JP2006048765A - Magnetic disk and magnetic disk device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、磁気ディスク及び磁気ディスク装置に関する。 The present invention relates to a magnetic disk and a magnetic disk device.
近年、携帯電子機器は、益々、小型化及び高機能化している。そのため、携帯電子機器に搭載される記憶装置には小型化及び大容量化が要求されており、そのような記憶装置の1つとして磁気ディスク装置が検討されている。 In recent years, portable electronic devices have been increasingly reduced in size and functionality. For this reason, a storage device mounted on a portable electronic device is required to be reduced in size and capacity, and a magnetic disk device has been studied as one of such storage devices.
小型の磁気ディスク装置では、例えば1.8インチ以下の直径の小さな磁気ディスクが使用される。 In a small magnetic disk device, for example, a small magnetic disk having a diameter of 1.8 inches or less is used.
しかし、小型の磁気ディスクでは単位記録容量あたりの消費電力が2.5インチより小さいと上昇することが知られている。そのため、単位容量あたりの発熱量が大きくなり、記録の熱揺らぎや、ヘッドクラッシュ等が起こりやすくなる。これは使用環境が高温になるほど加速する。しかし小型の磁気ディスク装置は車載用やモバイル用に用いられることから使用環境温度は高いことが多い。このため、小型の磁気ディスク装置内の放熱性はより良好にすることが望ましい。 However, it is known that the power consumption per unit recording capacity of a small magnetic disk increases when it is smaller than 2.5 inches. As a result, the amount of heat generated per unit capacity increases, and thermal fluctuations in recording, head crashes, and the like are likely to occur. This accelerates as the use environment gets hotter. However, since a small magnetic disk device is used for in-vehicle use or mobile use, the use environment temperature is often high. For this reason, it is desirable to improve the heat dissipation in the small magnetic disk device.
従来の通常の大きさの磁気ディスク装置では、例えば装置内でディスクを部分的に取り囲む中空壁に溝を設けて気流の流路を形成した装置がある(例えば、特許文献1参照)。
本発明の目的は、使用環境が高温においても放熱性に優れ、記録の熱揺らぎや、ヘッドクラッシュ等が起こりにくい、小型の磁気ディスクや磁気ディスクを提供することにある。 An object of the present invention is to provide a small magnetic disk and a magnetic disk that are excellent in heat dissipation even in a high usage environment, and are less susceptible to thermal fluctuations of recording and head crashes.
本発明は、第1に、ディスクの直径が1.8インチ以下の磁気ディスクであって、
基板と、
前記基板上に配置され且つ磁気記録層を含んだ堆積層と、
前記堆積層を被覆した潤滑層とを具備し、
前記堆積層の前記潤滑層で被覆された表面には、前記各記録トラックの両側に気流を通す同心円もしくは螺旋状の第1溝部を有することを特徴とする磁気ディスクを提供する。
The present invention, first, is a magnetic disk having a disk diameter of 1.8 inches or less,
A substrate,
A deposited layer disposed on the substrate and including a magnetic recording layer;
Comprising a lubricating layer covering the deposited layer,
There is provided a magnetic disk characterized in that the surface of the deposited layer covered with the lubricating layer has concentric or spiral first grooves that allow airflow to pass on both sides of each recording track.
本発明は、第2に、基板、前記基板上に配置され且つ磁気記録層を含んだ堆積層、及び前記堆積層を被覆した潤滑層とを含み、前記堆積層の前記潤滑層で被覆された表面には、前記各記録トラックの両側に気流を通す同心円もしくは螺旋状の第1溝部を有する磁気ディスクと、
前記潤滑層と向き合うように配置される磁気ヘッドと、
前記磁気ディスクを前記磁気ヘッドに対して前記記録トラックに沿った方向に回転させる駆動機構とを具備したことを特徴とする磁気ディスク装置を提供する。
Secondly, the present invention includes a substrate, a deposited layer disposed on the substrate and including a magnetic recording layer, and a lubricating layer covering the deposited layer, and is covered with the lubricating layer of the deposited layer On the surface, a magnetic disk having concentric or spiral first grooves that allow airflow to pass on both sides of each recording track;
A magnetic head arranged to face the lubricating layer;
There is provided a magnetic disk device comprising a drive mechanism for rotating the magnetic disk in a direction along the recording track with respect to the magnetic head.
本発明は使用環境が高温においても放熱性に優れ、記録の熱揺らぎや、ヘッドクラッシュ等が起こりにくい、小型の磁気ディスクや磁気ディスクを提供する The present invention provides a small magnetic disk and a magnetic disk that are excellent in heat dissipation even in a high temperature environment and are less susceptible to thermal fluctuations of recording and head crashes.
以下、本発明の態様について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同様又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In addition, in each figure, the same referential mark is attached | subjected to the component which exhibits the same or similar function, and the overlapping description is abbreviate | omitted.
図1は、本発明の第1態様に係る磁気ディスクを概略的に示す平面図である。図2は、図1の磁気ディスクの一部を拡大して示す平面図である。図3は、図2の磁気ディスクのIII−III線に沿った断面図である。なお、図中、両矢印D1はトラック方向である第1方向を示しており、両矢印D2は第1方向D1と交差する第2方向(ここでは、第1方向D1に垂直な方向、すなわち半径方向)を示している。 FIG. 1 is a plan view schematically showing a magnetic disk according to the first embodiment of the present invention. FIG. 2 is an enlarged plan view showing a part of the magnetic disk of FIG. FIG. 3 is a sectional view taken along line III-III of the magnetic disk of FIG. In the figure, a double-headed arrow D1 indicates a first direction that is a track direction, and a double-headed arrow D2 is a second direction that intersects the first direction D1 (here, a direction perpendicular to the first direction D1, that is, a radius Direction).
この磁気ディスク10は、図3に示すように、基板1を含んでいる。基板1上には、堆積層2が形成されている。堆積層2は、潤滑剤からなる潤滑層3で被覆されている。
The
堆積層2は、磁気記録層22を含んでいる。ここでは一例として、堆積層2として、下地層21と磁気記録層22と保護層23との積層体を形成している。
The deposited
この磁気ディスク10は、図1及び図2に示すように、基板1の一主面上にデータ領域Adとサーボ領域Asとを設けた構造を有している。
As shown in FIGS. 1 and 2, the
堆積層2のデータ領域Adに対応した部分は、図2及び図3に示すように、複数の記録トラックTRと複数の第1溝部G1とを含んでいる。なお、図1では、第1溝部G1のうち、最内周及び最外周に位置したもののみを描いており、それら第1溝部G1間に位置したものは省略している。記録トラックTR及び第1溝部G1は、螺旋状又は同心円状に形成されている。また、記録トラックTRと第1溝部G1とは、1つの第1溝部G1と1つ又は複数の記録トラックTRとが第2方向D2に交互に配列するように形成されている。
As shown in FIGS. 2 and 3, the portion corresponding to the data area Ad of the deposited
図2及び図3では、一例として、記録トラックTRと第1溝部G1とは、1つの第1溝部G1と1つの記録トラックTRとが第2方向D2に交互に配列するように形成している。また、ここでは、一例として、磁気記録層22をパターニングすることにより、溝間隔Cで配列され、開口幅Bをもつ溝を有する第1溝部G1を形成している。さらに、ここでは、一例として、最内周及び最外周の第1溝部G1以外の第1溝部G1は、データ領域Adにのみ形成し、サーボ領域Asには形成していない。 2 and 3, as an example, the recording track TR and the first groove portion G1 are formed so that one first groove portion G1 and one recording track TR are alternately arranged in the second direction D2. . Here, as an example, the magnetic recording layer 22 is patterned to form the first groove part G1 having grooves having an opening width B and arranged at the groove interval C. Furthermore, here, as an example, the first groove part G1 other than the innermost and outermost first groove part G1 is formed only in the data area Ad and not in the servo area As.
サーボ領域Asは、データ領域Adに対し、第1方向D1に隣接している。サーボ領域Asは、例えば、AGC(Automatic Gain Control)部P1、アドレス部P2、パッド部P3、バースト部P4、及びパッド部P5を含んでいる。なお、図2に示す例では、情報の書き込み時及び読み出し時において、磁気ディスク10は磁気ヘッド(図示せず)に対して左方向に相対移動させる。したがって、AGC部P1、アドレス部P2、パッド部P3、バースト部P4、及びパッド部P5は、図中、左側から右側へ向けて順次配列している。
The servo area As is adjacent to the data area Ad in the first direction D1. The servo area As includes, for example, an AGC (Automatic Gain Control) part P1, an address part P2, a pad part P3, a burst part P4, and a pad part P5. In the example shown in FIG. 2, the
AGC部P1は、アドレス部P2やバースト部P4や記録トラックTRなどからの信号を適正な大きさに増幅するための基準として利用可能な信号,例えばHighレベルの信号,を出力する。AGC部P1は、第2方向D2に連続しており、磁気ヘッドを第2方向D2に移動させた場合でも一定強度の信号を出力するように構成されている。AGC部P1は必ずしも設ける必要はないが、AGC部P1を設けると、アドレス部P2やバースト部P4や記録トラックTRなどからの信号を増幅するに際し、AGC部P1からの信号強度に応じて、磁気ディスク装置の利得を変化させることができる。したがって、情報の書き込み及び読み出しをより高い精度で実施可能となる。 The AGC part P1 outputs a signal that can be used as a reference for amplifying signals from the address part P2, the burst part P4, the recording track TR, etc. to an appropriate magnitude, for example, a high level signal. The AGC unit P1 is continuous in the second direction D2, and is configured to output a signal having a constant intensity even when the magnetic head is moved in the second direction D2. The AGC unit P1 is not necessarily provided. However, when the AGC unit P1 is provided, when the signals from the address unit P2, the burst unit P4, the recording track TR, and the like are amplified, the magnetic field depends on the signal strength from the AGC unit P1. The gain of the disk device can be changed. Therefore, writing and reading of information can be performed with higher accuracy.
