JP2006093415A

JP2006093415A - Package

Info

Publication number: JP2006093415A
Application number: JP2004277170A
Authority: JP
Inventors: Kazutoki Tawara; 和時田原; Toshiyuki Kawaguchi; 利行川口; Takashi Gonda; 貴司権田; Masanobu Kagawa; 雅信香川
Original assignee: Shin Etsu Polymer Co Ltd; Shin Etsu Chemical Co Ltd
Current assignee: Shin Etsu Polymer Co Ltd; Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority date: 2004-09-24
Filing date: 2004-09-24
Publication date: 2006-04-06

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a package which exerts a sufficient cavity resonance inhibition effect in a band width ranging from a semimicrowave band to dozens GHz band, is miniaturized and reduced in weight and thickness, and permits no ion effect on an electronic device. <P>SOLUTION: The package 10 comprises a circuit board 12 on which the electronic device 11 is mounted, and a case 14 which covers the electronic device 11 to form a cavity 13 between the case 14 and the circuit board 12. An electromagnetic wave inhibitor 20 has a base body containing organic polymers and a composite layer composed of a part of the base body and a magnetic material integrated together, and is placed in the cavity 13. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、高周波電子デバイスのパッケージに関する。 The present invention relates to a package for a high-frequency electronic device.

ＩＣ等の高周波電子モジュール、これらを組み合わせたモジュール等を搭載するパッケージにおいては、パッケージ内部のキャビティ（空間）の空間寸法によって定まる基本および高次モードに対応する固有の共振周波数で、キャビティ共振が発生する。このキャビティ共振が、搭載された電子デバイス、モジュール、回路等の動作に対応する周波数において高周波ノイズとなり、誤動作の原因となっている。
このキャビティ共振を抑制する手段としては、共振を発生させる周波数の電磁波を抑制する効果を有する電磁波吸収体を用い、パッケージ内部の電子デバイス、モジュール等と、キャビティを形成する筐体との間に配置することが知られている。 In a package that mounts high-frequency electronic modules such as ICs, modules that combine these, etc., cavity resonance occurs at specific resonance frequencies corresponding to the fundamental and higher-order modes determined by the spatial dimensions of the cavity (space) inside the package. To do. This cavity resonance becomes high-frequency noise at a frequency corresponding to the operation of the mounted electronic device, module, circuit, and the like, causing a malfunction.
As a means for suppressing the cavity resonance, an electromagnetic wave absorber having an effect of suppressing an electromagnetic wave having a frequency that generates resonance is used and disposed between an electronic device, a module, and the like inside the package and the casing forming the cavity. It is known to do.

この電磁波吸収体としては、フェライトシート、磁性体粉等を含有したシート等が知られている。特許文献１には、フェライトシート、液状フェライト塗料等を、パッケージ内部のキャビティのコーナー部位に配置したマイクロ波回路用パッケージが開示されている。また、特許文献２には、樹脂に磁性体粉を分散してなる電磁波吸収体をパッケージ内に配置した高周波回路用パッケージが開示されている。 As this electromagnetic wave absorber, a ferrite sheet, a sheet containing magnetic powder, and the like are known. Patent Document 1 discloses a microwave circuit package in which a ferrite sheet, a liquid ferrite paint, or the like is arranged at a corner portion of a cavity inside the package. Patent Document 2 discloses a high-frequency circuit package in which an electromagnetic wave absorber formed by dispersing magnetic powder in a resin is disposed in the package.

近年、電子デバイスの高性能化にともなって高周波化が進み、パッケージのキャビティ共振周波数も高周波帯域に広がってきている。すなわち、準マイクロ波帯域であるＧＨｚ帯域でのキャビティ共振抑制が望まれている。高周波帯域でのキャビティ共振が抑えられたパッケージとしては、特許文献３に、Ｆｅ₂Ｏ₃を主たる材料とした焼成体からなる電磁波吸収体をパッケージ内に配置した高周波回路用パッケージが開示されている。 In recent years, with the increase in performance of electronic devices, the frequency has increased, and the cavity resonance frequency of the package has also expanded to the high frequency band. That is, suppression of cavity resonance in the GHz band which is a quasi-microwave band is desired. As a package in which cavity resonance in the high frequency band is suppressed, Patent Document 3 discloses a package for a high frequency circuit in which an electromagnetic wave absorber made of a fired body made of Fe ₂ O ₃ as a main material is arranged in the package. .

しかしながら、特許文献１〜３に記載のパッケージでは、準マイクロ波帯域（１〜３ＧＨｚ）から数十ＧＨｚ帯域におけるキャビティ共振抑制効果は、充分に満足できるものではなかった。
パッケージのキャビティ共振抑制効果に大きく影響する電磁波吸収体の電磁波抑制効果は、電磁波吸収体の有する磁気損失に大きく起因し、複素透磁率（μ＝μ’−ｊμ”）の虚数部透磁率μ”が、大きいほど優れた抑制効果が得られ、良好な電磁波吸収体となる。すなわち、磁気共鳴を起こす周波数（磁気共鳴周波数）が大きく、異なる周波数帯域に現れるμ”が重畳され、μ”が広い帯域にわたって大きな値である電磁波吸収体が望まれる。 However, in the packages described in Patent Documents 1 to 3, the cavity resonance suppression effect from the quasi-microwave band (1 to 3 GHz) to the tens of GHz band is not fully satisfactory.
The electromagnetic wave suppression effect of the electromagnetic wave absorber that greatly affects the cavity resonance suppression effect of the package is largely attributable to the magnetic loss of the electromagnetic wave absorber, and the imaginary part permeability μ ”of the complex magnetic permeability (μ = μ′−jμ ″) However, the larger it is, the better the suppression effect is obtained and the better the electromagnetic wave absorber. That is, an electromagnetic wave absorber having a large frequency (magnetic resonance frequency) causing magnetic resonance, μ ″ appearing in different frequency bands being superimposed, and μ ″ having a large value over a wide band is desired.

このような電磁波吸収体としては、特許文献４に、軟磁性体粉末の混合体、すなわち形状磁気異方性を有する軟磁性体粉末を、有機結合剤中に分散した電磁干渉抑制体が開示されている。この電磁干渉抑制体は、互いに異なる大きさの磁性体粉による異方性磁界を有することで、それにともなった複数の磁気共鳴が現れ、異なる周波数帯域に現れる虚数部透磁率μ”が重畳され、その結果、μ”が広帯域にわたっているとされている。しかしながら、この電磁干渉抑制体は、虚数部透磁率μ”を部分的に大きくしただけであり、しかもその磁気共鳴周波数は、２ＧＨｚよりも低いものであった。よって、準マイクロ波帯域から数十ＧＨｚ帯域にわたって充分な電磁波抑制効果があるとは言えない。 As such an electromagnetic wave absorber, Patent Document 4 discloses a mixture of soft magnetic powders, that is, an electromagnetic interference suppressor in which soft magnetic powders having shape magnetic anisotropy are dispersed in an organic binder. ing. This electromagnetic interference suppressor has an anisotropic magnetic field with magnetic powders of different sizes, so that a plurality of magnetic resonances appear, and imaginary part permeability μ ″ appearing in different frequency bands is superimposed, As a result, μ ″ is assumed to cover a wide band. However, this electromagnetic interference suppressor only partially increases the imaginary part permeability μ ″, and its magnetic resonance frequency is lower than 2 GHz. Therefore, it is several tens from the quasi-microwave band. It cannot be said that there is a sufficient electromagnetic wave suppression effect over the GHz band.

また、別の電磁波吸収体としては、特許文献５に、窒化鉄（Ｆｅ₁₆Ｎ₂ ）の扁平粉を樹脂と複合化した電磁波吸収体が開示されている。この電磁波吸収体は、磁性体の飽和磁化Ｉｓが高いと透磁率の限界を示すｆ（μ’−１）の項が大きくなり、限界ラインが高周波側に移行するとされている。また、共鳴周波数は、樹脂の組成、熱処理条件、窒化鉄粒子の形状、またはアスペクト比等を変化させて、数百ＭＨｚから１０ＧＨｚ近傍まで自由に調整可能であるとされている。しかしながら、この電磁波吸収体は、磁性体の組成が特定の組成に限定され、また窒化鉄を扁平形状に加工する工程が必要であり、煩雑である。 As another electromagnetic wave absorber, Patent Document 5 discloses an electromagnetic wave absorber in which a flat powder of iron nitride (Fe ₁₆ N ₂ ) is combined with a resin. In this electromagnetic wave absorber, when the saturation magnetization Is of the magnetic material is high, the term of f (μ′−1) indicating the limit of magnetic permeability is increased, and the limit line is shifted to the high frequency side. The resonance frequency is said to be freely adjustable from several hundred MHz to around 10 GHz by changing the resin composition, heat treatment conditions, iron nitride particle shape, aspect ratio, and the like. However, this electromagnetic wave absorber is complicated because the composition of the magnetic material is limited to a specific composition and a process of processing iron nitride into a flat shape is required.

また、虚数部透磁率μ”を大きくする手段としては、回路の銅線、電子デバイス等の表面に直接メッキして、ＮｉＺｎフェライト薄膜を作製する例がある。しかしながら、メッキ液には、Ｎａイオン、塩素イオン、亜硝酸イオン等が含まれ、半導体デバイスに用いる場合には、十分な洗浄が必要となり、作業工程が増えるという不利がある。 As a means for increasing the imaginary part permeability μ ″, there is an example in which a NiZn ferrite thin film is produced by directly plating the surface of a circuit copper wire, electronic device, etc. However, the plating solution contains Na ions. , Chlorine ions, nitrite ions and the like are used, and when used in semiconductor devices, there is a disadvantage that sufficient cleaning is required and the number of work steps is increased.

