JP2006017550A - Circuit for photodetection, and photodetector - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、光電子増倍管に接続される光検出用回路及び光検出器に関するものである。 The present invention relates to a photodetector circuit and a photodetector connected to a photomultiplier tube.
近年、光電子増倍管(PhotoMultiplier Tube:以下PMTという)を用いて光を検出する際に、より広いダイナミックレンジ(すなわち、検出できる最小光量と最大光量との比)で光量を測定することが求められている。ダイナミックレンジを拡張する方法としては、例えばPMTの各ダイノードに与える電位勾配の緩急を制御する方法がある。しかし、入射光量に対する出力電流の線形性を維持する必要もあるため、電位勾配による制御には限界がある。 In recent years, when detecting light using a photomultiplier tube (hereinafter referred to as PMT), it has been required to measure the light amount with a wider dynamic range (that is, the ratio between the minimum light amount and the maximum light amount that can be detected). It has been. As a method of expanding the dynamic range, for example, there is a method of controlling the potential gradient applied to each dynode of the PMT. However, since it is necessary to maintain the linearity of the output current with respect to the incident light quantity, there is a limit to the control by the potential gradient.
これに対し、より広いダイナミックレンジを実現するための装置として、例えば特許文献1に開示された光検出装置がある。この装置は2つの増幅器(I/V変換回路)を備えており、一方の増幅器がPMTの陽極に接続され、他方の増幅器がPMTの最終段ダイノードに接続されている。そして、いずれの増幅器からの出力信号を用いるかをPMTへの入射光量に応じて制御している。最終段ダイノードからの出力電流は陽極からの出力電流よりも小さいので、この装置では、入射光量が大きい場合に陽極ではなく最終段ダイノードから出力電流を取り出すことによって、ダイナミックレンジを拡張しようとしている。
特許文献1に開示された装置では、ダイナミックレンジの拡張幅は最終段ダイノードの電子増倍率に相当する幅に限られてしまう。特許文献1には、最終段より前段に設けた任意のダイノードに生ずる電流を検出してもよい旨が述べられている。しかし、この装置の構成では、各ダイノードは前段から受けた電子を二次電子増倍して後段へ放出するので、途中のダイノードから電流を取り出したとしても、入射光量が大きいと後段のダイノードに流れる電流はPMTの最大定格を超えてしまう。
In the apparatus disclosed in
本発明は、上記した問題点を鑑みてなされたものであり、PMTを用いて更に広いダイナミックレンジで光量を測定できる光検出用回路及び光検出器を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a light detection circuit and a light detector that can measure a light amount with a wider dynamic range using a PMT.
上記した課題を解決するために、本発明による第1の光検出用回路は、入射光量に応じた光電子を放出する光電陰極と、ダイノードがn段(nは2以上の整数)に配置され光電子を増倍する増倍部と、増倍部によって増倍された電子を収集する陽極とを有する光電子増倍管に接続される光検出用回路であって、光電陰極及びn段のダイノードに所定の電位勾配を与える電圧印加手段と、n段のダイノードのうち第m段目(1≦m≦n−1)のダイノードから電子を取り出す際に、第m段目のダイノードと第m+1段目のダイノードとの間の電位勾配を所定の電位勾配とは逆の電位勾配に切り替える第1の切替手段とを備えることを特徴とする。 In order to solve the above-described problems, a first photodetection circuit according to the present invention includes a photocathode that emits photoelectrons corresponding to the amount of incident light and dynodes arranged in n stages (n is an integer of 2 or more). Is a photodetection circuit connected to a photomultiplier tube having a multiplication unit for multiplying and an anode for collecting electrons multiplied by the multiplication unit. Voltage applying means for providing a potential gradient of the mth stage, and when taking out electrons from the mth stage (1 ≦ m ≦ n−1) dynodes of the nth dynodes, And a first switching means for switching the potential gradient between the dynode to a potential gradient opposite to the predetermined potential gradient.
第1の切替手段が第m段目のダイノードと第m+1段目のダイノードとの間の電位勾配を切り替えていないときには、増倍部のn段のダイノードのそれぞれに所定の電位勾配が与えられることにより、光電陰極において発生した光電子がn段のダイノードにおいて二次電子増倍され、陽極において収集される。従って、小さな入射光量に対しては、n段のダイノードによって大きな電子増倍率を実現できる。他方、第1の切替手段が第m段目のダイノードと第m+1段目のダイノードとの間の電位勾配を逆勾配に切り替えたときには、第m段目のダイノードから第m+1段目のダイノードへの二次電子の放出が抑えられ、入射光量に応じた電流を第m段目のダイノードから取り出すことができる。従って、大きな入射光量に対しては、n段よりも少ないm−1段のダイノードによって小さな電子増倍率を実現できる。特に、m=1の場合には、光電陰極において発生した光電子を増倍することなく第1段目のダイノードから取り出すことができる。以上のことから、上記した光検出用回路によれば、PMTを用いて従来の装置よりも更に広いダイナミックレンジで光量を測定することができる。 When the first switching means has not switched the potential gradient between the m-th dynode and the (m + 1) -th dynode, a predetermined potential gradient is applied to each of the n-stage dynodes of the multiplication unit. Thus, the photoelectrons generated at the photocathode are multiplied by secondary electrons at the n-stage dynode and collected at the anode. Therefore, for a small amount of incident light, a large electron multiplication factor can be realized by n stages of dynodes. On the other hand, when the first switching means switches the potential gradient between the m-th stage dynode and the m + 1-th stage dynode to the reverse slope, the m-th stage dynode to the m + 1-th stage dynode. Secondary electron emission is suppressed, and a current corresponding to the amount of incident light can be extracted from the m-th stage dynode. Therefore, for a large amount of incident light, a small electron multiplication factor can be realized by m-1 stage dynodes smaller than n stages. In particular, when m = 1, photoelectrons generated at the photocathode can be taken out from the first dynode without multiplication. From the above, according to the above-described light detection circuit, it is possible to measure the amount of light using a PMT with a wider dynamic range than the conventional apparatus.