アドレス部P2は、各記録トラックTRに対応したアドレス情報を保持している。アドレス部P2の各記録トラックTRに対応したそれぞれの部分は、例えば、Highレベルの信号を出力する第1信号レベル部PHとLowレベルの信号を出力する第2信号レベル部PLとを第1方向D1に沿って配列した構造を有しており、それら第1信号レベル部PHと第2信号レベル部PLとの配列パターンはアドレス情報に対応して定められている。また、アドレス部P2において第2方向D2に隣り合う第1信号レベル部PHと第2信号レベル部PLとは、隣接した記録トラックTR間を通り且つ第1方向D1に沿った線を境界としている。 The address part P2 holds address information corresponding to each recording track TR. Each portion corresponding to each recording track TR of the address portion P2 includes, for example, a first signal level portion PH that outputs a high level signal and a second signal level portion PL that outputs a low level signal in a first direction. It has a structure arranged along D1, and the arrangement pattern of the first signal level part PH and the second signal level part PL is determined corresponding to the address information. Further, in the address part P2, the first signal level part PH and the second signal level part PL adjacent in the second direction D2 have a boundary between the adjacent recording tracks TR and along the first direction D1. .
パッド部P3は必ずしも設ける必要はないが、パッド部P3を設けた場合、アドレス部P2からの信号とバースト部P4からの信号とを分離するうえで有利である。同様に、パッド部P5は必ずしも設ける必要はないが、パッド部P5を設けた場合、バースト部P4からの信号と記録トラックTRからの信号とを分離するうえで有利である。 The pad portion P3 is not necessarily provided, but the provision of the pad portion P3 is advantageous in separating the signal from the address portion P2 and the signal from the burst portion P4. Similarly, the pad portion P5 is not necessarily provided. However, when the pad portion P5 is provided, it is advantageous in separating the signal from the burst portion P4 and the signal from the recording track TR.
バースト部P4は、磁気ヘッドと選択した記録トラックTRとの第2方向D2に関する相対位置の情報を与える。バースト部P4は、例えば、第1方向D1に配列した第1乃至第4領域P41乃至P44を含んでいる。また、第1乃至第4領域P41乃至P44のそれぞれにおいては、例えば、Highレベルの信号を出力する第1信号レベル部PHとLowレベルの信号を出力する第2信号レベル部PLとが第2方向D2に配列している。 The burst part P4 gives information on the relative position between the magnetic head and the selected recording track TR in the second direction D2. The burst part P4 includes, for example, first to fourth regions P41 to P44 arranged in the first direction D1. In each of the first to fourth regions P41 to P44, for example, the first signal level unit PH that outputs a high level signal and the second signal level unit PL that outputs a low level signal are in the second direction. Arranged at D2.
第1信号レベル部PHには、例えば、記録トラックTRと同様の層構造を採用することができる。第2信号レベル部PLには、例えば、記録トラックTRと同様の層構造を採用してもよく、或いは、第1溝部G1と同様の層構造を採用してもよい。或いは、第2信号レベル部PLの一部に記録トラックTRと同様の層構造を採用し、第2信号レベル部PLの他の一部に第1溝部G1と同様の層構造を採用してもよい。 For example, a layer structure similar to that of the recording track TR can be employed for the first signal level portion PH. For example, the second signal level portion PL may have the same layer structure as that of the recording track TR, or may have the same layer structure as that of the first groove portion G1. Alternatively, the same layer structure as that of the recording track TR may be adopted for a part of the second signal level part PL, and the same layer structure as that of the first groove part G1 may be adopted for another part of the second signal level part PL. Good.
第1信号レベル部PH及び第2信号レベル部PLに記録トラックTRと同様の層構造を採用する場合、例えば、第1信号レベル部PHと第2信号レベル部PLとで磁気記録層22の磁化の向きを異ならしめることにより、それらの信号レベルを異ならしめることができる。また、第1信号レベル部PHに記録トラックTRと同様の層構造を採用し且つ第2信号レベル部PLに第1溝部G1と同様の層構造を採用する場合、磁気記録層22の成膜後にサーボ領域Asに各種情報を記録する必要がない。 When the same layer structure as that of the recording track TR is adopted for the first signal level portion PH and the second signal level portion PL, for example, the magnetization of the magnetic recording layer 22 by the first signal level portion PH and the second signal level portion PL. These signal levels can be made different by differentiating the directions. Further, when the same layer structure as that of the recording track TR is adopted for the first signal level portion PH and the same layer structure as that of the first groove portion G1 is adopted for the second signal level portion PL, after the magnetic recording layer 22 is formed. There is no need to record various information in the servo area As.
本発明の磁気ディスクは、ディスクの直径が1.8インチ以下である。一方、磁気ディスクの直径が0.1インチより小さいと製造が困難になるため、本発明では、直径0.1インチ以上のディスクが好ましい。 The magnetic disk of the present invention has a disk diameter of 1.8 inches or less. On the other hand, if the diameter of the magnetic disk is smaller than 0.1 inch, manufacture becomes difficult. Therefore, in the present invention, a disk having a diameter of 0.1 inch or more is preferable.
本態様に係る磁気ディスク10において、第1溝部G1は、ディスク回転によって気流と接触し、ディスクの熱を気流に渡す働きを有する。LSIやモーターは発熱源であるがその熱もディスクを介して気流に渡される。空気流は磁気ディスク装置の筐体部分に熱を渡し、放熱に寄与する。同心円もしくは螺旋状の溝がディスク回転により効率よく記録トラック部を冷却することができる。
In the
第2方向D2に隣り合う第1溝部D1間の距離C(溝の間隔)が300nmより大きい場合、上記の効果は顕著には現れない。また5nmより小さいと記録トラック幅が小さくなり、熱膨張等の影響を受けやすくなり、ヘッドのトラッキングが困難になる。好ましくは溝の間隔は200nm以下30nm以上である。 When the distance C (groove interval) between the first groove portions D1 adjacent to each other in the second direction D2 is larger than 300 nm, the above effect does not appear remarkably. On the other hand, if it is smaller than 5 nm, the recording track width becomes small, and it becomes easy to be affected by thermal expansion and the like, and the head tracking becomes difficult. Preferably, the groove interval is 200 nm or less and 30 nm or more.
第1溝部G1の深さは、0.5nm以上50nm以下の範囲内とする。0.5nmより浅いと、気流への放熱効果が平板とほぼ同様になる。一方50nmより深いと、HDIが不安定になり、ヘッドクラッシュしやすくなる。好ましくは1nm以上30nm以下である。 The depth of the first groove part G1 is in the range of not less than 0.5 nm and not more than 50 nm. If it is shallower than 0.5 nm, the heat dissipation effect on the airflow is almost the same as that of the flat plate. On the other hand, if it is deeper than 50 nm, the HDI becomes unstable and the head crashes easily. Preferably they are 1 nm or more and 30 nm or less.
第1溝部G1の開口の幅Bは2nm以上200nm以下の範囲内とする。2nmより狭いと、気流への放熱効果が平板とほぼ同様になる。一方200nmより広いと、HDIが不安定になり、ヘッドクラッシュしやすくなる。好ましくは5nm以上100nm以下である。 The width B of the opening of the first groove part G1 is in the range of 2 nm to 200 nm. When it is narrower than 2 nm, the heat dissipation effect on the airflow is almost the same as that of the flat plate. On the other hand, if it is larger than 200 nm, the HDI becomes unstable and head crashes easily. Preferably they are 5 nm or more and 100 nm or less.
また第1溝部のG1は開口の幅の方が底部よりも幅広いことが好ましい。これにより気流の流れがよりスムーズになり冷却効率が増す。 Further, it is preferable that the width of the opening of the first groove G1 is wider than that of the bottom. Thereby, the flow of airflow becomes smoother and cooling efficiency increases.
次に、磁気ディスク10に使用可能な材料などについて説明する。
Next, materials that can be used for the
基板1としては、例えば、ガラス基板、Al系合金基板、セラミック基板、カーボン基板、酸化表面を有するSi単結晶基板、及びこれらの基板の表面にNiP層を形成したものなどを用いることができる。ガラス基板には、アモルファスガラス又は結晶化ガラスを用いることができる。アモルファスガラスとしては、例えば、ソーダライムガラス、アルミノシリケートガラスなどがある。結晶化ガラスとしては、例えば、リチウム系結晶化ガラスなどがある。セラミック基板としては、例えば、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化珪素などを主成分とする焼結体や、これらの焼結体を繊維強化したものなどを用いることができる。基板の表面にNiP層を形成するには、例えば、メッキやスパッタリングを利用することができる。基板1の直径は、例えば、1インチ(2.54cm)とする。
As the
堆積層2は、磁気記録層22を含んでいる。典型的には、堆積層2は、下地層21や保護層23をさらに含んでいる。
The deposited
下地層21は、軟磁性層を含むことができる。例えば、磁気記録層22が垂直磁気記録層である場合、この軟磁性層は、書込磁極からの記録磁界を磁気記録層22に通過させ、書込磁極の近傍に配置されたリターンヨークへ記録磁界を還流させる役割を果たす。すなわち、軟磁性層は、記録ヘッドの機能の一部を担っており、磁気記録層22に急峻な垂直磁界を印加して、記録効率を向上させる役割を果たす。
The
この軟磁性層には、例えば、Fe、Ni及びCoのうち少なくとも1種を含む高透磁率材料が用いられる。このような材料としては、例えば、FeCo、FeCoVなどのFeCo系合金、FeNi、FeNiMo、FeNiCr、FeNiSiなどのFeNi系合金、FeAl、FeAlSi、FeAlSiCr、FeAlSiTiRu、FeAlOなどのFeAl系及びFeSi系合金、FeTa、FeTaC、FeTaNなどのFeTa系合金、FeZrNなどのFeZr系合金が挙げられる。 For this soft magnetic layer, for example, a high magnetic permeability material containing at least one of Fe, Ni, and Co is used. Examples of such materials include FeCo alloys such as FeCo and FeCoV, FeNi alloys such as FeNi, FeNiMo, FeNiCr, and FeNiSi, FeAl alloys such as FeAl, FeAlSi, FeAlSiCr, FeAlSiTiRu, and FeAlO, and FeSi alloys, FeTa FeTa alloys such as FeTaC and FeTaN, and FeZr alloys such as FeZrN.