また、パッケージには、高密度実装の実現のために、小型化、軽量化、薄型化が望まれており、内部に配置される電磁波吸収体にも小型化、軽量化、薄型化が望まれている。また、共振抑制対策の作業が簡便で、容易に配置部位を変更可能なリワーク性に優れた電磁波吸収体が求められている。 In addition, the package is required to be smaller, lighter, and thinner in order to realize high-density packaging, and the electromagnetic wave absorber disposed inside is also desired to be smaller, lighter, and thinner. ing. In addition, there is a demand for an electromagnetic wave absorber that has a simple work for suppressing resonance and that has an excellent reworkability that can easily change the arrangement site.

しかしながら、磁性体を樹脂に充填した電磁波吸収体においては、高い電磁波抑制効果を得るために、扁平形状の磁性体粉末を樹脂中に高充填する必要がある。このため、電磁波吸収体の抵抗値が低下してしまい、電磁波の反射性能が増大してパッケージのキャビティ共振抑制効果が低下する。この対策として、磁性体粉末の表面を酸化させる工程などによって絶縁性を向上させる加工が必要となる。この加工は、煩雑であり、制約の多い条件の設定が必要となる。また、磁性体粉末を扁平形状に加工する工程が必要であり、煩雑である。 However, in an electromagnetic wave absorber in which a magnetic material is filled in a resin, in order to obtain a high electromagnetic wave suppression effect, it is necessary to highly fill the resin with a flat magnetic powder. For this reason, the resistance value of the electromagnetic wave absorber decreases, the electromagnetic wave reflection performance increases, and the cavity resonance suppression effect of the package decreases. As a countermeasure against this, it is necessary to perform a process for improving insulation by a process of oxidizing the surface of the magnetic powder. This processing is complicated, and it is necessary to set conditions with many restrictions. Moreover, the process which processes magnetic body powder to a flat shape is required, and is complicated.

また、樹脂中に多量の扁平形状の磁性体粉末を高密度に充填するため、磁性体は通常９０質量％前後の量となり、電磁波吸収体の厚さが約１ｍｍ程度となる。また、磁性体粉は比重が大きいことから、電磁波吸収体が重いものになってしまう。このように電磁波吸収体が、厚く重いものであると、パッケージの小型化、軽量化、薄型化が図りにくくなる。また、結合剤である樹脂がわずかとなることから、物性面で脆いという欠点をもち、リワーク時に破損するなどの問題が残されている。
特開平０６−２３６９３５号公報特開２００３−０７８２７７号公報特開２００４−００６５９１号公報特開平９−３５９２７号公報特開２００１−５３４８７号公報 Further, since a large amount of flat magnetic powder is filled in the resin at a high density, the magnetic material is usually about 90% by mass, and the thickness of the electromagnetic wave absorber is about 1 mm. Moreover, since the magnetic material powder has a large specific gravity, the electromagnetic wave absorber becomes heavy. Thus, when the electromagnetic wave absorber is thick and heavy, it is difficult to reduce the size, weight, and thickness of the package. In addition, since the amount of resin as a binder is small, there is a problem that it is brittle in terms of physical properties, and there remains a problem such as breakage during rework.
Japanese Patent Laid-Open No. 06-236935 JP 2003-078277 A JP 2004-006591 A JP-A-9-35927 JP 2001-53487 A

よって本発明の目的は、準マイクロ波帯域から数十ＧＨｚ帯域にわたって充分なキャビティ共振抑制効果を発揮し、小型化、軽量化、薄型化が図られ、イオンによる電子デバイスへの影響がないパッケージを提供することにある。 Therefore, an object of the present invention is to provide a package that exhibits a sufficient cavity resonance suppression effect from the quasi-microwave band to several tens of GHz band, and that can be reduced in size, weight, and thickness, and does not affect the electronic device due to ions. It is to provide.

本発明は、上記課題を解決するために鋭意検討し、磁性体の磁気損失特性である、複素透磁率の虚数部透磁率のμ”を大きくするため、形状異方性等の磁気異方性効果を期待して、磁性体を原子状態で有機高分子の基体の一部に分散一体化させることを検討した。その結果、準マイクロ波帯域から数十ＧＨｚ帯域で高い共鳴周波数を有することによる電磁波抑制効果を持ち、これに伴い、充分なキャビティ共振抑制効果を示す良好な電磁波抑制体を見出し、これを用いたパッケージを得るに至った。 The present invention has been intensively studied to solve the above-mentioned problems, and magnetic anisotropy, such as shape anisotropy, is increased in order to increase the imaginary part permeability μ ”of the complex permeability, which is the magnetic loss characteristic of the magnetic material. In anticipation of the effect, we investigated the dispersion and integration of a magnetic material in a part of an organic polymer substrate in an atomic state, resulting in having a high resonance frequency in the quasi-microwave band to several tens of GHz band. As a result, an excellent electromagnetic wave suppressor having an electromagnetic wave suppressing effect and a sufficient cavity resonance suppressing effect was found, and a package using the same was obtained.

本発明のパッケージは、電子デバイスが搭載された回路基板と、回路基板との間に空間が形成されるように、電子デバイスを覆う筐体と、該空間に配置された電磁波抑制体とを具備し、前記電磁波抑制体が、有機高分子を含有する基体と、該基体の一部と磁性体とが一体化してなる複合層とを有するものであることを特徴とするものである。 The package of the present invention includes a circuit board on which the electronic device is mounted, a casing that covers the electronic device so that a space is formed between the circuit board, and an electromagnetic wave suppressor disposed in the space. The electromagnetic wave suppressing body includes a substrate containing an organic polymer and a composite layer formed by integrating a part of the substrate and a magnetic body.

ここで、前記複合層は、物理的蒸着法により前記基体に磁性体を分散させた層であることが望ましい。
また、基体に磁性体を物理的蒸着させる時の有機高分子の剪断弾性率は、１×１０⁴ 〜５×１０¹⁰Ｐａであることが望ましい。
さらに、物理的蒸着法は、対向ターゲット型マグネトロンスパッタリング法であることが望ましい。 Here, the composite layer is preferably a layer in which a magnetic material is dispersed in the substrate by a physical vapor deposition method.
Moreover, it is desirable that the shear modulus of the organic polymer when the magnetic material is physically vapor-deposited on the substrate is 1 × 10 ^{4 to} 5 × 10 ¹⁰ Pa.
Further, it is desirable that the physical vapor deposition method is an opposed target type magnetron sputtering method.

本発明のパッケージは、パッケージ内の空間（キャビティ）に配置された電磁波抑制体が、有機高分子を含有する基体と、該基体の一部と磁性体とが一体化してなる複合層とを有するものであるため、準マイクロ波帯域から数十ＧＨｚ帯域にわたって充分なキャビティ共振抑制効果を発揮し、小型化、軽量化、薄型化が図られ、イオンによる電子デバイスへの影響がない。 In the package of the present invention, the electromagnetic wave suppressor disposed in the space (cavity) in the package has a base containing an organic polymer, and a composite layer formed by integrating a part of the base and a magnetic substance. Therefore, a sufficient cavity resonance suppression effect is exhibited from the quasi-microwave band to several tens of GHz band, and the size, weight, and thickness are reduced, and the electronic device is not affected by ions.

ここで、前記複合層が、物理的蒸着法により前記基体に磁性体を分散させた層であれば、軽量化、薄型化がさらに図られ、電磁波抑制体の物性が良好となり、より高いキャビティ共振抑制効果を得ることができる。
また、基体に磁性体を物理的蒸着させる時の有機高分子の剪断弾性率が、１×１０⁴ 〜５×１０¹⁰Ｐａであれば、軽量化、薄型化がさらに図られ、電磁波抑制体の物性が良好となり、より高いキャビティ共振抑制効果を得ることができる。
さらに、物理的蒸着法が、対向ターゲット型マグネトロンスパッタリング法であれば、軽量化、薄型化がさらに図られ、電磁波抑制体の物性が良好となり、より高いキャビティ共振抑制効果を得ることができる。 Here, if the composite layer is a layer in which a magnetic material is dispersed in the substrate by a physical vapor deposition method, the weight and thickness can be further reduced, the physical properties of the electromagnetic wave suppressing body are improved, and higher cavity resonance is achieved. An inhibitory effect can be obtained.
Moreover, if the shear modulus of the organic polymer when the magnetic material is physically vapor-deposited on the substrate is 1 × 10 ^{4 to} 5 × 10 ¹⁰ Pa, the weight and thickness can be further reduced, and the electromagnetic wave suppressor The physical properties are improved, and a higher cavity resonance suppression effect can be obtained.
Furthermore, if the physical vapor deposition method is an opposed target type magnetron sputtering method, the weight and thickness can be further reduced, the physical properties of the electromagnetic wave suppressor can be improved, and a higher cavity resonance suppression effect can be obtained.

以下、本発明について詳細に説明する。
＜パッケージ＞
図１および図２は、本発明のパッケージの一例を示す図である。このパッケージ１０は、電子デバイス１１が搭載された回路基板１２と、回路基板１２との間にキャビティ１３（空間）が形成されるように、電子デバイス１１を覆う筐体１４と、キャビティ１３に配置された電磁波抑制体２０とを具備して概略構成されるものである。 Hereinafter, the present invention will be described in detail.
<Package>
1 and 2 are diagrams showing an example of the package of the present invention. The package 10 is disposed in the cavity 13 and the casing 14 that covers the electronic device 11 so that the cavity 13 (space) is formed between the circuit board 12 on which the electronic device 11 is mounted and the circuit board 12. The electromagnetic wave suppressing body 20 is configured to be roughly configured.