また、光検出用回路は、陽極からの電流量、及び第m段目のダイノードからの電流量に基づいて第1の切替手段を制御する制御手段をさらに備えることを特徴としてもよい。これにより、PMTにおける電子増倍率を光電陰極への入射光量に応じて自動的に設定することができる。 The light detection circuit may further include a control unit that controls the first switching unit based on the amount of current from the anode and the amount of current from the m-th dynode. Thereby, the electron multiplication factor in the PMT can be automatically set according to the amount of light incident on the photocathode.
また、光検出用回路は、電圧印加手段が、光電陰極と第m段目のダイノードとの間の電位勾配を形成するツェナダイオードを有することを特徴としてもよい。これにより、光電陰極と第m段目のダイノードとの間の電位勾配を抵抗素子を用いて形成した場合と比較して、第m段目のダイノードから取り出される電流による電位勾配への影響を抑えることができる。 The photodetection circuit may be characterized in that the voltage application means includes a Zener diode that forms a potential gradient between the photocathode and the m-th dynode. Thereby, compared with the case where the potential gradient between the photocathode and the m-th dynode is formed using a resistance element, the influence on the potential gradient caused by the current taken out from the m-th dynode is suppressed. be able to.
また、光検出用回路は、第m+2段目以降のダイノードの電位を、第m段目のダイノードと略同電位となるように切り替える第2の切替手段をさらに備えることを特徴としてもよい。これにより、第m段目のダイノードからの二次電子の放出がほぼ完全に抑えられる。 The light detection circuit may further include second switching means for switching the potentials of the dynodes after the (m + 2) th stage so as to be substantially the same potential as that of the mth stage dynode. Thereby, the emission of secondary electrons from the m-th dynode is almost completely suppressed.
また、本発明による光検出器は、入射光量に応じた光電子を放出する光電陰極、ダイノードがn段(nは2以上の整数)に配置され光電子を増倍する増倍部、及び増倍部によって増倍された電子を収集する陽極を有する光電子増倍管と、請求項1〜4のいずれか一項に記載の光検出用回路とを備えることを特徴とする。これによって、従来よりも更に広いダイナミックレンジで光量を測定可能な光検出器を提供できる。
The photodetector according to the present invention includes a photocathode that emits photoelectrons according to the amount of incident light, a dynode arranged in n stages (n is an integer of 2 or more), a multiplier that multiplies photoelectrons, and a multiplier. A photomultiplier having an anode for collecting the electrons multiplied by the photodetection circuit and the photodetection circuit according to
本発明による光検出用回路及び光検出器によれば、PMTを用いて広いダイナミックレンジで光量を測定できる。 According to the light detection circuit and the light detector of the present invention, the light quantity can be measured with a wide dynamic range using the PMT.
以下、添付図面を参照しながら本発明による光検出用回路及び光検出器の実施の形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。 Embodiments of a photodetection circuit and a photodetector according to the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. In the description of the drawings, the same elements are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted.
(第1の実施の形態)
本発明による光検出用回路及び光検出器の第1実施形態について説明する。図1は、本実施形態による光検出器1及び光検出用回路2の構成を示す回路図である。図1を参照すると、光検出器1は、PMT3及び光検出用回路2を備えている。
(First embodiment)
A first embodiment of a light detection circuit and a light detector according to the present invention will be described. FIG. 1 is a circuit diagram showing the configuration of the
PMT3は、被検出光Lの入射光量に応じた光電子を放出する光電陰極33と、光電子を増倍する増倍部35と、増倍部35によって増倍された電子を収集する陽極37とを真空管39の内部に有している。増倍部35は、n段(nは2以上の整数)に配置された第1段目のダイノードDy1ないし第n段目の(最終段)ダイノードDynを有している。ダイノードDy1は光電陰極33からの光電子を受ける位置に配置され、ダイノードDy2〜Dynは前段のダイノードからの二次電子を受ける位置に配置されている。陽極37は、ダイノードDynからの二次電子を受ける位置に配置されている。
