JP2005347889A - Mother board, high-frequency module mounted thereon, and wireless communication equipment - Google Patents

Mother board, high-frequency module mounted thereon, and wireless communication equipment Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a mother board on which either a high-frequency module compatible with multiple bands or a high-frequency module compatible with a single band can be mounted after arbitrarily selecting either of them, only by preparing the mother board having one kind of terminal structure. <P>SOLUTION: On the mother board, a multi-band high-frequency module and a single-band high-frequency module can be mounted. On the area of the mother board, the high-frequency module is mounted. The area has a first area T+ existing at a part of the area, a second area T- existing at an area facing the first area in the area, and an intermediate area existing between the first/second areas T+, T-. An input/output terminal pad corresponds to the input/output terminal of the high-frequency module made to correspond to one frequency band (800 MHz) among a plurality of the frequency bands, and is formed to the first area T+. An input/output terminal pad corresponds to an input/output terminal of the high-frequency module made to correspond to the other one frequency band (1.9 GHz) among a plurality of the frequency bands, and is formed to the second area T-. A common terminal pad corresponding to a common terminal of the high-frequency module is formed in the intermediate area. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、高周波電力増幅回路、送受信用フィルタなどを誘電体多層基板に実装した高周波モジュールを搭載可能なマザー基板、及びそのマザー基板を搭載した、携帯電話機などの無線通信機器に関するものである。   The present invention relates to a mother board on which a high-frequency module in which a high-frequency power amplifier circuit, a transmission / reception filter and the like are mounted on a dielectric multilayer board can be mounted, and a wireless communication device such as a mobile phone on which the mother board is mounted.

従来の高周波モジュールの一般的構成では、送信信号に含まれるある領域の周波数成分を通過させるバンドパスフィルタと、送信信号を増幅する高周波電力増幅回路と、アンテナから入力された受信信号とアンテナに給電する送信信号とを切り替えるための送受信用フィルタとが設けられている。
アンテナから入ってきた受信信号は、受信用フィルタに入力され、ここで受信信号が選択的に通過される。通過した受信信号は、低雑音増幅器で増幅され、信号処理回路に供給される。 In a general configuration of a conventional high-frequency module, a band-pass filter that passes a certain frequency component in a transmission signal, a high-frequency power amplification circuit that amplifies the transmission signal, a reception signal that is input from the antenna, and a power supply to the antenna A transmission / reception filter for switching between transmission signals to be transmitted is provided.
The reception signal that has entered from the antenna is input to the reception filter, where the reception signal is selectively passed. The received signal that has passed is amplified by a low noise amplifier and supplied to a signal processing circuit.

送信信号は、前記バンドパスフィルタを通ってノイズを落とされ、高周波電力増幅回路に入力される。高周波電力増幅回路は、この送信信号を電力増幅し、その信号を前記送信用フィルタに供給する。
一方、マルチバンド対応無線通信機器の提案がなされている。マルチバンド対応無線通信機器は、通常のシングルバンド対応の無線通信機器が一つの周波数帯の送受信系のみを取り扱うのに対し、２つ以上の周波数帯の送受信系を取り扱うことができるものである。これにより、地域や使用目的等応じて、利用者が都合の良い送受信系を選択して利用することができる。 The transmission signal is filtered through the band-pass filter and input to the high frequency power amplifier circuit. The high frequency power amplifier circuit amplifies the power of the transmission signal and supplies the signal to the transmission filter.
On the other hand, multiband-compatible wireless communication devices have been proposed. A multiband wireless communication device is capable of handling transmission / reception systems of two or more frequency bands, whereas a normal single-band wireless communication device handles only a transmission / reception system of one frequency band. Accordingly, the user can select and use a convenient transmission / reception system according to the region, purpose of use, and the like.

マルチバンドの例として、欧州では９００ＭＨｚ帯を使用したＧＳＭ(Global System for Mobil Communication)システムと、１８００ＭＨｚ帯を使用したＤＣＳ(Digital Cellular System)システムがある。さらに、北米では、８００ＭＨｚ帯を使用したＡＭＰＳ cellularシステム、１９００ＭＨｚ帯を使用したＰＣＳ(Personal Communication Services)システムなどがある。
特開２００２−２９０２５７号公報 特開２００２−１７１１３７号公報 Examples of multiband include a GSM (Global System for Mobile Communication) system using a 900 MHz band and a DCS (Digital Cellular System) system using a 1800 MHz band in Europe. Furthermore, in North America, there are AMPS cellular systems using the 800 MHz band and PCS (Personal Communication Services) systems using the 1900 MHz band.
JP 2002-290257 A JP 2002-171137 A

マルチバンドに対応できるマザー基板として、図１４にその平面配置構造を示す。
このマザー基板３１は、１つの周波数帯の高周波モジュールを搭載する領域３３と、他の周波数帯の高周波モジュールを搭載する領域３４とを持っている。３５は、２つの周波数帯を切り替える分波回路を搭載する領域である。各領域３３，３４には、それぞれ高周波モジュールの入出力端子に対応する入出力端子パッドが形成されるとともに、高周波モジュールの共通端子（電源端子、制御端子、参照端子など）に対応する共通端子パッドが形成されている。 FIG. 14 shows a planar arrangement structure of a mother substrate that can handle multiband.
The mother board 31 has a region 33 for mounting a high-frequency module in one frequency band and a region 34 for mounting a high-frequency module in another frequency band. Reference numeral 35 denotes an area where a demultiplexing circuit for switching between two frequency bands is mounted. In each of the regions 33 and 34, input / output terminal pads corresponding to the input / output terminals of the high frequency module are formed, and common terminal pads corresponding to the common terminals (power supply terminal, control terminal, reference terminal, etc.) of the high frequency module are formed. Is formed.

このマザー基板３１の構造であれば、両方の搭載領域３３，３４にそれぞれ周波数帯の異なる高周波モジュールを搭載すると、マルチバンドに対応できるが、搭載領域を２つ必要とするので、広い場所をとるという問題がある。また、いずれかの搭載領域にのみ１つの周波数帯の高周波モジュールを搭載してシングルバンドとする場合は、他の搭載領域は遊んでしまうので場所占有効率が低くなる。   With the structure of this mother substrate 31, if high frequency modules having different frequency bands are mounted on both mounting areas 33 and 34, it is possible to cope with multiband, but two mounting areas are required, so a large space is required. There is a problem. Further, when a high frequency module of one frequency band is mounted only in one of the mounting areas to form a single band, the other mounting areas are idle, and the space occupation efficiency is lowered.

マルチバンド対応高周波モジュールに対応した端子構造のマザー基板と、シングルバンド対応高周波モジュールに対応した端子構造のマザー基板とを両方用意すれば、いずれの高周波モジュールにも対応できるが、マザー基板を別々に設計しなければならないのでコストが上る。
そこで、１種類の端子構造を持ったマザー基板を用意するだけで、マルチバンド対応高周波モジュールと、シングルバンド対応高周波モジュールとのいずれかを任意に選択して搭載することができるマザー基板及びこのマザー基板に適合した高周波モジュールが望まれている。 If you prepare both a mother board with a terminal structure compatible with a multiband-compatible high-frequency module and a mother board with a terminal structure compatible with a single-band compatible high-frequency module, it can be used with any high-frequency module. The cost increases because it must be designed.
Therefore, a mother board and a mother board capable of arbitrarily selecting and mounting either a multi-band compatible high-frequency module or a single-band compatible high-frequency module simply by preparing a mother board having one type of terminal structure. A high frequency module suitable for a substrate is desired.

