JP2005353904A - Electrode, method for forming the same, solar cell, and method for manufacturing the same - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for forming a tapered electrode and a method for manufacturing a solar cell using the method in a low-cost nozzle method. <P>SOLUTION: In the method for forming the electrode, an electrode material is discharged from a nozzle and a linear electrode is drawn on a substrate. In that case, at least one of the discharge speed of the electrode material from the nozzle and the relative speed between the nozzle and a semiconductor substrate is changed. The method for manufacturing the solar cell includes a process for forming a main electrode on the substrate, and forming a grid electrode on the substrate so that it is electrically connected to the main electrode. The grid electrode is formed by the formation method of the electrode. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、電極の形成方法、太陽電池の製造方法、電極、太陽電池に関する。   The present invention relates to an electrode forming method, a solar cell manufacturing method, an electrode, and a solar cell.

図4を用いて、太陽電池の一般的な製造方法について、多結晶シリコン基板を用いた太陽電池31を例に挙げて説明する。   A general method for manufacturing a solar cell will be described with reference to FIG. 4 using a solar cell 31 using a polycrystalline silicon substrate as an example.

まず、キャスト法により作製したシリコンインゴットをマルチワイヤー法でスライスしてp型シリコン基板32を得る。次に、この基板に対し、受光面側表面を化学的に加工して微細凹凸(最大高さ10μm程度)を形成し、その後、熱拡散法でn型層33を形成する。次に、基板裏面にアルミニウム拡散などにより裏面電界層(BSF)効果のあるp+高濃度層34を形成する(例えば、特許文献1参照)。次に、n型層33の表面に反射防止膜35を形成する。反射防止膜35は、TiO2又はSiNを、例えば、700Å程度の膜厚で成膜して形成する。 First, a p-type silicon substrate 32 is obtained by slicing a silicon ingot produced by a casting method by a multi-wire method. Next, the surface of the light receiving surface is chemically processed on the substrate to form fine irregularities (maximum height of about 10 μm), and then the n-type layer 33 is formed by a thermal diffusion method. Next, a p + high concentration layer 34 having a back surface field layer (BSF) effect is formed on the back surface of the substrate by aluminum diffusion or the like (see, for example, Patent Document 1). Next, an antireflection film 35 is formed on the surface of the n-type layer 33. The antireflection film 35 is formed by depositing TiO 2 or SiN with a film thickness of, for example, about 700 mm.

受光面電極40の形状としては、幅150μm程度の細線部分(以下、グリッド電極36)と幅2mm程度の太線部分(以下、メイン電極38)を組合せた形状とする。この受光面電極は、印刷用スクリーンで電極材料を印刷して形成される。グリッド電極36は、線状のパターンで略3mmのピッチの平行した細線で形成される。一方、裏面電極39は裏面全体に形成される。   The shape of the light-receiving surface electrode 40 is a combination of a thin line portion (hereinafter, grid electrode 36) having a width of about 150 μm and a thick line portion (hereinafter, main electrode 38) having a width of about 2 mm. The light receiving surface electrode is formed by printing an electrode material on a printing screen. The grid electrode 36 is formed by parallel thin lines having a linear pattern and a pitch of about 3 mm. On the other hand, the back electrode 39 is formed on the entire back surface.

他の電極形成の方法としては、蒸着法で金属薄膜を形成後、半導体工業で多用されているフォトリソ技術を用いれば、線幅10μm以下の線幅が可能である。
電極となる材料をノズルから出して電極線を描画する形成技術については、特許文献2がある。その技術は、ノズルとウエハの相対位置を変えて線引きを行うことが示されているに留まる。
同様技術として特許文献3には、ノズルを対象物(ウエハ)に近接して、一定厚さに導電材料を描画する技術が示される。
特許文献4には、線幅は概ね100μm程度の一定線幅電極の描画について記載され、印刷法と同様に低コストな方法としている。
As another electrode formation method, a line width of 10 μm or less is possible by using a photolithographic technique frequently used in the semiconductor industry after forming a metal thin film by vapor deposition.
Patent Document 2 discloses a forming technique for drawing a material for an electrode from a nozzle and drawing an electrode line. The technique has only been shown to draw with varying nozzle and wafer relative positions.
As a similar technique, Patent Document 3 discloses a technique for drawing a conductive material in a certain thickness by bringing a nozzle close to an object (wafer).
Patent Document 4 describes the drawing of a constant line width electrode having a line width of about 100 μm, which is a low cost method similar to the printing method.

一方、太陽電池の電極形状については、特許文献5などに示されるように、テーパ近似の形状とすることが古くから知られる。   On the other hand, as for the electrode shape of the solar cell, as shown in Patent Document 5 and the like, it has long been known to have a taper approximate shape.

電極厚みを増加する方法としては、特許文献6に示されるように、被メッキ基板を、メッキ液から引出しながらメッキすることで、各部分の実効的な浸漬時間を変化させてメイン電極側を厚くすることが知られる。
特開2002−176186号公報 特開昭58−27375号公報 特開平6−29559号公報 米国特許第5151377号明細書 特開平6−283736号公報 特開平6−53531号公報
As a method for increasing the electrode thickness, as shown in Patent Document 6, by plating the substrate to be plated while being drawn out of the plating solution, the effective immersion time of each part is changed to thicken the main electrode side. It is known to do.
JP 2002-176186 A JP 58-27375 A Japanese Patent Laid-Open No. 6-29559 US Pat. No. 5,151,377 JP-A-6-283737 JP-A-6-53531

真空蒸着とフォトリソを用いる電極形成技術は、容易にこのような精細パターン形状を達成できるが、反面、その電極形成に要するコストは印刷法に比較して20倍以上にもなる。
低コストな印刷法については、フォトリソのように精細パターン形成は困難であり、実用上、最小線幅は150μm付近で幅に変化のない直線状に形成され、テーパ状に構成することは難しい。
ノズルを用いる電極等のこれまでの描画形成方法は、一定線幅の連続細線の描画技術であり、テーパ状に細線を形成することは困難な状況にある。
The electrode forming technique using vacuum deposition and photolithography can easily achieve such a fine pattern shape, but the cost required for forming the electrode is 20 times or more that of the printing method.
As for the low cost printing method, it is difficult to form a fine pattern like photolithography, and practically, the minimum line width is formed in a straight line having no change in width near 150 μm, and it is difficult to form a taper shape.
Conventional drawing forming methods such as electrodes using nozzles are continuous thin line drawing techniques with a constant line width, and it is difficult to form thin lines in a tapered shape.

