JP2006093623A - Exposure equipment and exposure method - Google Patents

Exposure equipment and exposure method Download PDF

Info

Publication number
JP2006093623A
JP2006093623A JP2004280308A JP2004280308A JP2006093623A JP 2006093623 A JP2006093623 A JP 2006093623A JP 2004280308 A JP2004280308 A JP 2004280308A JP 2004280308 A JP2004280308 A JP 2004280308A JP 2006093623 A JP2006093623 A JP 2006093623A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resist
wafer
exposure
exhaust port
foamed
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2004280308A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yoshiyuki Muramoto
美幸 村本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2004280308A priority Critical patent/JP2006093623A/en
Publication of JP2006093623A publication Critical patent/JP2006093623A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide exposure equipment and an exposure method by which a foaming resist is easily and securely recovered. <P>SOLUTION: The exposure equipment includes: an exposure head 7 which irradiates light to peripheral portions of a wafer 6 provided with a processing film; and exposes the processing film, and an exhaust means 12 at a down side of the wafer 6, which includes two exhaust outlets 11 into which the foaming resist produced by exposure is absorbed, wherein one exhaust outlet 11a is arranged outside the wafer 6, while the other exhaust outlet 11b is arranged inside the wafer 6, and the foaming resist in an unsettled flying state is efficiently exhausted by the two exhaust outlets 11. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、被処理体に光を照射して露光を行う露光装置及び露光方法に関し、発泡レジストを容易にしかも確実に回収できるように企図したものである。   The present invention relates to an exposure apparatus and an exposure method for performing exposure by irradiating light to an object to be processed so that the foamed resist can be easily and reliably collected.

半導体の製造工程においては、被処理体である半導体ウエハの表面にフォトレジスト膜を形成し、フォトレジスト膜にフォトリソグラフィ技術によりマスクの微細な回路パターンを転写し、これを現像後エッチング等により微細加工を施している。ウエハ表面にフォトレジスト膜を形成する場合、一般的にはウエハ表面の中央部分にフォトレジスト液を滴下し、ウエハを高速回転させることにより滴下したフォトレジスト液を遠心力によって全面に拡散塗布するスピンコーティング法が用いられている。   In the semiconductor manufacturing process, a photoresist film is formed on the surface of a semiconductor wafer that is an object to be processed, a fine circuit pattern of a mask is transferred to the photoresist film by photolithography, and this is finely developed by etching or the like after development. Has been processed. When a photoresist film is formed on a wafer surface, generally, a photoresist solution is dropped onto the central portion of the wafer surface, and the photoresist solution dripped by rotating the wafer at a high speed is applied to the entire surface by centrifugal force. A coating method is used.

スピンコーティング法でフォトレジスト膜を形成した場合、ウエハ表面の全面にわたってフォトレジスト膜が形成されてしまう。フォトレジスト膜が全面に形成されていると、後工程における搬送中のハンドリング等において周縁部のフォトレジスト膜が機械的に破壊される等してパーティクルとして飛散することになる。このため、フォトレジスト膜を形成した後には、ウエハの周縁部のフォトレジスト膜を周辺露光装置によって予め除去することが行われている。   When a photoresist film is formed by spin coating, the photoresist film is formed over the entire surface of the wafer. If the photoresist film is formed on the entire surface, the photoresist film at the peripheral portion is mechanically broken during handling during transportation in a subsequent process, and scattered as particles. For this reason, after the photoresist film is formed, the photoresist film at the peripheral edge of the wafer is removed in advance by a peripheral exposure apparatus.

ウエハの周縁部のフォトレジスト膜を除去する露光装置としては、ウエハを回転させながら周縁部のフォトレジスト膜に紫外線等の光を照射して露光し、現像時に周縁部のフォトレジスト膜を除去することが行われている(例えば、下記、特許文献1、特許文献2参照)。   As an exposure apparatus for removing the photoresist film on the peripheral edge of the wafer, the photoresist film on the peripheral edge is exposed to light such as ultraviolet rays while rotating the wafer, and the photoresist film on the peripheral edge is removed during development. (For example, refer to Patent Document 1 and Patent Document 2 below).

フォトレジスト膜を露光する場合照度が高いと、光エネルギーによる急激な温度上昇や紫外線による化学反応によりフォトレジスト膜の内部に気泡が発生し、発泡レジストとなって飛散する場合がある。飛散した発泡レジストはパーティクルとなってウエハの表面に付着して現像処理の際の現像残りとなってしまう虞があった。また、クリーンルーム等では流体をダウンフローさせてパーティクルのウエハ表面への付着を防止しているが、パーティクルがチャックの下側に回り込んで装置自体を汚染する虞があった。   When exposing a photoresist film, if the illuminance is high, bubbles may be generated inside the photoresist film due to a rapid temperature rise due to light energy or a chemical reaction due to ultraviolet rays, and may be scattered as a foamed resist. The scattered foamed resist may become particles and adhere to the surface of the wafer, resulting in a residual development during the development process. In a clean room or the like, the fluid is down-flowed to prevent particles from adhering to the wafer surface. However, there is a possibility that the particles may wrap around the chuck and contaminate the apparatus itself.