The
光検出用回路2は、電圧印加手段21及び第1の切替手段23を備えている。電圧印加手段21は、光電陰極33及びn段のダイノードDy1〜Dynに所定の電位勾配を与えるための手段である。本実施形態では、電圧印加手段21は第1の電圧印加手段21a及び第2の電圧印加手段21bによって構成されている。第1の電圧印加手段21aは、ツェナダイオードD1及び抵抗素子R3を有する。ツェナダイオードD1のアノード側は、抵抗素子R1を介して電源端子17に接続されるとともに、光電陰極33に接続されている。ツェナダイオードD1のカソード側は、抵抗素子R3の一端に接続されている。抵抗素子R3の他端は、基準電位線38に接続されている。そして、ツェナダイオードD1と抵抗素子R3との間には、抵抗素子R2を介してダイノードDy1が接続されている。なお、電源端子17には、電源電圧HV(<0)が供給される。この構成により、光電陰極33には電位Vkが与えられ、ダイノードDy1にはツェナダイオードD1及び抵抗素子R3によって分割された電位V1(>Vk)が与えられる。
The
第2の電圧印加手段21bは、抵抗素子Rd1〜Rdnを有する。抵抗素子Rd1〜Rdnは、抵抗素子R1と基準電位線31との間に互いに直列に接続されている。抵抗素子Rd1の一端は、抵抗素子R1を介して電源端子17に接続されている。抵抗素子Rdnの一端は、基準電位線31に接続されている。抵抗素子Rd1〜Rdnのうち互いに隣接する抵抗素子の間には、それぞれダイノードDy2〜Dynが接続されている。第2の電圧印加手段21bは、抵抗素子Rd1〜Rdnによって電源電圧HVを分割することにより、ダイノードDy2〜Dynへ与える電位V2〜Vnを生成する。このとき、第2の電圧印加手段21bは、後段のダイノードほど高い電位となるように電位V2〜Vnを生成する。また、第2の電圧印加手段21bは、ダイノードDy2の電位V2がダイノードDy1の電位V1よりも高い電位となるように、各電位V2〜Vnを生成する。
Second
第1の切替手段23は、n段のダイノードDy1〜Dynのうち、ダイノードDy1とダイノードDy2との間の電位勾配を所定の電位勾配とは逆の電位勾配に切り替えるための手段である。本実施形態では、第1の切替手段23はスイッチ手段SW1を有する。スイッチ手段SW1の一端は抵抗素子R2を介してダイノードDy1に接続されており、スイッチ手段SW1の他端は基準電位線40に接続されている。スイッチ手段SW1が短絡すると、ダイノードDy1の電位V1がダイノードDy2の電位V2よりも高い電位である基準電位となるので、ダイノードDy1とダイノードDy2との間の電位勾配が逆転することとなる。なお、このとき、電源端子17に供給される電源電圧HVの大きさを適宜下げるとよい。また、スイッチ手段SW1としては、機械式スイッチのほか、トランジスタ等の電気的スイッチを用いることができる。
First switching means 23, of the dynode Dy 1 ~Dy n of n stages, with means for switching the reverse potential gradient is a predetermined potential gradient potential gradient between the dynode Dy 1 and dynode Dy 2 is there. In the present embodiment, the first switching means 23 comprises a switch means SW 1. One end of the switch means SW 1 is connected to the dynode Dy 1 via the resistance element R 2, and the other end of the switch means SW 1 is connected to the reference
また、光検出用回路2は、配線25及び28を備えている。配線25は、ダイノードDy1から出力電流I2を取り出すための手段である。配線25の一端はダイノードDy1と抵抗素子R2との間に接続されており、配線25の他端は出力端子27bに接続されている。また、配線28は、陽極37から出力電流I1を取り出すための手段である。配線28の一端は陽極37に接続されており、配線28の他端は出力端子27aに接続されている。なお、陽極37には、ダイノードDynの電位Vnよりも高い電位VP(例えば基準電位)が与えられている。
The
なお、本実施形態の光検出用回路2における具体的な数値例は、以下の通りである。
電源電圧HV:−1100Vまたは−400V(スイッチ手段SW1短絡時:−200V)
抵抗素子R1:100kΩ
抵抗素子R2:10kΩ
抵抗素子R3:2MΩ
抵抗素子Rd1:1.5MΩ
抵抗素子Rd2〜Rdn:500kΩ
A specific numerical example in the
Power supply voltage HV: -1100 V or -400 V (switch means SW 1 short-circuited: -200 V)
Resistance element R 1 : 100 kΩ
Resistance element R 2 : 10 kΩ
Resistance element R 3 : 2 MΩ
Resistance element Rd 1 : 1.5 MΩ
Resistive element Rd 2 ~Rd n: 500kΩ
以上の構成を備える光検出器1及び光検出用回路2は、次のように動作する。PMT3の光電陰極33に被検出光Lが入射すると、光電陰極33において入射光量に応じた光電子が発生する。入射光量が小さい場合には、第1の切替手段23のスイッチ手段SW1を非接続状態に設定する。なお、スイッチ手段SW1の接続状態/非接続状態の設定は、手動で行われても良いし、入射光量に基づいて自動的に行われても良い。このとき、光電陰極33及びダイノードDy1〜Dynのそれぞれには、電圧印加手段21によって所定の電位勾配を有する電位Vk、V1〜Vnが与えられているので、光電陰極33において発生した光電子はダイノードDy1〜Dynへ順に放出されて二次電子増倍される。増倍された二次電子は陽極37に収集され、陽極37から出力されて出力電流I1となり、配線28を介して出力端子27aに提供される。
The
また、入射光量が大きい場合には、第1の切替手段23のスイッチ手段SW1を接続状態(短絡)に設定する。このとき、ダイノードDy1とダイノードDy2との間の電位勾配が逆転し、ダイノードDy1の電位V1はダイノードDy2の電位V2よりも高くなる。光電陰極33において発生した光電子は、ダイノードDy1へ放出される。ダイノードDy1に達した光電子は、逆電位勾配のためダイノードDy2へは放出されず、以後のダイノードで電子は増倍されない。そして、ダイノードDy1から出力電流I2として出力され、配線25を介して出力端子27bに提供される。