電子デバイス１１としては、ＭＩＣ（マイクロ波集積回路）、ＭＭＩＣ（モノリシックＭＩＣ）、ＨＭＩＣ（ハイブリッドＭＩＣ）等；これらに、フィルター、アンプ、Ｌ／Ｃ／Ｒ受動部品等を組み合わせたモジュール等が挙げられる。
筐体１４は、電子デバイス１１から発振される不要な高周波ノイズを遮蔽し、他の回路への電磁波障害を防止するためのシールドボックスであり、電子デバイス１１に電気的に接続される入力用外部リード１５および出力用外部リード１６が設けられている。
筐体１４の材質としては、アルミニウム、銅、鉄、ＳＵＳ等の金属；金属メッキを有するプラスチック、金属が蒸着されたプラスチック等が挙げられる。 Examples of the electronic device 11 include MIC (microwave integrated circuit), MMIC (monolithic MIC), HMIC (hybrid MIC), etc .; a module in which a filter, an amplifier, L / C / R passive components, etc. are combined. .
The housing 14 is a shield box for shielding unnecessary high-frequency noise oscillated from the electronic device 11 and preventing electromagnetic interference to other circuits, and is externally connected for input to the electronic device 11. Leads 15 and output external leads 16 are provided.
Examples of the material of the housing 14 include metals such as aluminum, copper, iron, and SUS; plastics with metal plating, plastics with metal deposited, and the like.

＜電磁波抑制体＞
電磁波抑制体２０は、図３に示すように、有機高分子を含有する基体２１と、該基体２１の一部と磁性体とが一体化してなる複合層２２とを有するものである。 <Electromagnetic wave suppressor>
As shown in FIG. 3, the electromagnetic wave suppression body 20 includes a base 21 containing an organic polymer, and a composite layer 22 formed by integrating a part of the base 21 and a magnetic body.

（基体）
基体２１を構成する有機高分子としては、例えば、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリエステル、ポリエーテル、ポリケトン、ポリイミド、ポリウレタン、ポリシロキサン、フェノール系樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂等の樹脂；天然ゴム、イソブレンゴム、ブタジエンゴム、スチレンブタジエンゴム等のジエン系ゴム；ブチルゴム、エチレンプロピレンゴム、ウレタンゴム、シリコーンゴム等の非ジエン系ゴム等が挙げられる。これらは熱可塑性であってもよく、熱硬化性であってもよく、その未硬化物であってもよい。また、上述の樹脂、ゴム等の変性物、混合物、共重合物であってもよい。 (Substrate)
Examples of the organic polymer constituting the substrate 21 include resins such as polyolefin, polyamide, polyester, polyether, polyketone, polyimide, polyurethane, polysiloxane, phenolic resin, epoxy resin, and acrylic resin; natural rubber and isobrene rubber And diene rubbers such as butadiene rubber and styrene butadiene rubber; and non-diene rubbers such as butyl rubber, ethylene propylene rubber, urethane rubber, and silicone rubber. These may be thermoplastic, may be thermosetting, or may be an uncured product thereof. Further, it may be a modified product such as the above-mentioned resin or rubber, a mixture, or a copolymer.

有機高分子は、硬化剤、補強剤、その他改質剤等の各種機能性充填剤を含有していてもよい。
また、有機高分子は、無機物であるエアロジル、発泡シリカ、セライト等の充填剤を含有し、剪断弾性率が調整されたものであってもよい。また、超微粒子の捕獲がされるようなポーラスな表面による活性を持つようなものであってもよい。 The organic polymer may contain various functional fillers such as a curing agent, a reinforcing agent, and other modifiers.
In addition, the organic polymer may contain inorganic fillers such as aerosil, expanded silica, and celite, and the shear modulus may be adjusted. Moreover, it may have activity by a porous surface where ultrafine particles are captured.

また、熱伝導性の良好な充填剤を含有した有機高分子を基体２１とすれば、放熱特性を兼ね備えた電磁波抑制体となる。
さらに、誘電体粉末を含有した有機高分子を基体２１とすれば、空間とのインピーダンス整合が図られるために、電磁波の不要輻射の反射が起こり難くなる。誘電体としては、高周波領域での誘電率が大きく、かつ誘電率の周波数特性が比較的平坦なものが好ましく、例えば、チタン酸バリウム系セラミック、チタン酸ジルコン酸系セラミック、鉛ペロブスカイト系セラミック等が挙げられる。 Further, if an organic polymer containing a filler having a good thermal conductivity is used as the substrate 21, an electromagnetic wave suppressor having heat dissipation characteristics is obtained.
Furthermore, if the organic polymer containing the dielectric powder is used as the substrate 21, impedance matching with the space is achieved, and therefore, reflection of unnecessary electromagnetic wave radiation hardly occurs. As the dielectric, one having a large dielectric constant in a high frequency region and a relatively flat frequency characteristic of the dielectric constant is preferable. For example, barium titanate ceramic, zirconate titanate ceramic, lead perovskite ceramic, etc. Can be mentioned.

有機高分子の剪断弾性率が低いほど、後述する磁性体の物理的蒸着の際に、磁性体が基体２１に入り込みやすくなる。すなわち、磁性体の有機高分子への侵入または磁性体の衝突による有機高分子の変形、流動により、磁性体が基体２１表面から数ミクロンに渡り分散しやすくなる。よって、有機高分子の剪断弾性率は、後述の磁性体の物理的蒸着時に、１×１０⁴ 〜５×１０¹⁰Ｐａであることが好ましい。この範囲の剪断弾性率を有する有機高分子を含有する基体２１に磁性体が物理的蒸着されることで、磁性体が原子状態で基体２１に均一に分散し、基体２１の一部と磁性体が一体化した複合層２２を容易に形成することができる。そして、このような複合層２２は、より高い電磁波抑制効果を発揮することができる。また、電磁波抑制体の軽量化、薄型化がさらに図られ、電磁波抑制体の物性が良好となる。 The lower the shear elastic modulus of the organic polymer, the easier it is for the magnetic material to enter the substrate 21 during the physical vapor deposition of the magnetic material described later. That is, the magnetic material is easily dispersed from the surface of the base 21 over several microns due to the deformation and flow of the organic polymer due to the penetration of the magnetic material into the organic polymer or the collision of the magnetic material. Therefore, the shear modulus of the organic polymer is preferably 1 × 10 ^{4 to} 5 × 10 ¹⁰ Pa during physical vapor deposition of the magnetic material described later. A magnetic material is physically vapor-deposited on a substrate 21 containing an organic polymer having a shear elastic modulus in this range, whereby the magnetic material is uniformly dispersed in the substrate 21 in an atomic state, and a part of the substrate 21 and the magnetic material are dispersed. Can be easily formed. And such a composite layer 22 can exhibit a higher electromagnetic wave suppression effect. In addition, the electromagnetic wave suppressor is further reduced in weight and thickness, and the physical properties of the electromagnetic wave suppressor are improved.

有機高分子の剪断弾性率は、１×１０⁴ 〜１×１０⁸ Ｐａがより好ましく、１×１０⁴ 〜１×１０⁷ Ｐａがさらに好ましく、１×１０⁴ 〜１０⁶ Ｐａが特に好ましい。また、磁性体を物理的蒸着する時に、所望の剪断弾性率とするために、必要に応じて、分解または蒸発を起こさない温度、例えば１００〜３００℃に加熱することもできる。このような剪断弾性率を有する有機高分子としては、おおよそゴム硬度で９０°（ＪＩＳ−Ａ）以下の弾性体が挙げられる。有機高分子の剪断弾性率が１×１０⁸ Ｐａを超えても、５×１０¹⁰Ｐａ以下であれば、軽度の変形または流動が可能となるので、表面に凹凸を付けた基体を用いる、または一度の蒸着量を下げて、磁性体が連続層を形成しない程度の蒸着量の複合層を複数層積層して合計の蒸着量を稼ぐことにより、良好な電磁波抑制効果を有するものとすることができる。 Shear modulus of the organic polymer, 1 × and more preferably 10 ⁴ ~1 × 10 ⁸ Pa, still more preferably ^{^{1 × 10 4 ~1 × 10 7}} Pa, 1 × 10 4 ~10 6 Pa is especially preferred. Further, when the magnetic material is physically vapor-deposited, it can be heated to a temperature at which decomposition or evaporation does not occur, for example, 100 to 300 ° C., if necessary, in order to obtain a desired shear modulus. Examples of the organic polymer having such a shear modulus include elastic bodies having a rubber hardness of 90 ° (JIS-A) or less. Even if the shear modulus of the organic polymer exceeds 1 × 10 ⁸ Pa, if it is 5 × 10 ¹⁰ Pa or less, mild deformation or flow is possible, so use a substrate with irregularities on the surface, or By reducing the amount of vapor deposition once and laminating a plurality of composite layers with the amount of vapor deposition so that the magnetic material does not form a continuous layer, and earning the total amount of vapor deposition, it should have a good electromagnetic wave suppression effect it can.

剪断弾性率の測定方法としては、以下のような方法が知られている。
（１）ＪＩＳＫ７１１３に規定されている引張応力と歪との関係から引張り弾性率を求め、これをもとに下記式から剪断弾性率を求める。
剪断弾性率＝引張り弾性率／（２×（１＋ポアソン比））
ここで２×（１＋ポアソン比）の値は、剛直な高分子からゴム状の弾性体まで、おおよそ２．６〜３．０である。
（２）温度特性を把握できる粘弾性率測定装置を用い、試験モードを剪断モードにして剪断弾性率を測定する。
（３）粘弾性率測定装置を用い、試験モード引張りモードにして貯蔵弾性率Ｇ’および損失弾性率Ｇ”を測定し、下記式から複素弾性率Ｇ* を求め、複素弾性率を引張り弾性率として、上記式から剪断弾性率を求める。
Ｇ* ＝√（（Ｇ’）² ＋（Ｇ”）²）
本発明における剪断弾性率は、粘弾性率測定装置として、レオメトリック・サイエンティフィック社製ソリッドアナライザーＲＳＡ−IIを用い、剪断モードにて、測定周波数１Ｈｚの条件で測定した値とする。 The following methods are known as methods for measuring the shear modulus.
(1) A tensile elastic modulus is obtained from the relationship between tensile stress and strain specified in JIS K7113, and a shear elastic modulus is obtained from the following formula based on this.
Shear modulus = tensile modulus / (2 × (1 + Poisson's ratio))
Here, the value of 2 × (1 + Poisson's ratio) is approximately 2.6 to 3.0 from a rigid polymer to a rubbery elastic body.
(2) Using a viscoelasticity measuring device capable of grasping the temperature characteristics, the shear modulus is measured by setting the test mode to the shear mode.
(3) Using a viscoelasticity measuring device, the storage elastic modulus G ′ and the loss elastic modulus G ″ are measured in the test mode tensile mode, the complex elastic modulus G * is obtained from the following formula, and the complex elastic modulus is determined as the tensile elastic modulus. As described above, the shear modulus is obtained from the above formula.
G * = √ ((G ′) ² + (G ″) ² )
The shear elastic modulus in the present invention is a value measured using a solid analyzer RSA-II manufactured by Rheometric Scientific as a viscoelastic modulus measuring apparatus in a shear mode under a measurement frequency of 1 Hz.