このため、特許文献1に示された技術では、露光ヘッドの近傍に一つの排気口を設けることで発泡レジストを排気することが示されている。また、特許文献2に示された技術では、不活性ガスを吹き付けて一つの排気口に発泡レジストを排気することが示されている。   For this reason, the technique disclosed in Patent Document 1 discloses that the foamed resist is exhausted by providing one exhaust port in the vicinity of the exposure head. In the technique disclosed in Patent Document 2, it is shown that the foamed resist is exhausted to one exhaust port by blowing an inert gas.

特開平2−194619号公報JP-A-2-194619 特開2003−218007号公報JP 2003-218007 A

露光装置の設置された環境や露光処理状況等により発泡レジストの飛散方向や飛散量は一定していないのが現状であり、一つの排気口を設けても飛散する発泡レジストを充分に排気するには至っていないのが実情である。不活性ガスを吹き付けて発泡レジストを排気口に搬送することで、ある程度は飛散を抑制して発泡レジストを排気することはできるが、チャックの下側等に回り込んだ発泡レジストを排気することはできず、装置の汚染を抑制することはできなかった。   Depending on the environment in which the exposure equipment is installed, the exposure processing status, etc., the scattering direction and amount of the foamed resist are not constant, and even if a single exhaust port is provided, the scattered foamed resist will be exhausted sufficiently. The situation is not reached. By blowing the inert gas and transporting the foamed resist to the exhaust port, it is possible to exhaust the foamed resist while suppressing the scattering to some extent, but exhausting the foamed resist that wraps around the underside of the chuck etc. It was not possible to suppress the contamination of the device.

本発明は上記状況に鑑みてなされたもので、飛散する発泡レジストを効率よく、しかも、装置への付着も抑制して排気することができる露光装置及び露光方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide an exposure apparatus and an exposure method that can efficiently evacuate a foamed resist that scatters while suppressing the adhesion to the apparatus.

上記目的を達成するための本発明の第1の態様は、処理膜が設けられた被処理体の周辺部位に光を照射して処理膜を露光する露光手段を備え、露光により生じた発泡レジストが吸い込まれる排気口を複数有する排気手段を備えたことを特徴とする露光装置にある。
第1の態様では、複数の排気口によって一定しない飛散状態の発泡レジストを効率よく排気することができる。
In order to achieve the above object, a first aspect of the present invention comprises an exposure means for exposing a processing film by irradiating light to a peripheral portion of a target object provided with the processing film, and a foamed resist generated by the exposure. An exposure apparatus having an exhaust means having a plurality of exhaust ports through which air is sucked.
In the first aspect, it is possible to efficiently exhaust the foamed resist that is not scattered by the plurality of exhaust ports.

本発明の第2の態様は、第1の態様において、排気口は、被処理体を挟んで露光手段の反対側に配置され、少なくとも一つの排気口が被処理体の外側に位置し、少なくとも一つの排気口が被処理体の内側に位置することを特徴とする露光装置にある。
第2の態様では、被処理体の裏側の発泡レジストも容易に排気することができると共に、被処理体の形状に拘わらず発泡レジストを排気することができる。
According to a second aspect of the present invention, in the first aspect, the exhaust port is disposed on the opposite side of the exposure unit with the object to be processed interposed therebetween, and at least one exhaust port is located outside the object to be processed. An exposure apparatus is characterized in that one exhaust port is positioned inside the object to be processed.
In the second aspect, the foamed resist on the back side of the object to be processed can be easily exhausted, and the foamed resist can be exhausted regardless of the shape of the object to be processed.

本発明の第3の態様は、第1の態様において、排気口は、露光手段に対応する位置の被処理体の側部に配置され、排気口が被処理体を挟んだ両側に配置されていることを特徴とする露光装置にある。
第3の態様では、被処理体の裏側の発泡レジストも容易に排気することができる。
According to a third aspect of the present invention, in the first aspect, the exhaust port is disposed on a side portion of the object to be processed at a position corresponding to the exposure unit, and the exhaust port is disposed on both sides of the object to be processed. In the exposure apparatus,
In the third aspect, the foamed resist on the back side of the object to be processed can be easily exhausted.

本発明の第4の態様は、第1〜3の何れかの態様において、排気口は傾斜面とされていることを特徴とする露光装置にある。
第4の態様では、小さな幅で排気口の面積を最大限に広くすることができる。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided an exposure apparatus according to any one of the first to third aspects, wherein the exhaust port has an inclined surface.
In the fourth aspect, the area of the exhaust port can be maximized with a small width.