Further, when the incident light amount is large, it sets the switch means SW 1 of the first switching means 23 to the connected state (short circuit). At this time, the potential gradient is reversed between the dynode Dy 1 and dynode Dy 2, the potential V 1 of the dynode Dy 1 is higher than the potential V 2 of the dynode Dy 2. Photoelectrons generated at the
本実施形態による光検出器1及び光検出用回路2が有する効果について説明する。本実施形態の光検出器1及び光検出用回路2では、上述したように第1の切替手段23がダイノードDy1とダイノードDy2との間の電位勾配を切り替えることができる。入射光量が比較的小さなときには、ダイノードDy1〜Dynのそれぞれに所定の電位勾配を与えることにより、PMT3を通常の光電子増倍管として動作させることができる。従って、小さな入射光量に対して大きな電子増倍率を実現できるので、微弱光の光量を精度良く測定することができる。また、入射光量が比較的大きなときには、ダイノードDy1とダイノードDy2との間の電位勾配を逆転させることにより、ダイノードDy1からダイノードDy2への二次電子の放出が抑えられる。すなわち、PMT3を、入射光量に応じた光電子を増倍せずに出力する光電管として動作させることができる。従って、強い光の光量についても好適に測定することができる。以上のことから、本実施形態による光検出器1及び光検出用回路2によれば、PMT3を用いて従来の装置よりも更に広いダイナミックレンジで光量を測定することができる。
The effects of the
また、本実施形態のように、電圧印加手段21は、光電陰極33とダイノードDy1との間の電位勾配を形成するツェナダイオードD1を有することが好ましい。ツェナダイオードD1のツェナ電圧は電流の影響を殆ど受けないので、電圧印加手段21がこのように構成されることにより、抵抗素子を用いて電位勾配を形成した場合と比較して、ダイノードDy1からの出力電流I2による電位勾配への影響を抑えることができる。
In addition, as in the present embodiment, the
(第2の実施の形態)
次に、本発明による光検出器及び光検出用回路の第2実施形態について説明する。図2は、第2実施形態に係る光検出器1a及び光検出用回路2aの構成を示す回路図である。図2を参照すると、光検出器1aは、PMT3及び光検出用回路2aを備えている。このうち、PMT3の構成については第1実施形態と同様であるため詳細な説明を省略する。また、光検出用回路2aは、第1実施形態と同様の構成を有する電圧印加手段21、第1の切替手段23、配線25及び28を備えている。
(Second Embodiment)
Next, a second embodiment of the photodetector and the circuit for detecting light according to the present invention will be described. FIG. 2 is a circuit diagram showing configurations of the
上記構成に加えて、本実施形態の光検出器1a及び光検出用回路2aは、光電陰極33への入射光量に基づいて第1の切替手段23及び電源電圧HVを制御する制御手段(制御回路5)を備えている。そして、本実施形態の光検出器1a及び光検出用回路2aは、被検出光Lが極微弱である場合には高い電子増倍率となるよう電源電圧HVを制御して入射光量を測定し、被検出光Lの強度がやや小さな場合には低い電子増倍率となるよう電源電圧HVを制御して入射光量を測定し、被検出光Lの強度が比較的大きい場合には光電子を増倍せずに入射光量を測定する。
In addition to the above configuration, the
具体的には、光検出用回路2aは、制御回路5、高圧電源7、I/V変換器11a及び11b、及び比較器13a〜13cを備えている。I/V変換器11aは、ダイノードDy1からの出力電流I2を電圧信号である光量信号S2に変換するための電流・電圧変換手段である。I/V変換器11aの入力端は、スイッチ手段SW2及び配線25を介してダイノードDy1と抵抗素子R2との間に接続されている。I/V変換器11aの出力端は、出力端子15aに接続されている。I/V変換器11aは、出力端子15aを介して光検出器1aの外部へ光量信号S2を提供する。また、I/V変換器11bは、陽極37からの出力電流I1を電圧信号である光量信号S1に変換するための電流・電圧変換手段である。I/V変換器11bの入力端は、配線28を介して陽極37に接続されている。I/V変換器11bの出力端は、出力端子15bに接続されている。I/V変換器11bは、出力端子15bを介して光検出器1aの外部へ光量信号S1を提供する。
Specifically, the
比較器13aは、光量信号S2に基づいて、入射光量が所定の第1の光量よりも小さいか否かを判定するための手段である。所定の第1の光量とは、光検出用回路2aが光電子を二次電子増倍せずに出力する動作と二次電子増倍して出力する動作との閾値となる光量である。比較器13aのプラス側入力端は、I/V変換器11aの出力端に接続されている。比較器13aのマイナス側入力端には、所定の第1の光量を示す参照電圧Vr2が供給される。比較器13aの出力端は、制御回路5に接続されている。比較器13aは、I/V変換器11aからの光量信号S2が参照電圧Vr2よりも小さいか否かを示す信号を制御回路5に提供する。
The
比較器13bは、光量信号S1に基づいて、入射光量が所定の第1の光量よりも大きいか否かを判定するための手段である。比較器13bのプラス側入力端は、I/V変換器11bの出力端に接続されている。比較器13bのマイナス側入力端には、所定の第1の光量を示す参照電圧Vr11が供給される。比較器13bの出力端は、制御回路5に接続されている。比較器13bは、I/V変換器11bからの光量信号S1が参照電圧Vr11よりも大きいか否かを示す信号を制御回路5に提供する。また、比較器13cは、光量信号S1に基づいて、入射光量と所定の第2の光量との大小を判定するための手段である。所定の第2の光量とは、PMT3への電源電圧HV(<0)を制御することによりPMT3における二次電子増倍率を切り替えるときの閾値となる光量である。比較器13cのプラス側入力端は、I/V変換器11bの出力端に接続されている。比較器13cのマイナス側入力端には、所定の第2の光量を示す参照電圧Vr12が供給される。比較器13cの出力端は、制御回路5に接続されている。比較器13cは、I/V変換器11bからの光量信号S1と参照電圧Vr12との大小関係を示す信号を制御回路5に提供する。
The
