JP2006085081A - Method for forming fine pattern and resist composition used therefor - Google Patents

Method for forming fine pattern and resist composition used therefor Download PDF

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Takayuki Araki
孝之 荒木
Takuji Ishikawa
卓司 石川
Tomohiro Yoshida
知弘 吉田
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a resist composition giving excellent solubility to a resist coating on exposure to light particularly at 193 nm wavelength, and to provide a method for forming a fine pattern with excellent contrast by using the resist composition. <P>SOLUTION: The resist composition comprises (a) an acid dissociable functional group-containing polymer, (b) a photo-acid generating agent and (c) a dissolution inhibitor. The dissolution inhibitor (c) consists of a polymer necessarily containing a structural unit derived from at least one kind of monomer (m1) selected from fluorine-containing norbornene derivatives having a moiety expressed by formula (1). In the formula (1), Rf<SP>1</SP>and Rf<SP>2</SP>may be same or different and each represents a 1-10C fluorine-containing alkyl group which may have an ether bond; X represents F or CF<SP>3</SP>; and Y<SP>1</SP>represents an OH group or an acid dissociable functional group which is dissociated by an acid to change into an OH group. In the method for forming a fine pattern, a fine pattern is formed by using the resist composition. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、レジスト組成物中に特定のポリマーを溶解抑止剤として配合することにより、微細パターンの形成時にレジスト被膜の溶解性を向上させることができる微細パターン形成方法およびそれに用いるレジスト組成物に関する。   The present invention relates to a fine pattern forming method capable of improving the solubility of a resist film at the time of forming a fine pattern by blending a specific polymer as a dissolution inhibitor in the resist composition, and a resist composition used therefor.

半導体集積回路をはじめとする各種の電子部品は超微細加工が必要とされ、その加工技術にはレジストが広く用いられている。また、電子部品の多機能化、高密度化に伴い、形成されるレジストパターンの超微細化が求められている。   Various electronic components such as semiconductor integrated circuits require ultra-fine processing, and resists are widely used in the processing technology. In addition, with the increase in functionality and density of electronic components, there is a demand for ultra-fine resist patterns to be formed.

これまで、化学増幅型レジストの樹脂成分としては、KrFエキシマレーザー(248nm)に対して高い透明性を有するポリヒドロキシスチレンやこのヒドロキシ基を酸解離性の保護基で保護したものが主に用いられてきた。しかし、近年の半導体素子の微細化要求により、その光源もKrFエキシマレーザーからより短い波長のArFエキシマレーザー(193nm)を用いるプロセスに移行してきた。   Up to now, as the resin component of the chemically amplified resist, polyhydroxystyrene having high transparency with respect to KrF excimer laser (248 nm) and those obtained by protecting this hydroxy group with an acid-dissociable protecting group have been mainly used. I came. However, due to recent demands for miniaturization of semiconductor elements, the light source has shifted from a KrF excimer laser to a process using an ArF excimer laser (193 nm) having a shorter wavelength.

ところで、ArFエキシマレーザー(193nm)を光源とするプロセスにおいては、従来用いられてきたポリヒドロキシスチレンのような芳香族環を持つ樹脂では、ArFエキシマレーザーに対する透明性が不十分で使用できないため、ArFリソグラフィープロセスにおけるレジスト材料のベースポリマーとして、芳香環に換えて脂肪族環構造を導入する方法が知られている。たとえば、特許文献1には、(メタ)アクリル系樹脂のエステル部位に脂肪族環構造を導入した重合体を使用した化学増幅型レジストが提案されている。また、特許文献2では、主鎖にノルボルネン骨格を有する樹脂を使用した化学増幅型レジストが提案されている。   By the way, in a process using an ArF excimer laser (193 nm) as a light source, a resin having an aromatic ring such as polyhydroxystyrene which has been conventionally used cannot be used because of insufficient transparency with respect to the ArF excimer laser. As a base polymer of a resist material in a lithography process, a method of introducing an aliphatic ring structure instead of an aromatic ring is known. For example, Patent Document 1 proposes a chemically amplified resist using a polymer in which an aliphatic ring structure is introduced into an ester site of a (meth) acrylic resin. Patent Document 2 proposes a chemically amplified resist using a resin having a norbornene skeleton in the main chain.

また、更なる微細化を目指して、F2レーザー(157nm)を光源とするプロセスが検討されており、より短波長の紫外線の透明性に優れた含フッ素ポリマーをレジスト用ベースポリマーに用いることが検討されている。 A process using an F 2 laser (157 nm) as a light source is being studied with the aim of further miniaturization, and a fluorine-containing polymer having excellent transparency of ultraviolet rays having a shorter wavelength may be used as a base polymer for resist. It is being considered.

これらレジスト組成物の検討において、現像時のコントラストを向上させる目的で、レジスト組成物中にベースポリマーと光酸発生剤に加え、高分子あるいは低分子の添加剤(溶解抑止剤)を配合した3成分以上の多成分系組成物が各種提案されている(例えば、特許文献3、特許文献4、特許文献5など)。これらの従来の添加剤(溶解抑止剤)の混合は、解像性の改善効果があったとしても、ArFレジストやF2レジストに用いたとき、透明性やドライエッチング耐性を低下させる問題点があった。 In the examination of these resist compositions, for the purpose of improving the contrast during development, in addition to the base polymer and the photoacid generator, a high-molecular or low-molecular additive (dissolution inhibitor) was added to the resist composition. Various multi-component compositions having more than the components have been proposed (for example, Patent Document 3, Patent Document 4, Patent Document 5, etc.). Mixing these conventional additives (dissolution inhibitors) has the problem of reducing transparency and dry etching resistance when used in ArF resists and F 2 resists, even if it has an effect of improving resolution. there were.

また、レジスト組成物中のベースポリマーとの相溶性を低下させる結果、解像度が向上してもパターン形状が不十分となり、例えばラインエッジラフネス(LER)を悪化させたりする問題点があった
一方、F2レーザーやArFエキシマレーザーに対する透明性の観点から、これまでのフェノール性のヒドロキシ基やカルボン酸に代わるアルカリ可溶性基として、ヘキサフルオロイソプロパノイル基を導入したポリマーがレジスト用ベースポリマーとして検討され、良好な透明性とドライエッチング耐性を有してきた。
In addition, as a result of reducing the compatibility with the base polymer in the resist composition, the pattern shape becomes insufficient even when the resolution is improved, for example, there is a problem that the line edge roughness (LER) is deteriorated. From the viewpoint of transparency to F 2 laser and ArF excimer laser, polymers introduced with hexafluoroisopropanoyl groups as alkali-soluble groups instead of phenolic hydroxy groups and carboxylic acids so far have been studied as base polymers for resists. Has good transparency and dry etching resistance.

例えば、特許文献6では、アルカリ可溶性基としてヘキサフルオロイソプロパノイル基を用いたノルボルネン骨格を主鎖に有する樹脂がレジスト用ベースポリマーとして提案されているが、ここで例示の樹脂中のヒドロキシ基自体、酸性度が低いため未保護の樹脂の現像液溶解性が不十分となり、ここで例示の樹脂を溶解抑止剤として用いることは困難である。また、ノルボルネン骨格にF原子を導入したものの例示は無い。   For example, in Patent Document 6, a resin having a norbornene skeleton using a hexafluoroisopropanoyl group as an alkali-soluble group in the main chain is proposed as a resist base polymer. Since the acidity is low, the solubility of the unprotected resin in the developer becomes insufficient, and it is difficult to use the exemplified resin as a dissolution inhibitor here. Moreover, there is no example of what introduce | transduced F atom into the norbornene skeleton.

特許文献7では、テトラフルオロエチレンとOH基含有ノルボルネン誘導体との交互共重合体がレジスト用ベースポリマーとして提案されている。これらポリマー中のノルボルネン誘導体の部位は、アルカリ現像液への溶解性を改善するため、ヘキサフルオロイソプロパノイル基の隣接する炭素原子にF原子を導入して、OH基の酸性度を高める試みがなされている。しかし、この樹脂中のヘキサフルオロイソプロパノイル基の含有率(ヘキサフルオロイソプロパノイル基含有ノルボルネン単位の含有率)が低いため、未保護樹脂の現像液溶解性が不十分となり、溶解抑止剤として用いることは困難である。   In Patent Document 7, an alternating copolymer of tetrafluoroethylene and an OH group-containing norbornene derivative is proposed as a resist base polymer. In order to improve the solubility of the norbornene derivative in these polymers in an alkaline developer, there has been an attempt to increase the acidity of the OH group by introducing F atoms into adjacent carbon atoms of the hexafluoroisopropanoyl group. Has been made. However, since the content of hexafluoroisopropanoyl groups in this resin (the content of hexafluoroisopropanoyl group-containing norbornene units) is low, the developer solubility of the unprotected resin becomes insufficient, and as a dissolution inhibitor It is difficult to use.

以上の観点から、従来の技術では、短波長の紫外線、特に193nm以下の波長の紫外光に対して透明で、ドライエッチング耐性に優れ、かつ、露光後、現像コントラストを向上でき、パターン形状を改善できる、効果的な溶解抑止剤は得られていない。   From the above viewpoints, the conventional technology is transparent to short-wave ultraviolet rays, particularly ultraviolet rays having a wavelength of 193 nm or less, has excellent dry etching resistance, and can improve development contrast after exposure and improve pattern shape. There is no effective dissolution inhibitor that can be obtained.

特開平7−234511号公報JP-A-7-234511 特開平10−218941号公報Japanese Patent Laid-Open No. 10-218941 特開2000−98614号公報JP 2000-98614 A 特開2001−281847号公報JP 2001-281847 A 特開2004−182796号公報JP 2004-182796 A 特開2002−72484号公報JP 2002-72484 A 国際公開第01/74916号パンフレットWO 01/74916 pamphlet

本発明は、特に193nm以下の波長の紫外光で露光したときに優れた溶解性やコントラストをレジスト被膜に与えるレジスト組成物、およびそのレジスト組成物を用いた微細パターンの形成方法を提供することを目的とする。   The present invention provides a resist composition that gives a resist film excellent solubility and contrast especially when exposed to ultraviolet light having a wavelength of 193 nm or less, and a method for forming a fine pattern using the resist composition. Objective.

本発明は、
(I)(a)酸解離性官能基含有ポリマー、
(b)光酸発生剤および
(c)溶解抑止剤
からなるレジスト組成物を製造する工程;
(II)基板あるいは基板上の所定の層の上に前記レジスト組成物からなるレジスト被膜を形成する工程;
(III)前記レジスト被膜の所定の領域に選択的にエネルギー線を照射して露光する工程;および
(IV)前記露光後のレジスト被膜を現像処理して、前記レジスト被膜の露光部分を選択的に除去して微細パターンを形成する工程
からなる微細パターン形成方法であって、前記溶解抑止剤(c)として、式(M−1):
−(M1)−(M2)−(N1)− (M−1)
[式中、
M1はノルボルネン誘導体由来の構造単位であって、M1中に式(1):
The present invention
(I) (a) an acid-dissociable functional group-containing polymer,
A step of producing a resist composition comprising (b) a photoacid generator and (c) a dissolution inhibitor;
(II) a step of forming a resist film made of the resist composition on the substrate or a predetermined layer on the substrate;
(III) a step of selectively irradiating a predetermined region of the resist film with an energy ray for exposure; and (IV) developing the resist film after the exposure to selectively expose an exposed portion of the resist film. A fine pattern forming method comprising a step of removing and forming a fine pattern, wherein the dissolution inhibitor (c) is represented by the formula (M-1):
-(M1)-(M2)-(N1)-(M-1)
[Where:
M1 is a structural unit derived from a norbornene derivative, and in M1, formula (1):

Figure 2006085081
Figure 2006085081

(式中、Rf1およびRf2は同じかまたは異なり、エーテル結合を含んでいてもよい炭素数1〜10の含フッ素アルキル基;XはFまたはCF3;Y1はOH基および/または酸で解離してOH基に変化する酸解離性官能基)で表される部位を有する含フッ素ノルボルネン誘導体から選ばれる少なくとも1種の単量体(m1)由来の構造単位;
M2は−COOH基および/または酸で解離して−COOH基に変化する酸解離性官能基Y2を有する含フッ素ノルボルネン誘導体から選ばれる少なくとも1種の単量体(m2)由来の構造単位;
N1は前記単量体(m1)および/または単量体(m2)と共重合可能な単量体(n1)由来の構造単位]
で表されるポリマーであって、構造単位M1が55〜100モル%、構造単位M2が0〜45モル%、構造単位N1が0〜20モル%であって、M1+M2が80〜100モル%であり、かつM1/M2のモル比が55/45〜100/0であるポリマー(A)を用いることを特徴とする微細パターン形成方法に関する。
(Wherein Rf 1 and Rf 2 are the same or different and may contain an ether bond, a C 1-10 fluorine-containing alkyl group; X is F or CF 3 ; Y 1 is an OH group and / or an acid; A structural unit derived from at least one monomer (m1) selected from fluorine-containing norbornene derivatives having a site represented by an acid-dissociable functional group that dissociates and changes to an OH group;
M2 is a structural unit derived from at least one monomer (m2) selected from a fluorine-containing norbornene derivative having an acid-dissociable functional group Y 2 that is dissociated by a —COOH group and / or an acid to change to a —COOH group;
N1 is a structural unit derived from the monomer (n1) copolymerizable with the monomer (m1) and / or the monomer (m2).
The structural unit M1 is 55 to 100 mol%, the structural unit M2 is 0 to 45 mol%, the structural unit N1 is 0 to 20 mol%, and M1 + M2 is 80 to 100 mol% And a polymer (A) having a molar ratio of M1 / M2 of 55/45 to 100/0 is used.

本発明はまた、かかる微細パターンの形成に使用する酸解離性官能基含有ポリマー(a)と光酸発生剤(b)および溶解抑止剤(c)からなるレジスト組成物にも関する。   The present invention also relates to a resist composition comprising an acid-dissociable functional group-containing polymer (a), a photoacid generator (b) and a dissolution inhibitor (c) used for forming such a fine pattern.

本発明は、特に193nm以下の波長の光で露光したときに優れた溶解性をレジスト被膜に与えるレジスト組成物、およびそのレジスト組成物を用いたコントラストに優れた微細パターンの形成方法を提供することができる。   The present invention provides a resist composition that gives a resist film excellent solubility particularly when exposed to light having a wavelength of 193 nm or less, and a method for forming a fine pattern with excellent contrast using the resist composition. Can do.

まず、本発明の微細パターン形成用のレジスト組成物について説明する。   First, the resist composition for forming a fine pattern of the present invention will be described.

本発明のレジスト組成物は、
(a)酸解離性官能基含有ポリマー、
(b)光酸発生剤および
(c)特定の溶解抑止剤
からなる組成物である。
The resist composition of the present invention comprises:
(A) an acid-dissociable functional group-containing polymer,
A composition comprising (b) a photoacid generator and (c) a specific dissolution inhibitor.

本発明の最大の特徴は、溶解抑止剤(c)として、式(M−1):
−(M1)−(M2)−(N1)− (M−1)
で表され、OH基または酸で解離してOH基に変化する酸解離性官能基を含有する含フッ素ノルボルネン誘導体由来の構造単位M1を含むポリマー(A)を使用する点にある。
The greatest feature of the present invention is the formula (M-1):
-(M1)-(M2)-(N1)-(M-1)
And a polymer (A) containing a structural unit M1 derived from a fluorine-containing norbornene derivative containing an acid-dissociable functional group that is dissociated by an OH group or an acid and changes to an OH group.

本発明者らは、このポリマー(A)が、193nm以下の波長での透明性、アルカリ性現像液への溶解性の面で優れていることを見出した。また、このポリマー(A)を酸解離性官能基含有ポリマーに添加することで、その組成物の現像液溶解性も大幅に向上できることを見出した。   The present inventors have found that this polymer (A) is excellent in terms of transparency at a wavelength of 193 nm or less and solubility in an alkaline developer. Further, it has been found that by adding this polymer (A) to an acid-dissociable functional group-containing polymer, the developer solubility of the composition can be greatly improved.

構造単位M1は、ポリマー(A)中に酸性度の高い含フッ素アルコール基を導入できるため、ポリマー(A)のアルカリ性現像液への溶解性を非常に高くできる点で優れている。同時に、ポリマー(A)を用いたレジスト組成物の現像液溶解性も大幅に向上できる。さらに、構造単位M1が持つ含フッ素アルコール基は、193nm以下の波長、特には157nm以下の波長での透明性に優れた官能基であるため、構造単位M1を主成分とするポリマー(A)は、レジスト組成物の紫外線に対する透明性を全く阻害しない。また、構造単位M1を含むポリノルボルネンは公知の特許、文献には記載されていない。   Since the structural unit M1 can introduce a fluorine-containing alcohol group having high acidity into the polymer (A), the structural unit M1 is excellent in that the solubility of the polymer (A) in an alkaline developer can be very high. At the same time, the developer solubility of the resist composition using the polymer (A) can be greatly improved. Furthermore, since the fluorine-containing alcohol group of the structural unit M1 is a functional group having excellent transparency at a wavelength of 193 nm or less, particularly at a wavelength of 157 nm or less, the polymer (A) having the structural unit M1 as a main component is The transparency of the resist composition against ultraviolet rays is not hindered at all. Polynorbornene containing the structural unit M1 is not described in known patents and documents.

構造単位M1は、ノルボルネン誘導体由来の構造単位であって、M1中に式(1):   The structural unit M1 is a norbornene derivative-derived structural unit, and in M1, the formula (1):

Figure 2006085081
Figure 2006085081

(式中、Rf1およびRf2は同じかまたは異なり、エーテル結合を含んでいてもよい炭素数1〜10の含フッ素アルキル基;XはFまたはCF3;Y1はOH基または酸で解離してOH基に変化する酸解離性官能基)で表される部位を有する含フッ素ノルボルネン誘導体から選ばれる少なくとも1種の単量体(m1)由来の構造単位である。つまりノルボルネン骨格を形成する炭素原子に結合した例えば水素原子が、式(1)で表される部位を含む置換基で置換された形のものであっても良く、また、式(1)の部位自体がノルボルネン誘導体骨格中に含まれていても良い。 (In the formula, Rf 1 and Rf 2 are the same or different, and may contain an ether bond, a C 1-10 fluorine-containing alkyl group; X is F or CF 3 ; Y 1 is dissociated by an OH group or an acid. And a structural unit derived from at least one monomer (m1) selected from fluorine-containing norbornene derivatives having a site represented by an acid-dissociable functional group that changes to an OH group. That is, for example, a hydrogen atom bonded to a carbon atom forming the norbornene skeleton may be substituted with a substituent containing a moiety represented by the formula (1), or a moiety of the formula (1) As such, it may be contained in the norbornene derivative skeleton.

1は、OH基または酸で解離してOH基に変化する酸解離性官能基である。酸で解離してOH基に変化する酸解離性官能基としては、式:−O−P(式中、Pは保護基)で示される官能基があげられる。 Y 1 is an acid dissociable functional group that dissociates with an OH group or an acid and changes to an OH group. Examples of the acid dissociable functional group that dissociates with an acid and changes to an OH group include a functional group represented by the formula: -OP (wherein P is a protecting group).

−O−Pの具体例としては、たとえば、式(5−1):
−OCH2OR (5−1)
(式中、Rは炭素数1〜20の有機基)で表されるアセタール化合物;または式(5−2):
Specific examples of —O—P include, for example, formula (5-1):
-OCH 2 OR (5-1)
(Wherein R is an organic group having 1 to 20 carbon atoms); or formula (5-2):

Figure 2006085081
Figure 2006085081

(式中、Rは前記式(5―1)と同じ)で表されるアセタール化合物が反応性が高い点で特に好ましい。 An acetal compound represented by the formula (wherein R is the same as in the above formula (5-1)) is particularly preferred because of its high reactivity.

さらに式(5−3):   Furthermore, the formula (5-3):

Figure 2006085081
Figure 2006085081

(式中、Rは前記式(5―1)と同じ)で表されるアルコキシカーボネート基;
式(5−4):
−OR (5−4)
(式中、Rは前記式(5―1)と同じ)で表されるアルコキシル基などが挙げられる。
式(5−1)、(5−2)におけるRは、
−Z11a (R−1)
−C(R2a)3 (R−2)
−R3a (R−3)
〔式(R−1)において、Z1は単結合、直鎖状もしくは分岐状の2価の有機基、または脂環式構造を有する2価の有機基を示し、R1aは水素原子または1価の官能基を示す。
式(R−2)において、各R2aは相互に独立して炭素数1〜4の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基もしくはその誘導体または炭素数4〜20の1価の脂環式炭化水素基もしくはその誘導体を示すか、あるいはいずれか2つのR2aが相互に結合して、それぞれが結合している炭素原子と共に、炭素数4〜20の2価の脂環式炭化水素基もしくはその誘導体を形成し、残りのR2aが炭素数1〜4の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基もしくはその誘導体または炭素数4〜20の1価の脂環式炭化水素基もしくはその誘導体を示す。
式(R−3)において、R3aは炭素数1〜12の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、脂環式構造を有する炭素数4〜20の1価の有機基、環状エーテル構造を有する1価の有機基、または置換されてもよいラクトン骨格を有する1価の有機基を示す。〕
で表される炭素数1から20の1価または2価の有機基であり、(a)酸解離性官能基含有ポリマーにおける酸解離性の保護基と同様のものが例示される。
(Wherein, R is the same as in the above formula (5-1));
Formula (5-4):
-OR (5-4)
(Wherein, R is the same as in the above formula (5-1)).
R in the formulas (5-1) and (5-2) is
-Z 1 R 1a (R-1)
-C (R 2a ) 3 (R-2)
-R 3a (R-3)
[In Formula (R-1), Z 1 represents a single bond, a linear or branched divalent organic group, or a divalent organic group having an alicyclic structure, and R 1a represents a hydrogen atom or 1 The functional group of a valence is shown.
Wherein the (R-2), each R 2a represents a monovalent alicyclic hydrocarbon independently represents a linear or branched alkyl group or a derivative thereof, or 4 to 20 carbon atoms having 1 to 4 carbon atoms to each other A divalent alicyclic hydrocarbon group having 4 to 20 carbon atoms or a derivative thereof, together with any two R 2a bonded to each other, and the carbon atom to which each R 2a is bonded. The remaining R 2a represents a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or a derivative thereof, or a monovalent alicyclic hydrocarbon group having 4 to 20 carbon atoms or a derivative thereof.
In the formula (R-3), R 3a has a linear or branched alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, a monovalent organic group having 4 to 20 carbon atoms having an alicyclic structure, and a cyclic ether structure. A monovalent organic group or a monovalent organic group having an optionally substituted lactone skeleton is shown. ]
And a monovalent or divalent organic group having 1 to 20 carbon atoms represented by (a) the same as the acid dissociable protecting group in the acid dissociable functional group-containing polymer.

式(5−3)、(5−4)におけるRは、(R−2)で表される炭素数1から20の1価または2価の有機基が、化学増幅型レジストとして機能できる点で好ましく例示され、酸解離性官能基含有ポリマー(a)における酸解離性の保護基と同様のものが例示される。   R in the formulas (5-3) and (5-4) is that the monovalent or divalent organic group having 1 to 20 carbon atoms represented by (R-2) can function as a chemically amplified resist. Preferable examples include the same acid dissociable protecting groups in the acid dissociable functional group-containing polymer (a).