メッキの電極形成は、生産性、コストなどの点で印刷方法には及ばない。   Plating electrode formation does not reach the printing method in terms of productivity and cost.

本発明は、低コストなノズル法において、テーパ状の電極を形成する方法、及びこの方法を用いた太陽電池の製造方法を提供するものである。   The present invention provides a method for forming a tapered electrode in a low-cost nozzle method and a method for producing a solar cell using this method.

本発明の電極の形成方法は、電極材料をノズルから吐出させて基板上に線状の電極を描画し、その際に、そのノズルからの電極材料の吐出速度、およびノズルと半導体基板との間の相対速度の少なくとも一方を変化させる。   In the electrode forming method of the present invention, a linear electrode is drawn on a substrate by discharging an electrode material from a nozzle, and at that time, the discharge speed of the electrode material from the nozzle, and between the nozzle and the semiconductor substrate Change at least one of the relative speeds.

また、本発明の太陽電池の製造方法は、メイン電極を基板上に形成し、メイン電極に電気的に接続されるようにグリッド電極を基板上に形成する工程を備え、グリッド電極は、上記記載の電極の形成方法によって形成される。   The method for manufacturing a solar cell of the present invention includes a step of forming a main electrode on a substrate and forming a grid electrode on the substrate so as to be electrically connected to the main electrode, the grid electrode being described above The electrode is formed by this method.

本発明の電極の形成方法によれば、幅及び厚みが連続的に変化するテーパ状の電極を得ることができる。また、本発明は、低コストなノズル法を用いているので、テーパ状の電極を低コストで形成することができる。   According to the method for forming an electrode of the present invention, a tapered electrode whose width and thickness continuously change can be obtained. In addition, since the present invention uses a low-cost nozzle method, a tapered electrode can be formed at a low cost.

また、この電極の形成方法は、太陽電池のグリッド電極の形成に適している。また、太陽電池のグリッド電極を、本発明の電極の形成方法を用いて形成すると、積算増加する電流を効率よく輸送すると共に広い受光面積を確保することができるグリッド電極が得られる。従って、本発明の太陽電池の製造方法によれば、低コストで高効率な太陽電池を得ることができる。   Moreover, this electrode forming method is suitable for forming a grid electrode of a solar cell. Moreover, when the grid electrode of a solar cell is formed using the electrode forming method of the present invention, a grid electrode capable of efficiently transporting an increasing current and securing a wide light receiving area can be obtained. Therefore, according to the method for manufacturing a solar cell of the present invention, a low-cost and highly efficient solar cell can be obtained.

1.電極の形成方法
本発明の電極の形成方法は、電極材料をノズルから吐出させて基板上に線状の電極を描画し、その際に、そのノズルからの電極材料の吐出速度、およびノズルと半導体基板との間の相対速度の少なくとも一方を変化させる。
1. Method of forming electrode The method of forming an electrode of the present invention is to draw a linear electrode on a substrate by discharging an electrode material from a nozzle. At that time, the discharge speed of the electrode material from the nozzle, and the nozzle and the semiconductor At least one of the relative velocities with the substrate is changed.

この方法によれば、幅及び厚みが連続的に変化するテーパ状の電極を得ることができる。この電極は、積算増加する電流を効率よく輸送するのに適している。また、この電極は、アスペクト比(断面高さ/断面線幅)が大きいので、電極の設置面積を小さくする必要がある用途に適している。本発明の方法は、ノズル法を用いているので、低コストで前記電極を得ることができる。   According to this method, a tapered electrode whose width and thickness continuously change can be obtained. This electrode is suitable for efficiently transporting an increasing current. In addition, since this electrode has a large aspect ratio (section height / section line width), it is suitable for applications that require a reduction in electrode installation area. Since the method of the present invention uses the nozzle method, the electrode can be obtained at low cost.

1−1.電極材料
電極材料は、通常、導電性材料を主成分とするペーストである。導電性材料は、例えば、金、白金、銀、銅、アルミニウム、ニッケル、クロム、タングステン、鉄、タンタル、チタン、モリブデン等の金属又は合金、SnO2、InO2、ZnO、ITO等の透明導電材など、又はこれらの組合せからなる。導電性材料は、好ましくは、粉末状である。
また、ペーストは、例えば、上記導電性材料と、ガラスフリット、樹脂及び有機溶媒のうちの1つ以上を混合して調製することができる。
1-1. Electrode Material The electrode material is usually a paste mainly composed of a conductive material. The conductive material is, for example, a metal or alloy such as gold, platinum, silver, copper, aluminum, nickel, chromium, tungsten, iron, tantalum, titanium, molybdenum, or a transparent conductive material such as SnO 2 , InO 2 , ZnO, or ITO. Or a combination thereof. The conductive material is preferably in powder form.
The paste can be prepared, for example, by mixing the conductive material and one or more of glass frit, resin, and organic solvent.

1−2.基板
基板は、その上に電極を形成することができるものであればよく、例えば、Siなどの元素半導体基板又はGaAsなどの化合物半導体基板などの半導体基板などからなる。
1-2. Substrate The substrate is not particularly limited as long as an electrode can be formed thereon. For example, the substrate is made of a semiconductor substrate such as an elemental semiconductor substrate such as Si or a compound semiconductor substrate such as GaAs.

1−3.ノズルからの電極材料の吐出速度、ノズルと基板との間の相対速度
ノズルからの電極材料の吐出速度は、単調に、又は直線的に増大又は減少させることができる。このとき、ノズルと基板との間の相対速度は、一定に保たれていてもよく、変化していてもよい。
1-3. The discharge speed of the electrode material from the nozzle, the relative speed between the nozzle and the substrate The discharge speed of the electrode material from the nozzle can be increased or decreased monotonously or linearly. At this time, the relative speed between the nozzle and the substrate may be kept constant or may change.

また、ノズルと基板との間の相対速度は、単調に、又は直線的に増大又は減少させることができる。このとき、ノズルからの電極材料の吐出速度は、一定に保たれていてもよく、変化していてもよい。
この方法を実施するための装置などについては、後述する太陽電池の受光面電極の形成方法で用いるものと同様である。
Also, the relative speed between the nozzle and the substrate can be increased or decreased monotonically or linearly. At this time, the discharge speed of the electrode material from the nozzle may be kept constant or may be changed.
About the apparatus for implementing this method, it is the same as that used by the formation method of the light-receiving surface electrode of the solar cell mentioned later.