制御回路5は、光電陰極33への入射光量に基づいて第1の切替手段23及び電源電圧HVを制御する制御手段である。本実施形態では、制御回路5は、比較器13a〜13cからの信号に基づいて第1の切替手段23及び電源電圧HVを制御する。制御回路5は、3つの入力端及び3つの出力端を有する。制御回路5の3つの入力端は、それぞれ比較器13a〜13cに接続されている。制御回路5の3つの出力端のうち1つは、スイッチ手段SW1及びSW2に接続されている。3つの出力端のうち他の1つは、高圧電源7の制御端子に接続されている。3つの出力端のうち更に他の1つは、出力端子19に接続されている。
The
制御回路5は、比較器13a〜13cからの信号に基づいて、被検出光Lの光量を得る。そして、被検出光Lが極微弱である場合(すなわち光量信号S1が参照電圧Vr12よりも小さな場合)には、スイッチ手段SW1及びSW2を非接続状態とする制御信号S3をスイッチ手段SW1及びSW2へ送るとともに、電源電圧HVを高圧(例えば−1100V)とするための制御信号S4を高圧電源7へ送る。また、被検出光Lの強度がやや小さな場合(すなわち、光量信号S1が参照電圧Vr12よりも大きく且つ参照電圧Vr11よりも小さな場合)には、スイッチ手段SW1及びSW2を非接続状態とする制御信号S3をスイッチ手段SW1及びSW2へ送るとともに、電源電圧HVを低圧(例えば−400V)とするための制御信号S4を高圧電源7へ送る。また、被検出光Lの強度が大きな場合(すなわち、光量信号S1が参照電圧Vr11よりも大きいか、或いは光量信号S2が参照電圧Vr2よりも大きい場合)には、スイッチ手段SW1及びSW2を接続状態とする制御信号S3をスイッチ手段SW1及びSW2へ送るとともに、電源電圧HVを更に低圧(例えば−200V)とするための制御信号S4を高圧電源7へ送る。また、制御回路5は、入射光量に基づくスイッチ手段SW1及びSW2並びに高圧電源7の制御状態を示すモード信号S5を、出力端子19を介して光検出器1aの外部へ提供する。
The
高圧電源7は、電源電圧を出力する出力端子、及び電源電圧を制御するための制御端子を有する。高圧電源7の出力端子は、抵抗素子R1を介して光電陰極33及び電圧印加手段21に接続されている。高圧電源7の制御端子は、制御回路5に接続されている。高圧電源7は、制御端子から入力した制御信号S4に示された大きさの電源電圧HVを出力端子から出力する。
The high-voltage power supply 7 has an output terminal for outputting a power supply voltage and a control terminal for controlling the power supply voltage. The output terminal of the high-voltage power source 7 is connected to the
以上の構成を備える光検出器1a及び光検出用回路2aは、次のように動作する。PMT3の光電陰極33に被検出光Lが入射すると、光電陰極33において入射光量に応じた光電子が発生する。スイッチ手段SW1及びSW2が非接続状態である場合には、光電子は各ダイノードDy1〜Dynによって二次電子増倍される。増倍された二次電子は、陽極37に収集されて出力電流I1としてI/V変換器11bに送られる。そして、I/V変換器11bにおいて、出力電流I1が光量信号S1に変換される。光量信号S1は出力端子15bを介して光検出器1a外部へ提供されるとともに、比較器13b及び13cへ送られる。光電陰極33への入射光量が所定の第2の光量よりも小さい場合には、上記動作が継続される。また、光電陰極33への入射光量が所定の第2の光量よりも大きく且つ所定の第1の光量よりも小さい場合には、制御回路5によって高圧電源7からの電源電圧HVが低圧側へ(例えば−1100Vから−400Vへ)切り替えられる。
The
また、光電陰極33への入射光量が所定の第1の光量よりも大きい場合には、制御回路5によって、スイッチ手段SW1及びSW2が非接続状態から接続状態へ切り替えられるとともに、高圧電源7からの電源電圧HVが更に低圧側へ(例えば−400Vから−200Vへ)切り替えられる。スイッチ手段SW1及びSW2が接続状態に切り替えられると、光電陰極33において発生した光電子は、ダイノードDy1に到達するが、逆電位勾配のためダイノードDy2へは放出されず、以後のダイノードで電子は増倍されない。そして、光電子は、ダイノードDy1から出力電流I2として出力される。そして、出力電流I2はI/V変換器11aに送られる。そして、I/V変換器11aにおいて、出力電流I2が光量信号S2に変換される。光量信号S2は出力端子15aを介して光検出器1a外部へ提供されるとともに、比較器13aへ送られる。光電陰極33への入射光量が所定の第1の光量よりも大きい場合には、上記動作が継続される。また、光電陰極33への入射光量が所定の第1の光量よりも小さくなると、制御回路5によってスイッチ手段SW1及びSW2が接続状態から非接続状態へ切り替えられるとともに、高圧電源7からの電源電圧HVが高圧側へ(例えば−200Vから−400Vへ)切り替えられる。
Further, when the amount of light incident on the
以上に説明した本実施形態の光検出器1a及び光検出用回路2aによれば、第1実施形態の光検出器1及び光検出用回路2と同じ効果が得られる。また、本実施形態のように、光検出器1a及び光検出用回路2aは、陽極37からの出力電流I1、及びダイノードDy1からの出力電流I2に基づいて第1の切替手段23のスイッチ手段SW1及びSW2を制御する制御回路5をさらに備えることが好ましい。これにより、PMT3における二次電子増倍率(二次電子増倍しない場合も含む)を光電陰極33への入射光量に応じて自動的に設定することができる。なお、この場合には、陽極37からの出力電流I1、及びダイノードDy1からの出力電流I2に基づいて、電源電圧HVの値も自動的に切り替えられることが更に好ましい。
According to the
(第3の実施の形態)
次に、本発明による光検出器及び光検出用回路の第3実施形態について説明する。図3は、第3実施形態に係る光検出器1b及び光検出用回路2bの構成を示す回路図である。図3を参照すると、光検出器1bは、PMT3及び光検出用回路2bを備えている。このうち、PMT3の構成については第1実施形態と同様であるため詳細な説明を省略する。
(Third embodiment)
Next, a third embodiment of the photodetector and the circuit for light detection according to the present invention will be described. FIG. 3 is a circuit diagram showing configurations of the
本実施形態の光検出用回路2bが第1実施形態の光検出用回路2と相違する点は、光電陰極33への入射光量が微量であるときに、ダイノードDy1ではなく第m段目(2≦m≦n−1)のダイノードDymから出力電流を取り出す点である。
Point
