50b, and it is possible to prevent coating unevenness. As a result, the hole injection / transport layer 50b having a flat surface and a uniform film thickness can be obtained in the pixel portion 70 and each pixel portion 70 on the substrate 10.

その後、正孔注入/輸送層50b上に順次、発光層50a並びに電子注入/輸送層50cを夫々成膜して、有機EL層50を形成する。より具体的には、正孔注入/輸送層50bの成膜後、図5中の矢印604で示すように、第4処理室J4から、再び第1処理室J1に基板10を搬送する。そして、正孔注入/輸送層50bの成膜時と同様に、基板10を第1処理室J1から、第3処理室J3に搬送し、第3処理室J3から第4処理室J4に搬送した後、再び第1処理室J1に基板10を搬送する、という手順を繰り返して、発光層50a並びに電子注入/輸送層50cを夫々成膜する。よって、基板10上における画素部70内や各画素部70で、表面が平坦で膜厚が均一な発光層50a及び電子注入/輸送層50bを夫々得ることができる。尚、第1処理室J1には、発光層50aの成膜時には発光層50aが可溶な溶媒の蒸気を、電子注入/輸送層50cの成膜時には電子注入/輸送層50cが可溶な溶媒の蒸気を、夫々供給する。   Thereafter, the light emitting layer 50a and the electron injection / transport layer 50c are sequentially formed on the hole injection / transport layer 50b to form the organic EL layer 50. More specifically, after forming the hole injection / transport layer 50b, the substrate 10 is transferred again from the fourth processing chamber J4 to the first processing chamber J1, as indicated by an arrow 604 in FIG. Then, similarly to the film formation of the hole injection / transport layer 50b, the substrate 10 was transferred from the first processing chamber J1 to the third processing chamber J3, and transferred from the third processing chamber J3 to the fourth processing chamber J4. Thereafter, the procedure of transporting the substrate 10 to the first processing chamber J1 again is repeated to form the light emitting layer 50a and the electron injection / transport layer 50c, respectively. Therefore, the light emitting layer 50a and the electron injecting / transporting layer 50b having a flat surface and a uniform film thickness can be obtained in the pixel portion 70 and each pixel portion 70 on the substrate 10, respectively. In the first processing chamber J1, a vapor of a solvent in which the light emitting layer 50a is soluble when the light emitting layer 50a is formed, and a solvent in which the electron injection / transport layer 50c is soluble when the electron injecting / transporting layer 50c is formed. The steam of each is supplied.

その後、有機EL層50上に陰極49を形成し、有機EL素子72を例えば封止基板により封止する。   Thereafter, a cathode 49 is formed on the organic EL layer 50, and the organic EL element 72 is sealed with, for example, a sealing substrate.

尚、図5において、有機EL装置の製造装置で、第1から第4処理室J1〜J4で複数の基板10を処理する場合には、第1処理室J1において、各基板10を、所定時間で所定温度で且つ溶媒の蒸気を所定の圧力に調整して、保持するのが好ましい。このようにすれば、各基板10において、画素部70内又は各画素部70で濡れ性を均一にすることができる。よって、各基板10において、画素部70内や各画素部70で、正孔注入/輸送層50bや発光層50の表面を平坦にし、且つ膜厚を均一にすることが可能となる。   In FIG. 5, when a plurality of substrates 10 are processed in the first to fourth processing chambers J1 to J4 in the organic EL device manufacturing apparatus, each substrate 10 is set in the first processing chamber J1 for a predetermined time. It is preferable that the solvent vapor is adjusted to a predetermined pressure and maintained at a predetermined temperature. In this way, it is possible to make the wettability uniform in the pixel unit 70 or in each pixel unit 70 in each substrate 10. Therefore, in each substrate 10, the surface of the hole injection / transport layer 50 b and the light emitting layer 50 can be flattened and the film thickness can be made uniform in the pixel portion 70 and each pixel portion 70.

従って、以上説明したような本実施形態の製造プロセスによれば、有機EL装置の製造における歩留まりを向上させることが可能となる。また、本実施形態の製造プロセスにより製造された有機EL装置では夫々、画素部70内又は各画素部70で均一な発光状態を得ることが可能となり、輝度ムラ等の表示不良が発生するのを防止することができる。その結果、各有機EL装置において、高品質な画像表示を行うと共に、均一な表示特性を得ることが可能となる。   Therefore, according to the manufacturing process of the present embodiment as described above, the yield in manufacturing the organic EL device can be improved. In addition, in the organic EL device manufactured by the manufacturing process of the present embodiment, it is possible to obtain a uniform light emission state in the pixel unit 70 or in each pixel unit 70, and display defects such as luminance unevenness occur. Can be prevented. As a result, each organic EL device can perform high-quality image display and obtain uniform display characteristics.

<2:第2実施形態>
次に、本発明の有機EL装置に係る第2実施形態について説明する。第2実施形態では、第1実施形態と有機EL装置の製造プロセスの一部が異なる。よって、第1実施形態と異なる点についてのみ、図7及び図8を参照して説明する。
<2: Second Embodiment>
Next, a second embodiment according to the organic EL device of the present invention will be described. The second embodiment differs from the first embodiment in a part of the manufacturing process of the organic EL device. Therefore, only differences from the first embodiment will be described with reference to FIGS.

