JP2006030195A - 電気機械共振器を備える磁力計 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】共振器は閉電流路の一部である変形可能ビームを備える。周期的駆動信号を変形可能なビームの近くに配置されている駆動電極に印加すると、DD回路はビームの発振を引き起こす。磁場の存在下で、この発振により、閉電流路を通る磁束が変化し、それによって、電流路内で発振電流が発生する。閉電流路内の抵抗損失によりこの電流が消費されると、変形可能なビームの発振が減衰するが、減衰係数は磁場強度に依存する。変形可能なビームの近くに配置されている感知電極を使用するDD回路が、発振の振幅を検出する。検出された振幅に基づいて、共振周波数を見つけるためDD回路で駆動信号の周波数を変化させる。共振周波数は、減衰係数に依存するため、磁場強度は、共振周波数から比較的容易に推論できる。
【選択図】図1
Description
磁力計
A.共振周波数とQ係数との関係
このサブセクションでは、共振周波数とQ係数の間の関係式を線形および非線形発振器について導く。線形発振器を最初に取りあげ、その後、非線形発振器についても同様にして取りあげる。
周期的駆動力により駆動される減衰線形発振器の運動は、以下のように式(1)により決まり、
y=Ael(ωt+φ)
Aは、質量mの変位の振幅、φは駆動力の位相に関する変位の位相とすると、以下の式が得られる。
共振では、振幅Aはその最大値であることに注意し、したがって、
周期的駆動力により駆動される減衰非線形発振器の運動は、以下のように式(11)により決まり、
式(4)により与えられる解と似た解を想定すると、変位の振幅は、以下のように、式(12)で与えられることがわかる。
さらに先へ進むと、変位の位相は以下のように式(13)により与えられることがわかるが、
式(7)の条件を適用すると、共振時に、
Qが比較的大きい(例えば、>>1)場合、式(14)〜(16)は、以下のように式(17)〜(19)に帰着できる。
Q係数の値の比較的小さな変化により生じるωresのシフトは、さらに、以下のように式(20)により与えられる。
B.開ループ動作と閉ループ動作の対比:
式(1)および(11)では、質量mおよびバネは発振器構造内の別々の要素である仮定している。しかし、共振器202(図2)内の変形可能ビーム220などの固定ビーム発振器では、固定ビームは、同時に質量とバネの両方である。この事実により、式(17)〜(19)のわずかな修正は適切である。
長さlおよび断面積Acsの固定ビームに対する三次バネ定数は以下のように式(21)により与えられ、
dA=hdx、およびρはビームを形成するために使用される材料の密度である。幅w、高さhの断面が矩形をしているビームについては、以下の式が適用される。
ただし、|ymp|peakは、共振時の固定ビームの中点変位の振幅であり、|F|は、駆動力の振幅である。
上ですでに示されているように、共振器202(図2)の変形可能ビーム220などの固定ビームが閉電流路の一部である場合、磁場に垂直なビームの運動により閉電流路内に電流が発生する。閉電流路内の抵抗損失、例えば、共振器202(図2)の導体パッド224と226の間に接続されている抵抗器負荷および/または変形可能ビーム220自体の損失のせいで、電力が抵抗加熱で損失し、ビームの振動が減衰する。抵抗損失に加えて、ビームおよび/または電気機械共振器に固有のエネルギー損失、ビームと雰囲気ガスとの摩擦相互作用に対応するエネルギー損失も、ビームの振動を減衰する。一般に、Q係数の実効値は、これらすべての損失を反映し、例えば、以下のように式(28)により表すことができる。
閉電流路内で消費される電力
以下では、磁力計に対する最適な磁場感度は、BQが以下のように式(35)により定義されている
図2を参照すると、ビーム220の振幅|ymp|がビームと駆動電極232との間のギャップ(gD)と比較して小さい場合、駆動電極に印加された電圧Vにより発生する駆動力Fは以下のように式(38)により与えられる。
V=Vdc+|Vac|sinωt (39a)
|Vdc|>|Vac| (39b)
さらに、|Vdc|>>|Vac|の場合、駆動力の発振成分(Fac)は、以下のように式(40)により与えられる。
フリンジ場効果を無視し、駆動電極232がビーム220と同じ長さを持つと仮定すると、容量CDに対する以下の式が得られる。
DD回路304(図3)が共振器202(図2)に結合されている場合、応答信号308の振動成分の振幅(|Vd|)は以下のように表すことができる。
「実際の」周波数からの測定された周波数の標準偏差(δf)は、複数の係数により決定され、そこでは、共振器の固有損失(ほとんどはその性質上、熱)に関連するノイズおよび増幅器(例えば、図3の増幅器314)から放射される電子ノイズが主要な寄与要因である。簡単のため、他のすべての寄与要因を無視すると、δfは以下のように表すことができる。
共振器がDD回路からはずされた場合、平均周波数からの測定された周波数の相対偏差は、以下のようにして求めることができる。
A.実施例1:
地球の磁場(約0.5ガウスの強さを持つ)の変動を監視したく、また製造、真空、振動、および/または電子工学面の問題に基づき、flに対し比較的高い値、例えば、fl=20kHzを必要とすると仮定する。そこで、共振器202は、例えば、パラメータw=1μm、l=620μm、h=7.75μmを使用して、ビーム220を実装した場合にこの要求条件を満たす。ドープド・シリコン(ビーム220の材料)の導電性を利用すると、ビームは約800Ωの抵抗を持つことがわかる。この抵抗が負荷抵抗(例えば、導体パッド224および226は単に良導体の導線により接続されている)であり、Qint=105である場合、BQ=1670ガウスである。それとは別に、ビーム220が厚さ約0.6μmの金の薄膜で覆われている場合、
共振器202の最適な感度の領域は、flの比較的低い値、例えば、fl=2kHzを持つ共振器を実装することにより低い磁場にシフトさせることができる。ビーム220がw=10μm、l=6200μm、およびh=77.5μmの寸法を持つ、共振器202は、この仕様を満たす。ビーム220が厚さ約2μmの金の薄膜で覆われている場合、
方法の請求項の工程は、あった場合には、請求項の記載において他の何らかの形でそれらの工程の一部または全部を実装する特定の順序を示唆していない限り、対応するラベル付けのある特定の順序で記載されているが、それらの工程は、必ずしも、その特定の順序で実装されることに限定されることを意図されていない。
Claims (10)
- 共振器が磁場に曝された場合に、変形可能ビームの振動の共振周波数が磁場強度の関数となるように発振するように適合された前記変形可能ビームを持つ前記共振器を備えるデバイスであって、前共振周波数に基づいて、前記磁場強度を示す信号を発生するように適合されたデバイス。
- さらに、前記共振器に結合された駆動検出(DD)回路を備え、前記DD回路は(i)前記共振器に印加される、前記発振を誘起する、駆動信号を発生し、(ii)前記発振のため前記共振器により発生した応答信号を受信するように適合され、前記共振周波数は前記応答信号の最大振幅に対応する請求項1に記載の発明。
- 前記DD回路は、(i)自動的に前記共振周波数にロックオンして動作し、(ii)前記駆動信号の位相と前記応答信号の位相との間の固定された関係を維持するように適合され、前記応答信号は、約90度だけ駆動信号よりも遅れる請求項2に記載の発明。
- 前記DD回路は、
前記駆動信号を発生するように適合された発生器と、
前記応答信号を増幅するように適合された増幅器と、
前記増幅された信号に基づいて移相信号を発生するように適合された移相器と、
前記増幅された信号の振幅を測定し、前記測定結果に基づいて、第1の制御信号を前記発生器に供給するように適合された制御回路を備え、前記発生器は、前記第1の制御信号および前記移相信号に基づいて前記駆動信号を発生するように適合されている請求項2に記載の発明。 - 前記DD回路は、さらに、前記増幅器と前記移相器との間に結合された周波数分割器および前記応答信号にバイアスをかけるように適合されたバイアス電圧発生器を備え、
前記制御回路は、前記第1の制御信号を発生し、前記増幅された信号の前記振幅が実質的に最大化されるように適合され、前記共振周波数は、前記増幅された信号の前記最大化された振幅に対応する請求項4に記載の発明。 - 前記変形可能ビームは、MEMSデバイス内に実装され、前記MEMSデバイスは、前記変形可能ビームに電気的に接続された導電トラックを備え、
前記変形可能ビームおよび前記導電トラックは、閉電流路の一部であり、
前記変形可能ビームの前記振動は、前記閉電流路を通る磁束を変化させ、それによって前記閉電流路内に電流を発生させるように適合され、
閉電流路内の抵抗損失による電流の消費は、共振周波数に影響を及ぼす請求項1に記載の発明。 - 前記MEMSデバイスは、前記変形可能ビームの前記振動を誘起するように適合された第1の電極および前記変形可能ビームの前記振動を感知するように適合された第2の電極を備え、
前記MEMSデバイスは、層状ウェハを使用して製造され、
前記変形可能ビーム、前記第1の電極、および前記第2の電極は、層状ウェハの単一層を使用して製造される請求項6に記載の発明。 - 基板上で支持され、閉電流路の第1の部分となるように適合された変形可能ビームを備え、前記変形可能ビームは、前記閉電流路が磁場に曝された場合に、前記変形可能ビームの前記振動の前記共振周波数が磁場強度の関数となるように発振するように適合されたMEMSデバイス。
- 磁場を測定する方法であって、
閉電流路の一部である変形可能ビームの振動を誘起することと、
前記閉電流路が前記磁場に曝された場合に、前記振動の共振周波数が前記磁場強度の関数となる前記振動を感知することと、
前記共振周波数に基づいて前記磁場強度を決定することとを含む方法。 - 閉電流路の一部である変形可能ビームと、
前記変形可能ビームの振動を誘起するための手段と、
前記閉電流路が磁場に曝された場合に、前記振動の共振周波数が前記磁場強度の関数となる前記振動を感知する手段と、
前記共振周波数に基づいて前記磁場強度を決定する手段とを備える装置。
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