軟磁性層には、Feを60原子%以上含有するFeAlO、FeMgO、FeTaN、FeZrNなどの微結晶構造、又は微細な結晶粒子がマトリクス中に分散されたグラニュラ構造を有する材料を用いることもできる。 For the soft magnetic layer, a material having a microcrystalline structure such as FeAlO, FeMgO, FeTaN, FeZrN or the like containing 60 atomic% or more of Fe or a granular structure in which fine crystal particles are dispersed in a matrix can be used.
軟磁性層の他の材料として、Coと、Zr、Hf、Nb、Ta、Ti及びYのうち少なくとも1種とを含有するCo合金を用いることもできる。軟磁性層中のCo含量は、例えば80原子%以上とする。このようなCo合金をスパッタリングにより成膜した場合には、アモルファス層が形成され易い。アモルファス軟磁性材料は、結晶磁気異方性、結晶欠陥及び粒界がないため、非常に優れた軟磁性を示す。また、アモルファス軟磁性材料を用いることにより、媒体の低ノイズ化を図ることができる。アモルファス軟磁性材料としては、例えば、CoZr、CoZrNb、及びCoZrTa系合金などを挙げることができる。 As another material of the soft magnetic layer, a Co alloy containing Co and at least one of Zr, Hf, Nb, Ta, Ti, and Y can be used. The Co content in the soft magnetic layer is, for example, 80 atomic% or more. When such a Co alloy is formed by sputtering, an amorphous layer is easily formed. Amorphous soft magnetic materials do not have magnetocrystalline anisotropy, crystal defects, and grain boundaries, and thus exhibit very excellent soft magnetism. Further, by using an amorphous soft magnetic material, it is possible to reduce the noise of the medium. Examples of the amorphous soft magnetic material include CoZr, CoZrNb, and CoZrTa alloys.
下地層21は、軟磁性層の結晶性の向上又は軟磁性層と基板1との密着性の向上のために、軟磁性層と基板1との間に他の層をさらに含むことができる。そのような層には、例えば、Ti、Ta、W、Cr、Pt、これらを含む合金、これらの酸化物、これらの窒化物などを用いることができる。
The
下地層21は、軟磁性層と磁気記録層22との間に、非磁性層をさらに含むことができる。この非磁性層の役割は、軟磁性層と磁気記録層22との交換結合相互作用を遮断すること、及び磁気記録層22の結晶性を制御することである。非磁性層の材料としては、例えば、Ru、Pt、Pd、W、Ti、Ta、Cr、Si、これらを含む合金、これらの酸化物、これらの窒化物などを挙げることができる。
The
スパイクノイズ防止のために複数の軟磁性層を設けると共に、これら軟磁性層間に例えば厚さ0.5nm乃至1.5nm程度のRu層を介在させて、それら軟磁性層同士を反強磁性結合させてもよい。さらに、軟磁性層と、CoCrPt、SmCo、FePtなどの面内異方性を持った硬磁性膜又はIrMn、PtMnなどの反強磁性体からなるピニング層とを交換結合させてもよい。この場合、交換結合力を制御するために、Ru層の上下に、Co層などの磁性層又はPt層などの非磁性層を配置してもよい。 A plurality of soft magnetic layers are provided to prevent spike noise, and an Ru layer having a thickness of, for example, about 0.5 nm to 1.5 nm is interposed between the soft magnetic layers so that the soft magnetic layers are antiferromagnetically coupled to each other. May be. Furthermore, the soft magnetic layer may be exchange-coupled with a hard magnetic film having in-plane anisotropy such as CoCrPt, SmCo, or FePt or a pinning layer made of an antiferromagnetic material such as IrMn or PtMn. In this case, in order to control the exchange coupling force, a magnetic layer such as a Co layer or a nonmagnetic layer such as a Pt layer may be disposed above and below the Ru layer.
磁気記録層22が垂直磁気記録層である場合、その材料としては、例えば、Coを主成分として含有し、さらにPtと酸化物とを含有した材料を使用することができる。この材料は、Crをさらに含有することができる。また、この材料が含有する酸化物としては、例えば、酸化シリコン及び酸化チタンなどを挙げることができる。 When the magnetic recording layer 22 is a perpendicular magnetic recording layer, for example, a material containing Co as a main component and further containing Pt and an oxide can be used. This material can further contain Cr. Examples of the oxide contained in this material include silicon oxide and titanium oxide.
磁気記録層22中で、磁性結晶粒子は柱状構造を形成していてもよい。このような構造を有する磁気記録層22では、磁性結晶粒子の配向性及び結晶性が良好である。そのため、そのような磁気記録層22によると、高密度記録に適した信号/ノイズ比(S/N比)を得ることができる。 In the magnetic recording layer 22, the magnetic crystal grains may form a columnar structure. In the magnetic recording layer 22 having such a structure, the orientation and crystallinity of the magnetic crystal grains are good. Therefore, according to such a magnetic recording layer 22, a signal / noise ratio (S / N ratio) suitable for high-density recording can be obtained.
上記の構造を得るうえでは、酸化物の量が重要である。酸化物含量は、Co、Pt、Crの総量に対して、例えば、3mol%乃至12mol%の範囲内としてもよく、5mol%乃至10mol%の範囲内としてもよい。磁気記録層22中の酸化物含量が上記の範囲であれば、磁性粒子の周りに酸化物が析出し、磁性粒子を孤立化及び微細化させることができる。酸化物含量が上記範囲を超えると、酸化物が磁性粒子中に残留し、磁性粒子の配向性及び結晶性を損ね、さらには磁性粒子の上下に酸化物が析出することがある。その結果、磁性粒子が磁気記録層22を上下に貫いた柱状構造が形成されなくなることがある。他方、酸化物含量が上記範囲未満であると、磁性粒子の孤立化及び微細化が不十分となることがある。その結果、記録再生時におけるノイズが増大し、高密度記録に適した信号/ノイズ比(S/N比)が得られなくなることがある。 In obtaining the above structure, the amount of oxide is important. The oxide content may be, for example, in the range of 3 mol% to 12 mol% or in the range of 5 mol% to 10 mol% with respect to the total amount of Co, Pt, and Cr. If the oxide content in the magnetic recording layer 22 is in the above range, the oxide is precipitated around the magnetic particles, and the magnetic particles can be isolated and refined. When the oxide content exceeds the above range, the oxide remains in the magnetic particles, the orientation and crystallinity of the magnetic particles may be impaired, and further oxides may be deposited on the upper and lower sides of the magnetic particles. As a result, a columnar structure in which the magnetic particles penetrate the magnetic recording layer 22 up and down may not be formed. On the other hand, when the oxide content is less than the above range, the magnetic particles may be insufficiently isolated and refined. As a result, noise during recording and reproduction increases, and a signal / noise ratio (S / N ratio) suitable for high-density recording may not be obtained.
磁気記録層22のPt含量は、例えば、10原子%乃至25原子%の範囲内とする。Pt含量が上記範囲内にある場合、垂直磁気記録層に必要な一軸磁気異方性定数Kuが得られ、さらに磁性粒子の結晶性及び配向性が良好になる。その結果、高密度記録に適した熱揺らぎ特性及び記録再生特性が得られる。Pt含量が上記範囲を超えると、磁性粒子中にfcc構造の層が形成され、結晶性及び配向性が損なわれるおそれがある。他方、Pt含量が上記範囲未満であると、高密度記録に適したKuが得られず、したがって、高密度記録に適した熱揺らぎ特性が得られなくなることがある。 The Pt content of the magnetic recording layer 22 is, for example, in the range of 10 atomic% to 25 atomic%. When the Pt content is within the above range, the uniaxial magnetic anisotropy constant Ku necessary for the perpendicular magnetic recording layer can be obtained, and the crystallinity and orientation of the magnetic particles are improved. As a result, thermal fluctuation characteristics and recording / reproduction characteristics suitable for high-density recording can be obtained. When the Pt content exceeds the above range, a layer having an fcc structure is formed in the magnetic particles, and the crystallinity and orientation may be impaired. On the other hand, if the Pt content is less than the above range, Ku suitable for high-density recording cannot be obtained, and therefore thermal fluctuation characteristics suitable for high-density recording may not be obtained.
磁気記録層22のCr含量は、例えば、0原子%乃至16原子%の範囲内としてもよく、10原子%乃至14原子%の範囲内としてもよい。Cr含量が上記範囲内にあると、磁性粒子の一軸磁気異方性定数Kuを下げることなく高い磁化を維持できる。その結果、高密度記録に適した記録再生特性と十分な熱揺らぎ特性とが得られる。Cr含量が上記範囲を超えると、磁性粒子のKuが小さくなるため熱揺らぎ特性が悪化し且つ磁性粒子の結晶性及び配向性が悪化することがある。その結果、記録再生特性が劣化するおそれがある。 The Cr content of the magnetic recording layer 22 may be, for example, in the range of 0 atomic% to 16 atomic%, or may be in the range of 10 atomic% to 14 atomic%. When the Cr content is within the above range, high magnetization can be maintained without lowering the uniaxial magnetic anisotropy constant Ku of the magnetic particles. As a result, recording / reproduction characteristics suitable for high density recording and sufficient thermal fluctuation characteristics can be obtained. If the Cr content exceeds the above range, the Ku of the magnetic particles becomes small, so that the thermal fluctuation characteristics may be deteriorated and the crystallinity and orientation of the magnetic particles may be deteriorated. As a result, the recording / reproducing characteristics may be deteriorated.