2.太陽電池の製造方法
本発明の太陽電池の製造方法は、メイン電極を基板上に形成し、メイン電極に電気的に接続されるようにグリッド電極を基板上に形成する工程を備え、グリッド電極は、上記記載の電極の形成方法によって形成される。
2. Manufacturing method of solar cell The manufacturing method of the solar cell of the present invention comprises a step of forming a main electrode on a substrate and forming a grid electrode on the substrate so as to be electrically connected to the main electrode, The electrode is formed by the above-described electrode forming method.

太陽電池のグリッド電極を、上記記載の電極の形成方法を用いて形成すると、積算増加する電流を効率よく輸送すると共に広い受光面積を確保することができるグリッド電極が得られる。すなわち、このグリッド電極は、幅及び厚みが連続的に変化するテーパ状であるので、積算増加する電流を効率よく輸送することができる。従来の蒸着法、印刷法などの電極の形成技術では、電極の厚さが実質的に一定であったので、幅が連続的に変化するテーパ状にしていた。本発明は、幅及び厚みが連続的に変化するテーパ状のグリッド電極を形成することに特徴を有する。また、このグリッド電極は、アスペクト比(断面高さ/断面線幅)が大きいので、設置面積を小さくすることができ、受光面積を広くすることができる。また、このグリッド電極は、ノズル法を用いて形成されるので、低コストで形成することができる。従って、本発明によれば、低コストで高効率な太陽電池を得ることができる。   When the grid electrode of the solar cell is formed using the electrode forming method described above, a grid electrode capable of efficiently transporting an increasing current and securing a wide light receiving area can be obtained. That is, since this grid electrode has a tapered shape whose width and thickness continuously change, it is possible to efficiently transport an increasing current. In conventional electrode formation techniques such as vapor deposition and printing, the thickness of the electrode is substantially constant, so that the taper has a continuously variable width. The present invention is characterized in that a tapered grid electrode having a continuously changing width and thickness is formed. Moreover, since this grid electrode has a large aspect ratio (section height / section line width), the installation area can be reduced and the light receiving area can be increased. Moreover, since this grid electrode is formed using the nozzle method, it can be formed at low cost. Therefore, according to the present invention, a highly efficient solar cell can be obtained at low cost.

なお、太陽電池のグリッド電極をテーパ形状とする理由は以下のようである。平行して形成したグリッド電極には発生電流が次第に集積され、それに応じた電流パスが必要となることによる。つまり、グリッド電極のセル端部分からメイン電極に近づくほど、光による発生電流が積算され増加する。電極以外の受光面積をできるだけ広くしながら、かつ、線方向の抵抗をより低減するにはテーパ形状とすることが大切となっている。このことで太陽電池の抵抗損失を防ぎ変換効率を高くできる。   The reason why the grid electrode of the solar cell is tapered is as follows. This is because the generated current is gradually accumulated on the grid electrodes formed in parallel and a current path corresponding to the current is required. That is, as the distance from the cell end portion of the grid electrode approaches the main electrode, the current generated by light is integrated and increased. In order to further reduce the resistance in the linear direction while making the light receiving area other than the electrodes as wide as possible, it is important to have a tapered shape. This prevents the resistance loss of the solar cell and increases the conversion efficiency.

本発明において、グリッド電極は、好ましくは、グリッド電極の先端部からメイン電極に向かって描画される。また、さらに好ましくは、グリッド電極は、グリッド電極の先端部からメイン電極に向かって描画され、さらに連続して(メイン電極を乗り越えて)、メイン電極を挟んで反対側のグリッド電極が、メイン電極からこのグリッド電極の先端部に向かって描画される。このようにグリッド電極を形成することにより、少ない工程でグリッド電極を描画することができる。   In the present invention, the grid electrode is preferably drawn from the tip of the grid electrode toward the main electrode. More preferably, the grid electrode is drawn from the tip of the grid electrode toward the main electrode, and continuously (over the main electrode), the grid electrode on the opposite side across the main electrode is connected to the main electrode. To the tip of the grid electrode. By forming the grid electrode in this way, the grid electrode can be drawn with a small number of steps.

以下、本発明の各構成要素について詳述する。
2−1.基板
「基板」は、太陽電池を製造するために用いる基板であり、例えば、第1導電型の半導体基板であって、受光面に第2導電型層を備える。また、受光面と反対側の面である裏面には、高濃度の第1導電型がほぼ全面に形成されていることが好ましい。
Hereinafter, each component of the present invention will be described in detail.
2-1. Substrate “Substrate” is a substrate used for manufacturing a solar cell, and is, for example, a first conductivity type semiconductor substrate, and includes a second conductivity type layer on a light receiving surface. In addition, it is preferable that a high-concentration first conductivity type is formed on almost the entire surface on the back surface that is the surface opposite to the light receiving surface.

半導体基板の種類は、通常、光電変換素子に用いられる基板、例えば、シリコン基板、ゲルマニウム基板等の元素半導体基板;シリコンゲルマニウム基板、ガリウム砒素基板等の化合物半導体基板などの公知材料を使用することができる。なかでも、シリコン基板が低コストである点から好ましい。この半導体基板の作製には、主にキャスト法、CZ法又はFZ法により形成されたインゴットを利用する。これを例えば、マルチワイヤー法でスライスして半導体基板として用いることができる。半導体基板は、例えば、0.1〜20 Ωcm程度の抵抗値に設定されていることが適当である。   The type of the semiconductor substrate is usually a known material such as a substrate used for a photoelectric conversion element, for example, an elemental semiconductor substrate such as a silicon substrate or a germanium substrate; a compound semiconductor substrate such as a silicon germanium substrate or a gallium arsenide substrate. it can. Of these, a silicon substrate is preferable because of its low cost. For the production of this semiconductor substrate, an ingot formed mainly by the cast method, CZ method or FZ method is used. This can be sliced by, for example, a multi-wire method and used as a semiconductor substrate. The semiconductor substrate is suitably set to a resistance value of about 0.1 to 20 Ωcm, for example.

半導体基板の表面は、受光面に表面反射低減のための凹凸が形成されていることが好ましい。つまり、受光面のうち、実質的に受光を行う面は、平坦でもよいが、微細な凹凸、例えば、高低差が1〜10μm程度の凹凸が形成されていてもよい。この凹凸は、実質的に受光を行う面に均一に、しかも反射率の低い状態に形成されていることが好ましい。凹凸の形状はその加工方法により異なるが、アルカリ溶液、酸溶液による化学的な加工や、V溝やランダム凹凸の形成に見られる機械的な加工を行った表面凹凸など、その形状、加工方法を問わない。   As for the surface of a semiconductor substrate, it is preferable that the unevenness | corrugation for surface reflection reduction is formed in the light-receiving surface. That is, among the light receiving surfaces, a surface that substantially receives light may be flat, but fine unevenness, for example, unevenness with a height difference of about 1 to 10 μm may be formed. It is preferable that the unevenness is formed on the substantially light receiving surface in a uniform and low reflectance state. The shape of the unevenness differs depending on the processing method, but the shape and processing method such as chemical processing with an alkaline solution or acid solution, or surface unevenness that has been mechanically processed to form V-grooves or random unevenness, etc. It doesn't matter.

