JP2005508062A

JP2005508062A - データ記憶媒体

Info

Publication number: JP2005508062A
Application number: JP2003525843A
Authority: JP
Inventors: ハリハラン，ラメシュ; ファイスト，トマス・ポール; ヘイ，グラント; ロングリー，キャスリン・リン; ブシュコ，ウィット・セザリー; ドリス，イレーネ; アリザデ，アザル
Original assignee: General Electric Co
Current assignee: General Electric Co
Priority date: 2001-08-31
Filing date: 2002-07-11
Publication date: 2005-03-24
Also published as: WO2003021581A2; CN1568505A; EP1581932A2; AU2002361515A8; TW594718B; AU2002361515A1; WO2003021581A8; US20020197441A1

Abstract

本発明は、物品について最大チルト範囲及び半径を予め求めることにより物品の吸水歪を測定する方法を提供する。本発明の他の実施形態は、データ記憶媒体及びデータ記憶媒体用ポリマーであり、上記データ記憶媒体は複数の層を備え、上記吸水歪は複数の層について計算される。
【選択図】図１

Description

【技術分野】
【０００１】
この発明は、記憶媒体用ポリマーに関する。特に、ポリマーの吸水歪を測定することにより記憶媒体のチルトを低減することに関する。
【背景技術】
【０００２】
データ記憶密度の増加など光データ記憶媒体の改良が切望されており、このような改良を実現することで、再生専用、追記形、書換形、デジタルバーサタイル（ＤＶ）及び光磁気（ＭＯ）ディスクのような既に確立されたコンピュータ技術や新しいコンピュータ技術の向上が図れると期待されている。
【０００３】
デジタルビデオレコーダ（ＤＶＲ）のような短期又は長期データアーカイブ用のデジタルバーサタイルディスク（ＤＶＤ）及び高密度データディスクのような最新の技術に対処するために、光データ記憶媒体におけるデータ記憶密度を増加するにつれて、光データ記憶装置の透明なプラスチック部品への設計要件が益々厳格になっている。「読取り及び書込み」波長が次第に短くなっている光ディスクは、光データ記憶装置の分野で多大な努力の払われる対象となっている。
【０００４】
光データ記憶媒体に用いる材料への設計要件には、低吸水歪／水吸収、低複屈折、高透明性、耐熱性、延性、高純度、そして不均質又は粒子がほとんど含まれないことなどがある。現在用いられている材料はこれらの特性の１つ以上に欠けることが分かっており、光データ記憶媒体のデータ記憶密度をさらに高めるために、新しい材料が求められている。
【０００５】
高い記憶密度を必要とする用途では、光物品を製造するポリマー材料における水吸収特性がより一層重要になる。水を吸収すると、材料に体積変化が生じる。吸水による材料の線形歪みを吸水歪（ｗａｔｅｒｓｔｒａｉｎ）という。データ記憶密度を高める上で、吸水歪は光物品におけるチルト、即ちディスク平坦度に影響する物性である。ディスク平坦度は高データ記憶密度用途に必要な臨界的特性である。吸水歪が大きいとディスクのスキュー（傾き）が生じ、これが信頼性の低下につながることが知られている。ディスクの大部分はポリマー材料から構成されているので、ディスクの平坦度はポリマー材料の低吸水歪に依存する。
【０００６】
ディスク平坦度を呈する組成物が必要とされている。データ記憶媒体に用いるのに適当な材料とその物性を最適化する方法がいつも求められている。
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００７】
一実施形態では、本発明は、複数の層を備えるデータ記憶媒体において、
ａ）ポリマーを含有する基板層と、
ｂ）基板上の１以上のデータ層とを備え、
前記ポリマーは、記憶媒体の予め求めた最大チルト範囲で、次式（Ｉ）で求められる吸水歪を有する、データ記憶媒体を提供する。
【０００８】
【数１】

【０００９】
式中のｔは基板厚さ、ｒは記憶媒体の予め求めた半径、Δｒｈは相対湿度の変化分である。
【００１０】
別の実施形態では、本発明は、複数の層を備えるデータ記憶媒体において、
ａ）ポリマーを含有する１以上の基板層と、
ｂ）基板上の１以上のデータ層と、
ｃ）データ層上の１以上の薄膜層とを備え、
前記薄膜層がポリマーと実質的に同じ物性を有する材料を含有し、
前記ポリマーは、記憶媒体の予め求めた最大チルト範囲で、次式（II）で求められる吸水歪を有する、データ記憶媒体を提供する。
【００１１】
【数２】