本発明のマザー基板は、前記に鑑みてなされたものであって、複数の周波数帯の送受信系に対応した高周波モジュール、及び前記複数の周波数帯のうちのいずれかの１つ周波数帯の送受信系に対応した高周波モジュールの中から選ばれる高周波モジュールを搭載可能であって、前記高周波モジュールを搭載する領域には、第１の領域と、第２の領域と、第３の領域が含まれており、前記第１の領域には、前記複数の周波数帯のうちのある１つ周波数帯に対応した高周波モジュールの入出力端子に対応する入出力端子パッドが形成され、前記第２の領域には、前記複数の周波数帯のうちの他の１つ周波数帯に対応した高周波モジュールの入出力端子に対応する入出力端子パッドが形成され、前記第３の領域には、高周波モジュールの共通端子に対応する共通端子パッドが形成されていることを特徴とする。   The mother board of the present invention is made in view of the above, and is a high-frequency module corresponding to a plurality of frequency band transmission / reception systems, and a transmission / reception system of any one of the plurality of frequency bands. The high frequency module selected from the high frequency modules corresponding to the above can be mounted, and the region where the high frequency module is mounted includes a first region, a second region, and a third region. In the first region, an input / output terminal pad corresponding to an input / output terminal of a high-frequency module corresponding to one frequency band of the plurality of frequency bands is formed, and in the second region, An input / output terminal pad corresponding to an input / output terminal of a high frequency module corresponding to another one of the plurality of frequency bands is formed, and the third region is a common terminal of the high frequency module. Wherein the common terminal pad to respond is formed.

このマザー基板を用いれば、複数の周波数帯の送受信系に対応した高周波モジュール（以下「マルチバンド高周波モジュール」という）を搭載するときは、当該高周波モジュールの入出力端子を、前記第１及び第２の領域に存在する入出力端子パッドにそれぞれ合わせ、高周波モジュールの共通端子を、前記第３の領域に存在する共通端子パッドに合わせることにより、搭載することができる。そして、単一の周波数帯の送受信系に対応した高周波モジュール（以下「シングルバンド高周波モジュール」という）を搭載するときは、当該高周波モジュールの入出力端子を、前記第１又は第２の領域に存在する入出力端子パッドにそれぞれ合わせ、高周波モジュールの共通端子を、前記第３の領域に存在する共通端子パッドに合わせることにより、搭載することができる。   When this mother board is used, when a high-frequency module (hereinafter referred to as “multi-band high-frequency module”) corresponding to a transmission / reception system of a plurality of frequency bands is mounted, the input and output terminals of the high-frequency module are connected to the first and second terminals. The high frequency module can be mounted by matching the common terminal of the high frequency module with the common terminal pad existing in the third region. When a high frequency module corresponding to a single frequency band transmission / reception system (hereinafter referred to as “single band high frequency module”) is mounted, input / output terminals of the high frequency module are present in the first or second region. The high frequency module can be mounted by matching the common terminal of the high frequency module with the common terminal pad existing in the third region.

前記第１の領域と第２の領域が互いに対向する位置に形成されてなり、前記第３の領域が前記第１の領域と第２の領域との中間に存在するという配置が想定できる。その意味で、第３の領域を「中間領域」ということがある。また、前記共通端子としては、アンテナ端子および／または電源端子が想定できる。
また、本発明のマルチバンド高周波モジュールは、底面には、第１の領域と、第２の領域と、第３の領域があり、前記第１の領域には、前記複数の周波数帯のうちのある１つ周波数帯に対応した入出力端子が設けられ、前記第２の領域には、前記複数の周波数帯のうちの他の１つ周波数帯に対応した入出力端子が設けられ、前記第３の領域には共通端子が設けられている。 It can be assumed that the first region and the second region are formed at positions facing each other, and the third region is present between the first region and the second region. In that sense, the third area may be referred to as an “intermediate area”. The common terminal can be an antenna terminal and / or a power supply terminal.
The multiband high-frequency module according to the present invention includes a first region, a second region, and a third region on the bottom surface, and the first region includes a plurality of frequency bands. An input / output terminal corresponding to a certain frequency band is provided, and an input / output terminal corresponding to another frequency band of the plurality of frequency bands is provided in the second region, and the third area A common terminal is provided in this area.

このマルチバンド高周波モジュールを用いて、当該高周波モジュールの入出力端子を、前記マザー基板の前記第１及び第２の領域に存在する入出力端子パッドにそれぞれ合わせ、当該高周波モジュールの共通端子を、前記第３の領域に存在する共通端子パッドに合わせることにより、前記マザー基板に搭載することができる。
また、本発明のシングルバンド高周波モジュールは、底面には、第１の領域と、前記第１の領域以外の部分に存在する第３の領域があり、前記第１の領域には、当該周波数帯に対応した入出力端子が設けられ、前記第３の領域には共通端子が設けられている。 Using this multiband high-frequency module, the input / output terminals of the high-frequency module are matched with the input / output terminal pads existing in the first and second regions of the mother board, respectively, and the common terminals of the high-frequency module are By matching with the common terminal pad existing in the third region, it can be mounted on the mother board.
The single-band high-frequency module of the present invention has a first region on the bottom surface and a third region existing in a portion other than the first region, and the first region includes the frequency band. Input / output terminals corresponding to the above are provided, and a common terminal is provided in the third region.

このシングルバンド高周波モジュールを用いて、当該高周波モジュールの入出力端子を、前記マザー基板の前記第１又は第２の領域に存在する入出力端子パッドに合わせ、当該高周波モジュールの共通端子を、前記第３の領域に存在する共通端子パッドに合わせることにより、前記マザー基板に搭載することができる。   Using the single-band high-frequency module, the input / output terminals of the high-frequency module are aligned with the input / output terminal pads existing in the first or second region of the mother board, and the common terminals of the high-frequency module are 3 can be mounted on the mother board by matching with the common terminal pads existing in the region 3.

以上のように本発明によれば、１種類のマザー基板に、複数種類の入出力端子パッドと共通端子パッドとが形成された領域を形成するだけで、マルチバンドやシングルバンドのいずれかの高周波モジュールを任意に選んで装着することができる。したがって、マザー基板の小型化とコストダウンが図れ、それに本発明の高周波モジュールを搭載することにより、小型かつ低価格な無線通信機器を提供できる。   As described above, according to the present invention, by simply forming a region in which a plurality of types of input / output terminal pads and common terminal pads are formed on one type of mother substrate, either a high frequency band of multiband or single band is used. Modules can be selected and installed arbitrarily. Therefore, it is possible to reduce the size and cost of the mother board, and to mount a high-frequency module of the present invention on the mother board, it is possible to provide a small and low-cost wireless communication device.