本発明の第5の態様は、第1〜4の何れかの態様において、排気口から発泡レジストを吸引する吸引駆動手段を設け、吸引された発泡レジストを回収する回収手段を備え、発泡レジストを回収した後の流体を吸引駆動手段の駆動力により被処理体の表面に供給して排気口に案内する供給手段を備えたことを特徴とする露光装置にある。
第5の態様では、発泡レジストを系内で回収すると共に、供給手段により被処理体上の発泡レジストを排気口に案内するため、外部の環境に対して発泡レジストが排出されず、しかも、確実に被処理体上の発泡レジストを排気することができる。
According to a fifth aspect of the present invention, in any one of the first to fourth aspects, a suction drive unit that sucks the foamed resist from the exhaust port is provided, and a recovery unit that collects the sucked foamed resist is provided. An exposure apparatus is provided with supply means for supplying the recovered fluid to the surface of the object to be processed by the driving force of the suction drive means and guiding it to the exhaust port.
In the fifth aspect, the foamed resist is recovered in the system, and the foamed resist on the object to be processed is guided to the exhaust port by the supply means. In addition, the foamed resist on the object can be exhausted.

本発明の第6の態様は、処理膜が設けられた被処理体の周辺部位に光を照射して処理膜を露光し、露光により生じた発泡レジストを複数の排気口で回収することを特徴とする露光方法にある。
第6の態様では、複数の排気口によって一定しない飛散状態の発泡レジストを効率よく排気することができる。
A sixth aspect of the present invention is characterized in that the processing film is exposed by irradiating light to the peripheral portion of the target object provided with the processing film, and the foamed resist generated by the exposure is collected at a plurality of exhaust ports. The exposure method is as follows.
In the sixth aspect, the scattered foamed resist that is not constant can be efficiently exhausted by the plurality of exhaust ports.

図1には本発明の第1実施形態例に係る露光装置の概略側面視、図2には本発明の第1実施形態例に係る露光装置の概略斜視状況、図3には排気口とウエハとの関係を説明する平面視、図4には排気手段の斜視状況、図5にはオリフラと排気口の関係を説明する平面視を示してある。   FIG. 1 is a schematic side view of an exposure apparatus according to the first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a schematic perspective view of the exposure apparatus according to the first embodiment of the present invention, and FIG. FIG. 4 shows a perspective view of the exhaust means, and FIG. 5 shows a plan view explaining the relationship between the orientation flat and the exhaust port.

図示しないチャンバ内には露光装置1を構成するスピンチャック2が設けられ、スピンチャック2の上部には円盤状のテーブル3が設けられている。スピンチャック2はスピンモータ4によりテーブル3が回転駆動される。スピンチャック2のテーブル3の上面には吸着孔5が形成され、吸着孔5は図示しない真空装置に接続されている。テーブル3に被処理体であるウエハ6を載置し、吸着孔5を真空状態にすることでウエハ6がテーブル3に吸着される。スピンチャック2は図示しない駆動装置により任意の位置に移動自在とされている。   A spin chuck 2 constituting the exposure apparatus 1 is provided in a chamber (not shown), and a disk-shaped table 3 is provided above the spin chuck 2. In the spin chuck 2, the table 3 is rotationally driven by a spin motor 4. A suction hole 5 is formed on the upper surface of the table 3 of the spin chuck 2, and the suction hole 5 is connected to a vacuum device (not shown). The wafer 6 that is the object to be processed is placed on the table 3 and the suction holes 5 are brought into a vacuum state, whereby the wafer 6 is sucked onto the table 3. The spin chuck 2 is movable to an arbitrary position by a driving device (not shown).

テーブル3に吸着されたウエハ6の周縁に対応する部位のテーブル3の上方には露光手段としての露光ヘッド7が設けられ、テーブル3に吸着されたウエハ6の周縁の上面に露光ヘッド7から光が照射されてウエハ6の周縁の上面が露光される。露光ヘッド7は光ガラス等からなる照射部を有し、露光ヘッド7は水銀ランプ、キセノンランプ等の光源8に光伝送路を介して接続されている。光源8からの紫外線等の光が伝送路を介して露光ヘッド7に伝送され、テーブル3に吸着されたウエハ6の周縁の上面に光が照射される。露光ヘッド7は支持フランジ9に支持され、図示しない水平移動機構により水平面内の任意の位置に移動自在とされている。   An exposure head 7 as an exposure unit is provided above the table 3 at a portion corresponding to the periphery of the wafer 6 attracted to the table 3, and light is emitted from the exposure head 7 on the upper surface of the periphery of the wafer 6 attracted to the table 3. Is exposed to expose the upper surface of the periphery of the wafer 6. The exposure head 7 has an irradiation part made of optical glass or the like, and the exposure head 7 is connected to a light source 8 such as a mercury lamp or a xenon lamp via an optical transmission path. Light such as ultraviolet rays from the light source 8 is transmitted to the exposure head 7 through the transmission path, and the upper surface of the periphery of the wafer 6 adsorbed on the table 3 is irradiated with light. The exposure head 7 is supported by a support flange 9 and can be moved to an arbitrary position in a horizontal plane by a horizontal movement mechanism (not shown).