【００１２】
式中のｔは基板厚さ、ρは薄膜層の厚さ対基板層の厚さの予め求めた厚さ比、ｒは記憶媒体の予め求めた半径、Δｒｈは相対湿度の変化分である。
【００１３】
他の実施形態では、本発明は、積層物品の片側から水吸収時の吸水歪を測定する方法であって、
物品の最大チルト範囲及び半径を予め求め、
式（Ｉ）を用いて吸水歪を計算する
工程を含む、積層物品の吸水歪の測定方法を提供する。
【００１４】
さらに他の実施形態では、本発明は、積層物品の２側面以上から水吸収時の吸水歪を測定する方法であって、
物品の最大チルト範囲及び半径を予め求め、
式（II）を用いて吸水歪を計算する
工程を含む、積層物品の吸水歪の測定方法を提供する。
【００１５】
さらに他の実施形態では、本発明は、ポリマーを含有する基板層と１以上のデータ層とを備えるデータ記憶媒体用のポリマーであって、
記憶媒体の予め求めた最大チルト範囲で、式（Ｉ）で求められる吸水歪を有する、ポリマーを提供する。
【００１６】
さらに他の実施形態では、本発明は、
ａ）ポリマーを含有する１以上の基板層と、
ｂ）基板上の１以上のデータ層と、
ｃ）データ層上の１以上の薄膜層とを備え、
前記薄膜層がポリマーと実質的に同じ物性を有する材料を含有する、データ記憶媒体用のポリマーであって、
記憶媒体の予め求めた最大チルト範囲で、式（II）で求められる吸水歪を有する、ポリマーを提供する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本明細書及び特許請求の範囲において、多数の用語に言及するが、これらの用語は以下の意味をもつと定義される。
【００１８】
単数表現は、文脈上明らかにそうでない場合以外は、複数も含む。
【００１９】
「所望に応じて」は、後述する事象や状況が起こっても起こらなくてもよいことを意味し、関連する説明は事象が起こった場合と事象が起こらなかった場合両方を包含する。
【００２０】
本発明は、データ記憶媒体用のポリマーの使用に主眼がある。本発明の一実施形態では、データ記憶媒体は複数の層を備え、複数層は基板部分と基板上の１以上のデータ層とを含む。本発明の別の実施形態では、データ記憶媒体は複数の層を備え、複数層は１以上の基板部分と、基板上の１以上のデータ層と、データ層上の１以上の薄膜層とを含む。
【００２１】
データ記憶層は、読み出し可能なデータを記憶できる任意の材料から構成でき、例えば光層、磁気層或いはより好ましくは光磁気層を含み、その厚さは約６００オングストローム（Å）以下、好ましくは３００Å以下である。情報は基板表面に直接インプリントするか、基板表面に堆積した光、熱又は磁気媒体に記憶させることができる。使用可能なデータ記憶層には、酸化物（例えば酸化ケイ素）、希土類元素−遷移金属合金、ニッケル、コバルト、クロム、タンタル、白金、テルビウム、ガドリニウム、鉄、ホウ素など、及びこれらの１種以上を含む合金及び組合せ、有機色素（例えばシアニン又はフタロシアニン系色素）、無機相変化形化合物（例えばＴｅＳｅＳｎ又はＩｎＡｇＳｂ）があるが、これらに限定されない。代表的には、データ層は保磁力約１，５００エルステッド（Ｏｅ）以上であり、保磁力約３，０００Ｏｅ以上が特に好ましい。
【００２２】
基板上に設けることのできる他の層には、誘電層、絶縁層、接着層、これらの層１つ以上を含む組合せなどがある。誘電層は、熱抑制層としてしばしば用いられ、代表的には厚さ約１，０００Å以下でも以上でもよく、約２００Åのように薄くてもよい。使用可能な誘電層には、環境内で適合性があり、好ましくは周囲層と反応性でない材料の中でも、窒化物（例えば窒化ケイ素、窒化アルミニウムなど）、酸化物（例えば酸化アルミニウム）、炭化物（例えば炭化ケイ素）、これらの１種以上を含む組合せなどが挙げられる。
【００２３】
反射層は、データ読み出しを可能にする十分な量のエネルギーを反射するのに十分な厚さをもつ必要がある。代表的には、反射層の厚さは約７００Å以下とすることができ、通常約３００Å〜約６００Åの範囲の厚さが好ましい。使用可能な反射層には、特定のエネルギー場を反射できる任意の材料、具体的には金属（例えばアルミニウム、銀、金、チタン、及びこれらの１種以上を含む合金及び混合物など）がある。
【００２４】
接着層は、通常、読取り薄膜を基板に支持された他の層に接着するのに用いられる。代表的な接着剤は、ゴム系材料又はゴム状材料、例えば天然ゴム、シリコーンゴム又はアクリル酸エステルポリマーなどである。非剛性ポリマー接着剤、例えばゴム又はアクリル系ポリマーなどを主剤とする接着剤は、エラストマーの特性、例えば可撓性、耐クリープ性、レジリエンス及び弾性のいくつかを有し、有効な緩衝作用をなし、データ記憶ディスクの再生品質を高める。非剛性ポリマー接着剤の化学は多岐にわたり、エラストマー及びゴム、可撓性熱可塑性プラスチックス、並びに熱可塑性エラストマーと記述する材料タイプのポリマーを包含する。接着層に使用できるこのようなポリマー材料の適当な例として、ポリイソプレン、スチレン−ブタジエンゴム、エチレンプロピレンゴム、フルオロビニルメチルシロキサン、塩素化イソブテン−イソプレン、クロロプレン、塩素化ポリエチレン、クロロスルホン化ポリエチレン、アクリル酸ブチル、発泡ポリスチレン、発泡ポリエチレン、発泡ポリプロピレン、発泡ポリウレタン、可塑化ポリ塩化ビニル、ジメチルシリコーンポリマー、メチルビニルシリコーン、ポリ酢酸ビニルなどがある。接着層は、普通の方法、例えばスピンコート、溶液塗布、射出成形、押出成形などによりデータ記憶媒体に付加することができる。代表的には、このような用途に粘着剤（感圧接着剤）を用いるのが好ましい。データ記憶層、誘電層、保護層、接着層及び反射層のほかに、他の層、例えば潤滑層などを使用することができる。有用な潤滑剤には、フッ素化合物、例えばフッ素オイル及びグリースなどがある。
【００２５】
高密度フォーマット用のフィルム（膜）は、面内リターデーション１０ｎｍ以下のような光学特性を有する。フィルムはまた、厚さ不均一性及び表面粗さが小さい。１００μｍのフィルムの場合、２ｃｍより長い長さスケールでの厚さ均一性が２μｍ未満程度であり、１ｍｍの長さスケールでの表面粗さが４０ｎｍ以下程度である。このような仕様のフィルムを製造するのに使用できる慣例の方法は、例えば溶液キャスティング、押出キャスティング、押出カレンダリング、スピンコーティング及び射出成形である。溶液キャスティングを用いるのが好ましい。
【００２６】
記憶媒体の製造には、種々の方法を採用でき、例えば射出成形、発泡加工、スパッタリング、プラズマ蒸着、真空蒸着、電着、スピンコーティング、スプレーコーティング、メニスカスコーティング、データスタンピング、型押（エンボス加工）、表面研磨、固着、積層、回転成形、２ショット成形、共射出、フィルムの上乗せ成形、微孔成形及びこれらの組合せなどがあるが、これらに限定されない。所望の造作、例えばピット及びグルーブを有する基板をその場で製造できる技術を使用するのが好ましい。このような方法の一つに射出成形−圧縮技術があり、この場合金型に本発明の溶融ポリマーを入れる。金型にはプレホーム、インサートなどを配置してもよい。ポリマー系を冷却し、少なくとも部分的に溶融状態にある間に、圧縮して所望の表面造作、例えば螺旋、同心その他の向きに配列したピット及びグルーブを基板の所望部分に、即ち所望区域の片側又は両側にインプリントする。この後基板を室温まで冷却する。
【００２７】
一般に、高面積密度用途、即ち約５ギガバイト／平方インチ（Ｇｂｉｔ／ｉｎ²）以上では、読出し／書込み装置を記憶媒体の表面に比較的近接して配置する（スタンドオフ距離）。一般に、実現したい密度が高ければ高いほど、読出し／書込み装置を記憶媒体の表面に一層近づける必要がある。代表的には、これらの例で、スタンドオフ距離は通常約０．３ｍｍ未満、多くの場合約７６０ｎｍ未満である。極めて高い密度では、読出し／書込み装置を記憶媒体の表面に極めて近く、具体的には表面から約０．０６４μｍ未満、多くの場合約０．０１３μｍ未満に近づけるのが好ましい。本発明のデータを読出すシステムは、代表的には、約１Ｈｚ〜約５００Ｈｚの周波数範囲で、好ましくは約１００Ｈｚ〜約２００Ｈｚの周波数範囲で作動する。光記憶媒体に高い面積密度を実現するには、ビームスポットの直径を小さくする必要がある。純粋な回折限界の場合、ビーム直径と開口数及び波長との関係は以下の通りである。
【００２８】
【数３】

【００２９】
ここで、λ＝光源の波長、ＮＡ＝対物レンズの開口数。
【００３０】
通常、必要な密度増加を達成するには、レーザ波長及び開口数両方を変える。これはディスクのチルト許容量に影響する。ここで「チルト」は、材料が水平軸上で屈曲する度合を指し、代表的には記憶媒体の外径での鉛直方向変位として測定される。代表的には、チルトは、ディスクにある角度で入射するレーザビームの偏向を測定することにより求められる。幾何学的に考えると、レーザビームの偏向は径方向チルト角の２倍に等しい。これは半径方向偏差として表され、度（°）で測定したチルト角の２倍である。チルト許容量と開口数及び波長との関係は以下の通りである。
【００３１】
【数４】

【００３２】
ここで、ｄ＝読取り媒体の厚さ。
【００３３】
記憶媒体が１以上の基板層と１以上のデータ層とを有する場合、代表的にはデータ層（即ち、スパッタされた金属及び有機／無機層））を通しての水透過率がゼロに近いことが原因で水吸収が非対称となる。記憶媒体構造は面内方向に無限に延在する、材料特性が厚さの関数ではない弾性プレートであると仮定すると、水吸収による等方性歪みは次式で与えられる。
【００３４】
【数５】

【００３５】
ここで、ε＝歪み、ｚ＝厚さ方向、ｌ＝厚さ、ｃ＝濃度、β＝膨潤係数、但しε（ｔ）＝βｃ（ｚ，ｔ）。
【００３６】
基板の曲率とディスクにおける水分布の一次モーメントとの関係は下記：
【００３７】
【数６】