光検出用回路2bは、電圧印加手段22及び第1の切替手段24を備えている。電圧印加手段22は、光電陰極33及びn段のダイノードDy1〜Dynに所定の電位勾配を与えるための手段である。本実施形態では、電圧印加手段22は第1の電圧印加手段22a及び第2の電圧印加手段22bによって構成されている。第1の電圧印加手段22aは、直列に接続されたツェナダイオードD1〜Dm及び抵抗素子R5を有する。ツェナダイオードD1のアノード側は、抵抗素子R1を介して電源端子17に接続されるとともに、光電陰極33に接続されている。ツェナダイオードDmのカソード側は、抵抗素子R5の一端に接続されている。抵抗素子R5の他端は、基準電位線43に接続されている。ツェナダイオードDmと抵抗素子R5との間には、抵抗素子R4を介してダイノードDymが接続されている。電源端子17には、電源電圧HV(<0)が供給される。この構成により、光電陰極33には電位Vkが与えられ、ダイノードDy1〜DymにはツェナダイオードD1〜Dm及び抵抗素子R5によって勾配を有する電位V1〜Vm(>Vk)が与えられる。
The
第2の電圧印加手段22bは、抵抗素子Rdm〜Rdnを有する。抵抗素子Rdm〜Rdnは、抵抗素子R1と基準電位線31との間に互いに直列に接続されている。抵抗素子Rdmの一端は、抵抗素子R1を介して電源端子17に接続されている。抵抗素子Rdnの一端は、基準電位線31に接続されている。抵抗素子Rdm〜Rdnのうち互いに隣接する抵抗素子の間には、それぞれダイノードDym+1〜Dynが接続されている。第2の電圧印加手段22bは、抵抗素子Rdm〜Rdnによって電源電圧HVを分割することにより、ダイノードDym+1〜Dynへ与える電位Vm+1〜Vnを生成する。このとき、第2の電圧印加手段22bは、後段のダイノードほど高い電位となるように電位Vm+1〜Vnを生成する。また、第2の電圧印加手段22bは、ダイノードDym+1の電位Vm+1がダイノードDymの電位Vmよりも高い電位となるように、各電位Vm+1〜Vnを生成する。
Second
第1の切替手段24は、n段のダイノードDy1〜Dynのうち、ダイノードDymとダイノードDym+1との間の電位勾配を所定の電位勾配とは逆の電位勾配に切り替えるための手段である。本実施形態では、第1の切替手段24はスイッチ手段SW3を有する。スイッチ手段SW3の一端は抵抗素子R4を介してダイノードDymに接続されており、スイッチ手段SW3の他端は基準電位線41に接続されている。スイッチ手段SW3が短絡すると、ダイノードDymの電位VmがダイノードDym+1の電位Vm+1よりも高い基準電位となるので、ダイノードDymとダイノードDym+1との間の電位勾配が逆転することとなる。なお、第1実施形態とは異なり、電源端子17に供給される電源電圧HVの大きさは一定とする。
First switching means 24, of the
また、光検出用回路2bは、配線26及び28を備えている。配線26は、ダイノードDymから出力電流I3を取り出すための手段である。配線26の一端はダイノードDymと抵抗素子R4との間に接続されており、配線26の他端は出力端子27cに接続されている。配線28は、陽極37から出力電流I1を取り出すための手段である。配線28の一端は陽極37に接続されており、配線28の他端は出力端子27aに接続されている。
Further, the
以上の構成を備える光検出器1b及び光検出用回路2bは、次のように動作する。PMT3の光電陰極33に被検出光Lが入射すると、光電陰極33において入射光量に応じた光電子が発生する。入射光量が小さい場合には、第1の切替手段24のスイッチ手段SW3を非接続状態に設定する。このとき、光電陰極33及びダイノードDy1〜Dynのそれぞれには、電圧印加手段22によって所定の電位勾配を有する電位Vk、V1〜Vnが与えられているので、光電陰極33において発生した光電子はダイノードDy1〜Dynへ順に放出されて二次電子増倍される。増倍された二次電子は陽極37に収集され、陽極37から出力されて出力電流I1となり、配線28を介して出力端子27aに提供される。
The
また、入射光量が大きい場合には、第1の切替手段24のスイッチ手段SW3を接続状態に設定する。このとき、ダイノードDymとダイノードDym+1との間の電位勾配が逆転し、ダイノードDymの電位VmはダイノードDym+1の電位Vm+1よりも高くなる。光電陰極33において発生した光電子がダイノードDy1〜Dym−1において二次電子増倍された後、二次電子がダイノードDymに達する。ダイノードDymに達した光電子は、逆電位勾配のためダイノードDym+1へは放出されず、以後のダイノードで電子は増倍されない。そして、ダイノードDymから出力電流I3として出力され、配線26を介して出力端子27cに提供される。
Further, when the incident light amount is large, it sets the switch means SW 3 of the
本発明に係る光検出器及び光検出用回路においては、本実施形態のように初段ダイノードDy1と最終段ダイノードDynとの間の任意のダイノードDymから出力電流I3を取り出してもよい。この場合、ダイノードDy1〜Dym−1によって二次電子増倍された出力電流I3が得られるので、大きな入射光量に対しては、n段よりも少ないm−1段のダイノードDy1〜Dym−1によって小さな電子増倍率を実現できる。第1実施形態のように初段ダイノードDy1から出力電流I2を取り出す(すなわち、本実施形態のm=1の場合に相当)か、初段ダイノードDy1よりも後段のダイノードDym(2≦m≦n−1)から出力電流I3を取り出すかは、光電陰極33への入射光量の最大値に基づいて決定されるとよい。
In the optical detector and an optical detection circuit according to the present invention, it may be taken out first-stage dynode Dy 1 and output current I 3 from any dynode Dy m between the last stage dynode Dy n as in this embodiment . In this case, since the dynode Dy 1 ~Dy m-1 by a secondary electron multiplier output current I 3 is obtained, large relative to the amount of incident light,
また、本実施形態のように初段ダイノードDy1と最終段ダイノードDynとの間の任意のダイノードDymから出力電流I3を取り出す場合には、陽極37から出力電流I1を取り出す通常のPMT動作における電源電圧HVの電圧値を切り替えずにそのまま用いてもよい。高圧電源においては電源電圧を切り替える動作に一定の時間を要することが多いので、電源電圧HVを切り替えないことにより、ダイノードDymから出力電流I3を取り出す動作モードと陽極37から出力電流I1を取り出す動作モードとを切り替える際の切り替え時間を短縮できる。
Also, when taking out the output current I 3 from any dynode Dy m between the first-stage dynode Dy 1 and the final-stage dynode Dy n as in this embodiment, conventional PMT extracting an output current I 1 from the