特に式(5−1)、(5−2)においては、式(R−1)からなる有機基が、反応性が高い点で好ましく、特にZ1がCH2Rで表される構造を有する有機基がさらに反応性が高い点で好ましい。式(5−3)においても、式(R−2)からなる有機基が、特にt−ブチル基またはメチルアダマンチル基であることが反応性が高い点で好ましい。 In particular, in the formulas (5-1) and (5-2), the organic group consisting of the formula (R-1) is preferable in terms of high reactivity, and in particular, Z 1 has a structure represented by CH 2 R. Organic groups are preferred because of their higher reactivity. Also in formula (5-3), the organic group consisting of formula (R-2) is particularly preferably a t-butyl group or a methyladamantyl group in terms of high reactivity.

式(1)の部位中のRf基は、フルオロアルキル基であることが好ましく、特にRf基が、炭素数1〜5のアルキル基の水素原子の一部または全てがフッ素原子で置換されたものであれば、その置換されたフッ素原子の効果によって式(1)中のOH基の酸性度を高め、レジスト用途に用いた場合の現像液溶解性を付与できる点で好ましい。   The Rf group in the site of the formula (1) is preferably a fluoroalkyl group, and in particular, the Rf group is one in which some or all of the hydrogen atoms of the alkyl group having 1 to 5 carbon atoms are substituted with fluorine atoms. If so, it is preferable in that the acidity of the OH group in the formula (1) can be increased by the effect of the substituted fluorine atom, and developer solubility can be imparted when used for resist applications.

したがって、Rf基は中でも、パーフルオロアルキル基であることが、よりOH基の酸性度を高めることができる点で好ましく、具体的には、   Accordingly, the Rf group is preferably a perfluoroalkyl group, in that the acidity of the OH group can be further increased. Specifically,

Figure 2006085081
Figure 2006085081

(式中、mは0または1〜4の整数;m1は0、1または2;m2は0または1)で表される基があげられ、具体的には−CF3、−C25、−CF2CF(CF32−CH(CF32などが好ましくあげられ、特に好ましくは−CF3、−C25、さらには−CF3が好ましい。 (Wherein, m is 0 or an integer of 1 to 4; m1 is 0, 1 or 2; m2 is 0 or 1), specifically, —CF 3 , —C 2 F 5 , —CF 2 CF (CF 3 ) 2 —CH (CF 3 ) 2 and the like are preferable, and —CF 3 , —C 2 F 5 , and —CF 3 are particularly preferable.

好ましい構造単位M1を与えるOH基含有含フッ素ノルボルネン誘導体(m1−1)としては、式(m1−1):   As the OH group-containing fluorine-containing norbornene derivative (m1-1) that gives a preferred structural unit M1, the formula (m1-1):

Figure 2006085081
Figure 2006085081

(式中、X、Rf1およびRf2は式(1)と同じ;X1、X2は同じかまたは異なり、H、FまたはCF3;R3は炭素数1〜5のエーテル結合を含んでもよくかつ、水素原子の一部または全てがフッ素原子に置換されてなる2価の炭化水素基から選ばれるもの;n2は0または1;R2はHまたは炭素数1〜10のアルキル基;n3は0〜5の整数)で表される前記式(1)の部位を含むノルボルネン誘導体である。 (Wherein X, Rf 1 and Rf 2 are the same as those in formula (1); X 1 and X 2 are the same or different; H, F or CF 3 ; R 3 contains an ether bond having 1 to 5 carbon atoms) But and well, some or all of those selected from a divalent hydrocarbon group formed by substituted by fluorine atoms of the hydrogen atom, alkyl group R 2 is H or C1-10; n2 is 0 or 1; n3 is a norbornene derivative including the moiety of the formula (1) represented by the formula (1).

なかでも具体的には、式(m1−2):   Specifically, the formula (m1-2):

Figure 2006085081
Figure 2006085081

(式中、X、X1、X2、n3、R2、Rf1およびRf2は式(m1−1)と同じ)で示されるOH基含有ノルボルネン誘導体が好ましい。つまりこれらを用いたOH基含有含フッ素重合体(A)が現像液溶解速度、つまり解像度を効果的に改善できる点で特に好ましいものである。式(m1−2)においてX、X1、X2の少なくとも1種がFまたはCF3であることが、重合体としたときの透明性、現像液溶解性の面で好ましい。 An OH group-containing norbornene derivative represented by the formula (wherein X, X 1 , X 2 , n 3, R 2 , Rf 1 and Rf 2 are the same as those in the formula (m1-1)) is preferable. That is, the OH group-containing fluoropolymer (A) using these is particularly preferable in that the developer dissolution rate, that is, the resolution can be effectively improved. In the formula (m1-2), it is preferable that at least one of X, X 1 and X 2 is F or CF 3 in terms of transparency and solubility in the developer when a polymer is used.

式(m1−2)の中でも、式(2):   Among formulas (m1-2), formula (2):

Figure 2006085081
Figure 2006085081

(式中、X、X1、X2およびY1は式(m1−1)と同じ)で表される構造単位M1−2を与える式(m1−2a): Formula (m1-2a) that gives structural unit M1-2 represented by the formula (wherein X, X 1 , X 2 and Y 1 are the same as those in formula (m1-1)):

Figure 2006085081
Figure 2006085081

(式中、X、X1およびX2は式(m1−1)と同じ)で表されるOH基含有含フッ素ノルボルネン誘導体が好ましい。 An OH group-containing fluorine-containing norbornene derivative represented by the formula (wherein X, X 1 and X 2 are the same as those in the formula (m1-1)) is preferable.

式(m1−1)としては、またさらに、式(m1−3):   As the formula (m1-1), the formula (m1-3):

Figure 2006085081
Figure 2006085081

(式中、Zは酸素原子または−CH2O−;n4は0または1;Rf1、Rf2、R2、n3は式(m1−1)と同じ);Rf3は炭素数1〜3のパーフルオロアルキル基、A1、B1、C1はHまたはF)で表されるOH基含有ノルボルネン誘導体もあげられる。 (Wherein Z is an oxygen atom or —CH 2 O—; n4 is 0 or 1; Rf 1 , Rf 2 , R 2 , and n3 are the same as in formula (m1-1)); Rf 3 has 1 to 3 carbon atoms perfluoroalkyl group, a 1, B 1, C 1 is also cited OH group-containing norbornene derivative represented by H or F).

式(m1−1)および(m1−2)において、Rf1、Rf2は前述の式(1)で例示のものが同様に好ましくあげられる。 In formula (m1-1) and (m1-2), Rf 1, Rf 2 has likewise be preferably mentioned those exemplified in the above-mentioned formula (1).

また、式(m1−1)および(m1−2)においてR2はHまたは炭素数1〜10のアルキル基から選ばれるのものであって、それぞれ同じであっても異なっていてもよい。R2はなかでも好ましくはHまたはCH3基であり、特にはHが好ましい。 In formulas (m1-1) and (m1-2), R 2 is selected from H or an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and may be the same or different. R 2 is preferably H or a CH 3 group, and H is particularly preferable.

式(m1−2)のOH基含有ノルボルネン誘導体の具体例としては、たとえば   Specific examples of the OH group-containing norbornene derivative of the formula (m1-2) include, for example,

Figure 2006085081
Figure 2006085081

(式中、R2は式(m1−2)と同じ、n3は0〜5の整数)
などがあげられ、より具体的には、
(Wherein R 2 is the same as in formula (m1-2), n3 is an integer of 0 to 5)
And more specifically,

Figure 2006085081
Figure 2006085081

などが好ましくあげられる。 Etc. are preferred.

以上に構造単位M1において、Y1がOH基である含フッ素ノルボルネン誘導体について説明したが、Y1が−O−Pで示される酸解離性官能基である含フッ素ノルボルネン誘導体としては、上記の誘導体においてOH基を−O−P基に置き換えたものが、好ましい例示と共にあげられる。 Although the fluorine-containing norbornene derivative in which Y 1 is an OH group in the structural unit M1 has been described above, examples of the fluorine-containing norbornene derivative in which Y 1 is an acid-dissociable functional group represented by —O—P include the above derivatives. In the formula, a group in which the OH group is replaced with a —OP group is given together with preferred examples.

溶解抑止剤(c)に用いる含フッ素ノルボルネン誘導体ポリマー(A)は、構造単位M1だけのホモポリマーであってもよい。また、任意の構造単位として構造単位M2やN1を含んでいてもよい。   The fluorine-containing norbornene derivative polymer (A) used for the dissolution inhibitor (c) may be a homopolymer having only the structural unit M1. Further, the structural unit M2 or N1 may be included as an arbitrary structural unit.

構造単位M2は、−COOH基または酸で解離して−COOH基に変化する酸解離性官能基Y2を有する含フッ素ノルボルネン誘導体から選ばれる少なくとも1種の単量体(m2)由来の構造単位である。 The structural unit M2 is a structural unit derived from at least one monomer (m2) selected from a fluorine-containing norbornene derivative having an acid-dissociable functional group Y 2 that is dissociated by a —COOH group or an acid to change to a —COOH group. It is.

かかる構造単位M2は任意の構造単位であるが、M1と同様のノルボルネン誘導体であるためM1と同様の反応性を示し、共重合性に優れ、組成比の調整が用意で、官能基の分布をポリマー中で均一にできる点が優れている。また、M2はアルカリ性現像液への溶解能力の高い−COOH基を有しているため、ポリマー(A)中にM2を少量の割合で導入しても、ポリマー(A)のアルカリ性現像液への溶解特性を改善できる点で優れており、さらには、これを用いたレジスト組成物に高いアルカリ性現像液への溶解性を付与できる。しかし、−COOH基は同時に高い親水性も持ち合わせているため現像の際、露光不足の部分の樹脂まで膨潤してしまい良好なパターンが得られない恐れがあるので、M2のポリマー(A)中での組成は45%以下が好ましい。   The structural unit M2 is an arbitrary structural unit, but since it is a norbornene derivative similar to M1, it exhibits the same reactivity as M1, is excellent in copolymerizability, has an adjustable composition ratio, and has a functional group distribution. The point which can be made uniform in a polymer is excellent. Further, since M2 has a —COOH group having a high ability to dissolve in an alkaline developer, even if M2 is introduced into the polymer (A) in a small proportion, the polymer (A) can be dissolved in the alkaline developer. It is excellent in that the dissolution characteristics can be improved, and furthermore, a high solubility in an alkaline developer can be imparted to a resist composition using the same. However, since the —COOH group also has high hydrophilicity at the same time, there is a possibility that a poor pattern may be swollen during development and a good pattern may not be obtained. Therefore, in the polymer (A) of M2, The composition is preferably 45% or less.

2は、−COOH基または酸で解離して−COOH基に変化する酸解離性官能基である。酸で解離して−COOH基に変化する酸解離性官能基としては、式:−COOQ1(式中、Q1は保護基)で表される官能基があげられる。 Y 2 is a -COOH group or an acid-dissociable functional group that is dissociated by an acid and changes to a -COOH group. Examples of the acid dissociable functional group that dissociates with an acid and changes to a —COOH group include a functional group represented by the formula: —COOQ 1 (wherein Q 1 is a protecting group).

保護基Q1としては、M1の保護基Pと同様に例示できる。 Examples of the protecting group Q 1 are the same as the protecting group P of M1.

構造単位M2としては、特に国際公開公報WO03/006413A1号パンフレットに記載されている構造単位N2のうち式(3)−1:   As the structural unit M2, the structural unit N2 described in the pamphlet of International Publication No. WO03 / 006413A1 is particularly represented by the formula (3) -1:

Figure 2006085081
Figure 2006085081

(式中、A、BおよびCはHまたはF;炭素数1〜10のアルキル基または炭素数1〜10の含フッ素アルキル基;Rは炭素数1〜20の2価の炭化水素基、炭素数1〜20の含フッ素アルキレン基または炭素数2〜100のエーテル結合を有する含フッ素アルキレン基;aは0または1〜3の整数;bは0または1;−COOQ1は−COOH基または酸で−COOH基に変換できる酸解離性官能基;ただし、bが0またはRがフッ素原子を含まない場合はA〜Cのいずれか1つはフッ素原子または含フッ素アルキル基である)で示される含フッ素ノルボルネン誘導体由来の構造単位が、透明性をさらに向上でき、現像液溶解性も向上または調整できる点から好ましい。 Wherein A, B and C are H or F; an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms or a fluorinated alkyl group having 1 to 10 carbon atoms; R is a divalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, carbon is a 0 or an integer from 1 to 3; fluorinated alkylene group having an ether bond or a fluorine-containing alkylene group having 2-100 carbon atoms having 1 to 20 b is 0 or 1; -COOQ 1 is -COOH group or an acid An acid dissociable functional group that can be converted into a —COOH group; provided that b is 0 or when R does not contain a fluorine atom, any one of A to C is a fluorine atom or a fluorine-containing alkyl group) A structural unit derived from a fluorine-containing norbornene derivative is preferable from the viewpoint that transparency can be further improved and developer solubility can be improved or adjusted.

構造単位M2としては、特に安価に合成できる点で好ましいことから、式(3):   The structural unit M2 is particularly preferable because it can be synthesized at a low cost.

Figure 2006085081
Figure 2006085081

(式中、X3、X4およびX5は同じかまたは異なり、H、FまたはCF3;R1は炭素数1〜20の2価の有機基;n1は0または1;Y2は式(M−1)と同じで、−COOH基または酸で−COOH基に変換できる酸解離性官能基)で表されるノルボルネン誘導体由来の構造単位から選ばれる少なくとも1種の構造単位が好ましい。 Wherein X 3 , X 4 and X 5 are the same or different, H, F or CF 3 ; R 1 is a divalent organic group having 1 to 20 carbon atoms; n1 is 0 or 1; Y 2 is a formula The same as (M-1), at least one structural unit selected from structural units derived from norbornene derivatives represented by a —COOH group or an acid-dissociable functional group that can be converted to a —COOH group by an acid) is preferable.

具体的には、   In particular,

Figure 2006085081
Figure 2006085081

Figure 2006085081
Figure 2006085081

Figure 2006085081
Figure 2006085081

などがあげられる。 Etc.

同じく任意の構造単位である構造単位N1は、前記単量体(m1)および/または単量体(m2)と共重合可能な単量体(n1)由来の構造単位である。   The structural unit N1 which is also an arbitrary structural unit is a structural unit derived from the monomer (n1) copolymerizable with the monomer (m1) and / or the monomer (m2).

構造単位Nの好ましい単位としては、−COOH基または−COOH基に酸で解離する保護基を導入したカルボン酸誘導体(−COOQ1)を有するエチレン性単量体(n−1)由来の構造単位N−1であり、フッ素原子を含んでいても、含まなくてもよい。 As a preferable unit of the structural unit N, a structural unit derived from an ethylenic monomer (n-1) having a carboxylic acid derivative (—COOQ 1 ) in which a protecting group capable of dissociating with an acid is introduced into —COOH group or —COOH group. N-1 and may or may not contain a fluorine atom.

具体的には、式(N−1):   Specifically, the formula (N-1):

Figure 2006085081
Figure 2006085081

(式中、COOQ1は−COOH基または−COOH基に酸で解離する保護基を導入した基;X12、X13は同じかまたは異なりHまたはF;X14はH、F、Cl、CH3またはCF3;X15およびX16は同じかまたは異なり、H、FまたはCF3;Rfは炭素数1〜40の含フッ素アルキレン基または炭素数2〜100のエーテル結合を有する含フッ素アルキレン基、aは0〜3の整数;b、cおよびdは同じかまたは異なり、0または1)で示される構造単位があげられる。 (In the formula, COOQ 1 is a —COOH group or a group in which an acid-dissociating protecting group is introduced into —COOH group; X 12 and X 13 are the same or different; H or F; X 14 is H, F, Cl, CH; 3 or CF 3 ; X 15 and X 16 are the same or different, H, F or CF 3 ; Rf is a fluorine-containing alkylene group having 1 to 40 carbon atoms or an ether bond having 2 to 100 carbon atoms , A is an integer of 0 to 3; b, c and d are the same or different and include structural units represented by 0 or 1).

このうちフッ素原子を含まないもの(d=0)としては、具体的には
アクリル系単量体
CH2=CHCOOQ1、CH2=C(CH3)COOQ1
CH2=CClCOOQ1
マレイン酸系単量体
Among these, those not containing a fluorine atom (d = 0) are specifically acrylic monomers CH 2 = CHCOOQ 1 , CH 2 = C (CH 3 ) COOQ 1 ,
CH 2 = CClCOOQ 1 ,
Maleic monomer

Figure 2006085081
Figure 2006085081

アリル系単量体
CH2=CHCH2COOQ1、CH2=CHCH2OCH2CH2COOQ1
スチレン系単量体
Allyl monomers CH 2 = CHCH 2 COOQ 1 , CH 2 = CHCH 2 OCH 2 CH 2 COOQ 1
Styrene monomer

Figure 2006085081
Figure 2006085081

などがあげられる。 Etc.

また主鎖にフッ素原子を含むもの(d=0)としては、
含フッ素アクリル系単量体
CH2=CFCOOQ1、CH2=C(CF3)COOQ1
CF2=CFCOOQ1、CF2=C(CF3)COOQ1
含フッ素アリル系単量体
CH2=CFCF2COOQ1、CF2=CFCF2COOQ1
CH2=CHCF2COOQ1
含フッ素スチレン系単量体
In addition, the main chain containing a fluorine atom (d = 0)
Fluorine-containing acrylic monomer CH 2 = CFCOOQ 1 , CH 2 = C (CF 3 ) COOQ 1 ,
CF 2 = CFCOOQ 1 , CF 2 = C (CF 3 ) COOQ 1
Fluorine-containing allyl monomer CH 2 = CFCF 2 COOQ 1, CF 2 = CFCF 2 COOQ 1
CH 2 = CHCF 2 COOQ 1
Fluorine-containing styrene monomer

Figure 2006085081
Figure 2006085081

などがあげられる。 Etc.

側鎖にフルオロアルキル基(d=1)を有するものとしては、
好ましくは式(n−1a):
CH2=CFCF2O−Rf−COOQ1 (n−1a)
(式中、COOQ1、Rfは前述の式(N−1)と同じ)があげられ、
具体的には
As having a fluoroalkyl group (d = 1) in the side chain,
Preferably formula (n-1a):
CH 2 = CFCF 2 O-Rf -COOQ 1 (n-1a)
(Wherein, COOQ 1 and Rf are the same as those in the above formula (N-1)),
In particular

Figure 2006085081
Figure 2006085081

などがあげられる。 Etc.

また好ましくは式(n−1b):
CF2=CFO−Rf−COOQ1 (n−1b)
(式中、COOQ1、Rfは前述の式(N−1)と同じ)があげられ、
具体的には
Also preferably formula (n-1b):
CF 2 = CFO-Rf-COOQ 1 (n-1b)
(Wherein, COOQ 1 and Rf are the same as those in the above formula (N-1)),
In particular

Figure 2006085081
Figure 2006085081

などがあげられる。 Etc.

また単量体(n−1)のその他のものとしては、たとえば
CF2=CFCF2−O−Rf−COOQ1 、CF2=CF−Rf−COOQ1
CH2=CH−Rf−COOQ1 、CH2=CHO−Rf−COOQ1
(Rfは式(N−1)のRfと同じ)
などがあげられ、より具体的には、
Examples of other monomers (n-1) include CF 2 = CFCF 2 —O—Rf—COOQ 1 , CF 2 = CF—Rf—COOQ 1 ,
CH 2 = CH-Rf-COOQ 1, CH 2 = CHO-Rf-COOQ 1
(Rf is the same as Rf in formula (N-1))
And more specifically,

Figure 2006085081
Figure 2006085081

などがあげられる。 Etc.

上記例示のカルボン酸誘導体(−COOQ1)を有するエチレン性単量体(n−1)中のQ1は前記で示した例示と同様なものが好ましくあげられる。 Q 1 in the ethylenic monomer (n-1) having the carboxylic acid derivative (—COOQ 1 ) exemplified above is preferably the same as those exemplified above.

上記例示の単量体(n−1)由来の構造単位は構造単位M1、M2を構成する単量体と共重合可能であって、さらに−COOH基または酸で−COOH基に変換できる酸解離性官能基−COOQ1を有するものであるため、これらを導入することで、さらなるアルカリ水溶液(現像液)可溶性の機能を向上させることができる点で好ましい。 The structural unit derived from the monomer (n-1) exemplified above can be copolymerized with the monomers constituting the structural units M1 and M2, and can be further converted to -COOH group by -COOH group or acid. Since it has a functional functional group —COOQ 1 , the introduction of these is preferable in that the function of further dissolving an aqueous alkali solution (developer) can be improved.

また構造単位Nを構成するその他のエチレン性単量体(n−2)として、
アクリル系単量体(ただし構造単位N−1を与える単量体は除く):
Further, as other ethylenic monomer (n-2) constituting the structural unit N,
Acrylic monomer (except for the monomer giving structural unit N-1):

Figure 2006085081
Figure 2006085081

スチレン系単量体: Styrene monomer:

Figure 2006085081
Figure 2006085081

エチレン系単量体:
CH2=CH2、CH2=CHCH3、CH2=CHClなど
マレイン酸系単量体:
Ethylene monomer:
CH 2 = CH 2, CH 2 = CHCH 3, CH 2 = CHCl maleic acid monomer:

Figure 2006085081
Figure 2006085081

アリル系単量体:
CH2=CHCH2Cl、CH2=CHCH2OH、CH2=CHCH2COOH、CH2=CHCH2Brなど
アリルエーテル系単量体:
Allyl monomers:
Allyl ether monomers such as CH 2 = CHCH 2 Cl, CH 2 = CHCH 2 OH, CH 2 = CHCH 2 COOH, CH 2 = CHCH 2 Br, etc .:

Figure 2006085081
Figure 2006085081

その他の単量体: Other monomers:

Figure 2006085081
Figure 2006085081

Figure 2006085081
Figure 2006085081

M1およびM2に該当しないノルボルネン誘導体:
式(n−3):
Norbornene derivatives not corresponding to M1 and M2:
Formula (n-3):

Figure 2006085081
Figure 2006085081

(式中、Zは酸素原子または−CH2O−;n4は0または1;Rf1、Rf2、R2、n3は式(m1−1)と同じ)で表されるOH基含有ノルボルネン誘導体もあげられる。 OH group-containing norbornene derivative represented by the formula (wherein Z is an oxygen atom or —CH 2 O—; n4 is 0 or 1; Rf 1 , Rf 2 , R 2 and n3 are the same as those in the formula (m1-1)) Can also be raised.

式(n−3)において、Rf1、Rf2は前述の式(1)で例示のものが同様に好ましくあげられる。 In the formula (n-3), Rf 1 and Rf 2 are preferably exemplified by those exemplified in the above formula (1).

式(n−3)で表されるOH基含有ノルボルネン誘導体の具体例としては、たとえば   Specific examples of the OH group-containing norbornene derivative represented by the formula (n-3) include, for example,

Figure 2006085081
Figure 2006085081

(式中、R2、Rf1、Rf2およびn3は式(n−3)と同じ)
などがあげられ、より具体的には、
(Wherein R 2 , Rf 1 , Rf 2 and n3 are the same as in formula (n-3))
And more specifically,

Figure 2006085081
Figure 2006085081

などが、好ましく挙げられる。
式(n−4):
Etc. are preferably mentioned.
Formula (n-4):

Figure 2006085081
Figure 2006085081

(式中、Rf1、Rf2、R2、n3は式(m1−1)と同じ)で表されるOH基含有ノルボルネン誘導体もあげられる。 An OH group-containing norbornene derivative represented by the formula (wherein Rf 1 , Rf 2 , R 2 , and n3 are the same as those in the formula (m1-1)) is also included.