図7は、第2実施形態における有機EL装置の製造プロセスに係る各工程を説明するためのフローチャートを示す図であって、図8は、有機EL装置の製造に用いられる製造装置における各工程の流れを模式的に説明するための模式図である。尚、第1実施形態と同様の工程或いは構成については、同一の符号を付して示し、重複する説明は省略する。   FIG. 7 is a diagram illustrating a flowchart for explaining each process related to the manufacturing process of the organic EL device according to the second embodiment, and FIG. 8 illustrates each process in the manufacturing apparatus used for manufacturing the organic EL device. It is a schematic diagram for demonstrating a flow typically. In addition, about the process or structure similar to 1st Embodiment, the same code | symbol is attached | subjected and shown, and the overlapping description is abbreviate | omitted.

以下では、第1実施形態と同様に、陽極34上に、正孔注入/輸送層50b、発光層50a及び電子注入/輸送層50cを順次成膜することで、有機EL層50を形成するものとする。   In the following, as in the first embodiment, the organic EL layer 50 is formed by sequentially forming the hole injection / transport layer 50b, the light emitting layer 50a, and the electron injection / transport layer 50c on the anode 34. And

先ず、図7において、第1実施形態と同様に、図8に示す第2処理室J2において、ステップS101からステップS103の工程を行う。その後、第2処理室J2から矢印611で示されるように、第3処理室J3に基板10を搬送する。そして、第3処理室J3において、正孔注入/輸送層50bの材料を、画素部70毎に陽極34上に塗布する。その後、正孔注入/輸送層50bの材料が塗布された基板10を、図8中の矢印612で示すように、第3処理室J3から第4処理室J4に搬送する。そして、第4処理室J4内で、基板10上に塗布された正孔注入/輸送層50bの材料を乾燥して、正孔注入/輸送層50bを成膜する(ステップS204)。   First, in FIG. 7, similarly to the first embodiment, steps S101 to S103 are performed in the second processing chamber J2 shown in FIG. Thereafter, as indicated by an arrow 611, the substrate 10 is transferred from the second processing chamber J2 to the third processing chamber J3. Then, in the third processing chamber J3, the material of the hole injection / transport layer 50b is applied on the anode 34 for each pixel portion 70. Thereafter, the substrate 10 coated with the material of the hole injection / transport layer 50b is transferred from the third processing chamber J3 to the fourth processing chamber J4 as indicated by an arrow 612 in FIG. Then, in the fourth processing chamber J4, the material for the hole injection / transport layer 50b applied on the substrate 10 is dried to form the hole injection / transport layer 50b (step S204).

続いて、基板10を、図8中の矢印613で示すように、第4処理室J4から第1処理室J1に搬送する。そして、第1処理室J1に基板10を保持する(ステップS205)。ここで、第1処理室J1内には、正孔注入/輸送層50bが可溶な溶媒の蒸気が所定の圧力となるように供給されている。   Subsequently, the substrate 10 is transferred from the fourth processing chamber J4 to the first processing chamber J1 as indicated by an arrow 613 in FIG. Then, the substrate 10 is held in the first processing chamber J1 (step S205). Here, the vapor of the solvent in which the hole injection / transport layer 50b is soluble is supplied into the first processing chamber J1 so as to have a predetermined pressure.

第1処理室J1内では、基板10と溶媒の蒸気とが接触することで、各画素部70内において正孔注入/輸送層50bの表面に溶媒が液化して付着する。そして、正孔注入/輸送層50bの表面付近では、正孔注入/輸送層50bの材料が溶媒に再溶解する。よって、第1処理室J1へ基板10を搬送する前に、第4処理室J4で、基板10上に塗布された正孔注入/輸送層50bの材料を乾燥させる際に、画素部70内又は基板10における各画素部70間で乾燥速度が不均一になったとしても、前述したように正孔注入/輸送層50bの材料を再溶解させることで、正孔注入/輸送層50bの表面に生じた段差を緩和して、正孔注入/輸送層50bの表面を平坦化することが可能となる。従って、基板10上の各画素部70で正孔注入/輸送層50bの平坦性を改善することができる。また、基板10における各画素部70に着目してみれば、画素部70内においても、正孔注入/輸送層50bの平坦性を改善することができる。   In the first processing chamber J1, the substrate 10 and the vapor of the solvent come into contact with each other, so that the solvent liquefies and adheres to the surface of the hole injection / transport layer 50b in each pixel unit 70. In the vicinity of the surface of the hole injection / transport layer 50b, the material of the hole injection / transport layer 50b is redissolved in the solvent. Therefore, before the substrate 10 is transferred to the first processing chamber J1, when the material of the hole injection / transport layer 50b applied on the substrate 10 is dried in the fourth processing chamber J4, Even if the drying speed is nonuniform between the pixel portions 70 in the substrate 10, the material of the hole injection / transport layer 50b is re-dissolved on the surface of the hole injection / transport layer 50b as described above. It is possible to relax the generated step and planarize the surface of the hole injection / transport layer 50b. Therefore, the flatness of the hole injection / transport layer 50b can be improved in each pixel portion 70 on the substrate 10. If attention is paid to each pixel portion 70 in the substrate 10, the flatness of the hole injection / transport layer 50 b can be improved also in the pixel portion 70.