【００３８】
に示す通りであり、また厚さ及び時間の関数ｃ（ｚ，ｔ）としての水の濃度は拡散式の解から計算される。
【００３９】
（反対側が水不透過性であるために）水吸収が片側から生じる積層物品の場合、所定の温度（Ｔ）での水吸収に基づくラジアルチルト範囲の最大値は次式で与えられる。
【００４０】
【数７】

【００４１】
ここで、κは曲率（／長さ）、Δｒｈは相対湿度差、βは所定温度（Ｔ）での歪み／水質量部分、ｓは相対湿度（ｒｈ）＝１及びＴでの水質量部分、ε＝βｓはｒｈ＝１及びＴでの吸水歪、ｔは基板厚さ、ｒは該当半径である。ここで用いる用語「最大ラジアルチルト範囲」は水の吸収及びその後の脱着時のディスク湾曲であり、したがって当業界の開発者が通常定義しているラジアルチルト規格値の２倍である。
【００４２】
水吸収が片側から生じ、特定の半径及び所定の基板厚さで所定の最大ラジアルチルト規格値（度）を有する積層物品の場合、材料の吸水歪が次式（Ｉ）の条件を満たす必要がある。
【００４３】
【数８】

【００４４】
水吸収が片側から生じ、特定の半径で所定の最大ラジアルチルト規格値（度）を有する所定の材料の積層物品の場合、基板の厚さが下記条件を満たす必要がある。
【００４５】
【数９】

【００４６】
水吸収が２側面以上から生じる積層物品（例えば１以上の基板層と、基板層上の１以上のデータ層と、１以上の薄膜層とを有する記憶媒体）の場合、基板の曲率の積分を、各層ごとの材料パラメータを含む、各特定層厚さについての積分値の総和に分割する。その結果得られる解析の解は一般的形態で次式により与えられる。
【００４７】
【数１０】

【００４８】
ここで、ｔ＝基板厚さ、ρ＝厚さ、γ＝スチッフネス、δ＝歪み、ｑ＝拡散率（添字１は薄膜層を示し、添字２は基板層を示す）。
【００４９】
記憶媒体が１以上の基板層と、基板層上の１以上のデータ層と、１以上の薄膜層とを有する場合、不透過層は基板層と薄膜層との界面にある。不透過層は水の吸収に対して十分に不透過性である。ここで用いる用語「十分に不透過性」とは、水吸収が記憶媒体の寸法安定性に有意な（測定可能な）影響を与えないことを意味する。本発明では、基板層及び薄膜層を実質的に同じ物性を有する材料から構成し、前述したような薄膜特性対基板特性の比が約１に等しくなるようにする。関与する他の特性は熱膨張係数（ＣＴＥ）及び熱伝導率である。したがって、あらゆる環境温度変化に対して、平坦なディスクの薄膜及び基板のＣＴＥ比及び熱伝導率比が約１である。
【００５０】
記憶媒体に基板と実質的に同じ（即ち基板と適合した）材料のフィルムを加えると、結果として記憶媒体構造の最大ダイナミックチルトが純粋な基板のそれより小さくなる。所定の厚さのフィルムの場合、二重層システムチルトは、所定の適合材料システムについての純粋な基板チルトにより規格化することができる。図１は、適合システムについてのシステムチルトの減少をフィルム厚さの関数として示す。フィルム対基板比が約０．２２〜約０．３の範囲となるように選択することにより、チルトを最小にすることができる。この曲線の最初の部分は、フィルム対基板厚さ比が０〜約０．２２の範囲にあるとき、下記の関数で表すことができる。
【００５１】
チルト範囲構造／基板のチルト＝１１．４７４ρ²−６．６ρ＋０．９９
ここで、ρは薄膜層の厚さ対基板層の厚さの予め求めた厚さ比である。
【００５２】
したがって、２層構造の最大ラジアルチルト範囲は、０〜約０．２２の範囲の厚さ比について、下記等式で与えられる。
【００５３】
【数１１】

【００５４】
所定の基板部分厚さ、フィルム厚さ及び段階的湿度変化を有する記憶媒体構造について、チルトをある規格値内に保って、材料の吸水歪がある限度内に入るようにする必要がある。材料の吸水歪の範囲は次式（II）を用いて求めることができる。
【００５５】
【数１２】

【００５６】
ここで、ｔ、ρ、ｒ及びΔｒｈは上記定義の通り。
【００５７】
ここで説明する記憶媒体は、通常の光、光磁気及び磁気システムに、またより高品質、高面積密度又はこれらの組合せを必要とする最新記憶媒体システムに使用することができる。使用時には、記憶媒体を読取り／書込み装置に対して、エネルギー（例えば磁気、光、電気又はその組合せ）が、記憶媒体に入射するエネルギー場の形態で、データ記憶層に接触するように配置する。エネルギー場が記憶媒体上に配置された層に接触する。エネルギー場は記憶媒体に適当な物理的変化、化学的変化又はその組合せを起こし、層上のその点にエネルギーの入射を記録する。例えば、入射磁場は層内の磁区の配向を変え、あるいは入射光ビームは光が材料を加熱するところで相転移を起こしたりする。
【００５８】
現在、記憶媒体の寸法は、現在使用できる記憶媒体読取り／書込み装置で使用できるように、業界で規格化されている。記憶媒体は代表的には、内径が約１５ｍｍ〜約４０ｍｍの範囲にあり、外径が約６５ｍｍ〜約１３０ｍｍの範囲にあり、通常半径５３ｍｍが好ましく、また基板厚さが約０．４ｍｍ〜約２．５ｍｍの範囲にあり、多くの場合約１．２ｍｍ以下の厚さが好ましい。典型的には、基板層及び１以上のデータ層を有する記憶媒体の場合、基板厚さが１．２ｍｍで、最大チルト範囲１．２度、最大吸水歪０．０６％未満であり、より典型的には、最大チルト範囲０．８度、最大吸水歪０．０４％未満であり、最も典型的には、最大チルト範囲０．３度、最大吸水歪０．０１５％未満である。所望に応じて、基板厚さが０．６ｍｍで、最大チルト範囲１．２度、最大吸水歪０．０３％未満であり、より典型的には、最大チルト範囲０．８度、最大吸水歪０．０２％未満であり、最も典型的には、最大チルト範囲０．３度、最大吸水歪０．０００８％未満である。典型的には、１以上の基板層と、１以上のデータ層と、１以上の薄膜層とを有する記憶媒体の場合、基板厚さが１．１ｍｍで、厚さ比が０．０６８であり、最大チルト範囲１．２度、最大吸水歪０．０９５％未満であり、より典型的には、最大チルト範囲０．８度、最大吸水歪０．０６４％未満であり、最も典型的には、最大チルト範囲０．３度、最大吸水歪０．０２４未満である。所望に応じて、基板厚さが１．１ｍｍで、厚さ比が０．０９１であり、最大チルト範囲１．２度、最大吸水歪０．１１７％未満であり、より典型的には、最大チルト範囲０．８度、最大吸水歪０．０７８％未満であり、最も典型的には、最大チルト範囲０．３度、最大吸水歪０．０２９％未満である。必要なら、水誘引チルトに対してもっと頑丈な構造を得るのに、他の直径及び厚さを採用してもよい。
【００５９】
記憶媒体の主成分は１種以上の熱可塑性ポリマー又は熱硬化性ポリマーである。本発明には付加ポリマーも縮合ポリマーも含まれる。熱可塑性ポリマーの具体例としては、オレフィン系ポリマー、例えばポリエチレン、ポリプロピレン及びそのコポリマー；ポリメチルペンタン；ジエン系ポリマー、例えばポリブタジエン、ポリイソプレン及びそのコポリマー；エチレン系不飽和カルボン酸及びその官能性誘導体のポリマー、具体的にはアクリルポリマー、例えばポリ（アルキルアクリレート）、ポリ（アルキルメタクリレート）、ポリアクリルアミド、ポリアクリロニトリル及びポリアクリル酸；アルケニル芳香族ポリマー、例えばポリスチレン、ポリ−α−メチルスチレン、ポリビニルトルエン及びゴム変性ポリスチレン；ポリアミド、例えばナイロン６、ナイロン６６、ナイロン１１及びナイロン１２；ポリエステル；ポリカーボネート；ポリエステルカーボネート；ポリエーテル、例えばポリアリーレンエーテル、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルケトン、ポリエーテルエーテルケトン及びポリエーテルイミド；ポリアリーレンスルフィド、ポリスルホン及びポリスルフィドスルホン；及び液晶ポリマーが挙げられるが、これらに限定されない。
【００６０】
熱可塑性ポリエステル及び熱可塑性エラストマー状ポリエステル共に本発明に用いるのに適当である。熱可塑性ポリエステルの具体例としては、ポリ（エチレンテレフタレート）、ポリ（１，４−ブチレンテレフタレート）、ポリ（１，３−プロピレンテレフタレート）、ポリ（シクロヘキサンジメタノールテレフタレート）、ポリ（シクロヘキサンジメタノール−コ−エチレンテレフタレート）、ポリ（エチレンナフタレート）、ポリ（ブチレンナフタレート）及びポリアリーレートが挙げられるが、これらに限定されない。熱可塑性エラストマー状ポリエステル（通称ＴＰＥ）の具体例としては、ポリエーテルエステル、例えばポリ（アルキレンオキシド）のソフトブロックセグメント、特にポリ（エチレンオキシド）及びポリ（ブチレンオキシド）のセグメントを含有するポリ（アルキレンテレフタレート）（特にポリ［エチレンテレフタレート］及びポリ［ブチレンテレフタレート］）；ポリエステルアミド、例えば芳香族ジイソシアネートとジカルボン酸及びカルボン酸終端ポリエステル又はポリエーテルプレポリマーとの縮合により合成したものが挙げられるが、これらに限定されない。
【００６１】
適当なポリアリーレートとしては、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン（通称ビスフェノールＡ）、及び次式Ｉ：
【００６２】
【化１】