基体２１は、樹脂、ゴム等の有機高分子を含有するものであるため、可撓性を有し、軽く、薄い、強靭なものとなり、配置の作業性の良好な電磁波抑制体となる。さらに、有機高分子を含有する基体が、硬化性樹脂であれば、磁性体が未硬化の樹脂中に均一分散され、樹脂が硬化した後では、磁性体が結晶化して微粒子に成長することなく、磁性体が原子状態で分散一体化した複合層とすることができる。 Since the base 21 contains an organic polymer such as resin and rubber, the base 21 is flexible, light, thin and tough, and becomes an electromagnetic wave suppressor with good disposition workability. Furthermore, if the substrate containing the organic polymer is a curable resin, the magnetic material is uniformly dispersed in the uncured resin, and after the resin is cured, the magnetic material does not crystallize and grow into fine particles. A composite layer in which magnetic materials are dispersed and integrated in an atomic state can be obtained.

（複合層）
複合層２２は、物理的蒸着法により基体２１に磁性体を分散させた層であることが好ましい。このような層とすることで、磁性体が原子状態で基体２１と複合一体化されて、磁気異方性が高められ、高周波帯域における電磁波抑制効果を発揮するものとなる。 (Composite layer)
The composite layer 22 is preferably a layer in which a magnetic material is dispersed in the substrate 21 by a physical vapor deposition method. By setting it as such a layer, a magnetic body is united and integrated with the base | substrate 21 in an atomic state, magnetic anisotropy is raised, and the electromagnetic wave suppression effect in a high frequency band is exhibited.

物理的蒸着法により基体２１に磁性体を分散させて形成される複合層２２は、物理的蒸着された磁性体が均質膜を形成することなく、原子状態で基体２１中に分散一体化してなるものである。
図４の透過型電子顕微鏡写真に示すように、複合層２２は、非常に小さな結晶として数Å間隔の磁性体原子が配列された結晶格子が観察される部分と、非常に小さい範囲で磁性体が存在しない有機高分子のみが観察される部分と、磁性体原子が結晶化せず有機高分子中に分散して観察される部分からなっている。すなわち、磁性体が明瞭な結晶構造を有する微粒子として存在を示す粒界は観察されず、ナノメーターレベルで磁性体と有機高分子とが一体化した複雑なヘテロ構造（非均質・不斉構造）を有しているものと考えられる。 The composite layer 22 formed by dispersing the magnetic material on the substrate 21 by physical vapor deposition is formed by dispersing and integrating the physically vapor-deposited magnetic material in the substrate 21 in an atomic state without forming a homogeneous film. Is.
As shown in the transmission electron micrograph of FIG. 4, the composite layer 22 includes a portion in which a crystal lattice in which magnetic atoms with several tens of intervals are arranged as very small crystals is observed, and a magnetic material in a very small range. It consists of a portion where only the organic polymer in which no is present is observed and a portion where the magnetic substance atoms are observed without being crystallized and dispersed in the organic polymer. In other words, the grain boundary where the magnetic substance is present as a fine particle having a clear crystal structure is not observed, and a complex heterostructure (non-homogeneous / asymmetric structure) in which the magnetic substance and the organic polymer are integrated at the nanometer level. It is thought that it has.

複合層２２を有する電磁波抑制体２０は、磁気共鳴周波数が８ＧＨｚ以上となり、周波数８ＧＨｚにおける複素透磁率の虚数部透磁率μ”は周波数５ＧＨｚにおける複素透磁率の虚数部透磁率μ”よりも大きく、虚数部透磁率μ”が重畳されて、準マイクロ波帯域の全域のわたって大きな虚数部透磁率μ”を示すものとなる。（実施例の図１０参照。） The electromagnetic wave suppression body 20 having the composite layer 22 has a magnetic resonance frequency of 8 GHz or more, and the imaginary part permeability μ ″ of the complex permeability at the frequency of 8 GHz is larger than the imaginary part permeability μ ″ of the complex permeability at the frequency of 5 GHz. The imaginary part permeability μ ″ is superimposed to show a large imaginary part permeability μ ″ over the entire quasi-microwave band. (See FIG. 10 in the embodiment.)

（磁性体）
物理的蒸着に用いられる磁性体としては、金属系軟磁性体、酸化物系軟磁性体、窒化物系軟磁性体等が主に用いられる。これらは、１種類を単独で用いてもよいし、２種以上を混合して用いてもよい。 (Magnetic material)
As the magnetic material used for physical vapor deposition, metal-based soft magnetic materials, oxide-based soft magnetic materials, nitride-based soft magnetic materials, and the like are mainly used. These may be used alone or in combination of two or more.

金属系軟磁性体としては、鉄、コバルト、ニッケル、それらの合金が挙げられる。鉄合金としては、具体的には、Ｆｅ−Ｎｉ、Ｆｅ−Ｃｏ、Ｆｅ−Ｃｒ、Ｆｅ−Ｓｉ、Ｆｅ−Ａｌ、Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ、Ｆｅ−Ｃｒ−Ａｌ、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ、Ｆｅ−Ｐｔ等が挙げられる。これらの金属系軟磁性体は、１種類を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、ニッケルは、単独で用いた場合に、酸化に対して抵抗力があるので好ましい。 Examples of the metallic soft magnetic material include iron, cobalt, nickel, and alloys thereof. Specific examples of iron alloys include Fe-Ni, Fe-Co, Fe-Cr, Fe-Si, Fe-Al, Fe-Cr-Si, Fe-Cr-Al, Fe-Al-Si, Fe- Pt etc. are mentioned. These metallic soft magnetic materials may be used alone or in combination of two or more. Among these, nickel is preferable because it is resistant to oxidation when used alone.

酸化物系軟磁性体としては、フェライトが好ましい。具体的には、ＭｎＦｅ₂Ｏ₄、ＣｏＦｅ₂Ｏ₄、ＮｉＦｅ₂Ｏ₄、ＣｕＦｅ₂Ｏ₄、ＺｎＦｅ₂Ｏ₄，ＭｇＦｅ₂Ｏ₄、Ｆｅ₃Ｏ₄、Ｃｕ−Ｚｎ−フェライト、Ｎｉ−Ｚｎ−フェライト、Ｍｎ−Ｚｎ−フェライト、Ｂａ₂Ｃｏ₂Ｆｅ₁₂Ｏ₂₂、Ｂａ₂Ｎｉ₂Ｆｅ₁₂Ｏ₂₂、Ｂａ₂Ｚｎ₂Ｆｅ₁₂Ｏ₂₂、Ｂａ₂Ｍｎ₂Ｆｅ₁₂Ｏ₂₂、Ｂａ₂Ｍｇ₂Ｆｅ₁₂Ｏ₂₂、Ｂａ₂Ｃｕ₂Ｆｅ₁₂Ｏ₂₂、Ｂａ₃Ｃｕ₂Ｆｅ₂₄Ｏ₄₁が挙げられる。これらのフェライトは、１種類を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。 As the oxide soft magnetic material, ferrite is preferable. _{_{_{Specifically, MnFe 2 O 4, CoFe 2}}} O 4, NiFe 2 O 4, CuFe 2 O 4, ZnFe 2 O 4, MgFe 2 O 4, Fe 3 O 4, Cu-Zn- ferrite, Ni-Zn- ferrite, Mn-Zn- _{_{_{ferrite, Ba 2 Co 2 Fe 12 O}}} 22, Ba 2 Ni 2 Fe 12 O 22, Ba 2 Zn 2 Fe 12 O 22, Ba 2 Mn 2 Fe 12 O 22, Ba 2 Mg 2 Fe 12 O ₂₂ , Ba ₂ Cu ₂ Fe ₁₂ O ₂₂ , and Ba ₃ Cu ₂ Fe ₂₄ O ₄₁ may be mentioned. These ferrites may be used alone or in combination of two or more.

窒化物系軟磁性体としては、Ｆｅ₂Ｎ、Ｆｅ₃Ｎ、Ｆｅ₄Ｎ、Ｆｅ₁₆Ｎ₂等が挙げられる。これらの窒化物系軟磁性体は、透磁率が高く、耐食性が高いので好ましい。
なお、基体２１に磁性体を物理的蒸着させる際には、磁性体はプラズマ化あるいはイオン化された磁性体原子として、基体２１に入り込むので、基体２１中に微分散された磁性体の組成は、蒸発材料として用いた磁性体の組成と必ずしも同一であるとは限らない。また、基体２１の一部と反応し、磁性体が常磁性体や反磁性体になるなどの変化が生じる場合もある。 Examples of the nitride-based soft magnetic material include Fe ₂ N, Fe ₃ N, Fe ₄ N, and Fe ₁₆ N ₂ . These nitride-based soft magnetic materials are preferable because of their high magnetic permeability and high corrosion resistance.
When the magnetic material is physically vapor-deposited on the base 21, the magnetic material enters the base 21 as plasma or ionized magnetic atoms, so the composition of the magnetic material finely dispersed in the base 21 is The composition of the magnetic material used as the evaporation material is not necessarily the same. Moreover, it may react with a part of the substrate 21 to cause a change such that the magnetic material becomes a paramagnetic material or a diamagnetic material.