半導体基板は、第1導電型の導電性を有している。第1導電型は、n型又はp型のいずれでもよい。半導体基板には、受光面となる側に、受光面側接合層として、基板とは異なるドーパント種で、しかも濃度の異なる第2導電型層が形成される。ここで、第2導電型とは、第1導電型とは逆導電型であり、p型又はn型のいずれであってもよい。つまり、半導体基板には、光入射側(受光面)からn型、p型の層又は光入射側からp型、n型の層のいずれの順序で配置していてもよい。各層のドーパント濃度は、特に限定されるものではなく、例えば、高濃度第2導電型層のドーパント濃度は、1018〜1021/cm3程度であるが、この層内において濃度プロファイルを有することも、太陽電池では変換効率を高くすることが可能になり好ましい。これらの受光面側接合層は、当該分野で公知の熱拡散法、イオンインプランテーション法により形成することができる。 The semiconductor substrate has first conductivity type conductivity. The first conductivity type may be either n-type or p-type. In the semiconductor substrate, a second conductivity type layer having a different dopant type from the substrate and having a different concentration is formed as a light-receiving surface-side bonding layer on the side that becomes the light-receiving surface. Here, the second conductivity type is an opposite conductivity type to the first conductivity type, and may be either p-type or n-type. That is, the semiconductor substrate may be arranged in any order of n-type and p-type layers from the light incident side (light-receiving surface) or p-type and n-type layers from the light incident side. The dopant concentration of each layer is not particularly limited. For example, the dopant concentration of the high-concentration second conductivity type layer is about 10 18 to 10 21 / cm 3 , but has a concentration profile in this layer. However, the solar cell is preferable because the conversion efficiency can be increased. These light-receiving surface side bonding layers can be formed by a thermal diffusion method and an ion implantation method known in the art.

なお、受光面と反対側の面(裏面)は、第1導電型の導電性を有しているため、特にドーパントをドーピングしなくてもよいが、光電変換効率、裏面電極とのオーミックコンタクト性等を考慮して、ドーパント濃度を、半導体基板のドーパント濃度よりも高く設定しておくことが好ましい。例えば、半導体基板の裏面における第1導電型層のドーパント濃度は、1017〜1020/cm3程度が挙げられる。また、裏面の高濃度第1導電型層の接合深さは、半導体基板の厚み等によって、適宜調整することができるが、例えば、0.1〜5.0μm程度が適当である。これはBSF層として効果があるが、更には裏面反射層(back surface reflector)を形成してもよいし、表面再結合を防止するために、酸化膜、窒化膜等を形成してもよい。裏面反射層、反射防止膜としては、シリコン酸化膜及び酸化チタン膜等の酸化膜、窒化膜等を用いることができる。 In addition, since the surface (back surface) opposite to the light receiving surface has the conductivity of the first conductivity type, it is not particularly necessary to dope the dopant, but the photoelectric conversion efficiency and the ohmic contact property with the back electrode In consideration of the above, it is preferable to set the dopant concentration higher than the dopant concentration of the semiconductor substrate. For example, the dopant concentration of the first conductivity type layer on the back surface of the semiconductor substrate is about 10 17 to 10 20 / cm 3 . Moreover, the junction depth of the high-concentration first conductivity type layer on the back surface can be adjusted as appropriate depending on the thickness of the semiconductor substrate and the like, for example, about 0.1 to 5.0 μm is appropriate. Although this is effective as a BSF layer, a back surface reflector (back surface reflector) may be formed, and an oxide film, a nitride film, or the like may be formed to prevent surface recombination. As the back reflection layer and the antireflection film, an oxide film such as a silicon oxide film and a titanium oxide film, a nitride film, or the like can be used.

2−2.受光面電極(メイン電極、グリッド電極)、電極形成装置
2−2−1.電極形成装置
(1)構成
本発明の受光面電極の形成に用いる装置は、図1に示すような、XYZの3軸に可動(Y軸は紙面奥方向)のテーブル1、テーブル1に載置、固定された基板2の上方に角度可変部品7で固定したノズル3、導電性となる電極材料(以下、ペーストと記述)を封入したシリンジ10が図示しない手段で保持される。テーブル1は、駆動源内蔵の移動信号変換部22から駆動機構18により3軸に速度可変移動を可能とする。加圧源内蔵の加圧信号変換部20からの圧力は加圧ライン9を通して、シリンジ10の内面に密接しながら可動のピストン6を押し下げ、シリンジ10内部のペーストを、ノズル3とシリンジ10を接続した耐圧チューブ8を経由して、ノズル3先端から吐出させる。ノズル3に接続の圧力センサーライン15から、圧力信号変換部14により信号ライン16、17を経由して、図示しないデジタルコントローラへノズルモニター圧力情報がフィードバックされることで、加圧信号変換部20による加圧精度を格段に向上させる。なお、保持部品12、13はノズル3を、ベースプレートへ保持するためのものである。ノズル3の形状は、その先端に微小孔が穿たれたもので、孔の直径は20〜500μmで可能である。直径50〜100μmが電極材料の流動特性と電極形状の点から好ましい。材質としては、金属、セラミック、ガラス、プラスティックなど硬質の材質であればよい。
2-2. Light-receiving surface electrode (main electrode, grid electrode), electrode forming apparatus 2-2-1. 1. Electrode forming apparatus (1) configuration The apparatus used for forming the light-receiving surface electrode of the present invention is mounted on a table 1 and a table 1 movable as shown in FIG. The nozzle 3 fixed by the angle variable component 7 above the fixed substrate 2 and the syringe 10 enclosing a conductive electrode material (hereinafter referred to as paste) are held by means not shown. The table 1 enables a variable speed movement to three axes by the drive mechanism 18 from the movement signal conversion unit 22 built in the drive source. The pressure from the pressurizing signal conversion unit 20 with a built-in pressurizing source pushes down the movable piston 6 while being in close contact with the inner surface of the syringe 10 through the pressurizing line 9, and connects the paste inside the syringe 10 to the nozzle 3 and the syringe 10. The nozzle 3 is discharged through the pressure-resistant tube 8. From the pressure sensor line 15 connected to the nozzle 3, the pressure signal conversion unit 14 feeds back nozzle monitor pressure information to the digital controller (not shown) via the signal lines 16 and 17, so that the pressurization signal conversion unit 20 Significantly improves pressurization accuracy. The holding parts 12 and 13 are for holding the nozzle 3 on the base plate. The shape of the nozzle 3 is such that a minute hole is formed at the tip, and the diameter of the hole can be 20 to 500 μm. A diameter of 50 to 100 μm is preferable from the viewpoint of the flow characteristics of the electrode material and the electrode shape. The material may be a hard material such as metal, ceramic, glass, and plastic.