【００６３】
（式中のＲ¹⁶は水素又はＣ_1-4アルキルである）の構造単位のみ、或いは所望に応じて次式II：
【００６４】
【化２】

【００６５】
（式中のＲ¹⁷は二価Ｃ_4-12脂肪族、脂環式又は混成脂肪族−脂環式基である）の構造単位との組み合わせからなるポリエステルが挙げられるが、これらに限定されない。後者のポリエステルは、１，３−ジヒドロキシベンゼン部分と１種以上の芳香族ジカルボン酸クロリドとをアルカリ条件下で反応させることにより製造できる。式IIの構造単位は、ハロゲン、通常塩素又は臭素で、又は好ましくはＣ_1-4アルキル、例えばメチル、エチル、イソプロピル、プロピル、ブチルで置換されていてもよい１，３−ジヒドロキシベンゼン部分を含有する。上記アルキル基は第一又は第二基であるのが好ましく、メチルがより好ましい。またアルキル基は、ほとんどの場合両酸素原子に対してオルト位に位置するが、他の位置であってもよい。上記部分としては、Ｒ¹⁶が水素であるレゾルシノール部分がもっとも好ましい。上記１，３−ジヒドロキシベンゼン部分は、イソフタレート又はテレフタレートのような単環部分でも、ナフタレンジカルボキシレートのような多環部分でもよい芳香族ジカルボン酸部分に結合されている。
【００６６】
所望に応じて用いられる式IIのソフトブロック単位においても、レゾルシノール又はアルキルレゾルシノール部分が、二価Ｃ_4-12脂肪族、脂環式又は混成脂肪族−脂環式基であるＲ¹⁷とのエステル形成性組合せ内に存在する。
【００６７】
本発明の組成物に有用なポリカーボネートには、次式IIIの構造単位を含有するものがある。
【００６８】
【化３】

【００６９】
式中、Ｒ¹⁸基の総数の約６０％以上が芳香族有機基であり、残部が脂肪族、脂環式又は芳香族基である。Ｒ¹⁸基としては、ｍ−フェニレン、ｐ−フェニレン、４，４’−ビフェニレン、４，４’−ビ（３，５−ジメチル）フェニレン、２，２−ビス（４−フェニレン）プロパン、６，６’−（３，３，３’、３’−テトラメチル−１，１’−スピロビ［１Ｈ−インダン］）、１，１’−ビス（４−フェニレン）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、並びに類似の基、例えば米国特許第４，２１７，４３８号に化合物名又は式（一般式又は特定式）で開示されたジヒドロキシ置換芳香族炭化水素に対応する基が適当である。
【００７０】
より好ましくは、Ｒ¹⁸は芳香族有機基であり、さらに好ましくは式IVの基である。
【００７１】
【化４】

【００７２】
式中、Ａ¹及びＡ²は各々単環の二価アリール基であり、Ｙ¹はＡ¹とＡ²との間に１個又は２個の原子が介在する橋かけ基である。例えば、Ａ¹及びＡ²は代表的には非置換フェニレン又はその置換誘導体を示す。橋かけ基Ｙ¹は大抵の場合炭化水素基であり、特に飽和基、例えばメチレン、シクロヘキシリデン、３，３，５−トリメチルシクロヘキシリデン又はイソプロピリデンである。ポリカーボネートとしては、Ａ¹及びＡ²が各々ｐ−フェニレンで、Ｙ¹がイソプロピリデンであるビスフェノールＡポリカーボネートがもっとも好ましい。適当なポリカーボネートは、界面法、溶液法、固体法、溶融法など当業界で知られた方法のいずれを用いても製造できる。
【００７３】
一実施形態では、本発明は少なくとも１層が１種以上のポリカーボネートを含有する記憶媒体である。別の実施形態では、本発明は少なくとも１層が２種の異なるポリカーボネートを含有する記憶媒体である。単一のジヒドロキシ化合物モノマーから誘導したホモポリカーボネートも、２種以上のジヒドロキシ化合物モノマーから誘導したコポリカーボネートも包含される。
【００７４】
本発明の一実施形態では、本発明のポリマーは、構造単位Ｖ又はVIを含有するポリカーボネート又はコポリカーボネートを含む。
【００７５】
【化５】

【００７６】
式中のＲ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵及びＲ⁶は各々独立にＣ₁−Ｃ₆アルキル及び水素からなる群から選択され、
Ｒ⁷及びＲ⁸は各々独立にＣ₁−Ｃ₆アルキル、フェニル、Ｃ₁−Ｃ₆アルキル置換フェニル及び水素からなる群から選択され、
ｍは約０〜約１２の範囲の整数、
ｑは約０〜約１２の範囲の整数、
ｍ＋ｑは約４〜約１２の範囲の整数、
ｎは約１〜約２の範囲の整数、
ｐは約１〜約２の範囲の整数である。
【００７７】
構造Ｖの単位の代表例には、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）シクロヘキサン（ＤＭＢＰＣ）、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）シクロペンタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）シクロヘプタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン（ＤＭＢＰＩ）及びこれらの混合物の残基があるが、これらに限定されない。
【００７８】
構造VIの単位の代表例には、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチル）プロパン（ＤＭＢＰＡ）及び４，４’−（１−フェニルエチリデン）ビス（２−メチルフェノール）（ＤＭｂｉｓＡＰ）の残基があるが、これらに限定されない。
【００７９】
本発明のさらに他の実施形態では、基板は構造単位VIIを含有するポリカーボネート又はコポリカーボネートを含有する。
【００８０】
【化６】