（物理的蒸着）
まず、物理的蒸着法（ＰＶＤ）の一般的な説明を行う。
物理蒸着法（ＰＶＤ）とは、通常、真空にした容器の中で蒸発材料（ターゲット）を何らかの方法で気化させ、近傍に置いた基板上に堆積させて薄膜を形成する方法である。
物理蒸着法を蒸発材料の気化方法で分類すると、蒸発系とスパッタリング系に分けられる。蒸発系としては、ＥＢ蒸着、イオンプレーティング等が挙げられ、スパッタリング系としては、マグネトロンスパッタリング、対向ターゲット型マグネトロンスパッタリング等が挙げられる。 (Physical vapor deposition)
First, a general description of physical vapor deposition (PVD) will be given.
The physical vapor deposition (PVD) is a method of forming a thin film by evaporating an evaporation material (target) in a vacuumed container by some method and depositing it on a substrate placed in the vicinity.
If physical vapor deposition is classified according to the evaporation material vaporization method, it can be divided into an evaporation system and a sputtering system. Examples of the evaporation system include EB deposition and ion plating. Examples of the sputtering system include magnetron sputtering and counter target type magnetron sputtering.

ＥＢ蒸着は、蒸発粒子のエネルギーが１ｅＶと小さいので、基板のダメージが少なく、膜がポーラスになりやすく、膜強度が不足する傾向があるが、磁性体膜の固有抵抗は高くなるという特徴がある。 EB deposition has the characteristics that the energy of evaporated particles is as small as 1 eV, so that the substrate is less damaged, the film tends to be porous, and the film strength tends to be insufficient, but the specific resistance of the magnetic film is increased. .

イオンプレーティングによれば、アルゴンガスおよび蒸発粒子のイオンは加速されて基板に衝突するため、ＥＢよりエネルギーは大きく、付着力の強い膜を得ることができる。しかし、ドロップレットと呼んでいるミクロンサイズの粒子が多数付着してしまうと放電が停止してしまう。また、酸化物系磁性体を成膜するには、酸素などの反応性ガスを導入しなければならず、膜質コントロールが難しい。 According to the ion plating, the argon gas and the ions of the evaporated particles are accelerated and collide with the substrate, so that a film having higher energy and stronger adhesion than EB can be obtained. However, when a large number of micron-sized particles called droplets adhere, the discharge stops. In addition, in order to form an oxide-based magnetic material, a reactive gas such as oxygen must be introduced, and film quality control is difficult.

通常のマグネトロンスパッタリングは、磁界の影響で強いプラズマが発生するため成長速度が速く、磁性体が部分的に基体の中に潜り込んだ状態となり、三次元的に偏在して均質膜を形成しない状態で蒸着されるという特徴があるが、ターゲットの利用効率が低い。
ミラートロンスパッタリングなど、対向ターゲット型マグネトロンスパッタリングは、二枚のターゲットを向かい合わせに平行に配置し、対向するターゲット間にターゲット面の垂直な磁力線を印加して、プラズマを発生させ、対向するターゲットの外に置かれた基板に所望の薄膜を生成させる方法である。そのため、薄膜を再スパッタリングすることなく、成長速度がさらに速く、スパッタリングされた原子が衝突緩和することがない。 In normal magnetron sputtering, a strong plasma is generated under the influence of a magnetic field, so the growth rate is fast, and the magnetic material is partially submerged in the substrate, and it is unevenly distributed three-dimensionally and does not form a homogeneous film. Although it is characterized by vapor deposition, the utilization efficiency of the target is low.
Opposite target type magnetron sputtering, such as mirrortron sputtering, arranges two targets facing each other in parallel and applies perpendicular magnetic field lines to the target surface between the opposing targets to generate plasma, This is a method for producing a desired thin film on a substrate placed outside. Therefore, the growth rate is further increased without re-sputtering the thin film, and the sputtered atoms do not undergo collision relaxation.

本発明においては、これら物理蒸着法を利用し、基体２１上に磁性体の均一な薄膜を形成させることなく、磁性体を原子状態で基体２１に分散させる。そのため、以下の理由から対向ターゲット型マグネトロンスパッタリングが好適である。
有機高分子の共有結合エネルギーは、約４ｅＶであり、具体的には、Ｃ−Ｃ、Ｃ−Ｈ、Ｓｉ−Ｏ、Ｓｉ−Ｃの結合エネルギーはそれぞれ３．６、４．３、４．６、３．３ｅＶである。これに対して、対向ターゲット型マグネトロンスパッタリングでスパッタリングされた磁性体原子は、８ｅＶ以上の高いエネルギーを持っているので、有機高分子の化学結合を切断しながら衝突する。よって、磁性体原子が有機高分子である基体２１の表面からおおよそ０．００５〜５μｍ程度まで進入することができる。これは高エネルギーの磁性体原子の基体２１表面への衝突により、磁性体原子と有機高分子との局部的なミキシングが生じたためと推定される。このような現象が生ずることにより、前述の複合層２２のヘテロ構造をもたらすことができ、一度に大量の磁性体を分散させることができる。すなわち、一度の蒸着で、磁性体の蒸着質量を稼ぐことができることから、吸収減衰率の大きな電磁波抑制体２０を容易に得ることができる。 In the present invention, these physical vapor deposition methods are used to disperse the magnetic material in the substrate 21 in an atomic state without forming a uniform thin film of the magnetic material on the substrate 21. Therefore, opposed target type magnetron sputtering is preferred for the following reasons.
The covalent bond energy of the organic polymer is about 4 eV. Specifically, the bond energies of C—C, C—H, Si—O, and Si—C are 3.6, 4.3, and 4.6, respectively. 3.3 eV. In contrast, magnetic atoms sputtered by facing target type magnetron sputtering have high energy of 8 eV or more, and thus collide while breaking the chemical bond of the organic polymer. Therefore, the magnetic substance atoms can enter approximately 0.005 to 5 μm from the surface of the substrate 21 which is an organic polymer. This is presumed to be due to the local mixing of the magnetic substance atoms and the organic polymer caused by the collision of the high-energy magnetic substance atoms with the surface of the substrate 21. When such a phenomenon occurs, the hetero structure of the composite layer 22 described above can be provided, and a large amount of magnetic material can be dispersed at a time. That is, since the deposition mass of the magnetic material can be earned by one deposition, the electromagnetic wave suppression body 20 having a large absorption attenuation rate can be easily obtained.

また、通常のマグネトロンスパッタリングでは磁力線が磁性体ターゲット中を通るのでターゲットの厚みによってスパッタレートが決まったり、放電が起きにくくなったりするのに対し、対向ターゲット型マグネトロンスパッタリングでは、磁場をターゲットのスパッタリング面に垂直に印加するため、磁性体をターゲットに用いても磁場が保持され、ターゲット厚みに関係なく高速スパッタリングができるという特徴がある。 Also, in normal magnetron sputtering, the lines of magnetic force pass through the magnetic target, so the sputtering rate is determined by the thickness of the target and discharge is less likely to occur. In opposed target type magnetron sputtering, the magnetic field is applied to the sputtering surface of the target. The magnetic field is maintained even when a magnetic material is used as a target, and high speed sputtering can be performed regardless of the target thickness.

また、磁性体を物理的蒸着する方法によれば、メッキなどの液によるウエット加工によらずドライ加工が可能であり、不純物イオンは存在せず、不純物イオンによる電子デバイス、モジュール、回路基板等を損傷させるおそれのない電磁波抑制体２０が得られる。 Also, according to the physical vapor deposition method of the magnetic material, dry processing is possible regardless of wet processing with a liquid such as plating, impurity ions are not present, and electronic devices, modules, circuit boards, etc. with impurity ions can be obtained. The electromagnetic wave suppressing body 20 that is not likely to be damaged is obtained.

１回の物理的蒸着操作における磁性体の蒸着質量は、磁性体単品の膜厚換算値で２００ｎｍ以下が好ましい。これよりも厚いと、基体２１の剪断弾性率にもよるが、基体２１が磁性体を包含する能力に達し、磁性体が基体２１に分散した複合層２２ができずに、表面に堆積し、導通性を有する連続したバルクの均質膜が生成してしまう。それゆえ、磁性体の蒸着量は、１００ｎｍ以下が好ましく、５０ｎｍ以下がさらに好ましい。一方、電磁波抑制効果の点からは、磁性体の蒸着質量は、０．５ｎｍ以上であることが好ましい。蒸着質量は、ガラス、シリコン等の硬質基板上に同条件で磁性体を蒸着し、堆積した膜厚を測定することによって求められる。 The vapor deposition mass of the magnetic material in one physical vapor deposition operation is preferably 200 nm or less in terms of the thickness of the single magnetic material. If it is thicker than this, it depends on the shear elastic modulus of the substrate 21, but the substrate 21 reaches the capability of including a magnetic material, and the composite layer 22 in which the magnetic material is dispersed in the substrate 21 is not formed, but is deposited on the surface, A continuous bulk homogeneous film having conductivity is produced. Therefore, the deposition amount of the magnetic material is preferably 100 nm or less, and more preferably 50 nm or less. On the other hand, from the viewpoint of the electromagnetic wave suppression effect, the vapor deposition mass of the magnetic material is preferably 0.5 nm or more. The vapor deposition mass is obtained by vapor-depositing a magnetic material on a hard substrate such as glass or silicon under the same conditions and measuring the deposited film thickness.