磁気記録層22は、B、Ta、Mo、Cu、Nd、W、Nb、Sm、Tb、Ru、Reから選ばれる1種類以上の元素をさらに含むことができる。これらの元素を添加すると、磁性粒子の微細化を促進するか又は磁性粒子の結晶性や配向性を向上させることができる。したがって、より高密度記録に適した記録再生特性及び熱揺らぎ特性を得ることができる。これら添加元素の合計含量は、例えば、8原子%以下とする。添加元素の合計含量が8原子%を超えると、磁性粒子中にhcp相以外の相が形成され、磁性粒子の結晶性及び配向性が乱れることがある。その結果、高密度記録に適した記録再生特性及び熱揺らぎ特性が得られなくなることがある。 The magnetic recording layer 22 can further include one or more elements selected from B, Ta, Mo, Cu, Nd, W, Nb, Sm, Tb, Ru, and Re. When these elements are added, the miniaturization of the magnetic particles can be promoted, or the crystallinity and orientation of the magnetic particles can be improved. Therefore, recording / reproduction characteristics and thermal fluctuation characteristics suitable for higher density recording can be obtained. The total content of these additive elements is, for example, 8 atomic% or less. When the total content of additive elements exceeds 8 atomic%, phases other than the hcp phase are formed in the magnetic particles, and the crystallinity and orientation of the magnetic particles may be disturbed. As a result, recording / reproducing characteristics and thermal fluctuation characteristics suitable for high-density recording may not be obtained.
磁気記録層22に使用可能な他の材料としては、例えば、CoPt系合金、CoCr系合金、CoPtCr系合金、CoPtO、CoPtCrO、CoPtSi、CoPtCrSiなどが挙げられる。磁気記録層22としては、Pt、Pd、Rh及びRuからなる群より選択される少なくとも一種を主成分とする合金層とCo層との多層膜を用いることもできる。また、磁気記録層22としては、これらの多層膜の少なくとも1つの層に、Cr、B又はOを添加したものも使用することができる。そのような多層膜としては、例えば、CoCr/PtCr膜、CoB/PdB膜、CoO/RhO膜などを挙げることができる。 Examples of other materials that can be used for the magnetic recording layer 22 include a CoPt alloy, a CoCr alloy, a CoPtCr alloy, CoPtO, CoPtCrO, CoPtSi, and CoPtCrSi. As the magnetic recording layer 22, a multilayer film of an alloy layer mainly composed of at least one selected from the group consisting of Pt, Pd, Rh, and Ru and a Co layer may be used. Further, as the magnetic recording layer 22, a layer obtained by adding Cr, B or O to at least one layer of these multilayer films can be used. Examples of such a multilayer film include a CoCr / PtCr film, a CoB / PdB film, and a CoO / RhO film.
磁気記録層22の厚さは、例えば、5nm乃至60nmの範囲内としてもよく、10nm乃至40nmの範囲内としてもよい。厚さがこの範囲内にある磁気記録層22は、高記録密度に適している。磁気記録層22が薄いと、再生出力が低過ぎてノイズ成分の方が高くなる傾向がある。他方、磁気記録層22が厚いと、再生出力が高過ぎて波形が歪む傾向がある。 The thickness of the magnetic recording layer 22 may be, for example, in the range of 5 nm to 60 nm or in the range of 10 nm to 40 nm. The magnetic recording layer 22 having a thickness within this range is suitable for high recording density. If the magnetic recording layer 22 is thin, the reproduction output tends to be too low and the noise component tends to be higher. On the other hand, if the magnetic recording layer 22 is thick, the reproduction output is too high and the waveform tends to be distorted.
磁気記録層22の保磁力は、例えば、237000A/m(3000Oe)以上とする。保磁力が小さいと、熱揺らぎ耐性が劣る傾向がある。また、磁気記録層22の垂直角型比は、例えば、0.8以上とする。垂直角型比が小さいと、熱揺らぎ耐性に劣る傾向がある。 The coercive force of the magnetic recording layer 22 is, for example, 237000 A / m (3000 Oe) or more. When the coercive force is small, the thermal fluctuation resistance tends to be inferior. Further, the perpendicular squareness ratio of the magnetic recording layer 22 is, for example, 0.8 or more. If the vertical squareness ratio is small, the thermal fluctuation resistance tends to be inferior.
保護層24は、磁気記録層22の腐食を防ぐとともに、磁気ヘッドが磁気ディスクに接触したときにその表面の損傷を防ぐ役割を果たす。保護層24の材料としては、例えば、C、SiO2、ZrO2を含む材料が挙げられる。保護層24の厚さは、例えば、1nm乃至10nmの範囲内とする。保護層24の厚さが上記範囲内にあると、磁気ヘッドと磁気ディスクとの距離を小さくできる。これは、高密度記録の観点で有利である。
The
上述した堆積層2が含む各層は、例えば、スパッタリング、真空蒸着、電解メッキなどの方法で形成することができる。
Each layer included in the above-described
潤滑層3の材料としては、例えば、パーフルオロポリエーテル、フッ化アルコール、フッ素化カルボン酸などの潤滑剤を使用することができる。潤滑層3は、例えば、保護層23に潤滑剤を塗布することにより形成することができる。 As the material of the lubricating layer 3, for example, a lubricant such as perfluoropolyether, fluorinated alcohol, and fluorinated carboxylic acid can be used. The lubricating layer 3 can be formed, for example, by applying a lubricant to the protective layer 23.
次に、本発明の第2態様について説明する。 Next, the second aspect of the present invention will be described.
図4は、本発明の第2態様に係る磁気ディスクを概略的に示す平面図である。この磁気ディスク10は、データ領域Ad及びサーボ領域Asの形状を変更し且つ堆積層2に第2溝部G2をさらに設けたこと以外は、図1乃至図3に示した磁気ディスク10と同様の構造を有している。
FIG. 4 is a plan view schematically showing a magnetic disk according to the second aspect of the present invention. The
具体的には、図4の磁気ディスク10では、データ領域Adとサーボ領域Asとの境界は、螺旋状である。図4では、一例として、データ領域Adとサーボ領域Asとの境界を、左巻きの螺旋形状としている。
Specifically, in the
第2溝部G2は、この例では、データ領域Adとサーボ領域Asとの境界上に設けており、左巻きの螺旋形状としている。第2溝部G2は、サーボ領域As内に設けてもよい。 In this example, the second groove portion G2 is provided on the boundary between the data area Ad and the servo area As, and has a left-handed spiral shape. The second groove part G2 may be provided in the servo area As.
各第2溝部G2の一端は、この例では、最内周の第1溝部G1に接続している。また、各第2溝部G2の他端は、この例では、最外周の第1溝部G1に接続している。各第2溝部G2は、最内周の第1溝部G1や最外周の第1溝部G1に接続しなくてもよい。また、各第2溝部G2は、最内周の第1溝部G1と最外周の第1溝部G1との間で複数の部分に分断されていてもよい。 In this example, one end of each second groove part G2 is connected to the innermost first groove part G1. Moreover, the other end of each 2nd groove part G2 is connected to the 1st groove part G1 of the outermost periphery in this example. Each second groove G2 may not be connected to the innermost first groove G1 or the outermost first groove G1. Moreover, each 2nd groove part G2 may be divided | segmented into the some part between the 1st groove part G1 of the innermost periphery, and the 1st groove part G1 of the outermost periphery.
この磁気ディスク10を図中時計回りに回転させると、気流はG2に沿ってうまく流れる。
When the
なお、上記の効果は、第2溝部G2を右巻きの螺旋形状とし且つ磁気ディスク10を反時計回りに回転させた場合にも得ることができる。
The above effect can also be obtained when the second groove G2 has a right-handed spiral shape and the
次に、第1及び第2態様に係る磁気ディスク10を搭載した磁気ディスク装置について説明する。
Next, a magnetic disk device equipped with the
図5は、第1及び第2態様に係る磁気ディスク10を搭載可能な記録ディスク装置の一例を概略的に示す斜視図である。
この磁気ディスク装置は、第1又は第2態様に係る磁気ディスク10、スピンドル20、ピボット30、磁気ヘッドアセンブリ40及びボイスコイルモータ50などを含んでいる。これらは、筐体60内に配置されている。
FIG. 5 is a perspective view schematically showing an example of a recording disk device on which the
This magnetic disk apparatus includes the
磁気ディスク10はスピンドル20に回転可能に支持されており、スピンドル20には制御部(図示せず)が含む制御回路からの制御信号に応じて動作するモータ(図示せず)が接続されている。図5に示す磁気ディスク装置では、これにより、磁気ディスク10の回転などを制御可能としている。
The
磁気ディスク10の外周近傍にはピボット30が配置されており、このピボット30は、その上下2ヶ所に配置されたボールベアリング(図示せず)を介して磁気ヘッドアセンブリ40を揺動可能に支持している。磁気ヘッドアセンブリ40のボビン部にはコイル(図示せず)が巻きつけられており、このコイルとそれを挟んで対向して配置された永久磁石と対向ヨークとは磁気回路を形成するとともにボイスコイルモータ50を構成している。このボイスコイルモータ50も制御部に接続されており、それにより、磁気ヘッドアセンブリ40の先端のヘッドスライダ401を、磁気ディスク10の所望の記録トラックTR上へと位置させることを可能としている。
A
磁気ヘッドアセンブリ40は、例えば、駆動コイルを保持するボビン部などを備えたアクチュエータアーム402を有している。このアクチュエータアーム402にはサスペンション403の一端が取り付けられており、サスペンション403の他端にはヘッドスライダ401が取り付けられている。なお、アクチュエータアーム402の先端には微小位置制御を行うためのピエゾ素子が設置されている。
The
ヘッドスライダ401には、磁気ヘッドが組み込まれている。この磁気ヘッドは、例えば、複合型ヘッドであり、単磁極構造の書込ヘッドと、GMR素子やTMR素子などのシールド型MR素子を用いた読出ヘッドとを含んでいる。
A magnetic head is incorporated in the
サスペンション403上には信号の書き込み及び読み取り用などのリード線(図示せず)が形成されており、これらリード線はヘッドスライダ401に組み込まれた磁気ヘッドの電極にそれぞれ電気的に接続されている。なお、この磁気ディスク装置において、情報の記録及び再生は、磁気ディスク10を回転させ、それによって生じる気流によりヘッドスライダ401を磁気ディスク10から浮上させた状態で行う。また、図5に示す磁気ディスク装置において、スピンドル20に接続されたモータ及びボイスコイルモータ50などは駆動機構を構成している。この磁気ディスク装置の内部にはサーボ領域Asからの信号に基づいてトラッキング信号を発生するためのマイクロプロセッサが設置されている。
Lead wires (not shown) for signal writing and reading are formed on the
以上、浮上型磁気ヘッドを用いた磁気ディスク装置について説明したが、磁気ヘッドとして接触型磁気ヘッドを用いてもよい。 Although the magnetic disk device using the floating magnetic head has been described above, a contact magnetic head may be used as the magnetic head.