ウエハ6を挟んで露光ヘッド7の反対側(ウエハ6の下側)には排気口11を2つ有する排気手段12が設けられている。周縁部が露光されて生じた発泡レジスト(詳細は後述する)が2つの排気口11に吸い込まれて排気される。2つの排気口11はそれぞれ矩形に開口して形成され、排気口11の長手方向はテーブル3の接線と平行な方向に延びて配されている。装置の大きさ等により排気口11の寸法は種々設定されるが、例えば、1cm×3cmの矩形状に形成されている。   Exhaust means 12 having two exhaust ports 11 is provided on the opposite side of the exposure head 7 (under the wafer 6) with the wafer 6 interposed therebetween. Foamed resist (details will be described later) generated by exposing the peripheral edge is sucked into the two exhaust ports 11 and exhausted. The two exhaust ports 11 are each formed in a rectangular shape, and the longitudinal direction of the exhaust port 11 extends in a direction parallel to the tangent to the table 3. Various dimensions of the exhaust port 11 are set depending on the size of the apparatus and the like, and for example, it is formed in a rectangular shape of 1 cm × 3 cm.

尚、排気口11の形状は矩形状に限らず、ウエハ6の外周に沿った円弧状や、丸穴状の排気口を適用することも可能であり、吸引力が高まる状態で目詰まりが生じない程度の小さな排気口とすることも可能である。また、排気口11の数は2つに限らず、3つ以上の複数箇所に設けることが可能である。   Note that the shape of the exhaust port 11 is not limited to a rectangular shape, and an arc shape or a round hole-shaped exhaust port along the outer periphery of the wafer 6 can also be applied, and clogging occurs when the suction force is increased. It is possible to make the exhaust port as small as possible. Moreover, the number of the exhaust ports 11 is not limited to two, and can be provided at a plurality of three or more locations.

排気手段12の一方の排気口11aはウエハ6の外側に位置して配され、他方の排気口11bはウエハ6の内側に位置して配されている。このため、ウエハ6の裏側の発泡レジストも容易に排気することができる。また、ウエハ6にはオリフラ6aが設けられているが、図5に示すように、ウエハ6の回転により排気手段12とオリフラ6aが対向した場合、ウエハ6の内側に位置する排気口11bがウエハ6の周縁部の直下に位置する状態になり、発泡レジストが排気口11bから排気されることになる。このため、ウエハ6の形状に拘わらず排気口11は周縁部の下に位置する状態に保たれ、ウエハ6の形状に拘わらず発泡レジストを排気することができる。   One exhaust port 11 a of the exhaust unit 12 is disposed outside the wafer 6, and the other exhaust port 11 b is disposed inside the wafer 6. For this reason, the foamed resist on the back side of the wafer 6 can be easily exhausted. In addition, although the orientation flat 6a is provided on the wafer 6, as shown in FIG. 5, when the exhaust means 12 and the orientation flat 6a face each other due to the rotation of the wafer 6, the exhaust outlet 11b located inside the wafer 6 has a wafer outlet. 6, the foamed resist is exhausted from the exhaust port 11b. Therefore, regardless of the shape of the wafer 6, the exhaust port 11 is maintained in a state positioned below the peripheral edge, and the foamed resist can be exhausted regardless of the shape of the wafer 6.

また、排気口11a、11bは対向する長辺が低くなるような傾斜面とされている。このため、ウエハ6と平行な面を最小限にしてウエハ6に対向する開口面積を最大限に広く確保することができる。   Further, the exhaust ports 11a and 11b are inclined so that the long sides facing each other are lowered. For this reason, it is possible to minimize the surface parallel to the wafer 6 and to secure the widest opening area facing the wafer 6.

図1、図2に示すように、ウエハ6の表面に向けてパージ流体を供給し、発泡レジストを排気口11に案内する供給手段としてのパージノズル13が設けられている。排気手段12とパージノズル13は循環路14で接続され、排気口11から排気される流体は外部の環境には放出されないようになっている。循環路14には排気口11から排気された発泡レジストを捕捉する回収手段としてのフィルタ手段15及び排気口11から発泡レジストを吸引する吸引駆動手段16が設けられている。   As shown in FIGS. 1 and 2, a purge nozzle 13 is provided as supply means for supplying a purge fluid toward the surface of the wafer 6 and guiding the foamed resist to the exhaust port 11. The exhaust means 12 and the purge nozzle 13 are connected by a circulation path 14 so that the fluid exhausted from the exhaust port 11 is not released to the outside environment. The circulation path 14 is provided with a filter means 15 as a collecting means for capturing the foamed resist exhausted from the exhaust port 11 and a suction drive means 16 for sucking the foamed resist from the exhaust port 11.