蒸着質量が小さくなると、電磁波抑制効果は、低減することから、基体２１および複合層２２を複数積層することのよって磁性体の総質量を増やすことができる。この総質量は、要求される電磁波抑制効果にもよるが、おおよそ合計の磁性体の膜厚換算値で１０〜５００ｎｍが好ましい。また、必要に応じて、積層される層の一部を導通性のあるバルクの金属層とし、電磁波の反射特性をもたせることも可能である。さらには、誘電体を含有する層を設けることによって、電磁波抑制効果を調整することも可能である。 When the vapor deposition mass is reduced, the electromagnetic wave suppressing effect is reduced, so that the total mass of the magnetic material can be increased by stacking a plurality of the base body 21 and the composite layer 22. Although this total mass depends on the required electromagnetic wave suppression effect, it is preferably about 10 to 500 nm in terms of the total film thickness converted value. In addition, if necessary, a part of the layer to be laminated can be a conductive bulk metal layer to have electromagnetic wave reflection characteristics. Furthermore, the electromagnetic wave suppressing effect can be adjusted by providing a layer containing a dielectric.

（支持層）
本発明における電磁波抑制体は、ハンドリングを良好とするために、図５に示すように、基体２１の裏面にさらに支持体層２３を設けた電磁波抑制体２４であってもよい。
物理的蒸着によって磁性体原子は、基体２１の表面からおおよそ０．００５〜５μｍ程度まで進入するため、基体２１の厚さは５μｍ以上であればよい。実際には、基体２１を５〜１５μｍとすることが好ましいが、この厚さでは、電磁波抑制体をハンドリングすることが難しい場合には、支持層体２３を設けた電磁波抑制体２４が有効である。 (Support layer)
The electromagnetic wave suppressor 24 according to the present invention may be an electromagnetic wave suppressor 24 in which a support layer 23 is further provided on the back surface of the substrate 21 as shown in FIG.
Since the magnetic substance atoms enter from the surface of the substrate 21 to about 0.005 to 5 μm by physical vapor deposition, the thickness of the substrate 21 may be 5 μm or more. Actually, the substrate 21 is preferably 5 to 15 μm, but with this thickness, when it is difficult to handle the electromagnetic wave suppressor, the electromagnetic wave suppressor 24 provided with the support layer body 23 is effective. .

支持体層２３としては、キャビティ１３に電磁波抑制体２０を配置する組立装置、手法に合致した厚さおよび物性を有する材料を選定すればよく、各種のプラスチックフィルムであれば、特に限定されるものではない。各種のプラスチックフィルムの中で、耐熱性が良好なものには、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、ポリフェニレンサルファイド等のフィルムが挙げられる。後述する粘・接着剤層２５を支持体層２３上に設ける場合、その粘・接着剤に適合するようなフィルムを選定するとよい。 As the support layer 23, an assembly device for disposing the electromagnetic wave suppression body 20 in the cavity 13 and a material having a thickness and physical properties that match the method may be selected. is not. Among various plastic films, those having good heat resistance include, for example, films of polyethylene terephthalate, polyimide, polyphenylene sulfide, and the like. When the later-described adhesive / adhesive layer 25 is provided on the support layer 23, a film suitable for the adhesive / adhesive may be selected.

支持体層２３の厚さは、特に制限されるものではないが、ハンドリングに必要な最小限の厚みとしては、約５μｍが下限であり、本発明の目的である薄型化および作業性からは、５〜３０μｍ程度が好ましい。キャビティ１３に充分なスペースがあれば、この厚さを超えるものであってもよい。 The thickness of the support layer 23 is not particularly limited, but the minimum thickness required for handling is about 5 μm as the lower limit. From the thinning and workability that is the object of the present invention, About 5-30 micrometers is preferable. If the cavity 13 has a sufficient space, it may exceed this thickness.

（粘・接着剤層）
本発明における電磁波抑制体は、キャビティ１３内面、電子デバイス、モジュールの上面に容易に固定することが可能となる点から、図６に示すように、支持体層２３上に粘・接着剤層２５を設け、その上にセパレータフィルム２６を設けた電磁波抑制体２７、または図７に示すように、複合層２２上に粘・接着剤層２５を設け、その上にセパレータフィルム２６を設けた電磁波抑制体２８であってもよい。 (Adhesive layer)
The electromagnetic wave suppressing body in the present invention can be easily fixed to the inner surface of the cavity 13, the electronic device, and the upper surface of the module, so that the adhesive / adhesive layer 25 is formed on the support layer 23 as shown in FIG. 6. The electromagnetic wave suppression body 27 which provided the separator film 26 on it, or the electromagnetic wave suppression body which provided the adhesive layer 25 on the composite layer 22 and provided the separator film 26 on it as shown in FIG. The body 28 may be used.

粘着剤としては、アウトガスなどを考慮し、電子デバイスに影響を及ぼさないものを選定すればよく、具体的には、アクリル系、ゴム系の粘着剤が挙げられる。耐熱性または熱伝導性を考慮した粘着剤を用いてもよい。
接着剤としては、同様に電子デバイスに影響を及ぼさないものを選定すればよく、具体的には、エポキシ系、ポリイミド系、変性ポリアミド系の接着剤が挙げられる。耐熱性または熱伝導性を考慮した接着剤を用いてもよい。
複合層２２上に粘・接着剤層２５を設ける場合には、電磁波抑制効果を阻害せず、複合層２２を物理的に破壊しないような粘・接着剤を選定する。 As the pressure-sensitive adhesive, an adhesive that does not affect the electronic device may be selected in consideration of outgas and the like, and specific examples include acrylic and rubber-based pressure-sensitive adhesives. You may use the adhesive which considered heat resistance or heat conductivity.
Similarly, an adhesive that does not affect the electronic device may be selected, and specific examples include epoxy, polyimide, and modified polyamide adhesives. An adhesive considering heat resistance or thermal conductivity may be used.
When the adhesive / adhesive layer 25 is provided on the composite layer 22, an adhesive / adhesive that does not inhibit the electromagnetic wave suppressing effect and does not physically destroy the composite layer 22 is selected.

（電磁波抑制体の配置）
電磁波抑制体２０は、所定の形状に切り出す加工、抜き加工が容易であり、キャビティ１３内部、すなわち筐体１４と電子デバイス１１、回路、モジュールとの間に、粘着剤または接着剤を用いた簡便な方法によって配置できる。電磁波抑制体２０は、キャビティ共振の抑制が効率的に可能となる部位に配置すればよく、電磁波抑制体２０に粘・接着剤層を設けてキャビティ１３の内面の一部または全体、電子デバイスの表面、回路基板の回路上、モジュールの表面等に配置すればよい。電磁波抑制体２０を配置する際には、熱伝導性の良好な部材をいっしょに配置してもよい。 (Arrangement of electromagnetic wave suppressor)
The electromagnetic wave suppression body 20 can be easily cut and punched into a predetermined shape, and can be easily used using an adhesive or an adhesive inside the cavity 13, that is, between the housing 14 and the electronic device 11, circuit, or module. Can be arranged by various methods. The electromagnetic wave suppressing body 20 may be disposed at a site where the cavity resonance can be efficiently suppressed. A part of or the entire inner surface of the cavity 13 may be provided by providing the electromagnetic wave suppressing body 20 with an adhesive / adhesive layer. What is necessary is just to arrange | position on the surface, the surface of a module, etc. on the surface, the circuit of a circuit board. When the electromagnetic wave suppression body 20 is disposed, members having good thermal conductivity may be disposed together.

電磁波抑制体２０のキャビティ１３内における配置部位は、キャビティ共振抑制効果が発揮される部位として、通常、キャビティ１３内部の天面の全てを覆うように配置される。また、抑制効果がより発揮されることから、キャビティ１３の天面および回路基板１２の四隅に配置してもよく、電子デバイス１１、モジュールの表面の一部またはすべてに配置してもよい。電磁波抑制体２０の最適な配置部位は、シミュレーション、実装測定等の結果から決定すればよい。
また、電磁波抑制体２０の形状は、シミュレーション、実装測定等から最適な形状とすればよい。 The part where the electromagnetic wave suppression body 20 is disposed in the cavity 13 is usually disposed so as to cover the entire top surface inside the cavity 13 as a part where the cavity resonance suppression effect is exhibited. Moreover, since the suppression effect is exhibited more, you may arrange | position to the top | upper surface of the cavity 13, and the four corners of the circuit board 12, and may arrange | position to the electronic device 11 and a part or all of the surface of a module. What is necessary is just to determine the optimal arrangement | positioning site | part of the electromagnetic wave suppression body 20 from results, such as a simulation and mounting measurement.
Moreover, what is necessary is just to make the shape of the electromagnetic wave suppression body 20 into an optimal shape from a simulation, mounting measurement, etc.

また、実装測定によって、キャビティ共振抑制の部位がずれているような場合には、粘着面を一度剥がし、再度貼付する作業を必要とするが、電磁波抑制体２０は、可撓性および強靭性をもつことから、破壊せずに、容易なリワーク作業が可能となる。 Further, when the cavity resonance suppression part is shifted by mounting measurement, it is necessary to peel off the adhesive surface once and apply it again. However, the electromagnetic wave suppressing body 20 has flexibility and toughness. Therefore, an easy rework work can be performed without breaking.

また、パッケージ１０の内部に基体２１をあらかじめ配置し、これに磁性体を物理的蒸着してもよい。例えば、図８に示すように、基体２１を筐体１４の内面のコーナー部分に塗布または粘・接着剤により配置し、これに磁性体を物理的蒸着し、複合層２２を形成する。または、図９に示すように、電子デバイス１１および回路基板１２の表面にも基体２１を配置し、これに磁性体を物理的蒸着し、複合層２２を形成する。物理的蒸着法としては、低温蒸着であり、電子デバイス１１、回路基板１２等を破損せずに、磁性体を物理的蒸着することが可能であることから、対向ターゲット型マグネトロンスパッタリング法が好ましい。 Alternatively, the substrate 21 may be disposed in advance inside the package 10 and a magnetic material may be physically vapor-deposited thereon. For example, as shown in FIG. 8, the base body 21 is disposed on the corner portion of the inner surface of the housing 14 by application or adhesive / adhesive, and a magnetic material is physically vapor-deposited thereon to form the composite layer 22. Alternatively, as shown in FIG. 9, the base 21 is also disposed on the surfaces of the electronic device 11 and the circuit board 12, and a magnetic material is physically vapor-deposited on the base 21 to form the composite layer 22. The physical vapor deposition method is a low temperature vapor deposition method, and since the magnetic material can be physically vapor deposited without damaging the electronic device 11, the circuit board 12, etc., the facing target type magnetron sputtering method is preferable.