式(n−4)において、Rf1、Rf2は前述の式(1)で例示のものが同様に好ましくあげられる。 In the formula (n-4), Rf 1 and Rf 2 are preferably the same as those exemplified in the above formula (1).

式(n−4)で示されるノルボルネン誘導体の具体例としては、たとえば   Specific examples of the norbornene derivative represented by the formula (n-4) include, for example,

Figure 2006085081
Figure 2006085081

などがあげられ、より具体的には、 And more specifically,

Figure 2006085081
Figure 2006085081

などが、好ましく挙げられる。 Etc. are preferably mentioned.

式(n−3)および(n−4)において、Rf1、Rf2は前述のM1で例示のものが同様に好ましくあげられる。また、式(n−3)においてR2はHまたは炭素数1〜10のアルキル基から選ばれるのものであって、それぞれ同じであっても異なっていてもよい。R2はなかでも好ましくはHまたはCH3基であり、特にはHが好ましい。 In the formulas (n-3) and (n-4), Rf 1 and Rf 2 are preferably exemplified by those exemplified above for M1. In the formula (n-3), R 2 is selected from H or an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and may be the same or different. R 2 is preferably H or a CH 3 group, and H is particularly preferable.

その他、未置換のノルボルネンも利用できる。   In addition, unsubstituted norbornene can be used.

本発明におけるポリマー(A)中の酸解離性基の導入されたノルボルネンの立体異性体の選択には特に制限は無いが、酸解離性基が導入されたノルボルネンの立体構造の80%以上がエキソ体であることが、酸解離性基の反応性の点から好ましく、さらに好ましくは90%以上が、さらには95%以上が好ましい。   The selection of the stereoisomer of norbornene having an acid dissociable group introduced in the polymer (A) in the present invention is not particularly limited, but 80% or more of the stereostructure of norbornene having an acid dissociable group introduced is exo. From the viewpoint of the reactivity of the acid dissociable group, it is preferably 90% or more, more preferably 95% or more.

本発明におけるポリマー(A)の分子量は、数平均分子量で1000〜100000、好ましくは2000〜50000、より好ましくは2000〜10000であり、重量平均分子量で2000〜200000、好ましくは2000〜50000、より好ましくは3000〜20000である。   The molecular weight of the polymer (A) in the present invention is 1000 to 100,000, preferably 2000 to 50000, more preferably 2000 to 10000 in terms of number average molecular weight, and 2000 to 200000, preferably 2000 to 50000, more preferably in terms of weight average molecular weight. Is 3000-20000.

本発明においてポリマー(A)の製造は、(M1)、または(M2)、および必要に応じて、単量体(N1)を公知の方法で(共)重合し、各単量体の構造に対応する不飽和単量体のラジカル、カチオン、アニオン重合、または付加重合により製造される。例えば、Macromolecules 1996,29,pp2755−2763に記載の方法が具体的に示されるが、それぞれの単量体、重合触媒に適した条件で製造するのが好ましい。   In the present invention, the polymer (A) is produced by (co) polymerizing (M1) or (M2) and, if necessary, the monomer (N1) by a known method to obtain the structure of each monomer. Produced by radical, cation, anionic polymerization, or addition polymerization of the corresponding unsaturated monomer. For example, the method described in Macromolecules 1996, 29, pp 2755-2863 is specifically shown, but it is preferable to produce the polymer under conditions suitable for each monomer and polymerization catalyst.

重合法としては、単量体を溶解させる有機溶媒中で行なう溶液重合法、水性媒体中で適当な有機溶剤の存在下または非存在下に行なう懸濁重合法、水性媒体に乳化剤を添加して行なう乳化重合法、無溶媒で行なうバルク重合法などを用いることができる。なかでも、有機溶剤を用いての溶液重合、懸濁重合が好ましい。   Polymerization methods include solution polymerization in an organic solvent in which the monomer is dissolved, suspension polymerization in the presence or absence of an appropriate organic solvent in an aqueous medium, and adding an emulsifier to the aqueous medium. An emulsion polymerization method performed, a bulk polymerization method performed without a solvent, or the like can be used. Of these, solution polymerization and suspension polymerization using an organic solvent are preferred.

反応温度は、−20〜200℃の範囲で適宜選ばれ、なかでも0〜150℃、好ましくは、10から100℃で行われる。さらには室温(15〜30℃)付近の温度で充分反応が進行する。   The reaction temperature is appropriately selected in the range of −20 to 200 ° C., among them, 0 to 150 ° C., preferably 10 to 100 ° C. Furthermore, the reaction proceeds sufficiently at a temperature around room temperature (15 to 30 ° C.).

重合溶剤としては特に制限されないが、炭化水素系溶剤、フッ素系溶剤(フロン系)、塩素系溶剤、アルコール系溶剤、ケトン系溶剤、酢酸エステル系溶剤、エーテル系溶剤などが好ましく用いられる。具体的には、塩化メチレン、アセトニトリル、テトラヒドロフラン、ニトロベンゼン、クロロベンゼンなどが好ましく用いられ、金属触媒の溶解性の点でアセトニトリル、テトラヒドロフランがより好ましく用いられる。   Although it does not restrict | limit especially as a polymerization solvent, A hydrocarbon type solvent, a fluorine-type solvent (fluorocarbon type), a chlorine type solvent, an alcohol type solvent, a ketone type solvent, an acetic acid ester type solvent, an ether type solvent, etc. are used preferably. Specifically, methylene chloride, acetonitrile, tetrahydrofuran, nitrobenzene, chlorobenzene and the like are preferably used, and acetonitrile and tetrahydrofuran are more preferably used in terms of the solubility of the metal catalyst.

付加重合を行う場合の金属触媒には、パラジウム系触媒、ニッケル系触媒、および白金系触媒が好ましく用いられる。具体的には、(η3−C35)Pd(SbF6)、(η3−C35)Pd(BF4)、[Pd(CH3CN)4][BF42などが挙げられる。なかでも、(η3−C35)Pd(SbF6)は反応性が高い点で好ましく、Pd(CH3CN)4][BF42は分子量分布が狭いポリマーが得られる点で好ましい。 As the metal catalyst for the addition polymerization, a palladium catalyst, a nickel catalyst, and a platinum catalyst are preferably used. Specifically, (η 3 -C 3 H 5 ) Pd (SbF 6 ), (η 3 -C 3 H 5 ) Pd (BF 4 ), [Pd (CH 3 CN) 4 ] [BF 4 ] 2 and the like. Is mentioned. Among them, (η 3 -C 3 H 5 ) Pd (SbF 6 ) is preferable in terms of high reactivity, and Pd (CH 3 CN) 4 ] [BF 4 ] 2 is in that a polymer having a narrow molecular weight distribution can be obtained. preferable.

−COOH基を持つ構造単位M2は高い現像液溶解性を付与できるが同時に高い親水性も持ち合わせているため現像の際、露光不足の部分の樹脂まで膨潤してしまい良好なパターンが得られない恐れがあるので、これらの構造単位M1、M2およびN1は、ポリマー(A)中に、構造単位M1が55〜100モル%、構造単位M2が0〜45モル%、構造単位N1が0〜20モル%であって、M1+M2が80〜100モル%であり、かつM1/M2のモル比が55/45〜100/0である。   The structural unit M2 having a —COOH group can impart high developer solubility, but at the same time has high hydrophilicity, so that during development, the resin in the underexposed part may swell and a good pattern may not be obtained. Therefore, these structural units M1, M2 and N1 are contained in the polymer (A) in which the structural unit M1 is 55 to 100 mol%, the structural unit M2 is 0 to 45 mol%, and the structural unit N1 is 0 to 20 mol%. %, M1 + M2 is 80 to 100 mol%, and the molar ratio of M1 / M2 is 55/45 to 100/0.

また透明性の観点から、−COOH基よりも含フッ素アルコール基の方が透明性が高いためより好ましくは、ポリマー(A)中に、構造単位M1が70〜100モル%、構造単位M2が0〜30モル%、構造単位N1が0〜15モル%であって、M1+M2が85〜100モル%であり、かつM1/M2のモル比が70/30〜100/0、特に構造単位M1が80〜100モル%、構造単位M2が0〜20モル%、構造単位N1が0〜10モル%であって、M1+M2が90〜100モル%であり、かつM1/M2のモル比が80/20〜100/0である。   Further, from the viewpoint of transparency, the fluorine-containing alcohol group is more transparent than the —COOH group, and therefore, the polymer (A) preferably has 70 to 100 mol% of the structural unit M1 and 0 of the structural unit M2 in the polymer (A). -30 mol%, structural unit N1 is 0-15 mol%, M1 + M2 is 85-100 mol%, and the molar ratio of M1 / M2 is 70 / 30-100 / 0, in particular, structural unit M1 is 80 ~ 100 mol%, structural unit M2 is 0 to 20 mol%, structural unit N1 is 0 to 10 mol%, M1 + M2 is 90 to 100 mol%, and the molar ratio of M1 / M2 is 80/20 ~ 100/0.

ポリマー(A)からなる溶解抑止剤(c)の配合量は、酸解離性官能基含有ポリマー(a)と溶解抑止剤(c)の合計重量を100としたとき、酸解離性官能基含有ポリマー(a)と溶解抑止剤(c)の存在比率(a)/(c)が30/70〜99/1重量比となる量であることが、現像特性が良好となる点で好ましい。存在比率(a)/(c)は、より好ましくは、50/50〜99/1、さらには70/30〜99/1である。   The blending amount of the dissolution inhibitor (c) comprising the polymer (A) is such that the total weight of the acid dissociable functional group-containing polymer (a) and the dissolution inhibitor (c) is 100, and the acid dissociable functional group-containing polymer. It is preferable that the abundance ratio (a) / (c) between (a) and the dissolution inhibitor (c) is 30/70 to 99/1 by weight because the development characteristics are good. The abundance ratio (a) / (c) is more preferably 50/50 to 99/1, and even more preferably 70/30 to 99/1.

本発明のポリマー(A)を構成するOH基含有含フッ素重合体において、OH基含有ノルボルネン誘導体(M1またはM2)由来の構造単位の環構造を形成する炭素に結合した前記式(1)の部位またはカルボン酸類を含む原子団に着目すると、その立体構造は、エンド(endo)型とエキソ(exo)型の2種類の立体異性体に区別できる。   In the OH group-containing fluoropolymer constituting the polymer (A) of the present invention, the moiety of the formula (1) bonded to carbon forming the ring structure of the structural unit derived from the OH group-containing norbornene derivative (M1 or M2) If attention is paid to an atomic group containing carboxylic acids, the three-dimensional structure can be distinguished into two types of stereoisomers, an endo type and an exo type.

ノルボルネン誘導体において、官能基はエンド(endo)型またはエキソ(exo)型のいずれかの位置に結合し、エンド形とは、式(5A):   In the norbornene derivative, the functional group is bonded to either the endo-type or exo-type position, and the end-type has the formula (5A):

Figure 2006085081
Figure 2006085081

(式中、PGは前記式(1)の部位またはカルボン酸類を含む原子団;X’は水素原子、フッ素原子、CF3から選ばれるもの)で示すように、式(1)の部位を有する原子団(PG)がノルボルネン骨格の内側に位置するものであり、またエキソ形とは式(5B): (Wherein PG is a moiety of the formula (1) or an atomic group containing a carboxylic acid; X ′ is selected from a hydrogen atom, a fluorine atom, and CF 3 ), and has a moiety of the formula (1). The atomic group (PG) is located inside the norbornene skeleton, and the exo form is the formula (5B):

Figure 2006085081
Figure 2006085081

(式中、PG、X’は前記と同じ)で示すように、式(1)部位を有する原子団(PG)がノルボルネン骨格の外側に位置するものであり、これらの立体異性体の相違および存在比率は例えば19F−NMRなどにより検出および定量分析が可能である。 (Wherein, PG and X ′ are the same as above), the atomic group (PG) having the site of the formula (1) is located outside the norbornene skeleton, and the difference between these stereoisomers and The abundance ratio can be detected and quantitatively analyzed by, for example, 19 F-NMR.

本発明のポリマー(A)を構成するOH基含有含フッ素重合体において、エキソ形比率の高い保護基含有ノルボルネン誘導体由来の構造単位を有する含フッ素重合体を溶解抑止剤として用いてレジスト組成物を作製することが、高解像性の微細パターンを形成する上で好ましい。その好ましい範囲は、OH基に保護基が導入されたノルボルネン誘導体の中のエンド−エキソ立体異性において、そのエキソ形比率が(数式1):   In the OH group-containing fluorine-containing polymer constituting the polymer (A) of the present invention, a resist composition using a fluorine-containing polymer having a structural unit derived from a protective group-containing norbornene derivative having a high exo-type ratio as a dissolution inhibitor. It is preferable to produce the fine pattern with high resolution. The preferred range is that, in the endo-exo stereoisomerism in the norbornene derivative in which a protecting group is introduced into the OH group, the exo form ratio is (Formula 1):

Figure 2006085081
Figure 2006085081

で表されるエキソ形比率の高い保護基含有ノルボルネン誘導体由来の構造単位である。エキソ形比率: A structural unit derived from a protective group-containing norbornene derivative having a high exo-type ratio represented by Exo ratio:

Figure 2006085081
Figure 2006085081

の値は、好ましくは95モル%以上、より好ましくは97モル%以上、特に好ましくは99モル%以上、とりわけエキソ形比率が実質100モル%のものが好ましい。エキソ形比率が低すぎると、レジストパターン形成時に解像性が不充分となり、そのためより精密な微細パターンが得られなくなるため好ましくない。 The value of is preferably 95 mol% or more, more preferably 97 mol% or more, particularly preferably 99 mol% or more, and particularly preferably has an exo ratio of substantially 100 mol%. If the exo-type ratio is too low, the resolution is insufficient when forming a resist pattern, and therefore a more precise fine pattern cannot be obtained.

この保護基の導入法に関しては、重合時に適切な重合触媒を選択しエキソ選択的な重合を行って製造しても良いし、あらかじめ重合した未保護のポリマーに対して保護基を導入する反応を行っても良い。   Regarding the method of introducing the protecting group, it may be produced by selecting an appropriate polymerization catalyst at the time of polymerization and performing exo-selective polymerization, or by introducing a protecting group into a previously polymerized unprotected polymer. You can go.

本発明のレジスト組成物のベースポリマーである酸解離性官能基含有ポリマー(a)としては、微細パターン形成用のレジスト組成物に使用されている従来公知の酸解離性官能基含有ポリマーがあげられる。   Examples of the acid-dissociable functional group-containing polymer (a) that is the base polymer of the resist composition of the present invention include conventionally known acid-dissociable functional group-containing polymers used in resist compositions for fine pattern formation. .

特に、本発明で用いる前記酸解離性官能基含有ポリマー(a)は、脂環式炭化水素構造を有するポリマーが好ましく、さらには193nm波長の光(ArFエキシマレーザー光)の吸光係数が1.5μm-1以下、より好ましくは1.0μm-1以下、さらに好ましくは0.7μm-1以下、とりわけ0.5μm-1以下であるポリマー(a)が、現像特性が良好な点で好ましい。下限は限りなくゼロに近いものが最も好ましい。 In particular, the acid-dissociable functional group-containing polymer (a) used in the present invention is preferably a polymer having an alicyclic hydrocarbon structure, and further has a light absorption coefficient of 193 nm wavelength (ArF excimer laser light) of 1.5 μm. -1 or less, more preferably 1.0 μm −1 or less, still more preferably 0.7 μm −1 or less, and particularly preferably 0.5 μm −1 or less, is the polymer (a) from the viewpoint of good development characteristics. The lower limit is most preferably close to zero.

具体的には、ポリアクリル酸エステル、ポリメタクリル酸エステル、ポリシロキサン系重合体、含フッ素ジエンを単量体とする重合体などのホモ重合体、また、アクリル酸系単量体、メタクリル酸系単量体、スチレン系単量体、ノルボルネン系単量体、マレイン酸系単量体、ビニルエーテル系単量体、アリル系単量体、含フッ素エチレン性単量体などから選ばれる2種以上の単量体から得られる共重合体があげられる。これらの重合体は、単独で用いてもよいし、2種以上を併用したものでもよい。   Specifically, polyacrylic acid ester, polymethacrylic acid ester, polysiloxane polymer, homopolymer such as polymer having fluorine-containing diene as monomer, acrylic acid monomer, methacrylic acid Two or more selected from monomers, styrene monomers, norbornene monomers, maleic monomers, vinyl ether monomers, allyl monomers, fluorine-containing ethylenic monomers, etc. Examples include copolymers obtained from monomers. These polymers may be used alone or in combination of two or more.

これらの中でもアクリル酸系単量体、メタクリル酸系単量体、ノルボルネン系単量体、マレイン酸系単量体、含フッ素エチレン性単量体から選ばれる2種以上の単量体から得られる共重合体、ポリシロキサン系重合体、ポリアクリル酸エステル、ポリメタクリル酸エステルが、現像特性が良好な点から好ましくあげられる。   Among these, it is obtained from two or more kinds of monomers selected from acrylic acid monomers, methacrylic acid monomers, norbornene monomers, maleic monomers, and fluorine-containing ethylenic monomers. Copolymers, polysiloxane polymers, polyacrylic acid esters, and polymethacrylic acid esters are preferred from the viewpoint of good development characteristics.

さらにはポリアクリル酸エステル、ポリメタクリル酸エステル、アクリル酸系単量体とメタクリル酸系単量体との共重合体、ポリシロキサン系重合体、ノルボルネン系単量体と含フッ素エチレン性単量体の共重合体、あるいはそれらの混合物が、ドライエッチング耐性に優れることから特に好ましく選ばれる。   Furthermore, polyacrylic acid ester, polymethacrylic acid ester, copolymer of acrylic acid monomer and methacrylic acid monomer, polysiloxane polymer, norbornene monomer and fluorine-containing ethylenic monomer These copolymers or their mixtures are particularly preferably selected because of their excellent dry etching resistance.

透明性の観点から、ArFレーザーを用いる場合には、アクリル酸系単量体、メタクリル酸系単量体、ノルボルネン系単量体、マレイン酸系単量体、含フッ素エチレン性単量体から選ばれる2種以上の単量体から得られる共重合体、ポリアクリル酸エステル、ポリメタクリル酸エステル、ポリシロキサン系重合体、含フッ素ジエンを単量体とする重合体が、好ましくあげられる。F2レーザーを用いる場合には、ポリシロキサン系重合体、ノルボルネン系単量体と含フッ素エチレン性単量体の共重合体、含フッ素ジエンを単量体とする重合体が、好ましくあげられる。 From the viewpoint of transparency, when an ArF laser is used, it is selected from acrylic monomers, methacrylic monomers, norbornene monomers, maleic monomers, and fluorine-containing ethylenic monomers. Preferred examples include copolymers obtained from two or more monomers, polyacrylic acid esters, polymethacrylic acid esters, polysiloxane polymers, and polymers containing fluorine-containing dienes as monomers. In the case of using an F 2 laser, a polysiloxane polymer, a copolymer of a norbornene monomer and a fluorine-containing ethylenic monomer, and a polymer containing a fluorine-containing diene as a monomer are preferable.

本発明における好ましいアルカリ可溶性樹脂として用いるポリアクリル酸エステル、ポリメタクリル酸エステル、アクリル酸系単量体またはメタクリル酸系単量体由来の構造単位を含む共重合体としては、下記式(1−1)、(1−2)または(1−3)で表される構造単位を含むものがあげられる。   As a copolymer containing a structural unit derived from polyacrylic acid ester, polymethacrylic acid ester, acrylic acid monomer or methacrylic acid monomer used as a preferred alkali-soluble resin in the present invention, the following formula (1-1 ), (1-2) or those containing the structural unit represented by (1-3).

Figure 2006085081
Figure 2006085081

式(1−1)において、Ra1は水素原子またはメチル基、Z1aは直鎖状もしくは分岐状の2価の有機基または脂環式構造を有する2価の有機基、Ra2は水素原子または1価の官能基である。 In Formula (1-1), Ra 1 is a hydrogen atom or a methyl group, Z 1a is a linear or branched divalent organic group or a divalent organic group having an alicyclic structure, and Ra 2 is a hydrogen atom. Or it is a monovalent functional group.

式(1−2)において、Ra3は水素原子またはメチル基、各Ra4は互いに独立して炭素数1〜4の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基もしくはその誘導体または炭素数4〜20の1価の脂環式炭化水素基もしくはその誘導体を示すか、あるいはいずれか2つのRa4が相互に結合して、それぞれが結合している炭素原子と共に、炭素数4〜20の2価の脂環式炭化水素基もしくはその誘導体を形成し、残りのRa4が炭素数1〜4の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基もしくはその誘導体または炭素数4〜20の一価の脂環式炭化水素基もしくはその誘導体を示す。 In Formula (1-2), Ra 3 is a hydrogen atom or a methyl group, and each Ra 4 is independently a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or a derivative thereof, or having 4 to 20 carbon atoms. A monovalent alicyclic hydrocarbon group or a derivative thereof, or any two Ra 4 's bonded to each other, together with the carbon atoms to which each is bonded, together with the divalent fat having 4 to 20 carbon atoms A cyclic hydrocarbon group or a derivative thereof, and the remaining Ra 4 is a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or a derivative thereof, or a monovalent alicyclic hydrocarbon having 4 to 20 carbon atoms Represents a group or a derivative thereof.

式(1−3)において、Ra5は水素原子またはメチル基、Ra6は炭素数1〜12の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、脂環式構造を有する炭素数4〜20の1価の有機基、環状エーテル構造を有する1価の有機基、または置換されてもよいラクトン骨格を有する1価の有機基である。 In Formula (1-3), Ra 5 is a hydrogen atom or a methyl group, Ra 6 is a linear or branched alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, or a monovalent valence having 4 to 20 carbon atoms having an alicyclic structure. An organic group, a monovalent organic group having a cyclic ether structure, or a monovalent organic group having an optionally substituted lactone skeleton.

式(1−1)において、Z1aの直鎖状もしくは分岐状の2価の有機基としては、たとえば、
メチレン基、エチレン基、プロピレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、2−メチルトリメチレン基、ヘキサメチレン基、オクタメチレン基、デカメチレン基などのメチレン基または炭素数2〜12のアルキレン基;
フルオロメチレン基、ジフルオロメチレン基、フルオロエチレン基、1,1−ジフルオロエチレン基、1,2−ジフルオロエチレン基、1,2,2−トリフルオロエチレン基、1,1,2,2−テトラフルオロエチレン基、トリフルオロメチルエチレン基、1,1−ジ(トリフルオロメチル)エチレン基などのフッ素化メチレン基または炭素数2〜12のフッ素化アルキレン基
などをあげることができる。
In the formula (1-1), examples of the linear or branched divalent organic group represented by Z 1a include
A methylene group such as a methylene group, an ethylene group, a propylene group, a trimethylene group, a tetramethylene group, a 2-methyltrimethylene group, a hexamethylene group, an octamethylene group, a decamethylene group, or an alkylene group having 2 to 12 carbon atoms;
Fluoromethylene group, difluoromethylene group, fluoroethylene group, 1,1-difluoroethylene group, 1,2-difluoroethylene group, 1,2,2-trifluoroethylene group, 1,1,2,2-tetrafluoroethylene A fluorinated methylene group such as a group, a trifluoromethylethylene group or a 1,1-di (trifluoromethyl) ethylene group, or a fluorinated alkylene group having 2 to 12 carbon atoms.