(2)基本動作
基本的な電極描画動作はピストン6が加圧されると、この中に封入されたペーストを、ノズル3の先端から押出して、シリコン基板2の端部5近傍から描画を開始する。同時に、シリコン基板2をX方向に移動させることで、シリコン基板上に連続してペーストの細線11をシリコン基板2の他の端面まで描画できる。端部では圧力を下げることで吐出速度を0とする。次に、紙面の奥方向をY軸として、グリッド電極間距離分だけY軸方向に移動させ、同時にX軸も開始点まで戻す。再び、同様に直線の描画を行う。この動作を繰返して、シリコン面にグリッド電極となるペースト細線11を描画する。
(2) Basic operation In the basic electrode drawing operation, when the piston 6 is pressurized, the paste enclosed therein is pushed out from the tip of the nozzle 3 and drawing starts from the vicinity of the end 5 of the silicon substrate 2. To do. At the same time, by moving the silicon substrate 2 in the X direction, the fine paste line 11 can be continuously drawn on the silicon substrate to the other end surface of the silicon substrate 2. At the end, the discharge speed is set to 0 by reducing the pressure. Next, with the depth direction of the paper surface as the Y axis, the Y axis is moved by the distance between the grid electrodes, and the X axis is also returned to the start point. Again, a straight line is drawn in the same manner. This operation is repeated to draw the paste thin line 11 serving as the grid electrode on the silicon surface.

(3)可変圧力範囲、速度範囲
ノズル3の可変圧力範囲は0〜6kg/cm2であり、圧力の変化速度は0.01〜1.5kg/cm2・秒までの高速可変を可能とする。ステージ1のX方向への速度は、ノズル3からのペーストの押出し速度よりも大きくすることも可能であり、その速度範囲は−200〜200mm/秒で、ある速度から他の速度に変化する際は、−100〜+100mm/秒2の高速加減速変化を可能にしている。ノズル3とシリコン基板2の距離は0.3〜30mmが可能であるが、好ましくは0.5〜5mmである。単一のノズルで太陽電池のグリッド電極を描画形成すること以外に、多数のノズルを配置して、セル内の複数本のグリッド電極を同時に描画することも可能である。更にはノズルを温調して吐出速度安定化などを図ることも可能である。
(3) Variable pressure range and speed range The variable pressure range of the nozzle 3 is 0 to 6 kg / cm 2 , and the change speed of the pressure is variable at a high speed of 0.01 to 1.5 kg / cm 2 · sec. . The speed in the X direction of the stage 1 can be made larger than the extrusion speed of the paste from the nozzle 3, and the speed range is -200 to 200 mm / second, when changing from one speed to another speed. Enables high-speed acceleration / deceleration changes of −100 to +100 mm / sec 2 . The distance between the nozzle 3 and the silicon substrate 2 can be 0.3 to 30 mm, preferably 0.5 to 5 mm. In addition to drawing and forming a grid electrode of a solar cell with a single nozzle, it is also possible to arrange a number of nozzles and draw a plurality of grid electrodes in a cell simultaneously. Furthermore, it is possible to stabilize the discharge speed by adjusting the temperature of the nozzle.

2−2−2.電極描画方法
このような基本動作を用いた電極描画方法について、電極の構造とともに、図2を用いてその詳細を述べる。この図2では、前出の図4の従来グリッド電極36の1本(角形基板の略半分の長さ)に、相当する部分だけの詳細図として示した。
2-2-2. Electrode Drawing Method The electrode drawing method using such a basic operation will be described in detail with reference to FIG. 2 together with the electrode structure. FIG. 2 shows a detailed view of only one portion corresponding to one of the conventional grid electrodes 36 of FIG. 4 (approximately half the length of a square substrate).

基板51は、シリコン基板の上面にpn接合、反射防止膜を形成している。上記構成の描画装置により、シリコン基板の端面52からメイン電極53まで、ペーストを描画する。この後乾燥炉などで電極54を固化する。   The substrate 51 has a pn junction and an antireflection film formed on the upper surface of the silicon substrate. The paste is drawn from the end face 52 of the silicon substrate to the main electrode 53 by the drawing apparatus having the above configuration. Thereafter, the electrode 54 is solidified in a drying furnace or the like.

メイン電極53については、印刷法やノズル法など種々の方法で形成することができる。なお、セルの大きさ、グリッド電極の長さなどの設計事項により、様々に最適な構成ができることは言うまでもない。   The main electrode 53 can be formed by various methods such as a printing method and a nozzle method. Needless to say, various optimum configurations can be made according to design matters such as the size of the cell and the length of the grid electrode.

電極53、54は同じ材料でも構成できるが、他の構成としては、例えば電極53は基板51との高い接着強度の得られる材料とすること、電極54には基板51との接触抵抗を低くする材料を用いることなど、それぞれの部分に必要な電極特性を高める目的で、ペーストの組成や含有物を変化させることも可能である。   The electrodes 53 and 54 can be made of the same material, but other configurations include, for example, that the electrode 53 is made of a material that can provide high adhesive strength with the substrate 51, and that the electrode 54 has low contact resistance with the substrate 51. It is also possible to change the composition and contents of the paste for the purpose of enhancing the electrode characteristics required for each part, such as using materials.

2−2−3.メイン電極、グリッド電極形成プロセス
次に本発明のグリッド電極形成を含むプロセスについて、図3の工程図で以下具体的に説明する。まず、図3のS−1に示すように、外形10×10cm、厚さ0.35mmにスライスされ、比抵抗1Ωcmに設定されたp型多結晶シリコン基板を、5%NaOHアルカリ水溶液に対し7%アルコールを加えた溶液に、80℃で10分間浸漬し、シリコン基板表面を深さ20μmまでエッチングする。これにより、破砕層の除去と同時に反射低減のための表面凹凸の形成を行うことができる。なお、凹凸は高さ5〜10μmの微細形状であるため、基板全体は実質的には平坦である。
2-2-3. Main Electrode and Grid Electrode Formation Process Next, the process including the grid electrode formation of the present invention will be described in detail with reference to the process diagram of FIG. First, as shown in S-1 of FIG. 3, a p-type polycrystalline silicon substrate sliced into an outer shape of 10 × 10 cm and a thickness of 0.35 mm and set to a specific resistance of 1 Ωcm was set to 7% with respect to a 5% NaOH aqueous solution. The silicon substrate surface is etched to a depth of 20 μm by dipping in a solution containing% alcohol at 80 ° C. for 10 minutes. Thereby, it is possible to form surface irregularities for reducing reflection simultaneously with the removal of the crushing layer. In addition, since the unevenness is a fine shape having a height of 5 to 10 μm, the entire substrate is substantially flat.