（作用）
以上説明した電磁波抑制体２０にあっては、理論的には完全に明らかになっていないが、基体２１と磁性体とが一体化された複合層２２が形成されているので、少ない磁性体であっても、そのナノメーターレベルのヘテロ構造に由来する量子効果、材料固有の磁気異方性、形状異方性、または外部磁界による異方性等の影響で、高い共鳴周波数を持つ。これにより、優れた磁気特性を発揮し、少ない磁性体であっても、高い周波数帯域において、電磁波抑制効果を発揮することができる。このように充分な電磁波抑制効果を有する電磁波抑制体２０をキャビティ１３内に配置されたパッケージ１０は、準マイクロ波帯域全体にわたって充分なキャビティ共振抑制効果を発揮する。 (Function)
The electromagnetic wave suppressor 20 described above is not completely clarified theoretically, but the composite layer 22 in which the base 21 and the magnetic body are integrated is formed. Even if it exists, it has a high resonance frequency due to the influence of the quantum effect derived from the heterostructure at the nanometer level, the magnetic anisotropy inherent to the material, the shape anisotropy, or the anisotropy due to an external magnetic field. Thereby, excellent magnetic properties can be exhibited, and even with a small amount of magnetic material, an electromagnetic wave suppressing effect can be exhibited in a high frequency band. Thus, the package 10 in which the electromagnetic wave suppression body 20 having a sufficient electromagnetic wave suppression effect is disposed in the cavity 13 exhibits a sufficient cavity resonance suppression effect over the entire quasi-microwave band.

また、電磁波抑制体２０にあっては、複合層２２を形成するために用いられる磁性体の量が少なく、複合層２２の厚さがきわめて薄い。よって、有機高分子を含有する基体２１を薄肉化できる、結果、電磁波抑制体２０が薄型化される。また、複合層２２を形成するために用いられる磁性体の量が少ないため、結果、電磁波抑制体２０が軽量化される。このように薄型化、軽量化された電磁波抑制体２０をキャビティ１３内に配置されたパッケージ１０は、小型化、軽量化、薄型化が可能となる。
また、電磁波抑制体２０の複合層２２の形成には、メッキ液を使用する必要がないので、イオンによる電子デバイスへの影響がないパッケージ１０が得られる。 Further, in the electromagnetic wave suppressing body 20, the amount of the magnetic material used for forming the composite layer 22 is small, and the thickness of the composite layer 22 is extremely thin. Therefore, the base 21 containing the organic polymer can be thinned. As a result, the electromagnetic wave suppression body 20 is thinned. Moreover, since the quantity of the magnetic body used in order to form the composite layer 22 is small, the electromagnetic wave suppression body 20 is reduced in weight as a result. The package 10 in which the electromagnetic wave suppression body 20 thus reduced in thickness and weight is disposed in the cavity 13 can be reduced in size, weight, and thickness.
Moreover, since it is not necessary to use a plating solution for the formation of the composite layer 22 of the electromagnetic wave suppressing body 20, the package 10 that does not affect the electronic device due to ions is obtained.

以下に実施例を示す。
（評価）
透磁率測定：
凌和電子製、超高周波透磁率測定装置ＰＭＭ−９Ｇ１を用いた。
断面観察：
日立製作所製、透過型電子顕微鏡Ｈ９０００ＮＡＲを用いた。
剪断弾性率：
剪断弾性率は、粘弾性率測定装置として、レオメトリック・サイエンティフィック社製ソリッドアナライザーＲＳＡ−IIを用い、剪断モードにて、測定周波数１Ｈｚの条件で測定した。 Examples are shown below.
(Evaluation)
Permeability measurement:
A super high frequency magnetic permeability measuring device PMM-9G1 manufactured by Ryowa Denshi was used.
Cross-sectional observation:
A transmission electron microscope H9000NAR manufactured by Hitachi, Ltd. was used.
Shear modulus:
The shear modulus was measured using a solid analyzer RSA-II manufactured by Rheometric Scientific as a viscoelastic modulus measuring device, in a shear mode, under a measurement frequency of 1 Hz.

電磁波抑制特性：
伝送特性：キーコム（株）製、近傍界用電磁波吸収材料測定装置を用いて、Ｓパラメーター法によるＳ₁₁（反射減衰量）およびＳ₂₁（透過減衰量）を測定した。ネットワークアナライザーとしては、アンリツ（株）製、ベクトルネットワークアナライザー３７２４７Ｃを用い、５０Ωのインピーダンスを持つマイクロストリップラインのテストフィクスチャーとしては、キーコム（株）製、ＴＦ−３Ａ、ＴＦ−１８Ａを用いた。 Electromagnetic wave suppression characteristics:
Transmission Characteristics: KEYCOM Co., using an electromagnetic wave absorbing material measuring device for near-field, was measured S ₁₁ (return loss) and S ₂₁ (transmission attenuation) by S parameter method. As a network analyzer, a vector network analyzer 37247C manufactured by Anritsu Co., Ltd. was used, and as a test fixture of a microstrip line having an impedance of 50Ω, TF-3A and TF-18A manufactured by Keycom Co., Ltd. were used.

キャビティ共振測定：
実装デバイス：ＵＭＳ社製ＭＭＩＣ「ＣＨＡ２０６９ＲＡＦ」。
実装基板：Ｒｏｇｅｒｓ基板「ＲＦ４００３」（ＭＬＳ基板）。
出力信号に（株）アドバンテスト製、スペクトラムアナライザＲ３１３２を接続。 Cavity resonance measurement:
Mounting device: MMIC “CHA2069RAF” manufactured by UMS.
Mounting board: Rogers board “RF4003” (MLS board).
A spectrum analyzer R3132 manufactured by Advantest Co., Ltd. is connected to the output signal.

［実施例１］
支持体層である１５μｍのポリイミドフィルムの上に有機高分子であるＢステージ状のエポキシ樹脂（硬化前の２５℃における剪断弾性率８×１０⁶ Ｐａ、硬化後の２５℃における剪断弾性率２×１０⁹ Ｐａ）を塗布し、厚さ１０μｍの基体を設けた。硬化前の常温（２５℃）において、基体の上に膜厚換算で１０ｎｍのＦｅ−Ｎｉ系軟磁性体金属を、対向ターゲット型マグネトロンスパッタリング法により物理的蒸着させ複合層を形成した。この際、基体の温度を２５℃に保ち、蒸発粒子が８ｅＶの粒子エネルギーを持つようにわずかに負の電圧を印加し、スパッタリングを行った。これを４０℃で６時間加熱し、さらに１２０℃で２時間加熱し、エポキシ樹脂を硬化させて、厚さ２５μｍの電磁波抑制体を得た。 [Example 1]
B-stage epoxy resin as organic polymer (shear elastic modulus at 25 ° C. at 25 ° C. before curing, 8 × 10 ⁶ Pa before curing, shear modulus at 25 ° C. after curing) 2 × on 15 μm polyimide film as a support layer 10 ⁹ Pa) was applied, and a substrate having a thickness of 10 μm was provided. At normal temperature (25 ° C.) before curing, a composite layer was formed by physically vapor-depositing an Fe—Ni-based soft magnetic metal having a thickness of 10 nm on the substrate by an opposed target magnetron sputtering method. At this time, the substrate temperature was kept at 25 ° C., and a slight negative voltage was applied so that the evaporated particles had a particle energy of 8 eV, and sputtering was performed. This was heated at 40 ° C. for 6 hours, and further heated at 120 ° C. for 2 hours to cure the epoxy resin to obtain an electromagnetic wave suppressor having a thickness of 25 μm.

電磁波抑制体の一部をミクロトームで薄片にし、断面にイオンビームポリシャーを施し、高分解能透過型電子顕微鏡により断面を観察したところ、複合層２２の厚さは約３０ｎｍであった。断面観察写真を図４に示す。 A part of the electromagnetic wave suppressor was thinned with a microtome, an ion beam polisher was applied to the cross section, and the cross section was observed with a high resolution transmission electron microscope. The thickness of the composite layer 22 was about 30 nm. A cross-sectional observation photograph is shown in FIG.

また、透磁率測定装置を用いて電磁波抑制体の透磁率を測定した結果を図１０に示す。周波数が高いほどμ”も大きな値を示しており、約３ＧＨｚでのμ”の相対強度値は２５０であり、約８ＧＨｚでのμ”の相対強度値は３ＧＨｚの値の約７倍と大きな値となっている。また、磁気共鳴周波数（μ’のピーク値の半分の値になる周波数で、かつピーク値の周波数より大きい周波数）は、装置の測定限界の９ＧＨｚを超えていた。 Moreover, the result of having measured the magnetic permeability of the electromagnetic wave suppression body using the magnetic permeability measuring apparatus is shown in FIG. The higher the frequency, the larger μ ″ is, the relative intensity value of μ ″ at about 3 GHz is 250, and the relative intensity value of μ ″ at about 8 GHz is a large value of about 7 times the value of 3 GHz. In addition, the magnetic resonance frequency (a frequency that is half the peak value of μ ′ and a frequency that is higher than the peak value) exceeded the measurement limit of 9 GHz of the apparatus.

また、図１１および図１２にＳパラメータ法による電磁波抑制体の伝送特性を示す。反射減衰量（Ｓ₁₁）および透過減衰量（Ｓ₂₁）は、１ＧＨｚでそれぞれ−７．５ｄＢ、−５．５ｄＢであり、１０ＧＨｚでは、−１４ｄＢ、−２０ｄＢであり、電磁波抑制効果のバランスの良好なものであった。 11 and 12 show the transmission characteristics of the electromagnetic wave suppressor by the S parameter method. The reflection attenuation (S ₁₁ ) and the transmission attenuation (S ₂₁ ) are −7.5 dB and −5.5 dB at 1 GHz, and −14 dB and −20 dB at 10 GHz, respectively, and the electromagnetic wave suppression effect is well balanced. It was something.