以下、本発明の実施の形態を、添付図面を参照しながら詳細に説明する。
図１は、携帯電話機等の無線通信機器に用いられる、ＣＤＭＡデュアルバンド高周波信号処理回路のブロック構成図を示す。
このＣＤＭＡデュアルバンド方式では、セルラー方式800ＭＨｚ帯の周波数帯及びＰＣＳ(Personal Communication Services)１．９ＧＨｚ帯の周波数帯を持った２つの送受信系と、ＧＰＳ(Global Positioning System)による測位機能を利用するためＧＰＳの受信バンド1.5ＧＨｚ帯を持った１つの受信系とから構成される。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is a block diagram of a CDMA dual-band high-frequency signal processing circuit used for a wireless communication device such as a mobile phone.
In this CDMA dual band system, two transmission / reception systems having a cellular system 800 MHz frequency band and a PCS (Personal Communication Services) 1.9 GHz frequency band and a positioning function by GPS (Global Positioning System) are used. It is composed of a single reception system having a GPS reception band of 1.5 GHz.

図１において、１はアンテナ、２は周波数帯を分けるための低域通過フィルタＬＰＦと、帯域通過フィルタと、高域通過フィルタＨＰＦを含む分波回路、３ａは１．９ＧＨｚ帯の送信系を分離する送信用フィルタ、３ｂは同受信系を分離する受信用フィルタ、４ａは８００ＭＨｚ帯の送信系を分離する送信用フィルタ、４ｂは同受信系を分離する受信用フィルタである。また、１２は前記分波回路２から取り込まれるＧＰＳ信号を通過させるためのフィルタである。３ｃ，４ｃは、受信信号の位相を回転させるインピーダンス調整回路である。   In FIG. 1, 1 is an antenna, 2 is a demultiplexing circuit including a low-pass filter LPF for dividing a frequency band, a band-pass filter, and a high-pass filter HPF, and 3a is a 1.9 GHz band transmission system. The transmission filter 3b is a reception filter for separating the reception system, 4a is a transmission filter for separating the transmission system in the 800 MHz band, and 4b is a reception filter for separating the reception system. Reference numeral 12 denotes a filter for passing a GPS signal taken from the branching circuit 2. Reference numerals 3c and 4c denote impedance adjustment circuits that rotate the phase of the received signal.

前記送信用フィルタ３ａ，４ａ及び受信用フィルタ３ｂ，４ｂは、例えば、ＬｉＴａＯ3結晶、ＬｉＮｂＯ3結晶、ＬｉＢ4Ｏ7結晶などからなる基板上に、櫛歯状のＩＤＴ(Inter Digital Transducer)電極が形成されたＳＡＷ(Surface Acoustic Wave)フィルタ素子を用いることができる。
送信系における信号の流れを説明する。送信信号処理回路RFIC１７から出力されるセルラー送信信号は、帯域通過フィルタＢＰＦ９でノイズが削減され、高周波電力増幅回路７に伝えられる。送信信号処理回路RFIC１７から出力されるＰＣＳ送信信号は、帯域通過フィルタＢＰＦ１０でノイズが削減され、高周波電力増幅回路８に伝えられる。 The transmission filters 3a and 4a and the reception filters 3b and 4b have, for example, comb-like IDT (Inter Digital Transducer) electrodes on a substrate made of LiTaO 3 crystal, LiNbO 3 crystal, LiB 4 O 7 crystal or the like. A formed SAW (Surface Acoustic Wave) filter element can be used.
A signal flow in the transmission system will be described. The cellular transmission signal output from the transmission signal processing circuit RFIC 17 has its noise reduced by the band pass filter BPF 9 and is transmitted to the high frequency power amplifier circuit 7. The PCS transmission signal output from the transmission signal processing circuit RFIC 17 is reduced in noise by the band pass filter BPF 10 and transmitted to the high frequency power amplifier circuit 8.

高周波電力増幅回路７，８は、それぞれ８００MHｚ帯，１．９GHｚ帯の周波数帯の送信信号を電力増幅する。増幅された送信信号は、それぞれ前記送信用フィルタ４ａ，３ａに入力される。
方向性結合器５，６は、高周波電力増幅回路７，８からの出力信号のレベルをモニタして、そのモニタ信号に基づいて高周波電力増幅回路７，８のオートパワーコントロールをするためのものである。そのモニタ出力は、検波用回路１１に入力される。 The high frequency power amplifier circuits 7 and 8 amplify the power of transmission signals in the 800 MHz band and 1.9 GHz band, respectively. The amplified transmission signals are input to the transmission filters 4a and 3a, respectively.
The directional couplers 5 and 6 are for monitoring the level of the output signal from the high-frequency power amplifier circuits 7 and 8 and performing automatic power control of the high-frequency power amplifier circuits 7 and 8 based on the monitor signal. is there. The monitor output is input to the detection circuit 11.

一方受信系は、受信用フィルタ４ｂ，３ｂで分離された受信信号を増幅する低雑音増幅器LNA１４，１３と、受信信号からノイズを除去する高周波フィルタ１６，１５とを備えている。高周波フィルタ１６，１５を通った受信信号は、受信信号処理回路RFIC１８に伝えられ信号処理される。また、前記ＧＰＳ用フィルタ１２で分離されたＧＰＳ信号は、受信信号処理回路RFIC１８に入力され信号処理される。   On the other hand, the reception system includes low noise amplifiers LNAs 14 and 13 for amplifying the reception signals separated by the reception filters 4b and 3b, and high frequency filters 16 and 15 for removing noise from the reception signals. The received signals that have passed through the high frequency filters 16 and 15 are transmitted to the received signal processing circuit RFIC 18 and processed. The GPS signal separated by the GPS filter 12 is input to the received signal processing circuit RFIC 18 for signal processing.

前記各フィルタの構成は限定されないが、好ましくは、ＳＡＷフィルタである。前記高周波電力増幅回路７，８の構成も限定されないが、好ましくは、小型化、高効率化を図るためにＧａＡｓＨＢＴ（ガリウム砒素ヘテロジャンクションバイポーラトランジスタ）構造、又はＰ−ＨＥＭＴ構造のトランジスタ、具体的にはＧａＡｓトランジスタ、シリコン若しくはゲルマニウムトランジスタを含む半導体素子で形成されたものである。   The configuration of each filter is not limited, but is preferably a SAW filter. The configuration of the high-frequency power amplifier circuits 7 and 8 is not limited, but preferably a transistor having a GaAsHBT (gallium arsenide heterojunction bipolar transistor) structure or a P-HEMT structure in order to reduce the size and increase the efficiency. Is formed of a semiconductor device including a GaAs transistor, silicon or germanium transistor.

以上のような構成の高周波信号処理回路を搭載した無線通信機器においては、各部に対する小型化、軽量化の要求が大きく、これらの要求を考慮して、高周波信号処理回路は、所望の特性が達成できる単位でモジュール化されている。
すなわち、図１で太い実線２２で示したように、分波回路２、送受信用フィルタ３ａ，３ｂ，４ａ，４ｂ、高周波電力増幅回路７，８、方向性結合器５，６などを含む分波系回路及び送信系回路が、１つの基板に形成された１つの高周波モジュール２２を形成している。 In wireless communication equipment equipped with a high-frequency signal processing circuit having the above-described configuration, there is a great demand for downsizing and weight reduction of each part. In consideration of these requirements, the high-frequency signal processing circuit achieves desired characteristics. It is modularized in units that can be done.
That is, as shown by the thick solid line 22 in FIG. 1, the demultiplexing includes the demultiplexing circuit 2, the transmission / reception filters 3a, 3b, 4a, 4b, the high frequency power amplification circuits 7, 8, the directional couplers 5, 6 and the like. The system circuit and the transmission system circuit form one high-frequency module 22 formed on one substrate.