また、Z1aの脂環式構造を有する2価の有機基としては、たとえば、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタンなどの炭素数4〜20のシクロアルカン類に由来する基;アダマンタン、ビシクロ[2.2.1]ヘプタン、テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカン、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカンなどの炭素数4〜20の有橋式炭化水素類に由来する基などをあげることができる。 Examples of the divalent organic group having an alicyclic structure of Z 1a include groups derived from cycloalkanes having 4 to 20 carbon atoms such as cyclobutane, cyclopentane, cyclohexane, cycloheptane, and cyclooctane; adamantane , Bicyclo [2.2.1] heptane, tetracyclo [6.2.1.1 3,6 . And groups derived from bridged hydrocarbons having 4 to 20 carbon atoms such as 0 2,7 ] dodecane and tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane.

一般式(1−1)におけるZ1aとしては、メチレン基、エチレン基、アダマンタンに由来する2価の基、ビシクロ[2.2.1]ヘプタンに由来する2価の基などが好ましい。 The Z 1a in the general formula (1-1), a methylene group, an ethylene group, a divalent group derived from adamantane, etc. divalent group derived from a bicyclo [2.2.1] heptane is preferable.

一般式(1−1)において、Ra2の1価の官能基としては、たとえば、ヒドロキシル基、カルボキシル基、ニトロ基、シアノ基、アミノ基などをあげることができる。
一般式(1−1)におけるRa2としては、水素原子、ヒドロキシル基、カルボキシル基、シアノ基などが好ましい。
In the general formula (1-1), examples of the monovalent functional group of Ra 2 include a hydroxyl group, a carboxyl group, a nitro group, a cyano group, and an amino group.
Ra 2 in the general formula (1-1) is preferably a hydrogen atom, a hydroxyl group, a carboxyl group, a cyano group, or the like.

一般式(1−1)において、好ましい−Z1a−Ra2基としては、たとえば、ヒドロキシメチル基、2−ヒドロキシエチル基、3−ヒドロキシプロピル基、4−(2,2,2−トリフルオロ−1−ヒドロキシ−1−トリフルオロメチル−エチル)−シクロヘキシル基、3−ヒドロキシアダマンタン−1−イル基、5−ヒドロキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル基、6−ヒドロキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル基、9−ヒドロキシテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカン−4−イル基、10−ヒドロキシテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカン−4−イル基、カルボキシメチル基、2−カルボキシエチル基、3−カルボキシプロピル基、3−カルボキシアダマンタン−1−イル基、5−カルボキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル基、6−カルボキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル基、9−カルボキシテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカン−4−イル基、10−カルボキシテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカン−4−イル基、シアノメチル基、2−シアノエチル基、3−シアノプロピル基、3−シアノアダマンタン−1−イル基、5−シアノビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル基、6−シアノビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル基、9−シアノテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカン−4−イル基、10−シアノテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカン−4−イル基などをあげることができる。 In the general formula (1-1), preferred examples of the —Z 1a -Ra 2 group include a hydroxymethyl group, a 2-hydroxyethyl group, a 3-hydroxypropyl group, 4- (2,2,2-trifluoro-), 1-hydroxy-1-trifluoromethyl-ethyl) -cyclohexyl group, 3-hydroxyadamantan-1-yl group, 5-hydroxybicyclo [2.2.1] heptan-2-yl group, 6-hydroxybicyclo [2 2.1] heptan-2-yl group, 9-hydroxytetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7] dodecane-4-yl group, 10-hydroxy-tetracyclo [6.2.1.1 3, 6. 0 2,7 ] dodecan-4-yl group, carboxymethyl group, 2-carboxyethyl group, 3-carboxypropyl group, 3-carboxyadamantan-1-yl group, 5-carboxybicyclo [2.2.1] heptane 2-yl group, 6-carboxybicyclo [2.2.1] heptan-2-yl group, 9-carboxytetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodecan-4-yl group, 10-carboxytetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodecan-4-yl group, cyanomethyl group, 2-cyanoethyl group, 3-cyanopropyl group, 3-cyanoadamantan-1-yl group, 5-cyanobicyclo [2.2.1] heptane-2 -Yl group, 6-cyanobicyclo [2.2.1] heptan-2-yl group, 9-cyanotetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodecan-4-yl group, 10-cyanotetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodecan-4-yl group and the like.

一般式(1−2)において、Ra4の炭素数1〜4の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基もしくはその誘導体としては、たとえば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、2−メチルプロピル基、1−メチルプロピル基、t−ブチル基などをあげることができる。これらのアルキル基のうち、メチル基、エチル基などが好ましい。 In the general formula (1-2), the alkyl group or derivative thereof linear or branched having 1 to 4 carbon atoms Ra 4, for example, a methyl group, an ethyl group, n- propyl group, i- propyl , N-butyl group, 2-methylpropyl group, 1-methylpropyl group, t-butyl group and the like. Of these alkyl groups, a methyl group, an ethyl group, and the like are preferable.

また、前記アルキル基の誘導体としては、たとえば、ヒドロキシル基;カルボキシル基;オキソ基(即ち、=O基);ヒドロキシメチル基、1−ヒドロキシエチル基、2−ヒドロキシエチル基、1−ヒドロキシプロピル基、2−ヒドロキシプロピル基、3−ヒドロキシプロピル基、2−ヒドロキシブチル基、3−ヒドロキシブチル基、4−ヒドロキシブチル基などの炭素数1〜6のヒドロキシアルキル基;メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、i−プロポキシ基、n−ブトキシ基、2−メチルプロポキシ基、1−メチルプロポキシ基、t−ブトキシ基などの炭素数1〜6のアルコキシル基;シアノ基;シアノメチル基、2−シアノエチル基、3−シアノプロピル基、4−シアノブチル基などの炭素数2〜6のシアノアルキル基などの置換基を1種以上または1個以上有する基をあげることができる。   Examples of the derivative of the alkyl group include, for example, hydroxyl group; carboxyl group; oxo group (that is, ═O group); hydroxymethyl group, 1-hydroxyethyl group, 2-hydroxyethyl group, 1-hydroxypropyl group, C1-C6 hydroxyalkyl groups such as 2-hydroxypropyl group, 3-hydroxypropyl group, 2-hydroxybutyl group, 3-hydroxybutyl group, 4-hydroxybutyl group; methoxy group, ethoxy group, n-propoxy Group, i-propoxy group, n-butoxy group, 2-methylpropoxy group, 1-methylpropoxy group, t-butoxy group and the like, alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms; cyano group; cyanomethyl group, 2-cyanoethyl group, C2-C6 cyanoalkyl group such as 3-cyanopropyl group, 4-cyanobutyl group, etc. Substituent can be exemplified one or more or one or more a group having.

これらの置換基のうち、オキソ基、ヒドロキシアルキル基、アルコキシル基などが好ましく、特に、オキソ基、ヒドロキシメチル基、1−ヒドロキシエチル基、メトキシ基、エトキシ基などが好ましい。   Of these substituents, an oxo group, a hydroxyalkyl group, an alkoxyl group, and the like are preferable, and an oxo group, a hydroxymethyl group, a 1-hydroxyethyl group, a methoxy group, an ethoxy group, and the like are particularly preferable.

また、Ra4の炭素数4〜20の1価の脂環式炭化水素基およびいずれか2つのRa4が相互に結合してそれぞれが結合している炭素原子と共に形成した炭素数4〜20の2価の脂環式炭化水素基としては、たとえば、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタンなどのシクロアルカン類や、アダマンタン、ビシクロ[2.2.1]ヘプタン、テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカン、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカンなどの有橋式炭化水素類に由来する基;これらのシクロアルカン類あるいは有橋式炭化水素類に由来する基をメチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、2−メチルプロピル基、1−メチルプロピル基、t−ブチル基などの炭素数1〜4の直鎖状、分岐状または環状のアルキル基の1種以上或いは1個以上で置換した基などをあげることができる。 Also, having 4 to 20 carbon atoms in Ra 4 1 valent alicyclic hydrocarbon group and any two of Ra 4 number 4 to 20 carbon formed together with the carbon atom to which each bonded to each other are attached Examples of the divalent alicyclic hydrocarbon group include cycloalkanes such as cyclobutane, cyclopentane, cyclohexane, cycloheptane, and cyclooctane, adamantane, bicyclo [2.2.1] heptane, and tetracyclo [6.2. 1.1 3,6 . Groups derived from bridged hydrocarbons such as 0 2,7 ] dodecane, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane; groups derived from these cycloalkanes or bridged hydrocarbons A linear group having 1 to 4 carbon atoms such as methyl group, ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, n-butyl group, 2-methylpropyl group, 1-methylpropyl group, t-butyl group, Examples thereof include a group substituted with one or more branched or cyclic alkyl groups.

また、前記1価または2価の脂環式炭化水素基の誘導体としては、たとえば、ヒドロキシル基;カルボキシル基;オキソ基(すなわち、=O基);ヒドロキシメチル基、1−ヒドロキシエチル基、2−ヒドロキシエチル基、1−ヒドロキシプロピル基、2−ヒドロキシプロピル基、3−ヒドロキシプロピル基、2−ヒドロキシブチル基、3−ヒドロキシブチル基、4−ヒドロキシブチル基などの炭素数1〜4のヒドロキシアルキル基;メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、i−プロポキシ基、n−ブトキシ基、2−メチルプロポキシ基、1−メチルプロポキシ基、t−ブトキシ基などの炭素数1〜4のアルコキシル基;シアノ基;シアノメチル基、2−シアノエチル基、3−シアノプロピル基、4−シアノブチル基などの炭素数2〜5のシアノアルキル基などの置換基を1種以上或いは1個以上有する基をあげることができる。   Examples of the derivative of the monovalent or divalent alicyclic hydrocarbon group include a hydroxyl group; a carboxyl group; an oxo group (that is, ═O group); a hydroxymethyl group, a 1-hydroxyethyl group, and 2- C1-C4 hydroxyalkyl groups such as hydroxyethyl group, 1-hydroxypropyl group, 2-hydroxypropyl group, 3-hydroxypropyl group, 2-hydroxybutyl group, 3-hydroxybutyl group, 4-hydroxybutyl group An alkoxyl group having 1 to 4 carbon atoms such as a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, an i-propoxy group, an n-butoxy group, a 2-methylpropoxy group, a 1-methylpropoxy group and a t-butoxy group; Group: C2-C2 such as cyanomethyl group, 2-cyanoethyl group, 3-cyanopropyl group, 4-cyanobutyl group, etc. It can be mentioned one or more, or one or more a group having a substituent such as a cyano group.

これらの置換基のうち、ヒドロキシル基、カルボキシル基、ヒドロキシメチル基、シアノ基、シアノメチル基などが好ましい。   Of these substituents, a hydroxyl group, a carboxyl group, a hydroxymethyl group, a cyano group, a cyanomethyl group, and the like are preferable.

一般式(1−2)において、少なくとも1つのRa4が炭素数4〜20の1価の脂環式炭化水素基もしくはその誘導体である場合の−C(Ra43に相当する好ましい構造としては、たとえば、つぎの式(1−2a)〜(1−2d)で表される基などをあげることができる。 In the general formula (1-2), a preferred structure, at least one of Ra 4 corresponds to -C (Ra 4) 3 where a monovalent alicyclic hydrocarbon group or a derivative thereof having 4 to 20 carbon atoms Examples thereof include groups represented by the following formulas (1-2a) to (1-2d).

Figure 2006085081
Figure 2006085081

式(1−2c)および式(1−2d)において、aおよびbはそれぞれ0〜2の整数である。   In Formula (1-2c) and Formula (1-2d), a and b are integers of 0 to 2, respectively.

また、いずれか2つのRaが互いに結合して、それぞれが結合している炭素原子と共に炭素数4〜20の2価の脂環式炭化水素基もしくはその誘導体を形成した場合の−C(Raに相当する好ましい構造としては、たとえば、つぎの式(1−2e)〜(1−2h)で表される基などをあげることができる。 In addition, when any two Ra 4 are bonded to each other to form a divalent alicyclic hydrocarbon group having 4 to 20 carbon atoms or a derivative thereof together with the carbon atom to which each is bonded, —C (Ra 4 ) Preferred examples of the structure corresponding to 3 include groups represented by the following formulas (1-2e) to (1-2h).

Figure 2006085081
Figure 2006085081

式(1−2g)および式(1−2h)において、aおよびbはそれぞれ0〜2の整数である。   In Formula (1-2g) and Formula (1-2h), a and b are each an integer of 0 to 2.

一般式(1−2)において、好ましい−C(Ra43基としては、たとえば、
t−ブチル基、2−メチル−2−ブチル基、2−エチル−2−ブチル基、3−メチル−3−ブチル基、3−エチル−3−ブチル基、3−メチル−3−ペンチル基などのトリアルキルメチル基;
1−メチルシクロペンチル基、1−エチルシクロペンチル基、1−メチルシクロヘキシル基、1−エチルシクロヘキシル基などの1−アルキルシクロアルキル基;
2−メチルアダマンタン−2−イル基、2−メチル−3−ヒドロキシアダマンタン−2−イル基、2−メチル−3−シアノアダマンタン−2−イル基、2−エチルアダマンタン−2−イル基、2−エチル−3−ヒドロキシアダマンタン−2−イル基、2−エチル−3−シアノアダマンタン−2−イル基、
2−メチルビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル基、2−メチル−5−ヒドロキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル基、2−メチル−6−ヒドロキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル基、2−メチル−5−シアノビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル基、2−メチル−6−シアノビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル基、2−エチルビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル基、2−エチル−5−ヒドロキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル基、2−エチル−6−ヒドロキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル基、2−エチル−5−シアノビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル基、2−エチル−6−シアノビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル基、4−メチルテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカン−4−イル基、4−メチル−9−ヒドロキシテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカン−4−イル基、4−メチル−10−ヒドロキシテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカン−4−イル基、4−メチル−9−シアノテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカン−4−イル基、4−メチル−10−シアノテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカン−4−イル基、4−エチルテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカン−4−イル基、4−エチル−9−ヒドロキシテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカン−4−イル基、4−エチル−10−ヒドロキシテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカン−4−イル基、4−エチル−9−シアノテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカン−4−イル基、4−エチル−10−シアノテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカン−4−イル基、8−メチルトリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−8−イル基、8−メチル−4−ヒドロキシトリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−8−イル基、8−メチル−4−シアノトリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−8−イル基、8−エチルトリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−8−イル基、8−エチル−4−ヒドロキシトリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−8−イル基、8−エチル−4−シアノトリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−8−イル基などのアルキル置換有橋式炭化水素基およびその誘導体;
1−メチル−1−シクロペンチルエチル基、1−メチル−1−(2−ヒドロキシシクロペンチル)エチル基、1−メチル−1−(3−ヒドロキシシクロペンチル)エチル基、1−メチル−1−(2−シアノシクロペンチル)エチル基、1−メチル−1−(3−シアノシクロペンチル)エチル基、1−メチル−1−シクロヘキシルエチル基、1−メチル−1−(3−ヒドロキシシクロヘキシル)エチル基、1−メチル−1−(4−ヒドロキシシクロヘキシル)エチル基、1−メチル−1−(3−シアノシクロヘキシル)エチル基、1−メチル−1−(4−シアノシクロヘキシル)エチル基、1−メチル−1−シクロへプチルエチル基、1−メチル−1−(3−ヒドロキシシクロへプチル)エチル基、1−メチル−1−(4−ヒドロキシシクロへプチル)エチル基、1−メチル−1−(3−シアノシクロへプチル)エチル基、1−メチル−1−(4−シアノシクロへプチル)エチル基などのジアルキル・シクロアルキルメチル基およびその誘導体;
1−メチル−1−(アダマンタン−1−イル)エチル基、1−メチル−1−(3−ヒドロキシアダマンタン−1−イル)エチル基、1−メチル−1−(3−シアノアダマンタン−1−イル)エチル基、1−メチル−1−(ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル)エチル基、1−メチル−1−(5−ヒドロキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル)エチル基、1−メチル−1−(6−ヒドロキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル)エチル基、1−メチル−1−(5−シアノビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル)エチル基、1−メチル−1−(6−シアノビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル)エチル基、1−メチル−1−(テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカン−4−イル)エチル基、1−メチル−1−(9−ヒドロキシテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカン−4−イル)エチル基、1−メチル−1−(10−ヒドロキシテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカン−4−イル)エチル基、1−メチル−1−(9−シアノテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカン−4−イル)エチル基、1−メチル−1−(10−シアノテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカン−4−イル)エチル基、1−メチル−1−(トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−8−イル)エチル基、1−メチル−1−(4−ヒドロキシトリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−8−イル)エチル基、1−メチル−1−(4−シアノトリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−8−イル)エチル基などのアルキル置換・有橋式炭化水素基置換メチル基およびその誘導体;
1,1−ジシクロペンチルエチル基、1,1−ジ(2−ヒドロキシシクロペンチル)エチル基、1,1−ジ(3−ヒドロキシシクロペンチル)エチル基、1,1−ジ(2−シアノシクロペンチル)エチル基、1,1−ジ(3−シアノシクロペンチル)エチル基、1,1−ジシクロヘキシルエチル基、1,1−ジ(3−ヒドロキシシクロヘキシル)エチル基、1,1−ジ(4−ヒドロキシシクロヘキシル)エチル基、1,1−ジ(3−シアノシクロヘキシル)エチル基、1,1−ジ(4−シアノシクロヘキシル)エチル基、1,1−ジシクロへプチルエチル基、1,1−ジ(3−ヒドロキシシクロへプチル)エチル基、1,1−ジ(4−ヒドロキシシクロへプチル)エチル基、1,1−ジ(3−シアノシクロへプチル)エチル基、1,1−ジ(4−シアノシクロへプチル)エチル基などのアルキル・ジシクロアルキルメチル基およびその誘導体;
1,1−ジ(アダマンタン−1−イル)エチル基、1,1−ジ(3−ヒドロキシアダマンタン−1−イル)エチル基、1,1−ジ(3−シアノアダマンタン−1−イル)エチル基、1,1−ジ(ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル)エチル基、1,1−ジ(5−ヒドロキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル)エチル基、1,1−ジ(6−ヒドロキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル)エチル基、1,1−ジ(5−シアノビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル)エチル基、1,1−ジ(6−シアノビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル)エチル基、1,1−ジ(テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカン−4−イル)エチル基、1,1−ジ(9−ヒドロキシテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカン−4−イル)エチル基、1,1−ジ(10−ヒドロキシテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカン−4−イル)エチル基、1,1−ジ(9−シアノテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカン−4−イル)エチル基、1,1−ジ(10−シアノテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカン−4−イル)エチル基、1,1−ジ(トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−8−イル)エチル基、1,1−ジ(4−ヒドロキシトリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−8−イル)エチル基、1,1−ジ(4−シアノトリシクロ[5.2.1.02,6]8−イル)エチル基などのアルキル置換・ジ(有橋式炭化水素基)置換メチル基およびその誘導体などをあげることができる。
In the general formula (1-2), as a preferred -C (Ra 4 ) 3 group, for example,
t-butyl group, 2-methyl-2-butyl group, 2-ethyl-2-butyl group, 3-methyl-3-butyl group, 3-ethyl-3-butyl group, 3-methyl-3-pentyl group, etc. A trialkylmethyl group of
1-alkyl cycloalkyl groups such as 1-methylcyclopentyl group, 1-ethylcyclopentyl group, 1-methylcyclohexyl group, 1-ethylcyclohexyl group;
2-methyladamantan-2-yl group, 2-methyl-3-hydroxyadamantan-2-yl group, 2-methyl-3-cyanoadamantan-2-yl group, 2-ethyladamantan-2-yl group, 2- Ethyl-3-hydroxyadamantan-2-yl group, 2-ethyl-3-cyanoadamantan-2-yl group,
2-methylbicyclo [2.2.1] heptan-2-yl group, 2-methyl-5-hydroxybicyclo [2.2.1] heptan-2-yl group, 2-methyl-6-hydroxybicyclo [2] 2.1] heptane-2-yl group, 2-methyl-5-cyanobicyclo [2.2.1] heptan-2-yl group, 2-methyl-6-cyanobicyclo [2.2.1] heptane 2-yl group, 2-ethylbicyclo [2.2.1] heptan-2-yl group, 2-ethyl-5-hydroxybicyclo [2.2.1] heptan-2-yl group, 2-ethyl- 6-hydroxybicyclo [2.2.1] heptan-2-yl group, 2-ethyl-5-cyanobicyclo [2.2.1] heptan-2-yl group, 2-ethyl-6-cyanobicyclo [2] 2.1] heptan-2-yl group, 4-methylteto Cyclo [6.2.1.1 3,6. 0 2,7 ] dodecan-4-yl group, 4-methyl-9-hydroxytetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodecan-4-yl group, 4-methyl-10-hydroxytetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodecan-4-yl group, 4-methyl-9-cyanotetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodecan-4-yl group, 4-methyl-10-cyanotetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodecan-4-yl group, 4-ethyltetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodecan-4-yl group, 4-ethyl-9-hydroxytetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodecan-4-yl group, 4-ethyl-10-hydroxytetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodecan-4-yl group, 4-ethyl-9-cyanotetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodecan-4-yl group, 4-ethyl-10-cyanotetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodecan-4-yl group, 8-methyltricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decan-8-yl group, 8-methyl-4-hydroxytricyclo [5.2. 1.0 2,6 ] decan-8-yl group, 8-methyl-4-cyanotricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decan-8-yl group, 8-ethyltricyclo [5. 2.1.0 2,6 ] decan-8-yl group, 8-ethyl-4-hydroxytricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decan-8-yl group, 8-ethyl-4- Alkyl-substituted bridged hydrocarbon groups such as cyanotricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decan-8-yl group and derivatives thereof;
1-methyl-1-cyclopentylethyl group, 1-methyl-1- (2-hydroxycyclopentyl) ethyl group, 1-methyl-1- (3-hydroxycyclopentyl) ethyl group, 1-methyl-1- (2-cyano Cyclopentyl) ethyl group, 1-methyl-1- (3-cyanocyclopentyl) ethyl group, 1-methyl-1-cyclohexylethyl group, 1-methyl-1- (3-hydroxycyclohexyl) ethyl group, 1-methyl-1 -(4-hydroxycyclohexyl) ethyl group, 1-methyl-1- (3-cyanocyclohexyl) ethyl group, 1-methyl-1- (4-cyanocyclohexyl) ethyl group, 1-methyl-1-cycloheptylethyl group 1-methyl-1- (3-hydroxycycloheptyl) ethyl group, 1-methyl-1- (4-hydroxycyclohe Chill) ethyl group, 1-methyl-1- (3-Shianoshikuro heptyl) ethyl group, a dialkyl-cycloalkylmethyl groups and derivatives thereof such as 1-methyl-1- (heptyl to 4 Shianoshikuro) ethyl group;
1-methyl-1- (adamantan-1-yl) ethyl group, 1-methyl-1- (3-hydroxyadamantan-1-yl) ethyl group, 1-methyl-1- (3-cyanoadamantan-1-yl ) Ethyl group, 1-methyl-1- (bicyclo [2.2.1] heptan-2-yl) ethyl group, 1-methyl-1- (5-hydroxybicyclo [2.2.1] heptane-2- Yl) ethyl group, 1-methyl-1- (6-hydroxybicyclo [2.2.1] heptan-2-yl) ethyl group, 1-methyl-1- (5-cyanobicyclo [2.2.1] Heptan-2-yl) ethyl group, 1-methyl-1- (6-cyanobicyclo [2.2.1] heptan-2-yl) ethyl group, 1-methyl-1- (tetracyclo [6.2.1] .1 3,6 .0 2,7] dodecane-4-yl) ethyl group, 1-methyl-1- (9-hydroxytetracyclo [6.2.1.1 3,6 .0 2,7 ] dodecan-4-yl) ethyl group, 1-methyl-1- (10-hydroxytetracyclo [6.2.1.1 3,6 .0 2,7 ] dodecan-4-yl) ethyl group, 1-methyl-1- (9-cyanotetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodecan-4-yl) ethyl group, 1-methyl-1- (10-cyanotetracyclo [6.2.1.1 3,6 0.0 2,7 ] dodecan-4-yl) ethyl Group, 1-methyl-1- (tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decan-8-yl) ethyl group, 1-methyl-1- (4-hydroxytricyclo [5.2.1. 0 2,6 ] decan-8-yl) ethyl group, 1-methyl-1- (4-cyanotricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decan-8-yl) ethyl group, etc. Alkyl-substituted and bridged hydrocarbon-substituted methyl groups and derivatives thereof;
1,1-dicyclopentylethyl group, 1,1-di (2-hydroxycyclopentyl) ethyl group, 1,1-di (3-hydroxycyclopentyl) ethyl group, 1,1-di (2-cyanocyclopentyl) ethyl group 1,1-di (3-cyanocyclopentyl) ethyl group, 1,1-dicyclohexylethyl group, 1,1-di (3-hydroxycyclohexyl) ethyl group, 1,1-di (4-hydroxycyclohexyl) ethyl group 1,1-di (3-cyanocyclohexyl) ethyl group, 1,1-di (4-cyanocyclohexyl) ethyl group, 1,1-dicycloheptylethyl group, 1,1-di (3-hydroxycycloheptyl) ) Ethyl group, 1,1-di (4-hydroxycycloheptyl) ethyl group, 1,1-di (3-cyanocycloheptyl) ethyl group, 1,1-di ( - alkyl di cycloalkylmethyl group and derivatives thereof, such as heptyl) ethyl group to Shianoshikuro;
1,1-di (adamantan-1-yl) ethyl group, 1,1-di (3-hydroxyadamantan-1-yl) ethyl group, 1,1-di (3-cyanoadamantan-1-yl) ethyl group 1,1-di (bicyclo [2.2.1] heptan-2-yl) ethyl group, 1,1-di (5-hydroxybicyclo [2.2.1] heptan-2-yl) ethyl group, 1,1-di (6-hydroxybicyclo [2.2.1] heptan-2-yl) ethyl group, 1,1-di (5-cyanobicyclo [2.2.1] heptan-2-yl) ethyl Group, 1,1-di (6-cyanobicyclo [2.2.1] heptan-2-yl) ethyl group, 1,1-di (tetracyclo [6.2.1.1 3,6 .0 2, 7 ] dodecan-4-yl) ethyl group, 1,1-di (9-hydroxytetracyclo [6.2.1.1]. 3,6 .0 2,7 ] dodecan-4-yl) ethyl group, 1,1-di (10-hydroxytetracyclo [6.2.1.1 3,6 .0 2,7 ] dodecan-4- yl) ethyl group, 1,1-di (9-cyano-tetracyclo [6.2.1.1 3,6 .0 2,7] dodecane-4-yl) ethyl group, 1,1-di (10- Cyanotetracyclo [6.2.1.1 3,6 .0 2,7 ] dodecan-4-yl) ethyl group, 1,1-di (tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane- 8-yl) ethyl group, 1,1-di (4-hydroxytricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decan-8-yl) ethyl group, 1,1-di (4-cyanotricyclo Examples include [5.2.1.0 2,6 ] 8-yl) ethyl-substituted alkyl-substituted / di- (bridged hydrocarbon group) -substituted methyl group and derivatives thereof.