図6は、接触型磁気ヘッドを用いた磁気ディスク装置の一部を概略的に示す断面図である。なお、図6において、参照符号4010はヘッドスライダ本体を示し、参照符号4011は書込磁極を示している。
FIG. 6 is a sectional view schematically showing a part of a magnetic disk apparatus using a contact type magnetic head. In FIG. 6,
図6に示すヘッドスライダ401は、接触型ヘッドスライダである。図6に示すように、接触型ヘッドスライダ401を使用した場合、ヘッドを通しても放熱ができるため冷却に都合がよい。
A
図5はディスクが下部のみ固定されたモーター回転軸に設けられた例であるが、図7に、上下が固定され、その下部にモーターベース704を有するモーター回転軸に、磁気ディスクが設けられたディスク装置の断面図を示す。図示するように、この例では、ベアリング702を備え、固定ねじ706により、ディスク固定板705に取り付けられた、磁気ディスク10を回転するための回転軸701が、装置筐体60の上下方向と物理的に接触して、熱が装置筐体60の上下から放熱される構造にすると、より冷却効率が高まる。
FIG. 5 shows an example in which the disk is provided on a motor rotating shaft in which only the lower part is fixed. In FIG. 7, a magnetic disk is provided on a motor rotating shaft in which the upper and lower parts are fixed and a
以下、本発明の実施例について説明する。 Examples of the present invention will be described below.
(実施例1)
図1乃至図3に示す磁気ディスク10を以下の方法で作成した。
まず、直径0.85インチのガラス基板1上に、下地層21として、厚さ100nmの軟磁性層及び厚さ30nmのPd層を順次形成した。次に、この下地層21上に、磁気記録層22として、CoCrPtとSiO2との混合物からなるグラニュラ構造の垂直磁気記録層を形成した。この磁気記録層22の厚さは20nmとした。
Example 1
The
First, a soft magnetic layer having a thickness of 100 nm and a Pd layer having a thickness of 30 nm were sequentially formed as a
次に、磁気記録層22をパターニングするために、以下の工程を実施した。
すなわち、まず、磁気記録層22上に、厚さ50nmのSiO2膜を形成した。このSiO2膜上にスピンコート法によりレジスト膜を形成し、これに、第1溝部G1と第2信号レベル部PLとに対応した位置に凸部を設けたNi金型(スタンパ)を押し当てた。これにより、レジスト膜に、Ni金型の凸パターンに対応した形状の凹パターンを形成した。
Next, in order to pattern the magnetic recording layer 22, the following steps were performed.
That is, first, an SiO 2 film having a thickness of 50 nm was formed on the magnetic recording layer 22. A resist film is formed on the SiO 2 film by spin coating, and a Ni mold (stamper) provided with a convex portion at a position corresponding to the first groove portion G1 and the second signal level portion PL is pressed against the resist film. It was. Thereby, a concave pattern having a shape corresponding to the convex pattern of the Ni mold was formed on the resist film.
なお、Ni金型としては、電子線リソグラフィー及びメッキなどを利用して形成したものを使用した。Ni金型の凸部の高さは、50nmとした。また、Ni金型の凸部のうち、第1溝部G1に対応した円周状凸部のそれぞれの幅は50nmとし、隣り合う円周状凸部間の間隔は100nmとした。 As the Ni mold, one formed using electron beam lithography and plating was used. The height of the convex portion of the Ni mold was 50 nm. In addition, among the convex portions of the Ni mold, the width of each circumferential convex portion corresponding to the first groove portion G1 was 50 nm, and the interval between adjacent circumferential convex portions was 100 nm.
次に、RIE(Reactive Ion Etching)法により、レジスト層及びSiO2膜をエッチングした。このエッチングは、レジスト層に形成した凹部の位置で、磁気記録層22の表面が露出するまで行った。これにより、レジスト層の凹パターンに対応した位置で開口した、SiO2パターンを得た。 Next, the resist layer and the SiO 2 film were etched by RIE (Reactive Ion Etching) method. This etching was performed until the surface of the magnetic recording layer 22 was exposed at the position of the recess formed in the resist layer. As a result, an SiO 2 pattern opened at a position corresponding to the concave pattern of the resist layer was obtained.
続いて、Arイオンミリングにより、SiO2パターンの開口に対応した位置で磁気記録層22をエッチングすると共に、このSiO2パターンもエッチングした。以上のようにして、磁気記録層22をパターニングした。 Subsequently, the magnetic recording layer 22 was etched at a position corresponding to the opening of the SiO 2 pattern by Ar ion milling, and this SiO 2 pattern was also etched. The magnetic recording layer 22 was patterned as described above.
次に、基板1の磁気記録層22側の面に、埋め込み層23として、SiO2膜を製膜後エッチバックした。次に保護層24としてダイアモンドライクカーボン層を順次形成した。
Next, an SiO 2 film as an embedded layer 23 was formed on the surface of the
AFM(Atomic Force Microscope)による測定の結果、記録トラックTRの幅は110nmであり、第1溝部G1の底部の幅は30nmであり、第1溝部G1の底部は保護層24の記録トラックTRに対応した部分よりも3nm低かった。
As a result of measurement using an AFM (Atomic Force Microscope), the width of the recording track TR is 110 nm, the width of the bottom of the first groove G1 is 30 nm, and the bottom of the first groove G1 corresponds to the recording track TR of the
その後、単分子吸着性の潤滑剤を保護層24上に塗布して潤滑層3を形成した。以上のようにして、図1乃至図3に示す磁気ディスク10を完成した。なお、この磁気ディスク10において、潤滑層3で被覆された表面では、各記録トラックの両側に気流を通す同心円状の第1溝部の溝の深さは3nm、間隔は110nmであった。第1溝部の表面の幅は40nmであり、表面の幅の方が底部よりも広い。
Thereafter, the lubricant layer 3 was formed by applying a monomolecular adsorptive lubricant onto the
次に、この磁気ディスク10を図5の磁気ディスク装置に搭載し、以下の条件で加速寿命試験を行った。
Next, the
すなわち、ここでは、ヘッドスライダ401としては、磁気ディスク10から10nm浮上するものを使用した。また、読出ヘッドの磁気検出部の第2方向D2の寸法は100nmとし、書込ヘッドの書込磁極の第2方向D2の寸法は120nmとした。温度60℃、湿度80%の条件下で、磁気ディスク10を3600rpmで回転させて連続で駆動した。その結果、試験開始から約500時間経過後にビットエラーレートが10-5以上となった。
In other words, the
(実施例2)
直径1インチのガラス基板1を用いたこと以外は、実施例1で説明したのと同様の方法により、図1乃至図3に示す磁気ディスク10を作成した。AFMによる測定の結果、記録トラックTRの幅は110nmであり、第1溝部G1の底部の幅は30nmであり、第1溝部G1の底部は保護層24の記録トラックTRに対応した部分よりも3nm低かった。さらに、この磁気ディスク10において、潤滑層3で被覆された表面では、各記録トラックの両側に気流を通す同心円状の第1溝部の溝の深さは3nm、間隔は110nmであった。
(Example 2)
A
この磁気ディスク10を用いたこと以外は実施例1で説明したのと同様の加速寿命試験を行った。その結果、試験開始から約450時間経過後にビットエラーレートが10-5以上となった。
An accelerated life test similar to that described in Example 1 was performed except that this
(実施例3)
まず、直径0.85インチのガラス基板1上に、下地層21として、厚さ100nmの軟磁性層及び厚さ30nmのPd層を順次形成した。次に、この下地層21上に、磁気記録層22として、CoCrPtとSiO2との混合物からなるグラニュラ構造の垂直磁気記録層を形成した。この磁気記録層22の厚さは20nmとした。
(Example 3)
First, a soft magnetic layer having a thickness of 100 nm and a Pd layer having a thickness of 30 nm were sequentially formed as a
次に、磁気記録層22をパターニングするために、以下の工程を実施した。
すなわち、まず、磁気記録層22上に、厚さ70nmのSiO2膜を形成した。このSiO2膜上にスピンコート法によりレジスト膜を形成し、これに、第1溝部G1と第2信号レベル部PLとに対応した位置に凸部を設けたNi金型(スタンパ)を押し当てた。これにより、レジスト膜に、Ni金型の凸パターンに対応した形状の凹パターンを形成した。
Next, in order to pattern the magnetic recording layer 22, the following steps were performed.