【００８１】
式中のＲ⁹、Ｒ¹⁰、Ｒ¹³及びＲ¹⁴は各々独立にＣ₁−Ｃ₆アルキル、
Ｒ¹¹及びＲ¹²は各々独立にＨ又はＣ₁−Ｃ₅アルキル、
Ｒ¹⁵は各々独立にＨ及びＣ₁−Ｃ₃アルキルからなる群から選択され、
ｎは各々独立に０、１及び２から選択される。
【００８２】
構造VIIの単位の代表例には、６，６’−ジヒドロキシ−３，３，３’、３’−テトラメチルスピロビインダン（ＳＢＩ）、６，６’−ジヒドロキシ−３，３，５，３’、３’、５’−ヘキサメチルスピロビインダン、６，６’−ジヒドロキシ−３，３，５，７，３’、３’、５’、７’−オクタメチルスピロビインダン、５，５’−ジエチル−６，６’−ジヒドロキシ−３，３，３’、３’−テトラメチルスピロビインダン及びこれらの混合物があるが、これらに限定されない。
【００８３】
熱硬化性ポリマーの具体例としては、シリコーン、ポリフェニレンエーテル、エポキシ、シアネートエステル、不飽和ポリエステル、多官能性アリル化合物、例えばジアリルフタレート、アクリル、アルキッド、フェノール−ホルムアルデヒド、ノボラック、レゾール、ビスマレイミド、ＰＭＲ樹脂、メラミン−ホルムアルデヒド、尿素−ホルムアルデヒド、ベンゾシクロブタン、ヒドロキシメチルフラン、イソシアネートから誘導されるポリマーが挙げられるが、これらに限定されない。本発明の一実施形態では、熱硬化性ポリマーはさらに１種以上の熱可塑性ポリマー、例えばポリフェニレンエーテル、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン、ポリエーテルイミド、ポリエステルなどを含有する。代表的には、熱硬化性モノマー混合物の硬化前に、熱可塑性ポリマーを熱硬化性モノマー混合物と混合する。
【００８４】
本発明に用いるポリフェニレンエーテルは、次式VIIIの構造単位複数個を含む既知のポリマーである。
【００８５】
【化７】

【００８６】
式VIIIの各単位で独立に、各Ｑ¹は独立にハロゲン、第一又は第二低級アルキル（即ち炭素原子数７以下のアルキル）、フェニル、ハロアルキル、アミノアルキル、炭化水素オキシ、又は２個以上の炭素原子がハロゲン原子と酸素原子との間に介在するハロ炭化水素オキシを示し、各Ｑ²は独立に水素、ハロゲン、第一又は第二低級アルキル、フェニル、ハロアルキル、炭化水素オキシ、又はハロ炭化水素オキシ（Ｑ¹について定義した通り）を示す。大抵の場合、各Ｑ¹はアルキル又はフェニル、特にＣ_1-4アルキルであり、各Ｑ²は水素である。
【００８７】
ポリフェニレンエーテルのホモポリマーもコポリマーも本発明に包含される。適当なコポリマーには、これらの単位を、例えば２，３，６−トリメチル−１，４−フェニレンエーテル単位と組み合わせて含有するランダムコポリマーがある。ポリフェニレンエーテルにビニルモノマーやポリマー、例えばポリスチレン及びエラストマーのような材料を既知の方法でグラフトすることにより得られる部分を含有するポリフェニレンエーテルや、低分子量ポリカーボネート、キノン、ヘテロ環式化合物、ホルマールのようなカップリング剤が既知の方法で２つのポリフェニレンエーテル鎖のヒドロキシ基と反応してより高分子量のポリマーを生成した（但し遊離ＯＨ基の実質部分が残存する）、カップリング型ポリフェニレンエーテルも本発明に包含される。
【００８８】
多くの目的に特に有用なポリフェニレンエーテルは、１以上のアミノアルキル含有末端基を有する分子を含有するものである。アミノアルキル基は、ヒドロキシ基に対してオルト位にあるのが代表的である。このような末端基を有するポリマーは、酸化カップリング反応混合物の成分の一つとしてジ−ｎ−ブチルアミン又はジメチルアミンのような適当な第一又は第二モノアミンを導入することにより得ることができる。４−ヒドロキシビフェニル末端基が存在することも多く、かかる末端基は、代表的にはジフェノキノン副生物が、特に銅−ハライド−第二又は第三アミン系に存在する反応混合物から得られる。ポリマー分子の大部分、代表的にはポリマーの約９０重量％のような大きな割合を構成する部分が、上記アミノアルキル含有及び４−ヒドロキシビフェニル末端基を１つ以上含有してもよい。
【００８９】
上述した説明から当業者に明らかなように、本発明に使用するポリフェニレンエーテルは、構造単位や副次的な化学特性がどのようなものでも、現在知られているすべてのものを包含する。ホモポリマー熱可塑性ポリマーもコポリマー熱可塑性ポリマーも、本発明の組成物に含有される。コポリマーはランダム、ブロック又はグラフト型いずれも含む。したがって、例えば、適当なポリスチレンには、無定形ポリスチレンやシンジオタクチックポリスチレンなどのホモポリマーも、これらの種を含有するコポリマーも包含される。後者は、耐衝撃性ポリスチレン（ＨＩＰＳ）、即ちゴムがポリブタジエンであるか、約７０〜９８重量％のスチレンと約２〜３０重量％のジエンモノマーとのゴム状コポリマーである、ブレンド及びグラフトを含む１群のゴム変性ポリスチレンを包含する。また、代表的には予め形成したジエンポリマー主鎖（例えばポリブタジエン又はポリイソプレン）にスチレン及びアクリロニトリルをグラフトしたものであるＡＢＳコポリマーも含まれる。適当なＡＢＳコポリマーは当業界で知られた任意の方法で製造できる。
【００９０】
当業者が本発明を適切に実施できるように、以下に実施例を示して本発明を具体的に説明するが、これらは本発明を限定するものではない。数値（例えば量、温度など）に関しては正確を期したが、若干の誤差やずれはやむを得ない。特記しない限り、部は重量部、温度は摂氏（℃）又は室温、圧力は大気圧又はその近くである。
【００９１】
実施例１
フィルム及び基板両方用に２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン（ＢＰＡ）から一連の構造物を製造し、２５℃で４０％の湿度変化に供した。すべてのシステムで、名目上８０μｍのフィルムを１．１５ｍｍの基板に接着し、厚さ比を０．０７０とした。ＢＰＡホモポリカーボネート（ＢＰＡ−ＰＣ）の飽和吸水歪は０．０００４８であった。ここでポリマー材料の膨潤度は、特定温度の相対湿度１００％の環境にさらしたときの完全乾燥材料の体積膨張の割合（％）であると定義する。膨潤度をＴＭＡ２９４０熱機械分析器（ＴＡＩｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ）を用いて測定した。フィルムを極めて低い一定荷重下で装着し、最初に乾燥雰囲気中で保持した。つぎに、材料を相対湿度１００％にさらした場合の吸水時の長さ変化を測定した。吸水歪又は膨潤度を材料のひずみ（長さ変化／元のゲージ長さ）とみなした。図２は、ＢＰＡ−ＰＣフィルムを有するＢＰＡ−ＰＣ基板について５３ｍｍでのラジアルチルトの変化を示す。基板層及び薄膜層を有する積層体モデルは実験データによく合致した。さらに、別の接着剤を用いても、結果にほとんど影響なかった。平均最大チルト性能は０．２５〜０．２６度で、これはチルト範囲０．５０〜０．５２度に等しかった。これは、このような膨張係数を有する材料についての値とよく一致した。
【００９２】
実施例２
厚さ比０．０８９（１．１ｍｍの基板上に９８μｍのフィルム）のポリマー材料を数個製造した。表１に、２５℃で４０％の１段湿度変化での吸水歪の結果を示す。これらは、チルトの予測値と歪の測定値である。ＰＳはポリスチレン、ＰＰＯ／ＰＳはポリフェニレンオキシドとポリスチレンとのブレンド、ＢＰＡはビスフェノールＡ、即ち２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、ＢＨＰＭはビス（４−ヒドロキシフェニル）メンタン、ＤＭＢＰＡは２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチル）プロパン、ＤＭＢＰＣは，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）シクロヘキサン、ＳＢＩは６，６’−ジヒドロキシ−３，３，３’、３’−テトラメチルスピロビインダン、ＤＤＤＡはドデカン二酸である。
【００９３】
【表１】