これらの−C(Ra43基のうち、特に好ましいものとしては、t−ブチル基、2−メチル−2−ブチル基、2−エチル−2−ブチル基、3−エチル−3−ブチル基、1−メチルシクロペンチル基、1−エチルシクロペンチル基、1−メチルシクロヘキシル基、1−エチルシクロヘキシル基、2−メチルアダマンタン−2−イル基、2−メチル−3−ヒドロキシアダマンタン−2−イル基、2−エチルアダマンタン−2−イル基、2−メチルビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル基、2−エチルビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル基、4−メチルテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカン−4−イル基、4−エチルテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカン−4−イル基、8−メチルトリシクロ[5.2.1.02,6]−8−イル基、8−エチルトリシクロ[5.2.1.02,6]−8−イル基、1−メチル−1−シクロペンチルエチル基、1−メチル−1−(2−ヒドロキシシクロペンチル)エチル基、1−メチル−1−(3−ヒドロキシシクロペンチル)エチル基、1−メチル−1−シクロヘキシルエチル基、1−メチル−1−(3−ヒドロキシシクロヘキシル)エチル基、1−メチル−1−(4−ヒドロキシシクロヘキシル)エチル基、1−メチル−1−シクロへプチルエチル基、1−メチル−1−(3−ヒドロキシシクロへプチル)エチル基、1−メチル−1−(4−ヒドロキシシクロへプチル)エチル基、1−メチル−1−(アダマンタン−1−イル)エチル基、1−メチル−1−(3−ヒドロキシアダマンタン−1−イル)エチル基、1−メチル−1−(ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル)エチル基、1−メチル−1−(テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカン−4−イル)エチル基、1−メチル−1−(トリシクロ[5.2.1.02,6]−8−イル)エチル基、1,1−ジシクロペンチルエチル基、1,1−ジシクロヘキシルエチル基、1,1−ジ(アダマンタン−1−イル)エチル基、1,1−ジ(ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル)エチル基、1,1−ジ(テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカン−4−イル)エチル基、1,1−ジ(トリシクロ[5.2.1.02,6]−8−イル)エチル基などをあげることができる。 Of these —C (Ra 4 ) 3 groups, t-butyl group, 2-methyl-2-butyl group, 2-ethyl-2-butyl group, 3-ethyl-3-butyl group are particularly preferable. 1-methylcyclopentyl group, 1-ethylcyclopentyl group, 1-methylcyclohexyl group, 1-ethylcyclohexyl group, 2-methyladamantan-2-yl group, 2-methyl-3-hydroxyadamantan-2-yl group, 2 -Ethyladamantan-2-yl group, 2-methylbicyclo [2.2.1] heptan-2-yl group, 2-ethylbicyclo [2.2.1] heptan-2-yl group, 4-methyltetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodecan-4-yl group, 4-ethyltetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodecan-4-yl group, 8-methyltricyclo [5.2.1.0 2,6 ] -8-yl group, 8-ethyltricyclo [5.2.1.0 2, 6 ] -8-yl group, 1-methyl-1-cyclopentylethyl group, 1-methyl-1- (2-hydroxycyclopentyl) ethyl group, 1-methyl-1- (3-hydroxycyclopentyl) ethyl group, 1- Methyl-1-cyclohexylethyl group, 1-methyl-1- (3-hydroxycyclohexyl) ethyl group, 1-methyl-1- (4-hydroxycyclohexyl) ethyl group, 1-methyl-1-cycloheptylethyl group, 1 -Methyl-1- (3-hydroxycycloheptyl) ethyl group, 1-methyl-1- (4-hydroxycycloheptyl) ethyl group, 1-methyl-1- (adamantan-1-yl) ethyl group, 1 −Me Ru-1- (3-hydroxyadamantan-1-yl) ethyl group, 1-methyl-1- (bicyclo [2.2.1] heptan-2-yl) ethyl group, 1-methyl-1- (tetracyclo [ 6.2.1.1 3,6 .0 2,7 ] dodecan-4-yl) ethyl group, 1-methyl-1- (tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] -8-yl) Ethyl group, 1,1-dicyclopentylethyl group, 1,1-dicyclohexylethyl group, 1,1-di (adamantan-1-yl) ethyl group, 1,1-di (bicyclo [2.2.1] heptane -2-yl) ethyl group, 1,1-di (tetracyclo [6.2.1.1 3,6 .0 2,7 ] dodecan-4-yl) ethyl group, 1,1-di (tricyclo [5 And 2.1.0 2,6 ] -8-yl) ethyl group.

一般式(1−3)において、Ra6の炭素数1〜12の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基としては、たとえば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、2−メチルプロピル基、1−メチルプロピル基、t−ブチル基などをあげることができる。 In the general formula (1-3), examples of the linear or branched alkyl group having 1 to 12 carbon atoms represented by Ra 6 include, for example, methyl group, ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, n- A butyl group, a 2-methylpropyl group, a 1-methylpropyl group, a t-butyl group, and the like can be given.

また、Ra6の脂環式構造を有する炭素数4〜20の1価の有機基としては、たとえば、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタンなどに由来するシクロアルカン類に由来する基;アダマンタン、ビシクロ[2.2.1]ヘプタン、テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカン、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカンなどの有橋式炭化水素類に由来する基;これらのシクロアルカン類あるいは有橋式炭化水素類に由来する基をメチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、2−メチルプロピル基、1−メチルプロピル基、t−ブチル基などの炭素数1〜4の直鎖状、分岐状または環状のアルキル基の1種以上または1個以上で置換した基;これらのアルキル基で置換されてもよいシクロアルカン類あるいは有橋式炭化水素類に由来する1価の基をヒドロキシル基;カルボキシル基;オキソ基(すなわち、=O基);ヒドロキシメチル基、1−ヒドロキシエチル基、2−ヒドロキシエチル基、1−ヒドロキシプロピル基、2−ヒドロキシプロピル基、3−ヒドロキシプロピル基、2−ヒドロキシブチル基、3−ヒドロキシブチル基、4−ヒドロキシブチル基などの炭素数1〜4のヒドロキシアルキル基;メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、i−プロポキシ基、n−ブトキシ基、2−メチルプロポキシ基、1−メチルプロポキシ基、t−ブトキシ基などの炭素数1〜4のアルコキシル基;シアノ基;シアノメチル基、2−シアノエチル基、3−シアノプロピル基、4−シアノブチル基などの炭素数2〜5のシアノアルキル基などの1種以上あるいは1個以上で置換した基などをあげることができる。 Examples of the monovalent organic group having 4 to 20 carbon atoms having an alicyclic structure of Ra 6 include groups derived from cycloalkanes derived from cyclobutane, cyclopentane, cyclohexane, cycloheptane, cyclooctane and the like. Adamantane, bicyclo [2.2.1] heptane, tetracyclo [6.2.1.1 3,6 . Groups derived from bridged hydrocarbons such as 0 2,7 ] dodecane, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane; groups derived from these cycloalkanes or bridged hydrocarbons A linear group having 1 to 4 carbon atoms such as methyl group, ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, n-butyl group, 2-methylpropyl group, 1-methylpropyl group, t-butyl group, A group substituted with one or more of branched or cyclic alkyl groups; a monovalent group derived from cycloalkanes or bridged hydrocarbons which may be substituted with these alkyl groups is a hydroxyl group Carboxyl group; oxo group (that is, ═O group); hydroxymethyl group, 1-hydroxyethyl group, 2-hydroxyethyl group, 1-hydroxypropyl group, 2-hydroxypropyl group, 3-hydroxypropoxy; A hydroxyalkyl group having 1 to 4 carbon atoms such as a ruthel group, 2-hydroxybutyl group, 3-hydroxybutyl group, 4-hydroxybutyl group; methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, i-propoxy group, n- C1-C4 alkoxyl groups such as butoxy, 2-methylpropoxy, 1-methylpropoxy, t-butoxy; cyano; cyanomethyl, 2-cyanoethyl, 3-cyanopropyl, 4-cyanobutyl Examples thereof include a group substituted with one or more, such as a cyanoalkyl group having 2 to 5 carbon atoms, such as a group.

また、Ra6の環状エーテル構造を有する1価の有機基としては、たとえば、(テトラヒドロフラン−2−イル)メチル基、(テトラヒドロピラン−2−イル)メチル基などをあげることができる。 Examples of the monovalent organic group having a cyclic ether structure of Ra 6 include (tetrahydrofuran-2-yl) methyl group, (tetrahydropyran-2-yl) methyl group, and the like.

また、Ra6の置換されてもよいラクトン骨格を有する1価の有機基としては、たとえば、下記式(1−3a)〜(1−3d)で表される基などをあげることができる。 Examples of the monovalent organic group having an optionally substituted lactone skeleton of Ra 6 include groups represented by the following formulas (1-3a) to (1-3d).

Figure 2006085081
Figure 2006085081

式(1−3a)および式(1−3b)中、各Ra8は互いに独立して水素原子、炭素数1〜5の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、炭素数1〜5の直鎖状もしくは分岐状のアルコキシル基、または炭素数2〜5の直鎖状もしくは分岐状のアルコキシカルボニル基を示し、Z3はメチレン基、ジメチルメチレン基、酸素原子または硫黄原子を示す。 In formulas (1-3a) and (1-3b), each Ra 8 is independently a hydrogen atom, a linear or branched alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a linear chain having 1 to 5 carbon atoms. Z 3 represents a methylene group, a dimethylmethylene group, an oxygen atom or a sulfur atom, and represents a linear or branched alkoxyl group or a linear or branched alkoxycarbonyl group having 2 to 5 carbon atoms.

式(1−3c)において、Ra9は水素原子、炭素数1〜5の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、炭素数1〜5の直鎖状もしくは分岐状のアルコキシル基、または炭素数2〜5の直鎖状もしくは分岐状のアルコキシカルボニル基を示す。 In Formula (1-3c), Ra 9 is a hydrogen atom, a linear or branched alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a linear or branched alkoxyl group having 1 to 5 carbon atoms, or 2 carbon atoms. -5 linear or branched alkoxycarbonyl groups.

式(1−3d)において、Ra10は水素原子、炭素数1〜5の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、炭素数1〜5の直鎖状もしくは分岐状のアルコキシル基、または炭素数2〜5の直鎖状もしくは分岐状のアルコキシカルボニル基を示し、複数存在するRa10は互いに同じでも異なっていてもよく、cは0〜4の整数であり、Z4は単結合またはメチレン基を示す。 In Formula (1-3d), Ra 10 represents a hydrogen atom, a linear or branched alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a linear or branched alkoxyl group having 1 to 5 carbon atoms, or 2 carbon atoms. Represents a linear or branched alkoxycarbonyl group of -5, a plurality of Ra 10 may be the same or different from each other, c is an integer of 0 to 4, and Z 4 represents a single bond or a methylene group. Show.

式(1−3a)〜(1−3d)において、Ra8、Ra9およびRa10の炭素数1〜5の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基としては、たとえば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、1−メチルプロピル基、2−メチルプロピル基、t−ブチル基、n−ペンチル基などをあげることができる。 In the formulas (1-3a) to (1-3d), examples of the linear or branched alkyl group having 1 to 5 carbon atoms of Ra 8 , Ra 9 and Ra 10 include, for example, a methyl group, an ethyl group, n -Propyl group, i-propyl group, n-butyl group, 1-methylpropyl group, 2-methylpropyl group, t-butyl group, n-pentyl group and the like can be mentioned.

また、Ra8、Ra9およびRa10の炭素数1〜5の直鎖状もしくは分岐状のアルコキシル基としては、たとえば、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、i−プロポキシ基、n−ブトキシ基、1−メチルプロポキシ基、2−メチルプロポキシ基、t−ブトキシ基、n−ペンチルオキシ基などをあげることができる。 Examples of the linear or branched alkoxyl group having 1 to 5 carbon atoms of Ra 8 , Ra 9 and Ra 10 include, for example, a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, an i-propoxy group, and n-butoxy. Group, 1-methylpropoxy group, 2-methylpropoxy group, t-butoxy group, n-pentyloxy group and the like.

また、Ra8、Ra9およびRa10の炭素数2〜5の直鎖状もしくは分岐状のアルコキシカルボニル基としては、たとえば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n−プロポキシカルボニル基、i−プロポキシカルボニル基、n−ブトキシカルボニル基、1−メチルプロポキシカルボニル基、2−メチルプロポキシカルボニル基、t−ブトキシカルボニル基などをあげることができる。 Examples of the linear or branched alkoxycarbonyl group having 2 to 5 carbon atoms of Ra 8 , Ra 9 and Ra 10 include, for example, a methoxycarbonyl group, an ethoxycarbonyl group, an n-propoxycarbonyl group, and i-propoxycarbonyl. Group, n-butoxycarbonyl group, 1-methylpropoxycarbonyl group, 2-methylpropoxycarbonyl group, t-butoxycarbonyl group and the like.

一般式(1−3)において、好ましいRa6としては、たとえば、
メチル基、エチル基、n−プロピル基などの直鎖状もしくは分岐状のアルキル基;シクロペンチル基、シクロヘキシル基などのシクロアルキル基;
アダマンタン−1−イル基、ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル基、7,7−ジメチルビシクロ[2.2.1]ヘプタン−1−イル基、テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカン−4−イル基、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−8−イル基などの有橋式炭化水素類に由来する基;
(テトラヒドロフラン−2−イル)メチル基、(テトラヒドロピラン−2−イル)メチル基などの環状エーテル構造を有する1価の有機基;
5−オキソ−4−オキサトリシクロ[4.2.1.03,7]ノナン−2−イル基、9−メトキシカルボニル−5−オキソ−4−オキサトリシクロ[4.2.1.03,7]ノナン−2−イル基、7−オキソ−6−オキサビシクロ[3.2.1]オクタン−4−イル基、2−メトキシカルボニル−7−オキソ−6−オキサ−ビシクロ[3.2.1]オクタン−4−イル基、2−オキソテトラヒドロピラン−4−イル基、4−メチル−2−オキソテトラヒドロピラン−4−イル基、4−エチル−2−オキソテトラヒドロピラン−4−イル基、4−n−プロピル−2−オキソテトラヒドロピラン−4−イル基、5−オキソテトラヒドロフラン−3−イル基、2,2−ジメチル−5−オキソテトラヒドロフラン−3−イル基、4,4−ジメチル−5−オキソテトラヒドロフラン−3−イル基、2−オキソテトラヒドロフラン−3−イル基、4,4−ジメチル−2−オキソテトラヒドロフラン−3−イル基、5,5−ジメチル−2−オキソテトラヒドロフラン−3−イル基、2−オキソテトラヒドロフラン−3−イル基、(5−オキソテトラヒドロフラン−2−イル)メチル基、(3,3−ジメチル−5−オキソテトラヒドロフラン−2−イル)メチル基、(4,4−ジメチル−5−オキソテトラヒドロフラン−2−イル)メチル基などの置換されてもよいラクトン骨格を有する有機基
などをあげることができる。
In the general formula (1-3), as preferable Ra 6 , for example,
A linear or branched alkyl group such as a methyl group, an ethyl group or an n-propyl group; a cycloalkyl group such as a cyclopentyl group or a cyclohexyl group;
Adamantan-1-yl group, bicyclo [2.2.1] heptan-2-yl group, 7,7-dimethylbicyclo [2.2.1] heptan-1-yl group, tetracyclo [6.2.1. 1 3,6 . A group derived from a bridged hydrocarbon such as 0 2,7 ] dodecan-4-yl group, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decan-8-yl group;
A monovalent organic group having a cyclic ether structure such as (tetrahydrofuran-2-yl) methyl group and (tetrahydropyran-2-yl) methyl group;
5-oxo-4-oxatricyclo [4.2.1.0 3,7 ] nonan-2-yl group, 9-methoxycarbonyl-5-oxo-4-oxatricyclo [4.2.1.0 3,7 ] nonan-2-yl group, 7-oxo-6-oxabicyclo [3.2.1] octane-4-yl group, 2-methoxycarbonyl-7-oxo-6-oxa-bicyclo [3. 2.1] Octane-4-yl group, 2-oxotetrahydropyran-4-yl group, 4-methyl-2-oxotetrahydropyran-4-yl group, 4-ethyl-2-oxotetrahydropyran-4-yl Group, 4-n-propyl-2-oxotetrahydropyran-4-yl group, 5-oxotetrahydrofuran-3-yl group, 2,2-dimethyl-5-oxotetrahydrofuran-3-yl group, 4,4-dimethyl -5-Oki So-tetrahydrofuran-3-yl group, 2-oxotetrahydrofuran-3-yl group, 4,4-dimethyl-2-oxotetrahydrofuran-3-yl group, 5,5-dimethyl-2-oxotetrahydrofuran-3-yl group, 2-oxotetrahydrofuran-3-yl group, (5-oxotetrahydrofuran-2-yl) methyl group, (3,3-dimethyl-5-oxotetrahydrofuran-2-yl) methyl group, (4,4-dimethyl-5 And an organic group having an optionally substituted lactone skeleton such as -oxotetrahydrofuran-2-yl) methyl group.

アルカリ可溶性樹脂において、(メタ)アクリル系構造単位は、単独でまたは2種以上を存在させることができる。   In the alkali-soluble resin, the (meth) acrylic structural unit may be present alone or in combination of two or more.

ノルボルネン系単量体由来の構造単位を含む共重合体としては、つぎの式(2−1)、(2−2)または(2−3)で表される構造単位を持つものがあげられる。   Examples of the copolymer containing a structural unit derived from a norbornene monomer include those having a structural unit represented by the following formula (2-1), (2-2), or (2-3).

Figure 2006085081
Figure 2006085081

式(2−1)において、Z2は単結合、直鎖状もしくは分岐状の2価の有機基、または脂環式構造を有する2価の有機基を示し、Ra11は水素原子または1価の官能基を示し、nは0〜2の整数である。 In Formula (2-1), Z 2 represents a single bond, a linear or branched divalent organic group, or a divalent organic group having an alicyclic structure, and Ra 11 represents a hydrogen atom or a monovalent group. N is an integer of 0-2.

式(2−2)において、各Ra12は相互に独立して炭素数1〜4の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基もしくはその誘導体または炭素数4〜20の1価の脂環式炭化水素基もしくはその誘導体を示すか、あるいはいずれか2つのRa12が相互に結合して、それぞれが結合している炭素原子と共に、炭素数4〜20の2価の脂環式炭化水素基もしくはその誘導体を形成し、残りのRa12が炭素数1〜4の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基もしくはその誘導体または炭素数4〜20の1価の脂環式炭化水素基もしくはその誘導体を示し、nは0〜2の整数である。 In formula (2-2), each Ra 12 is independently a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or a derivative thereof, or a monovalent alicyclic hydrocarbon having 4 to 20 carbon atoms. or a group or its derivative, or any two of Ra 12 are bonded to each other together with the carbon atom to which each is attached, a divalent alicyclic hydrocarbon group or a derivative thereof having 4 to 20 carbon atoms The remaining Ra 12 represents a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or a derivative thereof, or a monovalent alicyclic hydrocarbon group having 4 to 20 carbon atoms or a derivative thereof, and n Is an integer of 0-2.