更に、例えば溶媒を基板10に直接スプレーコートさせるような場合と比較して、基板10の表面を全体的に均一に溶媒の蒸気と接触させることができるため、溶媒の塗布ムラを防止して、基板10上における画素部70内で均一な平坦性を得ると共に、基板10における各画素部70でも均一な平坦性を得ることが可能となる。加えて、後述するように、有機EL装置の製造装置で、第1から第4処理室J1〜J4で複数の基板10を処理する場合に、第1処理室J1における保持時間等を所定値に調整することで、容易に各基板10に対して再現性の高い処理を行うことが可能となる。   Furthermore, since the surface of the substrate 10 can be uniformly contacted with the vapor of the solvent as a whole as compared with, for example, the case where the solvent is directly spray-coated on the substrate 10, the uneven application of the solvent can be prevented, It is possible to obtain uniform flatness in the pixel portion 70 on the substrate 10 and also obtain uniform flatness in each pixel portion 70 on the substrate 10. In addition, as will be described later, when processing a plurality of substrates 10 in the first to fourth processing chambers J1 to J4 in the organic EL device manufacturing apparatus, the holding time in the first processing chamber J1 is set to a predetermined value. By adjusting, it becomes possible to easily perform processing with high reproducibility on each substrate 10.

続いて、基板10を、図8中の矢印614で示すように、第1処理室J1から第4処理室J4に搬送する。そして、第4処理室J4において、再溶解させた正孔注入/輸送層50bの材料を、再び、例えば減圧乾燥させる(ステップS206)。   Subsequently, the substrate 10 is transferred from the first processing chamber J1 to the fourth processing chamber J4 as indicated by an arrow 614 in FIG. In the fourth processing chamber J4, the re-dissolved material of the hole injection / transport layer 50b is dried again, for example, under reduced pressure (step S206).

その後、正孔注入/輸送層50b上に順次、発光層50a並びに電子注入/輸送層50cを夫々成膜して、有機EL層50を形成する。より具体的には、正孔注入/輸送層50bの材料を再乾燥させた後、図8中の矢印615で示すように、第4処理室J4から、再び第3処理室J3に基板10を搬送する。そして、正孔注入/輸送層50bの成膜時と同様に、基板10を第3処理室J3から、第4処理室J4に搬送した後に第1処理室J1に搬送し、再び第4処理室J4に基板10を搬送する、という手順を繰り返して、発光層50a並びに電子注入/輸送層50cを夫々成膜する。よって、基板10上の画素部70内又は各画素部70で、発光層50a及び電子注入/輸送層50cの各々の平坦性を改善することができる。尚、第1処理室J1には、発光層50aの成膜時には発光層50aが可溶な溶媒の蒸気を、電子注入/輸送層50cの成膜時には電子注入/輸送層50cが可溶な溶媒の蒸気を、夫々供給する。   Thereafter, the light emitting layer 50a and the electron injection / transport layer 50c are sequentially formed on the hole injection / transport layer 50b to form the organic EL layer 50. More specifically, after the material of the hole injection / transport layer 50b is re-dried, the substrate 10 is again transferred from the fourth processing chamber J4 to the third processing chamber J3 as indicated by an arrow 615 in FIG. Transport. Then, as in the film formation of the hole injection / transport layer 50b, the substrate 10 is transferred from the third processing chamber J3 to the fourth processing chamber J4, then transferred to the first processing chamber J1, and again to the fourth processing chamber. The procedure of transporting the substrate 10 to J4 is repeated to form the light emitting layer 50a and the electron injection / transport layer 50c, respectively. Therefore, the flatness of each of the light emitting layer 50a and the electron injection / transport layer 50c can be improved in the pixel portion 70 on the substrate 10 or in each pixel portion 70. In the first processing chamber J1, a vapor of a solvent in which the light emitting layer 50a is soluble when the light emitting layer 50a is formed, and a solvent in which the electron injection / transport layer 50c is soluble when the electron injecting / transporting layer 50c is formed. The steam of each is supplied.

また、第1実施形態と同様に、有機EL装置の製造装置で、第1から第4処理室J1〜J4で複数の基板10を処理する場合には、各基板10を、所定時間で所定温度で且つ溶媒の蒸気を所定の圧力に調整して、保持するのが好ましい。このようにすれば、各基板10において、画素部70内または各画素部70で均一な平坦性を確保することが可能となる。   Similarly to the first embodiment, when processing a plurality of substrates 10 in the first to fourth processing chambers J1 to J4 in the organic EL device manufacturing apparatus, each substrate 10 is set at a predetermined temperature for a predetermined time. In addition, the vapor of the solvent is preferably adjusted to a predetermined pressure and maintained. In this way, it is possible to ensure uniform flatness in the pixel unit 70 or in each pixel unit 70 in each substrate 10.