つまり、吸引駆動手段16の駆動により排気口11から発泡レジストが吸引され、フィルタ手段15で発泡レジストが捕捉された後、発泡レジストが除去された流体がパージノズル13からウエハ6の表面に供給される。フィルタ手段15で捕捉された発泡レジストは所定のサイクルで外部に捨てられてフィルタ手段15の目詰まりが防止されている。   That is, the foamed resist is sucked from the exhaust port 11 by driving the suction drive means 16, and after the foamed resist is captured by the filter means 15, the fluid from which the foamed resist has been removed is supplied from the purge nozzle 13 to the surface of the wafer 6. . The foamed resist captured by the filter means 15 is discarded to the outside in a predetermined cycle to prevent the filter means 15 from being clogged.

このため、発泡レジストが系内で回収されることになる。このため、外部の環境に対して発泡レジストが排出されることがなくなり、環境にやさしい露光装置となる。また、パージノズル13によりウエハ6上の発泡レジストが排気口11に案内されるため、確実にウエハ6上の発泡レジストを排気することができる。   For this reason, the foamed resist is recovered in the system. For this reason, the foamed resist is not discharged to the external environment, and the exposure apparatus is environmentally friendly. Further, since the foamed resist on the wafer 6 is guided to the exhaust port 11 by the purge nozzle 13, the foamed resist on the wafer 6 can be surely exhausted.

尚、循環路14、フィルタ手段15及び吸引駆動手段16を設けずに、一般の工場排気等と一緒に排気口11からの発泡レジストを排出することも可能である。   In addition, without providing the circulation path 14, the filter means 15, and the suction drive means 16, it is also possible to discharge the foamed resist from the exhaust port 11 together with general factory exhaust.

上述した露光装置1によるウエハ6の周縁部の露光処理について説明する。図6には露光時の状況を説明する側面を示してある。   An exposure process for the peripheral portion of the wafer 6 by the exposure apparatus 1 will be described. FIG. 6 shows a side view for explaining the situation at the time of exposure.

ウエハ6の周縁部の露光処理はウエハ6の表面のフォトレジスト膜の形成後であって、現像処理前であればどの工程でもよい。例えば、フォトレジスト膜の密着性を良好にするプリべーク処理の前工程や、マスクパターン処理の前後工程、現像工程の直前の工程等で実施することができる。   The exposure process for the peripheral portion of the wafer 6 may be performed after the photoresist film is formed on the surface of the wafer 6 and before the development process. For example, it can be carried out in a pre-bake process for improving the adhesion of the photoresist film, a process before and after the mask pattern process, a process immediately before the development process, and the like.

フォトレジスト膜が塗布されたウエハ6が搬入されてテーブル3の上面に載置され、吸着孔5を真空状態にすることでウエハ6がテーブル3に吸着される。この時、ウエハ6はスピンチャック2の中心に位置あわせされる。露光ヘッド7をウエハ6の周縁部の真上の所定距離の位置に移動させる。この状態で、スピンモータ4を回転駆動することによりウエハ6を回転させると同時に、光源8から露光ヘッド7に光を伝送して露光ヘッド7からウエハ6の周縁部に光を照射する。   The wafer 6 coated with the photoresist film is loaded and placed on the upper surface of the table 3, and the wafer 6 is sucked to the table 3 by making the suction holes 5 in a vacuum state. At this time, the wafer 6 is aligned with the center of the spin chuck 2. The exposure head 7 is moved to a position at a predetermined distance directly above the peripheral edge of the wafer 6. In this state, the wafer 6 is rotated by rotating the spin motor 4, and at the same time, light is transmitted from the light source 8 to the exposure head 7, and light is irradiated from the exposure head 7 to the peripheral portion of the wafer 6.

これにより、図6に示すように、フォトレジスト膜20が周縁部に沿って露光される。光を照射する幅は、ウエハ6のハンドリング時にハンド部が接触して剥離する虞のある幅に設定されている。露光ヘッド7を適宜移動させることで、オリフラを含めてウエハ6の全周にわたり周縁部のフォトレジスト膜20が露光される。   Thereby, as shown in FIG. 6, the photoresist film 20 is exposed along the peripheral edge. The width of light irradiation is set to a width that may cause the hand portion to come into contact with and peel off during handling of the wafer 6. By appropriately moving the exposure head 7, the peripheral edge photoresist film 20 is exposed over the entire circumference of the wafer 6 including the orientation flat.