なお、前記高周波モジュール２２に、低雑音増幅器ＬＮＡ１３，１４と受信用高周波フィルタ１５，１６とを追加して形成してもよい。
図２に、このデュアルバンド高周波モジュール２２の上面図を示す。
高周波モジュール２２は、同一寸法形状の複数の誘電体層が積層された多層基板２３に形成されている。 The high-frequency module 22 may be formed by adding low-noise amplifiers LNA 13 and 14 and high-frequency filters 15 and 16 for reception.
FIG. 2 shows a top view of the dual-band high-frequency module 22.
The high-frequency module 22 is formed on a multilayer substrate 23 in which a plurality of dielectric layers having the same size and shape are stacked.

多層基板２３の表層には、各種のパターン、各種チップ部品のほか、ＢＰＦ９，１０、ＧＰＳ用のフィルタ１２、送受信用フィルタ３ａ，４ａ，３ｂ，４ｂ、及び高周波電力増幅回路７，８などが搭載され、これらは半田などで誘電体層上の導体パターンに接合されている。
高周波電力増幅回路７，８は、多層基板２３上の導体パターンとワイヤーボンディングで接続されている。高周波電力増幅回路７，８の周囲には、高周波電力増幅回路７，８と送受信用フィルタ３ａ，４ａとの間のインピーダンスマッチングをとる出力整合回路２６，２７がチップ部品や導体パターンで形成されている。 On the surface layer of the multilayer substrate 23, various patterns and various chip parts, BPF 9, 10, GPS filter 12, transmission / reception filters 3a, 4a, 3b, 4b, and high-frequency power amplification circuits 7, 8 are mounted. These are joined to the conductor pattern on the dielectric layer with solder or the like.
The high frequency power amplifier circuits 7 and 8 are connected to the conductor pattern on the multilayer substrate 23 by wire bonding. Around the high-frequency power amplifier circuits 7 and 8, output matching circuits 26 and 27 for impedance matching between the high-frequency power amplifier circuits 7 and 8 and the transmission / reception filters 3a and 4a are formed by chip parts or conductor patterns. Yes.

多層基板２３の内部には、前記インピーダンス調整回路３ｃ，４ｃと、分波回路２と、方向性結合器５，６とが内装されている。
構造的にいえば、これらの内部素子を構成する、分布定数線路、結合線路、分布型キャパシタ、抵抗などの導体パターンが、多層基板２３の内部の誘電体層中にそれぞれ形成されている。そして、各誘電体層には複数の層にわたって、回路を縦に接続するために必要なビアホール導体が形成されている。 Inside the multilayer substrate 23, the impedance adjusting circuits 3c and 4c, the demultiplexing circuit 2, and the directional couplers 5 and 6 are housed.
In terms of structure, conductor patterns such as distributed constant lines, coupled lines, distributed capacitors, resistors, and the like constituting these internal elements are formed in the dielectric layers inside the multilayer substrate 23, respectively. In each dielectric layer, via-hole conductors necessary to connect the circuits vertically are formed across a plurality of layers.

それぞれの誘電体層は、例えば、ガラスエポキシ樹脂などの有機系誘電体基板に対して、銅箔などの導体によって導体パターンを形成し、積層して熱硬化させたもの、又は、セラミック材料などの無機系誘電体層に種々の導体パターンを形成し、これらを積層後焼成したものが用いられる。
特に、セラミック材料を用いれば、セラミック誘電体の比誘電率は通常７から２５と、樹脂基板に比べて高いので、誘電体層を薄くでき、誘電体層に内装された回路の素子のサイズを小さくでき、素子間距離も狭くすることができる。 Each dielectric layer is formed by, for example, forming a conductor pattern with a conductor such as copper foil on an organic dielectric substrate such as a glass epoxy resin, and laminating and thermosetting, or a ceramic material or the like. Various conductor patterns are formed on the inorganic dielectric layer, and these are laminated and fired.
In particular, if a ceramic material is used, the dielectric constant of the ceramic dielectric is usually 7 to 25, which is higher than that of the resin substrate. Therefore, the dielectric layer can be made thin, and the size of the circuit element embedded in the dielectric layer can be reduced. The distance between the elements can be reduced, and the distance between the elements can also be reduced.

とりわけ、ガラスセラミックスなどの低温で焼成が可能なセラミック材料を用いると、導体パターンを低抵抗の銅、銀などによって形成することができるので望ましい。また、ビアホール導体は誘電体層に形成した貫通孔にメッキ処理するか、貫通孔に導体ペーストを充填するかして形成される。
図３は、デュアルバンド高周波モジュール２２の上から透過して見た底面の端子配置図である。図３の比較的上部は８００ＭＨｚ帯の送受信系の端子、図３の比較的下部は１．９ＧＨｚ帯の送受信系の端子が配列されている。 In particular, it is desirable to use a ceramic material that can be fired at a low temperature, such as glass ceramics, because the conductor pattern can be formed of low resistance copper, silver, or the like. The via-hole conductor is formed by plating the through hole formed in the dielectric layer or filling the through hole with a conductive paste.
FIG. 3 is a terminal arrangement diagram of the bottom surface seen through the dual-band high-frequency module 22. The relatively upper part of FIG. 3 is arranged with 800 MHz band transmission / reception system terminals, and the lower part of FIG. 3 is arranged with 1.9 GHz band transmission / reception system terminals.

図１との対応を説明すると、アンテナ１につながる端子Ａｎｔ、受信用フィルタ４ｂ，３ｂの出力端子Ｒｘ８００，Ｒｘ１．９、帯域通過フィルタＢＰＦ９，１０への入力端子Ｔｘ８００，Ｔｘ１．９、ＧＰＳ用フィルタ端子ＧＰＳ+，ＧＰＳ-、方向性結合器５，６のモニタ端子ＣＯＰ８００，ＣＯＰ１．９が設けられている。さらに、図１には示していないが、高周波電力増幅回路７に供給する電源端子Ｖcc1，Ｖcc2、参照端子Ｖref1、制御端子Ｖcont1が設けられ、高周波電力増幅回路８に供給する電源端子Ｖcc3，Ｖcc4、参照端子Ｖref2、制御端子Ｖcont2が設けられている。   Referring to FIG. 1, the terminal Ant connected to the antenna 1, the output terminals Rx800 and Rx1.9 of the reception filters 4b and 3b, the input terminals Tx800 and Tx1.9 to the bandpass filters BPF9 and 10, the GPS filter Terminals GPS + and GPS−, and monitor terminals COP800 and COP1.9 of the directional couplers 5 and 6 are provided. Further, although not shown in FIG. 1, power supply terminals Vcc1 and Vcc2, a reference terminal Vref1 and a control terminal Vcont1 supplied to the high frequency power amplifier circuit 7 are provided, and power supply terminals Vcc3 and Vcc4 supplied to the high frequency power amplifier circuit 8 are provided. A reference terminal Vref2 and a control terminal Vcont2 are provided.