式(2−3)において、Ra13は炭素数1〜12の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、脂環式構造を有する炭素数4〜20の1価の有機基、環状エーテル構造を有する1価の有機基、または置換されてもよいラクトン骨格を有する1価の有機基を示し、nは0〜2の整数である。〕
式(2−1)において、Z2の直鎖状もしくは分岐状の2価の有機基としては、たとえば、
メチレン基、エチレン基、プロピレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、2−メチルトリメチレン基、ヘキサメチレン基、オクタメチレン基、デカメチレン基などのメチレン基または炭素数2〜12のアルキレン基;
フルオロメチレン基、ジフルオロメチレン基、フルオロエチレン基、1,1−ジフルオロエチレン基、1,2−ジフルオロエチレン基、1,2,2−トリフルオロエチレン基、1,1,2,2−テトラフルオロエチレン基、トリフルオロメチルエチレン基、1,1−ジ(トリフルオロメチル)エチレン基などのフッ素化メチレン基または炭素数2〜12のフッ素化アルキレン基
などをあげることができる。
In the formula (2-3), Ra 13 has a linear or branched alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, a monovalent organic group having 4 to 20 carbon atoms having an alicyclic structure, and a cyclic ether structure. A monovalent organic group or a monovalent organic group having an optionally substituted lactone skeleton is shown, and n is an integer of 0 to 2. ]
In the formula (2-1), examples of the linear or branched divalent organic group for Z 2 include:
A methylene group such as a methylene group, an ethylene group, a propylene group, a trimethylene group, a tetramethylene group, a 2-methyltrimethylene group, a hexamethylene group, an octamethylene group, a decamethylene group, or an alkylene group having 2 to 12 carbon atoms;
Fluoromethylene group, difluoromethylene group, fluoroethylene group, 1,1-difluoroethylene group, 1,2-difluoroethylene group, 1,2,2-trifluoroethylene group, 1,1,2,2-tetrafluoroethylene A fluorinated methylene group such as a group, a trifluoromethylethylene group or a 1,1-di (trifluoromethyl) ethylene group, or a fluorinated alkylene group having 2 to 12 carbon atoms.

また、Z2の脂環式構造を有する2価の有機基としては、たとえば、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタンなどの炭素数4〜20のシクロアルカン類に由来する基;アダマンタン、ビシクロ[2.2.1]ヘプタン、テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカン、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカンなどの炭素数4〜20の有橋式炭化水素類に由来する基などをあげることができる。 Examples of the divalent organic group having an alicyclic structure of Z 2 include groups derived from cycloalkanes having 4 to 20 carbon atoms such as cyclobutane, cyclopentane, cyclohexane, cycloheptane, and cyclooctane; adamantane , Bicyclo [2.2.1] heptane, tetracyclo [6.2.1.1 3,6 . And groups derived from bridged hydrocarbons having 4 to 20 carbon atoms such as 0 2,7 ] dodecane and tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane.

式(2−1)におけるZ2としては、単結合、メチレン基、エチレン基、ジフルオロメチレン基、1,2−ジフルオロエチレン基、1,1,2,2−テトラフルオロエチレン基、アダマンタンに由来する2価の基、ビシクロ[2.2.1]ヘプタンに由来する2価の基などが好ましい。 Z 2 in the formula (2-1) is derived from a single bond, a methylene group, an ethylene group, a difluoromethylene group, a 1,2-difluoroethylene group, a 1,1,2,2-tetrafluoroethylene group, or an adamantane. A divalent group, a divalent group derived from bicyclo [2.2.1] heptane, and the like are preferable.

式(2−1)において、Ra11の1価の官能基としては、たとえば、ヒドロキシル基、カルボキシル基、ニトロ基、シアノ基、アミノ基などをあげることができる。 In the formula (2-1), examples of the monovalent functional group of Ra 11 include a hydroxyl group, a carboxyl group, a nitro group, a cyano group, and an amino group.

式(2−1)におけるRa11としては、水素原子、ヒドロキシル基、カルボキシル基、シアノ基などが好ましい。 Ra 11 in Formula (2-1) is preferably a hydrogen atom, a hydroxyl group, a carboxyl group, a cyano group, or the like.

式(2−1)において、好ましい−Z2−R5基としては、たとえば、水素原子、ヒドロキシル基、ヒドロキシメチル基、2−ヒドロキシエチル基、3−ヒドロキシプロピル基、(フルオロ)(ヒドロキシ)メチル基、(ジフルオロ)(ヒドロキシ)メチル基、1,2−ジフルオロ−2−ヒドロキシエチル基、1,1,2,2−テトラフルオロ−2−ヒドロキシエチル基、2−トリフルオロメチル−2−ヒドロキシエチル基、2,2−ジ(トリフルオロメチル)−2−ヒドロキシエチル基、3−ヒドロキシアダマンタン−1−イル基、5−ヒドロキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル基、6−ヒドロキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル基、9−ヒドロキシテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカン−4−イル基、10−ヒドロキシテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカン−4−イル基、カルボキシル基、カルボキシメチル基、2−カルボキシエチル基、3−カルボキシプロピル基、3−カルボキシアダマンタン−1−イル基、5−カルボキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル基、6−カルボキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル基、9−カルボキシテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカン−4−イル基、10−カルボキシテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカン−4−イル基、シアノ基、シアノメチル基、2−シアノエチル基、3−シアノプロピル基、3−シアノアダマンタン−1−イル基、5−シアノビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル基、6−シアノビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル基、9−シアノテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカン−4−イル基、10−シアノテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカン−4−イル基などをあげることができる。 In the formula (2-1), preferred examples of the —Z 2 —R 5 group include a hydrogen atom, a hydroxyl group, a hydroxymethyl group, a 2-hydroxyethyl group, a 3-hydroxypropyl group, and (fluoro) (hydroxy) methyl. Group, (difluoro) (hydroxy) methyl group, 1,2-difluoro-2-hydroxyethyl group, 1,1,2,2-tetrafluoro-2-hydroxyethyl group, 2-trifluoromethyl-2-hydroxyethyl Group, 2,2-di (trifluoromethyl) -2-hydroxyethyl group, 3-hydroxyadamantan-1-yl group, 5-hydroxybicyclo [2.2.1] heptan-2-yl group, 6-hydroxy Bicyclo [2.2.1] heptan-2-yl group, 9-hydroxytetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7] dodecane-4-yl group, 10-hydroxy-tetracyclo [6.2.1.1 3, 6. 0 2,7 ] dodecan-4-yl group, carboxyl group, carboxymethyl group, 2-carboxyethyl group, 3-carboxypropyl group, 3-carboxyadamantan-1-yl group, 5-carboxybicyclo [2.2. 1] heptan-2-yl group, 6-carboxy bicyclo [2.2.1] heptan-2-yl group, 9-carboxy-tetracyclo [6.2.1.1 3, 6. 0 2,7 ] dodecan-4-yl group, 10-carboxytetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodecan-4-yl group, cyano group, cyanomethyl group, 2-cyanoethyl group, 3-cyanopropyl group, 3-cyanoadamantan-1-yl group, 5-cyanobicyclo [2.2.1] Heptan-2-yl group, 6-cyanobicyclo [2.2.1] heptan-2-yl group, 9-cyanotetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodecan-4-yl group, 10-cyanotetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodecan-4-yl group and the like.

式(2−2)において、Ra12の1〜4の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基としては、たとえば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、2−メチルプロピル基、1−メチルプロピル基、t−ブチル基などをあげることができる。
これらのアルキル基のうち、メチル基、エチル基などが好ましい。
In the formula (2-2), examples of the linear or branched alkyl group of 1 to 4 of Ra 12 include, for example, a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an i-propyl group, an n-butyl group, A 2-methylpropyl group, a 1-methylpropyl group, a t-butyl group, and the like can be given.
Of these alkyl groups, a methyl group, an ethyl group, and the like are preferable.

また、前記アルキル基の誘導体としては、たとえば、ヒドロキシル基;カルボキシル基;オキソ基(すなわち、=O基);ヒドロキシメチル基、1−ヒドロキシエチル基、2−ヒドロキシエチル基、1−ヒドロキシプロピル基、2−ヒドロキシプロピル基、3−ヒドロキシプロピル基、2−ヒドロキシブチル基、3−ヒドロキシブチル基、4−ヒドロキシブチル基などの炭素数1〜6のヒドロキシアルキル基;メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、i−プロポキシ基、n−ブトキシ基、2−メチルプロポキシ基、1−メチルプロポキシ基、t−ブトキシ基などの炭素数1〜6のアルコキシル基;シアノ基;シアノメチル基、2−シアノエチル基、3−シアノプロピル基、4−シアノブチル基などの炭素数2〜6のシアノアルキル基などの置換基を1種以上または1個以上有する基をあげることができる。   Examples of the derivative of the alkyl group include hydroxyl group; carboxyl group; oxo group (that is, ═O group); hydroxymethyl group, 1-hydroxyethyl group, 2-hydroxyethyl group, 1-hydroxypropyl group, C1-C6 hydroxyalkyl groups such as 2-hydroxypropyl group, 3-hydroxypropyl group, 2-hydroxybutyl group, 3-hydroxybutyl group, 4-hydroxybutyl group; methoxy group, ethoxy group, n-propoxy Group, i-propoxy group, n-butoxy group, 2-methylpropoxy group, 1-methylpropoxy group, t-butoxy group and the like, alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms; cyano group; cyanomethyl group, 2-cyanoethyl group, C2-C6 cyanoalkyl groups such as 3-cyanopropyl group and 4-cyanobutyl group It can be mentioned substituents one or more or one or more having groups.

これらの置換基のうち、オキソ基、ヒドロキシアルキル基、アルコキシル基などが好ましく、特に、オキソ基、ヒドロキシメチル基、1−ヒドロキシエチル基、メトキシ基、エトキシ基などが好ましい。   Of these substituents, an oxo group, a hydroxyalkyl group, an alkoxyl group, and the like are preferable, and an oxo group, a hydroxymethyl group, a 1-hydroxyethyl group, a methoxy group, an ethoxy group, and the like are particularly preferable.

また、Ra12の炭素数4〜20の1価の脂環式炭化水素基およびいずれか2つのRa12が相互に結合してそれぞれが結合している炭素原子と共に形成した炭素数4〜20の2価の脂環式炭化水素基としては、たとえば、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタンなどのシクロアルカン類や、アダマンタン、ビシクロ[2.2.1]ヘプタン、テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカン、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカンなどの有橋式炭化水素類に由来する基;これらのシクロアルカン類あるいは有橋式炭化水素類に由来する基をメチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、2−メチルプロピル基、1−メチルプロピル基、t−ブチル基などの炭素数1〜4の直鎖状、分岐状または環状のアルキル基の1種以上或いは1個以上で置換した基などをあげることができる。 In addition, the monovalent alicyclic hydrocarbon group having 4 to 20 carbon atoms of Ra 12 and any two Ra 12 bonded to each other to form a carbon atom having 4 to 20 carbon atoms formed together with the bonded carbon atoms. Examples of the divalent alicyclic hydrocarbon group include cycloalkanes such as cyclobutane, cyclopentane, cyclohexane, cycloheptane, and cyclooctane, adamantane, bicyclo [2.2.1] heptane, and tetracyclo [6.2. 1.1 3,6 . Groups derived from bridged hydrocarbons such as 0 2,7 ] dodecane, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane; groups derived from these cycloalkanes or bridged hydrocarbons A linear group having 1 to 4 carbon atoms such as methyl group, ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, n-butyl group, 2-methylpropyl group, 1-methylpropyl group, t-butyl group, Examples thereof include a group substituted with one or more branched or cyclic alkyl groups.

また、前記1価または2価の脂環式炭化水素基の誘導体としては、たとえば、ヒドロキシル基;カルボキシル基;オキソ基(すなわち、=O基);ヒドロキシメチル基、1−ヒドロキシエチル基、2−ヒドロキシエチル基、1−ヒドロキシプロピル基、2−ヒドロキシプロピル基、3−ヒドロキシプロピル基、2−ヒドロキシブチル基、3−ヒドロキシブチル基、4−ヒドロキシブチル基などの炭素数1〜4のヒドロキシアルキル基;メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、i−プロポキシ基、n−ブトキシ基、2−メチルプロポキシ基、1−メチルプロポキシ基、t−ブトキシ基などの炭素数1〜4のアルコキシル基;シアノ基;シアノメチル基、2−シアノエチル基、3−シアノプロピル基、4−シアノブチル基などの炭素数2〜5のシアノアルキル基などの置換基を1種以上または1個以上有する基をあげることができる。   Examples of the derivative of the monovalent or divalent alicyclic hydrocarbon group include a hydroxyl group; a carboxyl group; an oxo group (that is, ═O group); a hydroxymethyl group, a 1-hydroxyethyl group, and 2- C1-C4 hydroxyalkyl groups such as hydroxyethyl group, 1-hydroxypropyl group, 2-hydroxypropyl group, 3-hydroxypropyl group, 2-hydroxybutyl group, 3-hydroxybutyl group, 4-hydroxybutyl group An alkoxyl group having 1 to 4 carbon atoms such as a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, an i-propoxy group, an n-butoxy group, a 2-methylpropoxy group, a 1-methylpropoxy group and a t-butoxy group; Group: C2-C2 such as cyanomethyl group, 2-cyanoethyl group, 3-cyanopropyl group, 4-cyanobutyl group, etc. It can be mentioned one or more or one or more a group having a substituent such as a cyano group.

これらの置換基のうち、ヒドロキシル基、カルボキシル基、ヒドロキシメチル基、シアノ基、シアノメチル基などが好ましい。   Of these substituents, a hydroxyl group, a carboxyl group, a hydroxymethyl group, a cyano group, a cyanomethyl group, and the like are preferable.

式(2−2)において、少なくとも1つのR6が炭素数4〜20の1価の脂環式炭化水素基もしくはその誘導体である場合の好ましい−C(Ra123基としては、たとえば、前記式(1−2a)〜(1−2d)でRa4をRa12に変換した基などをあげることができる。 In the formula (2-2), as preferred —C (Ra 12 ) 3 group when at least one R 6 is a monovalent alicyclic hydrocarbon group having 4 to 20 carbon atoms or a derivative thereof, for example, Examples thereof include groups in which Ra 4 is converted to Ra 12 in the formulas (1-2a) to (1-2d).

また、いずれか2つのR6が相互に結合して、それぞれが結合している炭素原子と共に炭素数4〜20の2価の脂環式炭化水素基もしくはその誘導体を形成した場合の好ましい−C(Ra123基としては、たとえば、前記式(1−2e)〜(1−2h)でRa4をRa12に変換した基などをあげることができる。 In addition, when any two R 6 are bonded to each other to form a divalent alicyclic hydrocarbon group having 4 to 20 carbon atoms or a derivative thereof together with the carbon atom to which each R 6 is bonded, —C Examples of the (Ra 12 ) 3 group include groups obtained by converting Ra 4 to Ra 12 in the formulas (1-2e) to (1-2h).

式(2−2)において、好ましい−C(Ra123基としては、たとえば、前記式(1−2)における好ましい−C(Ra43基として例示したものと同様の基をあげることができる。 In the formula (2-2), examples of the preferred —C (Ra 12 ) 3 group include the same groups as those exemplified as the preferred —C (Ra 4 ) 3 group in the formula (1-2). Can do.

これらの−C(Ra123基のうち、特に好ましいものとしては、t−ブチル基、2−メチル−2−ブチル基、2−エチル−2−ブチル基、3−エチル−3−ブチル基、1−メチルシクロペンチル基、1−エチルシクロペンチル基、1−メチルシクロヘキシル基、1−エチルシクロヘキシル基、2−メチルアダマンタン−2−イル基、2−メチル−3−ヒドロキシアダマンタン−2−イル基、2−エチルアダマンタン−2−イル基、2−メチルビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル基、2−エチルビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル基、4−メチルテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカン−4−イル基、4−エチルテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカン−4−イル基、8−メチルトリシクロ[5.2.1.02,6]−8−イル基、8−エチルトリシクロ[5.2.1.02,6]−8−イル基、1−メチル−1−シクロペンチルエチル基、1−メチル−1−(2−ヒドロキシシクロペンチル)エチル基、1−メチル−1−(3−ヒドロキシシクロペンチル)エチル基、1−メチル−1−シクロヘキシルエチル基、1−メチル−1−(3−ヒドロキシシクロヘキシル)エチル基、1−メチル−1−(4−ヒドロキシシクロヘキシル)エチル基、1−メチル−1−シクロへプチルエチル基、1−メチル−1−(3−ヒドロキシシクロへプチル)エチル基、1−メチル−1−(4−ヒドロキシシクロへプチル)エチル基、1−メチル−1−(アダマンタン−1−イル)エチル基、1−メチル−1−(3−ヒドロキシアダマンタン−1−イル)エチル基、1−メチル−1−(ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル)エチル基、1−メチル−1−(テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカン−4−イル)エチル基、1−メチル−1−(トリシクロ[5.2.1.02,6]−8−イル)エチル基、1,1−ジシクロペンチルエチル基、1,1−ジシクロヘキシルエチル基、1,1−ジ(アダマンタン−1−イル)エチル基、1,1−ジ(ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル)エチル基、1,1−ジ(テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカン−4−イル)エチル基、1,1−ジ(トリシクロ[5.2.1.02,6]−8−イル)エチル基などをあげることができる。 Of these —C (Ra 12 ) 3 groups, t-butyl group, 2-methyl-2-butyl group, 2-ethyl-2-butyl group, 3-ethyl-3-butyl group are particularly preferable. 1-methylcyclopentyl group, 1-ethylcyclopentyl group, 1-methylcyclohexyl group, 1-ethylcyclohexyl group, 2-methyladamantan-2-yl group, 2-methyl-3-hydroxyadamantan-2-yl group, 2 -Ethyladamantan-2-yl group, 2-methylbicyclo [2.2.1] heptan-2-yl group, 2-ethylbicyclo [2.2.1] heptan-2-yl group, 4-methyltetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodecan-4-yl group, 4-ethyltetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodecan-4-yl group, 8-methyltricyclo [5.2.1.0 2,6 ] -8-yl group, 8-ethyltricyclo [5.2.1.0 2, 6 ] -8-yl group, 1-methyl-1-cyclopentylethyl group, 1-methyl-1- (2-hydroxycyclopentyl) ethyl group, 1-methyl-1- (3-hydroxycyclopentyl) ethyl group, 1- Methyl-1-cyclohexylethyl group, 1-methyl-1- (3-hydroxycyclohexyl) ethyl group, 1-methyl-1- (4-hydroxycyclohexyl) ethyl group, 1-methyl-1-cycloheptylethyl group, 1 -Methyl-1- (3-hydroxycycloheptyl) ethyl group, 1-methyl-1- (4-hydroxycycloheptyl) ethyl group, 1-methyl-1- (adamantan-1-yl) ethyl group, 1 −Me Ru-1- (3-hydroxyadamantan-1-yl) ethyl group, 1-methyl-1- (bicyclo [2.2.1] heptan-2-yl) ethyl group, 1-methyl-1- (tetracyclo [ 6.2.1.1 3,6 .0 2,7 ] dodecan-4-yl) ethyl group, 1-methyl-1- (tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] -8-yl) Ethyl group, 1,1-dicyclopentylethyl group, 1,1-dicyclohexylethyl group, 1,1-di (adamantan-1-yl) ethyl group, 1,1-di (bicyclo [2.2.1] heptane -2-yl) ethyl group, 1,1-di (tetracyclo [6.2.1.1 3,6 .0 2,7 ] dodecan-4-yl) ethyl group, 1,1-di (tricyclo [5 And 2.1.0 2,6 ] -8-yl) ethyl group.

式(2−3)において、Ra13の炭素数1〜12の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基としては、たとえば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、2−メチルプロピル基、1−メチルプロピル基、t−ブチル基などをあげることができる。 In formula (2-3), examples of the linear or branched alkyl group having 1 to 12 carbon atoms represented by Ra 13 include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an i-propyl group, and n-butyl. Group, 2-methylpropyl group, 1-methylpropyl group, t-butyl group and the like.

また、Ra13の脂環式構造を有する炭素数4〜20の1価の有機基としては、たとえば、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタンなどに由来するシクロアルカン類に由来する基;アダマンタン、ビシクロ[2.2.1]ヘプタン、テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカン、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカンなどの有橋式炭化水素類に由来する基;これらのシクロアルカン類あるいは有橋式炭化水素類に由来する基をメチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、2−メチルプロピル基、1−メチルプロピル基、t−ブチル基などの炭素数1〜4の直鎖状、分岐状または環状のアルキル基の1種以上或いは1個以上で置換した基;これらのアルキル基で置換されてもよいシクロアルカン類あるいは有橋式炭化水素類に由来する1価の基をヒドロキシル基;カルボキシル基;オキソ基(すなわち、=O基);ヒドロキシメチル基、1−ヒドロキシエチル基、2−ヒドロキシエチル基、1−ヒドロキシプロピル基、2−ヒドロキシプロピル基、3−ヒドロキシプロピル基、2−ヒドロキシブチル基、3−ヒドロキシブチル基、4−ヒドロキシブチル基などの炭素数1〜4のヒドロキシアルキル基;メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、i−プロポキシ基、n−ブトキシ基、2−メチルプロポキシ基、1−メチルプロポキシ基、t−ブトキシ基などの炭素数1〜4のアルコキシル基;シアノ基;シアノメチル基、2−シアノエチル基、3−シアノプロピル基、4−シアノブチル基などの炭素数2〜5のシアノアルキル基などの1種以上あるいは1個以上で置換した基などをあげることができる。 Examples of the monovalent organic group having 4 to 20 carbon atoms having an alicyclic structure of Ra 13 include groups derived from cycloalkanes derived from cyclobutane, cyclopentane, cyclohexane, cycloheptane, cyclooctane and the like. Adamantane, bicyclo [2.2.1] heptane, tetracyclo [6.2.1.1 3,6 . Groups derived from bridged hydrocarbons such as 0 2,7 ] dodecane, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane; groups derived from these cycloalkanes or bridged hydrocarbons A linear group having 1 to 4 carbon atoms such as methyl group, ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, n-butyl group, 2-methylpropyl group, 1-methylpropyl group, t-butyl group, A group substituted by one or more of branched or cyclic alkyl groups; a monovalent group derived from cycloalkanes or bridged hydrocarbons which may be substituted by these alkyl groups is a hydroxyl group Carboxyl group; oxo group (that is, ═O group); hydroxymethyl group, 1-hydroxyethyl group, 2-hydroxyethyl group, 1-hydroxypropyl group, 2-hydroxypropyl group, 3-hydroxypropoxy; A hydroxyalkyl group having 1 to 4 carbon atoms such as a ruthel group, 2-hydroxybutyl group, 3-hydroxybutyl group, 4-hydroxybutyl group; methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, i-propoxy group, n- C1-C4 alkoxyl groups such as butoxy, 2-methylpropoxy, 1-methylpropoxy, t-butoxy; cyano; cyanomethyl, 2-cyanoethyl, 3-cyanopropyl, 4-cyanobutyl Examples thereof include a group substituted with one or more, such as a cyanoalkyl group having 2 to 5 carbon atoms, such as a group.

また、Ra13の環状エーテル構造を有する1価の有機基としては、たとえば、(テトラヒドロフラン−2−イル)メチル基、(テトラヒドロピラン−2−イル)メチル基などをあげることができる。 Examples of the monovalent organic group having a cyclic ether structure of Ra 13 include (tetrahydrofuran-2-yl) methyl group, (tetrahydropyran-2-yl) methyl group, and the like.

また、Ra13の置換されてもよいラクトン骨格を有する1価の有機基としては、たとえば、前記式(1−3a)〜(1−3d)で表される基などをあげることができる。 Examples of the monovalent organic group having an optionally substituted lactone skeleton of Ra 13 include groups represented by the above formulas (1-3a) to (1-3d).

さらに上記溶解抑止剤(c)で使用する含フッ素ノルボルネン誘導体由来の構造単位M1も例示できる。   Furthermore, the structural unit M1 derived from the fluorine-containing norbornene derivative used with the said dissolution inhibitor (c) can also be illustrated.

アルカリ可溶性樹脂において、ノルボルネン系構造単位は、単独でまたは2種以上を存在させることができる。   In the alkali-soluble resin, the norbornene-based structural unit can be present alone or in combination of two or more.

本発明における好ましいポリシロキサン系重合体としては、下記一般式で表される重合体などが挙げられる。   Preferred polysiloxane polymers in the present invention include polymers represented by the following general formula.