周縁部の露光に際しては、図6に示すように、照度が高い光が照射されたレジスト部分から温度上昇や化学反応に起因して溶剤等が気化して気泡21が発生し、発泡レジスト22となって飛散する。飛散した発泡レジスト22は、パージノズル13からのパージ流体により排気口11に案内されると共に排気口11に吸引される。このため、飛散した発泡レジスト22がウエハ6の表面に付着することを確実に防止することができる。   Upon exposure of the peripheral edge, as shown in FIG. 6, a solvent or the like is vaporized from the resist portion irradiated with light having high illuminance due to a temperature rise or chemical reaction, and bubbles 21 are generated. Become scattered. The scattered foamed resist 22 is guided to the exhaust port 11 by the purge fluid from the purge nozzle 13 and sucked into the exhaust port 11. For this reason, it is possible to reliably prevent the scattered foamed resist 22 from adhering to the surface of the wafer 6.

また、ウエハ6の上からクリーン流体がダウンフローする環境下にある場合等、発泡レジスト22がウエハ6の裏側に回り込む場合も考えられる。ウエハ6の裏側に発泡レジスト22が回り込んだ場合でも、ウエハ6の裏側に位置する排気口11bから排気され、発泡レジスト22が装置(スピンチャック2、スピンモータ3等)に付着することがない。   Further, there may be a case where the foamed resist 22 wraps around the back side of the wafer 6 such as when the clean fluid is flowing down from above the wafer 6. Even when the foamed resist 22 wraps around the back side of the wafer 6, it is exhausted from the exhaust port 11b located on the back side of the wafer 6, and the foamed resist 22 does not adhere to the apparatus (spin chuck 2, spin motor 3, etc.). .

従って、飛散方向が定まらない発泡レジスト22であっても、ウエハ6の下側でウエハ6の内側と外側に配置された2つの排気口11を備えた排気手段12により確実に排気することができ、パーティクルの付着によるパターン欠陥の低減が図れ、露光装置1の清浄化が可能になる。   Therefore, even the foamed resist 22 whose scattering direction is not determined can be surely exhausted by the exhaust means 12 having the two exhaust ports 11 disposed on the inner side and the outer side of the wafer 6 below the wafer 6. The pattern defects due to the adhesion of particles can be reduced, and the exposure apparatus 1 can be cleaned.

排気口11から排気された発泡レジスト22は、吸引駆動手段16の駆動によりフィルタ手段15に送られて捕捉され、発泡レジスト22が除去された流体がパージノズル13からウエハ6の表面に供給される。   The foamed resist 22 exhausted from the exhaust port 11 is sent to and captured by the filter means 15 by driving the suction drive means 16, and the fluid from which the foamed resist 22 has been removed is supplied from the purge nozzle 13 to the surface of the wafer 6.

図7に基づいて本発明の第2実施形態例を説明する。図7には本発明の第2実施形態例に係る露光装置の概略側面視を示してある。尚、第1実施形態例の露光装置と同一の構成部材には同一符号を付して重複する説明は省略してある。   A second embodiment of the present invention will be described based on FIG. FIG. 7 shows a schematic side view of an exposure apparatus according to the second embodiment of the present invention. Note that the same components as those in the exposure apparatus of the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted.

図に示すように、第2実施形態例の露光装置31は、排気手段12の配置状態が第1実施形態例と相違している。即ち、露光ヘッド7に対応する位置のウエハ6の側部には排気口11を2つ有する排気手段12が設けられ、排気手段12の排気口11はウエハ6の盤面と平行な向きに対して開口面が交差する状態に開口している。排気手段12の一方の排気口11aはウエハ6の上側に位置して配され、他方の排気口11bはウエハ6の下側に位置して配されている。つまり、排気手段12の2つの排気口11は、ウエハ6を挟んだ両側に配置された状態になっている。   As shown in the drawing, the exposure apparatus 31 of the second embodiment is different from the first embodiment in the arrangement state of the exhaust means 12. That is, an exhaust unit 12 having two exhaust ports 11 is provided on the side of the wafer 6 at a position corresponding to the exposure head 7, and the exhaust port 11 of the exhaust unit 12 is oriented in a direction parallel to the surface of the wafer 6. The openings are opened so that the opening surfaces intersect. One exhaust port 11 a of the exhaust unit 12 is disposed on the upper side of the wafer 6, and the other exhaust port 11 b is disposed on the lower side of the wafer 6. That is, the two exhaust ports 11 of the exhaust unit 12 are arranged on both sides of the wafer 6.