That is, first, a 70 nm thick SiO 2 film was formed on the magnetic recording layer 22. A resist film is formed on the SiO 2 film by spin coating, and a Ni mold (stamper) provided with a convex portion at a position corresponding to the first groove portion G1 and the second signal level portion PL is pressed against the resist film. It was. Thereby, a concave pattern having a shape corresponding to the convex pattern of the Ni mold was formed on the resist film.
なお、Ni金型としては、電子線リソグラフィー及びメッキなどを利用して形成したものを使用した。Ni金型の凸部の高さは、50nmとした。また、Ni金型の凸部のうち、第1溝部G1に対応したリング状凸部のそれぞれの幅は50nmとし、隣り合う円周状凸部間の間隔は100nmとした。 As the Ni mold, one formed using electron beam lithography and plating was used. The height of the convex portion of the Ni mold was 50 nm. Further, among the convex portions of the Ni mold, the width of each ring-shaped convex portion corresponding to the first groove portion G1 was 50 nm, and the interval between adjacent circumferential convex portions was 100 nm.
次に、RIE(Reactive Ion Etching)法により、レジスト層及びSiO2膜をエッチングした。このエッチングは、レジスト層に形成した凹部の位置で、磁気記録層22の表面が露出するまで行った。これにより、レジスト層の凹パターンに対応した位置で開口した、SiO2パターンを得た。 Next, the resist layer and the SiO 2 film were etched by RIE (Reactive Ion Etching) method. This etching was performed until the surface of the magnetic recording layer 22 was exposed at the position of the recess formed in the resist layer. As a result, an SiO 2 pattern opened at a position corresponding to the concave pattern of the resist layer was obtained.
続いて、Arイオンミリングにより、SiO2パターンの開口に対応した位置で磁気記録層22をエッチングすると共に、このSiO2パターンもエッチングした。以上のようにして、磁気記録層22をパターニングした。 Subsequently, the magnetic recording layer 22 was etched at a position corresponding to the opening of the SiO 2 pattern by Ar ion milling, and this SiO 2 pattern was also etched. The magnetic recording layer 22 was patterned as described above.
次に、基板1の磁気記録層22側の面に、保護層24としてダイアモンドライクカーボン層を順次形成した。
Next, a diamond-like carbon layer was sequentially formed as a
AFM(Atomic Force Microscope)による測定の結果、記録トラックTRの幅は110nmであり、第1溝部G1の底部の幅は30nmであり、第1溝部G1の底部は保護層24の記録トラックTRに対応した部分よりも30nm低かった。
As a result of measurement using an AFM (Atomic Force Microscope), the width of the recording track TR is 110 nm, the width of the bottom of the first groove G1 is 30 nm, and the bottom of the first groove G1 corresponds to the recording track TR of the
その後、単分子吸着性の潤滑剤を保護層24上に塗布して潤滑層3を形成した。以上のようにして、磁気ディスク10を完成した。なお、この磁気ディスク10において、潤滑層3で被覆された表面では、各記録トラックの両側に気流を通す同心円状の第1溝部の溝の深さは30nm、間隔は110nmであった。
Thereafter, the lubricant layer 3 was formed by applying a monomolecular adsorptive lubricant onto the
この磁気ディスク10を用いたこと以外は実施例1で説明したのと同様の加速寿命試験を行った。その結果、試験開始から約550時間経過後にビットエラーレートが10-5以上となった。
An accelerated life test similar to that described in Example 1 was performed except that this
(実施例4)
実施例1で説明したのと同様の方法により、図1乃至図3に示す磁気ディスク10を作成した。なお、本例では、最内周の記録トラックTRの半径は、実施例1と同様に4.7mmとした。また、AFMによる測定の結果、記録トラックTRの幅は110nmであり、第1溝部G1の底部の幅は30nmであり、エッチバックの条件を実施例1と変えることにより第1溝部G1の底部は保護層24の記録トラックTRに対応した部分よりも10nm低かった。さらに、この磁気ディスク10において、潤滑層3で被覆された表面では、各記録トラックの両側に気流を通す同心円状の第1溝部の溝の深さは10nm、間隔は110nmであった。
Example 4
The
この磁気ディスク10を用いたこと以外は実施例1で説明したのと同様の加速寿命試験を行った。その結果、試験開始から約600時間経過後にビットエラーレートが10-5以上となった。
An accelerated life test similar to that described in Example 1 was performed except that this
(実施例5)
直径1.8インチのガラス基板1を用いたこと以外は、実施例1で説明したのと同様の方法により、図1乃至図3に示す磁気ディスク10を作成した。AFMによる測定の結果、記録トラックTRの幅は110nmであり、第1溝部G1の底部の幅は30nmであり、第1溝部G1の底部は保護層24の記録トラックTRに対応した部分よりも3nm低かった。さらに、この磁気ディスク10において、潤滑層3で被覆された表面では、各記録トラックの両側に気流を通す同心円状の第1溝部の溝の深さは3nm、間隔は110nmであった。
(Example 5)
A
この磁気ディスク10を用いたこと以外は実施例1で説明したのと同様の加速寿命試験を行った。その結果、試験開始から約500時間経過後にビットエラーレートが10-5以上となった。
An accelerated life test similar to that described in Example 1 was performed except that this
(実施例6)
円周状の溝パターンを有するNi原盤を用いる代わりに螺旋状の溝パターンを有するNi原盤を用いる以外は、実施例1で説明したのと同様の方法により、磁気ディスク10を作成した。AFMによる測定の結果、記録トラックTRの幅は110nmであり、第1溝部G1の底部の幅は30nmであり、第1溝部G1の底部は保護層24の記録トラックTRに対応した部分よりも3nm低かった。さらに、この磁気ディスク10において、潤滑層3で被覆された表面には、前記各記録トラックの両側に気流を通す螺旋状の第1溝部の深さは3nm、間隔は110nmであった。
(Example 6)
A
この磁気ディスク10を用いたこと以外は実施例1で説明したのと同様の加速寿命試験を行った。その結果、試験開始から約500時間経過後にビットエラーレートが10-5以上となった。
An accelerated life test similar to that described in Example 1 was performed except that this
(比較例1)
磁気記録層22をパターニングしなかったこと以外は、実施例1で説明したのと同様の方法により、磁気ディスクを作製した。なお、本例では、サーボ領域内の各種情報はサーボライタを用いて書き込んだ。
(Comparative Example 1)
A magnetic disk was manufactured by the same method as described in Example 1 except that the magnetic recording layer 22 was not patterned. In this example, various information in the servo area is written using a servo writer.
この磁気ディスクを用いたこと以外は実施例1で説明したのと同様の加速寿命試験を行った。その結果、試験開始から約150時間経過後にビットエラーレートが10-5以上となった。 An accelerated life test similar to that described in Example 1 was performed except that this magnetic disk was used. As a result, the bit error rate became 10 −5 or more after about 150 hours from the start of the test.
(比較例2)
磁気記録層22をパターニングしなかったこと以外は、実施例2で説明したのと同様の方法により、磁気ディスクを作製した。なお、本例では、サーボ領域内の各種情報はサーボライタを用いて書き込んだ。
(Comparative Example 2)
A magnetic disk was manufactured by the same method as described in Example 2 except that the magnetic recording layer 22 was not patterned. In this example, various information in the servo area is written using a servo writer.
この磁気ディスクを用いたこと以外は実施例1で説明したのと同様の加速寿命試験を行った。その結果、試験開始から約170時間経過後にビットエラーレートが10-5以上となった。 An accelerated life test similar to that described in Example 1 was performed except that this magnetic disk was used. As a result, the bit error rate became 10 −5 or more after about 1700 hours from the start of the test.
(比較例3)
磁気記録層22をパターニングしなかったこと以外は、実施例5で説明したのと同様の方法により、磁気ディスクを作製した。なお、本例では、サーボ領域内の各種情報はサーボライタを用いて書き込んだ。
(Comparative Example 3)
A magnetic disk was manufactured by the same method as described in Example 5 except that the magnetic recording layer 22 was not patterned. In this example, various information in the servo area is written using a servo writer.
この磁気ディスクを用いたこと以外は実施例1で説明したのと同様の加速寿命試験を行った。その結果、試験開始から約300時間経過後にビットエラーレートが10-5以上となった。 An accelerated life test similar to that described in Example 1 was performed except that this magnetic disk was used. As a result, the bit error rate became 10 −5 or more after about 300 hours from the start of the test.
(比較例4)
直径2.0インチのガラス基板1を用いたこと以外は、実施例1で説明したのと同様の方法により、図1乃至図3に示す磁気ディスク10を作成した。AFMによる測定の結果、記録トラックTRの幅は110nmであり、第1溝部G1の底部の幅は30nmであり、第1溝部G1の底部は保護層24の記録トラックTRに対応した部分よりも3nm低かった。さらに、この磁気ディスク10において、潤滑層3で被覆された表面では、各記録トラックの両側に気流を通す同心円状の第1溝部の溝の深さは3nm、間隔は110nmであった。
(Comparative Example 4)
A
この磁気ディスク10を用いたこと以外は実施例1で説明したのと同様の加速寿命試験を行った。その結果、試験開始から約500時間経過後にビットエラーレートが10-5以上となった。
An accelerated life test similar to that described in Example 1 was performed except that this
(比較例5)
磁気記録層22をパターニングしなかったこと以外は、比較例4で説明したのと同様の方法により、磁気ディスクを作製した。なお、本例では、サーボ領域内の各種情報はサーボライタを用いて書き込んだ。
(Comparative Example 5)
A magnetic disk was fabricated by the same method as described in Comparative Example 4 except that the magnetic recording layer 22 was not patterned. In this example, various information in the servo area is written using a servo writer.