Figure 2006085081
Figure 2006085081

(Ra14、Ra15は官能基を有するフッ素原子を有していても良い炭化水素基) (Ra 14 and Ra 15 are hydrocarbon groups optionally having a fluorine atom having a functional group)

含フッ素ジエンを単量体とする重合体としては、下記に例示される繰り返し単位やそのアルコール部位を酸解離性官能基で保護した繰り返し単位をもつ重合体などが挙げられる。   Examples of the polymer having a fluorine-containing diene as a monomer include a repeating unit exemplified below and a polymer having a repeating unit in which an alcohol moiety is protected with an acid-dissociable functional group.

Figure 2006085081
Figure 2006085081

スチレン系単量体由来の構造単位を含む共重合体としては、次式で表されるスチレン系単量体に由来する構造単位をもつものがあげられる。   Examples of the copolymer containing a structural unit derived from a styrene monomer include those having a structural unit derived from a styrene monomer represented by the following formula.

Figure 2006085081
Figure 2006085081

(式中、P1は水素原子または酸で解離してOH基に変換できる保護基P)
マレイン酸系単量体由来の構造単位を含む共重合体としては、無水マレイン酸、HOOCCH2=CH2COOH、ROOCCH2=CH2COOH、ROOCCH2=CH2COOR(式中、Rはヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数1〜22の炭化水素基)で表されるマレイン酸系単量体に由来する構造単位をもつものがあげられる。
(Wherein P 1 is a protecting group P which can be dissociated with a hydrogen atom or an acid and converted into an OH group)
As the copolymer containing the structural unit derived from maleic acid monomer, maleic anhydride, HOOCCH 2 = CH 2 COOH, ROOCCH 2 = CH 2 COOH, ROOCCH 2 = CH 2 COOR ( wherein, R is a heteroatom And those having a structural unit derived from a maleic acid monomer represented by a hydrocarbon group having 1 to 22 carbon atoms which may contain

ビニルエーテル系単量体由来の構造単位を含む共重合体としては、CH2=CHORとして表されるものが挙げられる。たとえば、Rがメチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、2−メチルプロピル基、1−メチルプロピル基、t−ブチル基などの直鎖状または分岐状のアルキル基またはその誘導体をあげることができる。 Examples of the copolymer containing a structural unit derived from a vinyl ether monomer include those represented by CH 2 = CHOR. For example, R is linear or branched such as methyl group, ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, n-butyl group, 2-methylpropyl group, 1-methylpropyl group, t-butyl group, etc. An alkyl group or a derivative thereof can be exemplified.

また、Rとしては脂環式構造を有する炭素数4〜20の有機基、たとえば、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタンなどに由来するシクロアルカン類に由来する基;アダマンタン、ビシクロ[2.2.1]ヘプタン、テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカン、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカンなどの有橋式炭化水素類に由来する基などがあげられる。 R is a group derived from a cycloalkane derived from an organic group having 4 to 20 carbon atoms having an alicyclic structure, such as cyclobutane, cyclopentane, cyclohexane, cycloheptane, cyclooctane, etc .; adamantane, bicyclo [ 2.2.1] heptane, tetracyclo [6.2.1.1 3,6 . And groups derived from bridged hydrocarbons such as 0 2,7 ] dodecane and tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane.

Rに置換する官能基としては、たとえば、ヒドロキシル基、カルボキシル基、ニトロ基、シアノ基、アミノ基などをあげることができる。   Examples of the functional group substituted with R include a hydroxyl group, a carboxyl group, a nitro group, a cyano group, and an amino group.

これらの官能基の中で、ヒドロキシル基、カルボキシル基、シアノ基などが好ましい。   Of these functional groups, a hydroxyl group, a carboxyl group, a cyano group and the like are preferable.

アリル系単量体由来の構造単位を含む共重合体としては、アリルエーテル系単量体、アリルエステル系単量体などがあげられ、特にCH2=CHCH2C(CF32OR、CH2=CHCH2(CH2nOR、CH2=CHCH2(CH2nCOOR、CH2=CHCH2O(CH2nCOOR(式中、Rはヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数1〜22の炭化水素基、nは0から8の整数)で表されるアリル系単量体に由来する構造単位をもつものがあげられる。 Examples of the copolymer containing a structural unit derived from an allylic monomer include allyl ether monomers and allyl ester monomers, and particularly CH 2 ═CHCH 2 C (CF 3 ) 2 OR, CH 2 = CHCH 2 (CH 2 ) n OR, CH 2 = CHCH 2 (CH 2 ) n COOR, CH 2 = CHCH 2 O (CH 2 ) n COOR (wherein R may contain a hetero atom) And those having a structural unit derived from an allylic monomer represented by a hydrocarbon group of 1 to 22 and n is an integer of 0 to 8.

含フッ素エチレン性単量体由来の構造単位を含む共重合体としては、CF2=CF2、CF2=CFCl、CH2=CF2、CFH=CH2、CFH=CF2、CF2=CFCF3、CH2=CFCF3、CH2=CHCF3などがあげられる。 As the copolymer containing a structural unit derived from a fluorine-containing ethylenic monomer, CF 2 = CF 2 , CF 2 = CFCl, CH 2 = CF 2 , CFH = CH 2 , CFH = CF 2 , CF 2 = CFCF 3 , CH 2 = CFCF 3 , CH 2 = CHCF 3 and the like.

なかでも、共重合性が良好でかつ透明性を付与する効果が高い点で、テトラフルオロエチレン(CF2=CF2)、クロロトリフルオロエチレン(CF2=CFCl)が好ましい。 Of these, tetrafluoroethylene (CF 2 ═CF 2 ) and chlorotrifluoroethylene (CF 2 ═CFCl) are preferable because they have good copolymerizability and a high effect of imparting transparency.

本発明のレジスト組成物で用いる光酸発生剤(b)としては、国際公開公報WO01/74916号パンフレットに記載の光酸発生剤(b)と同様のものが同様に好ましく例示でき、本発明でも有効に使用できる。   As the photoacid generator (b) used in the resist composition of the present invention, those similar to the photoacid generator (b) described in WO 01/74916 can be preferably exemplified, and the present invention also provides Can be used effectively.

具体的には、光を照射することによって酸またはカチオンを発生する化合物であって、たとえば有機ハロゲン化合物、スルホン酸エステル、オニウム塩(特に中心元素がヨウ素、イオウ、セレン、テルル、窒素またはリンであるフルオロアルキルオニウム塩など)、ジアゾニウム塩、ジスルホン化合物、スルホンジアジド類など、またはこれらの混合物があげられる。   Specifically, it is a compound that generates an acid or a cation by irradiating light, for example, an organic halogen compound, a sulfonate ester, an onium salt (especially when the central element is iodine, sulfur, selenium, tellurium, nitrogen or phosphorus). A certain fluoroalkylonium salt), a diazonium salt, a disulfone compound, a sulfonediazide, and the like, or a mixture thereof.

より好ましい具体例としては、つぎのものがあげられる。   More preferable specific examples are as follows.

(1)TPS系: (1) TPS system:

Figure 2006085081
Figure 2006085081

(式中、X-はPF6 -、SbF6 -、CF3SO3 -、C49SO3 -など;Rb1、Rb2、Rb3は同じかまたは異なり、CH3O、H、t−Bu、CH3、OHなど) Wherein X is PF 6 , SbF 6 , CF 3 SO 3 , C 4 F 9 SO 3 — and the like; Rb 1 , Rb 2 , Rb 3 are the same or different, and CH 3 O, H, t-Bu, CH 3, OH, etc.)

(2)DPI系: (2) DPI system:

Figure 2006085081
Figure 2006085081

(式中、X-はCF3SO3 -、C49SO3 -、CH3−φ−SO3 -、SbF6 -(In the formula, X represents CF 3 SO 3 , C 4 F 9 SO 3 , CH 3 —φ—SO 3 , SbF 6 ,

Figure 2006085081
Figure 2006085081

など;Rb4、Rb5は同じかまたは異なり、H、OH、CH3、CH3O、t−Buなど) Rb 4 and Rb 5 are the same or different and H, OH, CH 3 , CH 3 O, t-Bu, etc.)

(3)スルホネート系: (3) Sulfonate type:

Figure 2006085081
Figure 2006085081

(式中、Rb6(Where Rb 6 is

Figure 2006085081
Figure 2006085081

など) Such)

本発明のレジスト組成物における光酸発生剤(b)の含有量は、酸解離性官能基含有ポリマー(a)100重量部に対して0.1〜30重量部が好ましく、さらには0.2〜20重量部が好ましく、最も好ましくは0.5〜10重量部である。   The content of the photoacid generator (b) in the resist composition of the present invention is preferably 0.1 to 30 parts by weight, more preferably 0.2 to 100 parts by weight of the acid dissociable functional group-containing polymer (a). -20 parts by weight is preferred, most preferably 0.5-10 parts by weight.

光酸発生剤(b)の含有量が0.1重量部より少なくなると感度が低くなり、30重量部より多く使用すると光酸発生剤が光を吸収する量が多くなり、光が基板まで充分に届かなくなって解像度が低下しやすくなる。   When the content of the photoacid generator (b) is less than 0.1 parts by weight, the sensitivity is lowered, and when it is used in an amount of more than 30 parts by weight, the amount of the photoacid generator that absorbs light increases, and the light is sufficient to reach the substrate. The resolution will be reduced.

また本発明のレジスト組成物には、上記の光酸発生剤(b)から生じた酸に対して塩基として作用できる有機塩基を添加してもよい。有機塩基は国際公開公報WO01/74916号パンフレットに記載のものと同様のものが好ましく例示でき、本発明でも有効に使用できる。   Moreover, you may add to the resist composition of this invention the organic base which can act as a base with respect to the acid produced from said photo-acid generator (b). The organic base is preferably exemplified by those similar to those described in the pamphlet of International Publication No. WO01 / 74916, and can be used effectively in the present invention.

具体的には、含窒素化合物から選ばれる有機アミン化合物であり、たとえばピリジン化合物類、ピリミジン化合物類、炭素数1〜4のヒドロキシアルキル基で置換されたアミン類、アミノフェノール類などがあげられ、特にヒドロキシル基含有アミン類が好ましい。   Specifically, it is an organic amine compound selected from nitrogen-containing compounds, such as pyridine compounds, pyrimidine compounds, amines substituted with a hydroxyalkyl group having 1 to 4 carbon atoms, aminophenols, and the like. Hydroxyl group-containing amines are particularly preferable.

具体例としては、ブチルアミン、ジブチルアミン、トリブチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリアミルアミン、ピリジンなどが好ましくあげられる。   Specific examples include butylamine, dibutylamine, tributylamine, triethylamine, tripropylamine, triamylamine, pyridine and the like.

本発明のフォトレジスト組成物における有機塩基の含有量は、光酸発生剤(b)の含有量に対して0.1〜100モル%が好ましく、さらに好ましくは、1〜50モル%である。0.1モル%より少ない場合は解像性が低くなり、100モル%よりも多い場合は低感度になる傾向にある。   The content of the organic base in the photoresist composition of the present invention is preferably from 0.1 to 100 mol%, more preferably from 1 to 50 mol%, based on the content of the photoacid generator (b). When the amount is less than 0.1 mol%, the resolution tends to be low, and when the amount is more than 100 mol%, the sensitivity tends to be low.

その他、本発明のレジスト組成物に、必要に応じて国際公開公報WO01/74916号パンフレットに記載の添加物、たとえば増感剤、染料、接着性改良剤、保水剤などこの分野で慣用されている各種の添加剤を含有させることもできる。   In addition, additives described in the pamphlet of International Publication No. WO01 / 74916, for example, sensitizers, dyes, adhesion improvers, water retention agents and the like are conventionally used in the resist composition of the present invention as necessary. Various additives can also be contained.

また、本発明のレジスト組成物において溶剤は、国際公開公報WO01/74916号パンフレットに記載の溶剤と同様のものが同様に好ましく例示でき、本発明でも有効に使用できる。   Further, in the resist composition of the present invention, the same solvents as those described in the pamphlet of International Publication No. WO01 / 74916 can be preferably exemplified, and can be used effectively in the present invention.

具体的には、セロソルブ系溶剤、エステル系溶剤、プロピレングリコール系溶剤、ケトン系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤、またはこれらの混合溶剤が好ましくあげられる。さらに酸解離性官能基含有ポリマー(a)の溶解性を高めるために、CH3CCl2F(HCFC−141b)などの含フッ素炭化水素系溶剤やフッ素アルコール類などのフッ素系溶剤を併用してもよい。 Specifically, cellosolve solvents, ester solvents, propylene glycol solvents, ketone solvents, aromatic hydrocarbon solvents, or a mixed solvent thereof are preferable. Further, in order to enhance the solubility of the acid dissociable functional group-containing polymer (a), a fluorine-containing hydrocarbon solvent such as CH 3 CCl 2 F (HCFC-141b) or a fluorine solvent such as fluorine alcohol is used in combination. Also good.

これらの溶剤の量は、溶解させる固形分の種類や塗布する基材、目標の膜厚、などによって選択されるが、塗布のし易さという観点から、レジスト組成物の全固形分濃度が0.5〜70重量%、好ましくは1〜50重量%となるように使用するのが好ましい。   The amount of these solvents is selected depending on the type of solid content to be dissolved, the base material to be applied, the target film thickness, and the like. From the viewpoint of ease of application, the total solid content concentration of the resist composition is 0. It is preferably used in an amount of 5 to 70% by weight, preferably 1 to 50% by weight.

次に、かくして製造された本発明のレジスト組成物を用いて行う本発明の微細パターン形成方法における、工程(II)〜工程(IV)について図面を参照して説明する。   Next, steps (II) to (IV) in the fine pattern forming method of the present invention performed using the resist composition of the present invention thus manufactured will be described with reference to the drawings.

図1は、本発明の微細パターン形成方法を示す概略断面図である。   FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing the fine pattern forming method of the present invention.

(II)レジスト被膜の形成工程
まず、図1(a)に示すように基板11にフッ素樹脂を用いた感光性組成物を回転塗布法などによって0.01〜5μm、好ましくは0.05〜0.5μm、より好ましくは0.1〜0.3μmの膜厚で塗布する。
(II) Step of forming resist film First, as shown in FIG. 1A, a photosensitive composition using a fluororesin is applied to the substrate 11 by 0.01 to 5 μm, preferably 0.05 to 0 by spin coating. The film is applied in a thickness of 0.5 μm, more preferably 0.1 to 0.3 μm.

次いで、150℃以下、好ましくは80〜130℃の所定の温度でプリベーク処理を行って、樹脂層(感光性組成物の層)、すなわちレジスト層12を形成する。   Next, a pre-bake treatment is performed at a predetermined temperature of 150 ° C. or lower, preferably 80 to 130 ° C., to form a resin layer (photosensitive composition layer), that is, a resist layer 12.

なお、ここで用いられる前記基板としては、たとえばシリコンウェハー、ガラス基板、有機系または無機系反射防止膜が設けられたシリコンウェハーやガラス基板、表面に各種の絶縁膜、電極および配線などが形成された段差を有するシリコンウェハー、マスクブランクス、GaAs、AlGaAsなどのIII−V族化合物半導体ウェハーやII−VI族化合物半導体ウェハー、水晶、石英またはリチウムタンタレイトなどの圧電体ウェハーなどがあげられるが、これらに限定されるものではない。   As the substrate used here, for example, a silicon wafer, a glass substrate, a silicon wafer or glass substrate provided with an organic or inorganic antireflection film, various insulating films, electrodes, wirings, etc. are formed on the surface. Silicon wafers with different steps, mask blanks, III-V group compound semiconductor wafers such as GaAs and AlGaAs, II-VI group compound semiconductor wafers, and piezoelectric wafers such as crystal, quartz or lithium tantalate, etc. It is not limited to.

本発明で用いるレジスト組成物を塗布した被膜は、真空紫外領域の透明性が高いものが好ましく、具体的には193nm波長の吸光係数が1.5μm-1以下のものであり、好ましくは1.0μm-1以下、特に好ましくは0.7μm-1以下、さらには0.5μm-1以下であることが好ましい。この被膜はArFレーザー(193nm)の光線を用いるリソグラフィープロセスに効果的に利用できる。 The film coated with the resist composition used in the present invention preferably has a high transparency in the vacuum ultraviolet region, and specifically has an absorption coefficient of 193 nm wavelength of 1.5 μm −1 or less. It is preferably 0 μm −1 or less, particularly preferably 0.7 μm −1 or less, and further preferably 0.5 μm −1 or less. This coating can be effectively used in a lithography process using ArF laser (193 nm) light.

(III)露光工程
次に、図1(b)に示すように、レジスト層12に所望のパターンを有するマスク13を介して、矢印15で示す如くたとえばArFエキシマレーザー光などのエネルギー線を照射することによって、特定の領域14を選択的に露光する事によってパターン描画を行なう。
(III) Exposure Step Next, as shown in FIG. 1B, the resist layer 12 is irradiated with energy rays such as ArF excimer laser light as shown by an arrow 15 through a mask 13 having a desired pattern. Thus, pattern drawing is performed by selectively exposing a specific area 14.

このとき、一般にエネルギー線(あるいは化学放射線)、すなわち、X線、高エネルギー電子線、シンクロトロン放射光、高圧水銀灯の特性線、ArFエキシマレーザー光以外のエキシマレーザー光などを露光光として用いたり、マスクを用いずに電子線、イオンビーム線などを走査して前記レジスト膜を直接パターン露光することも可能であるが、ArFレーザー光を露光光源として用いた場合に、本発明の効果がもっとも発揮される。   At this time, generally, energy rays (or chemical radiation), that is, X-rays, high-energy electron beams, synchrotron radiation, high-pressure mercury lamp characteristic lines, excimer laser light other than ArF excimer laser light, etc. are used as exposure light. Although it is possible to directly pattern-expose the resist film by scanning an electron beam, an ion beam line or the like without using a mask, the effect of the present invention is most exhibited when ArF laser light is used as an exposure light source. Is done.

続いて、70〜160℃、好ましくは90〜140℃で30秒間〜10分間程度の露光後ベーキングを行なうことによって、図1(c)に示したように、レジスト被膜の露光領域14に潜像16を形成させる。このとき、露光によって生じた酸が触媒として作用して溶解抑止基(保護基)が分解されるため、現像液溶解性が上昇しレジスト膜の露光部分が現像液に可溶化する。   Subsequently, by performing post-exposure baking at 70 to 160 ° C., preferably 90 to 140 ° C. for 30 seconds to 10 minutes, as shown in FIG. 1C, a latent image is formed in the exposed region 14 of the resist film. 16 is formed. At this time, the acid generated by the exposure acts as a catalyst and the dissolution inhibiting group (protecting group) is decomposed, so that the solubility of the developer is increased and the exposed portion of the resist film is solubilized in the developer.

(IV)現像工程
次いで露光後ベーキングを行ったレジスト膜12に対して現像液で現像処理を行なうと、レジスト膜12の未露光部分は現像液に対する溶解性が低いため基板上に残存するが、一方、上述したように露光部分14は現像液に溶解する。
(IV) Development Step Next, when the resist film 12 subjected to post-exposure baking is developed with a developer, the unexposed portion of the resist film 12 remains on the substrate because the solubility in the developer is low. On the other hand, as described above, the exposed portion 14 is dissolved in the developer.

現像液として2.38重量%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液が好ましく用いられる。またさらに、レジスト被膜との塗れ性を調整するため、2.38重量%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液中に界面活性剤やメタノール、エタノール、プロパノールまたはブタノールなどのアルコール類を添加したものを用いてもよい。   As the developer, a 2.38 wt% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution is preferably used. Furthermore, in order to adjust the paintability with the resist film, a 2.38 wt% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution to which a surfactant or an alcohol such as methanol, ethanol, propanol or butanol is added is used. Also good.

次いで、純水、低級アルコール、またはそれらの混合物などで前記現像液を洗い流したあと、基板を乾燥させることにより、図1(d)に示すような所望のレジストパターン17を形成することができる。   Next, after the developer is washed away with pure water, lower alcohol, or a mixture thereof, and the substrate is dried, a desired resist pattern 17 as shown in FIG. 1D can be formed.

また、ここで用いられるエネルギー線として、ArFレーザー光を用いた場合について記述したが、F2エキシマレーザー光(波長157nm)もまた本発明の微細パターン形成方法に用いるエネルギー線として好適である。 Moreover, although the case where ArF laser light was used as the energy beam used here was described, F 2 excimer laser beam (wavelength 157 nm) is also suitable as the energy beam used in the fine pattern forming method of the present invention.

また、KrFエキシマレーザー光もまた本発明の微細パターン形成方法に用いるエネルギー線として好適である。   Further, KrF excimer laser light is also suitable as an energy beam used in the fine pattern forming method of the present invention.

また、高エネルギー電子線もまた本発明の微細パターン形成方法に用いるエネルギー線として好適である。   Moreover, a high energy electron beam is also suitable as an energy beam used for the fine pattern forming method of the present invention.

また、高エネルギーイオンビームもまた本発明の微細パターン形成方法に用いるエネルギー線として好適である。   A high energy ion beam is also suitable as an energy beam used in the fine pattern forming method of the present invention.

また、シンクロトロン放射光などから発生するX線もまた本発明の微細パターン形成方法に用いるエネルギー線として好適である。   X-rays generated from synchrotron radiation or the like are also suitable as energy rays used in the fine pattern forming method of the present invention.

なお、以上の例では、基板11の上にレジスト膜を形成する場合について説明した。しかし、これはいわゆる基板の上にて限定されるものではなく、基板上の導電膜あるいは絶縁膜など所定の層の上に形成されてよい。また、かかる基板上にたとえばBrewer Science社製のDUV−30、DUV−32、DUV−42、DUV−44のごとき反射防止膜を施すことも可能であるし、基板を密着性向上剤によって処理し、感光性組成物と基板は半導体基板に限定されるものではなく、電子装置製造用のあらゆる基板を含むことは前述した。   In the above example, the case where the resist film is formed on the substrate 11 has been described. However, this is not limited to a so-called substrate, and may be formed on a predetermined layer such as a conductive film or an insulating film on the substrate. In addition, an antireflection film such as DUV-30, DUV-32, DUV-42, and DUV-44 manufactured by Brewer Science can be applied on such a substrate, and the substrate is treated with an adhesion improver. As described above, the photosensitive composition and the substrate are not limited to the semiconductor substrate but include any substrate for manufacturing an electronic device.

また、このように形成した微細レジストパターンをマスクとして、その下の所定の層をエッチングして導電膜あるいは絶縁膜の所望の微細パターンを形成し、さらに他の工程を重ねて半導体装置など電子装置を製造することができる。これらの工程はよく知られているところであるから、説明は省略する。   Further, by using the fine resist pattern formed in this way as a mask, a predetermined layer underneath is etched to form a desired fine pattern of a conductive film or an insulating film, and another process is repeated to form an electronic device such as a semiconductor device. Can be manufactured. Since these steps are well known, description thereof will be omitted.

つぎに本発明を合成例および実施例などに基づいて説明するが、本発明はこれらの例に限定されるものではない。   Next, the present invention will be described based on synthesis examples and examples, but the present invention is not limited to these examples.