ウエハ6の周縁部が露光されて生じた発泡レジスト22(図6参照)がウエハ6の上下に配置された2つの排気口11に吸い込まれて排気される。2つの排気口11はそれぞれ矩形に開口して形成され、排気口11の長手方向はテーブル3の接線と平行な方向に延びて配されている。装置の大きさ等により排気口11の寸法は種々設定されるが、例えば、1cm×3cmの矩形状に形成されている。   The foamed resist 22 (see FIG. 6) generated by exposing the peripheral edge of the wafer 6 is sucked into the two exhaust ports 11 disposed above and below the wafer 6 and exhausted. The two exhaust ports 11 are each formed in a rectangular shape, and the longitudinal direction of the exhaust port 11 extends in a direction parallel to the tangent to the table 3. Various dimensions of the exhaust port 11 are set depending on the size of the apparatus and the like, and for example, it is formed in a rectangular shape of 1 cm × 3 cm.

また、第1実施形態例と同様に、排気口11a、11bは対向する長辺が低くなるような傾斜面とされている。このため、ウエハ6の盤面と平行な向きに対して交差する面を最小限にしてウエハ6の盤面と平行な向きに対して交差する面の開口面積を最大限に広く確保することができる。   Similarly to the first embodiment, the exhaust ports 11a and 11b are inclined surfaces such that the long sides facing each other are lowered. Therefore, it is possible to minimize the surface intersecting with the direction parallel to the disk surface of the wafer 6 and to secure the widest opening area of the surface intersecting with the direction parallel to the surface of the wafer 6.

周縁部の露光に際しては、発泡レジスト22が飛散する。飛散した発泡レジスト22は、パージノズル13からのパージ流体により排気口11に案内されると共に排気口11に吸引される。このため、飛散した発泡レジスト22がウエハ6の表面に付着することを確実に防止することができる。   When the peripheral portion is exposed, the foamed resist 22 is scattered. The scattered foamed resist 22 is guided to the exhaust port 11 by the purge fluid from the purge nozzle 13 and sucked into the exhaust port 11. For this reason, it is possible to reliably prevent the scattered foamed resist 22 from adhering to the surface of the wafer 6.

また、回転によるウエハ6の遠心力の影響等により、発泡レジスト22がウエハ6の外側に向かって飛散する場合も考えられる。ウエハ6の外側に向かって発泡レジスト22が飛散した場合でも、周方向の外側からウエハ6に対向する排気口11から発泡レジスト22が排気され、発泡レジスト22が装置(図示しないチャンバやスピンチャック2、スピンモータ3等)に付着することがない。   In addition, the foamed resist 22 may be scattered toward the outside of the wafer 6 due to the influence of the centrifugal force of the wafer 6 due to rotation. Even when the foamed resist 22 scatters toward the outside of the wafer 6, the foamed resist 22 is exhausted from the exhaust port 11 facing the wafer 6 from the outside in the circumferential direction, and the foamed resist 22 is removed from the apparatus (a chamber (not shown) or spin chuck 2). , Spin motor 3 etc.).

従って、飛散方向が定まらない発泡レジスト22であっても、ウエハ6の側部でウエハ6を挟んだ両側に配置された2つの排気口11を備えた排気手段12により確実に排気することができ、パーティクルの付着によるパターン欠陥の低減が図れ、露光装置1の清浄化が可能になる。   Therefore, even the foamed resist 22 whose scattering direction is not determined can be surely exhausted by the exhaust means 12 having the two exhaust ports 11 arranged on both sides of the wafer 6 with the side of the wafer 6 interposed therebetween. The pattern defects due to the adhesion of particles can be reduced, and the exposure apparatus 1 can be cleaned.

本発明の第1実施形態例に係る露光装置の概略側面図である。1 is a schematic side view of an exposure apparatus according to a first embodiment of the present invention. 本発明の第1実施形態例に係る露光装置の概略斜視図である。1 is a schematic perspective view of an exposure apparatus according to a first embodiment example of the present invention. 排気口とウエハとの関係を説明する平面図である。It is a top view explaining the relationship between an exhaust port and a wafer. 排気手段の斜視図である。It is a perspective view of an exhaust means. オリフラと排気口の関係を説明する平面図である。It is a top view explaining the relationship between an orientation flat and an exhaust port. 露光時の状況を説明する側面図である。It is a side view explaining the condition at the time of exposure. 本発明の第2実施形態例に係る露光装置の概略側面図である。It is a schematic side view of the exposure apparatus which concerns on the 2nd Embodiment example of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1、31 露光装置、 2 スピンチャック、 3 テーブル、 4 スピンモータ、 5 吸着孔、 6 ウエハ、 7 露光ヘッド、 8 光源、 9 フランジ、 11排気口、 12 排気手段、 13 パージノズル、 14 循環路、 15 フィルタ手段、 16 吸引駆動手段、 20 フォトレジスト膜、 21 気泡、 22 発泡レジスト   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1,31 Exposure apparatus, 2 Spin chuck, 3 Table, 4 Spin motor, 5 Suction hole, 6 Wafer, 7 Exposure head, 8 Light source, 9 Flange, 11 Exhaust port, 12 Exhaust means, 13 Purge nozzle, 14 Circulation path, 15 Filter means 16 Suction drive means 20 Photoresist film 21 Bubbles 22 Foam resist