また、電磁波の消費エネルギーの指標を表すロス電力比は、下記式（１）〜（３）から算出される。その結果を図１３および図１４に示す。０．２ＧＨｚ近辺から急激に立ち上がり、１ＧＨｚですでに０．５４と大きな値を示し、１０ＧＨｚで０．９５を示している。これは、準マイクロ波帯域全体にわたって、大きな値であることを示している。
（ロス電力比）Ｐ_loss／Ｐ_in＝１−（｜Γ｜²＋｜Τ｜²）（１）
（反射減衰量）Ｓ₁₁＝２０×ｌｏｇ｜Γ｜（２）
（透過減衰量）Ｓ₂₁＝２０×ｌｏｇ｜Τ｜（３） Moreover, the loss power ratio showing the parameter | index of the energy consumption of electromagnetic waves is computed from following formula (1)-(3). The results are shown in FIG. 13 and FIG. It rises rapidly from around 0.2 GHz and already shows a large value of 0.54 at 1 GHz and 0.95 at 10 GHz. This indicates a large value over the entire quasi-microwave band.
(Loss power ratio) P _loss / P _in = 1− (| Γ | ² + | Τ | ² ) (1)
(Reflection loss) S ₁₁ = 20 × log | Γ | (2)
(Transmission attenuation) S ₂₁ = 20 × log | Τ | (3)

この電磁波抑制体の支持体層表面に、アクリル系粘着剤（エマルジョンタイプ）を１５μｍ厚となるように塗工して粘・接着剤層を設け、さらにセパレータである３８μｍのポリエステルフィルムを貼り付け、厚さ７８μｍの電磁波抑制体を得た。 An acrylic pressure-sensitive adhesive (emulsion type) is applied to the surface of the support layer of the electromagnetic wave suppressor so as to have a thickness of 15 μm to provide a tacky / adhesive layer, and a 38 μm polyester film as a separator is further attached. An electromagnetic wave suppressor having a thickness of 78 μm was obtained.

図１および図２に示す構成の、１８〜３１ＧＨｚの高周波低ノイズアンプのデバイスであるＵＭＳ社製のＭＭＩＣ「ＣＨＡ２０６９ＲＡＦ」を搭載したＭＳＬ基板（Ｒｏｇｅｒｓ基板）をアルミニウム筐体のシールドカバーで覆い密閉したパッケージを準備し、入力信号を外部信号源とし、出力信号にスペクトラムアナライザを接続した。 An MSL substrate (Rogers substrate) equipped with an MMIC “CHA2069RAF” manufactured by UMS, which is a device of a high frequency low noise amplifier of 18 to 31 GHz, having the configuration shown in FIGS. 1 and 2 is covered and sealed with a shield cover of an aluminum casing. A package was prepared, an input signal was used as an external signal source, and a spectrum analyzer was connected to the output signal.

まず、この「ＣＨＡ２０６９ＲＡＦ」は、シールドカバーで覆わない状態では、入力信号に対して、１８〜３１ＧＨｚ帯域では、規格性能範囲の高周波発振ノイズレベル（２．５〜３．５ｄＢ）の出力信号であることをスペクトラムアナライザで確認した。結果を図１５に示す。 First, the “CHA2069RAF” is an output signal having a high frequency oscillation noise level (2.5 to 3.5 dB) within the standard performance range in the 18 to 31 GHz band with respect to the input signal when not covered with the shield cover. This was confirmed with a spectrum analyzer. The results are shown in FIG.

これに、キャビティの大きさが幅１０ｍｍ×奥行１５ｍｍ×高さ２．５ｍｍであるアルミニウム筐体のシールドカバーを覆いかぶせたところ、１９ＧＨｚ近辺において、規格性能範囲を超える高周波発振ノイズレベルの出力信号（約５．６ｄＢ）が測定され、キャビティ共振が発生したことを確認した。結果を図１６に示す。これは、シールドカバーで覆うことで、出力電力が入力電力にフィードバックされて発振されたことを示している。 When this was covered with a shield cover made of an aluminum housing having a cavity size of 10 mm width × 15 mm depth × 2.5 mm height, an output signal (high-frequency oscillation noise level exceeding the standard performance range in the vicinity of 19 GHz ( About 5.6 dB) was measured, and it was confirmed that cavity resonance occurred. The results are shown in FIG. This indicates that the output power is oscillated by being fed back to the input power by covering with the shield cover.

電磁波抑制体を１０ｍｍ×１５ｍｍに切出し、セパレータフィルムを剥離して（貼付厚さ４０μｍ）、デバイスの上部のキャビティ天面に粘着固定した。同様に出力信号を測定したところ、１８〜２０ＧＨｚ近辺で発生していた発振が止まり、キャビティ共振ノイズは、規格性能範囲の約３ｄＢに抑制されたことを確認した。結果を図１７に示す。 The electromagnetic wave suppressor was cut out to 10 mm × 15 mm, the separator film was peeled off (applied thickness: 40 μm), and was adhesively fixed to the top surface of the cavity of the device. Similarly, when the output signal was measured, it was confirmed that the oscillation that occurred in the vicinity of 18 to 20 GHz stopped and the cavity resonance noise was suppressed to about 3 dB in the standard performance range. The results are shown in FIG.

本発明のパッケージは、準マイクロ波帯域のキャビティ共振の抑制に効果が高く、電子デバイスの高周波化に充分対応できるものであり、また、パッケージの小型化、軽量化、薄型化の要望に応えることができるものである。 The package of the present invention is highly effective in suppressing cavity resonance in the quasi-microwave band, can sufficiently cope with the higher frequency of electronic devices, and responds to the demand for smaller, lighter, and thinner packages. It is something that can be done.

本発明のパッケージの一例を示す分解斜視図である。It is a disassembled perspective view which shows an example of the package of this invention. 本発明のパッケージの一例を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows an example of the package of this invention. 本発明における電磁波抑制体の一例を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows an example of the electromagnetic wave suppression body in this invention. 本発明における電磁波抑制体における複合層の高分解能透過型電子顕微鏡写真である。It is a high-resolution transmission electron micrograph of the composite layer in the electromagnetic wave suppression body in this invention. 本発明における電磁波抑制体の他の例を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the other example of the electromagnetic wave suppression body in this invention. 本発明における電磁波抑制体の他の例を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the other example of the electromagnetic wave suppression body in this invention. 本発明における電磁波抑制体の他の例を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the other example of the electromagnetic wave suppression body in this invention. パッケージ内部への電磁波抑制体の配置方法の一例を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows an example of the arrangement | positioning method of the electromagnetic wave suppression body inside a package. パッケージ内部への電磁波抑制体の配置方法の他の例を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the other example of the arrangement | positioning method of the electromagnetic wave suppression body inside a package. 実施例１における電磁波抑制体の複素透磁率を示すグラフである。3 is a graph showing the complex permeability of the electromagnetic wave suppressing body in Example 1. 実施例１における電磁波抑制体の０〜３ＧＨｚにおけるＳ₁₁（反射減衰量）およびＳ₂₁（透過減衰量）を示すグラフである。Is a graph showing S ₁₁ a (return loss) and S ₂₁ (transmission attenuation) in 0~3GHz of electromagnetic wave suppressor in Example 1. 実施例１における電磁波抑制体の３〜１８ＧＨｚにおけるＳ₁₁（反射減衰量）およびＳ₂₁（透過減衰量）を示すグラフである。Is a graph showing S ₁₁ a (return loss) and S ₂₁ (transmission attenuation) in 3~18GHz of electromagnetic wave suppressor in Example 1. 実施例１における電磁波抑制体の０〜３ＧＨｚにおけるロス電力比を示すグラフである。It is a graph which shows the loss power ratio in 0-3 GHz of the electromagnetic wave suppression body in Example 1. FIG. 実施例１における電磁波抑制体の３〜１８ＧＨｚにおけるロス電力比を示すグラフである。It is a graph which shows the loss power ratio in 3-18 GHz of the electromagnetic wave suppression body in Example 1. FIG. シールドケースのない場合における、実施例１のパッケージからの出力信号を示すグラフである。It is a graph which shows the output signal from the package of Example 1 when there is no shield case. デバイスをシールドケースで覆った場合における、実施例１のパッケージからの出力信号を示すグラフである。It is a graph which shows the output signal from the package of Example 1 when a device is covered with a shield case. キャビティ内に電磁波抑制体を配置した場合における、実施例１のパッケージからの出力信号を示すグラフである。It is a graph which shows the output signal from the package of Example 1 at the time of arrange | positioning the electromagnetic wave suppression body in a cavity.

Explanation of symbols

１０パッケージ
１１電子デバイス
１２回路基板
１３キャビティ（空間）
１４筐体
２０電磁波抑制体
２１基体
２２複合層
10 Package 11 Electronic Device 12 Circuit Board 13 Cavity (Space)
14 Housing 20 Electromagnetic wave suppressor 21 Base 22 Composite layer

Claims

A circuit board on which an electronic device is mounted;
A housing that covers the electronic device so that a space is formed between the circuit board and the circuit board;
Comprising an electromagnetic wave suppressor disposed in the space,
The package, wherein the electromagnetic wave suppressing body has a base containing an organic polymer, and a composite layer formed by integrating a part of the base and a magnetic body.

2. The package according to claim 1, wherein the composite layer is a layer in which a magnetic material is dispersed in the substrate by a physical vapor deposition method.

The package according to claim 2, wherein the organic polymer has a shear elastic modulus of 1 × 10 ^{4 to} 5 × 10 ¹⁰ Pa when the magnetic material is physically vapor-deposited on the substrate.

The package according to claim 2 or 3, wherein the physical vapor deposition method is an opposed target type magnetron sputtering method.