この磁気ディスクを用いたこと以外は実施例1で説明したのと同様の加速寿命試験を行った。その結果、試験開始から約480時間経過後にビットエラーレートが10-5以上となった。 An accelerated life test similar to that described in Example 1 was performed except that this magnetic disk was used. As a result, the bit error rate became 10 −5 or more after about 480 hours from the start of the test.
実施例1及び6、比較例1から5の結果から、直径が1.8インチ以下のディスクにおいて、基板上に配置され且つ磁気記録層を含んだ堆積層と、前記堆積層を被覆した潤滑層とを具備し、 前記堆積層の前記潤滑層で被覆された表面には、前記各記録トラックの両側に気流を通す同心円もしくは螺旋状の第1溝部を有すると、前記溝部がない磁気ディスクと比較して高温でのディスク装置の寿命に優れることがわかった。 From the results of Examples 1 and 6 and Comparative Examples 1 to 5, in a disk having a diameter of 1.8 inches or less, a deposited layer disposed on a substrate and including a magnetic recording layer, and a lubricating layer covering the deposited layer The surface of the deposited layer covered with the lubricating layer has concentric or spiral first grooves that allow air current to flow on both sides of each recording track, compared with a magnetic disk without the grooves. As a result, it was found that the life of the disk device at high temperature was excellent.
(実施例7)
実施例1で説明したのと同様の方法により、図1乃至図3に示す磁気ディスク10を作成した。AFMによる測定の結果、記録トラックTRの幅は110nmであり、第1溝部G1の底部の幅は30nmであり、第1溝部G1の底部は保護層24の記録トラックTRに対応した部分よりも3nm低かった。さらに、この磁気ディスク10において、潤滑層3で被覆された表面では、各記録トラックの両側に気流を通す同心円状の第1溝部の溝の深さは3nm、間隔は110nmであった。
(Example 7)
The
この磁気ディスク10を用いると共にスライダヘッド401として接触型スライダヘッドを使用したこと以外は実施例1で説明したのと同様の加速寿命試験を行った。その結果、試験開始から約550時間経過後にビットエラーレートが10-5以上となった。
Except that this
(実施例8)
以下のNi金型を使用したこと以外は、実施例1で説明したのと同様の方法により、図1乃至図3に示す磁気ディスク10を作成した。すなわち、本例では、Ni金型の凸部の高さは、実施例1と同様、50nmとした。また、本例では、Ni金型の凸部のうち、第1溝部G1に対応したリング状凸部のそれぞれの幅は、実施例1と同様、50nmとした。但し、本例では、Ni金型の凸部のうち、第1溝部G1に対応したリング状凸部間の間隔は280nmとした。
(Example 8)
A
作製した記録トラックTRの幅は290nmであり、第1溝部G1の底部の幅は30nmであり、第1溝部G1の底部は保護層24の記録トラックTRに対応した部分よりも4nm低かった。
The produced recording track TR had a width of 290 nm, the bottom of the first groove G1 was 30 nm, and the bottom of the first groove G1 was 4 nm lower than the portion of the
その後、単分子吸着性の潤滑剤を保護層24上に塗布して潤滑層3を形成した。以上のようにして、図1乃至図3に示す磁気ディスク10を完成した。なお、この磁気ディスク10において、潤滑層3で被覆された表面では、各記録トラックの両側に気流を通す同心円状の第1溝部の溝の深さは4nm、間隔は290nmであった。
Thereafter, the lubricant layer 3 was formed by applying a monomolecular adsorptive lubricant onto the
次に、この磁気ディスク10を図5の磁気ディスク装置に搭載し、以下の条件で加速寿命試験を行った。
Next, the
すなわち、ここでは、ヘッドスライダ401としては、磁気ディスク10から10nm浮上するものを使用した。また、読出ヘッドの磁気検出部の第2方向D2の寸法は290nmとし、書込ヘッドの書込磁極の第2方向D2の寸法は300nmとした。その結果、試験開始から約480時間経過後にビットエラーレートが10-5以上となった。
In other words, the
(実施例9)
以下のNi金型を使用したこと以外は、実施例1で説明したのと同様の方法により、図1乃至図3に示す磁気ディスク10を作成した。すなわち、本例では、Ni金型の凸部の高さは、実施例1と同様、50nmとした。また、本例では、Ni金型の凸部のうち、第1溝部G1に対応したリング状凸部のそれぞれの幅は、実施例1と同様、50nmとした。但し、本例では、Ni金型の凸部のうち、第1溝部G1に対応したリング状凸部間の間隔は320nmとした。
Example 9
A
作製した記録トラックTRの幅は330nmであり、第1溝部G1の底部の幅は30nmであり、第1溝部G1の底部は保護層24の記録トラックTRに対応した部分よりも4nm低かった。
The produced recording track TR had a width of 330 nm, the bottom of the first groove G1 was 30 nm, and the bottom of the first groove G1 was 4 nm lower than the portion of the
その後、単分子吸着性の潤滑剤を保護層24上に塗布して潤滑層3を形成した。以上のようにして、図1乃至図3に示す磁気ディスク10を完成した。なお、この磁気ディスク10において、潤滑層3で被覆された表面では、各記録トラックの両側に気流を通す同心円状の第1溝部の溝の深さは4nm、間隔は330nmであった。
Thereafter, the lubricant layer 3 was formed by applying a monomolecular adsorptive lubricant onto the
次に、この磁気ディスク10を図5の磁気ディスク装置に搭載し、以下の条件で加速寿命試験を行った。
Next, the
すなわち、ここでは、ヘッドスライダ401としては、磁気ディスク10から10nm浮上するものを使用した。また、読出ヘッドの磁気検出部の第2方向D2の寸法は320nmとし、書込ヘッドの書込磁極の第2方向D2の寸法は340nmとした。その結果、試験開始から約400時間経過後にビットエラーレートが10-5以上となった。
In other words, the
(実施例10)
以下のNi金型を使用したこと以外は、実施例1で説明したのと同様の方法により、図4に示す磁気ディスク10を作成した。
(Example 10)
A
すなわち、本例では、Ni金型のデータ領域Adに対応した部分とサーボ領域Asに対応した部分との境界を螺旋状とした。Ni金型の凸部の高さは、50nmとした。Ni金型の凸部のうち、第1溝部G1に対応したリング状凸部のそれぞれの幅は50nmとし、隣り合うリング状凸部間の間隔は100nmとした。また、第2溝部G2に対応した凸部は右巻きの螺旋形状とし、その幅は50nmとした。 That is, in this example, the boundary between the portion corresponding to the data area Ad of the Ni mold and the portion corresponding to the servo area As is spiral. The height of the convex portion of the Ni mold was 50 nm. Of the convex portions of the Ni mold, the width of each ring-shaped convex portion corresponding to the first groove G1 was 50 nm, and the interval between adjacent ring-shaped convex portions was 100 nm. Moreover, the convex part corresponding to the 2nd groove part G2 was made into the right-handed spiral shape, and the width | variety was 50 nm.
作製された磁気ディスク10において、潤滑層3で被覆された表面では、各記録トラックの両側に気流を通す同心円状の第1溝部の溝の深さは3nm、間隔は110nmであった。右巻きの螺旋形状の第2溝部G2の深さは3nmであった。
In the manufactured
この磁気ディスクを用いたこと以外は実施例1で説明したのと同様の加速寿命試験を行った。その際、左向きにディスクを回転させた。その結果、試験開始から約600時間経過後にビットエラーレートが10-5以上となった。 An accelerated life test similar to that described in Example 1 was performed except that this magnetic disk was used. At that time, the disk was rotated to the left. As a result, the bit error rate became 10 −5 or more after about 600 hours from the start of the test.
(実施例11)
左向きにディスクを回転させる代わりに右向きに回転させることを除いては実施例11と同様の加速寿命試験を行った。その結果、試験開始から約500時間経過後にビットエラーレートが10-5以上となった。
(Example 11)
An accelerated life test was performed in the same manner as in Example 11 except that the disc was rotated to the right instead of rotating to the left. As a result, the bit error rate became 10 −5 or more after about 500 hours from the start of the test.
実施例1及び10、11の結果から、第2溝部G2を設け且つ磁気ディスク10を所定の向きに回転させると、第2溝部G2を設けない場合と比較して、高温でのディスク装置の寿命に優れることがわかった。
From the results of Examples 1, 10, and 11, when the second groove portion G2 is provided and the
(実施例12)
実施例1で作製した磁気ディスクを図7の断面図で示すように、磁気ディスクを回転するための回転軸が装置筐体の上下方向と物理的に接触して熱が装置筐体の上下から放熱される構造にした。
(Example 12)
As shown in the cross-sectional view of FIG. 7, the rotating shaft for rotating the magnetic disk is physically in contact with the vertical direction of the apparatus housing so that heat is generated from the upper and lower sides of the apparatus casing. It is structured to dissipate heat.
実施例1と同様の加速試験を行ったところ、試験開始から約650時間経過後にビットエラーレートが10-5以上となり、筐体の片側だけへの接触と比べて高温でのディスク装置の寿命に優れることがわかった。 When an acceleration test similar to that of Example 1 was performed, the bit error rate became 10 −5 or more after about 650 hours from the start of the test, and the life of the disk device at a high temperature compared to contact with only one side of the housing was increased. I found it excellent.