次いで、S−2において、POCl3を含む雰囲気の860℃電気炉中の治具に、得られたシリコン基板を載置し、20分間の燐の拡散を行い、シリコン基板表面にn型拡散層(n+層)を形成する。その後、HF水溶液中でPSG(リンガラス)層等を除去し、洗浄、乾燥する。これにより、シート抵抗が50Ω/□、接合深さが約0.3μm、表面付近のドーパント濃度が1.2×1020cm-3程度のn型拡散層を得ることができる。その後、S−3に示すように、シリコン基板の一表面に、プラズマCVD装置を用い、ガス種としてシラン及びアンモニアを用いて、膜厚730Å程度のSi−N層を反射防止膜として形成する。S−4においては、裏面の不要なn層を除去する。受光面となる側にだけ耐酸ワックスを塗布後、裏面側を酸系のエッチング溶液中でn型層を除去する。S−5において、裏面全面にアルミニウムペースト材料を全面に印刷、乾燥する。S−6で、受光面側には2mm幅のメイン電極を印刷した後、S−7で、これら両面の印刷したペーストを650℃のベルト炉内で焼成する。 Next, in S-2, the obtained silicon substrate is placed on a jig in an 860 ° C. electric furnace in an atmosphere containing POCl 3 , phosphorous is diffused for 20 minutes, and an n-type diffusion layer is formed on the surface of the silicon substrate. (N + layer) is formed. Thereafter, the PSG (phosphorus glass) layer and the like are removed in an HF aqueous solution, washed and dried. Thus, an n-type diffusion layer having a sheet resistance of 50Ω / □, a junction depth of about 0.3 μm, and a dopant concentration in the vicinity of the surface of about 1.2 × 10 20 cm −3 can be obtained. Thereafter, as shown in S-3, a Si—N layer having a thickness of about 730 mm is formed as an antireflection film on one surface of the silicon substrate using a plasma CVD apparatus and using silane and ammonia as gas species. In S-4, an unnecessary n layer on the back surface is removed. After applying acid-resistant wax only on the side that becomes the light-receiving surface, the n-type layer is removed on the back side in an acid-based etching solution. In S-5, an aluminum paste material is printed on the entire back surface and dried. After printing a main electrode having a width of 2 mm on the light receiving surface side in S-6, the printed paste on both sides is baked in a belt furnace at 650 ° C. in S-7.

S−8で、受光面側に対して、図1で示した描画装置を用い、内径130μmのノズルを、基板からの高さを1.5mm、基板表面とノズル中心線とのなす角度を30度として、72重量%の銀粉末(平均粒径7.6μm、最大粒径12μm)を含むペーストを、図2のように高さ、幅とも漸増する立体的な形状にグリッド電極を描画した。グリッド電極ピッチは2.8mmとした。グリッド電極部はメイン電極部と交差して重なる形状とした。このようなグリッド電極を構成したセルの、シリコン基板面積に対しての電極占有率はほぼ5%程度になった。   In S-8, the drawing apparatus shown in FIG. 1 is used with respect to the light receiving surface side, a nozzle having an inner diameter of 130 μm is 1.5 mm from the substrate, and the angle between the substrate surface and the nozzle center line is 30. As a measure, a grid electrode was drawn in a three-dimensional shape that gradually increased in height and width as shown in FIG. 2 using a paste containing 72% by weight of silver powder (average particle size 7.6 μm, maximum particle size 12 μm). The grid electrode pitch was 2.8 mm. The grid electrode portion has a shape that intersects and overlaps the main electrode portion. The cell occupying ratio with respect to the silicon substrate area of the cell constituting such a grid electrode was about 5%.

その後、S−9に示す第2焼成プロセスでは、400℃の焼成炉中で加熱して電極とした。最後にS−10で、このようにして得られた太陽電池セルについて、電流電圧特性を測定した。この測定は、照射強度100mW/cm2の疑似太陽光下(JIS標準光AM1.5G)で、太陽電池セル受光面内のメイン電極の片方に測定器を結線して行った。 Then, in the 2nd baking process shown to S-9, it heated in the 400 degreeC baking furnace, and was set as the electrode. Finally, in S-10, the current-voltage characteristic was measured for the solar battery cell thus obtained. This measurement was performed by connecting a measuring instrument to one of the main electrodes in the light receiving surface of the solar battery cell under simulated sunlight (JIS standard light AM1.5G) with an irradiation intensity of 100 mW / cm 2 .

なお、上記製造方法においては、凹凸形成、拡散、ノズル形成等条件は、典型的な条件について示している。この条件で以下の実施例と比較例のセルを作製したが、太陽電池セルを作製することができる限り、その条件を変えることや、各工程の順序を入れ替えてもよい。   In the above manufacturing method, conditions such as unevenness formation, diffusion, and nozzle formation are shown as typical conditions. Although the cell of the following Example and the comparative example was produced on this condition, as long as a solar cell can be produced, the conditions may be changed and the order of each process may be changed.

更には、受光面電極のためのペーストは、通常、導電性材料を主成分とする。導電性材料は、例えば、金、白金、銀、銅、アルミニウム、ニッケル、クロム、タングステン、鉄、タンタル、チタン、モリブデン等の金属又は合金、SnO2、InO2、ZnO、ITO等の透明導電材など、又はこれらの組合せからなる。導電性材料は、好ましくは、粉末状である。また、ペーストは、例えば、上記導電性材料と、ガラスフリット、樹脂及び有機溶媒のうちの1つ以上を混合して調製することができる。 Furthermore, the paste for the light-receiving surface electrode usually contains a conductive material as a main component. The conductive material is, for example, a metal or alloy such as gold, platinum, silver, copper, aluminum, nickel, chromium, tungsten, iron, tantalum, titanium, molybdenum, or a transparent conductive material such as SnO 2 , InO 2 , ZnO, or ITO. Or a combination thereof. The conductive material is preferably in powder form. The paste can be prepared, for example, by mixing the conductive material and one or more of glass frit, resin, and organic solvent.