【００９４】
表１の結果から、試験した材料が、特定の厚さ比、半径及び相対湿度変化での記憶媒体に適切な吸水歪内にあることが分かる。
【００９５】
以上代表的な実施形態を説明のために提示したが、以上の説明は本発明の範囲を限定するものと考えるべきではない。したがって、本発明の要旨から逸脱することなく、種々の変更、改変、置き換えが当業者に明らかである。
【図面の簡単な説明】
【００９６】
【図１】適合システムについてのシステムチルトの減少をフィルム厚さの関数として示すグラフである。
【図２】２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン（ＢＰＡ−ＰＣ）フィルムを有するＢＰＡ−ＰＣ基板について５３ｍｍでのラジアルチルトの変化を示すグラフである。

Claims

複数の層を備えるデータ記憶媒体において、
ａ）ポリマーを含有する基板層と、
ｂ）基板上の１以上のデータ層とを備え、
前記ポリマーは、記憶媒体の予め求めた最大チルト範囲で、次式（Ｉ）で求められる吸水歪を有する、データ記憶媒体。

式中、ｔは基板厚さ、ｒは記憶媒体の予め求めた半径、Δｒｈは相対湿度の変化分である。
半径が５３ｍｍである、請求項１記載の記憶媒体。
相対湿度の変化分が２５℃で４０％である、請求項１記載の記憶媒体。
前記ポリマーが熱可塑性又は熱硬化性ポリマーを含む、請求項１記載の記憶媒体。
前記ポリマーが１種以上の熱可塑性ポリマーを含む、請求項１記載の記憶媒体。
前記熱可塑性ポリマーがポリエステル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリケトン、ポリアミド、芳香族ポリエーテル、例えばポリエーテルスルホン及びポリエーテルイミド、ポリエーテルケトン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンエーテル、ポリフェニレンスルフィド及びこれらの組合せからなる群から選択される、請求項５記載の記憶媒体。
前記熱可塑性ポリマーがポリカーボネートを含む、請求項６記載の記憶媒体。
前記基板厚さが約０．４ｍｍ〜約２．５ｍｍの範囲にある、請求項１記載の記憶媒体。
前記基板厚さが１．２ｍｍである、請求項８記載の記憶媒体。
前記最大チルト範囲が１．２度であり、最大吸水歪が０．０６％未満である、請求項９記載の記憶媒体。
前記最大チルト範囲が０．８度であり、最大吸水歪が０．０４％未満である、請求項９記載の記憶媒体。
前記最大チルト範囲が０．３度であり、最大吸水歪が０．０１５％未満である、請求項９記載の記憶媒体。
前記基板厚さが０．６ｍｍである、請求項８記載の記憶媒体。
前記最大チルト範囲が１．２度であり、最大吸水歪が０．０３％未満である、請求項１３記載の記憶媒体。
前記最大チルト範囲が１．２度であり、最大吸水歪が０．０２％未満である、請求項１３記載の記憶媒体。
前記最大チルト範囲が１．２度であり、最大吸水歪が０．０００８％未満である、請求項１３記載の記憶媒体。
複数の層を備えるデータ記憶媒体において、
ａ）ポリカーボネートを含有する基板層と、
ｂ）基板上の１以上のデータ層とを備え、
前記ポリカーボネートは、最大チルト範囲１．２度で、次式（Ｉ）で求められる吸水歪を有する、データ記憶媒体。

式中、ｔは１．２ｍｍ、ｒは５３ｍｍ、Δｒｈは２５℃で４０％である。
複数の層を備えるデータ記憶媒体において、
ａ）ポリカーボネートを含有する基板層と、
ｂ）基板上の１以上のデータ層とを備え、
前記ポリカーボネートは、最大チルト範囲１．２度で、次式（Ｉ）で求められる吸水歪を有する、データ記憶媒体。

式中、ｔは０．６ｍｍ、ｒは５３ｍｍ、Δｒｈは２５℃で４０％である。
複数の層を備えるデータ記憶媒体において、
ａ）ポリマーを含有する１以上の基板層と、
ｂ）基板上の１以上のデータ層と、
ｃ）データ層上の１以上の薄膜層とを備え、
前記薄膜層がポリマーと実質的に同じ物性を有する材料を含有し、
前記ポリマーは、記憶媒体の予め求めた最大チルト範囲で、次式（II）で求められる吸水歪を有する、データ記憶媒体。

式中、ｔは基板厚さ、ρは薄膜層の厚さ対基板層の厚さの予め求めた厚さ比、ｒは記憶媒体の予め求めた半径、Δｒｈは相対湿度の変化分である。
半径が５３ｍｍである、請求項１９記載の記憶媒体。
前記厚さ比が０．０６８であり、基板厚さが１．１ｍｍである、請求項１９記載の記憶媒体。
前記最大チルト範囲が１．２度であり、最大吸水歪が０．０９５％未満である、請求項２１記載の記憶媒体。
前記最大チルト範囲が０．８度であり、最大吸水歪が０．０６４％未満である、請求項２１記載の記憶媒体。
前記最大チルト範囲が０．３度であり、最大吸水歪が０．０２４％未満である、請求項２１記載の記憶媒体。
前記厚さ比が０．０９１であり、基板厚さが１．１ｍｍである、請求項１９記載の記憶媒体。
前記最大チルト範囲が１．２度であり、最大吸水歪が０．１１７％未満である、請求項２５記載の記憶媒体。
前記最大チルト範囲が０．８度であり、最大吸水歪が０．０７８％未満である、請求項２５記載の記憶媒体。
前記最大チルト範囲が０．３度であり、最大吸水歪が０．０２９％未満である、請求項２５記載の記憶媒体。
相対湿度の変化分が２５℃で４０％である、請求項１９記載の記憶媒体。
前記ポリマーが熱可塑性又は熱硬化性ポリマーを含む、請求項１９記載の記憶媒体。
前記ポリマーが１種以上の熱可塑性ポリマーを含む、請求項３０記載の記憶媒体。
前記熱可塑性ポリマーがポリエステル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリケトン、ポリアミド、芳香族ポリエーテル、例えばポリエーテルスルホン及びポリエーテルイミド、ポリエーテルケトン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンエーテル、ポリフェニレンスルフィド及びこれらの組合せからなる群から選択される、請求項３１記載の記憶媒体。
前記熱可塑性ポリマーがポリカーボネートを含む、請求項３２記載の記憶媒体。
前記薄膜層の厚さが基板厚さの約５％〜約２５％の範囲にある、請求項１９記載の記憶媒体。
前記薄膜層の厚さが基板厚さの約１０％〜約２０％の範囲にある、請求項３４記載の記憶媒体。
複数の層を備えるデータ記憶媒体において、
ａ）ポリカーボネートを含有する１以上の基板層と、
ｂ）基板上の１以上のデータ層と、
ｃ）データ層上の１以上の薄膜層とを備え、
前記薄膜層がポリカーボネートと実質的に同じ物性を有する材料を含有し、
前記ポリカーボネートは、最大チルト範囲１．２度で、次式（II）で求められる吸水歪を有する、データ記憶媒体。