(第4の実施の形態)
次に、本発明による光検出器及び光検出用回路の第4実施形態について説明する。図4は、第4実施形態に係る光検出器1c及び光検出用回路2cの構成を示す回路図である。図4を参照すると、光検出器1cは、PMT3及び光検出用回路2cを備えている。このうち、PMT3の構成については第1実施形態と同様であるため詳細な説明を省略する。
(Fourth embodiment)
Next, a fourth embodiment of the photodetector and the circuit for light detection according to the present invention will be described. FIG. 4 is a circuit diagram showing configurations of the
本実施形態の光検出用回路2cと第1実施形態の光検出用回路2との相違点は、第2の切替手段45の有無である。本実施形態の光検出用回路2cは、第2の切替手段45を備える。なお、光検出用回路2cの第2の切替手段45以外の構成については、第1実施形態の光検出用回路2の構成と同様である。
The difference between the
第2の切替手段45は、ダイノードDy3〜Dynの電位V3〜Vnを、ダイノードDy1と略同電位となるように切り替えるための手段である。本実施形態では、第2の切替手段45は第2の電圧印加手段21bの抵抗素子Rd2と抵抗素子Rd3との間に接続されている。第2の切替手段45は、スイッチ手段SW4を有する。スイッチ手段SW4の一端は、抵抗素子Rd2と抵抗素子Rd3との間に接続されている。スイッチ手段SW4の他端は、基準電位線47に接続されている。なお、スイッチ手段SW4としては、機械式スイッチのほか、トランジスタ等の電気的スイッチを用いることができる。
Second switching means 45 is a means for switching the
本実施形態の光検出器1c及び光検出用回路2cの動作について説明する。PMT3の光電陰極33に被検出光Lが入射すると、光電陰極33において入射光量に応じた光電子が発生する。入射光量が小さい場合には、第1の切替手段23のスイッチ手段SW1及び第2の切替手段45のスイッチ手段SW4を非接続状態に設定する。なお、スイッチ手段SW1及びSW4の接続状態/非接続状態の設定は、手動で行われても良いし、第2実施形態のように入射光量に基づいて自動的に行われても良い。光電陰極33において発生した光電子は、ダイノードDy1〜Dynへ順に放出されて二次電子増倍される。増倍された二次電子は陽極37に収集され、陽極37から出力されて出力電流I1となり、配線28を介して出力端子27aに提供される。
The operation of the
また、入射光量が大きい場合には、第1の切替手段23のスイッチ手段SW1及び第2の切替手段45のスイッチ手段SW4を接続状態に設定する。このとき、ダイノードDy1とダイノードDy2との間の電位勾配が逆転するとともに、ダイノードDy3〜Dynの電位V3〜Vnが互いに同電位(基準電位)となる。光電陰極33において発生した光電子は、ダイノードDy1から出力されて出力電流I2となり、配線25を介して出力端子27bに提供される。
Further, when the incident light amount is large, it sets the switch means SW 4 of switch means SW 1 and the second switching means 45 of the first switching means 23 to the connected state. At this time, the potential gradient between the dynode Dy 1 and dynode Dy 2 is reversed, the potential V 3 ~V n dynode Dy 3 ~Dy n have the same potential (reference potential) to each other. Photoelectrons generated at the
本実施形態の光検出器1c及び光検出用回路2cによれば、第1実施形態の光検出器1及び光検出用回路2の効果に加え、さらに次の効果が得られる。すなわち、光検出用回路2cは、ダイノードDy3〜Dynの電位V3〜Vnを、ダイノードDy1と略同電位となるように切り替える第2の切替手段45を備えている。これにより、ダイノードDy1からの二次電子の放出がほぼ完全に抑えられる。なお、本実施形態ではダイノードDy1から出力電流I2を取り出す場合を例にとり説明したが、ダイノードDymから出力電流を取り出す場合には、第2の切替手段をダイノードDym+2に接続するとよい。この場合、第2の切替手段は、ダイノードDym+2〜Dynの電位Vm+2〜Vnを、ダイノードDymと略同電位となるように切り替える。
According to the
以上に説明した本発明に係る光検出用回路及び光検出器は、例えばMTPリーダやルミノメータに組み込まれるワイドレンジ光検出器として用いることができる。また、近年、高OD(Optical Density:光学濃度)の光学フィルタ(例えば励起光カット用蛍光フィルタ等)が求められているが、そのような光学フィルタのOD性能を測定する場合、従来の光検出器ではダイナミックレンジが狭いため精度良く測定することが困難であった。本発明に係る光検出用回路及び光検出器によれば、例えば11桁以上の広いダイナミックレンジで線形性に優れた出力電流が得られるので、このような光学フィルタのOD値測定も容易となる。また、従来、光検出器のダイナミックレンジを拡大するためにNDフィルタ(減光フィルタ)を用いて高強度の入射光を減衰させる方法も用いられていた。本発明に係る光検出用回路及び光検出器によれば、NDフィルタを用いなくともダイナミックレンジを拡大することが可能となる。 