よって、第2実施形態では、第1実施形態と同様の利益を享受することが可能となる。   Therefore, in 2nd Embodiment, it becomes possible to enjoy the same profit as 1st Embodiment.

<3:第3実施形態>
次に、本発明の有機EL装置に係る第3実施形態について説明する。第3実施形態では、第1又は第2実施形態と有機EL装置の製造プロセスの一部が異なる。よって、第1又は第2実施形態と異なる点についてのみ、図9及び図10を参照して説明する。
<3: Third embodiment>
Next, a third embodiment according to the organic EL device of the present invention will be described. The third embodiment is different from the first or second embodiment in a part of the manufacturing process of the organic EL device. Therefore, only differences from the first or second embodiment will be described with reference to FIGS.

図9は、第3実施形態における有機EL装置の製造プロセスに係る各工程を説明するためのフローチャートを示す図であって、図10は、有機EL装置の製造に用いられる製造装置における各工程の流れを模式的に説明するための模式図である。尚、第1又は第2実施形態と同様の工程或いは構成については、同一の符号を付して示し、重複する説明は省略する。   FIG. 9 is a diagram illustrating a flowchart for explaining each process related to the manufacturing process of the organic EL device according to the third embodiment, and FIG. 10 illustrates each process in the manufacturing apparatus used for manufacturing the organic EL device. It is a schematic diagram for demonstrating a flow typically. In addition, about the process or structure similar to 1st or 2nd embodiment, the same code | symbol is attached | subjected and shown, and the overlapping description is abbreviate | omitted.

以下では、第1又は第2実施形態と同様に、陽極34上に、正孔注入/輸送層50b、発光層50a及び電子注入/輸送層50cを順次成膜することで、有機EL層50を形成するものとする。   In the following, similarly to the first or second embodiment, the organic EL layer 50 is formed by sequentially forming the hole injection / transport layer 50b, the light emitting layer 50a, and the electron injection / transport layer 50c on the anode 34. Shall be formed.

先ず、図9において、第1又は第2実施形態と同様に、図10に示す第2処理室J2において、ステップS101からステップS103の工程を行う。その後、第2処理室J2から矢印621で示されるように、第1処理室J1に基板10を搬送する。そして、第1処理室J1において基板10を保持する(ステップS304)。   First, in FIG. 9, similarly to the first or second embodiment, steps S101 to S103 are performed in the second processing chamber J2 shown in FIG. Thereafter, as indicated by an arrow 621, the substrate 10 is transferred from the second processing chamber J2 to the first processing chamber J1. Then, the substrate 10 is held in the first processing chamber J1 (step S304).

ここで、第1処理室J1内には、正孔注入/輸送層50bが可溶な溶媒の蒸気が所定の圧力となるように供給されている。第1処理室J1内では、基板10と溶媒の蒸気とが接触することで、各画素部70内において陽極34の表面に溶媒が液化して付着する。よって、基板10上の各画素部70で濡れ性を向上させると共に、均一な濡れ性を確保することが可能となる。また、基板10における各画素部70に着目してみれば、画素部70内においても、濡れ性を向上させると共に、均一な濡れ性を確保することが可能となる。。   Here, the vapor of the solvent in which the hole injection / transport layer 50b is soluble is supplied into the first processing chamber J1 so as to have a predetermined pressure. In the first processing chamber J1, the substrate 10 and the solvent vapor come into contact with each other, so that the solvent liquefies and adheres to the surface of the anode 34 in each pixel portion 70. Therefore, it is possible to improve wettability at each pixel portion 70 on the substrate 10 and to ensure uniform wettability. Further, when attention is paid to each pixel portion 70 in the substrate 10, it is possible to improve wettability and ensure uniform wettability even within the pixel portion 70. .

続いて、図10に示す第1処理室J1から、基板10を、矢印622で示すように第3処理室J3に搬送する。そして、第3処理室J3において、正孔注入/輸送層50bの材料を、画素部70毎に陽極34上に塗布する。その後、正孔注入/輸送層50bの材料が塗布された基板10を、図10中の矢印623で示すように、第3処理室J3から第4処理室J4に搬送する。そして、第4処理室J4内で、基板10上に塗布された正孔注入/輸送層50bの材料を乾燥して、正孔注入/輸送層50bを成膜する(ステップS305)。   Subsequently, the substrate 10 is transferred from the first processing chamber J1 shown in FIG. 10 to the third processing chamber J3 as indicated by an arrow 622. Then, in the third processing chamber J3, the material of the hole injection / transport layer 50b is applied on the anode 34 for each pixel portion 70. Thereafter, the substrate 10 coated with the material of the hole injection / transport layer 50b is transferred from the third processing chamber J3 to the fourth processing chamber J4 as indicated by an arrow 623 in FIG. Then, in the fourth processing chamber J4, the material for the hole injection / transport layer 50b applied on the substrate 10 is dried to form the hole injection / transport layer 50b (step S305).