式中、ｔは１．１ｍｍ、ρは０．０６８、ｒは５３ｍｍ、Δｒｈは２５℃で４０％である。
複数の層を備えるデータ記憶媒体において、
ａ）ポリカーボネートを含有する１以上の基板層と、
ｂ）基板上の１以上のデータ層と、
ｃ）データ層上の１以上の薄膜層とを備え、
前記薄膜層がポリカーボネートと実質的に同じ物性を有する材料を含有し、
前記ポリカーボネートは、最大チルト範囲１．２度で、次式（II）で求められる吸水歪を有する、データ記憶媒体。

式中、ｔは１．１ｍｍ、ρは０．０９１、ｒは５３ｍｍ、Δｒｈは２５℃で４０％である。
積層物品の片側から水吸収時の吸水歪を測定する方法であって、
物品の最大チルト範囲及び半径を予め求め、
次式（Ｉ）を用いて吸水歪を計算する
工程を含む、積層物品の吸水歪の測定方法。

式中、ｔは物品厚さ、ｒは物品の予め求めた半径、Δｒｈは相対湿度の変化分である。
前記物品がデータ記憶媒体である、請求項３８記載の方法。
前記データ記憶媒体は
ａ）ポリマーを含有する基板層と、
ｂ）１以上のデータ層とを備える、
請求項３９記載の方法。
半径が５３ｍｍである、請求項４０記載の方法。
相対湿度の変化分が２５℃で４０％である、請求項３８記載の方法。
前記ポリマーが熱可塑性又は熱硬化性ポリマーを含む、請求項４０記載の方法。
前記ポリマーが１種以上の熱可塑性ポリマーを含む、請求項４３記載の方法。
前記熱可塑性ポリマーがポリエステル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリケトン、ポリアミド、芳香族ポリエーテル、例えばポリエーテルスルホン及びポリエーテルイミド、ポリエーテルケトン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンエーテル、ポリフェニレンスルフィド及びこれらの組合せからなる群から選択される、請求項４４記載の方法。
前記熱可塑性ポリマーがポリカーボネートを含む、請求項４５記載の方法。
前記基板厚さが約０．４ｍｍ〜約２．５ｍｍの範囲にある、請求項４０記載の方法。
前記基板厚さが１．２ｍｍである、請求項４７記載の方法。
前記最大チルト範囲が１．２度であり、最大吸水歪が０．０６％未満である、請求項４８記載の方法。
前記最大チルト範囲が０．８度であり、最大吸水歪が０．０４％未満である、請求項４８記載の方法。
前記最大チルト範囲が０．３度であり、最大吸水歪が０．０１５％未満である、請求項４８記載の方法。
前記基板厚さが０．６ｍｍである、請求項４７記載の方法。
前記最大チルト範囲が１．２度であり、最大吸水歪が０．０３％未満である、請求項５２記載の方法。
前記最大チルト範囲が１．２度であり、最大吸水歪が０．０２％未満である、請求項５２記載の方法。
前記最大チルト範囲が１．２度であり、最大吸水歪が０．０００８％未満である、請求項５２記載の方法。
ポリマーを含有する基板層と１以上のデータ層とを備えるデータ記憶媒体の吸水歪を測定する方法であって、
次式（Ｉ）を用いて吸水歪を計算する
工程を含む、データ記憶媒体の吸水歪の測定方法。

式中、最大チルト範囲は１．２度、ｔは１．２ｍｍ、ｒは５３ｍｍ、Δｒｈは２５℃で４０％である。
ポリマーを含有する基板層と１以上のデータ層とを備えるデータ記憶媒体の吸水歪を測定する方法であって、
次式（Ｉ）を用いて吸水歪を計算する
工程を含む、データ記憶媒体の吸水歪の測定方法。

式中、最大チルト範囲は１．２度、ｔは０．６ｍｍ、ｒは５３ｍｍ、Δｒｈは２５℃で４０％である。
積層物品の２側面以上から水吸収時の吸水歪を測定する方法であって、
物品の最大チルト範囲及び半径を予め求め、
次式（II）を用いて吸水歪を計算する
工程を含む、積層物品の吸水歪の測定方法。

式中、ｔは基板厚さ、ρは薄膜層の厚さ対基板層の厚さの予め求めた厚さ比、ｒは記憶媒体の予め求めた半径、Δｒｈは相対湿度の変化分である。
前記物品がデータ記憶媒体である、請求項５８記載の方法。
前記データ記憶媒体は、
ポリマーを含有する１以上の基板層と、
ｂ）基板上の１以上のデータ層と、
ｃ）データ層上の１以上の薄膜層とを備え、
前記薄膜層はポリマーと実質的に同じ物性を有する材料を含有する、
請求項５９記載の方法。
半径が５３ｍｍである、請求項６０記載の方法。
前記厚さ比が０．０６８であり、基板厚さが１．１ｍｍである、請求項６０記載の方法。
前記最大チルト範囲が１．２度であり、最大吸水歪が０．０９５％未満である、請求項６２記載の方法。
前記最大チルト範囲が０．８度であり、最大吸水歪が０．０６４％未満である、請求項６２記載の方法。
前記最大チルト範囲が０．３度であり、最大吸水歪が０．０２４％未満である、請求項６２記載の方法。
前記厚さ比が０．０９１であり、基板厚さが１．１ｍｍである、請求項６０記載の方法。
前記最大チルト範囲が１．２度であり、最大吸水歪が０．１１７％未満である、請求項６６記載の方法。
前記最大チルト範囲が０．８度であり、最大吸水歪が０．０７８％未満である、請求項６６記載の方法。
前記最大チルト範囲が０．３度であり、最大吸水歪が０．０２９％未満である、請求項６６記載の方法。
相対湿度の変化分が２５℃で４０％である、請求項５８記載の方法。
前記ポリマーが熱可塑性又は熱硬化性ポリマーを含む、請求項６０記載の方法。
前記ポリマーが１種以上の熱可塑性ポリマーを含む、請求項７１記載の方法。
前記熱可塑性ポリマーがポリエステル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリケトン、ポリアミド、芳香族ポリエーテル、例えばポリエーテルスルホン及びポリエーテルイミド、ポリエーテルケトン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンエーテル、ポリフェニレンスルフィド及びこれらの組合せからなる群から選択される、請求項７２記載の方法。
前記熱可塑性ポリマーがポリカーボネートを含む、請求項７３記載の方法。
前記薄膜層の厚さが基板厚さの約５％〜約２５％の範囲にある、請求項５８記載の方法。
前記薄膜層の厚さが基板厚さの約１０％〜約２０％の範囲にある、請求項７５記載の方法。
ポリカーボネートを含有する１以上の基板層と、
ｂ）基板上の１以上のデータ層と、
ｃ）データ層上の１以上の薄膜層とを備え、
前記薄膜層がポリカーボネートと実質的に同じ物性を有する材料を含有する、データ記憶媒体の吸水歪を測定する方法であって、
次式（II）を用いて吸水歪を計算する
工程を含む、データ記憶媒体の吸水歪の測定方法。