合成例1(OH基含有ノルボルネン誘導体(NB−1)のホモポリマーの合成)
内容量100mlの三口フラスコに、窒素雰囲気下で、テトラヒドロフラン15ml、OH基含有ノルボルネン誘導体(NB−1):
Synthesis Example 1 (Synthesis of homopolymer of OH group-containing norbornene derivative (NB-1))
To a three-necked flask with an internal volume of 100 ml, under a nitrogen atmosphere, 15 ml of tetrahydrofuran, an OH group-containing norbornene derivative (NB-1):

Figure 2006085081
Figure 2006085081

2.3gを仕込んだ後、下記方法により調製したパラジウム触媒の溶液を2ml加えて、30℃で6時間重合した。その後、反応溶液をセライトでろ過した後、ろ液をエバポレーターで濃縮した。濃縮後、固形分を再びHCFC−141b10mlに溶かしヘキサンに再沈殿させ、重合体を分離した。恒量になるまで真空乾燥を行ない、重合体0.8gを得た。 After charging 2.3 g, 2 ml of a palladium catalyst solution prepared by the following method was added and polymerized at 30 ° C. for 6 hours. Thereafter, the reaction solution was filtered through celite, and then the filtrate was concentrated with an evaporator. After concentration, the solid content was dissolved again in 10 ml of HCFC-141b and reprecipitated in hexane to separate the polymer. Vacuum drying was performed until a constant weight was obtained, to obtain 0.8 g of a polymer.

GPC分析により得られた重合体の重量平均分子量は6500であった。   The weight average molecular weight of the polymer obtained by GPC analysis was 6500.

(触媒調製法)
π−アリルパラジウムクロライドダイマー27mgをテトラヒドロフラン1mlに溶かした溶液に、ヘキサフルオロアンチモン酸銀40mgをテトラヒドロフラン1mlに溶かした溶液を加え、室温で1時間攪拌した後に、生成した塩化銀をろ別し、パラジウム錯体触媒のテトラヒドロフラン溶液を得た。
(Catalyst preparation method)
To a solution of 27 mg of π-allyl palladium chloride dimer in 1 ml of tetrahydrofuran was added a solution of 40 mg of silver hexafluoroantimonate in 1 ml of tetrahydrofuran, and the mixture was stirred for 1 hour at room temperature. A tetrahydrofuran solution of the complex catalyst was obtained.

なお、物性の評価に使用した装置および測定条件は以下のとおりである。
(1)NMR:BRUKER社製
1H−NMR測定条件:300MHz(テトラメチルシラン=0ppm)
19F−NMR測定条件:282MHz(トリクロロフルオロメタン=0ppm)
(2)重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ(GPC)により、東ソー(株)製のGPC HLC−8020を用い、Shodex社製のカラム(GPC KF−801を1本、GPC KF−802を1本、GPC KF−806Mを2本直列に接続)を使用し、溶媒としてテトラヒドロフラン(THF)を流速1ml/分で流して測定したデータより算出する。
In addition, the apparatus and measurement conditions used for physical property evaluation are as follows.
(1) NMR: manufactured by BRUKER
1 H-NMR measurement conditions: 300 MHz (tetramethylsilane = 0 ppm)
19 F-NMR measurement conditions: 282 MHz (trichlorofluoromethane = 0 ppm)
(2) The weight average molecular weight was determined by gel permeation chromatography (GPC) using GPC HLC-8020 manufactured by Tosoh Corporation, one column manufactured by Shodex (one GPC KF-801 and one GPC KF-802). And two GPC KF-806Ms connected in series) and tetrahydrofuran (THF) as a solvent was flowed at a flow rate of 1 ml / min.

合成例2(OH基含有ノルボルネン誘導体(NB−2)のホモポリマーの合成)
合成例1においてOH基含有含フッ素ノルボルネン誘導体(NB−1)の代わりにOH基含有含フッ素ノルボルネン誘導体(NB−2):
Synthesis Example 2 (Synthesis of homopolymer of OH group-containing norbornene derivative (NB-2))
Instead of the OH group-containing fluorine-containing norbornene derivative (NB-1) in Synthesis Example 1, the OH group-containing fluorine-containing norbornene derivative (NB-2):

Figure 2006085081
Figure 2006085081

の2.2gを用いた以外は合成例1と同様の操作を行ない、共重合体0.9gを得た。 The same operation as in Synthesis Example 1 was performed except that 2.2 g of was used, and 0.9 g of a copolymer was obtained.

GPC分析よりこの共重合体の重量平均分子量は7000であった。
合成例3(TFEとOH基含有ノルボルネン誘導体(NB−1)との共重合体の合成)
バルブ、圧力ゲージ、攪拌器および温度計を備えた3リットルのオートクレーブを窒素で数回置換した後に真空にして、OH基含有含フッ素ノルボルネン誘導体(NB−1)の266gとHCFC−141bの1500gを仕込んだ。ついでバルブよりテトラフルオロエチレン(TFE)ガス350gを仕込み、ヘプタフルオロブタノイルパーオキサイド:(CF3CF2CF2COO)2の10.0重量%パーフルオロヘキサン溶液96gを仕込み、攪拌しながら反応を開始し、内温を35℃に保った。
The weight average molecular weight of this copolymer was 7000 from GPC analysis.
Synthesis Example 3 (Synthesis of copolymer of TFE and OH group-containing norbornene derivative (NB-1))
A 3-liter autoclave equipped with a valve, pressure gauge, stirrer and thermometer was replaced with nitrogen several times and then evacuated to obtain 266 g of OH group-containing fluorine-containing norbornene derivative (NB-1) and 1500 g of HCFC-141b. Prepared. Next, 350 g of tetrafluoroethylene (TFE) gas was charged from a valve, and 96 g of a 10.0 wt% perfluorohexane solution of heptafluorobutanoyl peroxide: (CF 3 CF 2 CF 2 COO) 2 was charged and reacted while stirring. The internal temperature was kept at 35 ° C.

反応の進行と共に内圧が低下し、反応前の0.9MPaG(9.2kgf/cm2G)から0.85MPaG(8.7kgf/cm2G)に低下する毎にTFEを追加し0.9MPaG(9.2kgf/cm2G)に昇圧し、反応による降圧、TFE追加による昇圧を繰り返し、重合反応を30時間行なった。 As the reaction progresses, the internal pressure decreases and TFE is added to 0.9 MPaG (0.9 MPaG (9.2 kgf / cm 2 G) from 0.9 MPaG (9.2 kgf / cm 2 G) before the reaction. The pressure was raised to 9.2 kgf / cm 2 G), the pressure was lowered by the reaction, and the pressure was raised by adding TFE, and the polymerization reaction was carried out for 30 hours.

重合中、開始より6時間間隔でヘプタフルオロブタノイルパーオキサイド:(CF3CF2CF2COO)2の10.0重量%パーフルオロヘキサン溶液48gを計5回添加した。 During the polymerization, 48 g of a 10.0 wt% perfluorohexane solution of heptafluorobutanoyl peroxide: (CF 3 CF 2 CF 2 COO) 2 was added 5 times in total at an interval of 6 hours from the start.

反応終了後、未反応モノマーを放出したのち、重合溶液を取り出し、濃縮後ヘキサンで再沈殿させ、共重合体を分離した。恒量になるまで真空乾燥を行ない、共重合体150gを得た。   After the completion of the reaction, unreacted monomers were released, the polymerization solution was taken out, concentrated and then reprecipitated with hexane to separate the copolymer. Vacuum drying was performed until a constant weight was obtained, to obtain 150 g of a copolymer.

この共重合体の組成比は、1H−NMRおよび19F−NMR分析の結果より、TFE/前記OH基含有ノルボルネン誘導体(NB−1)が50/50モル%の共重合体であった。 From the results of 1 H-NMR and 19 F-NMR analysis, the composition ratio of this copolymer was a copolymer of 50/50 mol% of TFE / the OH group-containing norbornene derivative (NB-1).

GPC分析により重量平均分子量は4500であった。
合成例4(TFEとOH基含有ノルボルネン誘導体(NB−2)との共重合体の合成)
合成例3においてOH基含有含フッ素ノルボルネン誘導体(NB−1)の代わりにOH基含有含フッ素ノルボルネン誘導体(NB−2)の262gを用いた以外は合成例3と同様の操作を行ない、共重合体140gを得た。
The weight average molecular weight was 4500 by GPC analysis.
Synthesis Example 4 (Synthesis of copolymer of TFE and OH group-containing norbornene derivative (NB-2))
The same operation as in Synthesis Example 3 was performed except that 262 g of the OH group-containing fluorine-containing norbornene derivative (NB-2) was used in place of the OH group-containing fluorine-containing norbornene derivative (NB-1) in Synthesis Example 3, 140 g of coalescence was obtained.

この共重合体の組成比は、1H−NMRおよび19F−NMR分析の結果より、TFE/前記OH基含有ノルボルネン誘導体(NB−2)が50/50モル%の共重合体であった。 From the results of 1 H-NMR and 19 F-NMR analysis, the composition ratio of this copolymer was a copolymer of 50/50 mol% of TFE / the OH group-containing norbornene derivative (NB-2).

GPC分析により重量平均分子量は5000であった。   The weight average molecular weight was 5000 by GPC analysis.

実施例1〜5(現像液に対する溶解性の測定)
合成例1、3、4で得られた含フッ素重合体を表1に示した比率で配合した含フッ素重合体混合物を用いて、以下のようにして水晶振動子法(QCM法)により現像液溶解速度を測定した。
Examples 1 to 5 (Measurement of solubility in developer)
Using the fluoropolymer mixture in which the fluoropolymers obtained in Synthesis Examples 1, 3, and 4 were blended in the ratios shown in Table 1, the developer was developed by the quartz oscillator method (QCM method) as follows. The dissolution rate was measured.

(1)試料の作製:金で被覆された直径24mmの水晶振動子板に、上記含フッ素重合体混合物をPGMEAに溶解させた溶液(重合体濃度:1〜10重量%)を塗布し110℃で90秒間乾燥後、100nmの被膜を作製した。 (1) Preparation of sample: A solution (polymer concentration: 1 to 10% by weight) obtained by dissolving the above fluoropolymer mixture in PGMEA was applied to a quartz resonator plate with a diameter of 24 mm covered with gold at 110 ° C. After drying for 90 seconds, a 100 nm film was prepared.

(2)溶解速度の測定:膜厚は水晶振動子板の振動数から換算して算出し測定する。 (2) Measurement of dissolution rate: The film thickness is calculated from the vibration frequency of the crystal plate and measured.

上記、含フッ素重合体を塗布した水晶振動子板を標準現像液である2.38重量%濃度および0.595重量%濃度のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)水溶液に浸し、浸漬させた時点から時間に対する被膜の膜厚変化を、振動数の変化により測定し、単位時間あたりの溶解速度(nm/sec)を算出した(参考文献:Advances in Resist Technology and Proceedings of SPIE Vol. 4690, 904(2002))。結果を表1に示す。   From the time when the quartz vibrator plate coated with the above-mentioned fluoropolymer was immersed in tetramethylammonium hydroxide (TMAH) aqueous solution of 2.38% by weight and 0.595% by weight which is a standard developer. The film thickness change with time was measured by the change in vibration frequency, and the dissolution rate per unit time (nm / sec) was calculated (reference: Advances in Resist Technology and Proceedings of SPIE Vol. 4690, 904 (2002). )). The results are shown in Table 1.

比較例1〜2(現像液に対する溶解性の測定)
実施例1と同様にして合成例2、3、4で得られた含フッ素重合体を表1に示した比率で配合した含フッ素重合体混合物の現像液溶解速度を測定した。結果を表1に示す。
Comparative Examples 1 and 2 (Measurement of solubility in developer)
In the same manner as in Example 1, the developer dissolution rate of the fluoropolymer mixture obtained by blending the fluoropolymers obtained in Synthesis Examples 2, 3, and 4 at the ratio shown in Table 1 was measured. The results are shown in Table 1.

参考例1〜4(現像液に対する溶解性の測定)
実施例1と同様にして合成例1〜4で得られた含フッ素重合体の現像液溶解速度を測定した。結果を表1に示す。
Reference Examples 1 to 4 (Measurement of solubility in developer)
The developer dissolution rate of the fluoropolymers obtained in Synthesis Examples 1 to 4 was measured in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.

Figure 2006085081
Figure 2006085081

本発明の微細パターン形成方法を工程に沿って示す断面図である。It is sectional drawing which shows the fine pattern formation method of this invention along a process.

符号の説明Explanation of symbols

11 基板
12 レジスト層
13 マスク
14 露光領域
15 露光光
16 潜像
17 レジストパターン
DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Substrate 12 Resist layer 13 Mask 14 Exposure area 15 Exposure light 16 Latent image 17 Resist pattern

Claims (10)

(I)(a)酸解離性官能基含有ポリマー、
(b)光酸発生剤および
(c)溶解抑止剤
からなるレジスト組成物を製造する工程;
(II)基板あるいは基板上の所定の層の上に前記レジスト組成物からなるレジスト被膜を形成する工程;
(III)前記レジスト被膜の所定の領域に選択的にエネルギー線を照射して露光する工程;および
(IV)前記露光後のレジスト被膜を現像処理して、前記レジスト被膜の露光部分を選択的に除去して微細パターンを形成する工程
からなる微細パターン形成方法であって、前記溶解抑止剤(c)として、式(M−1): −(M1)−(M2)−(N1)− (M−1)
[式中、
M1はノルボルネン誘導体由来の構造単位であって、M1中に式(1):
Figure 2006085081
(式中、Rf1およびRf2は同じかまたは異なり、エーテル結合を含んでいてもよい炭素数1〜10の含フッ素アルキル基;XはFまたはCF3;Y1はOH基および/または酸で解離してOH基に変化する酸解離性官能基)で表される部位を有する含フッ素ノルボルネン誘導体から選ばれる少なくとも1種の単量体(m1)由来の構造単位;
M2は−COOH基および/または酸で解離して−COOH基に変化する酸解離性官能基Y2を有する含フッ素ノルボルネン誘導体から選ばれる少なくとも1種の単量体(m2)由来の構造単位;
N1は前記単量体(m1)および/または単量体(m2)と共重合可能な単量体(n1)由来の構造単位]
で表されるポリマーであって、構造単位M1が55〜100モル%、構造単位M2が0〜45モル%、構造単位N1が0〜20モル%であって、M1+M2が80〜100モル%であり、かつM1/M2のモル比が55/45〜100/0であるポリマー(A)を用いることを特徴とする微細パターン形成方法。
(I) (a) an acid-dissociable functional group-containing polymer,
A step of producing a resist composition comprising (b) a photoacid generator and (c) a dissolution inhibitor;
(II) a step of forming a resist film made of the resist composition on the substrate or a predetermined layer on the substrate;
(III) a step of selectively irradiating a predetermined region of the resist film with an energy ray for exposure; and (IV) developing the resist film after the exposure to selectively expose an exposed portion of the resist film. A fine pattern forming method comprising a step of removing and forming a fine pattern, wherein the dissolution inhibitor (c) is represented by the formula (M-1):-(M1)-(M2)-(N1)-(M -1)
[Where:
M1 is a structural unit derived from a norbornene derivative, and in M1, formula (1):
Figure 2006085081
(Wherein Rf 1 and Rf 2 are the same or different and may contain an ether bond, a C 1-10 fluorine-containing alkyl group; X is F or CF 3 ; Y 1 is an OH group and / or an acid; A structural unit derived from at least one monomer (m1) selected from fluorine-containing norbornene derivatives having a site represented by an acid-dissociable functional group that dissociates and changes to an OH group;
M2 is a structural unit derived from at least one monomer (m2) selected from a fluorine-containing norbornene derivative having an acid-dissociable functional group Y 2 that is dissociated by a —COOH group and / or an acid to change to a —COOH group;
N1 is a structural unit derived from the monomer (n1) copolymerizable with the monomer (m1) and / or the monomer (m2).
The structural unit M1 is 55 to 100 mol%, the structural unit M2 is 0 to 45 mol%, the structural unit N1 is 0 to 20 mol%, and M1 + M2 is 80 to 100 mol% And a polymer (A) having a molar ratio of M1 / M2 of 55/45 to 100/0 is used.
前記酸解離性官能基含有ポリマー(a)が、脂環式炭化水素構造を有するポリマーであって、193nm波長の光の吸光係数が1.5μm-1以下である請求項1記載の微細パタンーン形成方法。 The fine pattern formation according to claim 1, wherein the acid-dissociable functional group-containing polymer (a) is a polymer having an alicyclic hydrocarbon structure, and has an absorption coefficient of light of 193 nm wavelength of 1.5 µm -1 or less. Method. 前記溶解抑止剤(c)において、構造単位M1が、式(2):
Figure 2006085081
(式中、X1およびX2は同じかまたは異なり、H、FまたはCF3;XおよびY1は式(1)と同じ)で表されるノルボルネン誘導体由来の構造単位から選ばれる少なくとも1種の構造単位である請求項1または2記載の微細パターン形成方法。
In the dissolution inhibitor (c), the structural unit M1 is represented by the formula (2):
Figure 2006085081
(Wherein X 1 and X 2 are the same or different and H, F or CF 3 ; X and Y 1 are the same as those in formula (1)), and at least one selected from structural units derived from norbornene derivatives The fine pattern forming method according to claim 1, wherein the structural unit is a structural unit of
前記溶解抑止剤(c)において、構造単位M2が、式(3):
Figure 2006085081
(式中、X3、X4およびX5は同じかまたは異なり、H、FまたはCF3;R1は炭素数1〜20の2価の有機基;n1は0または1;Y2は式(M−1)と同じ)で表されるノルボルネン誘導体由来の構造単位から選ばれる少なくとも1種の構造単位である請求項1〜3のいずれかに記載の微細パターン形成方法。
In the dissolution inhibitor (c), the structural unit M2 is represented by the formula (3):
Figure 2006085081
Wherein X 3 , X 4 and X 5 are the same or different, H, F or CF 3 ; R 1 is a divalent organic group having 1 to 20 carbon atoms; n1 is 0 or 1; Y 2 is a formula The fine pattern forming method according to any one of claims 1 to 3, which is at least one structural unit selected from structural units derived from norbornene derivatives represented by (M-1).
前記レジスト組成物において、酸解離性官能基含有ポリマー(a)と溶解抑止剤(c)の合計重量を100としたとき、ポリマー(a)と溶解抑止剤(c)の存在比率(a)/(c)が30/70〜99/1重量比である請求項1〜4のいずれかに記載の微細パターン形成方法。 In the resist composition, when the total weight of the acid dissociable functional group-containing polymer (a) and the dissolution inhibitor (c) is 100, the abundance ratio of the polymer (a) and the dissolution inhibitor (c) (a) / (C) is 30 / 70-99 / 1 weight ratio, The fine pattern formation method in any one of Claims 1-4. (a)酸解離性官能基含有ポリマー、
(b)光酸発生剤および
(c)溶解抑止剤
からなり、該溶解抑止剤(c)が、式(M−1):
−(M1)−(M2)−(N1)− (M−1)
[式中、
M1はノルボルネン誘導体由来の構造単位であって、M1中に式(1):
Figure 2006085081
(式中、Rf1およびRf2は同じかまたは異なり、エーテル結合を含んでいてもよい炭素数1〜10の含フッ素アルキル基;XはFまたはCF3;Y1はOH基および/または酸で解離してOH基に変化する酸解離性官能基)で表される部位を有する含フッ素ノルボルネン誘導体から選ばれる少なくとも1種の単量体(m1)由来の構造単位;
M2は−COOH基および/または酸で解離して−COOH基に変化する酸解離性官能基Y2を有する含フッ素ノルボルネン誘導体から選ばれる少なくとも1種の単量体(m2)由来の構造単位;
N1は前記単量体(m1)および/または単量体(m2)と共重合可能な単量体(n1)由来の構造単位]
で表されるポリマーであって、構造単位M1が55〜100モル%、構造単位M2が0〜45モル%、構造単位N1が0〜20モル%であって、M1+M2が80〜100モル%であり、かつM1/M2のモル比が55/45〜100/0であるポリマーである微細パターン形成用レジスト組成物。
(A) an acid-dissociable functional group-containing polymer,
(B) a photoacid generator and (c) a dissolution inhibitor, wherein the dissolution inhibitor (c) is represented by the formula (M-1):
-(M1)-(M2)-(N1)-(M-1)
[Where:
M1 is a structural unit derived from a norbornene derivative, and in M1, formula (1):
Figure 2006085081
(Wherein Rf 1 and Rf 2 are the same or different and may contain an ether bond, a C 1-10 fluorine-containing alkyl group; X is F or CF 3 ; Y 1 is an OH group and / or an acid; A structural unit derived from at least one monomer (m1) selected from fluorine-containing norbornene derivatives having a site represented by an acid-dissociable functional group that dissociates and changes to an OH group;
M2 is a structural unit derived from at least one monomer (m2) selected from a fluorine-containing norbornene derivative having an acid-dissociable functional group Y 2 that is dissociated by a —COOH group and / or an acid to change to a —COOH group;
N1 is a structural unit derived from the monomer (n1) copolymerizable with the monomer (m1) and / or the monomer (m2).
The structural unit M1 is 55 to 100 mol%, the structural unit M2 is 0 to 45 mol%, the structural unit N1 is 0 to 20 mol%, and M1 + M2 is 80 to 100 mol% A resist composition for forming a fine pattern, which is a polymer having a M1 / M2 molar ratio of 55/45 to 100/0.
前記酸解離性官能基含有ポリマー(a)が、脂環式炭化水素構造を有するポリマーであって、193nm波長の光の吸光係数が1.5μm-1以下である請求項6記載のレジスト組成物。 The resist composition according to claim 6, wherein the acid-dissociable functional group-containing polymer (a) is a polymer having an alicyclic hydrocarbon structure, and an absorption coefficient of light having a wavelength of 193 nm is 1.5 μm −1 or less. . 前記溶解抑止剤(c)において、構造単位M1が、式(2):
Figure 2006085081
(式中、X1およびX2は同じかまたは異なり、H、FまたはCF3;XおよびY1は式(1)と同じ)で表されるノルボルネン誘導体由来の構造単位から選ばれる少なくとも1種の構造単位である請求項6または7記載のレジスト組成物。
In the dissolution inhibitor (c), the structural unit M1 is represented by the formula (2):
Figure 2006085081
(Wherein X 1 and X 2 are the same or different and H, F or CF 3 ; X and Y 1 are the same as those in formula (1)), and at least one selected from structural units derived from norbornene derivatives The resist composition according to claim 6, which is a structural unit of
前記溶解抑止剤(c)において、構造単位M2が、式(3):
Figure 2006085081
(式中、X3、X4およびX5は同じかまたは異なり、H、FまたはCF3;R1は炭素数1〜20の2価の有機基;n1は0または1;Y2は式(M−1)と同じ)で表されるノルボルネン誘導体由来の構造単位から選ばれる少なくとも1種の構造単位である請求項6〜8のいずれかに記載のレジスト組成物。
In the dissolution inhibitor (c), the structural unit M2 is represented by the formula (3):
Figure 2006085081
Wherein X 3 , X 4 and X 5 are the same or different, H, F or CF 3 ; R 1 is a divalent organic group having 1 to 20 carbon atoms; n1 is 0 or 1; Y 2 is a formula The resist composition according to claim 6, which is at least one structural unit selected from structural units derived from norbornene derivatives represented by (M-1).
前記酸解離性官能基含有ポリマー(a)と溶解抑止剤(c)の合計重量を100としたとき、ポリマー(a)と溶解抑止剤(c)の存在比率(a)/(c)が30/70〜99/1重量比である請求項6〜9のいずれかに記載のレジスト組成物。 When the total weight of the acid dissociable functional group-containing polymer (a) and the dissolution inhibitor (c) is 100, the abundance ratio (a) / (c) of the polymer (a) and the dissolution inhibitor (c) is 30. The resist composition according to claim 6, which has a weight ratio of / 70 to 99/1.
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