第1処理室J1内での処理により、第3処理室J3では、基板10上の各画素部70で均一に正孔注入/輸送層50bの材料を塗布させると共に、画素部70内でも均一に正孔注入/輸送層50bの材料を塗布させることが可能となり、塗布ムラが発生するのを防止することができる。   By the processing in the first processing chamber J1, in the third processing chamber J3, the material of the hole injection / transport layer 50b is uniformly applied in each pixel portion 70 on the substrate 10, and also uniformly in the pixel portion 70. It becomes possible to apply the material of the hole injection / transport layer 50b, and it is possible to prevent uneven application.

続いて、基板10を、図10中の矢印624で示すように、第4処理室J4から第1処理室J1に搬送する。そして、第1処理室J1に基板10を保持する(ステップS306)。この際も、第1処理室J1内には、正孔注入/輸送層50bが可溶な溶媒の蒸気が所定の圧力となるように供給されている。   Subsequently, the substrate 10 is transferred from the fourth processing chamber J4 to the first processing chamber J1, as indicated by an arrow 624 in FIG. Then, the substrate 10 is held in the first processing chamber J1 (step S306). Also in this case, the solvent vapor in which the hole injection / transport layer 50b is soluble is supplied into the first processing chamber J1 so as to have a predetermined pressure.

第1処理室J1内では、各画素部70内において正孔注入/輸送層50bの表面に液化して付着した溶媒に、正孔注入/輸送層50bの材料が再溶解する。よって、基板10上の各画素部70で正孔注入/輸送層50bの平坦性を改善することができる。また、基板10における各画素部70に着目してみれば、画素部70内においても、正孔注入/輸送層50bの平坦性を改善することができる。   In the first processing chamber J1, the material of the hole injection / transport layer 50b is redissolved in the solvent liquefied and attached to the surface of the hole injection / transport layer 50b in each pixel portion 70. Therefore, the flatness of the hole injection / transport layer 50 b can be improved in each pixel portion 70 on the substrate 10. If attention is paid to each pixel portion 70 in the substrate 10, the flatness of the hole injection / transport layer 50 b can be improved also in the pixel portion 70.

続いて、基板10を、図10中の矢印625で示すように、第1処理室J1から第4処理室J4に搬送する。そして、第4処理室J4において、再溶解させた正孔注入/輸送層50bの材料を、再乾燥させる(ステップS307)。   Subsequently, the substrate 10 is transferred from the first processing chamber J1 to the fourth processing chamber J4 as indicated by an arrow 625 in FIG. Then, the re-dissolved material of the hole injection / transport layer 50b is re-dried in the fourth processing chamber J4 (step S307).

その後、正孔注入/輸送層50b上に順次、発光層50a並びに電子注入/輸送層50cを夫々成膜して、有機EL層50を形成する。より具体的には、正孔注入/輸送層50bの材料を再乾燥させた後、図10中の矢印624で示すように、第4処理室J4から、再び第1処理室J1に基板10を搬送する。そして、正孔注入/輸送層50bの成膜時と同様に、基板10を第1処理室J1から第3処理室J3に搬送した後、第4処理室J4に搬送し、再び第1処理室J1に基板10を搬送した後、第4処理室J4において再乾燥させるという手順を繰り返して、発光層50a並びに電子注入/輸送層50cを夫々成膜する。尚、第1処理室J1には、発光層50aの成膜時には発光層50aが可溶な溶媒の蒸気を、電子注入/輸送層50cの成膜時には電子注入/輸送層50cが可溶な溶媒の蒸気を、夫々供給する。   Thereafter, the light emitting layer 50a and the electron injection / transport layer 50c are sequentially formed on the hole injection / transport layer 50b to form the organic EL layer 50. More specifically, after the material of the hole injection / transport layer 50b is re-dried, the substrate 10 is again transferred from the fourth processing chamber J4 to the first processing chamber J1 as indicated by an arrow 624 in FIG. Transport. As in the film formation of the hole injection / transport layer 50b, the substrate 10 is transferred from the first processing chamber J1 to the third processing chamber J3, then transferred to the fourth processing chamber J4, and again in the first processing chamber. After transporting the substrate 10 to J1, the procedure of re-drying in the fourth processing chamber J4 is repeated to form the light emitting layer 50a and the electron injection / transport layer 50c, respectively. In the first processing chamber J1, a vapor of a solvent in which the light emitting layer 50a is soluble when the light emitting layer 50a is formed, and a solvent in which the electron injection / transport layer 50c is soluble when the electron injecting / transporting layer 50c is formed. The steam of each is supplied.