式中、最大チルト範囲は１．２度、ｔは１．１ｍｍ、ρは０．０６８、ｒは５３ｍｍ、Δｒｈは２５℃で４０％である。
ポリカーボネートを含有する１以上の基板層と、
ｂ）基板上の１以上のデータ層と、
ｃ）データ層上の１以上の薄膜層とを備え、
前記薄膜層はポリカーボネートと実質的に同じ物性を有する材料を含有する、データ記憶媒体の吸水歪を測定する方法であって、
次式（II）を用いて吸水歪を計算する
工程を含む、データ記憶媒体の吸水歪の測定方法。

式中、最大チルト範囲は１．２度、ｔは１．１ｍｍ、ρは０．０９１、ｒは５３ｍｍ、Δｒｈは２５℃で４０％である。
ポリマーを含有する基板層と１以上のデータ層とを備えるデータ記憶媒体用のポリマーであって、
記憶媒体の予め求めた最大チルト範囲で、次式（Ｉ）で求められる吸水歪を有する、ポリマー。

式中、ｔは基板厚さ、ｒは記憶媒体の予め求めた半径、Δｒｈは相対湿度の変化分である。
記憶媒体の半径が５３ｍｍである、請求項７９記載のポリマー。
相対湿度の変化分が２５℃で４０％である、請求項７９記載のポリマー。
熱可塑性又は熱硬化性ポリマーを含む、請求項７９記載のポリマー。
１種以上の熱可塑性ポリマーを含む、請求項８２記載のポリマー。
前記熱可塑性ポリマーがポリエステル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリケトン、ポリアミド、芳香族ポリエーテル、例えばポリエーテルスルホン及びポリエーテルイミド、ポリエーテルケトン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンエーテル、ポリフェニレンスルフィド及びこれらの組合せからなる群から選択される、請求項８３記載のポリマー。
前記熱可塑性ポリマーがポリカーボネートを含む、請求項８４記載のポリマー。
前記基板厚さが約０．４ｍｍ〜約２．５ｍｍの範囲にある、請求項７９記載のポリマー。
前記基板厚さが１．２ｍｍである、請求項８６記載のポリマー。
前記最大チルト範囲が１．２度であり、最大吸水歪が０．０６％未満である、請求項８７記載のポリマー。
前記最大チルト範囲が０．８度であり、最大吸水歪が０．０４％未満である、請求項８７記載のポリマー。
前記最大チルト範囲が０．３度であり、最大吸水歪が０．０１５％未満である、請求項８７記載のポリマー。
前記基板厚さが０．６ｍｍである、請求項８６記載のポリマー。
前記最大チルト範囲が１．２度であり、最大吸水歪が０．０３％未満である、請求項９１記載のポリマー。
前記最大チルト範囲が１．２度であり、最大吸水歪が０．０２％未満である、請求項９１記載のポリマー。
前記最大チルト範囲が１．２度であり、最大吸水歪が０．０００８％未満である、請求項９１記載のポリマー。
ポリカーボネートを含有する基板層と１以上のデータ層とを備えるデータ記憶媒体用のポリカーボネートであって、
最大チルト範囲１．２度で、次式（Ｉ）で求められる吸水歪を有する、ポリカーボネート。

式中、ｔは１．２ｍｍ、ｒは５３ｍｍ、Δｒｈは２５℃で４０％である。
ポリカーボネートを含有する基板層と１以上のデータ層とを備えるデータ記憶媒体用のポリカーボネートであって、
最大チルト範囲１．２度で、次式（Ｉ）で求められる吸水歪を有する、ポリカーボネート。

式中、ｔは０．６ｍｍ、ｒは５３ｍｍ、Δｒｈは２５℃で４０％である。
ａ）ポリマーを含有する１以上の基板層と、
ｂ）基板上の１以上のデータ層と、
ｃ）データ層上の１以上の薄膜層とを備え、
前記薄膜層がポリマーと実質的に同じ物性を有する材料を含有する、データ記憶媒体用のポリマーであって、
記憶媒体の予め求めた最大チルト範囲で、次式（II）で求められる吸水歪を有する、ポリマー。

式中、ｔは基板厚さ、ρは薄膜層の厚さ対基板層の厚さの予め求めた厚さ比、ｒは記憶媒体の予め求めた半径、Δｒｈは相対湿度の変化分である。
記憶媒体の半径が５３ｍｍである、請求項９７記載のポリマー。
前記厚さ比が０．０６８であり、基板厚さが１．１ｍｍである、請求項９７記載のポリマー。
前記最大チルト範囲が１．２度であり、最大吸水歪が０．０９５％未満である、請求項９９記載のポリマー。
前記最大チルト範囲が０．８度であり、最大吸水歪が０．０６４％未満である、請求項９９記載のポリマー。
前記最大チルト範囲が０．３度であり、最大吸水歪が０．０２４％未満である、請求項９９記載のポリマー。
前記厚さ比が０．０９１であり、基板厚さが１．１ｍｍである、請求項９７記載のポリマー。
前記最大チルト範囲が１．２度であり、最大吸水歪が０．１１７％未満である、請求項１０３記載のポリマー。
前記最大チルト範囲が０．８度であり、最大吸水歪が０．０７８％未満である、請求項１０３記載のポリマー。
前記最大チルト範囲が０．３度であり、最大吸水歪が０．０２９％未満である、請求項１０３記載のポリマー。
相対湿度の変化分が２５℃で４０％である、請求項９７記載のポリマー。
熱可塑性又は熱硬化性ポリマーを含む、請求項９７記載のポリマー。
１種以上の熱可塑性ポリマーを含む、請求項１０８記載のポリマー。
前記熱可塑性ポリマーがポリエステル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリケトン、ポリアミド、芳香族ポリエーテル、例えばポリエーテルスルホン及びポリエーテルイミド、ポリエーテルケトン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンエーテル、ポリフェニレンスルフィド及びこれらの組合せからなる群から選択される、請求項１０９記載のポリマー。
前記熱可塑性ポリマーがポリカーボネートを含む、請求項１１０記載のポリマー。
前記薄膜層の厚さが基板厚さの約５％〜約２５％の範囲にある、請求項９７記載のポリマー。
前記薄膜層の厚さが基板厚さの約１０％〜約２０％の範囲にある、請求項１１２記載のポリマー。
ａ）ポリカーボネートを含有する１以上の基板層と、
ｂ）基板上の１以上のデータ層と、
ｃ）データ層上の１以上の薄膜層とを備え、
前記薄膜層がポリカーボネートと実質的に同じ物性を有する材料を含有する、データ記憶媒体用のポリカーボネートであって、
最大チルト範囲１．２度で次式（II）で求められる吸水歪を有する、ポリカーボネート。

式中、ｔは１．１ｍｍ、ρは０．０６８、ｒは５３ｍｍ、Δｒｈは２５℃で４０％である。
ａ）ポリカーボネートを含有する１以上の基板層と、
ｂ）基板上の１以上のデータ層と、
ｃ）データ層上の１以上の薄膜層とを備え、
前記薄膜層がポリカーボネートと実質的に同じ物性を有する材料を含有する、データ記憶媒体用のポリカーボネートであって、
最大チルト範囲１．２度で次式（II）で求められる吸水歪を有する、ポリカーボネート。

式中、ｔは１．１ｍｍ、ρは０．０９１、ｒは５３ｍｍ、Δｒｈは２５℃で４０％である。