(実施例13)
エッチバックの条件を変えて、第1溝部G1の底部は保護層24の記録トラックTRに対応した部分よりも0.5nm低くし、さらに、この磁気ディスク10において、潤滑層3で被覆された表面では、各記録トラックの両側に気流を通す同心円状の第1溝部の溝の深さは0.5nmであったことを除いては実施例2と同様にして磁気ディスク10を作製した。この磁気ディスク10を用いたこと以外は実施例2で説明したのと同様の加速寿命試験を行った。その結果、試験開始から約300時間経過後にビットエラーレートが10-5以上となった。
(Example 13)
The bottom of the first groove G1 is changed by 0.5 nm lower than the portion corresponding to the recording track TR of the
(実施例14)
エッチバックの条件を変えて、第1溝部G1の底部は保護層24の記録トラックTRに対応した部分よりも0.3nm低くし、さらに、この磁気ディスク10において、潤滑層3で被覆された表面では、各記録トラックの両側に気流を通す同心円状の第1溝部の溝の深さは0.3nmであったことを除いては実施例2と同様にして磁気ディスク10を作製した。この磁気ディスク10を用いたこと以外は実施例2で説明したのと同様の加速寿命試験を行った。その結果、試験開始から約220時間経過後にビットエラーレートが10-5以上となった。
(Example 14)
By changing the etch back conditions, the bottom of the first groove G1 is made 0.3 nm lower than the portion corresponding to the recording track TR of the
(実施例15)
エッチバックの条件を変えて、第1溝部G1の底部と表面の幅を同じにした他は実施例1と同様にして磁気ディスク10を作製した。この磁気ディスク10を用いたこと以外は実施例2で説明したのと同様の加速寿命試験を行った。その結果、試験開始から約400時間経過後にビットエラーレートが10-5以上となった。実施例2との比較により、底部よりも表面が幅広い方が高温でのディスク装置の寿命に優れることがわかった。
(Example 15)
The
(実施例16)
直径0.85インチのガラス基板1上に、下地層21として、厚さ100nmの軟磁性層及び厚さ30nmのPd層を順次形成した。次に、この下地層21上に、磁気記録層22として、CoCrPtとSiO2との混合物からなるグラニュラ構造の垂直磁気記録層を形成した。この磁気記録層22の厚さは30nmとした。
(Example 16)
A soft magnetic layer having a thickness of 100 nm and a Pd layer having a thickness of 30 nm were sequentially formed as a
次に、磁気記録層22をパターニングするために、以下の工程を実施した。
すなわち、まず、磁気記録層22上に、厚さ50nmのSiO2膜を形成した。このSiO2膜上にスピンコート法によりレジスト膜を形成し、これに、第1溝部G1と第2信号レベル部PLとに対応した位置に凸部を設けたNi金型(スタンパ)を押し当てた。これにより、レジスト膜に、Ni金型の凸パターンに対応した形状の凹パターンを形成した。
Next, in order to pattern the magnetic recording layer 22, the following steps were performed.
That is, first, an SiO 2 film having a thickness of 50 nm was formed on the magnetic recording layer 22. A resist film is formed on the SiO 2 film by spin coating, and a Ni mold (stamper) provided with a convex portion at a position corresponding to the first groove portion G1 and the second signal level portion PL is pressed against the resist film. It was. Thereby, a concave pattern having a shape corresponding to the convex pattern of the Ni mold was formed on the resist film.
なお、Ni金型としては、電子線リソグラフィー及びメッキなどを利用して形成したものを使用した。Ni金型の凸部の高さは、50nmとした。また、Ni金型の凸部のうち、第1溝部G1に対応したリング状凸部のそれぞれの幅は50nmとし、隣り合う円周状凸部間の間隔は100nmとした。 As the Ni mold, one formed using electron beam lithography and plating was used. The height of the convex portion of the Ni mold was 50 nm. Further, among the convex portions of the Ni mold, the width of each ring-shaped convex portion corresponding to the first groove portion G1 was 50 nm, and the interval between adjacent circumferential convex portions was 100 nm.
次に、RIE(Reactive Ion Etching)法により、レジスト層及びSiO2膜をエッチングした。このエッチングは、レジスト層に形成した凹部の位置で、磁気記録層22の表面が露出するまで行った。これにより、レジスト層の凹パターンに対応した位置で開口した、SiO2パターンを得た。 Next, the resist layer and the SiO 2 film were etched by RIE (Reactive Ion Etching) method. This etching was performed until the surface of the magnetic recording layer 22 was exposed at the position of the recess formed in the resist layer. As a result, an SiO 2 pattern opened at a position corresponding to the concave pattern of the resist layer was obtained.
続いて、Arイオンミリングにより、SiO2パターンの開口に対応した位置で磁気記録層22および下地層21の一部をエッチングすると共に、このSiO2パターンもエッチングした。以上のようにして、磁気記録層22および下地層21の一部をパターニングした。
Subsequently, the magnetic recording layer 22 and a part of the
次に、基板1の磁気記録層22側の面に、保護層24としてダイアモンドライクカーボン層を順次形成した。
Next, a diamond-like carbon layer was sequentially formed as a
AFM(Atomic Force Microscope)による測定の結果、記録トラックTRの幅は110nmであり、第1溝部G1の底部の幅は30nmであり、第1溝部G1の底部は保護層24の記録トラックTRに対応した部分よりも50nm低かった。
As a result of measurement using an AFM (Atomic Force Microscope), the width of the recording track TR is 110 nm, the width of the bottom of the first groove G1 is 30 nm, and the bottom of the first groove G1 corresponds to the recording track TR of the
その後、単分子吸着性の潤滑剤を保護層24上に塗布して潤滑層3を形成した。以上のようにして、磁気ディスク10を完成した。なお、この磁気ディスク10において、潤滑層3で被覆された表面では、各記録トラックの両側に気流を通す同心円状の第1溝部の溝の深さは50nm、間隔は110nmであった。
Thereafter, the lubricant layer 3 was formed by applying a monomolecular adsorptive lubricant onto the
この磁気ディスク10を用いたこと以外は実施例1で説明したのと同様の加速寿命試験を行った。その結果、試験開始から約500時間経過後にビットエラーレートが10-5以上となった。
An accelerated life test similar to that described in Example 1 was performed except that this
(実施例17)
ミリング条件を変えて、第1溝部G1の底部は保護層24の記録トラックTRに対応した部分よりも55nm低くしたことを除いては実施例15と同様に磁気ディスクを作製した。
(Example 17)
A magnetic disk was manufactured in the same manner as in Example 15 except that the milling conditions were changed and the bottom of the first groove portion G1 was 55 nm lower than the portion corresponding to the recording track TR of the
その後、単分子吸着性の潤滑剤を保護層24上に塗布して潤滑層3を形成した。以上のようにして、磁気ディスク10を完成した。なお、この磁気ディスク10において、潤滑層3で被覆された表面では、各記録トラックの両側に気流を通す同心円状の第1溝部の溝の深さは55nm、間隔は110nmであった。
Thereafter, the lubricant layer 3 was formed by applying a monomolecular adsorptive lubricant onto the
この磁気ディスク10を用いたこと以外は実施例1で説明したのと同様の加速寿命試験を行った。その結果、試験開始から約280時間経過後にビットエラーレートが10-5以上となった。
An accelerated life test similar to that described in Example 1 was performed except that this
1…基板、2…堆積層、3…潤滑層、10…磁気ディスク、20…スピンドル、21…下地層、22…磁気記録層、23…埋め込み層、24…保護層、30…ピボット、40…磁気ヘッドアセンブリ、50…ボイスコイルモータ、60…筐体、401…ヘッドスライダ、402…アクチュエータアーム、403…サスペンション、4010…ヘッドスライダ本体、4011…書込磁極、701…固定軸、702…ベアリング、703…磁性流体シール、704…モーターベース、705…ディスク固定板、706…固定ねじ、Ad…データ領域、As…サーボ領域、D1…第1方向、D2…第2方向、G1…第1溝部、G2…第2溝部、P1…AGC部、P2…アドレス部、P3…パッド部、P4…バースト部、P5…パッド部、P41…第1領域、P42…第2領域、P43…第3領域、P44…第4領域、PH…第1信号レベル部、PL…第2信号レベル部、TR…記録トラック。
DESCRIPTION OF
Claims (11)
基板と、
前記基板上に配置され且つ磁気記録層を含んだ堆積層と、
前記堆積層を被覆した潤滑層とを具備し、
前記堆積層の前記潤滑層で被覆された表面には、前記各記録トラックの両側に気流を通す同心円もしくは螺旋状の第1溝部を有することを特徴とする磁気ディスク。 A magnetic disk having a disk diameter of 1.8 inches or less,
A substrate,
A deposited layer disposed on the substrate and including a magnetic recording layer;
Comprising a lubricating layer covering the deposited layer,
The magnetic disk according to claim 1, wherein concentric or spiral first grooves that allow air current to flow on both sides of each recording track are provided on the surface of the deposited layer covered with the lubricating layer.
前記潤滑層と向き合うように配置される磁気ヘッドと、
前記磁気ディスクを前記磁気ヘッドに対して前記記録トラックに沿った方向に回転させる駆動機構とを具備したことを特徴とする磁気ディスク装置。 A magnetic disk according to any one of claims 1 to 6, and
A magnetic head arranged to face the lubricating layer;
A magnetic disk device comprising: a drive mechanism for rotating the magnetic disk with respect to the magnetic head in a direction along the recording track.
前記駆動機構は、前記第2溝部が右巻きである場合には前記磁気ディスクを左回りに回転させ、前記第2溝部が左巻きである場合には前記磁気ディスクを右回りに回転させることを特徴とする請求項7記載の磁気ディスク装置。 The surface of the deposited layer covered with the lubricating layer is further provided with a spiral second groove that crosses the recording track,
The drive mechanism rotates the magnetic disk counterclockwise when the second groove portion is clockwise, and rotates the magnetic disk clockwise when the second groove portion is counterclockwise. The magnetic disk device according to claim 7.
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