また、第1又は第2実施形態と同様に、有機EL装置の製造装置で、第1から第4処理室J1〜J4で複数の基板10を処理する場合には、各基板10を、所定時間で所定温度で且つ溶媒の蒸気を所定の圧力に調整して、保持するのが好ましい。このようにすれば、各基板10において、画素部70内又は各画素部70で、正孔注入/輸送層50bや発光層50の各々の形状を均一にすることができる。従って、第3実施形態によれば、第1又は第2実施形態と同様の利益を享受することが可能となる。   Similarly to the first or second embodiment, when a plurality of substrates 10 are processed in the first to fourth processing chambers J1 to J4 in the organic EL device manufacturing apparatus, each substrate 10 is set for a predetermined time. It is preferable that the solvent vapor is adjusted to a predetermined pressure and maintained at a predetermined temperature. In this way, in each substrate 10, the shape of each of the hole injection / transport layer 50 b and the light emitting layer 50 can be made uniform in the pixel unit 70 or in each pixel unit 70. Therefore, according to the third embodiment, it is possible to receive the same benefits as those in the first or second embodiment.

また、第3実施形態では、第1又は第2実施形態と比較して、基板10上の各画素部70で、より確実に、発光層50a等の機能層の表面の平坦性を改善すると共に、機能層の表面の平坦性及び機能層の膜厚を均一にすることが可能となる。
また、基板10における各画素部70に着目してみれば、画素部70内においても、より確実に、発光層50a等の機能層の表面の平坦性を改善すると共に、機能層の表面の平坦性及び機能層の膜厚を均一にすることが可能となる。
In the third embodiment, the flatness of the surface of the functional layer such as the light emitting layer 50a is more reliably improved in each pixel unit 70 on the substrate 10 as compared with the first or second embodiment. The flatness of the surface of the functional layer and the film thickness of the functional layer can be made uniform.
Further, if attention is paid to each pixel portion 70 in the substrate 10, the flatness of the surface of the functional layer such as the light emitting layer 50a is more reliably improved and the surface of the functional layer is flattened in the pixel portion 70 as well. It becomes possible to make the film thickness of a property and a functional layer uniform.

<4:電子機器>
次に、上述した有機EL装置が各種の電子機器に適用される場合について説明する。
<4: Electronic equipment>
Next, a case where the above-described organic EL device is applied to various electronic devices will be described.

<4−1:モバイル型コンピュータ>
先ず、この有機EL装置を、モバイル型のパーソナルコンピュータに適用した例について説明する。図11は、このパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。図において、コンピュータ1200は、キーボード1202を備えた本体部1204と、有機EL装置を用いて構成された表示ユニット1206とを備えている。
<4-1: Mobile computer>
First, an example in which this organic EL device is applied to a mobile personal computer will be described. FIG. 11 is a perspective view showing the configuration of the personal computer. In the figure, a computer 1200 includes a main body 1204 including a keyboard 1202 and a display unit 1206 configured using an organic EL device.

<4−2;携帯電話>
さらに、この有機EL装置を、携帯電話に適用した例について説明する。図12は、この携帯電話の構成を示す斜視図である。図において、携帯電話1300は、複数の操作ボタン1302とともに有機EL装置を備えるものである。
<4-2: Mobile phone>
Further, an example in which this organic EL device is applied to a mobile phone will be described. FIG. 12 is a perspective view showing the configuration of this mobile phone. In the figure, a mobile phone 1300 includes an organic EL device together with a plurality of operation buttons 1302.

この他にも、有機EL装置は、ノート型のパーソナルコンピュータ、PDA、テレビ、ビューファインダ、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、POS端末、タッチパネルなど、更には有機EL装置を露光用ヘッドとして用いたプリンタ、コピー、ファクシミリ等の画像形成装置などの装置等に適用することができる。   In addition, organic EL devices include notebook personal computers, PDAs, televisions, viewfinders, monitor direct-view video tape recorders, car navigation devices, pagers, electronic notebooks, calculators, word processors, workstations, POS terminals, The present invention can be applied to devices such as a touch panel, an image forming apparatus such as a printer, a copy, and a facsimile using an organic EL device as an exposure head.

本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨、あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う有機EL装置の製造方法及び製造装置、並びに該製造方法によって製造された有機EL装置及びそのような有機EL装置を備えた各種電子機器もまた、本発明の技術的範囲に含まれるものである。   The present invention is not limited to the above-described embodiments, and can be appropriately changed without departing from the gist or the spirit of the invention that can be read from the claims and the entire specification, and an organic EL device with such a change. The manufacturing method and manufacturing apparatus, the organic EL device manufactured by the manufacturing method, and various electronic devices including such an organic EL device are also included in the technical scope of the present invention.