2−3.裏面電極
裏面電極は一般的に裏面全面に形成されるが、上記グリッドの形成を裏面全面電極に置き換えて裏面電極とすることも可能である。この場合には、裏面のグリッド電極以外の部分にいわゆる裏面反射層やパッシベーション層などと共に形成することも可能である。
2-3. Back Electrode The back electrode is generally formed on the entire back surface, but it is also possible to replace the formation of the grid with a back surface electrode to form a back electrode. In this case, it can be formed together with a so-called back surface reflection layer or passivation layer on the back surface other than the grid electrode.

3.太陽電池
本発明の太陽電池は、基板と、基板上に形成されたメイン電極と、基板上に形成されると共にメイン電極に接続されるグリッド電極とを備え、グリッド電極は、その高さがメイン電極側から先端部に向かって連続的に小さくなる。グリッド電極は、好ましくは、その幅もメイン電極側から先端部に向かって連続的に小さくなる。
3. Solar cell The solar cell of the present invention includes a substrate, a main electrode formed on the substrate, and a grid electrode formed on the substrate and connected to the main electrode, and the grid electrode has a main height. It continuously decreases from the electrode side toward the tip. The grid electrode preferably has a width that continuously decreases from the main electrode side toward the tip.

本発明の太陽電池は、上記太陽電池の製造方法を用いて製造することができる。また、上記太陽電池の製造方法で説明した内容は、その趣旨に反しない限り、太陽電池の説明にも当てはまる。   The solar cell of this invention can be manufactured using the manufacturing method of the said solar cell. The contents described in the method for manufacturing a solar cell also apply to the description of the solar cell unless contrary to the spirit of the method.

ノズル描画グリッド電極を形成する際、位置を固定したノズルに対してテーブル速度を可変しながら、テクスチャ表面の10cm角形多結晶シリコン基板上に、描画してグリッド電極を形成することで太陽電池を作製した実施例について記す。作製プロセスは、図3に示す通りである。このシリコン基板は、p型半導体で、片面にn型層、SiN層が順に構成されている。ノズルの加圧は、3.6kg/cm2の一定圧力とした。 When forming a nozzle drawing grid electrode, a solar cell is produced by drawing a grid electrode on a 10 cm square polycrystalline silicon substrate on the textured surface while varying the table speed with respect to a fixed nozzle. The embodiment will be described. The manufacturing process is as shown in FIG. This silicon substrate is a p-type semiconductor, and an n-type layer and a SiN layer are sequentially formed on one side. The pressure of the nozzle was a constant pressure of 3.6 kg / cm 2 .

図2は、グリッド電極の片側1本を示すが、これを図4のように配置して、メイン電極と交差させて電極とした。つまり図4では10本であるが、実際の10cm角のシリコン基板に対しては片側34本の計68本で構成する。換言すれば、図2の細い部分から描画を開始し、次第に太くしながら、メイン電極を乗り越える。更に図示しない他の端まで、次第に細くしながら連続して描画することで上記対向する2本を1回で描画してグリッド電極とした。   FIG. 2 shows one side of the grid electrode, which is arranged as shown in FIG. 4 and intersects with the main electrode to form an electrode. In other words, the number is 10 in FIG. 4, but the actual 10 cm square silicon substrate is composed of a total of 68, 34 on each side. In other words, drawing is started from the thin portion of FIG. 2, and the main electrode is overcome while gradually becoming thicker. Furthermore, the other two ends (not shown) were drawn continuously while being gradually narrowed to draw the two opposing faces at a time to form a grid electrode.

この時、テーブル1の速度変化は、開始点付近では100mm/秒の高速で描画を開始して、メイン電極付近の速度50mm/秒までテーブル速度を負の加速度で減速しながら描画する。更にこの速度の状態でメイン電極部を乗り越え、他の基板端の100mm/秒まで等加速度で増速しながら描画する。このようにして作製した太陽電池用電池セル特性を表1に示した。   At this time, the change in the speed of the table 1 starts drawing at a high speed of 100 mm / sec near the start point, and draws while reducing the table speed at a negative acceleration to a speed of 50 mm / sec near the main electrode. Further, over the main electrode portion in this state of speed, drawing is performed while increasing at a constant acceleration up to 100 mm / second of the other substrate edge. Table 1 shows the characteristics of the battery cells for solar cells thus produced.

焼成後の電極断面積は、先端部では線幅60μm、高さ20μmの断面積形状は略半円形でその断面積は900μm2であった。またメイン電極に近い所では、線幅130μm高さ37μmで断面積は3200μm2であった。 The electrode cross-sectional area after firing was a substantially semicircular cross-sectional area with a line width of 60 μm and a height of 20 μm at the tip, and the cross-sectional area was 900 μm 2 . Further, near the main electrode, the line width was 130 μm and the height was 37 μm, and the cross-sectional area was 3200 μm 2 .

この実施例では1枚の太陽電池を作製する際のテーブル速度変化を示したが、例えば10cm角基板5枚を1直線に端部が重ならないように敷き詰めて、連続してテーブル速度を変化させ、34本のノズルを敷き詰めた方向と直交する方向にノズルを配置して同時描画を、テーブル速度を加速減速を繰り返しながらグリッド電極を描画することも可能である。   In this example, the table speed change when producing one solar cell is shown. For example, five 10 cm square substrates are laid in a straight line so that the ends do not overlap, and the table speed is continuously changed. It is also possible to arrange the nozzles in a direction perpendicular to the direction in which 34 nozzles are laid down and draw the grid electrode simultaneously, while repeating the acceleration and deceleration of the table speed.

前記実施例のテーブル速度可変に代えて、テーブル速度を100mm/秒の一定速度として、ノズル圧力を可変しながら、描画グリッド電極形成を行い太陽電池を作製した。その他条件については同一とした。作製プロセスは図3に示す通りである。圧力は、図2の先端部では3.8kg/cm2として、メイン電極付近では4.5kg/cm2までリニアに連続増圧しながら描画した。更にメイン電極から遠ざかるにつれて、圧力を3.8kg/cm2まで減少させながらグリッド電極を描画した。先端部では線幅80μm、高さ25μmの断面積形状は略半円形でその断面積は1100μm2であった。またメイン電極に近い所では、線幅135μm高さ35μmで断面積は3300μm2であった。 Instead of changing the table speed of the above example, the table speed was set to a constant speed of 100 mm / second, and the grid voltage was formed while changing the nozzle pressure, thereby producing a solar cell. Other conditions were the same. The manufacturing process is as shown in FIG. The pressure was drawn at 3.8 kg / cm 2 at the tip of FIG. 2 while linearly increasing the pressure up to 4.5 kg / cm 2 near the main electrode. Further, the grid electrode was drawn while decreasing the pressure to 3.8 kg / cm 2 as the distance from the main electrode increased. At the tip, the cross-sectional area shape with a line width of 80 μm and a height of 25 μm was almost semicircular and the cross-sectional area was 1100 μm 2 . Further, near the main electrode, the line width was 135 μm and the height was 35 μm and the cross-sectional area was 3300 μm 2 .