The light detection circuit and the light detector according to the present invention described above can be used as, for example, a wide range light detector incorporated in an MTP reader or a luminometer. In recent years, optical filters having high OD (Optical Density: optical density) (for example, a fluorescent filter for cutting excitation light) have been demanded. When measuring the OD performance of such optical filters, conventional optical detection is required. The instrument has a narrow dynamic range, making it difficult to measure accurately. According to the light detection circuit and the light detector according to the present invention, an output current excellent in linearity can be obtained with a wide dynamic range of, for example, 11 digits or more, and therefore it becomes easy to measure the OD value of such an optical filter. . Conventionally, a method of attenuating high-intensity incident light using an ND filter (a neutral density filter) has been used to expand the dynamic range of the photodetector. According to the light detection circuit and the light detector according to the present invention, the dynamic range can be expanded without using an ND filter.
また、本発明に係る光検出用回路及び光検出器は、上記した各実施形態に限られるものではなく、他に様々な変形が可能である。例えば、上記各実施形態では光電陰極の電位を負電位としているが、光電陰極の電位を基準電位とし、陽極側の電位を正の電位としてもよい。この場合、所定のダイノード間の電位勾配を逆転させるために、第1の切替手段はダイノードの電位を基準電位ではなく適切な正の電位に切り替えるとよい。 Further, the light detection circuit and the light detector according to the present invention are not limited to the above-described embodiments, and various other modifications are possible. For example, in each of the above embodiments, the photocathode potential is a negative potential, but the photocathode potential may be a reference potential and the anode potential may be a positive potential. In this case, in order to reverse the potential gradient between predetermined dynodes, the first switching means may switch the dynode potential to an appropriate positive potential instead of the reference potential.
1,1a〜1c…光検出器、2,2a〜2c…光検出用回路、5…制御回路、7…高圧電源、11a,11b…I/V変換器、13a〜13c…比較器、15a,15b,19,27a〜27c…出力端子、17…電源端子、21,22…電圧印加手段、21a,22a…第1の電圧印加手段、21b,22b…第2の電圧印加手段、23,24…第1の切替手段、33…光電陰極、35…増倍部、37…陽極、39…真空管、45…第2の切替手段。
DESCRIPTION OF
Claims (5)
前記光電陰極及び前記n段のダイノードに所定の電位勾配を与える電圧印加手段と、
前記n段のダイノードのうち第m段目(1≦m≦n−1)の前記ダイノードから電子を取り出す際に、前記第m段目のダイノードと第m+1段目の前記ダイノードとの間の電位勾配を前記所定の電位勾配とは逆の電位勾配に切り替える第1の切替手段と
を備えることを特徴とする、光検出用回路。 A photocathode that emits photoelectrons according to the amount of incident light, a dynode arranged in n stages (n is an integer of 2 or more), a multiplier that multiplies the photoelectrons, and an electron that has been multiplied by the multiplier A photodetection circuit connected to a photomultiplier tube having a collecting anode;
Voltage applying means for applying a predetermined potential gradient to the photocathode and the n-stage dynode;
The potential between the m-th dynode and the (m + 1) -th dynode when electrons are extracted from the m-th dynode (1 ≦ m ≦ n−1) of the n-th dynodes. And a first switching means for switching the gradient to a potential gradient opposite to the predetermined potential gradient.
請求項1〜4のいずれか一項に記載の光検出用回路と
を備えることを特徴とする、光検出器。
A photocathode that emits photoelectrons according to the amount of incident light, a dynode arranged in n stages (n is an integer of 2 or more), a multiplier that multiplies the photoelectrons, and an electron that has been multiplied by the multiplier A photomultiplier tube having an anode to be
An optical detector comprising: the optical detection circuit according to claim 1.
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