次に、１つの周波数バンドを持ったシングルバンド高周波信号処理回路の構成を説明する。
図４は、ＰＣＳ方式１．９ＧＨｚ帯シングルバンド高周波信号処理回路のブロック構成図を示す。
このシングルバンド方式では、ＰＣＳ方式１．９ＧＨｚ帯の周波数バンドを持った１つの送受信系と、ＧＰＳ(Global Positioning System)による測位機能を利用するためＧＰＳの受信バンド1.5ＧＨｚ帯を持った１つの受信系とから構成される。 Next, the configuration of a single band high frequency signal processing circuit having one frequency band will be described.
FIG. 4 is a block diagram of a PCS 1.9 GHz band single band high frequency signal processing circuit.
In this single band system, one transmission / reception system having a frequency band of PCS system 1.9 GHz band and one reception having a GPS reception band 1.5 GHz band in order to use a positioning function by GPS (Global Positioning System). It consists of a system.

図１と図４を比較すると、図４では、図１のセルラー方式800ＭＨｚ帯の送信用フィルタ４ａ、受信用フィルタ４ｂ、インピーダンス調整回路４ｃ、方向性結合器５、高周波電力増幅回路７、帯域通過フィルタＢＰＦ９、低雑音増幅器LNA１４、高周波フィルタ１６を除外した構成になっている。これら以外のＰＣＳ方式１．９ＧＨｚ帯の回路は、図１に示したのと同じであるので、その再度の構成説明は省略する。   FIG. 4 is compared with FIG. 4. In FIG. 4, the cellular 800 MHz band transmission filter 4 a, reception filter 4 b, impedance adjustment circuit 4 c, directional coupler 5, high-frequency power amplification circuit 7, and band pass in FIG. The filter BPF 9, the low noise amplifier LNA 14, and the high frequency filter 16 are excluded. The other circuits in the PCS system 1.9 GHz band are the same as those shown in FIG.

この高周波信号処理回路において、図４で太い実線２２ａで示したように、分波回路２、送受信用フィルタ３ａ，３ｂ、高周波電力増幅回路８、方向性結合器６などを含む分波系回路及び送信系回路が、１つの基板に形成された１つの高周波モジュール２２ａを形成している。
なお、前記高周波モジュール２２ａに、低雑音増幅器ＬＮＡ１３と受信用高周波フィルタ１５とを追加形成してもよいのは、図１の、デュアルバンド高周波信号処理回路と同じである。 In this high-frequency signal processing circuit, as indicated by a thick solid line 22a in FIG. 4, a demultiplexing circuit including the demultiplexing circuit 2, the transmission / reception filters 3a and 3b, the high-frequency power amplification circuit 8, the directional coupler 6, and the like; The transmission system circuit forms one high-frequency module 22a formed on one substrate.
The low-frequency amplifier LNA 13 and the reception high-frequency filter 15 may be additionally formed in the high-frequency module 22a as in the dual-band high-frequency signal processing circuit of FIG.

図５に、シングルバンド高周波モジュール２２ａの上面図を示す。
高周波モジュール２２ａは、同一寸法形状の複数の誘電体層が積層された多層基板２３に形成されている。
多層基板２３の表層には、各種のパターン、各種チップ部品のほか、ＢＰＦ１０、ＧＰＳ用のフィルタ１２、送受信用フィルタ３ａ，３ｂ及び高周波電力増幅回路８などが搭載され、これらは半田などで誘電体層上の導体パターンに接合されている。 FIG. 5 shows a top view of the single-band high-frequency module 22a.
The high-frequency module 22a is formed on a multilayer substrate 23 in which a plurality of dielectric layers having the same size and shape are stacked.
On the surface layer of the multilayer substrate 23, various patterns and various chip parts, BPF 10, GPS filter 12, transmission / reception filters 3a and 3b, high-frequency power amplifier circuit 8, and the like are mounted. Bonded to the conductor pattern on the layer.

高周波電力増幅回路８は、多層基板２３上の導体パターンとワイヤーボンディングで接続されている。高周波電力増幅回路８の周囲には、高周波電力増幅回路８と送信用フィルタ３ａとの間のインピーダンスマッチングをとる出力整合回路２６がチップ部品や導体パターンで形成されている。
多層基板２３の内部には、前記インピーダンス調整回路３ｃと、分波回路２と、方向性結合器６とが内装されている。 The high frequency power amplifier circuit 8 is connected to the conductor pattern on the multilayer substrate 23 by wire bonding. Around the high-frequency power amplifier circuit 8, an output matching circuit 26 for impedance matching between the high-frequency power amplifier circuit 8 and the transmission filter 3a is formed of a chip part or a conductor pattern.
Inside the multilayer substrate 23, the impedance adjusting circuit 3c, the demultiplexing circuit 2, and the directional coupler 6 are housed.

図６は、１．９ＧＨｚ帯シングルバンド高周波モジュール２２ａの上から透過して見た底面の端子配置図である。図６の比較的下部に１．９ＧＨｚ帯の送受信系の端子が配列されている。図６の比較的上部には接地端子（白抜きの四角で示す）が配列されている。
図４との対応を説明すると、アンテナ１につながる端子Ａｎｔ、受信用フィルタ３ｂの出力端子Ｒｘ１．９、帯域通過フィルタＢＰＦ１０への入力端子Ｔｘ１．９、ＧＰＳ用フィルタ端子ＧＰＳ+，ＧＰＳ-、方向性結合器６のモニタ端子ＣＯＰ１．９が設けられている。さらに、図４には示していないが、高周波電力増幅回路８に供給する電源端子Ｖcc3，Ｖcc4、参照端子Ｖref2、制御端子Ｖcont2が設けられている。 FIG. 6 is a terminal arrangement diagram of the bottom surface seen through the 1.9 GHz band single-band high-frequency module 22a. In the relatively lower part of FIG. 6, 1.9 GHz band transmission / reception system terminals are arranged. A ground terminal (indicated by a white square) is arranged in a relatively upper part of FIG.
Referring to FIG. 4, the terminal Ant connected to the antenna 1, the output terminal Rx1.9 of the reception filter 3b, the input terminal Tx1.9 to the bandpass filter BPF10, the GPS filter terminals GPS + and GPS−, the direction A monitor terminal COP1.9 of the sexual coupler 6 is provided. Further, although not shown in FIG. 4, power supply terminals Vcc3 and Vcc4, a reference terminal Vref2 and a control terminal Vcont2 to be supplied to the high frequency power amplifier circuit 8 are provided.

前記図４では、ＰＣＳ方式１．９ＧＨｚ帯のシングルバンドを持った高周波信号処理回路を示したが、これと同様にして、セルラー方式800ＭＨｚ帯のシングルバンドを持った高周波信号処理回路を構成することもできる。
図７は、セルラー方式800ＭＨｚ帯のシングルバンド高周波信号処理回路の回路構成図である。 In FIG. 4, the high frequency signal processing circuit having a single band of the PCS system 1.9 GHz band is shown. In the same manner, a high frequency signal processing circuit having a single band of the cellular system 800 MHz band is configured. You can also.
FIG. 7 is a circuit configuration diagram of a single-band high-frequency signal processing circuit in a cellular system 800 MHz band.