このようにして作製した太陽電池用電池セル特性を表1示した。   Table 1 shows the characteristics of the battery cells for solar cells thus produced.

(比較例1)
図3のS−6で、グリッド電極とメイン電極ともに、一つのスクリーンパターンを用い印刷法で同時に形成した太陽電池を作製した。グリッド電極長さは48mmで、線幅としては、先端幅、根元線幅ともに140μmの印刷法の実用上の最小線幅とした。電極の高さは28μmで、断面積としては、ほぼ3400μm2であった。このようなグリッド電極を構成したセルの、シリコン基板面積に対しての電極占有率は6%程度になった。つまり図3でS−8とS−9を除いた。
(Comparative Example 1)
In S-6 of FIG. 3, a solar cell was produced in which both the grid electrode and the main electrode were simultaneously formed by a printing method using one screen pattern. The grid electrode length was 48 mm, and the line width was the minimum practical line width of the printing method in which both the tip width and the root line width were 140 μm. The height of the electrode was 28 μm, and the cross-sectional area was approximately 3400 μm 2 . The cell occupying ratio with respect to the silicon substrate area of the cell constituting such a grid electrode was about 6%. That is, S-8 and S-9 are excluded in FIG.

Figure 2005353904
Figure 2005353904

表1から、一定ノズル圧でテーブル速度を可変してグリッド電極を形成すると、先端断面積と根元断面積が最も大きく変化した太陽電池が得られた。結果、変換効率の改善に効果が顕著である(実施例1)。テーブル速度一定で圧力変化ノズル法で形成しても実施例1に近い特性が得られた。これら断面積変化のグリッド電極セルは、従来の印刷電極セル(比較例1)の特性14.2%を超える変換効率15%近くまで改善できた。   From Table 1, when the grid electrode was formed by varying the table speed with a constant nozzle pressure, a solar cell in which the tip cross-sectional area and the root cross-sectional area changed the most was obtained. As a result, the effect is remarkable in improving the conversion efficiency (Example 1). Even if it was formed by the pressure change nozzle method at a constant table speed, the characteristics close to those of Example 1 were obtained. These grid electrode cells having a change in cross-sectional area were able to improve to a conversion efficiency of nearly 15%, which exceeds the characteristic 14.2% of the conventional printed electrode cell (Comparative Example 1).

本発明の電極を形成する装置である。It is the apparatus which forms the electrode of this invention. 本発明のグリッド電極の詳細構造である。It is a detailed structure of the grid electrode of this invention. 本発明の製造工程フロー図である。It is a manufacturing process flowchart of this invention. 従来の太陽電池セルの外観図である。It is an external view of the conventional photovoltaic cell.

符号の説明Explanation of symbols

51 基板
52 端面
53 メイン電極
54 グリッド電極
51 Substrate 52 End face 53 Main electrode 54 Grid electrode

Claims (9)

電極材料をノズルから吐出させて基板上に線状の電極を描画し、その際に、そのノズルからの電極材料の吐出速度、およびノズルと半導体基板との間の相対速度の少なくとも一方を変化させる電極の形成方法。   The electrode material is discharged from the nozzle to draw a linear electrode on the substrate, and at that time, at least one of the discharge speed of the electrode material from the nozzle and the relative speed between the nozzle and the semiconductor substrate is changed. Electrode formation method. 吐出速度を一定に保ち、ノズルと半導体基板との間の相対速度を直線的に増大又は減少させる請求項1に記載の電極の形成方法。   The method of forming an electrode according to claim 1, wherein the discharge speed is kept constant, and the relative speed between the nozzle and the semiconductor substrate is linearly increased or decreased. ノズルと半導体基板との間の相対速度を一定に保ち、吐出速度を直線的に増大又は減少させる請求項1に記載の電極の形成方法。   The method of forming an electrode according to claim 1, wherein the relative speed between the nozzle and the semiconductor substrate is kept constant, and the discharge speed is linearly increased or decreased. メイン電極を基板上に形成し、メイン電極に電気的に接続されるようにグリッド電極を基板上に形成する工程を備え、グリッド電極は、請求項1に記載の電極の形成方法によって形成される太陽電池の製造方法。   The method includes forming the main electrode on the substrate and forming the grid electrode on the substrate so as to be electrically connected to the main electrode, and the grid electrode is formed by the electrode forming method according to claim 1. A method for manufacturing a solar cell. グリッド電極は、グリッド電極の先端部からメイン電極に向かって描画される請求項4に記載の太陽電池の製造方法。   The method of manufacturing a solar cell according to claim 4, wherein the grid electrode is drawn from a tip portion of the grid electrode toward the main electrode. グリッド電極は、グリッド電極の先端部からメイン電極に向かって描画され、さらに連続して、メイン電極を挟んで反対側のグリッド電極が、メイン電極からこのグリッド電極の先端部に向かって描画される請求項4に記載の太陽電池の製造方法。   The grid electrode is drawn from the tip of the grid electrode toward the main electrode, and the grid electrode on the opposite side across the main electrode is continuously drawn from the main electrode toward the tip of the grid electrode. The manufacturing method of the solar cell of Claim 4. 幅及び高さが一方向に向かって連続的に小さくなる電極。   An electrode whose width and height continuously decrease in one direction. 基板と、基板上に形成されたメイン電極と、基板上に形成されると共にメイン電極に接続されるグリッド電極とを備え、グリッド電極は、その高さがメイン電極側から先端部に向かって連続的に小さくなることを特徴とする太陽電池。   A substrate, a main electrode formed on the substrate, and a grid electrode formed on the substrate and connected to the main electrode, the height of the grid electrode being continuous from the main electrode side toward the tip portion A solar cell characterized by being reduced in size. グリッド電極は、その幅がメイン電極側から先端部に向かって連続的に小さくなることを特徴とする請求項8に記載の太陽電池。   The solar cell according to claim 8, wherein the grid electrode has a width that continuously decreases from the main electrode side toward the tip.
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