有機EL装置の全体構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the whole structure of an organic electroluminescent apparatus. 任意の画素部の平面図である。It is a top view of arbitrary pixel parts. 図2に示す画素部のA−A'断面図である。FIG. 3 is an AA ′ cross-sectional view of the pixel portion shown in FIG. 2. 有機EL装置の製造プロセスに係る各工程を説明するためのフローチャートを示す図である。It is a figure which shows the flowchart for demonstrating each process which concerns on the manufacturing process of an organic electroluminescent apparatus. 有機EL装置の製造装置における各工程の流れを模式的に説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating typically the flow of each process in the manufacturing apparatus of an organic EL apparatus. 図6(a)及び図6(b)は、第1処理室の構成例を概略的に示し図である。FIG. 6A and FIG. 6B are diagrams schematically illustrating a configuration example of the first processing chamber. 第2実施形態における、有機EL装置の製造プロセスに係る各工程を説明するためのフローチャートを示す図である。It is a figure which shows the flowchart for demonstrating each process which concerns on the manufacturing process of the organic electroluminescent apparatus in 2nd Embodiment. 第2実施形態における、有機EL装置の製造装置における各工程の流れを模式的に説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating typically the flow of each process in the manufacturing apparatus of the organic EL device in 2nd Embodiment. 第3実施形態における、有機EL装置の製造プロセスに係る各工程を説明するためのフローチャートを示す図である。It is a figure which shows the flowchart for demonstrating each process which concerns on the manufacturing process of the organic electroluminescent apparatus in 3rd Embodiment. 第3実施形態における、有機EL装置の製造装置における各工程の流れを模式的に説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating typically the flow of each process in the manufacturing apparatus of the organic EL apparatus in 3rd Embodiment. 有機EL装置を適用した電子機器の一例たるパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the structure of the personal computer which is an example of the electronic device to which the organic EL apparatus is applied. 有機EL装置を適用した電子機器の一例たる携帯電話の構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the structure of the mobile telephone which is an example of the electronic device to which an organic EL apparatus is applied.

符号の説明Explanation of symbols

10…基板、34…陽極、49…陰極、50…有機EL層、70…画素部、J1…第1処理室、J2…第2処理室、J3…第3処理室、J4…第4処理室
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Board | substrate, 34 ... Anode, 49 ... Cathode, 50 ... Organic EL layer, 70 ... Pixel part, J1 ... 1st processing chamber, J2 ... 2nd processing chamber, J3 ... 3rd processing chamber, J4 ... 4th processing chamber

Claims (13)