その回路構成は、図４で除外された、セルラー方式800ＭＨｚ帯の送信用フィルタ４ａ、受信用フィルタ４ｂ、インピーダンス調整回路４ｃ、方向性結合器５、高周波電力増幅回路７、帯域通過フィルタＢＰＦ９、低雑音増幅器LNA１４、高周波フィルタ１６などを含むものとなる。逆に、ＰＣＳ方式１．９ＧＨｚ帯の送信用フィルタ３ａ、受信用フィルタ３ｂ、インピーダンス調整回路３ｃ、方向性結合器３、高周波電力増幅回路８、帯域通過フィルタＢＰＦ１０、低雑音増幅器LNA１３、高周波フィルタ１５は含まない。   The circuit configuration is the cellular 800 MHz band transmission filter 4 a, reception filter 4 b, impedance adjustment circuit 4 c, directional coupler 5, high frequency power amplifier circuit 7, band pass filter BPF 9, which is excluded in FIG. The noise amplifier LNA 14 and the high frequency filter 16 are included. Conversely, PCS 1.9 GHz band transmission filter 3a, reception filter 3b, impedance adjustment circuit 3c, directional coupler 3, high frequency power amplification circuit 8, band pass filter BPF 10, low noise amplifier LNA 13, high frequency filter 15 Is not included.

図８に、シングルバンド高周波モジュール２２ｂの上面図を示す。
高周波モジュール２２ｂは、同一寸法形状の複数の誘電体層が積層された多層基板２３に形成されている。
多層基板２３の表層には、各種のパターン、各種チップ部品のほか、ＢＰＦ９、ＧＰＳ用のフィルタ１２、送受信用フィルタ４ａ，４ｂ及び高周波電力増幅回路７などが搭載され、これらは半田などで誘電体層上の導体パターンに接続されている。 FIG. 8 shows a top view of the single-band high-frequency module 22b.
The high-frequency module 22b is formed on a multilayer substrate 23 in which a plurality of dielectric layers having the same size and shape are stacked.
On the surface layer of the multilayer substrate 23, various patterns and various chip parts, BPF 9, GPS filter 12, transmission / reception filters 4a and 4b, high frequency power amplifier circuit 7 and the like are mounted. Connected to the conductor pattern on the layer.

高周波電力増幅回路７は、多層基板２３上の導体パターンとワイヤーボンディングで接続されている。高周波電力増幅回路７の周囲には、高周波電力増幅回路７と送信用フィルタ４ａとの間のインピーダンスマッチングをとる出力整合回路２７がチップ部品や導体パターンで形成されている。
多層基板２３の内部には、インピーダンス調整回路４ｃと、分波回路２と、方向性結合器５とが内装されている。 The high frequency power amplifier circuit 7 is connected to the conductor pattern on the multilayer substrate 23 by wire bonding. Around the high-frequency power amplifier circuit 7, an output matching circuit 27 for impedance matching between the high-frequency power amplifier circuit 7 and the transmission filter 4a is formed of a chip part or a conductor pattern.
Inside the multilayer substrate 23, an impedance adjustment circuit 4c, a branching circuit 2, and a directional coupler 5 are housed.

図９は、８００ＭＨｚ帯シングルバンド高周波モジュール２２ｂの上から透過して見た底面の端子配置図である。図９の比較的上部に８００ＭＨｚ帯の送受信系の端子が配列されている。図９の比較的下部には何もつながっていない端子または接地端子（白抜きの四角で示す）が配列されている。
図７との対応を説明すると、アンテナ１につながる端子Ａｎｔ、受信用フィルタ４ｂの出力端子Ｒｘ８００、帯域通過フィルタＢＰＦ９への入力端子Ｔｘ８００、ＧＰＳ用フィルタ端子ＧＰＳ+，ＧＰＳ-、方向性結合器５のモニタ端子ＣＯＰ８００が設けられている。さらに、図７には示していないが、高周波電力増幅回路７に供給する電源端子Ｖcc1，Ｖcc2、参照端子Ｖref1、制御端子Ｖcont1が設けられている。 FIG. 9 is a terminal layout diagram of the bottom surface seen through the 800 MHz band single-band high-frequency module 22b. In the relatively upper part of FIG. 9, the terminals of the transmission / reception system in the 800 MHz band are arranged. In the relatively lower part of FIG. 9, terminals or ground terminals (indicated by white squares) that are not connected to anything are arranged.
Referring to FIG. 7, the terminal Ant connected to the antenna 1, the output terminal Rx800 of the reception filter 4b, the input terminal Tx800 to the bandpass filter BPF9, the GPS filter terminals GPS + and GPS−, the directional coupler 5 Monitor terminal COP800 is provided. Further, although not shown in FIG. 7, power supply terminals Vcc1 and Vcc2, a reference terminal Vref1, and a control terminal Vcont1 to be supplied to the high frequency power amplifier circuit 7 are provided.

図１０は、本発明の高周波モジュールを実装するためのマザー基板の端子レイアウト図である。この端子はレイアウトは、図３のデュアルバンド高周波モジュール２２の上から透過して見た底面の端子配置図に完全に対応している。
すなわち、＋ｘ方向にある最も外側の一列Ｔ+に800ＭＨｚ帯の端子を配置し、−ｘ方向にある最も外側の一列Ｔ-に１．９ＧＨｚ帯の端子を配置している。そして、前記一列Ｔ+と一列Ｔ-の除いた、その間の端子に、共通の端子、例えば電源端子Ｖcc1，Ｖcc4、アンテナ端子Ａｎｔ、ＧＰＳの受信端子ＧＰＳ+，ＧＰＳ-を配置している。図１０で、白抜きの四角で示した端子は、全てグランド端子となっている。 FIG. 10 is a terminal layout diagram of a mother board for mounting the high-frequency module of the present invention. The layout of this terminal completely corresponds to the terminal layout on the bottom surface seen through the dual band high frequency module 22 of FIG.
That is, the 800 MHz band terminals are arranged in the outermost row T + in the + x direction, and the 1.9 GHz band terminals are arranged in the outermost row T- in the -x direction. In addition, common terminals such as power supply terminals Vcc1 and Vcc4, an antenna terminal Ant, and GPS reception terminals GPS + and GPS- are arranged at terminals between the lines T + and T- except for the line T +. In FIG. 10, all terminals indicated by white squares are ground terminals.

このマザー基板に、デュアルバンド高周波モジュール２２（図１〜図３）、ＰＣＳ方式１．９ＧＨｚ帯シングルバンド高周波モジュール２２ａ（図４〜図６）及び、セルラー方式800ＭＨｚ帯シングルバンド高周波モジュール２２ｂ（図７〜図９）の中から選ばれるいずれの高周波モジュールを搭載する。搭載方法は、マザー基板の端子パッドとモジュールの端子を、半田により接合することが一般的で、通常ＬＧＡ（Lamd Grid Allay),ＢＧＡ（Ball Grid Allay)などとして知られている。   A dual-band high-frequency module 22 (FIGS. 1 to 3), a PCS system 1.9 GHz band single-band high-frequency module 22a (FIGS. 4 to 6), and a cellular system 800-MHz band single-band high-frequency module 22b (FIG. 7) ~ Any high frequency module selected from among FIG. 9) is mounted. As a mounting method, the terminal pad of the mother board and the terminal of the module are generally joined by soldering, which is generally known as LGA (Lamd Grid Allay), BGA (Ball Grid Allay) or the like.