Claims (6)

処理膜が設けられた被処理体の周辺部位に光を照射して処理膜を露光する露光手段を備え、露光により生じた発泡レジストが吸い込まれる排気口を複数有する排気手段を備えたことを特徴とする露光装置。   An exposure unit that exposes the processing film by irradiating light to a peripheral portion of the object to be processed provided with the processing film, and an exhaust unit having a plurality of exhaust ports into which the foamed resist generated by the exposure is sucked. An exposure apparatus. 請求項1において、排気口は、被処理体を挟んで露光手段の反対側に配置され、少なくとも一つの排気口が被処理体の外側に位置し、少なくとも一つの排気口が被処理体の内側に位置することを特徴とする露光装置。   2. The exhaust port according to claim 1, wherein the exhaust port is disposed on the opposite side of the exposure unit with the object to be processed interposed therebetween, at least one exhaust port is located outside the object to be processed, and at least one exhaust port is located inside the object to be processed. An exposure apparatus characterized by being located in 請求項1において、排気口は、露光手段に対応する位置の被処理体の側部に配置され、排気口が被処理体を挟んだ両側に配置されていることを特徴とする露光装置。   2. The exposure apparatus according to claim 1, wherein the exhaust port is disposed on a side portion of the object to be processed at a position corresponding to the exposure unit, and the exhaust port is disposed on both sides of the object to be processed. 請求項1〜3の何れかにおいて、排気口は傾斜面とされていることを特徴とする露光装置。   4. An exposure apparatus according to claim 1, wherein the exhaust port has an inclined surface. 請求項1〜4の何れかにおいて、排気口から発泡レジストを吸引する吸引駆動手段を設け、吸引された発泡レジストを回収する回収手段を備え、発泡レジストを回収した後の流体を吸引駆動手段の駆動力により被処理体の表面に供給して排気口に案内する供給手段を備えたことを特徴とする露光装置。   The suction drive means for sucking the foamed resist from the exhaust port according to any one of claims 1 to 4, further comprising a recovery means for recovering the sucked foam resist, wherein the fluid after the foamed resist is recovered An exposure apparatus comprising supply means for supplying to the surface of an object to be processed by a driving force and guiding it to an exhaust port. 処理膜が設けられた被処理体の周辺部位に光を照射して処理膜を露光し、露光により生じた発泡レジストを複数の排気口で回収することを特徴とする露光方法。   An exposure method comprising exposing a processing film by irradiating light to a peripheral portion of an object to be processed provided with the processing film, and collecting the foamed resist generated by the exposure at a plurality of exhaust ports.
JP2004280308A 2004-09-27 2004-09-27 Exposure equipment and exposure method Pending JP2006093623A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004280308A JP2006093623A (en) 2004-09-27 2004-09-27 Exposure equipment and exposure method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004280308A JP2006093623A (en) 2004-09-27 2004-09-27 Exposure equipment and exposure method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2006093623A true JP2006093623A (en) 2006-04-06

Family

ID=36234270

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004280308A Pending JP2006093623A (en) 2004-09-27 2004-09-27 Exposure equipment and exposure method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2006093623A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8564759B2 (en) Apparatus and method for immersion lithography
JP5988438B2 (en) Coating processing method and coating processing apparatus
TWI656570B (en) Substrate liquid processing device, substrate liquid processing method, and memory medium
TWI381435B (en) Liquid treatment device, liquid treatment method and memory media
JP5156114B2 (en) Liquid processing equipment
JP4343069B2 (en) Coating, developing device, exposure device, and resist pattern forming method.
US7722267B2 (en) Substrate processing apparatus
JP6523643B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2008140892A (en) Treatment apparatus
TW201316436A (en) Liquid treating device and method for treating liquid
TWI728346B (en) Substrate processing device and substrate processing method
WO2016199769A1 (en) Substrate treatment device and substrate treatment method
JP4805003B2 (en) Liquid processing equipment
KR20190062366A (en) Substrate cleaning device, substrate processing apparatus, substrate cleaning method and substrate processing method
JP2008288447A (en) Substrate treating apparatus
JP4748683B2 (en) Liquid processing equipment
JP2002361155A (en) Coating device and its method
JP2014175532A (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP4804407B2 (en) Liquid processing equipment
WO2004006318A1 (en) Processing device and processing method
JP4912020B2 (en) Liquid processing equipment
JP2006093623A (en) Exposure equipment and exposure method
JP2023015011A (en) Support unit and substrate processing device including the same
JP2007294544A (en) Protective film removal system, method of collecting chemical, and storage medium
JP2001351857A (en) Substrate processing system