基板上に、画素毎に、第1及び第2電極と、該第1及び第2電極間に挟持される、少なくとも一層の機能層とを備える有機EL装置の製造方法であって、
前記基板上に、前記画素毎に前記第1電極を形成する工程と、
前記第1電極を形成した後に、前記機能層の材料が可溶な溶媒の蒸気を所定の圧力とした処理室に、前記基板を保持する工程と、
前記処理室で前記基板を保持した後に、前記第1電極上に前記機能層を成膜する工程と
を備えることを特徴とする有機EL装置の製造方法。
A method of manufacturing an organic EL device comprising a first and second electrodes and at least one functional layer sandwiched between the first and second electrodes on a substrate for each pixel,
Forming the first electrode for each pixel on the substrate;
After forming the first electrode, holding the substrate in a processing chamber having a predetermined pressure of vapor of a solvent in which the material of the functional layer is soluble;
And a step of forming the functional layer on the first electrode after the substrate is held in the processing chamber.
基板上に、画素毎に、第1及び第2電極と、該第1及び第2電極間に挟持される、少なくとも一層の機能層とを備える有機EL装置の製造方法であって、
前記基板上に、前記画素毎に前記第1電極を形成する工程と、
前記第1電極を形成した後であって、前記機能層を成膜する前に、前記機能層の材料が可溶な溶媒の蒸気を所定の圧力とした処理室に、前記基板を保持する工程と、
前記第1電極上に前記機能層を成膜する工程と、
前記機能層を成膜した後に、前記基板を前記処理室に保持する工程と
を備えることを特徴とする有機EL装置の製造方法。
A method of manufacturing an organic EL device comprising a first and second electrodes and at least one functional layer sandwiched between the first and second electrodes on a substrate for each pixel,
Forming the first electrode for each pixel on the substrate;
A step of holding the substrate in a processing chamber having a predetermined pressure of vapor of a solvent in which the material of the functional layer is soluble after forming the first electrode and before forming the functional layer. When,
Depositing the functional layer on the first electrode;
And a step of holding the substrate in the processing chamber after forming the functional layer.
前記第1電極を形成する工程の後であって、前記機能層を成膜する前で且つ前記基板を保持する工程の前に、前記基板に対してプラズマ処理をインク塗布前処理として行う工程を更に備え、
前記機能層を成膜する工程は、インク塗布によって前記機能層を成膜することを特徴とする請求項1又は2に記載の有機EL装置の製造方法。
After the step of forming the first electrode, before the functional layer is formed and before the step of holding the substrate, a step of performing a plasma treatment on the substrate as an ink application pretreatment In addition,
3. The method of manufacturing an organic EL device according to claim 1, wherein the step of forming the functional layer forms the functional layer by ink application.
基板上に、画素毎に、第1及び第2電極と、該第1及び第2電極間に挟持される、少なくとも一層の機能層とを備える有機EL装置の製造方法であって、
前記第1電極上に前記機能層を成膜する工程と、
前記機能層を成膜した後に、前記機能層の材料が可溶な溶媒の蒸気を所定の圧力とした処理室に、前記基板を保持する工程と
を備えることを特徴とする有機EL装置の製造方法。
A method of manufacturing an organic EL device comprising, on a substrate, for each pixel, a first and second electrode, and at least one functional layer sandwiched between the first and second electrodes,
Depositing the functional layer on the first electrode;
A step of holding the substrate in a processing chamber in which a vapor of a solvent in which the material of the functional layer is soluble is set to a predetermined pressure after forming the functional layer. Method.
前記基板を保持する工程では、前記所定の圧力が、前記溶媒の飽和蒸気圧の80[%]以上の値となるように調整すること
を特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の有機EL装置の製造方法。
5. The method according to claim 1, wherein in the step of holding the substrate, the predetermined pressure is adjusted to a value of 80% or more of a saturated vapor pressure of the solvent. The manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus of description.
前記機能層を成膜する工程では、前記機能層として発光層を成膜すること
を特徴とする請求項1から5のいずれか一項に記載の有機EL装置の製造方法。
The method for manufacturing an organic EL device according to claim 1, wherein in the step of forming the functional layer, a light emitting layer is formed as the functional layer.
前記機能層を成膜する工程では、前記機能層として正孔注入層又は正孔輸送層を成膜すること
を特徴とする請求項1から6のいずれか一項に記載の有機EL装置の製造方法。
The organic EL device manufacturing method according to claim 1, wherein in the step of forming the functional layer, a hole injection layer or a hole transport layer is formed as the functional layer. Method.
前記機能層を成膜する工程では、前記機能層として電子注入層又は電子輸送層を成膜すること
を特徴とする請求項1から7のいずれか一項に記載の有機EL装置の製造方法。
The method for manufacturing an organic EL device according to claim 1, wherein in the step of forming the functional layer, an electron injection layer or an electron transport layer is formed as the functional layer.
請求項1から8のいずれか一項に記載の有機EL装置の製造方法により製造されたことを特徴とする有機EL装置。   An organic EL device manufactured by the method for manufacturing an organic EL device according to claim 1. 請求項9に記載の有機EL装置を具備してなることを特徴とする電子機器。   An electronic apparatus comprising the organic EL device according to claim 9. 基板上に、画素毎に、第1及び第2電極と、該第1及び第2電極間に挟持される少なくとも一層の機能層とを備える有機EL装置の製造装置であって、
前記基板上に、前記画素毎に前記第1電極を形成する手段と、
前記第1電極を形成した後に、前記機能層の材料が可溶な溶媒の蒸気を所定の圧力とした処理室に、前記基板を保持する手段と、
前記処理室で前記基板を保持した後に、前記第1電極上に前記機能層を成膜する手段と
を備えることを特徴とする有機EL装置の製造装置。
An apparatus for manufacturing an organic EL device comprising, on a substrate, for each pixel, first and second electrodes and at least one functional layer sandwiched between the first and second electrodes,
Means for forming the first electrode for each pixel on the substrate;
Means for holding the substrate in a processing chamber having a predetermined pressure of vapor of a solvent in which the material of the functional layer is soluble after forming the first electrode;
An apparatus for manufacturing an organic EL device, comprising: means for forming the functional layer on the first electrode after holding the substrate in the processing chamber.
基板上に、画素毎に、第1及び第2電極と、該第1及び第2電極間に挟持される、少なくとも一層の機能層とを備える有機EL装置の製造装置であって、
前記基板上に、前記画素毎に前記第1電極を形成する手段と、
前記第1電極を形成した後であって、前記機能層を成膜する前に、前記機能層の材料が可溶な溶媒の蒸気を所定の圧力とした処理室に、前記基板を保持する手段と、
前記第1電極上に前記機能層を成膜する手段と
を備えており、
前記基板を保持する手段は、前記機能層を成膜した後に、前記基板を前記処理室に再び保持すること
を特徴とする有機EL装置の製造方法。
A device for manufacturing an organic EL device comprising, on a substrate, a first electrode and a second electrode for each pixel, and at least one functional layer sandwiched between the first and second electrodes,
Means for forming the first electrode for each pixel on the substrate;
Means for holding the substrate in a processing chamber having a predetermined pressure of vapor of a solvent in which the material of the functional layer is soluble after forming the first electrode and before forming the functional layer. When,
Means for depositing the functional layer on the first electrode,
The method for manufacturing an organic EL device is characterized in that the means for holding the substrate holds the substrate again in the processing chamber after forming the functional layer.
基板上に、画素毎に、第1及び第2電極と、該第1及び第2電極間に挟持される、少なくとも一層の機能層とを備える有機EL装置の製造装置であって、
前記第1電極上に前記機能層を成膜する手段と、
前記機能層を成膜した後に、前記機能層の材料が可溶な溶媒の蒸気を所定の圧力とした処理室に、前記基板を保持する手段と
を備えることを特徴とする有機EL装置の製造装置。
A device for manufacturing an organic EL device comprising, on a substrate, a first electrode and a second electrode for each pixel, and at least one functional layer sandwiched between the first and second electrodes,
Means for depositing the functional layer on the first electrode;
And a means for holding the substrate in a processing chamber in which a vapor of a solvent in which the material of the functional layer is soluble is set to a predetermined pressure after forming the functional layer. apparatus.
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