搭載にあたっては、高周波モジュールの種類に対応して、搭載位置を決定する。
図１１は、このマザー基板２８に、デュアルバンド高周波モジュール２２を搭載する場合の断面図である。断面は、図１０のＡ−Ａ線にとっている。この場合は、デュアルバンド高周波モジュール２２を、図１０の二点鎖線で示した全幅Ｗに対応させて配置する。
図１２は、このマザー基板２８に、ＰＣＳ方式１．９ＧＨｚ帯シングルバンド高周波モジュール２２ａを搭載する場合の断面図である。この場合は、高周波モジュール２２ａを、図１０の二点鎖線で示した幅Ｗ1.9に対応させて配置する。つまり、高周波モジュール２２ａを、マザー基板２８の片方に位置をずらして半田で接合する。その結果、マザー基板２８の、＋ｘ方向にある最も外側の一列Ｔ+が空くことになる。この一列Ｔ+には、図１０に示したように、セルラー方式800ＭＨｚ帯の端子群が配置されており、ＰＣＳ方式１．９ＧＨｚ帯シングルバンド高周波モジュール２２ａでは全く使用しない端子である。 In mounting, the mounting position is determined according to the type of the high-frequency module.
FIG. 11 is a cross-sectional view when the dual-band high-frequency module 22 is mounted on the mother board 28. The cross section is taken along the line AA in FIG. In this case, the dual-band high-frequency module 22 is disposed so as to correspond to the full width W indicated by the two-dot chain line in FIG.
FIG. 12 is a cross-sectional view when the PCS 1.9 GHz band single-band high-frequency module 22a is mounted on the mother board 28. As shown in FIG. In this case, the high-frequency module 22a is arranged so as to correspond to the width W1.9 indicated by the two-dot chain line in FIG. That is, the high frequency module 22a is joined to one side of the mother board 28 by soldering with the position shifted. As a result, the outermost row T + of the mother substrate 28 in the + x direction is vacant. As shown in FIG. 10, a terminal group of a cellular system 800 MHz band is arranged in this row T +, and is a terminal that is not used at all in the PCS system 1.9 GHz band single band high frequency module 22a.

図１３は、このマザー基板２８に、セルラー方式800ＭＨｚ帯シングルバンド高周波モジュール２２ｂを搭載する場合の断面図である。この場合は、高周波モジュール２２ｂを、図１０の二点鎖線で示した幅Ｗ800に対応させて配置する。つまり、高周波モジュール２２ａを、マザー基板２８の片方に位置をずらして半田で接合する。その結果、マザー基板２８の、−ｘ方向にある最も外側の一列Ｔ-が空くことになる。この一列Ｔ-には、図１０に示したように、ＰＣＳ方式１．９ＧＨｚ帯の端子群が配置されており、セルラー方式800ＭＨｚ帯シングルバンド高周波モジュール２２ｂでは全く使用しない端子である。   FIG. 13 is a cross-sectional view when the cellular system 800 MHz band single band high frequency module 22 b is mounted on the mother substrate 28. In this case, the high-frequency module 22b is arranged so as to correspond to the width W800 indicated by the two-dot chain line in FIG. That is, the high frequency module 22a is joined to one side of the mother board 28 by soldering with the position shifted. As a result, the outermost row T− in the −x direction of the mother substrate 28 is vacant. As shown in FIG. 10, a terminal group of the PCS system 1.9 GHz band is arranged in this row T−, and the terminal is not used at all in the cellular system 800 MHz band single band high frequency module 22 b.

以上のように、同一のマザー基板でデュアルバンド用のモジュール２２に全サイズをあわせて、上述のような端子配置にすることにより、シングルバンド用のモジュール２２ａ，２２ｂにも対応することができる。すなわち、最小のマザー基板面積でデュアルバンドとシングルバンドの両方に対応が出来る生産性の良い無線通信機器が実現できる。
以上で、本発明の実施の形態を説明したが、本発明の実施は、前記の形態に限定されるものではない。例えば、高周波モジュールとして、セルラー方式800ＭＨｚ帯及びＰＣＳ方式１．９ＧＨｚ帯のものを想定したが、これらの方式・周波数帯以外に、ＧＳＭ(Global System for Mobil Communication)方式８５０ＭＨｚ帯、ＧＳＭ方式９００ＭＨｚ帯、ＤＣＳ(Digital Cellular System)方式１８００ＭＨｚ帯、ＵＭＴＳ方式２０００ＭＨｚ帯などの高周波モジュールに適用することが可能である。 As described above, by combining all the sizes of the dual-band module 22 on the same mother board and arranging the terminals as described above, the single-band modules 22a and 22b can be supported. That is, it is possible to realize a highly productive wireless communication device capable of supporting both dual band and single band with a minimum mother board area.
Although the embodiments of the present invention have been described above, the embodiments of the present invention are not limited to the above-described embodiments. For example, as a high-frequency module, a cellular system 800 MHz band and a PCS system 1.9 GHz band are assumed. The present invention can be applied to high frequency modules such as a DCS (Digital Cellular System) system 1800 MHz band and a UMTS system 2000 MHz band.

また、本発明のマザー基板の端子レイアウトは、図１０に示したような長方形状のものとは限らない。例えば円周上に端子パッドを並べて、円周のある角度範囲の端子パッド及びこれに対向する他の角度範囲の端子パッドを各周波数帯の入出力端子に対応する入出力端子パッドとし、両角度範囲の中間の角度範囲に共通端子パッドを形成するような実施も可能である。このマザー基板に搭載される高周波モジュールは、いずれかの入出力端子パッド及び共通端子パッドに合わせた端子配列を持つ。   Further, the terminal layout of the mother board of the present invention is not limited to the rectangular shape as shown in FIG. For example, by arranging terminal pads on the circumference, the terminal pads in the angular range with the circumference and the terminal pads in the other angle range opposite to this are used as the input / output terminal pads corresponding to the input / output terminals of each frequency band. An implementation in which a common terminal pad is formed in an angle range in the middle of the range is also possible. The high-frequency module mounted on the mother board has a terminal arrangement that matches one of the input / output terminal pads and the common terminal pad.

デュアルバンド高周波信号処理回路のブロック構成図である。It is a block block diagram of a dual band high frequency signal processing circuit. デュアルバンド高周波モジュール２２の上面図である。3 is a top view of the dual band high frequency module 22. FIG. デュアルバンド高周波モジュール２２の上から透過して見た底面の端子配置図である。FIG. 6 is a terminal layout diagram of the bottom surface seen through from the top of the dual-band high-frequency module 22. シングルバンド高周波信号処理回路のブロック構成図である。It is a block block diagram of a single band high frequency signal processing circuit. シングルバンド高周波モジュール２２ａの上面図である。It is a top view of the single band high frequency module 22a. シングルバンド高周波モジュール２２ａの上から透過して見た底面の端子配置図である。It is the terminal arrangement | positioning figure of the bottom face seen through from the single band high frequency module 22a. 他のシングルバンド高周波信号処理回路の回路構成図である。It is a circuit block diagram of another single band high frequency signal processing circuit. シングルバンド高周波モジュール２２ｂの上面図である。It is a top view of the single band high frequency module 22b. シングルバンド高周波モジュール２２ｂの上から透過して見た底面の端子配置図である。It is the terminal arrangement | positioning figure of the bottom face seen through from the single band high frequency module 22b. 本発明の高周波モジュールを実装するためのマザー基板の端子レイアウト図である。It is a terminal layout diagram of a mother board for mounting the high frequency module of the present invention. マザー基板に、デュアルバンド高周波モジュール２２を搭載する場合の断面図である。It is sectional drawing in the case of mounting the dual band high frequency module 22 on a mother board | substrate. マザー基板に、シングルバンド高周波モジュール２２ａを搭載する場合の断面図である。It is sectional drawing in the case of mounting the single band high frequency module 22a on a mother board | substrate. マザー基板に、シングルバンド高周波モジュール２２ｂを搭載する場合の断面図である。It is sectional drawing in the case of mounting the single band high frequency module 22b on a mother board | substrate. マルチバンドに対応できる従来のマザー基板の平面配置構造図である。It is a plane arrangement structure diagram of a conventional mother substrate that can support multiband.

符号の説明Explanation of symbols

１：アンテナ
２：分波回路
３ａ，４ａ：送信用フィルタ
３ｂ，４ｂ：受信用フィルタ
３ｃ，４ｃ：インピーダンス調整回路
５，６：方向性結合器（カプラ）
７，８：電力増幅回路
９，１０：ＢＰＦ
１１：検波回路
１２：ＧＰＳフィルタ
１３，１４：ＬＮＡ
１５，１６：受信用ＳＡＷフィルタ
１７：送信用ＲＦＩＣ
１８：受信用ＲＦＩＣ
１９：べースバンドＩＣ
２２，２２ａ，２２ｂ：高周波モジュール
２３：多層基板
２６、２７：出力整合回路
２８：マザー基板 1: Antenna 2: Demultiplexing circuit 3a, 4a: Transmission filter 3b, 4b: Reception filter 3c, 4c: Impedance adjustment circuit 5, 6: Directional coupler (coupler)
7, 8: Power amplification circuit 9, 10: BPF
11: Detection circuit 12: GPS filter 13, 14: LNA
15, 16: SAW filter for reception 17: RFIC for transmission
18: RFIC for reception
19: Baseband IC
22, 22a, 22b: high frequency module 23: multilayer substrate 26, 27: output matching circuit 28: mother substrate

Claims (10)

複数の周波数帯の送受信系に対応した高周波モジュール、及び前記複数の周波数帯のうちのいずれかの１つ周波数帯の送受信系に対応した高周波モジュールの中から選ばれる高周波モジュールを搭載可能なマザー基板であって、
前記高周波モジュールを搭載する領域には、第１の領域と、第２の領域と、第３の領域が含まれており、
前記第１の領域には、前記複数の周波数帯のうちのある１つ周波数帯に対応した高周波モジュールの入出力端子に対応する入出力端子パッドが形成され、
前記第２の領域には、前記複数の周波数帯のうちの他の１つ周波数帯に対応した高周波モジュールの入出力端子に対応する入出力端子パッドが形成され、
前記第３の領域には、高周波モジュールの共通端子に対応する共通端子パッドが形成されていることを特徴とするマザー基板。 Mother board capable of mounting a high-frequency module corresponding to a transmission / reception system of a plurality of frequency bands and a high-frequency module selected from a high-frequency module corresponding to a transmission / reception system of any one of the plurality of frequency bands Because
The region for mounting the high-frequency module includes a first region, a second region, and a third region,
In the first region, an input / output terminal pad corresponding to an input / output terminal of a high-frequency module corresponding to one frequency band of the plurality of frequency bands is formed,
In the second region, an input / output terminal pad corresponding to an input / output terminal of a high-frequency module corresponding to another one of the plurality of frequency bands is formed,
A mother board, wherein a common terminal pad corresponding to a common terminal of the high-frequency module is formed in the third region. 前記第１の領域と第２の領域が互いに対向する位置に形成されてなり、前記第３の領域が前記第１の領域と第２の領域との中間に存在することを特徴とする請求項１記載のマザー基板。   The first region and the second region are formed at positions facing each other, and the third region is present between the first region and the second region. The mother substrate according to 1. 前記共通端子として、アンテナ端子および／または電源端子を有する請求項１または請求項２記載のマザー基板。   The mother board according to claim 1, wherein the common terminal includes an antenna terminal and / or a power supply terminal. 複数の周波数帯に対応し、請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のマザー基板に搭載可能な高周波モジュールであって、
当該高周波モジュールの底面には、第１の領域と、第２の領域と、第３の領域があり、
前記第１の領域には、前記複数の周波数帯のうちのある１つ周波数帯に対応した入出力端子が設けられ、前記第２の領域には、前記複数の周波数帯のうちの他の１つ周波数帯に対応した入出力端子が設けられ、前記第３の領域には共通端子が設けられていることを特徴とする高周波モジュール。 A high-frequency module that corresponds to a plurality of frequency bands and can be mounted on a mother board according to any one of claims 1 to 3,
On the bottom surface of the high-frequency module, there are a first region, a second region, and a third region,
An input / output terminal corresponding to one frequency band of the plurality of frequency bands is provided in the first area, and another one of the plurality of frequency bands is provided in the second area. An input / output terminal corresponding to one frequency band is provided, and a common terminal is provided in the third region. 前記第１の領域と第２の領域が互いに対向する位置に形成されてなり、前記第３の領域が前記第１の領域と第２の領域との中間に存在することを特徴とする請求項３記載の高周波モジュール。   The first region and the second region are formed at positions facing each other, and the third region is present between the first region and the second region. 3. The high frequency module according to 3. 単一の周波数帯に対応し、請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のマザー基板に搭載可能な高周波モジュールであって、
当該高周波モジュールの底面には、第１の領域と、前記第１の領域以外の部分に存在する第３の領域があり、
前記第１の領域には、当該周波数帯に対応した入出力端子が設けられ、前記第３の領域には共通端子が設けられていることを特徴とする高周波モジュール。 A high-frequency module corresponding to a single frequency band and mountable on a mother board according to any one of claims 1 to 3,
On the bottom surface of the high-frequency module, there are a first region and a third region existing in a portion other than the first region,
An input / output terminal corresponding to the frequency band is provided in the first region, and a common terminal is provided in the third region. 送信信号に含まれるある領域の周波数成分を通過させるバンドパスフィルタと、送信信号を増幅する高周波電力増幅回路と、送受信系を切り分けるための送受信用フィルタと、複数の周波数帯を切り替える分波回路とを含む請求項４記載の高周波モジュール。   A band-pass filter that passes a frequency component of a certain region included in the transmission signal, a high-frequency power amplification circuit that amplifies the transmission signal, a transmission / reception filter for separating transmission / reception systems, and a demultiplexing circuit that switches a plurality of frequency bands The high frequency module according to claim 4, comprising: 送信信号に含まれるある領域の周波数成分を通過させるバンドパスフィルタと、送信信号を増幅する高周波電力増幅回路と、送受信系を切り分けるための送受信用フィルタとを含む請求項６記載の高周波モジュール。   The high-frequency module according to claim 6, comprising: a band-pass filter that passes a frequency component in a certain area included in the transmission signal; a high-frequency power amplification circuit that amplifies the transmission signal; 前記共通端子として、アンテナ端子および／または電源端子を有する請求項４乃至請求項８のいずれかに記載の高周波モジュール。   The high frequency module according to claim 4, wherein the common terminal includes an antenna terminal and / or a power supply terminal. 前記請求項１乃至請求項３記載のマザー基板を内蔵するとともに、該マザー基板表面に、前記請求項４乃至請求項９のいずれかに記載の高周波モジュールを搭載した無線通信機器。   A wireless communication device in which the mother substrate according to any one of claims 1 to 3 is incorporated and the high-frequency module according to any one of claims 4 to 9 is mounted on a surface of the mother substrate.
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